有機発光表示装置及びその製造方法
【課題】本発明の目的とするところは、外光反射を抑制して視認性を向上させた有機発光表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関し、本発明の実施形態にかかる有機発光表示装置は基板部材、前記基板部材上に形成された複数の画素電極、前記画素電極を露出する複数の開口部を有し、前記基板部材上に形成された画素定義膜、前記画素電極上に形成された有機発光層、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された第１共通電極、前記第１共通電極上に形成された透過膜、そして前記透過膜上に形成された第２共通電極を含み、前記画素定義膜は前記開口部を有する画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含む。
【解決手段】本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関し、本発明の実施形態にかかる有機発光表示装置は基板部材、前記基板部材上に形成された複数の画素電極、前記画素電極を露出する複数の開口部を有し、前記基板部材上に形成された画素定義膜、前記画素電極上に形成された有機発光層、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された第１共通電極、前記第１共通電極上に形成された透過膜、そして前記透過膜上に形成された第２共通電極を含み、前記画素定義膜は前記開口部を有する画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは外光反射を抑制して視認性を向上させた有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は正孔注入電極と有機発光層及び電子注入電極を有する複数の有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を含む。有機発光層内部で電子と正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光が行われ、これを利用して有機発光表示装置は画像を形成する。
【０００３】
したがって、有機発光表示装置は自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なって別途の光源を必要としないために厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は低い消費電力、高い輝度及び高い反応速度などの高品位特性を示すので、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、有機発光表示装置が有する多様な電極及び金属配線は外部から流入した光を反射する。このような外光反射によって有機発光表示装置は黒色の表現及び鮮明度が不良になって表示特性が低下するという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、外光反射を抑制して視認性を向上させた有機発光表示装置を提供することにある。
【０００６】
また、本発明は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施例による有機発光表示装置は、基板部材、前記基板部材上に形成された複数の画素電極、前記画素電極を露出する複数の開口部をもって前記基板部材上に形成された画素定義膜、前記画素電極上に形成された有機発光層、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された第１共通電極、前記第１共通電極上に形成された透過膜、そして前記透過膜上に形成された第２共通電極を含み、前記画素定義膜は前記開口部を有する画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含む。
【０００８】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記透過膜より高い高さで前記透過膜上に突出形成されることができる。
【０００９】
前記第１共通電極と前記第２共通電極は前記画素定義膜の光散乱スペーサ部上で互いに接触することができる。
【００１０】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極のうちの１つ以上は半透過膜で形成されることができる。
【００１１】
前記半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で作られてもよい。
【００１２】
前記有機発光表示装置で、前記画素定義膜を介して前記基板部材と対向配置された密封部材をさらに含み、前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記基板部材と前記密封部材間の間隔を維持することができる。
【００１３】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は角錐台、角柱、円錐台、円柱、半球及び半偏球のうちの１種以上の形状を含むことができる。
【００１４】
また、本発明の実施例による有機発光表示装置製造方法は、基板部材上に互いに離隔した複数の画素電極を形成する段階、前記画素電極上に感光物質層を塗布する段階、前記感光物質層をマスクを利用した写真工程でパターニングして画素定義膜を形成する段階、前記画素電極上に有機発光層を形成する段階、前記有機発光層上に第１共通電極を形成する段階、前記第１共通電極上に透過膜を形成する段階、そして前記透過膜上に第２共通電極を形成する段階を含み、前記画素定義膜は前記画素電極を露出する開口部を有して前記基板部材上に形成された画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含むことができる。
【００１５】
前記写真工程はハーフトーン（ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）露光工程を含むことができる。
【００１６】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記透過膜より高い高さで前記透過膜上に突出するように形成することができる。
【００１７】
前記第１共通電極と前記第２共通電極は前記画素定義膜の光散乱スペーサ部上で互いに接触することができる。
【００１８】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極のうちの１つ以上は半透過膜で形成されることができる。
【００１９】
前記半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で作られてもよい。
【００２０】
前記有機発光表示装置製造方法で、前記画素定義膜を介して密封部材を前記基板部材と対向配置する段階をさらに含み、前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記基板部材と前記密封部材間の間隔を維持することができる。
【００２１】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は角錐台、角柱、円錐台、円柱、半球及び半偏球のうちの１種以上の形状を含むことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の効果は、外光反射を抑制して視認性を向上させた有機発光表示装置を提供し、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置を示す配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【図４】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【図５】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【図６】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【図７】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限られない。
【００２５】
また、図面において、各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ず図示されたことに限られるわけではない。
【００２６】
本発明を明確に説明するために説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の符号を付けることにする。
【００２７】
また、図面において多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分“直上”にあるとする場合には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００２８】
また、添付図面において、１つの画素に２つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と１つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を備える２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明がこれに限定されるわけではない。したがって、有機発光表示装置は１つの画素に３つ以上の薄膜トランジスターと２つ以上の蓄電素子を備えることが可能であり、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成することもできる。
【００２９】
ここで、画素は画像を示す最小単位のことを言い、有機発光表示装置は複数の画素を通じて画像を表示する。
【００３０】
以下、図１及び図２を参照して本発明の一実施形態を説明する。
【００３１】
図１及び図２に示したように、本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００は１つの画素にスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、そして有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。そして、有機発光表示装置１００は一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、ゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１及び共通電源ライン１７２をさらに含む。ここで、一般に１つの画素はゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２を境界として定義することができる。しかし、画素が上述した定義に限定されることではない。
【００３２】
