有機ＥＬ表示装置及びアレイ基板
【課題】有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した有機ＥＬ表示装置で、輝度ムラ及び滅点が生じるのを抑制する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢ上に配置された導体パターンＤＥと、導体パターンＤＥの一部を被覆すると共に導体パターンＤＥの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜ＴＭとこの中で分散した複数の透明粒子ＰＴＣとを含んだ光散乱層ＬＣと、貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層ＯＣと、光散乱層ＬＣ上に配置され、貫通孔を介して導体パターンＤＥに接続された電極ＰＥと、電極ＰＥと向き合った電極ＣＥと、電極ＰＥ及びＣＥ間に介在した発光層ＯＲＧとを含んだ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを具備する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢ上に配置された導体パターンＤＥと、導体パターンＤＥの一部を被覆すると共に導体パターンＤＥの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜ＴＭとこの中で分散した複数の透明粒子ＰＴＣとを含んだ光散乱層ＬＣと、貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層ＯＣと、光散乱層ＬＣ上に配置され、貫通孔を介して導体パターンＤＥに接続された電極ＰＥと、電極ＰＥと向き合った電極ＣＥと、電極ＰＥ及びＣＥ間に介在した発光層ＯＲＧとを含んだ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置及びアレイ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は自己発光表示装置であるため、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子の輝度は、これに流す電流の大きさに応じて増加する。しかしながら、電流密度を高めると、消費電力が大きくなるのに加え、有機ＥＬ素子の寿命が著しく短くなる。したがって、高輝度、低消費電力、長寿命を同時に実現するには、発光層が放出する光を有機ＥＬ素子の外部へとより効率的に取り出すこと，すなわち光の取り出し効率を向上させること，が重要である。
【０００４】
この問題に対し、特許文献１には、有機ＥＬ素子の一方の電極に回折格子又はゾーンプレートの機能を付与することが記載されている。しかしながら、そのような構造を採用した有機ＥＬ表示装置は製造が難しい。
【０００５】
高い光取り出し効率は、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置することでも実現可能である。この構造を採用した有機ＥＬ表示装置は、製造が比較的容易である。
【０００６】
しかしながら、本発明者らは、本発明を為すに際し、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した有機ＥＬ表示装置は、輝度ムラや滅点などを生じ易いことを見い出している。
【特許文献１】特開平１１−２８３７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した有機ＥＬ表示装置で、輝度ムラ及び滅点が生じるのを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された導体パターンと、前記導体パターンの一部を被覆すると共に前記導体パターンの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜とこの中で分散した複数の透明粒子とを含んだ光散乱層と、前記貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層と、前記光散乱層上に配置され、前記貫通孔を介して前記導体パターンに接続された第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１及び第２電極間に介在した発光層とを含んだ有機ＥＬ素子とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００９】
本発明の第２側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された導体パターンと、前記導体パターンの一部を被覆すると共に前記導体パターンの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜とこの中で分散した複数の透明粒子とを含んだ光散乱層と、前記貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層と、前記光散乱層上に配置され、前記貫通孔を介して前記導体パターンに接続された電極とを具備したことを特徴とするアレイ基板が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した有機ＥＬ表示装置で、輝度ムラ及び滅点が生じるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す部分断面図である。図３は、図２の構造の一部を拡大して示す部分断面図である。なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。
【００１３】
図１の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、例えば、ガラス基板などの光透過性を有する絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。
【００１４】
基板ＳＵＢ上には、図２及び図３に示すアンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。
【００１５】
アンダーコート層ＵＣ上では、例えばソース及びドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣが配列している。
【００１６】
