有機ＥＬ装置及び電子機器
【課題】従来の有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させることが困難である。
【解決手段】Ｒの光を発光し、Ｘ方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、Ｇの色の光を発光し、Ｙ方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、Ｂの色の光を発光し、Ｙ方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子とを有し、第４発光素子は第１発光素子と第２発光素子との間に配置されており、第６発光素子は第３発光素子と第４発光素子との間に配置されており、第７発光素子は第４発光素子と第５発光素子との間に配置されており、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、第６発光素子及び第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【解決手段】Ｒの光を発光し、Ｘ方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、Ｇの色の光を発光し、Ｙ方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、Ｂの色の光を発光し、Ｙ方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子とを有し、第４発光素子は第１発光素子と第２発光素子との間に配置されており、第６発光素子は第３発光素子と第４発光素子との間に配置されており、第７発光素子は第４発光素子と第５発光素子との間に配置されており、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、第６発光素子及び第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の色の色ごとに発光色が分類される複数種の画素を有する有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置において、複数種の画素のうちの一部の種類の画素の発光層が、この一部の種類の画素と他の種類の画素とを含む複数種の画素間にわたって設けられた構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１には、発光色が赤、緑及び青の３つに分類される３種類の画素を有する有機ＥＬ装置が記載されている。この有機ＥＬ装置は、赤色の光を発する発光層が設けられた画素（以下、赤色画素と呼ぶ）と、緑色の光を発する発光層が設けられた画素（以下、緑色画素と呼ぶ）と、青色の光を発する発光層が設けられた画素（以下、青色画素と呼ぶ）と、の３種類の画素を有している。
特許文献１によれば、赤色の光を発する発光層（以下、赤色発光層と呼ぶ）と、緑色の光を発する発光層（以下、緑色発光層と呼ぶ）とは、それぞれ、インクジェット法によって画素ごとにパターニングされる。そして、青色の光を発する発光層（以下、青色発光層と呼ぶ）は、この青色発光層が設けられるべき画素を含む３種類の画素間にわたって、赤色発光層及び緑色発光層上にも形成される。これにより、有機ＥＬ装置におけるフルカラー表示が実現され得る。
【０００５】
ここで、上記特許文献１に記載された有機ＥＬ装置では、次に記す製造方法が採用され得る。
この製造方法では、上記の各色の発光層は、図１５（ａ）に示す基板８０１に形成される。基板８０１には、隔壁８０３が設けられている。隔壁８０３は、赤色画素の領域８０５、緑色画素の領域８０７及び青色画素の領域８０９のそれぞれを、画素ごとに区画している。
この製造方法では、領域８０５及び領域８０７のそれぞれに、図１５（ｂ）に示すように、液状体８１１ａ及び液状体８１３ａのそれぞれを配置する。液状体８１１ａには、赤色発光層を構成する有機材料が含まれている。液状体８１３ａには、緑色発光層を構成する有機材料が含まれている。液状体８１１ａ及び液状体８１３ａの配置には、液滴吐出ヘッド８１５を利用したインクジェット法が活用され得る。
【０００６】
液滴吐出ヘッド８１５から液状体８１１ａや液状体８１３ａなどを液滴８１１ｂや液滴８１３ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体８１１ａや液状体８１３ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
次いで、液状体８１１ａ及び液状体８１３ａのそれぞれを乾燥させることによって、図１５（ｃ）に示す赤色発光層８２１及び緑色発光層８２３が形成され得る。
次いで、図１５（ｄ）に示すように、基板８０１に蒸着法で青色発光層８２５を形成する。これにより、領域８０９に青色発光層８２５が形成され得る。
上記の製造方法により、フルカラー表示を行うことができる有機ＥＬ装置が製造され得る。
【０００７】
ところで、上記の基板８０１では、液状体８１１ａや液状体８１３ａの乾燥において、赤色発光層８２１や緑色発光層８２３の膜厚が、図１６に示すように、偏りやすい。
有機ＥＬ装置では、発光層の厚みが画素の領域内でばらつくと、画素の領域内での輝度がばらつきやすい。つまり、発光層の厚みが画素の領域内でばらつくと、発光層の厚みに応じて、画素の領域内で輝度の高低差が発生しやすい。
上記の基板８０１では、赤色発光層８２１や緑色発光層８２３の膜厚が偏りやすいので、領域８０５及び領域８０７のそれぞれにおいて、輝度の高い部位が偏りやすい。このことは、表示品位の低下につながりやすい。
つまり、従来の有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００９】
［適用例１］第１の色の光を発光し、第１方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、前記第１の色及び前記第２の色とは異なる第３の色の光を発光し、前記第２方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子と、を有し、前記第４発光素子は前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、前記第６発光素子は前記第３発光素子と前記第４発光素子との間に配置されており、前記第７発光素子は前記第４発光素子と前記第５発光素子との間に配置されており、前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子、前記第４発光素子及び前記第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、前記第６発光素子及び前記第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１０】
