弾性波デバイス、弾性波デバイスの製造方法及びデュプレクサの製造方法

【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１１〜１６と信号路２とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、ＳＡＷ共振子１１〜１６により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路２の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるＳＡＷ共振子１１〜１６と、ＳＡＷ共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路２とを別々の工程により形成する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス、弾性波デバイスの製造方法及びデュプレクサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話端末や基地局に用いられるＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ；高周波）周波数バンド数が増加している。そして、それに用いられるＲＦＳＡＷ（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ；表面弾性波）フィルタやＳＡＷデュプレクサが周波数バンド毎に必要となる。一般に、ＲＦ周波数（バンド数）は各国の周波数割り当てにて決められているので、フィルタやデュプレクサの中心周波数についてはそのバンド数分だけ設計すればよい。しかし一方で、阻止域についての要求仕様は一概に決まりがなく、携帯メーカ毎や機種毎に要求される阻止周波数と阻止域深さ（減衰レベル）が異なる。このため、それらの要望に応じて複数の減衰特性を持つフィルタやデュプレクサをバンド毎に製造する必要がある。
【０００３】
ＳＡＷフィルタは、例えば図１に示すように圧電基板上に、１つ以上のＳＡＷ共振子とそれらを接続する配線部である信号路とを形成して構成される。ＳＡＷ共振子は、例えばＩＤＴ（ＩｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極とこのＩＤＴ電極の両側にグレーティング反射器とを備えている。そして、そのＳＡＷ共振子と信号路は同一のフォトリソグラフィ工程にて一括に同時に形成される。
【０００４】
ＳＡＷ共振子は、信号通過域におけるフィルタ特性の主要な決定因子であり、高い寸法精度が必要である。一方、信号路は、信号阻止域におけるフィルタ特性を決定する因子であり、また寸法精度においてＳＡＷ共振子並みの精度は必要なく設計の自由度も高い。
【０００５】
しかし、前述のように、ＳＡＷ共振子と信号路とを共通のマスクを用いて一括して形成すると次のような問題がある。
（１）ＳＡＷ共振子については要求される特性を実現するために電極の材質、膜厚の選択の自由度が小さく、このため信号路の材質、膜厚についてもＳＡＷ共振子に課せられる制限に拘束される。従って信号路の設計の自由度が小さい。しかし、一方信号路側の作製で決まる減衰域や減衰量などの要求スペックの種類が多いことから、設計の自由度が小さいと、結局ＳＡＷデバイスの設計、開発に手間がかかり、難航する。
【０００６】
（２）ＳＡＷデバイスの試作段階で、試作されたデバイスの性能を検証し、その結果に基づいて信号路に関して設計を調整する場合にその度ごとに試作品用のマスクを作製する必要がある。このような作業を通過帯域の中心周波数の種別ごとに行う必要があり、各種の製品群全体でみると、中心周波数または阻止域の仕様の種別が多くなればなるほど試作用のマスクの数が多くなる。ＳＡＷ共振子のＩＤＴ部分の寸法精度がミクロンオーダーであることから、フォトリソグラフィに用いられるマスクの価格が高く、このため開発コストが高くなる。
【０００７】
（３）製品を製造する段階において、減衰特性に関する要求スペックが多種に亘っているところ、更に通過域の中心周波数の種別が複数あるため、これらの組み合わせの数だけマスクがいる。そして、既述のように、ＳＡＷ共振子用のマスクの価格が高いことから、これらのマスクの費用が製造コストに反映される。
