局所皮膜の堆積方法
本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜(14)を堆積する方法であって、a)少なくとも2層のマスク層(4,6)を形成し、これらの層において少なくとも1つの空洞(10,10’,12,12’)をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも1つの断絶部を有するような断面を有する段階と、b)前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第1材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも1つの断絶部を有する段階と、c)前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コーティング技術の分野に関し、特にPECVD、蒸着またはカソードスパッタリングによる方法に関する。本発明によって、これらの技術の1つによって堆積される皮膜を局所化することが可能となる。
【0002】
本発明は特に、光電池の製造に適用され、特にn型またはp型電極の製造に適用される。
【0003】
さらに一般的には、例えば約1ミリメートルの幅を有し、約1ミリメートル以下の幅で互いに離隔されたパターンの形成に適する。
【背景技術】
【0004】
マイクロエレクトロニクスまたはフォトリソグラフィ等の半導体分野において一般的に使用される技術は、安価な単純な方法で局所的な皮膜を堆積することができない。実際、これらの技術では、連続的または完全なウエハー皮膜を堆積した後に、不必要な領域をエッチングすることによって除去することが必要とされる。これらの技術は時間を要し、高価である。
【0005】
マイクロエレクトロニクスにおいて使用されているもの以外で、局所的な皮膜を堆積することを可能にする技術には、基本的に、電解コーティング技術(高価である)、機械的マスクを使用した技術(金属マスクはコーティングの間に使用されるプラズマを不安定にし、例えばポリマー等別の材料から成るマスクは必要とされるレベルの安定性を有さない)、インプリンティング技術(エマルジョンには適するがその他の材料には適さない)がある。
【0006】
従って、周知技術よりも単純且つ安価な方法で局所的な皮膜を堆積する問題が提起される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明によると、堆積マスクとして周知のマスクは、n層の組立で形成されており、nは好ましくは1、2または3であり、基板上に位置し、この基板上に、材料の局所的な堆積が実施される開口部または空洞を画定している。
【0008】
このため、これらの空洞が、堆積作業の間に堆積材料で被覆されない部分を有するような断面形状を有する結果として断絶部を形成し、これらの被覆されていない領域またはこれらの断絶部からマスクを除去することが可能である。
【0009】
これらの被覆されない領域またはこれらの断絶部の形成によって、断絶部を好適な経路として使用した化学侵食によって、マスクを容易に除去することが可能となる。
【0010】
例えば、堆積マスクは樹脂またはポリマーペーストマスクを利用して形成され得る。後者は例えば遠心分離によって形成される。堆積マスクよって、n層の積層体において、そこを通じて基板に到達することができる空洞を形成するためにエッチングされる領域を画定することが可能となる。
【0011】
堆積マスクの存在によって、例えばPECVD、蒸着、またはカソードスパッタリング等の技術によって実施される材料の蒸着を局所化することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【0012】
従って本発明の目的は特に、基板上に第1材料の非連続性皮膜を堆積する方法であって、
a)基板から最も近くに上部層及び下部層の少なくとも2層のマスク層を形成し、これらの層において少なくとも1つの空洞をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、この空洞が、前記空洞の横断面上に、マスクの空洞を通じて基板上に堆積される皮膜が少なくとも1つの断絶部を有するような断面を有する段階と、
b)マスクの空洞を通じて基板上に第1材料を堆積する段階であって、堆積された皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも1つの断絶部を有する段階と、
c)マスクを除去する段階と、
を含む方法である。
【0013】
空洞の形成は、前記2層のマスク層上の前記2層のマスク層のエッチング領域に、ポリマーペーストまたは樹脂の層を事前に局所的にコーティングする段階を含み得る。ポリマーまたは樹脂層は、段階b)以前に除去されるかまたは除去されない。ポリマーペーストまたは樹脂コーティングの厚さは、例えば300nmから10μmの範囲である。
【0014】
少なくとも基板に最も近い層のエッチングは、例えば異方性エッチング等の非等方性エッチングであると好ましい。
【0015】
2つの層が、互いに異なるエッチング速度を有すると好ましい。例えば、上部層はエッチング化学(乾式または湿式)に対して下部層より耐性を有する。上部層はまた、二重層の下部層のエッチングに使用されたものとは異なるエッチング化学によってエッチングされ得る。これらの2層は、例えば100nmから2000nmの範囲の厚さを有する。
【0016】
基板上に堆積される第1材料は、例えばSiN、a−Si:H、a−SiN:H、a−SiOx、a−SiC:H、a−SiON:H、またはa−SiOC:Hから成る。
【0017】
この第1材料は、アルミニウム、ITO、金等の金属またはこれらの金属の金属合金であってもよい。アモルファスシリコンであってもよい。
【0018】
アモルファスシリコンの場合、コーティング段階b)の後に前記アモルファスシリコンは表面酸化され得る。
【0019】
段階a)のエッチングによって、少なくとも下部層において曲線状の側面が得られると好ましい。さらに、下部層においてエッチングされた領域の上部に突出部が形成されるように上部層がエッチングされると好ましい。この突出部は、例えば下部層の厚さと少なくとも等しい長さを有する。
【0020】
段階c)は、断絶部を形成している第1材料の領域を通じて、マスクを形成している層を化学エッチングすることによって実施され得る。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1A】2層のマスクを有する本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図1B】2層のマスクを有する本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図2】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図3】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図4】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図5】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図6】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図7A】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図7B】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図8】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図9】3層のマスクを有する本発明による方法の実施形態を示す。
