描画方法、情報記録媒体製造用原盤の製造方法、および情報記録媒体の製造方法
【課題】サーボ情報を正確に読出しできるサーボパターンを形成可能な露光パターンを描画する。
【解決手段】位相サーボパターンＰＳ５の各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ等の描画時に、これらを構成する露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の領域Ａ１，Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとして、領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度が最大となる半径位置を含む第１の領域内のいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのトラックＳＴにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの総照射量を第１の長さで除した第１の値が、交差角度が最小となる半径位置を含む領域であって半径方向において第１の領域に対して隣接する第２の領域内の各半径位置のトラックＳＴ毎の第１の値の平均よりも大きくなるようにビームを照射する。
【解決手段】位相サーボパターンＰＳ５の各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ等の描画時に、これらを構成する露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の領域Ａ１，Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとして、領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度が最大となる半径位置を含む第１の領域内のいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのトラックＳＴにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの総照射量を第１の長さで除した第１の値が、交差角度が最小となる半径位置を含む領域であって半径方向において第１の領域に対して隣接する第２の領域内の各半径位置のトラックＳＴ毎の第１の値の平均よりも大きくなるようにビームを照射する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体製造用原盤や情報記録媒体を製造する際に使用する凹凸パターンを形成するための露光パターンを描画する描画方法、並びに、描画した露光パターンを利用して形成した凹凸パターンを使用して情報記録媒体製造用原盤や情報記録媒体を製造する製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
記録密度の向上を図り得る磁気記録媒体として、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体などのパターンド型の磁気ディスクが提案されている。これらの磁気ディスクの製造方法としては、磁性層（記録層）をエッチングする方法や、磁性層（記録層）にイオンを注入する方法が知られている。また、磁性層（記録層）をエッチングする際に使用するマスクパターンや、磁性層（記録層）にイオンを注入する際に使用するマスクパターンの製造方法としては、微細凹凸パターンが形成されたインプリント用スタンパー（製造用原盤）を使用して形成する方法（ナノインプリント法）が知られている。一方、連続記録層型の磁気ディスクの製造方法としては、サーボ情報の記録処理を効率化するために、微細凹凸パターンが形成された磁気転写用スタンパー（製造用原盤）を使用して、磁気ディスクの全域にサーボ情報を一括して記録する（サーボパターンを磁気転写する）方法が提案されている。これらインプリント用スタンパーや磁気転写用スタンパー（以下、区別しないときには、単に「スタンパー」ともいう）は、一例として、電子ビーム描画装置を用いて描画した露光パターンを現像して形成される凹凸パターンを使用して製造される。
【０００３】
例えば、特開２０１０−１１８１００号公報には、情報記録用原盤を製造するためのパターンを電子ビーム描画装置によって描画する方法が開示されている。この描画方法では、原盤を固定したターンテーブルをモータによって回転させながら、原盤（原盤に塗布したレジストの層）に対して電子ビームを断続的に照射することで所望のパターンを描画する。この場合、この描画方法では、一例として、サーボパターンにおける１トラックピッチ分の幅を６回に分けて描画する方法が採用されている。具体的には、ブランカ制御データ（電子ビームを断続させて照射するための制御データ）に基づき、電子ビームの照射を開始すべき開始位置から、照射を停止すべき停止位置まで原盤の回転方向に沿って電子ビームを照射することによって描画対象のパターンにおける半径方向の一部（回転方向に沿って長い帯状の領域：以下、「帯状領域」ともいう）を描画し、この帯状領域の位置を、原盤が１回転させられる都度、原盤の半径方向に「１／６・トラックピッチ」ずつ変更することで、原盤が６回転する間に１トラックピッチ分のサーボパターンを描画する。
【０００４】
この場合、露光すべき領域における原盤の回転方向の上流側および下流側の両辺が原盤の半径方向に対して傾斜しているパターン（半径方向に対して交差している露光領域を有するパターン：例えば、位相サーボパターンを構成する位相サーボ部のパターン）の描画に際しては、上記公開公報の図４に示すように、原盤が１回転させられる都度、上記の帯状領域の位置を「１／６・トラックピッチ」ずつ原盤の半径方向に沿って変更すると共に、この帯状領域の位置を描画すべきパターンの傾斜角度に応じて回転方向に沿って変更する。これにより、回転方向と交差する両辺が原盤の半径方向に対して平行な露光領域で構成されたパターン、および回転方向と交差する両辺が原盤の半径方向に対して傾斜している（半径方向と交差している）露光領域を有するパターンの双方を含む各種のサーボパターンがレジストに描画される。この後、所望のパターンが描画された原盤に対する現像処理を実行することでレジストの層に凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンを使用して各種スタンパーを製造する。これにより、パターンド型の磁気ディスク、およびサーボ情報が磁気転写された連続記録層型の磁気ディスクなどを製造する際に使用するスタンパーが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１８１００号公報（第２−１０頁、図１−１８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、出願人は、従来の描画方法によって描画されるパターンに、以下の問題点があることを見い出した。すなわち、この種の描画方法に従って描画するパターン（サーボパターン）としては、前述した位相サーボパターンにおける位相サーボ部のパターンだけでなく、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して傾斜する（半径方向に対して交差する）露光領域を有する各種のパターンが存在する。具体的には、例えば、回動アームの先端部に磁気ヘッドが設けられているタイプの記録再生装置に搭載される磁気ディスクにおいては、内周部や外周部において各サーボパターンにスキュー角をそれぞれ付与する必要がある。このため、磁気ディスクの各サーボパターンを含むパターンの描画に際しては、図４５に示す露光領域Ａ１ｘ１のように回転方向と交差する両辺が半径方向に対して平行な（半径方向に対して傾斜していない）露光領域だけでなく、図４６に示す露光領域Ａ１ｘ２のように回転方向と交差する両辺が半径方向に対して傾斜する（半径方向に対して交差する）露光領域を描画する必要がある。
【０００７】
この場合、出願人は、図４５に示すように、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して平行な露光領域Ａ１ｘ１については、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで原盤の回転方向に沿って長さＬｘだけ電子ビームを照射することで、その回転方向に沿った長さが長さＬｘａとなり、図４６に示すように、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して傾斜している（半径方向に対して交差している）露光領域Ａ１ｘ２については、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで原盤の回転方向に沿って上記の露光領域Ａ１ｘ１の描画時と同じ長さＬｘだけ電子ビームを照射したときに、その回転方向に沿った長さＬｘｂが、露光領域Ａ１ｘ１の長さＬｘａよりも短くなることを見いだした。また、出願人は、露光領域における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度が大きくなるほど、電子ビームを照射する距離（開始位置から停止位置までの回転方向に沿った距離：上記の例における長さＬｘに対応する距離）に対する露光領域の回転方向に沿った距離の比が小さくなることを見いだした。
【０００８】
したがって、原盤の内周部から外周部までの全域において、描画すべき露光領域における各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さ（回転方向で並ぶ一組の露光領域および非露光領域の回転方向に沿った合計長）に対して比例するように電子ビームの照射距離を規定して（各半径位置毎（各サーボトラック毎）の１つのサーボパターン領域の回転方向に沿った長さに対して比例するように照射距離を規定して）サーボパターンを描画したときには、上記の露光領域Ａ１ｘ２のように回転方向と交差する両辺が半径方向に対して交差している（傾斜している）露光領域において、描画される露光領域の回転方向に沿った長さが、各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなることとなる。このため、このような描画方法に従って描画したパターンを利用してスタンパーを製造し、そのスタンパーを使用して情報記録媒体を製造したときには、回転方向に沿った長さが本来的な長さよりも短い露光領域に対応して形成されるサーボパターンにおいてサーボ情報の正確な読み出しが困難となるおそれがある。
【０００９】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、サーボ情報を正確に読み出すことができるサーボパターンを形成可能な露光パターンを描画し得る描画方法、並びに、サーボ情報を正確に読み出すことができるサーボパターンを形成し得る情報記録媒体製造用原盤の製造方法および情報記録媒体の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく本発明に係る描画方法は、情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層に描画用ビームを照射して、当該凹凸パターンを形成するための露光領域および非露光領域で構成された露光パターンを当該樹脂層に描画する際に、当該樹脂層が形成された基材を回転させつつ、当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを前記樹脂層に照射することで前記露光領域における当該基材の半径方向の一部を描画する部分描画処理と、前記部分描画処理による描画位置を前記基材の回転中心に接近する方向および当該回転中心から離間する方向のいずれかに変更する描画位置変更処理とを複数回実行する描画方法であって、複数種類のサーボパターンを含む前記露光パターンの描画に際して、位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンと、プリアンブルパターンと、サーボアドレスマークパターンと、パッド領域用パターンと、バーストパターンにおける各バースト部のパターンとのうちの１つの当該サーボパターンを描画対象パターンとして描画する際に、当該描画対象パターンを構成する複数の当該露光領域および複数の当該非露光領域のうちの当該回転方向で並ぶ一組の当該露光領域および当該非露光領域の各半径位置毎の当該回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度が最大となる半径位置を含む第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの総照射量を当該第１の長さで除した第１の値が、前記交差角度が最小となる半径位置を含む領域であって前記半径方向において当該第１の領域に対して隣接する第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第１の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１１】
なお、本明細書における「露光パターン」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、描画を完了した後の現像処理によって基材上から樹脂層が消失する領域の平面パターンを意味し、ネガ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、現像処理によって基材上に樹脂層が残留する領域の平面パターンを意味する。
【００１２】
また、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を当該第１の長さで除した第２の値が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第２の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１３】
また、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を当該第１の長さで除した第３の値が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第３の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１４】
なお、本明細書における「描画パス数」とは、「対象とする露光領域を描画するための部分描画処理の実行回数」を意味する。この場合、例えば、描画対象パターンを構成する露光領域における２つのサーボトラック分の領域を３回の部分描画処理によって描画する場合、この露光領域における１つのサーボトラック分の領域を描画するための描画パス数は、１．５となる。
【００１５】
さらに、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの描画パス数が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記描画パス数の平均よりも多くなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１６】
また、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記回転方向の下流側に向かっての当該描画用ビームの偏向速度が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記偏向速度の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１７】
さらに、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記基材の線速度が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記線速度の平均よりも小さくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１８】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法は、上記のいずれかの描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する。
【００１９】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法は、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造する。
【００２０】
なお、「凹凸パターンを使用する」との処理は、具体的には、「凹凸パターンの物理的形状を任意の材料に転写する処理」や、「凹凸パターンを利用した磁気転写処理によって凹凸パターンにおける凸部（または凹部）の平面パターンに対応する磁化パターンを転写する処理」を意味する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る描画方法では、位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンと、プリアンブルパターンと、サーボアドレスマークパターンと、パッド領域用パターンと、バーストパターンにおける各バースト部のパターンとのうちの１つのサーボパターンを描画対象パターンとして描画する際に、描画対象パターンを構成する複数の露光領域および複数の非露光領域のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域および非露光領域の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、露光領域における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度が最大となる半径位置を含む第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの総照射量を第１の長さで除した第１の値が、交差角度が最小となる半径位置を含む領域であって半径方向において第１の領域に対して隣接する第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の第１の値の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。
【００２２】
具体的には、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内に描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を第１の長さで除した第２の値が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の第２の値の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内に描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を第１の長さで除した第３の値が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の第３の値の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの描画パス数が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の描画パス数の平均よりも多くなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの照射時における回転方向の下流側に向かっての描画用ビームの偏向速度が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の偏向速度の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの照射時における基材の線速度が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の線速度の平均よりも小さくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法とのいずれか、または、これらの描画方法を任意に組み合わせて露光パターンを描画する。
【００２３】
したがって、本発明に係る描画方法によれば、半径方向に対する交差角度が大きいことで露光領域の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる傾向のある第１の領域内の露光領域を描画すべき部位に十分な量の描画用ビームを照射することができる。これにより、この描画方法によれば、基材の外周領域から内周領域までの全域において、位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンと、プリアンブルパターンと、サーボアドレスマークパターンと、パッド領域用パターンと、バーストパターンにおける各バースト部のパターンとを構成する各露光領域の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている露光パターンを描画することができるため、描画した露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンにおいて上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【００２４】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法によれば、上記のいずれかに記載の描画方法に従って樹脂層に露光パターンを描画した後に樹脂層に対して所定の処理を実行して凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造することにより、露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンや、その情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される他の情報記録媒体製造用原盤の凹凸パターンにおいて上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができるため、製造した情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される他の情報記録媒体製造用原盤や、製造した情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体の凹凸パターンにおいて上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【００２５】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法によれば、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造することにより、情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体のサーボパターン（凹凸パターン）において上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さや、情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体のサーボパターン（磁化パターン）において上記の各パターンに対応する部位の磁化領域の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】電子ビーム描画装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】露光パターンを描画する基材１０の断面図である。
【図３】磁気ディスク１５におけるデータ記録領域Ａｔおよびサーボ領域Ａｓと磁気ヘッド１６との関係について説明するための説明図である。
【図４】電子ビーム描画装置１によって描画する露光パターンＰａの平面図である。
【図５】露光パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｃ）の外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳａ（ＰＳｂ，ＰＳｃ）のプリアンブルパターンＰＳ１について説明するための説明図である。
【図６】露光パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｃ）の中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳａ（ＰＳｂ，ＰＳｃ）のプリアンブルパターンＰＳ１について説明するための説明図である。
【図７】露光パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｃ）の内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳａ（ＰＳｂ，ＰＳｃ）のプリアンブルパターンＰＳ１について説明するための説明図である。
【図８】露光パターンＰａの外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図９】露光パターンＰａの中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図１０】露光パターンＰａの内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図１１】露光パターンＰａの外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１２】露光パターンＰａの中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１３】露光パターンＰａの内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１４】描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図１５】描画方法の他の一例について説明するための説明図である。
【図１６】描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図１７】基材１０の回転方向に沿って電子ビームＥＢを偏向する描画方法について説明するための説明図である。
【図１８】図１７に示す描画方法について説明するための説明図である。
【図１９】図２０を参照して説明する位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂの描画方法について説明するための説明図である。
【図２０】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図２１】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の他の一例について説明するための説明図である。
【図２２】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２３】プリアンブルパターンＰＳ１の描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図２４】プリアンブルパターンＰＳ１の描画方法の他の一例について説明するための説明図である。
【図２５】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２６】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２７】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２８】プリアンブルパターンＰＳ１の描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２９】実施例１および比較例１の露光パターンの位相サーボ部におけるパターンの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図３０】実施例２および比較例２の露光パターンにおけるプリアンブルパターンの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図３１】実施例３の露光パターンの位相サーボ部におけるパターンの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図３２】実施例４の露光パターンの位相サーボ部におけるパターンの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図３３】露光パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｃ）を描画した基材１０を現像して凹凸パターン２１を形成した状態の原盤１１の断面図である。
【図３４】原盤１１の凹凸パターン２１に成膜層１２ａおよび電解ニッケル層１２ｂを順に形成してスタンパー１２を作製した状態の断面図である。
【図３５】スタンパー１２を使用してインプリント法によって磁気ディスク１５を製造する工程を示す中間体１５ｍおよびスタンパー１２の断面図である。
【図３６】スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写した状態の中間体１５ｍの断面図である。
【図３７】凹凸パターン２３が形成された樹脂層１５ｃをマスクとして用いて記録層１５ｂをエッチングした状態の磁気ディスク１５の断面図である。
【図３８】磁気ディスク３５の製造に際してスタンパー３２，３２を使用して中間体３５ｍにサーボパターンを磁気転写している状態の断面図である。
【図３９】露光パターンＰｂの外周領域Ａｐｏのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７について説明するための説明図である。
【図４０】露光パターンＰｂの中周領域Ａｐｃのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７について説明するための説明図である。
【図４１】露光パターンＰｂの内周領域Ａｐｉのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７について説明するための説明図である。
【図４２】露光パターンＰｃの外周領域Ａｐｏのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ８について説明するための説明図である。
【図４３】露光パターンＰｃの中周領域Ａｐｃのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ８について説明するための説明図である。
【図４４】露光パターンＰｃの内周領域Ａｐｉのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ８について説明するための説明図である。
【図４５】開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘおよび停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘと露光領域Ａ１ｘ１との関係について説明するための説明図である。
【図４６】他の開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘおよび停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘと露光領域Ａ１ｘ２との関係について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る描画方法、情報記録媒体製造用原盤の製造方法、および情報記録媒体の製造方法の実施の形態について説明する。
【００２８】
最初に、電子ビーム描画装置１の構成、および電子ビーム描画装置１によって描画した露光パターンを使用して製造されるスタンパー１２，３２や磁気ディスク１５，３５の構成について、図面を参照して説明する。
【００２９】
電子ビーム描画装置１（以下、「描画装置１」ともいう）は、図１に示すように、Ｘ−Ｙ移動機構２、ターンテーブル３、ビーム発生部４、ブランキング制御部５、ビーム成形部６、ビーム偏向器７、制御部８および記憶部９を備えて構成されている。この描画装置１は、後述する描画方法に従って電子ビームＥＢ（「描画用ビーム」の一例）を照射することにより、図４に示す露光パターンＰａなどの各種露光パターンを基材１０に描画可能に構成されている。
【００３０】
この場合、基材１０は、スタンパー１２（図３４，３５参照）や、スタンパー３２（図３８参照）を製造するための原盤１１（「情報記録媒体製造用原盤」の一例：図３３参照）を製作するための板体であって、図２に示すように、円板状のＳｉウエハ１０ａの表面に、厚み５０ｎｍ程度の樹脂層１０ｂ（一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布して形成したレジスト層）がこの順で形成されて構成されている。また、図３３に示すように、基材１０を用いて製作される原盤１１は、後述するようにして描画装置１によって基材１０の樹脂層１０ｂに描画された露光パターンＰａ等を現像して形成した凹凸パターン２１（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例）を備えている。
