投影露光方法及び回路素子製造方法
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造用のリソグラフィー工程で使用して好適な投影露光方法及び投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体素子又は液晶基板等をリソグラフィー技術を用いて製造する工程において、回路パターン等のレチクルパターンを投影光学系を介して基板上に所定の倍率で転写する投影露光装置が使用されている。斯かる投影露光装置においては、転写対象となるパターンの線幅が例えば０．５μｍ以下ときわめて微細化している。このような微細な線幅のパターンを良好に結像するためには投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする必要がある。また、レチクルとして近時は光の干渉効果を積極的に活用した所謂位相シフトレチクル等も使用されるようになっているが、このような位相シフトレチクルに対しては露光光のコヒーレンシィを高める必要がある。
【０００３】図６は従来の投影露光装置の照明系の模式図であり、この図６において、２次光源としてのフライアイレンズ１から射出されてその射出面（レチクル側焦点面）近傍に配置された可変開口絞り２の開口部を通過した露光光は、アウトプットレンズ３により略々平行な光束に変換される。この略々平行な光束の内で可変視野絞りとしてのレチクルブラインド４の開口部を通過した光束が、リレーレンズ５及び主コンデンサレンズ６により略々平行で大口径の露光光ＩＬに変換されてレチクル７をほぼ均一な照度で照明する。レチクル７のパターン形成面とレチクルブラインド４の開口部とは光学的に共役な位置関係にあり、レチクルブラインド４の開口部の形状を変えることにより、レチクル７上の照明領域の形状、大きさを任意に設定することができる。
【０００４】そして、レチクル７のパターン形成面のパターンが投影レンズ８によりウェハ９の露光面に所定の倍率で転写される。投影レンズ８の瞳面Ｐ１には可変開口絞り１０が配置されており、可変開口絞り２と可変開口絞り１０とは光学的に共役な位置関係にある。
【０００５】投影露光装置の照明系の特性を表す数値としては一般に、投影レンズの開口数ＮＡと露光光のコヒーレンシィを表すσ値とが用いられる。図６を参照して開口数とσ値について説明するに、図６において、投影レンズ８の瞳面Ｐ１の可変開口絞り１０により、投影レンズ８のレチクル７側からの光束が通過できる最大の角度θR 及び投影レンズ８からウェハ９側に落射する光束の最大の角度θW は所定の値に制限されている。投影レンズ８の開口数ＮＡPLはｓｉｎθW であり、投影倍率を１／ｍとすると、ｓｉｎθR ＝ｓｉｎθW ／ｍの関係にある。また、露光光ＩＬがレチクル７に入射するときの最大の入射角をθILとすると、露光光ＩＬを生成する照明系のσ値であるσILは次のように定義される。
【数１】σIL＝ｓｉｎθIL／ｓｉｎθR＝ｍ・ｓｉｎθIL／ｓｉｎθW
【０００６】一般に開口数ＮＡが大きい程解像度は向上するが、焦点深度が浅くなる。一方、σ値が小さい程に露光光ＩＬのコヒーレンシィが良くなるため、σ値が小さくなるとパターンのエッジが強調され、σ値が大きいとパターンのエッジがぼけるようになる。従って、パターンの結像特性は開口数ＮＡとσ値とでほぼ決って来る。また、可変開口絞り２によりσ値が変化すると、投影レンズ８の瞳面Ｐ１における照度分布が変化する。
【０００７】図７を参照して、図６の従来の投影露光装置でウェハ上にレチクルパターンを露光する場合のシーケンスにつき説明する。この場合、先ずステップ１０１において、オペレータはマニュアルで投影レンズ８の可変開口絞り１０を操作して、投影レンズ８の開口数ＮＡを転写対象のレチクル上の最小線幅を解像できる程度の値に設定する。次に、オペレータは可変開口絞り２を操作することにより、転写対象のレチクル７に合わせて照明系のσ値を設定した後に、転写対象のレチクルをレチクルホルダーにセットする（ステップ１０２）。
【０００８】その後、複数枚のウェハに順次投影レンズ８を介してそのレチクルのマスクパターンを転写する（ステップ１０３）。そして、転写対象である次のレチクルの最適な開口数ＮＡ及び照明系のσ値が異なる場合には、オペレータはステップ１０４においてマニュアルで可変開口絞り１０及び可変開口絞り２の調整を行う。その後、レチクルを交換した後に（ステップ１０５）、再び複数枚のウェハに対する露光処理が行われる（ステップ１０６）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の投影露光装置においては開口数ＮＡ及びσ値の両パラメータは装置定数であるため、オペレータが一度マニュアルで設定を行うと一連の露光シーケンスの中でそれら両パラメータを変えることはできなかった。しかしながら、最適な開口数ＮＡ及びσ値は、レチクル上の投影露光するパターンの最小線幅又はレチクル上のマスクパターンに対するウェハ上の転写パターンの寸法忠実度等の要求される結像性能によって異なるものである。
【００１０】従って、例えば所謂特定用途向けＩＣ（ＡＳＩＣ）を製造するような場合で、同一ウェハ上に最適な結像パラメータの値が異なる複数種類のデバイスチップのパターンを露光するような場合には、従来は途中でパラメータの値を変更することができないため、パラメータの値をそれら複数種類のパターンの内の或る特定のパターンのみに対する最適値に設定せざるを得なかった。これはその他のパターンは必ずしも最適な結像条件では露光されていなかったことを意味する。同様に、レチクル中に最適なパラメータの値が異なる複数のパターンが存在するような場合にも、従来はパラメータの値をその内の或る特定のパターンのみに対する最適値に設定せざるを得なかった。
【００１１】本発明は斯かる点に鑑み、同一ウェハ上に開口数ＮＡ及びσ値等の結像パラメータの最適な値が異なる複数のデバイスチップを露光するような場合、又は最適パラメータが異なる複数のパターンが存在するレチクル上のそれら複数のパターンを同一ウェハ上に順次露光するような場合でも、全体として最適な結像特性を得ることができる投影露光方法を提供することを目的とする。更に本発明は、その投影露光方法を用いた回路素子製造方法を提供することをも目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光方法は、照明光学系を通してマスクに照明光を照射し、可変開口絞りを備えた投影光学系を介してその照明光で基板を露光する投影露光方法において、第１マスクパターンに応じて、その照明光学系中のマスクパターンのフーリエ変換面、又はその共役面もしくはその近傍の面内におけるその照明光の分布状態である照明条件を、その照明光学系内に回転自在に配置される可動部材を回転駆動せしめて第１照明条件に設定すると共に、その可変開口絞りを調整してその投影光学系の開口数を第１値に設定する第１工程と、その第１工程で設定されたその第１照明条件の下でその照明光をその第１マスクパターンに照射することにより、その第１マスクパターン及びその第１値の開口数に設定されたその投影光学系を介したその照明光で、所定の基板上の複数のショット領域のうちその第１マスクパターンで露光すべきショット領域を全て露光する第２工程と、その第２工程の後に、その所定の基板を交換することなく、使用するマスクパターンをその第１マスクパターンから第２マスクパターンへ切り換えると共に、その第２マスクパターンに応じて、その可動部材を回転駆動せしめてその照明条件を第２照明条件に設定し、且つその可変開口絞りを調整してその投影光学系の開口数を第２値に設定する第３工程と、その第３工程で設定されたその第２照明条件の下でその照明光をその第２マスクパターンに照射することにより、その第２マスクパターン及びその第２値の開口数に設定されたその投影光学系を介したその照明光で、その所定の基板上のその第１マスクパターンが露光されたショット領域を全て露光する第４工程と、を有するものである。そして、本発明の回路素子製造方法は、上記の本発明の投影露光方法を用いて、回路パターンを基板上に転写するものである。
【００１３】
【００１４】
【作用】斯かる本発明によれば、それぞれ最適な結像パラメータが異なるパターンで基板を露光する際に、各パターンに最適の結像パラメータとなる照明条件を設定して露光を行うので、常に最適の結像条件で露光を行うことができる。また、第１のパターンを基板上の複数の転写領域に転写した後に、第２のパターンを基板上に転写するようにしているので、パターンの切り替え動作や照明条件の切り換え動作を最小限の回数に抑えることができ、スループットの向上も図れる。また、本発明によれば、例えば１個の基板としての感光基板上の異なる領域にそれぞれ最適な照明条件又は結像パラメータ（開口数ＮＡ、σ値）が異なる複数のマスクのパターン、又は複数のパターンを露光する場合には、先ず第１のマスク（又は第１のパターン、以下同様）の種類を判別して最適な結像パラメータの値を調べた後に、その第１のマスクをセットする。次に、照明系の開口絞り及び投影光学系の開口絞りを調整して、投影光学系の開口数ＮＡ及び照明系のσ値をその最適なパラメータの値に設定する。また、第１のマスクのパターン領域に応じて照明系の視野絞りを調整した後に、感光基板の第１の領域にその第１のマスクのパターンを例えばステップアンドリピート方式で露光する。
【００１５】次に、第２のマスク（又は第２のパターン、以下同様）の種類を判別して最適な結像パラメータの値を調べた後に、その第２のマスクをセットする。そして、投影光学系の開口数ＮＡ及び照明系のσ値をその最適な結像パラメータの値に設定して、第２のマスクのパターン領域に応じて照明系の視野絞りを調整した後に、感光基板の第２の領域にその第２のマスクのパターンを例えばステップアンドリピート方式で露光する。このような工程を繰り返すことにより、最適なパラメータの値が異なる複数のマスクのパターン、又は複数のパターンをそれぞれ最適な結像条件で同一の感光基板の異なる領域に露光することができる。
