【課題】大気雰囲気下であっても酸化されにくく、機能的にも劣化しにくい電荷注入層を備えた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極２０Ａと、第１のソース／ドレイン電極６０Ａと、第２のソース／ドレイン電極６０Ｂと、前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記ゲート電極との間に設けられる有機半導体層４０と、前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記有機半導体層の間において、前記第１および第２のソース／ドレイン電極に接して配置される電荷注入層５０とを備える有機薄膜トランジスタ１０において、前記電荷注入層は、電荷注入特性を有するイオン性ポリマーを含有する、有機薄膜トランジスタ。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
第１のソース／ドレイン電極と、
第２のソース／ドレイン電極と、
前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記ゲート電極との間に設けられる有機半導体層と、
前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記有機半導体層の間において、前記第１および第２のソース／ドレイン電極に接して配置される電荷注入層とを備える有機薄膜トランジスタにおいて、
前記電荷注入層は、電荷注入特性を有するイオン性ポリマーを含有する、有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
導電型電荷注入層の導電型がｎ型であり、
有機半導体層の導電型がｎ型である、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記有機半導体層と前記ゲート電極との間において、前記ゲート電極と接して配置されるゲート絶縁層を有し、
前記ゲート電極は、ｎ型半導体基板からなる、請求項２に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタを備える、有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ基板を駆動基板として備える、表示装置。
【請求項６】
ゲート電極と、
第１のソース／ドレイン電極と、
第２のソース／ドレイン電極と、
前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記ゲート電極との間に設けられる有機半導体層と、
前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記有機半導体層との間において、前記第１および第２のソース／ドレイン電極に接して配置される電荷注入層とをそれぞれ形成する、有機薄膜トランジスタの製造方法において、
電荷注入特性を有するイオン性ポリマーを含有する電荷注入層を形成する工程を備える、有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記電荷注入層を形成する工程では、常圧の雰囲気下で、イオン性ポリマーを含有する塗工液を塗布成膜することにより前記電荷注入層を形成する、請求項６に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記第１および第２のソース／ドレイン電極を、常圧の雰囲気下で塗工液を塗布成膜することにより形成する、請求項６または７に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記有機半導体層を、常圧の雰囲気下で塗工液を塗布成膜することにより形成する、請求項６〜８のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【公開番号】特開２０１２−５４３２５（Ｐ２０１２−５４３２５Ａ）
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９４２８７（Ｐ２０１０−１９４２８７）
【出願日】平成２２年８月３１日（２０１０．８．３１）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】