【００３１】
また、スタンパー１２は、パターンド型の磁気ディスク１５（図３７参照）を製造するための原盤（「情報記録媒体製造用原盤」の他の一例である「インプリント用スタンパー」の一例）であって、図３４，３５に示すように、原盤１１の凹凸パターン２１をスタンパー形成材料に転写することによって形成した凹凸パターン２２（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例）を備えている。さらに、スタンパー３２は、連続記録層型の磁気ディスク３５（図３８参照）を製造するための原盤（「情報記録媒体製造用原盤」のさらに他の一例である「磁気転写用スタンパー」の一例）であって、図３８に示すように、原盤１１の凹凸パターン２１をスタンパー形成材料に転写することによって形成した凹凸パターン４２（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の他の一例）を備えている。
【００３２】
また、スタンパー１２を使用して製造される磁気ディスク１５は、「情報記録媒体」の一例であって、図３７に示すように、突端部側が磁性材料（記録層１５ｂ）で形成された複数の凸部と、隣り合う凸部の間の凹部とが形成されて、データトラックパターンやサーボパターンを構成する凹凸パターン２４が形成されている。なお、実際の磁気ディスク１５には、基材１５ａの裏面側にも凹凸パターン２４が形成されているが、発明についての理解を容易にするために、基材１５ａの裏面側の図示を省略する。この磁気ディスク１５は、磁気ディスク１５を回転させるモータや（図示せず）、磁気ディスク１５に対する記録データの記録再生を実行する磁気ヘッド１６（図３参照）などと共に筐体内に収容されて、記録再生装置（ハードディスクドライブ）を構成する。
【００３３】
この場合、図３に示すように、磁気ディスク１５には、データ記録領域Ａｔおよびサーボ領域Ａｓが回転方向（矢印Ｒの向き）で交互に並んで設けられて、データ記録領域Ａｔ内に上記の凹凸パターン２４によってデータトラックパターンが形成されると共に、サーボ領域Ａｓ内に上記の凹凸パターン２４によってサーボパターンが形成されている。なお、本明細書では、回転方向において並ぶ２つの「データ記録領域」によって挟まれた領域（１つの「データ記録領域」における回転方向に対して下流側の端部から、他の１つの「データ記録領域」における回転方向に対して上流側の端部までの間の領域）を「サーボ領域」とする。また、「データ記録領域」における回転方向側の端部は、そのデータ記録領域に形成された複数の「データ記録トラック」における回転方向側の各端部を連結した仮想線分と一致しているものとする。この場合、この磁気ディスク１５には、一例として、１トラックにつき（磁気ディスク１５の１周当りに）２００箇所のサーボ領域Ａｓが設けられている。
【００３４】
また、この磁気ディスク１５は、記録再生装置に搭載された状態において角速度一定で回転させられる。したがって、この磁気ディスク１５では、単位時間当たりに磁気ヘッド１６の下方を通過させられる磁気ディスク１５上の長さに比例して、データ記録領域Ａｔやサーボ領域Ａｓの回転方向に沿った長さがサーボパターンやデータトラックパターンの中心から離間するほど長くなるように規定されている。この結果、データ記録領域Ａｔ内に形成されたデータ記録トラック（凸部）における突端面の回転方向に沿った長さ、およびデータ記録領域Ａｔ内に形成されたトラック間凹部における開口部の回転方向に沿った開口長や、サーボ領域Ａｓ内に形成されたサーボパターン用の同種の各凸部における突端面の回転方向に沿った長さ、およびサーボパターン用の同種の各凹部の回転方向に沿った開口長は、磁気ディスク１５の内周側領域よりも外周側領域ほど長くなっている。
【００３５】
さらに、図３に示すように、磁気ディスク１５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッド１６は、回動中心１６ｏを中心として矢印Ｓの向きに回動させられるアーム１６ａの先端部（アーム１６ａの先端部に設けられたスライダの底面）に配設されている。したがって、このような磁気ヘッド１６を使用して磁気的信号の読出しや書込みが実行される磁気ディスク１５では、その外周領域Ａｏや内周領域Ａｉ内においてサーボパターンにスキュー角が付与がされている。この場合、各パターンに付与されるスキュー角は、一例として、外周領域Ａｏ内においては外周側ほど大きく、内周領域Ａｉにおいては内周側ほど大きくなるように規定されている。なお、本明細書においては、「スキュー角」に関して、ディスクの半径方向と交差する角度成分で表現する。したがって、ディスクの半径方向と平行なスキュー角を「スキュー角＝０°」という。
【００３６】
また、スタンパー３２を使用して製造される磁気ディスク３５は、「情報記録媒体」の他の一例であって、図３８に示すように、軟磁性層３５ｂ、配向層３５ｃおよび記録層３５ｄが基材３５ａの表裏両面にこの順でそれぞれ形成されると共に、スタンパー３２を使用した磁気転写処理によって両記録層３５ｄにサーボパターンが磁気的にそれぞれ転写されて構成されている。この磁気ディスク３５は、磁気ディスク３５を回転させるモータ（図示せず）や、磁気ディスク３５に対する記録データの記録再生を実行する磁気ヘッド（図示せず）などと共に筐体内に収容されて、記録再生装置（ハードディスクドライブ）を構成する。
【００３７】
この場合、磁気ディスク３５には、データ記録領域およびサーボ領域が回転方向で交互に並んで設けられて、サーボ領域内にサーボパターンが記録されて（磁化パターンが転写されて）いる。また、この磁気ディスク３５は、上記の磁気ディスク１５と同様にして、記録再生装置に搭載された状態において角速度一定で回転させられる。したがって、この磁気ディスク３５では、上記の磁気ディスク１５と同様にして、単位時間当たりに磁気ヘッドの下方を通過させられる磁気ディスク３５上の長さに比例して、データ記録領域やサーボ領域の回転方向に沿った長さがサーボパターンやデータトラックの中心から離間するほど長くなるように規定されている（図示せず）。この結果、サーボ領域内に記録されたサーボパターンにおける同種の各磁化領域の回転方向に沿った長さは、磁気ディスク３５の内周側領域よりも外周側領域ほど長くなっている。
【００３８】
さらに、磁気ディスク３５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッドは、磁気ディスク１５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッド１６と同様にして、回動中心を中心として回動させられるアームの先端部（アームの先端部に設けられたスライダの底面）に配設されている（図示せず）。したがって、このような磁気ヘッドを使用して磁気的信号の読出しや書込みが実行される磁気ディスク３５では、その外周領域や内周領域内においてサーボパターンにおける各磁化領域にスキュー角が付与がされている。
【００３９】
一方、Ｘ−Ｙ移動機構２は、制御部８の制御に従い、ターンテーブル３（回転機構）によって回転させられている基材１０の回転面に沿ってターンテーブル３を移動させる（「描画位置変更処理」の一例）。ターンテーブル３は、基材１０を載置可能に構成されると共に、制御部８の制御に従って基材１０を所定の回転速度で回転させる。また、ターンテーブル３は、その内部でテーブルの回転に同期して生成する信号に基づいて基材１０の回転に同期した基準信号Ｓ０を生成して、一例として、基材１０を一回転させる間に基準信号Ｓ０を複数回に亘って出力する。この場合、ターンテーブル３は、一例として、基材１０の一回転当りに、磁気ディスク１５の一周当りにおけるサーボ領域の数と同数の基準信号Ｓ０を出力する。
【００４０】
ビーム発生部４は、樹脂層１０ｂに露光パターンＰａ等を描画するための電子ビームＥＢを生成して出力する。ブランキング制御部５は、ビーム発生部４と相俟って「ビーム照射部」を構成し、制御部８の制御に従い、ビーム発生部４からの電子ビームＥＢの出力をＯＮ／ＯＦＦ制御（ブランキング制御）する。ビーム成形部６は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ブランキング制御部５を通過した電子ビームＥＢを成形（細径化）する。この場合、この描画装置１では、その有効描画幅が露光パターンＰａ等を構成する各露光領域Ａ１（図４参照）の半径方向に沿った幅や回転方向に沿った長さよりも十分に狭い電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰａを描画する。
【００４１】
ビーム偏向器７は、制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを偏向することによって樹脂層１０ｂに対する照射位置を変化させる。この場合、この描画装置１では、後述するように、ビーム偏向器７が制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを基材１０の半径方向に偏向することで、「部分描画処理による描画位置」を基材１０の回転中心に接近する方向（または、回転中心から離間する方向）に変更する（「描画位置変更処理」の他の一例）。また、この描画装置１では、後述するように、露光パターンＰａ等の一部の描画に際して、ビーム偏向器７が制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って偏向する処理を実行する。
【００４２】
制御部８は、記憶部９に記憶されている描画手順データＤＰに従い、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に基材１０を移動させると共に、ターンテーブル３を制御して所定の線速度で基材１０を回転させる。また、制御部８は、ターンテーブル３から出力される基準信号Ｓ０に応じて、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向器７を制御することにより、ターンテーブル３によって回転させられている基材１０の樹脂層１０ｂにおける所定の位置に電子ビームＥＢを照射させて、露光パターンＰａ等を構成する露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する処理（「部分描画処理」の一例）を実行する。
【００４３】
記憶部９は、基材１０に描画すべき露光パターンＰａ等の描画手順を特定可能な描画手順データＤＰを記憶する。この場合、描画手順データＤＰは、制御部８が描画装置１の各部を制御して、後述する「第１の描画方法」から「第４の描画方法」までの各描画方法のいずれか（または、複数の組み合わせ）によって露光パターンＰａを描画するのに必要な情報で構成されている。具体的には、描画手順データＤＰには、描画処理時に基材１０をどのような回転速度で回転させるべきかを特定可能なデータと、基準信号Ｓ０が出力されてからブランキング制御部５に対して電子ビームＥＢの照射を開始させるまでの待機時間、および電子ビームＥＢの照射を停止させるまでの待機時間を各サーボパターン毎に特定可能な情報と、ビーム偏向器７によって電子ビームＥＢをどのように偏向すべきかを特定可能なデータと、移動機構２によってターンテーブル３をどのように移動させるべきかを特定可能なデータとが記録されている。
【００４４】
次に、描画装置１によって描画する露光パターンＰａについて、図面を参照して説明する。
【００４５】
図４に示す露光パターンＰａは、磁気ディスク１５を製造するためのスタンパー１２に形成すべき凹凸パターン２２や、磁気ディスク３５を製造するためのスタンパー３２に形成すべき凹凸パターン４２（すなわち、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１）に対応して露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２が規定されている。具体的には、本例では、原盤１１における凹凸パターン２１の各凹部（すなわち、スタンパー１２，３２における凹凸パターン２２，４２の各凸部）に対応して露光領域Ａ１が規定されると共に、原盤１１における凹凸パターン２１の各凸部（すなわち、スタンパー１２，３２における凹凸パターン２２，４２の各凹部）に対応して非露光領域Ａ２が規定されている なお、実際には、インプリント用のスタンパー１２を製造するために原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１と、磁気転写用のスタンパー３２を製造するために原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１とは、スタンパー１２，３５に求められる機能に応じて相違する場合もあるが、本明細書では、「描画方法」や「製造方法」についての理解を容易とするために、これらを区別せずに説明する。
【００４６】
また、本明細書における「露光領域Ａ１」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂが形成されているこの例においては、描画を完了した後の現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層１０ｂが消失する領域と一致する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層が残留する領域と一致する領域を意味する。さらに、本明細書における「非露光領域Ａ２」とは、描画用ビーム（この例では、電子ビームＥＢ）が照射されない領域だけでなく、上記の露光領域Ａ１に対する照射に伴って描画用ビームが僅かに照射されるものの、現像後において描画用ビームが照射されない領域と同様の状態となる領域を含む。具体的には、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂが形成されているこの例においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像後にＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層１０ｂが残留する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像時にＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層が消失する領域を意味する。
【００４７】
この場合、磁気ディスク１５，３５のサーボパターンは、一例として、プリアンブルパターン（オートゲインコントロールパターン）、サーボアドレスマークパターン（サーボマークパターン）、セクターアドレスパターン、トラックアドレスパターン、および位相サーボパターンが回転方向における上流側からこの順で形成されると共に、位相サーボパターンとデータ記録領域Ａｔとの間にはパッド領域が規定されて、一例として、プリアンブルパターンと同様のパターンがパッド領域用パターン（ポストアンブルパターン、ギャップパターン）として形成されている（図示せず）。また、磁気ディスク１５，３５の位相サーボパターンは、一例として、ディスクの半径方向に対する傾斜の向きが互いに相違する一対のパターン（「位相サーボ部のパターン」：傾斜パターン）で構成されている（図示せず）。なお、パッド領域（パッド領域用パターンを形成する領域）については、位相サーボパターンとデータ記録領域Ａｔとの間（サーボパターンの回転方向における下流側の端部）に限定されず、例えば、トラックアドレスパターンと位相サーボパターンとの間に規定される場合もある。
【００４８】
一方、図４に示すように、スタンパー１２を製造するための露光パターンＰａは、磁気ディスク１５の上記の各サーボパターンに対応して、基材１０の回転方向（矢印Ｒの向き）においてデータトラックパターンＰＴおよびサーボパターンＰＳａが交互に並ぶように規定されている。また、スタンパー３２を製造するための露光パターンＰａは、データトラックパターンＰＴが存在しない点を除き、スタンパー１２を製造するための露光パターンＰａと同様にサーボパターンＰＳａが規定されている。したがって、以下、主としてスタンパー１２を製造するための露光パターンＰａの描画方法について説明する。
【００４９】
この場合、サーボパターンＰＳａは、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）およびパッド領域用パターンＰＳ６が回転方向における下流側からこの順で規定されている。なお、本例では、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ（以下、単に「パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ」ともいう）、並びにパッド領域用パターンＰＳ６が、それぞれ「複数種類のサーボパターン」に相当する。また、図４では、各露光領域Ａ１を左下がりの斜線で塗り潰すと共に、各非露光領域Ａ２を白色で図示している。また、同図、および後に参照する図５〜１３，３９〜４４では、サーボトラックＳＴにおける半径方向の端部（半径方向において隣合うサーボトラックＳＴ，ＳＴの境界）を破線で図示している。この場合、各サーボトラックＳＴの幅は、内周から外周までの全域において互いに等しい幅となっている。
【００５０】
また、この露光パターンＰａに対応して形成される磁気ディスク１５，３５の各サーボパターンについては、前述したように、中周領域Ａｃから外周領域Ａｏの外周側に向かうほど大きく、また、中周領域Ａｃから内周領域Ａｉの内周側に向かうほど大きなスキュー角を付与する必要がある。このため、図５〜７に示すように、例えば、磁気ディスク１５，３５のプリアンブルパターンに対応して描画すべきプリアンブルパターンＰＳ１においては、外周領域Ａｐｏにおける外周側ほど大きなスキュー角θ１を付与すると共に、内周領域Ａｐｉにおける内周側ほど大きなスキュー角θ１を付与して、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺を基材１０の半径方向（図５，７に二点鎖線で示す方向）に対して交差させる（交差角度θ２を生じさせる）必要がある。
【００５１】
この場合、図４５に示すように、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して平行な露光領域Ａ１ｘ１については、原盤の回転方向（同図に示す矢印Ｒの向き）に沿って、例えば、原盤の１回転目に開始位置Ｐ１Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームを照射し、原盤の２回転目以降において、開始位置Ｐ２Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ２Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームをそれぞれ照射したときに、原盤の２回転目以降に生じる多重露光に起因して、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘの近傍や、停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘの近傍（すなわち、回転方向の端部領域）についても十分な露光状態となる。これに対して、図４６に示すように、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して傾斜している（半径方向に対して交差している）露光領域Ａ１ｘ２については、上記の露光領域Ａ１ｘ１の描画時と同様に開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームをそれぞれ照射したとしても、各帯状領域の位置を原盤の回転方向に沿って変更していることに起因して、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘの近傍や、停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘの近傍（すなわち、回転方向の端部領域）において、原盤の２回転目以降に生じる多重露光の影響が小さくなる可能性がある。
【００５２】
したがって、外周領域Ａｐｏから内周領域Ａｐｉまでの全域において、描画すべき露光領域Ａ１における各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さ（一例として、１つのサーボトラックＳＴにおける「回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長（第１の長さ）」）に対して比例するように電子ビームＥＢの照射距離を規定してプリアンブルパターンＰＳ１を描画したとき（以下、このような描画については、「基準の長さに対して比例するように照射量を規定して描画したとき」ともいう）には、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の近傍（回転方向の端部領域）における多重露光の影響の度合いが、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２に応じて変化する。このため、交差角度θ２が最も小さい半径位置（一例として、スキュー角θ１＝０°（θ２＝０°）の半径位置）において最適な照射量となるように、外周領域Ａｐｏから内周領域Ａｐｉまでの全域において、基準の長さに対して比例するように照射量を規定して描画したときには、その露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい外周領域Ａｐｏにおける外周側や、交差角度θ２が大きい内周領域Ａｐｉにおける内周側ほど、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏ，Ｌ１ｉが、各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなることとなる。
【００５３】
このため、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してプリアンブルパターンＰＳ１を描画したときには、外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（長さＬ１ｏと長さＬ２ｏとの和：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合や、内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（長さＬ１ｉと長さＬ２ｉとの和：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合が、中周領域Ａｐｃにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｃ（長さＬ１ｃと長さＬ２ｃとの和：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｃの割合よりも小さくなる。なお、基準の長さに対して比例するように照射量を規定して露光パターンＰａを描画したときは、サーボアドレスマークパターンＰＳ２やパッド領域用パターンＰＳ６においても、プリアンブルパターンＰＳ１と同様にして、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉほど、長さＬ３ｏ，Ｌ３ｉ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏ，Ｌ１ｉの割合が小さくなる現象が生じる。この場合、上記の長さＬ１ｏ〜Ｌ３ｏ，Ｌ１ｃ〜Ｌ３ｃ，Ｌ１ｉ〜Ｌ３ｉは、上記の各サーボパターンや、後述する各サーボパターン毎に規定される長さであって、各サーボパターンに共通の長さである場合、および各サーボパターン毎に相違する長さである場合がある。
【００５４】
また、図８〜１０、および図１１〜１３に示すように、例えば、磁気ディスク１５，３５の位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のパターンに対応して描画すべきパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂについても、プリアンブルパターンＰＳ１等と同様に外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉほど大きなスキュー角θ１を付与する必要がある。この場合、位相サーボパターンＰＳ５の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂは、中周領域Ａｐｃ内の付与すべきスキュー角θ１が０°の半径位置において、一例として、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺が基材１０の半径方向に対して例えば交差角度θ２＝５２．６°で交差するように斜めに描画される。
【００５５】
また、本例の位相サーボパターンＰＳ５では、図８〜１０に示すように、パターンＰＳ５ａにおいては、外周領域Ａｐｏよりも中周領域Ａｐｃほど露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２がやや大きくなり、かつ、中周領域Ａｐｃよりも内周領域Ａｐｉほど露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２がやや大きくなると共に、図１１〜１３に示すように、パターンＰＳ５ｂにおいては、内周領域Ａｐｉよりも中周領域Ａｐｃほど露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が大きくなり、かつ、中周領域Ａｐｃよりも外周領域Ａｐｏほど露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が大きくなる。
【００５６】
したがって、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してパターンＰＳ５ａを描画したときには、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい内周領域Ａｐｉにおいて、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉが、基準の長さに対して比例する本来的な長さよりもやや短くなる。このため、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してパターンＰＳ５ａを描画したときには、内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合が、中周領域Ａｐｃにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｃ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｃの割合や、外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合よりもやや小さくなる。
【００５７】
また、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してパターンＰＳ５ｂを描画したときには、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい外周領域Ａｐｏにおいて、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏが、基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる。このため、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してパターンＰＳ５ｂを描画したときには、外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合が、中周領域Ａｐｃにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｃ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｃの割合や、内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合よりも小さくなる。
【００５８】
なお、前述したように、この露光パターンＰａでは、各サーボトラックＳＴの幅が内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの全域において互いに等しい幅となっている。このため、露光領域Ａ１の回転方向の形成ピッチが、いずれの半径位置においても、その半径位置の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する長さとなるように規定されている位相サーボパターンＰＳ５では、仮に、内周領域Ａｐｉや外周領域Ａｐｏにおいてスキュー角θ１を付与しない場合には、内周領域Ａｐｉの内周側よりも外周領域Ａｐｏの外周側ほど半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度が大きくなる。
【００５９】
この場合、回転方向の上流側から下流側に向かうほど外周側に位置するように露光領域Ａ１が斜めに描画されるパターンＰＳ５ａでは、図８に示すように、外周領域Ａｐｏにおいては、スキュー角θ１を付与することによって、スキュー角θ１を付与しない場合よりも半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が小さくなり、図１０に示すように、内周領域Ａｐｉにおいては、スキュー角θ１を付与することによって、スキュー角θ１を付与しない場合よりも半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が大きくなる。これに対して、回転方向の上流側から下流側に向かうほど内周側に位置するように露光領域Ａ１が斜めに描画されるパターンＰＳ５ｂでは、図１１に示すように、外周領域Ａｐｏにおいては、スキュー角θ１を付与することによって、スキュー角θ１を付与しない場合よりも半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が大きくなり、図１３に示すように、内周領域Ａｐｉにおいては、スキュー角θ１を付与することによって、スキュー角θ１を付与しない場合よりも半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が小さくなる。したがって、本例の位相サーボパターンＰＳ５では、パターンＰＳ５ａを構成する露光領域Ａ１の内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの交差角度θ２の角度範囲よりも、パターンＰＳ５ｂを構成する露光領域Ａ１の内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの交差角度θ２の角度範囲の方が大きくなる。
【００６０】
このため、基準の長さに対して比例するように照射量を規定して位相サーボパターンＰＳ５のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画したときには、パターンＰＳ５ｂにおける外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏに占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合と、パターンＰＳ５ｂにおける内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉに占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合との差異よりも、パターンＰＳ５ａにおける内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉに占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合と、パターンＰＳ５ａにおける外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏに占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合との差異の方が小さくなる。
【００６１】
したがって、位相サーボパターンＰＳ５（少なくともパターンＰＳ５ｂ）の描画に際しては、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる最外周の半径位置を含む領域（「第１の領域」の一例：一例として、半径方向に対する交差角度θ２が４５°以上の露光領域Ａ１で構成される領域）におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる最内周の半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域（一例として、半径方向に対する交差角度θ２が４５°未満の露光領域Ａ１で構成される領域）」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を交互に実行する。なお、本明細書では、対象物に照射される電子ビームＥＢの電流値に、電子ビームＥＢの照射時間を乗じた値を「電子ビームＥＢの総照射量」とする。
