弾性波フィルタ
【課題】テーパー型のＩＤＴ電極を入力側電極及び出力側電極の少なくとも一方として用いたフィルタにおいて、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側における減衰特性に優れたフィルタを提供すること。
【解決手段】２つのＩＤＴブロック１を直列に接続して弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べて、これらＩＤＴブロック１からなる構造体２を２つ並列に接続してＩＤＴ電極１２、１３を構成すると共に、各々のＩＤＴブロック１における容量値Ｃａ〜Ｃｆが揃うようにこれらＩＤＴブロック１の電極指１７を配置する。
【解決手段】２つのＩＤＴブロック１を直列に接続して弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べて、これらＩＤＴブロック１からなる構造体２を２つ並列に接続してＩＤＴ電極１２、１３を構成すると共に、各々のＩＤＴブロック１における容量値Ｃａ〜Ｃｆが揃うようにこれらＩＤＴブロック１の電極指１７を配置する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波フィルタ例えば（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波の伝搬方向に沿って入力側ＩＤＴ（ＩＤＴ：インターディジタルトランスデューサ）電極及び出力側ＩＤＴ電極を圧電基板上に並べた弾性波フィルタ例えばＳＡＷフィルタとして、弾性波の伝搬方向に互いに平行に並ぶ一対のバスバーのうち一方側のバスバーから他方側のバスバーに向かうにつれて電極指の幅寸法及び電極指同士の離間寸法からなる周期単位が広がるように構成されたテーパー型ＩＤＴ電極を、これらの入力側ＩＤＴ電極及び出力側ＩＤＴ電極として用いたフィルタが知られている。
【０００３】
近年においては、弾性波の回折による影響を避けると共に、ＳＡＷフィルタにおけるインピーダンスを通常の電極よりも高くするため、例えば特許文献１に示すように、メアンダまたはミアンダ（ｍｅａｎｄｅｒ）構造と呼ばれるレイアウトとなるように各テーパー型ＩＤＴ電極を配置することにより、このテーパー型ＩＤＴ電極に対してブロック重み付けを行う技術が知られている。この構造について簡単に説明すると、例えば図１２（ａ）に示すように、テーパー型の入力側ＩＤＴ電極１１１及び出力側ＩＤＴ電極１１２を弾性波の伝搬方向に沿って各々例えば３つのブロック１０２に区画する。そして、同図（ｂ）に示すように、これらの３つのブロック１０２が入力ポート１０３（出力ポート１０４）側から接地ポート１０５側に向かって夫々のバスバー１０６を介して順番に直列に接続されるように、また各々のブロック１０２における電極指１０７の交差領域（弾性波の励振領域）が弾性波の伝搬方向に沿って並ぶように、入力ポート１０３（出力ポート１０４）から接地ポート１０５に向かって各々のブロック１０２を接続する接続ラインが上下方向に蛇行するようにいわばジグザグ（蛇腹）状となるように配置する。尚、図１２中１０８はシールド電極であり、６０はワイヤである。また、励振位置である電極指１０７、１０７の交差領域や電極指１０７の間引き領域などの重み付け量については各々のブロック１０２毎に個別に設計されているが、ここでは省略している。また、図１２では電極指１０７の本数などについては模式的に示している。
【０００４】
しかし、このような構造のＩＤＴ電極１１１、１１２では、図１３に示すように、入力ポート１０３に信号を入力した後、直達波と呼ばれる雑音信号が直ぐに出力ポート１０４から出力されることによって、図１４に示すように、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側における減衰特性が劣化してしまう。この直達波の信号レベルは、各ＩＤＴ電極１１１、１１２間において圧電基板１００の内部領域などを介して生じる電界Ｃが大きくなる程強くなってしまう。そして、この電界Ｃは、既述の図１２に示すように、各々のＩＤＴ電極１１１、１１２間で互いに近接するブロック１０２、１０２間（シールド電極１０８側のブロック１０２、１０２間）で特に強く形成される。
特許文献１には、既述の課題については記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表平１１−５００５９３（図１１〜図１４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、テーパー型のＩＤＴ電極を入力側電極及び出力側電極の少なくとも一方として用いたフィルタにおいて、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側における減衰特性に優れたフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の弾性波フィルタは、
弾性波の伝搬方向に沿って互いに離間するように圧電基板上に配置したテーパー型入力側電極及びテーパー型出力側電極の少なくとも一方として、下記のＩＤＴ電極を用いたことを特徴とする。
記
（１）弾性波の伝搬方向に沿って互いに平行となるように配置された一対のバスバーと、これらバスバーから各々対向するバスバー側に向かって各々櫛歯状に伸び出すように、またその幅寸法及び間隔寸法からなる周期単位がこれら一対のバスバーのうち一方側から他方側に向かうにつれて広がるように形成された電極指群と、を各々備えた少なくとも２つのＩＤＴブロックを用い、これらＩＤＴブロックを弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べると共に、信号ポートから接地ポートに向かって各々のＩＤＴブロックのバスバーを介して直列に接続して直列ブロック体を構成する。
（２）前記直列ブロック体を前記信号ポートと前記接地ポートとの間に並列となるように少なくとも２つ配置すると共に、ＩＤＴブロックの各々の一方側のバスバー同士及び他方側のバスバー同士を夫々弾性波の伝搬方向に沿って一列に並べてＩＤＴ電極を構成する。
（３）前記ＩＤＴ電極における電極指の周期単位が一方側のバスバー側から他方側のバスバー側に亘って弾性波の伝搬方向に沿って連続して繰り返されるように、各ＩＤＴブロックを互いに近接配置する。
（４）各々のＩＤＴブロックの容量値が揃うように、前記バスバーの一方側及び他方側から互いに交互に隣接して伸び出す電極指の交差領域の面積がこれらＩＤＴブロック間で揃うように各々の電極指を配置する。
前記直列ブロック体における各ＩＤＴブロックは、各々のバスバーが弾性波の伝搬方向に沿って伸び出して当該ＩＤＴブロックに隣接するＩＤＴブロックのバスバーと接続されていても良い。
前記ＩＤＴ電極は、２つの直列ブロック体が並列に接続され、当該２つの直列ブロック体の接続部位を基準として弾性波の伝搬方向に線対称に配置されていても良い。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、少なくとも２つのＩＤＴブロックを直列に接続して弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べて、これらＩＤＴブロックからなる直列ブロック体を少なくとも２つ並列に接続してＩＤＴ電極を構成すると共に、各々のＩＤＴブロックにおける容量値が揃うようにこれらＩＤＴブロックの電極指を配置しているので、このＩＤＴ電極をテーパー型の入力側電極及びテーパー型の出力側電極の少なくとも一方として圧電基板上に形成することによって、当該少なくとも一方の電極から他方側の電極に向かって形成される電界を小さく抑えることができ、そのため直達波レベルを抑えて通過周波数帯よりも低域側及び高域側における減衰特性に優れた弾性波フィルタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態に係る弾性波フィルタの一例を示す平面図である。
