有機ＥＬ表示装置
【課題】白色有機材料の特性に合わせた発光領域の制御を画素毎に行うことによって最適な色合成を実現することのできる有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に順に形成された、光を反射する反射層と、光透過性を有する複数の第１電極と、これら複数の第１電極を覆うとともに発光層を含む１層以上の有機層と、半透過反射性を有する第２電極とを含む画素を複数備えた有機ＥＬ表示装置であって、反射層と第２電極の間の反射によって共振する光の波長が異なる色の画素ごとに第１電極の膜厚が異なっており、基板上には、第１電極の周縁部分を覆うようにして絶縁膜が設けられ、絶縁膜は、第１電極の表面を部分的に露出させるとともに画素ごとに開口面積を異ならせた開口を有していることを特徴とする。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に順に形成された、光を反射する反射層と、光透過性を有する複数の第１電極と、これら複数の第１電極を覆うとともに発光層を含む１層以上の有機層と、半透過反射性を有する第２電極とを含む画素を複数備えた有機ＥＬ表示装置であって、反射層と第２電極の間の反射によって共振する光の波長が異なる色の画素ごとに第１電極の膜厚が異なっており、基板上には、第１電極の周縁部分を覆うようにして絶縁膜が設けられ、絶縁膜は、第１電極の表面を部分的に露出させるとともに画素ごとに開口面積を異ならせた開口を有していることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光素子として形成し、発光素子の発光光を基板と反対側に取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ装置が、電子機器の表示装置などとして多用されている。トップエミッション方式は、発光素子（有機ＥＬ素子）を挟み基板側に形成された一方の第１電極（例えば画素電極）と基板との間に反射層を形成し、発光素子を挟む他方の第２電極（例えば対向電極）側から光を取り出す方式であって、光の利用効率が高い方式である。このような有機ＥＬ素子は、薄型・軽量といった特徴を有し、直視型ディスプレイや各種の照明用途としての応用が提案されている。
【０００３】
さらに、トップエミッション方式において、発光素子を挟む基板と反対側の第２電極からの光の取り出し効率を高めて高輝度な表示を得るために、反射層を形成する構成が知られている。また、色純度を高める技術として、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの波長に合わせて光強度を強め合うよう、光路長を最適化するキャビティ構造を具備する技術が開示されている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
特に、マイクロディスプレイのような１インチ未満の超小型有機ＥＬ表示装置においては、精細度の制約上からＲＧＢに対応する発光層を形成する際に各色の発光材料の塗り分けが難しい。この場合は、白色の発光材料を用いて各色の画素に共通する発光層を形成し、その上方にＲＧＢのカラーフィルターを重ねることによって各色の合成を行っている。このとき、キャビティ構造を用いて光路長をＲＧＢ毎に変えることにより異なる光共振構造を形成する。これにより、ＲＧＢの各スペクトルを持つ光を生成することができるとともに、カラーフィルターを光が通過することでさらにスペクトルピークが高められた光が出射されることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−９６８００号公報
【特許文献２】特開２００６−３２３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の技術では、白色有機材料の特性（スペクトル特性や電流−輝度効率など）からバランスの良いＲＧＢの光束を得ることは容易ではない。これは、各色の発光強度が均一でないことと、有機材料の寿命の観点から特定色の発光強度のみを強めることができないことに起因する。これに対するアプローチとして、上記特許文献１では各色の画素ピッチを変調させているが、マイクロディスプレイに応用することは製造上難しい。また、寄生容量が各色で異なるため色ムラなどの原因にもなるという課題がある。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、白色有機材料の特性に合わせた発光領域の制御を画素毎に行うことによって最適な色合成を実現することのできる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に順に形成された、光を反射する反射層と、光透過性を有する複数の第１電極と、これら複数の第１電極を覆うとともに発光層を含む１層以上の有機層と、半透過反射性を有する第２電極とを含む画素を複数備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記反射層と前記第２電極の間の反射によって共振する光の波長が異なる色の前記画素ごとに前記第１電極の膜厚が異なっており、前記基板上には、前記第１電極の周縁部分を覆うようにして絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜は、前記第１電極の表面を部分的に露出させるとともに前記画素ごとに開口面積を異ならせた開口を有していることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、色毎に第１電極の膜厚を異ならせることによって、反射層と第２電極との間の光路長に応じた波長を有する光が反射層と第２電極との間で共振し、共振した光が第２電極側から射出されることになる。このような共振器構造において、絶縁膜の開口の大きさを異ならせることで各色の発光面積を制御することにより、各画素の発光状態を均一にすることができる。これにより、各画素からは、発光光量が略等しい各色の光が射出され、最適な色合成を実現することができる。また、本発明では、画素ごとに有機層を形成する必要がないため狭ピッチな画素配列を実現でき、マイクロディスプレイなどの微小な表示画面にも対応可能となる。
【００１０】
また、前記波長が短い色ほど前記開口面積が大きくなるように形成されている構成としてもよい。
これによれば各画素の発光状態を均一にすることができる。また、従来の製造方法を用いて容易に形成することができ、簡単な構成のためコストを抑えられる。
【００１１】
また、前記第１電極が単一の電極層あるいは積層された複数の電極層により構成され、前記第１電極の前記表面と前記基板の表面との間に形成される段差部分が前記絶縁膜によって覆われている構成としてもよい。
これによれば、第１電極を複数の電極層による積層構造とすることで、第１電極の周縁部分には段差が形成されることになるが、この段差部分を絶縁膜で覆うことにより、第１電極と有機層とを部分的に絶縁し、段差上の有機層に電流が流れないようにする。これにより、第１電極の周縁部分（側面）に段差が形成された場合でも、段差上の有機層から意図しない発光スペクトルの光が射出されてしまうのを防止することができる。これにより各画素周縁における色むらの発生を防ぐことができる。
【００１２】
また、前記画素内に前記波長の異なるサブ画素を複数有し、前記絶縁膜に前記サブ画素ごとに前記開口面積が異なる開口が形成されている構成としてもよい。
これによれば、波長の異なる複数のサブ画素によって表示単位画素が構成され、その結果、各サブ画素から得られる色を混色させてフルカラー表示を行うことが可能である。
【００１３】
また、前記画素同士の間の距離Ｌ１と前記サブ画素同士の間の距離Ｌ２とがＬ１＜Ｌ２の関係にあり、かつ、前記画素同士の間の領域に形成された絶縁膜の膜厚が、前記サブ画素同士の間に形成された絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されている構成としてもよい。
これによれば、第１電極間において絶縁膜の膜厚を部分的に厚膜化することによって、その上に積層される有機層の材料の付きまわりを良くすることができる。これにより、有機層が部分的に薄膜化されてこの部分に電流が流されてしまうことが防止されるので、開口周縁における意図しない発光をなくすことができる。これにより、各画素からは純粋な色の光が得られるようになる。
【００１４】
また、前記第１電極の平面視における大きさが各画素で等しい構成としてもよい。
これによれば、第１電極の平面視における大きさが各画素で等しいため、第１電極のパターン形成を容易に行える。
【００１５】
また、前記反射層が前記画素ごとにパターン形成されている構成としてもよい。
これによれば、反射層を画素ごとにパターン形成することで材料コストを削減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態における有機ＥＬ表示装置の構成を示す平面図。
【図２】実施形態における有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す回路図。
【図３】表示単位画素の構造を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図４】有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す断面図。
【図５】各サブ画素における画素電極の膜厚を示す模式図。
【図６】絶縁膜の構成を１画素領域に着目して示す平面図。
【図７】第２実施形態の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１８】
［第１実施形態］
図１は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置の構成を示す平面図である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０Ａ上の表示領域４には、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応して設けられたサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇがマトリクス状に規則的に配置されている。これらＲ，Ｇ，Ｂに対応する３つのサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇが一つの基本単位となって表示単位画素３を構成しており、これによって、表示単位画素３はＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。このとき、各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇの配列は、一方向にＲ，Ｇ，Ｂが繰り返し並ぶように配列されている。