この適用例の有機ＥＬ装置は、第１発光素子及び第２発光素子と、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、第６発光素子及び第７発光素子と、を有している。
第１発光素子及び第２発光素子は、第１の色の光を発光する。第１発光素子及び第２発光素子は、第１方向に沿って配列されている。
第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子は、第１の色とは異なる第２の色の光を発光する。第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子は、第１方向と交差する第２方向に沿って配列されている。
第６発光素子及び第７発光素子は、第１の色及び第２の色とは異なる第３の色の光を発光する。第６発光素子及び第７発光素子は、第２方向に沿って配列されている。
この有機ＥＬ装置では、第４発光素子は、第１発光素子と第２発光素子との間に配置されている。第６発光素子は、第３発光素子と第４発光素子との間に配置されている。第７発光素子は、第４発光素子と第５発光素子との間に配置されている。
そして、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されている。また、第６発光素子及び第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されている。
【００１１】
この有機ＥＬ装置では、第１方向において、第４発光素子は、第１発光素子及び第２発光素子によって挟まれている。このため、第４発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第１発光素子及び第２発光素子のそれぞれの発光層の材料によって第１方向に挟まれる。これにより、第４発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第１方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第１方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
他方で、第４発光素子は、第６発光素子及び第７発光素子によって第２方向に挟まれている。このため、第４発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第６発光素子及び第７発光素子のそれぞれの領域によって第２方向に挟まれる。これにより、第４発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第２方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第２方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
つまり、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、第４発光素子の発光層の膜厚が対称になりやすい。この結果、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００１２】
［適用例２］第１の色の光を発光し、第１方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、前記第１の色及び前記第２の色とは異なる第３の色の光を発光し、前記第１方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子と、を有し、前記第４発光素子は前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、前記第６発光素子は前記第１発光素子と前記第４発光素子との間に配置されており、前記第７発光素子は前記第４発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子、前記第４発光素子及び前記第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、前記第６発光素子及び前記第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１３】
この適用例の有機ＥＬ装置は、第１発光素子及び第２発光素子と、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、第６発光素子及び第７発光素子と、を有している。
第１発光素子及び第２発光素子は、第１の色の光を発光する。第１発光素子及び第２発光素子は、第１方向に沿って配列されている。
第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子は、第１の色とは異なる第２の色の光を発光する。第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子は、第１方向と交差する第２方向に沿って配列されている。
第６発光素子及び第７発光素子は、第１の色及び第２の色とは異なる第３の色の光を発光する。第６発光素子及び第７発光素子は、第１方向に沿って配列されている。
この有機ＥＬ装置では、第４発光素子は、第１発光素子と第２発光素子との間に配置されている。第６発光素子は、第１発光素子と第４発光素子との間に配置されている。第７発光素子は、第４発光素子と第２発光素子との間に配置されている。
そして、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されている。また、第６発光素子及び第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されている。
【００１４】
この有機ＥＬ装置では、第２方向において、第４発光素子は、第３発光素子及び第５発光素子によって挟まれている。このため、第４発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第３発光素子及び第５発光素子のそれぞれの発光層の材料によって第２方向に挟まれる。これにより、第４発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第２方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第２方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