【図２】前記弾性波フィルタの一部の構成を模式的に示した模式図である。
【図３】前記弾性波フィルタの一部を拡大して示した拡大図である。
【図４】前記弾性波フィルタにおいて発生する電界の様子を示す模式図である。
【図５】従来のフィルタにおいて発生する電界の様子を示す模式図である。
【図６】前記弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【図７】前記弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【図８】前記弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【図９】前記弾性波フィルタの他の例を示す概略図である。
【図１０】前記弾性波フィルタの他の例を示す概略図である。
【図１１】前記弾性波フィルタの他の例を示す概略図である。
【図１２】従来の弾性波フィルタを示す平面図である。
【図１３】従来の弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【図１４】従来の弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施の形態の弾性波フィルタ例えばＳＡＷフィルタについて、図１〜図３を参照して説明する。この弾性波フィルタは、例えば水晶などの圧電基板１１上において弾性波の伝搬方向に互いに離間して並ぶテーパー型の入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極１３を備えている。この例では、入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極１３は、図１中夫々左側及び右側に配置されている。また、これらのＩＤＴ電極１２、１３は、夫々複数この例では６つのＩＤＴブロック１により構成されている。各々のＩＤＴブロック１の内部構造については後で詳述する。図１中２１、２２は夫々信号ポートをなす入力ポート及び出力ポートであり、２３は接地ポートである。また、１６はシールド電極である。尚、これらのＩＤＴ電極１２、１３の側方側における圧電基板１１の端部領域には、当該端部領域に伝搬する不要な弾性波を吸収するための図示しない吸音材（ダンパー）が各々形成されている。
【００１１】
先ず、ＩＤＴ電極１２、１３における各ＩＤＴブロック１のレイアウトについて説明する。例えば入力側ＩＤＴ電極１２において、入力ポート２１と接地ポート２３との間には、図２の左側にＩＤＴブロック１を模式的に直線的に並べて示すように、複数例えば３つのＩＤＴブロック１が各々直列に接続されたメアンダまたはミアンダ（ｍｅａｎｄｅｒ）構造と呼ばれる構造体（直列ブロック体）２が複数例えば２つ並列に接続されている。そして、各々の構造体２は、圧電基板１１上において、図２の右側にも示すように、入力ポート２１から接地ポート２３に向かって各々のＩＤＴブロック１が弾性波の伝搬方向に沿って並ぶように、左側の構造体２は右側から左側に向かって順番に配置され、右側の構造体２は左側から右側に向かって順番に配置されている。従って、この例ではこれらの構造体２、２は、弾性波の伝搬方向における入力側ＩＤＴ電極１２の中央位置（接続位置）を通ると共に弾性波の伝搬方向に直交する方向に平行な直線Ｌを基準として左右対称（線対称）に配置されており、図１中奥側において共通の入力ポート２１に例えばワイヤ６０を介して接続され、手前側において共通の接地ポート２３に例えばワイヤ６０を介して接続されている。
【００１２】
そして、各々の構造体２、２では、各ＩＤＴブロック１における入力ポート２１側の接続部位（後述のバスバー１４）が入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かって図１中奥側及び手前側を交互に向くように、即ち各ＩＤＴブロック１を接続する接続ラインが上下方向に蛇行していわばジグザグ（蛇腹）状になるように各々のＩＤＴブロック１が配置されている。尚、図１及び図２では、各ＩＤＴブロック１の内部領域を省略して示している。
【００１３】
出力側ＩＤＴ電極１３についても、この入力側ＩＤＴ電極１２と同様に、夫々直列に接続された３つのＩＤＴブロック１からなる２つの構造体２が出力ポート２２と接地ポート２３との間において並列に接続され、またこれらの構造体２、２が直線Ｌを境界として線対称に配置されている。この例では、出力側ＩＤＴ電極１３は、入力側ＩＤＴ電極１２とは上下が反転した状態で配置されている。
【００１４】
続いて、既述のＩＤＴブロック１の内部構造について図３を参照して詳述する。ここで、ＩＤＴ電極１２、１３はこの例では夫々同じ構造であるため、入力側ＩＤＴ電極１２を例に挙げて説明する。入力側ＩＤＴ電極１２における各々のＩＤＴブロック１は、弾性波の伝搬方向に互いに平行となるように形成された一対のバスバー１４、１４と、これらのバスバー１４、１４から各々相対向するバスバー１４、１４側に向かって互いに交差するように各々櫛歯状に伸び出す複数の電極指１７と、を備えている。この例では、奥側のバスバー１４ａから伸び出す２本の電極指１７と、当該２本の電極指１７に隣接するように手前側のバスバー１４ｂから伸び出す２本の電極指１７と、が弾性波の伝搬方向に沿って周期的に連続して繰り返されるように配置されている。また、これらの４本の電極指１７及びこれら電極指１７間の隙間領域によって、１つの周期単位λが構成されており、このフィルタでは、周期単位λと同じ長さの波長の弾性波が伝搬するように構成されている。そして、バスバー１４、１４の一方側及び他方側から互いに交互に隣接して伸び出す電極指１７、１７同士において、これら電極指１７の長さ方向に沿って互いに対向する対向領域（交差領域）で弾性波が励振されることになるが、この例ではこの交差領域の長さ寸法（開口長）は各々の交差領域において等しくなっている。
【００１５】
また、一対のバスバー１４、１４のうち図３中奥側（一方側）のバスバー１４に「１４ａ」、手前側（他方側）のバスバー１４に「１４ｂ」の符号を夫々付すと、各々のＩＤＴブロック１における各電極指１７は、奥側のバスバー１４ａから手前側のバスバー１４ｂに向かって、既述の周期単位λが広がるように形成されている。即ち、各々のＩＤＴブロック１は、周期単位λの短い領域に近接するバスバー１４ａ同士が弾性波の伝搬方向に沿って一列に配列され、また周期単位λの長い領域に近接するバスバー１４ｂについても同様に弾性波の伝搬方向に沿って一列に配置されていると言える。また、各々のＩＤＴブロック１は、一方側のバスバー１４ａから他方側のバスバー１４ｂまでに亘って周期単位λが弾性波の伝搬方向において連続的に接続されるように、即ち各々のＩＤＴブロック１、１間の接続部位において周期単位λが途切れないように、互いに近接配置されて各々のＩＤＴブロック１、１間の離間寸法が設定されている。従って、このフィルタでは、奥側のバスバー１４ａに近接する領域（高周波数側）のトラックから手前側のバスバー１４ｂに近接する領域（低周波数側）のトラックまでに亘って、各々の周期単位λに対応する波長の弾性波が伝搬することになる。尚、図３では、電極指１７の幅寸法については模式的に示している。
