描画方法、情報記録媒体製造用原盤の製造方法、および情報記録媒体の製造方法
【課題】サーボ情報を正確に読出しできるサーボパターンを形成可能な露光パターンを描画する。
【解決手段】両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画時に、これらを構成する露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の領域Ａ１，Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの一方の領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度と、他方の交差角度との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの総照射量を第１の長さで除した第１の値が、同一の半径位置において、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのトラックＳＴ内の交差角度が小さい一方よりも、交差角度が大きい一方の方が大きくなるようにビームを照射する。
【解決手段】両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画時に、これらを構成する露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の領域Ａ１，Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの一方の領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度と、他方の交差角度との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの総照射量を第１の長さで除した第１の値が、同一の半径位置において、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのトラックＳＴ内の交差角度が小さい一方よりも、交差角度が大きい一方の方が大きくなるようにビームを照射する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体製造用原盤や情報記録媒体を製造する際に使用する凹凸パターンを形成するための露光パターンを描画する描画方法、並びに、描画した露光パターンを利用して形成した凹凸パターンを使用して情報記録媒体製造用原盤や情報記録媒体を製造する製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
記録密度の向上を図り得る磁気記録媒体として、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体などのパターンド型の磁気ディスクが提案されている。これらの磁気ディスクの製造方法としては、磁性層（記録層）をエッチングする方法や、磁性層（記録層）にイオンを注入する方法が知られている。また、磁性層（記録層）をエッチングする際に使用するマスクパターンや、磁性層（記録層）にイオンを注入する際に使用するマスクパターンの製造方法としては、微細凹凸パターンが形成されたインプリント用スタンパー（製造用原盤）を使用して形成する方法（ナノインプリント法）が知られている。一方、連続記録層型の磁気ディスクの製造方法としては、サーボ情報の記録処理を効率化するために、微細凹凸パターンが形成された磁気転写用スタンパー（製造用原盤）を使用して、磁気ディスクの全域にサーボ情報を一括して記録する（サーボパターンを磁気転写する）方法が提案されている。これらインプリント用スタンパーや磁気転写用スタンパー（以下、区別しないときには、単に「スタンパー」ともいう）は、一例として、電子ビーム描画装置を用いて描画した露光パターンを現像して形成される凹凸パターンを使用して製造される。
【０００３】
例えば、特開２０１０−１１８１００号公報には、情報記録用原盤を製造するためのパターンを電子ビーム描画装置によって描画する方法が開示されている。この描画方法では、原盤を固定したターンテーブルをモータによって回転させながら、原盤（原盤に塗布したレジストの層）に対して電子ビームを断続的に照射することで所望のパターンを描画する。この場合、この描画方法では、一例として、サーボパターンにおける１トラックピッチ分の幅を６回に分けて描画する方法が採用されている。具体的には、ブランカ制御データ（電子ビームを断続させて照射するための制御データ）に基づき、電子ビームの照射を開始すべき開始位置から、照射を停止すべき停止位置まで原盤の回転方向に沿って電子ビームを照射することによって描画対象のパターンにおける半径方向の一部（回転方向に沿って長い帯状の領域：以下、「帯状領域」ともいう）を描画し、この帯状領域の位置を、原盤が１回転させられる都度、原盤の半径方向に「１／６・トラックピッチ」ずつ変更することで、原盤が６回転する間に１トラックピッチ分のサーボパターンを描画する。
【０００４】
この場合、位相サーボパターンを構成する一対の位相サーボ部のパターンのように、露光すべき領域における原盤の回転方向の上流側および下流側の両辺が原盤の半径方向に対して傾斜している（半径方向に対して交差している）パターンを描画する際には、上記公開公報の図４に示すように、原盤が１回転させられる都度、上記の帯状領域の位置を「１／６・トラックピッチ」ずつ原盤の半径方向に沿って変更すると共に、この帯状領域の位置を描画すべきパターンの傾斜角度に応じて回転方向に沿って変更する。これにより、回転方向と交差する両辺が原盤の半径方向に対して平行な露光領域で構成されたパターン、および回転方向と交差する両辺が原盤の半径方向に対して傾斜している（半径方向と交差している）露光領域を有するパターンの双方を含む各種のサーボパターンがレジストに描画される。この後、所望のパターンが描画された原盤に対する現像処理を実行することでレジストの層に凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンを使用して各種スタンパーを製造する。これにより、パターンド型の磁気ディスク、およびサーボ情報が磁気転写された連続記録層型の磁気ディスクなどを製造する際に使用するスタンパーが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１８１００号公報（第２−１０頁、図１−１８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、出願人は、従来の描画方法によって描画されるパターンに、以下の問題点があることを見い出した。すなわち、例えば、回動アームの先端部に磁気ヘッドが設けられているタイプの記録再生装置に搭載される磁気ディスクを製造するためのサーボパターンを描画する際には、磁気ディスクの内周部や外周部に対応する領域におけるパターンの露光領域や非露光領域に対してスキュー角をそれぞれ付与する必要がある。一方、前述した位相サーボパターンを構成する一対の位相サーボ部のパターンは、例えば上記公開公報の図１５に示すように、その回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差の向き（傾斜の向き）が互いに相違している。また、例えば、付与するスキュー角が０°の半径位置において両位相サーボ部のパターンにおける回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度が互いに等しい角度の位相サーボパターンを描画する際には、両位相サーボ部のパターンにおける露光領域や非露光領域の半径方向に対する交差の向きを互いに相違させることに起因して、スキュー角を付与すべき半径位置においては、両位相サーボ部のパターンにおける露光領域や非露光領域の回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度を互いに相違する角度にする必要が生じる。
【０００７】
この場合、出願人は、図２６に示すように、回転方向（矢印Ｒの向き）と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１ａｘについては、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで原盤の回転方向に沿って長さＬｘだけ電子ビームを照射することで、その回転方向に沿った長さが長さＬａｘとなり、図２７に示すように、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１ｂｘについては、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで原盤の回転方向に沿って上記の露光領域Ａ１ａｘの描画時と同じ長さＬｘだけ電子ビームを照射したときに、その回転方向に沿った長さＬｂｘが、露光領域Ａ１ａｘの長さＬａｘよりも短くなることを見いだした。また、出願人は、露光領域における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度が大きくなるほど、電子ビームを照射する距離（開始位置から停止位置までの回転方向に沿った距離：上記の例における長さＬｘに対応する距離）に対する露光領域の回転方向に沿った距離の比が小さくなることを見いだした。
【０００８】
したがって、原盤の内周部から外周部までの全域において、描画すべき露光領域における各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さ（回転方向で並ぶ一組の露光領域および非露光領域の回転方向に沿った合計長）に対して比例するように電子ビームの照射距離を規定して（各半径位置毎（各サーボトラック毎）の１つのサーボパターン領域の回転方向に沿った長さに対して比例するように照射距離を規定して）位相サーボパターンを描画したときには、両位相サーボ部のパターンの一方を構成する露光領域の回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度と、両位相サーボ部のパターンの他方を構成する露光領域の回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度との同一半径位置における角度差が大きい半径位置において、半径方向に対する交差角度が大きい方のパターンを構成する露光領域（例えば、上記の露光領域Ａ１ｂｘ）の回転方向に沿った長さが、そのパターンにおける各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる。
【０００９】
この結果、このような描画方法に従って描画したパターンを利用してスタンパーを製造し、そのスタンパーを使用して情報記録媒体を製造したときには、サーボ情報の正確な読み出しが困難となるおそれがある。
【００１０】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、サーボ情報を正確に読み出すことができるサーボパターンを形成可能な露光パターンを描画し得る描画方法、並びに、サーボ情報を正確に読み出すことができるサーボパターンを形成し得る情報記録媒体製造用原盤の製造方法および情報記録媒体の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成すべく本発明に係る描画方法は、情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層に描画用ビームを照射して、当該凹凸パターンを形成するための露光領域および非露光領域で構成された露光パターンを当該樹脂層に描画する際に、当該樹脂層が形成された基材を回転させつつ、当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを前記樹脂層に照射することで前記露光領域における当該基材の半径方向の一部を描画する部分描画処理と、前記部分描画処理による描画位置を前記基材の回転中心に接近する方向および当該回転中心から離間する方向のいずれかに変更する描画位置変更処理とを複数回実行する描画方法であって、前記露光パターンのうちの位相サーボパターンにおける前記回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンをそれぞれ描画する際に、当該両パターンを構成する複数の当該露光領域および複数の当該非露光領域のうちの当該回転方向で並ぶ一組の当該露光領域および当該非露光領域の各半径位置毎の当該回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、前記両パターンのうちの一方の前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度と、前記両パターンのうちの他方の前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの総照射量を当該第１の長さで除した第１の値が、同一の半径位置において、前記両パターンのうちの前記サーボトラック内の前記交差角度が小さいパターンよりも、当該両パターンのうちの当該サーボトラック内の前記交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１２】
なお、本明細書における「露光パターン」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、描画を完了した後の現像処理によって基材上から樹脂層が消失する領域の平面パターンを意味し、ネガ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、現像処理によって基材上に樹脂層が残留する領域の平面パターンを意味する。
【００１３】
また、本発明に係る描画方法は、前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を当該第１の長さで除した第２の値が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１４】
また、本発明に係る描画方法は、前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を当該第１の長さで除した第３の値が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さいパターンよりも、前記交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。なお、本明細書においては、「対象とする露光領域を描画するための部分描画処理の実行回数」を「描画パス数」という。したがって、「１描画パス当り」とは、「１つの露光領域を描画するための１回の部分描画処理当り」を意味する。
【００１５】
さらに、本発明に係る描画方法は、前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの描画パス数が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。この場合、本明細書における「描画パス数」が上記した通りのため、例えば、描画対象パターンを構成する露光領域における２つのサーボトラック分の領域を３回の部分描画処理によって描画する場合、この露光領域における１つのサーボトラック分の領域を描画するための描画パス数は、１．５となる。
【００１６】
また、本発明に係る描画方法は、前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記回転方向の下流側に向かっての当該描画用ビームの偏向速度が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１７】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法は、上記のいずれかの描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する。
【００１８】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法は、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造する。
【００１９】
なお、「凹凸パターンを使用する」との処理は、具体的には、「凹凸パターンの物理的形状を任意の材料に転写する処理」や、「凹凸パターンを利用した磁気転写処理によって凹凸パターンにおける凸部（または凹部）の平面パターンに対応する磁化パターンを転写する処理」を意味する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る描画方法では、露光パターンのうちの位相サーボパターンにおける回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンをそれぞれ描画する際に、両パターンを構成する複数の露光領域および複数の非露光領域のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域および非露光領域の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、両パターンのうちの一方の露光領域における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度と、両パターンのうちの他方の露光領域における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの総照射量を第１の長さで除した第１の値が、同一の半径位置において、両パターンのうちのサーボトラック内の交差角度が小さいパターンよりも、両パターンのうちのサーボトラック内の交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。
【００２１】
具体的には、角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内に描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を第１の長さで除した第２の値が、同一の半径位置において、交差角度が小さいパターンよりも、交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内に描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を第１の長さで除した第３の値が、同一の半径位置において、交差角度が小さいパターンよりも、交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの描画パス数が、同一の半径位置において、交差角度が小さいパターンよりも、交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの照射時における回転方向の下流側に向かっての描画用ビームの偏向速度が、同一の半径位置において、交差角度が小さいパターンよりも、交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法とのいずれか、または、これらの描画方法を任意に組み合わせて露光パターンを描画する。
【００２２】
したがって、本発明に係る描画方法によれば、回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンを構成する露光領域の半径方向に対する交差角度の同一半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、半径方向に対する交差角度が大きい露光領域で構成される一方を描画すべき部位に対して、半径方向に対する交差角度が小さい露光領域で構成される一方を描画すべき部位と同様に十分な量の描画用ビームを照射することができる。これにより、この描画方法によれば、上記の角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、両位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度が大きい一方における露光領域の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度が小さい一方における露光領域の回転方向と同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている露光パターンを描画することができるため、描画した露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンにおいて上記の両位相サーボ部のパターンに対応する部位の凹部や凸部の回転方向に沿った長さを、それぞれ各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【００２３】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法によれば、上記のいずれかに記載の描画方法に従って樹脂層に露光パターンを描画した後に樹脂層に対して所定の処理を実行して凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造することにより、露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンや、その情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される他の情報記録媒体製造用原盤の凹凸パターンにおいて、上記の両パターンに対応して形成される一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度が大きいパターン構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターン構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。これにより、製造した情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される他の情報記録媒体製造用原盤や、製造した情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体の凹凸パターンにおいて、上記の両パターンに対応する一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける凸部および凹部の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターンにおける凸部および凹部の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。
【００２４】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法によれば、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造することにより、情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体のサーボパターン（凹凸パターン）において上記の両位相サーボ部のパターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける凸部および凹部の回転方向に沿った長さや、情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体のサーボパターン（磁化パターン）において上記の両位相サーボ部のパターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける磁化領域の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターンと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】電子ビーム描画装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】露光パターンを描画する基材１０の断面図である。
【図３】磁気ディスク１５におけるデータ記録領域Ａｔおよびサーボ領域Ａｓと磁気ヘッド１６との関係について説明するための説明図である。
【図４】電子ビーム描画装置１によって描画する露光パターンＰの平面図である。
【図５】露光パターンＰの外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図６】露光パターンＰの中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図７】露光パターンＰの内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図８】露光パターンＰの外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図９】露光パターンＰの中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１０】露光パターンＰの内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１１】交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１（一例として、外周領域Ａｐｏにおける位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）の描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図１２】交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１（一例として、外周領域Ａｐｏにおける位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）の描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図１３】図１４を参照して説明する位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法について説明するための説明図である。
【図１４】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図１５】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の他の一例について説明するための説明図である。
【図１６】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図１７】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図１８】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図１９】実施例１および比較例１の露光パターンの位相サーボ部における両パターンの露光領域の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図２０】露光パターンＰを描画した基材１０を現像して凹凸パターン２１を形成した状態の原盤１１の断面図である。
【図２１】原盤１１の凹凸パターン２１に成膜層１２ａおよび電解ニッケル層１２ｂを順に形成してスタンパー１２を作製した状態の断面図である。
【図２２】スタンパー１２を使用してインプリント法によって磁気ディスク１５を製造する工程を示す中間体１５ｍおよびスタンパー１２の断面図である。
【図２３】スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写した状態の中間体１５ｍの断面図である。
【図２４】凹凸パターン２３が形成された樹脂層１５ｃをマスクとして用いて記録層１５ｂをエッチングした状態の磁気ディスク１５の断面図である。
【図２５】磁気ディスク３５の製造に際してスタンパー３２，３２を使用して中間体３５ｍにサーボパターンを磁気転写している状態の断面図である。
