説明

恒温型の水晶発振器

【課題】発振用素子の温度変化を低減して安定した発振周波数を得られる恒温型発振器を提供する。
【解決手段】回路基板2に装着された導熱板6と、導熱板6における回路基板2との対向面の反対面に搭載された水晶振動子5と、水晶振動子5とともに発振回路を構成する発振用素子7及び水晶振動子5の温度を検出するサーミスタ8と、水晶振動子5を加熱する加熱抵抗9と、サーミスタ8及び加熱抵抗9とともに温度制御回路を構成して少なくともパワートランジスタ10aを含む温度制御素子10とを有する恒温型の水晶発振器1において、導熱板6の外周部には水晶振動子5を中心とした点対称となる位置に少なくとも厚さ方向に連通した開放部12a、12b、12c、12dが形成され、開放部12の全てに同数のパワートランジスタ10a及び加熱抵抗9がそれぞれ一つ以上配置された構成とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は水晶振動子を用いた恒温型の水晶発振器(以下、恒温型発振器とする)を技術分野とし、特に、水晶振動子は勿論として発振回路を構成する発振用素子の温度変化をも抑制する恒温型発振器に関する。
【背景技術】
【0002】
(発明の背景)
恒温型発振器は特に水晶振動子の動作温度を一定に維持することから、周波数温度特性に依存した周波数変化を引き起こすことなく、例えば0.1ppm以下や1ppbオーダーとした高安定の発振周波数を得られる。そして、これらは特に通信設備の固定局として適用される。
【0003】
(従来技術の一例、特許文献1参照)
第4図は特許文献1に記載された一従来例を説明する図で、同図(a)は恒温型発振器の断面図、同図(b)は回路基板の平面図である。なお、第4図(a)は同図(b)のA−A線を通る断面図である。
【0004】
恒温型発振器1は、発振回路及び温度制御回路が形成された回路基板2を、金属ベース3及び金属カバー4からなる容器に密閉封入してなる。回路基板2には、水晶振動子5が搭載された導熱板6、水晶振動子5とともに発振回路を構成する発振用素子7、水晶振動子5の温度を検出する温度センサとしてのサーミスタ8、サーミスタ8の検出する温度に応じて水晶振動子5を加熱する加熱抵抗9及び温度制御回路を構成するパワートランジスタ10a等の温度制御素子10が搭載される。以下、詳細に説明する。
【0005】
恒温型発振器1は、図示しない配線パターンの設けられたガラスエポキシ材からなる回路基板2を有する。回路基板2の一主面にはアルミからなる矩形状の導熱板6が装着される。導熱板6は、4角部にネジ11を螺合して回路基板2にネジ止めされる。導熱板6の4側面には、導熱板6の厚さ方向に連通して、当該4側面に開放された開放部12(a〜d)が形成される。また、導熱板6の中央部には中央貫通孔13が形成される。
【0006】
回路基板2との対向面に対する導熱板6の反対面には、外底面「第4図(a)では上方」からリード線(振動子リード線14)の延出した水晶振動子5が搭載される。水晶振動子5はSCカットの水晶片(図示せず)を収容しており、当該水晶片は振動子リード線14と電気的に接続する。振動子リード線14は、導熱板6に形成された貫通孔に挿通されて回路基板2に接合し、回路基板2に搭載された発振回路を構成する発振用素子7と電気的に接続する。発振用素子7には、発振回路(例えばコルピッツ型の必須素子)以外に用途に応じたコンデンサやインダクタ及び緩衝増幅回路としてのトランジスタ等が含まれる。
【0007】
また、回路基板2には、水晶振動子5の温度を一定に保つための温度制御回路が形成される。温度制御回路は水晶振動子5の温度を検出して温度センサとなるサーミスタ8、サーミスタ8の検出する温度に応じて水晶振動子5を加熱する加熱抵抗9及びパワートランジスタ10a等の温度制御素子10からなる。
【0008】
サーミスタ8は導熱板6の中央貫通孔13に配置される。また、加熱抵抗9としてはチップ抵抗が用いられ、開放部12(bd)に配置される。そして、パワートランジスタ10aは開放部12(ac)に配置される。なお、加熱抵抗9とともに、パワートランジスタ10aの放出する熱量は水晶振動子5の加熱に用いられる。
【0009】
