説明

有機発光素子

【課題】有機発光素子を提供する。
【解決手段】第1電極と、第2電極と、第1電極と第2電極との間に位置した発光層と、第1電極と発光層との間に位置した正孔注入層と、発光層と第2電極との間に位置した電子輸送層とを備える有機発光素子であり、正孔注入層は、Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びBからなる群から選択された元素、及びO、F、S、Cl、Se、Br及びIからなる群から選択された元素からなる第1化合物及び正孔注入物質を含み、電子輸送層は、電子輸送物質と第2化合物とを含み、第2化合物は、リチウム酸化物(LiO)、モリブデン酸化物(MoO)、バリウム酸化物(BaO)、又はボロン酸化物(B)であることを特徴とする有機発光素子である。該有機発光素子は優れた電気的特性を有し、あらゆるカラーの蛍光及びリン光の素子に適した新規の正孔注入材料を使用する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機発光素子に係り、新規の電子注入材料及び新規の電子輸送材料を利用し、駆動電圧、発光効率、寿命などの特性が改善された有機発光素子に関る。また本発明は、高品位有機発光素子開発に貢献する技術に係り、有機発光素子の消費電力節減及び寿命改善に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光素子とは、図1から分かるように、二電極間に挿入されている有機膜に電流を印加するとき、有機膜で電子と正孔との結合によって光が発生する装置をいう。従って、有機発光素子は、高画質、速い応答速度及び広視野角の特性を有する軽量薄型の情報表示装置具現を可能にするという長所を有する。これは、有機発光表示素子技術の急激な成長を先導する原動力になり、現在有機発光素子は、モバイルフォンだけではなく、その他高品位の情報表示装置にまでその応用領域が拡張されている。
【0003】
かような有機発光素子の急成長は、学術的側面だけではなく、産業技術側面でTFT−LCDのようなその他情報表示素子との競争が不可避になり、既存の有機発光素子は、量的、質的成長を阻害する最も大きい要因として残っている素子の効率、寿命向上及び消費電力節減という技術的限界を克服しなければならない難局に直面している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前述の問題点を解決し、2つの電荷注入が容易になり、電圧低下による消費電力が減少するだけではなく、駆動電圧、発光効率及び寿命特性を改善させた有機発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
前記技術的課題を解決するために、本発明では、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に位置した発光層と、前記第1電極と前記発光層との間に位置した正孔注入層と、前記発光層と前記第2電極との間に位置した電子輸送層とを備える有機発光素子であって、前記正孔注入層は、Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びBからなる群から選択された元素、及びO、F、S、Cl、Se、Br及びIからなる群から選択された元素からなる第1化合物及び正孔注入物質を含み、前記電子輸送層は、電子輸送物質と第2化合物とを含み、前記第2化合物は、リチウム酸化物(LiO)、モリブデン酸化物(MoO)、バリウム酸化物(BaO)、またはボロン酸化物(B)であることを特徴とする有機発光素子を提供する。
【0006】
また望ましくは、前記第1化合物及び正孔注入物質を含む正孔注入層以外に、他の正孔注入層をさらに備えることができる。
【0007】
また望ましくは、前記第2化合物及び電子輸送物質を含む電子輸送層以外に、他の電子輸送層をさらに備えることもできる。
【0008】
本発明の有機発光素子は、優れた電気的特性を有し、赤色、緑色、青色、白色のようなあらゆるカラーの蛍光及びリン光の素子に適した新規の正孔注入材料を使用する。また、本発明の有機発光素子は、新規の電子輸送材料を利用し、電子注入層を形成しなくても電子注入能が非常に改善される。その結果、一般的な電子輸送材料を使用した場合と比較し、電流効率、電力効率が向上するだけではなく、発光層に注入される電荷バランスが調節されて駆動電圧及び寿命特性が改善される。このように構成され、2つの電荷注入の障壁を小さくして消費電力を減少させることができ、新規の正孔注入材料及び新規の電子輸送材料の電荷移動度調節を介して電流効率を極大化させることができる。
【発明の効果】
【0009】
本発明の有機発光素子は、優れた電気的特性を有し、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及びリン光の素子に適した新規の正孔注入材料を使用する。また、本発明の有機発光素子は、新規の電子輸送材料を利用し、電子注入層を形成しなくても電子注入能が非常に改善される。その結果、一般的な電子輸送材料を使用した場合と比較し、電流効率、電力効率が向上するだけではなく、発光層に注入される電荷バランスが調節されて駆動電圧及び寿命特性が改善される。これにより、2つの電荷注入の障壁を小さくして消費電力を減少させ、新規の正孔注入材料及び新規の電子輸送材料の電荷移動度調節を介して電流効率を極大化させることができる。それ以外にも、高輝度、長寿命の利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
【0011】