【００１９】
図２は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に平行して延在する複数の電源供給線１０３とがそれぞれ配線された回路構成を有するとともに、走査線１０１および信号線１０２の各交点付近に、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応するサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇが設けられている。これら３つのサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇは走査線１０１の延在方向に沿ってこの順番に設けられる。
【００２０】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタおよびアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１２０が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタおよびレベルシフタ等を備える走査側駆動回路８０が接続されている。
【００２１】
サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、この保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動トランジスタ１２３と、この駆動トランジスタ１２３を介して電源供給線１０３に電気的に接続した時に当該電源供給線１０３から駆動電流が与えられる画素電極（第１電極）１６と、この画素電極１６と対向電極との間に有機ＥＬ発光層が挟み込まれてなる有機ＥＬ素子７と、が設けられている。
【００２２】
図３は、表示単位画素の構造を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
図３（ａ），（ｂ）に示すように、表示単位画素３を構成するサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇは互いに異なる大きさの発光領域１７を有している。ここで、発光領域１７とは、対向電極（第２電極）１８、有機ＥＬ発光層（発光層）１９および各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが重なって積層形成された領域である。本実施形態では、表示単位画素３内における各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ同士の距離Ｌ１は１．５μｍとなっている。さらに、表示単位画素間の距離Ｌ２はサブ画素間の距離Ｌ１よりも大きく、Ｌ１＜Ｌ２の関係となっている。
【００２３】
図４は、有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す断面図、図５は、各サブ画素における画素電極の膜厚を示す模式図である。また、図６は、絶縁膜の構成を１画素領域に着目して示す平面図である。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、トップエミッション構造であって、図４に示すように、基板１０Ａ上の表示領域４（図１）内におけるサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに、有機ＥＬ素子７とこの有機ＥＬ素子７を発光駆動させる駆動回路８とが設けられたアクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０上に電気光学層３０を介して対向配置されたカラーフィルター基板２０とを備えている。
【００２４】
以下、各構成要素について具体的に述べる。
図４に示すように、駆動回路８は、基板１０Ａ上に形成されたデバイス層１２の内部に形成され、薄膜トランジスタ（不図示）、駆動トランジスタ１２３、保持容量１１３、画素電極１６により構成される。
薄膜トランジスタ（不図示）および駆動トランジスタ１２３は、基板１０Ａ上に形成された半導体層４１ａのドレイン領域に接続されたドレイン電極４１ｄと、半導体層４１ａのソース領域と接続されたソース電極４１ｃと、半導体層４１ａを覆うゲート絶縁膜４１ｂ上に形成されたゲート電極４１ｅとで構成されている。ドレイン電極４１ｄおよびソース電極４１ｃは層間絶縁膜４３上に形成されている。そして、ドレイン電極４１ｄは、電源供給線１０３に接続され、ソース電極４１ｃは、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄを覆うように形成されたカバー層４４および平坦化膜４５，４６を貫通して形成された各コンタクトホールＨを介して、対応する各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと接続されている。
【００２５】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００はトップエミッション構造を有していることから、有機ＥＬ素子７の発光光が対向電極１８側から射出するように、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと基板１０Ａとの間には各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応する反射層１４が複数設けられている。
【００２６】
反射層１４は、デバイス層１２の表面上にサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとにパターン形成されたものであり、光反射率の高い材料より形成されている。反射層１４の形成材料として、例えば、アルミニウム、銀、あるいは銀の合金などが挙げられる。反射層１４は、有機ＥＬ素子７の発光光のうち、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを透過して基板１０Ａ側に射出される光を反射して対向電極１８側へと射出させる。なお、反射層１４は、デバイス層１２の表面上の領域（コンタクトホールＨの形成領域を除く領域）全体にベタ状に形成されていてもよい。
【００２７】
デバイス層１２（平坦化層４６）の表面上には、サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが形成されている。この画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、その全てが平面視において反射層１４と重なる領域に形成されており、複数の透明電極膜による積層構造あるいは、単一の透明電極膜による単層構造とされている。具体的には、画素３Ｒの画素電極１６Ｒは３層の透明電極膜（電極層）１６ａ，１６ｂ，１６ｃからなり、画素３Ｇの画素電極１６Ｇは２層の透明電極膜１６ｂ，１６ｃからなり、画素３Ｂの画素電極１６Ｂは１層の透明電極膜１６ｃからなっている。
【００２８】
各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成する際には、まず、画素３Ｒに対応する領域に膜厚４０ｎｍの第１透明電極膜１６ａを形成する。その後、第１透明電極膜１６ａの略全体を覆うようにして第２透明電極膜１６ｂを形成し、同時に、画素３Ｇに対応する領域にも第２透明電極膜１６ｂを形成する。この第２透明電極膜１６ｂの膜厚は４０ｎｍである。
【００２９】
次に、画素３Ｒおよび画素３Ｇ内に第２透明電極膜１６ｂの略全体を覆うようにして膜厚２０ｎｍの第３透明電極膜１６ｃを形成し、同時に、画素３Ｂに対応する領域にも第３透明電極膜１６ｃを形成する。この結果、図５に示すように、画素３Ｒの画素電極１６Ｒの膜厚ｔ１は１００ｎｍ、画素３Ｇの画素電極１６Ｇの膜厚ｔ２は６０ｎｍ、画素３Ｂの画素電極１６Ｂの膜厚ｔ３は２０ｎｍとなる。このようにして、サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに総膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを設ける。なお、平面視矩形状を呈する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの大きさ（表面積）は互いに等しい。このような画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部は絶縁膜２２によって覆われている。
【００３０】
絶縁膜２２は、デバイス層１２の表面１２ａ（露出した部分）から各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１上に一部乗り上げるようにして周縁部１６２を覆い、所定の膜厚で形成されている。本実施形態における絶縁膜２２の膜厚は２０ｎｍである。ここで、隣り合う画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂどうしの総膜厚は異なるものの、隣り合うサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ間に形成される絶縁膜２２の厚さは一定であり、同一工程においてパターン形成される。
デバイス層１２の表面１２ａと各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１との間に形成される段差部Ｑはこの絶縁膜２２によって覆われている。
【００３１】
本実施形態の絶縁膜２２は、各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面中央側を部分的に露出させるとともに、各色のサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに開口面積を異ならせた開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを有している。開口面積を各色のサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに異ならせることにより、これよりも上層に積層される有機ＥＬ発光層１９の発光領域を制御することができる。
具体的に、各色に対応する開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂはどれも平面視における画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面積よりも小さい開口面積を有し、反射層１４と対向電極１８の間の反射によって共振する光の波長に応じた開口面積に調整されている。
【００３２】
