有機ＥＬ表示装置および電子機器
【課題】消費電力を増大させることなく、表示画質の劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、光取り出し面を有する駆動側基板１０の側から順に、第１電極１４と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）と、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）よりも小さな膜厚を有する第２電極１７とを備える。第２電極１７の薄膜化により、製造プロセスにおいて、第１電極１４上に異物が付着していた場合であっても、第１電極１４および第２電極１７間における電気的短絡が生じにくい。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、光取り出し面を有する駆動側基板１０の側から順に、第１電極１４と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）と、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）よりも小さな膜厚を有する第２電極１７とを備える。第２電極１７の薄膜化により、製造プロセスにおいて、第１電極１４上に異物が付着していた場合であっても、第１電極１４および第２電極１７間における電気的短絡が生じにくい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機材料の電界発光（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像表示を行う有機ＥＬ表示装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のＥＬ現象を利用して発光する有機ＥＬ素子は、第１電極（アノード）上に、発光層を含む有機層を介して第２電極（カソード）を設けたものであり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。このような有機ＥＬ素子を画素として用いた有機ＥＬ表示装置は、様々な用途に利用されている。
【０００３】
ところが、有機ＥＬ表示装置では、第１電極の表面に異物が付着していた場合、第１電極に対する有機層の十分なカバレッジが得られず、第１電極および第２電極間で電気的短絡（ショート）が生じることがある。この電気的短絡が生じた部分は、滅点となり画質劣化を引き起こしてしまう。
【０００４】
そこで、いわゆるボトムエミッション構造を有する有機ＥＬ表示装置において、第１電極（透明電極）と第２電極（反射電極）との間に高抵抗層を設けることにより、上記のような電気的短絡を抑制する手法が提案されている（特許文献１，２参照）。具体的には、特許文献１では、第１電極と有機層との間に高抵抗層を設け、特許文献２では、第２電極を２層構造とし、そのうち有機層に近い側の電極層を高抵抗にする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−０３５６６７号公報
【特許文献２】特開２００５−２０９６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１，２の手法では、第１電極および第２電極間に高抵抗となる層を有するので、駆動電圧が高くなり、消費電力が増大するという問題がある。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、消費電力を増大させることなく、表示画質の劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、光取り出し面を有する基板側から順に、第１電極と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、有機層よりも小さな膜厚を有する第２電極とを備えたものである。
【０００９】
本発明の電子機器は、上記本発明の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
【００１０】
本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器では、光取り出し面を有する基板側から順に、第１電極と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、第２電極とを備え、この第２電極が有機層よりも小さな膜厚を有する。これにより、第１電極上に異物が付着していた場合であっても、第１電極および第２電極間における電気的短絡が生じにくくなる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器によれば、光取り出し面を有する基板側から順に、第１電極と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、有機層よりも小さな膜厚を有する第２電極とを設ける。これにより、第１電極および第２電極間に、高抵抗層を設けることなく（即ち、高駆動電圧化を招くことなく）、異物に起因する電気的短絡の発生を抑制することができる。よって、消費電力を増大させることなく、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図２】ＴＦＴ上にカラーフィルタを設けた断面構成の一例を表す図である。
【図３】図１に示した基板上の駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図３に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図５】図１に示した有機ＥＬ素子（画素）の断面構成を表す図である。
【図６】図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】比較例の構造において異物が付着していた場合の電気的影響について説明するための模式図である。
【図１０】実施例の構造において異物が付着していた場合の電気的影響について説明するための模式図である。
【図１１】第２電極の膜厚と滅点数との関係を表す特性図である。
【図１２】第２電極の膜厚とシート抵抗との関係を表す特性図である。
【図１３】変形例１に係る有機ＥＬ素子（画素）の概略構成を表す断面図である。
【図１４】変形例２に係る有機ＥＬ素子（画素）の概略構成を表す断面図である。
【図１５】変形例３に係る有機ＥＬ素子（画素）の概略構成を表す断面図である。
【図１６】上記実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１７】上記実施の形態等の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１８】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２１】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（薄膜化した第２電極上に絶縁層を介して反射層を設けた有機ＥＬ表示装置の例）
２．変形例１（第２電極と反射層との間に高抵抗層を設けた例）
３．変形例２（絶縁層を画素開口部にのみ選択的に設けた例）
４．変形例３（高抵抗層を画素開口部にのみ選択的に設けた例）
５．適用例（電子機器への適用例）
【００１４】
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、いわゆるボトムエミッション方式（下面発光方式）により発光を生じるものであり、例えば、駆動側基板１０上に、赤色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｂが例えばマトリクス状に配置されたものである。これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、表示領域（後述の表示領域１１０）を構成する画素（サブピクセル）であり、例えばこれらのＲ，Ｇ，Ｂの３つのサブピクセルが１つのピクセルとして機能するようになっている。
【００１５】
駆動側基板１０は、例えば、石英、ガラス、金属箔、シリコン、プラスチック等からなる。この駆動側基板１０上（駆動側基板１０の表面側）には、ＴＦＴ１１を含む駆動回路（後述の画素駆動回路１４０等）が配設されている。駆動側基板１０の裏面は、光取り出し面となっている。ＴＦＴ１１は、例えばゲート電極，ソース電極およびドレイン電極と、チャネルを形成する半導体層（いずれも図示せず）とを備えており、平坦化膜１３によって被覆されている。
【００１６】
尚、この駆動側基板１０のＴＦＴ１１上には、例えばカラーフィルタが設けられていてもよい。図２にその一例を示す。このように、ＴＦＴ１１を被覆して無機絶縁膜１１１が設けられており、この無機絶縁膜１１１上の第１電極１４に対向する領域にカラーフィルタ１１２が形成されている。これらの無機絶縁膜１１１およびカラーフィルタ１１２を覆うように、平坦化膜１３が設けられている。平坦化膜１３上に配設される第１電極１４は、無機絶縁膜１１１および平坦化膜１３を貫通するコンタクトホールを介してＴＦＴ１１に電気的に接続されている。カラーフィルタ１１２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して配置された赤色，緑色または青色のフィルタを有し、例えば顔料や染料を混入した樹脂より構成されている。このようなカラーフィルタ１１２を設けることにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した各色光を取り出すことができる。
【００１７】
また更に、図示しないブラックマトリクス（遮光膜）が設けられていてもよく、これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間および配線等において反射された外光を吸収し、コントラストを改善することができる。遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。
