感光性導電ペースト
【課題】 熱処理温度の範囲を広くすることができ、金属粒子を十分に接触させて信頼性の向上を図ることのできる感光性導電ペーストを提供する。
【解決手段】 紫外線の照射により現像液に対して不溶化するバインダー１と、バインダー１の熱分解温度よりも５０℃以上熱分解温度が高いバインダー２と、熱機械分析の融着開始温度が３００℃以下の金属粒子とを必須成分とする。そして、金属粒子を銀粒子とし、銀粒子の平均粒径を０．０５〜０．５μｍとするとともに、銀粒子の平均粒径±０．０５μｍの範囲に含まれる全銀粒子の割合を３０質量％以上とする。
【解決手段】 紫外線の照射により現像液に対して不溶化するバインダー１と、バインダー１の熱分解温度よりも５０℃以上熱分解温度が高いバインダー２と、熱機械分析の融着開始温度が３００℃以下の金属粒子とを必須成分とする。そして、金属粒子を銀粒子とし、銀粒子の平均粒径を０．０５〜０．５μｍとするとともに、銀粒子の平均粒径±０．０５μｍの範囲に含まれる全銀粒子の割合を３０質量％以上とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス基板、ガラス基板、耐熱性樹脂基板に微細の配線パターン等を形成する際に使用される感光性導電ペーストに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電気電子機器、特にその回路基板には、小型化、高密度化、高精細化、高信頼性が求められているが、これに伴い、厚膜で微細加工可能な感光性導電ペーストが要求されてきている。
そこで、感光性の有機成分と金属粉末とを必須成分とし、金属粉末全量中１０〜１００質量％の範囲で粒径０．４μｍ以下の金属微粒子を含有する感光性導電ペーストが提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−５４０８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の感光性導電ペーストは、ある程度の厚膜化と微細加工が可能になるものの、熱処理温度の範囲を広くすることができず、製法の自由度を高めることができないという問題がある。また、金属微粒子が十分に接触しないおそれがあるので、信頼性の向上を図ることができないという大きな問題もある。
【０００４】
本発明は上記に鑑みなされたもので、熱処理温度の範囲を広くすることができ、金属粒子を十分に接触させて信頼性の向上を図ることのできる感光性導電ペーストを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明においては上記課題を解決するため、紫外線と電子線のいずれか一方の照射により現像液に対して不溶化する第一のバインダーと、この第一のバインダーの熱分解温度よりも５０℃以上熱分解温度が高い第二のバインダーと、平均粒径が０．０５〜０．５μｍの金属粒子とを含み、
平均粒径±０．０５μｍの範囲に含まれる金属粒子の割合を３０質量％以上としたことを特徴としている。
【０００６】
なお、第一のバインダーの分解温度、第二のバインダーの分解温度、及び熱処理温度の関係を、第一のバインダーの分解温度＜熱処理温度＜第二のバインダーの分解温度とすることが好ましい。
また、第二のバインダーの配合比を金属粒子のタップ空隙率以下とすることが好ましい。
【０００７】
また、金属粒子の融着開始温度と熱処理温度の関係を、金属粒子の融着開始温度＜熱処理温度とすることが好ましい。
さらに、金属粒子の少なくとも一部を銀粒子とし、この銀粒子の熱機械分析の融着開始温度を３００℃以下とすると良い。
【０００８】
ここで、特許請求の範囲における第一のバインダーは、紫外線（ＵＶ）の照射により硬化して現像液に対して不溶化するものでも良いし、電子線（ＥＢ）の照射により硬化して現像液に対して不溶化するものでも良い。タップ空隙率とは、金属粒子のタップ密度を金属の真密度で除した値を１から減算した値をいう。感光性導電ペーストは、少なくともコンピュータ、ＰＣカード、携帯電話、携帯端末、カラーテレビのセラミックス基板、ガラス基板、耐熱性樹脂基板、回路基板等に使用される。この感光性導電ペーストには、増感剤、重合禁止剤、レベリング剤、分散剤、増粘剤、沈殿防止剤等が必要に応じて添加される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、熱処理温度の設定範囲を広くすることができ、しかも、金属粒子を十分に接触させて信頼性を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における感光性導電ペーストは、紫外線の照射により現像液に対して不溶化する光硬化性のバインダー１（第一のバインダー）と、このバインダー１の熱分解温度よりも５０℃以上熱分解温度が高い耐熱性のバインダー２（第二のバインダー）と、熱機械分析（ＴＭＡ）の融着開始温度が３００℃以下の金属粒子とを必須成分とし、微細の配線パターン形成の際に焼成等の熱処理が施される。
【００１１】
バインダー１の分解温度、バインダー２の分解温度、及び熱処理温度は、バインダー１の分解温度＜熱処理温度＜バインダー２の分解温度の関係に設定される。
【００１２】
バインダー１は、水、アルカリ性水溶液、溶剤等により現像することができる紫外線硬化型の樹脂組成物、好ましくは解像度や作業性の観点からアルカリ性水溶液により現像可能な樹脂組成物からなり、焼成等の熱処理時に除去される。このような樹脂組成物からなるバインダー１は、アルカリ可溶性樹脂、不飽和二重結合を有する架橋性モノマー又はオリゴマー、光重合開始剤により調製される。
【００１３】
アルカリ可溶性樹脂としては、例えばカルボン酸のような酸性基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体が最適である。酸性基の成分としては、アクリル酸、メタクリル酸、コハク酸２−メタクリロイルオキシエチル、コハク酸２−アクリロイルオキシエチル、フタル酸２−メタクリロイルオキシエチル、フタル酸２−アクリロイルオキシエチル等があげられる。
