有機ＥＬ装置及びその製造方法
【課題】製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１の上方に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆う保護膜１１５と、を有するアレイ基板１００と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する封止基板２００と、アレイ基板１００と封止基板２００との間に配置され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを囲むとともに少なくとも１つの封止口３００Ｓを有するシール部材３００と、シール部材３００の内側に保護膜１１５と封止基板２００との間に配置された樹脂層４００と、を備えている。
【解決手段】絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１の上方に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆う保護膜１１５と、を有するアレイ基板１００と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する封止基板２００と、アレイ基板１００と封止基板２００との間に配置され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを囲むとともに少なくとも１つの封止口３００Ｓを有するシール部材３００と、シール部材３００の内側に保護膜１１５と封止基板２００との間に配置された樹脂層４００と、を備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示素子として有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置が注目されている。この有機ＥＬ素子は、自発光性素子であるため、バックライトを必要とせず薄型軽量化が可能である。さらに、有機ＥＬ素子は、高速応答、広視野角、低消費電力の特徴を有している。この有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいる。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように気密に封止する必要がある。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の封止方法として、例えば、特許文献１によれば、素子基板の表示領域の周囲を完全に取り囲むようにシール材を形成し、シール材によって取り囲まれた表示領域上に充填材として接着性樹脂を供給し、接着性樹脂を介して素子基板と封止基板とを貼り合わせる技術が開示されている。
【０００４】
このような封止方法においては、表示パネルの内部の容積に対して樹脂材料を過不足なく充填することが求められている。特に、充填される樹脂材料の量が表示パネルの内部の容積に対して多い場合、基板を貼り合わせる際の加圧により樹脂材料がシール部材を破壊し外部に漏れ出てしまうことがある。漏れ出した樹脂材料は、シール部材の周囲を汚染してしまうことがある。また、樹脂材料が漏れ出ると、表示パネルの内部の樹脂材料が不足してしまうことがある。これにより、表示パネル内に気泡が発生したり、ギャップムラが発生したりすることがある。したがって、製造歩留まりの低下を招く恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２４２３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、を有するアレイ基板と、前記有機ＥＬ素子と対向する封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板との間に配置され、前記有機ＥＬ素子を囲むとともに少なくとも１つの封止口を有するシール部材と、前記シール部材の内側に、前記保護膜と前記封止基板との間に配置された樹脂層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００８】
本発明の第２の態様によれば、第１基板に有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子の上に保護膜を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子を囲むとともに少なくとも１つの封止口が形成されるように第１樹脂材料を塗布する工程と、前記第１樹脂材料の内側に前記保護膜の上に第２樹脂材料を充填する工程と、前記第１樹脂材料及び第２前記樹脂材料を介して前記第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程と、前記第１樹脂材料及び前記第２樹脂材料を硬化させる工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一実施態様における有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示パネルのアクティブエリアの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示パネルの封止口を含むシール部材の一部を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示したフローチャートである。
【図５】図５は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に説明するための図である。
【図６】図６は、他の実施の形態における有機ＥＬ表示装置の表示パネルのアクティブエリアの構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、略矩形状のアレイ基板１００及び略矩形状の封止基板２００を備えている。
【００１３】
アレイ基板１００は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア１０２と、このアクティブエリア１０２の周辺に枠状に形成された周辺エリア１０４と、を有している。アレイ基板１００のアクティブエリア１０２には、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがマトリクス状に配置されている。アレイ基板１００の周辺エリア１０４には、駆動ＩＣチップやフレキシブル配線基板などが実装される実装部１３０が配置されている。実装部１３０は、封止基板２００の端面２００Ａより外側に延在したアレイ基板１００の表面側（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどが配置された側）における延在部１００Ａの上に配置されている。
【００１４】
封止基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。
【００１５】
これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、シール部材３００によって貼り合わされている。シール部材３００は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを囲んでいる。シール部材３００は、少なくとも１つの封止口３００Ｓを有している。このシール部材３００は、アクティブエリア１０２を囲むように略枠状に形成され、周辺エリア１０４に配置されている。封止口３００Ｓは、シール部材３００が欠落した部分に相当する。つまり、シール部材３００は、一続きの枠状でなく、封止口３００Ｓを確保するように途切れて配置されている。シール部材３００は、アレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ１と異なる辺に封止口３００Ｓを有していることが望ましい。図１に示した例では、シール部材３００は、アレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ１と向かい合う辺Ｌ２に１つの封止口３００Ｓを有している。シール部材３００の構造については後に詳述する。
