成膜法及び成膜装置
【課題】粉末噴射コーティング法を用いて誘電体層を形成する成膜法及び成膜装置において、誘電体層の膜厚ムラを低減させる。
【解決手段】本発明に係る成膜法は、粉末噴射コーティング法を用いて、シート基材５の表面上に誘電体層を形成する方法であり、工程（ａ）と工程（ｂ）とを有している。工程（ａ）では、シート基材５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。工程（ｂ）では、シート基材５の湾曲した表面上に、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体粉末を堆積させることにより、誘電体層を形成する。
【解決手段】本発明に係る成膜法は、粉末噴射コーティング法を用いて、シート基材５の表面上に誘電体層を形成する方法であり、工程（ａ）と工程（ｂ）とを有している。工程（ａ）では、シート基材５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。工程（ｂ）では、シート基材５の湾曲した表面上に、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体粉末を堆積させることにより、誘電体層を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜法及び成膜装置に関し、特に薄膜キャパシタの誘電体層を形成するための成膜技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願に関連する技術として、絶縁基板内にシート状の薄膜キャパシタを埋め込む技術が存在する。この技術により作製された基板は、コンデンサ内蔵基板と呼ばれ、薄膜キャパシタの高密度化が可能である。ここで、薄膜キャパシタは、電極箔と、該電極箔上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された電極層とから構成されている。
【０００３】
この種の薄膜キャパシタにおいては、誘電体層の形成に、ゾル‐ゲル法、ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、スパッタリング蒸着法、粉末噴射コーティング法等、周知の種々の成膜法が用いられる。ここで、粉末噴射コーティング法は、気体の流れを利用して、粉末を電極箔等のターゲットの表面に噴き付け、これにより該ターゲットの表面上に粉末を堆積させて薄膜を形成する方法である。粉末噴射コーティング法には、ＰＪＤ（Powder Jet Deposition）法やＡＤ（Aerosol Deposition）法（例えば、特許文献１参照）等の方法が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２４９４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
粉末噴射コーティング法は、他の成膜法に比べて緻密な薄膜を形成することが可能であり、誘電体層の形成に適している。その一方で、粉末噴射コーティング法を用いて形成された誘電体層には、膜厚ムラが発生し易かった。具体的には、誘電体層の内、該誘電体層の外周縁に近い領域の膜厚が、中央付近の領域の膜厚よりも小さく又は大きくなり易かった。この様な膜厚ムラが発生すると、誘電体層の表面の内、電極層を形成することが可能な領域の面積（有効面積）が減少することになる。
【０００６】
そこで本発明の目的は、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体層を形成する成膜法及び成膜装置において、誘電体層の膜厚ムラを低減させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る成膜法は、粉末噴射コーティング法を用いて、シート基材の表面上に誘電体層を形成する方法であり、工程（ａ）と工程（ｂ）とを有している。工程（ａ）では、前記シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。工程（ｂ）では、前記シート基材の湾曲した表面上に、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体粉末を堆積させることにより、前記誘電体層を形成する。
【０００８】
上記成膜法の具体的態様において、前記工程（ａ）では、凸面状又は凹面状を呈する表面を有した曲げ部の該表面に、前記シート基材を密着させることにより、前記曲げ部の表面に沿ってシート基材を湾曲させる。
【０００９】
上記成膜法の他の具体的態様において、該成膜法は、前記工程（ａ）及び工程（ｂ）に並行して実行される工程（ｃ）を更に有している。工程（ｃ）では、前記シート基材を所定方向へ搬送し、又は前記誘電体粉末を噴射させるノズルを所定方向において往復移動させる。そして、工程（ａ）では、前記所定方向に沿う軸周りに前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。
【００１０】
本発明に係る成膜装置は、シート基材の表面上に誘電体粉末を堆積させることにより、該表面上に誘電体層を形成する装置であり、曲げ部と、粉末噴射部とを備えている。曲げ部は、前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。粉末噴射部は、前記曲げ部によって曲げられたシート基材の湾曲した表面に向けて、前記誘電体粉末を噴射する。具体的には、粉末噴射部は、気体と誘電体粉末とを混合すると共に前記気体に流れを発生させることにより、該気体の流れを利用して前記誘電体粉末を噴射する。
【００１１】
上記成膜装置の具体的構成において、該成膜装置は、シート基材を所定方向へ搬送する搬送部、又は、前記誘電体粉末を噴射させる粉末噴射部のノズルを所定方向において往復移動させる駆動部を更に備えている。そして、前記曲げ部は、前記所定方向に沿う軸周りに前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る成膜法及び成膜装置によれば、誘電体層の膜厚ムラを低減させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る成膜装置を示した図である。
【図２】上記成膜装置においてステージの表面が平坦な構成を、金属箔の搬送方向から見て示した図である。
【図３】図２に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層を示した図である。
【図４】図２に示される成膜装置について、ノズルの先端から金属箔の表面までの距離と、誘電体粉末の堆積速度との関係の一例を示した図である。
【図５】上記実施形態に係る成膜装置について、ステージの表面形状の一例を、金属箔の搬送方向から見て示した図である。