高効率性能を有する有機発光素子を具現するためには、発光層での電荷バランスが非常に重要である。このために本発明では、正孔輸送層の形成時、Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びBからなる群から選択された元素、及びO、F、S、Cl、Se、Br及びIからなる群から選択された元素からなる第1化合物及び正孔輸送物質を利用し、電子輸送層の形成時、第2化合物と電子輸送物質とを利用するが、前記第2化合物は、リチウム酸化物(LiO)、モリブデン酸化物(MoO)、バリウム酸化物(BaO)、またはボロン酸化物(B)である。
【0012】
前記第1化合物は、新規の正孔注入層形成用の材料であり、本発明による有機発光素子は、前記第1化合物と前記正孔注入物質との混合物を含む正孔注入層を具備する。
【0013】
望ましくは、前記第1化合物は、モリブデン酸化物、マグネシウムフッ化物、セシウムフッ化物、ホウ素酸化物などである。
【0014】
前記正孔注入物質は、前述のように、当業界に公知の正孔注入層形成用の有機化合物が使われ、その例として、銅フタロシアニン、1,3,5−トリカルバゾリルベンゼン、4,4’−ビスカルバゾリルビフェニル、ポリビニルカルバゾール、m−ビスカルバゾリルフェニル、4,4’−ビスカルバゾリル−2,2’−ジメチルビフェニル、4,4’,4’’−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(TCTA)、4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、1,3,5−トリ(2−カルバゾリルフェニル)ベンゼン、1,3,5−トリス(2−カルバゾリル−5−メトキシフェニル)ベンゼン、ビス(4−カルバゾリルフェニル)シラン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(NPB)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−co−N−(4−ブチルフェニル)ジフェニルアミン)(TFB)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−co−ビス−N,N−フェニル−1,4−フェニレンジアミン(PFB)などを挙げることができる。
【0015】
望ましくは、前記第1化合物及び前記正孔注入物質の混合比は、1:1ないし3:1である。第1化合物及び正孔注入物質の混合比が1:1未満であって、相対的に第1化合物の含有量比が低くて正孔注入物質の含有量比が高い場合、駆動電圧低下効果が減少し、駆動による界面抵抗が増加するという問題点があり、3:1を超えて相対的に第1化合物の含有量比がはるかに高くて正孔注入物質の含有量比が小さい場合、駆動電圧が上昇するという問題点がある。
【0016】
一般的に、正孔注入障壁を小さくするために使われる物質としては、純粋有機ベースの物質が使われ、その場合、電極と有機物質とのエネルギーギャップを最大限減らす目的に設計されている。しかし、本発明での第1化合物を電極界面に使用することになれば、Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びBからなる群から選択された元素の金属特性を利用でき、その場合、接触抵抗を下げ、半導体化合物で使われる電極界面の特性であるオーム接触(Ohmic contact)を得ることができる。
【0017】
かような構造による本発明による有機発光素子は、電荷注入障壁を小さくすることができ、また界面の接触抵抗を減らし、駆動時の寿命がさらに長くなる。
【0018】
望ましくは、本発明による有機発光素子は、前記第1化合物及び正孔注入物質を含む正孔注入層を第1正孔注入層とすれば、第1正孔注入層以外に他の第2正孔注入層をさらに備える。
【0019】
前記第2正孔注入層は、一般的に使われうる第2正孔注入物質を使用して形成できる。かような第2正孔注入物質の例として、銅フタロシアニン、1,3,5−トリカルバゾリルベンゼン、4,4’−ビスカルバゾリルビフェニル、ポリビニルカルバゾール、m−ビスカルバゾリルフェニル、4,4’−ビスカルバゾリル−2,2’−ジメチルビフェニル、4,4’,4’’−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(TCTA)、4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、1,3,5−トリ(2−カルバゾリルフェニル)ベンゼン、1,3,5−トリス(2−カルバゾリル−5−メトキシフェニル)ベンゼン、ビス(4−カルバゾリルフェニル)シラン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(NPB)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−co−N−(4−ブチルフェニル)ジフェニルアミン)(TFB)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−co−ビス−N,N−フェニル−1,4−フェニレンジアミン(PFB)などを挙げることができ、それら化合物からなる群から選択された一つ以上を用いて第2正孔注入層を形成できる。
【0020】
前記の通りに本発明の有機発光素子で、正孔注入層を第1正孔注入層及び第2正孔注入層の二層で形成する場合、前記のような効果がさらに明確に改善される。その場合、第1層の低い障壁による駆動電圧低下に、第二層による電荷伝達速度が増加し、駆動電圧がさらに低下することになる。
【0021】
さらに望ましくは、前記第1正孔注入層と前記第2正孔注入層との厚さの比が1:99ないし1:9である。第1正孔注入層と第2正孔注入層との厚さの比が1:99未満であって、第1正孔注入層の厚さが第2正孔注入層に対して相対的に薄すぎれば、駆動による界面抵抗特性に問題があり、1:9を超えて第1正孔注入層の厚さが第2正孔注入層に対して比較的厚くなれば、駆動電圧が上昇するという問題点がある。
【0022】
