有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法、その方法において使用される基板、及び、その方法により得られる有機エレクトロルミネセンス表示装置
有機エレクトロルミネセンス（電子発光）表示装置の製造方法において、第１の方向においても第２の方向と同様に第１の導体を延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス接続が導体の交差部間に設けられ、基板はプラスチックから作られ、その基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられる。本発明はまた、有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する本発明に係る方法における用途を意図する基板を提供するものであり、その基板は、プラスチックから作られ、その基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられる。本発明はさらに、本発明に係る方法により得られる有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の方向だけでなく第２の方向においても導体を延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス（電子発光）接続を導体の交差部間に設ける、有機エレクトロルミネセンス（電子発光）表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
本発明はまた、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法における用途に適し、斯かる用途を意図する基板に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する公知の方法では、先ず、基板をガラスにより製作し、その基板上に例えば回転塗布法によってフォトレジストを形成した構造を設ける。フォトレジストは部分的に露出させ、その後、洗浄技術により部分的に除去する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらのプロセスは手間がかかり、多くの時間を要するため、コストがかかる。表示装置の製造において大きな部分を占めるのは、正にこの費用原価であるため、表示装置の製造において、そのような「湿式」化学工程を省いて表示装置を提供すれば非常に有利である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このため、本発明によれば、冒頭の段落において述べた種類の方法は、基板がプラスチックから作られ、かつ、少なくとも形成すべきいくつかの層に対して境界を形成する表面構造を基板に設けることを特徴とする。
【０００６】
斯かる表面構造を設けたプラスチック基板は、例えば、射出成形、エンボス加工、光重合による複製等、本質的に公知のプラスチック設計プロセスによって製作することができる。エンボス加工は、例えば米国特許公報第ＵＳ−Ａ−４６５９４０７号に記載されており、光重合による複製は国際公開公報第ＷＯ８７／０２９３４号に記載されている。射出成形技術を用いることにより、プラスチック基板において非常に精巧なサブミクロン構造を比較的に非常に低い費用原価で製造できることは、例えばＣＤの作製から公知である。従って、基板形成に湿式化学技術を用いることは、斯かる技術に関連する総ての利点をもってしてもその必要性がない。例えば、国際公開公報第ＷＯ９９／１２１６０号や欧州特許公報第ＥＰ−Ａ−０４０８２８３号に記載の通り、そのような精巧な表面構造はフィルム上にも形成することができる。
【０００７】
本発明に係る方法のさらなる態様によれば、第１の導電層は、例えばスパッタリングプロセス等の層形成プロセスによって形成することができ、プラスチック基板の表面構造にはシャドウイング構造が設けられる。そのシャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、このシャドウイングプロセスの部分が、仮に各導電層によって被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とする。
【０００８】
シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きくなるようにしなければならない。
【０００９】
本発明のさらなる態様によれば、シャドウイング構造は、多数の平行な狭く深い溝を備えることができ、溝の幅及び深さは、層形成プロセスにおいて、溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、仮に第１の導電層によって被覆されるとしてもわずかに被覆される程度となるようにする。
【００１０】
斯かる溝構造は、離型方法により、プラスチック基板を形成する鋳型からこれを取り外せるように設計することができる。そのため、プラスチック基板の設計プロセスにおいては、プラスチック基板に必要な単一の仕上げ工程を行わずにシャドウイング構造を設ける。基本的に、鋳型の形状が適切であれば、プラスチック基板の設計プロセスにおいてシャドウイング構造を得る費用は実質的にかからない。
【００１１】
本発明のまた別の態様によると、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷技術、熱転写印刷等の印刷操作により層を形成することができる。印刷プロセスを幾分簡略化するため、言うなれば基板の表面構造に予め流路を設け、そこに印刷プロセスで分配された液体を蒸着させるように設計すると有利である。それぞれの流路の壁は、印刷プロセスにおいて流路内に蒸着された液体の境界を形成する。
【００１２】
その後、印刷技術、スパッタリング等の層形成技術、ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤ技術により、層及び層パターンを形成し、それらを用いて有機エレクトロルミネセンス表示装置を構成することができる。斯かる層及び層パターンは、例えば、ピクセルピット又はサブピクセルピットにおけるＰＤＯＴ及びＰＰＶ層、第１の導体を被覆する絶縁層、並びに、いくつかの第２の導体を形成する導電層を含む。
【００１３】
本発明のさらなる態様によれば、任意に、後続層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、硬化ワニスを使用し、既にいくつかの層を形成した基板に追加の凹凸構造を設けることができる。例えば、簡単な方法により、第２の導体を形成する液体を蒸着させることのできるいくつかの新たな流路を形成することができる。この硬化ワニスは、例えば、インクジェット印刷操作により局所的に蒸着するＵＶ硬化ワニスとしてもよい。斯かる方法は、例えば、比較的に狭く深い溝にＵＶ硬化ワニスを充填することによって、上記のシャドウイング構造をも除去することができる。
【００１４】
本発明のまた別のさらなる態様によれば、少なくとも一つの層を形成した後に、例えば、局所的熱処理等の変形技術によって表面構造の形状を適応させることができる。そのような熱処理は、例えば、非接触的に赤外線により若しくはレーザ照射により、又は、接触処理により行うことができる。その結果、例えば、溝状のシャドウイング構造を溶解することができる。
【００１５】
本発明によれば、冒頭の段落で述べた基板は、プラスチックから作られ、少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造が設けられることを特徴とする。
【００１６】
斯かる表面構造を設けたプラスチック基板は、射出成形プロセスにおける一回の操作により製造することができる。これは、基板の費用原価が格段に低くなることを意味する。これは、光化学技術を用いて構造を設ける、従来使用されてきたガラス製の基板とは対照をなすものである。
【００１７】
本発明のさらなる態様によれば、表面構造にはいくつかのピクセルピット又はサブピクセルピットを備えることができる。斯かるピットを備えることにより、インクジェットプロセスを用いてのＰＤＯＴやＰＰＶ等の液体蒸着が、簡素でより制御しやすくなる。
【００１８】
さらに、スパッタリングプロセス、間接スパッタリング及び蒸着の少なくとも一つにより、シャドウイング構造の部分をそれぞれの導電層によって被覆せずに、導電層において絶縁路を形成するようにしたシャドウイング構造を表面構造に設けることもできる。本発明のさらなる態様によれば、平行な狭く深いいくつかの溝によってシャドウイング構造を形成することができ、その溝は、スパッタリングプロセスにおいて、溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部を第１の導電層が被覆することのない幅及び深さとする。
【００１９】
本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットには、通過する生成光に作用する構造を設けることができる。斯かる構造は、ピクセルピット又はサブピクセルピットから離隔した基板の側部に設けることができる。例えば、通過する光を収束させたり発散させたりするフレネルレンズ形式の構造が考慮される。
【００２０】
さらに、本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設ける層を形成するための液体の分配を改良することを目的とする構造を、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設けることができる。尚、印刷技術により、液体を蒸着させる流路にかかる液体の分配を改良する構造を設けて、液体をより良く分配させることもできる。
【００２１】
本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットに接触面拡大構造を設けることができる。先ず、斯かる接触面拡大構造によってより大きい導電面が得られるため、ピクセルを交差する電気抵抗が減少する。しかも、より大きな電子発光面が作られるため、ピクセル当りの光強度が増す。液体の分配を改良する構造に接触面拡大構造を任意に組み合わせてもよい。その構造は、例えば、いくつかの毛細管状の溝を備えることができる。
【００２２】
本発明はまた、請求項３１乃至４４のいずれか一項に記載の基板を基にして、請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法を用いて製造される有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１及び図２は、有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造するための層を設けていない状態のプラスチック基板１の一部分の断面正面図及び平面図を示す。基板の製造中に、例えば射出成形操作により、少なくとも形成すべきいくつかの層に対して境界を形成する表面構造を基板に設ける。例えば、ピクセルピット境界３によって包囲されたピクセルピット２が明確に見てとれる。表面構造は、さらにシャドウイング構造４を備えている。この実施の形態の例においては、シャドウイング構造は、その都度、いくつかの平行な深く狭い溝４’、４’’、４’’’として設計した。斯かるシャドウイング構造は、例えばスパッタリング等の層形成プロセスによって形成した層が、仮にシャドウイング構造の部分を被覆するとしても、わずかに被覆する程度とする。
【００２４】
図３及び図４は、例えば窒化物−酸化物−窒化物層、即ち、ＮＯＮ層等の透明カプセル充填層５を設けた、斯かる基板を示す。このほかにも、水、酸素及び他の望ましくない物質に対して密閉性のある透明層も可能である。透明カプセル充填層は、例えば、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、ＰＥＣＶＤプロセス等の蒸着法により形成することができる。
【００２５】
図５及び図６は、第１の導電層６を形成した後の基板を示す。斯かる層は、例えばスパッタリングプロセスにより形成することができる。この実施の形態においては、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）層によって第１の導電層を形成する。他の導電層も形成することができる。溝４’、４’’、４’’’の深い部分は、仮に第１の導電層６によって被覆されるとしても、わずかに被覆される程度であることが明確に見てとれる。このようにして、相互に絶縁され第１の方向に延在する平行な導電路が得られる。図５及び図６はまた、基板の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２において延在する第１の導体の部分を明示する。第１の導電層は、いわゆるＰＤＯＴ層でもよい。但し、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層７をピクセルピット又はサブピクセルピット２だけに形成することもまた可能である。図７及び図８に示す、最後に述べるオプションの場合は、例えばインクジェット操作等の印刷操作によりピクセルピット又はサブピクセルピット内において層を蒸着させることができる。ピクセルピット又はサブピクセルピット２は、ピクセルピット境界３によって包囲されているため、ＰＤＯＴ層を形成する液体がピクセルピット又はサブピクセルピット２の外に流出するリスクは最小限に抑制される。
【００２６】
その後、図９及び図１０では、ピクセルピット又はサブピクセルピット２においてさらに、例えばＰＰＶ層等の発光層８が蒸着されていることが分かる。この層もまた、例えばインクジェット印刷により設けることができる。
【００２７】
図１１及び図１２は、シャドウイング構造４を示しており、深く狭い溝４’、４’’、４’’’に絶縁被覆９が充填された様子をより詳細に示している。この被覆は、例えばＵＶ硬化ワニスによって形成することができ、ＵＶ硬化ワニスは、インクジェット印刷操作によって正確に塗布することができる。また、その代わりに、図３９ｂに示す方法を用いてもよい。
【００２８】
次に、図１３及び図１４に示すように、基板１の全体をバリウムの層１０により被覆し、その上に、図１５及び図１６に示すように、第２の導電層１１を形成することにより、相互に絶縁され第２の方向に延在するいくつかの平行な導体１２を設ける。第２の導体１２の部分は、基板の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２に延在する。この実施の形態においては、第２の導体１２は、平行なシャドウイング構造４の間に延在する第１の導体に対し垂直に延在する。第２の導電層１１もまた、例えばインクジェット印刷操作等の印刷プロセスにより選択的に形成できる。
【００２９】
最後に、図１７及び図１８は、基板全体に渡って第２のカプセル充填層１３を形成した様子を示す。この層もまた、密閉により、例えば水、酸素等の望ましくない物質を遮断する。
【００３０】
図１９及び図２０は、基板２１の第２の実施の形態を示す。第１の実施の形態とは対照的に、この基板には、上述のシャドウイング構造を設けていない。その代わりに、印刷可能な第１の導電層のために流路境界２４’を有する流路構造２４が存在する。また、ピクセルピット又はサブピクセルピット２２がピクセルピット境界２３と共に明確に見てとれる。さらに、印刷可能な第２の導電層のために、分離構造２５が既に部分的に存在する。この分離構造２５は、第１の導電層２７を印刷する流路２４の位置で途絶えている。
【００３１】
図２１及び図２２は、例えば窒化物−酸化物−窒化物、即ち、ＮＯＮ層等の透明カプセル充填層２６を設けた、斯かる基板を示す。この他にも、水や酸素の他、望ましくない物質に対して密閉性のある透明層が可能である。透明カプセル充填層２６は、例えば、ＣＶＤプロセスやＰＥＣＶＤプロセス等の蒸着技術により形成することができる。
【００３２】
図２３及び図２４は、印刷した第１の導電層２７を示す。第１の導電層２７が、そのために用意された流路構造２４とピクセルピット又はサブピクセルピット１２とに延在する様子が明確に見てとれる。この例示の実施の形態における第１の導電層２７は、インクジェット印刷操作によって所望の位置に設けられたＰＤＯＴ層により形成される。流路構造境界２４’とピクセルピット境界２３とは、液体が所望の領域外に流出することを確実に防止する。
【００３３】
図２５及び図２６は、ピクセルピット又はサブピクセルピット２２において、さらに、例えばＰＰＶ層等の発光層２８を蒸着した様子を示す。この層２８もまた、例えばインクジェット印刷により設けることができる。
【００３４】
図２７及び図２８は、流路構造２４に渡って絶縁被覆２９を設けたことを示す。絶縁被覆２９は、例えば、ＵＶワニスやフォトレジストワニスによって形成することができる。
【００３５】
図２９及び図３０は、流路構造２４に敷居３０を設けることにより分離構造２５をも設けた様子を示す。従って、後続層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、既にいくつかの層が設けられた基板上に追加の凹凸構造を設ける。例示的な本実施の形態においては、硬化ワニス、例えばＵＶ硬化ワニスを使用して印刷操作により追加の凹凸構造３０を設ける。このようにして、相互に平行に延在する流路３１が形成され、その流路方向は、第１の導体２７が延在する前記の第１の方向に対して垂直である。
【００３６】
図３１及び図３２においては、その後、基板全体を、例えばカルシウム−マグネシウム層、フッ化リチウム層、バリウム層等の電子注入層３２により被覆した様子を示す。
【００３７】
図３３及び図３４は、その後、例えばインクジェット印刷操作により、流路３１に第２の導電層３３を設けた様子を示す。第２の導電層３３は、相互に絶縁され第２の方向に延在するいくつかの平行な導体を提供し、他方で第２の導体の部分は、基板２１の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２２において延在する。
【００３８】
最後に、図３５及び図３６は、第２の導電層の形成後に、基板表面のほぼ全面に渡ってカプセル充填層３４を形成した様子を示す。この層もまた密封により、例えば、水、酸素等の望ましくない物質を遮断する。例えば、窒化物−金属−窒化物層、ＮＯＮＯＮ層、ＮＤＬＣＮ層（窒化ダイヤモンド様窒化炭素（nitride diamond like carbon nitride））等により斯かる層を構成することができる。
【００３９】
図３７は、通過する生成光に作用する構造３５をピクセルピット又はサブピクセルピットに設けた基板の頂平面図を示す。図３７においては、その構造が収束作用、発散作用、又は、逆に、平行作用を及ぼすフレネルレンズ３５を形成している。尚、そのような構造をいくつかのピクセルに渡って延在させることも可能であり、その結果、出来上がったディスプレイの一部分において、放出される光が光学的に影響を受けることに注意されたい。そのような構造は、ピクセルピットから離隔した基板の側部に設けることもできる。
