新規な縮合多環芳香族化合物
【課題】比較的大きい溶解度を有する縮合多環芳香族化合物の前駆体に用い得る化合物と合成法の提供。
【解決手段】下記式（ＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物：
【解決手段】下記式（ＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物：
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な縮合多環芳香族化合物に関する。また、本発明はこのような新規な縮合多環芳香族化合物の合成及び使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体化合物は、有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機キャリア輸送層、有機発光デバイス等のための有機半導体層への利用に関して、様々な研究がなされている。特に、有機半導体化合物からなる有機半導体層を有する薄膜トランジスタは、低コスト且つ軽量のデバイスとして、現在のシリコンベーストランジスタを代替することが期待されている。また、有機半導体層は、軽量で且つフレキシブルであること等、有機材料に特有の利点を活用することで、スマートタグ、軽量ディスプレイ等への応用も期待されている。
【０００３】
したがって、有機半導体層を形成するための有機半導体化合物に関しては多くの研究がなされている（特許文献１〜５、並びに非特許文献１〜３）。
【０００４】
これらの有機半導体化合物のなかでも、縮合多環芳香族化合物、特に下記の式で表されるジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）、又はその置換体若しくは類似の構造を有する縮合多環芳香族化合物が、材料の安定性、キャリアの移動度の半導体特性等に関して好ましいことが分かってきている。
【０００５】
【化１】
【０００６】
しかしながら、縮合多環芳香族化合物は、芳香族性が強く、結晶性が高いことから、有機溶媒等への溶解性がきわめて低く、塗布法で用いることが困難であった。したがって、縮合多環芳香族化合物を用いて有機半導体膜を得る場合には、蒸着法によって、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体薄膜を得ることが一般的であった。
【０００７】
また、上記のＤＮＴＴは、縮合環の数が少ないことによって有機溶媒に対するわずかな溶解性を有しているものの、それでもなお、産業的に溶液法で用いるのには充分な溶解性を達成していなかった（特許文献４）。
【０００８】
なお、ＤＮＴＴのような縮合多環芳香族化合物を塗布法で用いて有機半導体薄膜を得るために、溶解度が大きく且つ分解してこのような縮合多環芳香族化合物を生成する前駆体を用いることも提案されている（特許文献５、非特許文献２及び３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−８９４１３号公報
【特許文献２】特開２００８−２９０９６３号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２００６／０７７８８８号公報
【特許文献４】国際公開ＷＯ２００８／０５０７２６号公報
【特許文献５】国際公開ＷＯ２０１１／０２４８０４号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】“Ｆａｃｉｌｅ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｈｉｇｈｌｙ π−Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｈｅｔｅｒｏａｒｅｎｅｓ， Ｄｉｎａｐｈｔｈｏ［２，３−ｂ：２‘，３‘−ｆ］ｃｈａｌｃｏｇｅｎｏｐｈｅｎｏ［３，２−ｂ］ｃｈａｌｃｏｇｅｎｏｐｈｅｎｅｓ， ａｎｄ Ｔｈｅｉｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｔｏ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ”， Ｔａｔｓｕｙａ Ｙａｍａｍｏｔｏ， ａｎｄ Ｋａｚｕｏ Ｔａｋｉｍｉｙａ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， ２００７， １２９ （８）， ｐｐ ２２２４−２２２５
【非特許文献２】Ｈ． Ｕｎｏ ｅｔ ａ１．， Ｐｈｏｔｏｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ｆｏｒ ｐｅｎｔａｃｅｎｅ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ２００５， Ｖｏｌ．４６， Ｎｏ．１２， ＰＰ．１９８１−１９８３
【非特許文献３】ＷＡＮＧ， Ｙ． ｅｔａ１， Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ， ａｎｄ ｒｅａｃｔｉｏｎｓｏｆ ６，１３−ｄｉｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ ２， ３， ９， １０−ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙ１）ｐｅｎｔａｃｅｎｅ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ， ２００７， Ｖｏ１． ６３， Ｎｏ． ３５， ｐｐ． ８５８６−８５９７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記記載のように、ＤＮＴＴは、縮合環の数が少ないことによって有機溶媒に対するわずかな溶解性を有しているものの、それでもなお、産業的に溶液法で用いるのには充分な溶解性を達成していなかった（特許文献４）。
【００１２】
したがって本発明では、比較的大きい溶解度を有する縮合多環芳香族化合物、並びにこのような新規な縮合多環芳香族化合物の合成及び使用方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（第１の本発明）
本発明の発明者等は、ＤＮＴＴ類似の構造を有する縮合多環芳香族化合物において、中心のヘテロ環部分に隣接する芳香族環に置換基を導入することによって、縮合多環芳香族化合物の溶解度が改良されることを見出して、第１の本発明に想到した。
【００１４】
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記式（Ｉ）で表される：
【００１５】
【化２】
【００１６】
（Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ１及びＱ２うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する置換又は非置換の縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつ隣接する２つが互いに結合して芳香族基を形成していてもよい）。
【００１７】
この式（Ｉ）で表される縮合多環芳香族化合物は、有機半導体化合物として使用することができる。
【００１８】
また、この式（Ｉ）で表される縮合多環芳香族化合物は、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環が置換基（Ｑ）を有することによって、比較的大きい溶解度を有することができる。これは、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環、すなわち縮合多環芳香族化合物の中心に近い位置に置換基が存在することによって、この化合物の結晶性が低下すること、この置換基の極性によって化合物全体の極性が大きくなること等によると考えられる。
【００１９】
なお、特許文献４の一般式は、縮合ベンゼン環の水素が置換されたＤＮＴＴについても包含しているものの、具体的には、中心部の縮合ヘテロ環から最も離れた位置が置換されたＤＮＴＴを開示しているのみであり、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環が置換された態様については具体的に開示していない。また、特許文献４では、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環が置換されたＤＮＴＴを合成する具体的な方法は開示していない。
【００２０】
また、第１の本発明は、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を用いる溶液、有機半導体膜、有機半導体デバイス等に関する。
【００２１】
（第２の本発明）
本発明の発明者等は、特定の縮合多環芳香族化合物を用いることによって、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を容易に合成できることを見出して、第２の本発明に想到した。
【００２２】
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記式（ＩＩ）で表される：
【００２３】
【化３】
【００２４】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつ隣接する２つが互いに結合して芳香族基を形成していてもよい）。
【００２５】
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物の合成のための前駆体として用いることができる。具体的には、例えば、第２の本発明の縮合多環芳香族化合物によれば、芳香族ハロゲン化物を用いる様々なカップリング方法、溝呂木・ヘック反応、根岸カップリング、右田・小杉・スティルカップリング、薗頭カップリング、鈴木・宮浦カップリング、ブッフバルト・ハートウィッグ反応、熊田・玉尾・コリューカップリングによって、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を合成することが可能になる。
【００２６】
また、この式（ＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物は、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環がハロゲン原子（Ｘ）を有することによって、比較的大きい溶解度を有することができる。これは、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環、すなわち縮合多環芳香族化合物の中心に近い位置にハロゲン基が存在することによって、この化合物の結晶性が低下しており、それによって溶解度が大きくなること、このハロゲン基の極性によって化合物全体の極性が大きくなること等によると考えられる。
【００２７】
また、第２の本発明は、第２の本発明の縮合多環芳香族化合物の合成方法及び使用方法等に関する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施例２で得られたＴＩＰＳ２置換体ＤＮＴＴについての単結晶構造解析に基づく分子構造ＯＲＴＥＰ図である。
【図２】実施例２で得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴについての結晶パッキング（ステレオ）図である。
【図３】実施例３で得られた有機半導体素子についてのＦＥＴ特性の伝達特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（定義）
本明細書の記載においては、記載を簡潔にするために、「炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基」との記載を、「アルキル基等」として表すものとする。
【００３０】
ここで、「炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基」における「芳香族基」は、ベンゼン系芳香族基、複素環基、又は非ベンゼン系芳香族基であってよい。具体的なベンゼン系芳香族基としては、ベンゼン基、及びナフタレン基を挙げることできる。また、具体的な複素環基としては、フラン基、チオフェン基、ピロール基、及びイミダゾール基を挙げることができる。また、具体的な非ベンゼン系芳香族基としては、アヌレン、及びアズレンを挙げることができる。これらの芳香族基が置換されている場合、その置換基は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族基、ケトン基、アミノ基、アミド基、イミド基、スルフィド基を挙げることができる。
【００３１】
例えば、「炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基」が、置換又は非置換のチオフェン基である場合、このチオフェン基は下記に示すように、更に置換又は非置換のチオフェン基によって置換されていてもよい：
【００３２】
【化４】
（ｕは０〜４の整数）
【００３３】
なお、チオフェン基等の芳香族基が置換されている場合の置換基は、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換の芳香族基、ケトン基、アミノ基、アミド基、イミド基、スルフィド基、及びアルキルシリルアルキニル基等であってよい。
【００３４】
また、「炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基」は、炭素原子数１〜４０のトリアルキルシリルアルキニル基、特に下記の式を有するトリアルキルシリルアルキニル基であってよい：
【００３５】
【化５】
【００３６】
（Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜１０のアルキル基、特にメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基からなる群より選択される基）。
【００３７】
本明細書の記載において、「カルコゲン」は、酸素、硫黄、セレン、テルル、及びポロニウム、特に硫黄、及びセレン、より特に硫黄を意味している。
【００３８】
本明細書の記載において、「ハロゲン」は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、及びアスタチン、特に塩素、臭素、及びヨウ素、より特に臭素を意味している。
【００３９】
本明細書の記載において、隣接する２つの基が互いに結合して形成されている「炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基」は、例えば下記の構造を有する置換又は非置換の芳香族基であってよい：
【００４０】
【化６】
【００４１】
本明細書の記載において、「求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基（Ｄ）」に関して、求ジエン型アルケンとしては、特許文献５を参照することができる。このような求ジエン型アルケンを縮合多環芳香族化合物のベンゼン環に付加させる方法については、特許文献５を参照することができる。
【００４２】
なお、特許文献５に記載のように、縮合多環芳香族化合物のベンゼン環に付加したこのような求ジエン型アルケンは、縮合多環芳香族化合物の結晶性を低下させることによって縮合多環芳香族化合物の溶解度を大きくすることができる。また、このような求ジエン型アルケンが付加した縮合多環芳香族化合物を溶液法で用いて半導体膜を製造する場合、この化合物を含有する溶液の塗膜を加熱することによって、溶液からの溶媒の除去と併せて、求ジエン型アルケンを脱離させて除去することができる。
【００４３】
具体的には、「求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基（Ｄ）」は、例えば下記式（Ｂ−１ａ）及び（Ｂ−２ａ）、特に下記式（Ｂ−１ｂ）及び（Ｂ−２ｂ）、より特に下記式（Ｂ−１ｃ）及び（Ｂ−２ｃ）の化合物を挙げることができる：
【００４４】
【化７】
【００４５】
（Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、結合、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択され、
Ｒａ及びＲｂは、互いに結合して環を形成していてもよく、
Ｒｃ及びＲｄは、互いに結合して環を形成していてもよく、
ｎは、１〜５の整数であり、且つ
Ｚは、結合（−）、酸素（−Ｏ−）、メチレン性炭素（−Ｃ（Ｒｒ）２−）、エチレン性炭素（−Ｃ（Ｒｒ）＝）、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）、窒素（−Ｎ（Ｒｒ）−）、及び硫黄（−Ｓ−）からなる群より選択され、且つｎが２又はそれよりも大きいときにはそれぞれ異なっていてもよい（Ｒｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される））。
【００４６】
より具体的には、求ジエン型アルケンとしては、下記の式（Ｂ−１−１）〜（Ｂ−２−３）の化合物を挙げることができる：
【００４７】
【化８】
【００４８】
（Ｒ及びＲｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）。
【００４９】
（第１の本発明）
（第１の本発明−縮合多環芳香族化合物）
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記式（Ｉ）で表される：
【００５０】
【化９】
【００５１】
（Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ１及びＱ２うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する置換又は非置換の縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００５２】
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物は、例えば下記式（Ｉ−１）で表される：
【００５３】
【化１０】
【００５４】
（Ｑ１〜Ｑ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ１〜Ｑ４うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００５５】
ここで、式（Ｉ−１）の化合物では、例えば、Ｑ２及びＱ３が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ２及びＱ３うちの少なくとも１つが、水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、かつＱ１及びＱ４が、水素原子である。
【００５６】
この式（Ｉ−１）の化合物は、特に、下記式（Ｉ−１−１）で表される化合物であってよい：
【００５７】
【化１１】
【００５８】
（Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜１０のアルキル基）。
【００５９】
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物は、例えば下記式（Ｉ−２）で表される：
【００６０】
【化１２】
【００６１】
（Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ１及びＱ２うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００６２】
ここで、式（Ｉ−２）の化合物では、例えば、Ｑ１及びＱ２が、それぞれ独立に、アルキル基等からなる群より選択される。
【００６３】
この式（Ｉ−２）の化合物は、特に、下記式（Ｉ−２−１）で表される化合物であってよい：
【００６４】
【化１３】
【００６５】
（Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、かつ
Ｒｒについては上記記載のとおりである）。
【００６６】
式（Ｉ）、特に式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）の化合物では、Ａ１、Ａ４、Ａ５及びＡ８が、特にＡ１〜Ａ８が水素原子であってよい。また、式（Ｉ）、特に式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）の化合物では、Ｙが、硫黄原子であってよい。
【００６７】
（第１の本発明−縮合多環芳香族化合物含有溶液）
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物含有溶液は、有機溶媒、及びこの有機溶媒に少なくとも部分的に溶解している第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を含有している。
【００６８】
この縮合多環芳香族化合物含有溶液は、任意の濃度で第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を含有することができ、例えば第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を、０．０１〜１０質量％、０．０５〜５質量％、０．１〜３質量％の濃度で含有することができる。
【００６９】
ここで用いることができる有機溶媒としては、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を劣化させずかつ溶解することができる任意の有機溶媒を挙げることができる。具体的には、この有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン（すなわち１，３，５‐トリメチルベンゼン）等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。
【００７０】
（第１の本発明−有機半導体膜の製造方法）