【０００８】
一方、携帯電話等で使用されるＳＡＷ共振子を用いたデュプレクサでは、高域側フィルタポートと低域側フィルタポートの間のアイソレーション特性について高減衰を要求される。しかしデュプレクサでは、各フィルタにおいて複数のＳＡＷ共振子を跨ぐように容量結合が生じ、更に同一圧電基板上に高域側フィルタ及び低域側フィルタを配置すると、両フィルタ間においても容量結合が生じるため、アイソレーション特性が劣化する。これに対しては、圧電基板上で低域側フィルタのアンテナポートとの間に容量結合が形成されるように、アンテナポートに近接配置され接地されたシールド電極を設けることでアイソレーション特性を改善している（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
このシールド電極とアンテナポートとの間に形成された容量結合（以下では、「シールド電極の容量結合」と呼ぶ。）の容量、即ちシールド電極とアンテナポートとのパターンの間隔（以下では、「パターン間隔」と呼ぶ。）の大きさによりアイソレーション特性が変動するため、良好なアイソレーション特性を得るためには、パターン間隔を種々変えて各パターン毎にアイソレーション特性を測定し、その測定結果に基づいてシールド電極の容量結合が適切な容量となるパターンを選定することが必要である。従ってこの作業は、ＳＡＷ共振子及び信号路については同一の構成で、シールド電極の容量結合の容量だけが変わるようにパターン間隔の大きさが互いに異なる複数種類のフォトマスクを作成する必要がある。しかし、ＳＡＷ共振子及び信号路が同じで変わっているのはシールド電極の容量結合の容量のみであるにもかかわらず、全てのパターンについて（シールド電極以外についても）フォトマスクを作成しなければならず、手間が多く、開発費の高騰の要因の一つとなっている。
【００１０】
特許文献２には、弾性表面波励振用電極とこれに電気的に接続される半導体回路及びその配線部とを別々の工程により共通の基板上に形成する弾性表面波装置の製造方法が記載されているが、本発明の課題を解決するものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１０−２３９６１２号公報
【特許文献２】特開昭６０−７４７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は設計の自由度が高く、所望の性能を有する弾性波デバイスの開発が容易な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明における弾性波デバイスの製造方法は、
圧電基板上に、ＩＤＴ電極を備えた素子部と信号路をなす配線部とを設けた弾性波デバイスを製造する方法において、
圧電基板上に導電性薄膜を成膜する工程と、
前記導電性薄膜上にレジスト膜を形成して、第１のパターンを含むマスクを用いた露光することによりレジストパターンを形成する工程と、
このレジストパターンを用いて前記導電性薄膜をエッチングして前記素子部を作製する工程と、
次いで前記圧電基板上に前記素子部よりもパターンの寸法精度が低いレジスト膜を形成し、前記第１のパターンよりも寸法精度の低い、配線部分に対応する第２のパターンを含むマスクを用いて露光することによりレジストパターンを形成する工程と、
その後、前記レジストパターンの上に導電性薄膜を成膜し、更にレジスト膜を除去して、導電性薄膜のうち当該レジストパターンの凹部に成膜された部分からなる配線部を作製する工程と、を含むことを特徴とする。
また、上述の方法により製造される弾性波デバイスは、配線部の材質及び膜厚の少なくとも一方が前記素子部と異なっていてもよい。
【００１４】
本発明のデュプレクサの製造方法は、
入出力ポートと、この入出力ポートに対して信号の送信及び受信のいずれか一方を行う低域側フィルタポートの、少なくとも一方のポートとの間において容量結合が形成されるように、当該一方のポートに近接配置されると共に接地されたシールド電極が圧電基板上に形成されたデュプレクサの製造方法において、
