放射線検出器のための高強度光学窓
【課題】気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージを提供する。
【解決手段】ALON(酸窒化アルミニウム)またはスピネルセラミック(MgAl2O4)のような頑丈な材料からできた、窓がロウ付けまたははんだ付けによって外部金属ハウジング部分に密封されており、外部ハウジング部分がシンチレーション結晶を含有するハウジングに溶接されている。
【解決手段】ALON(酸窒化アルミニウム)またはスピネルセラミック(MgAl2O4)のような頑丈な材料からできた、窓がロウ付けまたははんだ付けによって外部金属ハウジング部分に密封されており、外部ハウジング部分がシンチレーション結晶を含有するハウジングに溶接されている。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
関連出願
本出願は、2009年5月20日に出願の米国仮特許出願第61/180,225号の優先権を主張する。
背景
NaI(Tl)のような多くの有効なシンチレータ材料は、放射線検出器に組み立てられ得る前に環境応力からの保護を必要とする。このことは、シンチレーション検出器が坑井検層に適用されるときに特に言えることである。米国特許第4764677号明細書に記載されるように、シンチレータを気密密閉された容器に封入することによって空気に直接曝されることから保護される。
典型的なシンチレータパッケージのためのブロック図を図1に示す。シンチレータ結晶102は、好ましくはフルオロカーボンポリマーから形成される好ましくは拡散反射材料の1つ以上の層によって包まれているかあるいは取り囲まれている。包まれた結晶102は、光学窓106がすでに装着されていてもよい気密密閉されたハウジング104に挿入され得る。米国特許第4,360,733号明細書に述べられているように、窓106は、サファイヤでもガラスでもよい。その場合、ハウジング104は、結晶102とハウジング104の内径の間の空間をうめる室温加硫(RTV)シリコーンで充填され得る。シンチレータ結晶102とハウジング104の窓106の間のオプティカルコンタクトは、透明なシリコーンゴムディスクを備えている内部光結合パッド108を用いて与える。波形スプリング110と圧力板112は、窓106の反対側の端部を気密密閉する。
シンチレータパッケージには、シンチレータに生じたシンチレーション光を光電子増倍管に効率的に透過させる光学窓106または等価なデバイス、例えば、アバランシェフォトダイオード(APD)、Si-光電子増倍管、ハイブリッドPMT、MCPベースのPMTが含まれる。PMT(図2に示される)の類似の窓は、典型的にはガラスまたは単結晶サファイヤを用いて構成されるが、より良好な透明性、より高い強度およびより低いコストを与える他の材料も考慮され得る。
【０００２】
シンチレータパッケージにおける光学窓および/またはPMTの典型的な構成において、透明材料が金属フレームに結合される。その場合、金属フレームは、典型的には、デバイスのハウジングに溶接されて、気密シールを形成する。放射線検出器は、シンチレータパッケージとPMT双方からなる。いずれも、シンチレータ材料放出の波長の範囲を超える良好な伝達効率を有する気密な窓アセンブリの使用を必要とする。
典型的な放射線検出器アセンブリを図2に示す。詳しくは、図2は、シンチレータ102から(光結合パッド108とシンチレータ窓106を通って)PMT 202に光の伝達を最適化するために外部光結合層206によってPMT 202の入射窓204に結合される図1のシンチレーション検出器を示す図である。シンチレータ102を直接PMT 202に単一光結合のみで取り付ける(このことにより、光結合210とシンチレータ窓208が除かれる)ことも可能であり、PMT 202とシンチレータ102の組み合わせを単一の気密密閉されたハウジングへ設けることを留意するべきである。シンチレータ結晶102は、ガンマ線を、例えば、生成した炭化水素から受容することができ、このエネルギーは、シンチレーション材料における1つ以上のアクチベータイオン(全てのシンチレータがアクチベータを含まず、むしろ固有であるので、シンチレータに存在する場合には)の電子をより高いエネルギーレベルに上昇させる場合がある。その場合、電子はより低い状態かまたは“基底”状態に戻ることができ、紫外線の放出が引き起こされる。前述のように、PMTとシンチレータパッケージは、当業者に既知であるようにサファイヤ窓またはガラス窓を有し得る。PMT 202には、複合シェル212内に、その間に位置する一連のダイノード210を有する、隔置された光電陰極208と陽極209が含まれる。作動させるために用いられる高電圧は、光電陰極または陽極に当該技術において周知であるようにして適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
【図１】図1は、典型的なシンチレータパッケージを示すブロック図である。
【図２】図2は、サファイヤ窓含有光電子増倍管(PMT)を有する典型的な坑井検層検出器を示すブロック図である。
【図３】図3は、窓が密封された結晶ハウジングを示す図である。
【図４】図4は、気密密閉されたシンチレータと一体化されたPMTを示すブロック図である。
【図５】図5は、LaX3格子の部分的結晶構造を示す図である。
【０００４】
詳細な説明
以下の説明には、本開示を理解するように多くの詳細が示されている。しかしながら、本発明がこれらの詳細を含まずに実施され得ることおよび記載されている実施態様から多くの変更または修正が可能であることを当業者は理解するであろう。
検出器性能を改善し、時には、他の比較的新しい光学材料を適用することによってコストを削減することが可能である。これには、多結晶セラミックスAlON(酸窒化アルミニウム)やスピネル(MgAl2O4)が含まれる。いずれの材料も、古典的な窓材料より高い機械的強度を示し、コストを削減する。MgF2の使用もまた、ここではガラスまたはサファイヤのような従来の窓材料の選択を用いて可能であるより短い波長光の優れた伝達を与える手段としてみなされる。
包装を必要とするすべてのシンチレータ材料が、立方晶NaI(Tl)のような等方性ではない。2つの中でむしろこの異等方性の範疇に分類される新規な材料は、LaCl3:CeとLaBr3:Ceである。これらの材料は本質的に六方晶系であるUC13結晶タイプを有し、これには包装する場合に特別な考慮を必要とする。異等方性の構造は、直接、異なる結晶軸に沿って熱膨張の顕著な違いに変わる。F. P. Dorty, Douglas McGregor, Mark Harrison, Kip Findley, Raulf PolichurによるStructure and properties of lanthanide halides, Proc. SPIE Vol 6707 670705 (2007)に報告されているように、c軸方向の熱膨脹率は、7.5x10-6/℃として測定された。この値の大きさは、異常ではない。しかしながら、c軸に直交する膨張係数は、3.8倍以上である。かなりの膨張差がこれらの材料を油田適用に共通する特に加熱と冷却の間の破壊に感受性があるようにする。ランタン化合物を特定の軸方向で包装すると、熱可動域の間の結晶の整合性を保存する利点が与えられる。
