説明

有機電界発光素子

【課題】駆動電圧が低く、高い発光効率の有機電界発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に、一対の電極と、該一対の電極間に配置された少なくとも2層の発光層と、該少なくとも2層の発光層間に配置された電荷輸送材料を含有する中間層と、を有し、前記少なくとも2層の発光層は、各々、青色燐光発光材料、緑色燐光発光材料、及び赤色燐光発光材料より選ばれる少なくとも1つの燐光発光材料を含有し、当該少なくとも2層の発光層に含有される燐光発光材料は互いに異なる発光ピークを持ち、且つ、前記中間層が含有する電荷輸送材料は、基底状態と励起三重項状態とのエネルギー差(T1)が2.7eV以上であり、且つ、前記少なくとも2層の発光層に含有される燐光発光材料の内の最も短波長発光の燐光発光材料のT1より0.15eV以上高いものである有機電界発光素子。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はフルカラーディスプレイ、バックライト、照明光源等の面光源やプリンター等の光源アレイ等に有効に利用できる有機電界発光素子(以下、有機EL素子と呼ぶ場合がある。)に関する。
【背景技術】
【0002】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機EL素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
【0003】
有機EL素子は、発光層若しくは発光層を含む複数の有機層と、有機層を挟んだ対向電極とから構成されている。有機EL素子は、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機層において再結合し、生成した励起子からの発光、及び前記励起子からエネルギー移動して生成した他の分子の励起子からの発光の少なくとも一方を利用した発光を得るための素子である。
【0004】
有機EL素子は、複数の発光色を組み合わせる混色によってさまざまな発光色の発光が可能となることも特徴である。
発光色の中で、特に白色発光のニーズは高い。白色発光は、一般照明における省電力、車載ディスプレイ、或いはバックライトとしても活用できる。更に、カラーフィルタを用いて青、緑、赤の画素に分けることが可能であり、フルカラー表示装置も可能である。
【0005】
例えば、発光層に2種以上の異なる発光材料を含有し、該発光材料の少なくとも1種がオルトメタル化錯体とすることが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、発光層中で複数の発光材料がそれぞれ励起子エネルギーレベルに差があり、共に効率良く発光させるのは容易ではない。また、生成した励起子が隣接層に拡散し、消光されたりするため、効率が低下する問題があった。
【0006】
また、発光ピーク波長が500nm以下の青色燐光発光材料とホスト材料を含有する発光層の構成において、ホスト材料の基底状態と励起三重項状態とのエネルギー差(T1)が青色燐光発光材料のT1より1.05倍以上1.38倍以下となる青色燐光発光材料とホスト材料の組合せの発光層が高い発光効率を与えることが開示されている(例えば、特許文献2参照)。ホスト材料として、特定構造のアゾール化合物が開示されている。
更に、青色燐光発光材料を発光させるためには、大きな励起3重項エネルギーが必要であって、発光層の電荷輸送材料として特定構造のカルバゾール化合物が大きな励起3重項エネルギーを有していることから、青色燐光発光材料と該カルバゾール化合物を含有する発光層は、高効率の青色燐光発光を与えるとされている(例えば、特許文献3参照)。
しかしながら、特許文献2,3の構成では、依然として、発光層から隣接層に漏れ出す励起子による非効率化を改良することはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開2001−319780号公報
【特許文献2】特開2002−100476号公報
【特許文献3】特開2004−273128号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、駆動電圧が低く、発光効率が高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。特に、白色発光素子として有用な有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の上記課題は、下記の手段により解決されるものである。
<1> 基板上に、一対の電極と、該一対の電極間に配置された少なくとも2層の発光層と、該少なくとも2層の発光層間に配置された電荷輸送材料を含有する中間層と、を有し、
1)前記少なくとも2層の発光層は、各々、420nm以上500nm未満に発光ピークを持つ青色燐光発光材料、500nm以上570nm未満に発光ピークを持つ緑色燐光発光材料、及び570nm以上650nm以下に発光ピークを持つ赤色燐光発光材料より選ばれる少なくとも1つの燐光発光材料を含有すると共に、当該少なくとも2層の発光層に含有される燐光発光材料は互いに異なる発光ピークを持つものであり、且つ、
2)前記中間層が含有する電荷輸送材料は、基底状態と励起三重項状態とのエネルギー差(T1)が2.7eV以上であり、且つ、前記少なくとも2層の発光層に含有される燐光発光材料の内の最も短波長発光の燐光発光材料のT1より0.15eV以上高い電荷輸送材料であることを特徴とする有機電界発光素子。
<2> 前記発光層が、前記青色燐光発光材料を含有する層、及び、前記緑色燐光発光材料と前記赤色燐光発光材料とを含有する層の2層からなることを特徴とする<1>に記載の有機電界発光素子。
<3> 前記発光層が、前記青色燐光発光材料を含有する層、前記緑色燐光発光材料を含有する層、及び、前記赤色燐光発光材料を含有する層をこの順に配置された3層からなり、且つ、
前記中間層が、前記青色燐光発光材料を含有する層と前記緑色燐光発光材料を含有する層との間に配置された第1の中間層、及び、前記緑色燐光発光材料を含有する層と前記赤色燐光発光材料を含有する層との間に配置された第2の中間層であることを特徴とする<1>に記載の有機電界発光素子。
<4> 前記発光層が、前記緑色燐光発光材料を含有する層、前記青色燐光発光材料を含有する層、及び、前記赤色燐光発光材料を含有する層のこの順に配置された3層からなり、且つ、
前記中間層が、前記緑色燐光発光材料を含有する層と前記青色燐光発光材料を含有する層との間に配置された第1の中間層、及び、前記青色燐光発光材料を含有する層と前記赤色燐光発光材料を含有する層との間に配置された第2の中間層であることを特徴とする<1>に記載の有機電界発光素子。
<5> 前記中間層の膜厚が、0.1nm以上10nm以下であることを特徴とする<1>〜<4>のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、駆動電圧が低く、発光効率が高い有機電界発光素子が提供される。特に、白色発光素子として有用な有機電界発光素子が提供される。
本発明の有機EL素子は、少なくとも2層の発光層を有する有機電界発光素子であって、前記発光層間に高T1の電荷輸送材料を含有する中間層が配置されている。該中間層は、最低励起三重項エネルギーの高い燐光発光材料を含有する発光層で生成した励起子が、最低励起三重項エネルギーがより低い燐光発光材料を含有する他方の発光層へ励起子の拡散を阻止している。また、該中間層は電荷輸送材料を含有するため電荷移動を妨げることがない。従って、各発光層で生成した励起子は、各層内に閉じ込められ、該層内で有効に発光することができるので、発光効率が向上する。本発明における中間層は、電荷移動を妨げることがなく、また、薄層で機能することができるので、駆動電圧を増加させることなく、かつ、駆動耐久性を高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る有機電界発光素子の断面構成を示す概念図である。
【図2】本発明の第2の実施形態に係る有機電界発光素子の断面構成を示す概念図である。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る有機電界発光素子の変更例の断面構成を示す概念図である。
【図4】本発明の第2の実施形態に係る有機電界発光素子の変更例の断面構成を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の有機電界発光素子について詳細に説明する。
一般的に、発光層中に赤(R)緑(G)青(B)の各色に対応した燐光発光材料を含ませて白色発光する有機電界発光素子を製造する場合、最低励起三重項エネルギー準位(T1)が高い青色発光材料から、T1が低い緑色発光材料又は赤色発光材料に励起子のエネルギー移動が生じるため、例えば、各発光材料のドープ濃度を同等にすると、青色がほとんど発光せず、白色発光が得られない。このため、発光層内での三重項励起子のエネルギー移動を抑制し、確実に白色を得る手法として、発光層を2層或いは3層に分割し、RGB各色に対応した発光材料を、それぞれ別の発光層に分離して添加し、各層内でそれぞれの色を確実に発光させる構成を有する白色発光素子が知られている。具体的には、例えば、青色燐光発光材料を含んだ発光層(以下、適宜「B発光層」と称する)と、緑色燐光発光材料及び赤色燐光発光材料を含んだ発光層(以下、適宜「GR発光層」と称する)と、に発光層を分割した態様、又は、青色燐光発光材料を含んだ発光層(B発光層)、緑色燐光発光材料を含んだ発光層(以下、適宜「G発光層」と称する)、及び、赤色燐光発光材料を含んだ発光層(以下、適宜「R発光層」と称する)に発光層を分割した態様などである。
しかしながら、上記のように発光層を分割した場合であっても、T1が高い燐光発光材料を含んだ発光層から、隣接するT1がより低い燐光発光材料を含有する他方の発光層へ励起子エネルギーが拡散してしまう問題が生じる。その対策として、R,G,Bの各発光層の膜厚を厚く調整して対応することが知られているが、この対応では、駆動電圧、駆動耐久性、外部量子効率等の素子の特性が犠牲となる弊害を生じる。
【0013】
本発明者らは、検討を行った結果、青色発光材料から緑色及び赤色の各発光材料への励起子のエネルギー移動は、電荷輸送性材料(ホスト材料)を経由すると考えられることから、T1の高い電荷輸送材料を薄層として各発光層間に挟むことにより、励起子のエネルギー移動の抑制が可能となり、各発光層内で確実に各色を発光させることが可能となり、駆動電圧が低く、外部量子効率が高く、駆動耐久性も高い白色発光の有機電界発光素子を提供できることを見出した。
【0014】
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、一対の電極と、該一対の電極間に配置された少なくとも2層の発光層と、該少なくとも2層の発光層間に配置された電荷輸送材料を含有する中間層と、を有し、
1)前記少なくとも2層の発光層は、各々、420nm以上500nm未満に発光ピークを持つ青色燐光発光材料、500nm以上570nm未満に発光ピークを持つ緑色燐光発光材料、及び570nm以上650nm以下に発光ピークを持つ赤色燐光発光材料より選ばれる少なくとも1つの燐光発光材料を含有すると共に、当該少なくとも2層の発光層に含有される燐光発光材料は互いに異なる発光ピークを持つものであり、且つ、
2)前記中間層が含有する電荷輸送材料は、基底状態と励起三重項状態とのエネルギー差(T1)が2.7eV以上であり、且つ、前記少なくとも2層の発光層に含有される燐光発光材料の内の最も短波長発光の燐光発光材料のT1より0.15eV以上高い電荷輸送材料であることを特徴とする。
【0015】
本発明では、少なくとも2層の発光層が、上述の青色、緑色、及び赤色の燐光発光材料のいずれか1つを含有しており、それらが互いに異なる発光ピークを有するものであれば、特に限定されない。そのため、発光層の各々含まれる燐光発光材料は用途等に応じて選択すればよいが、上述の中間層の設置による励起子のエネルギー移動の抑制効果を高め、更には、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光色の混色によって白色発光させる有機電界発光素子とするためには、以下の態様であることが好ましい。
例えば、発光層が2層の場合には、一方の発光層に、上述の青色、緑色、及び赤色の燐光発光材料の内いずれか1色の燐光発光材料を含有させ、他方の発光層に、残りの2色の燐光発光材料を含有させることが好ましい。青色、緑色、及び赤色の3色の燐光発光材料をどちらの発光層にどのような組み合わせで含有させるのかについては、特に限定されないが、前述のように、青色燐光発光材料から緑色及び赤色の各発光材料への励起子のエネルギー移動が問題となる場合には、一方の発光層に青色燐光発光材料を、他方の発光層に緑色及び赤色の各燐光発光材料を含有させることが好ましい。
また、発光層が3層の場合には、3つの発光層の各々に、上述の青色、緑色、及び赤色の燐光発光材料の内、互いに異なる色の燐光発光材料を含有させることが好ましい。
【0016】
本発明の有機電界発光素子は、必要に応じて他の機能層を有してもよい。例えば、以下のような層構成を採用することができるが、これらに限定されず、目的等に応じて適宜決めればよい。
以下に示す層構成では、(1)〜(8)において陽極側に第1の発光層、陰極側に第2の発光層が配置され、又は、(9)〜(16)において陽極側に第1の発光層、陰極側に第3の発光層が配置されているが、(1)〜(8)における第1の発光層と第2の発光層の位置は、又は、(9)〜(16)における第1の発光層と第3の発光層の位置は、互いに逆であってもよい。