図６に示すように、絶縁膜２２に形成された開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの長手方向の長さＬ３は各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで等しく、例えば１１μｍである。短手方向の幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は色毎に異なっており、Ｗ１＝２．５μｍ、Ｗ２＝３．０μｍ、Ｗ３＝３．５μｍである。よって、各色に対応する開口面積の関係は、サブ画素３Ｒの開口面積＜サブ画素３Ｇの開口面積＜サブ画素３Ｂの開口面積となり、共振する光の波長が短い色の画素ほど開口面積が大きい。絶縁膜２２に形成された各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの開口面積に応じて上記した各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇの発光領域が設定されることになる。
図４に戻り、絶縁膜２２とその各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂから露出する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１を覆うようにして有機ＥＬ発光層１９が形成されている。
【００３３】
有機ＥＬ発光層１９は、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ側から、例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層などの、有機層からなる各機能層（有機ＥＬ発光層１９以外は不図示）が順に積層されたものであり、積層された複数の機能層の総厚は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇにおいて略同じ厚さで形成されている。
【００３４】
また、各機能層は、例えば、アミン系有機材料などといった有機材料によって形成されている。有機ＥＬ発光層１９は、青色発光機能層と黄色発光機能層が積層され、発光領域から白色光を射出するように構成されている。なお、有機ＥＬ素子７を構成する各機能層は、これに限定されず、正孔注入層と正孔輸送層とが同一層とされた構成や、有機ＥＬ発光層１９が全ての機能層を兼ねた構成など、他の構成であっても良い。
【００３５】
対向電極１８は、半透過反射性を有する材料を用いて、有機ＥＬ発光層１９の表面全体にベタ状に形成されている。上記した画素電極１６は導電性を有するとともに光透過性を有する材料で形成されている。一方、光路中に存在する対向電極１８は、例えば光が透過する程度に薄く形成された金属材料や、光透過性と光反射性を両方備えた材料で形成されている。これにより、反射層１４において反射された光は画素電極１６を透過して対向電極１８へと入射し、その一部が画素電極１６側へ反射され、再び反射層１４で反射されることになる。この結果、反射層１４と対向電極１８との間の光路長に応じた波長を有する光が、反射層１４と対向電極１８との間で共振し、共振した光が対向電極１８側から射出されることになる。
【００３６】
アクティブマトリクス基板１０上に電気光学層３０を介して対向配置されるカラーフィルター基板２０は、ガラス基板などの透明基板２０Ａ上に遮光膜２１によって区画されたＲフィルター２Ｒ、Ｇフィルター２Ｇ、Ｂフィルター２Ｂが各色に対応するサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇの配列に合わせて形成されたものであって、各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの発光領域と重なるように配置されている。各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの形状は、各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの平面形状に沿った矩形形状とされている。また、これら各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの表面積は、それぞれ対応する絶縁膜２２の各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの開口面積に略等しい。
【００３７】
そして、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの各発光領域から射出された白色光は、Ｒフィルター２Ｒ、Ｇフィルター２Ｇ、Ｂフィルター２Ｂによって、それぞれＲ光、Ｇ光、Ｂ光に変換される。よって、各発光領域の明るさに応じた色の光が各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出されることによって、それぞれ各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを形成してカラー画像が表示される。
【００３８】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、白色の有機ＥＬ発光層１９が形成される基板１０Ａ側には光の３原色であるＲＧＢ内にそれぞれ膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが形成されている。このため、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの下方に位置する反射層１４と、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの上方に位置する対向電極１８との間にそれぞれ異なる光共振構造が形成され、発光領域において各ＲＧＢに対応した３種類の異なる発光スペクトルが得られるようになっている。
【００３９】
膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの各表面１６１と基板１０Ａの表面との間には大きさの異なる段差部Ｑが生じてしまう。本実施形態では、透明電極層の積層数を異ならせることで画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの総膜厚を変化させている。このため、積層構造とされた画素電極１６Ｒ，１６Ｇの周縁部分は薄く形成され、この部分的に薄くなった画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部分、すなわち段差部Ｑと対向電極１８との間では光路長さが変化してしまい、所望の発光スペクトルとは異なる発光スペクトルとなって不要な光が射出されてしまう。
【００４０】
そこで、本実施形態では、このような画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの段差部Ｑの全体を覆うようにして、デバイス層１２の表面から画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１上（周縁部１６２）にかけて絶縁膜２２を形成することで、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの段差部Ｑ（周縁部１６２も含む）と有機ＥＬ発光層１９とを部分的に絶縁し、段差部Ｑ上の有機ＥＬ発光層１９に電流が流れないようにしている。これにより、積層構造を有する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの側面に段差部Ｑが形成されたとしても、段差部Ｑ上の有機ＥＬ発光層１９から所望しない発光スペクトルの光が射出されてしまうのを防止することができる。よって、絶縁膜２２の開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの周辺部分で色むらが生じることが防止され、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂからは所望とする発光スペクトルの光が得られることになる。
【００４１】
また、本実施形態では、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと駆動回路８との導通領域を覆うようにして絶縁膜２２が形成されている。画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールＨを介して、駆動回路８の駆動トランジスタ１２３のドレイン電極４１ｄに接続されている。このコンタクトホールＨが形成される箇所には反射層１４を形成することができないため、共振構造とすることができない。このため、コンタクトホールＨ上の有機ＥＬ発光層１９が発光しないようにこのような導通領域を絶縁膜２２で覆った構成となっている。これにより、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから純粋な色のＲ光、Ｇ光、Ｂ光が得られるようになる。
【００４２】
また、本実施形態では、絶縁膜２２に形成された開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの開口面積をサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに異ならせてある。つまり、絶縁膜２２の各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの大きさによってＲＧＢに対応する各有機ＥＬ素子７の発光面積を制御している。
【００４３】
各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂには同じ構成を有する駆動回路８が設けられている。このため、各駆動回路８に同じ電流を流したとしても波長の異なるサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間では光具合が違ってくる。そこで、絶縁膜２２の開口面積の大きさを異ならせてサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの発光面積を制御することによって、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおける発光状態を整えることが可能となる。
【００４４】
ここで、ＲＧＢの各波長の関係は、青色の波長＜緑色の波長＜赤色の波長となっている。このため、各色のサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応する開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの開口面積の関係としては、波長が短い色ほど開口面積が大きくなるように設定する。つまり、開口２２Ｒの開口面積＜開口２２Ｇの開口面積＜開口２２Ｂの開口面積とすることによって、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおける光の強さを均一にすることが可能となる。
