有機ＥＬデバイスの製造方法
【課題】電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１０の準備、アノード１１の形成、ホール注入層１２１の形成、ホール輸送層１２２の形成、有機発光層１２３の形成の後、犠牲膜２０を形成する。犠牲膜２０は、複数のアノード１１の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の両方を覆うように連続した状態で形成される。その後、導電性材料を用い電子注入準備膜１３０を形成する。そして、犠牲膜２０を剥離・除去することで、これに付着した電子注入準備膜１３０の一部も除去され、電子注入層１３が形成される。最後に、カソード１４を形成する。
【解決手段】基板１０の準備、アノード１１の形成、ホール注入層１２１の形成、ホール輸送層１２２の形成、有機発光層１２３の形成の後、犠牲膜２０を形成する。犠牲膜２０は、複数のアノード１１の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の両方を覆うように連続した状態で形成される。その後、導電性材料を用い電子注入準備膜１３０を形成する。そして、犠牲膜２０を剥離・除去することで、これに付着した電子注入準備膜１３０の一部も除去され、電子注入層１３が形成される。最後に、カソード１４を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬデバイスの製造方法に関し、特に、電極との関係における電子注入層の形成精度に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代の発光デバイスとして、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）デバイスが注目されている。有機ＥＬデバイスは、固体蛍光性物質の電界発光現象を利用した発光デバイスである（特許公報１，２）。現状において想定される一例としての有機ＥＬデバイスの製造方法について、図１１を用い説明する。
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、基板９０の一方の主面上（図１１（ｂ）のＺ軸方向における上側主面上）に、複数のアノード９１を形成する。図１１（ａ）に示すように、複数のアノード９１は、互いに間隔をあけて配設されている。
【０００３】
次に、複数のアノード９１の上の一部に、画素規制層（ＰＣＬ）９５を積層する。図１１（ａ）に示すように、画素規制層９５は、複数のアノード９１における基板９０の中央領域に配された部分を覆うように配され、各アノード９１に対応して窓部９５ａが開けられている。図１１（ｂ）に示すように、画素規制層９５の上には、ホール注入層９２１、ホール輸送層９２２、有機発光層９２３、電子注入層９３が順に積層されている。このうち、ホール注入層９２１、ホール輸送層９２２、および有機発光層９２３により、中間下地層９２が構成される。
【０００４】
図１１（ｂ）に示すように、電子注入層９３の上には、カソード９４が形成される。図１１（ａ）に示すように、カソード９４は、全てのアノード９１の上方に共通に設けられ、接続領域９４ａで下の電子注入層９３に接続される。
なお、図１１（ａ）および図１１（ｂ）では、図示を省略しているが、カソード９４を形成した後、全体を封止層で被覆する。
【０００５】
ここで、電子注入層９３の形成には、従来、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ金属を用いたドライプロセスが採用されてきたが、生産性の向上などを目的に、ウェットプロセスでの形成についての研究・開発などもなされている。例えば、特許文献３では、ＴｉＯ２のナノ粒子と炭酸セシウムとの混合溶液を用い、この混合溶液を有機発光層の上に塗布し、これをベークすることで電子注入層を形成できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２５９７３７７号公報
【特許文献２】特開２０１０−９７５３号公報
【特許文献３】米国特許公開２０１０００１２１７８Ａ１公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図１１（ａ）に示すように、現状において想定される一例としての有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層を形成する際に、隣り合うアノード９１の露出部９１ｂ間の上に跨った状態で、電子注入層を形成するための導電性材料が付着することにより、アノード９１同士が短絡してしまうことが生じ得る（図１１（ａ）における領域Ａ９３）。このように、隣り合うアノード９１同士が短絡してしまうと、一方のアノード９１が属する画素を発光させようとした際に隣の画素についても発光してしまうという問題が生じる。
【０００８】
本発明は、このような問題の解決を図るべくなされたものであって、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、次の工程を備える。
・ 基板を準備する工程
・ 第１電極を形成する工程；基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の第１電極を形成する。
・ 犠牲膜を形成する工程；複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する。
【００１０】
・ 中間層を形成する工程；複数の第１電極の各上方に、少なくとも電子注入層を含む中間層を形成する。
・ 剥離・除去する工程；犠牲膜を複数の第１電極から剥離・除去する。
・ 第２電極を形成する工程；中間層の上方に、第２電極を形成する。
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、上記剥離・除去する工程を実行する前において、中間層における電子注入層の一部が、犠牲膜に付着された状態にあり、剥離・除去する工程において、中間層における電子注入層の一部が付着した状態で、犠牲膜を剥離・除去する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜を剥離・除去する工程とを含み、犠牲膜の剥離・除去に際して、電子注入層の一部も一緒に剥離・除去される。このため、中間層を形成する工程において、複数の第１電極の上方における不所望な領域に電子注入層形成のための導電性材料が付着した場合にあっても、これを犠牲膜とともに剥離・除去できるので、導電性材料の付着を無くし、隣り合う第１電極同士の間での短絡を確実に抑制することができる。
【００１２】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬデバイス１の製造工程を示す工程概略図である。
【図２】有機ＥＬデバイス１の製造過程を示す模式図であって、（ａ）、（ｃ）は模式平面図であり、（ｂ），（ｄ）はそれぞれに対応する模式断面図である。
【図３】有機ＥＬデバイス１の製造過程を示す模式図であって、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）〜（ｅ）は模式断面図である。
【図４】有機ＥＬデバイス１の製造過程を示す模式図であって、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は模式断面図である。
【図５】有機ＥＬデバイス１の製造過程を示す模式図であって、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は模式断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬデバイスの製造工程を示す工程概略図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬデバイス３の製造工程を示す工程概略図である。
【図８】有機ＥＬデバイス３の製造過程を示す模式図であって、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）〜（ｅ）は模式断面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬデバイス５の製造工程を示す工程概略図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬデバイス５の製造過程を示す模式断面図である。
【図１１】（ａ）は、現状において想定される一例としての有機ＥＬデバイスの構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、その模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［本発明の態様の概要］
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、次の工程を備える。
・ 基板を準備する工程
・ 第１電極を形成する工程；基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の第１電極を形成する。
【００１５】
・ 犠牲膜を形成する工程；複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する。
・ 中間層を形成する工程；複数の第１電極の各上方に、少なくとも電子注入層を含む中間層を形成する。
・ 剥離・除去する工程；犠牲膜を複数の第１電極から剥離・除去する。
【００１６】
・ 第２電極を形成する工程；中間層の上方に、第２電極を形成する。
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、上記剥離・除去する工程を実行する前において、中間層における電子注入層の一部が、犠牲膜に付着された状態にあり、剥離・除去する工程において、中間層における電子注入層の一部が付着した状態で、犠牲膜を剥離・除去する、ことを特徴とする。
【００１７】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜を剥離・除去する工程とを含み、犠牲膜の剥離・除去に際して、電子注入層の一部も一緒に剥離・除去される。このため、中間層を形成する工程において、複数の第１電極の上方における不所望な領域に電子注入層形成のための導電性材料が付着した場合にあっても、これを犠牲膜とともに剥離・除去できるので、導電性材料の付着を無くし、隣り合う第１電極同士の間での短絡を確実に抑制することができる。
【００１８】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、犠牲膜を形成する工程において、複数の第１電極の各一部の上方と、当該各一部同士の間の上方との両方にわたり連続して覆うように、犠牲膜を形成する、ことを特徴とする。このような構成を採用する場合には、複数の第１電極の各一部の上方と、当該各一部同士の間の上方との両方において、電子注入層形成のための導電性材料が付着した場合にも、犠牲膜の剥離・除去により、導電性材料が残留することを効果的に抑制することができる。