【０００５】
特に油田坑井検層に用いることを意図した放射線検出器を組み立てるときに、固有に頑丈な材料を用いることにより大きな利点が得られる。このことは、NaI(Tl)、CsI(Tl)、CsI(Na)、LaBr3:Ce、LaCl3:Ce等が含まれる多くのシンチレータ材料を保護するために必要とされる気密パッケージに特に言えることである。更に、シンチレーション光を検出するために用いられるPMTの窓もまた、頑丈な設計でなければならない。典型的な放射線検出器アセンブリを図2に示し、上記について述べる。当業者は、この適用にガラス、ときにはサファイヤを使っている。金属フレームとサファイヤの間の結合も強くなければならない。活性金属のロウ付けが好ましいが、他のシール機構もPMTと気密なシンチレータパッケージ双方に適用できる場合がある。ガラスフリットを用いる異なる方法は、Saint Gobainの米国特許出願公開第2007/0007460号明細書に示されている。
サファイヤは、通常、単結晶製品として供給されているが、その結晶構造が六方晶系であるので、“c”軸を窓軸と整列させて、機械的強度を最大にするように配向される。一般に、このような方向性のサファイヤ製品は、“0度サファイヤ”と呼ばれる。これは、最も厳しい適用に好ましく、より費用がかかる。その場合、方向性のサファイヤディスクは、KOVARTM(Kovarは、Carpenter Technologiesの商標である)のような膨張適合金属合金から通常作られる金属フレームにロウ付けされる。合金は、より一般的にはASTM F-15合金を意味する。これは、サファイヤ面と金属窓フレームの間に応力除去ワッシャを加えることによってステンレス鋼またはTi合金のような金属合金にロウ付けされるかまたははんだ付けされる。応力除去ワッシャは、完全に徐冷されたAg、CuまたはNiのような非常に延性のある金属からしばしば製造される。この接合方法は、脆性窓材料について残留応力を最小にするので、外部に適用される力に対する最大の抵抗を保存する。ロウ付け合金は、一般に、ロウ付け合金によるサファイヤの湿潤を促進させるために活性金属、例えば、Ti、Zrまたは希土類元素、例えばCeを含有する。はんだ合金で金属フレームに接合する前にサファイヤ端部を薄膜金属化することも可能である。金属化は、Cr、Ti、Zr、Hf、Ta、Nbまたはこれらの元素を含有する合金の基層に続いてCu、NiまたはAuまたはこれらの元素を含有する合金が含まれてもよいはんだ合金湿潤を促進させる少なくとも1つの層からなる。典型的な金属層は、1000オングストローム〜20000オングストロームの厚さである。金属化は、蒸着、スパッタリングまたは化学気相成長を含む一般に利用可能ないかなる薄膜堆積法によっても適用される。最後に、厚膜金属化プロセスは、本質的にサファイヤに直接結合するとともにロウ付けに適している金属表面を示すサファイヤ窓端部に適用され得る。このMo/Mn金属化は、当業者に既知である。
【０００６】
極限条件の使用に一般に用いられるガラスまたはサファイヤより好ましい優れた機械的性質または光学特性を有する光学材料がある。機械的な力に対して極度に抵抗する2つの材料は、ALON(酸窒化アルミニウムとスピネルセラミック(MgAl2O4)である。このような材料は、サファイヤより高い衝撃強さを有しかつMark C. L. Patterson, Anthony DiGiovanni, Don W. Roy, Gary Gilde in the American Ceramics Soc. 27th Conference on Advanced Ceramics and Composites, January 2003による論文に述べられているように等方性立方構造の利点が追加される。
ALONは、直接、掘削中坑井検層(LWD)に特定的な放射線検出器に使うことができるPMTのためのKOVARフレームに直接密封して接合され得る。気密接合は活性金属ロウ付けによって達成されるが、サファイヤについて記載されている他の接合方法も適切であり得る。サファイヤまたはALONの直接の代用品としてスピネルを同様の方法で使うこともできる。ALONもスピネルセラミックも、PMT窓としてまたは気密密閉されたシンチレータパッケージ用の光学窓として用いることができる。ここで開示される設計において、窓は膨張適合合金からできた金属フレームに端部で接合され、そのときに金属ハウジングに融接される。窓とフレームの間の接合部およびフレームとハウジングの間の接合部は、いずれも気密である。
あるシンチレーション材料は、シンチレータパッケージの窓にかなり透明な物質の使用から利益を得る非常に短い波長のシンチレーション発光を示し得る。これらの材料には、LiYF4; Tm、LiYF4:Er、YF3:GdおよびLiLuF3、更に310nmまで放出するLuAG:Pr が含まれる。類似の技術は、PMTについてある期間使用していた(例えば、米国特許第3,662,206号明細書を参照のこと)。115nmに対する光の低い屈折率と極めて良好な透過が有益である。MgF2は、ほとんどの光学材料ほど強くないので、使用中にある注意を必要とするが、他の高透過窓材料と比較してほとんどの環境との化学的適合性が良好である。窓は外へ押圧する内力を維持することを必要とするので、窓設計は包装に用いるように修正される。薄膜金属化は、窓結合を生じる適切な方法である。この場合、AgまたはPtの薄膜が、物理気相成長法によって窓端部に適用される。あるいは、金属フレームにはんだ溶接するために多層薄膜端部メタライゼーションが適用され得る。金属化結合するために厚膜コーティングが可能である。これには、AgClシールのためにAgが含まれ得る。LuAg:Prは、サファイヤ窓を備えた光電子増倍管と使用し得るが、約310〜370nmの短い発光波長のために、MgF2のより良好な光学的性質から利益を得ることができる。
【０００７】
図3A-図3Cは、気密なシンチレータパッケージについて密封された窓の概略図を示す図である。窓端部の異なる形状が可能である。3つの方法を示す: 窓の外側より窓の溶接側で広い窓(図3Aの場合)、実質的に同一の内外の側の窓(図3Bの場合)、および窓の溶接側より窓の外側でより広い窓(図3Cの場合)。より複雑な形状、例えば、窓の階段または湾曲端部が想定され得る。密封された窓アセンブリと残りのハウジングを組み合わせるために必要である溶接に可能な位置も示されている。ロウ付けが窓を装着するために用いられる場合には、高温を必要とするためにロウ付けは別々の工程で行われ得る。一方法には、高温エポキシ等を用いて密封されている窓が包含される。溶接を除くためにエポキシを加えることは、正面の開口部が結晶アセンブリの挿入を可能にするときに可能である。エポキシシールは、伝統的に、ダウンホールツールに信頼できないことがわかっている。