有機発光素子７０は画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０を含む。ここで、画素電極７１０は正孔注入電極としての正（＋）極であり、共通電極７３０は電子注入電極としての負（−）極になる。しかし、本発明として開示される各実施形態が必ずこれに限定されることではなく、有機発光表示装置１００の駆動方法に応じて画素電極７１０が負極になり、共通電極７３０が正極になることもできる。画素電極７１０及び共通電極７３０からそれぞれ正孔と電子が有機発光層７２０内部に注入される。注入された正孔と電子が結合したエキシトン（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光が行われる。ここで、画素電極７１０は各画素ごとに１つ以上ずつ形成されるので、有機発光表示装置１００は互いに離隔した複数の画素電極７１０を有する。
【００３３】
蓄電素子８０はゲート絶縁膜１４０を介して配置された第１蓄電板１５８と第２蓄電板１７８を含む。
【００３４】
スイッチング薄膜トランジスター１０はスイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３及びスイッチングドレイン電極１７４を含み、駆動薄膜トランジスター２０は駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
【００３５】
スイッチング薄膜トランジスター１０は発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として使用される。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１に連結される。スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１に連結される。スイッチングドレイン電極１７４はスイッチングソース電極１７３から離隔配置されて第１蓄電板１５８と連結される。
【００３６】
駆動薄膜トランジスター２０は選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は第１蓄電板１５８と連結される。駆動ソース電極１７６及び第２蓄電板１７８はそれぞれ共通電源ライン１７２と連結される。駆動ドレイン電極１７７は接触孔１８２を通って有機発光素子７０の画素電極７１０と連結される。
【００３７】
このような構造によって、スイッチング薄膜トランジスター１０はゲートライン１５１に印加されるゲート電圧により作動して、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスター１０から伝達されたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子８０に貯蔵され、蓄電素子８０に貯蔵された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を通って有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光する。
【００３８】
また、有機発光表示装置１００は、図２に示したように、画素定義膜１９０と密封部材２１０をさらに含む。
【００３９】
密封部材２１０は有機発光素子７０を介して基板部材１１１と合着密封される。密封部材２１０は基板部材１１１上に形成された薄膜トランジスター（１０、２０）及び有機発光素子７０などを外部から密封されるようにカバーして保護する。ここで、密封部材２１０を除いた構成を表示基板１１０と言う。密封部材２１０としては通常ガラスまたはプラスチックなどを素材として作られた絶縁基板を使用することができる。
【００４０】
画素定義膜１９０は画素電極７１０を露出する開口部を有する画素定義部１９１と、画素定義部１９１から上部方向、つまり、共通電極７３０方向に突出した光散乱スペーサ部１９５を含む。各画素ごとに形成された複数の画素電極７１０Ａは画素定義部１９１の開口部に対応する位置に形成される。
【００４１】
画素定義膜１９０の画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５は感光性物質を素材として写真工程によって一体に形成される。つまり、ハーフトーン露光工程によって露光量を調節して、画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５を共に形成する。しかし、本発明による一実施形態がこれに限定されるわけではない。したがって、画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５は順次にまたは別個に形成することができ、互いに異なる素材を使用して作ってもよい。
【００４２】
画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は基板部材１１１と密封部材２１０間の間隔を維持する役割を果たす。また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は光散乱スペーサ部１９５の下に配置された導電膜に反射される外部光を散乱させて外光反射を抑制する役割もする。ここで、導電膜はゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２などであってもよい。したがって、有機発光表示装置１００は光散乱スペーサ部１９５によってさらに効果的に外光反射を抑制することができる。
【００４３】
また、有機発光表示装置１００の有機発光素子７０は、図２に示したように、共通電極７３０上に形成された透過膜６００と、透過膜６００上に形成された追加の共通電極７５０をさらに含む。以下、共通電極７３０を第１共通電極と言い、追加の共通電極７５０を第２共通電極と言う。ここで、第１共通電極７３０は有機発光層７２０及び画素定義膜１９０上に形成される。そして透過膜６００は第１共通電極７３０上に形成されるが、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５の高さよりは低く形成される。つまり、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は透過膜６００より高い高さ（ｈ）を有して透過膜６００上に突出形成される。そして、第２共通電極７５０は透過膜６００上に形成され、透過膜６００上に突出した光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで第１共通電極７３０と連結される。
【００４４】
第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０は半透過膜で形成される。しかし、本発明による一実施形態がこれに限定されるのではない。したがって、第１共通電極７３０又は第２共通電極７５０のうちのいずれか１つのみ半透過膜で形成することができ、他の１つは透明に形成されることができる。透過膜６００は第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０と両面でそれぞれ密着される。つまり、透過膜６００と第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０の間にはそれぞれ空気との界面が存在しない。これに、外部から流入した光ＩＲの相当量は第１共通電極７３０と第２共通電極７５０の間で反射による相殺干渉で消滅する。この時、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０の間で光の相殺干渉が効果的に起こるためには透過膜６００が適切な屈折率と厚さを有しなければならない。透過膜６００が有する屈折率及び厚さについては後述する公式１を通じて具体的に説明する。
【００４５】
このように、有機発光表示装置１００は第１共通電極７３０、透過膜６００及び第２共通電極７５０を通じて外光反射を抑制して視認性を向上させることができる。
【００４６】
また、第２共通電極７５０は透過膜６００上に突出された光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで第１共通電極７３０と互いに連結されるので、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０間に電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）が発生することを抑制することができる。
【００４７】
また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は複数の画素電極７１０間の離隔空間上に形成される。これに、光散乱スペーサ部１９５を通じて連結された第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０が有機発光表示装置１００で表示する画像の品質に影響を与えることを防止することができる。
【００４８】
また、第１共通電極７３０と第２共通電極７５０が画素電極７１０の間で互いに連結されるので、電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）によって有機発光素子７０が放出する光が不良に且つ不均一になることをさらに効果的に抑制することができる。
【００４９】
上述のように、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は第１共通電極７３０と第２共通電極７５０が互いに連結されるように補助し、基板部材１１１と密封部材２１０間の間隔を維持し、外部から流入して反射された光を散乱させて外光反射を抑制する役割を全て行う。したがって、有機発光表示装置１００は効果的に外光反射を抑制することができる。
【００５０】
以下、図２を参照して本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００の構造について具体的に説明する。図２は駆動薄膜トランジスター２０、有機発光素子７０及び蓄電素子８０を中心に有機発光表示装置１００を示している。
【００５１】
以下では駆動薄膜トランジスター２０を持って薄膜トランジスターの構造について詳しく説明する。そして、スイッチング薄膜トランジスター１０は駆動薄膜トランジスターとの差異点のみ簡略に説明する。
【００５２】
基板部材１１１はガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる絶縁性基板で形成される。しかし、本発明がこれに限定されるわけではない。したがって、基板部材１１１がステンレス鋼などからなる金属性基板で形成されてもよい。
【００５３】
基板部材１１１上にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は不純元素の浸透を防止し、表面を平坦化する役割を果たすもので、このような役割を果たすことができる多様な物質で形成することができる。一例として、バッファー層１２０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれか１つを使用することができる。しかし、バッファー層１２０は必ず必要なものではなく、基板部材１１１の種類及び工程条件に応じて省略してもよい。
【００５４】