【００１８】
ＴＦＴ１１は、例えば後述の画素駆動回路１４０における駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２に相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。
【００１９】
平坦化膜１３は、例えば例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜よりなる。あるいは、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx），窒化シリコン（ＳｉＮx）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜より構成されていてもよい。この平坦化膜１３上に、上述の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成されている。平坦化膜１３には、図示しないコンタクトホールが形成されており、このコンタクトホールを介してＴＦＴ１１（ソース電極またはドレイン電極）と、後述の第１電極１４とが電気的に接続されている。
【００２０】
（回路構成）
図３は、駆動側基板１０上に配設される駆動回路の一例を表すものである。駆動側基板１０上には、表示領域１１０に画素駆動回路１４０が設けられ、表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。図４は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１４の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２（前述のＴＦＴ１１の相当）と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）を有している。
【００２１】
画素駆動回路１４０では、列方向に沿って信号線１２０Ａ、行方向に沿って走査線１３０Ａがそれぞれ複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差部が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極（またはドレイン電極）に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２２】
（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）
図５は、有機ＥＬ素子１０Ｒ（有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）の断面構造について抜粋して示したものである。有機ＥＬ素子１０Ｒ（１０Ｇ，１０Ｂ）は、ボトムエミッション方式により発光を生じるものであり、平坦化膜１３上に、例えば第１電極１４、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）、第２電極１７、絶縁層１８および反射層１９を備えている。有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂはそれぞれ、赤色光，緑色光，青色光を発する発光層（赤色発光層，緑色発光層，青色発光層）を含むものである。
【００２３】
これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、画素分離膜１５によって分離されている（発光領域が区画されている）。詳細には、画素分離膜１５には複数の開口が形成されており、この開口部分に有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが形成されている。これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層２０により被覆されており、更にこの保護層２０上に接着層２１を介してガラス等よりなる封止用基板２２が貼り合わされており、これによって、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを含む表示領域全体が封止されている。
【００２４】
第１電極１４は、例えば有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの画素毎に設けられ、例えばアノードとして機能するものである。この第１電極１４の膜厚ｔ１は、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、透明導電膜、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜またはそれらのうちの２種以上からなる積層膜により構成されている。
【００２５】
画素分離膜１５は、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成されている。
【００２６】
有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂはそれぞれ、発光層（例えば、赤色発光層，緑色発光層または青色発光層）を含んでおり、電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じて、光を発生するようになっている。赤色発光層は、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。このような発光層をそれぞれ含む有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの膜厚ｔ２は、素子の全体構成や発光色によって相違するが、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍとなっている。
【００２７】
有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、また、上記のような発光層の他にも、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。具体的には、第１電極１４がアノードとして機能する場合には、この第１電極１４側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を積層した構造であってもよい。また、発光層または電子輸送層と、第２電極１７との間には、更に電子注入層が設けられていてもよい。更に、これらの正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層は、各画素に共通して形成されていてもよいし、画素毎に設けられていてもよい。
【００２８】
尚、ここでは、画素毎に赤色発光層、緑色発光層，青色発光層を設けた（画素毎に発光層を塗り分けた）場合について説明したが、発光層の構成は、これに限定されない。例えば、各画素に共通して白色発光層（例えば赤色発光層，緑色発光層および青色発光層の積層したもの）を設けてもよい。また、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇにはそれぞれ赤色，緑色の発光層が設けられ、青色の発光層が有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全てに共通して設けられていてもよい。
【００２９】
第２電極１７は、例えば有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられ、例えばカソードとして機能するものである。この第２電極１７は、例えばアルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）および銀（Ａｇ）のうちの少なくとも１種よりなる単体金属、またはそれらのうちの２種以上を含む合金から構成されている。第２電極１７は、そのような単体金属および合金のうちのいずれかよりなる単層膜であってもよいし、それらのうちの２種以上を積層した積層膜であってもよい。具体的には、第２電極１４としては、マグネシウムおよび銀の合金よりなる単層膜、アルミニウム単体よりなる単層膜、マグネシウムおよび銀の合金とカルシウムとの積層膜、およびアルミニウムとカルシウムとの積層膜などが用いられる。この第２電極１７は、理想的には、第１電極１４と絶縁された状態で有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ上に形成され、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。
【００３０】
本実施の形態では、この第２電極１７が薄膜化されている（上述の有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂよりも膜厚が薄くなっている）。具体的には、第２電極１７の膜厚ｔ３は、例えば３ｎｍ〜５０ｎｍであり、望ましくは２０ｎｍ以下、より望ましくは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。詳細は後述するが、第２電極１７が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることにより、シート抵抗を大幅に増大させることなく、異物による電気的影響を緩和することができるためである。
【００３１】
このような第２電極１７上には、絶縁層１８を介して反射層１９が設けられている。上述のように、有機ＥＬ表示装置１では、ボトムエミッション方式により発光を行うため、この第２電極１４側において光反射性を要する。ところが、上記のように第２電極１７を薄膜化した場合、十分な反射性能が得られない場合があるため、本実施の形態のように、第２電極１７とは別の層として反射層１９を設けることが望ましい。
【００３２】
