説明

弾性表面波装置

【課題】 外形の占有面積の大きさが内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で、かつ、信頼性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提供すること、及びインピーダンス調整機能やより多機能な電気回路を複合することができる弾性表面波装置を提供すること。
【解決手段】
圧電基板1と、圧電基板上に配置される励振電極2と、前記圧電基板上に配置され、励振電極2に接続される配線電極3と、励振電極2の振動空間9を構成するとともに、外周縁が圧電基板1の直上領域内に位置するようにして前記圧電基板上に配置されるカバー体4と、カバー体4を覆う樹脂からなる絶縁性保護体6と、前記絶縁性保護体上に配置される外部電極7と、前記絶縁性保護体内に設けられ、配線電極3に接続されるインダクタ成分と、を備えた構成とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、自動車電話及び携帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、電波を利用する電子機器のフィルタ,遅延線,発振器等の素子として種々の弾性表面波装置が用いられている。
【0003】
近年、特に小型・軽量でかつフィルタとしての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルタが、移動体通信分野における携帯端末装置のRF段及びIF段のフィルタとして多用されている。
【0004】
そして、この携帯端末装置の小型・軽量化が進むとともに、部品点数の削減を図るため、回路基板に実装されてきたインダクタ成分や容量成分、または、平衡不平衡変換機能を弾性表面波装置に内蔵することと、表面実装可能な小型化が強く要望されている。
【0005】
現在、弾性表面波装置はキャンパッケージ型やセラミックパッケージ型が実用化されおり、セラミックパッケージ型はキャンパッケージ型に比べ表面実装可能で小型化が実現可能なものとして広く用いられている。
【0006】
第1世代のセラミックパッケージ型の弾性表面波装置は、パッケージ内に接着固定した弾性表面波素子とパッケージの内部電極とを、ワイヤーボンディングにより電気接続していたが、ワイヤーボンディングを用いることによりパッケージ外形が大きくなり、弾性表面波装置は内蔵する弾性表面波素子の5倍〜6倍の占有面積となっていた。
【0007】
これを解決し小型化を図るために、第2世代のセラミックパッケージ型の弾性表面波装置は、例えば図6に示すように、圧電基板21上に励振電極である櫛歯状電極22及び配線電極23が形成された弾性表面波素子を、パッケージ基体25に配線された導電体27(27a,27b,27cで構成)における弾性表面波素子載置面に形成した内部電極27aと配線電極23とを電気的に接続するため、金属バンプ24を用いてフェースダウンボンディングした弾性表面波装置Jが実用化されている。
【0008】
このように、配線電極23に接続された金属バンプ24とパッケージ基体25に形成された内部電極27aとを接続することにより電気的接続を行うため、ワイヤーボンディングを使用する必要がなく、そのため、第1世代のセラミックパッケージ型弾性表面波装置に比べ、約2分の1の小型化が図られている。なお、図中、28はパッケージ蓋体、26はパッケージ枠状体、27bは側面電極、27cは下面電極、29は櫛歯状電極22の振動空間である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開平9−162688号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
しかしながら、上記第2世代のフェースダウン実装方式のセラミックパッケージ型弾性表面波装置においても、パッケージ外形の大きさは、内蔵する弾性表面波素子の約3倍もあり、十分に小型化されていないものであった。
【0011】
さらに、弾性表面波素子のパッケージへの実装方法は、デバイスチップをウエハから切断した後に、個別のパッケージを用い組み立てを行うために、量産性に欠けるという問題があった。
【0012】
また、第2世代のセラミックパッケージ型の弾性表面波装置では、弾性表面波素子とセラミックパッケージ上の配線電極のみの構成となり、回路基板に実装されてきたインピーダンス調整用としてのインダクタ成分や容量成分、または、平衡不平衡変換機能といった、外部回路調整用の電気回路を内臓することができない。