【００４５】
これにより、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂからは発光光量が略等しいＲ光，Ｇ光，Ｂ光のいわゆる３原色の光が射出され、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間におけるカラーバランスを整えることができる。したがって、白色有機材料の特性に合わせた発光領域の制御をサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに行うことによって、最適な色合成を実現することができる。
【００４６】
また、本実施形態の構成によれば、画素ピッチをサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに制御する必要がないことから狭ピッチな画素配列を実現でき、マイクロディスプレイなどの微小な表示画面にも対応可能となる。
【００４７】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ表示装置について説明する。
図７は、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
以下に示す本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は、上記第１実施形態と略同様であるが、絶縁膜の構成において異なる。よって、以下の説明では、絶縁膜の構成について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図１〜図６と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
【００４８】
上記実施形態における有機ＥＬ表示装置２００では、絶縁膜２２が、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの段差部Ｑを覆うようにしてサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間で一定の膜厚で形成されている。このため、絶縁膜５２は、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの段差部Ｑの形状を反映させるようにして形成されることから、その表面に微細な凹凸が形成されて、有機ＥＬ材料の付きまわりが低下するおそれがある。有機ＥＬ発光層１９の膜厚が不均一になると対向電極１８の膜厚に影響が出てしまう。
【００４９】
そこで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置２００は、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間の絶縁膜５２の膜厚を部分的に厚く形成することにより、開口５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂを除くサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間に生じた段差部分、つまり、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの各段差部Ｑ上の表面形状を平坦化する構成とした。
絶縁膜５２の表面５２ａの高さ位置はサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間で一致する。すなわち、サブ画素３Ｒとサブ画素３Ｇとの間に存在する絶縁膜５２の膜厚と、サブ画素３Ｇとサブ画素３Ｂとの間に存在する絶縁膜５２の膜厚は略等しい。
【００５０】
ここで、各開口５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂはカラーフィルター基板２０側に向かってテーパー状に広がるように形成されており、これによって画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１と絶縁膜５２の表面５２ａの間に形成される段差が緩和され、有機ＥＬ材料の付きまわりを良くすることができる。これにより、有機ＥＬ発光層１９が局所的に薄く形成されるのを防止できる。
【００５１】
有機ＥＬ材料の付きまわりが悪い場合、その部位では有機ＥＬ発光層１９が局所的に薄膜化し、平坦部位と比較して薄膜化した部分に大きな電流が流れてしまう。この場合、所望とする発光領域の周辺が発光してしまうことになる。
このため、本実施形態のように、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部分に形成される段差部Ｑの形状が反映されないように、隣り合う画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ同士の間において絶縁膜５２の膜厚を部分的に厚膜化することにより、その表面５２ａ上に形成される有機ＥＬ発光層１９の材料の付きまわりを良くすることができる。これにより、有機ＥＬ発光層１９が部分的に薄膜化してこの部分に電流が流れてしまうことが防止されるので、開口周辺における意図しない発光をなくすことができる。これにより、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから純粋な色のＲ光、Ｇ光、Ｂ光が得られるようになる。
【００５２】
また、絶縁膜５２の各開口５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂがカラーフィルター基板２０側に向けて拡がるようにテーパー状に形成されていることから、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部１６２を覆う絶縁膜５２の開口周縁部分、つまり、絶縁膜５２の表面５２ａと画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１との間に段差が形成されることが防止される。これにより、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ上における有機ＥＬ発光層１９が局所的に薄膜化してしまうのを防ぐことができるので、開口周辺部分において意図しない発光が生じるのをより防止することができる。
【００５３】
また、このように画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁段差を緩和するように絶縁膜５２を厚く形成することで、有機ＥＬ発光層１９の局所的な薄膜化を防止できるとともにその上に積層される対向電極１８の膜厚を均一にすることが可能となる。
互いに隣り合う表示単位画素３どうしの間（図７の左端の部分）の距離Ｌ２は、各表示単位画素３内の各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ同士の距離Ｌ１よりも大きく（Ｌ１＜Ｌ２）なっていることから、段差の影響が小さくなる。言い換えれば、各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ同士の間では段差の影響が大きいことになる。そのため、各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ同士の間の絶縁膜５２の厚さを、表示単位画素３どうしの間の絶縁膜５２（図７の左端または右端）よりも厚くすることが好ましい。
このように、絶縁膜５２の膜厚を部分的異ならせることで段差による影響を抑えることが可能である。
【００５４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５５】
例えば、第２実施形態において、絶縁膜５２の各開口５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂがテーパー形状をなすものに限らず、絶縁膜５２の表面５２ａと画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１との間の段差が緩和され、有機ＥＬ発光層１９の局所的な薄膜化を防止できればよい。
【符号の説明】
【００５６】
３Ｂ，３Ｇ，３Ｒ…サブ画素、Ｑ…段差部、１０Ａ…基板、１２ａ，５２ａ，１６１…表面、１４…反射層、１６…画素電極（第１電極）、１６ａ…透明電極膜（電極層）、１８…対向電極（第２電極）、１９…有機ＥＬ発光層（発光層）、２２，５２…絶縁膜、２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒ，５２Ｒ、５２Ｇ，５２Ｂ…開口、ｔ１，ｔ２，ｔ３…膜厚、１００，２００…有機ＥＬ表示装置、１６２…周縁部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光素子として形成し、発光素子の発光光を基板と反対側に取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ装置が、電子機器の表示装置などとして多用されている。トップエミッション方式は、発光素子（有機ＥＬ素子）を挟み基板側に形成された一方の第１電極（例えば画素電極）と基板との間に反射層を形成し、発光素子を挟む他方の第２電極（例えば対向電極）側から光を取り出す方式であって、光の利用効率が高い方式である。このような有機ＥＬ素子は、薄型・軽量といった特徴を有し、直視型ディスプレイや各種の照明用途としての応用が提案されている。
【０００３】
さらに、トップエミッション方式において、発光素子を挟む基板と反対側の第２電極からの光の取り出し効率を高めて高輝度な表示を得るために、反射層を形成する構成が知られている。また、色純度を高める技術として、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの波長に合わせて光強度を強め合うよう、光路長を最適化するキャビティ構造を具備する技術が開示されている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
