説明

新規縮合へテロ環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子

【課題】 低電圧駆動で高輝度、高効率の青色発光が可能で、繰り返し使用時での安定性の優れた発光素子材料および発光素子を提供する。
【解決手段】 式(I)で表される化合物を用いる。
【化1】


式(1)(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z1はヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。XはO、S、Se、TeまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルター用染料、色変換フィルター、写真感光材料染料、増感色素、パルプ染色用染料、レーザー色素、医療診断用蛍光薬剤、発光素子用材料等として用いるに適した化合物および、それらを用いた発光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】有機電界発光(EL)素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に発光素子は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。更に、この電子と正孔が発光層において再結合し、励起状態が生成する。この励起状態が基底状態に戻る際、エネルギーを光として放出することで発光が得られる。
【0003】従来の発光素子は、駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく、実用化には至ってなかった。近年、10V以下の低電圧で発光する高い量子効率を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した発光素子が報告され(アプライド フィジックス レターズ、51巻、913頁、1987年)、関心を集めている。この素子は、金属キレート錯体を電子輸送兼発光材料として用い、正孔輸送材料(アミン化合物)と積層させることにより、高輝度の緑色発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で、輝度は数1000cd/m2に達している。しかしながら実用的な素子を考えた場合、更なる高輝度化、高効率発光素子の開発が望まれている。また、フルカラーディスプレイ、光源としての利用を考えた場合、実用上は三原色あるいは白色を出す必要がある。上記の素子は発光材料として8−キノリノールのA1錯体(Alq)を用いており、発光色は緑色であり、他の発光色の発光素子の開発が望まれている。これまで緑色以外に発光する発光材料が種々開発されているものの、発光輝度、発光効率が低い、耐久性が低いなどの問題があった。
【0004】また、色純度が良好で発光効率が高い従来の素子は電荷輸送材料中に蛍光性色素を微量ドープしたものであり、製造上、素子特性の再現性に問題があることや、色素の耐久性が低いために長時間使用した場合に輝度の低下、色変化が起こるなどの問題があった。これを解決する手段として電荷輸送機能と発光機能を兼ね備えた材料の開発が望まれているが、これまで開発された材料では蛍光性色素を高濃度で用いると、会合等により輝度が低下する等の問題があった。
【0005】一方、有機発光素子において高輝度発光を実現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層している素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面積化等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。しかしながら、従来の塗布方式で作製した素子では発光輝度、発光効率の点で蒸着方式で作製した素子に劣っており、高輝度、高効率発光化が大きな課題となっていた。
【0006】また、近年、フィルター用染料、色変換フィルター、写真感光材料染料、増感色素、パルプ染色用染料、レーザー色素、医療診断用蛍光薬剤、有機発光素子材料等に蛍光を有する物質が種々用いられ、その需要が高まっているが、青色の色純度が高く、且つ蛍光強度の強い化合物はあまりなく、新たな材料開発が望まれていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的は、低電圧駆動で高輝度、高効率の発光が可能で、繰り返し使用時での安定性の優れた発光素子材料および発光素子の提供にある。本発明の第二の目的は、色純度に優れた発光素子、およびそれを可能にする発光素子材料の提供にある。本発明の第三の目的は、蛍光強度の強い、青色蛍光発光を示す化合物を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によって達成された。
【0009】〔1〕下記一般式(I)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0010】
【化16】


【0011】(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z1はヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。XはO、S、Se、TeまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)
〔2〕下記一般式(II)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0012】
【化17】


【0013】(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z2は芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。XはO、S、Se、TeまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)
〔3〕下記一般式(III)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0014】
【化18】


【0015】(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z3は含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。XはO、S、Se、TeまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)〔4〕下記一般式(IV)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0016】
【化19】


【0017】(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z4は6員環の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。XはO、S、Se、TeまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)
〔5〕下記一般式(V)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0018】
【化20】


【0019】(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z5は6員環の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。X5はO、SまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)〔6〕下記一般式(VI)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0020】
【化21】


【0021】(式中、R1、R2およびR61は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z6は6員環の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。)
〔7〕下記一般式(VII)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0022】
【化22】


【0023】(式中、R1、R2およびR71は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z7は6員環の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Ar7はアリーレンまたは二価の芳香族へテロ環を表す。)
〔8〕下記一般式(VIII) で表される化合物。
【0024】
【化23】


【0025】(式中、R1、R2、R81は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R82、R83およびR84は水素原子または置換基を表す。Ar8はアリーレンまたは二価の芳香族へテロ環を表す。)
〔9〕下記一般式(VIII)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0026】
【化24】


【0027】(式中、R1、R2、R81は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R82、R83およびR84は水素原子または置換基を表す。Ar8はアリーレンまたは二価の芳香族へテロ環を表す。)
〔10〕下記一般式(IX)で表される化合物。
【0028】
【化25】


【0029】(式中、R1、R2、R91は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R92、R93、R94、R95、R96、R97およびR98は水素原子または置換基を表す。)
〔11〕下記一般式(IX)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0030】
【化26】