【図２６】交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１ａｘの描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図２７】交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１ｂｘの描画方法の一例について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る描画方法、情報記録媒体製造用原盤の製造方法、および情報記録媒体の製造方法の実施の形態について説明する。
【００２７】
最初に、電子ビーム描画装置１の構成、および電子ビーム描画装置１によって描画した露光パターンを使用して製造されるスタンパー１２，３２や磁気ディスク１５，３５の構成について、図面を参照して説明する。
【００２８】
電子ビーム描画装置１（以下、「描画装置１」ともいう）は、図１に示すように、Ｘ−Ｙ移動機構２、ターンテーブル３、ビーム発生部４、ブランキング制御部５、ビーム成形部６、ビーム偏向器７、制御部８および記憶部９を備えて構成されている。この描画装置１は、後述する描画方法に従って電子ビームＥＢ（「描画用ビーム」の一例）を照射することにより、図４に示す露光パターンＰなどの各種露光パターンを基材１０に描画可能に構成されている。
【００２９】
この場合、基材１０は、スタンパー１２（図２１，２２参照）や、スタンパー３２（図２５参照）を製造するための原盤１１（「情報記録媒体製造用原盤」の一例：図２０参照）を製作するための板体であって、図２に示すように、円板状のＳｉウエハ１０ａの表面に、厚み５０ｎｍ程度の樹脂層１０ｂ（一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布して形成したレジスト層）が形成されて構成されている。また、図２０に示すように、基材１０を用いて製作される原盤１１は、後述するようにして描画装置１によって基材１０の樹脂層１０ｂに描画された露光パターンＰ等を現像して形成した凹凸パターン２１（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例）を備えている。
【００３０】
また、スタンパー１２は、パターンド型の磁気ディスク１５（図２４参照）を製造するための原盤（「情報記録媒体製造用原盤」の他の一例である「インプリント用スタンパー」の一例）であって、図２１，２２に示すように、原盤１１の凹凸パターン２１をスタンパー形成材料に転写することによって形成した凹凸パターン２２（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例）を備えている。さらに、スタンパー３２は、連続記録層型の磁気ディスク３５（図２５参照）を製造するための原盤（「情報記録媒体製造用原盤」のさらに他の一例である「磁気転写用スタンパー」の一例）であって、図２５に示すように、原盤１１の凹凸パターン２１をスタンパー形成材料に転写することによって形成した凹凸パターン４２（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の他の一例）を備えている。
【００３１】
また、スタンパー１２を使用して製造される磁気ディスク１５は、「情報記録媒体」の一例であって、図２４に示すように、突端部側が磁性材料（記録層１５ｂ）で形成された複数の凸部と、隣り合う凸部の間の凹部とが形成されて、データトラックパターンやサーボパターンを構成する凹凸パターン２４が形成されている。なお、実際の磁気ディスク１５には、基材１５ａの裏面側にも凹凸パターン２４が形成されているが、発明についての理解を容易にするために、基材１５ａの裏面側の図示を省略する。この磁気ディスク１５は、磁気ディスク１５を回転させるモータや（図示せず）、磁気ディスク１５に対する記録データの記録再生を実行する磁気ヘッド１６（図３参照）などと共に筐体内に収容されて、記録再生装置（ハードディスクドライブ）を構成する。
【００３２】
この場合、図３に示すように、磁気ディスク１５には、データ記録領域Ａｔおよびサーボ領域Ａｓが回転方向（矢印Ｒの向き）で交互に並んで設けられて、データ記録領域Ａｔ内に上記の凹凸パターン２４によってデータトラックパターンが形成されると共に、サーボ領域Ａｓ内に上記の凹凸パターン２４によってサーボパターンが形成されている。なお、本明細書では、回転方向において並ぶ２つの「データ記録領域」によって挟まれた領域（１つの「データ記録領域」における回転方向に対して下流側の端部から、他の１つの「データ記録領域」における回転方向に対して上流側の端部までの間の領域）を「サーボ領域」とする。また、「データ記録領域」における回転方向側の端部は、そのデータ記録領域に形成された複数の「データ記録トラック」における回転方向側の各端部を連結した仮想線分と一致しているものとする。この場合、この磁気ディスク１５には、一例として、１トラックにつき（磁気ディスク１５の１周当りに）２００箇所のサーボ領域Ａｓが設けられている。
【００３３】
また、この磁気ディスク１５は、記録再生装置に搭載された状態において角速度一定で回転させられる。したがって、この磁気ディスク１５では、単位時間当たりに磁気ヘッド１６の下方を通過させられる磁気ディスク１５上の長さに比例して、データ記録領域Ａｔやサーボ領域Ａｓの回転方向に沿った長さがサーボパターンやデータトラックパターンの中心から離間するほど長くなるように規定されている。この結果、データ記録領域Ａｔ内に形成されたデータ記録トラック（凸部）における突端面の回転方向に沿った長さ、およびデータ記録領域Ａｔ内に形成されたトラック間凹部における開口部の回転方向に沿った開口長や、サーボ領域Ａｓ内に形成されたサーボパターン用の同種の各凸部における突端面の回転方向に沿った長さ、およびサーボパターン用の同種の各凹部の回転方向に沿った開口長は、磁気ディスク１５の内周側領域よりも外周側領域ほど長くなっている。
【００３４】
さらに、図３に示すように、磁気ディスク１５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッド１６は、回動中心１６ｏを中心として矢印Ｓの向きに回動させられるアーム１６ａの先端部（アーム１６ａの先端部に設けられたスライダの底面）に配設されている。したがって、このような磁気ヘッド１６を使用して磁気的信号の読出しや書込みが実行される磁気ディスク１５では、サーボパターンにスキュー角が付与がされている。この場合、各パターンに付与されるスキュー角は、一例として、中周領域Ａｃにおける中周部を中心として、外周領域Ａｏにおける外周側ほど大きく、かつ、内周領域Ａｉにおける内周側ほど大きくなるように規定されている。なお、本明細書においては、「スキュー角」に関して、ディスクの半径方向に対する角度成分で表現する。したがって、ディスクの半径方向と平行な方向のスキュー角を「スキュー角＝０°」という。
【００３５】
また、スタンパー３２を使用して製造される磁気ディスク３５は、「情報記録媒体」の他の一例であって、図２５に示すように、軟磁性層３５ｂ、配向層３５ｃおよび記録層３５ｄが基材３５ａの表裏両面にこの順でそれぞれ形成されると共に、スタンパー３２を使用した磁気転写処理によって両記録層３５ｄにサーボパターンが磁気的にそれぞれ転写されて構成されている。この磁気ディスク３５は、磁気ディスク３５を回転させるモータ（図示せず）や、磁気ディスク３５に対する記録データの記録再生を実行する磁気ヘッド（図示せず）などと共に筐体内に収容されて、記録再生装置（ハードディスクドライブ）を構成する。
【００３６】
この場合、磁気ディスク３５には、データ記録領域およびサーボ領域が回転方向で交互に並んで設けられて、サーボ領域内にサーボパターンが記録されて（磁化パターンが転写されて）いる。また、この磁気ディスク３５は、上記の磁気ディスク１５と同様にして、記録再生装置に搭載された状態において角速度一定で回転させられる。したがって、この磁気ディスク３５では、上記の磁気ディスク１５と同様にして、単位時間当たりに磁気ヘッドの下方を通過させられる磁気ディスク３５上の長さに比例して、データ記録領域やサーボ領域の回転方向に沿った長さがサーボパターンやデータトラックの中心から離間するほど長くなるように規定されている（図示せず）。この結果、サーボ領域内に記録されたサーボパターンにおける同種の各磁化領域の回転方向に沿った長さは、磁気ディスク３５の内周側領域よりも外周側領域ほど長くなっている。
【００３７】
さらに、磁気ディスク３５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッドは、磁気ディスク１５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッド１６と同様にして、回動中心を中心として回動させられるアームの先端部（アームの先端部に設けられたスライダの底面）に配設されている（図示せず）。したがって、このような磁気ヘッドを使用して磁気的信号の読出しや書込みが実行される磁気ディスク３５では、サーボパターンにおける各磁化領域にスキュー角が付与がされている。
【００３８】
一方、Ｘ−Ｙ移動機構２は、制御部８の制御に従い、ターンテーブル３（回転機構）によって回転させられている基材１０の回転面に沿ってターンテーブル３を移動させる（「描画位置変更処理」の一例）。ターンテーブル３は、基材１０を載置可能に構成されると共に、制御部８の制御に従って基材１０を所定の回転速度で回転させる。また、ターンテーブル３は、その内部でテーブルの回転に同期して生成する信号に基づいて基材１０の回転に同期した基準信号Ｓ０を生成して、一例として、基材１０を一回転させる間に基準信号Ｓ０を複数回に亘って出力する。この場合、ターンテーブル３は、一例として、基材１０の一回転当りに、磁気ディスク１５の一周当りにおけるサーボ領域の数と同数の基準信号Ｓ０を出力する。
【００３９】
ビーム発生部４は、樹脂層１０ｂに露光パターンＰ等を描画するための電子ビームＥＢを生成して出力する。ブランキング制御部５は、ビーム発生部４と相俟って「ビーム照射部」を構成し、制御部８の制御に従い、ビーム発生部４からの電子ビームＥＢの出力をＯＮ／ＯＦＦ制御（ブランキング制御）する。ビーム成形部６は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ブランキング制御部５を通過した電子ビームＥＢを成形（細径化）する。この場合、この描画装置１では、その有効描画幅が露光パターンＰ等を構成する各露光領域Ａ１（図４参照）の半径方向に沿った幅や回転方向に沿った長さよりも十分に狭い電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰを描画する。
【００４０】
ビーム偏向器７は、制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを偏向することによって樹脂層１０ｂに対する照射位置を変化させる。この場合、この描画装置１では、後述するように、ビーム偏向器７が制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを基材１０の半径方向に偏向することで、「部分描画処理による描画位置」を基材１０の回転中心に接近する方向（または、回転中心から離間する方向）に変更する（「描画位置変更処理」の他の一例）。また、この描画装置１では、後述するように、露光パターンＰ等の一部の描画に際して、ビーム偏向器７が制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って偏向する処理を実行する。
【００４１】
制御部８は、記憶部９に記憶されている描画手順データＤＰに従い、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に基材１０を移動させると共に、ターンテーブル３を制御して所定の線速度で基材１０を回転させる。また、制御部８は、ターンテーブル３から出力される基準信号Ｓ０に応じて、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向器７を制御することにより、ターンテーブル３によって回転させられている基材１０の樹脂層１０ｂにおける所定の位置に電子ビームＥＢを照射させて、露光パターンＰ等を構成する露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する処理（「部分描画処理」の一例）を実行する。
【００４２】
記憶部９は、基材１０に描画すべき露光パターンＰ等の描画手順を特定可能な描画手順データＤＰを記憶する。この場合、描画手順データＤＰは、制御部８が描画装置１の各部を制御して、後述する「第１の描画方法」から「第３の描画方法」までの各描画方法のいずれか（または、複数の組み合わせ）によって露光パターンＰを描画するのに必要な情報で構成されている。具体的には、描画手順データＤＰには、描画処理時に基材１０をどのような回転速度で回転させるべきかを特定可能なデータと、基準信号Ｓ０が出力されてからブランキング制御部５に対して電子ビームＥＢの照射を開始させるまでの待機時間、および電子ビームＥＢの照射を停止させるまでの待機時間を各サーボパターン毎に特定可能な情報と、ビーム偏向器７によって電子ビームＥＢをどのように偏向すべきかを特定可能なデータと、移動機構２によってターンテーブル３をどのように移動させるべきかを特定可能なデータとが記録されている。
【００４３】
次に、描画装置１によって描画する露光パターンＰについて、図面を参照して説明する。
【００４４】
図４に示す露光パターンＰは、磁気ディスク１５を製造するためのスタンパー１２に形成すべき凹凸パターン２２や、磁気ディスク３５を製造するためのスタンパー３２に形成すべき凹凸パターン４２（すなわち、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１）に対応して露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２が規定されている。具体的には、本例では、原盤１１における凹凸パターン２１の各凹部（すなわち、スタンパー１２，３２における凹凸パターン２２，４２の各凸部）に対応して露光領域Ａ１が規定されると共に、原盤１１における凹凸パターン２１の各凸部（すなわち、スタンパー１２，３２における凹凸パターン２２，４２の各凹部）に対応して非露光領域Ａ２が規定されている なお、実際には、インプリント用のスタンパー１２を製造するために原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１と、磁気転写用のスタンパー３２を製造するために原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１とは、スタンパー１２，３２に求められる機能に応じて相違する場合もあるが、本明細書では、「描画方法」や「製造方法」についての理解を容易とするために、これらを区別せずに説明する。
【００４５】
また、本明細書における「露光領域Ａ１」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂが形成されているこの例においては、描画を完了した後の現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層１０ｂが消失する領域と一致する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層が残留する領域と一致する領域を意味する。さらに、本明細書における「非露光領域Ａ２」とは、描画用ビーム（この例では、電子ビームＥＢ）が照射されない領域だけでなく、上記の露光領域Ａ１に対する照射に伴って描画用ビームが僅かに照射されるものの、現像後において描画用ビームが照射されない領域と同様の状態となる領域を含む。具体的には、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂが形成されているこの例においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像後にＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層１０ｂが残留する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像時にＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層が消失する領域を意味する。
【００４６】
この場合、磁気ディスク１５，３５のサーボパターンは、一例として、プリアンブルパターン（オートゲインコントロールパターン）、サーボアドレスマークパターン（サーボマークパターン）、セクターアドレスパターン、トラックアドレスパターン、および位相サーボパターンが回転方向における上流側からこの順で形成されると共に、位相サーボパターンとデータ記録領域Ａｔとの間にはパッド領域が規定されて、一例として、プリアンブルパターンと同様のパターンがパッド領域用パターン（ポストアンブルパターン、ギャップパターン）として形成されている（図示せず）。また、磁気ディスク１５，３５の位相サーボパターンは、一例として、ディスクの半径方向に対する交差の向き（傾斜の向き）が互いに相違する一対のパターン（「位相サーボ部のパターン」：傾斜パターン）で構成されている（図示せず）。なお、パッド領域（パッド領域用パターンを形成する領域）については、位相サーボパターンとデータ記録領域Ａｔとの間（サーボパターンの回転方向における下流側の端部）に限定されず、例えば、トラックアドレスパターンと位相サーボパターンとの間に規定される場合もある。
【００４７】
一方、図４に示すように、スタンパー１２を製造するための露光パターンＰは、磁気ディスク１５の上記の各サーボパターンに対応して、基材１０の回転方向（矢印Ｒの向き）においてデータトラックパターンＰＴおよびサーボパターンＰＳが交互に並ぶように規定されている。また、スタンパー３２を製造するための露光パターンＰは、データトラックパターンＰＴが存在しない点を除き、スタンパー１２を製造するための露光パターンＰと同様にサーボパターンＰＳが規定されている。したがって、以下、主としてスタンパー１２を製造するための露光パターンＰの描画方法について説明する。
【００４８】
この場合、サーボパターンＰＳは、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）およびパッド領域用パターンＰＳ６が回転方向における下流側からこの順で規定されている。なお、図４、および後に参照する図５〜１２では、各露光領域Ａ１を左下がりの斜線で塗り潰すと共に、各非露光領域Ａ２を白色で図示している。また、図４〜１０では、サーボトラックＳＴにおける半径方向の端部（半径方向において隣り合うサーボトラックＳＴ，ＳＴの境界）を破線で図示している。この場合、各サーボトラックＳＴの幅は、内周から外周までの全域において互いに等しい幅となっている。
【００４９】
また、この露光パターンＰに対応して形成される磁気ディスク１５，３５の各サーボパターンについては、前述したように、中周領域Ａｃの中周部から外周領域Ａｏの外周側に向かうほど大きく、また、中周領域Ａｃの中周部から内周領域Ａｉの内周側に向かうほど大きなスキュー角を付与する必要がある。このため、例えば、磁気ディスク１５，３５のサーボパターンに対応するサーボパターンＰＳの描画に際しては、外周領域における外周側ほど大きなスキュー角θ１を付与すると共に、内周領域における内周側ほど大きなスキュー角θ１を付与して各パターンＰＳ１〜ＰＳ６の露光領域Ａ１を描画する必要がある。
【００５０】
この場合、図２６に示すように、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１ａｘについては、原盤の回転方向（同図に示す矢印Ｒの向き）に沿って、例えば、原盤の１回転目に開始位置Ｐ１Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームを照射し、原盤の２回転目以降において、開始位置Ｐ２Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ２Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームをそれぞれ照射したときに、原盤の２回転目以降に生じる多重露光に起因して、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘの近傍や、停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘの近傍（すなわち、回転方向の端部領域）についても十分な露光状態となる。これに対して、図２７に示すように、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１ｂｘについては、上記の露光領域Ａ１ａｘの描画時と同様に開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームをそれぞれ照射したときに、各帯状領域の位置を原盤の回転方向に沿って大きく変更していることに起因して、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘの近傍や、停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘの近傍（すなわち、回転方向の端部領域）において、原盤の２回転目以降に生じる多重露光の影響が小さくなる可能性がある。
【００５１】
一方、本例の露光パターンＰ（サーボパターンＰＳ）は、図６，９に示すように、付与すべきスキュー角θ１が０°の中周領域Ａｐｃの中周部において、位相サーボパターンＰＳ５における両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の回転方向と交差する両辺が基材１０の半径方向に対して互いに等しい交差角度θ２（一例として、交差角度θ２＝５２．６°）でそれぞれ交差するように斜めに描画される。この場合、位相サーボパターンＰＳ５は、パターンＰＳ５ａを構成する各露光領域Ａ１および各非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２のそれぞれの回転方向に沿った長さの比と、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１および各非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２のそれぞれの回転方向に沿った長さの比とが互いに等しくなっている。なお、本例の位相サーボパターンＰＳ５におけるパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂは、同一半径位置における露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが互いに等しく、かつ、同一半径位置における非露光領域Ａ２の回転方向に沿った長さが互いに等しくなるように（すなわち、露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さと非露光領域Ａ２の回転方向に沿った長さとの合計長である「第１の長さ」が同一半径位置において等しくなるように）描画される。
【００５２】
また、本例の露光パターンＰでは、図５，８、および図７，１０に示すように、回動中心１６ｏを中心として回動させられる磁気ヘッド１６の軌跡に合わせて、上記の中周領域Ａｐｃにおける中周部を中心として、サーボパターンＰＳに対して付与されるスキュー角θ１の傾斜の向きが相違している。このため、図５〜７に示すように、回転方向の上流側から下流側に向かうほど外周側に位置するように露光領域Ａ１が斜めに描画されるパターンＰＳ５ａでは、内周領域Ａｐｉの内周側ほど上記の交差角度θ２がやや大きくなり（外周領域Ａｐｏの外周側ほど交差角度θ２がやや小さくなり）、図８〜１０に示すように、回転方向の上流側から下流側に向かうほど内周側に位置するように露光領域Ａ１が斜めに描画されるパターンＰＳ５ｂでは、外周領域Ａｐｏの外周側ほど上記の交差角度θ２が大きくなる（内周領域Ａｐｉの内周側ほど交差角度θ２が小さくなる）。
【００５３】
したがって、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画に際して、外周領域Ａｐｏから内周領域Ａｐｉまでの全域において、１つのサーボトラックＳＴにおける「回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長（第１の長さ）」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、同一半径位置の両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおいて互いに等しくなるように位相サーボパターンＰＳ５を描画したとき（露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが同一半径位置において等しいパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画する例においては、同一半径位置における電子ビームＥＢの照射距離が互いに等しくなるように各半径位置毎に照射距離を規定して位相サーボパターンＰＳ５を描画したとき：以下、このような描画については、「第１の値が互いに等しくなるように照射量を規定して描画したとき」ともいう）には、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の近傍（回転方向の端部領域）における多重露光の影響の度合いが、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２の相違に応じてパターンＰＳ５ａおよびパターンＰＳ５ｂの間で相違する半径位置が生じることとなる。なお、本明細書では、対象物に照射される電子ビームＥＢの電流値に、電子ビームＥＢの照射時間を乗じた値を「電子ビームＥＢの総照射量」とする。
【００５４】
このため、同一半径位置のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂについての第１の値が互いに等しくなるように各半径位置毎（各サーボトラックＳＴ毎）に照射量を規定して位相サーボパターンＰＳ５を描画したときに、同一半径位置のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２が互いに等しい中周領域Ａｐｃにおける中周部においては、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが互いに等しくなる。これに対して、同一半径位置のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２が互いに相違する外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉ、および中周領域Ａｐｃにおける外周領域Ａｐｏ側や中周領域Ａｐｃにおける内周領域Ａｐｉ側の部位においては、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１のうちの回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１のうちの回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さよりも短くなる（その露光領域Ａ１で構成されるパターンにおける半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる）。
【００５５】
この結果、第１の値が互いに等しくなるように照射量を規定して位相サーボパターンＰＳ５を描画したときには、パターンＰＳ５ｂの外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（長さＬ１ｏ＋長さＬ２ｏ：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合が、パターンＰＳ５ａの外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合よりも小さくなる現象が生じる。
【００５６】