特に、マイクロディスプレイのような１インチ未満の超小型有機ＥＬ表示装置においては、精細度の制約上からＲＧＢに対応する発光層を形成する際に各色の発光材料の塗り分けが難しい。この場合は、白色の発光材料を用いて各色の画素に共通する発光層を形成し、その上方にＲＧＢのカラーフィルターを重ねることによって各色の合成を行っている。このとき、キャビティ構造を用いて光路長をＲＧＢ毎に変えることにより異なる光共振構造を形成する。これにより、ＲＧＢの各スペクトルを持つ光を生成することができるとともに、カラーフィルターを光が通過することでさらにスペクトルピークが高められた光が出射されることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−９６８００号公報
【特許文献２】特開２００６−３２３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の技術では、白色有機材料の特性（スペクトル特性や電流−輝度効率など）からバランスの良いＲＧＢの光束を得ることは容易ではない。これは、各色の発光強度が均一でないことと、有機材料の寿命の観点から特定色の発光強度のみを強めることができないことに起因する。これに対するアプローチとして、上記特許文献１では各色の画素ピッチを変調させているが、マイクロディスプレイに応用することは製造上難しい。また、寄生容量が各色で異なるため色ムラなどの原因にもなるという課題がある。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、白色有機材料の特性に合わせた発光領域の制御を画素毎に行うことによって最適な色合成を実現することのできる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に順に形成された、光を反射する反射層と、光透過性を有する複数の第１電極と、これら複数の第１電極を覆うとともに発光層を含む１層以上の有機層と、半透過反射性を有する第２電極とを含む画素を複数備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記反射層と前記第２電極の間の反射によって共振する光の波長が異なる色の前記画素ごとに前記第１電極の膜厚が異なっており、前記基板上には、前記第１電極の周縁部分を覆うようにして絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜は、前記第１電極の表面を部分的に露出させるとともに前記画素ごとに開口面積を異ならせた開口を有していることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、色毎に第１電極の膜厚を異ならせることによって、反射層と第２電極との間の光路長に応じた波長を有する光が反射層と第２電極との間で共振し、共振した光が第２電極側から射出されることになる。このような共振器構造において、絶縁膜の開口の大きさを異ならせることで各色の発光面積を制御することにより、各画素の発光状態を均一にすることができる。これにより、各画素からは、発光光量が略等しい各色の光が射出され、最適な色合成を実現することができる。また、本発明では、画素ごとに有機層を形成する必要がないため狭ピッチな画素配列を実現でき、マイクロディスプレイなどの微小な表示画面にも対応可能となる。
【００１０】
また、前記波長が短い色ほど前記開口面積が大きくなるように形成されている構成としてもよい。
これによれば各画素の発光状態を均一にすることができる。また、従来の製造方法を用いて容易に形成することができ、簡単な構成のためコストを抑えられる。
【００１１】
また、前記第１電極が単一の電極層あるいは積層された複数の電極層により構成され、前記第１電極の前記表面と前記基板の表面との間に形成される段差部分が前記絶縁膜によって覆われている構成としてもよい。
これによれば、第１電極を複数の電極層による積層構造とすることで、第１電極の周縁部分には段差が形成されることになるが、この段差部分を絶縁膜で覆うことにより、第１電極と有機層とを部分的に絶縁し、段差上の有機層に電流が流れないようにする。これにより、第１電極の周縁部分（側面）に段差が形成された場合でも、段差上の有機層から意図しない発光スペクトルの光が射出されてしまうのを防止することができる。これにより各画素周縁における色むらの発生を防ぐことができる。
【００１２】
また、前記画素内に前記波長の異なるサブ画素を複数有し、前記絶縁膜に前記サブ画素ごとに前記開口面積が異なる開口が形成されている構成としてもよい。
これによれば、波長の異なる複数のサブ画素によって表示単位画素が構成され、その結果、各サブ画素から得られる色を混色させてフルカラー表示を行うことが可能である。
【００１３】
また、前記画素同士の間の距離Ｌ１と前記サブ画素同士の間の距離Ｌ２とがＬ１＜Ｌ２の関係にあり、かつ、前記画素同士の間の領域に形成された絶縁膜の膜厚が、前記サブ画素同士の間に形成された絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されている構成としてもよい。
これによれば、第１電極間において絶縁膜の膜厚を部分的に厚膜化することによって、その上に積層される有機層の材料の付きまわりを良くすることができる。これにより、有機層が部分的に薄膜化されてこの部分に電流が流されてしまうことが防止されるので、開口周縁における意図しない発光をなくすことができる。これにより、各画素からは純粋な色の光が得られるようになる。
【００１４】
また、前記第１電極の平面視における大きさが各画素で等しい構成としてもよい。
これによれば、第１電極の平面視における大きさが各画素で等しいため、第１電極のパターン形成を容易に行える。
【００１５】
また、前記反射層が前記画素ごとにパターン形成されている構成としてもよい。
これによれば、反射層を画素ごとにパターン形成することで材料コストを削減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態における有機ＥＬ表示装置の構成を示す平面図。
【図２】実施形態における有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す回路図。
【図３】表示単位画素の構造を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図４】有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す断面図。
【図５】各サブ画素における画素電極の膜厚を示す模式図。
【図６】絶縁膜の構成を１画素領域に着目して示す平面図。
【図７】第２実施形態の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１８】
［第１実施形態］
図１は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置の構成を示す平面図である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０Ａ上の表示領域４には、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応して設けられたサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇがマトリクス状に規則的に配置されている。これらＲ，Ｇ，Ｂに対応する３つのサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇが一つの基本単位となって表示単位画素３を構成しており、これによって、表示単位画素３はＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。このとき、各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇの配列は、一方向にＲ，Ｇ，Ｂが繰り返し並ぶように配列されている。
【００１９】
図２は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に平行して延在する複数の電源供給線１０３とがそれぞれ配線された回路構成を有するとともに、走査線１０１および信号線１０２の各交点付近に、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応するサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇが設けられている。これら３つのサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇは走査線１０１の延在方向に沿ってこの順番に設けられる。
【００２０】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタおよびアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１２０が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタおよびレベルシフタ等を備える走査側駆動回路８０が接続されている。
【００２１】
サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、この保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動トランジスタ１２３と、この駆動トランジスタ１２３を介して電源供給線１０３に電気的に接続した時に当該電源供給線１０３から駆動電流が与えられる画素電極（第１電極）１６と、この画素電極１６と対向電極との間に有機ＥＬ発光層が挟み込まれてなる有機ＥＬ素子７と、が設けられている。
【００２２】
図３は、表示単位画素の構造を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
図３（ａ），（ｂ）に示すように、表示単位画素３を構成するサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇは互いに異なる大きさの発光領域１７を有している。ここで、発光領域１７とは、対向電極（第２電極）１８、有機ＥＬ発光層（発光層）１９および各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが重なって積層形成された領域である。本実施形態では、表示単位画素３内における各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ同士の距離Ｌ１は１．５μｍとなっている。さらに、表示単位画素間の距離Ｌ２はサブ画素間の距離Ｌ１よりも大きく、Ｌ１＜Ｌ２の関係となっている。
【００２３】