【００１４】
エチレン性不飽和成分としては、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、アリルアクリレート、アリルメタクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート等があげられる。
【００１５】
なお、アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ現像性を損なわない範囲で上記成分と他のモノマーとの種々の共重合体を使用することができる。
【００１６】
不飽和二重結合を有する架橋性モノマーは、少なくとも１のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物であり、光照射により光重合開始剤から発生したラジカルで反応し、アルカリ現像液に対する溶解性を低下させてパターンを形成する。
【００１７】
具体的には、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，３−プロパンジオールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、プロピレンオキサイド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレングリコールジアクリレート、１，２，４−ブタントリオールトリアクリレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオ−ルジアクリレート、１，１０−デカンジオールジメチルアクリレート、ペンタエリスリトールヘキサアクリレート及び上記アクリレートをメタクリレートに置き換えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシプラン、１−ビニル−２−ピロドリン等があげられる。なお、上記架橋性モノマーを２種以上組み合わせても良い。
【００１８】
光重合剤は、通常のネガタイプのフォトリソグラフに使用することができるのであれば、特に限定されるものではない。具体的には、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４，４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミン）ベンゾフェノン、α−アミノアセトフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、フルオレソン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロロアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジトベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２−フェニル−１，２ブタジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラ−ケトン、２メチル−１〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルフォニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクドリン、４，４−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールスルフィド、トリフェニルフォスフィン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、カンファーキノン等であるが、２種以上併用することも可能である。
【００１９】
なお、紫外線の透過が阻害されるおそれがある場合には、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、あるいは２−メチル−１〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オンを使用することが好ましい。さらにこれらに、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、又は２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンを併用すると良い。
【００２０】
バインダー１は、熱質量分析における５％質量減少温度が２００〜３５０℃の範囲とされる。これは、２００℃未満の場合には、金属粒子の融着に基づく高い導電性を得ることが困難になるからである。逆に、３５０℃を超える場合には、バインダー２の使用範囲が狭くなり、本実施形態の製造方法の実施範囲が狭まるからである。
【００２１】
バインダー２は、バインダー１との関係で選択され、配合比（容量）が金属粒子のタップ空隙率以下とされる。このバインダー２は、質量減少温度の差が大きいほど好ましく、この観点からするとポリイミド樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、及びこれらの前駆体が使用される。タップ空隙率とは、金属粒子のタップ密度をその金属の真密度で除した値を１から減算した値をいう。例えば、タップ密度が６．０ｇ／ｃｍ3の銀粒子の場合、銀の真密度は１０．５ｇ／ｃｍ3であるから、タップ空隙率は０．４２９（＝４２．９％）となる。
【００２２】
金属粒子は、高い導電率を有する金や銀の粒子が使用され、特に入手の容易性、導電性、耐酸化性に優れる低コストの銀粒子が好適に使用される。この金属粒子は、各種の分散剤により表面処理され、二次凝集の生じないことが好ましい。分散剤は、熱処理工程で分解、揮発するタイプが好ましい。
【００２３】