前記第1化合物は、公知の多様な方法を利用して製造可能であり、これは、当業者に容易に認識可能である。
【0023】
本発明による有機発光素子は、別途の電子注入層を必要とせずにも電子注入がさらに容易になる。
【0024】
また、前述の電子輸送層以外に、電子移動度が電場800〜1,000(V/cm)1/2で10−8cm/Vs以上である電子輸送物質を含む電子輸送層をさらに備えることができる。これについてさらに詳細に説明すれば、本発明の有機発光素子は、リチウム酸化物(LiO)、モリブデン酸化物(MoO)、バリウム酸化物(BaO)及びボロン酸化物(B)のうち、いずれか1つである第2化合物及び電子輸送物質を含む第1電子輸送層と、第2電子輸送物質を含む第2電子輸送層とを具備する。このように、二層構造の電子輸送層を具備する場合には、単層の電子輸送層を使用する場合と比較し、はるかにさらに有機的な電子注入が可能になり、これによって、電圧低下による消費電力が大きく減少する利点がある。
【0025】
前記第2電子輸送物質は、前述のように、前記電子移動度が10−8cm/Vs以上である電子輸送物質からなり、望ましくは、電場800〜1,000(V/cm)1/2で10−4ないし10−8cm/Vsの電子移動度を有し、具体的な例として、ZnQ2、Bebq2などを挙げることができる。
【0026】
前記第1電子輸送物質は、第2電子輸送物質と同じように、電子移動度が10−8cm/Vs以上である電子輸送物質からなり、第2電子輸送物質と同じ組成または異なる材料によって選択できる。そのうち、第1電子輸送物質と第2電子輸送物質とが電荷移動度差のある材料によって構成される場合が、電荷伝達特性側面でさらに望ましい。
【0027】
前記第1電子輸送層と第2電子輸送層との厚さ比は、1:1ないし1:2であることが望ましい。
【0028】
前記電子輸送物質の望ましい例としてBebq2があり、前記第2化合物は、望ましくはLiOである。
【0029】
電子輸送層が二層で構成された場合の有機発光素子において、(図1B及び図1C参照)、第1電子輸送層は、電荷移動速度を制御する役割を果たし、第2電子輸送層は、電子注入障壁を小さくする役割を果たす。
【0030】
前記第1電子輸送層は、第1電子輸送物質と、電子輸送物質材料と双極子である特性を有する第2化合物とからなる。かような第1電子輸送物質を含むLiF、BaF、CsF、NaFなどが使われ、第2化合物の望ましい例としては、LiFがある。
【0031】
前記第1電子輸送層を構成する第1電子輸送物質の望ましい例としては、Bebq2がある。
【0032】
本発明の有機発光素子は、電子注入層が不要である。
【0033】
本発明による有機発光素子の構造は、非常に多様である。
【0034】
本発明の有機発光素子は、図1Aないし図1Cに図示されているアノード、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、発光層(EML)、電子輸送層(ETL)、電子注入層(EIL)、カソード構造の有機発光素子だけではなく、多様な構造の有機発光素子の構造が可能であり、必要によって、一層または二層の中間層をさらに形成することも可能である。
【0035】
図2は、本発明の他の具現例による有機発光素子の層のHOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)レベル及びLUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)レベルの差を概略的に図示したエネルギーバンドダイヤグラムである。
【0036】
以下、本発明による有機発光素子の製造方法について、図1Aないし図1Cに図示されている有機発光素子を参照しつつ説明する。
【0037】
まず基板上部に、大きな仕事関数を有する第1電極用物質を蒸着法またはスパッタリング法によって形成し、第1電極を形成する。前記第1電極はアノードでありうる。ここで基板としては、一般的な有機発光素子で使われる基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれる有機基板または透明プラスチック基板が望ましい。そして、第1電極用物質としては、透明であって伝導性にすぐれる酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)などを使用する。
【0038】
次に、前記第1電極上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB(Langmuir Blodgett)法のような多様な方法を利用し、正孔注入層(HIL)を形成できる。例えば、前記正孔注入層物質である第1化合物及び正孔注入物質を共蒸着することが可能である。
【0039】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性などによって異なるが、一般的に、蒸着温度50ないし500℃、真空度10−8ないし10−3torr、蒸着速度0.01ないし100Å/sec、膜厚は、一般的に10Åないし5μmの範囲で適切に選択することが望ましい。
【0040】
正孔輸送層も、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような公知の多様な方法を利用して形成でき、真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲中から選択される。
【0041】
前記正孔輸送層物質は、正孔輸送層に使われている公知の物質から任意のものを選択して使用できる。例えば、N−フェニルカルバゾリル、ポリビニルカルバゾールのようなカルバゾール誘導体;N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)のような芳香族縮合環を有する一般的なアミン誘導体などが使われる。
【0042】