上記の方法はまた、単一の窓だけである一体化シンチレータ-PMTパッケージを製造するのにも適している。すなわち、図4に示されているようにPMT入射窓がシンチレータ射出窓である。図4は、図2に示されたものと別の実施態様の図である。
この場合、高い透磁率を有する金属がハウジング材料として用いることができ、包装と磁気遮蔽を同時に組み込み、かつ別々の外部磁気遮蔽の必要を取り除くことができる。従って、アセンブリがより簡単で、パッケージの半径方向の寸法が縮小する。高透磁率材料は、Advance Magnetics, Inc.製のAD-MU 80であり得る。
現在、2つの最近導入されたシンチレータ材料LaBr3:CeおよびLaCl3:Ceの物性が結晶構造によって測定され、等方性でないことが理解されている。F. P. Dorty , Douglas McGregor, Mark Harrison, Kip Findley, Raulf Polichur and Pin Yang Mater. Res. Soc. Proc. Symp. Vol. 1038 2008による論文から、これらの結晶格子の構造を図5に示す。(図5に示すように、ハロゲン化物イオンは、一定の比率で描かれていない小球として示されている)。
【０００８】
構造のすべりは、主にc軸に沿って共有面の間で起こり得る。すべりプロセスは、最終的に内部光散乱とシンチレータの性能低下が生じる破壊を開始する。破壊は、外部機械的力を加える際にまたは熱勾配を与えることによって開始し得る。等方性媒体において、格子が全方向に同じに膨張することから、温度勾配によって一様に加えられた応力が生じる。しかしながら、LaX3の複合構造において、熱膨張は、一様でなく、格子方向に強く依存する。一般に、塩化物、臭化物およびヨウ化物の塩の熱伝導性が不充分であるので、大きい温度勾配が急速に生じることが知られている。熱膨張によって高められた異等方性力によって、脆性破壊が生じる。
従って、我々は、一様な圧縮力が包装の間に加えられ得るように、弱い結晶方向“c軸”を正確に整列させることができ得る。このような整列によって、加熱中に生じる応力からまたは外部に加えられた機械的加速から少し軽減される。包装前の結晶軸方向は、上述のLaハロゲン化物シンチレータの結晶成長が結晶軸方向を厳しく制御しないブリッジマン法によって達成されるという事実によって複雑になる。シンチレータの最終形状が円筒である場合には、円筒形が軸方向であるかまたは結晶軸に対して半径方向であるように、成長したインゴットから切断することを必要とする。
結晶が円筒と平行してc軸と整列される場合には、結晶はシンチレータ結晶を圧縮するためにパッケージ内のスプリングを用いて特定の軸方向で一様にプレロードされ得る。結晶軸を円筒の半径方向と整列させ得ることが好ましい。この場合、このc軸に沿って結晶を一様に圧縮するように、力が円筒の湾曲壁上に均等に加えられ得る。半径方向の圧縮は、正確に適合している弾性カバリングに硬化される液体RTVシリコーンの均一層を注入することによって達成される。ある実施態様において、結晶がハウジングに挿入された後にシリコーンが適用される。ある実施態様において、結晶は反射層で包まれ、次に窓が装着された管状金属ハウジング内に下げられる。反射面に包まれた結晶が装填されかつ管状ハウジングの中心にあると、反射面に包まれた結晶とハウジングの内径の間の環状空間が液体RTVシリコーン樹脂によって充填される。ビニル置換シリコーンポリマーをPt触媒の存在下にシラン架橋剤と反応させる追加硬化反応機構によって硬化するRTVが好ましい。GelestTM PP2-OE41が好ましいが、Dow Corning Sylgard(登録商標) 182、184または186が使用し得る。
【０００９】
結晶を取り囲んでいるRTVシリコーンは、温度勾配の発生を弱めるために用いられる。RTVシリコーンが熱伝導性である場合には、温度勾配を最小限にすることがより可能である。従って、熱伝導性を高めるために種々の充填剤をシリコーンに添加することができる。充填剤には、BN、AlN、ZnO、または微細金属、例えば、Al、AgまたはCuが含まれ得る。同様の急激な外部温度変化がパッケージ面上に予想される場合には、シンチレータはまた、粘弾性を有するセルラーシリコーンを用いることによりこれらの変化から絶縁される。ある実施態様において、RTVシリコーンは、熱伝導性を更に低下させるために、ガラスマイクロスフェアで充填される。ガラス気泡は、Trelleborg Emerson Cummings Inc.からEccospheresTMの名前で入手することができる。ガラス気泡方法は、1インチ(2.5センチメートル)直径を超えるより大きい寸法を有する結晶において熱的に誘導された破壊の発生を減少させるのに有効である。熱保護のための方法もまた、下記の従来の仮出願第61/104115号(代理人整理番号第49.0393号)、同第61/160416号、同第61/160746号(代理人整理番号第49.0414号)および同出願第61/160734号(代理人整理番号第49.0403号)に挙げられている。
本発明を限定された数の実施態様に関して開示してきたが、当業者は、本開示から利益を得て、そこから多くの修正や変更を理解するであろう。添付の特許請求の範囲は、本発明の真の精神と範囲に入るような修正や変更を包含するものである。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
関連出願
本出願は、2009年5月20日に出願の米国仮特許出願第61/180,225号の優先権を主張する。
背景
NaI(Tl)のような多くの有効なシンチレータ材料は、放射線検出器に組み立てられ得る前に環境応力からの保護を必要とする。このことは、シンチレーション検出器が坑井検層に適用されるときに特に言えることである。米国特許第4764677号明細書に記載されるように、シンチレータを気密密閉された容器に封入することによって空気に直接曝されることから保護される。
典型的なシンチレータパッケージのためのブロック図を図1に示す。シンチレータ結晶102は、好ましくはフルオロカーボンポリマーから形成される好ましくは拡散反射材料の1つ以上の層によって包まれているかあるいは取り囲まれている。包まれた結晶102は、光学窓106がすでに装着されていてもよい気密密閉されたハウジング104に挿入され得る。米国特許第4,360,733号明細書に述べられているように、窓106は、サファイヤでもガラスでもよい。その場合、ハウジング104は、結晶102とハウジング104の内径の間の空間をうめる室温加硫(RTV)シリコーンで充填され得る。シンチレータ結晶102とハウジング104の窓106の間のオプティカルコンタクトは、透明なシリコーンゴムディスクを備えている内部光結合パッド108を用いて与える。波形スプリング110と圧力板112は、窓106の反対側の端部を気密密閉する。
シンチレータパッケージには、シンチレータに生じたシンチレーション光を光電子増倍管に効率的に透過させる光学窓106または等価なデバイス、例えば、アバランシェフォトダイオード(APD)、Si-光電子増倍管、ハイブリッドPMT、MCPベースのPMTが含まれる。PMT(図2に示される)の類似の窓は、典型的にはガラスまたは単結晶サファイヤを用いて構成されるが、より良好な透明性、より高い強度およびより低いコストを与える他の材料も考慮され得る。
