有機ＥＬ素子及びその製造方法
【課題】出光側の電極が抵抗値の高い透明電極である場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に第１電極２を形成する工程と、第１電極２から有機ＥＬ層６（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層３を所定のパターンで形成する工程と、絶縁層３上に、逆テーパー部５を両壁面又は片壁面に有する隔壁４を形成する工程と、第１電極２上に有機ＥＬ層６を形成する工程と、有機ＥＬ層６の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極７を形成する工程と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側又は片側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１及び／又はＡ２）とからなる領域Ｄに補助電極８を形成する工程と、を有する方法で有機ＥＬ素子１０を製造する。
【解決手段】基板１上に第１電極２を形成する工程と、第１電極２から有機ＥＬ層６（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層３を所定のパターンで形成する工程と、絶縁層３上に、逆テーパー部５を両壁面又は片壁面に有する隔壁４を形成する工程と、第１電極２上に有機ＥＬ層６を形成する工程と、有機ＥＬ層６の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極７を形成する工程と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側又は片側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１及び／又はＡ２）とからなる領域Ｄに補助電極８を形成する工程と、を有する方法で有機ＥＬ素子１０を製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、出光側の電極を抵抗値の高い透明電極とする場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる構造形態を持つ有機ＥＬ素子、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子の基本構造は、基板上に第１電極、有機ＥＬ層及び第２電極をその順で積層して構成されている。この有機ＥＬ素子において、トップエミッション型（有機ＥＬ層から見て上方、すなわち第２電極側から光が出光するタイプ）又はトップ・アンド・ボトムエミッション型（有機ＥＬ層から見て第１電極側と第２電極側の両側から光が出光するタイプ）の素子構造では、少なくとも第２電極を透明電極にする必要がある。一般的には、基板上の第１電極が陽極となり、第２電極が陰極となっている例が多く、有機ＥＬ層が正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層で構成される場合の一例としては、基板側から、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極、の順で積層される。
【０００３】
上記したトップエミッション型又はトップ・アンド・ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では、第２電極である陰極を透明にする必要があり、一般的には非常に薄い金属薄膜を透明電極として光を透過させている。しかし、光を透過するほどの薄い金属薄膜は抵抗値が高くなり、特にパッシブマトリクス型の有機ＥＬ素子では、ストライプ状に細長く設けた陰極の両端付近に比べ、陰極の中央付近では電圧降下が大きくなって画素に十分な電圧を印加できず、輝度が低下してしまうという問題が生じるおそれがある。
【０００４】
こうした問題に対しては、抵抗値の高い透明電極に補助電極を接続して抵抗値を下げることがある。しかしながら、抵抗値を下げるための補助電極は光が透過しない厚さの金属膜で形成されるため、その金属膜からなる補助電極は、発光面積を縮小しないように、光の出光経路を妨げない部位に精度よく形成しなければならない。例えば特許文献１に示すように、逆テーパー部を有する隔壁を画素間に設けた後に有機ＥＬ層や第２電極を設けてなる有機ＥＬ素子では、光の出光経路を妨げない第２電極上の部位は、絶縁膜（同文献中の図１１の符号５）の上方のみであり、その位置に補助電極を精度よく形成する必要がある。
【０００５】
前記した位置に補助電極を形成した有機ＥＬ素子として、例えば特許文献２には、絶縁層上に補助電極を予め形成した後に、同じく絶縁層上に逆テーパーを有する隔壁を設け、その後、有機ＥＬ層と透明電極を積層させてなる有機ＥＬ素子の製造方法が記載されている。この有機ＥＬ素子の製造方法では、光の透過領域を減少させないで補助電極を設けることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３３１７８３号公報（図１１）
【特許文献２】特開２００８−８４５４１号公報（図１Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２に記載の有機ＥＬ素子では、補助電極材料を全面にスパッタリング法で成膜した後に、フォトリソグラフィ法でパターニングして絶縁層上のみに補助電極を形成しており、工数が多い。さらに、透明電極と補助電極との接続は、有機ＥＬ層が形成されていない隔壁との間の僅かな隙間に透明電極を回り込ませて補助電極に接続するという手段で行っているが、確実な接続が不安定になるおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、出光側の電極が抵抗値の高い透明電極である場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる構造形態を備えた有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本出願人は、図１３に示すように、基板１０１上に第１電極１０２と絶縁層１０３とを所定のパターンで設け、その絶縁層１０３上に逆テーパー部１０５を有する隔壁１０４を設けた後に、主に塗布法で形成した有機ＥＬ層１０６と蒸着法で全面に形成した第２電極１０７とを積層する有機ＥＬ素子１００の製造方法を検討していた。この検討過程で、補助電極を簡便にパターン形成するための手段として、有機ＥＬ層１０６で発光した光の透過領域Ｂの隔壁側にある絶縁層１０３の上方領域（領域Ａ）にのみ補助電極１０８を蒸着することを試みた。そして、そのためのシャドウマスク１１０を作製した。しかしながら、その領域Ａは幅１０μｍ〜２０μｍと極めて狭かったため、図１４に示すように、領域Ａに対応する狭い幅の開口部１１１をステンレス板に形成したシャドウマスク１１０を作製することは極めて困難であるという知見を得た。なお、図１４中の符号１１２は領域Ｂ（図１３の光透過領域）に対応する遮蔽パターン（非開口部）であり、符号１１３は領域Ｃ（図１３の隔壁幅）に対応する遮蔽パターン（非開口部）である。
【００１０】
上記課題を解決するための本発明の第１の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、前記絶縁層上に、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁を形成する工程と、前記第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極を形成する工程と、前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、補助電極を、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁上の領域Ｃとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて形成する。この領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄへの補助電極の形成に用いるシャドウマスクは、領域Ｄと同じ幅の開口部を有していればよい。つまり、本発明は、補助電極を幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに設けるのではなく、隔壁上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスクを用いて形成した点に特徴がある。そのため、用いるシャドウマスクは、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた成膜や露光は工数が少ないので、第２電極上の所定領域（Ａ１，Ａ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。
【００１２】
上記第１の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記補助電極を、一つおきの領域Ｄに形成する。
【００１３】
補助電極は領域Ｄ毎に形成してもよいが、この発明のように、一つおきの領域Ｄに補助電極を形成してもよく、それにより、開口部数が少なく且つマスク解像度を低くした単純で低コストのシャドウマスクを用いることができる。
【００１４】
上記課題を解決するための本発明の第２の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、前記絶縁層上に、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁を形成する工程と、前記第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極を形成する工程と、前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
この発明では、補助電極を、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁上の領域Ｃとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて形成する。この領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２のいずれかにさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄへの補助電極の形成に用いるシャドウマスクは、領域Ｄと同じ幅の開口部を有していればよい。つまり、本発明は、補助電極を幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに設けるのではなく、上記第１の観点に係る発明とは形状が異なる隔壁上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスクを用いて形成した点に特徴がある。そのため、用いるシャドウマスクは、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた成膜や露光は工数が少ないので、第２電極上の所定領域（Ａ１又はＡ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。
【００１６】
上記第１，第２の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記シャドウマスクは、前記第２電極の上方向に配置して前記領域Ｄに補助電極用材料を乾式成膜するための開口部を有している。
【００１７】
この発明によれば、シャドウマスクは、補助電極用材料を乾式成膜（蒸着、スパッタ等）するためのマスクとして用いる。
【００１８】
上記第１，第２の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記補助電極の形成工程は、前記第２電極の形成工程後の前記隔壁上にリフトオフ用膜を形成する工程と、該リフトオフ用膜が形成された隔壁を含む領域Ｄに前記シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、前記リフトオフ用膜及び該リフトオフ用膜上に設けられた補助電極材料層を除去する工程とを含む。
【００１９】
この発明によれば、補助電極の形成工程を、隔壁上へのリフトオフ用膜形成工程と、その隔壁を含む領域Ｄへの補助電極形成工程と、リフトオフ用膜及びリフトオフ用膜上の補助電極材料層の除去工程とを含むように構成しているので、隔壁上の補助電極材料層をリフトオフ膜を利用して最終的に残さない形態とすることができる。
【００２０】
上記第１，第２の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記補助電極の形成工程は、前記第２電極の形成工程後の全面に撥液性の透明樹脂層を形成する工程と、該透明樹脂層を前記シャドウマスクを用いて前記領域Ｄの透明樹脂層を除去する工程と、該透明樹脂層を除去した前記平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）に前記透明樹脂層に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極を形成する工程とを含む。
【００２１】
この発明によれば、補助電極の形成を、全面への撥液性透明樹脂層の形成工程と、シャドウマスクを用いて領域Ｄの透明樹脂層を除去する工程と、平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）に透明樹脂層に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極を形成する工程とを含むように構成しているので、乾式成膜以外の湿式成膜でも、シャドウマスクを用いて補助電極を平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）に形成できる。このとき、補助電極用導電ペーストは、第２電極上の撥液性透明樹脂層に対して撥液するので、その導電ペーストが撥液性透明樹脂層上に形成されることはなく、光の透過領域Ｂを減少させることはない。多少精度の悪い塗布法で導電ペーストを塗布した場合であっても、撥液性透明樹脂層上に導電ペーストが載らないので、補助電極用導電ペーストを平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のみに形成して補助電極とすることができる。この場合に用いるシャドウマスクも、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた露光も工数が少ないので、第２電極上の所定領域（Ａ１，Ａ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。
【００２２】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、パッシブマトリクス型又はアクティブマトリクス型の素子であるように構成する。
【００２３】
この発明によれば、有機ＥＬ素子がパッシブマトリクス型であってもアクティブマトリクス型であってもよく、さらにＲ、Ｇ、Ｂの有機ＥＬ層を少なくとも含むフルカラータイプであってもよいし、単色又は二色のモノクロタイプであってもよい。
【００２４】
上記課題を解決するための本発明の第１の観点に係る有機ＥＬ素子は、基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた透明な第２電極と、前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極と、を有することを特徴とする。
【００２５】
この発明によれば、補助電極が、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁上の領域Ｃとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに設けられている。この領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄに形成された補助電極は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第２電極が透明電極である場合に、その第２電極上に低コストで特性が安定した補助電極を有する有機ＥＬ素子を提供できる。
