新規なアルキルパーフルオロアルケンエーテルおよびその使用
開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。同じく開示されているのは、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される不飽和フルオロエーテルである。同じく本明細書に開示されているのは、新規な溶剤、キャリア流体、脱水剤、脱脂溶剤またはフラックス除去溶剤として少なくとも１つの上述した化合物を含む組成物を用いる新規な方法である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００９年２月１６日出願の米国特許出願第６１／１５２，８０３号明細書および２００９年１２月１７日出願の米国仮特許出願第６１／２８７，２７５号明細書の優先権を主張する。
【０００２】
本発明は、不飽和フルオロカーボンエーテルを含む洗浄組成物に関する。本発明は、フッ素潤滑剤を、清浄にし、脱脂し、フラックス除去し、脱水し、堆積する方法に前記洗浄組成物を用いることにさらに関する。本発明は、新規な不飽和フルオロカーボンエーテル、および洗浄組成物としてのその使用および上記の方法におけるその使用にさらに関する。
【背景技術】
【０００３】
クロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）化合物は、磁気ディスク媒体等の表面を清浄にするために、半導体製造分野において広く用いられてきた。しかしながら、ＣＦＣ化合物等の塩素含有化合物は、地球のオゾン層に有害であると考えられている。また、ＣＦＣ化合物に代えて用いられるハイドロフルオロカーボンの多くが、地球温暖化に寄与することが分かってきた。従って、残渣フラックス、潤滑剤または油汚染物質およびパーティクルを除去するような洗浄用途について、環境に安全な新たな溶剤を特定する必要がある。また、フッ素潤滑剤を堆積させ、水溶液で処理された基板の乾燥または脱水のための新たな溶剤を特定する必要もある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、不飽和フルオロカーボンエーテルを含む新たな組成物およびかかる不飽和フルオロカーボンエーテルの製造方法を提供する。これらの組成物は、ＣＦＣ化合物により以前使われていた多くの用途において有用性がある。本発明の組成物は、環境への影響がほとんど、または全くない、油、グリースまたは潤滑剤（特に、フッ素含有潤滑剤）を溶解する能力がある、不燃性である、乾燥または脱水方法に用いる界面活性剤化合物を溶解する能力があるという所望の特性の一部または全てを備えている。
【０００５】
一実施形態において、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【０００６】
他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【０００７】
他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【０００８】
さらに他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【０００９】
さらに他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物を用いる新規な方法である。
【００１０】
さらに他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、上記したものを含むフルオロカーボンエーテルを製造する新規な方法である。
【００１１】
前述の概要および以下の詳細な説明は例示で、説明のためのみであり、添付の請求項に定められる本発明を限定するものではない。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。同じく、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。同じく、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）y（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。同じく、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【００１３】
同じく、本明細書に開示されているのは、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物ならびに式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【００１４】
一実施形態において、組成物の化合物は、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）からなる群から選択される。
【００１５】
他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物を用いる新規な方法である。
【００１６】
多くの態様および実施形態を上述してきたが、それらは例示に過ぎず、限定するものではない。本明細書を読めば、当業者であれば、発明の範囲から逸脱せずに、他の態様および実施形態が可能であることが理解される。実施形態のいずれか１つ以上のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および請求項から明らかとなるであろう。
【００１７】
後述する実施形態の詳細を記す前に、いくつかの用語を定義または明確化しておく。
【００１８】
本発明において、相間移動触媒とは、イオン化合物（例えば、反応物質または成分）を、有機相に移動するのを促す物質である。相間移動触媒は、これらの異なる非相溶性の成分の反応を促す。様々な相間移動触媒が、異なるやり方で機能し得るが、それらの作用の機構は、本方法における有用性を決定づけるものではない。
【００１９】
一実施形態において、本明細書に開示された化合物は、新規な溶剤、キャリア流体、脱水剤、脱脂溶剤またはフラックス除去溶剤として有用な不飽和フルオロエーテルである。
【００２０】
一実施形態において、本発明の不飽和フルオロエーテルは、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）からなる群から選択される式を有する化合物を表わす。
【００２１】
一実施形態において、本明細書に開示されている組成物は、パーフルオロアルケン、例えば、パーフルオロ−３−ヘプテン、パーフルオロ−２−ヘプテン、パーフルオロ−２−ヘキセン、パーフルオロ−３−ヘキセンまたはパーフルオロ−２−ペンテンを、強塩基を存在させて、アルコールと接触させることにより調製することができる。例えば、パーフルオロ−３−ヘプテンを、アルコール、例えば、メタノールまたはエタノールまたはこれらの混合物と、強塩基の水溶液を存在させて、反応させて、不飽和フルオロエーテルを生成することができる。以降、アルコールまたは「１つのアルコール」は、複数のアルコール、例えば、メタノールまたはエタノールおよびこれらの混合物を称するものとする。
【００２２】
一実施形態において、パーフルオロ−３−ヘプテンとメタノールの反応からの生成物は、５−メトキシパーフルオロ−３−ヘプテン、３−メトキシパーフルオロ−３−ヘプテン、４−メトキシパーフルオロ−２−ヘプテンおよび３−メトキシパーフルオロ−２−ヘプテンを含む。
【００２３】
一実施形態において、パーフルオロ−２−ペンテンとメタノールの反応からの生成物は、４−メトキシパーフルオロ−２−ペンテン、２−メトキシパーフルオロ−２−ペンテン、３−メトキシパーフルオロ−２−ペンテンおよび２−メトキシパーフルオロ−３−ペンテンを含む。
【００２４】
一実施形態において、パーフルオロ−２−オクテンとメタノールの反応からの生成物は、シス−およびトランス−２−メトキシパーフルオロ−２−オクテンおよび２−メトキシパーフルオロ−３−オクテンを含む。
【００２５】
一実施形態において、強塩基は、アルコールと反応して、塩基とそのアルコールの配合によりアルコキシドを生成する塩基である。かかるアルコキシドを形成するのに用いることのできる塩基としては、アルキル金属水酸化物、例えば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムが挙げられるが、これらに限られるものではない。
【００２６】
一実施形態において、強塩基は、１０重量％〜４５重量％の濃度のアルカリ金属水酸化物を有する水溶液の形態で存在する。一実施形態において、アルコール１モル当たり、アルキル金属水酸化物１モルを用いて、アルコキシドを生成する。他の実施形態において、アルコール１モル当たり、アルキル金属水酸化物１．１モルを用いる。さらに他の実施形態において、アルコール１モル当たり、アルキル金属水酸化物約０．９モルを用いる。
【００２７】
一実施形態において、パーフルオロアルケン１モル当たり、アルキル金属水酸化物１モルを用いる。他の実施形態において、パーフルオロアルケン１モル当たり、アルキル金属水酸化物約１．１モルを用いる。さらに他の実施形態において、パーフルオロアルケン１モル当たり、アルキル金属水酸化物約１．０５モルを用いる。
【００２８】
一実施形態において、アルキル金属水酸化物を、パーフルオロアルケンと配合してから、アルコールおよび水を、パーフルオロアルケンと塩基の混合物に添加すると、即時の発熱反応となる。他の実施形態において、アルキル金属水酸化物を水に溶解して、パーフルオロアルケンと混合する。アルコールの添加により、即時の発熱反応となって、不飽和フルオロエーテルが生成される。
【００２９】
一実施形態において、アルコールは、パーフルオロアルケン、アルカリ金属水酸化物および水に一度で添加する。他の実施形態において、アルコールは、時間をかけて徐々に添加する。一実施形態において、アルコールは、１時間かけて添加する。他の実施形態において、アルコールは、２時間かけて添加する。さらに他の実施形態において、パーフルオロアルケン、アルカリ金属水酸化物およびアルコールは一緒に添加し、水は時間をかけて徐々に添加する。
【００３０】
一実施形態において、パーフルオロアルケン、アルカリ金属水酸化物、アルコールおよび水は、全て、略室温で添加する。他の実施形態において、パーフルオロアルケンおよびアルカリ金属水酸化物の水溶液は、約５０℃まで加熱し、アルコールは、時間をかけて徐々に添加する。
【００３１】
一実施形態において、相間移動触媒は、パーフルオロアルケン、アルカリ金属水酸化物、アルコールおよび水の混合物に添加する。一実施形態において、相間移動触媒は、第４級アンモニウム塩である。一実施形態において、相間移動触媒は、Ａｌｉｑｕａｔ３３６である。一実施形態において、相間移動触媒の量は、アルカリ金属水酸化物の約１重量％〜約１０重量％である。
【００３２】
相間移動触媒は、イオンまたは中性とすることができ、クラウンエーテル、オニウム塩、クリプテート、ポリアルキレングリコール、およびこれらの誘導体ならびにこれらの混合物からなる群から選択される。所望の反応を行うには、有効量の相間移動触媒を用いるべきである。反応物質、プロセス条件および相間移動触媒を選択したら、かかる量は、わずかな実験で求めることができる。
【００３３】
クラウンエーテルは、エーテル基がジメチレン結合により連結された環状分子である。化合物は、水酸化物のアルカリ金属イオンを「受ける」または保持することができ、それによって反応が促されるものと考えられる分子構造を形成する。特に有用なクラウンエーテルとしては、１８−クラウン−６、特に、水酸化カリウムと配合したもの、１５−クラウン−５、特に、水酸化ナトリウムと配合したもの、１２−クラウン−４、特に、水酸化リチウムと配合したものが挙げられる。上記のクラウンエーテルの誘導体も有用であり、例えば、ジベンゾ−１８−クラウン−６、ジシクロヘキサノ−１８−クラウン−６、ジベンゾ−２４−クラウン−８および１２−クラウン−４である。アルカリ金属化合物に、特に、リチウムについて、特に有用なその他のポリエーテルは、許す範囲で参考文献として援用される米国特許第４，５６０，７５９号明細書に記載されている。クラウンエーテルに類似した、同じ目的に有用なその他の化合物は、酸素原子の１つ以上が、他の種類のドナー原子、特に、ＮまたはＳ、例えば、ヘキサメチル−［１４］−４，１１−ジエンＮ4で置換されることにより異なる化合物である。
【００３４】
オニウム塩としては、本発明のプロセスにおいて相間移動触媒として用いてよい第４級ホスホニウム塩および第４級アンモニウム塩が挙げられ、かかる化合物は、次式ＩおよびＩＩ：
Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｐ(+)Ｘ’(-)（Ｉ）
Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｎ(+)Ｘ’(-)（ＩＩ）
で表わすことができ、式中、同一または異なっていてよいＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であり、Ｘ’はハロゲン原子である。これらの化合物の具体例としては、塩化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化メチルトリオクチルアンモニウム（Ａｌｉｑｕａｔ３３６およびＡｄｏｇｅｎ４６４という商標で市販）、塩化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、臭化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、硫酸水素テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、塩化テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム、臭化テトラフェニルホスホニウム、塩化テトラフェニルホスホニウム、臭化トリフェニルメチルホスホニウムおよび塩化トリフェニルメチルホスホニウムが挙げられる。中でも、強塩基条件下で用いるには、塩化ベンジルトリエチルアンモニウムが好ましい。この部類の化合物のその他の有用な化合物としては、高温安定性（例えば、約２００℃まで）を示すものが挙げられ、４−ジアルキルアミノピリジニウム塩、例えば、塩化テトラフェニルアルソニウム、塩化ビス［トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン］イミニウムおよび塩化テトラトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスフィンイミノ］ホスホニウムが含まれる。後者の２つの化合物はまた、熱濃水酸化ナトリウムの存在下で安定であるとも報告されており、特に有用となり得る。
【００３５】
相間移動触媒として有用なポリアルキレングリコール化合物は、式Ｒ6Ｏ（Ｒ5Ｏ）tＲ7（ＩＩＩ）により表わすことができ、式中、Ｒ5は、アルキレン基であり、同一または異なっていてよいＲ6およびＲ7は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であり、ｔは、少なくとも２の整数である。かかる化合物としては、例えば、グリコール、例えば、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、ジイソプロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラプロピレングリコールおよびテトラメチレングリコール、モノアルキルエーテル、例えば、かかるグリコールのモノメチル、モノエチル、モノプロピルおよびモノブチルエーテル、ジアルキルエーテル、例えば、テトラエチレングリコールジメチルエーテルおよびペンタエチレングリコールジメチルエーテル、フェニルエーテル、ベンジルエーテル、ならびにポリアルキレングリコール、例えば、ポリエチレングリコール（平均分子量約３００）ジメチルエーテル、ポリエチレングリコール（平均分子量約３００）ジブチルエーテルおよびポリエチレングリコール（平均分子量約４００）ジメチルエーテルが挙げられる。中でも、Ｒ6およびＲ7の両方がアルキル基、アリール基またはアラルキル基である化合物が好ましい。
【００３６】
クリプテートは、相間移動触媒として存在させるのに有用な化合物の他の部類である。橋頭構造を、適切な間隔のあいたドナー原子を含有する鎖により結合することにより形成された３次元ポリ大環状キレート化剤がある。例えば、二環式分子は、窒素橋頭を、（−−ＯＣＨ2ＣＨ2−−）基の鎖により結合することから、２．２．２−クリプテート（４，７，１３，１６，２１，２４−ヘキサオキサ−１，１０−ジアザビシクロ−（８．８．８）ヘキサコサン、ｃｒｙｐｔａｎｄ２２２およびＫｒｙｐｔｏｆｉｘ２２２）として得られる。ブリッジのドナー原子は全てＯ、ＮまたはＳであってよい、または化合物は、ブリッジストランドが、かかるドナー原子の組み合わせを含有する混合ドナー大員環であってよい。
【００３７】
上述したグループの１つの組み合わせ、２つ以上のグループからの組み合わせまたは混合、例えば、クラウンエーテルとオニウム、あるいは３つ以上のグループからの組み合わせまたは混合、例えば、第４級ホスホニウム塩、第４級アンモニウム塩、クラウンエーテルおよびポリアルキレングリコールの相間移動触媒も有用であろう。
【００３８】
一実施形態において、数時間後、反応混合物は周囲温度まで冷やして、分液漏斗に注ぐ。有機下層を、無機塩を含有する水性層から分離する。有機層を乾燥させたら、蒸留によりさらに精製することができる。一実施形態において、有機層は、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。他の実施形態において、有機層は、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。パーフルオロヘプテンエーテルの調製の一実施形態において、アリルおよびビニルパーフルオロアルケンアルキルエーテルの混合物を含むメチルまたはエチルエーテルを調製するのに応じて、１０８℃〜１２２℃の蒸留物から留分を集める。
【００３９】
一実施形態において、本発明の組成物は、噴射剤をさらに含んでいてもよい。エアロゾル噴射剤は、本発明の組成物を、貯蔵容器から表面まで、エアロゾルの形態で分配するのを補助することができる。エアロゾル噴射剤は、合計組成物の約２５重量パーセントまで、本発明の組成物に任意で含まれている。代表的なエアロゾル噴射剤は、空気、窒素、二酸化炭素、ジフルオロメタン（ＣＦ2Ｈ2、ＨＦＣ−３２）、トリフルオロメタン（ＣＦ3Ｈ、ＨＦＣ−２３）、ジフルオロエタン（ＣＨＦ2ＣＨ3、ＨＦＣ−１５２ａ）、トリフルオロエタン（ＣＨ3ＣＦ3、ＨＦＣ−１４３ａまたはＣＨＦ2ＣＨ2Ｆ、ＨＦＣ−１４３）、テトラフルオロエタン（ＣＦ3ＣＨ2Ｆ、ＨＦＣ−１３４ａまたはＣＦ2ＨＣＦ2Ｈ、ＨＦＣ−１３４）、ペンタフルオロエタン（ＣＦ3ＣＦ2Ｈ、ＨＦＣ−１２５）、１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ）、２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ）、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｅ）およびハイドロカーボン、例えば、プロパン、ブタンまたはペンタンあるいはジメチルエーテルを含む。
【００４０】
他の実施形態において、本発明の組成物は、少なくとも１つの界面活性剤をさらに含んでいてもよい。本発明の界面活性剤は、基板の脱水または乾燥の当該技術分野において公知の全ての界面活性剤が含まれる。代表的な界面活性剤としては、アルキルホスフェートアミン塩（２−エチルヘキシルアミンとイソオクチルホスフェートの１：１塩等）、エトキシル化アルコール、メルカプタンまたはアルキルフェノール、アルキルホスフェートの第４級アンモニウム塩（アンモニウムまたはホスフェート基のいずれかにフルオロアルキル基を有する）およびフッ素化アミンのモノ−またはジ−アルキルホスフェートが挙げられる。追加のフッ素化界面活性剤化合物は、参考文献として援用される米国特許第５，９０８，８２２号明細書に記載されている。