有機半導体膜を製造する第１の本発明の方法は、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物含有溶液を基材に塗布するステップ、及び基材に塗布された上記溶液から有機溶媒を除去するステップを含む。
【００７１】
溶液の基材への塗布は、任意の様式で行うことができ、例えばキャスト法、スピンコート法、プリント法等によって行うこと等ができる。また、溶液の基材への塗布は、単に溶液を基材に滴下して行うこともできる。
【００７２】
溶液から有機溶媒の除去は、塗布ステップと同時に行われるようにしてもよい。
【００７３】
溶液から有機溶媒の除去は、加熱によって促進することもできる。この場合、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を実質的に分解させない任意の温度、例えば８０℃以上、１００℃以上、１２０℃以上、又は１４０℃以上であって、２００℃以下、２２０℃以下、２４０℃以下、２６０℃以下の温度で加熱を行うことができる。このような加熱は例えば、溶液を塗布された基材を、加熱された電気ヒーター等の加熱された物体に直接に接触させること、加熱された炉等の加熱された領域に導入すること、赤外線、マイクロ波等の電磁波で照射すること等によって達成できる。
【００７４】
なお、付加化合物を脱離させて有機半導体膜を構成することを意図している第１の本発明の化合物、例えば例えば式（Ｉ−２）の化合物では、有機溶媒を除去するのと併せて、Ｄで表される置換基を脱離させて除去することができる。この脱離反応は加熱によって促進することができる。
【００７５】
（第１の本発明−有機半導体デバイスの製造方法）
有機半導体デバイスを製造する第１の本発明の方法は、有機半導体膜を製造する第１の本発明の方法によって有機半導体膜を製造するステップを含む。
【００７６】
またこの方法は随意に、有機半導体膜の上側又は下側に、電極層及び／又は誘電体層を形成するステップを更に含むことができる。
【００７７】
（第１の本発明−有機半導体デバイス）
第１の本発明の有機半導体デバイスは、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を含有する有機半導体膜を有する。
【００７８】
ここで、有機半導体膜が第１の本発明の化合物を含有していることは、有機半導体膜が少なくとも検知可能な量で、第１の本発明の化合物を含有していることを意味する。
【００７９】
したがって例えば、そのままの形で有機半導体膜を構成することを意図している第１の本発明の化合物、例えば式（Ｉ−１）の化合物では、この化合物が有機半導体の実質的な部分を構成しており、すなわち有機半導体膜が実質的に第１の本発明の化合物から構成されている。
【００８０】
また、付加化合物を脱離させて有機半導体膜を構成することを意図している第１の本発明の化合物、例えば例えば式（Ｉ−２）の化合物では、付加化合物が付加したままの化合物が、有機半導体の微量成分として含有されていることがある。この場合、付加化合物が付加したままの化合物のモル比は、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、１００ｐｐｍ超、１，０００ｐｐｍ超、又は１０，０００ｐｐｍ（１％）超であってよい。また、この付加化合物が付加したままの化合物の割合は、１０ｍｏｌ％以下、５ｍｏｌ％以下、３ｍｏｌ％以下、１ｍｏｌ％以下、０．１ｍｏｌ％以下、又は０．０１ｍｏｌ％以下であってよい。
【００８１】
特に本発明の有機半導体デバイスは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜によってソース電極及びドレイン電極とゲート電極とを絶縁し、且つゲート電極に印加される電圧によってソース電極からドレイン電極へと有機半導体を通って流れる電流を制御する薄膜トランジスタである。また特に本発明の有機半導体デバイスは、有機半導体膜を活性層として有する太陽電池である。なお、本発明に関して、「有機半導体デバイス」は、有機半導体膜を有するデバイスを意味しており、電極層、誘電体層等の他の層は、無機材料で作られていても、有機材料で作られていてもよい。
【００８２】
（第２の本発明）
（第２の本発明−縮合多環芳香族化合物）
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記式（ＩＩ）で表される：
【００８３】
【化１４】
【００８４】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００８５】
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、例えば下記式（ＩＩ−１）で表される：
【００８６】
【化１５】
【００８７】
（Ｘ１〜Ｘ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００８８】
ここで、式（ＩＩ−１）の化合物では、例えば、Ｘ２及びＸ３が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ２及びＸ３のうちの少なくとも１つが、ハロゲン原子であり、かつＸ１及びＸ４が、水素原子である。
【００８９】
この式（ＩＩ−１）の化合物は、特に、下記式（ＩＩ−１−１）で表される化合物であってよい：
【００９０】
【化１６】
【００９１】
この式（ＩＩ−１）の化合物は、特に、下記式（ＩＩ−１−２）で表される化合物であってよい：
【００９２】
【化１７】
【００９３】
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、例えば下記式（ＩＩ−２）で表される：
【００９４】
【化１８】
【００９５】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００９６】
ここで、式（ＩＩ−２）の化合物では、例えば、Ｘ１及びＸ２がいずれもハロゲン原子である。
【００９７】
この式（ＩＩ−２−１）の化合物は、特に、下記式（Ｉ−２−１）で表される化合物であってよい：
【００９８】
【化１９】
【００９９】
（Ｒｒについては上記記載のとおりである）。
【０１００】
式（Ｉ）、特に式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）の化合物では、Ａ１、Ａ４、Ａ５及びＡ８が、特にＡ１〜Ａ８が水素原子であってよい。また、式（Ｉ）、特に式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）の化合物では、Ｙが、硫黄原子であってよい。
【０１０１】
（第２の本発明−第２の本発明の縮合多環芳香族化合物の合成方法）
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物を合成する方法は、下記の工程を含む：
（ａ）有機溶媒及び下記式（ＩＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物を含有する組成物を提供するステップ：
【０１０２】
【化２０】
【０１０３】
（Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＥ１及びＥ２うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）、
（ｂ）上記組成物にハロゲンを添加するステップ。
【０１０４】
ここで用いることができる有機溶媒としては、下記式（ＩＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物を溶解及び／又は分散させることができる任意の有機溶媒を挙げることができる。具体的には、この有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン（すなわち１，３，５‐トリメチルベンゼン）等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。
【０１０５】
式（ＩＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物を含有する組成物へのハロゲンの添加は、任意の方法で行うことができ、例えばフッ素又は塩素はバブリングによって添加することができ、臭素、ヨウ素及びアスタチンは液体又は固体として添加することができる。また、式（ＩＩＩ）で表される化合物とハロゲンとの反応を促進するために、加熱を行ってもよい。
【０１０６】
上記式（ＩＩＩ）の化合物は、例えば下記式（ＩＩＩ−１）で表される：
【０１０７】
【化２１】
【０１０８】
（Ｅ１〜Ｅ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＥ１〜Ｅ４うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【０１０９】
ここで、式（ＩＩＩ−１）の化合物では、例えば、Ｅ１〜Ｅ４がいずれも水素原子である。
【０１１０】
上記式（ＩＩＩ）の化合物は、例えば下記式（ＩＩＩ−２）で表される：
【０１１１】
【化２２】
【０１１２】
（Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＥ１及びＥ２うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【０１１３】
ここで、式（ＩＩＩ−２）の化合物では、例えば、Ｅ１及びＥ２がいずれも水素である。
【０１１４】
この式（ＩＩＩ−２）の化合物は、特に、下記式（ＩＩＩ−２−１）で表される化合物であってよい：
【０１１５】
【化２３】
【０１１６】
（Ｒｒについては上記記載のとおりである）
【０１１７】
（第２の本発明−第２の本発明の化合物の使用方法（第１の本発明の縮合多環芳香族化合物の合成方法））
第２の本発明の使用方法、すなわち第２の本発明から第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を合成する方法は、下記の工程を含む：
（ａ）有機溶媒及び第２の本発明の縮合多環芳香族化合物を含有する組成物を提供するステップ、
（ｂ）Ｘ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つのハロゲン原子を、アルキル基等からなる群より選択される置換基によって置換するステップ。
【０１１８】
ここで用いることができる有機溶媒としては、第２の本発明の化合物、すなわち式（ＩＩ）の化合物を溶解及び／又は分散させることができる任意の有機溶媒を挙げることができる。具体的には、この有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン（すなわち１，３，５‐トリメチルベンゼン）等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。
【０１１９】
式（ＩＩ）で表される化合物のＸ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つのハロゲン原子を、アルキル基等からなる群より選択される置換基によって置換する反応は、芳香族ハロゲン化物を用いる様々なカップリング方法、溝呂木・ヘック反応、根岸カップリング、右田・小杉・スティルカップリング、薗頭カップリング、鈴木・宮浦カップリング、ブッフバルト・ハートウィッグ反応、熊田・玉尾・コリューカップリングによって行うことができる。このカップリング反応を促進するために、加熱を行ってもよい。
【０１２０】
なお、それぞれのカップリング反応の概略は下記のとおりである（Ａｒは芳香族部分、Ｘはハロゲン、Ｒは水素、アルキル基等）：
（１）溝呂木・ヘック反応
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｈ２Ｃ＝ＣＨＲ （＋ Ｐｄ触媒） → Ａｒ−ＨＣ＝ＣＨＲ
（２）根岸カップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｚｎ−Ｘ （＋ Ｐｄ触媒） → Ａｒ−Ｒ
（３）右田・小杉・スティルカップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｓｎ−Ｒ’３ （＋ Ｐｄ触媒） → Ａｒ−Ｒ
（４）薗頭カップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｈ （＋ Ｐｄ触媒） ＋ 塩基 → Ａｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ
（５）鈴木・宮浦カップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｂ（ＯＨ）２ （＋ Ｐｄ触媒） ＋ 塩基 → Ａｒ−Ｒ
（６）ブッフバルト・ハートウィッグ反応
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−ＮＨ２ （＋ Ｐｄ触媒） ＋ 塩基 → Ａｒ−ＮＨＲ
（７）熊田・玉尾・コリューカップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｍｇ−Ｘ （＋ Ｎｉ触媒） → Ａｒ−Ｒ
【実施例】
【０１２１】
以下の実施例において、目的化合物の構造は、必要に応じて、１Ｈ核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）、質量分析スペクトル（ＭＳ）、単結晶構造解析、及びゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により決定した。
【０１２２】
使用した機器は以下のとおりである。
１Ｈ−ＮＭＲ： ＪＥＯＬ ＥＣＡ−５００ （５００ＭＨｚ）
ＭＳ： Ｂｒｕｋｅｒ ＡｕｔｏｆｌｅｘＩＩＩ （ＭＡＬＤＩ）
単結晶構造解析： Ｒｉｇａｋｕ ＲＡＸＩＳ ＲＡＰＩＤＳ
ＧＰＣ： 日本分析工業株式会社 ＬＣ−９１０１（カラム：ＪＡＩＧＥＬ−２Ｈ、ＪＡＩＧＥＬ−１Ｈ）
【０１２３】
〈実施例１〉
特許文献２（特開２００８−２９０９６３号公報（日本化薬株式会社、広島大学））に示される手法により、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ（Ｄｉｎａｐｈｔｈｏｔｈｉｅｎｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））（下記構造式、ＭＷ＝３４０．４６）を合成した。
【０１２４】
【化２４】
【０１２５】
上記のＤＮＴＴ１０００ｍｇ（２．９３ｍｍｏｌ）を含有するメシチレン（すなわち１，３，５トリメチルベンゼン）１００ｍＬに、臭素（Ｂｒ２、ＭＷ＝１５９．８）２３４１ｍｇ（１４．６５ｍｍｏｌ）を加え、反応温度を４０℃に４時間保ち、その後、放冷して、臭素２置換ジナフトチエノチオフェン（Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ）（下記構造式、Ｍｗ＝４９８．２５、１４３１ｍｇ、２．８７ｍｍｏｌ、収率９８．１％）を得た。尚、反応物は、クロロホルムにより精製した。
【０１２６】
【化２５】
【０１２７】
なお、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴにおける臭素の置換位置は、実施例２におけるＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴの単結晶構造解析によるトリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基の位置により判定した。
【０１２８】
得られたＢｒ２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１２９】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．４７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．４４（ｓ，２Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．６６（ｔ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５９（ｔ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）
【０１３０】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ４９７．５１３（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：４９５．８６）
【０１３１】
〈実施例１Ａ〉
実施例１Ａでのように合成したＤＮＴＴ１００．７ｍｇ（０．２９６ｍｍｏｌ）と塩化アルミニウム１７．７ｍｇ（０．１３３ｍｍｏｌ）をフラスコに添加し、３回窒素置換を行った。次にクロロホルム５．０ｍｌを添加し、０℃に冷却した。Ｎ−クロロスクシンイミド７８．７ｍｇ（０．５８９ｍｍｏｌ）を添加し、１．５時間撹拌した。
【０１３２】
質量分析スペクトル（ＭＳ）にて原料であるＮ−クロロスクシンイミドが消失したのを確認した後、水を５．０ｍｌ添加して反応を終了した。反応生成物をろ過して、塩素２置換ジナフトチエノチオフェン（Ｃｌ２置換ＤＮＴＴ）（下記構造式、Ｍｗ＝４０９．３５、１１６．０ｍｇ、０．２８ｍｍｏｌ、収率９５．８％）を得た。尚、反応物はクロロホルムにより精製した。
【０１３３】
【化２６】
【０１３４】
得られたＣｌ２置換ＤＮＴＴについてＭＳ結果を下記に示す。
【０１３５】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ４０７．８２２（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：４０７．９６）
【０１３６】
〈実施例２〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、薗頭カップリング法により、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基の導入を行った。
【０１３７】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）５００ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）１９１．３ｍｇ、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）１３４．１ｍｇ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２０）０．７０６ｍＬ、ＣｓＣＯ３（Ｍｗ＝３２５．８２）７９１．６ｍｇ、トリイソプロピルシリルアセチレン（Ｍｗ＝１８２．３８）１．６９８ｍＬを加え、減圧脱気と窒素置換を３回行った後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｎ，Ｎ−ＤＭＦ）３５ｍＬを導入し、減圧脱気と窒素置換を再度３回行い、１２０℃で２０時間にわったって攪拌して反応を行わせた。
【０１３８】
これにより、トリイソプロピルシリルアセチレン２置換ジナフトチエノチオフェン（ＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ、下記構造式）（Ｍｗ＝７０１．１９）４７９．１ｍｇ（６８．３ｍｍｏｌ、収率６８．０％）を得た。得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．２ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０１３９】
【化２７】
【０１４０】
得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１４１】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）： δ８．６１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．４１（ｓ，２Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），７．６３（ｄｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ２Ｈ），７．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ，２Ｈ），１．４０〜１．４７（ｍ，６Ｈ），１．３４（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３６Ｈ）
【０１４２】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ７００．３（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：７００．３０）
【０１４３】
得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴについての単結晶構造解析結果を下記に示す。
【０１４４】
ａ＝８．２０４４（５）Å
ｂ＝８．４５９１（６）Å
ｃ＝１４．４８８（１）Å
α＝８８．４７５（４）°
β＝８９．３３６（３）°
γ＝８９．５５５（４）°
Ｖ＝１００５．１（１）Å３
【０１４５】
また、このＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ体についての単結晶構造解析に基づく分子構造ＯＲＴＥＰ（Ｏａｋ Ｒｉｄｇｅ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｌｌｉｐｓｏｉｄ Ｐｌｏｔ）図及び結晶パッキング（ステレオ）図を、それぞれ図１及び２に示す。
【０１４６】
〈実施例２Ａ〉
実施例２により合成したトリイソプロピルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴ（ＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ）を、水素還元して、トリイソプロピルシリルエタン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１４７】