【００２６】
上記第１の観点に係る有機ＥＬ素子において、前記補助電極が、一つおきの領域Ｄに形成されている。
【００２７】
補助電極は領域Ｄ毎に形成されていてもよいが、この発明のように、一つおきの領域Ｄに補助電極が形成されていてもよい。こうした形態からなる補助電極の形成は、開口部数が少ないシャドウマスクを用いて行うので、マスク解像度の低いシャドウマスクを用いることができ、低コストの有機ＥＬ素子を提供できる。
【００２８】
上記課題を解決するための本発明の第２の観点に係る有機ＥＬ素子は、基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた透明な第２電極と、前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極と、を有することを特徴とする。
【００２９】
この発明によれば、補助電極が、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁上の領域Ｃとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに設けられている。この領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２のいずれかのみにさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄに形成された補助電極は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のいずれかに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第２電極が透明電極である場合に、その第２電極上に低コストで特性が安定した補助電極を有する有機ＥＬ素子を提供できる。
【００３０】
本発明に係る有機ＥＬ素子において、前記隔壁上には前記補助電極が形成されておらず、前記領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下である。
【００３１】
この発明によれば、領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下と狭い場合であっても、隔壁上に補助電極と同じ電極材料層が形成されていない態様下で、領域Ａ１，Ａ２のみに補助電極を形成した有機ＥＬ素子を提供できる。
【００３２】
本発明に係る有機ＥＬ素子において、前記第２電極上の領域Ｂに撥液性の透明樹脂層が設けられており、前記領域（Ａ１，Ａ２）に前記透明樹脂層に撥液する補助電極用導電ペーストからなる補助電極が設けられている。
【００３３】
この発明によれば、導電ペーストで補助電極を形成してなる有機ＥＬ素子を提供できる。
【００３４】
本発明に係る有機ＥＬ素子において、前記有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を有し、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層及び電子ブロック層から選ばれる１又は２以上の層を有する。
【発明の効果】
【００３５】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、補助電極を形成する領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１及び／又はＡ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄへの補助電極の形成に用いるシャドウマスクは、領域Ｄと同じ幅の開口部を有していればよい。そのため、用いるシャドウマスクは、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた成膜やエッチング工程等は工数が少ないので、第２電極上の所定領域（Ａ１及び／又はＡ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。特に高精細なフルカラーの有機ＥＬ素子の製造においては顕著な効果を奏する。
【００３６】
本発明に係る有機ＥＬ素子によれば、補助電極が設けられた領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１及び／又はＡ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄに形成された補助電極は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第２電極が透明電極である場合に、その第２電極上に低コストで特性が安定した補助電極を有する有機ＥＬ素子を提供できる。特に高精細なフルカラーの有機ＥＬ素子の提供においては顕著な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な断面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ素子を構成する補助電極の形成に用いたシャドウマスクの平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な断面図である。
【図５】図４に示す有機ＥＬ素子を構成する補助電極の形成に用いたシャドウマスクの平面図である。
【図６】第１、第２実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な平面図である。
【図７】第３実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な平面図である。
【図８】第１，第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程（その１）を示す説明図である。
【図９】第１，第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程（その２）を示す説明図である。
【図１０】第４実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す説明図である。
【図１１】第５実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す説明図である。
【図１２】第６実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す説明図である。
【図１３】事前検討して得た有機ＥＬ素子を示す模式的な断面図である。
【図１４】図１３に示す有機ＥＬ素子を構成する補助電極の形成に用いたシャドウマスクの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明に係る有機ＥＬ素子及びその製造方法について、図面を参照して詳しく説明する。なお、本発明は、その技術的特徴を有すれば種々の変形が可能であり、以下に具体的に示す実施形態に限定されるものではない。
【００３９】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、図１〜図７に示す構造形態を示すものであり、後述する図８〜図１２に示す製造方法で製造されてなる第１〜第６実施形態の有機ＥＬ素子１０Ａ〜１０Ｆを基本構成としている。図１〜図７に示す構造形態は、逆テーパー部５を両壁面又は片壁面に有する隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側又は片側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１及び／又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極８を形成する補助電極形成工程を有する製造方法で得られることに特徴がある。
【００４０】
この領域Ｄは、図１等に示すように、本出願人が事前に補助電極１０８の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２（図１３参照）にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっている。そのため、この領域Ｄへの補助電極８の形成に用いるシャドウマスク２０は、領域Ｄと同じ広い幅の開口部を有していればよい。つまり、本発明に係る有機ＥＬ素子１０は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに補助電極８を設ける（図１３参照）のではなく、隔壁４上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて補助電極８を形成している点に特徴がある。
【００４１】
以下、本発明の第１〜第６実施形態に係る有機ＥＬ素子１０を、その製造方法と併せて順次説明する。
【００４２】
［第１実施形態］
第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ａは、図１、図２及び図６に示すように、基板１と、基板１上に設けられた第１電極２と、第１電極２上に領域Ｂを画定するように設けられた所定パターンの絶縁層３と、絶縁層３上に設けられた隔壁４と、第１電極２上に設けられた有機ＥＬ層６と、有機ＥＬ層６上に設けられた透明な第２電極７と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域Ａ１，Ａ２とからなる領域Ｄに設けられた補助電極８と、を有する。
【００４３】
「領域Ｂ」は、絶縁層３を所定パターンで第１電極２上に設けることによって構成される領域であり、機能的には、第１電極２から有機ＥＬ層６に電荷を供給する領域ということができ、又は、光の透過領域ということもできる。その領域Ｂの幅は、図１に示すように、有機ＥＬ層６と第２電極７が延びるＹ方向（図６参照）と交差するＸ方向の幅であって、隣接する絶縁層パターンの対向端面のＸ方向幅である。ここで、「交差」とは、９０°の角度で交差する場合はもちろん、９０°を中心にした所定の角度範囲（４５°〜１３５°）で交差する場合も含む意味である。
【００４４】
「領域Ａ１，Ａ２」は、図１に示すように、隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた領域であって、絶縁層３と第２電極７とが平面視で重複する領域のことである。その領域Ａ１，Ａ２の幅は、図１に示すように、その重複領域が延びるＹ方向（図６参照）と交差するＸ方向の幅であって、第２電極７の端面と絶縁層３の端面との間の重複部分のＸ方向幅である。なお、「領域Ａ１」と「領域Ａ２」は、隔壁４を挟んで左右に存在する重複領域をそれぞれ指している。
【００４５】
「領域Ｃ」は、隔壁４上の領域のことであり、その領域Ｃの幅は、図１に示すように、隔壁４が延びるＹ方向（図６参照）と交差するＸ方向の幅であって、その隔壁４の上部エッジ間のＸ方向幅である。
【００４６】
「領域Ｄ」は、領域ＣのＸ方向幅と、領域Ａ１，Ａ２のＸ方向幅との和で表されるＸ方向幅である。本発明では、この領域Ｄの幅に補助電極８を形成するためのシャドウマスクを用いている点に特徴がある。
【００４７】
（基板）
基板１の材料、透明性、厚さ等は特に限定されず、用途に応じた必要な性質を有するものを任意に採用できる。例えば石英、ガラス等の無機材料、例えばポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等の高分子材料を挙げることができる。透明基板であるか不透明基板であるかは、有機ＥＬ素子での光の取り出し側が第１電極側か第２電極側かあるいは両側かで任意に選択することができるが、本発明では少なくとも第２電極側から光を出光させるので、基板１の透明性は任意である。また、基板１として、必要に応じて水分、酸素等のガスを遮断するガスバリア性を有するものを用いてもよいし、そうしたガスバリア機能を持つガスバリア層を予め設けたものであってもよい。また、その他の機能層、例えばハードコート層、保護層、帯電防止層、防汚層、防眩層等が設けられたものであってもよい。
【００４８】
基板１の厚さも特に限定されず、各種の厚さのものを適用できる。例えば、１０μｍ以上２ｍｍ以下を例示できる。特に薄いものはフレキシブル性があり、厚いものは剛性があり、それぞれ利点がある。また、基板１の形状も特に限定されないが、長方形、正方形又は平行四辺形等の四角形の基板であることが好ましい。
【００４９】
（第１電極）
第１電極２は、図１及び図８（Ａ）に示すように、基板１上に、図１中のＸ方向にストライプ状（短冊状）に延びる所定幅のパターンで設けられている。また、そのパターンは、平面視で第２電極７に交差しており、第２電極とともにパッシブマトリクス型有機ＥＬ素子の上下の電極を構成している。なお、「ストライプ状」とは、一定の幅を有した直線状の態様であって、短冊状ということもでき、隣り合う第１電極との間に隙間を有して設けられている。ストライプ状の各第１電極は、その各第１電極上に設けられた画素に駆動信号を印加するものである。第１電極２と第２電極７は、それぞれ走査線とデータ線のいずれであってもよい。
【００５０】
第１電極２の構成材料は特に限定されないが、第１電極２が陽極であるか陰極であるかで好ましい構成材料が選択される。さらに第１電極２が光の取り出し側であるか否かでも好ましい構成材料が選択される。そうした構成材料としては各種のものが選択して採用される。例えば、第１電極２が有機ＥＬ層に正孔を供給する陽極である場合、第１電極２の形成材料としては、金属単体、合金、導電性金属酸化物（透明導電膜）、導電性無機化合物、導電性高分子等を挙げることができる。これらの材料は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよく、２層以上の層を積層させてもよい。なお、第１電極２に透明性をもたせて第１電極２側からも光を取り出すような場合には、透明導電膜であるＩＴＯ、ＩＺＯが特に好ましく用いられる。
【００５１】
第１電極２の厚さは特に限定されるものではなく、用いる導電性材料に応じて適宜設定される。通常、５０〜２００ｎｍ程度である。第１電極２の成膜手段としては、例えば化学的気相成長法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法が挙げられる。
【００５２】
ストライプ状の第１電極２は、基板１上の全面に前記の成膜手段で第１電極層を形成し、その後にフォトリソグラフィでパターニングするか、或いは、基板１上にレジストパターンを形成し、その後にレジストパターンを含む全面に前記の成膜手段で第１電極層を形成し、リフトオフさせてパターニングする。ストライプ状の第１電極パターンのピッチは、等間隔であることが好ましい。なお、パターン幅は、画素の大きさ、ディスプレイサイズや解像度によって、任意の値に設定する。また、平面視における第１電極間の隙間の幅も、画素の大きさ、ディスプレイサイズや解像度によって任意に設定する。
【００５３】
（絶縁層）
絶縁層３は、図１及び図８（Ｂ）に示すように、第１電極２上に所定のパターンで設けられている。詳しくは、図６に示すように、Ｘ方向にストライプ状の所定パターンで設けられた各第１電極２に平面視で交差し、その各第１電極２を跨ぐように、Ｙ方向にストライプ状の所定パターンで設けられている。ここでの「ストライプ状」も上記第１電極２の場合と同様、一定の幅を有した直線状の態様であって、短冊状ということもでき、隣り合う絶縁層との間に隙間を有して設けられている。
【００５４】
こうした絶縁層３は、ストライプ状の直線部と、その直線部間に各画素部（発光領域）１１を区画するように設けられたブリッジ部（非発光領域）１２とを有しており、格子状になっている（図６を参照）。ストライプ状の直線部上には、後述する隔壁４が逆テーパー部５を両壁面又は片壁面に有する形態で設けられている。また、絶縁層３が設けられていない画素部１１は、第１電極２が露出した開口部になっており、この上に有機ＥＬ層６と第２電極７が順に設けられて発光領域が構成される。一方、絶縁層３が設けられているブリッジ部１２上にも、有機ＥＬ層６と第２電極７が順に設けられるが、そのブリッジ部１２は絶縁層３で構成されているので、非発光領域となっている。
【００５５】