【００６２】
また、位相サーボパターンＰＳ５におけるパターンＰＳ５ａの描画に際しても、必要に応じて、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる最内周の半径位置を含む領域（「第１の領域」の他の一例）におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる最外周の半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を交互に実行する。
【００６３】
さらに、例えば、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６等の描画に際しては、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる最外周の半径位置を含む領域（「第１の領域」のさらに他の一例）や最内周の半径位置を含む領域（「第１の領域」のさらに他の一例）におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる（この例では、付与すべきスキュー角θ１が０°となる）中周の半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を交互に実行する。
【００６４】
次いで、描画装置１による露光パターンＰａの描画方法について、図面を参照して説明する。
【００６５】
露光パターンＰａの描画に際しては、まず、樹脂層１０ｂの形成面を上向きにして基材１０をターンテーブル３の上に載置する。この状態において、描画処理の開始が指示されると、制御部８は、まず、描画手順データＤＰに従い、ターンテーブル３を制御して、定められた回転速度で基材１０を回転させる。次いで、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３を基材１０の載置面に沿って移動させることで基材１０を移動させて、基材１０に対する露光パターンＰａの描画開始位置がビーム発生部４の下方に位置するように位置決めする。この場合、この描画装置１では、一例として、その外周領域Ａｐｏから露光パターンＰａの描画を開始する。したがって、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御して、基材１０の外周部がビーム発生部４の下方に位置するように半径方向の位置決めを行う。次に、制御部８は、ターンテーブル３によって基準信号Ｓ０が出力されたか否かを監視すると共に、基準信号Ｓ０が出力されたときには、描画手順データＤＰに従い、データトラックパターンＰＴおよびサーボパターンＰＳａにおける外周側の一部の描画を開始する。
【００６６】
この際に、制御部８は、一例として、基準信号Ｓ０が出力された時点から露光パターンＰａにおいて最初に描画すべき露光領域Ａ１の描画を開始する時点が到来するまでの時間だけ待機した後に、ブランキング制御部５に電子ビームＥＢのＯＮ／ＯＦＦ制御を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、描画すべき露光領域Ａ１に応じて電子ビームＥＢを偏向させる。これにより、露光領域Ａ１とすべき部位に電子ビームＥＢが照射されて露光パターンＰａにおける半径方向の一部が描画される（「部分描画処理」の一例）。この後、制御部８は、露光パターンＰａにおける２つ目以降の露光領域Ａ１についても同様にして描画することにより、露光パターンＰａにおける外周側の一部（半径方向の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。
【００６７】
次いで、制御部８は、基材１０の２回転目において、露光パターンＰａにおける各露光領域Ａ１の最外周部よりも内周側の部位を描画する。この際に、制御部８は、描画手順データＤＰに従ってビーム偏向器７を制御して、電子ビームＥＢの照射位置（「部分描画処理」の描画位置）を基材１０の１回転目における照射位置よりも内周側に移動させる（「描画位置変更処理」の一例）。これにより、露光パターンＰａにおける最外周部よりも内周側の一部（半径方向の他の一部）が基材１０の１回転に亘って描画される。この後、制御部８は、基材１０の３回転目以降においても、上記の２回転目の描画処理と同様にして露光パターンＰａの各露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する処理を繰り返して実行する。これにより、各露光領域Ａ１を描画すべき領域の外周側から内周側までの全域に対する電子ビームＥＢの照射が完了し、露光パターンＰａが描画される。
【００６８】
この場合、「第１の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴの「第１の値」が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるとの条件を満たすには、一例として、次の各描画方法のうちのいずれか、または、複数の描画方法を組み合わせて露光パターンＰａを描画すればよい。
【００６９】
第１の描画方法では、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値」が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第２の値」の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を交互に実行する描画方法の一例として、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値」が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第３の値」の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を交互に実行する。
【００７０】
具体的には、「第１の領域」内の１つの露光領域Ａ１を描画するための「部分描画処理」に際して、基材１０（樹脂層１０ｂ）に対して電子ビームＥＢを１回照射する描画方法（１回の「部分描画処理」に対応させて、電子ビームＥＢの照射を開始すべき開始位置、および電子ビームＥＢの照射を停止すべき停止位置をそれぞれ１箇所ずつ規定している描画方法：１回の「部分描画処理」において電子ビームＥＢを連続的に照射する描画方法）では、図１４に示すように、一例として、各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例するように規定される照射距離（交差角度θ２が最も小さい半径位置における「部分描画処理」１回当りの電子ビームＥＢの照射距離に対して、描画対象の各半径位置毎の「第１の長さ」を交差角度θ２が最も小さい半径位置の「第１の長さ」で除した値をそれぞれ乗じることで求められる長さ）を長さＬｚとしたときに（後に参照する図１６，１８における長さＬｚも、同様に規定される長さとする）、交差角度θ２が大きい領域において、この長さＬｚよりも長い長さＬａに亘って開始位置Ｐ１Ｓａ〜Ｐ４Ｓａから停止位置Ｐ１Ｅａ〜Ｐ４Ｅａまで基材１０（樹脂層１０ｂ）に電子ビームＥＢを照射する。
【００７１】
この場合、図２０〜２２は、この第１の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図であり、図２３，２４は、この第１の描画方法に従ってプリアンブルパターンＰＳ１を描画する際の具体的な描画手順を表す図である。なお、図２０〜２２、および後に参照する図２５，２６，２７に示す描画手順に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画することで製造されるスタンパー１２，３２および磁気ディスク１５，３５と、図２３，２４、および後に参照する図２８に示す描画手順に従ってプリアンブルパターンＰＳ１を描画することで製造されるスタンパー１２，３２や磁気ディスク１５，３５とでは、その直径が相違すると共に、各サーボパターンに付与されるスキュー角も相違する。また、図２０〜２８では、各半径領域の代表の半径位置を最左部に示している。例えば、図２０におけるパターンＰＳ５ｂ（エリアＢ）の「半径位置２６．５ｍｍ（２６．５〜２７．０ｍｍ）」についての描画手順を示す行は、「スキュー角」、「半径方向に対する交差角度」、「※３：一組の露光領域および非露光領域の回転方向に沿った合計長」、「１描画パス当りの照射時間」、「１描画パス当りの照射距離」および「１サーボトラック当りの照射量」が、「半径位置２６．５ｍｍ」の半径位置に固有の値で、その他の値については、「半径位置２６．５〜２７．０ｍｍ」の範囲において共通していることを示している。
【００７２】
また、例えば、図２０に示す描画方法の例において、パターンＰＳ５ｂについては、半径位置＝２７．０ｍｍの位置が、基材１０の半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が最大の半径位置となっており、この例では、半径位置＝１８．３〜２７．０ｍｍの範囲（交差角度θ２が４５°以上の範囲）が「第１の領域」に相当し、半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲（交差角度θ２が４５°未満の範囲）が「第２の領域」に相当する。なお、後に説明する他の例においても、パターンＰＳ５ｂにおける「第１の領域」および「第２の領域」は、図２０の例におけるパターンＰＳ５ｂと同じ半径位置で区分されているものとする。この例では、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離（前述した長さＬａに相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。
【００７３】
具体的には、この例では、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ（同図に示す「※３」の長さ：図１１〜１３に示す長さＬ３ｏ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｉ等）」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値（同図に示す「※６」の４倍（４パス分）の値）」に関し、図１９，２０に示すように、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第２の値」の平均（この例では、１．８２６）よりも大きくなるように描画条件が規定されている。また、この例では、１つのサーボトラックＳＴにおける上記の「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値（同図に示す「※６」の値）」に関し、図１９，２０に示すように、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第３の値」の平均（この例では、０．４５６）よりも大きくなるように描画条件が規定されている。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（同図に示す「※７」の値）」が、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値の平均（同図に示す「※８」の値）」よりも大きくなっている。
【００７４】
また、図２０に示す描画方法の例において、パターンＰＳ５ａについては、半径位置＝１５．５ｍｍの位置が、基材１０の半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が最大の半径位置となっており、この例では、半径位置＝１５．５〜２３．０ｍｍの範囲（交差角度θ２が５１．７°を超える範囲）が「第１の領域」に相当し、半径位置＝２３．０〜２７．０ｍｍの範囲（交差角度θ２が５１．７°以下の範囲）が「第２の領域」に相当する。この例においても、上記の例と同様にして、パターンＰＳ５ａを構成する各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離（前述した長さＬａに相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように規定することで、前述した条件を満たしている。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなっている。
【００７５】
また、パターンＰＳ５ｂについては、図２１に示す描画方法の例や、図２２に示す描画方法の例においても、上記の図２０に示す描画方法の例と同様にして、各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離（前述した長さＬａに相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。この場合、図２１に示す例では、交差角度θ２が比較的小さいことで、交差角度θ２の相違による露光不足の影響の度合いが小さい内周領域Ａｐｉ（この例では、半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲）の全域において、１描画パス当りの電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が同じ照射距離（照射時間）に規定され、図２２に示す例では、内周領域Ａｐｉにおける最内周側の領域（この例では、半径位置＝１５．５〜１６．５ｍｍの範囲）に対する１描画パス当りの電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が、内周領域Ａｐｉにおける中周領域Ａｐｃ側の領域（この例では、半径位置＝１６．５〜１８．３ｍｍの範囲）に対する１描画パス当りの電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）よりも長い距離（長い時間）であって、露光領域Ａ１の交差角度θ２が４５°の半径位置（この例では、１８．３ｍｍ）における照射距離（照射時間）と同じ距離（時間）に規定されている。
【００７６】
なお、図２１，２２に示す描画方法の例のように、内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの全域における交差角度θ２の角度範囲が小さい（すなわち、交差角度θ２の相違による露光不足の影響の度合いが小さい）パターンＰＳ５ａについては、第１の描画方法や、後に説明する第２の描画方法および第３の描画方法によらず、任意の描画方法（例えば、基準の長さに対して比例するように照射量を規定する描画方法）で描画してもよい。
【００７７】
また、図２３に示す描画方法の例や、図２４に示す描画方法の例においては、プリアンブルパターンＰＳ１を構成する各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離（前述した長さＬａに相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。この場合、図２３，２４に示す描画方法の例においては、交差角度θ２が最大の半径位置＝３５．０ｍｍを含む領域（一例として、半径位置＝２５．０〜３５．０ｍｍの範囲）、および半径位置＝１２．０ｍｍを含む領域（一例として、半径位置＝１２．０〜１６．５ｍｍの範囲）の２つの領域が「第１の領域」に相当し、交差角度θ２が最小の半径位置＝２０．５ｍｍを含む領域（この例では、半径位置＝１６．５〜２５．０ｍｍの範囲）が「第２の領域」に相当する。なお、後に説明する他の例においても、プリアンブルパターンＰＳ１における「第１の領域」および「第２の領域」は、図２３，２４の例におけるプリアンブルパターンＰＳ１と同じ半径位置で区分されているものとする。
【００７８】
また、「第１の領域」内の１つの露光領域Ａ１を描画するための「部分描画処理」に際して、基材１０（樹脂層１０ｂ）に対して電子ビームＥＢを複数回照射する描画方法（１回の「部分描画処理」に対応させて開始位置および停止位置をそれぞれ２箇所以上の複数箇所規定している描画方法：１回の「部分描画処理」において電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って断続的に照射する描画方法）では、図１５に示すように、一例として、１回の部分描画処理において電子ビームＥＢを２回に分けて断続的に照射する際に、各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例するように規定される照射距離（交差角度θ２が最も小さい半径位置における「部分描画処理」１回当りの電子ビームＥＢの照射距離（断続的照射の合計長）に対して、描画対象の各半径位置毎の「第１の長さ」を交差角度θ２が最も小さい半径位置の「第１の長さ」で除した値をそれぞれ乗じることで求められる長さ）を長さＬｚ１＋長さＬｚ２としたときに、交差角度θ２が大きい領域において、この長さＬｚ１よりも長い開始位置Ｐ１Ｓｂ１〜Ｐ４Ｓｂ１から停止位置Ｐ４Ｅｂ１〜Ｐ４Ｅｂ１までの長さＬｂ１、および長さＬｚ２よりも長い開始位置Ｐ１Ｓｂ２〜Ｐ４Ｓｂ２から停止位置Ｐ４Ｅｂ２〜Ｐ４Ｅｂ２までの長さＬｂ２に亘って基材１０（樹脂層１０ｂ）に電子ビームＥＢを照射する。
【００７９】
この場合、図２５は、この第１の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５のパターンＰＳ５ｂを描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。なお、同図、および後に参照する図２６，２７においては、パターンＰＳ５ａの描画手順についての図示を省略している。同図に示す描画方法の例においては、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離の合計長（前述した長さＬｂ１と長さＬｂ２との和に相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの合計照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。
【００８０】
具体的には、この例では、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ（同図に示す「※３」の長さ：図１１〜１３に示す長さＬ３ｏ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｉ等）」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値（同図に示す「※６」の４倍（４パス分）の値）」に関し、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第２の値」の平均（この例では、１．３４６）よりも大きくなるように描画条件が規定されている。また、この例では、１つのサーボトラックＳＴにおける上記の「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値（同図に示す「※６」の値）」に関し、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第３の値」の平均（この例では、０．３３６）よりも大きくなるように描画条件が規定されている。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（同図に示す「※７」の値）」が、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均（同図に示す「※８」の値）よりも大きくなっている。
【００８１】
一方、第２の描画方法では、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値」が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第２の値」の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を交互に実行するとの描画方法の他の一例として、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの描画パス数が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の描画パス数の平均よりも多くなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。具体的には、一例として、露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が小さな領域において露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴの範囲を描画パス数＝４回で描画するときに、この第２の描画方法では、図１６に示すように、露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が大きな領域において露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴの範囲を描画パス数＝４回よりも多数回（この例では、描画パス＝５回）に規定して電子ビームＥＢを照射する（すなわち、１つのサーボトラックＳＴ当りの部分描画処理の実行回数を交差角度θ２が大きい領域において交差角度θ２が小さい領域よりも多くする）。
【００８２】
なお、同図では、交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１を描画すべき領域に対する電子ビームＥＢの照射位置を、開始位置Ｐ１Ｓｃ〜Ｐ５Ｓｃから停止位置Ｐ１Ｅｃ〜Ｐ５Ｅｃまでの長さＬｃの「照射パス＝５回」の例を図示すると共に、描画パス数の相違に関する理解を容易とするために、基準の長さに対して比例するように照射量を規定する描画方法で描画する際の各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射位置（すなわち、交差角度θ２が大きな領域においても交差角度θ２が小さな領域と同じ描画パス数で描画される例）として、上記の長さＬｃと等しい長さＬｚの「照射パス＝４回」の例を重ねて図示している。また、同図では、開始位置Ｐ１Ｓｃ〜Ｐ５Ｓｃから停止位置Ｐ１Ｅｃ〜Ｐ５Ｅｃまでの５回の部分描画処理における長さＬｃの電子ビームＥＢの照射のうちの最初の１回の部分描画処理、および最後の１回の部分描画処理と、４回の部分描画処理における長さＬｚの電子ビームＥＢの照射のうちの最初の１回の部分描画処理、および最後の１回の部分描画処理とを同一の半径位置において実行している例を図示しているが、５回の部分描画処理における長さＬｃの電子ビームＥＢの照射、および４回の部分描画処理における長さＬｚの電子ビームＥＢの照射の半径位置は、この例に限定されない。
【００８３】
この場合、図２６は、この第２の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の描画パス数を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。具体的には、この例では、交差角度θ２が最小の半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの領域において、露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４回で描画し、交差角度θ２が最大の半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２５．５〜２７．０ｍｍの領域において、露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝５回で描画し、半径位置＝１８．３〜２５．５ｍｍの領域において、露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４．５回で（すなわち、２つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝９回で）描画するように規定されている。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの描画パス数が、「第２の領域」内における各半径位置の描画パス数の平均（この例では、４）よりも多くなっている。
【００８４】
また、第３の描画方法では、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの照射時における回転方向の下流側に向かっての電子ビームＥＢの偏向速度が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の偏向速度の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。具体的には、この第３の描画方法では、「部分描画処理」時において、基材１０の回転に合わせて樹脂層１０ｂを追い掛けるようにして電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って偏向しつつ照射することで、基材１０（樹脂層１０ｂ）の単位長さ当りに対する電子ビームＥＢの照射時間を長くして、その単位長さ当りの樹脂層１０ｂへの電子ビームＥＢの照射量を多くする。
【００８５】
より具体的には、図１７，１８に示すように、一例として、ビーム偏向器７によって電子ビームＥＢを回転方向における上流側に向けて偏向した状態で基材１０（樹脂層１０ｂ）の開始位置Ｐ１Ｓ〜Ｐ４Ｓに対する照射を開始する。次いで、基材１０の回転に伴って樹脂層１０ｂが回転方向における下流側に向かって移動するのに合わせて電子ビームＥＢを基材１０の回転方向における下流側に向かって偏向し、一例として、停止位置Ｐ１Ｅ〜Ｐ４Ｅまで電子ビームＥＢを照射したときに照射を停止する。このような描画方法を採用することで、電子ビームＥＢを照射している基材１０上の距離が基準の長さに対して比例するように照射量を規定して描画する描画方法における長さＬｚと同じ長さＬｄ（図１８参照）であるにも拘わらず、露光領域Ａ１を描画すべき領域に多くの電子ビームＥＢを照射することが可能となっている。
【００８６】
この場合、図２７は、この第３の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の「回転方向の下流側への電子ビームＥＢの偏向速度（ｍｍ／ｓｅｃ）」を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。具体的には、この例では、交差角度θ２が最小の半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１６．５ｍｍの領域においては、電子ビームＥＢを回転方向に沿って偏向させずに照射するのに対し、交差角度θ２が最大の半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２６．５〜２７．０ｍｍの領域においては、電子ビームＥＢを回転方向の下流側に向けて２７０ｍｍ／ｓｅｃで偏向しつつ照射するように規定されている（その他の半径位置については、同図に示すとおり）。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの照射時における回転方向の下流側に向かっての電子ビームＥＢの偏向速度が、「第２の領域」内における各半径位置の偏向速度の平均（この例では、１２．９ｍｍ／ｓｅｃ）よりも大きくなっている。
【００８７】
また、第４の描画方法では、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの照射時における基材１０の線速度が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の電子ビームＥＢの照射時における基材１０の線速度の平均よりも小さくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。具体的には、露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が小さな領域の描画時における基材１０の回転速度（ビーム照射位置における基材１０の線速度）よりも、露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が大きな領域の描画時における基材１０の回転速度（線速度）が小さくなるように規定されている。
【００８８】
この場合、図２８は、この第４の描画方法に従ってプリアンブルパターンＰＳ１を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、交差角度θ２が最小の半径位置＝２０．５ｍｍを含む半径位置＝１６．５〜２５．０ｍｍの領域内のプリアンブルパターンＰＳ１を描画する際の基材１０の線速度が１０７０ｍｍ／ｓｅｃに規定され、交差角度θ２が最大の半径位置＝３５．０ｍｍを含む半径位置＝２５．０〜３５．０ｍｍの領域、および半径位置＝１２．０ｍｍを含む半径位置＝１２．０〜１６．５ｍｍの領域の２つの領域内のプリアンブルパターンＰＳ１を描画する際の基材１０の線速度が１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、または、１０４５ｍｍ／ｓｅｃに規定されている（各半径位置毎の描画処理時における基材１０の回転速度が多段階に規定されている）。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、露光パターンＰａの描画時における基材１０の回転速度（線速度）が、「第２の領域」内の露光パターンＰａの描画時における基材１０の回転速度（線速度）の平均（この例では、１０７０ｍｍ／ｓｅｃ）よりも小さくなっている。
【００８９】
このような「第１の描画方法」から「第４の描画方法」のうちのいずれか、または、複数を任意に組み合わせて実行することで、基準の長さに対して比例するように照射量を規定する描画方法で描画したときに、露光領域Ａ１の回転方向の長さが、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する所望の長さ（本来的な長さ）よりも短くなる傾向がある交差角度θ２が大きな領域（「第１の領域」：例えばパターンＰＳ５ａにおいては、半径位置＝１５．５ｍｍを含む領域で、パターンＰＳ５ｂにおいては、半径位置＝２７．０ｍｍを含む領域で、プリアンブルパターンＰＳ１においては、半径位置＝３５．０ｍｍを含む領域、および半径位置＝１２．０ｍｍを含む領域の２つの領域）においても、交差角度θ２が小さな領域（「第２の領域」：例えばパターンＰＳ５ａにおいては、半径位置＝２７．０ｍｍを含む領域で、パターンＰＳ５ｂにおいては、半径位置＝１５．５ｍｍを含む領域で、プリアンブルパターンＰＳ１においては、半径位置＝２０．５ｍｍを含む領域）と同様にして、露光領域Ａ１の回転方向の長さが、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さ、または、本来的な長さと同程度の長さとすることができることが確認された。
【００９０】
具体的には、一例として、図２９に示すように、上記の図２０の描画方法の例における１５．５ｍｍの半径位置に対する電子ビームＥＢの照射量の条件と同様となる条件（一例として、図２０に示す「※４」および「※６」の値が０．４５となる条件）で、パターンＰＳ５ｂの２７．０ｍｍの半径位置の露光領域を描画した場合（比較例１）には、その露光領域の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値）が１７３ｎｍであるにも拘わらず、実際に描画された露光領域の回転方向の長さ（実測値）が、本来的な長さよりも５２ｎｍ短い１２１ｎｍとなった。これに対して、同図に示すように、上記の図２０の描画方法の例に従ってパターンＰＳ５ｂの２７．０ｍｍの半径位置の露光領域を描画した場合（実施例１）には、実際に描画された露光領域Ａ１の回転方向の長さ（実測値）が、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値：１７３ｎｍ）に対して１ｎｍだけ長い１７４ｎｍとなった。
【００９１】
なお、同図および後に参照する図３０〜３２に示す実施例１〜４、および比較例１，２では、Ｓｉウエハの表面に、日本ゼオン製の「ＺＥＰ５２０Ａ」を厚み５０ｎｍとなるように塗布して樹脂層を形成した基材をそれぞれ使用すると共に、現像液として日本ゼオン製の「ＺＥＤ−Ｎ５０」を使用して、現像温度：２０℃、現像時間：６０秒の条件で現像処理を実施した。また、図２９〜３２では、露光パターンの描画が完了した基材（樹脂層）に対する現像処理によって樹脂層に形成される凹部の回転方向に沿った長さの実測値を露光領域の「実測値」として記載している。
【００９２】
また、図３０に示すように、上記の図２３の描画方法の例における２０．５ｍｍの半径位置に対する電子ビームＥＢの照射量の条件と同様となる条件（一例として、図２３に示す「※４」および「※６」の値が０．４２となる条件）で、プリアンブルパターンＰＳ１の３５．０ｍｍの半径位置の露光領域を描画した場合（比較例２）には、その露光領域の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値）が２２４ｎｍであるにも拘わらず、実際に描画された露光領域の回転方向の長さ（実測値）が、本来的な長さよりも９ｎｍ短い２１５ｎｍとなった。これに対して、同図に示すように、上記の図２３の描画方法の例に従ってプリアンブルパターンＰＳ１の３５．０ｍｍの半径位置の露光領域を描画した場合（実施例２）には、実際に描画された露光領域Ａ１の回転方向の長さ（実測値）が、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値：２２４ｎｍ）と等しい２２４ｎｍとなった。