【００４０】
図３８においては、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設ける層を形成するために液体の分配を改善することを目的に、ピクセルピット又はサブピクセルピット２、２２に設けた別の構造３６を示す。この構造３６は、好ましくは、接触面拡大効果をも備える。これは、例えば、毛細管状溝を設けた構造によって達成することができる。このように接触面を大きくすることにより、電気抵抗が減少するばかりでなく、より大きな発光面が得られ、その結果、より多くの光が発生することになる。
【００４１】
図３９ａにおいても、シャドウイング構造４を備える基板１の断面を示す。図３９ｂにおいては、レンズ３７を通して誘導されるレーザビーム又は赤外線ビームによってこの構造が局所的に溶解される様子が示されている。シャドウイング構造４は、局所的に加熱されて溶解し、その結果、シャドウイング構造４は消滅する。
【００４２】
本発明は、本明細書に記載した例示的な実施の形態に限定されないこと、また、添付の請求項に規定する本発明の範囲において、様々な変更が可能であることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図４】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図５】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図６】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図７】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図８】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図９】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１１】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１２】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１３】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１７】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１８】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１９】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２０】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２１】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２２】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２３】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２４】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２５】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２６】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２７】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２８】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２９】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３０】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３１】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３２】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３３】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３４】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３５】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３６】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３７】ピクセルピットに第１の構造を形成した基板の平面図である。
【図３８】ピクセルピットに第２の構造を形成した基板の平面図である。
【図３９ａ】シャドウイング構造を設けた基板を示す図である。
【図３９ｂ】熱レーザ操作を通じて上記シャドウイング構造を局所的に除去する方法を示す図である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の方向においても導体を第２の方向における第２の導体と同様に延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス（電子発光）化合物が第１及び第２の導体の交差部に設けられる、有機エレクトロルミネセンス（電子発光）表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
本発明はまた、層形成プロセスによって第１の導電層を形成する工程を含む本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法における用途に適し、斯かる用途を意図する基板に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する公知の方法では、先ず、基板をガラスにより製作し、その基板上に例えば回転塗布法によってフォトレジストを形成した構造を設ける。フォトレジストは部分的に露出させ、その後、洗浄技術により部分的に除去する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらのプロセスは手間がかかり、多くの時間を要するため、コストがかかる。表示装置の製造において大きな部分を占めるのは、正にこの費用原価であるため、表示装置の製造において、そのような「湿式」化学工程を省いて表示装置を提供すれば非常に有利である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このため、本発明によれば、冒頭の段落において述べた種類の方法は、基板が、プラスチックから作られ、かつ、少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造を有するものであり、第１の導電層は、層形成プロセスによって形成されるものであり、プラスチック基板の表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、そのシャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、このシャドウイング構造の部分が、仮に各導電層により被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とし、シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きいものであることを特徴とする。
【０００６】
斯かる表面構造を設けたプラスチック基板は、例えば、射出成形、エンボス加工、光重合による複製等、本質的に公知のプラスチック形成プロセスによって製作することができる。エンボス加工は、例えば米国特許公報第ＵＳ−Ａ−４６５９４０７号に記載されており、光重合による複製は国際公開公報第ＷＯ８７／０２９３４号に記載されている。射出成形技術を用いることにより、プラスチック基板において非常に精巧なサブミクロン構造を比較的に非常に低い費用原価で製造できることは、例えばＣＤの作製から公知である。従って、基板形成に湿式化学技術を用いることは、斯かる技術に関連する総ての利点をもってしてもその必要性がない。例えば、国際公開公報第ＷＯ９９／１２１６０号や欧州特許公報第ＥＰ−Ａ−０４０８２８３号に記載の通り、そのような精巧な表面構造はフィルム上にも形成することができる。
【０００７】
本発明のまたさらなる態様によれば、シャドウイング構造は、多数の平行な狭く深い溝を備えることができ、溝の幅及び深さは、層形成プロセスにおいて、溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、仮に第１の導電層によって被覆されるとしてもわずかに被覆される程度となるようにする。
【０００８】
斯かる溝構造は、離型方法により、プラスチック基板を形成する鋳型からこれを取り外せるように設計することができる。そのため、プラスチック基板の形成プロセスにおいては、プラスチック基板に必要な単一の仕上げ工程を行わずにシャドウイング構造を設ける。基本的に、鋳型の形状が適切であれば、プラスチック基板の設計プロセスにおいてシャドウイング構造を得る費用は実質的にかからない。
【０００９】
本発明のまた別の態様によると、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷技術、熱転写印刷等の印刷操作により層を形成することができる。印刷プロセスを幾分簡略化するため、言うなれば基板の表面構造に予め流路を設け、そこに印刷プロセスで分配された液体を蒸着させるように設計すると有利である。それぞれの流路の壁は、印刷プロセスにおいて流路内に蒸着された液体の境界を形成する。
【００１０】
その後、印刷技術、スパッタリング等の層形成技術、ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤ技術により、層及び層パターンを形成し、それらを用いて有機エレクトロルミネセンス表示装置を構成することができる。斯かる層及び層パターンは、例えば、ピクセルピット又はサブピクセルピットにおけるＰＤＯＴ及びＰＰＶ層、第１の導体を被覆する絶縁層、並びに、いくつかの第２の導体を形成する導電層を含む。
【００１１】
本発明のさらなる態様によれば、任意に、後続層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、硬化ワニスを使用し、既にいくつかの層を形成した基板に追加の凹凸構造を設けることができる。例えば、簡単な方法により、第２の導体を形成する液体を蒸着させることのできるいくつかの新たな流路を形成することができる。この硬化ワニスは、例えば、インクジェット印刷操作により局所的に蒸着するＵＶ硬化ワニスとしてもよい。斯かる方法は、例えば、比較的に狭く深い溝にＵＶ硬化ワニスを充填することによって、上記のシャドウイング構造をも除去することができる。
【００１２】
本発明のまた別のさらなる態様によれば、少なくとも一つの層を形成した後に、例えば、局所的熱処理等の変形技術によって表面構造の形状を適応させることができる。そのような熱処理は、例えば、非接触的に赤外線により若しくはレーザ照射により、又は、接触処理により行うことができる。その結果、例えば、溝状のシャドウイング構造を溶解することができる。
【００１３】
本発明によれば、冒頭の段落で述べた基板は、プラスチックから作られ、本発明に係る方法において少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造を有し、かつ、プラスチック基板の表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、そのシャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、このシャドウイング構造の部分が、仮に各導電層により被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とし、シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きいものであることを特徴とする。
【００１４】
斯かる表面構造を設けたプラスチック基板は、射出成形プロセスにおける一回の操作により製造することができる。これは、基板の費用原価が格段に低くなることを意味する。これは、光化学技術を用いて構造を設ける、従来使用されてきたガラス製の基板とは対照をなすものである。
【００１５】
本発明のさらなる態様によれば、表面構造にはいくつかのピクセルピット又はサブピクセルピットを備えることができる。斯かるピットを備えることにより、インクジェットプロセスを用いてのＰＤＯＴやＰＰＶ等の液体蒸着が、簡素でより制御しやすくなる。
【００１６】
さらに、スパッタリングプロセス、間接スパッタリング及び蒸着の少なくとも一つにより、シャドウイング構造の部分をそれぞれの導電層によって被覆せずに、導電層において絶縁路を形成するようにしたシャドウイング構造を表面構造に設けることもできる。本発明のさらなる態様によれば、平行な狭く深いいくつかの溝によってシャドウイング構造を形成することができ、その溝は、スパッタリングプロセスにおいて、溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部を第１の導電層が被覆することのない幅及び深さとする。
【００１７】
本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットには、通過する生成光に作用する構造を設けることができる。斯かる構造は、ピクセルピット又はサブピクセルピットから離隔した基板の側部に設けることができる。例えば、通過する光を収束させたり発散させたりするフレネルレンズ形式の構造が考慮される。
【００１８】
さらに、本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設ける層を形成するための液体の分配を改良することを目的とする構造を、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設けることができる。尚、印刷技術により、液体を蒸着させる流路にかかる液体の分配を改良する構造を設けて、液体をより良く分配させることもできる。
【００１９】
本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットに接触面拡大構造を設けることができる。先ず、斯かる接触面拡大構造によってより大きい導電面が得られるため、ピクセルを交差する電気抵抗が減少する。しかも、より大きな電子発光面が作られるため、ピクセル当りの光強度が増す。液体の分配を改良する構造に接触面拡大構造を任意に組み合わせてもよい。その構造は、例えば、いくつかの毛細管状の溝を備えることができる。
【００２０】
本発明はまた、請求項３１乃至４４のいずれか一項に記載の基板を基にして、請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法を用いて製造される有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１及び図２は、有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造するための層を設けていない状態のプラスチック基板１の一部分の断面正面図及び平面図を示す。基板の製造中に、例えば射出成形操作により、少なくとも形成すべきいくつかの層に対して境界を形成する表面構造を基板に設ける。例えば、ピクセルピット境界３によって包囲されたピクセルピット２が明確に見てとれる。表面構造は、さらにシャドウイング構造４を備えている。この実施の形態の例においては、シャドウイング構造は、その都度、いくつかの平行な深く狭い溝４’、４’’、４’’’として設計した。斯かるシャドウイング構造は、例えばスパッタリング等の層形成プロセスによって形成した層が、仮にシャドウイング構造の部分を被覆するとしても、わずかに被覆する程度とする。
【００２２】
図３及び図４は、例えば窒化物−酸化物−窒化物層、即ち、ＮＯＮ層等の透明カプセル充填層５を設けた、斯かる基板を示す。このほかにも、水、酸素及び他の望ましくない物質に対して密閉性のある透明層も可能である。透明カプセル充填層は、例えば、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、ＰＥＣＶＤプロセス等の蒸着法により形成することができる。
【００２３】
図５及び図６は、第１の導電層６を形成した後の基板を示す。斯かる層は、例えばスパッタリングプロセスにより形成することができる。この実施の形態においては、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）層によって第１の導電層を形成する。他の導電層も形成することができる。溝４’、４’’、４’’’の深い部分は、仮に第１の導電層６によって被覆されるとしても、わずかに被覆される程度であることが明確に見てとれる。このようにして、相互に絶縁され第１の方向に延在する平行な導電路が得られる。図５及び図６はまた、基板の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２において延在する第１の導体の部分を明示する。第１の導電層は、いわゆるＰＤＯＴ層でもよい。但し、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層７をピクセルピット又はサブピクセルピット２だけに形成することもまた可能である。図７及び図８に示す、最後に述べるオプションの場合は、例えばインクジェット操作等の印刷操作によりピクセルピット又はサブピクセルピット内において層を蒸着させることができる。ピクセルピット又はサブピクセルピット２は、ピクセルピット境界３によって包囲されているため、ＰＤＯＴ層を形成する液体がピクセルピット又はサブピクセルピット２の外に流出するリスクは最小限に抑制される。
【００２４】
その後、図９及び図１０では、ピクセルピット又はサブピクセルピット２においてさらに、例えばＰＰＶ層等の発光層８が蒸着されていることが分かる。この層もまた、例えばインクジェット印刷により設けることができる。
【００２５】
図１１及び図１２は、シャドウイング構造４を示しており、深く狭い溝４’、４’’、４’’’に絶縁被覆９が充填された様子をより詳細に示している。この被覆は、例えばＵＶ硬化ワニスによって形成することができ、ＵＶ硬化ワニスは、インクジェット印刷操作によって正確に塗布することができる。また、その代わりに、図３９ｂに示す方法を用いてもよい。