【0031】(式中、R1、R2、R91は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R92、R93、R94、R95、R96、R97およびR98は水素原子または置換基を表す。)
〔12〕下記一般式(X)で表される化合物。
【0032】
【化27】


【0033】(式中、R1、R2、R101は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基をあらわす。R102、R103、R104、R105、R106およびR107は水素原子または置換基を表す。)
〔13〕下記一般式(X)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0034】
【化28】


【0035】(式中、R1、R2、R101は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基をあらわす。R102、R103、R104、R105、R106およびR107は水素原子または置換基を表す。)
〔14〕下記一般式(XI)で表される化合物。
【0036】
【化29】


【0037】(式中、R1、R2、R111は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基をあらわす。R112、R113、R114、R115、R116およびR117は水素原子または置換基を表す。)
〔15〕下記一般式(XI)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【0038】
【化30】


【0039】(式中、R1、R2、R111は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基をあらわす。R112、R113、R114、R115、R116およびR117は水素原子または置換基を表す。)
【0040】〔16〕一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも一層が〔1〕〜〔15〕に記載の一般式(I)〜(XI)で表される化合物の、少なくとも一種を含有する層であることを特徴とする発光素子。
〔17〕一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも一層が〔1〕〜〔15〕に記載の一般式(I)〜(XI)で表される化合物の、少なくとも一種をポリマー中に分散した層であることを特徴とする発光素子。
【0041】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明する。まず、本発明の一般式(I)で表される化合物について説明する。R1およびR2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。また、可能な場合はR1とR2、R1とL、R2とLはそれぞれ互いに連結して環を形成しても良い。
【0042】R1およびR2で表される脂肪族炭化水素基は、直鎖、分岐または環状のアルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、更に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メチル、エチル、iso−プロピル、n−ブチル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、更に好ましくは炭素数2〜12であり、例えば、ビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニル等が挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、更に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)であり、好ましくはアルキル基、アルケニル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アリル基、R1、R2がLと結合して縮合環(例えばユロリジン環等)を形成したものである。
【0043】R1およびR2で表されるアリール基としては好ましくは炭素数6〜30の単環〜四環のアリール基(例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、ピレニル等が挙げられる。)であり、より好ましくは炭素数6〜20のフェニル基または炭素数10〜24のナフチル基であり、更に好ましくは炭素数6〜12のフェニル基または炭素数10〜16のナフチル基である。
【0044】R1およびR2で表されるヘテロ環基は、N、OまたはS原子を少なくとも一つ含む3ないし10員環の飽和もしくは不飽和のヘテロ環基であり、これらは単環であっても良いし、更に他の環と縮合環を形成していても良い。ヘテロ環基として好ましくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を少なくとも一つ含む3ないし10員環のへテロ環基であり、より好ましくは5ないし6員環の芳香族へテロ環基であり、更に好ましくは、N原子またはS原子を含む5ないし6員環の芳香族へテロ環基である。ヘテロ環としては、例えばピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリン、チオフェン、セレノフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、カルバゾール、アゼピン、ジベンゾアゼピン、トリベンゾアゼピン等が挙げられる。ヘテロ環として好ましくは、チオフェン、トリアゾール、オキサゾール、ピリジン、トリアジン、キノリンであり、より好ましくはチオフェン、ピリジン、トリアジン、キノリンである。更に好ましくはチオフェンである。
【0045】R1、R2で表される脂肪族炭化水素基、アリール基およびヘテロ環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えばアルキル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8であり、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニル等が挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニル等が挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜12、特に好ましくは炭素数0〜6であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等が挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜16、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、2−ナフチルオキシ等が挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜16、特に好ましくは炭素数7〜10であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜16、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜16、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜16、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含むものであり具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル等が挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。)等が挙げられる。これらの置換基は更に置換されても良い。また置換基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていても良い。また、可能な場合には互いに連結して環を形成していても良い。
【0046】R1、R2として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基である。電荷輸送材料兼発光材料(非ドープ型)として用いる場合、R1、R2として好ましくはアリール基、芳香族へテロ環基であり、より好ましくはアリール基(好ましくは炭素数6〜30の単環または二環のアリール基であり、より好ましくは炭素数6〜20のフェニル基、更に好ましくは炭素数6〜12のフェニル基である。)であり、ドープ型発光材料として用いる場合、R1、R2として好ましくは水素原子、アルキル基、Lと連結して環を形成するアルキレン基であり、より好ましくはアルキル基、Lと連結して環を形成するアルキレン基であり、更に好ましくは炭素数1〜8のアルキル基、Lと連結して6員環を形成するアルキレン基であり、特に好ましくはメチル基、エチル基、Lと連結して6員環を形成するアルキレン基(トリメチレン基、3,3−ジメチルトリメチレン基)である。
【0047】XはO、S、Se、TeまたはN−Rを表す。Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Rで表される脂肪族炭化水素基として好ましくは、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8であり、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニル等が挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニル等が挙げられる。)であり、より好ましくはアルキル基である。
【0048】Rで表されるアリール基として好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、2−メチルフェニル、3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、4−メトキシフェニル、3−トリフルオロメチルフェニル、2−フェニルフェニル、ペンタフルオロフェニル、1−ナフチル、2−ナフチル等が挙げられ、好ましくはフェニル、2−メチルフェニル、2−フェニルフェニルである。Rで表されるヘテロ環基は、単環または縮環のヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、更に好ましくは炭素数2〜10のヘテロ環基)であり、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の少なくとも一つを含む芳香族へテロ環基である。Rで表されるヘテロ環基の具体例としては、例えばピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリン、チオフェン、セレノフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、カルバゾール等が挙げられ、好ましくは、フラン、チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリンであり、より好ましくはフラン、チオフェン、ピリジン、キノリンである。
【0049】Rで表される脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式(I)におけるR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用でき、また好ましい置換基も同様である。Rとして好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基であり、より好ましくはアリール基、芳香族へテロ環基であり、更に好ましくはアリール基である。
【0050】Xとして好ましくはO、S、N−Rであり、より好ましくはO、N−Rであり、更に好ましくはN−Rであり、特に好ましくはN−Ar(Arはアリール基であり、より好ましくは炭素数6〜30、更に好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12のアリール基である。)である。
【0051】Lは連結基を表す。Lで表される連結基として好ましくは、単結合、C、N、O、S、Se、Te、Si、Geなどで形成される連結基であり、より好ましくは単結合、アルキレン、アルケニレン、アルキニレン、アリーレン、二価のヘテロ環(好ましくは芳香族へテロ環であり、より好ましくはアゾール、チオフェン、フラン環から形成される芳香族へテロ環などである。)およびNとこれらの組み合わせから成る基であり、さらに好ましくはアリーレン、二価の芳香族へテロ環およびNとこれらの組み合わせから成る基である。
【0052】Lで表される連結基の具体例としては、単結合の他、例えば以下のものが挙げられる。
【0053】
【化31】