【００１９】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、中間層を形成する工程において、複数の第１電極の各一部の上に、当該各一部に接触する状態で、少なくとも有機発光層を含む下地層を形成するサブ工程と、下地層上に、導電性材料を塗布して電子注入層を形成するサブ工程と、を含む。そして、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、犠牲膜を形成する工程において、下地層の形成の後（下地層を形成するサブ工程の実行の後）に、当該下地層で被覆されず露出した状態の複数の第１電極の各上における他の部分を覆う状態で、犠牲膜を形成し、電子注入層を形成するサブ工程において、下地層の上と犠牲膜の上との両方にわたり連続して覆うように、電子注入層を形成する、ことを特徴とする。
【００２０】
このように、下地層を形成し、その上に犠牲膜を形成した後に、電子注入層を形成する場合にも、犠牲膜の剥離・除去により、不所望な領域に付着した電子注入層形成用の導電性材料を剥離・除去することができる。
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
【００２１】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、下地層を形成するサブ工程で形成された下地層については犠牲膜を形成する前にベーク処理し、下地層の上に形成された電子注入層については犠牲膜を剥離・除去した後にベーク処理する、ことを特徴とする。このように、犠牲膜が残存する状態ではベークを行わないことで、有機材料を含む犠牲膜を用いる場合においても、ベークに起因するガスが発生することはなく、完成後における有機ＥＬデバイスの発光特性などの観点から優れることになる。
【００２２】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、犠牲膜を形成する工程において、中間層を形成する前に、複数の第１電極の各一部の上に、当該各一部に接触する状態で、犠牲膜を形成し、中間層を形成する工程において、当該犠牲膜で被覆されず露出した状態の複数の第１電極の各上における他の部分と、犠牲膜の少なくとも一部の上との両方にわたり連続して覆うように、少なくとも有機発光層を含む下地層を形成するサブ工程と、下地層上に、導電性材料を塗布して電子注入層を形成するサブ工程と、を含む。そして、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、剥離・除去する工程を実行する前において、中間層における電子注入層の一部に加え、下地層の一部が、犠牲膜と付着された状態にあり、剥離・除去する工程において、中間層における電子注入層の一部および下地層の一部が付着した状態で、犠牲膜を剥離・除去する、ことを特徴とする。
【００２３】
このように、先ず、犠牲膜を形成した後に、下地層と電子注入層とを順に形成する場合にも、犠牲膜の剥離・除去により、不所望な領域に付着した電子注入層形成用の導電性材料を剥離・除去することができる。
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
【００２４】
なお、このように先ず犠牲膜を形成する場合には、犠牲膜の剥離・除去により、電子注入層の一部とともに下地層の一部も剥離・除去されることになるので、当該剥離・除去の対象となった領域については、第１電極の各一部が露出されることになる。このため、駆動回路などとの接続に際し、当該露出部分を用いることで良好な接続を図ることができる。
【００２５】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、第２電極を形成する工程を、犠牲膜を剥離・除去した後に実行する、ことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、剥離・除去する工程を、第２電極を形成した後に実行する、ことを特徴とする。
このように、第２電極を形成する工程と、犠牲膜を剥離・除去する工程とについて、どちらを先に実行することとしても、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる、という効果を得ることができる。
【００２６】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、複数の第１電極の各々に対応して画素が構成され、第２電極が複数の画素にわたり連続する状態で形成される、ことを特徴とする。このように、第２電極を全ての画素で共通にすることができ、その場合には、第２電極の電気抵抗の低減を図ることや、設計における自由度を高くすることなどが可能となる。
【００２７】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層を、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いたウェットプロセスで形成する、ことを特徴とする。このように、電子注入層を、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いたウェットプロセスで形成する場合には、形成された電子注入層の導電性が高くなる。よって、上述のように、犠牲膜の剥離・除去により、不所望の部分に付着した導電性材料の残留を確実に抑制することが、隣り合う第１電極同士の間での短絡防止という観点から非常に有効なものとなる。
【００２８】
なお、上記において「上方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。また、「上方」との用語は、互いの間に間隔をあけた場合のみならず、下地となる層に対し互いに密着する場合にも適用するものである。以下の記載においても、同様である。
【００２９】
以下では、具体例を用い、本発明に係る態様の特徴、および作用・効果について説明する。なお、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以下の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。
［実施の形態１］
本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬデバイス１の製造方法について、図１および図２から図５を用い説明する。
【００３０】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１０を準備する（図１のステップＳ１０）。図２（ａ）に示すように、基板１０は、矩形の平面形状をしている。基板１０は、例えば、無アクリルガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナなどの絶縁性材料をベースに形成されている。
【００３１】
次に、図２（ｃ）、（ｄ）に示すように、基板１０の一方の主面上に、複数のアノード１１を形成する（図１のステップＳ１１）。図２（ｃ）に示すように、アノード１１は、基板１０におけるＸ軸方向の両端辺から、それぞれＸ軸方向の内側に向けて延設され、基板１０のＸ軸方向の中央領域で対向している。このため、図２（ｄ）に示すように、基板１０のＸ軸方向の中央領域には、アノード１１が形成されず、基板１０の表面が露出する露出部１０ａが存在する。
【００３２】
ここで、アノード１１の形成には、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などを用い成膜され、エッチングにより画素毎に区画される。
また、ボトムエミッション型のデバイスを一例とする本実施の形態では、アノード１１の構成材料としては、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）若しくはＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などを採用することができる。ボトムエミッション型のデバイスの場合には、アノード１１について、光透過率が８０［％］以上であることが好ましい。
【００３３】
次に、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、複数のアノード１１の各一部を被覆するように、画素規制層（ＰＣＬ）１５を形成する。図３（ａ）に示すように、画素規制層１５は、アノード１１における基板１０の中央領域に配された部分を被覆しており、また、各アノード１１の一部を露出させる窓部１５ａがそれぞれ開けられている。
複数のアノード１１の各々は、画素規制層１５の窓部１５ａを通して見える部分（露出部１１ａ）と、基板１０のＸ軸方向の端部分に配された部分（端部分１１ｂ）とが、画素規制層１５で被覆されていない部分となる。
【００３４】
なお、画素規制層１５は、例えば、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの絶縁性材料から構成されている。
次に、図３（ｃ）に示すように、アノード１１および画素規制層１５が形成された基板１０上に、ホール注入層１２１を形成する（図１のステップＳ１２１）。ホール注入層１２１は、例えば、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などの酸化物から形成することができる。特に、ＷＯＸ（酸化タングステン）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から好ましい。
【００３５】
ＷＯＸからなるホール注入層１２１を形成する場合、例えば、アルゴンガスと酸素ガスにより構成されたガスをスパッタリング装置のチャンバー内のガスとして用い、当該ガスの全圧が２．７［Ｐａ］を超え、７．０［Ｐａ］以下であり、且つ、酸素ガス分圧の全圧に対する比率が、５０［％］以上、７０［％］以下であって、さらにターゲット単位面積当たりの投入電力密度が１［Ｗ／ｃｍ２］以上、２．８［Ｗ／ｃｍ２］以下となる成膜条件を採用することができる。
【００３６】
なお、ホール注入層１２１については、アノード１１毎に区画して形成してもよい。
次に、図３（ｄ）に示すように、ホール注入層１２１の上に、ホール輸送層１２２を形成する（図１のステップＳ１２２）。ホール輸送層１２２は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの、親水基を備えない高分子化合物を用い、印刷法で成膜した後、焼成することで形成される（図１のステップＳ１２２）。
【００３７】
次に、図３（ｅ）に示すように、ホール輸送層１２２の上に、有機発光層１２３を形成する（図１のステップＳ１２３）。有機発光層１４は、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質などを用い、印刷法で成膜した後、焼成することにより形成される。
【００３８】
なお、ステップＳ１２１からステップＳ１２３までの工程を纏めて、ステップＳ１２と呼称する場合があり、また、ホール注入層１２１、ホール輸送層１２２、および有機発光層１２３の積層体を、中間下地層１２と呼称する場合がある。
次に図４（ａ）、（ｂ）に示すように、アノード１１の上方、即ち、有機発光層１２３上の一部を覆うように、犠牲膜２０を形成する（図１のステップ１３）。図４（ａ）に示すように、犠牲膜２０は、基板１０のＸ軸方向両側の縁部分にそれぞれ形成される。そして、図４（ａ）に示すように、Ｚ軸方向の上側から見るとき、犠牲膜２０と画素規制層１５とが若干の重なり部分を有するようにするとともに、図４（ｂ）に示すように、犠牲膜２０は、基板１０の側端およびアノード１１の側端を覆うスカート部２０ｂも有するように形成する。
【００３９】
ここで、犠牲膜２０は、例えば、ポリイミドテープなどを用いることができる。ポリイミドテープを有機発光層１２３上の一部に貼着することで犠牲膜２０の形成が可能である。なお、犠牲膜２０については、ポリイミドなどの有機材料の他に、無機材料などを用い形成することもできる。