また、パターンＰＳ５ａの内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（長さＬ１ｉ＋長さＬ２ｉ：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合が、パターンＰＳ５ｂの内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合よりも小さくなる現象が生じる。つまり、このような描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画したときには、外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉにおいて、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの交差角度θ２が大きい一方の露光領域Ａ１における回転方向に沿った長さが、その露光領域Ａ１で構成されるパターンにおける半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短い位相サーボパターンＰＳ５が描画されることとなる。
【００５７】
したがって、この電子ビーム描画装置１による露光パターンＰの描画に際しては、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの一方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２と、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの他方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置（例えば、最外周の半径位置）を含む領域内（例えば、交差角度θ２の差の絶対値が１０°以上の領域）において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、同一の半径位置において、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ（この例では、外周領域ＡｐｏのパターンＰＳ５ａ）よりも、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ（この例では、外周領域ＡｐｏのパターンＰＳ５ｂ）の方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を交互に実行する。
【００５８】
次いで、描画装置１による露光パターンＰの描画方法について、図面を参照して説明する。
【００５９】
露光パターンＰの描画に際しては、まず、樹脂層１０ｂの形成面を上向きにして基材１０をターンテーブル３の上に載置する。この状態において、描画処理の開始が指示されると、制御部８は、まず、描画手順データＤＰに従い、ターンテーブル３を制御して、定められた回転速度で基材１０を回転させる。次いで、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３を基材１０の載置面に沿って移動させることで基材１０を移動させて、基材１０に対する露光パターンＰの描画開始位置がビーム発生部４の下方に位置するように位置決めする。この場合、この描画装置１では、一例として、その外周領域Ａｐｏから露光パターンＰの描画を開始する。したがって、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御して、基材１０の外周部がビーム発生部４の下方に位置するように半径方向の位置決めを行う。次に、制御部８は、ターンテーブル３によって基準信号Ｓ０が出力されたか否かを監視すると共に、基準信号Ｓ０が出力されたときには、描画手順データＤＰに従い、データトラックパターンＰＴおよびサーボパターンＰＳにおける外周側の一部の描画を開始する。
【００６０】
この際に、制御部８は、一例として、基準信号Ｓ０が出力された時点から露光パターンＰにおいて最初に描画すべき露光領域Ａ１の描画を開始する時点が到来するまでの時間だけ待機した後に、ブランキング制御部５に電子ビームＥＢのＯＮ／ＯＦＦ制御を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、描画すべき露光領域Ａ１に応じて電子ビームＥＢを偏向させる。これにより、露光領域Ａ１とすべき部位に電子ビームＥＢが照射されて露光パターンＰにおける半径方向の一部が描画される（「部分描画処理」の一例）。この後、制御部８は、露光パターンＰにおける２つ目以降の露光領域Ａ１についても同様にして描画することにより、露光パターンＰにおける外周側の一部（半径方向の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。
【００６１】
次いで、制御部８は、基材１０の２回転目において、露光パターンＰにおける各露光領域Ａ１の最外周部よりも内周側の部位を描画する（「基材の回転中心に接近する方向」に描画位置を変更する描画方法の一例）。なお、内周領域Ａｐｉから露光パターンＰの描画を開始した場合には、基材１０の２回転目において、露光パターンＰにおける各露光領域Ａ１の最内周部よりも外周側の部位を描画する（「基材の回転中心から離間する方向」に描画位置を変更する描画方法の一例）。この際に、制御部８は、描画手順データＤＰに従ってビーム偏向器７を制御して、電子ビームＥＢの照射位置（「部分描画処理」の描画位置）を基材１０の１回転目における照射位置よりも内周側に移動させる（「描画位置変更処理」の一例）。これにより、露光パターンＰにおける最外周部よりも内周側の一部（半径方向の他の一部）が基材１０の１回転に亘って描画される。この後、制御部８は、基材１０の３回転目以降においても、上記の２回転目の描画処理と同様にして露光パターンＰの各露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する処理を繰り返して実行する。これにより、各露光領域Ａ１を描画すべき領域の外周側から内周側までの全域に対する電子ビームＥＢの照射が完了し、露光パターンＰが描画される。
【００６２】
この場合、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの一方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２と、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの他方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、同一の半径位置において、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が小さいパターンよりも、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるとの条件を満たすには、一例として、次の各描画方法のうちのいずれか、または、複数の描画方法を組み合わせて露光パターンＰ（サーボパターンＰＳ）を描画すればよい。
【００６３】
第１の描画方法では、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値」が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行するとの描画方法の一例として、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値」が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。
【００６４】
具体的には、パターンＰＳ５ａやパターンＰＳ５ｂ内の１つの露光領域Ａ１を描画するための「部分描画処理」に際して、基材１０（樹脂層１０ｂ）に対して電子ビームＥＢを１回照射する描画方法（１回の「部分描画処理」に対応させて、電子ビームＥＢの照射を開始すべき開始位置、および電子ビームＥＢの照射を停止すべき停止位置をそれぞれ１箇所ずつ規定している描画方法：１回の「部分描画処理」において電子ビームＥＢを連続的に照射する描画方法）では、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置（外周領域Ａｐｏの最外周部や、内周領域Ａｐｉの最内周部の半径位置）を含む領域内において、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの交差角度θ２が大きい一方の描画時における回転方向に沿った電子ビームＥＢの照射距離の方が、交差角度θ２が小さい一方の描画時における回転方向に沿った電子ビームＥＢの照射距離よりも長くなるように電子ビームＥＢの照射開始位置や照射停止位置をそれぞれ規定して基材１０（樹脂層１０ｂ）に電子ビームＥＢを照射する。
【００６５】
この第１の描画方法の一例を図１１，１２を参照してさらに具体的に説明する。この場合、両図は、位相サーボパターンＰＳ５において両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの交差角度θ２の角度差が最大となる外周領域Ａｐｏにおける同一半径位置のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画する際の手順を例示したものであり、図１１は、パターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１（交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１の一例）の描画手順を示し、図１２は、パターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１（交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１の一例）の描画手順を示している。図１１に示すように、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａを構成する露光領域Ａ１の描画については、開始位置Ｐ１Ｓａ〜Ｐ４Ｓａから停止位置Ｐ１Ｅａ〜Ｐ４Ｅａまで原盤の回転方向に沿って長さＬａだけ電子ビームＥＢを照射する。また、図１２に示すように、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂを構成する露光領域Ａ１の描画については、開始位置Ｐ１Ｓｂ〜Ｐ４Ｓｂから停止位置Ｐ１Ｅｂ〜Ｐ４Ｅｂまで原盤の回転方向に沿って上記の長さＬａよりも長い長さＬｂだけ電子ビームＥＢを照射する。これにより、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さと同様にして、半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さＬ１となる。なお、本例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの両露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが互いに等しい長さＬ１となる。
【００６６】
この場合、図１４，１５は、この第１の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。なお、図１４〜１８では、各半径領域の代表の半径位置を最左部に示している。例えば、図１４におけるパターンＰＳ５ａ（エリアＡ）の「半径位置２６．５ｍｍ（２６．５〜２７．０ｍｍ）」についての描画手順を示す行は、「スキュー角」、「半径方向に対する交差角度」、「※３：一組の露光領域および非露光領域の回転方向に沿った合計長」、「１描画パス当りの照射時間」、「１描画パス当りの照射距離」、「１サーボトラック当りの照射量」および「※９：交差角度の差の絶対値」が、「半径位置２６．５ｍｍ」の半径位置に固有の値で、その他の値については、「半径位置２６．５〜２７．０ｍｍ」の範囲において共通していることを示している。
【００６７】
また、例えば、図１４，１５に示す描画方法の例においては、半径位置＝２７．０ｍｍが、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大の半径位置となっており、この例では、この半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２１．８〜２７．０ｍｍの範囲（交差角度θ２の角度差がある程度大きな領域）が「角度差が最大の半径位置を含む領域」に相当する。この場合、上記の半径位置＝２１．８〜２７．０ｍｍの範囲においては、パターンＰＳ５ａが「交差角度が小さいパターン」に相当し、パターンＰＳ５ｂが「交差角度が大きいパターン」に相当する。
【００６８】
また、図１４，１５の例では、半径位置＝１５．５ｍｍも、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が、上記の半径位置＝２７．０ｍｍにおける交差角度θ２の角度差と同程度となっている。したがって、図１４の例では、半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１９．０ｍｍの範囲（交差角度θ２の角度差がある程度大きな領域）も「角度差が最大の半径位置を含む領域」と同様に位相サーボパターンＰＳ５が描画される。この場合、上記の半径位置＝１５．５〜１９．０ｍｍの範囲においては、パターンＰＳ５ｂが「交差角度が小さいパターン」であり、パターンＰＳ５ａが「交差角度が大きいパターン」である。なお、後に説明する図１６，１８の例においても、「角度差が最大の半径位置を含む領域」、「交差角度が小さいパターン」および「交差角度が大きいパターン」は、図１４の例における位相サーボパターンＰＳ５と同様となっている。
【００６９】
この場合、図１４，１５の例では、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ（「※３」の長さ：図５，８に示す長さＬ３ｏや、図７，１０に示す長さＬ３ｉ等）」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値（「※６」の４倍（４パス分）の値）」に関し、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなるように描画条件が規定されている。
【００７０】
また、両図の例では、１つのサーボトラックＳＴにおける上記の「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値（同図に示す「※６」の値）」に関し、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなるように描画条件が規定されている。
【００７１】
これにより、これらの例では、上記の「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置を含む領域」内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（「※７」の値）」が、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなっている。この結果、図１３に示すように、この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける上記の「第１の値」の差の絶対値（「※８」の値）が、交差角度θ２の角度差の絶対値（「※９」の値）の大きさに応じて多段階に相違している。なお、図１３は、図１４に示す例についての値を図示している。
【００７２】
また、パターンＰＳ５ａやパターンＰＳ５ｂ内の１つの露光領域Ａ１を描画するための「部分描画処理」に際して、基材１０（樹脂層１０ｂ）に対して電子ビームＥＢを複数回照射する描画方法（１回の「部分描画処理」に対応させて開始位置および停止位置をそれぞれ２箇所以上の複数箇所規定している描画方法：１回の「部分描画処理」において電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って断続的に照射する描画方法）では、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置（外周領域Ａｐｏの最外周部や、内周領域Ａｐｉの最内周部の半径位置）を含む領域内において、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの交差角度θ２が大きい一方の描画時における回転方向に沿った電子ビームＥＢの照射距離の合計長の方が、交差角度θ２が小さい一方の描画時における回転方向に沿った電子ビームＥＢの照射距離の合計長よりも長くなるように電子ビームＥＢの照射開始位置や照射停止位置をそれぞれ規定して基材１０（樹脂層１０ｂ）に電子ビームＥＢを照射する。
【００７３】
この場合、図１６は、この第１の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例においても、上記の例と同様にして、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａを構成する各露光領域Ａ１の描画時における「第２の値」や「第３の値」よりも、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の描画時における「第２の値」や「第３の値」の方が大きくなるように描画条件が規定され、これにより、前述した条件が満たされている。
【００７４】
一方、第２の描画方法では、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値」が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行するとの描画方法の他の一例として、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの描画パス数が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。
【００７５】
具体的には、この第２の描画方法では、一例として、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置（外周領域Ａｐｏの最外周部や、内周領域Ａｐｉの最内周部の半径位置）を含む領域内において、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの交差角度θ２が小さい一方の露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴの範囲を描画パス数＝Ｎ回で描画するときに、交差角度θ２が大きい一方の露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴの範囲を描画パス数＝Ｎ回よりも多数回で描画する。
【００７６】
この場合、図１７は、この第２の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、半径位置＝２７．０ｍｍが、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大の半径位置となっており、この半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２５．５〜２７．０ｍｍの範囲が「角度差が最大の半径位置を含む領域」に相当する。また、上記の半径位置＝２５．５〜２７．０ｍｍの範囲においては、パターンＰＳ５ａが「交差角度が小さいパターン」に相当し、パターンＰＳ５ｂが「交差角度が大きいパターン」に相当する。また、この例では、半径位置＝１５．５ｍｍもパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が、上記の半径位置＝２７．０ｍｍにおける交差角度θ２の角度差と同程度となっており、この半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲も「角度差が最大の半径位置を含む領域」と同様に位相サーボパターンＰＳ５が描画される。この場合、上記の半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲においては、パターンＰＳ５ｂが「交差角度が小さいパターン」であり、パターンＰＳ５ａが「交差角度が大きいパターン」である。
【００７７】
この例では、上記の半径位置＝２５．５〜２７．０ｍｍの範囲においては、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４．５回で描画しているのに対して、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝５回で描画するように描画条件が規定されている。また、上記の半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲においては、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４回で描画しているのに対して、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４．５回で描画するように描画条件が規定されている。この例では、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の描画パス数を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。
【００７８】
これにより、この例においても、上記の「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置を含む領域」内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（「※７」の値）」が、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなっている。
【００７９】
また、第３の描画方法では、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの照射時における回転方向の下流側に向かっての電子ビームＥＢの偏向速度が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。具体的には、この第３の描画方法では、交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１の描画時における「部分描画処理」に際して、基材１０の回転に合わせて樹脂層１０ｂを追い掛けるようにして電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って偏向しつつ照射することで、基材１０（樹脂層１０ｂ）の単位長さ当りに対する電子ビームＥＢの照射時間を長くして、その単位長さ当りの樹脂層１０ｂへの電子ビームＥＢの照射量を多くする。
【００８０】
より具体的には、交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１の描画時における「部分描画処理」に際しては、一例として、ビーム偏向器７によって電子ビームＥＢを回転方向における上流側に向けて偏向した状態で基材１０（樹脂層１０ｂ）に対する電子ビームＥＢの照射を開始する。次いで、基材１０の回転に伴って樹脂層１０ｂが回転方向における下流側に向かって移動するのに合わせて電子ビームＥＢを基材１０の回転方向における下流側に向かって偏向し、規定された時間が経過したときに照射を停止する。このような描画方法を採用することで、例えば、電子ビームＥＢを照射している基材１０上の距離が、交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１の描画時における「部分描画処理」の際の電子ビームＥＢの照射距離と同じであっても、交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべき領域に多くの電子ビームＥＢが照射されることとなる。
【００８１】
この場合、図１８は、この第３の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、パターンＰＳ５ａを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の「回転方向の下流側への電子ビームＥＢの偏向速度（ｍｍ／ｓｅｃ）：「※１」の値」や、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の「回転方向の下流側への電子ビームＥＢの偏向速度（ｍｍ／ｓｅｃ）：「※１」の値」を同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。
【００８２】
具体的には、この例では、例えば、交差角度θ２の角度差が最大の半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２６．５〜２７．０ｍｍの範囲において、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１の描画時には、電子ビームＥＢを回転方向の下流側に向けて２０ｍｍ／ｓｅｃで偏向しつつ照射するのに対し、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の描画時には、電子ビームＥＢを回転方向の下流側に向けて２７０ｍｍ／ｓｅｃで偏向しつつ照射するように描画条件が規定されている。また、交差角度θ２の角度差が上記の半径位置＝２７．０ｍｍと同様に大きい半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１６．５ｍｍの範囲において、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の描画時には、電子ビームＥＢを回転方向に沿って偏向させずに照射するのに対し、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１の描画時には、電子ビームＥＢを回転方向の下流側に向けて７０ｍｍ／ｓｅｃで偏向しつつ照射するように描画条件が規定されている。
【００８３】
これにより、この例においても、上記の「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置を含む領域」内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（「※７」の値）」が、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなっている。
【００８４】
このような「第１の描画方法」から「第３の描画方法」のうちのいずれか、または、複数を任意に組み合わせて実行することで、第１の値が互いに等しくなるように照射量を規定して描画したときに、交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１についても、交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１と同様にして、回転方向の長さが、半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さとなることが確認された。
【００８５】
具体的には、一例として、図１９に示すように、上記の図１４の描画方法の例における２７．０ｍｍの半径位置において、パターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１に対してパターンＰＳ５ａの場合と同じ照射距離に亘って電子ビームＥＢを照射した場合には（比較例１）、パターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さは、設計値＝１７３ｎｍに対して、実測値＝１７４ｎｍとなるのに対し、パターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さは、設計値＝１７３ｎｍに対して実測値＝１２２ｎｍとなった。これに対して、同図に示すように、上記の図１４の描画方法の例に従ってパターンＰＳ５ｂの２７．０ｍｍの半径位置において描画条件を規定した場合には（実施例１）、パターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの双方が、設計値＝１７３ｎｍに対して実測値＝１７４ｎｍとなった。
【００８６】