【００４１】
本発明の脱水組成物に含まれる界面活性剤の量は、その組成物が用いられるであろう特定の乾燥用途に応じて大きく異なり得るが、当業者であればすぐに分かる。一実施形態において、不飽和フッ素化エーテル溶剤に溶解した界面活性剤の量は、界面活性剤／溶剤組成物の総重量を基準として、約１重量パーセント以下である。他の実施形態において、組成物による処理後、乾燥させる基材を、界面活性剤を含有しない、または最小量の界面活性剤を含有する溶剤で後に処理する場合は、多めの量の界面活性剤を用いることができる。一実施形態において、界面活性剤の量は、少なくとも約５０百万分率（ｐｐｍ、重量基準で）である。他の実施形態において、界面活性剤の量は、約１００〜約５０００ｐｐｍである。さらに他の実施形態において、用いる界面活性剤の量は、脱水組成物の総重量を基準として、約２００〜約２０００ｐｐｍである。
【００４２】
任意で、その他の添加剤を、脱水に用いる溶剤および界面活性剤を含む本発明の組成物に含めてもよい。かかる添加剤としては、帯電防止特性、ガラスおよびシリカ等の非導電性基材からの正電荷を消失させる能力を有する化合物が挙げられる。本発明の脱水組成物に帯電防止添加剤を用いることは、ガラスレンズおよびミラー等の非導電性部品から水または水溶液を乾燥させるときのスポットや染みを防ぐのに必要となる場合がある。本発明のたいていの不飽和フルオロエーテル溶剤はまた、誘電性流体としても有用性がある。すなわち、それらは、電流の不良導体で、静電荷を容易に消失しない。従来の乾燥および洗浄機器の脱水組成物の沸騰および大循環により、特に、水の大半が基板から除去された乾燥プロセスの後の段階において静電荷が形成される可能性がある。かかる静電荷は、基板の非導電性表面で集まり、水が表面から放出されるのを阻害する。残留水は、そこで乾燥し、基板上に望ましくないスポットやしみを生じる。基板に残る静電荷は、洗浄プロセスからの不純物を持ち込んだり、空気からの埃等の不純物を引き寄せる恐れがあり、洗浄性能を許容できないものとする。一実施形態において、望ましい帯電防止添加剤は、極性化合物であり、本発明の不飽和フッ素化エーテル溶剤に可溶で、不飽和フッ素化エーテル溶剤の導電性が増大する結果、基板からの静電荷を消失させる。他の実施形態において、帯電防止添加剤は、不飽和フッ素化エーテル溶剤と近い標準沸点を有しており、水中溶解度が最少である。さらに他の実施形態において、帯電防止添加剤は、約０．５重量パーセント未満の水中溶解度を有している。一実施形態において、帯電防止剤の溶解度は、不飽和フッ素化エーテル溶剤中少なくとも０．５重量パーセントである。一実施形態において、帯電防止添加剤は、ニトロメタン（ＣＨ3ＮＯ2）である。
【００４３】
一実施形態において、帯電防止添加剤を含む本発明の脱水組成物は、後述するとおり、基板の脱水または乾燥方法の脱水、乾燥、濯ぎ工程のいずれにも有効である。
【００４４】
他の実施形態は、
ａ）基板を、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される化合物を含む組成物と接触させて、基板を脱水する工程と、
ｂ）組成物から、脱水した基板を回収する工程と
を含む、基板を脱水または乾燥する方法に関する。
【００４５】
多くの産業で、金属、セラミック、ガラスおよびプラスチックの表面処理用の水性組成物が用いられている。コーティングの洗浄、めっきおよび堆積は、水性媒体中で行われることが多く、残留水が除去される工程が後に続くのが通常である。温風乾燥、遠心分離乾燥および溶剤系水置換が、かかる残留水を除去するのに用いる方法である。
【００４６】
ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）は、乾燥または脱水用途に以前用いられていたＣＦＣ溶剤に代わるものとして提案されてきたが、多くのＨＦＣは水への溶解度が限られている。従って、基板から水を除去するのを補助する界面活性剤の使用が、多くの乾燥または脱水方法において必要である。基板からの水を置換するために、疎水性界面活性剤が脱水または乾燥溶剤に添加されてきた。
【００４７】
脱水または乾燥組成物における脱水または乾燥溶剤（不飽和フッ素化エーテル溶剤）の主な機能は、乾燥させる基板の表面の水の量を減じることである。界面活性剤の主な機能は、基板の表面から残った水がある場合にはこれを置換することである。不飽和フッ素化エーテル溶剤と界面活性剤を配合すると、高効率な置換乾燥組成物が得られる。
【００４８】
一実施形態において、脱水および乾燥用界面活性剤は、合計溶剤／界面活性剤組成物重量を基準として少なくとも１重量パーセントまで可溶である。
【００４９】
一実施形態において、本開示の脱水または乾燥方法は、タングステン、銅、金、ベリリウム、ステンレス鋼、アルミニウム合金、黄銅等の金属、ガラス、サファイア、ホウケイ酸ガラス、アルミナ、電子回路に用いられるシリコンウェハ等のシリカ、焼成アルミナ等のガラスおよびセラミック表面、ポリオレフィン（「Ａｌａｔｈｏｎ」、Ｒｙｎｉｔｅ（登録商標）、「Ｔｅｎｉｔｅ」）、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン（Ｓｔｙｒｏｎ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標））、テトラフルオロエチレン−エチレンコポリマー（Ｔｅｆｚｅｌ（登録商標））、ポリフッ化ビニリデン（「Ｋｙｎａｒ」）、イオノマー（Ｓｕｒｌｙｎ（登録商標））、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンポリマー（Ｋｒａｌａｃ（登録商標））、フェノール−ホルムアルデヒドコポリマー、セルロース（「Ｅｔｈｏｃｅｌ」）、エポキシ樹脂、ポリアセタール（Ｄｅｌｒｉｎ（登録商標））、ポリ（ｐ−フェニレンオキシド）（Ｎｏｒｙｌ（登録商標））、ポリエーテルケトン（「Ｕｌｔｒａｐｅｋ」）、ポリエーテルエーテルケトン（「Ｖｉｃｔｒｅｘ」）、ポリ（ブチレンテレフタレート）（「Ｖａｌｏｘ」）、ポリアリーレート（Ａｒｙｌｏｎ（登録商標））、液晶ポリマー、ポリイミド（Ｖｅｓｐｅｌ（登録商標））、ポリエーテルイミド（「Ｕｌｔｅｍ」）、ポリアミドイミド（「Ｔｏｒｌｏｎ」）、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）（「Ｒｙｔｈｏｎ」）、ポリスルホン（「Ｕｄｅｌ」）およびポリアリールスルホン（「Ｒｙｄｅｌ」）等のプラスチックをはじめとする広範囲な基板から水を置換するのに非常に有効である。他の実施形態において、本発明の脱水または乾燥方法に用いる組成物はエラストマーと相溶性がある。
【００５０】
一実施形態において、開示は、水の少なくとも一部を、湿潤基板の表面から、除去、すなわち、脱水するプロセスに係り、基板を上述した脱水組成物と接触させてから、基板の脱水組成物との接触を外すことを含む。一実施形態において、基板の表面に元々結合していた水は、溶剤および／または界面活性剤により置換されて、脱水組成物が残る。「水の少なくとも一部」とは、基板の表面の水の少なくとも約７５重量パーセントが、浸漬サイクル１回で除去されることを意味する。「浸漬サイクル」とは、基板が本発明の脱水組成物に浸漬される工程が少なくとも１つ含まれる１サイクルを意味する。任意で、基板に付着して残った最小量の界面活性剤は、基板を界面活性剤フリーのハロカーボン溶剤と接触させることにより、さらに除去することができる。物品を溶剤蒸気またはフラックス除去溶剤中に保持すると、基板に残る界面活性剤の存在をさらに減じるであろう。基板の表面に付着した溶剤の除去は、蒸発によりなされる。大気圧または大気圧より低い圧力での溶剤の蒸発を利用することができ、ハロカーボン溶剤の沸点より高い、および低い温度を用いることができる。
【００５１】
基板を脱水組成物と接触させる方法は、重要でなく、幅広く変えることができる。例えば、基板を組成物に浸漬することができる。または、従来の機器を用いて、基板に組成物をスプレーすることができる。概して、組成物と基板の全露出表面の間の接触が確保されるため、基板は完全に浸漬するのが好ましい。しかしながら、かかる完全な接触を容易に行える他の何らかの方法を用いてもよい。
【００５２】
基板と脱水組成物を接触させる時間は、広く変えることができる。通常、接触時間は、約５分までであるが、必要に応じて、これより長い時間を用いてもよい。脱水プロセスの一実施形態において、接触時間は、約１秒〜約５分である。他の実施形態において、脱水プロセスの接触時間は、約１５秒〜約４分である。
【００５３】
接触温度も、組成物の沸点に応じて、広く変えることができる。概して、接触温度は、組成物の標準沸点に等しい、またはそれ未満である。
【００５４】
一実施形態において、本開示の組成物は、共溶媒をさらに含有していてもよい。かかる共溶媒は、従来のプロセス残渣を基板から洗浄する、例えば、はんだフラックスを除去し、本発明の基板を含む機械部品を脱脂するのに本発明の組成物を用いる場合、望ましい。かかる共溶媒としては、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール）、エーテル（例えば、ジエチルエーテル、メチルターシャリー−ブチルエーテル）、ケトン（例えば、アセトン）、エステル（例えば、酢酸エチル、ドデカン酸メチル、ミリスチン酸イソプロピルおよびコハク、グルタルまたはアジピン酸のジメチルまたはジイソブチルエステルあるいはこれらの混合物）、エーテルアルコール（プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルおよびトリプロピレングリコールモノメチルエーテル）、ハイドロカーボン（例えば、ペンタン、シクロペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン）およびハイドロクロロカーボン（例えば、トランス−１，２−ジクロロエチレン）が挙げられる。かかる共溶媒を、基板脱水または洗浄のための本発明の組成物と共に用いるときは、組成物全体の重量を基準として、約１重量パーセント〜約５０重量パーセントの量で存在させればよい。
【００５５】
蒸気脱脂および蒸気フラックス除去機器を含む洗浄装置において、組成物は、シャフトシール、ホース接続部、はんだジョイントおよび破損ラインにおける漏れによって、操作中に失われる恐れがある。また、作用組成物は、機器の保守手順中に雰囲気に放出される恐れがある。組成物が純粋な成分でない場合には、機器から雰囲気へ漏れたり、放出されると、組成物は変化する可能性があり、機器に残る組成物が許容できない性能を示すようになる恐れがある。従って、単一の不飽和フッ素化エーテルを含む洗浄組成物として用いるのが望ましい。
【００５６】
一実施形態において、本明細書に記載した不飽和フルオロエーテルは、エポキシドを酸促進剤としてさらに含む。一実施形態において、かかるエポキシドの濃度は、少なくとも０．００１重量パーセント〜１．０重量パーセント以下の範囲であってよい。他の実施形態において、濃度は、０．０２重量パーセント〜０．５重量パーセント以下である。さらに他の実施形態において、合計組成物の０．２重量パーセント以下の濃度で用いる。エポキシドの量は、挙げた値を含めたこれらの値の任意の組み合わせの範囲とすることができる。
【００５７】
好適なエポキシドとしては、脂肪族および芳香族エポキシドが例示され、エピクロロヒドリン、２−ヘキセンエポキシド、３−ヘキセンエポキシド、グリシドール、プロピレンオキシド、シス−２，３−ペンテンオキシド、２−メチル−２，３−エポキシブタン、１，２−エポキシシクロペンテン、２，３−ジメチル−２，３−エポキシブタン、１，２−エポキシシクロヘキサン、１，２−ブチレンオキシドおよび２，３−ブチレンオキシドから選択されるものが含まれる。他の実施形態において、エポキシドは、３〜８個の炭素原子を含む飽和モノエポキシドである。
【００５８】
他の実施形態は、
ａ．表面を、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物と接触させる工程と、
ｂ．組成物から、表面を回収する工程と
を含む、表面を洗浄する方法に関する。
【００５９】
一実施形態において、本開示の組成物は、洗浄組成物、洗浄剤、堆積溶剤および脱水または乾燥溶剤として有用である。使用に際して適切に操作するには、マイクロエレクトロニクス部品から、製造完了後、表面を汚染する恐れのあるフラックス残渣、油、グリースおよび微粒子を落とさなければならない。他の実施形態において、本開示は、表面または基板を、本発明の洗浄組成物または洗浄剤と接触させて、任意で、洗浄組成物または洗浄剤から、実質的に残渣のない表面または基板を回収することを含む、表面または基板から残渣を除去するプロセスに関する。
【００６０】
さらに他の実施形態において、本開示は、汚染物質を表面から除去することにより、表面を洗浄する方法に関する。汚染物質を表面から除去する方法は、汚染物質を有する表面を、本発明の洗浄組成物と接触させて、汚染物質を溶解し、任意で、洗浄組成物から表面を回収することを含む。すると、表面は実質的に汚染物質フリーである。
【００６１】
前述したとおり、本方法により除去できる汚染物質または残渣としては、これらに限られるものではないが、油、グリース、フラックス残渣および微粒子汚染物質が挙げられる。
【００６２】
本方法の一実施形態において、接触は、基板、例えば、洗浄組成物がついた雑巾または紙でスプレー、フラッシング、拭き取ることにより行ってよい。本方法の他の実施形態において、接触は、ディスクを、洗浄組成物の浴に、浸漬または浸すことにより行ってよい。
【００６３】
本方法の一実施形態において、回収は、洗浄組成物浴から、接触させた表面を取り出すことによる（後述するとおり、表面にフッ素潤滑剤を堆積する方法について説明したのと同様のやり方で）。本方法の他の実施形態において、回収は、ディスクでスプレー、フラッシュまたは拭いた洗浄組成物を流出させることによる。さらに、前の工程の完了後に残る可能性のある残渣の線上組成物がある場合には、堆積方法についてのものと同様にして蒸発させてもよい。
【００６４】
表面を洗浄する方法は、後述するとおり、堆積方法と同種の表面に適用することができる。シリカ、ガラス、金属、金属酸化物またはカーボンの半導体表面または磁気媒体ディスクは、本方法により除去される汚染物質を含む場合がある。上述した方法において、汚染物質は、ディスクを洗浄組成物と接触させ、洗浄組成物から、ディスクを回収することにより、ディスクから除去することができる。
【００６５】
さらに他の実施形態において、本方法はまた、物品を、本発明の洗浄組成物と接触させることにより、製品、パーツ、部品、基板または任意のその他物品またはその一部から、汚染物質を除去する方法も提供する。便宜上、「物品」という用語は、かかる製品、パーツ、部品、基板等を全て指すのに本明細書で用いられ、さらに、任意の表面またはその一部を指すものとされる。また、「汚染物質」という用語は、たとえ、物品に意図的に配置されていたとしても、物品に存在する何らかの望ましくない材料または物質を指す。例えば、半導体デバイスの製造においては、フォトレジスト材料を基板に堆積して、エッチング操作のマスクを形成し、その後、フォトレジスト材料を基板から除去するのが一般的である。本明細書で用いる「汚染物質」という用語は、かかるフォトレジスト材料をカバーし、包含するものとする。ハイドロカーボン系の油およびグリースならびにジオクチルフタレートは、カーボンコートディスクにあるであろう汚染物質の例である。
【００６６】
一実施形態において、本方法は、蒸気脱脂および溶剤洗浄方法において、物品を本発明の洗浄組成物と接触させることを含む。かかる一実施形態において、蒸気脱脂および溶剤洗浄方法は、物品を、好ましくは、室温で、沸騰洗浄組成物の蒸気に露出することからなる。対象物に凝縮する蒸気には、比較的清浄な蒸留洗浄組成物を与えて、グリースまたはその他汚染物質を洗い流すという利点がある。かかるプロセスには、対象物からの本発明の洗浄組成物の最終蒸発によって、対象物を液体洗浄組成物で単に洗浄する場合に比べて、比較的僅かな残渣しか残らないという点でさらなる利点を有する。
【００６７】
他の実施形態において、除去の難しい汚染物質を物品が含む用途について、本方法には、周囲より高い、またはかかる用途に有効な任意のその他の温度まで、洗浄組成物の温度を上げて、洗浄組成物の洗浄作用を大幅に改善することが含まれる。かかる一実施形態において、かかるプロセスはまた、物品、特に、金属パーツおよび組立体の洗浄を効率的かつ迅速に行わなければならない大量組立ライン操作にも一般的に用いられる。
【００６８】
一実施形態において、本発明の洗浄方法は、清浄にする物品を、高温で、液体洗浄組成物に浸漬することを含む。他の実施形態において、本発明の洗浄方法は、清浄にする物品を、洗浄組成物の略沸点で、液体洗浄組成物に浸漬することを含む。かかる一実施形態において、この工程は、大量の目的とする汚染物質を物品から除去する。さらに他の実施形態において、この工程は、大部分の目的とする汚染物質を物品から除去する。一実施形態において、この工程に続いて、前の浸漬工程における液体洗浄組成物の温度より低い温度で、新たに蒸留した洗浄組成物に物品を浸漬する。かかる一実施形態において、新たに蒸留した洗浄組成物は、略周囲または室温である。さらに他の実施形態において、本方法はまた、既述の第１の浸漬工程に関連した熱／沸点洗浄組成物から出た蒸気に物品を露出することにより、洗浄組成物の比較的熱い蒸気と物品を接触させる工程を含む。かかる一実施形態において、これによって、物品の洗浄組成物蒸気が凝縮する。ある好ましい実施形態において、最終濯ぎの前に、物品に蒸留洗浄組成物をスプレーしてもよい。
【００６９】
本方法に関して用いるのに、数多くの様々な種類の蒸気脱脂機器が適用可能であるものと考えられる。かかる機器およびその操作の一例は、参考文献として援用される米国特許第３，０８５，９１８号明細書に開示されている。そこに開示された機器は、洗浄組成物を含む沸騰槽、蒸留した洗浄組成物を含むクリーン槽、水分離器およびその他補助機器を有している。
【００７０】
本洗浄方法はまた、コールドクリーニングも含んでよく、コールドクリーニングにおいては、汚染した物品を、本発明の流体洗浄組成物に、周囲または室温条件下で浸漬するか、または、洗浄組成物に浸したぼろ布または同様の物体で、かかる条件下で拭く。
【００７１】
フッ素潤滑剤と、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む溶剤を配合して、潤滑剤−溶剤の配合物を形成する工程と、潤滑剤−溶剤の配合物を表面と接触させる工程と、溶剤を表面から蒸発させて、表面にフッ素潤滑剤コーティングを形成する工程とを含む、表面にフッ素潤滑剤を堆積させる方法に関する。
【００７２】
デジタル情報を記憶する最先端の高記録密度かつ低コストの方法には、磁気材料でコートされた回転ディスクから磁束パターンを読み書きすることが含まれる。ビットの形態で情報が記憶される磁気層は、金属支持構造にスパッタされる。次に、オーバーコート、通常は、カーボン系材料が、保護のために、磁気層の上部に配置され、最後に、潤滑剤がオーバーコートに適用される。読み取り／書き込みヘッドが、潤滑剤上をフライングして、ヘッドと磁気層間で情報が交換される。情報転送の効率を徹底的に上げようとして、ハードドライブメーカーは、ヘッドと磁気層またはフライ高さ間の距離を、１００オングストローム未満まで減じてきた。
【００７３】
常に、通常のディスクドライブ適用中、ヘッドとディスク表面は接触するであろう。滑りとフライング接触の両方によるディスクでの摩耗を減じるために、潤滑しなければならない。
【００７４】
フッ素潤滑剤は、ヘッドとディスク間の摩擦を減じる、すなわち、摩耗を減じて、ディスク破損の可能性を最少にするために、磁気ディスクドライブ業界において潤滑剤として広く使われている。
【００７５】