次に、前記正孔輸送層上部に発光層が導入され、発光層材料は、特別に制限されるものではない。ここで、発光層の形成方法としては、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような方法を使用できる。
【0043】
前記正孔注入層上部に、発光層を形成する。発光層をなす物質は、特別に制限されるものではない。さらに具体的に、オキサジアゾールダイマー染料(oxadiazole dimmer dyes(Bis−DAPOXP))、スピロ化合物(spiro compounds)(Spiro−DPVBi、Spiro−6P)、トリアリールアミン化合物、ビス(スチリル)アミン(DPVBi、DSA)、4,4’−ビス(9−エチル−3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル(BCzVBi)、ペリレン、2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルペリレン(TPBe)、9H−カルバゾール−3,3’−(1,4−フェニレン−ジ−2,1−エテン−ジイル)ビス[9−エチル−(9C)](BCzVB)、4,4−ビス[4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル(DPAVBi)、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−[(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン(DPAVB)、4,4’−ビス[4−(ジフェニルアミノ)スチリル]ビフェニル(BDAVBi)、ビス(3,5−ジフルオロ−2−(2−ピリジル)フェニル−(2−カルボキシピリジル)イリジウムIII(FIrPic)など(以上、青色)と、3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−(ジエチルアミノ)クマリン(Coumarin6)、2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7,−テトラメチル−1H,5H,11H−10−(2−ベンゾチアゾリル)キノリジノ−[9,9a,1gh]クマリン(C545T)、N,N’−ジメチル−キナクリドン(DMQA)、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)(Ir(ppy))など(以上、緑色)と、テトラフェニルナフタセン(ルブレン(Rubrene))、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)(Ir(piq))、ビス(2−ベンゾ[b]チオフェン−2−イル−ピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)(Ir(btp)(acac))、トリス(ジベンゾイルメタン)フェナントロリンユウロピウム(III)(Eu(dbm)(phen))、トリス[4,4’−ジ−tert−ブチル−(2,2’)−ビピリジン]ルテニウム(III)錯体(Ru(dtb−bpy)*2(PF))、DCM1、DCM2、Eu(三フッ化テノイルアセトン)3(Eu(TTA)3、ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン)(DCJTB)など(以上、赤色)とを使用できる。また、高分子発光物質としては、フェニレン系、フェニレンビニレン系、チオフェン系、フルオレン系及びスピロフルオレン系の高分子のような高分子と窒素とを含む芳香族化合物などを含むことができるが、これらに限定されるものではない。
【0044】
前記発光層の厚さは、10nmないし500nm、望ましくは50nmないし120nmであることが望ましい。このうちでも、特に青色発光層の厚さは70nmでありうる。もし発光層の厚さが10nm未満である場合には、漏れ電流が増加して効率が低下して寿命が短縮し、500nmを超える場合には、駆動電圧上昇幅が高まって望ましくない。
【0045】
場合によっては、前記発光層は、発光層ホスト(host)に前記発光ドーパント(dopant)をさらに付加して製造したりもする。蛍光発光型ホストの材料としては、トリス(8−ヒドロキシ−キノリナート)アルミニウム(Alq3)、9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(AND)、3−tert−ブチル−9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(TBADN)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル−エテン−1−イル)−4,4’−ジメチルフェニル(DPVBi)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル−エテン−1−イル)−4,4’−ジメチルフェニル(p−DMDPVBi)、tert(9,9−ジアリールフルオレン)s(TDAF)、2−(9,9’−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9’−スピロビフルオレン(BSDF)、2,7−ビス(9,9’−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9’−スピロビフルオレン(TSDF)、ビス(9,9−ジアリールフルオレン)s(BDAF)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル−エテン−1−イル)−4,4’−ジ−(tert−ブチル)フェニル(p−TDPVBi)などが使われ、リン光型ホストの材料としては、1,3−ビス