【００１６】また、１枚のマスク上にそれぞれ最適なパラメータが異なる複数のパターン領域が存在する場合には、先ずマスクの種類を判別してそれら複数のパターン領域の形状及び対応する最適な結像パラメータを調べる。そして、マスクをセットした後に、第１のパターンに対応させて照明系の視野絞り、投影光学系の開口数ＮＡ及び照明系のσ値を設定する。その後、ステップアンドリピート方式であれば、感光基板の第１のショット領域から順にその第１のパターンを露光する。次に、マスクの第２のパターンに対応させて照明系の視野絞り、投影光学系の開口数ＮＡ及び照明系のσ値を設定する。その後、ステップアンドリピート方式であれば、再び同一感光基板の第１のショット領域から順にその第２のパターンを露光する。このような工程を繰り返すことにより、同一の感光基板の同一のショット領域内に最適な結像パラメータの値が異なる複数のパターンをそれぞれ最適な結像条件で露光することができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図１〜図５を参照して説明する。本例は図６の従来例と同様にステップアンドリピート方式の半導体素子製造用縮小投影露光装置に本発明を適用したものであり、その図１において図６に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。図１は本例の投影露光装置の全体の構成を示し、この図１において、レチクル７をレチクルホルダー１１に保持し、レチクルホルダー１１の近傍にバーコードリーダ１２を配置する。レチクル７のパターン領域ＰＡの外側にはそのレチクルの種類を表すバーコードＢＣが形成され、レチクル７をレチクルホルダー１１にセットする際にバーコードリーダ１２でそのバーコードＢＣを読み取ることにより、レチクル７の名称を判別することができる。詳しく述べると、後述の主制御装置３５内には、この投影露光装置で扱うべき複数枚のレチクルの名称と、各名称に対応したステッパーの動作パラメータとが予め登録されている。そして、主制御装置３５はバーコードリーダ１２がバーコードＢＣを読み取ると、その名称に対応した動作パラメータの１つとして、予め登録されているレチクルに対する照明条件に関する情報に基づいて、後述の回転板２１、レチクルブラインド４、及び可変開口絞り１０，３０を駆動することになる。以上の動作は、キーボードからオペレータがコマンドとデータとを主制御装置３５へ直接入力することによっても実行できる。尚、上記情報はレチクルの種類やそのパターンの微細度、周期性等に対応している。
【００１８】１３はウェハホルダー、１４はウェハステージを示し、ウェハステージ１４は、投影レンズ８の光軸に垂直な２次元平面内で位置決めできるＸＹステージ、その光軸の方向に位置決めできるＺステージ及びレベリングステージ等よりなる。ウェハステージ１４のＸＹステージ及びＺステージにはそれぞれ駆動機構及び座標測定機構が組み込まれている。そのウェハステージ１４の上に順にウェハホルダー１３及びウェハ９を載置する。
【００１９】次に、本例のレチクル７を照明する露光光ＩＬ用の照明系の構成につき説明する。図１において、１５はウェハ９上のレジスト層を感光させる波長帯の露光光ＩＬを発生する露光用照明光源を示し、露光光ＩＬとしては、水銀ランプの輝線（ｉ線、ｊ線等）、ＡｒＦ，ＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ光又は金属蒸気レーザ若しくはＹＡＧレーザ等の高調波等を使用することができる。その露光光ＩＬを楕円鏡１６で反射して１度集束した後に、ミラー１９で反射してインプットレンズ２０に向ける。楕円鏡１６とミラー１９との間（楕円鏡１６の第２焦点近傍）にはシャッター１７を配置し、このシャッター１７を駆動モータ１８で回転することにより必要に応じて露光光ＩＬを遮蔽する。
【００２０】インプットレンズ２０により略々平行光束に変換された露光光ＩＬはオプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ１に入射する。このフライアイレンズ１の後（レチクル）側焦点面には、露光光ＩＬのほぼ均一な２次光源像が形成される。この２次光源像が形成されている位置（すなわち照明光学系中のレチクルパターンのフリーエ変換面、又は共役面もしくはその近傍の面内）に回転板２１を回転自在に取り付けて、回転板２１を駆動モータ２２により所定の回転位置に位置決めする。回転板２１には、図２に示すように、例えば６種類の開口絞り２３〜２８を等角度間隔で形成する。これらの開口絞りの内で、円形開口絞り２３及び２４はそれぞれ異なる直径の通常の円形の開口部２３ａ及び２４ａを有し、輪帯開口絞り２５は輪帯状の開口部２５ａを有する。また、傾斜照明用の開口絞り２６及び２７はそれぞれ互いに直交する方向に配置された１対の微小開口部２６ａ，２６ｂ及び２７ａ，２７ｂを有し、傾斜照明用の開口絞り２８は光軸を中心として等距離に配置された４個の微小開口部２８ａ〜２８ｄを有する。例えば、開口絞り２６，２７，２８を用いるときは各開口部からの照明光束のσ値が０．１〜０．３程度となるように設定することが望ましい。さらにレチクルパターンの微細度（ピッチ等）に応じて開口絞り２６〜２８の各々における各開口部の位置を微調整できるように構成しておくことが望ましい。また、開口絞り２４〜２８を用いるときはレチクルまたはウェハ上での照度均一性が悪くなり得るので、フライアイレンズ１の各エレメントを細かくする（断面積を小さくする）ことが望ましい。さらに別のインテグレータ（フライアイ型又はロッド型）を追加して２段のインテグレータ構造としても良い。また、開口絞り２６〜２８の使用時は光量ロスが大きいので、光ファイバー、多面プリズム等の光分割器を用いて、開口絞り上の各開口部に露光光を導くように構成しておくと良い。
【００２１】図１のフライアイレンズ１による２次光源形成面には、一例として回転板２１中の円形の開口部２３ａが配置されている。開口部２３ａは投影レンズ８の瞳面（フーリエ変換面）Ｐ１とほぼ共役である。開口部２３ａより射出された露光光ＩＬはアウトプットレンズ３により略々平行光束に変換されて可変視野絞りとしてのレチクルブラインド４に入射する。レチクルブラインド４の開口部は、駆動手段２９により任意の形状、大きさに設定することができる。レチクルブラインド４の開口部は、レチクル７のパターン領域ＰＡとほぼ共役であり、レチクルブラインド４を出た露光光ＩＬをリレーレンズ５で一度集束する。この集束面Ｐ２は回転板２１の開口絞り面、すなわちフライアイレンズ１の射出面（レチクル側焦点面）とほぼ共役であり、面Ｐ２に露光光ＩＬ用の可変開口絞り３０を配置し、駆動手段３１によりその可変開口絞り３０の円形開口部の直径を任意の値に設定する。尚、可変開口絞り３０はフライアイレンズ１の射出面近傍に、回転板２１と極近接して配置するようにしても良い。
【００２２】可変開口絞り３０を射出した露光光ＩＬの主光線を主コンデンサレンズ６で略々平行光束に変換し、この主光線が略々平行な露光光ＩＬをミラー３２で反射してレチクル７に導く。レチクル７のパターン領域ＰＡからレチクルブラインド４により選択された領域のパターンが、投影レンズ８によりウェハ９の一連のショット領域に露光される。また、投影レンズ８の瞳面Ｐ１の近傍に配置された可変開口絞り１０の円形開口部の直径は、駆動手段３３により任意の値に設定することができる。
【００２３】３４は露光コントローラ、３５は装置全体の動作を制御する主制御装置を示し、露光コントローラ３４は主制御装置３５からの指示により、モータ２２、駆動手段２９、駆動手段３１及び駆動手段３３の動作を制御する。即ち、露光コントローラ３４は、駆動手段３３を介して可変開口絞り１０の開口部の調整を行うことにより、投影レンズ８の開口数ＮＡを所望の値に設定することができる。また、露光コントローラ３４は、モータ２２を介して回転板２１の位置決めを行うか又は駆動手段３１を介して可変開口絞り３０の開口部の調整を行うかの何れの方法によっても、露光光ＩＬ用の照明系の開口数、ひいてはコヒーレンスファクターであるσ値を所望の値に設定することができる。
【００２４】具体的に、レチクル７が通常のレチクルの場合にはσ値は例えば０．５〜０．６に設定され、レチクル７が位相シフトレチクルの場合にはσ値は例えば０．１〜０．４に設定される。更に、露光コントローラ３４は、駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の開口部の形状、大きさを制御することにより、レチクル７のパターン領域ＰＡの所望の部分にのみ露光光ＩＬを照明することができる。
【００２５】３６は露光データファイルを示し、この露光データファイル３６には種々のレチクルの名称に対応してパターン領域の形状及び最適な結像パラメータ等のデータが対応して記憶されている。最適な結像パラメータとしては、投影レンズの最適な開口数ＮＡ、照明系の最適なσ値の他に、例えばレチクルに対する照明条件（回転板２１のどの開口絞りを使うか）等が記憶されている。更にレチクルのパターン領域ＰＡに複数のそれぞれ最適な結像パラメータが異なるパターンが形成されている場合には、それら複数の領域の形状、大きさ及び各領域の最適な結像パラメータのデータがその露光データファイル３６に記憶されている。その露光データファイル３６をバスラインを介して主制御装置３５と接続し、バーコードリーダ１２をもバスラインを介して主制御装置３５と接続する。主制御装置３５は、バーコードリーダ１２から送られて来るレチクル７のバーコードを用いて、露光データファイル３６より露光対象としているレチクル７の最適な結像パラメータ等を認識することができ、この最適な結像パラメータ等の情報を露光コントローラ３４に供給する。
【００２６】次に、図１の投影露光装置の種々の露光動作につき説明する。
［第１の露光動作例］この例では、レチクル７上に第１の領域及び第２の領域よりなる２つの半導体チップ用のパターン領域があり、それぞれ最適な開口数ＮＡ及びσ値が異なる場合を扱う。図３を参照してこの場合の動作を説明する。先ず図３のステップ１０７において、レチクル７を図１のレチクルホルダー１１にセットする。この際に、主制御装置３５はバーコードリーダ１２を介してレチクル７のバーコードＢＣを読み取り、レチクル７の名称を判別する。そして、主制御装置３５は露光データファイル３６のその判別した名称に対応する記憶領域を参照することにより、レチクル７の２つの領域の各々の最適な結像パラメータ及び２つの領域の形状、大きさを認識する。