フッ素潤滑剤を堆積する改善された方法が業界においては必要とされている。特定の溶剤、例えば、ＣＦＣ−１１３およびＰＦＣ−５０６０を用いることは、環境への影響のため規制されてきた。従って、この用途に用いられるであろう溶剤については、環境に与える影響を考慮しなければならない。また、かかる溶剤は、フッ素潤滑剤を溶解して、フッ素潤滑剤の実質的に均一または均一なコーティングを形成するものでなければならない。さらに、既存の溶剤は、ある厚さのコーティングを生成し、フッ素潤滑剤コーティングの均一さが不規則になるために、高濃度のフッ素潤滑剤を必要とすることが分かっている。
【００７６】
一実施形態において、本開示のフッ素潤滑剤は、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）化合物、またはホスファゼン含有ディスク潤滑剤であるＸ−１Ｐ（登録商標）を含む潤滑剤を含む。これらのパーフルオロポリエーテル化合物は、パーフルオロアルキルエーテル（ＰＦＡＥ）またはパーフルオロポリアルキルエーテル（ＰＦＰＡＥ）と呼ばれることもある。これらのＰＦＰＥ化合物は、単純な過フッ素化エーテルポリマーから、官能化過フッ素化エーテルポリマーまで及ぶ。本発明においてフッ素潤滑剤として有用となり得る異なる種類のＰＦＰＥ化合物は、いくつかの源より入手可能である。他の実施形態において、本発明の方法に有用なフッ素潤滑剤としては、これらに限られるものではないが、Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）ＧＬＰ１００、ＧＬＰ１０５またはＧＬＰ１６０（Ｅ．Ｉ．ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ＆Ｃｏ．，Ｆｌｕｏｒｏｐｒｏｄｕｃｔｓ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥ，１９８９８，ＵＳＡ）、Ｆｏｍｂｌｉｎ（登録商標）Ｚ−Ｄｏｌ２０００，２５００または４０００、Ｚ−ＴｅｔｒａｏｌまたはＦｏｍｂｌｉｎ（登録商標）ＡＭ２００１またはＡＭ３００１（Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ Ｓ．ｐ．Ａ．，Ｍｉｌａｎ，Ｉｔａｌｙより販売）、Ｄｅｍｎｕｍ（登録商標）ＬＲ−２００またはＳ−６５（Ｄａｉｋｉｎ Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ．，Ｏｓａｋａ，Ｊａｐａｎより提供）、Ｘ−１Ｐ（登録商標）（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ，Ｍｉｄｌａｎｄ，ＭＩの子会社であるＱｕｉｘｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎより入手可能な部分フッ素化ヘキサフェノキシシクロトリホスファゼンディスク潤滑剤）およびこれらの混合物が挙げられる。Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）潤滑剤は、一般構造Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）n−ＣＦ2ＣＦ3（式中、ｎは１０〜６０）を有するパーフルオロアルキルポリーエテルである。Ｆｏｍｂｌｉｎ（登録商標）潤滑剤は、分子量が５００〜４０００原子質量単位で、一般式Ｘ−ＣＦ2−Ｏ（ＣＦ2−ＣＦ2−Ｏ）p−（ＣＦ2Ｏ）q−ＣＦ2−Ｘ（式中、Ｘは、−ＣＨ2ＯＨ、ＣＨ2（Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2）nＯＨ、ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＨまたは−ＣＨ2Ｏ−ＣＨ2−ピペロニルであってよい）を有する官能化パーフルオロポリエーテルである。Ｄｅｍｎｕｍ（登録商標）油は、分子量が２７００〜８４００原子質量単位の範囲のパーフルオロポリエーテル系油である。さらに、本発明の方法に有用となり得るＭｏｒｅｓｃｏ（Ｔｈａｉｌａｎｄ）Ｃｏ．，Ｌｔｄ製のもの等新たな潤滑剤が開発されている。
【００７７】
本発明のフッ素潤滑剤は、フッ素潤滑剤の特性を改善する添加剤をさらに含んでいてもよい。ＰＦＰＥ劣化に関与するディスク表面のルイス酸部位をパッシベートすることにより、ディスクドライブの耐久性を増大するために、潤滑剤自体として機能し得るＸ−１Ｐ（登録商標）が他の低コストフッ素潤滑剤に添加されることが多い。
【００７８】
他の一般的な潤滑添加剤を、本発明の方法のフッ素潤滑剤に用いてもよい。
【００７９】
本発明のフッ素潤滑剤は、Ｚ−ＤＰＡ（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｇｌｏｂａｌ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，ＣＡ）、ジアルキルアミン末端基で終端したＰＦＰＥをさらに含んでいてもよい。求核末端基は、Ｘ１Ｐ（登録商標）と同じ目的で作用し、添加剤を全く加えずに、同じ安定性を与える。
【００８０】
フッ素潤滑剤が堆積し得る表面は、潤滑による利点を得ることのできる任意の固体表面である。シリカディスク、金属または金属酸化物表面、蒸着カーボン表面またはガラス表面等の半導体材料は、本発明の方法が有用な表面の種類の代表例である。本発明の方法は、コンピュータドライブハードディスク等の磁気媒体のコーティングに特に有用である。コンピュータディスクの製造において、表面は、アモルファス水素化または窒素化カーボンの薄層（１０〜５０オングストローム）の蒸着によりコートもされた磁気媒体層を備えたガラスまたはアルミニウム基板であってよい。フッ素潤滑剤をディスクのカーボン層に間接的に適用することにより、フッ素潤滑剤を表面ディスクに堆積してもよい。
【００８１】
フッ素潤滑剤と溶剤を配合する第１の工程は、堆積法の浴として用いてよいビーカーまたはその他容器等の好適な容器において混合する等任意の好適なやり方で行えばよい。不飽和フッ素化エーテル溶剤中のフッ素潤滑剤の濃度は、約０．０１０パーセント（ｗｔ／ｗｔ）〜約０．５０パーセント（ｗｔ／ｗｔ）であってよい。
【００８２】
フッ素潤滑剤と溶剤のこの配合物を、表面と接触させる工程は、この表面に適切な任意のやり方で行ってよい（表面のサイズおよび形状を考慮して）。ハードドライブディスクは、ディスク中心の穴を通り抜けることのできるマンドレルまたはその他支持体等何らかのやり方で支持されなければならない。このように、ディスクは、ディスクの面が溶剤浴に垂直になるように、水平に保持されるであろう。マンドレルは、これらに限られるものではないが、円柱バーまたはＶ形バーをはじめとする異なる形状を有していてよい。マンドレル形状によって、ディスクとの接触面積が決まるであろう。マンドレルは、これらに限られるものではないが、金属、金属合金、プラスチックまたはガラスをはじめとするディスクを保持するのに十分な材料強度で構築すればよい。さらに、ディスクは、織かごに直立に支持しても、または外縁で１つ以上の留め具により垂直位置に留めてもよい。支持体は、金属、金属合金、プラスチックまたはガラス等、ディスクを保持する強度を備えた任意の材料で構築してよい。ただし、ディスクは支持されると、ディスクは、フッ素潤滑剤／溶剤の配合物の浴を保持する容器へと下げられる。浴は、室温に保持する、あるいは約０℃〜約５０℃に及ぶ温度まで加熱または冷却してよい。
【００８３】
あるいは、ディスクは、上述したとおりに支持し、浴を上げて、ディスクを浸漬してもよい。いずれの場合においても、ディスクは浴から取り出すことができる（浴を下げるか、ディスクを上げるかのいずれかにより）。過剰のフッ素潤滑剤／溶剤の配合物は浴へ流出させることができる。
【００８４】
ディスクを浴に下げるか、浴を上げるかのいずれかによってディスクを浸漬させるものである、フッ素潤滑剤／溶剤の配合物をディスク表面と接触させる方法はいずれも、ディップコーティングと一般的に呼ばれている。スプレーまたはスピンコーティングをはじめとするディスクをフッ素潤滑剤／溶剤の配合物と接触させる他の方法を、本発明の方法に用いてもよい。
【００８５】
ディスクを浴から取り出すとき、ディスクは、フッ素潤滑剤と残渣溶剤（不飽和フッ素化エーテル）のコーティングをその表面に有するであろう。残渣溶剤は蒸発する可能性がある。蒸発は、通常、室温でなされる。しかしながら、室温より高い温度と低い温度の両方の他の温度を蒸発工程に用いてもよい。約０℃〜約１００℃の範囲の温度を蒸発に用いてよい。
【００８６】
表面、または表面がディスクの場合にはディスクには、コーティング法の完了後、実質的に溶剤フリーのフッ素潤滑剤の実質的に均一または均一なコーティングが残るであろう。フッ素潤滑剤は、約３００ｎｍ未満の厚さまで、あるいは、約１００〜約３００ｎｍの厚さまで適用してよい。
【００８７】
ディスクの適正な機能のためには、均一なフッ素潤滑剤コーティングが望ましく、ディスク表面に異なる厚さのフッ素潤滑剤領域は望ましくない。同じサイズのディスクにより多くの情報が記憶されればされるほど、読み取り／書き込みヘッドは、適正に機能するためには、ディスクにますます近づいていかなければならない。コーティング厚さの不規則性がディスク表面の存在する場合には、ディスクにこれらの領域のあるヘッドの接触の可能性がはるかに大きくなる。ヘッド接触またはその他手段により除去される可能性のある領域に、十分なフッ素潤滑剤をディスク上に流す必要があるが、コーティングが厚すぎると、「汚れ」て、読み取り／書き込みヘッドが過剰のフッ素潤滑剤を拾ってしまうことに関連する問題を生じる可能性がある。
【００８８】
業界で観察されるある具体的なコーティング厚さの不規則性は、「ラビットイヤー」効果として知られたものである。これらの不規則性は、既存の溶剤系を用いてフッ素潤滑剤の堆積後、ディスク表面で目視により検出される。ディスクを、溶剤中フッ素潤滑剤の溶液と接触させ、溶液から取り出すと、溶液が堆積して流れない点になると、容易に流れ落ちない溶液の液滴が容易に形成される。液滴形成のかかる点は、マンドレルまたはその他支持装具とディスクの接触点（１点または複数の点）である。Ｖ形マンドレルを用いるときは、マンドレルがディスクの内側端部と接触する２つの接触点がある。フッ素潤滑剤の溶液が、浴から取り出したときに流れ落ちないこれらの位置で液滴を形成するときは、溶剤蒸発時にフッ素潤滑剤の厚い領域が形成される。ディスクとの２つの接触点で、「ラビットイヤー」効果として知られているものが得られる。フッ素潤滑剤の厚い領域が、ディスク表面で目視により検出可能なラビットイヤーに似たパターンを生成するからである。
【００８９】
ディップコーティングを、表面にフッ素潤滑剤を堆積するのに用いるとき、引き上げ速度（ディスクを浴から取り出す速度）、フッ素潤滑剤の密度および表面張力が、フッ素潤滑剤の得られるフィルム厚さを決めるのに関係している。所望のフィルム厚さを得るためのこれらのパラメータを把握する必要がある。これらのパラメータのコーティングに与える影響の詳細については、「Ｄｉｐ−Ｃｏａｔｉｎｇ ｏｆ Ｕｌｔｒａ−Ｔｈｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｌｕｂｒｉｃａｎｔ ａｎｄ ｉｔｓ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｆｏｒ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋｓ」、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、ｖｏｌ．３１，ｎｏ．６，１９９５年１１月にある。
【００９０】
本明細書で用いる「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」、「持つ」、「持っている」またはその他変形の用語は、非排他的な包括をカバーするものである。例えば、要素のリストを含むプロセス、方法、物品または装置は、それらの要素に必ずしも限定されず、明示的にリストされていない、またはかかるプロセス、方法、物品または装置に固有の他の要素も含まれていてよい。さらに、明示的にそれには反するとした場合を除き、「または」は、包括的なまたはであり、排他的なまたはでない。例えば、条件ＡまたはＢを満足するのは次のうちのいずれかである。Ａが真（または存在する）でＢが偽（または存在しない）、Ａが偽（または存在しない）でＢが真（または存在する）、およびＡとＢの両方が真（または存在する）。
【００９１】
単数形（「ａ」または「ａｎ」）の使用は、本発明の要素および成分を記載するために使用される。これは、単に便宜上のために、かつ本発明の一般的な意味を与えるために使用される。この説明は、１つまたは少なくとも１つを含めるように読まれるべきであり、他の意味であることが明白でない限り、単数形には複数形も含まれる。
【００９２】
元素周期表の列に対応する属数は、ＣＲＣ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，第８１版（２０００−２００１年）にある「新表記」規則を用いている。
【００９３】
別記しない限り、本明細書で用いる科学技術用語は全て、本発明の属する当業者により一般的に理解されるのと同じ意味を持つ。本明細書に記載されたものと同様または等価の方法および材料を、本発明の実施形態の実施または試験に用いることができるが、好適な方法および材料は後述する。本明細書で言及した出版物、特許出願、特許およびその他参考文献は全て、別記しない限り、その全内容が、参考文献として組み込まれる。不一致がある場合には、定義を含め本明細書が支配する。また、材料、方法および実施例は例示のためのみであり、限定しようとするものではない。
【実施例】
【００９４】
本明細書に記載した概念を、以下の実施例でさらに説明していく。それらは、請求項に記載された本発明の範囲を限定するものではない。
【００９５】
実施例１
実施例１は、メタノールと、パーフルオロ−３−ヘプテンとの反応を示すものである。
【００９６】
２５０ｍＬの三つ口ＲＢフラスコを、オーバーヘッドメカニカルスターラー、還流冷却器および熱電対さやと５０ｍＬの添加漏斗を備えたクライゼンと共にセットアップした。２００ｇ（１２５ｍＬ、約０．５７モル）のパーフルオロ−３−ヘプテンおよび３７．７ｇ（０．６７モル）の粉末ＫＯＨをフラスコに添加した。１８．３ｇ（０．５７モル）のメタノールを添加漏斗により徐々に添加した。小さな発熱反応があった。３０分攪拌後、少量の水（約２０ｍＬ）を冷却器から添加したところ、温度が６０〜７０℃まで上がった大きな発熱反応があった。
【００９７】
２時間攪拌後、反応混合物を、真空（１００ｍｍＨｇ）下で、ドライアイスで冷やしたフラスコへフラッシュ蒸留した。粗蒸留物を、２５０ｍＬの分液漏斗で、水からさらに分離して、硫酸マグネシウムで乾燥した。スピンバンド蒸留により、主に、５４〜７４℃で沸騰する前留分約６０ｍＬが得られた。９５℃で始まるが、主に、１０８〜１１４℃で沸騰する第２の生成物留分（約４０ｍＬ）を集めた。第２の留分を、ＧＣ−ＭＳにより分析したところ、大半が、アリルとビニルメチルパーフルオロヘプテンエーテルの混合物で構成されていた。約１４％の飽和メチルモノヒドロフルオロヘプタンエーテル生成物もまた、混合物の一部であった。残りのパーフルオロ−３−ヘプテンは、蒸留混合物の約１％を構成していた。
【００９８】
実施例２
実施例２は、メタノールと、パーフルオロ−３−ヘプテンとの反応を示すものである。
【００９９】
メタノールと、パーフルオロ−３−ヘプテンとの第２の反応は、実施例１と実質的に同様のやり方で行った。２００ｇ（１２５ｍＬ、約０．５７モル）のパーフルオロ−３−ヘプテン、３５．３ｇ（０．６３モル）の粉末ＫＯＨ、２０ｍＬの水および約約１ｇのＡｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６をフラスコに添加した。メタノールの添加により、温度が６０〜７０℃まで上がった即時の大きな発熱反応があった。添加後、攪拌および６０〜７０℃までの加熱を２時間続けた。略周囲温度まで冷やした後、反応混合物を分液漏斗に注いだ。水性上層に残る大量の沈殿塩があった。下層（約１２０ｍＬ）を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１００】
実施例３
メタノールとパーフルオロ−３−ヘプテンとの反応
メタノールと、パーフルオロ−３−ヘプテンとの第３の反応は、実施例１と実質的に同様のやり方で行った。２００ｇ（１２５ｍＬ、約０．５７モル）のパーフルオロ−３−ヘプテン、７８．３ｇ（０．６３モル）の４５％水性ＫＯＨおよび１ｇのＡｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６を５００ｍＬのフラスコに添加した。メタノールの添加により、温度が６０〜７０℃まで上がった即時の大きな発熱反応があった。添加後、攪拌および６０〜７０℃までの加熱を２時間続けた。略周囲温度まで冷やした後、反応混合物を分液漏斗に注いだ。水性層に残る沈殿塩はなかった。下層（約１２０ｍＬ）を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１０１】
実施例４
メチルパーフルオロヘプテンエーテルの蒸留
実施例２および３からの粗メチルパーフルオロヘプテンエーテル生成物を結合し、ろ過し、スピンバンドにより蒸留した。第１の留分１８ｍＬを、５４〜７４℃で集めた。中間の留分４ｍＬを、７４℃〜１０６℃で集めた。１０８℃〜１１４℃で主に蒸留された１０６℃で始まる主留分１８０ｍＬを集めた。スチルポット留分３５ｍＬが残った。これは、後のＧＣ−ＭＳにより、高メタノール付加生成物から主になることが確認された。０．１％未満のパーフルオロヘプテンが主留分に残った。２５ｍＬの試料を単蒸留により再蒸留した。観察された蒸気温度範囲は、１０７〜１１２℃であった。観察されたスチルポット温度は、１１０〜１１２℃であった。
【０１０２】
実施例５
メタノールとパーフルオロ−２−ペンテンとの反応
１Ｌの三つ口ＲＢフラスコを、オーバーヘッドメカニカルスターラー、水氷還流冷却器、マントルヒーターおよび熱電対さやと１２５ｍＬの添加漏斗を備えたクライゼンと共にセットアップした。３８２ｇ（約２４０ｍＬ、約１．５３モル）のパーフルオロ−２−ペンテンおよび２１９ｇ（１．７６モル）の水性４５％ＫＯＨおよび約１ｇのＡｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６をフラスコに添加した。５３．８ｇ（１．６８モル）のメタノールを添加漏斗により徐々に添加した。反応混合物を還流させる発熱反応があった。反応温度を、約２４℃から６０℃まで、メタノール添加中、徐々に上げた。添加後、攪拌を２時間続けた。略周囲温度まで冷却した後、反応混合物を、分液漏斗へ注ぎ、２層を０．５時間にわたって徐々に分離した。下層（約２４０ｍＬ）を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１０３】
実施例６
エタノールとパーフルオロ−３−ヘプテンとの反応
２５０ｍＬの三つ口ＲＢフラスコを、オーバーヘッドメカニカルスターラー、還流冷却器、マントルヒーターおよび熱電対さやと５０ｍＬの添加漏斗を備えたクライゼンと共にセットアップした。４０ｇ（０．３２モル）の水性ＫＯＨおよび１００ｇ（０．２９モル）のパーフルオロ−３−ヘプテンをフラスコに添加した。混合物を攪拌しながら、５０℃まで加熱した。その温度で、１６．４ｇ（０．３６モル）のエタノールを添加漏斗により徐々に添加した。発熱反応が生じ、反応混合物の温度が約７０℃まで上がった。エタノール添加後、反応混合物をさらに１時間加熱して、温度を７０℃またはその近くに維持した。１時間後加熱を止め、反応物を攪拌しながら、略周囲温度まで冷やした。反応混合物を分液漏斗へ注いだ。下層（約１２０ｍＬ）を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１０４】
実施例７：
エチルパーフルオロヘプテンエーテルの蒸留