【００１６】
また、この例では、図２に示すように、各ＩＤＴブロック１における容量値Ｃａ〜Ｃｆが揃う（ほぼ等しくなる）ように、各々の電極指１７を配置している。即ち、既述の交差領域の長さ寸法がこれら交差領域間で等しくなっているので、各々のＩＤＴブロック１では、この交差領域の数量がほぼ等しくなるように電極指１７を配置している。具体的には、入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かうにつれて各ＩＤＴブロック１の面積が大きくなっているので、ＩＤＴブロック１の面積が大きくなる程交差領域の数量が減少するように各ＩＤＴブロック１に重み付けを行っている。この例では、バスバー１４ａ、１４ｂから互いに交互に伸び出して交差する電極指１７、１７間に、例えば奥側のバスバー１４ａから伸び出す電極指１７を複数本介設することによって電極指１７、１７の有効対数（交差領域）を間引いており、入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かう程、各ＩＤＴブロック１における間引き量を多くすることによって、ＩＤＴ電極１２（１３）にブロック重み付けを行っている。そのため、各ＩＤＴブロック１における交差領域の面積が揃うので、これら容量値Ｃａ〜Ｃｆが揃っている。ここで、「揃う」とは、互いに等しい値となることだけでなく、例えば±４０％以内となることをを含み、具体的には例えば一つのＩＤＴブロック１における対数（交差領域）の数量が５である場合には、他のＩＤＴブロック１における対数の数量が例えば３〜７であることを言う。
【００１７】
そして、これらのＩＤＴブロック１は、バスバー１４ａ、１４ｂを介して既述の図２の右側に示すレイアウトで接続されている。具体的には、入力側ＩＤＴ電極１２における２つの構造体２、２のうち一方側の構造体２例えば図３中左側の構造体２において、入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かって３つのＩＤＴブロック１を夫々ＩＤＴブロック１ａ、１ｂ、１ｃとすると、図３に示すように、ＩＤＴブロック１ａは、奥側のバスバー１４ａが他方側（右側）の構造体２に近接する位置に配置されると共に入力ポート２１に接続され、手前側のバスバー１４ｂが図３中左側に伸び出してＩＤＴブロック１ｂにおける手前側のバスバー１４ｂと接続されて浮き電極をなしている。また、ＩＤＴブロック１ｂの奥側のバスバー１４ａは、図３中左側に伸び出して、ＩＤＴブロック１ｃの奥側のバスバー１４ａと接続されて同様に浮き電極をなしている。そして、ＩＤＴブロック１ｃの手前側のバスバー１４ｂは、ＩＤＴブロック１ａ、１ｂにおける手前側のバスバー１４ｂから離間するように圧電基板１１の端部側を回り込んで、右側に向かって伸び出して接地ポート２３に接続されている。
【００１８】
既述のように、左右の構造体２、２は直線Ｌを基準として左右対称となるように配置されており、右側の構造体２についても左側の構造体２と同様に入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かって３つのＩＤＴブロック１を夫々ＩＤＴブロック１ａ、１ｂ、１ｃとすると、２つの構造体２、２は、各々のＩＤＴブロック１ａ、１ａの奥側のバスバー１４ａ、１４ａ同士が接続され、各々のＩＤＴブロック１ｃ、１ｃの手前側のバスバー１４ｂ、１４ｂ同士が接続されている。また、既述のように、出力側ＩＤＴ電極１３についてもこの入力側ＩＤＴ電極１２と同様に構成されている。
【００１９】
このフィルタにおいて入力ポート２１に電気信号を入力すると、入力側ＩＤＴ電極１２における電極指１７、１７の交差領域にて弾性波が発生する（励振される）。この弾性波は、シールド電極１６を介して出力側ＩＤＴ電極１３に向かって伝搬していき、同様に電極指１７、１７の交差領域にて電気信号に変換され、出力ポート２２から取り出される。この時、入力ポート２１に電気信号を入力すると直ぐに、即ち入力信号に対応する出力信号が出力ポート２２から取り出されるまでの間に、直達波と呼ばれるノイズ（不要波）が出力ポート２２に僅かに伝達される場合がある。この直達波は既述の図１３及び図１４にて説明したように、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側において減衰特性を劣化させてしまう。そして、この直達波の信号レベルは、入力側ＩＤＴ電極１２と出力側ＩＤＴ電極１３との間において例えば圧電基板１１の内部領域を介して生じる電界（容量結合）Ｃが大きくなる程強くなる。ここで、以下にこのフィルタにおいて発生する電界Ｃについて説明する。
【００２０】
この電界Ｃは、入力側ＩＤＴ電極１２の各々のＩＤＴブロック１と、出力側ＩＤＴ電極１３の各々のＩＤＴブロック１と、の間において夫々形成される。このような電界Ｃにつて、一部を例えば電界Ｃ１〜Ｃ４として模式的に図４に示す。即ち、各ＩＤＴ電極１２、１３においてシールド電極１６を挟んで相対向するＩＤＴブロック１ｃ、１ｃ間で形成される電界Ｃ１、このＩＤＴブロック１ｃの一方と他方のＩＤＴブロック１ｃが含まれるＩＤＴ電極１２（１３）において当該ＩＤＴブロック１ｃよりもポート２１（２２）側に隣接するＩＤＴブロック１ｂとの間で形成される電界Ｃ２、Ｃ３及び、シールド電極１６側から夫々２番目のＩＤＴブロック１ｂ、１ｂ間で形成される電界Ｃ４を示している。
【００２１】
これらの電界Ｃの強度は、当該電界Ｃを形成するＩＤＴブロック１、１間の離間距離が短い程大きくなる。従って、このフィルタでは、ＩＤＴ電極１２、１３間で生じる電界Ｃのうち、シールド電極１６を挟んで相対向するＩＤＴブロック１ｃ、１ｃ間で生じる電界Ｃ１が最も強くなる。そのため、既述の直達波は、いわばこの電界Ｃ１により発生していると言える。
【００２２】
ところで、各々のＩＤＴ電極１２、１３を各々２つの構造体２、２により構成せずに、例えば既述の図１２のように１つの構造体２（３つのＩＤＴブロック１）により構成すると共にＩＤＴ電極１２、１３と各々同じ本数の電極指１７（交差領域）を配置した場合には、図５に示すように、シールド電極１６を挟んで相対向するＩＤＴブロック１（１０２）、１（１０２）の各々の面積が２つの構造体２、２を並列に配置した場合（図４）よりも大きくなる。従って、この図５では、シールド電極１６を挟んで形成される電界Ｃ１は、図４の例の電界Ｃ１よりも大きくなる。
【００２３】
そのため、２つの構造体２、２を並列に接続することによってＩＤＴ電極１２、１３を各々構成した本発明のフィルタ（図４）と、従来の１つの構造体２だけで各ＩＤＴ電極１２、１３を各々構成したフィルタ（図５）とを比較すると、図６に示すように、本発明では直達波の信号レベルが下がり、その結果図７に示すように、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側において、減衰量が大きくなると共にノイズレベル（信号の振れの大きさ）が小さくなる。図８には、本発明のフィルタにて得られた減衰特性と、従来のフィルタにおける減衰特性とを重ね合わせて示している。
【００２４】