【００２７】その後、ステップ１０８において、主制御装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としているレチクル７の第１の領域の最適な結像パラメータ及びその第１の領域の形状、大きさの情報を供給する。これに対応して、先ず露光コントローラ３４は、レチクル７に対する照明条件を設定するため、モータ２２を介して回転板２１の中のレチクル７に合った開口絞りを選択して設定する。この選択基準の一例としては、特に微細パターンに対しては開口絞り２６，２７，２８（この３つの使い分けはレチクルパターンの周期性に応じて選択すれば良い）を用い、線幅が厳しくないときは開口絞り２３を用い、位相シフトレチクルには開口絞り２４（又は開口絞り３０を使用しても良い）を用いる。開口絞り２６は例えばＸ方向に配列された周期パターン、開口絞り２７はＹ方向に配列された周期パターン、開口絞り２８は２次元パターンに対して有効である。また、第１の領域と第２の領域とで開口絞り２３〜２８を切り替えることなく、開口数ＮＡ及びσ値のを変更するだけでも良い。さらに、線幅に関係なく、第１の領域と第２の領域とでそのパターンの周期性が互いに直交していたら、開口絞り２６，２７を切り替えるようにしても良い。その後、露光コントローラ３４は駆動手段３３を介して投影レンズ８の可変開口絞り１０を制御することにより、投影レンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定する。そして、露光コントローラ３４は、駆動手段３１を介して可変開口絞り３０を制御することにより、照明系のσ値を最適な値に設定する。次にステップ１０９において、露光コントローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の開口部の形状をレチクル７の第１の領域の形状に合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を行う。
【００２８】そして、主制御装置３５は、ウェハステージ１４を駆動してウェハ９の今回の露光領域である指定ショット領域を投影レンズ８の光軸上にアライメントして（ステップ１１０）、レチクル７の第１の領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の指定ショット領域に露光する（ステップ１１１）。次にステップ１１２において、主制御装置３５は予め記憶された露光シーケンスを調べることにより、レチクル７を交換するか否かを判定する。本例ではレチクル７を交換することなく、レチクル７の第２の領域のパターンを露光するので、動作はステップ１１３に移行し、主制御装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としているレチクル７の第２の領域の最適な結像パラメータ及びその第２の領域の形状の情報を供給する。これに対応して、露光コントローラ３４はモータ２２を介して回転板２１の中の所定の開口絞りを設定した後に、駆動手段３３を介して投影レンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定する。そして、露光コントローラ３４は、駆動手段３１を介して照明系のσ値を最適な値に設定する。
【００２９】次にステップ１１４において、露光コントローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の開口部の形状、大きさをレチクル７の第２の領域の形状、大きさに合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を行う。この場合、ウェハ９の指定ショット領域は前回と同じであるため、ウェハ９のアライメントを行う必要はない。そこでステップ１１５において、主制御装置３５は、レチクル７の第２の領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の前回と同じ指定ショット領域に露光する。その後ステップ１１６において、ウェハ９の全部のショット領域への露光が終了したかどうかが判断され、終了していない場合には動作はステップ１１２に移行する。終了している場合には動作はステップ１１７に移行する。
【００３０】ステップ１１７において、露光工程が終了した場合には露光動作は終了するが、次のウェハに露光する場合には動作はステップ１０７に移行して同様に露光が行われる。このようにして、レチクル７上に複数のそれぞれ最適な結像パラメータが異なる領域が存在する場合でも、それぞれについて最適な結像条件で露光を行うことができる。尚、第１露光動作例ではウェハの１つ１つのショット領域に対して第１レチクル上の第１の領域と第２の領域のパターンを露光していったが（このとき第２の領域のパターンを露光する際にはショット毎にアライメントを行う必要がある）、ウェハ上の複数のショット領域のうち、第１レチクルの第１の領域のパターンを露光すべきショット領域の全てに対して第１の領域のパターンを露光した後で、レチクルブラインド４を駆動して先に第１の領域のパターンを露光した全てのショット領域に対して第２の領域のパターンを露光するようにしても良い。以下、同一ウェハ上で露光が行われていないショット領域については第２レチクル、第３レチクル、…を用いて上記と同様の動作で露光を行っていけば良い。
【００３１】［第２露光動作例］本例では、特定用途向けＩＣ（ＡＳＩＣ）の生産、画面合成又は小ロット生産時の危険分散等を目的として、１個のウェハ上に複数のレチクルを用いて複数種類の半導体チップを形成する場合で、且つそれぞれ最適な結像パラメータが異なる場合を扱う。この場合の動作も図３を参照して説明する。使用する複数のレチクルを第１のレチクル、第２のレチクル、‥‥とする。先ず、図３のステップ１０７において、第１のレチクルをレチクルホルダー１１にセットする。この際に、主制御装置３５はバーコードリーダ１２を介して第１のレチクルのバーコードＢＣを読み取り、レチクルの名称を判別する。そして、主制御装置３５は露光データファイル３６のその判別した名称に対応する記憶領域を参照することにより、第１のレチクルのパターン領域の各々の最適な結像パラメータ及びパターン領域の形状、大きさを認識する。
【００３２】その後、ステップ１０８において、主制御装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている第１のレチクル７の最適な結像パラメータ及びパターン領域の形状、大きさの情報を供給する。これに対応して、先ず露光コントローラ３４は、レチクル７に対する照明条件を設定するため、モータ２２を介して回転板２１の中のレチクル７に合った開口絞り２３〜２８を選択して設定する。その後、露光コントローラ３４は投影レンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定すると共に、照明系のσ値を最適な値に設定する。次にステップ１０９において、露光コントローラ３４はレチクルブラインド４の開口部の形状を第１のレチクルのパターン領域の形状に合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を行う。
【００３３】そして、主制御装置３５は、ウェハステージ１４を駆動してウェハ９の今回の露光領域である指定ショット領域を投影レンズ８の光軸上に設定し（ステップ１１０）、第１のレチクルのパターン領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の指定ショット領域に露光する。（ステップ１１１）。次にステップ１１２において、主制御装置３５は予め記憶された露光シーケンスを調べることにより、第１のレチクルを交換するか否かを判定する。本例ではレチクルを交換するので動作はステップ１１８に移行し、主制御装置３５はレチクルホルダー１１に第２のレチクルをセットする。この際に主制御装置３５はバーコードリーダ１２を介して第２のレチクルの名称を調べ、露光データファイル３６を参照して第２のレチクルの照明条件（最適な開口絞り２３〜２８の設定）、最適な結像パラメータの値及びパターン領域の形状等を認識する。
【００３４】その後ステップ１１９において、主制御装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている第２のレチクルのパターン領域の最適な結像パラメータ及びそのパターン領域の輪郭の座標の情報を供給する。これに対応して、露光コントローラ３４は、先ずモータ２２を介して回転板２１の中の開口絞り２３〜２８の中の第２のレチクルに適合する開口絞りを設定する。その後露光コントローラは、駆動手段３３を介して投影レンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定すると共に、照明系のσ値を最適な値に設定する。
【００３５】次にステップ１２０において、露光コントローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の開口部の形状を第２のレチクルのパターン領域の形状に合わせることにより、レチクルブランド４の設定を行う。その後ステップ１２１において、主制御装置３５はウェハ９上の第２のレチクルを露光するための指定ショット領域を投影レンズ８の光軸上にアライメントする。そして、主制御装置３５は、第２のレチクルのパターン領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の第２のレチクル用の指定ショット領域に露光させる。その後ステップ１２２において、ウェハ９の全部のショット領域への露光が終了したかどうかが判別され、終了していない場合には動作はステップ１１２に移行する。終了している場合には動作はステップ１１７に移行する。このような動作により、１個のウェハ上に複数のそれぞれ最適な結像パラメータが異なるレチクルのパターンを最適な結像条件で露光することができる。