【００１６】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む表示パネル１の断面図である。なお、ここに示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプである。
【００１７】
アレイ基板１００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上方に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、第１絶縁膜１１１が配置されている。このような第１絶縁膜１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第１絶縁膜１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機材料によって形成されている。
【００１８】
第１絶縁膜１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００１９】
半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１１２によって被覆されている。また、第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機材料によって形成されている。
【００２０】
第２絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Ｇは、第３絶縁膜１１３によって被覆されている。また、第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第３絶縁膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機材料によって形成されている。
【００２１】
第３絶縁膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料を用いて形成されている。
【００２２】
これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第４絶縁膜１１４によって被覆されている。また、第４絶縁膜１１４は、第３絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この第４絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物によって形成されている。
【００２３】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。
【００２４】
この画素電極ＰＥは、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴが積層された２層構造である。反射電極ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。また、透過電極ＰＥＴは、反射電極ＰＥＲの上に積層されている。反射電極ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極ＰＥは、上述した２層構造に限らず、３層以上の積層構造であっても良いし、反射電極ＰＥＲ単層であっても良いし、透過電極ＰＥＴ単層であっても良い。トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの場合には、画素電極ＰＥは、少なくとも反射電極ＰＥＲを有している。
【００２５】
第４絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。また、この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの一部に重なっている。このような隔壁ＰＩは、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物や、シリコン窒化物などの各種無機化合物などの絶縁材料によって形成されている。
【００２６】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。なお、有機層ＯＲＧの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。さらに、有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在していても良い。
【００２７】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。このような対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などによって形成された半透過層によって構成されている。なお、対向電極ＣＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成された透過層を含んでいても良い。
【００２８】
対向電極ＣＥの上には、保護膜１１５が配置されている。このような保護膜１１５は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。つまり、保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆っている。この保護膜１１５は、光透過性を有し且つ水分が浸透しにくい材料、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機化合物によって形成されている。つまり、この保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。この保護膜１１５は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。
【００２９】
なお、上述した第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、保護膜１１５などは、アクティブエリア１０２のみならず、周辺エリア１０４にも延在していても良いが、図２に示した例では、これらの膜は周辺エリア１０４に延在しておらず、周辺エリア１０４では、絶縁基板１０１が露出している。
【００３０】
封止基板２００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板である。封止基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面に配置された保護膜１１５の上方に位置している。
【００３１】
シール部材３００は、周辺エリア１０４においてアレイ基板１００と封止基板２００との間に配置されている。シール部材３００の高さ（つまりアレイ基板１００に接する面から封止基板２００に接する面までの距離）は、略均一である。このようなシール部材３００は、例えば、紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂によって形成されている。
【００３２】
