有機ＥＬパネルの製造方法、有機ＥＬパネル及び有機ＥＬディスプレイ
【課題】有機電子デバイス、特に有機ＥＬパネルの本来の性能を低下させることなく、パネル表示エリアの異物影響を最小限にできるように、また、外周部にバリア性を向上させる条件でパッシベーション膜を成膜することにより、信頼性の高い有機ＥＬパネルを提供する。
【解決手段】基板２１と、第一電極層２２と、有機発光媒体層２３と、第二電極層２４を備えた有機ＥＬパネル２０を製造する有機ＥＬパネルの製造方法であって、密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層を、第二電極層２４上における発光表示エリア部上の領域に形成する被覆性層形成工程と、被覆性層形成工程の後工程であり、密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層を、発光表示エリア外周部上の領域において被覆性層の端部を覆うように形成するバリア層形成工程を有する。
【解決手段】基板２１と、第一電極層２２と、有機発光媒体層２３と、第二電極層２４を備えた有機ＥＬパネル２０を製造する有機ＥＬパネルの製造方法であって、密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層を、第二電極層２４上における発光表示エリア部上の領域に形成する被覆性層形成工程と、被覆性層形成工程の後工程であり、密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層を、発光表示エリア外周部上の領域において被覆性層の端部を覆うように形成するバリア層形成工程を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機材料を用いる有機電子デバイス、特に、有機ＥＬパネルの製造方法、有機ＥＬパネル、有機ＥＬパネルを備えた有機ＥＬディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機材料を用いた電子デバイスが盛んに研究されている。
有機電子デバイスとしては、半導体性を示す有機材料を半導体材料として用いる有機薄膜トランジスタや、電気を流すことで発光する性質（有機エレクトロルミネッセンス現象、以下、「有機ＥＬ」と記載する場合がある）の有機発光材料を用いた、有機ＥＬ表示装置が例として挙げられる。
【０００３】
これらの有機電子デバイスは、二つの電極間に有機材料を配置し、電極間に電圧をかけることによって、半導体性や発光といった有機材料の機能を発現させている。
二つの電極間に配置する有機材料は、従来の無機半導体材料等を形成するために必要な真空プロセスを用いることなく、大気圧下において印刷プロセス等で作成することが可能であるため、大幅にコストを下げられる可能性や、可撓性のプラスチック基材上に設けられる等の利点を有している。
【０００４】
しかしながら、有機材料は、経時劣化に弱いという難点があるため、未だ広範な実用には至っていない。
特に、有機ＥＬパネルは、テレビやパソコンモニタ、モバイル機器等に使用されるフラットパネルディスプレイ、照明などとして、幅広い用途が期待されている。
また、有機ＥＬは、液晶ディスプレイなどとは異なり、自発光型であるため、構造的に極薄化可能な点や、表示画像が広視野角で見え、その表示画像の応答速度が速い点、低消費電力である点、高コントラストなどの利点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに変わるフラットパネルディスプレイとして期待されているが、有機発光材料の経時劣化が問題となっている。
【０００５】
従来技術による有機ＥＬパネルとしては、例えば、図７中に示すものがある。なお、図７は、従来技術による有機ＥＬパネル２０の断面構造を示す図である。
図７中に示すような、従来技術による有機ＥＬパネル２０では、ガラスキャップからなる封止基板２７を用いて封止をしているが、ガラスキャップ自体のコストが高く、また大型化するとガラスキャップの撓みが顕著になるという問題を有している。なお、図７中では、有機ＥＬパネル２０の構成として、基板２１、第一電極層２２、有機発光媒体層２３、第二電極層２４、接着層２６、乾燥剤５０、隔壁２８を示している。
【０００６】
この問題に対し、特に図示しないが、平板構造の有機ＥＬパネルが提案されている。
しかしながら、平板構造の有機ＥＬパネルでは、乾燥剤を貼り付けることができないため、接着層と第二電極層の間にパッシベーション層を形成し、劣化を抑制する。
このような薄膜構造を適用することにより、有機ＥＬパネルを備えた極薄の有機ＥＬディスプレイを製造することが可能となる。
【０００７】
ここで、上記のパッシベーション層としては、酸素や水に対するバリア性が高く、また第二電極層（陰極）上に形成するため、絶縁性があるものが望ましい。したがって、パッシベーション層の材料としては、例えば、酸化珪素や窒化珪素が挙げられる。
しかしながら、上記のような有機ＥＬパネルは、第一電極層から第二電極層までの厚さが１［ｍｍ］程度しかないため、この厚みと同程度の異物が存在することで、ダークスポットの拡大や非点灯画素の発生など発光欠陥を起こしてしまうが、異物を製造工程内から完全に除くことは困難である。
【０００８】
そこで、発光欠陥を抑制する手段として、最も効果的なパッシベーション膜は、外部からの水分や酸素の悪影響を抑制して封止特性を向上させるとともに、製造工程内で混入する異物起因の発光欠陥を抑制するために成膜する膜となる。このようなパッシベーション膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いて成膜される。
パッシベーション膜として効果の高いものとしては、例えば、特許文献１や特許文献２に記載されているように、膜密度を制御することにより、有機ＥＬパネルの段差形状及び製造工程内で付着した異物に対する段差被覆性を向上させた膜と、バリア性を向上させた膜とを、積層、または、傾斜膜として成膜し、封止特性を向上さえる構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７‐１８４２５１号公報
【特許文献２】特開２００７‐２２０６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述した条件でパッシベーション膜を成膜した場合、プラズマや基板温度上昇により、有機ＥＬパネルの特性が劣化してしまう。さらに、トップエミッション型や両面発光型の有機ＥＬパネルにおけるパッシベーション層には、上記の特性に加え、高い可視光透過率が要求されるが、これら全てを満たすような手法は確立されていない。
本発明は、上記問題を鑑みてなされたもので、有機電子デバイス、特に、有機ＥＬパネルの本来の性能を低下させることなく、製造工程で混入した異物に対して、段差被覆性、水蒸気透過率、成膜速度を向上させる条件でパッシベーション膜を成膜することにより、成膜時間を短縮し、且つ信頼性の高い有機ＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明のうち、請求項１に記載した発明は、発光表示エリア部と、当該発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部と、を有する基板と、
前記基板上における前記発光表示エリア部上の領域に形成された第一電極層と、
前記第一電極層上に形成され、且つ有機発光層を含む有機発光媒体層と、
前記有機発光媒体層上に形成された第二電極層と、を備えた有機ＥＬパネルを製造する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層を、前記第二電極層上における前記発光表示エリア部上の領域に形成する被覆性層形成工程と、
前記被覆性層形成工程の後工程であり、密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層を、前記発光表示エリア外周部上の領域において前記被覆性層の端部を覆うように形成するバリア層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１２】
次に、本発明のうち、請求項２に記載した発明は、請求項１に記載した構成に対し、前記被覆性層形成工程は、少なくとも前記発光表示エリア外周部を覆う形状のマスクを用いたＣＶＤ法により、前記被覆性層を形成する工程であり、
前記バリア層形成工程は、少なくとも前記発光表示エリア部を覆う形状のマスクを用いたＣＶＤ法により、前記バリア層を形成する工程であることを特徴とするものである。
【００１３】
次に、本発明のうち、請求項３に記載した発明は、請求項１または請求項２に記載した構成に対し、前記被覆性層及び前記バリア層は、少なくともＳｉＨ４ガス及びＮＨ３ガスから成膜され、ＳｉＨ４ガスのガス流量は、ＮＨ３ガスのガス流量の２倍以上５倍以下の範囲内であることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項４に記載した発明は、請求項２または請求項３に記載した構成に対し、前記バリア層形成工程では、前記基板と前記少なくとも前記発光表示エリア部を覆う形状のマスクとの距離を、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内で離間させることを特徴とするものである。
【００１４】
次に、本発明のうち、請求項５に記載した発明は、発光表示エリア部と、当該発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部と、を有する基板と、
前記基板上における前記発光表示エリア部上の領域に形成された第一電極層と、
前記第一電極層上に形成され、且つ有機発光層を含む有機発光媒体層と、
前記有機発光媒体層上に形成された第二電極層と、を備えた有機ＥＬパネルであって、
前記第二電極層上における前記発光表示エリア部上の領域に形成され、且つ密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層と、
前記発光表示エリア外周部上の領域において前記被覆性層の端部を覆うように形成され、且つ密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層と、を備えることを特徴とするものである。
【００１５】
次に、本発明のうち、請求項６に記載した発明は、請求項５に記載した構成に対し、前記被覆性層は、水蒸気透過率が０．０５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、且つ可視光透過率が９０％以上であることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項７に記載した発明は、請求項５または請求項６に記載した構成に対し、前記バリア層は、水蒸気透過率が０．００１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、且つ可視光透過率が６０％以上であることを特徴とするものである。
【００１６】
次に、本発明のうち、請求項８に記載した発明は、請求項５から請求項７のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬパネルを備える有機ＥＬディスプレイであって、
前記被覆性層及び前記バリア層上に形成された透明封止層を備えることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項９に記載した発明は、請求項８に記載した構成に対し、前記基板が透明であり、
前記基板から前記透明封止層までの可視光透過率が９０％以上であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、有機電子デバイス、特に、有機ＥＬパネルの第二電極層を成膜した後に、発光表示エリア部に、透明で被覆性の高いパッシベーション層を形成し、発光表示エリア外周部には、バリア性の高いパッシベーション層を形成することにより、トップエミッション型、または、両面発光型の有機ＥＬパネルの可視光透過性を十分に持ち、且つ特性を劣化させることなく信頼性の高い有機ＥＬパネルを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の有機ＥＬパネルの構成を示す断面図である。
【図２】被覆率を説明するための断面図である。
【図３】本発明のパッシベーション層を示す平面図である。
【図４】本発明のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図である。
【図５】本発明のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図である。
【図６】本発明のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図である。
【図７】従来技術による有機ＥＬパネルの断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態（以下、「本実施形態」と記載する）について、図面を参照しつつ説明する。
（有機ＥＬパネルの概略構成）