【0017】
(1)陽極/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/電子輸送層/陰極
(2)陽極/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(3)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/電子ブロック層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/電子輸送層/陰極
(6)陽極/正孔輸送層/電子ブロック層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/電子ブロック層/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/電子輸送層/陰極
(8)陽極/正孔注入層/電子ブロック層/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(9)陽極/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/中間層/第3の発光層/電子輸送層/陰極
(10)陽極/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/中間層/第3の発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(11)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/中間層/第3の発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極
(12)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/中間層/第3の発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(13)陽極/正孔輸送層/電子ブロック層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/中間層/第3の発光層/電子輸送層/陰極
(14)陽極/正孔輸送層/電子ブロック層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/中間層/第3の発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(15)陽極/正孔注入層/電子ブロック層/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/中間層/第3の発光層/電子輸送層/陰極
(16)陽極/正孔注入層/電子ブロック層/正孔輸送層/第1の発光層/中間層/第2の発光層/中間層/第3の発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
【0018】
次に、本発明の有機電界発光素子の構成を図面により、詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る有機電界発光素子の断面構成を示す概念図である。
図1に示される有機電界発光素子10Aは、基板1上に、対向配置された一対の電極2,8と、これらの電極2,8に挟まれた有機層(正孔注入層3、正孔輸送層4、第1の発光層5−1、中間層9、第2の発光層5−2、及び電子輸送層6、電子注入層7)と、を有しており、発光層が2層からなる態様を示している。
以下の説明においては、適宜、陽極2が、基板1に接する下部電極として機能する構成について説明するが、一対の電極2,8と有機層(正孔注入層3、正孔輸送層4、第1の発光層5−1、中間層9、第2の発光層5−2、及び電子輸送層6、電子注入層7)との積層順はそのままで、上下を逆にし、陰極8が、基板1に接する下部電極として機能するような構成としてもよい。
【0019】
第1の発光層5−1及び第2の発光層5−2は、電界印加時に、陽極2、正孔注入層3、又は正孔輸送層4から正孔を受け取り、陰極8、電子注入層7、又は電子輸送層6から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
有機電界発光素子10Aでは、第1の発光層5−1は、青色発光(B発光)層であり、420nm以上500nm未満に発光ピークを持つ青色燐光発光材料を含有する。一方、第2の発光層5−2は、緑色と赤色の発光(G+R発光)層であり、500nm以上570nm未満に発光ピークを持つ緑色燐光発光材料と、570nm以上650nm以下に発光ピークを持つ赤色燐光発光材料を含有する。
また、第1の発光層5−1と第2の発光層5−2の間には中間層9が配置されている。この中間層9は、基底状態と励起三重項状態とのエネルギー差(T1)が2.7eV以上である電荷輸送材料であって、且つ、第1の発光層5−1及び第2の発光層5−2に含有される燐光発光材料の内の最も短波長発光の燐光発光材料のT1より0.08eV以上高い電荷輸送材料を含有する。
【0020】
また、2層の発光層を有する態様としては、図3に示される有機電界発光素子10Bのようなものであってもよい。ここで、図3は、図1に示される、本発明の第1の実施形態に係る有機電界発光素子の変更例の断面構成を示す概念図である。
図3に示されるように、有機電界発光素子10Bは、第1の発光層25−1が、500nm以上570nm未満に発光ピークを持つ緑色燐光発光材料と、570nm以上650nm以下に発光ピークを持つ赤色燐光発光材料と、を含有する、緑色と赤色の発光(G+R発光)層であり、また、第2の発光層25−2が、420nm以上500nm未満に発光ピークを持つ青色燐光発光材料を含有する、青色発光(B発光)層である以外は、図1に示される有機電界発光素子10Aと同様の層構成を有する。つまり、有機電界発光素子10Bでは、第1の発光層25−1と第2の発光層25−2との間に中間層29が配置される。
【0021】
なお、中間層9による励起子のエネルギー移動の抑制効果の観点から、図1に示されるように、第1の発光層5−1が青色発光層で、第2の発光層5−2が緑色と赤色の発光層であること、図3に示されるように、第1の発光層25−1が緑色と赤色の発光層で、第2の発光層25−2が青色発光層であることが好ましいが、本発明はこれらの組み合わせに限定されるものではない。
つまり、図1及び図3に例示されるように、発光層が2層からなる場合、一方の発光層に、青色、緑色、及び赤色のいずれか1色の燐光発光材料が含有され、他方の発光層に、残りの2色の燐光発光材料が含有されていれば、本発明の有機電界発光素子となり、本発明の効果を十分に得ることができる。これは、後述する実施例3〜5に記載の本発明の素子においても立証されていることである。
【0022】
図2は、本発明の第2の実施形態に係る有機電界発光素子の断面構成を示す概念図である。
図2に示される有機電界発光素子100Aは、対向配置された一対の電極2,8と、これらの電極2,8に挟まれた有機層(正孔注入層3、正孔輸送層4、第1の発光層15−1、第1の中間層19−1、第2の発光層15−2、第2の中間層19−2、第3の発光層15−3、及び電子輸送層6、電子注入層7)とを有しており、発光層が3層からなる態様を示している。
以下の説明においては、適宜、陽極2が、基板1に接する下部電極として機能する構成について説明するが、一対の電極2,8と有機層(正孔注入層3、正孔輸送層4、第1の発光層15−1、第1の中間層19−1、第2の発光層15−2、第2の中間層19−2、第3の発光層15−3、及び電子輸送層6、電子注入層7)との積層順はそのままで、上下を逆にし、陰極8が、基板1に接する下部電極として機能するような構成としてもよい。
【0023】
有機電界発光素子100Aにおいて、第1の発光層15−1は青色発光(B発光)層であり、420nm以上500nm未満に発光ピークを持つ青色燐光発光材料を含有する。第2の発光層15−2は緑色発光(G発光)層であり、500nm以上570nm未満に発光ピークを持つ緑色燐光発光材料を含有する。更に、第3の発光層15−3は赤色発光(R発光)層であり、570nm以上650nm以下に発光ピークを持つ赤色燐光発光材料を含有する。
また、第1の発光層15−1と第2の発光層15−2との間には第1の中間層19−1が、また、第2の発光層15−2と第3の発光層15−3との間には第2の中間層19−2が配置されている。
この第1の中間層19−1及び第1の中間層19−2は、それぞれ、基底状態と励起三重項状態とのエネルギー差(T1)が2.7eV以上である電荷輸送材料であって、且つ、第1の発光層15−1及び第2の発光層15−2に含有される燐光発光材料の内の最も短波長発光の燐光発光材料のT1より0.08eV以上高い電荷輸送材料を含有する。
【0024】
また、3層の発光層を有する態様としては、図4に示される有機電界発光素子100Bのようなものであってもよい。ここで、図4は、図2に示される、本発明の第2の実施形態に係る有機電界発光素子の変更例の断面構成を示す概念図である。
図4に示されるように、有機電界発光素子100Bは、第1の発光層35−1が、500nm以上570nm未満に発光ピークを持つ緑色燐光発光材料を含有する緑色発光(G発光)層であり、第2の発光層35−2が、420nm以上500nm未満に発光ピークを持つ青色燐光発光材料を含有する青色発光(B発光)層であり、第3の発光層35−3が、570nm以上650nm以下に発光ピークを持つ赤色燐光発光材料を含有する赤色発光(R発光)層である以外は、図2に示される有機電界発光素子100Aと同様の層構成を有する。つまり、有機電界発光素子100Bでは、第1の発光層35−1と第2の発光層35−2との間に第1の中間層39−1が、また、第2の発光層35−2と第3の発光層35−3との間に第1の中間層39−2が配置される。
また、3層の発光層を有する態様としては、図示していないが、第1の発光層が、570nm以上650nm以下に発光ピークを持つ赤色燐光発光材料を含有する赤色発光(R発光)層であり、第2の発光層が、420nm以上500nm未満に発光ピークを持つ青色燐光発光材料を含有する青色発光(B発光)層であり、第3の発光層が、500nm以上570nm未満に発光ピークを持つ緑色燐光発光材料を含有する緑色発光(G発光)層であってもよい。
このように、3層の発光層を有する場合には、青色発光(B発光)層、赤色発光(R発光)層、及び緑色発光(G発光)層について、その配置される順序は特に限定されない。
【0025】
図1〜図4に示すいずれの構成においても、青色燐光発光材料から緑色及び赤色の各燐光発光材料への励起子のエネルギー移動は、T1の高い電荷輸送材料を含有する中間層により抑制される結果、各発光層内で確実に各色を発光させることが可能となり、駆動電圧が低下し、外部量子効率が高く、駆動耐久性が向上する。
【0026】
次に、本発明の有機電界発光素子を構成する各要素について、詳細に説明する。
(発光層)
本発明の有機電界発光素子において、発光層は、前述のように少なくとも2層からなるものである。この発光層には、少なくとも1つの燐光発光材料が含有され、この燐光発光材料の働きにより、発光層となりうる。
発光層に用いられる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
【0027】
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【0028】
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【0029】
これらの中でも、発光材料の具体例としては、例えば、US6303238B1、US6097147、WO00/57676、WO00/70655、WO01/08230、WO01/39234A2、WO01/41512A1、WO02/02714A2、WO02/15645A1、WO02/44189A1、特開2001−247859、特開2002−302671、特開2002−117978、特開2002−225352、特開2002−235076、特開2003−123982、特開2002−170684、EP1211257、特開2002−226495、特開2002−234894、特開2001−247859、特開2001−298470、特開2002−173674、特開2002−203678、特開2002−203679、特開2004−357791、特開2006−256999、特開2007−19462等の特許文献に記載の燐光発光材料などが挙げられる。
【0030】
また、本発明における燐光発光材料として、電子輸送性燐光発光材料又は正孔輸送性燐光発光材料を用いることができる。
【0031】
<電子輸送性燐光発光材料>
電子輸送性燐光発光材料としては、好ましくは、その電子親和力(Ea)が2.5eV以上3.5eV以下であり、イオン化ポテンシャル(Ip)が5.7eV以上7.0eV以下の電子輸送性発光材料である。
好ましく用いることのできる材料は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテシウム錯体を挙げることができる。より好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、又は白金錯体であり、最も好ましくは白金錯体である。白金錯体の具体例を以下に示すが、これらに限定されものではない。
【0032】
【化1】



