成膜装置および成膜方法
【課題】効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置と、効率的な成膜方法とを提供する。
【解決手段】成膜装置１は、成膜室２内に載置された基板に成膜処理を行う。成膜室２には、第１の開閉部３を介して基板待機部４が接続しており、基板待機部４と成膜室２の間で複数の基板が載置されたサセプタを自動的に搬送する基板−サセプタ搬送用ロボット１７を有する。成膜室２の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部５が設けられている。
【解決手段】成膜装置１は、成膜室２内に載置された基板に成膜処理を行う。成膜室２には、第１の開閉部３を介して基板待機部４が接続しており、基板待機部４と成膜室２の間で複数の基板が載置されたサセプタを自動的に搬送する基板−サセプタ搬送用ロボット１７を有する。成膜室２の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部５が設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、減圧エピタキシャル気相成長のように大気と異なる圧力や雰囲気の下で基板を処理することが行われている。例えば、特許文献１には、大気側に開閉可能なゲートを備えた出入口ポートと、出入口ポートに連接するプラットフォームと、プラットフォームに連接する複数の処理チャンバとを備えたマルチチャンバ型枚葉処理装置が開示されている。
【０００３】
特許文献１の装置では、処理チャンバで基板が処理されている間に、出入口ポートのゲートが開かれて、処理済みの基板と未処理の基板との受け渡しが行われる。その後、ゲートが閉じられ、出入口ポート内の圧力または雰囲気がプラットフォーム内の圧力または雰囲気と同じになってから、これらの間にあるゲートが開かれる。そして、いずれか１つの処理チャンバの処理が終了した後に、この処理チャンバとプラットフォームとを接続するゲートが開いて、処理チャンバ内にある処理済みの基板と出入口ポート内にある未処理の基板との受け渡しが行われる。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−５５１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の枚葉型の成膜装置では、処理チャンバ内に基板が１枚ずつ搬入され、１枚毎の基板について成膜処理が行われていた。例えば、特許文献１の装置では、出入口ポートに１枚の基板が搬入された後、プラットフォームを介して処理チャンバ内にこの基板が搬入される。処理チャンバ内では、搬入された１枚の基板について成膜処理が行われる。処理を終えた後は、基板が処理チャンバ内から取り出され、プラットフォームを介して出入口ポートへと搬出される。一方、処理チャンバ内へは別の１枚の基板が搬入され、この基板について成膜処理が行われる。したがって、各処理チャンバでの処理中に出入口ポートと外部との間で基板の受け渡しができても、処理チャンバ内では１枚ずつの基板しか処理されないので、装置の稼働率を十分に向上させることができなかった。
【０００６】
また、処理チャンバ内での処理の際には、基板だけでなく、基板を支持しているサセプタの表面にも膜が形成される。この膜が剥離するとダストとなり、基板上に形成される膜に欠陥を生じさせるので、サセプタを定期的に洗浄して膜を除去する必要がある。そこで、従来は、サセプタに形成された膜が所定の厚さになったところで成膜処理を停止し、処理チャンバ内において、サセプタ上の膜をエッチング除去していた。こうした作業は、サセプタを洗浄する度に行わなければならず、処理チャンバ内における成膜処理の効率を低下させる原因となっていた。
【０００７】
特に、パワーエレクトロニクス技術の分野においては、高電圧素子用のエピタキシャル膜として１０μm以上の厚膜が要求されている。例えば、３０kVの耐電圧を得るには、２００μm以上の膜厚のエピタキシャル膜であることが必要となる。こうした厚さの膜を形成する場合、サセプタの表面に形成される膜も厚くなる。このため、サセプタの洗浄を頻繁に行わなければならず、成膜処理の効率低下は深刻なものとなっていた。
【０００８】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の目的は、効率的な成膜方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様は、成膜室内に載置される基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
前記成膜室に開閉部を介して接続する基板待機部と、
前記基板待機部と前記成膜室の間で複数の基板が載置されるサセプタを自動的に搬送する搬送手段と、
前記成膜室の外部に設けられて、前記成膜処理を終えた後の前記サセプタを洗浄する洗浄部とを有し、
前記基板待機部には、前記成膜室から搬出された前記サセプタおよび前記基板を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の第１の態様において、前記加熱手段は、前記搬送手段の前記サセプタが載置される部分を加熱することができる。
【００１３】
本発明の第２の態様は、複数の基板が載置されるサセプタを成膜室内に自動的に搬送し、前記複数の基板に対して同時に成膜処理を行った後、前記成膜室に開閉部を介して接続する基板待機部に前記基板および前記サセプタを搬送し、次いで、該サセプタの表面に付着した膜を前記成膜室の外部に設けられた洗浄部で除去することを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第２の態様では、前記基板待機部に加熱手段が設けられていて、該加熱手段を作動させて前記成膜室内と前記基板待機部内とが所定の温度差となったところで前記開閉部を開き、前記成膜室から前記基板待機部に前記基板および前記サセプタを搬送することができる。
【００１５】
本発明の第２の態様では、前記成膜処理を行っている間に、前記基板待機部に前記洗浄部で洗浄された別のサセプタに複数の別の基板を載置して入れ、前記成膜処理を終えた基板およびサセプタに代えて前記成膜室で新たな成膜処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の第１の態様によれば、基板待機部と成膜室の間で複数の基板が載置されたサセプタを自動的に搬送する搬送手段が設けられているので、複数の基板に対して同時に成膜処理を行うことができる。また、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部を成膜室の外部に備えているので、サセプタを洗浄する度に成膜処理を中断する必要がない。さらに、基板待機部には、成膜室から搬出されたサセプタおよび基板を加熱する加熱手段が設けられているので、成膜室内の温度が比較的高い状態で開閉部を開いて、基板やサセプタを成膜室から取り出すことができる。