【図６】図５に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層を示した図である。
【図７】上記実施形態に係る成膜装置について、ステージの表面形状の他の例を、金属箔の搬送方向から見て示した図である。
【図８】図７に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層を示した図である。
【図９】図２に示される成膜装置について、ノズルの先端から金属箔の表面までの距離と、誘電体粉末の堆積速度との関係の他の例を示した図である。
【図１０】上記成膜装置の第１変形例を示した図である。
【図１１】第１変形例に係る成膜装置について、ステージの表面形状の他の例を、金属箔の搬送方向から見て示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態として、シート基材である金属箔の表面上に誘電体層を形成する成膜法、及び該成膜法に用いられる成膜装置について、図面に沿って具体的に説明する。尚、本実施形態の成膜法では、粉末噴射コーティング法であるＰＪＤ法が採用されている。
【００１５】
図１は、本実施形態の成膜装置を示した図である。図１に示す様に、成膜装置は、搬送部２、ステージ３、及び粉末噴射部４を備えている。
【００１６】
搬送部２は、第１駆動ローラ２１、第２駆動ローラ２２、及び一対のテンションローラ２３，２３を有している。第１駆動ローラ２１には、ロール状に巻回された金属箔５が取り付けられている。一方、第２駆動ローラ２２には、金属箔５の先端部が巻き付けられている。第１駆動ローラ２１及び第２駆動ローラ２２が同方向に回転することにより、第１駆動ローラ２１から金属箔５が繰り出される一方で、第２駆動ローラ２２によって金属箔５が巻き取られる。テンションローラ２３，２３は、第１駆動ローラ２１と第２駆動ローラ２２との間の位置に設けられており、金属箔５に対してテンションを与えている。尚、金属箔５を構成する金属材料には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）等、箔を形成することが可能であって、且つ薄膜キャパシタの電極となり得る物質が用いられている。
【００１７】
ステージ３は、テンションローラ２３，２３の間の位置にて、該ステージ３の表面３１上を金属箔５が通過することとなる様に設けられている。又、後述する図５及び図７に示す様に、ステージ３の表面３１は、凸面状又は凹面状を呈しており、且つ金属箔５の搬送方向Ｄに沿う軸周りに湾曲している。そして、図示していないが、ステージ３には、真空吸着や静電着等、ステージ３の表面３１に金属箔５を密着させるための手段が設けられている。従って、金属箔５は、ステージ３の表面３１に沿って湾曲することになる。斯くして、ステージ３は、搬送方向Ｄに沿う軸周りに金属箔５を曲げることによって該金属箔５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる曲げ部として機能することになる。尚、ステージ３の表面３１の具体的な形状については後述する。
【００１８】
粉末噴射部４は、圧縮ガスと誘電体粉末とを混合すると共に圧縮ガスに流れを発生させることにより、該圧縮ガスの流れを利用して誘電体粉末を噴射する。ここで、粉末噴射部４は、誘電体粉末を噴射させるノズル４１を有しており、誘電体粉末は、ノズル４１の先端４１０から高速で吐出される。尚、圧縮ガスには、例えば高圧の窒素ガスが用いられる。又、誘電体粉末には、チタン酸バリウム(BaTiO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、ホウ酸リチウム(Li2B4O7)、チタン酸ジルコン酸鉛(PbZrTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PbLaZrTiO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タンタル(Ta2O5)等を主成分とする種々の誘電体材料を用いることが出来る。
【００１９】
図１に示す様に、ノズル４１の先端４１０は、ステージ３の表面３１の方へ向けられている。即ち、ノズル４１の先端４１０は、ステージ３によって曲げられた金属箔５の湾曲した表面の方へ向けられている（図５及び図７参照）。
【００２０】
上記成膜装置によれば、ノズル４１の先端４１０から噴射された誘電体粉末が、ステージ３上の金属箔５の表面に噴き付けられる。これにより、金属箔５の表面に誘電体粉末が衝突して破砕し、又、誘電体粉末どうしが衝突して破砕し、その結果、金属箔５の表面上に微細な誘電体粒子が緻密に堆積することになる。斯くして、金属箔５の表面上に誘電体層６が形成されることになる（図６及び図８参照）。
【００２１】
次に、ステージ３の表面３１の形状について、図面に沿って具体的に説明する。ここで、先ず、上記成膜装置においてステージ３の表面３１が平坦な場合について、図２及び図３を用いて説明する。図２に示す様に、この成膜装置においては、ステージ３の表面３１上において金属箔５の表面は平坦なままである。そして、図３に示す様に、この成膜装置を用いて金属箔５の表面上に誘電体層６を形成した場合、誘電体層６の膜厚は、端に行くに従って小さくなる。即ち、金属箔５の表面上の位置に応じて誘電体層６の膜厚が変化する。従って、誘電体層６に膜厚ムラが生じることになる。
【００２２】
これは、金属箔５の表面上の位置に応じて、誘電体粉末の堆積速度Ｖが変化するからである。具体的には、ノズル４１内を誘電体粉末が流れているとき、ノズル４１の中心位置での流速に比べて、ノズル４１の内周面４１ａ（図２参照）近傍の位置での流速が小さくなる。このため、金属箔５の表面の内、誘電体層６が形成される領域の中心位置Ｐ１（図２及び図３参照）での堆積速度Ｖよりも、該領域の両端近傍の２つの位置Ｐ２，Ｐ２（図２及び図３参照）での堆積速度Ｖの方が小さくなる。
【００２３】
一方、金属箔５の表面上の位置ごとに、誘電体粉末の堆積速度Ｖは、ノズル４１の先端４１０から金属箔５の表面までの距離Ｌ（図２参照）にも依存し、該距離Ｌに応じて変化する。これは、金属箔５の表面に誘電体粉末が衝突するときの速度（衝突速度）が、距離Ｌに応じて変化するからである。具体的には、距離Ｌを小さくした場合、ノズル４１の先端４１０と金属箔５との間の隙間が小さくなって圧損が生じ、このため衝突速度が小さくなる。又、距離Ｌを大きくした場合、誘電体粉末は空気抵抗を受け易くなり、このため衝突速度が小さくなる。そして、衝突速度が小さくなると、誘電体粉末の一部が、金属箔５の表面上に堆積されずに浮遊し、従って堆積速度Ｖが小さくなる。
【００２４】