封止基板２００とアレイ基板１００の最上面に配置された保護膜１１５との間には、樹脂層４００が配置されている。つまり、樹脂層４００は、保護膜１１５の上に配置され、封止基板２００と接している。この樹脂層４００は、シール部材３００の内側に配置され、シール部材３００に接している。つまり、樹脂層４００は、アレイ基板１００の最上面、封止基板２００、及び、シール部材３００によって囲まれた空間の略全体にわたって充填されている。このような樹脂層４００は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在しているとともに、周辺エリア１０４の一部にも延在している。このような樹脂層４００は、例えば、光透過性を有する紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂によって形成されている。
【００３３】
図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の封止口３００Ｓを含むシール部材３００の一部を示す概略平面図である。なお、この図３では、説明に必要なシール部材３００及び樹脂層４００のみを図示している。
【００３４】
シール部材３００は、封止口３００Ｓを形成する両端部に相当する第１端部３００Ｐ１と、第２端部３００Ｐ２と、を有している。第１端部３００Ｐ１及び第２端部３００Ｐ２は、アクティブエリア１０２とは反対側に屈曲してアレイ基板１００の辺Ｌ２まで引き出されている。第２端部３００Ｐ２は、第１端部３００Ｐ１から離間して配置されている。封止口３００Ｓは、第１端部３００Ｐ１と第２端部３００Ｐ２との間に形成される。
【００３５】
アレイ基板１００の最上面に配置された保護膜１１５を覆う樹脂層４００は、シール部材３００の内側のアクティブエリア１０２及び周辺エリア１０４のみならず、第１端部３００Ｐ１と第２端部３００Ｐ２との間の封止口３００Ｓにも配置されている。
【００３６】
なお、上記した表示パネル１において、シール部材３００はアレイ基板１００の辺Ｌ２の略中央に封止口３００Ｓを有しているが、封止口３００Ｓの位置についてはアレイ基板１００の辺Ｌ２の一端から他端までの間のどこでも良い。
【００３７】
また、上記した表示パネル１において、シール部材３００が１つの封止口３００Ｓを有しているが、シール部材３００は２つ以上の封止口３００Ｓを有していてもよい。さらに、シール部材３００は、アレイ基板１００の１辺に複数の封止口３００Ｓを有していてもよく、アレイ基板１００の複数の辺に封止口３００Ｓを有していてもよい。
【００３８】
次に、上記した有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について、主要な製造工程を説明する。図４は、有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示したフローチャートである。図５は、有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための概略斜視図及び断面図である。
【００３９】
まず、第１基板１００Ｍ及び第２基板２００Ｍを用意する。第１基板１００Ｍのアクティブエリア１０２に、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチングトランジスタＳＷなどを形成する。
【００４０】
次に、第１基板１００Ｍに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成する（ＳＴ１）。すなわち、第１基板の第４絶縁膜１１４の上に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥを形成した後に、画素電極ＰＥの上に有機層ＯＲＧを形成し、さらに、有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥを形成した。
【００４１】
次に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に保護膜１１５を形成した（ＳＴ２）。すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極ＣＥの上に保護膜１１５を形成した。
【００４２】
次に、シール部材３００を形成するための第１樹脂材料３１０を少なくとも１つの封止口を形成するように塗布した（ＳＴ３）。すなわち、図５（ａ）に示すように、ディスペンサーにより、第１基板１００Ｍの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが配置されたアクティブエリア１０２を囲むように周辺エリア１０４に第１樹脂材料３１０を塗布した。このとき、１つの封止口３００Ｓが形成されるように第１樹脂材料３１０を塗布した。なお、ここでは、第１樹脂材料３１０は、紫外線硬化型樹脂である。
【００４３】
次に、保護膜１１５の上に樹脂層４００を形成するための第２樹脂材料４１０を滴下した（ＳＴ４）。すなわち、図５（ｂ）に示すように、第１樹脂材料３１０の内部のアクティブエリア１０２及び周辺エリア１０４に第２樹脂材料４１０を滴下した。このとき、表示パネル１の容積（第１基板１００Ｍの最上面に配置された保護膜１１５、第２基板２００Ｍ及び第１樹脂材料３１０によって囲まれる空間の容積）と同等以上の量の第２樹脂材料４１０を滴下した。なお、ここでは、第２樹脂材料４１０は、紫外線硬化型樹脂である。
【００４４】
次に、第１基板１００Ｍと第２基板２００Ｍとを貼り合わせた（ＳＴ５）。すなわち、真空中において、図５（ｃ）に示すように、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０を介して第１基板１００Ｍと第２基板２００Ｍとを貼り合わせた。このとき、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０は、封止基板２００に接触される。そして、貼り合わせた第１基板１００Ｍ及び第２基板２００Ｍを加圧し、封止口３００Ｓから実際の容積より多い過剰の第２樹脂材料４１０を排出する。
【００４５】
さらに、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０を硬化させた（ＳＴ６）。すなわち、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０に向けて紫外線照射及び加熱することによって硬化させ、シール部材３００及び樹脂層４００を形成した。
【００４６】
その後、貼り合せられた第１基板１００Ｍ及び第２基板２００Ｍを必要な大きさに切断することによって表示パネル１が得られる。
【００４７】
なお、ここでは、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０として紫外線硬化型樹脂を用いた例を説明したが、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０として熱硬化型樹脂を用いてもよい。このとき、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０の硬化工程（ＳＴ６）では紫外線を照射する代わりに樹脂材料を所定の時間加熱することによってシール部材３００及び樹脂層４００が形成させる。
【００４８】
なお、ここでは、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０は、ともに紫外線硬化型樹脂あるいはともに熱硬化型樹脂によって形成されているため、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０を同時に硬化することができ、工程数を削減することができる。また、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０は、一方が紫外線硬化型樹脂であって他方が熱硬化型樹脂で形成されてもよい。さらに、第１樹脂材料３１０を硬化しシール部材３００を形成してから、第２樹脂材料４１０を滴下し、第１樹脂材料３１０の硬化処理とは別の硬化処理を経て樹脂層４００を形成してもよい。