金属粒子が銀粒子の場合、この銀粒子は、樹脂等の選択範囲が狭まらないよう平均粒径がレーザ回析法に基づく測定で０．０５〜０．５μｍの範囲に調整されるとともに、アスペクト比（ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ）が１．０〜１．５の略球形に形成され、平均粒径±０．０５μｍの範囲に含まれる割合が３０質量％以上に設定される。
【００２４】
金属粒子の平均粒径が０．０５〜０．５μｍの範囲なのは、平均粒径が０．０５μｍ未満の場合には、導電性を確保するために添加量を増加する必要があるからである。逆に、平均粒径が０．５μｍを超える場合には、光透過率に悪影響を与え、微細なパターンを得ることができなくなるからである。また、金属粒子同士の融着による導通を得るために高温を要するからである。
【００２５】
金属粒子のアスペクト比が１．０〜１．５なのは、この範囲からアスペクト比が逸脱すると、光透過率が悪化し、微細なパターンを形成することが困難になるという理由に基づく。このアスペクト比の測定に際しては、金属粒子を適当な分散媒に分散させて顕微鏡等により拡大観察し、個々の粒子の長径と短径を計測し、アスペクト比＝長径／短径により算出した値の平均値とする。
【００２６】
金属粒子の粒径バラツキは、平均粒径±０．５μｍの範囲に含まれる割合が３０質量％以下であるのが好ましい。これは、金属粒子の粒径バラツキが係る範囲を超える場合には、大きな金属粒子間に小さな金属粒子が侵入し、良好な光透過率を得ることが困難になるという理由に基づく。金属粒子の融着開始温度と熱処理温度は、金属粒子の融着開始温度＜熱処理温度の関係に設定される。
【００２７】
このような感光性導電ペーストを使用してガラス基板の表面に微細の配線パターンを形成する場合には、先ず、ガラス基板の表面に感光性導電ペーストをスクリーン印刷法等により塗布し、所定の時間加熱して乾燥させ、ネガタイプのマスクを介して露光し、アルカリ水溶液等を現像液として現像する。こうして現像液による現像が終了してパターン形成したら、水洗いを施して乾燥させ、プログラマブルオーブン、電気炉、ベルト炉により焼成して所定の時間保持し、その後、冷却すれば、ガラス基板の表面に完全な微細の配線パターンを形成することができる。
【００２８】
上記によれば、バインダー１、２の熱分解温度差を５０℃以上とするので、熱処理温度の設定範囲を広くすることができ、バインダー１のみを除去する条件をきわめて容易に得ることができる。また、紫外線の照射により硬化させるので、露光現像により線幅２０μｍ以下のファインパターンを得ることができる。また、感光性導電ペーストに耐熱性のバインダー２を配合し、熱処理後も残留させるので、高い信頼性を得ることが可能になる。また、バインダー２の容量を金属粒子のタップ空隙率以下として金属粒子を確実に接触させるので、低抵抗化が可能になる。
【００２９】
さらに、金属粒子を銀粒子とし、この銀粒子の平均粒径を０．０５〜０．５μｍとするので、従来の５００℃〜８００℃のような高温ではなく、３００℃以下の低温の熱処理で銀粒子が融着して導通し、１×１０5Ω・ｃｍ以下の低抵抗を得ることが可能になる。この際、バインダー１が分解除去され、体積減少するので、銀粒子の接触の機会を著しく増加させることができ、これにより高信頼性が大いに期待できる。さらにまた、３００℃以下の低温で銀粒子が融着するので、大型かつ高価な加熱装置を何ら必要とせず、昇温や冷却に長時間を要することもない。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明に係る感光性導電ペーストの実施例を比較例と共に説明する。
実施例と比較例の感光性導電ペーストをそれぞれ製造するとともに、これらを使用して実施例１〜７のテストパターンと比較例１〜６のテストパターンをそれぞれ作製し、これらに関する解像度、抵抗値、耐剥離性を評価して表１にまとめた。
【００３１】
実施例１
先ず、表１に示すバインダー１、バインダー２、銀粒子を溶剤であるメトキシブチルアセテートと共に同表記載の容量比で混合して感光性導電ペーストを調製し、この調製した感光性導電ペーストを厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラスにバーコータを用いて塗布し、５０℃の熱風乾燥機で３０分乾燥させ、厚さ２０μｍの乾燥塗膜を形成した。
【００３２】
表１の「ＵＶ」は、スチレン−無水マレイン酸共重合体系のアルカリ可溶性樹脂、架橋性モノマーであるポリエチレングリコールジメタクリレート、光重合開始剤であるビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、及び１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンを、アルカリ可溶性樹脂と架橋性モノマーの合計１００質量部に対し、各５質量部添加したものである。また、同表の「ＰＩ」は、ポリイミド樹脂〔丸善石油製：商品名ＢＡＮＩ−Ｈ〕である。
【００３３】
次いで、ライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ、１５μｍ／１５μｍ、２０μｍ／２０μｍ、３０μｍ／３０μｍ、４０μｍ／４０μｍ、５０μｍ／５０μｍの領域がそれぞれ２０ｍｍ□中に形成されたパターン部と、２０ｍｍ×５０ｍｍの透過部を有するガラス製のフォトマスクを乾燥塗膜に密着させ、メタルハライドランプを備えたフレネルレンズ方式の平行光露光機により８０００ｍＪ／ｃｍ2の積算光量になるようＵＶ露光した。こうしてＵＶ露光したら、１．０質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像し、パターンを形成して中間体を得た。
【００３４】
次いで、熱処理を行うべく、プログラマブルオーブンに中間体をセットして室温から昇温スピード１０℃／分で昇温し、表１記載の熱処理温度に到達後、その温度で６０分間保持した。６０分間保持したら、冷却スピード１０℃／分で１８０℃まで冷却してプログラマブルオーブンから取り出し、室温で放冷してテストパターンを作製した。