言い換えれば、絶縁層３は、第１電極２から有機ＥＬ層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ（以下、符号６を用いて総称することがある。）に電荷を供給するＸ方向幅を画定するために設けられている。そして、そのＸ方向幅が、上記した領域Ｂである。
【００５６】
絶縁層３の形成材料としては、ノボラック系樹脂、ポリイミド、アクリレート等を挙げることができる。絶縁層３は、それらの樹脂材料を全面に塗布して形成される。その後、露光、現像等を行うフォトリソグラフィ法で所定形状の直線部とブリッジ部１２をパターニングし、図１及び図６に示す形態の絶縁層３を形成する。なお、絶縁層３を必要とする部分以外（例えば、パネル周縁部に設けられる、第１電極２や第２電極７の取出電極部等）は、フォトリソグラフィ等で任意に除去してもよい。なお、絶縁層３の厚さは特に限定されず、下限としては少なくとも絶縁性を確保できる厚さで、上限としては全体としての平坦性を著しく阻害しない厚さであればよい。通常、０．５〜３μｍ程度である。
【００５７】
（隔壁）
隔壁４は、図１及び図８（Ｃ）に示すように、ストライプ状の絶縁層３上に、その絶縁層３が延びる方向（Ｙ方向）に設けられている。隔壁４の形状は、逆テーパー部５，５を幅方向（Ｘ方向）の両壁面に有している。隔壁４のＸ方向幅は、絶縁層３のＸ方向幅よりも小さい。例えば、絶縁層３のＸ方向幅と隔壁４のＸ方向幅との差は、１０〜５０μｍ程度である。この差は、平面視したときに隔壁４の左右に見える絶縁層３の幅を表しており、後述する領域Ａ１とＡ２に対応する幅である。詳しくは後述するが、本発明では、領域Ａ１とＡ２の幅がそれぞれ５〜２０μｍ程度と狭い場合であっても、図１に示すように、その狭い幅の上に補助電極８を確実に設けることができる。
【００５８】
隔壁４の形成方法は特に限定されないが、ネガ型レジスト又はポジ型レジストを全面に塗布形成し、その後にフォトリソグラフィ法で露光、現像して形成する。ネガ型レジストを用いた場合は、隔壁４を残す部分に対応した開口部を有するマスクを用いて露光し、露光部の現像液に対する溶解度を低下させた後に現像液で現像して、隔壁４を形成する。一方、ポジ型レジストを用いた場合は、隔壁４を残す部分以外の部分に対応した開口部を有するマスクを用いて露光し、露光部の現像液に対する溶解度を増した後に現像液で現像して、隔壁４を形成する。通常は、ネガ型レジストを好ましく用いる。現像後の隔壁４は、図１に示すように、いわゆるオーバーエッチングにより、上面側の幅よりも絶縁層３側の幅が小さい逆テーパー部５を両壁面に有している。
【００５９】
隔壁４の高さは特に限定されないが、隔壁４を形成した後に設ける有機ＥＬ層用の塗布材料が隔壁４を越えて隣の画素部１１に流入しない程度の高さであることが望ましい。そうした高さは一概には言えないが、通常は０．５〜５μｍ程度である。
【００６０】
（有機ＥＬ層）
有機ＥＬ層６は、図１及び図８（Ｄ）に示すように、隔壁間に挟まれた画素部１１の第１電極２上に設けられている。
【００６１】
有機ＥＬ層６は少なくとも発光層を有するものであればよく、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層等を任意に選択し、さらに任意の積層形態で適用できる。これらの各層の構成材料は、特に限定されず、公知の各種の材料から任意に選択して用いることができる。また、第１電極２が陽極であるか陰極であるかにより、また、有機ＥＬ素子がフルカラー用のものであるかモノクロ用のものであるかにより、層構成も、選択される材料も異なる。
【００６２】
有機ＥＬ層６は、発光層や、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層等の形成材料の種類によって、塗布法、蒸着法、ＣＶＤ法等、各種の手段が選択されて形成できる。通常、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層等は塗布法で形成されることが多く、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層等は蒸着法やＣＶＤ法で形成されることが多い。
【００６３】
有機ＥＬ層６の厚さも特に限定されないが、各層を積層した厚さで、通常、１００〜３００ｎｍ程度である。
【００６４】
（第２電極）
第２電極７は、図１及び図９（Ｅ）に示すように、有機ＥＬ層６上に設けられている。本発明に係る有機ＥＬ素子１０はトップエミッション型又はボトム・アンド・トップエミッション型であるので、少なくとも第２電極７側から光が出光する。したがって、この第２電極７は透明電極であり、具体的には、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜で構成される。
【００６５】
第２電極７の形成は、マスクを用いずに上方から蒸着法、スパッタリング法又はＣＶＤ法等で透明導電膜を成膜する。そうした透明導電膜は、図９（Ｅ）に示すように、逆テーパー部５を有する隔壁４の上面に透明導電膜７’として設けられるとともに、有機ＥＬ層６上に第２電極７として設けられる。このとき、隔壁４が逆テーパーになっているので、隔壁４上の透明導電膜７’と、有機ＥＬ層６上の第２電極７との間の接続は遮断されている。そのため、マスクを用いずに全面に蒸着することができるので、有機ＥＬ層６上に極めて容易に第２電極７を形成することができる。
【００６６】
第２電極７の厚さは特に限定されるものではなく、用いる導電性材料に応じて適宜設定される。ＩＴＯやＩＺＯの透明導電膜の場合には、通常、１０〜２００ｎｍ程度である。
【００６７】
（補助電極）
補助電極８は、隔壁４上の領域Ｃと、その隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域Ａ１，Ａ２と、からなる領域Ｄに設けられている。その領域Ｄへの補助電極８の形成は、シャドウマスク２０を用いて行う。
【００６８】
補助電極８の形成材料（補助電極用材料ともいう。）としては、導電性の良い金属材料又は合金材料が好ましい。金属材料としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等を好ましく挙げることができ、合金材料としては、ＭｇＡｇ等を好ましく挙げることができる。補助電極８の形成方法は乾式成膜法が好ましく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を挙げることができる。通常、シャドウマスク２０を用いた真空蒸着法やスパッタリング法が適用される。
【００６９】
補助電極８の厚さは特に限定されるものではなく、抵抗の高い第２電極７を補助する電極として機能する程度の厚さであることが望ましい。その厚さは、補助電極用材料の種類と補助電極８の幅（Ｘ方向幅：Ａ１，Ａ２）に応じて適宜設定され、第２電極７がＩＴＯやＩＺＯの透明導電膜の場合であって、補助電極８が例えばＡｌ又はＣｕであり、Ｘ方向幅（Ａ１，Ａ２）が１０〜２０μｍの場合には、１００〜２００ｎｍ程度である。
【００７０】
補助電極８の形成に用いるシャドウマスク２０は、図２に示すように、領域Ｄからなる開口部２１と、領域Ｄからなる遮光部（非開口部）２２とで構成されている。ここで用いるシャドウマスク２０は、本出願人が事前検討で用いた図１４に示すシャドウマスク１１０と比べて、開口部２１の狭い側の幅が大きく、そうした開口部２１のエッチングが容易であるという利点がある。なお、図１４のシャドウマスク１１０は、開口部１１１の幅を１０〜２０μｍ程度の極めて狭い幅で形成しなければならず、その開口部１１１の形成が困難である。
【００７１】
シャドウマスク２０の開口部２１は、上記した領域Ａ１，Ａ２と領域Ｃとの和である領域Ｄの幅に対応するものであるので、その幅（Ｘ方向幅）は、領域Ａ１，Ａ２それぞれに対応した幅よりもかなり広く、例えば５０〜１００μｍとすることができる。こうした広い幅の開口部２１は、例えばステンレス鋼板等の金属板をエッチングして形成する場合に特に好ましく、エッチングにより所望の幅の開口部２１を容易に形成することができる。
【００７２】
シャドウマスク２０の材質は特に限定されないが、開口部を形成可能で、ハンドリングし易いものであればよい。例えば、湿式エッチング等で開口部２１を形成可能な金属板（例えばステンレス鋼板等）や、電鋳法等で開口部２１を形成可能な金属（例えばＮｉ等）を挙げることができる。
【００７３】
シャドウマスク２０の厚さは、エッチング手段、及びそのエッチング手段で形成できる開口幅と深さとのアスペクト比（開口幅／深さ）等を考慮して任意に選択される。例えば湿式エッチングでステンレス鋼板に開口部２１を形成する場合に、各開口部２１の寸法を均一化するためには、開口部のアスペクト比（開口幅／深さ）を少なくとも１以上にするのが望ましい。そのため、例えば、厚さ５０μｍのステンレス鋼板を用いた場合には５０μｍ以上の開口幅を容易に形成でき、厚さ１００μｍのステンレス鋼板を用いた場合には１００μｍ以上の開口幅を容易に形成できる。ステンレス鋼板は、５０μｍ、１００μｍ又はそれ以上の厚さのものは比較的容易に入手できるので、こうしたステンレス鋼板をエッチングすれば、所望の開口幅を有するシャドウマスクを容易に形成することができる。なお、図１４のシャドウマスク１１０では、幅が１０〜２０μｍの開口部１１１を形成しようとしたが、均一な開口幅を得るためにはそれ以下の厚さのステンレス鋼板を入手しなければならないという難しさがある。
【００７４】
シャドウマスク２０は、図９（Ｆ１）に示すように、第２電極７の上方向に配置される。その配置は、シャドウマスク２０の開口部２１のＸ方向位置が領域ＤのＸ方向位置と一致し、遮光部２２のＸ方向位置が領域ＢのＸ方向位置と一致するように調整される。ここで、「上方向」とは、図９（Ｆ１）において、シャドウマスク２０が、基板１上の最上部に位置する成膜後の第２電極材料層７’に接触しない程度の位置のことを意味するものであるが、キズがつかないのであれば接触してもよい。通常、成膜後の第２電極材料層７’とシャドウマスク２０とのＺ方向（図１参照）の距離は０（接触する場合も含む。）〜２０μｍ程度である。
【００７５】
第１実施形態では、こうしたシャドウマスク２０を、補助電極用材料を乾式成膜（蒸着、スパッタ等）するためのマスクとして用いることによって、領域Ｄに成膜することができる。領域Ｄは、隔壁４の上面領域Ｃも含むので、隔壁４上面にも補助電極材料層８’が形成される。しかし、隔壁４は逆テーパー部５を有するので、隔壁４の両側の領域Ａ１，Ａ２にそれぞれ設けられた補助電極８はそれぞれ短絡することがなく、電気的に分離している。しかも、領域Ａ１，Ａ２は、絶縁層３と第２電極７との重複領域であるので、光の透過領域である領域Ｂの幅を狭めない。したがって、領域Ａ１，Ａ２それぞれのＸ方向幅が５〜２０μｍという狭い幅であっても、その狭い幅の領域Ａ１，Ａ２それぞれに補助電極８を所望の厚さで成膜できる。その結果、抵抗の高い透明電極の補助電極８として有効に機能する。
【００７６】
（その他）
その後においては、必要に応じて、例えば封止材を全体を覆うように設けてもよいし、封止材を介して透明基板を設けてもよい。その場合の封止材としては、エポキシ樹脂等を挙げることができる。また、透明基板としては、上記した基板１のうち、特に透明性の高いガラス、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を用いることができる。
【００７７】
（製造方法）
第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ａの製造方法について整理すると、図８（Ａ）〜図９（Ｆ１）に示すように、基板上に第１電極２を形成する工程と、第１電極２から有機ＥＬ層６に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層３を所定のパターンで形成する工程と、絶縁層３上に、逆テーパー部５を両壁面に有する隔壁４を形成する工程と、第１電極２上に有機ＥＬ層６を形成する工程と、有機ＥＬ層６の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域（画素部１１）毎に透明な第２電極７を形成する工程と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスク２０を用いて補助電極８を形成する工程と、を有する。
【００７８】
この製造方法の特徴は、補助電極８を領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて形成することにあり、その領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄへの補助電極８の形成に用いるシャドウマスク２０は、領域Ｄと同じ幅の開口部２１を有していればよい。本発明では、補助電極８を幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに設けるのではなく、隔壁４上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて形成するので、用いるシャドウマスク２０は、開口部２１の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスク２０を用いた成膜は工数が少ないので、第２電極７上の所定領域（Ａ１，Ａ２）への補助電極８を容易且つ安定して、低コストで形成することができるという効果を奏する。
【００７９】
［第２実施形態］
第２実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｂは、図３に示すように、第１電極２がＸ方向に所定の間隔となるようにパターニングされている例である。こうした形態は、例えばアクティブマトリックス型の有機ＥＬ素子としても適用可能である。
【００８０】
第１電極２は、第１電極用材料を基板１上の全面に成膜した後にフォトリソグラフィでパターニングして形成したものであってもよいし、又は、第１電極用材料をマスクを間に挟んで基板１上にマスク蒸着して形成したものであってもよい。又は、予め絶縁層３をパターニングした後に設けたものであってもよい。つまり、第１電極２と絶縁層３はいずれが先に形成されたものであってもよいが、通常は、第１電極２を所定のパターンで形成した後に所定のパターンの絶縁層３が形成される。それ以外は上記した第１実施形態の場合と同様であるので詳しい記載は省略する。
【００８１】
［第３実施形態］
第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｃは、図４、図７及び図９（Ｆ２）に示すように、補助電極８が、一つおきの領域Ｄに形成されている態様である。この実施形態は、用いるシャドウマスク２０を図５に示す態様のものとすることにより容易に実現できる。
【００８２】
補助電極８は図１に示すように領域Ｄ毎に形成されていてもよいが、この第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｃのように、一つおきの領域Ｄに補助電極８が形成されていてもよい。こうした形態からなる補助電極８の形成は、開口部数が少ない図５に示すシャドウマスク２０を用いて行うことができる。このシャドウマスク２０は、有機ＥＬ素子１０Ｃの領域Ｄに対応する開口部２１を、領域Ｄに対して一つおきに設けたものである。その結果、マスク解像度の低いシャドウマスク２０を用いることも可能となり、低コストの有機ＥＬ素子１０Ｃを提供できるという利点がある。
【００８３】
補助電極８は、図１及び図６に示すように、第２電極７の両サイドに設けられていることがより好ましいが、図４及び図７に示すように、第２電極７の抵抗値によってはその片側のみに設けられていてもよい。この実施形態では、一つおきの隔壁４上の領域Ｃと隔壁４の両側に設けられた領域Ａ１，Ａ２（絶縁層３と第２電極７との平面視重複領域）とからなる領域Ｄに、図９（Ｆ２）に示すように、シャドウマスク２０を用いて補助電極８を形成する。それ以外は上記した第１実施形態の場合と同様であるので詳しい記載は省略する。
【００８４】
［第４実施形態］
第４実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｄは、図１０（Ｉ）に示すように、隔壁４上に設けられた第２電極材料層７’と補助電極材料層８’とをリフトオフにより除去した例である。隔壁４上の第２電極材料層７’と補助電極材料層８’とをリフトオフにより除去して得た有機ＥＬ素子１０Ｄは、補助電極８は領域Ａ１，Ａ２のみに形成されている。