【００１７】
本発明の第２の態様によれば、複数の基板に対して同時に成膜処理を行うので、１枚ずつ基板を処理する方法に比べて効率的に成膜することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本実施の形態における成膜装置の模式的な平面図である。
【００１９】
図１に示すように、成膜装置１は、サセプタ上に載置された基板の表面に膜を形成する成膜室２と、第１の開閉部３を介して成膜室２に接続する基板待機部４と、成膜室２から基板待機部４を通って取り出されたサセプタを洗浄する洗浄部５とを有する。ここで、第１の開閉部３は、本発明の成膜装置における「開閉部」に対応する。成膜室２では、例えば、反応ガスが導入されて基板の表面にエピタキシャル膜が形成される。また、蒸着やスパッタによって基板上に膜が形成されるようにしてもよい。
【００２０】
成膜装置１の特徴の１つは、成膜室２内に複数の基板を搬入し、これらの基板に対して同時に成膜処理を行う点にある。すなわち、本発明では、枚葉処理とバッチ処理を組み合わせて成膜を行う。これにより、従来の枚葉型成膜装置で１枚ずつ行っていた処理が複数枚ずつ行えるようになるので、成膜装置１の稼働率を向上させることができる。
【００２１】
成膜装置１の別の特徴は、成膜室２に連接する基板待機部４を設けた点にある。基板待機部４には、成膜室２から搬出されたサセプタおよび基板を加熱する加熱手段が設けられているので、成膜室２内の温度が比較的高い状態で第１の開閉部３を開いて、基板やサセプタを成膜室２から取り出すことができる。すなわち、成膜室２内の温度が十分に降下するのを待つ必要がないので、成膜装置１の稼働率を向上させて、成膜処理の効率を高めることができる。
【００２２】
成膜装置１の他の特徴は、サセプタを成膜室２から搬出して洗浄部５で洗浄する点にある。これにより、サセプタを洗浄する度に成膜処理を中断する必要がなくなり、成膜処理の効率を高めることができる。
【００２３】
本実施の形態においては、１回の成膜処理が終わるごとに基板と一緒にサセプタを成膜室２から搬出する。尚、所定の回数までは基板のみを搬出し、所定の回数になったところで基板と一緒にサセプタを搬出することも可能である。サセプタを搬出するタイミングは、サセプタの表面に形成される膜の厚さによって決定するのがよい。例えば、サセプタ上に堆積した膜の厚さが１００μmとなったところで、基板と一緒に取り出して、サセプタを洗浄することができる。本発明によれば、サセプタをどのタイミングで搬出しても成膜処理の効率に殆ど影響を与えることがない。したがって、例えば、パワー半導体などの分野で基板上に１０μm以上の厚膜を形成する場合にも、成膜処理の効率を大きく低下することなくサセプタを洗浄することができる。
【００２４】
次に、成膜装置１の動作と本発明による成膜方法について、図１および図２を用いて詳しく説明する。
【００２５】
成膜室２内で基板を支持するサセプタＳは、サセプタ待機チャンバ６内に収納されている。サセプタ待機チャンバ６内のサセプタＳは、成膜室２の外部に設けられた洗浄部５で洗浄されたものである。成膜処理を行う際には、サセプタ搬送用ロボット７によって、サセプタ待機チャンバ６からサセプタＳを取り出し、基板−サセプタ載置部８に載置する。
【００２６】
一方、成膜処理が行われる基板Ｗは、カセット９に収納されている。膜形成を行う際には、基板搬送用ロボット１０によって、カセット９から基板Ｗを取り出し、基板−サセプタ載置部８にあるサセプタＳ上に載置する。ここで、基板Ｗの搬送には、例えば、気体を噴出することにより非接触の状態で基板を搬送可能なベルヌーイチャックなどの方式を採用することができる。また、基板Ｗとしては、例えば、パワー半導体などの用途で使用される３００mmのシリコンウェハなどを挙げることができる。
【００２７】
基板−サセプタ載置部８は、第２の開閉部１１を介して基板待機部４に接続している。また、第３の開閉部１２または第４の開閉部２２を開くことにより、外部から基板ＷやサセプタＳを基板−サセプタ載置部８内に搬出入することができる。したがって、上述した基板ＷおよびサセプタＳを基板−サセプタ載置部８内に載置する際には、第２の開閉部１１を閉じた状態で第３の開閉部１２または第４の開閉部２２を開き、これらを基板−サセプタ載置部８内に搬入する。基板−サセプタ待機部８を設けることにより、外部の空気が成膜室２に直接侵入しないようにすることができる。すなわち、空気中の水分や有機物が成膜室２内に入り込んで、成膜処理に悪影響を及ぼすのを防ぐことができる。尚、第３の開閉部１２と第４の開閉部２２はいずれか一方のみでもよく、基板ＷとサセプタＳを共通の開閉部から搬出入できるようにしてもよい。
【００２８】
成膜装置１には、複数の基板が載置されたサセプタを複数投入することができる。本実施の形態では、基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１と、基板Ｗ２が載置されたサセプタＳ２と、基板Ｗ３が載置されたサセプタＳ３とが投入されている。具体的には、図１に示すように、基板−サセプタ載置部８にサセプタＳ１が、基板待機部４にサセプタＳ２が、成膜室２にサセプタＳ３がそれぞれ搬入されている。ここで、基板Ｗ１は成膜未処理の基板、基板Ｗ２は成膜処理済の基板、基板Ｗ３は成膜中の基板であるとする。以下では、基板Ｗ１とサセプタＳ１を中心に説明する。
【００２９】
本実施の形態におけるサセプタは、複数の基板を載置可能な構造となっている。例えば、図１に示すサセプタＳには、基板Ｗを載置するための基板載置部Ｓｗｓが４個設けられていて、同時に４枚の基板Ｗが載置できるようになっている。サセプタＳ１〜Ｓ３のそれぞれにも、基板Ｗ１〜Ｗ３が４枚ずつ載置されている。サセプタをこのような構造とすることによって、４枚の基板を同時に基板−サセプタ載置部８内に搬入することができる。
【００３０】