反射層１９は、光反射性に優れた金属膜、例えばアルミニウム，銀，マグネシウムなどのうちのいずれか１種からなる単層膜、またはそれらのうちの２種以上からなる合金（例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ合金））等により構成されている。この反射層１９の厚みは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍである。
【００３３】
絶縁層１８は、そのような反射層１９と第２電極１７とを接触させることなく（非接触な状態で）配置させるための中間層であり、絶縁材料（導電性の極めて低い材料）により構成されている。ここでは、絶縁層１８が、例えば表示領域１１０内の全域にわたって形成されている。この絶縁層１８は、例えば酸化珪素（ＳｉＯx），窒化珪素（ＳｉＮx）および酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のうちのいずれかよりなる単層膜、またはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜などの無機絶縁膜により構成されている。これらの無機絶縁膜は、可視光の吸収率が比較的低いため、絶縁膜１８における光損失を抑えることができる。この絶縁層１８の膜厚は、例えば０．１μｍ以上２．０μｍである。
【００３４】
保護層２０は、例えば厚みが２〜５μｍであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００３５】
接着層２１は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性を有するエポキシ樹脂などよりなる。
【００３６】
封止用基板２２は、保護層２０および接着層２１と共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。この封止用基板２２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００３７】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず、駆動側基板１０上に、ＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、これらを覆うように、平坦化膜１３を、例えばスピンコート法，スリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化膜１３を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングすると共に、この平坦化膜１３に、ＴＦＴ１１および第１電極１４との導通を確保するためのコンタクトホールを形成する。この後、平坦化膜１３上に、コンタクトホールを埋め込むように、上述した材料よりなる第１電極１４を、例えばスパッタ法により成膜し、パターニングし、画素毎に分離する。
【００３８】
このようにして第１電極１４を形成した平坦化膜１３上に、上述した材料よりなる画素分離膜１５を、例えばスピンコート法，スリットコート法により成膜する。その後、図６に示したように、例えばフォトリソグラフィ法により、第１電極１４に対応する領域に開口Ｈ１を形成し、第１電極１４の表面を露出させる。
【００３９】
続いて、図７に示したように、画素分離膜１５の開口Ｈ１において、第１電極１４上に、有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成する。この際、発光層としては、例えば蒸着マスクを用いて、画素毎に赤色発光層，緑色発光層および青色発光層をそれぞれ真空蒸着法により成膜する。また、発光層の他に、正孔注入層，正孔輸送層および電子輸送層を成膜する場合には、これらの層については、画素毎に成膜してもよいし、表示領域１１０の全面にわたって成膜してもよい。
【００４０】
この後、図８に示したように、表示領域１１０の全面にわたって、上述した材料よりなる第２電極１７を例えばスパッタ法により成膜する。次いで、図示はしないが、形成した第２電極１７上の全面を覆って、上述した材料よりなる絶縁層１８を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により成膜する。この後、絶縁膜１８上に、上述した材料よりなる反射層１９を例えばスパッタ法により成膜することにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。
【００４１】
最後に、これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆って、保護層２０を形成した後、接着層２１を塗布して封止用基板２２を重ね合わせ、接着層２１を硬化させることにより、封止用基板２２を保護層２０上に貼り合わせる。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１を完成する。
【００４２】
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入される。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂにおける各発光層において、正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた各色の光のうち、第１電極１４側（下方）へ放たれた光は、そのまま第１電極１４を透過した後、駆動側基板１０の下方より出射する。一方、第２電極１７側（上方）へ放たれた光は、第２電極１７等によって反射された後、第１電極１４を透過して、駆動側基板１０の下方より出射する。このようにして、ボトムエミッション方式による発光がなされる。
【００４３】
このような有機ＥＬ表示装置１では、上述のように、画素毎に設けられた第１電極１４上に、有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂをそれぞれ形成した後、第２電極１７を表示領域１１０の全面に渡って形成する。ところが、この有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂおよび第２電極１７の成膜工程において、第１電極１４上に異物（パーティクル、埃や塵、第１電極１４表面に生じる突起物など）が付着し易い。以下、この異物の付着によって起こる電気的な影響について、比較例と比較しつつ説明する。
【００４４】
（比較例）
図９（Ａ）に、比較例１に係る素子構造における異物付着箇所について模式的に示す。このように、比較例１では、本実施の形態と同様、第１電極１０１上に、発光層を含む有機層１０２および第２電極１０３がこの順に積層されている。但し、この比較例１では、第２電極１０３の膜厚ｔ１０３が、例えば１００ｎｍ以上となっている。第１電極１４上に異物（Ｘ）が存在すると、有機層１０２の十分なカバレッジが得られない（例えば、図中のＡ１００のように有機層１０２が異物Ｘの端部付近において断線する）。このような有機層１０２上に、第２電極１０３を上記のような膜厚となるように成膜した場合、第２電極１０３を構成する金属材料が、異物Ｘの下方へ回り込むように成膜され（Ａ１００）、これによって、第１電極１０１と第２電極１０３との間で電気的短絡が生じてしまう。そして、このよう短絡が生じると、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置においては、短絡の生じた画素が欠陥となってしまう。また、パッシブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置においては、そのような箇所が欠線となって表れる。このように、異物の付着箇所に対応して、表示映像にいわゆる滅点が生じ、表示画質の劣化を招いてしまう。このため、次の比較例２のような対策も考えられる。
【００４５】
図９（Ｂ）に、比較例２に係る素子構造における異物付着箇所について模式的に示す。このように、比較例２では、上記比較例１の構造において、第１電極１０１と有機層１０２との間に高抵抗層１０４を設けた構造となっている。これにより、比較例２では、上記比較例１のように異物Ｘの付着により、第２電極１０３が異物Ｘの下方へ回り込むように成膜されている場合であっても、第２電極１０３と第１電極１０１とが電気的に導通しにくく、上記のような短絡の発生が抑制される。ところが、この比較例２の構成では、第１電極１０１と第２電極１０３との間に、高抵抗層１０４が設けられているため、有機層１０２の駆動電圧が高くなってしまう。
【００４６】
これに対し、本実施の形態では、上述のように、第２電極１７の薄膜化により、第１電極１４の表面に異物Ｘが付着し、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）のカバレッジが十分に得られなかった場合であっても、第１電極１４および第２電極１７間における電気的短絡の発生が抑制される。具体的には、図１０（Ａ）に示したように、断線の生じた有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）上に、成膜された第２電極１７では、異物Ｘの下方にまで回り込みにくく、第１電極１４との接触が生じにくい（Ａ１）。あるいは、図１０（Ｂ）に示したように、第２電極１７が異物Ｘの下方へ回り込んで形成された場合であっても、回り込み量が少なく膜厚が薄くなるため、抵抗が高くなる。このような理由から、本実施の形態では、第１電極１４および第２電極１７間において電気的短絡の発生が抑制される。
【００４７】
また、その第２電極１７の膜厚が２０ｎｍ以下であることにより、異物による第１電極と第２電極との間での短絡を減少させ、滅点を効果的に低減することができる。図１１に、第２電極１７の膜厚と滅点数との関係について示す。このように、膜厚２０ｎｍ以下において、滅点数が大幅に低減していることがわかる。また、図１２には、第２電極１７の膜厚とそのシート抵抗との関係について示す。このように、シート抵抗の観点においては、膜厚５ｎｍ未満では抵抗値が急激に増大するが、５ｎｍ以上では、略一定の低い値が保持されている。従って、これらの結果から、第２電極１７の膜厚は、上述のように、２０ｎｍ以下であることが望ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがより望ましい。