【００８５】
この実施形態で得られる有機ＥＬ素子１０Ｄは、領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下であるような場合に特徴的な構造形態を示すものということができる。すなわち、領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下の場合には、従来は、そのような細い部分には補助電極８を形成できなかったからである。この実施形態のように、リフトオフして隔壁４上の電極材料層７’，８’を除去して初めて得ることができる。したがって、領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下であって、その領域Ａ１，Ａ２の間に挟まれる隔壁４上に電極材料層が存在しない場合には、この第４実施形態で製造されたものということができる。
【００８６】
リフトオフは、補助電極の形成工程に含まれる。すなわち、第４実施形態における補助電極形成工程は、第２電極７の形成工程後の隔壁４上にリフトオフ用膜９を形成する工程（図１０（Ｇ）参照）と、そのリフトオフ用膜９が形成された隔壁４を含む領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて補助電極８を形成する工程（図１０（Ｈ）参照）と、そのリフトオフ用膜９及びリフトオフ用膜９上に設けられた補助電極材料層８’を除去する工程（図１０（Ｉ）参照）とを含む。このように構成した補助電極形成工程により、隔壁４上の第２電極材料層７’及び補助電極材料層８’をリフトオフ膜９を利用して最終的に残さない形態とすることができる。
【００８７】
隔壁４上にリフトオフ用膜９を形成する方法としては、例えば、全面にリフトオフ用膜を形成した後にフォトリソグラフィで隔壁４上のみのリフトオフ用膜を残す方法、最も上方に突出している隔壁４上のみにリフトオフ用膜９を印刷する方法、等を挙げることができる。
【００８８】
リフトオフ用膜９の材料としては、例えば、有機溶剤で容易に隔壁面から剥離できる樹脂材料（例えば、ノボラック樹脂、ポリイミド等のフォトレジスト材料）や、水溶液で容易に隔壁面から剥離できる樹脂材料（例えば、ポリビニルアルコール、セルロース系樹脂等を挙げることができる。また、その厚さも特に限定されない。
【００８９】
［第５実施形態］
第５実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｅは、図１１（Ｆ１’）に示すように、隔壁４の形状が上記した実施形態とは異なるものである。具体的には、逆テーパー部５を片壁面のみに有する隔壁４が設けられており、補助電極８を、逆テーパー部５が形成されていない側の領域Ａ（絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域）のみに設けていることに特徴がある。
【００９０】
詳しくは、基板１上に設けられた第１電極２と、第１電極２から有機ＥＬ層６に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層３と、絶縁層３上に設けられた、逆テーパー部５を片壁面に有する隔壁４と、第１電極２上に設けられた有機ＥＬ層６と、有機ＥＬ層６上に設けられた透明な第２電極７と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち逆テーパー部５が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極８と、を有する。逆テーパー部５は、Ｘ方向の一方の側の壁面に規則的に設けられているので、補助電極８は、平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち一方の側の領域（Ａ１又はＡ２）のみに規則的に設けられている。図１１（Ｆ１’）では、隔壁４から見て左側に逆テーパー部５が設けられているので、隔壁４からみて右側に補助電極８が設けられている。
【００９１】
製造方法の特徴としては、図１１（Ｅ’）（Ｆ１’）に示すように、絶縁層３上に、逆テーパー部５を片壁面に有する隔壁４を形成する工程を有すること、及び、隔壁４上の領域Ｃと平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち逆テーパー部５が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程とを有すること、にある。領域Ｄへの補助電極８の形成に用いるシャドウマスク２０は、図１１（Ｆ１’）に示すように、領域Ｄと同じ幅の開口部２１を有していればよい。つまり、この実施形態も、補助電極８を幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに設けるのではなく、形状が異なる隔壁４上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて形成した点に特徴がある。
【００９２】
この実施形態では、補助電極８が、隔壁４上の領域Ｃと、逆テーパー部５が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とに設けられている。領域Ｃと領域Ａ１又はＡ２とからなる領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２のいずれかにさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄに形成された補助電極８は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のいずれかに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第２電極７が透明電極である場合に、その第２電極７上に低コストで特性が安定した補助電極８を有する有機ＥＬ素子１０Ｅとなる。
【００９３】
なお、片壁面に逆テーパー部５を有する隔壁４は、逆テーパー部５を形成した後、片側のテーパー部が埋まるようにフォトレジスト材料でパターンを追加することで形成できる。
【００９４】
［第６実施形態］
第５実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｆは、図１２（Ｌ）に示すように、第２電極７上の領域Ｂに撥液性の透明樹脂層４１が設けられており、前記透明樹脂層４１に撥液する補助電極用導電ペーストからなる補助電極８が前記した平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のみに設けられている点に特徴がある。この第６実施形態の有機ＥＬ素子１０Ｆは、導電ペーストで補助電極８が形成されている。
【００９５】
製造方法の特徴としては、補助電極８の形成工程が、第２電極７の形成工程後の全面に撥液性の透明樹脂層４１を形成する工程（図１２（Ｊ）参照）と、透明樹脂層４１をシャドウマスクを用いてエッチングして前記領域Ｄの透明樹脂層４１を除去する工程（図１２（Ｋ）参照）と、透明樹脂層４１を除去した後の領域Ａ１，Ａ２に前記透明樹脂層４１に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極８を形成する工程（図１２（Ｌ）参照）とを含む。透明樹脂層４１の形成は、撥液性の透明樹脂層用材料を全面に塗布形成し、その後に上記第１実施形態と同じシャドウマスク３０を用いてエッチングすることにより除去する。なお、図１２（Ｋ）において、符号３１はシャドウマスクの開口部であり、符号３２はシャドウマスクの非開口部である。
【００９６】
このように、領域Ｄの透明樹脂層４１を除去した後においては、シャドウマスクを用いることなく、補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極８を形成し、図１２（Ｌ）に示す形態の有機ＥＬ素子１０Ｆを製造することができる。この実施形態では、上記した各実施形態とは異なり、乾式成膜以外の湿式成膜（導電ペーストの塗布手段）でも、シャドウマスク３０を利用した方法で補助電極８を領域Ａ１，Ａ２に形成できる。この場合に用いるシャドウマスク３０も、開口部３１の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスク３０を用いたエッチングも工数が少ないので、第２電極７上の所定領域（Ａ１，Ａ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。
【００９７】
第６実施形態に係る製造方法によれば、領域Ａ１，Ａ２に塗布する補助電極用導電ペーストは、第２電極７上の撥液性透明樹脂層４１に対して撥液するので、その導電ペーストが撥液性透明樹脂層４１上に形成されることはなく、光の透過領域Ｂを減少させることはない。多少精度の悪い塗布法で導電ペーストを塗布した場合であっても、撥液性透明樹脂層４１上に導電ペーストが載らないので、補助電極用導電ペーストを平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のみに形成して補助電極とすることができる。
【００９８】
撥液性の透明樹脂層４１を形成するための透明樹脂層用材料としては、撥液剤が添加された樹脂材料を用いることができ、具体的には、例えばシリコーン化合物や含フッ素化合物等の撥液剤を含有するノボラック系樹脂、ポリイミド、アクリレート等を挙げることができる。
【００９９】
透明樹脂層４１に対して撥液する補助電極用導電ペーストとしては、Ａｇペースト等を挙げることができる。導電ペーストの領域Ａ１，Ａ２への塗布は、ノズル塗布法又はインクジェット法、ディスペンサー、エアロゾルジェット法で行うことが好ましい。特にエアロゾルジェット法によれば、５〜１０μｍ程度の細幅に導電ペーストを塗布することができる。形成した補助電極８の厚さは、通常、０．１〜２μｍである。
【０１００】
図１２（Ｊ）において、撥液性の透明樹脂層４１を設ける代わりに、後の撥液化処理によって撥液性になる透明樹脂層を設けてもよい。この場合には、透明樹脂層を除去した後に、撥液化処理を行って領域Ｂに残った透明樹脂層を撥液性にすることができる。この場合の透明樹脂層用材料としては、撥液剤を含有しないポジ型のノボラック系樹脂、ポリイミド、アクリレート等を挙げることができる。その後の撥液化処理としては、例えばシリコーン化合物や含フッ素化合物等の撥液処理剤を用いて表面処理する方法、フルオロカーボンガスのプラズマを用いて表面処理する方法（プラズマ処理）等が挙げられる。なお、プラズマ処理にて使用されるフルオロカーボンガスとしては、例えば、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、ｃ−Ｃ4Ｆ8、ＣＣｌ2Ｆ2、ＣＣｌＦ3、Ｃ2Ｃｌ2Ｆ4、Ｃ2ＣｌＦ5、ＣＢｒＦ3、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｈ3Ｆ3、ＣＨ3ＣＨＦ2、ＮＦ3、ＳＦ6等を用いることでき、中でも、ＣＦ4ガスが好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１０１】
１ 基板
２ 第１電極（陽極）
３ 絶縁層
４ 隔壁
５ 逆テーパー部を有する壁面
５’ 逆テーパー部を有しない壁面
６，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ 有機ＥＬ層
７ 第２電極（透明電極）
７’ 透明導電膜
８ 補助電極
８’ 補助電極材料層
９ リフトオフ用膜
１０、１０Ａ〜１０Ｆ 有機ＥＬ素子
１１ 画素部（発光領域）
１２ ブリッジ部（非発光領域）
２０ シャドウマスク
２１ 開口部
２２ 遮光部
３０ シャドウマスク
３１ 開口部
３２ 非開口部
４１ 撥液性の透明樹脂層
【０１０２】
Ａ１，Ａ２ 絶縁層３と第２電極７とが平面視で重複する領域
Ｂ 光の透過領域（又は第１電極が有機ＥＬ層に電荷を供給する領域）
Ｃ 隔壁上の領域
Ｄ 補助電極を形成する領域（領域ＣのＸ方向幅と領域Ａ１，Ａ２のＸ方向幅との和）
【０１０３】
１００ 有機ＥＬ素子
１０１ 基板
１０２ 第１電極（陽極）
１０３ 絶縁層
１０４ 隔壁
１０５ 逆テーパー部を有する壁面
１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂ 有機ＥＬ層
１０７ 第２電極（透明電極）
１０７’ 透明導電膜
１０８ 補助電極
１１０ シャドウマスク
１１１ 開口部（光の透過領域）
１１２，１１３ 遮光部（光の非透過領域）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、出光側の電極を抵抗値の高い透明電極とする場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる構造形態を持つ有機ＥＬ素子、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子の基本構造は、基板上に第１電極、有機ＥＬ層及び第２電極をその順で積層して構成されている。この有機ＥＬ素子において、トップエミッション型（有機ＥＬ層から見て上方、すなわち第２電極側から光が出光するタイプ）又はトップ・アンド・ボトムエミッション型（有機ＥＬ層から見て第１電極側と第２電極側の両側から光が出光するタイプ）の素子構造では、少なくとも第２電極を透明電極にする必要がある。一般的には、基板上の第１電極が陽極となり、第２電極が陰極となっている例が多く、有機ＥＬ層が正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層で構成される場合の一例としては、基板側から、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極、の順で積層される。
【０００３】
上記したトップエミッション型又はトップ・アンド・ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では、第２電極である陰極を透明にする必要があり、一般的には非常に薄い金属薄膜を透明電極として光を透過させている。しかし、光を透過するほどの薄い金属薄膜は抵抗値が高くなり、特にパッシブマトリクス型の有機ＥＬ素子では、ストライプ状に細長く設けた陰極の両端付近に比べ、陰極の中央付近では電圧降下が大きくなって画素に十分な電圧を印加できず、輝度が低下してしまうという問題が生じるおそれがある。
【０００４】
こうした問題に対しては、抵抗値の高い透明電極に補助電極を接続して抵抗値を下げることがある。しかしながら、抵抗値を下げるための補助電極は光が透過しない厚さの金属膜で形成されるため、その金属膜からなる補助電極は、発光面積を縮小しないように、光の出光経路を妨げない部位に精度よく形成しなければならない。例えば特許文献１に示すように、逆テーパー部を有する隔壁を画素間に設けた後に有機ＥＬ層や第２電極を設けてなる有機ＥＬ素子では、光の出光経路を妨げない第２電極上の部位は、絶縁膜（同文献中の図１１の符号５）の上方のみであり、その位置に補助電極を精度よく形成する必要がある。
【０００５】
前記した位置に補助電極を形成した有機ＥＬ素子として、例えば特許文献２には、絶縁層上に補助電極を予め形成した後に、同じく絶縁層上に逆テーパーを有する隔壁を設け、その後、有機ＥＬ層と透明電極を積層させてなる有機ＥＬ素子の製造方法が記載されている。この有機ＥＬ素子の製造方法では、光の透過領域を減少させないで補助電極を設けることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３３１７８３号公報（図１１）