【００２６】
次に、図１３及び図１４に示すように、基板１の全体をバリウムの層１０により被覆し、その上に、図１５及び図１６に示すように、第２の導電層１１を形成することにより、相互に絶縁され第２の方向に延在するいくつかの平行な導体１２を設ける。第２の導体１２の部分は、基板の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２に延在する。この実施の形態においては、第２の導体１２は、平行なシャドウイング構造４の間に延在する第１の導体に対し垂直に延在する。第２の導電層１１もまた、例えばインクジェット印刷操作等の印刷プロセスにより選択的に形成できる。
【００２７】
最後に、図１７及び図１８は、基板全体に渡って第２のカプセル充填層１３を形成した様子を示す。この層もまた、密閉により、例えば水、酸素等の望ましくない物質を遮断する。
【００２８】
図１９及び図２０は、基板２１の第２の実施の形態を示す。第１の実施の形態とは対照的に、この基板には、上述のシャドウイング構造を設けていない。その代わりに、印刷可能な第１の導電層のために流路境界２４’を有する流路構造２４が存在する。また、ピクセルピット又はサブピクセルピット２２がピクセルピット境界２３と共に明確に見てとれる。さらに、印刷可能な第２の導電層のために、分離構造２５が既に部分的に存在する。この分離構造２５は、第１の導電層２７を印刷する流路２４の位置で途絶えている。
【００２９】
図２１及び図２２は、例えば窒化物−酸化物−窒化物、即ち、ＮＯＮ層等の透明カプセル充填層２６を設けた、斯かる基板を示す。この他にも、水や酸素の他、望ましくない物質に対して密閉性のある透明層が可能である。透明カプセル充填層２６は、例えば、ＣＶＤプロセスやＰＥＣＶＤプロセス等の蒸着技術により形成することができる。
【００３０】
図２３及び図２４は、印刷した第１の導電層２７を示す。第１の導電層２７が、そのために用意された流路構造２４とピクセルピット又はサブピクセルピット１２とに延在する様子が明確に見てとれる。この例示の実施の形態における第１の導電層２７は、インクジェット印刷操作によって所望の位置に設けられたＰＤＯＴ層により形成される。流路構造境界２４’とピクセルピット境界２３とは、液体が所望の領域外に流出することを確実に防止する。
【００３１】
図２５及び図２６は、ピクセルピット又はサブピクセルピット２２において、さらに、例えばＰＰＶ層等の発光層２８を蒸着した様子を示す。この層２８もまた、例えばインクジェット印刷により設けることができる。
【００３２】
図２７及び図２８は、流路構造２４に渡って絶縁被覆２９を設けたことを示す。絶縁被覆２９は、例えば、ＵＶワニスやフォトレジストワニスによって形成することができる。
【００３３】
図２９及び図３０は、流路構造２４に敷居３０を設けることにより分離構造２５をも設けた様子を示す。従って、後続層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、既にいくつかの層が設けられた基板上に追加の凹凸構造を設ける。例示的な本実施の形態においては、硬化ワニス、例えばＵＶ硬化ワニスを使用して印刷操作により追加の凹凸構造３０を設ける。このようにして、相互に平行に延在する流路３１が形成され、その流路方向は、第１の導体２７が延在する前記の第１の方向に対して垂直である。
【００３４】
図３１及び図３２においては、その後、基板全体を、例えばカルシウム−マグネシウム層、フッ化リチウム層、バリウム層等の電子注入層３２により被覆した様子を示す。
【００３５】
図３３及び図３４は、その後、例えばインクジェット印刷操作により、流路３１に第２の導電層３３を設けた様子を示す。第２の導電層３３は、相互に絶縁され第２の方向に延在するいくつかの平行な導体を提供し、他方で第２の導体の部分は、基板２１の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２２において延在する。
【００３６】
最後に、図３５及び図３６は、第２の導電層の形成後に、基板表面のほぼ全面に渡ってカプセル充填層３４を形成した様子を示す。この層もまた密封により、例えば、水、酸素等の望ましくない物質を遮断する。例えば、窒化物−金属−窒化物層、ＮＯＮＯＮ層、ＮＤＬＣＮ層（窒化ダイヤモンド様窒化炭素（nitride diamond like carbon nitride））等により斯かる層を構成することができる。
【００３７】
図３７は、通過する生成光に作用する構造３５をピクセルピット又はサブピクセルピットに設けた基板の頂平面図を示す。図３７においては、その構造が収束作用、発散作用、又は、逆に、平行作用を及ぼすフレネルレンズ３５を形成している。尚、そのような構造をいくつかのピクセルに渡って延在させることも可能であり、その結果、出来上がったディスプレイの一部分において、放出される光が光学的に影響を受けることに注意されたい。そのような構造は、ピクセルピットから離隔した基板の側部に設けることもできる。
【００３８】
図３８においては、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設ける層を形成するために液体の分配を改善することを目的に、ピクセルピット又はサブピクセルピット２、２２に設けた別の構造３６を示す。この構造３６は、好ましくは、接触面拡大効果をも備える。これは、例えば、毛細管状溝を設けた構造によって達成することができる。このように接触面を大きくすることにより、電気抵抗が減少するばかりでなく、より大きな発光面が得られ、その結果、より多くの光が発生することになる。
【００３９】
図３９ａにおいても、シャドウイング構造４を備える基板１の断面を示す。図３９ｂにおいては、レンズ３７を通して誘導されるレーザビーム又は赤外線ビームによってこの構造が局所的に溶解される様子が示されている。シャドウイング構造４は、局所的に加熱されて溶解し、その結果、シャドウイング構造４は消滅する。
【００４０】
本発明は、本明細書に記載した例示的な実施の形態に限定されないこと、また、添付の請求項に規定する本発明の範囲において、様々な変更が可能であることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図４】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図５】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図６】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図７】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図８】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図９】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１１】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１２】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１３】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１７】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１８】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１９】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２０】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２１】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２２】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２３】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２４】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２５】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２６】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２７】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２８】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２９】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３０】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３１】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３２】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３３】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３４】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３５】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３６】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３７】ピクセルピットに第１の構造を形成した基板の平面図である。
【図３８】ピクセルピットに第２の構造を形成した基板の平面図である。
【図３９ａ】シャドウイング構造を設けた基板を示す図である。
【図３９ｂ】熱レーザ操作を通じて上記シャドウイング構造を局所的に除去する方法を示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の方向だけでなく第２の方向においても導体を延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス（電子発光）接続を導体の交差部間に設ける、有機エレクトロルミネセンス（電子発光）表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
本発明はまた、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法における用途に適し、斯かる用途を意図する基板に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する公知の方法では、先ず、基板をガラスにより製作し、その基板上に例えば回転塗布法によってフォトレジストを形成した構造を設ける。フォトレジストは部分的に露出させ、その後、洗浄技術により部分的に除去する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらのプロセスは手間がかかり、多くの時間を要するため、コストがかかる。表示装置の製造において大きな部分を占めるのは、正にこの費用原価であるため、表示装置の製造において、そのような「湿式」化学工程を省いて表示装置を提供すれば非常に有利である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このため、本発明によれば、冒頭の段落において述べた種類の方法は、基板がプラスチックから作られ、かつ、少なくとも形成すべきいくつかの層に対して境界を形成する表面構造を基板に設けることを特徴とする。
【０００６】
斯かる表面構造を設けたプラスチック基板は、例えば、射出成形、エンボス加工、光重合による複製等、本質的に公知のプラスチック設計プロセスによって製作することができる。エンボス加工は、例えば米国特許公報第ＵＳ−Ａ−４６５９４０７号に記載されており、光重合による複製は国際公開公報第ＷＯ８７／０２９３４号に記載されている。射出成形技術を用いることにより、プラスチック基板において非常に精巧なサブミクロン構造を比較的に非常に低い費用原価で製造できることは、例えばＣＤの作製から公知である。従って、基板形成に湿式化学技術を用いることは、斯かる技術に関連する総ての利点をもってしてもその必要性がない。例えば、国際公開公報第ＷＯ９９／１２１６０号や欧州特許公報第ＥＰ−Ａ−０４０８２８３号に記載の通り、そのような精巧な表面構造はフィルム上にも形成することができる。
【０００７】
本発明に係る方法のさらなる態様によれば、第１の導電層は、例えばスパッタリングプロセス等の層形成プロセスによって形成することができ、プラスチック基板の表面構造にはシャドウイング構造が設けられる。そのシャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、このシャドウイングプロセスの部分が、仮に各導電層によって被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とする。
【０００８】
シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きくなるようにしなければならない。
【０００９】
本発明のさらなる態様によれば、シャドウイング構造は、多数の平行な狭く深い溝を備えることができ、溝の幅及び深さは、層形成プロセスにおいて、溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、仮に第１の導電層によって被覆されるとしてもわずかに被覆される程度となるようにする。
【００１０】
斯かる溝構造は、離型方法により、プラスチック基板を形成する鋳型からこれを取り外せるように設計することができる。そのため、プラスチック基板の設計プロセスにおいては、プラスチック基板に必要な単一の仕上げ工程を行わずにシャドウイング構造を設ける。基本的に、鋳型の形状が適切であれば、プラスチック基板の設計プロセスにおいてシャドウイング構造を得る費用は実質的にかからない。
【００１１】
本発明のまた別の態様によると、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷技術、熱転写印刷等の印刷操作により層を形成することができる。印刷プロセスを幾分簡略化するため、言うなれば基板の表面構造に予め流路を設け、そこに印刷プロセスで分配された液体を蒸着させるように設計すると有利である。それぞれの流路の壁は、印刷プロセスにおいて流路内に蒸着された液体の境界を形成する。
【００１２】
その後、印刷技術、スパッタリング等の層形成技術、ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤ技術により、層及び層パターンを形成し、それらを用いて有機エレクトロルミネセンス表示装置を構成することができる。斯かる層及び層パターンは、例えば、ピクセルピット又はサブピクセルピットにおけるＰＤＯＴ及びＰＰＶ層、第１の導体を被覆する絶縁層、並びに、いくつかの第２の導体を形成する導電層を含む。
【００１３】
本発明のさらなる態様によれば、任意に、後続層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、硬化ワニスを使用し、既にいくつかの層を形成した基板に追加の凹凸構造を設けることができる。例えば、簡単な方法により、第２の導体を形成する液体を蒸着させることのできるいくつかの新たな流路を形成することができる。この硬化ワニスは、例えば、インクジェット印刷操作により局所的に蒸着するＵＶ硬化ワニスとしてもよい。斯かる方法は、例えば、比較的に狭く深い溝にＵＶ硬化ワニスを充填することによって、上記のシャドウイング構造をも除去することができる。
【００１４】
本発明のまた別のさらなる態様によれば、少なくとも一つの層を形成した後に、例えば、局所的熱処理等の変形技術によって表面構造の形状を適応させることができる。そのような熱処理は、例えば、非接触的に赤外線により若しくはレーザ照射により、又は、接触処理により行うことができる。その結果、例えば、溝状のシャドウイング構造を溶解することができる。
【００１５】
本発明によれば、冒頭の段落で述べた基板は、プラスチックから作られ、少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造が設けられることを特徴とする。
【００１６】
斯かる表面構造を設けたプラスチック基板は、射出成形プロセスにおける一回の操作により製造することができる。これは、基板の費用原価が格段に低くなることを意味する。これは、光化学技術を用いて構造を設ける、従来使用されてきたガラス製の基板とは対照をなすものである。
【００１７】
本発明のさらなる態様によれば、表面構造にはいくつかのピクセルピット又はサブピクセルピットを備えることができる。斯かるピットを備えることにより、インクジェットプロセスを用いてのＰＤＯＴやＰＰＶ等の液体蒸着が、簡素でより制御しやすくなる。
【００１８】
さらに、スパッタリングプロセス、間接スパッタリング及び蒸着の少なくとも一つにより、シャドウイング構造の部分をそれぞれの導電層によって被覆せずに、導電層において絶縁路を形成するようにしたシャドウイング構造を表面構造に設けることもできる。本発明のさらなる態様によれば、平行な狭く深いいくつかの溝によってシャドウイング構造を形成することができ、その溝は、スパッタリングプロセスにおいて、溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部を第１の導電層が被覆することのない幅及び深さとする。
【００１９】
本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットには、通過する生成光に作用する構造を設けることができる。斯かる構造は、ピクセルピット又はサブピクセルピットから離隔した基板の側部に設けることができる。例えば、通過する光を収束させたり発散させたりするフレネルレンズ形式の構造が考慮される。
【００２０】
さらに、本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設ける層を形成するための液体の分配を改良することを目的とする構造を、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設けることができる。尚、印刷技術により、液体を蒸着させる流路にかかる液体の分配を改良する構造を設けて、液体をより良く分配させることもできる。
