弾性波デバイス及びその製造方法
【課題】 弾性波デバイスにおけるフィルタ特性の安定及び信頼性の向上。
【解決手段】 圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。圧電基板１０上に櫛形電極１２を形成する工程と、櫛形電極１２の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。絶縁膜１６をＡＬＤ法により形成することで、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。
【解決手段】 圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。圧電基板１０上に櫛形電極１２を形成する工程と、櫛形電極１２の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。絶縁膜１６をＡＬＤ法により形成することで、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板上にＩＤＴ（interdigital transducer）が形成された弾性波デバイス（例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタ）が知られている。また、ＩＤＴを構成する櫛形電極の表面を絶縁膜（例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等）で覆うことにより、弾性波デバイスの信頼性を向上させることが知られている（例えば、特許文献１及び２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１３５７６６号公報
【特許文献２】特開２００８−１３５９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の弾性波デバイスでは、櫛形電極の表面に形成される絶縁膜の厚みにより、弾性波デバイスのフィルタ特性（例えば、中心周波数）が変化してしまう場合があった。このため、絶縁膜の形成時においてはフィルタ特性を所望の値に調整することが難しく、デバイスチップの完成後にフィルタ特性を調整する工程が必要となり、製造工程が増えてしまうという課題があった。
【０００５】
また、絶縁膜の材料に酸化アルミニウムを用いた場合、櫛形電極に対する被覆性が良好とならない場合があった。このため、例えばデバイス完成後のモールド成型時における樹脂部の帯電により、絶縁膜の欠陥部分を起点として櫛形電極の静電破壊が生じ、弾性波デバイスの信頼性が低下してしまう場合があった。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みなされたものであり、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上が可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された櫛形電極と、前記櫛形電極の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、酸化アルミニウムを含む絶縁膜をＡＬＤ法で形成することにより、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。
【０００８】
上記構成において、前記櫛形電極は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記アルミニウム合金は、銅を含む構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記圧電基板上に、前記櫛形電極を覆うように設けられた封止部を備え、前記櫛形電極の上方には前記封止部により区画された空洞部が形成されている構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記櫛形電極の側面は、前記圧電基板の表面に対し垂直である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記櫛形電極は、複数の金属層を含む多層構造である構成とすることができる。
【００１３】
本発明は、圧電基板上に櫛形電極を形成する工程と、前記櫛形電極の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、酸化アルミニウムを含む絶縁膜をＡＬＤ法で形成することにより、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、弾性波デバイスにおけるフィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、弾性波デバイスの製造方法を示す図である。
【図２】図２は、弾性波デバイスの構成を示す図である。
【図３】図３は、実験に使用した弾性波デバイスの構成を示す図（その１）である。
【図４】図４は、弾性波デバイスの中心周波数の測定結果を示すグラフ（その１）である。
【図５】図５は、弾性波デバイスの変形例を示す図（その１）である。
【図６】図６は、弾性波デバイスの変形例を示す図（その２）である。
【図７】図７は、弾性波デバイスの変形例を示す図（その３）である。
【図８】図８は、実験に使用した弾性波デバイスの構成を示す図（その２）である。
【図９】図９は、弾性波デバイスの中心周波数の測定結果を示すグラフ（その２）である。
【図１０】図１０は、弾性波デバイスの変形例を示す図（その４）である。
【図１１】図１１は、弾性波デバイスの耐圧試験の結果を示す表である。
【図１２】図１２は、櫛形電極の詳細な構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１６】
図１（ａ）〜（ｅ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す図である。最初に、図１（ａ）に示すように、圧電基板１０上にＩＤＴの一部である櫛形電極１２と、外部接続用の電極パッド１４を形成する。圧電基板１０には、例えばＬｉＮｂＯ３基板またはＬｉＴａＯ３を用いることができ、櫛形電極１２及び電極パッド１４には、例えばアルミニウムを用いることができる。櫛形電極１２及び電極パッド１４の形成は、例えば蒸着法及びリフトオフ法により行うことができる。櫛形電極１２及び電極パッド１４の厚みは、例えば３５０ｎｍとすることができる。
【００１７】