【０００２】
シンチレータパッケージにおける光学窓および/またはPMTの典型的な構成において、透明材料が金属フレームに結合される。その場合、金属フレームは、典型的には、デバイスのハウジングに溶接されて、気密シールを形成する。放射線検出器は、シンチレータパッケージとPMT双方からなる。いずれも、シンチレータ材料放出の波長の範囲を超える良好な伝達効率を有する気密な窓アセンブリの使用を必要とする。
典型的な放射線検出器アセンブリを図2に示す。詳しくは、図2は、シンチレータ102から(光結合パッド108とシンチレータ窓106を通って)PMT 202に光の伝達を最適化するために外部光結合層206によってPMT 202の入射窓204に結合される図1のシンチレーション検出器を示す図である。シンチレータ102を直接PMT 202に単一光結合のみで取り付ける(このことにより、光結合210とシンチレータ窓208が除かれる)ことも可能であり、PMT 202とシンチレータ102の組み合わせを単一の気密密閉されたハウジングへ設けることを留意するべきである。シンチレータ結晶102は、ガンマ線を、例えば、生成した炭化水素から受容することができ、このエネルギーは、シンチレーション材料における1つ以上のアクチベータイオン(全てのシンチレータがアクチベータを含まず、むしろ固有であるので、シンチレータに存在する場合には)の電子をより高いエネルギーレベルに上昇させる場合がある。その場合、電子はより低い状態かまたは“基底”状態に戻ることができ、紫外線の放出が引き起こされる。前述のように、PMTとシンチレータパッケージは、当業者に既知であるようにサファイヤ窓またはガラス窓を有し得る。PMT 202には、複合シェル212内に、その間に位置する一連のダイノード210を有する、隔置された光電陰極208と陽極209が含まれる。作動させるために用いられる高電圧は、光電陰極または陽極に当該技術において周知であるようにして適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
【図１】図1は、典型的なシンチレータパッケージを示すブロック図である。
【図２】図2は、サファイヤ窓含有光電子増倍管(PMT)を有する典型的な坑井検層検出器を示すブロック図である。
【図３】図3は、窓が密封された結晶ハウジングを示す図である。
【図４】図4は、気密密閉されたシンチレータと一体化されたPMTを示すブロック図である。
【図５】図5は、LaX3格子の部分的結晶構造を示す図である。
【０００４】
詳細な説明
以下の説明には、本開示を理解するように多くの詳細が示されている。しかしながら、本発明がこれらの詳細を含まずに実施され得ることおよび記載されている実施態様から多くの変更または修正が可能であることを当業者は理解するであろう。
検出器性能を改善し、時には、他の比較的新しい光学材料を適用することによってコストを削減することが可能である。これには、多結晶セラミックスAlON(酸窒化アルミニウム)やスピネル(MgAl2O4)が含まれる。いずれの材料も、古典的な窓材料より高い機械的強度を示し、コストを削減する。MgF2の使用もまた、ここではガラスまたはサファイヤのような従来の窓材料の選択を用いて可能であるより短い波長光の優れた伝達を与える手段としてみなされる。
包装を必要とするすべてのシンチレータ材料が、立方晶NaI(Tl)のような等方性ではない。2つの中でむしろこの異等方性の範疇に分類される新規な材料は、LaCl3:CeとLaBr3:Ceである。これらの材料は本質的に六方晶系であるUC13結晶タイプを有し、これには包装する場合に特別な考慮を必要とする。異等方性の構造は、直接、異なる結晶軸に沿って熱膨張の顕著な違いに変わる。F. P. Dorty, Douglas McGregor, Mark Harrison, Kip Findley, Raulf PolichurによるStructure and properties of lanthanide halides, Proc. SPIE Vol 6707 670705 (2007)に報告されているように、c軸方向の熱膨脹率は、7.5x10-6/℃として測定された。この値の大きさは、異常ではない。しかしながら、c軸に直交する膨張係数は、3.8倍以上である。かなりの膨張差がこれらの材料を油田適用に共通する特に加熱と冷却の間の破壊に感受性があるようにする。ランタン化合物を特定の軸方向で包装すると、熱可動域の間の結晶の整合性を保存する利点が与えられる。
【０００５】
特に油田坑井検層に用いることを意図した放射線検出器を組み立てるときに、固有に頑丈な材料を用いることにより大きな利点が得られる。このことは、NaI(Tl)、CsI(Tl)、CsI(Na)、LaBr3:Ce、LaCl3:Ce等が含まれる多くのシンチレータ材料を保護するために必要とされる気密パッケージに特に言えることである。更に、シンチレーション光を検出するために用いられるPMTの窓もまた、頑丈な設計でなければならない。典型的な放射線検出器アセンブリを図2に示し、上記について述べる。当業者は、この適用にガラス、ときにはサファイヤを使っている。金属フレームとサファイヤの間の結合も強くなければならない。活性金属のロウ付けが好ましいが、他のシール機構もPMTと気密なシンチレータパッケージ双方に適用できる場合がある。ガラスフリットを用いる異なる方法は、Saint Gobainの米国特許出願公開第2007/0007460号明細書に示されている。
サファイヤは、通常、単結晶製品として供給されているが、その結晶構造が六方晶系であるので、“c”軸を窓軸と整列させて、機械的強度を最大にするように配向される。一般に、このような方向性のサファイヤ製品は、“0度サファイヤ”と呼ばれる。これは、最も厳しい適用に好ましく、より費用がかかる。その場合、方向性のサファイヤディスクは、KOVARTM(Kovarは、Carpenter Technologiesの商標である)のような膨張適合金属合金から通常作られる金属フレームにロウ付けされる。合金は、より一般的にはASTM F-15合金を意味する。これは、サファイヤ面と金属窓フレームの間に応力除去ワッシャを加えることによってステンレス鋼またはTi合金のような金属合金にロウ付けされるかまたははんだ付けされる。応力除去ワッシャは、完全に徐冷されたAg、CuまたはNiのような非常に延性のある金属からしばしば製造される。この接合方法は、脆性窓材料について残留応力を最小にするので、外部に適用される力に対する最大の抵抗を保存する。ロウ付け合金は、一般に、ロウ付け合金によるサファイヤの湿潤を促進させるために活性金属、例えば、Ti、Zrまたは希土類元素、例えばCeを含有する。はんだ合金で金属フレームに接合する前にサファイヤ端部を薄膜金属化することも可能である。金属化は、Cr、Ti、Zr、Hf、Ta、Nbまたはこれらの元素を含有する合金の基層に続いてCu、NiまたはAuまたはこれらの元素を含有する合金が含まれてもよいはんだ合金湿潤を促進させる少なくとも1つの層からなる。典型的な金属層は、1000オングストローム〜20000オングストロームの厚さである。金属化は、蒸着、スパッタリングまたは化学気相成長を含む一般に利用可能ないかなる薄膜堆積法によっても適用される。最後に、厚膜金属化プロセスは、本質的にサファイヤに直接結合するとともにロウ付けに適している金属表面を示すサファイヤ窓端部に適用され得る。このMo/Mn金属化は、当業者に既知である。