【００３６】［第３露光動作例］本例では、１個の半導体チップ内、即ち１個の露光用のレチクルパターン内にそれぞれ最適な結像パラメータの値が異なる複数種類の線幅のパターンが混在し、且つ第１露光動作例のようにレチクルブラインド４でレチクル７の露光視野を分割することが困難な場合を扱う。この場合には、元のレチクルのパターンを複数に分割する。そして、複数に分割されたパターンの各々を別々のレチクル又は同一のレチクル内の異なる領域に形成する。別々のレチクルに形成する場合には、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、それぞれ最適な結像パラメータの値が異なるパターンが形成された複数のレチクル７Ａ及び７Ｂを用意する。図４（ａ）及び（ｂ）の斜線部の領域３７はそれぞれクロム蒸着膜による遮光域であり、白抜き状に示す領域３８はそれぞれ必要なパターンが描画されている領域である。従って、レチクル７Ａとレチクル７Ｂとは遮光域３７の位相が１８０°ずれている。
【００３７】これら２枚のレチクル７Ａ及び７Ｂを第２露光動作例と同様のシーケンスでウェハ上に露光する。第２露光動作例と異なる点は、ウェハ上の同一領域に異なる２個のレチクルのパターンが露光されることである。
【００３８】［第４露光動作例］上記の第３露光動作例と同じ場合であるが、レチクル上の複数種の線幅が複雑に入り組んでいて、図４に示すような複数枚のレチクルで対応することが困難な場合を扱う。この場合には、図３R>３のステップ１１１において、ウェハの各ショット領域に露光する際に、投影レンズ８の開口数ＮＡ及び照明系のσ値を所定の範囲に亘って連続的に変化させることにより、最良ではないが次善の結像特性を得ることができる。その所定の範囲とは、例えばそのレチクル上の最も線幅の広いパターンの結像パラメータと最も線幅の狭い結像パラメータとの間である。
【００３９】［第５露光動作例］本例では露光のための最適条件を求めるための所謂テストプリントを行う場合を扱う。従来はテストプリントとは、ステップアンドリピートでウェハの一連のショット領域にレチクルのパターンを露光する際に、ウェハ９の投影レンズ８の光軸方向の位置である焦点位置Ｚ及び露光時間Ｔを各ショット露光毎に少しずつ変化させて露光することを意味する。
【００４０】これに対して本例では、第１露光動作例と同様のシーケンスに従って、例えば図５（ａ）のマップに示されるように結像条件を種々に変えて露光を行う。ただし、本例ではレチクルブラインド４の開口部の形状に対応するレチクルブラインド４を変化させる必要はない。図５（ａ）において、３９はウェハ上の１個の指定ショット領域を示し、指定ショット領域３９と同様のショット領域が縦横に多数配置されており、各ショット領域にそれぞれ解像力テストパターンが露光される。結像条件は図５（ａ）の横方向に対して、ウェハの焦点位置Ｚが５個のショット領域毎に変化し、投影レンズの開口数ＮＡが１個のショット領域毎に５個周期で変化する。また、図５（ａ）の縦方向に対して、露光時間Ｔが５個のショット領域毎に変化し、照明系のσ値が１個のショット領域毎に５個周期で変化する。
【００４１】その外に、図５（ｂ）のマップに示されるように結像条件を変えてもよい。結像条件は図５（ｂ）の横方向に対して、投影レンズの開口数ＮＡが５個のショット領域毎に変化し、ウェハの焦点位置Ｚが１個のショット領域毎に５個周期で変化する。また、図５（ｂ）の縦方向に対して、照明系のσ値が５個のショット領域毎に変化し、露光時間Ｔが１個のショット領域毎に５個周期で変化する。図５に示すようなマップでテストプリントを行うことにより、開口数ＮＡ、σ値、焦点位置Ｚ及び露光時間Ｔよりなる４個のパラメータでのテストプリントを行うことができる。なお、本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、マスクの種類に応じて照明系の視野絞り、照明系の開口絞り及び投影光学系の開口絞りの状態を設定しながら露光を行うことができる。従って、同一の感光基板上に最適な結像パラメータの値が異なる複数枚のマスクのパターンを順次露光する場合でも、又は最適な結像パラメータの値が異なる複数種類のパターンが同一面に形成されたマスクのパターンを感光基板に順次露光する場合でも、常に最適の結像条件で露光を行うことができる利点がある。更に、本発明によれば、第１のパターンを基板上の複数の転写領域に転写した後に、第２のパターンを基板上に転写するようにしているので、パターンの切り替え動作や照明条件の切り換え動作を最小限の回数に抑えることができ、スループットの向上も図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の投影露光装置の主要部を示す一部を断面とした構成図である。
【図２】図１中の回転板２１を示す平面図である。
【図３】実施例の露光動作の一例を示す流れ図である。
【図４】実施例で使用するレチクルのパターンの変形例を示す平面図である。
【図５】実施例のテストプリントのマップの例を示す線図である。
【図６】従来の投影露光装置の照明系を簡略化して示す模式図である。
【図７】従来の投影露光装置の露光動作を示す流れ図である。
【符号の説明】
１ フライアイレンズ
３ アウトプットレンズ
６ 主コンデンサレンズ
７ レチクル
８ 投影レンズ
９ ウェハ
１０ 可変開口絞り
１２ バーコードリーダ
１４ ウェハステージ
１７ シャッター
２１ 回転板
２２ モータ
４ レチクルブラインド
２９，３１，３３ 駆動手段
３０ 可変開口絞り
３４ 露光コントローラ
３５ 主制御装置
３６ 露光データファイル
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造用のリソグラフィー工程で使用して好適な投影露光方法及び投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体素子又は液晶基板等をリソグラフィー技術を用いて製造する工程において、回路パターン等のレチクルパターンを投影光学系を介して基板上に所定の倍率で転写する投影露光装置が使用されている。斯かる投影露光装置においては、転写対象となるパターンの線幅が例えば０．５μｍ以下ときわめて微細化している。このような微細な線幅のパターンを良好に結像するためには投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする必要がある。また、レチクルとして近時は光の干渉効果を積極的に活用した所謂位相シフトレチクル等も使用されるようになっているが、このような位相シフトレチクルに対しては露光光のコヒーレンシィを高める必要がある。
【０００３】図６は従来の投影露光装置の照明系の模式図であり、この図６において、２次光源としてのフライアイレンズ１から射出されてその射出面（レチクル側焦点面）近傍に配置された可変開口絞り２の開口部を通過した露光光は、アウトプットレンズ３により略々平行な光束に変換される。この略々平行な光束の内で可変視野絞りとしてのレチクルブラインド４の開口部を通過した光束が、リレーレンズ５及び主コンデンサレンズ６により略々平行で大口径の露光光ＩＬに変換されてレチクル７をほぼ均一な照度で照明する。レチクル７のパターン形成面とレチクルブラインド４の開口部とは光学的に共役な位置関係にあり、レチクルブラインド４の開口部の形状を変えることにより、レチクル７上の照明領域の形状、大きさを任意に設定することができる。
【０００４】そして、レチクル７のパターン形成面のパターンが投影レンズ８によりウェハ９の露光面に所定の倍率で転写される。投影レンズ８の瞳面Ｐ１には可変開口絞り１０が配置されており、可変開口絞り２と可変開口絞り１０とは光学的に共役な位置関係にある。
【０００５】投影露光装置の照明系の特性を表す数値としては一般に、投影レンズの開口数ＮＡと露光光のコヒーレンシィを表すσ値とが用いられる。図６を参照して開口数とσ値について説明するに、図６において、投影レンズ８の瞳面Ｐ１の可変開口絞り１０により、投影レンズ８のレチクル７側からの光束が通過できる最大の角度θR 及び投影レンズ８からウェハ９側に落射する光束の最大の角度θW は所定の値に制限されている。投影レンズ８の開口数ＮＡPLはｓｉｎθW であり、投影倍率を１／ｍとすると、ｓｉｎθR ＝ｓｉｎθW ／ｍの関係にある。また、露光光ＩＬがレチクル７に入射するときの最大の入射角をθILとすると、露光光ＩＬを生成する照明系のσ値であるσILは次のように定義される。
【数１】σIL＝ｓｉｎθIL／ｓｉｎθR＝ｍ・ｓｉｎθIL／ｓｉｎθW
【０００６】一般に開口数ＮＡが大きい程解像度は向上するが、焦点深度が浅くなる。一方、σ値が小さい程に露光光ＩＬのコヒーレンシィが良くなるため、σ値が小さくなるとパターンのエッジが強調され、σ値が大きいとパターンのエッジがぼけるようになる。従って、パターンの結像特性は開口数ＮＡとσ値とでほぼ決って来る。また、可変開口絞り２によりσ値が変化すると、投影レンズ８の瞳面Ｐ１における照度分布が変化する。
【０００７】図７を参照して、図６の従来の投影露光装置でウェハ上にレチクルパターンを露光する場合のシーケンスにつき説明する。この場合、先ずステップ１０１において、オペレータはマニュアルで投影レンズ８の可変開口絞り１０を操作して、投影レンズ８の開口数ＮＡを転写対象のレチクル上の最小線幅を解像できる程度の値に設定する。次に、オペレータは可変開口絞り２を操作することにより、転写対象のレチクル７に合わせて照明系のσ値を設定した後に、転写対象のレチクルをレチクルホルダーにセットする（ステップ１０２）。
【０００８】その後、複数枚のウェハに順次投影レンズ８を介してそのレチクルのマスクパターンを転写する（ステップ１０３）。そして、転写対象である次のレチクルの最適な開口数ＮＡ及び照明系のσ値が異なる場合には、オペレータはステップ１０４においてマニュアルで可変開口絞り１０及び可変開口絞り２の調整を行う。その後、レチクルを交換した後に（ステップ１０５）、再び複数枚のウェハに対する露光処理が行われる（ステップ１０６）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の投影露光装置においては開口数ＮＡ及びσ値の両パラメータは装置定数であるため、オペレータが一度マニュアルで設定を行うと一連の露光シーケンスの中でそれら両パラメータを変えることはできなかった。しかしながら、最適な開口数ＮＡ及びσ値は、レチクル上の投影露光するパターンの最小線幅又はレチクル上のマスクパターンに対するウェハ上の転写パターンの寸法忠実度等の要求される結像性能によって異なるものである。
