有機発光装置およびその製造方法
【課題】 小型化、薄型化および高性能化を実現することが可能な有機発光装置を提供する。
【解決手段】 反射層１８１Ｒと、誘電体層１８２と、反射層１８１Ｇと、誘電体層１８３と、反射層１８１Ｂと、誘電体層１８４と、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂと、有機ＥＬ層１８６と、カソード電極層１８７とがこの順に積層された積層構造を有するように、共振器構造を有する３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを構成する。反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが高精度に微細形成可能であることに基づいて画素ピッチＰが高精度に狭められると共に、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの共振特性に寄与する光学的距離が高精度に設定されることに基づいて色再現性が向上する。
【解決手段】 反射層１８１Ｒと、誘電体層１８２と、反射層１８１Ｇと、誘電体層１８３と、反射層１８１Ｂと、誘電体層１８４と、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂと、有機ＥＬ層１８６と、カソード電極層１８７とがこの順に積層された積層構造を有するように、共振器構造を有する３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを構成する。反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが高精度に微細形成可能であることに基づいて画素ピッチＰが高精度に狭められると共に、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの共振特性に寄与する光学的距離が高精度に設定されることに基づいて色再現性が向上する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像を表示する有機発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイの１つとして、有機ＥＬ現象を利用して画像を表示する有機ＥＬディスプレイが注目されている。この有機ＥＬ現象を利用した画像表示方式は、イーストマン・コダック社のシー・ダブリュー・タン（C.W.Tang）等により、積層構造を有する低電圧駆動型の有機ＥＬ素子が報告されたことを契機として開発され始めたものであり、フラットパネルディスプレイの有力な画像表示方式として注目されている（例えば、非特許文献１参照。）。具体的には、有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子の発光現象を利用した自発光型のディスプレイであり、すなわちバックライトや偏光板などの光学部品を使用せずに画像を表示することが可能であるため、液晶ディスプレイとして比較して、安価であり、視野角が広く、かつ消費電力が少ない点等において優れている。
【非特許文献１】シー・ダブリュー・タン（C.W.Tang），エス・エイ・バンスライク（S.A.Vanslyke），”アプライドフィジックスレター（Applied Physics Letter）”，１９８７年，ボリューム５１，９１３頁
【０００３】
有機ＥＬディスプレイは、主に、駆動パネルと封止パネルとが対向配置され、それらの駆動パネルと封止パネルとが接着層を介して互いに貼り合わされたものである。この駆動パネルは、例えば、ガラス製または樹脂製の透明基板に、駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）およびキャパシタや、画像表示用の有機ＥＬ素子などが設けられた構造を有している。有機ＥＬ素子は、例えば、アノード電極層と、有機ＥＬ層と、カソード電極層とがこの順に積層された積層構造を有している。この有機ＥＬ層は、画像表示用の光を発生させるための発光層を含む層であり、その発光層と共に正孔輸送層や電子輸送層などを併せて含んでいる。
【０００４】
この有機ＥＬディスプレイとしては、例えば、ＴＦＴが多結晶シリコンやアモルファスシリコンなどにより構成され、そのＴＦＴがキャパシタと共にアクティブマトリクス構造を構築していると共に、アノード電極層が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；indium tin oxide）などの透明電極材料により構成され、かつカソード電極層が金属材料により構成されたものが知られている。ところが、この種の有機ＥＬディスプレイでは、有機ＥＬ素子の光変換効率（電力を光に変換する効率）の低さが問題とされる。なぜなら、有機ＥＬ素子の光変換効率が低いと、有機ＥＬディスプレイにおいて画像を表示可能とするために有機ＥＬ素子に大電流を供給しなければならないため、その有機ＥＬ素子が劣化しやすくなると共に、有機ＥＬディスプレイにおいて画像焼きつきが生じやすくなるからである。
【０００５】
そこで、ベル研究所のエイ・ドダバラパー（A.Dodabalapur ）等は、有機ＥＬ素子の光変換効率を改善するために、その有機ＥＬ素子に微細な共振器構造を適用することにより特定波長の光強度を高める技術を提案した（例えば、非特許文献２参照。）。
【非特許文献２】エイ・ドダバラパー（A.Dodabalapur ），エル・ジェイ・ロスバーグ（L.J.Rothberg），アール・エイチ・ジョーダン（R.H.Jordan），ティー・エム・ミラー（T.M.Miller），アール・イー・スラッシャー（R.E.Slusher ），ジュリア・エム・フィリップス（Julia M.Phillips），”ジャパンアプライドフィジックスレター（Japan Applied Physics Letter）”，１９９６年１２月１５日，ボリューム８０（１２），６９５４頁
【０００６】
この微細な共振器構造が適用された有機ＥＬディスプレイとして、エイ・ドダバラパー等は、例えば、赤色光（Ｒ；Red ）を発生させる赤色領域と、緑色光（Ｇ；Green ）を発生させる緑色領域と、青色光（Ｂ；Blue）を発生させる青色領域とが設定されている場合に、赤色領域から緑色領域を経由して青色領域まで連続的に延在するハーフミラーと、赤色領域から緑色領域を経由して青色領域まで連続的に延在し、それらの赤色領域、緑色領域および青色領域において互いに異なる厚さを有する誘電体層と、いずれも赤色領域から緑色領域を経由して青色領域まで連続的に延在するアノード電極層、有機ＥＬ層およびカソード電極層（全反射ミラー）とがこの順に積層された積層構造を有するものを提案している。この種の有機ＥＬディスプレイでは、例えば、有機ＥＬ層において白色光が発生すると、誘電体層の厚さの差異（ハーフミラーと全反射ミラーとの間の光学的距離の差異）に基づく光の多重干渉現象を利用して、その白色光が赤色領域、緑色領域および青色領域においてそれぞれ赤色光、緑色光および青色光として放出されるため、それらの赤色光、緑色光および青色光に基づいて画像が表示される。この場合には、特に、有機ＥＬ層において発生した光がハーフミラーと全反射ミラーとの間で反射されることにより共振するため、それらの赤色光、緑色光および青色光の色純度が向上する。
【０００７】
この種の有機ＥＬディスプレイを製造する際には、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）や窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの誘電体材料を成膜することにより誘電体層を形成したのち、エッチング法を使用して赤色領域、緑色領域および青色領域の間において互いに異なるエッチング深さとなるように誘電体層をエッチングして、その誘電体層の厚さを互いに異ならせることにより、赤色領域、緑色領域および青色領域の間において光学的距離に差異を設けている。しかしながら、上記したエッチング処理を使用する有機ＥＬディスプレイの製造方法では、誘電体層をエッチングする際におけるエッチング量のばらつきに起因して、赤色領域、緑色領域および青色領域において誘電体層の厚さがばらつきやすいため、同様に赤色領域、緑色領域および青色領域において共振条件（誘電体層の厚さに基づいて規定される光学的距離）もばらつきやすくなる。
【０００８】
この共振条件のばらつきに関する問題を改善しつつ、赤色領域、緑色領域および青色領域の間において光学的距離に差異を設ける手法としては、既にいくつかの技術が提案されている。
【０００９】
具体的には、例えば、パターン成膜用のマスクを利用した蒸着法を使用して、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれの領域ごとに、互いに異なる厚さとなるように有機ＥＬ材料を個別に成膜して有機ＥＬ層を形成することにより、誘電体層の厚さの差異に代えて有機ＥＬ層の厚さの差異を利用して、赤色領域、緑色領域および青色領域の間において光学的距離に差異を設ける技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この技術を使用した場合には、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれにおいて光学的距離が有機ＥＬ層の成膜精度（成膜厚さの精度）に基づいて決定されることとなり、その成膜精度はエッチング精度（エッチング深さの精度）よりも高いため、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれにおいて共振条件を高精度に設定することが可能となる。
【特許文献１】特開２００１−５４０５６８号公報
【００１０】
また、例えば、同様にパターン成膜用のマスクを利用した蒸着法を使用して、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれの領域ごとに、互いに異なる厚さとなるようにＩＴＯを個別に成膜してハーフミラーを形成することにより、誘電体層の厚さの差異に代えてハーフミラーの厚さの差異を利用して、赤色領域、緑色領域および青色領域の間において光学的距離に差異を設ける技術が知られている（例えば、特許文献２参照。）。この技術を使用した場合には、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれにおいて光学的距離がハーフミラーの成膜精度に基づいて決定されるため、やはり赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれにおいて共振条件を高精度に設定することが可能となる。この場合には、特に、エッチングストップ層として機能する金属層を介してＩＴＯを積層させることにより、そのＩＴＯの積層構造をエッチングする際に、金属層のエッチングストップ機能を利用してエッチング処理の進行度を制御することが可能である。
【特許文献２】特開２００４−１２７７９５号公報
【００１１】
これらのパターン成膜処理を使用して有機ＥＬ層やハーフミラーを形成することにより製造された有機ＥＬディスプレイでは、画素ピッチ、すなわち隣り合う２つの有機ＥＬ素子間の距離（任意の有機ＥＬ素子の一端から隣りの有機ＥＬ素子の一端までの距離）が上記したパターン成膜用のマスクのパターン精度に依存することとなり、具体的には画素ピッチの限界が５０μｍ程度となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、最近では、有機ＥＬディスプレイの実用性が認知されたことに伴い、例えば、モニタなどの直視型ディスプレイに限らず、デジタルカメラ搭載ディスプレイに代表されるディスプレイ、より具体的には数μｍの画素ピッチが要求される小型ディスプレイにまで有機ＥＬディスプレイを適用する試みが検討されている。なぜなら、小型ディスプレイに関してはさらなる小型化および薄型化が要望されているにもかかわらず、現行において普及している液晶ディスプレイを小型ディスプレイに適用した場合には、液晶の駆動機構に起因して画素ピッチやディスプレイ厚さに限界が生じ、具体的には画素ピッチの限界が５μｍピッチ程度であると共にディスプレイ厚さの限界が８ｍｍ程度であるが、有機ＥＬディスプレイを小型ディスプレイに適用した場合には、上記した液晶の駆動機構に起因する画素ピッチやディスプレイ厚さの限界が解消されるため、液晶ディスプレイを適用した場合よりも画素ピッチやディスプレイ厚さを小さくすることが可能だからである。一例を挙げれば、eMagin社がIBM （International Business Machines Corporation ）社と共同開発した有機ＥＬディスプレイでは、微細な共振器構造を適用していないものの画素ピッチが５μｍ程度であると共にディスプレイ厚さが２ｍｍ程度である。
【００１３】
これらのことから、有機ＥＬディスプレイの普及を促進させるためには、市場の要求に応じて有機ＥＬディスプレイの小型化および薄型化を実現するために、ディスプレイサイズに寄与する画素ピッチを可能な限り狭める必要がある。また、この場合には、当然ながら、有機ＥＬディスプレイの高性能化（例えば高輝度化、広範囲色再現性、省電力化および長寿命化）を実現するために、共振特性に寄与する光学的距離を高精度に設定することにより、可能な限り色再現性を高める必要もある。しかしながら、従来の有機ＥＬディスプレイでは、市場の要求に応じた小型化、薄型化および高性能化を実現する観点において未だ十分とは言えないため、多分に改善の余地がある。したがって、有機ＥＬディスプレイの有用性を証明することにより市場普及を図るために、小型化、薄型化および高性能化を実現することが可能な技術の確立が望まれている。この場合には、特に、小型、薄型および高性能な有機ＥＬディスプレイを量産可能とするために、その有機ＥＬディスプレイを容易に製造することが可能な技術を確立することも重要である。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、小型化、薄型化および高性能化を実現することが可能な有機発光装置を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の第２の目的は、小型、薄型かつ高性能な有機発光装置を容易に製造することが可能な有機発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置は、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えたものであり、３つの有機発光素子が、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、第３の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第３の誘電体層と、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有しているものである。
【００１７】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置の製造方法は、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置を製造する方法であり、３つの有機発光素子を形成する工程が、基体上の第１の素子領域に第１の反射層を選択的に形成する第１の工程と、第１の反射層と共にその周辺の基体を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第１の誘電体層を形成する第２の工程と、第１の誘電体層上の第２の素子領域に第２の反射層を選択的に形成する第３の工程と、第２の反射層と共にその周辺の第１の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第２の誘電体層を形成する第４の工程と、第２の誘電体層上の第３の素子領域に第３の反射層を選択的に形成する第５の工程と、第３の反射層と共にその周辺の第２の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第３の誘電体層を形成する第６の工程と、第３の誘電体層上の第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域に第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層をそれぞれ選択的に形成する第７の工程と、第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と共にそれらの周辺の第３の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように発光層を含む層を形成する第８の工程と、発光層を含む層上に第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように共通電極層を形成する第９の工程とを含むものである。
【００１８】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置は、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えたものであり、３つの有機発光素子が、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有しているものである。
【００１９】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置の製造方法は、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置を製造する方法であり、３つの有機発光素子を形成する工程が、基体上の第１の素子領域に第１の反射層を選択的に形成する第１の工程と、第１の反射層と共にその周辺の基体を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第１の誘電体層を形成する第２の工程と、第１の誘電体層上の第２の素子領域に第２の反射層を選択的に形成する第３の工程と、第２の反射層と共にその周辺の第１の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第２の誘電体層を形成する第４の工程と、第２の誘電体層上の第３の素子領域に第３の反射層を選択的に形成する第５の工程と、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域に第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層をそれぞれ選択的に形成する第６の工程と、第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と共にそれらの周辺の第２の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように発光層を含む層を形成する第７の工程と、発光層を含む層上に第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように共通電極層を形成する第８の工程とを含むものである。
【００２０】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置では、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、その第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、その第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、その第３の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第３の誘電体層と、第１、第２および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１、第２および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機発光素子が構成されている。この場合には、第１に、３つの有機発光素子のうちの画素ピッチを規定する第１、第２および第３の反射層および第１、第２および第３の透明電極層が高精度に微細形成可能であるため、画素ピッチが高精度に狭められる。第２に、例えば、３つの有機発光素子が共振器構造を有する場合に、各有機発光素子において共振特性に寄与する光学的距離が高精度に設定されるため、３つの有機発光素子からそれぞれ所望の波長域の光が放出される。第３に、例えば、３つの有機発光素子が共振器構造を有すれば、それらの３つの有機発光素子からそれぞれ放出される光の色純度が向上するため、画像の色再現性が向上する。第４に、上記したように、第１、第２および第３の透明電極層が高精度に形成されることに基づき、第１、第２および第３の素子領域において発光層を含む層および共通電極層も高精度に形成されるため、３つの有機発光素子の間において発光性能が均一化される。
【００２１】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置の製造方法では、上記した３つの有機発光素子、すなわち第１の反射層、第１の誘電体層、第２の反射層、第２の誘電体層、第３の反射層、第３の誘電体層、第１、第２および第３の透明電極層、発光層を含む層および共通電極層がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機発光素子を形成するために、既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。
【００２２】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置では、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、その第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、その第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、第１、第２および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１、第２および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機発光素子が構成されている。この場合には、上記したように、第１に画素ピッチが高精度に狭められ、第２に３つの有機発光素子からそれぞれ所望の波長域の光が放出され、第３に画像の色再現性が向上し、第４に３つの有機発光素子の間において発光性能が均一化される。
【００２３】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置の製造方法では、上記した３つの有機発光素子、すなわち第１の反射層、第１の誘電体層、第２の反射層、第２の誘電体層、第３の反射層、第１、第２および第３の透明電極層、発光層を含む層および共通電極層がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機発光素子を形成するために、既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置によれば、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、その第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、その第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、その第３の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第３の誘電体層と、第１、第２および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１、第２および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機発光素子が構成されている構造的特徴に基づき、第１、第２および第３の反射層および第１、第２および第３の透明電極層が高精度に微細形成可能であることに基づいて画素ピッチが狭められると共に、３つの有機発光素子の共振特性に寄与する光学的距離が高精度に設定されることに基づいて色再現性が向上するため、小型化、薄型化および高性能化を実現することができる。
【００２５】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置の製造方法によれば、上記した３つの有機発光素子、すなわち第１の反射層、第１の誘電体層、第２の反射層、第２の誘電体層、第３の反射層、第３の誘電体層、第１、第２および第３の透明電極層、発光層を含む層および共通電極層がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機発光素子を形成するために、既存の薄膜プロセスのみを使用する製法的特徴に基づき、小型、薄型かつ高性能な有機発光装置を容易に製造することができる。
【００２６】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置によれば、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、その第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、その第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、第１、第２および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１、第２および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機発光素子が構成されている構造的特徴に基づき、第１、第２および第３の反射層および第１、第２および第３の透明電極層が高精度に微細形成可能であることに基づいて画素ピッチが狭められると共に、３つの有機発光素子の共振特性に寄与する光学的距離が高精度に設定されることに基づいて色再現性が向上するため、小型化、薄型化および高性能化を実現することができる。
【００２７】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置の製造方法によれば、上記した３つの有機発光素子、すなわち第１の反射層、第１の誘電体層、第２の反射層、第２の誘電体層、第３の反射層、第１、第２および第３の透明電極層、発光層を含む層および共通電極層がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機発光素子を形成するために、既存の薄膜プロセスのみを使用する製法的特徴に基づき、小型、薄型かつ高性能な有機発光装置を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施の形態に係る有機発光装置としての有機ＥＬディスプレイの構成について説明する。図１および図２は有機ＥＬディスプレイの断面構成を表しており、図３および図４は図１および図２に示した有機ＥＬディスプレイのうちの主要部の断面構成を拡大して模式的に表している。