図１は、本実施形態の有機ＥＬパネル２０の構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、有機ＥＬパネル２０として、トップエミッション構造を例として挙げるが、本実施形態の有機ＥＬパネル２０は、両面発光構造に対しても適用可能である。
図１中に示すように、有機ＥＬパネル２０は、基板２１上に、第一電極層２２、有機発光媒体層２３及び第二電極層２４からなる有機ＥＬ素子を、複数備えている。
具体的には、有機ＥＬパネル２０は、基板２１上にパターン形成された複数の第一電極層２２と、複数の第一電極層２２上に形成された複数の有機発光媒体層２３と、複数の有機発光媒体層２３を覆うように形成された第二電極層２４と、第二電極層２４を覆うように形成されたパッシベーション層２５と、基板２１と封止基板２７とを張り合わせるために形成された接着層２６と、封止基板２７を備えている。
【００２０】
ここで、パッシベーション層２５は、有機発光媒体層２３を外気から保護するための、保護層として機能する。また、パッシベーション層２５は、二層（２５ａ、２５ｂ）で構成されている。
また、本実施形態の有機ＥＬパネル２０を製造する有機ＥＬパネルの製造方法は、後述する被覆性層を形成する被覆性層形成工程と、後述するバリア層を形成するバリア層形成工程を有している。
【００２１】
（基板）
基板２１は、発光表示エリア部と、この発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部を有している。
また、基板２１としては、例えば、ガラスやプラスチックフィルムなどの絶縁性を有する基板が使用できる。
特に、基板２１側から発光を取り出すボトムエミッション型の場合には、基板２１の材料として、透光性のある材料を用いる。
透光性のある基板２１の材料としては、ガラスや石英、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート等のプラスチックフィルムに、少なくとも第一電極層２２が形成されていれば良い。
【００２２】
また、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ素子を形成する場合には、基板として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された駆動用基板を用い、さらに、用いる薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることが可能である。
具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。なお、薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、ボトムゲート型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
【００２３】
薄膜トランジスタの半導体層の材料としては、ポリチオフェンやポリアニリン、銅フタロシアニンやペリレン誘導体等の材料を用いてもよく、また、アモルファスシリコンやポリシリコン、金属酸化物を用いてもよい。さらに、基板のどちらかの面に、カラーフィルタ層や光散乱層、光偏光層等を基板に設けてもよい。
これらの基板２１は、予め、加熱処理を行うことにより、基板２１の内部、あるいは、表面の水分を極力低減させることが望ましい。また、基板２１上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、ＵＶオゾン処理などの表面処理を施してから使用することが好ましい。
【００２４】
（第一電極層）
第一電極層２２は、基板２１上に形成されている。
具体的には、第一電極層２２は、基板２１上における発光表示エリア部上の領域に形成されている。
第一電極層２２を基板２１上に形成する際には、薄膜トランジスタを有機ＥＬディスプレイのスイッチング素子として機能するように接続するために、薄膜トランジスタのドレイン電極と、有機ＥＬディスプレイの各画素を構成する有機ＥＬ素子の第一電極層２２とを電気的に接続する。
【００２５】
薄膜トランジスタとドレイン電極と有機ＥＬディスプレイの第一電極層２２との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。
また、第一電極層２２は、隔壁２８によって区画されており、各画素に対応した画素電極となる。
第一電極層２２の材料としては、ＩＴＯなどの、仕事関数の高い材料を選択することが好ましく、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものを用いることも可能がある。
【００２６】
本実施形態では、有機ＥＬパネル２０の構造を、トップエミッション構造としているため、第一電極層２２は、正孔注入性と反射性を必要なＡｇやＡｌのような金属材料の上にＩＴＯ膜を積層して形成すればよい。
第一電極層２２の膜厚は、有機ＥＬディスプレイの素子構成により最適値が異なるが、単層、積層にかかわらず、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、より好ましくは、３００ｎｍ以下である。
【００２７】
第一電極層２２の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることが可能である。
【００２８】
（隔壁）
第一電極層２２を形成した後、隣接する陽極パターンの間に、フォトリソグラフィ法により隔壁２８を形成する。
隔壁２８を形成する工程は、さらに詳しくは、感光性樹脂組成物を基板に塗布する工程と、パターン露光、現像、焼成して隔壁パターンを形成する工程を少なくとも有する。
隔壁２８は、画素に対応した発光表示領域（発光表示エリア）を区画するように形成する。一般的に、アクティブマトリクス駆動型の表示装置は、各画素に対して第一電極層２２が形成され、それぞれの画素ができるだけ広い面積を占有しようとするため、第一電極層２２の端部を覆うように形成される隔壁の最も好ましい形状は、格子状を基本とする。
【００２９】
また、隔壁２８を多段状に形成することも可能であり、その場合には、基板２１上の全面に形成されたＳｉＯ２やＳｉＮからなる絶縁性の無機膜を、フォトリソグラフィ工程により、画素を区切る格子状に形成して１段目の隔壁とし、その１段目の隔壁上に、感光性樹脂からなる２段目の隔壁をフォトリソグラフィにより形成する。
隔壁２８を形成する感光性材料としては、ポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらであってもよく、市販のもので構わないが、絶縁性を有する必要がある。
【００３０】
隔壁２８が十分な絶縁性を有さない場合には、隔壁２８を通じて隣り合う画素電極に電流が流れてしまい、表示不良が発生してしまう。また、ＴＦＴの誤作動により適正な表示ができないことがある。
感光性材料としては、具体的には、ポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系、フルオレン系といったものが挙げられるが、これに限定するものではない。また、有機ＥＬディスプレイの表示品位を上げる目的で、光遮光性の材料を感光性材料に含有させても良い。さらに、必要に応じて撥水剤を添加したり、プラズマやＵＶを照射して形成後にインクに対する撥液性を付与したりすることもできる。
【００３１】
隔壁２８を形成する感光性樹脂は、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の公知の塗布方法を用いて塗布される。
次に、パターン露光、すなわち、現像して隔壁パターンを形成する工程では、従来公知の露光、現像方法により、隔壁部のパターンを形成できる。また、焼成に関しては、オーブン、ホットプレート等での従来公知の方法により、焼成を行うことができる。
【００３２】
隔壁２８は、厚みが０．５μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあることが望ましい。
これは、異なる発光色を有する有機発光材料を溶媒に溶解または分散させた有機発光インキを用いて、画素ごとに塗り分けをおこなう場合、隣接する画素との混色を防止することが可能となるためである。
隔壁２８が低すぎると、隣接画素間でのリーク電流の発生や、ショートの防止、有機発光インキの混色防止の効果が得られないことがあるため、注意が必要である。
【００３３】
（有機発光媒体層）
有機発光媒体層２３は、第一電極層２２上に形成されている。すなわち、有機発光媒体層２３は、第一電極層２２上において、基板２１上の発光表示エリア部に形成されている。
また、有機発光媒体層２３は、電圧の印加によって発光する有機発光層を含んでいる。
なお、有機発光媒体層２３は、有機発光層から成る単独の層によって構成されていても良いが、この有機発光層に加えて、発光効率を向上させる発光補助層を積層した積層構造から構成されたものであっても良い。
また、発光補助層としては、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。
【００３４】
正孔輸送層の材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，ＦｅＯｘ（ｘ〜０．１），ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｐｒ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ＭｏＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２，ＴｈＯ２，Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，ＭｎＯ２などの無機材料、その他、既存の正孔輸送材料の中から選ぶことが可能である。
【００３５】
ここで、高分子ＥＬディスプレイの場合には、正孔輸送層に、インターレイヤ層を形成することが好ましい。
インターレイヤ層に用いる材料としては、ポリビニルカルバゾール、またはその誘導体、側鎖、または主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。
【００３６】
これらの材料は、溶媒に溶解または分散させ、スピンコート法等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いて形成することができる。
有機発光材料としては、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ｉｒ錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これらの高分子材料に、上記の低分子材料を分散または共重合した材料や、その他、既存の蛍光発光材料や燐光発光材料を用いることが可能である。
【００３７】
電子輸送層の材料としては、例えば、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることが可能である。
また、これらの電子輸送層の材料に、ナトリウムやバリウム、リチウムといった仕事関数が低いアルカリ金属、アルカリ土類金属を少量ドーピングすることにより、電子注入層を形成してもよい。
有機発光媒体層２３の膜厚は、有機発光媒体層２３を単層、または、積層により形成する場合においても、１０００ｎｍ以下であり、好ましくは５０〜２００ｎｍ程度である。
【００３８】
有機発光媒体層２３の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着法や、スリットコート、スピンコート、スプレーコート、ノズルコート、フレキソ印刷、グラビア印刷、凹版オフセット印刷、凸版オフセット印刷などのコーティング法や印刷法、インクジェット法などを用いることが可能である。
【００３９】
（第二電極層）
有機発光媒体層２３に続いて、第二電極層２４を成膜する。すなわち、第二電極層２４は、有機発光媒体層２３上に形成されている。
第二電極層２４の材料としては、有機発光媒体層２３への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いる。
具体的には、Ｍｇ，Ａｌ，Ｙｂ等の金属単体や、発光媒体と接する界面にＢａ、Ｃａ、Ｌｉやその酸化物，フッ化物等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いることが可能である。
【００４０】
または、電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。
具体的には、ＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用可能である。
本実施形態のように、有機ＥＬパネル２０の構造を、第二電極層２４側から光を取り出す、いわゆるトップエミッション構造とする場合には、透光性を有する材料を選択することが好ましい。この場合、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａを薄く設けた後に、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を積層してもよく、有機発光媒体層２３に、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａなどの金属を少量ドーピングして、ＩＴＯなどの金属酸化物を積層してもよい。