【００１０】従って、例えば所謂特定用途向けＩＣ（ＡＳＩＣ）を製造するような場合で、同一ウェハ上に最適な結像パラメータの値が異なる複数種類のデバイスチップのパターンを露光するような場合には、従来は途中でパラメータの値を変更することができないため、パラメータの値をそれら複数種類のパターンの内の或る特定のパターンのみに対する最適値に設定せざるを得なかった。これはその他のパターンは必ずしも最適な結像条件では露光されていなかったことを意味する。同様に、レチクル中に最適なパラメータの値が異なる複数のパターンが存在するような場合にも、従来はパラメータの値をその内の或る特定のパターンのみに対する最適値に設定せざるを得なかった。
【００１１】本発明は斯かる点に鑑み、同一ウェハ上に開口数ＮＡ及びσ値等の結像パラメータの最適な値が異なる複数のデバイスチップを露光するような場合、又は最適パラメータが異なる複数のパターンが存在するレチクル上のそれら複数のパターンを同一ウェハ上に順次露光するような場合でも、全体として最適な結像特性を得ることができる投影露光方法を提供することを目的とする。更に本発明は、その投影露光方法を用いた回路素子製造方法を提供することをも目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光方法は、照明光学系を通してマスクに照明光を照射し、可変開口絞りを備えた投影光学系を介してその照明光で基板を露光する投影露光方法において、第１マスクパターンに応じて、その照明光学系中のマスクパターンのフーリエ変換面、又はその共役面もしくはその近傍の面内におけるその照明光の分布状態である照明条件を、その照明光学系内に回転自在に配置される可動部材を回転駆動せしめて第１照明条件に設定すると共に、その可変開口絞りを調整してその投影光学系の開口数を第１値に設定する第１工程と、その第１工程で設定されたその第１照明条件の下でその照明光をその第１マスクパターンに照射することにより、その第１マスクパターン及びその第１値の開口数に設定されたその投影光学系を介したその照明光で、所定の基板上の複数のショット領域のうちその第１マスクパターンで露光すべきショット領域を全て露光する第２工程と、その第２工程の後に、その所定の基板を交換することなく、使用するマスクパターンをその第１マスクパターンから第２マスクパターンへ切り換えると共に、その第２マスクパターンに応じて、その可動部材を回転駆動せしめてその照明条件を第２照明条件に設定し、且つその可変開口絞りを調整してその投影光学系の開口数を第２値に設定する第３工程と、その第３工程で設定されたその第２照明条件の下でその照明光をその第２マスクパターンに照射することにより、その第２マスクパターン及びその第２値の開口数に設定されたその投影光学系を介したその照明光で、その所定の基板上のその第１マスクパターンが露光されたショット領域を全て露光する第４工程と、を有するものである。そして、本発明の回路素子製造方法は、上記の本発明の投影露光方法を用いて、回路パターンを基板上に転写するものである。
【００１３】
【００１４】
【作用】斯かる本発明によれば、それぞれ最適な結像パラメータが異なるパターンで基板を露光する際に、各パターンに最適の結像パラメータとなる照明条件を設定して露光を行うので、常に最適の結像条件で露光を行うことができる。また、第１のパターンを基板上の複数の転写領域に転写した後に、第２のパターンを基板上に転写するようにしているので、パターンの切り替え動作や照明条件の切り換え動作を最小限の回数に抑えることができ、スループットの向上も図れる。また、本発明によれば、例えば１個の基板としての感光基板上の異なる領域にそれぞれ最適な照明条件又は結像パラメータ（開口数ＮＡ、σ値）が異なる複数のマスクのパターン、又は複数のパターンを露光する場合には、先ず第１のマスク（又は第１のパターン、以下同様）の種類を判別して最適な結像パラメータの値を調べた後に、その第１のマスクをセットする。次に、照明系の開口絞り及び投影光学系の開口絞りを調整して、投影光学系の開口数ＮＡ及び照明系のσ値をその最適なパラメータの値に設定する。また、第１のマスクのパターン領域に応じて照明系の視野絞りを調整した後に、感光基板の第１の領域にその第１のマスクのパターンを例えばステップアンドリピート方式で露光する。
【００１５】次に、第２のマスク（又は第２のパターン、以下同様）の種類を判別して最適な結像パラメータの値を調べた後に、その第２のマスクをセットする。そして、投影光学系の開口数ＮＡ及び照明系のσ値をその最適な結像パラメータの値に設定して、第２のマスクのパターン領域に応じて照明系の視野絞りを調整した後に、感光基板の第２の領域にその第２のマスクのパターンを例えばステップアンドリピート方式で露光する。このような工程を繰り返すことにより、最適なパラメータの値が異なる複数のマスクのパターン、又は複数のパターンをそれぞれ最適な結像条件で同一の感光基板の異なる領域に露光することができる。
【００１６】また、１枚のマスク上にそれぞれ最適なパラメータが異なる複数のパターン領域が存在する場合には、先ずマスクの種類を判別してそれら複数のパターン領域の形状及び対応する最適な結像パラメータを調べる。そして、マスクをセットした後に、第１のパターンに対応させて照明系の視野絞り、投影光学系の開口数ＮＡ及び照明系のσ値を設定する。その後、ステップアンドリピート方式であれば、感光基板の第１のショット領域から順にその第１のパターンを露光する。次に、マスクの第２のパターンに対応させて照明系の視野絞り、投影光学系の開口数ＮＡ及び照明系のσ値を設定する。その後、ステップアンドリピート方式であれば、再び同一感光基板の第１のショット領域から順にその第２のパターンを露光する。このような工程を繰り返すことにより、同一の感光基板の同一のショット領域内に最適な結像パラメータの値が異なる複数のパターンをそれぞれ最適な結像条件で露光することができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図１〜図５を参照して説明する。本例は図６の従来例と同様にステップアンドリピート方式の半導体素子製造用縮小投影露光装置に本発明を適用したものであり、その図１において図６に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。図１は本例の投影露光装置の全体の構成を示し、この図１において、レチクル７をレチクルホルダー１１に保持し、レチクルホルダー１１の近傍にバーコードリーダ１２を配置する。レチクル７のパターン領域ＰＡの外側にはそのレチクルの種類を表すバーコードＢＣが形成され、レチクル７をレチクルホルダー１１にセットする際にバーコードリーダ１２でそのバーコードＢＣを読み取ることにより、レチクル７の名称を判別することができる。詳しく述べると、後述の主制御装置３５内には、この投影露光装置で扱うべき複数枚のレチクルの名称と、各名称に対応したステッパーの動作パラメータとが予め登録されている。そして、主制御装置３５はバーコードリーダ１２がバーコードＢＣを読み取ると、その名称に対応した動作パラメータの１つとして、予め登録されているレチクルに対する照明条件に関する情報に基づいて、後述の回転板２１、レチクルブラインド４、及び可変開口絞り１０，３０を駆動することになる。以上の動作は、キーボードからオペレータがコマンドとデータとを主制御装置３５へ直接入力することによっても実行できる。尚、上記情報はレチクルの種類やそのパターンの微細度、周期性等に対応している。
【００１８】１３はウェハホルダー、１４はウェハステージを示し、ウェハステージ１４は、投影レンズ８の光軸に垂直な２次元平面内で位置決めできるＸＹステージ、その光軸の方向に位置決めできるＺステージ及びレベリングステージ等よりなる。ウェハステージ１４のＸＹステージ及びＺステージにはそれぞれ駆動機構及び座標測定機構が組み込まれている。そのウェハステージ１４の上に順にウェハホルダー１３及びウェハ９を載置する。
【００１９】次に、本例のレチクル７を照明する露光光ＩＬ用の照明系の構成につき説明する。図１において、１５はウェハ９上のレジスト層を感光させる波長帯の露光光ＩＬを発生する露光用照明光源を示し、露光光ＩＬとしては、水銀ランプの輝線（ｉ線、ｊ線等）、ＡｒＦ，ＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ光又は金属蒸気レーザ若しくはＹＡＧレーザ等の高調波等を使用することができる。その露光光ＩＬを楕円鏡１６で反射して１度集束した後に、ミラー１９で反射してインプットレンズ２０に向ける。楕円鏡１６とミラー１９との間（楕円鏡１６の第２焦点近傍）にはシャッター１７を配置し、このシャッター１７を駆動モータ１８で回転することにより必要に応じて露光光ＩＬを遮蔽する。
【００２０】インプットレンズ２０により略々平行光束に変換された露光光ＩＬはオプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ１に入射する。このフライアイレンズ１の後（レチクル）側焦点面には、露光光ＩＬのほぼ均一な２次光源像が形成される。この２次光源像が形成されている位置（すなわち照明光学系中のレチクルパターンのフリーエ変換面、又は共役面もしくはその近傍の面内）に回転板２１を回転自在に取り付けて、回転板２１を駆動モータ２２により所定の回転位置に位置決めする。回転板２１には、図２に示すように、例えば６種類の開口絞り２３〜２８を等角度間隔で形成する。これらの開口絞りの内で、円形開口絞り２３及び２４はそれぞれ異なる直径の通常の円形の開口部２３ａ及び２４ａを有し、輪帯開口絞り２５は輪帯状の開口部２５ａを有する。また、傾斜照明用の開口絞り２６及び２７はそれぞれ互いに直交する方向に配置された１対の微小開口部２６ａ，２６ｂ及び２７ａ，２７ｂを有し、傾斜照明用の開口絞り２８は光軸を中心として等距離に配置された４個の微小開口部２８ａ〜２８ｄを有する。例えば、開口絞り２６，２７，２８を用いるときは各開口部からの照明光束のσ値が０．１〜０．３程度となるように設定することが望ましい。さらにレチクルパターンの微細度（ピッチ等）に応じて開口絞り２６〜２８の各々における各開口部の位置を微調整できるように構成しておくことが望ましい。また、開口絞り２４〜２８を用いるときはレチクルまたはウェハ上での照度均一性が悪くなり得るので、フライアイレンズ１の各エレメントを細かくする（断面積を小さくする）ことが望ましい。さらに別のインテグレータ（フライアイ型又はロッド型）を追加して２段のインテグレータ構造としても良い。また、開口絞り２６〜２８の使用時は光量ロスが大きいので、光ファイバー、多面プリズム等の光分割器を用いて、開口絞り上の各開口部に露光光を導くように構成しておくと良い。