【図10】マスク除去後に側面に残留したコーティングを示す。
【発明を実施するための形態】
【0022】
図1Aに示すように、本発明は、二重層として知られているこの図において2つの積層4、6の組立を構成している堆積マスクを堆積することが可能である。このマスクは、基板2上に領域を画定することが可能であり後に皮膜をそこに堆積することができる空洞100を備える。ここでは1つの空洞が示されているが、任意の数(2つ以上)が備えられ得る。
【0023】
図1Bは、空洞100の拡大図を示す。材料が堆積される堆積150の間に、この堆積がなされない状態を維持するように二重層中に部分11、11’が形成され、横断面7を有する。
【0024】
従って図1Bを参照すると、堆積物14、14’、16’は、層6の上面(この堆積物は、14’、16’参照)及び空洞100の底部に施されるが、層6の拡張部または突出部60、62によって形成され、層4においてエッチングされた空洞10’上であって層6において形成された空洞10を画定する領域11、11’には到達しないことがわかる。
【0025】
層6の突出部または拡張部の下部領域11、11’の各々は、長さlの側方拡張部を有する。長さlは、単純な試験、特に局所的に堆積される材料の厚さに応じて決定することが可能であり、長さlによって不連続な堆積(言い換えると、少なくとも領域11、11’の部分における堆積の欠如)を得ることが可能となる。
【0026】
これらの図に示された例において、2つの層6及び4は、各層において空洞10、10’を得るために順に続いてエッチングされる。非異方性エッチングによって、曲線状の側面100、101、100’、101’を有する空洞10、10’及び層4において形成された空洞10’の上部に、上部層6の突出部60、62を形成することが可能となる。
【0027】
空洞100は、堆積150の間に、材料を“集中させる”効果を有する。しかしながら、これらの開口部のエッジによる影響が生じ得る。例えば、図1Bにおいて、参照符号150’、150”は、堆積される材料の流れを示し、突出部60、62のために、横方向に向けられ、空洞100の底部で堆積物14の外側領域140、140’を形成する。これらの外側領域は、突出部60、62の下面11、11’には到達しない。前記下面は、空洞10’側の面である。
【0028】
図2から8を参照して本発明の実施形態のその他の段階を説明する。
【0029】
第1段階(図2)では、CVD(PECVD、熱CVD、またはSACVD(準常圧化学気相成長)であり、後者は大気圧に近い圧力での気相化学蒸着法である)または“スピン”法(“スピンコート”)によって、基板2(前記基板は、例えば半導体材料(特に発電用途のシリコン)、ガラス、ステンレス鋼、または後続の化学処理に適合する任意のその他の材料から成る)上に積層4、6のコーティングが実施される。ラミネートまたはスプレーによる方法も使用され得る。
【0030】
基板2にもっとも近い積層の層4は、突出部60、62を得るために、積層の層6よりも選択的にエッチング(言い換えると、層6に全くまたはほとんど影響せずに層4にのみ影響するエッチング方法)されるかまたは、層6に対してかなり速いエッチング速度でエッチングされるように設定されている。
【0031】
従って、後に約5から10%のHF溶液で侵食することを前提として、例えば、
酸化ケイ素の層4上の窒化ケイ素SiNの層6、
酸化ケイ素SiOy (y<x<2)の層4上の酸化ケイ素SiOxの層6、
FSG(フッ素(最大で数%のF)含有酸化ケイ素)の層4上の酸化ケイ素の層6(化学気相成長(CVD)または遠心分離によって堆積され得る。FSGは、HFの侵食に対して酸化ケイ素よりも反応性があるため、より速くエッチングされる。)、
FSGの層4上の窒化ケイ素SiNの層6、
SOG(スピンオンガラス(spin−on glass)の略称であり、遠心分離(スピンコート)によって堆積された酸化ケイ素)の層4上の窒化ケイ素SiNの層6、
SOG(SOG2)の層4上のSOG(SOG1)の層6(SOG1及びSOG2は遠心分離によって堆積された2つの異なるSOG材料を示し、それらは異なる組成及び/または異なる密度及び/または異なるアニーリング温度を有するため、これらの2つの材料のHFによる攻撃の速度は互いに異なる)、
または酸化ケイ素の層4上の有機誘電物質(例えばBCB)層6等を形成することが可能である。
【0032】
従って、上部層6は、下部層4よりもエッチング化学に耐性を有するものが選択される(層6の材料のエッチング速度が層4の材料のエッチング速度より遅いことを意味する)。第1層と第2層との間に全体のエッチング選択性が存在し得、層6に使用されるものとは異なるエッチング化学が下層4をエッチングするために使用され、そのパターンが転写される。
【0033】
選択性は、上部層6と下部層4との間のエッチング速度の比によって定義される。
【0034】
この選択性は、HFによる侵食と比較して、特にSiN/SiOx、SiN/FSG及びSiOx/FSGの対(これらの対において、最初に記載された材料が層6の材料であり、2番目が層4の材料である)の場合に存在する。
【0035】
二重層SiOx/SiOy(y<x<2)において、PECVD堆積パラメータは、下部層4または単層の下部のHF耐性を減少させるように調整され得る(より高密度の層はHFエッチングに対してより高抵抗を有する)。
【0036】
H2O2を含有する溶液によって選択的に侵食されるa−Ge型の下層4を使用してもよい。層6は例えば二酸化ケイ素から成り、HFによって選択的に侵食される。
【0037】
二重層4、6の厚さは、例えば100nmから2000nmの間であってよい。この厚さによって、局所堆積法の的確な効果を保証または確実にすることが可能となる。この厚さは、後に局所化される層14の厚さに応じて調節されると好ましい。
【0038】
その後、ポリマーペーストまたは樹脂8のコーティングが、シルクスクリーン印刷及び必要であればアニーリングによって実施される(図3)。例えば、酸に耐性を有するポリマーベースのペースト、HFペースト、ポリマー、もしくは酸化物ガラス等の酸化物ベースのペーストが使用され得る。これらの全てのペーストは市販されている。アニーリングの後に、例えば酸による侵食及び塩基への溶解に耐性を有するペーストが使用され得る。さまざまな特性を有するその他のペーストもある。樹脂(リソグラフィー樹脂と同様の種類)を使用してもよい。さらに一般的には、局所的に堆積させることが可能であり、後に使用される化学物質に耐性を示すあらゆる材料を使用してよく、例えばBCB等の有機誘電体がある。
【0039】