【0054】
【化32】


【0055】
【化33】


【0056】
【化34】


【0057】Lで表される連結基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用できる。Lの置換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基である。
【0058】Z1はヘテロ環を形成するに必要な原子群を表す。Z1で形成されるヘテロ環として好ましくは芳香族へテロ環であり、より好ましくは含窒素芳香族へテロ環であり、特に好ましくは6員の含窒素芳香族へテロ環である。Z1で形成されるヘテロ環としては、例えばピラゾリン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、テルロフェン環、イミダゾリン環、イミダゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、セレナゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、セレナジアゾール環、ピリジン環、ピラゾール環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ジチイン環、ジヒドロジチイン環等が挙げられ、好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環であり、更に好ましくはピリジン環である。Z1で形成されるヘテロ環は更に他の環と縮合環を形成してもよく、また置換基を有していても良い。置換基としては例えばR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用できる。Z1の置換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族へテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、芳香族へテロ環基である。
【0059】一般式(I)で表される化合物のうち、好ましくは下記一般式(II)で表される化合物である。
【0060】
【化35】


【0061】式中、R1、R2、X、Lはそれぞれ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Z2は芳香族へテロ環を形成するに必要な原子群を表す。Z2で形成される芳香族へテロ環として好ましくは含窒素芳香族へテロ環であり、更に好ましくは6員の含窒素芳香族へテロ環である。Z2で形成される芳香族へテロ環としては、例えばピロール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、テルロフェン環、イミダゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、セレナゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、セレナジアゾール環、ピリジン環、ピラゾール環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環等が挙げられ、好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環であり、更に好ましくはピリジン環である。Z2で形成される芳香族へテロ環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、また置換基を有していても良い。置換基としては例えば一般式(I)におけるR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用でき、また、好ましい範囲は一般式(I)におけるZ1の置換基として挙げたものと同様である。
【0062】一般式(I)で表される化合物のうち、更に好ましくは下記一般式(III)で表される化合物である。
【0063】
【化36】


【0064】式中、R1、R2、X、Lはそれぞれ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Z3は含窒素芳香族へテロ環を形成するに必要な原子群を表す。Z3で形成される含窒素芳香族へテロ環として好ましくは6員の含窒素芳香族へテロ環である。Z3で形成される含窒素芳香族へテロ環としては、例えばピロール環、イミダゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、セレナゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、セレナジアゾール環、ピリジン環、ピラゾール環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環等が挙げられ、好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環であり、更に好ましくはピリジン環である。Z3で形成される芳香族へテロ環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、また置換基を有していても良い。置換基としては例えば一般式(I)におけるR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用でき、また、好ましい範囲は一般式(I)におけるZ1の置換基として挙げたものと同様である。
【0065】一般式(I)で表される化合物のうち、更に好ましくは下記一般式(IV)で表される化合物である。
【0066】
【化37】


