平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法
【課題】平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に透明導電物を含む画素電極と、画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第１電極；画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層；第１保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第２電極；ゲート電極及びキャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層；第１絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層；半導体層を覆う第２絶縁層；第２絶縁層上に形成され、かつ第２絶縁層を貫通して半導体層に連結され、少なくとも一つは画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極；及びソース及びドレイン電極を覆って画素電極を露出させる第３絶縁層；を含む平板表示装置用バックプレーン。
【解決手段】基板上に透明導電物を含む画素電極と、画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第１電極；画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層；第１保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第２電極；ゲート電極及びキャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層；第１絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層；半導体層を覆う第２絶縁層；第２絶縁層上に形成され、かつ第２絶縁層を貫通して半導体層に連結され、少なくとも一つは画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極；及びソース及びドレイン電極を覆って画素電極を露出させる第３絶縁層；を含む平板表示装置用バックプレーン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置及び液晶表示装置などを含む平板表示装置は、高解像度のディスプレイ具現のために、各ピクセルごとに薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｍｌ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）とキャパシタなどが含まれた能動駆動型バックプレーン上に製作される。
【０００３】
特に、酸化物半導体ＴＦＴは、素子特性に優れ、かつ低温で工程進行が可能であって、平板表示用バックプレーンに最適の素子として評価されている。ところが、特許文献１に記載のように、これらの酸化物半導体ＴＦＴを含む平板表示装置用バックプレーンを製作する過程は、複数のマスク工程を経るため、コストアップになるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１０−００５９５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、製造工程が簡単であり、かつ表示品質の優秀な平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によれば、基板上に透明導電物を含む画素電極と、前記画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第１電極と、前記画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層と、前記第１保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第２電極と、前記ゲート電極及び前記キャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層と、前記半導体層を覆う第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成され、かつ前記第２絶縁層を貫通して前記半導体層に連結され、少なくとも一つは前記画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極を覆って前記画素電極を露出させる第３絶縁層と、を備える平板表示装置用バックプレーンを提供する。
【０００７】
本発明の他の特徴によれば、前記キャパシタ第１電極は、前記画素電極と同一物質で形成される。
【０００８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記透明導電物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、及びアルミニウム酸化亜鉛（ＡＺＯ）を含む群から選択された少なくとも一つ以上を含む。
【０００９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極は、半透過金属層をさらに含む。
【００１０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記半透過金属層は、銀（Ａｇ）を含む。
【００１１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層は、絶縁層（絶縁膜）である。
【００１２】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャパシタ第２電極は、前記ゲート電極と同一物質で形成される。
【００１３】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記半導体層は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）及びスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された一つ以上の元素、及び酸素（Ｏ）を含む。
【００１４】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記ソース及びドレイン電極のうち一つは、前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層を同時に貫通するビアホールを通じて前記画素電極に連結される。
【００１５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層は、前記画素電極の上部を露出させる開口を形成し、前記第１保護層が形成する開口のエッチング面と、前記第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面とはギャップを形成する。
【００１６】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層と第１絶縁層との間に前記ゲート電極と同一物質で形成された第２保護層が備えられ、前記第２保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に（ギャップなく）形成される。
【００１７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層は、前記画素電極の上部を露出させる開口を形成し、前記第１保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成する。
【００１８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層と第１絶縁層との間に前記ゲート電極と同一物質で形成された第２保護層が備えられ、前記第１保護層、第２保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成される。
【００１９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁層上にキャパシタ第３電極がさらに備えられる。
【００２０】
本発明の他の側面によれば、前記平板表示装置用バックプレーンと、前記平板表示装置用バックプレーンの画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と対向電極との間に備えられた発光部と、をさらに備える平板表示装置を提供する。
【００２１】
本発明の他の特徴によれば、前記対向電極は、前記発光部から放出された光を反射する反射電極である。
【００２２】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記発光部は、有機発光層を含む。
【００２３】
本発明の他の側面によれば、基板上に画素電極及びキャパシタ第１電極を形成する第１マスク工程と、前記画素電極及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層を形成し、前記第１保護層上に薄膜トランジスタのゲート電極、及びキャパシタ第２電極を形成する第２マスク工程と、前記ゲート電極及びキャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層を形成し、前記ゲート電極に対応する位置に、透明導電性酸化物を含む半導体層を形成する第３マスク工程と、前記半導体層を覆う第２絶縁層を形成し、第２絶縁層を貫通して前記半導体層の一部を露出させるコンタクトホールを形成し、前記第１保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通して前記画素電極の一部を露出させるビアホールを形成する第４マスク工程と、前記コンタクトホール及びビアホールを覆うソース及びドレイン電極を形成する第５マスク工程と、前記ソース及びドレイン電極を覆う第３絶縁層を形成し、第３絶縁層に前記画素電極の上部を露出させる開口を形成する第６マスク工程と、を含む平板表示装置用バックプレーンの製造方法を提供する。
【００２４】
本発明の他の特徴によれば、前記画素電極及びキャパシタ第１電極は、同一物質で同一層に形成される。
【００２５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記薄膜トランジスタのゲート電極、及びキャパシタ第２電極は同一物質で同一層に形成される。
【００２６】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２マスク工程で、前記第１保護層上に画素電極より小さな面積の第２保護層をさらに形成する。
【００２７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２保護層は、前記ゲート電極及びキャパシタ第２電極と同一物質で形成される。