図４は、有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す断面図、図５は、各サブ画素における画素電極の膜厚を示す模式図である。また、図６は、絶縁膜の構成を１画素領域に着目して示す平面図である。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、トップエミッション構造であって、図４に示すように、基板１０Ａ上の表示領域４（図１）内におけるサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに、有機ＥＬ素子７とこの有機ＥＬ素子７を発光駆動させる駆動回路８とが設けられたアクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０上に電気光学層３０を介して対向配置されたカラーフィルター基板２０とを備えている。
【００２４】
以下、各構成要素について具体的に述べる。
図４に示すように、駆動回路８は、基板１０Ａ上に形成されたデバイス層１２の内部に形成され、薄膜トランジスタ（不図示）、駆動トランジスタ１２３、保持容量１１３、画素電極１６により構成される。
薄膜トランジスタ（不図示）および駆動トランジスタ１２３は、基板１０Ａ上に形成された半導体層４１ａのドレイン領域に接続されたドレイン電極４１ｄと、半導体層４１ａのソース領域と接続されたソース電極４１ｃと、半導体層４１ａを覆うゲート絶縁膜４１ｂ上に形成されたゲート電極４１ｅとで構成されている。ドレイン電極４１ｄおよびソース電極４１ｃは層間絶縁膜４３上に形成されている。そして、ドレイン電極４１ｄは、電源供給線１０３に接続され、ソース電極４１ｃは、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄを覆うように形成されたカバー層４４および平坦化膜４５，４６を貫通して形成された各コンタクトホールＨを介して、対応する各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと接続されている。
【００２５】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００はトップエミッション構造を有していることから、有機ＥＬ素子７の発光光が対向電極１８側から射出するように、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと基板１０Ａとの間には各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応する反射層１４が複数設けられている。
【００２６】
反射層１４は、デバイス層１２の表面上にサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとにパターン形成されたものであり、光反射率の高い材料より形成されている。反射層１４の形成材料として、例えば、アルミニウム、銀、あるいは銀の合金などが挙げられる。反射層１４は、有機ＥＬ素子７の発光光のうち、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを透過して基板１０Ａ側に射出される光を反射して対向電極１８側へと射出させる。なお、反射層１４は、デバイス層１２の表面上の領域（コンタクトホールＨの形成領域を除く領域）全体にベタ状に形成されていてもよい。
【００２７】
デバイス層１２（平坦化層４６）の表面上には、サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが形成されている。この画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、その全てが平面視において反射層１４と重なる領域に形成されており、複数の透明電極膜による積層構造あるいは、単一の透明電極膜による単層構造とされている。具体的には、画素３Ｒの画素電極１６Ｒは３層の透明電極膜（電極層）１６ａ，１６ｂ，１６ｃからなり、画素３Ｇの画素電極１６Ｇは２層の透明電極膜１６ｂ，１６ｃからなり、画素３Ｂの画素電極１６Ｂは１層の透明電極膜１６ｃからなっている。
【００２８】
各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成する際には、まず、画素３Ｒに対応する領域に膜厚４０ｎｍの第１透明電極膜１６ａを形成する。その後、第１透明電極膜１６ａの略全体を覆うようにして第２透明電極膜１６ｂを形成し、同時に、画素３Ｇに対応する領域にも第２透明電極膜１６ｂを形成する。この第２透明電極膜１６ｂの膜厚は４０ｎｍである。
【００２９】
次に、画素３Ｒおよび画素３Ｇ内に第２透明電極膜１６ｂの略全体を覆うようにして膜厚２０ｎｍの第３透明電極膜１６ｃを形成し、同時に、画素３Ｂに対応する領域にも第３透明電極膜１６ｃを形成する。この結果、図５に示すように、画素３Ｒの画素電極１６Ｒの膜厚ｔ１は１００ｎｍ、画素３Ｇの画素電極１６Ｇの膜厚ｔ２は６０ｎｍ、画素３Ｂの画素電極１６Ｂの膜厚ｔ３は２０ｎｍとなる。このようにして、サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに総膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを設ける。なお、平面視矩形状を呈する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの大きさ（表面積）は互いに等しい。このような画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部は絶縁膜２２によって覆われている。
【００３０】
絶縁膜２２は、デバイス層１２の表面１２ａ（露出した部分）から各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１上に一部乗り上げるようにして周縁部１６２を覆い、所定の膜厚で形成されている。本実施形態における絶縁膜２２の膜厚は２０ｎｍである。ここで、隣り合う画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂどうしの総膜厚は異なるものの、隣り合うサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ間に形成される絶縁膜２２の厚さは一定であり、同一工程においてパターン形成される。
デバイス層１２の表面１２ａと各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１との間に形成される段差部Ｑはこの絶縁膜２２によって覆われている。
【００３１】
本実施形態の絶縁膜２２は、各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面中央側を部分的に露出させるとともに、各色のサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに開口面積を異ならせた開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを有している。開口面積を各色のサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに異ならせることにより、これよりも上層に積層される有機ＥＬ発光層１９の発光領域を制御することができる。
具体的に、各色に対応する開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂはどれも平面視における画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面積よりも小さい開口面積を有し、反射層１４と対向電極１８の間の反射によって共振する光の波長に応じた開口面積に調整されている。
【００３２】
図６に示すように、絶縁膜２２に形成された開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの長手方向の長さＬ３は各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで等しく、例えば１１μｍである。短手方向の幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は色毎に異なっており、Ｗ１＝２．５μｍ、Ｗ２＝３．０μｍ、Ｗ３＝３．５μｍである。よって、各色に対応する開口面積の関係は、サブ画素３Ｒの開口面積＜サブ画素３Ｇの開口面積＜サブ画素３Ｂの開口面積となり、共振する光の波長が短い色の画素ほど開口面積が大きい。絶縁膜２２に形成された各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの開口面積に応じて上記した各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇの発光領域が設定されることになる。
図４に戻り、絶縁膜２２とその各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂから露出する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１を覆うようにして有機ＥＬ発光層１９が形成されている。
【００３３】
有機ＥＬ発光層１９は、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ側から、例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層などの、有機層からなる各機能層（有機ＥＬ発光層１９以外は不図示）が順に積層されたものであり、積層された複数の機能層の総厚は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇにおいて略同じ厚さで形成されている。
【００３４】
また、各機能層は、例えば、アミン系有機材料などといった有機材料によって形成されている。有機ＥＬ発光層１９は、青色発光機能層と黄色発光機能層が積層され、発光領域から白色光を射出するように構成されている。なお、有機ＥＬ素子７を構成する各機能層は、これに限定されず、正孔注入層と正孔輸送層とが同一層とされた構成や、有機ＥＬ発光層１９が全ての機能層を兼ねた構成など、他の構成であっても良い。
【００３５】
対向電極１８は、半透過反射性を有する材料を用いて、有機ＥＬ発光層１９の表面全体にベタ状に形成されている。上記した画素電極１６は導電性を有するとともに光透過性を有する材料で形成されている。一方、光路中に存在する対向電極１８は、例えば光が透過する程度に薄く形成された金属材料や、光透過性と光反射性を両方備えた材料で形成されている。これにより、反射層１４において反射された光は画素電極１６を透過して対向電極１８へと入射し、その一部が画素電極１６側へ反射され、再び反射層１４で反射されることになる。この結果、反射層１４と対向電極１８との間の光路長に応じた波長を有する光が、反射層１４と対向電極１８との間で共振し、共振した光が対向電極１８側から射出されることになる。
【００３６】