図４は、図２に示される成膜装置について、距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係の一例を、金属箔５の表面上の位置ごとにグラフで示した図である。図４では、位置Ｐ１での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がグラフＧ１で示され、位置Ｐ２での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がグラフＧ２で示されている。
【００２５】
ここで、図４に示す様に、グラフＧ１，Ｇ２の何れにも交わるＶ＝Ｖ０（定数）の直線Ｇ０を考えることにより、次のことが分かる。即ち、距離Ｌの増加に伴って堆積速度Ｖが増加する領域（距離Ｌが小さい領域）においては、堆積速度Ｖが位置Ｐ１，Ｐ２の両方で同じ値Ｖ０となるのは、位置Ｐ１での距離Ｌの値がＬａ（１）となり、且つ位置Ｐ２での距離Ｌの値がＬｂ（１）となるときである。このとき、距離Ｌｂ（１）は、距離Ｌａ（１）より大きくなる。
【００２６】
一方、距離Ｌの増加に伴って堆積速度Ｖが減少する領域（距離Ｌが大きい領域）においては、堆積速度Ｖが位置Ｐ１，Ｐ２の両方で同じ値Ｖ０となるのは、位置Ｐ１での距離Ｌの値がＬａ（２）となり、且つ位置Ｐ２での距離Ｌの値がＬｂ（２）となるときである。このとき、距離Ｌｂ（２）は、距離Ｌａ（２）より小さくなる。
【００２７】
そこで、本実施形態の成膜装置においては、ステージ３の表面３１の形状が、以下の様に湾曲した形状に設定されている。
図５は、ステージ３の表面３１の形状の一例を、金属箔５の搬送方向Ｄ（図１参照）から見て示した図である。図６は、図５に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層６を示した図である。図５に示す様に、金属箔５の表面上の位置Ｐ１において距離Ｌの値がＬａ（１）となり、且つ２つの位置Ｐ２，Ｐ２において距離Ｌの値がＬｂ（１）（＞Ｌａ（１））となる様に、ステージ３の表面３１の形状が、凸面状に湾曲した形状に設定されている。
【００２８】
図５に示される成膜装置によれば、金属箔５は、ステージ３の表面３１上にて該表面３１に沿って凸面状に湾曲する。そして、金属箔５の表面の内、少なくとも位置Ｐ１及び位置Ｐ２，Ｐ２の３つの位置において、堆積速度Ｖが略一致することになる。従って、金属箔５の表面上の位置に対する誘電体粉末の堆積速度Ｖの変化が小さくなり、その結果、図６に示す様に、形成される誘電体層６の膜厚ムラが低減することになる。
【００２９】
図７は、ステージ３の表面３１の形状の他の例を、金属箔５の搬送方向Ｄ（図１参照）から見て示した図である。図８は、図７に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層６を示した図である。図７に示す様に、金属箔５の表面上の位置Ｐ１において距離Ｌの値がＬａ（２）となり、且つ２つの位置Ｐ２，Ｐ２において距離Ｌの値がＬｂ（２）（＜Ｌａ（２））となる様に、ステージ３の表面３１の形状が、凹面状に湾曲した形状に設定されていてもよい。
【００３０】
図７に示される成膜装置によれば、金属箔５は、ステージ３の表面３１上にて該表面３１に沿って凹面状に湾曲する。そして、金属箔５の表面の内、少なくとも位置Ｐ１及び位置Ｐ２，Ｐ２の３つの位置において、堆積速度Ｖが略一致することになる。従って、金属箔５の表面上の位置に対する誘電体粉末の堆積速度Ｖの変化が小さくなり、その結果、図８に示す様に、形成される誘電体層６の膜厚ムラが低減することになる。
【００３１】
尚、図５に示す如く金属箔５の表面を凸面状に湾曲させることにより、成膜時において、ノズル４１の先端４１０から誘電体粉末と共に吐出される圧縮ガスが、金属箔５の表面に沿って流れてステージ３の斜め後方へと導かれることになる。よって、金属箔５の表面において圧縮ガスが反射され難く、従って、圧縮ガスによる誘電体粉末の流れの妨げが生じ難くなる。
【００３２】
又、本実施形態の成膜装置においては、金属箔５を搬送しながら該金属箔５の表面上に誘電体層６が形成される。従って、本実施形態の成膜装置によれば、金属箔５の表面の広い範囲に亘って誘電体層６を形成することが可能である。ここで、金属箔５を一定速度で搬送することにより、搬送方向Ｄについて誘電体層６の膜厚ムラが小さくなる。又、本実施形態の成膜装置によれば、上述した様に（図６及び図８参照）、搬送方向Ｄに対して略垂直な方向についての誘電体層６の膜厚ムラが小さくなる。従って、誘電体層６全体に亘って膜厚ムラが低減されることになる。
【００３３】
位置Ｐ１，Ｐ２での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がそれぞれ、図４のグラフＧ１，Ｇ２によって表された関係と異なる場合にも、上述したのと同様の考え方を適用して、ステージ３の表面３１の形状を、凸面状又は凹面状に湾曲した形状に設定すればよい。
【００３４】
例えば、図９に示す様に、位置Ｐ１での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がグラフＧ２で表され、位置Ｐ２での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がグラフＧ１で表される場合を考える。この場合、距離Ｌｂ（１）が距離Ｌａ（１）より小さくなる。又、距離Ｌｂ（２）が距離Ｌａ（２）より大きくなる。そこで、金属箔５の表面上の位置Ｐ１において距離Ｌの値がＬａ（１）となり、且つ２つの位置Ｐ２，Ｐ２において距離Ｌの値がＬｂ（１）（＜Ｌａ（１））となる様に、ステージ３の表面３１の形状を、凹面状に湾曲した形状に設定する。或いは、金属箔５の表面上の位置Ｐ１において距離Ｌの値がＬａ（２）となり、且つ２つの位置Ｐ２，Ｐ２において距離Ｌの値がＬｂ（２）（＞Ｌａ（２））となる様に、ステージ３の表面３１の形状を、凸面状に湾曲した形状に設定してもよい。
【００３５】
又、図４や図９に示される位置Ｐ１，Ｐ２での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係に加えて、位置Ｐ１，Ｐ２とは異なる１又は複数の位置での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係をも用いて、ステージ３の表面３１の形状を設定してもよい。これにより、金属箔５の表面上の位置に対する堆積速度Ｖの変化がより小さくなり、その結果、形成される誘電体層６の膜厚ムラが更に低減されることになる。尚、位置Ｐ１，Ｐ２に限らず、金属箔５の表面上の複数の位置において堆積速度Ｖを略一致させることにより、金属箔５の表面上の位置に対する堆積速度Ｖの変化を小さくしてもよい。
【００３６】
斯くして、本実施形態の成膜装置においては、ステージ３が、金属箔５を曲げる曲げ部として機能することにより、金属箔５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させ、これにより、ノズル４１の先端４１０から金属箔５の表面までの距離Ｌを、該表面上の位置に応じて変化させている。