【００２８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記４マスク工程で、前記第１絶縁層及び第２絶縁層を除去して前記第２保護層を露出させる開口を形成し、前記第５マスク工程で前記第２保護層を除去し、前記第６マスク工程で前記第１保護層を除去する。
【００２９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記４マスク工程で、前記第１絶縁層及び第２絶縁層を除去して前記第２保護層を露出させる開口を形成し、前記第５マスク工程で、前記第１保護層及び第２保護層を同時に除去する。
【００３０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第５マスク工程で、前記ソース及びドレイン電極と同一層にキャパシタ第３電極をさらに形成する。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によるバックプレーン、これを備える平板表示装置及びその製造方法によれば、マスク使用回数を低減させて製造工程を簡単にし、これによる製造工程を低減させる。
【００３２】
また、画素電極上に第１保護層を形成することで、製造過程で画素電極の損傷を防止できる。
【００３３】
また、キャパシタを並列に形成することでキャパシタの面積を広げなくても静電容量を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図２Ａ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｂ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｃ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｄ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｅ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｆ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図４Ａ】図３の有機発光表示装置の製造過程の一部を概略的に示す断面図である。
【図４Ｂ】図３の有機発光表示装置の製造過程の一部を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明の比較例による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図６Ａ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｂ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｃ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｄ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｅ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｆ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｇ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、添付した図面に図示された本発明の望ましい実施形態を参照して本発明をより詳細に説明する。
【００３６】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１を概略的に示す断面図であり、図２Ａないし図２Ｆは、図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【００３７】
図１を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１の基板１０上には、発光層１１９の備えられたピクセル領域ＰＸＬ１、薄膜トランジスタの備えられた薄膜トランジスタ領域ＴＦＴ１、及びキャパシタの備えられたキャパシタ領域ＣＡＰ１が形成される。
【００３８】
本発明の実施形態による薄膜トランジスタ領域ＴＦＴ１には、基板１０及び第１保護層１２が備えられる。基板１０は透明素材からなり、第１保護層１２は絶縁膜で形成される。
【００３９】
第１保護層１２上に薄膜トランジスタのゲート電極２１３が備えられる。ゲート電極２１３上にはゲート絶縁膜として機能する第１絶縁層１４が備えられ、第１絶縁層１４上には半導体層２１５が備えられる。
【００４０】
半導体層２１５は透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）及びスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された一つ以上の元素、及び酸素（Ｏ）を含む。例えば、透明導電性酸化物は、ＩｎＧａＺｎＯ、ＺｎＳｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＩｎＧａＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ、及びＨＩＺＯ（Ｈａｆｎｉｕｍ−ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）から選択される。前述したように、活性層として透明導電性酸化物を含む酸化物半導体ＴＦＴは、素子特性に優れ、かつ低温で工程を進めることができて、平板表示用バックプレーンに最適の素子として評価されている。それだけでなく、酸化物半導体ＴＦＴは、可視光線領域で透明な特性を持つだけでなく柔軟なため、透明表示装置やフレキシブル表示装置にも適用できる。
【００４１】
半導体層２１５を覆うように第２絶縁層１６が備えられ、第２絶縁層１６上には、第２絶縁層１６を貫通するコンタクトホールＣ１を通じて半導体層２１５に連結されたソース及びドレイン電極２１７が備えられている。また、ソース及びドレイン電極２１７のうち一つは、第１保護層１２、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６を同時に貫通するビアホールＣ２を通じて、ピクセル領域ＰＸＬ１の画素電極１１１の上部エッジに連結される。
【００４２】
ピクセル領域ＰＸＬ１には、基板１０上に透明導電物を含む画素電極１１１が備えられる。画素電極１１１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、及びアルミニウム酸化亜鉛（ＡＺＯ）を含む群から選択された少なくとも一つ以上を含む。
【００４３】
また、画素電極１１１は、銀（Ａｇ）を含む半透過金属層１１１ａをさらに含む複数層として備えられる。例えば、図１に示したように、画素電極１１１は、銀を含む半透過金属層１１１ａと、その上下部にＩＴＯなどの透明導電物を含む層１１１ｂとをさらに含む。半透過金属層１１１ａは、後述する反射鏡（反射層）として機能する対向電極１２０と共に、半透過鏡として機能して共振構造を形成することで、表示装置の光抽出効率を高めることができる。
【００４４】
画素電極１１１の上部エッジには第１保護層１２が備えられる。第１保護層１２は、製造工程中に画素電極１１１の劣化を防止するための保護膜として機能し、キャパシタの誘電膜として機能できる。第１保護層１２は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、及びＳｉＯＮから選択された多様な絶縁膜で形成できる。
【００４５】
第１保護層１２（画素電極１１１）の上部エッジにゲート電極２１３と同一物質で形成された第２保護層１１３が備えられ、第２保護層１１３の上部に第１絶縁層１４と第２絶縁層１６とが順次に積層され、前記第２保護層１１３、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６は画素電極１１１を開口させ、この時に形成された開口のエッチング面Ｓ１は同一平面上に形成される。後述するが、前記第２保護層１１３は、製造工程中に画素電極１１１の劣化を防止するための保護膜として機能できる。
【００４６】
第２絶縁層１６上に第３絶縁層１８が備えられ、第３絶縁層１８には画素電極１１１を露出させる開口Ｃ４が形成される。この時、第３絶縁層１８と第１保護層１２とは同じエッチング面Ｓ２を形成する。したがって、本実施形態で画素電極１１１を開口させる第１保護層１２と第２保護層１１３とのエッチング面Ｓ２とエッチング面Ｓ１とは、ギャップＧを形成できる。
【００４７】
画素電極１１１上には発光層１１９が形成され、発光層（発光部）１１９から放出された光は、透明導電物からなる画素電極１１１を通じて基板１０側に放出される。
【００４８】
発光層１１９は、低分子有機物または高分子有機物でありうる。発光層１１９が低分子有機物である場合、発光層１１９を中心としてホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、ホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが積層される。それ以外にも、必要に応じて多様な層が積層される。この時、使用可能な有機材料として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に適用できる。一方、発光層１１９が高分子有機物である場合、発光層１１９以外にホール輸送層（ＨＴＬ）が含まれる。ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用できる。この時、使用可能な有機材料として、ＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物を使用できる。
【００４９】
発光層１１９上には、共通電極として対向電極１２０が蒸着される。本実施形態による有機発光表示装置１の場合、画素電極１１１はアノードとして使われ、対向電極１２０はカソードとして使われる。もちろん、電極の極性は逆に適用してもよいということはいうまでもない。
【００５０】
対向電極１２０は、反射物質を含む反射電極で構成される。この時に前記対向電極１２０は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、及びＬｉＦ／Ａｌから選択された一つ以上の物質を含む。対向電極１２０が反射電極で形成されることで、発光層１１９から放出された光は、対向電極１２０に反射され、透明導電物で形成された画素電極１１１を透過して基板１０側に放出される。この時、画素電極１１１が前述したように、銀などの半透過金属層１１１ａをさらに含む場合、半透過金属層１１１ａは、反射鏡として機能する対向電極１２０と共に、半透過鏡として機能して共振構造を形成することで表示装置の光抽出効率を高めることができる。
【００５１】
本発明の実施形態によるキャパシタ領域ＣＡＰ１には、基板１０上に、第１保護層１２を介してキャパシタ第１電極３１１及びキャパシタ第２電極３１３が備えられる。