アクティブマトリクス基板１０上に電気光学層３０を介して対向配置されるカラーフィルター基板２０は、ガラス基板などの透明基板２０Ａ上に遮光膜２１によって区画されたＲフィルター２Ｒ、Ｇフィルター２Ｇ、Ｂフィルター２Ｂが各色に対応するサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇの配列に合わせて形成されたものであって、各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの発光領域と重なるように配置されている。各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの形状は、各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの平面形状に沿った矩形形状とされている。また、これら各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの表面積は、それぞれ対応する絶縁膜２２の各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの開口面積に略等しい。
【００３７】
そして、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの各発光領域から射出された白色光は、Ｒフィルター２Ｒ、Ｇフィルター２Ｇ、Ｂフィルター２Ｂによって、それぞれＲ光、Ｇ光、Ｂ光に変換される。よって、各発光領域の明るさに応じた色の光が各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出されることによって、それぞれ各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを形成してカラー画像が表示される。
【００３８】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、白色の有機ＥＬ発光層１９が形成される基板１０Ａ側には光の３原色であるＲＧＢ内にそれぞれ膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが形成されている。このため、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの下方に位置する反射層１４と、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの上方に位置する対向電極１８との間にそれぞれ異なる光共振構造が形成され、発光領域において各ＲＧＢに対応した３種類の異なる発光スペクトルが得られるようになっている。
【００３９】
膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの各表面１６１と基板１０Ａの表面との間には大きさの異なる段差部Ｑが生じてしまう。本実施形態では、透明電極層の積層数を異ならせることで画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの総膜厚を変化させている。このため、積層構造とされた画素電極１６Ｒ，１６Ｇの周縁部分は薄く形成され、この部分的に薄くなった画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部分、すなわち段差部Ｑと対向電極１８との間では光路長さが変化してしまい、所望の発光スペクトルとは異なる発光スペクトルとなって不要な光が射出されてしまう。
【００４０】
そこで、本実施形態では、このような画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの段差部Ｑの全体を覆うようにして、デバイス層１２の表面から画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１上（周縁部１６２）にかけて絶縁膜２２を形成することで、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの段差部Ｑ（周縁部１６２も含む）と有機ＥＬ発光層１９とを部分的に絶縁し、段差部Ｑ上の有機ＥＬ発光層１９に電流が流れないようにしている。これにより、積層構造を有する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの側面に段差部Ｑが形成されたとしても、段差部Ｑ上の有機ＥＬ発光層１９から所望しない発光スペクトルの光が射出されてしまうのを防止することができる。よって、絶縁膜２２の開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの周辺部分で色むらが生じることが防止され、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂからは所望とする発光スペクトルの光が得られることになる。
【００４１】
また、本実施形態では、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと駆動回路８との導通領域を覆うようにして絶縁膜２２が形成されている。画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールＨを介して、駆動回路８の駆動トランジスタ１２３のドレイン電極４１ｄに接続されている。このコンタクトホールＨが形成される箇所には反射層１４を形成することができないため、共振構造とすることができない。このため、コンタクトホールＨ上の有機ＥＬ発光層１９が発光しないようにこのような導通領域を絶縁膜２２で覆った構成となっている。これにより、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから純粋な色のＲ光、Ｇ光、Ｂ光が得られるようになる。
【００４２】
また、本実施形態では、絶縁膜２２に形成された開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの開口面積をサブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇごとに異ならせてある。つまり、絶縁膜２２の各開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの大きさによってＲＧＢに対応する各有機ＥＬ素子７の発光面積を制御している。
【００４３】
各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂには同じ構成を有する駆動回路８が設けられている。このため、各駆動回路８に同じ電流を流したとしても波長の異なるサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間では光具合が違ってくる。そこで、絶縁膜２２の開口面積の大きさを異ならせてサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの発光面積を制御することによって、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおける発光状態を整えることが可能となる。
【００４４】
ここで、ＲＧＢの各波長の関係は、青色の波長＜緑色の波長＜赤色の波長となっている。このため、各色のサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応する開口２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの開口面積の関係としては、波長が短い色ほど開口面積が大きくなるように設定する。つまり、開口２２Ｒの開口面積＜開口２２Ｇの開口面積＜開口２２Ｂの開口面積とすることによって、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおける光の強さを均一にすることが可能となる。
【００４５】
これにより、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂからは発光光量が略等しいＲ光，Ｇ光，Ｂ光のいわゆる３原色の光が射出され、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間におけるカラーバランスを整えることができる。したがって、白色有機材料の特性に合わせた発光領域の制御をサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに行うことによって、最適な色合成を実現することができる。
【００４６】
また、本実施形態の構成によれば、画素ピッチをサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに制御する必要がないことから狭ピッチな画素配列を実現でき、マイクロディスプレイなどの微小な表示画面にも対応可能となる。
【００４７】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ表示装置について説明する。
図７は、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
以下に示す本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は、上記第１実施形態と略同様であるが、絶縁膜の構成において異なる。よって、以下の説明では、絶縁膜の構成について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図１〜図６と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
【００４８】
上記実施形態における有機ＥＬ表示装置２００では、絶縁膜２２が、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの段差部Ｑを覆うようにしてサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間で一定の膜厚で形成されている。このため、絶縁膜５２は、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの段差部Ｑの形状を反映させるようにして形成されることから、その表面に微細な凹凸が形成されて、有機ＥＬ材料の付きまわりが低下するおそれがある。有機ＥＬ発光層１９の膜厚が不均一になると対向電極１８の膜厚に影響が出てしまう。
【００４９】