ペーストまたは樹脂皮膜8の厚さは、例えば300nmまたは500nm等、数百nmから例えば5μmまたは10μm等、数ミクロンの範囲であってよい。試験が実施される間に、堆積されたポリマーペーストは約5μmから10μmの間の範囲であるが、より薄い厚さも想定され得る。
【0040】
シルクスクリーン印刷によるペーストまたは樹脂8の堆積は、二重層4、6の上部層に到達することができる開口部18を残す。
【0041】
その後、シルクスクリーン印刷によって画定された領域18から二重層4、6がエッチングされる(図4)。2つの層4、6のエッチング速度の違いによって、例えば図5に示すような(さらに詳細に図1Bに示す)曲線状の側面を有し、その凹面は開口部18の方へ向かっているような必要な突出パターンを得ることが可能となる。二重層のエッチングでは、選択された積層物に応じて、1つの化学物質または2つの異なる化学物質が使用される。
【0042】
HFエッチングの場合、5%に希釈された溶液を使用してよい。このエッチングは、各積層物に対して及びエッチング選択性に応じて最適化される。例えば、下層の分解を防ぎつつ(より高濃度(約30%から49%)のHF溶液の場合、例えばa−Si:H等、下層によっては穴の形成が観測された)、侵食時間を短縮してよい(HFの濃度が高いほど侵食時間は短い)。
【0043】
湿式エッチング(異方性)の場合、エッチング層4、6において曲線状の側面(図4以降の図に示す)が得られ、深さ方向のエッチングが横方向のエッチングと同時に起こり、その凹面は開口部10、12の方向に向かっている。
【0044】
図5及び1Bに示すように、各層はエッチングされ、上部層6の部分60、62が、層4においてエッチングされた各空洞10’、12’の上部に残る(図1Bの詳細な構造も参照)。図1Bを参照して上記で説明したように、この部分によって、続いて行われる堆積が形成されない領域11、11’を形成することが可能となる。言い換えると、堆積は空洞の底部、層6の上表面、部分的に空洞10’の側面に実施されるが、これらの空洞の側面のある部分、突出部60、62の下表面11、11’には実施されない。いかなる堆積物も有さないこれらの領域を通じて、マスク(層4、6)を除去するための侵食が効率的に実施され得る。
【0045】
その後、ポリマーペーストまたは樹脂8が除去される(図6)。この除去には、例えば水/エタノール混合溶液が使用される。
【0046】
変形例として、その後の段階と適合性を有するのであれば、このポリマーペースト8は、保存され得る。実際に、堆積14、16が真空下で実施されない場合、ポリマーペースト8は150〜200℃まで安定であり、脱ガスのリスクはない。ポリマーペースト8が保存される場合、以降の段階では構造は図4のまま維持される。
【0047】
前述の段階によって、堆積マスクの形成が可能となった。その後、局在する層14の堆積が実施される(図7A及び7B)。前述の段階によって得られたエッチングプロファイル(突出部60、62を有するプロファイル)の存在によって、非連続性の堆積が得られ、二重層4、6において形成された空洞の壁は、新たに堆積される材料14によって完全には被覆されない。ペースト8が除去されていてもいなくても、堆積される材料の皮膜140、160は、二重層またはペースト層8の上表面には堆積される。一方で、上記で説明したように、二重層において得られたプロファイル、特に突出部によって、空洞の一部は堆積材料によって被覆されない。その結果、この物質の堆積物中に断絶部が形成され、断絶部によって二重層を除去するための侵食が容易となる。
【0048】
例えば、材料14として、誘電材料(a−SiN:H、a−SiOx、a−SiC:H、a−SiON:H、またはa−SiOC:H等)を熱CVD、プラズマアシストCVD、または遠心分離によって堆積することが可能であり、金属または金属合金(例えば、Al、ITOまたはAu等)をカソードスパッタリングまたは蒸着によって堆積することも可能である。この材料14は、後の層4のエッチングと適合し、そのエッチングの間に除去されない。
【0049】
この層14の厚さは、マスクの剥離、言い換えると除去が容易になるように選択されると好ましい。剥離を妨げることなく堆積され得る最大厚さは、材料14の性質及び二重層4、6またはマスクの厚さに応じて変化する。
【0050】
例えば、5nmのa−Si:Hの層14は、20℃において5%のHF溶液を使用して200nmのSiO2の二重層4、6を侵食することによって、的確に局所化される。二重層の層は、それぞれ異なる化学量論を有する(2つの層のエッチング速度が異なり、層4の方が速い)。二重層4、6を使用することによって、剥離が容易となり(上記で説明したように突出部の形成による)、その結果、200nmの厚さのマスクから、より厚いa−Si:Hが形成される。100nmのSiO2(層4及び6)上に50nmのa−Si:H(=層14)が積層された積層体では、剥離は不十分である。
【0051】
非連続性皮膜を形成した後、化学侵食(例えば酸化ケイ素の下層の場合はHF、ゲルマニウムの場合はH2O2、窒化物SiNの場合はH3PO4)によって二重層またはポリマーペースト/二重層積層体を剥離する。堆積された層14の非連続性によって、二重層4、6の化学侵食が可能となる。特に、堆積150の間に材料が堆積されていない周辺において、層6/層4の界面によって、化学侵食剤を導入するチャネルを形成することが可能となる。
【0052】
SiN/SiO2二重層の実施形態を以下に示す。
二重層は、PECVDによって180℃で堆積された20nmの厚さを有するSiNの層(層6)と、PECVDによって180℃で堆積された500nmの厚さを有するSiO2の層(層4)とを備え、
局所化される層14は、10nmの厚さを有するアモルファスシリコン(a−Si:H)であり、PECVDによって堆積され、
二重層4、6をエッチングするために使用する溶液は20℃のHF(5%)である。
【0053】
変形として、アモルファスシリコンの層14を堆積する場合は特に、O3処理を行う価値があるかもしれない。この処理によって、このa−Si:Hの層14の表面だけでなく、この層の側面部分140、140’も酸化することができるようになる(図10参照)。
【0054】
結果として、酸化されたアモルファス材料の表面は、マスク4、6の除去の段階の間に、HFによってエッチングされる。従って、欠陥が少なく、ポリマー8の除去処理に暴露されないより良質の表面が得られる。
【0055】
さらに、アモルファスシリコンの堆積物14の場合、局所皮膜のそれぞれの側面において、酸化を実施することによって側面のいかなる残留物も除去することが可能となる。この問題は、図10に示されており、堆積物14が示され、層4の壁は化学エッチングによって除去されている。この図において、層4を除去した後でさえ、堆積されたケイ素の側面の残留物140’が残されていることが分かる。外側部分14’、16’が完全にまたはほぼ完全に酸化される程度に十分であるが、表面的な方法以外で空洞100、120の底部に堆積された堆積物14、16の表面以外が酸化されるには不十分な程度にケイ素の酸化が実施された場合、前記外側部分は層4、6または9(単層の場合、図9)とともに除去されることが可能である。
【0056】