【００２１】
本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットに接触面拡大構造を設けることができる。先ず、斯かる接触面拡大構造によってより大きい導電面が得られるため、ピクセルを交差する電気抵抗が減少する。しかも、より大きな電子発光面が作られるため、ピクセル当りの光強度が増す。液体の分配を改良する構造に接触面拡大構造を任意に組み合わせてもよい。その構造は、例えば、いくつかの毛細管状の溝を備えることができる。
【００２２】
本発明はまた、請求項３１乃至４４のいずれか一項に記載の基板を基にして、請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法を用いて製造される有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１及び図２は、有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造するための層を設けていない状態のプラスチック基板１の一部分の断面正面図及び平面図を示す。基板の製造中に、例えば射出成形操作により、少なくとも形成すべきいくつかの層に対して境界を形成する表面構造を基板に設ける。例えば、ピクセルピット境界３によって包囲されたピクセルピット２が明確に見てとれる。表面構造は、さらにシャドウイング構造４を備えている。この実施の形態の例においては、シャドウイング構造は、その都度、いくつかの平行な深く狭い溝４’、４’’、４’’’として設計した。斯かるシャドウイング構造は、例えばスパッタリング等の層形成プロセスによって形成した層が、仮にシャドウイング構造の部分を被覆するとしても、わずかに被覆する程度とする。
【００２４】
図３及び図４は、例えば窒化物−酸化物−窒化物層、即ち、ＮＯＮ層等の透明カプセル充填層５を設けた、斯かる基板を示す。このほかにも、水、酸素及び他の望ましくない物質に対して密閉性のある透明層も可能である。透明カプセル充填層は、例えば、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、ＰＥＣＶＤプロセス等の蒸着法により形成することができる。
【００２５】
図５及び図６は、第１の導電層６を形成した後の基板を示す。斯かる層は、例えばスパッタリングプロセスにより形成することができる。この実施の形態においては、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）層によって第１の導電層を形成する。他の導電層も形成することができる。溝４’、４’’、４’’’の深い部分は、仮に第１の導電層６によって被覆されるとしても、わずかに被覆される程度であることが明確に見てとれる。このようにして、相互に絶縁され第１の方向に延在する平行な導電路が得られる。図５及び図６はまた、基板の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２において延在する第１の導体の部分を明示する。第１の導電層は、いわゆるＰＤＯＴ層でもよい。但し、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層７をピクセルピット又はサブピクセルピット２だけに形成することもまた可能である。図７及び図８に示す、最後に述べるオプションの場合は、例えばインクジェット操作等の印刷操作によりピクセルピット又はサブピクセルピット内において層を蒸着させることができる。ピクセルピット又はサブピクセルピット２は、ピクセルピット境界３によって包囲されているため、ＰＤＯＴ層を形成する液体がピクセルピット又はサブピクセルピット２の外に流出するリスクは最小限に抑制される。
【００２６】
その後、図９及び図１０では、ピクセルピット又はサブピクセルピット２においてさらに、例えばＰＰＶ層等の発光層８が蒸着されていることが分かる。この層もまた、例えばインクジェット印刷により設けることができる。
【００２７】
図１１及び図１２は、シャドウイング構造４を示しており、深く狭い溝４’、４’’、４’’’に絶縁被覆９が充填された様子をより詳細に示している。この被覆は、例えばＵＶ硬化ワニスによって形成することができ、ＵＶ硬化ワニスは、インクジェット印刷操作によって正確に塗布することができる。また、その代わりに、図３９ｂに示す方法を用いてもよい。
【００２８】
次に、図１３及び図１４に示すように、基板１の全体をバリウムの層１０により被覆し、その上に、図１５及び図１６に示すように、第２の導電層１１を形成することにより、相互に絶縁され第２の方向に延在するいくつかの平行な導体１２を設ける。第２の導体１２の部分は、基板の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２に延在する。この実施の形態においては、第２の導体１２は、平行なシャドウイング構造４の間に延在する第１の導体に対し垂直に延在する。第２の導電層１１もまた、例えばインクジェット印刷操作等の印刷プロセスにより選択的に形成できる。
【００２９】
最後に、図１７及び図１８は、基板全体に渡って第２のカプセル充填層１３を形成した様子を示す。この層もまた、密閉により、例えば水、酸素等の望ましくない物質を遮断する。
【００３０】
図１９及び図２０は、基板２１の第２の実施の形態を示す。第１の実施の形態とは対照的に、この基板には、上述のシャドウイング構造を設けていない。その代わりに、印刷可能な第１の導電層のために流路境界２４’を有する流路構造２４が存在する。また、ピクセルピット又はサブピクセルピット２２がピクセルピット境界２３と共に明確に見てとれる。さらに、印刷可能な第２の導電層のために、分離構造２５が既に部分的に存在する。この分離構造２５は、第１の導電層２７を印刷する流路２４の位置で途絶えている。
【００３１】
図２１及び図２２は、例えば窒化物−酸化物−窒化物、即ち、ＮＯＮ層等の透明カプセル充填層２６を設けた、斯かる基板を示す。この他にも、水や酸素の他、望ましくない物質に対して密閉性のある透明層が可能である。透明カプセル充填層２６は、例えば、ＣＶＤプロセスやＰＥＣＶＤプロセス等の蒸着技術により形成することができる。
【００３２】
図２３及び図２４は、印刷した第１の導電層２７を示す。第１の導電層２７が、そのために用意された流路構造２４とピクセルピット又はサブピクセルピット１２とに延在する様子が明確に見てとれる。この例示の実施の形態における第１の導電層２７は、インクジェット印刷操作によって所望の位置に設けられたＰＤＯＴ層により形成される。流路構造境界２４’とピクセルピット境界２３とは、液体が所望の領域外に流出することを確実に防止する。
【００３３】
図２５及び図２６は、ピクセルピット又はサブピクセルピット２２において、さらに、例えばＰＰＶ層等の発光層２８を蒸着した様子を示す。この層２８もまた、例えばインクジェット印刷により設けることができる。
【００３４】
図２７及び図２８は、流路構造２４に渡って絶縁被覆２９を設けたことを示す。絶縁被覆２９は、例えば、ＵＶワニスやフォトレジストワニスによって形成することができる。
【００３５】
図２９及び図３０は、流路構造２４に敷居３０を設けることにより分離構造２５をも設けた様子を示す。従って、後続層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、既にいくつかの層が設けられた基板上に追加の凹凸構造を設ける。例示的な本実施の形態においては、硬化ワニス、例えばＵＶ硬化ワニスを使用して印刷操作により追加の凹凸構造３０を設ける。このようにして、相互に平行に延在する流路３１が形成され、その流路方向は、第１の導体２７が延在する前記の第１の方向に対して垂直である。
【００３６】
図３１及び図３２においては、その後、基板全体を、例えばカルシウム−マグネシウム層、フッ化リチウム層、バリウム層等の電子注入層３２により被覆した様子を示す。
【００３７】
図３３及び図３４は、その後、例えばインクジェット印刷操作により、流路３１に第２の導電層３３を設けた様子を示す。第２の導電層３３は、相互に絶縁され第２の方向に延在するいくつかの平行な導体を提供し、他方で第２の導体の部分は、基板２１の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２２において延在する。
【００３８】
最後に、図３５及び図３６は、第２の導電層の形成後に、基板表面のほぼ全面に渡ってカプセル充填層３４を形成した様子を示す。この層もまた密封により、例えば、水、酸素等の望ましくない物質を遮断する。例えば、窒化物−金属−窒化物層、ＮＯＮＯＮ層、ＮＤＬＣＮ層（窒化ダイヤモンド様窒化炭素（nitride diamond like carbon nitride））等により斯かる層を構成することができる。
【００３９】
図３７は、通過する生成光に作用する構造３５をピクセルピット又はサブピクセルピットに設けた基板の頂平面図を示す。図３７においては、その構造が収束作用、発散作用、又は、逆に、平行作用を及ぼすフレネルレンズ３５を形成している。尚、そのような構造をいくつかのピクセルに渡って延在させることも可能であり、その結果、出来上がったディスプレイの一部分において、放出される光が光学的に影響を受けることに注意されたい。そのような構造は、ピクセルピットから離隔した基板の側部に設けることもできる。
【００４０】
図３８においては、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設ける層を形成するために液体の分配を改善することを目的に、ピクセルピット又はサブピクセルピット２、２２に設けた別の構造３６を示す。この構造３６は、好ましくは、接触面拡大効果をも備える。これは、例えば、毛細管状溝を設けた構造によって達成することができる。このように接触面を大きくすることにより、電気抵抗が減少するばかりでなく、より大きな発光面が得られ、その結果、より多くの光が発生することになる。
【００４１】
図３９ａにおいても、シャドウイング構造４を備える基板１の断面を示す。図３９ｂにおいては、レンズ３７を通して誘導されるレーザビーム又は赤外線ビームによってこの構造が局所的に溶解される様子が示されている。シャドウイング構造４は、局所的に加熱されて溶解し、その結果、シャドウイング構造４は消滅する。
【００４２】
本発明は、本明細書に記載した例示的な実施の形態に限定されないこと、また、添付の請求項に規定する本発明の範囲において、様々な変更が可能であることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図４】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図５】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図６】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図７】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図８】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図９】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１１】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１２】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１３】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１７】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１８】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１９】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２０】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２１】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２２】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２３】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２４】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２５】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２６】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２７】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２８】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２９】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３０】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３１】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３２】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３３】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３４】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３５】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３６】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３７】ピクセルピットに第１の構造を形成した基板の平面図である。
【図３８】ピクセルピットに第２の構造を形成した基板の平面図である。
【図３９ａ】シャドウイング構造を設けた基板を示す図である。
【図３９ｂ】熱レーザ操作を通じて上記シャドウイング構造を局所的に除去する方法を示す図である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の方向においても導体を第２の方向における第２の導体と同様に延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス（電子発光）化合物が第１及び第２の導体の交差部に設けられる、有機エレクトロルミネセンス（電子発光）表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
本発明はまた、層形成プロセスによって第１の導電層を形成する工程を含む本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法における用途に適し、斯かる用途を意図する基板に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する公知の方法では、先ず、基板をガラスにより製作し、その基板上に例えば回転塗布法によってフォトレジストを形成した構造を設ける。フォトレジストは部分的に露出させ、その後、洗浄技術により部分的に除去する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらのプロセスは手間がかかり、多くの時間を要するため、コストがかかる。表示装置の製造において大きな部分を占めるのは、正にこの費用原価であるため、表示装置の製造において、そのような「湿式」化学工程を省いて表示装置を提供すれば非常に有利である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このため、本発明によれば、冒頭の段落において述べた種類の方法は、基板が、プラスチックから作られ、かつ、少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造を有するものであり、第１の導電層は、層形成プロセスによって形成されるものであり、プラスチック基板の表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、そのシャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、このシャドウイング構造の部分が、仮に各導電層により被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とし、シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きいものであることを特徴とする。
【０００６】
斯かる表面構造を設けたプラスチック基板は、例えば、射出成形、エンボス加工、光重合による複製等、本質的に公知のプラスチック形成プロセスによって製作することができる。エンボス加工は、例えば米国特許公報第ＵＳ−Ａ−４６５９４０７号に記載されており、光重合による複製は国際公開公報第ＷＯ８７／０２９３４号に記載されている。射出成形技術を用いることにより、プラスチック基板において非常に精巧なサブミクロン構造を比較的に非常に低い費用原価で製造できることは、例えばＣＤの作製から公知である。従って、基板形成に湿式化学技術を用いることは、斯かる技術に関連する総ての利点をもってしてもその必要性がない。例えば、国際公開公報第ＷＯ９９／１２１６０号や欧州特許公報第ＥＰ−Ａ−０４０８２８３号に記載の通り、そのような精巧な表面構造はフィルム上にも形成することができる。
【０００７】
本発明のまたさらなる態様によれば、シャドウイング構造は、多数の平行な狭く深い溝を備えることができ、溝の幅及び深さは、層形成プロセスにおいて、溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、仮に第１の導電層によって被覆されるとしてもわずかに被覆される程度となるようにする。
【０００８】
斯かる溝構造は、離型方法により、プラスチック基板を形成する鋳型からこれを取り外せるように設計することができる。そのため、プラスチック基板の形成プロセスにおいては、プラスチック基板に必要な単一の仕上げ工程を行わずにシャドウイング構造を設ける。基本的に、鋳型の形状が適切であれば、プラスチック基板の設計プロセスにおいてシャドウイング構造を得る費用は実質的にかからない。
【０００９】