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン(mCP)、1,3,5−トリス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン(tCP)、4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(TcTa)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)、4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−2,2’−ジメチル−ビフェニル(CBDP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジメチル−フルオレン(DMFL−CBP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール)フルオレン(FL−4CBP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジ−トリル−フルオレン(DPFL−CBP)、9,9−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール)フルオレン(FL−2CBP)などが使われうる。
【0046】
このとき、ドーパントの含有量は、発光層の形成材料によって可変的であるが、一般的に、発光層の形成材料(ホストとドーパントとの総重量)100重量部を基準として、3ないし10重量部であることが望ましい。もしドーパントの含有量が前記範囲を外れれば、EL素子の発光特性が低下して望ましくない。本発明で、例えば、4,4’−ビス[4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル(DPAVBi)が使われ、蛍光ホストとしては、9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(ADN)または3−tert−ブチル−9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(TBADN)が使われうる。
DPAVBi
【化1】

ADN
【化2】

TBADN
【化3】

【0047】
次に、電子輸送物質と前述の第2化合物とを真空蒸着法によって積層し、電子輸送層を形成する。
【0048】
前記第2化合物の含有量は、電子輸送物質100重量部を基準として、30ないし70重量部であることが望ましい。もし第2化合物の含有量が30重量部未満であるならば、駆動電圧低下効果が少なく、70重量部を超えれば、電荷安定性が落ちることになる。
【0049】
前記電子輸送物質としては、電子移動度が電場800〜1,000(V/cm)1/2で10−8cm/Vs以上、特に10−5ないし10−6cm/Vsecの値を有する電子輸送物質を利用することが望ましい。
【0050】
もし電子輸送層の電子移動度が10−8cm/Vs未満である場合、発光層への電子注入が多すぎて、電荷バランスの側面で望ましくない。
【0051】
前記電子輸送層の形成物質としては、下記化学式で表示されるビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナートベリリウム(Bebq2)を使用する。
【化4】

【0052】
最後に、電子注入層上部に、第2電極であるカソード形成用金属を真空蒸着法やスパッタリング法などの方法によってカソードを形成する。ここで、カソード形成用金属としては、小さな仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物及びそれらの混合物を使用できる。具体的な例としては、リチウム(Li)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、アルミニウム−リチウム(Al−Li)、カルシウム(Ca)、マグネシウム−インジウム(Mg−In)、マグネシウム−銀(Mg−Ag)などを挙げることができる。また、前面発光素子を得るために、ITO、IZOを使用した透過型カソードを使用することもできる。
【0053】
本発明の他の一実施例による有機発光素子の製造方法について述べれば、次の通りである。
【0054】
図1Bのように、二層構造の電子輸送層を具備する有機発光素子は、発光層上部に第1電子輸送物質を真空蒸着法によって積層して第1電子輸送層を形成し、前記第1電子輸送層上部に、第2電子輸送物質と前述の第2化合物とを真空蒸着法によって積層する。第2電子輸送層を形成することを経ることを除いては、前述の有機発光素子の製造方法と同一に実施する。
【0055】
以下、前記本発明による実施例について具体的に例示するが、本発明が下記実施例のみに限定されるものではない。
【0056】
<実施例1:有機発光素子の製造例>
アノードは、コーニング(corning)15Ω/cm(1,200Å)ITOガラス基板を50mmx50mmx0.7mmサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水との中でそれぞれ5分間超音波洗浄した後、30分間UV(Ultraviolet)オゾン洗浄して使用した。
【0057】
前記基板上部に、まず第1正孔注入層として、酸化モリブデン及びNPBを共蒸着し、100Å厚に形成した。次に、前記第1正孔注入層上部に、F16−TCNQを利用して第2正孔注入層を形成した。
【0058】
前記第2正孔注入層上部にNPBを真空蒸着し、正孔輸送層を60nm厚に形成した。前記のように正孔輸送層を形成した後、この正孔輸送層上部に、ホストであるAlq3を100重量部、ドーパントとしてC545Tを5重量部使用し、これを真空蒸着して発光層を形成した。
【0059】