【００４１】
第二電極層２４の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることが可能である。
第二電極層２４の厚さには、特に制限はないが、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が望ましい。また、第二電極層２４を透光性電極層として利用する場合、ＣａやＬｉなどの金属材料を用いる場合の膜厚は、０．１〜１０ｎｍ程度が望ましい。
【００４２】
（パッシベーション層）
続いて、有機ＥＬ素子を空気や水分から守るためのバリア層として、第二電極層２４上にパッシベーション層２５（２５ａ、２５ｂ）を成膜する。
パッシベーション層２５の材料としては、酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化炭素などの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、炭化ケイ素などの金属炭化物のいずれか、または、これらの積層体を用いることが可能である。さらに、必要に応じて、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜との積層膜として用いても良い。特に、バリア性と被覆性と成膜速度の面から、ＣＶＤ法による酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素を成膜することが好ましい。
【００４３】
パッシベーション層２５は、第二電極層２４の全面を覆うように形成され、第二電極層２４が基板２１とパッシベーション層２５とで覆われる様に形成することが望ましい。
パッシベーション層２５の形成方法としては、パッシベーション層２５の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法を用いることが可能であるが、特に、バリア性や段差被覆性の面、さらには、成膜条件により膜密度や膜組成を容易に可変できることから、ＣＶＤ法を用いることが好ましい。
【００４４】
ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法、ＶＵＶ−ＣＶＤ法などを用いることが可能である。また、ＣＶＤ法における反応ガスとしては、モノシランや、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）やテトラエトキシシランなどの有機シリコン化合物に、Ｎ２、Ｏ２、ＮＨ３、Ｈ２、Ｎ２Ｏなどのガスを必要に応じて添加してもよく、必要に応じて、シランなどのガス流量や、プラズマ電力を変えることにより膜密度を変化させてもよく、使用する反応性ガスにより、膜中に水素や炭素を含有させることも可能である。
【００４５】
本実施形態では、パッシベーション層２５の成膜を、ＣＶＤ法を用いて行う。
反応ガスとしては、ＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガスを用い、その流量比は、ＳｉＨ４ガスのガス流量が、ＮＨ３ガスのガス流量の２倍以上５倍以下の範囲内であることが好ましい。また、全圧が１５０Ｐａ以上３５０Ｐａ以下の成膜条件において、被覆率、水蒸気透過率、可視光透過率、成膜速度を制御する。
【００４６】
すなわち、後述する被覆性層及びバリア層は、少なくともＳｉＨ４ガス及びＮＨ３ガスから成膜され、ＳｉＨ４ガスのガス流量は、ＮＨ３ガスのガス流量の２倍以上５倍以下の範囲内である。
ここで、被覆率について説明する。本実施形態における被覆率とは、段差被覆性の評価のために用いた値であり、図２中に示すように、テーパー角度が９０°の矩形状の隔壁２８を設けた基板２１に対してパッシベーション層２５を成膜し、以下の式（１）にて算出される割合を被覆率とした。なお、図２は、被覆率を説明するための断面図である。
被覆率（％）＝側壁部の膜厚／頭頂部の膜厚×１００ … （１）
この隔壁２８の高さは、有機ＥＬパネル２０上の凹凸形状、または、想定される異物サイズと同等程度の高さを設けることが望ましい。
そして、被覆率が７０％以上であれば、有機ＥＬパネル２０に混入した異物や凹凸形状を十分に包みこむことが可能であるため、有機発光媒体層２３の経時劣化が少なく、耐久性に優れた有機ＥＬパネル２０を製造することが可能である。
【００４７】
また、パッシベーション層２５の重要な特性として、バリア性が挙げられるが、これは、水分によって劣化が顕著な有機ＥＬパネル２０を保護するための特性であり、バリア性の評価は、既知である、ＪＩＳ Ｋ７１２９ Ｂの方法（赤外センサー法）によって、水蒸気透過率により比較をする。
パッシベーション層２５としての水蒸気透過率は、好ましくは、概ね０．０１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、有機発光媒体層への劣化要因を防ぐことができる。
【００４８】
しかしながら、水蒸気透過率の良いパッシベーション層２５を成膜するためには、より高エネルギーで成膜しなければならないため、長時間、厚膜に成膜すると、有機ＥＬパネル２０の特性を劣化させてしまう。そのため、パッシベーション層２５は、有機ＥＬパネル２０が特性劣化しない程度の膜厚で成膜することが必要である。
パッシベーション層２５の成膜速度は、成膜圧力、成膜電力、反応ガス流量などの成膜条件に依存するが、成膜速度が遅いとタクトが悪くなるばかりか、温度蓄積やプラズマによるダメージが有機ＥＬパネル２０にみられるようになるため、２００ｎｍ／ｍｉｎ程度が好ましい。特に、成膜時温度は、有機ＥＬパネル２０の特性劣化に顕著に効くため、５０℃以上９０℃以下の範囲内が好ましい。
また、上述したように、水蒸気透過率の非常に高いパッシベーション層２５は、膜面が黄色に見える程度まで、可視光透過率が低下してしまう。これは、水蒸気透過率と可視光透過率がトレードオフの関係にあるため、トップエミッション型や両面発光型の有機ＥＬパネル２０では、単純にどちらかの特性を向上させただけでは不十分であるためである。
【００４９】
以下、本実施形態におけるパッシベーション層２５の構成について述べる。
有機ＥＬパネル２０の大きな劣化要因となる、第二電極層２４を成膜した前後で混入した異物に対して、図３中に示すように、被覆性を重視した、透明な被覆性層（２５ａ）を、発光表示エリア部３１に成膜する。なお、図３は、本実施形態のパッシベーション層２５を示す平面図である。
ここで、被覆性層は、密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であり、第二電極層２４上における、発光表示エリア部上の領域に形成されている。
このとき、本実施形態では、有機ＥＬパネル２０の構造として、トップエミッション型、または、両面発光型を想定しているため、可視光透過率が９０％以上になるように、被覆性層を成膜する。
すなわち、被覆性層の可視光透過率は、９０％以上である。
したがって、被覆性層の材料は、少なくとも被覆率が９０％以上、可視光透過率が９０％以上のものが好ましい。
【００５０】
被覆性層の水蒸気透過率は、０．０５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
また、被覆性層の膜厚は、十分な透過率を取り得る膜厚の範囲内で、１μｍ以上５μｍ以下の範囲内に成膜することが望ましい。これは、一般に、有機ＥＬパネル２０の製造時に混入する異物の大きさは、５μｍ以下のものが９割以上を占めるためである。
また、被覆性層の膜厚が１μｍ未満であると、側壁部の膜厚が少なくなり、混入した異物を十分被覆できないため、バリア性が低くなる。
一方、被覆性層の膜厚が５μｍを超えると、成膜に必要な時間が長すぎるため、膜形成による有機ＥＬ素子へのダメージが増大する。
次に、外部からの水分等の侵入を防止するために、発光表示エリア外周部３２に、水蒸気透過率を重視したバリア層（２５ｂ）を成膜する。
ここで、バリア層は、密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であり、発光表示エリア外周部上の領域において、被覆性層の端部を覆うように形成されている。
【００５１】
このとき、発光表示エリア外周部３２では、可視光透過率は特性として必要ないため、水蒸気透過率を重視したパッシベーション層２５を成膜する。
バリア層の水蒸気透過率は、０．００１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
また、バリア層は、水蒸気透過率を十分に低くすることが可能な膜厚の範囲内で成膜することが望ましい。
また、バリア層の可視光透過率は、６０％以上である。
ただし、上述したような構成のパッシベーション層２５の総厚としては、実際に存在する異物サイズと被覆率を勘案し、膜厚を制御することが望ましい。
続いて、パッシベーション層２５をＣＶＤ法で成膜する際に用いるマスクについて説明する。
【００５２】
絶縁層であるパッシベーション層２５を電極部に成膜してしまうと、その後、電極部を露出させるために、パッシベーション層２５を部分的にエッチングなどで除去する工程が必要になるが、成膜時にマスキングすることで、この工程が不要となる。
ＣＶＤ法で使用するマスクの材料としては、セラミックスなど、成膜時の温度やプラズマに耐えうる材料が望ましく、例えば、アルミナやジルコニアなどが挙げられる。また、三フッ化窒素ガスなどを用いたチャンバークリーニング時には、マスクも同時にクリーニングできるように、耐腐食性をもつものが望ましい。
【００５３】
さらに、マスクの開口端の形状は、図４中に示すように、開口端からマスク４１の端部へ向かうにつれて傾斜しているとともに、その厚さが厚くなることが望ましい。これは、ＣＶＤ成膜時のガスの流れをスムーズにすることで、開口端付近で、膜の目標膜厚までの立ち上がり距離を短くすることが可能となるためである。上記の傾斜角度は、１５°以下とすることが望ましい。なお、図４は、本実施形態のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は断面図である。
【００５４】
すなわち、被覆性層形成工程は、少なくとも発光表示エリア外周部を覆う形状のマスク４１を用いたＣＶＤ法により、被覆性層を形成する工程である。
本実施形態においては、発光表示エリア部と発光表示エリア外周部とを分けるように、パッシベーション層２５をパターニング成膜する必要がある。このため、以下に、図５及び図６を用いて、この手法について説明する。なお、図５は、本実施形態のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は断面図である。また、図６は、本実施形態のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は断面図である。
【００５５】
まず、発光表示エリア部へ、透明な被覆性層（図示せず）を成膜する。
このとき、マスク４１は、発光表示エリア部の上端から、少しだけギャップを設けたものを使用する。
上記のギャップとしては、具体的に、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内が望ましい。これは、上述したように、透明な被覆性層の膜厚は、バリア層に比べて十分に厚いため、マスク４１がコンタクトした状態では、バリア層が十分に被覆できないためである。
【００５６】
ギャップを設けて浮かしたエリア（発光表示エリア部）では、膜が少し入り込むが、正規に狙う膜厚の１０分の１程度しか成膜されないが、後にバリア層が被覆できるため、十分なバリア性を確保することができる。
次に、バリア層を、発光表示エリア外周部に対し、二回に分けて成膜する。
これは、バリア層は、先に成膜した透明な被覆性層以外の部分に成膜するが、発行表示エリア部上にマスク４１を直接置いてしまうと、さらなるコンタミネーションの増加を招いてしまうためである。
【００５７】
したがって、マスク４１は、発光表示エリア部の上端から少しだけギャップを設けたものを使用する。
上記のギャップとしては、具体的に、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内が望ましい。
すなわち、バリア層を形成する工程では、基板２１と少なくとも発光表示エリア部を覆う形状のマスク４１との距離を、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内で離間させる。
【００５８】
この場合、発光表示エリア部にわずかに成膜されてしまうが、ここで成膜される膜厚は、正規に狙う膜厚の１０分の１程度のため、透過率の面からみても低下はみられない。
発光表示エリア外周部に対してバリア層を成膜する際には、発光表示エリア部を矩形で覆うことが可能なマスク４１を使用する。この矩形状のマスク４１を使用すると、矩形状のマスク４１が存在するエリアには、バリア層が成膜されない。このため、バリア層は、上述したように、二度に分けて成膜する。
【００５９】