他方で、第４発光素子は、第６発光素子及び第７発光素子によって第１方向に挟まれている。このため、第４発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第６発光素子及び第７発光素子のそれぞれの領域によって第１方向に挟まれる。これにより、第４発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第１方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第１方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
つまり、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、第４発光素子の発光層の膜厚が対称になりやすい。この結果、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００１５】
［適用例３］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第１発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第２発光素子との間の間隔と略等しく、前記第３発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第５発光素子との間の間隔と略等しいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１６】
この適用例の有機ＥＬ装置では、第１発光素子と第４発光素子との間の間隔が、第４発光素子と第２発光素子との間の間隔と略等しく、第３発光素子と第４発光素子との間の間隔が、第４発光素子と第５発光素子との間の間隔と略等しいので、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、第４発光素子の発光層の膜厚が対称になりやすい。この結果、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００１７】
［適用例４］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第１の色の光を発光し、前記第１発光素子を間に挟むと共に、前記第２方向に沿って配列された第８発光素子及び第９発光素子を有し、前記第１発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第２発光素子との間の間隔と略等しく、前記第３発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第５発光素子との間の間隔と略等しく、前記第８発光素子と前記第１発光素子との間の間隔は、前記第１発光素子と前記第９発光素子との間の間隔と略等しく、前記第６発光素子は、前記第８発光素子と前記第１発光素子との間にも配置されており、前記第７発光素子は、前記第１発光素子と前記第９発光素子との間にも配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１８】
この適用例の有機ＥＬ装置は、第８発光素子及び第９発光素子を有している。第８発光素子及び第９発光素子は、第１の色の光を発光する。第８発光素子及び第９発光素子は、第１発光素子を間に挟んで、第２方向に沿って配列されている。
この有機ＥＬ装置では、第１発光素子と第４発光素子との間の間隔が、第４発光素子と第２発光素子との間の間隔と略等しく、第３発光素子と第４発光素子との間の間隔が、第４発光素子と第５発光素子との間の間隔と略等しく、第８発光素子と第１発光素子との間の間隔が、第１発光素子と第９発光素子との間の間隔と略等しい。
また、この有機ＥＬ装置では、第６発光素子が第８発光素子と第１発光素子との間にも配置されており、第７発光素子が第１発光素子と第９発光素子との間にも配置されている。このため、この有機ＥＬ装置では、第２方向において、第１発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
【００１９】
［適用例５］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第６発光素子が有する発光層と前記第７発光素子が有する発光層とは、連続していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００２０】
［適用例６］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第６発光素子が有する発光層及び前記第７発光素子が有する発光層は蒸着法によって形成されており、前記第６発光素子が有する発光層は、前記第７発光素子が有する発光層と分離していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００２１】
［適用例７］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第３の色は青系の色であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００２２】
［適用例８］上記の有機ＥＬ装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
【００２３】
この適用例の電子機器は、有機ＥＬ装置を有している。この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光層の膜厚が対称になりやすい。このため、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、この電子機器は、表示品位を向上させやすくすることができる有機ＥＬ装置を有している。このため、この電子機器では、有機ＥＬ装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態における表示装置を示す斜視図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】第１実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３（ｂ）中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図６】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図７】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図８】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図９】図８（ａ）中のＥ部の拡大図。