なお、同図に示す実施例１、および比較例１では、Ｓｉウエハの表面に、日本ゼオン製の「ＺＥＰ５２０Ａ」を厚み５０ｎｍとなるように塗布して樹脂層を形成した基材をそれぞれ使用すると共に、現像液として日本ゼオン製の「ＺＥＤ−Ｎ５０」を使用して、現像温度：２０℃、現像時間：６０秒の条件で現像処理を実施した。また、同図では、露光パターンの描画が完了した基材（樹脂層）に対する現像処理によって樹脂層に形成される凹部の回転方向に沿った長さの実測値を露光領域の「実測値」として記載している。
【００８７】
この場合、図１４，１６〜１８に示すパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の例では、交差角度θ２の差の絶対値が大きくなるにつれて（小さくなるにつれて）、「第１の値の差の絶対値（各図に示す「※８」の値）」が段階的に大きくなるように（小さくなるように）、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を変化させてパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画している。つまり、これらの描画方法の例では、描画すべきパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂについて、外周側から内周側までの全域を、「第１の値の差の絶対値」が実質的に等しい複数の半径領域（１サーボトラック以上の幅の領域）に分けて、各領域毎の露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の差の絶対値の大きさに応じて「第１の値の差の絶対値」を段階的に変化させて規定する方法が採用されている。これにより、描画すべきパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１について、外周側から内周側までの全域において、それぞれ半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さ（本例では、同一半径位置において互いに等しい長さ、または、ほぼ等しい長さ）とすることができる。
【００８８】
また、図１５に示すパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の例においても、１９．０〜２１．８ｍｍの半径位置の領域を除き、図１４の例と同様にして、交差角度θ２の差の絶対値が大きくなるにつれて（小さくなるにつれて）、「第１の値の差の絶対値（各図に示す「※８」の値）」が段階的に大きくなるように（小さくなるように）、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を変化させてパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画している。この場合、この図１５に示す例における上記の１９．０〜２１．８ｍｍの半径位置の領域は、交差角度θ２の差が比較的小さいため、「第１の値の差の絶対値」が交差角度θ２の差の絶対値に応じて段階的に大きくなるように描画しなくても、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さを、それぞれ半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さ（本例では、同一半径位置において互いに等しい長さ、または、ほぼ等しい長さ）とすることができるのが確認されている。
【００８９】
このように、この描画装置１による露光パターンＰの描画方法では、露光パターンＰのうちの位相サーボパターンＰＳ５における回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂをそれぞれ描画する際に、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを構成する複数の露光領域Ａ１および複数の非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ「第１の長さ」としたときに、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの一方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２と、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの他方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、同一の半径位置において、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が小さいパターンよりも、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。具体的には、上記の「第１の描画方法」、「第２の描画方法」および「第３の描画方法」のいずれか、または、これらの描画方法を任意に組み合わせて露光パターンＰを描画する。
【００９０】
したがって、この描画装置１による露光パターンＰの描画方法によれば、回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを構成する露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の同一半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、半径方向に対する交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１で構成される一方を描画すべき部位に対して、半径方向に対する交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１で構成される一方を描画すべき部位と同様に十分な量の電子ビームＥＢを照射することができる。これにより、この描画装置１による露光パターンＰの描画方法によれば、上記の角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方における露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方における露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている露光パターンＰを描画することができるため、描画した露光パターンＰに対応して原盤１１に形成される凹凸パターン２１において上記の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂに対応する部位の凹部や凸部の回転方向に沿った長さを、それぞれ各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【００９１】
次いで、描画装置１による露光パターンＰの描画が完了した基材１０を用いて、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１を製造する方法、および、製造した原盤１１を用いてスタンパー１２，３２を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【００９２】
まず、露光パターンＰの描画が完了した基材１０を現像処理することにより（「所定の処理」の一例）、図２０に示すように、樹脂層１０ｂにおける各露光領域Ａ１を除去して凹凸パターン２１を形成する。これにより、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の一例の完了）。この場合、完成した原盤１１には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰと平面形状が同様の凹凸パターン２１が形成されている。したがって、凹凸パターン２１において露光パターンＰにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）に対応する各パターンでは、一対の位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方を構成する凹部の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方を構成する凹部の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている。
【００９３】
次に、原盤１１を使用してスタンパー１２を製造する際には、図２１に示すように、原盤１１における凹凸パターン２１を覆うようにしてスパッタ法等によって成膜層１２ａを形成し、この成膜層１２ａを電極として用いてめっき処理することにより、電解ニッケル層１２ｂを形成する（「所定の処理」の他の一例）。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１が転写された凹凸パターン２２を有するスタンパー１２が原盤１１の上に形成される。次いで、基材１０（Ｓｉウエハ１０ａ）からスタンパー１２を剥離すると共に、必要に応じて溶剤等を用いてスタンパー１２を洗浄すると共に、その裏面（凹凸パターン２２の形成面とは反対側の面）を研磨処理する。これにより、図２２に示すように、スタンパー１２が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の他の一例）。
【００９４】
この場合、インプリント用のスタンパーの製造方法は、上記のスタンパー１２の製造方法に限定されず、スタンパー１２の凹凸パターン２２をスタンパー形成用材料に１回または複数回に亘って転写して、凹凸パターン２２における凸部に対応する凹部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凸部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）や、凹凸パターン２２における凸部に対応する凸部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凹部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）を製造する方法を採用することもできる。具体的には、一例として、上記のスタンパー１２を電極として用いてめっき処理を実行することにより、凹凸パターン２２を覆う電解ニッケル層を形成する。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１と凹凸位置関係が一致するスタンパー（図示せず）が製造される（「所定の処理」の他の一例における一工程）。次いで、製造したスタンパーを射出成形機にセットして射出成形処理を実行する（「所定の処理」の他の一例における一工程）。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１と凹凸位置関係が反転した凹凸パターンが樹脂材料に形成されて、スタンパー１２の凹凸パターン２２と凹凸位置関係が一致する樹脂スタンパー（図示せず）が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」のさらに他の一例）。
【００９５】
また、スタンパー３２を製造する際には、一例として、上記のスタンパー１２の製造手順、或いは、スタンパー１２の凹凸パターン２２と凹凸位置関係が一致する樹脂スタンパーの製造手順と同様の手順に従ってスタンパー３２における基体３２ａ（図２５参照）を製作する。次いで、基体３２ａの凹凸パターンを覆うようにして、スパッタリング法等により、下地膜３２ｂおよび強磁性膜３２ｃを順次成膜する（「所定の処理」の他の一例における一工程）。これにより、図２５に示すように、凹凸パターン４２を有するスタンパー３２が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」のさらに他の一例）。
【００９６】
一方、完成したスタンパー１２，３２には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰを用いて形成した凹凸パターン２１と平面形状が同様の凹凸パターン２２，４２が形成されている。したがって、凹凸パターン２２，４２において原盤１１における凹凸パターン２１の各パターン（この例では、露光パターンＰにおけるサーボパターンＰＳに対応して形成されたパターン）に対応する各パターンでは、一対の位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方を構成する凸部（または、凹部）の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方を構成する凸部（または、凹部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている。
【００９７】
このように、この原盤１１の製造方法によれば、前述した描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰを描画した後に樹脂層１０ｂを現像処理することで凹凸パターン２１を形成したことにより、露光パターンＰに対応して原盤１１に形成される凹凸パターン２１において、位相サーボパターンＰＳ５のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂに対応して形成される一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度θ２が大きいパターンを構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度θ２が小さいパターン構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。これにより、原盤１１を使用して製造されるスタンパー１２，３２の凹凸パターン２２，４２において、上記の両パターンに対応する一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度θ２が大きいパターンにおける凸部（または、凹部）の回転方向に沿った長さを、交差角度θ２が小さいパターンにおける凸部（または、凹部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。
【００９８】
また、このスタンパー１２，３２の製造方法によれば、前述した描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰを描画した樹脂層１０ｂを現像処理することで凹凸パターン２１を形成した原盤１１を使用して凹凸パターン２２，４２を形成したことにより、原盤１１を使用して製造されるスタンパー１２，３２の凹凸パターン２２，４２において、位相サーボパターンＰＳ５のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂに対応して形成される一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度θ２が大きいパターンを構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度θ２が小さいパターン構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。これにより、このスタンパー１２，３２を使用して製造される磁気ディスク１５，３５のサーボパターンにおいて、上記の両パターンに対応する一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度θ２が大きいパターンにおける凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度θ２が小さいパターンにおける凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。
【００９９】
続いて、スタンパー１２を使用して磁気ディスク１５を製造する方法（情報記録媒体の製造方法）について、図面を参照して説明する。
【０１００】
まず、インプリント法によってスタンパー１２の凹凸パターン２２を中間体１５ｍに転写する。具体的には、図２２に示すように、スタンパー１２における凹凸パターン２２の形成面を中間体１５ｍの樹脂層１５ｃに押し付けた後に、中間体１５ｍからスタンパー１２を剥離する。これにより、図２３に示すように、スタンパー１２の凹凸パターン２２が樹脂層１５ｃに転写されて中間体１５ｍ上に凹凸パターン２３が形成される。この場合、中間体１５ｍは、磁気ディスク１５を製造するための中間体であって、円板状の基材１５ａの表面に記録層１５ｂが形成されて構成されている。なお、中間体１５ｍは、実際には、下地層、軟磁性層、配向層および記録層（記録層１５ｂ）等が基材１５ａの上に積層されて構成されているが、製造方法についての理解を容易とするために、中間体１５ｍの詳細な層構造についての説明および図示を省略する。
【０１０１】
次に、凹凸パターン２３をマスクとして用いて中間体１５ｍをエッチングする。この際には、凹凸パターン２３の凹部の底面から記録層１５ｂが露出し、さらにエッチング処理を実行することにより、図２４に示すように、記録層１５ｂに凹凸パターン２４が形成される。この後、必要に応じて、凹凸パターン２４の凹部に非磁性材料を充填した後に例えば研磨処理によって記録層１５ｂ（凹凸パターン２４の凸部の先端）を非磁性材料から露出させ、記録層１５ｂの表面に保護膜を形成する。これにより、磁気ディスク１５が完成する。
【０１０２】
この場合、凹凸パターン２４は、露光パターンＰに対応して凹凸パターン２２が形成されたスタンパー１２を使用したインプリント処理によって形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてエッチング処理することによって形成されている。したがって、凹凸パターン２４において露光パターンＰにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）に対応する各パターンでは、一対の位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方を構成する凹部の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方を構成する凹部の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている。
【０１０３】
このように、この磁気ディスク１５の製造方法によれば、上記の製造方法によって製造したスタンパー１２に形成されている凹凸パターン２２を使用して製造することにより、スタンパー１２を使用して製造される磁気ディスク１５のサーボパターンにおいて、上記の両パターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターンにおける凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【０１０４】
次いで、スタンパー３２を使用して磁気ディスク３５を製造する方法（情報記録媒体の製造方法）について、図面を参照して説明する。
【０１０５】
磁気ディスク３５の製造に際しては、まず、軟磁性層３５ｂ、配向層３５ｃおよび記録層３５ｄが基材３５ａの両面にこの順でそれぞれ形成された中間体３５ｍ（図２５参照）と、上記の製造方法に従って製造した一対のスタンパー３２，３２とを用意する。なお、中間体３５ｍの製作方法については公知のため、説明を省略する。次いで、スタンパー３２，３２を用いて中間体３５ｍにサーボパターンを磁気的に転写する磁気転写処理を実行する。
【０１０６】
まず、中間体３５ｍに対して、十分に大きい直流外部磁場を厚み方向で印加することにより、中間体３５ｍを初期化する。次いで、図２５に示すように、中間体３５ｍの一方の面に対して、一方のスタンパー３２の凹凸パターン４２における凸部の突端面を接触させ、中間体３５ｍの他方の面に対して、他方のスタンパー３２の凹凸パターン４２における凸部の突端面を接触させる。この状態において、同図に矢印Ｍで示すように、中間体３５ｍに対して上記の初期化に際して印加した直流外部磁場の向きと逆の向きの直流外部磁場を印加する。この際には、両スタンパー３２，３２の凹凸パターン４２における凸部を介して中間体３５ｍに直流外部磁場が印加され、中間体３５ｍの両記録層３５ｄにおいてスタンパー３２の凹凸パターン４２における各凸部に接している部分が、印加された直流外部磁場の方向に磁化される。これにより、中間体３５ｍの両記録層３５ｄにサーボパターンが磁気的に転写されて、磁気ディスク３５が完成する。
【０１０７】
この場合、両記録層３５ｄに磁気的に転写されたサーボパターン（磁化パターン）は、露光パターンＰに対応して凹凸パターン４２が形成されたスタンパー３２を使用した磁気転写処理によって形成されている。したがって、両記録層３５ｄに磁気的に転写されたサーボパターンにおいて露光パターンＰにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）に対応する各パターンでは、一対の位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方を構成する各磁化領域の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方を構成する各磁化領域の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている。
【０１０８】
このように、この磁気ディスク３５の製造方法によれば、上記の製造方法によって製造したスタンパー３２に形成されている凹凸パターン４２を使用して製造することにより、スタンパー３２を使用して製造される磁気ディスク３５のサーボパターン（磁化パターン）において、上記の両パターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける磁化領域の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターンにおける磁化領域の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【０１０９】
なお、スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写して形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いて記録層１５ｂをエッチング処理する例について説明したが、情報記録媒体の製造方法は、これに限定されない。具体的には、例えば、樹脂層１５ｃと記録層１５ｂとの間に１層または複数層のマスク形成層を設け、樹脂層１５ｃに形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてその下層のマスク層を順次エッチングすることで樹脂層１５ｃをエッチングするためのマスク層を形成する製造方法を採用することもできる。
【０１１０】
さらに、パターンド型の磁気ディスク１５としては、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体などが挙げられる。また、磁気ディスク１５と同様にしてサーボパターンが凹凸パターン２４によって形成されると共に、連続記録層型磁気ディスクのようにデータ記録領域が連続する磁性層で構成された（データ記録領域に凹凸パターンが存在しない）情報記録媒体を製造するためのスタンパー（情報記録媒体製造用原盤：図示せず）用の露光パターンを描画することもできる。さらに、上記の描画装置１（描画方法）では、電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰ等を描画する例について説明したが、描画用ビームは電子ビームＥＢに限定されずに任意のエネルギー線を用いることができる。加えて、ポジ型レジストで形成した樹脂層１０ｂに露光パターンＰ等を描画する例について説明したが、樹脂層の形成材料としては、ポジ型レジストに限定されず、ネガ型レジストなどの各種樹脂材料を使用することができる。
【符号の説明】
【０１１１】
１ 電子ビーム描画装置
１０ 基材
１０ｂ 樹脂層
１１ 原盤
１２，３２ スタンパー
１５，３５ 磁気ディスク
１５ｍ，３５ｍ 中間体
２１〜２４，４２ 凹凸パターン
Ａ１ 露光領域
Ａ２ 非露光領域
Ａｃ，Ａｐｃ 中周領域
Ａｉ，Ａｐｉ 内周領域
Ａｏ，Ａｐｏ 外周領域
Ａｓ サーボ領域
Ａｔ データ記録領域
ＤＰ 描画手順データ
ＥＢ 電子ビーム
Ｌ１，Ｌ１ｏ〜Ｌ３ｏ，Ｌ１ｃ〜Ｌ３ｃ，Ｌ１ｉ〜Ｌ３ｉ，Ｌａ，Ｌｂ 長さ
Ｐ 露光パターン
Ｐ１Ｅ〜Ｐ４Ｅ 停止位置
Ｐ１Ｓ〜Ｐ４Ｓ 開始位置
ＰＳ サーボパターン
ＰＳ５ 位相サーボパターン
ＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ 位相サーボ部のパターン
ＰＴ データトラックパターン
ＳＴ サーボトラック
θ１ スキュー角
θ２ 交差角度
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体製造用原盤や情報記録媒体を製造する際に使用する凹凸パターンを形成するための露光パターンを描画する描画方法、並びに、描画した露光パターンを利用して形成した凹凸パターンを使用して情報記録媒体製造用原盤や情報記録媒体を製造する製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
記録密度の向上を図り得る磁気記録媒体として、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体などのパターンド型の磁気ディスクが提案されている。これらの磁気ディスクの製造方法としては、磁性層（記録層）をエッチングする方法や、磁性層（記録層）にイオンを注入する方法が知られている。また、磁性層（記録層）をエッチングする際に使用するマスクパターンや、磁性層（記録層）にイオンを注入する際に使用するマスクパターンの製造方法としては、微細凹凸パターンが形成されたインプリント用スタンパー（製造用原盤）を使用して形成する方法（ナノインプリント法）が知られている。一方、連続記録層型の磁気ディスクの製造方法としては、サーボ情報の記録処理を効率化するために、微細凹凸パターンが形成された磁気転写用スタンパー（製造用原盤）を使用して、磁気ディスクの全域にサーボ情報を一括して記録する（サーボパターンを磁気転写する）方法が提案されている。これらインプリント用スタンパーや磁気転写用スタンパー（以下、区別しないときには、単に「スタンパー」ともいう）は、一例として、電子ビーム描画装置を用いて描画した露光パターンを現像して形成される凹凸パターンを使用して製造される。
【０００３】
例えば、特開２０１０−１１８１００号公報には、情報記録用原盤を製造するためのパターンを電子ビーム描画装置によって描画する方法が開示されている。この描画方法では、原盤を固定したターンテーブルをモータによって回転させながら、原盤（原盤に塗布したレジストの層）に対して電子ビームを断続的に照射することで所望のパターンを描画する。この場合、この描画方法では、一例として、サーボパターンにおける１トラックピッチ分の幅を６回に分けて描画する方法が採用されている。具体的には、ブランカ制御データ（電子ビームを断続させて照射するための制御データ）に基づき、電子ビームの照射を開始すべき開始位置から、照射を停止すべき停止位置まで原盤の回転方向に沿って電子ビームを照射することによって描画対象のパターンにおける半径方向の一部（回転方向に沿って長い帯状の領域：以下、「帯状領域」ともいう）を描画し、この帯状領域の位置を、原盤が１回転させられる都度、原盤の半径方向に「１／６・トラックピッチ」ずつ変更することで、原盤が６回転する間に１トラックピッチ分のサーボパターンを描画する。
【０００４】