前記圧電基板上に第１の導電性薄膜を成膜する工程と、
前記第１の導電性薄膜上にレジスト膜を形成し、マスクを用いて露光することにより第１のレジストパターンを形成する工程と、
このレジストパターンを用いて前記第１の導電性薄膜をエッチングして、ＩＤＴ電極を備えた共振子からなる素子部を作製するか、あるいはこの素子部及び前記シールド電極の一部を作製する工程と、
次いで前記容量結合の容量を調整するために、前記圧電基板上に前記素子部よりもパターンの寸法精度が低い、前記シールド電極の全部あるいは前記シールド電極の前記一部以外の残部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明のデュプレクサの製造方法は、
前記シールド電極の全部あるいは残部を形成する工程は、前記圧電基板上に第２の導電性薄膜を成膜する段階と、
第２の導電性薄膜の上にレジスト膜を形成して、前記マスクのパターンよりも寸法精度の低い、前記シールド電極の全部あるいは残部に対応するパターンが形成されたマスクを用いて露光することにより、前記シールド電極の全部あるいは残部に対応する部位を覆う第２のレジストパターンを形成する段階と、
その後、前記第２のレジストパターンに覆われていない前記第２の導電性薄膜をエッチングして除去し、更に前記第２のレジストパターンを形成するレジスト膜を除去する工程と、を含んでもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、弾性波デバイスにおけるＩＤＴ電極を備えた素子部のパターン形成工程と配線部のパターン形成工程を別々にすることで、その形成手法であるフォトリソグラフィ工程における前記素子部のための高精度フォトマスクの流用が可能となり、また前記配線部の設計自由度が向上する。このため、デバイスの開発が容易になり、製造のコストを削減することができる。またデュプレクサの製造工程において、ＩＤＴ電極を備えた素子部のパターン形成工程とシールド電極の全部または一部のパターン形成工程とを別々にすることで、素子部のための高精度フォトマスクの流用が可能となり、製造コストの削減化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路を示す平面図である。
【図２】上述実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路におけるＳＡＷ共振子を示す平面図である。
【図３Ａ】上述実施形態に係る回路のパターン形成工程の概要を模式的に示す縦断側面図である。
【図３Ｂ】上述実施形態に係る回路のパターン形成工程の概要を模式的に示す縦断側面図である。
【図３Ｃ】上述実施形態に係る回路のパターン形成工程の概要を模式的に示す縦断側面図である。
【図４】上述実施形態に係る、必要フォトマスク数の従来との比較のための説明図である。
【図５】上述の実施形態に係る、別のパターンのＳＡＷフィルタ回路を示す平面図である。
【図６】上述の実施形態に係る、別のパターンのＳＡＷフィルタ回路を示す平面図である。
【図７】上述の実施形態に係る、別のパターンのＳＡＷフィルタ回路を示す平面図である。
【図８】本発明における他の実施例に係るＳＡＷフィルタ回路を示す平面図である。
【図９Ａ】上述の他の実施例に係る回路のパターン形成工程の概要を模式的に示す縦断側面図である。
【図９Ｂ】上述の他の実施例に係る回路のパターン形成工程の概要を模式的に示す縦断側面図である。
【図１０】本発明における他の実施形態に係るデュプレクサを示す平面図である。
【図１１】前記デュプレクサの概要を示す回路図である。
【図１２Ａ】前記デュプレクサの回路のパターン形成工程の概要を示す模式図である。
【図１２Ｂ】前記デュプレクサの回路のパターン形成工程の概要を示す模式図である。
【図１２Ｃ】前記デュプレクサの回路のパターン形成工程の概要を示す模式図である。
【図１３】前記デュプレクサを示す平面図である。
【図１４】前記デュプレクサを示す平面図である。
【図１５】前記デュプレクサの他の例を示す平面図である。