次に、図４（ｃ）に示すように、犠牲膜２０の上、および露出している有機発光層１２３の上を覆うように、電子注入準備膜１３０を成膜する（図１のステップＳ１４）。電子注入準備膜１３０は、犠牲膜２０におけるスカート部２０ｂの上にも形成される（側部１３０ｂ）。
【００４０】
ここで、本実施の形態に係る電子注入準備膜１３０は、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を、有機発光層１４の上に滴下し、例えば、スピンコートなどで成膜することができる。
次に、図４（ｄ）に示すように、犠牲膜２０を剥離・除去する（図１のステップＳ１５）。なお、犠牲膜２０を剥離・除去する前においては、電子注入準備膜１３０における犠牲膜２０と接触している部分は犠牲膜２０に付着されており、犠牲膜２０の剥離・除去に伴い、電子注入準備膜１３０の一部も除去され、電子注入層１３が形成される。
【００４１】
電子注入層１３の形成にあたっては、特に図示をしていないが、電子注入準備膜１３０を有機発光層１２３の耐熱温度以下の温度でベークする。そして、電子注入層１３の形成では、大気中で一度ベークした後、窒素雰囲気下で再度ベークする。
以上のように、犠牲膜２０を剥離・除去することにより、図４（ｄ）に示すように、有機発光層１２３の一部は、電子注入層１３に被覆されず露出する（露出部１２３ａ）。
【００４２】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、電子注入層１３の上に、カソード１４を形成する（図１のステップＳ１６）。図５（ａ）に示すように、カソード１４は、画素規制層１５の複数の窓部１５ａの各上方に対して、連続して覆うよう接続領域１４ａと、その基部１４ｂとから構成されている。カソード１４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やその合金、Ａｇ（銀）やその合金を用い、スパッタリング法や真空蒸着法を用い形成される。なお、カソード１４の形成に用いる材料については、その表面部が高い光反射特性を有することが好ましい。
【００４３】
最後に、図示を省略しているが、カソード１４および露出している電子注入層１３や有機発光層１２３の上を、封止層で封止することにより有機ＥＬデバイス１が完成する。封止層は、有機発光層１２３などの有機層が水分に曝されたり、空気に曝されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用いることができる。
【００４４】
なお、封止層の上に、さらにアクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けることとしてもよい。
本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス１の製造方法では、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、複数のアノード１１の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方に、犠牲膜２０を形成し、図４（ｃ）に示すように、電子注入準備膜１３０を形成している。そして、図４（ｄ）に示すように、電子注入準備膜１３０の形成後に、電子注入準備膜１３０の一部を伴い、犠牲膜２０を剥離・除去することにより、有機発光層１２３の一部が露出し（露出部１２３ａ）、また、アノード１１の側端１１ｃも露出する。
【００４５】
このように、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス１の製造方法によれば、電子注入層１３を形成するための導電性材料が、アノード１１の上方における不所望の領域に残留することを確実に抑制することができる。
従って、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス１の製造方法では、電子注入層１３形成に係る導電性材料からなる層（電子注入準備膜１３０）が隣り合うアノード１１間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイス１を製造することができる。
【００４６】
［実施の形態２］
本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬデバイスの製造方法について、図６を用い説明する。なお、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、中間下地層１２のベーク、および電子注入層１３のベークの各々を実行するタイミングに特徴を有するので、他の工程については、以下での説明を省略する。
【００４７】
本実施の形態に係る製造方法では、中間下地層１２を形成する工程（ステップＳ１２）の実行の後、中間下地層１２をベークする（図６のステップＳ１７）。そして、その後に犠牲膜２０を形成し（図６のステップＳ１３）、電子注入準備膜１３０を形成する（図６のステップＳ１４）。
次に、本実施の形態に係る製造方法では、電子注入準備膜１３０の一部が付着した状態の犠牲膜２０を剥離・除去し、電子注入層１３の形成が完了する（図６のステップＳ１５）。本実施の形態では、その後に、電子注入層１３をベークする（図６のステップＳ１８）。
【００４８】
この後は、上記実施の形態１に係る製造方法と同様に、電子注入層１３上の一部にカソード１４を形成する（図６のステップＳ１６）。
本実施の形態に係る製造方法では、犠牲膜２０を形成する前に、中間下地層１２のベークを行い（ステップＳ１７）、また、犠牲膜２０を剥離・除去した後に、電子注入層１３のベークを行う（ステップＳ１８）。このように、犠牲膜２０が存在する状態ではベークを行わないこととする本実施の形態に係る製造方法では、有機材料からなる犠牲膜２０を採用した場合にあっても、ベークの際に当該犠牲膜２０に起因するガスの発生を防止することができる。よって、本実施の形態に係る製造方法では、上記実施の形態１に係る製造方法が奏することができる効果に加えて、アウトガスの発生防止という効果を得ることができる。
【００４９】
［実施の形態３］
本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬデバイス３の製造方法について、図７および図８を用い説明する。
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る製造方法では、基板３０を準備し（図７のステップＳ２０）、複数のアノード３１を形成し（図７のステップＳ２１）、複数のアノード３１の各々の一部を覆うように画素規制層３５を形成する。ここまでは、上記実施の形態１に係る製造方法と同様である。
【００５０】
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、複数のアノード３１の各々における画素規制層３５に覆われず露出している部分の一部（露出部３１ｂ）を、犠牲膜４０で覆う（図７のステップＳ２２）。犠牲膜４０を形成した後において、複数のアノード３１は、画素規制層３５の窓部３５ａから露出する部分（露出部３１ａ）を除き、画素規制層３５および犠牲膜４０で被覆されることになる。
【００５１】
なお、本実施の形態においても、犠牲膜４０として、例えば、ポリイミドテープを用いることができる。また、図８（ｂ）に示すように、犠牲膜４０についても、基板３０および複数のアノード３１のＸ軸方向端部も覆うスカート部４０ｂを有する。よって、本実施の形態においても、複数のアノード３１は、画素規制層３５に開けられた窓部３５ａを通し露出される露出部３１ａを除き、ステップＳ２２の実行の後は露出していない。
【００５２】
次に、図８（ｃ）に示すように、アノード３１の露出部３１ａ、画素規制層３５、および犠牲膜４０の上に、ホール注入準備膜３２１０、ホール輸送準備膜３２２０、および有機発光準備膜３２３０を順に積層形成する（図７のステップＳ２３１，Ｓ２３２，Ｓ２３３）。上記同様に、これらの工程を総称して中間下地層の準備膜を形成するステップＳ２３ということがある。
【００５３】
さらに、図８（ｃ）に示すように、有機発光準備膜３２３０の上に、電子注入準備膜３３０を積層形成する（図７のステップＳ２４）。なお、電子注入準備膜３３０は、上記同様に、例えば、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を、有機発光準備膜３２３０の上に滴下し、例えば、スピンコートなどで成膜することができる。
ここで、図８（ｃ）に示すように、犠牲膜４０のスカート部４０ｂの上にも、ホール輸送準備膜３２２０、有機発光準備膜３２３０、および電子注入準備膜３３０の各一部３２２０ｂ，３２３０ｂ，３３０ｂが積層される。
【００５４】
次に、ホール注入準備膜３２１０、ホール輸送準備膜３２２０、有機発光準備膜３２３０、および電子注入準備膜３３０の各一部が付着した犠牲膜４０を剥離・除去する（図７のステップＳ２５）。これにより、図８（ｄ）に示すように、複数のアノード３１のＸ軸方向の両縁部３１ｂと両端部３１ｃが露出する。また、ベークを行うことにより、ホール注入層３２１、ホール輸送層３２２、および有機発光層３２３からなる中間下地層３２と、電子注入層３３が形成される。
【００５５】
最後に、電子注入層３３の上に、連続するカソード３４を形成し（図７のステップＳ２６）、図示を省略しているが、封止層を形成することで有機ＥＬデバイス３が完成する。
このように、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス３の製造方法によっても、電子注入層３３を形成するための導電性材料が、アノード３１の両縁部３１ｂおよび両端部３１ｃにおける不所望の領域に残留することを確実に抑制することができる。
【００５６】
従って、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス３の製造方法でも、電子注入層３３の形成に係る導電性材料からなる層（電子注入準備膜３３０）が隣り合うアノード３１間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイス３を製造することができる。
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬデバイス５の製造方法について、図９および図１０を用い説明する。
【００５７】
図９に示すように、基板５０の準備（ステップＳ３０）、および複数のアノード５１の形成（ステップＳ３１）を順に実行し、画素規制層５５を形成する（図１０（ａ）を参照）。さらに、ホール注入層５２１の形成（ステップＳ３２１）、ホール輸送層５２２の形成（ステップＳ３２２）、有機発光層５２３の形成（ステップＳ３２３）の実行（ステップＳ３２）を実行する。そして、犠牲膜６０の形成した後（ステップＳ３３）、電子注入準備膜５３０を形成する（ステップＳ３４）。ここまでの工程は、上記実施の形態１と同様である。
【００５８】
ステップＳ３４まで実行することにより、図１０（ａ）に示すように、基板５０のＺ軸方向上面に、複数のアノード５１、画素規制層５５が形成され、その上に、中間下地層５２（ホール注入層５２１、ホール輸送層５２２、有機発光層５２３）、犠牲膜６０、および電子注入準備膜５３０が順に積層された中間体が形成される。
ここで、図１０（ａ）に示すように、本実施の形態においても、犠牲膜６０にはスカート部６０ｂが形成され、電子注入準備膜５３０の一部５３０ｂが当該スカート部６０ｂの上にも付着する。
【００５９】