次に、図１（ｂ）に示すように、圧電基板１０、櫛形電極１２、電極パッド１４の表面に絶縁膜１６を形成する。ここで、絶縁膜１６には酸化アルミニウムを用い、例えば熱ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により膜形成を行う。例えば、プリカーサーＴＭＡ（Tetra Methyl Aluminum）と酸化剤（例えば、水またはオゾン）を反応させ、絶縁膜１６を形成することができる。絶縁膜１６の膜厚は、例えば５０ｎｍ、成膜レートは例えば１秒当たり０．１０１ｎｍとすることができる。なお、熱ＡＬＤ法の代わりにプラズマＡＬＤ法を用いてもよい。
【００１８】
次に、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜１６の一部を除去して電極パッド１４を露出させる。絶縁膜１６の除去は、例えばＢＣｌ３ガスを用いたドライエッチングにより行うことができ、エッチングレートは例えば１秒当たり１ｎｍとすることができる。次に、露出した電極パッド１４の上面及び周辺の絶縁膜１６上に、外部と電気的接続を図るための金属層１８を形成する。金属層１８の形成は、例えば蒸着法を用いてＴｉ及びＡｕを下から順に積層することにより行うことができる。金属層１８の厚みは、例えば６００ｎｍとすることができる。
【００１９】
次に、図１（ｄ）に示すように、圧電基板１０上に櫛形電極１２を覆うように封止部２０及び２２を形成する。封止部２０及び２２は、例えばテンティング法により樹脂（例えば、エポキシ系感光性樹脂）を絶縁膜１６及び金属層１８の上面に形成し、露光することにより形成することができる。櫛形電極１２の上方は、封止部２０が除去され、空洞２４が形成されている。また、金属層１８の上方には、封止部２０及び２２を貫通する貫通孔２３が形成されている。圧電基板１０から封止部２２の上面までの厚みは、例えば７５μｍとすることができる。
【００２０】
次に、図１（ｅ）に示すように、貫通孔２３の内部に電極ポスト２６を形成する。電極ポスト２６には、例えばＮｉを用いることができ、例えばメッキ法により形成することができる。電極ポスト２６の下面は電極パッド１４に接触し、電極ポスト２６の側面は封止部２０及び２２に接触している。最後に、電極ポスト２６の上面に、外部接続用の半田ボール２８を形成する。以上の工程により、実施例１に係る弾性波デバイスのデバイスチップ（パッケージ封止前の状態）が完成する。
【００２１】
図２（ａ）〜（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスのデバイスチップの構成を示す図である。図２（ａ）は上面模式図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面模式図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面模式図である。また、図１（ａ）〜（ｅ）に示した製造工程の断面図は、図２（ａ）のＣ−Ｃ線に沿ったものである。なお、図２（ａ）では、櫛形電極１２と電極パッド１４とを結ぶ接続配線を省略している。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、櫛形電極１２が形成された領域の上方には、封止部２０及び２２により区画された空洞２４が形成されている。また、図２（ｃ）に示すように、両端の電極パッド同士は、圧電基板１０上に形成された電極配線３０により電気的に接続されている。なお、図１及び図２では、櫛形電極の本数を省略し、模式的に図示している（以下の図においても同様）。
【００２２】
ここで、図１（ｂ）における絶縁膜１６の形成工程は、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により行うことが考えられる。しかし、この方法では、櫛形電極１２の表面における絶縁膜１６の被覆性が良好とならない場合がある。特に、櫛形電極１２に銅を含む材料（例えば、銅を含むアルミニウム合金）を用いた場合、被覆性が特に悪化してしまう場合がある。櫛形電極１２に対する絶縁膜１６の被覆性が良好でない場合、欠陥箇所を起点として櫛形電極１２の静電破壊が発生してしまう場合がある。このような静電破壊は、例えばデバイスチップ完成後のモールド成形時において、封止のための樹脂部が帯電することにより引き起こされる。
【００２３】
また、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法では、絶縁膜１６の厚みにより弾性波デバイスのフィルタ特性（例えば、中心周波数）が変化してしまう場合がある。このため、図１（ａ）〜図１（ｅ）の製造工程において、フィルタ特性を所望の値に調整することが難しく、デバイスチップの完成後に改めてフィルタ特性を調節する必要がある。その結果、製造工程が増加してしまう。
【００２４】
これに対し、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程では、絶縁膜１６の形成をＡＬＤ法により行う。ＡＬＤ法では、櫛形電極１２及び電極パッド１４の表面に、一分子ずつ吸着反応させることにより絶縁膜１６を成長させる。これにより、櫛形電極１２に対する絶縁膜１６の被覆性を向上させ、櫛形電極１２の静電破壊を抑制することができる。その結果、弾性波デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００２５】
また、ＡＬＤ法により絶縁膜１６を形成する場合、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法の場合とは異なり、絶縁膜１６の厚みが変化しても、弾性波デバイスのフィルタ特性はほとんど変化しない。これにより、弾性波デバイスのフィルタ特性を安定させると共に、デバイスチップの完成後におけるフィルタ特性の調整工程を省略することができる。
【００２６】
以上のように、実施例１に係る弾性波デバイス及びその製造方法によれば、絶縁膜１６をＡＬＤ法により形成することで、フィルタ特性を安定させ、信頼性を向上させることができる。なお、絶縁膜１６がＡＬＤ法で形成されたものであるか否かは、デバイスチップの完成後においても、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）による断面観察や、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion-microprobe Mass Spectrometer）により確認することが可能である。