【0067】式中、R1、R2、X、Lはそれぞれ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Z4は6員の含窒素芳香族へテロ環を形成するに必要な原子群を表す。Z4で形成される6員の含窒素芳香族へテロ環としては、例えばピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環等が挙げられ、好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環であり、更に好ましくはピリジン環である。Z4で形成される芳香族へテロ環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、また置換基を有していても良い。置換基としては例えば一般式(I)におけるR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用でき、また、好ましい範囲は一般式(I)におけるZ1の置換基として挙げたものと同様である。
【0068】一般式(I)で表される化合物のうち、更に好ましくは下記一般式(V)で表される化合物である。
【0069】
【化38】


【0070】式中、R1、R2、Lはそれぞれ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。X5はO、SまたはN−Rを表す。Rは一般式(I)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Z5は一般式(IV)におけるZ4と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【0071】一般式(I)で表される化合物のうち、更に好ましくは下記一般式(VI)で表される化合物である。
【0072】
【化39】


【0073】式中、R1、R2、Lはそれぞれ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。R61は一般式(I)におけるRと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Z6は一般式(IV)におけるZ4と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【0074】一般式(I)で表される化合物のうち、更に好ましくは下記一般式(VII)で表される化合物である。
【0075】
【化40】


【0076】式中、R1、R2はそれぞれ一般式(I)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Z7は一般式(IV)におけるZ4と同義であり、また好ましい範囲も同様である。R71は一般式(I)におけるRと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ar7はアリーレンまたは二価の芳香族へテロ環基を表す。Ar7で表されるアリーレンまたは二価の芳香族へテロ環基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用できる。Ar7の置換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基である。
【0077】一般式(I)で表される化合物のうち、更に好ましくは下記一般式(VIII) で表される化合物である。
【0078】
【化41】


【0079】式中、R1、R2はそれぞれ一般式(I)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。R81は一般式(I)におけるRと同義であり、また好ましい範囲も同様である。R82、R83、R84は、それぞれ水素原子、または置換基を表し、置換基としては一般式(I)におけるR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用でき、R82、R83、R84として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ環基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基であり、特に好ましくは水素原子である。また、可能な場合には置換基同士が連結して環を形成していても良い。Ar8は一般式(VII)におけるAr7と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【0080】一般式(I)で表される化合物のうち、最も好ましくは下記一般式(IX) 、一般式(X)および一般式(XI)で表される化合物である。
【0081】
【化42】


【0082】
【化43】


【0083】
【化44】


【0084】一般式(IX)中、R1、R2はそれぞれ一般式(I)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。R91は一般式(I)におけるRと同義であり、また好ましい範囲も同様である。R92、R93、R94、R95、R96、R97、R98は、それぞれ水素原子、または置換基を表し、置換基としては一般式(I)におけるR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用でき、R92、R93、R94、R95、R96、R97、R98として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ環基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基であり、特に好ましくは水素原子である。また、可能な場合には置換基同士が連結して環を形成していても良い。
【0085】一般式(X)中、R1、R2はそれぞれ一般式(I)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。R101は一般式(I)におけるRと同義であり、また好ましい範囲も同様である。R102、R103、R104、R105、R106、R107は、それぞれ水素原子、または置換基を表し、置換基としては一般式(I)におけるR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用でき、R102、R103、R104、R105、R106、R107として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ環基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基であり、特に好ましくは水素原子である。また、可能な場合には置換基同士が連結して環を形成していても良い。
【0086】一般式(XI)中、R1、R2はそれぞれ一般式(I)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。R111は一般式(I)におけるRと同義であり、また好ましい範囲も同様である。R112、R113、R114、R115、R116、R117は、それぞれ水素原子、または置換基を表し、置換基としては一般式(I)におけるR1、R2で表される基の置換基として挙げたものが適用でき、R112、R113、R114、R115、R116、R117として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ環基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基であり、特に好ましくは水素原子である。また、可能な場合には置換基同士が連結して環を形成していても良い。
【0087】また、一般式(I)〜(XI)で表される化合物は低分子であっても良いし、残基がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物(好ましくは質量平均分子量1000〜5000000、より好ましくは5000〜2000000、更に好ましくは10000〜1000000)もしくは、本発明の化合物を主鎖に持つ高分子量化合物(好ましくは質量平均分子量1000〜5000000、より好ましくは5000〜2000000、更に好ましくは10000〜1000000)であっても良い。高分子量化合物の場合はホモポリマーであっても良いし、他のポリマーとの共重合体であっても良く、共重合体である場合はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であっても良い。
【0088】以下に本発明の一般式(I)で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0089】
【化45】


【0090】
【化46】


【0091】
【化47】


【0092】
【化48】


【0093】
【化49】


【0094】
【化50】


【0095】
【化51】


【0096】
【化52】


【0097】
【化53】


【0098】
【化54】


【0099】
【化55】


【0100】
【化56】


【0101】
【化57】


【0102】
【化58】


【0103】
【化59】


【0104】
【化60】


【0105】
【化61】


【0106】
【化62】


【0107】
【化63】


【0108】
【化64】


【0109】
【化65】


【0110】上記化合物はその互変異性体であっても良い。
【0111】次に本発明の一般式(I)に示される化合物の合成法について具体例を示して説明する。
合成例1.例示化合物2の合成
【0112】
【化66】