【００３０】
本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ現象を利用して画像を表示するものであり、例えば、図１〜図３に示したように、素子領域ＦＲ（第１の素子領域），ＦＧ（第２の素子領域），ＦＢ（第３の素子領域）にそれぞれ配置され、有機ＥＬ層１８６において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機ＥＬ素子（有機発光素子）１８を備えたものである。具体的には、有機ＥＬディスプレイは、図１および図２に示したように、駆動パネル１０と封止パネル３０とが互いに対向配置され、それらの駆動パネル１０と封止パネル３０とが接着層４０を介して互いに貼り合わされた構造を有している。この有機ＥＬディスプレイは、例えば、画像表示用の光Ｈを上方、具体的には封止パネル３０を経由して外部へ放出することにより画像を表示するトップエミッション型構造を有している。
【００３１】
駆動パネル１０は、例えば、駆動用基板１１の一面に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２と、絶縁層１３と、駆動配線１４と、平坦化絶縁層１５と、駆動配線１６と、層間絶縁層１７と、有機ＥＬ素子１８およびプラグ１９と、保護層２０とがこの順に積層された積層構造を有している。なお、図２では、有機ＥＬディスプレイのうちの駆動パネル１０（保護層２０を除く）のみを抜粋して示している。
【００３２】
駆動用基板１１は、ＴＦＴ１２や有機ＥＬ素子１８などの一連の部品を支持するものであり、例えば、シリコン（Ｓｉ）などの絶縁性材料により構成されている。
【００３３】
ＴＦＴ１２は、有機ＥＬ素子１８を駆動させることにより発光させるものであり、駆動用基板１１の一面にマトリクス状に配列されている。このＴＦＴ１２は、絶縁層１３に設けられたコンタクトホール（図示せず）を通じて駆動配線１４に電気的に接続されている。なお、ＴＦＴ１２の構造は特に限定されず、例えば、ボトムゲート型構造であってもよいし、あるいはトップゲート型構造であってもよい。
【００３４】
絶縁層１３は、ＴＦＴ１２を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）やＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）などの絶縁性材料により構成されている。この絶縁層１３は、例えば、ＴＦＴ１２およびその周辺の駆動用基板１１を覆うように配設されている。
【００３５】
駆動配線１４は、信号線として機能することにより有機ＥＬ素子１８を駆動させるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料により構成されている。この駆動配線１４は、平坦化絶縁層１５に設けられたコンタクトホール（図示せず）を通じて各ＴＦＴ１２ごとに駆動配線１６に電気的に接続されている。なお、駆動配線１４は、例えば、各ＴＦＴ１２ごとに２つ（ゲート信号線，ドレイン信号線）ずつ配設されており、上記したように、ＴＦＴ１２に電気的に接続されている。
【００３６】
平坦化絶縁層１５は、ＴＦＴ１２および駆動配線１４と有機ＥＬ素子１８との間を電気的に分離すると共に、その有機ＥＬ素子１８が配設される下地を平坦化するものであり、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などの絶縁性材料により構成されている。なお、図１では図示していなが、平坦化絶縁層層１５中には、例えば、ＴＦＴ１２を駆動させるためのキャパシタや、ＴＦＴ１２と駆動配線１６との間を電気的に接続させるための多階層の駆動配線などが埋設されている。
【００３７】
駆動配線１６は、プラグ１９を介してＴＦＴ１２と有機ＥＬ素子１８との間を電気的に接続させるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料により構成されている。なお、駆動配線１６は、例えば、各ＴＦＴ１２ごとに１つずつ配設されている。
【００３８】
層間絶縁層１７は、駆動配線１６を周囲から電気的に分離するためのものであり、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などの絶縁性材料により構成されている。
【００３９】
有機ＥＬ素子１８は、有機ＥＬ現象を利用して３色の光を放出するものであり、例えば、有機ＥＬ素子１８Ｒ（第１の有機発光素子），１８Ｇ（第２の有機発光素子），１８Ｂ（第３の有機発光素子）を含んでいる。これらの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、例えば、有機ＥＬ層１８６において発生した白色光を光の３原色に対応する３色の光として放出するものであり、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒは赤色光（Ｒ；Red ）ＨＲ（例えば、波長＝約６５０ｎｍ）を放出し、有機ＥＬ素子１８Ｇは緑色光（Ｇ；Green ）ＨＧ（例えば、波長＝約５５０ｎｍ）を放出し、有機ＥＬ素子１８Ｂは青色光（Ｂ；Blue）ＨＢ（例えば、波長＝約４５０ｎｍ）を放出するものである。なお、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、それらの３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを１組として、ＴＦＴ１２の配列パターンに対応して複数組に渡ってマトリクス状に配列されている。
【００４０】
具体的には、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、図１および図２に示したように、素子領域ＦＲ、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒの配置領域に選択的に配置された反射層１８１Ｒ（第１の反射層）と、その反射層１８１Ｒを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する誘電体層１８２（第１の誘電体層）と、素子領域ＦＧ、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｇの配置領域に選択的に配置された反射層１８１Ｇ（第２の反射層）と、その反射層１８１Ｇを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで延在する誘電体層１８３（第２の誘電体層）と、素子領域ＦＢ、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｂの配置領域に配置された反射層１８１Ｂ（第３の反射層）と、その反射層１８１Ｂを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する誘電体層１８４（第３の誘電体層）と、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにそれぞれ選択的に配置されたアノード電極層１８５Ｒ（第１の透明電極層），１８５Ｇ（第２の透明電極層），１８５Ｂ（第３の透明電極層）と、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する有機ＥＬ層１８６と、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するカソード電極層１８７（共通電極層）とがこの順に積層された積層構造を有している。なお、図４では、有機ＥＬディスプレイのうちの有機ＥＬ層１８６のみを抜粋して示している。
【００４１】
すなわち、便宜上、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの構造を互いに分離して見ると、図３に示したように、有機ＥＬ素子１８Ｒは、反射層１８１Ｒと、誘電体層１８２，１８３，１８４と、アノード電極層１８５Ｒと、有機ＥＬ層１８６と、カソード電極層１８７とがこの順に積層された積層構造を有しており、有機ＥＬ素子１８Ｇは、反射層１８１Ｇと、誘電体層１８３，１８４と、アノード電極層１８５Ｇと、有機ＥＬ層１８６と、カソード電極層１８７とがこの順に積層された積層構造を有しており、有機ＥＬ素子１８Ｂは、反射層１８１Ｂと、誘電体層１８４と、アノード電極層１８５Ｂと、有機ＥＬ層１８６と、カソード電極層１８７とがこの順に積層された構造を有している。この３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに基づいて規定される画素ピッチＰは、図２に示したように、隣り合う２つ有機ＥＬ素子１８間の距離、すなわち任意の有機ＥＬ素子１８の一端（例えば有機ＥＬ素子１８Ｒのうちの反射層１８１Ｒおよびアノード電極層１８５Ｒの左端）から隣りの有機ＥＬ素子１８の一端（例えば有機ＥＬ素子１８Ｇのうちの反射層１８１Ｇおよびアノード電極層１８５Ｇの左端）までの距離である。この画素ピッチＰは、例えば、約１０μｍ以下、好ましくは約５μｍ以下、より好ましくは約３μｍ以下である。なお、図３では、例えば、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの構造を比較しやすくするために、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂからカソード電極層１８７に至る一連の層の膜厚を等しく示している。
【００４２】
特に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、例えば、有機ＥＬ層１８６において発生した光を反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間で反射させることにより共振させる共振器構造を有しており、すなわちいずれも一種の狭帯域フィルタとして機能するものである。反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間の距離（光学的距離）Ｌは、上記した共振器構造の共振特性に寄与する因子であり、例えば、下記の関係式（１）を満たしている。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ・・・（１）
（ただし、「Ｌ」は反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間の光学的距離、「λ」は放出したい光のスペクトルのピーク波長、「Φ」は反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびカソード電極層１８７で生じる反射光の位相シフト、「ｍ」は０または整数をそれぞれ表している。）
【００４３】
より具体的には、有機ＥＬ素子１８Ｒは、アノード電極層１８５Ｒとカソード電極層１８７との間に配置された有機ＥＬ層１８６において発生した光を反射層１８１Ｒとカソード電極層１８７との間で反射させることにより共振させたのち、その光を赤色光ＨＲとしてカソード電極層１８７を経由して外部へ放出するものである。この反射層１８１Ｒとカソード電極層１８７との間の光学的距離ＬＲは、下記の関係式（２）を満たしている。ここでは、例えば、ｍ＝０であり、すなわち関係式（２）が下記の関係式（３）を満たしている。
（２ＬＲ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ・・・（２）
（２ＬＲ）／λ＋Φ／（２π）＝０・・・（３）
（ただし、「ＬＲ」は反射層１８１Ｒ（反射層１８１Ｒのうちの誘電体層１８２に隣接する端面ＴＲ１）とカソード電極層１８７（カソード電極層１８７のうちの有機ＥＬ層１８６に隣接する端面ＴＲ２）との間の光学的距離、「Φ」は反射層１８１Ｒの端面ＴＲ１およびカソード電極層１８７の端面ＴＲ２で生じる反射光の位相シフトをそれぞれ表している。）
【００４４】
また、有機ＥＬ素子１８Ｇは、アノード電極層１８５Ｇとカソード電極層１８７との間に配置された有機ＥＬ層１８６において発生した光を反射層１８１Ｇとカソード電極層１８７との間で反射させることにより共振させたのち、その光を緑色光ＨＧとしてカソード電極層１８７を経由して外部へ放出するものである。この反射層１８１Ｇとカソード電極層１８７との間の光学的距離ＬＧは、下記の関係式（４）を満たしている。ここでは、例えば、ｍ＝１であり、すなわち関係式（４）が下記の関係式（５）の関係を満たしている。
（２ＬＧ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ・・・（４）
（２ＬＧ）／λ＋Φ／（２π）＝１・・・（５）
（ただし、「ＬＧ」は反射層１８１Ｇ（反射層１８１Ｇのうちの誘電体層１８３に隣接する端面ＴＧ１）とカソード電極層１８７（カソード電極層１８７のうちの有機ＥＬ層１８６に隣接する端面ＴＧ２）との間の光学的距離、「Φ」は反射層１８１Ｇの端面ＴＧ１およびカソード電極層１８７の端面ＴＧ２で生じる反射光の位相シフトをそれぞれ表している。）
【００４５】
さらに、有機ＥＬ素子１８Ｂは、アノード電極層１８５Ｂとカソード電極層１８７との間に配置された有機ＥＬ層１８６において発生した光を反射層１８１Ｂとカソード電極層１８７との間で反射させることにより共振させたのち、その光を青色光ＨＢとしてカソード電極層１８７を経由して外部へ放出するものである。この反射層１８１Ｂとカソード電極層１８７との間の光学的距離ＬＢは、下記の関係式（６）の関係を満たしている。ここでは、例えば、ｍ＝１であり、すなわち関係式（６）が下記の関係式（７）の関係を満たしている。
（２ＬＢ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ・・・（６）
（２ＬＢ）／λ＋Φ／（２π）＝１・・・（７）
（ただし、「ＬＢ」は反射層１８１Ｂ（反射層１８１Ｂのうちの誘電体層１８４に隣接する端面ＴＢ１）とカソード電極層１８７（カソード電極層１８７のうちの有機ＥＬ層１８６に隣接する端面ＴＢ２）との間の光学的距離、「Φ」は反射層１８１Ｂの端面ＴＢ１およびカソード電極層１８７の端面ＴＢ２で生じる反射光の位相シフトをそれぞれ表している。）
【００４６】
光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間において互いに異なっており、具体的には３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂから放出される３色の光（赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢ）に対応して互いに異なっている。すなわち、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが有機ＥＬ層１８６において発生した光をそれぞれ赤色光ＨＲ、緑色光ＨＧおよび青色光ＨＢとして放出可能となるように設定されており、具体的には３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂから放出される赤色光ＨＲ、緑色光ＨＧおよび青色光ＨＢに対応して順に小さくなっている（ＬＲ＞ＬＧ＞ＬＢ）。上記した「有機ＥＬ層１８６において発生した光を赤色光ＨＲ、緑色光ＨＧおよび青色光ＨＢとして放出する」とは、図３に示したように、有機ＥＬ層１８６中の発光点ＮＲ，ＮＧ，ＮＢにおいて発生した光が反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間で反射されることにより共振したのちにカソード電極層１８７を経由して外部へ放出される過程において、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間における共振長（光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ）の差異に基づく光の多重干渉現象を利用して、発光点ＮＲ，ＮＧ，ＮＢにおいて発生した際に互いに同一の色（波長）を有していた光の色を放出時に各有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに互いに異ならせ、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒにおいて赤色に対応する波長、有機ＥＬ素子１８Ｇにおいて緑色に対応する波長、ならびに有機ＥＬ素子１８Ｂにおいて青色に対応する波長をそれぞれ選択的に増強させることにより、最終的に赤色光ＨＲ、緑色光ＨＧおよび青色光ＨＢを生成するという意味である。
【００４７】
反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、有機ＥＬ層１８６において発生した光を共振させるために反射させる全反射ミラーである。これらの反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、例えば、シリコン（Ｓｉ）を約１％含有するアルミニウム（Ａｌ）などの反射性材料により構成されており、それらの厚さはそれぞれ５０ｎｍ，１５ｎｍ，約１５ｎｍである。なお、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、それぞれ素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて分離配置されている。
【００４８】
誘電体層１８２，１８３，１８４は、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂとの間を電気的に分離すると共に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの共振特性に寄与する光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを規定するためのものである。これらの誘電体層１８２，１８３，１８４は、例えば、いずれも酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などの誘電性材料により構成されており、それらの厚さはそれぞれ約５４ｎｍ，約９０ｎｍ，約５０ｎｍである。なお、誘電体層１８２，１８３，１８４は、上記したように、いずれも素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在しており、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにより共有されている。
【００４９】
アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂは、有機ＥＬ層１８６を駆動させるための電極（アノード）である。これらのアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂは、例えば、ＩＴＯなどの透明電極材料により構成されており、それらの厚さは約２０ｎｍである。特に、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂは、例えば、それぞれ反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂに対向しながら一側方側（図１および図２では例えば右側）に延設されており、その延設部分においてプラグ１９に電気的に接続されている。なお、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂは、それぞれ素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて分離配置されている。
【００５０】
有機ＥＬ層１８６は、有機ＥＬ現象を利用して発光するものであり、例えば、白色光を発生させるものである。すなわち、有機ＥＬ層１８６は、例えば、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ間において互いに等しい色（波長）の光（白色光）を発生させるものである。なお、有機ＥＬ層１８６は、上記したように、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在しており、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにより共有されている。
【００５１】
カソード電極層１８７は、有機ＥＬ層１８６を駆動させるための電極（カソード）であると共に、有機ＥＬ層１８６において発生した光を共振させたのちに外部へ導くハーフミラーである。このカソード電極層１８７は、例えば、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、銀（Ａｇ）またはマグネシウム銀合金／銀（ＭｇＡｇ／Ａｇ）などの半透過性電極材料により構成されており、その厚さは約１０ｎｍである。なお、カソード電極層１８７は、上記したように、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在しており、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにより共有されている。
【００５２】
特に、有機ＥＬ層１８６は、例えば、図３および図４に示したように、実質的に有機ＥＬ現象を利用して発光する発光層１８６３を含む層であり、具体的にはアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂに近い側から順に、ホール注入層１８６１と、ホール輸送層１８６２と、発光層１８６３と、電子輸送層１８６４とが積層された積層構造を有している。この発光層１８６３は、例えば、赤色発光層１８６３Ｒと、緑色発光層１８６３Ｇと、青色発光層１８６Ｂとがこの順に積層された積層構造を有している。
【００５３】
ホール注入層１８６１は、ホール輸送層１８６２にホール（正孔）を注入するものである。このホール注入層１８６１は、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。
【００５４】
ホール輸送層１８６２は、ホール注入層１８６１から注入されたホールを発光層１８６３へ輸送するものである。このホール輸送層１８６２は、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。
【００５５】
発光層１８６３のうちの赤色発光層１８６３Ｒは、有機ＥＬ現象を利用して赤色の光を発生させるものである。この赤色発光層１８６３Ｒは、例えば、４−ジシアノメチレン−６−（Ｐ−ジメチルアミノシチル）−２−メチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）が約２体積％混合された８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。緑色発光層１８６３Ｇは、有機ＥＬ現象を利用して緑色の光を発生させるものである。この緑色発光層１８６３Ｒは、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。青色発光層１８６３Ｂは、有機ＥＬ現象を利用して青色の光を発生させるものである。この青色発光層１８６３Ｂは、例えば、バソクプロイン（ＢＣＰ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。
【００５６】
電子輸送層１８６４は、発光層１８６３へ電子を輸送するものである。この電子輸送層１８６４は、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ）により構成されており、その厚さは約２０ｎｍである。
【００５７】
プラグ１９は、駆動配線１６を介して有機ＥＬ素子１８をＴＦＴ１２に電気的に接続させるためのものであり、例えば、タングステン（Ｗ）などの導電性材料により構成されている。このプラグ１９は、例えば、層間絶縁層１７および有機ＥＬ素子１８（誘電体層１８２〜１８４）を貫通するように設けられたコンタクトホール１７Ｈに、窒化チタン（ＴｉＮ）などの導電性材料により構成された導電層２１（約３０ｎｍ厚）を介して埋め込まれており、一端側において有機ＥＬ素子１８（アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂ）に電気的に接続されていると共に、他端側において駆動配線１６に電気的に接続されている。なお、プラグ１９は、例えば、各ＴＦＴ１２ごとに１つずつ配設されている。
【００５８】
保護層２０は、有機ＥＬ素子１８を保護するためのものである。この保護層２０は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの光透過性誘電性材料により構成されたパッシベーション膜であり、その厚さは約５００ｎｍである。
【００５９】
一方、封止パネル３０は、例えば、封止用基板３１の一面にカラーフィルタ３２が設けられた構造を有している。
【００６０】
封止用基板３１は、カラーフィルタ３２を支持すると共に、有機ＥＬ素子１８から放出された画像表示用の光Ｈを透過させることにより外部へ放出させるものであり、例えば、ガラスなどの光透過性絶縁性材料により構成されている。
【００６１】
カラーフィルタ３２は、有機ＥＬ素子１８から放出された光Ｈを有機ＥＬディスプレイの外部へ導くと共に、その有機ＥＬディスプレイの内部へ外光が侵入することにより有機ＥＬ素子１８などの高反射性部品において反射した際に、その反射光を吸収することによりコントラストを確保するためのものである。このカラーフィルタ３２は、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにそれぞれ対応して配置された３色の領域、すなわち赤色領域３２Ｒ、緑色領域３２Ｇおよび青色領域３２Ｂを含んでいる。これらの赤色領域３２Ｒ、緑色領域３２Ｇおよび青色領域３２Ｂは、例えば、それぞれ赤色、緑色および青色の顔料が混入された樹脂により構成されている。
【００６２】
接着層４０は、駆動パネル１０と封止パネル３０とを互いに貼り合わせるためのものであり、例えば、熱硬化型樹脂などの接着材料により構成されている。
【００６３】
次に、図１〜図４を参照して、有機ＥＬディスプレイの動作について説明する。
【００６４】
この有機ＥＬディスプレイでは、図１〜図４に示したように、駆動パネル１０のうちのＴＦＴ１２を利用して有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが駆動され、すなわちアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂとカソード電極層１８７との間に電圧が印加されると、有機ＥＬ層１８６のうちの発光層１８６３において、ホール注入層１８６１からホール輸送層１８６２を経由して供給された正孔と電子輸送層１８６４から供給された電子とが再結合することにより白色光が発生する。この白色光は、赤色発光層１８６３Ｒにおいて発生した赤色の光と、緑色発光層１８６３Ｇにおいて発生した緑色の光と、青色発光層１８６３Ｂにおいて発生した青色の光とが合成された合成光（重畳光）である。