【図１０】図９中のＦ−Ｆ線における断面図。
【図１１】第２実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１２】第２実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１３】第３実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図１４】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【図１５】従来技術を説明する図。
【図１６】従来技術を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
実施形態について、電子機器の１つである有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態における表示装置１は、図１に示すように、素子基板３と、封止基板５と、を有している。素子基板３と封止基板５とは、互いに対向している。
表示装置１では、素子基板３の封止基板５側とは反対側の面である表示面７に、画像などを表示することができる。
【００２６】
ここで、表示装置１には、複数の複合画素９が設定されている。複数の複合画素９は、表示領域１１内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。Ｘ方向及びＹ方向は、平面視で互いに交差（直交）する方向である。本実施形態では、Ｘ方向は、後述する走査線が延在する方向でもある。また、Ｙ方向は、後述する信号線が延在する方向でもある。
表示装置１は、複数の複合画素９から選択的に表示面７を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面７に画像などを表示する。なお、表示領域１１とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、複合画素９が誇張され、且つ複合画素９の個数が減じられている。
【００２７】
表示装置１において、封止基板５は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板３側とは反対側の面である底面１３を有している。
素子基板３には、底面１３側すなわち封止基板５側に、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、表示装置１において、表示面７と底面１３とは、互いに表裏の関係にある。
【００２８】
封止基板５は、素子基板３よりも底面１３側で素子基板３に対向した状態で設けられている。素子基板３と封止基板５とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって底面１３側から覆われている。
また、素子基板３と封止基板５との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域１１を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板３及び封止基板５並びにシール材１７によって封止されている。
【００２９】
ここで、表示装置１における複数の複合画素９は、図３（ａ）に示すように、複数の複合画素列２１と、複数の複合画素行２３とを構成している。
本実施形態では、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の複合画素９が、１つの複合画素列２１を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の複合画素９が、１つの複合画素行２３を構成している。複合画素列２１では、複数の複合画素９がＹ方向に略等間隔に並んでいる。また、複合画素列２１では、複数の複合画素９がＸ方向に略等間隔に並んでいる。
複合画素９は、図３（ａ）中のＣ部の拡大図である図３（ｂ）に示すように、複数の画素２５（本実施形態では、３つの画素２５）を包含している。１つの複合画素９における複数の画素２５は、射出する光の色が相互に異なる。
【００３０】
本実施形態では、複合画素９において、複数の画素２５は、それぞれ、表示面７から射出する光の色が、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。複合画素９は、射出する光の色が相互に異なる３種類の画素２５を包含している。つまり、複合画素９を構成する複数の画素２５は、Ｒの光を射出する画素２５Ｒと、Ｇの光を射出する画素２５Ｇと、Ｂの光を射出する画素２５Ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素２５という表記と、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３１】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３２】
本実施形態では、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素２５が、図３（ｂ）に示すように、１つの画素行２７を構成している。１つの複合画素行２３は、画素行２７Ｓと画素行２７Ｐとの２つの画素行２７を包含している。画素行２７Ｓを構成する複数の画素２５は、射出する光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに統一されている。つまり、画素行２７Ｓを構成する複数の画素２５は、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂのうちの１つの種類に統一されている。本実施形態では、画素行２７Ｓを構成する複数の画素２５は、画素２５Ｂに統一されている。画素行２７Ｓでは、複数の画素２５ＢがＸ方向に沿って並んでいる。
【００３３】
他方で、画素行２７Ｐを構成する複数の画素２５は、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂのうちの残りの２つの種類を含んでいる。本実施形態では、画素行２７Ｐを構成する複数の画素２５は、画素２５Ｒと、画素２５Ｇとを含んでいる。画素行２７Ｐでは、画素２５Ｒと画素２５Ｇとが、Ｘ方向に沿って交互に並んでいる。