具体的には、２００ｍｌフラスコにトリイソプロピルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝７０１．１８）３０４．６ｍｇ（０．４３ｍｍｏｌ）、トルエン６０ｍｌ、１０％Ｐｄ／Ｃ７９．２ｍｇを添加して、水素置換を３回行った。水素雰囲気下で、６０℃で１５時間攪拌して反応を行わせた。
【０１４８】
これにより、トリイソプロピルシリルエタン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝７０９．３７、２９６．１ｍｇ、０．４２ｍｍｏｌ、収率９６．１％）を得た。得られたトリイソプロピルシリルエタン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．５１ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０１４９】
【化２８】
【０１５０】
得られたトリイソプロピルシリルエタン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１５１】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．３３（ｓ，２Ｈ），７．２６（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），３．７６−３．７２（ｍ，８Ｈ），１．３９−１．３２（ｍ，６Ｈ），１．３０−１．１９（ｍ，３６Ｈ）
【０１５２】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ７０８．３２２（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：７０８．３６７）
【０１５３】
〈実施例３〉
実施例２で得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝７０１．１９）を、０．２ｗｔ％の濃度でクロロホルムに溶解させ、半導体素子作製用溶液を調整した。
【０１５４】
次に、３００ｎｍのＳｉＯ２酸化膜付ｎドープシリコンウェハー（面抵抗１−１０Ω・ｃｍ）に対して、ＵＶ−オゾン処理２０分（アイＵＶ−オゾン洗浄装置ＯＣ−２５０６１５−Ｄ＋Ａ、アイグラフィックス株式会社）を行った。また、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（（ＨＭＤＳ）１，１，１，３，３，３−ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）１０ｍｍｏｌ／トルエン溶液を調整して、この溶液中に、ＵＶオゾン処理を行ったシリコン基板を２４時間にわたって浸漬させて、シリコン基板の疎水化処理を行った。その後、真空蒸着法（サンユー電子、抵抗加熱方式蒸着装置：ＳＶＣ−７００ＴＭ／７００−２）によって、チャネル幅５０μｍ及びチャネル長１．５ｍｍのソース／ドレイン金電極を作製した。
【０１５５】
シリコン基板を４０℃に加熱しながら、チャネル部分に、半導体素子作成用溶液を滴下して溶媒を揮発させ、ＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴからなる薄層を形成した。このようにして作製した素子を、真空下において７０℃で１時間にわたって加熱処理することにより、クロロホルム溶媒を乾燥除去して、有機半導体素子を作製した。
【０１５６】
得られた有機半導体素子の有機半導体特性の測定を行ったところ、ｐ型半導体を示した。また、この有機半導体素子は、キャリア移動度が１×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ比が１０５であり、かつ閾値電圧が−２６Ｖであった。この有機半導体素子についてのＦＥＴ特性の伝達特性を、図３に示す。ここで、図３では、ドレイン電圧（ＶＤ）が−８０Ｖのときの、ドレイン電流（ＩＤ（Ａ）又はＩＤ１／２（Ａ１／２））（縦軸）とゲート電圧（ＶＧ（Ｖ））（横軸）との関係を示している。
【０１５７】
〈実施例４〉
実施例１と同様にして、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ（Ｄｉｎａｐｈｔｈｏｔｈｉｅｎｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））（ＭＷ＝３４０．４６）を合成した。
【０１５８】
上記のＤＮＴＴ５０００ｍｇ（１４．６５ｍｍｏｌ）を含有するメシチレン（すなわち１，３，５トリメチルベンゼン）５００ｍＬに、Ｎ−フェニルマレイミド（ＭＷ＝１７３．１７）１２．６８ｇ（７３．２５ｍｍｏｌ）を加え、反応温度を１６０℃に４時間保ち、その後、放冷し、分取精製して、ＤＮＴＴにＮ−フェニルマレイミドが１つ付加したジナフトチエノチオフェン−Ｎ−フェニルマレイミド１付加体（ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体、立体異性体であるＥｎｄｏ体及びＥｘｏ体の混合物）（下記構造式、Ｍｗ＝５１３．６３）、３７６ｍｇ（０．７３ｍｍｏｌ、収率４．９％）を得た。尚、反応物は、ＨＰＬＣにより立体異性体を分取し、Ｅｎｄｏ体１３２ｍｇ、及びＥｘｏ体１５１ｍｇを得た。
【０１５９】
【化２９】
【０１６０】
【化３０】
【０１６１】
上記のＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体（Ｅｘｏ体）１５１ｍｇ（０．２９ｍｍｏｌ）を含有するメシチレン５０ｍＬに、臭素（Ｂｒ２、ＭＷ＝１５９．８）２３５ｍｇ（１．４７ｍｍｏｌ）を加え、反応温度を４０℃に１間保ち、その後、放冷して、臭素２置換ジナフトチエノチオフェン−Ｎ−フェニルマレイミド１付加体（Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体）（下記構造式、Ｍｗ＝６７３．４４）１８６ｍｇ（０．２７６ｍｍｏｌ、収率９５．２％）を得た。
【０１６２】
【化３１】
【０１６３】
得られたＢｒ２置換ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ付加体についての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１６４】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）： δ８．３９（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），８．２９（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．６７（ｄｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．６４（ｄｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．４１〜７．４４（ｍ，２Ｈ），７．３１〜７．３２（ｍ，３Ｈ），７．２７〜７．２９（ｍ，２Ｈ），６．５２〜６．５４（ｍ，２Ｈ），５．２５（ｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，１Ｈ），５．２３（ｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，１Ｈ），３．５９（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ），３．５５（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ）
【０１６５】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ４９７．５１３（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：６７０．９２）
【０１６６】
なお、ＭＳでは、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体からＮ−フェニルマレイミドが脱離したＢｒ２置換ＤＮＴＴ（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：４９７．８６）が観測されたことが推定される。
【０１６７】
〈実施例５〉
実施例４により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体に対して、薗頭カップリング法により、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基の導入を行った。
【０１６８】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体（Ｍｗ＝６７３．４４）１００ｍｇ（０．１４８ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）２８．１ｍｇ、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）２０．０ｍｇ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２０）０．１１ｍＬ、トリイソプロピルシリルアセチレン（Ｍｗ＝１８２．３８）０．１ｍＬを加え、減圧脱気と窒素置換を３回行った後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｎ，Ｎ−ＤＭＦ）７ｍＬを導入し、減圧脱気と窒素置換を再度３回行い、１２０℃で２０時間にわったって攪拌して反応を行わせた。
【０１６９】
これにより、トリイソプロピルシリルアセチレン２置換ジナフトチエノチオフェン−フェニルマレイミド１付加体（ｅｘｏ体）（ＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体（ｅｘｏ体））（下記構造式、Ｍｗ＝８７６．３７）７４．９ｍｇ（８５．４ｍｍｏｌ、収率５７．７％）を得た。
【０１７０】
【化３２】
【０１７１】
得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体（ｅｘｏ体）についての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１７２】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）： δ８．５２〜８．５４（ｍ，１Ｈ），８．４３〜８．４５（ｍ，１Ｈ），７．６０〜７．６４（ｍ，２Ｈ），７．４３〜７．４６（ｍ，２Ｈ），７．３１〜７．３３（ｍ，３Ｈ），７．２５〜７．２９（ｍ，２Ｈ），６．５２〜６．５４（ｍ，２Ｈ），５．２９（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，１Ｈ），５．２１（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，１Ｈ），３．６２（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ），３．５６（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ），１．３６〜１．４３（ｍ，６Ｈ），１．３１（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，１２Ｈ），１．３０（ｄ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，２４Ｈ）
【０１７３】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ８７３．０７８（Ｅｘａｃｔ Ｍａｓｓ：８７５．３７）
【０１７４】
〈実施例６〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、薗頭カップリング法により、１−デシンを反応させ、１−デシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１７５】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１０００ｍｇ（２．０１ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）７６１．１ｍｇ（１．０８ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）５７７ｍｇ（３．０３ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（Ｍｗ＝３２５．８）３．２０ｇ（９．８２ｍｍｏｌ）を添加して減圧脱気と窒素置換を５回行った。
【０１７６】
その後、ジメチルホルムアミド７０ｍｌ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２，ｄ＝０．７２ｇ／ｃｍ３）１．４１ｍｌ（１０．０ｍｍｏｌ）、１−デシン（Ｍｗ＝１３８．２５，ｄ＝０．７７ｇ／ｃｍ３）２．７８ｍｌ（１５．４ｍｍｏｌ）を添加し、減圧脱気と窒素置換を再度５回行い、１２０℃で１５．５時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０１７７】
これにより、１−デシン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝６１２．９３、２０．５ｍｇ、０．０３３ｍｍｏｌ、収率１．６％）を得た。得られた１−デシン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、２．３ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０１７８】
【化３３】
【０１７９】
得られた１−デシン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１８０】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．４５（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．２５（ｓ，２Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５４（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．９Ｈｚ，２Ｈ），７．４８（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．９Ｈｚ，２Ｈ），２．８１（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．９０（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．６５（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．３１−１．４８（ｍ，１６Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ）
【０１８１】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ６１２．２８４（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：６１２．２８８）
【０１８２】
〈実施例７〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、薗頭カップリング法により、１−テトラデシンを反応させ、１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１８３】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１０００ｍｇ（２．０１ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）８３０．０ｍｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）５９０．０ｍｇ（３．１２ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（Ｍｗ＝３２５．８）１．６２ｇ（４．９８ｍｍｏｌ）を加え、減圧脱気と窒素置換を５回行った。
【０１８４】
その後、ジメチルホルムアミド７０ｍｌ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２，ｄ＝０．７２ｇ／ｃｍ３）１．４１ｍｌ（１０．０ｍｍｏｌ）、１−テトラデシン（Ｍｗ＝１９４．３６，ｄ＝０．７９ｇ／ｃｍ３）４．１９ｍｌ（１７．０ｍｍｏｌ）を添加し、減圧脱気と窒素置換を再度５回行い、１２０℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０１８５】
これにより、１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝６１２．９３、１５６．０４ｍｇ、０．２０７ｍｍｏｌ、収率１０．３％）を得た。得られた１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、６．５ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０１８６】
【化３４】
【０１８７】
得られた１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１８８】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．３８（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．１４（ｓ，２Ｈ），７．７８（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．４８（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，２Ｈ），７．４２（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，２Ｈ），２．７６（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．８６（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．６２（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．２４−１．４６（ｍ，３２Ｈ），０．８６（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ）
【０１８９】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ７２４．４１１（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：７２４．４１４）
【０１９０】
〈実施例７Ａ〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、実施例７で用いた薗頭カップリング法の代わりに根岸カップリングを用いて、１−テトラデシンを反応させ、１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１９１】
具体的には、１０ｍｌフラスコに、１−テトラデシン（Ｍｗ＝１９４．３６，ｄ＝０．７９ｇ／ｃｍ３）０．２１ｍｌ（０．８５ｍｍｏｌ）、トルエン３．５ｍｌを添加して減圧脱気と窒素置換を３回行った。０℃まで冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液を０．５３ｍｌ（０．８５９ｍｍｏｌ）添加した後、室温まで昇温した。
【０１９２】
ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）２１５．３ｍｇ（０．８５３ｍｍｏｌ）、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）５０ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）３５．２ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０１９３】
これにより、１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴ（上記構造式、Ｍｗ＝６１２．９３、８．９ｍｇ、０．０１２ｍｍｏｌ、収率１２．２％）を得た。
【０１９４】
〈実施例８〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、薗頭カップリング法により、１−オクタデシンを反応させ、１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１９５】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１０１０ｍｇ（２．０２ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）８２０．０ｍｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）５９０．０ｍｇ（３．１２ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（Ｍｗ＝３２５．８）１．５８ｇ（４．８５ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を５回行った。
【０１９６】