【００２１】図１のフライアイレンズ１による２次光源形成面には、一例として回転板２１中の円形の開口部２３ａが配置されている。開口部２３ａは投影レンズ８の瞳面（フーリエ変換面）Ｐ１とほぼ共役である。開口部２３ａより射出された露光光ＩＬはアウトプットレンズ３により略々平行光束に変換されて可変視野絞りとしてのレチクルブラインド４に入射する。レチクルブラインド４の開口部は、駆動手段２９により任意の形状、大きさに設定することができる。レチクルブラインド４の開口部は、レチクル７のパターン領域ＰＡとほぼ共役であり、レチクルブラインド４を出た露光光ＩＬをリレーレンズ５で一度集束する。この集束面Ｐ２は回転板２１の開口絞り面、すなわちフライアイレンズ１の射出面（レチクル側焦点面）とほぼ共役であり、面Ｐ２に露光光ＩＬ用の可変開口絞り３０を配置し、駆動手段３１によりその可変開口絞り３０の円形開口部の直径を任意の値に設定する。尚、可変開口絞り３０はフライアイレンズ１の射出面近傍に、回転板２１と極近接して配置するようにしても良い。
【００２２】可変開口絞り３０を射出した露光光ＩＬの主光線を主コンデンサレンズ６で略々平行光束に変換し、この主光線が略々平行な露光光ＩＬをミラー３２で反射してレチクル７に導く。レチクル７のパターン領域ＰＡからレチクルブラインド４により選択された領域のパターンが、投影レンズ８によりウェハ９の一連のショット領域に露光される。また、投影レンズ８の瞳面Ｐ１の近傍に配置された可変開口絞り１０の円形開口部の直径は、駆動手段３３により任意の値に設定することができる。
【００２３】３４は露光コントローラ、３５は装置全体の動作を制御する主制御装置を示し、露光コントローラ３４は主制御装置３５からの指示により、モータ２２、駆動手段２９、駆動手段３１及び駆動手段３３の動作を制御する。即ち、露光コントローラ３４は、駆動手段３３を介して可変開口絞り１０の開口部の調整を行うことにより、投影レンズ８の開口数ＮＡを所望の値に設定することができる。また、露光コントローラ３４は、モータ２２を介して回転板２１の位置決めを行うか又は駆動手段３１を介して可変開口絞り３０の開口部の調整を行うかの何れの方法によっても、露光光ＩＬ用の照明系の開口数、ひいてはコヒーレンスファクターであるσ値を所望の値に設定することができる。
【００２４】具体的に、レチクル７が通常のレチクルの場合にはσ値は例えば０．５〜０．６に設定され、レチクル７が位相シフトレチクルの場合にはσ値は例えば０．１〜０．４に設定される。更に、露光コントローラ３４は、駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の開口部の形状、大きさを制御することにより、レチクル７のパターン領域ＰＡの所望の部分にのみ露光光ＩＬを照明することができる。
【００２５】３６は露光データファイルを示し、この露光データファイル３６には種々のレチクルの名称に対応してパターン領域の形状及び最適な結像パラメータ等のデータが対応して記憶されている。最適な結像パラメータとしては、投影レンズの最適な開口数ＮＡ、照明系の最適なσ値の他に、例えばレチクルに対する照明条件（回転板２１のどの開口絞りを使うか）等が記憶されている。更にレチクルのパターン領域ＰＡに複数のそれぞれ最適な結像パラメータが異なるパターンが形成されている場合には、それら複数の領域の形状、大きさ及び各領域の最適な結像パラメータのデータがその露光データファイル３６に記憶されている。その露光データファイル３６をバスラインを介して主制御装置３５と接続し、バーコードリーダ１２をもバスラインを介して主制御装置３５と接続する。主制御装置３５は、バーコードリーダ１２から送られて来るレチクル７のバーコードを用いて、露光データファイル３６より露光対象としているレチクル７の最適な結像パラメータ等を認識することができ、この最適な結像パラメータ等の情報を露光コントローラ３４に供給する。
【００２６】次に、図１の投影露光装置の種々の露光動作につき説明する。
［第１の露光動作例］この例では、レチクル７上に第１の領域及び第２の領域よりなる２つの半導体チップ用のパターン領域があり、それぞれ最適な開口数ＮＡ及びσ値が異なる場合を扱う。図３を参照してこの場合の動作を説明する。先ず図３のステップ１０７において、レチクル７を図１のレチクルホルダー１１にセットする。この際に、主制御装置３５はバーコードリーダ１２を介してレチクル７のバーコードＢＣを読み取り、レチクル７の名称を判別する。そして、主制御装置３５は露光データファイル３６のその判別した名称に対応する記憶領域を参照することにより、レチクル７の２つの領域の各々の最適な結像パラメータ及び２つの領域の形状、大きさを認識する。
【００２７】その後、ステップ１０８において、主制御装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としているレチクル７の第１の領域の最適な結像パラメータ及びその第１の領域の形状、大きさの情報を供給する。これに対応して、先ず露光コントローラ３４は、レチクル７に対する照明条件を設定するため、モータ２２を介して回転板２１の中のレチクル７に合った開口絞りを選択して設定する。この選択基準の一例としては、特に微細パターンに対しては開口絞り２６，２７，２８（この３つの使い分けはレチクルパターンの周期性に応じて選択すれば良い）を用い、線幅が厳しくないときは開口絞り２３を用い、位相シフトレチクルには開口絞り２４（又は開口絞り３０を使用しても良い）を用いる。開口絞り２６は例えばＸ方向に配列された周期パターン、開口絞り２７はＹ方向に配列された周期パターン、開口絞り２８は２次元パターンに対して有効である。また、第１の領域と第２の領域とで開口絞り２３〜２８を切り替えることなく、開口数ＮＡ及びσ値のを変更するだけでも良い。さらに、線幅に関係なく、第１の領域と第２の領域とでそのパターンの周期性が互いに直交していたら、開口絞り２６，２７を切り替えるようにしても良い。その後、露光コントローラ３４は駆動手段３３を介して投影レンズ８の可変開口絞り１０を制御することにより、投影レンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定する。そして、露光コントローラ３４は、駆動手段３１を介して可変開口絞り３０を制御することにより、照明系のσ値を最適な値に設定する。次にステップ１０９において、露光コントローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の開口部の形状をレチクル７の第１の領域の形状に合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を行う。
【００２８】そして、主制御装置３５は、ウェハステージ１４を駆動してウェハ９の今回の露光領域である指定ショット領域を投影レンズ８の光軸上にアライメントして（ステップ１１０）、レチクル７の第１の領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の指定ショット領域に露光する（ステップ１１１）。次にステップ１１２において、主制御装置３５は予め記憶された露光シーケンスを調べることにより、レチクル７を交換するか否かを判定する。本例ではレチクル７を交換することなく、レチクル７の第２の領域のパターンを露光するので、動作はステップ１１３に移行し、主制御装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としているレチクル７の第２の領域の最適な結像パラメータ及びその第２の領域の形状の情報を供給する。これに対応して、露光コントローラ３４はモータ２２を介して回転板２１の中の所定の開口絞りを設定した後に、駆動手段３３を介して投影レンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定する。そして、露光コントローラ３４は、駆動手段３１を介して照明系のσ値を最適な値に設定する。
【００２９】次にステップ１１４において、露光コントローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の開口部の形状、大きさをレチクル７の第２の領域の形状、大きさに合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を行う。この場合、ウェハ９の指定ショット領域は前回と同じであるため、ウェハ９のアライメントを行う必要はない。そこでステップ１１５において、主制御装置３５は、レチクル７の第２の領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の前回と同じ指定ショット領域に露光する。その後ステップ１１６において、ウェハ９の全部のショット領域への露光が終了したかどうかが判断され、終了していない場合には動作はステップ１１２に移行する。終了している場合には動作はステップ１１７に移行する。