なお、表１の「硬化深さ」は、配線パターンであるテストパターンの表面から内部への深さをいい、現像後熱処理前のテストパターン断面の、現像液による侵食が殆どない表層部の厚さを光学顕微鏡で観察等して測定することにより求めることができる。
【００３５】
実施例２〜７
基本的には実施例１と同様であるが、感光性導電ペーストの銀粒子の平均粒径やアスペクト比を変更したり、ＵＶから光開始剤を除去したり、あるいは５％質量減少温度を変更した。
【００３６】
但し、実施例６においては、厚さ２５μｍのニッケル箔をエッチング加工して上記パターン部と透過部を有するマスクを作製し、加速電圧２００ｋＶのＥＢ照射装置を使用し、照射量を５００ｋＧｙとして照射した。
また、表１における実施例６の「ＥＢ」は、「ＵＶ」から光開始剤を除去したものである。同表における実施例７の「ＵＶ（２）」は、酸価１００（ｍｇ・ＫＯＨ／ｇ）のトリスフェノールメタン型エポキシアクリレートオリゴマーに「ＵＶ」と同様の光重合開始剤を添加したものである。
【００３７】
比較例１〜６
基本的には実施例１と同様であるが、銀粒子の平均粒径、熱処理温度、融着開始温度、アスペクト比を変更したり、５％質量減少温度を変更した。
表１の「ＵＶ（３）」は、酸価１００（ｍｇ・ＫＯＨ／ｇ）のフェノールノボラック型エポキシアクリレートオリゴマーに「ＵＶ」と同様の光重合開始剤を添加したものである。
【００３８】
解像度、抵抗値、耐剥離性の評価
（１）解像度の評価
同一のライン／スペースを有するパターン領域において、断線や短絡のない最小のものとした。
（２）抵抗値の評価
２０ｍｍ×５０ｍｍの透過部により形成されたベタ領域を用い、ロレスタＨＰ〔ダイヤインスルメンツ製：商品名〕により４端針法にて体積抵抗率を測定した。
【００３９】
（３）耐剥離性の評価
ベタ領域にカッターナイフにより１ｍｍピッチで縦横それぞれ１１本の線を引いて格子模様を形成し、この格子模様に粘着テープを貼り付けて剥離し、１００個に分断された領域中、粘着テープに粘着した分断片の個数を計測した。この耐剥離性は、初期及び６０℃９５％ＲＨに１０００時間放置後に評価した。
【００４０】
【表１】
【００４１】
結 果
実施例１のテストパターンについては、きわめて良好な解像度、抵抗値、耐剥離性を得ることができた。
実施例２のテストパターンについては、融着開始温度が高く平均粒径が大きい銀粒子を使用したため、抵抗値が僅かに高くなったが、実用上問題になることはなく、良好な解像度、抵抗値、耐剥離性を得ることができた。
実施例３のテストパターンについては、融着開始温度が低く平均粒径が小さい銀粒子を使用したため、抵抗値が低くなり、解像度や耐剥離性も良好であった。
【００４２】
実施例４のテストパターンについては、アスペクト比が大きい銀粒子を使用したため、硬化深さが減少し、解像度が２０μｍになったが、用途によっては十分な値であり、良好な解像度、抵抗値、耐剥離性が得られた。
実施例５のテストパターンについては、平均粒径が小さい銀粒子を使用したため、硬化深さが減少し、解像度が１５μｍになったが、用途によっては十分な値であり、良好な解像度、抵抗値、耐剥離性が得られた。
【００４３】
実施例６のテストパターンについては、平均粒径が小さい銀粒子を使用したが、ＥＢ照射により全厚さ分の硬さとなり、良好な解像度、抵抗値、耐剥離性が得られた。
実施例７のテストパターンについては、バインダー２として５％質量減少温度が低めのものを使用したが、特に問題はなく、きわめて良好な解像度、抵抗値、耐剥離性を得ることができた。
【００４４】
これに対し、比較例１のテストパターンについては、融着開始温度が３２０℃で平均粒径の大きい銀粒子を使用したため、２８０℃の熱処理では十分な導通性を得ることができなかった。
比較例２のテストパターンについては、比較例１と同様の材料を使用し、熱処理温度を３５０℃と高く設定することにより、実用レベルの抵抗値を得た。しかしながら、係る熱処理温度では樹脂基材の使用、他部品、絶縁膜等との併用は略不可能であり、用途が非常に限定されるという問題が生じた。
【００４５】
比較例３のテストパターンについては、融着開始温度が非常に高い銀粒子を使用したため、２８０℃の熱処理では十分な導通性を得ることができなかった。
比較例４のテストパターンについては、比較例３と同様の材料を使用し、熱処理温度を４５０℃と高く設定することにより、実用レベルの抵抗値を得た。しかしながら、係る熱処理温度では樹脂基材の使用、他部品、絶縁膜等との併用は略不可能であり、用途が非常に限定されるという問題が生じ、しかも、きわめて劣悪な耐剥離性しか得られなかった。
【００４６】
比較例５のテストパターンについては、アスペクト比が本発明の範囲を超える大きい銀粒子を使用したため、解像度が悪化し、融着開始温度も高く、さらには十分な導電性を得ることができなかった。
比較例６のテストパターンについては、バインダー２として５％質量減少温度が本発明の範囲を下回るものを使用した。この結果、初期特性こそ良好であったが、高温高湿後に耐剥離性が非常に悪化した。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス基板、ガラス基板、耐熱性樹脂基板に微細の配線パターン等を形成する際に使用される感光性導電ペーストに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電気電子機器、特にその回路基板には、小型化、高密度化、高精細化、高信頼性が求められているが、これに伴い、厚膜で微細加工可能な感光性導電ペーストが要求されてきている。
そこで、感光性の有機成分と金属粉末とを必須成分とし、金属粉末全量中１０〜１００質量％の範囲で粒径０．４μｍ以下の金属微粒子を含有する感光性導電ペーストが提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−５４０８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の感光性導電ペーストは、ある程度の厚膜化と微細加工が可能になるものの、熱処理温度の範囲を広くすることができず、製法の自由度を高めることができないという問題がある。また、金属微粒子が十分に接触しないおそれがあるので、信頼性の向上を図ることができないという大きな問題もある。