【００９３】
この場合、図２０，２１に示すパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の例、図２５〜２７に示すパターンＰＳ５ｂの描画方法の例、および図２３，２４，２８に示すプリアンブルパターンＰＳ１の描画方法の例では、交差角度θ２が大きくなるにつれて（小さくなるにつれて）、「第１の値（各図に示す「」※７」の値）」が段階的に大きくなるように（小さくなるように）、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を変化させている。つまり、これらの描画方法の例では、描画すべきパターンＰＳ５ａ、パターンＰＳ５ｂおよびプリアンブルパターンＰＳ１について、外周側から内周側までの全域を、「第１の値」が実質的に等しい複数の半径領域（１サーボトラック以上の幅の領域）に分けて、各領域毎の露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の大きさに応じて「第１の値」を段階的に変化させて規定する方法が採用されている。これにより、描画すべきパターンＰＳ５ａ、パターンＰＳ５ｂおよびプリアンブルパターンＰＳ１について、外周側から内周側までの全域において、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さを、基準の長さに対して比例する本来的な長さ、または、本来的な長さと同程度の長さとすることができる。
【００９４】
また、例えば、図２０〜２２，２５〜２７に示すパターンＰＳ５ｂの描画方法の例や、図２３，２８に示すプリアンブルパターンＰＳ１の描画方法の例では、「第１の領域」内の各露光領域Ａ１の描画に際して、半径方向に対する交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべき半径領域ほど大きくなるように「第１の値（※７の値）」を多段階に規定している。つまり、これらの描画方法の例では、「第１の領域」を、「第１の値」が実質的に等しい複数の半径領域（１サーボトラック以上の幅の領域）に分けて、各領域毎の露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の大きさに応じて「第１の値」を段階的に変化させて規定する方法が採用されている。これにより、「第１の領域」内において交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべきサーボトラックＳＴ、および「第１の領域」内において交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１を描画すべきサーボトラックＳＴのすべてのサーボトラックＳＴにおいて、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さを、基準の長さに対して比例する本来的な長さ、または、本来的な長さと同程度の長さとすることができる。
【００９５】
さらに、例えば、図２０，２５，２７に示すパターンＰＳ５ｂの描画方法の例では、「第２の領域」内の各露光領域Ａ１の描画に際しても、半径方向に対する交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべき半径領域ほど大きくなるように「第１の値（※７の値）」を多段階に規定している。つまり、これらの描画方法の例では、「第２の領域」を、「第１の値」が実質的に等しい複数の半径領域（１サーボトラック以上の幅の領域）に分けて、各領域毎の露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の大きさに応じて「第１の値」を段階的に変化させて規定する方法が採用されている。これにより、「第２の領域」内において交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべきサーボトラックＳＴ、および「第２の領域」内において交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１を描画すべきサーボトラックＳＴのすべてのサーボトラックＳＴにおいて、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さを、基準の長さに対して比例する本来的な長さ、または、本来的な長さと同程度の長さとすることができる。
【００９６】
一方、内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの全域における交差角度θ２の角度範囲が小さい（すなわち、交差角度θ２の相違による露光不足の影響の度合いが小さい）パターンＰＳ５ａについては、上記の第１の描画方法、第２の描画方法および第３の描画方法によらず、任意の描画方法（例えば、基準の長さに対して比例するように照射量を規定する描画方法）で描画した場合においても、十分に実用的な露光パターンＰａを描画することができることが確認された。しかしながら、このパターンＰＳ５ａについても、第１の描画方法、第２の描画方法および第３の描画方法のいずれかに従って描画することで、露光領域Ａ１の回転方向の長さを、基準の長さに対して比例する本来的な長さに近付けることができるため、交差角度θ２の角度範囲が広い場合には、第１の描画方法、第２の描画方法および第３の描画方法のうちのいずれか、または、複数を任意に組み合わせて描画するのが好ましい。
【００９７】
具体的には、例えば、図３１に示すように、上記の図２０の描画方法の例に従ってパターンＰＳ５ａを描画した場合（実施例３）には、実際に描画された露光領域Ａ１の回転方向の長さ（実測値）と、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値）との差が最大で１ｎｍとなった。一方、図３２に示すように、上記の図２２の描画方法の例に従ってパターンＰＳ５ａを描画した場合（実施例４）には、実際に描画された露光領域Ａ１の回転方向の長さ（実測値）と、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値）との差が上記の実施例３よりも僅かに大きいものの、すべての半径位置において５ｎｍ以下となった。この場合、図３２の例では、外周側の半径位置ほど実測値と設計値との差が大きくなっているものの、パターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１は、その回転方向の長さが外周側ほど長いため、この程度の差が生じたとしても、サーボパターンとしての使用に際しての影響は殆ど存在しないといえる。
【００９８】
このように、この描画装置１による露光パターンＰａの描画方法では、位相サーボパターンＰＳ５における両位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂと、プリアンブルパターンＰＳ１と、サーボアドレスマークパターンＰＳ２と、パッド領域用パターンＰＳ６とのうちの１つのサーボパターンＰＳを「描画対象パターン」として描画する際に、「描画対象パターン」を構成する複数の露光領域Ａ１および複数の非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ「第１の長さ」としたときに、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる半径位置を含む「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。具体的には、上記の「第１の描画方法」、「第２の描画方法」、「第３の描画方法」および「第４の描画方法」のいずれか、または、これらの描画方法を任意に組み合わせて露光パターンＰａを描画する。
【００９９】
したがって、この描画装置１による露光パターンＰａの描画方法によれば、半径方向に対する交差角度θ２が大きいことで各部分描画処理時における多重露光の影響が小さくなって露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる傾向のある「第１の領域」内の露光領域Ａ１を描画すべき部位に十分な量の電子ビームＥＢを照射することができる。これにより、この描画方法によれば、基材１０の外周領域から内周領域までの全域において、位相サーボパターンＰＳ５における両位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂと、プリアンブルパターンＰＳ１と、サーボアドレスマークパターンＰＳ２と、パッド領域用パターンＰＳ６とのうちの１つのサーボパターンを構成する各露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている露光パターンＰａを描画することができるため、描画した露光パターンＰａに対応して原盤１１に形成される凹凸パターン２１において上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【０１００】
次いで、描画装置１による露光パターンＰａの描画が完了した基材１０を用いて、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１を製造する方法、および、製造した原盤１１を用いてスタンパー１２，３２を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【０１０１】
まず、露光パターンＰａの描画が完了した基材１０を現像処理することにより（「所定の処理」の一例）、図３３に示すように、樹脂層１０ｂにおける各露光領域Ａ１を除去して凹凸パターン２１を形成する。これにより、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の一例の完了）。この場合、完成した原盤１１には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰａと平面形状が同様の凹凸パターン２１が形成されている。したがって、凹凸パターン２１において露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａに対応する各パターンでは、各凹部の回転方向に沿った長さや、各凸部の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の所望の長さとなっている。
【０１０２】
次に、原盤１１を使用してスタンパー１２を製造する際には、図３４に示すように、原盤１１における凹凸パターン２１を覆うようにしてスパッタ法等によって成膜層１２ａを形成し、この成膜層１２ａを電極として用いてめっき処理することにより、電解ニッケル層１２ｂを形成する（「所定の処理」の他の一例）。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１が転写された凹凸パターン２２を有するスタンパー１２が原盤１１の上に形成される。次いで、基材１０（Ｓｉウエハ１０ａ）からスタンパー１２を剥離すると共に、必要に応じて溶剤等を用いてスタンパー１２を洗浄すると共に、その裏面（凹凸パターン２２の形成面とは反対側の面）を研磨処理する。これにより、図３５に示すように、スタンパー１２が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の他の一例）。
【０１０３】
この場合、インプリント用のスタンパーの製造方法は、上記のスタンパー１２の製造方法に限定されず、スタンパー１２の凹凸パターン２２をスタンパー形成用材料に１回または複数回に亘って転写して、凹凸パターン２２における凸部に対応する凹部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凸部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）や、凹凸パターン２２における凸部に対応する凸部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凹部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）を製造する方法を採用することもできる。具体的には、一例として、上記のスタンパー１２を電極として用いてめっき処理を実行することにより、凹凸パターン２２を覆う電解ニッケル層を形成する。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１と凹凸位置関係が一致するスタンパー（図示せず）が製造される（「所定の処理」の他の一例における一工程）。次いで、製造したスタンパーを射出成形機にセットして射出成形処理を実行する（「所定の処理」の他の一例における一工程）。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１と凹凸位置関係が反転した凹凸パターンが樹脂材料に形成されて、スタンパー１２の凹凸パターン２２と凹凸位置関係が一致する樹脂スタンパー（図示せず）が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」のさらに他の一例）。
【０１０４】
また、スタンパー３２を製造する際には、一例として、上記のスタンパー１２の製造手順、或いは、スタンパー１２の凹凸パターン２２と凹凸位置関係が一致する樹脂スタンパーの製造手順と同様の手順に従ってスタンパー３２における基体３２ａ（図３８参照）を製作する。次いで、基体３２ａの凹凸パターンを覆うようにして、スパッタリング法等により、下地膜３２ｂおよび強磁性膜３２ｃを順次成膜する（「所定の処理」の他の一例における一工程）。これにより、図３８に示すように、凹凸パターン４２を有するスタンパー３２が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」のさらに他の一例）。
【０１０５】
一方、完成したスタンパー１２，３２には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰａを用いて形成した凹凸パターン２１と平面形状が同様の凹凸パターン２２，４２が形成されている。したがって、凹凸パターン２２，４２において原盤１１における凹凸パターン２１の各パターン（この例では、露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａに対応して形成されたパターン）に対応する各パターンでは、各凸部の回転方向に沿った長さや、各凹部の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の所望の長さとなっている。
【０１０６】
このように、この原盤１１の製造方法によれば、前述した描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰａを描画した後に樹脂層１０ｂを現像処理することで凹凸パターン２１を形成したことにより、露光パターンＰａに対応して原盤１１に形成される凹凸パターン２１において上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができるため、原盤１１を使用して製造されるスタンパー１２，３２の凹凸パターン２２，４２において上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【０１０７】
また、このスタンパー１２，３２の製造方法によれば、前述した描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰａを描画した樹脂層１０ｂを現像処理することで凹凸パターン２１を形成した原盤１１を使用して凹凸パターン２２，４２を形成したことにより、原盤１１を使用して製造されるスタンパー１２，３２の凹凸パターン２２，４２において上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができるため、このスタンパー１２，３２を使用して製造される磁気ディスク１５，３５のサーボパターンにおいて上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【０１０８】
続いて、スタンパー１２を使用して磁気ディスク１５を製造する方法（情報記録媒体の製造方法）について、図面を参照して説明する。
【０１０９】
まず、インプリント法によってスタンパー１２の凹凸パターン２２を中間体１５ｍに転写する。具体的には、図３５に示すように、スタンパー１２における凹凸パターン２２の形成面を中間体１５ｍの樹脂層１５ｃに押し付けた後に、中間体１５ｍからスタンパー１２を剥離する。これにより、図３６に示すように、スタンパー１２の凹凸パターン２２が樹脂層１５ｃに転写されて中間体１５ｍ上に凹凸パターン２３が形成される。この場合、中間体１５ｍは、磁気ディスク１５を製造するための中間体であって、円板状の基材１５ａの表面に記録層１５ｂが形成されて構成されている。なお、中間体１５ｍは、実際には、下地層、軟磁性層、配向層および記録層（記録層１５ｂ）等が基材１５ａの上に積層されて構成されているが、製造方法についての理解を容易とするために、中間体１５ｍの詳細な層構造についての説明および図示を省略する。
【０１１０】
次に、凹凸パターン２３をマスクとして用いて中間体１５ｍをエッチングする。この際には、凹凸パターン２３の凹部の底面から記録層１５ｂが露出し、さらにエッチング処理を実行することにより、図３７に示すように、記録層１５ｂに凹凸パターン２４が形成される。この後、必要に応じて、凹凸パターン２４の凹部に非磁性材料を充填した後に例えば研磨処理によって記録層１５ｂ（凹凸パターン２４の凸部の先端）を非磁性材料から露出させ、記録層１５ｂの表面に保護膜を形成する。これにより、磁気ディスク１５が完成する。
【０１１１】
この場合、凹凸パターン２４は、露光パターンＰａに対応して凹凸パターン２２が形成されたスタンパー１２を使用したインプリント処理によって形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてエッチング処理することによって形成されている。したがって、凹凸パターン２４において露光パターンＰａの各パターンに対応する各パターンでは、各凸部の回転方向に沿った長さや、各凹部の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の所望の長さとなっている。
【０１１２】
このように、この磁気ディスク１５の製造方法によれば、上記の製造方法によって製造したスタンパー１２に形成されている凹凸パターン２２を使用して製造することにより、スタンパー１２を使用して製造される磁気ディスク１５のサーボパターンにおいて上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【０１１３】
次いで、スタンパー３２を使用して磁気ディスク３５を製造する方法（情報記録媒体の製造方法）について、図面を参照して説明する。
【０１１４】
磁気ディスク３５の製造に際しては、まず、軟磁性層３５ｂ、配向層３５ｃおよび記録層３５ｄが基材３５ａの両面にこの順でそれぞれ形成された中間体３５ｍ（図３８参照）と、上記の製造方法に従って製造した一対のスタンパー３２，３２とを用意する。なお、中間体３５ｍの製作方法については公知のため、説明を省略する。次いで、スタンパー３２，３２を用いて中間体３５ｍにサーボパターンを磁気的に転写する磁気転写処理を実行する。
【０１１５】
まず、中間体３５ｍに対して、十分に大きい直流外部磁場を厚み方向で印加することにより、中間体３５ｍを初期化する。次いで、図３８に示すように、中間体３５ｍの一方の面に対して、一方のスタンパー３２の凹凸パターン４２における凸部の突端面を接触させ、中間体３５ｍの他方の面に対して、他方のスタンパー３２の凹凸パターン４２における凸部の突端面を接触させる。この状態において、同図に矢印Ｍで示すように、中間体３５ｍに対して上記の初期化に際して印加した直流外部磁場の向きと逆の向きの直流外部磁場を印加する。この際には、両スタンパー３２，３２の凹凸パターン４２における凸部を介して中間体３５ｍに直流外部磁場が印加され、中間体３５ｍの両記録層３５ｄにおいてスタンパー３２の凹凸パターン４２における各凸部に接している部分が、印加された直流外部磁場の方向に磁化される。これにより、中間体３５ｍの両記録層３５ｄにサーボパターンが磁気的に転写されて、磁気ディスク３５が完成する。
【０１１６】
この場合、両記録層３５ｄに磁気的に転写されたサーボパターン（磁化パターン）は、露光パターンＰａに対応して凹凸パターン４２が形成されたスタンパー３２を使用した磁気転写処理によって形成されている。したがって、両記録層３５ｄに磁気的に転写されたサーボパターンにおいて露光パターンＰａの各パターンに対応する各パターンでは、各磁化領域の回転方向に沿った長さが、各半径位置毎の所望の長さとなっている。
【０１１７】
このように、この磁気ディスク３５の製造方法によれば、上記の製造方法によって製造したスタンパー３２に形成されている凹凸パターン４２を使用して製造することにより、スタンパー３２を使用して製造される磁気ディスク３５のサーボパターン（磁化パターン）において上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する磁化領域の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【０１１８】
なお、露光パターンの描画方法は、上記の例示に限定されない。例えば、露光パターンＰａ（サーボパターンＰＳａ）における位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）に代えて（または、位相サーボパターンＰＳ５に加えて）、図３９〜４１に示すバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７（「複数種類のサーボパターン」の他の一例：以下、単に「パターンＰＳ７」ともいう）を有するサーボパターンＰＳｂを備えた露光パターンＰｂや、図４２〜４４に示すバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ８（「複数種類のサーボパターン」の他の一例：以下、単に「パターンＰＳ８」ともいう）を有するサーボパターンＰＳｃを備えた露光パターンＰｃを描画する際にも、前述した露光パターンＰａ（サーボパターンＰＳａ）の描画に際して実行した描画方法と同様の描画方法を採用することができる。
【０１１９】
ここで、パターンＰＳ７は、図３９〜４１に示すように、単位バースト領域（平面視矩形状の領域）に対応する領域が露光領域Ａ１で構成されると共に、その周囲の領域が非露光領域Ａ２で構成されている。また、図４２〜４４に示すように、パターンＰＳ８は、単位バースト領域（平面視矩形状の領域）に対応する領域が非露光領域Ａ２で構成されると共に、その周囲の領域が露光領域Ａ１で構成されている。なお、この露光パターンＰｂ，Ｐｃ（サーボパターンＰＳｂ，ＰＳｃ）におけるパターンＰＳ７，ＰＳ８以外のサーボパターンは、前述した露光パターンＰａ（サーボパターンＰＳａ）における各サーボパターンと同様であるため、その説明を省略する。
【０１２０】
この場合、露光パターンＰｂ，Ｐｃに対応して形成される磁気ディスクの各サーボパターンは、前述した磁気ディスク１５，３５のサーボパターンと同様にして、中周領域よりも外周領域に向かうほど大きく、また、中周領域よりも内周領域に向かうほど大きなスキュー角θ１を付与する必要がある。このため、図３９〜４１および図４２〜４４に示すように、例えば、磁気ディスクのバーストパターンに対応して描画すべきバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７，ＰＳ８においては、外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉほど大きなスキュー角θ１を付与して、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺を基材１０の半径方向（同図における上下方向）に対して交差させる（交差角度θ２を生じさせる）必要がある。この結果、外周領域Ａｐｏから内周領域Ａｐｉまでの全域において、描画すべき露光領域Ａ１における各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例するように電子ビームＥＢの照射距離を規定してパターンＰＳ７やパターンＰＳ８を描画したときには、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉほど、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏ，Ｌ１ｉが、各半径位置毎の回転方向沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなることとなる。
【０１２１】
したがって、このパターンＰＳ７，ＰＳ８の描画に際しても、前述した露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａのプリアンブルパターンＰＳ１や位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）の描画時と同様にして、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる半径位置を含む「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行することで、露光パターンＰａ（サーボパターンＰＳａ）の描画方法と同様の効果を奏することができる。
【０１２２】
また、スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写して形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いて記録層１５ｂをエッチング処理する例について説明したが、情報記録媒体の製造方法は、これに限定されない。具体的には、例えば、樹脂層１５ｃと記録層１５ｂとの間に１層または複数層のマスク形成層を設け、樹脂層１５ｃに形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてその下層のマスク層を順次エッチングすることで樹脂層１５ｃをエッチングするためのマスク層を形成する製造方法を採用することもできる。
【０１２３】
さらに、パターンド型の磁気ディスク１５としては、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体などが挙げられる。ビットパターンド媒体におけるデータトラックパターンは、一例として、上記のパターンＰＳ７と同様の描画手順に従って描画することができる。また、磁気ディスク１５と同様にしてサーボパターンが凹凸パターン２４によって形成されると共に、連続記録層型磁気ディスクのようにデータ記録領域が連続する磁性層で構成された（データ記録領域に凹凸パターンが存在しない）情報記録媒体を製造するためのスタンパー（情報記録媒体製造用原盤：図示せず）用の露光パターンを描画することもできる。さらに、上記の描画装置１（描画方法）では、電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰａ等を描画する例について説明したが、描画用ビームは電子ビームＥＢに限定されずに任意のエネルギー線を用いることができる。加えて、ポジ型レジストで形成した樹脂層１０ｂに露光パターンＰａ等を描画する例について説明したが、樹脂層の形成材料としては、ポジ型レジストに限定されず、ネガ型レジストなどの各種樹脂材料を使用することができる。
【符号の説明】
【０１２４】
１ 電子ビーム描画装置
１０ 基材
１０ｂ 樹脂層
１１ 原盤
１２，３２ スタンパー
１５，３５ 磁気ディスク
１５ｍ，３５ｍ 中間体
２１〜２４，４２ 凹凸パターン
Ａ１ 露光領域
Ａ２ 非露光領域
Ａｉ，Ａｐｉ 内周領域
Ａｃ，Ａｐｃ 中周領域
Ａｏ，Ａｐｏ 外周領域
Ａｓ サーボ領域
Ａｔ データ記録領域
ＤＰ 描画手順データ
ＥＢ 電子ビーム
Ｌ１ｏ〜Ｌ３ｏ，Ｌ１ｃ〜Ｌ３ｃ，Ｌ１ｉ〜Ｌ３ｉ，Ｌａ〜Ｌｄ，Ｌｂ１，Ｌｂ２，Ｌｚ，Ｌｚ１，Ｌｚ２ 長さ
Ｐ１Ｅ〜Ｐ４Ｅ，Ｐ１Ｅａ〜Ｐ４Ｅａ，Ｐ１Ｅｂ１〜Ｐ４Ｅｂ１，Ｐ１Ｅｂ２〜Ｐ４Ｅｂ２，Ｐ１Ｅｃ〜Ｐ５Ｅｃ 停止位置
Ｐ１Ｓ〜Ｐ４Ｓ，Ｐ１Ｓａ〜Ｐ４Ｓａ，Ｐ１Ｓｂ１〜Ｐ４Ｓｂ１，Ｐ１Ｓｂ２〜Ｐ４Ｓｂ２，Ｐ１Ｓｃ〜Ｐ５Ｓｃ 開始位置
Ｐａ〜Ｐｃ 露光パターン
ＰＳ１ プリアンブルパターン
ＰＳ２ サーボアドレスマークパターン
ＰＳ３ セクターアドレスパターン
ＰＳ４ トラックアドレスパターン
ＰＳ５ 位相サーボパターン
ＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ 位相サーボ部のパターン
ＰＳ６ パッド領域用パターン
ＰＳ７，ＰＳ８ バースト部のパターン
ＰＳａ〜ＰＳｃ サーボパターン
ＰＴ データトラックパターン
Ｒ 矢印
ＳＴ サーボトラック
θ１ スキュー角
θ２ 交差角度
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体製造用原盤や情報記録媒体を製造する際に使用する凹凸パターンを形成するための露光パターンを描画する描画方法、並びに、描画した露光パターンを利用して形成した凹凸パターンを使用して情報記録媒体製造用原盤や情報記録媒体を製造する製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
記録密度の向上を図り得る磁気記録媒体として、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体などのパターンド型の磁気ディスクが提案されている。これらの磁気ディスクの製造方法としては、磁性層（記録層）をエッチングする方法や、磁性層（記録層）にイオンを注入する方法が知られている。また、磁性層（記録層）をエッチングする際に使用するマスクパターンや、磁性層（記録層）にイオンを注入する際に使用するマスクパターンの製造方法としては、微細凹凸パターンが形成されたインプリント用スタンパー（製造用原盤）を使用して形成する方法（ナノインプリント法）が知られている。一方、連続記録層型の磁気ディスクの製造方法としては、サーボ情報の記録処理を効率化するために、微細凹凸パターンが形成された磁気転写用スタンパー（製造用原盤）を使用して、磁気ディスクの全域にサーボ情報を一括して記録する（サーボパターンを磁気転写する）方法が提案されている。これらインプリント用スタンパーや磁気転写用スタンパー（以下、区別しないときには、単に「スタンパー」ともいう）は、一例として、電子ビーム描画装置を用いて描画した露光パターンを現像して形成される凹凸パターンを使用して製造される。
【０００３】
例えば、特開２０１０−１１８１００号公報には、情報記録用原盤を製造するためのパターンを電子ビーム描画装置によって描画する方法が開示されている。この描画方法では、原盤を固定したターンテーブルをモータによって回転させながら、原盤（原盤に塗布したレジストの層）に対して電子ビームを断続的に照射することで所望のパターンを描画する。この場合、この描画方法では、一例として、サーボパターンにおける１トラックピッチ分の幅を６回に分けて描画する方法が採用されている。具体的には、ブランカ制御データ（電子ビームを断続させて照射するための制御データ）に基づき、電子ビームの照射を開始すべき開始位置から、照射を停止すべき停止位置まで原盤の回転方向に沿って電子ビームを照射することによって描画対象のパターンにおける半径方向の一部（回転方向に沿って長い帯状の領域：以下、「帯状領域」ともいう）を描画し、この帯状領域の位置を、原盤が１回転させられる都度、原盤の半径方向に「１／６・トラックピッチ」ずつ変更することで、原盤が６回転する間に１トラックピッチ分のサーボパターンを描画する。
【０００４】
この場合、露光すべき領域における原盤の回転方向の上流側および下流側の両辺が原盤の半径方向に対して傾斜しているパターン（半径方向に対して交差している露光領域を有するパターン：例えば、位相サーボパターンを構成する位相サーボ部のパターン）の描画に際しては、上記公開公報の図４に示すように、原盤が１回転させられる都度、上記の帯状領域の位置を「１／６・トラックピッチ」ずつ原盤の半径方向に沿って変更すると共に、この帯状領域の位置を描画すべきパターンの傾斜角度に応じて回転方向に沿って変更する。これにより、回転方向と交差する両辺が原盤の半径方向に対して平行な露光領域で構成されたパターン、および回転方向と交差する両辺が原盤の半径方向に対して傾斜している（半径方向と交差している）露光領域を有するパターンの双方を含む各種のサーボパターンがレジストに描画される。この後、所望のパターンが描画された原盤に対する現像処理を実行することでレジストの層に凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンを使用して各種スタンパーを製造する。これにより、パターンド型の磁気ディスク、およびサーボ情報が磁気転写された連続記録層型の磁気ディスクなどを製造する際に使用するスタンパーが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１８１００号公報（第２−１０頁、図１−１８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、出願人は、従来の描画方法によって描画されるパターンに、以下の問題点があることを見い出した。すなわち、この種の描画方法に従って描画するパターン（サーボパターン）としては、前述した位相サーボパターンにおける位相サーボ部のパターンだけでなく、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して傾斜する（半径方向に対して交差する）露光領域を有する各種のパターンが存在する。具体的には、例えば、回動アームの先端部に磁気ヘッドが設けられているタイプの記録再生装置に搭載される磁気ディスクにおいては、内周部や外周部において各サーボパターンにスキュー角をそれぞれ付与する必要がある。このため、磁気ディスクの各サーボパターンを含むパターンの描画に際しては、図４５に示す露光領域Ａ１ｘ１のように回転方向と交差する両辺が半径方向に対して平行な（半径方向に対して傾斜していない）露光領域だけでなく、図４６に示す露光領域Ａ１ｘ２のように回転方向と交差する両辺が半径方向に対して傾斜する（半径方向に対して交差する）露光領域を描画する必要がある。