【００３７】
そして、上述した成膜装置を用いることにより、搬送工程、曲げ工程、及び成膜工程を有する成膜法が実行されることになる。即ち、搬送工程は、曲げ工程及び成膜工程に並行して実行される工程であり、搬送工程では、金属箔５が所定方向（搬送方向Ｄ）へ搬送される。
【００３８】
曲げ工程では、金属箔５の搬送方向Ｄに沿う軸周りに金属箔５を曲げることにより、該金属箔５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。これにより、誘電体粉末が噴射されるノズル４１の先端４１０から金属箔５の表面までの距離Ｌを、該表面上の位置に応じて変化させる。具体的には、金属箔５の表面上の複数の位置において誘電体粉末の堆積速度Ｖが略一致する様に、該表面上の位置ごとに距離Ｌを変化させる。
【００３９】
成膜工程では、金属箔５の湾曲した表面上に、ノズル４１の先端４１０から噴射された誘電体粉末を堆積させる。これにより、金属箔５の表面上に誘電体層６が形成される。
【００４０】
図１０は、上記成膜装置の第１変形例を示した図である。図１０に示す様に、図１に示される成膜装置において、粉末噴射部４の複数が並列に配置されていてもよい。具体的には、隣接する２つの粉末噴射部４，４は、これらが金属箔５の表面上に形成する誘電体粉末の堆積層の端部どうしが互いに重なり合う様に、配置されている。そして、本変形例の成膜装置によれば、複数の粉末噴射部４〜４によって形成される堆積層の重ね合わせにより、１つの誘電体層６が形成されることになる。
【００４１】
又、図１０に示される成膜装置においては、ステージ３の表面３１の形状が、並列配置された複数の粉末噴射部４〜４の内、最も外側に位置する２つの粉末噴射部４Ａ，４Ａに対応する距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係（図４参照）を用いて、設定されている。具体的には、金属箔５の表面の内、各粉末噴射部４Ａによって堆積層が形成される領域の中心位置Ｐ１と、該領域の最も外側に位置する端近傍の位置Ｐ２とにおいて、誘電体粉末の堆積速度Ｖが略一致する様に、ステージ３の表面３１の一部が凸面状に湾曲している。又、ステージ３の表面３１には、金属箔５の表面が２つの中心位置Ｐ１，Ｐ１間の領域において平坦となる様に、平坦な部分が存在している。尚、ステージ３の表面３１の内、凸面状に湾曲している部分は、図１１に示す様に凹面状に湾曲していてもよい。
【００４２】
本変形例の成膜装置によって形成される誘電体層６の内、金属箔５の表面上の平坦な領域（２つの中心位置Ｐ１，Ｐ１間の領域）に形成された部分は、堆積層の重ね合わせによって形成された部分である。従って、重なり部分の面積や各粉末噴射部４の吐出量を調整することにより、該部分の膜厚ムラを小さくすることが出来る。又、誘電体層６の内、金属箔５の表面上の湾曲した領域（位置Ｐ１，Ｐ２間の領域）に形成された部分では、図６や図８に示されるのと同様、膜厚ムラが小さくなる。従って、本変形例の成膜装置によれば、幅の広い誘電体層６を形成しつつ、該誘電体層６全体の膜厚ムラを低減させることが出来る。
【００４３】
尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例えば、上記成膜装置及び成膜法において、ノズルの先端形状には、円形以外の種々の形状、例えば長方形や楕円形を採用することが出来る。又、上記成膜装置の各種構成及び成膜法の各種態様は、金属箔５に限定されない種々のシート基材の表面上に誘電体層を形成する場合にも適用することが出来る。
【００４４】
成膜装置が備える粉末噴射部には、気体の流れを利用して誘電体粉末を噴射することが可能な種々の構成を採用することが出来る。即ち、成膜法において、ＰＪＤ法に限らず、ＡＤ法等、種々の粉末噴射コーティング法を採用することが出来る。
【００４５】
更に、上記成膜装置において、曲げ部として機能するステージ３に代えて、搬送部２を構成する一対のテンションローラ２３，２３（図１参照）として樽形状又は鼓形状のローラを用いてもよい。樽形状のテンションローラ２３，２３によれば、金属箔５を凸面状に湾曲させることが出来る。一方、鼓形状のテンションローラ２３，２３によれば、金属箔５を凹面状に湾曲させることが出来る。この構成においては、樽形状又は鼓形状のテンションローラ２３，２３が曲げ部として機能することになる。尚、曲げ部は、表面３１が湾曲したステージ３や、樽形状又は鼓形状のテンションローラ２３，２３に限られるものではない。
【００４６】
上記成膜装置において、搬送部２を用いて金属箔５を搬送することに代えて、駆動部によってノズル４１を金属箔５の表面に沿って往復移動させてもよい。この構成においても、金属箔５の表面の広い範囲に亘って、膜厚ムラの小さい誘電体層６が形成されることになる。
【符号の説明】
【００４７】
２ 搬送部
３ ステージ
３１ 表面
４ 粉末噴射部
４１ ノズル
４１０ 先端
５ 金属箔
６ 誘電体層
Ｄ 搬送方向
Ｐ１，Ｐ２ 位置
Ｌ 距離
Ｖ 堆積速度
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜法及び成膜装置に関し、特に薄膜キャパシタの誘電体層を形成するための成膜技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願に関連する技術として、絶縁基板内にシート状の薄膜キャパシタを埋め込む技術が存在する。この技術により作製された基板は、コンデンサ内蔵基板と呼ばれ、薄膜キャパシタの高密度化が可能である。ここで、薄膜キャパシタは、電極箔と、該電極箔上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された電極層とから構成されている。
【０００３】
この種の薄膜キャパシタにおいては、誘電体層の形成に、ゾル‐ゲル法、ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、スパッタリング蒸着法、粉末噴射コーティング法等、周知の種々の成膜法が用いられる。ここで、粉末噴射コーティング法は、気体の流れを利用して、粉末を電極箔等のターゲットの表面に噴き付け、これにより該ターゲットの表面上に粉末を堆積させて薄膜を形成する方法である。粉末噴射コーティング法には、ＰＪＤ（Powder Jet Deposition）法やＡＤ（Aerosol Deposition）法（例えば、特許文献１参照）等の方法が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２４９４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
