放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置
【課題】点欠陥などの発生を抑制し、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置を提供する。
【解決手段】閉塞された真空チャンバ１２内で、気相堆積法により蛍光体層を形成する製造方法であって、真空チャンバ１２内に基板７０をセットする工程と、基板７０がセットされた状態で基板の表面７０ｄを除塵する工程と、蛍光体層を基板上に形成する工程とを有する。
【解決手段】閉塞された真空チャンバ１２内で、気相堆積法により蛍光体層を形成する製造方法であって、真空チャンバ１２内に基板７０をセットする工程と、基板７０がセットされた状態で基板の表面７０ｄを除塵する工程と、蛍光体層を基板上に形成する工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピューテッドラジオグラフィー（ＣＲ）等で放射線画像の記録（撮影）に用いられる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置に関し、特に、柱状結晶からなる蛍光体層における柱状結晶の成長状態を均一にし、点欠陥などが少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、および紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
例えば、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層）を有する放射線像変換パネルを利用する放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography）等として実用化されている。
この放射線画像情報記録再生システムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、放射線像変換パネル（輝尽性蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、放射線像変換パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置、または写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
放射線像変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末を、バインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスまたは樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作製される。
これに対し、真空蒸着またはスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層ともいう）を形成してなる蛍光体パネルも知られている。真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという優れた特性を有している。さらに、蛍光体層が蛍光体の柱状構造で形成されるため、鮮鋭度の高い良好な画質が得られる。
【０００５】
また、放射線像変換パネルにおいては、読み取り時にチリ、またはホコリなどのゴミが付着した場合、および製造時にチリ、またはホコリなどのゴミが混入した場合、得られる画像に欠陥が生じる虞がある。このため、このような画像の欠陥の発生を抑制するために、種々の技術が開示されている（特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００６】
特許文献１には、蓄積蛍光体シートのクリーニング機構が設けられた放射線画像読取装置が開示されている。この特許文献１のクリーニング機構は、回転クリーニングローラ対と、除電ブラシ対とを有するものである。
特許文献１の放射線画像読取装置においては、クリーニング機構により、蛍光体シートの表面に付着した塵埃を除去するとともに、表面の電荷を除去する。これにより、電荷による放射線画像の影響、塵埃の付着による放射線画像の悪影響を取り除いている。
【０００７】
また、特許文献２の放射線画像読取装置は、放射線画像の記録された蓄積性蛍光体パネルを搬送する搬送系が、蓄積性蛍光体パネルの両面側に位置するように配置された複数の弾性ベルトを備えるものである。
特許文献２の放射線画像読取装置においては、複数の弾性ベルトを駆動し複数の弾性ベルトの間に挟まれた蓄積性蛍光体パネルを搬送する。これにより、蓄積性蛍光体パネルを搬送する際に、傷が付くこと、またひずみが生じ経年劣化してしまうことを防止し、さらには、搬送中に蓄積性蛍光体パネルに塵、ごみ、ほこり等の異物が付着することを防止するものである。この特許文献２においても、蛍光体層へのゴミの付着を防止し、画像読み取りに生じる画像の劣化を未然に防止することができる。
【０００８】
さらに、特許文献３の放射線画像変換パネルの製造方法には、保護層および輝尽性蛍光体層の少なくとも１層の表面のゴミを粘着力による除去方法で除去した後に、保護層と輝尽性蛍光体層をそれぞれ接着させる工程を有するものが開示されている。
このように、特許文献３においては、放射線画像変換パネルの製造方法の工程の中に、ゴミ除去方法を設けることにより、繰り返し使用される放射線画像変換パネルに対し、搬送系等を介して読み取り部に侵入した塵埃や蓄積性蛍光体シートに付着した塵埃等による画像読み取り精度の劣化を防止し、ノイズの少ない優れた画像が得られる。
【０００９】
【特許文献１】特開平５−７２６５６号公報
【特許文献２】特開平１１−３４４７８１号公報
【特許文献３】特開２００５−４３０５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１の放射線画像読取装置および特許文献２の放射線画像読取装置においては、画像の読み取り時に、付着するゴミを取り除くものであり、放射線像変換パネルにゴミが混入している場合には、対処できないという問題点がある。
また、特許文献３においては、保護層と蛍光体層との間にゴミが混入しないようにするものであるものの、蛍光体層を形成するに際し、ゴミ、埃などの混入を抑制するものではない。この結果、蛍光体層を形成する際に、ゴミ、埃などが混入した場合、製造された放射線像変換パネルにおいては、以下に示すような画像欠陥が生じる虞がある。
【００１１】
図１１に示す放射線像変換パネル１００のように、通常は、柱状結晶１０６が成長し、この柱状結晶１０６により輝尽性蛍光体層１０４（以下、蛍光体層１０４という）が構成される。また、蛍光体層１０４の表面１０４ａは略均一な高さとなる。
しかしながら、基板１０２上に蛍光体層１０４を形成する際に、基板１０４にゴミ１０８がある場合、このゴミ１０８を起点として異常成長結晶１０６ａが起き、結果として蛍光体層１０４において、この表面１０４ａから突出したヒロックＨが生じる。このような異常成長結晶１０６ａにより、得られる画像において、本来黒である画像が白くなる点欠陥が生じる。このようなことから、ゴミ、埃などの混入を抑制しない場合には、必ずしも欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができるとは限らない。さらには、現状では、蛍光体層１０４の異常成長結晶１０６の発生を抑制することを開示するものはない。
【００１２】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、点欠陥などの発生を抑制し、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、閉塞された真空チャンバ内で、気相堆積法により蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法であって、前記真空チャンバ内に基板をセットする工程と、前記基板がセットされた状態で前記基板の表面を除塵する工程と、前記蛍光体層を基板上に形成する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである。
【００１４】
本発明においては、前記基板の表面を除塵する工程は、前記真空チャンバが大気圧の状態で行われることが好ましい。
また、本発明においては、前記基板をセットする工程と、前記基板の表面を除塵する工程との間に、前記蛍光体層となる成膜材料を前記真空チャンバ内にセットする工程を有することが好ましい。
【００１５】
さらに、本発明においては、前記基板をセットする工程と前記基板の表面を除塵する工程との間、または前記基板をセットする工程の前に、前記蛍光体層となる成膜材料を前記真空チャンバ内にセットする工程を有することが好ましい。
【００１６】
さらにまた、本発明においては、前記基板の表面を除塵する工程は、クリーニングローラを用いる除塵方法、前記基板に気体を吹付ける方法、および前記基板を除電する方法のうち、少なくとも１つの方法が用いられることが好ましい。
【００１７】
さらにまた、本発明においては、前記クリーニングローラは、前記基板の表面に接触されるローラ部を有するものであり、前記ローラ部は、ブチルゴム、シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものにより構成されることが好ましい。
ここで、前記クリーニングローラによる除塵は、前記基板の蛍光体層形成領域の端部近傍を除いて行なうのが好ましく、また、この際において、前記蛍光体層の形成領域の全長をａ、前記端部近傍の除塵を行なわない領域の幅をｂとした際に、式「０．０３≦ｂ／ａ≦０．４」を満たすのが好ましい。
【００１８】
また、本発明においては、前記基板の表面を除塵する工程は、前記気体を吹付ける方法、および前記基板を除電する方法を用いるものであり、および前記基板を除電する方法には、除電装置が用いられることが好ましい。
また、本発明においては、前記除電装置は、イオンエアー発生装置であることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の第２の態様は、シート状の基板の表面に真空蒸着によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネル製造装置であって、真空チャンバと、前記真空チャンバ内を排気する真空排気手段と、前記真空チャンバ内に設けられ、容器に収納された前記蛍光体層の成膜材料を抵抗加熱によって加熱し、前記容器の開口部から前記成膜材料の蒸気を放出させる抵抗加熱手段と、前記真空チャンバ内に設けられ、前記抵抗加熱手段の上方において、前記基板を保持する基板保持手段と、前記真空チャンバ内に設けられ、前記基板の表面を除塵する除塵部とを有することを特徴とする放射線像変換パネル製造装置を提供するものである。
【００２０】
本発明においては、さらに、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記基板が前記基板保持手段に保持されたことを検知する第１のセンサとを有し、前記第１のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【００２１】
また、本発明においては、さらに、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記容器に前記成膜材料が収納されたことを検知する第２のセンサを有し、前記第２のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【００２２】
さらに、本発明においては、さらに、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記真空チャンバが閉塞されたことを検知する第３のセンサとを有し、前記第３のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【００２３】
さらにまた、本発明においては、さらに、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記真空チャンバ内の圧力を測定する真空計とを有し、前記真空計により測定された圧力が所定の圧力以下であるとき、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【００２４】
また、本発明においては、さらに、前記容器の開口部に開閉自在に設けられたシャッタと、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記シャッタの開閉を検知する第４のセンサとを有し、前記第４のセンサにより前記シャッタが開放された検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法によれば、真空チャンバ内に基板をセットする工程と、基板がセットされた状態で基板の表面を除塵する工程と、蛍光体層を基板上に気相堆積法により形成する工程とを有し、蛍光体層を基板上に形成する直前に、基板表面を除塵することにより、基板を真空チャンバ内にセットし、その後、種々の作業または装置の動作などにより、細かなゴミ、および埃が発生し、異常成長の起点となる細かなゴミ、および埃が基板表面に付着した場合でも取り除かれる。そして、清浄な状態の基板表面に蛍光体層が形成されるため、異常核成長の発生が抑制され、ヒロックの発生も抑制される。これにより、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置について、添付の図面に示される好適実施形態を基に詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第１の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【００２７】
図１に示す放射線像変換パネル製造装置１０（以下、製造装置１０ともいう）は、蓄積性蛍光体（母体）となる材料と、付活剤（賦活剤：activator）となる材料とを別々に蒸発する二元の真空蒸着によって、基板７０の表面７０ｄに蓄積性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層という）を形成して、（蓄積性）放射線像変換パネルを製造する装置である。
このような製造装置１０は、基本的に、真空チャンバ１２と、基板保持搬送機構１４と、加熱蒸発部（抵抗加熱手段）１６と、真空ポンプ（真空排気手段）１８と、ガス導入ノズル１９と、制御部２０とを有して構成される。なお、本発明の製造装置１０は、これ以外にも、公知の真空蒸着装置が有する各種の構成要素を有してもよいのは、もちろんである。例えば、真空チャンバ１２内の真空度を測定する真空計（図示せず）を有し、制御部２０に接続されている。
なお、本実施形態において、基板７０は、基板ホルダ３９に収納されて、基板保持搬送機構１４に基板ホルダ３９ごと保持されて、真空チャンバ１２内にセットされ、直線搬送されるものである。
また、基板ホルダ３９は、基板７０をその側面から挿入して内部に係止して保持する形で保持するように構成されているものである。
【００２８】
また、本発明は、図１に示すような二元の真空蒸着装置に限定はされず、全ての成膜材料を混合して蒸発源に収納する一元の真空蒸着を行う装置であってもよく、あるいは、三元以上の真空蒸着を行う装置であってもよいが、好ましくは、複数の成膜材料を別々の蒸発源に収納する、二元あるいはそれ以上の多元の真空蒸着装置である。
【００２９】
また、本発明においては、好適な一例として、蛍光体成分となる臭化セシウム（ＣｓＢｒ）と、付活剤成分となる臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒx（ｘは、通常、２〜３であり、特に２が好ましい）とを成膜材料として用い、抵抗加熱による二元の真空蒸着を行って、基板７０に蓄積性蛍光体であるＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を成膜して、放射線像変換パネルを作製する。
また、成膜中に不活性ガスの導入を行なうためのガス導入ノズル１９を有する製造装置１０は、好ましくは、一旦、真空チャンバ１２内を高真空度まで排気した後、排気を行ないつつガス導入ノズル１９によって不活性ガスを導入して真空チャンバ１２内を０．１Ｐａ〜１０Ｐａ程度の真空度（以下、中真空という）とし、この中真空下で、加熱蒸発部１６において抵抗加熱によって成膜材料（臭化セシウムおよび臭化ユーロピウム）を加熱蒸発して、基板保持搬送機構１４によって基板７０を直線状に搬送（以下、直線搬送という）しつつ、真空蒸着による基板７０への蛍光体層の成膜を行なう。
【００３０】
また、本発明においては、蛍光体層を形成する輝尽性蛍光体として、各種のものが利用可能であるが、例えば、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
例えば、米国特許第３、８５９、５２７号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ」、「ＴｈＯ2：Ｅｒ」、および、「Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍ」。
【００３１】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ2Ｏ3：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭIIＯ・ｘＳｉＯ2：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｌ、ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００３２】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ、Ｙ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００３３】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-x、Ｍ2+x）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ2+は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００３４】
特開昭５９−３８２７８号公報に開示される、一般式「ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ」または「Ｍ3（ＰＯ4）2・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｂ、Ｔｌ、ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００３５】
一般式「ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ’2：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ’2：ｘＥｕ、ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｒｅは、Ｌａ、Ｇｄ、ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ、Ｃｌ、およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-4＜ｘ＜３×１０-1であり、１×１０-4＜ｙ＜１×１０-1であり、さらに、１×１０-3＜ｎ／ｍ＜７×１０-1である。）
【００３６】
特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ''3：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIIIは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ、ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
【００３７】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-X、ＭIIX）Ｆ2・ａＢａＸ2：ｙＥｕ、ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０-6≦ｙ≦２×１０-1であり、０＜ｚ≦１×１０-2である。）
【００３８】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭIIIＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIIは、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００３９】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ1-xＭaＬaＦＸ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-2≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。）
【００４０】
特開昭５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭIIＦＸ・ａＭIＸ’・ｂＭ’IIＸ''2・ｃＭIIIＸ3・ｘＡ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。（上記式においてＭIIは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭIは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’IIは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭIIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０-2であり、０≦ｃ≦１×１０-2であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０-6であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００４１】
特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭６１−７２０８７号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭIが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００４２】
本実施形態において、真空チャンバ１２は、鉄、ステンレス、アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー、真空槽）である。
真空チャンバ１２の一方の側面１２ｂには、真空ポンプ１８がディフューザ１８ａを介して接続されている。この真空ポンプ１８は、例えば、油拡散ポンプが用いられる。なお、真空ポンプ１８は、特に限定されるものではなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、クライオポンプ、ターボモレキュラポンプ等を利用することができ、さらに補助として、クライオコイル等を併用してもよい。なお、蛍光体層を成膜する製造装置１０においては、真空チャンバ１２内の到達真空度は、８．０×１０-4Ｐａより高い真空度が得られるものであることが好ましい。
【００４３】
また、真空チャンバ１２の一方の側面１２ｂに対向する他方の側面１２ｃには、扉１３が開閉自在に設けられている。
本実施形態においては、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内に基板７０の搬入、および成膜材料の搬入などが行われる。また、扉１３を閉じ、真空チャンバ１２を閉塞して真空蒸着などが行われる。
【００４４】
ガス導入ノズル１９も、ボンベとの接続手段およびガス流量の調整手段等を有する（もしくは、これらに接続される）、真空蒸着装置またはスパッタリング装置等で用いられている公知のガス導入手段であり、前記中真空での真空蒸着による蛍光体層の成膜を行うために、アルゴンガス（Ａｒガス）、窒素ガスまたはその他希ガス等の不活性ガスを真空チャンバ１２内に導入する。この不活性ガスとは、真空蒸着の際に、基板７０および蛍光体層と反応しないガスのことである。
このガス導入ノズル１９の開口部（ガス導入口）１９ａを介して、不活性ガスが真空チャンバ１２内に導入される。ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）は、例えば、加熱蒸発部１６の近傍、かつ真空チャンバ１２の底面１２ａに設けられている。
【００４５】
基板保持搬送機構１４は、基板７０を基板ホルダ３９ごと保持して、直線搬送するものであり、図２に模式的に示すように、駆動手段２２と、リニアモータガイド２４と、基板保持手段２６とから構成される。なお、図２（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図であり、（ｂ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図であり、（ｃ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【００４６】
駆動手段２２は、基板保持手段２６を基板７０の基板搬送方向（以下、搬送方向という）Ｍに移動（往復動）するもので、基板７０の搬送方向Ｍに延在して保持部材３０によって回転自在に軸支されるネジ軸３２ａ、およびネジ軸３２ａに螺合するナット部３２ｂからなるボールネジ３２と、前記ネジ軸３２ａを回転するモータ３４とからなる、ボールネジを用いる公知の直線状の移動機構である。
なお、本発明において、駆動手段はボールネジ３２とモータ３４とを利用するものに限定はされず、シリンダを利用する搬送手段、モータとモータによって回転されるリング状のチェーンを用いる搬送手段など、必要な耐熱性を有するものであれば、公知の直線状の移動（搬送）手段が、各種利用可能である。
【００４７】
リニアモータガイド２４（以下、ＬＭガイド２４という）は、駆動手段２２による基板保持手段２６（すなわち基板７０）の直線搬送を補助するもので、ガイドレール２４ａと、長手方向に移動自在にガイドレール２４ａに係合する係合部材２４ｂとからなる、公知のリニアモータガイドである。
ガイドレール２４ａは、基板７０の搬送方向Ｍに延在して、前記ネジ軸３２ａを軸とする対象位置に離間して２本が配置され、共に、真空チャンバ１２の天井面に固定される。一方、係合部材２４ｂは、各ガイドレール２４ａに２つずつ係合するように、合計４つが基板保持手段２６（後述する基台３６の上面）に固定される。
【００４８】
基板保持手段２６（以下、保持手段２６という）は、基板ホルダ３９ごと基板７０を保持して、前記ＬＭガイド２４によって案内されつつ前記駆動手段２２によって直線状で移動されるものであり、基台３６と、保持機構３８と、防熱部材４０を有して構成される。
【００４９】
基台３６は、製造装置１０が適正に設置された状態で水平となる長方形状の平板状部材である。
基板３６の上面の中心には、前記ボールネジ３２のナット部３２ｂが固定され、また、基板３６の上面の対角線上の対称位置には、２本のガイドレール２４ａの間隔に応じて前記ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂが固定される。
【００５０】
保持機構３８は、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとから構成され、基台３６の角部に４つが配置される。