【００３０】ステップ１１７において、露光工程が終了した場合には露光動作は終了するが、次のウェハに露光する場合には動作はステップ１０７に移行して同様に露光が行われる。このようにして、レチクル７上に複数のそれぞれ最適な結像パラメータが異なる領域が存在する場合でも、それぞれについて最適な結像条件で露光を行うことができる。尚、第１露光動作例ではウェハの１つ１つのショット領域に対して第１レチクル上の第１の領域と第２の領域のパターンを露光していったが（このとき第２の領域のパターンを露光する際にはショット毎にアライメントを行う必要がある）、ウェハ上の複数のショット領域のうち、第１レチクルの第１の領域のパターンを露光すべきショット領域の全てに対して第１の領域のパターンを露光した後で、レチクルブラインド４を駆動して先に第１の領域のパターンを露光した全てのショット領域に対して第２の領域のパターンを露光するようにしても良い。以下、同一ウェハ上で露光が行われていないショット領域については第２レチクル、第３レチクル、…を用いて上記と同様の動作で露光を行っていけば良い。
【００３１】［第２露光動作例］本例では、特定用途向けＩＣ（ＡＳＩＣ）の生産、画面合成又は小ロット生産時の危険分散等を目的として、１個のウェハ上に複数のレチクルを用いて複数種類の半導体チップを形成する場合で、且つそれぞれ最適な結像パラメータが異なる場合を扱う。この場合の動作も図３を参照して説明する。使用する複数のレチクルを第１のレチクル、第２のレチクル、‥‥とする。先ず、図３のステップ１０７において、第１のレチクルをレチクルホルダー１１にセットする。この際に、主制御装置３５はバーコードリーダ１２を介して第１のレチクルのバーコードＢＣを読み取り、レチクルの名称を判別する。そして、主制御装置３５は露光データファイル３６のその判別した名称に対応する記憶領域を参照することにより、第１のレチクルのパターン領域の各々の最適な結像パラメータ及びパターン領域の形状、大きさを認識する。
【００３２】その後、ステップ１０８において、主制御装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている第１のレチクル７の最適な結像パラメータ及びパターン領域の形状、大きさの情報を供給する。これに対応して、先ず露光コントローラ３４は、レチクル７に対する照明条件を設定するため、モータ２２を介して回転板２１の中のレチクル７に合った開口絞り２３〜２８を選択して設定する。その後、露光コントローラ３４は投影レンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定すると共に、照明系のσ値を最適な値に設定する。次にステップ１０９において、露光コントローラ３４はレチクルブラインド４の開口部の形状を第１のレチクルのパターン領域の形状に合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を行う。
【００３３】そして、主制御装置３５は、ウェハステージ１４を駆動してウェハ９の今回の露光領域である指定ショット領域を投影レンズ８の光軸上に設定し（ステップ１１０）、第１のレチクルのパターン領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の指定ショット領域に露光する。（ステップ１１１）。次にステップ１１２において、主制御装置３５は予め記憶された露光シーケンスを調べることにより、第１のレチクルを交換するか否かを判定する。本例ではレチクルを交換するので動作はステップ１１８に移行し、主制御装置３５はレチクルホルダー１１に第２のレチクルをセットする。この際に主制御装置３５はバーコードリーダ１２を介して第２のレチクルの名称を調べ、露光データファイル３６を参照して第２のレチクルの照明条件（最適な開口絞り２３〜２８の設定）、最適な結像パラメータの値及びパターン領域の形状等を認識する。
【００３４】その後ステップ１１９において、主制御装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている第２のレチクルのパターン領域の最適な結像パラメータ及びそのパターン領域の輪郭の座標の情報を供給する。これに対応して、露光コントローラ３４は、先ずモータ２２を介して回転板２１の中の開口絞り２３〜２８の中の第２のレチクルに適合する開口絞りを設定する。その後露光コントローラは、駆動手段３３を介して投影レンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定すると共に、照明系のσ値を最適な値に設定する。
【００３５】次にステップ１２０において、露光コントローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の開口部の形状を第２のレチクルのパターン領域の形状に合わせることにより、レチクルブランド４の設定を行う。その後ステップ１２１において、主制御装置３５はウェハ９上の第２のレチクルを露光するための指定ショット領域を投影レンズ８の光軸上にアライメントする。そして、主制御装置３５は、第２のレチクルのパターン領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の第２のレチクル用の指定ショット領域に露光させる。その後ステップ１２２において、ウェハ９の全部のショット領域への露光が終了したかどうかが判別され、終了していない場合には動作はステップ１１２に移行する。終了している場合には動作はステップ１１７に移行する。このような動作により、１個のウェハ上に複数のそれぞれ最適な結像パラメータが異なるレチクルのパターンを最適な結像条件で露光することができる。
【００３６】［第３露光動作例］本例では、１個の半導体チップ内、即ち１個の露光用のレチクルパターン内にそれぞれ最適な結像パラメータの値が異なる複数種類の線幅のパターンが混在し、且つ第１露光動作例のようにレチクルブラインド４でレチクル７の露光視野を分割することが困難な場合を扱う。この場合には、元のレチクルのパターンを複数に分割する。そして、複数に分割されたパターンの各々を別々のレチクル又は同一のレチクル内の異なる領域に形成する。別々のレチクルに形成する場合には、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、それぞれ最適な結像パラメータの値が異なるパターンが形成された複数のレチクル７Ａ及び７Ｂを用意する。図４（ａ）及び（ｂ）の斜線部の領域３７はそれぞれクロム蒸着膜による遮光域であり、白抜き状に示す領域３８はそれぞれ必要なパターンが描画されている領域である。従って、レチクル７Ａとレチクル７Ｂとは遮光域３７の位相が１８０°ずれている。
【００３７】これら２枚のレチクル７Ａ及び７Ｂを第２露光動作例と同様のシーケンスでウェハ上に露光する。第２露光動作例と異なる点は、ウェハ上の同一領域に異なる２個のレチクルのパターンが露光されることである。
【００３８】［第４露光動作例］上記の第３露光動作例と同じ場合であるが、レチクル上の複数種の線幅が複雑に入り組んでいて、図４に示すような複数枚のレチクルで対応することが困難な場合を扱う。この場合には、図３R>３のステップ１１１において、ウェハの各ショット領域に露光する際に、投影レンズ８の開口数ＮＡ及び照明系のσ値を所定の範囲に亘って連続的に変化させることにより、最良ではないが次善の結像特性を得ることができる。その所定の範囲とは、例えばそのレチクル上の最も線幅の広いパターンの結像パラメータと最も線幅の狭い結像パラメータとの間である。
【００３９】［第５露光動作例］本例では露光のための最適条件を求めるための所謂テストプリントを行う場合を扱う。従来はテストプリントとは、ステップアンドリピートでウェハの一連のショット領域にレチクルのパターンを露光する際に、ウェハ９の投影レンズ８の光軸方向の位置である焦点位置Ｚ及び露光時間Ｔを各ショット露光毎に少しずつ変化させて露光することを意味する。
【００４０】これに対して本例では、第１露光動作例と同様のシーケンスに従って、例えば図５（ａ）のマップに示されるように結像条件を種々に変えて露光を行う。ただし、本例ではレチクルブラインド４の開口部の形状に対応するレチクルブラインド４を変化させる必要はない。図５（ａ）において、３９はウェハ上の１個の指定ショット領域を示し、指定ショット領域３９と同様のショット領域が縦横に多数配置されており、各ショット領域にそれぞれ解像力テストパターンが露光される。結像条件は図５（ａ）の横方向に対して、ウェハの焦点位置Ｚが５個のショット領域毎に変化し、投影レンズの開口数ＮＡが１個のショット領域毎に５個周期で変化する。また、図５（ａ）の縦方向に対して、露光時間Ｔが５個のショット領域毎に変化し、照明系のσ値が１個のショット領域毎に５個周期で変化する。
【００４１】その外に、図５（ｂ）のマップに示されるように結像条件を変えてもよい。結像条件は図５（ｂ）の横方向に対して、投影レンズの開口数ＮＡが５個のショット領域毎に変化し、ウェハの焦点位置Ｚが１個のショット領域毎に５個周期で変化する。また、図５（ｂ）の縦方向に対して、照明系のσ値が５個のショット領域毎に変化し、露光時間Ｔが１個のショット領域毎に５個周期で変化する。図５に示すようなマップでテストプリントを行うことにより、開口数ＮＡ、σ値、焦点位置Ｚ及び露光時間Ｔよりなる４個のパラメータでのテストプリントを行うことができる。なお、本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、マスクの種類に応じて照明系の視野絞り、照明系の開口絞り及び投影光学系の開口絞りの状態を設定しながら露光を行うことができる。従って、同一の感光基板上に最適な結像パラメータの値が異なる複数枚のマスクのパターンを順次露光する場合でも、又は最適な結像パラメータの値が異なる複数種類のパターンが同一面に形成されたマスクのパターンを感光基板に順次露光する場合でも、常に最適の結像条件で露光を行うことができる利点がある。更に、本発明によれば、第１のパターンを基板上の複数の転写領域に転写した後に、第２のパターンを基板上に転写するようにしているので、パターンの切り替え動作や照明条件の切り換え動作を最小限の回数に抑えることができ、スループットの向上も図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の投影露光装置の主要部を示す一部を断面とした構成図である。
【図２】図１中の回転板２１を示す平面図である。