半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成され得る。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、ゲートＧＥが配列している。半導体層ＳＣとゲートＧＥとゲート絶縁膜ＧＩとは、トップゲート型のＴＦＴを構成している。本態様では、これらＴＦＴは、ｐチャネルＴＦＴであり、図１の画素ＰＸが含む駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃとして利用している。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２がさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。
【００１９】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、後述するキャパシタＣの下部電極（図示せず）がさらに配列している。下部電極は、駆動制御素子ＤＲのゲートＧＥに接続されている。
【００２０】
ゲートＧＥと走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と下部電極とは、同一の工程で形成可能である。これらの材料としては、例えば、モリブデンとタングステンとの合金を使用することができる。
【００２１】
ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲートＧＥ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに下部電極は、図２及び図３に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる。この層間絶縁膜ＩＩのうち下部電極上の部分は、キャパシタＣの誘電体層として利用する。
【００２２】
層間絶縁膜ＩＩ上では、図２と図３とに示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが配列している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００２３】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬ及び電源線ＰＳＬがさらに配置されている。映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。また、電源線ＰＳＬは、本態様では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２４】
層間絶縁膜ＩＩ上では、図１に示すキャパシタＣの上部電極（図示せず）がさらに配列している。上部電極は、定電位端子ＮＤ１’に接続されている。
【００２５】
上部電極と映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、同一工程で形成可能である。これらは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。
【００２６】
ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、及び上部電極は、図２及び図３に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどからなる。
【００２７】
パッシベーション膜ＰＳ上では、図２に示す反射層ＲＦが配列している。反射層ＲＦの材料としては、例えばアルミニウムなどの金属又は合金を使用することができる。
【００２８】
パッシベーション膜ＰＳ及び反射層ＲＦは、光散乱層ＬＳで被覆されている。光散乱層ＬＳは、透明膜ＴＭと、この中で分散すると共に透明膜ＴＭとは屈折率が異なる複数の透明粒子ＰＴＣとを含んでいる。透明膜ＴＭは、例えば透明樹脂からなる。透明粒子ＰＴＣは、例えば、透明無機材料又は透明樹脂からなる。典型的には、透明粒子ＰＴＣは透明無機材料からなり、透明膜ＴＭと比較して屈折率がより大きい。ここでは、一例として、透明粒子ＰＴＣは、透明膜ＴＭと比較して屈折率がより大きいこととする。
【００２９】
パッシベーション膜ＰＳ及び光散乱層ＬＳには、スイッチＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに対応した位置に貫通孔が形成されている。これら貫通孔は、順テーパ状である。
【００３０】
各貫通孔の側壁は、オーバーコート層ＯＣで被覆されている。本態様では、オーバーコート層ＯＣは、光散乱層ＬＳの上面のうち貫通孔の開口近傍の領域もさらに被覆している。オーバーコート層ＯＣの材料としては、例えば、アクリル樹脂などの樹脂を使用することができる。
【００３１】
パッシベーション膜ＰＳ上では、前面電極として、光透過性の画素電極ＰＥが配列している。各画素電極ＰＥは、図２及び図３に示すように、先の貫通孔を介して、スイッチＳＷａのドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００３２】
画素電極ＰＥは、本態様では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などの透明導電性酸化物を使用することができる。
【００３３】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、隔壁絶縁層ＰＩが配置されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００３４】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００３５】
画素電極ＰＥ上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００３６】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、背面電極である対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された共通電極であり、本態様では光反射性の陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥで構成されている。
【００３７】
各画素ＰＸは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素回路とを含んでいる。本態様では、画素回路は、図１に示すように、駆動制御素子ＤＲと、出力制御スイッチＳＷａと、映像信号供給制御スイッチＳＷｂと、ダイオード接続スイッチＳＷｃと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、本態様では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネルＴＦＴである。また、本態様では、映像信号供給制御スイッチＳＷｂとダイオード接続スイッチＳＷｃとは、駆動制御素子ＤＲのドレインと映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのゲートとの接続状態を、それらが互いに接続された第１状態と、それらが互いから遮断された第２状態との間で切り替えるスイッチ群を構成している。