サセプタに載置可能な基板の数、すなわち、基板載置部Ｓｗｓの数は、基板の大きさなどに応じて適宜決定することができる。また、成膜室２で形成される膜の膜厚均一性や成膜処理の効率性などの点からも決定される。基板載置部Ｓｗｓの数を多くすることによって、成膜室２に搬入される基板の数が多くなり過ぎると、基板上に形成される膜の膜厚均一性は低下する。一方、基板載置部Ｓｗｓの数が少な過ぎると、成膜室２にあまり基板を搬入することができなくなり、成膜処理の効率性が低下する。３００mmのシリコンウェハの場合、通常は、基板載置部Ｓｗｓの数を１０個以下とすることが好ましく、４個〜５個程度とすることがより好ましい。
【００３１】
基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１を基板−サセプタ載置部８に搬入した後は、第３の開閉部１２および第４の開閉部２２を閉じる。そして、真空ポンプなどを用いて排気口１３から基板−サセプタ載置部８内の空気を排出する。次いで、導入口１４を通じて基板−サセプタ載置部８内に窒素ガスを導入する。尚、窒素ガスに代えてアルゴンガスなどを導入してもよい。
【００３２】
基板待機部４にも、導入口１５と排気口１６が設けられている。導入口１５は、配管（図示せず）を通じて窒素ガスが入ったボンベに接続しており、基板待機部４内に窒素ガスを導入できるようになっている。また、排気口１６は、配管（図示せず）を通じて真空ポンプ（図示せず）に接続しており、基板待機部４内のガスがここから排出されるようになっている。
【００３３】
基板待機部４には、本発明の搬送手段である基板−サセプタ搬送用ロボット１７が設けられている。基板−サセプタ搬送用ロボット１７は、例えば、カーボンにシリコンコートされた耐熱性の材料から構成されている。また、基板−サセプタ搬送用ロボット１７のサセプタが載置される部分には、本発明の加熱手段であるヒータが設けられており、成膜室２から取り出された直後の高温のサセプタや基板が載置されても急激な温度変化を生じさせないような構造となっている。
【００３４】
図２は、本実施の形態で、基板−サセプタ搬送用ロボット１７のサセプタが載置される部分の拡大平面図である。図２において、サセプタ配置部分１７ａは、矩形状の板状部材となっている。図１および図２に示すように、サセプタ配置部分１７ａには、回転部材１７ｂが接続していて、支点部１７ｃからサセプタ配置部分１７ａまでの距離を調節できるよう伸縮可能に構成されている。また、サセプタ配置部分１７ａには、板状部材の内部にヒータ１７ｄが設けられている。ヒータ１７ｄは、電熱線を可撓性の耐熱樹脂で被覆したテープ状の構造をしており、電熱線に電流を流すことにより発熱し、サセプタ配置部分１７ａの温度を調節可能なようになっている。
【００３５】
加熱手段は、ヒータに代えてランプであってもよい。但し、温度調整可能な構造とする。加熱温度は、例えば２５℃〜８００℃とすることができる。基板−サセプタ搬送用ロボット１７には、回転機構等への熱ダメージを防ぐ目的で冷却機構が設けられていることが好ましい。
【００３６】
本実施の形態における加熱手段は、成膜室２から搬出されたサセプタと基板を加熱する手段であればよい。したがって、基板待機部４は、上記の構造に限られるものではなく、基板待機部４の全体を外側から加熱する構造とすることも可能である。但し、基板−サセプタ搬送用ロボット１７に与える熱ダメージを考慮すると、サセプタが載置される部分だけを加熱する構造とする方が好ましい。
【００３７】
基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１を基板−サセプタ載置部８に搬入した後は、基板−サセプタ載置部８内の圧力と雰囲気が基板待機部４内と略等しくなったところで第２の開閉部１１を開く。ここで、基板−サセプタ載置部８内に、基板の周縁部下面を支持する部材を上下２段に平行に配置し固定しておくことによって、サセプタＳ１とサセプタＳ２の交換をスムーズに行うことができる。具体的には、まず、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、基板Ｗ２が載置されたサセプタＳ２を、基板−サセプタ載置部８内に搬入して下段に位置する部材の上に載置する。次に、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、上段に位置する部材の上に載置されたサセプタＳ１を、基板Ｗ１と一緒に基板待機部４内に搬入する。
【００３８】
成膜室２内での処理が終了したら、第１の開閉部３を開き、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、基板Ｗ３が載置されたサセプタＳ３を基板待機部４内に搬送する。このとき、基板−サセプタ搬送用ロボット１７でサセプタＳ３が載置される部分の温度をヒータで上げておくことにより、高温になっている基板Ｗ３やサセプタＳ３に急激な温度変化が加えられるのを防ぐことができる。次いで、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１を成膜室２内に搬入する。
【００３９】
成膜室２にも、導入口１８と排気口１９が設けられている。導入口１８は、配管（図示せず）を通じて反応ガスが入ったボンベや希釈ガスが入ったボンベに接続しており、必要に応じてこれらのガスが適量供給されるようになっている。また、排気口１９は、配管（図示せず）を通じて真空ポンプ（図示せず）に接続しており、成膜室２内のガスがここから排出されるようになっている。
【００４０】
サセプタＳ１は、成膜室２内に設置された回転可能なサセプタ台２０の上に載置される。基板Ｗ１は、ヒータ（図示せず）によって加熱できるようになっており、成膜室２内にサセプタＳ１が置かれた後は、第１の開閉部３を閉じた状態で所定の成膜処理が行われる。図１の例では、同時に４枚の基板に対して成膜処理を行うことができる。
【００４１】
例えば、数１０torrの減圧下で水素ガスを流しながら、ヒータで基板Ｗ１を１１００℃〜１２００℃に加熱する。そして、反応ガスを導入しつつサセプタ台２０を回転させることにより、全ての基板Ｗ１の上に均一な厚さのシリコンのエピタキシャル層を成長させることができる。例えば、パワー半導体の用途では、３００mmのシリコンウェハ上に１０μm以上、多くは１０μm〜１００μm程度の厚膜が形成される。厚膜を形成するには、成膜時の基板の回転数を高くするのがよく、例えば、９００rpm程度の回転数とするのがよい。
【００４２】