【００６５】
この白色光は、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂから画像表示用の光Ｈとして有機ＥＬディスプレイの外部へ放出される過程において、共振器構造を有する有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間における共振長（光学的距離Ｌ（ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ））の差異に基づく光の多重干渉現象を利用して選択的に増強され、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにおいてそれぞれ赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢとして放出される。これにより、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂから放出された赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢの合成光（画像表示用の光Ｈ）が有機ＥＬディスプレイの外部へ放出されることにより画像として視認されるため、その画像表示用の光Ｈに基づいてフルカラーの画像が表示される。
【００６６】
特に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢが放出される際には、図３に示したように、各有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにおいて、有機ＥＬ層１８６のうちの発光層１８６３において発生した光が全反射ミラーとしての反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとハーフミラーとしてのカソード電極層１８７との間で反射されることにより共振する。これにより、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ放出される赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢの半値幅が減少するため、それらの赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢの色純度が向上する。
【００６７】
次に、図１〜図９を参照して、本実施の形態に係る有機発光装置の製造方法として、図１〜図４に示した有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。図５〜図９は、有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１および図２に対応する断面構成を示している。以下では、まず、図１〜図４を参照して、有機ＥＬディスプレイ全体の製造工程について簡単に説明したのち、図１〜図９を参照して、本実施の形態に係る有機発光装置の製造方法が適用される有機ＥＬディスプレイのうちの主要部（有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）の形成工程について詳細に説明する。なお、有機ＥＬディスプレイのうちの一連の構成要素の材質、厚さおよび構造的特徴については既に詳述したので、それらの説明を適宜省略するものとする。
【００６８】
この有機ＥＬディスプレイは、スパッタリング法やＣＶＤ（chemical vapor deposition ）法などの成膜技術、フォトリソグラフィ法などのパターニング技術、ならびにドライエッチング法やウェットエッチング法などのエッチング技術を含む既存の薄膜プロセスを使用して製造可能である。すなわち、有機ＥＬディスプレイを製造する際には、図１〜図４に示したように、まず、駆動用基板１１の一面に、複数のＴＦＴ１２をマトリックス状に形成し、引き続きＴＦＴ１２およびその周辺の駆動用基板１１を覆うように絶縁層１３を形成したのち、各ＴＦＴ１２ごとに２組ずつ駆動配線１４を形成する。続いて、駆動配線１４およびその周辺の絶縁層１３を覆うように平坦化絶縁層１５を形成する。こののち、例えば、必要に応じて、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）法を使用して平坦化絶縁層１５を研磨することにより平坦化する。続いて、平坦化絶縁層１５上に各ＴＦＴ１２に対応するように複数の駆動配線１６を形成したのち、その駆動配線１６およびその周辺の平坦化絶縁層１５を覆うように層間絶縁層１７を形成する。こののち、例えば、必要に応じて、ＣＭＰ法を使用して層間絶縁層１７を研磨することにより平坦化する。続いて、層間絶縁層１７上に各ＴＦＴ１２に対応するように複数の有機ＥＬ素子１８および複数のプラグ１９を形成する。この場合には、素子領域ＦＲに有機ＥＬ素子１８Ｒを形成し、素子領域ＦＧに有機ＥＬ素子１８Ｇを形成し、素子領域ＦＢに有機ＥＬ素子１８Ｂを形成する。続いて、有機ＥＬ素子１８（１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）を覆うように保護層２０を形成することにより、駆動パネル１０を組み立てる。
【００６９】
一方、封止用基板３１の一面に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応して赤色領域３２Ｒ、緑色領域３２Ｇおよび青色領域３２Ｂを含むカラーフィルタ３２を形成することにより、封止パネル３０を組み立てる。
【００７０】
最後に、接着層４０を使用して、駆動用基板１１と封止用基板３１との間に有機ＥＬ素子１８（１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）が挟まれ、それらの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂがカラーフィルタ３２のうちの赤色領域３２Ｒ，緑色領域３２Ｇ，青色領域３２Ｂにそれぞれ対応するように駆動パネル１０と封止パネル３０とを互いに貼り合わせることにより、図１〜図４に示した有機ＥＬディスプレイが完成する。
【００７１】
この有機ＥＬディスプレイのうちの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成する際には、それらの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成するための基体として層間絶縁層１７を形成したのち、まず、図５に示したように、層間絶縁層１７上の素子領域ＦＲに、反射層１８１Ｒを選択的に形成する。この場合には、例えば、スパッタリング法を使用して、シリコンを約１％含有するアルミニウムなどの反射性材料を層間絶縁層１７上に成膜することにより反射性材料層を形成したのち、フォトリソグラフィ法と共にウェットエッチング法を使用して反射性材料層をパターニングすることにより反射層１８１Ｒを形成する。続いて、反射層１８１Ｒと共にその周辺の層間絶縁層１７を覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、誘電体層１８２を形成する。この場合には、例えば、ＣＶＤ法を使用して、酸化ケイ素などの誘電体材料を成膜することにより誘電体層１８２を形成する。
【００７２】
続いて、図６に示したように、誘電体層１８２上の素子領域ＦＧに、反射層１８１Ｇを選択的に形成する。この場合には、反射層１８１Ｒを形成した場合と同様の手順を経ることにより反射層１８１Ｇを形成する。これにより、反射層１８１Ｒが誘電体層１８２の下方に位置する一方で、反射層１８１Ｇが誘電体層１８２の上方に位置するため、その反射層１８１Ｇが反射層１８１Ｒと異なる階層に配置され、具体的には反射層１８１Ｇが反射層１８１Ｒよりも上側の階層に配置される。続いて、反射層１８１Ｇと共にその周辺の誘電体層１８２を覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、誘電体層１８３を形成する。この場合には、例えば、誘電体層１８２を形成した場合と同様の手順を経ることにより誘電体層１８３を形成する。
【００７３】
続いて、図７に示したように、誘電体層１８３上の素子領域ＦＢに、反射層１８１Ｂを選択的に形成する。この場合には、反射層１８１Ｒを形成した場合と同様の手順を経ることにより反射層１８１Ｂを形成する。これにより、反射層１８１Ｇが誘電体層１８３の下方に位置する一方で、反射層１８１Ｂが誘電体層１８３の上方に位置するため、その反射層１８１Ｂが反射層１８１Ｇと異なる階層に配置され、具体的には反射層１８１Ｂが反射層１８１Ｇよりも上側の階層に配置される。続いて、反射層１８１Ｂと共にその周辺の誘電体層１８３を覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、誘電体層１８４を形成する。この場合には、例えば、誘電体層１８３を形成した場合と同様の手順を経ることにより誘電体層１８４を形成する。
【００７４】
続いて、例えば、フォトリソグラフィ法と共にイオンミリングや反応性イオンエッチングなどのドライエッチング法を使用して、層間絶縁層１７および誘電体層１８２〜１８４のうちの各駆動配線１６に対応する箇所を選択的にエッチングして掘り下げることにより、図８に示したように、複数のコンタクトホール１７Ｈを形成する。この場合には、例えば、コンタクトホール１７Ｈにおいて駆動配線１６が露出するまで層間絶縁層１７および誘電体層１８２〜１８４をエッチングする。
【００７５】
続いて、例えば、スパッタリング法を使用して、誘電体層１８４、コンタクトホール１７Ｈの内壁および駆動配線１６の露出面を覆うように窒化チタンなどの導電性材料を成膜することにより導電性材料層を形成し、引き続きＣＶＤ法を使用して、導電性材料層上にタングステンなどの導電性材料を成膜することにより他の導電性材料層を形成したのち、イオンミリングなどのドライエッチング法を使用して２つの導電性材料層をエッチングしてパターニングすることにより、図９に示したように、コンタクトホール１７Ｈに導電層２１を介して埋め込まれることにより駆動配線１６に電気的に接続されるように複数のプラグ１９を形成する。特に、プラグ１９および導電層２１を形成するために２つの導電性材料層をエッチングする場合には、例えば、そのエッチング処理に伴う誘電体層１８４の膜減り（誘電体層１８４がエッチングされることによる膜厚の減少）が約２０ｎｍ以内におさまるようにエッチング量を管理する。
【００７６】
続いて、誘電体層１８４上の素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢに、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１９１Ｂに対応するようにアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂをそれぞれ選択的に形成する。これにより、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂがいずれも誘電体層１８４上に形成されるため、それらのアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが互いに同一の階層に配置される。この場合には、例えば、常温スパッタリング法を使用して、誘電体層１８４上にＩＴＯなどの透明電極材料を成膜することにより透明電極材料層を形成したのち、フォトリソグラフィ法と共にウェットエッチング法を使用して透明電極材料層をエッチングしてパターニングすることによりアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂを形成する。特に、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂを形成する場合には、それらのアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂがいずれもプラグ１９に電気的に接続されるようにすることにより、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂがいずれもプラグ１９を介して駆動配線１６に電気的に接続されるようにする。
【００７７】
続いて、図２に示したように、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂおよびその周辺の誘電体層１８４を覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、有機ＥＬ層１８６を形成する。この場合には、図４に示したように、例えば、蒸着法を使用して、ホール注入層１８６１と、ホール輸送層１８６２と、発光層１８６３を構成する赤色発光層１８６３Ｒ、緑色発光層１８６３Ｇおよび青色発光層１８６３Ｂと、電子輸送層１８６４とをこの順に形成（連続蒸着）して積層させることにより有機ＥＬ層１８６を形成する。最後に、有機ＥＬ層１８６上に、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、カソード電極層１８７を形成する。この場合には、例えば、蒸着法を使用して、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）などの半透過性電極材料を成膜することによりカソード電極層１８７を形成する。
【００７８】
これにより、素子領域ＦＲにおいて有機ＥＬ素子１８Ｒ（反射層１８１Ｒ／誘電体層１８２／誘電体層１８３／誘電体層１８４／アノード電極層１８５Ｒ／有機ＥＬ層１８６／カソード電極層１８７）が形成され、素子領域ＦＧにおいて有機ＥＬ素子１８Ｇ（反射層１８１Ｇ／誘電体層１８３／誘電体層１８４／アノード電極層１８５Ｇ／有機ＥＬ層１８６／カソード電極層１８７）が形成され、素子領域１８Ｂにおいて有機ＥＬ素子１８Ｂ（反射層１８１Ｂ／誘電体層１８４／アノード電極層１８５Ｂ／有機ＥＬ層１８６／カソード電極層１８７）が形成されると共に、プラグ１９が併せて形成されるため、図１〜図４に示した有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂおよびプラグ１９が完成する。
【００７９】
本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイでは、素子領域ＦＲに選択的に配置された反射層１８１Ｒと、その反射層１８１Ｒを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する誘電体層１８２と、素子領域ＦＧに選択的に配置された反射層１８１Ｇと、その反射層１８１Ｇを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで延在する誘電体層１８３と、素子領域ＦＢに選択的に配置された反射層１８１Ｂと、その反射層１８１Ｂを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する誘電体層１８４と、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにそれぞれ選択的に配置されたアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂと、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する有機ＥＬ層１８６と、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するカソード電極層１８７とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを構成したので、以下の４つの理由により、小型化、薄型化および高性能化を実現することができる。
【００８０】
すなわち、第１に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂのうちの画素ピッチＰを規定する反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが高精度に微細形成可能である。
【００８１】
具体的には、素子領域ＦＲにおいて、ＣＭＰ法を使用して研磨することにより平坦化された層間絶縁層１７上に反射層１８１Ｒが形成されるため、フォトリソグラフィ法を使用して反射層１８１Ｒが高精度に微細形成可能である。また、素子領域ＦＧにおいて、平坦な層間絶縁層１７上に誘電体層１８２を介して反射層１８１Ｇが形成され、すなわち層間絶縁層１７の平坦性を反映して形成された誘電体層１８２のうちの平坦領域上に反射層１８１Ｇが形成されるため、フォトリソグラフィ法を使用して反射層１８１Ｇが高精度に微細形成可能である。さらに、素子領域ＦＢにおいて、平坦な層間絶縁層１７上に誘電体層１８２，１８３を介して反射層１８１Ｂが形成され、すなわち層間絶縁層１７の平坦性を反映して形成された誘電体層１８３のうちの平坦領域上に反射層１８１Ｂが形成されるため、フォトリソグラフィ法を使用して反射層１８１Ｂが高精度に微細形成可能である。なお、フォトリソグラフィ法を使用して反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂを形成する場合に、平坦な下地上において反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが高精度に微細形成可能である理由は、下地が非平坦である（凹凸構造を有する）場合には、パターン形成用のフォトレジストパターンを形成するためにフォトレジスト膜を露光する際に、非平坦な下地において散乱反射する反射光の影響を受けてフォトレジスト膜の露光範囲が意図せずに拡大または縮小するため、そのフォトレジストパターンを高精度に形成することは困難であるが、下地が平坦である場合には、上記したフォトレジスト膜の露光範囲の拡大または縮小を招く反射光の影響が小さくなるため、下地が非平坦である場合よりもフォトレジストパターンを高精度に形成することが可能だからである。
【００８２】
しかも、平坦な層間絶縁層１７上に誘電体層１８２，１８３を介して誘電体層１８４が形成され、すなわち素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて層間絶縁層１７の平坦性を反映して誘電体層１８４が平坦に形成されることに伴い、その誘電体層１８４のうちの平坦領域上にアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが形成されるため、フォトリソグラフィ法を使用してアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂも高精度に微細形成可能である。
【００８３】
これにより、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが高精度に微細形成可能であるため、それらの反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが非平坦な下地（凹凸構造を有する下地）上に形成される場合と比較して、画素ピッチＰを高精度に規定することが可能である。この場合には、特に、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが高精度に微細形成可能であると共に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが高密度に集積可能であるため、画素ピッチＰを約１０μｍ以下、好ましくは約５μｍ以下、より好ましくは約３μｍ以下まで狭めることが可能である。
【００８４】
第２に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂがそれぞれ有機ＥＬ層１８６から発生した光（例えば白色光）を共振長（光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ）の差異に基づく光の多重干渉現象を利用して赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢとして放出する場合に、その光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが誘電体層１８２〜１８４の厚さに基づいて規定され、すなわち光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが誘電体層１８２〜１８４の成膜厚さに基づいて規定される。具体的には、光学的距離ＬＲが誘電体層１８２〜１８４の成膜厚さの総和に基づいて規定され、光学的距離ＬＧが誘電体層１８３，１８４の成膜厚さの総和に基づいて規定され、光学的距離ＬＢが誘電体層１８４の成膜厚さに基づいて規定される。この場合には、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂとの間に３つの誘電体層１８２〜１８４に代えて１つの誘電体層を形成したのち、その誘電体層を素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢごとにエッチングして掘り下げることにより光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢに差異を設ける場合と比較して、それらの光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢの設定精度が向上する。なぜなら、所望の値となるように光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを設定する際に、ＣＶＤ法などの成膜手法を使用することにより成膜厚さ（成膜時の膜厚精度）に基づいて光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを設定する場合の設定精度は、イオンミリングや反応性イオンエッチングなどのエッチング手法を使用することによりエッチング深さ（エッチング時のエッチング量精度）に基づいて光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを設定する場合の設定精度よりも高くなるからである。これにより、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが高精度に設定されるため、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ所望の波長域の赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢを放出させることが可能である。
【００８５】
第３に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが共振器構造を有するため、それらの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにおいて有機ＥＬ層１８６から発生した光がそれぞれ反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間で反射されることにより共振する。この場合には、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが共振器構造を有していない場合と比較して、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ放出される赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢの色純度が向上する。これにより、画像表示用の光Ｈに基づいて表示される画像の色再現性を向上させることが可能である。
【００８６】
第４に、上記したように、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて平坦な誘電体層１８４上にそれぞれアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが形成されることに基づき、それらの素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂおよび誘電体層１８４を含むほぼ平坦な下地上に有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７が形成されるため、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７を形成した際に、それらの有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７が素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいてほぼ一律な厚さとなるように形成される。この場合には、有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７が非平坦な下地（凹凸構造を有する下地）上に形成される場合と比較して、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７のそれぞれの厚さが均一化される。これにより、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７が高精度に形成されるため、有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７のそれぞれ形成厚さの均一化に基づいて、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間において発光性能が均一化される。
【００８７】
したがって、本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイでは、上記した４つの観点から説明したように、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが高精度に微細形成可能であることに基づいて画素ピッチＰが狭められると共に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの共振特性に寄与する光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが高精度に設定されることに基づいて色再現性が向上するため、小型化、薄型化および高性能化を実現することができる。
【００８８】
また、上記した他、本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法では、上記した３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ、すなわち反射層１８１Ｒ、誘電体層１８２、反射層１８１Ｇ、誘電体層１８３、反射層１８１Ｂ、誘電体層１８４、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂ、有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成するために、スパッタリング法やＣＶＤ法などの成膜技術、フォトリソグラフィ法などのパターニング技術、ならびにドライエッチング法やウェットエッチング法などのエッチング技術を含む既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、既存の薄膜プロセスのみを使用して、小型、薄型かつ高性能な有機ＥＬディスプレイを容易に製造することができる。