【0033】
【化2】



【0034】
【化3】



【0035】
【化4】



【0036】
【化5】



【0037】
【化6】



【0038】
【化7】



【0039】
【化8】



【0040】
【化9】



【0041】
【化10】



【0042】
【化11】



【0043】
<正孔輸送性燐光発光材料>
本発明における燐光発光材料として、正孔輸送性燐光発光材料を用いることができる。
正孔輸送性燐光発光材料としては、好ましくは、その電子親和力(Ea)が2.4eV以上3.4eV以下であり、イオン化ポテンシャル(Ip)が5.0eV以上6.3eV以下の正孔輸送性燐光発光材料である。
好ましく用いることのできる材料は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテシウム錯体を挙げることができ、より好ましくは、イリジウム錯体である。
具体的なイリジウム錯体の例を以下に例示するが、本発明はこれらに限定されものではない。
【0044】
【化12】



【0045】
【化13】



【0046】
【化14】

【0047】
【化15】

【0048】
これらの中で、420nm以上500nm未満に発光ピークを持つ青色燐光発光材料としては、例えば、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0049】
【化16】

【0050】
【化17】

【0051】
また、500nm以上570nm未満に発光ピークを持つ緑色燐光発光材料としては、例えば、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0052】
【化18】

【0053】
【化19】

【0054】
更に、570nm以上650nm以下に発光ピークを持つ赤色燐光発光材料としては、例えば、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0055】
【化20】

【0056】
【化21】

【0057】
(ホスト材料)
本発明における発光層は、ホスト材料を含有するのが好ましい。
ホスト材料とは、発光層において主に電荷の注入、輸送を担う化合物であり、また、それ自体は実質的に発光しない化合物のことである。本明細書において「実質的に発光しない」とは、該実質的に発光しない化合物からの発光量が好ましくは素子全体での全発光量の5%以下であり、より好ましくは3%以下であり、更に好ましくは1%以下であることをいう。
本発明における燐光発光材料が、電子輸送性である場合は、ホスト材料は、好ましくは、正孔輸送性材料であり、逆に、本発明における燐光発光材料が、正孔輸送性である場合は、ホスト材料は、好ましくは、電子輸送性材料である。
【0058】
<正孔輸送性ホスト材料>
本発明における発光層に用いられる正孔輸送性ホスト材料としては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルIpが5.1eV以上6.4eV以下であることが好ましく、5.4eV以上6.2eV以下であることがより好ましく、5.6eV以上6.0eV以下であることが更に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Eaが1.2eV以上3.1eV以下であることが好ましく、1.4eV以上3.0eV以下であることがより好ましく、1.8eV以上2.8eV以下であることが更に好ましい。
好ましい最低三重項励起準位(以下T1とする)は好ましくは2.2eV以上3.7eV以下であり、更に好ましくは2.4eV以上3.7eV以下であり、最も好ましくは2.4eV以上3.4eV以下である。
【0059】
このような正孔輸送性ホスト材料としては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、ピラゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及びそれらの誘導体等が挙げられる。
中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にインドール骨格、カルバゾール骨格、アザインドール骨格、アザカルバゾール骨格、又は芳香族第三級アミン骨格を複数個有するものがより好ましい。
本発明における特に好ましい正孔輸送性ホスト材料は、カルバゾール誘導体である。
また、本発明においてはホスト材料の水素を一部又はすべて重水素に置換したホスト材料を用いることができる(例えば、特願2008−126130号出願明細書、特表2004−515506号公報参照)。
このような正孔輸送性ホスト材料としての具体的化合物としては、例えば、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0060】
【化22】



【0061】
【化23】



【0062】
【化24】



【0063】
【化25】



【0064】
【化26】



【0065】
<電子輸送性ホスト材料>
本発明に用いられる電子輸送性ホスト材料としては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Eaが2.5eV以上3.5eV以下であることが好ましく、2.6eV以上3.4eV以下であることがより好ましく、2.8eV以上3.3eV以下であることが更に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルIpが5.7eV以上7.5eV以下であることが好ましく、5.8eV以上7.0eV以下であることがより好ましく、5.9eV以上6.5eV以下であることが更に好ましい。
好ましい最低三重項励起準位(T1)は好ましくは2.2eV以上3.7eV以下であり、更に好ましくは2.4eV以上3.7eV以下であり、最も好ましくは2.4eV以上3.4eV以下である。
【0066】
このような電子輸送性ホスト材料としては、具体的には、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、及びそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。
【0067】
電子輸送性ホスト材料として好ましくは、金属錯体、アゾール誘導体(ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等)、アジン誘導体(ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等)であり、中でも、本発明においては耐久性の点から金属錯体化合物が好ましい。金属錯体化合物は金属に配位する少なくとも1つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。
金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンである。
【0068】
前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」、Springer−Verlag社、H.Yersin著、1987年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」、裳華房社、山本明夫著、1982年発行等に記載の配位子が挙げられる。
【0069】
前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数3〜15であり、単座配位子であっても2座以上の配位子であっても良い。好ましくは2座以上6座以下の配位子である。また、2座以上6座以下の配位子と単座の混合配位子も好ましい。
配位子としては、例えば、アジン配位子(例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる。)、ヒドロキシフェニルアゾール配位子(例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる。)、アルコキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ、2,4,6−トリメチルフェニルオキシ、4−ビフェニルオキシなどが挙げられる。)、
【0070】
ヘテロアリールオキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる。)、アルキルチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロアリールチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、及び2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、シロキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数3〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、及びトリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる。)、芳香族炭化水素アニオン配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えば、フェニルアニオン、ナフチルアニオン、及びアントラニルアニオンなどが挙げられる。)、芳香族ヘテロ環アニオン配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数2〜25、特に好ましくは炭素数2〜20であり、例えば、ピロールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、及びベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられる。)、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、又はシロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、又は芳香族ヘテロ環アニオン配位子である。
【0071】
金属錯体電子輸送性ホスト材料の例としては、例えば、特開2002−235076号公報、特開2004−214179号公報、特開2004−221062号公報、特開2004−221065号公報、特開2004−221068号公報、特開2004−327313号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【0072】
このような電子輸送性ホスト材料としては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【0073】
【化27】