【図１６】前記デュプレクサの他の例の概要を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の弾性波デバイスをラダー型のＳＡＷフィルタに適用した実施形態について説明する。図１は、ラダー型のＳＡＷフィルタの回路を示す概略図であり、１０は、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）あるいは水晶などの圧電体からなる圧電基板１０である。この圧電基板１０には、直列腕のＳＡＷ共振子１１、１３、１５と並列腕のＳＡＷ共振子１２、１４、１６とが交互に梯子形に接続されている。これらＳＡＷ共振子１１〜１６は、ＩＤＴ電極を備えた素子部に相当する。
【００１９】
これらＳＡＷ共振子１１〜１６は、図１では略解して記載されているが、実際には図２に示すように、交差指状電極であるＩＤＴ電極１ａと、弾性波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極の両側に配置された２つの反射器１ｂとから構成されている。ＳＡＷ共振子１１〜１６の電極（反射器を含む。）は、例えば膜厚０．１μｍ〜１μｍのアルミニウム薄膜からなり、電極間距離及び電極の幅寸法は、例えば０．５μｍ〜１０μｍに設定されている。
【００２０】
これらＳＡＷ共振子１１〜１６は、圧電基板１０上に形成された信号路２により互いに接続されている。この信号路２の一端部及び他端部は夫々入力端２１及び出力端２２に相当する。本実施形態のＳＡＷフィルタは、例えばＳＡＷデュプレクサの送信側のフィルタとして用いられ、例えば同一基板１０上に図１に示す当該ＳＡＷフィルタと図示しない受信側のＳＡＷフィルタとが搭載されて電子部品が構成される。信号路２は、例えば膜厚が０．１μｍ〜１μｍのアルミニウム薄膜からなり、その幅寸法は例えば１０μｍ〜３００μｍに設定される。
【００２１】
ＳＡＷフィルタの通過域の中心周波数は、ＳＡＷ共振子１１〜１６の各ＩＤＴ電極ピッチ及び電極の幅寸法で決まる配列周期により調整される。阻止域における阻止周波数や減衰レベルは、信号路２のパターン形状、幅寸法、長さ、膜厚あるいは材質などを変えてインダクタンスを調整することにより設定される。この例では、信号路２は付加回路部に相当する。
【００２２】
次に、本発明の実施形態におけるＳＡＷデバイスの製造工程ついて、図３Ａ〜図３Ｃを用いて説明する。
まず、圧電基板１０上に例えばアルミニウムからなる金属薄膜３を形成する（図３Ａ（ａ））。この金属薄膜３の上にポジティブタイプのレジスト４を塗布し（図３Ａ（ｂ））、高精度（例えばμｍオーダーあるいは０．１μｍオーダーの精度）に作製された第１のパターンを有する第１のフォトマスク５ａを用いて圧電基板１０に対して露光処理する（図３Ａ（ｃ））。第１のパターンに対して高い精度が要求されるのは、ＳＡＷ共振子１のＩＤＴ電極の幅寸法、間隔に対して高い精度が要求されるからである。そして、現像処理により露光部分のレジスト４を除去して第１のレジストパターンを形成し（図３Ａ（ｄ））、続くエッチング処理により露出した部分の金属薄膜３を除去する（図３Ｂ（ｅ））。更に、残ったレジスト４をアッシング処理することでＳＡＷ共振子１が形成される（図３Ｂ（ｆ））。
【００２３】
続いて、付加回路部である信号路２を形成する。まず、ＳＡＷ共振子１が形成された圧電基板１０上にネガティブタイプのレジスト４ａを塗布する（図３Ｂ（ｇ））。そして、前述の高精度フォトマスク５ａの第１のパターンよりも寸法精度が低い第２のパターンを有する、ネガティブタイプの第２のフォトマスク５ｃを用いて圧電基板１０に対して露光処理する（図３Ｂ（ｈ））。この第２のパターンは信号路２のパターンに相当し、その寸法精度は例えば１０μｍオーダーである。そして現像処理によりこの露光部分のレジスト４ａを除去する。これにより信号路２に対応する部位に開口部が形成された第２のレジストパターンを形成する（図３Ｃ（ｉ））。次いで、その圧電基板１０上に金属薄膜３ａを蒸着させた後（図３Ｃ（ｊ））、溶媒であるレジスト剥離液によりレジスト４ａを溶かすことで金属薄膜３ａのうちレジスト４ａ上に形成されている部分を除去する。こうしてリフトオフプロセスを行うことにより、信号路２のパターンの金属薄膜３ａが圧電基板１０上に残り、ＳＡＷ共振子１１〜１６と信号路２とからなるＳＡＷフィルタが得られる（図３Ｃ（ｋ））。