【００３８】
駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。本態様では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３９】
出力制御スイッチＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。映像信号供給制御スイッチＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷｃは駆動制御素子ＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。
【００４０】
なお、この有機ＥＬ表示装置のうち絶縁基板ＳＵＢから画素電極ＰＥまでの構造がアレイ基板に相当している。アレイ基板は、隔壁絶縁層ＰＩをさらに含むことができる。また、アレイ基板は、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲをさらに含むことができる。
【００４１】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る画素ＰＸに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。
【００４２】
スイッチＳＷａを閉じている有効表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００４３】
この有機ＥＬ表示装置では、光散乱層ＬＳは、以下に説明するように、光の取り出し効率を高める役割を果たす。
【００４４】
光散乱層ＬＳを省略した場合、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光層が放出する光の一部は、画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧとの積層体又は画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧと対向電極ＣＥの積層体（以下、導波層という）内で反射又は全反射を繰り返しながら膜面方向に伝播する。この膜面方向に伝播する光は、導波層の主面に対する入射角が大きいと、外部に取り出すことができない。
【００４５】
図２の構造では、導波層の近傍に光散乱層ＬＳを配置している。また、透明粒子ＰＴＣから画素電極ＰＥまでの距離の最小値は、画素電極ＰＥと透明膜ＴＭとの界面に臨界角よりも大きな入射角で入射したときに生じるエバネッセント波のしみ出し深さの最大値未満である。そのため、このエバネッセント波の少なくとも一部は、透明膜ＴＭと透明粒子ＰＴＣとの界面で伝播光へと変換され、反射層ＲＦへ向けて進行する。なお、「エバネッセント波のしみ出し深さ」は、上記界面におけるエバネッセント波のエネルギーを１としたときに、エバネッセント波のエネルギーが１／ｅにまで減少する深さを意味する。
【００４６】
この伝播光は、透明膜ＴＭと透明粒子ＰＴＣとの界面を通過する毎に進行方向を変化させる。それゆえ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへと戻った伝播光の少なくとも一部は、界面に臨界角よりも小さな入射角で入射する。したがって、発光層が放出する光を、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの外部へと、より高い効率で取り出すことが可能となる。
【００４７】
さて、この有機ＥＬ表示装置は、オーバーコート層ＯＣを省略した有機ＥＬ表示装置と比較して輝度ムラ及び滅点が生じ難い。これについて、以下に説明する。
【００４８】
図４は、比較例に係る有機ＥＬ表示装置の構造を概略的に示す部分断面図である。図５は、図４の構造の一部を拡大して示す部分断面図である。比較例に係る有機ＥＬ表示装置は、オーバーコート層ＯＣを省略したこと以外は、図１乃至図３を参照して説明した有機ＥＬ表示装置と同様の構造を有している。
【００４９】
貫通孔が設けられた光散乱層ＬＳは、例えば、透明粒子ＰＴＣと感光性樹脂とを含有した塗工液をパッシベーション膜ＰＳ上に塗布し、塗膜をパターン露光及び現像することにより得られる。或いは、パッシベーション膜ＰＳ上に透明膜ＴＭと透明粒子ＰＴＣとを含有した光散乱層ＬＳ及びレジストパターンを順次形成し、レジストパターンをマスクとして用いて光散乱層ＬＳをエッチングすることにより得られる。
【００５０】
前者の方法によると、透明粒子ＰＴＣと感光性樹脂との現像液に対する溶解性の相違に起因して、光散乱層ＬＳの貫通孔の側壁は、図３及び図５に示すように凸凹になる。また、後者の方法によると、透明膜ＴＭと透明粒子ＰＴＣとのエッチング速度の相違に起因して、光散乱層ＬＳの貫通孔の側壁は、図３及び図５に示すように凸凹になる。そのため、図４及び図５に示すようにオーバーコート層ＯＣを省略した場合、光散乱層ＬＳの貫通孔内で、画素電極ＰＥの厚さが不均一になるか、又は、画素電極ＰＥに不連続部を生じる可能性がある。
【００５１】
光散乱層ＬＳの貫通孔側壁の凹凸形状は、貫通孔毎に異なる。そのため、前者の場合、画素電極ＰＥのうち光散乱層ＬＳの貫通孔内に位置した部分の抵抗値が画素ＰＸ間でばらつき、表示ムラを生じる。また、後者の場合、画素電極ＰＥのうち光散乱層ＬＳの上面を被覆している部分への電力供給が不可能となり、滅点を生じることとなる。
【００５２】
これに対し、図２及び図３に示すように光散乱層ＬＳの貫通孔側壁をオーバーコート層ＯＣで被覆すると、貫通孔側壁の凹凸が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの電力供給に与える影響を小さくすることができる。したがって、本態様に係る有機ＥＬ表示装置は、オーバーコート層ＯＣを省略した有機ＥＬ表示装置と比較して輝度ムラ及び滅点が生じ難い。
【００５３】
透明粒子ＰＴＣの平均粒径は例えば約０．０３μｍ乃至約１μｍの範囲内とし、オーバーコート層ＯＣの厚さは例えば約２００ｎｍ乃至約５μｍとする。典型的には、透明粒子ＰＴＣの平均粒径は典型的には約０．３μｍとし、オーバーコート層ＯＣの厚さは約１μｍとする。
【００５４】