その後、ジメチルホルムアミド７０ｍｌ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２，ｄ＝０．７２ｇ／ｃｍ３）１．４１ｍｌ（１０．０ｍｍｏｌ）、１−オクタデシン（Ｍｗ＝２５０．４６，ｄ＝０．７９ｇ／ｃｍ３）５．３４ｍｌ（１６．８ｍｍｏｌ）を添加し、減圧脱気と窒素置換を再度５回行い、１２０℃で１４時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０１９７】
これにより、１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝８３６．５４、５４．２ｍｇ、０．０６４ｍｍｏｌ、収率３．２％）を得た。
【０１９８】
【化３５】
【０１９９】
〈実施例８Ａ〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、実施例８で用いた薗頭カップリング法の代わりに根岸カップリングを用いて、１−オクタデシンを反応させ、１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２００】
具体的には、１０ｍｌフラスコに、１−オクタデシン（Ｍｗ＝２５０．４６，ｄ＝０．８０ｇ／ｃｍ３）０．２６ｍｌ（０．８５ｍｍｏｌ）、トルエン３．５ｍｌを添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。０℃まで冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液を０．５３ｍｌ（０．８５９ｍｍｏｌ）添加した後、室温まで昇温した。
【０２０１】
ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）２１６．１ｍｇ（０．８５６ｍｍｏｌ）、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）４９．７ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）３５．６ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０２０２】
これにより、１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴ（上記構造式、Ｍｗ＝８３６．５４、３．８ｍｇ、０．００４ｍｍｏｌ、収率４．５％）を得た。得られた１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、１．６７ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２０３】
得られた１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲおよびＭＳ結果を下記に示す。
【０２０４】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．４８（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．３０（ｓ，２Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５６（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，２Ｈ），７．５１（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８３（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．９１（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，２Ｈ），１．６６（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，２Ｈ），１．２４−１．４６（ｍ，４８Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ）
【０２０５】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ８３６．５３９（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：８３６．５３７）
【０２０６】
〈実施例９〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、根岸カップリング法により、トリメチルシリルアセチレン（ＴＭＳ）を反応させ、ＴＭＳ２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２０７】
２００ｍｌフラスコに、トリメチルシリルアセチレン（Ｍｗ＝９８．２２，ｄ＝０．７０ｇ／ｃｍ３）１．６８ｇ（１７．１０ｍｍｏｌ）、トルエン７０ｍｌ添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。０℃まで冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液１０．３ｍｌ（１６．６８ｍｍｏｌ）を添加した後、室温まで昇温した。
【０２０８】
ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）４．３１ｇ（１７．０６ｍｍｏｌ）、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１．０ｇ（２．００ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）７０２．５ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０２０９】
これにより、トリメチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴ（ＴＭＳ２置換ＤＮＴＴ）（下記構造式、Ｍｗ＝５３２．８７、５３６．３０ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ、収率５０．１％）を得た。得られたトリメチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．０５ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２１０】
【化３６】
【０２１１】
得られたＴＭＳ２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０２１２】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．５３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．４３（ｓ，２Ｈ），７．９６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．６３（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），０．５２（ｓ，１８Ｈ）
【０２１３】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ５３２．００８（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：５３２．１１１）
【０２１４】
〈実施例１０〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、根岸カップリング法により、トリエチルシリルアセチレン（ＴＥＳ）を反応させ、ＴＥＳ２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２１５】
２００ｍｌフラスコにトリエチルシリルアセチレン（Ｍｗ＝１４０．３０，ｄ＝０．７８ｇ／ｃｍ３）２．２５ｇ（１６．０３ｍｍｏｌ）、トルエン７０ｍｌを添加して減圧脱気と窒素置換を３回行った。０℃まで冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液を１０．３ｍｌ（１６．６８ｍｍｏｌ）添加した後、室温まで昇温した。
【０２１６】
ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）４．３１ｇ（１７．０６ｍｍｏｌ）、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１．０ｇ（２．００ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）７０４．８ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０２１７】
これにより、トリエチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴ（ＴＥＳ２置換ＤＮＴＴ）（下記構造式、Ｍｗ＝６１７．０３、３２１．４０ｍｇ、０．５２ｍｍｏｌ、収率２６．０％）を得た。得られたトリエチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．１０ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２１８】
【化３７】
【０２１９】
得られたＴＥＳ２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０２２０】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．５６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．４２（ｓ，２Ｈ），７．９６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．６３（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），１．２５（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１８Ｈ），０．９４−０．９８（ｍ，１２Ｈ）
【０２２１】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ６１６．０５７（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：６１６．２１１）
【０２２２】
〈実施例１１〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、スティルカップリング法により、チオフェンを反応させ、チオフェン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２２３】
１００ｍｌのフラスコに、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）５００ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２（Ｍｗ＝７０１．９０）３５１．６ｍｇ（０．５０１ｍｍｏｌ）、トリブチル（２−チエニル）スズ（Ｍｗ＝３７３．１８）３．２３ｇ（８．６４ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン３５ｍｌを、添加した。窒素置換を３回行い、１００℃で終夜攪拌した。
【０２２４】
ＭＡＬＤＩからＢｒ２置換ＤＮＴＴのピークが消失したことを確認した後で、室温まで冷却した。クロロホルム及び水を添加し、沈殿物をろ過した。ろ液から溶媒を留去し、ろ液からのみＭＳにて目的物ピークが確認された。黒色オイル状物質にエーテルを１０ｍｌ加え２回洗浄した。固体をろ過し、暗緑色固体を得た。その後、この暗緑色固体をカラムで精製して、黄色固体として生成物を得た。
【０２２５】
チオフェン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝５０４．７１、１５８．８０ｍｇ、０．３１ｍｍｏｌ、収率３１．４％）を得た。得られたトリエチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．１３ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２２６】
【化３８】
【０２２７】
得られたチオフェン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０２２８】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．３１（ｓ，２Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝６．５，２Ｈ），７．８７（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ），７．７６（ｄｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１．０Ｈｚ，２Ｈ），７．５２−７．４９（ｍ，２Ｈ），７．４７−７．４６（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．４１（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．２６（ｍ，２Ｈ）
【０２２９】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ５０３．８３８（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：５０４．０１３）
【０２３０】
〈実施例１２〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、根岸カップリング法により、１−ブロモデカンを反応させ、デカン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２３１】
具体的には、１０ｍｌフラスコに、マグネシウム５４８．２ｍｇ（２２．５ｍｍｏｌ）を添加し、減圧脱気と窒素置換を３回行った。ＴＨＦ２．５ｍｌ、１−ブロモデカン（Ｍｗ＝２２１．１８，ｄ＝１．０７ｇ／ｃｍ３）４．３９ｍｌ（２１．３ｍｍｏｌ）を添加し、攪拌しながら６０℃で１時間還流した。
【０２３２】
室温まで冷却後、トルエン１００ｍｌ、ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）５．３２ｇ（２１．３１ｍｍｏｌ）を添加し、１０分攪拌した。Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１．２５ｇ（２．５０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）８８１．５ｍｇ（１．２５ｍｍｏｌ）、トルエン７７．５ｍｌを添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０２３３】
これにより、デカン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝６２０．９９、４４．３ｍｇ、０．０８９ｍｍｏｌ、収率２．８％）を得た。得られたデカン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．０５ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２３４】
【化３９】
【０２３５】
得られたデカン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０２３６】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．３３（ｓ，２Ｈ），８．２６（ｄ，Ｊ＝８．３０Ｈｚ，２Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５６（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），３．６７−３．６４（ｍ，４Ｈ），１．９３−１．８６（ｍ，４Ｈ），１．７６−１．７１（ｍ，４Ｈ），１．４９−１．４５（ｍ，４Ｈ），１．４１−１．２９（ｍ，２０Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）
【０２３７】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ６２０．０８３（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：６２０．２８８）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な縮合多環芳香族化合物に関する。また、本発明はこのような新規な縮合多環芳香族化合物の合成及び使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体化合物は、有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機キャリア輸送層、有機発光デバイス等のための有機半導体層への利用に関して、様々な研究がなされている。特に、有機半導体化合物からなる有機半導体層を有する薄膜トランジスタは、低コスト且つ軽量のデバイスとして、現在のシリコンベーストランジスタを代替することが期待されている。また、有機半導体層は、軽量で且つフレキシブルであること等、有機材料に特有の利点を活用することで、スマートタグ、軽量ディスプレイ等への応用も期待されている。
【０００３】
したがって、有機半導体層を形成するための有機半導体化合物に関しては多くの研究がなされている（特許文献１〜５、並びに非特許文献１〜３）。
【０００４】
これらの有機半導体化合物のなかでも、縮合多環芳香族化合物、特に下記の式で表されるジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）、又はその置換体若しくは類似の構造を有する縮合多環芳香族化合物が、材料の安定性、キャリアの移動度の半導体特性等に関して好ましいことが分かってきている。
【０００５】
【化１】
【０００６】
しかしながら、縮合多環芳香族化合物は、芳香族性が強く、結晶性が高いことから、有機溶媒等への溶解性がきわめて低く、塗布法で用いることが困難であった。したがって、縮合多環芳香族化合物を用いて有機半導体膜を得る場合には、蒸着法によって、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体薄膜を得ることが一般的であった。
【０００７】
また、上記のＤＮＴＴは、縮合環の数が少ないことによって有機溶媒に対するわずかな溶解性を有しているものの、それでもなお、産業的に溶液法で用いるのには充分な溶解性を達成していなかった（特許文献４）。
【０００８】
なお、ＤＮＴＴのような縮合多環芳香族化合物を塗布法で用いて有機半導体薄膜を得るために、溶解度が大きく且つ分解してこのような縮合多環芳香族化合物を生成する前駆体を用いることも提案されている（特許文献５、非特許文献２及び３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−８９４１３号公報
【特許文献２】特開２００８−２９０９６３号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２００６／０７７８８８号公報
【特許文献４】国際公開ＷＯ２００８／０５０７２６号公報
【特許文献５】国際公開ＷＯ２０１１／０２４８０４号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】“Ｆａｃｉｌｅ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｈｉｇｈｌｙ π−Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｈｅｔｅｒｏａｒｅｎｅｓ， Ｄｉｎａｐｈｔｈｏ［２，３−ｂ：２‘，３‘−ｆ］ｃｈａｌｃｏｇｅｎｏｐｈｅｎｏ［３，２−ｂ］ｃｈａｌｃｏｇｅｎｏｐｈｅｎｅｓ， ａｎｄ Ｔｈｅｉｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｔｏ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ”， Ｔａｔｓｕｙａ Ｙａｍａｍｏｔｏ， ａｎｄ Ｋａｚｕｏ Ｔａｋｉｍｉｙａ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， ２００７， １２９ （８）， ｐｐ ２２２４−２２２５
【非特許文献２】Ｈ． Ｕｎｏ ｅｔ ａ１．， Ｐｈｏｔｏｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ｆｏｒ ｐｅｎｔａｃｅｎｅ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ２００５， Ｖｏｌ．４６， Ｎｏ．１２， ＰＰ．１９８１−１９８３
【非特許文献３】ＷＡＮＧ， Ｙ． ｅｔａ１， Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ， ａｎｄ ｒｅａｃｔｉｏｎｓｏｆ ６，１３−ｄｉｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ ２， ３， ９， １０−ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙ１）ｐｅｎｔａｃｅｎｅ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ， ２００７， Ｖｏ１． ６３， Ｎｏ． ３５， ｐｐ． ８５８６−８５９７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記記載のように、ＤＮＴＴは、縮合環の数が少ないことによって有機溶媒に対するわずかな溶解性を有しているものの、それでもなお、産業的に溶液法で用いるのには充分な溶解性を達成していなかった（特許文献４）。