【００２４】
上述の実施形態によれば、ＩＤＴ電極を備えた素子部であるＳＡＷ共振子１１〜１６と配線部である信号路２とを、別々のマスクを用いて別工程で作製している。従って、信号路２についてはＳＡＷ共振子１１〜１６に用いられる電極の材質や膜厚に拘束されることなく、その材質、膜厚を任意に選ぶことができ、これにより設計の自由度が広がる。このため、ユーザ側の要求スペックに容易に対応することができる上、性能の向上も図れる。
【００２５】
また、ＳＡＷデバイスの試作段階で、試作されたデバイスの性能を検証し、その結果に基づいて信号路に関して設計を調整する場合に、試作品用のマスクを、ＳＡＷ共振子のパターンも含む高価な高精度のマスクから独立して作製することができるのでマスクの価格が低廉であり、試作費用が抑えられる。そして、ＳＡＷフィルタの通過帯域の中心周波数の種別が多く、各種別の間で、減衰特性については共通化している場合には、一の種別で用いた信号路２のマスクを他の種別のＳＡＷフィルタの試作に流用でき、試作用のマスクの数を抑えることができる。
【００２６】
ここで図４に、例えば中心周波数が３バンドで阻止域における減衰量が４種類のパターンのＳＡＷフィルタを製造する場合について、従来どおりＳＡＷ共振子１と信号路２を同時に露光処理する場合と、本発明における実施形態であるＳＡＷ共振子１と信号路２とで別々のフォトマスク５ａ、５ｃを用いて露光処理を行う場合と、における使用フォトマスク数を比較した説明図を示しておく。従来の場合では３バンド×４種類＝計１２枚の高精度に作製されたフォトマスク５ｄを用意しなければならないのに対し、本発明においては３枚の高精度マスク５ａと４枚の低精度マスク５ｃがあればよい。従って、低コストで設計自由度の高いＳＡＷデバイスが実現可能となり、所望の性能を有するデバイスを早期に開発できる。
【００２７】
また、ＳＡＷフィルタの製造時においても、一の種別（阻止域におけるフィルタ特性）の製品で用いたＳＡＷ共振子１１〜１６のマスクを他の種別の製品に流用できる場合には、やはりマスクの数を抑えることができ、製造コストの低廉化に寄与する。なお、信号路２のパターンを変更することで阻止域における減衰特性にバリエーションを持たせた場合についてのＳＡＷフィルタ回路の平面図の例を図５〜図７に示す。
【００２８】
更にまた、信号路２の寸法は高精度が要求されないことから、その製作手法はフォトリソグラフィに限らず銀ペーストなどのスクリーン印刷、低抵抗が期待できる厚膜メッキあるいはインクジェット描画などを用いることができる。
インクジェット描画法を用いる場合には次のようにして処理を行う。圧電基板１０上に既述のようにしてＳＡＷ共振子のパターンを形成した後、当該圧電基板１０を、Ｘ，Ｙ方向に移動自在、昇降自在かつ鉛直軸周りに回転自在な載置台上に水平に載置する。そして圧電基板１０上のＳＡＷ共振子のパターンをカメラで撮像してパターンの水平方向の位置及び向きをコンピュータで認識し、認識した位置情報に基づいて、位置が固定されたインクジェットノズルの下方領域にて載置台を移動制御し、当該ノズルから導電性のペーストを吐出させて信号路２に対応するように当該ペーストのパターンを形成し、ペーストを乾燥させて信号路２を作製する。
【００２９】
またスクリーン印刷法を用いる場合には次のようにして処理を行う。圧電基板１０上に既述のようにしてＳＡＷ共振子のパターンを形成した後、信号路２に対応する部位に開口部を形成したメタルマスクを圧電基板１０上に重ねて配置する。その後当該メタルマスクの上から導電性ペーストを供給することにより前記開口部に導電性ペーストが流入する。その後メタルマスクを取り除き、当該ペーストを乾燥させることにより信号路２を作製する。
【００３０】
また信号路２及びＩＤＴ電極は一層の金属膜からなることに限らず、例えば基板側からアルミニウム、チタン、金を順番に積層した３層構造体や、他の金属を組み合わせた２層構造体、あるいは４層以上の金属膜の積層体などであってもよい。
【００３１】
以下、本発明における他の実施形態について説明する。