【００４８】
以上のように本実施の形態では、第１電極１４上に、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）および第２電極１７を順に積層してなる有機ＥＬ素子１０Ｒ（１０Ｇ，１０Ｂ）において、第２電極１７を薄膜化することにより、異物に起因する電気的短絡の発生を抑制できる。この際、第１電極１４および第２電極１７間に、高抵抗層を設けることがないため、高駆動電圧化を招くこともない。よって、消費電力を増大させることなく、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
【００４９】
また、第２電極１７上に反射層１９が設けられることにより、次のような効果を得ることができる。即ち、上記のように第２電極１７を薄膜化すると、第２電極１７における反射率が低下するが、そのような反射率の低下を反射層１９によって補うことができる。具体的には、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）から第２電極１７側へ放たれた光の一部が第２電極１７を透過した場合であっても、そのような光を反射層１９によって反射させ、下方へ導くことができる。よって、第２電極１７の薄膜化による光損失を低減することができ、表示画質の劣化を抑制可能となる。更に、そのような反射層１９を第２電極１７上に絶縁層１８を介して設けることにより、反射層１９と第２電極１７との電気的導通を防ぐことができる。
【００５０】
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００５１】
＜変形例１＞
図１３は、変形例１に係る有機ＥＬ素子の断面構成を表したものである。上記実施の形態では、第２電極１７と反射層１９との間に絶縁層１８を設けたが、第２電極１７と反射層１９との間に設ける中間層としては、必ずしも絶縁性を有していなくともよい。例えば、本変形例のように、高抵抗層１８Ａ（抵抗率が、例えば１×１０7Ω・ｍ〜１×１０10Ω・ｍ）を設けた構成としてもよい。
【００５２】
高抵抗層１８Ａは、例えば酸化ニオブ（ＮｂＯx），酸化チタン（ＴｉＯx），酸化モリブデン（ＭｏＯx），酸化タンタル（ＴａＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，または酸化珪素（ＳｉＯx）と酸化錫（ＳｎＯx）との混合物より構成されている。高抵抗層１８Ａの膜厚は、例えば０．１μｍ以上２．０μｍ以下である。
【００５３】
本変形例のように、第２電極１７上に、高抵抗層１８Ａを介して反射層１９を設けた構成としてもよく、このような場合であっても、第２電極１７と反射層１９との電気的導通を生じにくくすることができる。よって、上記実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。
【００５４】
＜変形例２＞
図１４は、変形例２に係る有機ＥＬ素子の断面構成を表したものである。上記実施の形態では、第２電極１７および反射層１９間において、絶縁層１８を表示領域１１０の全面にわたって設けた構成について説明したが、この絶縁層は、必ずしも表示領域１１０の全面に設けられていなくともよく、画素毎の選択的な領域にのみ設けられていてもよい。即ち、図１４に示したように、第１電極１４上の画素開口に相当する部分にのみ、絶縁層１８Ｂが設けられていてもよい。つまり、実質的に発光に寄与する領域においてのみ、第２電極１７と反射層１９とが非接触となっていればよい。絶縁層１８Ｂの構成材料や厚みについては、上記実施の形態における絶縁層１８と同様である。このような構成によっても、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００５５】
＜変形例３＞
図１５は、変形例３に係る有機ＥＬ素子の断面構成を表したものである。上記変形例２では、絶縁層１８Ｂが画素開口部分にのみ形成される場合について説明したが、この絶縁層１８Ｂに代えて高抵抗層１８Ｃを設けるようにしてもよい。高抵抗層１８Ｃの構成材料や厚み、抵抗率については、上記実施の形態における高抵抗層１８Ａと同様である。このような構成によっても、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００５６】
＜適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例で説明した有機ＥＬ表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００５７】
（モジュール）
上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動側基板１０の一辺に、封止用基板２２から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられている。
【００５８】
（適用例１）
図１７は、適用例１に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００５９】
（適用例２）
図１８は、適用例２に係るデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００６０】
（適用例３）
図１９は、適用例３に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００６１】
（適用例４）
図２０は、適用例４に係るビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００６２】
（適用例５）
図２１は、適用例５に係る携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００６３】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００６４】
また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…駆動側基板、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…ＴＦＴ、１３…平坦化膜、１４…第１電極、１５…画素分離膜、１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ…有機層、１７…第２電極、１８…絶縁層、１９…反射層、２０…保護層、２１…接着層、２２…封止用基板。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機材料の電界発光（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像表示を行う有機ＥＬ表示装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のＥＬ現象を利用して発光する有機ＥＬ素子は、第１電極（アノード）上に、発光層を含む有機層を介して第２電極（カソード）を設けたものであり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。このような有機ＥＬ素子を画素として用いた有機ＥＬ表示装置は、様々な用途に利用されている。
【０００３】
ところが、有機ＥＬ表示装置では、第１電極の表面に異物が付着していた場合、第１電極に対する有機層の十分なカバレッジが得られず、第１電極および第２電極間で電気的短絡（ショート）が生じることがある。この電気的短絡が生じた部分は、滅点となり画質劣化を引き起こしてしまう。
【０００４】
そこで、いわゆるボトムエミッション構造を有する有機ＥＬ表示装置において、第１電極（透明電極）と第２電極（反射電極）との間に高抵抗層を設けることにより、上記のような電気的短絡を抑制する手法が提案されている（特許文献１，２参照）。具体的には、特許文献１では、第１電極と有機層との間に高抵抗層を設け、特許文献２では、第２電極を２層構造とし、そのうち有機層に近い側の電極層を高抵抗にする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−０３５６６７号公報
【特許文献２】特開２００５−２０９６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１，２の手法では、第１電極および第２電極間に高抵抗となる層を有するので、駆動電圧が高くなり、消費電力が増大するという問題がある。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、消費電力を増大させることなく、表示画質の劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、光取り出し面を有する基板側から順に、第１電極と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、有機層よりも小さな膜厚を有する第２電極とを備えたものである。
【０００９】
本発明の電子機器は、上記本発明の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
【００１０】
本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器では、光取り出し面を有する基板側から順に、第１電極と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、第２電極とを備え、この第２電極が有機層よりも小さな膜厚を有する。これにより、第１電極上に異物が付着していた場合であっても、第１電極および第２電極間における電気的短絡が生じにくくなる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器によれば、光取り出し面を有する基板側から順に、第１電極と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、有機層よりも小さな膜厚を有する第２電極とを設ける。これにより、第１電極および第２電極間に、高抵抗層を設けることなく（即ち、高駆動電圧化を招くことなく）、異物に起因する電気的短絡の発生を抑制することができる。よって、消費電力を増大させることなく、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図２】ＴＦＴ上にカラーフィルタを設けた断面構成の一例を表す図である。