上述の実施の形態によれば、２つのＩＤＴブロック１を直列に接続して弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べて、これらＩＤＴブロック１からなる構造体２を２つ並列に接続してＩＤＴ電極１２、１３を構成すると共に、各々のＩＤＴブロック１における容量値Ｃａ〜Ｃｆが揃うようにこれらＩＤＴブロック１の電極指１７を配置しているので、ＩＤＴ電極１２、１３間で形成される電界Ｃを小さく抑えることができ、そのため直達波レベルを抑えて通過周波数帯よりも低域側及び高域側における減衰特性に優れた弾性波フィルタを得ることができる。
また、図５や図１２の従来のフィルタと比較して、本発明のフィルタでは各々のＩＤＴブロック１の電極指１７の対数が例えば半分程度に減ることになり、従って当該ＩＤＴブロック１の容量値についても半分程度になるが、これらＩＤＴブロック１を直列に接続した構造体２、２を並列に接続しているので、各ＩＤＴ電極１２、１３では従来のフィルタとほぼ同程度の容量値（インピーダンス）が得られる。
更に、各々のＩＤＴ電極１２、１３では２つの構造体２、２を左右対称に配置しているので、フィルタを設計しやすいというメリットがある。
【００２５】
既述の例では、各々の構造体２において３つのＩＤＴブロック１を配置したが、図９（ａ）に示すように、４つのＩＤＴブロック１を配置しても良い。具体的には、例えば入力側ＩＤＴ電極１２における左側の構造体２について説明すると、既述のＩＤＴブロック１ｃの左側に更に別のＩＤＴブロック１ｄを配置すると共に、ＩＤＴブロック１ｃの手前側のバスバー１４ｂを左側に引き出してＩＤＴブロック１ｄの手前側のバスバー１４ｂと接続する。そして、同図（ｂ）に示すように、ＩＤＴブロック１ｄの奥側のバスバー１４ａを例えばＩＤＴブロック１ａ、１ｂ、１ｃの奥側のバスバー１４ａから離間するように圧電基板１１の端部領域を右側に伸張させて接地ポート２３に接続する。また、入力側ＩＤＴ電極１２の右側の構造体２についても同様に構成すると共に、出力側ＩＤＴ電極１３についても例えばこの入力側ＩＤＴ電極１２と同様に構成する。このような場合においても、既述の例と同様の効果が得られる。尚、この例においては、入力ポート２１（出力ポート２２）は、例えばワイヤ６０を用いてＩＤＴブロック１ｄの奥側のバスバー１４ａ、１４ａ同士の接続部の上方領域を介して外部の入力端子部に接続される。
【００２６】
また、各々のＩＤＴ電極１２、１３では２つの構造体２、２が左右対称となるように配置したが、図１０（ａ）に示すように、例えば弾性波の伝搬方向に沿って一方側から他方側この例では右側から左側に向かって入力ポート２１（出力ポート２２）側から接地ポート２３に並ぶように、２つの構造体２、２における各々のＩＤＴブロック１を配置しても良い。この場合には、同図（ｂ）に示すように、例えば左側の構造体２については、ＩＤＴブロック１ａ、１ｂの手前側のバスバー１４ｂ、１４ｂ同士を接続すると共に、ＩＤＴブロック１ｂ、１ｃの奥側のバスバー１４ａ、１４ａ同士を接続する。そして、ＩＤＴブロック１ａの奥側のバスバー１４ａを右側の構造体２に向かって伸張させてポート２１（２２）と接続し、ＩＤＴブロック１ｃの手前側のバスバー１４ｂを右側の構造体２に向かって伸張させて接地ポート２３に接続する。右側の構造体２についても同様に構成すると共に、出力側ＩＤＴ電極１３についても例えば入力側ＩＤＴ電極１２と同様に配置する。
【００２７】
また、図１１（ａ）に示すように、各々のＩＤＴブロック１における入力ポート２１（出力ポート２２）側のバスバー１４がこの図１１中奥側に並ぶようにこれらＩＤＴブロック１を配置しても良い。この場合においても、各ＩＤＴブロック１は、入力ポート２１（出力ポート２２）側から接地ポート２３側に向かって弾性波の伝搬方向に沿って順番に配置される。また、各ＩＤＴブロック１のバスバー１４は、例えばこれらＩＤＴブロック１、１間を引き回された電極指状の引き回し電極や、圧電基板１１の上方領域を介して形成されるワイヤなどにより接続される。更に、同図（ｂ）に示すように、各々の構造体２を２つのＩＤＴブロック１により構成しても良い。更にまた、ＩＤＴ電極１２、１３において、図１１（ｃ）に示すように、複数例えば３つの構造体２を並列に接続しても良い。尚、この図１１（ｃ）については各々の構造体２の内部領域を模式的に示している。
【００２８】
既述の例では、ＩＤＴ電極１２、１３の夫々に対して電極指１７、１７の交差領域を間引いて重み付けを行ったが、このような重み付けを行わずに各構造体２における各ＩＤＴブロック１の容量値を揃えるようにしても良い。具体的には、各々のＩＤＴブロック１の面積が等しくなるようにこれらＩＤＴブロック１を配置しても良いし、あるいは任意の電極指１７（交差領域）の長さ寸法を調整して（短くして）重み付けを行うようにしても良い。また、ＩＤＴ電極１２、１３としては、夫々図１、図９〜図１１のいずれかの構成としても良い。更に、ＩＤＴ電極１２、１３のいずれも２つの構造体２、２を並列に接続して構成したが、ＩＤＴ電極１２、１３における構造体２やＩＤＴブロック１の数量を夫々個別に設定しても良いし、これらのＩＤＴ電極１２、１３のうち一方については、既述の図１２に示す従来のブロック重み付けの手法を用いた電極あるいはブロック重み付けを行わないテーパー型の電極であっても良い。更にまた、これらのＩＤＴ電極１２、１３を一方向性電極により構成しても良い。また、電極指１７を曲線的あるいは階段状に形成して疑似テーパー型にＩＤＴ電極１２、１３を構成しても良い。
【符号の説明】
【００２９】
１ ＩＤＴブロック
２ 構造体
１２ 入力側ＩＤＴ電極
１３ 出力側ＩＤＴ電極
１７ 電極指
２１ 入力ポート
２２ 出力ポート
２３ 接地ポート
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波フィルタ例えば（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波の伝搬方向に沿って入力側ＩＤＴ（ＩＤＴ：インターディジタルトランスデューサ）電極及び出力側ＩＤＴ電極を圧電基板上に並べた弾性波フィルタ例えばＳＡＷフィルタとして、弾性波の伝搬方向に互いに平行に並ぶ一対のバスバーのうち一方側のバスバーから他方側のバスバーに向かうにつれて電極指の幅寸法及び電極指同士の離間寸法からなる周期単位が広がるように構成されたテーパー型ＩＤＴ電極を、これらの入力側ＩＤＴ電極及び出力側ＩＤＴ電極として用いたフィルタが知られている。
【０００３】
近年においては、弾性波の回折による影響を避けると共に、ＳＡＷフィルタにおけるインピーダンスを通常の電極よりも高くするため、例えば特許文献１に示すように、メアンダまたはミアンダ（ｍｅａｎｄｅｒ）構造と呼ばれるレイアウトとなるように各テーパー型ＩＤＴ電極を配置することにより、このテーパー型ＩＤＴ電極に対してブロック重み付けを行う技術が知られている。この構造について簡単に説明すると、例えば図１２（ａ）に示すように、テーパー型の入力側ＩＤＴ電極１１１及び出力側ＩＤＴ電極１１２を弾性波の伝搬方向に沿って各々例えば３つのブロック１０２に区画する。そして、同図（ｂ）に示すように、これらの３つのブロック１０２が入力ポート１０３（出力ポート１０４）側から接地ポート１０５側に向かって夫々のバスバー１０６を介して順番に直列に接続されるように、また各々のブロック１０２における電極指１０７の交差領域（弾性波の励振領域）が弾性波の伝搬方向に沿って並ぶように、入力ポート１０３（出力ポート１０４）から接地ポート１０５に向かって各々のブロック１０２を接続する接続ラインが上下方向に蛇行するようにいわばジグザグ（蛇腹）状となるように配置する。尚、図１２中１０８はシールド電極であり、６０はワイヤである。また、励振位置である電極指１０７、１０７の交差領域や電極指１０７の間引き領域などの重み付け量については各々のブロック１０２毎に個別に設計されているが、ここでは省略している。また、図１２では電極指１０７の本数などについては模式的に示している。