成膜処理を終えた後は、第１の開閉部３を開き、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、基板Ｗ１をサセプタＳ１と一緒に成膜室２から基板待機部４に移動させる。このとき、基板−サセプタ搬送用ロボット１７に設けられたヒータによって、サセプタＳ１が載置される部分を所定の温度に加熱しておくことにより、成膜室２内から取り出された直後の基板Ｗ１やサセプタＳ１に急激な温度変化が起こらないようにして、基板Ｗ１や膜にクラックが生じるのを防ぐことができる。また、このようにすることにより、成膜室２内での十分な温度降下を待ってから基板Ｗ１やサセプタＳ１を取り出す必要がなくなるので、成膜装置１の稼働率を向上させることができる。さらに、基板待機部４の内部に搬入された次の基板を処理するまでの加熱時間を短縮することもできる。
【００４３】
例えば、成膜室２内の温度が８００℃程度になったところで第１の開閉部３を開ける。基板−サセプタ搬送用ロボット１７でサセプタＳ１が載置される部分の温度を、ヒータによって５００℃〜６００℃に加熱しておくことにより、サセプタＳ１や基板Ｗ１に急激な温度変化を与えることなく、成膜室２からこれらを取り出すことができる。
【００４４】
サセプタＳ１と基板Ｗ１を取り出した後は、第１の開閉部３を閉じ、ヒータの温度を徐々に下げていく。サセプタＳ１や基板Ｗ１が十分に冷却したら、第２の開閉部１１を開け、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、サセプタＳ１と基板Ｗ１を基板−サセプタ載置部８内に搬送する。
【００４５】
次に、第２の開閉部１１を閉じ、導入口１４から窒素ガスを流して基板−サセプタ載置部８内を大気圧まで戻す。次いで、第３の開閉部１２を開けて、基板搬送用ロボット１０で成膜済の基板Ｗ１板をカセット２１に収納する。一方、サセプタＳ１は、第４の開閉部２２からサセプタ搬送用ロボット７によって洗浄部５に搬送される。
【００４６】
洗浄部５では、サセプタＳ１の表面に形成された膜のエッチング除去が行われる。詳細は図示しないが、洗浄部５にはプラズマ反応チャンバが設けられている。ヒータによりサセプタを所定の温度に加熱するとともに、プラズマ反応チャンバ内のガスを排気口から排出して導入口からエッチングガスを導入する。エッチングガスとしては、例えば、ＣＦ４、Ｎ２ＯおよびＳｉＨ４の混合ガスや、ＳＦ４とＯ２の混合ガスなどを用いることができる。プラズマ反応部に設けられた電極に高周波を印加してプラズマを発生させることにより、サセプタＳ１の表面に堆積した膜や汚れをエッチング除去して、サセプタＳ１を清浄化することができる。尚、エッチングガスとしてＣｌＦ３ガスを使用すれば、加熱が不要となるので、洗浄部５にヒータを設ける必要がなくなる。
【００４７】
サセプタＳ１の洗浄を終えた後は、サセプタ搬送用ロボット７によって、洗浄済のサセプタＳ１をサセプタ待機チャンバ６に搬送する。
【００４８】
尚、説明を省いたが、基板Ｗ２が載置されたサセプタＳ２や、基板Ｗ３が載置されたサセプタＳ３についても、基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１と同様にして基板−サセプタ載置部８から大気中に取り出される。その後、基板Ｗ２や基板Ｗ３は、カセット２１に収納される。また、サセプタＳ２やサセプタＳ３は、洗浄部５で表面に付着した膜や汚れを除去された後、サセプタ待機チャンバ６に収納される。洗浄部５での洗浄は、成膜室２で他の基板（例えば、基板Ｗ１）が処理されている間に行われる。すなわち、洗浄のために成膜処理が中断されることがないので、成膜室２での稼働率を向上させて効率よく成膜することができる。
【００４９】
一方、次に成膜処理が行われる基板ＷとサセプタＳが、カセット９とサセプタ待機チャンバ６から取り出され、上記と同様にして、基板待機部４や基板−サセプタ載置部８に搬入される。例えば、基板Ｗ１の成膜処理を行っている間に、基板待機部４に洗浄部５で洗浄されたサセプタＳ４（図示せず）に複数の基板Ｗ４（図示せず）を載置して入れ、成膜処理を終えた基板Ｗ１およびサセプタＳ１に代えて成膜室２で新たな成膜処理を行うことができる。
【００５０】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本実施の形態における成膜装置の模式的な平面図である。
【図２】本実施の形態でサセプタが載置される部分の平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１ 成膜装置
２ 成膜室
３ 第１の開閉部
４ 基板待機部
５ 洗浄部
６ サセプタ待機チャンバ
７ サセプタ搬送用ロボット
８ 基板−サセプタ載置部
９，２１ カセット
１０ 基板搬送用ロボット
１１ 第２の開閉部
１２ 第３の開閉部
１３，１６，１９ 排気口
１４，１５，１８ 導入口
１７ 基板−サセプタ搬送用ロボット
２０ サセプタ台
２２ 第４の開閉部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、減圧エピタキシャル気相成長のように大気と異なる圧力や雰囲気の下で基板を処理することが行われている。例えば、特許文献１には、大気側に開閉可能なゲートを備えた出入口ポートと、出入口ポートに連接するプラットフォームと、プラットフォームに連接する複数の処理チャンバとを備えたマルチチャンバ型枚葉処理装置が開示されている。
【０００３】
特許文献１の装置では、処理チャンバで基板が処理されている間に、出入口ポートのゲートが開かれて、処理済みの基板と未処理の基板との受け渡しが行われる。その後、ゲートが閉じられ、出入口ポート内の圧力または雰囲気がプラットフォーム内の圧力または雰囲気と同じになってから、これらの間にあるゲートが開かれる。そして、いずれか１つの処理チャンバの処理が終了した後に、この処理チャンバとプラットフォームとを接続するゲートが開いて、処理チャンバ内にある処理済みの基板と出入口ポート内にある未処理の基板との受け渡しが行われる。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−５５１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の枚葉型の成膜装置では、処理チャンバ内に基板が１枚ずつ搬入され、１枚毎の基板について成膜処理が行われていた。例えば、特許文献１の装置では、出入口ポートに１枚の基板が搬入された後、プラットフォームを介して処理チャンバ内にこの基板が搬入される。処理チャンバ内では、搬入された１枚の基板について成膜処理が行われる。処理を終えた後は、基板が処理チャンバ内から取り出され、プラットフォームを介して出入口ポートへと搬出される。一方、処理チャンバ内へは別の１枚の基板が搬入され、この基板について成膜処理が行われる。したがって、各処理チャンバでの処理中に出入口ポートと外部との間で基板の受け渡しができても、処理チャンバ内では１枚ずつの基板しか処理されないので、装置の稼働率を十分に向上させることができなかった。