【0074】
【化28】



【0075】
【化29】



【0076】
本発明においては、より発光効率の向上、耐久性の向上の目的で、特開2005−233037号公報、特開2006−165526号公報、特願2007−32587、特開2008−198801号公報に開示されている方法で2種類上の以上のホール輸送性ホストや電子輸送性ホストを混合しても良い。また、本発明において、より発光効率の向上、耐久性の向上の目的で特開2005−294250号公報に開示されている方法でアダマンタン化合物等の炭化水素化合物を有効に添加することができる。
【0077】
発光層に含まれるホスト材料は1種であっても2種以上であってもよく、2種以上の場合は、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
【0078】
本発明における発光層において、前述した、燐光発光材料とホスト材料との比率は質量比で50:50〜0.1:99.9であるが、好ましくは40:60〜1:99、更に好ましくは30:70〜3:97である。
また、発光層においては発光効率の向上、耐久性向上の目的で、特開2009−32976号公報、特開2009−32977号公報、特開2009−32988号公報、特開2009−32989号公報、特開2009−32990号公報に開示されている方法で発光材料の濃度は順次若しくは段階的に変化させることができる。
【0079】
前述した青色燐光発光材料は、発光層に5質量%〜30質量%含有されることが好ましく、10質量%〜25質量%含有されることがより好ましい。発光層中における青色燐光発光材料の濃度が5質量%以上であれば、青色光を確実に発することができるとともに、成膜の際にドープ量の調整も容易である。一方、発光層中における青色燐光発光材料の濃度が30質量%以下であれば、他の色(緑及び赤)に比べて青色が強くなり過ぎることが抑制され、白色光を発する有機電界発光素子をより確実に製造することができる。
【0080】
また、青色燐光発光材料を含有する青色発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
【0081】
更に、青色発光層に含まれる上記ホスト材料の濃度は、効率的に電荷を輸送し、また、再結合させるため、70質量%以上であることが好ましく、75質量%以上であることがより好ましく、90質量%以上であることが更に好ましい。ホスト材料は単独でも2種以上含まれていてもよい。
【0082】
青色発光層の厚みは特に限定されるものではないが、発光効率の向上、駆動電圧の低下などの観点から、1nm〜500nmであることが好ましく、5nm〜200nmであることがより好ましく、10nm〜100nmであることが更に好ましい。
【0083】
前述したように、緑色燐光発光材料及び赤色燐光発光材料は、それぞれ、緑色発光層や赤色発光層に含有されてもよいし、緑色燐光発光材料と赤色燐光発光材料とが混合されて同一の発光層に含有されてもよいし、青色燐光発光材料と混合されて同一の発光層に含有されてもよい。
【0084】
緑色燐光発光材料は、発光層に5質量%〜30質量%含有されることが好ましく、10質量%〜25質量%含有されることがより好ましい。発光層中における緑色燐光発光材料の濃度が5質量%以上であれば、緑色光を確実に発することができるとともに、成膜の際にドープ量の調整も容易である。一方、発光層中における緑色燐光発光材料の濃度が30質量%以下であれば、他の色(青及び赤)に比べて緑色が強くなり過ぎることが抑制され、白色光を発する有機電界発光素子をより確実に製造することができる。
【0085】
赤色燐光発光材料は、発光層に0.2質量%〜10質量%であることが好ましく、0.2質量%〜5質量%含有されることがより好ましい。発光層中における赤色燐光発光材料の濃度が0.2質量%以上であれば、赤色光を確実に発することができるとともに、成膜の際にドープ量の調整が容易である。一方、発光層中における赤色燐光発光材料の濃度が10質量%以下であれば、他の色(青及び緑)に比べて赤色が強くなり過ぎることが抑制され、白色光を発する有機電界発光素子をより確実に製造することができる。
【0086】
緑色燐光発光材料及び/又は赤色燐光発光材料を含有する発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
【0087】
緑色燐光発光材料及び/又は赤色燐光発光材料を含有する発光層に含まれる上記ホスト材料の濃度は、効率的に電荷を輸送し、また、再結合させるため、70質量%以上であることが好ましく、90質量%以上であることがより好ましい。ホスト材料は単独でも2種以上含まれていてもよい。
【0088】
緑色燐光発光材料及び/又は赤色燐光発光材料を含有する発光層の厚みは特に限定されるものではないが、発光効率の向上、駆動電圧の低下などの観点から、1nm〜500nmであることが好ましく、5nm〜200nmであることがより好ましく、10nm〜100nmであることが更に好ましい。
【0089】
(中間層)
本発明においては、1つの発光層で生じた励起子のエネルギーが他の発光層へと移動することを抑制するために、発光層間には中間層を設ける。特に、青色発光層で生じた励起子が他の発光層にエネルギー移動するのを抑制するため設けられることが好ましい。
本発明における中間層には、最低励起三重項エネルギー準位(T1)が2.7eV以上であるとともに、発光層に含有される燐光発光材料の内の最も短波長発光の燐光発光材料(例えば、青色燐光発光材料)のT1よりも0.15eV以上高い電荷輸送材料を含有する。該電荷輸送材料のT1は、2.8eV以上であることがより好ましく、2.9eV以上であることが更に好ましく、また、発光層に含有される燐光発光材料の内の最も短波長発光の燐光発光材料のT1との差(ΔT1)は、0.20eV以上であることが好ましく、0.28eV以上であることがより好ましい。
【0090】
中間層に含有される電荷輸送材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、前述した正孔輸送性ホスト材料、電子輸送性ホスト材料、後述する正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
【0091】
中間層に含有される電荷輸送材料の濃度は、効率的に電荷を輸送し、また、再結合させるため、60質量%以上であることが好ましく、70質量%以上であることがより好ましく、80質量%以上であることが更に好ましい。なお、中間層には上記電荷輸送材料が2種以上含まれていてもよい。
【0092】
中間層に含有される電荷輸送材料として具体的には、例えば、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0093】
【化30】