そして、本実施形態では、画素行２７Ｓと画素行２７Ｐとが、Ｙ方向に交互に並んでいる。
【００３４】
本実施形態では、画素２５Ｂは、Ｘ方向の長さがＹ方向の長さよりも長い。つまり、画素２５Ｂは、Ｘ方向に延在している。これに対し、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇは、それぞれ、Ｙ方向の長さがＸ方向の長さよりも長い。つまり、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇは、それぞれ、Ｙ方向に延在している。本実施形態では、画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇのそれぞれの領域は、相互に略同じ面積に設定されている。これにより、画素２５から射出される光の量を、画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇの間で略同等にすることができる。しかしながら、画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇのそれぞれの領域は、相互に略同じ面積であることに限定されず、相互に異なる面積であったり、いずれか１つだけが他の２つと異なる面積であったりしてもよい。
【００３５】
ところで、複合画素９の領域は、平面視で四辺形を呈している。本実施形態では、複合画素９の領域は、略正方形に設定されている。
本実施形態では、複合画素９の領域内において、３つの画素２５は、画素２５Ｂを起点として時計回りの方向に画素２５Ｂ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｒの順に配置されている。しかしながら、３つの画素２５の配置順は、これに限定されず、例えば、画素２５Ｂを起点として時計回りの方向に画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇの配置順も採用され得る。この配置順では、図３（ｂ）に示す画素２５Ｒと画素２５Ｇとが互いに入れ替わった配置となる。
【００３６】
Ｘ方向に隣り合う２つの画素２５Ｂの間隔は、画素行２７Ｓにわたって略等間隔に設定されている。また、Ｙ方向に隣り合う２つの複合画素９間で、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｂの間隔は、複合画素列２１にわたって略等間隔に設定されている。
他方で、Ｘ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔は、画素行２７Ｐにわたって略等間隔に設定されている。また、Ｙ方向に隣り合う２つの複合画素９間で、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｒの間隔は、複合画素列２１にわたって略等間隔に設定されている。同様に、Ｙ方向に隣り合う２つの複合画素９間で、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｇの間隔も、複合画素列２１にわたって略等間隔に設定されている。
【００３７】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素２５ごとに、選択トランジスター３１と、駆動トランジスター３３と、容量素子３５と、有機ＥＬ素子３７とを有している。有機ＥＬ素子３７は、画素電極３９と、有機層４１と、共通電極４３とを有している。選択トランジスター３１及び駆動トランジスター３３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。なお、以下において、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂごとに有機ＥＬ素子３７が識別される場合には、有機ＥＬ素子３７Ｒ、有機ＥＬ素子３７Ｇ及び有機ＥＬ素子３７Ｂという表記が使われる。このとき、画素２５Ｒにおける有機ＥＬ素子３７が有機ＥＬ素子３７Ｒに対応し、画素２５Ｇにおける有機ＥＬ素子３７が有機ＥＬ素子３７Ｇに対応し、画素２５Ｂにおける有機ＥＬ素子３７が有機ＥＬ素子３７Ｂに対応する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路４５と、信号線駆動回路４７と、複数の走査線ＧＴと、複数の信号線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００３８】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路４５につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数の信号線ＳＩは、それぞれ信号線駆動回路４７につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各走査線ＧＴとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
【００３９】
各画素２５は、各走査線ＧＴと各信号線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３（ｂ）に示す各画素行２７に対応している。また、各信号線ＳＩは、Ｙ方向に並ぶ画素２５Ｒの列、及びＹ方向に並ぶ画素２５Ｇの列のそれぞれに対応して設けられている。
図４に示す各選択トランジスター３１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスター３１のソース電極は、対応する各信号線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスター３１のドレイン電極は、各駆動トランジスター３３のゲート電極及び各容量素子３５の一方の電極に電気的につながっている。
本実施形態では、画素２５Ｂにおける選択トランジスター３１のソース電極が、画素２５Ｒに対応する信号線ＳＩにつながっている。しかしながら、画素２５Ｂにおける選択トランジスター３１のソース電極は、画素２５Ｇに対応する信号線ＳＩにつながっていてもよい。
【００４０】