バッファー層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は多結晶シリコン膜で形成される。また、駆動半導体層１３２は不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側にｐ＋ドーピングされて形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７を含む。この時、ドーピングされるイオン物質はホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が使用される。ここで、このような不純物は薄膜トランジスターの種類に応じて変わる。
【００５５】
本発明の一実施形態では駆動薄膜トランジスター２０としてＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたが、これに限定されるわけではない。したがって、駆動薄膜トランジスター２０としてＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターとも使用することができる。
【００５６】
また、図２に示された駆動薄膜トランジスター２０は多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであるが、図２に示されていないスイッチング薄膜トランジスター１０は多結晶薄膜トランジスターであっても、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターであってもよい。
【００５７】
駆動半導体層１３２上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。ゲート配線はゲートライン１５１（図１に図示）、第１蓄電板１５８及びその他に配線をさらに含む。そして、駆動ゲート電極１５５は駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００５８】
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０は駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０はゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）などで形成される。
【００５９】
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。データ配線はデータライン１７１（図１に図示）、共通電源ライン１７２、第２蓄電板１７８及びその他に配線をさらに含む。そして、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７はそれぞれ貫通孔を通って駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と連結される。
【００６０】
このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスター２０が形成される。
【００６１】
駆動薄膜トランジスター２０の構成は上述した例に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知の構成から多様に変形することが可能である。
【００６２】
層間絶縁膜１６０上にはデータ配線（１７２、１７６、１７７、１７８）を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０はその上に形成される有機発光素子７０の発光効率を上げるために段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜１８０はドレイン電極１７７の一部を露出させる接触孔１８２を有する。
【００６３】
平坦化膜１８０はアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ）ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ）ｒｅｓｉｎ）及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちの１種以上の物質で作ることができる。
【００６４】
平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の画素電極７１０が形成される。画素電極７１０は平坦化膜１８０の接触孔１８２を通ってドレイン電極１７７と連結される。
【００６５】
また、平坦化膜１８０上には画素定義膜１９０が形成される。画素定義膜１９０は画素電極７１０を露出する開口部を有する画素定義部１９１と、画素定義部１９１で上部、つまり、平坦化膜と反対方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部１９５を含む。つまり、画素電極７１０は画素定義部１９１の開口部に対応するように配置される。
【００６６】
画素定義膜１９０はポリアクリル系及びポリイミド系などの樹脂で作ることができる。また、本発明の一実施形態では画素定義膜１９０の画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５が一体に形成されたが、これに限定されるわけはない。したがって、画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５が別個にそれぞれ形成されることもある。
【００６７】
また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は光散乱スペーサ部１９５の下に配置されたゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２などのような導電膜に反射される外部光を散乱させて外光反射を抑制する役割を果たす。
【００６８】
画素定義部１９１の開口部内で画素電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、画素定義膜１９０及び有機発光層７２０上には第１共通電極７３０が形成される。
【００６９】
このように、画素電極７１０、有機発光層７２０及び第１共通電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。また、本発明による一実施形態で、有機発光素子７０は透過膜６００及び第２共通電極７５０をさらに含む。
【００７０】
第１共通電極７３０上には透過膜６００が形成される。透過膜６００としては有機膜または無機膜を使用することができる。本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００では透過膜６００として有機膜が使用される。そして、透過膜６００は適切な範囲内の平均厚さを有する。この時、透過膜６００の厚さは透過膜６００が有する屈折率に応じて決められる。
【００７１】
また、透過膜６００は光散乱スペーサ部１９５より低く形成される。つまり、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は透過膜６００上に突出形成される。
【００７２】
透過膜６００上には第２共通電極７５０が形成される。第２共通電極７５０は透過膜６００上に突出された光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで第１共通電極７３０と互いに連結される。
【００７３】
第１共通電極７３０と第２共通電極７５０は半透過膜で形成される。第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０として使用される半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で形成される。
【００７４】
また、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０は有機発光素子７０で発生した光を効果的に放出させ、外部から流入した光ＩＲの反射を最少化するために適切な反射率を有する。一例として、第１共通電極７３０は５０％以下の反射率を有し、第２共通電極７５０は３０％以下の反射率を有することができる。
【００７５】
なお、透過膜６００は第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０と両面でそれぞれ密着される。つまり、透過膜６００と第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０の間のそれぞれには空気との界面が存在しない。
【００７６】
また、透過膜６００は第１共通電極７３０と第２共通電極７５０の間で光反射によって効果的に相殺干渉が起こるように適切な厚さと屈折率を有する。
【００７７】
透過膜６００が有する厚さ及び屈折率は反射光の相殺干渉条件から導出された下記の公式を通じて設定することができる。
（数式１）
ｄ＝λ／４ｎｄｃｏｓθ ……公式１
【００７８】
ここで、ｄは反射される二面の間の距離である。つまり、第１共通電極７３０と第２共通電極７５０間の離隔距離で、同時に透過膜６００の厚さとなる。ｎは透過膜６００の屈折率であり、θは光の入射角である。λは反射される光の波長である。
【００７９】
このような公式に可視光の波長と透過膜６００として使用された素材の屈折率を代入する。そして、平均的外光の入射角をほぼ３０度乃至４５度と見ると、透過膜６００が有しなければならない平均厚さを算出することができる。つまり、透過膜６００として使用された素材の種類に応じて透過膜６００は適切な厚さを有するように設定される。反対に、透過膜６００を所望の厚さに形成するために適切な屈折率を有する素材で透過膜６００を形成することもできる。ただし、透過膜６００は、上述のように、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５より低く形成されなければならない。
【００８０】
このような構造によると、外部から第２共通電極７５０を経て第１共通電極７３０に向かう光ＩＲは第１共通電極７３０で一部反射されて再び第２共通電極７５０に向かう。第２共通電極７５０に向かった光の一部は第２共通電極７５０を通過して外部に放出され、残りは再び反射されて第１共通電極７３０に向かう。このように、外部から流入された光ＩＲが透過膜６００を介して第１共通電極７３０と第２共通電極７５０の間で反射を繰り返しながら相殺干渉が起こって相当量消滅する。したがって、有機発光表示装置１００は外光反射抑制によって視認性を向上させることができる。
【００８１】
また、第１共通電極７３０と第２共通電極７５０は透過膜６００上に突出された光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで互いに連結されるので、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０間に電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）が発生することを抑制できる。
【００８２】