回路基板2における導熱板6の4角部の周囲にはスリット15が設けられ、加熱抵抗9及びパワートランジスタ10aの発熱量が外部へ逃げることを防止し、水晶振動子5を効率的に加熱する。このような回路基板2は、金属ベース3及び金属カバー4からなる容器に密閉封入される。
【0010】
金属ベース3は平板状であり、4角部には金属ベース3を貫通するリード線「発振器リード線16(a〜d)」が設けられて、恒温型発振器1の接続端子(リード線としての気密端子)となる。アースとなる発振器リード線16aは銀ロー17を用いて金属ベース3と接合され、電源端子や出力端子等となるアース以外の発振器リード線16(b〜d)は、ガラス18を用いて金属ベース3の貫通孔に絶縁して接合される。
【0011】
回路基板2は、発振器リード線16(a〜d)に保持され、金属ベース3の上方に配置される。発振器リード線16(a〜d)は回路基板2上の発振用素子7及び温度制御素子10と電気的に接続する。そして、金属ベース3には、金属カバー4が抵抗溶接によって接合され、回路基板2が密閉封入される。
【0012】
このようなものでは、恒温型発振器1の周囲温度が変化して水晶振動子5の温度が変化すると、水晶振動子5の温度変化をサーミスタ8が検出し、温度制御回路によって加熱抵抗9の発熱量が調整されて、結果的に水晶振動子5の温度が一定(例えば約85℃)に保たれる。したがって、発振周波数の変化を抑えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0013】
【特許文献1】特開2005−333315号公報(「従来技術の一例」参照)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
(従来技術の問題点)
しかしながら、恒温型発振器1の周囲温度が変化したときの消費電力の特性(以下、消費電力特性という。)を検討すると、加熱抵抗9(チップ抵抗)とパワートランジスタ10aとでは異なる消費電力特性を示す。第5図に発明者によって行われた消費電力特性の測定結果概略を示す。なお、消費電力に応じた発熱量となり、加熱抵抗9は周囲温度が恒温槽の基準温度85℃以下になると消費電力も増加して発熱量が多くなる。これに対し、パワートランジスタ10aは周囲温度が約25℃のときに消費電力が最大になって発熱量も最大にとなる。
【0015】
第5図には、低温側では加熱抵抗9の消費電力の方が大きく、高温側ではパワートランジスタ10aの消費電力の方が大きいことが示される。また、従来例では第4図(b)に示すとおり、加熱抵抗9とパワートランジスタ10aとは、異なる開放部12に配置されるため、離間する。したがって、低温側では、パワートランジスタ10a付近より加熱抵抗9付近の方が高温になり、高温側では、加熱抵抗9付近よりパワートランジスタ10a付近の方が高温になる。要するに、回路基板の全体的な温度分布が不均一になる。
【0016】
この場合、例えば急激な温度変化や風圧があった場合には、回路基板2上の温度分布も影響を受けるので、前述のように元々の温度分布が不均一な場合には、予測を超えたさらに複雑な温度分布になる。したがって、水晶振動子5に接近して配置されたサーミスタ8での検出温度に基づいた電力を供給されると、水晶振動子の動作温度を規定温度内に制御できても、周辺に配置された各発振用素子の温度制御が困難になる。
【0017】
そして、各発振用素子7は多かれ少なかれ温度によって特性が変化する温度特性を有する。したがって、各発振用素子7の動作温度を制御することを困難にすることから、例えばppbオーダとした発振周波数の安定度が損なわれる問題があった。
【0018】
(発明の目的)
本発明は発振用素子の温度変化を低減して安定した発振周波数を得られる恒温型発振器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0019】