【００１２】
したがって本発明では、比較的大きい溶解度を有する縮合多環芳香族化合物、並びにこのような新規な縮合多環芳香族化合物の合成及び使用方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（第１の本発明）
本発明の発明者等は、ＤＮＴＴ類似の構造を有する縮合多環芳香族化合物において、中心のヘテロ環部分に隣接する芳香族環に置換基を導入することによって、縮合多環芳香族化合物の溶解度が改良されることを見出して、第１の本発明に想到した。
【００１４】
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記式（Ｉ）で表される：
【００１５】
【化２】
【００１６】
（Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ１及びＱ２うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する置換又は非置換の縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつ隣接する２つが互いに結合して芳香族基を形成していてもよい）。
【００１７】
この式（Ｉ）で表される縮合多環芳香族化合物は、有機半導体化合物として使用することができる。
【００１８】
また、この式（Ｉ）で表される縮合多環芳香族化合物は、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環が置換基（Ｑ）を有することによって、比較的大きい溶解度を有することができる。これは、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環、すなわち縮合多環芳香族化合物の中心に近い位置に置換基が存在することによって、この化合物の結晶性が低下すること、この置換基の極性によって化合物全体の極性が大きくなること等によると考えられる。
【００１９】
なお、特許文献４の一般式は、縮合ベンゼン環の水素が置換されたＤＮＴＴについても包含しているものの、具体的には、中心部の縮合ヘテロ環から最も離れた位置が置換されたＤＮＴＴを開示しているのみであり、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環が置換された態様については具体的に開示していない。また、特許文献４では、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環が置換されたＤＮＴＴを合成する具体的な方法は開示していない。
【００２０】
また、第１の本発明は、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を用いる溶液、有機半導体膜、有機半導体デバイス等に関する。
【００２１】
（第２の本発明）
本発明の発明者等は、特定の縮合多環芳香族化合物を用いることによって、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を容易に合成できることを見出して、第２の本発明に想到した。
【００２２】
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記式（ＩＩ）で表される：
【００２３】
【化３】
【００２４】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつ隣接する２つが互いに結合して芳香族基を形成していてもよい）。
【００２５】
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物の合成のための前駆体として用いることができる。具体的には、例えば、第２の本発明の縮合多環芳香族化合物によれば、芳香族ハロゲン化物を用いる様々なカップリング方法、溝呂木・ヘック反応、根岸カップリング、右田・小杉・スティルカップリング、薗頭カップリング、鈴木・宮浦カップリング、ブッフバルト・ハートウィッグ反応、熊田・玉尾・コリューカップリングによって、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を合成することが可能になる。
【００２６】
また、この式（ＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物は、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環がハロゲン原子（Ｘ）を有することによって、比較的大きい溶解度を有することができる。これは、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環、すなわち縮合多環芳香族化合物の中心に近い位置にハロゲン基が存在することによって、この化合物の結晶性が低下しており、それによって溶解度が大きくなること、このハロゲン基の極性によって化合物全体の極性が大きくなること等によると考えられる。
【００２７】
また、第２の本発明は、第２の本発明の縮合多環芳香族化合物の合成方法及び使用方法等に関する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施例２で得られたＴＩＰＳ２置換体ＤＮＴＴについての単結晶構造解析に基づく分子構造ＯＲＴＥＰ図である。
【図２】実施例２で得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴについての結晶パッキング（ステレオ）図である。
【図３】実施例３で得られた有機半導体素子についてのＦＥＴ特性の伝達特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（定義）
本明細書の記載においては、記載を簡潔にするために、「炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基」との記載を、「アルキル基等」として表すものとする。
【００３０】
ここで、「炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基」における「芳香族基」は、ベンゼン系芳香族基、複素環基、又は非ベンゼン系芳香族基であってよい。具体的なベンゼン系芳香族基としては、ベンゼン基、及びナフタレン基を挙げることできる。また、具体的な複素環基としては、フラン基、チオフェン基、ピロール基、及びイミダゾール基を挙げることができる。また、具体的な非ベンゼン系芳香族基としては、アヌレン、及びアズレンを挙げることができる。これらの芳香族基が置換されている場合、その置換基は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族基、ケトン基、アミノ基、アミド基、イミド基、スルフィド基を挙げることができる。
【００３１】
例えば、「炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基」が、置換又は非置換のチオフェン基である場合、このチオフェン基は下記に示すように、更に置換又は非置換のチオフェン基によって置換されていてもよい：
【００３２】
【化４】
（ｕは０〜４の整数）
【００３３】
なお、チオフェン基等の芳香族基が置換されている場合の置換基は、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換の芳香族基、ケトン基、アミノ基、アミド基、イミド基、スルフィド基、及びアルキルシリルアルキニル基等であってよい。
【００３４】
また、「炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基」は、炭素原子数１〜４０のトリアルキルシリルアルキニル基、特に下記の式を有するトリアルキルシリルアルキニル基であってよい：
【００３５】
【化５】
【００３６】
（Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜１０のアルキル基、特にメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基からなる群より選択される基）。
【００３７】
本明細書の記載において、「カルコゲン」は、酸素、硫黄、セレン、テルル、及びポロニウム、特に硫黄、及びセレン、より特に硫黄を意味している。
【００３８】
本明細書の記載において、「ハロゲン」は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、及びアスタチン、特に塩素、臭素、及びヨウ素、より特に臭素を意味している。
【００３９】
本明細書の記載において、隣接する２つの基が互いに結合して形成されている「炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基」は、例えば下記の構造を有する置換又は非置換の芳香族基であってよい：
【００４０】
【化６】
【００４１】
本明細書の記載において、「求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基（Ｄ）」に関して、求ジエン型アルケンとしては、特許文献５を参照することができる。このような求ジエン型アルケンを縮合多環芳香族化合物のベンゼン環に付加させる方法については、特許文献５を参照することができる。
【００４２】
なお、特許文献５に記載のように、縮合多環芳香族化合物のベンゼン環に付加したこのような求ジエン型アルケンは、縮合多環芳香族化合物の結晶性を低下させることによって縮合多環芳香族化合物の溶解度を大きくすることができる。また、このような求ジエン型アルケンが付加した縮合多環芳香族化合物を溶液法で用いて半導体膜を製造する場合、この化合物を含有する溶液の塗膜を加熱することによって、溶液からの溶媒の除去と併せて、求ジエン型アルケンを脱離させて除去することができる。
【００４３】
具体的には、「求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基（Ｄ）」は、例えば下記式（Ｂ−１ａ）及び（Ｂ−２ａ）、特に下記式（Ｂ−１ｂ）及び（Ｂ−２ｂ）、より特に下記式（Ｂ−１ｃ）及び（Ｂ−２ｃ）の化合物を挙げることができる：
【００４４】
【化７】
【００４５】
（Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、結合、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択され、
Ｒａ及びＲｂは、互いに結合して環を形成していてもよく、
Ｒｃ及びＲｄは、互いに結合して環を形成していてもよく、
ｎは、１〜５の整数であり、且つ
Ｚは、結合（−）、酸素（−Ｏ−）、メチレン性炭素（−Ｃ（Ｒｒ）２−）、エチレン性炭素（−Ｃ（Ｒｒ）＝）、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）、窒素（−Ｎ（Ｒｒ）−）、及び硫黄（−Ｓ−）からなる群より選択され、且つｎが２又はそれよりも大きいときにはそれぞれ異なっていてもよい（Ｒｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される））。
【００４６】
より具体的には、求ジエン型アルケンとしては、下記の式（Ｂ−１−１）〜（Ｂ−２−３）の化合物を挙げることができる：
【００４７】
【化８】
【００４８】
（Ｒ及びＲｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）。
【００４９】
（第１の本発明）
（第１の本発明−縮合多環芳香族化合物）
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記式（Ｉ）で表される：
【００５０】
【化９】
【００５１】
（Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ１及びＱ２うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する置換又は非置換の縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００５２】
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物は、例えば下記式（Ｉ−１）で表される：
【００５３】
【化１０】
【００５４】
（Ｑ１〜Ｑ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ１〜Ｑ４うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００５５】
ここで、式（Ｉ−１）の化合物では、例えば、Ｑ２及びＱ３が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ２及びＱ３うちの少なくとも１つが、水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、かつＱ１及びＱ４が、水素原子である。
【００５６】
この式（Ｉ−１）の化合物は、特に、下記式（Ｉ−１−１）で表される化合物であってよい：
【００５７】
【化１１】
【００５８】
（Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜１０のアルキル基）。
【００５９】
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物は、例えば下記式（Ｉ−２）で表される：
【００６０】
【化１２】
【００６１】
（Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＱ１及びＱ２うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００６２】
ここで、式（Ｉ−２）の化合物では、例えば、Ｑ１及びＱ２が、それぞれ独立に、アルキル基等からなる群より選択される。
【００６３】
この式（Ｉ−２）の化合物は、特に、下記式（Ｉ−２−１）で表される化合物であってよい：
【００６４】
【化１３】
【００６５】
（Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、かつ
Ｒｒについては上記記載のとおりである）。
【００６６】
式（Ｉ）、特に式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）の化合物では、Ａ１、Ａ４、Ａ５及びＡ８が、特にＡ１〜Ａ８が水素原子であってよい。また、式（Ｉ）、特に式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）の化合物では、Ｙが、硫黄原子であってよい。
【００６７】
（第１の本発明−縮合多環芳香族化合物含有溶液）
第１の本発明の縮合多環芳香族化合物含有溶液は、有機溶媒、及びこの有機溶媒に少なくとも部分的に溶解している第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を含有している。
【００６８】
この縮合多環芳香族化合物含有溶液は、任意の濃度で第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を含有することができ、例えば第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を、０．０１〜１０質量％、０．０５〜５質量％、０．１〜３質量％の濃度で含有することができる。
【００６９】
ここで用いることができる有機溶媒としては、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を劣化させずかつ溶解することができる任意の有機溶媒を挙げることができる。具体的には、この有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン（すなわち１，３，５‐トリメチルベンゼン）等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。
【００７０】
（第１の本発明−有機半導体膜の製造方法）
有機半導体膜を製造する第１の本発明の方法は、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物含有溶液を基材に塗布するステップ、及び基材に塗布された上記溶液から有機溶媒を除去するステップを含む。
【００７１】
溶液の基材への塗布は、任意の様式で行うことができ、例えばキャスト法、スピンコート法、プリント法等によって行うこと等ができる。また、溶液の基材への塗布は、単に溶液を基材に滴下して行うこともできる。
【００７２】
溶液から有機溶媒の除去は、塗布ステップと同時に行われるようにしてもよい。
【００７３】
溶液から有機溶媒の除去は、加熱によって促進することもできる。この場合、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を実質的に分解させない任意の温度、例えば８０℃以上、１００℃以上、１２０℃以上、又は１４０℃以上であって、２００℃以下、２２０℃以下、２４０℃以下、２６０℃以下の温度で加熱を行うことができる。このような加熱は例えば、溶液を塗布された基材を、加熱された電気ヒーター等の加熱された物体に直接に接触させること、加熱された炉等の加熱された領域に導入すること、赤外線、マイクロ波等の電磁波で照射すること等によって達成できる。
【００７４】
なお、付加化合物を脱離させて有機半導体膜を構成することを意図している第１の本発明の化合物、例えば例えば式（Ｉ−２）の化合物では、有機溶媒を除去するのと併せて、Ｄで表される置換基を脱離させて除去することができる。この脱離反応は加熱によって促進することができる。
【００７５】
（第１の本発明−有機半導体デバイスの製造方法）
有機半導体デバイスを製造する第１の本発明の方法は、有機半導体膜を製造する第１の本発明の方法によって有機半導体膜を製造するステップを含む。
【００７６】
またこの方法は随意に、有機半導体膜の上側又は下側に、電極層及び／又は誘電体層を形成するステップを更に含むことができる。
【００７７】
（第１の本発明−有機半導体デバイス）
第１の本発明の有機半導体デバイスは、第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を含有する有機半導体膜を有する。
【００７８】
ここで、有機半導体膜が第１の本発明の化合物を含有していることは、有機半導体膜が少なくとも検知可能な量で、第１の本発明の化合物を含有していることを意味する。
【００７９】
したがって例えば、そのままの形で有機半導体膜を構成することを意図している第１の本発明の化合物、例えば式（Ｉ−１）の化合物では、この化合物が有機半導体の実質的な部分を構成しており、すなわち有機半導体膜が実質的に第１の本発明の化合物から構成されている。
【００８０】
また、付加化合物を脱離させて有機半導体膜を構成することを意図している第１の本発明の化合物、例えば例えば式（Ｉ−２）の化合物では、付加化合物が付加したままの化合物が、有機半導体の微量成分として含有されていることがある。この場合、付加化合物が付加したままの化合物のモル比は、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、１００ｐｐｍ超、１，０００ｐｐｍ超、又は１０，０００ｐｐｍ（１％）超であってよい。また、この付加化合物が付加したままの化合物の割合は、１０ｍｏｌ％以下、５ｍｏｌ％以下、３ｍｏｌ％以下、１ｍｏｌ％以下、０．１ｍｏｌ％以下、又は０．０１ｍｏｌ％以下であってよい。
【００８１】
特に本発明の有機半導体デバイスは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜によってソース電極及びドレイン電極とゲート電極とを絶縁し、且つゲート電極に印加される電圧によってソース電極からドレイン電極へと有機半導体を通って流れる電流を制御する薄膜トランジスタである。また特に本発明の有機半導体デバイスは、有機半導体膜を活性層として有する太陽電池である。なお、本発明に関して、「有機半導体デバイス」は、有機半導体膜を有するデバイスを意味しており、電極層、誘電体層等の他の層は、無機材料で作られていても、有機材料で作られていてもよい。
【００８２】
（第２の本発明）
（第２の本発明−縮合多環芳香族化合物）
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記式（ＩＩ）で表される：
【００８３】
【化１４】
【００８４】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００８５】
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、例えば下記式（ＩＩ−１）で表される：
【００８６】
【化１５】
【００８７】
（Ｘ１〜Ｘ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００８８】
ここで、式（ＩＩ−１）の化合物では、例えば、Ｘ２及びＸ３が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ２及びＸ３のうちの少なくとも１つが、ハロゲン原子であり、かつＸ１及びＸ４が、水素原子である。
【００８９】
この式（ＩＩ−１）の化合物は、特に、下記式（ＩＩ−１−１）で表される化合物であってよい：
【００９０】
【化１６】
【００９１】
この式（ＩＩ−１）の化合物は、特に、下記式（ＩＩ−１−２）で表される化合物であってよい：
【００９２】
【化１７】
【００９３】
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物は、例えば下記式（ＩＩ−２）で表される：
【００９４】
【化１８】
【００９５】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【００９６】
ここで、式（ＩＩ−２）の化合物では、例えば、Ｘ１及びＸ２がいずれもハロゲン原子である。