この場合、位相サーボパターンを構成する一対の位相サーボ部のパターンのように、露光すべき領域における原盤の回転方向の上流側および下流側の両辺が原盤の半径方向に対して傾斜している（半径方向に対して交差している）パターンを描画する際には、上記公開公報の図４に示すように、原盤が１回転させられる都度、上記の帯状領域の位置を「１／６・トラックピッチ」ずつ原盤の半径方向に沿って変更すると共に、この帯状領域の位置を描画すべきパターンの傾斜角度に応じて回転方向に沿って変更する。これにより、回転方向と交差する両辺が原盤の半径方向に対して平行な露光領域で構成されたパターン、および回転方向と交差する両辺が原盤の半径方向に対して傾斜している（半径方向と交差している）露光領域を有するパターンの双方を含む各種のサーボパターンがレジストに描画される。この後、所望のパターンが描画された原盤に対する現像処理を実行することでレジストの層に凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンを使用して各種スタンパーを製造する。これにより、パターンド型の磁気ディスク、およびサーボ情報が磁気転写された連続記録層型の磁気ディスクなどを製造する際に使用するスタンパーが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１８１００号公報（第２−１０頁、図１−１８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、出願人は、従来の描画方法によって描画されるパターンに、以下の問題点があることを見い出した。すなわち、例えば、回動アームの先端部に磁気ヘッドが設けられているタイプの記録再生装置に搭載される磁気ディスクを製造するためのサーボパターンを描画する際には、磁気ディスクの内周部や外周部に対応する領域におけるパターンの露光領域や非露光領域に対してスキュー角をそれぞれ付与する必要がある。一方、前述した位相サーボパターンを構成する一対の位相サーボ部のパターンは、例えば上記公開公報の図１５に示すように、その回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差の向き（傾斜の向き）が互いに相違している。また、例えば、付与するスキュー角が０°の半径位置において両位相サーボ部のパターンにおける回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度が互いに等しい角度の位相サーボパターンを描画する際には、両位相サーボ部のパターンにおける露光領域や非露光領域の半径方向に対する交差の向きを互いに相違させることに起因して、スキュー角を付与すべき半径位置においては、両位相サーボ部のパターンにおける露光領域や非露光領域の回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度を互いに相違する角度にする必要が生じる。
【０００７】
この場合、出願人は、図２６に示すように、回転方向（矢印Ｒの向き）と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１ａｘについては、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで原盤の回転方向に沿って長さＬｘだけ電子ビームを照射することで、その回転方向に沿った長さが長さＬａｘとなり、図２７に示すように、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１ｂｘについては、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで原盤の回転方向に沿って上記の露光領域Ａ１ａｘの描画時と同じ長さＬｘだけ電子ビームを照射したときに、その回転方向に沿った長さＬｂｘが、露光領域Ａ１ａｘの長さＬａｘよりも短くなることを見いだした。また、出願人は、露光領域における回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度が大きくなるほど、電子ビームを照射する距離（開始位置から停止位置までの回転方向に沿った距離：上記の例における長さＬｘに対応する距離）に対する露光領域の回転方向に沿った距離の比が小さくなることを見いだした。
【０００８】
したがって、原盤の内周部から外周部までの全域において、描画すべき露光領域における各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さ（回転方向で並ぶ一組の露光領域および非露光領域の回転方向に沿った合計長）に対して比例するように電子ビームの照射距離を規定して（各半径位置毎（各サーボトラック毎）の１つのサーボパターン領域の回転方向に沿った長さに対して比例するように照射距離を規定して）位相サーボパターンを描画したときには、両位相サーボ部のパターンの一方を構成する露光領域の回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度と、両位相サーボ部のパターンの他方を構成する露光領域の回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度との同一半径位置における角度差が大きい半径位置において、半径方向に対する交差角度が大きい方のパターンを構成する露光領域（例えば、上記の露光領域Ａ１ｂｘ）の回転方向に沿った長さが、そのパターンにおける各半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる。
【０００９】
この結果、このような描画方法に従って描画したパターンを利用してスタンパーを製造し、そのスタンパーを使用して情報記録媒体を製造したときには、サーボ情報の正確な読み出しが困難となるおそれがある。
【００１０】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、サーボ情報を正確に読み出すことができるサーボパターンを形成可能な露光パターンを描画し得る描画方法、並びに、サーボ情報を正確に読み出すことができるサーボパターンを形成し得る情報記録媒体製造用原盤の製造方法および情報記録媒体の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成すべく本発明に係る描画方法は、情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層に描画用ビームを照射して、当該凹凸パターンを形成するための露光領域および非露光領域で構成された露光パターンを当該樹脂層に描画する際に、当該樹脂層が形成された基材を回転させつつ、当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを前記樹脂層に照射することで前記露光領域における当該基材の半径方向の一部を描画する部分描画処理と、前記部分描画処理による描画位置を前記基材の回転中心に接近する方向および当該回転中心から離間する方向のいずれかに変更する描画位置変更処理とを複数回実行する描画方法であって、前記露光パターンのうちの位相サーボパターンにおける前記回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンをそれぞれ描画する際に、当該両パターンを構成する複数の当該露光領域および複数の当該非露光領域のうちの当該回転方向で並ぶ一組の当該露光領域および当該非露光領域の各半径位置毎の当該回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、前記両パターンのうちの一方の前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度と、前記両パターンのうちの他方の前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの総照射量を当該第１の長さで除した第１の値が、同一の半径位置において、前記両パターンのうちの前記サーボトラック内の前記交差角度が小さいパターンよりも、当該両パターンのうちの当該サーボトラック内の前記交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１２】
なお、本明細書における「露光パターン」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、描画を完了した後の現像処理によって基材上から樹脂層が消失する領域の平面パターンを意味し、ネガ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、現像処理によって基材上に樹脂層が残留する領域の平面パターンを意味する。
【００１３】
また、本発明に係る描画方法は、前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を当該第１の長さで除した第２の値が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１４】
また、本発明に係る描画方法は、前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を当該第１の長さで除した第３の値が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さいパターンよりも、前記交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。なお、本明細書においては、「対象とする露光領域を描画するための部分描画処理の実行回数」を「描画パス数」という。したがって、「１描画パス当り」とは、「１つの露光領域を描画するための１回の部分描画処理当り」を意味する。
【００１５】
さらに、本発明に係る描画方法は、前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの描画パス数が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。この場合、本明細書における「描画パス数」が上記した通りのため、例えば、描画対象パターンを構成する露光領域における２つのサーボトラック分の領域を３回の部分描画処理によって描画する場合、この露光領域における１つのサーボトラック分の領域を描画するための描画パス数は、１．５となる。
【００１６】
また、本発明に係る描画方法は、前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記回転方向の下流側に向かっての当該描画用ビームの偏向速度が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する。
【００１７】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法は、上記のいずれかの描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する。
【００１８】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法は、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造する。
【００１９】
なお、「凹凸パターンを使用する」との処理は、具体的には、「凹凸パターンの物理的形状を任意の材料に転写する処理」や、「凹凸パターンを利用した磁気転写処理によって凹凸パターンにおける凸部（または凹部）の平面パターンに対応する磁化パターンを転写する処理」を意味する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る描画方法では、露光パターンのうちの位相サーボパターンにおける回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンをそれぞれ描画する際に、両パターンを構成する複数の露光領域および複数の非露光領域のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域および非露光領域の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、両パターンのうちの一方の露光領域における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度と、両パターンのうちの他方の露光領域における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの総照射量を第１の長さで除した第１の値が、同一の半径位置において、両パターンのうちのサーボトラック内の交差角度が小さいパターンよりも、両パターンのうちのサーボトラック内の交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する。
【００２１】
具体的には、角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内に描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を第１の長さで除した第２の値が、同一の半径位置において、交差角度が小さいパターンよりも、交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内に描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を第１の長さで除した第３の値が、同一の半径位置において、交差角度が小さいパターンよりも、交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの描画パス数が、同一の半径位置において、交差角度が小さいパターンよりも、交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法と、角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける第１の長さの範囲内への描画用ビームの照射時における回転方向の下流側に向かっての描画用ビームの偏向速度が、同一の半径位置において、交差角度が小さいパターンよりも、交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように部分描画処理および描画位置変更処理を実行する描画方法とのいずれか、または、これらの描画方法を任意に組み合わせて露光パターンを描画する。
【００２２】
したがって、本発明に係る描画方法によれば、回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンを構成する露光領域の半径方向に対する交差角度の同一半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、半径方向に対する交差角度が大きい露光領域で構成される一方を描画すべき部位に対して、半径方向に対する交差角度が小さい露光領域で構成される一方を描画すべき部位と同様に十分な量の描画用ビームを照射することができる。これにより、この描画方法によれば、上記の角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、両位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度が大きい一方における露光領域の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度が小さい一方における露光領域の回転方向と同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている露光パターンを描画することができるため、描画した露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンにおいて上記の両位相サーボ部のパターンに対応する部位の凹部や凸部の回転方向に沿った長さを、それぞれ各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【００２３】
また、本発明に係る情報記録媒体製造用原盤の製造方法によれば、上記のいずれかに記載の描画方法に従って樹脂層に露光パターンを描画した後に樹脂層に対して所定の処理を実行して凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造することにより、露光パターンに対応して情報記録媒体製造用原盤に形成される凹凸パターンや、その情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される他の情報記録媒体製造用原盤の凹凸パターンにおいて、上記の両パターンに対応して形成される一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度が大きいパターン構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターン構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。これにより、製造した情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される他の情報記録媒体製造用原盤や、製造した情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体の凹凸パターンにおいて、上記の両パターンに対応する一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける凸部および凹部の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターンにおける凸部および凹部の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。
【００２４】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法によれば、上記の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造することにより、情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体のサーボパターン（凹凸パターン）において上記の両位相サーボ部のパターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける凸部および凹部の回転方向に沿った長さや、情報記録媒体製造用原盤を使用して製造される情報記録媒体のサーボパターン（磁化パターン）において上記の両位相サーボ部のパターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける磁化領域の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターンと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】電子ビーム描画装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】露光パターンを描画する基材１０の断面図である。
【図３】磁気ディスク１５におけるデータ記録領域Ａｔおよびサーボ領域Ａｓと磁気ヘッド１６との関係について説明するための説明図である。
【図４】電子ビーム描画装置１によって描画する露光パターンＰの平面図である。
【図５】露光パターンＰの外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図６】露光パターンＰの中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図７】露光パターンＰの内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）について説明するための説明図である。
【図８】露光パターンＰの外周領域ＡｐｏにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図９】露光パターンＰの中周領域ＡｐｃにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１０】露光パターンＰの内周領域ＡｐｉにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）について説明するための説明図である。
【図１１】交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１（一例として、外周領域Ａｐｏにおける位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ）の描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図１２】交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１（一例として、外周領域Ａｐｏにおける位相サーボ部のパターンＰＳ５ｂ）の描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図１３】図１４を参照して説明する位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法について説明するための説明図である。
【図１４】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図１５】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の他の一例について説明するための説明図である。
【図１６】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図１７】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図１８】位相サーボパターンＰＳ５における位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法のさらに他の一例について説明するための説明図である。
【図１９】実施例１および比較例１の露光パターンの位相サーボ部における両パターンの露光領域の回転方向に沿った長さの設計値（本来的な長さ）と、実測値（現像処理後の凹部の回転方向に沿った長さ）との差について説明するための説明図である。
【図２０】露光パターンＰを描画した基材１０を現像して凹凸パターン２１を形成した状態の原盤１１の断面図である。
【図２１】原盤１１の凹凸パターン２１に成膜層１２ａおよび電解ニッケル層１２ｂを順に形成してスタンパー１２を作製した状態の断面図である。
【図２２】スタンパー１２を使用してインプリント法によって磁気ディスク１５を製造する工程を示す中間体１５ｍおよびスタンパー１２の断面図である。
【図２３】スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写した状態の中間体１５ｍの断面図である。
【図２４】凹凸パターン２３が形成された樹脂層１５ｃをマスクとして用いて記録層１５ｂをエッチングした状態の磁気ディスク１５の断面図である。
【図２５】磁気ディスク３５の製造に際してスタンパー３２，３２を使用して中間体３５ｍにサーボパターンを磁気転写している状態の断面図である。
【図２６】交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１ａｘの描画方法の一例について説明するための説明図である。
【図２７】交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１ｂｘの描画方法の一例について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る描画方法、情報記録媒体製造用原盤の製造方法、および情報記録媒体の製造方法の実施の形態について説明する。
【００２７】
最初に、電子ビーム描画装置１の構成、および電子ビーム描画装置１によって描画した露光パターンを使用して製造されるスタンパー１２，３２や磁気ディスク１５，３５の構成について、図面を参照して説明する。
【００２８】
電子ビーム描画装置１（以下、「描画装置１」ともいう）は、図１に示すように、Ｘ−Ｙ移動機構２、ターンテーブル３、ビーム発生部４、ブランキング制御部５、ビーム成形部６、ビーム偏向器７、制御部８および記憶部９を備えて構成されている。この描画装置１は、後述する描画方法に従って電子ビームＥＢ（「描画用ビーム」の一例）を照射することにより、図４に示す露光パターンＰなどの各種露光パターンを基材１０に描画可能に構成されている。
【００２９】
この場合、基材１０は、スタンパー１２（図２１，２２参照）や、スタンパー３２（図２５参照）を製造するための原盤１１（「情報記録媒体製造用原盤」の一例：図２０参照）を製作するための板体であって、図２に示すように、円板状のＳｉウエハ１０ａの表面に、厚み５０ｎｍ程度の樹脂層１０ｂ（一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布して形成したレジスト層）が形成されて構成されている。また、図２０に示すように、基材１０を用いて製作される原盤１１は、後述するようにして描画装置１によって基材１０の樹脂層１０ｂに描画された露光パターンＰ等を現像して形成した凹凸パターン２１（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例）を備えている。
【００３０】
また、スタンパー１２は、パターンド型の磁気ディスク１５（図２４参照）を製造するための原盤（「情報記録媒体製造用原盤」の他の一例である「インプリント用スタンパー」の一例）であって、図２１，２２に示すように、原盤１１の凹凸パターン２１をスタンパー形成材料に転写することによって形成した凹凸パターン２２（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の一例）を備えている。さらに、スタンパー３２は、連続記録層型の磁気ディスク３５（図２５参照）を製造するための原盤（「情報記録媒体製造用原盤」のさらに他の一例である「磁気転写用スタンパー」の一例）であって、図２５に示すように、原盤１１の凹凸パターン２１をスタンパー形成材料に転写することによって形成した凹凸パターン４２（「情報記録媒体製造用の凹凸パターン」の他の一例）を備えている。
【００３１】
また、スタンパー１２を使用して製造される磁気ディスク１５は、「情報記録媒体」の一例であって、図２４に示すように、突端部側が磁性材料（記録層１５ｂ）で形成された複数の凸部と、隣り合う凸部の間の凹部とが形成されて、データトラックパターンやサーボパターンを構成する凹凸パターン２４が形成されている。なお、実際の磁気ディスク１５には、基材１５ａの裏面側にも凹凸パターン２４が形成されているが、発明についての理解を容易にするために、基材１５ａの裏面側の図示を省略する。この磁気ディスク１５は、磁気ディスク１５を回転させるモータや（図示せず）、磁気ディスク１５に対する記録データの記録再生を実行する磁気ヘッド１６（図３参照）などと共に筐体内に収容されて、記録再生装置（ハードディスクドライブ）を構成する。
【００３２】
この場合、図３に示すように、磁気ディスク１５には、データ記録領域Ａｔおよびサーボ領域Ａｓが回転方向（矢印Ｒの向き）で交互に並んで設けられて、データ記録領域Ａｔ内に上記の凹凸パターン２４によってデータトラックパターンが形成されると共に、サーボ領域Ａｓ内に上記の凹凸パターン２４によってサーボパターンが形成されている。なお、本明細書では、回転方向において並ぶ２つの「データ記録領域」によって挟まれた領域（１つの「データ記録領域」における回転方向に対して下流側の端部から、他の１つの「データ記録領域」における回転方向に対して上流側の端部までの間の領域）を「サーボ領域」とする。また、「データ記録領域」における回転方向側の端部は、そのデータ記録領域に形成された複数の「データ記録トラック」における回転方向側の各端部を連結した仮想線分と一致しているものとする。この場合、この磁気ディスク１５には、一例として、１トラックにつき（磁気ディスク１５の１周当りに）２００箇所のサーボ領域Ａｓが設けられている。
【００３３】
また、この磁気ディスク１５は、記録再生装置に搭載された状態において角速度一定で回転させられる。したがって、この磁気ディスク１５では、単位時間当たりに磁気ヘッド１６の下方を通過させられる磁気ディスク１５上の長さに比例して、データ記録領域Ａｔやサーボ領域Ａｓの回転方向に沿った長さがサーボパターンやデータトラックパターンの中心から離間するほど長くなるように規定されている。この結果、データ記録領域Ａｔ内に形成されたデータ記録トラック（凸部）における突端面の回転方向に沿った長さ、およびデータ記録領域Ａｔ内に形成されたトラック間凹部における開口部の回転方向に沿った開口長や、サーボ領域Ａｓ内に形成されたサーボパターン用の同種の各凸部における突端面の回転方向に沿った長さ、およびサーボパターン用の同種の各凹部の回転方向に沿った開口長は、磁気ディスク１５の内周側領域よりも外周側領域ほど長くなっている。