実施例６からの粗エチルパーフルオロヘプテンエーテル生成物を、ろ過し、スピンバンドにより蒸留した。第１の留分７．５ｇを、約７０〜７２℃で集めた。１２０℃〜１２２℃で主に蒸留された１１０℃で始まる主留分７３．５ｇを集めた。スチルポット留分５．２ｇが残った。主留分のＧＣ−ＭＳによれば、約６２．８％のアリルエチルパーフルオロヘプテンエーテル、約２９．７％のビニルエチルパーフルオロヘプテンエーテル、７．２％のエチルモノヒドロパーフルオロヘプタンエーテルおよび０．３％のパーフルオロ−３−ヘプテンからなることが示された。
【０１０５】
実施例８
エタノールとパーフルオロ−３−ヘプテンとの反応
エタノールとパーフルオロ−３−ヘプテンとの第２の反応を、２６．３ｇ（０．５７モル）のエタノールを用い、エタノール添加前に、反応物を加熱しなかった以外は、実施例６と実質的に同じやり方で行った。メタノールの添加により、温度が６０〜７０℃まで上がった即時の大きな発熱反応があった。添加後、攪拌および６０〜７０℃までの加熱を２時間続けた。略周囲温度まで冷やした後、反応混合物を分液漏斗に注いだ。下層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１０６】
実施例９
エチルパーフルオロヘプテンエーテルの蒸留
実施例８からの粗エチルパーフルオロヘプテンエーテル生成物および実施例７からの蒸留生成物を、結合し、ろ過し、スピンバンドにより蒸留した。１２３℃まで、１１８℃で始まる主留分を集めた。ＧＣ−ＭＳによれば、６０．０％のアリルエチルパーフルオロヘプテンエーテル、３３．１％のビニルエチルパーフルオロヘプテンエーテル、６．４％のエチルモノヒドロパーフルオロヘプタンエーテル、０．４％の未知のものおよび０．０５％のパーフルオロ−３−ヘプテンからなることが示された。
【０１０７】
実施例１０
メタノールとパーフルオロ−２−オクテンとの反応
２５０ｍＬの三つ口ＲＢフラスコを、オーバーヘッドメカニカルスターラー、還流冷却器、マントルヒーター、熱電対さやを備えたクライゼン、および２５ｃｃガラスシリンジおよびシリンジポンプに接続されたＰＦＡフルオロポリマー可撓性ニードルと共にセットアップした。６４．６ｇ（１６２ミリモル）のパーフルオロ−２−オクテン、５．１８ｇ（１６２ミリモル）のメタノールおよび０．５ｇのＡｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６をフラスコに添加した。４００ｒｐｍの攪拌により、４５％水性ＫＯＨ溶液（２０．１５ｇ、１６２ミリモル）を、シリンジポンプにより、０．５ｍＬ／分で徐々に添加した。反応は発熱で、反応温度は約５０℃まで上がった。ＫＯＨ添加完了後、外部加熱を２時間行って加熱し、内容物を約８５℃に維持した。反応物を略周囲温度まで冷やし、粗生成物（下層、６４．７ｇ）を５０ｍＬ漏斗で分離した。粗生成物のガスクロマトグラフ質量分析（ＧＣ／ＭＳ）によれば、組成は、６．３％のパーフルオロ−２−オクテン、９２．３％の不飽和および飽和エーテルおよび１．４％の高メタノール付加物であることが示された。
【０１０８】
実施例１１
メチルパーフルオロオクテンエーテルの蒸留
実施例１０からの粗生成物を、硫酸マグネシウムで乾燥し、２５０ｍＬのスチルポットへ、ポリプロピレンろ布を用いてろ過した。粗生成物を、小スピンバンドカラムを用いて、手動のバルブ制御により蒸留した。第１の留分約５ｍＬを、８５℃〜１１５℃で集めてから、１１５℃で始まるが、１３０℃まで即時に上昇し、１３３℃〜１３５℃で主に沸騰する主留分（４８．７ｇ）を集めた。ＧＣ／ＭＳによれば、主留分は、主として不飽和エーテルといくらかの飽和エーテルの９８．２％混合物であったことが示された。１．８％が、パーフルオロ−２−オクテンであった。1Ｈ ＮＭＲによれば、飽和エーテル含量は４．０％であった。19Ｆ ＮＭＲによれば、不飽和エーテルは、主に、トランス−２−メトキシ−パーフルオロ−２−オクテン（４４．８％）、２−メトキシ−パーフルオロ−３−オクテン（３４．５％）およびシス−２−メトキシ−パーフルオロ−２−オクテン（５．９％）であった。
【０１０９】
実施例１２
フッ素潤滑剤を堆積するための溶剤は、約４５％のＣＦ3ＣＦ2ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ3、２５％のＣＦ3ＣＦ2Ｃ（ＯＣＨ3）＝ＣＦＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3とＣＦ3ＣＦ2ＣＦ＝Ｃ（ＯＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、１５％のＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3および１５％のＣＦ3ＣＦ2ＣＦ（ＯＣＨ3）ＣＦＨＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3を含む。この混合物を溶剤Ｎｏ．１とする。
【０１１０】
溶剤Ｎｏ．１のフッ素化油を溶解する能力を、混合物が混濁する、または２相に分かれるまで、ある量の油を溶剤に添加することにより求める。表１の結果によれば、溶剤Ｎｏ．１はフッ素化油を溶解する優れた能力を有することが分かる。また、油の０．５重量％の溶液を調製する。予め秤量しておいた金属片を溶液に浸し、溶剤を蒸発し、片を再秤量する。表１に、このディップコーティングプロセスにより得られた平均コーティングを示す。記録されたコーティング重量は、３つの試料の平均である。このように、溶剤Ｎｏ．１は、フッ素化油を基板に堆積するためのキャリア流体として用いることができる。
【０１１１】
【表１】
【０１１２】
実施例１３
洗浄溶剤は、約４０％ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ2ＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ3、３５％ＣＦ3ＣＦ2Ｃ（ＯＣＨ2ＣＨ3）＝ＣＦＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3とＣＦ3ＣＦ2ＣＦ＝Ｃ（ＯＣＨ2ＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、１８％ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ2ＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3および７％ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ（ＯＣＨ2ＣＨ3）ＣＦＨＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3を含む。この混合物を溶剤Ｎｏ．２とする。
【０１１３】
溶剤Ｎｏ．２が、基板からフッ素化油を落とす能力を、Ｋｒｙｔｏｘ ＧＰＬ１０６油でコートした金属片を作製し、片を清浄にすることにより求める。片を油でコーティングした後、約１２０℃の温度で、５分間、溶剤Ｎｏ．２に片を浸漬した。洗浄前後の片の重量を測定し、除去された油％を計算する。表２の結果は、油を除去する溶剤の能力を示しており、溶剤は有効な洗浄剤となる。
【０１１４】
【表２】
【０１１５】
実施例１４
メチルパーフルオロヘプテンエーテル（ＭＰＨＥ）が、フッ素化油を溶解する能力は、混合物が混濁する、または２相に分かれるまで、増量の油をＭＰＨＥに添加することにより求めた。試験によれば、油は溶剤に全比率で混和性であり、混濁は観察されなかった。これを表３に示す。また、油の５重量％溶液をＭＰＨＥ中で調製した。予め秤量しておいた表面積３８．７ｃｍ2の金属片を溶液に浸し、溶剤を蒸発し、片を再秤量する。表１に、このディップコーティングプロセスにより得られた３つのコーティングの平均を示す。このように、ＭＰＨＥは、フッ素化油を基板に堆積するためのキャリア流体として用いることができる。
【０１１６】
【表３】
【０１１７】
実施例１５
メチルパーフルオロペンテンエーテル（ＭＰＰＥ）が、フッ素化油を溶解する能力は、混合物が混濁する、または２相に分かれるまで、増量の油をＭＰＰＥに添加することにより求めた。試験によれば、油は溶剤に全比率で混和性であり、混濁は観察されなかった。これを表４に示す。また、油の５重量％溶液をＭＰＰＥ中で調製した。予め秤量しておいた表面積３８．７ｃｍ2の金属片を溶液に浸し、溶剤を蒸発し、片を再秤量した。表４に、このディップコーティングプロセスにより得られた３つのコーティングの平均を示す。このように、ＭＰＰＥは、フッ素化油を基板に堆積するためのキャリア流体として用いることができる。
【０１１８】
【表４】
【０１１９】
実施例１６
ＭＰＰＥによる金属洗浄
Ｋｒｙｔｏｘ ＧＰＬ１０６油を、既知の重量の清浄な金属片を綿棒で擦りつけた。片の重量を記録してから、片を、室温でＭＰＰＥに浸漬することにより洗浄した。片を１分間浸漬してから、空気乾燥した。片を再秤量し、除去された油のパーセントを求めた。表５の結果によれば、溶剤は、フッ素化油を洗浄するのに優れた効率を有することが分かる。
【０１２０】
【表５】
【０１２１】
実施例１７
ＭＰＨＥによる金属洗浄
Ｋｒｙｔｏｘ ＧＰＬ１０６油を、既知の重量の清浄な金属片を綿棒で擦りつけた。片の重量を記録してから、片を、室温でＭＰＨＥに浸漬することにより洗浄した。片を１分間浸漬してから、空気乾燥した。片を再秤量し、除去された油のパーセントを求めた。表６のこれらの結果によれば、溶剤は、フッ素化油を洗浄するのに優れた効率を有することが分かる。
【０１２２】
【表６】
【０１２３】
概要または実施例に上述した動作の全てが必要ではないこと、特定の動作の一部が必要ない場合もあること、そして１つ以上のさらなる動作を、記載したものに加えて行うことができることを記しておく。さらに、動作を示した順番は、必ずしも、それらを行う順番ではない。
【０１２４】
前述の明細書において、特定の実施形態を参照して、概念を説明してきた。しかしながら、当業者には、以下の請求項に規定された本発明の範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更を行えることは明らかである。従って、明細書および図面は、限定的な意味ではなく、例示とみなすべきであり、かかる修正は全て、本発明の範囲に含まれるものとする。
【０１２５】
利点、その他長所および問題解決策を、特定の実施形態に関して上述してきた。しかしながら、利点、長所、問題解決策、および利点、長所または解決策のいずれかが生じる、またはより顕著となる任意の特徴は、いずれか、または全ての請求項の重要な、必要な、または必須の特徴と解釈されるべきでない。
【０１２６】
特定の特徴は、明確にするために、個別の実施形態で記載された特定の特徴は、単一の実施形態の組み合わせで提供されてもよいものと考えるべきである。反対に、簡潔にするために、単一の実施形態で記載された様々な特徴も、個別に、または任意のサブコンビネーションで提供されてもよい。さらに、範囲で記した値の参照には、その範囲内のありとあらゆる値が含まれる。
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００９年２月１６日出願の米国特許出願第６１／１５２，８０３号明細書および２００９年１２月１７日出願の米国仮特許出願第６１／２８７，２７５号明細書の優先権を主張する。
【０００２】
本発明は、不飽和フルオロカーボンエーテルを含む洗浄組成物に関する。本発明は、フッ素潤滑剤を、清浄にし、脱脂し、フラックス除去し、脱水し、堆積する方法に前記洗浄組成物を用いることにさらに関する。本発明は、新規な不飽和フルオロカーボンエーテル、および洗浄組成物としてのその使用および上記の方法におけるその使用にさらに関する。
【背景技術】
【０００３】
クロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）化合物は、磁気ディスク媒体等の表面を清浄にするために、半導体製造分野において広く用いられてきた。しかしながら、ＣＦＣ化合物等の塩素含有化合物は、地球のオゾン層に有害であると考えられている。また、ＣＦＣ化合物に代えて用いられるハイドロフルオロカーボンの多くが、地球温暖化に寄与することが分かってきた。従って、残渣フラックス、潤滑剤または油汚染物質およびパーティクルを除去するような洗浄用途について、環境に安全な新たな溶剤を特定する必要がある。また、フッ素潤滑剤を堆積させ、水溶液で処理された基板の乾燥または脱水のための新たな溶剤を特定する必要もある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、不飽和フルオロカーボンエーテルを含む新たな組成物およびかかる不飽和フルオロカーボンエーテルの製造方法を提供する。これらの組成物は、ＣＦＣ化合物により以前使われていた多くの用途において有用性がある。本発明の組成物は、環境への影響がほとんど、または全くない、油、グリースまたは潤滑剤（特に、フッ素含有潤滑剤）を溶解する能力がある、不燃性である、乾燥または脱水方法に用いる界面活性剤化合物を溶解する能力があるという所望の特性の一部または全てを備えている。
【０００５】
一実施形態において、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【０００６】
他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【０００７】
他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【０００８】
さらに他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【０００９】
さらに他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物を用いる新規な方法である。
【００１０】
さらに他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、上記したものを含むフルオロカーボンエーテルを製造する新規な方法である。
【００１１】
前述の概要および以下の詳細な説明は例示で、説明のためのみであり、添付の請求項に定められる本発明を限定するものではない。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。同じく、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。同じく、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）y（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。同じく、本明細書に開示されているのは、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【００１３】
同じく、本明細書に開示されているのは、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物ならびに式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。
【００１４】
一実施形態において、組成物の化合物は、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）からなる群から選択される。
【００１５】
他の実施形態において、本明細書に開示されているのは、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物を用いる新規な方法である。
【００１６】
多くの態様および実施形態を上述してきたが、それらは例示に過ぎず、限定するものではない。本明細書を読めば、当業者であれば、発明の範囲から逸脱せずに、他の態様および実施形態が可能であることが理解される。実施形態のいずれか１つ以上のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および請求項から明らかとなるであろう。
【００１７】
後述する実施形態の詳細を記す前に、いくつかの用語を定義または明確化しておく。
【００１８】
本発明において、相間移動触媒とは、イオン化合物（例えば、反応物質または成分）を、有機相に移動するのを促す物質である。相間移動触媒は、これらの異なる非相溶性の成分の反応を促す。様々な相間移動触媒が、異なるやり方で機能し得るが、それらの作用の機構は、本方法における有用性を決定づけるものではない。
【００１９】
一実施形態において、本明細書に開示された化合物は、新規な溶剤、キャリア流体、脱水剤、脱脂溶剤またはフラックス除去溶剤として有用な不飽和フルオロエーテルである。
【００２０】
一実施形態において、本発明の不飽和フルオロエーテルは、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）からなる群から選択される式を有する化合物を表わす。
【００２１】
一実施形態において、本明細書に開示されている組成物は、パーフルオロアルケン、例えば、パーフルオロ−３−ヘプテン、パーフルオロ−２−ヘプテン、パーフルオロ−２−ヘキセン、パーフルオロ−３−ヘキセンまたはパーフルオロ−２−ペンテンを、強塩基を存在させて、アルコールと接触させることにより調製することができる。例えば、パーフルオロ−３−ヘプテンを、アルコール、例えば、メタノールまたはエタノールまたはこれらの混合物と、強塩基の水溶液を存在させて、反応させて、不飽和フルオロエーテルを生成することができる。以降、アルコールまたは「１つのアルコール」は、複数のアルコール、例えば、メタノールまたはエタノールおよびこれらの混合物を称するものとする。
【００２２】
一実施形態において、パーフルオロ−３−ヘプテンとメタノールの反応からの生成物は、５−メトキシパーフルオロ−３−ヘプテン、３−メトキシパーフルオロ−３−ヘプテン、４−メトキシパーフルオロ−２−ヘプテンおよび３−メトキシパーフルオロ−２−ヘプテンを含む。
【００２３】
一実施形態において、パーフルオロ−２−ペンテンとメタノールの反応からの生成物は、４−メトキシパーフルオロ−２−ペンテン、２−メトキシパーフルオロ−２−ペンテン、３−メトキシパーフルオロ−２−ペンテンおよび２−メトキシパーフルオロ−３−ペンテンを含む。
【００２４】
一実施形態において、パーフルオロ−２−オクテンとメタノールの反応からの生成物は、シス−およびトランス−２−メトキシパーフルオロ−２−オクテンおよび２−メトキシパーフルオロ−３−オクテンを含む。
【００２５】
一実施形態において、強塩基は、アルコールと反応して、塩基とそのアルコールの配合によりアルコキシドを生成する塩基である。かかるアルコキシドを形成するのに用いることのできる塩基としては、アルキル金属水酸化物、例えば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムが挙げられるが、これらに限られるものではない。
【００２６】
一実施形態において、強塩基は、１０重量％〜４５重量％の濃度のアルカリ金属水酸化物を有する水溶液の形態で存在する。一実施形態において、アルコール１モル当たり、アルキル金属水酸化物１モルを用いて、アルコキシドを生成する。他の実施形態において、アルコール１モル当たり、アルキル金属水酸化物１．１モルを用いる。さらに他の実施形態において、アルコール１モル当たり、アルキル金属水酸化物約０．９モルを用いる。
【００２７】
一実施形態において、パーフルオロアルケン１モル当たり、アルキル金属水酸化物１モルを用いる。他の実施形態において、パーフルオロアルケン１モル当たり、アルキル金属水酸化物約１．１モルを用いる。さらに他の実施形態において、パーフルオロアルケン１モル当たり、アルキル金属水酸化物約１．０５モルを用いる。
【００２８】
一実施形態において、アルキル金属水酸化物を、パーフルオロアルケンと配合してから、アルコールおよび水を、パーフルオロアルケンと塩基の混合物に添加すると、即時の発熱反応となる。他の実施形態において、アルキル金属水酸化物を水に溶解して、パーフルオロアルケンと混合する。アルコールの添加により、即時の発熱反応となって、不飽和フルオロエーテルが生成される。