【００８９】
また、本実施の形態では、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂおよびプラグ１９を形成する過程において、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢに差異を設けるためにエッチング処理を使用しないため、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢに差異を設けるためにエッチング処理を使用する場合、すなわち素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢごとに誘電体層をエッチングする必要がある場合と比較して、エッチング処理を実施する工程数が少なくて済む。この場合には、エッチング処理の影響を受けて光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが意図せずに目標値からずれたとしても、そのずれ量が小さくなる。しかも、本実施の形態では、例えば、コンタクトホール１７Ｈを形成するためにエッチング処理を実施した際に、そのエッチング処理の影響が誘電体層１８４に及び、すなわち誘電体層１８４が意図せずにエッチングされたとしても、その誘電体層１８４が素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢの全てにおいて同程度にエッチングされるため、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢごとに誘電体層をエッチングする場合とは異なり、エッチング処理に伴う誘電体層１８４の膜減り量（膜厚の減少量）が有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間においてほぼ一律となる。したがって、エッチング処理に起因する光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢのずれが小さくなると共に、その光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢのずれ量が有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間において均一化されるため、色再現性に代表される有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの表示性能のぶれを小さくすることができる。
【００９０】
また、本実施の形態では、誘電体層１８２，１８３と共に誘電体層１８４を併せて備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成したので、以下の理由により、反射層１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｂの形状（平面サイズ）に関する自由度を広げることができる。すなわち、誘電体層１８４を備えずに誘電体層１８２，１８３のみを備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成する場合には、反射層１８１Ｂが誘電体層１８４により覆われないため、アノード電極層１８５Ｂを形成する時点において反射層１８１Ｂが露出していることとなる。この場合には、エッチング処理を使用してアノード電極層１８５Ｂを形成する際に、そのエッチング雰囲気に反射層１８１Ｂが晒されないようにするために、アノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズよりも大きくなるように形状を調整することにより、そのアノード電極層１８５Ｂを利用して反射層１８１Ｂを保護する必要がある。これにより、反射層１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｂの形状が限定されるため、その形状に関する自由度が狭まってしまう。これに対して、誘電体層１８２，１８３と共に誘電体層１８４を併せて備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成する場合には、反射層１８１Ｂが誘電体層１８４により覆われるため、アノード電極層１８５Ｂを形成する時点において反射層１８１Ｂが誘電体層１８４により保護されていることとなる。この場合には、エッチング処理を使用してアノード電極層１８５Ｂを形成する際に、反射層１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｂの形状に関係なく、そのエッチング雰囲気に反射層１８１Ｂが晒されないため、アノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズよりも大きくなるように形状を調整する必要がない。すなわち、この場合には、アノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズよりも大きくなるように形状を設定することが可能な他、アノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズと等しくなり、あるいはアノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズよりも小さくなるように形状を設定することも可能となる。したがって、反射層１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｂの形状が限定されないため、その形状に関する自由度が広がるのである。
【００９１】
特に、本実施の形態では、以下で説明する手法を使用すれば、エッチング処理の影響を受けて光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが意図せずに目標値からずれた場合においても、その光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを所望の値となるように修復することができる。
【００９２】
すなわち、図５〜図９に示したように、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、誘電体層１８２〜１８４の形成厚さ、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂの形成厚さ、ならびに有機ＥＬ層１８６の形成厚さの総和に基づいて規定される。この場合には、例えば、図７および図８に示したように、反射層１８１Ｒから誘電体層１８４に至る積層構造を形成したのち、誘電体層１８２〜１８４をエッチングすることによりコンタクトホール１７Ｈを形成した際に、そのエッチング処理の影響を受けて誘電体層１８４が意図せずにエッチングされることにより膜減りするおそれがある。この誘電体層１８４が膜減りした場合には、例えば、エッチング処理後の誘電体層１８４の厚さを測定することにより、その誘電体層１８４の膜減り量を把握したのち、後工程において誘電体層１８４の膜減り量を補填することにより、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを所望の値となるように修復することが可能である。具体的には、例えば、プラグ１９を形成したのちの工程において、誘電体層１８４の膜減り量分を加えた厚さとなるようにアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂまたは有機ＥＬ層１８６を形成し、その誘電体層１８４の膜減り分をアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂまたは有機ＥＬ層１８６の水増し成膜厚さで解消させることにより、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを所望の値となるように修復することが可能である。
【００９３】
なお、本実施の形態では、シリコンを約１％含有するアルミニウムを使用して反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂを構成すると共に、それらの反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの厚さをそれぞれ約５０ｎｍ，約１５ｎｍ，約１５ｎｍとなるように設定し、すなわち反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの厚さが反射層１８１Ｒの厚さよりも小さくなるように設定したが、必ずしもこれに限られるものではない。
【００９４】
すなわち、上記実施の形態では、シリコンを約１％含有するアルミニウムを使用して反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの全てを構成することにより、共振特性を規定する関係式（３），（５），（７）を参照して説明したように、有機ＥＬ素子１８Ｒに関して０次（ｍ＝０）の干渉条件を選択した場合に、その有機ＥＬ素子１８Ｒの干渉条件に応じて有機ＥＬ素子１８Ｇに関して１次（ｍ＝１）および有機ＥＬ素子１８Ｂに関して１次（ｍ＝１）の干渉条件を設定することにより、それらの有機ＥＬ素子１８Ｇ，１８Ｂの共振効率を意図的に下げる必要があるため、反射層１８１Ｒの厚さを約５０ｎｍとする一方で、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの厚さを約１５ｎｍとし、すなわち反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを薄膜化する（反射率を下げる）ことにより有機ＥＬ素子１８Ｇ，１８Ｂの共振効率を意図的に２０％程度下げていた。
【００９５】
この場合には、上記したように反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを薄膜化することにより反射率を制御する代わりに、シリコンを約１％含有するアルミニウムよりも反射率が小さい他の材料を使用して反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを構成することによっても、それらの反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの反射率を制御することが可能である。具体的には、例えば、シリコンを約１％含有するアルミニウムを使用して約５０ｎｍの厚さとなるように反射層１８１Ｒを構成したまま、そのシリコンを約１％含有するアルミニウムに代えてチタン（Ｔｉ）を使用して約５０ｎｍの厚さとなるように反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを形成してもよい。この場合においても、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにおいて上記実施の形態と同様の共振特性を得ることができる。
【００９６】
なお、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの反射率を制御する上で、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを薄膜化する場合と反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの構成材料を変更する場合との間において技術的効果を比較すると、以下の通りとなる。すなわち、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを薄膜化する場合には、シリコンを約１％含有するアルミニウムの安定な反射特性に基づいて、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂに関して安定な反射特性が得られるため、主に、有機ＥＬディスプレイの性能面において利点が得られる。一方、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの構成材料を変更する場合には、それらの反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの厚さを反射層１８１Ｒの厚さと同様に比較的大きく設定することが可能であり、すなわち反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂを所望の厚さとなるように容易かつ安定に形成することが可能であるため、主に、有機ＥＬディスプレイの製造面において利点が得られる。
【００９７】
また、本実施の形態では、図２に示したように、誘電体層１８２，１８３と共に誘電体層１８４を併せて備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図２に対応する図１０に示したように、誘電体層１８４を備えずに誘電体層１８２，１８３のみを備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを構成してもよい。図１０に示した有機ＥＬディスプレイは、誘電体層１８４を形成しない点を除き、上記実施の形態において図５〜図９を参照して説明した有機ＥＬディスプレイの製造手順と同様の手順を経ることにより製造可能である。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、図１０に示した有機ＥＬディスプレイに関する上記以外の構成は、図２に示した場合と同様である。
【００９８】
以上、実施の形態を挙げて本発明の有機発光装置およびその製造方法を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の有機発光装置の構造ならびに有機発光装置の製造方法の手順は、上記実施の形態と同様の効果を得ることが可能な限りにおいて、自由に変更可能である。
【００９９】
具体的には、例えば、上記実施の形態では、図４に示したように、ホール注入層１８６１、ホール輸送層１８６２、発光層１８６３および電子輸送層１８６４を含む４層構造を有するように有機ＥＬ層１８６を構成すると共に、赤色発光層１８６３Ｒ、緑色発光層１８６３Ｇおよび青色発光層１８６３Ｂを含む３層構造を有するように発光層１８６３を構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢの差異に基づく光の多重干渉現象を使用して有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢを放出させることが可能な限りにおいて、それらの有機ＥＬ層１８６および発光層１８６３の構造（積層数や各層の材料など）は自由に変更可能である。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１００】
また、上記実施の形態では、関係式（３），（５），（７）を参照して説明したように、共振特性を規定する関係式中のｍの値を有機ＥＬ素子１８Ｒに関してｍ＝０、有機ＥＬ素子１８Ｇに関してｍ＝１、有機ＥＬ素子１８Ｂに関してｍ＝１となるように設定したが、必ずしもこれに限られるものではなく、ｍの値は有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに自由に設定可能でる。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明に係る有機発光装置およびその製造方法は、有機ＥＬディスプレイおよびその製造方法に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの断面構成を表す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの他の断面構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した有機ＥＬディスプレイのうちの主要部（有機ＥＬ素子）を拡大して模式的に表す図である。
【図４】図１に示した有機ＥＬディスプレイのうちの他の主要部（有機ＥＬ層）を拡大して模式的に表す断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法のうちの一工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの構成に関する変形例を表す断面図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０…駆動パネル、１１…駆動用基板、１２…ＴＦＴ、１３…絶縁層、１４，１６…駆動配線、１５…平坦化絶縁層、１７…層間絶縁層、１７Ｈ…コンタクトホール、１８（１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ）…有機ＥＬ素子、１９…プラグ、２０…保護層、２１…導電層、３０…封止パネル、３１…封止用基板、３２…カラーフィルタ、３２Ｂ…青色領域、３２Ｇ…緑色領域、３２Ｒ…赤色領域、４０…接着層、１８１Ｂ，１８１Ｇ，１８１Ｒ…反射層、１８２，１８３，１８４…誘電体層、１８５Ｂ，１８５Ｇ，１８５Ｒ…アノード電極層、１８６…有機ＥＬ層、１８７…カソード電極層、１８６１…ホール注入層、１８６２…ホール輸送層、１８６３…発光層、１８６３Ｂ…青色発光層、１８６３Ｇ…緑色発光層、１８６３…赤色発光層、ＦＢ，ＦＧ，ＦＲ…素子領域、Ｈ…画像表示用の光、ＨＢ…青色光、ＨＧ…緑色光、ＨＲ…赤色光、ＬＢ，ＬＧ，ＬＲ…光学的距離、ＮＢ，ＮＧ，ＮＲ…発光点、Ｐ…画素ピッチ、ＴＢ１，ＴＢ２，ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＲ１，ＴＲ２…端面。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像を表示する有機発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイの１つとして、有機ＥＬ現象を利用して画像を表示する有機ＥＬディスプレイが注目されている。この有機ＥＬ現象を利用した画像表示方式は、イーストマン・コダック社のシー・ダブリュー・タン（C.W.Tang）等により、積層構造を有する低電圧駆動型の有機ＥＬ素子が報告されたことを契機として開発され始めたものであり、フラットパネルディスプレイの有力な画像表示方式として注目されている（例えば、非特許文献１参照。）。具体的には、有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子の発光現象を利用した自発光型のディスプレイであり、すなわちバックライトや偏光板などの光学部品を使用せずに画像を表示することが可能であるため、液晶ディスプレイとして比較して、安価であり、視野角が広く、かつ消費電力が少ない点等において優れている。
【非特許文献１】シー・ダブリュー・タン（C.W.Tang），エス・エイ・バンスライク（S.A.Vanslyke），”アプライドフィジックスレター（Applied Physics Letter）”，１９８７年，ボリューム５１，９１３頁
【０００３】
有機ＥＬディスプレイは、主に、駆動パネルと封止パネルとが対向配置され、それらの駆動パネルと封止パネルとが接着層を介して互いに貼り合わされたものである。この駆動パネルは、例えば、ガラス製または樹脂製の透明基板に、駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）およびキャパシタや、画像表示用の有機ＥＬ素子などが設けられた構造を有している。有機ＥＬ素子は、例えば、アノード電極層と、有機ＥＬ層と、カソード電極層とがこの順に積層された積層構造を有している。この有機ＥＬ層は、画像表示用の光を発生させるための発光層を含む層であり、その発光層と共に正孔輸送層や電子輸送層などを併せて含んでいる。
【０００４】
この有機ＥＬディスプレイとしては、例えば、ＴＦＴが多結晶シリコンやアモルファスシリコンなどにより構成され、そのＴＦＴがキャパシタと共にアクティブマトリクス構造を構築していると共に、アノード電極層が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；indium tin oxide）などの透明電極材料により構成され、かつカソード電極層が金属材料により構成されたものが知られている。ところが、この種の有機ＥＬディスプレイでは、有機ＥＬ素子の光変換効率（電力を光に変換する効率）の低さが問題とされる。なぜなら、有機ＥＬ素子の光変換効率が低いと、有機ＥＬディスプレイにおいて画像を表示可能とするために有機ＥＬ素子に大電流を供給しなければならないため、その有機ＥＬ素子が劣化しやすくなると共に、有機ＥＬディスプレイにおいて画像焼きつきが生じやすくなるからである。
【０００５】
そこで、ベル研究所のエイ・ドダバラパー（A.Dodabalapur ）等は、有機ＥＬ素子の光変換効率を改善するために、その有機ＥＬ素子に微細な共振器構造を適用することにより特定波長の光強度を高める技術を提案した（例えば、非特許文献２参照。）。
【非特許文献２】エイ・ドダバラパー（A.Dodabalapur ），エル・ジェイ・ロスバーグ（L.J.Rothberg），アール・エイチ・ジョーダン（R.H.Jordan），ティー・エム・ミラー（T.M.Miller），アール・イー・スラッシャー（R.E.Slusher ），ジュリア・エム・フィリップス（Julia M.Phillips），”ジャパンアプライドフィジックスレター（Japan Applied Physics Letter）”，１９９６年１２月１５日，ボリューム８０（１２），６９５４頁
【０００６】
この微細な共振器構造が適用された有機ＥＬディスプレイとして、エイ・ドダバラパー等は、例えば、赤色光（Ｒ；Red ）を発生させる赤色領域と、緑色光（Ｇ；Green ）を発生させる緑色領域と、青色光（Ｂ；Blue）を発生させる青色領域とが設定されている場合に、赤色領域から緑色領域を経由して青色領域まで連続的に延在するハーフミラーと、赤色領域から緑色領域を経由して青色領域まで連続的に延在し、それらの赤色領域、緑色領域および青色領域において互いに異なる厚さを有する誘電体層と、いずれも赤色領域から緑色領域を経由して青色領域まで連続的に延在するアノード電極層、有機ＥＬ層およびカソード電極層（全反射ミラー）とがこの順に積層された積層構造を有するものを提案している。この種の有機ＥＬディスプレイでは、例えば、有機ＥＬ層において白色光が発生すると、誘電体層の厚さの差異（ハーフミラーと全反射ミラーとの間の光学的距離の差異）に基づく光の多重干渉現象を利用して、その白色光が赤色領域、緑色領域および青色領域においてそれぞれ赤色光、緑色光および青色光として放出されるため、それらの赤色光、緑色光および青色光に基づいて画像が表示される。この場合には、特に、有機ＥＬ層において発生した光がハーフミラーと全反射ミラーとの間で反射されることにより共振するため、それらの赤色光、緑色光および青色光の色純度が向上する。
【０００７】
この種の有機ＥＬディスプレイを製造する際には、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）や窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの誘電体材料を成膜することにより誘電体層を形成したのち、エッチング法を使用して赤色領域、緑色領域および青色領域の間において互いに異なるエッチング深さとなるように誘電体層をエッチングして、その誘電体層の厚さを互いに異ならせることにより、赤色領域、緑色領域および青色領域の間において光学的距離に差異を設けている。しかしながら、上記したエッチング処理を使用する有機ＥＬディスプレイの製造方法では、誘電体層をエッチングする際におけるエッチング量のばらつきに起因して、赤色領域、緑色領域および青色領域において誘電体層の厚さがばらつきやすいため、同様に赤色領域、緑色領域および青色領域において共振条件（誘電体層の厚さに基づいて規定される光学的距離）もばらつきやすくなる。
【０００８】
この共振条件のばらつきに関する問題を改善しつつ、赤色領域、緑色領域および青色領域の間において光学的距離に差異を設ける手法としては、既にいくつかの技術が提案されている。
【０００９】
具体的には、例えば、パターン成膜用のマスクを利用した蒸着法を使用して、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれの領域ごとに、互いに異なる厚さとなるように有機ＥＬ材料を個別に成膜して有機ＥＬ層を形成することにより、誘電体層の厚さの差異に代えて有機ＥＬ層の厚さの差異を利用して、赤色領域、緑色領域および青色領域の間において光学的距離に差異を設ける技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この技術を使用した場合には、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれにおいて光学的距離が有機ＥＬ層の成膜精度（成膜厚さの精度）に基づいて決定されることとなり、その成膜精度はエッチング精度（エッチング深さの精度）よりも高いため、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれにおいて共振条件を高精度に設定することが可能となる。
【特許文献１】特開２００１−５４０５６８号公報
【００１０】
また、例えば、同様にパターン成膜用のマスクを利用した蒸着法を使用して、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれの領域ごとに、互いに異なる厚さとなるようにＩＴＯを個別に成膜してハーフミラーを形成することにより、誘電体層の厚さの差異に代えてハーフミラーの厚さの差異を利用して、赤色領域、緑色領域および青色領域の間において光学的距離に差異を設ける技術が知られている（例えば、特許文献２参照。）。この技術を使用した場合には、赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれにおいて光学的距離がハーフミラーの成膜精度に基づいて決定されるため、やはり赤色領域、緑色領域および青色領域のそれぞれにおいて共振条件を高精度に設定することが可能となる。この場合には、特に、エッチングストップ層として機能する金属層を介してＩＴＯを積層させることにより、そのＩＴＯの積層構造をエッチングする際に、金属層のエッチングストップ機能を利用してエッチング処理の進行度を制御することが可能である。
【特許文献２】特開２００４−１２７７９５号公報
【００１１】