本態様では、画素電極ＰＥとドレイン電極ＤＥとを接続するための貫通孔の側壁をオーバーコート層ＯＣで被覆したが、他の貫通孔の側壁をオーバーコート層ＯＣで被覆してもよい。例えば、対向電極ＣＥと電極又は配線とを接続するための貫通孔の側壁をオーバーコート層ＯＣで被覆してもよい。
【００５５】
本態様では、本発明を下面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用したが、本発明は上面発光型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。また、本態様では、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す部分断面図。
【図３】図２の構造の一部を拡大して示す部分断面図。
【図４】比較例に係る有機ＥＬ表示装置の構造を概略的に示す部分断面図。
【図５】図４の構造の一部を拡大して示す部分断面図。
【符号の説明】
【００５７】
Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＲ…駆動制御素子、ＧＥ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＬＳ…光散乱層、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＣ…オーバーコート層、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＴＣ…透明粒子、ＰＸ…画素、ＲＦ…反射層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチ、ＳＷｂ…スイッチ、ＳＷｃ…スイッチ、ＴＭ…透明膜、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置及びアレイ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は自己発光表示装置であるため、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子の輝度は、これに流す電流の大きさに応じて増加する。しかしながら、電流密度を高めると、消費電力が大きくなるのに加え、有機ＥＬ素子の寿命が著しく短くなる。したがって、高輝度、低消費電力、長寿命を同時に実現するには、発光層が放出する光を有機ＥＬ素子の外部へとより効率的に取り出すこと，すなわち光の取り出し効率を向上させること，が重要である。
【０００４】
この問題に対し、特許文献１には、有機ＥＬ素子の一方の電極に回折格子又はゾーンプレートの機能を付与することが記載されている。しかしながら、そのような構造を採用した有機ＥＬ表示装置は製造が難しい。
【０００５】
高い光取り出し効率は、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置することでも実現可能である。この構造を採用した有機ＥＬ表示装置は、製造が比較的容易である。
【０００６】
しかしながら、本発明者らは、本発明を為すに際し、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した有機ＥＬ表示装置は、輝度ムラや滅点などを生じ易いことを見い出している。
【特許文献１】特開平１１−２８３７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した有機ＥＬ表示装置で、輝度ムラ及び滅点が生じるのを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された導体パターンと、前記導体パターンの一部を被覆すると共に前記導体パターンの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜とこの中で分散した複数の透明粒子とを含んだ光散乱層と、前記貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層と、前記光散乱層上に配置され、前記貫通孔を介して前記導体パターンに接続された第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１及び第２電極間に介在した発光層とを含んだ有機ＥＬ素子とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００９】
本発明の第２側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された導体パターンと、前記導体パターンの一部を被覆すると共に前記導体パターンの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜とこの中で分散した複数の透明粒子とを含んだ光散乱層と、前記貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層と、前記光散乱層上に配置され、前記貫通孔を介して前記導体パターンに接続された電極とを具備したことを特徴とするアレイ基板が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した有機ＥＬ表示装置で、輝度ムラ及び滅点が生じるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す部分断面図である。図３は、図２の構造の一部を拡大して示す部分断面図である。なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。
【００１３】
図１の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、例えば、ガラス基板などの光透過性を有する絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。
【００１４】
基板ＳＵＢ上には、図２及び図３に示すアンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。
【００１５】
アンダーコート層ＵＣ上では、例えばソース及びドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣが配列している。
【００１６】