すなわち、バリア層形成工程は、被覆性層形成工程の後工程であり、少なくとも発光表示エリア部を覆う形状のマスク４１を用いたＣＶＤ法により、バリア層を形成する工程である。
以上により、有機ＥＬパネル２０の全体に、パッシベーション層２５を成膜することができる。
【００６０】
（接着層）
続いて、接着層２６を形成する。
接着層２６の材料（接着剤）としては、熱硬化型の接着剤も使用することが可能であるが、有機ＥＬパネル２０への影響を考慮すると、光硬化型の接着剤が好ましい。
光硬化型の接着剤としては、例えば、エステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート等の各種アクリレート等の各種アクリレート、ウレタンポリエステル等の樹脂を用いたラジカル系接着剤や、エポキシ、ビニルエーテル等の樹脂を用いたカチオン系接着剤、チオール・エン付加型樹脂系接着剤等が挙げられ、中でも、酸素による阻害がなく、光照射後も重合反応が進行するカチオン系接着剤が好ましい。
【００６１】
カチオン硬化型タイプとしては、紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が好ましい。特に好ましいものは、１００ｍＷ／ｃｍ２以上の紫外線を照射した際に、１０〜９０秒以内に硬化する紫外線硬化型接着剤である。この時間範囲内で硬化させることにより、紫外線照射による他の構成要素への悪影響をもたらすことなく、紫外線硬化型接着剤が充分に硬化して、適切な接着強さを備えることができる。また、生産工程の効率の観点からも、上記の時間範囲内であることが好ましい。また、接着層２６の種類に関わらず、低透湿性かつ高接着性のものが望ましい。
【００６２】
接着層２６を形成する方法の一例としては、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。
接着層２６の厚みとしては、特に制限はないが、なるべく薄層であることが好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内程度、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内である。
【００６３】
（封止基板）
封止基板２７は、接着層２６の上に積層して、接着層２６を封止する層を形成している。
封止基板２７の材料としては、透明性が必要なトップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には、ガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのプラスチックフィルムを用いることが可能である。
一方、特に透明性が必要ないボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には、上記の材料に加えて、ステンレスやアルミなどの金属材料や、不透明なガラス、プラスチック材料を用いることが可能である。
【００６４】
（有機ＥＬディスプレイ）
上述した構成の有機ＥＬパネル２０を備えた有機ＥＬディスプレイの構成は、被覆性層及びバリア層上に形成された透明封止層を備えた構成とする。
ここで、透明封止層とは、透明性を有する封止基板２７で形成した層である。
また、上述した構成の有機ＥＬパネル２０を備えた有機ＥＬディスプレイの構成は、基板２１が透明であり、基板２１から透明封止層までの可視光透過率が９０％以上である構成とする。
【００６５】
（実施例）
以下、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法について、実施例を用いて説明する。
（実施例１）
実施例１として、図１中に示す有機ＥＬパネル２０を、以下のように製造した。
基板２１として、既に、第一電極層２２、取り出し電極、ＴＦＴ回路を保護するためのＳｉＮｘ層からなる無機絶縁層および無機絶縁層上のポリイミドからなる樹脂絶縁層を備え、絶縁層は、画素を仕切る隔壁２８として形成されているＴＦＴ基板を用いた。
次に、第一電極層２２上、にポリ（３，４エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物からなる正孔輸送層を、スピンコート法により２０ｎｍの膜厚で形成した。
【００６６】
次に、正孔輸送層上に、有機発光材料であるポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシロキシ）―１，４−フェニレンビュレン］をトルエンに溶解させ、スピンコート法により有機発光層を形成し、上記の正孔輸送層と合わせて、有機発光媒体層２３を８０ｎｍの膜厚で形成した。
次に、Ｂａ、Ａｌからなる第二電極層２４を、抵抗加熱蒸着法により、それぞれ５ｎｍの膜厚（Ｂａ）と、２ｎｍの膜厚（Ａｌ）で形成した。
【００６７】
続いて、発行表示エリア部に、窒化珪素からなる透明な被覆性層を、プラズマＣＶＤ法により成膜した。
このとき、ガス流量を、ＳｉＨ４ガス：２００ｓｃｃｍｍ、ＮＨ３ガス：８０ｓｃｃｍ、Ｈ２ガス：８００ｓｃｃｍ、Ｎ２ガス：２０００ｓｃｃｍとし、基板温度を８０℃とし、全圧が１６０Ｐａという条件で、３０００ｎｍの膜厚となるよう形成した（ガス流量は、０℃−１０１．３ｋＰａで規格化した流量である）。このとき、マスクを発光表示エリアから０．３ｍｍ浮かした状態で、パターニング成膜を行った。
【００６８】
続いて、発光表示エリア外周部に、バリア層を、ガス流量を、ＳｉＨ４ガス：１００ｓｃｃｍｍ、ＮＨ３ガス：２０ｓｃｃｍ、Ｈ２ガス：８００ｓｃｃｍ、Ｎ２ガス：２０００ｓｃｃｍとし、基板温度を８０℃とし、全圧が１６０Ｐａという条件で、１０００ｎｍの膜厚になるよう形成した。
バリア層の成膜時には、発光表示エリア部を長手方法に覆う矩形状のマスクを用いて成膜し、その後、短手方向を覆うマスクを用いて成膜した。このとき、マスクを発光表示エリア部から０．３ｍｍ浮かした状態で、パターニング成膜を行った。
【００６９】
次に、パッシベーション層２５上に、紫外線硬化型接着剤を用いて接着層２６を形成し、この接着層２６に平板ガラスで形成した封止基板２７を貼り合わせ、紫外線を５０００ｍＪ照射して封止し、実施例１の有機ＥＬパネル２０を製造した。
上記のようにして製造した有機ＥＬパネル２０に対し、７Ｖの電圧を印加した結果、３０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られ、電流効率は６ｃｄ/Ａであった。
また、非発光画素は観察されなかったが、顕微鏡での観察では、５画素でダークスポットが観察された。さらに、６０℃、９０％ＲＨ下で、１５００Ｈｒ放置したところ、非発光画素数は観察されず、ダークスポットの拡大は見られなかった。
【００７０】
（実施例２）
実施例２として、図１中に示す有機ＥＬパネル２０を、以下のように製造した。
基板２１に、幅が３μｍの隔壁２８を形成し、透明な被覆性層のみを、実施例１と同様の成膜条件で、窒化珪素を用いて形成した。
この基板２１を、走査型電子顕微鏡で観察したところ、被覆率は７２％であり、クラックのない良好な膜が形成されていた。また、このときの可視光透過率は、９１％であった。
（実施例３）
実施例３として、図１中に示す有機ＥＬパネル２０を、以下のように製造した。
基板２１に、幅が３μｍの隔壁２８を形成し、実施例１と同様の成膜条件でバリア層を形成し、水蒸気透過率を測定したところ、０．００１ｇ／ｍ２／ｄａｙ未満であった。
【００７１】
（比較例１）
実施例１に記載したバリア層を除いた有機ＥＬパネルを製造した。
そして、製造した有機ＥＬパネルに対し、７Ｖの電圧を印加した結果、３１００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られた。また、電流効率は６ｃｄ/Ａであり、実施例１と同様の特性が得られた。
しかしながら、６０℃、９０％ＲＨ下で４００Ｈｒ放置したところ、ダークスポットが拡大し、１０００Ｈｒが経過した後は、隣接する画素までダークスポットが拡大した。
（比較例２）
実施例１に記載した透明な被覆性層を、成膜する際のマスクを浮かせずに形成し、さらに、３０００ｎｍの膜厚で形成したこと以外は、実施例１と同様の有機ＥＬパネルを製造した。
【００７２】
そして、製造した有機ＥＬパネルに対し、７Ｖの電圧を印加した結果、２９００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られた。また、電流効率は６ｃｄ/Ａであり、実施例１と同様の特性が得られた。
さらに、６０℃、９０％ＲＨ下で８００Ｈｒ放置したところ、外部からの水の進入と見られる欠陥（ダークエリア）が発光表示エリア角部から発生し、１０００Ｈｒが経過した後は、さらにダークエリアが拡大した。
【符号の説明】
【００７３】
２０ 有機ＥＬパネル
２１ 基板
２２ 第一電極層
２３ 有機発光媒体層
２４ 第二電極層
２５ パッシベーション層
２６ 接着層
２７ 封止基板
２８ 隔壁
３１ 発光表示エリア部
３２ 発光表示エリア外周部
４１ マスク
５０ 乾燥剤
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機材料を用いる有機電子デバイス、特に、有機ＥＬパネルの製造方法、有機ＥＬパネル、有機ＥＬパネルを備えた有機ＥＬディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機材料を用いた電子デバイスが盛んに研究されている。
有機電子デバイスとしては、半導体性を示す有機材料を半導体材料として用いる有機薄膜トランジスタや、電気を流すことで発光する性質（有機エレクトロルミネッセンス現象、以下、「有機ＥＬ」と記載する場合がある）の有機発光材料を用いた、有機ＥＬ表示装置が例として挙げられる。
【０００３】
これらの有機電子デバイスは、二つの電極間に有機材料を配置し、電極間に電圧をかけることによって、半導体性や発光といった有機材料の機能を発現させている。
二つの電極間に配置する有機材料は、従来の無機半導体材料等を形成するために必要な真空プロセスを用いることなく、大気圧下において印刷プロセス等で作成することが可能であるため、大幅にコストを下げられる可能性や、可撓性のプラスチック基材上に設けられる等の利点を有している。
【０００４】
しかしながら、有機材料は、経時劣化に弱いという難点があるため、未だ広範な実用には至っていない。
特に、有機ＥＬパネルは、テレビやパソコンモニタ、モバイル機器等に使用されるフラットパネルディスプレイ、照明などとして、幅広い用途が期待されている。
また、有機ＥＬは、液晶ディスプレイなどとは異なり、自発光型であるため、構造的に極薄化可能な点や、表示画像が広視野角で見え、その表示画像の応答速度が速い点、低消費電力である点、高コントラストなどの利点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに変わるフラットパネルディスプレイとして期待されているが、有機発光材料の経時劣化が問題となっている。
【０００５】
従来技術による有機ＥＬパネルとしては、例えば、図７中に示すものがある。なお、図７は、従来技術による有機ＥＬパネル２０の断面構造を示す図である。
図７中に示すような、従来技術による有機ＥＬパネル２０では、ガラスキャップからなる封止基板２７を用いて封止をしているが、ガラスキャップ自体のコストが高く、また大型化するとガラスキャップの撓みが顕著になるという問題を有している。なお、図７中では、有機ＥＬパネル２０の構成として、基板２１、第一電極層２２、有機発光媒体層２３、第二電極層２４、接着層２６、乾燥剤５０、隔壁２８を示している。
【０００６】
この問題に対し、特に図示しないが、平板構造の有機ＥＬパネルが提案されている。
しかしながら、平板構造の有機ＥＬパネルでは、乾燥剤を貼り付けることができないため、接着層と第二電極層の間にパッシベーション層を形成し、劣化を抑制する。
このような薄膜構造を適用することにより、有機ＥＬパネルを備えた極薄の有機ＥＬディスプレイを製造することが可能となる。
【０００７】
ここで、上記のパッシベーション層としては、酸素や水に対するバリア性が高く、また第二電極層（陰極）上に形成するため、絶縁性があるものが望ましい。したがって、パッシベーション層の材料としては、例えば、酸化珪素や窒化珪素が挙げられる。
しかしながら、上記のような有機ＥＬパネルは、第一電極層から第二電極層までの厚さが１［ｍｍ］程度しかないため、この厚みと同程度の異物が存在することで、ダークスポットの拡大や非点灯画素の発生など発光欠陥を起こしてしまうが、異物を製造工程内から完全に除くことは困難である。
【０００８】
そこで、発光欠陥を抑制する手段として、最も効果的なパッシベーション膜は、外部からの水分や酸素の悪影響を抑制して封止特性を向上させるとともに、製造工程内で混入する異物起因の発光欠陥を抑制するために成膜する膜となる。このようなパッシベーション膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いて成膜される。
パッシベーション膜として効果の高いものとしては、例えば、特許文献１や特許文献２に記載されているように、膜密度を制御することにより、有機ＥＬパネルの段差形状及び製造工程内で付着した異物に対する段差被覆性を向上させた膜と、バリア性を向上させた膜とを、積層、または、傾斜膜として成膜し、封止特性を向上さえる構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７‐１８４２５１号公報