本発明を、マスクが2層を備えた例を使用して説明した。好ましくは、下層に使用される化学エッチングのための全体的な選択性を有する第3の層を使用することも可能である。言い換えると、これらの化学エッチング段階の間に第3の層が横方向に侵食されないと好ましい。図9には、図7Bに示されたものと同じ段階が示されているが(同一の参照符号は同一または類似箇所を示す)、参照符号40によって示される第3の層をさらに含む。この図において、2つの層4、6はエッチングされているが、層40は開口部400、402以外は損傷を受けず、ポリマーまたは樹脂層(図示しない)においてあらかじめ形成されたものを再生する。2層の下層4、6のエッチング、マスクを形成している層を含む様々な材料の性質、堆積材料の性質に関する上記考慮は依然として有効である。特に、実施される皮膜は、不連続であり、この不連続によってマスクが除去される。
【符号の説明】
【0057】
10、10’、100 空洞
14、14’、16’ 堆積物
150 堆積
18 開口部
2 基板
4、6 層
7 横断面
60、62 突出部
8 ペーストまたは樹脂皮膜
【技術分野】
【0001】
本発明は、コーティング技術の分野に関し、特にPECVD、蒸着またはカソードスパッタリングによる方法に関する。本発明によって、これらの技術の1つによって堆積される皮膜を局所化することが可能となる。
【0002】
本発明は特に、光電池の製造に適用され、特にn型またはp型電極の製造に適用される。
【0003】
さらに一般的には、例えば約1ミリメートルの幅を有し、約1ミリメートル以下の幅で互いに離隔されたパターンの形成に適する。
【背景技術】
【0004】
マイクロエレクトロニクスまたはフォトリソグラフィ等の半導体分野において一般的に使用される技術は、安価な単純な方法で局所的な皮膜を堆積することができない。実際、これらの技術では、連続的または完全なウエハー皮膜を堆積した後に、不必要な領域をエッチングすることによって除去することが必要とされる。これらの技術は時間を要し、高価である。
【0005】
マイクロエレクトロニクスにおいて使用されているもの以外で、局所的な皮膜を堆積することを可能にする技術には、基本的に、電解コーティング技術(高価である)、機械的マスクを使用した技術(金属マスクはコーティングの間に使用されるプラズマを不安定にし、例えばポリマー等別の材料から成るマスクは必要とされるレベルの安定性を有さない)、インプリンティング技術(エマルジョンには適するがその他の材料には適さない)がある。
【0006】
従って、周知技術よりも単純且つ安価な方法で局所的な皮膜を堆積する問題が提起される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明によると、堆積マスクとして周知のマスクは、n層の組立で形成されており、nは好ましくは1、2または3であり、基板上に位置し、この基板上に、材料の局所的な堆積が実施される開口部または空洞を画定している。
【0008】
このため、これらの空洞が、堆積作業の間に堆積材料で被覆されない部分を有するような断面形状を有する結果として断絶部を形成し、これらの被覆されていない領域またはこれらの断絶部からマスクを除去することが可能である。
【0009】
これらの被覆されない領域またはこれらの断絶部の形成によって、断絶部を好適な経路として使用した化学侵食によって、マスクを容易に除去することが可能となる。
【0010】
例えば、堆積マスクは樹脂またはポリマーペーストマスクを利用して形成され得る。後者は例えば遠心分離によって形成される。堆積マスクよって、n層の積層体において、そこを通じて基板に到達することができる空洞を形成するためにエッチングされる領域を画定することが可能となる。
【0011】
堆積マスクの存在によって、例えばPECVD、蒸着、またはカソードスパッタリング等の技術によって実施される材料の蒸着を局所化することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【0012】
従って本発明の目的は特に、基板上に第1材料の非連続性皮膜を堆積する方法であって、
a)基板から最も近くに上部層及び下部層の少なくとも2層のマスク層を形成し、これらの層において少なくとも1つの空洞をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、この空洞が、前記空洞の横断面上に、マスクの空洞を通じて基板上に堆積される皮膜が少なくとも1つの断絶部を有するような断面を有する段階と、
b)マスクの空洞を通じて基板上に第1材料を堆積する段階であって、堆積された皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも1つの断絶部を有する段階と、
c)マスクを除去する段階と、
を含む方法である。
【0013】
空洞の形成は、前記2層のマスク層上の前記2層のマスク層のエッチング領域に、ポリマーペーストまたは樹脂の層を事前に局所的にコーティングする段階を含み得る。ポリマーまたは樹脂層は、段階b)以前に除去されるかまたは除去されない。ポリマーペーストまたは樹脂コーティングの厚さは、例えば300nmから10μmの範囲である。
【0014】
少なくとも基板に最も近い層のエッチングは、例えば異方性エッチング等の非等方性エッチングであると好ましい。
【0015】
2つの層が、互いに異なるエッチング速度を有すると好ましい。例えば、上部層はエッチング化学(乾式または湿式)に対して下部層より耐性を有する。上部層はまた、二重層の下部層のエッチングに使用されたものとは異なるエッチング化学によってエッチングされ得る。これらの2層は、例えば100nmから2000nmの範囲の厚さを有する。
【0016】
基板上に堆積される第1材料は、例えばSiN、a−Si:H、a−SiN:H、a−SiOx、a−SiC:H、a−SiON:H、またはa−SiOC:Hから成る。
【0017】
この第1材料は、アルミニウム、ITO、金等の金属またはこれらの金属の金属合金であってもよい。アモルファスシリコンであってもよい。
【0018】
アモルファスシリコンの場合、コーティング段階b)の後に前記アモルファスシリコンは表面酸化され得る。
【0019】
段階a)のエッチングによって、少なくとも下部層において曲線状の側面が得られると好ましい。さらに、下部層においてエッチングされた領域の上部に突出部が形成されるように上部層がエッチングされると好ましい。この突出部は、例えば下部層の厚さと少なくとも等しい長さを有する。
【0020】
段階c)は、断絶部を形成している第1材料の領域を通じて、マスクを形成している層を化学エッチングすることによって実施され得る。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1A】2層のマスクを有する本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図1B】2層のマスクを有する本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図2】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図3】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図4】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図5】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図6】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図7A】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図7B】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図8】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図9】3層のマスクを有する本発明による方法の実施形態を示す。