【００２９】
一実施形態において、アルコールは、パーフルオロアルケン、アルカリ金属水酸化物および水に一度で添加する。他の実施形態において、アルコールは、時間をかけて徐々に添加する。一実施形態において、アルコールは、１時間かけて添加する。他の実施形態において、アルコールは、２時間かけて添加する。さらに他の実施形態において、パーフルオロアルケン、アルカリ金属水酸化物およびアルコールは一緒に添加し、水は時間をかけて徐々に添加する。
【００３０】
一実施形態において、パーフルオロアルケン、アルカリ金属水酸化物、アルコールおよび水は、全て、略室温で添加する。他の実施形態において、パーフルオロアルケンおよびアルカリ金属水酸化物の水溶液は、約５０℃まで加熱し、アルコールは、時間をかけて徐々に添加する。
【００３１】
一実施形態において、相間移動触媒は、パーフルオロアルケン、アルカリ金属水酸化物、アルコールおよび水の混合物に添加する。一実施形態において、相間移動触媒は、第４級アンモニウム塩である。一実施形態において、相間移動触媒は、Ａｌｉｑｕａｔ３３６である。一実施形態において、相間移動触媒の量は、アルカリ金属水酸化物の約１重量％〜約１０重量％である。
【００３２】
相間移動触媒は、イオンまたは中性とすることができ、クラウンエーテル、オニウム塩、クリプテート、ポリアルキレングリコール、およびこれらの誘導体ならびにこれらの混合物からなる群から選択される。所望の反応を行うには、有効量の相間移動触媒を用いるべきである。反応物質、プロセス条件および相間移動触媒を選択したら、かかる量は、わずかな実験で求めることができる。
【００３３】
クラウンエーテルは、エーテル基がジメチレン結合により連結された環状分子である。化合物は、水酸化物のアルカリ金属イオンを「受ける」または保持することができ、それによって反応が促されるものと考えられる分子構造を形成する。特に有用なクラウンエーテルとしては、１８−クラウン−６、特に、水酸化カリウムと配合したもの、１５−クラウン−５、特に、水酸化ナトリウムと配合したもの、１２−クラウン−４、特に、水酸化リチウムと配合したものが挙げられる。上記のクラウンエーテルの誘導体も有用であり、例えば、ジベンゾ−１８−クラウン−６、ジシクロヘキサノ−１８−クラウン−６、ジベンゾ−２４−クラウン−８および１２−クラウン−４である。アルカリ金属化合物に、特に、リチウムについて、特に有用なその他のポリエーテルは、許す範囲で参考文献として援用される米国特許第４，５６０，７５９号明細書に記載されている。クラウンエーテルに類似した、同じ目的に有用なその他の化合物は、酸素原子の１つ以上が、他の種類のドナー原子、特に、ＮまたはＳ、例えば、ヘキサメチル−［１４］−４，１１−ジエンＮ4で置換されることにより異なる化合物である。
【００３４】
オニウム塩としては、本発明のプロセスにおいて相間移動触媒として用いてよい第４級ホスホニウム塩および第４級アンモニウム塩が挙げられ、かかる化合物は、次式ＩおよびＩＩ：
Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｐ(+)Ｘ’(-)（Ｉ）
Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｎ(+)Ｘ’(-)（ＩＩ）
で表わすことができ、式中、同一または異なっていてよいＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であり、Ｘ’はハロゲン原子である。これらの化合物の具体例としては、塩化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化メチルトリオクチルアンモニウム（Ａｌｉｑｕａｔ３３６およびＡｄｏｇｅｎ４６４という商標で市販）、塩化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、臭化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、硫酸水素テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、塩化テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム、臭化テトラフェニルホスホニウム、塩化テトラフェニルホスホニウム、臭化トリフェニルメチルホスホニウムおよび塩化トリフェニルメチルホスホニウムが挙げられる。中でも、強塩基条件下で用いるには、塩化ベンジルトリエチルアンモニウムが好ましい。この部類の化合物のその他の有用な化合物としては、高温安定性（例えば、約２００℃まで）を示すものが挙げられ、４−ジアルキルアミノピリジニウム塩、例えば、塩化テトラフェニルアルソニウム、塩化ビス［トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン］イミニウムおよび塩化テトラトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスフィンイミノ］ホスホニウムが含まれる。後者の２つの化合物はまた、熱濃水酸化ナトリウムの存在下で安定であるとも報告されており、特に有用となり得る。
【００３５】
相間移動触媒として有用なポリアルキレングリコール化合物は、式Ｒ6Ｏ（Ｒ5Ｏ）tＲ7（ＩＩＩ）により表わすことができ、式中、Ｒ5は、アルキレン基であり、同一または異なっていてよいＲ6およびＲ7は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であり、ｔは、少なくとも２の整数である。かかる化合物としては、例えば、グリコール、例えば、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、ジイソプロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラプロピレングリコールおよびテトラメチレングリコール、モノアルキルエーテル、例えば、かかるグリコールのモノメチル、モノエチル、モノプロピルおよびモノブチルエーテル、ジアルキルエーテル、例えば、テトラエチレングリコールジメチルエーテルおよびペンタエチレングリコールジメチルエーテル、フェニルエーテル、ベンジルエーテル、ならびにポリアルキレングリコール、例えば、ポリエチレングリコール（平均分子量約３００）ジメチルエーテル、ポリエチレングリコール（平均分子量約３００）ジブチルエーテルおよびポリエチレングリコール（平均分子量約４００）ジメチルエーテルが挙げられる。中でも、Ｒ6およびＲ7の両方がアルキル基、アリール基またはアラルキル基である化合物が好ましい。
【００３６】
クリプテートは、相間移動触媒として存在させるのに有用な化合物の他の部類である。橋頭構造を、適切な間隔のあいたドナー原子を含有する鎖により結合することにより形成された３次元ポリ大環状キレート化剤がある。例えば、二環式分子は、窒素橋頭を、（−−ＯＣＨ2ＣＨ2−−）基の鎖により結合することから、２．２．２−クリプテート（４，７，１３，１６，２１，２４−ヘキサオキサ−１，１０−ジアザビシクロ−（８．８．８）ヘキサコサン、ｃｒｙｐｔａｎｄ２２２およびＫｒｙｐｔｏｆｉｘ２２２）として得られる。ブリッジのドナー原子は全てＯ、ＮまたはＳであってよい、または化合物は、ブリッジストランドが、かかるドナー原子の組み合わせを含有する混合ドナー大員環であってよい。
【００３７】
上述したグループの１つの組み合わせ、２つ以上のグループからの組み合わせまたは混合、例えば、クラウンエーテルとオニウム、あるいは３つ以上のグループからの組み合わせまたは混合、例えば、第４級ホスホニウム塩、第４級アンモニウム塩、クラウンエーテルおよびポリアルキレングリコールの相間移動触媒も有用であろう。
【００３８】
一実施形態において、数時間後、反応混合物は周囲温度まで冷やして、分液漏斗に注ぐ。有機下層を、無機塩を含有する水性層から分離する。有機層を乾燥させたら、蒸留によりさらに精製することができる。一実施形態において、有機層は、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。他の実施形態において、有機層は、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。パーフルオロヘプテンエーテルの調製の一実施形態において、アリルおよびビニルパーフルオロアルケンアルキルエーテルの混合物を含むメチルまたはエチルエーテルを調製するのに応じて、１０８℃〜１２２℃の蒸留物から留分を集める。
【００３９】
一実施形態において、本発明の組成物は、噴射剤をさらに含んでいてもよい。エアロゾル噴射剤は、本発明の組成物を、貯蔵容器から表面まで、エアロゾルの形態で分配するのを補助することができる。エアロゾル噴射剤は、合計組成物の約２５重量パーセントまで、本発明の組成物に任意で含まれている。代表的なエアロゾル噴射剤は、空気、窒素、二酸化炭素、ジフルオロメタン（ＣＦ2Ｈ2、ＨＦＣ−３２）、トリフルオロメタン（ＣＦ3Ｈ、ＨＦＣ−２３）、ジフルオロエタン（ＣＨＦ2ＣＨ3、ＨＦＣ−１５２ａ）、トリフルオロエタン（ＣＨ3ＣＦ3、ＨＦＣ−１４３ａまたはＣＨＦ2ＣＨ2Ｆ、ＨＦＣ−１４３）、テトラフルオロエタン（ＣＦ3ＣＨ2Ｆ、ＨＦＣ−１３４ａまたはＣＦ2ＨＣＦ2Ｈ、ＨＦＣ−１３４）、ペンタフルオロエタン（ＣＦ3ＣＦ2Ｈ、ＨＦＣ−１２５）、１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ）、２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ）、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｅ）およびハイドロカーボン、例えば、プロパン、ブタンまたはペンタンあるいはジメチルエーテルを含む。
【００４０】
他の実施形態において、本発明の組成物は、少なくとも１つの界面活性剤をさらに含んでいてもよい。本発明の界面活性剤は、基板の脱水または乾燥の当該技術分野において公知の全ての界面活性剤が含まれる。代表的な界面活性剤としては、アルキルホスフェートアミン塩（２−エチルヘキシルアミンとイソオクチルホスフェートの１：１塩等）、エトキシル化アルコール、メルカプタンまたはアルキルフェノール、アルキルホスフェートの第４級アンモニウム塩（アンモニウムまたはホスフェート基のいずれかにフルオロアルキル基を有する）およびフッ素化アミンのモノ−またはジ−アルキルホスフェートが挙げられる。追加のフッ素化界面活性剤化合物は、参考文献として援用される米国特許第５，９０８，８２２号明細書に記載されている。
【００４１】
本発明の脱水組成物に含まれる界面活性剤の量は、その組成物が用いられるであろう特定の乾燥用途に応じて大きく異なり得るが、当業者であればすぐに分かる。一実施形態において、不飽和フッ素化エーテル溶剤に溶解した界面活性剤の量は、界面活性剤／溶剤組成物の総重量を基準として、約１重量パーセント以下である。他の実施形態において、組成物による処理後、乾燥させる基材を、界面活性剤を含有しない、または最小量の界面活性剤を含有する溶剤で後に処理する場合は、多めの量の界面活性剤を用いることができる。一実施形態において、界面活性剤の量は、少なくとも約５０百万分率（ｐｐｍ、重量基準で）である。他の実施形態において、界面活性剤の量は、約１００〜約５０００ｐｐｍである。さらに他の実施形態において、用いる界面活性剤の量は、脱水組成物の総重量を基準として、約２００〜約２０００ｐｐｍである。
【００４２】
任意で、その他の添加剤を、脱水に用いる溶剤および界面活性剤を含む本発明の組成物に含めてもよい。かかる添加剤としては、帯電防止特性、ガラスおよびシリカ等の非導電性基材からの正電荷を消失させる能力を有する化合物が挙げられる。本発明の脱水組成物に帯電防止添加剤を用いることは、ガラスレンズおよびミラー等の非導電性部品から水または水溶液を乾燥させるときのスポットや染みを防ぐのに必要となる場合がある。本発明のたいていの不飽和フルオロエーテル溶剤はまた、誘電性流体としても有用性がある。すなわち、それらは、電流の不良導体で、静電荷を容易に消失しない。従来の乾燥および洗浄機器の脱水組成物の沸騰および大循環により、特に、水の大半が基板から除去された乾燥プロセスの後の段階において静電荷が形成される可能性がある。かかる静電荷は、基板の非導電性表面で集まり、水が表面から放出されるのを阻害する。残留水は、そこで乾燥し、基板上に望ましくないスポットやしみを生じる。基板に残る静電荷は、洗浄プロセスからの不純物を持ち込んだり、空気からの埃等の不純物を引き寄せる恐れがあり、洗浄性能を許容できないものとする。一実施形態において、望ましい帯電防止添加剤は、極性化合物であり、本発明の不飽和フッ素化エーテル溶剤に可溶で、不飽和フッ素化エーテル溶剤の導電性が増大する結果、基板からの静電荷を消失させる。他の実施形態において、帯電防止添加剤は、不飽和フッ素化エーテル溶剤と近い標準沸点を有しており、水中溶解度が最少である。さらに他の実施形態において、帯電防止添加剤は、約０．５重量パーセント未満の水中溶解度を有している。一実施形態において、帯電防止剤の溶解度は、不飽和フッ素化エーテル溶剤中少なくとも０．５重量パーセントである。一実施形態において、帯電防止添加剤は、ニトロメタン（ＣＨ3ＮＯ2）である。
【００４３】
一実施形態において、帯電防止添加剤を含む本発明の脱水組成物は、後述するとおり、基板の脱水または乾燥方法の脱水、乾燥、濯ぎ工程のいずれにも有効である。
【００４４】
他の実施形態は、
ａ）基板を、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される化合物を含む組成物と接触させて、基板を脱水する工程と、
ｂ）組成物から、脱水した基板を回収する工程と
を含む、基板を脱水または乾燥する方法に関する。
【００４５】
多くの産業で、金属、セラミック、ガラスおよびプラスチックの表面処理用の水性組成物が用いられている。コーティングの洗浄、めっきおよび堆積は、水性媒体中で行われることが多く、残留水が除去される工程が後に続くのが通常である。温風乾燥、遠心分離乾燥および溶剤系水置換が、かかる残留水を除去するのに用いる方法である。
【００４６】
ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）は、乾燥または脱水用途に以前用いられていたＣＦＣ溶剤に代わるものとして提案されてきたが、多くのＨＦＣは水への溶解度が限られている。従って、基板から水を除去するのを補助する界面活性剤の使用が、多くの乾燥または脱水方法において必要である。基板からの水を置換するために、疎水性界面活性剤が脱水または乾燥溶剤に添加されてきた。
【００４７】
脱水または乾燥組成物における脱水または乾燥溶剤（不飽和フッ素化エーテル溶剤）の主な機能は、乾燥させる基板の表面の水の量を減じることである。界面活性剤の主な機能は、基板の表面から残った水がある場合にはこれを置換することである。不飽和フッ素化エーテル溶剤と界面活性剤を配合すると、高効率な置換乾燥組成物が得られる。
【００４８】
一実施形態において、脱水および乾燥用界面活性剤は、合計溶剤／界面活性剤組成物重量を基準として少なくとも１重量パーセントまで可溶である。
【００４９】
一実施形態において、本開示の脱水または乾燥方法は、タングステン、銅、金、ベリリウム、ステンレス鋼、アルミニウム合金、黄銅等の金属、ガラス、サファイア、ホウケイ酸ガラス、アルミナ、電子回路に用いられるシリコンウェハ等のシリカ、焼成アルミナ等のガラスおよびセラミック表面、ポリオレフィン（「Ａｌａｔｈｏｎ」、Ｒｙｎｉｔｅ（登録商標）、「Ｔｅｎｉｔｅ」）、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン（Ｓｔｙｒｏｎ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標））、テトラフルオロエチレン−エチレンコポリマー（Ｔｅｆｚｅｌ（登録商標））、ポリフッ化ビニリデン（「Ｋｙｎａｒ」）、イオノマー（Ｓｕｒｌｙｎ（登録商標））、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンポリマー（Ｋｒａｌａｃ（登録商標））、フェノール−ホルムアルデヒドコポリマー、セルロース（「Ｅｔｈｏｃｅｌ」）、エポキシ樹脂、ポリアセタール（Ｄｅｌｒｉｎ（登録商標））、ポリ（ｐ−フェニレンオキシド）（Ｎｏｒｙｌ（登録商標））、ポリエーテルケトン（「Ｕｌｔｒａｐｅｋ」）、ポリエーテルエーテルケトン（「Ｖｉｃｔｒｅｘ」）、ポリ（ブチレンテレフタレート）（「Ｖａｌｏｘ」）、ポリアリーレート（Ａｒｙｌｏｎ（登録商標））、液晶ポリマー、ポリイミド（Ｖｅｓｐｅｌ（登録商標））、ポリエーテルイミド（「Ｕｌｔｅｍ」）、ポリアミドイミド（「Ｔｏｒｌｏｎ」）、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）（「Ｒｙｔｈｏｎ」）、ポリスルホン（「Ｕｄｅｌ」）およびポリアリールスルホン（「Ｒｙｄｅｌ」）等のプラスチックをはじめとする広範囲な基板から水を置換するのに非常に有効である。他の実施形態において、本発明の脱水または乾燥方法に用いる組成物はエラストマーと相溶性がある。
【００５０】
一実施形態において、開示は、水の少なくとも一部を、湿潤基板の表面から、除去、すなわち、脱水するプロセスに係り、基板を上述した脱水組成物と接触させてから、基板の脱水組成物との接触を外すことを含む。一実施形態において、基板の表面に元々結合していた水は、溶剤および／または界面活性剤により置換されて、脱水組成物が残る。「水の少なくとも一部」とは、基板の表面の水の少なくとも約７５重量パーセントが、浸漬サイクル１回で除去されることを意味する。「浸漬サイクル」とは、基板が本発明の脱水組成物に浸漬される工程が少なくとも１つ含まれる１サイクルを意味する。任意で、基板に付着して残った最小量の界面活性剤は、基板を界面活性剤フリーのハロカーボン溶剤と接触させることにより、さらに除去することができる。物品を溶剤蒸気またはフラックス除去溶剤中に保持すると、基板に残る界面活性剤の存在をさらに減じるであろう。基板の表面に付着した溶剤の除去は、蒸発によりなされる。大気圧または大気圧より低い圧力での溶剤の蒸発を利用することができ、ハロカーボン溶剤の沸点より高い、および低い温度を用いることができる。
【００５１】
基板を脱水組成物と接触させる方法は、重要でなく、幅広く変えることができる。例えば、基板を組成物に浸漬することができる。または、従来の機器を用いて、基板に組成物をスプレーすることができる。概して、組成物と基板の全露出表面の間の接触が確保されるため、基板は完全に浸漬するのが好ましい。しかしながら、かかる完全な接触を容易に行える他の何らかの方法を用いてもよい。
【００５２】
基板と脱水組成物を接触させる時間は、広く変えることができる。通常、接触時間は、約５分までであるが、必要に応じて、これより長い時間を用いてもよい。脱水プロセスの一実施形態において、接触時間は、約１秒〜約５分である。他の実施形態において、脱水プロセスの接触時間は、約１５秒〜約４分である。
【００５３】
接触温度も、組成物の沸点に応じて、広く変えることができる。概して、接触温度は、組成物の標準沸点に等しい、またはそれ未満である。
【００５４】