【０００４】
しかし、このような構造のＩＤＴ電極１１１、１１２では、図１３に示すように、入力ポート１０３に信号を入力した後、直達波と呼ばれる雑音信号が直ぐに出力ポート１０４から出力されることによって、図１４に示すように、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側における減衰特性が劣化してしまう。この直達波の信号レベルは、各ＩＤＴ電極１１１、１１２間において圧電基板１００の内部領域などを介して生じる電界Ｃが大きくなる程強くなってしまう。そして、この電界Ｃは、既述の図１２に示すように、各々のＩＤＴ電極１１１、１１２間で互いに近接するブロック１０２、１０２間（シールド電極１０８側のブロック１０２、１０２間）で特に強く形成される。
特許文献１には、既述の課題については記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表平１１−５００５９３（図１１〜図１４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、テーパー型のＩＤＴ電極を入力側電極及び出力側電極の少なくとも一方として用いたフィルタにおいて、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側における減衰特性に優れたフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の弾性波フィルタは、
弾性波の伝搬方向に沿って互いに離間するように圧電基板上に配置したテーパー型入力側電極及びテーパー型出力側電極の少なくとも一方として、下記のＩＤＴ電極を用いたことを特徴とする。
記
（１）弾性波の伝搬方向に沿って互いに平行となるように配置された一対のバスバーと、これらバスバーから各々対向するバスバー側に向かって各々櫛歯状に伸び出すように、またその幅寸法及び間隔寸法からなる周期単位がこれら一対のバスバーのうち一方側から他方側に向かうにつれて広がるように形成された電極指群と、を各々備えた少なくとも２つのＩＤＴブロックを用い、これらＩＤＴブロックを弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べると共に、信号ポートから接地ポートに向かって各々のＩＤＴブロックのバスバーを介して直列に接続して直列ブロック体を構成する。
（２）前記直列ブロック体を前記信号ポートと前記接地ポートとの間に並列となるように少なくとも２つ配置すると共に、ＩＤＴブロックの各々の一方側のバスバー同士及び他方側のバスバー同士を夫々弾性波の伝搬方向に沿って一列に並べてＩＤＴ電極を構成する。
（３）前記ＩＤＴ電極における電極指の周期単位が一方側のバスバー側から他方側のバスバー側に亘って弾性波の伝搬方向に沿って連続して繰り返されるように、各ＩＤＴブロックを互いに近接配置する。
（４）各々のＩＤＴブロックの容量値が揃うように、前記バスバーの一方側及び他方側から互いに交互に隣接して伸び出す電極指の交差領域の面積がこれらＩＤＴブロック間で揃うように各々の電極指を配置する。
前記直列ブロック体における各ＩＤＴブロックは、各々のバスバーが弾性波の伝搬方向に沿って伸び出して当該ＩＤＴブロックに隣接するＩＤＴブロックのバスバーと接続されていても良い。
前記ＩＤＴ電極は、２つの直列ブロック体が並列に接続され、当該２つの直列ブロック体の接続部位を基準として弾性波の伝搬方向に線対称に配置されていても良い。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、少なくとも２つのＩＤＴブロックを直列に接続して弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べて、これらＩＤＴブロックからなる直列ブロック体を少なくとも２つ並列に接続してＩＤＴ電極を構成すると共に、各々のＩＤＴブロックにおける容量値が揃うようにこれらＩＤＴブロックの電極指を配置しているので、このＩＤＴ電極をテーパー型の入力側電極及びテーパー型の出力側電極の少なくとも一方として圧電基板上に形成することによって、当該少なくとも一方の電極から他方側の電極に向かって形成される電界を小さく抑えることができ、そのため直達波レベルを抑えて通過周波数帯よりも低域側及び高域側における減衰特性に優れた弾性波フィルタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態に係る弾性波フィルタの一例を示す平面図である。
【図２】前記弾性波フィルタの一部の構成を模式的に示した模式図である。
【図３】前記弾性波フィルタの一部を拡大して示した拡大図である。
【図４】前記弾性波フィルタにおいて発生する電界の様子を示す模式図である。
【図５】従来のフィルタにおいて発生する電界の様子を示す模式図である。
【図６】前記弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【図７】前記弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【図８】前記弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【図９】前記弾性波フィルタの他の例を示す概略図である。
【図１０】前記弾性波フィルタの他の例を示す概略図である。
【図１１】前記弾性波フィルタの他の例を示す概略図である。
【図１２】従来の弾性波フィルタを示す平面図である。
【図１３】従来の弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【図１４】従来の弾性波フィルタにおいて得られる特性を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施の形態の弾性波フィルタ例えばＳＡＷフィルタについて、図１〜図３を参照して説明する。この弾性波フィルタは、例えば水晶などの圧電基板１１上において弾性波の伝搬方向に互いに離間して並ぶテーパー型の入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極１３を備えている。この例では、入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極１３は、図１中夫々左側及び右側に配置されている。また、これらのＩＤＴ電極１２、１３は、夫々複数この例では６つのＩＤＴブロック１により構成されている。各々のＩＤＴブロック１の内部構造については後で詳述する。図１中２１、２２は夫々信号ポートをなす入力ポート及び出力ポートであり、２３は接地ポートである。また、１６はシールド電極である。尚、これらのＩＤＴ電極１２、１３の側方側における圧電基板１１の端部領域には、当該端部領域に伝搬する不要な弾性波を吸収するための図示しない吸音材（ダンパー）が各々形成されている。
【００１１】