次に、図１０（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る製造方法では、電子注入準備膜５３０のＺ軸方向上面に対して、先にカソード準備膜５４０を積層形成する（図９のステップＳ３５）。なお、カソード準備膜５４０の形成は、上記実施の形態１と同様に、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法を用いることができる。また、図１０（ｂ）では、画素規制層５５に開けられた窓部と窓部との間、即ち、隣り合う画素部間において、カソード準備膜５４０が連続していない形態を示しているが、連続した形態を採用することもできる。
【００６０】
次に、電子注入準備膜５３０およびカソード準備膜５４０の各一部が付着した犠牲膜６０を剥離・除去する（図９のステップＳ３６）。これにより、図１０（ｃ）に示すように、電子注入層５３およびカソード５４が形成される。また、この状態においては、有機発光層５２３の上面の一部５２３ａが露出するが、図示を省略している封止層の形成を行うことで、有機発光層５２３の特性を低下させることなく、有機ＥＬデバイス５が完成する。
【００６１】
このように、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス５の製造方法によっても、電子注入層５３を形成するための導電性材料が、アノード５１の両縁部および両端部５１ｃにおける不所望の領域に残留することを確実に抑制することができる。
従って、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス５の製造方法でも、電子注入層５３の形成に係る導電性材料からなる層（電子注入準備膜５３０）が隣り合うアノード５１間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイス５を製造することができる。
【００６２】
なお、図１０（ｃ）に示すように、本実施の形態に係る製造方法においても、アノード５１の上に、中間下地層５２が残ることになるが、電子注入層５３およびその形成のための導電性材料に比べて、これら中間下地層５２は、導電性が低いので、隣り合うアノード５１同士の間での短絡という問題を生じることがない。
［その他の事項］
上記実施の形態１，２，３，４では、画素規制層１５，３５，５５に８つの窓部１５ａ，３５ａ，・・が開けられており、当該窓部１５ａ，３５ａ，・・に対応する８つの画素を備える有機ＥＬデバイスを一例としたが、本発明は、これに限定されない。例えば、７つ以下の画素を有する構成や、９つ以上の画素を有する構成を採用することも可能である。
【００６３】
また、上記実施の形態１，２，３，４では、画素規制層１５，３５，５５の上に、隣り合う画素間で区画することなくホール注入層１２１，３２１，５２１、ホール輸送層１２２，３２２，５２２、有機発光層１２３，３２３，５２３などを形成することとしたが、本発明は、これに限定されない。例えば、隣り合う画素間に高さを有するバンクを形成し、バンクで囲繞された各画素相当域に対して、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層などを形成することとしてもよい。
【００６４】
また、上記実施の形態１，２，３，４では、一例としてボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスを採用したが、本発明は、これに限定されない。トップエミッション型の有機ＥＬデバイスに本発明の構成を適用することとしても、上記同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態1，２，３，４では、基板１０，３０，５０の側にアノード１１，３１，５１を形成し、有機発光層１２３，３２３，５２３を間に挟んだ上方にカソード１４，３４，５４を形成することとしたが、本発明は、これに限定されない。基板の側にカソードを形成し、有機発光層を間に挟んだ上方にアノードを形成することもできる。
【００６５】
また、上記実施の形態１，２，３，４では、基板１０，３０，５０には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路などが形成されている形態を示していないが、本発明は、これに限定されない。画素毎にＴＦＴ回路などの発光制御部を基板中あるいは基板上に形成することとしてもよい。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、電子注入層１３，３３，５３の形成に、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いるウェットプロセスを採用することとしたが、本発明は、これに限定されない。異なる態様の材料を用いてもよいし、ドライプロセスを用いて形成することもできる。ただし、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いるウェットプロセスで電子注入層を形成する場合には、形成材料の高い導電性のために、本発明に係る製造方法を採用することが効果的となる。
【００６６】
また、上記実施の形態１，２，３，４では、犠牲膜２０，４０，６０の一例として、ポリイミドテープを用いたが、本発明は、これに限定されない。例えば、エポキシテープ、ポリエステルテープ、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）テープなどを用いることもできる。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、複数のアノードの各一部の上方、および各一部同士の間の上方に犠牲膜２０，４０，６０を形成することとしたが、本発明は、これに限定されない。例えば、複数のアノードの各一部の上方だけに犠牲膜を形成することとしてもよいし、逆に、複数のアノードの各一部同士の間の上方だけに犠牲膜を形成することとしてもよい。このような形態を以って犠牲膜を形成する場合においても、電子注入層形成用の導電性材料により、隣り合うアノード同士が短絡することを確実に抑制することができる。即ち、隣り合うアノードの各一部同士の間で連続した状態が導電性材料が付着し残留することを防止出来れば、上記効果を得ることができる。
【００６７】
また、犠牲膜２０の形成および剥離・除去と、中間下地層１２および電子注入層１３のベークとの順序について規定する上記実施の形態２について、この考え方を上記実施の形態３，４などに適用することも可能である。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、有機ＥＬデバイス毎の製造方法について説明したが、一枚の基板に複数の有機ＥＬデバイスを作成し、最後にダイシングするという製造方法を採用することもできる。この場合においても、犠牲膜２０，４０，６０を用いる本発明に係る製造方法は上記効果を得る上で有効である。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、高画質な有機ＥＬデバイスを実現するのに有用である。
【符号の説明】
【００６９】
１，３，５．有機ＥＬデバイス
１０，３０，５０．基板
１１，３１，５１．アノード
１２，３２，５２．中間下地層
１３，３３，５３．電子注入層
１４，３４，５４．カソード
１５，３５，５５．画素規制層
２０，４０，６０．犠牲膜
１２１，３２１，５２１．ホール注入層
１２２，３２２，５２２．ホール輸送層
１２３，３２３，５２３．有機発光層
１３０，３３０，５３０．電子注入準備膜
５４０．カソード準備膜
３２１０．ホール注入準備膜
３２２０．ホール輸送準備膜
３２３０．有機発光準備膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬデバイスの製造方法に関し、特に、電極との関係における電子注入層の形成精度に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代の発光デバイスとして、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）デバイスが注目されている。有機ＥＬデバイスは、固体蛍光性物質の電界発光現象を利用した発光デバイスである（特許公報１，２）。現状において想定される一例としての有機ＥＬデバイスの製造方法について、図１１を用い説明する。
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、基板９０の一方の主面上（図１１（ｂ）のＺ軸方向における上側主面上）に、複数のアノード９１を形成する。図１１（ａ）に示すように、複数のアノード９１は、互いに間隔をあけて配設されている。
【０００３】
次に、複数のアノード９１の上の一部に、画素規制層（ＰＣＬ）９５を積層する。図１１（ａ）に示すように、画素規制層９５は、複数のアノード９１における基板９０の中央領域に配された部分を覆うように配され、各アノード９１に対応して窓部９５ａが開けられている。図１１（ｂ）に示すように、画素規制層９５の上には、ホール注入層９２１、ホール輸送層９２２、有機発光層９２３、電子注入層９３が順に積層されている。このうち、ホール注入層９２１、ホール輸送層９２２、および有機発光層９２３により、中間下地層９２が構成される。
【０００４】
図１１（ｂ）に示すように、電子注入層９３の上には、カソード９４が形成される。図１１（ａ）に示すように、カソード９４は、全てのアノード９１の上方に共通に設けられ、接続領域９４ａで下の電子注入層９３に接続される。
なお、図１１（ａ）および図１１（ｂ）では、図示を省略しているが、カソード９４を形成した後、全体を封止層で被覆する。
【０００５】
ここで、電子注入層９３の形成には、従来、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ金属を用いたドライプロセスが採用されてきたが、生産性の向上などを目的に、ウェットプロセスでの形成についての研究・開発などもなされている。例えば、特許文献３では、ＴｉＯ２のナノ粒子と炭酸セシウムとの混合溶液を用い、この混合溶液を有機発光層の上に塗布し、これをベークすることで電子注入層を形成できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２５９７３７７号公報
【特許文献２】特開２０１０−９７５３号公報
【特許文献３】米国特許公開２０１０００１２１７８Ａ１公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図１１（ａ）に示すように、現状において想定される一例としての有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層を形成する際に、隣り合うアノード９１の露出部９１ｂ間の上に跨った状態で、電子注入層を形成するための導電性材料が付着することにより、アノード９１同士が短絡してしまうことが生じ得る（図１１（ａ）における領域Ａ９３）。このように、隣り合うアノード９１同士が短絡してしまうと、一方のアノード９１が属する画素を発光させようとした際に隣の画素についても発光してしまうという問題が生じる。
【０００８】
本発明は、このような問題の解決を図るべくなされたものであって、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、次の工程を備える。
・ 基板を準備する工程
・ 第１電極を形成する工程；基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の第１電極を形成する。