これらのパターン成膜処理を使用して有機ＥＬ層やハーフミラーを形成することにより製造された有機ＥＬディスプレイでは、画素ピッチ、すなわち隣り合う２つの有機ＥＬ素子間の距離（任意の有機ＥＬ素子の一端から隣りの有機ＥＬ素子の一端までの距離）が上記したパターン成膜用のマスクのパターン精度に依存することとなり、具体的には画素ピッチの限界が５０μｍ程度となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、最近では、有機ＥＬディスプレイの実用性が認知されたことに伴い、例えば、モニタなどの直視型ディスプレイに限らず、デジタルカメラ搭載ディスプレイに代表されるディスプレイ、より具体的には数μｍの画素ピッチが要求される小型ディスプレイにまで有機ＥＬディスプレイを適用する試みが検討されている。なぜなら、小型ディスプレイに関してはさらなる小型化および薄型化が要望されているにもかかわらず、現行において普及している液晶ディスプレイを小型ディスプレイに適用した場合には、液晶の駆動機構に起因して画素ピッチやディスプレイ厚さに限界が生じ、具体的には画素ピッチの限界が５μｍピッチ程度であると共にディスプレイ厚さの限界が８ｍｍ程度であるが、有機ＥＬディスプレイを小型ディスプレイに適用した場合には、上記した液晶の駆動機構に起因する画素ピッチやディスプレイ厚さの限界が解消されるため、液晶ディスプレイを適用した場合よりも画素ピッチやディスプレイ厚さを小さくすることが可能だからである。一例を挙げれば、eMagin社がIBM （International Business Machines Corporation ）社と共同開発した有機ＥＬディスプレイでは、微細な共振器構造を適用していないものの画素ピッチが５μｍ程度であると共にディスプレイ厚さが２ｍｍ程度である。
【００１３】
これらのことから、有機ＥＬディスプレイの普及を促進させるためには、市場の要求に応じて有機ＥＬディスプレイの小型化および薄型化を実現するために、ディスプレイサイズに寄与する画素ピッチを可能な限り狭める必要がある。また、この場合には、当然ながら、有機ＥＬディスプレイの高性能化（例えば高輝度化、広範囲色再現性、省電力化および長寿命化）を実現するために、共振特性に寄与する光学的距離を高精度に設定することにより、可能な限り色再現性を高める必要もある。しかしながら、従来の有機ＥＬディスプレイでは、市場の要求に応じた小型化、薄型化および高性能化を実現する観点において未だ十分とは言えないため、多分に改善の余地がある。したがって、有機ＥＬディスプレイの有用性を証明することにより市場普及を図るために、小型化、薄型化および高性能化を実現することが可能な技術の確立が望まれている。この場合には、特に、小型、薄型および高性能な有機ＥＬディスプレイを量産可能とするために、その有機ＥＬディスプレイを容易に製造することが可能な技術を確立することも重要である。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、小型化、薄型化および高性能化を実現することが可能な有機発光装置を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の第２の目的は、小型、薄型かつ高性能な有機発光装置を容易に製造することが可能な有機発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置は、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えたものであり、３つの有機発光素子が、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、第３の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第３の誘電体層と、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有しているものである。
【００１７】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置の製造方法は、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置を製造する方法であり、３つの有機発光素子を形成する工程が、基体上の第１の素子領域に第１の反射層を選択的に形成する第１の工程と、第１の反射層と共にその周辺の基体を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第１の誘電体層を形成する第２の工程と、第１の誘電体層上の第２の素子領域に第２の反射層を選択的に形成する第３の工程と、第２の反射層と共にその周辺の第１の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第２の誘電体層を形成する第４の工程と、第２の誘電体層上の第３の素子領域に第３の反射層を選択的に形成する第５の工程と、第３の反射層と共にその周辺の第２の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第３の誘電体層を形成する第６の工程と、第３の誘電体層上の第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域に第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層をそれぞれ選択的に形成する第７の工程と、第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と共にそれらの周辺の第３の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように発光層を含む層を形成する第８の工程と、発光層を含む層上に第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように共通電極層を形成する第９の工程とを含むものである。
【００１８】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置は、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えたものであり、３つの有機発光素子が、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有しているものである。
【００１９】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置の製造方法は、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置を製造する方法であり、３つの有機発光素子を形成する工程が、基体上の第１の素子領域に第１の反射層を選択的に形成する第１の工程と、第１の反射層と共にその周辺の基体を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第１の誘電体層を形成する第２の工程と、第１の誘電体層上の第２の素子領域に第２の反射層を選択的に形成する第３の工程と、第２の反射層と共にその周辺の第１の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように第２の誘電体層を形成する第４の工程と、第２の誘電体層上の第３の素子領域に第３の反射層を選択的に形成する第５の工程と、第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域に第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層をそれぞれ選択的に形成する第６の工程と、第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と共にそれらの周辺の第２の誘電体層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように発光層を含む層を形成する第７の工程と、発光層を含む層上に第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在するように共通電極層を形成する第８の工程とを含むものである。
【００２０】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置では、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、その第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、その第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、その第３の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第３の誘電体層と、第１、第２および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１、第２および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機発光素子が構成されている。この場合には、第１に、３つの有機発光素子のうちの画素ピッチを規定する第１、第２および第３の反射層および第１、第２および第３の透明電極層が高精度に微細形成可能であるため、画素ピッチが高精度に狭められる。第２に、例えば、３つの有機発光素子が共振器構造を有する場合に、各有機発光素子において共振特性に寄与する光学的距離が高精度に設定されるため、３つの有機発光素子からそれぞれ所望の波長域の光が放出される。第３に、例えば、３つの有機発光素子が共振器構造を有すれば、それらの３つの有機発光素子からそれぞれ放出される光の色純度が向上するため、画像の色再現性が向上する。第４に、上記したように、第１、第２および第３の透明電極層が高精度に形成されることに基づき、第１、第２および第３の素子領域において発光層を含む層および共通電極層も高精度に形成されるため、３つの有機発光素子の間において発光性能が均一化される。
【００２１】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置の製造方法では、上記した３つの有機発光素子、すなわち第１の反射層、第１の誘電体層、第２の反射層、第２の誘電体層、第３の反射層、第３の誘電体層、第１、第２および第３の透明電極層、発光層を含む層および共通電極層がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機発光素子を形成するために、既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。
【００２２】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置では、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、その第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、その第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、第１、第２および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１、第２および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機発光素子が構成されている。この場合には、上記したように、第１に画素ピッチが高精度に狭められ、第２に３つの有機発光素子からそれぞれ所望の波長域の光が放出され、第３に画像の色再現性が向上し、第４に３つの有機発光素子の間において発光性能が均一化される。
【００２３】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置の製造方法では、上記した３つの有機発光素子、すなわち第１の反射層、第１の誘電体層、第２の反射層、第２の誘電体層、第３の反射層、第１、第２および第３の透明電極層、発光層を含む層および共通電極層がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機発光素子を形成するために、既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置によれば、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、その第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、その第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、その第３の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第３の誘電体層と、第１、第２および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１、第２および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機発光素子が構成されている構造的特徴に基づき、第１、第２および第３の反射層および第１、第２および第３の透明電極層が高精度に微細形成可能であることに基づいて画素ピッチが狭められると共に、３つの有機発光素子の共振特性に寄与する光学的距離が高精度に設定されることに基づいて色再現性が向上するため、小型化、薄型化および高性能化を実現することができる。
【００２５】
本発明の第１の観点に係る有機発光装置の製造方法によれば、上記した３つの有機発光素子、すなわち第１の反射層、第１の誘電体層、第２の反射層、第２の誘電体層、第３の反射層、第３の誘電体層、第１、第２および第３の透明電極層、発光層を含む層および共通電極層がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機発光素子を形成するために、既存の薄膜プロセスのみを使用する製法的特徴に基づき、小型、薄型かつ高性能な有機発光装置を容易に製造することができる。
【００２６】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置によれば、第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、その第１の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、その第２の反射層を覆いながら第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで延在する第２の誘電体層と、第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、第１、第２および第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１、第２および第３の透明電極層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する発光層を含む層と、第１の素子領域から第２の素子領域を経由して第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機発光素子が構成されている構造的特徴に基づき、第１、第２および第３の反射層および第１、第２および第３の透明電極層が高精度に微細形成可能であることに基づいて画素ピッチが狭められると共に、３つの有機発光素子の共振特性に寄与する光学的距離が高精度に設定されることに基づいて色再現性が向上するため、小型化、薄型化および高性能化を実現することができる。
【００２７】
本発明の第２の観点に係る有機発光装置の製造方法によれば、上記した３つの有機発光素子、すなわち第１の反射層、第１の誘電体層、第２の反射層、第２の誘電体層、第３の反射層、第１、第２および第３の透明電極層、発光層を含む層および共通電極層がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機発光素子を形成するために、既存の薄膜プロセスのみを使用する製法的特徴に基づき、小型、薄型かつ高性能な有機発光装置を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施の形態に係る有機発光装置としての有機ＥＬディスプレイの構成について説明する。図１および図２は有機ＥＬディスプレイの断面構成を表しており、図３および図４は図１および図２に示した有機ＥＬディスプレイのうちの主要部の断面構成を拡大して模式的に表している。
【００３０】
本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ現象を利用して画像を表示するものであり、例えば、図１〜図３に示したように、素子領域ＦＲ（第１の素子領域），ＦＧ（第２の素子領域），ＦＢ（第３の素子領域）にそれぞれ配置され、有機ＥＬ層１８６において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機ＥＬ素子（有機発光素子）１８を備えたものである。具体的には、有機ＥＬディスプレイは、図１および図２に示したように、駆動パネル１０と封止パネル３０とが互いに対向配置され、それらの駆動パネル１０と封止パネル３０とが接着層４０を介して互いに貼り合わされた構造を有している。この有機ＥＬディスプレイは、例えば、画像表示用の光Ｈを上方、具体的には封止パネル３０を経由して外部へ放出することにより画像を表示するトップエミッション型構造を有している。
【００３１】
駆動パネル１０は、例えば、駆動用基板１１の一面に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２と、絶縁層１３と、駆動配線１４と、平坦化絶縁層１５と、駆動配線１６と、層間絶縁層１７と、有機ＥＬ素子１８およびプラグ１９と、保護層２０とがこの順に積層された積層構造を有している。なお、図２では、有機ＥＬディスプレイのうちの駆動パネル１０（保護層２０を除く）のみを抜粋して示している。
【００３２】
駆動用基板１１は、ＴＦＴ１２や有機ＥＬ素子１８などの一連の部品を支持するものであり、例えば、シリコン（Ｓｉ）などの絶縁性材料により構成されている。
【００３３】
ＴＦＴ１２は、有機ＥＬ素子１８を駆動させることにより発光させるものであり、駆動用基板１１の一面にマトリクス状に配列されている。このＴＦＴ１２は、絶縁層１３に設けられたコンタクトホール（図示せず）を通じて駆動配線１４に電気的に接続されている。なお、ＴＦＴ１２の構造は特に限定されず、例えば、ボトムゲート型構造であってもよいし、あるいはトップゲート型構造であってもよい。
【００３４】
絶縁層１３は、ＴＦＴ１２を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）やＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）などの絶縁性材料により構成されている。この絶縁層１３は、例えば、ＴＦＴ１２およびその周辺の駆動用基板１１を覆うように配設されている。
【００３５】
駆動配線１４は、信号線として機能することにより有機ＥＬ素子１８を駆動させるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料により構成されている。この駆動配線１４は、平坦化絶縁層１５に設けられたコンタクトホール（図示せず）を通じて各ＴＦＴ１２ごとに駆動配線１６に電気的に接続されている。なお、駆動配線１４は、例えば、各ＴＦＴ１２ごとに２つ（ゲート信号線，ドレイン信号線）ずつ配設されており、上記したように、ＴＦＴ１２に電気的に接続されている。
【００３６】
平坦化絶縁層１５は、ＴＦＴ１２および駆動配線１４と有機ＥＬ素子１８との間を電気的に分離すると共に、その有機ＥＬ素子１８が配設される下地を平坦化するものであり、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などの絶縁性材料により構成されている。なお、図１では図示していなが、平坦化絶縁層層１５中には、例えば、ＴＦＴ１２を駆動させるためのキャパシタや、ＴＦＴ１２と駆動配線１６との間を電気的に接続させるための多階層の駆動配線などが埋設されている。
【００３７】
駆動配線１６は、プラグ１９を介してＴＦＴ１２と有機ＥＬ素子１８との間を電気的に接続させるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料により構成されている。なお、駆動配線１６は、例えば、各ＴＦＴ１２ごとに１つずつ配設されている。
【００３８】
層間絶縁層１７は、駆動配線１６を周囲から電気的に分離するためのものであり、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などの絶縁性材料により構成されている。
【００３９】
有機ＥＬ素子１８は、有機ＥＬ現象を利用して３色の光を放出するものであり、例えば、有機ＥＬ素子１８Ｒ（第１の有機発光素子），１８Ｇ（第２の有機発光素子），１８Ｂ（第３の有機発光素子）を含んでいる。これらの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、例えば、有機ＥＬ層１８６において発生した白色光を光の３原色に対応する３色の光として放出するものであり、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒは赤色光（Ｒ；Red ）ＨＲ（例えば、波長＝約６５０ｎｍ）を放出し、有機ＥＬ素子１８Ｇは緑色光（Ｇ；Green ）ＨＧ（例えば、波長＝約５５０ｎｍ）を放出し、有機ＥＬ素子１８Ｂは青色光（Ｂ；Blue）ＨＢ（例えば、波長＝約４５０ｎｍ）を放出するものである。なお、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、それらの３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを１組として、ＴＦＴ１２の配列パターンに対応して複数組に渡ってマトリクス状に配列されている。
【００４０】
具体的には、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、図１および図２に示したように、素子領域ＦＲ、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒの配置領域に選択的に配置された反射層１８１Ｒ（第１の反射層）と、その反射層１８１Ｒを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する誘電体層１８２（第１の誘電体層）と、素子領域ＦＧ、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｇの配置領域に選択的に配置された反射層１８１Ｇ（第２の反射層）と、その反射層１８１Ｇを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで延在する誘電体層１８３（第２の誘電体層）と、素子領域ＦＢ、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｂの配置領域に配置された反射層１８１Ｂ（第３の反射層）と、その反射層１８１Ｂを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する誘電体層１８４（第３の誘電体層）と、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにそれぞれ選択的に配置されたアノード電極層１８５Ｒ（第１の透明電極層），１８５Ｇ（第２の透明電極層），１８５Ｂ（第３の透明電極層）と、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する有機ＥＬ層１８６と、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するカソード電極層１８７（共通電極層）とがこの順に積層された積層構造を有している。なお、図４では、有機ＥＬディスプレイのうちの有機ＥＬ層１８６のみを抜粋して示している。
【００４１】
すなわち、便宜上、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの構造を互いに分離して見ると、図３に示したように、有機ＥＬ素子１８Ｒは、反射層１８１Ｒと、誘電体層１８２，１８３，１８４と、アノード電極層１８５Ｒと、有機ＥＬ層１８６と、カソード電極層１８７とがこの順に積層された積層構造を有しており、有機ＥＬ素子１８Ｇは、反射層１８１Ｇと、誘電体層１８３，１８４と、アノード電極層１８５Ｇと、有機ＥＬ層１８６と、カソード電極層１８７とがこの順に積層された積層構造を有しており、有機ＥＬ素子１８Ｂは、反射層１８１Ｂと、誘電体層１８４と、アノード電極層１８５Ｂと、有機ＥＬ層１８６と、カソード電極層１８７とがこの順に積層された構造を有している。この３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに基づいて規定される画素ピッチＰは、図２に示したように、隣り合う２つ有機ＥＬ素子１８間の距離、すなわち任意の有機ＥＬ素子１８の一端（例えば有機ＥＬ素子１８Ｒのうちの反射層１８１Ｒおよびアノード電極層１８５Ｒの左端）から隣りの有機ＥＬ素子１８の一端（例えば有機ＥＬ素子１８Ｇのうちの反射層１８１Ｇおよびアノード電極層１８５Ｇの左端）までの距離である。この画素ピッチＰは、例えば、約１０μｍ以下、好ましくは約５μｍ以下、より好ましくは約３μｍ以下である。なお、図３では、例えば、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの構造を比較しやすくするために、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂからカソード電極層１８７に至る一連の層の膜厚を等しく示している。
【００４２】
特に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、例えば、有機ＥＬ層１８６において発生した光を反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間で反射させることにより共振させる共振器構造を有しており、すなわちいずれも一種の狭帯域フィルタとして機能するものである。反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間の距離（光学的距離）Ｌは、上記した共振器構造の共振特性に寄与する因子であり、例えば、下記の関係式（１）を満たしている。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ・・・（１）
（ただし、「Ｌ」は反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間の光学的距離、「λ」は放出したい光のスペクトルのピーク波長、「Φ」は反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびカソード電極層１８７で生じる反射光の位相シフト、「ｍ」は０または整数をそれぞれ表している。）
【００４３】