【００４９】
本実施の形態において、略枠状のシール部材３００が封止口３００Ｓを有しているため、表示パネル１の容積と同等以上の量の第２樹脂材料４１０をシール部材３００で囲まれた内側に滴下し、貼り合わせの際に加圧した際に、実際の表示パネル１の容積より多い量の第２樹脂材料４１０が封止口３００Ｓから排出される。このため、シール部材３００に加わる負荷が低減され、シール部材３００の破壊を抑制できる。
【００５０】
これにより、第２樹脂材料４１０が不所望な部分に漏れ出ることが抑制されるため、第２樹脂材料４１０によるシール部材３００の周囲、例えば、実装部１３０などの汚染が抑制される。また、表示パネル１には、表示パネル１の容積に対して適量な第２樹脂材料４１０が保持されるため、表示パネル１の内部の樹脂材料が不足することがなく、気泡の発生やギャップムラの発生を抑制することができる。したがって、本実施の形態によれば、製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００５１】
また、本実施の形態において、シール部材３００は、アレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺と異なる辺に封止口３００Ｓを有しているため、封止口３００Ｓから排出される第２樹脂材料４１０は、実装部１３０を汚染しない。
【００５２】
さらに、表示パネル１に保持される第２樹脂材料４１０の量が多すぎる場合及び少なすぎる場合に発生する局所的なギャップムラに起因した干渉縞が視認されることがなく、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えた表示パネル１を封止基板２００の側から観察した際に、良好な表示品位を得ることができる。
【００５３】
次に、他の実施の形態について図６を参照して説明する。この図６に示した表示パネル１は、図１に示した表示パネル１と比較してシール部材３００が２つの封止口３００Ｓを有する点で相違している。なお、他の構成については、図１に示した例と同一であるため、同一の参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５４】
図６は、有機ＥＬ表示装置のシール部材３００を含むアレイ基板１００の概略平面図である。なお、図６では、説明に必要なシール部材３００、樹脂層４００及び実装部１３０のみを図示している。
【００５５】
図６に示すように、シール部材３００は、アレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ１と異なる辺であり、向かい合う２辺に第１封止口３００Ｓ１及び第２封止口２００Ｓ２を有している。シール部材３００は、第１封止口３００Ｓ１を形成する両端部に相当する第１端部３００Ｐ１と、第２端部３００Ｐ２と、を有している。第１端部３００Ｐ１及び第２端部３００Ｐ２は、アクティブエリア１０２とは反対側に屈曲してアレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ１と隣接する辺Ｌ３まで引き出されている。第２端部３００Ｐ２は、第１端部３００Ｐ１から離間して配置されている。第１封止口３００Ｓ１は、第１端部３００Ｐ１と第２端部３００Ｐ２との間に形成される。
【００５６】
シール部材３００は、第２封止口３００Ｓ２を形成する両端部に相当する第３端部３００Ｐ３と、第４端部３００Ｐ４と、を有している。第３端部３００Ｐ３及び第４端部３００Ｐ４は、アクティブエリア１０２とは反対側に屈曲してアレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ２と隣接する辺Ｌ４まで引き出されている。第４端部３００Ｐ４は、第３端部３００Ｐ３から離間して配置されている。第２封止口３００Ｓ２は、第３端部３００Ｐ３と第４端部３００Ｐ４との間に形成される。
【００５７】
第１封止口３００Ｓ１は、アクティブエリア１０２を挟んで第２封止口３００Ｓ２と対向するように配置されている。
【００５８】
アレイ基板１００の最上面に配置された保護膜１１５を覆う樹脂層４００は、シール部材３００の内側のアクティブエリア１０２及び周辺エリア１０４のみならず、第１端部３００Ｐ１と第２端部３００Ｐ２との間の第１封止口３００Ｓ１及び第３端部３００Ｐ３と第４端部３００Ｐ４との間の第２封止口３００Ｓ２にも配置されている。
【００５９】
このような図５に示した例においても、図２に示した例と同様の効果が得られる。さらに、図５に示した例においては、第１封止口３００Ｓ１は、第２封止口３００Ｓ２と対向しているため、表示パネル１の容積より多い量の第２樹脂材料４１０が均等に排出され、さらにギャップムラの発生を抑制することができる。
【００６０】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００６１】
本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。
【００６２】
本実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプである場合について説明したが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがアレイ基板１００の絶縁基板１０１を介して光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。
【符号の説明】
【００６３】
１０１…絶縁基板 ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子 １１５…保護膜 １００…アレイ基板 ２００…封止基板 ３００Ｓ…封止口３００Ｓ ３００…シール部材 ４００…樹脂層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示素子として有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置が注目されている。この有機ＥＬ素子は、自発光性素子であるため、バックライトを必要とせず薄型軽量化が可能である。さらに、有機ＥＬ素子は、高速応答、広視野角、低消費電力の特徴を有している。この有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいる。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように気密に封止する必要がある。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の封止方法として、例えば、特許文献１によれば、素子基板の表示領域の周囲を完全に取り囲むようにシール材を形成し、シール材によって取り囲まれた表示領域上に充填材として接着性樹脂を供給し、接着性樹脂を介して素子基板と封止基板とを貼り合わせる技術が開示されている。
【０００４】