【図３】図１に示した基板上の駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図３に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図５】図１に示した有機ＥＬ素子（画素）の断面構成を表す図である。
【図６】図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】比較例の構造において異物が付着していた場合の電気的影響について説明するための模式図である。
【図１０】実施例の構造において異物が付着していた場合の電気的影響について説明するための模式図である。
【図１１】第２電極の膜厚と滅点数との関係を表す特性図である。
【図１２】第２電極の膜厚とシート抵抗との関係を表す特性図である。
【図１３】変形例１に係る有機ＥＬ素子（画素）の概略構成を表す断面図である。
【図１４】変形例２に係る有機ＥＬ素子（画素）の概略構成を表す断面図である。
【図１５】変形例３に係る有機ＥＬ素子（画素）の概略構成を表す断面図である。
【図１６】上記実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１７】上記実施の形態等の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１８】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２１】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（薄膜化した第２電極上に絶縁層を介して反射層を設けた有機ＥＬ表示装置の例）
２．変形例１（第２電極と反射層との間に高抵抗層を設けた例）
３．変形例２（絶縁層を画素開口部にのみ選択的に設けた例）
４．変形例３（高抵抗層を画素開口部にのみ選択的に設けた例）
５．適用例（電子機器への適用例）
【００１４】
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、いわゆるボトムエミッション方式（下面発光方式）により発光を生じるものであり、例えば、駆動側基板１０上に、赤色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｂが例えばマトリクス状に配置されたものである。これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、表示領域（後述の表示領域１１０）を構成する画素（サブピクセル）であり、例えばこれらのＲ，Ｇ，Ｂの３つのサブピクセルが１つのピクセルとして機能するようになっている。
【００１５】
駆動側基板１０は、例えば、石英、ガラス、金属箔、シリコン、プラスチック等からなる。この駆動側基板１０上（駆動側基板１０の表面側）には、ＴＦＴ１１を含む駆動回路（後述の画素駆動回路１４０等）が配設されている。駆動側基板１０の裏面は、光取り出し面となっている。ＴＦＴ１１は、例えばゲート電極，ソース電極およびドレイン電極と、チャネルを形成する半導体層（いずれも図示せず）とを備えており、平坦化膜１３によって被覆されている。
【００１６】
尚、この駆動側基板１０のＴＦＴ１１上には、例えばカラーフィルタが設けられていてもよい。図２にその一例を示す。このように、ＴＦＴ１１を被覆して無機絶縁膜１１１が設けられており、この無機絶縁膜１１１上の第１電極１４に対向する領域にカラーフィルタ１１２が形成されている。これらの無機絶縁膜１１１およびカラーフィルタ１１２を覆うように、平坦化膜１３が設けられている。平坦化膜１３上に配設される第１電極１４は、無機絶縁膜１１１および平坦化膜１３を貫通するコンタクトホールを介してＴＦＴ１１に電気的に接続されている。カラーフィルタ１１２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して配置された赤色，緑色または青色のフィルタを有し、例えば顔料や染料を混入した樹脂より構成されている。このようなカラーフィルタ１１２を設けることにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した各色光を取り出すことができる。
【００１７】
また更に、図示しないブラックマトリクス（遮光膜）が設けられていてもよく、これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間および配線等において反射された外光を吸収し、コントラストを改善することができる。遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。
【００１８】
ＴＦＴ１１は、例えば後述の画素駆動回路１４０における駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２に相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。
【００１９】
平坦化膜１３は、例えば例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜よりなる。あるいは、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx），窒化シリコン（ＳｉＮx）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜より構成されていてもよい。この平坦化膜１３上に、上述の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成されている。平坦化膜１３には、図示しないコンタクトホールが形成されており、このコンタクトホールを介してＴＦＴ１１（ソース電極またはドレイン電極）と、後述の第１電極１４とが電気的に接続されている。
【００２０】
（回路構成）
図３は、駆動側基板１０上に配設される駆動回路の一例を表すものである。駆動側基板１０上には、表示領域１１０に画素駆動回路１４０が設けられ、表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。図４は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１４の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２（前述のＴＦＴ１１の相当）と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）を有している。
【００２１】
画素駆動回路１４０では、列方向に沿って信号線１２０Ａ、行方向に沿って走査線１３０Ａがそれぞれ複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差部が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極（またはドレイン電極）に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２２】
（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）
図５は、有機ＥＬ素子１０Ｒ（有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）の断面構造について抜粋して示したものである。有機ＥＬ素子１０Ｒ（１０Ｇ，１０Ｂ）は、ボトムエミッション方式により発光を生じるものであり、平坦化膜１３上に、例えば第１電極１４、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）、第２電極１７、絶縁層１８および反射層１９を備えている。有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂはそれぞれ、赤色光，緑色光，青色光を発する発光層（赤色発光層，緑色発光層，青色発光層）を含むものである。
【００２３】
これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、画素分離膜１５によって分離されている（発光領域が区画されている）。詳細には、画素分離膜１５には複数の開口が形成されており、この開口部分に有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが形成されている。これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層２０により被覆されており、更にこの保護層２０上に接着層２１を介してガラス等よりなる封止用基板２２が貼り合わされており、これによって、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを含む表示領域全体が封止されている。
【００２４】
第１電極１４は、例えば有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの画素毎に設けられ、例えばアノードとして機能するものである。この第１電極１４の膜厚ｔ１は、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、透明導電膜、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜またはそれらのうちの２種以上からなる積層膜により構成されている。
【００２５】
画素分離膜１５は、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成されている。
【００２６】