取付部材３８ａは、矩形の断面略Ｃ字状の形状を有するものである。この取付部材３８ａは、Ｃ字開放部を内側に向けて、搬送方向Ｍと直交方向の外方からＣ字天井面の一部を基台３６の角部に載置して、基台３６に垂下するようにして固定される。従って、保持手段２６は、基台３６の下部には、基台３６の面積よりも広い空間を有している。
【００５１】
保持部材３８ｂは、下端に基板ホルダ３９（基板７０）の保持手段を有するものであり、取付部材３８ａに垂下して固定される。すなわち、基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持機構３８は、基台３６に角部近傍で垂下される。
【００５２】
本発明において、保持部材３８ｂによる基板ホルダ３９（基板７０）の保持方法には特に限定はなく、治具等を用いる方法、静電気を利用する方法、吸着を利用する方法等、上面から板状物を保持する公知の方法が各種利用可能である。また、基板７０への蛍光体層の蒸着領域等に応じて可能であれば、治具等を用いて、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四隅を押さえる保持手段、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四辺を押さえる保持手段等を利用してもよい。
また、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとの間にスペーサを入れる、ネジによる調整手段を設ける、シリンダによる昇降手段を設ける等の方法で、保持部材３８ｂの下端位置すなわち基板７０を保持／搬送する高さを調整可能にしてもよい。
【００５３】
前述のように、基台３６は、駆動手段２２によって直線搬送される。従って、基板保持搬送機構１４は、保持機構３８によって例えば、基板ホルダ３９（基板７０）の四隅近傍を保持し、保持手段２６を駆動手段２２によって搬送することにより、基板７０を基板ホルダ３９ごと直線搬送する。
本発明においては、このように基板７０を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空の真空蒸着によって蛍光体層を形成することにより、結晶性が良好で、膜厚分布均一性の高い蛍光体層の形成を実現している。
【００５４】
例えば、ラインセンサによる放射線画像の読み取りが想定される放射線像変換パネルの蛍光体層には、±３％以内、好ましくは±２％以内の高い膜厚分布均一性が要求される。
蛍光体層の形成を真空蒸着で行う場合には、全面的に膜厚が均一な蛍光体層を形成するために、通常、基板を回転して成膜を行う。ここで、基板７０を回転させると、半径方向で基板表面（成膜面）の速度（線速）が異なる。
【００５５】
電子線加熱による蒸着では、高い真空度で蒸着を行うので、基板と蒸発源（成膜材料の加熱蒸発部＝ルツボ）とを充分に離間して配置できる。その結果、成膜材料の蒸気を充分に拡散した状態で、基板の全面に対して蒸気を均一に暴露することができるので、この半径方向での基板表面の速度の違いは大きな問題にはならず、特に、基板の高速回転を行うことにより、高い膜厚分布均一性を確保できる。
【００５６】
ここで、本発明の製造方法で好適に形成される前記各種の蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を、真空蒸着によって形成（成膜）する際には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、排気を維持した状態でＡｒガスまたは窒素ガス等の不活性ガスを系内に導入して、０．１〜１０Ｐａ程度の中真空、特に０．５〜３Ｐａ程度の中真空として蛍光体層を形成するのが好ましい。
これにより、良好な柱状の結晶構造を有する蛍光体層を形成することができ、輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた放射線像変換パネルを製造することができる。
【００５７】
本発明の製造装置１０は、基本的に、このような中真空での蛍光体層の形成を行うものであり、ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）から真空チャンバ１２内に不活性ガスを導入しつつ中真空で抵抗加熱によって真空蒸着を行う。
この程度の中真空での真空蒸着では、蒸発した成膜材料を確実に基板７０に到達させるためには、通常に比して、大幅に蒸発源と基板７０との距離を、例えば、１００ｍｍ程度に短くする必要がある。そのため、蒸発源の蒸気が充分に拡散する前に基板７０に至ってしまう。従って、回転する基板の全面に均一に対面するように半径方向に直線状に蒸発源を配列しても、基板面の線速の違いによって、半径方向で蒸発源との対面時間に差が生じ、これにより半径方向に蒸気の暴露量に差が生じてしまい、この差が、そのまま膜厚の差となってしまう。
すなわち、基板を回転して行う中真空の真空蒸着では、基板の全面に均一に蒸気を暴露するためには、加熱蒸発部における蒸発源の配置を工夫する必要があり、例えば、±３％以内の高い膜厚分布均一性を実現するためには、蒸発源の位置設定が非常に困難である。
【００５８】
これに対し、本発明の製造装置１０においては、このように基板ホルダ３９ごと基板７０を直線搬送しつつ真空蒸着によって蛍光体層の形成を行うことにより、基板７０表面における移動速度を全面的に均一にできる。
従って、搬送方向Ｍと直交する方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にするだけで、基板７０の全面的に均一に成膜材料の蒸気を暴露することができ、簡易な蒸発源の位置設定でも、膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成できる。しかも、直線搬送の往復搬送を行って成膜を行うことにより、微量成分であるユーロピウム（付活剤）の蛍光体層中における分散状態も、好適にできる。
【００５９】
なお、本発明において、必要な膜厚の蛍光体層を形成できれば、成膜中における基板７０の直線搬送は、１回の直線搬送でも、１回の往復動（往復搬送）でも、往復動を複数回行ってもよい。また、基板の搬送経路は、おおむね直線状であれば、多少、ジグザグ状であっても、波打つような経路であってもよい。
一般的に、同じ膜厚であれば、加熱蒸発部１６の上部の通過回数が多い程、膜厚分布均一性を高くできるので、複数回の往復動を行って蛍光体層を形成するのが好ましい。また、往復動の回数は、蛍光体層の目的膜厚または目的とする膜厚分布均一性等に応じて、適宜、決定すればよく、最後の搬送は一方向でもよい。直線搬送の搬送速度にも、特に限定はなく、ＬＭガイド２４の速度限界、往復動の回数、目的とする蛍光体層の膜厚等に応じて、適宜、決定すればよい。
【００６０】
基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持手段２６において、上面にボールネジ３２のナット部３２ｂおよびＬＭガイド２４の係合部材２４ｂ等が固定される基台３６の直下には、防熱部材４０が配置される。ここで、前述のように、図示例の製造装置１０においては、略Ｃ字状の取付部材３８ａを用いて保持部材３８ｂを基台３６から垂下した状態で固定することにより、基台３６の下部に基台３６よりも広い空間を有している。これを利用して、図示例においては、防熱部材４０の面積を基台３６の面積より大きくして、充分な余裕を持って基台３６の下面全面を防熱部材４０で覆っている。
防熱部材４０は、後述する加熱蒸発部１６（蒸発源）に対して基台３６を覆うことにより、加熱蒸発部１６からの輻射熱等によって、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが加熱されるのを防止するものである。
【００６１】
先の説明から明らかなように、高い輝尽発光特性および画像鮮鋭性を実現可能な優れた結晶構造を有し、かつラインセンサによる高精度な放射線画像の読み取りが可能な膜厚均一性に優れた放射線像変換パネルを製造するためには、基板ホルダ３９（基板７０）を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空での真空蒸着を行なう必要がある。
【００６２】
ここで、周知のように、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂには、円滑な移動を可能にするためにボールが組み込まれ、また、ボールの円滑な回転を可能にするために、グリス等の潤滑剤が注入される。また、ボールを有さなくても、円滑な駆動を可能にするために、通常、駆動手段および搬送ガイド手段の摺動部にはグリス等の滑剤が注入される。ところが、前述のような中真空での真空蒸着では、蒸発源と基板７０との距離を短くする必要があるため、ＬＭガイド２４等に注入されるグリス等の滑剤が加熱されて溶融状態となって、蒸発源等に滴下してしまう場合がある。
防熱手段４０は、このような不都合が生じるのを防止するためのものである。
【００６３】
防熱部材４０には、特に限定はなく、加熱蒸発部１６からの輻射熱を遮蔽して、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂ、またさらに基台３６が加熱されることを防止できれば、各種のものが利用可能である。一例として、ステンレス板、鋼板、アルミニウム板、モリブデン板等が例示される。なお、固定方法は、防熱部材４０に応じて、適宜、決定すればよい。
また、必要に応じて、防熱部材４０に接触するパイプに冷水を流す、板材（防熱部材４０）の内部をくり抜いて水を流す等の手段によって、防熱部材４０の冷却手段を設けてもよい。
【００６４】
前述のように、図示例においては、好ましい態様として、防熱部材４０は基台３６よりも大きな面積を有し、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが固定される基台３６の下面全面を覆って配置される。しかしながら、本発明は、これに限定はされず、例えば、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂに対応する領域、あるいはさらにボールネジ３２のナット部３２ｂに対応する領域のみを、加熱蒸発部１６に対して防熱部材で覆ってもよい。
但し、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂの加熱をより好適に防止するためには、図示例のように、これらに熱を伝達する可能性のある部材は、加熱蒸発部１６に対して可能な限り防熱部材４０で覆うのが好ましい。
【００６５】
真空チャンバ１２の下方には、加熱蒸発部１６が配置される。
加熱蒸発部１６は、抵抗加熱によって、蛍光体層を形成するための成膜材料である臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムを蒸発させる部位である。この加熱蒸発部１６により、臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムの蒸気（成膜材料蒸気）からなる蒸着場が形成される。
【００６６】
前述のように、製造装置１０は、好ましい態様として、蛍光体成分である臭化セシウムと、付活剤成分である臭化ユーロピウムとを、独立して加熱蒸発する、二元の真空蒸着を行うものである。従って、加熱蒸発部１６には、臭化セシウム用（蛍光体用）の蒸発源となるルツボ（容器）５０、および、臭化ユーロピウム用（付活剤用）の蒸発源となるルツボ（容器）５２が配置される。
【００６７】
このようなルツボ５０および５２は、真空蒸着における抵抗加熱蒸発源用のルツボと同様、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属で形成され、電極（図示省略）から通電されることにより自身が発熱し、充填された成膜材料を加熱／溶融して、蒸発させるものである。
また、本発明において、抵抗加熱用の電源（加熱制御手段）には、特に限定はなく、サイリスタ方式、ＤＣ方式、熱電対フィードバック方式等、抵抗加熱装置で用いられる各種の方式が利用可能である。また、抵抗加熱を行なう際の出力にも特に限定はなく、使用する成膜材料、ルツボの形成材料の抵抗値または発熱量等に応じて、適宜、設定すればよい。
【００６８】
蓄積性蛍光体において、付活剤と蛍光体とは、例えばモル濃度比で０．０００５／１〜０．０１／１程度と、蛍光体層の大部分が蛍光体である。
そのため、図示例においては、消費量の多い臭化セシウム（蛍光体用）のルツボ５０は、円筒状（ドラム型）の大型のルツボを用いている。このルツボ５０は、ドラムの側面に、ドラムの軸線方向に延在するスリット状の開口を有し、この開口に一致して、開口と同形状の上下開口面を有する四角筒状のチムニー５０ａを蒸気排出部として設けている。
他方、消費量の少ない臭化ユーロピウム用（付活剤用）のルツボ５２は、通常のボート型のルツボの上面を、先と同様のチムニー５２ａを有する蓋体で閉塞してなる小型のルツボを用いている。
このようなスリット状のチムニーを有するルツボを用いることにより、ルツボ内における局所加熱または異状加熱によって突沸が生じた際に、成膜材料が不意にルツボから飛び出して周囲または基板７０に付着して、汚染することを防止できる。特に、抵抗加熱を利用する中真空の蒸着では、前述のように、基板７０と蒸着源とを近接して配置する必要があるので、その効果は大きい。
【００６９】
ここで、製造装置１０においては、ルツボ５０および５２を、基板７０の搬送方向Ｍと直交する方向Ｈ（以下、配列方向Ｈという）に複数配列することにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にして、直線搬送される基板７０の全面に均一に成膜材料蒸気を供給して、例えば、膜厚分布均一性が±３％以下の蛍光体層を形成している。なお、各ルツボは、離間させるか、または絶縁材の挿入等によって、互いに絶縁状態に有する。
【００７０】
加熱蒸発部１６の模式的平図である図３に示すように、図示例においては、一例として、臭化セシウム用のルツボ５０は、円筒（ドラム）の軸線方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列されている。ルツボ５０において、電極は円筒の端面に形成されており、個々のルツボ５０で独立して電源に接続される。また、各ルツボ５０に対応して、臭化セシウムの蒸発量を測定するための水晶振動子センサ５４が配置され（図１（ａ）および（ｂ）では、装置の全体構成を明瞭にするために省略）、この蒸発量の測定結果に応じて、ルツボ５０への通電量が制御される。なお、蒸発量の制御は、温度センサによって行ってもよい。
他方、ボート型のルツボである臭化ユーロピウム用のルツボ５２も、長手方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列される。ルツボ５２も、配列方向Ｈの両端に電極が形成され、個々に独立した電源が接続される。
【００７１】
図示例においては、好ましい態様として、１つのルツボ５０とルツボ５２とを対として、すなわち、蛍光体の成膜材料である臭化セシウムの１つの蒸発源と付活剤の成膜材料である臭化ユーロピウムの１つの蒸発源を対として、両者が基板７０の直線搬送方向Ｍに並ぶように配置し、さらに、より好ましい態様として、両者を装置およびルツボの構成上、可能な限り近接して配置している。
このような構成とすることにより、母体となる臭化セシウム蒸気中に、臭化ユーロピウム蒸気を充分に分散して、微量成分であるユーロピウム（付活剤）を蛍光体層中に均一に分散し、輝尽発光特性等の良好な蛍光体層を形成できる。
【００７２】
また、ルツボ５０の列およびルツボ５２の列においては、共に、配列されるルツボは、装置およびルツボの構成上、可能な限り配列方向Ｈに近接して配置され、かつルツボの列は、基板７０の配列方向Ｈのサイズを充分に包含する長さとするのが好ましい。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００７３】
このような配列方向Ｈへのルツボの列は、１つであってもよく、図示例のように２列であってもよく、さらに、３列以上であってもよい。
ここで、複数列のルツボの列を有する場合には、各ルツボの列は、基板７０の搬送方向Ｍから見た際に、他のルツボの列の成膜材料蒸気の排出口（前記スリット状のチムニー）の配列方向Ｈの間隙を、互いに埋めるように配置するのが好ましく、さらに、異なる列で成膜材料蒸気の排出口が搬送方向Ｍに重ならないように配置するのがより好ましい。言い換えれば、搬送方向Ｍから見た際に、各ルツボの列で、成膜材料蒸気の排出口が互い違いとなるようにするのが好ましい。図示例においては、配列方向Ｈへの２列のルツボの列において、搬送方向Ｍから見た際に、一方のルツボ列の電極位置に他方のルツボ列の蒸気排出口が位置するように、各ルツボの列を配列している。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００７４】
さらに、配列方向Ｈへのルツボの列を複数有する場合には、搬送方向Ｍの外側に蒸発量の多い臭化セシウム（付活剤）用のルツボ５０の列を位置するのが好ましい。
このような構成とすることにより、蒸発量の多い臭化セシウムの蒸発量センサを、搬送方向Ｍに対してルツボの列の外側の開いている空間に配置することができ、すなわち、蒸発量センサの選択自由度、製造装置１０の設計自由度を向上することができる。
【００７５】
なお、図示は省略するが、製造装置１０の加熱蒸発部１６は、全ルツボを水平方向の４方で囲む、ルツボの最上部よりも高い四角筒状の防熱板が配置され、かつ、この防熱板の上部開放面を閉塞／開放自在に、成膜材料蒸気を遮蔽するためのシャッタ（図示せず）が配置される。
【００７６】
また、本実施形態においては、基板７０の表面（蛍光体層の形成面）に付着しているゴミ、埃を取り除く工程、すなわち、除塵工程に、図４に模式的に示すようなクリーニングローラ６０が用いられる。このクリーニングローラ６０は、対をなす折曲部６２ａと、各折曲部６２ａに接続された基部６２ｂとからなるコ字形状のフレーム６２を有する。このフレーム６２の折曲部６２ａに回転軸６４が軸支されており、この回転軸６４にはローラ部６６が設けられている。また、フレーム６２の基部６２ｂにはハンドル６８が設けられている。
ローラ部６６は、オペレータにより、基板７０の表面７０ｄに接触されることにより、基板７０の表面のゴミ、および埃を除去するものであり、所定の粘着力を有するものである。
【００７７】
クリーニングローラ６０のローラ部６６は、例えば、ブチルゴム、シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものからなるものである。
また、クリーニングローラ６０のローラ部６６が、例えば、ブチルゴムを用いたものである場合、宮川ローラー株式会社製の粘着ローラ（商品名：ミモザ Ｂ）を用いることが好ましい。
さらに、クリーニングローラ６０においては、ローラ部６６の硬度（Ｈｓ ＪＩＳ−Ａ）は、３０°程度が好ましく、ＪＩＳ Ｚ０２３７で規定される粘着力は９１ｈＰａ程度であることが好ましい。
【００７８】
本実施形態の製造装置１０は、上述のように、中真空での真空蒸着を行うものであり、蒸発した成膜材料を確実に基板７０に到達させるためには、通常に比して、加熱蒸発部１６（蒸発源）と基板７０との距離を、例えば、１００ｍｍ程度に短くする必要がある。このため、基板７０と蒸発源との間に洗浄装置を設けることが困難である。また、真空チャンバ１２内に洗浄装置を設けた場合、装置が大型化し、コストも嵩む。本実施形態においては、除塵手段として、クリーニングローラ６０を用いることにより、安価にかつ確実に、基板７０の表面７０ｄを除塵することができる。
本実施形態においては、基板７０を基板保持搬送機構１４に保持させて、真空チャンバ１２内にセットし、蛍光体層を形成するための成膜材料を充填した後、扉１３を閉めて真空チャンバ１２を閉塞する前に、真空チャンバ１２内が大気圧の状態で、クリーニングローラ６０により、基板７０の表面７０ｄが除塵される。
【００７９】
ここで、クリーニングローラ６０（ローラ部６６）による除塵は、基板７０の蛍光体層の形成領域（図示例においては、マスクとなる基板ホルダ３９の枠内）の全面をくまなく行なってもよいが、好ましくは、蛍光体層の形成領域の端部近傍は除塵を行なわず（ローラ部６６を接触させず）、蛍光体層の形成領域の中央部（以下、基板の中央部とも言う）のみを除塵するのが好ましい。
特に、図５に示すように、蛍光体層の形成領域の全長をａ、端部近傍の除塵を行なわない領域の幅（端部から内側への距離）をｂとした際に、「０．０３≦ｂ／ａ≦０．４」、中でも特に「０．１≦ｂ／ａ≦０．２」を満たすように、クリーニングローラ７０による除塵を行なうのが好ましい。なお、蛍光体層の形成領域が長方形の場合には、蛍光体層１４の形成領域と除塵を行う蛍光体層の中央部の領域とが、相似形であること、すなわち、ｂ／ａの値が４辺とも等しいことが好ましい。しかし必ずしも等しい必要はなく、４辺のそれぞれが上記式を満たすように、除塵領域を決定すればよい。
また、円形の場合には、直径を全長ａとして、上記式を満たすように、除塵領域を決定すればよい。
【００８０】
また、基板７０は、クリーニングローラ６０による除塵に先立ち、プラズマ洗浄を行なって、基板表面の清浄化し、かつ、親水性を向上するのが好ましい。なお、後述するブロア（気体吹付手段）、除電装置、イオンエアー発生装置等を利用する除塵を行なう場合にも、除塵に先立ってプラズマ洗浄を行なうのが好ましい。
なお、プラズマ洗浄は、真空チャンバ１２内で行なう必要な無く、外部のプラズマ洗浄装置でプラズマ洗浄を行なった後、基板７０を真空チャンバ１２内にセットすればよい。あるいは、製造装置１０がプラズマ洗浄機能を有していれば、真空チャンバ１２内でプラズマ洗浄を行なってもよい。
【００８１】
一般的に、基板７０の表面の親水性が高い方が、良好な基板７０と蛍光体層との密着力を得ることができる。
そのため、気相堆積法によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造においては、基板７０の表面（蛍光体層の形成面）にプラズマ洗浄を行なって、基板７０表面の有機汚染物質の除去および表面改良を行なって、基板７０の表面を親水性とした後に、蛍光体層の形成を行なうのが好ましい。また、プラズマ洗浄に先立ち、必要に応じて、基板７０の表面をアセトン等の有機溶剤で洗浄するのも好ましい。
なお、この基板７０の表面の親水性の程度には限定は無いが、２２μＬ（マイクロリットル）の水を基板７０に滴下した際に、基板表面の水滴径が７ｍｍ以上、特に１０ｍｍ以上となる程度の親水性であるのが好ましい。
【００８２】
ところが、このようにして基板７０の表面に親水性を付与した後に、クリーニングローラ６０によって基板７０の表面の除塵を行なうと、ローラ部６６の粘着成分が基板７０に転写されてしまう場合がある。
この粘着成分の転写は、微量であっても基板７０の親水性に大きな悪影響を与え、基板７０の親水性が低下してしまい、その結果、基板７０と蛍光体層との密着力に悪影響を与えてしまう。
【００８３】
基板７０と蛍光体層との密着力が不十分であると、蛍光体層が基板７０から剥離してしまう場合があるが、この剥離は、大部分が蛍光体層の端部から生じる。
言い換えれば、端部近傍の密着力さえ十分であれば、全体的な基板７０と蛍光体層との密着力を十分なものにでき、すなわち、蛍光体層の剥離は防止できる。
【００８４】
従って、基板７０の蛍光体層の形成領域の端部近傍は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわず（ローラブ６６を接触させず）、基板７０の中央部のみ除塵することにより、端部近傍での基板７０と蛍光体層との密着力を向上して、蛍光体層の密着力を十分に確保することができる。特に、蛍光体層の形成領域の全長をａ、端部近傍の除塵を行なわない領域の幅をｂとした際に、「０．０３≦ｂ／ａ≦０．４」、中でも特に「０．１≦ｂ／ａ≦０．２」を満たすように、クリーニングローラ６０による除塵を行うことにより、蛍光体層の十分な密着力と、基板７０に付着した塵等によって生じるヒロックに起因する画像欠陥の低減効果との両立を好適に図ることができ、蛍光体層の密着力に優れ、かつ、ヒロックに起因する画像欠陥の少ない、高品質な放射線像変換パネルを製造できる。
また、基板７０に付着した塵等によって生じるヒロックに起因する画像欠陥も、放射線像変換パネルの端部近傍であれば、重大な問題になることはなく、また、端部であれば画像処理による補正を容易である。
【００８５】
本実施形態においては、基板７０は、例えば、金属または合金からなるものであり、薄い板状部材またはシート部材である。また、基板７０は、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス鋼、銅、クロムまたはニッケルなどを用いることができる。なお、本実施形態においては、基板７０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金により構成されることが好ましい。
また、基板７０としては、ガラス、セラミックス、カーボン、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド等、放射線像変換パネルで利用されている各種のシート状の基板を全て利用することができる。
なお、基板７０は、その表面に、基板の基材を保護するためのＳｉＯ2、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＴｉＯ ２ 、ＳｉＮ、高分子等の保護層や、輝尽発光光を反射するための反射層を有してもよい。
【００８６】
また、本実施形態においては、搬送を容易にするために、図６に示すように、基板７０には、１つの側面７０ａに、２つのめねじ部７２を所定の間隔をあけて形成し、また、側面７０ａに対向する他の側面７０ｂにも、側面７０ａと同様に、２つのめねじ部７２を所定の間隔をあけて形成したものを用いることが好ましい。
基板７０においては、各めねじ部７２に、基部７８ａおよびおねじ部７８ｂにより構成されるピン７６が、それぞれ螺合される。また、ピン７６には十字状（プラス）の溝７８ｃ形成されており、これにより、プラスのドライバによりめねじ部７２にピン７６を容易に螺合させるこができる。
【００８７】
さらに、基板７０において、側面７０ａ、および側面７０ｂとは異なる端面７０ｃに、ロットナンバーなどの識別情報を表わす記号７４が、例えば、刻印により形成されている。これにより、基板７０を特定することができ、製造工程において、管理することができる。
なお、端面７０ｃに記録する記号７４は、例えば、数字および文字を組み合わせたものである。また、記号７４は、サンドブラストなどの加工方法により形成してもよい。
【００８８】
さらに、本実施形態においては、基板７０に設けられたピン７６は、搬送機（図示せず）による基板７０の搬送に用いられるものである。基板７０は、蛍光体層形成工程以降の工程においては、ピン７６が取り付けられた状態で搬送機により搬送される。
本実施形態においては、基板７０は、例えば、４５０ｍｍ×４５０ｍｍ×１０ｍｍ程度の大きさであり、アルミニウム合金の場合、その質量は約６ｋｇとなる。
このため、放射線像変換パネルの製造工程において、オペレータが基板７０を運ぶ場合、労働負担が大きいととともに、基板７０は外力を受けると、蛍光体層に亀裂などの欠陥が生じる虞がある。そこで、基板７０の搬送には、搬送機を用いることが好ましい。
【００８９】
搬送機は、例えば、基板７０を挟持し、保持する１対のアーム部８０と、このアーム部８０を駆動する駆動制御部（図示せず）と、搬送機を工場敷地内で移動させる移動手段（図示せず）とを有するものである。なお、図７に、搬送機のアーム部８０だけを示す。
図７に示すように、アーム部８０は、腕部８２を有し、この腕部８２に接続部８４を介して保持プレート８６が接続されている。この保持プレート８６には、ピン７６が挿通させる穴８８が、ピン７６の形成位置に整合する位置に形成されている。
１対のアーム部８０は、それぞれ方向ｍに移動可能であり、１対のアーム部８０は、駆動制御部により、相互の間隔を調整することができる。これにより、１対のアーム部８０の保持プレート８６の穴８８に基板７０のピン７６を挿通させて、基板７０を挟持し、保持することができる。
【００９０】