【０００７】
この場合、出願人は、図４５に示すように、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して平行な露光領域Ａ１ｘ１については、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで原盤の回転方向に沿って長さＬｘだけ電子ビームを照射することで、その回転方向に沿った長さが長さＬｘａとなり、図４６に示すように、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して傾斜している（半径方向に対して交差している）露光領域Ａ１ｘ２については、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで原盤の回転方向に沿って上記の露光領域Ａ１ｘ１の描画時と同じ長さＬｘだけ電子ビームを照射したときに、その回転方向に沿った長さＬｘｂが、露光領域Ａ１ｘ１の長さＬｘａよりも短くなることを見いだした。また、出願人は、露光領域における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度が大きくなるほど、電子ビームを照射する距離（開始位置から停止位置までの回転方向に沿った距離：上記の例における長さＬｘに対応する距離）に対する露光領域の回転方向に沿った距離の比が小さくなることを見いだした。
【０００８】
したがって、原盤の内周部から外周部までの全域において、描画すべき露光領域における各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さ（回転方向で並ぶ一組の露光領域および非露光領域の回転方向に沿った合計長）に対して比例するように電子ビームの照射距離を規定して（各半径位置毎（各サーボトラック毎）の１つのサーボパターン領域の回転方向に沿った長さに対して比例するように照射距離を規定して）サーボパターンを描画したときには、上記の露光領域Ａ１ｘ２のように回転方向と交差する両辺が半径方向に対して交差している（傾斜している）露光領域において、描画される露光領域の回転方向に沿った長さが、各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなることとなる。このため、このような描画方法に従って描画したパターンを利用してスタンパーを製造し、そのスタンパーを使用して情報記録媒体を製造したときには、回転方向に沿った長さが本来的な長さよりも短い露光領域に対応して形成されるサーボパターンにおいてサーボ情報の正確な読み出しが困難となるおそれがある。
【０００９】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、サーボ情報を正確に読み出すことができるサーボパターンを形成可能な露光パターンを描画し得る描画方法、並びに、サーボ情報を正確に読み出すことができるサーボパターンを形成し得る情報記録媒体製造用原盤の製造方法および情報記録媒体の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく本発明に係る描画方法は、情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層に描画用ビームを照射して、当該凹凸パターンを形成するための露光領域および非露光領域で構成された露光パターンを当該樹脂層に描画する際に、当該樹脂層が形成された基材を回転させつつ、当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを前記樹脂層に照射することで前記露光領域における当該基材の半径方向の一部を描画する部分描画処理と、前記部分描画処理による描画位置を前記基材の回転中心に接近する方向および当該回転中心から離間する方向のいずれかに変更する描画位置変更処理とを複数回実行する描画方法であって、複数種類のサーボパターンを含む前記露光パターンの描画に際して、位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンと、プリアンブルパターンと、サーボアドレスマークパターンと、パッド領域用パターンと、バーストパターンにおける各バースト部のパターンとのうちの１つの当該サーボパターンを描画対象パターンとして描画する際に、当該描画対象パターンを構成する複数の当該露光領域および複数の当該非露光領域のうちの当該回転方向で並ぶ一組の当該露光領域および当該非露光領域の各半径位置毎の当該回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度が最大となる半径位置を含む第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの総照射量を当該第１の長さで除した第１の値が、前記交差角度が最小となる半径位置を含む領域であって前記半径方向において当該第１の領域に対して隣接する第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第１の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１１】
なお、本明細書における「露光パターン」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、描画を完了した後の現像処理によって基材上から樹脂層が消失する領域の平面パターンを意味し、ネガ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、現像処理によって基材上に樹脂層が残留する領域の平面パターンを意味する。
【００１２】
また、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を当該第１の長さで除した第２の値が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第２の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１３】
また、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を当該第１の長さで除した第３の値が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第３の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１４】
なお、本明細書における「描画パス数」とは、「対象とする露光領域を描画するための部分描画処理の実行回数」を意味する。この場合、例えば、描画対象パターンを構成する露光領域における２つのサーボトラック分の領域を３回の部分描画処理によって描画する場合、この露光領域における１つのサーボトラック分の領域を描画するための描画パス数は、１．５となる。
【００１５】
さらに、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの描画パス数が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記描画パス数の平均よりも多くなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１６】
また、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記回転方向の下流側に向かっての当該描画用ビームの偏向速度が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記偏向速度の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１７】
さらに、本発明に係る描画方法は、前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記基材の線速度が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記線速度の平均よりも小さくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１８】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法は、上記のいずれかの描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する。
【００１９】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法は、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造する。
【００２０】
なお、「凹凸パターンを使用する」との処理は、具体的には、「凹凸パターンの物理的形状を任意の材料に転写する処理」や、「凹凸パターンを利用した磁気転写処理によって凹凸パターンにおける凸部（または凹部）の平面パターンに対応する磁化パターンを転写する処理」を意味する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る描画方法では、位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンと、プリアンブルパターンと、サーボアドレスマークパターンと、パッド領域用パターンと、バーストパターンにおける各バースト部のパターンとのうちの１つのサーボパターンを描画対象パターンとして描画する際に、描画対象パターンを構成する複数の露光領域および複数の非露光領域のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域および非露光領域の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、露光領域における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度が最大となる半径位置を含む第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの総照射量を第１の長さで除した第１の値が、交差角度が最小となる半径位置を含む領域であって半径方向において第１の領域に対して隣接する第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の第１の値の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。
【００２２】
具体的には、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内に描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を第１の長さで除した第２の値が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の第２の値の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内に描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を第１の長さで除した第３の値が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の第３の値の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの描画パス数が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の描画パス数の平均よりも多くなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの照射時における回転方向の下流側に向かっての描画用ビームの偏向速度が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の偏向速度の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、描画対象パターンの第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの照射時における基材の線速度が、第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の線速度の平均よりも小さくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法とのいずれか、または、これらの描画方法を任意に組み合わせて露光パターンを描画する。
【００２３】
したがって、本発明に係る描画方法によれば、半径方向に対する交差角度が大きいことで露光領域の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる傾向のある第１の領域内の露光領域を描画すべき部位に十分な量の描画用ビームを照射することができる。これにより、この描画方法によれば、基材の外周領域から内周領域までの全域において、位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンと、プリアンブルパターンと、サーボアドレスマークパターンと、パッド領域用パターンと、バーストパターンにおける各バースト部のパターンとを構成する各露光領域の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている露光パターンを描画することができるため、描画した露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンにおいて上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【００２４】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法によれば、上記のいずれかに記載の描画方法に従って樹脂層に露光パターンを描画した後に樹脂層に対して所定の処理を実行して凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造することにより、露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンや、その情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される他の情報記録媒体製造用原盤の凹凸パターンにおいて上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができるため、製造した情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される他の情報記録媒体製造用原盤や、製造した情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体の凹凸パターンにおいて上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【００２５】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法によれば、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造することにより、情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体のサーボパターン（凹凸パターン）において上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さや、情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体のサーボパターン（磁化パターン）において上記の各パターンに対応する部位の磁化領域の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】電子ビーム描画装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】露光パターンを描画する基材１０の断面図である。
【図３】磁気ディスク１５におけるデータ記録領域Ａｔおよびサーボ領域Ａｓと磁気ヘッド１６との関係について説明するための説明図である。
【図４】電子ビーム描画装置１によって描画する露光パターンＰａの平面図である。
【図５】露光パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｃ）の外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳａ（ＰＳｂ，ＰＳｃ）のプリアンブルパターンＰＳ１について説明するための説明図である。
【図６】露光パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｃ）の中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳａ（ＰＳｂ，ＰＳｃ）のプリアンブルパターンＰＳ１について説明するための説明図である。
【図７】露光パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｃ）の内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳａ（ＰＳｂ，ＰＳｃ）のプリアンブルパターンＰＳ１について説明するための説明図である。
【図８】露光パターンＰａの外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図９】露光パターンＰａの中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図１０】露光パターンＰａの内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図１１】露光パターンＰａの外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１２】露光パターンＰａの中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１３】露光パターンＰａの内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳａの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１４】描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図１５】描画方法の他の一例について説明するための説明図である。
【図１６】描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図１７】基材１０の回転方向に沿って電子ビームＥＢを偏向する描画方法について説明するための説明図である。
【図１８】図１７に示す描画方法について説明するための説明図である。
【図１９】図２０を参照して説明する位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂの描画方法について説明するための説明図である。
【図２０】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図２１】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の他の一例について説明するための説明図である。
【図２２】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２３】プリアンブルパターンＰＳ１の描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図２４】プリアンブルパターンＰＳ１の描画方法の他の一例について説明するための説明図である。
【図２５】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２６】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２７】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２８】プリアンブルパターンＰＳ１の描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図２９】実施例１および比較例１の露光パターンの位相サーボ部におけるパターンの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図３０】実施例２および比較例２の露光パターンにおけるプリアンブルパターンの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図３１】実施例３の露光パターンの位相サーボ部におけるパターンの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図３２】実施例４の露光パターンの位相サーボ部におけるパターンの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図３３】露光パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｃ）を描画した基材１０を現像して凹凸パターン２１を形成した状態の原盤１１の断面図である。
【図３４】原盤１１の凹凸パターン２１に成膜層１２ａおよび電解ニッケル層１２ｂを順に形成してスタンパー１２を作製した状態の断面図である。
【図３５】スタンパー１２を使用してインプリント法によって磁気ディスク１５を製造する工程を示す中間体１５ｍおよびスタンパー１２の断面図である。
【図３６】スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写した状態の中間体１５ｍの断面図である。
【図３７】凹凸パターン２３が形成された樹脂層１５ｃをマスクとして用いて記録層１５ｂをエッチングした状態の磁気ディスク１５の断面図である。
【図３８】磁気ディスク３５の製造に際してスタンパー３２，３２を使用して中間体３５ｍにサーボパターンを磁気転写している状態の断面図である。
【図３９】露光パターンＰｂの外周領域Ａｐｏのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７について説明するための説明図である。
【図４０】露光パターンＰｂの中周領域Ａｐｃのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７について説明するための説明図である。
【図４１】露光パターンＰｂの内周領域Ａｐｉのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７について説明するための説明図である。
【図４２】露光パターンＰｃの外周領域Ａｐｏのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ８について説明するための説明図である。
【図４３】露光パターンＰｃの中周領域Ａｐｃのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ８について説明するための説明図である。
【図４４】露光パターンＰｃの内周領域Ａｐｉのバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ８について説明するための説明図である。
【図４５】開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘおよび停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘと露光領域Ａ１ｘ１との関係について説明するための説明図である。
【図４６】他の開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘおよび停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘと露光領域Ａ１ｘ２との関係について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る描画方法、情報記録媒体製造用原盤の製造方法、および情報記録媒体の製造方法の実施の形態について説明する。
【００２８】
最初に、電子ビーム描画装置１の構成、および電子ビーム描画装置１によって描画した露光パターンを使用して製造されるスタンパー１２，３２や磁気ディスク１５，３５の構成について、図面を参照して説明する。
【００２９】
電子ビーム描画装置１（以下、「描画装置１」ともいう）は、図１に示すように、Ｘ−Ｙ移動機構２、ターンテーブル３、ビーム発生部４、ブランキング制御部５、ビーム成形部６、ビーム偏向器７、制御部８および記憶部９を備えて構成されている。この描画装置１は、後述する描画方法に従って電子ビームＥＢ（「描画用ビーム」の一例）を照射することにより、図４に示す露光パターンＰａなどの各種露光パターンを基材１０に描画可能に構成されている。
【００３０】
この場合、基材１０は、スタンパー１２（図３４，３５参照）や、スタンパー３２（図３８参照）を製造するための原盤１１（「情報記録媒体製造用原盤」の一例：図３３参照）を製作するための板体であって、図２に示すように、円板状のＳｉウエハ１０ａの表面に、厚み５０ｎｍ程度の樹脂層１０ｂ（一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布して形成したレジスト層）がこの順で形成されて構成されている。また、図３３に示すように、基材１０を用いて製作される原盤１１は、後述するようにして描画装置１によって基材１０の樹脂層１０ｂに描画された露光パターンＰａ等を現像して形成した凹凸パターン２１（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例）を備えている。
【００３１】
また、スタンパー１２は、パターンド型の磁気ディスク１５（図３７参照）を製造するための原盤（「情報記録媒体製造用原盤」の他の一例である「インプリント用スタンパー」の一例）であって、図３４，３５に示すように、原盤１１の凹凸パターン２１をスタンパー形成材料に転写することによって形成した凹凸パターン２２（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例）を備えている。さらに、スタンパー３２は、連続記録層型の磁気ディスク３５（図３８参照）を製造するための原盤（「情報記録媒体製造用原盤」のさらに他の一例である「磁気転写用スタンパー」の一例）であって、図３８に示すように、原盤１１の凹凸パターン２１をスタンパー形成材料に転写することによって形成した凹凸パターン４２（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の他の一例）を備えている。
【００３２】
また、スタンパー１２を使用して製造される磁気ディスク１５は、「情報記録媒体」の一例であって、図３７に示すように、突端部側が磁性材料（記録層１５ｂ）で形成された複数の凸部と、隣り合う凸部の間の凹部とが形成されて、データトラックパターンやサーボパターンを構成する凹凸パターン２４が形成されている。なお、実際の磁気ディスク１５には、基材１５ａの裏面側にも凹凸パターン２４が形成されているが、発明についての理解を容易にするために、基材１５ａの裏面側の図示を省略する。この磁気ディスク１５は、磁気ディスク１５を回転させるモータや（図示せず）、磁気ディスク１５に対する記録データの記録再生を実行する磁気ヘッド１６（図３参照）などと共に筐体内に収容されて、記録再生装置（ハードディスクドライブ）を構成する。
【００３３】
この場合、図３に示すように、磁気ディスク１５には、データ記録領域Ａｔおよびサーボ領域Ａｓが回転方向（矢印Ｒの向き）で交互に並んで設けられて、データ記録領域Ａｔ内に上記の凹凸パターン２４によってデータトラックパターンが形成されると共に、サーボ領域Ａｓ内に上記の凹凸パターン２４によってサーボパターンが形成されている。なお、本明細書では、回転方向において並ぶ２つの「データ記録領域」によって挟まれた領域（１つの「データ記録領域」における回転方向に対して下流側の端部から、他の１つの「データ記録領域」における回転方向に対して上流側の端部までの間の領域）を「サーボ領域」とする。また、「データ記録領域」における回転方向側の端部は、そのデータ記録領域に形成された複数の「データ記録トラック」における回転方向側の各端部を連結した仮想線分と一致しているものとする。この場合、この磁気ディスク１５には、一例として、１トラックにつき（磁気ディスク１５の１周当りに）２００箇所のサーボ領域Ａｓが設けられている。
【００３４】
また、この磁気ディスク１５は、記録再生装置に搭載された状態において角速度一定で回転させられる。したがって、この磁気ディスク１５では、単位時間当たりに磁気ヘッド１６の下方を通過させられる磁気ディスク１５上の長さに比例して、データ記録領域Ａｔやサーボ領域Ａｓの回転方向に沿った長さがサーボパターンやデータトラックパターンの中心から離間するほど長くなるように規定されている。この結果、データ記録領域Ａｔ内に形成されたデータ記録トラック（凸部）における突端面の回転方向に沿った長さ、およびデータ記録領域Ａｔ内に形成されたトラック間凹部における開口部の回転方向に沿った開口長や、サーボ領域Ａｓ内に形成されたサーボパターン用の同種の各凸部における突端面の回転方向に沿った長さ、およびサーボパターン用の同種の各凹部の回転方向に沿った開口長は、磁気ディスク１５の内周側領域よりも外周側領域ほど長くなっている。
【００３５】
さらに、図３に示すように、磁気ディスク１５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッド１６は、回動中心１６ｏを中心として矢印Ｓの向きに回動させられるアーム１６ａの先端部（アーム１６ａの先端部に設けられたスライダの底面）に配設されている。したがって、このような磁気ヘッド１６を使用して磁気的信号の読出しや書込みが実行される磁気ディスク１５では、その外周領域Ａｏや内周領域Ａｉ内においてサーボパターンにスキュー角が付与がされている。この場合、各パターンに付与されるスキュー角は、一例として、外周領域Ａｏ内においては外周側ほど大きく、内周領域Ａｉにおいては内周側ほど大きくなるように規定されている。なお、本明細書においては、「スキュー角」に関して、ディスクの半径方向と交差する角度成分で表現する。したがって、ディスクの半径方向と平行なスキュー角を「スキュー角＝０°」という。
【００３６】
また、スタンパー３２を使用して製造される磁気ディスク３５は、「情報記録媒体」の他の一例であって、図３８に示すように、軟磁性層３５ｂ、配向層３５ｃおよび記録層３５ｄが基材３５ａの表裏両面にこの順でそれぞれ形成されると共に、スタンパー３２を使用した磁気転写処理によって両記録層３５ｄにサーボパターンが磁気的にそれぞれ転写されて構成されている。この磁気ディスク３５は、磁気ディスク３５を回転させるモータ（図示せず）や、磁気ディスク３５に対する記録データの記録再生を実行する磁気ヘッド（図示せず）などと共に筐体内に収容されて、記録再生装置（ハードディスクドライブ）を構成する。
【００３７】
この場合、磁気ディスク３５には、データ記録領域およびサーボ領域が回転方向で交互に並んで設けられて、サーボ領域内にサーボパターンが記録されて（磁化パターンが転写されて）いる。また、この磁気ディスク３５は、上記の磁気ディスク１５と同様にして、記録再生装置に搭載された状態において角速度一定で回転させられる。したがって、この磁気ディスク３５では、上記の磁気ディスク１５と同様にして、単位時間当たりに磁気ヘッドの下方を通過させられる磁気ディスク３５上の長さに比例して、データ記録領域やサーボ領域の回転方向に沿った長さがサーボパターンやデータトラックの中心から離間するほど長くなるように規定されている（図示せず）。この結果、サーボ領域内に記録されたサーボパターンにおける同種の各磁化領域の回転方向に沿った長さは、磁気ディスク３５の内周側領域よりも外周側領域ほど長くなっている。
【００３８】