先ず、ＩＤＴ電極１２、１３における各ＩＤＴブロック１のレイアウトについて説明する。例えば入力側ＩＤＴ電極１２において、入力ポート２１と接地ポート２３との間には、図２の左側にＩＤＴブロック１を模式的に直線的に並べて示すように、複数例えば３つのＩＤＴブロック１が各々直列に接続されたメアンダまたはミアンダ（ｍｅａｎｄｅｒ）構造と呼ばれる構造体（直列ブロック体）２が複数例えば２つ並列に接続されている。そして、各々の構造体２は、圧電基板１１上において、図２の右側にも示すように、入力ポート２１から接地ポート２３に向かって各々のＩＤＴブロック１が弾性波の伝搬方向に沿って並ぶように、左側の構造体２は右側から左側に向かって順番に配置され、右側の構造体２は左側から右側に向かって順番に配置されている。従って、この例ではこれらの構造体２、２は、弾性波の伝搬方向における入力側ＩＤＴ電極１２の中央位置（接続位置）を通ると共に弾性波の伝搬方向に直交する方向に平行な直線Ｌを基準として左右対称（線対称）に配置されており、図１中奥側において共通の入力ポート２１に例えばワイヤ６０を介して接続され、手前側において共通の接地ポート２３に例えばワイヤ６０を介して接続されている。
【００１２】
そして、各々の構造体２、２では、各ＩＤＴブロック１における入力ポート２１側の接続部位（後述のバスバー１４）が入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かって図１中奥側及び手前側を交互に向くように、即ち各ＩＤＴブロック１を接続する接続ラインが上下方向に蛇行していわばジグザグ（蛇腹）状になるように各々のＩＤＴブロック１が配置されている。尚、図１及び図２では、各ＩＤＴブロック１の内部領域を省略して示している。
【００１３】
出力側ＩＤＴ電極１３についても、この入力側ＩＤＴ電極１２と同様に、夫々直列に接続された３つのＩＤＴブロック１からなる２つの構造体２が出力ポート２２と接地ポート２３との間において並列に接続され、またこれらの構造体２、２が直線Ｌを境界として線対称に配置されている。この例では、出力側ＩＤＴ電極１３は、入力側ＩＤＴ電極１２とは上下が反転した状態で配置されている。
【００１４】
続いて、既述のＩＤＴブロック１の内部構造について図３を参照して詳述する。ここで、ＩＤＴ電極１２、１３はこの例では夫々同じ構造であるため、入力側ＩＤＴ電極１２を例に挙げて説明する。入力側ＩＤＴ電極１２における各々のＩＤＴブロック１は、弾性波の伝搬方向に互いに平行となるように形成された一対のバスバー１４、１４と、これらのバスバー１４、１４から各々相対向するバスバー１４、１４側に向かって互いに交差するように各々櫛歯状に伸び出す複数の電極指１７と、を備えている。この例では、奥側のバスバー１４ａから伸び出す２本の電極指１７と、当該２本の電極指１７に隣接するように手前側のバスバー１４ｂから伸び出す２本の電極指１７と、が弾性波の伝搬方向に沿って周期的に連続して繰り返されるように配置されている。また、これらの４本の電極指１７及びこれら電極指１７間の隙間領域によって、１つの周期単位λが構成されており、このフィルタでは、周期単位λと同じ長さの波長の弾性波が伝搬するように構成されている。そして、バスバー１４、１４の一方側及び他方側から互いに交互に隣接して伸び出す電極指１７、１７同士において、これら電極指１７の長さ方向に沿って互いに対向する対向領域（交差領域）で弾性波が励振されることになるが、この例ではこの交差領域の長さ寸法（開口長）は各々の交差領域において等しくなっている。
【００１５】
また、一対のバスバー１４、１４のうち図３中奥側（一方側）のバスバー１４に「１４ａ」、手前側（他方側）のバスバー１４に「１４ｂ」の符号を夫々付すと、各々のＩＤＴブロック１における各電極指１７は、奥側のバスバー１４ａから手前側のバスバー１４ｂに向かって、既述の周期単位λが広がるように形成されている。即ち、各々のＩＤＴブロック１は、周期単位λの短い領域に近接するバスバー１４ａ同士が弾性波の伝搬方向に沿って一列に配列され、また周期単位λの長い領域に近接するバスバー１４ｂについても同様に弾性波の伝搬方向に沿って一列に配置されていると言える。また、各々のＩＤＴブロック１は、一方側のバスバー１４ａから他方側のバスバー１４ｂまでに亘って周期単位λが弾性波の伝搬方向において連続的に接続されるように、即ち各々のＩＤＴブロック１、１間の接続部位において周期単位λが途切れないように、互いに近接配置されて各々のＩＤＴブロック１、１間の離間寸法が設定されている。従って、このフィルタでは、奥側のバスバー１４ａに近接する領域（高周波数側）のトラックから手前側のバスバー１４ｂに近接する領域（低周波数側）のトラックまでに亘って、各々の周期単位λに対応する波長の弾性波が伝搬することになる。尚、図３では、電極指１７の幅寸法については模式的に示している。
【００１６】
また、この例では、図２に示すように、各ＩＤＴブロック１における容量値Ｃａ〜Ｃｆが揃う（ほぼ等しくなる）ように、各々の電極指１７を配置している。即ち、既述の交差領域の長さ寸法がこれら交差領域間で等しくなっているので、各々のＩＤＴブロック１では、この交差領域の数量がほぼ等しくなるように電極指１７を配置している。具体的には、入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かうにつれて各ＩＤＴブロック１の面積が大きくなっているので、ＩＤＴブロック１の面積が大きくなる程交差領域の数量が減少するように各ＩＤＴブロック１に重み付けを行っている。この例では、バスバー１４ａ、１４ｂから互いに交互に伸び出して交差する電極指１７、１７間に、例えば奥側のバスバー１４ａから伸び出す電極指１７を複数本介設することによって電極指１７、１７の有効対数（交差領域）を間引いており、入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かう程、各ＩＤＴブロック１における間引き量を多くすることによって、ＩＤＴ電極１２（１３）にブロック重み付けを行っている。そのため、各ＩＤＴブロック１における交差領域の面積が揃うので、これら容量値Ｃａ〜Ｃｆが揃っている。ここで、「揃う」とは、互いに等しい値となることだけでなく、例えば±４０％以内となることをを含み、具体的には例えば一つのＩＤＴブロック１における対数（交差領域）の数量が５である場合には、他のＩＤＴブロック１における対数の数量が例えば３〜７であることを言う。
【００１７】
そして、これらのＩＤＴブロック１は、バスバー１４ａ、１４ｂを介して既述の図２の右側に示すレイアウトで接続されている。具体的には、入力側ＩＤＴ電極１２における２つの構造体２、２のうち一方側の構造体２例えば図３中左側の構造体２において、入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かって３つのＩＤＴブロック１を夫々ＩＤＴブロック１ａ、１ｂ、１ｃとすると、図３に示すように、ＩＤＴブロック１ａは、奥側のバスバー１４ａが他方側（右側）の構造体２に近接する位置に配置されると共に入力ポート２１に接続され、手前側のバスバー１４ｂが図３中左側に伸び出してＩＤＴブロック１ｂにおける手前側のバスバー１４ｂと接続されて浮き電極をなしている。また、ＩＤＴブロック１ｂの奥側のバスバー１４ａは、図３中左側に伸び出して、ＩＤＴブロック１ｃの奥側のバスバー１４ａと接続されて同様に浮き電極をなしている。そして、ＩＤＴブロック１ｃの手前側のバスバー１４ｂは、ＩＤＴブロック１ａ、１ｂにおける手前側のバスバー１４ｂから離間するように圧電基板１１の端部側を回り込んで、右側に向かって伸び出して接地ポート２３に接続されている。
【００１８】