一実施形態において、本開示の組成物は、共溶媒をさらに含有していてもよい。かかる共溶媒は、従来のプロセス残渣を基板から洗浄する、例えば、はんだフラックスを除去し、本発明の基板を含む機械部品を脱脂するのに本発明の組成物を用いる場合、望ましい。かかる共溶媒としては、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール）、エーテル（例えば、ジエチルエーテル、メチルターシャリー−ブチルエーテル）、ケトン（例えば、アセトン）、エステル（例えば、酢酸エチル、ドデカン酸メチル、ミリスチン酸イソプロピルおよびコハク、グルタルまたはアジピン酸のジメチルまたはジイソブチルエステルあるいはこれらの混合物）、エーテルアルコール（プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルおよびトリプロピレングリコールモノメチルエーテル）、ハイドロカーボン（例えば、ペンタン、シクロペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン）およびハイドロクロロカーボン（例えば、トランス−１，２−ジクロロエチレン）が挙げられる。かかる共溶媒を、基板脱水または洗浄のための本発明の組成物と共に用いるときは、組成物全体の重量を基準として、約１重量パーセント〜約５０重量パーセントの量で存在させればよい。
【００５５】
蒸気脱脂および蒸気フラックス除去機器を含む洗浄装置において、組成物は、シャフトシール、ホース接続部、はんだジョイントおよび破損ラインにおける漏れによって、操作中に失われる恐れがある。また、作用組成物は、機器の保守手順中に雰囲気に放出される恐れがある。組成物が純粋な成分でない場合には、機器から雰囲気へ漏れたり、放出されると、組成物は変化する可能性があり、機器に残る組成物が許容できない性能を示すようになる恐れがある。従って、単一の不飽和フッ素化エーテルを含む洗浄組成物として用いるのが望ましい。
【００５６】
一実施形態において、本明細書に記載した不飽和フルオロエーテルは、エポキシドを酸促進剤としてさらに含む。一実施形態において、かかるエポキシドの濃度は、少なくとも０．００１重量パーセント〜１．０重量パーセント以下の範囲であってよい。他の実施形態において、濃度は、０．０２重量パーセント〜０．５重量パーセント以下である。さらに他の実施形態において、合計組成物の０．２重量パーセント以下の濃度で用いる。エポキシドの量は、挙げた値を含めたこれらの値の任意の組み合わせの範囲とすることができる。
【００５７】
好適なエポキシドとしては、脂肪族および芳香族エポキシドが例示され、エピクロロヒドリン、２−ヘキセンエポキシド、３−ヘキセンエポキシド、グリシドール、プロピレンオキシド、シス−２，３−ペンテンオキシド、２−メチル−２，３−エポキシブタン、１，２−エポキシシクロペンテン、２，３−ジメチル−２，３−エポキシブタン、１，２−エポキシシクロヘキサン、１，２−ブチレンオキシドおよび２，３−ブチレンオキシドから選択されるものが含まれる。他の実施形態において、エポキシドは、３〜８個の炭素原子を含む飽和モノエポキシドである。
【００５８】
他の実施形態は、
ａ．表面を、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物と接触させる工程と、
ｂ．組成物から、表面を回収する工程と
を含む、表面を洗浄する方法に関する。
【００５９】
一実施形態において、本開示の組成物は、洗浄組成物、洗浄剤、堆積溶剤および脱水または乾燥溶剤として有用である。使用に際して適切に操作するには、マイクロエレクトロニクス部品から、製造完了後、表面を汚染する恐れのあるフラックス残渣、油、グリースおよび微粒子を落とさなければならない。他の実施形態において、本開示は、表面または基板を、本発明の洗浄組成物または洗浄剤と接触させて、任意で、洗浄組成物または洗浄剤から、実質的に残渣のない表面または基板を回収することを含む、表面または基板から残渣を除去するプロセスに関する。
【００６０】
さらに他の実施形態において、本開示は、汚染物質を表面から除去することにより、表面を洗浄する方法に関する。汚染物質を表面から除去する方法は、汚染物質を有する表面を、本発明の洗浄組成物と接触させて、汚染物質を溶解し、任意で、洗浄組成物から表面を回収することを含む。すると、表面は実質的に汚染物質フリーである。
【００６１】
前述したとおり、本方法により除去できる汚染物質または残渣としては、これらに限られるものではないが、油、グリース、フラックス残渣および微粒子汚染物質が挙げられる。
【００６２】
本方法の一実施形態において、接触は、基板、例えば、洗浄組成物がついた雑巾または紙でスプレー、フラッシング、拭き取ることにより行ってよい。本方法の他の実施形態において、接触は、ディスクを、洗浄組成物の浴に、浸漬または浸すことにより行ってよい。
【００６３】
本方法の一実施形態において、回収は、洗浄組成物浴から、接触させた表面を取り出すことによる（後述するとおり、表面にフッ素潤滑剤を堆積する方法について説明したのと同様のやり方で）。本方法の他の実施形態において、回収は、ディスクでスプレー、フラッシュまたは拭いた洗浄組成物を流出させることによる。さらに、前の工程の完了後に残る可能性のある残渣の線上組成物がある場合には、堆積方法についてのものと同様にして蒸発させてもよい。
【００６４】
表面を洗浄する方法は、後述するとおり、堆積方法と同種の表面に適用することができる。シリカ、ガラス、金属、金属酸化物またはカーボンの半導体表面または磁気媒体ディスクは、本方法により除去される汚染物質を含む場合がある。上述した方法において、汚染物質は、ディスクを洗浄組成物と接触させ、洗浄組成物から、ディスクを回収することにより、ディスクから除去することができる。
【００６５】
さらに他の実施形態において、本方法はまた、物品を、本発明の洗浄組成物と接触させることにより、製品、パーツ、部品、基板または任意のその他物品またはその一部から、汚染物質を除去する方法も提供する。便宜上、「物品」という用語は、かかる製品、パーツ、部品、基板等を全て指すのに本明細書で用いられ、さらに、任意の表面またはその一部を指すものとされる。また、「汚染物質」という用語は、たとえ、物品に意図的に配置されていたとしても、物品に存在する何らかの望ましくない材料または物質を指す。例えば、半導体デバイスの製造においては、フォトレジスト材料を基板に堆積して、エッチング操作のマスクを形成し、その後、フォトレジスト材料を基板から除去するのが一般的である。本明細書で用いる「汚染物質」という用語は、かかるフォトレジスト材料をカバーし、包含するものとする。ハイドロカーボン系の油およびグリースならびにジオクチルフタレートは、カーボンコートディスクにあるであろう汚染物質の例である。
【００６６】
一実施形態において、本方法は、蒸気脱脂および溶剤洗浄方法において、物品を本発明の洗浄組成物と接触させることを含む。かかる一実施形態において、蒸気脱脂および溶剤洗浄方法は、物品を、好ましくは、室温で、沸騰洗浄組成物の蒸気に露出することからなる。対象物に凝縮する蒸気には、比較的清浄な蒸留洗浄組成物を与えて、グリースまたはその他汚染物質を洗い流すという利点がある。かかるプロセスには、対象物からの本発明の洗浄組成物の最終蒸発によって、対象物を液体洗浄組成物で単に洗浄する場合に比べて、比較的僅かな残渣しか残らないという点でさらなる利点を有する。
【００６７】
他の実施形態において、除去の難しい汚染物質を物品が含む用途について、本方法には、周囲より高い、またはかかる用途に有効な任意のその他の温度まで、洗浄組成物の温度を上げて、洗浄組成物の洗浄作用を大幅に改善することが含まれる。かかる一実施形態において、かかるプロセスはまた、物品、特に、金属パーツおよび組立体の洗浄を効率的かつ迅速に行わなければならない大量組立ライン操作にも一般的に用いられる。
【００６８】
一実施形態において、本発明の洗浄方法は、清浄にする物品を、高温で、液体洗浄組成物に浸漬することを含む。他の実施形態において、本発明の洗浄方法は、清浄にする物品を、洗浄組成物の略沸点で、液体洗浄組成物に浸漬することを含む。かかる一実施形態において、この工程は、大量の目的とする汚染物質を物品から除去する。さらに他の実施形態において、この工程は、大部分の目的とする汚染物質を物品から除去する。一実施形態において、この工程に続いて、前の浸漬工程における液体洗浄組成物の温度より低い温度で、新たに蒸留した洗浄組成物に物品を浸漬する。かかる一実施形態において、新たに蒸留した洗浄組成物は、略周囲または室温である。さらに他の実施形態において、本方法はまた、既述の第１の浸漬工程に関連した熱／沸点洗浄組成物から出た蒸気に物品を露出することにより、洗浄組成物の比較的熱い蒸気と物品を接触させる工程を含む。かかる一実施形態において、これによって、物品の洗浄組成物蒸気が凝縮する。ある好ましい実施形態において、最終濯ぎの前に、物品に蒸留洗浄組成物をスプレーしてもよい。
【００６９】
本方法に関して用いるのに、数多くの様々な種類の蒸気脱脂機器が適用可能であるものと考えられる。かかる機器およびその操作の一例は、参考文献として援用される米国特許第３，０８５，９１８号明細書に開示されている。そこに開示された機器は、洗浄組成物を含む沸騰槽、蒸留した洗浄組成物を含むクリーン槽、水分離器およびその他補助機器を有している。
【００７０】
本洗浄方法はまた、コールドクリーニングも含んでよく、コールドクリーニングにおいては、汚染した物品を、本発明の流体洗浄組成物に、周囲または室温条件下で浸漬するか、または、洗浄組成物に浸したぼろ布または同様の物体で、かかる条件下で拭く。
【００７１】
フッ素潤滑剤と、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む溶剤を配合して、潤滑剤−溶剤の配合物を形成する工程と、潤滑剤−溶剤の配合物を表面と接触させる工程と、溶剤を表面から蒸発させて、表面にフッ素潤滑剤コーティングを形成する工程とを含む、表面にフッ素潤滑剤を堆積させる方法に関する。
【００７２】
デジタル情報を記憶する最先端の高記録密度かつ低コストの方法には、磁気材料でコートされた回転ディスクから磁束パターンを読み書きすることが含まれる。ビットの形態で情報が記憶される磁気層は、金属支持構造にスパッタされる。次に、オーバーコート、通常は、カーボン系材料が、保護のために、磁気層の上部に配置され、最後に、潤滑剤がオーバーコートに適用される。読み取り／書き込みヘッドが、潤滑剤上をフライングして、ヘッドと磁気層間で情報が交換される。情報転送の効率を徹底的に上げようとして、ハードドライブメーカーは、ヘッドと磁気層またはフライ高さ間の距離を、１００オングストローム未満まで減じてきた。
【００７３】
常に、通常のディスクドライブ適用中、ヘッドとディスク表面は接触するであろう。滑りとフライング接触の両方によるディスクでの摩耗を減じるために、潤滑しなければならない。
【００７４】
フッ素潤滑剤は、ヘッドとディスク間の摩擦を減じる、すなわち、摩耗を減じて、ディスク破損の可能性を最少にするために、磁気ディスクドライブ業界において潤滑剤として広く使われている。
【００７５】
フッ素潤滑剤を堆積する改善された方法が業界においては必要とされている。特定の溶剤、例えば、ＣＦＣ−１１３およびＰＦＣ−５０６０を用いることは、環境への影響のため規制されてきた。従って、この用途に用いられるであろう溶剤については、環境に与える影響を考慮しなければならない。また、かかる溶剤は、フッ素潤滑剤を溶解して、フッ素潤滑剤の実質的に均一または均一なコーティングを形成するものでなければならない。さらに、既存の溶剤は、ある厚さのコーティングを生成し、フッ素潤滑剤コーティングの均一さが不規則になるために、高濃度のフッ素潤滑剤を必要とすることが分かっている。
【００７６】
一実施形態において、本開示のフッ素潤滑剤は、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）化合物、またはホスファゼン含有ディスク潤滑剤であるＸ−１Ｐ（登録商標）を含む潤滑剤を含む。これらのパーフルオロポリエーテル化合物は、パーフルオロアルキルエーテル（ＰＦＡＥ）またはパーフルオロポリアルキルエーテル（ＰＦＰＡＥ）と呼ばれることもある。これらのＰＦＰＥ化合物は、単純な過フッ素化エーテルポリマーから、官能化過フッ素化エーテルポリマーまで及ぶ。本発明においてフッ素潤滑剤として有用となり得る異なる種類のＰＦＰＥ化合物は、いくつかの源より入手可能である。他の実施形態において、本発明の方法に有用なフッ素潤滑剤としては、これらに限られるものではないが、Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）ＧＬＰ１００、ＧＬＰ１０５またはＧＬＰ１６０（Ｅ．Ｉ．ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ＆Ｃｏ．，Ｆｌｕｏｒｏｐｒｏｄｕｃｔｓ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥ，１９８９８，ＵＳＡ）、Ｆｏｍｂｌｉｎ（登録商標）Ｚ−Ｄｏｌ２０００，２５００または４０００、Ｚ−ＴｅｔｒａｏｌまたはＦｏｍｂｌｉｎ（登録商標）ＡＭ２００１またはＡＭ３００１（Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ Ｓ．ｐ．Ａ．，Ｍｉｌａｎ，Ｉｔａｌｙより販売）、Ｄｅｍｎｕｍ（登録商標）ＬＲ−２００またはＳ−６５（Ｄａｉｋｉｎ Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ．，Ｏｓａｋａ，Ｊａｐａｎより提供）、Ｘ−１Ｐ（登録商標）（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ，Ｍｉｄｌａｎｄ，ＭＩの子会社であるＱｕｉｘｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎより入手可能な部分フッ素化ヘキサフェノキシシクロトリホスファゼンディスク潤滑剤）およびこれらの混合物が挙げられる。Ｋｒｙｔｏｘ（登録商標）潤滑剤は、一般構造Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）n−ＣＦ2ＣＦ3（式中、ｎは１０〜６０）を有するパーフルオロアルキルポリーエテルである。Ｆｏｍｂｌｉｎ（登録商標）潤滑剤は、分子量が５００〜４０００原子質量単位で、一般式Ｘ−ＣＦ2−Ｏ（ＣＦ2−ＣＦ2−Ｏ）p−（ＣＦ2Ｏ）q−ＣＦ2−Ｘ（式中、Ｘは、−ＣＨ2ＯＨ、ＣＨ2（Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2）nＯＨ、ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＨまたは−ＣＨ2Ｏ−ＣＨ2−ピペロニルであってよい）を有する官能化パーフルオロポリエーテルである。Ｄｅｍｎｕｍ（登録商標）油は、分子量が２７００〜８４００原子質量単位の範囲のパーフルオロポリエーテル系油である。さらに、本発明の方法に有用となり得るＭｏｒｅｓｃｏ（Ｔｈａｉｌａｎｄ）Ｃｏ．，Ｌｔｄ製のもの等新たな潤滑剤が開発されている。
【００７７】
本発明のフッ素潤滑剤は、フッ素潤滑剤の特性を改善する添加剤をさらに含んでいてもよい。ＰＦＰＥ劣化に関与するディスク表面のルイス酸部位をパッシベートすることにより、ディスクドライブの耐久性を増大するために、潤滑剤自体として機能し得るＸ−１Ｐ（登録商標）が他の低コストフッ素潤滑剤に添加されることが多い。
【００７８】
他の一般的な潤滑添加剤を、本発明の方法のフッ素潤滑剤に用いてもよい。
【００７９】
本発明のフッ素潤滑剤は、Ｚ−ＤＰＡ（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｇｌｏｂａｌ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，ＣＡ）、ジアルキルアミン末端基で終端したＰＦＰＥをさらに含んでいてもよい。求核末端基は、Ｘ１Ｐ（登録商標）と同じ目的で作用し、添加剤を全く加えずに、同じ安定性を与える。
【００８０】
フッ素潤滑剤が堆積し得る表面は、潤滑による利点を得ることのできる任意の固体表面である。シリカディスク、金属または金属酸化物表面、蒸着カーボン表面またはガラス表面等の半導体材料は、本発明の方法が有用な表面の種類の代表例である。本発明の方法は、コンピュータドライブハードディスク等の磁気媒体のコーティングに特に有用である。コンピュータディスクの製造において、表面は、アモルファス水素化または窒素化カーボンの薄層（１０〜５０オングストローム）の蒸着によりコートもされた磁気媒体層を備えたガラスまたはアルミニウム基板であってよい。フッ素潤滑剤をディスクのカーボン層に間接的に適用することにより、フッ素潤滑剤を表面ディスクに堆積してもよい。
【００８１】
フッ素潤滑剤と溶剤を配合する第１の工程は、堆積法の浴として用いてよいビーカーまたはその他容器等の好適な容器において混合する等任意の好適なやり方で行えばよい。不飽和フッ素化エーテル溶剤中のフッ素潤滑剤の濃度は、約０．０１０パーセント（ｗｔ／ｗｔ）〜約０．５０パーセント（ｗｔ／ｗｔ）であってよい。
【００８２】
フッ素潤滑剤と溶剤のこの配合物を、表面と接触させる工程は、この表面に適切な任意のやり方で行ってよい（表面のサイズおよび形状を考慮して）。ハードドライブディスクは、ディスク中心の穴を通り抜けることのできるマンドレルまたはその他支持体等何らかのやり方で支持されなければならない。このように、ディスクは、ディスクの面が溶剤浴に垂直になるように、水平に保持されるであろう。マンドレルは、これらに限られるものではないが、円柱バーまたはＶ形バーをはじめとする異なる形状を有していてよい。マンドレル形状によって、ディスクとの接触面積が決まるであろう。マンドレルは、これらに限られるものではないが、金属、金属合金、プラスチックまたはガラスをはじめとするディスクを保持するのに十分な材料強度で構築すればよい。さらに、ディスクは、織かごに直立に支持しても、または外縁で１つ以上の留め具により垂直位置に留めてもよい。支持体は、金属、金属合金、プラスチックまたはガラス等、ディスクを保持する強度を備えた任意の材料で構築してよい。ただし、ディスクは支持されると、ディスクは、フッ素潤滑剤／溶剤の配合物の浴を保持する容器へと下げられる。浴は、室温に保持する、あるいは約０℃〜約５０℃に及ぶ温度まで加熱または冷却してよい。
【００８３】
あるいは、ディスクは、上述したとおりに支持し、浴を上げて、ディスクを浸漬してもよい。いずれの場合においても、ディスクは浴から取り出すことができる（浴を下げるか、ディスクを上げるかのいずれかにより）。過剰のフッ素潤滑剤／溶剤の配合物は浴へ流出させることができる。
【００８４】
ディスクを浴に下げるか、浴を上げるかのいずれかによってディスクを浸漬させるものである、フッ素潤滑剤／溶剤の配合物をディスク表面と接触させる方法はいずれも、ディップコーティングと一般的に呼ばれている。スプレーまたはスピンコーティングをはじめとするディスクをフッ素潤滑剤／溶剤の配合物と接触させる他の方法を、本発明の方法に用いてもよい。
【００８５】
ディスクを浴から取り出すとき、ディスクは、フッ素潤滑剤と残渣溶剤（不飽和フッ素化エーテル）のコーティングをその表面に有するであろう。残渣溶剤は蒸発する可能性がある。蒸発は、通常、室温でなされる。しかしながら、室温より高い温度と低い温度の両方の他の温度を蒸発工程に用いてもよい。約０℃〜約１００℃の範囲の温度を蒸発に用いてよい。
【００８６】
表面、または表面がディスクの場合にはディスクには、コーティング法の完了後、実質的に溶剤フリーのフッ素潤滑剤の実質的に均一または均一なコーティングが残るであろう。フッ素潤滑剤は、約３００ｎｍ未満の厚さまで、あるいは、約１００〜約３００ｎｍの厚さまで適用してよい。
【００８７】
ディスクの適正な機能のためには、均一なフッ素潤滑剤コーティングが望ましく、ディスク表面に異なる厚さのフッ素潤滑剤領域は望ましくない。同じサイズのディスクにより多くの情報が記憶されればされるほど、読み取り／書き込みヘッドは、適正に機能するためには、ディスクにますます近づいていかなければならない。コーティング厚さの不規則性がディスク表面の存在する場合には、ディスクにこれらの領域のあるヘッドの接触の可能性がはるかに大きくなる。ヘッド接触またはその他手段により除去される可能性のある領域に、十分なフッ素潤滑剤をディスク上に流す必要があるが、コーティングが厚すぎると、「汚れ」て、読み取り／書き込みヘッドが過剰のフッ素潤滑剤を拾ってしまうことに関連する問題を生じる可能性がある。
【００８８】
