撮像装置、欠陥検査装置、欠陥検査方法及び電子線検査装置
【課題】検査対象の表面の電位分布を均一にし、撮像した画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有する。
【解決手段】電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、
前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項2】
請求項1に記載の撮像装置において、前記手段が、前記電子銃と前記対象との間に配置されていて、前記帯電した電荷を制御可能な電極を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項3】
請求項1に記載の撮像装置において、前記手段は計測タイミングの空き時間に動作する用になされている撮像装置。
【請求項4】
試料の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、
一次電子線を前記試料に照射可能な電子線照射手段と、
前記一次電子線の照射により前記試料から放出された二次電子線を写像投影して結像させる写像投影手段と、
前記写像投影手段により結像された像を前記試料の電子画像として検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された電子画像に基づいて、前記試料の欠陥を判断する欠陥判断手段と、
を含み、
少なくとも前記検出手段が前記電子画像を検出する期間内に、前記一次電子線より低エネルギーを有する電子を前記試料に供給することを特徴とする、欠陥検査装置。
【請求項5】
複数の一次荷電粒子線を試料に照射する少なくとも1以上の1次光学系と、二次荷電粒子を少なくとも1以上の検出器に導く少なくとも1以上の2次光学系とを有し、前記複数の一次荷電粒子線は、互いに前記2次光学系の距離分解能より離れた位置に照射される、欠陥検査装置であって、
前記少なくとも1以上の検出器により検出された二次荷電粒子の画像に基づいて、前記試料の欠陥を判断する欠陥判断手段と、
前記一次荷電粒子線より低エネルギーを有する荷電粒子を前記試料に供給する、荷電粒子供給手段と、
を更に含むことを特徴とする、欠陥検査装置。
【請求項6】
試料の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
一次電子線を前記試料に照射する工程と、
前記一次電子線の照射により前記試料から放出された二次電子線を写像投影して結像させる写像投影工程と、
前記写像投影工程で結像された像を前記試料の電子画像として検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された前記電子画像に基づいて、前記試料の欠陥を判断する欠陥判断工程と、
を含み、
少なくとも前記検出工程で前記電子画像を検出する期間内に、前記一次電子線より低エネルギーを有する電子を前記試料に供給することを特徴とする、欠陥検査方法。
【請求項7】
試料の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
一次電子線を試料に照射する電子線照射工程と、
前記一次電子線の照射により前記試料から放出された二次電子線を写像投影して結像させる写像投影工程と、
前記写像投影工程で結像された像を前記試料の電子画像として検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された電子画像に基づいて、前記試料の欠陥を判断する欠陥判断工程と、
を含み、
前記試料にUV光電子を供給するUV光電子供給工程を更に含むことを特徴とする、欠陥検査方法。
【請求項8】
電子照射部、レンズ系、偏向器、EXBフィルタ、電子検出器を有し、前記電子照射部から電子線を前記レンズ系、偏向器、EXBフィルタを介して試料の被検査領域に照射し、試料から生成する電子を前記電子検出器に前記レンズ系、偏向器、EXBフィルタにより結像させ、その電気信号を画像として検査する写像投影型電子線検査装置において、検査直前の被検査領域をあらかじめ荷電粒子により照射する荷電粒子照射部を備えたことを特徴とする電子線検査装置。
【請求項9】
前記荷電粒子が電子、正または負のイオン、またはプラズマであることを特徴とする請求項8記載の装置。
【請求項10】
前記荷電粒子のエネルギーが100eV以下であることを特徴とする請求項8または9に記載の装置。
【請求項11】
前記荷電粒子のエネルギーが30eV以下であることを特徴とする請求項8または9に記載の装置。
【請求項1】
電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、
前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項2】
請求項1に記載の撮像装置において、前記手段が、前記電子銃と前記対象との間に配置されていて、前記帯電した電荷を制御可能な電極を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項3】
請求項1に記載の撮像装置において、前記手段は計測タイミングの空き時間に動作する用になされている撮像装置。
【請求項4】
試料の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、
一次電子線を前記試料に照射可能な電子線照射手段と、