その後、前記発光層上部に、LiF 50重量部とBeBq2 50重量部とを真空共蒸着し、35nm厚の電子輸送層(ETL)を形成した。
【0060】
前記電子輸送層上部に、Al 3,000Å(カソード)を順次に真空蒸着し、Al電極を形成することによって、有機発光素子を完成した。
【0061】
<実施例2:有機発光素子の製造例>
リチウムキノレート50重量部とBebq2 50重量部とを真空共蒸着し、電子輸送層を形成したことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施し、有機発光素子を完成した。
【0062】
<実施例3:有機発光素子の製造例>
アノードは、コーニング(corning)15Ω/cm(1,200Å)ITOガラス基板を50mmx50mmx0.7mmサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水との中でそれぞれ5分間超音波洗浄した後、30分間UVオゾン洗浄して使用した。
【0063】
前記基板上部に、CuPcを利用して正孔注入層を10nm厚に形成した。
【0064】
前記正孔注入層上部にNPBを真空蒸着し、正孔輸送層を60nm厚に形成した。前記のように正孔輸送層を形成した後、この正孔輸送層上部に、ホストであるAlq3を100重量部、ドーパントとしてC545Tを5重量部使用してこれを真空蒸着し、250Å厚に発光層を形成した。
【0065】
その後、前記発光層上部にBebq2を真空蒸着し、10nm厚の第1電子輸送層(ETL1)を形成した。
【0066】
前記ETL1上部に、LiF30重量部とBebq2 70重量部とを真空共蒸着し、25nm厚の第2電子輸送層(ETL2)を形成した。
【0067】
前記ETL2上部に、Al 3,000Å(カソード)を順次に真空蒸着し、Al電極を形成することによって、有機発光素子を完成した。
【0068】
<実施例4:有機発光素子の製造例>
リチウムキノレート50重量部とBebq2 50重量部とを真空共蒸着し、ETL2を形成したことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施し、有機発光素子を完成した。
【0069】
<比較例1:有機発光素子の製造例>
電子輸送層の形成時、Bebq2を利用したことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施し、有機発光素子を完成した。
【0070】
前記実施例1及び比較例1によって製造された有機発光素子の電流密度による電力効率を調べ、その結果を図3及び図4に示した。
【産業上の利用可能性】
【0071】
本発明の有機発光素子は、例えば、表示装置関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0072】
【図1A】本発明の具現例による有機発光素子の構造を簡略に示した断面図である。
【図1B】本発明の具現例による有機発光素子の構造を簡略に示した断面図である。
【図1C】本発明の具現例による有機発光素子の構造を簡略に示した断面図である。
【図2】本発明の他の具現例による有機発光素子の層のHOMOレベル及びLUMOレベルの差を概略的に図示したエネルギーバンドダイヤグラムである。
【図3】本発明の一具現例及び従来の有機発光素子の輝度による効率特性(Im/W)を測定したグラフである。
【図4】本発明の一具現例及び従来の有機発光素子の輝度による発光効率(cd/A)を測定したグラフである。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に位置した発光層と、前記第1電極と前記発光層との間に位置した正孔注入層と、前記発光層と前記第2電極との間に位置した電子輸送層とを備える有機発光素子であって、前記正孔注入層は、Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びBからなる群から選択された元素、及びO、F、S、Cl、Se、Br及びIからなる群から選択された元素からなる第1化合物及び正孔注入物質を含み、前記電子輸送層は、電子輸送物質と第2化合物とを含み、前記第2化合物は、リチウム酸化物(LiO)、モリブデン酸化物(MoO)、バリウム酸化物(BaO)、またはボロン酸化物(B)であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項2】
前記正孔注入物質は、銅フタロシアニン、1,3,5−トリカルバゾリルベンゼン、4,4’−ビスカルバゾリルビフェニル、ポリビニルカルバゾール、m−ビスカルバゾリルフェニル、4,4’−ビスカルバゾリル−2,2’−ジメチルビフェニル、4,4’,4’’−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(TCTA)、4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、1,3,5−トリ(2−カルバゾリルフェニル)ベンゼン、1,3,5−トリス(2−カルバゾリル−5−メトキシフェニル)ベンゼン、ビス(4−カルバゾリルフェニル)シラン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(NPB)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−co−N−(4−ブチルフェニル)ジフェニルアミン)(TFB)またはポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−co−ビス−N,N−フェニル−1,4−フェニレンジアミン(PFB)からなる群から選択された一つであることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項3】