【００２７】
次に、実施例１に係る弾性波デバイスを用いた実験結果について説明する。
【００２８】
図３は、実験に使用した弾性波デバイスのフィルタ構成を示す上面模式図である。図中の弾性波デバイスは、２つの弾性表面波フィルタが並列に接続された２重モードフィルタ（ＤＭＳ：Double Mode SAW）であり、不平衡の入力端子Ｉｎに接続された共振器４０と、平衡の出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２にそれぞれ接続された第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４を備える。第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４は、それぞれ両端に反射電極が設けられた３ＩＤＴ構造を有し、中心のＩＤＴが共振器４０に接続され、両端のＩＤＴはそれぞれの出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２にそれぞれ接続されている。
【００２９】
本実験では、ＩＤＴを構成する櫛形電極１２の材料をアルミニウムとし、厚みは１６０ｎｍとした。また、櫛形電極１２のピッチを１０３２．７ｎｍ、電極指幅と空隙幅との比（Ｌ／Ｓ比）を６０％とした。以上の構成を有する弾性波デバイスにおいて、絶縁膜１６を（１）材料に酸化アルミニウム（例えば、Ａｌ２Ｏ３）を用いＰＶＤ法で形成した場合、（２）材料に炭化窒化シリコン（例えば、ＳｉＣＮ）を用いＣＶＤ法で形成した場合、（３）材料に酸化アルミニウム（例えば、Ａｌ２Ｏ３）を用いＡＬＤ法で形成した場合（実施例１）のそれぞれについて、膜厚の変化による中心周波数の変化を測定した。
【００３０】
図４（ａ）〜（ｃ）は、上記の実験結果を示すグラフである。図４（ａ）はＰＶＤ法（スパッタ）、図４（ｂ）はＣＶＤ法、図４（ｃ）はＡＬＤ法における測定結果を示す。図４（ａ）及び図４（ｂ）では、絶縁膜１６の膜厚を２０ｎｍ及び５０ｎｍとした場合のそれぞれについて、２回ずつデータの測定を行った。図示するように、膜厚が２０ｎｍから５０ｎｍに変化すると、フィルタの中心周波数もそれぞれ変化していることが分かる。ＰＶＤ法（酸化アルミニウム）の場合、中心周波数は−１３ＭＨｚだけ減少し、１ｎｍあたりの帯域幅の減少は−０．４３ＭＨｚであった。ＣＶＤ法（炭化窒化シリコン）の場合、中心周波数は−２５ＭＨｚだけ減少し、１ｎｍあたりの帯域幅の減少は−０．８３ＭＨｚであった。
【００３１】
図４（ｃ）では、絶縁膜１６の成膜温度を２００℃、２５０℃、３００℃としたそれぞれの場合について、膜厚を変化（２００℃及び２５０℃では１０ｎｍ、２０ｎｍ、５０ｎｍの３段階。３００℃では１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍの５段階に変化）させた場合の中心周波数の変化を測定した。図示するように、いずれの成膜温度においても、膜厚の変化による中心周波数の変化はほとんど見られなかった。また、成膜温度の変化による中心周波数の変化も、膜厚の場合と同様にほとんど見られなかった。
【００３２】
以上のように、ＡＬＤ法を用いて絶縁膜１６を形成した弾性波デバイス（ＤＭＳフィルタ）は、その他の方法（ＰＶＤ法、ＣＶＤ法）を用いた場合に比べて中心周波数の変動が少なく、安定したフィルタ特性を得ることができる。
【００３３】
本実験では、図３に記載の構成のＤＭＳを使用したが、ＤＭＳの構成はこれに限定されるものではない。
【００３４】
図５〜図７は、並列接続されたＤＭＳの変形例を示す上面模式図である。図５の構成では、図３の構成に加え、第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４における両端のＩＤＴと出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２との間に、それぞれ共振器４６及び４８が設けられている。その他の構成は図３と同様である。図６の構成では、図３のフィルタとＩＤＴの接続先が逆になっており、第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４における中心のＩＤＴが出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２にそれぞれ接続され、両端のＩＤＴは共振器４０に接続されている。図７の構成では、図６の構成に加え、第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４における中心のＩＤＴと出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２との間に、それぞれ共振器４６及び４８が接続されている。以上のような変形例に係るＤＭＳフィルタにおいても、図３の構成と同様に、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することによりフィルタ特性を安定させることができる。
【００３５】
次に、２つのフィルタが直列接続されたＤＭＳを用いた実験結果について説明する。
【００３６】
図８は、実験に使用した弾性波デバイスの上面模式図である。図中の弾性波デバイスは、直列接続タイプのＤＭＳであり、不平衡の入力端子Ｉｎに接続された第１フィルタ５０と、平衡の出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２に接続された第２フィルタ５２とを備える。第１フィルタ５０は、両端に反射電極が設けられた３ＩＤＴ構造を、第２フィルタ５２は、両端に反射電極が設けられた４ＩＤＴ構造を有する。第１フィルタ５０の３つのＩＤＴのうち、中心のＩＤＴが入力端子に接続され、両端のＩＤＴは第２フィルタ５２に接続されている。第２フィルタ５２の４つのＩＤＴのうち、中心の２つのＩＤＴは出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２にそれぞれ接続され、両端のＩＤＴは第１フィルタ５０に接続されている。
【００３７】
本実験では、ＩＤＴを構成する櫛形電極１２の材料をアルミニウムとし、厚みは３４０ｎｍとした。また、櫛形電極１２のピッチを１５７５．５ｎｍ、Ｌ／Ｓ比を６９％とした。以上の構成を有する弾性波デバイスにおいて、絶縁膜１６を（１）材料に酸化シリコンを用いＰＶＤ法で形成した場合、（２）材料に酸化アルミニウムを用いＡＬＤ法で形成した場合（実施例１）のそれぞれについて、膜厚の変化による中心周波数の変化を測定した。