【０００６】
極限条件の使用に一般に用いられるガラスまたはサファイヤより好ましい優れた機械的性質または光学特性を有する光学材料がある。機械的な力に対して極度に抵抗する2つの材料は、ALON(酸窒化アルミニウムとスピネルセラミック(MgAl2O4)である。このような材料は、サファイヤより高い衝撃強さを有しかつMark C. L. Patterson, Anthony DiGiovanni, Don W. Roy, Gary Gilde in the American Ceramics Soc. 27th Conference on Advanced Ceramics and Composites, January 2003による論文に述べられているように等方性立方構造の利点が追加される。
ALONは、直接、掘削中坑井検層(LWD)に特定的な放射線検出器に使うことができるPMTのためのKOVARフレームに直接密封して接合され得る。気密接合は活性金属ロウ付けによって達成されるが、サファイヤについて記載されている他の接合方法も適切であり得る。サファイヤまたはALONの直接の代用品としてスピネルを同様の方法で使うこともできる。ALONもスピネルセラミックも、PMT窓としてまたは気密密閉されたシンチレータパッケージ用の光学窓として用いることができる。ここで開示される設計において、窓は膨張適合合金からできた金属フレームに端部で接合され、そのときに金属ハウジングに融接される。窓とフレームの間の接合部およびフレームとハウジングの間の接合部は、いずれも気密である。
あるシンチレーション材料は、シンチレータパッケージの窓にかなり透明な物質の使用から利益を得る非常に短い波長のシンチレーション発光を示し得る。これらの材料には、LiYF4; Tm、LiYF4:Er、YF3:GdおよびLiLuF3、更に310nmまで放出するLuAG:Pr が含まれる。類似の技術は、PMTについてある期間使用していた(例えば、米国特許第3,662,206号明細書を参照のこと)。115nmに対する光の低い屈折率と極めて良好な透過が有益である。MgF2は、ほとんどの光学材料ほど強くないので、使用中にある注意を必要とするが、他の高透過窓材料と比較してほとんどの環境との化学的適合性が良好である。窓は外へ押圧する内力を維持することを必要とするので、窓設計は包装に用いるように修正される。薄膜金属化は、窓結合を生じる適切な方法である。この場合、AgまたはPtの薄膜が、物理気相成長法によって窓端部に適用される。あるいは、金属フレームにはんだ溶接するために多層薄膜端部メタライゼーションが適用され得る。金属化結合するために厚膜コーティングが可能である。これには、AgClシールのためにAgが含まれ得る。LuAg:Prは、サファイヤ窓を備えた光電子増倍管と使用し得るが、約310〜370nmの短い発光波長のために、MgF2のより良好な光学的性質から利益を得ることができる。
【０００７】
図3A-図3Cは、気密なシンチレータパッケージについて密封された窓の概略図を示す図である。窓端部の異なる形状が可能である。3つの方法を示す: 窓の外側より窓の溶接側で広い窓(図3Aの場合)、実質的に同一の内外の側の窓(図3Bの場合)、および窓の溶接側より窓の外側でより広い窓(図3Cの場合)。より複雑な形状、例えば、窓の階段または湾曲端部が想定され得る。密封された窓アセンブリと残りのハウジングを組み合わせるために必要である溶接に可能な位置も示されている。ロウ付けが窓を装着するために用いられる場合には、高温を必要とするためにロウ付けは別々の工程で行われ得る。一方法には、高温エポキシ等を用いて密封されている窓が包含される。溶接を除くためにエポキシを加えることは、正面の開口部が結晶アセンブリの挿入を可能にするときに可能である。エポキシシールは、伝統的に、ダウンホールツールに信頼できないことがわかっている。
上記の方法はまた、単一の窓だけである一体化シンチレータ-PMTパッケージを製造するのにも適している。すなわち、図4に示されているようにPMT入射窓がシンチレータ射出窓である。図4は、図2に示されたものと別の実施態様の図である。
この場合、高い透磁率を有する金属がハウジング材料として用いることができ、包装と磁気遮蔽を同時に組み込み、かつ別々の外部磁気遮蔽の必要を取り除くことができる。従って、アセンブリがより簡単で、パッケージの半径方向の寸法が縮小する。高透磁率材料は、Advance Magnetics, Inc.製のAD-MU 80であり得る。
現在、2つの最近導入されたシンチレータ材料LaBr3:CeおよびLaCl3:Ceの物性が結晶構造によって測定され、等方性でないことが理解されている。F. P. Dorty , Douglas McGregor, Mark Harrison, Kip Findley, Raulf Polichur and Pin Yang Mater. Res. Soc. Proc. Symp. Vol. 1038 2008による論文から、これらの結晶格子の構造を図5に示す。(図5に示すように、ハロゲン化物イオンは、一定の比率で描かれていない小球として示されている)。
【０００８】
構造のすべりは、主にc軸に沿って共有面の間で起こり得る。すべりプロセスは、最終的に内部光散乱とシンチレータの性能低下が生じる破壊を開始する。破壊は、外部機械的力を加える際にまたは熱勾配を与えることによって開始し得る。等方性媒体において、格子が全方向に同じに膨張することから、温度勾配によって一様に加えられた応力が生じる。しかしながら、LaX3の複合構造において、熱膨張は、一様でなく、格子方向に強く依存する。一般に、塩化物、臭化物およびヨウ化物の塩の熱伝導性が不充分であるので、大きい温度勾配が急速に生じることが知られている。熱膨張によって高められた異等方性力によって、脆性破壊が生じる。
従って、我々は、一様な圧縮力が包装の間に加えられ得るように、弱い結晶方向“c軸”を正確に整列させることができ得る。このような整列によって、加熱中に生じる応力からまたは外部に加えられた機械的加速から少し軽減される。包装前の結晶軸方向は、上述のLaハロゲン化物シンチレータの結晶成長が結晶軸方向を厳しく制御しないブリッジマン法によって達成されるという事実によって複雑になる。シンチレータの最終形状が円筒である場合には、円筒形が軸方向であるかまたは結晶軸に対して半径方向であるように、成長したインゴットから切断することを必要とする。