このような封止方法においては、表示パネルの内部の容積に対して樹脂材料を過不足なく充填することが求められている。特に、充填される樹脂材料の量が表示パネルの内部の容積に対して多い場合、基板を貼り合わせる際の加圧により樹脂材料がシール部材を破壊し外部に漏れ出てしまうことがある。漏れ出した樹脂材料は、シール部材の周囲を汚染してしまうことがある。また、樹脂材料が漏れ出ると、表示パネルの内部の樹脂材料が不足してしまうことがある。これにより、表示パネル内に気泡が発生したり、ギャップムラが発生したりすることがある。したがって、製造歩留まりの低下を招く恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２４２３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、を有するアレイ基板と、前記有機ＥＬ素子と対向する封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板との間に配置され、前記有機ＥＬ素子を囲むとともに少なくとも１つの封止口を有するシール部材と、前記シール部材の内側に、前記保護膜と前記封止基板との間に配置された樹脂層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００８】
本発明の第２の態様によれば、第１基板に有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子の上に保護膜を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子を囲むとともに少なくとも１つの封止口が形成されるように第１樹脂材料を塗布する工程と、前記第１樹脂材料の内側に前記保護膜の上に第２樹脂材料を充填する工程と、前記第１樹脂材料及び第２前記樹脂材料を介して前記第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程と、前記第１樹脂材料及び前記第２樹脂材料を硬化させる工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一実施態様における有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示パネルのアクティブエリアの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示パネルの封止口を含むシール部材の一部を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示したフローチャートである。
【図５】図５は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に説明するための図である。
【図６】図６は、他の実施の形態における有機ＥＬ表示装置の表示パネルのアクティブエリアの構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、略矩形状のアレイ基板１００及び略矩形状の封止基板２００を備えている。
【００１３】
アレイ基板１００は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア１０２と、このアクティブエリア１０２の周辺に枠状に形成された周辺エリア１０４と、を有している。アレイ基板１００のアクティブエリア１０２には、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがマトリクス状に配置されている。アレイ基板１００の周辺エリア１０４には、駆動ＩＣチップやフレキシブル配線基板などが実装される実装部１３０が配置されている。実装部１３０は、封止基板２００の端面２００Ａより外側に延在したアレイ基板１００の表面側（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどが配置された側）における延在部１００Ａの上に配置されている。
【００１４】
封止基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。
【００１５】
これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、シール部材３００によって貼り合わされている。シール部材３００は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを囲んでいる。シール部材３００は、少なくとも１つの封止口３００Ｓを有している。このシール部材３００は、アクティブエリア１０２を囲むように略枠状に形成され、周辺エリア１０４に配置されている。封止口３００Ｓは、シール部材３００が欠落した部分に相当する。つまり、シール部材３００は、一続きの枠状でなく、封止口３００Ｓを確保するように途切れて配置されている。シール部材３００は、アレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ１と異なる辺に封止口３００Ｓを有していることが望ましい。図１に示した例では、シール部材３００は、アレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ１と向かい合う辺Ｌ２に１つの封止口３００Ｓを有している。シール部材３００の構造については後に詳述する。
【００１６】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む表示パネル１の断面図である。なお、ここに示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプである。
【００１７】
アレイ基板１００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上方に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、第１絶縁膜１１１が配置されている。このような第１絶縁膜１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第１絶縁膜１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機材料によって形成されている。
【００１８】
第１絶縁膜１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００１９】
半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１１２によって被覆されている。また、第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機材料によって形成されている。
【００２０】
第２絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Ｇは、第３絶縁膜１１３によって被覆されている。また、第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第３絶縁膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機材料によって形成されている。
【００２１】
第３絶縁膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料を用いて形成されている。
【００２２】
これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第４絶縁膜１１４によって被覆されている。また、第４絶縁膜１１４は、第３絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この第４絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物によって形成されている。
【００２３】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。
【００２４】