【0094】
【化31】



【0095】
中間層の厚みは特に限定されるものではないが、発光効率の向上、駆動電圧の低下などの観点から、0.1nm〜10nmであることが好ましく、0.1nm〜5nmであることがより好ましく、0.1nm〜3nmであることが更に好ましい。
【0096】
また、複数の発光層と中間層を合わせた総厚みは、好ましくは10nm以上60nm以下であり、より好ましくは20nm以上50nm以下、更に好ましくは、25nm以上40nm以下である。総厚みが10nm以上であれば、発光効率及び耐久性の向上を図ることができ、60nm以下であれば駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【0097】
また、白色発光させるため、青色、緑色、赤色の燐光発光材料の発光ピーク波長における最小値と最大値の発光強度比が5:95〜50:50の範囲にあることが好ましく、20:80〜40:60がより好ましい。本発明の有機電界発光素子では、各燐光発光材料間での励起子のエネルギー移動が抑制されるため、RGBの各発光領域で発光ピークが明瞭に現れ、特に、最小値と最大値の発光強度比が上記範囲にあれば、各発光材料による発光が混ざって、色むらの少ない白色光を発する有機電界発光素子がより確実に得られる。
【0098】
(層構成)
本発明の有機電界発光素子は、電極対間に少なくとも第1の発光層と第2の発光層を含む構成とするが、電極対と発光層との間に他の有機層を設けることができる。本発明において、発光層及び中間層以外の有機層としては、前述したとおり、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層等が挙げられる。
具体的には、本発明の有機電界発光素子は、例えば、図1に示されるように、基板1上に、陽極2側から、正孔注入層3、正孔輸送層4、第1の発光層5−1、中間層9、第2の発光層5−2、電子輸送層6、電子注入層7の順に積層されている態様が挙げられ、更に、例えば、正孔輸送層4と第1の発光層5−1との間には電荷ブロック層を、また、第2の発光層5−2と電子輸送層6との間には正孔ブロック層等を有していてもよい。
【0099】
本発明の有機電界発光素子の別の態様としては、図2に示されるように、基板1上に、陽極2側から、正孔注入層3、正孔輸送層4、第1の発光層15−1、第1の中間層19−1、第2の発光層15−2、第2の中間層19−2、第3の発光層15−3、及び電子輸送層6、電子注入層7の順に積層されている態様が挙げられ、更に、例えば、正孔輸送層4と第1の発光層15−1との間には電荷ブロック層を、また、第2の発光層15−2と電子輸送層6との間には正孔ブロック層等を有していてもよい。
なお、図1及び図2に示される構成において、陽極2と正孔輸送層4との間の正孔注入層3は有せずともよく、陰極8と電子輸送層6との間の電子注入層7は有せずともよい。また、各有機層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【0100】
なお、本発明の有機電界発光素子において、2層の発光層を有する態様(層構成)の場合、陽極側から順に、イオン化ポテンシャル(Ip)が5.1eV以上6.4eV以下であり、且つ、電子親和力(Ea)が1.2eV以上3.1eV以下である正孔輸送性ホスト材料を含む発光層と、イオン化ポテンシャル(Ip)が5.7eV以上7.5eV以下であり、且つ、電子親和力(Ea)が2.5eV以上3.5eV以下である電子輸送性ホスト材料、及び/又は、イオン化ポテンシャル(Ip)が5.7eV以上7.0eV以下であり、且つ、電子親和力(Ea)が2.5eV以上3.5eV以下である電子輸送性燐光発光材料を含む発光層と、からなる態様であることが好ましい。
このような層構成とすることで、電子の正孔輸送層への漏れ、正孔の電子輸送層への漏れを抑制し、効率、耐久性を向上することができる。
【0101】
次に、本発明の有機電界発光素子における発光層及び中間層以外の有機層、電極、基板等について説明する。
【0102】
(正孔注入層、正孔輸送層)
本発明における正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
【0103】
正孔注入層は、正孔の移動のキャリアとなる電子受容性材料を含有するのが好ましい。正孔注入層に導入する電子受容性材料としては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用でき、具体的には、無機化合物は、塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、及び五塩化アンチモンなどのルイス酸化合物を好適に用いることができる。
【0104】
有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン類などを好適に用いることができる。
具体的には、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、p−フルオラニル、p−クロラニル、p−ブロマニル、p−ベンゾキノン、2,6−ジクロロベンゾキノン、2,5−ジクロロベンゾキノン、テトラメチルベンゾキノン、1,2,4,5−テトラシアノベンゼン、o−ジシアノベンゼン、p−ジシアノベンゼン、1,4−ジシアノテトラフルオロベンゼン、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、p−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、o−ジニトロベンゼン、p−シアノニトロベンゼン、m−シアノニトロベンゼン、o−シアノニトロベンゼン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジクロロナフトキノン、1−ニトロナフタレン、2−ニトロナフタレン、1,3−ジニトロナフタレン、1,5−ジニトロナフタレン、9−シアノアントラセン、9−ニトロアントラセン、9,10−アントラキノン、1,3,6,8−テトラニトロカルバゾール、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,3,5,6−テトラシアノピリジン、マレイン酸無水物、フタル酸無水物、フラーレンC60、及びC70などが挙げられる。
【0105】
このうち、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、p−フルオラニル、p−クロラニル、p−ブロマニル、p−ベンゾキノン、2,6−ジクロロベンゾキノン、2,5−ジクロロベンゾキノン、1,2,4,5−テトラシアノベンゼン、1,4−ジシアノテトラフルオロベンゼン、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、p−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、o−ジニトロベンゼン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジクロロナフトキノン、1,3−ジニトロナフタレン、1,5−ジニトロナフタレン、9,10−アントラキノン、1,3,6,8−テトラニトロカルバゾール、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,3,5,6−テトラシアノピリジン、又はC60が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、p−フルオラニル、p−クロラニル、p−ブロマニル、2,6−ジクロロベンゾキノン、2,5−ジクロロベンゾキノン、2,3−ジクロロナフトキノン、1,2,4,5−テトラシアノベンゼン、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、又は2,3,5,6−テトラシアノピリジンが特に好ましい。
【0106】
これらの電子受容性材料は、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。
電子受容性材料の使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔注入層材料に対して0.01質量%〜50質量%であることが好ましく、0.05質量%〜20質量%であることがより好ましく、0.1質量%〜10質量%であることが更に好ましい。該使用量が、正孔注入層材料に対して0.01質量%未満のときには、本発明の効果が不十分であるため好ましくなく、50質量%を超えると正孔注入能力が損なわれるため好ましくない。
【0107】
正孔注入層、正孔輸送層を構成する材料としては、具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、又はカーボン等が好ましい。
【0108】
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、特に限定されるものではないが、駆動電圧低下、発光効率向上、耐久性向上の観点から、厚さが1nm〜5μmであることが好ましく、5nm〜1μmであることが更に好ましく、10nm〜500nmであることが特に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【0109】
(電子注入層、電子輸送層)
電子注入層、電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有している層である。
【0110】
電子注入層、或いは電子輸送層に導入される電子供与性材料としては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Liなどのアルカリ金属、Mgなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属などが好適に用いられる。
特に仕事関数が4.2eV以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd、及びYbなどが挙げられる。
【0111】
これらの電子供与性材料は、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。
電子供与性材料の使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して0.1質量%〜99質量%であることが好ましく、0.2質量%〜70質量%であることが更に好ましく、0.3質量%〜50質量%であることが特に好ましい。該使用量が、電子輸送層材料に対して0.1質量%未満のときには、本発明の効果が不十分であるため好ましくなく、99質量%を超えると電子輸送能力が損なわれるため好ましくない。
【0112】
電子注入層、電子輸送層を構成する材料としては、具体的には、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレン及びペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、及びそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。
【0113】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、特に限定されるものではないが、駆動電圧低下、発光効率向上、耐久性向上の観点から、厚さが1nm〜5μmであることが好ましく、5nm〜1μmであることが更に好ましく、10nm〜500nmであることが特に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【0114】
(正孔ブロック層)
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明においては、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層は、特に限定されるものではないが、具体的には、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ピラザボール誘導体等を含有することができる。
また、正孔ブロック層の厚さは、駆動電圧を下げるため、一般的に50nm以下であることが好ましく、1nm〜50nmであることが好ましく、3nm〜30nmであることが更に好ましい。
【0115】
(電子ブロック層)
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明においては、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層は、特に限定されるものではないが、具体的には、NPD等のアミン化合物、カルバゾール化合物等を含有することができる。
また、電子ブロック層の厚さは、駆動電圧を下げるため、一般的に50nm以下であることが好ましく、1nm〜50nmであることが好ましく、3nm〜30nmであることが更に好ましい。
【0116】
(陽極)
発光層で生じた光が透過するように、一対の電極のうち少なくとも一方は透明の電極である。通常は、基板側の電極(下部電極)を陽極とし、封止基板(不図示)側の電極(上部電極)を陰極とするが、下部電極を陰極、上部電極を陽極とすることもできる。
【0117】
陽極は、有機EL層に正孔を供給する電極としての機能を有するものであれば、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的等に応じて公知の電極材料から適宜選択することができる。
陽極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。具体例として、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはITOが好ましい。
【0118】
陽極を形成する方法としては、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式が挙げられ、陽極を構成する材料との適性等を考慮して適宜選択すればよい。例えば、陽極材料としてITOを用いる場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って陽極を形成することができる。
陽極を形成する位置は、有機電界発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができ、基板の全体に形成してもよいし、一部に形成してもよい。
【0119】
陽極を形成する際のパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよい。また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等を行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【0120】