【０００６】
また、処理チャンバ内での処理の際には、基板だけでなく、基板を支持しているサセプタの表面にも膜が形成される。この膜が剥離するとダストとなり、基板上に形成される膜に欠陥を生じさせるので、サセプタを定期的に洗浄して膜を除去する必要がある。そこで、従来は、サセプタに形成された膜が所定の厚さになったところで成膜処理を停止し、処理チャンバ内において、サセプタ上の膜をエッチング除去していた。こうした作業は、サセプタを洗浄する度に行わなければならず、処理チャンバ内における成膜処理の効率を低下させる原因となっていた。
【０００７】
特に、パワーエレクトロニクス技術の分野においては、高電圧素子用のエピタキシャル膜として１０μm以上の厚膜が要求されている。例えば、３０kVの耐電圧を得るには、２００μm以上の膜厚のエピタキシャル膜であることが必要となる。こうした厚さの膜を形成する場合、サセプタの表面に形成される膜も厚くなる。このため、サセプタの洗浄を頻繁に行わなければならず、成膜処理の効率低下は深刻なものとなっていた。
【０００８】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の目的は、効率的な成膜方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様は、成膜室内に載置される基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
前記成膜室に開閉部を介して接続する基板待機部と、
前記基板待機部と前記成膜室の間で複数の基板が載置されるサセプタを自動的に搬送する搬送手段と、
前記成膜室の外部に設けられて、前記成膜処理を終えた後の前記サセプタを洗浄する洗浄部とを有し、
前記基板待機部には、前記成膜室から搬出された前記サセプタおよび前記基板を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の第１の態様において、前記加熱手段は、前記搬送手段の前記サセプタが載置される部分を加熱することができる。
【００１３】
本発明の第２の態様は、複数の基板が載置されるサセプタを成膜室内に自動的に搬送し、前記複数の基板に対して同時に成膜処理を行った後、前記成膜室に開閉部を介して接続する基板待機部に前記基板および前記サセプタを搬送し、次いで、該サセプタの表面に付着した膜を前記成膜室の外部に設けられた洗浄部で除去することを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第２の態様では、前記基板待機部に加熱手段が設けられていて、該加熱手段を作動させて前記成膜室内と前記基板待機部内とが所定の温度差となったところで前記開閉部を開き、前記成膜室から前記基板待機部に前記基板および前記サセプタを搬送することができる。
【００１５】
本発明の第２の態様では、前記成膜処理を行っている間に、前記基板待機部に前記洗浄部で洗浄された別のサセプタに複数の別の基板を載置して入れ、前記成膜処理を終えた基板およびサセプタに代えて前記成膜室で新たな成膜処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の第１の態様によれば、基板待機部と成膜室の間で複数の基板が載置されたサセプタを自動的に搬送する搬送手段が設けられているので、複数の基板に対して同時に成膜処理を行うことができる。また、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部を成膜室の外部に備えているので、サセプタを洗浄する度に成膜処理を中断する必要がない。さらに、基板待機部には、成膜室から搬出されたサセプタおよび基板を加熱する加熱手段が設けられているので、成膜室内の温度が比較的高い状態で開閉部を開いて、基板やサセプタを成膜室から取り出すことができる。
【００１７】
本発明の第２の態様によれば、複数の基板に対して同時に成膜処理を行うので、１枚ずつ基板を処理する方法に比べて効率的に成膜することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本実施の形態における成膜装置の模式的な平面図である。
【００１９】
図１に示すように、成膜装置１は、サセプタ上に載置された基板の表面に膜を形成する成膜室２と、第１の開閉部３を介して成膜室２に接続する基板待機部４と、成膜室２から基板待機部４を通って取り出されたサセプタを洗浄する洗浄部５とを有する。ここで、第１の開閉部３は、本発明の成膜装置における「開閉部」に対応する。成膜室２では、例えば、反応ガスが導入されて基板の表面にエピタキシャル膜が形成される。また、蒸着やスパッタによって基板上に膜が形成されるようにしてもよい。
【００２０】
成膜装置１の特徴の１つは、成膜室２内に複数の基板を搬入し、これらの基板に対して同時に成膜処理を行う点にある。すなわち、本発明では、枚葉処理とバッチ処理を組み合わせて成膜を行う。これにより、従来の枚葉型成膜装置で１枚ずつ行っていた処理が複数枚ずつ行えるようになるので、成膜装置１の稼働率を向上させることができる。
【００２１】
成膜装置１の別の特徴は、成膜室２に連接する基板待機部４を設けた点にある。基板待機部４には、成膜室２から搬出されたサセプタおよび基板を加熱する加熱手段が設けられているので、成膜室２内の温度が比較的高い状態で第１の開閉部３を開いて、基板やサセプタを成膜室２から取り出すことができる。すなわち、成膜室２内の温度が十分に降下するのを待つ必要がないので、成膜装置１の稼働率を向上させて、成膜処理の効率を高めることができる。
【００２２】
成膜装置１の他の特徴は、サセプタを成膜室２から搬出して洗浄部５で洗浄する点にある。これにより、サセプタを洗浄する度に成膜処理を中断する必要がなくなり、成膜処理の効率を高めることができる。
【００２３】
本実施の形態においては、１回の成膜処理が終わるごとに基板と一緒にサセプタを成膜室２から搬出する。尚、所定の回数までは基板のみを搬出し、所定の回数になったところで基板と一緒にサセプタを搬出することも可能である。サセプタを搬出するタイミングは、サセプタの表面に形成される膜の厚さによって決定するのがよい。例えば、サセプタ上に堆積した膜の厚さが１００μmとなったところで、基板と一緒に取り出して、サセプタを洗浄することができる。本発明によれば、サセプタをどのタイミングで搬出しても成膜処理の効率に殆ど影響を与えることがない。したがって、例えば、パワー半導体などの分野で基板上に１０μm以上の厚膜を形成する場合にも、成膜処理の効率を大きく低下することなくサセプタを洗浄することができる。