本発明は、回路基板に装着された導熱板と、前記導熱板における前記回路基板との対向面の反対面に搭載された水晶振動子と、前記回路基板に搭載された、前記水晶振動子とともに発振回路を構成する発振用素子及び前記水晶振動子の温度を検出する温度センサと、前記温度センサの検出する温度に応じて前記水晶振動子を加熱して前記回路基板に搭載された加熱抵抗と、前記温度センサ及び前記加熱抵抗とともに温度制御回路を構成して前記回路基板に搭載された少なくともパワートランジスタを含む温度制御素子とを有する恒温型の水晶発振器において、前記導熱板の外周部には前記水晶振動子を中心とした点対称となる位置に少なくとも厚さ方向に連通した開放部が2つ以上形成され、前記開放部の全てに同数の前記パワートランジスタ及び前記加熱抵抗がそれぞれ一つ以上配置された構成とする。
【発明の効果】
【0020】
このような構成であれば、開放部の全てに同数のパワートランジスタ及び加熱抵抗がそれぞれ一つ以上配置されるため、開放部単位でみると消費電力特性が同一となる。また、導熱板の外周部には水晶振動子を中心とした点対称となる位置に開放部が2つ以上形成される。よって、水晶振動子に接近して配置された温度センサでの検出温度に基づいた電力がパワートランジスタ及び加熱抵抗に供給されると、水晶振動子の動作温度を規定温度内に制御すると共に、周辺に配置された各発振用素子の温度も制御される。すなわち、回路基板の温度分布が均一になる。
【0021】
また、急激な温度変化や風圧があった場合は回路基板上の温度分布も影響を受ける。しかし、前記の通り、回路基板の温度分布を均一にできるため、それらの影響も一定になることから各発振用素子の温度制御が困難になることはない。したがって、例えばppbオーダとして発振周波数の安定度が損なわれることを回避できる。
【0022】
(実施態様項)
本発明において、前記開放部は前記導熱板の側面に開放された構成とする。これにより、恒温型発振器の小型化に伴って導熱板が小型化しても開放部の形成が可能となる。
【0023】
本発明において、前記導熱板は矩形状であり、前記開放部は前記導熱板における4側面の中央部に形成された構成とする。本発明において、前記導熱板は矩形状であり、前記開放部は前記導熱板における4角部に形成された構成とする。これにより、恒温型発振器の構成を具体的にする。
【0024】
本発明において、前記開放部は内側面が閉塞された構成とする。これにより、開放部に配置されたパワートランジスタ及び加熱抵抗の放出する熱量の大部分が導熱板に伝わるため、水晶振動子の効率的な加熱が可能となる。
【0025】
本発明において、前記導熱板は4角部で前記回路基板にネジ止めされた構成とする。本発明では、前記導熱板は4辺の中央部で前記回路基板にネジ止めされた構成とする。
【0026】
これにより、パワートランジスタ及び加熱抵抗の放出する熱は、導熱板及びネジを経由して、回路基板における導熱板と対向する主面の反対面に伝わる。よって、当該反対面におけるネジで囲まれた領域は、パワートランジスタ及び加熱抵抗に加えてネジでも加熱されるので、略全周から加熱されることになる。したがって、当該ネジで囲まれた領域は、温度分布がより均一になって、当該ネジで囲まれた領域に配置された発振用素子の温度も均一に保たれて、安定した発振周波数が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】本発明の第1実施形態を説明する図で、(a)は恒温型発振器の断面図、(b)は回路基板の平面図である。
【図2】本発明の第2実施形態を説明する回路基板の平面図である。
【図3】本発明の第3実施形態を説明する回路基板の平面図である。
【図4】一従来例を説明する図で、(a)は恒温型発振器の断面図、(b)は回路基板の平面図である。
【図5】チップ抵抗とパワートランジスの消費電力特性を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
(第1実施形態)
第1図は本発明の第1実施形態を説明する図で、同図(a)は恒温型発振器の断面図、同図(b)は回路基板の平面図である。なお、第1図(a)は同図(b)のB−B線を通る断面図である。また、従来例と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
【0029】