【特許文献２】特開２００８−８４５４１号公報（図１Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２に記載の有機ＥＬ素子では、補助電極材料を全面にスパッタリング法で成膜した後に、フォトリソグラフィ法でパターニングして絶縁層上のみに補助電極を形成しており、工数が多い。さらに、透明電極と補助電極との接続は、有機ＥＬ層が形成されていない隔壁との間の僅かな隙間に透明電極を回り込ませて補助電極に接続するという手段で行っているが、確実な接続が不安定になるおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、出光側の電極が抵抗値の高い透明電極である場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる構造形態を備えた有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本出願人は、図１３に示すように、基板１０１上に第１電極１０２と絶縁層１０３とを所定のパターンで設け、その絶縁層１０３上に逆テーパー部１０５を有する隔壁１０４を設けた後に、主に塗布法で形成した有機ＥＬ層１０６と蒸着法で全面に形成した第２電極１０７とを積層する有機ＥＬ素子１００の製造方法を検討していた。この検討過程で、補助電極を簡便にパターン形成するための手段として、有機ＥＬ層１０６で発光した光の透過領域Ｂの隔壁側にある絶縁層１０３の上方領域（領域Ａ）にのみ補助電極１０８を蒸着することを試みた。そして、そのためのシャドウマスク１１０を作製した。しかしながら、その領域Ａは幅１０μｍ〜２０μｍと極めて狭かったため、図１４に示すように、領域Ａに対応する狭い幅の開口部１１１をステンレス板に形成したシャドウマスク１１０を作製することは極めて困難であるという知見を得た。なお、図１４中の符号１１２は領域Ｂ（図１３の光透過領域）に対応する遮蔽パターン（非開口部）であり、符号１１３は領域Ｃ（図１３の隔壁幅）に対応する遮蔽パターン（非開口部）である。
【００１０】
上記課題を解決するための本発明の第１の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、前記絶縁層上に、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁を形成する工程と、前記第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極を形成する工程と、前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、補助電極を、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁上の領域Ｃとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて形成する。この領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄへの補助電極の形成に用いるシャドウマスクは、領域Ｄと同じ幅の開口部を有していればよい。つまり、本発明は、補助電極を幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに設けるのではなく、隔壁上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスクを用いて形成した点に特徴がある。そのため、用いるシャドウマスクは、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた成膜や露光は工数が少ないので、第２電極上の所定領域（Ａ１，Ａ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。
【００１２】
上記第１の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記補助電極を、一つおきの領域Ｄに形成する。
【００１３】
補助電極は領域Ｄ毎に形成してもよいが、この発明のように、一つおきの領域Ｄに補助電極を形成してもよく、それにより、開口部数が少なく且つマスク解像度を低くした単純で低コストのシャドウマスクを用いることができる。
【００１４】
上記課題を解決するための本発明の第２の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、前記絶縁層上に、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁を形成する工程と、前記第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極を形成する工程と、前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
この発明では、補助電極を、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁上の領域Ｃとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて形成する。この領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２のいずれかにさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄへの補助電極の形成に用いるシャドウマスクは、領域Ｄと同じ幅の開口部を有していればよい。つまり、本発明は、補助電極を幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに設けるのではなく、上記第１の観点に係る発明とは形状が異なる隔壁上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスクを用いて形成した点に特徴がある。そのため、用いるシャドウマスクは、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた成膜や露光は工数が少ないので、第２電極上の所定領域（Ａ１又はＡ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。
【００１６】
上記第１，第２の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記シャドウマスクは、前記第２電極の上方向に配置して前記領域Ｄに補助電極用材料を乾式成膜するための開口部を有している。
【００１７】
この発明によれば、シャドウマスクは、補助電極用材料を乾式成膜（蒸着、スパッタ等）するためのマスクとして用いる。
【００１８】
上記第１，第２の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記補助電極の形成工程は、前記第２電極の形成工程後の前記隔壁上にリフトオフ用膜を形成する工程と、該リフトオフ用膜が形成された隔壁を含む領域Ｄに前記シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、前記リフトオフ用膜及び該リフトオフ用膜上に設けられた補助電極材料層を除去する工程とを含む。
【００１９】
この発明によれば、補助電極の形成工程を、隔壁上へのリフトオフ用膜形成工程と、その隔壁を含む領域Ｄへの補助電極形成工程と、リフトオフ用膜及びリフトオフ用膜上の補助電極材料層の除去工程とを含むように構成しているので、隔壁上の補助電極材料層をリフトオフ膜を利用して最終的に残さない形態とすることができる。
【００２０】
上記第１，第２の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記補助電極の形成工程は、前記第２電極の形成工程後の全面に撥液性の透明樹脂層を形成する工程と、該透明樹脂層を前記シャドウマスクを用いて前記領域Ｄの透明樹脂層を除去する工程と、該透明樹脂層を除去した前記平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）に前記透明樹脂層に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極を形成する工程とを含む。
【００２１】
この発明によれば、補助電極の形成を、全面への撥液性透明樹脂層の形成工程と、シャドウマスクを用いて領域Ｄの透明樹脂層を除去する工程と、平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）に透明樹脂層に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極を形成する工程とを含むように構成しているので、乾式成膜以外の湿式成膜でも、シャドウマスクを用いて補助電極を平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）に形成できる。このとき、補助電極用導電ペーストは、第２電極上の撥液性透明樹脂層に対して撥液するので、その導電ペーストが撥液性透明樹脂層上に形成されることはなく、光の透過領域Ｂを減少させることはない。多少精度の悪い塗布法で導電ペーストを塗布した場合であっても、撥液性透明樹脂層上に導電ペーストが載らないので、補助電極用導電ペーストを平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のみに形成して補助電極とすることができる。この場合に用いるシャドウマスクも、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた露光も工数が少ないので、第２電極上の所定領域（Ａ１，Ａ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。
【００２２】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、パッシブマトリクス型又はアクティブマトリクス型の素子であるように構成する。
【００２３】
この発明によれば、有機ＥＬ素子がパッシブマトリクス型であってもアクティブマトリクス型であってもよく、さらにＲ、Ｇ、Ｂの有機ＥＬ層を少なくとも含むフルカラータイプであってもよいし、単色又は二色のモノクロタイプであってもよい。
【００２４】
上記課題を解決するための本発明の第１の観点に係る有機ＥＬ素子は、基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた透明な第２電極と、前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極と、を有することを特徴とする。
【００２５】
この発明によれば、補助電極が、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁上の領域Ｃとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに設けられている。この領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄに形成された補助電極は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第２電極が透明電極である場合に、その第２電極上に低コストで特性が安定した補助電極を有する有機ＥＬ素子を提供できる。
【００２６】
上記第１の観点に係る有機ＥＬ素子において、前記補助電極が、一つおきの領域Ｄに形成されている。
【００２７】
補助電極は領域Ｄ毎に形成されていてもよいが、この発明のように、一つおきの領域Ｄに補助電極が形成されていてもよい。こうした形態からなる補助電極の形成は、開口部数が少ないシャドウマスクを用いて行うので、マスク解像度の低いシャドウマスクを用いることができ、低コストの有機ＥＬ素子を提供できる。
【００２８】
上記課題を解決するための本発明の第２の観点に係る有機ＥＬ素子は、基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた透明な第２電極と、前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極と、を有することを特徴とする。
【００２９】
この発明によれば、補助電極が、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁上の領域Ｃとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに設けられている。この領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２のいずれかのみにさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄに形成された補助電極は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のいずれかに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第２電極が透明電極である場合に、その第２電極上に低コストで特性が安定した補助電極を有する有機ＥＬ素子を提供できる。
【００３０】
本発明に係る有機ＥＬ素子において、前記隔壁上には前記補助電極が形成されておらず、前記領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下である。
【００３１】
この発明によれば、領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下と狭い場合であっても、隔壁上に補助電極と同じ電極材料層が形成されていない態様下で、領域Ａ１，Ａ２のみに補助電極を形成した有機ＥＬ素子を提供できる。
【００３２】
本発明に係る有機ＥＬ素子において、前記第２電極上の領域Ｂに撥液性の透明樹脂層が設けられており、前記領域（Ａ１，Ａ２）に前記透明樹脂層に撥液する補助電極用導電ペーストからなる補助電極が設けられている。
【００３３】
この発明によれば、導電ペーストで補助電極を形成してなる有機ＥＬ素子を提供できる。
【００３４】
本発明に係る有機ＥＬ素子において、前記有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を有し、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層及び電子ブロック層から選ばれる１又は２以上の層を有する。
【発明の効果】
【００３５】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、補助電極を形成する領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１及び／又はＡ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄへの補助電極の形成に用いるシャドウマスクは、領域Ｄと同じ幅の開口部を有していればよい。そのため、用いるシャドウマスクは、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた成膜やエッチング工程等は工数が少ないので、第２電極上の所定領域（Ａ１及び／又はＡ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。特に高精細なフルカラーの有機ＥＬ素子の製造においては顕著な効果を奏する。
【００３６】
本発明に係る有機ＥＬ素子によれば、補助電極が設けられた領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１及び／又はＡ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄに形成された補助電極は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第２電極が透明電極である場合に、その第２電極上に低コストで特性が安定した補助電極を有する有機ＥＬ素子を提供できる。特に高精細なフルカラーの有機ＥＬ素子の提供においては顕著な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な断面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ素子を構成する補助電極の形成に用いたシャドウマスクの平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な断面図である。
【図５】図４に示す有機ＥＬ素子を構成する補助電極の形成に用いたシャドウマスクの平面図である。
【図６】第１、第２実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な平面図である。
【図７】第３実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式的な平面図である。