【０００４】
本発明は上記に鑑みなされたもので、熱処理温度の範囲を広くすることができ、金属粒子を十分に接触させて信頼性の向上を図ることのできる感光性導電ペーストを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明においては上記課題を解決するため、紫外線と電子線のいずれか一方の照射により現像液に対して不溶化する第一のバインダーと、この第一のバインダーの熱分解温度よりも５０℃以上熱分解温度が高い第二のバインダーと、平均粒径が０．０５〜０．５μｍの金属粒子とを含み、
平均粒径±０．０５μｍの範囲に含まれる金属粒子の割合を３０質量％以上としたことを特徴としている。
【０００６】
なお、第一のバインダーの分解温度、第二のバインダーの分解温度、及び熱処理温度の関係を、第一のバインダーの分解温度＜熱処理温度＜第二のバインダーの分解温度とすることが好ましい。
また、第二のバインダーの配合比を金属粒子のタップ空隙率以下とすることが好ましい。
【０００７】
また、金属粒子の融着開始温度と熱処理温度の関係を、金属粒子の融着開始温度＜熱処理温度とすることが好ましい。
さらに、金属粒子の少なくとも一部を銀粒子とし、この銀粒子の熱機械分析の融着開始温度を３００℃以下とすると良い。
【０００８】
ここで、特許請求の範囲における第一のバインダーは、紫外線（ＵＶ）の照射により硬化して現像液に対して不溶化するものでも良いし、電子線（ＥＢ）の照射により硬化して現像液に対して不溶化するものでも良い。タップ空隙率とは、金属粒子のタップ密度を金属の真密度で除した値を１から減算した値をいう。感光性導電ペーストは、少なくともコンピュータ、ＰＣカード、携帯電話、携帯端末、カラーテレビのセラミックス基板、ガラス基板、耐熱性樹脂基板、回路基板等に使用される。この感光性導電ペーストには、増感剤、重合禁止剤、レベリング剤、分散剤、増粘剤、沈殿防止剤等が必要に応じて添加される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、熱処理温度の設定範囲を広くすることができ、しかも、金属粒子を十分に接触させて信頼性を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における感光性導電ペーストは、紫外線の照射により現像液に対して不溶化する光硬化性のバインダー１（第一のバインダー）と、このバインダー１の熱分解温度よりも５０℃以上熱分解温度が高い耐熱性のバインダー２（第二のバインダー）と、熱機械分析（ＴＭＡ）の融着開始温度が３００℃以下の金属粒子とを必須成分とし、微細の配線パターン形成の際に焼成等の熱処理が施される。
【００１１】
バインダー１の分解温度、バインダー２の分解温度、及び熱処理温度は、バインダー１の分解温度＜熱処理温度＜バインダー２の分解温度の関係に設定される。
【００１２】
バインダー１は、水、アルカリ性水溶液、溶剤等により現像することができる紫外線硬化型の樹脂組成物、好ましくは解像度や作業性の観点からアルカリ性水溶液により現像可能な樹脂組成物からなり、焼成等の熱処理時に除去される。このような樹脂組成物からなるバインダー１は、アルカリ可溶性樹脂、不飽和二重結合を有する架橋性モノマー又はオリゴマー、光重合開始剤により調製される。
【００１３】
アルカリ可溶性樹脂としては、例えばカルボン酸のような酸性基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体が最適である。酸性基の成分としては、アクリル酸、メタクリル酸、コハク酸２−メタクリロイルオキシエチル、コハク酸２−アクリロイルオキシエチル、フタル酸２−メタクリロイルオキシエチル、フタル酸２−アクリロイルオキシエチル等があげられる。
【００１４】
エチレン性不飽和成分としては、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、アリルアクリレート、アリルメタクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート等があげられる。
【００１５】
なお、アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ現像性を損なわない範囲で上記成分と他のモノマーとの種々の共重合体を使用することができる。
【００１６】
不飽和二重結合を有する架橋性モノマーは、少なくとも１のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物であり、光照射により光重合開始剤から発生したラジカルで反応し、アルカリ現像液に対する溶解性を低下させてパターンを形成する。
【００１７】
具体的には、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，３−プロパンジオールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、プロピレンオキサイド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレングリコールジアクリレート、１，２，４−ブタントリオールトリアクリレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオ−ルジアクリレート、１，１０−デカンジオールジメチルアクリレート、ペンタエリスリトールヘキサアクリレート及び上記アクリレートをメタクリレートに置き換えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシプラン、１−ビニル−２−ピロドリン等があげられる。なお、上記架橋性モノマーを２種以上組み合わせても良い。