【0113】1−1.化合物aの合成2−クロロ−3−ニトロピリジン50.8g(0.320モル)、炭酸カリウム90.8g(0.657モル)、ヨウ化銅(I)7.90g(0.0416モル)、トルエン300ミリリットルを室温にて窒素雰囲気下攪拌しているところに、アニリン45.7g(0.490モル)を加えた。5時間加熱還流した後、反応液を濾過し、濾液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサンにて再結晶することにより化合物aを45.7g(0.21モル)得た。収率66%。
1−2.化合物bの合成化合物a60.0g(0.232モル)をテトラヒドロフラン500ミリリットルに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム200g(1.149モル)/水700ミリリットルの溶液を滴下した。更にメタノール50ミリリットルを加えて、1時間攪拌した。次に、酢酸エチル500ミリリットルを加えて、炭酸水素ナトリウム40g(0.476モル)/水400ミリリットルの溶液を加えた。更に4−ブロモベンゾイルクロリド61g(0.232モル)/酢酸エチル170ミリリットルの溶液を滴下し、室温で5時間攪拌した。酢酸エチルで抽出し、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム)で精製した後、クロロホルム/ヘキサンで再結晶することにより化合物bを58.9g(0.16モル)得た。収率69%。
【0114】1−3.化合物cの合成化合物b59.5g(0.16モル)をキシレン1リットルに溶解させ、p−トルエンスルホン酸一水和物9.5g(0.05モル)を加え、窒素雰囲気下、5時間加熱還流しながら共沸脱水を行った。反応液を室温まで冷却した後、析出した固体を濾取し、エタノール/クロロホルムで再結晶することにより、化合物cを42.8g(0.12モル)得た。収率76%。
【0115】1−4.例示化合物2の合成ジエチルアミン1.02g(0.014モル)をキシレン50ミリリットルに溶解させ、ナトリウムメトキシド1.6g(0.017モル)、酢酸パラジウム(II)75mg(0.336ミリモル)、トリ−t−ブチルホスフィン280mg(0.0014モル)を加えて攪拌した。次に化合物c5.0g(0.014モル)を加え、4時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾過により取り除き、濾液を酢酸エチルから抽出した。有機相を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒:クロロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサンより再結晶し、例示化合物2を1.5g(0.0044モル)得た。収率31%。融点:152℃
【0116】合成例2.例示化合物3の合成
【0117】
【化67】


【0118】ジフェニルアミン2.4g(0.014モル)をキシレン50ミリリットルに溶解させ、ナトリウムメトキシド1.6g(0.017モル)、酢酸パラジウム(II)75mg(0.336ミリモル)、トリ−t−ブチルホスフィン280mg(0.0014モル)を加えて攪拌した。次に化合物c5.0g(0.014モル)を加え、8時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾過により取り除き、濾液を酢酸エチルから抽出した。有機相を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒:クロロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサンより再結晶し、例示化合物3を2.8g(0.0064モル)得た。収率46%。融点:215℃
【0119】合成例3.例示化合物4の合成
【0120】
【化68】


【0121】2−ナフチルフェニルアミン3.1g(0.014モル)をキシレン50ミリリットルに溶解させ、ナトリウムメトキシド1.6g(0.017モル)、酢酸パラジウム(II)75mg(0.336ミリモル)、トリ−t−ブチルホスフィン280mg(0.0014モル)を加えて攪拌した。次に化合物c5.0g(0.014モル)を加え、6時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾過により取り除き、濾液を酢酸エチルから抽出した。有機相を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒:クロロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサンより再結晶し、例示化合物4を2.4g(0.0049モル)得た。収率35%。融点:212℃
【0122】合成例4.例示化合物5の合成
【0123】
【化69】


【0124】カルバゾール2.3g(0.014モル)をキシレン50ミリリットルに溶解させ、ナトリウムメトキシド1.6g(0.017モル)、酢酸パラジウム(II)75mg(0.336ミリモル)、トリ−t−ブチルホスフィン280mg(0.0014モル)を加えて攪拌した。次に化合物c5.0g(0.014モル)を加え、8時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾過により取り除き、濾液を酢酸エチルから抽出した。有機相を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒:クロロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサンより再結晶し、例示化合物5を2.6g(0.0060モル)得た。収率43%。融点:193℃
【0125】合成例5.例示化合物6の合成
【0126】
【化70】


【0127】トリベンゾアゼピン1.4g(0.0057モル)をキシレン50ミリリットルに溶解させ、ナトリウムメトキシド0.7g(0.0069モル)、酢酸パラジウム31mg(0.14ミリモル)、トリ−t−ブチルホスフィン115mg(0.00057モル)を加えて攪拌した。次に化合物c2.0g(0.0057モル)を加え、8時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾過により取り除き、濾液を酢酸エチルから抽出した。有機相を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで感想した後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒:クロロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサンより再結晶し、例示化合物6を0.79g(0.0015モル)得た。収率27%。融点:275℃
【0128】合成例6.例示化合物82の合成
【0129】
【化71】