また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は複数の画素電極７１０相互間の離隔空間上に形成される。これに、光散乱スペーサ部１９５を通って連結された第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０が有機発光表示装置１００で表示する画像の品質に影響を与えることを防止できる。
【００８３】
また、第１共通電極７３０と第２共通電極７５０が画素電極７１０相互間で互いに連結されるので、電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）によって有機発光素子７０が放出する光が不良に且つ不均一になることをさらに効果的に抑制することができる。
【００８４】
また、上述のように、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０は半透過型で形成できる。しかし、本発明として開示された各実施形態にかかる有機発光表示装置１００がこれに限定されるわけではない。したがって、第１共通電極７３０又は第２共通電極７５０のうちのいずれか１つは透過型で形成することもできる。一方、画素電極７１０は透過型、半透過型又は反射型のうちのいずれか１つの型式で形成できる。
【００８５】
画素電極７１０、第１共通電極７３０又は第２共通電極７５０を形成する物質の種類に応じて有機発光表示装置１００は前面発光型、背面発光型または両面発光型になり得る。一方、本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００は前面発光型に形成できる。つまり、有機発光素子７０は第１共通電極７３０及び第２共通電極方向７５０に光を放出して画像を表示する。
【００８６】
透明な導電性物質としてはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）などの物質を使用することができる。反射型物質としてはリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などの物質を使用することができる。
【００８７】
有機発光層７２０は低分子有機物または高分子有機物からなる。このような有機発光層７２０は正孔注入層（ｈｏｌｅ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｏｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、そして電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を含む多重膜に形成される。つまり、正孔注入層は正極の画素電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次に積層される。
【００８８】
有機発光素子７０の上に密封部材２１０が配置される。密封部材２１０は基板部材１１１と対向配置されて薄膜トランジスター２０及び有機発光素子７０をカバーする。また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５によって基板部材１１１、つまり、表示基板１１０と密封部材２１０の間隔が維持される。
【００８９】
このような構成によって、有機発光表示装置１００は外光反射を抑制して向上した視認性を有することができる。
【００９０】
以下、図３乃至図７を参照して、本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００の製造方法を説明する。
【００９１】
図３に示したように、基板部材１１１上に薄膜トランジスター２０と、薄膜トランジスター２０のドレイン電極１７７に連結された画素電極７１０を形成する。そして、画素電極７１０上に感光物質層１９９を塗布する。次に、マスク８００を使用して写真工程を進める。マスク８００はマスク基板８１０と、このマスク基板８１０上に形成された遮光パターン８２０を含む。そして、写真工程はスリットパターンを有するマスク８００を通じて進められるハーフトーン（ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）露光を含む。
【００９２】
感光物質層１９９は露光された部分は現像工程で除去され、露光されていない部分は現像工程を経て残る。この時、感光物質層１９９の種類に応じて露光された部分が残り、露光されていない部分が除去されることもできる。
【００９３】
次に、図４に示したように、現像工程を経て画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５を有する画素定義膜１９０を形成する。
【００９４】
次に、図５に示したように、画素定義部１９１の開口部を通って露出された画素電極７１０上に有機発光層７２０及び第１共通電極７３０を順次に形成する。
【００９５】
次に、図６に示したように、第１共通電極７３０上に透過膜６００を形成する。この時、透過膜６００は画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５の高さより低く形成される。つまり、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は透過膜６００より高い高さ（ｈ）を有し、透過膜６００上に突出する。また、透過膜６００は上述した公式１による適切な屈折率及び厚さを有するように形成される。
【００９６】
次に、図７に示したように、透過膜６００上に第２共通電極７５０を形成する。第２共通電極７５０は透過膜６００上に突出した光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで第１共通電極７３０と互いに連結される。
【００９７】
ここで、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０のうちの１つ以上はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で形成された半透過膜である。
【００９８】
次に、第２共通電極７５０上に密封部材２１０を配置して、前記図２で示したような有機発光表示装置１００を形成する。この時、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は基板部材１１１と密封部材２１０間の間隔を維持する。
【００９９】
このような製造方法によって外光反射を抑制して向上した視認性を有する有機発光表示装置１００を製造することができる。
【０１００】
本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範疇に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１０１】
１０ スイッチング薄膜トランジスター
２０ 駆動薄膜トランジスター
７０ 有機発光素子
８０ 蓄電素子
１００ 有機発光表示装置
１１０ 表示基板
１１１ 基板部材
１２０ バッファー層
１３２ 駆動半導体層
１３５ チャンネル領域
１３６ ソース領域
１３７ ドレイン領域
１４０ ゲート絶縁膜
１５１ ゲートライン
１５２ スイッチングゲート電極
１５５ 駆動ゲート電極
１５８ 第１蓄電板
１７１ データライン
１７２ 共通電源ライン
１７６ 駆動ソース電極
１７７ ドレイン電極
１７８ 第２蓄電板
１８０ 平坦化膜
１８２ 接触孔
１９０ 画素定義膜
１９１ 画素定義部
１９５ 光散乱スペーサ部
１９９ 感光物質層
２１０ 密封部材
６００ 透過膜
７１０ 画素電極
７２０ 有機発光層
７３０ 共通電極
７５０ 共通電極
８００ マスク
８１０ マスク基板
８２０ 遮光パターン
ＣＡ 接触領域
ＩＲ 外部から流入した光
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは外光反射を抑制して視認性を向上させた有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は正孔注入電極と有機発光層及び電子注入電極を有する複数の有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を含む。有機発光層内部で電子と正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光が行われ、これを利用して有機発光表示装置は画像を形成する。
【０００３】
したがって、有機発光表示装置は自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なって別途の光源を必要としないために厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は低い消費電力、高い輝度及び高い反応速度などの高品位特性を示すので、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、有機発光表示装置が有する多様な電極及び金属配線は外部から流入した光を反射する。このような外光反射によって有機発光表示装置は黒色の表現及び鮮明度が不良になって表示特性が低下するという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、外光反射を抑制して視認性を向上させた有機発光表示装置を提供することにある。
【０００６】
また、本発明は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施例による有機発光表示装置は、基板部材、前記基板部材上に形成された複数の画素電極、前記画素電極を露出する複数の開口部をもって前記基板部材上に形成された画素定義膜、前記画素電極上に形成された有機発光層、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された第１共通電極、前記第１共通電極上に形成された透過膜、そして前記透過膜上に形成された第２共通電極を含み、前記画素定義膜は前記開口部を有する画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含む。
【０００８】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記透過膜より高い高さで前記透過膜上に突出形成されることができる。
【０００９】
前記第１共通電極と前記第２共通電極は前記画素定義膜の光散乱スペーサ部上で互いに接触することができる。
【００１０】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極のうちの１つ以上は半透過膜で形成されることができる。
【００１１】
前記半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で作られてもよい。
【００１２】
前記有機発光表示装置で、前記画素定義膜を介して前記基板部材と対向配置された密封部材をさらに含み、前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記基板部材と前記密封部材間の間隔を維持することができる。
【００１３】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は角錐台、角柱、円錐台、円柱、半球及び半偏球のうちの１種以上の形状を含むことができる。