【特許文献２】特開２００７‐２２０６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述した条件でパッシベーション膜を成膜した場合、プラズマや基板温度上昇により、有機ＥＬパネルの特性が劣化してしまう。さらに、トップエミッション型や両面発光型の有機ＥＬパネルにおけるパッシベーション層には、上記の特性に加え、高い可視光透過率が要求されるが、これら全てを満たすような手法は確立されていない。
本発明は、上記問題を鑑みてなされたもので、有機電子デバイス、特に、有機ＥＬパネルの本来の性能を低下させることなく、製造工程で混入した異物に対して、段差被覆性、水蒸気透過率、成膜速度を向上させる条件でパッシベーション膜を成膜することにより、成膜時間を短縮し、且つ信頼性の高い有機ＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明のうち、請求項１に記載した発明は、発光表示エリア部と、当該発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部と、を有する基板と、
前記基板上における前記発光表示エリア部上の領域に形成された第一電極層と、
前記第一電極層上に形成され、且つ有機発光層を含む有機発光媒体層と、
前記有機発光媒体層上に形成された第二電極層と、を備えた有機ＥＬパネルを製造する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層を、前記第二電極層上における前記発光表示エリア部上の領域に形成する被覆性層形成工程と、
前記被覆性層形成工程の後工程であり、密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層を、前記発光表示エリア外周部上の領域において前記被覆性層の端部を覆うように形成するバリア層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１２】
次に、本発明のうち、請求項２に記載した発明は、請求項１に記載した構成に対し、前記被覆性層形成工程は、少なくとも前記発光表示エリア外周部を覆う形状のマスクを用いたＣＶＤ法により、前記被覆性層を形成する工程であり、
前記バリア層形成工程は、少なくとも前記発光表示エリア部を覆う形状のマスクを用いたＣＶＤ法により、前記バリア層を形成する工程であることを特徴とするものである。
【００１３】
次に、本発明のうち、請求項３に記載した発明は、請求項１または請求項２に記載した構成に対し、前記被覆性層及び前記バリア層は、少なくともＳｉＨ４ガス及びＮＨ３ガスから成膜され、ＳｉＨ４ガスのガス流量は、ＮＨ３ガスのガス流量の２倍以上５倍以下の範囲内であることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項４に記載した発明は、請求項２または請求項３に記載した構成に対し、前記バリア層形成工程では、前記基板と前記少なくとも前記発光表示エリア部を覆う形状のマスクとの距離を、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内で離間させることを特徴とするものである。
【００１４】
次に、本発明のうち、請求項５に記載した発明は、発光表示エリア部と、当該発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部と、を有する基板と、
前記基板上における前記発光表示エリア部上の領域に形成された第一電極層と、
前記第一電極層上に形成され、且つ有機発光層を含む有機発光媒体層と、
前記有機発光媒体層上に形成された第二電極層と、を備えた有機ＥＬパネルであって、
前記第二電極層上における前記発光表示エリア部上の領域に形成され、且つ密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層と、
前記発光表示エリア外周部上の領域において前記被覆性層の端部を覆うように形成され、且つ密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層と、を備えることを特徴とするものである。
【００１５】
次に、本発明のうち、請求項６に記載した発明は、請求項５に記載した構成に対し、前記被覆性層は、水蒸気透過率が０．０５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、且つ可視光透過率が９０％以上であることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項７に記載した発明は、請求項５または請求項６に記載した構成に対し、前記バリア層は、水蒸気透過率が０．００１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、且つ可視光透過率が６０％以上であることを特徴とするものである。
【００１６】
次に、本発明のうち、請求項８に記載した発明は、請求項５から請求項７のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬパネルを備える有機ＥＬディスプレイであって、
前記被覆性層及び前記バリア層上に形成された透明封止層を備えることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項９に記載した発明は、請求項８に記載した構成に対し、前記基板が透明であり、
前記基板から前記透明封止層までの可視光透過率が９０％以上であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、有機電子デバイス、特に、有機ＥＬパネルの第二電極層を成膜した後に、発光表示エリア部に、透明で被覆性の高いパッシベーション層を形成し、発光表示エリア外周部には、バリア性の高いパッシベーション層を形成することにより、トップエミッション型、または、両面発光型の有機ＥＬパネルの可視光透過性を十分に持ち、且つ特性を劣化させることなく信頼性の高い有機ＥＬパネルを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の有機ＥＬパネルの構成を示す断面図である。
【図２】被覆率を説明するための断面図である。
【図３】本発明のパッシベーション層を示す平面図である。
【図４】本発明のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図である。
【図５】本発明のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図である。
【図６】本発明のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図である。
【図７】従来技術による有機ＥＬパネルの断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態（以下、「本実施形態」と記載する）について、図面を参照しつつ説明する。
（有機ＥＬパネルの概略構成）
図１は、本実施形態の有機ＥＬパネル２０の構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、有機ＥＬパネル２０として、トップエミッション構造を例として挙げるが、本実施形態の有機ＥＬパネル２０は、両面発光構造に対しても適用可能である。
図１中に示すように、有機ＥＬパネル２０は、基板２１上に、第一電極層２２、有機発光媒体層２３及び第二電極層２４からなる有機ＥＬ素子を、複数備えている。
具体的には、有機ＥＬパネル２０は、基板２１上にパターン形成された複数の第一電極層２２と、複数の第一電極層２２上に形成された複数の有機発光媒体層２３と、複数の有機発光媒体層２３を覆うように形成された第二電極層２４と、第二電極層２４を覆うように形成されたパッシベーション層２５と、基板２１と封止基板２７とを張り合わせるために形成された接着層２６と、封止基板２７を備えている。
【００２０】
ここで、パッシベーション層２５は、有機発光媒体層２３を外気から保護するための、保護層として機能する。また、パッシベーション層２５は、二層（２５ａ、２５ｂ）で構成されている。
また、本実施形態の有機ＥＬパネル２０を製造する有機ＥＬパネルの製造方法は、後述する被覆性層を形成する被覆性層形成工程と、後述するバリア層を形成するバリア層形成工程を有している。
【００２１】
（基板）
基板２１は、発光表示エリア部と、この発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部を有している。
また、基板２１としては、例えば、ガラスやプラスチックフィルムなどの絶縁性を有する基板が使用できる。
特に、基板２１側から発光を取り出すボトムエミッション型の場合には、基板２１の材料として、透光性のある材料を用いる。
透光性のある基板２１の材料としては、ガラスや石英、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート等のプラスチックフィルムに、少なくとも第一電極層２２が形成されていれば良い。
【００２２】
また、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ素子を形成する場合には、基板として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された駆動用基板を用い、さらに、用いる薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることが可能である。
具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。なお、薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、ボトムゲート型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
【００２３】
薄膜トランジスタの半導体層の材料としては、ポリチオフェンやポリアニリン、銅フタロシアニンやペリレン誘導体等の材料を用いてもよく、また、アモルファスシリコンやポリシリコン、金属酸化物を用いてもよい。さらに、基板のどちらかの面に、カラーフィルタ層や光散乱層、光偏光層等を基板に設けてもよい。
これらの基板２１は、予め、加熱処理を行うことにより、基板２１の内部、あるいは、表面の水分を極力低減させることが望ましい。また、基板２１上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、ＵＶオゾン処理などの表面処理を施してから使用することが好ましい。
【００２４】
（第一電極層）
第一電極層２２は、基板２１上に形成されている。
具体的には、第一電極層２２は、基板２１上における発光表示エリア部上の領域に形成されている。
第一電極層２２を基板２１上に形成する際には、薄膜トランジスタを有機ＥＬディスプレイのスイッチング素子として機能するように接続するために、薄膜トランジスタのドレイン電極と、有機ＥＬディスプレイの各画素を構成する有機ＥＬ素子の第一電極層２２とを電気的に接続する。
【００２５】
薄膜トランジスタとドレイン電極と有機ＥＬディスプレイの第一電極層２２との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。
また、第一電極層２２は、隔壁２８によって区画されており、各画素に対応した画素電極となる。
第一電極層２２の材料としては、ＩＴＯなどの、仕事関数の高い材料を選択することが好ましく、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものを用いることも可能がある。
【００２６】
本実施形態では、有機ＥＬパネル２０の構造を、トップエミッション構造としているため、第一電極層２２は、正孔注入性と反射性を必要なＡｇやＡｌのような金属材料の上にＩＴＯ膜を積層して形成すればよい。
第一電極層２２の膜厚は、有機ＥＬディスプレイの素子構成により最適値が異なるが、単層、積層にかかわらず、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、より好ましくは、３００ｎｍ以下である。
【００２７】
第一電極層２２の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることが可能である。
【００２８】
（隔壁）
第一電極層２２を形成した後、隣接する陽極パターンの間に、フォトリソグラフィ法により隔壁２８を形成する。
隔壁２８を形成する工程は、さらに詳しくは、感光性樹脂組成物を基板に塗布する工程と、パターン露光、現像、焼成して隔壁パターンを形成する工程を少なくとも有する。
隔壁２８は、画素に対応した発光表示領域（発光表示エリア）を区画するように形成する。一般的に、アクティブマトリクス駆動型の表示装置は、各画素に対して第一電極層２２が形成され、それぞれの画素ができるだけ広い面積を占有しようとするため、第一電極層２２の端部を覆うように形成される隔壁の最も好ましい形状は、格子状を基本とする。