【００３８】
図９は、上記の実験結果を示すグラフである。４つのデータのうち、左端はＰＶＤ法による測定結果（参考値）を、残りの３つはＡＬＤ法における測定結果を示す。図示するように、絶縁膜１６の形成をＡＬＤ法により行った場合、膜厚及び成膜温度を変化させても、図４（ｃ）の場合と同様に中心周波数はほとんど変化しなかった。
【００３９】
図１０は、直列接続されたＤＭＳの変形例を示す上面模式図である。図８の構成に加え、第１フィルタ５０と入力端子Ｉｎとの間に、共振器５４が設けられている。本構成においても、図８の構成と同様に、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することによりフィルタ特性を安定させることができる。
【００４０】
以上のように、弾性波デバイスを直列接続タイプのＤＭＳとした場合でも、並列接続タイプのＤＭＳとした場合と同様に、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することによるフィルタ特性を安定を図ることができる。また、フィルタの中心周波数やフィルタのタイプは、上記実施例及び変形例に示した形態に限定されるものではない。本発明は、様々なフィルタ（例えば、ラダーフィルタ）に対して適用することが可能である。
【００４１】
次に、絶縁膜１６の形成方法の違いによる信頼性の変化について説明する。
【００４２】
図１１は、絶縁膜１６の形成方法の違いによる、櫛形電極１２の耐圧を示す表である。表の左列は絶縁膜１６の形成方法（ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法）を、中央列は絶縁膜１６の種類（材料）を、右列は耐圧を示す。耐圧は、図２（ｃ）に示す弾性波デバイスの２つの半田ボール２８の間に、電圧を加えることにより測定した。耐圧の最小値は静電破壊の開始時における電圧を、耐圧の最大値は破壊が完全に行われた際の電圧をそれぞれ示す。
【００４３】
図示するように、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法では、絶縁膜１６の種類によらず、耐圧の最大値は１３０〜１４０Vであった。これに対し、ＡＬＤ法では耐圧の最小値が１４０Ｖ、最大値が１７０Ｖとなっており、他の工法に比べて静電破壊に対する耐性が向上していることが分かった。このように、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することにより、櫛形電極１２の静電破壊を抑制し、弾性波デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００４４】
ＡＬＤ法による絶縁膜１６の形成は、他の方法に比べて櫛形電極１２の表面の被覆性に優れている。以下、この点について説明する。
【００４５】
図１２（ａ）〜（ｃ）は、櫛形電極１２の断面の拡大図である。図１２（ａ）は、実施例１に係る構成を、図１２（ｂ）及び（ｃ）はその変形例を示している。図１２（ａ）に示すように、実施例１では櫛形電極１２の側面は圧電基板１０側に向かって広がるテーパ形状となっており、絶縁膜１６もテーパ形状に合わせて形成されている。図１２（ｂ）では、櫛形電極１２の側面が圧電基板１０に対し垂直となっている。ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、圧電基板１０に対し垂直な面に対し被覆性の良い膜形成を行うことが難しいが、ＡＬＤ法であれば、図示するように被覆性の良い絶縁膜１６を形成することができる。このように、ＡＬＤ法により絶縁膜１６を形成することは、櫛形電極１２の側面の傾斜角が大きい場合（例えば、図１２（ｂ）のように９０°である場合）に特に有効である。
【００４６】
図１２（ｃ）は、櫛形電極１２を多層構造とした例である。櫛形電極１２は、銅及びアルミニウムの積層構造であり、第１アルミニウム層１２ａ、銅層１２ｂ、及び第２アルミニウム層１２ｃが圧電基板１０側から順に積層されている。櫛形電極１２の側面は、図１２（ａ）と同じくテーパ形状となっている。
【００４７】
絶縁膜１６に酸化アルミニウムを使用する場合、酸化アルミニウムは銅との密着性が悪いため、ＰＶＤ法やＣＶＤ法では銅の部分に欠陥が生じやすい。しかし、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することにより、図示するように被覆性の良い絶縁膜１６を形成することができる。このように、ＡＬＤ法により絶縁膜１６を形成することは、櫛形電極１２が銅を含む場合（例えば、櫛形電極を銅とアルミニウムの合金により形成する場合）において特に有効である。
【００４８】
上記実施例では、弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）を例に説明を行ったが、本発明は弾性波を用いて信号伝達を行う弾性波デバイスであれば、他の種類のフィルタ（例えば、弾性境界波フィルタ及びラブ波フィルタ）に対しても同様に適用することができる。
【００４９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１０ 圧電基板
１２ 櫛形電極
１４ 電極パッド
１６ 絶縁膜
１８ 金属層
２０、２２ 封止部
２４ 空洞
２６ 電極ポスト
２８ 半田ボール
３０ 電極配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板上にＩＤＴ（interdigital transducer）が形成された弾性波デバイス（例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタ）が知られている。また、ＩＤＴを構成する櫛形電極の表面を絶縁膜（例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等）で覆うことにより、弾性波デバイスの信頼性を向上させることが知られている（例えば、特許文献１及び２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１３５７６６号公報
【特許文献２】特開２００８−１３５９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の弾性波デバイスでは、櫛形電極の表面に形成される絶縁膜の厚みにより、弾性波デバイスのフィルタ特性（例えば、中心周波数）が変化してしまう場合があった。このため、絶縁膜の形成時においてはフィルタ特性を所望の値に調整することが難しく、デバイスチップの完成後にフィルタ特性を調整する工程が必要となり、製造工程が増えてしまうという課題があった。