そこで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置２００は、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間の絶縁膜５２の膜厚を部分的に厚く形成することにより、開口５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂを除くサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間に生じた段差部分、つまり、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの各段差部Ｑ上の表面形状を平坦化する構成とした。
絶縁膜５２の表面５２ａの高さ位置はサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間で一致する。すなわち、サブ画素３Ｒとサブ画素３Ｇとの間に存在する絶縁膜５２の膜厚と、サブ画素３Ｇとサブ画素３Ｂとの間に存在する絶縁膜５２の膜厚は略等しい。
【００５０】
ここで、各開口５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂはカラーフィルター基板２０側に向かってテーパー状に広がるように形成されており、これによって画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１と絶縁膜５２の表面５２ａの間に形成される段差が緩和され、有機ＥＬ材料の付きまわりを良くすることができる。これにより、有機ＥＬ発光層１９が局所的に薄く形成されるのを防止できる。
【００５１】
有機ＥＬ材料の付きまわりが悪い場合、その部位では有機ＥＬ発光層１９が局所的に薄膜化し、平坦部位と比較して薄膜化した部分に大きな電流が流れてしまう。この場合、所望とする発光領域の周辺が発光してしまうことになる。
このため、本実施形態のように、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部分に形成される段差部Ｑの形状が反映されないように、隣り合う画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ同士の間において絶縁膜５２の膜厚を部分的に厚膜化することにより、その表面５２ａ上に形成される有機ＥＬ発光層１９の材料の付きまわりを良くすることができる。これにより、有機ＥＬ発光層１９が部分的に薄膜化してこの部分に電流が流れてしまうことが防止されるので、開口周辺における意図しない発光をなくすことができる。これにより、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから純粋な色のＲ光、Ｇ光、Ｂ光が得られるようになる。
【００５２】
また、絶縁膜５２の各開口５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂがカラーフィルター基板２０側に向けて拡がるようにテーパー状に形成されていることから、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部１６２を覆う絶縁膜５２の開口周縁部分、つまり、絶縁膜５２の表面５２ａと画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１との間に段差が形成されることが防止される。これにより、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ上における有機ＥＬ発光層１９が局所的に薄膜化してしまうのを防ぐことができるので、開口周辺部分において意図しない発光が生じるのをより防止することができる。
【００５３】
また、このように画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁段差を緩和するように絶縁膜５２を厚く形成することで、有機ＥＬ発光層１９の局所的な薄膜化を防止できるとともにその上に積層される対向電極１８の膜厚を均一にすることが可能となる。
互いに隣り合う表示単位画素３どうしの間（図７の左端の部分）の距離Ｌ２は、各表示単位画素３内の各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ同士の距離Ｌ１よりも大きく（Ｌ１＜Ｌ２）なっていることから、段差の影響が小さくなる。言い換えれば、各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ同士の間では段差の影響が大きいことになる。そのため、各サブ画素３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ同士の間の絶縁膜５２の厚さを、表示単位画素３どうしの間の絶縁膜５２（図７の左端または右端）よりも厚くすることが好ましい。
このように、絶縁膜５２の膜厚を部分的異ならせることで段差による影響を抑えることが可能である。
【００５４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５５】
例えば、第２実施形態において、絶縁膜５２の各開口５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂがテーパー形状をなすものに限らず、絶縁膜５２の表面５２ａと画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１との間の段差が緩和され、有機ＥＬ発光層１９の局所的な薄膜化を防止できればよい。
【符号の説明】
【００５６】
３Ｂ，３Ｇ，３Ｒ…サブ画素、Ｑ…段差部、１０Ａ…基板、１２ａ，５２ａ，１６１…表面、１４…反射層、１６…画素電極（第１電極）、１６ａ…透明電極膜（電極層）、１８…対向電極（第２電極）、１９…有機ＥＬ発光層（発光層）、２２，５２…絶縁膜、２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒ，５２Ｒ、５２Ｇ，５２Ｂ…開口、ｔ１，ｔ２，ｔ３…膜厚、１００，２００…有機ＥＬ表示装置、１６２…周縁部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に順に形成された、光を反射する反射層と、光透過性を有する複数の第１電極と、これら複数の第１電極を覆うとともに発光層を含む１層以上の有機層と、半透過反射性を有する第２電極とを含む画素を複数備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記反射層と前記第２電極の間の反射によって共振する光の波長が異なる色の前記画素ごとに前記第１電極の膜厚が異なっており、
前記基板上には、前記第１電極の周縁部分を覆うようにして絶縁膜が設けられ、
前記絶縁膜は、前記第１電極の表面を部分的に露出させるとともに前記画素ごとに開口面積を異ならせた開口を有している
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記波長が短い色ほど前記開口面積が大きくなるように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１電極が単一の電極層あるいは積層された複数の電極層により構成され、
前記第１電極の前記表面と前記基板の表面との間に形成される段差部分が前記絶縁膜によって覆われている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記画素内に前記波長の異なるサブ画素を複数有し、
前記絶縁膜に前記サブ画素ごとに前記開口面積が異なる開口が形成されている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記画素同士の間の距離Ｌ１と前記サブ画素同士の間の距離Ｌ２とがＬ１＜Ｌ２の関係にあり、かつ、前記画素同士の間の領域に形成された絶縁膜の膜厚が、前記サブ画素同士の間に形成された絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第１電極の平面視における大きさが各画素で等しい
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記反射層が前記画素ごとにパターン形成されている
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
基板上に順に形成された、光を反射する反射層と、光透過性を有する複数の第１電極と、これら複数の第１電極を覆うとともに発光層を含む１層以上の有機層と、半透過反射性を有する第２電極とを含む画素を複数備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記反射層と前記第２電極の間の反射によって共振する光の波長が異なる色の前記画素ごとに前記第１電極の膜厚が異なっており、
前記基板上には、前記第１電極の周縁部分を覆うようにして絶縁膜が設けられ、
前記絶縁膜は、前記第１電極の表面を部分的に露出させるとともに前記画素ごとに開口面積を異ならせた開口を有している
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記波長が短い色ほど前記開口面積が大きくなるように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１電極が単一の電極層あるいは積層された複数の電極層により構成され、
前記第１電極の前記表面と前記基板の表面との間に形成される段差部分が前記絶縁膜によって覆われている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記画素内に前記波長の異なるサブ画素を複数有し、
前記絶縁膜に前記サブ画素ごとに前記開口面積が異なる開口が形成されている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記画素同士の間の距離Ｌ１と前記サブ画素同士の間の距離Ｌ２とがＬ１＜Ｌ２の関係にあり、かつ、前記画素同士の間の領域に形成された絶縁膜の膜厚が、前記サブ画素同士の間に形成された絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第１電極の平面視における大きさが各画素で等しい
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記反射層が前記画素ごとにパターン形成されている
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−７３８８４（Ｐ２０１３−７３８８４Ａ）
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１４０８４（Ｐ２０１１−２１４０８４）
【出願日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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