【図10】マスク除去後に側面に残留したコーティングを示す。
【発明を実施するための形態】
【0022】
図1Aに示すように、本発明は、二重層として知られているこの図において2つの積層4、6の組立を構成している堆積マスクを堆積することが可能である。このマスクは、基板2上に領域を画定することが可能であり後に皮膜をそこに堆積することができる空洞100を備える。ここでは1つの空洞が示されているが、任意の数(2つ以上)が備えられ得る。
【0023】
図1Bは、空洞100の拡大図を示す。材料が堆積される堆積150の間に、この堆積がなされない状態を維持するように二重層中に部分11、11’が形成され、横断面7を有する。
【0024】
従って図1Bを参照すると、堆積物14、14’、16’は、層6の上面(この堆積物は、14’、16’参照)及び空洞100の底部に施されるが、層6の拡張部または突出部60、62によって形成され、層4においてエッチングされた空洞10’上であって層6において形成された空洞10を画定する領域11、11’には到達しないことがわかる。
【0025】
層6の突出部または拡張部の下部領域11、11’の各々は、長さlの側方拡張部を有する。長さlは、単純な試験、特に局所的に堆積される材料の厚さに応じて決定することが可能であり、長さlによって不連続な堆積(言い換えると、少なくとも領域11、11’の部分における堆積の欠如)を得ることが可能となる。
【0026】
これらの図に示された例において、2つの層6及び4は、各層において空洞10、10’を得るために順に続いてエッチングされる。非異方性エッチングによって、曲線状の側面100、101、100’、101’を有する空洞10、10’及び層4において形成された空洞10’の上部に、上部層6の突出部60、62を形成することが可能となる。
【0027】
空洞100は、堆積150の間に、材料を“集中させる”効果を有する。しかしながら、これらの開口部のエッジによる影響が生じ得る。例えば、図1Bにおいて、参照符号150’、150”は、堆積される材料の流れを示し、突出部60、62のために、横方向に向けられ、空洞100の底部で堆積物14の外側領域140、140’を形成する。これらの外側領域は、突出部60、62の下面11、11’には到達しない。前記下面は、空洞10’側の面である。
【0028】
図2から8を参照して本発明の実施形態のその他の段階を説明する。
【0029】
第1段階(図2)では、CVD(PECVD、熱CVD、またはSACVD(準常圧化学気相成長)であり、後者は大気圧に近い圧力での気相化学蒸着法である)または“スピン”法(“スピンコート”)によって、基板2(前記基板は、例えば半導体材料(特に発電用途のシリコン)、ガラス、ステンレス鋼、または後続の化学処理に適合する任意のその他の材料から成る)上に積層4、6のコーティングが実施される。ラミネートまたはスプレーによる方法も使用され得る。
【0030】
基板2にもっとも近い積層の層4は、突出部60、62を得るために、積層の層6よりも選択的にエッチング(言い換えると、層6に全くまたはほとんど影響せずに層4にのみ影響するエッチング方法)されるかまたは、層6に対してかなり速いエッチング速度でエッチングされるように設定されている。
【0031】
従って、後に約5から10%のHF溶液で侵食することを前提として、例えば、
酸化ケイ素の層4上の窒化ケイ素SiNの層6、
酸化ケイ素SiOy (y<x<2)の層4上の酸化ケイ素SiOxの層6、
FSG(フッ素(最大で数%のF)含有酸化ケイ素)の層4上の酸化ケイ素の層6(化学気相成長(CVD)または遠心分離によって堆積され得る。FSGは、HFの侵食に対して酸化ケイ素よりも反応性があるため、より速くエッチングされる。)、
FSGの層4上の窒化ケイ素SiNの層6、
SOG(スピンオンガラス(spin−on glass)の略称であり、遠心分離(スピンコート)によって堆積された酸化ケイ素)の層4上の窒化ケイ素SiNの層6、
SOG(SOG2)の層4上のSOG(SOG1)の層6(SOG1及びSOG2は遠心分離によって堆積された2つの異なるSOG材料を示し、それらは異なる組成及び/または異なる密度及び/または異なるアニーリング温度を有するため、これらの2つの材料のHFによる攻撃の速度は互いに異なる)、
または酸化ケイ素の層4上の有機誘電物質(例えばBCB)層6等を形成することが可能である。
【0032】
従って、上部層6は、下部層4よりもエッチング化学に耐性を有するものが選択される(層6の材料のエッチング速度が層4の材料のエッチング速度より遅いことを意味する)。第1層と第2層との間に全体のエッチング選択性が存在し得、層6に使用されるものとは異なるエッチング化学が下層4をエッチングするために使用され、そのパターンが転写される。
【0033】
選択性は、上部層6と下部層4との間のエッチング速度の比によって定義される。
【0034】
この選択性は、HFによる侵食と比較して、特にSiN/SiOx、SiN/FSG及びSiOx/FSGの対(これらの対において、最初に記載された材料が層6の材料であり、2番目が層4の材料である)の場合に存在する。
【0035】
二重層SiOx/SiOy(y<x<2)において、PECVD堆積パラメータは、下部層4または単層の下部のHF耐性を減少させるように調整され得る(より高密度の層はHFエッチングに対してより高抵抗を有する)。
【0036】
H2O2を含有する溶液によって選択的に侵食されるa−Ge型の下層4を使用してもよい。層6は例えば二酸化ケイ素から成り、HFによって選択的に侵食される。
【0037】
二重層4、6の厚さは、例えば100nmから2000nmの間であってよい。この厚さによって、局所堆積法の的確な効果を保証または確実にすることが可能となる。この厚さは、後に局所化される層14の厚さに応じて調節されると好ましい。
【0038】
その後、ポリマーペーストまたは樹脂8のコーティングが、シルクスクリーン印刷及び必要であればアニーリングによって実施される(図3)。例えば、酸に耐性を有するポリマーベースのペースト、HFペースト、ポリマー、もしくは酸化物ガラス等の酸化物ベースのペーストが使用され得る。これらの全てのペーストは市販されている。アニーリングの後に、例えば酸による侵食及び塩基への溶解に耐性を有するペーストが使用され得る。さまざまな特性を有するその他のペーストもある。樹脂(リソグラフィー樹脂と同様の種類)を使用してもよい。さらに一般的には、局所的に堆積させることが可能であり、後に使用される化学物質に耐性を示すあらゆる材料を使用してよく、例えばBCB等の有機誘電体がある。