結晶が円筒と平行してc軸と整列される場合には、結晶はシンチレータ結晶を圧縮するためにパッケージ内のスプリングを用いて特定の軸方向で一様にプレロードされ得る。結晶軸を円筒の半径方向と整列させ得ることが好ましい。この場合、このc軸に沿って結晶を一様に圧縮するように、力が円筒の湾曲壁上に均等に加えられ得る。半径方向の圧縮は、正確に適合している弾性カバリングに硬化される液体RTVシリコーンの均一層を注入することによって達成される。ある実施態様において、結晶がハウジングに挿入された後にシリコーンが適用される。ある実施態様において、結晶は反射層で包まれ、次に窓が装着された管状金属ハウジング内に下げられる。反射面に包まれた結晶が装填されかつ管状ハウジングの中心にあると、反射面に包まれた結晶とハウジングの内径の間の環状空間が液体RTVシリコーン樹脂によって充填される。ビニル置換シリコーンポリマーをPt触媒の存在下にシラン架橋剤と反応させる追加硬化反応機構によって硬化するRTVが好ましい。GelestTM PP2-OE41が好ましいが、Dow Corning Sylgard(登録商標) 182、184または186が使用し得る。
【０００９】
結晶を取り囲んでいるRTVシリコーンは、温度勾配の発生を弱めるために用いられる。RTVシリコーンが熱伝導性である場合には、温度勾配を最小限にすることがより可能である。従って、熱伝導性を高めるために種々の充填剤をシリコーンに添加することができる。充填剤には、BN、AlN、ZnO、または微細金属、例えば、Al、AgまたはCuが含まれ得る。同様の急激な外部温度変化がパッケージ面上に予想される場合には、シンチレータはまた、粘弾性を有するセルラーシリコーンを用いることによりこれらの変化から絶縁される。ある実施態様において、RTVシリコーンは、熱伝導性を更に低下させるために、ガラスマイクロスフェアで充填される。ガラス気泡は、Trelleborg Emerson Cummings Inc.からEccospheresTMの名前で入手することができる。ガラス気泡方法は、1インチ(2.5センチメートル)直径を超えるより大きい寸法を有する結晶において熱的に誘導された破壊の発生を減少させるのに有効である。熱保護のための方法もまた、下記の従来の仮出願第61/104115号(代理人整理番号第49.0393号)、同第61/160416号、同第61/160746号(代理人整理番号第49.0414号)および同出願第61/160734号(代理人整理番号第49.0403号)に挙げられている。
本発明を限定された数の実施態様に関して開示してきたが、当業者は、本開示から利益を得て、そこから多くの修正や変更を理解するであろう。添付の特許請求の範囲は、本発明の真の精神と範囲に入るような修正や変更を包含するものである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージであって:
シンチレータ結晶;
前記シンチレータ結晶を封入するように設けられた第1のハウジング;
酸窒化アルミニウム(ALON)、スピネルセラミック(MgAl2O4)およびMgF2からなる群より選ばれる材料からなる窓
を備え;
窓がロウ付けおよびはんだ付けからなる群より選ばれるプロセスによって外部金属ハウジングにシール部で密封されており;
外部金属ハウジングが第1のハウジングに溶接されている、前記パッケージ。
【請求項２】
シンチレータが、NaI(Tl)、LaBr3:Ce、LaCl3:Ce、他のLaハロゲン化物、CsI(Tl)およびCsI(Na)からなる群より選ばれる結晶材料からなる、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項３】
シンチレータがLiYF4;Tm、LiYF4:Er、YF3:GdおよびLiLuF3からなる群より選ばれる結晶材料を含み、窓材料がMgF2からなる、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項４】
第1のハウジングが、ステンレス鋼合金からなる、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項５】
第1のハウジングが、Ti合金からなる、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項６】
シールが、熱膨張係数が適合した少なくとも2つの材料を結合する、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項７】
シールが、熱膨張率が適合していない少なくとも2つの材料を結合する、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項８】
2つの適合していない材料の間に応力除去ワッシャを更に含む、請求項7に記載のパッケージ。
【請求項９】
窓が、活性金属ロウ付けプロセスによって外部金属ハウジングに結合されている、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項１０】
窓が、はんだ付けプロセスによって外部金属ハウジングに結合されている、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項１１】
光電子増倍管本体; および
ALON(酸窒化アルミニウム)およびスピネルセラミック(MgAl2O4)からなる群より選ばれる材料からなる窓
を備え;
窓がロウ付けおよびはんだ付けからなる群より選ばれるプロセスによって光電子増倍管の本体に密封されている、光電子増倍管。
【請求項１２】
シンチレータハウジング;
窓を備えるパッケージ本体であって、窓がALON(酸窒化アルミニウム)およびスピネルセラミック(MgAl2O4)から形成されている、前記パッケージ本体;
パッケージ本体に密封される窓を結合するシール部であって、シール部がロウ付けおよびはんだ付けからなる群より選ばれるプロセスによって作成されている、前記シール部
を備え;
シンチレータハウジングが、光電子増倍管のパッケージ本体に実質的に永久に結合されている、一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１３】
シンチレータが、NaI(Tl)、LaBr3:Ce、LaCl3:Ce、他のLaハロゲン化物、CsI(Tl)およびCsI(Na)からなる群より選ばれる材料を含む、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１４】
シンチレータハウジングが、ステンレス鋼合金からなる、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１５】
シンチレータハウジングが、Ti合金からなる、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１６】
パッケージ本体が、高い透磁率を有する材料からなる、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１７】
パッケージ本体が、AdMu-80からなる、請求項16に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１８】