有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂはそれぞれ、発光層（例えば、赤色発光層，緑色発光層または青色発光層）を含んでおり、電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じて、光を発生するようになっている。赤色発光層は、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。このような発光層をそれぞれ含む有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの膜厚ｔ２は、素子の全体構成や発光色によって相違するが、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍとなっている。
【００２７】
有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、また、上記のような発光層の他にも、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。具体的には、第１電極１４がアノードとして機能する場合には、この第１電極１４側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を積層した構造であってもよい。また、発光層または電子輸送層と、第２電極１７との間には、更に電子注入層が設けられていてもよい。更に、これらの正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層は、各画素に共通して形成されていてもよいし、画素毎に設けられていてもよい。
【００２８】
尚、ここでは、画素毎に赤色発光層、緑色発光層，青色発光層を設けた（画素毎に発光層を塗り分けた）場合について説明したが、発光層の構成は、これに限定されない。例えば、各画素に共通して白色発光層（例えば赤色発光層，緑色発光層および青色発光層の積層したもの）を設けてもよい。また、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇにはそれぞれ赤色，緑色の発光層が設けられ、青色の発光層が有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全てに共通して設けられていてもよい。
【００２９】
第２電極１７は、例えば有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられ、例えばカソードとして機能するものである。この第２電極１７は、例えばアルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）および銀（Ａｇ）のうちの少なくとも１種よりなる単体金属、またはそれらのうちの２種以上を含む合金から構成されている。第２電極１７は、そのような単体金属および合金のうちのいずれかよりなる単層膜であってもよいし、それらのうちの２種以上を積層した積層膜であってもよい。具体的には、第２電極１４としては、マグネシウムおよび銀の合金よりなる単層膜、アルミニウム単体よりなる単層膜、マグネシウムおよび銀の合金とカルシウムとの積層膜、およびアルミニウムとカルシウムとの積層膜などが用いられる。この第２電極１７は、理想的には、第１電極１４と絶縁された状態で有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ上に形成され、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。
【００３０】
本実施の形態では、この第２電極１７が薄膜化されている（上述の有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂよりも膜厚が薄くなっている）。具体的には、第２電極１７の膜厚ｔ３は、例えば３ｎｍ〜５０ｎｍであり、望ましくは２０ｎｍ以下、より望ましくは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。詳細は後述するが、第２電極１７が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることにより、シート抵抗を大幅に増大させることなく、異物による電気的影響を緩和することができるためである。
【００３１】
このような第２電極１７上には、絶縁層１８を介して反射層１９が設けられている。上述のように、有機ＥＬ表示装置１では、ボトムエミッション方式により発光を行うため、この第２電極１４側において光反射性を要する。ところが、上記のように第２電極１７を薄膜化した場合、十分な反射性能が得られない場合があるため、本実施の形態のように、第２電極１７とは別の層として反射層１９を設けることが望ましい。
【００３２】
反射層１９は、光反射性に優れた金属膜、例えばアルミニウム，銀，マグネシウムなどのうちのいずれか１種からなる単層膜、またはそれらのうちの２種以上からなる合金（例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ合金））等により構成されている。この反射層１９の厚みは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍである。
【００３３】
絶縁層１８は、そのような反射層１９と第２電極１７とを接触させることなく（非接触な状態で）配置させるための中間層であり、絶縁材料（導電性の極めて低い材料）により構成されている。ここでは、絶縁層１８が、例えば表示領域１１０内の全域にわたって形成されている。この絶縁層１８は、例えば酸化珪素（ＳｉＯx），窒化珪素（ＳｉＮx）および酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のうちのいずれかよりなる単層膜、またはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜などの無機絶縁膜により構成されている。これらの無機絶縁膜は、可視光の吸収率が比較的低いため、絶縁膜１８における光損失を抑えることができる。この絶縁層１８の膜厚は、例えば０．１μｍ以上２．０μｍである。
【００３４】
保護層２０は、例えば厚みが２〜５μｍであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００３５】
接着層２１は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性を有するエポキシ樹脂などよりなる。
【００３６】
封止用基板２２は、保護層２０および接着層２１と共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。この封止用基板２２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００３７】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず、駆動側基板１０上に、ＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、これらを覆うように、平坦化膜１３を、例えばスピンコート法，スリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化膜１３を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングすると共に、この平坦化膜１３に、ＴＦＴ１１および第１電極１４との導通を確保するためのコンタクトホールを形成する。この後、平坦化膜１３上に、コンタクトホールを埋め込むように、上述した材料よりなる第１電極１４を、例えばスパッタ法により成膜し、パターニングし、画素毎に分離する。
【００３８】
このようにして第１電極１４を形成した平坦化膜１３上に、上述した材料よりなる画素分離膜１５を、例えばスピンコート法，スリットコート法により成膜する。その後、図６に示したように、例えばフォトリソグラフィ法により、第１電極１４に対応する領域に開口Ｈ１を形成し、第１電極１４の表面を露出させる。
【００３９】
続いて、図７に示したように、画素分離膜１５の開口Ｈ１において、第１電極１４上に、有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成する。この際、発光層としては、例えば蒸着マスクを用いて、画素毎に赤色発光層，緑色発光層および青色発光層をそれぞれ真空蒸着法により成膜する。また、発光層の他に、正孔注入層，正孔輸送層および電子輸送層を成膜する場合には、これらの層については、画素毎に成膜してもよいし、表示領域１１０の全面にわたって成膜してもよい。
【００４０】
この後、図８に示したように、表示領域１１０の全面にわたって、上述した材料よりなる第２電極１７を例えばスパッタ法により成膜する。次いで、図示はしないが、形成した第２電極１７上の全面を覆って、上述した材料よりなる絶縁層１８を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により成膜する。この後、絶縁膜１８上に、上述した材料よりなる反射層１９を例えばスパッタ法により成膜することにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。
【００４１】
最後に、これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆って、保護層２０を形成した後、接着層２１を塗布して封止用基板２２を重ね合わせ、接着層２１を硬化させることにより、封止用基板２２を保護層２０上に貼り合わせる。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１を完成する。
【００４２】