本発明のまた別の態様によると、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷技術、熱転写印刷等の印刷操作により層を形成することができる。印刷プロセスを幾分簡略化するため、言うなれば基板の表面構造に予め流路を設け、そこに印刷プロセスで分配された液体を蒸着させるように設計すると有利である。それぞれの流路の壁は、印刷プロセスにおいて流路内に蒸着された液体の境界を形成する。
【００１０】
その後、印刷技術、スパッタリング等の層形成技術、ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤ技術により、層及び層パターンを形成し、それらを用いて有機エレクトロルミネセンス表示装置を構成することができる。斯かる層及び層パターンは、例えば、ピクセルピット又はサブピクセルピットにおけるＰＤＯＴ及びＰＰＶ層、第１の導体を被覆する絶縁層、並びに、いくつかの第２の導体を形成する導電層を含む。
【００１１】
本発明のさらなる態様によれば、任意に、後続層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、硬化ワニスを使用し、既にいくつかの層を形成した基板に追加の凹凸構造を設けることができる。例えば、簡単な方法により、第２の導体を形成する液体を蒸着させることのできるいくつかの新たな流路を形成することができる。この硬化ワニスは、例えば、インクジェット印刷操作により局所的に蒸着するＵＶ硬化ワニスとしてもよい。斯かる方法は、例えば、比較的に狭く深い溝にＵＶ硬化ワニスを充填することによって、上記のシャドウイング構造をも除去することができる。
【００１２】
本発明のまた別のさらなる態様によれば、少なくとも一つの層を形成した後に、例えば、局所的熱処理等の変形技術によって表面構造の形状を適応させることができる。そのような熱処理は、例えば、非接触的に赤外線により若しくはレーザ照射により、又は、接触処理により行うことができる。その結果、例えば、溝状のシャドウイング構造を溶解することができる。
【００１３】
本発明によれば、冒頭の段落で述べた基板は、プラスチックから作られ、本発明に係る方法において少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造を有し、かつ、プラスチック基板の表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、そのシャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、このシャドウイング構造の部分が、仮に各導電層により被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とし、シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きいものであることを特徴とする。
【００１４】
斯かる表面構造を設けたプラスチック基板は、射出成形プロセスにおける一回の操作により製造することができる。これは、基板の費用原価が格段に低くなることを意味する。これは、光化学技術を用いて構造を設ける、従来使用されてきたガラス製の基板とは対照をなすものである。
【００１５】
本発明のさらなる態様によれば、表面構造にはいくつかのピクセルピット又はサブピクセルピットを備えることができる。斯かるピットを備えることにより、インクジェットプロセスを用いてのＰＤＯＴやＰＰＶ等の液体蒸着が、簡素でより制御しやすくなる。
【００１６】
さらに、スパッタリングプロセス、間接スパッタリング及び蒸着の少なくとも一つにより、シャドウイング構造の部分をそれぞれの導電層によって被覆せずに、導電層において絶縁路を形成するようにしたシャドウイング構造を表面構造に設けることもできる。本発明のさらなる態様によれば、平行な狭く深いいくつかの溝によってシャドウイング構造を形成することができ、その溝は、スパッタリングプロセスにおいて、溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部を第１の導電層が被覆することのない幅及び深さとする。
【００１７】
本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットには、通過する生成光に作用する構造を設けることができる。斯かる構造は、ピクセルピット又はサブピクセルピットから離隔した基板の側部に設けることができる。例えば、通過する光を収束させたり発散させたりするフレネルレンズ形式の構造が考慮される。
【００１８】
さらに、本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設ける層を形成するための液体の分配を改良することを目的とする構造を、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設けることができる。尚、印刷技術により、液体を蒸着させる流路にかかる液体の分配を改良する構造を設けて、液体をより良く分配させることもできる。
【００１９】
本発明のさらなる態様によれば、ピクセルピット又はサブピクセルピットに接触面拡大構造を設けることができる。先ず、斯かる接触面拡大構造によってより大きい導電面が得られるため、ピクセルを交差する電気抵抗が減少する。しかも、より大きな電子発光面が作られるため、ピクセル当りの光強度が増す。液体の分配を改良する構造に接触面拡大構造を任意に組み合わせてもよい。その構造は、例えば、いくつかの毛細管状の溝を備えることができる。
【００２０】
本発明はまた、請求項３１乃至４４のいずれか一項に記載の基板を基にして、請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法を用いて製造される有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１及び図２は、有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造するための層を設けていない状態のプラスチック基板１の一部分の断面正面図及び平面図を示す。基板の製造中に、例えば射出成形操作により、少なくとも形成すべきいくつかの層に対して境界を形成する表面構造を基板に設ける。例えば、ピクセルピット境界３によって包囲されたピクセルピット２が明確に見てとれる。表面構造は、さらにシャドウイング構造４を備えている。この実施の形態の例においては、シャドウイング構造は、その都度、いくつかの平行な深く狭い溝４’、４’’、４’’’として設計した。斯かるシャドウイング構造は、例えばスパッタリング等の層形成プロセスによって形成した層が、仮にシャドウイング構造の部分を被覆するとしても、わずかに被覆する程度とする。
【００２２】
図３及び図４は、例えば窒化物−酸化物−窒化物層、即ち、ＮＯＮ層等の透明カプセル充填層５を設けた、斯かる基板を示す。このほかにも、水、酸素及び他の望ましくない物質に対して密閉性のある透明層も可能である。透明カプセル充填層は、例えば、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、ＰＥＣＶＤプロセス等の蒸着法により形成することができる。
【００２３】
図５及び図６は、第１の導電層６を形成した後の基板を示す。斯かる層は、例えばスパッタリングプロセスにより形成することができる。この実施の形態においては、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）層によって第１の導電層を形成する。他の導電層も形成することができる。溝４’、４’’、４’’’の深い部分は、仮に第１の導電層６によって被覆されるとしても、わずかに被覆される程度であることが明確に見てとれる。このようにして、相互に絶縁され第１の方向に延在する平行な導電路が得られる。図５及び図６はまた、基板の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２において延在する第１の導体の部分を明示する。第１の導電層は、いわゆるＰＤＯＴ層でもよい。但し、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層７をピクセルピット又はサブピクセルピット２だけに形成することもまた可能である。図７及び図８に示す、最後に述べるオプションの場合は、例えばインクジェット操作等の印刷操作によりピクセルピット又はサブピクセルピット内において層を蒸着させることができる。ピクセルピット又はサブピクセルピット２は、ピクセルピット境界３によって包囲されているため、ＰＤＯＴ層を形成する液体がピクセルピット又はサブピクセルピット２の外に流出するリスクは最小限に抑制される。
【００２４】
その後、図９及び図１０では、ピクセルピット又はサブピクセルピット２においてさらに、例えばＰＰＶ層等の発光層８が蒸着されていることが分かる。この層もまた、例えばインクジェット印刷により設けることができる。
【００２５】
図１１及び図１２は、シャドウイング構造４を示しており、深く狭い溝４’、４’’、４’’’に絶縁被覆９が充填された様子をより詳細に示している。この被覆は、例えばＵＶ硬化ワニスによって形成することができ、ＵＶ硬化ワニスは、インクジェット印刷操作によって正確に塗布することができる。また、その代わりに、図３９ｂに示す方法を用いてもよい。
【００２６】
次に、図１３及び図１４に示すように、基板１の全体をバリウムの層１０により被覆し、その上に、図１５及び図１６に示すように、第２の導電層１１を形成することにより、相互に絶縁され第２の方向に延在するいくつかの平行な導体１２を設ける。第２の導体１２の部分は、基板の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２に延在する。この実施の形態においては、第２の導体１２は、平行なシャドウイング構造４の間に延在する第１の導体に対し垂直に延在する。第２の導電層１１もまた、例えばインクジェット印刷操作等の印刷プロセスにより選択的に形成できる。
【００２７】
最後に、図１７及び図１８は、基板全体に渡って第２のカプセル充填層１３を形成した様子を示す。この層もまた、密閉により、例えば水、酸素等の望ましくない物質を遮断する。
【００２８】
図１９及び図２０は、基板２１の第２の実施の形態を示す。第１の実施の形態とは対照的に、この基板には、上述のシャドウイング構造を設けていない。その代わりに、印刷可能な第１の導電層のために流路境界２４’を有する流路構造２４が存在する。また、ピクセルピット又はサブピクセルピット２２がピクセルピット境界２３と共に明確に見てとれる。さらに、印刷可能な第２の導電層のために、分離構造２５が既に部分的に存在する。この分離構造２５は、第１の導電層２７を印刷する流路２４の位置で途絶えている。
【００２９】
図２１及び図２２は、例えば窒化物−酸化物−窒化物、即ち、ＮＯＮ層等の透明カプセル充填層２６を設けた、斯かる基板を示す。この他にも、水や酸素の他、望ましくない物質に対して密閉性のある透明層が可能である。透明カプセル充填層２６は、例えば、ＣＶＤプロセスやＰＥＣＶＤプロセス等の蒸着技術により形成することができる。
【００３０】
図２３及び図２４は、印刷した第１の導電層２７を示す。第１の導電層２７が、そのために用意された流路構造２４とピクセルピット又はサブピクセルピット１２とに延在する様子が明確に見てとれる。この例示の実施の形態における第１の導電層２７は、インクジェット印刷操作によって所望の位置に設けられたＰＤＯＴ層により形成される。流路構造境界２４’とピクセルピット境界２３とは、液体が所望の領域外に流出することを確実に防止する。
【００３１】
図２５及び図２６は、ピクセルピット又はサブピクセルピット２２において、さらに、例えばＰＰＶ層等の発光層２８を蒸着した様子を示す。この層２８もまた、例えばインクジェット印刷により設けることができる。
【００３２】
図２７及び図２８は、流路構造２４に渡って絶縁被覆２９を設けたことを示す。絶縁被覆２９は、例えば、ＵＶワニスやフォトレジストワニスによって形成することができる。
【００３３】
図２９及び図３０は、流路構造２４に敷居３０を設けることにより分離構造２５をも設けた様子を示す。従って、後続層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、既にいくつかの層が設けられた基板上に追加の凹凸構造を設ける。例示的な本実施の形態においては、硬化ワニス、例えばＵＶ硬化ワニスを使用して印刷操作により追加の凹凸構造３０を設ける。このようにして、相互に平行に延在する流路３１が形成され、その流路方向は、第１の導体２７が延在する前記の第１の方向に対して垂直である。
【００３４】
図３１及び図３２においては、その後、基板全体を、例えばカルシウム−マグネシウム層、フッ化リチウム層、バリウム層等の電子注入層３２により被覆した様子を示す。
【００３５】
図３３及び図３４は、その後、例えばインクジェット印刷操作により、流路３１に第２の導電層３３を設けた様子を示す。第２の導電層３３は、相互に絶縁され第２の方向に延在するいくつかの平行な導体を提供し、他方で第２の導体の部分は、基板２１の表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピット２２において延在する。
【００３６】
最後に、図３５及び図３６は、第２の導電層の形成後に、基板表面のほぼ全面に渡ってカプセル充填層３４を形成した様子を示す。この層もまた密封により、例えば、水、酸素等の望ましくない物質を遮断する。例えば、窒化物−金属−窒化物層、ＮＯＮＯＮ層、ＮＤＬＣＮ層（窒化ダイヤモンド様窒化炭素（nitride diamond like carbon nitride））等により斯かる層を構成することができる。
【００３７】
図３７は、通過する生成光に作用する構造３５をピクセルピット又はサブピクセルピットに設けた基板の頂平面図を示す。図３７においては、その構造が収束作用、発散作用、又は、逆に、平行作用を及ぼすフレネルレンズ３５を形成している。尚、そのような構造をいくつかのピクセルに渡って延在させることも可能であり、その結果、出来上がったディスプレイの一部分において、放出される光が光学的に影響を受けることに注意されたい。そのような構造は、ピクセルピットから離隔した基板の側部に設けることもできる。
【００３８】
図３８においては、ピクセルピット又はサブピクセルピットに設ける層を形成するために液体の分配を改善することを目的に、ピクセルピット又はサブピクセルピット２、２２に設けた別の構造３６を示す。この構造３６は、好ましくは、接触面拡大効果をも備える。これは、例えば、毛細管状溝を設けた構造によって達成することができる。このように接触面を大きくすることにより、電気抵抗が減少するばかりでなく、より大きな発光面が得られ、その結果、より多くの光が発生することになる。
【００３９】
図３９ａにおいても、シャドウイング構造４を備える基板１の断面を示す。図３９ｂにおいては、レンズ３７を通して誘導されるレーザビーム又は赤外線ビームによってこの構造が局所的に溶解される様子が示されている。シャドウイング構造４は、局所的に加熱されて溶解し、その結果、シャドウイング構造４は消滅する。
【００４０】
本発明は、本明細書に記載した例示的な実施の形態に限定されないこと、また、添付の請求項に規定する本発明の範囲において、様々な変更が可能であることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図４】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図５】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図６】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図７】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図８】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図９】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１１】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１２】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１３】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１７】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図１８】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図１９】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２０】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２１】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２２】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２３】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２４】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２５】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２６】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２７】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図２８】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図２９】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３０】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３１】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３２】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３３】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３４】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３５】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す断面図である。