陽極の厚みは、陽極を構成する材料等に応じて適宜選択すればよいが、通常は10nm〜50μm程度であり、50nm〜20μmが好ましい。
また、陽極の抵抗値は、有機EL層に確実に正孔を供給するために、10Ω/□以下が好ましく、10Ω/□以下がより好ましい。
【0121】
陽極側から光を取り出す場合は、その光透過率は60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述があり、ここに記載されている事項を本発明でも適用することができる。例えば、耐熱性の低いプラスチック製の基板を用いる場合は、ITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【0122】
(陰極)
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有し、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的等に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてアルカリ金属(例えば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(例えば、Mg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点から、2種以上を好適に併用することができる。
【0123】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点でアルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。なお、陰極の材料については、例えば、特開平2−15595号公報及び特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は本発明においても適用することができる。
【0124】
陰極の形成方法については特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD法、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時に又は順次、スパッタ法等に従って陰極8を形成することができる。
【0125】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料や光の取り出し方向に応じて適宜選択すればよく、通常は1nm〜5μm程度である。陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。例えば、透明な陰極とする場合は、陰極の材料を1nm〜10nm程度の厚さに薄く成膜し、更にITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【0126】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよい。また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等によって行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
陰極の形成位置は特に制限はなく、有機層上の全体に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【0127】
陰極と有機層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1nm〜5nmの厚みで形成してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と解することもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【0128】
(基板)
基板は、有機電界発光素子全体を支持することができる耐熱性、強度、光透過性等を有するものであれば特に限定されず、公知のものを使用することができる。例えば、ジルコニア安定化イットリウム(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
【0129】
基板としてガラスを用いる場合、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。
【0130】
有機材料からなる基板を用いる場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。特にプラスチック製の基板を用いる場合には、水分や酸素の透過を抑制するため、基板の片面又は両面に透湿防止層又はガスバリア層を設けることが好ましい。透湿防止層又はガスバリア層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物を好適に用いることができる。透湿防止層又はガスバリア層は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
また、熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【0131】
基板の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択すればよい。一般的には、基板の形状としては、取り扱い性、有機電界発光素子の形成容易性等の観点から、板状であることが好ましい。基板の構造は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。また、基板は、単一部材で構成されていてもよいし、2つ以上の部材で構成されていてもよい。
【0132】
なお、基板とは反対側から光を取り出す、いわゆるトップエミッションタイプとする場合には、基板側から発光を取り出す必要がないため、例えば、ステンレス、Fe、Al、Ni、Co、Cuやこれらの合金等の金属基板やシリコン基板を用いることもできる。金属製の基板であれば、厚みが薄くても、強度が高く、大気中の水分や酸素に対して高いガスバリア性を有するものとなる。金属基板を用いる場合には、基板と下部電極との間に電気絶縁性を確保するための絶縁膜を設ければよい。
【0133】
(保護層)
本発明の有機電界発光素子は、保護層によって保護されていてもよい。保護層を構成する材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、又はNi等の金属、MgO、SiO、SiO、Al、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe、Y、又はTiO等の金属酸化物、SiN、SiN等の金属窒化物、MgF、LiF、AlF、又はCaF等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
【0134】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、又は転写法を適用できる。
【0135】
(封止)
本発明の有機電界発光素子は、封止容器などの封止部材によって封止されてもよい。また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【0136】
本発明の有機電界発光素子を発光させる場合は、各電極にそれぞれ制御配線、信号配線等の外部配線を接続する。これにより、本発明の有機電界発光素子を備えた発光装置を製造することができる。なお、本発明に係る有機電界発光素子を備えた発光装置の駆動方式は限定されず、パッシブマトリクス方式及びアクティブマトリクス方式のいずれも採用することができる。
【0137】
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
【0138】
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平2−148687号公報、同6−301355号公報、同5−29080号公報、同7−134558号公報、同8−234685号公報、同8−241047号公報、特許第2784615号公報、米国特許5828429号公報、同6023308号公報等に記載の駆動方法を適用することができる。
【0139】
(本発明の用途)
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
【実施例】
【0140】
本発明について実施例を用いて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0141】
<実施例1>
1.有機EL素子の作製
(本発明の素子1〜4の作製)
下記に従って、図1に示す構成の有機EL素子を作製した。
・基板1:0.5mm厚み、2.5cm角のガラス基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。この透明基板上に真空蒸着法にて以下の層を蒸着した。本実施例における蒸着速度は特に断りのない場合は0.2nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。以下に記載の膜厚も水晶振動子を用いて測定したものである。
・陽極2:基板1の上にITO(Indium Tin Oxide)を膜厚100nmに蒸着した。
・正孔注入層3:陽極2の上に、4,4’,4”−Tris(N−(2−naphtyl)−N−phenyl−amino)−triphenylamine(2−TNATAと略記する)と、2−TNATAに対して1.0質量%の2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQと略記する)と、を共蒸着した。膜厚は160nmに蒸着であった。
・正孔輸送層4:正孔注入層3の上に、α−NPD(Bis[N−(1−naphthyl)−N−pheny]benzidine)を膜厚10nmに蒸着した。
・第1の発光層5−1:正孔輸送層4の上に、下記構造の電荷輸送材料B(1,3−bis(N−carbazol−9−yl)benzene、mCP)と下記構造の白金錯体1とを、電荷輸送材料Bに対して白金錯体1の比率が15質量%となるように共蒸着した。厚みは20nmであった。ここで、電荷輸送材料B(mCP)のT1は2.89eV、Ipは5.9eV、Eaは2.4eVであり、白金錯体1のT1は2.82eV、発光ピークは456nm、Ipは6.3eV、Eaは2.9eVである。
・中間層9:第1の発光層5−1の上に、下記構造の電荷輸送材料1(T1は3.10eV、Ipは6.2eV、Eaは2.8eV)を、本発明の素子1については、0.5nm、本発明の素子2については、1.0nm、本発明の素子3については、5.0nm、本発明の素子4については10.0nmの厚みに蒸着した。
・第2の発光層5−2:中間層9の上に、電荷輸送材料B、下記構造の白金錯体2(T1は2.52eV、発光ピークは503nm、Ipは6.2eV、Eaは2.8eV)、及び下記構造のイリジウム錯体1(Ir(piq)、T1は2.07eV、発光ピークは620nm、Ipは5.4eV、Eaは2.6eV)を、電荷輸送材料Bに対して白金錯体2が15質量%、イリジウム錯体1が0.5質量%の比率で3元共蒸着した。厚みは10nmであった。
・電子輸送層6:第2の発光層5−2の上に、Bis−(2−methyl−8−quinolinolato)−4−(phenyl−phenolate)−aluminium(III)(BAlqと略記する)を厚み39nmに蒸着した。
・電子注入層7:電子輸送層6の上に、バソクプロイン(BCPと略記する)を厚み1nmに蒸着した。
・陰極8:電子注入層7の上に、LiFを厚み1nmに蒸着した後、パタ−ニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、金属アルミニウムを100nm蒸着し、陰極とした。
【0142】
作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ(株)製)を用いて封止した。
【0143】
(本発明の素子5〜8の作製)
下記に従って、図2に示す構成の有機EL素子を作製した。
本発明の素子1〜4の作製において、2つの発光層5−1と5−2及び中間層と9を、下記の3つの発光層15−1、15−2、及び15−3と2つの中間層19−1及び19−2に変更し、その他は本発明の素子1〜4と同様にして本発明の素子5〜8を作製した。
・第1の発光層15−1:正孔輸送層4の上に、電荷輸送材料Bと白金錯体1とを、電荷輸送材料Bに対して白金錯体1の比率が15質量%となるように共蒸着した。厚みは20nmであった。
・中間層19−1:第1の発光層15−1の上に、電荷輸送材料1を、本発明の素子5については、0.5nm、本発明の素子6については、1.0nm、本発明の素子7については、5.0nm、本発明の素子8については10.0nmの厚みに蒸着した。
・第2の発光層15−2:中間層19−1の上に、電荷輸送材料Bと白金錯体2とを、電荷輸送材料Bに対して白金錯体2が15質量%の比率で共蒸着した。厚みは5nmであった。
・中間層19−2:第2の発光層15−2の上に、電荷輸送材料1を、本発明の素子5については、0.5nm、本発明の素子6については、1.0nm、本発明の素子7については、5.0nm、本発明の素子8については10.0nmの厚みに蒸着した。
・第3の発光層15−3:中間層19−2の上に、電荷輸送材料Bとイリジウム錯体1を、電荷輸送材料Bに対してイリジウム錯体1が5質量%の比率で共蒸着した。厚みは5nmであった。
【0144】
(比較の素子A1の作製)
本発明の素子1の作製において、中間層を除き、その他は本発明の素子1の作製と同様にして、比較の素子A1を作製した。
【0145】
(比較の素子B1の作製)
本発明の素子5の作製において、中間層を除き、その他は本発明の素子5の作製と同様にして、比較の素子B1を作製した。
【0146】
(比較の素子C1〜C4の作製)
本発明の素子1の作製において、中間層の材料を電荷輸送材料Bに変更し、比較の素子C1については、0.5nm、比較の素子C2については、1.0nm、比較の素子C3については、5.0nm、比較の素子C4については10.0nmの厚みに蒸着し、その他は本発明の素子1の作製と同様にして、比較の素子C1〜C4を作製した。
【0147】
(比較の素子D1〜D4の作製)
本発明の素子5の作製において、中間層の材料を電荷輸送材料Bに変更し、比較の素子D1については、0.5nm、比較の素子D2については、1.0nm、比較の素子D3については、5.0nm、比較の素子D4については10.0nmの厚みに蒸着し、その他は本発明の素子5の作製と同様にして、比較の素子D1〜D4を作製した。
【0148】
実施例1に用いた材料の構造を下記に示す。
【0149】
【化32】