【0039】
ペーストまたは樹脂皮膜8の厚さは、例えば300nmまたは500nm等、数百nmから例えば5μmまたは10μm等、数ミクロンの範囲であってよい。試験が実施される間に、堆積されたポリマーペーストは約5μmから10μmの間の範囲であるが、より薄い厚さも想定され得る。
【0040】
シルクスクリーン印刷によるペーストまたは樹脂8の堆積は、二重層4、6の上部層に到達することができる開口部18を残す。
【0041】
その後、シルクスクリーン印刷によって画定された領域18から二重層4、6がエッチングされる(図4)。2つの層4、6のエッチング速度の違いによって、例えば図5に示すような(さらに詳細に図1Bに示す)曲線状の側面を有し、その凹面は開口部18の方へ向かっているような必要な突出パターンを得ることが可能となる。二重層のエッチングでは、選択された積層物に応じて、1つの化学物質または2つの異なる化学物質が使用される。
【0042】
HFエッチングの場合、5%に希釈された溶液を使用してよい。このエッチングは、各積層物に対して及びエッチング選択性に応じて最適化される。例えば、下層の分解を防ぎつつ(より高濃度(約30%から49%)のHF溶液の場合、例えばa−Si:H等、下層によっては穴の形成が観測された)、侵食時間を短縮してよい(HFの濃度が高いほど侵食時間は短い)。
【0043】
湿式エッチング(異方性)の場合、エッチング層4、6において曲線状の側面(図4以降の図に示す)が得られ、深さ方向のエッチングが横方向のエッチングと同時に起こり、その凹面は開口部10、12の方向に向かっている。
【0044】
図5及び1Bに示すように、各層はエッチングされ、上部層6の部分60、62が、層4においてエッチングされた各空洞10’、12’の上部に残る(図1Bの詳細な構造も参照)。図1Bを参照して上記で説明したように、この部分によって、続いて行われる堆積が形成されない領域11、11’を形成することが可能となる。言い換えると、堆積は空洞の底部、層6の上表面、部分的に空洞10’の側面に実施されるが、これらの空洞の側面のある部分、突出部60、62の下表面11、11’には実施されない。いかなる堆積物も有さないこれらの領域を通じて、マスク(層4、6)を除去するための侵食が効率的に実施され得る。
【0045】
その後、ポリマーペーストまたは樹脂8が除去される(図6)。この除去には、例えば水/エタノール混合溶液が使用される。
【0046】
変形例として、その後の段階と適合性を有するのであれば、このポリマーペースト8は、保存され得る。実際に、堆積14、16が真空下で実施されない場合、ポリマーペースト8は150〜200℃まで安定であり、脱ガスのリスクはない。ポリマーペースト8が保存される場合、以降の段階では構造は図4のまま維持される。
【0047】
前述の段階によって、堆積マスクの形成が可能となった。その後、局在する層14の堆積が実施される(図7A及び7B)。前述の段階によって得られたエッチングプロファイル(突出部60、62を有するプロファイル)の存在によって、非連続性の堆積が得られ、二重層4、6において形成された空洞の壁は、新たに堆積される材料14によって完全には被覆されない。ペースト8が除去されていてもいなくても、堆積される材料の皮膜140、160は、二重層またはペースト層8の上表面には堆積される。一方で、上記で説明したように、二重層において得られたプロファイル、特に突出部によって、空洞の一部は堆積材料によって被覆されない。その結果、この物質の堆積物中に断絶部が形成され、断絶部によって二重層を除去するための侵食が容易となる。
【0048】
例えば、材料14として、誘電材料(a−SiN:H、a−SiOx、a−SiC:H、a−SiON:H、またはa−SiOC:H等)を熱CVD、プラズマアシストCVD、または遠心分離によって堆積することが可能であり、金属または金属合金(例えば、Al、ITOまたはAu等)をカソードスパッタリングまたは蒸着によって堆積することも可能である。この材料14は、後の層4のエッチングと適合し、そのエッチングの間に除去されない。
【0049】
この層14の厚さは、マスクの剥離、言い換えると除去が容易になるように選択されると好ましい。剥離を妨げることなく堆積され得る最大厚さは、材料14の性質及び二重層4、6またはマスクの厚さに応じて変化する。
【0050】
例えば、5nmのa−Si:Hの層14は、20℃において5%のHF溶液を使用して200nmのSiO2の二重層4、6を侵食することによって、的確に局所化される。二重層の層は、それぞれ異なる化学量論を有する(2つの層のエッチング速度が異なり、層4の方が速い)。二重層4、6を使用することによって、剥離が容易となり(上記で説明したように突出部の形成による)、その結果、200nmの厚さのマスクから、より厚いa−Si:Hが形成される。100nmのSiO2(層4及び6)上に50nmのa−Si:H(=層14)が積層された積層体では、剥離は不十分である。
【0051】
非連続性皮膜を形成した後、化学侵食(例えば酸化ケイ素の下層の場合はHF、ゲルマニウムの場合はH2O2、窒化物SiNの場合はH3PO4)によって二重層またはポリマーペースト/二重層積層体を剥離する。堆積された層14の非連続性によって、二重層4、6の化学侵食が可能となる。特に、堆積150の間に材料が堆積されていない周辺において、層6/層4の界面によって、化学侵食剤を導入するチャネルを形成することが可能となる。
【0052】
SiN/SiO2二重層の実施形態を以下に示す。
二重層は、PECVDによって180℃で堆積された20nmの厚さを有するSiNの層(層6)と、PECVDによって180℃で堆積された500nmの厚さを有するSiO2の層(層4)とを備え、
局所化される層14は、10nmの厚さを有するアモルファスシリコン(a−Si:H)であり、PECVDによって堆積され、
二重層4、6をエッチングするために使用する溶液は20℃のHF(5%)である。
【0053】
変形として、アモルファスシリコンの層14を堆積する場合は特に、O3処理を行う価値があるかもしれない。この処理によって、このa−Si:Hの層14の表面だけでなく、この層の側面部分140、140’も酸化することができるようになる(図10参照)。
【0054】
結果として、酸化されたアモルファス材料の表面は、マスク4、6の除去の段階の間に、HFによってエッチングされる。従って、欠陥が少なく、ポリマー8の除去処理に暴露されないより良質の表面が得られる。
【0055】
さらに、アモルファスシリコンの堆積物14の場合、局所皮膜のそれぞれの側面において、酸化を実施することによって側面のいかなる残留物も除去することが可能となる。この問題は、図10に示されており、堆積物14が示され、層4の壁は化学エッチングによって除去されている。この図において、層4を除去した後でさえ、堆積されたケイ素の側面の残留物140’が残されていることが分かる。外側部分14’、16’が完全にまたはほぼ完全に酸化される程度に十分であるが、表面的な方法以外で空洞100、120の底部に堆積された堆積物14、16の表面以外が酸化されるには不十分な程度にケイ素の酸化が実施された場合、前記外側部分は層4、6または9(単層の場合、図9)とともに除去されることが可能である。