【図３６】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態を構成する工程を示す平面図である。
【図３７】ピクセルピットに第１の構造を形成した基板の平面図である。
【図３８】ピクセルピットに第２の構造を形成した基板の平面図である。
【図３９ａ】シャドウイング構造を設けた基板を示す図である。
【図３９ｂ】熱レーザ操作を通じて上記シャドウイング構造を局所的に除去する方法を示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、第１の方向においても第２の方向と同様に第１の導体を延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス接続が前記導体の交差部間に設けられ、前記基板はプラスチックから作られ、前記基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の製造は、射出成形プロセスを用いて行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記射出成形プロセスにおいて、前記基板の前記所望の表面構造の反転像を設けた射出成形鋳型が使用されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
エンボス加工、光重合による複製、又は、同様のプラスチック設計プロセスを用いて、前記基板の製造が行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プラスチック基板の製造後に、第１の透明カプセル充填層が、前記基板に形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の透明カプセル充填層は、窒化物−酸化物−窒化物層（ＮＯＮ層）であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の透明カプセル充填層は、例えばＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス又はＰＥＣＶＤプロセス等の堆積技術を用いて形成されることを特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の透明カプセル充填層の形成後に、相互に絶縁され第１の方向に延在するいくつかの平行の導体が設けられるようにする一方、前記第１の導体の部分が前記基板の前記表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて延在するように、第１の導電層が形成されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の導電層が、例えばスパッタリングプロセス等の層形成プロセスにより形成される一方、プラスチック基板の前記表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、前記シャドウイング構造は、層形成プロセスにより、前記シャドウイング構造の部分が前記各導電層によって被覆されないように設けられることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記シャドウイング構造は、いくつかの平行な狭く深い溝を備え、前記溝の幅及び深さは、前記溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、仮にスパッタリングプロセスにおいて前記第１の導電層により被覆されてもわずかに被覆される程度となるような幅及び深さとされることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の導電層は、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷又は熱転写印刷等の印刷操作により形成されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の導電層の形成後に、少なくとも前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層が形成されることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の導電層も、前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記正孔注入層の形成後に、例えばＰＰＶ層等の発光光源が、少なくとも前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて局所的に設けられることを特徴とする請求項１２又は１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の導電層の少なくとも発光層によって被覆されていない部分であって、後続のプロセス工程において第２の導電層によって被覆されることとなる部分に、前記後続のプロセス工程の前に、絶縁被覆が設けられることを特徴とする少なくとも請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記絶縁被覆は、例えばインクジェット印刷等の印刷操作によって形成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記絶縁層は、ＵＶ硬化ワニスから形成されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記シャドウイング構造を形成する前記深い溝は、前記絶縁被覆により充填されることを特徴とする請求項１０及び１６又は請求項１０及び１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも一つの層の形成後に、例えば局所的熱処理等の変形技術によって、前記表面構造の形状が適応させられることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記局所的熱処理は、レーザ操作又は局所赤外線照射によって行われることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
後続の層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、既にいくつかの層が設けられている前記基板上に追加の凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
好ましくはＵＶ硬化ワニスである硬化ワニスを使用して、印刷操作によって、前記追加の凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
相互に平行に延在する一方、方向が、前記第１の導体が延在する前記第１の方向に対して垂直である流路を形成するために、前記絶縁体の形成後に、凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項８及び２１又は請求項８及び２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記絶縁被覆の形成後に、第２の方向に延在して相互に絶縁されるいくつかの平行な導体が設けられる一方、第２の導体の部分が前記基板の前記表面構造の前記ピクセルピット又はサブピクセルピットに延在するように、簡易に、第２の導電層が設けられることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の方向は、前記第１の方向に対して垂直であることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の導電層は、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷又は熱転写印刷等の印刷操作によって形成されることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記第２の導電層は、相互に平行に延在する前記流路に形成されることを特徴とする請求項２３及び請求項２４乃至２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記第２の導電層の形成前であって前記絶縁被覆の形成後に、カルシウム層、マグネシウム層、フッ化リチウム層又はバリウム層等の電子注入層が、前記基板に形成されることを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記バリウム層は、ＰＶＤプロセスにより形成されることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の導電層の形成後に、少なくとも一つのカプセル充填層が形成されることを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法における用途に適し、かつ、斯かる用途が意図される基板であって、前記基板は、プラスチックから作られ、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられることを特徴とする基板。
【請求項３２】
前記表面構造は、いくつかのピクセルピット又はサブピクセルピットを備えることを特徴とする請求項３１に記載の基板。
【請求項３３】
前記表面構造はシャドウイング構造を備え、前記シャドウイング構造は、スパッタリングプロセスにより、前記シャドウイング構造の部分が前記各導電層によって被覆されないものであることを特徴とする請求項３１又は３２に記載の基板。
【請求項３４】
前記シャドウイング構造は、いくつかの平行な狭く深い溝を備え、前記溝の幅及び深さは、前記溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、スパッタリングプロセスにおいて前記第１の導電層によって被覆されないような幅及び深さであることを特徴とする請求項３３に記載の基板。
【請求項３５】
前記表面構造の反転像が設けられた鋳型から前記表面構造を取り出すことができるように、前記表面構造が離型されることを特徴とする請求項３１乃至３４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３６】
前記基板は、射出成形品であることを特徴とする請求項３１乃至３５のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３７】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、前記構造を通過する生成光に作用する構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至３６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３８】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットから離隔した前記基板の側部において、前記構造を通過する生成光に作用する構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至３６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３９】
前記構造は、フレネルレンズを構成することを特徴とする請求項３７又は３８のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４０】
前記構造は、前記構造を通して放出される光に収束作用を及ぼすことを特徴とする請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４１】
前記構造は、前記構造を通して放出される光に発散作用を及ぼすことを特徴とする請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４２】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットに設けられる層を形成するために、前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、液体の分配を改良するように設計された構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至４１のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４３】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、接触面拡大構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至４２のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４４】
前記構造は、毛細管状溝を備えることを特徴とする請求項４２又は４３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４５】
請求項３１乃至４４のいずれか一項に記載の基板を使用して、請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法を用いて製造されることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、第１の方向においても第１の導体を第２の方向における第２の導体と同様に延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス化合物が前記第１及び第２の導体の交差部に設けられ、前記基板は、プラスチックから作られ、かつ、少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造を有するものであり、第１の導電層は、層形成プロセスによって形成されるものであり、プラスチック基板の前記表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、前記シャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、このシャドウイング構造の部分が、仮に各導電層により被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とし、前記シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が前記導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きいものであることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の製造は、射出成形プロセスを用いて行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記射出成形プロセスにおいて、前記基板の前記所望の表面構造の反転像を設けた射出成形鋳型が使用されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
エンボス加工、光重合による複製、又は、同様のプラスチック設計プロセスを用いて、前記基板の製造が行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プラスチック基板の製造後に、第１の透明カプセル充填層が、前記基板に形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の透明カプセル充填層は、窒化物−酸化物−窒化物層（ＮＯＮ層）であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の透明カプセル充填層は、例えばＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス又はＰＥＣＶＤプロセス等の堆積技術を用いて形成されることを特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の透明カプセル充填層の形成後に、相互に絶縁され第１の方向に延在するいくつかの平行の導体が設けられるようにする一方、前記第１の導体の部分が前記基板の前記表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて延在するように、第１の導電層が形成されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の導電層のための前記層形成プロセスは、スパッタリングプロセスであることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記シャドウイング構造は、いくつかの平行な狭く深い溝を備え、前記溝の幅及び深さは、前記溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、仮にスパッタリングプロセスにおいて前記第１の導電層により被覆されてもわずかに被覆される程度となるような幅及び深さとされることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の導電層は、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷又は熱転写印刷等の印刷操作により形成されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の導電層の形成後に、少なくとも前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層が形成されることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の導電層も、前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記正孔注入層の形成後に、例えばＰＰＶ層等の発光光源が、少なくとも前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて局所的に設けられることを特徴とする請求項１２又は１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の導電層の少なくとも発光層によって被覆されていない部分であって、後続のプロセス工程において第２の導電層によって被覆されることとなる部分に、前記後続のプロセス工程の前に、絶縁被覆が設けられることを特徴とする少なくとも請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記絶縁被覆は、例えばインクジェット印刷等の印刷操作によって形成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記絶縁層は、ＵＶ硬化ワニスから形成されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記シャドウイング構造を形成する前記深い溝は、前記絶縁被覆により充填されることを特徴とする請求項１０及び１６又は請求項１０及び１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも一つの層の形成後に、例えば局所的熱処理等の変形技術によって、前記表面構造の形状が適応させられることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記局所的熱処理は、レーザ操作又は局所赤外線照射によって行われることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