【００５２】
キャパシタ第１電極３１１は、画素電極１１１と同一層に同一材料（同一物質）で形成され、キャパシタ第２電極３１３は、ゲート電極２１３と同一層に同一材料（同一物質）で形成される。ここで、第１保護層１２は誘電膜として機能する。本実施形態でキャパシタ第１電極３１１とキャパシタ第２電極３１３とは、それぞれ画素電極１１１とゲート電極２１３と同一マスク工程で形成されるため、製造工程を簡単にすることができる。
【００５３】
キャパシタ第２電極３１３上に第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６が順次に積層され、その上にソース及びドレイン電極２１７と同一層に同一材料（同一物質）でキャパシタ第３電極３１７が備えられる。キャパシタ第１電極３１１及びキャパシタ第２電極３１３はＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）キャップを構成するため、静電容量を大きくするためにキャパシタ面積を大きくする場合、表示装置の開口率を低減させることができる。しかし、本実施形態のようにキャパシタ第３電極３１７をさらに構成する場合、キャパシタ第１電極３１１及びキャパシタ第２電極３１３に並列連結されて静電容量が増大するので、キャパシタの面積を縮めても低減した静電容量を補償できる。
【００５４】
ソース及びドレイン電極２１７とキャパシタ第３電極３１７とを覆う第３絶縁層１８が形成され、第３絶縁層１８には、前述したように画素電極１１１を露出させる開口Ｃ４が形成される。
【００５５】
以下、図２Ａないし図２Ｆを参照して、本実施形態による有機発光表示装置１の製造方法を説明する。
【００５６】
図２Ａは、本実施形態による有機発光表示装置１の第１マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００５７】
図２Ａを参照すれば、基板１０に画素電極１１１及びキャパシタ第１電極３１１が、第１マスク工程で同時形成される。この時に基板１０上には、基板１０の平滑性及び不純元素浸透の遮断のために、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどを含むバッファ層（図示せず）がさらに備えられる。
【００５８】
前記図面には製造過程が詳細に図示されていないが、基板１０上には透明導電物が蒸着され、透明導電物上にフォトレジスタ（図示せず）が塗布された後、第１マスク（図示せず）を利用したフォトリソグラフィー工程により画素電極１１１とキャパシタ第１電極３１１とが同時にパターニングされたものである。これにより、前記画素電極１１１及びキャパシタ第１電極３１１は、同一物質で同一層に形成される。フォトリソグラフィーによる第１マスク工程は、第１マスク（図示せず）に露光装置（図示せず）で露光後、現像、エッチング、及びストリッピングまたはアッシングなどの一連の工程を経て進められたものである。以下、後続マスク工程で同一内容についての説明は省略する。
【００５９】
図２Ｂは、本実施形態による有機発光表示装置１の第２マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００６０】
第１マスク工程の結果物上に第１保護層１２を形成し、第１保護層１２上に第２保護層１１３、ゲート電極２１３及びキャパシタ第２電極３１３を同時に形成する。この時、第２保護層１１３は前述したように、ビアホールＣ２が画素電極１１１に連結される領域には形成されない。したがって、第２保護層１１３は、画素電極１１１より小さな面積を持つ。これにより、前記薄膜トランジスタのゲート電極２１３、及びキャパシタ第２電極３１３は同一物質で同一層に形成される。また、前記第２保護層１１３は、前記ゲート電極２１３及びキャパシタ第２電極３１３と同一物質で（同一層に）形成される。
【００６１】
図２Ｃは、本実施形態による有機発光表示装置１の第３マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００６２】
第２マスク工程の結果物上に第１絶縁層１４を形成し、第１絶縁層１４上であって、前記記ゲート電極２１３に対応する位置に半導体層２１５を形成する。半導体層２１５は、前述した透明導電性酸化物を含む。
【００６３】
図２Ｄは、本実施形態による有機発光表示装置１の第４マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００６４】
第３マスク工程の結果物上に第２絶縁層１６を形成し、前述したコンタクトホールＣ１及びビアホールＣ２を形成する。この時、画素電極１１１の上部に対応する領域では、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６を除去して、第２保護層１１３の上部を露出させる開口Ｃ３を共に形成する。この時、第２保護層１１３は、除去されずに画素電極１１１の上部に残っているため、コンタクトホールＣ１、ビアホールＣ２及び開口Ｃ３を形成する間に下部の第１保護層１２及び画素電極１１１を保護する。
【００６５】
図２Ｅは、本実施形態による有機発光表示装置１の第５マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００６６】
第４マスク工程で形成されたコンタクトホールＣ１、ビアホールＣ２及び開口Ｃ３を覆うようにソース及びドレイン電極２１７を形成する材料を蒸着及びパターニングして、ソース及びドレイン電極２１７及びキャパシタ第３電極３１７を形成する。これにより、前記ソース及びドレイン電極２１７と（同一物質で）同一層にキャパシタ第３電極３１７が形成される。
【００６７】
この時、ソース及びドレイン電極２１７を形成する金属材料は、第４マスク工程で形成された開口Ｃ３にも蒸着されるが、これを第２保護層１１３と共に除去する。この時、第２保護層１１３がソース及びドレイン電極２１７を形成する材料と同一材料である場合には、一回のエッチング工程で除去される。もし、第２保護層１１３がソース及びドレイン電極２１７を形成する材料と同一材料ではない場合には、複数のエッチング工程を経る。
【００６８】
本実施形態で、ソース及びドレイン電極２１７を形成する材料が画素電極１１１の上部に形成された開口Ｃ３から除去される間に、第１保護層１２は画素電極１１１を保護する。
【００６９】
図２Ｆは、本実施形態による有機発光表示装置１の第６マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００７０】
第５マスク工程の結果物上に第３絶縁層１８を形成し、第３絶縁層１８の一部を除去して画素電極１１１の上部を露出させる開口Ｃ４を形成する。この時、画素電極１１１の上部に形成された第１保護層１２を共に除去する。したがって、第３絶縁層１８と第１保護層１２とは同じエッチング面Ｓ２を形成できる。
【００７１】
以下、図３を参照して、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を概略的に説明する。
【００７２】
図３は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置２を概略的に示す断面図であり、図４Ａ及び図４Ｂは、図３の有機発光表示装置の製造過程の一部を概略的に示す断面図である。以下、前述した実施形態による有機発光表示装置１との差異点を中心として説明する。
【００７３】
図４Ａは、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置２の第５マスク工程を概略的に示したものであり、図４Ｂは、第６マスク工程を概略的に示したものである。すなわち、本実施形態による有機発光表示装置２の第１マスク工程から第４マスク工程までは、前述した実施形態による有機発光表示装置１の製造工程と同一に進められる。
【００７４】
図４Ａを参照すれば、第４マスク工程で形成されたコンタクトホールＣ１、ビアホールＣ２及び開口Ｃ３を覆うように、ソース及びドレイン電極２１７を形成する材料を蒸着及びパターニングして、ソース及びドレイン電極２１７及びキャパシタ第３電極３１７を形成する。
【００７５】
この時、ソース及びドレイン電極２１７を形成する金属材料は、第４マスク工程で形成された開口Ｃ３にも蒸着されるが、これを、第２保護層１１３及び第１保護層１２と共に除去する。したがって、第２保護層１１３及び第１保護層１２が同じマスク工程でエッチングされるため、同じエッチング面Ｓ３を形成する。これにより、前記第１保護層１２、第１絶縁層１４、及び第２絶縁層１６は、前記画素電極１１１の上部を露出させる開口Ｃ３を形成し、前記第１保護層１２、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６が形成する開口Ｃ３のエッチング面Ｓ３が同一に形成されている。本実施形態では、前記第１保護層１２と第１絶縁層１４との間に前記ゲート電極２１３と同一物質で形成された第２保護層１１３が備えられているため、前記第１保護層１２、第２保護層１１３、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６が形成する開口Ｃ３のエッチング面Ｓ３が同一に形成されている。
【００７６】
図４Ｂを参照すれば、第５マスク工程の結果物上に第３絶縁層１８を形成し、第３絶縁層１８の一部を除去して画素電極１１１の上部を露出させる開口Ｃ４を形成する。
【００７７】
したがって、本実施形態による有機発光表示装置２は、第１保護層１２を第５マスク工程で第２保護層１１３と共に除去するため、同じエッチング面Ｓ３を持つ。
【００７８】
以下、図５及び図６Ａないし図６Ｇを参照して本発明の比較例を説明する。図５は、本発明の比較例による有機発光表示装置を概略的に示す断面図であり、図６Ａないし図６Ｇは、図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【００７９】
図６Ａは、比較例による有機発光表示装置３の第１マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ａを参照すれば、基板４０に、薄膜トランジスタのゲート電極４１及びキャパシタ第１電極５１が第１マスク工程で同時に形成される。
【００８０】
図６Ｂは、比較例による有機発光表示装置３の第２マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｂを参照すれば、第１マスク工程の結果物上に第１絶縁層４２を形成し、第１絶縁層４２上に透明導電性酸化物を含む半導体層４３を形成する。
【００８１】
図６Ｃは、比較例による有機発光表示装置３の第３マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｃを参照すれば、第２マスク工程の結果物上に第２絶縁層４４を形成し、半導体層４３の一部を露出させるコンタクトホールＣ５を形成する。
【００８２】
図６Ｄは、比較例による有機発光表示装置３の第４マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｄを参照すれば、第３マスク工程で形成されたコンタクトホールＣ５を覆うように、ソース及びドレイン電極４５を形成する材料を蒸着及びパターニングしてソース及びドレイン電極４５を形成する。この時、キャパシタ第３電極５５も同時に形成する。