【0013】
そこで、本発明はこのような問題に対処するためになされたものであり、外形の占有面積が内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で、かつ、信頼性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提供すること、及び多機能な電気回路を複合することが可能な弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明の弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に配置される励振電極と、前記圧電基板上に配置され、前記励振電極に接続される配線電極と、前記励振電極の振動空間を構成するとともに、外周縁が前記圧電基板の直上領域内に位置するようにして前記圧電基板上に配置されるカバー体と、前記カバー体を覆う樹脂からなる絶縁性保護体と、前記絶縁性保護体上に配置される外部電極と、前記絶縁性保護体内に設けられ、前記配線電極に接続されるインダクタ成分と、を備えたものである。
【発明の効果】
【0015】
本発明の弾性表面波装置によれば、弾性表面波素子の配線電極と外部電極を接続する導電体に複数の分断部や屈曲部を設けることにより、インダクタンス成分や容量成分を持つ外部回路調整用電気回路を任意に構成させることが可能なため、従来、インピーダンス調整のために回路基板に実装されてきたインダクタや容量、またはバラン等の多機能な電子回路を内蔵可能な弾性表面波装置を提供できる。
【0016】
また、前記導電体に複数の分断部や屈曲部を設けることにより、外部電極に加わる応力を十分に緩和できるため、温度変化等により劣化の生じない高信頼性の弾性表面波装置を提供できる。
【0017】
また、圧電基板を下部筐体とし、樹脂モールドにより封止を行いそれを上部筐体とすることができ、従来のセラミックパッケージ等が不要となり、大幅な小型・軽量化が図れ、外形の占有面積の大きさが、内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しい、究極的に小型化された表面実装可能な弾性表面波装置を提供できる。
【0018】
さらに、全ての製造工程をウエハプロセスで行うことができ、ウエハ単位の加工で弾性表面波装置を多数個同時に形成できる、すなわち、樹脂封止まで完了したウエハをダイシング工程で個別の弾性表面波装置にカッティングすることにより完成品を得ることができるため、従来のダイシング工程以降、個別に弾性表面波素子を組み立てる必要が無く、しかも処理能力の小さいダイボンダー,ワイヤーボンダー,シーム溶接機等の組立装置が不要となり、大幅に工程を簡略化するとともに、量産性の高い弾性表面波装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明に係わる弾性表面波装置の実施形態を説明する端面模式図である。
【図2】本発明に係わる他の弾性表面波装置の実施形態を説明する端面模式図である。
【図3】本発明に係わる弾性表面波装置の概略等価回路図である。
【図4】本発明に係わる他の弾性表面波装置の概略等価回路図である。
【図5】本発明に係わる他の弾性表面波装置の概略等価回路図である。
【図6】従来の弾性表面波装置を説明する端面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、本発明に係わる弾性表面波装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、同様な部材には同一符号を付すものとする。
【0021】
図1及び図2に本発明に係る弾性表面波装置S1,S2の要部断面図を模式的に示す。弾性表面波装置S1,S2は、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶、又はランガサイト型結晶構造を有する単結晶、またはPZTやZnO等の圧電セラミックスその他の材料から成る圧電基板1上に、少なくとも1対の櫛歯状電極から成り弾性表面波を発生させる励振電極2と、これに接続される配線電極3とが配設され、励振電極2及び配線電極3を絶縁性保護体6で被覆したものである。
【0022】