この画素電極ＰＥは、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴが積層された２層構造である。反射電極ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。また、透過電極ＰＥＴは、反射電極ＰＥＲの上に積層されている。反射電極ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極ＰＥは、上述した２層構造に限らず、３層以上の積層構造であっても良いし、反射電極ＰＥＲ単層であっても良いし、透過電極ＰＥＴ単層であっても良い。トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの場合には、画素電極ＰＥは、少なくとも反射電極ＰＥＲを有している。
【００２５】
第４絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。また、この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの一部に重なっている。このような隔壁ＰＩは、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物や、シリコン窒化物などの各種無機化合物などの絶縁材料によって形成されている。
【００２６】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。なお、有機層ＯＲＧの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。さらに、有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在していても良い。
【００２７】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。このような対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などによって形成された半透過層によって構成されている。なお、対向電極ＣＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成された透過層を含んでいても良い。
【００２８】
対向電極ＣＥの上には、保護膜１１５が配置されている。このような保護膜１１５は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。つまり、保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆っている。この保護膜１１５は、光透過性を有し且つ水分が浸透しにくい材料、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機化合物によって形成されている。つまり、この保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。この保護膜１１５は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。
【００２９】
なお、上述した第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、保護膜１１５などは、アクティブエリア１０２のみならず、周辺エリア１０４にも延在していても良いが、図２に示した例では、これらの膜は周辺エリア１０４に延在しておらず、周辺エリア１０４では、絶縁基板１０１が露出している。
【００３０】
封止基板２００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板である。封止基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面に配置された保護膜１１５の上方に位置している。
【００３１】
シール部材３００は、周辺エリア１０４においてアレイ基板１００と封止基板２００との間に配置されている。シール部材３００の高さ（つまりアレイ基板１００に接する面から封止基板２００に接する面までの距離）は、略均一である。このようなシール部材３００は、例えば、紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂によって形成されている。
【００３２】
封止基板２００とアレイ基板１００の最上面に配置された保護膜１１５との間には、樹脂層４００が配置されている。つまり、樹脂層４００は、保護膜１１５の上に配置され、封止基板２００と接している。この樹脂層４００は、シール部材３００の内側に配置され、シール部材３００に接している。つまり、樹脂層４００は、アレイ基板１００の最上面、封止基板２００、及び、シール部材３００によって囲まれた空間の略全体にわたって充填されている。このような樹脂層４００は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在しているとともに、周辺エリア１０４の一部にも延在している。このような樹脂層４００は、例えば、光透過性を有する紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂によって形成されている。
【００３３】
図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の封止口３００Ｓを含むシール部材３００の一部を示す概略平面図である。なお、この図３では、説明に必要なシール部材３００及び樹脂層４００のみを図示している。
【００３４】
シール部材３００は、封止口３００Ｓを形成する両端部に相当する第１端部３００Ｐ１と、第２端部３００Ｐ２と、を有している。第１端部３００Ｐ１及び第２端部３００Ｐ２は、アクティブエリア１０２とは反対側に屈曲してアレイ基板１００の辺Ｌ２まで引き出されている。第２端部３００Ｐ２は、第１端部３００Ｐ１から離間して配置されている。封止口３００Ｓは、第１端部３００Ｐ１と第２端部３００Ｐ２との間に形成される。
【００３５】
アレイ基板１００の最上面に配置された保護膜１１５を覆う樹脂層４００は、シール部材３００の内側のアクティブエリア１０２及び周辺エリア１０４のみならず、第１端部３００Ｐ１と第２端部３００Ｐ２との間の封止口３００Ｓにも配置されている。
【００３６】
なお、上記した表示パネル１において、シール部材３００はアレイ基板１００の辺Ｌ２の略中央に封止口３００Ｓを有しているが、封止口３００Ｓの位置についてはアレイ基板１００の辺Ｌ２の一端から他端までの間のどこでも良い。
【００３７】
また、上記した表示パネル１において、シール部材３００が１つの封止口３００Ｓを有しているが、シール部材３００は２つ以上の封止口３００Ｓを有していてもよい。さらに、シール部材３００は、アレイ基板１００の１辺に複数の封止口３００Ｓを有していてもよく、アレイ基板１００の複数の辺に封止口３００Ｓを有していてもよい。
【００３８】
次に、上記した有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について、主要な製造工程を説明する。図４は、有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示したフローチャートである。図５は、有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための概略斜視図及び断面図である。
【００３９】
まず、第１基板１００Ｍ及び第２基板２００Ｍを用意する。第１基板１００Ｍのアクティブエリア１０２に、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチングトランジスタＳＷなどを形成する。
【００４０】