図８は、図１における信号路２の接地用電極部分２ｂを、インダクタンス調整回路部として使用している例である。この接地用電極部分（インダクタンス調整回路部）２ｂは、当該部分のインダクタンス値を調整することにより、ＳＡＷデバイスの阻止域における仕様を設定するための部位である。このため、信号路の寸法精度を、信号路２ａにおけるインダクタンス調整回路部２ｂ以外の部分よりも高く、例えば０．１μｍオーダーの精度に設定している。インダクタンス調整回路部２ｂの寸法精度は、ＳＡＷ共振子１１〜１６よりも低い。
【００３２】
図９Ａ及び図９Ｂは、このＳＡＷフィルタにおけるパターン形成工程を模式的に示している。まず、既述の実施形態と同様にして、圧電基板１０上にＳＡＷ共振子１のパターン形成を行う（図３Ａ（ａ）〜図３Ｂ（ｆ））。続いて、図９Ａ（ｇ）に示すように、圧電基板１０上にレジスト４ｂを塗布し、インダクタンス調整回路部２ｂのパターン形成用マスク５ｂにて露光処理を行う（図９Ａ（ｈ））。そして、現像処理、金属薄膜３ｂの蒸着及びレジスト４ｂの除去をこの順に行うことでインダクタンス調整回路部２ｂのパターンが形成される（図９Ａ（ｉ））。更に同様に、圧電基板１０上へのレジスト４ｃの塗布（図９Ｂ（ｊ））、信号路２ａのパターン形成用マスク５ｃを用いる露光処理（図９Ｂ（ｋ））、現像処理を行う。次いで、金属薄膜３ｃの蒸着及びレジスト４ｃの除去をこの順に行うことで信号路２ａのパターンが形成される（図９Ｂ（ｌ））。このように、ＳＡＷ共振子以外の部分で精度を要求される場合においても、本発明は適用可能である。
【００３３】
続いて、本発明の他の実施形態として、デュプレクサの製造方法について説明する。本実施形態のデュプレクサは、図１０に示すように、１枚の圧電基板１０上にアンテナポート６に信号を送信する低域（送信）側フィルタ６１ａと、アンテナポート６から受信信号を受信する高域（受信）側フィルタ６１ｂとを備えている。これら両フィルタ６１ａ、６１ｂは、夫々の入出力ポート６、６は、同一のアンテナポート６に接続されて一体化されている。両フィルタ６１ａ、６１ｂは夫々、直列腕のＳＡＷ共振子６２、６２及び並列腕のＳＡＷ共振子６３、６３によりラダー型フィルタを構成している。図１０中６４は信号路、６５ａ及び６５ｂは夫々低域側フィルタポート及び高域側フィルタポートであり、図中６６は接地用電極である。
【００３４】
またこのデュプレクサには、アイソレーション特性の劣化を抑制するために、シールド電極７が設けられている。このシールド電極７は、その一端において低域側フィルタ６１ａの接地用電極６６に電気的に接続されており、アンテナポート６付近まで伸ばされている。一方シールド電極７の他端は、アンテナポート６とのパターン間隔が離間寸法Ｌとなるように近接して配置されており、図１１に示すように、シールド電極７とアンテナポート６との間で容量結合Ｃが形成されるようになっている。このパターン間隔の大きさ（離間寸法）Ｌを適切化することにより、アイソレーション特性を良好にすることができる。
【００３５】
次にこのデュプレクサの製造工程について説明する。図１２は、この製造工程を説明するためにＳＡＷ共振子６２（６３）、信号路６４、標準シールド電極７１及び調整用シールド電極７２を便宜的に配置した、デュプレクサの模式的な断面図である。ここで言う標準シールド電極７１とは、このデュプレクサのアイソレーション特性が適切になるように離間寸法Ｌを調整する前のいわば暫定的なシールド電極７のことである。標準（暫定的な）シールド電極７１に追加してパターン形成を行い、離間間隔Ｌを調整するためのシールド電極７の追加部分のことを調整用シールド電極７２と呼ぶ。暫定的なシールド電極７１の形成時の離間寸法Ｌは、その後の調整用シールド電極７２により離間間隔Ｌの調整が可能なように設計値よりも大きめにとっている。
【００３６】