【００８３】
図６Ｅは、比較例による有機発光表示装置３の第５マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｅを参照すれば、第４マスク工程の結果物上に第３絶縁層４６を形成し、ソース及びドレイン電極４５のうち一つを露出させるビアホールＣ６を形成する。
【００８４】
図６Ｆは、比較例による有機発光表示装置３の第６マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｆを参照すれば、第５マスク工程で形成されたビアホールＣ６を覆うように、画素電極４７を形成する材料を蒸着及びパターニングして、画素電極４７を形成する。
【００８５】
図６Ｇは、比較例による有機発光表示装置３の第７マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｇを参照すれば、第６マスク工程の結果物上に第４絶縁層４８を形成し、第４絶縁層４８の一部を除去して画素電極４７の上部を露出させる開口Ｃ７を形成する。
【００８６】
図５を参照すれば、第７マスク工程で形成された開口Ｃ７に発光層４９及び対向電極５０を形成する。
【００８７】
前記比較例による有機発光表示装置３の場合、ボトムゲートタイプの酸化物半導体を含むバックプレーンを製作するために、総７回のマスク工程が進められた。一方、本実施による有機発光表示装置１、２の場合、ボトムゲートタイプの酸化物半導体を含むバックプレーンを製作するに当って、画素電極１１１を形成する第５マスク工程を含めて総５回、または第３絶縁層１８をパターニングして画素電極１１１を露出させる開口Ｃ４を形成する第６マスク工程を含めて総６回のマスク工程で進めることができる。したがって、マスク工程の低減による画期的なコストダウンができる。
【００８８】
一方、前述した説明は有機発光表示装置を中心として記述されたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、本発明は、発光層に液晶が備えられた液晶表示装置に適用できるということはいうまでもない。それ以外に他の表示装置にも適用できる。
【００８９】
本発明は図面に図示された実施形態を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、平板表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００９１】
１、２ 有機発光表示装置、
１０ 基板、
１２ 第１保護層、
１４ 第１絶縁層、
１６ 第２絶縁層、
１８ 第３絶縁層、
１１１ 画素電極、
１１３ 第２保護層、
１１９ 発光層、
１２０ 対向電極、
２１３ ゲート電極、
２１５ 半導体層、
２１７ ソース及びドレイン電極、
３１１ キャパシタ第１電極、
３１３ キャパシタ第２電極、
３１７ キャパシタ第３電極、
Ｃ１ コンタクトホール、
Ｃ２ ビアホール、
Ｃ３、Ｃ４ 開口。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置及び液晶表示装置などを含む平板表示装置は、高解像度のディスプレイ具現のために、各ピクセルごとに薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｍｌ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）とキャパシタなどが含まれた能動駆動型バックプレーン上に製作される。
【０００３】
特に、酸化物半導体ＴＦＴは、素子特性に優れ、かつ低温で工程進行が可能であって、平板表示用バックプレーンに最適の素子として評価されている。ところが、特許文献１に記載のように、これらの酸化物半導体ＴＦＴを含む平板表示装置用バックプレーンを製作する過程は、複数のマスク工程を経るため、コストアップになるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１０−００５９５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、製造工程が簡単であり、かつ表示品質の優秀な平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によれば、基板上に透明導電物を含む画素電極と、前記画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第１電極と、前記画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層と、前記第１保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第２電極と、前記ゲート電極及び前記キャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層と、前記半導体層を覆う第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成され、かつ前記第２絶縁層を貫通して前記半導体層に連結され、少なくとも一つは前記画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極を覆って前記画素電極を露出させる第３絶縁層と、を備える平板表示装置用バックプレーンを提供する。
【０００７】
本発明の他の特徴によれば、前記キャパシタ第１電極は、前記画素電極と同一物質で形成される。
【０００８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記透明導電物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、及びアルミニウム酸化亜鉛（ＡＺＯ）を含む群から選択された少なくとも一つ以上を含む。
【０００９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極は、半透過金属層をさらに含む。
【００１０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記半透過金属層は、銀（Ａｇ）を含む。
【００１１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層は、絶縁層（絶縁膜）である。
【００１２】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャパシタ第２電極は、前記ゲート電極と同一物質で形成される。
【００１３】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記半導体層は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）及びスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された一つ以上の元素、及び酸素（Ｏ）を含む。
【００１４】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記ソース及びドレイン電極のうち一つは、前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層を同時に貫通するビアホールを通じて前記画素電極に連結される。
【００１５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層は、前記画素電極の上部を露出させる開口を形成し、前記第１保護層が形成する開口のエッチング面と、前記第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面とはギャップを形成する。
【００１６】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層と第１絶縁層との間に前記ゲート電極と同一物質で形成された第２保護層が備えられ、前記第２保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に（ギャップなく）形成される。
【００１７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層は、前記画素電極の上部を露出させる開口を形成し、前記第１保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成する。
【００１８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１保護層と第１絶縁層との間に前記ゲート電極と同一物質で形成された第２保護層が備えられ、前記第１保護層、第２保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成される。
【００１９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁層上にキャパシタ第３電極がさらに備えられる。
【００２０】
本発明の他の側面によれば、前記平板表示装置用バックプレーンと、前記平板表示装置用バックプレーンの画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と対向電極との間に備えられた発光部と、をさらに備える平板表示装置を提供する。
【００２１】
本発明の他の特徴によれば、前記対向電極は、前記発光部から放出された光を反射する反射電極である。
【００２２】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記発光部は、有機発光層を含む。
【００２３】
本発明の他の側面によれば、基板上に画素電極及びキャパシタ第１電極を形成する第１マスク工程と、前記画素電極及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層を形成し、前記第１保護層上に薄膜トランジスタのゲート電極、及びキャパシタ第２電極を形成する第２マスク工程と、前記ゲート電極及びキャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層を形成し、前記ゲート電極に対応する位置に、透明導電性酸化物を含む半導体層を形成する第３マスク工程と、前記半導体層を覆う第２絶縁層を形成し、第２絶縁層を貫通して前記半導体層の一部を露出させるコンタクトホールを形成し、前記第１保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通して前記画素電極の一部を露出させるビアホールを形成する第４マスク工程と、前記コンタクトホール及びビアホールを覆うソース及びドレイン電極を形成する第５マスク工程と、前記ソース及びドレイン電極を覆う第３絶縁層を形成し、第３絶縁層に前記画素電極の上部を露出させる開口を形成する第６マスク工程と、を含む平板表示装置用バックプレーンの製造方法を提供する。
【００２４】