次に、第１基板１００Ｍに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成する（ＳＴ１）。すなわち、第１基板の第４絶縁膜１１４の上に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥを形成した後に、画素電極ＰＥの上に有機層ＯＲＧを形成し、さらに、有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥを形成した。
【００４１】
次に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に保護膜１１５を形成した（ＳＴ２）。すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極ＣＥの上に保護膜１１５を形成した。
【００４２】
次に、シール部材３００を形成するための第１樹脂材料３１０を少なくとも１つの封止口を形成するように塗布した（ＳＴ３）。すなわち、図５（ａ）に示すように、ディスペンサーにより、第１基板１００Ｍの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが配置されたアクティブエリア１０２を囲むように周辺エリア１０４に第１樹脂材料３１０を塗布した。このとき、１つの封止口３００Ｓが形成されるように第１樹脂材料３１０を塗布した。なお、ここでは、第１樹脂材料３１０は、紫外線硬化型樹脂である。
【００４３】
次に、保護膜１１５の上に樹脂層４００を形成するための第２樹脂材料４１０を滴下した（ＳＴ４）。すなわち、図５（ｂ）に示すように、第１樹脂材料３１０の内部のアクティブエリア１０２及び周辺エリア１０４に第２樹脂材料４１０を滴下した。このとき、表示パネル１の容積（第１基板１００Ｍの最上面に配置された保護膜１１５、第２基板２００Ｍ及び第１樹脂材料３１０によって囲まれる空間の容積）と同等以上の量の第２樹脂材料４１０を滴下した。なお、ここでは、第２樹脂材料４１０は、紫外線硬化型樹脂である。
【００４４】
次に、第１基板１００Ｍと第２基板２００Ｍとを貼り合わせた（ＳＴ５）。すなわち、真空中において、図５（ｃ）に示すように、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０を介して第１基板１００Ｍと第２基板２００Ｍとを貼り合わせた。このとき、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０は、封止基板２００に接触される。そして、貼り合わせた第１基板１００Ｍ及び第２基板２００Ｍを加圧し、封止口３００Ｓから実際の容積より多い過剰の第２樹脂材料４１０を排出する。
【００４５】
さらに、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０を硬化させた（ＳＴ６）。すなわち、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０に向けて紫外線照射及び加熱することによって硬化させ、シール部材３００及び樹脂層４００を形成した。
【００４６】
その後、貼り合せられた第１基板１００Ｍ及び第２基板２００Ｍを必要な大きさに切断することによって表示パネル１が得られる。
【００４７】
なお、ここでは、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０として紫外線硬化型樹脂を用いた例を説明したが、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０として熱硬化型樹脂を用いてもよい。このとき、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０の硬化工程（ＳＴ６）では紫外線を照射する代わりに樹脂材料を所定の時間加熱することによってシール部材３００及び樹脂層４００が形成させる。
【００４８】
なお、ここでは、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０は、ともに紫外線硬化型樹脂あるいはともに熱硬化型樹脂によって形成されているため、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０を同時に硬化することができ、工程数を削減することができる。また、第１樹脂材料３１０及び第２樹脂材料４１０は、一方が紫外線硬化型樹脂であって他方が熱硬化型樹脂で形成されてもよい。さらに、第１樹脂材料３１０を硬化しシール部材３００を形成してから、第２樹脂材料４１０を滴下し、第１樹脂材料３１０の硬化処理とは別の硬化処理を経て樹脂層４００を形成してもよい。
【００４９】
本実施の形態において、略枠状のシール部材３００が封止口３００Ｓを有しているため、表示パネル１の容積と同等以上の量の第２樹脂材料４１０をシール部材３００で囲まれた内側に滴下し、貼り合わせの際に加圧した際に、実際の表示パネル１の容積より多い量の第２樹脂材料４１０が封止口３００Ｓから排出される。このため、シール部材３００に加わる負荷が低減され、シール部材３００の破壊を抑制できる。
【００５０】
これにより、第２樹脂材料４１０が不所望な部分に漏れ出ることが抑制されるため、第２樹脂材料４１０によるシール部材３００の周囲、例えば、実装部１３０などの汚染が抑制される。また、表示パネル１には、表示パネル１の容積に対して適量な第２樹脂材料４１０が保持されるため、表示パネル１の内部の樹脂材料が不足することがなく、気泡の発生やギャップムラの発生を抑制することができる。したがって、本実施の形態によれば、製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００５１】
また、本実施の形態において、シール部材３００は、アレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺と異なる辺に封止口３００Ｓを有しているため、封止口３００Ｓから排出される第２樹脂材料４１０は、実装部１３０を汚染しない。
【００５２】
さらに、表示パネル１に保持される第２樹脂材料４１０の量が多すぎる場合及び少なすぎる場合に発生する局所的なギャップムラに起因した干渉縞が視認されることがなく、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えた表示パネル１を封止基板２００の側から観察した際に、良好な表示品位を得ることができる。
【００５３】
次に、他の実施の形態について図６を参照して説明する。この図６に示した表示パネル１は、図１に示した表示パネル１と比較してシール部材３００が２つの封止口３００Ｓを有する点で相違している。なお、他の構成については、図１に示した例と同一であるため、同一の参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５４】
図６は、有機ＥＬ表示装置のシール部材３００を含むアレイ基板１００の概略平面図である。なお、図６では、説明に必要なシール部材３００、樹脂層４００及び実装部１３０のみを図示している。
【００５５】
図６に示すように、シール部材３００は、アレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ１と異なる辺であり、向かい合う２辺に第１封止口３００Ｓ１及び第２封止口２００Ｓ２を有している。シール部材３００は、第１封止口３００Ｓ１を形成する両端部に相当する第１端部３００Ｐ１と、第２端部３００Ｐ２と、を有している。第１端部３００Ｐ１及び第２端部３００Ｐ２は、アクティブエリア１０２とは反対側に屈曲してアレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ１と隣接する辺Ｌ３まで引き出されている。第２端部３００Ｐ２は、第１端部３００Ｐ１から離間して配置されている。第１封止口３００Ｓ１は、第１端部３００Ｐ１と第２端部３００Ｐ２との間に形成される。
【００５６】