前記第1化合物及び前記正孔注入物質の混合比が1:1ないし3:1であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項4】
前記第1化合物として表示される化合物は、モリブデン酸化物、マグネシウムフッ化物、セシウムフッ化物、ホウ素酸化物からなる群から選択された一つであることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項5】
前記第1化合物及び正孔注入物質を含む正孔注入層を第1正孔注入層として備え、また第1正孔注入層以外に他の第2正孔注入層をさらに備え、前記第2正孔注入層は、第2正孔注入物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項6】
前記第2正孔注入物質は、銅フタロシアニン、1,3,5−トリカルバゾリルベンゼン、4,4’−ビスカルバゾリルビフェニル、ポリビニルカルバゾール、m−ビスカルバゾリルフェニル、4,4’−ビスカルバゾリル−2,2’−ジメチルビフェニル、4,4’,4’’−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(TCTA)、4,4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、1,3,5−トリ(2−カルバゾリルフェニル)ベンゼン、1,3,5−トリス(2−カルバゾリル−5−メトキシフェニル)ベンゼン、ビス(4−カルバゾリルフェニル)シラン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(NPB)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−co−N−(4−ブチルフェニル)ジフェニルアミン)(TFB)またはポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−co−ビス−N,N−フェニル−1,4−フェニレンジアミン(PFB)からなる群から選択された一つ以上を含むことを特徴とする請求項5に記載の有機発光素子。
【請求項7】
前記第1化合物及び前記正孔注入物質を含む第1正孔注入層と前記第2正孔注入層との厚さの比が1:99ないし1:9であることを特徴とする請求項5に記載の有機発光素子。
【請求項8】
前記第2化合物の含有量が電子輸送物質100重量部を基準として、30ないし70重量部であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項9】
前記電子輸送物質が電子移動度が電場800〜1,000(V/cm)1/2で10−8cm/Vsec以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項10】
前記電子輸送物質が下記化学式で表示されるビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナートベリリウム(Bebq2)からなることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子:
【化1】

【請求項11】
前記第2化合物及び電子輸送物質を含む電子輸送層を第1電子輸送層として含み、また前記第1電子輸送層以外に他の第2電子輸送層をさらに備え、前記第2電子輸送層は、第2電子輸送物質を備えることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項12】
前記第2電子輸送物質が電子移動度が電場800〜1,000(V/cm)1/2で10−8cm/Vs以上であることを特徴とする請求項11に記載の有機発光素子。
【請求項13】
前記第2電子輸送物質が電場800〜1,000(V/cm)1/2で10−4ないし10−8cm/Vsの電子移動度を有することを特徴とする請求項11に記載の有機発光素子。
【請求項14】
前記第1電子輸送層と前記第2電子輸送層との厚さ比は、1:1ないし1:2であることを特徴とする請求項11に記載の有機発光素子。
【請求項15】
前記素子が正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された1以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項16】
前記素子が第1電極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第2電極、第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/第1電子輸送層/第2電子輸送層/電子注入層/第2電極、または第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層1/電子輸送層2/電子注入層/第2電極の構造を有することを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。

【図1A】
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【図1B】
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【図1C】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2009−164578(P2009−164578A)
【公開日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−276076(P2008−276076)
【出願日】平成20年10月27日(2008.10.27)
【出願人】(308040351)三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Fターム(参考)】