シール部が、熱膨張率が適合した2つの材料を結合している、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１９】
シール部が、熱膨張率が適合していない2つの材料を結合している、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項２０】
2つの熱膨張率が適合していない2つの材料の間に応力除去ワッシャを更に含む、請求項19に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項２１】
窓が、活性金属ロウ付けプロセスによって金属に接合されている、請求項12に記載の気密密閉されたパッケージ。
【請求項２２】
窓が、はんだ付けプロセスによって金属に接合されている、請求項12に記載の気密密閉されたパッケージ。
【請求項２３】
非等方性結晶格子を有する軸対称シンチレーション結晶;
少なくとも一つの円筒であって、結晶軸の1つが軸対称シンチレーション結晶の軸と第1の軸方向で整列している、前記円筒;
前記シンチレータ結晶を封入するように設けられた第1のハウジング;
アルミニウム酸窒化物(ALON)、スピネルセラミック(MgAl2O4)およびMgF2からなる群より選ばれる材料からなる窓
を含み;
窓が、ロウ付けおよびはんだ付けからなる群より選ばれるプロセスによって外部金属ハウジングにシール部で密封されており;
外部金属ハウジングが、第1のハウジングに溶接されている、気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２４】
シンチレーション結晶の周りに配置された充填材を更に含み、充填材がシンチレーション結晶の周りの定位置で硬化される室温加硫樹脂からなる、請求項23に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２５】
樹脂が、BN、AlN、ZnO、微細金属、Al、Ag、およびCuからなる群より選ばれる熱伝導性充填剤を含む、請求項25に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２６】
シンチレータが、LaBr3、LaCl3および総称Laハロゲン化物からなる群より選ばれる材料からなる、請求項23に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２７】
シンチレーション結晶が、シンチレーション結晶のc軸がシンチレーション結晶円筒の軸と実質的に平行にあるように配向されている、請求項23に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２８】
シンチレータが、c軸に沿って圧縮されている、請求項27に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２９】
結晶を結晶のまわりに位置決めされた弾性材料で半径方向に圧縮して、c軸と直角の方向の応力を減少させる、請求項28に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項３０】
シンチレーション結晶が、シンチレーション結晶のc軸がシンチレーション結晶円筒の軸と実質的に直角をなすように配向されている、請求項23に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項３１】
シンチレータが、軸に沿って圧縮されている、請求項30に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項３２】
シンチレーション結晶を結晶のまわりに位置決めされた弾性材料で半径方向に圧縮して、c軸に沿った応力を減少させる、請求項31に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項１】
気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージであって:
シンチレータ結晶;
前記シンチレータ結晶を封入するように設けられた第1のハウジング;
酸窒化アルミニウム(ALON)、スピネルセラミック(MgAl2O4)およびMgF2からなる群より選ばれる材料からなる窓
を備え;
窓がロウ付けおよびはんだ付けからなる群より選ばれるプロセスによって外部金属ハウジングにシール部で密封されており;
外部金属ハウジングが第1のハウジングに溶接されている、前記パッケージ。
【請求項２】
シンチレータが、NaI(Tl)、LaBr3:Ce、LaCl3:Ce、他のLaハロゲン化物、CsI(Tl)およびCsI(Na)からなる群より選ばれる結晶材料からなる、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項３】
シンチレータがLiYF4;Tm、LiYF4:Er、YF3:GdおよびLiLuF3からなる群より選ばれる結晶材料を含み、窓材料がMgF2からなる、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項４】
第1のハウジングが、ステンレス鋼合金からなる、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項５】
第1のハウジングが、Ti合金からなる、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項６】
シールが、熱膨張係数が適合した少なくとも2つの材料を結合する、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項７】
シールが、熱膨張率が適合していない少なくとも2つの材料を結合する、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項８】
2つの適合していない材料の間に応力除去ワッシャを更に含む、請求項7に記載のパッケージ。
【請求項９】
窓が、活性金属ロウ付けプロセスによって外部金属ハウジングに結合されている、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項１０】
窓が、はんだ付けプロセスによって外部金属ハウジングに結合されている、請求項1に記載のパッケージ。
【請求項１１】
光電子増倍管本体; および
ALON(酸窒化アルミニウム)およびスピネルセラミック(MgAl2O4)からなる群より選ばれる材料からなる窓
を備え;
窓がロウ付けおよびはんだ付けからなる群より選ばれるプロセスによって光電子増倍管の本体に密封されている、光電子増倍管。
【請求項１２】
シンチレータハウジング;
窓を備えるパッケージ本体であって、窓がALON(酸窒化アルミニウム)およびスピネルセラミック(MgAl2O4)から形成されている、前記パッケージ本体;
パッケージ本体に密封される窓を結合するシール部であって、シール部がロウ付けおよびはんだ付けからなる群より選ばれるプロセスによって作成されている、前記シール部
を備え;