【００２９】
また、隔壁２８を多段状に形成することも可能であり、その場合には、基板２１上の全面に形成されたＳｉＯ２やＳｉＮからなる絶縁性の無機膜を、フォトリソグラフィ工程により、画素を区切る格子状に形成して１段目の隔壁とし、その１段目の隔壁上に、感光性樹脂からなる２段目の隔壁をフォトリソグラフィにより形成する。
隔壁２８を形成する感光性材料としては、ポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらであってもよく、市販のもので構わないが、絶縁性を有する必要がある。
【００３０】
隔壁２８が十分な絶縁性を有さない場合には、隔壁２８を通じて隣り合う画素電極に電流が流れてしまい、表示不良が発生してしまう。また、ＴＦＴの誤作動により適正な表示ができないことがある。
感光性材料としては、具体的には、ポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系、フルオレン系といったものが挙げられるが、これに限定するものではない。また、有機ＥＬディスプレイの表示品位を上げる目的で、光遮光性の材料を感光性材料に含有させても良い。さらに、必要に応じて撥水剤を添加したり、プラズマやＵＶを照射して形成後にインクに対する撥液性を付与したりすることもできる。
【００３１】
隔壁２８を形成する感光性樹脂は、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の公知の塗布方法を用いて塗布される。
次に、パターン露光、すなわち、現像して隔壁パターンを形成する工程では、従来公知の露光、現像方法により、隔壁部のパターンを形成できる。また、焼成に関しては、オーブン、ホットプレート等での従来公知の方法により、焼成を行うことができる。
【００３２】
隔壁２８は、厚みが０．５μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあることが望ましい。
これは、異なる発光色を有する有機発光材料を溶媒に溶解または分散させた有機発光インキを用いて、画素ごとに塗り分けをおこなう場合、隣接する画素との混色を防止することが可能となるためである。
隔壁２８が低すぎると、隣接画素間でのリーク電流の発生や、ショートの防止、有機発光インキの混色防止の効果が得られないことがあるため、注意が必要である。
【００３３】
（有機発光媒体層）
有機発光媒体層２３は、第一電極層２２上に形成されている。すなわち、有機発光媒体層２３は、第一電極層２２上において、基板２１上の発光表示エリア部に形成されている。
また、有機発光媒体層２３は、電圧の印加によって発光する有機発光層を含んでいる。
なお、有機発光媒体層２３は、有機発光層から成る単独の層によって構成されていても良いが、この有機発光層に加えて、発光効率を向上させる発光補助層を積層した積層構造から構成されたものであっても良い。
また、発光補助層としては、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。
【００３４】
正孔輸送層の材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，ＦｅＯｘ（ｘ〜０．１），ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｐｒ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ＭｏＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２，ＴｈＯ２，Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，ＭｎＯ２などの無機材料、その他、既存の正孔輸送材料の中から選ぶことが可能である。
【００３５】
ここで、高分子ＥＬディスプレイの場合には、正孔輸送層に、インターレイヤ層を形成することが好ましい。
インターレイヤ層に用いる材料としては、ポリビニルカルバゾール、またはその誘導体、側鎖、または主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。
【００３６】
これらの材料は、溶媒に溶解または分散させ、スピンコート法等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いて形成することができる。
有機発光材料としては、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ｉｒ錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これらの高分子材料に、上記の低分子材料を分散または共重合した材料や、その他、既存の蛍光発光材料や燐光発光材料を用いることが可能である。
【００３７】
電子輸送層の材料としては、例えば、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることが可能である。
また、これらの電子輸送層の材料に、ナトリウムやバリウム、リチウムといった仕事関数が低いアルカリ金属、アルカリ土類金属を少量ドーピングすることにより、電子注入層を形成してもよい。
有機発光媒体層２３の膜厚は、有機発光媒体層２３を単層、または、積層により形成する場合においても、１０００ｎｍ以下であり、好ましくは５０〜２００ｎｍ程度である。
【００３８】
有機発光媒体層２３の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着法や、スリットコート、スピンコート、スプレーコート、ノズルコート、フレキソ印刷、グラビア印刷、凹版オフセット印刷、凸版オフセット印刷などのコーティング法や印刷法、インクジェット法などを用いることが可能である。
【００３９】
（第二電極層）
有機発光媒体層２３に続いて、第二電極層２４を成膜する。すなわち、第二電極層２４は、有機発光媒体層２３上に形成されている。
第二電極層２４の材料としては、有機発光媒体層２３への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いる。
具体的には、Ｍｇ，Ａｌ，Ｙｂ等の金属単体や、発光媒体と接する界面にＢａ、Ｃａ、Ｌｉやその酸化物，フッ化物等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いることが可能である。
【００４０】
または、電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。
具体的には、ＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用可能である。
本実施形態のように、有機ＥＬパネル２０の構造を、第二電極層２４側から光を取り出す、いわゆるトップエミッション構造とする場合には、透光性を有する材料を選択することが好ましい。この場合、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａを薄く設けた後に、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を積層してもよく、有機発光媒体層２３に、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａなどの金属を少量ドーピングして、ＩＴＯなどの金属酸化物を積層してもよい。
【００４１】
第二電極層２４の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることが可能である。
第二電極層２４の厚さには、特に制限はないが、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が望ましい。また、第二電極層２４を透光性電極層として利用する場合、ＣａやＬｉなどの金属材料を用いる場合の膜厚は、０．１〜１０ｎｍ程度が望ましい。
【００４２】
（パッシベーション層）
続いて、有機ＥＬ素子を空気や水分から守るためのバリア層として、第二電極層２４上にパッシベーション層２５（２５ａ、２５ｂ）を成膜する。
パッシベーション層２５の材料としては、酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化炭素などの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、炭化ケイ素などの金属炭化物のいずれか、または、これらの積層体を用いることが可能である。さらに、必要に応じて、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜との積層膜として用いても良い。特に、バリア性と被覆性と成膜速度の面から、ＣＶＤ法による酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素を成膜することが好ましい。
【００４３】
パッシベーション層２５は、第二電極層２４の全面を覆うように形成され、第二電極層２４が基板２１とパッシベーション層２５とで覆われる様に形成することが望ましい。
パッシベーション層２５の形成方法としては、パッシベーション層２５の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法を用いることが可能であるが、特に、バリア性や段差被覆性の面、さらには、成膜条件により膜密度や膜組成を容易に可変できることから、ＣＶＤ法を用いることが好ましい。
【００４４】
ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法、ＶＵＶ−ＣＶＤ法などを用いることが可能である。また、ＣＶＤ法における反応ガスとしては、モノシランや、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）やテトラエトキシシランなどの有機シリコン化合物に、Ｎ２、Ｏ２、ＮＨ３、Ｈ２、Ｎ２Ｏなどのガスを必要に応じて添加してもよく、必要に応じて、シランなどのガス流量や、プラズマ電力を変えることにより膜密度を変化させてもよく、使用する反応性ガスにより、膜中に水素や炭素を含有させることも可能である。
【００４５】
本実施形態では、パッシベーション層２５の成膜を、ＣＶＤ法を用いて行う。
反応ガスとしては、ＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガスを用い、その流量比は、ＳｉＨ４ガスのガス流量が、ＮＨ３ガスのガス流量の２倍以上５倍以下の範囲内であることが好ましい。また、全圧が１５０Ｐａ以上３５０Ｐａ以下の成膜条件において、被覆率、水蒸気透過率、可視光透過率、成膜速度を制御する。
【００４６】
すなわち、後述する被覆性層及びバリア層は、少なくともＳｉＨ４ガス及びＮＨ３ガスから成膜され、ＳｉＨ４ガスのガス流量は、ＮＨ３ガスのガス流量の２倍以上５倍以下の範囲内である。
ここで、被覆率について説明する。本実施形態における被覆率とは、段差被覆性の評価のために用いた値であり、図２中に示すように、テーパー角度が９０°の矩形状の隔壁２８を設けた基板２１に対してパッシベーション層２５を成膜し、以下の式（１）にて算出される割合を被覆率とした。なお、図２は、被覆率を説明するための断面図である。
被覆率（％）＝側壁部の膜厚／頭頂部の膜厚×１００ … （１）
この隔壁２８の高さは、有機ＥＬパネル２０上の凹凸形状、または、想定される異物サイズと同等程度の高さを設けることが望ましい。
そして、被覆率が７０％以上であれば、有機ＥＬパネル２０に混入した異物や凹凸形状を十分に包みこむことが可能であるため、有機発光媒体層２３の経時劣化が少なく、耐久性に優れた有機ＥＬパネル２０を製造することが可能である。
【００４７】
また、パッシベーション層２５の重要な特性として、バリア性が挙げられるが、これは、水分によって劣化が顕著な有機ＥＬパネル２０を保護するための特性であり、バリア性の評価は、既知である、ＪＩＳ Ｋ７１２９ Ｂの方法（赤外センサー法）によって、水蒸気透過率により比較をする。
パッシベーション層２５としての水蒸気透過率は、好ましくは、概ね０．０１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、有機発光媒体層への劣化要因を防ぐことができる。
【００４８】
しかしながら、水蒸気透過率の良いパッシベーション層２５を成膜するためには、より高エネルギーで成膜しなければならないため、長時間、厚膜に成膜すると、有機ＥＬパネル２０の特性を劣化させてしまう。そのため、パッシベーション層２５は、有機ＥＬパネル２０が特性劣化しない程度の膜厚で成膜することが必要である。
パッシベーション層２５の成膜速度は、成膜圧力、成膜電力、反応ガス流量などの成膜条件に依存するが、成膜速度が遅いとタクトが悪くなるばかりか、温度蓄積やプラズマによるダメージが有機ＥＬパネル２０にみられるようになるため、２００ｎｍ／ｍｉｎ程度が好ましい。特に、成膜時温度は、有機ＥＬパネル２０の特性劣化に顕著に効くため、５０℃以上９０℃以下の範囲内が好ましい。