【００１８】
光重合剤は、通常のネガタイプのフォトリソグラフに使用することができるのであれば、特に限定されるものではない。具体的には、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４，４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミン）ベンゾフェノン、α−アミノアセトフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、フルオレソン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロロアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジトベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２−フェニル−１，２ブタジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラ−ケトン、２メチル−１〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルフォニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクドリン、４，４−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールスルフィド、トリフェニルフォスフィン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、カンファーキノン等であるが、２種以上併用することも可能である。
【００１９】
なお、紫外線の透過が阻害されるおそれがある場合には、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、あるいは２−メチル−１〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オンを使用することが好ましい。さらにこれらに、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、又は２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンを併用すると良い。
【００２０】
バインダー１は、熱質量分析における５％質量減少温度が２００〜３５０℃の範囲とされる。これは、２００℃未満の場合には、金属粒子の融着に基づく高い導電性を得ることが困難になるからである。逆に、３５０℃を超える場合には、バインダー２の使用範囲が狭くなり、本実施形態の製造方法の実施範囲が狭まるからである。
【００２１】
バインダー２は、バインダー１との関係で選択され、配合比（容量）が金属粒子のタップ空隙率以下とされる。このバインダー２は、質量減少温度の差が大きいほど好ましく、この観点からするとポリイミド樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、及びこれらの前駆体が使用される。タップ空隙率とは、金属粒子のタップ密度をその金属の真密度で除した値を１から減算した値をいう。例えば、タップ密度が６．０ｇ／ｃｍ3の銀粒子の場合、銀の真密度は１０．５ｇ／ｃｍ3であるから、タップ空隙率は０．４２９（＝４２．９％）となる。
【００２２】
金属粒子は、高い導電率を有する金や銀の粒子が使用され、特に入手の容易性、導電性、耐酸化性に優れる低コストの銀粒子が好適に使用される。この金属粒子は、各種の分散剤により表面処理され、二次凝集の生じないことが好ましい。分散剤は、熱処理工程で分解、揮発するタイプが好ましい。
【００２３】
金属粒子が銀粒子の場合、この銀粒子は、樹脂等の選択範囲が狭まらないよう平均粒径がレーザ回析法に基づく測定で０．０５〜０．５μｍの範囲に調整されるとともに、アスペクト比（ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ）が１．０〜１．５の略球形に形成され、平均粒径±０．０５μｍの範囲に含まれる割合が３０質量％以上に設定される。
【００２４】
金属粒子の平均粒径が０．０５〜０．５μｍの範囲なのは、平均粒径が０．０５μｍ未満の場合には、導電性を確保するために添加量を増加する必要があるからである。逆に、平均粒径が０．５μｍを超える場合には、光透過率に悪影響を与え、微細なパターンを得ることができなくなるからである。また、金属粒子同士の融着による導通を得るために高温を要するからである。
【００２５】
金属粒子のアスペクト比が１．０〜１．５なのは、この範囲からアスペクト比が逸脱すると、光透過率が悪化し、微細なパターンを形成することが困難になるという理由に基づく。このアスペクト比の測定に際しては、金属粒子を適当な分散媒に分散させて顕微鏡等により拡大観察し、個々の粒子の長径と短径を計測し、アスペクト比＝長径／短径により算出した値の平均値とする。
【００２６】
金属粒子の粒径バラツキは、平均粒径±０．５μｍの範囲に含まれる割合が３０質量％以下であるのが好ましい。これは、金属粒子の粒径バラツキが係る範囲を超える場合には、大きな金属粒子間に小さな金属粒子が侵入し、良好な光透過率を得ることが困難になるという理由に基づく。金属粒子の融着開始温度と熱処理温度は、金属粒子の融着開始温度＜熱処理温度の関係に設定される。
【００２７】
このような感光性導電ペーストを使用してガラス基板の表面に微細の配線パターンを形成する場合には、先ず、ガラス基板の表面に感光性導電ペーストをスクリーン印刷法等により塗布し、所定の時間加熱して乾燥させ、ネガタイプのマスクを介して露光し、アルカリ水溶液等を現像液として現像する。こうして現像液による現像が終了してパターン形成したら、水洗いを施して乾燥させ、プログラマブルオーブン、電気炉、ベルト炉により焼成して所定の時間保持し、その後、冷却すれば、ガラス基板の表面に完全な微細の配線パターンを形成することができる。