【００２４】
次に、成膜装置１の動作と本発明による成膜方法について、図１および図２を用いて詳しく説明する。
【００２５】
成膜室２内で基板を支持するサセプタＳは、サセプタ待機チャンバ６内に収納されている。サセプタ待機チャンバ６内のサセプタＳは、成膜室２の外部に設けられた洗浄部５で洗浄されたものである。成膜処理を行う際には、サセプタ搬送用ロボット７によって、サセプタ待機チャンバ６からサセプタＳを取り出し、基板−サセプタ載置部８に載置する。
【００２６】
一方、成膜処理が行われる基板Ｗは、カセット９に収納されている。膜形成を行う際には、基板搬送用ロボット１０によって、カセット９から基板Ｗを取り出し、基板−サセプタ載置部８にあるサセプタＳ上に載置する。ここで、基板Ｗの搬送には、例えば、気体を噴出することにより非接触の状態で基板を搬送可能なベルヌーイチャックなどの方式を採用することができる。また、基板Ｗとしては、例えば、パワー半導体などの用途で使用される３００mmのシリコンウェハなどを挙げることができる。
【００２７】
基板−サセプタ載置部８は、第２の開閉部１１を介して基板待機部４に接続している。また、第３の開閉部１２または第４の開閉部２２を開くことにより、外部から基板ＷやサセプタＳを基板−サセプタ載置部８内に搬出入することができる。したがって、上述した基板ＷおよびサセプタＳを基板−サセプタ載置部８内に載置する際には、第２の開閉部１１を閉じた状態で第３の開閉部１２または第４の開閉部２２を開き、これらを基板−サセプタ載置部８内に搬入する。基板−サセプタ待機部８を設けることにより、外部の空気が成膜室２に直接侵入しないようにすることができる。すなわち、空気中の水分や有機物が成膜室２内に入り込んで、成膜処理に悪影響を及ぼすのを防ぐことができる。尚、第３の開閉部１２と第４の開閉部２２はいずれか一方のみでもよく、基板ＷとサセプタＳを共通の開閉部から搬出入できるようにしてもよい。
【００２８】
成膜装置１には、複数の基板が載置されたサセプタを複数投入することができる。本実施の形態では、基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１と、基板Ｗ２が載置されたサセプタＳ２と、基板Ｗ３が載置されたサセプタＳ３とが投入されている。具体的には、図１に示すように、基板−サセプタ載置部８にサセプタＳ１が、基板待機部４にサセプタＳ２が、成膜室２にサセプタＳ３がそれぞれ搬入されている。ここで、基板Ｗ１は成膜未処理の基板、基板Ｗ２は成膜処理済の基板、基板Ｗ３は成膜中の基板であるとする。以下では、基板Ｗ１とサセプタＳ１を中心に説明する。
【００２９】
本実施の形態におけるサセプタは、複数の基板を載置可能な構造となっている。例えば、図１に示すサセプタＳには、基板Ｗを載置するための基板載置部Ｓｗｓが４個設けられていて、同時に４枚の基板Ｗが載置できるようになっている。サセプタＳ１〜Ｓ３のそれぞれにも、基板Ｗ１〜Ｗ３が４枚ずつ載置されている。サセプタをこのような構造とすることによって、４枚の基板を同時に基板−サセプタ載置部８内に搬入することができる。
【００３０】
サセプタに載置可能な基板の数、すなわち、基板載置部Ｓｗｓの数は、基板の大きさなどに応じて適宜決定することができる。また、成膜室２で形成される膜の膜厚均一性や成膜処理の効率性などの点からも決定される。基板載置部Ｓｗｓの数を多くすることによって、成膜室２に搬入される基板の数が多くなり過ぎると、基板上に形成される膜の膜厚均一性は低下する。一方、基板載置部Ｓｗｓの数が少な過ぎると、成膜室２にあまり基板を搬入することができなくなり、成膜処理の効率性が低下する。３００mmのシリコンウェハの場合、通常は、基板載置部Ｓｗｓの数を１０個以下とすることが好ましく、４個〜５個程度とすることがより好ましい。
【００３１】
基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１を基板−サセプタ載置部８に搬入した後は、第３の開閉部１２および第４の開閉部２２を閉じる。そして、真空ポンプなどを用いて排気口１３から基板−サセプタ載置部８内の空気を排出する。次いで、導入口１４を通じて基板−サセプタ載置部８内に窒素ガスを導入する。尚、窒素ガスに代えてアルゴンガスなどを導入してもよい。
【００３２】
基板待機部４にも、導入口１５と排気口１６が設けられている。導入口１５は、配管（図示せず）を通じて窒素ガスが入ったボンベに接続しており、基板待機部４内に窒素ガスを導入できるようになっている。また、排気口１６は、配管（図示せず）を通じて真空ポンプ（図示せず）に接続しており、基板待機部４内のガスがここから排出されるようになっている。
【００３３】
基板待機部４には、本発明の搬送手段である基板−サセプタ搬送用ロボット１７が設けられている。基板−サセプタ搬送用ロボット１７は、例えば、カーボンにシリコンコートされた耐熱性の材料から構成されている。また、基板−サセプタ搬送用ロボット１７のサセプタが載置される部分には、本発明の加熱手段であるヒータが設けられており、成膜室２から取り出された直後の高温のサセプタや基板が載置されても急激な温度変化を生じさせないような構造となっている。
【００３４】
図２は、本実施の形態で、基板−サセプタ搬送用ロボット１７のサセプタが載置される部分の拡大平面図である。図２において、サセプタ配置部分１７ａは、矩形状の板状部材となっている。図１および図２に示すように、サセプタ配置部分１７ａには、回転部材１７ｂが接続していて、支点部１７ｃからサセプタ配置部分１７ａまでの距離を調節できるよう伸縮可能に構成されている。また、サセプタ配置部分１７ａには、板状部材の内部にヒータ１７ｄが設けられている。ヒータ１７ｄは、電熱線を可撓性の耐熱樹脂で被覆したテープ状の構造をしており、電熱線に電流を流すことにより発熱し、サセプタ配置部分１７ａの温度を調節可能なようになっている。
【００３５】
加熱手段は、ヒータに代えてランプであってもよい。但し、温度調整可能な構造とする。加熱温度は、例えば２５℃〜８００℃とすることができる。基板−サセプタ搬送用ロボット１７には、回転機構等への熱ダメージを防ぐ目的で冷却機構が設けられていることが好ましい。
【００３６】