半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成され得る。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、ゲートＧＥが配列している。半導体層ＳＣとゲートＧＥとゲート絶縁膜ＧＩとは、トップゲート型のＴＦＴを構成している。本態様では、これらＴＦＴは、ｐチャネルＴＦＴであり、図１の画素ＰＸが含む駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃとして利用している。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２がさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。
【００１９】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、後述するキャパシタＣの下部電極（図示せず）がさらに配列している。下部電極は、駆動制御素子ＤＲのゲートＧＥに接続されている。
【００２０】
ゲートＧＥと走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と下部電極とは、同一の工程で形成可能である。これらの材料としては、例えば、モリブデンとタングステンとの合金を使用することができる。
【００２１】
ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲートＧＥ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに下部電極は、図２及び図３に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる。この層間絶縁膜ＩＩのうち下部電極上の部分は、キャパシタＣの誘電体層として利用する。
【００２２】
層間絶縁膜ＩＩ上では、図２と図３とに示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが配列している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００２３】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬ及び電源線ＰＳＬがさらに配置されている。映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。また、電源線ＰＳＬは、本態様では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２４】
層間絶縁膜ＩＩ上では、図１に示すキャパシタＣの上部電極（図示せず）がさらに配列している。上部電極は、定電位端子ＮＤ１’に接続されている。
【００２５】
上部電極と映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、同一工程で形成可能である。これらは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。
【００２６】
ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、及び上部電極は、図２及び図３に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどからなる。
【００２７】
パッシベーション膜ＰＳ上では、図２に示す反射層ＲＦが配列している。反射層ＲＦの材料としては、例えばアルミニウムなどの金属又は合金を使用することができる。
【００２８】
パッシベーション膜ＰＳ及び反射層ＲＦは、光散乱層ＬＳで被覆されている。光散乱層ＬＳは、透明膜ＴＭと、この中で分散すると共に透明膜ＴＭとは屈折率が異なる複数の透明粒子ＰＴＣとを含んでいる。透明膜ＴＭは、例えば透明樹脂からなる。透明粒子ＰＴＣは、例えば、透明無機材料又は透明樹脂からなる。典型的には、透明粒子ＰＴＣは透明無機材料からなり、透明膜ＴＭと比較して屈折率がより大きい。ここでは、一例として、透明粒子ＰＴＣは、透明膜ＴＭと比較して屈折率がより大きいこととする。
【００２９】
パッシベーション膜ＰＳ及び光散乱層ＬＳには、スイッチＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに対応した位置に貫通孔が形成されている。これら貫通孔は、順テーパ状である。
【００３０】
各貫通孔の側壁は、オーバーコート層ＯＣで被覆されている。本態様では、オーバーコート層ＯＣは、光散乱層ＬＳの上面のうち貫通孔の開口近傍の領域もさらに被覆している。オーバーコート層ＯＣの材料としては、例えば、アクリル樹脂などの樹脂を使用することができる。
【００３１】
パッシベーション膜ＰＳ上では、前面電極として、光透過性の画素電極ＰＥが配列している。各画素電極ＰＥは、図２及び図３に示すように、先の貫通孔を介して、スイッチＳＷａのドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００３２】
画素電極ＰＥは、本態様では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などの透明導電性酸化物を使用することができる。
【００３３】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、隔壁絶縁層ＰＩが配置されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００３４】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００３５】
画素電極ＰＥ上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００３６】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、背面電極である対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された共通電極であり、本態様では光反射性の陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥで構成されている。
【００３７】
各画素ＰＸは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素回路とを含んでいる。本態様では、画素回路は、図１に示すように、駆動制御素子ＤＲと、出力制御スイッチＳＷａと、映像信号供給制御スイッチＳＷｂと、ダイオード接続スイッチＳＷｃと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、本態様では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネルＴＦＴである。また、本態様では、映像信号供給制御スイッチＳＷｂとダイオード接続スイッチＳＷｃとは、駆動制御素子ＤＲのドレインと映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのゲートとの接続状態を、それらが互いに接続された第１状態と、それらが互いから遮断された第２状態との間で切り替えるスイッチ群を構成している。