粉末噴射コーティング法は、他の成膜法に比べて緻密な薄膜を形成することが可能であり、誘電体層の形成に適している。その一方で、粉末噴射コーティング法を用いて形成された誘電体層には、膜厚ムラが発生し易かった。具体的には、誘電体層の内、該誘電体層の外周縁に近い領域の膜厚が、中央付近の領域の膜厚よりも小さく又は大きくなり易かった。この様な膜厚ムラが発生すると、誘電体層の表面の内、電極層を形成することが可能な領域の面積（有効面積）が減少することになる。
【０００６】
そこで本発明の目的は、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体層を形成する成膜法及び成膜装置において、誘電体層の膜厚ムラを低減させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る成膜法は、粉末噴射コーティング法を用いて、シート基材の表面上に誘電体層を形成する方法であり、工程（ａ）と工程（ｂ）とを有している。工程（ａ）では、前記シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。工程（ｂ）では、前記シート基材の湾曲した表面上に、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体粉末を堆積させることにより、前記誘電体層を形成する。
【０００８】
上記成膜法の具体的態様において、前記工程（ａ）では、凸面状又は凹面状を呈する表面を有した曲げ部の該表面に、前記シート基材を密着させることにより、前記曲げ部の表面に沿ってシート基材を湾曲させる。
【０００９】
上記成膜法の他の具体的態様において、該成膜法は、前記工程（ａ）及び工程（ｂ）に並行して実行される工程（ｃ）を更に有している。工程（ｃ）では、前記シート基材を所定方向へ搬送し、又は前記誘電体粉末を噴射させるノズルを所定方向において往復移動させる。そして、工程（ａ）では、前記所定方向に沿う軸周りに前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。
【００１０】
本発明に係る成膜装置は、シート基材の表面上に誘電体粉末を堆積させることにより、該表面上に誘電体層を形成する装置であり、曲げ部と、粉末噴射部とを備えている。曲げ部は、前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。粉末噴射部は、前記曲げ部によって曲げられたシート基材の湾曲した表面に向けて、前記誘電体粉末を噴射する。具体的には、粉末噴射部は、気体と誘電体粉末とを混合すると共に前記気体に流れを発生させることにより、該気体の流れを利用して前記誘電体粉末を噴射する。
【００１１】
上記成膜装置の具体的構成において、該成膜装置は、シート基材を所定方向へ搬送する搬送部、又は、前記誘電体粉末を噴射させる粉末噴射部のノズルを所定方向において往復移動させる駆動部を更に備えている。そして、前記曲げ部は、前記所定方向に沿う軸周りに前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る成膜法及び成膜装置によれば、誘電体層の膜厚ムラを低減させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る成膜装置を示した図である。
【図２】上記成膜装置においてステージの表面が平坦な構成を、金属箔の搬送方向から見て示した図である。
【図３】図２に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層を示した図である。
【図４】図２に示される成膜装置について、ノズルの先端から金属箔の表面までの距離と、誘電体粉末の堆積速度との関係の一例を示した図である。
【図５】上記実施形態に係る成膜装置について、ステージの表面形状の一例を、金属箔の搬送方向から見て示した図である。
【図６】図５に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層を示した図である。
【図７】上記実施形態に係る成膜装置について、ステージの表面形状の他の例を、金属箔の搬送方向から見て示した図である。
【図８】図７に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層を示した図である。
【図９】図２に示される成膜装置について、ノズルの先端から金属箔の表面までの距離と、誘電体粉末の堆積速度との関係の他の例を示した図である。
【図１０】上記成膜装置の第１変形例を示した図である。
【図１１】第１変形例に係る成膜装置について、ステージの表面形状の他の例を、金属箔の搬送方向から見て示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態として、シート基材である金属箔の表面上に誘電体層を形成する成膜法、及び該成膜法に用いられる成膜装置について、図面に沿って具体的に説明する。尚、本実施形態の成膜法では、粉末噴射コーティング法であるＰＪＤ法が採用されている。
【００１５】
図１は、本実施形態の成膜装置を示した図である。図１に示す様に、成膜装置は、搬送部２、ステージ３、及び粉末噴射部４を備えている。
【００１６】
搬送部２は、第１駆動ローラ２１、第２駆動ローラ２２、及び一対のテンションローラ２３，２３を有している。第１駆動ローラ２１には、ロール状に巻回された金属箔５が取り付けられている。一方、第２駆動ローラ２２には、金属箔５の先端部が巻き付けられている。第１駆動ローラ２１及び第２駆動ローラ２２が同方向に回転することにより、第１駆動ローラ２１から金属箔５が繰り出される一方で、第２駆動ローラ２２によって金属箔５が巻き取られる。テンションローラ２３，２３は、第１駆動ローラ２１と第２駆動ローラ２２との間の位置に設けられており、金属箔５に対してテンションを与えている。尚、金属箔５を構成する金属材料には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）等、箔を形成することが可能であって、且つ薄膜キャパシタの電極となり得る物質が用いられている。
【００１７】
ステージ３は、テンションローラ２３，２３の間の位置にて、該ステージ３の表面３１上を金属箔５が通過することとなる様に設けられている。又、後述する図５及び図７に示す様に、ステージ３の表面３１は、凸面状又は凹面状を呈しており、且つ金属箔５の搬送方向Ｄに沿う軸周りに湾曲している。そして、図示していないが、ステージ３には、真空吸着や静電着等、ステージ３の表面３１に金属箔５を密着させるための手段が設けられている。従って、金属箔５は、ステージ３の表面３１に沿って湾曲することになる。斯くして、ステージ３は、搬送方向Ｄに沿う軸周りに金属箔５を曲げることによって該金属箔５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる曲げ部として機能することになる。尚、ステージ３の表面３１の具体的な形状については後述する。