【０００５】
また、絶縁膜の材料に酸化アルミニウムを用いた場合、櫛形電極に対する被覆性が良好とならない場合があった。このため、例えばデバイス完成後のモールド成型時における樹脂部の帯電により、絶縁膜の欠陥部分を起点として櫛形電極の静電破壊が生じ、弾性波デバイスの信頼性が低下してしまう場合があった。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みなされたものであり、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上が可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された櫛形電極と、前記櫛形電極の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、酸化アルミニウムを含む絶縁膜をＡＬＤ法で形成することにより、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。
【０００８】
上記構成において、前記櫛形電極は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記アルミニウム合金は、銅を含む構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記圧電基板上に、前記櫛形電極を覆うように設けられた封止部を備え、前記櫛形電極の上方には前記封止部により区画された空洞部が形成されている構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記櫛形電極の側面は、前記圧電基板の表面に対し垂直である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記櫛形電極は、複数の金属層を含む多層構造である構成とすることができる。
【００１３】
本発明は、圧電基板上に櫛形電極を形成する工程と、前記櫛形電極の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、酸化アルミニウムを含む絶縁膜をＡＬＤ法で形成することにより、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、弾性波デバイスにおけるフィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、弾性波デバイスの製造方法を示す図である。
【図２】図２は、弾性波デバイスの構成を示す図である。
【図３】図３は、実験に使用した弾性波デバイスの構成を示す図（その１）である。
【図４】図４は、弾性波デバイスの中心周波数の測定結果を示すグラフ（その１）である。
【図５】図５は、弾性波デバイスの変形例を示す図（その１）である。
【図６】図６は、弾性波デバイスの変形例を示す図（その２）である。
【図７】図７は、弾性波デバイスの変形例を示す図（その３）である。
【図８】図８は、実験に使用した弾性波デバイスの構成を示す図（その２）である。
【図９】図９は、弾性波デバイスの中心周波数の測定結果を示すグラフ（その２）である。
【図１０】図１０は、弾性波デバイスの変形例を示す図（その４）である。
【図１１】図１１は、弾性波デバイスの耐圧試験の結果を示す表である。
【図１２】図１２は、櫛形電極の詳細な構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１６】
図１（ａ）〜（ｅ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す図である。最初に、図１（ａ）に示すように、圧電基板１０上にＩＤＴの一部である櫛形電極１２と、外部接続用の電極パッド１４を形成する。圧電基板１０には、例えばＬｉＮｂＯ３基板またはＬｉＴａＯ３を用いることができ、櫛形電極１２及び電極パッド１４には、例えばアルミニウムを用いることができる。櫛形電極１２及び電極パッド１４の形成は、例えば蒸着法及びリフトオフ法により行うことができる。櫛形電極１２及び電極パッド１４の厚みは、例えば３５０ｎｍとすることができる。
【００１７】
次に、図１（ｂ）に示すように、圧電基板１０、櫛形電極１２、電極パッド１４の表面に絶縁膜１６を形成する。ここで、絶縁膜１６には酸化アルミニウムを用い、例えば熱ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により膜形成を行う。例えば、プリカーサーＴＭＡ（Tetra Methyl Aluminum）と酸化剤（例えば、水またはオゾン）を反応させ、絶縁膜１６を形成することができる。絶縁膜１６の膜厚は、例えば５０ｎｍ、成膜レートは例えば１秒当たり０．１０１ｎｍとすることができる。なお、熱ＡＬＤ法の代わりにプラズマＡＬＤ法を用いてもよい。
【００１８】
次に、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜１６の一部を除去して電極パッド１４を露出させる。絶縁膜１６の除去は、例えばＢＣｌ３ガスを用いたドライエッチングにより行うことができ、エッチングレートは例えば１秒当たり１ｎｍとすることができる。次に、露出した電極パッド１４の上面及び周辺の絶縁膜１６上に、外部と電気的接続を図るための金属層１８を形成する。金属層１８の形成は、例えば蒸着法を用いてＴｉ及びＡｕを下から順に積層することにより行うことができる。金属層１８の厚みは、例えば６００ｎｍとすることができる。
【００１９】
次に、図１（ｄ）に示すように、圧電基板１０上に櫛形電極１２を覆うように封止部２０及び２２を形成する。封止部２０及び２２は、例えばテンティング法により樹脂（例えば、エポキシ系感光性樹脂）を絶縁膜１６及び金属層１８の上面に形成し、露光することにより形成することができる。櫛形電極１２の上方は、封止部２０が除去され、空洞２４が形成されている。また、金属層１８の上方には、封止部２０及び２２を貫通する貫通孔２３が形成されている。圧電基板１０から封止部２２の上面までの厚みは、例えば７５μｍとすることができる。
【００２０】