【００１４】
また、本発明の実施例による有機発光表示装置製造方法は、基板部材上に互いに離隔した複数の画素電極を形成する段階、前記画素電極上に感光物質層を塗布する段階、前記感光物質層をマスクを利用した写真工程でパターニングして画素定義膜を形成する段階、前記画素電極上に有機発光層を形成する段階、前記有機発光層上に第１共通電極を形成する段階、前記第１共通電極上に透過膜を形成する段階、そして前記透過膜上に第２共通電極を形成する段階を含み、前記画素定義膜は前記画素電極を露出する開口部を有して前記基板部材上に形成された画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含むことができる。
【００１５】
前記写真工程はハーフトーン（ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）露光工程を含むことができる。
【００１６】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記透過膜より高い高さで前記透過膜上に突出するように形成することができる。
【００１７】
前記第１共通電極と前記第２共通電極は前記画素定義膜の光散乱スペーサ部上で互いに接触することができる。
【００１８】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極のうちの１つ以上は半透過膜で形成されることができる。
【００１９】
前記半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で作られてもよい。
【００２０】
前記有機発光表示装置製造方法で、前記画素定義膜を介して密封部材を前記基板部材と対向配置する段階をさらに含み、前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記基板部材と前記密封部材間の間隔を維持することができる。
【００２１】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は角錐台、角柱、円錐台、円柱、半球及び半偏球のうちの１種以上の形状を含むことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の効果は、外光反射を抑制して視認性を向上させた有機発光表示装置を提供し、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置を示す配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【図４】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【図５】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【図６】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【図７】図１の有機発光表示装置の製造工程を順次に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限られない。
【００２５】
また、図面において、各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ず図示されたことに限られるわけではない。
【００２６】
本発明を明確に説明するために説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の符号を付けることにする。
【００２７】
また、図面において多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分“直上”にあるとする場合には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００２８】
また、添付図面において、１つの画素に２つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と１つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を備える２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明がこれに限定されるわけではない。したがって、有機発光表示装置は１つの画素に３つ以上の薄膜トランジスターと２つ以上の蓄電素子を備えることが可能であり、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成することもできる。
【００２９】
ここで、画素は画像を示す最小単位のことを言い、有機発光表示装置は複数の画素を通じて画像を表示する。
【００３０】
以下、図１及び図２を参照して本発明の一実施形態を説明する。
【００３１】
図１及び図２に示したように、本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００は１つの画素にスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、そして有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。そして、有機発光表示装置１００は一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、ゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１及び共通電源ライン１７２をさらに含む。ここで、一般に１つの画素はゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２を境界として定義することができる。しかし、画素が上述した定義に限定されることではない。
【００３２】
有機発光素子７０は画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０を含む。ここで、画素電極７１０は正孔注入電極としての正（＋）極であり、共通電極７３０は電子注入電極としての負（−）極になる。しかし、本発明として開示される各実施形態が必ずこれに限定されることではなく、有機発光表示装置１００の駆動方法に応じて画素電極７１０が負極になり、共通電極７３０が正極になることもできる。画素電極７１０及び共通電極７３０からそれぞれ正孔と電子が有機発光層７２０内部に注入される。注入された正孔と電子が結合したエキシトン（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光が行われる。ここで、画素電極７１０は各画素ごとに１つ以上ずつ形成されるので、有機発光表示装置１００は互いに離隔した複数の画素電極７１０を有する。
【００３３】
蓄電素子８０はゲート絶縁膜１４０を介して配置された第１蓄電板１５８と第２蓄電板１７８を含む。
【００３４】
スイッチング薄膜トランジスター１０はスイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３及びスイッチングドレイン電極１７４を含み、駆動薄膜トランジスター２０は駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
【００３５】
スイッチング薄膜トランジスター１０は発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として使用される。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１に連結される。スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１に連結される。スイッチングドレイン電極１７４はスイッチングソース電極１７３から離隔配置されて第１蓄電板１５８と連結される。
【００３６】
駆動薄膜トランジスター２０は選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は第１蓄電板１５８と連結される。駆動ソース電極１７６及び第２蓄電板１７８はそれぞれ共通電源ライン１７２と連結される。駆動ドレイン電極１７７は接触孔１８２を通って有機発光素子７０の画素電極７１０と連結される。
【００３７】
このような構造によって、スイッチング薄膜トランジスター１０はゲートライン１５１に印加されるゲート電圧により作動して、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスター１０から伝達されたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子８０に貯蔵され、蓄電素子８０に貯蔵された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を通って有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光する。
【００３８】
また、有機発光表示装置１００は、図２に示したように、画素定義膜１９０と密封部材２１０をさらに含む。
【００３９】
密封部材２１０は有機発光素子７０を介して基板部材１１１と合着密封される。密封部材２１０は基板部材１１１上に形成された薄膜トランジスター（１０、２０）及び有機発光素子７０などを外部から密封されるようにカバーして保護する。ここで、密封部材２１０を除いた構成を表示基板１１０と言う。密封部材２１０としては通常ガラスまたはプラスチックなどを素材として作られた絶縁基板を使用することができる。
【００４０】
画素定義膜１９０は画素電極７１０を露出する開口部を有する画素定義部１９１と、画素定義部１９１から上部方向、つまり、共通電極７３０方向に突出した光散乱スペーサ部１９５を含む。各画素ごとに形成された複数の画素電極７１０Ａは画素定義部１９１の開口部に対応する位置に形成される。
【００４１】
画素定義膜１９０の画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５は感光性物質を素材として写真工程によって一体に形成される。つまり、ハーフトーン露光工程によって露光量を調節して、画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５を共に形成する。しかし、本発明による一実施形態がこれに限定されるわけではない。したがって、画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５は順次にまたは別個に形成することができ、互いに異なる素材を使用して作ってもよい。
【００４２】
画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は基板部材１１１と密封部材２１０間の間隔を維持する役割を果たす。また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は光散乱スペーサ部１９５の下に配置された導電膜に反射される外部光を散乱させて外光反射を抑制する役割もする。ここで、導電膜はゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２などであってもよい。したがって、有機発光表示装置１００は光散乱スペーサ部１９５によってさらに効果的に外光反射を抑制することができる。