【００３４】
さらに、図３に示すように、磁気ディスク１５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッド１６は、回動中心１６ｏを中心として矢印Ｓの向きに回動させられるアーム１６ａの先端部（アーム１６ａの先端部に設けられたスライダの底面）に配設されている。したがって、このような磁気ヘッド１６を使用して磁気的信号の読出しや書込みが実行される磁気ディスク１５では、サーボパターンにスキュー角が付与がされている。この場合、各パターンに付与されるスキュー角は、一例として、中周領域Ａｃにおける中周部を中心として、外周領域Ａｏにおける外周側ほど大きく、かつ、内周領域Ａｉにおける内周側ほど大きくなるように規定されている。なお、本明細書においては、「スキュー角」に関して、ディスクの半径方向に対する角度成分で表現する。したがって、ディスクの半径方向と平行な方向のスキュー角を「スキュー角＝０°」という。
【００３５】
また、スタンパー３２を使用して製造される磁気ディスク３５は、「情報記録媒体」の他の一例であって、図２５に示すように、軟磁性層３５ｂ、配向層３５ｃおよび記録層３５ｄが基材３５ａの表裏両面にこの順でそれぞれ形成されると共に、スタンパー３２を使用した磁気転写処理によって両記録層３５ｄにサーボパターンが磁気的にそれぞれ転写されて構成されている。この磁気ディスク３５は、磁気ディスク３５を回転させるモータ（図示せず）や、磁気ディスク３５に対する記録データの記録再生を実行する磁気ヘッド（図示せず）などと共に筐体内に収容されて、記録再生装置（ハードディスクドライブ）を構成する。
【００３６】
この場合、磁気ディスク３５には、データ記録領域およびサーボ領域が回転方向で交互に並んで設けられて、サーボ領域内にサーボパターンが記録されて（磁化パターンが転写されて）いる。また、この磁気ディスク３５は、上記の磁気ディスク１５と同様にして、記録再生装置に搭載された状態において角速度一定で回転させられる。したがって、この磁気ディスク３５では、上記の磁気ディスク１５と同様にして、単位時間当たりに磁気ヘッドの下方を通過させられる磁気ディスク３５上の長さに比例して、データ記録領域やサーボ領域の回転方向に沿った長さがサーボパターンやデータトラックの中心から離間するほど長くなるように規定されている（図示せず）。この結果、サーボ領域内に記録されたサーボパターンにおける同種の各磁化領域の回転方向に沿った長さは、磁気ディスク３５の内周側領域よりも外周側領域ほど長くなっている。
【００３７】
さらに、磁気ディスク３５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッドは、磁気ディスク１５に対する磁気的信号の読出しや書込みを実行するための磁気ヘッド１６と同様にして、回動中心を中心として回動させられるアームの先端部（アームの先端部に設けられたスライダの底面）に配設されている（図示せず）。したがって、このような磁気ヘッドを使用して磁気的信号の読出しや書込みが実行される磁気ディスク３５では、サーボパターンにおける各磁化領域にスキュー角が付与がされている。
【００３８】
一方、Ｘ−Ｙ移動機構２は、制御部８の制御に従い、ターンテーブル３（回転機構）によって回転させられている基材１０の回転面に沿ってターンテーブル３を移動させる（「描画位置変更処理」の一例）。ターンテーブル３は、基材１０を載置可能に構成されると共に、制御部８の制御に従って基材１０を所定の回転速度で回転させる。また、ターンテーブル３は、その内部でテーブルの回転に同期して生成する信号に基づいて基材１０の回転に同期した基準信号Ｓ０を生成して、一例として、基材１０を一回転させる間に基準信号Ｓ０を複数回に亘って出力する。この場合、ターンテーブル３は、一例として、基材１０の一回転当りに、磁気ディスク１５の一周当りにおけるサーボ領域の数と同数の基準信号Ｓ０を出力する。
【００３９】
ビーム発生部４は、樹脂層１０ｂに露光パターンＰ等を描画するための電子ビームＥＢを生成して出力する。ブランキング制御部５は、ビーム発生部４と相俟って「ビーム照射部」を構成し、制御部８の制御に従い、ビーム発生部４からの電子ビームＥＢの出力をＯＮ／ＯＦＦ制御（ブランキング制御）する。ビーム成形部６は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ブランキング制御部５を通過した電子ビームＥＢを成形（細径化）する。この場合、この描画装置１では、その有効描画幅が露光パターンＰ等を構成する各露光領域Ａ１（図４参照）の半径方向に沿った幅や回転方向に沿った長さよりも十分に狭い電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰを描画する。
【００４０】
ビーム偏向器７は、制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを偏向することによって樹脂層１０ｂに対する照射位置を変化させる。この場合、この描画装置１では、後述するように、ビーム偏向器７が制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを基材１０の半径方向に偏向することで、「部分描画処理による描画位置」を基材１０の回転中心に接近する方向（または、回転中心から離間する方向）に変更する（「描画位置変更処理」の他の一例）。また、この描画装置１では、後述するように、露光パターンＰ等の一部の描画に際して、ビーム偏向器７が制御部８の制御に従って電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って偏向する処理を実行する。
【００４１】
制御部８は、記憶部９に記憶されている描画手順データＤＰに従い、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に基材１０を移動させると共に、ターンテーブル３を制御して所定の線速度で基材１０を回転させる。また、制御部８は、ターンテーブル３から出力される基準信号Ｓ０に応じて、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向器７を制御することにより、ターンテーブル３によって回転させられている基材１０の樹脂層１０ｂにおける所定の位置に電子ビームＥＢを照射させて、露光パターンＰ等を構成する露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する処理（「部分描画処理」の一例）を実行する。
【００４２】
記憶部９は、基材１０に描画すべき露光パターンＰ等の描画手順を特定可能な描画手順データＤＰを記憶する。この場合、描画手順データＤＰは、制御部８が描画装置１の各部を制御して、後述する「第１の描画方法」から「第３の描画方法」までの各描画方法のいずれか（または、複数の組み合わせ）によって露光パターンＰを描画するのに必要な情報で構成されている。具体的には、描画手順データＤＰには、描画処理時に基材１０をどのような回転速度で回転させるべきかを特定可能なデータと、基準信号Ｓ０が出力されてからブランキング制御部５に対して電子ビームＥＢの照射を開始させるまでの待機時間、および電子ビームＥＢの照射を停止させるまでの待機時間を各サーボパターン毎に特定可能な情報と、ビーム偏向器７によって電子ビームＥＢをどのように偏向すべきかを特定可能なデータと、移動機構２によってターンテーブル３をどのように移動させるべきかを特定可能なデータとが記録されている。
【００４３】
次に、描画装置１によって描画する露光パターンＰについて、図面を参照して説明する。
【００４４】
図４に示す露光パターンＰは、磁気ディスク１５を製造するためのスタンパー１２に形成すべき凹凸パターン２２や、磁気ディスク３５を製造するためのスタンパー３２に形成すべき凹凸パターン４２（すなわち、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１）に対応して露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２が規定されている。具体的には、本例では、原盤１１における凹凸パターン２１の各凹部（すなわち、スタンパー１２，３２における凹凸パターン２２，４２の各凸部）に対応して露光領域Ａ１が規定されると共に、原盤１１における凹凸パターン２１の各凸部（すなわち、スタンパー１２，３２における凹凸パターン２２，４２の各凹部）に対応して非露光領域Ａ２が規定されている なお、実際には、インプリント用のスタンパー１２を製造するために原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１と、磁気転写用のスタンパー３２を製造するために原盤１１に形成すべき凹凸パターン２１とは、スタンパー１２，３２に求められる機能に応じて相違する場合もあるが、本明細書では、「描画方法」や「製造方法」についての理解を容易とするために、これらを区別せずに説明する。
【００４５】
また、本明細書における「露光領域Ａ１」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂが形成されているこの例においては、描画を完了した後の現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層１０ｂが消失する領域と一致する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、現像処理によってＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層が残留する領域と一致する領域を意味する。さらに、本明細書における「非露光領域Ａ２」とは、描画用ビーム（この例では、電子ビームＥＢ）が照射されない領域だけでなく、上記の露光領域Ａ１に対する照射に伴って描画用ビームが僅かに照射されるものの、現像後において描画用ビームが照射されない領域と同様の状態となる領域を含む。具体的には、ポジ型のレジスト等で樹脂層１０ｂが形成されているこの例においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像後にＳｉウエハ１０ａ上に樹脂層１０ｂが残留する領域を意味し、樹脂層１０ｂに代えてネガ型のレジスト等で樹脂層を形成した場合においては、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像時にＳｉウエハ１０ａ上から樹脂層が消失する領域を意味する。
【００４６】
この場合、磁気ディスク１５，３５のサーボパターンは、一例として、プリアンブルパターン（オートゲインコントロールパターン）、サーボアドレスマークパターン（サーボマークパターン）、セクターアドレスパターン、トラックアドレスパターン、および位相サーボパターンが回転方向における上流側からこの順で形成されると共に、位相サーボパターンとデータ記録領域Ａｔとの間にはパッド領域が規定されて、一例として、プリアンブルパターンと同様のパターンがパッド領域用パターン（ポストアンブルパターン、ギャップパターン）として形成されている（図示せず）。また、磁気ディスク１５，３５の位相サーボパターンは、一例として、ディスクの半径方向に対する交差の向き（傾斜の向き）が互いに相違する一対のパターン（「位相サーボ部のパターン」：傾斜パターン）で構成されている（図示せず）。なお、パッド領域（パッド領域用パターンを形成する領域）については、位相サーボパターンとデータ記録領域Ａｔとの間（サーボパターンの回転方向における下流側の端部）に限定されず、例えば、トラックアドレスパターンと位相サーボパターンとの間に規定される場合もある。
【００４７】
一方、図４に示すように、スタンパー１２を製造するための露光パターンＰは、磁気ディスク１５の上記の各サーボパターンに対応して、基材１０の回転方向（矢印Ｒの向き）においてデータトラックパターンＰＴおよびサーボパターンＰＳが交互に並ぶように規定されている。また、スタンパー３２を製造するための露光パターンＰは、データトラックパターンＰＴが存在しない点を除き、スタンパー１２を製造するための露光パターンＰと同様にサーボパターンＰＳが規定されている。したがって、以下、主としてスタンパー１２を製造するための露光パターンＰの描画方法について説明する。
【００４８】
この場合、サーボパターンＰＳは、プリアンブルパターンＰＳ１、サーボアドレスマークパターンＰＳ２、セクターアドレスパターンＰＳ３、トラックアドレスパターンＰＳ４、位相サーボパターンＰＳ５（位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）およびパッド領域用パターンＰＳ６が回転方向における下流側からこの順で規定されている。なお、図４、および後に参照する図５〜１２では、各露光領域Ａ１を左下がりの斜線で塗り潰すと共に、各非露光領域Ａ２を白色で図示している。また、図４〜１０では、サーボトラックＳＴにおける半径方向の端部（半径方向において隣り合うサーボトラックＳＴ，ＳＴの境界）を破線で図示している。この場合、各サーボトラックＳＴの幅は、内周から外周までの全域において互いに等しい幅となっている。
【００４９】
また、この露光パターンＰに対応して形成される磁気ディスク１５，３５の各サーボパターンについては、前述したように、中周領域Ａｃの中周部から外周領域Ａｏの外周側に向かうほど大きく、また、中周領域Ａｃの中周部から内周領域Ａｉの内周側に向かうほど大きなスキュー角を付与する必要がある。このため、例えば、磁気ディスク１５，３５のサーボパターンに対応するサーボパターンＰＳの描画に際しては、外周領域における外周側ほど大きなスキュー角θ１を付与すると共に、内周領域における内周側ほど大きなスキュー角θ１を付与して各パターンＰＳ１〜ＰＳ６の露光領域Ａ１を描画する必要がある。
【００５０】
この場合、図２６に示すように、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１ａｘについては、原盤の回転方向（同図に示す矢印Ｒの向き）に沿って、例えば、原盤の１回転目に開始位置Ｐ１Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームを照射し、原盤の２回転目以降において、開始位置Ｐ２Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ２Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームをそれぞれ照射したときに、原盤の２回転目以降に生じる多重露光に起因して、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘの近傍や、停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘの近傍（すなわち、回転方向の端部領域）についても十分な露光状態となる。これに対して、図２７に示すように、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１ｂｘについては、上記の露光領域Ａ１ａｘの描画時と同様に開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘから停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘまで長さＬｘに亘って電子ビームをそれぞれ照射したときに、各帯状領域の位置を原盤の回転方向に沿って大きく変更していることに起因して、開始位置Ｐ１Ｓｘ〜Ｐ４Ｓｘの近傍や、停止位置Ｐ１Ｅｘ〜Ｐ４Ｅｘの近傍（すなわち、回転方向の端部領域）において、原盤の２回転目以降に生じる多重露光の影響が小さくなる可能性がある。
【００５１】
一方、本例の露光パターンＰ（サーボパターンＰＳ）は、図６，９に示すように、付与すべきスキュー角θ１が０°の中周領域Ａｐｃの中周部において、位相サーボパターンＰＳ５における両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の回転方向と交差する両辺が基材１０の半径方向に対して互いに等しい交差角度θ２（一例として、交差角度θ２＝５２．６°）でそれぞれ交差するように斜めに描画される。この場合、位相サーボパターンＰＳ５は、パターンＰＳ５ａを構成する各露光領域Ａ１および各非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２のそれぞれの回転方向に沿った長さの比と、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１および各非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２のそれぞれの回転方向に沿った長さの比とが互いに等しくなっている。なお、本例の位相サーボパターンＰＳ５におけるパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂは、同一半径位置における露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが互いに等しく、かつ、同一半径位置における非露光領域Ａ２の回転方向に沿った長さが互いに等しくなるように（すなわち、露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さと非露光領域Ａ２の回転方向に沿った長さとの合計長である「第１の長さ」が同一半径位置において等しくなるように）描画される。
【００５２】
また、本例の露光パターンＰでは、図５，８、および図７，１０に示すように、回動中心１６ｏを中心として回動させられる磁気ヘッド１６の軌跡に合わせて、上記の中周領域Ａｐｃにおける中周部を中心として、サーボパターンＰＳに対して付与されるスキュー角θ１の傾斜の向きが相違している。このため、図５〜７に示すように、回転方向の上流側から下流側に向かうほど外周側に位置するように露光領域Ａ１が斜めに描画されるパターンＰＳ５ａでは、内周領域Ａｐｉの内周側ほど上記の交差角度θ２がやや大きくなり（外周領域Ａｐｏの外周側ほど交差角度θ２がやや小さくなり）、図８〜１０に示すように、回転方向の上流側から下流側に向かうほど内周側に位置するように露光領域Ａ１が斜めに描画されるパターンＰＳ５ｂでは、外周領域Ａｐｏの外周側ほど上記の交差角度θ２が大きくなる（内周領域Ａｐｉの内周側ほど交差角度θ２が小さくなる）。
【００５３】
したがって、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画に際して、外周領域Ａｐｏから内周領域Ａｐｉまでの全域において、１つのサーボトラックＳＴにおける「回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長（第１の長さ）」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、同一半径位置の両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおいて互いに等しくなるように位相サーボパターンＰＳ５を描画したとき（露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが同一半径位置において等しいパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画する例においては、同一半径位置における電子ビームＥＢの照射距離が互いに等しくなるように各半径位置毎に照射距離を規定して位相サーボパターンＰＳ５を描画したとき：以下、このような描画については、「第１の値が互いに等しくなるように照射量を規定して描画したとき」ともいう）には、露光領域Ａ１における回転方向と交差する両辺の近傍（回転方向の端部領域）における多重露光の影響の度合いが、回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２の相違に応じてパターンＰＳ５ａおよびパターンＰＳ５ｂの間で相違する半径位置が生じることとなる。なお、本明細書では、対象物に照射される電子ビームＥＢの電流値に、電子ビームＥＢの照射時間を乗じた値を「電子ビームＥＢの総照射量」とする。
【００５４】
このため、同一半径位置のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂについての第１の値が互いに等しくなるように各半径位置毎（各サーボトラックＳＴ毎）に照射量を規定して位相サーボパターンＰＳ５を描画したときに、同一半径位置のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２が互いに等しい中周領域Ａｐｃにおける中周部においては、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが互いに等しくなる。これに対して、同一半径位置のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２が互いに相違する外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉ、および中周領域Ａｐｃにおける外周領域Ａｐｏ側や中周領域Ａｐｃにおける内周領域Ａｐｉ側の部位においては、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１のうちの回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１のうちの回転方向と交差する両辺の半径方向に対する交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さよりも短くなる（その露光領域Ａ１で構成されるパターンにおける半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短くなる）。
【００５５】
この結果、第１の値が互いに等しくなるように照射量を規定して位相サーボパターンＰＳ５を描画したときには、パターンＰＳ５ｂの外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（長さＬ１ｏ＋長さＬ２ｏ：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合が、パターンＰＳ５ａの外周領域Ａｐｏにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｏ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｏの割合よりも小さくなる現象が生じる。
【００５６】
また、パターンＰＳ５ａの内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（長さＬ１ｉ＋長さＬ２ｉ：「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合が、パターンＰＳ５ｂの内周領域Ａｐｉにおいて基材１０の回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の回転方向に沿った合計長である長さＬ３ｉ（「第１の長さ」）に占める露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さＬ１ｉの割合よりも小さくなる現象が生じる。つまり、このような描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画したときには、外周領域Ａｐｏや内周領域Ａｐｉにおいて、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの交差角度θ２が大きい一方の露光領域Ａ１における回転方向に沿った長さが、その露光領域Ａ１で構成されるパターンにおける半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さよりも短い位相サーボパターンＰＳ５が描画されることとなる。
【００５７】
したがって、この電子ビーム描画装置１による露光パターンＰの描画に際しては、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの一方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２と、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの他方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置（例えば、最外周の半径位置）を含む領域内（例えば、交差角度θ２の差の絶対値が１０°以上の領域）において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、同一の半径位置において、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ（この例では、外周領域ＡｐｏのパターンＰＳ５ａ）よりも、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ（この例では、外周領域ＡｐｏのパターンＰＳ５ｂ）の方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を交互に実行する。
【００５８】
次いで、描画装置１による露光パターンＰの描画方法について、図面を参照して説明する。
【００５９】
露光パターンＰの描画に際しては、まず、樹脂層１０ｂの形成面を上向きにして基材１０をターンテーブル３の上に載置する。この状態において、描画処理の開始が指示されると、制御部８は、まず、描画手順データＤＰに従い、ターンテーブル３を制御して、定められた回転速度で基材１０を回転させる。次いで、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３を基材１０の載置面に沿って移動させることで基材１０を移動させて、基材１０に対する露光パターンＰの描画開始位置がビーム発生部４の下方に位置するように位置決めする。この場合、この描画装置１では、一例として、その外周領域Ａｐｏから露光パターンＰの描画を開始する。したがって、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御して、基材１０の外周部がビーム発生部４の下方に位置するように半径方向の位置決めを行う。次に、制御部８は、ターンテーブル３によって基準信号Ｓ０が出力されたか否かを監視すると共に、基準信号Ｓ０が出力されたときには、描画手順データＤＰに従い、データトラックパターンＰＴおよびサーボパターンＰＳにおける外周側の一部の描画を開始する。
【００６０】
この際に、制御部８は、一例として、基準信号Ｓ０が出力された時点から露光パターンＰにおいて最初に描画すべき露光領域Ａ１の描画を開始する時点が到来するまでの時間だけ待機した後に、ブランキング制御部５に電子ビームＥＢのＯＮ／ＯＦＦ制御を開始させる。同時に、制御部８は、ビーム偏向器７を制御して、描画すべき露光領域Ａ１に応じて電子ビームＥＢを偏向させる。これにより、露光領域Ａ１とすべき部位に電子ビームＥＢが照射されて露光パターンＰにおける半径方向の一部が描画される（「部分描画処理」の一例）。この後、制御部８は、露光パターンＰにおける２つ目以降の露光領域Ａ１についても同様にして描画することにより、露光パターンＰにおける外周側の一部（半径方向の一部）を基材１０の１回転に亘って描画する。
【００６１】
次いで、制御部８は、基材１０の２回転目において、露光パターンＰにおける各露光領域Ａ１の最外周部よりも内周側の部位を描画する（「基材の回転中心に接近する方向」に描画位置を変更する描画方法の一例）。なお、内周領域Ａｐｉから露光パターンＰの描画を開始した場合には、基材１０の２回転目において、露光パターンＰにおける各露光領域Ａ１の最内周部よりも外周側の部位を描画する（「基材の回転中心から離間する方向」に描画位置を変更する描画方法の一例）。この際に、制御部８は、描画手順データＤＰに従ってビーム偏向器７を制御して、電子ビームＥＢの照射位置（「部分描画処理」の描画位置）を基材１０の１回転目における照射位置よりも内周側に移動させる（「描画位置変更処理」の一例）。これにより、露光パターンＰにおける最外周部よりも内周側の一部（半径方向の他の一部）が基材１０の１回転に亘って描画される。この後、制御部８は、基材１０の３回転目以降においても、上記の２回転目の描画処理と同様にして露光パターンＰの各露光領域Ａ１における半径方向の一部を描画する処理を繰り返して実行する。これにより、各露光領域Ａ１を描画すべき領域の外周側から内周側までの全域に対する電子ビームＥＢの照射が完了し、露光パターンＰが描画される。