【００１８】
粉末噴射部４は、圧縮ガスと誘電体粉末とを混合すると共に圧縮ガスに流れを発生させることにより、該圧縮ガスの流れを利用して誘電体粉末を噴射する。ここで、粉末噴射部４は、誘電体粉末を噴射させるノズル４１を有しており、誘電体粉末は、ノズル４１の先端４１０から高速で吐出される。尚、圧縮ガスには、例えば高圧の窒素ガスが用いられる。又、誘電体粉末には、チタン酸バリウム(BaTiO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、ホウ酸リチウム(Li2B4O7)、チタン酸ジルコン酸鉛(PbZrTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PbLaZrTiO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タンタル(Ta2O5)等を主成分とする種々の誘電体材料を用いることが出来る。
【００１９】
図１に示す様に、ノズル４１の先端４１０は、ステージ３の表面３１の方へ向けられている。即ち、ノズル４１の先端４１０は、ステージ３によって曲げられた金属箔５の湾曲した表面の方へ向けられている（図５及び図７参照）。
【００２０】
上記成膜装置によれば、ノズル４１の先端４１０から噴射された誘電体粉末が、ステージ３上の金属箔５の表面に噴き付けられる。これにより、金属箔５の表面に誘電体粉末が衝突して破砕し、又、誘電体粉末どうしが衝突して破砕し、その結果、金属箔５の表面上に微細な誘電体粒子が緻密に堆積することになる。斯くして、金属箔５の表面上に誘電体層６が形成されることになる（図６及び図８参照）。
【００２１】
次に、ステージ３の表面３１の形状について、図面に沿って具体的に説明する。ここで、先ず、上記成膜装置においてステージ３の表面３１が平坦な場合について、図２及び図３を用いて説明する。図２に示す様に、この成膜装置においては、ステージ３の表面３１上において金属箔５の表面は平坦なままである。そして、図３に示す様に、この成膜装置を用いて金属箔５の表面上に誘電体層６を形成した場合、誘電体層６の膜厚は、端に行くに従って小さくなる。即ち、金属箔５の表面上の位置に応じて誘電体層６の膜厚が変化する。従って、誘電体層６に膜厚ムラが生じることになる。
【００２２】
これは、金属箔５の表面上の位置に応じて、誘電体粉末の堆積速度Ｖが変化するからである。具体的には、ノズル４１内を誘電体粉末が流れているとき、ノズル４１の中心位置での流速に比べて、ノズル４１の内周面４１ａ（図２参照）近傍の位置での流速が小さくなる。このため、金属箔５の表面の内、誘電体層６が形成される領域の中心位置Ｐ１（図２及び図３参照）での堆積速度Ｖよりも、該領域の両端近傍の２つの位置Ｐ２，Ｐ２（図２及び図３参照）での堆積速度Ｖの方が小さくなる。
【００２３】
一方、金属箔５の表面上の位置ごとに、誘電体粉末の堆積速度Ｖは、ノズル４１の先端４１０から金属箔５の表面までの距離Ｌ（図２参照）にも依存し、該距離Ｌに応じて変化する。これは、金属箔５の表面に誘電体粉末が衝突するときの速度（衝突速度）が、距離Ｌに応じて変化するからである。具体的には、距離Ｌを小さくした場合、ノズル４１の先端４１０と金属箔５との間の隙間が小さくなって圧損が生じ、このため衝突速度が小さくなる。又、距離Ｌを大きくした場合、誘電体粉末は空気抵抗を受け易くなり、このため衝突速度が小さくなる。そして、衝突速度が小さくなると、誘電体粉末の一部が、金属箔５の表面上に堆積されずに浮遊し、従って堆積速度Ｖが小さくなる。
【００２４】
図４は、図２に示される成膜装置について、距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係の一例を、金属箔５の表面上の位置ごとにグラフで示した図である。図４では、位置Ｐ１での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がグラフＧ１で示され、位置Ｐ２での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がグラフＧ２で示されている。
【００２５】
ここで、図４に示す様に、グラフＧ１，Ｇ２の何れにも交わるＶ＝Ｖ０（定数）の直線Ｇ０を考えることにより、次のことが分かる。即ち、距離Ｌの増加に伴って堆積速度Ｖが増加する領域（距離Ｌが小さい領域）においては、堆積速度Ｖが位置Ｐ１，Ｐ２の両方で同じ値Ｖ０となるのは、位置Ｐ１での距離Ｌの値がＬａ（１）となり、且つ位置Ｐ２での距離Ｌの値がＬｂ（１）となるときである。このとき、距離Ｌｂ（１）は、距離Ｌａ（１）より大きくなる。
【００２６】
一方、距離Ｌの増加に伴って堆積速度Ｖが減少する領域（距離Ｌが大きい領域）においては、堆積速度Ｖが位置Ｐ１，Ｐ２の両方で同じ値Ｖ０となるのは、位置Ｐ１での距離Ｌの値がＬａ（２）となり、且つ位置Ｐ２での距離Ｌの値がＬｂ（２）となるときである。このとき、距離Ｌｂ（２）は、距離Ｌａ（２）より小さくなる。
【００２７】
そこで、本実施形態の成膜装置においては、ステージ３の表面３１の形状が、以下の様に湾曲した形状に設定されている。
図５は、ステージ３の表面３１の形状の一例を、金属箔５の搬送方向Ｄ（図１参照）から見て示した図である。図６は、図５に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層６を示した図である。図５に示す様に、金属箔５の表面上の位置Ｐ１において距離Ｌの値がＬａ（１）となり、且つ２つの位置Ｐ２，Ｐ２において距離Ｌの値がＬｂ（１）（＞Ｌａ（１））となる様に、ステージ３の表面３１の形状が、凸面状に湾曲した形状に設定されている。
【００２８】
図５に示される成膜装置によれば、金属箔５は、ステージ３の表面３１上にて該表面３１に沿って凸面状に湾曲する。そして、金属箔５の表面の内、少なくとも位置Ｐ１及び位置Ｐ２，Ｐ２の３つの位置において、堆積速度Ｖが略一致することになる。従って、金属箔５の表面上の位置に対する誘電体粉末の堆積速度Ｖの変化が小さくなり、その結果、図６に示す様に、形成される誘電体層６の膜厚ムラが低減することになる。
【００２９】
図７は、ステージ３の表面３１の形状の他の例を、金属箔５の搬送方向Ｄ（図１参照）から見て示した図である。図８は、図７に示される成膜装置を用いて形成される誘電体層６を示した図である。図７に示す様に、金属箔５の表面上の位置Ｐ１において距離Ｌの値がＬａ（２）となり、且つ２つの位置Ｐ２，Ｐ２において距離Ｌの値がＬｂ（２）（＜Ｌａ（２））となる様に、ステージ３の表面３１の形状が、凹面状に湾曲した形状に設定されていてもよい。
【００３０】