本実施形態の恒温型発振器1は、従来例と同様に、発振回路及び温度制御回路が形成された回路基板2を、金属ベース3及び金属カバー4からなる容器に密閉封入してなる。回路基板2には、水晶振動子5が搭載された導熱板6、水晶振動子5とともに発振回路を構成する発振用素子7、水晶振動子5の温度を検出して温度センサとなるサーミスタ8、サーミスタ8の検出する温度に応じて水晶振動子5を加熱する加熱抵抗9及び温度制御回路を構成するパワートランジスタ10a等の温度制御素子10が搭載される。
【0030】
そして、本実施形態では、導熱板6と回路基板2との間に放熱シート19が配置される。ただし、放熱シート19のサーミスタ8、加熱抵抗9及びパワートランジスタ10aが搭載される領域は除去されており、サーミスタ8等が回路基板2にハンダ付けできるようにする。また、導熱板6の4側面には開放部12(a〜d)が形成される。そして、開放部12(a〜d)にはパワートランジスタ10a及び加熱抵抗9がそれぞれ一つ配置される。
【0031】
このような構成であれば、開放部12(a〜d)の全てにパワートランジスタ10a及び加熱抵抗9がそれぞれ一つ配置されるため、開放部12(a〜d)単位でみると消費電力特性が同一となる。また、開放部12(a〜d)は水晶振動子5を中心とした点対称となる位置に配置される。
【0032】
よって、水晶振動子5に接近して配置されたサーミスタ8での検出温度に基づいた電力がパワートランジスタ10a及び加熱抵抗9に供給されると、水晶振動子5の動作温度を規定温度内に制御すると共に、周辺に配置された各発振用素子7の温度も制御される。すなわち、回路基板2の温度分布が均一になる。
【0033】
また、急激な温度変化や風圧があった場合は回路基板2上の温度分布も影響を受ける。しかし、前記の通り、回路基板2の温度分布を均一にできるため、それらの影響も一定になることから各発振用素子の温度制御が困難になることはない。したがって、例えばppbオーダとして発振周波数の安定度が損なわれることを回避できる。
【0034】
さらに、パワートランジスタ10a及び加熱抵抗9を囲むように、回路基板2にスリット15が形成されており、スリット15で囲まれた領域は恒温型発振器1の周囲温度の影響を受けにくい。したがって、当該領域は特に温度分布の均一性が高く、当該領域に発振周波数に与える影響の大きい発振用素子7を配置することで、発振周波数の安定性がより高くなる。
【0035】
また、開放部12(a〜d)は導熱板6の4側面に形成されるため、恒温型発振器1の小型化に伴って導熱板6が小型化しても開放部12(a〜d)の形成が可能となる。
【0036】
また、従来例と同様に、導熱板6は4角部で回路基板2にネジ止めされるため、パワートランジスタ10a及び加熱抵抗9の放出する熱は、導熱板6及びネジ11を経由して、回路基板2における導熱板6と対向する主面の反対面に伝わる。よって、当該反対面におけるネジ11で囲まれた領域は、パワートランジスタ10a及び加熱抵抗9に加えてネジ11でも加熱されるので、略全周から加熱されることになる。したがって、当該ネジ11で囲まれた領域は、温度分布がより均一になって、当該領域に配置された発振用素子7の温度も均一に保たれて、安定した発振周波数が得られる。
【0037】
また、導熱板6と回路基板2との間には放熱シートを配置するため、導熱板6と回路基板2との間隙が埋まって密着する。したがって、導熱板の熱が均一に回路基板に伝わり、発振用素子7の温度も均一に保たれて、安定した発振周波数が得られる。
【0038】
(第2実施形態)
第2図は本発明の第2実施形態を説明する回路基板の平面図である。なお、前記実施と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
【0039】
本実施形態の恒温型発振器1と第1実施形態の恒温型発振器1との相違点は開放部12(a〜d)の配置及び導熱板6のネジ止め場所である。すなわち、本実施形態の恒温型発振器1では、導熱板6の4角部に開放部12(a〜d)が形成され、開放部12(a〜d)にはパワートランジスタ10a及び加熱抵抗9がそれぞれ1つ配置される。また、導熱板6は4辺の中央部で回路基板2にネジ止めされる。このような構成であれば、第1実施形態と同様に、発振用素子7の温度も均一に保たれて、安定した発振周波数が得られる。