【図８】第１，第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程（その１）を示す説明図である。
【図９】第１，第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程（その２）を示す説明図である。
【図１０】第４実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す説明図である。
【図１１】第５実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す説明図である。
【図１２】第６実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す説明図である。
【図１３】事前検討して得た有機ＥＬ素子を示す模式的な断面図である。
【図１４】図１３に示す有機ＥＬ素子を構成する補助電極の形成に用いたシャドウマスクの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明に係る有機ＥＬ素子及びその製造方法について、図面を参照して詳しく説明する。なお、本発明は、その技術的特徴を有すれば種々の変形が可能であり、以下に具体的に示す実施形態に限定されるものではない。
【００３９】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、図１〜図７に示す構造形態を示すものであり、後述する図８〜図１２に示す製造方法で製造されてなる第１〜第６実施形態の有機ＥＬ素子１０Ａ〜１０Ｆを基本構成としている。図１〜図７に示す構造形態は、逆テーパー部５を両壁面又は片壁面に有する隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側又は片側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１及び／又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極８を形成する補助電極形成工程を有する製造方法で得られることに特徴がある。
【００４０】
この領域Ｄは、図１等に示すように、本出願人が事前に補助電極１０８の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２（図１３参照）にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっている。そのため、この領域Ｄへの補助電極８の形成に用いるシャドウマスク２０は、領域Ｄと同じ広い幅の開口部を有していればよい。つまり、本発明に係る有機ＥＬ素子１０は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに補助電極８を設ける（図１３参照）のではなく、隔壁４上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて補助電極８を形成している点に特徴がある。
【００４１】
以下、本発明の第１〜第６実施形態に係る有機ＥＬ素子１０を、その製造方法と併せて順次説明する。
【００４２】
［第１実施形態］
第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ａは、図１、図２及び図６に示すように、基板１と、基板１上に設けられた第１電極２と、第１電極２上に領域Ｂを画定するように設けられた所定パターンの絶縁層３と、絶縁層３上に設けられた隔壁４と、第１電極２上に設けられた有機ＥＬ層６と、有機ＥＬ層６上に設けられた透明な第２電極７と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域Ａ１，Ａ２とからなる領域Ｄに設けられた補助電極８と、を有する。
【００４３】
「領域Ｂ」は、絶縁層３を所定パターンで第１電極２上に設けることによって構成される領域であり、機能的には、第１電極２から有機ＥＬ層６に電荷を供給する領域ということができ、又は、光の透過領域ということもできる。その領域Ｂの幅は、図１に示すように、有機ＥＬ層６と第２電極７が延びるＹ方向（図６参照）と交差するＸ方向の幅であって、隣接する絶縁層パターンの対向端面のＸ方向幅である。ここで、「交差」とは、９０°の角度で交差する場合はもちろん、９０°を中心にした所定の角度範囲（４５°〜１３５°）で交差する場合も含む意味である。
【００４４】
「領域Ａ１，Ａ２」は、図１に示すように、隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた領域であって、絶縁層３と第２電極７とが平面視で重複する領域のことである。その領域Ａ１，Ａ２の幅は、図１に示すように、その重複領域が延びるＹ方向（図６参照）と交差するＸ方向の幅であって、第２電極７の端面と絶縁層３の端面との間の重複部分のＸ方向幅である。なお、「領域Ａ１」と「領域Ａ２」は、隔壁４を挟んで左右に存在する重複領域をそれぞれ指している。
【００４５】
「領域Ｃ」は、隔壁４上の領域のことであり、その領域Ｃの幅は、図１に示すように、隔壁４が延びるＹ方向（図６参照）と交差するＸ方向の幅であって、その隔壁４の上部エッジ間のＸ方向幅である。
【００４６】
「領域Ｄ」は、領域ＣのＸ方向幅と、領域Ａ１，Ａ２のＸ方向幅との和で表されるＸ方向幅である。本発明では、この領域Ｄの幅に補助電極８を形成するためのシャドウマスクを用いている点に特徴がある。
【００４７】
（基板）
基板１の材料、透明性、厚さ等は特に限定されず、用途に応じた必要な性質を有するものを任意に採用できる。例えば石英、ガラス等の無機材料、例えばポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等の高分子材料を挙げることができる。透明基板であるか不透明基板であるかは、有機ＥＬ素子での光の取り出し側が第１電極側か第２電極側かあるいは両側かで任意に選択することができるが、本発明では少なくとも第２電極側から光を出光させるので、基板１の透明性は任意である。また、基板１として、必要に応じて水分、酸素等のガスを遮断するガスバリア性を有するものを用いてもよいし、そうしたガスバリア機能を持つガスバリア層を予め設けたものであってもよい。また、その他の機能層、例えばハードコート層、保護層、帯電防止層、防汚層、防眩層等が設けられたものであってもよい。
【００４８】
基板１の厚さも特に限定されず、各種の厚さのものを適用できる。例えば、１０μｍ以上２ｍｍ以下を例示できる。特に薄いものはフレキシブル性があり、厚いものは剛性があり、それぞれ利点がある。また、基板１の形状も特に限定されないが、長方形、正方形又は平行四辺形等の四角形の基板であることが好ましい。
【００４９】
（第１電極）
第１電極２は、図１及び図８（Ａ）に示すように、基板１上に、図１中のＸ方向にストライプ状（短冊状）に延びる所定幅のパターンで設けられている。また、そのパターンは、平面視で第２電極７に交差しており、第２電極とともにパッシブマトリクス型有機ＥＬ素子の上下の電極を構成している。なお、「ストライプ状」とは、一定の幅を有した直線状の態様であって、短冊状ということもでき、隣り合う第１電極との間に隙間を有して設けられている。ストライプ状の各第１電極は、その各第１電極上に設けられた画素に駆動信号を印加するものである。第１電極２と第２電極７は、それぞれ走査線とデータ線のいずれであってもよい。
【００５０】
第１電極２の構成材料は特に限定されないが、第１電極２が陽極であるか陰極であるかで好ましい構成材料が選択される。さらに第１電極２が光の取り出し側であるか否かでも好ましい構成材料が選択される。そうした構成材料としては各種のものが選択して採用される。例えば、第１電極２が有機ＥＬ層に正孔を供給する陽極である場合、第１電極２の形成材料としては、金属単体、合金、導電性金属酸化物（透明導電膜）、導電性無機化合物、導電性高分子等を挙げることができる。これらの材料は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよく、２層以上の層を積層させてもよい。なお、第１電極２に透明性をもたせて第１電極２側からも光を取り出すような場合には、透明導電膜であるＩＴＯ、ＩＺＯが特に好ましく用いられる。
【００５１】
第１電極２の厚さは特に限定されるものではなく、用いる導電性材料に応じて適宜設定される。通常、５０〜２００ｎｍ程度である。第１電極２の成膜手段としては、例えば化学的気相成長法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法が挙げられる。
【００５２】
ストライプ状の第１電極２は、基板１上の全面に前記の成膜手段で第１電極層を形成し、その後にフォトリソグラフィでパターニングするか、或いは、基板１上にレジストパターンを形成し、その後にレジストパターンを含む全面に前記の成膜手段で第１電極層を形成し、リフトオフさせてパターニングする。ストライプ状の第１電極パターンのピッチは、等間隔であることが好ましい。なお、パターン幅は、画素の大きさ、ディスプレイサイズや解像度によって、任意の値に設定する。また、平面視における第１電極間の隙間の幅も、画素の大きさ、ディスプレイサイズや解像度によって任意に設定する。
【００５３】
（絶縁層）
絶縁層３は、図１及び図８（Ｂ）に示すように、第１電極２上に所定のパターンで設けられている。詳しくは、図６に示すように、Ｘ方向にストライプ状の所定パターンで設けられた各第１電極２に平面視で交差し、その各第１電極２を跨ぐように、Ｙ方向にストライプ状の所定パターンで設けられている。ここでの「ストライプ状」も上記第１電極２の場合と同様、一定の幅を有した直線状の態様であって、短冊状ということもでき、隣り合う絶縁層との間に隙間を有して設けられている。
【００５４】
こうした絶縁層３は、ストライプ状の直線部と、その直線部間に各画素部（発光領域）１１を区画するように設けられたブリッジ部（非発光領域）１２とを有しており、格子状になっている（図６を参照）。ストライプ状の直線部上には、後述する隔壁４が逆テーパー部５を両壁面又は片壁面に有する形態で設けられている。また、絶縁層３が設けられていない画素部１１は、第１電極２が露出した開口部になっており、この上に有機ＥＬ層６と第２電極７が順に設けられて発光領域が構成される。一方、絶縁層３が設けられているブリッジ部１２上にも、有機ＥＬ層６と第２電極７が順に設けられるが、そのブリッジ部１２は絶縁層３で構成されているので、非発光領域となっている。
【００５５】
言い換えれば、絶縁層３は、第１電極２から有機ＥＬ層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ（以下、符号６を用いて総称することがある。）に電荷を供給するＸ方向幅を画定するために設けられている。そして、そのＸ方向幅が、上記した領域Ｂである。
【００５６】
絶縁層３の形成材料としては、ノボラック系樹脂、ポリイミド、アクリレート等を挙げることができる。絶縁層３は、それらの樹脂材料を全面に塗布して形成される。その後、露光、現像等を行うフォトリソグラフィ法で所定形状の直線部とブリッジ部１２をパターニングし、図１及び図６に示す形態の絶縁層３を形成する。なお、絶縁層３を必要とする部分以外（例えば、パネル周縁部に設けられる、第１電極２や第２電極７の取出電極部等）は、フォトリソグラフィ等で任意に除去してもよい。なお、絶縁層３の厚さは特に限定されず、下限としては少なくとも絶縁性を確保できる厚さで、上限としては全体としての平坦性を著しく阻害しない厚さであればよい。通常、０．５〜３μｍ程度である。
【００５７】
（隔壁）
隔壁４は、図１及び図８（Ｃ）に示すように、ストライプ状の絶縁層３上に、その絶縁層３が延びる方向（Ｙ方向）に設けられている。隔壁４の形状は、逆テーパー部５，５を幅方向（Ｘ方向）の両壁面に有している。隔壁４のＸ方向幅は、絶縁層３のＸ方向幅よりも小さい。例えば、絶縁層３のＸ方向幅と隔壁４のＸ方向幅との差は、１０〜５０μｍ程度である。この差は、平面視したときに隔壁４の左右に見える絶縁層３の幅を表しており、後述する領域Ａ１とＡ２に対応する幅である。詳しくは後述するが、本発明では、領域Ａ１とＡ２の幅がそれぞれ５〜２０μｍ程度と狭い場合であっても、図１に示すように、その狭い幅の上に補助電極８を確実に設けることができる。
【００５８】
隔壁４の形成方法は特に限定されないが、ネガ型レジスト又はポジ型レジストを全面に塗布形成し、その後にフォトリソグラフィ法で露光、現像して形成する。ネガ型レジストを用いた場合は、隔壁４を残す部分に対応した開口部を有するマスクを用いて露光し、露光部の現像液に対する溶解度を低下させた後に現像液で現像して、隔壁４を形成する。一方、ポジ型レジストを用いた場合は、隔壁４を残す部分以外の部分に対応した開口部を有するマスクを用いて露光し、露光部の現像液に対する溶解度を増した後に現像液で現像して、隔壁４を形成する。通常は、ネガ型レジストを好ましく用いる。現像後の隔壁４は、図１に示すように、いわゆるオーバーエッチングにより、上面側の幅よりも絶縁層３側の幅が小さい逆テーパー部５を両壁面に有している。
【００５９】
隔壁４の高さは特に限定されないが、隔壁４を形成した後に設ける有機ＥＬ層用の塗布材料が隔壁４を越えて隣の画素部１１に流入しない程度の高さであることが望ましい。そうした高さは一概には言えないが、通常は０．５〜５μｍ程度である。
【００６０】
（有機ＥＬ層）
有機ＥＬ層６は、図１及び図８（Ｄ）に示すように、隔壁間に挟まれた画素部１１の第１電極２上に設けられている。
【００６１】
有機ＥＬ層６は少なくとも発光層を有するものであればよく、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層等を任意に選択し、さらに任意の積層形態で適用できる。これらの各層の構成材料は、特に限定されず、公知の各種の材料から任意に選択して用いることができる。また、第１電極２が陽極であるか陰極であるかにより、また、有機ＥＬ素子がフルカラー用のものであるかモノクロ用のものであるかにより、層構成も、選択される材料も異なる。
【００６２】
有機ＥＬ層６は、発光層や、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層等の形成材料の種類によって、塗布法、蒸着法、ＣＶＤ法等、各種の手段が選択されて形成できる。通常、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層等は塗布法で形成されることが多く、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層等は蒸着法やＣＶＤ法で形成されることが多い。
【００６３】
有機ＥＬ層６の厚さも特に限定されないが、各層を積層した厚さで、通常、１００〜３００ｎｍ程度である。
【００６４】
（第２電極）
第２電極７は、図１及び図９（Ｅ）に示すように、有機ＥＬ層６上に設けられている。本発明に係る有機ＥＬ素子１０はトップエミッション型又はボトム・アンド・トップエミッション型であるので、少なくとも第２電極７側から光が出光する。したがって、この第２電極７は透明電極であり、具体的には、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜で構成される。
【００６５】
第２電極７の形成は、マスクを用いずに上方から蒸着法、スパッタリング法又はＣＶＤ法等で透明導電膜を成膜する。そうした透明導電膜は、図９（Ｅ）に示すように、逆テーパー部５を有する隔壁４の上面に透明導電膜７’として設けられるとともに、有機ＥＬ層６上に第２電極７として設けられる。このとき、隔壁４が逆テーパーになっているので、隔壁４上の透明導電膜７’と、有機ＥＬ層６上の第２電極７との間の接続は遮断されている。そのため、マスクを用いずに全面に蒸着することができるので、有機ＥＬ層６上に極めて容易に第２電極７を形成することができる。
【００６６】
第２電極７の厚さは特に限定されるものではなく、用いる導電性材料に応じて適宜設定される。ＩＴＯやＩＺＯの透明導電膜の場合には、通常、１０〜２００ｎｍ程度である。
【００６７】
（補助電極）
補助電極８は、隔壁４上の領域Ｃと、その隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域Ａ１，Ａ２と、からなる領域Ｄに設けられている。その領域Ｄへの補助電極８の形成は、シャドウマスク２０を用いて行う。
【００６８】