本実施の形態における加熱手段は、成膜室２から搬出されたサセプタと基板を加熱する手段であればよい。したがって、基板待機部４は、上記の構造に限られるものではなく、基板待機部４の全体を外側から加熱する構造とすることも可能である。但し、基板−サセプタ搬送用ロボット１７に与える熱ダメージを考慮すると、サセプタが載置される部分だけを加熱する構造とする方が好ましい。
【００３７】
基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１を基板−サセプタ載置部８に搬入した後は、基板−サセプタ載置部８内の圧力と雰囲気が基板待機部４内と略等しくなったところで第２の開閉部１１を開く。ここで、基板−サセプタ載置部８内に、基板の周縁部下面を支持する部材を上下２段に平行に配置し固定しておくことによって、サセプタＳ１とサセプタＳ２の交換をスムーズに行うことができる。具体的には、まず、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、基板Ｗ２が載置されたサセプタＳ２を、基板−サセプタ載置部８内に搬入して下段に位置する部材の上に載置する。次に、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、上段に位置する部材の上に載置されたサセプタＳ１を、基板Ｗ１と一緒に基板待機部４内に搬入する。
【００３８】
成膜室２内での処理が終了したら、第１の開閉部３を開き、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、基板Ｗ３が載置されたサセプタＳ３を基板待機部４内に搬送する。このとき、基板−サセプタ搬送用ロボット１７でサセプタＳ３が載置される部分の温度をヒータで上げておくことにより、高温になっている基板Ｗ３やサセプタＳ３に急激な温度変化が加えられるのを防ぐことができる。次いで、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１を成膜室２内に搬入する。
【００３９】
成膜室２にも、導入口１８と排気口１９が設けられている。導入口１８は、配管（図示せず）を通じて反応ガスが入ったボンベや希釈ガスが入ったボンベに接続しており、必要に応じてこれらのガスが適量供給されるようになっている。また、排気口１９は、配管（図示せず）を通じて真空ポンプ（図示せず）に接続しており、成膜室２内のガスがここから排出されるようになっている。
【００４０】
サセプタＳ１は、成膜室２内に設置された回転可能なサセプタ台２０の上に載置される。基板Ｗ１は、ヒータ（図示せず）によって加熱できるようになっており、成膜室２内にサセプタＳ１が置かれた後は、第１の開閉部３を閉じた状態で所定の成膜処理が行われる。図１の例では、同時に４枚の基板に対して成膜処理を行うことができる。
【００４１】
例えば、数１０torrの減圧下で水素ガスを流しながら、ヒータで基板Ｗ１を１１００℃〜１２００℃に加熱する。そして、反応ガスを導入しつつサセプタ台２０を回転させることにより、全ての基板Ｗ１の上に均一な厚さのシリコンのエピタキシャル層を成長させることができる。例えば、パワー半導体の用途では、３００mmのシリコンウェハ上に１０μm以上、多くは１０μm〜１００μm程度の厚膜が形成される。厚膜を形成するには、成膜時の基板の回転数を高くするのがよく、例えば、９００rpm程度の回転数とするのがよい。
【００４２】
成膜処理を終えた後は、第１の開閉部３を開き、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、基板Ｗ１をサセプタＳ１と一緒に成膜室２から基板待機部４に移動させる。このとき、基板−サセプタ搬送用ロボット１７に設けられたヒータによって、サセプタＳ１が載置される部分を所定の温度に加熱しておくことにより、成膜室２内から取り出された直後の基板Ｗ１やサセプタＳ１に急激な温度変化が起こらないようにして、基板Ｗ１や膜にクラックが生じるのを防ぐことができる。また、このようにすることにより、成膜室２内での十分な温度降下を待ってから基板Ｗ１やサセプタＳ１を取り出す必要がなくなるので、成膜装置１の稼働率を向上させることができる。さらに、基板待機部４の内部に搬入された次の基板を処理するまでの加熱時間を短縮することもできる。
【００４３】
例えば、成膜室２内の温度が８００℃程度になったところで第１の開閉部３を開ける。基板−サセプタ搬送用ロボット１７でサセプタＳ１が載置される部分の温度を、ヒータによって５００℃〜６００℃に加熱しておくことにより、サセプタＳ１や基板Ｗ１に急激な温度変化を与えることなく、成膜室２からこれらを取り出すことができる。
【００４４】
サセプタＳ１と基板Ｗ１を取り出した後は、第１の開閉部３を閉じ、ヒータの温度を徐々に下げていく。サセプタＳ１や基板Ｗ１が十分に冷却したら、第２の開閉部１１を開け、基板−サセプタ搬送用ロボット１７によって、サセプタＳ１と基板Ｗ１を基板−サセプタ載置部８内に搬送する。
【００４５】
次に、第２の開閉部１１を閉じ、導入口１４から窒素ガスを流して基板−サセプタ載置部８内を大気圧まで戻す。次いで、第３の開閉部１２を開けて、基板搬送用ロボット１０で成膜済の基板Ｗ１板をカセット２１に収納する。一方、サセプタＳ１は、第４の開閉部２２からサセプタ搬送用ロボット７によって洗浄部５に搬送される。
【００４６】
洗浄部５では、サセプタＳ１の表面に形成された膜のエッチング除去が行われる。詳細は図示しないが、洗浄部５にはプラズマ反応チャンバが設けられている。ヒータによりサセプタを所定の温度に加熱するとともに、プラズマ反応チャンバ内のガスを排気口から排出して導入口からエッチングガスを導入する。エッチングガスとしては、例えば、ＣＦ４、Ｎ２ＯおよびＳｉＨ４の混合ガスや、ＳＦ４とＯ２の混合ガスなどを用いることができる。プラズマ反応部に設けられた電極に高周波を印加してプラズマを発生させることにより、サセプタＳ１の表面に堆積した膜や汚れをエッチング除去して、サセプタＳ１を清浄化することができる。尚、エッチングガスとしてＣｌＦ３ガスを使用すれば、加熱が不要となるので、洗浄部５にヒータを設ける必要がなくなる。
【００４７】
サセプタＳ１の洗浄を終えた後は、サセプタ搬送用ロボット７によって、洗浄済のサセプタＳ１をサセプタ待機チャンバ６に搬送する。
【００４８】
尚、説明を省いたが、基板Ｗ２が載置されたサセプタＳ２や、基板Ｗ３が載置されたサセプタＳ３についても、基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１と同様にして基板−サセプタ載置部８から大気中に取り出される。その後、基板Ｗ２や基板Ｗ３は、カセット２１に収納される。また、サセプタＳ２やサセプタＳ３は、洗浄部５で表面に付着した膜や汚れを除去された後、サセプタ待機チャンバ６に収納される。洗浄部５での洗浄は、成膜室２で他の基板（例えば、基板Ｗ１）が処理されている間に行われる。すなわち、洗浄のために成膜処理が中断されることがないので、成膜室２での稼働率を向上させて効率よく成膜することができる。