本実施形態においては、基板７０に蛍光体層７１を形成した後、真空チャンバ１２から基板ホルダ３９ごと基板７０を取り出す。
次に、基板７０を基板ホルダ３９から取り出し、作業台に載置した後、めねじ部７２にピン７６を螺合して取り付ける。
次に、搬送機により、１対のアーム部８０の保持プレート８６の穴８８に基板７０のピン７６を挿通させ、１対のアーム部８０で、側面７０ａ、７０ｂを挟持して、基板７０を保持する。そして、搬送機により、行われる熱処理を実施する熱処理装置まで基板７０を搬送する。
【００９１】
本実施形態の製造装置１０においては、蛍光体層７１の形成時には、異常核結晶の発生が抑制され、ヒロックなどの発生を抑制することができる。このため、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができる。最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
また、前述のように、蛍光体層の形成領域の端部近傍はクリーニングローラでの除塵を行なわず、中央部のみを除塵することにより、前記ヒロックの発生を防止すると共に、良好な蛍光体層と基板７０との密着力を得ることができる。
【００９２】
次に、製造装置１０を用いた本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においては、図８に示すような基板７０と、この基板７０上に形成された蛍光体層７１と、この蛍光体層７１上に形成され、蛍光体層７１を封止する防湿保護層７９とを有する放射線像変換パネル９０の製造方法について説明する。
【００９３】
予め、基板７０（図１（ａ）参照）を基板ホルダ３９（図１（ａ）参照）にセットしておく。
次に、基板７０を基板ホルダ３９ごと、プラズマ洗浄装置（図示せず）にセットし、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１（図８参照）の形成面）をプラズマ洗浄する。なお、必要に応じて、プラズマ洗浄に先立ちアセトンなどの有機溶剤で基板７０を洗浄してもよい。
次に、真空チャンバ１２（図１（ａ）参照）の扉１３（図１（ａ）参照）を開け、真空チャンバ１２を大気開放状態にする。
次に、基板保持搬送機構１４の保持手段２６（図２（ｂ）参照）の保持部材３８ｂ（図２（ｂ）参照）に基板ホルダ３９ごと基板７０を保持する。
【００９４】
次に、全てのルツボ５０（図１（ａ）参照）に臭化セシウムを、全てのルツボ５２（図１（ａ）参照）に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後、すなわち、成膜材料を真空チャンバ１２内にセットした後、シャッタ（図示せず）を閉塞する。
次に、真空チャンバ１２が大気開放状態で、クリーニングローラ６０（図４参照）のローラ部６６（図４参照）を、基板７０の表面７０ｄ（図１（ａ）参照）に接触させて、基板７０の表面７０ｄのゴミ、埃を取り除き、除塵する。そして、真空チャンバ１２の扉１３を閉めて、真空チャンバ１２を閉塞する。
好ましくは、蛍光体層の形成領域（基板ホルダ３９の枠内）の端部近傍にはローラ部６６を接触せず、基板７０の中央部のみを除塵する。
【００９５】
次いで、真空ポンプ１８（図１（ａ）参照）を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０-4Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９（図１（ｂ）参照）によって開口部１９ａ（図１（ｂ）参照）を経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整し、さらに、抵抗加熱用の電源を駆動して全てのルツボ５０およびルツボ５２に通電して成膜材料を加熱する。
その後、予め設定した所定時間（例えば、６０分）が経過したら、シャッタを開放し、次いで、モータ３４を駆動して、所定速度での基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面７０ｄへの蛍光体層７１（図８参照）の形成を開始する。
【００９６】
形成する蛍光体層７１の膜厚等に応じて設定された所定回数の直線搬送の往復動が終了したら、基板７０の直線搬送を停止し、シャッタを閉塞し、抵抗加熱用の電源を切り、ガス導入ノズル１９によるＡｒガスの導入を止める。
次に、窒素ガスまたは乾燥空気を真空チャンバ１２内に導入して、真空チャンバ１２内を大気圧とする。すなわち、大気開放状態とする。
【００９７】
次いで、真空チャンバ１２の扉１３を開け、蛍光体層７１を形成した基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出し、作業台に運ぶ。
次に、基板ホルダ３９から基板７０を取り外し、基板７０の各めねじ部７２（図６参照）に、それぞれピン７６（図６参照）を螺合して、取り付ける。これにより、搬送機を用いて、基板７０の搬送が可能となる。
次に、搬送機により、１対のアーム部８０（図７参照）の保持プレート８６（図７参照）の穴８８（図７参照）に基板７０のピン７６を挿通させて、側面７０ａ、７０ｂ（図７参照）を挟持して、基板７０を保持する。
次に、搬送機により、基板７０を次工程の熱処理を実施する熱処理装置（図示せず）まで搬送する。
次に、ピン７６がついた状態のままで、蛍光体層７１に輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上させるために、熱処理装置により加熱処理（アニール）を施す。
【００９８】
次に、加熱処理終了後、搬送機により、基板７０を次工程の防湿保護層７９（図８参照）を形成する防湿保護層形成装置（図示せず）まで搬送する。
次に、蛍光体層７１の上に、例えば、ディスペンサー等を用いて接着剤を塗布する。
次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルム（図示せず）を引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層７１の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板に密着させて防湿保護層７９（図８参照）を形成する。このようにして、図８に示す放射線像変換パネル９０を製造することができる。
なお、防湿保護層７９は、予め接着剤が塗布された保護フィルムを用いて形成することもできる。
【００９９】
また、防湿保護層７９を構成する防湿保護フィルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ2膜とＳｉＯ2とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ2膜との３層を形成してなる防湿保護層７９が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム）、ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。なお、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ2膜／ＳｉＯ2とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ2膜の３層を形成した防湿保護層７９において、例えば、ＳｉＯ2膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ2とＰＶＡのハイブリット膜は、ＰＶＡとＳｉＯ2の比率が１：１となるようにゾル・ゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。また、防湿保護層７９は、４０℃の温度で相対湿度が９０％の環境下において、透湿度が０．２〜０．６（ｇ／（ｍ2・ｄａｙ）)であることが好ましい。
【０１００】
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においては、基板７０を真空チャンバ１２内にセットし、全てのルツボ５０に臭化セシウムを、全てのルツボ５２に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後に、真空チャンバ１２が大気圧の状態で、基板７０の表面７０ｄの除塵を行うことにより、基板７０のセット、および臭化セシウム、および臭化ユーロピウムの成膜材料の充填などにより、ゴミ、埃などが発生し、このゴミ、埃が基板７０の蛍光体層７１の形成面に付着した場合であっても、取り除くことができる。これにより、蛍光体層７１は、基板７０の表面７０ｄに異常核成長の起点となるゴミ、埃が極めて少ない状態で形成される。このため、蛍光体層７１の形成時には、異常核結晶の発生が抑制され、ヒロックなどの発生が抑制される。よって、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができる。最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
また、好ましくは、基板７０の蛍光体層の形成領域の端部近傍は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわないことにより、基板７０と蛍光体層７１との密着力が良好な放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１０１】
また、本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においては、基板７０をセットし、全てのルツボ５０に臭化セシウムを、全てのルツボ５２に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後（成膜材料を充填した後）に、基板７０の除塵を行うことが層好ましい。特に、成膜材料を充填した後、真空チャンバ１２の扉１３を閉めて、真空チャンバ１２を閉塞した状態で、蛍光体層７１を形成する直前に、基板７０の除塵を行うことがより一層好ましい。これにより、例えば、真空チャンバ１２を閉塞した状態で、基板７０の表面７０ｄにゴミ、埃などが付着しても取り除くことができる。すなわち、蛍光体層７１を形成する直前に除塵することができる。このため、最終的に、より一層点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１０２】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図９（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第２の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図９（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
本実施形態においては、図１（ａ）および（ｂ）〜図３に示す放射線像変換パネル製造装置１０、図６、図７に示す放射線像変換パネルの基板７０、ならびに図８に示す放射線像変換パネル９０と同一構成物には、同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１０３】
図９（ａ）に示すように、本実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０ａ（以下、製造装置１０ａともいう）は、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０（図１（ａ）および（ｂ）参照）に比して、除塵部９２および各種のセンサ（図示せず）が設けられている点が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【０１０４】
本実施形態の除塵部９２は、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）を除塵するものであり、真空チャンバ１２内の真空ポンプ１８の設置側に設けられている。この除塵部９２は、ローラ部９４を有する。このローラ部９４は、垂直方向に対して昇降自在であり、基板７０の表面７０ｄに対して接離可能である。また、ローラ部９４は、支持部９４ａと、この支持部９４ａに回転自在に軸支されたローラ９４ｂとを有する。なお、ローラ９４ｂは、クリーニングローラ６０（図４参照）のローラ部６６（図４参照）と同様の構成である。
【０１０５】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、除塵部９２のローラ部９４を上方に突出させておき、基板７０を真空ポンプ１８の設置側に移動させることにより、ローラ９４ｂが基板７０の表面７０ｄに接触して、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）を除塵する。この除塵部９２のローラ部９４の昇降は制御部２０により制御される。すなわち、制御部２０により、除塵が制御される。
なお、この際における除塵も、蛍光体層の形成領域（基板ホルダ３９の枠内）の端部近傍はローラ９４ｄを接触させず（すなわち除塵を行なわず）、基板７０の中央部のみをローラ９４ｄで除塵するのが好ましいのは、先の例と同様である。
【０１０６】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、例えば、基板保持手段２６に基板ホルダ３９が設置されたことを検知する第１のセンサ（図示せず）を設けられている。
この第１のセンサは制御部２０に接続されており、基板ホルダ３９が基板保持手段２６に保持された場合には、検知信号が制御部２０に出力される。なお、第１のセンサとしては、例えば、近接センサを用いることができる。
【０１０７】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、基板ホルダ３９が基板保持手段２６に保持されたことを示す検知信号が制御部２０に出力された後、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらには、基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、第１のセンサを設けることにより、基板７０をセットした後に確実に除塵することができる。
【０１０８】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサに代えて、あるいは、第１のセンサに加えて、ルツボ（容器）５０、５２内に成膜材料（臭化セシウム、臭化ユーロピウム）が収納（充填）されたことを検知する第２のセンサ（図示せず）を設けてもよい。
この第２のセンサは制御部２０に接続されており、ルツボ（容器）５０、５２内に成膜材料（臭化セシウム、臭化ユーロピウム）が収納（充填）された場合には、検知信号が制御部２０に出力される。この第２のセンサとしては、例えば、ルツボ（容器）５０、５２の底部にセラミックスなどの耐熱体を介して設けられた歪みゲージを用いることができる。
【０１０９】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、ルツボ（容器）５０、５２内に成膜材料が収納（充填）されたことを示す検知信号が制御部２０に出力された後、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらには、基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、第２のセンサを設けることにより、ルツボ（容器）５０、５２内に成膜材料が収納（充填）した際に発生する塵または埃を確実に除塵することができる。
【０１１０】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサに代えて、あるいは第１のセンサに加えて、真空チャンバ１２に設けられている真空計を用いてもよい。この場合、真空計で測定された圧力が圧力信号として制御部２０に出力されている。真空チャンバ１２内の圧力が所定の圧力以下になった場合、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらに基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、真空チャンバ１２内の圧力に基づいて、除塵するため、真空チャンバ１２内に残存した塵埃の影響がなく、より一層確実に除塵することができる。
【０１１１】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサに代えて、あるいは第１のセンサに加えて、真空チャンバ１２の扉１３の開閉を検知する第３のセンサ（図示せず）を設けてもよい。
この第３のセンサは制御部２０に接続されており、扉１３が閉じている場合には、検知信号が制御部２０に出力される。この第３のセンサとしては、例えば、近接センサを用いることができる。
【０１１２】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、真空チャンバ１２の扉１３が閉じられたことを示す検知信号が制御部２０に出力された後、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらには、基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、第３のセンサを設けることにより、真空チャンバ１２の扉１３が閉じた後、すなわち、真空チャンバ１２を閉塞した状態で除塵するため、真空チャンバ１２外から塵埃の進入を抑制した状態で更に確実に除塵することができる。
【０１１３】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサに代えて、あるいは第１のセンサに加えて、加熱蒸発部１６に設けられたシャッタの開閉を検知する第４のセンサ（図示せず）を設けてもよい。
この第３のセンサは制御部２０に接続されており、シャッタが開いている場合には、検知信号が制御部２０に出力される。この第４のセンサとしては、例えば、フォトインタラプタまたは近接センサを用いることができる。
【０１１４】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、加熱蒸発部１６のシャッタが閉じられたことを示す検知信号が制御部２０に出力された後、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらには、基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、第４のセンサを設けることにより、除塵を蒸着開始直前に、しかも真空チャンバ１２内の真空度が高く、真空チャンバ１２内の塵埃が極めて少ない状態で行うことができるため、第１のセンサ〜第３のセンサに比して、極めて効果的な除塵をすることができる。
【０１１５】
このように、本実施形態の製造装置１０ａにおいても、基板７０の表面７０ｄを除塵することができるため、第１の実施形態の製造装置１０と同様に、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができ、最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１１６】
なお、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサ〜第４のセンサの検知信号または真空計の出力信号を用いることにより、除塵を行うタイミングを設定することができる。また、制御部２０においては、第１のセンサ〜第４のセンサの検知信号または真空計の出力信号が入力された後、除塵の開始時期は、特に限定されるものではなく、検知信号または出力信号が入力された直後または所定の時間経過後であってもよい。
なお、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１の実施形態のように、クリーニングローラ６０（図４参照）を用いるものに比して、除塵部９２が真空チャンバ１２内に設けられている。このため、上述のように、第１のセンサ〜第４のセンサの検知信号または真空計の出力信号を用いることにより、基板７０をセットした後、成膜材料を充填した後、扉１３を閉じた後、または真空チャンバ１２で内部を真空状態にした後、制御部２０により自動的に基板７０を除塵部９２に対向する位置に移動させて、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を除塵部９２のローラ部９４により取り除くことができる。これにより、基板７０の表面７０ｄに蛍光体層７１を形成する前に、基板７０の表面７０ｄをより効果的に除塵することができる。よって、蛍光体層７１における異常核成長を更に抑制することができ、最終的に、更に点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。また、第２〜第４のセンサを有する態様等においても、第１のセンサを有することにより、基板７０を装着せずに除塵部９２を動作させるトラブルを防止できる。
さらに、これらの実施形態における除塵も、基板７０の蛍光体層の形成領域の端部近傍は、ローラ９４ｄを接触させず（すなわち除塵を行なわず）、基板７０の中央部のみをローラ９４ｄで除塵することにより、蛍光体層７１と基板７０との密着力の高い、より高品位な放射線像変換パネルを製造することができる。
【０１１７】
次に、本発明の第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
なお、本実施形態においても、図８に示す放射線像変換パネル９０を例にその製造方法について説明する。
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法は、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に比して、基板７０を除塵する除塵工程が、クリーニングローラ６０（図４参照）を用いるものではなく、除塵部９２が用いられ、除塵部９２による除塵のタイミングは、第１のセンサ〜第４のセンサまたは真空計などの製造装置１０ａの構成に依存する点が異なり、それ以外の工程は、第１の放射線像変換パネルの製造方法と同様であるため、その詳細な説明は省略する。また、好ましくは、蛍光体層の形成領域（マスクとなる基板ホルダ３９の枠内）の端部近傍にはローラ部６６を接触せず、基板７０の中央領域のみを除塵するのも同様である。
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においては、除塵を自動的に行うことができるとともに、第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
【０１１８】
本実施形態の製造方法においても、蛍光体層７１（図８参照）が、基板７０（図８参照）に異常核成長の起点となるゴミ、埃が極めて少ない状態で形成される。これにより、ヒロックなどの発生が抑制され、基板７０の表面７０ｄに垂直な方向に柱状結晶が密に林立し、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができる。このため、最終的に、第１の実施形態と同様に、点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０（図８参照）を製造することができる。
【０１１９】
また、本実施形態の製造方法においては、除塵部９２が真空チャンバ１２内に設けられている。このため、基板７０をセットした後、成膜材料を充填した後、扉１３を閉じた後、または真空チャンバ１２で内部を真空状態にした後、制御部２０により自動的に基板７０を除塵部９２に対向する位置に移動させて、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を除塵部９２のローラ部９４により取り除くことができる。これにより、基板７０の表面７０ｄに蛍光体層７１を形成する前に、基板７０の表面７０ｄをより効果的に除塵することができる。よって、蛍光体層７１における異常核成長を更に抑制することができ、最終的に、更に点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０（図７参照）を製造することができる。
【０１２０】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図１０（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第３の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図１０（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
本実施形態においては、図９（ａ）および（ｂ）に示す第２の実施形態の放射線像変換パネル製造装置１０ａと同一構成物には、同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１２１】
図１０（ａ）に示すように、本実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０ｂ（以下、製造装置１０ｂともいう）は、第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０ａ（図９（ａ）および（ｂ）参照）に比して、除塵部９６の構成が異なり、それ以外の構成は、第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０ａと同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。なお、製造装置１０ｂにも、第１のセンサ〜第４のセンサのいずれか、および真空計が設けられていることは言うまでもない。
【０１２２】
本実施形態の除塵部９６は、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）を除塵するものであり、真空チャンバ１２内の真空ポンプ１８の設置側に設けられている。この除塵部９６は、例えば、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）に気体Ｆを吹付けるブロア（気体吹付手段）である。
本実施形態の製造装置１０ｂにおいては、基板７０を除塵部９６と対向する位置に移動させ、除塵部９６により、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）に気体Ｆを吹付けることによりゴミ、埃などを取り除く。すなわち、基板７０の表面７０ｄを除塵する。
【０１２３】
また、本実施形態の製造装置１０ｂにおいては、除塵部９６は、基板７０を除電することにより、基板７０の表面７０ｄのゴミ、埃を取り除く、除電装置を有するものでもよい。
なお、本実施形態の製造装置１０ｂにおいては、除塵部９６には、除電装置として、例えば、クリンエアバリア除電装置（ＳＪ−Ｖシリーズ（株式会社キーエンス製））を用いることができる。
【０１２４】
さらに、除塵部９６は、ブロア（気体吹付手段）と、除電装置またはイオンエアー発生装置とを組み合わせたものでもよい。この場合、基板７０の表面７０ｄの除塵は、ブロアで気体Ｆを吹き付け、更にイオンエアーの吹き付けを併用して除塵を行う。
さらにまた、除塵部９６は、イオンエアー発生装置と除電装置とを組み合わせたものでもよい。
【０１２５】
このように、本実施形態の製造装置１０ｂにおいても、第２の実施形態の製造装置１０ａと同様に、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができ、最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１２６】