また、上述したように、水蒸気透過率の非常に高いパッシベーション層２５は、膜面が黄色に見える程度まで、可視光透過率が低下してしまう。これは、水蒸気透過率と可視光透過率がトレードオフの関係にあるため、トップエミッション型や両面発光型の有機ＥＬパネル２０では、単純にどちらかの特性を向上させただけでは不十分であるためである。
【００４９】
以下、本実施形態におけるパッシベーション層２５の構成について述べる。
有機ＥＬパネル２０の大きな劣化要因となる、第二電極層２４を成膜した前後で混入した異物に対して、図３中に示すように、被覆性を重視した、透明な被覆性層（２５ａ）を、発光表示エリア部３１に成膜する。なお、図３は、本実施形態のパッシベーション層２５を示す平面図である。
ここで、被覆性層は、密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であり、第二電極層２４上における、発光表示エリア部上の領域に形成されている。
このとき、本実施形態では、有機ＥＬパネル２０の構造として、トップエミッション型、または、両面発光型を想定しているため、可視光透過率が９０％以上になるように、被覆性層を成膜する。
すなわち、被覆性層の可視光透過率は、９０％以上である。
したがって、被覆性層の材料は、少なくとも被覆率が９０％以上、可視光透過率が９０％以上のものが好ましい。
【００５０】
被覆性層の水蒸気透過率は、０．０５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
また、被覆性層の膜厚は、十分な透過率を取り得る膜厚の範囲内で、１μｍ以上５μｍ以下の範囲内に成膜することが望ましい。これは、一般に、有機ＥＬパネル２０の製造時に混入する異物の大きさは、５μｍ以下のものが９割以上を占めるためである。
また、被覆性層の膜厚が１μｍ未満であると、側壁部の膜厚が少なくなり、混入した異物を十分被覆できないため、バリア性が低くなる。
一方、被覆性層の膜厚が５μｍを超えると、成膜に必要な時間が長すぎるため、膜形成による有機ＥＬ素子へのダメージが増大する。
次に、外部からの水分等の侵入を防止するために、発光表示エリア外周部３２に、水蒸気透過率を重視したバリア層（２５ｂ）を成膜する。
ここで、バリア層は、密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であり、発光表示エリア外周部上の領域において、被覆性層の端部を覆うように形成されている。
【００５１】
このとき、発光表示エリア外周部３２では、可視光透過率は特性として必要ないため、水蒸気透過率を重視したパッシベーション層２５を成膜する。
バリア層の水蒸気透過率は、０．００１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
また、バリア層は、水蒸気透過率を十分に低くすることが可能な膜厚の範囲内で成膜することが望ましい。
また、バリア層の可視光透過率は、６０％以上である。
ただし、上述したような構成のパッシベーション層２５の総厚としては、実際に存在する異物サイズと被覆率を勘案し、膜厚を制御することが望ましい。
続いて、パッシベーション層２５をＣＶＤ法で成膜する際に用いるマスクについて説明する。
【００５２】
絶縁層であるパッシベーション層２５を電極部に成膜してしまうと、その後、電極部を露出させるために、パッシベーション層２５を部分的にエッチングなどで除去する工程が必要になるが、成膜時にマスキングすることで、この工程が不要となる。
ＣＶＤ法で使用するマスクの材料としては、セラミックスなど、成膜時の温度やプラズマに耐えうる材料が望ましく、例えば、アルミナやジルコニアなどが挙げられる。また、三フッ化窒素ガスなどを用いたチャンバークリーニング時には、マスクも同時にクリーニングできるように、耐腐食性をもつものが望ましい。
【００５３】
さらに、マスクの開口端の形状は、図４中に示すように、開口端からマスク４１の端部へ向かうにつれて傾斜しているとともに、その厚さが厚くなることが望ましい。これは、ＣＶＤ成膜時のガスの流れをスムーズにすることで、開口端付近で、膜の目標膜厚までの立ち上がり距離を短くすることが可能となるためである。上記の傾斜角度は、１５°以下とすることが望ましい。なお、図４は、本実施形態のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は断面図である。
【００５４】
すなわち、被覆性層形成工程は、少なくとも発光表示エリア外周部を覆う形状のマスク４１を用いたＣＶＤ法により、被覆性層を形成する工程である。
本実施形態においては、発光表示エリア部と発光表示エリア外周部とを分けるように、パッシベーション層２５をパターニング成膜する必要がある。このため、以下に、図５及び図６を用いて、この手法について説明する。なお、図５は、本実施形態のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は断面図である。また、図６は、本実施形態のパッシベーション層成膜時のマスク配置を示す図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は断面図である。
【００５５】
まず、発光表示エリア部へ、透明な被覆性層（図示せず）を成膜する。
このとき、マスク４１は、発光表示エリア部の上端から、少しだけギャップを設けたものを使用する。
上記のギャップとしては、具体的に、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内が望ましい。これは、上述したように、透明な被覆性層の膜厚は、バリア層に比べて十分に厚いため、マスク４１がコンタクトした状態では、バリア層が十分に被覆できないためである。
【００５６】
ギャップを設けて浮かしたエリア（発光表示エリア部）では、膜が少し入り込むが、正規に狙う膜厚の１０分の１程度しか成膜されないが、後にバリア層が被覆できるため、十分なバリア性を確保することができる。
次に、バリア層を、発光表示エリア外周部に対し、二回に分けて成膜する。
これは、バリア層は、先に成膜した透明な被覆性層以外の部分に成膜するが、発行表示エリア部上にマスク４１を直接置いてしまうと、さらなるコンタミネーションの増加を招いてしまうためである。
【００５７】
したがって、マスク４１は、発光表示エリア部の上端から少しだけギャップを設けたものを使用する。
上記のギャップとしては、具体的に、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内が望ましい。
すなわち、バリア層を形成する工程では、基板２１と少なくとも発光表示エリア部を覆う形状のマスク４１との距離を、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内で離間させる。
【００５８】
この場合、発光表示エリア部にわずかに成膜されてしまうが、ここで成膜される膜厚は、正規に狙う膜厚の１０分の１程度のため、透過率の面からみても低下はみられない。
発光表示エリア外周部に対してバリア層を成膜する際には、発光表示エリア部を矩形で覆うことが可能なマスク４１を使用する。この矩形状のマスク４１を使用すると、矩形状のマスク４１が存在するエリアには、バリア層が成膜されない。このため、バリア層は、上述したように、二度に分けて成膜する。
【００５９】
すなわち、バリア層形成工程は、被覆性層形成工程の後工程であり、少なくとも発光表示エリア部を覆う形状のマスク４１を用いたＣＶＤ法により、バリア層を形成する工程である。
以上により、有機ＥＬパネル２０の全体に、パッシベーション層２５を成膜することができる。
【００６０】
（接着層）
続いて、接着層２６を形成する。
接着層２６の材料（接着剤）としては、熱硬化型の接着剤も使用することが可能であるが、有機ＥＬパネル２０への影響を考慮すると、光硬化型の接着剤が好ましい。
光硬化型の接着剤としては、例えば、エステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート等の各種アクリレート等の各種アクリレート、ウレタンポリエステル等の樹脂を用いたラジカル系接着剤や、エポキシ、ビニルエーテル等の樹脂を用いたカチオン系接着剤、チオール・エン付加型樹脂系接着剤等が挙げられ、中でも、酸素による阻害がなく、光照射後も重合反応が進行するカチオン系接着剤が好ましい。
【００６１】
カチオン硬化型タイプとしては、紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が好ましい。特に好ましいものは、１００ｍＷ／ｃｍ２以上の紫外線を照射した際に、１０〜９０秒以内に硬化する紫外線硬化型接着剤である。この時間範囲内で硬化させることにより、紫外線照射による他の構成要素への悪影響をもたらすことなく、紫外線硬化型接着剤が充分に硬化して、適切な接着強さを備えることができる。また、生産工程の効率の観点からも、上記の時間範囲内であることが好ましい。また、接着層２６の種類に関わらず、低透湿性かつ高接着性のものが望ましい。
【００６２】
接着層２６を形成する方法の一例としては、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。
接着層２６の厚みとしては、特に制限はないが、なるべく薄層であることが好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内程度、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内である。
【００６３】
（封止基板）
封止基板２７は、接着層２６の上に積層して、接着層２６を封止する層を形成している。
封止基板２７の材料としては、透明性が必要なトップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には、ガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのプラスチックフィルムを用いることが可能である。
一方、特に透明性が必要ないボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には、上記の材料に加えて、ステンレスやアルミなどの金属材料や、不透明なガラス、プラスチック材料を用いることが可能である。
【００６４】
（有機ＥＬディスプレイ）
上述した構成の有機ＥＬパネル２０を備えた有機ＥＬディスプレイの構成は、被覆性層及びバリア層上に形成された透明封止層を備えた構成とする。
ここで、透明封止層とは、透明性を有する封止基板２７で形成した層である。
また、上述した構成の有機ＥＬパネル２０を備えた有機ＥＬディスプレイの構成は、基板２１が透明であり、基板２１から透明封止層までの可視光透過率が９０％以上である構成とする。
【００６５】
（実施例）
以下、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法について、実施例を用いて説明する。
（実施例１）
実施例１として、図１中に示す有機ＥＬパネル２０を、以下のように製造した。
基板２１として、既に、第一電極層２２、取り出し電極、ＴＦＴ回路を保護するためのＳｉＮｘ層からなる無機絶縁層および無機絶縁層上のポリイミドからなる樹脂絶縁層を備え、絶縁層は、画素を仕切る隔壁２８として形成されているＴＦＴ基板を用いた。
次に、第一電極層２２上、にポリ（３，４エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物からなる正孔輸送層を、スピンコート法により２０ｎｍの膜厚で形成した。
【００６６】
次に、正孔輸送層上に、有機発光材料であるポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシロキシ）―１，４−フェニレンビュレン］をトルエンに溶解させ、スピンコート法により有機発光層を形成し、上記の正孔輸送層と合わせて、有機発光媒体層２３を８０ｎｍの膜厚で形成した。
次に、Ｂａ、Ａｌからなる第二電極層２４を、抵抗加熱蒸着法により、それぞれ５ｎｍの膜厚（Ｂａ）と、２ｎｍの膜厚（Ａｌ）で形成した。
【００６７】
続いて、発行表示エリア部に、窒化珪素からなる透明な被覆性層を、プラズマＣＶＤ法により成膜した。
このとき、ガス流量を、ＳｉＨ４ガス：２００ｓｃｃｍｍ、ＮＨ３ガス：８０ｓｃｃｍ、Ｈ２ガス：８００ｓｃｃｍ、Ｎ２ガス：２０００ｓｃｃｍとし、基板温度を８０℃とし、全圧が１６０Ｐａという条件で、３０００ｎｍの膜厚となるよう形成した（ガス流量は、０℃−１０１．３ｋＰａで規格化した流量である）。このとき、マスクを発光表示エリアから０．３ｍｍ浮かした状態で、パターニング成膜を行った。
【００６８】
続いて、発光表示エリア外周部に、バリア層を、ガス流量を、ＳｉＨ４ガス：１００ｓｃｃｍｍ、ＮＨ３ガス：２０ｓｃｃｍ、Ｈ２ガス：８００ｓｃｃｍ、Ｎ２ガス：２０００ｓｃｃｍとし、基板温度を８０℃とし、全圧が１６０Ｐａという条件で、１０００ｎｍの膜厚になるよう形成した。
バリア層の成膜時には、発光表示エリア部を長手方法に覆う矩形状のマスクを用いて成膜し、その後、短手方向を覆うマスクを用いて成膜した。このとき、マスクを発光表示エリア部から０．３ｍｍ浮かした状態で、パターニング成膜を行った。
【００６９】