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入される。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂにおける各発光層において、正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた各色の光のうち、第１電極１４側（下方）へ放たれた光は、そのまま第１電極１４を透過した後、駆動側基板１０の下方より出射する。一方、第２電極１７側（上方）へ放たれた光は、第２電極１７等によって反射された後、第１電極１４を透過して、駆動側基板１０の下方より出射する。このようにして、ボトムエミッション方式による発光がなされる。
【００４３】
このような有機ＥＬ表示装置１では、上述のように、画素毎に設けられた第１電極１４上に、有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂをそれぞれ形成した後、第２電極１７を表示領域１１０の全面に渡って形成する。ところが、この有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂおよび第２電極１７の成膜工程において、第１電極１４上に異物（パーティクル、埃や塵、第１電極１４表面に生じる突起物など）が付着し易い。以下、この異物の付着によって起こる電気的な影響について、比較例と比較しつつ説明する。
【００４４】
（比較例）
図９（Ａ）に、比較例１に係る素子構造における異物付着箇所について模式的に示す。このように、比較例１では、本実施の形態と同様、第１電極１０１上に、発光層を含む有機層１０２および第２電極１０３がこの順に積層されている。但し、この比較例１では、第２電極１０３の膜厚ｔ１０３が、例えば１００ｎｍ以上となっている。第１電極１４上に異物（Ｘ）が存在すると、有機層１０２の十分なカバレッジが得られない（例えば、図中のＡ１００のように有機層１０２が異物Ｘの端部付近において断線する）。このような有機層１０２上に、第２電極１０３を上記のような膜厚となるように成膜した場合、第２電極１０３を構成する金属材料が、異物Ｘの下方へ回り込むように成膜され（Ａ１００）、これによって、第１電極１０１と第２電極１０３との間で電気的短絡が生じてしまう。そして、このよう短絡が生じると、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置においては、短絡の生じた画素が欠陥となってしまう。また、パッシブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置においては、そのような箇所が欠線となって表れる。このように、異物の付着箇所に対応して、表示映像にいわゆる滅点が生じ、表示画質の劣化を招いてしまう。このため、次の比較例２のような対策も考えられる。
【００４５】
図９（Ｂ）に、比較例２に係る素子構造における異物付着箇所について模式的に示す。このように、比較例２では、上記比較例１の構造において、第１電極１０１と有機層１０２との間に高抵抗層１０４を設けた構造となっている。これにより、比較例２では、上記比較例１のように異物Ｘの付着により、第２電極１０３が異物Ｘの下方へ回り込むように成膜されている場合であっても、第２電極１０３と第１電極１０１とが電気的に導通しにくく、上記のような短絡の発生が抑制される。ところが、この比較例２の構成では、第１電極１０１と第２電極１０３との間に、高抵抗層１０４が設けられているため、有機層１０２の駆動電圧が高くなってしまう。
【００４６】
これに対し、本実施の形態では、上述のように、第２電極１７の薄膜化により、第１電極１４の表面に異物Ｘが付着し、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）のカバレッジが十分に得られなかった場合であっても、第１電極１４および第２電極１７間における電気的短絡の発生が抑制される。具体的には、図１０（Ａ）に示したように、断線の生じた有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）上に、成膜された第２電極１７では、異物Ｘの下方にまで回り込みにくく、第１電極１４との接触が生じにくい（Ａ１）。あるいは、図１０（Ｂ）に示したように、第２電極１７が異物Ｘの下方へ回り込んで形成された場合であっても、回り込み量が少なく膜厚が薄くなるため、抵抗が高くなる。このような理由から、本実施の形態では、第１電極１４および第２電極１７間において電気的短絡の発生が抑制される。
【００４７】
また、その第２電極１７の膜厚が２０ｎｍ以下であることにより、異物による第１電極と第２電極との間での短絡を減少させ、滅点を効果的に低減することができる。図１１に、第２電極１７の膜厚と滅点数との関係について示す。このように、膜厚２０ｎｍ以下において、滅点数が大幅に低減していることがわかる。また、図１２には、第２電極１７の膜厚とそのシート抵抗との関係について示す。このように、シート抵抗の観点においては、膜厚５ｎｍ未満では抵抗値が急激に増大するが、５ｎｍ以上では、略一定の低い値が保持されている。従って、これらの結果から、第２電極１７の膜厚は、上述のように、２０ｎｍ以下であることが望ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがより望ましい。
【００４８】
以上のように本実施の形態では、第１電極１４上に、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）および第２電極１７を順に積層してなる有機ＥＬ素子１０Ｒ（１０Ｇ，１０Ｂ）において、第２電極１７を薄膜化することにより、異物に起因する電気的短絡の発生を抑制できる。この際、第１電極１４および第２電極１７間に、高抵抗層を設けることがないため、高駆動電圧化を招くこともない。よって、消費電力を増大させることなく、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
【００４９】
また、第２電極１７上に反射層１９が設けられることにより、次のような効果を得ることができる。即ち、上記のように第２電極１７を薄膜化すると、第２電極１７における反射率が低下するが、そのような反射率の低下を反射層１９によって補うことができる。具体的には、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）から第２電極１７側へ放たれた光の一部が第２電極１７を透過した場合であっても、そのような光を反射層１９によって反射させ、下方へ導くことができる。よって、第２電極１７の薄膜化による光損失を低減することができ、表示画質の劣化を抑制可能となる。更に、そのような反射層１９を第２電極１７上に絶縁層１８を介して設けることにより、反射層１９と第２電極１７との電気的導通を防ぐことができる。
【００５０】
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００５１】
＜変形例１＞
図１３は、変形例１に係る有機ＥＬ素子の断面構成を表したものである。上記実施の形態では、第２電極１７と反射層１９との間に絶縁層１８を設けたが、第２電極１７と反射層１９との間に設ける中間層としては、必ずしも絶縁性を有していなくともよい。例えば、本変形例のように、高抵抗層１８Ａ（抵抗率が、例えば１×１０7Ω・ｍ〜１×１０10Ω・ｍ）を設けた構成としてもよい。
【００５２】
高抵抗層１８Ａは、例えば酸化ニオブ（ＮｂＯx），酸化チタン（ＴｉＯx），酸化モリブデン（ＭｏＯx），酸化タンタル（ＴａＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，または酸化珪素（ＳｉＯx）と酸化錫（ＳｎＯx）との混合物より構成されている。高抵抗層１８Ａの膜厚は、例えば０．１μｍ以上２．０μｍ以下である。
【００５３】
本変形例のように、第２電極１７上に、高抵抗層１８Ａを介して反射層１９を設けた構成としてもよく、このような場合であっても、第２電極１７と反射層１９との電気的導通を生じにくくすることができる。よって、上記実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。
【００５４】
＜変形例２＞
図１４は、変形例２に係る有機ＥＬ素子の断面構成を表したものである。上記実施の形態では、第２電極１７および反射層１９間において、絶縁層１８を表示領域１１０の全面にわたって設けた構成について説明したが、この絶縁層は、必ずしも表示領域１１０の全面に設けられていなくともよく、画素毎の選択的な領域にのみ設けられていてもよい。即ち、図１４に示したように、第１電極１４上の画素開口に相当する部分にのみ、絶縁層１８Ｂが設けられていてもよい。つまり、実質的に発光に寄与する領域においてのみ、第２電極１７と反射層１９とが非接触となっていればよい。絶縁層１８Ｂの構成材料や厚みについては、上記実施の形態における絶縁層１８と同様である。このような構成によっても、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００５５】
＜変形例３＞
図１５は、変形例３に係る有機ＥＬ素子の断面構成を表したものである。上記変形例２では、絶縁層１８Ｂが画素開口部分にのみ形成される場合について説明したが、この絶縁層１８Ｂに代えて高抵抗層１８Ｃを設けるようにしてもよい。高抵抗層１８Ｃの構成材料や厚み、抵抗率については、上記実施の形態における高抵抗層１８Ａと同様である。このような構成によっても、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００５６】
＜適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例で説明した有機ＥＬ表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００５７】
（モジュール）
上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動側基板１０の一辺に、封止用基板２２から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられている。
【００５８】
（適用例１）