なお、本実施形態の製造装置１０ｂにおいても、第２の実施形態の製造装置１０ａのように、第１のセンサ〜第４のセンサのいずれか、および真空計が設けられており、除塵部９６も真空チャンバ１２内に設けられている。このため、基板７０をセットした後、成膜材料を充填した後、または扉１３を閉じた後、制御部２０により自動的に基板７０を除塵部９６に対向する位置に移動させて、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を除塵部９６により取り除くことができる。これにより、真空チャンバ１２内を真空状態する直前に、基板７０の表面７０ｄをより効果的に除塵することができる。よって、蛍光体層７１における異常核成長を更に抑制することができ、最終的に、更に点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１２７】
次に、本発明の第３の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
なお、本実施形態においても、図８に示す放射線像変換パネル９０を例にその製造方法について説明する。
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法は、第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法と同様に、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に比して、除塵部９６が用いられ、除塵部９６による除塵のタイミングは、第１のセンサ〜第４のセンサまたは真空計などの製造装置１０ｂの構成に依存する点が異なり、それ以外の工程は、第１の放射線像変換パネルの製造方法と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においても、第１のセンサ〜第４のセンサの検知信号または真空計の出力信号を用いることにより、制御部２０により除塵を自動的に行うことができるとともに、第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
【０１２８】
本実施形態の製造方法においても、蛍光体層７１（図８参照）が、基板７０（図８参照）に異常核成長の起点となるゴミ、埃が極めて少ない状態で形成される。これにより、ヒロックなどの発生が抑制され、基板７０の表面７０ｄに垂直な方向に柱状結晶が密に林立し、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができる。このため、最終的に、第１の実施形態と同様に、点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０（図８参照）を製造することができる。
【０１２９】
また、本実施形態の製造方法においては、除塵部９６が真空チャンバ１２内に設けられている。このため、基板７０をセットし、成膜材料を充填した後に、扉１３を閉じて真空チャンバ１２を閉塞した状態で、基板７０を除塵部９６に対向する位置に移動させて、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を除塵部９６により取り除くことができる。これにより、真空チャンバ１２内を真空状態する直前に、基板７０の表面７０ｄをより効果的に除塵することができる。よって、蛍光体層７１における異常核成長を更に抑制することができ、最終的に、更に点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０（図８参照）を製造することができる。
【０１３０】
上述のいずれの実施形態においても、基板を搬送方向に直線搬送して蛍光体層を形成する放射線像変換パネル製造装置を例に説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、基板を保持したままで蛍光体層を形成するもの、または基板を回転しながら蛍光体層を形成するものなど、基板の搬送方式については、特に限定されるものではない。
【０１３１】
以上、本発明の放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。
【実施例】
【０１３２】
以下、本発明の具体的な実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。
［実施例１、実施例２、および、比較例１］
本実施例においては、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により放射線像変換パネルを作製した。この第１の実施形態の製造方法により作製した放射線像変換パネルを実施例１とした。
また、第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により放射線像変換パネルを作製した。この第２の実施形態の製造方法により作製した放射線像変換パネルを実施例２とした。
さらに、基板の除塵工程を省略した以外は、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法と同じ製造方法により放射線像変換パネルを作製し、この放射線像変換パネルを比較例１とした。
本実施例においては、実施例１、実施例２および比較例１の放射線像変換パネルについて、得られた画像の点欠陥をそれぞれ調べた。
【０１３３】
なお、実施例１、実施例２および比較例１の放射線像変換パネルの構成は、図８に示すように、基板７０に蛍光体層７１が設けられ、この蛍光体層７１を封止する防湿保護層７９が設けられた構成とした。
【０１３４】
また、基板には、アルミニウム合金基板（ＹＨ７５（白銅株式会社製））を用いた。また、基板の大きさは、４５０ｍｍ×４５０ｍｍ×１０ｍｍとした。
【０１３５】
次に、実施例１、実施例２および比較例１の放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
【０１３６】
先ず、基板７０を基板ホルダ３９にセットした。
次に、基板ホルダ３９にセットした状態で、基板ホルダ３９ごと基板７０をプラズマ洗浄装置にセットした。そして、プラズマ洗浄装置により、圧力が１ＰａのＡｒガス雰囲気下、電力が５００Ｗ、時間が６０秒の条件でＡｒプラズマを発生させて基板７０表面の洗浄を行った。
次に、洗浄した後、基板ホルダ３９ごと基板７０を真空チャンバ１２内の基板保持搬送機構１４の基板保持手段２６にセットした。
【０１３７】
次に、ＣｓＢｒ蒸発源（成膜材料）およびＥｕＢｒ２蒸発源（成膜材料）を真空チャンバ１２内の加熱蒸発部１６の抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した。
ここで、本実施例においては、蒸発源（成膜材料）として、純度が４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度が３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）の溶融品を用意した。ＥｕＢｒ２溶融品は、酸化を防ぐため十分なハロゲン雰囲気としたチューブ炉中にて、白金製ルツボに粉体を入れ、温度８００℃に加熱して溶融、冷却後、炉から取り出して作製した。各原料中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）はそれぞれ１０質量ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などの他の元素は、２質量ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ２中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０質量ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０質量ｐｐｍ以下であった。これらの原料は、吸湿性が高いので、露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
なお、実施例１、実施例２および比較例１の放射線像変換パネルにおいては、基板７０と加熱蒸発部１６との距離は１００ｍｍとし、基板７０を直線搬送しながら、蛍光体層７１を形成した。
【０１３８】
次に、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）にクリーニングローラ６０（図４参照）のローラ部６６（図４参照）をくまなく接触させて（すなわち、基板ホルダ３９によってマスキングされない全領域に接触させて）、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を取り除き、除塵した（すなわち「ｂ／ａ＝０／４００＝０」）。
なお、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じ基板ホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央および蛍光体層形成領域の端部（以下、単に端部とする）共に５ｍｍであった。
【０１３９】
次に、扉１３を閉じて真空チャンバ１２を閉塞した。
次に、メイン排気バルブを開いて真空チャンバ１２内を排気して、８×１０-4Ｐａの真空度とした。
このとき、真空ポンプとしては、ロータリーポンプ、メカニカルブースター、およびディヒュージョンポンプの組み合わせたものを用いた。さらに、水分除去のため、水分排気用のクライオポンプを使用した。
【０１４０】
その後、排気をメイン排気バルブに切り換えて８×１０-4Ｐａの真空度まで排気後、再度排気をバイパスに切り換え、Ａｒガスを所定量導入して１．０Ｐａの真空度とした。
【０１４１】
基板７０と加熱蒸発部１６（ルツボ５０およびルツボ５２）との間に設けられたシャッタを閉じた状態で、各蒸発源（ＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ2）をそれぞれ抵抗加熱装置で加熱溶融させ、加熱開始から６０分経過後、まず、ルツボ５０側のシャッタだけを開けて、基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。
次いで、ルツボ５０側のシャッタを開けた所定時間経過後に、ルツボ５２側のシャッタも開いて、ＣｓＢｒ蛍光体母体の上にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。
【０１４２】
なお、堆積速度は６μｍ／分とした。また、加熱蒸発部１６の各々の抵抗加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が、０．００３／１となるように制御した。
蒸着終了後、抵抗加熱装置の電源を切り、Ａｒガスの導入を停止した。
次に、真空チャンバ１２内に窒素ガスまたは乾燥空気を導入し、真空チャンバ１２内を大気圧にした。そして、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内から基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出した。
【０１４３】
これにより、基板７０の表面７０ｄには、蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に延びた密に林立した構造の蛍光体層７１が形成された。なお、蛍光体層７１の厚さは、７００μｍであり、蛍光体層７１が形成されている面積は４００ｍｍ×４００ｍｍであった。
【０１４４】
次に、蛍光体層７１が形成された基板７０について、感度を上げるために、温度２００℃で２時間、熱処理を行なった。
熱処理工程においては、まず、蛍光体層７１が形成された基板７０をガス導入可能な真空加熱装置の中に入れた。
次に、ロータリーポンプにより真空加熱装置内を約１Ｐａまで減圧し、蛍光体層７１が形成された基板７０に吸着している水分等の除去を行った。
次に、真空加熱装置内を加熱し、そして、Ｎ２（窒素）ガスを真空加熱容器内に流して、Ｎ２ガスフロー雰囲気とした。上述の如く、温度２００℃、時間２時間の熱処理条件で熱処理を行った。
次に、熱処理後、真空加熱装置から蛍光体層７１が形成された基板７０を取り出し、大気中で冷却した。
【０１４５】
次に、蛍光体層７１および基板７０の表面７０ｄの蛍光体層７１が形成されていない領域に、ディスペンサーを用いて接着剤を塗布した。
次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルムを引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層７１の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板の表面に密着させて防湿保護層７９を形成した。
このようにして、実施例１の放射線像変換パネルを作製した。
【０１４６】
また、実施例２は、実施例１と製造装置が異なり、除塵部が、気体吹付手段とイオンエアー発生装置を有するものを用いた。また、実施例２の放射線像変換パネルにおいては、除塵工程が、気体吹付手段とイオンエアー発生装置による気体の吹付けとイオンエアーによるものである点が異なり、それ以外は、実施例１と同様の製造方法により製造されたものである。なお、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様に気体の吹付けとイオンエアーによる除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央および端部共に１５ｍｍであった。
また、比較例１の放射線像変換パネルは、実施例１の製造方法において、除塵工程を省略したものであり、それ以外は、実施例１と同様の製造方法により製造されたものである。なお、基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、全く同様にプラズマ洗浄を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央および端部共に１５ｍｍであった。
【０１４７】
［実施例３］
基板７０の蛍光体層の形成領域の端部から幅２０ｍｍの領域（基板ホルダ３９の内側２０ｍｍの幅）は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した（すなわち「ｂ／ａ＝２０／４００＝０．０５」）。
また、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央（除塵領域）は５ｍｍ、端部（非除塵領域）は１５ｍｍであった。
【０１４８】
［実施例４］
基板７０の蛍光体層の形成領域の端部から幅４０ｍｍの領域（基板ホルダ３９の内側４０ｍｍの幅）は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した（すなわち「ｂ／ａ＝４０／４００＝０．１」）。
また、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央（除塵領域）は５ｍｍ、端部（非除塵領域）は１５ｍｍであった。
【０１４９】
［実施例５］
基板７０の蛍光体層の形成領域の端部から幅８０ｍｍの領域（基板ホルダ３９の内側８０ｍｍの幅）は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した（すなわち「ｂ／ａ＝８０／４００＝０．２」）。
また、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央（除塵領域）は５ｍｍ、端部（非除塵領域）は１５ｍｍであった。
【０１５０】
［実施例６］
基板７０の蛍光体層の形成領域の端部から幅１２０ｍｍの領域（基板ホルダ３９の内側１２０ｍｍの幅）は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した（すなわち「ｂ／ａ＝１２０／４００＝０．３」）。
また、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央（除塵領域）は５ｍｍ、端部（非除塵領域）は１５ｍｍであった。
【０１５１】
［比較例２］
基板７０のプラズマ洗浄も除塵も行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した。
なお、基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央および端部共に３．５ｍｍであった。
【０１５２】
これらの実施例１〜実施例６、ならびに、比較例１および比較例２の製造方法について、除塵の方法（有無）、および水滴径を、まとめて下記表１に示す。
【０１５３】
［画像欠陥］
本実施例においては、上述のように作製した各実施例および比較例の放射線像変換パネルについて、放射線画像として、一様画像を取得し、この放射線画像（一様画像）における点欠陥を調べた。
【０１５４】
先ず、放射線像変換パネルの表面全面に、タングステン管球を用い、管電圧が８０ｋＶのＸ線を線量１０ｍＲ（２．５８×１０−６Ｃ／ｋｇ）で照射した後、ラインスキャナ方式の画像読取装置（波長が６６０ｎｍの半導体レーザ光を照射し、放射線像変換パネルの表面から放射された輝尽発光光をライン状に受光素子が配置されたＣＣＤで受光するもの）で読み取り、読み取った光（受光した光）を電気信号に変換して、放射線画像として一様画像を得た。この放射線画像（一様画像）をレーザプリンタによりフィルム上に可視像として出力した。
【０１５５】
次に、放射線像変換パネルについて得られたフィルムに記録された放射線画像（一様画像）について、シャウカステンを用いて放射線画像（一様画像）の中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍの範囲（１０ｃｍ□：１００ｃｍ２）において、白く抜けた点を点欠陥として、その白く抜けた点の個数を目視により数えた。このようにして、点欠陥の個数を測定した。
下記表１に実施例１、実施例２および比較例１の各放射線像変換パネルの点欠陥の個数を示す。
なお、点欠陥は、１０ｃｍ□の画像上において、６００×６００μｍ超の欠陥を大サイズ、６００×６００μｍ以下の欠陥を小サイズとして計数した。また、評価は、大サイズが１つでも有するものは「×」、大サイズが無く小サイズが１５個以下のものを「◎」、大サイズが無く小サイズが１５個超のものを「○」と判断した。
【０１５６】
［膜密着］
また、本実施例においては、上述のように作製した各実施例および比較例の放射線像変換パネルについて、蛍光体層の密着力を調べた。
なお蛍光体層の密着力は、蛍光体層７１の表面に粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥がして蛍光体層７１の基板７０からからの剥離の有無を観察し、満点（全く剥離しない）を６点とした時の点数で評価した。粘着力テープを粘着力の違うものを５段階準備し、テープごとの剥離状況から相対的に密着力を評価した。なお、実用可能なレベルは、放射線像変換パネルを車上に搭載した際、放射線像変換パネルからその車上振動により剥離しないレベルを指しており、実質可能なレベルは３点以上である。
【０１５７】
点欠陥および膜密着の試験結果を書き表１に併記する。
【表１】
比較例２は、プラズマ洗浄を行なっていない。また、上記表において、水滴径の単位はｍｍ、画像欠陥（点欠陥）の数は、１０ｃｍ□の個数である。
【０１５８】
上記表１に示すように、実施例１および実施例２は、比較例１および比較例２に比して、点欠陥の個数が１／３以下になっており、点欠陥の個数が著しく減少した。
また、実施例１は、実施例２に比して、点欠陥の個数が１／２以下であり、更に点欠陥の個数が少なく、更に一層良好な蛍光体層を形成することができた。
さらに、蛍光体層形成領域の端部近傍はクリーニングローラによる除塵を行なわなかった実施例３〜６は、良好な点欠陥の減少効果と共に、非常に優れた蛍光体層の密着力を得ることができている。
このように、本発明の放射線像変換パネルの製造方法においては、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができた。
【図面の簡単な説明】
【０１５９】
【図１】（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第１の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【図３】図１（ａ）に示す蛍光体シート製造装置の加熱蒸発部を示す模式的平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に用いられるクリーニングローラを示す模式図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるクリーニングローラによる除塵を説明するための模式図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる基板を示す模式的斜視図である。
【図７】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる基板の搬送方法を示す模式的斜視図である。
【図８】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第２の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図８（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第３の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図９（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【図１１】放射線像変換パネルにおける点欠陥を説明する模式図である。
【符号の説明】
【０１６０】
１０、１０ａ、１０ｂ 放射線像変換パネル製造装置（製造装置）
１２ 真空チャンバ
１２ａ 底面
１２ｂ、１２ｃ 側面
１４ 基板保持搬送手段
１６ 加熱蒸発部
１８ 真空ポンプ
１９ ガス導入ノズル
２０ 制御部
２２ 駆動手段
２４ ＬＭガイド
２４ａ ガイドレール
２４ｂ 係合部材
２６ （基板）保持手段
３０ 保持部材
３２ ボールネジ
３２ａ ネジ軸
３２ｂ ナット部
３４ モータ
３６ 基台
３８ 保持機構
３８ａ 取付部材
３８ｂ 保持部材
４０ 防熱部材
５０、５２ ルツボ
６０ クリーニングローラ
７０、１０２ 基板
７１、１０４ 輝尽性蛍光体層（蛍光体層）
７２ めねじ部
７６ ピン
８０ アーム部
９０、１００ 放射線像変換パネル
９２、９６ 除塵部
９４ ローラ部
１０６ａ 異常成長結晶
Ｈ ヒロック
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピューテッドラジオグラフィー（ＣＲ）等で放射線画像の記録（撮影）に用いられる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置に関し、特に、柱状結晶からなる蛍光体層における柱状結晶の成長状態を均一にし、点欠陥などが少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、および紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
例えば、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層）を有する放射線像変換パネルを利用する放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography）等として実用化されている。
この放射線画像情報記録再生システムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、放射線像変換パネル（輝尽性蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、放射線像変換パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置、または写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
放射線像変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末を、バインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスまたは樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作製される。
これに対し、真空蒸着またはスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層ともいう）を形成してなる蛍光体パネルも知られている。真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという優れた特性を有している。さらに、蛍光体層が蛍光体の柱状構造で形成されるため、鮮鋭度の高い良好な画質が得られる。
【０００５】
また、放射線像変換パネルにおいては、読み取り時にチリ、またはホコリなどのゴミが付着した場合、および製造時にチリ、またはホコリなどのゴミが混入した場合、得られる画像に欠陥が生じる虞がある。このため、このような画像の欠陥の発生を抑制するために、種々の技術が開示されている（特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００６】
特許文献１には、蓄積蛍光体シートのクリーニング機構が設けられた放射線画像読取装置が開示されている。この特許文献１のクリーニング機構は、回転クリーニングローラ対と、除電ブラシ対とを有するものである。
特許文献１の放射線画像読取装置においては、クリーニング機構により、蛍光体シートの表面に付着した塵埃を除去するとともに、表面の電荷を除去する。これにより、電荷による放射線画像の影響、塵埃の付着による放射線画像の悪影響を取り除いている。
【０００７】
また、特許文献２の放射線画像読取装置は、放射線画像の記録された蓄積性蛍光体パネルを搬送する搬送系が、蓄積性蛍光体パネルの両面側に位置するように配置された複数の弾性ベルトを備えるものである。
特許文献２の放射線画像読取装置においては、複数の弾性ベルトを駆動し複数の弾性ベルトの間に挟まれた蓄積性蛍光体パネルを搬送する。これにより、蓄積性蛍光体パネルを搬送する際に、傷が付くこと、またひずみが生じ経年劣化してしまうことを防止し、さらには、搬送中に蓄積性蛍光体パネルに塵、ごみ、ほこり等の異物が付着することを防止するものである。この特許文献２においても、蛍光体層へのゴミの付着を防止し、画像読み取りに生じる画像の劣化を未然に防止することができる。
【０００８】
さらに、特許文献３の放射線画像変換パネルの製造方法には、保護層および輝尽性蛍光体層の少なくとも１層の表面のゴミを粘着力による除去方法で除去した後に、保護層と輝尽性蛍光体層をそれぞれ接着させる工程を有するものが開示されている。
このように、特許文献３においては、放射線画像変換パネルの製造方法の工程の中に、ゴミ除去方法を設けることにより、繰り返し使用される放射線画像変換パネルに対し、搬送系等を介して読み取り部に侵入した塵埃や蓄積性蛍光体シートに付着した塵埃等による画像読み取り精度の劣化を防止し、ノイズの少ない優れた画像が得られる。
【０００９】
【特許文献１】特開平５−７２６５６号公報
【特許文献２】特開平１１−３４４７８１号公報
【特許文献３】特開２００５−４３０５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１の放射線画像読取装置および特許文献２の放射線画像読取装置においては、画像の読み取り時に、付着するゴミを取り除くものであり、放射線像変換パネルにゴミが混入している場合には、対処できないという問題点がある。
また、特許文献３においては、保護層と蛍光体層との間にゴミが混入しないようにするものであるものの、蛍光体層を形成するに際し、ゴミ、埃などの混入を抑制するものではない。この結果、蛍光体層を形成する際に、ゴミ、埃などが混入した場合、製造された放射線像変換パネルにおいては、以下に示すような画像欠陥が生じる虞がある。