【図３】実施例の露光動作の一例を示す流れ図である。
【図４】実施例で使用するレチクルのパターンの変形例を示す平面図である。
【図５】実施例のテストプリントのマップの例を示す線図である。
【図６】従来の投影露光装置の照明系を簡略化して示す模式図である。
【図７】従来の投影露光装置の露光動作を示す流れ図である。
【符号の説明】
１ フライアイレンズ
３ アウトプットレンズ
６ 主コンデンサレンズ
７ レチクル
８ 投影レンズ
９ ウェハ
１０ 可変開口絞り
１２ バーコードリーダ
１４ ウェハステージ
１７ シャッター
２１ 回転板
２２ モータ
４ レチクルブラインド
２９，３１，３３ 駆動手段
３０ 可変開口絞り
３４ 露光コントローラ
３５ 主制御装置
３６ 露光データファイル
【特許請求の範囲】
【請求項１】 照明光学系を通してマスクに照明光を照射し、可変開口絞りを備えた投影光学系を介して前記照明光で基板を露光する投影露光方法において、第１マスクパターンに応じて、前記照明光学系中のマスクパターンのフーリエ変換面、又はその共役面もしくはその近傍の面内における前記照明光の分布状態である照明条件を、前記照明光学系内に回転自在に配置される可動部材を回転駆動せしめて第１照明条件に設定すると共に、前記可変開口絞りを調整して前記投影光学系の開口数を第１値に設定する第１工程と、前記第１工程で設定された前記第１照明条件の下で前記照明光を前記第１マスクパターンに照射することにより、前記第１マスクパターン及び前記第１値の開口数に設定された前記投影光学系を介した前記照明光で、所定の基板上の複数のショット領域のうち前記第１マスクパターンで露光すべきショット領域を全て露光する第２工程と、前記第２工程の後に、前記所定の基板を交換することなく、使用するマスクパターンを前記第１マスクパターンから第２マスクパターンへ切り換えると共に、前記第２マスクパターンに応じて、前記可動部材を回転駆動せしめて前記照明条件を第２照明条件に設定し、且つ前記可変開口絞りを調整して前記投影光学系の開口数を第２値に設定する第３工程と、前記第３工程で設定された前記第２照明条件の下で前記照明光を前記第２マスクパターンに照射することにより、前記第２マスクパターン及び前記第２値の開口数に設定された前記投影光学系を介した前記照明光で、前記所定の基板上の前記第１マスクパターンが露光されたショット領域を全て露光する第４工程と、を有することを特徴とする投影露光方法。
【請求項２】 前記可動部材は、互いに形状の異なる複数の開口絞りを備え、前記可動部材は、前記照明光学系の光路上に前記複数の開口絞りのうちの１つの開口絞りを配置せしめるように前記可動部材を回転駆動すると共に、前記第１マスクパターンと前記第２マスクパターンとで前記照明光学系の光路上に配置する開口絞りを異ならせることを特徴とする請求項１に記載の投影露光方法。
【請求項３】 前記複数の開口絞りは、前記照明光学系の光軸を中心として等距離に配置される複数の開口を備えた開口絞り、あるいは輪帯状の開口を備えた開口絞りを含むことを特徴とする請求項２に記載の投影露光方法。
【請求項４】 前記第１及び第２マスクパターンは同一のマスクに設けられることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の投影露光方法。
【請求項５】 前記第１及び第２マスクパターンは異なるマスクに設けられ、該異なるマスクは位相シフトマスクを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の投影露光方法。
【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の投影露光方法を用いて、回路パターンを基板上に転写することを特徴とする回路素子製造方法。
【請求項１】 照明光学系を通してマスクに照明光を照射し、可変開口絞りを備えた投影光学系を介して前記照明光で基板を露光する投影露光方法において、第１マスクパターンに応じて、前記照明光学系中のマスクパターンのフーリエ変換面、又はその共役面もしくはその近傍の面内における前記照明光の分布状態である照明条件を、前記照明光学系内に回転自在に配置される可動部材を回転駆動せしめて第１照明条件に設定すると共に、前記可変開口絞りを調整して前記投影光学系の開口数を第１値に設定する第１工程と、前記第１工程で設定された前記第１照明条件の下で前記照明光を前記第１マスクパターンに照射することにより、前記第１マスクパターン及び前記第１値の開口数に設定された前記投影光学系を介した前記照明光で、所定の基板上の複数のショット領域のうち前記第１マスクパターンで露光すべきショット領域を全て露光する第２工程と、前記第２工程の後に、前記所定の基板を交換することなく、使用するマスクパターンを前記第１マスクパターンから第２マスクパターンへ切り換えると共に、前記第２マスクパターンに応じて、前記可動部材を回転駆動せしめて前記照明条件を第２照明条件に設定し、且つ前記可変開口絞りを調整して前記投影光学系の開口数を第２値に設定する第３工程と、前記第３工程で設定された前記第２照明条件の下で前記照明光を前記第２マスクパターンに照射することにより、前記第２マスクパターン及び前記第２値の開口数に設定された前記投影光学系を介した前記照明光で、前記所定の基板上の前記第１マスクパターンが露光されたショット領域を全て露光する第４工程と、を有することを特徴とする投影露光方法。
【請求項２】 前記可動部材は、互いに形状の異なる複数の開口絞りを備え、前記可動部材は、前記照明光学系の光路上に前記複数の開口絞りのうちの１つの開口絞りを配置せしめるように前記可動部材を回転駆動すると共に、前記第１マスクパターンと前記第２マスクパターンとで前記照明光学系の光路上に配置する開口絞りを異ならせることを特徴とする請求項１に記載の投影露光方法。
【請求項３】 前記複数の開口絞りは、前記照明光学系の光軸を中心として等距離に配置される複数の開口を備えた開口絞り、あるいは輪帯状の開口を備えた開口絞りを含むことを特徴とする請求項２に記載の投影露光方法。
【請求項４】 前記第１及び第２マスクパターンは同一のマスクに設けられることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の投影露光方法。
【請求項５】 前記第１及び第２マスクパターンは異なるマスクに設けられ、該異なるマスクは位相シフトマスクを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の投影露光方法。
【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の投影露光方法を用いて、回路パターンを基板上に転写することを特徴とする回路素子製造方法。
【図２】
【図４】
【図１】
【図３】
【図５】
【図６】
【図７】
【図４】
【図１】
【図３】
【図５】
【図６】
【図７】
【特許番号】特許第３３９１４０４号（Ｐ３３９１４０４）
【登録日】平成１５年１月２４日（２００３．１．２４）
【発行日】平成１５年３月３１日（２００３．３．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平３−３５３７５４
【出願日】平成３年１２月１８日（１９９１．１２．１８）
【公開番号】特開平５−１６６６９４
【公開日】平成５年７月２日（１９９３．７．２）
【審査請求日】平成１０年１２月１６日（１９９８．１２．１６）
【審判番号】不服２００１−１６００２（Ｐ２００１−１６００２／Ｊ１）
【審判請求日】平成１３年９月６日（２００１．９．６）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【合議体】
【参考文献】
【文献】特開 平３−８５５４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−１０１７３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平１−２８３９２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６２−１７１１２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−２５１１２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開 平３−２５２２７（ＪＰ，Ｕ）
【文献】実開 昭６１−１５１（ＪＰ，Ｕ）
【登録日】平成１５年１月２４日（２００３．１．２４）
【発行日】平成１５年３月３１日（２００３．３．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成３年１２月１８日（１９９１．１２．１８）
【公開番号】特開平５−１６６６９４
【公開日】平成５年７月２日（１９９３．７．２）
【審査請求日】平成１０年１２月１６日（１９９８．１２．１６）
【審判番号】不服２００１−１６００２（Ｐ２００１−１６００２／Ｊ１）
【審判請求日】平成１３年９月６日（２００１．９．６）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【合議体】
【参考文献】
【文献】特開 平３−８５５４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−１０１７３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平１−２８３９２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６２−１７１１２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−２５１１２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開 平３−２５２２７（ＪＰ，Ｕ）
【文献】実開 昭６１−１５１（ＪＰ，Ｕ）
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