次に、図１（ｅ）に示すように、貫通孔２３の内部に電極ポスト２６を形成する。電極ポスト２６には、例えばＮｉを用いることができ、例えばメッキ法により形成することができる。電極ポスト２６の下面は電極パッド１４に接触し、電極ポスト２６の側面は封止部２０及び２２に接触している。最後に、電極ポスト２６の上面に、外部接続用の半田ボール２８を形成する。以上の工程により、実施例１に係る弾性波デバイスのデバイスチップ（パッケージ封止前の状態）が完成する。
【００２１】
図２（ａ）〜（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスのデバイスチップの構成を示す図である。図２（ａ）は上面模式図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面模式図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面模式図である。また、図１（ａ）〜（ｅ）に示した製造工程の断面図は、図２（ａ）のＣ−Ｃ線に沿ったものである。なお、図２（ａ）では、櫛形電極１２と電極パッド１４とを結ぶ接続配線を省略している。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、櫛形電極１２が形成された領域の上方には、封止部２０及び２２により区画された空洞２４が形成されている。また、図２（ｃ）に示すように、両端の電極パッド同士は、圧電基板１０上に形成された電極配線３０により電気的に接続されている。なお、図１及び図２では、櫛形電極の本数を省略し、模式的に図示している（以下の図においても同様）。
【００２２】
ここで、図１（ｂ）における絶縁膜１６の形成工程は、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により行うことが考えられる。しかし、この方法では、櫛形電極１２の表面における絶縁膜１６の被覆性が良好とならない場合がある。特に、櫛形電極１２に銅を含む材料（例えば、銅を含むアルミニウム合金）を用いた場合、被覆性が特に悪化してしまう場合がある。櫛形電極１２に対する絶縁膜１６の被覆性が良好でない場合、欠陥箇所を起点として櫛形電極１２の静電破壊が発生してしまう場合がある。このような静電破壊は、例えばデバイスチップ完成後のモールド成形時において、封止のための樹脂部が帯電することにより引き起こされる。
【００２３】
また、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法では、絶縁膜１６の厚みにより弾性波デバイスのフィルタ特性（例えば、中心周波数）が変化してしまう場合がある。このため、図１（ａ）〜図１（ｅ）の製造工程において、フィルタ特性を所望の値に調整することが難しく、デバイスチップの完成後に改めてフィルタ特性を調節する必要がある。その結果、製造工程が増加してしまう。
【００２４】
これに対し、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程では、絶縁膜１６の形成をＡＬＤ法により行う。ＡＬＤ法では、櫛形電極１２及び電極パッド１４の表面に、一分子ずつ吸着反応させることにより絶縁膜１６を成長させる。これにより、櫛形電極１２に対する絶縁膜１６の被覆性を向上させ、櫛形電極１２の静電破壊を抑制することができる。その結果、弾性波デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００２５】
また、ＡＬＤ法により絶縁膜１６を形成する場合、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法の場合とは異なり、絶縁膜１６の厚みが変化しても、弾性波デバイスのフィルタ特性はほとんど変化しない。これにより、弾性波デバイスのフィルタ特性を安定させると共に、デバイスチップの完成後におけるフィルタ特性の調整工程を省略することができる。
【００２６】
以上のように、実施例１に係る弾性波デバイス及びその製造方法によれば、絶縁膜１６をＡＬＤ法により形成することで、フィルタ特性を安定させ、信頼性を向上させることができる。なお、絶縁膜１６がＡＬＤ法で形成されたものであるか否かは、デバイスチップの完成後においても、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）による断面観察や、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion-microprobe Mass Spectrometer）により確認することが可能である。
【００２７】
次に、実施例１に係る弾性波デバイスを用いた実験結果について説明する。
【００２８】
図３は、実験に使用した弾性波デバイスのフィルタ構成を示す上面模式図である。図中の弾性波デバイスは、２つの弾性表面波フィルタが並列に接続された２重モードフィルタ（ＤＭＳ：Double Mode SAW）であり、不平衡の入力端子Ｉｎに接続された共振器４０と、平衡の出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２にそれぞれ接続された第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４を備える。第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４は、それぞれ両端に反射電極が設けられた３ＩＤＴ構造を有し、中心のＩＤＴが共振器４０に接続され、両端のＩＤＴはそれぞれの出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２にそれぞれ接続されている。
【００２９】
本実験では、ＩＤＴを構成する櫛形電極１２の材料をアルミニウムとし、厚みは１６０ｎｍとした。また、櫛形電極１２のピッチを１０３２．７ｎｍ、電極指幅と空隙幅との比（Ｌ／Ｓ比）を６０％とした。以上の構成を有する弾性波デバイスにおいて、絶縁膜１６を（１）材料に酸化アルミニウム（例えば、Ａｌ２Ｏ３）を用いＰＶＤ法で形成した場合、（２）材料に炭化窒化シリコン（例えば、ＳｉＣＮ）を用いＣＶＤ法で形成した場合、（３）材料に酸化アルミニウム（例えば、Ａｌ２Ｏ３）を用いＡＬＤ法で形成した場合（実施例１）のそれぞれについて、膜厚の変化による中心周波数の変化を測定した。
【００３０】