後続の層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、既にいくつかの層が設けられている前記基板上に追加の凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
好ましくはＵＶ硬化ワニスである硬化ワニスを使用して、印刷操作によって、前記追加の凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
相互に平行に延在する一方、方向が、前記第１の導体が延在する前記第１の方向に対して垂直である流路を形成するために、前記絶縁体の形成後に、凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項８及び２１又は請求項８及び２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記絶縁被覆の形成後に、第２の方向に延在して相互に絶縁されるいくつかの平行な導体が設けられる一方、第２の導体の部分が前記基板の前記表面構造の前記ピクセルピット又はサブピクセルピットに延在するように、簡易に、第２の導電層が設けられることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の方向は、前記第１の方向に対して垂直であることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の導電層は、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷又は熱転写印刷等の印刷操作によって形成されることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記第２の導電層は、相互に平行に延在する前記流路に形成されることを特徴とする請求項２３及び請求項２４乃至２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記第２の導電層の形成前であって前記絶縁被覆の形成後に、カルシウム層、マグネシウム層、フッ化リチウム層又はバリウム層等の電子注入層が、前記基板に形成されることを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記バリウム層は、ＰＶＤプロセスにより形成されることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の導電層の形成後に、少なくとも一つのカプセル充填層が形成されることを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法における用途に適し、かつ、斯かる用途が意図される基板であって、前記方法は、層形成プロセスによって第１の導電層を形成する工程を含み、前記基板は、プラスチックから作られ、少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造を有し、かつ、プラスチック基板の前記表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、前記シャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、前記シャドウイング構造の部分が、仮に各導電層により被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とし、前記シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きいものであることを特徴とする基板。
【請求項３２】
前記表面構造は、いくつかのピクセルピット又はサブピクセルピットを備えることを特徴とする請求項３１に記載の基板。
【請求項３３】
前記表面構造はシャドウイング構造を備え、前記シャドウイング構造は、スパッタリングプロセスにより、前記シャドウイング構造の部分が前記各導電層によって被覆されないものであることを特徴とする請求項３１又は３２に記載の基板。
【請求項３４】
前記シャドウイング構造は、いくつかの平行な狭く深い溝を備え、前記溝の幅及び深さは、前記溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、スパッタリングプロセスにおいて前記第１の導電層によって被覆されないような幅及び深さであることを特徴とする請求項３３に記載の基板。
【請求項３５】
前記表面構造の反転像が設けられた鋳型から前記表面構造を取り出すことができるように、前記表面構造が離型されることを特徴とする請求項３１乃至３４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３６】
前記基板は、射出成形品であることを特徴とする請求項３１乃至３５のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３７】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、前記構造を通過する生成光に作用する構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至３６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３８】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットから離隔した前記基板の側部において、前記構造を通過する生成光に作用する構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至３６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３９】
前記構造は、フレネルレンズを構成することを特徴とする請求項３７又は３８のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４０】
前記構造は、前記構造を通して放出される光に収束作用を及ぼすことを特徴とする請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４１】
前記構造は、前記構造を通して放出される光に発散作用を及ぼすことを特徴とする請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４２】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットに設けられる層を形成するために、前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、液体の分配を改良するように設計された構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至４１のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４３】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、接触面拡大構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至４２のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４４】
前記構造は、毛細管状溝を備えることを特徴とする請求項４２又は４３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４５】
請求項３１乃至４４のいずれか一項に記載の基板を使用して、請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法を用いて製造されることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１】
有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、第１の方向においても第２の方向と同様に第１の導体を延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス接続が前記導体の交差部間に設けられ、前記基板はプラスチックから作られ、前記基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の製造は、射出成形プロセスを用いて行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記射出成形プロセスにおいて、前記基板の前記所望の表面構造の反転像を設けた射出成形鋳型が使用されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
エンボス加工、光重合による複製、又は、同様のプラスチック設計プロセスを用いて、前記基板の製造が行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プラスチック基板の製造後に、第１の透明カプセル充填層が、前記基板に形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の透明カプセル充填層は、窒化物−酸化物−窒化物層（ＮＯＮ層）であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の透明カプセル充填層は、例えばＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス又はＰＥＣＶＤプロセス等の堆積技術を用いて形成されることを特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の透明カプセル充填層の形成後に、相互に絶縁され第１の方向に延在するいくつかの平行の導体が設けられるようにする一方、前記第１の導体の部分が前記基板の前記表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて延在するように、第１の導電層が形成されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の導電層が、例えばスパッタリングプロセス等の層形成プロセスにより形成される一方、プラスチック基板の前記表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、前記シャドウイング構造は、層形成プロセスにより、前記シャドウイング構造の部分が前記各導電層によって被覆されないように設けられることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記シャドウイング構造は、いくつかの平行な狭く深い溝を備え、前記溝の幅及び深さは、前記溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、仮にスパッタリングプロセスにおいて前記第１の導電層により被覆されてもわずかに被覆される程度となるような幅及び深さとされることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の導電層は、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷又は熱転写印刷等の印刷操作により形成されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の導電層の形成後に、少なくとも前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層が形成されることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の導電層も、前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記正孔注入層の形成後に、例えばＰＰＶ層等の発光光源が、少なくとも前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて局所的に設けられることを特徴とする請求項１２又は１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の導電層の少なくとも発光層によって被覆されていない部分であって、後続のプロセス工程において第２の導電層によって被覆されることとなる部分に、前記後続のプロセス工程の前に、絶縁被覆が設けられることを特徴とする少なくとも請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記絶縁被覆は、例えばインクジェット印刷等の印刷操作によって形成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記絶縁層は、ＵＶ硬化ワニスから形成されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記シャドウイング構造を形成する前記深い溝は、前記絶縁被覆により充填されることを特徴とする請求項１０及び１６又は請求項１０及び１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも一つの層の形成後に、例えば局所的熱処理等の変形技術によって、前記表面構造の形状が適応させられることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記局所的熱処理は、レーザ操作又は局所赤外線照射によって行われることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
後続の層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、既にいくつかの層が設けられている前記基板上に追加の凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
好ましくはＵＶ硬化ワニスである硬化ワニスを使用して、印刷操作によって、前記追加の凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
相互に平行に延在する一方、方向が、前記第１の導体が延在する前記第１の方向に対して垂直である流路を形成するために、前記絶縁体の形成後に、凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項８及び２１又は請求項８及び２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記絶縁被覆の形成後に、第２の方向に延在して相互に絶縁されるいくつかの平行な導体が設けられる一方、第２の導体の部分が前記基板の前記表面構造の前記ピクセルピット又はサブピクセルピットに延在するように、簡易に、第２の導電層が設けられることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の方向は、前記第１の方向に対して垂直であることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の導電層は、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷又は熱転写印刷等の印刷操作によって形成されることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記第２の導電層は、相互に平行に延在する前記流路に形成されることを特徴とする請求項２３及び請求項２４乃至２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記第２の導電層の形成前であって前記絶縁被覆の形成後に、カルシウム層、マグネシウム層、フッ化リチウム層又はバリウム層等の電子注入層が、前記基板に形成されることを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記バリウム層は、ＰＶＤプロセスにより形成されることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の導電層の形成後に、少なくとも一つのカプセル充填層が形成されることを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法における用途に適し、かつ、斯かる用途が意図される基板であって、前記基板は、プラスチックから作られ、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられることを特徴とする基板。
【請求項３２】
前記表面構造は、いくつかのピクセルピット又はサブピクセルピットを備えることを特徴とする請求項３１に記載の基板。
【請求項３３】
前記表面構造はシャドウイング構造を備え、前記シャドウイング構造は、スパッタリングプロセスにより、前記シャドウイング構造の部分が前記各導電層によって被覆されないものであることを特徴とする請求項３１又は３２に記載の基板。
【請求項３４】
前記シャドウイング構造は、いくつかの平行な狭く深い溝を備え、前記溝の幅及び深さは、前記溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、スパッタリングプロセスにおいて前記第１の導電層によって被覆されないような幅及び深さであることを特徴とする請求項３３に記載の基板。
【請求項３５】
前記表面構造の反転像が設けられた鋳型から前記表面構造を取り出すことができるように、前記表面構造が離型されることを特徴とする請求項３１乃至３４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３６】