図７に示される成膜装置によれば、金属箔５は、ステージ３の表面３１上にて該表面３１に沿って凹面状に湾曲する。そして、金属箔５の表面の内、少なくとも位置Ｐ１及び位置Ｐ２，Ｐ２の３つの位置において、堆積速度Ｖが略一致することになる。従って、金属箔５の表面上の位置に対する誘電体粉末の堆積速度Ｖの変化が小さくなり、その結果、図８に示す様に、形成される誘電体層６の膜厚ムラが低減することになる。
【００３１】
尚、図５に示す如く金属箔５の表面を凸面状に湾曲させることにより、成膜時において、ノズル４１の先端４１０から誘電体粉末と共に吐出される圧縮ガスが、金属箔５の表面に沿って流れてステージ３の斜め後方へと導かれることになる。よって、金属箔５の表面において圧縮ガスが反射され難く、従って、圧縮ガスによる誘電体粉末の流れの妨げが生じ難くなる。
【００３２】
又、本実施形態の成膜装置においては、金属箔５を搬送しながら該金属箔５の表面上に誘電体層６が形成される。従って、本実施形態の成膜装置によれば、金属箔５の表面の広い範囲に亘って誘電体層６を形成することが可能である。ここで、金属箔５を一定速度で搬送することにより、搬送方向Ｄについて誘電体層６の膜厚ムラが小さくなる。又、本実施形態の成膜装置によれば、上述した様に（図６及び図８参照）、搬送方向Ｄに対して略垂直な方向についての誘電体層６の膜厚ムラが小さくなる。従って、誘電体層６全体に亘って膜厚ムラが低減されることになる。
【００３３】
位置Ｐ１，Ｐ２での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がそれぞれ、図４のグラフＧ１，Ｇ２によって表された関係と異なる場合にも、上述したのと同様の考え方を適用して、ステージ３の表面３１の形状を、凸面状又は凹面状に湾曲した形状に設定すればよい。
【００３４】
例えば、図９に示す様に、位置Ｐ１での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がグラフＧ２で表され、位置Ｐ２での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係がグラフＧ１で表される場合を考える。この場合、距離Ｌｂ（１）が距離Ｌａ（１）より小さくなる。又、距離Ｌｂ（２）が距離Ｌａ（２）より大きくなる。そこで、金属箔５の表面上の位置Ｐ１において距離Ｌの値がＬａ（１）となり、且つ２つの位置Ｐ２，Ｐ２において距離Ｌの値がＬｂ（１）（＜Ｌａ（１））となる様に、ステージ３の表面３１の形状を、凹面状に湾曲した形状に設定する。或いは、金属箔５の表面上の位置Ｐ１において距離Ｌの値がＬａ（２）となり、且つ２つの位置Ｐ２，Ｐ２において距離Ｌの値がＬｂ（２）（＞Ｌａ（２））となる様に、ステージ３の表面３１の形状を、凸面状に湾曲した形状に設定してもよい。
【００３５】
又、図４や図９に示される位置Ｐ１，Ｐ２での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係に加えて、位置Ｐ１，Ｐ２とは異なる１又は複数の位置での距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係をも用いて、ステージ３の表面３１の形状を設定してもよい。これにより、金属箔５の表面上の位置に対する堆積速度Ｖの変化がより小さくなり、その結果、形成される誘電体層６の膜厚ムラが更に低減されることになる。尚、位置Ｐ１，Ｐ２に限らず、金属箔５の表面上の複数の位置において堆積速度Ｖを略一致させることにより、金属箔５の表面上の位置に対する堆積速度Ｖの変化を小さくしてもよい。
【００３６】
斯くして、本実施形態の成膜装置においては、ステージ３が、金属箔５を曲げる曲げ部として機能することにより、金属箔５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させ、これにより、ノズル４１の先端４１０から金属箔５の表面までの距離Ｌを、該表面上の位置に応じて変化させている。
【００３７】
そして、上述した成膜装置を用いることにより、搬送工程、曲げ工程、及び成膜工程を有する成膜法が実行されることになる。即ち、搬送工程は、曲げ工程及び成膜工程に並行して実行される工程であり、搬送工程では、金属箔５が所定方向（搬送方向Ｄ）へ搬送される。
【００３８】
曲げ工程では、金属箔５の搬送方向Ｄに沿う軸周りに金属箔５を曲げることにより、該金属箔５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。これにより、誘電体粉末が噴射されるノズル４１の先端４１０から金属箔５の表面までの距離Ｌを、該表面上の位置に応じて変化させる。具体的には、金属箔５の表面上の複数の位置において誘電体粉末の堆積速度Ｖが略一致する様に、該表面上の位置ごとに距離Ｌを変化させる。
【００３９】
成膜工程では、金属箔５の湾曲した表面上に、ノズル４１の先端４１０から噴射された誘電体粉末を堆積させる。これにより、金属箔５の表面上に誘電体層６が形成される。
【００４０】
図１０は、上記成膜装置の第１変形例を示した図である。図１０に示す様に、図１に示される成膜装置において、粉末噴射部４の複数が並列に配置されていてもよい。具体的には、隣接する２つの粉末噴射部４，４は、これらが金属箔５の表面上に形成する誘電体粉末の堆積層の端部どうしが互いに重なり合う様に、配置されている。そして、本変形例の成膜装置によれば、複数の粉末噴射部４〜４によって形成される堆積層の重ね合わせにより、１つの誘電体層６が形成されることになる。
【００４１】
又、図１０に示される成膜装置においては、ステージ３の表面３１の形状が、並列配置された複数の粉末噴射部４〜４の内、最も外側に位置する２つの粉末噴射部４Ａ，４Ａに対応する距離Ｌと堆積速度Ｖとの関係（図４参照）を用いて、設定されている。具体的には、金属箔５の表面の内、各粉末噴射部４Ａによって堆積層が形成される領域の中心位置Ｐ１と、該領域の最も外側に位置する端近傍の位置Ｐ２とにおいて、誘電体粉末の堆積速度Ｖが略一致する様に、ステージ３の表面３１の一部が凸面状に湾曲している。又、ステージ３の表面３１には、金属箔５の表面が２つの中心位置Ｐ１，Ｐ１間の領域において平坦となる様に、平坦な部分が存在している。尚、ステージ３の表面３１の内、凸面状に湾曲している部分は、図１１に示す様に凹面状に湾曲していてもよい。
【００４２】
本変形例の成膜装置によって形成される誘電体層６の内、金属箔５の表面上の平坦な領域（２つの中心位置Ｐ１，Ｐ１間の領域）に形成された部分は、堆積層の重ね合わせによって形成された部分である。従って、重なり部分の面積や各粉末噴射部４の吐出量を調整することにより、該部分の膜厚ムラを小さくすることが出来る。又、誘電体層６の内、金属箔５の表面上の湾曲した領域（位置Ｐ１，Ｐ２間の領域）に形成された部分では、図６や図８に示されるのと同様、膜厚ムラが小さくなる。従って、本変形例の成膜装置によれば、幅の広い誘電体層６を形成しつつ、該誘電体層６全体の膜厚ムラを低減させることが出来る。