【００１１】
図１１に示す放射線像変換パネル１００のように、通常は、柱状結晶１０６が成長し、この柱状結晶１０６により輝尽性蛍光体層１０４（以下、蛍光体層１０４という）が構成される。また、蛍光体層１０４の表面１０４ａは略均一な高さとなる。
しかしながら、基板１０２上に蛍光体層１０４を形成する際に、基板１０４にゴミ１０８がある場合、このゴミ１０８を起点として異常成長結晶１０６ａが起き、結果として蛍光体層１０４において、この表面１０４ａから突出したヒロックＨが生じる。このような異常成長結晶１０６ａにより、得られる画像において、本来黒である画像が白くなる点欠陥が生じる。このようなことから、ゴミ、埃などの混入を抑制しない場合には、必ずしも欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができるとは限らない。さらには、現状では、蛍光体層１０４の異常成長結晶１０６の発生を抑制することを開示するものはない。
【００１２】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、点欠陥などの発生を抑制し、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、閉塞された真空チャンバ内で、気相堆積法により蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法であって、前記真空チャンバ内に基板をセットする工程と、前記基板がセットされた状態で前記基板の表面を除塵する工程と、前記蛍光体層を基板上に形成する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである。
【００１４】
本発明においては、前記基板の表面を除塵する工程は、前記真空チャンバが大気圧の状態で行われることが好ましい。
また、本発明においては、前記基板をセットする工程と、前記基板の表面を除塵する工程との間に、前記蛍光体層となる成膜材料を前記真空チャンバ内にセットする工程を有することが好ましい。
【００１５】
さらに、本発明においては、前記基板をセットする工程と前記基板の表面を除塵する工程との間、または前記基板をセットする工程の前に、前記蛍光体層となる成膜材料を前記真空チャンバ内にセットする工程を有することが好ましい。
【００１６】
さらにまた、本発明においては、前記基板の表面を除塵する工程は、クリーニングローラを用いる除塵方法、前記基板に気体を吹付ける方法、および前記基板を除電する方法のうち、少なくとも１つの方法が用いられることが好ましい。
【００１７】
さらにまた、本発明においては、前記クリーニングローラは、前記基板の表面に接触されるローラ部を有するものであり、前記ローラ部は、ブチルゴム、シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものにより構成されることが好ましい。
ここで、前記クリーニングローラによる除塵は、前記基板の蛍光体層形成領域の端部近傍を除いて行なうのが好ましく、また、この際において、前記蛍光体層の形成領域の全長をａ、前記端部近傍の除塵を行なわない領域の幅をｂとした際に、式「０．０３≦ｂ／ａ≦０．４」を満たすのが好ましい。
【００１８】
また、本発明においては、前記基板の表面を除塵する工程は、前記気体を吹付ける方法、および前記基板を除電する方法を用いるものであり、および前記基板を除電する方法には、除電装置が用いられることが好ましい。
また、本発明においては、前記除電装置は、イオンエアー発生装置であることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の第２の態様は、シート状の基板の表面に真空蒸着によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネル製造装置であって、真空チャンバと、前記真空チャンバ内を排気する真空排気手段と、前記真空チャンバ内に設けられ、容器に収納された前記蛍光体層の成膜材料を抵抗加熱によって加熱し、前記容器の開口部から前記成膜材料の蒸気を放出させる抵抗加熱手段と、前記真空チャンバ内に設けられ、前記抵抗加熱手段の上方において、前記基板を保持する基板保持手段と、前記真空チャンバ内に設けられ、前記基板の表面を除塵する除塵部とを有することを特徴とする放射線像変換パネル製造装置を提供するものである。
【００２０】
本発明においては、さらに、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記基板が前記基板保持手段に保持されたことを検知する第１のセンサとを有し、前記第１のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【００２１】
また、本発明においては、さらに、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記容器に前記成膜材料が収納されたことを検知する第２のセンサを有し、前記第２のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【００２２】
さらに、本発明においては、さらに、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記真空チャンバが閉塞されたことを検知する第３のセンサとを有し、前記第３のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【００２３】
さらにまた、本発明においては、さらに、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記真空チャンバ内の圧力を測定する真空計とを有し、前記真空計により測定された圧力が所定の圧力以下であるとき、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【００２４】
また、本発明においては、さらに、前記容器の開口部に開閉自在に設けられたシャッタと、前記除塵部を制御する制御部と、前記制御部に接続され、前記シャッタの開閉を検知する第４のセンサとを有し、前記第４のセンサにより前記シャッタが開放された検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法によれば、真空チャンバ内に基板をセットする工程と、基板がセットされた状態で基板の表面を除塵する工程と、蛍光体層を基板上に気相堆積法により形成する工程とを有し、蛍光体層を基板上に形成する直前に、基板表面を除塵することにより、基板を真空チャンバ内にセットし、その後、種々の作業または装置の動作などにより、細かなゴミ、および埃が発生し、異常成長の起点となる細かなゴミ、および埃が基板表面に付着した場合でも取り除かれる。そして、清浄な状態の基板表面に蛍光体層が形成されるため、異常核成長の発生が抑制され、ヒロックの発生も抑制される。これにより、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置について、添付の図面に示される好適実施形態を基に詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第１の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【００２７】
図１に示す放射線像変換パネル製造装置１０（以下、製造装置１０ともいう）は、蓄積性蛍光体（母体）となる材料と、付活剤（賦活剤：activator）となる材料とを別々に蒸発する二元の真空蒸着によって、基板７０の表面７０ｄに蓄積性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層という）を形成して、（蓄積性）放射線像変換パネルを製造する装置である。
このような製造装置１０は、基本的に、真空チャンバ１２と、基板保持搬送機構１４と、加熱蒸発部（抵抗加熱手段）１６と、真空ポンプ（真空排気手段）１８と、ガス導入ノズル１９と、制御部２０とを有して構成される。なお、本発明の製造装置１０は、これ以外にも、公知の真空蒸着装置が有する各種の構成要素を有してもよいのは、もちろんである。例えば、真空チャンバ１２内の真空度を測定する真空計（図示せず）を有し、制御部２０に接続されている。
なお、本実施形態において、基板７０は、基板ホルダ３９に収納されて、基板保持搬送機構１４に基板ホルダ３９ごと保持されて、真空チャンバ１２内にセットされ、直線搬送されるものである。
また、基板ホルダ３９は、基板７０をその側面から挿入して内部に係止して保持する形で保持するように構成されているものである。
【００２８】
また、本発明は、図１に示すような二元の真空蒸着装置に限定はされず、全ての成膜材料を混合して蒸発源に収納する一元の真空蒸着を行う装置であってもよく、あるいは、三元以上の真空蒸着を行う装置であってもよいが、好ましくは、複数の成膜材料を別々の蒸発源に収納する、二元あるいはそれ以上の多元の真空蒸着装置である。
【００２９】
また、本発明においては、好適な一例として、蛍光体成分となる臭化セシウム（ＣｓＢｒ）と、付活剤成分となる臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒx（ｘは、通常、２〜３であり、特に２が好ましい）とを成膜材料として用い、抵抗加熱による二元の真空蒸着を行って、基板７０に蓄積性蛍光体であるＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を成膜して、放射線像変換パネルを作製する。
また、成膜中に不活性ガスの導入を行なうためのガス導入ノズル１９を有する製造装置１０は、好ましくは、一旦、真空チャンバ１２内を高真空度まで排気した後、排気を行ないつつガス導入ノズル１９によって不活性ガスを導入して真空チャンバ１２内を０．１Ｐａ〜１０Ｐａ程度の真空度（以下、中真空という）とし、この中真空下で、加熱蒸発部１６において抵抗加熱によって成膜材料（臭化セシウムおよび臭化ユーロピウム）を加熱蒸発して、基板保持搬送機構１４によって基板７０を直線状に搬送（以下、直線搬送という）しつつ、真空蒸着による基板７０への蛍光体層の成膜を行なう。
【００３０】
また、本発明においては、蛍光体層を形成する輝尽性蛍光体として、各種のものが利用可能であるが、例えば、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
例えば、米国特許第３、８５９、５２７号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ」、「ＴｈＯ2：Ｅｒ」、および、「Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍ」。
【００３１】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ2Ｏ3：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭIIＯ・ｘＳｉＯ2：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｌ、ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００３２】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ、Ｙ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００３３】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-x、Ｍ2+x）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ2+は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００３４】
特開昭５９−３８２７８号公報に開示される、一般式「ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ」または「Ｍ3（ＰＯ4）2・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｂ、Ｔｌ、ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００３５】
一般式「ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ’2：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ’2：ｘＥｕ、ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｒｅは、Ｌａ、Ｇｄ、ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ、Ｃｌ、およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-4＜ｘ＜３×１０-1であり、１×１０-4＜ｙ＜１×１０-1であり、さらに、１×１０-3＜ｎ／ｍ＜７×１０-1である。）
【００３６】
特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ''3：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIIIは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ、ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
【００３７】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-X、ＭIIX）Ｆ2・ａＢａＸ2：ｙＥｕ、ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０-6≦ｙ≦２×１０-1であり、０＜ｚ≦１×１０-2である。）
【００３８】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭIIIＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIIは、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００３９】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ1-xＭaＬaＦＸ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-2≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。）
【００４０】
特開昭５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭIIＦＸ・ａＭIＸ’・ｂＭ’IIＸ''2・ｃＭIIIＸ3・ｘＡ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。（上記式においてＭIIは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭIは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’IIは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭIIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０-2であり、０≦ｃ≦１×１０-2であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０-6であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００４１】
特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭６１−７２０８７号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭIが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００４２】
本実施形態において、真空チャンバ１２は、鉄、ステンレス、アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー、真空槽）である。
真空チャンバ１２の一方の側面１２ｂには、真空ポンプ１８がディフューザ１８ａを介して接続されている。この真空ポンプ１８は、例えば、油拡散ポンプが用いられる。なお、真空ポンプ１８は、特に限定されるものではなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、クライオポンプ、ターボモレキュラポンプ等を利用することができ、さらに補助として、クライオコイル等を併用してもよい。なお、蛍光体層を成膜する製造装置１０においては、真空チャンバ１２内の到達真空度は、８．０×１０-4Ｐａより高い真空度が得られるものであることが好ましい。
【００４３】
また、真空チャンバ１２の一方の側面１２ｂに対向する他方の側面１２ｃには、扉１３が開閉自在に設けられている。
本実施形態においては、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内に基板７０の搬入、および成膜材料の搬入などが行われる。また、扉１３を閉じ、真空チャンバ１２を閉塞して真空蒸着などが行われる。
【００４４】
ガス導入ノズル１９も、ボンベとの接続手段およびガス流量の調整手段等を有する（もしくは、これらに接続される）、真空蒸着装置またはスパッタリング装置等で用いられている公知のガス導入手段であり、前記中真空での真空蒸着による蛍光体層の成膜を行うために、アルゴンガス（Ａｒガス）、窒素ガスまたはその他希ガス等の不活性ガスを真空チャンバ１２内に導入する。この不活性ガスとは、真空蒸着の際に、基板７０および蛍光体層と反応しないガスのことである。
このガス導入ノズル１９の開口部（ガス導入口）１９ａを介して、不活性ガスが真空チャンバ１２内に導入される。ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）は、例えば、加熱蒸発部１６の近傍、かつ真空チャンバ１２の底面１２ａに設けられている。
【００４５】
基板保持搬送機構１４は、基板７０を基板ホルダ３９ごと保持して、直線搬送するものであり、図２に模式的に示すように、駆動手段２２と、リニアモータガイド２４と、基板保持手段２６とから構成される。なお、図２（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図であり、（ｂ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図であり、（ｃ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【００４６】
駆動手段２２は、基板保持手段２６を基板７０の基板搬送方向（以下、搬送方向という）Ｍに移動（往復動）するもので、基板７０の搬送方向Ｍに延在して保持部材３０によって回転自在に軸支されるネジ軸３２ａ、およびネジ軸３２ａに螺合するナット部３２ｂからなるボールネジ３２と、前記ネジ軸３２ａを回転するモータ３４とからなる、ボールネジを用いる公知の直線状の移動機構である。
なお、本発明において、駆動手段はボールネジ３２とモータ３４とを利用するものに限定はされず、シリンダを利用する搬送手段、モータとモータによって回転されるリング状のチェーンを用いる搬送手段など、必要な耐熱性を有するものであれば、公知の直線状の移動（搬送）手段が、各種利用可能である。
【００４７】
リニアモータガイド２４（以下、ＬＭガイド２４という）は、駆動手段２２による基板保持手段２６（すなわち基板７０）の直線搬送を補助するもので、ガイドレール２４ａと、長手方向に移動自在にガイドレール２４ａに係合する係合部材２４ｂとからなる、公知のリニアモータガイドである。
ガイドレール２４ａは、基板７０の搬送方向Ｍに延在して、前記ネジ軸３２ａを軸とする対象位置に離間して２本が配置され、共に、真空チャンバ１２の天井面に固定される。一方、係合部材２４ｂは、各ガイドレール２４ａに２つずつ係合するように、合計４つが基板保持手段２６（後述する基台３６の上面）に固定される。
【００４８】
基板保持手段２６（以下、保持手段２６という）は、基板ホルダ３９ごと基板７０を保持して、前記ＬＭガイド２４によって案内されつつ前記駆動手段２２によって直線状で移動されるものであり、基台３６と、保持機構３８と、防熱部材４０を有して構成される。
【００４９】
基台３６は、製造装置１０が適正に設置された状態で水平となる長方形状の平板状部材である。
基板３６の上面の中心には、前記ボールネジ３２のナット部３２ｂが固定され、また、基板３６の上面の対角線上の対称位置には、２本のガイドレール２４ａの間隔に応じて前記ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂが固定される。
【００５０】
保持機構３８は、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとから構成され、基台３６の角部に４つが配置される。
取付部材３８ａは、矩形の断面略Ｃ字状の形状を有するものである。この取付部材３８ａは、Ｃ字開放部を内側に向けて、搬送方向Ｍと直交方向の外方からＣ字天井面の一部を基台３６の角部に載置して、基台３６に垂下するようにして固定される。従って、保持手段２６は、基台３６の下部には、基台３６の面積よりも広い空間を有している。
【００５１】
保持部材３８ｂは、下端に基板ホルダ３９（基板７０）の保持手段を有するものであり、取付部材３８ａに垂下して固定される。すなわち、基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持機構３８は、基台３６に角部近傍で垂下される。
【００５２】
本発明において、保持部材３８ｂによる基板ホルダ３９（基板７０）の保持方法には特に限定はなく、治具等を用いる方法、静電気を利用する方法、吸着を利用する方法等、上面から板状物を保持する公知の方法が各種利用可能である。また、基板７０への蛍光体層の蒸着領域等に応じて可能であれば、治具等を用いて、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四隅を押さえる保持手段、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四辺を押さえる保持手段等を利用してもよい。
また、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとの間にスペーサを入れる、ネジによる調整手段を設ける、シリンダによる昇降手段を設ける等の方法で、保持部材３８ｂの下端位置すなわち基板７０を保持／搬送する高さを調整可能にしてもよい。
【００５３】
前述のように、基台３６は、駆動手段２２によって直線搬送される。従って、基板保持搬送機構１４は、保持機構３８によって例えば、基板ホルダ３９（基板７０）の四隅近傍を保持し、保持手段２６を駆動手段２２によって搬送することにより、基板７０を基板ホルダ３９ごと直線搬送する。
本発明においては、このように基板７０を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空の真空蒸着によって蛍光体層を形成することにより、結晶性が良好で、膜厚分布均一性の高い蛍光体層の形成を実現している。
【００５４】
例えば、ラインセンサによる放射線画像の読み取りが想定される放射線像変換パネルの蛍光体層には、±３％以内、好ましくは±２％以内の高い膜厚分布均一性が要求される。
蛍光体層の形成を真空蒸着で行う場合には、全面的に膜厚が均一な蛍光体層を形成するために、通常、基板を回転して成膜を行う。ここで、基板７０を回転させると、半径方向で基板表面（成膜面）の速度（線速）が異なる。
【００５５】
電子線加熱による蒸着では、高い真空度で蒸着を行うので、基板と蒸発源（成膜材料の加熱蒸発部＝ルツボ）とを充分に離間して配置できる。その結果、成膜材料の蒸気を充分に拡散した状態で、基板の全面に対して蒸気を均一に暴露することができるので、この半径方向での基板表面の速度の違いは大きな問題にはならず、特に、基板の高速回転を行うことにより、高い膜厚分布均一性を確保できる。
【００５６】
ここで、本発明の製造方法で好適に形成される前記各種の蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を、真空蒸着によって形成（成膜）する際には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、排気を維持した状態でＡｒガスまたは窒素ガス等の不活性ガスを系内に導入して、０．１〜１０Ｐａ程度の中真空、特に０．５〜３Ｐａ程度の中真空として蛍光体層を形成するのが好ましい。
これにより、良好な柱状の結晶構造を有する蛍光体層を形成することができ、輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた放射線像変換パネルを製造することができる。
【００５７】
本発明の製造装置１０は、基本的に、このような中真空での蛍光体層の形成を行うものであり、ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）から真空チャンバ１２内に不活性ガスを導入しつつ中真空で抵抗加熱によって真空蒸着を行う。
この程度の中真空での真空蒸着では、蒸発した成膜材料を確実に基板７０に到達させるためには、通常に比して、大幅に蒸発源と基板７０との距離を、例えば、１００ｍｍ程度に短くする必要がある。そのため、蒸発源の蒸気が充分に拡散する前に基板７０に至ってしまう。従って、回転する基板の全面に均一に対面するように半径方向に直線状に蒸発源を配列しても、基板面の線速の違いによって、半径方向で蒸発源との対面時間に差が生じ、これにより半径方向に蒸気の暴露量に差が生じてしまい、この差が、そのまま膜厚の差となってしまう。
すなわち、基板を回転して行う中真空の真空蒸着では、基板の全面に均一に蒸気を暴露するためには、加熱蒸発部における蒸発源の配置を工夫する必要があり、例えば、±３％以内の高い膜厚分布均一性を実現するためには、蒸発源の位置設定が非常に困難である。
【００５８】
これに対し、本発明の製造装置１０においては、このように基板ホルダ３９ごと基板７０を直線搬送しつつ真空蒸着によって蛍光体層の形成を行うことにより、基板７０表面における移動速度を全面的に均一にできる。
従って、搬送方向Ｍと直交する方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にするだけで、基板７０の全面的に均一に成膜材料の蒸気を暴露することができ、簡易な蒸発源の位置設定でも、膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成できる。しかも、直線搬送の往復搬送を行って成膜を行うことにより、微量成分であるユーロピウム（付活剤）の蛍光体層中における分散状態も、好適にできる。
【００５９】
なお、本発明において、必要な膜厚の蛍光体層を形成できれば、成膜中における基板７０の直線搬送は、１回の直線搬送でも、１回の往復動（往復搬送）でも、往復動を複数回行ってもよい。また、基板の搬送経路は、おおむね直線状であれば、多少、ジグザグ状であっても、波打つような経路であってもよい。
一般的に、同じ膜厚であれば、加熱蒸発部１６の上部の通過回数が多い程、膜厚分布均一性を高くできるので、複数回の往復動を行って蛍光体層を形成するのが好ましい。また、往復動の回数は、蛍光体層の目的膜厚または目的とする膜厚分布均一性等に応じて、適宜、決定すればよく、最後の搬送は一方向でもよい。直線搬送の搬送速度にも、特に限定はなく、ＬＭガイド２４の速度限界、往復動の回数、目的とする蛍光体層の膜厚等に応じて、適宜、決定すればよい。