【0130】6−1.化合物dの合成化合物a15.4g(0.072モル)をテトラヒドロフラン125ミリリットルに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム62.3g(0.358モル)/水175ミリリットルの溶液を滴下した。更にメタノール25ミリリットルを加えて、1時間攪拌した。次に、酢酸エチル125ミリリットルを加えて、炭酸水素ナトリウム12g(0.143モル)/水100ミリリットルの溶液を加えた。更に3,5−ジブロモベンゾイルクロリド21.3g(0.072モル)/酢酸エチル45ミリリットルの溶液を滴下し、室温で5時間攪拌した。酢酸エチルで抽出し、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム)で精製した後、クロロホルム/ヘキサンで再結晶することにより化合物dを9.8g(0.022モル)得た。収率31%。
【0131】6−2.化合物eの合成化合物d8.5g(0.019モル)をキシレン150ミリリットルに溶解させ、p−トルエンスルホン酸一水和物1.08g(0.0057モル)を加え、窒素雰囲気下、5時間加熱還流しながら共沸脱水を行った。反応液を室温まで冷却した後、析出した固体を濾取し、エタノール/クロロホルムで再結晶することにより、化合物eを5.6g(0.013モル)得た。収率71%。
【0132】6−3.例示化合物82の合成ジフェニルアミン118mg(0.70ミリモル)をキシレン10ミリリットルに溶解させ、ナトリウムt−ブトキシド81mg(0.84ミリモル)、酢酸パラジウム(II)0.038mg(0.17マイクロモル)、トリ−t−ブチルホスフィン0.14mg(0.7マイクロモル)を加えて攪拌した。次に化合物c300mg(0.70ミリモル)を加え、4時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾過により取り除き、濾液を酢酸エチルから抽出した。有機相を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒:クロロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサンより再結晶し、例示化合物82を60mg(0.099ミリモル)得た。収率14%。
【0133】合成例7.例示化合物94の合成
【0134】
【化72】


【0135】7−1.化合物fの合成化合物a25.2g(0.117モル)をテトラヒドロフラン200ミリリットルに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム102g(0.585モル)/水300ミリリットルの溶液を滴下した。更にメタノール45ミリリットルを加えて、1時間攪拌した。次に、酢酸エチル200ミリリットルを加えて、炭酸水素ナトリウム20g(0.234モル)/水100ミリリットルの溶液を加えた。更に5−ブロモ−m−フタロイルクロリド66.0g(0.234モル)/酢酸エチル100ミリリットルの溶液を滴下し、室温で4時間攪拌した。酢酸エチルで抽出し、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム)で精製した後、クロロホルム/ヘキサンで再結晶することにより化合物fを14.9g(0.026モル)得た。収率22%。
【0136】7−2.化合物gの合成化合物f14.9g(0.026モル)をキシレン150ミリリットルに溶解させ、p−トルエンスルホン酸一水和物0.5g(0.0026モル)を加え、窒素雰囲気下、6時間加熱還流しながら共沸脱水を行った。反応液を室温まで冷却した後、析出した固体を濾取し、エタノール/クロロホルムで再結晶することにより、化合物gを9.2g(0.017モル)得た。収率66%。
【0137】7−3.例示化合物94の合成ジフェニルアミン405mg(2.39ミリモル)をキシレン20ミリリットルに溶解させ、ナトリウムt−ブトキシド276mg(2.87ミリモル)、酢酸パラジウム(II)0.13mg(0.00057ミリモル)、トリ−t−ブチルホスフィン0.48mg(0.0024ミリモル)を加えて攪拌した。次に化合物g1000mg(1.84ミリモル)を加え、3時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾過により取り除き、濾液を酢酸エチルから抽出した。有機相を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒:クロロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサンより再結晶し、例示化合物94を234mg(0.37ミリモル)得た。収率20%。
【0138】次に、本発明の化合物を含有する発光素子に関して説明する。本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法が用いられ、特性面、製造面を考えると抵抗加熱蒸着、コーティング法が好ましい。
【0139】本発明の化合物を発光素子用材料として用いた場合、ホール注入・輸送層、電子注入・輸送層、発光層のいずれに用いても良いが、発光層に用いることが好ましい。
【0140】本発明の発光素子は、陽極、陰極の一対の電極間に発光層、もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであっても良い。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【0141】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物、または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性などの観点からITOが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜500nmである。
【0142】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは機械的強度を保つのに充分な厚みであれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましくは0.7mm以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法(ゾル−ゲル法など)、ITOの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【0143】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの陰極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性などを考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属(例えばLi、Na、K、Csなど)またはそのフッ化物、酸化物、アルカリ土類金属(例えばMg、Caなど)またはそのフッ化物、酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金、またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金、またはそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウムなどの希土類金属が挙げられ、好ましくは仕事関数が4eV以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金、またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金、またはそれらの混合金属などである。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜1μmである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させても良い。陽極および陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω/□以下が好ましい。
【0144】発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであればなんでも良い。発光層に用いる化合物としては本発明の化合物の他、例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体、オルトメタル化錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体など、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレンなどのポリマー化合物などが挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmである。
【0145】発光層の形成方法は特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法(スピンコート法、キャスト法、ディップ法など)、LB法、インクジェット法、印刷法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着法、コーティング法である。
【0146】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。その具体例としては、本発明の化合物の他、例えばカルバゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェンなどの導電性高分子オリゴマーなどが挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は材質により特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、インクジェット法、印刷法、前記正孔注入材料、正孔輸送材料を溶媒に溶解、または分散させてコーティングする方法(スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など)が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【0147】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。その具体例としては、本発明の化合物の他、例えばトリアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレンなどの芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体などが挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、インクジェット法、印刷法、前記電子注入材料、電子輸送材料を溶媒に溶解、または分散させてコーティングする方法(スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など)が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入・輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【0148】保護層の材料としては水分や酸素などの素子劣化を促進するものが素子内に入る事を抑止する機能を有しているものであれば良い。その具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Niなどの金属、MgO、SiO、SiO2、Al23、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe23、Y23、TiO2などの金属酸化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2などの金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質などが挙げられる。保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシー)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、インクジェット法を適用できる。
【0149】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
比較例1.25mm×25mm×0.7mmのガラス基板上にITOを150nmの厚さで製膜したもの(東京三容真空(株)製)を透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング、洗浄後、NPD(N,N'−ビス(1−ナフチル)−N,N'−ジフェニルベンジジン)約40nm、青色発光材料B1約20nmおよび電子輸送材料Alq(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体)約40nmを順に10-3〜10-4Paの真空中で、約0.4nm/秒の蒸着速度で基板温度室温の条件下蒸着した。次いで有機薄膜上にパターニングしたマスク(発光面積が5mm×5mmとなるマスク)を設置し、蒸着装置内でマグネシウム:銀=10:1を250nm共蒸着した後、銀300nmを蒸着し、素子を作成した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し、発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計BM−8、発光波長とCIE色度座標を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。その結果、CIE色度座標が(0.19,0.30)の青緑色発光が得られ、13Vで2400cd/m2の輝度が得られた。
【0150】
【化73】