【００３８】
駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。本態様では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３９】
出力制御スイッチＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。映像信号供給制御スイッチＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷｃは駆動制御素子ＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。
【００４０】
なお、この有機ＥＬ表示装置のうち絶縁基板ＳＵＢから画素電極ＰＥまでの構造がアレイ基板に相当している。アレイ基板は、隔壁絶縁層ＰＩをさらに含むことができる。また、アレイ基板は、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲをさらに含むことができる。
【００４１】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る画素ＰＸに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。
【００４２】
スイッチＳＷａを閉じている有効表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００４３】
この有機ＥＬ表示装置では、光散乱層ＬＳは、以下に説明するように、光の取り出し効率を高める役割を果たす。
【００４４】
光散乱層ＬＳを省略した場合、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光層が放出する光の一部は、画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧとの積層体又は画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧと対向電極ＣＥの積層体（以下、導波層という）内で反射又は全反射を繰り返しながら膜面方向に伝播する。この膜面方向に伝播する光は、導波層の主面に対する入射角が大きいと、外部に取り出すことができない。
【００４５】
図２の構造では、導波層の近傍に光散乱層ＬＳを配置している。また、透明粒子ＰＴＣから画素電極ＰＥまでの距離の最小値は、画素電極ＰＥと透明膜ＴＭとの界面に臨界角よりも大きな入射角で入射したときに生じるエバネッセント波のしみ出し深さの最大値未満である。そのため、このエバネッセント波の少なくとも一部は、透明膜ＴＭと透明粒子ＰＴＣとの界面で伝播光へと変換され、反射層ＲＦへ向けて進行する。なお、「エバネッセント波のしみ出し深さ」は、上記界面におけるエバネッセント波のエネルギーを１としたときに、エバネッセント波のエネルギーが１／ｅにまで減少する深さを意味する。
【００４６】
この伝播光は、透明膜ＴＭと透明粒子ＰＴＣとの界面を通過する毎に進行方向を変化させる。それゆえ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへと戻った伝播光の少なくとも一部は、界面に臨界角よりも小さな入射角で入射する。したがって、発光層が放出する光を、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの外部へと、より高い効率で取り出すことが可能となる。
【００４７】
さて、この有機ＥＬ表示装置は、オーバーコート層ＯＣを省略した有機ＥＬ表示装置と比較して輝度ムラ及び滅点が生じ難い。これについて、以下に説明する。
【００４８】
図４は、比較例に係る有機ＥＬ表示装置の構造を概略的に示す部分断面図である。図５は、図４の構造の一部を拡大して示す部分断面図である。比較例に係る有機ＥＬ表示装置は、オーバーコート層ＯＣを省略したこと以外は、図１乃至図３を参照して説明した有機ＥＬ表示装置と同様の構造を有している。
【００４９】
貫通孔が設けられた光散乱層ＬＳは、例えば、透明粒子ＰＴＣと感光性樹脂とを含有した塗工液をパッシベーション膜ＰＳ上に塗布し、塗膜をパターン露光及び現像することにより得られる。或いは、パッシベーション膜ＰＳ上に透明膜ＴＭと透明粒子ＰＴＣとを含有した光散乱層ＬＳ及びレジストパターンを順次形成し、レジストパターンをマスクとして用いて光散乱層ＬＳをエッチングすることにより得られる。
【００５０】
前者の方法によると、透明粒子ＰＴＣと感光性樹脂との現像液に対する溶解性の相違に起因して、光散乱層ＬＳの貫通孔の側壁は、図３及び図５に示すように凸凹になる。また、後者の方法によると、透明膜ＴＭと透明粒子ＰＴＣとのエッチング速度の相違に起因して、光散乱層ＬＳの貫通孔の側壁は、図３及び図５に示すように凸凹になる。そのため、図４及び図５に示すようにオーバーコート層ＯＣを省略した場合、光散乱層ＬＳの貫通孔内で、画素電極ＰＥの厚さが不均一になるか、又は、画素電極ＰＥに不連続部を生じる可能性がある。
【００５１】
光散乱層ＬＳの貫通孔側壁の凹凸形状は、貫通孔毎に異なる。そのため、前者の場合、画素電極ＰＥのうち光散乱層ＬＳの貫通孔内に位置した部分の抵抗値が画素ＰＸ間でばらつき、表示ムラを生じる。また、後者の場合、画素電極ＰＥのうち光散乱層ＬＳの上面を被覆している部分への電力供給が不可能となり、滅点を生じることとなる。
【００５２】
これに対し、図２及び図３に示すように光散乱層ＬＳの貫通孔側壁をオーバーコート層ＯＣで被覆すると、貫通孔側壁の凹凸が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの電力供給に与える影響を小さくすることができる。したがって、本態様に係る有機ＥＬ表示装置は、オーバーコート層ＯＣを省略した有機ＥＬ表示装置と比較して輝度ムラ及び滅点が生じ難い。
【００５３】
透明粒子ＰＴＣの平均粒径は例えば約０．０３μｍ乃至約１μｍの範囲内とし、オーバーコート層ＯＣの厚さは例えば約２００ｎｍ乃至約５μｍとする。典型的には、透明粒子ＰＴＣの平均粒径は典型的には約０．３μｍとし、オーバーコート層ＯＣの厚さは約１μｍとする。
【００５４】