補助電極８の形成材料（補助電極用材料ともいう。）としては、導電性の良い金属材料又は合金材料が好ましい。金属材料としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等を好ましく挙げることができ、合金材料としては、ＭｇＡｇ等を好ましく挙げることができる。補助電極８の形成方法は乾式成膜法が好ましく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を挙げることができる。通常、シャドウマスク２０を用いた真空蒸着法やスパッタリング法が適用される。
【００６９】
補助電極８の厚さは特に限定されるものではなく、抵抗の高い第２電極７を補助する電極として機能する程度の厚さであることが望ましい。その厚さは、補助電極用材料の種類と補助電極８の幅（Ｘ方向幅：Ａ１，Ａ２）に応じて適宜設定され、第２電極７がＩＴＯやＩＺＯの透明導電膜の場合であって、補助電極８が例えばＡｌ又はＣｕであり、Ｘ方向幅（Ａ１，Ａ２）が１０〜２０μｍの場合には、１００〜２００ｎｍ程度である。
【００７０】
補助電極８の形成に用いるシャドウマスク２０は、図２に示すように、領域Ｄからなる開口部２１と、領域Ｄからなる遮光部（非開口部）２２とで構成されている。ここで用いるシャドウマスク２０は、本出願人が事前検討で用いた図１４に示すシャドウマスク１１０と比べて、開口部２１の狭い側の幅が大きく、そうした開口部２１のエッチングが容易であるという利点がある。なお、図１４のシャドウマスク１１０は、開口部１１１の幅を１０〜２０μｍ程度の極めて狭い幅で形成しなければならず、その開口部１１１の形成が困難である。
【００７１】
シャドウマスク２０の開口部２１は、上記した領域Ａ１，Ａ２と領域Ｃとの和である領域Ｄの幅に対応するものであるので、その幅（Ｘ方向幅）は、領域Ａ１，Ａ２それぞれに対応した幅よりもかなり広く、例えば５０〜１００μｍとすることができる。こうした広い幅の開口部２１は、例えばステンレス鋼板等の金属板をエッチングして形成する場合に特に好ましく、エッチングにより所望の幅の開口部２１を容易に形成することができる。
【００７２】
シャドウマスク２０の材質は特に限定されないが、開口部を形成可能で、ハンドリングし易いものであればよい。例えば、湿式エッチング等で開口部２１を形成可能な金属板（例えばステンレス鋼板等）や、電鋳法等で開口部２１を形成可能な金属（例えばＮｉ等）を挙げることができる。
【００７３】
シャドウマスク２０の厚さは、エッチング手段、及びそのエッチング手段で形成できる開口幅と深さとのアスペクト比（開口幅／深さ）等を考慮して任意に選択される。例えば湿式エッチングでステンレス鋼板に開口部２１を形成する場合に、各開口部２１の寸法を均一化するためには、開口部のアスペクト比（開口幅／深さ）を少なくとも１以上にするのが望ましい。そのため、例えば、厚さ５０μｍのステンレス鋼板を用いた場合には５０μｍ以上の開口幅を容易に形成でき、厚さ１００μｍのステンレス鋼板を用いた場合には１００μｍ以上の開口幅を容易に形成できる。ステンレス鋼板は、５０μｍ、１００μｍ又はそれ以上の厚さのものは比較的容易に入手できるので、こうしたステンレス鋼板をエッチングすれば、所望の開口幅を有するシャドウマスクを容易に形成することができる。なお、図１４のシャドウマスク１１０では、幅が１０〜２０μｍの開口部１１１を形成しようとしたが、均一な開口幅を得るためにはそれ以下の厚さのステンレス鋼板を入手しなければならないという難しさがある。
【００７４】
シャドウマスク２０は、図９（Ｆ１）に示すように、第２電極７の上方向に配置される。その配置は、シャドウマスク２０の開口部２１のＸ方向位置が領域ＤのＸ方向位置と一致し、遮光部２２のＸ方向位置が領域ＢのＸ方向位置と一致するように調整される。ここで、「上方向」とは、図９（Ｆ１）において、シャドウマスク２０が、基板１上の最上部に位置する成膜後の第２電極材料層７’に接触しない程度の位置のことを意味するものであるが、キズがつかないのであれば接触してもよい。通常、成膜後の第２電極材料層７’とシャドウマスク２０とのＺ方向（図１参照）の距離は０（接触する場合も含む。）〜２０μｍ程度である。
【００７５】
第１実施形態では、こうしたシャドウマスク２０を、補助電極用材料を乾式成膜（蒸着、スパッタ等）するためのマスクとして用いることによって、領域Ｄに成膜することができる。領域Ｄは、隔壁４の上面領域Ｃも含むので、隔壁４上面にも補助電極材料層８’が形成される。しかし、隔壁４は逆テーパー部５を有するので、隔壁４の両側の領域Ａ１，Ａ２にそれぞれ設けられた補助電極８はそれぞれ短絡することがなく、電気的に分離している。しかも、領域Ａ１，Ａ２は、絶縁層３と第２電極７との重複領域であるので、光の透過領域である領域Ｂの幅を狭めない。したがって、領域Ａ１，Ａ２それぞれのＸ方向幅が５〜２０μｍという狭い幅であっても、その狭い幅の領域Ａ１，Ａ２それぞれに補助電極８を所望の厚さで成膜できる。その結果、抵抗の高い透明電極の補助電極８として有効に機能する。
【００７６】
（その他）
その後においては、必要に応じて、例えば封止材を全体を覆うように設けてもよいし、封止材を介して透明基板を設けてもよい。その場合の封止材としては、エポキシ樹脂等を挙げることができる。また、透明基板としては、上記した基板１のうち、特に透明性の高いガラス、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を用いることができる。
【００７７】
（製造方法）
第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ａの製造方法について整理すると、図８（Ａ）〜図９（Ｆ１）に示すように、基板上に第１電極２を形成する工程と、第１電極２から有機ＥＬ層６に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層３を所定のパターンで形成する工程と、絶縁層３上に、逆テーパー部５を両壁面に有する隔壁４を形成する工程と、第１電極２上に有機ＥＬ層６を形成する工程と、有機ＥＬ層６の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域（画素部１１）毎に透明な第２電極７を形成する工程と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスク２０を用いて補助電極８を形成する工程と、を有する。
【００７８】
この製造方法の特徴は、補助電極８を領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて形成することにあり、その領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２にさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄへの補助電極８の形成に用いるシャドウマスク２０は、領域Ｄと同じ幅の開口部２１を有していればよい。本発明では、補助電極８を幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに設けるのではなく、隔壁４上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて形成するので、用いるシャドウマスク２０は、開口部２１の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスク２０を用いた成膜は工数が少ないので、第２電極７上の所定領域（Ａ１，Ａ２）への補助電極８を容易且つ安定して、低コストで形成することができるという効果を奏する。
【００７９】
［第２実施形態］
第２実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｂは、図３に示すように、第１電極２がＸ方向に所定の間隔となるようにパターニングされている例である。こうした形態は、例えばアクティブマトリックス型の有機ＥＬ素子としても適用可能である。
【００８０】
第１電極２は、第１電極用材料を基板１上の全面に成膜した後にフォトリソグラフィでパターニングして形成したものであってもよいし、又は、第１電極用材料をマスクを間に挟んで基板１上にマスク蒸着して形成したものであってもよい。又は、予め絶縁層３をパターニングした後に設けたものであってもよい。つまり、第１電極２と絶縁層３はいずれが先に形成されたものであってもよいが、通常は、第１電極２を所定のパターンで形成した後に所定のパターンの絶縁層３が形成される。それ以外は上記した第１実施形態の場合と同様であるので詳しい記載は省略する。
【００８１】
［第３実施形態］
第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｃは、図４、図７及び図９（Ｆ２）に示すように、補助電極８が、一つおきの領域Ｄに形成されている態様である。この実施形態は、用いるシャドウマスク２０を図５に示す態様のものとすることにより容易に実現できる。
【００８２】
補助電極８は図１に示すように領域Ｄ毎に形成されていてもよいが、この第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｃのように、一つおきの領域Ｄに補助電極８が形成されていてもよい。こうした形態からなる補助電極８の形成は、開口部数が少ない図５に示すシャドウマスク２０を用いて行うことができる。このシャドウマスク２０は、有機ＥＬ素子１０Ｃの領域Ｄに対応する開口部２１を、領域Ｄに対して一つおきに設けたものである。その結果、マスク解像度の低いシャドウマスク２０を用いることも可能となり、低コストの有機ＥＬ素子１０Ｃを提供できるという利点がある。
【００８３】
補助電極８は、図１及び図６に示すように、第２電極７の両サイドに設けられていることがより好ましいが、図４及び図７に示すように、第２電極７の抵抗値によってはその片側のみに設けられていてもよい。この実施形態では、一つおきの隔壁４上の領域Ｃと隔壁４の両側に設けられた領域Ａ１，Ａ２（絶縁層３と第２電極７との平面視重複領域）とからなる領域Ｄに、図９（Ｆ２）に示すように、シャドウマスク２０を用いて補助電極８を形成する。それ以外は上記した第１実施形態の場合と同様であるので詳しい記載は省略する。
【００８４】
［第４実施形態］
第４実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｄは、図１０（Ｉ）に示すように、隔壁４上に設けられた第２電極材料層７’と補助電極材料層８’とをリフトオフにより除去した例である。隔壁４上の第２電極材料層７’と補助電極材料層８’とをリフトオフにより除去して得た有機ＥＬ素子１０Ｄは、補助電極８は領域Ａ１，Ａ２のみに形成されている。
【００８５】
この実施形態で得られる有機ＥＬ素子１０Ｄは、領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下であるような場合に特徴的な構造形態を示すものということができる。すなわち、領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下の場合には、従来は、そのような細い部分には補助電極８を形成できなかったからである。この実施形態のように、リフトオフして隔壁４上の電極材料層７’，８’を除去して初めて得ることができる。したがって、領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下であって、その領域Ａ１，Ａ２の間に挟まれる隔壁４上に電極材料層が存在しない場合には、この第４実施形態で製造されたものということができる。
【００８６】
リフトオフは、補助電極の形成工程に含まれる。すなわち、第４実施形態における補助電極形成工程は、第２電極７の形成工程後の隔壁４上にリフトオフ用膜９を形成する工程（図１０（Ｇ）参照）と、そのリフトオフ用膜９が形成された隔壁４を含む領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて補助電極８を形成する工程（図１０（Ｈ）参照）と、そのリフトオフ用膜９及びリフトオフ用膜９上に設けられた補助電極材料層８’を除去する工程（図１０（Ｉ）参照）とを含む。このように構成した補助電極形成工程により、隔壁４上の第２電極材料層７’及び補助電極材料層８’をリフトオフ膜９を利用して最終的に残さない形態とすることができる。
【００８７】
隔壁４上にリフトオフ用膜９を形成する方法としては、例えば、全面にリフトオフ用膜を形成した後にフォトリソグラフィで隔壁４上のみのリフトオフ用膜を残す方法、最も上方に突出している隔壁４上のみにリフトオフ用膜９を印刷する方法、等を挙げることができる。
【００８８】
リフトオフ用膜９の材料としては、例えば、有機溶剤で容易に隔壁面から剥離できる樹脂材料（例えば、ノボラック樹脂、ポリイミド等のフォトレジスト材料）や、水溶液で容易に隔壁面から剥離できる樹脂材料（例えば、ポリビニルアルコール、セルロース系樹脂等を挙げることができる。また、その厚さも特に限定されない。
【００８９】
［第５実施形態］
第５実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｅは、図１１（Ｆ１’）に示すように、隔壁４の形状が上記した実施形態とは異なるものである。具体的には、逆テーパー部５を片壁面のみに有する隔壁４が設けられており、補助電極８を、逆テーパー部５が形成されていない側の領域Ａ（絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域）のみに設けていることに特徴がある。
【００９０】
詳しくは、基板１上に設けられた第１電極２と、第１電極２から有機ＥＬ層６に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層３と、絶縁層３上に設けられた、逆テーパー部５を片壁面に有する隔壁４と、第１電極２上に設けられた有機ＥＬ層６と、有機ＥＬ層６上に設けられた透明な第２電極７と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち逆テーパー部５が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極８と、を有する。逆テーパー部５は、Ｘ方向の一方の側の壁面に規則的に設けられているので、補助電極８は、平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち一方の側の領域（Ａ１又はＡ２）のみに規則的に設けられている。図１１（Ｆ１’）では、隔壁４から見て左側に逆テーパー部５が設けられているので、隔壁４からみて右側に補助電極８が設けられている。
【００９１】
製造方法の特徴としては、図１１（Ｅ’）（Ｆ１’）に示すように、絶縁層３上に、逆テーパー部５を片壁面に有する隔壁４を形成する工程を有すること、及び、隔壁４上の領域Ｃと平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち逆テーパー部５が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程とを有すること、にある。領域Ｄへの補助電極８の形成に用いるシャドウマスク２０は、図１１（Ｆ１’）に示すように、領域Ｄと同じ幅の開口部２１を有していればよい。つまり、この実施形態も、補助電極８を幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のみに設けるのではなく、形状が異なる隔壁４上の領域Ｃと組み合わせた幅広の領域Ｄにシャドウマスク２０を用いて形成した点に特徴がある。
【００９２】
この実施形態では、補助電極８が、隔壁４上の領域Ｃと、逆テーパー部５が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とに設けられている。領域Ｃと領域Ａ１又はＡ２とからなる領域Ｄは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域Ａ１，Ａ２のいずれかにさらに領域Ｃを加えた幅（領域Ｄ）になっているので、この領域Ｄに形成された補助電極８は、幅が狭い領域Ａ１，Ａ２のいずれかに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第２電極７が透明電極である場合に、その第２電極７上に低コストで特性が安定した補助電極８を有する有機ＥＬ素子１０Ｅとなる。