【００６０】
基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持手段２６において、上面にボールネジ３２のナット部３２ｂおよびＬＭガイド２４の係合部材２４ｂ等が固定される基台３６の直下には、防熱部材４０が配置される。ここで、前述のように、図示例の製造装置１０においては、略Ｃ字状の取付部材３８ａを用いて保持部材３８ｂを基台３６から垂下した状態で固定することにより、基台３６の下部に基台３６よりも広い空間を有している。これを利用して、図示例においては、防熱部材４０の面積を基台３６の面積より大きくして、充分な余裕を持って基台３６の下面全面を防熱部材４０で覆っている。
防熱部材４０は、後述する加熱蒸発部１６（蒸発源）に対して基台３６を覆うことにより、加熱蒸発部１６からの輻射熱等によって、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが加熱されるのを防止するものである。
【００６１】
先の説明から明らかなように、高い輝尽発光特性および画像鮮鋭性を実現可能な優れた結晶構造を有し、かつラインセンサによる高精度な放射線画像の読み取りが可能な膜厚均一性に優れた放射線像変換パネルを製造するためには、基板ホルダ３９（基板７０）を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空での真空蒸着を行なう必要がある。
【００６２】
ここで、周知のように、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂには、円滑な移動を可能にするためにボールが組み込まれ、また、ボールの円滑な回転を可能にするために、グリス等の潤滑剤が注入される。また、ボールを有さなくても、円滑な駆動を可能にするために、通常、駆動手段および搬送ガイド手段の摺動部にはグリス等の滑剤が注入される。ところが、前述のような中真空での真空蒸着では、蒸発源と基板７０との距離を短くする必要があるため、ＬＭガイド２４等に注入されるグリス等の滑剤が加熱されて溶融状態となって、蒸発源等に滴下してしまう場合がある。
防熱手段４０は、このような不都合が生じるのを防止するためのものである。
【００６３】
防熱部材４０には、特に限定はなく、加熱蒸発部１６からの輻射熱を遮蔽して、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂ、またさらに基台３６が加熱されることを防止できれば、各種のものが利用可能である。一例として、ステンレス板、鋼板、アルミニウム板、モリブデン板等が例示される。なお、固定方法は、防熱部材４０に応じて、適宜、決定すればよい。
また、必要に応じて、防熱部材４０に接触するパイプに冷水を流す、板材（防熱部材４０）の内部をくり抜いて水を流す等の手段によって、防熱部材４０の冷却手段を設けてもよい。
【００６４】
前述のように、図示例においては、好ましい態様として、防熱部材４０は基台３６よりも大きな面積を有し、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが固定される基台３６の下面全面を覆って配置される。しかしながら、本発明は、これに限定はされず、例えば、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂに対応する領域、あるいはさらにボールネジ３２のナット部３２ｂに対応する領域のみを、加熱蒸発部１６に対して防熱部材で覆ってもよい。
但し、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂの加熱をより好適に防止するためには、図示例のように、これらに熱を伝達する可能性のある部材は、加熱蒸発部１６に対して可能な限り防熱部材４０で覆うのが好ましい。
【００６５】
真空チャンバ１２の下方には、加熱蒸発部１６が配置される。
加熱蒸発部１６は、抵抗加熱によって、蛍光体層を形成するための成膜材料である臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムを蒸発させる部位である。この加熱蒸発部１６により、臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムの蒸気（成膜材料蒸気）からなる蒸着場が形成される。
【００６６】
前述のように、製造装置１０は、好ましい態様として、蛍光体成分である臭化セシウムと、付活剤成分である臭化ユーロピウムとを、独立して加熱蒸発する、二元の真空蒸着を行うものである。従って、加熱蒸発部１６には、臭化セシウム用（蛍光体用）の蒸発源となるルツボ（容器）５０、および、臭化ユーロピウム用（付活剤用）の蒸発源となるルツボ（容器）５２が配置される。
【００６７】
このようなルツボ５０および５２は、真空蒸着における抵抗加熱蒸発源用のルツボと同様、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属で形成され、電極（図示省略）から通電されることにより自身が発熱し、充填された成膜材料を加熱／溶融して、蒸発させるものである。
また、本発明において、抵抗加熱用の電源（加熱制御手段）には、特に限定はなく、サイリスタ方式、ＤＣ方式、熱電対フィードバック方式等、抵抗加熱装置で用いられる各種の方式が利用可能である。また、抵抗加熱を行なう際の出力にも特に限定はなく、使用する成膜材料、ルツボの形成材料の抵抗値または発熱量等に応じて、適宜、設定すればよい。
【００６８】
蓄積性蛍光体において、付活剤と蛍光体とは、例えばモル濃度比で０．０００５／１〜０．０１／１程度と、蛍光体層の大部分が蛍光体である。
そのため、図示例においては、消費量の多い臭化セシウム（蛍光体用）のルツボ５０は、円筒状（ドラム型）の大型のルツボを用いている。このルツボ５０は、ドラムの側面に、ドラムの軸線方向に延在するスリット状の開口を有し、この開口に一致して、開口と同形状の上下開口面を有する四角筒状のチムニー５０ａを蒸気排出部として設けている。
他方、消費量の少ない臭化ユーロピウム用（付活剤用）のルツボ５２は、通常のボート型のルツボの上面を、先と同様のチムニー５２ａを有する蓋体で閉塞してなる小型のルツボを用いている。
このようなスリット状のチムニーを有するルツボを用いることにより、ルツボ内における局所加熱または異状加熱によって突沸が生じた際に、成膜材料が不意にルツボから飛び出して周囲または基板７０に付着して、汚染することを防止できる。特に、抵抗加熱を利用する中真空の蒸着では、前述のように、基板７０と蒸着源とを近接して配置する必要があるので、その効果は大きい。
【００６９】
ここで、製造装置１０においては、ルツボ５０および５２を、基板７０の搬送方向Ｍと直交する方向Ｈ（以下、配列方向Ｈという）に複数配列することにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にして、直線搬送される基板７０の全面に均一に成膜材料蒸気を供給して、例えば、膜厚分布均一性が±３％以下の蛍光体層を形成している。なお、各ルツボは、離間させるか、または絶縁材の挿入等によって、互いに絶縁状態に有する。
【００７０】
加熱蒸発部１６の模式的平図である図３に示すように、図示例においては、一例として、臭化セシウム用のルツボ５０は、円筒（ドラム）の軸線方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列されている。ルツボ５０において、電極は円筒の端面に形成されており、個々のルツボ５０で独立して電源に接続される。また、各ルツボ５０に対応して、臭化セシウムの蒸発量を測定するための水晶振動子センサ５４が配置され（図１（ａ）および（ｂ）では、装置の全体構成を明瞭にするために省略）、この蒸発量の測定結果に応じて、ルツボ５０への通電量が制御される。なお、蒸発量の制御は、温度センサによって行ってもよい。
他方、ボート型のルツボである臭化ユーロピウム用のルツボ５２も、長手方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列される。ルツボ５２も、配列方向Ｈの両端に電極が形成され、個々に独立した電源が接続される。
【００７１】
図示例においては、好ましい態様として、１つのルツボ５０とルツボ５２とを対として、すなわち、蛍光体の成膜材料である臭化セシウムの１つの蒸発源と付活剤の成膜材料である臭化ユーロピウムの１つの蒸発源を対として、両者が基板７０の直線搬送方向Ｍに並ぶように配置し、さらに、より好ましい態様として、両者を装置およびルツボの構成上、可能な限り近接して配置している。
このような構成とすることにより、母体となる臭化セシウム蒸気中に、臭化ユーロピウム蒸気を充分に分散して、微量成分であるユーロピウム（付活剤）を蛍光体層中に均一に分散し、輝尽発光特性等の良好な蛍光体層を形成できる。
【００７２】
また、ルツボ５０の列およびルツボ５２の列においては、共に、配列されるルツボは、装置およびルツボの構成上、可能な限り配列方向Ｈに近接して配置され、かつルツボの列は、基板７０の配列方向Ｈのサイズを充分に包含する長さとするのが好ましい。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００７３】
このような配列方向Ｈへのルツボの列は、１つであってもよく、図示例のように２列であってもよく、さらに、３列以上であってもよい。
ここで、複数列のルツボの列を有する場合には、各ルツボの列は、基板７０の搬送方向Ｍから見た際に、他のルツボの列の成膜材料蒸気の排出口（前記スリット状のチムニー）の配列方向Ｈの間隙を、互いに埋めるように配置するのが好ましく、さらに、異なる列で成膜材料蒸気の排出口が搬送方向Ｍに重ならないように配置するのがより好ましい。言い換えれば、搬送方向Ｍから見た際に、各ルツボの列で、成膜材料蒸気の排出口が互い違いとなるようにするのが好ましい。図示例においては、配列方向Ｈへの２列のルツボの列において、搬送方向Ｍから見た際に、一方のルツボ列の電極位置に他方のルツボ列の蒸気排出口が位置するように、各ルツボの列を配列している。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００７４】
さらに、配列方向Ｈへのルツボの列を複数有する場合には、搬送方向Ｍの外側に蒸発量の多い臭化セシウム（付活剤）用のルツボ５０の列を位置するのが好ましい。
このような構成とすることにより、蒸発量の多い臭化セシウムの蒸発量センサを、搬送方向Ｍに対してルツボの列の外側の開いている空間に配置することができ、すなわち、蒸発量センサの選択自由度、製造装置１０の設計自由度を向上することができる。
【００７５】
なお、図示は省略するが、製造装置１０の加熱蒸発部１６は、全ルツボを水平方向の４方で囲む、ルツボの最上部よりも高い四角筒状の防熱板が配置され、かつ、この防熱板の上部開放面を閉塞／開放自在に、成膜材料蒸気を遮蔽するためのシャッタ（図示せず）が配置される。
【００７６】
また、本実施形態においては、基板７０の表面（蛍光体層の形成面）に付着しているゴミ、埃を取り除く工程、すなわち、除塵工程に、図４に模式的に示すようなクリーニングローラ６０が用いられる。このクリーニングローラ６０は、対をなす折曲部６２ａと、各折曲部６２ａに接続された基部６２ｂとからなるコ字形状のフレーム６２を有する。このフレーム６２の折曲部６２ａに回転軸６４が軸支されており、この回転軸６４にはローラ部６６が設けられている。また、フレーム６２の基部６２ｂにはハンドル６８が設けられている。
ローラ部６６は、オペレータにより、基板７０の表面７０ｄに接触されることにより、基板７０の表面のゴミ、および埃を除去するものであり、所定の粘着力を有するものである。
【００７７】
クリーニングローラ６０のローラ部６６は、例えば、ブチルゴム、シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものからなるものである。
また、クリーニングローラ６０のローラ部６６が、例えば、ブチルゴムを用いたものである場合、宮川ローラー株式会社製の粘着ローラ（商品名：ミモザ Ｂ）を用いることが好ましい。
さらに、クリーニングローラ６０においては、ローラ部６６の硬度（Ｈｓ ＪＩＳ−Ａ）は、３０°程度が好ましく、ＪＩＳ Ｚ０２３７で規定される粘着力は９１ｈＰａ程度であることが好ましい。
【００７８】
本実施形態の製造装置１０は、上述のように、中真空での真空蒸着を行うものであり、蒸発した成膜材料を確実に基板７０に到達させるためには、通常に比して、加熱蒸発部１６（蒸発源）と基板７０との距離を、例えば、１００ｍｍ程度に短くする必要がある。このため、基板７０と蒸発源との間に洗浄装置を設けることが困難である。また、真空チャンバ１２内に洗浄装置を設けた場合、装置が大型化し、コストも嵩む。本実施形態においては、除塵手段として、クリーニングローラ６０を用いることにより、安価にかつ確実に、基板７０の表面７０ｄを除塵することができる。
本実施形態においては、基板７０を基板保持搬送機構１４に保持させて、真空チャンバ１２内にセットし、蛍光体層を形成するための成膜材料を充填した後、扉１３を閉めて真空チャンバ１２を閉塞する前に、真空チャンバ１２内が大気圧の状態で、クリーニングローラ６０により、基板７０の表面７０ｄが除塵される。
【００７９】
ここで、クリーニングローラ６０（ローラ部６６）による除塵は、基板７０の蛍光体層の形成領域（図示例においては、マスクとなる基板ホルダ３９の枠内）の全面をくまなく行なってもよいが、好ましくは、蛍光体層の形成領域の端部近傍は除塵を行なわず（ローラ部６６を接触させず）、蛍光体層の形成領域の中央部（以下、基板の中央部とも言う）のみを除塵するのが好ましい。
特に、図５に示すように、蛍光体層の形成領域の全長をａ、端部近傍の除塵を行なわない領域の幅（端部から内側への距離）をｂとした際に、「０．０３≦ｂ／ａ≦０．４」、中でも特に「０．１≦ｂ／ａ≦０．２」を満たすように、クリーニングローラ７０による除塵を行なうのが好ましい。なお、蛍光体層の形成領域が長方形の場合には、蛍光体層１４の形成領域と除塵を行う蛍光体層の中央部の領域とが、相似形であること、すなわち、ｂ／ａの値が４辺とも等しいことが好ましい。しかし必ずしも等しい必要はなく、４辺のそれぞれが上記式を満たすように、除塵領域を決定すればよい。
また、円形の場合には、直径を全長ａとして、上記式を満たすように、除塵領域を決定すればよい。
【００８０】
また、基板７０は、クリーニングローラ６０による除塵に先立ち、プラズマ洗浄を行なって、基板表面の清浄化し、かつ、親水性を向上するのが好ましい。なお、後述するブロア（気体吹付手段）、除電装置、イオンエアー発生装置等を利用する除塵を行なう場合にも、除塵に先立ってプラズマ洗浄を行なうのが好ましい。
なお、プラズマ洗浄は、真空チャンバ１２内で行なう必要な無く、外部のプラズマ洗浄装置でプラズマ洗浄を行なった後、基板７０を真空チャンバ１２内にセットすればよい。あるいは、製造装置１０がプラズマ洗浄機能を有していれば、真空チャンバ１２内でプラズマ洗浄を行なってもよい。
【００８１】
一般的に、基板７０の表面の親水性が高い方が、良好な基板７０と蛍光体層との密着力を得ることができる。
そのため、気相堆積法によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造においては、基板７０の表面（蛍光体層の形成面）にプラズマ洗浄を行なって、基板７０表面の有機汚染物質の除去および表面改良を行なって、基板７０の表面を親水性とした後に、蛍光体層の形成を行なうのが好ましい。また、プラズマ洗浄に先立ち、必要に応じて、基板７０の表面をアセトン等の有機溶剤で洗浄するのも好ましい。
なお、この基板７０の表面の親水性の程度には限定は無いが、２２μＬ（マイクロリットル）の水を基板７０に滴下した際に、基板表面の水滴径が７ｍｍ以上、特に１０ｍｍ以上となる程度の親水性であるのが好ましい。
【００８２】
ところが、このようにして基板７０の表面に親水性を付与した後に、クリーニングローラ６０によって基板７０の表面の除塵を行なうと、ローラ部６６の粘着成分が基板７０に転写されてしまう場合がある。
この粘着成分の転写は、微量であっても基板７０の親水性に大きな悪影響を与え、基板７０の親水性が低下してしまい、その結果、基板７０と蛍光体層との密着力に悪影響を与えてしまう。
【００８３】
基板７０と蛍光体層との密着力が不十分であると、蛍光体層が基板７０から剥離してしまう場合があるが、この剥離は、大部分が蛍光体層の端部から生じる。
言い換えれば、端部近傍の密着力さえ十分であれば、全体的な基板７０と蛍光体層との密着力を十分なものにでき、すなわち、蛍光体層の剥離は防止できる。
【００８４】
従って、基板７０の蛍光体層の形成領域の端部近傍は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわず（ローラブ６６を接触させず）、基板７０の中央部のみ除塵することにより、端部近傍での基板７０と蛍光体層との密着力を向上して、蛍光体層の密着力を十分に確保することができる。特に、蛍光体層の形成領域の全長をａ、端部近傍の除塵を行なわない領域の幅をｂとした際に、「０．０３≦ｂ／ａ≦０．４」、中でも特に「０．１≦ｂ／ａ≦０．２」を満たすように、クリーニングローラ６０による除塵を行うことにより、蛍光体層の十分な密着力と、基板７０に付着した塵等によって生じるヒロックに起因する画像欠陥の低減効果との両立を好適に図ることができ、蛍光体層の密着力に優れ、かつ、ヒロックに起因する画像欠陥の少ない、高品質な放射線像変換パネルを製造できる。
また、基板７０に付着した塵等によって生じるヒロックに起因する画像欠陥も、放射線像変換パネルの端部近傍であれば、重大な問題になることはなく、また、端部であれば画像処理による補正を容易である。
【００８５】
本実施形態においては、基板７０は、例えば、金属または合金からなるものであり、薄い板状部材またはシート部材である。また、基板７０は、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス鋼、銅、クロムまたはニッケルなどを用いることができる。なお、本実施形態においては、基板７０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金により構成されることが好ましい。
また、基板７０としては、ガラス、セラミックス、カーボン、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド等、放射線像変換パネルで利用されている各種のシート状の基板を全て利用することができる。
なお、基板７０は、その表面に、基板の基材を保護するためのＳｉＯ2、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＴｉＯ ２ 、ＳｉＮ、高分子等の保護層や、輝尽発光光を反射するための反射層を有してもよい。
【００８６】
また、本実施形態においては、搬送を容易にするために、図６に示すように、基板７０には、１つの側面７０ａに、２つのめねじ部７２を所定の間隔をあけて形成し、また、側面７０ａに対向する他の側面７０ｂにも、側面７０ａと同様に、２つのめねじ部７２を所定の間隔をあけて形成したものを用いることが好ましい。
基板７０においては、各めねじ部７２に、基部７８ａおよびおねじ部７８ｂにより構成されるピン７６が、それぞれ螺合される。また、ピン７６には十字状（プラス）の溝７８ｃ形成されており、これにより、プラスのドライバによりめねじ部７２にピン７６を容易に螺合させるこができる。
【００８７】
さらに、基板７０において、側面７０ａ、および側面７０ｂとは異なる端面７０ｃに、ロットナンバーなどの識別情報を表わす記号７４が、例えば、刻印により形成されている。これにより、基板７０を特定することができ、製造工程において、管理することができる。
なお、端面７０ｃに記録する記号７４は、例えば、数字および文字を組み合わせたものである。また、記号７４は、サンドブラストなどの加工方法により形成してもよい。
【００８８】
さらに、本実施形態においては、基板７０に設けられたピン７６は、搬送機（図示せず）による基板７０の搬送に用いられるものである。基板７０は、蛍光体層形成工程以降の工程においては、ピン７６が取り付けられた状態で搬送機により搬送される。
本実施形態においては、基板７０は、例えば、４５０ｍｍ×４５０ｍｍ×１０ｍｍ程度の大きさであり、アルミニウム合金の場合、その質量は約６ｋｇとなる。
このため、放射線像変換パネルの製造工程において、オペレータが基板７０を運ぶ場合、労働負担が大きいととともに、基板７０は外力を受けると、蛍光体層に亀裂などの欠陥が生じる虞がある。そこで、基板７０の搬送には、搬送機を用いることが好ましい。
【００８９】
搬送機は、例えば、基板７０を挟持し、保持する１対のアーム部８０と、このアーム部８０を駆動する駆動制御部（図示せず）と、搬送機を工場敷地内で移動させる移動手段（図示せず）とを有するものである。なお、図７に、搬送機のアーム部８０だけを示す。
図７に示すように、アーム部８０は、腕部８２を有し、この腕部８２に接続部８４を介して保持プレート８６が接続されている。この保持プレート８６には、ピン７６が挿通させる穴８８が、ピン７６の形成位置に整合する位置に形成されている。
１対のアーム部８０は、それぞれ方向ｍに移動可能であり、１対のアーム部８０は、駆動制御部により、相互の間隔を調整することができる。これにより、１対のアーム部８０の保持プレート８６の穴８８に基板７０のピン７６を挿通させて、基板７０を挟持し、保持することができる。
【００９０】
本実施形態においては、基板７０に蛍光体層７１を形成した後、真空チャンバ１２から基板ホルダ３９ごと基板７０を取り出す。
次に、基板７０を基板ホルダ３９から取り出し、作業台に載置した後、めねじ部７２にピン７６を螺合して取り付ける。
次に、搬送機により、１対のアーム部８０の保持プレート８６の穴８８に基板７０のピン７６を挿通させ、１対のアーム部８０で、側面７０ａ、７０ｂを挟持して、基板７０を保持する。そして、搬送機により、行われる熱処理を実施する熱処理装置まで基板７０を搬送する。
【００９１】
本実施形態の製造装置１０においては、蛍光体層７１の形成時には、異常核結晶の発生が抑制され、ヒロックなどの発生を抑制することができる。このため、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができる。最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
また、前述のように、蛍光体層の形成領域の端部近傍はクリーニングローラでの除塵を行なわず、中央部のみを除塵することにより、前記ヒロックの発生を防止すると共に、良好な蛍光体層と基板７０との密着力を得ることができる。
【００９２】
次に、製造装置１０を用いた本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においては、図８に示すような基板７０と、この基板７０上に形成された蛍光体層７１と、この蛍光体層７１上に形成され、蛍光体層７１を封止する防湿保護層７９とを有する放射線像変換パネル９０の製造方法について説明する。
【００９３】
予め、基板７０（図１（ａ）参照）を基板ホルダ３９（図１（ａ）参照）にセットしておく。
次に、基板７０を基板ホルダ３９ごと、プラズマ洗浄装置（図示せず）にセットし、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１（図８参照）の形成面）をプラズマ洗浄する。なお、必要に応じて、プラズマ洗浄に先立ちアセトンなどの有機溶剤で基板７０を洗浄してもよい。
次に、真空チャンバ１２（図１（ａ）参照）の扉１３（図１（ａ）参照）を開け、真空チャンバ１２を大気開放状態にする。
次に、基板保持搬送機構１４の保持手段２６（図２（ｂ）参照）の保持部材３８ｂ（図２（ｂ）参照）に基板ホルダ３９ごと基板７０を保持する。
【００９４】
次に、全てのルツボ５０（図１（ａ）参照）に臭化セシウムを、全てのルツボ５２（図１（ａ）参照）に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後、すなわち、成膜材料を真空チャンバ１２内にセットした後、シャッタ（図示せず）を閉塞する。
次に、真空チャンバ１２が大気開放状態で、クリーニングローラ６０（図４参照）のローラ部６６（図４参照）を、基板７０の表面７０ｄ（図１（ａ）参照）に接触させて、基板７０の表面７０ｄのゴミ、埃を取り除き、除塵する。そして、真空チャンバ１２の扉１３を閉めて、真空チャンバ１２を閉塞する。
好ましくは、蛍光体層の形成領域（基板ホルダ３９の枠内）の端部近傍にはローラ部６６を接触せず、基板７０の中央部のみを除塵する。
【００９５】
次いで、真空ポンプ１８（図１（ａ）参照）を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０-4Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９（図１（ｂ）参照）によって開口部１９ａ（図１（ｂ）参照）を経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整し、さらに、抵抗加熱用の電源を駆動して全てのルツボ５０およびルツボ５２に通電して成膜材料を加熱する。
その後、予め設定した所定時間（例えば、６０分）が経過したら、シャッタを開放し、次いで、モータ３４を駆動して、所定速度での基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面７０ｄへの蛍光体層７１（図８参照）の形成を開始する。
【００９６】
形成する蛍光体層７１の膜厚等に応じて設定された所定回数の直線搬送の往復動が終了したら、基板７０の直線搬送を停止し、シャッタを閉塞し、抵抗加熱用の電源を切り、ガス導入ノズル１９によるＡｒガスの導入を止める。
次に、窒素ガスまたは乾燥空気を真空チャンバ１２内に導入して、真空チャンバ１２内を大気圧とする。すなわち、大気開放状態とする。
【００９７】
次いで、真空チャンバ１２の扉１３を開け、蛍光体層７１を形成した基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出し、作業台に運ぶ。
次に、基板ホルダ３９から基板７０を取り外し、基板７０の各めねじ部７２（図６参照）に、それぞれピン７６（図６参照）を螺合して、取り付ける。これにより、搬送機を用いて、基板７０の搬送が可能となる。
次に、搬送機により、１対のアーム部８０（図７参照）の保持プレート８６（図７参照）の穴８８（図７参照）に基板７０のピン７６を挿通させて、側面７０ａ、７０ｂ（図７参照）を挟持して、基板７０を保持する。
次に、搬送機により、基板７０を次工程の熱処理を実施する熱処理装置（図示せず）まで搬送する。
次に、ピン７６がついた状態のままで、蛍光体層７１に輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上させるために、熱処理装置により加熱処理（アニール）を施す。
【００９８】
次に、加熱処理終了後、搬送機により、基板７０を次工程の防湿保護層７９（図８参照）を形成する防湿保護層形成装置（図示せず）まで搬送する。
次に、蛍光体層７１の上に、例えば、ディスペンサー等を用いて接着剤を塗布する。
次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルム（図示せず）を引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層７１の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板に密着させて防湿保護層７９（図８参照）を形成する。このようにして、図８に示す放射線像変換パネル９０を製造することができる。
なお、防湿保護層７９は、予め接着剤が塗布された保護フィルムを用いて形成することもできる。
【００９９】