【００２８】
上記によれば、バインダー１、２の熱分解温度差を５０℃以上とするので、熱処理温度の設定範囲を広くすることができ、バインダー１のみを除去する条件をきわめて容易に得ることができる。また、紫外線の照射により硬化させるので、露光現像により線幅２０μｍ以下のファインパターンを得ることができる。また、感光性導電ペーストに耐熱性のバインダー２を配合し、熱処理後も残留させるので、高い信頼性を得ることが可能になる。また、バインダー２の容量を金属粒子のタップ空隙率以下として金属粒子を確実に接触させるので、低抵抗化が可能になる。
【００２９】
さらに、金属粒子を銀粒子とし、この銀粒子の平均粒径を０．０５〜０．５μｍとするので、従来の５００℃〜８００℃のような高温ではなく、３００℃以下の低温の熱処理で銀粒子が融着して導通し、１×１０5Ω・ｃｍ以下の低抵抗を得ることが可能になる。この際、バインダー１が分解除去され、体積減少するので、銀粒子の接触の機会を著しく増加させることができ、これにより高信頼性が大いに期待できる。さらにまた、３００℃以下の低温で銀粒子が融着するので、大型かつ高価な加熱装置を何ら必要とせず、昇温や冷却に長時間を要することもない。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明に係る感光性導電ペーストの実施例を比較例と共に説明する。
実施例と比較例の感光性導電ペーストをそれぞれ製造するとともに、これらを使用して実施例１〜７のテストパターンと比較例１〜６のテストパターンをそれぞれ作製し、これらに関する解像度、抵抗値、耐剥離性を評価して表１にまとめた。
【００３１】
実施例１
先ず、表１に示すバインダー１、バインダー２、銀粒子を溶剤であるメトキシブチルアセテートと共に同表記載の容量比で混合して感光性導電ペーストを調製し、この調製した感光性導電ペーストを厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラスにバーコータを用いて塗布し、５０℃の熱風乾燥機で３０分乾燥させ、厚さ２０μｍの乾燥塗膜を形成した。
【００３２】
表１の「ＵＶ」は、スチレン−無水マレイン酸共重合体系のアルカリ可溶性樹脂、架橋性モノマーであるポリエチレングリコールジメタクリレート、光重合開始剤であるビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、及び１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンを、アルカリ可溶性樹脂と架橋性モノマーの合計１００質量部に対し、各５質量部添加したものである。また、同表の「ＰＩ」は、ポリイミド樹脂〔丸善石油製：商品名ＢＡＮＩ−Ｈ〕である。
【００３３】
次いで、ライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ、１５μｍ／１５μｍ、２０μｍ／２０μｍ、３０μｍ／３０μｍ、４０μｍ／４０μｍ、５０μｍ／５０μｍの領域がそれぞれ２０ｍｍ□中に形成されたパターン部と、２０ｍｍ×５０ｍｍの透過部を有するガラス製のフォトマスクを乾燥塗膜に密着させ、メタルハライドランプを備えたフレネルレンズ方式の平行光露光機により８０００ｍＪ／ｃｍ2の積算光量になるようＵＶ露光した。こうしてＵＶ露光したら、１．０質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像し、パターンを形成して中間体を得た。
【００３４】
次いで、熱処理を行うべく、プログラマブルオーブンに中間体をセットして室温から昇温スピード１０℃／分で昇温し、表１記載の熱処理温度に到達後、その温度で６０分間保持した。６０分間保持したら、冷却スピード１０℃／分で１８０℃まで冷却してプログラマブルオーブンから取り出し、室温で放冷してテストパターンを作製した。
なお、表１の「硬化深さ」は、配線パターンであるテストパターンの表面から内部への深さをいい、現像後熱処理前のテストパターン断面の、現像液による侵食が殆どない表層部の厚さを光学顕微鏡で観察等して測定することにより求めることができる。
【００３５】
実施例２〜７
基本的には実施例１と同様であるが、感光性導電ペーストの銀粒子の平均粒径やアスペクト比を変更したり、ＵＶから光開始剤を除去したり、あるいは５％質量減少温度を変更した。
【００３６】
但し、実施例６においては、厚さ２５μｍのニッケル箔をエッチング加工して上記パターン部と透過部を有するマスクを作製し、加速電圧２００ｋＶのＥＢ照射装置を使用し、照射量を５００ｋＧｙとして照射した。
また、表１における実施例６の「ＥＢ」は、「ＵＶ」から光開始剤を除去したものである。同表における実施例７の「ＵＶ（２）」は、酸価１００（ｍｇ・ＫＯＨ／ｇ）のトリスフェノールメタン型エポキシアクリレートオリゴマーに「ＵＶ」と同様の光重合開始剤を添加したものである。
【００３７】
比較例１〜６
基本的には実施例１と同様であるが、銀粒子の平均粒径、熱処理温度、融着開始温度、アスペクト比を変更したり、５％質量減少温度を変更した。
表１の「ＵＶ（３）」は、酸価１００（ｍｇ・ＫＯＨ／ｇ）のフェノールノボラック型エポキシアクリレートオリゴマーに「ＵＶ」と同様の光重合開始剤を添加したものである。
【００３８】
解像度、抵抗値、耐剥離性の評価
（１）解像度の評価
同一のライン／スペースを有するパターン領域において、断線や短絡のない最小のものとした。
（２）抵抗値の評価
２０ｍｍ×５０ｍｍの透過部により形成されたベタ領域を用い、ロレスタＨＰ〔ダイヤインスルメンツ製：商品名〕により４端針法にて体積抵抗率を測定した。
【００３９】
（３）耐剥離性の評価
ベタ領域にカッターナイフにより１ｍｍピッチで縦横それぞれ１１本の線を引いて格子模様を形成し、この格子模様に粘着テープを貼り付けて剥離し、１００個に分断された領域中、粘着テープに粘着した分断片の個数を計測した。この耐剥離性は、初期及び６０℃９５％ＲＨに１０００時間放置後に評価した。
