説明

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

【課題】 焦点深度ラチチュード(Depth Of Focus)が大きく、経時でのパーティクル発生が少ないという液物性を有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】 (A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(B)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記化合物(A)として、特定の2種の化合物からなる組み合わせ(A−1)、又は、特定の2種の化合物からなる組み合わせ(A−2)を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
(B)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記化合物(A)として、下記(A−1)の化合物の組み合わせ、又は、下記(A−2)の化合物の組み合わせを含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(A−1)下記一般式(I)で表される化合物と、下記一般式(II)又は(III)で表される化合物との組み合わせ
(A−2)下記一般式(IV)で表される化合物と、下記一般式(V)で表される化合物との組み合わせ
【化1】


一般式(I)中、
は、“炭素数5以上の1価の脂環式炭化水素基”を有する基、又は、“炭素数6以上のアリール基”を有する基である。Rは、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。Mは1価のカチオンである。n及びnは、それぞれ独立して、0又は1である。
【化2】


一般式(II)中、
Xf及びAは、それぞれ独立に、炭素数1〜5のアルキル基、又は、フッ素原子を表し、Xfは互いに結合して環構造を形成してもよい。複数存在するXfは、同一でも異なっていてもよい。
及びRは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR及びRは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、2価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
は1価のカチオンを表す。
【化3】


一般式(III)中、
Xfは、それぞれ独立に、上記一般式(II)におけるXfと同義であり、Xfは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。Mは1価のカチオンを表す。
【化4】


一般式(IV)中、
’は、炭素数1〜5のアルキル基である。R’は、2価の連結基である。Rf’は、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。Mは1価のカチオンである。n’及びn’は、それぞれ独立して、0又は1である。
【化5】


一般式(V)中、
Xf、R、R、L、x、y、及び、zは、上記一般式(II)におけるXf、R、R、L、x、y、及び、zと同義である。
A’は、炭素数5以上の1価の脂環式炭化水素基、又は、炭素数6以上のアリール基を表す。
は1価のカチオンを表す。
【請求項2】
前記樹脂(B)が、下記一般式(AIII)で表される繰り返し単位を有する樹脂である、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化6】


は、水素原子又はアルキル基を表す。Rは、アルキル基を表す。nは1〜6の整数を表す。
【請求項3】
更に、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含有する、請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項4】
前記樹脂(B)が、下記一般式(VI)で表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有する樹脂である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化7】


式(VI)中、
Bは、エステル結合又はアミド結合を表す。
は、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表し、Rが複数存在する場合、複数のRは同一でも異なっていてもよい。
Zは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。Zが複数存在する場合、複数のZは同一でも異なっていてもよい。
は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基を表す。
nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、0〜2の整数を表す。
は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
【請求項5】
上記一般式(VI)において、nは1又は2である、請求項4に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項7】
請求項6に記載のレジスト膜を、露光、現像する工程を含むパターン形成方法。
【請求項8】
前記露光が液浸露光である、請求項7に記載のパターン形成方法。
【請求項9】
請求項7又は8に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項10】
請求項9に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。

【公開番号】特開2013−114085(P2013−114085A)
【公開日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−260909(P2011−260909)
【出願日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】