感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を改善し、パターン倒れを抑制できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスの提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも１種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも１種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも１種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
上記一般式中、
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ複数存在する場合には、複数のＲ１１、Ｒ１２又はＲ１３は同一であっても異なっていてもよく、互いに連結して環を形成しても良い。
Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３は、それぞれ独立にアルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｚ１１、Ｚ１２及びＺ１３は、それぞれ独立に単結合又は２価の連結基を表す。
＊は樹脂との連結部を表す。
ｌＩ−１は０〜１２の整数を表し、ｌＩ−２は０〜１０の整数を表し、ｌＩ−３は０〜１２の整数を表す。
ｍＩ−１は１〜３の整数を表し、ｎＩ−１は１〜３の整数を表し、ただし、ｍＩ−１＋ｎＩ−１は２〜４を満たす。
ｍＩ−３は１〜５の整数を表し、ｎＩ−３は１〜５の整数を表し、ただし、ｍＩ−３＋ｎＩ−３は３〜６を満たす。
【請求項２】
前記のラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも１種を含有する繰り返し単位が、下記一般式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−４）のいずれかで表される、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化２】
上記一般式中、
Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３及びＲｂ４は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表す。
Ｗ１、Ｗ２及びＷ４は、それぞれ独立にアルキレン基又は酸素原子を表す。
Ｚ２１、Ｚ２２、Ｚ２３及びＺ２４は、それぞれ独立に単結合又は２価の連結基を表す。
ｌＩＩ−１は０〜８の整数を表し、
ｌＩＩ−２は０〜８の整数を表し、
ｌＩＩ−３は０〜９の整数を表し、
ｌＩＩ−４は０〜６の整数を表す。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位が（メタ）アクリレート系繰り返し単位である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位が前記一般式（Ｉ−１）で表される構造を有する繰り返し単位である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
樹脂（Ａ）が、前記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造以外の、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基を更に含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
更に疎水性樹脂（ＨＲ）を含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
前記疎水性樹脂（ＨＲ）が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂である、請求項６に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項９】
請求項８に記載のレジスト膜を露光する工程、及び
前記露光したレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法。
【請求項１０】
前記露光が液浸露光である、請求項９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも１種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
上記一般式中、
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ複数存在する場合には、複数のＲ１１、Ｒ１２又はＲ１３は同一であっても異なっていてもよく、互いに連結して環を形成しても良い。
Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３は、それぞれ独立にアルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｚ１１、Ｚ１２及びＺ１３は、それぞれ独立に単結合又は２価の連結基を表す。
＊は樹脂との連結部を表す。
ｌＩ−１は０〜１２の整数を表し、ｌＩ−２は０〜１０の整数を表し、ｌＩ−３は０〜１２の整数を表す。
ｍＩ−１は１〜３の整数を表し、ｎＩ−１は１〜３の整数を表し、ただし、ｍＩ−１＋ｎＩ−１は２〜４を満たす。
ｍＩ−３は１〜５の整数を表し、ｎＩ−３は１〜５の整数を表し、ただし、ｍＩ−３＋ｎＩ−３は３〜６を満たす。
【請求項２】
前記のラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも１種を含有する繰り返し単位が、下記一般式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−４）のいずれかで表される、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化２】
上記一般式中、
Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３及びＲｂ４は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表す。
Ｗ１、Ｗ２及びＷ４は、それぞれ独立にアルキレン基又は酸素原子を表す。
Ｚ２１、Ｚ２２、Ｚ２３及びＺ２４は、それぞれ独立に単結合又は２価の連結基を表す。
ｌＩＩ−１は０〜８の整数を表し、
ｌＩＩ−２は０〜８の整数を表し、
ｌＩＩ−３は０〜９の整数を表し、
ｌＩＩ−４は０〜６の整数を表す。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位が（メタ）アクリレート系繰り返し単位である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位が前記一般式（Ｉ−１）で表される構造を有する繰り返し単位である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
樹脂（Ａ）が、前記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造以外の、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基を更に含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
更に疎水性樹脂（ＨＲ）を含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
前記疎水性樹脂（ＨＲ）が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂である、請求項６に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項９】
請求項８に記載のレジスト膜を露光する工程、及び
前記露光したレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法。
【請求項１０】
前記露光が液浸露光である、請求項９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【公開番号】特開２０１３−１５５９６（Ｐ２０１３−１５５９６Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１４６８５９（Ｐ２０１１−１４６８５９）
【出願日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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