・ 犠牲膜を形成する工程；複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する。
【００１０】
・ 中間層を形成する工程；複数の第１電極の各上方に、少なくとも電子注入層を含む中間層を形成する。
・ 剥離・除去する工程；犠牲膜を複数の第１電極から剥離・除去する。
・ 第２電極を形成する工程；中間層の上方に、第２電極を形成する。
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、上記剥離・除去する工程を実行する前において、中間層における電子注入層の一部が、犠牲膜に付着された状態にあり、剥離・除去する工程において、中間層における電子注入層の一部が付着した状態で、犠牲膜を剥離・除去する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜を剥離・除去する工程とを含み、犠牲膜の剥離・除去に際して、電子注入層の一部も一緒に剥離・除去される。このため、中間層を形成する工程において、複数の第１電極の上方における不所望な領域に電子注入層形成のための導電性材料が付着した場合にあっても、これを犠牲膜とともに剥離・除去できるので、導電性材料の付着を無くし、隣り合う第１電極同士の間での短絡を確実に抑制することができる。
【００１２】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬデバイス１の製造工程を示す工程概略図である。
【図２】有機ＥＬデバイス１の製造過程を示す模式図であって、（ａ）、（ｃ）は模式平面図であり、（ｂ），（ｄ）はそれぞれに対応する模式断面図である。
【図３】有機ＥＬデバイス１の製造過程を示す模式図であって、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）〜（ｅ）は模式断面図である。
【図４】有機ＥＬデバイス１の製造過程を示す模式図であって、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は模式断面図である。
【図５】有機ＥＬデバイス１の製造過程を示す模式図であって、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は模式断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬデバイスの製造工程を示す工程概略図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬデバイス３の製造工程を示す工程概略図である。
【図８】有機ＥＬデバイス３の製造過程を示す模式図であって、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）〜（ｅ）は模式断面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬデバイス５の製造工程を示す工程概略図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬデバイス５の製造過程を示す模式断面図である。
【図１１】（ａ）は、現状において想定される一例としての有機ＥＬデバイスの構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、その模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［本発明の態様の概要］
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、次の工程を備える。
・ 基板を準備する工程
・ 第１電極を形成する工程；基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の第１電極を形成する。
【００１５】
・ 犠牲膜を形成する工程；複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する。
・ 中間層を形成する工程；複数の第１電極の各上方に、少なくとも電子注入層を含む中間層を形成する。
・ 剥離・除去する工程；犠牲膜を複数の第１電極から剥離・除去する。
【００１６】
・ 第２電極を形成する工程；中間層の上方に、第２電極を形成する。
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、上記剥離・除去する工程を実行する前において、中間層における電子注入層の一部が、犠牲膜に付着された状態にあり、剥離・除去する工程において、中間層における電子注入層の一部が付着した状態で、犠牲膜を剥離・除去する、ことを特徴とする。
【００１７】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜を剥離・除去する工程とを含み、犠牲膜の剥離・除去に際して、電子注入層の一部も一緒に剥離・除去される。このため、中間層を形成する工程において、複数の第１電極の上方における不所望な領域に電子注入層形成のための導電性材料が付着した場合にあっても、これを犠牲膜とともに剥離・除去できるので、導電性材料の付着を無くし、隣り合う第１電極同士の間での短絡を確実に抑制することができる。
【００１８】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、犠牲膜を形成する工程において、複数の第１電極の各一部の上方と、当該各一部同士の間の上方との両方にわたり連続して覆うように、犠牲膜を形成する、ことを特徴とする。このような構成を採用する場合には、複数の第１電極の各一部の上方と、当該各一部同士の間の上方との両方において、電子注入層形成のための導電性材料が付着した場合にも、犠牲膜の剥離・除去により、導電性材料が残留することを効果的に抑制することができる。
【００１９】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、中間層を形成する工程において、複数の第１電極の各一部の上に、当該各一部に接触する状態で、少なくとも有機発光層を含む下地層を形成するサブ工程と、下地層上に、導電性材料を塗布して電子注入層を形成するサブ工程と、を含む。そして、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、犠牲膜を形成する工程において、下地層の形成の後（下地層を形成するサブ工程の実行の後）に、当該下地層で被覆されず露出した状態の複数の第１電極の各上における他の部分を覆う状態で、犠牲膜を形成し、電子注入層を形成するサブ工程において、下地層の上と犠牲膜の上との両方にわたり連続して覆うように、電子注入層を形成する、ことを特徴とする。
【００２０】
このように、下地層を形成し、その上に犠牲膜を形成した後に、電子注入層を形成する場合にも、犠牲膜の剥離・除去により、不所望な領域に付着した電子注入層形成用の導電性材料を剥離・除去することができる。
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
【００２１】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、下地層を形成するサブ工程で形成された下地層については犠牲膜を形成する前にベーク処理し、下地層の上に形成された電子注入層については犠牲膜を剥離・除去した後にベーク処理する、ことを特徴とする。このように、犠牲膜が残存する状態ではベークを行わないことで、有機材料を含む犠牲膜を用いる場合においても、ベークに起因するガスが発生することはなく、完成後における有機ＥＬデバイスの発光特性などの観点から優れることになる。
【００２２】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、犠牲膜を形成する工程において、中間層を形成する前に、複数の第１電極の各一部の上に、当該各一部に接触する状態で、犠牲膜を形成し、中間層を形成する工程において、当該犠牲膜で被覆されず露出した状態の複数の第１電極の各上における他の部分と、犠牲膜の少なくとも一部の上との両方にわたり連続して覆うように、少なくとも有機発光層を含む下地層を形成するサブ工程と、下地層上に、導電性材料を塗布して電子注入層を形成するサブ工程と、を含む。そして、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、剥離・除去する工程を実行する前において、中間層における電子注入層の一部に加え、下地層の一部が、犠牲膜と付着された状態にあり、剥離・除去する工程において、中間層における電子注入層の一部および下地層の一部が付着した状態で、犠牲膜を剥離・除去する、ことを特徴とする。
【００２３】
このように、先ず、犠牲膜を形成した後に、下地層と電子注入層とを順に形成する場合にも、犠牲膜の剥離・除去により、不所望な領域に付着した電子注入層形成用の導電性材料を剥離・除去することができる。
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる。
【００２４】
なお、このように先ず犠牲膜を形成する場合には、犠牲膜の剥離・除去により、電子注入層の一部とともに下地層の一部も剥離・除去されることになるので、当該剥離・除去の対象となった領域については、第１電極の各一部が露出されることになる。このため、駆動回路などとの接続に際し、当該露出部分を用いることで良好な接続を図ることができる。
【００２５】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、第２電極を形成する工程を、犠牲膜を剥離・除去した後に実行する、ことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、剥離・除去する工程を、第２電極を形成した後に実行する、ことを特徴とする。
このように、第２電極を形成する工程と、犠牲膜を剥離・除去する工程とについて、どちらを先に実行することとしても、電子注入層形成に係る導電性材料からなる層が隣り合う電極間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイスを製造することができる、という効果を得ることができる。
【００２６】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、複数の第１電極の各々に対応して画素が構成され、第２電極が複数の画素にわたり連続する状態で形成される、ことを特徴とする。このように、第２電極を全ての画素で共通にすることができ、その場合には、第２電極の電気抵抗の低減を図ることや、設計における自由度を高くすることなどが可能となる。
【００２７】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、電子注入層を、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いたウェットプロセスで形成する、ことを特徴とする。このように、電子注入層を、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いたウェットプロセスで形成する場合には、形成された電子注入層の導電性が高くなる。よって、上述のように、犠牲膜の剥離・除去により、不所望の部分に付着した導電性材料の残留を確実に抑制することが、隣り合う第１電極同士の間での短絡防止という観点から非常に有効なものとなる。
【００２８】