【0040】
(第3実施形態)
第3図は本発明の第3実施形態を説明する回路基板の平面図である。なお、前記実施と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
【0041】
本実施形態の恒温型発振器1と第1実施形態の恒温型発振器1との相違点は開放部12(a〜d)の配置である。すなわち、本実施形態の恒温型発振器1では、導熱板6の4側面から内側の位置に開放部12(a〜d)が形成され、開放部12(a〜d)の内側面は閉塞する。そして、開放部12(a〜d)にはパワートランジスタ10a及び加熱抵抗9がそれぞれ1つ配置される。
【0042】
このような構成であれば、開放部12(a〜d)に配置されたパワートランジスタ10a及び加熱抵抗9の放出する熱量の大部分が導熱板6に伝わるため、水晶振動子5の効率的な加熱が可能となる。
【0043】
(他の事項)
上記実施形態ではスリット15を形成したが、このスリット15を形成しなくてもよい。回路基板2の小型化などで必要な面積を確保できないときに有効である。また、上記実施形態では、SCカットの水晶片を収容した水晶振動子5を用いたが、ATカットやSCカットの水晶片を収容した水晶振動子5を用いてもよい。
【符号の説明】
【0044】
1 恒温型発振器、2 回路基板、3 金属ベース、4 金属カバー、5 水晶振動子、6 導熱板、7 発振用素子、8 サーミスタ、9 加熱抵抗、10 温度制御素子、10a パワートランジスタ、11 ネジ、12 開放部、13 中央貫通孔、14 振動子リード線、15 スリット、16 発振器リード線、17 銀ロー、18 ガラス、19 放熱シート。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
回路基板に装着された矩形状の導熱板と、
前記導熱板における前記回路基板との対向面の反対面に搭載された水晶振動子と、
前記回路基板に搭載され、前記水晶振動子とともに発振回路を構成する発振用素子及び前記水晶振動子の温度を検出する温度センサと、
前記回路基板に搭載され、前記温度センサの検出する温度に応じて前記水晶振動子を加熱する加熱抵抗と、
前記回路基板に搭載され、前記温度センサ及び前記加熱抵抗とともに温度制御回路を構成するパワートランジスタを含む温度制御素子とを有する恒温型の水晶発振器において、
前記導熱板の4側面のそれぞれの中央部には、少なくとも厚さ方向に連通した開放部が形成され、
前記4側面のそれぞれの前記開放部の全てに、前記水晶振動子の中心から等距離に前記パワートランジスタ及び前記加熱抵抗が、それぞれ一つ配置され、
前記パワートランジスタ及び前記加熱抵抗はそれぞれ前記水晶振動子の中心に対して点対称となる位置に配置されたことを特徴とする恒温型の水晶発振器。
【請求項2】
請求項1において、前記導熱板は4角部で前記回路基板にネジ止めされたことを特徴とする恒温型の水晶発振器。
【請求項3】
請求項1又は2において、
前記回路基板と前記導熱板の間に、前記温度センサ、前記加熱抵抗、及び前記パワートランジスタの搭載領域が除去された放熱シートを配置されたことを特徴とする恒温型の水晶発振器。
【請求項4】
請求項1乃至3のいずれか1項において、
前記導熱板の中央には貫通孔が形成され、
前記温度センサは、前記貫通孔の内部であって、前記パワートランジスタ及び前記加熱抵抗から等距離となる場所に配置されたことを特徴とする恒温型の水晶発振器。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2013−51730(P2013−51730A)
【公開日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−245086(P2012−245086)
【出願日】平成24年11月7日(2012.11.7)
【分割の表示】特願2009−229173(P2009−229173)の分割
【原出願日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【出願人】(000232483)日本電波工業株式会社 (1,148)
【Fターム(参考)】