【0151】比較例2.比較例1と同様に、ITO基板上にNPD約40nm、青色発光材料B1約20nmおよび電子輸送材料ETM2を約40nmを蒸着し、陰極を蒸着して素子を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、発光波長が432nm、CIE色度座標が(0.19,0.31)の青色発光が得られ、14Vで1950cd/m2の輝度が得られた。
【0152】実施例1.比較例1と同様に、ITO基板上にNPD約40nm、例示化合物3約20nmおよび電子輸送材料ETM1を約40nmを蒸着し、陰極を蒸着して素子を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、発光波長が432nm、CIE色度座標が(0.16,0.12)の青色発光が得られ、12Vで2640cd/m2の輝度が得られた。
【0153】実施例2.比較例1と同様に、ITO基板上にNPD約40nm、例示化合物4約20nmおよび電子輸送材料ETM1を約40nmを蒸着し、陰極を蒸着して素子を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、発光波長が443nm、CIE色度座標が(0.15,0.11)の青色発光が得られ、12Vで2800cd/m2の輝度が得られた。
【0154】実施例3.比較例1と同様に、ITO基板上にNPD約40nm、例示化合物5約20nmおよび電子輸送材料ETM1を約40nmを蒸着し、陰極を蒸着して素子を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、発光波長が435nm、CIE色度座標が(0.16,0.11)の青色発光が得られ、14Vで3832cd/m2の輝度が得られた。
【0155】実施例4.比較例1と同様に、ITO基板上にNPD約40nm、例示化合物6約20nmおよび電子輸送材料ETM1を約40nmを蒸着し、陰極を蒸着して素子を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、発光波長が411nm、CIE色度座標が(0.17,0.13)の青色発光が得られ、14Vで3230cd/m2の輝度が得られた。
【0156】実施例5.実施例1〜実施例4で作製した素子について、駆動電圧8Vと15Vでの輝度、色度を測定したところ、表1に示した結果が得られた。
【0157】
【表1】


【0158】表1の結果から明らかなように、本発明の化合物を含有する素子では、駆動電圧の上昇に伴う青色純度の悪化が殆ど見られず、広い駆動電圧範囲で色純度の高い青色発光が可能であることがわかった。
【0159】実施例6.比較例1と同様に、ITO基板上にNPD約40nm、例示化合物6約20nmおよび電子輸送材料ETM2を約40nmを蒸着し、陰極を蒸着して素子を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、発光波長が411nm、CIE色度座標が(0.17,0.13)の青色発光が得られ、12Vで2320cd/m2の輝度が得られた。
【0160】実施例7.比較例2と実施例6で作製した素子について、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止容器で紫外線硬化型接着剤(長瀬チバ製、XNR5493)を用いて封止した。該素子を外温85℃の恒温層に20日間保管し、保管前後の駆動電圧(輝度200cd/m2時)を測定したところ、表2に示した結果が得られた。
【0161】
【表2】