既述のように、左右の構造体２、２は直線Ｌを基準として左右対称となるように配置されており、右側の構造体２についても左側の構造体２と同様に入力ポート２１側から接地ポート２３側に向かって３つのＩＤＴブロック１を夫々ＩＤＴブロック１ａ、１ｂ、１ｃとすると、２つの構造体２、２は、各々のＩＤＴブロック１ａ、１ａの奥側のバスバー１４ａ、１４ａ同士が接続され、各々のＩＤＴブロック１ｃ、１ｃの手前側のバスバー１４ｂ、１４ｂ同士が接続されている。また、既述のように、出力側ＩＤＴ電極１３についてもこの入力側ＩＤＴ電極１２と同様に構成されている。
【００１９】
このフィルタにおいて入力ポート２１に電気信号を入力すると、入力側ＩＤＴ電極１２における電極指１７、１７の交差領域にて弾性波が発生する（励振される）。この弾性波は、シールド電極１６を介して出力側ＩＤＴ電極１３に向かって伝搬していき、同様に電極指１７、１７の交差領域にて電気信号に変換され、出力ポート２２から取り出される。この時、入力ポート２１に電気信号を入力すると直ぐに、即ち入力信号に対応する出力信号が出力ポート２２から取り出されるまでの間に、直達波と呼ばれるノイズ（不要波）が出力ポート２２に僅かに伝達される場合がある。この直達波は既述の図１３及び図１４にて説明したように、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側において減衰特性を劣化させてしまう。そして、この直達波の信号レベルは、入力側ＩＤＴ電極１２と出力側ＩＤＴ電極１３との間において例えば圧電基板１１の内部領域を介して生じる電界（容量結合）Ｃが大きくなる程強くなる。ここで、以下にこのフィルタにおいて発生する電界Ｃについて説明する。
【００２０】
この電界Ｃは、入力側ＩＤＴ電極１２の各々のＩＤＴブロック１と、出力側ＩＤＴ電極１３の各々のＩＤＴブロック１と、の間において夫々形成される。このような電界Ｃにつて、一部を例えば電界Ｃ１〜Ｃ４として模式的に図４に示す。即ち、各ＩＤＴ電極１２、１３においてシールド電極１６を挟んで相対向するＩＤＴブロック１ｃ、１ｃ間で形成される電界Ｃ１、このＩＤＴブロック１ｃの一方と他方のＩＤＴブロック１ｃが含まれるＩＤＴ電極１２（１３）において当該ＩＤＴブロック１ｃよりもポート２１（２２）側に隣接するＩＤＴブロック１ｂとの間で形成される電界Ｃ２、Ｃ３及び、シールド電極１６側から夫々２番目のＩＤＴブロック１ｂ、１ｂ間で形成される電界Ｃ４を示している。
【００２１】
これらの電界Ｃの強度は、当該電界Ｃを形成するＩＤＴブロック１、１間の離間距離が短い程大きくなる。従って、このフィルタでは、ＩＤＴ電極１２、１３間で生じる電界Ｃのうち、シールド電極１６を挟んで相対向するＩＤＴブロック１ｃ、１ｃ間で生じる電界Ｃ１が最も強くなる。そのため、既述の直達波は、いわばこの電界Ｃ１により発生していると言える。
【００２２】
ところで、各々のＩＤＴ電極１２、１３を各々２つの構造体２、２により構成せずに、例えば既述の図１２のように１つの構造体２（３つのＩＤＴブロック１）により構成すると共にＩＤＴ電極１２、１３と各々同じ本数の電極指１７（交差領域）を配置した場合には、図５に示すように、シールド電極１６を挟んで相対向するＩＤＴブロック１（１０２）、１（１０２）の各々の面積が２つの構造体２、２を並列に配置した場合（図４）よりも大きくなる。従って、この図５では、シールド電極１６を挟んで形成される電界Ｃ１は、図４の例の電界Ｃ１よりも大きくなる。
【００２３】
そのため、２つの構造体２、２を並列に接続することによってＩＤＴ電極１２、１３を各々構成した本発明のフィルタ（図４）と、従来の１つの構造体２だけで各ＩＤＴ電極１２、１３を各々構成したフィルタ（図５）とを比較すると、図６に示すように、本発明では直達波の信号レベルが下がり、その結果図７に示すように、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側において、減衰量が大きくなると共にノイズレベル（信号の振れの大きさ）が小さくなる。図８には、本発明のフィルタにて得られた減衰特性と、従来のフィルタにおける減衰特性とを重ね合わせて示している。
【００２４】
上述の実施の形態によれば、２つのＩＤＴブロック１を直列に接続して弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べて、これらＩＤＴブロック１からなる構造体２を２つ並列に接続してＩＤＴ電極１２、１３を構成すると共に、各々のＩＤＴブロック１における容量値Ｃａ〜Ｃｆが揃うようにこれらＩＤＴブロック１の電極指１７を配置しているので、ＩＤＴ電極１２、１３間で形成される電界Ｃを小さく抑えることができ、そのため直達波レベルを抑えて通過周波数帯よりも低域側及び高域側における減衰特性に優れた弾性波フィルタを得ることができる。
また、図５や図１２の従来のフィルタと比較して、本発明のフィルタでは各々のＩＤＴブロック１の電極指１７の対数が例えば半分程度に減ることになり、従って当該ＩＤＴブロック１の容量値についても半分程度になるが、これらＩＤＴブロック１を直列に接続した構造体２、２を並列に接続しているので、各ＩＤＴ電極１２、１３では従来のフィルタとほぼ同程度の容量値（インピーダンス）が得られる。
更に、各々のＩＤＴ電極１２、１３では２つの構造体２、２を左右対称に配置しているので、フィルタを設計しやすいというメリットがある。
【００２５】
既述の例では、各々の構造体２において３つのＩＤＴブロック１を配置したが、図９（ａ）に示すように、４つのＩＤＴブロック１を配置しても良い。具体的には、例えば入力側ＩＤＴ電極１２における左側の構造体２について説明すると、既述のＩＤＴブロック１ｃの左側に更に別のＩＤＴブロック１ｄを配置すると共に、ＩＤＴブロック１ｃの手前側のバスバー１４ｂを左側に引き出してＩＤＴブロック１ｄの手前側のバスバー１４ｂと接続する。そして、同図（ｂ）に示すように、ＩＤＴブロック１ｄの奥側のバスバー１４ａを例えばＩＤＴブロック１ａ、１ｂ、１ｃの奥側のバスバー１４ａから離間するように圧電基板１１の端部領域を右側に伸張させて接地ポート２３に接続する。また、入力側ＩＤＴ電極１２の右側の構造体２についても同様に構成すると共に、出力側ＩＤＴ電極１３についても例えばこの入力側ＩＤＴ電極１２と同様に構成する。このような場合においても、既述の例と同様の効果が得られる。尚、この例においては、入力ポート２１（出力ポート２２）は、例えばワイヤ６０を用いてＩＤＴブロック１ｄの奥側のバスバー１４ａ、１４ａ同士の接続部の上方領域を介して外部の入力端子部に接続される。
【００２６】
また、各々のＩＤＴ電極１２、１３では２つの構造体２、２が左右対称となるように配置したが、図１０（ａ）に示すように、例えば弾性波の伝搬方向に沿って一方側から他方側この例では右側から左側に向かって入力ポート２１（出力ポート２２）側から接地ポート２３に並ぶように、２つの構造体２、２における各々のＩＤＴブロック１を配置しても良い。この場合には、同図（ｂ）に示すように、例えば左側の構造体２については、ＩＤＴブロック１ａ、１ｂの手前側のバスバー１４ｂ、１４ｂ同士を接続すると共に、ＩＤＴブロック１ｂ、１ｃの奥側のバスバー１４ａ、１４ａ同士を接続する。そして、ＩＤＴブロック１ａの奥側のバスバー１４ａを右側の構造体２に向かって伸張させてポート２１（２２）と接続し、ＩＤＴブロック１ｃの手前側のバスバー１４ｂを右側の構造体２に向かって伸張させて接地ポート２３に接続する。右側の構造体２についても同様に構成すると共に、出力側ＩＤＴ電極１３についても例えば入力側ＩＤＴ電極１２と同様に配置する。
【００２７】