【００６２】
この場合、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの一方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２と、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの他方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、同一の半径位置において、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が小さいパターンよりも、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるとの条件を満たすには、一例として、次の各描画方法のうちのいずれか、または、複数の描画方法を組み合わせて露光パターンＰ（サーボパターンＰＳ）を描画すればよい。
【００６３】
第１の描画方法では、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値」が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行するとの描画方法の一例として、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値」が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。
【００６４】
具体的には、パターンＰＳ５ａやパターンＰＳ５ｂ内の１つの露光領域Ａ１を描画するための「部分描画処理」に際して、基材１０（樹脂層１０ｂ）に対して電子ビームＥＢを１回照射する描画方法（１回の「部分描画処理」に対応させて、電子ビームＥＢの照射を開始すべき開始位置、および電子ビームＥＢの照射を停止すべき停止位置をそれぞれ１箇所ずつ規定している描画方法：１回の「部分描画処理」において電子ビームＥＢを連続的に照射する描画方法）では、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置（外周領域Ａｐｏの最外周部や、内周領域Ａｐｉの最内周部の半径位置）を含む領域内において、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの交差角度θ２が大きい一方の描画時における回転方向に沿った電子ビームＥＢの照射距離の方が、交差角度θ２が小さい一方の描画時における回転方向に沿った電子ビームＥＢの照射距離よりも長くなるように電子ビームＥＢの照射開始位置や照射停止位置をそれぞれ規定して基材１０（樹脂層１０ｂ）に電子ビームＥＢを照射する。
【００６５】
この第１の描画方法の一例を図１１，１２を参照してさらに具体的に説明する。この場合、両図は、位相サーボパターンＰＳ５において両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの交差角度θ２の角度差が最大となる外周領域Ａｐｏにおける同一半径位置のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画する際の手順を例示したものであり、図１１は、パターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１（交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１の一例）の描画手順を示し、図１２は、パターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１（交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１の一例）の描画手順を示している。図１１に示すように、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａを構成する露光領域Ａ１の描画については、開始位置Ｐ１Ｓａ〜Ｐ４Ｓａから停止位置Ｐ１Ｅａ〜Ｐ４Ｅａまで原盤の回転方向に沿って長さＬａだけ電子ビームＥＢを照射する。また、図１２に示すように、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂを構成する露光領域Ａ１の描画については、開始位置Ｐ１Ｓｂ〜Ｐ４Ｓｂから停止位置Ｐ１Ｅｂ〜Ｐ４Ｅｂまで原盤の回転方向に沿って上記の長さＬａよりも長い長さＬｂだけ電子ビームＥＢを照射する。これにより、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さと同様にして、半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さＬ１となる。なお、本例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの両露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが互いに等しい長さＬ１となる。
【００６６】
この場合、図１４，１５は、この第１の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。なお、図１４〜１８では、各半径領域の代表の半径位置を最左部に示している。例えば、図１４におけるパターンＰＳ５ａ（エリアＡ）の「半径位置２６．５ｍｍ（２６．５〜２７．０ｍｍ）」についての描画手順を示す行は、「スキュー角」、「半径方向に対する交差角度」、「※３：一組の露光領域および非露光領域の回転方向に沿った合計長」、「１描画パス当りの照射時間」、「１描画パス当りの照射距離」、「１サーボトラック当りの照射量」および「※９：交差角度の差の絶対値」が、「半径位置２６．５ｍｍ」の半径位置に固有の値で、その他の値については、「半径位置２６．５〜２７．０ｍｍ」の範囲において共通していることを示している。
【００６７】
また、例えば、図１４，１５に示す描画方法の例においては、半径位置＝２７．０ｍｍが、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大の半径位置となっており、この例では、この半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２１．８〜２７．０ｍｍの範囲（交差角度θ２の角度差がある程度大きな領域）が「角度差が最大の半径位置を含む領域」に相当する。この場合、上記の半径位置＝２１．８〜２７．０ｍｍの範囲においては、パターンＰＳ５ａが「交差角度が小さいパターン」に相当し、パターンＰＳ５ｂが「交差角度が大きいパターン」に相当する。
【００６８】
また、図１４，１５の例では、半径位置＝１５．５ｍｍも、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が、上記の半径位置＝２７．０ｍｍにおける交差角度θ２の角度差と同程度となっている。したがって、図１４の例では、半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１９．０ｍｍの範囲（交差角度θ２の角度差がある程度大きな領域）も「角度差が最大の半径位置を含む領域」と同様に位相サーボパターンＰＳ５が描画される。この場合、上記の半径位置＝１５．５〜１９．０ｍｍの範囲においては、パターンＰＳ５ｂが「交差角度が小さいパターン」であり、パターンＰＳ５ａが「交差角度が大きいパターン」である。なお、後に説明する図１６，１８の例においても、「角度差が最大の半径位置を含む領域」、「交差角度が小さいパターン」および「交差角度が大きいパターン」は、図１４の例における位相サーボパターンＰＳ５と同様となっている。
【００６９】
この場合、図１４，１５の例では、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ（「※３」の長さ：図５，８に示す長さＬ３ｏや、図７，１０に示す長さＬ３ｉ等）」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値（「※６」の４倍（４パス分）の値）」に関し、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなるように描画条件が規定されている。
【００７０】
また、両図の例では、１つのサーボトラックＳＴにおける上記の「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を「第１の長さ」で除した「第３の値（同図に示す「※６」の値）」に関し、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなるように描画条件が規定されている。
【００７１】
これにより、これらの例では、上記の「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置を含む領域」内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（「※７」の値）」が、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなっている。この結果、図１３に示すように、この例では、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける上記の「第１の値」の差の絶対値（「※８」の値）が、交差角度θ２の角度差の絶対値（「※９」の値）の大きさに応じて多段階に相違している。なお、図１３は、図１４に示す例についての値を図示している。
【００７２】
また、パターンＰＳ５ａやパターンＰＳ５ｂ内の１つの露光領域Ａ１を描画するための「部分描画処理」に際して、基材１０（樹脂層１０ｂ）に対して電子ビームＥＢを複数回照射する描画方法（１回の「部分描画処理」に対応させて開始位置および停止位置をそれぞれ２箇所以上の複数箇所規定している描画方法：１回の「部分描画処理」において電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って断続的に照射する描画方法）では、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置（外周領域Ａｐｏの最外周部や、内周領域Ａｐｉの最内周部の半径位置）を含む領域内において、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの交差角度θ２が大きい一方の描画時における回転方向に沿った電子ビームＥＢの照射距離の合計長の方が、交差角度θ２が小さい一方の描画時における回転方向に沿った電子ビームＥＢの照射距離の合計長よりも長くなるように電子ビームＥＢの照射開始位置や照射停止位置をそれぞれ規定して基材１０（樹脂層１０ｂ）に電子ビームＥＢを照射する。
【００７３】
この場合、図１６は、この第１の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例においても、上記の例と同様にして、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａを構成する各露光領域Ａ１の描画時における「第２の値」や「第３の値」よりも、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の描画時における「第２の値」や「第３の値」の方が大きくなるように描画条件が規定され、これにより、前述した条件が満たされている。
【００７４】
一方、第２の描画方法では、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内に電子ビームＥＢを照射するビーム照射距離の合計長を「第１の長さ」で除した「第２の値」が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行するとの描画方法の他の一例として、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの描画パス数が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。
【００７５】
具体的には、この第２の描画方法では、一例として、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂにおける露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置（外周領域Ａｐｏの最外周部や、内周領域Ａｐｉの最内周部の半径位置）を含む領域内において、同一半径位置の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの交差角度θ２が小さい一方の露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴの範囲を描画パス数＝Ｎ回で描画するときに、交差角度θ２が大きい一方の露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴの範囲を描画パス数＝Ｎ回よりも多数回で描画する。
【００７６】
この場合、図１７は、この第２の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、半径位置＝２７．０ｍｍが、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が最大の半径位置となっており、この半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２５．５〜２７．０ｍｍの範囲が「角度差が最大の半径位置を含む領域」に相当する。また、上記の半径位置＝２５．５〜２７．０ｍｍの範囲においては、パターンＰＳ５ａが「交差角度が小さいパターン」に相当し、パターンＰＳ５ｂが「交差角度が大きいパターン」に相当する。また、この例では、半径位置＝１５．５ｍｍもパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の交差角度θ２の角度差が、上記の半径位置＝２７．０ｍｍにおける交差角度θ２の角度差と同程度となっており、この半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲も「角度差が最大の半径位置を含む領域」と同様に位相サーボパターンＰＳ５が描画される。この場合、上記の半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲においては、パターンＰＳ５ｂが「交差角度が小さいパターン」であり、パターンＰＳ５ａが「交差角度が大きいパターン」である。
【００７７】
この例では、上記の半径位置＝２５．５〜２７．０ｍｍの範囲においては、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４．５回で描画しているのに対して、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝５回で描画するように描画条件が規定されている。また、上記の半径位置＝１５．５〜１８．３ｍｍの範囲においては、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４回で描画しているのに対して、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１における１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画パス＝４．５回で描画するように描画条件が規定されている。この例では、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の描画パス数を各半径位置毎に同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。
【００７８】
これにより、この例においても、上記の「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置を含む領域」内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（「※７」の値）」が、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなっている。
【００７９】
また、第３の描画方法では、「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置」を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの照射時における回転方向の下流側に向かっての電子ビームＥＢの偏向速度が、同一の半径位置において、交差角度θ２が小さいパターンよりも、交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。具体的には、この第３の描画方法では、交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１の描画時における「部分描画処理」に際して、基材１０の回転に合わせて樹脂層１０ｂを追い掛けるようにして電子ビームＥＢを基材１０の回転方向に沿って偏向しつつ照射することで、基材１０（樹脂層１０ｂ）の単位長さ当りに対する電子ビームＥＢの照射時間を長くして、その単位長さ当りの樹脂層１０ｂへの電子ビームＥＢの照射量を多くする。
【００８０】
より具体的には、交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１の描画時における「部分描画処理」に際しては、一例として、ビーム偏向器７によって電子ビームＥＢを回転方向における上流側に向けて偏向した状態で基材１０（樹脂層１０ｂ）に対する電子ビームＥＢの照射を開始する。次いで、基材１０の回転に伴って樹脂層１０ｂが回転方向における下流側に向かって移動するのに合わせて電子ビームＥＢを基材１０の回転方向における下流側に向かって偏向し、規定された時間が経過したときに照射を停止する。このような描画方法を採用することで、例えば、電子ビームＥＢを照射している基材１０上の距離が、交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１の描画時における「部分描画処理」の際の電子ビームＥＢの照射距離と同じであっても、交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１を描画すべき領域に多くの電子ビームＥＢが照射されることとなる。
【００８１】
この場合、図１８は、この第３の描画方法に従って位相サーボパターンＰＳ５を描画する際の具体的な描画手順の一例を表す図である。この例では、パターンＰＳ５ａを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の「回転方向の下流側への電子ビームＥＢの偏向速度（ｍｍ／ｓｅｃ）：「※１」の値」や、パターンＰＳ５ｂを構成する各露光領域Ａ１の１つのサーボトラックＳＴ分の範囲を描画する際の「回転方向の下流側への電子ビームＥＢの偏向速度（ｍｍ／ｓｅｃ）：「※１」の値」を同図に示すように多段階に規定することで、前述した条件を満たしている。
【００８２】
具体的には、この例では、例えば、交差角度θ２の角度差が最大の半径位置＝２７．０ｍｍを含む半径位置＝２６．５〜２７．０ｍｍの範囲において、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１の描画時には、電子ビームＥＢを回転方向の下流側に向けて２０ｍｍ／ｓｅｃで偏向しつつ照射するのに対し、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の描画時には、電子ビームＥＢを回転方向の下流側に向けて２７０ｍｍ／ｓｅｃで偏向しつつ照射するように描画条件が規定されている。また、交差角度θ２の角度差が上記の半径位置＝２７．０ｍｍと同様に大きい半径位置＝１５．５ｍｍを含む半径位置＝１５．５〜１６．５ｍｍの範囲において、交差角度θ２が小さいパターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の描画時には、電子ビームＥＢを回転方向に沿って偏向させずに照射するのに対し、交差角度θ２が大きいパターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１の描画時には、電子ビームＥＢを回転方向の下流側に向けて７０ｍｍ／ｓｅｃで偏向しつつ照射するように描画条件が規定されている。
【００８３】
これにより、この例においても、上記の「交差角度θ２の角度差が最大となる半径位置を含む領域」内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値（「※７」の値）」が、交差角度θ２が小さいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ａで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ｂ）よりも、交差角度θ２が大きいパターン（外周領域ＡｐｏにおいてはパターンＰＳ５ｂで、内周領域ＡｐｉにおいてはパターンＰＳ５ａ）の方が大きくなっている。
【００８４】
このような「第１の描画方法」から「第３の描画方法」のうちのいずれか、または、複数を任意に組み合わせて実行することで、第１の値が互いに等しくなるように照射量を規定して描画したときに、交差角度θ２が大きな露光領域Ａ１についても、交差角度θ２が小さな露光領域Ａ１と同様にして、回転方向の長さが、半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さとなることが確認された。
【００８５】
具体的には、一例として、図１９に示すように、上記の図１４の描画方法の例における２７．０ｍｍの半径位置において、パターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１に対してパターンＰＳ５ａの場合と同じ照射距離に亘って電子ビームＥＢを照射した場合には（比較例１）、パターンＰＳ５ａの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さは、設計値＝１７３ｎｍに対して、実測値＝１７４ｎｍとなるのに対し、パターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さは、設計値＝１７３ｎｍに対して実測値＝１２２ｎｍとなった。これに対して、同図に示すように、上記の図１４の描画方法の例に従ってパターンＰＳ５ｂの２７．０ｍｍの半径位置において描画条件を規定した場合には（実施例１）、パターンＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さの双方が、設計値＝１７３ｎｍに対して実測値＝１７４ｎｍとなった。
【００８６】
なお、同図に示す実施例１、および比較例１では、Ｓｉウエハの表面に、日本ゼオン製の「ＺＥＰ５２０Ａ」を厚み５０ｎｍとなるように塗布して樹脂層を形成した基材をそれぞれ使用すると共に、現像液として日本ゼオン製の「ＺＥＤ−Ｎ５０」を使用して、現像温度：２０℃、現像時間：６０秒の条件で現像処理を実施した。また、同図では、露光パターンの描画が完了した基材（樹脂層）に対する現像処理によって樹脂層に形成される凹部の回転方向に沿った長さの実測値を露光領域の「実測値」として記載している。
【００８７】
この場合、図１４，１６〜１８に示すパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の例では、交差角度θ２の差の絶対値が大きくなるにつれて（小さくなるにつれて）、「第１の値の差の絶対値（各図に示す「※８」の値）」が段階的に大きくなるように（小さくなるように）、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を変化させてパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画している。つまり、これらの描画方法の例では、描画すべきパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂについて、外周側から内周側までの全域を、「第１の値の差の絶対値」が実質的に等しい複数の半径領域（１サーボトラック以上の幅の領域）に分けて、各領域毎の露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の差の絶対値の大きさに応じて「第１の値の差の絶対値」を段階的に変化させて規定する方法が採用されている。これにより、描画すべきパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１について、外周側から内周側までの全域において、それぞれ半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さ（本例では、同一半径位置において互いに等しい長さ、または、ほぼ等しい長さ）とすることができる。
【００８８】
また、図１５に示すパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの描画方法の例においても、１９．０〜２１．８ｍｍの半径位置の領域を除き、図１４の例と同様にして、交差角度θ２の差の絶対値が大きくなるにつれて（小さくなるにつれて）、「第１の値の差の絶対値（各図に示す「※８」の値）」が段階的に大きくなるように（小さくなるように）、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を変化させてパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを描画している。この場合、この図１５に示す例における上記の１９．０〜２１．８ｍｍの半径位置の領域は、交差角度θ２の差が比較的小さいため、「第１の値の差の絶対値」が交差角度θ２の差の絶対値に応じて段階的に大きくなるように描画しなくても、パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂの露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さを、それぞれ半径位置毎の回転方向に沿った基準の長さに対して比例する本来的な長さ（本例では、同一半径位置において互いに等しい長さ、または、ほぼ等しい長さ）とすることができるのが確認されている。
【００８９】
このように、この描画装置１による露光パターンＰの描画方法では、露光パターンＰのうちの位相サーボパターンＰＳ５における回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂをそれぞれ描画する際に、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを構成する複数の露光領域Ａ１および複数の非露光領域Ａ２のうちの回転方向で並ぶ一組の露光領域Ａ１および非露光領域Ａ２の各半径位置毎の回転方向に沿った合計長をそれぞれ「第１の長さ」としたときに、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの一方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２と、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの他方の露光領域Ａ１における回転方向と交差する辺の半径方向に対する交差角度θ２との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックＳＴにおける「第１の長さ」の範囲内への電子ビームＥＢの総照射量を「第１の長さ」で除した「第１の値」が、同一の半径位置において、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が小さいパターンよりも、両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちのサーボトラックＳＴ内の交差角度θ２が大きいパターンの方が大きくなるように「部分描画処理」および「描画位置変更処理」を実行する。具体的には、上記の「第１の描画方法」、「第２の描画方法」および「第３の描画方法」のいずれか、または、これらの描画方法を任意に組み合わせて露光パターンＰを描画する。