前記一次電子線の照射により前記試料から放出された二次電子線を写像投影して結像させる写像投影手段と、
前記写像投影手段により結像された像を前記試料の電子画像として検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された電子画像に基づいて、前記試料の欠陥を判断する欠陥判断手段と、
を含み、
少なくとも前記検出手段が前記電子画像を検出する期間内に、前記一次電子線より低エネルギーを有する電子を前記試料に供給することを特徴とする、欠陥検査装置。
【請求項5】
複数の一次荷電粒子線を試料に照射する少なくとも1以上の1次光学系と、二次荷電粒子を少なくとも1以上の検出器に導く少なくとも1以上の2次光学系とを有し、前記複数の一次荷電粒子線は、互いに前記2次光学系の距離分解能より離れた位置に照射される、欠陥検査装置であって、
前記少なくとも1以上の検出器により検出された二次荷電粒子の画像に基づいて、前記試料の欠陥を判断する欠陥判断手段と、
前記一次荷電粒子線より低エネルギーを有する荷電粒子を前記試料に供給する、荷電粒子供給手段と、
を更に含むことを特徴とする、欠陥検査装置。
【請求項6】
試料の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
一次電子線を前記試料に照射する工程と、
前記一次電子線の照射により前記試料から放出された二次電子線を写像投影して結像させる写像投影工程と、
前記写像投影工程で結像された像を前記試料の電子画像として検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された前記電子画像に基づいて、前記試料の欠陥を判断する欠陥判断工程と、
を含み、
少なくとも前記検出工程で前記電子画像を検出する期間内に、前記一次電子線より低エネルギーを有する電子を前記試料に供給することを特徴とする、欠陥検査方法。
【請求項7】
試料の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
一次電子線を試料に照射する電子線照射工程と、
前記一次電子線の照射により前記試料から放出された二次電子線を写像投影して結像させる写像投影工程と、
前記写像投影工程で結像された像を前記試料の電子画像として検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された電子画像に基づいて、前記試料の欠陥を判断する欠陥判断工程と、
を含み、
前記試料にUV光電子を供給するUV光電子供給工程を更に含むことを特徴とする、欠陥検査方法。
【請求項8】
電子照射部、レンズ系、偏向器、EXBフィルタ、電子検出器を有し、前記電子照射部から電子線を前記レンズ系、偏向器、EXBフィルタを介して試料の被検査領域に照射し、試料から生成する電子を前記電子検出器に前記レンズ系、偏向器、EXBフィルタにより結像させ、その電気信号を画像として検査する写像投影型電子線検査装置において、検査直前の被検査領域をあらかじめ荷電粒子により照射する荷電粒子照射部を備えたことを特徴とする電子線検査装置。
【請求項9】
前記荷電粒子が電子、正または負のイオン、またはプラズマであることを特徴とする請求項8記載の装置。
【請求項10】
前記荷電粒子のエネルギーが100eV以下であることを特徴とする請求項8または9に記載の装置。
【請求項11】
前記荷電粒子のエネルギーが30eV以下であることを特徴とする請求項8または9に記載の装置。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48A】
【図48B】
【図49A】
【図49B】
【図50】
【図51A】
【図51B】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48A】
【図48B】
【図49A】
【図49B】
【図50】
【図51A】
【図51B】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【公開番号】特開2007−35645(P2007−35645A)
【公開日】平成19年2月8日(2007.2.8)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−231971(P2006−231971)
【出願日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【分割の表示】特願2002−505647(P2002−505647)の分割
【原出願日】平成13年6月27日(2001.6.27)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【出願人】(000000239)株式会社荏原製作所 (1,477)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年2月8日(2007.2.8)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【分割の表示】特願2002−505647(P2002−505647)の分割
【原出願日】平成13年6月27日(2001.6.27)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【出願人】(000000239)株式会社荏原製作所 (1,477)
【Fターム(参考)】
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