図４（ａ）〜（ｃ）は、上記の実験結果を示すグラフである。図４（ａ）はＰＶＤ法（スパッタ）、図４（ｂ）はＣＶＤ法、図４（ｃ）はＡＬＤ法における測定結果を示す。図４（ａ）及び図４（ｂ）では、絶縁膜１６の膜厚を２０ｎｍ及び５０ｎｍとした場合のそれぞれについて、２回ずつデータの測定を行った。図示するように、膜厚が２０ｎｍから５０ｎｍに変化すると、フィルタの中心周波数もそれぞれ変化していることが分かる。ＰＶＤ法（酸化アルミニウム）の場合、中心周波数は−１３ＭＨｚだけ減少し、１ｎｍあたりの帯域幅の減少は−０．４３ＭＨｚであった。ＣＶＤ法（炭化窒化シリコン）の場合、中心周波数は−２５ＭＨｚだけ減少し、１ｎｍあたりの帯域幅の減少は−０．８３ＭＨｚであった。
【００３１】
図４（ｃ）では、絶縁膜１６の成膜温度を２００℃、２５０℃、３００℃としたそれぞれの場合について、膜厚を変化（２００℃及び２５０℃では１０ｎｍ、２０ｎｍ、５０ｎｍの３段階。３００℃では１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍの５段階に変化）させた場合の中心周波数の変化を測定した。図示するように、いずれの成膜温度においても、膜厚の変化による中心周波数の変化はほとんど見られなかった。また、成膜温度の変化による中心周波数の変化も、膜厚の場合と同様にほとんど見られなかった。
【００３２】
以上のように、ＡＬＤ法を用いて絶縁膜１６を形成した弾性波デバイス（ＤＭＳフィルタ）は、その他の方法（ＰＶＤ法、ＣＶＤ法）を用いた場合に比べて中心周波数の変動が少なく、安定したフィルタ特性を得ることができる。
【００３３】
本実験では、図３に記載の構成のＤＭＳを使用したが、ＤＭＳの構成はこれに限定されるものではない。
【００３４】
図５〜図７は、並列接続されたＤＭＳの変形例を示す上面模式図である。図５の構成では、図３の構成に加え、第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４における両端のＩＤＴと出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２との間に、それぞれ共振器４６及び４８が設けられている。その他の構成は図３と同様である。図６の構成では、図３のフィルタとＩＤＴの接続先が逆になっており、第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４における中心のＩＤＴが出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２にそれぞれ接続され、両端のＩＤＴは共振器４０に接続されている。図７の構成では、図６の構成に加え、第１フィルタ４２及び第２フィルタ４４における中心のＩＤＴと出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２との間に、それぞれ共振器４６及び４８が接続されている。以上のような変形例に係るＤＭＳフィルタにおいても、図３の構成と同様に、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することによりフィルタ特性を安定させることができる。
【００３５】
次に、２つのフィルタが直列接続されたＤＭＳを用いた実験結果について説明する。
【００３６】
図８は、実験に使用した弾性波デバイスの上面模式図である。図中の弾性波デバイスは、直列接続タイプのＤＭＳであり、不平衡の入力端子Ｉｎに接続された第１フィルタ５０と、平衡の出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２に接続された第２フィルタ５２とを備える。第１フィルタ５０は、両端に反射電極が設けられた３ＩＤＴ構造を、第２フィルタ５２は、両端に反射電極が設けられた４ＩＤＴ構造を有する。第１フィルタ５０の３つのＩＤＴのうち、中心のＩＤＴが入力端子に接続され、両端のＩＤＴは第２フィルタ５２に接続されている。第２フィルタ５２の４つのＩＤＴのうち、中心の２つのＩＤＴは出力端子Ｏｕｔ１及びＯｕｔ２にそれぞれ接続され、両端のＩＤＴは第１フィルタ５０に接続されている。
【００３７】
本実験では、ＩＤＴを構成する櫛形電極１２の材料をアルミニウムとし、厚みは３４０ｎｍとした。また、櫛形電極１２のピッチを１５７５．５ｎｍ、Ｌ／Ｓ比を６９％とした。以上の構成を有する弾性波デバイスにおいて、絶縁膜１６を（１）材料に酸化シリコンを用いＰＶＤ法で形成した場合、（２）材料に酸化アルミニウムを用いＡＬＤ法で形成した場合（実施例１）のそれぞれについて、膜厚の変化による中心周波数の変化を測定した。
【００３８】
図９は、上記の実験結果を示すグラフである。４つのデータのうち、左端はＰＶＤ法による測定結果（参考値）を、残りの３つはＡＬＤ法における測定結果を示す。図示するように、絶縁膜１６の形成をＡＬＤ法により行った場合、膜厚及び成膜温度を変化させても、図４（ｃ）の場合と同様に中心周波数はほとんど変化しなかった。
【００３９】
図１０は、直列接続されたＤＭＳの変形例を示す上面模式図である。図８の構成に加え、第１フィルタ５０と入力端子Ｉｎとの間に、共振器５４が設けられている。本構成においても、図８の構成と同様に、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することによりフィルタ特性を安定させることができる。
【００４０】
以上のように、弾性波デバイスを直列接続タイプのＤＭＳとした場合でも、並列接続タイプのＤＭＳとした場合と同様に、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することによるフィルタ特性を安定を図ることができる。また、フィルタの中心周波数やフィルタのタイプは、上記実施例及び変形例に示した形態に限定されるものではない。本発明は、様々なフィルタ（例えば、ラダーフィルタ）に対して適用することが可能である。
【００４１】
次に、絶縁膜１６の形成方法の違いによる信頼性の変化について説明する。
【００４２】
図１１は、絶縁膜１６の形成方法の違いによる、櫛形電極１２の耐圧を示す表である。表の左列は絶縁膜１６の形成方法（ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法）を、中央列は絶縁膜１６の種類（材料）を、右列は耐圧を示す。耐圧は、図２（ｃ）に示す弾性波デバイスの２つの半田ボール２８の間に、電圧を加えることにより測定した。耐圧の最小値は静電破壊の開始時における電圧を、耐圧の最大値は破壊が完全に行われた際の電圧をそれぞれ示す。
【００４３】