シンチレータハウジングが、光電子増倍管のパッケージ本体に実質的に永久に結合されている、一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１３】
シンチレータが、NaI(Tl)、LaBr3:Ce、LaCl3:Ce、他のLaハロゲン化物、CsI(Tl)およびCsI(Na)からなる群より選ばれる材料を含む、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１４】
シンチレータハウジングが、ステンレス鋼合金からなる、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１５】
シンチレータハウジングが、Ti合金からなる、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１６】
パッケージ本体が、高い透磁率を有する材料からなる、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１７】
パッケージ本体が、AdMu-80からなる、請求項16に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１８】
シール部が、熱膨張率が適合した2つの材料を結合している、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項１９】
シール部が、熱膨張率が適合していない2つの材料を結合している、請求項12に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項２０】
2つの熱膨張率が適合していない2つの材料の間に応力除去ワッシャを更に含む、請求項19に記載の一体化シンチレータ-光電子増倍管パッケージ。
【請求項２１】
窓が、活性金属ロウ付けプロセスによって金属に接合されている、請求項12に記載の気密密閉されたパッケージ。
【請求項２２】
窓が、はんだ付けプロセスによって金属に接合されている、請求項12に記載の気密密閉されたパッケージ。
【請求項２３】
非等方性結晶格子を有する軸対称シンチレーション結晶;
少なくとも一つの円筒であって、結晶軸の1つが軸対称シンチレーション結晶の軸と第1の軸方向で整列している、前記円筒;
前記シンチレータ結晶を封入するように設けられた第1のハウジング;
アルミニウム酸窒化物(ALON)、スピネルセラミック(MgAl2O4)およびMgF2からなる群より選ばれる材料からなる窓
を含み;
窓が、ロウ付けおよびはんだ付けからなる群より選ばれるプロセスによって外部金属ハウジングにシール部で密封されており;
外部金属ハウジングが、第1のハウジングに溶接されている、気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２４】
シンチレーション結晶の周りに配置された充填材を更に含み、充填材がシンチレーション結晶の周りの定位置で硬化される室温加硫樹脂からなる、請求項23に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２５】
樹脂が、BN、AlN、ZnO、微細金属、Al、Ag、およびCuからなる群より選ばれる熱伝導性充填剤を含む、請求項25に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２６】
シンチレータが、LaBr3、LaCl3および総称Laハロゲン化物からなる群より選ばれる材料からなる、請求項23に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２７】
シンチレーション結晶が、シンチレーション結晶のc軸がシンチレーション結晶円筒の軸と実質的に平行にあるように配向されている、請求項23に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２８】
シンチレータが、c軸に沿って圧縮されている、請求項27に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項２９】
結晶を結晶のまわりに位置決めされた弾性材料で半径方向に圧縮して、c軸と直角の方向の応力を減少させる、請求項28に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項３０】
シンチレーション結晶が、シンチレーション結晶のc軸がシンチレーション結晶円筒の軸と実質的に直角をなすように配向されている、請求項23に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項３１】
シンチレータが、軸に沿って圧縮されている、請求項30に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【請求項３２】
シンチレーション結晶を結晶のまわりに位置決めされた弾性材料で半径方向に圧縮して、c軸に沿った応力を減少させる、請求項31に記載の気密密閉されたシンチレーション結晶パッケージ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公表番号】特表２０１２−５２７６２０（Ｐ２０１２−５２７６２０Ａ）
【公表日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５１１９５５（Ｐ２０１２−５１１９５５）
【出願日】平成２２年５月１８日（２０１０．５．１８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０３５２２３
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１３５３０３
【国際公開日】平成２２年１１月２５日（２０１０．１１．２５）
【出願人】（５００１７７２０４）シュルンベルジェ ホールディングス リミテッド (51)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｃｈｌｎｍｂｅｒｇｅｒ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月１８日（２０１０．５．１８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０３５２２３
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１３５３０３
【国際公開日】平成２２年１１月２５日（２０１０．１１．２５）
【出願人】（５００１７７２０４）シュルンベルジェ ホールディングス リミテッド (51)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｃｈｌｎｍｂｅｒｇｅｒ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ
【Ｆターム（参考）】
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