なお、上記において「上方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。また、「上方」との用語は、互いの間に間隔をあけた場合のみならず、下地となる層に対し互いに密着する場合にも適用するものである。以下の記載においても、同様である。
【００２９】
以下では、具体例を用い、本発明に係る態様の特徴、および作用・効果について説明する。なお、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以下の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。
［実施の形態１］
本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬデバイス１の製造方法について、図１および図２から図５を用い説明する。
【００３０】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１０を準備する（図１のステップＳ１０）。図２（ａ）に示すように、基板１０は、矩形の平面形状をしている。基板１０は、例えば、無アクリルガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナなどの絶縁性材料をベースに形成されている。
【００３１】
次に、図２（ｃ）、（ｄ）に示すように、基板１０の一方の主面上に、複数のアノード１１を形成する（図１のステップＳ１１）。図２（ｃ）に示すように、アノード１１は、基板１０におけるＸ軸方向の両端辺から、それぞれＸ軸方向の内側に向けて延設され、基板１０のＸ軸方向の中央領域で対向している。このため、図２（ｄ）に示すように、基板１０のＸ軸方向の中央領域には、アノード１１が形成されず、基板１０の表面が露出する露出部１０ａが存在する。
【００３２】
ここで、アノード１１の形成には、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などを用い成膜され、エッチングにより画素毎に区画される。
また、ボトムエミッション型のデバイスを一例とする本実施の形態では、アノード１１の構成材料としては、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）若しくはＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などを採用することができる。ボトムエミッション型のデバイスの場合には、アノード１１について、光透過率が８０［％］以上であることが好ましい。
【００３３】
次に、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、複数のアノード１１の各一部を被覆するように、画素規制層（ＰＣＬ）１５を形成する。図３（ａ）に示すように、画素規制層１５は、アノード１１における基板１０の中央領域に配された部分を被覆しており、また、各アノード１１の一部を露出させる窓部１５ａがそれぞれ開けられている。
複数のアノード１１の各々は、画素規制層１５の窓部１５ａを通して見える部分（露出部１１ａ）と、基板１０のＸ軸方向の端部分に配された部分（端部分１１ｂ）とが、画素規制層１５で被覆されていない部分となる。
【００３４】
なお、画素規制層１５は、例えば、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの絶縁性材料から構成されている。
次に、図３（ｃ）に示すように、アノード１１および画素規制層１５が形成された基板１０上に、ホール注入層１２１を形成する（図１のステップＳ１２１）。ホール注入層１２１は、例えば、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などの酸化物から形成することができる。特に、ＷＯＸ（酸化タングステン）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から好ましい。
【００３５】
ＷＯＸからなるホール注入層１２１を形成する場合、例えば、アルゴンガスと酸素ガスにより構成されたガスをスパッタリング装置のチャンバー内のガスとして用い、当該ガスの全圧が２．７［Ｐａ］を超え、７．０［Ｐａ］以下であり、且つ、酸素ガス分圧の全圧に対する比率が、５０［％］以上、７０［％］以下であって、さらにターゲット単位面積当たりの投入電力密度が１［Ｗ／ｃｍ２］以上、２．８［Ｗ／ｃｍ２］以下となる成膜条件を採用することができる。
【００３６】
なお、ホール注入層１２１については、アノード１１毎に区画して形成してもよい。
次に、図３（ｄ）に示すように、ホール注入層１２１の上に、ホール輸送層１２２を形成する（図１のステップＳ１２２）。ホール輸送層１２２は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの、親水基を備えない高分子化合物を用い、印刷法で成膜した後、焼成することで形成される（図１のステップＳ１２２）。
【００３７】
次に、図３（ｅ）に示すように、ホール輸送層１２２の上に、有機発光層１２３を形成する（図１のステップＳ１２３）。有機発光層１４は、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質などを用い、印刷法で成膜した後、焼成することにより形成される。
【００３８】
なお、ステップＳ１２１からステップＳ１２３までの工程を纏めて、ステップＳ１２と呼称する場合があり、また、ホール注入層１２１、ホール輸送層１２２、および有機発光層１２３の積層体を、中間下地層１２と呼称する場合がある。
次に図４（ａ）、（ｂ）に示すように、アノード１１の上方、即ち、有機発光層１２３上の一部を覆うように、犠牲膜２０を形成する（図１のステップ１３）。図４（ａ）に示すように、犠牲膜２０は、基板１０のＸ軸方向両側の縁部分にそれぞれ形成される。そして、図４（ａ）に示すように、Ｚ軸方向の上側から見るとき、犠牲膜２０と画素規制層１５とが若干の重なり部分を有するようにするとともに、図４（ｂ）に示すように、犠牲膜２０は、基板１０の側端およびアノード１１の側端を覆うスカート部２０ｂも有するように形成する。
【００３９】
ここで、犠牲膜２０は、例えば、ポリイミドテープなどを用いることができる。ポリイミドテープを有機発光層１２３上の一部に貼着することで犠牲膜２０の形成が可能である。なお、犠牲膜２０については、ポリイミドなどの有機材料の他に、無機材料などを用い形成することもできる。
次に、図４（ｃ）に示すように、犠牲膜２０の上、および露出している有機発光層１２３の上を覆うように、電子注入準備膜１３０を成膜する（図１のステップＳ１４）。電子注入準備膜１３０は、犠牲膜２０におけるスカート部２０ｂの上にも形成される（側部１３０ｂ）。
【００４０】
ここで、本実施の形態に係る電子注入準備膜１３０は、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を、有機発光層１４の上に滴下し、例えば、スピンコートなどで成膜することができる。
次に、図４（ｄ）に示すように、犠牲膜２０を剥離・除去する（図１のステップＳ１５）。なお、犠牲膜２０を剥離・除去する前においては、電子注入準備膜１３０における犠牲膜２０と接触している部分は犠牲膜２０に付着されており、犠牲膜２０の剥離・除去に伴い、電子注入準備膜１３０の一部も除去され、電子注入層１３が形成される。
【００４１】
電子注入層１３の形成にあたっては、特に図示をしていないが、電子注入準備膜１３０を有機発光層１２３の耐熱温度以下の温度でベークする。そして、電子注入層１３の形成では、大気中で一度ベークした後、窒素雰囲気下で再度ベークする。
以上のように、犠牲膜２０を剥離・除去することにより、図４（ｄ）に示すように、有機発光層１２３の一部は、電子注入層１３に被覆されず露出する（露出部１２３ａ）。
【００４２】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、電子注入層１３の上に、カソード１４を形成する（図１のステップＳ１６）。図５（ａ）に示すように、カソード１４は、画素規制層１５の複数の窓部１５ａの各上方に対して、連続して覆うよう接続領域１４ａと、その基部１４ｂとから構成されている。カソード１４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やその合金、Ａｇ（銀）やその合金を用い、スパッタリング法や真空蒸着法を用い形成される。なお、カソード１４の形成に用いる材料については、その表面部が高い光反射特性を有することが好ましい。
【００４３】
最後に、図示を省略しているが、カソード１４および露出している電子注入層１３や有機発光層１２３の上を、封止層で封止することにより有機ＥＬデバイス１が完成する。封止層は、有機発光層１２３などの有機層が水分に曝されたり、空気に曝されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用いることができる。
【００４４】
なお、封止層の上に、さらにアクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けることとしてもよい。
本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス１の製造方法では、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、複数のアノード１１の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方に、犠牲膜２０を形成し、図４（ｃ）に示すように、電子注入準備膜１３０を形成している。そして、図４（ｄ）に示すように、電子注入準備膜１３０の形成後に、電子注入準備膜１３０の一部を伴い、犠牲膜２０を剥離・除去することにより、有機発光層１２３の一部が露出し（露出部１２３ａ）、また、アノード１１の側端１１ｃも露出する。
【００４５】
このように、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス１の製造方法によれば、電子注入層１３を形成するための導電性材料が、アノード１１の上方における不所望の領域に残留することを確実に抑制することができる。
従って、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス１の製造方法では、電子注入層１３形成に係る導電性材料からなる層（電子注入準備膜１３０）が隣り合うアノード１１間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイス１を製造することができる。
【００４６】
［実施の形態２］
本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬデバイスの製造方法について、図６を用い説明する。なお、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、中間下地層１２のベーク、および電子注入層１３のベークの各々を実行するタイミングに特徴を有するので、他の工程については、以下での説明を省略する。
【００４７】
本実施の形態に係る製造方法では、中間下地層１２を形成する工程（ステップＳ１２）の実行の後、中間下地層１２をベークする（図６のステップＳ１７）。そして、その後に犠牲膜２０を形成し（図６のステップＳ１３）、電子注入準備膜１３０を形成する（図６のステップＳ１４）。