本発明の他の特徴によれば、前記画素電極及びキャパシタ第１電極は、同一物質で同一層に形成される。
【００２５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記薄膜トランジスタのゲート電極、及びキャパシタ第２電極は同一物質で同一層に形成される。
【００２６】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２マスク工程で、前記第１保護層上に画素電極より小さな面積の第２保護層をさらに形成する。
【００２７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２保護層は、前記ゲート電極及びキャパシタ第２電極と同一物質で形成される。
【００２８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記４マスク工程で、前記第１絶縁層及び第２絶縁層を除去して前記第２保護層を露出させる開口を形成し、前記第５マスク工程で前記第２保護層を除去し、前記第６マスク工程で前記第１保護層を除去する。
【００２９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記４マスク工程で、前記第１絶縁層及び第２絶縁層を除去して前記第２保護層を露出させる開口を形成し、前記第５マスク工程で、前記第１保護層及び第２保護層を同時に除去する。
【００３０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第５マスク工程で、前記ソース及びドレイン電極と同一層にキャパシタ第３電極をさらに形成する。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によるバックプレーン、これを備える平板表示装置及びその製造方法によれば、マスク使用回数を低減させて製造工程を簡単にし、これによる製造工程を低減させる。
【００３２】
また、画素電極上に第１保護層を形成することで、製造過程で画素電極の損傷を防止できる。
【００３３】
また、キャパシタを並列に形成することでキャパシタの面積を広げなくても静電容量を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図２Ａ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｂ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｃ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｄ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｅ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｆ】図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図４Ａ】図３の有機発光表示装置の製造過程の一部を概略的に示す断面図である。
【図４Ｂ】図３の有機発光表示装置の製造過程の一部を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明の比較例による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図６Ａ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｂ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｃ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｄ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｅ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｆ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｇ】図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、添付した図面に図示された本発明の望ましい実施形態を参照して本発明をより詳細に説明する。
【００３６】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１を概略的に示す断面図であり、図２Ａないし図２Ｆは、図１の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【００３７】
図１を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１の基板１０上には、発光層１１９の備えられたピクセル領域ＰＸＬ１、薄膜トランジスタの備えられた薄膜トランジスタ領域ＴＦＴ１、及びキャパシタの備えられたキャパシタ領域ＣＡＰ１が形成される。
【００３８】
本発明の実施形態による薄膜トランジスタ領域ＴＦＴ１には、基板１０及び第１保護層１２が備えられる。基板１０は透明素材からなり、第１保護層１２は絶縁膜で形成される。
【００３９】
第１保護層１２上に薄膜トランジスタのゲート電極２１３が備えられる。ゲート電極２１３上にはゲート絶縁膜として機能する第１絶縁層１４が備えられ、第１絶縁層１４上には半導体層２１５が備えられる。
【００４０】
半導体層２１５は透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）及びスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された一つ以上の元素、及び酸素（Ｏ）を含む。例えば、透明導電性酸化物は、ＩｎＧａＺｎＯ、ＺｎＳｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＩｎＧａＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ、及びＨＩＺＯ（Ｈａｆｎｉｕｍ−ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）から選択される。前述したように、活性層として透明導電性酸化物を含む酸化物半導体ＴＦＴは、素子特性に優れ、かつ低温で工程を進めることができて、平板表示用バックプレーンに最適の素子として評価されている。それだけでなく、酸化物半導体ＴＦＴは、可視光線領域で透明な特性を持つだけでなく柔軟なため、透明表示装置やフレキシブル表示装置にも適用できる。
【００４１】
半導体層２１５を覆うように第２絶縁層１６が備えられ、第２絶縁層１６上には、第２絶縁層１６を貫通するコンタクトホールＣ１を通じて半導体層２１５に連結されたソース及びドレイン電極２１７が備えられている。また、ソース及びドレイン電極２１７のうち一つは、第１保護層１２、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６を同時に貫通するビアホールＣ２を通じて、ピクセル領域ＰＸＬ１の画素電極１１１の上部エッジに連結される。
【００４２】
ピクセル領域ＰＸＬ１には、基板１０上に透明導電物を含む画素電極１１１が備えられる。画素電極１１１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、及びアルミニウム酸化亜鉛（ＡＺＯ）を含む群から選択された少なくとも一つ以上を含む。
【００４３】
また、画素電極１１１は、銀（Ａｇ）を含む半透過金属層１１１ａをさらに含む複数層として備えられる。例えば、図１に示したように、画素電極１１１は、銀を含む半透過金属層１１１ａと、その上下部にＩＴＯなどの透明導電物を含む層１１１ｂとをさらに含む。半透過金属層１１１ａは、後述する反射鏡（反射層）として機能する対向電極１２０と共に、半透過鏡として機能して共振構造を形成することで、表示装置の光抽出効率を高めることができる。
【００４４】
画素電極１１１の上部エッジには第１保護層１２が備えられる。第１保護層１２は、製造工程中に画素電極１１１の劣化を防止するための保護膜として機能し、キャパシタの誘電膜として機能できる。第１保護層１２は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、及びＳｉＯＮから選択された多様な絶縁膜で形成できる。
【００４５】
第１保護層１２（画素電極１１１）の上部エッジにゲート電極２１３と同一物質で形成された第２保護層１１３が備えられ、第２保護層１１３の上部に第１絶縁層１４と第２絶縁層１６とが順次に積層され、前記第２保護層１１３、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６は画素電極１１１を開口させ、この時に形成された開口のエッチング面Ｓ１は同一平面上に形成される。後述するが、前記第２保護層１１３は、製造工程中に画素電極１１１の劣化を防止するための保護膜として機能できる。
【００４６】
第２絶縁層１６上に第３絶縁層１８が備えられ、第３絶縁層１８には画素電極１１１を露出させる開口Ｃ４が形成される。この時、第３絶縁層１８と第１保護層１２とは同じエッチング面Ｓ２を形成する。したがって、本実施形態で画素電極１１１を開口させる第１保護層１２と第２保護層１１３とのエッチング面Ｓ２とエッチング面Ｓ１とは、ギャップＧを形成できる。
【００４７】
画素電極１１１上には発光層１１９が形成され、発光層（発光部）１１９から放出された光は、透明導電物からなる画素電極１１１を通じて基板１０側に放出される。
【００４８】
発光層１１９は、低分子有機物または高分子有機物でありうる。発光層１１９が低分子有機物である場合、発光層１１９を中心としてホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、ホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが積層される。それ以外にも、必要に応じて多様な層が積層される。この時、使用可能な有機材料として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に適用できる。一方、発光層１１９が高分子有機物である場合、発光層１１９以外にホール輸送層（ＨＴＬ）が含まれる。ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用できる。この時、使用可能な有機材料として、ＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物を使用できる。
【００４９】
発光層１１９上には、共通電極として対向電極１２０が蒸着される。本実施形態による有機発光表示装置１の場合、画素電極１１１はアノードとして使われ、対向電極１２０はカソードとして使われる。もちろん、電極の極性は逆に適用してもよいということはいうまでもない。
【００５０】