【0056】
本発明を、マスクが2層を備えた例を使用して説明した。好ましくは、下層に使用される化学エッチングのための全体的な選択性を有する第3の層を使用することも可能である。言い換えると、これらの化学エッチング段階の間に第3の層が横方向に侵食されないと好ましい。図9には、図7Bに示されたものと同じ段階が示されているが(同一の参照符号は同一または類似箇所を示す)、参照符号40によって示される第3の層をさらに含む。この図において、2つの層4、6はエッチングされているが、層40は開口部400、402以外は損傷を受けず、ポリマーまたは樹脂層(図示しない)においてあらかじめ形成されたものを再生する。2層の下層4、6のエッチング、マスクを形成している層を含む様々な材料の性質、堆積材料の性質に関する上記考慮は依然として有効である。特に、実施される皮膜は、不連続であり、この不連続によってマスクが除去される。
【符号の説明】
【0057】
10、10’、100 空洞
14、14’、16’ 堆積物
150 堆積
18 開口部
2 基板
4、6 層
7 横断面
60、62 突出部
8 ペーストまたは樹脂皮膜
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板(2)上に第1材料(14)の非連続性皮膜を堆積する方法であって、
a)前記基板からもっとも近くに上部層(6)及び下部層(4)の少なくとも2層のマスク層(4,6)を形成し、これらの層において少なくとも1つの空洞(100,10,10’,12,12’)をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも1つの断絶部を有するような断面を有する段階と、
b)前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第1材料(14,16,14’,16’)を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の輪郭上に少なくとも1つの断絶部を有する段階と、
c)前記マスクを除去する段階と、
を含む方法。
【請求項2】
前記空洞を形成する段階が、前記2層のマスク層(4,6)上に、前記2層のマスク層(4,6)のコーティング領域とエッチング領域との間を画定するポリマーペーストまたは樹脂層(8)を事前に局所的にコーティングする段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記ポリマーまたは樹脂層(8)が、段階b)以前に除去されることを特徴とする請求項2に記載の方法。
【請求項4】
前記ポリマーまたは樹脂層(8)が、段階b)以前に除去されないことを特徴とする請求項2に記載の方法。
【請求項5】
少なくとも前記基板に最も近い層(4)をエッチングする段階が、非等方性エッチングであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
【請求項6】
前記2つの積層(4,6)が、互いに異なるエッチング速度を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
【請求項7】
前記2つの積層(4,6)の全厚さが、100nmから2000nmの範囲であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
【請求項8】
前記上部層(6)が、エッチング化学物質に対して前記下部層(4)より耐性を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
【請求項9】
前記上部層(6)が、前記下部層(4)のエッチングに使用されるものとは異なるエッチング化学物質によってエッチングされることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
【請求項10】
前記2つの積層(4,6)が、
酸化ケイ素の層(4)上の窒化ケイ素SiNの層(6)、
酸化ケイ素SiOyの層(4)上の酸化ケイ素SiOxの層(6)(x≠y)、
FSGの層(4)上の酸化ケイ素の層(6)、
FSGの層(4)上のSiNの層(6)、
FSGの層(4)上の窒化ケイ素SiNの層(6)、
SOGの層(4)上の窒化ケイ素SiNの層(6)、
SOG(SOG2)の層(4)上のSOG(SOG1)の層(6)、
または、酸化ケイ素の層(4)上の有機誘電物質BCBの層(6)、
を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
【請求項11】
前記マスクを形成する段階が、前記2層のマスク層上に追加の層(40)を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
【請求項12】
前記追加の層が、前記空洞をエッチングする段階の間に、横方向に侵食されないことを特徴とする請求項11に記載の方法。
【請求項13】
前記下部層(4)及び必要であれば前記上部層のエッチングが、HFの化学物質型によるものであることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
【請求項14】
前記基板上に堆積される前記第一材料(14)が、SiN、a−Si:H、a−SiN:H、a−SiOx、a−SiC:H、a−SiON:H、またはa−SiOC:Hであることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
【請求項15】
前記基板上に堆積される前記第一材料(14)が、アルミニウム、ITO、または金等の金属、またはこれらの金属の合金であることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
【請求項16】
前記基板上に堆積される前記第一材料(14)がアモルファスシリコンであって、前記材料がコーティング段階b)の後に表面酸化されることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
【請求項17】
前記コーティング段階b)がPECVDによって実施されるかまたは蒸着またはカソードスパッタリングによって実施されることを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。
【請求項18】
前記段階a)のエッチングによって、少なくとも前記下部層(4)において曲線状の側面(100’,101’)を得ることができることを特徴とする請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法。
【請求項19】
前記段階a)のエッチングによって、前記下部層においてエッチングされた領域の上部に突出部(60,62)が形成されるように前記上部層(6)がエッチングされることを特徴とする請求項1〜18のいずれか一項に記載の方法。
【請求項20】
前記段階c)が、断絶部を形成している第1材料の領域を通じて、層を形成している前記マスクを化学エッチングすることによって実施されることを特徴とする請求項1〜19のいずれか一項に記載の方法。
【請求項1】
基板(2)上に第1材料(14)の非連続性皮膜を堆積する方法であって、