【００４３】
また、有機発光表示装置１００の有機発光素子７０は、図２に示したように、共通電極７３０上に形成された透過膜６００と、透過膜６００上に形成された追加の共通電極７５０をさらに含む。以下、共通電極７３０を第１共通電極と言い、追加の共通電極７５０を第２共通電極と言う。ここで、第１共通電極７３０は有機発光層７２０及び画素定義膜１９０上に形成される。そして透過膜６００は第１共通電極７３０上に形成されるが、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５の高さよりは低く形成される。つまり、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は透過膜６００より高い高さ（ｈ）を有して透過膜６００上に突出形成される。そして、第２共通電極７５０は透過膜６００上に形成され、透過膜６００上に突出した光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで第１共通電極７３０と連結される。
【００４４】
第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０は半透過膜で形成される。しかし、本発明による一実施形態がこれに限定されるのではない。したがって、第１共通電極７３０又は第２共通電極７５０のうちのいずれか１つのみ半透過膜で形成することができ、他の１つは透明に形成されることができる。透過膜６００は第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０と両面でそれぞれ密着される。つまり、透過膜６００と第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０の間にはそれぞれ空気との界面が存在しない。これに、外部から流入した光ＩＲの相当量は第１共通電極７３０と第２共通電極７５０の間で反射による相殺干渉で消滅する。この時、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０の間で光の相殺干渉が効果的に起こるためには透過膜６００が適切な屈折率と厚さを有しなければならない。透過膜６００が有する屈折率及び厚さについては後述する公式１を通じて具体的に説明する。
【００４５】
このように、有機発光表示装置１００は第１共通電極７３０、透過膜６００及び第２共通電極７５０を通じて外光反射を抑制して視認性を向上させることができる。
【００４６】
また、第２共通電極７５０は透過膜６００上に突出された光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで第１共通電極７３０と互いに連結されるので、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０間に電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）が発生することを抑制することができる。
【００４７】
また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は複数の画素電極７１０間の離隔空間上に形成される。これに、光散乱スペーサ部１９５を通じて連結された第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０が有機発光表示装置１００で表示する画像の品質に影響を与えることを防止することができる。
【００４８】
また、第１共通電極７３０と第２共通電極７５０が画素電極７１０の間で互いに連結されるので、電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）によって有機発光素子７０が放出する光が不良に且つ不均一になることをさらに効果的に抑制することができる。
【００４９】
上述のように、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は第１共通電極７３０と第２共通電極７５０が互いに連結されるように補助し、基板部材１１１と密封部材２１０間の間隔を維持し、外部から流入して反射された光を散乱させて外光反射を抑制する役割を全て行う。したがって、有機発光表示装置１００は効果的に外光反射を抑制することができる。
【００５０】
以下、図２を参照して本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００の構造について具体的に説明する。図２は駆動薄膜トランジスター２０、有機発光素子７０及び蓄電素子８０を中心に有機発光表示装置１００を示している。
【００５１】
以下では駆動薄膜トランジスター２０を持って薄膜トランジスターの構造について詳しく説明する。そして、スイッチング薄膜トランジスター１０は駆動薄膜トランジスターとの差異点のみ簡略に説明する。
【００５２】
基板部材１１１はガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる絶縁性基板で形成される。しかし、本発明がこれに限定されるわけではない。したがって、基板部材１１１がステンレス鋼などからなる金属性基板で形成されてもよい。
【００５３】
基板部材１１１上にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は不純元素の浸透を防止し、表面を平坦化する役割を果たすもので、このような役割を果たすことができる多様な物質で形成することができる。一例として、バッファー層１２０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれか１つを使用することができる。しかし、バッファー層１２０は必ず必要なものではなく、基板部材１１１の種類及び工程条件に応じて省略してもよい。
【００５４】
バッファー層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は多結晶シリコン膜で形成される。また、駆動半導体層１３２は不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側にｐ＋ドーピングされて形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７を含む。この時、ドーピングされるイオン物質はホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が使用される。ここで、このような不純物は薄膜トランジスターの種類に応じて変わる。
【００５５】
本発明の一実施形態では駆動薄膜トランジスター２０としてＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたが、これに限定されるわけではない。したがって、駆動薄膜トランジスター２０としてＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターとも使用することができる。
【００５６】
また、図２に示された駆動薄膜トランジスター２０は多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであるが、図２に示されていないスイッチング薄膜トランジスター１０は多結晶薄膜トランジスターであっても、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターであってもよい。
【００５７】
駆動半導体層１３２上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。ゲート配線はゲートライン１５１（図１に図示）、第１蓄電板１５８及びその他に配線をさらに含む。そして、駆動ゲート電極１５５は駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００５８】
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０は駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０はゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）などで形成される。
【００５９】
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。データ配線はデータライン１７１（図１に図示）、共通電源ライン１７２、第２蓄電板１７８及びその他に配線をさらに含む。そして、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７はそれぞれ貫通孔を通って駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と連結される。
【００６０】
このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスター２０が形成される。
【００６１】
駆動薄膜トランジスター２０の構成は上述した例に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知の構成から多様に変形することが可能である。
【００６２】
層間絶縁膜１６０上にはデータ配線（１７２、１７６、１７７、１７８）を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０はその上に形成される有機発光素子７０の発光効率を上げるために段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜１８０はドレイン電極１７７の一部を露出させる接触孔１８２を有する。
【００６３】
平坦化膜１８０はアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ）ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ）ｒｅｓｉｎ）及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちの１種以上の物質で作ることができる。
【００６４】
平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の画素電極７１０が形成される。画素電極７１０は平坦化膜１８０の接触孔１８２を通ってドレイン電極１７７と連結される。
【００６５】
また、平坦化膜１８０上には画素定義膜１９０が形成される。画素定義膜１９０は画素電極７１０を露出する開口部を有する画素定義部１９１と、画素定義部１９１で上部、つまり、平坦化膜と反対方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部１９５を含む。つまり、画素電極７１０は画素定義部１９１の開口部に対応するように配置される。
【００６６】