より具体的には、有機ＥＬ素子１８Ｒは、アノード電極層１８５Ｒとカソード電極層１８７との間に配置された有機ＥＬ層１８６において発生した光を反射層１８１Ｒとカソード電極層１８７との間で反射させることにより共振させたのち、その光を赤色光ＨＲとしてカソード電極層１８７を経由して外部へ放出するものである。この反射層１８１Ｒとカソード電極層１８７との間の光学的距離ＬＲは、下記の関係式（２）を満たしている。ここでは、例えば、ｍ＝０であり、すなわち関係式（２）が下記の関係式（３）を満たしている。
（２ＬＲ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ・・・（２）
（２ＬＲ）／λ＋Φ／（２π）＝０・・・（３）
（ただし、「ＬＲ」は反射層１８１Ｒ（反射層１８１Ｒのうちの誘電体層１８２に隣接する端面ＴＲ１）とカソード電極層１８７（カソード電極層１８７のうちの有機ＥＬ層１８６に隣接する端面ＴＲ２）との間の光学的距離、「Φ」は反射層１８１Ｒの端面ＴＲ１およびカソード電極層１８７の端面ＴＲ２で生じる反射光の位相シフトをそれぞれ表している。）
【００４４】
また、有機ＥＬ素子１８Ｇは、アノード電極層１８５Ｇとカソード電極層１８７との間に配置された有機ＥＬ層１８６において発生した光を反射層１８１Ｇとカソード電極層１８７との間で反射させることにより共振させたのち、その光を緑色光ＨＧとしてカソード電極層１８７を経由して外部へ放出するものである。この反射層１８１Ｇとカソード電極層１８７との間の光学的距離ＬＧは、下記の関係式（４）を満たしている。ここでは、例えば、ｍ＝１であり、すなわち関係式（４）が下記の関係式（５）の関係を満たしている。
（２ＬＧ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ・・・（４）
（２ＬＧ）／λ＋Φ／（２π）＝１・・・（５）
（ただし、「ＬＧ」は反射層１８１Ｇ（反射層１８１Ｇのうちの誘電体層１８３に隣接する端面ＴＧ１）とカソード電極層１８７（カソード電極層１８７のうちの有機ＥＬ層１８６に隣接する端面ＴＧ２）との間の光学的距離、「Φ」は反射層１８１Ｇの端面ＴＧ１およびカソード電極層１８７の端面ＴＧ２で生じる反射光の位相シフトをそれぞれ表している。）
【００４５】
さらに、有機ＥＬ素子１８Ｂは、アノード電極層１８５Ｂとカソード電極層１８７との間に配置された有機ＥＬ層１８６において発生した光を反射層１８１Ｂとカソード電極層１８７との間で反射させることにより共振させたのち、その光を青色光ＨＢとしてカソード電極層１８７を経由して外部へ放出するものである。この反射層１８１Ｂとカソード電極層１８７との間の光学的距離ＬＢは、下記の関係式（６）の関係を満たしている。ここでは、例えば、ｍ＝１であり、すなわち関係式（６）が下記の関係式（７）の関係を満たしている。
（２ＬＢ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ・・・（６）
（２ＬＢ）／λ＋Φ／（２π）＝１・・・（７）
（ただし、「ＬＢ」は反射層１８１Ｂ（反射層１８１Ｂのうちの誘電体層１８４に隣接する端面ＴＢ１）とカソード電極層１８７（カソード電極層１８７のうちの有機ＥＬ層１８６に隣接する端面ＴＢ２）との間の光学的距離、「Φ」は反射層１８１Ｂの端面ＴＢ１およびカソード電極層１８７の端面ＴＢ２で生じる反射光の位相シフトをそれぞれ表している。）
【００４６】
光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間において互いに異なっており、具体的には３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂから放出される３色の光（赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢ）に対応して互いに異なっている。すなわち、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが有機ＥＬ層１８６において発生した光をそれぞれ赤色光ＨＲ、緑色光ＨＧおよび青色光ＨＢとして放出可能となるように設定されており、具体的には３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂから放出される赤色光ＨＲ、緑色光ＨＧおよび青色光ＨＢに対応して順に小さくなっている（ＬＲ＞ＬＧ＞ＬＢ）。上記した「有機ＥＬ層１８６において発生した光を赤色光ＨＲ、緑色光ＨＧおよび青色光ＨＢとして放出する」とは、図３に示したように、有機ＥＬ層１８６中の発光点ＮＲ，ＮＧ，ＮＢにおいて発生した光が反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間で反射されることにより共振したのちにカソード電極層１８７を経由して外部へ放出される過程において、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間における共振長（光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ）の差異に基づく光の多重干渉現象を利用して、発光点ＮＲ，ＮＧ，ＮＢにおいて発生した際に互いに同一の色（波長）を有していた光の色を放出時に各有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに互いに異ならせ、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒにおいて赤色に対応する波長、有機ＥＬ素子１８Ｇにおいて緑色に対応する波長、ならびに有機ＥＬ素子１８Ｂにおいて青色に対応する波長をそれぞれ選択的に増強させることにより、最終的に赤色光ＨＲ、緑色光ＨＧおよび青色光ＨＢを生成するという意味である。
【００４７】
反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、有機ＥＬ層１８６において発生した光を共振させるために反射させる全反射ミラーである。これらの反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、例えば、シリコン（Ｓｉ）を約１％含有するアルミニウム（Ａｌ）などの反射性材料により構成されており、それらの厚さはそれぞれ５０ｎｍ，１５ｎｍ，約１５ｎｍである。なお、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、それぞれ素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて分離配置されている。
【００４８】
誘電体層１８２，１８３，１８４は、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂとの間を電気的に分離すると共に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの共振特性に寄与する光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを規定するためのものである。これらの誘電体層１８２，１８３，１８４は、例えば、いずれも酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などの誘電性材料により構成されており、それらの厚さはそれぞれ約５４ｎｍ，約９０ｎｍ，約５０ｎｍである。なお、誘電体層１８２，１８３，１８４は、上記したように、いずれも素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在しており、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにより共有されている。
【００４９】
アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂは、有機ＥＬ層１８６を駆動させるための電極（アノード）である。これらのアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂは、例えば、ＩＴＯなどの透明電極材料により構成されており、それらの厚さは約２０ｎｍである。特に、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂは、例えば、それぞれ反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂに対向しながら一側方側（図１および図２では例えば右側）に延設されており、その延設部分においてプラグ１９に電気的に接続されている。なお、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂは、それぞれ素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて分離配置されている。
【００５０】
有機ＥＬ層１８６は、有機ＥＬ現象を利用して発光するものであり、例えば、白色光を発生させるものである。すなわち、有機ＥＬ層１８６は、例えば、３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ間において互いに等しい色（波長）の光（白色光）を発生させるものである。なお、有機ＥＬ層１８６は、上記したように、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在しており、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにより共有されている。
【００５１】
カソード電極層１８７は、有機ＥＬ層１８６を駆動させるための電極（カソード）であると共に、有機ＥＬ層１８６において発生した光を共振させたのちに外部へ導くハーフミラーである。このカソード電極層１８７は、例えば、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、銀（Ａｇ）またはマグネシウム銀合金／銀（ＭｇＡｇ／Ａｇ）などの半透過性電極材料により構成されており、その厚さは約１０ｎｍである。なお、カソード電極層１８７は、上記したように、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在しており、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにより共有されている。
【００５２】
特に、有機ＥＬ層１８６は、例えば、図３および図４に示したように、実質的に有機ＥＬ現象を利用して発光する発光層１８６３を含む層であり、具体的にはアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂに近い側から順に、ホール注入層１８６１と、ホール輸送層１８６２と、発光層１８６３と、電子輸送層１８６４とが積層された積層構造を有している。この発光層１８６３は、例えば、赤色発光層１８６３Ｒと、緑色発光層１８６３Ｇと、青色発光層１８６Ｂとがこの順に積層された積層構造を有している。
【００５３】
ホール注入層１８６１は、ホール輸送層１８６２にホール（正孔）を注入するものである。このホール注入層１８６１は、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。
【００５４】
ホール輸送層１８６２は、ホール注入層１８６１から注入されたホールを発光層１８６３へ輸送するものである。このホール輸送層１８６２は、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。
【００５５】
発光層１８６３のうちの赤色発光層１８６３Ｒは、有機ＥＬ現象を利用して赤色の光を発生させるものである。この赤色発光層１８６３Ｒは、例えば、４−ジシアノメチレン−６−（Ｐ−ジメチルアミノシチル）−２−メチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）が約２体積％混合された８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。緑色発光層１８６３Ｇは、有機ＥＬ現象を利用して緑色の光を発生させるものである。この緑色発光層１８６３Ｒは、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。青色発光層１８６３Ｂは、有機ＥＬ現象を利用して青色の光を発生させるものである。この青色発光層１８６３Ｂは、例えば、バソクプロイン（ＢＣＰ）により構成されており、その厚さは約１５ｎｍである。
【００５６】
電子輸送層１８６４は、発光層１８６３へ電子を輸送するものである。この電子輸送層１８６４は、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ）により構成されており、その厚さは約２０ｎｍである。
【００５７】
プラグ１９は、駆動配線１６を介して有機ＥＬ素子１８をＴＦＴ１２に電気的に接続させるためのものであり、例えば、タングステン（Ｗ）などの導電性材料により構成されている。このプラグ１９は、例えば、層間絶縁層１７および有機ＥＬ素子１８（誘電体層１８２〜１８４）を貫通するように設けられたコンタクトホール１７Ｈに、窒化チタン（ＴｉＮ）などの導電性材料により構成された導電層２１（約３０ｎｍ厚）を介して埋め込まれており、一端側において有機ＥＬ素子１８（アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂ）に電気的に接続されていると共に、他端側において駆動配線１６に電気的に接続されている。なお、プラグ１９は、例えば、各ＴＦＴ１２ごとに１つずつ配設されている。
【００５８】
保護層２０は、有機ＥＬ素子１８を保護するためのものである。この保護層２０は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの光透過性誘電性材料により構成されたパッシベーション膜であり、その厚さは約５００ｎｍである。
【００５９】
一方、封止パネル３０は、例えば、封止用基板３１の一面にカラーフィルタ３２が設けられた構造を有している。
【００６０】
封止用基板３１は、カラーフィルタ３２を支持すると共に、有機ＥＬ素子１８から放出された画像表示用の光Ｈを透過させることにより外部へ放出させるものであり、例えば、ガラスなどの光透過性絶縁性材料により構成されている。
【００６１】
カラーフィルタ３２は、有機ＥＬ素子１８から放出された光Ｈを有機ＥＬディスプレイの外部へ導くと共に、その有機ＥＬディスプレイの内部へ外光が侵入することにより有機ＥＬ素子１８などの高反射性部品において反射した際に、その反射光を吸収することによりコントラストを確保するためのものである。このカラーフィルタ３２は、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにそれぞれ対応して配置された３色の領域、すなわち赤色領域３２Ｒ、緑色領域３２Ｇおよび青色領域３２Ｂを含んでいる。これらの赤色領域３２Ｒ、緑色領域３２Ｇおよび青色領域３２Ｂは、例えば、それぞれ赤色、緑色および青色の顔料が混入された樹脂により構成されている。
【００６２】
接着層４０は、駆動パネル１０と封止パネル３０とを互いに貼り合わせるためのものであり、例えば、熱硬化型樹脂などの接着材料により構成されている。
【００６３】
次に、図１〜図４を参照して、有機ＥＬディスプレイの動作について説明する。
【００６４】
この有機ＥＬディスプレイでは、図１〜図４に示したように、駆動パネル１０のうちのＴＦＴ１２を利用して有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが駆動され、すなわちアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂとカソード電極層１８７との間に電圧が印加されると、有機ＥＬ層１８６のうちの発光層１８６３において、ホール注入層１８６１からホール輸送層１８６２を経由して供給された正孔と電子輸送層１８６４から供給された電子とが再結合することにより白色光が発生する。この白色光は、赤色発光層１８６３Ｒにおいて発生した赤色の光と、緑色発光層１８６３Ｇにおいて発生した緑色の光と、青色発光層１８６３Ｂにおいて発生した青色の光とが合成された合成光（重畳光）である。
【００６５】
この白色光は、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂから画像表示用の光Ｈとして有機ＥＬディスプレイの外部へ放出される過程において、共振器構造を有する有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間における共振長（光学的距離Ｌ（ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ））の差異に基づく光の多重干渉現象を利用して選択的に増強され、すなわち有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにおいてそれぞれ赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢとして放出される。これにより、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂから放出された赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢの合成光（画像表示用の光Ｈ）が有機ＥＬディスプレイの外部へ放出されることにより画像として視認されるため、その画像表示用の光Ｈに基づいてフルカラーの画像が表示される。
【００６６】
特に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢが放出される際には、図３に示したように、各有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにおいて、有機ＥＬ層１８６のうちの発光層１８６３において発生した光が全反射ミラーとしての反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとハーフミラーとしてのカソード電極層１８７との間で反射されることにより共振する。これにより、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ放出される赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢの半値幅が減少するため、それらの赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢの色純度が向上する。
【００６７】
次に、図１〜図９を参照して、本実施の形態に係る有機発光装置の製造方法として、図１〜図４に示した有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。図５〜図９は、有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１および図２に対応する断面構成を示している。以下では、まず、図１〜図４を参照して、有機ＥＬディスプレイ全体の製造工程について簡単に説明したのち、図１〜図９を参照して、本実施の形態に係る有機発光装置の製造方法が適用される有機ＥＬディスプレイのうちの主要部（有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）の形成工程について詳細に説明する。なお、有機ＥＬディスプレイのうちの一連の構成要素の材質、厚さおよび構造的特徴については既に詳述したので、それらの説明を適宜省略するものとする。
【００６８】
この有機ＥＬディスプレイは、スパッタリング法やＣＶＤ（chemical vapor deposition ）法などの成膜技術、フォトリソグラフィ法などのパターニング技術、ならびにドライエッチング法やウェットエッチング法などのエッチング技術を含む既存の薄膜プロセスを使用して製造可能である。すなわち、有機ＥＬディスプレイを製造する際には、図１〜図４に示したように、まず、駆動用基板１１の一面に、複数のＴＦＴ１２をマトリックス状に形成し、引き続きＴＦＴ１２およびその周辺の駆動用基板１１を覆うように絶縁層１３を形成したのち、各ＴＦＴ１２ごとに２組ずつ駆動配線１４を形成する。続いて、駆動配線１４およびその周辺の絶縁層１３を覆うように平坦化絶縁層１５を形成する。こののち、例えば、必要に応じて、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）法を使用して平坦化絶縁層１５を研磨することにより平坦化する。続いて、平坦化絶縁層１５上に各ＴＦＴ１２に対応するように複数の駆動配線１６を形成したのち、その駆動配線１６およびその周辺の平坦化絶縁層１５を覆うように層間絶縁層１７を形成する。こののち、例えば、必要に応じて、ＣＭＰ法を使用して層間絶縁層１７を研磨することにより平坦化する。続いて、層間絶縁層１７上に各ＴＦＴ１２に対応するように複数の有機ＥＬ素子１８および複数のプラグ１９を形成する。この場合には、素子領域ＦＲに有機ＥＬ素子１８Ｒを形成し、素子領域ＦＧに有機ＥＬ素子１８Ｇを形成し、素子領域ＦＢに有機ＥＬ素子１８Ｂを形成する。続いて、有機ＥＬ素子１８（１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）を覆うように保護層２０を形成することにより、駆動パネル１０を組み立てる。
【００６９】
一方、封止用基板３１の一面に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応して赤色領域３２Ｒ、緑色領域３２Ｇおよび青色領域３２Ｂを含むカラーフィルタ３２を形成することにより、封止パネル３０を組み立てる。
【００７０】
最後に、接着層４０を使用して、駆動用基板１１と封止用基板３１との間に有機ＥＬ素子１８（１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）が挟まれ、それらの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂがカラーフィルタ３２のうちの赤色領域３２Ｒ，緑色領域３２Ｇ，青色領域３２Ｂにそれぞれ対応するように駆動パネル１０と封止パネル３０とを互いに貼り合わせることにより、図１〜図４に示した有機ＥＬディスプレイが完成する。
【００７１】
この有機ＥＬディスプレイのうちの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成する際には、それらの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成するための基体として層間絶縁層１７を形成したのち、まず、図５に示したように、層間絶縁層１７上の素子領域ＦＲに、反射層１８１Ｒを選択的に形成する。この場合には、例えば、スパッタリング法を使用して、シリコンを約１％含有するアルミニウムなどの反射性材料を層間絶縁層１７上に成膜することにより反射性材料層を形成したのち、フォトリソグラフィ法と共にウェットエッチング法を使用して反射性材料層をパターニングすることにより反射層１８１Ｒを形成する。続いて、反射層１８１Ｒと共にその周辺の層間絶縁層１７を覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、誘電体層１８２を形成する。この場合には、例えば、ＣＶＤ法を使用して、酸化ケイ素などの誘電体材料を成膜することにより誘電体層１８２を形成する。
【００７２】
続いて、図６に示したように、誘電体層１８２上の素子領域ＦＧに、反射層１８１Ｇを選択的に形成する。この場合には、反射層１８１Ｒを形成した場合と同様の手順を経ることにより反射層１８１Ｇを形成する。これにより、反射層１８１Ｒが誘電体層１８２の下方に位置する一方で、反射層１８１Ｇが誘電体層１８２の上方に位置するため、その反射層１８１Ｇが反射層１８１Ｒと異なる階層に配置され、具体的には反射層１８１Ｇが反射層１８１Ｒよりも上側の階層に配置される。続いて、反射層１８１Ｇと共にその周辺の誘電体層１８２を覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、誘電体層１８３を形成する。この場合には、例えば、誘電体層１８２を形成した場合と同様の手順を経ることにより誘電体層１８３を形成する。
【００７３】
続いて、図７に示したように、誘電体層１８３上の素子領域ＦＢに、反射層１８１Ｂを選択的に形成する。この場合には、反射層１８１Ｒを形成した場合と同様の手順を経ることにより反射層１８１Ｂを形成する。これにより、反射層１８１Ｇが誘電体層１８３の下方に位置する一方で、反射層１８１Ｂが誘電体層１８３の上方に位置するため、その反射層１８１Ｂが反射層１８１Ｇと異なる階層に配置され、具体的には反射層１８１Ｂが反射層１８１Ｇよりも上側の階層に配置される。続いて、反射層１８１Ｂと共にその周辺の誘電体層１８３を覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、誘電体層１８４を形成する。この場合には、例えば、誘電体層１８３を形成した場合と同様の手順を経ることにより誘電体層１８４を形成する。
【００７４】
続いて、例えば、フォトリソグラフィ法と共にイオンミリングや反応性イオンエッチングなどのドライエッチング法を使用して、層間絶縁層１７および誘電体層１８２〜１８４のうちの各駆動配線１６に対応する箇所を選択的にエッチングして掘り下げることにより、図８に示したように、複数のコンタクトホール１７Ｈを形成する。この場合には、例えば、コンタクトホール１７Ｈにおいて駆動配線１６が露出するまで層間絶縁層１７および誘電体層１８２〜１８４をエッチングする。
【００７５】
続いて、例えば、スパッタリング法を使用して、誘電体層１８４、コンタクトホール１７Ｈの内壁および駆動配線１６の露出面を覆うように窒化チタンなどの導電性材料を成膜することにより導電性材料層を形成し、引き続きＣＶＤ法を使用して、導電性材料層上にタングステンなどの導電性材料を成膜することにより他の導電性材料層を形成したのち、イオンミリングなどのドライエッチング法を使用して２つの導電性材料層をエッチングしてパターニングすることにより、図９に示したように、コンタクトホール１７Ｈに導電層２１を介して埋め込まれることにより駆動配線１６に電気的に接続されるように複数のプラグ１９を形成する。特に、プラグ１９および導電層２１を形成するために２つの導電性材料層をエッチングする場合には、例えば、そのエッチング処理に伴う誘電体層１８４の膜減り（誘電体層１８４がエッチングされることによる膜厚の減少）が約２０ｎｍ以内におさまるようにエッチング量を管理する。
【００７６】