対向電極１２０は、反射物質を含む反射電極で構成される。この時に前記対向電極１２０は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、及びＬｉＦ／Ａｌから選択された一つ以上の物質を含む。対向電極１２０が反射電極で形成されることで、発光層１１９から放出された光は、対向電極１２０に反射され、透明導電物で形成された画素電極１１１を透過して基板１０側に放出される。この時、画素電極１１１が前述したように、銀などの半透過金属層１１１ａをさらに含む場合、半透過金属層１１１ａは、反射鏡として機能する対向電極１２０と共に、半透過鏡として機能して共振構造を形成することで表示装置の光抽出効率を高めることができる。
【００５１】
本発明の実施形態によるキャパシタ領域ＣＡＰ１には、基板１０上に、第１保護層１２を介してキャパシタ第１電極３１１及びキャパシタ第２電極３１３が備えられる。
【００５２】
キャパシタ第１電極３１１は、画素電極１１１と同一層に同一材料（同一物質）で形成され、キャパシタ第２電極３１３は、ゲート電極２１３と同一層に同一材料（同一物質）で形成される。ここで、第１保護層１２は誘電膜として機能する。本実施形態でキャパシタ第１電極３１１とキャパシタ第２電極３１３とは、それぞれ画素電極１１１とゲート電極２１３と同一マスク工程で形成されるため、製造工程を簡単にすることができる。
【００５３】
キャパシタ第２電極３１３上に第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６が順次に積層され、その上にソース及びドレイン電極２１７と同一層に同一材料（同一物質）でキャパシタ第３電極３１７が備えられる。キャパシタ第１電極３１１及びキャパシタ第２電極３１３はＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）キャップを構成するため、静電容量を大きくするためにキャパシタ面積を大きくする場合、表示装置の開口率を低減させることができる。しかし、本実施形態のようにキャパシタ第３電極３１７をさらに構成する場合、キャパシタ第１電極３１１及びキャパシタ第２電極３１３に並列連結されて静電容量が増大するので、キャパシタの面積を縮めても低減した静電容量を補償できる。
【００５４】
ソース及びドレイン電極２１７とキャパシタ第３電極３１７とを覆う第３絶縁層１８が形成され、第３絶縁層１８には、前述したように画素電極１１１を露出させる開口Ｃ４が形成される。
【００５５】
以下、図２Ａないし図２Ｆを参照して、本実施形態による有機発光表示装置１の製造方法を説明する。
【００５６】
図２Ａは、本実施形態による有機発光表示装置１の第１マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００５７】
図２Ａを参照すれば、基板１０に画素電極１１１及びキャパシタ第１電極３１１が、第１マスク工程で同時形成される。この時に基板１０上には、基板１０の平滑性及び不純元素浸透の遮断のために、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどを含むバッファ層（図示せず）がさらに備えられる。
【００５８】
前記図面には製造過程が詳細に図示されていないが、基板１０上には透明導電物が蒸着され、透明導電物上にフォトレジスタ（図示せず）が塗布された後、第１マスク（図示せず）を利用したフォトリソグラフィー工程により画素電極１１１とキャパシタ第１電極３１１とが同時にパターニングされたものである。これにより、前記画素電極１１１及びキャパシタ第１電極３１１は、同一物質で同一層に形成される。フォトリソグラフィーによる第１マスク工程は、第１マスク（図示せず）に露光装置（図示せず）で露光後、現像、エッチング、及びストリッピングまたはアッシングなどの一連の工程を経て進められたものである。以下、後続マスク工程で同一内容についての説明は省略する。
【００５９】
図２Ｂは、本実施形態による有機発光表示装置１の第２マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００６０】
第１マスク工程の結果物上に第１保護層１２を形成し、第１保護層１２上に第２保護層１１３、ゲート電極２１３及びキャパシタ第２電極３１３を同時に形成する。この時、第２保護層１１３は前述したように、ビアホールＣ２が画素電極１１１に連結される領域には形成されない。したがって、第２保護層１１３は、画素電極１１１より小さな面積を持つ。これにより、前記薄膜トランジスタのゲート電極２１３、及びキャパシタ第２電極３１３は同一物質で同一層に形成される。また、前記第２保護層１１３は、前記ゲート電極２１３及びキャパシタ第２電極３１３と同一物質で（同一層に）形成される。
【００６１】
図２Ｃは、本実施形態による有機発光表示装置１の第３マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００６２】
第２マスク工程の結果物上に第１絶縁層１４を形成し、第１絶縁層１４上であって、前記記ゲート電極２１３に対応する位置に半導体層２１５を形成する。半導体層２１５は、前述した透明導電性酸化物を含む。
【００６３】
図２Ｄは、本実施形態による有機発光表示装置１の第４マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００６４】
第３マスク工程の結果物上に第２絶縁層１６を形成し、前述したコンタクトホールＣ１及びビアホールＣ２を形成する。この時、画素電極１１１の上部に対応する領域では、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６を除去して、第２保護層１１３の上部を露出させる開口Ｃ３を共に形成する。この時、第２保護層１１３は、除去されずに画素電極１１１の上部に残っているため、コンタクトホールＣ１、ビアホールＣ２及び開口Ｃ３を形成する間に下部の第１保護層１２及び画素電極１１１を保護する。
【００６５】
図２Ｅは、本実施形態による有機発光表示装置１の第５マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００６６】
第４マスク工程で形成されたコンタクトホールＣ１、ビアホールＣ２及び開口Ｃ３を覆うようにソース及びドレイン電極２１７を形成する材料を蒸着及びパターニングして、ソース及びドレイン電極２１７及びキャパシタ第３電極３１７を形成する。これにより、前記ソース及びドレイン電極２１７と（同一物質で）同一層にキャパシタ第３電極３１７が形成される。
【００６７】
この時、ソース及びドレイン電極２１７を形成する金属材料は、第４マスク工程で形成された開口Ｃ３にも蒸着されるが、これを第２保護層１１３と共に除去する。この時、第２保護層１１３がソース及びドレイン電極２１７を形成する材料と同一材料である場合には、一回のエッチング工程で除去される。もし、第２保護層１１３がソース及びドレイン電極２１７を形成する材料と同一材料ではない場合には、複数のエッチング工程を経る。
【００６８】
本実施形態で、ソース及びドレイン電極２１７を形成する材料が画素電極１１１の上部に形成された開口Ｃ３から除去される間に、第１保護層１２は画素電極１１１を保護する。
【００６９】
図２Ｆは、本実施形態による有機発光表示装置１の第６マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。
【００７０】
第５マスク工程の結果物上に第３絶縁層１８を形成し、第３絶縁層１８の一部を除去して画素電極１１１の上部を露出させる開口Ｃ４を形成する。この時、画素電極１１１の上部に形成された第１保護層１２を共に除去する。したがって、第３絶縁層１８と第１保護層１２とは同じエッチング面Ｓ２を形成できる。
【００７１】
以下、図３を参照して、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を概略的に説明する。
【００７２】
図３は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置２を概略的に示す断面図であり、図４Ａ及び図４Ｂは、図３の有機発光表示装置の製造過程の一部を概略的に示す断面図である。以下、前述した実施形態による有機発光表示装置１との差異点を中心として説明する。
【００７３】
図４Ａは、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置２の第５マスク工程を概略的に示したものであり、図４Ｂは、第６マスク工程を概略的に示したものである。すなわち、本実施形態による有機発光表示装置２の第１マスク工程から第４マスク工程までは、前述した実施形態による有機発光表示装置１の製造工程と同一に進められる。
【００７４】
図４Ａを参照すれば、第４マスク工程で形成されたコンタクトホールＣ１、ビアホールＣ２及び開口Ｃ３を覆うように、ソース及びドレイン電極２１７を形成する材料を蒸着及びパターニングして、ソース及びドレイン電極２１７及びキャパシタ第３電極３１７を形成する。
【００７５】
この時、ソース及びドレイン電極２１７を形成する金属材料は、第４マスク工程で形成された開口Ｃ３にも蒸着されるが、これを、第２保護層１１３及び第１保護層１２と共に除去する。したがって、第２保護層１１３及び第１保護層１２が同じマスク工程でエッチングされるため、同じエッチング面Ｓ３を形成する。これにより、前記第１保護層１２、第１絶縁層１４、及び第２絶縁層１６は、前記画素電極１１１の上部を露出させる開口Ｃ３を形成し、前記第１保護層１２、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６が形成する開口Ｃ３のエッチング面Ｓ３が同一に形成されている。本実施形態では、前記第１保護層１２と第１絶縁層１４との間に前記ゲート電極２１３と同一物質で形成された第２保護層１１３が備えられているため、前記第１保護層１２、第２保護層１１３、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６が形成する開口Ｃ３のエッチング面Ｓ３が同一に形成されている。
【００７６】
図４Ｂを参照すれば、第５マスク工程の結果物上に第３絶縁層１８を形成し、第３絶縁層１８の一部を除去して画素電極１１１の上部を露出させる開口Ｃ４を形成する。
【００７７】
したがって、本実施形態による有機発光表示装置２は、第１保護層１２を第５マスク工程で第２保護層１１３と共に除去するため、同じエッチング面Ｓ３を持つ。
【００７８】
以下、図５及び図６Ａないし図６Ｇを参照して本発明の比較例を説明する。図５は、本発明の比較例による有機発光表示装置を概略的に示す断面図であり、図６Ａないし図６Ｇは、図５の有機発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
【００７９】
図６Ａは、比較例による有機発光表示装置３の第１マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ａを参照すれば、基板４０に、薄膜トランジスタのゲート電極４１及びキャパシタ第１電極５１が第１マスク工程で同時に形成される。
【００８０】
図６Ｂは、比較例による有機発光表示装置３の第２マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｂを参照すれば、第１マスク工程の結果物上に第１絶縁層４２を形成し、第１絶縁層４２上に透明導電性酸化物を含む半導体層４３を形成する。