画素定義膜１９０はポリアクリル系及びポリイミド系などの樹脂で作ることができる。また、本発明の一実施形態では画素定義膜１９０の画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５が一体に形成されたが、これに限定されるわけはない。したがって、画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５が別個にそれぞれ形成されることもある。
【００６７】
また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は光散乱スペーサ部１９５の下に配置されたゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２などのような導電膜に反射される外部光を散乱させて外光反射を抑制する役割を果たす。
【００６８】
画素定義部１９１の開口部内で画素電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、画素定義膜１９０及び有機発光層７２０上には第１共通電極７３０が形成される。
【００６９】
このように、画素電極７１０、有機発光層７２０及び第１共通電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。また、本発明による一実施形態で、有機発光素子７０は透過膜６００及び第２共通電極７５０をさらに含む。
【００７０】
第１共通電極７３０上には透過膜６００が形成される。透過膜６００としては有機膜または無機膜を使用することができる。本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００では透過膜６００として有機膜が使用される。そして、透過膜６００は適切な範囲内の平均厚さを有する。この時、透過膜６００の厚さは透過膜６００が有する屈折率に応じて決められる。
【００７１】
また、透過膜６００は光散乱スペーサ部１９５より低く形成される。つまり、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は透過膜６００上に突出形成される。
【００７２】
透過膜６００上には第２共通電極７５０が形成される。第２共通電極７５０は透過膜６００上に突出された光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで第１共通電極７３０と互いに連結される。
【００７３】
第１共通電極７３０と第２共通電極７５０は半透過膜で形成される。第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０として使用される半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で形成される。
【００７４】
また、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０は有機発光素子７０で発生した光を効果的に放出させ、外部から流入した光ＩＲの反射を最少化するために適切な反射率を有する。一例として、第１共通電極７３０は５０％以下の反射率を有し、第２共通電極７５０は３０％以下の反射率を有することができる。
【００７５】
なお、透過膜６００は第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０と両面でそれぞれ密着される。つまり、透過膜６００と第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０の間のそれぞれには空気との界面が存在しない。
【００７６】
また、透過膜６００は第１共通電極７３０と第２共通電極７５０の間で光反射によって効果的に相殺干渉が起こるように適切な厚さと屈折率を有する。
【００７７】
透過膜６００が有する厚さ及び屈折率は反射光の相殺干渉条件から導出された下記の公式を通じて設定することができる。
（数式１）
ｄ＝λ／４ｎｄｃｏｓθ ……公式１
【００７８】
ここで、ｄは反射される二面の間の距離である。つまり、第１共通電極７３０と第２共通電極７５０間の離隔距離で、同時に透過膜６００の厚さとなる。ｎは透過膜６００の屈折率であり、θは光の入射角である。λは反射される光の波長である。
【００７９】
このような公式に可視光の波長と透過膜６００として使用された素材の屈折率を代入する。そして、平均的外光の入射角をほぼ３０度乃至４５度と見ると、透過膜６００が有しなければならない平均厚さを算出することができる。つまり、透過膜６００として使用された素材の種類に応じて透過膜６００は適切な厚さを有するように設定される。反対に、透過膜６００を所望の厚さに形成するために適切な屈折率を有する素材で透過膜６００を形成することもできる。ただし、透過膜６００は、上述のように、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５より低く形成されなければならない。
【００８０】
このような構造によると、外部から第２共通電極７５０を経て第１共通電極７３０に向かう光ＩＲは第１共通電極７３０で一部反射されて再び第２共通電極７５０に向かう。第２共通電極７５０に向かった光の一部は第２共通電極７５０を通過して外部に放出され、残りは再び反射されて第１共通電極７３０に向かう。このように、外部から流入された光ＩＲが透過膜６００を介して第１共通電極７３０と第２共通電極７５０の間で反射を繰り返しながら相殺干渉が起こって相当量消滅する。したがって、有機発光表示装置１００は外光反射抑制によって視認性を向上させることができる。
【００８１】
また、第１共通電極７３０と第２共通電極７５０は透過膜６００上に突出された光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで互いに連結されるので、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０間に電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）が発生することを抑制できる。
【００８２】
また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は複数の画素電極７１０相互間の離隔空間上に形成される。これに、光散乱スペーサ部１９５を通って連結された第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０が有機発光表示装置１００で表示する画像の品質に影響を与えることを防止できる。
【００８３】
また、第１共通電極７３０と第２共通電極７５０が画素電極７１０相互間で互いに連結されるので、電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）によって有機発光素子７０が放出する光が不良に且つ不均一になることをさらに効果的に抑制することができる。
【００８４】
また、上述のように、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０は半透過型で形成できる。しかし、本発明として開示された各実施形態にかかる有機発光表示装置１００がこれに限定されるわけではない。したがって、第１共通電極７３０又は第２共通電極７５０のうちのいずれか１つは透過型で形成することもできる。一方、画素電極７１０は透過型、半透過型又は反射型のうちのいずれか１つの型式で形成できる。
【００８５】
画素電極７１０、第１共通電極７３０又は第２共通電極７５０を形成する物質の種類に応じて有機発光表示装置１００は前面発光型、背面発光型または両面発光型になり得る。一方、本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００は前面発光型に形成できる。つまり、有機発光素子７０は第１共通電極７３０及び第２共通電極方向７５０に光を放出して画像を表示する。
【００８６】
透明な導電性物質としてはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）などの物質を使用することができる。反射型物質としてはリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などの物質を使用することができる。
【００８７】
有機発光層７２０は低分子有機物または高分子有機物からなる。このような有機発光層７２０は正孔注入層（ｈｏｌｅ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｏｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、そして電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を含む多重膜に形成される。つまり、正孔注入層は正極の画素電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次に積層される。
【００８８】
有機発光素子７０の上に密封部材２１０が配置される。密封部材２１０は基板部材１１１と対向配置されて薄膜トランジスター２０及び有機発光素子７０をカバーする。また、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５によって基板部材１１１、つまり、表示基板１１０と密封部材２１０の間隔が維持される。
【００８９】
このような構成によって、有機発光表示装置１００は外光反射を抑制して向上した視認性を有することができる。
【００９０】
以下、図３乃至図７を参照して、本発明の一実施形態にかかる有機発光表示装置１００の製造方法を説明する。
【００９１】
図３に示したように、基板部材１１１上に薄膜トランジスター２０と、薄膜トランジスター２０のドレイン電極１７７に連結された画素電極７１０を形成する。そして、画素電極７１０上に感光物質層１９９を塗布する。次に、マスク８００を使用して写真工程を進める。マスク８００はマスク基板８１０と、このマスク基板８１０上に形成された遮光パターン８２０を含む。そして、写真工程はスリットパターンを有するマスク８００を通じて進められるハーフトーン（ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）露光を含む。
【００９２】
感光物質層１９９は露光された部分は現像工程で除去され、露光されていない部分は現像工程を経て残る。この時、感光物質層１９９の種類に応じて露光された部分が残り、露光されていない部分が除去されることもできる。
【００９３】
次に、図４に示したように、現像工程を経て画素定義部１９１と光散乱スペーサ部１９５を有する画素定義膜１９０を形成する。
【００９４】
次に、図５に示したように、画素定義部１９１の開口部を通って露出された画素電極７１０上に有機発光層７２０及び第１共通電極７３０を順次に形成する。
【００９５】
次に、図６に示したように、第１共通電極７３０上に透過膜６００を形成する。この時、透過膜６００は画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５の高さより低く形成される。つまり、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は透過膜６００より高い高さ（ｈ）を有し、透過膜６００上に突出する。また、透過膜６００は上述した公式１による適切な屈折率及び厚さを有するように形成される。