次に、パッシベーション層２５上に、紫外線硬化型接着剤を用いて接着層２６を形成し、この接着層２６に平板ガラスで形成した封止基板２７を貼り合わせ、紫外線を５０００ｍＪ照射して封止し、実施例１の有機ＥＬパネル２０を製造した。
上記のようにして製造した有機ＥＬパネル２０に対し、７Ｖの電圧を印加した結果、３０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られ、電流効率は６ｃｄ/Ａであった。
また、非発光画素は観察されなかったが、顕微鏡での観察では、５画素でダークスポットが観察された。さらに、６０℃、９０％ＲＨ下で、１５００Ｈｒ放置したところ、非発光画素数は観察されず、ダークスポットの拡大は見られなかった。
【００７０】
（実施例２）
実施例２として、図１中に示す有機ＥＬパネル２０を、以下のように製造した。
基板２１に、幅が３μｍの隔壁２８を形成し、透明な被覆性層のみを、実施例１と同様の成膜条件で、窒化珪素を用いて形成した。
この基板２１を、走査型電子顕微鏡で観察したところ、被覆率は７２％であり、クラックのない良好な膜が形成されていた。また、このときの可視光透過率は、９１％であった。
（実施例３）
実施例３として、図１中に示す有機ＥＬパネル２０を、以下のように製造した。
基板２１に、幅が３μｍの隔壁２８を形成し、実施例１と同様の成膜条件でバリア層を形成し、水蒸気透過率を測定したところ、０．００１ｇ／ｍ２／ｄａｙ未満であった。
【００７１】
（比較例１）
実施例１に記載したバリア層を除いた有機ＥＬパネルを製造した。
そして、製造した有機ＥＬパネルに対し、７Ｖの電圧を印加した結果、３１００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られた。また、電流効率は６ｃｄ/Ａであり、実施例１と同様の特性が得られた。
しかしながら、６０℃、９０％ＲＨ下で４００Ｈｒ放置したところ、ダークスポットが拡大し、１０００Ｈｒが経過した後は、隣接する画素までダークスポットが拡大した。
（比較例２）
実施例１に記載した透明な被覆性層を、成膜する際のマスクを浮かせずに形成し、さらに、３０００ｎｍの膜厚で形成したこと以外は、実施例１と同様の有機ＥＬパネルを製造した。
【００７２】
そして、製造した有機ＥＬパネルに対し、７Ｖの電圧を印加した結果、２９００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られた。また、電流効率は６ｃｄ/Ａであり、実施例１と同様の特性が得られた。
さらに、６０℃、９０％ＲＨ下で８００Ｈｒ放置したところ、外部からの水の進入と見られる欠陥（ダークエリア）が発光表示エリア角部から発生し、１０００Ｈｒが経過した後は、さらにダークエリアが拡大した。
【符号の説明】
【００７３】
２０ 有機ＥＬパネル
２１ 基板
２２ 第一電極層
２３ 有機発光媒体層
２４ 第二電極層
２５ パッシベーション層
２６ 接着層
２７ 封止基板
２８ 隔壁
３１ 発光表示エリア部
３２ 発光表示エリア外周部
４１ マスク
５０ 乾燥剤
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光表示エリア部と、当該発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部と、を有する基板と、
前記基板上における前記発光表示エリア部上の領域に形成された第一電極層と、
前記第一電極層上に形成され、且つ有機発光層を含む有機発光媒体層と、
前記有機発光媒体層上に形成された第二電極層と、を備えた有機ＥＬパネルを製造する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層を、前記第二電極層上における前記発光表示エリア部上の領域に形成する被覆性層形成工程と、
前記被覆性層形成工程の後工程であり、密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層を、前記発光表示エリア外周部上の領域において前記被覆性層の端部を覆うように形成するバリア層形成工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
前記被覆性層形成工程は、少なくとも前記発光表示エリア外周部を覆う形状のマスクを用いたＣＶＤ法により、前記被覆性層を形成する工程であり、
前記バリア層形成工程は、少なくとも前記発光表示エリア部を覆う形状のマスクを用いたＣＶＤ法により、前記バリア層を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載した有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
前記被覆性層及び前記バリア層は、少なくともＳｉＨ４ガス及びＮＨ３ガスから成膜され、ＳｉＨ４ガスのガス流量は、ＮＨ３ガスのガス流量の２倍以上５倍以下の範囲内であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載した有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
前記バリア層形成工程では、前記基板と前記少なくとも前記発光表示エリア部を覆う形状のマスクとの距離を、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内で離間させることを特徴とする請求項２または請求項３に記載した有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
発光表示エリア部と、当該発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部と、を有する基板と、
前記基板上における前記発光表示エリア部上の領域に形成された第一電極層と、
前記第一電極層上に形成され、且つ有機発光層を含む有機発光媒体層と、
前記有機発光媒体層上に形成された第二電極層と、を備えた有機ＥＬパネルであって、
前記第二電極層上における前記発光表示エリア部上の領域に形成され、且つ密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層と、
前記発光表示エリア外周部上の領域において前記被覆性層の端部を覆うように形成され、且つ密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層と、を備えることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項６】
前記被覆性層は、水蒸気透過率が０．０５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、且つ可視光透過率が９０％以上であることを特徴とする請求項５に記載した有機ＥＬパネル。
【請求項７】
前記バリア層は、水蒸気透過率が０．００１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、且つ可視光透過率が６０％以上であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載した有機ＥＬパネル。
【請求項８】
請求項５から請求項７のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬパネルを備える有機ＥＬディスプレイであって、
前記被覆性層及び前記バリア層上に形成された透明封止層を備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項９】
前記基板が透明であり、
前記基板から前記透明封止層までの可視光透過率が９０％以上であることを特徴とする請求項８に記載した有機ＥＬディスプレイ。
【請求項１】
発光表示エリア部と、当該発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部と、を有する基板と、
前記基板上における前記発光表示エリア部上の領域に形成された第一電極層と、
前記第一電極層上に形成され、且つ有機発光層を含む有機発光媒体層と、
前記有機発光媒体層上に形成された第二電極層と、を備えた有機ＥＬパネルを製造する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層を、前記第二電極層上における前記発光表示エリア部上の領域に形成する被覆性層形成工程と、
前記被覆性層形成工程の後工程であり、密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層を、前記発光表示エリア外周部上の領域において前記被覆性層の端部を覆うように形成するバリア層形成工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
前記被覆性層形成工程は、少なくとも前記発光表示エリア外周部を覆う形状のマスクを用いたＣＶＤ法により、前記被覆性層を形成する工程であり、
前記バリア層形成工程は、少なくとも前記発光表示エリア部を覆う形状のマスクを用いたＣＶＤ法により、前記バリア層を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載した有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
前記被覆性層及び前記バリア層は、少なくともＳｉＨ４ガス及びＮＨ３ガスから成膜され、ＳｉＨ４ガスのガス流量は、ＮＨ３ガスのガス流量の２倍以上５倍以下の範囲内であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載した有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
前記バリア層形成工程では、前記基板と前記少なくとも前記発光表示エリア部を覆う形状のマスクとの距離を、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内で離間させることを特徴とする請求項２または請求項３に記載した有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
発光表示エリア部と、当該発光表示エリア部の外周に形成された発光表示エリア外周部と、を有する基板と、
前記基板上における前記発光表示エリア部上の領域に形成された第一電極層と、
前記第一電極層上に形成され、且つ有機発光層を含む有機発光媒体層と、
前記有機発光媒体層上に形成された第二電極層と、を備えた有機ＥＬパネルであって、
前記第二電極層上における前記発光表示エリア部上の領域に形成され、且つ密度が１．６ｇ／ｃｍ３以上２．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲内である被覆性層と、
前記発光表示エリア外周部上の領域において前記被覆性層の端部を覆うように形成され、且つ密度が２．３ｇ／ｃｍ３以上２．６ｇ／ｃｍ３以下の範囲内であるバリア層と、を備えることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項６】
前記被覆性層は、水蒸気透過率が０．０５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、且つ可視光透過率が９０％以上であることを特徴とする請求項５に記載した有機ＥＬパネル。
【請求項７】
前記バリア層は、水蒸気透過率が０．００１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、且つ可視光透過率が６０％以上であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載した有機ＥＬパネル。
【請求項８】
請求項５から請求項７のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬパネルを備える有機ＥＬディスプレイであって、
前記被覆性層及び前記バリア層上に形成された透明封止層を備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項９】
前記基板が透明であり、
前記基板から前記透明封止層までの可視光透過率が９０％以上であることを特徴とする請求項８に記載した有機ＥＬディスプレイ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−７７４６０（Ｐ２０１３−７７４６０Ａ）
【公開日】平成２５年４月２５日（２０１３．４．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１６９５４（Ｐ２０１１−２１６９５４）
【出願日】平成２３年９月３０日（２０１１．９．３０）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月２５日（２０１３．４．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月３０日（２０１１．９．３０）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
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