【００８１】
図６Ｃは、比較例による有機発光表示装置３の第３マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｃを参照すれば、第２マスク工程の結果物上に第２絶縁層４４を形成し、半導体層４３の一部を露出させるコンタクトホールＣ５を形成する。
【００８２】
図６Ｄは、比較例による有機発光表示装置３の第４マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｄを参照すれば、第３マスク工程で形成されたコンタクトホールＣ５を覆うように、ソース及びドレイン電極４５を形成する材料を蒸着及びパターニングしてソース及びドレイン電極４５を形成する。この時、キャパシタ第３電極５５も同時に形成する。
【００８３】
図６Ｅは、比較例による有機発光表示装置３の第５マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｅを参照すれば、第４マスク工程の結果物上に第３絶縁層４６を形成し、ソース及びドレイン電極４５のうち一つを露出させるビアホールＣ６を形成する。
【００８４】
図６Ｆは、比較例による有機発光表示装置３の第６マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｆを参照すれば、第５マスク工程で形成されたビアホールＣ６を覆うように、画素電極４７を形成する材料を蒸着及びパターニングして、画素電極４７を形成する。
【００８５】
図６Ｇは、比較例による有機発光表示装置３の第７マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図６Ｇを参照すれば、第６マスク工程の結果物上に第４絶縁層４８を形成し、第４絶縁層４８の一部を除去して画素電極４７の上部を露出させる開口Ｃ７を形成する。
【００８６】
図５を参照すれば、第７マスク工程で形成された開口Ｃ７に発光層４９及び対向電極５０を形成する。
【００８７】
前記比較例による有機発光表示装置３の場合、ボトムゲートタイプの酸化物半導体を含むバックプレーンを製作するために、総７回のマスク工程が進められた。一方、本実施による有機発光表示装置１、２の場合、ボトムゲートタイプの酸化物半導体を含むバックプレーンを製作するに当って、画素電極１１１を形成する第５マスク工程を含めて総５回、または第３絶縁層１８をパターニングして画素電極１１１を露出させる開口Ｃ４を形成する第６マスク工程を含めて総６回のマスク工程で進めることができる。したがって、マスク工程の低減による画期的なコストダウンができる。
【００８８】
一方、前述した説明は有機発光表示装置を中心として記述されたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、本発明は、発光層に液晶が備えられた液晶表示装置に適用できるということはいうまでもない。それ以外に他の表示装置にも適用できる。
【００８９】
本発明は図面に図示された実施形態を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、平板表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００９１】
１、２ 有機発光表示装置、
１０ 基板、
１２ 第１保護層、
１４ 第１絶縁層、
１６ 第２絶縁層、
１８ 第３絶縁層、
１１１ 画素電極、
１１３ 第２保護層、
１１９ 発光層、
１２０ 対向電極、
２１３ ゲート電極、
２１５ 半導体層、
２１７ ソース及びドレイン電極、
３１１ キャパシタ第１電極、
３１３ キャパシタ第２電極、
３１７ キャパシタ第３電極、
Ｃ１ コンタクトホール、
Ｃ２ ビアホール、
Ｃ３、Ｃ４ 開口。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に透明導電物を含む画素電極と、前記画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第１電極と、
前記画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層と、
前記第１保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第２電極と、
前記ゲート電極及び前記キャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層と、
前記半導体層を覆う第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に形成され、かつ前記第２絶縁層を貫通して前記半導体層に連結され、少なくとも一つは前記画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極を覆って前記画素電極を露出させる第３絶縁層と、を備える平板表示装置用バックプレーン。
【請求項２】
前記キャパシタ第１電極は、前記画素電極と同一物質で形成された請求項１に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項３】
前記透明導電物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、及びアルミニウム酸化亜鉛（ＡＺＯ）を含む群から選択された少なくとも一つ以上を含む請求項１または２に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項４】
前記画素電極は、半透過金属層をさらに含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項５】
前記半透過金属層は、銀（Ａｇ）を含む請求項４に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項６】
前記第１保護層は、絶縁層である請求項１〜５のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項７】
前記キャパシタ第２電極は、前記ゲート電極と同一物質で形成された請求項１〜６のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項８】
前記半導体層は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）及びスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された一つ以上の元素、及び酸素（Ｏ）を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項９】
前記ソース及びドレイン電極のうち一つは、前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層を同時に貫通するビアホールを通じて前記画素電極に連結された請求項１〜８のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１０】
前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層は、前記画素電極の上部を露出させる開口を形成し、前記第１保護層が形成する開口のエッチング面と、前記第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面とはギャップを形成する請求項１〜９のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１１】
前記第１保護層と第１絶縁層との間に前記ゲート電極と同一物質で形成された第２保護層が備えられ、前記第２保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成された請求項１０に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１２】
前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層は、前記画素電極の上部を露出させる開口を形成し、前記第１保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１３】
前記第１保護層と第１絶縁層との間に前記ゲート電極と同一物質で形成された第２保護層が備えられ、前記第１保護層、第２保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成された請求項１２に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１４】
前記第２絶縁層上にキャパシタ第３電極がさらに備えられた請求項１〜１３のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の平板表示装置用バックプレーンと、
前記平板表示装置用バックプレーンの画素電極に対向する対向電極と、
前記画素電極と対向電極との間に備えられた発光部と、をさらに備える平板表示装置。
【請求項１６】
前記対向電極は、前記発光部から放出された光を反射する反射電極である請求項１５に記載の平板表示装置。
【請求項１７】
前記発光部は、有機発光層を含む請求項１５または１６に記載の平板表示装置。
【請求項１８】
基板上に画素電極及びキャパシタ第１電極を形成する第１マスク工程と、
前記画素電極及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層を形成し、前記第１保護層上に薄膜トランジスタのゲート電極、及びキャパシタ第２電極を形成する第２マスク工程と、
前記ゲート電極及びキャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層を形成し、前記ゲート電極に対応する位置に、透明導電性酸化物を含む半導体層を形成する第３マスク工程と、
前記半導体層を覆う第２絶縁層を形成し、第２絶縁層を貫通して前記半導体層の一部を露出させるコンタクトホールを形成し、前記第１保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通して前記画素電極の一部を露出させるビアホールを形成する第４マスク工程と、
前記コンタクトホール及びビアホールを覆うソース及びドレイン電極を形成する第５マスク工程と、
前記ソース及びドレイン電極を覆う第３絶縁層を形成し、第３絶縁層に前記画素電極の上部を露出させる開口を形成する第６マスク工程と、を含む平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項１９】
前記画素電極及びキャパシタ第１電極は、同一物質で同一層に形成される請求項１８に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２０】
前記薄膜トランジスタのゲート電極、及びキャパシタ第２電極は同一物質で同一層に形成される請求項１８または１９に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２１】