【００９６】
次に、図７に示したように、透過膜６００上に第２共通電極７５０を形成する。第２共通電極７５０は透過膜６００上に突出した光散乱スペーサ部１９５上の接触領域ＣＡで第１共通電極７３０と互いに連結される。
【００９７】
ここで、第１共通電極７３０及び第２共通電極７５０のうちの１つ以上はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で形成された半透過膜である。
【００９８】
次に、第２共通電極７５０上に密封部材２１０を配置して、前記図２で示したような有機発光表示装置１００を形成する。この時、画素定義膜１９０の光散乱スペーサ部１９５は基板部材１１１と密封部材２１０間の間隔を維持する。
【００９９】
このような製造方法によって外光反射を抑制して向上した視認性を有する有機発光表示装置１００を製造することができる。
【０１００】
本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範疇に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１０１】
１０ スイッチング薄膜トランジスター
２０ 駆動薄膜トランジスター
７０ 有機発光素子
８０ 蓄電素子
１００ 有機発光表示装置
１１０ 表示基板
１１１ 基板部材
１２０ バッファー層
１３２ 駆動半導体層
１３５ チャンネル領域
１３６ ソース領域
１３７ ドレイン領域
１４０ ゲート絶縁膜
１５１ ゲートライン
１５２ スイッチングゲート電極
１５５ 駆動ゲート電極
１５８ 第１蓄電板
１７１ データライン
１７２ 共通電源ライン
１７６ 駆動ソース電極
１７７ ドレイン電極
１７８ 第２蓄電板
１８０ 平坦化膜
１８２ 接触孔
１９０ 画素定義膜
１９１ 画素定義部
１９５ 光散乱スペーサ部
１９９ 感光物質層
２１０ 密封部材
６００ 透過膜
７１０ 画素電極
７２０ 有機発光層
７３０ 共通電極
７５０ 共通電極
８００ マスク
８１０ マスク基板
８２０ 遮光パターン
ＣＡ 接触領域
ＩＲ 外部から流入した光
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部材；
前記基板部材上に形成された複数の画素電極；
前記画素電極を露出する複数の開口部を有し、前記基板部材上に形成された画素定義膜；
前記画素電極上に形成された有機発光層；
前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された第１共通電極；
前記第１共通電極上に形成された透過膜；そして
前記透過膜上に形成された第２共通電極
を含み、
前記画素定義膜は前記開口部を有する画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記透過膜より高い高さを有し、前記透過膜上に突出形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１共通電極と前記第２共通電極は前記画素定義膜の光散乱スペーサ部上で互いに接触されたことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極のうちの１つ以上は半透過膜で形成されたことを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で作られたことを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記画素定義膜を介して前記基板部材と対向配置された密封部材をさらに含み、
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記基板部材と前記密封部材間の間隔を維持することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は角錐台、角柱、円錐台、円柱、半球、及び半偏球のうちの１種以上の形状を含むことを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
基板部材上に互いに離隔された複数の画素電極を形成する段階；
前記画素電極上に感光物質層を塗布する段階；
前記感光物質層をマスクを利用した写真工程でパターニングして画素定義膜を形成する段階；
前記画素電極上に有機発光層を形成する段階；
前記有機発光層上に第１共通電極を形成する段階；
前記第１共通電極上に透過膜を形成する段階；そして
前記透過膜上に第２共通電極を形成する段階
を含み、
前記画素定義膜は前記画素電極を露出する開口部を有し、前記基板部材上に形成された画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記写真工程はハーフトーン（ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）露光工程を含むことを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記透過膜より高い高さを有し、前記透過膜上に突出するように形成されることを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１共通電極と前記第２共通電極は前記画素定義膜の光散乱スペーサ部上で互いに接触されることを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極のうちの１つ以上は半透過膜で形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で作られることを特徴とする、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素定義膜を介して密封部材を前記基板部材と対向配置する段階をさらに含み、
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記基板部材と前記密封部材間の間隔を維持することを特徴とする、請求項８乃至１３のいずれかに記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は角錐台、角柱、円錐台、円柱、半球、及び半偏球のうちの１種以上の形状を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板部材；
前記基板部材上に形成された複数の画素電極；
前記画素電極を露出する複数の開口部を有し、前記基板部材上に形成された画素定義膜；
前記画素電極上に形成された有機発光層；
前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された第１共通電極；
前記第１共通電極上に形成された透過膜；そして
前記透過膜上に形成された第２共通電極
を含み、
前記画素定義膜は前記開口部を有する画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記透過膜より高い高さを有し、前記透過膜上に突出形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１共通電極と前記第２共通電極は前記画素定義膜の光散乱スペーサ部上で互いに接触されたことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極のうちの１つ以上は半透過膜で形成されたことを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で作られたことを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記画素定義膜を介して前記基板部材と対向配置された密封部材をさらに含み、
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記基板部材と前記密封部材間の間隔を維持することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は角錐台、角柱、円錐台、円柱、半球、及び半偏球のうちの１種以上の形状を含むことを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
基板部材上に互いに離隔された複数の画素電極を形成する段階；
前記画素電極上に感光物質層を塗布する段階；
前記感光物質層をマスクを利用した写真工程でパターニングして画素定義膜を形成する段階；
前記画素電極上に有機発光層を形成する段階；
前記有機発光層上に第１共通電極を形成する段階；
前記第１共通電極上に透過膜を形成する段階；そして
前記透過膜上に第２共通電極を形成する段階
を含み、
前記画素定義膜は前記画素電極を露出する開口部を有し、前記基板部材上に形成された画素定義部と、前記画素定義部から前記第１共通電極方向に突出形成された複数の光散乱スペーサ部を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記写真工程はハーフトーン（ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）露光工程を含むことを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記透過膜より高い高さを有し、前記透過膜上に突出するように形成されることを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１共通電極と前記第２共通電極は前記画素定義膜の光散乱スペーサ部上で互いに接触されることを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極のうちの１つ以上は半透過膜で形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種以上の金属で作られることを特徴とする、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素定義膜を介して密封部材を前記基板部材と対向配置する段階をさらに含み、
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は前記基板部材と前記密封部材間の間隔を維持することを特徴とする、請求項８乃至１３のいずれかに記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記画素定義膜の光散乱スペーサ部は角錐台、角柱、円錐台、円柱、半球、及び半偏球のうちの１種以上の形状を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−１６１０５０（Ｐ２０１０−１６１０５０Ａ）
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５２０５７（Ｐ２００９−５２０５７）
【出願日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Ｆターム（参考）】
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