a)前記基板からもっとも近くに上部層(6)及び下部層(4)の少なくとも2層のマスク層(4,6)を形成し、これらの層において少なくとも1つの空洞(100,10,10’,12,12’)をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも1つの断絶部を有するような断面を有する段階と、
b)前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第1材料(14,16,14’,16’)を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の輪郭上に少なくとも1つの断絶部を有する段階と、
c)前記マスクを除去する段階と、
を含む方法。
【請求項2】
前記空洞を形成する段階が、前記2層のマスク層(4,6)上に、前記2層のマスク層(4,6)のコーティング領域とエッチング領域との間を画定するポリマーペーストまたは樹脂層(8)を事前に局所的にコーティングする段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記ポリマーまたは樹脂層(8)が、段階b)以前に除去されることを特徴とする請求項2に記載の方法。
【請求項4】
前記ポリマーまたは樹脂層(8)が、段階b)以前に除去されないことを特徴とする請求項2に記載の方法。
【請求項5】
少なくとも前記基板に最も近い層(4)をエッチングする段階が、非等方性エッチングであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
【請求項6】
前記2つの積層(4,6)が、互いに異なるエッチング速度を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
【請求項7】
前記2つの積層(4,6)の全厚さが、100nmから2000nmの範囲であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
【請求項8】
前記上部層(6)が、エッチング化学物質に対して前記下部層(4)より耐性を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
【請求項9】
前記上部層(6)が、前記下部層(4)のエッチングに使用されるものとは異なるエッチング化学物質によってエッチングされることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
【請求項10】
前記2つの積層(4,6)が、
酸化ケイ素の層(4)上の窒化ケイ素SiNの層(6)、
酸化ケイ素SiOyの層(4)上の酸化ケイ素SiOxの層(6)(x≠y)、
FSGの層(4)上の酸化ケイ素の層(6)、
FSGの層(4)上のSiNの層(6)、
FSGの層(4)上の窒化ケイ素SiNの層(6)、
SOGの層(4)上の窒化ケイ素SiNの層(6)、
SOG(SOG2)の層(4)上のSOG(SOG1)の層(6)、
または、酸化ケイ素の層(4)上の有機誘電物質BCBの層(6)、
を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
【請求項11】
前記マスクを形成する段階が、前記2層のマスク層上に追加の層(40)を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
【請求項12】
前記追加の層が、前記空洞をエッチングする段階の間に、横方向に侵食されないことを特徴とする請求項11に記載の方法。
【請求項13】
前記下部層(4)及び必要であれば前記上部層のエッチングが、HFの化学物質型によるものであることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
【請求項14】
前記基板上に堆積される前記第一材料(14)が、SiN、a−Si:H、a−SiN:H、a−SiOx、a−SiC:H、a−SiON:H、またはa−SiOC:Hであることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
【請求項15】
前記基板上に堆積される前記第一材料(14)が、アルミニウム、ITO、または金等の金属、またはこれらの金属の合金であることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
【請求項16】
前記基板上に堆積される前記第一材料(14)がアモルファスシリコンであって、前記材料がコーティング段階b)の後に表面酸化されることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
【請求項17】
前記コーティング段階b)がPECVDによって実施されるかまたは蒸着またはカソードスパッタリングによって実施されることを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。
【請求項18】
前記段階a)のエッチングによって、少なくとも前記下部層(4)において曲線状の側面(100’,101’)を得ることができることを特徴とする請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法。
【請求項19】
前記段階a)のエッチングによって、前記下部層においてエッチングされた領域の上部に突出部(60,62)が形成されるように前記上部層(6)がエッチングされることを特徴とする請求項1〜18のいずれか一項に記載の方法。
【請求項20】
前記段階c)が、断絶部を形成している第1材料の領域を通じて、層を形成している前記マスクを化学エッチングすることによって実施されることを特徴とする請求項1〜19のいずれか一項に記載の方法。
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】
【公表番号】特表2010−532817(P2010−532817A)
【公表日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−501512(P2010−501512)
【出願日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【国際出願番号】PCT/EP2008/054022
【国際公開番号】WO2008/125511
【国際公開日】平成20年10月23日(2008.10.23)
【出願人】(502124444)コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ (383)
【Fターム(参考)】
【公表日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【国際出願番号】PCT/EP2008/054022
【国際公開番号】WO2008/125511
【国際公開日】平成20年10月23日(2008.10.23)
【出願人】(502124444)コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ (383)
【Fターム(参考)】
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