【００９０】
したがって、この描画装置１による露光パターンＰの描画方法によれば、回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂを構成する露光領域Ａ１の半径方向に対する交差角度θ２の同一半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、半径方向に対する交差角度θ２が大きい露光領域Ａ１で構成される一方を描画すべき部位に対して、半径方向に対する交差角度θ２が小さい露光領域Ａ１で構成される一方を描画すべき部位と同様に十分な量の電子ビームＥＢを照射することができる。これにより、この描画装置１による露光パターンＰの描画方法によれば、上記の角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、両位相サーボ部のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方における露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方における露光領域Ａ１の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている露光パターンＰを描画することができるため、描画した露光パターンＰに対応して原盤１１に形成される凹凸パターン２１において上記の両パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂに対応する部位の凹部や凸部の回転方向に沿った長さを、それぞれ各半径位置毎の本来的な長さとすることができる。
【００９１】
次いで、描画装置１による露光パターンＰの描画が完了した基材１０を用いて、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１を製造する方法、および、製造した原盤１１を用いてスタンパー１２，３２を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【００９２】
まず、露光パターンＰの描画が完了した基材１０を現像処理することにより（「所定の処理」の一例）、図２０に示すように、樹脂層１０ｂにおける各露光領域Ａ１を除去して凹凸パターン２１を形成する。これにより、スタンパー１２，３２を製造するための原盤１１が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の一例の完了）。この場合、完成した原盤１１には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰと平面形状が同様の凹凸パターン２１が形成されている。したがって、凹凸パターン２１において露光パターンＰにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）に対応する各パターンでは、一対の位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方を構成する凹部の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方を構成する凹部の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている。
【００９３】
次に、原盤１１を使用してスタンパー１２を製造する際には、図２１に示すように、原盤１１における凹凸パターン２１を覆うようにしてスパッタ法等によって成膜層１２ａを形成し、この成膜層１２ａを電極として用いてめっき処理することにより、電解ニッケル層１２ｂを形成する（「所定の処理」の他の一例）。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１が転写された凹凸パターン２２を有するスタンパー１２が原盤１１の上に形成される。次いで、基材１０（Ｓｉウエハ１０ａ）からスタンパー１２を剥離すると共に、必要に応じて溶剤等を用いてスタンパー１２を洗浄すると共に、その裏面（凹凸パターン２２の形成面とは反対側の面）を研磨処理する。これにより、図２２に示すように、スタンパー１２が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」の他の一例）。
【００９４】
この場合、インプリント用のスタンパーの製造方法は、上記のスタンパー１２の製造方法に限定されず、スタンパー１２の凹凸パターン２２をスタンパー形成用材料に１回または複数回に亘って転写して、凹凸パターン２２における凸部に対応する凹部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凸部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）や、凹凸パターン２２における凸部に対応する凸部および凹凸パターン２２における凹部に対応する凹部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー（図示せず）を製造する方法を採用することもできる。具体的には、一例として、上記のスタンパー１２を電極として用いてめっき処理を実行することにより、凹凸パターン２２を覆う電解ニッケル層を形成する。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１と凹凸位置関係が一致するスタンパー（図示せず）が製造される（「所定の処理」の他の一例における一工程）。次いで、製造したスタンパーを射出成形機にセットして射出成形処理を実行する（「所定の処理」の他の一例における一工程）。これにより、原盤１１の凹凸パターン２１と凹凸位置関係が反転した凹凸パターンが樹脂材料に形成されて、スタンパー１２の凹凸パターン２２と凹凸位置関係が一致する樹脂スタンパー（図示せず）が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」のさらに他の一例）。
【００９５】
また、スタンパー３２を製造する際には、一例として、上記のスタンパー１２の製造手順、或いは、スタンパー１２の凹凸パターン２２と凹凸位置関係が一致する樹脂スタンパーの製造手順と同様の手順に従ってスタンパー３２における基体３２ａ（図２５参照）を製作する。次いで、基体３２ａの凹凸パターンを覆うようにして、スパッタリング法等により、下地膜３２ｂおよび強磁性膜３２ｃを順次成膜する（「所定の処理」の他の一例における一工程）。これにより、図２５に示すように、凹凸パターン４２を有するスタンパー３２が完成する（「情報記録媒体製造用原盤の製造方法」のさらに他の一例）。
【００９６】
一方、完成したスタンパー１２，３２には、描画装置１によって基材１０（樹脂層１０ｂ）に描画した露光パターンＰを用いて形成した凹凸パターン２１と平面形状が同様の凹凸パターン２２，４２が形成されている。したがって、凹凸パターン２２，４２において原盤１１における凹凸パターン２１の各パターン（この例では、露光パターンＰにおけるサーボパターンＰＳに対応して形成されたパターン）に対応する各パターンでは、一対の位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方を構成する凸部（または、凹部）の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方を構成する凸部（または、凹部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている。
【００９７】
このように、この原盤１１の製造方法によれば、前述した描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰを描画した後に樹脂層１０ｂを現像処理することで凹凸パターン２１を形成したことにより、露光パターンＰに対応して原盤１１に形成される凹凸パターン２１において、位相サーボパターンＰＳ５のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂに対応して形成される一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度θ２が大きいパターンを構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度θ２が小さいパターン構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。これにより、原盤１１を使用して製造されるスタンパー１２，３２の凹凸パターン２２，４２において、上記の両パターンに対応する一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度θ２が大きいパターンにおける凸部（または、凹部）の回転方向に沿った長さを、交差角度θ２が小さいパターンにおける凸部（または、凹部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。
【００９８】
また、このスタンパー１２，３２の製造方法によれば、前述した描画方法に従って樹脂層１０ｂに露光パターンＰを描画した樹脂層１０ｂを現像処理することで凹凸パターン２１を形成した原盤１１を使用して凹凸パターン２２，４２を形成したことにより、原盤１１を使用して製造されるスタンパー１２，３２の凹凸パターン２２，４２において、位相サーボパターンＰＳ５のパターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂに対応して形成される一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度θ２が大きいパターンを構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度θ２が小さいパターン構成する凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。これにより、このスタンパー１２，３２を使用して製造される磁気ディスク１５，３５のサーボパターンにおいて、上記の両パターンに対応する一対の位相サーボ部のパターンのうちの交差角度θ２が大きいパターンにおける凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度θ２が小さいパターンにおける凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる。
【００９９】
続いて、スタンパー１２を使用して磁気ディスク１５を製造する方法（情報記録媒体の製造方法）について、図面を参照して説明する。
【０１００】
まず、インプリント法によってスタンパー１２の凹凸パターン２２を中間体１５ｍに転写する。具体的には、図２２に示すように、スタンパー１２における凹凸パターン２２の形成面を中間体１５ｍの樹脂層１５ｃに押し付けた後に、中間体１５ｍからスタンパー１２を剥離する。これにより、図２３に示すように、スタンパー１２の凹凸パターン２２が樹脂層１５ｃに転写されて中間体１５ｍ上に凹凸パターン２３が形成される。この場合、中間体１５ｍは、磁気ディスク１５を製造するための中間体であって、円板状の基材１５ａの表面に記録層１５ｂが形成されて構成されている。なお、中間体１５ｍは、実際には、下地層、軟磁性層、配向層および記録層（記録層１５ｂ）等が基材１５ａの上に積層されて構成されているが、製造方法についての理解を容易とするために、中間体１５ｍの詳細な層構造についての説明および図示を省略する。
【０１０１】
次に、凹凸パターン２３をマスクとして用いて中間体１５ｍをエッチングする。この際には、凹凸パターン２３の凹部の底面から記録層１５ｂが露出し、さらにエッチング処理を実行することにより、図２４に示すように、記録層１５ｂに凹凸パターン２４が形成される。この後、必要に応じて、凹凸パターン２４の凹部に非磁性材料を充填した後に例えば研磨処理によって記録層１５ｂ（凹凸パターン２４の凸部の先端）を非磁性材料から露出させ、記録層１５ｂの表面に保護膜を形成する。これにより、磁気ディスク１５が完成する。
【０１０２】
この場合、凹凸パターン２４は、露光パターンＰに対応して凹凸パターン２２が形成されたスタンパー１２を使用したインプリント処理によって形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてエッチング処理することによって形成されている。したがって、凹凸パターン２４において露光パターンＰにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）に対応する各パターンでは、一対の位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方を構成する凹部の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方を構成する凹部の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている。
【０１０３】
このように、この磁気ディスク１５の製造方法によれば、上記の製造方法によって製造したスタンパー１２に形成されている凹凸パターン２２を使用して製造することにより、スタンパー１２を使用して製造される磁気ディスク１５のサーボパターンにおいて、上記の両パターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターンにおける凹部（または、凸部）の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【０１０４】
次いで、スタンパー３２を使用して磁気ディスク３５を製造する方法（情報記録媒体の製造方法）について、図面を参照して説明する。
【０１０５】
磁気ディスク３５の製造に際しては、まず、軟磁性層３５ｂ、配向層３５ｃおよび記録層３５ｄが基材３５ａの両面にこの順でそれぞれ形成された中間体３５ｍ（図２５参照）と、上記の製造方法に従って製造した一対のスタンパー３２，３２とを用意する。なお、中間体３５ｍの製作方法については公知のため、説明を省略する。次いで、スタンパー３２，３２を用いて中間体３５ｍにサーボパターンを磁気的に転写する磁気転写処理を実行する。
【０１０６】
まず、中間体３５ｍに対して、十分に大きい直流外部磁場を厚み方向で印加することにより、中間体３５ｍを初期化する。次いで、図２５に示すように、中間体３５ｍの一方の面に対して、一方のスタンパー３２の凹凸パターン４２における凸部の突端面を接触させ、中間体３５ｍの他方の面に対して、他方のスタンパー３２の凹凸パターン４２における凸部の突端面を接触させる。この状態において、同図に矢印Ｍで示すように、中間体３５ｍに対して上記の初期化に際して印加した直流外部磁場の向きと逆の向きの直流外部磁場を印加する。この際には、両スタンパー３２，３２の凹凸パターン４２における凸部を介して中間体３５ｍに直流外部磁場が印加され、中間体３５ｍの両記録層３５ｄにおいてスタンパー３２の凹凸パターン４２における各凸部に接している部分が、印加された直流外部磁場の方向に磁化される。これにより、中間体３５ｍの両記録層３５ｄにサーボパターンが磁気的に転写されて、磁気ディスク３５が完成する。
【０１０７】
この場合、両記録層３５ｄに磁気的に転写されたサーボパターン（磁化パターン）は、露光パターンＰに対応して凹凸パターン４２が形成されたスタンパー３２を使用した磁気転写処理によって形成されている。したがって、両記録層３５ｄに磁気的に転写されたサーボパターンにおいて露光パターンＰにおけるサーボパターンＰＳの位相サーボパターンＰＳ５（パターンＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ）に対応する各パターンでは、一対の位相サーボ部のパターンのうちの半径方向に対する交差角度θ２が大きい一方を構成する各磁化領域の回転方向に沿った長さが、半径方向に対する交差角度θ２が小さい一方を構成する各磁化領域の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとなっている。
【０１０８】
このように、この磁気ディスク３５の製造方法によれば、上記の製造方法によって製造したスタンパー３２に形成されている凹凸パターン４２を使用して製造することにより、スタンパー３２を使用して製造される磁気ディスク３５のサーボパターン（磁化パターン）において、上記の両パターンのうちの交差角度が大きいパターンにおける磁化領域の回転方向に沿った長さを、交差角度が小さいパターンにおける磁化領域の回転方向に沿った長さと同様にして、各半径位置毎の基準の長さに対して比例する本来的な長さとすることができる結果、正確なトラッキングサーボを実現することができる。
【０１０９】
なお、スタンパー１２の凹凸パターン２２を樹脂層１５ｃに転写して形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いて記録層１５ｂをエッチング処理する例について説明したが、情報記録媒体の製造方法は、これに限定されない。具体的には、例えば、樹脂層１５ｃと記録層１５ｂとの間に１層または複数層のマスク形成層を設け、樹脂層１５ｃに形成した凹凸パターン２３をマスクとして用いてその下層のマスク層を順次エッチングすることで樹脂層１５ｃをエッチングするためのマスク層を形成する製造方法を採用することもできる。
【０１１０】
さらに、パターンド型の磁気ディスク１５としては、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体などが挙げられる。また、磁気ディスク１５と同様にしてサーボパターンが凹凸パターン２４によって形成されると共に、連続記録層型磁気ディスクのようにデータ記録領域が連続する磁性層で構成された（データ記録領域に凹凸パターンが存在しない）情報記録媒体を製造するためのスタンパー（情報記録媒体製造用原盤：図示せず）用の露光パターンを描画することもできる。さらに、上記の描画装置１（描画方法）では、電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰ等を描画する例について説明したが、描画用ビームは電子ビームＥＢに限定されずに任意のエネルギー線を用いることができる。加えて、ポジ型レジストで形成した樹脂層１０ｂに露光パターンＰ等を描画する例について説明したが、樹脂層の形成材料としては、ポジ型レジストに限定されず、ネガ型レジストなどの各種樹脂材料を使用することができる。
【符号の説明】
【０１１１】
１ 電子ビーム描画装置
１０ 基材
１０ｂ 樹脂層
１１ 原盤
１２，３２ スタンパー
１５，３５ 磁気ディスク
１５ｍ，３５ｍ 中間体
２１〜２４，４２ 凹凸パターン
Ａ１ 露光領域
Ａ２ 非露光領域
Ａｃ，Ａｐｃ 中周領域
Ａｉ，Ａｐｉ 内周領域
Ａｏ，Ａｐｏ 外周領域
Ａｓ サーボ領域
Ａｔ データ記録領域
ＤＰ 描画手順データ
ＥＢ 電子ビーム
Ｌ１，Ｌ１ｏ〜Ｌ３ｏ，Ｌ１ｃ〜Ｌ３ｃ，Ｌ１ｉ〜Ｌ３ｉ，Ｌａ，Ｌｂ 長さ
Ｐ 露光パターン
Ｐ１Ｅ〜Ｐ４Ｅ 停止位置
Ｐ１Ｓ〜Ｐ４Ｓ 開始位置
ＰＳ サーボパターン
ＰＳ５ 位相サーボパターン
ＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ 位相サーボ部のパターン
ＰＴ データトラックパターン
ＳＴ サーボトラック
θ１ スキュー角
θ２ 交差角度
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層に描画用ビームを照射して、当該凹凸パターンを形成するための露光領域および非露光領域で構成された露光パターンを当該樹脂層に描画する際に、当該樹脂層が形成された基材を回転させつつ、当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを前記樹脂層に照射することで前記露光領域における当該基材の半径方向の一部を描画する部分描画処理と、前記部分描画処理による描画位置を前記基材の回転中心に接近する方向および当該回転中心から離間する方向のいずれかに変更する描画位置変更処理とを複数回実行する描画方法であって、
前記露光パターンのうちの位相サーボパターンにおける前記回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンをそれぞれ描画する際に、
当該両パターンを構成する複数の当該露光領域および複数の当該非露光領域のうちの当該回転方向で並ぶ一組の当該露光領域および当該非露光領域の各半径位置毎の当該回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、
前記両パターンのうちの一方の前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度と、前記両パターンのうちの他方の前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの総照射量を当該第１の長さで除した第１の値が、同一の半径位置において、前記両パターンのうちの前記サーボトラック内の前記交差角度が小さいパターンよりも、当該両パターンのうちの当該サーボトラック内の前記交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する描画方法。
【請求項２】
前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を当該第１の長さで除した第２の値が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１記載の描画方法。
【請求項３】
前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を当該第１の長さで除した第３の値が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さいパターンよりも、前記交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項２記載の描画方法。
【請求項４】
前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの描画パス数が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項２または３記載の描画方法。
【請求項５】
前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記回転方向の下流側に向かっての当該描画用ビームの偏向速度が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１から４のいずれかに記載の描画方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する情報記録媒体製造用原盤の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造する情報記録媒体の製造方法。
【請求項１】
情報記録媒体製造用の凹凸パターンを形成するための樹脂層に描画用ビームを照射して、当該凹凸パターンを形成するための露光領域および非露光領域で構成された露光パターンを当該樹脂層に描画する際に、当該樹脂層が形成された基材を回転させつつ、当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを前記樹脂層に照射することで前記露光領域における当該基材の半径方向の一部を描画する部分描画処理と、前記部分描画処理による描画位置を前記基材の回転中心に接近する方向および当該回転中心から離間する方向のいずれかに変更する描画位置変更処理とを複数回実行する描画方法であって、
前記露光パターンのうちの位相サーボパターンにおける前記回転方向で並んだ一対の位相サーボ部のパターンをそれぞれ描画する際に、
当該両パターンを構成する複数の当該露光領域および複数の当該非露光領域のうちの当該回転方向で並ぶ一組の当該露光領域および当該非露光領域の各半径位置毎の当該回転方向に沿った合計長をそれぞれ第１の長さとしたときに、
前記両パターンのうちの一方の前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度と、前記両パターンのうちの他方の前記露光領域における前記回転方向と交差する辺の前記半径方向に対する交差角度との同一の半径位置における角度差が最大となる半径位置を含む領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの総照射量を当該第１の長さで除した第１の値が、同一の半径位置において、前記両パターンのうちの前記サーボトラック内の前記交差角度が小さいパターンよりも、当該両パターンのうちの当該サーボトラック内の前記交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する描画方法。
【請求項２】
前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の合計長を当該第１の長さで除した第２の値が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１記載の描画方法。
【請求項３】
前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内に前記描画用ビームを照射するビーム照射距離の１描画パス当りの合計長を当該第１の長さで除した第３の値が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さいパターンよりも、前記交差角度が大きいパターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項２記載の描画方法。
【請求項４】
前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの描画パス数が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項２または３記載の描画方法。
【請求項５】
前記角度差が最大となる半径位置を含む前記領域内において、１つのサーボトラックにおける前記第１の長さの範囲内への前記描画用ビームの照射時における前記回転方向の下流側に向かっての当該描画用ビームの偏向速度が、同一の半径位置において、前記交差角度が小さい前記パターンよりも、前記交差角度が大きい前記パターンの方が大きくなるように前記部分描画処理および前記描画位置変更処理を実行する請求項１から４のいずれかに記載の描画方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の描画方法に従って前記樹脂層に前記露光パターンを描画した後に当該樹脂層に対して所定の処理を実行して前記凹凸パターンを形成して情報記録媒体製造用原盤を製造する情報記録媒体製造用原盤の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の情報記録媒体製造用原盤の製造方法によって製造した情報記録媒体製造用原盤に形成されている凹凸パターンを使用して情報記録媒体を製造する情報記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【公開番号】特開２０１２−１９８９６３（Ｐ２０１２−１９８９６３Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６２８８６（Ｐ２０１１−６２８８６）
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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