先ず例えば水晶からなる圧電基板１０上に第１回成膜処理を行って、例えばアルミニウムからなる金属薄膜３ｅを成膜する（図１２Ａ（ａ））。更にこの金属薄膜３ｅ上にレジストを塗布してレジスト膜４ｅを形成する（図１２Ａ（ｂ））。そしてＳＡＷ共振子６２（６３）、信号路６４及び標準シールド電極７１を形成するための寸法精度の高い高精度なフォトマスク５ｅを用いて紫外線を照射する露光処理を行う（図１２Ａ（ｃ））。この高精度なフォトマスク５ｅの寸法精度は例えばμｍオーダーあるいは０．１μｍオーダーである。その後現像処理によりＳＡＷ共振子６２（６３）、信号路６４及び標準シールド電極７１に対応するレジストパターンを形成して（図１２Ａ（ｄ））、ドライエッチングによりレジスト膜４ｅから露出した部分の金属薄膜３ｅを除去し（図１２Ａ（ｅ））、更にアッシングにより残りのレジスト膜を除去する（図１２Ｂ（ｆ））。こうして、図１３に示すように、ＳＡＷ共振子６２（６３）、信号路６４及び標準シールド電極７１のパターン形成が完了する。
【００３７】
続いて調整用シールド電極７２のパターン形成を行い、アイソレーション特性の調整を行う。先ず上述のＳＡＷ共振子６２（６３）、信号路６４及び標準シールド電極７１のパターンが形成された圧電基板１０上に第２回成膜処理を行って例えばアルミニウムからなる金属薄膜３ｆを成膜し（図１２Ｂ（ｇ））、更にレジスト膜４ｆを形成する（図１２Ｂ（ｈ））。このレジスト膜４ｆに対して、ＳＡＷ共振子６２（６３）等用のものに比べて寸法精度が低い、調整用シールド電極７２を形成するためのフォトマスク５ｆを用いて露光処理を行い（図１２Ｂ（ｉ））、現像する（図１２Ｂ（ｊ））。このフォトマスク５ｆの寸法精度は例えば１０μｍオーダーである。そして第２回成膜処理により成膜された金属薄膜３ｆをエッチングし、更にアッシングを行ってレジスト膜４ｆを除去し（図１２Ｃ（ｋ）及び（ｌ））、図１４（ａ）に示すように、デュプレクサのパターン形成が完了する。
【００３８】
この後、製造したデュプレクサのアイソレーション特性を計測して適切な離間間隔Ｌを検討し、離間間隔Ｌを変更した方がよい場合には、その離間寸法を変えた調整用シールド電極７２用のフォトマスク５ｆと前述のＳＡＷ共振子６２（６３）等用のフォトマスク５ｅを用いて同様にデュプレクサを製造し、そのアイソレーション特性を計測する。図１４（ｂ）及び（ｃ）は、このとき圧電基板１０上に形成されたパターンの例を示している。尚、判別しやすいように、信号路６４やシールド電極７１、７２などにはハッチングを付してある。
【００３９】
このデュプレクサの製造方法の実施形態によれば、ＳＡＷ共振子形成用のフォトマスク５ｅと調整用シールド電極７２形成用のフォトマスク５ｆとを別々に作成して、ＳＡＷ共振子６２（６３）及びシールド電極７（７２）の夫々のパターンを別々に形成している。従って、離間間隔Ｌが異なる複数種類の調整用シールド電極７２用のフォトマスク５ｆに対して、高精度のフォトマスクであるＳＡＷ共振子のパターン形成用のフォトマスク５ｅを流用することができるので、フォトマスク作成の手間や費用を抑えることができる。またこれらの離間間隔Ｌの違う各シールド電極用のフォトマスク５ｆは、構成の異なる別のＳＡＷ共振子用のフォトマスクとも組み合わせて利用できるため、更に手間や費用を抑えることができる。
【００４０】
上述のデュプレクサの製造工程の実施形態では、シールド電極７をアンテナポート６に近接配置して容量結合を形成しているが、本発明はこれに限らず、良好なアイソレーション特性を得るためには、図１５及び図１６に示すように、シールド電極７をアンテナポート６に近接させる代わりに低域側フィルタポート６５ａに近接配置して容量結合を形成してもよい。この場合においても、ＳＡＷ共振子形成用のフォトマスク５ｅと調整用シールド電極７２形成用のフォトマスク５ｆとを別々に作成することにより、同様の効果が得られる。またシールド電極７をアンテナポート６及び低域側フィルタポート６５ａの両方に近接配置して夫々において容量結合を形成してもよい。
【００４１】
また上述のデュプレクサの製造工程の実施形態では、標準（暫定的な）シールド電極７１をＳＡＷ共振子６２（６３）と同時に形成しているが、ＳＡＷ共振子６２（６３）を形成する工程と切り離し、同時に形成するようにしてもよい。即ち、本発明は、素子部であるＳＡＷ共振子６２（６３）とシールド電極の一部である標準シールド電極７１とを高精度フォトマスクを用いて同時に形成してもよいが、ＳＡＷ共振子を高精度フォトマスクを用いて形成し、シールド電極の全部（標準シールド電極７１と調整用シールド電極７２）を低精度フォトマスクを用いて形成してもよく、この場合においても同様の効果がある。