さらに、磁気ディスク３５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッドは、磁気ディスク１５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッド１６と同様にして、回動中心を中心として回動させられるアームの先端部（アームの先端部に設けられたスライダの底面）に配設されている（図示せず）。したがって、このような磁気ヘッドを使用して磁気的信号の読出しや書込みが実行される磁気ディスク３５では、その外周領域や内周領域内においてサーボパターンにおける各磁化領域にスキュー角が付与がされている。
【００３９】
一方、Ｘ−Ｙ移動機構２は、制御部８の制御に従い、ターンテーブル３（回転機構）によって回転させられている基材１０の回転面に沿ってターンテーブル３を移動させる（「描画位置変更処理」の一例）。ターンテーブル３は、基材１０を載置可能に構成されると共に、制御部８の制御に従って基材１０を所定の回転速度で回転させる。また、ターンテーブル３は、その内部でテーブルの回転に同期して生成する信号に基づいて基材１０の回転に同期した基準信号Ｓ０を生成して、一例として、基材１０を一回転させる間に基準信号Ｓ０を複数回に亘って出力する。この場合、ターンテーブル３は、一例として、基材１０の一回転当りに、磁気ディスク１５の一周当りにおけるサーボ領域の数と同数の基準信号Ｓ０を出力する。
【００４０】
ビーム発生部４は、樹脂層１０ｂに露光パターンＰａ等を描画するための電子ビームＥＢを生成して出力する。ブランキング制御部５は、ビーム発生部４と相俟って「ビーム照射部」を構成し、制御部８の制御に従い、ビーム発生部４からの電子ビームＥＢの出力をＯＮ／ＯＦＦ制御（ブランキング制御）する。ビーム成形部６は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ブランキング制御部５を通過した電子ビームＥＢを成形（細径化）する。この場合、この描画装置１では、その有効描画幅が露光パターンＰａ等を構成する各露光領域Ａ１（図４参照）の半径方向に沿った幅や回転方向に沿った長さよりも十分に狭い電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰａを描画する。
【００４１】
ビーム偏向器７は、制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを偏向することによって樹脂層１０ｂに対する照射位置を変化させる。この場合、この描画装置１では、後述するように、ビーム偏向器７が制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを基材１０の半径方向に偏向することで、「部分描画処理による描画位置」を基材１０の回転中心に接近する方向（または、回転中心から離間する方向）に変更する（「描画位置変更処理」の他の一例）。また、この描画装置１では、後述するように、露光パターンＰａ等の一部の描画に際して、ビーム偏向器７が制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って偏向する処理を実行する。
【００４２】
制御部８は、記憶部９に記憶されている描画手順データＤＰに従い、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に基材１０を移動させると共に、ターンテーブル３を制御して所定の線速度で基材１０を回転させる。また、制御部８は、ターンテーブル３から出力される基準信号Ｓ０に応じて、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向器７を制御することにより、ターンテーブル３によって回転させられている基材１０の樹脂層１０ｂにおける所定の位置に電子ビームＥＢを照射させて、露光パターンＰａ等を構成する露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する処理（「部分描画処理」の一例）を実行する。
【００４３】
記憶部９は、基材１０に描画すべき露光パターンＰａ等の描画手順を特定可能な描画手順データＤＰを記憶する。この場合、描画手順データＤＰは、制御部８が描画装置１の各部を制御して、後述する「第１の描画方法」から「第４の描画方法」までの各描画方法のいずれか（または、複数の組み合わせ）によって露光パターンＰａを描画するのに必要な情報で構成されている。具体的には、描画手順データＤＰには、描画処理時に基材１０をどのような回転速度で回転させるべきかを特定可能なデータと、基準信号Ｓ０が出力されてからブランキング制御部５に対して電子ビームＥＢの照射を開始させるまでの待機時間、および電子ビームＥＢの照射を停止させるまでの待機時間を各サーボパターン毎に特定可能な情報と、ビーム偏向器７によって電子ビームＥＢをどのように偏向すべきかを特定可能なデータと、移動機構２によってターンテーブル３をどのように移動させるべきかを特定可能なデータとが記録されている。
【００４４】
次に、描画装置１によって描画する露光パターンＰａについて、図面を参照して説明する。
【００４５】
図４に示す露光パターンＰａは、磁気ディスク１５を製造するためのスタンパー１２に形成すべき凹凸パターン２２や、磁気ディスク３５を製造するためのスタンパー３２に形成すべき凹凸パターン４２（すなわち、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１）に対応して露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２が規定されている。具体的には、本例では、原盤１１における凹凸パターン２１の各凹部（すなわち、スタンパー１２，３２における凹凸パターン２２，４２の各凸部）に対応して露光領域Ａ１が規定されると共に、原盤１１における凹凸パターン２１の各凸部（すなわち、スタンパー１２，３２における凹凸パターン２２，４２の各凹部）に対応して非露光領域Ａ２が規定されている なお、実際には、インプリント用のスタンパー１２を製造するために原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１と、磁気転写用のスタンパー３２を製造するために原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１とは、スタンパー１２，３５に求められる機能に応じて相違する場合もあるが、本明細書では、「描画方法」や「製造方法」についての理解を容易とするために、これらを区別せずに説明する。
【００４６】
また、本明細書における「露光領域Ａ１」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂが形成されているこの例においては、描画を完了した後の現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層１０ｂが消失する領域と一致する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層が残留する領域と一致する領域を意味する。さらに、本明細書における「非露光領域Ａ２」とは、描画用ビーム（この例では、電子ビームＥＢ）が照射されない領域だけでなく、上記の露光領域Ａ１に対する照射に伴って描画用ビームが僅かに照射されるものの、現像後において描画用ビームが照射されない領域と同様の状態となる領域を含む。具体的には、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂが形成されているこの例においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像後にＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層１０ｂが残留する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像時にＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層が消失する領域を意味する。
【００４７】
この場合、磁気ディスク１５，３５のサーボパターンは、一例として、プリアンブルパターン（オートゲインコントロールパターン）、サーボアドレスマークパターン（サーボマークパターン）、セクターアドレスパターン、トラックアドレスパターン、および位相サーボパターンが回転方向における上流側からこの順で形成されると共に、位相サーボパターンとデータ記録領域Ａｔとの間にはパッド領域が規定されて、一例として、プリアンブルパターンと同様のパターンがパッド領域用パターン（ポストアンブルパターン、ギャップパターン）として形成されている（図示せず）。また、磁気ディスク１５，３５の位相サーボパターンは、一例として、ディスクの半径方向に対する傾斜の向きが互いに相違する一対のパターン（「位相サーボ部のパターン」：傾斜パターン）で構成されている（図示せず）。なお、パッド領域（パッド領域用パターンを形成する領域）については、位相サーボパターンとデータ記録領域Ａｔとの間（サーボパターンの回転方向における下流側の端部）に限定されず、例えば、トラックアドレスパターンと位相サーボパターンとの間に規定される場合もある。
【００４８】
一方、図４に示すように、スタンパー１２を製造するための露光パターンＰａは、磁気ディスク１５の上記の各サーボパターンに対応して、基材１０の回転方向（矢印Ｒの向き）においてデータトラックパターンＰＴおよびサーボパターンＰＳａが交互に並ぶように規定されている。また、スタンパー３２を製造するための露光パターンＰａは、データトラックパターンＰＴが存在しない点を除き、スタンパー１２を製造するための露光パターンＰａと同様にサーボパターンＰＳａが規定されている。したがって、以下、主としてスタンパー１２を製造するための露光パターンＰａの描画方法について説明する。
【００４９】
この場合、サーボパターンＰＳａは、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）およびパッド領域用パターンＰＳ６が回転方向における下流側からこの順で規定されている。なお、本例では、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ（以下、単に「パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ」ともいう）、並びにパッド領域用パターンＰＳ６が、それぞれ「複数種類のサーボパターン」に相当する。また、図４では、各露光領域Ａ１を左下がりの斜線で塗り潰すと共に、各非露光領域Ａ２を白色で図示している。また、同図、および後に参照する図５〜１３，３９〜４４では、サーボトラックＳＴにおける半径方向の端部（半径方向において隣合うサーボトラックＳＴ，ＳＴの境界）を破線で図示している。この場合、各サーボトラックＳＴの幅は、内周から外周までの全域において互いに等しい幅となっている。
【００５０】
また、この露光パターンＰａに対応して形成される磁気ディスク１５，３５の各サーボパターンについては、前述したように、中周領域Ａｃから外周領域Ａｏの外周側に向かうほど大きく、また、中周領域Ａｃから内周領域Ａｉの内周側に向かうほど大きなスキュー角を付与する必要がある。このため、図５〜７に示すように、例えば、磁気ディスク１５，３５のプリアンブルパターンに対応して描画すべきプリアンブルパターンＰＳ１においては、外周領域Ａｐｏにおける外周側ほど大きなスキュー角θ１を付与すると共に、内周領域Ａｐｉにおける内周側ほど大きなスキュー角θ１を付与して、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺を基材１０の半径方向（図５，７に二点鎖線で示す方向）に対して交差させる（交差角度θ２を生じさせる）必要がある。
【００５１】
この場合、図４５に示すように、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して平行な露光領域Ａ１ｘ１については、原盤の回転方向（同図に示す矢印Ｒの向き）に沿って、例えば、原盤の１回転目に開始位置Ｐ１Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームを照射し、原盤の２回転目以降において、開始位置Ｐ２Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ２Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームをそれぞれ照射したときに、原盤の２回転目以降に生じる多重露光に起因して、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘの近傍や、停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘの近傍（すなわち、回転方向の端部領域）についても十分な露光状態となる。これに対して、図４６に示すように、回転方向と交差する両辺が半径方向に対して傾斜している（半径方向に対して交差している）露光領域Ａ１ｘ２については、上記の露光領域Ａ１ｘ１の描画時と同様に開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームをそれぞれ照射したとしても、各帯状領域の位置を原盤の回転方向に沿って変更していることに起因して、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘの近傍や、停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘの近傍（すなわち、回転方向の端部領域）において、原盤の２回転目以降に生じる多重露光の影響が小さくなる可能性がある。
【００５２】
したがって、外周領域Ａｐｏから内周領域Ａｐｉまでの全域において、描画すべき露光領域Ａ１における各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さ（一例として、１つのサーボトラックＳＴにおける「回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長（第１の長さ）」）に対して比例するように電子ビームＥＢの照射距離を規定してプリアンブルパターンＰＳ１を描画したとき（以下、このような描画については、「基準の長さに対して比例するように照射量を規定して描画したとき」ともいう）には、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の近傍（回転方向の端部領域）における多重露光の影響の度合いが、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２に応じて変化する。このため、交差角度θ２が最も小さい半径位置（一例として、スキュー角θ１＝０°（θ２＝０°）の半径位置）において最適な照射量となるように、外周領域Ａｐｏから内周領域Ａｐｉまでの全域において、基準の長さに対して比例するように照射量を規定して描画したときには、その露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい外周領域Ａｐｏにおける外周側や、交差角度θ２が大きい内周領域Ａｐｉにおける内周側ほど、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏ，Ｌ１ｉが、各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなることとなる。
【００５３】
このため、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してプリアンブルパターンＰＳ１を描画したときには、外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（長さＬ１ｏと長さＬ２ｏとの和：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合や、内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（長さＬ１ｉと長さＬ２ｉとの和：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合が、中周領域Ａｐｃにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｃ（長さＬ１ｃと長さＬ２ｃとの和：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｃの割合よりも小さくなる。なお、基準の長さに対して比例するように照射量を規定して露光パターンＰａを描画したときは、サーボアドレスマークパターンＰＳ２やパッド領域用パターンＰＳ６においても、プリアンブルパターンＰＳ１と同様にして、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉほど、長さＬ３ｏ，Ｌ３ｉ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏ，Ｌ１ｉの割合が小さくなる現象が生じる。この場合、上記の長さＬ１ｏ〜Ｌ３ｏ，Ｌ１ｃ〜Ｌ３ｃ，Ｌ１ｉ〜Ｌ３ｉは、上記の各サーボパターンや、後述する各サーボパターン毎に規定される長さであって、各サーボパターンに共通の長さである場合、および各サーボパターン毎に相違する長さである場合がある。
【００５４】
また、図８〜１０、および図１１〜１３に示すように、例えば、磁気ディスク１５，３５の位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のパターンに対応して描画すべきパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂについても、プリアンブルパターンＰＳ１等と同様に外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉほど大きなスキュー角θ１を付与する必要がある。この場合、位相サーボパターンＰＳ５の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂは、中周領域Ａｐｃ内の付与すべきスキュー角θ１が０°の半径位置において、一例として、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺が基材１０の半径方向に対して例えば交差角度θ２＝５２．６°で交差するように斜めに描画される。
【００５５】
また、本例の位相サーボパターンＰＳ５では、図８〜１０に示すように、パターンＰＳ５ａにおいては、外周領域Ａｐｏよりも中周領域Ａｐｃほど露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２がやや大きくなり、かつ、中周領域Ａｐｃよりも内周領域Ａｐｉほど露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２がやや大きくなると共に、図１１〜１３に示すように、パターンＰＳ５ｂにおいては、内周領域Ａｐｉよりも中周領域Ａｐｃほど露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が大きくなり、かつ、中周領域Ａｐｃよりも外周領域Ａｐｏほど露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が大きくなる。
【００５６】
したがって、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してパターンＰＳ５ａを描画したときには、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい内周領域Ａｐｉにおいて、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉが、基準の長さに対して比例する本来的な長さよりもやや短くなる。このため、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してパターンＰＳ５ａを描画したときには、内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合が、中周領域Ａｐｃにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｃ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｃの割合や、外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合よりもやや小さくなる。
【００５７】
また、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してパターンＰＳ５ｂを描画したときには、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい外周領域Ａｐｏにおいて、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏが、基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる。このため、基準の長さに対して比例するように照射量を規定してパターンＰＳ５ｂを描画したときには、外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合が、中周領域Ａｐｃにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｃ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｃの割合や、内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合よりも小さくなる。
【００５８】
なお、前述したように、この露光パターンＰａでは、各サーボトラックＳＴの幅が内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの全域において互いに等しい幅となっている。このため、露光領域Ａ１の回転方向の形成ピッチが、いずれの半径位置においても、その半径位置の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する長さとなるように規定されている位相サーボパターンＰＳ５では、仮に、内周領域Ａｐｉや外周領域Ａｐｏにおいてスキュー角θ１を付与しない場合には、内周領域Ａｐｉの内周側よりも外周領域Ａｐｏの外周側ほど半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度が大きくなる。
【００５９】
この場合、回転方向の上流側から下流側に向かうほど外周側に位置するように露光領域Ａ１が斜めに描画されるパターンＰＳ５ａでは、図８に示すように、外周領域Ａｐｏにおいては、スキュー角θ１を付与することによって、スキュー角θ１を付与しない場合よりも半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が小さくなり、図１０に示すように、内周領域Ａｐｉにおいては、スキュー角θ１を付与することによって、スキュー角θ１を付与しない場合よりも半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が大きくなる。これに対して、回転方向の上流側から下流側に向かうほど内周側に位置するように露光領域Ａ１が斜めに描画されるパターンＰＳ５ｂでは、図１１に示すように、外周領域Ａｐｏにおいては、スキュー角θ１を付与することによって、スキュー角θ１を付与しない場合よりも半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が大きくなり、図１３に示すように、内周領域Ａｐｉにおいては、スキュー角θ１を付与することによって、スキュー角θ１を付与しない場合よりも半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が小さくなる。したがって、本例の位相サーボパターンＰＳ５では、パターンＰＳ５ａを構成する露光領域Ａ１の内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの交差角度θ２の角度範囲よりも、パターンＰＳ５ｂを構成する露光領域Ａ１の内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの交差角度θ２の角度範囲の方が大きくなる。
【００６０】
このため、基準の長さに対して比例するように照射量を規定して位相サーボパターンＰＳ５のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画したときには、パターンＰＳ５ｂにおける外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏに占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合と、パターンＰＳ５ｂにおける内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉに占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合との差異よりも、パターンＰＳ５ａにおける内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉに占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合と、パターンＰＳ５ａにおける外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏに占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合との差異の方が小さくなる。
【００６１】
したがって、位相サーボパターンＰＳ５（少なくともパターンＰＳ５ｂ）の描画に際しては、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる最外周の半径位置を含む領域（「第１の領域」の一例：一例として、半径方向に対する交差角度θ２が４５°以上の露光領域Ａ１で構成される領域）におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる最内周の半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域（一例として、半径方向に対する交差角度θ２が４５°未満の露光領域Ａ１で構成される領域）」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を交互に実行する。なお、本明細書では、対象物に照射される電子ビームＥＢの電流値に、電子ビームＥＢの照射時間を乗じた値を「電子ビームＥＢの総照射量」とする。
【００６２】
また、位相サーボパターンＰＳ５におけるパターンＰＳ５ａの描画に際しても、必要に応じて、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる最内周の半径位置を含む領域（「第１の領域」の他の一例）におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる最外周の半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を交互に実行する。
【００６３】
さらに、例えば、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６等の描画に際しては、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる最外周の半径位置を含む領域（「第１の領域」のさらに他の一例）や最内周の半径位置を含む領域（「第１の領域」のさらに他の一例）におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる（この例では、付与すべきスキュー角θ１が０°となる）中周の半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を交互に実行する。
【００６４】
次いで、描画装置１による露光パターンＰａの描画方法について、図面を参照して説明する。
【００６５】
露光パターンＰａの描画に際しては、まず、樹脂層１０ｂの形成面を上向きにして基材１０をターンテーブル３の上に載置する。この状態において、描画処理の開始が指示されると、制御部８は、まず、描画手順データＤＰに従い、ターンテーブル３を制御して、定められた回転速度で基材１０を回転させる。次いで、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３を基材１０の載置面に沿って移動させることで基材１０を移動させて、基材１０に対する露光パターンＰａの描画開始位置がビーム発生部４の下方に位置するように位置決めする。この場合、この描画装置１では、一例として、その外周領域Ａｐｏから露光パターンＰａの描画を開始する。したがって、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御して、基材１０の外周部がビーム発生部４の下方に位置するように半径方向の位置決めを行う。次に、制御部８は、ターンテーブル３によって基準信号Ｓ０が出力されたか否かを監視すると共に、基準信号Ｓ０が出力されたときには、描画手順データＤＰに従い、データトラックパターンＰＴおよびサーボパターンＰＳａにおける外周側の一部の描画を開始する。
【００６６】
この際に、制御部８は、一例として、基準信号Ｓ０が出力された時点から露光パターンＰａにおいて最初に描画すべき露光領域Ａ１の描画を開始する時点が到来するまでの時間だけ待機した後に、ブランキング制御部５に電子ビームＥＢのＯＮ／ＯＦＦ制御を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、描画すべき露光領域Ａ１に応じて電子ビームＥＢを偏向させる。これにより、露光領域Ａ１とすべき部位に電子ビームＥＢが照射されて露光パターンＰａにおける半径方向の一部が描画される（「部分描画処理」の一例）。この後、制御部８は、露光パターンＰａにおける２つ目以降の露光領域Ａ１についても同様にして描画することにより、露光パターンＰａにおける外周側の一部（半径方向の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。
【００６７】
次いで、制御部８は、基材１０の２回転目において、露光パターンＰａにおける各露光領域Ａ１の最外周部よりも内周側の部位を描画する。この際に、制御部８は、描画手順データＤＰに従ってビーム偏向器７を制御して、電子ビームＥＢの照射位置（「部分描画処理」の描画位置）を基材１０の１回転目における照射位置よりも内周側に移動させる（「描画位置変更処理」の一例）。これにより、露光パターンＰａにおける最外周部よりも内周側の一部（半径方向の他の一部）が基材１０の１回転に亘って描画される。この後、制御部８は、基材１０の３回転目以降においても、上記の２回転目の描画処理と同様にして露光パターンＰａの各露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する処理を繰り返して実行する。これにより、各露光領域Ａ１を描画すべき領域の外周側から内周側までの全域に対する電子ビームＥＢの照射が完了し、露光パターンＰａが描画される。
【００６８】
この場合、「第１の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴの「第１の値」が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるとの条件を満たすには、一例として、次の各描画方法のうちのいずれか、または、複数の描画方法を組み合わせて露光パターンＰａを描画すればよい。
【００６９】
第１の描画方法では、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値」が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第２の値」の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を交互に実行する描画方法の一例として、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値」が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第３の値」の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を交互に実行する。
【００７０】