続いて、誘電体層１８４上の素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢに、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１９１Ｂに対応するようにアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂをそれぞれ選択的に形成する。これにより、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂがいずれも誘電体層１８４上に形成されるため、それらのアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが互いに同一の階層に配置される。この場合には、例えば、常温スパッタリング法を使用して、誘電体層１８４上にＩＴＯなどの透明電極材料を成膜することにより透明電極材料層を形成したのち、フォトリソグラフィ法と共にウェットエッチング法を使用して透明電極材料層をエッチングしてパターニングすることによりアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂを形成する。特に、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂを形成する場合には、それらのアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂがいずれもプラグ１９に電気的に接続されるようにすることにより、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂがいずれもプラグ１９を介して駆動配線１６に電気的に接続されるようにする。
【００７７】
続いて、図２に示したように、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂおよびその周辺の誘電体層１８４を覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、有機ＥＬ層１８６を形成する。この場合には、図４に示したように、例えば、蒸着法を使用して、ホール注入層１８６１と、ホール輸送層１８６２と、発光層１８６３を構成する赤色発光層１８６３Ｒ、緑色発光層１８６３Ｇおよび青色発光層１８６３Ｂと、電子輸送層１８６４とをこの順に形成（連続蒸着）して積層させることにより有機ＥＬ層１８６を形成する。最後に、有機ＥＬ層１８６上に、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように、カソード電極層１８７を形成する。この場合には、例えば、蒸着法を使用して、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）などの半透過性電極材料を成膜することによりカソード電極層１８７を形成する。
【００７８】
これにより、素子領域ＦＲにおいて有機ＥＬ素子１８Ｒ（反射層１８１Ｒ／誘電体層１８２／誘電体層１８３／誘電体層１８４／アノード電極層１８５Ｒ／有機ＥＬ層１８６／カソード電極層１８７）が形成され、素子領域ＦＧにおいて有機ＥＬ素子１８Ｇ（反射層１８１Ｇ／誘電体層１８３／誘電体層１８４／アノード電極層１８５Ｇ／有機ＥＬ層１８６／カソード電極層１８７）が形成され、素子領域１８Ｂにおいて有機ＥＬ素子１８Ｂ（反射層１８１Ｂ／誘電体層１８４／アノード電極層１８５Ｂ／有機ＥＬ層１８６／カソード電極層１８７）が形成されると共に、プラグ１９が併せて形成されるため、図１〜図４に示した有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂおよびプラグ１９が完成する。
【００７９】
本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイでは、素子領域ＦＲに選択的に配置された反射層１８１Ｒと、その反射層１８１Ｒを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する誘電体層１８２と、素子領域ＦＧに選択的に配置された反射層１８１Ｇと、その反射層１８１Ｇを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで延在する誘電体層１８３と、素子領域ＦＢに選択的に配置された反射層１８１Ｂと、その反射層１８１Ｂを覆いながら素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する誘電体層１８４と、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにそれぞれ選択的に配置されたアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂと、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在する有機ＥＬ層１８６と、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するカソード電極層１８７とがこの順に積層された積層構造を有するように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを構成したので、以下の４つの理由により、小型化、薄型化および高性能化を実現することができる。
【００８０】
すなわち、第１に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂのうちの画素ピッチＰを規定する反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが高精度に微細形成可能である。
【００８１】
具体的には、素子領域ＦＲにおいて、ＣＭＰ法を使用して研磨することにより平坦化された層間絶縁層１７上に反射層１８１Ｒが形成されるため、フォトリソグラフィ法を使用して反射層１８１Ｒが高精度に微細形成可能である。また、素子領域ＦＧにおいて、平坦な層間絶縁層１７上に誘電体層１８２を介して反射層１８１Ｇが形成され、すなわち層間絶縁層１７の平坦性を反映して形成された誘電体層１８２のうちの平坦領域上に反射層１８１Ｇが形成されるため、フォトリソグラフィ法を使用して反射層１８１Ｇが高精度に微細形成可能である。さらに、素子領域ＦＢにおいて、平坦な層間絶縁層１７上に誘電体層１８２，１８３を介して反射層１８１Ｂが形成され、すなわち層間絶縁層１７の平坦性を反映して形成された誘電体層１８３のうちの平坦領域上に反射層１８１Ｂが形成されるため、フォトリソグラフィ法を使用して反射層１８１Ｂが高精度に微細形成可能である。なお、フォトリソグラフィ法を使用して反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂを形成する場合に、平坦な下地上において反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが高精度に微細形成可能である理由は、下地が非平坦である（凹凸構造を有する）場合には、パターン形成用のフォトレジストパターンを形成するためにフォトレジスト膜を露光する際に、非平坦な下地において散乱反射する反射光の影響を受けてフォトレジスト膜の露光範囲が意図せずに拡大または縮小するため、そのフォトレジストパターンを高精度に形成することは困難であるが、下地が平坦である場合には、上記したフォトレジスト膜の露光範囲の拡大または縮小を招く反射光の影響が小さくなるため、下地が非平坦である場合よりもフォトレジストパターンを高精度に形成することが可能だからである。
【００８２】
しかも、平坦な層間絶縁層１７上に誘電体層１８２，１８３を介して誘電体層１８４が形成され、すなわち素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて層間絶縁層１７の平坦性を反映して誘電体層１８４が平坦に形成されることに伴い、その誘電体層１８４のうちの平坦領域上にアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが形成されるため、フォトリソグラフィ法を使用してアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂも高精度に微細形成可能である。
【００８３】
これにより、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが高精度に微細形成可能であるため、それらの反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが非平坦な下地（凹凸構造を有する下地）上に形成される場合と比較して、画素ピッチＰを高精度に規定することが可能である。この場合には、特に、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが高精度に微細形成可能であると共に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが高密度に集積可能であるため、画素ピッチＰを約１０μｍ以下、好ましくは約５μｍ以下、より好ましくは約３μｍ以下まで狭めることが可能である。
【００８４】
第２に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂがそれぞれ有機ＥＬ層１８６から発生した光（例えば白色光）を共振長（光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ）の差異に基づく光の多重干渉現象を利用して赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢとして放出する場合に、その光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが誘電体層１８２〜１８４の厚さに基づいて規定され、すなわち光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが誘電体層１８２〜１８４の成膜厚さに基づいて規定される。具体的には、光学的距離ＬＲが誘電体層１８２〜１８４の成膜厚さの総和に基づいて規定され、光学的距離ＬＧが誘電体層１８３，１８４の成膜厚さの総和に基づいて規定され、光学的距離ＬＢが誘電体層１８４の成膜厚さに基づいて規定される。この場合には、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂとの間に３つの誘電体層１８２〜１８４に代えて１つの誘電体層を形成したのち、その誘電体層を素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢごとにエッチングして掘り下げることにより光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢに差異を設ける場合と比較して、それらの光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢの設定精度が向上する。なぜなら、所望の値となるように光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを設定する際に、ＣＶＤ法などの成膜手法を使用することにより成膜厚さ（成膜時の膜厚精度）に基づいて光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを設定する場合の設定精度は、イオンミリングや反応性イオンエッチングなどのエッチング手法を使用することによりエッチング深さ（エッチング時のエッチング量精度）に基づいて光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを設定する場合の設定精度よりも高くなるからである。これにより、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが高精度に設定されるため、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ所望の波長域の赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢを放出させることが可能である。
【００８５】
第３に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが共振器構造を有するため、それらの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにおいて有機ＥＬ層１８６から発生した光がそれぞれ反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとカソード電極層１８７との間で反射されることにより共振する。この場合には、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが共振器構造を有していない場合と比較して、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ放出される赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢの色純度が向上する。これにより、画像表示用の光Ｈに基づいて表示される画像の色再現性を向上させることが可能である。
【００８６】
第４に、上記したように、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて平坦な誘電体層１８４上にそれぞれアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが形成されることに基づき、それらの素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂおよび誘電体層１８４を含むほぼ平坦な下地上に有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７が形成されるため、素子領域ＦＲから素子領域ＦＧを経由して素子領域ＦＢまで連続的に延在するように有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７を形成した際に、それらの有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７が素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいてほぼ一律な厚さとなるように形成される。この場合には、有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７が非平坦な下地（凹凸構造を有する下地）上に形成される場合と比較して、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７のそれぞれの厚さが均一化される。これにより、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢにおいて有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７が高精度に形成されるため、有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７のそれぞれ形成厚さの均一化に基づいて、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間において発光性能が均一化される。
【００８７】
したがって、本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイでは、上記した４つの観点から説明したように、反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが高精度に微細形成可能であることに基づいて画素ピッチＰが狭められると共に、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの共振特性に寄与する光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが高精度に設定されることに基づいて色再現性が向上するため、小型化、薄型化および高性能化を実現することができる。
【００８８】
また、上記した他、本実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法では、上記した３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ、すなわち反射層１８１Ｒ、誘電体層１８２、反射層１８１Ｇ、誘電体層１８３、反射層１８１Ｂ、誘電体層１８４、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂ、有機ＥＬ層１８６およびカソード電極層１８７がこの順に積層された積層構造を有する３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成するために、スパッタリング法やＣＶＤ法などの成膜技術、フォトリソグラフィ法などのパターニング技術、ならびにドライエッチング法やウェットエッチング法などのエッチング技術を含む既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、既存の薄膜プロセスのみを使用して、小型、薄型かつ高性能な有機ＥＬディスプレイを容易に製造することができる。
【００８９】
また、本実施の形態では、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂおよびプラグ１９を形成する過程において、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢに差異を設けるためにエッチング処理を使用しないため、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢに差異を設けるためにエッチング処理を使用する場合、すなわち素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢごとに誘電体層をエッチングする必要がある場合と比較して、エッチング処理を実施する工程数が少なくて済む。この場合には、エッチング処理の影響を受けて光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが意図せずに目標値からずれたとしても、そのずれ量が小さくなる。しかも、本実施の形態では、例えば、コンタクトホール１７Ｈを形成するためにエッチング処理を実施した際に、そのエッチング処理の影響が誘電体層１８４に及び、すなわち誘電体層１８４が意図せずにエッチングされたとしても、その誘電体層１８４が素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢの全てにおいて同程度にエッチングされるため、素子領域ＦＲ，ＦＧ，ＦＢごとに誘電体層をエッチングする場合とは異なり、エッチング処理に伴う誘電体層１８４の膜減り量（膜厚の減少量）が有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間においてほぼ一律となる。したがって、エッチング処理に起因する光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢのずれが小さくなると共に、その光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢのずれ量が有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの間において均一化されるため、色再現性に代表される有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの表示性能のぶれを小さくすることができる。
【００９０】
また、本実施の形態では、誘電体層１８２，１８３と共に誘電体層１８４を併せて備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成したので、以下の理由により、反射層１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｂの形状（平面サイズ）に関する自由度を広げることができる。すなわち、誘電体層１８４を備えずに誘電体層１８２，１８３のみを備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成する場合には、反射層１８１Ｂが誘電体層１８４により覆われないため、アノード電極層１８５Ｂを形成する時点において反射層１８１Ｂが露出していることとなる。この場合には、エッチング処理を使用してアノード電極層１８５Ｂを形成する際に、そのエッチング雰囲気に反射層１８１Ｂが晒されないようにするために、アノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズよりも大きくなるように形状を調整することにより、そのアノード電極層１８５Ｂを利用して反射層１８１Ｂを保護する必要がある。これにより、反射層１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｂの形状が限定されるため、その形状に関する自由度が狭まってしまう。これに対して、誘電体層１８２，１８３と共に誘電体層１８４を併せて備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成する場合には、反射層１８１Ｂが誘電体層１８４により覆われるため、アノード電極層１８５Ｂを形成する時点において反射層１８１Ｂが誘電体層１８４により保護されていることとなる。この場合には、エッチング処理を使用してアノード電極層１８５Ｂを形成する際に、反射層１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｂの形状に関係なく、そのエッチング雰囲気に反射層１８１Ｂが晒されないため、アノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズよりも大きくなるように形状を調整する必要がない。すなわち、この場合には、アノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズよりも大きくなるように形状を設定することが可能な他、アノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズと等しくなり、あるいはアノード電極層１８５Ｂの平面サイズが反射層１８１Ｂの平面サイズよりも小さくなるように形状を設定することも可能となる。したがって、反射層１８１Ｂおよびアノード電極層１８５Ｂの形状が限定されないため、その形状に関する自由度が広がるのである。
【００９１】
特に、本実施の形態では、以下で説明する手法を使用すれば、エッチング処理の影響を受けて光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが意図せずに目標値からずれた場合においても、その光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを所望の値となるように修復することができる。
【００９２】
すなわち、図５〜図９に示したように、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、誘電体層１８２〜１８４の形成厚さ、アノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂの形成厚さ、ならびに有機ＥＬ層１８６の形成厚さの総和に基づいて規定される。この場合には、例えば、図７および図８に示したように、反射層１８１Ｒから誘電体層１８４に至る積層構造を形成したのち、誘電体層１８２〜１８４をエッチングすることによりコンタクトホール１７Ｈを形成した際に、そのエッチング処理の影響を受けて誘電体層１８４が意図せずにエッチングされることにより膜減りするおそれがある。この誘電体層１８４が膜減りした場合には、例えば、エッチング処理後の誘電体層１８４の厚さを測定することにより、その誘電体層１８４の膜減り量を把握したのち、後工程において誘電体層１８４の膜減り量を補填することにより、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを所望の値となるように修復することが可能である。具体的には、例えば、プラグ１９を形成したのちの工程において、誘電体層１８４の膜減り量分を加えた厚さとなるようにアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂまたは有機ＥＬ層１８６を形成し、その誘電体層１８４の膜減り分をアノード電極層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂまたは有機ＥＬ層１８６の水増し成膜厚さで解消させることにより、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを所望の値となるように修復することが可能である。
【００９３】
なお、本実施の形態では、シリコンを約１％含有するアルミニウムを使用して反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂを構成すると共に、それらの反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの厚さをそれぞれ約５０ｎｍ，約１５ｎｍ，約１５ｎｍとなるように設定し、すなわち反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの厚さが反射層１８１Ｒの厚さよりも小さくなるように設定したが、必ずしもこれに限られるものではない。
【００９４】
すなわち、上記実施の形態では、シリコンを約１％含有するアルミニウムを使用して反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの全てを構成することにより、共振特性を規定する関係式（３），（５），（７）を参照して説明したように、有機ＥＬ素子１８Ｒに関して０次（ｍ＝０）の干渉条件を選択した場合に、その有機ＥＬ素子１８Ｒの干渉条件に応じて有機ＥＬ素子１８Ｇに関して１次（ｍ＝１）および有機ＥＬ素子１８Ｂに関して１次（ｍ＝１）の干渉条件を設定することにより、それらの有機ＥＬ素子１８Ｇ，１８Ｂの共振効率を意図的に下げる必要があるため、反射層１８１Ｒの厚さを約５０ｎｍとする一方で、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの厚さを約１５ｎｍとし、すなわち反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを薄膜化する（反射率を下げる）ことにより有機ＥＬ素子１８Ｇ，１８Ｂの共振効率を意図的に２０％程度下げていた。
【００９５】
この場合には、上記したように反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを薄膜化することにより反射率を制御する代わりに、シリコンを約１％含有するアルミニウムよりも反射率が小さい他の材料を使用して反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを構成することによっても、それらの反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの反射率を制御することが可能である。具体的には、例えば、シリコンを約１％含有するアルミニウムを使用して約５０ｎｍの厚さとなるように反射層１８１Ｒを構成したまま、そのシリコンを約１％含有するアルミニウムに代えてチタン（Ｔｉ）を使用して約５０ｎｍの厚さとなるように反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを形成してもよい。この場合においても、有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにおいて上記実施の形態と同様の共振特性を得ることができる。