【0150】
【化33】

【0151】
2.性能評価
得られた本発明の素子及び比較の素子について、下記に従って性能を評価した。
1)駆動電圧
東陽テクニカ(株)製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させた。輝度が1000cd/mとなったときの電圧を駆動電圧として測定した。
2)外部量子効率
東陽テクニカ(株)製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させた。その輝度をトプコン社製輝度計BM−8を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は、浜松ホトニクス(株)製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。これらの数値をもとに、輝度が1000cd/mにおける外部量子効率を輝度換算法により算出した。
3)駆動耐久性
東陽テクニカ(株)製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し、輝度が1000cd/mとなるように発光させた。該電流電圧条件で発光を継続し、輝度が500cd/mまで減少する時間を測定した。
なお、本発明の素子1〜4、比較の素子C1〜C4については、比較の素子A1の輝度半減時間を1とし、また、本発明の素子5〜8、比較の素子D1〜D4については、比較の素子B1の輝度半減時間を1とした場合の相対値を求め、これを駆動耐久性の指標とした。
得られた結果を表1に示した。
【0152】
【表1】

【0153】
表1の結果より、中間層に電荷輸送材料1を用いた本発明の素子1〜8は、中間層を有しない比較の素子A1〜B1、及び電荷輸送材料Bを用いた比較の素子C1〜C4、D1〜D4に比べて、駆動電圧が低く、外部量子効率が高く、駆動耐久性に優れていた。特に、中間層の厚みが5.0nmで最も優れた性能を示した。
比較の素子に用いられた電荷輸送材料Bは、T1の値が2.89eVであって、発光層中に含まれる最も短波長発光の燐光発光材料である白金錯体1のT1の値が2.82eVであり、その差は0.07eVと小さいため、本発明の効果が得られないものと推測される。
一方、電荷輸送材料1は、T1の値が3.10eVであって、白金錯体1のT1より0.28eV大きいことが、本発明の効果に寄与しているものと推測される。
【0154】
<実施例2>
1.有機EL素子の作製
(本発明の素子9〜12の作製)
実施例1の本発明の素子1〜4の作製において、発光層の電荷輸送材料Bを下記構造の電荷輸送材料A(T1は2.86eV、Ipは5.8eV、Eaは2.4eV)に、白金錯体1を下記構造の白金錯体3(T1は2.74eV、発光ピークは467nm、Ipは6.3eV、Eaは2.9eV)にそれぞれ変更し、その他は本発明の素子1〜4と同様にして本発明の素子9〜12を作製した。
【0155】
(本発明の素子13〜16の作製)
実施例1の本発明の素子5〜8の作製において、発光層の電荷輸送材料Bを下記構造の電荷輸送材料Aに、白金錯体1を下記構造の白金錯体3にそれぞれ変更し、その他は本発明の素子5〜8の作製と同様にして、本発明の素子13〜16を作製した。
【0156】
【化34】

【0157】
(比較の素子E1の作製)
本発明の素子9の作製において、中間層を除き、その他は本発明の素子9の作製と同様にして、比較の素子E1を作製した。
【0158】
(比較の素子F1の作製)
本発明の素子13の作製において、中間層を除き、その他は本発明の素子13の作製と同様にして、比較の素子F1を作製した。
【0159】
(比較の素子G1〜G4の作製)
本発明の素子9の作製において、中間層の電荷輸送材料1を電荷輸送材料Aに変更し、比較の素子G1については、0.5nm、比較の素子G2については、1.0nm、比較の素子G3については、5.0nm、比較の素子G4については10.0nmの厚みに蒸着し、その他は本発明の素子9の作製と同様にして、比較の素子G1〜G4を作製した。
【0160】
(比較の素子H1〜H4の作製)
本発明の素子13の作製において、中間層の電荷輸送材料1を電荷輸送材料Aに変更し、比較の素子H1については、0.5nm、比較の素子H2については、1.0nm、比較の素子H3については、5.0nm、比較の素子H4については10.0nmの厚みに蒸着し、その他は本発明の素子13の作製と同様にして、比較の素子H1〜H4を作製した。
【0161】
2.性能評価
得られた本発明の素子及び比較の素子について、実施例1と同様に性能を評価した。
なお、駆動耐久性の評価においては、本発明の素子9〜12、比較の素子G1〜G4については、比較の素子E1の輝度半減時間を1とし、本発明の素子13〜16、比較の素子H1〜H4については、比較の素子F1の輝度半減時間を1とした場合の相対値を求め、これを駆動耐久性の指標とした。
結果を表2に示した。
【0162】
【表2】

【0163】
表2の結果より、中間層に電荷輸送材料1を用いた本発明の素子9〜16は、中間層を有しない比較の素子E1〜F1、及び中間層に電荷輸送材料Aを用いた比較の素子G1〜G4、H1〜H4に比べて、駆動電圧が低く、外部量子効率が高く、駆動耐久性に優れていた。更に、中間層を設けると駆動電圧、外部量子効率、駆動耐久性とも一段と優れた性能を示した。
実施例1におけると同様に、比較の素子に用いられた電荷輸送材料Aは、T1の値が2.86eVであって、発光層中に含まれる最も短波長発光の燐光発光材料である白金錯体3のT1の値が2.74eVであり、その差は0.12eVと小さいため、本発明の効果が得られないものと推測される。
一方、電荷輸送材料1は、T1の値が3.10eVであって、白金錯体3のT1より0.36eV大きいことが、本発明の効果に寄与しているものと推測される。
【0164】
<実施例3>
1.有機EL素子の作製
(本発明の素子17〜20の作製)
実施例1の本発明の素子1〜4の作製において、2つの発光層及び中間層を、下記の2つの発光層及び中間層に変更し、その他は本発明の素子1〜4と同様にして本発明の素子17〜20を作製した。
・第1の発光層:正孔輸送層4の上に、電荷輸送材料Aと下記構造のイリジウム錯体2(T1は2.07eV、発光ピークは620nm、Ipは5.4eV、Eaは2.6eV)を、電荷輸送材料Aに対してイリジウム錯体2の比率が10質量%となるように共蒸着した。厚みは10nmであった。
・中間層:第1の発光層の上に、電荷輸送材料2(1,4−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、T1は3.23eV、Ipは7.2eV、Eaは2.8eV)を、本発明の素子17については、0.5nm、本発明の素子18については、1.0nm、本発明の素子19については、2.0nm、本発明の素子20については、5.0nmの厚みに蒸着した。
・第2の発光層:中間層の上に、電荷輸送材料2、白金錯体3、及び下記構造のイリジウム錯体3(T1は2.52eV、発光ピークは517nm、Ipは5.4eV、Eaは2.4eV)を、電荷輸送材料2に対して白金錯体3が15質量%、イリジウム錯体3が0.5質量%の比率で、3元共蒸着した。厚みは20nmであった。
【0165】
【化35】

【0166】
(比較の素子I1の作製)
本発明の素子17の作製において、中間層を除き、その他は本発明の素子17の作製と同様にして、比較の素子I1を作製した。
【0167】
(比較の素子J1〜J4の作製)
本発明の素子17の作製において、中間層の電荷輸送材料2を電荷輸送材料Aに変更し、比較の素子J1については、0.5nm、比較の素子J2については、1.0nm、比較の素子J3については、2.0nm、比較の素子J4については5.0nmの厚みに蒸着し、その他は本発明の素子17の作製と同様にして、比較の素子J1〜J4を作製した。
【0168】
2.性能評価
得られた本発明の素子及び比較の素子について、実施例1と同様に性能を評価した。
なお、駆動耐久性の評価においては、本発明の素子17〜20、比較の素子J1〜J4については、比較の素子I1の輝度半減時間を1とした場合の相対値を求め、これを駆動耐久性の指標とした。
結果を表3に示した。
【0169】
【表3】

【0170】
表3の結果より、中間層に電荷輸送材料2を用いた本発明の素子17〜20は、中間層に電荷輸送材料Aを用いた比較の素子J1〜J4に比べて、駆動電圧が低く、外部量子効率が高く、駆動耐久性に優れていた。更に、中間層を有しない比較の素子I1を比較することで、電荷輸送材料2を含有する中間層を設けると駆動電圧、外部量子効率、駆動耐久性とも一段と優れた性能を示した。
電荷輸送材料Aは、T1の値が2.86eVであって、発光層中に含まれる最も短波長発光の燐光発光材料である白金錯体3のT1の値が2.74eVであり、その差は0.12eVと小さいため、本発明の効果が得られないものと推測される。
一方、電荷輸送材料2は、T1の値が3.23eVであって、白金錯体3のT1より0.49eV大きいことが、本発明の効果に寄与しているものと推測される。
【0171】
<実施例4>
1.有機EL素子の作製
(本発明の素子21〜24の作製)
実施例1の本発明の素子1〜4の作製において、2つの発光層及び中間層を、下記の2つの発光層及び中間層に変更し、その他は本発明の素子1〜4と同様にして本発明の素子21〜24を作製した。
・第1の発光層:正孔輸送層4の上に、電荷輸送材料A、イリジウム錯体3、及びイリジウム錯体2を、電荷輸送材料Aに対して、イリジウム錯体3が10質量%、イリジウム錯体2が0.5質量%の比率で、3元共蒸着した。厚みは10nmであった。
・中間層:第1の発光層の上に、電荷輸送材料2を、本発明の素子21については、0.5nm、本発明の素子22については、1.0nm、本発明の素子23については、2.0nm、本発明の素子24については、5.0nmの厚みに蒸着した。
・第2の発光層:中間層の上に、電荷輸送材料2及び下記構造のイリジウム錯体4(T1は2.76eV、発光ピークは463nm、Ipは5.4eV、Eaは2.3eV)を、電荷輸送材料2に対してイリジウム錯体4の比率が10質量%となるように共蒸着した。厚みは20nmであった。
【0172】
【化36】


なお、駆動耐久性の評価においては、本発明の素子21〜24、比較の素子L1〜L4については、比較の素子K1の輝度半減時間を1とした場合の相対値を求め、これを駆動耐久性の指標とした。
結果を表4に示した。
【0173】
【表4】