具体的には、「第１の領域」内の１つの露光領域Ａ１を描画するための「部分描画処理」に際して、基材１０（樹脂層１０ｂ）に対して電子ビームＥＢを１回照射する描画方法（１回の「部分描画処理」に対応させて、電子ビームＥＢの照射を開始すべき開始位置、および電子ビームＥＢの照射を停止すべき停止位置をそれぞれ１箇所ずつ規定している描画方法：１回の「部分描画処理」において電子ビームＥＢを連続的に照射する描画方法）では、図１４に示すように、一例として、各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例するように規定される照射距離（交差角度θ２が最も小さい半径位置における「部分描画処理」１回当りの電子ビームＥＢの照射距離に対して、描画対象の各半径位置毎の「第１の長さ」を交差角度θ２が最も小さい半径位置の「第１の長さ」で除した値をそれぞれ乗じることで求められる長さ）を長さＬｚとしたときに（後に参照する図１６，１８における長さＬｚも、同様に規定される長さとする）、交差角度θ２が大きい領域において、この長さＬｚよりも長い長さＬａに亘って開始位置Ｐ１Ｓａ〜Ｐ４Ｓａから停止位置Ｐ１Ｅａ〜Ｐ４Ｅａまで基材１０（樹脂層１０ｂ）に電子ビームＥＢを照射する。
【００７１】
この場合、図２０〜２２は、この第１の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図であり、図２３，２４は、この第１の描画方法に従ってプリアンブルパターンＰＳ１を描画する際の具体的な描画手順を表す図である。なお、図２０〜２２、および後に参照する図２５，２６，２７に示す描画手順に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画することで製造されるスタンパー１２，３２および磁気ディスク１５，３５と、図２３，２４、および後に参照する図２８に示す描画手順に従ってプリアンブルパターンＰＳ１を描画することで製造されるスタンパー１２，３２や磁気ディスク１５，３５とでは、その直径が相違すると共に、各サーボパターンに付与されるスキュー角も相違する。また、図２０〜２８では、各半径領域の代表の半径位置を最左部に示している。例えば、図２０におけるパターンＰＳ５ｂ（エリアＢ）の「半径位置２６．５ｍｍ（２６．５〜２７．０ｍｍ）」についての描画手順を示す行は、「スキュー角」、「半径方向に対する交差角度」、「※３：一組の露光領域および非露光領域の回転方向に沿った合計長」、「１描画パス当りの照射時間」、「１描画パス当りの照射距離」および「１サーボトラック当りの照射量」が、「半径位置２６．５ｍｍ」の半径位置に固有の値で、その他の値については、「半径位置２６．５〜２７．０ｍｍ」の範囲において共通していることを示している。
【００７２】
また、例えば、図２０に示す描画方法の例において、パターンＰＳ５ｂについては、半径位置＝２７．０ｍｍの位置が、基材１０の半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が最大の半径位置となっており、この例では、半径位置＝１８．３〜２７．０ｍｍの範囲（交差角度θ２が４５°以上の範囲）が「第１の領域」に相当し、半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲（交差角度θ２が４５°未満の範囲）が「第２の領域」に相当する。なお、後に説明する他の例においても、パターンＰＳ５ｂにおける「第１の領域」および「第２の領域」は、図２０の例におけるパターンＰＳ５ｂと同じ半径位置で区分されているものとする。この例では、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離（前述した長さＬａに相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。
【００７３】
具体的には、この例では、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ（同図に示す「※３」の長さ：図１１〜１３に示す長さＬ３ｏ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｉ等）」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値（同図に示す「※６」の４倍（４パス分）の値）」に関し、図１９，２０に示すように、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第２の値」の平均（この例では、１．８２６）よりも大きくなるように描画条件が規定されている。また、この例では、１つのサーボトラックＳＴにおける上記の「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値（同図に示す「※６」の値）」に関し、図１９，２０に示すように、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第３の値」の平均（この例では、０．４５６）よりも大きくなるように描画条件が規定されている。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（同図に示す「※７」の値）」が、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値の平均（同図に示す「※８」の値）」よりも大きくなっている。
【００７４】
また、図２０に示す描画方法の例において、パターンＰＳ５ａについては、半径位置＝１５．５ｍｍの位置が、基材１０の半径方向に対する露光領域Ａ１の交差角度θ２が最大の半径位置となっており、この例では、半径位置＝１５．５〜２３．０ｍｍの範囲（交差角度θ２が５１．７°を超える範囲）が「第１の領域」に相当し、半径位置＝２３．０〜２７．０ｍｍの範囲（交差角度θ２が５１．７°以下の範囲）が「第２の領域」に相当する。この例においても、上記の例と同様にして、パターンＰＳ５ａを構成する各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離（前述した長さＬａに相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように規定することで、前述した条件を満たしている。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなっている。
【００７５】
また、パターンＰＳ５ｂについては、図２１に示す描画方法の例や、図２２に示す描画方法の例においても、上記の図２０に示す描画方法の例と同様にして、各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離（前述した長さＬａに相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。この場合、図２１に示す例では、交差角度θ２が比較的小さいことで、交差角度θ２の相違による露光不足の影響の度合いが小さい内周領域Ａｐｉ（この例では、半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲）の全域において、１描画パス当りの電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が同じ照射距離（照射時間）に規定され、図２２に示す例では、内周領域Ａｐｉにおける最内周側の領域（この例では、半径位置＝１５．５〜１６．５ｍｍの範囲）に対する１描画パス当りの電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が、内周領域Ａｐｉにおける中周領域Ａｐｃ側の領域（この例では、半径位置＝１６．５〜１８．３ｍｍの範囲）に対する１描画パス当りの電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）よりも長い距離（長い時間）であって、露光領域Ａ１の交差角度θ２が４５°の半径位置（この例では、１８．３ｍｍ）における照射距離（照射時間）と同じ距離（時間）に規定されている。
【００７６】
なお、図２１，２２に示す描画方法の例のように、内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの全域における交差角度θ２の角度範囲が小さい（すなわち、交差角度θ２の相違による露光不足の影響の度合いが小さい）パターンＰＳ５ａについては、第１の描画方法や、後に説明する第２の描画方法および第３の描画方法によらず、任意の描画方法（例えば、基準の長さに対して比例するように照射量を規定する描画方法）で描画してもよい。
【００７７】
また、図２３に示す描画方法の例や、図２４に示す描画方法の例においては、プリアンブルパターンＰＳ１を構成する各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離（前述した長さＬａに相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。この場合、図２３，２４に示す描画方法の例においては、交差角度θ２が最大の半径位置＝３５．０ｍｍを含む領域（一例として、半径位置＝２５．０〜３５．０ｍｍの範囲）、および半径位置＝１２．０ｍｍを含む領域（一例として、半径位置＝１２．０〜１６．５ｍｍの範囲）の２つの領域が「第１の領域」に相当し、交差角度θ２が最小の半径位置＝２０．５ｍｍを含む領域（この例では、半径位置＝１６．５〜２５．０ｍｍの範囲）が「第２の領域」に相当する。なお、後に説明する他の例においても、プリアンブルパターンＰＳ１における「第１の領域」および「第２の領域」は、図２３，２４の例におけるプリアンブルパターンＰＳ１と同じ半径位置で区分されているものとする。
【００７８】
また、「第１の領域」内の１つの露光領域Ａ１を描画するための「部分描画処理」に際して、基材１０（樹脂層１０ｂ）に対して電子ビームＥＢを複数回照射する描画方法（１回の「部分描画処理」に対応させて開始位置および停止位置をそれぞれ２箇所以上の複数箇所規定している描画方法：１回の「部分描画処理」において電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って断続的に照射する描画方法）では、図１５に示すように、一例として、１回の部分描画処理において電子ビームＥＢを２回に分けて断続的に照射する際に、各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例するように規定される照射距離（交差角度θ２が最も小さい半径位置における「部分描画処理」１回当りの電子ビームＥＢの照射距離（断続的照射の合計長）に対して、描画対象の各半径位置毎の「第１の長さ」を交差角度θ２が最も小さい半径位置の「第１の長さ」で除した値をそれぞれ乗じることで求められる長さ）を長さＬｚ１＋長さＬｚ２としたときに、交差角度θ２が大きい領域において、この長さＬｚ１よりも長い開始位置Ｐ１Ｓｂ１〜Ｐ４Ｓｂ１から停止位置Ｐ４Ｅｂ１〜Ｐ４Ｅｂ１までの長さＬｂ１、および長さＬｚ２よりも長い開始位置Ｐ１Ｓｂ２〜Ｐ４Ｓｂ２から停止位置Ｐ４Ｅｂ２〜Ｐ４Ｅｂ２までの長さＬｂ２に亘って基材１０（樹脂層１０ｂ）に電子ビームＥＢを照射する。
【００７９】
この場合、図２５は、この第１の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５のパターンＰＳ５ｂを描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。なお、同図、および後に参照する図２６，２７においては、パターンＰＳ５ａの描画手順についての図示を省略している。同図に示す描画方法の例においては、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の描画時における各描画パス毎の照射距離の合計長（前述した長さＬｂ１と長さＬｂ２との和に相当する長さ：すなわち、各描画パス毎の電子ビームＥＢの合計照射時間）を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。
【００８０】
具体的には、この例では、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ（同図に示す「※３」の長さ：図１１〜１３に示す長さＬ３ｏ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｉ等）」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値（同図に示す「※６」の４倍（４パス分）の値）」に関し、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第２の値」の平均（この例では、１．３４６）よりも大きくなるように描画条件が規定されている。また、この例では、１つのサーボトラックＳＴにおける上記の「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値（同図に示す「※６」の値）」に関し、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第３の値」の平均（この例では、０．３３６）よりも大きくなるように描画条件が規定されている。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（同図に示す「※７」の値）」が、上記の「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均（同図に示す「※８」の値）よりも大きくなっている。
【００８１】
一方、第２の描画方法では、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値」が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第２の値」の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を交互に実行するとの描画方法の他の一例として、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの描画パス数が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の描画パス数の平均よりも多くなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。具体的には、一例として、露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が小さな領域において露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴの範囲を描画パス数＝４回で描画するときに、この第２の描画方法では、図１６に示すように、露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が大きな領域において露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴの範囲を描画パス数＝４回よりも多数回（この例では、描画パス＝５回）に規定して電子ビームＥＢを照射する（すなわち、１つのサーボトラックＳＴ当りの部分描画処理の実行回数を交差角度θ２が大きい領域において交差角度θ２が小さい領域よりも多くする）。
【００８２】
なお、同図では、交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１を描画すべき領域に対する電子ビームＥＢの照射位置を、開始位置Ｐ１Ｓｃ〜Ｐ５Ｓｃから停止位置Ｐ１Ｅｃ〜Ｐ５Ｅｃまでの長さＬｃの「照射パス＝５回」の例を図示すると共に、描画パス数の相違に関する理解を容易とするために、基準の長さに対して比例するように照射量を規定する描画方法で描画する際の各描画パス毎の電子ビームＥＢの照射位置（すなわち、交差角度θ２が大きな領域においても交差角度θ２が小さな領域と同じ描画パス数で描画される例）として、上記の長さＬｃと等しい長さＬｚの「照射パス＝４回」の例を重ねて図示している。また、同図では、開始位置Ｐ１Ｓｃ〜Ｐ５Ｓｃから停止位置Ｐ１Ｅｃ〜Ｐ５Ｅｃまでの５回の部分描画処理における長さＬｃの電子ビームＥＢの照射のうちの最初の１回の部分描画処理、および最後の１回の部分描画処理と、４回の部分描画処理における長さＬｚの電子ビームＥＢの照射のうちの最初の１回の部分描画処理、および最後の１回の部分描画処理とを同一の半径位置において実行している例を図示しているが、５回の部分描画処理における長さＬｃの電子ビームＥＢの照射、および４回の部分描画処理における長さＬｚの電子ビームＥＢの照射の半径位置は、この例に限定されない。
【００８３】
この場合、図２６は、この第２の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の描画パス数を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。具体的には、この例では、交差角度θ２が最小の半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの領域において、露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４回で描画し、交差角度θ２が最大の半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２５．５〜２７．０ｍｍの領域において、露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝５回で描画し、半径位置＝１８．３〜２５．５ｍｍの領域において、露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４．５回で（すなわち、２つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝９回で）描画するように規定されている。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの描画パス数が、「第２の領域」内における各半径位置の描画パス数の平均（この例では、４）よりも多くなっている。
【００８４】
また、第３の描画方法では、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの照射時における回転方向の下流側に向かっての電子ビームＥＢの偏向速度が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の偏向速度の平均よりも大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。具体的には、この第３の描画方法では、「部分描画処理」時において、基材１０の回転に合わせて樹脂層１０ｂを追い掛けるようにして電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って偏向しつつ照射することで、基材１０（樹脂層１０ｂ）の単位長さ当りに対する電子ビームＥＢの照射時間を長くして、その単位長さ当りの樹脂層１０ｂへの電子ビームＥＢの照射量を多くする。
【００８５】
より具体的には、図１７，１８に示すように、一例として、ビーム偏向器７によって電子ビームＥＢを回転方向における上流側に向けて偏向した状態で基材１０（樹脂層１０ｂ）の開始位置Ｐ１Ｓ〜Ｐ４Ｓに対する照射を開始する。次いで、基材１０の回転に伴って樹脂層１０ｂが回転方向における下流側に向かって移動するのに合わせて電子ビームＥＢを基材１０の回転方向における下流側に向かって偏向し、一例として、停止位置Ｐ１Ｅ〜Ｐ４Ｅまで電子ビームＥＢを照射したときに照射を停止する。このような描画方法を採用することで、電子ビームＥＢを照射している基材１０上の距離が基準の長さに対して比例するように照射量を規定して描画する描画方法における長さＬｚと同じ長さＬｄ（図１８参照）であるにも拘わらず、露光領域Ａ１を描画すべき領域に多くの電子ビームＥＢを照射することが可能となっている。
【００８６】
この場合、図２７は、この第３の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の「回転方向の下流側への電子ビームＥＢの偏向速度（ｍｍ／ｓｅｃ）」を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。具体的には、この例では、交差角度θ２が最小の半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１６．５ｍｍの領域においては、電子ビームＥＢを回転方向に沿って偏向させずに照射するのに対し、交差角度θ２が最大の半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２６．５〜２７．０ｍｍの領域においては、電子ビームＥＢを回転方向の下流側に向けて２７０ｍｍ／ｓｅｃで偏向しつつ照射するように規定されている（その他の半径位置については、同図に示すとおり）。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの照射時における回転方向の下流側に向かっての電子ビームＥＢの偏向速度が、「第２の領域」内における各半径位置の偏向速度の平均（この例では、１２．９ｍｍ／ｓｅｃ）よりも大きくなっている。
【００８７】
また、第４の描画方法では、描画対象のパターンの「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの照射時における基材１０の線速度が、「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の電子ビームＥＢの照射時における基材１０の線速度の平均よりも小さくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。具体的には、露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が小さな領域の描画時における基材１０の回転速度（ビーム照射位置における基材１０の線速度）よりも、露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２が大きな領域の描画時における基材１０の回転速度（線速度）が小さくなるように規定されている。
【００８８】
この場合、図２８は、この第４の描画方法に従ってプリアンブルパターンＰＳ１を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、交差角度θ２が最小の半径位置＝２０．５ｍｍを含む半径位置＝１６．５〜２５．０ｍｍの領域内のプリアンブルパターンＰＳ１を描画する際の基材１０の線速度が１０７０ｍｍ／ｓｅｃに規定され、交差角度θ２が最大の半径位置＝３５．０ｍｍを含む半径位置＝２５．０〜３５．０ｍｍの領域、および半径位置＝１２．０ｍｍを含む半径位置＝１２．０〜１６．５ｍｍの領域の２つの領域内のプリアンブルパターンＰＳ１を描画する際の基材１０の線速度が１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、または、１０４５ｍｍ／ｓｅｃに規定されている（各半径位置毎の描画処理時における基材１０の回転速度が多段階に規定されている）。これにより、この例では、上記の「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、露光パターンＰａの描画時における基材１０の回転速度（線速度）が、「第２の領域」内の露光パターンＰａの描画時における基材１０の回転速度（線速度）の平均（この例では、１０７０ｍｍ／ｓｅｃ）よりも小さくなっている。
【００８９】
このような「第１の描画方法」から「第４の描画方法」のうちのいずれか、または、複数を任意に組み合わせて実行することで、基準の長さに対して比例するように照射量を規定する描画方法で描画したときに、露光領域Ａ１の回転方向の長さが、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する所望の長さ（本来的な長さ）よりも短くなる傾向がある交差角度θ２が大きな領域（「第１の領域」：例えばパターンＰＳ５ａにおいては、半径位置＝１５．５ｍｍを含む領域で、パターンＰＳ５ｂにおいては、半径位置＝２７．０ｍｍを含む領域で、プリアンブルパターンＰＳ１においては、半径位置＝３５．０ｍｍを含む領域、および半径位置＝１２．０ｍｍを含む領域の２つの領域）においても、交差角度θ２が小さな領域（「第２の領域」：例えばパターンＰＳ５ａにおいては、半径位置＝２７．０ｍｍを含む領域で、パターンＰＳ５ｂにおいては、半径位置＝１５．５ｍｍを含む領域で、プリアンブルパターンＰＳ１においては、半径位置＝２０．５ｍｍを含む領域）と同様にして、露光領域Ａ１の回転方向の長さが、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さ、または、本来的な長さと同程度の長さとすることができることが確認された。
【００９０】
具体的には、一例として、図２９に示すように、上記の図２０の描画方法の例における１５．５ｍｍの半径位置に対する電子ビームＥＢの照射量の条件と同様となる条件（一例として、図２０に示す「※４」および「※６」の値が０．４５となる条件）で、パターンＰＳ５ｂの２７．０ｍｍの半径位置の露光領域を描画した場合（比較例１）には、その露光領域の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値）が１７３ｎｍであるにも拘わらず、実際に描画された露光領域の回転方向の長さ（実測値）が、本来的な長さよりも５２ｎｍ短い１２１ｎｍとなった。これに対して、同図に示すように、上記の図２０の描画方法の例に従ってパターンＰＳ５ｂの２７．０ｍｍの半径位置の露光領域を描画した場合（実施例１）には、実際に描画された露光領域Ａ１の回転方向の長さ（実測値）が、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値：１７３ｎｍ）に対して１ｎｍだけ長い１７４ｎｍとなった。
【００９１】
なお、同図および後に参照する図３０〜３２に示す実施例１〜４、および比較例１，２では、Ｓｉウエハの表面に、日本ゼオン製の「ＺＥＰ５２０Ａ」を厚み５０ｎｍとなるように塗布して樹脂層を形成した基材をそれぞれ使用すると共に、現像液として日本ゼオン製の「ＺＥＤ−Ｎ５０」を使用して、現像温度：２０℃、現像時間：６０秒の条件で現像処理を実施した。また、図２９〜３２では、露光パターンの描画が完了した基材（樹脂層）に対する現像処理によって樹脂層に形成される凹部の回転方向に沿った長さの実測値を露光領域の「実測値」として記載している。
【００９２】
また、図３０に示すように、上記の図２３の描画方法の例における２０．５ｍｍの半径位置に対する電子ビームＥＢの照射量の条件と同様となる条件（一例として、図２３に示す「※４」および「※６」の値が０．４２となる条件）で、プリアンブルパターンＰＳ１の３５．０ｍｍの半径位置の露光領域を描画した場合（比較例２）には、その露光領域の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値）が２２４ｎｍであるにも拘わらず、実際に描画された露光領域の回転方向の長さ（実測値）が、本来的な長さよりも９ｎｍ短い２１５ｎｍとなった。これに対して、同図に示すように、上記の図２３の描画方法の例に従ってプリアンブルパターンＰＳ１の３５．０ｍｍの半径位置の露光領域を描画した場合（実施例２）には、実際に描画された露光領域Ａ１の回転方向の長さ（実測値）が、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値：２２４ｎｍ）と等しい２２４ｎｍとなった。
【００９３】
この場合、図２０，２１に示すパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の例、図２５〜２７に示すパターンＰＳ５ｂの描画方法の例、および図２３，２４，２８に示すプリアンブルパターンＰＳ１の描画方法の例では、交差角度θ２が大きくなるにつれて（小さくなるにつれて）、「第１の値（各図に示す「」※７」の値）」が段階的に大きくなるように（小さくなるように）、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を変化させている。つまり、これらの描画方法の例では、描画すべきパターンＰＳ５ａ、パターンＰＳ５ｂおよびプリアンブルパターンＰＳ１について、外周側から内周側までの全域を、「第１の値」が実質的に等しい複数の半径領域（１サーボトラック以上の幅の領域）に分けて、各領域毎の露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の大きさに応じて「第１の値」を段階的に変化させて規定する方法が採用されている。これにより、描画すべきパターンＰＳ５ａ、パターンＰＳ５ｂおよびプリアンブルパターンＰＳ１について、外周側から内周側までの全域において、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さを、基準の長さに対して比例する本来的な長さ、または、本来的な長さと同程度の長さとすることができる。
【００９４】
また、例えば、図２０〜２２，２５〜２７に示すパターンＰＳ５ｂの描画方法の例や、図２３，２８に示すプリアンブルパターンＰＳ１の描画方法の例では、「第１の領域」内の各露光領域Ａ１の描画に際して、半径方向に対する交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべき半径領域ほど大きくなるように「第１の値（※７の値）」を多段階に規定している。つまり、これらの描画方法の例では、「第１の領域」を、「第１の値」が実質的に等しい複数の半径領域（１サーボトラック以上の幅の領域）に分けて、各領域毎の露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の大きさに応じて「第１の値」を段階的に変化させて規定する方法が採用されている。これにより、「第１の領域」内において交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべきサーボトラックＳＴ、および「第１の領域」内において交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１を描画すべきサーボトラックＳＴのすべてのサーボトラックＳＴにおいて、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さを、基準の長さに対して比例する本来的な長さ、または、本来的な長さと同程度の長さとすることができる。
【００９５】
さらに、例えば、図２０，２５，２７に示すパターンＰＳ５ｂの描画方法の例では、「第２の領域」内の各露光領域Ａ１の描画に際しても、半径方向に対する交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべき半径領域ほど大きくなるように「第１の値（※７の値）」を多段階に規定している。つまり、これらの描画方法の例では、「第２の領域」を、「第１の値」が実質的に等しい複数の半径領域（１サーボトラック以上の幅の領域）に分けて、各領域毎の露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の大きさに応じて「第１の値」を段階的に変化させて規定する方法が採用されている。これにより、「第２の領域」内において交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべきサーボトラックＳＴ、および「第２の領域」内において交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１を描画すべきサーボトラックＳＴのすべてのサーボトラックＳＴにおいて、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さを、基準の長さに対して比例する本来的な長さ、または、本来的な長さと同程度の長さとすることができる。
【００９６】
一方、内周領域Ａｐｉから外周領域Ａｐｏまでの全域における交差角度θ２の角度範囲が小さい（すなわち、交差角度θ２の相違による露光不足の影響の度合いが小さい）パターンＰＳ５ａについては、上記の第１の描画方法、第２の描画方法および第３の描画方法によらず、任意の描画方法（例えば、基準の長さに対して比例するように照射量を規定する描画方法）で描画した場合においても、十分に実用的な露光パターンＰａを描画することができることが確認された。しかしながら、このパターンＰＳ５ａについても、第１の描画方法、第２の描画方法および第３の描画方法のいずれかに従って描画することで、露光領域Ａ１の回転方向の長さを、基準の長さに対して比例する本来的な長さに近付けることができるため、交差角度θ２の角度範囲が広い場合には、第１の描画方法、第２の描画方法および第３の描画方法のうちのいずれか、または、複数を任意に組み合わせて描画するのが好ましい。
【００９７】
具体的には、例えば、図３１に示すように、上記の図２０の描画方法の例に従ってパターンＰＳ５ａを描画した場合（実施例３）には、実際に描画された露光領域Ａ１の回転方向の長さ（実測値）と、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値）との差が最大で１ｎｍとなった。一方、図３２に示すように、上記の図２２の描画方法の例に従ってパターンＰＳ５ａを描画した場合（実施例４）には、実際に描画された露光領域Ａ１の回転方向の長さ（実測値）と、その露光領域Ａ１の回転方向に沿った本来的な長さ（設計値）との差が上記の実施例３よりも僅かに大きいものの、すべての半径位置において５ｎｍ以下となった。この場合、図３２の例では、外周側の半径位置ほど実測値と設計値との差が大きくなっているものの、パターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１は、その回転方向の長さが外周側ほど長いため、この程度の差が生じたとしても、サーボパターンとしての使用に際しての影響は殆ど存在しないといえる。