また、防湿保護層７９を構成する防湿保護フィルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ2膜とＳｉＯ2とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ2膜との３層を形成してなる防湿保護層７９が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム）、ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。なお、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ2膜／ＳｉＯ2とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ2膜の３層を形成した防湿保護層７９において、例えば、ＳｉＯ2膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ2とＰＶＡのハイブリット膜は、ＰＶＡとＳｉＯ2の比率が１：１となるようにゾル・ゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。また、防湿保護層７９は、４０℃の温度で相対湿度が９０％の環境下において、透湿度が０．２〜０．６（ｇ／（ｍ2・ｄａｙ）)であることが好ましい。
【０１００】
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においては、基板７０を真空チャンバ１２内にセットし、全てのルツボ５０に臭化セシウムを、全てのルツボ５２に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後に、真空チャンバ１２が大気圧の状態で、基板７０の表面７０ｄの除塵を行うことにより、基板７０のセット、および臭化セシウム、および臭化ユーロピウムの成膜材料の充填などにより、ゴミ、埃などが発生し、このゴミ、埃が基板７０の蛍光体層７１の形成面に付着した場合であっても、取り除くことができる。これにより、蛍光体層７１は、基板７０の表面７０ｄに異常核成長の起点となるゴミ、埃が極めて少ない状態で形成される。このため、蛍光体層７１の形成時には、異常核結晶の発生が抑制され、ヒロックなどの発生が抑制される。よって、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができる。最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
また、好ましくは、基板７０の蛍光体層の形成領域の端部近傍は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわないことにより、基板７０と蛍光体層７１との密着力が良好な放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１０１】
また、本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においては、基板７０をセットし、全てのルツボ５０に臭化セシウムを、全てのルツボ５２に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後（成膜材料を充填した後）に、基板７０の除塵を行うことが層好ましい。特に、成膜材料を充填した後、真空チャンバ１２の扉１３を閉めて、真空チャンバ１２を閉塞した状態で、蛍光体層７１を形成する直前に、基板７０の除塵を行うことがより一層好ましい。これにより、例えば、真空チャンバ１２を閉塞した状態で、基板７０の表面７０ｄにゴミ、埃などが付着しても取り除くことができる。すなわち、蛍光体層７１を形成する直前に除塵することができる。このため、最終的に、より一層点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１０２】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図９（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第２の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図９（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
本実施形態においては、図１（ａ）および（ｂ）〜図３に示す放射線像変換パネル製造装置１０、図６、図７に示す放射線像変換パネルの基板７０、ならびに図８に示す放射線像変換パネル９０と同一構成物には、同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１０３】
図９（ａ）に示すように、本実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０ａ（以下、製造装置１０ａともいう）は、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０（図１（ａ）および（ｂ）参照）に比して、除塵部９２および各種のセンサ（図示せず）が設けられている点が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【０１０４】
本実施形態の除塵部９２は、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）を除塵するものであり、真空チャンバ１２内の真空ポンプ１８の設置側に設けられている。この除塵部９２は、ローラ部９４を有する。このローラ部９４は、垂直方向に対して昇降自在であり、基板７０の表面７０ｄに対して接離可能である。また、ローラ部９４は、支持部９４ａと、この支持部９４ａに回転自在に軸支されたローラ９４ｂとを有する。なお、ローラ９４ｂは、クリーニングローラ６０（図４参照）のローラ部６６（図４参照）と同様の構成である。
【０１０５】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、除塵部９２のローラ部９４を上方に突出させておき、基板７０を真空ポンプ１８の設置側に移動させることにより、ローラ９４ｂが基板７０の表面７０ｄに接触して、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）を除塵する。この除塵部９２のローラ部９４の昇降は制御部２０により制御される。すなわち、制御部２０により、除塵が制御される。
なお、この際における除塵も、蛍光体層の形成領域（基板ホルダ３９の枠内）の端部近傍はローラ９４ｄを接触させず（すなわち除塵を行なわず）、基板７０の中央部のみをローラ９４ｄで除塵するのが好ましいのは、先の例と同様である。
【０１０６】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、例えば、基板保持手段２６に基板ホルダ３９が設置されたことを検知する第１のセンサ（図示せず）を設けられている。
この第１のセンサは制御部２０に接続されており、基板ホルダ３９が基板保持手段２６に保持された場合には、検知信号が制御部２０に出力される。なお、第１のセンサとしては、例えば、近接センサを用いることができる。
【０１０７】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、基板ホルダ３９が基板保持手段２６に保持されたことを示す検知信号が制御部２０に出力された後、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらには、基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、第１のセンサを設けることにより、基板７０をセットした後に確実に除塵することができる。
【０１０８】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサに代えて、あるいは、第１のセンサに加えて、ルツボ（容器）５０、５２内に成膜材料（臭化セシウム、臭化ユーロピウム）が収納（充填）されたことを検知する第２のセンサ（図示せず）を設けてもよい。
この第２のセンサは制御部２０に接続されており、ルツボ（容器）５０、５２内に成膜材料（臭化セシウム、臭化ユーロピウム）が収納（充填）された場合には、検知信号が制御部２０に出力される。この第２のセンサとしては、例えば、ルツボ（容器）５０、５２の底部にセラミックスなどの耐熱体を介して設けられた歪みゲージを用いることができる。
【０１０９】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、ルツボ（容器）５０、５２内に成膜材料が収納（充填）されたことを示す検知信号が制御部２０に出力された後、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらには、基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、第２のセンサを設けることにより、ルツボ（容器）５０、５２内に成膜材料が収納（充填）した際に発生する塵または埃を確実に除塵することができる。
【０１１０】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサに代えて、あるいは第１のセンサに加えて、真空チャンバ１２に設けられている真空計を用いてもよい。この場合、真空計で測定された圧力が圧力信号として制御部２０に出力されている。真空チャンバ１２内の圧力が所定の圧力以下になった場合、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらに基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、真空チャンバ１２内の圧力に基づいて、除塵するため、真空チャンバ１２内に残存した塵埃の影響がなく、より一層確実に除塵することができる。
【０１１１】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサに代えて、あるいは第１のセンサに加えて、真空チャンバ１２の扉１３の開閉を検知する第３のセンサ（図示せず）を設けてもよい。
この第３のセンサは制御部２０に接続されており、扉１３が閉じている場合には、検知信号が制御部２０に出力される。この第３のセンサとしては、例えば、近接センサを用いることができる。
【０１１２】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、真空チャンバ１２の扉１３が閉じられたことを示す検知信号が制御部２０に出力された後、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらには、基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、第３のセンサを設けることにより、真空チャンバ１２の扉１３が閉じた後、すなわち、真空チャンバ１２を閉塞した状態で除塵するため、真空チャンバ１２外から塵埃の進入を抑制した状態で更に確実に除塵することができる。
【０１１３】
また、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサに代えて、あるいは第１のセンサに加えて、加熱蒸発部１６に設けられたシャッタの開閉を検知する第４のセンサ（図示せず）を設けてもよい。
この第３のセンサは制御部２０に接続されており、シャッタが開いている場合には、検知信号が制御部２０に出力される。この第４のセンサとしては、例えば、フォトインタラプタまたは近接センサを用いることができる。
【０１１４】
本実施形態の製造装置１０ａにおいては、加熱蒸発部１６のシャッタが閉じられたことを示す検知信号が制御部２０に出力された後、制御部２０が、除塵部９２からローラ部９４を上方に突出させ、さらには、基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このように、第４のセンサを設けることにより、除塵を蒸着開始直前に、しかも真空チャンバ１２内の真空度が高く、真空チャンバ１２内の塵埃が極めて少ない状態で行うことができるため、第１のセンサ〜第３のセンサに比して、極めて効果的な除塵をすることができる。
【０１１５】
このように、本実施形態の製造装置１０ａにおいても、基板７０の表面７０ｄを除塵することができるため、第１の実施形態の製造装置１０と同様に、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができ、最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１１６】
なお、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１のセンサ〜第４のセンサの検知信号または真空計の出力信号を用いることにより、除塵を行うタイミングを設定することができる。また、制御部２０においては、第１のセンサ〜第４のセンサの検知信号または真空計の出力信号が入力された後、除塵の開始時期は、特に限定されるものではなく、検知信号または出力信号が入力された直後または所定の時間経過後であってもよい。
なお、本実施形態の製造装置１０ａにおいては、第１の実施形態のように、クリーニングローラ６０（図４参照）を用いるものに比して、除塵部９２が真空チャンバ１２内に設けられている。このため、上述のように、第１のセンサ〜第４のセンサの検知信号または真空計の出力信号を用いることにより、基板７０をセットした後、成膜材料を充填した後、扉１３を閉じた後、または真空チャンバ１２で内部を真空状態にした後、制御部２０により自動的に基板７０を除塵部９２に対向する位置に移動させて、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を除塵部９２のローラ部９４により取り除くことができる。これにより、基板７０の表面７０ｄに蛍光体層７１を形成する前に、基板７０の表面７０ｄをより効果的に除塵することができる。よって、蛍光体層７１における異常核成長を更に抑制することができ、最終的に、更に点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。また、第２〜第４のセンサを有する態様等においても、第１のセンサを有することにより、基板７０を装着せずに除塵部９２を動作させるトラブルを防止できる。
さらに、これらの実施形態における除塵も、基板７０の蛍光体層の形成領域の端部近傍は、ローラ９４ｄを接触させず（すなわち除塵を行なわず）、基板７０の中央部のみをローラ９４ｄで除塵することにより、蛍光体層７１と基板７０との密着力の高い、より高品位な放射線像変換パネルを製造することができる。
【０１１７】
次に、本発明の第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
なお、本実施形態においても、図８に示す放射線像変換パネル９０を例にその製造方法について説明する。
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法は、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に比して、基板７０を除塵する除塵工程が、クリーニングローラ６０（図４参照）を用いるものではなく、除塵部９２が用いられ、除塵部９２による除塵のタイミングは、第１のセンサ〜第４のセンサまたは真空計などの製造装置１０ａの構成に依存する点が異なり、それ以外の工程は、第１の放射線像変換パネルの製造方法と同様であるため、その詳細な説明は省略する。また、好ましくは、蛍光体層の形成領域（マスクとなる基板ホルダ３９の枠内）の端部近傍にはローラ部６６を接触せず、基板７０の中央領域のみを除塵するのも同様である。
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においては、除塵を自動的に行うことができるとともに、第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
【０１１８】
本実施形態の製造方法においても、蛍光体層７１（図８参照）が、基板７０（図８参照）に異常核成長の起点となるゴミ、埃が極めて少ない状態で形成される。これにより、ヒロックなどの発生が抑制され、基板７０の表面７０ｄに垂直な方向に柱状結晶が密に林立し、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができる。このため、最終的に、第１の実施形態と同様に、点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０（図８参照）を製造することができる。
【０１１９】
また、本実施形態の製造方法においては、除塵部９２が真空チャンバ１２内に設けられている。このため、基板７０をセットした後、成膜材料を充填した後、扉１３を閉じた後、または真空チャンバ１２で内部を真空状態にした後、制御部２０により自動的に基板７０を除塵部９２に対向する位置に移動させて、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を除塵部９２のローラ部９４により取り除くことができる。これにより、基板７０の表面７０ｄに蛍光体層７１を形成する前に、基板７０の表面７０ｄをより効果的に除塵することができる。よって、蛍光体層７１における異常核成長を更に抑制することができ、最終的に、更に点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０（図７参照）を製造することができる。
【０１２０】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図１０（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第３の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図１０（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
本実施形態においては、図９（ａ）および（ｂ）に示す第２の実施形態の放射線像変換パネル製造装置１０ａと同一構成物には、同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１２１】
図１０（ａ）に示すように、本実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０ｂ（以下、製造装置１０ｂともいう）は、第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０ａ（図９（ａ）および（ｂ）参照）に比して、除塵部９６の構成が異なり、それ以外の構成は、第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０ａと同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。なお、製造装置１０ｂにも、第１のセンサ〜第４のセンサのいずれか、および真空計が設けられていることは言うまでもない。
【０１２２】
本実施形態の除塵部９６は、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）を除塵するものであり、真空チャンバ１２内の真空ポンプ１８の設置側に設けられている。この除塵部９６は、例えば、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）に気体Ｆを吹付けるブロア（気体吹付手段）である。
本実施形態の製造装置１０ｂにおいては、基板７０を除塵部９６と対向する位置に移動させ、除塵部９６により、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）に気体Ｆを吹付けることによりゴミ、埃などを取り除く。すなわち、基板７０の表面７０ｄを除塵する。
【０１２３】
また、本実施形態の製造装置１０ｂにおいては、除塵部９６は、基板７０を除電することにより、基板７０の表面７０ｄのゴミ、埃を取り除く、除電装置を有するものでもよい。
なお、本実施形態の製造装置１０ｂにおいては、除塵部９６には、除電装置として、例えば、クリンエアバリア除電装置（ＳＪ−Ｖシリーズ（株式会社キーエンス製））を用いることができる。
【０１２４】
さらに、除塵部９６は、ブロア（気体吹付手段）と、除電装置またはイオンエアー発生装置とを組み合わせたものでもよい。この場合、基板７０の表面７０ｄの除塵は、ブロアで気体Ｆを吹き付け、更にイオンエアーの吹き付けを併用して除塵を行う。
さらにまた、除塵部９６は、イオンエアー発生装置と除電装置とを組み合わせたものでもよい。
【０１２５】
このように、本実施形態の製造装置１０ｂにおいても、第２の実施形態の製造装置１０ａと同様に、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができ、最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１２６】
なお、本実施形態の製造装置１０ｂにおいても、第２の実施形態の製造装置１０ａのように、第１のセンサ〜第４のセンサのいずれか、および真空計が設けられており、除塵部９６も真空チャンバ１２内に設けられている。このため、基板７０をセットした後、成膜材料を充填した後、または扉１３を閉じた後、制御部２０により自動的に基板７０を除塵部９６に対向する位置に移動させて、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を除塵部９６により取り除くことができる。これにより、真空チャンバ１２内を真空状態する直前に、基板７０の表面７０ｄをより効果的に除塵することができる。よって、蛍光体層７１における異常核成長を更に抑制することができ、最終的に、更に点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０を製造することができる。
【０１２７】
次に、本発明の第３の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
なお、本実施形態においても、図８に示す放射線像変換パネル９０を例にその製造方法について説明する。
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法は、第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法と同様に、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に比して、除塵部９６が用いられ、除塵部９６による除塵のタイミングは、第１のセンサ〜第４のセンサまたは真空計などの製造装置１０ｂの構成に依存する点が異なり、それ以外の工程は、第１の放射線像変換パネルの製造方法と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においても、第１のセンサ〜第４のセンサの検知信号または真空計の出力信号を用いることにより、制御部２０により除塵を自動的に行うことができるとともに、第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
【０１２８】
本実施形態の製造方法においても、蛍光体層７１（図８参照）が、基板７０（図８参照）に異常核成長の起点となるゴミ、埃が極めて少ない状態で形成される。これにより、ヒロックなどの発生が抑制され、基板７０の表面７０ｄに垂直な方向に柱状結晶が密に林立し、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７１を得ることができる。このため、最終的に、第１の実施形態と同様に、点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０（図８参照）を製造することができる。
【０１２９】
また、本実施形態の製造方法においては、除塵部９６が真空チャンバ１２内に設けられている。このため、基板７０をセットし、成膜材料を充填した後に、扉１３を閉じて真空チャンバ１２を閉塞した状態で、基板７０を除塵部９６に対向する位置に移動させて、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を除塵部９６により取り除くことができる。これにより、真空チャンバ１２内を真空状態する直前に、基板７０の表面７０ｄをより効果的に除塵することができる。よって、蛍光体層７１における異常核成長を更に抑制することができ、最終的に、更に点欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネル９０（図８参照）を製造することができる。
【０１３０】
上述のいずれの実施形態においても、基板を搬送方向に直線搬送して蛍光体層を形成する放射線像変換パネル製造装置を例に説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、基板を保持したままで蛍光体層を形成するもの、または基板を回転しながら蛍光体層を形成するものなど、基板の搬送方式については、特に限定されるものではない。
【０１３１】
以上、本発明の放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。
【実施例】
【０１３２】
以下、本発明の具体的な実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。
［実施例１、実施例２、および、比較例１］
本実施例においては、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により放射線像変換パネルを作製した。この第１の実施形態の製造方法により作製した放射線像変換パネルを実施例１とした。
また、第２の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により放射線像変換パネルを作製した。この第２の実施形態の製造方法により作製した放射線像変換パネルを実施例２とした。
さらに、基板の除塵工程を省略した以外は、第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法と同じ製造方法により放射線像変換パネルを作製し、この放射線像変換パネルを比較例１とした。
本実施例においては、実施例１、実施例２および比較例１の放射線像変換パネルについて、得られた画像の点欠陥をそれぞれ調べた。
【０１３３】
なお、実施例１、実施例２および比較例１の放射線像変換パネルの構成は、図８に示すように、基板７０に蛍光体層７１が設けられ、この蛍光体層７１を封止する防湿保護層７９が設けられた構成とした。
【０１３４】
また、基板には、アルミニウム合金基板（ＹＨ７５（白銅株式会社製））を用いた。また、基板の大きさは、４５０ｍｍ×４５０ｍｍ×１０ｍｍとした。
【０１３５】
次に、実施例１、実施例２および比較例１の放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
【０１３６】
先ず、基板７０を基板ホルダ３９にセットした。
次に、基板ホルダ３９にセットした状態で、基板ホルダ３９ごと基板７０をプラズマ洗浄装置にセットした。そして、プラズマ洗浄装置により、圧力が１ＰａのＡｒガス雰囲気下、電力が５００Ｗ、時間が６０秒の条件でＡｒプラズマを発生させて基板７０表面の洗浄を行った。
次に、洗浄した後、基板ホルダ３９ごと基板７０を真空チャンバ１２内の基板保持搬送機構１４の基板保持手段２６にセットした。
【０１３７】
次に、ＣｓＢｒ蒸発源（成膜材料）およびＥｕＢｒ２蒸発源（成膜材料）を真空チャンバ１２内の加熱蒸発部１６の抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した。