【００４３】
尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例えば、上記成膜装置及び成膜法において、ノズルの先端形状には、円形以外の種々の形状、例えば長方形や楕円形を採用することが出来る。又、上記成膜装置の各種構成及び成膜法の各種態様は、金属箔５に限定されない種々のシート基材の表面上に誘電体層を形成する場合にも適用することが出来る。
【００４４】
成膜装置が備える粉末噴射部には、気体の流れを利用して誘電体粉末を噴射することが可能な種々の構成を採用することが出来る。即ち、成膜法において、ＰＪＤ法に限らず、ＡＤ法等、種々の粉末噴射コーティング法を採用することが出来る。
【００４５】
更に、上記成膜装置において、曲げ部として機能するステージ３に代えて、搬送部２を構成する一対のテンションローラ２３，２３（図１参照）として樽形状又は鼓形状のローラを用いてもよい。樽形状のテンションローラ２３，２３によれば、金属箔５を凸面状に湾曲させることが出来る。一方、鼓形状のテンションローラ２３，２３によれば、金属箔５を凹面状に湾曲させることが出来る。この構成においては、樽形状又は鼓形状のテンションローラ２３，２３が曲げ部として機能することになる。尚、曲げ部は、表面３１が湾曲したステージ３や、樽形状又は鼓形状のテンションローラ２３，２３に限られるものではない。
【００４６】
上記成膜装置において、搬送部２を用いて金属箔５を搬送することに代えて、駆動部によってノズル４１を金属箔５の表面に沿って往復移動させてもよい。この構成においても、金属箔５の表面の広い範囲に亘って、膜厚ムラの小さい誘電体層６が形成されることになる。
【符号の説明】
【００４７】
２ 搬送部
３ ステージ
３１ 表面
４ 粉末噴射部
４１ ノズル
４１０ 先端
５ 金属箔
６ 誘電体層
Ｄ 搬送方向
Ｐ１，Ｐ２ 位置
Ｌ 距離
Ｖ 堆積速度
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末噴射コーティング法を用いて、シート基材の表面上に誘電体層を形成する方法であって、
（ａ）前記シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる工程と、
（ｂ）前記シート基材の湾曲した表面上に、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体粉末を堆積させることにより、前記誘電体層を形成する工程と
を有する、成膜法。
【請求項２】
前記工程（ａ）では、凸面状又は凹面状を呈する表面を有した曲げ部の該表面に、前記シート基材を密着させることにより、前記曲げ部の表面に沿ってシート基材を湾曲させる、請求項１に記載の成膜法。
【請求項３】
（ｃ）前記工程（ａ）及び工程（ｂ）に並行して、前記シート基材を所定方向へ搬送し、又は前記誘電体粉末を噴射させるノズルを所定方向において往復移動させる工程を更に有し、
前記工程（ａ）では、前記所定方向に沿う軸周りに前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる、
請求項１又請求項２に記載の成膜法。
【請求項４】
シート基材の表面上に誘電体粉末を堆積させることにより、該表面上に誘電体層を形成する成膜装置であって、
前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる曲げ部と、
前記曲げ部によって曲げられたシート基材の湾曲した表面に向けて、前記誘電体粉末を噴射する粉末噴射部と
を備える、成膜装置。
【請求項５】
前記シート基材を所定方向へ搬送する搬送部、又は、前記誘電体粉末を噴射させる粉末噴射部のノズルを所定方向において往復移動させる駆動部を更に備え、
前記曲げ部は、前記所定方向に沿う軸周りに前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる、
請求項４に記載の成膜装置。
【請求項１】
粉末噴射コーティング法を用いて、シート基材の表面上に誘電体層を形成する方法であって、
（ａ）前記シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる工程と、
（ｂ）前記シート基材の湾曲した表面上に、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体粉末を堆積させることにより、前記誘電体層を形成する工程と
を有する、成膜法。
【請求項２】
前記工程（ａ）では、凸面状又は凹面状を呈する表面を有した曲げ部の該表面に、前記シート基材を密着させることにより、前記曲げ部の表面に沿ってシート基材を湾曲させる、請求項１に記載の成膜法。
【請求項３】
（ｃ）前記工程（ａ）及び工程（ｂ）に並行して、前記シート基材を所定方向へ搬送し、又は前記誘電体粉末を噴射させるノズルを所定方向において往復移動させる工程を更に有し、
前記工程（ａ）では、前記所定方向に沿う軸周りに前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる、
請求項１又請求項２に記載の成膜法。
【請求項４】
シート基材の表面上に誘電体粉末を堆積させることにより、該表面上に誘電体層を形成する成膜装置であって、
前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる曲げ部と、
前記曲げ部によって曲げられたシート基材の湾曲した表面に向けて、前記誘電体粉末を噴射する粉末噴射部と
を備える、成膜装置。
【請求項５】
前記シート基材を所定方向へ搬送する搬送部、又は、前記誘電体粉末を噴射させる粉末噴射部のノズルを所定方向において往復移動させる駆動部を更に備え、
前記曲げ部は、前記所定方向に沿う軸周りに前記シート基材を曲げることにより、該シート基材の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる、
請求項４に記載の成膜装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−２０１９７０（Ｐ２０１２−２０１９７０Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７０４６４（Ｐ２０１１−７０４６４）
【出願日】平成２３年３月２８日（２０１１．３．２８）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２８日（２０１１．３．２８）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【Ｆターム（参考）】
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