【００９７】
この式（ＩＩ−２−１）の化合物は、特に、下記式（Ｉ−２−１）で表される化合物であってよい：
【００９８】
【化１９】
【００９９】
（Ｒｒについては上記記載のとおりである）。
【０１００】
式（Ｉ）、特に式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）の化合物では、Ａ１、Ａ４、Ａ５及びＡ８が、特にＡ１〜Ａ８が水素原子であってよい。また、式（Ｉ）、特に式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）の化合物では、Ｙが、硫黄原子であってよい。
【０１０１】
（第２の本発明−第２の本発明の縮合多環芳香族化合物の合成方法）
第２の本発明の縮合多環芳香族化合物を合成する方法は、下記の工程を含む：
（ａ）有機溶媒及び下記式（ＩＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物を含有する組成物を提供するステップ：
【０１０２】
【化２０】
【０１０３】
（Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＥ１及びＥ２うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）、
（ｂ）上記組成物にハロゲンを添加するステップ。
【０１０４】
ここで用いることができる有機溶媒としては、下記式（ＩＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物を溶解及び／又は分散させることができる任意の有機溶媒を挙げることができる。具体的には、この有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン（すなわち１，３，５‐トリメチルベンゼン）等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。
【０１０５】
式（ＩＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物を含有する組成物へのハロゲンの添加は、任意の方法で行うことができ、例えばフッ素又は塩素はバブリングによって添加することができ、臭素、ヨウ素及びアスタチンは液体又は固体として添加することができる。また、式（ＩＩＩ）で表される化合物とハロゲンとの反応を促進するために、加熱を行ってもよい。
【０１０６】
上記式（ＩＩＩ）の化合物は、例えば下記式（ＩＩＩ−１）で表される：
【０１０７】
【化２１】
【０１０８】
（Ｅ１〜Ｅ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＥ１〜Ｅ４うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【０１０９】
ここで、式（ＩＩＩ−１）の化合物では、例えば、Ｅ１〜Ｅ４がいずれも水素原子である。
【０１１０】
上記式（ＩＩＩ）の化合物は、例えば下記式（ＩＩＩ−２）で表される：
【０１１１】
【化２２】
【０１１２】
（Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＥ１及びＥ２うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【０１１３】
ここで、式（ＩＩＩ−２）の化合物では、例えば、Ｅ１及びＥ２がいずれも水素である。
【０１１４】
この式（ＩＩＩ−２）の化合物は、特に、下記式（ＩＩＩ−２−１）で表される化合物であってよい：
【０１１５】
【化２３】
【０１１６】
（Ｒｒについては上記記載のとおりである）
【０１１７】
（第２の本発明−第２の本発明の化合物の使用方法（第１の本発明の縮合多環芳香族化合物の合成方法））
第２の本発明の使用方法、すなわち第２の本発明から第１の本発明の縮合多環芳香族化合物を合成する方法は、下記の工程を含む：
（ａ）有機溶媒及び第２の本発明の縮合多環芳香族化合物を含有する組成物を提供するステップ、
（ｂ）Ｘ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つのハロゲン原子を、アルキル基等からなる群より選択される置換基によって置換するステップ。
【０１１８】
ここで用いることができる有機溶媒としては、第２の本発明の化合物、すなわち式（ＩＩ）の化合物を溶解及び／又は分散させることができる任意の有機溶媒を挙げることができる。具体的には、この有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン（すなわち１，３，５‐トリメチルベンゼン）等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。
【０１１９】
式（ＩＩ）で表される化合物のＸ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つのハロゲン原子を、アルキル基等からなる群より選択される置換基によって置換する反応は、芳香族ハロゲン化物を用いる様々なカップリング方法、溝呂木・ヘック反応、根岸カップリング、右田・小杉・スティルカップリング、薗頭カップリング、鈴木・宮浦カップリング、ブッフバルト・ハートウィッグ反応、熊田・玉尾・コリューカップリングによって行うことができる。このカップリング反応を促進するために、加熱を行ってもよい。
【０１２０】
なお、それぞれのカップリング反応の概略は下記のとおりである（Ａｒは芳香族部分、Ｘはハロゲン、Ｒは水素、アルキル基等）：
（１）溝呂木・ヘック反応
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｈ２Ｃ＝ＣＨＲ （＋ Ｐｄ触媒） → Ａｒ−ＨＣ＝ＣＨＲ
（２）根岸カップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｚｎ−Ｘ （＋ Ｐｄ触媒） → Ａｒ−Ｒ
（３）右田・小杉・スティルカップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｓｎ−Ｒ’３ （＋ Ｐｄ触媒） → Ａｒ−Ｒ
（４）薗頭カップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｈ （＋ Ｐｄ触媒） ＋ 塩基 → Ａｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ
（５）鈴木・宮浦カップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｂ（ＯＨ）２ （＋ Ｐｄ触媒） ＋ 塩基 → Ａｒ−Ｒ
（６）ブッフバルト・ハートウィッグ反応
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−ＮＨ２ （＋ Ｐｄ触媒） ＋ 塩基 → Ａｒ−ＮＨＲ
（７）熊田・玉尾・コリューカップリング
Ａｒ−Ｘ ＋ Ｒ−Ｍｇ−Ｘ （＋ Ｎｉ触媒） → Ａｒ−Ｒ
【実施例】
【０１２１】
以下の実施例において、目的化合物の構造は、必要に応じて、１Ｈ核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル）、質量分析スペクトル（ＭＳ）、単結晶構造解析、及びゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により決定した。
【０１２２】
使用した機器は以下のとおりである。
１Ｈ−ＮＭＲ： ＪＥＯＬ ＥＣＡ−５００ （５００ＭＨｚ）
ＭＳ： Ｂｒｕｋｅｒ ＡｕｔｏｆｌｅｘＩＩＩ （ＭＡＬＤＩ）
単結晶構造解析： Ｒｉｇａｋｕ ＲＡＸＩＳ ＲＡＰＩＤＳ
ＧＰＣ： 日本分析工業株式会社 ＬＣ−９１０１（カラム：ＪＡＩＧＥＬ−２Ｈ、ＪＡＩＧＥＬ−１Ｈ）
【０１２３】
〈実施例１〉
特許文献２（特開２００８−２９０９６３号公報（日本化薬株式会社、広島大学））に示される手法により、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ（Ｄｉｎａｐｈｔｈｏｔｈｉｅｎｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））（下記構造式、ＭＷ＝３４０．４６）を合成した。
【０１２４】
【化２４】
【０１２５】
上記のＤＮＴＴ１０００ｍｇ（２．９３ｍｍｏｌ）を含有するメシチレン（すなわち１，３，５トリメチルベンゼン）１００ｍＬに、臭素（Ｂｒ２、ＭＷ＝１５９．８）２３４１ｍｇ（１４．６５ｍｍｏｌ）を加え、反応温度を４０℃に４時間保ち、その後、放冷して、臭素２置換ジナフトチエノチオフェン（Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ）（下記構造式、Ｍｗ＝４９８．２５、１４３１ｍｇ、２．８７ｍｍｏｌ、収率９８．１％）を得た。尚、反応物は、クロロホルムにより精製した。
【０１２６】
【化２５】
【０１２７】
なお、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴにおける臭素の置換位置は、実施例２におけるＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴの単結晶構造解析によるトリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基の位置により判定した。
【０１２８】
得られたＢｒ２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１２９】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．４７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．４４（ｓ，２Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．６６（ｔ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５９（ｔ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）
【０１３０】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ４９７．５１３（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：４９５．８６）
【０１３１】
〈実施例１Ａ〉
実施例１Ａでのように合成したＤＮＴＴ１００．７ｍｇ（０．２９６ｍｍｏｌ）と塩化アルミニウム１７．７ｍｇ（０．１３３ｍｍｏｌ）をフラスコに添加し、３回窒素置換を行った。次にクロロホルム５．０ｍｌを添加し、０℃に冷却した。Ｎ−クロロスクシンイミド７８．７ｍｇ（０．５８９ｍｍｏｌ）を添加し、１．５時間撹拌した。
【０１３２】
質量分析スペクトル（ＭＳ）にて原料であるＮ−クロロスクシンイミドが消失したのを確認した後、水を５．０ｍｌ添加して反応を終了した。反応生成物をろ過して、塩素２置換ジナフトチエノチオフェン（Ｃｌ２置換ＤＮＴＴ）（下記構造式、Ｍｗ＝４０９．３５、１１６．０ｍｇ、０．２８ｍｍｏｌ、収率９５．８％）を得た。尚、反応物はクロロホルムにより精製した。
【０１３３】
【化２６】
【０１３４】
得られたＣｌ２置換ＤＮＴＴについてＭＳ結果を下記に示す。
【０１３５】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ４０７．８２２（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：４０７．９６）
【０１３６】
〈実施例２〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、薗頭カップリング法により、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基の導入を行った。
【０１３７】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）５００ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）１９１．３ｍｇ、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）１３４．１ｍｇ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２０）０．７０６ｍＬ、ＣｓＣＯ３（Ｍｗ＝３２５．８２）７９１．６ｍｇ、トリイソプロピルシリルアセチレン（Ｍｗ＝１８２．３８）１．６９８ｍＬを加え、減圧脱気と窒素置換を３回行った後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｎ，Ｎ−ＤＭＦ）３５ｍＬを導入し、減圧脱気と窒素置換を再度３回行い、１２０℃で２０時間にわったって攪拌して反応を行わせた。
【０１３８】
これにより、トリイソプロピルシリルアセチレン２置換ジナフトチエノチオフェン（ＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ、下記構造式）（Ｍｗ＝７０１．１９）４７９．１ｍｇ（６８．３ｍｍｏｌ、収率６８．０％）を得た。得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．２ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０１３９】
【化２７】
【０１４０】
得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１４１】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）： δ８．６１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．４１（ｓ，２Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），７．６３（ｄｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ２Ｈ），７．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ，２Ｈ），１．４０〜１．４７（ｍ，６Ｈ），１．３４（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３６Ｈ）
【０１４２】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ７００．３（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：７００．３０）
【０１４３】
得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴについての単結晶構造解析結果を下記に示す。
【０１４４】
ａ＝８．２０４４（５）Å
ｂ＝８．４５９１（６）Å
ｃ＝１４．４８８（１）Å
α＝８８．４７５（４）°
β＝８９．３３６（３）°
γ＝８９．５５５（４）°
Ｖ＝１００５．１（１）Å３
【０１４５】
また、このＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ体についての単結晶構造解析に基づく分子構造ＯＲＴＥＰ（Ｏａｋ Ｒｉｄｇｅ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｌｌｉｐｓｏｉｄ Ｐｌｏｔ）図及び結晶パッキング（ステレオ）図を、それぞれ図１及び２に示す。
【０１４６】
〈実施例２Ａ〉
実施例２により合成したトリイソプロピルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴ（ＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ）を、水素還元して、トリイソプロピルシリルエタン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１４７】
具体的には、２００ｍｌフラスコにトリイソプロピルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝７０１．１８）３０４．６ｍｇ（０．４３ｍｍｏｌ）、トルエン６０ｍｌ、１０％Ｐｄ／Ｃ７９．２ｍｇを添加して、水素置換を３回行った。水素雰囲気下で、６０℃で１５時間攪拌して反応を行わせた。
【０１４８】
これにより、トリイソプロピルシリルエタン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝７０９．３７、２９６．１ｍｇ、０．４２ｍｍｏｌ、収率９６．１％）を得た。得られたトリイソプロピルシリルエタン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．５１ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０１４９】
【化２８】
【０１５０】
得られたトリイソプロピルシリルエタン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１５１】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．３３（ｓ，２Ｈ），７．２６（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），３．７６−３．７２（ｍ，８Ｈ），１．３９−１．３２（ｍ，６Ｈ），１．３０−１．１９（ｍ，３６Ｈ）
【０１５２】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ７０８．３２２（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：７０８．３６７）
【０１５３】
〈実施例３〉
実施例２で得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝７０１．１９）を、０．２ｗｔ％の濃度でクロロホルムに溶解させ、半導体素子作製用溶液を調整した。
【０１５４】
次に、３００ｎｍのＳｉＯ２酸化膜付ｎドープシリコンウェハー（面抵抗１−１０Ω・ｃｍ）に対して、ＵＶ−オゾン処理２０分（アイＵＶ−オゾン洗浄装置ＯＣ−２５０６１５−Ｄ＋Ａ、アイグラフィックス株式会社）を行った。また、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（（ＨＭＤＳ）１，１，１，３，３，３−ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）１０ｍｍｏｌ／トルエン溶液を調整して、この溶液中に、ＵＶオゾン処理を行ったシリコン基板を２４時間にわたって浸漬させて、シリコン基板の疎水化処理を行った。その後、真空蒸着法（サンユー電子、抵抗加熱方式蒸着装置：ＳＶＣ−７００ＴＭ／７００−２）によって、チャネル幅５０μｍ及びチャネル長１．５ｍｍのソース／ドレイン金電極を作製した。
【０１５５】
シリコン基板を４０℃に加熱しながら、チャネル部分に、半導体素子作成用溶液を滴下して溶媒を揮発させ、ＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴからなる薄層を形成した。このようにして作製した素子を、真空下において７０℃で１時間にわたって加熱処理することにより、クロロホルム溶媒を乾燥除去して、有機半導体素子を作製した。
【０１５６】
得られた有機半導体素子の有機半導体特性の測定を行ったところ、ｐ型半導体を示した。また、この有機半導体素子は、キャリア移動度が１×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ比が１０５であり、かつ閾値電圧が−２６Ｖであった。この有機半導体素子についてのＦＥＴ特性の伝達特性を、図３に示す。ここで、図３では、ドレイン電圧（ＶＤ）が−８０Ｖのときの、ドレイン電流（ＩＤ（Ａ）又はＩＤ１／２（Ａ１／２））（縦軸）とゲート電圧（ＶＧ（Ｖ））（横軸）との関係を示している。
【０１５７】
〈実施例４〉
実施例１と同様にして、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ（Ｄｉｎａｐｈｔｈｏｔｈｉｅｎｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））（ＭＷ＝３４０．４６）を合成した。
【０１５８】
上記のＤＮＴＴ５０００ｍｇ（１４．６５ｍｍｏｌ）を含有するメシチレン（すなわち１，３，５トリメチルベンゼン）５００ｍＬに、Ｎ−フェニルマレイミド（ＭＷ＝１７３．１７）１２．６８ｇ（７３．２５ｍｍｏｌ）を加え、反応温度を１６０℃に４時間保ち、その後、放冷し、分取精製して、ＤＮＴＴにＮ−フェニルマレイミドが１つ付加したジナフトチエノチオフェン−Ｎ−フェニルマレイミド１付加体（ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体、立体異性体であるＥｎｄｏ体及びＥｘｏ体の混合物）（下記構造式、Ｍｗ＝５１３．６３）、３７６ｍｇ（０．７３ｍｍｏｌ、収率４．９％）を得た。尚、反応物は、ＨＰＬＣにより立体異性体を分取し、Ｅｎｄｏ体１３２ｍｇ、及びＥｘｏ体１５１ｍｇを得た。
【０１５９】
【化２９】
【０１６０】
【化３０】
【０１６１】
上記のＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体（Ｅｘｏ体）１５１ｍｇ（０．２９ｍｍｏｌ）を含有するメシチレン５０ｍＬに、臭素（Ｂｒ２、ＭＷ＝１５９．８）２３５ｍｇ（１．４７ｍｍｏｌ）を加え、反応温度を４０℃に１間保ち、その後、放冷して、臭素２置換ジナフトチエノチオフェン−Ｎ−フェニルマレイミド１付加体（Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体）（下記構造式、Ｍｗ＝６７３．４４）１８６ｍｇ（０．２７６ｍｍｏｌ、収率９５．２％）を得た。
【０１６２】