【００４０】
【表１】
【００４１】
結 果
実施例１のテストパターンについては、きわめて良好な解像度、抵抗値、耐剥離性を得ることができた。
実施例２のテストパターンについては、融着開始温度が高く平均粒径が大きい銀粒子を使用したため、抵抗値が僅かに高くなったが、実用上問題になることはなく、良好な解像度、抵抗値、耐剥離性を得ることができた。
実施例３のテストパターンについては、融着開始温度が低く平均粒径が小さい銀粒子を使用したため、抵抗値が低くなり、解像度や耐剥離性も良好であった。
【００４２】
実施例４のテストパターンについては、アスペクト比が大きい銀粒子を使用したため、硬化深さが減少し、解像度が２０μｍになったが、用途によっては十分な値であり、良好な解像度、抵抗値、耐剥離性が得られた。
実施例５のテストパターンについては、平均粒径が小さい銀粒子を使用したため、硬化深さが減少し、解像度が１５μｍになったが、用途によっては十分な値であり、良好な解像度、抵抗値、耐剥離性が得られた。
【００４３】
実施例６のテストパターンについては、平均粒径が小さい銀粒子を使用したが、ＥＢ照射により全厚さ分の硬さとなり、良好な解像度、抵抗値、耐剥離性が得られた。
実施例７のテストパターンについては、バインダー２として５％質量減少温度が低めのものを使用したが、特に問題はなく、きわめて良好な解像度、抵抗値、耐剥離性を得ることができた。
【００４４】
これに対し、比較例１のテストパターンについては、融着開始温度が３２０℃で平均粒径の大きい銀粒子を使用したため、２８０℃の熱処理では十分な導通性を得ることができなかった。
比較例２のテストパターンについては、比較例１と同様の材料を使用し、熱処理温度を３５０℃と高く設定することにより、実用レベルの抵抗値を得た。しかしながら、係る熱処理温度では樹脂基材の使用、他部品、絶縁膜等との併用は略不可能であり、用途が非常に限定されるという問題が生じた。
【００４５】
比較例３のテストパターンについては、融着開始温度が非常に高い銀粒子を使用したため、２８０℃の熱処理では十分な導通性を得ることができなかった。
比較例４のテストパターンについては、比較例３と同様の材料を使用し、熱処理温度を４５０℃と高く設定することにより、実用レベルの抵抗値を得た。しかしながら、係る熱処理温度では樹脂基材の使用、他部品、絶縁膜等との併用は略不可能であり、用途が非常に限定されるという問題が生じ、しかも、きわめて劣悪な耐剥離性しか得られなかった。
【００４６】
比較例５のテストパターンについては、アスペクト比が本発明の範囲を超える大きい銀粒子を使用したため、解像度が悪化し、融着開始温度も高く、さらには十分な導電性を得ることができなかった。
比較例６のテストパターンについては、バインダー２として５％質量減少温度が本発明の範囲を下回るものを使用した。この結果、初期特性こそ良好であったが、高温高湿後に耐剥離性が非常に悪化した。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線と電子線のいずれか一方の照射により現像液に対して不溶化する第一のバインダーと、この第一のバインダーの熱分解温度よりも５０℃以上熱分解温度が高い第二のバインダーと、平均粒径が０．０５〜０．５μｍの金属粒子とを含み、
平均粒径±０．０５μｍの範囲に含まれる金属粒子の割合を３０質量％以上としたことを特徴とする感光性導電ペースト。
【請求項２】
第一のバインダーの分解温度、第二のバインダーの分解温度、及び熱処理温度の関係を、第一のバインダーの分解温度＜熱処理温度＜第二のバインダーの分解温度とした請求項１記載の感光性導電ペースト。
【請求項３】
第二のバインダーの配合比を金属粒子のタップ空隙率以下とした請求項１又は２記載の感光性導電ペースト。
【請求項４】
金属粒子の融着開始温度と熱処理温度の関係を、金属粒子の融着開始温度＜熱処理温度とした請求項１、２、又は３記載の感光性導電ペースト。
【請求項５】
金属粒子の少なくとも一部を銀粒子とし、この銀粒子の熱機械分析の融着開始温度を３００℃以下とした請求項１ないし４いずれかに記載の感光性導電ペースト。
【請求項１】
紫外線と電子線のいずれか一方の照射により現像液に対して不溶化する第一のバインダーと、この第一のバインダーの熱分解温度よりも５０℃以上熱分解温度が高い第二のバインダーと、平均粒径が０．０５〜０．５μｍの金属粒子とを含み、
平均粒径±０．０５μｍの範囲に含まれる金属粒子の割合を３０質量％以上としたことを特徴とする感光性導電ペースト。
【請求項２】
第一のバインダーの分解温度、第二のバインダーの分解温度、及び熱処理温度の関係を、第一のバインダーの分解温度＜熱処理温度＜第二のバインダーの分解温度とした請求項１記載の感光性導電ペースト。
【請求項３】
第二のバインダーの配合比を金属粒子のタップ空隙率以下とした請求項１又は２記載の感光性導電ペースト。
【請求項４】
金属粒子の融着開始温度と熱処理温度の関係を、金属粒子の融着開始温度＜熱処理温度とした請求項１、２、又は３記載の感光性導電ペースト。
【請求項５】
金属粒子の少なくとも一部を銀粒子とし、この銀粒子の熱機械分析の融着開始温度を３００℃以下とした請求項１ないし４いずれかに記載の感光性導電ペースト。
【公開番号】特開２００６−３０３８５（Ｐ２００６−３０３８５Ａ）
【公開日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２０６１１６（Ｐ２００４−２０６１１６）
【出願日】平成１６年７月１３日（２００４．７．１３）
【出願人】（０００１９０１１６）信越ポリマー株式会社 (1,394)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月１３日（２００４．７．１３）
【出願人】（０００１９０１１６）信越ポリマー株式会社 (1,394)
【Ｆターム（参考）】
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