図１７は、適用例１に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００５９】
（適用例２）
図１８は、適用例２に係るデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００６０】
（適用例３）
図１９は、適用例３に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００６１】
（適用例４）
図２０は、適用例４に係るビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００６２】
（適用例５）
図２１は、適用例５に係る携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００６３】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００６４】
また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…駆動側基板、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…ＴＦＴ、１３…平坦化膜、１４…第１電極、１５…画素分離膜、１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ…有機層、１７…第２電極、１８…絶縁層、１９…反射層、２０…保護層、２１…接着層、２２…封止用基板。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光取り出し面を有する基板側から順に、
第１電極と、
少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、
前記有機層よりも小さな膜厚を有する第２電極と
を備えた有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２電極上に、前記第２電極と非接触となるように配置された反射層を有する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第２電極の厚みは、２０ｎｍ以下である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２電極の厚みは、５ｎｍ以上である
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第２電極は、マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）の合金よりなる単層膜、アルミニウム（Ａｌ）単体よりなる単層膜、マグネシウムおよび銀の合金とカルシウム（Ｃａ）との積層膜、またはアルミニウムとカルシウムとの積層膜よりなる
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第２電極と前記反射層との間に絶縁層が設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記絶縁層は、酸化珪素（ＳｉＯx），窒化珪素（ＳｉＮx）および酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のうちのいずれかよりなる単層膜、または前記シリコン酸化膜，前記シリコン窒化膜および前記シリコン酸窒化膜のうちの２種以上よりなる積層膜である
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、０．１μｍ以上２μｍ以下である
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
複数の画素を含み、
前記第１電極は、前記画素毎に配設されており、
前記絶縁層は、前記第２電極上において、前記第１電極に対向する選択的な領域に設けられている
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極と前記反射層との間に高抵抗層が設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記高抵抗層は、酸化ニオブ（ＮｂＯx），酸化チタン（ＴｉＯx），酸化モリブデン（ＭｏＯx），酸化タンタル（ＴａＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，または酸化珪素（ＳｉＯx）と酸化錫（ＳｎＯx）との混合物よりなる
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記高抵抗層の厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下である
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
複数の画素を含み、
前記第１電極は、前記画素毎に配設されており、
前記高抵抗層は、前記第２電極上において、前記第１電極に対向する選択的な領域に設けられている
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
光取り出し面を有する基板側から順に、
第１電極と、
少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、
前記有機層よりも小さな膜厚を有する第２電極と、
を有する有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
【請求項１】
光取り出し面を有する基板側から順に、
第１電極と、
少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、
前記有機層よりも小さな膜厚を有する第２電極と
を備えた有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２電極上に、前記第２電極と非接触となるように配置された反射層を有する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第２電極の厚みは、２０ｎｍ以下である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２電極の厚みは、５ｎｍ以上である
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第２電極は、マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）の合金よりなる単層膜、アルミニウム（Ａｌ）単体よりなる単層膜、マグネシウムおよび銀の合金とカルシウム（Ｃａ）との積層膜、またはアルミニウムとカルシウムとの積層膜よりなる
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第２電極と前記反射層との間に絶縁層が設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記絶縁層は、酸化珪素（ＳｉＯx），窒化珪素（ＳｉＮx）および酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のうちのいずれかよりなる単層膜、または前記シリコン酸化膜，前記シリコン窒化膜および前記シリコン酸窒化膜のうちの２種以上よりなる積層膜である
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、０．１μｍ以上２μｍ以下である
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
複数の画素を含み、
前記第１電極は、前記画素毎に配設されており、
前記絶縁層は、前記第２電極上において、前記第１電極に対向する選択的な領域に設けられている
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極と前記反射層との間に高抵抗層が設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記高抵抗層は、酸化ニオブ（ＮｂＯx），酸化チタン（ＴｉＯx），酸化モリブデン（ＭｏＯx），酸化タンタル（ＴａＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，または酸化珪素（ＳｉＯx）と酸化錫（ＳｎＯx）との混合物よりなる
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記高抵抗層の厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下である
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
複数の画素を含み、
前記第１電極は、前記画素毎に配設されており、
前記高抵抗層は、前記第２電極上において、前記第１電極に対向する選択的な領域に設けられている
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
光取り出し面を有する基板側から順に、
第１電極と、
少なくとも有機電界発光層を含む有機層と、
前記有機層よりも小さな膜厚を有する第２電極と、
を有する有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１２−２０９０１８（Ｐ２０１２−２０９０１８Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７１４８６（Ｐ２０１１−７１４８６）
【出願日】平成２３年３月２９日（２０１１．３．２９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２９日（２０１１．３．２９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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