【化３１】
【０１６３】
得られたＢｒ２置換ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ付加体についての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１６４】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）： δ８．３９（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），８．２９（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．６７（ｄｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．６４（ｄｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．４１〜７．４４（ｍ，２Ｈ），７．３１〜７．３２（ｍ，３Ｈ），７．２７〜７．２９（ｍ，２Ｈ），６．５２〜６．５４（ｍ，２Ｈ），５．２５（ｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，１Ｈ），５．２３（ｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，１Ｈ），３．５９（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ），３．５５（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ）
【０１６５】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ４９７．５１３（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：６７０．９２）
【０１６６】
なお、ＭＳでは、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体からＮ−フェニルマレイミドが脱離したＢｒ２置換ＤＮＴＴ（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：４９７．８６）が観測されたことが推定される。
【０１６７】
〈実施例５〉
実施例４により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体に対して、薗頭カップリング法により、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基の導入を行った。
【０１６８】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体（Ｍｗ＝６７３．４４）１００ｍｇ（０．１４８ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）２８．１ｍｇ、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）２０．０ｍｇ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２０）０．１１ｍＬ、トリイソプロピルシリルアセチレン（Ｍｗ＝１８２．３８）０．１ｍＬを加え、減圧脱気と窒素置換を３回行った後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｎ，Ｎ−ＤＭＦ）７ｍＬを導入し、減圧脱気と窒素置換を再度３回行い、１２０℃で２０時間にわったって攪拌して反応を行わせた。
【０１６９】
これにより、トリイソプロピルシリルアセチレン２置換ジナフトチエノチオフェン−フェニルマレイミド１付加体（ｅｘｏ体）（ＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体（ｅｘｏ体））（下記構造式、Ｍｗ＝８７６．３７）７４．９ｍｇ（８５．４ｍｍｏｌ、収率５７．７％）を得た。
【０１７０】
【化３２】
【０１７１】
得られたＴＩＰＳ２置換ＤＮＴＴ−ＰＭＩ１付加体（ｅｘｏ体）についての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１７２】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）： δ８．５２〜８．５４（ｍ，１Ｈ），８．４３〜８．４５（ｍ，１Ｈ），７．６０〜７．６４（ｍ，２Ｈ），７．４３〜７．４６（ｍ，２Ｈ），７．３１〜７．３３（ｍ，３Ｈ），７．２５〜７．２９（ｍ，２Ｈ），６．５２〜６．５４（ｍ，２Ｈ），５．２９（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，１Ｈ），５．２１（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，１Ｈ），３．６２（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ），３．５６（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ），１．３６〜１．４３（ｍ，６Ｈ），１．３１（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，１２Ｈ），１．３０（ｄ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，２４Ｈ）
【０１７３】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ８７３．０７８（Ｅｘａｃｔ Ｍａｓｓ：８７５．３７）
【０１７４】
〈実施例６〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、薗頭カップリング法により、１−デシンを反応させ、１−デシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１７５】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１０００ｍｇ（２．０１ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）７６１．１ｍｇ（１．０８ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）５７７ｍｇ（３．０３ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（Ｍｗ＝３２５．８）３．２０ｇ（９．８２ｍｍｏｌ）を添加して減圧脱気と窒素置換を５回行った。
【０１７６】
その後、ジメチルホルムアミド７０ｍｌ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２，ｄ＝０．７２ｇ／ｃｍ３）１．４１ｍｌ（１０．０ｍｍｏｌ）、１−デシン（Ｍｗ＝１３８．２５，ｄ＝０．７７ｇ／ｃｍ３）２．７８ｍｌ（１５．４ｍｍｏｌ）を添加し、減圧脱気と窒素置換を再度５回行い、１２０℃で１５．５時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０１７７】
これにより、１−デシン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝６１２．９３、２０．５ｍｇ、０．０３３ｍｍｏｌ、収率１．６％）を得た。得られた１−デシン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、２．３ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０１７８】
【化３３】
【０１７９】
得られた１−デシン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１８０】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．４５（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．２５（ｓ，２Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５４（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．９Ｈｚ，２Ｈ），７．４８（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．９Ｈｚ，２Ｈ），２．８１（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．９０（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．６５（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．３１−１．４８（ｍ，１６Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ）
【０１８１】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ６１２．２８４（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：６１２．２８８）
【０１８２】
〈実施例７〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、薗頭カップリング法により、１−テトラデシンを反応させ、１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１８３】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１０００ｍｇ（２．０１ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）８３０．０ｍｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）５９０．０ｍｇ（３．１２ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（Ｍｗ＝３２５．８）１．６２ｇ（４．９８ｍｍｏｌ）を加え、減圧脱気と窒素置換を５回行った。
【０１８４】
その後、ジメチルホルムアミド７０ｍｌ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２，ｄ＝０．７２ｇ／ｃｍ３）１．４１ｍｌ（１０．０ｍｍｏｌ）、１−テトラデシン（Ｍｗ＝１９４．３６，ｄ＝０．７９ｇ／ｃｍ３）４．１９ｍｌ（１７．０ｍｍｏｌ）を添加し、減圧脱気と窒素置換を再度５回行い、１２０℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０１８５】
これにより、１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝６１２．９３、１５６．０４ｍｇ、０．２０７ｍｍｏｌ、収率１０．３％）を得た。得られた１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、６．５ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０１８６】
【化３４】
【０１８７】
得られた１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０１８８】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．３８（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．１４（ｓ，２Ｈ），７．７８（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．４８（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，２Ｈ），７．４２（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，２Ｈ），２．７６（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．８６（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．６２（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．２４−１．４６（ｍ，３２Ｈ），０．８６（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ）
【０１８９】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ７２４．４１１（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：７２４．４１４）
【０１９０】
〈実施例７Ａ〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、実施例７で用いた薗頭カップリング法の代わりに根岸カップリングを用いて、１−テトラデシンを反応させ、１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１９１】
具体的には、１０ｍｌフラスコに、１−テトラデシン（Ｍｗ＝１９４．３６，ｄ＝０．７９ｇ／ｃｍ３）０．２１ｍｌ（０．８５ｍｍｏｌ）、トルエン３．５ｍｌを添加して減圧脱気と窒素置換を３回行った。０℃まで冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液を０．５３ｍｌ（０．８５９ｍｍｏｌ）添加した後、室温まで昇温した。
【０１９２】
ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）２１５．３ｍｇ（０．８５３ｍｍｏｌ）、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）５０ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）３５．２ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０１９３】
これにより、１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴ（上記構造式、Ｍｗ＝６１２．９３、８．９ｍｇ、０．０１２ｍｍｏｌ、収率１２．２％）を得た。
【０１９４】
〈実施例８〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、薗頭カップリング法により、１−オクタデシンを反応させ、１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０１９５】
具体的には、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１０１０ｍｇ（２．０２ｍｍｏｌ）に対して、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）８２０．０ｍｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（Ｍｗ＝１９０．４５）５９０．０ｍｇ（３．１２ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（Ｍｗ＝３２５．８）１．５８ｇ（４．８５ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を５回行った。
【０１９６】
その後、ジメチルホルムアミド７０ｍｌ、ジイソプロピルアミン（Ｍｗ＝１０１．２，ｄ＝０．７２ｇ／ｃｍ３）１．４１ｍｌ（１０．０ｍｍｏｌ）、１−オクタデシン（Ｍｗ＝２５０．４６，ｄ＝０．７９ｇ／ｃｍ３）５．３４ｍｌ（１６．８ｍｍｏｌ）を添加し、減圧脱気と窒素置換を再度５回行い、１２０℃で１４時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０１９７】
これにより、１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝８３６．５４、５４．２ｍｇ、０．０６４ｍｍｏｌ、収率３．２％）を得た。
【０１９８】
【化３５】
【０１９９】
〈実施例８Ａ〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、実施例８で用いた薗頭カップリング法の代わりに根岸カップリングを用いて、１−オクタデシンを反応させ、１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２００】
具体的には、１０ｍｌフラスコに、１−オクタデシン（Ｍｗ＝２５０．４６，ｄ＝０．８０ｇ／ｃｍ３）０．２６ｍｌ（０．８５ｍｍｏｌ）、トルエン３．５ｍｌを添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。０℃まで冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液を０．５３ｍｌ（０．８５９ｍｍｏｌ）添加した後、室温まで昇温した。
【０２０１】
ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）２１６．１ｍｇ（０．８５６ｍｍｏｌ）、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）４９．７ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）３５．６ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０２０２】
これにより、１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴ（上記構造式、Ｍｗ＝８３６．５４、３．８ｍｇ、０．００４ｍｍｏｌ、収率４．５％）を得た。得られた１−テトラデシン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、１．６７ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２０３】
得られた１−オクタデシン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲおよびＭＳ結果を下記に示す。
【０２０４】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．４８（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．３０（ｓ，２Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５６（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，２Ｈ），７．５１（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８３（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．９１（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，２Ｈ），１．６６（ｔｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，７．２Ｈｚ，２Ｈ），１．２４−１．４６（ｍ，４８Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ）
【０２０５】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ８３６．５３９（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：８３６．５３７）
【０２０６】
〈実施例９〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、根岸カップリング法により、トリメチルシリルアセチレン（ＴＭＳ）を反応させ、ＴＭＳ２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２０７】
２００ｍｌフラスコに、トリメチルシリルアセチレン（Ｍｗ＝９８．２２，ｄ＝０．７０ｇ／ｃｍ３）１．６８ｇ（１７．１０ｍｍｏｌ）、トルエン７０ｍｌ添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。０℃まで冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液１０．３ｍｌ（１６．６８ｍｍｏｌ）を添加した後、室温まで昇温した。
【０２０８】
ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）４．３１ｇ（１７．０６ｍｍｏｌ）、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１．０ｇ（２．００ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）７０２．５ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０２０９】
これにより、トリメチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴ（ＴＭＳ２置換ＤＮＴＴ）（下記構造式、Ｍｗ＝５３２．８７、５３６．３０ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ、収率５０．１％）を得た。得られたトリメチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．０５ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２１０】