次に、本実施の形態に係る製造方法では、電子注入準備膜１３０の一部が付着した状態の犠牲膜２０を剥離・除去し、電子注入層１３の形成が完了する（図６のステップＳ１５）。本実施の形態では、その後に、電子注入層１３をベークする（図６のステップＳ１８）。
【００４８】
この後は、上記実施の形態１に係る製造方法と同様に、電子注入層１３上の一部にカソード１４を形成する（図６のステップＳ１６）。
本実施の形態に係る製造方法では、犠牲膜２０を形成する前に、中間下地層１２のベークを行い（ステップＳ１７）、また、犠牲膜２０を剥離・除去した後に、電子注入層１３のベークを行う（ステップＳ１８）。このように、犠牲膜２０が存在する状態ではベークを行わないこととする本実施の形態に係る製造方法では、有機材料からなる犠牲膜２０を採用した場合にあっても、ベークの際に当該犠牲膜２０に起因するガスの発生を防止することができる。よって、本実施の形態に係る製造方法では、上記実施の形態１に係る製造方法が奏することができる効果に加えて、アウトガスの発生防止という効果を得ることができる。
【００４９】
［実施の形態３］
本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬデバイス３の製造方法について、図７および図８を用い説明する。
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る製造方法では、基板３０を準備し（図７のステップＳ２０）、複数のアノード３１を形成し（図７のステップＳ２１）、複数のアノード３１の各々の一部を覆うように画素規制層３５を形成する。ここまでは、上記実施の形態１に係る製造方法と同様である。
【００５０】
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、複数のアノード３１の各々における画素規制層３５に覆われず露出している部分の一部（露出部３１ｂ）を、犠牲膜４０で覆う（図７のステップＳ２２）。犠牲膜４０を形成した後において、複数のアノード３１は、画素規制層３５の窓部３５ａから露出する部分（露出部３１ａ）を除き、画素規制層３５および犠牲膜４０で被覆されることになる。
【００５１】
なお、本実施の形態においても、犠牲膜４０として、例えば、ポリイミドテープを用いることができる。また、図８（ｂ）に示すように、犠牲膜４０についても、基板３０および複数のアノード３１のＸ軸方向端部も覆うスカート部４０ｂを有する。よって、本実施の形態においても、複数のアノード３１は、画素規制層３５に開けられた窓部３５ａを通し露出される露出部３１ａを除き、ステップＳ２２の実行の後は露出していない。
【００５２】
次に、図８（ｃ）に示すように、アノード３１の露出部３１ａ、画素規制層３５、および犠牲膜４０の上に、ホール注入準備膜３２１０、ホール輸送準備膜３２２０、および有機発光準備膜３２３０を順に積層形成する（図７のステップＳ２３１，Ｓ２３２，Ｓ２３３）。上記同様に、これらの工程を総称して中間下地層の準備膜を形成するステップＳ２３ということがある。
【００５３】
さらに、図８（ｃ）に示すように、有機発光準備膜３２３０の上に、電子注入準備膜３３０を積層形成する（図７のステップＳ２４）。なお、電子注入準備膜３３０は、上記同様に、例えば、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を、有機発光準備膜３２３０の上に滴下し、例えば、スピンコートなどで成膜することができる。
ここで、図８（ｃ）に示すように、犠牲膜４０のスカート部４０ｂの上にも、ホール輸送準備膜３２２０、有機発光準備膜３２３０、および電子注入準備膜３３０の各一部３２２０ｂ，３２３０ｂ，３３０ｂが積層される。
【００５４】
次に、ホール注入準備膜３２１０、ホール輸送準備膜３２２０、有機発光準備膜３２３０、および電子注入準備膜３３０の各一部が付着した犠牲膜４０を剥離・除去する（図７のステップＳ２５）。これにより、図８（ｄ）に示すように、複数のアノード３１のＸ軸方向の両縁部３１ｂと両端部３１ｃが露出する。また、ベークを行うことにより、ホール注入層３２１、ホール輸送層３２２、および有機発光層３２３からなる中間下地層３２と、電子注入層３３が形成される。
【００５５】
最後に、電子注入層３３の上に、連続するカソード３４を形成し（図７のステップＳ２６）、図示を省略しているが、封止層を形成することで有機ＥＬデバイス３が完成する。
このように、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス３の製造方法によっても、電子注入層３３を形成するための導電性材料が、アノード３１の両縁部３１ｂおよび両端部３１ｃにおける不所望の領域に残留することを確実に抑制することができる。
【００５６】
従って、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス３の製造方法でも、電子注入層３３の形成に係る導電性材料からなる層（電子注入準備膜３３０）が隣り合うアノード３１間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイス３を製造することができる。
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬデバイス５の製造方法について、図９および図１０を用い説明する。
【００５７】
図９に示すように、基板５０の準備（ステップＳ３０）、および複数のアノード５１の形成（ステップＳ３１）を順に実行し、画素規制層５５を形成する（図１０（ａ）を参照）。さらに、ホール注入層５２１の形成（ステップＳ３２１）、ホール輸送層５２２の形成（ステップＳ３２２）、有機発光層５２３の形成（ステップＳ３２３）の実行（ステップＳ３２）を実行する。そして、犠牲膜６０の形成した後（ステップＳ３３）、電子注入準備膜５３０を形成する（ステップＳ３４）。ここまでの工程は、上記実施の形態１と同様である。
【００５８】
ステップＳ３４まで実行することにより、図１０（ａ）に示すように、基板５０のＺ軸方向上面に、複数のアノード５１、画素規制層５５が形成され、その上に、中間下地層５２（ホール注入層５２１、ホール輸送層５２２、有機発光層５２３）、犠牲膜６０、および電子注入準備膜５３０が順に積層された中間体が形成される。
ここで、図１０（ａ）に示すように、本実施の形態においても、犠牲膜６０にはスカート部６０ｂが形成され、電子注入準備膜５３０の一部５３０ｂが当該スカート部６０ｂの上にも付着する。
【００５９】
次に、図１０（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る製造方法では、電子注入準備膜５３０のＺ軸方向上面に対して、先にカソード準備膜５４０を積層形成する（図９のステップＳ３５）。なお、カソード準備膜５４０の形成は、上記実施の形態１と同様に、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法を用いることができる。また、図１０（ｂ）では、画素規制層５５に開けられた窓部と窓部との間、即ち、隣り合う画素部間において、カソード準備膜５４０が連続していない形態を示しているが、連続した形態を採用することもできる。
【００６０】
次に、電子注入準備膜５３０およびカソード準備膜５４０の各一部が付着した犠牲膜６０を剥離・除去する（図９のステップＳ３６）。これにより、図１０（ｃ）に示すように、電子注入層５３およびカソード５４が形成される。また、この状態においては、有機発光層５２３の上面の一部５２３ａが露出するが、図示を省略している封止層の形成を行うことで、有機発光層５２３の特性を低下させることなく、有機ＥＬデバイス５が完成する。
【００６１】
このように、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス５の製造方法によっても、電子注入層５３を形成するための導電性材料が、アノード５１の両縁部および両端部５１ｃにおける不所望の領域に残留することを確実に抑制することができる。
従って、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス５の製造方法でも、電子注入層５３の形成に係る導電性材料からなる層（電子注入準備膜５３０）が隣り合うアノード５１間に跨った状態で形成されることを抑制し、高い画質性能を有する有機ＥＬデバイス５を製造することができる。
【００６２】
なお、図１０（ｃ）に示すように、本実施の形態に係る製造方法においても、アノード５１の上に、中間下地層５２が残ることになるが、電子注入層５３およびその形成のための導電性材料に比べて、これら中間下地層５２は、導電性が低いので、隣り合うアノード５１同士の間での短絡という問題を生じることがない。
［その他の事項］
上記実施の形態１，２，３，４では、画素規制層１５，３５，５５に８つの窓部１５ａ，３５ａ，・・が開けられており、当該窓部１５ａ，３５ａ，・・に対応する８つの画素を備える有機ＥＬデバイスを一例としたが、本発明は、これに限定されない。例えば、７つ以下の画素を有する構成や、９つ以上の画素を有する構成を採用することも可能である。
【００６３】
また、上記実施の形態１，２，３，４では、画素規制層１５，３５，５５の上に、隣り合う画素間で区画することなくホール注入層１２１，３２１，５２１、ホール輸送層１２２，３２２，５２２、有機発光層１２３，３２３，５２３などを形成することとしたが、本発明は、これに限定されない。例えば、隣り合う画素間に高さを有するバンクを形成し、バンクで囲繞された各画素相当域に対して、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層などを形成することとしてもよい。
【００６４】
また、上記実施の形態１，２，３，４では、一例としてボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスを採用したが、本発明は、これに限定されない。トップエミッション型の有機ＥＬデバイスに本発明の構成を適用することとしても、上記同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態1，２，３，４では、基板１０，３０，５０の側にアノード１１，３１，５１を形成し、有機発光層１２３，３２３，５２３を間に挟んだ上方にカソード１４，３４，５４を形成することとしたが、本発明は、これに限定されない。基板の側にカソードを形成し、有機発光層を間に挟んだ上方にアノードを形成することもできる。
【００６５】
また、上記実施の形態１，２，３，４では、基板１０，３０，５０には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路などが形成されている形態を示していないが、本発明は、これに限定されない。画素毎にＴＦＴ回路などの発光制御部を基板中あるいは基板上に形成することとしてもよい。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、電子注入層１３，３３，５３の形成に、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いるウェットプロセスを採用することとしたが、本発明は、これに限定されない。異なる態様の材料を用いてもよいし、ドライプロセスを用いて形成することもできる。ただし、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いるウェットプロセスで電子注入層を形成する場合には、形成材料の高い導電性のために、本発明に係る製造方法を採用することが効果的となる。
【００６６】