前記基板は、射出成形品であることを特徴とする請求項３１乃至３５のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３７】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、前記構造を通過する生成光に作用する構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至３６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３８】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットから離隔した前記基板の側部において、前記構造を通過する生成光に作用する構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至３６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３９】
前記構造は、フレネルレンズを構成することを特徴とする請求項３７又は３８のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４０】
前記構造は、前記構造を通して放出される光に収束作用を及ぼすことを特徴とする請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４１】
前記構造は、前記構造を通して放出される光に発散作用を及ぼすことを特徴とする請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４２】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットに設けられる層を形成するために、前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、液体の分配を改良するように設計された構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至４１のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４３】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、接触面拡大構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至４２のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４４】
前記構造は、毛細管状溝を備えることを特徴とする請求項４２又は４３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４５】
請求項３１乃至４４のいずれか一項に記載の基板を使用して、請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法を用いて製造されることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、第１の方向においても第１の導体を第２の方向における第２の導体と同様に延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス化合物が前記第１及び第２の導体の交差部に設けられ、前記基板は、プラスチックから作られ、かつ、少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造を有するものであり、第１の導電層は、層形成プロセスによって形成されるものであり、プラスチック基板の前記表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、前記シャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、このシャドウイング構造の部分が、仮に各導電層により被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とし、前記シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が前記導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きいものであることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の製造は、射出成形プロセスを用いて行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記射出成形プロセスにおいて、前記基板の前記所望の表面構造の反転像を設けた射出成形鋳型が使用されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
エンボス加工、光重合による複製、又は、同様のプラスチック設計プロセスを用いて、前記基板の製造が行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プラスチック基板の製造後に、第１の透明カプセル充填層が、前記基板に形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の透明カプセル充填層は、窒化物−酸化物−窒化物層（ＮＯＮ層）であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の透明カプセル充填層は、例えばＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス又はＰＥＣＶＤプロセス等の堆積技術を用いて形成されることを特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の透明カプセル充填層の形成後に、相互に絶縁され第１の方向に延在するいくつかの平行の導体が設けられるようにする一方、前記第１の導体の部分が前記基板の前記表面構造のピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて延在するように、第１の導電層が形成されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の導電層のための前記層形成プロセスは、スパッタリングプロセスであることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記シャドウイング構造は、いくつかの平行な狭く深い溝を備え、前記溝の幅及び深さは、前記溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、仮にスパッタリングプロセスにおいて前記第１の導電層により被覆されてもわずかに被覆される程度となるような幅及び深さとされることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の導電層は、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷又は熱転写印刷等の印刷操作により形成されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の導電層の形成後に、少なくとも前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層が形成されることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の導電層も、前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、例えばＰＤＯＴ層等の正孔注入層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記正孔注入層の形成後に、例えばＰＰＶ層等の発光光源が、少なくとも前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて局所的に設けられることを特徴とする請求項１２又は１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の導電層の少なくとも発光層によって被覆されていない部分であって、後続のプロセス工程において第２の導電層によって被覆されることとなる部分に、前記後続のプロセス工程の前に、絶縁被覆が設けられることを特徴とする少なくとも請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記絶縁被覆は、例えばインクジェット印刷等の印刷操作によって形成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記絶縁層は、ＵＶ硬化ワニスから形成されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記シャドウイング構造を形成する前記深い溝は、前記絶縁被覆により充填されることを特徴とする請求項１０及び１６又は請求項１０及び１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも一つの層の形成後に、例えば局所的熱処理等の変形技術によって、前記表面構造の形状が適応させられることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記局所的熱処理は、レーザ操作又は局所赤外線照射によって行われることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
後続の層の形成にとって望ましい凹凸構造を形成するために、既にいくつかの層が設けられている前記基板上に追加の凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
好ましくはＵＶ硬化ワニスである硬化ワニスを使用して、印刷操作によって、前記追加の凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
相互に平行に延在する一方、方向が、前記第１の導体が延在する前記第１の方向に対して垂直である流路を形成するために、前記絶縁体の形成後に、凹凸構造が設けられることを特徴とする請求項８及び２１又は請求項８及び２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記絶縁被覆の形成後に、第２の方向に延在して相互に絶縁されるいくつかの平行な導体が設けられる一方、第２の導体の部分が前記基板の前記表面構造の前記ピクセルピット又はサブピクセルピットに延在するように、簡易に、第２の導電層が設けられることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の方向は、前記第１の方向に対して垂直であることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の導電層は、例えばインクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、静電印刷又は熱転写印刷等の印刷操作によって形成されることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記第２の導電層は、相互に平行に延在する前記流路に形成されることを特徴とする請求項２３及び請求項２４乃至２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記第２の導電層の形成前であって前記絶縁被覆の形成後に、カルシウム層、マグネシウム層、フッ化リチウム層又はバリウム層等の電子注入層が、前記基板に形成されることを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記バリウム層は、ＰＶＤプロセスにより形成されることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の導電層の形成後に、少なくとも一つのカプセル充填層が形成されることを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法における用途に適し、かつ、斯かる用途が意図される基板であって、前記方法は、層形成プロセスによって第１の導電層を形成する工程を含み、前記基板は、プラスチックから作られ、少なくとも形成すべきいくつかの層のための境界を形成する表面構造を有し、かつ、プラスチック基板の前記表面構造にはシャドウイング構造が設けられ、前記シャドウイング構造が設けられるにあたっては、層形成プロセスによって、前記シャドウイング構造の部分が、仮に各導電層により被覆される場合でも、わずかに被覆される程度とし、前記シャドウイング構造は、その部分における電気抵抗が導電層の残余の部分における抵抗に比較して大きいものであることを特徴とする基板。
【請求項３２】
前記表面構造は、いくつかのピクセルピット又はサブピクセルピットを備えることを特徴とする請求項３１に記載の基板。
【請求項３３】
前記表面構造はシャドウイング構造を備え、前記シャドウイング構造は、スパッタリングプロセスにより、前記シャドウイング構造の部分が前記各導電層によって被覆されないものであることを特徴とする請求項３１又は３２に記載の基板。
【請求項３４】
前記シャドウイング構造は、いくつかの平行な狭く深い溝を備え、前記溝の幅及び深さは、前記溝の側壁及び／又は底面の少なくとも一部が、スパッタリングプロセスにおいて前記第１の導電層によって被覆されないような幅及び深さであることを特徴とする請求項３３に記載の基板。
【請求項３５】
前記表面構造の反転像が設けられた鋳型から前記表面構造を取り出すことができるように、前記表面構造が離型されることを特徴とする請求項３１乃至３４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３６】
前記基板は、射出成形品であることを特徴とする請求項３１乃至３５のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３７】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、前記構造を通過する生成光に作用する構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至３６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３８】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットから離隔した前記基板の側部において、前記構造を通過する生成光に作用する構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至３６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項３９】
前記構造は、フレネルレンズを構成することを特徴とする請求項３７又は３８のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４０】
前記構造は、前記構造を通して放出される光に収束作用を及ぼすことを特徴とする請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４１】
前記構造は、前記構造を通して放出される光に発散作用を及ぼすことを特徴とする請求項３７乃至３９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４２】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットに設けられる層を形成するために、前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、液体の分配を改良するように設計された構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至４１のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４３】
前記ピクセルピット又はサブピクセルピットにおいて、接触面拡大構造が設けられることを特徴とする請求項３１乃至４２のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４４】
前記構造は、毛細管状溝を備えることを特徴とする請求項４２又は４３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４５】
請求項３１乃至４４のいずれか一項に記載の基板を使用して、請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の方法を用いて製造されることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【公表番号】特表２００６−５１２７４１（Ｐ２００６−５１２７４１Ａ）
【公表日】平成１８年４月１３日（２００６．４．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−５６７９２５（Ｐ２００４−５６７９２５）
【出願日】平成１５年１２月２４日（２００３．１２．２４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＮＬ２００３／０００９３７
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０７０８４０
【国際公開日】平成１６年８月１９日（２００４．８．１９）
【出願人】（５０３００７９３３）オーテーベー、グループ、ベスローテン、フェンノートシャップ (14)
【氏名又は名称原語表記】ＯＴＢ ＧＲＯＵＰ Ｂ．Ｖ．
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１８年４月１３日（２００６．４．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１５年１２月２４日（２００３．１２．２４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＮＬ２００３／０００９３７
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０７０８４０
【国際公開日】平成１６年８月１９日（２００４．８．１９）
【出願人】（５０３００７９３３）オーテーベー、グループ、ベスローテン、フェンノートシャップ (14)
【氏名又は名称原語表記】ＯＴＢ ＧＲＯＵＰ Ｂ．Ｖ．
【Ｆターム（参考）】
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