ここで、本実施例においては、蒸発源（成膜材料）として、純度が４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度が３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）の溶融品を用意した。ＥｕＢｒ２溶融品は、酸化を防ぐため十分なハロゲン雰囲気としたチューブ炉中にて、白金製ルツボに粉体を入れ、温度８００℃に加熱して溶融、冷却後、炉から取り出して作製した。各原料中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）はそれぞれ１０質量ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などの他の元素は、２質量ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ２中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０質量ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０質量ｐｐｍ以下であった。これらの原料は、吸湿性が高いので、露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
なお、実施例１、実施例２および比較例１の放射線像変換パネルにおいては、基板７０と加熱蒸発部１６との距離は１００ｍｍとし、基板７０を直線搬送しながら、蛍光体層７１を形成した。
【０１３８】
次に、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７１の形成面）にクリーニングローラ６０（図４参照）のローラ部６６（図４参照）をくまなく接触させて（すなわち、基板ホルダ３９によってマスキングされない全領域に接触させて）、基板７０の表面７０ｄに付着しているゴミ、埃を取り除き、除塵した（すなわち「ｂ／ａ＝０／４００＝０」）。
なお、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じ基板ホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央および蛍光体層形成領域の端部（以下、単に端部とする）共に５ｍｍであった。
【０１３９】
次に、扉１３を閉じて真空チャンバ１２を閉塞した。
次に、メイン排気バルブを開いて真空チャンバ１２内を排気して、８×１０-4Ｐａの真空度とした。
このとき、真空ポンプとしては、ロータリーポンプ、メカニカルブースター、およびディヒュージョンポンプの組み合わせたものを用いた。さらに、水分除去のため、水分排気用のクライオポンプを使用した。
【０１４０】
その後、排気をメイン排気バルブに切り換えて８×１０-4Ｐａの真空度まで排気後、再度排気をバイパスに切り換え、Ａｒガスを所定量導入して１．０Ｐａの真空度とした。
【０１４１】
基板７０と加熱蒸発部１６（ルツボ５０およびルツボ５２）との間に設けられたシャッタを閉じた状態で、各蒸発源（ＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ2）をそれぞれ抵抗加熱装置で加熱溶融させ、加熱開始から６０分経過後、まず、ルツボ５０側のシャッタだけを開けて、基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。
次いで、ルツボ５０側のシャッタを開けた所定時間経過後に、ルツボ５２側のシャッタも開いて、ＣｓＢｒ蛍光体母体の上にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。
【０１４２】
なお、堆積速度は６μｍ／分とした。また、加熱蒸発部１６の各々の抵抗加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が、０．００３／１となるように制御した。
蒸着終了後、抵抗加熱装置の電源を切り、Ａｒガスの導入を停止した。
次に、真空チャンバ１２内に窒素ガスまたは乾燥空気を導入し、真空チャンバ１２内を大気圧にした。そして、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内から基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出した。
【０１４３】
これにより、基板７０の表面７０ｄには、蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に延びた密に林立した構造の蛍光体層７１が形成された。なお、蛍光体層７１の厚さは、７００μｍであり、蛍光体層７１が形成されている面積は４００ｍｍ×４００ｍｍであった。
【０１４４】
次に、蛍光体層７１が形成された基板７０について、感度を上げるために、温度２００℃で２時間、熱処理を行なった。
熱処理工程においては、まず、蛍光体層７１が形成された基板７０をガス導入可能な真空加熱装置の中に入れた。
次に、ロータリーポンプにより真空加熱装置内を約１Ｐａまで減圧し、蛍光体層７１が形成された基板７０に吸着している水分等の除去を行った。
次に、真空加熱装置内を加熱し、そして、Ｎ２（窒素）ガスを真空加熱容器内に流して、Ｎ２ガスフロー雰囲気とした。上述の如く、温度２００℃、時間２時間の熱処理条件で熱処理を行った。
次に、熱処理後、真空加熱装置から蛍光体層７１が形成された基板７０を取り出し、大気中で冷却した。
【０１４５】
次に、蛍光体層７１および基板７０の表面７０ｄの蛍光体層７１が形成されていない領域に、ディスペンサーを用いて接着剤を塗布した。
次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルムを引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層７１の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板の表面に密着させて防湿保護層７９を形成した。
このようにして、実施例１の放射線像変換パネルを作製した。
【０１４６】
また、実施例２は、実施例１と製造装置が異なり、除塵部が、気体吹付手段とイオンエアー発生装置を有するものを用いた。また、実施例２の放射線像変換パネルにおいては、除塵工程が、気体吹付手段とイオンエアー発生装置による気体の吹付けとイオンエアーによるものである点が異なり、それ以外は、実施例１と同様の製造方法により製造されたものである。なお、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様に気体の吹付けとイオンエアーによる除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央および端部共に１５ｍｍであった。
また、比較例１の放射線像変換パネルは、実施例１の製造方法において、除塵工程を省略したものであり、それ以外は、実施例１と同様の製造方法により製造されたものである。なお、基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、全く同様にプラズマ洗浄を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央および端部共に１５ｍｍであった。
【０１４７】
［実施例３］
基板７０の蛍光体層の形成領域の端部から幅２０ｍｍの領域（基板ホルダ３９の内側２０ｍｍの幅）は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した（すなわち「ｂ／ａ＝２０／４００＝０．０５」）。
また、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央（除塵領域）は５ｍｍ、端部（非除塵領域）は１５ｍｍであった。
【０１４８】
［実施例４］
基板７０の蛍光体層の形成領域の端部から幅４０ｍｍの領域（基板ホルダ３９の内側４０ｍｍの幅）は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した（すなわち「ｂ／ａ＝４０／４００＝０．１」）。
また、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央（除塵領域）は５ｍｍ、端部（非除塵領域）は１５ｍｍであった。
【０１４９】
［実施例５］
基板７０の蛍光体層の形成領域の端部から幅８０ｍｍの領域（基板ホルダ３９の内側８０ｍｍの幅）は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した（すなわち「ｂ／ａ＝８０／４００＝０．２」）。
また、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央（除塵領域）は５ｍｍ、端部（非除塵領域）は１５ｍｍであった。
【０１５０】
［実施例６］
基板７０の蛍光体層の形成領域の端部から幅１２０ｍｍの領域（基板ホルダ３９の内側１２０ｍｍの幅）は、クリーニングローラ６０による除塵を行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した（すなわち「ｂ／ａ＝１２０／４００＝０．３」）。
また、除塵後の基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、同様にプラズマ洗浄を行い、同様にクリーニングローラ６０で除塵を行なった後、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央（除塵領域）は５ｍｍ、端部（非除塵領域）は１５ｍｍであった。
【０１５１】
［比較例２］
基板７０のプラズマ洗浄も除塵も行なわない以外は、実施例１と全く同様にして放射線像変換パネルを製造した。
なお、基板７０の親水性を調べるために、同じ基板７０を同じホルダ３９に収容した状態で、２２μＬの水を基板に滴下して、水滴径を計った。その結果、水滴径は、基板中央および端部共に３．５ｍｍであった。
【０１５２】
これらの実施例１〜実施例６、ならびに、比較例１および比較例２の製造方法について、除塵の方法（有無）、および水滴径を、まとめて下記表１に示す。
【０１５３】
［画像欠陥］
本実施例においては、上述のように作製した各実施例および比較例の放射線像変換パネルについて、放射線画像として、一様画像を取得し、この放射線画像（一様画像）における点欠陥を調べた。
【０１５４】
先ず、放射線像変換パネルの表面全面に、タングステン管球を用い、管電圧が８０ｋＶのＸ線を線量１０ｍＲ（２．５８×１０−６Ｃ／ｋｇ）で照射した後、ラインスキャナ方式の画像読取装置（波長が６６０ｎｍの半導体レーザ光を照射し、放射線像変換パネルの表面から放射された輝尽発光光をライン状に受光素子が配置されたＣＣＤで受光するもの）で読み取り、読み取った光（受光した光）を電気信号に変換して、放射線画像として一様画像を得た。この放射線画像（一様画像）をレーザプリンタによりフィルム上に可視像として出力した。
【０１５５】
次に、放射線像変換パネルについて得られたフィルムに記録された放射線画像（一様画像）について、シャウカステンを用いて放射線画像（一様画像）の中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍの範囲（１０ｃｍ□：１００ｃｍ２）において、白く抜けた点を点欠陥として、その白く抜けた点の個数を目視により数えた。このようにして、点欠陥の個数を測定した。
下記表１に実施例１、実施例２および比較例１の各放射線像変換パネルの点欠陥の個数を示す。
なお、点欠陥は、１０ｃｍ□の画像上において、６００×６００μｍ超の欠陥を大サイズ、６００×６００μｍ以下の欠陥を小サイズとして計数した。また、評価は、大サイズが１つでも有するものは「×」、大サイズが無く小サイズが１５個以下のものを「◎」、大サイズが無く小サイズが１５個超のものを「○」と判断した。
【０１５６】
［膜密着］
また、本実施例においては、上述のように作製した各実施例および比較例の放射線像変換パネルについて、蛍光体層の密着力を調べた。
なお蛍光体層の密着力は、蛍光体層７１の表面に粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥がして蛍光体層７１の基板７０からからの剥離の有無を観察し、満点（全く剥離しない）を６点とした時の点数で評価した。粘着力テープを粘着力の違うものを５段階準備し、テープごとの剥離状況から相対的に密着力を評価した。なお、実用可能なレベルは、放射線像変換パネルを車上に搭載した際、放射線像変換パネルからその車上振動により剥離しないレベルを指しており、実質可能なレベルは３点以上である。
【０１５７】
点欠陥および膜密着の試験結果を書き表１に併記する。
【表１】
比較例２は、プラズマ洗浄を行なっていない。また、上記表において、水滴径の単位はｍｍ、画像欠陥（点欠陥）の数は、１０ｃｍ□の個数である。
【０１５８】
上記表１に示すように、実施例１および実施例２は、比較例１および比較例２に比して、点欠陥の個数が１／３以下になっており、点欠陥の個数が著しく減少した。
また、実施例１は、実施例２に比して、点欠陥の個数が１／２以下であり、更に点欠陥の個数が少なく、更に一層良好な蛍光体層を形成することができた。
さらに、蛍光体層形成領域の端部近傍はクリーニングローラによる除塵を行なわなかった実施例３〜６は、良好な点欠陥の減少効果と共に、非常に優れた蛍光体層の密着力を得ることができている。
このように、本発明の放射線像変換パネルの製造方法においては、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができた。
【図面の簡単な説明】
【０１５９】
【図１】（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第１の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【図３】図１（ａ）に示す蛍光体シート製造装置の加熱蒸発部を示す模式的平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に用いられるクリーニングローラを示す模式図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法におけるクリーニングローラによる除塵を説明するための模式図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる基板を示す模式的斜視図である。
【図７】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる基板の搬送方法を示す模式的斜視図である。
【図８】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第２の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図８（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の第３の実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図９（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【図１１】放射線像変換パネルにおける点欠陥を説明する模式図である。
【符号の説明】
【０１６０】
１０、１０ａ、１０ｂ 放射線像変換パネル製造装置（製造装置）
１２ 真空チャンバ
１２ａ 底面
１２ｂ、１２ｃ 側面
１４ 基板保持搬送手段
１６ 加熱蒸発部
１８ 真空ポンプ
１９ ガス導入ノズル
２０ 制御部
２２ 駆動手段
２４ ＬＭガイド
２４ａ ガイドレール
２４ｂ 係合部材
２６ （基板）保持手段
３０ 保持部材
３２ ボールネジ
３２ａ ネジ軸
３２ｂ ナット部
３４ モータ
３６ 基台
３８ 保持機構
３８ａ 取付部材
３８ｂ 保持部材
４０ 防熱部材
５０、５２ ルツボ
６０ クリーニングローラ
７０、１０２ 基板
７１、１０４ 輝尽性蛍光体層（蛍光体層）
７２ めねじ部
７６ ピン
８０ アーム部
９０、１００ 放射線像変換パネル
９２、９６ 除塵部
９４ ローラ部
１０６ａ 異常成長結晶
Ｈ ヒロック
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉塞された真空チャンバ内で、気相堆積法により蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法であって、
前記真空チャンバ内に基板をセットする工程と、
前記基板がセットされた状態で前記基板の表面を除塵する工程と、
前記蛍光体層を基板上に形成する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記基板の表面を除塵する工程は、前記真空チャンバが大気圧の状態で行われる請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記基板をセットする工程と前記基板の表面を除塵する工程との間、または前記基板をセットする工程の前に、前記蛍光体層となる成膜材料を前記真空チャンバ内にセットする工程を有する請求項１または２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
前記基板の表面を除塵する工程の後工程に、前記真空チャンバを閉塞する工程を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
前記基板の表面を除塵する工程は、クリーニングローラを用いる除塵方法、前記基板に気体を吹付ける方法、および前記基板を除電する方法のうち、少なくとも１つの方法が用いられる請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
前記クリーニングローラは、前記基板の表面に接触されるローラ部を有するものであり、
前記ローラ部は、ブチルゴム、シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものにより構成される請求項５に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項７】
前記クリーニングローラによる除塵を、前記基板の蛍光体層形成領域の端部近傍を除いて行なう請求項５または６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項８】
前記蛍光体層の形成領域の全長をａ、前記端部近傍の除塵を行なわない領域の幅をｂとした際に、式
０．０３≦ｂ／ａ≦０．４
を満たす請求項７に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項９】
前記基板の表面を除塵する工程は、前記気体を吹付ける方法、および前記基板を除電する方法を用いるものであり、および前記基板を除電する方法には、除電装置が用いられる請求項５に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記除電装置は、イオンエアー発生装置である請求項９に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１１】
シート状の基板の表面に真空蒸着によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネル製造装置であって、
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内を排気する真空排気手段と、
前記真空チャンバ内に設けられ、容器に収納された前記蛍光体層の成膜材料を抵抗加熱によって加熱し、前記容器の開口部から前記成膜材料の蒸気を放出させる抵抗加熱手段と、
前記真空チャンバ内に設けられ、前記抵抗加熱手段の上方において、前記基板を保持する基板保持手段と、
前記真空チャンバ内に設けられ、前記基板の表面を除塵する除塵部とを有することを特徴とする放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１２】
さらに、前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記基板が前記基板保持手段に保持されたことを検知する第１のセンサとを有し、
前記第１のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１３】
さらに、前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記容器に前記成膜材料が収納されたことを検知する第２のセンサとを有し、
前記第２のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１４】
さらに、前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記真空チャンバが閉塞されたことを検知する第３のセンサを有とし、
前記第３のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１５】
さらに、前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記真空チャンバ内の圧力を測定する真空計とを有し、
前記真空計により測定された圧力が所定の圧力以下であるとき、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１６】
さらに、前記容器の開口部に開閉自在に設けられたシャッタと、
前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記シャッタの開閉を検知する第４のセンサとを有し、
前記第４のセンサにより前記シャッタが開放された検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１】
閉塞された真空チャンバ内で、気相堆積法により蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法であって、
前記真空チャンバ内に基板をセットする工程と、
前記基板がセットされた状態で前記基板の表面を除塵する工程と、
前記蛍光体層を基板上に形成する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記基板の表面を除塵する工程は、前記真空チャンバが大気圧の状態で行われる請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記基板をセットする工程と前記基板の表面を除塵する工程との間、または前記基板をセットする工程の前に、前記蛍光体層となる成膜材料を前記真空チャンバ内にセットする工程を有する請求項１または２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
前記基板の表面を除塵する工程の後工程に、前記真空チャンバを閉塞する工程を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
前記基板の表面を除塵する工程は、クリーニングローラを用いる除塵方法、前記基板に気体を吹付ける方法、および前記基板を除電する方法のうち、少なくとも１つの方法が用いられる請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
前記クリーニングローラは、前記基板の表面に接触されるローラ部を有するものであり、
前記ローラ部は、ブチルゴム、シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものにより構成される請求項５に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項７】
前記クリーニングローラによる除塵を、前記基板の蛍光体層形成領域の端部近傍を除いて行なう請求項５または６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項８】
前記蛍光体層の形成領域の全長をａ、前記端部近傍の除塵を行なわない領域の幅をｂとした際に、式
０．０３≦ｂ／ａ≦０．４
を満たす請求項７に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項９】
前記基板の表面を除塵する工程は、前記気体を吹付ける方法、および前記基板を除電する方法を用いるものであり、および前記基板を除電する方法には、除電装置が用いられる請求項５に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記除電装置は、イオンエアー発生装置である請求項９に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１１】
シート状の基板の表面に真空蒸着によって蛍光体層を形成する放射線像変換パネル製造装置であって、
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内を排気する真空排気手段と、
前記真空チャンバ内に設けられ、容器に収納された前記蛍光体層の成膜材料を抵抗加熱によって加熱し、前記容器の開口部から前記成膜材料の蒸気を放出させる抵抗加熱手段と、
前記真空チャンバ内に設けられ、前記抵抗加熱手段の上方において、前記基板を保持する基板保持手段と、
前記真空チャンバ内に設けられ、前記基板の表面を除塵する除塵部とを有することを特徴とする放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１２】
さらに、前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記基板が前記基板保持手段に保持されたことを検知する第１のセンサとを有し、
前記第１のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１３】
さらに、前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記容器に前記成膜材料が収納されたことを検知する第２のセンサとを有し、
前記第２のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１４】
さらに、前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記真空チャンバが閉塞されたことを検知する第３のセンサを有とし、
前記第３のセンサの検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１５】
さらに、前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記真空チャンバ内の圧力を測定する真空計とを有し、
前記真空計により測定された圧力が所定の圧力以下であるとき、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【請求項１６】
さらに、前記容器の開口部に開閉自在に設けられたシャッタと、
前記除塵部を制御する制御部と、
前記制御部に接続され、前記シャッタの開閉を検知する第４のセンサとを有し、
前記第４のセンサにより前記シャッタが開放された検知結果を受けた後、前記制御部は、前記除塵部に前記基板の表面を除塵させる請求項１１に記載の放射線像変換パネル製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−２４０５１４（Ｐ２００７−２４０５１４Ａ）
【公開日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１８９２２６（Ｐ２００６−１８９２２６）
【出願日】平成１８年７月１０日（２００６．７．１０）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月１０日（２００６．７．１０）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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