【符号の説明】
【００４２】
１０圧電基板
１１、１３、１５ＳＡＷ共振子（直列腕）
１２、１４、１６ＳＡＷ共振子（並列腕）
１ａＩＤＴ電極
１ｂ反射器
２、２ａ信号路
２ｂ接地用電極部分（インダクタンス調整回路部）
２１入力端
２２出力端
３、３ａ，３ｂ，３ｃ金属薄膜
４，４ａ，４ｂ，４ｃレジスト
５ａ高精度フォトマスク（ＳＡＷ共振子用）
５ｂ中精度フォトマスク（インダクタンス調整回路部用）
５ｃ低精度フォトマスク（信号路用）
５ｄ高精度フォトマスク（ＳＡＷ共振子及び信号路用）

【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に、ＩＤＴ電極を備えた共振子と信号路をなす配線部とを設けた弾性波デバイスを製造する方法において、
圧電基板上に導電性薄膜を成膜する工程と、
前記導電性薄膜上にレジスト膜を形成し、マスクを用いて露光することにより第１のレジストパターンを形成する工程と、
このレジストパターンを用いて前記導電性薄膜をエッチングして素子部を作製する工程と、
次いで前記圧電基板上に前記素子部よりもパターンの寸法精度が低い配線部分を形成する工程と、を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記配線部分を形成する工程は、前記圧電基板上にレジスト膜を形成して、前記マスクのパターンよりも寸法精度の低い、配線部分に対応するパターンが形成されたマスクを用いて露光することにより、配線部分に対応する部位に開口部が形成された第２のレジストパターンを形成する工程と、
その後、前記第２のレジストパターンの上に導電性薄膜を成膜し、更にレジスト膜を除去して、導電性薄膜のうち第２のレジストパターンの開口部に成膜された部分からなる配線部を作製する工程と、を含むことを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記弾性波デバイスは、ラダー型弾性波フィルタであることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載された方法により製造され、配線部の材質及び膜厚の少なくとも一方が前記共振子と異なることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項５】
入出力ポートと、この入出力ポートに対して信号の送信及び受信のいずれか一方を行う低域側フィルタポートの、少なくとも一方のポートとの間において容量結合が形成されるように、当該一方のポートに近接配置されると共に接地されたシールド電極が圧電基板上に形成されたデュプレクサの製造方法において、
前記圧電基板上に第１の導電性薄膜を成膜する工程と、
前記第１の導電性薄膜上にレジスト膜を形成し、マスクを用いて露光することにより第１のレジストパターンを形成する工程と、
このレジストパターンを用いて前記第１の導電性薄膜をエッチングして、ＩＤＴ電極を備えた共振子からなる素子部を作製するか、あるいはこの素子部及び前記シールド電極の一部を作製する工程と、
次いで前記容量結合の容量を調整するために、前記圧電基板上に前記素子部よりもパターンの寸法精度が低い、前記シールド電極の全部あるいは前記シールド電極の前記一部以外の残部を形成する工程と、を含むことを特徴とするデュプレクサの製造方法。
【請求項６】
前記シールド電極の全部あるいは残部を形成する工程は、前記圧電基板上に第２の導電性薄膜を成膜する段階と、
第２の導電性薄膜の上にレジスト膜を形成して、前記マスクのパターンよりも寸法精度の低い、前記シールド電極の全部あるいは残部に対応するパターンが形成されたマスクを用いて露光することにより、前記シールド電極の全部あるいは残部に対応する部位を覆う第２のレジストパターンを形成する段階と、
その後、前記第２のレジストパターンに覆われていない前記第２の導電性薄膜をエッチングして除去し、更に前記第２のレジストパターンを形成するレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項５記載のデュプレクサの製造方法。

【図１】