業界で観察されるある具体的なコーティング厚さの不規則性は、「ラビットイヤー」効果として知られたものである。これらの不規則性は、既存の溶剤系を用いてフッ素潤滑剤の堆積後、ディスク表面で目視により検出される。ディスクを、溶剤中フッ素潤滑剤の溶液と接触させ、溶液から取り出すと、溶液が堆積して流れない点になると、容易に流れ落ちない溶液の液滴が容易に形成される。液滴形成のかかる点は、マンドレルまたはその他支持装具とディスクの接触点（１点または複数の点）である。Ｖ形マンドレルを用いるときは、マンドレルがディスクの内側端部と接触する２つの接触点がある。フッ素潤滑剤の溶液が、浴から取り出したときに流れ落ちないこれらの位置で液滴を形成するときは、溶剤蒸発時にフッ素潤滑剤の厚い領域が形成される。ディスクとの２つの接触点で、「ラビットイヤー」効果として知られているものが得られる。フッ素潤滑剤の厚い領域が、ディスク表面で目視により検出可能なラビットイヤーに似たパターンを生成するからである。
【００８９】
ディップコーティングを、表面にフッ素潤滑剤を堆積するのに用いるとき、引き上げ速度（ディスクを浴から取り出す速度）、フッ素潤滑剤の密度および表面張力が、フッ素潤滑剤の得られるフィルム厚さを決めるのに関係している。所望のフィルム厚さを得るためのこれらのパラメータを把握する必要がある。これらのパラメータのコーティングに与える影響の詳細については、「Ｄｉｐ−Ｃｏａｔｉｎｇ ｏｆ Ｕｌｔｒａ−Ｔｈｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｌｕｂｒｉｃａｎｔ ａｎｄ ｉｔｓ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｆｏｒ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋｓ」、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、ｖｏｌ．３１，ｎｏ．６，１９９５年１１月にある。
【００９０】
本明細書で用いる「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」、「持つ」、「持っている」またはその他変形の用語は、非排他的な包括をカバーするものである。例えば、要素のリストを含むプロセス、方法、物品または装置は、それらの要素に必ずしも限定されず、明示的にリストされていない、またはかかるプロセス、方法、物品または装置に固有の他の要素も含まれていてよい。さらに、明示的にそれには反するとした場合を除き、「または」は、包括的なまたはであり、排他的なまたはでない。例えば、条件ＡまたはＢを満足するのは次のうちのいずれかである。Ａが真（または存在する）でＢが偽（または存在しない）、Ａが偽（または存在しない）でＢが真（または存在する）、およびＡとＢの両方が真（または存在する）。
【００９１】
単数形（「ａ」または「ａｎ」）の使用は、本発明の要素および成分を記載するために使用される。これは、単に便宜上のために、かつ本発明の一般的な意味を与えるために使用される。この説明は、１つまたは少なくとも１つを含めるように読まれるべきであり、他の意味であることが明白でない限り、単数形には複数形も含まれる。
【００９２】
元素周期表の列に対応する属数は、ＣＲＣ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，第８１版（２０００−２００１年）にある「新表記」規則を用いている。
【００９３】
別記しない限り、本明細書で用いる科学技術用語は全て、本発明の属する当業者により一般的に理解されるのと同じ意味を持つ。本明細書に記載されたものと同様または等価の方法および材料を、本発明の実施形態の実施または試験に用いることができるが、好適な方法および材料は後述する。本明細書で言及した出版物、特許出願、特許およびその他参考文献は全て、別記しない限り、その全内容が、参考文献として組み込まれる。不一致がある場合には、定義を含め本明細書が支配する。また、材料、方法および実施例は例示のためのみであり、限定しようとするものではない。
【実施例】
【００９４】
本明細書に記載した概念を、以下の実施例でさらに説明していく。それらは、請求項に記載された本発明の範囲を限定するものではない。
【００９５】
実施例１
実施例１は、メタノールと、パーフルオロ−３−ヘプテンとの反応を示すものである。
【００９６】
２５０ｍＬの三つ口ＲＢフラスコを、オーバーヘッドメカニカルスターラー、還流冷却器および熱電対さやと５０ｍＬの添加漏斗を備えたクライゼンと共にセットアップした。２００ｇ（１２５ｍＬ、約０．５７モル）のパーフルオロ−３−ヘプテンおよび３７．７ｇ（０．６７モル）の粉末ＫＯＨをフラスコに添加した。１８．３ｇ（０．５７モル）のメタノールを添加漏斗により徐々に添加した。小さな発熱反応があった。３０分攪拌後、少量の水（約２０ｍＬ）を冷却器から添加したところ、温度が６０〜７０℃まで上がった大きな発熱反応があった。
【００９７】
２時間攪拌後、反応混合物を、真空（１００ｍｍＨｇ）下で、ドライアイスで冷やしたフラスコへフラッシュ蒸留した。粗蒸留物を、２５０ｍＬの分液漏斗で、水からさらに分離して、硫酸マグネシウムで乾燥した。スピンバンド蒸留により、主に、５４〜７４℃で沸騰する前留分約６０ｍＬが得られた。９５℃で始まるが、主に、１０８〜１１４℃で沸騰する第２の生成物留分（約４０ｍＬ）を集めた。第２の留分を、ＧＣ−ＭＳにより分析したところ、大半が、アリルとビニルメチルパーフルオロヘプテンエーテルの混合物で構成されていた。約１４％の飽和メチルモノヒドロフルオロヘプタンエーテル生成物もまた、混合物の一部であった。残りのパーフルオロ−３−ヘプテンは、蒸留混合物の約１％を構成していた。
【００９８】
実施例２
実施例２は、メタノールと、パーフルオロ−３−ヘプテンとの反応を示すものである。
【００９９】
メタノールと、パーフルオロ−３−ヘプテンとの第２の反応は、実施例１と実質的に同様のやり方で行った。２００ｇ（１２５ｍＬ、約０．５７モル）のパーフルオロ−３−ヘプテン、３５．３ｇ（０．６３モル）の粉末ＫＯＨ、２０ｍＬの水および約約１ｇのＡｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６をフラスコに添加した。メタノールの添加により、温度が６０〜７０℃まで上がった即時の大きな発熱反応があった。添加後、攪拌および６０〜７０℃までの加熱を２時間続けた。略周囲温度まで冷やした後、反応混合物を分液漏斗に注いだ。水性上層に残る大量の沈殿塩があった。下層（約１２０ｍＬ）を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１００】
実施例３
メタノールとパーフルオロ−３−ヘプテンとの反応
メタノールと、パーフルオロ−３−ヘプテンとの第３の反応は、実施例１と実質的に同様のやり方で行った。２００ｇ（１２５ｍＬ、約０．５７モル）のパーフルオロ−３−ヘプテン、７８．３ｇ（０．６３モル）の４５％水性ＫＯＨおよび１ｇのＡｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６を５００ｍＬのフラスコに添加した。メタノールの添加により、温度が６０〜７０℃まで上がった即時の大きな発熱反応があった。添加後、攪拌および６０〜７０℃までの加熱を２時間続けた。略周囲温度まで冷やした後、反応混合物を分液漏斗に注いだ。水性層に残る沈殿塩はなかった。下層（約１２０ｍＬ）を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１０１】
実施例４
メチルパーフルオロヘプテンエーテルの蒸留
実施例２および３からの粗メチルパーフルオロヘプテンエーテル生成物を結合し、ろ過し、スピンバンドにより蒸留した。第１の留分１８ｍＬを、５４〜７４℃で集めた。中間の留分４ｍＬを、７４℃〜１０６℃で集めた。１０８℃〜１１４℃で主に蒸留された１０６℃で始まる主留分１８０ｍＬを集めた。スチルポット留分３５ｍＬが残った。これは、後のＧＣ−ＭＳにより、高メタノール付加生成物から主になることが確認された。０．１％未満のパーフルオロヘプテンが主留分に残った。２５ｍＬの試料を単蒸留により再蒸留した。観察された蒸気温度範囲は、１０７〜１１２℃であった。観察されたスチルポット温度は、１１０〜１１２℃であった。
【０１０２】
実施例５
メタノールとパーフルオロ−２−ペンテンとの反応
１Ｌの三つ口ＲＢフラスコを、オーバーヘッドメカニカルスターラー、水氷還流冷却器、マントルヒーターおよび熱電対さやと１２５ｍＬの添加漏斗を備えたクライゼンと共にセットアップした。３８２ｇ（約２４０ｍＬ、約１．５３モル）のパーフルオロ−２−ペンテンおよび２１９ｇ（１．７６モル）の水性４５％ＫＯＨおよび約１ｇのＡｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６をフラスコに添加した。５３．８ｇ（１．６８モル）のメタノールを添加漏斗により徐々に添加した。反応混合物を還流させる発熱反応があった。反応温度を、約２４℃から６０℃まで、メタノール添加中、徐々に上げた。添加後、攪拌を２時間続けた。略周囲温度まで冷却した後、反応混合物を、分液漏斗へ注ぎ、２層を０．５時間にわたって徐々に分離した。下層（約２４０ｍＬ）を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１０３】
実施例６
エタノールとパーフルオロ−３−ヘプテンとの反応
２５０ｍＬの三つ口ＲＢフラスコを、オーバーヘッドメカニカルスターラー、還流冷却器、マントルヒーターおよび熱電対さやと５０ｍＬの添加漏斗を備えたクライゼンと共にセットアップした。４０ｇ（０．３２モル）の水性ＫＯＨおよび１００ｇ（０．２９モル）のパーフルオロ−３−ヘプテンをフラスコに添加した。混合物を攪拌しながら、５０℃まで加熱した。その温度で、１６．４ｇ（０．３６モル）のエタノールを添加漏斗により徐々に添加した。発熱反応が生じ、反応混合物の温度が約７０℃まで上がった。エタノール添加後、反応混合物をさらに１時間加熱して、温度を７０℃またはその近くに維持した。１時間後加熱を止め、反応物を攪拌しながら、略周囲温度まで冷やした。反応混合物を分液漏斗へ注いだ。下層（約１２０ｍＬ）を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１０４】
実施例７：
エチルパーフルオロヘプテンエーテルの蒸留
実施例６からの粗エチルパーフルオロヘプテンエーテル生成物を、ろ過し、スピンバンドにより蒸留した。第１の留分７．５ｇを、約７０〜７２℃で集めた。１２０℃〜１２２℃で主に蒸留された１１０℃で始まる主留分７３．５ｇを集めた。スチルポット留分５．２ｇが残った。主留分のＧＣ−ＭＳによれば、約６２．８％のアリルエチルパーフルオロヘプテンエーテル、約２９．７％のビニルエチルパーフルオロヘプテンエーテル、７．２％のエチルモノヒドロパーフルオロヘプタンエーテルおよび０．３％のパーフルオロ−３−ヘプテンからなることが示された。
【０１０５】
実施例８
エタノールとパーフルオロ−３−ヘプテンとの反応
エタノールとパーフルオロ−３−ヘプテンとの第２の反応を、２６．３ｇ（０．５７モル）のエタノールを用い、エタノール添加前に、反応物を加熱しなかった以外は、実施例６と実質的に同じやり方で行った。メタノールの添加により、温度が６０〜７０℃まで上がった即時の大きな発熱反応があった。添加後、攪拌および６０〜７０℃までの加熱を２時間続けた。略周囲温度まで冷やした後、反応混合物を分液漏斗に注いだ。下層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。
【０１０６】
実施例９
エチルパーフルオロヘプテンエーテルの蒸留
実施例８からの粗エチルパーフルオロヘプテンエーテル生成物および実施例７からの蒸留生成物を、結合し、ろ過し、スピンバンドにより蒸留した。１２３℃まで、１１８℃で始まる主留分を集めた。ＧＣ−ＭＳによれば、６０．０％のアリルエチルパーフルオロヘプテンエーテル、３３．１％のビニルエチルパーフルオロヘプテンエーテル、６．４％のエチルモノヒドロパーフルオロヘプタンエーテル、０．４％の未知のものおよび０．０５％のパーフルオロ−３−ヘプテンからなることが示された。
【０１０７】
実施例１０
メタノールとパーフルオロ−２−オクテンとの反応
２５０ｍＬの三つ口ＲＢフラスコを、オーバーヘッドメカニカルスターラー、還流冷却器、マントルヒーター、熱電対さやを備えたクライゼン、および２５ｃｃガラスシリンジおよびシリンジポンプに接続されたＰＦＡフルオロポリマー可撓性ニードルと共にセットアップした。６４．６ｇ（１６２ミリモル）のパーフルオロ−２−オクテン、５．１８ｇ（１６２ミリモル）のメタノールおよび０．５ｇのＡｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６をフラスコに添加した。４００ｒｐｍの攪拌により、４５％水性ＫＯＨ溶液（２０．１５ｇ、１６２ミリモル）を、シリンジポンプにより、０．５ｍＬ／分で徐々に添加した。反応は発熱で、反応温度は約５０℃まで上がった。ＫＯＨ添加完了後、外部加熱を２時間行って加熱し、内容物を約８５℃に維持した。反応物を略周囲温度まで冷やし、粗生成物（下層、６４．７ｇ）を５０ｍＬ漏斗で分離した。粗生成物のガスクロマトグラフ質量分析（ＧＣ／ＭＳ）によれば、組成は、６．３％のパーフルオロ−２−オクテン、９２．３％の不飽和および飽和エーテルおよび１．４％の高メタノール付加物であることが示された。
【０１０８】
実施例１１
メチルパーフルオロオクテンエーテルの蒸留
実施例１０からの粗生成物を、硫酸マグネシウムで乾燥し、２５０ｍＬのスチルポットへ、ポリプロピレンろ布を用いてろ過した。粗生成物を、小スピンバンドカラムを用いて、手動のバルブ制御により蒸留した。第１の留分約５ｍＬを、８５℃〜１１５℃で集めてから、１１５℃で始まるが、１３０℃まで即時に上昇し、１３３℃〜１３５℃で主に沸騰する主留分（４８．７ｇ）を集めた。ＧＣ／ＭＳによれば、主留分は、主として不飽和エーテルといくらかの飽和エーテルの９８．２％混合物であったことが示された。１．８％が、パーフルオロ−２−オクテンであった。1Ｈ ＮＭＲによれば、飽和エーテル含量は４．０％であった。19Ｆ ＮＭＲによれば、不飽和エーテルは、主に、トランス−２−メトキシ−パーフルオロ−２−オクテン（４４．８％）、２−メトキシ−パーフルオロ−３−オクテン（３４．５％）およびシス−２−メトキシ−パーフルオロ−２−オクテン（５．９％）であった。
【０１０９】
実施例１２
フッ素潤滑剤を堆積するための溶剤は、約４５％のＣＦ3ＣＦ2ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ3、２５％のＣＦ3ＣＦ2Ｃ（ＯＣＨ3）＝ＣＦＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3とＣＦ3ＣＦ2ＣＦ＝Ｃ（ＯＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、１５％のＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3および１５％のＣＦ3ＣＦ2ＣＦ（ＯＣＨ3）ＣＦＨＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3を含む。この混合物を溶剤Ｎｏ．１とする。
【０１１０】
溶剤Ｎｏ．１のフッ素化油を溶解する能力を、混合物が混濁する、または２相に分かれるまで、ある量の油を溶剤に添加することにより求める。表１の結果によれば、溶剤Ｎｏ．１はフッ素化油を溶解する優れた能力を有することが分かる。また、油の０．５重量％の溶液を調製する。予め秤量しておいた金属片を溶液に浸し、溶剤を蒸発し、片を再秤量する。表１に、このディップコーティングプロセスにより得られた平均コーティングを示す。記録されたコーティング重量は、３つの試料の平均である。このように、溶剤Ｎｏ．１は、フッ素化油を基板に堆積するためのキャリア流体として用いることができる。
【０１１１】
【表１】
【０１１２】
実施例１３
洗浄溶剤は、約４０％ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ2ＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ3、３５％ＣＦ3ＣＦ2Ｃ（ＯＣＨ2ＣＨ3）＝ＣＦＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3とＣＦ3ＣＦ2ＣＦ＝Ｃ（ＯＣＨ2ＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、１８％ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ2ＣＨ3）ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3および７％ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ（ＯＣＨ2ＣＨ3）ＣＦＨＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3を含む。この混合物を溶剤Ｎｏ．２とする。
【０１１３】
溶剤Ｎｏ．２が、基板からフッ素化油を落とす能力を、Ｋｒｙｔｏｘ ＧＰＬ１０６油でコートした金属片を作製し、片を清浄にすることにより求める。片を油でコーティングした後、約１２０℃の温度で、５分間、溶剤Ｎｏ．２に片を浸漬した。洗浄前後の片の重量を測定し、除去された油％を計算する。表２の結果は、油を除去する溶剤の能力を示しており、溶剤は有効な洗浄剤となる。
【０１１４】
【表２】
【０１１５】
実施例１４
メチルパーフルオロヘプテンエーテル（ＭＰＨＥ）が、フッ素化油を溶解する能力は、混合物が混濁する、または２相に分かれるまで、増量の油をＭＰＨＥに添加することにより求めた。試験によれば、油は溶剤に全比率で混和性であり、混濁は観察されなかった。これを表３に示す。また、油の５重量％溶液をＭＰＨＥ中で調製した。予め秤量しておいた表面積３８．７ｃｍ2の金属片を溶液に浸し、溶剤を蒸発し、片を再秤量する。表１に、このディップコーティングプロセスにより得られた３つのコーティングの平均を示す。このように、ＭＰＨＥは、フッ素化油を基板に堆積するためのキャリア流体として用いることができる。
【０１１６】
【表３】
【０１１７】
実施例１５
メチルパーフルオロペンテンエーテル（ＭＰＰＥ）が、フッ素化油を溶解する能力は、混合物が混濁する、または２相に分かれるまで、増量の油をＭＰＰＥに添加することにより求めた。試験によれば、油は溶剤に全比率で混和性であり、混濁は観察されなかった。これを表４に示す。また、油の５重量％溶液をＭＰＰＥ中で調製した。予め秤量しておいた表面積３８．７ｃｍ2の金属片を溶液に浸し、溶剤を蒸発し、片を再秤量した。表４に、このディップコーティングプロセスにより得られた３つのコーティングの平均を示す。このように、ＭＰＰＥは、フッ素化油を基板に堆積するためのキャリア流体として用いることができる。
【０１１８】
【表４】
【０１１９】
実施例１６
ＭＰＰＥによる金属洗浄
Ｋｒｙｔｏｘ ＧＰＬ１０６油を、既知の重量の清浄な金属片を綿棒で擦りつけた。片の重量を記録してから、片を、室温でＭＰＰＥに浸漬することにより洗浄した。片を１分間浸漬してから、空気乾燥した。片を再秤量し、除去された油のパーセントを求めた。表５の結果によれば、溶剤は、フッ素化油を洗浄するのに優れた効率を有することが分かる。
【０１２０】
【表５】
【０１２１】
実施例１７
ＭＰＨＥによる金属洗浄
Ｋｒｙｔｏｘ ＧＰＬ１０６油を、既知の重量の清浄な金属片を綿棒で擦りつけた。片の重量を記録してから、片を、室温でＭＰＨＥに浸漬することにより洗浄した。片を１分間浸漬してから、空気乾燥した。片を再秤量し、除去された油のパーセントを求めた。表６のこれらの結果によれば、溶剤は、フッ素化油を洗浄するのに優れた効率を有することが分かる。
【０１２２】
【表６】
【０１２３】