ここで、励振電極2はアルミニウムやその合金等の金属から成り、その両端に反射器電極が配設されたり、これらの複数が直列及び/又は並列に接続されていてもよい。また、配線電極3は励振電極2に接続され、励振電極2と同様な金属材料から構成される。また、絶縁性保護体6は熱硬化性樹脂(エポキシ系、シリコーン系、フェノール系、ポリイミド系、又はポリウレタン系等の樹脂)、熱可塑性樹脂(ポリフェニレンサルファイド等の樹脂)、紫外線硬化樹脂、又は低融点ガラス等から成るものとする。
【0023】
絶縁性保護体6内には、絶縁性保護体6の部材を積層し、金属(銅,金,ニッケル等の単体や合金)や導電性樹脂等から成る柱状導電体5(外部回路調整用電気回路:弾性表面波装置S1においては、第1柱状部5a、第2柱状部5b、平板状部5c、第3柱状部5d、平板状部で構成5e、誘電体12で構成。弾性表面波装置S2においては、第1柱状部5a、第2柱状部5b、平板状部5c、第3柱状部5d、および平板状部5eで構成。)を配設している。この柱状導電体5は、励振電極2と同様な材質から成る配線電極3と、絶縁性保護体6の表面に形成された半田バンプ等の金属材料から成る外部電極7との双方に接続されている。
【0024】
前記絶縁性保護体6の積層構造において、柱状導電体5に複数の分断部Aや屈曲部Bを設けることにより、インピーダンス調整のためのインダクタ成分及び/又は容量成分を形成できる。
さらに、相互インダクタを利用した平衡不平衡変換機能部(バラン)も形成可能である。
【0025】
すなわち、例えば、図1に示す弾性表面波装置S1のように、柱状導電体5をその一部Aで分断し、柱状導電体5と平板間の誘電体12によって並行平板型の容量成分が発生する回路を形成可能である。
【0026】
図3に図1に示した構成の概略等価電気回路図を示す。回路図中では、信号線13に並列に容量15を図示したが、これを信号線13に直列に接続されても構わない。なお、図中17は弾性表面波素子であり、14は接地線である。
【0027】
また、図2に示すように、柱状導電体5を屈曲させ、絶縁性保護体6中を蛇行状(ミアンダ状)のパターンや渦巻状の導電パターンとして、インダクタ成分が発生する回路を形成可能である。
【0028】
図4に図2に示した構成の概略等価電気回路図を示す。回路図中では、信号線13に直列にインダクタ16を図示したが、信号線13に並列に接続されても構わない。また、接地線14にインダクタ16と容量15とを並列に接続させた例を示したが、絶縁性保護体6中を柱状導電体の分断部Aや屈曲部Bによって作製可能な電気回路であれば構わない。
【0029】
図5に、他の実施形態の概略等価電気回路図を示す。回路図中では、平衡不平衡変換回路18として相互インダクタを用いて変換を行っているが、前述したように絶縁性保護体6中を柱状導電体の分断部Aや屈曲部Bによって作製可能な電気回路であれば構わない。
【0030】
そして、励振電極2の振動空間11を確保するために、金属,樹脂,またはガラス等から成るカバー体4を、絶縁性保護体6と励振電極2との間に配設している。
【0031】
また、分断部や屈曲部を多数設けることにより、外部電極7に働く応力が柱状導電体に緩和されて伝達されるため、圧電基板1への影響を極力抑えることができる。これにより、弾性表面波装置を回路基板に半田等で実装して使用する際に、実装時の熱歪みや温度変化による応力が柱状の電極5を介して圧電基板1に伝わり、特性が著しく劣化したり、場合によっては圧電基板にクラックが発生するという問題を極力防止でき、高信頼性を有する弾性表面波装置を得ることができる。
【0032】
いずれにせよ、屈曲部を複数設けることにより、プリント基板等に半田等で接続された外部電極7に加わる外部応力が柱状導電体を通じて圧電基板1に働くことによる緩和効果で破損を極力防止することができる。
【0033】
また、励振電極2の対数は50〜200程度、電極指の幅は0.1〜10.0μm程度、電極指の間隔は0.1〜10.0μm程度、電極指の交差幅は10〜80μm程度、IDT電極2の厚みは0.2〜0.4μm程度とすることが、共振器あるいはフィルタとしての所期の特性を得るうえで好適である。また、励振電極2上にZnO、Al2O3等の圧電材料を成膜すれば、SAWの共振効率が向上し好適である。
【0034】
圧電基板1としては、42°または36°Yカット−X伝搬のLiTaO3結晶、64°Yカット−X伝搬のLiNbO3結晶、45°Xカット−Z伝搬のLiB4O7結晶は電気機械結合係数が大きく且つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましい。圧電基板1の厚みは0.1〜0.5mm程度がよく、0.1mm未満では圧電基板が脆くなり、0.5mm超では材料コストが大きくなる。