また、図１１（ａ）に示すように、各々のＩＤＴブロック１における入力ポート２１（出力ポート２２）側のバスバー１４がこの図１１中奥側に並ぶようにこれらＩＤＴブロック１を配置しても良い。この場合においても、各ＩＤＴブロック１は、入力ポート２１（出力ポート２２）側から接地ポート２３側に向かって弾性波の伝搬方向に沿って順番に配置される。また、各ＩＤＴブロック１のバスバー１４は、例えばこれらＩＤＴブロック１、１間を引き回された電極指状の引き回し電極や、圧電基板１１の上方領域を介して形成されるワイヤなどにより接続される。更に、同図（ｂ）に示すように、各々の構造体２を２つのＩＤＴブロック１により構成しても良い。更にまた、ＩＤＴ電極１２、１３において、図１１（ｃ）に示すように、複数例えば３つの構造体２を並列に接続しても良い。尚、この図１１（ｃ）については各々の構造体２の内部領域を模式的に示している。
【００２８】
既述の例では、ＩＤＴ電極１２、１３の夫々に対して電極指１７、１７の交差領域を間引いて重み付けを行ったが、このような重み付けを行わずに各構造体２における各ＩＤＴブロック１の容量値を揃えるようにしても良い。具体的には、各々のＩＤＴブロック１の面積が等しくなるようにこれらＩＤＴブロック１を配置しても良いし、あるいは任意の電極指１７（交差領域）の長さ寸法を調整して（短くして）重み付けを行うようにしても良い。また、ＩＤＴ電極１２、１３としては、夫々図１、図９〜図１１のいずれかの構成としても良い。更に、ＩＤＴ電極１２、１３のいずれも２つの構造体２、２を並列に接続して構成したが、ＩＤＴ電極１２、１３における構造体２やＩＤＴブロック１の数量を夫々個別に設定しても良いし、これらのＩＤＴ電極１２、１３のうち一方については、既述の図１２に示す従来のブロック重み付けの手法を用いた電極あるいはブロック重み付けを行わないテーパー型の電極であっても良い。更にまた、これらのＩＤＴ電極１２、１３を一方向性電極により構成しても良い。また、電極指１７を曲線的あるいは階段状に形成して疑似テーパー型にＩＤＴ電極１２、１３を構成しても良い。
【符号の説明】
【００２９】
１ ＩＤＴブロック
２ 構造体
１２ 入力側ＩＤＴ電極
１３ 出力側ＩＤＴ電極
１７ 電極指
２１ 入力ポート
２２ 出力ポート
２３ 接地ポート
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波の伝搬方向に沿って互いに離間するように圧電基板上に配置したテーパー型入力側電極及びテーパー型出力側電極の少なくとも一方として、下記のＩＤＴ電極を用いたことを特徴とする弾性波フィルタ。
記
（１）弾性波の伝搬方向に沿って互いに平行となるように配置された一対のバスバーと、これらバスバーから各々対向するバスバー側に向かって各々櫛歯状に伸び出すように、またその幅寸法及び間隔寸法からなる周期単位がこれら一対のバスバーのうち一方側から他方側に向かうにつれて広がるように形成された電極指群と、を各々備えた少なくとも２つのＩＤＴブロックを用い、これらＩＤＴブロックを弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べると共に、信号ポートから接地ポートに向かって各々のＩＤＴブロックのバスバーを介して直列に接続して直列ブロック体を構成する。
（２）前記直列ブロック体を前記信号ポートと前記接地ポートとの間に並列となるように少なくとも２つ配置すると共に、ＩＤＴブロックの各々の一方側のバスバー同士及び他方側のバスバー同士を夫々弾性波の伝搬方向に沿って一列に並べてＩＤＴ電極を構成する。
（３）前記ＩＤＴ電極における電極指の周期単位が一方側のバスバー側から他方側のバスバー側に亘って弾性波の伝搬方向に沿って連続して繰り返されるように、各ＩＤＴブロックを互いに近接配置する。
（４）各々のＩＤＴブロックの容量値が揃うように、前記バスバーの一方側及び他方側から互いに交互に隣接して伸び出す電極指の交差領域の面積がこれらＩＤＴブロック間で揃うように各々の電極指を配置する。
【請求項２】
前記直列ブロック体における各ＩＤＴブロックは、各々のバスバーが弾性波の伝搬方向に沿って伸び出して当該ＩＤＴブロックに隣接するＩＤＴブロックのバスバーと接続されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性波フィルタ。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極は、２つの直列ブロック体が並列に接続され、当該２つの直列ブロック体の接続部位を基準として弾性波の伝搬方向に線対称に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
【請求項１】
弾性波の伝搬方向に沿って互いに離間するように圧電基板上に配置したテーパー型入力側電極及びテーパー型出力側電極の少なくとも一方として、下記のＩＤＴ電極を用いたことを特徴とする弾性波フィルタ。
記
（１）弾性波の伝搬方向に沿って互いに平行となるように配置された一対のバスバーと、これらバスバーから各々対向するバスバー側に向かって各々櫛歯状に伸び出すように、またその幅寸法及び間隔寸法からなる周期単位がこれら一対のバスバーのうち一方側から他方側に向かうにつれて広がるように形成された電極指群と、を各々備えた少なくとも２つのＩＤＴブロックを用い、これらＩＤＴブロックを弾性波の伝搬方向に沿って順番に並べると共に、信号ポートから接地ポートに向かって各々のＩＤＴブロックのバスバーを介して直列に接続して直列ブロック体を構成する。
（２）前記直列ブロック体を前記信号ポートと前記接地ポートとの間に並列となるように少なくとも２つ配置すると共に、ＩＤＴブロックの各々の一方側のバスバー同士及び他方側のバスバー同士を夫々弾性波の伝搬方向に沿って一列に並べてＩＤＴ電極を構成する。
（３）前記ＩＤＴ電極における電極指の周期単位が一方側のバスバー側から他方側のバスバー側に亘って弾性波の伝搬方向に沿って連続して繰り返されるように、各ＩＤＴブロックを互いに近接配置する。
（４）各々のＩＤＴブロックの容量値が揃うように、前記バスバーの一方側及び他方側から互いに交互に隣接して伸び出す電極指の交差領域の面積がこれらＩＤＴブロック間で揃うように各々の電極指を配置する。
【請求項２】
前記直列ブロック体における各ＩＤＴブロックは、各々のバスバーが弾性波の伝搬方向に沿って伸び出して当該ＩＤＴブロックに隣接するＩＤＴブロックのバスバーと接続されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性波フィルタ。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極は、２つの直列ブロック体が並列に接続され、当該２つの直列ブロック体の接続部位を基準として弾性波の伝搬方向に線対称に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−２１１４１４（Ｐ２０１１−２１１４１４Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−７５９５４（Ｐ２０１０−７５９５４）
【出願日】平成２２年３月２９日（２０１０．３．２９）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月２９日（２０１０．３．２９）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
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