説明

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法

【課題】高感度、良好なラフネス特性、良好なパターン形状、及び現像欠陥の低減を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】フッ素原子を含有する繰り返し単位を含む樹脂(Aa)と、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂であって、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位(B)を含む樹脂(Ab)を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
フッ素原子を含有する繰り返し単位を含む樹脂(Aa)と、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂であって、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位(B)を含む樹脂(Ab)を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項2】
樹脂(Aa)及び樹脂(Ab)の少なくとも一方が、下記一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化1】

一般式(A3)中、
ARは、アリール基を表す。
Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。
Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
【請求項3】
樹脂(Ab)が一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項2に記載の組成物。
【請求項4】
樹脂(Aa)が一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項2又は3に記載の組成物。
【請求項5】
樹脂(Aa)及び樹脂(Ab)の双方が、一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項6】
樹脂(Ab)が一般式(A)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物。
【化2】

式中、nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は置換基を表す。mが2以上の場合、複数のSは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【請求項7】
一般式(A)により表される繰り返し単位として少なくとも下式で表される繰り返し単位を含有する請求項6に記載の組成物。
【化3】

【請求項8】
樹脂(Aa)が一般式(A)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の組成物。
【化4】

式中、nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は置換基を表す。mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【請求項9】
一般式(A)により表される繰り返し単位として少なくとも下式で表される繰り返し単位を含有する請求項8に記載の組成物。
【化5】

【請求項10】
樹脂(Aa)が、フッ素原子を含有する繰り返し単位として、一般式(F2)、一般式(F3)又は一般式(F4)で表される基を含む繰り返し単位を少なくとも1種含有する請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物。
【化6】

一般式(F2)〜(F4)中、R57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57〜R61、R62〜R64およびR65〜R68のそれぞれにおいて、少なくとも1つは、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。
【請求項11】
樹脂(Ab)が、繰り返し単位(B)として、下記一般式(B1)、(B2)及び(B3)で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1種を含有する請求項1〜10のいずれか1項に記載の組成物。
【化7】

一般式(B1)、(B2)及び(B3)中、
Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。
04、R05及びR07〜R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
06は、シアノ基、カルボキシ基、−CO−OR25又は−CO−N(R26)(R27)を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。
、X及びXは、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R33)−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
【請求項12】
繰り返し単位(B)中の前記構造部位が活性光線又は放射線の照射により分解することにより、該繰り返し単位中に酸アニオンを生ずることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項13】
繰り返し単位(B)中の前記構造部位は、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えたイオン性構造部位である請求項1〜12のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項14】
樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜20質量%の範囲である請求項1〜13のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項15】
樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜10質量%の範囲である請求項1〜14のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項16】
樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜5質量%の範囲である請求項1〜15のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項17】
樹脂(Aa)が更に一般式(A1)及び一般式(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含有する請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
【化8】

一般式(A1)中、
nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は、置換基を表し、mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、少なくとも1つのAは酸の作用により脱離する基を表す。n≧2の場合には、複数のAは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
【請求項18】
樹脂(Ab)が一般式(A1)及び一般式(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含有する請求項1〜17のいずれか1項に記載の組成物。
【化9】

一般式(A1)中、
nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は、置換基を表し、mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、少なくとも1つのAは酸の作用により脱離する基を表す。
n≧2の場合には、複数のAは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。 一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
【請求項19】
EUV露光用である請求項1〜18のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項20】
請求項1〜19のいずれか1項に記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
【請求項21】
請求項1〜19のいずれか1項に記載の組成物を用いて膜を形成すること、該膜を露光すること、露光した膜を現像することを含むパターン形成方法。
【請求項22】
露光をEUVを用いて行う請求項21に記載のパターン形成方法。
【請求項23】
請求項21または22に記載のパターン形成方法を含む工程を経て製造される半導体デバイス。

【公開番号】特開2013−15590(P2013−15590A)
【公開日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−146756(P2011−146756)
【出願日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】