【0035】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更は何等差し支えない。
【実施例】
【0036】
次に、本発明のより具体的な実施例について説明する。
実施例として図1に示した構成を例にとり、説明する。
【0037】
作製の概略の流れは、カバー体をウエハ上に多数形成し、その後、別に用意した圧電性のウエハ上に弾性表面波素子領域を多数形成し、二つのウエハを重ねて接合し、ウエハを研磨等により除去した後に、絶縁性保護体で封止し、さらに、外部電極を絶縁性保護体上に形成して、最後に個々のチップに分離して弾性表面波装置を完成させる。
【0038】
まず、図1に示すように、圧電基板1上に励振電極2と配線電極3を形成した。圧電基板1として厚さ350μmの42°Yカットタンタル酸リチウム基板を用い、励振電極2及び配線電極3の第1層目の配線電極3にはアルミニウム合金(銅含有率1%)を用いた。電極厚さは2000〜4000Åとした。第2層目の配線電極3にはニッケル,銅の2層電極を用い、それぞれの厚さは1000Å,2000Åとし、フォトリソグラフィーを用いて選択的に形成した。
【0039】
ここで、カバー体4を別途作製する。
【0040】
弾性表面波素子を形成する圧電基板のウエハと同サイズのシリコンウエハの主面にメッキ用のカバー体4を形成する。このウエハには圧電基板,シリコン基板,またはガラス基板を用いることができ、後工程で簡便に除去できる材質のものを使用する。カバー体4は例えば銅等の金属材料を用いスパッタ成膜により厚さ0.2μm〜1μm程度に形成する。
【0041】
次に、カバー体4の振動空間部に相当する箇所のメッキ用ガイドをフォトリソグラフィーにより形成する。フォトレジストの厚さは50μm〜100μmとする。
【0042】
次に、銅の電解メッキによりカバー体の上部に相当する部分を形成する。この電解液には、硫酸銅0.5〜1.0×103mol/m3と硫酸1.5〜2×103mol/m3を用い、参照電極には塩化カリウム・塩化銀の標準電極を用いる。
【0043】
次に、カバー体の壁部に相当する部分のメッキ用ガイドをフォトリソグラフィーにより形成する。フォトレジストの厚みは50μm〜100μm、また壁の厚さに相当する溝の幅は50μm〜100μm程度とする。
【0044】
次に、銅の電解メッキによりカバー体の壁部に相当する部分を形成し、その後、カバー体の上にスクリーン印刷により低融点ガラス8を厚さ5〜10μmで形成する。
最後に、フォトレジストを除去しカバー体が配列された基板が完成する。
【0045】
ここで、別途シリコン基板上に形成されたカバー体4を低融点ガラス8で、前記弾性表面波素子を作製した圧電基板ウエハに接着し、その後、研磨機を用いシリコン基板及びカバー体4の一部を除去した。このときの研磨液は水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液にコロイダルシリカを混入させたものを使用して行った。
【0046】
次に、第1の柱状部5aをメッキにて形成するためのガイドをフォトレジストで形成し、銅の電解メッキにて第1の柱状部5aを形成した。
このときの第1柱状部5aの直径は100μm、高さは200μmとした。
【0047】
次に、メッキガイド用のフォトレジストを除去した後、熱硬化性のモールド用樹脂を用い、トランスファーモールドによって絶縁性保護体6の一部を形成した。また、前記樹脂を上部から押えるダイに100μm厚の耐熱樹脂フィルムを装着することにより、第1柱状部5aの上部が前記第1樹脂層から露出させるようにした。第1樹脂層の厚みは約200μmとした。
【0048】
同様にして、平板状部5c,平板間の誘電体12,平板状部5e,柱状部5bを順次形成した。
【0049】
平板状部には銅の単層電極及びニッケル,銅の2層電極を用い、それぞれの厚さは1μm,1000Å,2000Åとした。柱状部には銅メッキを用い、厚さは100μmとした。
【0050】
次に、クリーム半田を10μmの厚さで、柱状導電体5の上部にスクリーン印刷した後、リフローを270℃で行い、外部電極7となる半田バンプを形成した。
【0051】