概要または実施例に上述した動作の全てが必要ではないこと、特定の動作の一部が必要ない場合もあること、そして１つ以上のさらなる動作を、記載したものに加えて行うことができることを記しておく。さらに、動作を示した順番は、必ずしも、それらを行う順番ではない。
【０１２４】
前述の明細書において、特定の実施形態を参照して、概念を説明してきた。しかしながら、当業者には、以下の請求項に規定された本発明の範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更を行えることは明らかである。従って、明細書および図面は、限定的な意味ではなく、例示とみなすべきであり、かかる修正は全て、本発明の範囲に含まれるものとする。
【０１２５】
利点、その他長所および問題解決策を、特定の実施形態に関して上述してきた。しかしながら、利点、長所、問題解決策、および利点、長所または解決策のいずれかが生じる、またはより顕著となる任意の特徴は、いずれか、または全ての請求項の重要な、必要な、または必須の特徴と解釈されるべきでない。
【０１２６】
特定の特徴は、明確にするために、個別の実施形態で記載された特定の特徴は、単一の実施形態の組み合わせで提供されてもよいものと考えるべきである。反対に、簡潔にするために、単一の実施形態で記載された様々な特徴も、個別に、または任意のサブコンビネーションで提供されてもよい。さらに、範囲で記した値の参照には、その範囲内のありとあらゆる値が含まれる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）からなる群から選択される式を有する少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物。
【請求項２】
前記不飽和フルオロエーテルが、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物をさらに含む請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記不飽和フルオロエーテルが、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記不飽和フルオロエーテルが、式ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記不飽和フルオロエーテルが、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
Ｒが、Ｃ2Ｈ5である請求項２に記載の組成物。
【請求項８】
Ｒが、ＣＨ3である請求項２に記載の組成物。
【請求項９】
パーフルオロペンテン、パーフルオロヘキセン、パーフルオロヘプテンまたはパーフルオロオクテンを、アルコールおよび強塩基と、水溶液中で接触させて、フルオロカーボンエーテル層と水性層を提供する工程と、前記フルオロカーボンエーテル層を前記水性層から分離して、フルオロカーボンエーテル生成物を提供する工程とを含むフルオロカーボンエーテルを製造する方法。
【請求項１０】
前記接触工程が、相間移動触媒をさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記相間移動触媒が、クラウンエーテル、オニウム塩、クリプテート、ポリアルキレングリコール、およびこれらの誘導体ならびにこれらの混合物からなる群から選択される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記強塩基が、アルコールと反応すると、前記塩基と前記アルコールの化合により、アルコキシドを生成する塩基である請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記強塩基が、アルカリ金属水酸化物である請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記アルコールが、メタノールまたはエタノールである請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記パーフルオロペンテン、パーフルオロヘキセン、パーフルオロヘプテンまたはパーフルオロオクテンが、パーフルオロ−２−ペンテン、パーフルオロ−２−ヘキセン、パーフルオロ−３−ヘキセン、パーフルオロ−２−ヘプテン、パーフルオロ−３−ヘプテン、パーフルオロ−２−オクテン、パーフルオロ−３−オクテンおよびパーフルオロ−４−オクテンからなる群から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
ａ．表面を、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物と接触させる工程と、
ｂ．前記表面を前記組成物から回収する工程と
を含む、表面から残渣を除去する方法。
【請求項１７】
前記組成物が、噴射剤をさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記噴射剤が、空気、窒素、二酸化炭素、ジフルオロメタン（ＣＦ2Ｈ2、ＨＦＣ−３２）、トリフルオロメタン（ＣＦ3Ｈ、ＨＦＣ−２３）、ジフルオロエタン（ＣＨＦ2ＣＨ3、ＨＦＣ−１５２ａ）、トリフルオロエタン（ＣＨ3ＣＦ3、ＨＦＣ−１４３ａまたはＣＨＦ2ＣＨ2Ｆ、ＨＦＣ−１４３）、テトラフルオロエタン（ＣＦ3ＣＨ2Ｆ、ＨＦＣ−１３４ａまたはＣＦ2ＨＣＦ2Ｈ、ＨＦＣ−１３４）、ペンタフルオロエタン（ＣＦ3ＣＦ2Ｈ、ＨＦＣ−１２５）、１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ）、２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ）、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｅ）、ハイドロカーボンおよびジメチルエーテルからなる群から選択される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記組成物が、少なくとも１つの界面活性剤をさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記接触が、蒸気脱脂により行われる請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記蒸気脱脂が、
ａ．前記組成物を沸騰し、
ｂ．物品を、沸騰洗浄組成物の蒸気に露出すること
により行われる請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記接触が、前記物品を前記組成物に浸漬することにより行われ、前記組成物が、周囲または室温より高い温度である請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記組成物が、前記組成物の略沸点の温度である請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記物品を前記組成物に浸漬した後、前記物品を前記組成物に浸漬する工程をさらに含み、前記組成物が、前記第１の浸漬工程よりも低い温度である請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の浸漬工程の前記組成物が、周囲または室温である請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の浸漬工程の後、前記組成物を沸騰し、前記物品を前記沸騰組成物の蒸気に露出する工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記組成物が、周囲または室温である請求項１６に記載の方法。
【請求項２８】
前記接触が、前記組成物に浸した物体で前記物品を拭くことにより行われる請求項１６に記載の方法。
【請求項２９】
ａ．フッ素潤滑剤と、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む溶剤を配合して、潤滑剤−溶剤の配合物を形成する工程と、
ｂ．前記潤滑剤−溶剤の配合物を表面と接触させる工程と、
ｃ．前記溶剤を前記表面から蒸発させて、前記表面にフッ素潤滑剤コーティングを形成する工程と
を含む、表面にフッ素潤滑剤を堆積させる方法。
【請求項３０】
前記表面が、半導体材料、金属、金属酸化物、蒸着カーボンまたはガラスの表面である請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記表面が、磁気媒体の表面である請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記磁気媒体が、コンピュータディスクである請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記接触工程が、前記表面を、前記フッ素潤滑剤を含む浴に浸漬または浸すことにより行われる請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
前記接触工程が、前記表面を、フッ素潤滑剤でスプレーまたはスピンコートすることにより行われる請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
前記潤滑剤−溶剤の配合物中の前記フッ素潤滑剤濃度が、約０．０２重量パーセント〜約０．５重量パーセントである請求項２９に記載の方法。
【請求項３６】
前記蒸発工程が、約１０℃〜約４０℃の温度で行われる請求項２９に記載の方法。
【請求項３７】
前記フッ素潤滑剤が、パーフルオロポリエーテルを含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３８】
前記フッ素潤滑剤が、パーフルオロポリエーテルおよびその混合物からなる群から選択される請求項２９に記載の方法。
【請求項１】
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）からなる群から選択される式を有する少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物。
【請求項２】
前記不飽和フルオロエーテルが、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物をさらに含む請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記不飽和フルオロエーテルが、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記不飽和フルオロエーテルが、式ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記不飽和フルオロエーテルが、式ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3（式中、Ｒは、ＣＨ3もしくはＣ2Ｈ5またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
Ｒが、Ｃ2Ｈ5である請求項２に記載の組成物。
【請求項８】
Ｒが、ＣＨ3である請求項２に記載の組成物。
【請求項９】
パーフルオロペンテン、パーフルオロヘキセン、パーフルオロヘプテンまたはパーフルオロオクテンを、アルコールおよび強塩基と、水溶液中で接触させて、フルオロカーボンエーテル層と水性層を提供する工程と、前記フルオロカーボンエーテル層を前記水性層から分離して、フルオロカーボンエーテル生成物を提供する工程とを含むフルオロカーボンエーテルを製造する方法。
【請求項１０】
前記接触工程が、相間移動触媒をさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記相間移動触媒が、クラウンエーテル、オニウム塩、クリプテート、ポリアルキレングリコール、およびこれらの誘導体ならびにこれらの混合物からなる群から選択される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記強塩基が、アルコールと反応すると、前記塩基と前記アルコールの化合により、アルコキシドを生成する塩基である請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記強塩基が、アルカリ金属水酸化物である請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記アルコールが、メタノールまたはエタノールである請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記パーフルオロペンテン、パーフルオロヘキセン、パーフルオロヘプテンまたはパーフルオロオクテンが、パーフルオロ−２−ペンテン、パーフルオロ−２−ヘキセン、パーフルオロ−３−ヘキセン、パーフルオロ−２−ヘプテン、パーフルオロ−３−ヘプテン、パーフルオロ−２−オクテン、パーフルオロ−３−オクテンおよびパーフルオロ−４−オクテンからなる群から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
ａ．表面を、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む組成物と接触させる工程と、
ｂ．前記表面を前記組成物から回収する工程と
を含む、表面から残渣を除去する方法。
【請求項１７】
前記組成物が、噴射剤をさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記噴射剤が、空気、窒素、二酸化炭素、ジフルオロメタン（ＣＦ2Ｈ2、ＨＦＣ−３２）、トリフルオロメタン（ＣＦ3Ｈ、ＨＦＣ−２３）、ジフルオロエタン（ＣＨＦ2ＣＨ3、ＨＦＣ−１５２ａ）、トリフルオロエタン（ＣＨ3ＣＦ3、ＨＦＣ−１４３ａまたはＣＨＦ2ＣＨ2Ｆ、ＨＦＣ−１４３）、テトラフルオロエタン（ＣＦ3ＣＨ2Ｆ、ＨＦＣ−１３４ａまたはＣＦ2ＨＣＦ2Ｈ、ＨＦＣ−１３４）、ペンタフルオロエタン（ＣＦ3ＣＦ2Ｈ、ＨＦＣ−１２５）、１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ）、２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ）、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｅ）、ハイドロカーボンおよびジメチルエーテルからなる群から選択される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記組成物が、少なくとも１つの界面活性剤をさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記接触が、蒸気脱脂により行われる請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記蒸気脱脂が、
ａ．前記組成物を沸騰し、
ｂ．物品を、沸騰洗浄組成物の蒸気に露出すること
により行われる請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記接触が、前記物品を前記組成物に浸漬することにより行われ、前記組成物が、周囲または室温より高い温度である請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記組成物が、前記組成物の略沸点の温度である請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記物品を前記組成物に浸漬した後、前記物品を前記組成物に浸漬する工程をさらに含み、前記組成物が、前記第１の浸漬工程よりも低い温度である請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の浸漬工程の前記組成物が、周囲または室温である請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の浸漬工程の後、前記組成物を沸騰し、前記物品を前記沸騰組成物の蒸気に露出する工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記組成物が、周囲または室温である請求項１６に記載の方法。
【請求項２８】
前記接触が、前記組成物に浸した物体で前記物品を拭くことにより行われる請求項１６に記載の方法。
【請求項２９】
ａ．フッ素潤滑剤と、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ2）x（ＣＦ2）yＣＦ3、
ＣＦ3（ＣＦ2）xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ2（ＣＦ2）yＣＦ3およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フルオロエーテルを含む溶剤を配合して、潤滑剤−溶剤の配合物を形成する工程と、
ｂ．前記潤滑剤−溶剤の配合物を表面と接触させる工程と、
ｃ．前記溶剤を前記表面から蒸発させて、前記表面にフッ素潤滑剤コーティングを形成する工程と
を含む、表面にフッ素潤滑剤を堆積させる方法。
【請求項３０】
前記表面が、半導体材料、金属、金属酸化物、蒸着カーボンまたはガラスの表面である請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記表面が、磁気媒体の表面である請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記磁気媒体が、コンピュータディスクである請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記接触工程が、前記表面を、前記フッ素潤滑剤を含む浴に浸漬または浸すことにより行われる請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
前記接触工程が、前記表面を、フッ素潤滑剤でスプレーまたはスピンコートすることにより行われる請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
前記潤滑剤−溶剤の配合物中の前記フッ素潤滑剤濃度が、約０．０２重量パーセント〜約０．５重量パーセントである請求項２９に記載の方法。
【請求項３６】
前記蒸発工程が、約１０℃〜約４０℃の温度で行われる請求項２９に記載の方法。
【請求項３７】
前記フッ素潤滑剤が、パーフルオロポリエーテルを含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３８】
前記フッ素潤滑剤が、パーフルオロポリエーテルおよびその混合物からなる群から選択される請求項２９に記載の方法。
【公表番号】特表２０１２−５１８０１０（Ｐ２０１２−５１８０１０Ａ）
【公表日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５５０３０６（Ｐ２０１１−５５０３０６）
【出願日】平成２２年２月１６日（２０１０．２．１６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０２４２５９
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０９４０１９
【国際公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月１６日（２０１０．２．１６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０２４２５９
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０９４０１９
【国際公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
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