シール部材３００は、第２封止口３００Ｓ２を形成する両端部に相当する第３端部３００Ｐ３と、第４端部３００Ｐ４と、を有している。第３端部３００Ｐ３及び第４端部３００Ｐ４は、アクティブエリア１０２とは反対側に屈曲してアレイ基板１００の実装部１３０が配置された辺Ｌ２と隣接する辺Ｌ４まで引き出されている。第４端部３００Ｐ４は、第３端部３００Ｐ３から離間して配置されている。第２封止口３００Ｓ２は、第３端部３００Ｐ３と第４端部３００Ｐ４との間に形成される。
【００５７】
第１封止口３００Ｓ１は、アクティブエリア１０２を挟んで第２封止口３００Ｓ２と対向するように配置されている。
【００５８】
アレイ基板１００の最上面に配置された保護膜１１５を覆う樹脂層４００は、シール部材３００の内側のアクティブエリア１０２及び周辺エリア１０４のみならず、第１端部３００Ｐ１と第２端部３００Ｐ２との間の第１封止口３００Ｓ１及び第３端部３００Ｐ３と第４端部３００Ｐ４との間の第２封止口３００Ｓ２にも配置されている。
【００５９】
このような図５に示した例においても、図２に示した例と同様の効果が得られる。さらに、図５に示した例においては、第１封止口３００Ｓ１は、第２封止口３００Ｓ２と対向しているため、表示パネル１の容積より多い量の第２樹脂材料４１０が均等に排出され、さらにギャップムラの発生を抑制することができる。
【００６０】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００６１】
本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。
【００６２】
本実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプである場合について説明したが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがアレイ基板１００の絶縁基板１０１を介して光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。
【符号の説明】
【００６３】
１０１…絶縁基板 ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子 １１５…保護膜 １００…アレイ基板 ２００…封止基板 ３００Ｓ…封止口３００Ｓ ３００…シール部材 ４００…樹脂層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、を有するアレイ基板と、
前記有機ＥＬ素子と対向する封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に配置され、前記有機ＥＬ素子を囲むとともに少なくとも１つの封止口を有するシール部材と、
前記シール部材の内側に、前記保護膜と前記封止基板との間に配置された樹脂層と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記アレイ基板は、実装部を有し、
前記封止口は、前記実装部が配置された辺と異なる辺に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記封止口は、前記アレイ基板の向かい合う辺に形成されたことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
第１基板に有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子の上に保護膜を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子を囲むとともに少なくとも１つの封止口が形成されるように第１樹脂材料を塗布する工程と、
前記第１樹脂材料の内側に前記保護膜の上に第２樹脂材料を充填する工程と、
前記第１樹脂材料及び第２前記樹脂材料を介して前記第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程と、
前記第１樹脂材料及び前記第２樹脂材料を硬化させる工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２樹脂材料は、前記保護膜、前記第２基板及び前記第１樹脂材料によって囲まれた容積と同等以上の量が充填され、
前記封止口から過剰な前記第２樹脂材料を排出させる工程を備えたことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１樹脂材料及び前記第２樹脂材料は、紫外線硬化型樹脂または熱硬化型樹脂であることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、を有するアレイ基板と、
前記有機ＥＬ素子と対向する封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に配置され、前記有機ＥＬ素子を囲むとともに少なくとも１つの封止口を有するシール部材と、
前記シール部材の内側に、前記保護膜と前記封止基板との間に配置された樹脂層と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記アレイ基板は、実装部を有し、
前記封止口は、前記実装部が配置された辺と異なる辺に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記封止口は、前記アレイ基板の向かい合う辺に形成されたことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
第１基板に有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子の上に保護膜を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子を囲むとともに少なくとも１つの封止口が形成されるように第１樹脂材料を塗布する工程と、
前記第１樹脂材料の内側に前記保護膜の上に第２樹脂材料を充填する工程と、
前記第１樹脂材料及び第２前記樹脂材料を介して前記第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程と、
前記第１樹脂材料及び前記第２樹脂材料を硬化させる工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２樹脂材料は、前記保護膜、前記第２基板及び前記第１樹脂材料によって囲まれた容積と同等以上の量が充填され、
前記封止口から過剰な前記第２樹脂材料を排出させる工程を備えたことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１樹脂材料及び前記第２樹脂材料は、紫外線硬化型樹脂または熱硬化型樹脂であることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−１１３８０８（Ｐ２０１１−１１３８０８Ａ）
【公開日】平成２３年６月９日（２０１１．６．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６９０５６（Ｐ２００９−２６９０５６）
【出願日】平成２１年１１月２６日（２００９．１１．２６）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月９日（２０１１．６．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月２６日（２００９．１１．２６）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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