【００４９】
一方、次に成膜処理が行われる基板ＷとサセプタＳが、カセット９とサセプタ待機チャンバ６から取り出され、上記と同様にして、基板待機部４や基板−サセプタ載置部８に搬入される。例えば、基板Ｗ１の成膜処理を行っている間に、基板待機部４に洗浄部５で洗浄されたサセプタＳ４（図示せず）に複数の基板Ｗ４（図示せず）を載置して入れ、成膜処理を終えた基板Ｗ１およびサセプタＳ１に代えて成膜室２で新たな成膜処理を行うことができる。
【００５０】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本実施の形態における成膜装置の模式的な平面図である。
【図２】本実施の形態でサセプタが載置される部分の平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１ 成膜装置
２ 成膜室
３ 第１の開閉部
４ 基板待機部
５ 洗浄部
６ サセプタ待機チャンバ
７ サセプタ搬送用ロボット
８ 基板−サセプタ載置部
９，２１ カセット
１０ 基板搬送用ロボット
１１ 第２の開閉部
１２ 第３の開閉部
１３，１６，１９ 排気口
１４，１５，１８ 導入口
１７ 基板−サセプタ搬送用ロボット
２０ サセプタ台
２２ 第４の開閉部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室内に載置される基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
前記成膜室に開閉部を介して接続する基板待機部と、
前記基板待機部と前記成膜室の間で複数の基板が載置されるサセプタを自動的に搬送する搬送手段と、
前記成膜室の外部に設けられて、前記成膜処理を終えた後の前記サセプタを洗浄する洗浄部とを有し、
前記基板待機部には、前記成膜室から搬出された前記サセプタおよび前記基板を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記加熱手段は、前記搬送手段の前記サセプタが載置される部分を加熱することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
複数の基板が載置されるサセプタを成膜室内に自動的に搬送し、前記複数の基板に対して同時に成膜処理を行った後、前記成膜室に開閉部を介して接続する基板待機部に前記基板および前記サセプタを搬送し、次いで、該サセプタの表面に付着した膜を前記成膜室の外部に設けられた洗浄部で除去することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
前記基板待機部には加熱手段が設けられていて、該加熱手段を作動させて前記成膜室内と前記基板待機部内とが所定の温度差となったところで前記開閉部を開き、前記成膜室から前記基板待機部に前記基板および前記サセプタを搬送することを特徴とする請求項３に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記成膜処理を行っている間に、前記基板待機部に前記洗浄部で洗浄された別のサセプタに複数の別の基板を載置して入れ、前記成膜処理を終えた基板およびサセプタに代えて前記成膜室で新たな成膜処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の成膜方法。
【請求項１】
成膜室内に載置される基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
前記成膜室に開閉部を介して接続する基板待機部と、
前記基板待機部と前記成膜室の間で複数の基板が載置されるサセプタを自動的に搬送する搬送手段と、
前記成膜室の外部に設けられて、前記成膜処理を終えた後の前記サセプタを洗浄する洗浄部とを有し、
前記基板待機部には、前記成膜室から搬出された前記サセプタおよび前記基板を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記加熱手段は、前記搬送手段の前記サセプタが載置される部分を加熱することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
複数の基板が載置されるサセプタを成膜室内に自動的に搬送し、前記複数の基板に対して同時に成膜処理を行った後、前記成膜室に開閉部を介して接続する基板待機部に前記基板および前記サセプタを搬送し、次いで、該サセプタの表面に付着した膜を前記成膜室の外部に設けられた洗浄部で除去することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
前記基板待機部には加熱手段が設けられていて、該加熱手段を作動させて前記成膜室内と前記基板待機部内とが所定の温度差となったところで前記開閉部を開き、前記成膜室から前記基板待機部に前記基板および前記サセプタを搬送することを特徴とする請求項３に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記成膜処理を行っている間に、前記基板待機部に前記洗浄部で洗浄された別のサセプタに複数の別の基板を載置して入れ、前記成膜処理を終えた基板およびサセプタに代えて前記成膜室で新たな成膜処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の成膜方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００９−２００１４２（Ｐ２００９−２００１４２Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３８４６２（Ｐ２００８−３８４６２）
【出願日】平成２０年２月２０日（２００８．２．２０）
【出願人】（５０４１６２９５８）株式会社ニューフレアテクノロジー (669)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２０日（２００８．２．２０）
【出願人】（５０４１６２９５８）株式会社ニューフレアテクノロジー (669)
【Ｆターム（参考）】
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