【化３６】
【０２１１】
得られたＴＭＳ２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０２１２】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．５３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．４３（ｓ，２Ｈ），７．９６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．６３（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），０．５２（ｓ，１８Ｈ）
【０２１３】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ５３２．００８（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：５３２．１１１）
【０２１４】
〈実施例１０〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、根岸カップリング法により、トリエチルシリルアセチレン（ＴＥＳ）を反応させ、ＴＥＳ２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２１５】
２００ｍｌフラスコにトリエチルシリルアセチレン（Ｍｗ＝１４０．３０，ｄ＝０．７８ｇ／ｃｍ３）２．２５ｇ（１６．０３ｍｍｏｌ）、トルエン７０ｍｌを添加して減圧脱気と窒素置換を３回行った。０℃まで冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液を１０．３ｍｌ（１６．６８ｍｍｏｌ）添加した後、室温まで昇温した。
【０２１６】
ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）４．３１ｇ（１７．０６ｍｍｏｌ）、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１．０ｇ（２．００ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）７０４．８ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）を添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０２１７】
これにより、トリエチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴ（ＴＥＳ２置換ＤＮＴＴ）（下記構造式、Ｍｗ＝６１７．０３、３２１．４０ｍｇ、０．５２ｍｍｏｌ、収率２６．０％）を得た。得られたトリエチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．１０ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２１８】
【化３７】
【０２１９】
得られたＴＥＳ２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０２２０】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．５６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．４２（ｓ，２Ｈ），７．９６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．６３（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），１．２５（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１８Ｈ），０．９４−０．９８（ｍ，１２Ｈ）
【０２２１】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ６１６．０５７（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：６１６．２１１）
【０２２２】
〈実施例１１〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、スティルカップリング法により、チオフェンを反応させ、チオフェン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２２３】
１００ｍｌのフラスコに、Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）５００ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２（Ｍｗ＝７０１．９０）３５１．６ｍｇ（０．５０１ｍｍｏｌ）、トリブチル（２−チエニル）スズ（Ｍｗ＝３７３．１８）３．２３ｇ（８．６４ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン３５ｍｌを、添加した。窒素置換を３回行い、１００℃で終夜攪拌した。
【０２２４】
ＭＡＬＤＩからＢｒ２置換ＤＮＴＴのピークが消失したことを確認した後で、室温まで冷却した。クロロホルム及び水を添加し、沈殿物をろ過した。ろ液から溶媒を留去し、ろ液からのみＭＳにて目的物ピークが確認された。黒色オイル状物質にエーテルを１０ｍｌ加え２回洗浄した。固体をろ過し、暗緑色固体を得た。その後、この暗緑色固体をカラムで精製して、黄色固体として生成物を得た。
【０２２５】
チオフェン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝５０４．７１、１５８．８０ｍｇ、０．３１ｍｍｏｌ、収率３１．４％）を得た。得られたトリエチルシリルアセチレン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．１３ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２２６】
【化３８】
【０２２７】
得られたチオフェン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０２２８】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．３１（ｓ，２Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝６．５，２Ｈ），７．８７（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ），７．７６（ｄｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１．０Ｈｚ，２Ｈ），７．５２−７．４９（ｍ，２Ｈ），７．４７−７．４６（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．４１（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．２６（ｍ，２Ｈ）
【０２２９】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ５０３．８３８（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：５０４．０１３）
【０２３０】
〈実施例１２〉
実施例１により合成したＢｒ２置換ＤＮＴＴに対して、根岸カップリング法により、１−ブロモデカンを反応させ、デカン２置換ＤＮＴＴを合成した。
【０２３１】
具体的には、１０ｍｌフラスコに、マグネシウム５４８．２ｍｇ（２２．５ｍｍｏｌ）を添加し、減圧脱気と窒素置換を３回行った。ＴＨＦ２．５ｍｌ、１−ブロモデカン（Ｍｗ＝２２１．１８，ｄ＝１．０７ｇ／ｃｍ３）４．３９ｍｌ（２１．３ｍｍｏｌ）を添加し、攪拌しながら６０℃で１時間還流した。
【０２３２】
室温まで冷却後、トルエン１００ｍｌ、ＺｎＣｌ２（ＴＭＥＤＡ）（Ｍｗ＝２５２．５０）５．３２ｇ（２１．３１ｍｍｏｌ）を添加し、１０分攪拌した。Ｂｒ２置換ＤＮＴＴ（Ｍｗ＝４９８．２５）１．２５ｇ（２．５０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（Ｍｗ＝７０１．９０）８８１．５ｍｇ（１．２５ｍｍｏｌ）、トルエン７７．５ｍｌを添加して、減圧脱気と窒素置換を３回行った。１００℃で１２時間にわたり攪拌して反応を行わせた。
【０２３３】
これにより、デカン２置換ＤＮＴＴ（下記構造式、Ｍｗ＝６２０．９９、４４．３ｍｇ、０．０８９ｍｍｏｌ、収率２．８％）を得た。得られたデカン２置換ＤＮＴＴのクロロホルムへの溶解度は、０．０５ｗｔ％であった。なお、原料として用いられたＤＮＴＴは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。
【０２３４】
【化３９】
【０２３５】
得られたデカン２置換ＤＮＴＴについての１Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ結果を下記に示す。
【０２３６】
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，５０℃）： δ８．３３（ｓ，２Ｈ），８．２６（ｄ，Ｊ＝８．３０Ｈｚ，２Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５６（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８．３Ｈｚ，２Ｈ），３．６７−３．６４（ｍ，４Ｈ），１．９３−１．８６（ｍ，４Ｈ），１．７６−１．７１（ｍ，４Ｈ），１．４９−１．４５（ｍ，４Ｈ），１．４１−１．２９（ｍ，２０Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）
【０２３７】
ＭＳ（ｍ／ｚ）： ６２０．０８３（ポジティブイオン観測）（ＥｘａｃｔＭａｓｓ：６２０．２８８）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（ＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物：
【化１】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項２】
下記式（ＩＩ−１）で表される、請求項１に記載の化合物：
【化２】
（Ｘ１〜Ｘ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＸ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項３】
Ｘ２及びＸ３が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＸ２及びＸ３うちの少なくとも１つが、ハロゲン原子であり、かつ
Ｘ１及びＸ４が、水素原子である、
請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
下記式（ＩＩ−１−１）で表される、請求項２に記載の化合物：
【化３】
【請求項５】
下記式（ＩＩ−１−２）で表される、請求項２に記載の化合物：
【化４】
【請求項６】
下記式（ＩＩ−２）で表される、請求項１に記載の化合物：
【化５】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項７】
Ｘ１及びＸ２がいずれもハロゲン原子である、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
下記式（ＩＩ−２−１）で表される、請求項６に記載の化合物：
【化６】
（Ｒｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）。
【請求項９】
（ａ）有機溶媒及び下記式（ＩＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物を含有する組成物を提供するステップ：
【化７】
（Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＥ１及びＥ２うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）、
（ｂ）前記組成物にハロゲンを添加するステップ、
を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の縮合多環芳香族化合物の合成方法。
【請求項１０】
前記式（ＩＩＩ）の化合物が、下記式（ＩＩＩ−１）で表される、請求項９に記載の方法：
【化８】
（Ｅ１〜Ｅ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＥ１〜Ｅ４うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項１１】
Ｅ１〜Ｅ４がいずれも水素原子である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記式（ＩＩＩ−１）の化合物が、下記式（ＩＩＩ−１−１）で表される、請求項１０に記載の方法：
【化９】
【請求項１３】
前記式（ＩＩＩ）の化合物が、下記式（ＩＩＩ−２）で表される、請求項９に記載の方法：
【化１０】
（Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＥ１及びＥ２うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項１４】
Ｅ１及びＥ３がいずれも水素である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記式（ＩＩＩ−２）の化合物が、下記式（ＩＩＩ−２−１）で表される、請求項１３に記載の方法：
【化１１】
（Ｒｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）。
【請求項１６】
（ａ）有機溶媒及び請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含有する組成物を提供するステップ、
（ｂ）Ｘ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つのハロゲン原子を、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、及び炭素原子数１〜２０のスルフィド基からなる群より選択される置換基によって置換するステップ、
を含む、下記式（Ｉ）で表される縮合多環芳香族化合物の合成方法：
【化１２】
（Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＱ１及びＱ２うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する置換又は非置換の縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項１】
下記式（ＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物：
【化１】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項２】
下記式（ＩＩ−１）で表される、請求項１に記載の化合物：
【化２】
（Ｘ１〜Ｘ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＸ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項３】
Ｘ２及びＸ３が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＸ２及びＸ３うちの少なくとも１つが、ハロゲン原子であり、かつ
Ｘ１及びＸ４が、水素原子である、
請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
下記式（ＩＩ−１−１）で表される、請求項２に記載の化合物：
【化３】
【請求項５】
下記式（ＩＩ−１−２）で表される、請求項２に記載の化合物：
【化４】
【請求項６】
下記式（ＩＩ−２）で表される、請求項１に記載の化合物：
【化５】
（Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＸ１及びＸ２うちの少なくとも１つがハロゲン原子であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項７】
Ｘ１及びＸ２がいずれもハロゲン原子である、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
下記式（ＩＩ−２−１）で表される、請求項６に記載の化合物：
【化６】
（Ｒｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）。
【請求項９】
（ａ）有機溶媒及び下記式（ＩＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物を含有する組成物を提供するステップ：
【化７】
（Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＥ１及びＥ２うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）、
（ｂ）前記組成物にハロゲンを添加するステップ、
を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の縮合多環芳香族化合物の合成方法。
【請求項１０】
前記式（ＩＩＩ）の化合物が、下記式（ＩＩＩ−１）で表される、請求項９に記載の方法：
【化８】
（Ｅ１〜Ｅ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＥ１〜Ｅ４うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項１１】
Ｅ１〜Ｅ４がいずれも水素原子である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記式（ＩＩＩ−１）の化合物が、下記式（ＩＩＩ−１−１）で表される、請求項１０に記載の方法：
【化９】
【請求項１３】
前記式（ＩＩＩ）の化合物が、下記式（ＩＩＩ−２）で表される、請求項９に記載の方法：
【化１０】
（Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＥ１及びＥ２うちの少なくとも１つが水素原子であり、
Ｄは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数２〜２０の置換基であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ８のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【請求項１４】
Ｅ１及びＥ３がいずれも水素である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記式（ＩＩＩ−２）の化合物が、下記式（ＩＩＩ−２−１）で表される、請求項１３に記載の方法：
【化１１】
（Ｒｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）。
【請求項１６】
（ａ）有機溶媒及び請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含有する組成物を提供するステップ、
（ｂ）Ｘ１〜Ｘ４うちの少なくとも１つのハロゲン原子を、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、及び炭素原子数１〜２０のスルフィド基からなる群より選択される置換基によって置換するステップ、
を含む、下記式（Ｉ）で表される縮合多環芳香族化合物の合成方法：
【化１２】
（Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＱ１及びＱ２うちの少なくとも１つが水素原子及びハロゲン原子以外の基であり、
Ｂは、少なくとも１つのベンゼン環部分を有する置換又は非置換の縮合環であり、
Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつ
Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、炭素原子数１〜２０のスルフィド基、及び炭素原子数１〜４０のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつＡ１〜Ａ４のうちの隣接する２つが、互いに結合して炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい）。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１３−５３１３８（Ｐ２０１３−５３１３８Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１７１８７３（Ｐ２０１２−１７１８７３）
【出願日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【出願人】（０００００３００１）帝人株式会社 (1,209)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【出願人】（０００００３００１）帝人株式会社 (1,209)
【Ｆターム（参考）】
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