前記第２マスク工程で、前記第１保護層上に画素電極より小さな面積の第２保護層をさらに形成する請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２２】
前記第２保護層は、前記ゲート電極及びキャパシタ第２電極と同一物質で形成される請求項２１に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２３】
前記４マスク工程で、前記第１絶縁層及び第２絶縁層を除去して前記第２保護層を露出させる開口を形成し、前記第５マスク工程で前記第２保護層を除去し、前記第６マスク工程で前記第１保護層を除去する請求項２１または２２に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２４】
前記４マスク工程で、前記第１絶縁層及び第２絶縁層を除去して前記第２保護層を露出させる開口を形成し、前記第５マスク工程で、前記第１保護層及び第２保護層を同時に除去する請求項２１または２２に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２５】
前記第５マスク工程で、前記ソース及びドレイン電極と同一層にキャパシタ第３電極をさらに形成する請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項１】
基板上に透明導電物を含む画素電極と、前記画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第１電極と、
前記画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層と、
前記第１保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第２電極と、
前記ゲート電極及び前記キャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層と、
前記半導体層を覆う第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に形成され、かつ前記第２絶縁層を貫通して前記半導体層に連結され、少なくとも一つは前記画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極を覆って前記画素電極を露出させる第３絶縁層と、を備える平板表示装置用バックプレーン。
【請求項２】
前記キャパシタ第１電極は、前記画素電極と同一物質で形成された請求項１に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項３】
前記透明導電物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、及びアルミニウム酸化亜鉛（ＡＺＯ）を含む群から選択された少なくとも一つ以上を含む請求項１または２に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項４】
前記画素電極は、半透過金属層をさらに含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項５】
前記半透過金属層は、銀（Ａｇ）を含む請求項４に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項６】
前記第１保護層は、絶縁層である請求項１〜５のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項７】
前記キャパシタ第２電極は、前記ゲート電極と同一物質で形成された請求項１〜６のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項８】
前記半導体層は、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）及びスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された一つ以上の元素、及び酸素（Ｏ）を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項９】
前記ソース及びドレイン電極のうち一つは、前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層を同時に貫通するビアホールを通じて前記画素電極に連結された請求項１〜８のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１０】
前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層は、前記画素電極の上部を露出させる開口を形成し、前記第１保護層が形成する開口のエッチング面と、前記第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面とはギャップを形成する請求項１〜９のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１１】
前記第１保護層と第１絶縁層との間に前記ゲート電極と同一物質で形成された第２保護層が備えられ、前記第２保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成された請求項１０に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１２】
前記第１保護層、第１絶縁層、及び第２絶縁層は、前記画素電極の上部を露出させる開口を形成し、前記第１保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１３】
前記第１保護層と第１絶縁層との間に前記ゲート電極と同一物質で形成された第２保護層が備えられ、前記第１保護層、第２保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層が形成する開口のエッチング面は同一に形成された請求項１２に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１４】
前記第２絶縁層上にキャパシタ第３電極がさらに備えられた請求項１〜１３のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーン。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の平板表示装置用バックプレーンと、
前記平板表示装置用バックプレーンの画素電極に対向する対向電極と、
前記画素電極と対向電極との間に備えられた発光部と、をさらに備える平板表示装置。
【請求項１６】
前記対向電極は、前記発光部から放出された光を反射する反射電極である請求項１５に記載の平板表示装置。
【請求項１７】
前記発光部は、有機発光層を含む請求項１５または１６に記載の平板表示装置。
【請求項１８】
基板上に画素電極及びキャパシタ第１電極を形成する第１マスク工程と、
前記画素電極及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層を形成し、前記第１保護層上に薄膜トランジスタのゲート電極、及びキャパシタ第２電極を形成する第２マスク工程と、
前記ゲート電極及びキャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層を形成し、前記ゲート電極に対応する位置に、透明導電性酸化物を含む半導体層を形成する第３マスク工程と、
前記半導体層を覆う第２絶縁層を形成し、第２絶縁層を貫通して前記半導体層の一部を露出させるコンタクトホールを形成し、前記第１保護層、第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通して前記画素電極の一部を露出させるビアホールを形成する第４マスク工程と、
前記コンタクトホール及びビアホールを覆うソース及びドレイン電極を形成する第５マスク工程と、
前記ソース及びドレイン電極を覆う第３絶縁層を形成し、第３絶縁層に前記画素電極の上部を露出させる開口を形成する第６マスク工程と、を含む平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項１９】
前記画素電極及びキャパシタ第１電極は、同一物質で同一層に形成される請求項１８に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２０】
前記薄膜トランジスタのゲート電極、及びキャパシタ第２電極は同一物質で同一層に形成される請求項１８または１９に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２１】
前記第２マスク工程で、前記第１保護層上に画素電極より小さな面積の第２保護層をさらに形成する請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２２】
前記第２保護層は、前記ゲート電極及びキャパシタ第２電極と同一物質で形成される請求項２１に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２３】
前記４マスク工程で、前記第１絶縁層及び第２絶縁層を除去して前記第２保護層を露出させる開口を形成し、前記第５マスク工程で前記第２保護層を除去し、前記第６マスク工程で前記第１保護層を除去する請求項２１または２２に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２４】
前記４マスク工程で、前記第１絶縁層及び第２絶縁層を除去して前記第２保護層を露出させる開口を形成し、前記第５マスク工程で、前記第１保護層及び第２保護層を同時に除去する請求項２１または２２に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【請求項２５】
前記第５マスク工程で、前記ソース及びドレイン電極と同一層にキャパシタ第３電極をさらに形成する請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の平板表示装置用バックプレーンの製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図６Ｆ】
【図６Ｇ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図６Ｆ】
【図６Ｇ】
【公開番号】特開２０１２−２４２８３４（Ｐ２０１２−２４２８３４Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１１２７４１（Ｐ２０１２−１１２７４１）
【出願日】平成２４年５月１６日（２０１２．５．１６）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年５月１６日（２０１２．５．１６）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]