本態様では、画素電極ＰＥとドレイン電極ＤＥとを接続するための貫通孔の側壁をオーバーコート層ＯＣで被覆したが、他の貫通孔の側壁をオーバーコート層ＯＣで被覆してもよい。例えば、対向電極ＣＥと電極又は配線とを接続するための貫通孔の側壁をオーバーコート層ＯＣで被覆してもよい。
【００５５】
本態様では、本発明を下面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用したが、本発明は上面発光型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。また、本態様では、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す部分断面図。
【図３】図２の構造の一部を拡大して示す部分断面図。
【図４】比較例に係る有機ＥＬ表示装置の構造を概略的に示す部分断面図。
【図５】図４の構造の一部を拡大して示す部分断面図。
【符号の説明】
【００５７】
Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＲ…駆動制御素子、ＧＥ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＬＳ…光散乱層、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＣ…オーバーコート層、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＴＣ…透明粒子、ＰＸ…画素、ＲＦ…反射層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチ、ＳＷｂ…スイッチ、ＳＷｃ…スイッチ、ＴＭ…透明膜、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置された導体パターンと、
前記導体パターンの一部を被覆すると共に前記導体パターンの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜とこの中で分散した複数の透明粒子とを含んだ光散乱層と、
前記貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層と、
前記光散乱層上に配置され、前記貫通孔を介して前記導体パターンに接続された第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１及び第２電極間に介在した発光層とを含んだ有機ＥＬ素子とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記オーバーコート層は樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１電極は、前記光散乱層と前記第２電極との間に介在したことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置された導体パターンと、
前記導体パターンの一部を被覆すると共に前記導体パターンの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜とこの中で分散した複数の透明粒子とを含んだ光散乱層と、
前記貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層と、
前記光散乱層上に配置され、前記貫通孔を介して前記導体パターンに接続された電極とを具備したことを特徴とするアレイ基板。
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置された導体パターンと、
前記導体パターンの一部を被覆すると共に前記導体パターンの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜とこの中で分散した複数の透明粒子とを含んだ光散乱層と、
前記貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層と、
前記光散乱層上に配置され、前記貫通孔を介して前記導体パターンに接続された第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１及び第２電極間に介在した発光層とを含んだ有機ＥＬ素子とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記オーバーコート層は樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１電極は、前記光散乱層と前記第２電極との間に介在したことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置された導体パターンと、
前記導体パターンの一部を被覆すると共に前記導体パターンの他の一部に対応した位置に貫通孔が設けられ、透明膜とこの中で分散した複数の透明粒子とを含んだ光散乱層と、
前記貫通孔の側壁を被覆したオーバーコート層と、
前記光散乱層上に配置され、前記貫通孔を介して前記導体パターンに接続された電極とを具備したことを特徴とするアレイ基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−１８８７７８（Ｐ２００７−１８８７７８Ａ）
【公開日】平成１９年７月２６日（２００７．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−６２７１（Ｐ２００６−６２７１）
【出願日】平成１８年１月１３日（２００６．１．１３）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１５年独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「高効率有機デバイスの開発事業」委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年７月２６日（２００７．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月１３日（２００６．１．１３）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１５年独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「高効率有機デバイスの開発事業」委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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