【００９６】
なお、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの反射率を制御する上で、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを薄膜化する場合と反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの構成材料を変更する場合との間において技術的効果を比較すると、以下の通りとなる。すなわち、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂを薄膜化する場合には、シリコンを約１％含有するアルミニウムの安定な反射特性に基づいて、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂに関して安定な反射特性が得られるため、主に、有機ＥＬディスプレイの性能面において利点が得られる。一方、反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの構成材料を変更する場合には、それらの反射層１８１Ｇ，１８１Ｂの厚さを反射層１８１Ｒの厚さと同様に比較的大きく設定することが可能であり、すなわち反射層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂを所望の厚さとなるように容易かつ安定に形成することが可能であるため、主に、有機ＥＬディスプレイの製造面において利点が得られる。
【００９７】
また、本実施の形態では、図２に示したように、誘電体層１８２，１８３と共に誘電体層１８４を併せて備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図２に対応する図１０に示したように、誘電体層１８４を備えずに誘電体層１８２，１８３のみを備えるように３つの有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを構成してもよい。図１０に示した有機ＥＬディスプレイは、誘電体層１８４を形成しない点を除き、上記実施の形態において図５〜図９を参照して説明した有機ＥＬディスプレイの製造手順と同様の手順を経ることにより製造可能である。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、図１０に示した有機ＥＬディスプレイに関する上記以外の構成は、図２に示した場合と同様である。
【００９８】
以上、実施の形態を挙げて本発明の有機発光装置およびその製造方法を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の有機発光装置の構造ならびに有機発光装置の製造方法の手順は、上記実施の形態と同様の効果を得ることが可能な限りにおいて、自由に変更可能である。
【００９９】
具体的には、例えば、上記実施の形態では、図４に示したように、ホール注入層１８６１、ホール輸送層１８６２、発光層１８６３および電子輸送層１８６４を含む４層構造を有するように有機ＥＬ層１８６を構成すると共に、赤色発光層１８６３Ｒ、緑色発光層１８６３Ｇおよび青色発光層１８６３Ｂを含む３層構造を有するように発光層１８６３を構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢの差異に基づく光の多重干渉現象を使用して有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからそれぞれ赤色光ＨＲ，緑色光ＨＧ，青色光ＨＢを放出させることが可能な限りにおいて、それらの有機ＥＬ層１８６および発光層１８６３の構造（積層数や各層の材料など）は自由に変更可能である。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１００】
また、上記実施の形態では、関係式（３），（５），（７）を参照して説明したように、共振特性を規定する関係式中のｍの値を有機ＥＬ素子１８Ｒに関してｍ＝０、有機ＥＬ素子１８Ｇに関してｍ＝１、有機ＥＬ素子１８Ｂに関してｍ＝１となるように設定したが、必ずしもこれに限られるものではなく、ｍの値は有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに自由に設定可能でる。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明に係る有機発光装置およびその製造方法は、有機ＥＬディスプレイおよびその製造方法に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの断面構成を表す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの他の断面構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した有機ＥＬディスプレイのうちの主要部（有機ＥＬ素子）を拡大して模式的に表す図である。
【図４】図１に示した有機ＥＬディスプレイのうちの他の主要部（有機ＥＬ層）を拡大して模式的に表す断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法のうちの一工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの構成に関する変形例を表す断面図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０…駆動パネル、１１…駆動用基板、１２…ＴＦＴ、１３…絶縁層、１４，１６…駆動配線、１５…平坦化絶縁層、１７…層間絶縁層、１７Ｈ…コンタクトホール、１８（１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ）…有機ＥＬ素子、１９…プラグ、２０…保護層、２１…導電層、３０…封止パネル、３１…封止用基板、３２…カラーフィルタ、３２Ｂ…青色領域、３２Ｇ…緑色領域、３２Ｒ…赤色領域、４０…接着層、１８１Ｂ，１８１Ｇ，１８１Ｒ…反射層、１８２，１８３，１８４…誘電体層、１８５Ｂ，１８５Ｇ，１８５Ｒ…アノード電極層、１８６…有機ＥＬ層、１８７…カソード電極層、１８６１…ホール注入層、１８６２…ホール輸送層、１８６３…発光層、１８６３Ｂ…青色発光層、１８６３Ｇ…緑色発光層、１８６３…赤色発光層、ＦＢ，ＦＧ，ＦＲ…素子領域、Ｈ…画像表示用の光、ＨＢ…青色光、ＨＧ…緑色光、ＨＲ…赤色光、ＬＢ，ＬＧ，ＬＲ…光学的距離、ＮＢ，ＮＧ，ＮＲ…発光点、Ｐ…画素ピッチ、ＴＢ１，ＴＢ２，ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＲ１，ＴＲ２…端面。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置であって、
前記３つの有機発光素子が、
前記第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、
前記第１の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、
前記第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、
前記第２の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第２の誘電体層と、
前記第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、
前記第３の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第３の誘電体層と、
前記第１の素子領域、前記第２の素子領域および前記第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と、
前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する前記発光層を含む層と、
前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層と、がこの順に積層された積層構造を有している
ことを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記３つの有機発光素子が、
前記第１の素子領域に配置され、前記第１の反射層と、前記第１の誘電体層と、前記第２の誘電体層と、前記第３の誘電体層と、前記第１の透明電極層と、前記発光層を含む層と、前記共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有する第１の有機発光素子と、
前記第２の素子領域に配置され、前記第２の反射層と、前記第２の誘電体層と、前記第３の誘電体層と、前記第２の透明電極層と、前記発光層を含む層と、前記共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有する第２の有機発光素子と、
前記第３の素子領域に配置され、前記第３の反射層と、前記第３の誘電体層と、前記第３の透明電極層と、前記発光層を含む層と、前記共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有する第３の有機発光素子と、を含んでいる
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記発光層を含む層のうちの発光層は、前記第１の有機発光素子、前記第２の有機発光素子および前記第３の有機発光素子の間において互いに等しい色の光を発生させるものであり、
前記第１の誘電体層、前記第２の誘電体層および前記第３の誘電体層のそれぞれの厚さは、前記第１の有機発光素子、前記第２の有機発光素子および前記第３の有機発光素子が前記発光層において発生した光をそれぞれ赤色の光、緑色の光および青色の光として放出可能となるように設定されている
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記第１の反射層、前記第２の反射層または前記第３の反射層と前記共通電極層との間の距離は、下記の関係式を満たしている
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（ただし、「Ｌ」は第１の反射層、第２の反射層または第３の反射層と共通電極層との間の距離（光学的距離）、「λ」は放出したい光のスペクトルのピーク波長、「Φ」は第１の反射層、第２の反射層、第３の反射層および共通電極層で生じる反射光の位相シフト、「ｍ」は０または整数をそれぞれ表している。）
【請求項５】
前記３つの有機発光素子に基づいて規定される画素ピッチが、１０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
【請求項６】
第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置の製造方法であって、
前記３つの有機発光素子を形成する工程が、
基体上の前記第１の素子領域に、第１の反射層を選択的に形成する第１の工程と、
前記第１の反射層と共にその周辺の前記基体を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第１の誘電体層を形成する第２の工程と、
前記第１の誘電体層上の前記第２の素子領域に、第２の反射層を選択的に形成する第３の工程と、
前記第２の反射層と共にその周辺の前記第１の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第２の誘電体層を形成する第４の工程と、
前記第２の誘電体層上の前記第３の素子領域に、第３の反射層を選択的に形成する第５の工程と、
前記第３の反射層と共にその周辺の前記第２の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第３の誘電体層を形成する第６の工程と、
前記第３の誘電体層上の前記第１の素子領域、前記第２の素子領域および前記第３の素子領域に、第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層をそれぞれ選択的に形成する第７の工程と、
前記第１の透明電極層、前記第２の透明電極層および前記第３の透明電極層と共にそれらの周辺の前記第３の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、前記発光層を含む層を形成する第８の工程と、
前記発光層を含む層上に、前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、共通電極層を形成する第９の工程と、を含む
ことを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記基体の表面を研磨することにより平坦化する第１０の工程を含み、
前記第１の工程において、平坦化された前記基体上に前記第１の反射層を形成する
ことを特徴とする請求項６記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項８】
第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置であって、
前記３つの有機発光素子が、
前記第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、
前記第１の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、
前記第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、
前記第２の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第２の誘電体層と、
前記第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、
前記第１の素子領域、前記第２の素子領域および前記第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と、
前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する前記発光層を含む層と、
前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層と、がこの順に積層された積層構造を有している
ことを特徴とする有機発光装置。
【請求項９】
第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置の製造方法であって、
前記３つの有機発光素子を形成する工程が、
基体上の前記第１の素子領域に、第１の反射層を選択的に形成する第１の工程と、
前記第１の反射層と共にその周辺の前記基体を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第１の誘電体層を形成する第２の工程と、
前記第１の誘電体層上の前記第２の素子領域に、第２の反射層を選択的に形成する第３の工程と、
前記第２の反射層と共にその周辺の前記第１の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第２の誘電体層を形成する第４の工程と、
前記第２の誘電体層上の前記第３の素子領域に、第３の反射層を選択的に形成する第５の工程と、
前記第１の素子領域、前記第２の素子領域および前記第３の素子領域に、第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層をそれぞれ選択的に形成する第６の工程と、
前記第１の透明電極層、前記第２の透明電極層および前記第３の透明電極層と共にそれらの周辺の前記第２の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、前記発光層を含む層を形成する第７の工程と、
前記発光層を含む層上に、前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、共通電極層を形成する第８の工程と、を含む
ことを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項１】
第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置であって、
前記３つの有機発光素子が、
前記第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、
前記第１の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、
前記第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、
前記第２の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第２の誘電体層と、
前記第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、
前記第３の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第３の誘電体層と、
前記第１の素子領域、前記第２の素子領域および前記第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と、
前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する前記発光層を含む層と、
前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層と、がこの順に積層された積層構造を有している
ことを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記３つの有機発光素子が、
前記第１の素子領域に配置され、前記第１の反射層と、前記第１の誘電体層と、前記第２の誘電体層と、前記第３の誘電体層と、前記第１の透明電極層と、前記発光層を含む層と、前記共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有する第１の有機発光素子と、
前記第２の素子領域に配置され、前記第２の反射層と、前記第２の誘電体層と、前記第３の誘電体層と、前記第２の透明電極層と、前記発光層を含む層と、前記共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有する第２の有機発光素子と、
前記第３の素子領域に配置され、前記第３の反射層と、前記第３の誘電体層と、前記第３の透明電極層と、前記発光層を含む層と、前記共通電極層とがこの順に積層された積層構造を有する第３の有機発光素子と、を含んでいる
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記発光層を含む層のうちの発光層は、前記第１の有機発光素子、前記第２の有機発光素子および前記第３の有機発光素子の間において互いに等しい色の光を発生させるものであり、
前記第１の誘電体層、前記第２の誘電体層および前記第３の誘電体層のそれぞれの厚さは、前記第１の有機発光素子、前記第２の有機発光素子および前記第３の有機発光素子が前記発光層において発生した光をそれぞれ赤色の光、緑色の光および青色の光として放出可能となるように設定されている
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記第１の反射層、前記第２の反射層または前記第３の反射層と前記共通電極層との間の距離は、下記の関係式を満たしている
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（ただし、「Ｌ」は第１の反射層、第２の反射層または第３の反射層と共通電極層との間の距離（光学的距離）、「λ」は放出したい光のスペクトルのピーク波長、「Φ」は第１の反射層、第２の反射層、第３の反射層および共通電極層で生じる反射光の位相シフト、「ｍ」は０または整数をそれぞれ表している。）
【請求項５】
前記３つの有機発光素子に基づいて規定される画素ピッチが、１０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
【請求項６】
第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置の製造方法であって、
前記３つの有機発光素子を形成する工程が、
基体上の前記第１の素子領域に、第１の反射層を選択的に形成する第１の工程と、
前記第１の反射層と共にその周辺の前記基体を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第１の誘電体層を形成する第２の工程と、
前記第１の誘電体層上の前記第２の素子領域に、第２の反射層を選択的に形成する第３の工程と、
前記第２の反射層と共にその周辺の前記第１の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第２の誘電体層を形成する第４の工程と、
前記第２の誘電体層上の前記第３の素子領域に、第３の反射層を選択的に形成する第５の工程と、
前記第３の反射層と共にその周辺の前記第２の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第３の誘電体層を形成する第６の工程と、
前記第３の誘電体層上の前記第１の素子領域、前記第２の素子領域および前記第３の素子領域に、第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層をそれぞれ選択的に形成する第７の工程と、
前記第１の透明電極層、前記第２の透明電極層および前記第３の透明電極層と共にそれらの周辺の前記第３の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、前記発光層を含む層を形成する第８の工程と、
前記発光層を含む層上に、前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、共通電極層を形成する第９の工程と、を含む
ことを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記基体の表面を研磨することにより平坦化する第１０の工程を含み、
前記第１の工程において、平坦化された前記基体上に前記第１の反射層を形成する
ことを特徴とする請求項６記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項８】
第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置であって、
前記３つの有機発光素子が、
前記第１の素子領域に選択的に配置された第１の反射層と、
前記第１の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第１の誘電体層と、
前記第２の素子領域に選択的に配置された第２の反射層と、
前記第２の反射層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する第２の誘電体層と、
前記第３の素子領域に選択的に配置された第３の反射層と、
前記第１の素子領域、前記第２の素子領域および前記第３の素子領域にそれぞれ選択的に配置された第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層と、
前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する前記発光層を含む層と、
前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在する共通電極層と、がこの順に積層された積層構造を有している
ことを特徴とする有機発光装置。
【請求項９】
第１の素子領域、第２の素子領域および第３の素子領域にそれぞれ配置され、発光層を含む層において発生した光を互いに異なる３色の光として放出する３つの有機発光素子を備えた有機発光装置の製造方法であって、
前記３つの有機発光素子を形成する工程が、
基体上の前記第１の素子領域に、第１の反射層を選択的に形成する第１の工程と、
前記第１の反射層と共にその周辺の前記基体を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第１の誘電体層を形成する第２の工程と、
前記第１の誘電体層上の前記第２の素子領域に、第２の反射層を選択的に形成する第３の工程と、
前記第２の反射層と共にその周辺の前記第１の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、第２の誘電体層を形成する第４の工程と、
前記第２の誘電体層上の前記第３の素子領域に、第３の反射層を選択的に形成する第５の工程と、
前記第１の素子領域、前記第２の素子領域および前記第３の素子領域に、第１の透明電極層、第２の透明電極層および第３の透明電極層をそれぞれ選択的に形成する第６の工程と、
前記第１の透明電極層、前記第２の透明電極層および前記第３の透明電極層と共にそれらの周辺の前記第２の誘電体層を覆いながら前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、前記発光層を含む層を形成する第７の工程と、
前記発光層を含む層上に、前記第１の素子領域から前記第２の素子領域を経由して前記第３の素子領域まで連続的に延在するように、共通電極層を形成する第８の工程と、を含む
ことを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００６−２７８２５７（Ｐ２００６−２７８２５７Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１２日（２００６．１０．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−９９１６８（Ｐ２００５−９９１６８）
【出願日】平成１７年３月３０日（２００５．３．３０）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１２日（２００６．１０．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月３０日（２００５．３．３０）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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