【００９３】
なお、片壁面に逆テーパー部５を有する隔壁４は、逆テーパー部５を形成した後、片側のテーパー部が埋まるようにフォトレジスト材料でパターンを追加することで形成できる。
【００９４】
［第６実施形態］
第５実施形態に係る有機ＥＬ素子１０Ｆは、図１２（Ｌ）に示すように、第２電極７上の領域Ｂに撥液性の透明樹脂層４１が設けられており、前記透明樹脂層４１に撥液する補助電極用導電ペーストからなる補助電極８が前記した平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のみに設けられている点に特徴がある。この第６実施形態の有機ＥＬ素子１０Ｆは、導電ペーストで補助電極８が形成されている。
【００９５】
製造方法の特徴としては、補助電極８の形成工程が、第２電極７の形成工程後の全面に撥液性の透明樹脂層４１を形成する工程（図１２（Ｊ）参照）と、透明樹脂層４１をシャドウマスクを用いてエッチングして前記領域Ｄの透明樹脂層４１を除去する工程（図１２（Ｋ）参照）と、透明樹脂層４１を除去した後の領域Ａ１，Ａ２に前記透明樹脂層４１に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極８を形成する工程（図１２（Ｌ）参照）とを含む。透明樹脂層４１の形成は、撥液性の透明樹脂層用材料を全面に塗布形成し、その後に上記第１実施形態と同じシャドウマスク３０を用いてエッチングすることにより除去する。なお、図１２（Ｋ）において、符号３１はシャドウマスクの開口部であり、符号３２はシャドウマスクの非開口部である。
【００９６】
このように、領域Ｄの透明樹脂層４１を除去した後においては、シャドウマスクを用いることなく、補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極８を形成し、図１２（Ｌ）に示す形態の有機ＥＬ素子１０Ｆを製造することができる。この実施形態では、上記した各実施形態とは異なり、乾式成膜以外の湿式成膜（導電ペーストの塗布手段）でも、シャドウマスク３０を利用した方法で補助電極８を領域Ａ１，Ａ２に形成できる。この場合に用いるシャドウマスク３０も、開口部３１の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスク３０を用いたエッチングも工数が少ないので、第２電極７上の所定領域（Ａ１，Ａ２）への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。
【００９７】
第６実施形態に係る製造方法によれば、領域Ａ１，Ａ２に塗布する補助電極用導電ペーストは、第２電極７上の撥液性透明樹脂層４１に対して撥液するので、その導電ペーストが撥液性透明樹脂層４１上に形成されることはなく、光の透過領域Ｂを減少させることはない。多少精度の悪い塗布法で導電ペーストを塗布した場合であっても、撥液性透明樹脂層４１上に導電ペーストが載らないので、補助電極用導電ペーストを平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のみに形成して補助電極とすることができる。
【００９８】
撥液性の透明樹脂層４１を形成するための透明樹脂層用材料としては、撥液剤が添加された樹脂材料を用いることができ、具体的には、例えばシリコーン化合物や含フッ素化合物等の撥液剤を含有するノボラック系樹脂、ポリイミド、アクリレート等を挙げることができる。
【００９９】
透明樹脂層４１に対して撥液する補助電極用導電ペーストとしては、Ａｇペースト等を挙げることができる。導電ペーストの領域Ａ１，Ａ２への塗布は、ノズル塗布法又はインクジェット法、ディスペンサー、エアロゾルジェット法で行うことが好ましい。特にエアロゾルジェット法によれば、５〜１０μｍ程度の細幅に導電ペーストを塗布することができる。形成した補助電極８の厚さは、通常、０．１〜２μｍである。
【０１００】
図１２（Ｊ）において、撥液性の透明樹脂層４１を設ける代わりに、後の撥液化処理によって撥液性になる透明樹脂層を設けてもよい。この場合には、透明樹脂層を除去した後に、撥液化処理を行って領域Ｂに残った透明樹脂層を撥液性にすることができる。この場合の透明樹脂層用材料としては、撥液剤を含有しないポジ型のノボラック系樹脂、ポリイミド、アクリレート等を挙げることができる。その後の撥液化処理としては、例えばシリコーン化合物や含フッ素化合物等の撥液処理剤を用いて表面処理する方法、フルオロカーボンガスのプラズマを用いて表面処理する方法（プラズマ処理）等が挙げられる。なお、プラズマ処理にて使用されるフルオロカーボンガスとしては、例えば、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、ｃ−Ｃ4Ｆ8、ＣＣｌ2Ｆ2、ＣＣｌＦ3、Ｃ2Ｃｌ2Ｆ4、Ｃ2ＣｌＦ5、ＣＢｒＦ3、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｈ3Ｆ3、ＣＨ3ＣＨＦ2、ＮＦ3、ＳＦ6等を用いることでき、中でも、ＣＦ4ガスが好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１０１】
１ 基板
２ 第１電極（陽極）
３ 絶縁層
４ 隔壁
５ 逆テーパー部を有する壁面
５’ 逆テーパー部を有しない壁面
６，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ 有機ＥＬ層
７ 第２電極（透明電極）
７’ 透明導電膜
８ 補助電極
８’ 補助電極材料層
９ リフトオフ用膜
１０、１０Ａ〜１０Ｆ 有機ＥＬ素子
１１ 画素部（発光領域）
１２ ブリッジ部（非発光領域）
２０ シャドウマスク
２１ 開口部
２２ 遮光部
３０ シャドウマスク
３１ 開口部
３２ 非開口部
４１ 撥液性の透明樹脂層
【０１０２】
Ａ１，Ａ２ 絶縁層３と第２電極７とが平面視で重複する領域
Ｂ 光の透過領域（又は第１電極が有機ＥＬ層に電荷を供給する領域）
Ｃ 隔壁上の領域
Ｄ 補助電極を形成する領域（領域ＣのＸ方向幅と領域Ａ１，Ａ２のＸ方向幅との和）
【０１０３】
１００ 有機ＥＬ素子
１０１ 基板
１０２ 第１電極（陽極）
１０３ 絶縁層
１０４ 隔壁
１０５ 逆テーパー部を有する壁面
１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂ 有機ＥＬ層
１０７ 第２電極（透明電極）
１０７’ 透明導電膜
１０８ 補助電極
１１０ シャドウマスク
１１１ 開口部（光の透過領域）
１１２，１１３ 遮光部（光の非透過領域）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、
前記絶縁層上に、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁を形成する工程と、
前記第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極を形成する工程と、
前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記補助電極を、一つおきの領域Ｄに形成する、請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、
前記絶縁層上に、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁を形成する工程と、
前記第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極を形成する工程と、
前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記シャドウマスクは、前記第２電極の上方向に配置して前記領域Ｄに補助電極用材料を乾式成膜するための開口部を有している、請求項１〜３のいずれ１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記補助電極の形成工程は、前記第２電極の形成工程後の前記隔壁上にリフトオフ用膜を形成する工程と、該リフトオフ用膜が形成された隔壁を含む領域Ｄに前記シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、前記リフトオフ用膜及び該リフトオフ用膜上に設けられた補助電極材料層を除去する工程とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記補助電極の形成工程は、前記第２電極の形成工程後の全面に撥液性の透明樹脂層を形成する工程と、該透明樹脂層を前記シャドウマスクを用いて前記領域Ｄの透明樹脂層を除去する工程と、該透明樹脂層を除去した前記平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）に前記透明樹脂層に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極を形成する工程とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
パッシブマトリクス型又はアクティブマトリクス型の素子である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁と、
前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に設けられた透明な第２電極と、
前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項９】
前記補助電極が、一つおきの領域Ｄに形成されている、請求項８に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁と、
前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に設けられた透明な第２電極と、
前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１１】
前記隔壁上には前記補助電極が形成されておらず、前記領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１２】
前記第２電極上の領域Ｂに撥液性の透明樹脂層が設けられており、前記領域Ａ１，Ａ２に前記透明樹脂層に撥液する補助電極用導電ペーストからなる補助電極が設けられている、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１３】
前記有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を有し、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層及び電子ブロック層から選ばれる１又は２以上の層を有する、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、
前記絶縁層上に、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁を形成する工程と、
前記第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極を形成する工程と、
前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記補助電極を、一つおきの領域Ｄに形成する、請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、
前記絶縁層上に、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁を形成する工程と、
前記第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極を形成する工程と、
前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記シャドウマスクは、前記第２電極の上方向に配置して前記領域Ｄに補助電極用材料を乾式成膜するための開口部を有している、請求項１〜３のいずれ１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記補助電極の形成工程は、前記第２電極の形成工程後の前記隔壁上にリフトオフ用膜を形成する工程と、該リフトオフ用膜が形成された隔壁を含む領域Ｄに前記シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、前記リフトオフ用膜及び該リフトオフ用膜上に設けられた補助電極材料層を除去する工程とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記補助電極の形成工程は、前記第２電極の形成工程後の全面に撥液性の透明樹脂層を形成する工程と、該透明樹脂層を前記シャドウマスクを用いて前記領域Ｄの透明樹脂層を除去する工程と、該透明樹脂層を除去した前記平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）に前記透明樹脂層に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極を形成する工程とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
パッシブマトリクス型又はアクティブマトリクス型の素子である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁と、
前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に設けられた透明な第２電極と、
前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項９】
前記補助電極が、一つおきの領域Ｄに形成されている、請求項８に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極から有機ＥＬ層に電荷を供給する領域Ｂを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁と、
前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に設けられた透明な第２電極と、
前記隔壁上の領域Ｃと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第２電極の平面視重複領域（Ａ１，Ａ２）のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域（Ａ１又はＡ２）とからなる領域Ｄに設けられた補助電極と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１１】
前記隔壁上には前記補助電極が形成されておらず、前記領域Ａ１，Ａ２の幅が５μｍ以上２０μｍ以下である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１２】
前記第２電極上の領域Ｂに撥液性の透明樹脂層が設けられており、前記領域Ａ１，Ａ２に前記透明樹脂層に撥液する補助電極用導電ペーストからなる補助電極が設けられている、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１３】
前記有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を有し、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層及び電子ブロック層から選ばれる１又は２以上の層を有する、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−３３３０７（Ｐ２０１２−３３３０７Ａ）
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７００３８（Ｐ２０１０−１７００３８）
【出願日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
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