【００９８】
このように、この描画装置１による露光パターンＰａの描画方法では、位相サーボパターンＰＳ５における両位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂと、プリアンブルパターンＰＳ１と、サーボアドレスマークパターンＰＳ２と、パッド領域用パターンＰＳ６とのうちの１つのサーボパターンＰＳを「描画対象パターン」として描画する際に、「描画対象パターン」を構成する複数の露光領域Ａ１および複数の非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ「第１の長さ」としたときに、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる半径位置を含む「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。具体的には、上記の「第１の描画方法」、「第２の描画方法」、「第３の描画方法」および「第４の描画方法」のいずれか、または、これらの描画方法を任意に組み合わせて露光パターンＰａを描画する。
【００９９】
したがって、この描画装置１による露光パターンＰａの描画方法によれば、半径方向に対する交差角度θ２が大きいことで各部分描画処理時における多重露光の影響が小さくなって露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる傾向のある「第１の領域」内の露光領域Ａ１を描画すべき部位に十分な量の電子ビームＥＢを照射することができる。これにより、この描画方法によれば、基材１０の外周領域から内周領域までの全域において、位相サーボパターンＰＳ５における両位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂと、プリアンブルパターンＰＳ１と、サーボアドレスマークパターンＰＳ２と、パッド領域用パターンＰＳ６とのうちの１つのサーボパターンを構成する各露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている露光パターンＰａを描画することができるため、描画した露光パターンＰａに対応して原盤１１に形成される凹凸パターン２１において上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【０１００】
次いで、描画装置１による露光パターンＰａの描画が完了した基材１０を用いて、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１を製造する方法、および、製造した原盤１１を用いてスタンパー１２，３２を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【０１０１】
まず、露光パターンＰａの描画が完了した基材１０を現像処理することにより（「所定の処理」の一例）、図３３に示すように、樹脂層１０ｂにおける各露光領域Ａ１を除去して凹凸パターン２１を形成する。これにより、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の一例の完了）。この場合、完成した原盤１１には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰａと平面形状が同様の凹凸パターン２１が形成されている。したがって、凹凸パターン２１において露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａに対応する各パターンでは、各凹部の回転方向に沿った長さや、各凸部の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の所望の長さとなっている。
【０１０２】
次に、原盤１１を使用してスタンパー１２を製造する際には、図３４に示すように、原盤１１における凹凸パターン２１を覆うようにしてスパッタ法等によって成膜層１２ａを形成し、この成膜層１２ａを電極として用いてめっき処理することにより、電解ニッケル層１２ｂを形成する（「所定の処理」の他の一例）。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１が転写された凹凸パターン２２を有するスタンパー１２が原盤１１の上に形成される。次いで、基材１０（Ｓｉウエハ１０ａ）からスタンパー１２を剥離すると共に、必要に応じて溶剤等を用いてスタンパー１２を洗浄すると共に、その裏面（凹凸パターン２２の形成面とは反対側の面）を研磨処理する。これにより、図３５に示すように、スタンパー１２が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の他の一例）。
【０１０３】
この場合、インプリント用のスタンパーの製造方法は、上記のスタンパー１２の製造方法に限定されず、スタンパー１２の凹凸パターン２２をスタンパー形成用材料に１回または複数回に亘って転写して、凹凸パターン２２における凸部に対応する凹部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凸部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）や、凹凸パターン２２における凸部に対応する凸部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凹部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）を製造する方法を採用することもできる。具体的には、一例として、上記のスタンパー１２を電極として用いてめっき処理を実行することにより、凹凸パターン２２を覆う電解ニッケル層を形成する。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１と凹凸位置関係が一致するスタンパー（図示せず）が製造される（「所定の処理」の他の一例における一工程）。次いで、製造したスタンパーを射出成形機にセットして射出成形処理を実行する（「所定の処理」の他の一例における一工程）。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１と凹凸位置関係が反転した凹凸パターンが樹脂材料に形成されて、スタンパー１２の凹凸パターン２２と凹凸位置関係が一致する樹脂スタンパー（図示せず）が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」のさらに他の一例）。
【０１０４】
また、スタンパー３２を製造する際には、一例として、上記のスタンパー１２の製造手順、或いは、スタンパー１２の凹凸パターン２２と凹凸位置関係が一致する樹脂スタンパーの製造手順と同様の手順に従ってスタンパー３２における基体３２ａ（図３８参照）を製作する。次いで、基体３２ａの凹凸パターンを覆うようにして、スパッタリング法等により、下地膜３２ｂおよび強磁性膜３２ｃを順次成膜する（「所定の処理」の他の一例における一工程）。これにより、図３８に示すように、凹凸パターン４２を有するスタンパー３２が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」のさらに他の一例）。
【０１０５】
一方、完成したスタンパー１２，３２には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰａを用いて形成した凹凸パターン２１と平面形状が同様の凹凸パターン２２，４２が形成されている。したがって、凹凸パターン２２，４２において原盤１１における凹凸パターン２１の各パターン（この例では、露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａに対応して形成されたパターン）に対応する各パターンでは、各凸部の回転方向に沿った長さや、各凹部の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の所望の長さとなっている。
【０１０６】
このように、この原盤１１の製造方法によれば、前述した描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰａを描画した後に樹脂層１０ｂを現像処理することで凹凸パターン２１を形成したことにより、露光パターンＰａに対応して原盤１１に形成される凹凸パターン２１において上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができるため、原盤１１を使用して製造されるスタンパー１２，３２の凹凸パターン２２，４２において上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【０１０７】
また、このスタンパー１２，３２の製造方法によれば、前述した描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰａを描画した樹脂層１０ｂを現像処理することで凹凸パターン２１を形成した原盤１１を使用して凹凸パターン２２，４２を形成したことにより、原盤１１を使用して製造されるスタンパー１２，３２の凹凸パターン２２，４２において上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができるため、このスタンパー１２，３２を使用して製造される磁気ディスク１５，３５のサーボパターンにおいて上記の各パターンに対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【０１０８】
続いて、スタンパー１２を使用して磁気ディスク１５を製造する方法（情報記録媒体の製造方法）について、図面を参照して説明する。
【０１０９】
まず、インプリント法によってスタンパー１２の凹凸パターン２２を中間体１５ｍに転写する。具体的には、図３５に示すように、スタンパー１２における凹凸パターン２２の形成面を中間体１５ｍの樹脂層１５ｃに押し付けた後に、中間体１５ｍからスタンパー１２を剥離する。これにより、図３６に示すように、スタンパー１２の凹凸パターン２２が樹脂層１５ｃに転写されて中間体１５ｍ上に凹凸パターン２３が形成される。この場合、中間体１５ｍは、磁気ディスク１５を製造するための中間体であって、円板状の基材１５ａの表面に記録層１５ｂが形成されて構成されている。なお、中間体１５ｍは、実際には、下地層、軟磁性層、配向層および記録層（記録層１５ｂ）等が基材１５ａの上に積層されて構成されているが、製造方法についての理解を容易とするために、中間体１５ｍの詳細な層構造についての説明および図示を省略する。
【０１１０】
次に、凹凸パターン２３をマスクとして用いて中間体１５ｍをエッチングする。この際には、凹凸パターン２３の凹部の底面から記録層１５ｂが露出し、さらにエッチング処理を実行することにより、図３７に示すように、記録層１５ｂに凹凸パターン２４が形成される。この後、必要に応じて、凹凸パターン２４の凹部に非磁性材料を充填した後に例えば研磨処理によって記録層１５ｂ（凹凸パターン２４の凸部の先端）を非磁性材料から露出させ、記録層１５ｂの表面に保護膜を形成する。これにより、磁気ディスク１５が完成する。
【０１１１】
この場合、凹凸パターン２４は、露光パターンＰａに対応して凹凸パターン２２が形成されたスタンパー１２を使用したインプリント処理によって形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてエッチング処理することによって形成されている。したがって、凹凸パターン２４において露光パターンＰａの各パターンに対応する各パターンでは、各凸部の回転方向に沿った長さや、各凹部の回転方向に沿った長さが各半径位置毎の所望の長さとなっている。
【０１１２】
このように、この磁気ディスク１５の製造方法によれば、上記の製造方法によって製造したスタンパー１２に形成されている凹凸パターン２２を使用して製造することにより、スタンパー１２を使用して製造される磁気ディスク１５のサーボパターンにおいて上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する部位の凸部および凹部の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【０１１３】
次いで、スタンパー３２を使用して磁気ディスク３５を製造する方法（情報記録媒体の製造方法）について、図面を参照して説明する。
【０１１４】
磁気ディスク３５の製造に際しては、まず、軟磁性層３５ｂ、配向層３５ｃおよび記録層３５ｄが基材３５ａの両面にこの順でそれぞれ形成された中間体３５ｍ（図３８参照）と、上記の製造方法に従って製造した一対のスタンパー３２，３２とを用意する。なお、中間体３５ｍの製作方法については公知のため、説明を省略する。次いで、スタンパー３２，３２を用いて中間体３５ｍにサーボパターンを磁気的に転写する磁気転写処理を実行する。
【０１１５】
まず、中間体３５ｍに対して、十分に大きい直流外部磁場を厚み方向で印加することにより、中間体３５ｍを初期化する。次いで、図３８に示すように、中間体３５ｍの一方の面に対して、一方のスタンパー３２の凹凸パターン４２における凸部の突端面を接触させ、中間体３５ｍの他方の面に対して、他方のスタンパー３２の凹凸パターン４２における凸部の突端面を接触させる。この状態において、同図に矢印Ｍで示すように、中間体３５ｍに対して上記の初期化に際して印加した直流外部磁場の向きと逆の向きの直流外部磁場を印加する。この際には、両スタンパー３２，３２の凹凸パターン４２における凸部を介して中間体３５ｍに直流外部磁場が印加され、中間体３５ｍの両記録層３５ｄにおいてスタンパー３２の凹凸パターン４２における各凸部に接している部分が、印加された直流外部磁場の方向に磁化される。これにより、中間体３５ｍの両記録層３５ｄにサーボパターンが磁気的に転写されて、磁気ディスク３５が完成する。
【０１１６】
この場合、両記録層３５ｄに磁気的に転写されたサーボパターン（磁化パターン）は、露光パターンＰａに対応して凹凸パターン４２が形成されたスタンパー３２を使用した磁気転写処理によって形成されている。したがって、両記録層３５ｄに磁気的に転写されたサーボパターンにおいて露光パターンＰａの各パターンに対応する各パターンでは、各磁化領域の回転方向に沿った長さが、各半径位置毎の所望の長さとなっている。
【０１１７】
このように、この磁気ディスク３５の製造方法によれば、上記の製造方法によって製造したスタンパー３２に形成されている凹凸パターン４２を使用して製造することにより、スタンパー３２を使用して製造される磁気ディスク３５のサーボパターン（磁化パターン）において上記の各パターン（この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２およびパッド領域用パターンＰＳ６などのサーボパターン）に対応する磁化領域の回転方向に沿った長さを各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【０１１８】
なお、露光パターンの描画方法は、上記の例示に限定されない。例えば、露光パターンＰａ（サーボパターンＰＳａ）における位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）に代えて（または、位相サーボパターンＰＳ５に加えて）、図３９〜４１に示すバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７（「複数種類のサーボパターン」の他の一例：以下、単に「パターンＰＳ７」ともいう）を有するサーボパターンＰＳｂを備えた露光パターンＰｂや、図４２〜４４に示すバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ８（「複数種類のサーボパターン」の他の一例：以下、単に「パターンＰＳ８」ともいう）を有するサーボパターンＰＳｃを備えた露光パターンＰｃを描画する際にも、前述した露光パターンＰａ（サーボパターンＰＳａ）の描画に際して実行した描画方法と同様の描画方法を採用することができる。
【０１１９】
ここで、パターンＰＳ７は、図３９〜４１に示すように、単位バースト領域（平面視矩形状の領域）に対応する領域が露光領域Ａ１で構成されると共に、その周囲の領域が非露光領域Ａ２で構成されている。また、図４２〜４４に示すように、パターンＰＳ８は、単位バースト領域（平面視矩形状の領域）に対応する領域が非露光領域Ａ２で構成されると共に、その周囲の領域が露光領域Ａ１で構成されている。なお、この露光パターンＰｂ，Ｐｃ（サーボパターンＰＳｂ，ＰＳｃ）におけるパターンＰＳ７，ＰＳ８以外のサーボパターンは、前述した露光パターンＰａ（サーボパターンＰＳａ）における各サーボパターンと同様であるため、その説明を省略する。
【０１２０】
この場合、露光パターンＰｂ，Ｐｃに対応して形成される磁気ディスクの各サーボパターンは、前述した磁気ディスク１５，３５のサーボパターンと同様にして、中周領域よりも外周領域に向かうほど大きく、また、中周領域よりも内周領域に向かうほど大きなスキュー角θ１を付与する必要がある。このため、図３９〜４１および図４２〜４４に示すように、例えば、磁気ディスクのバーストパターンに対応して描画すべきバーストパターンにおける各バースト部のパターンＰＳ７，ＰＳ８においては、外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉほど大きなスキュー角θ１を付与して、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺を基材１０の半径方向（同図における上下方向）に対して交差させる（交差角度θ２を生じさせる）必要がある。この結果、外周領域Ａｐｏから内周領域Ａｐｉまでの全域において、描画すべき露光領域Ａ１における各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例するように電子ビームＥＢの照射距離を規定してパターンＰＳ７やパターンＰＳ８を描画したときには、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉほど、描画される露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏ，Ｌ１ｉが、各半径位置毎の回転方向沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなることとなる。
【０１２１】
したがって、このパターンＰＳ７，ＰＳ８の描画に際しても、前述した露光パターンＰａにおけるサーボパターンＰＳａのプリアンブルパターンＰＳ１や位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）の描画時と同様にして、露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２が最大となる半径位置を含む「第１の領域」内におけるいずれの半径位置のサーボトラックＳＴにおいても、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、交差角度θ２が最小となる半径位置を含む領域であって半径方向において「第１の領域」に対して隣接する「第２の領域」内における各半径位置のサーボトラックＳＴ毎の「第１の値」の平均よりも大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行することで、露光パターンＰａ（サーボパターンＰＳａ）の描画方法と同様の効果を奏することができる。
【０１２２】
また、スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写して形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いて記録層１５ｂをエッチング処理する例について説明したが、情報記録媒体の製造方法は、これに限定されない。具体的には、例えば、樹脂層１５ｃと記録層１５ｂとの間に１層または複数層のマスク形成層を設け、樹脂層１５ｃに形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてその下層のマスク層を順次エッチングすることで樹脂層１５ｃをエッチングするためのマスク層を形成する製造方法を採用することもできる。
【０１２３】
さらに、パターンド型の磁気ディスク１５としては、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体などが挙げられる。ビットパターンド媒体におけるデータトラックパターンは、一例として、上記のパターンＰＳ７と同様の描画手順に従って描画することができる。また、磁気ディスク１５と同様にしてサーボパターンが凹凸パターン２４によって形成されると共に、連続記録層型磁気ディスクのようにデータ記録領域が連続する磁性層で構成された（データ記録領域に凹凸パターンが存在しない）情報記録媒体を製造するためのスタンパー（情報記録媒体製造用原盤：図示せず）用の露光パターンを描画することもできる。さらに、上記の描画装置１（描画方法）では、電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰａ等を描画する例について説明したが、描画用ビームは電子ビームＥＢに限定されずに任意のエネルギー線を用いることができる。加えて、ポジ型レジストで形成した樹脂層１０ｂに露光パターンＰａ等を描画する例について説明したが、樹脂層の形成材料としては、ポジ型レジストに限定されず、ネガ型レジストなどの各種樹脂材料を使用することができる。
【符号の説明】
【０１２４】
１ 電子ビーム描画装置
１０ 基材
１０ｂ 樹脂層
１１ 原盤
１２，３２ スタンパー
１５，３５ 磁気ディスク
１５ｍ，３５ｍ 中間体
２１〜２４，４２ 凹凸パターン
Ａ１ 露光領域
Ａ２ 非露光領域
Ａｉ，Ａｐｉ 内周領域
Ａｃ，Ａｐｃ 中周領域
Ａｏ，Ａｐｏ 外周領域
Ａｓ サーボ領域
Ａｔ データ記録領域
ＤＰ 描画手順データ
ＥＢ 電子ビーム
Ｌ１ｏ〜Ｌ３ｏ，Ｌ１ｃ〜Ｌ３ｃ，Ｌ１ｉ〜Ｌ３ｉ，Ｌａ〜Ｌｄ，Ｌｂ１，Ｌｂ２，Ｌｚ，Ｌｚ１，Ｌｚ２ 長さ
Ｐ１Ｅ〜Ｐ４Ｅ，Ｐ１Ｅａ〜Ｐ４Ｅａ，Ｐ１Ｅｂ１〜Ｐ４Ｅｂ１，Ｐ１Ｅｂ２〜Ｐ４Ｅｂ２，Ｐ１Ｅｃ〜Ｐ５Ｅｃ 停止位置
Ｐ１Ｓ〜Ｐ４Ｓ，Ｐ１Ｓａ〜Ｐ４Ｓａ，Ｐ１Ｓｂ１〜Ｐ４Ｓｂ１，Ｐ１Ｓｂ２〜Ｐ４Ｓｂ２，Ｐ１Ｓｃ〜Ｐ５Ｓｃ 開始位置
Ｐａ〜Ｐｃ 露光パターン
ＰＳ１ プリアンブルパターン
ＰＳ２ サーボアドレスマークパターン
ＰＳ３ セクターアドレスパターン
ＰＳ４ トラックアドレスパターン
ＰＳ５ 位相サーボパターン
ＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ 位相サーボ部のパターン
ＰＳ６ パッド領域用パターン
ＰＳ７，ＰＳ８ バースト部のパターン
ＰＳａ〜ＰＳｃ サーボパターン
ＰＴ データトラックパターン
Ｒ 矢印
ＳＴ サーボトラック
θ１ スキュー角
θ２ 交差角度
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層に描画用ビームを照射して、当該凹凸パターンを形成するための露光領域および非露光領域で構成された露光パターンを当該樹脂層に描画する際に、当該樹脂層が形成された基材を回転させつつ、当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを前記樹脂層に照射することで前記露光領域における当該基材の半径方向の一部を描画する部分描画処理と、前記部分描画処理による描画位置を前記基材の回転中心に接近する方向および当該回転中心から離間する方向のいずれかに変更する描画位置変更処理とを複数回実行する描画方法であって、
複数種類のサーボパターンを含む前記露光パターンの描画に際して、位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンと、プリアンブルパターンと、サーボアドレスマークパターンと、パッド領域用パターンと、バーストパターンにおける各バースト部のパターンとのうちの１つの当該サーボパターンを描画対象パターンとして描画する際に、
当該描画対象パターンを構成する複数の当該露光領域および複数の当該非露光領域のうちの当該回転方向で並ぶ一組の当該露光領域および当該非露光領域の各半径位置毎の当該回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、
前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度が最大となる半径位置を含む第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの総照射量を当該第１の長さで除した第１の値が、前記交差角度が最小となる半径位置を含む領域であって前記半径方向において当該第１の領域に対して隣接する第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第１の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する描画方法。
【請求項２】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を当該第１の長さで除した第２の値が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第２の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１記載の描画方法。
【請求項３】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を当該第１の長さで除した第３の値が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第３の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項２記載の描画方法。
【請求項４】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの描画パス数が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記描画パス数の平均よりも多くなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項２または３記載の描画方法。
【請求項５】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記回転方向の下流側に向かっての当該描画用ビームの偏向速度が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記偏向速度の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１から４のいずれかに記載の描画方法。
【請求項６】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記基材の線速度が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記線速度の平均よりも小さくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１から５のいずれかに記載の描画方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する情報記録媒体製造用原盤の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造する情報記録媒体の製造方法。
【請求項１】
情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層に描画用ビームを照射して、当該凹凸パターンを形成するための露光領域および非露光領域で構成された露光パターンを当該樹脂層に描画する際に、当該樹脂層が形成された基材を回転させつつ、当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを前記樹脂層に照射することで前記露光領域における当該基材の半径方向の一部を描画する部分描画処理と、前記部分描画処理による描画位置を前記基材の回転中心に接近する方向および当該回転中心から離間する方向のいずれかに変更する描画位置変更処理とを複数回実行する描画方法であって、
複数種類のサーボパターンを含む前記露光パターンの描画に際して、位相サーボパターンにおける各位相サーボ部のうちの少なくとも１つのパターンと、プリアンブルパターンと、サーボアドレスマークパターンと、パッド領域用パターンと、バーストパターンにおける各バースト部のパターンとのうちの１つの当該サーボパターンを描画対象パターンとして描画する際に、
当該描画対象パターンを構成する複数の当該露光領域および複数の当該非露光領域のうちの当該回転方向で並ぶ一組の当該露光領域および当該非露光領域の各半径位置毎の当該回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、
前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度が最大となる半径位置を含む第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの総照射量を当該第１の長さで除した第１の値が、前記交差角度が最小となる半径位置を含む領域であって前記半径方向において当該第１の領域に対して隣接する第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第１の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する描画方法。
【請求項２】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を当該第１の長さで除した第２の値が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第２の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１記載の描画方法。
【請求項３】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を当該第１の長さで除した第３の値が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記第３の値の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項２記載の描画方法。
【請求項４】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの描画パス数が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記描画パス数の平均よりも多くなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項２または３記載の描画方法。
【請求項５】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記回転方向の下流側に向かっての当該描画用ビームの偏向速度が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記偏向速度の平均よりも大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１から４のいずれかに記載の描画方法。
【請求項６】
前記描画対象パターンの前記第１の領域内におけるいずれの半径位置のサーボトラックにおいても、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記基材の線速度が、前記第２の領域内における各半径位置のサーボトラック毎の前記線速度の平均よりも小さくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１から５のいずれかに記載の描画方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する情報記録媒体製造用原盤の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造する情報記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【公開番号】特開２０１２−１８１８９３（Ｐ２０１２−１８１８９３Ａ）
【公開日】平成２４年９月２０日（２０１２．９．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４４１７２（Ｐ２０１１−４４１７２）
【出願日】平成２３年３月１日（２０１１．３．１）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２０日（２０１２．９．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１日（２０１１．３．１）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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