最後に、基板をダイシングにより弾性表面波装置(チップ)を1 個ずつに分離し、弾性表面波装置を完成した。得られた弾性表面波装置は、櫛歯状電極がカバー体および絶縁性保護体である封止樹脂により保護されているとともに、柱状導電体に応力緩和用の分断部や屈曲部が設けられていることにより、−40℃〜85℃の温度サイクル試験においても、圧電基板の損傷は無く、しかも特性劣化は全く観測されなかった。また、弾性表面波フィルタ素子(1mm×1.5mm)とほぼ同じ占有面積の小型化及び、高さ0.8mmの低背化が実現できた。
【0052】
以上、詳細に述べたように、本発明の弾性表面波装置によれば、弾性表面波素子の配線電極と外部電極を接続する導電体に複数の分断部や屈曲部を設けることにより、インダクタンス成分や容量成分を持つ外部回路調整用電気回路を任意に構成させることが可能なため、従来、インピーダンス調整のために回路基板に実装されてきたインダクタや容量、またはバラン等の多機能な電子回路を内蔵可能な弾性表面波装置を提供できる。
【0053】
また、前記導電体に複数の分断部や屈曲部を設けることにより、外部電極に加わる応力を十分に緩和できるため、温度変化等により劣化の生じない高信頼性の弾性表面波装置を提供できる。
【0054】
また、圧電基板を下部筐体とし、樹脂モールドにより封止を行いそれを上部筐体とすることができ、従来のセラミックパッケージ等が不要となり、大幅な小型・軽量化が図れ、外形の占有面積の大きさが、内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しい、究極的に小型化された表面実装可能な弾性表面波装置を提供できる。
【0055】
さらに、全ての製造工程をウエハプロセスで行うことができ、ウエハ単位の加工で弾性表面波装置を多数個同時に形成できる、すなわち、樹脂封止まで完了したウエハをダイシング工程で個別の弾性表面波装置にカッティングすることにより完成品を得ることができるため、従来のダイシング工程以降、個別に弾性表面波素子を組み立てる必要が無く、しかも処理能力の小さいダイボンダー,ワイヤーボンダー,シーム溶接機等の組立装置が不要となり、大幅に工程を簡略化するとともに、量産性の高い弾性表面波装置を提供できる。
【符号の説明】
【0056】
1 :圧電基板
2 :励振電極(1対の櫛歯状電極)
3 :配線電極
4 :カバー体
5 :柱状導電体(外部回路調整用電気回路)
5a:第1柱状部
5b:第2柱状部
5c:平板状部
5d:第3柱状部
5e:平板状部
6 :樹脂層(絶縁性保護体)
7 :外部電極
8 :低融点ガラス
9 :振動空間
10:樹脂層
11:第2配線電極
12:平板間の誘電体
13:信号線
14:接地線
15:容量
16:インダクタ
17:弾性表面波素子
18:平衡不平衡変換回路
S1,S2:本発明に係る弾性表面波装置
J:従来の弾性表面波装置

【特許請求の範囲】
【請求項1】
圧電基板と、
前記圧電基板上に配置される励振電極と、
前記圧電基板上に配置され、前記励振電極に接続される配線電極と、
前記励振電極の振動空間を構成するとともに、外周縁が前記圧電基板の直上領域内に位置するようにして前記圧電基板上に配置されるカバー体と、
前記カバー体を覆う樹脂からなる絶縁性保護体と、
前記絶縁性保護体上に配置される外部電極と、
前記絶縁性保護体内に設けられ、前記配線電極に接続されるインダクタ成分と、を備えた弾性表面波装置。
【請求項2】
前記圧電基板の裏面には樹脂層が設けられている請求項1に記載の弾性表面波装置。
【請求項3】
前記カバー体が、金属、樹脂、ガラスのいずれかにより形成されている請求項1または2に記載の弾性表面波装置。
【請求項4】
前記インダクタ成分は、メッキにより形成された柱状部を有する柱状導電体により形成されている請求項1乃至3のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項5】
前記外部電極は、前記圧電基板の直上領域内に位置している請求項1乃至4のいずれかに記載の弾性表面波装置。


【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【公開番号】特開2009−247014(P2009−247014A)
【公開日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−174501(P2009−174501)
【出願日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【分割の表示】特願2000−27406(P2000−27406)の分割
【原出願日】平成12年1月31日(2000.1.31)
【出願人】(000006633)京セラ株式会社 (13,660)
【Fターム(参考)】