【0174】
表4の結果より、中間層に電荷輸送材料2を用いた本発明の素子17〜20は、中間層に電荷輸送材料Aを用いた比較の素子L1〜L4に比べて、駆動電圧が低く、外部量子効率が高く、駆動耐久性に優れていた。更に、中間層を有しない比較の素子K1を比較することで、電荷輸送材料2を含有する中間層を設けると駆動電圧、外部量子効率、駆動耐久性とも一段と優れた性能を示した。
電荷輸送材料Aは、T1の値が2.86eVであって、発光層中に含まれる最も短波長発光の燐光発光材料であるイリジウム錯体4のT1の値が2.76eVであり、その差は0.10eVと小さいため、本発明の効果が得られないものと推測される。
一方、電荷輸送材料2は、T1の値が3.23eVであって、白金錯体4のT1より0.47eV大きいことが、本発明の効果に寄与しているものと推測される。
【0175】
<実施例5>
1.有機EL素子の作製
(本発明の素子25〜28の作製)
実施例1の本発明の素子1〜4の作製において、2つの発光層及び中間層を、下記の2つの発光層及び中間層に変更し、その他は本発明の素子1〜4と同様にして本発明の素子25〜28を作製した。
・第1の発光層:正孔輸送層4の上に、電荷輸送材料2とイリジウム錯体3を、電荷輸送材料2に対して、イリジウム錯体3の比率が10質量%となるように共蒸着した。厚みは10nmであった。
・中間層:第1の発光層の上に、電荷輸送材料2を、本発明の素子25については、0.5nm、本発明の素子26については、1.0nm、本発明の素子27については、2.0nm、本発明の素子28については、5.0nmの厚みに蒸着した。
・第2の発光層:中間層の上に、電荷輸送材料A、白金錯体3、及びイリジウム錯体2を、電荷輸送材料Aに対して白金錯体3が15質量%、イリジウム錯体2が0.5質量%の比率で、3元共蒸着した。厚みは20nmであった。
【0176】
(比較の素子M1の作製)
本発明の素子25の作製において、中間層を除き、その他は本発明の素子25の作製と同様にして、比較の素子M1を作製した。
【0177】
(比較の素子N1〜N4の作製)
本発明の素子25の作製において、中間層の電荷輸送材料2を電荷輸送材料Aに変更し、比較の素子N1については、0.5nm、比較の素子N2については、1.0nm、比較の素子N3については、2.0nm、比較の素子N4については5.0nmの厚みに蒸着し、その他は本発明の素子25の作製と同様にして、比較の素子N1〜N4を作製した。
【0178】
2.性能評価
得られた本発明の素子及び比較の素子について、実施例1と同様に性能を評価した。
なお、駆動耐久性の評価においては、本発明の素子25〜28、比較の素子N1〜N4については、比較の素子M1の輝度半減時間を1とした場合の相対値を求め、これを駆動耐久性の指標とした。
結果を表5に示した。
【0179】
【表5】

【0180】
表5の結果より、中間層に電荷輸送材料2を用いた本発明の素子25〜28は、中間層に電荷輸送材料Aを用いた比較の素子N1〜N4に比べて、駆動電圧が低く、外部量子効率が高く、駆動耐久性に優れていた。更に、中間層を有しない比較の素子K1を比較することで、電荷輸送材料2を含有する中間層を設けると駆動電圧、外部量子効率、駆動耐久性とも一段と優れた性能を示した。
電荷輸送材料Aは、T1の値が2.86eVであって、発光層中に含まれる最も短波長発光の燐光発光材料である白金錯体3のT1の値が2.74eVであり、その差は0.12eVと小さいため、本発明の効果が得られないものと推測される。
一方、電荷輸送材料2は、T1の値が3.23eVであって、白金錯体3のT1より0.49eV大きいことが、本発明の効果に寄与しているものと推測される。
【0181】
<実施例6>
1.有機EL素子の作製
(本発明の素子29〜32の作製)
本発明の素子1〜4の作製において、2つの発光層及び中間層を、下記の3つの発光層及び2つの中間層に変更し、その他は本発明の素子1〜4の作製と同様に行った。
・第1の発光層:正孔輸送層4の上に、電荷輸送材料Aとイリジウム錯体2を、電荷輸送材料Aに対して、イリジウム錯体2の比率が5質量%となるように共蒸着した。厚みは5nmであった。
・第1の中間層:第1の発光層の上に、電荷輸送材料2を、本発明の素子29については、0.5nm、本発明の素子30については、1.0nm、本発明の素子31については、2.0nm、本発明の素子32については、5.0nmの厚みに蒸着した。
・第2の発光層:第1の中間層の上に、電荷輸送材料2及びイリジウム錯体4を、電荷輸送材料2に対してイリジウム錯体4の比率が10質量%となるように共蒸着した。厚みは20nmであった。
・第2の中間層:第2の発光層の上に、電荷輸送材料2を、本発明の素子29〜32について、3.0nmの厚みに蒸着した。
・第3の発光層:第2の中間層の上に、電荷輸送材料2とイリジウム錯体3を、電荷輸送材料2に対して、イリジウム錯体3の比率が10質量%となるように共蒸着した。厚みは5nmであった。
【0182】
(比較の素子O1の作製)
本発明の素子29の作製において、中間層を除き、その他は本発明の素子29の作製と同様にして、比較の素子O1を作製した。
【0183】
(比較の素子P1〜P4の作製)
本発明の素子29の作製において、中間層の材料を電荷輸送材料Aに変更し、比較の素子P1〜P4について3.0nmの厚みに蒸着し、その他は本発明の素子29の作製と同様にして、比較の素子P1〜P4を作製した。
【0184】
2.性能評価
得られた本発明の素子及び比較の素子について、実施例1と同様に性能を評価した。
なお、駆動耐久性の評価においては、本発明の素子29〜32、比較の素子P1〜P4については、比較の素子O1の輝度半減時間を1とした場合の相対値を求め、これを駆動耐久性の指標とした。
結果を表6に示した。
【0185】
【表6】

【0186】
表6の結果より、中間層に電荷輸送材料2を用いた本発明の素子29〜32は、第1の中間層に電荷輸送材料Aを用いた比較の素子P1〜P4に比べて、駆動電圧が低く、外部量子効率が高く、駆動耐久性に優れていた。更に、中間層を有しない比較の素子K1を比較することで、電荷輸送材料2を含有する中間層を設けると駆動電圧、外部量子効率、駆動耐久性とも一段と優れた性能を示した。
電荷輸送材料Aは、T1の値が2.86eVであって、発光層中に含まれる最も短波長発光の燐光発光材料であるイリジウム錯体4のT1の値が2.76eVであり、その差は0.10eVと小さいため、本発明の効果が得られないものと推測される。
一方、電荷輸送材料2は、T1の値が3.23eVであって、発光層のイリジウム錯体4より0.47eV大きいことが、本発明の効果に寄与しているものと推測される。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に、一対の電極と、該一対の電極間に配置された少なくとも2層の発光層と、該少なくとも2層の発光層間に配置された電荷輸送材料を含有する中間層と、を有し、
1)前記少なくとも2層の発光層は、各々、420nm以上500nm未満に発光ピークを持つ青色燐光発光材料、500nm以上570nm未満に発光ピークを持つ緑色燐光発光材料、及び570nm以上650nm以下に発光ピークを持つ赤色燐光発光材料より選ばれる少なくとも1つの燐光発光材料を含有すると共に、当該少なくとも2層の発光層に含有される燐光発光材料は互いに異なる発光ピークを持つものであり、且つ、
2)前記中間層が含有する電荷輸送材料は、基底状態と励起三重項状態とのエネルギー差(T1)が2.7eV以上であり、且つ、前記少なくとも2層の発光層に含有される燐光発光材料の内の最も短波長発光の燐光発光材料のT1より0.15eV以上高い電荷輸送材料であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項2】
前記発光層が、前記青色燐光発光材料を含有する層、及び、前記緑色燐光発光材料と前記赤色燐光発光材料とを含有する層の2層からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
【請求項3】
前記発光層が、前記青色燐光発光材料を含有する層、前記緑色燐光発光材料を含有する層、及び、前記赤色燐光発光材料を含有する層をこの順に配置された3層からなり、且つ、
前記中間層が、前記青色燐光発光材料を含有する層と前記緑色燐光発光材料を含有する層との間に配置された第1の中間層、及び、前記緑色燐光発光材料を含有する層と前記赤色燐光発光材料を含有する層との間に配置された第2の中間層であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
【請求項4】
前記発光層が、前記緑色燐光発光材料を含有する層、前記青色燐光発光材料を含有する層、及び、前記赤色燐光発光材料を含有する層のこの順に配置された3層からなり、且つ、
前記中間層が、前記緑色燐光発光材料を含有する層と前記青色燐光発光材料を含有する層との間に配置された第1の中間層、及び、前記青色燐光発光材料を含有する層と前記赤色燐光発光材料を含有する層との間に配置された第2の中間層であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
【請求項5】
前記中間層の膜厚が、0.1nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2010−161071(P2010−161071A)
【公開日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−280902(P2009−280902)
【出願日】平成21年12月10日(2009.12.10)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】