【0162】表2の結果から明らかなように、本発明の化合物を含有する素子では、素子の高温保存耐久性に著しい改善が見られ、長期にわたる安定な駆動が可能であることが分かった。
【0163】これらの結果より、本発明の化合物を発光材料として用いた素子では、非ドープ型の素子でも高輝度な青色発光が得られることがわかった。特に、色純度に非常に優れた発光素子が得られることがわかった。また、従来の素子では駆動電圧を高くすると青色純度が低下するのに対し、本発明の化合物を用いた素子では広い駆動電圧範囲で色純度の高い青色発光が可能であることがわかった。また、本発明の化合物を用いた素子は、高温での保存耐久性においても著しい改善が見られた。
【0164】実施例8.比較例1と同様に洗浄処理したITO基板上に、ポリ(N−ビニルカルバゾール)を40mg、PBD(2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)を12mg、例示化合物2を0.5mg、1,2−ジクロロエタン3mlに溶解させてスピンコートにより塗布した。生成した有機薄膜の膜厚は約120nmであった。有機薄膜上にパターニングしたマスク(発光面積が5mm×5mmとなるマスク)を設置し、蒸着装置内でマグネシウム:銀=10:1を250nm共蒸着した後、銀300nmを蒸着して発光素子を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、発光波長が450nm、CIE色度座標が(0.16,0.12)の青色発光が得られ、15Vで1480cd/m2の輝度が得られた。
【0165】この結果、本発明の化合物を用いた素子では、通常発光輝度の低い塗布型素子でも高輝度発光が可能であり、非常に色純度の高い青色発光素子が得られることがわかった。
【0166】
【発明の効果】本発明により、従来に比較して色純度が特に優れ、保存耐久性にも優れた、高輝度な発光を示す非ドープ型青色発光素子を得ることができた。

【特許請求の範囲】
【請求項1】 下記一般式(I)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化1】


(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z1はヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。XはO、S、Se、TeまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)
【請求項2】 下記一般式(II)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化2】


(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z2は芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。XはO、S、Se、TeまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)
【請求項3】 下記一般式(III)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化3】


(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z3は含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。XはO、S、Se、TeまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)
【請求項4】 下記一般式(IV)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化4】


(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z4は6員環の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。XはO、S、Se、TeまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)
【請求項5】 下記一般式(V)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化5】


(式中、R1およびR2は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z5は6員環の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。X5はO、SまたはN−R(Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)を表す。)
【請求項6】 下記一般式(VI)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化6】


(式中、R1、R2およびR61は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z6は6員環の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Lは連結基を表す。)
【請求項7】 下記一般式(VII)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化7】


(式中、R1、R2およびR71は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Z7は6員環の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Ar7はアリーレンまたは二価の芳香族へテロ環を表す。)
【請求項8】 下記一般式(VIII) で表される化合物。
【化8】


(式中、R1、R2、R81は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R82、R83およびR84は水素原子または置換基を表す。Ar8はアリーレンまたは二価の芳香族へテロ環を表す。)
【請求項9】 下記一般式(VIII)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化9】


(式中、R1、R2、R81は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R82、R83およびR84は水素原子または置換基を表す。Ar8はアリーレンまたは二価の芳香族へテロ環を表す。)
【請求項10】 下記一般式(IX)で表される化合物。
【化10】


(式中、R1、R2、R91は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R92、R93、R94、R95、R96、R97およびR98は水素原子または置換基を表す。)
【請求項11】 下記一般式(IX)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化11】


(式中、R1、R2、R91は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。R92、R93、R94、R95、R96、R97およびR98は水素原子または置換基を表す。)
【請求項12】 下記一般式(X)で表される化合物。
【化12】


(式中、R1、R2、R101は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基をあらわす。R102、R103、R104、R105、R106およびR107は水素原子または置換基を表す。)
【請求項13】 下記一般式(X)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化13】


(式中、R1、R2、R101は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基をあらわす。R102、R103、R104、R105、R106およびR107は水素原子または置換基を表す。)
【請求項14】 下記一般式(XI)で表される化合物。
【化14】


(式中、R1、R2、R111は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基をあらわす。R112、R113、R114、R115、R116およびR117は水素原子または置換基を表す。)
【請求項15】 下記一般式(XI)で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【化15】


(式中、R1、R2、R111は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基をあらわす。R112、R113、R114、R115、R116およびR117は水素原子または置換基を表す。)
【請求項16】 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも一層が請求項1〜15に記載の一般式(I)〜(XI)で表される化合物の少なくとも一種を含有する層であることを特徴とする発光素子。
【請求項17】 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも一層が請求項1〜15に記載の一般式(I)〜(XI)で表される化合物の少なくとも一種をポリマー中に分散した層であることを特徴とする発光素子。

【公開番号】特開2001−192653(P2001−192653A)
【公開日】平成13年7月17日(2001.7.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2000−89632(P2000−89632)
【出願日】平成12年3月28日(2000.3.28)
【出願人】(000005201)富士写真フイルム株式会社 (7,609)
【Fターム(参考)】