また、上記実施の形態１，２，３，４では、犠牲膜２０，４０，６０の一例として、ポリイミドテープを用いたが、本発明は、これに限定されない。例えば、エポキシテープ、ポリエステルテープ、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）テープなどを用いることもできる。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、複数のアノードの各一部の上方、および各一部同士の間の上方に犠牲膜２０，４０，６０を形成することとしたが、本発明は、これに限定されない。例えば、複数のアノードの各一部の上方だけに犠牲膜を形成することとしてもよいし、逆に、複数のアノードの各一部同士の間の上方だけに犠牲膜を形成することとしてもよい。このような形態を以って犠牲膜を形成する場合においても、電子注入層形成用の導電性材料により、隣り合うアノード同士が短絡することを確実に抑制することができる。即ち、隣り合うアノードの各一部同士の間で連続した状態が導電性材料が付着し残留することを防止出来れば、上記効果を得ることができる。
【００６７】
また、犠牲膜２０の形成および剥離・除去と、中間下地層１２および電子注入層１３のベークとの順序について規定する上記実施の形態２について、この考え方を上記実施の形態３，４などに適用することも可能である。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、有機ＥＬデバイス毎の製造方法について説明したが、一枚の基板に複数の有機ＥＬデバイスを作成し、最後にダイシングするという製造方法を採用することもできる。この場合においても、犠牲膜２０，４０，６０を用いる本発明に係る製造方法は上記効果を得る上で有効である。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、高画質な有機ＥＬデバイスを実現するのに有用である。
【符号の説明】
【００６９】
１，３，５．有機ＥＬデバイス
１０，３０，５０．基板
１１，３１，５１．アノード
１２，３２，５２．中間下地層
１３，３３，５３．電子注入層
１４，３４，５４．カソード
１５，３５，５５．画素規制層
２０，４０，６０．犠牲膜
１２１，３２１，５２１．ホール注入層
１２２，３２２，５２２．ホール輸送層
１２３，３２３，５２３．有機発光層
１３０，３３０，５３０．電子注入準備膜
５４０．カソード準備膜
３２１０．ホール注入準備膜
３２２０．ホール輸送準備膜
３２３０．有機発光準備膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備する工程と、
前記基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する工程と、
前記複数の第１電極の各上方に、少なくとも電子注入層を含む中間層を形成する工程と、
前記犠牲膜を前記複数の第１電極から剥離・除去する工程と、
前記中間層の上方に、第２電極を形成する工程と、
を備え、
前記剥離・除去する工程を実行する前においては、前記中間層における前記電子注入層の一部が、前記犠牲膜に付着された状態にあり、
前記剥離・除去する工程では、前記中間層における前記電子注入層の一部が付着した状態で、前記犠牲膜を剥離・除去する
ことを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記犠牲膜を形成する工程では、前記複数の第１電極の各一部の上方と、当該各一部同士の間の上方との両方にわたり連続して覆うように、前記犠牲膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記中間層を形成する工程には、
前記複数の第１電極の各一部の上に、当該各一部に接触する状態で、少なくとも有機発光層を含む下地層を形成するサブ工程と、
前記下地層上に、導電性材料を塗布して電子注入層を形成するサブ工程と、
を含み、
前記犠牲膜を形成する工程では、前記下地層の形成の後に、当該下地層で被覆されず露出した状態の前記複数の第１電極の各上における他の部分を覆う状態で、前記犠牲膜を形成し、
前記電子注入層を形成するサブ工程では、前記下地層の上と前記犠牲膜の上との両方にわたり連続して覆うように、前記電子注入層を形成する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記下地層を形成するサブ工程で形成された前記下地層については、前記犠牲膜を形成する前にベーク処理し、
前記下地層の上に形成された前記電子注入層については、前記犠牲膜を剥離・除去した後にベーク処理する
ことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記犠牲膜を形成する工程では、前記中間層を形成する前に、前記複数の第１電極の各一部の上に、当該各一部に接触する状態で、前記犠牲膜を形成し、
前記中間層を形成する工程には、
当該犠牲膜で被覆されず露出した状態の前記複数の第１電極の各上における他の部分と、前記犠牲膜の少なくとも一部の上との両方にわたり連続して覆うように、少なくとも有機発光層を含む下地層を形成するサブ工程と、
前記下地層上に、導電性材料を塗布して電子注入層を形成するサブ工程と、
を含み、
前記剥離・除去する工程を実行する前においては、前記中間層における前記電子注入層の一部に加え、前記下地層の一部が、前記犠牲膜と付着された状態にあり、
前記剥離・除去する工程では、前記中間層における前記電子注入層の一部および前記下地層の一部が付着した状態で、前記犠牲膜を剥離・除去する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第２電極を形成する工程を、前記犠牲膜を剥離・除去した後に実行する
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記剥離・除去する工程を、前記第２電極を形成した後に実行する
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記複数の第１電極の各々に対応して画素が構成され、
前記第２電極は、前記複数の画素にわたり連続する状態で形成される
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記電子注入層を、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いたウェットプロセスで形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項８の何れかに記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項１】
基板を準備する工程と、
前記基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極の各一部の上方、および当該各一部同士の間の上方、の少なくとも一方を覆う状態で、犠牲膜を形成する工程と、
前記複数の第１電極の各上方に、少なくとも電子注入層を含む中間層を形成する工程と、
前記犠牲膜を前記複数の第１電極から剥離・除去する工程と、
前記中間層の上方に、第２電極を形成する工程と、
を備え、
前記剥離・除去する工程を実行する前においては、前記中間層における前記電子注入層の一部が、前記犠牲膜に付着された状態にあり、
前記剥離・除去する工程では、前記中間層における前記電子注入層の一部が付着した状態で、前記犠牲膜を剥離・除去する
ことを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記犠牲膜を形成する工程では、前記複数の第１電極の各一部の上方と、当該各一部同士の間の上方との両方にわたり連続して覆うように、前記犠牲膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記中間層を形成する工程には、
前記複数の第１電極の各一部の上に、当該各一部に接触する状態で、少なくとも有機発光層を含む下地層を形成するサブ工程と、
前記下地層上に、導電性材料を塗布して電子注入層を形成するサブ工程と、
を含み、
前記犠牲膜を形成する工程では、前記下地層の形成の後に、当該下地層で被覆されず露出した状態の前記複数の第１電極の各上における他の部分を覆う状態で、前記犠牲膜を形成し、
前記電子注入層を形成するサブ工程では、前記下地層の上と前記犠牲膜の上との両方にわたり連続して覆うように、前記電子注入層を形成する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記下地層を形成するサブ工程で形成された前記下地層については、前記犠牲膜を形成する前にベーク処理し、
前記下地層の上に形成された前記電子注入層については、前記犠牲膜を剥離・除去した後にベーク処理する
ことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記犠牲膜を形成する工程では、前記中間層を形成する前に、前記複数の第１電極の各一部の上に、当該各一部に接触する状態で、前記犠牲膜を形成し、
前記中間層を形成する工程には、
当該犠牲膜で被覆されず露出した状態の前記複数の第１電極の各上における他の部分と、前記犠牲膜の少なくとも一部の上との両方にわたり連続して覆うように、少なくとも有機発光層を含む下地層を形成するサブ工程と、
前記下地層上に、導電性材料を塗布して電子注入層を形成するサブ工程と、
を含み、
前記剥離・除去する工程を実行する前においては、前記中間層における前記電子注入層の一部に加え、前記下地層の一部が、前記犠牲膜と付着された状態にあり、
前記剥離・除去する工程では、前記中間層における前記電子注入層の一部および前記下地層の一部が付着した状態で、前記犠牲膜を剥離・除去する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第２電極を形成する工程を、前記犠牲膜を剥離・除去した後に実行する
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記剥離・除去する工程を、前記第２電極を形成した後に実行する
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記複数の第１電極の各々に対応して画素が構成され、
前記第２電極は、前記複数の画素にわたり連続する状態で形成される
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記電子注入層を、ＴｉＯＸゾルまたはＴｉＯＸゲルと、炭酸セシウムとの混合溶液を用いたウェットプロセスで形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項８の何れかに記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−１０９９６３（Ｐ２０１３−１０９９６３Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５４２１７（Ｐ２０１１−２５４２１７）
【出願日】平成２３年１１月２１日（２０１１．１１．２１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２１日（２０１１．１１．２１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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