図示するように、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法では、絶縁膜１６の種類によらず、耐圧の最大値は１３０〜１４０Vであった。これに対し、ＡＬＤ法では耐圧の最小値が１４０Ｖ、最大値が１７０Ｖとなっており、他の工法に比べて静電破壊に対する耐性が向上していることが分かった。このように、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することにより、櫛形電極１２の静電破壊を抑制し、弾性波デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００４４】
ＡＬＤ法による絶縁膜１６の形成は、他の方法に比べて櫛形電極１２の表面の被覆性に優れている。以下、この点について説明する。
【００４５】
図１２（ａ）〜（ｃ）は、櫛形電極１２の断面の拡大図である。図１２（ａ）は、実施例１に係る構成を、図１２（ｂ）及び（ｃ）はその変形例を示している。図１２（ａ）に示すように、実施例１では櫛形電極１２の側面は圧電基板１０側に向かって広がるテーパ形状となっており、絶縁膜１６もテーパ形状に合わせて形成されている。図１２（ｂ）では、櫛形電極１２の側面が圧電基板１０に対し垂直となっている。ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、圧電基板１０に対し垂直な面に対し被覆性の良い膜形成を行うことが難しいが、ＡＬＤ法であれば、図示するように被覆性の良い絶縁膜１６を形成することができる。このように、ＡＬＤ法により絶縁膜１６を形成することは、櫛形電極１２の側面の傾斜角が大きい場合（例えば、図１２（ｂ）のように９０°である場合）に特に有効である。
【００４６】
図１２（ｃ）は、櫛形電極１２を多層構造とした例である。櫛形電極１２は、銅及びアルミニウムの積層構造であり、第１アルミニウム層１２ａ、銅層１２ｂ、及び第２アルミニウム層１２ｃが圧電基板１０側から順に積層されている。櫛形電極１２の側面は、図１２（ａ）と同じくテーパ形状となっている。
【００４７】
絶縁膜１６に酸化アルミニウムを使用する場合、酸化アルミニウムは銅との密着性が悪いため、ＰＶＤ法やＣＶＤ法では銅の部分に欠陥が生じやすい。しかし、絶縁膜１６をＡＬＤ法で形成することにより、図示するように被覆性の良い絶縁膜１６を形成することができる。このように、ＡＬＤ法により絶縁膜１６を形成することは、櫛形電極１２が銅を含む場合（例えば、櫛形電極を銅とアルミニウムの合金により形成する場合）において特に有効である。
【００４８】
上記実施例では、弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）を例に説明を行ったが、本発明は弾性波を用いて信号伝達を行う弾性波デバイスであれば、他の種類のフィルタ（例えば、弾性境界波フィルタ及びラブ波フィルタ）に対しても同様に適用することができる。
【００４９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１０ 圧電基板
１２ 櫛形電極
１４ 電極パッド
１６ 絶縁膜
１８ 金属層
２０、２２ 封止部
２４ 空洞
２６ 電極ポスト
２８ 半田ボール
３０ 電極配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された櫛形電極と、
前記櫛形電極の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜と、
を備えることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記櫛形電極は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記アルミニウム合金は、銅を含むことを特徴とする請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記圧電基板上に、前記櫛形電極を覆うように設けられた封止部を備え、
前記櫛形電極の上方には前記封止部により区画された空洞部が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記櫛形電極の側面は、前記圧電基板の表面に対し垂直であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記櫛形電極は、複数の金属層を含む多層構造であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
圧電基板上に櫛形電極を形成する工程と、
前記櫛形電極の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された櫛形電極と、
前記櫛形電極の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜と、
を備えることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記櫛形電極は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記アルミニウム合金は、銅を含むことを特徴とする請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記圧電基板上に、前記櫛形電極を覆うように設けられた封止部を備え、
前記櫛形電極の上方には前記封止部により区画された空洞部が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記櫛形電極の側面は、前記圧電基板の表面に対し垂直であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記櫛形電極は、複数の金属層を含む多層構造であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
圧電基板上に櫛形電極を形成する工程と、
前記櫛形電極の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−１６０９７９（Ｐ２０１２−１６０９７９Ａ）
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０２４８（Ｐ２０１１−２０２４８）
【出願日】平成２３年２月１日（２０１１．２．１）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１日（２０１１．２．１）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
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