容量素子３５の他方の電極と、駆動トランジスター３３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスター３３のドレイン電極は、各画素電極３９に電気的につながっている。各画素電極３９と共通電極４３とは、画素電極３９を陽極とし、共通電極４３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極４３は、マトリクスＭを構成する複数の画素２５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素２５間にわたって共通して機能する。
各画素電極３９と共通電極４３との間に介在する有機層４１は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
【００４１】
選択トランジスター３１は、この選択トランジスター３１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスター３１につながる信号線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスター３３がＯＮ状態になる。駆動トランジスター３３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子３５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスター３３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００４２】
駆動トランジスター３３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスター３３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極３９と有機層４１を経て共通電極４３に流れる。そして、有機層４１に含まれる発光層が、有機層４１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層４１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が素子基板３を介して表示面７から射出されるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面７側という表現が上側とも表現され、底面１３側という表現が下側とも表現される。
【００４３】
ここで、素子基板３及び封止基板５のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板３は、図３（ｂ）中のＤ−Ｄ線における断面図である図５に示すように、第１基板５１と、素子層５３と、を有している。素子層５３は、駆動素子層５５を含んでいる。
なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、図４に示す選択トランジスター３１、駆動トランジスター３３、容量素子３５、走査線ＧＴ、信号線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。選択トランジスター３１、駆動トランジスター３３、容量素子３５、走査線ＧＴ、信号線ＳＩ及び電源線ＰＷは、駆動素子層５５に含まれている。
【００４４】
第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、底面１３側に向けられた第１面５２ａと、表示面７側に向けられた第２面５２ｂと、を有している。
駆動素子層５５は、第１基板５１の第１面５２ａに設けられている。
駆動素子層５５の底面１３側には、画素電極３９が設けられている。画素電極３９の材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などが採用され得る。本実施形態では、画素電極３９の材料としてＩＴＯが採用されている。
【００４５】
隣り合う画素電極３９同士の間には、各画素２５を区画する絶縁膜（第１隔壁）５７が設けられている。絶縁膜５７は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜５７は、平面視で、表示領域１１にわたって、各画素２５の領域が開口した網目状に設けられている。このため、表示領域１１は、絶縁膜５７によって複数の画素２５の領域に区画されている。１つの画素２５に着目すると、絶縁膜５７は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極３９は、絶縁膜５７によって囲まれた各画素２５の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜５７の材料として酸化シリコンが採用されている。
【００４６】
絶縁膜５７の底面１３側には、各画素２５の領域を囲む絶縁膜（第２隔壁）５９が設けられている。絶縁膜５９は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜５７に沿って網目状に設けられている。１つの画素２５に着目すると、絶縁膜５９は、平面視で各画素２５の領域を囲んでいる。このため、絶縁膜５９は、画素２５ごとに環状に設けられているとみなされ得る。本実施形態では、絶縁膜５９の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
【００４７】
画素電極３９の底面１３側には、有機層４１が設けられている。
有機層４１は、各画素２５に対応して設けられており、正孔注入層６１と、発光層６５と、を有している。
正孔注入層６１は、有機材料で構成されており、画素２５ごとに、画素電極３９の底面１３側に設けられている。
正孔注入層６１の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６１の有機材料としては、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。本実施形態では、正孔注入層６１の有機材料として、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物が採用されている。
【００４８】
発光層６５は、有機材料で構成されており、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂごとに異なる構成を有している。
ここで、以下において、発光層６５がＲ，Ｇ及びＢごとに識別される場合には、発光層６５Ｒ、発光層６５Ｇ及び発光層６５Ｂという表記が使われる。発光層６５Ｒは、Ｒの光を発する発光層６５である。同様に、発光層６５ＧがＧの光を発する発光層６５であり、発光層６５ＢがＢの光を発する発光層６５である。
画素２５Ｒに対応する有機層４１Ｒは、発光層６５Ｒと発光層６５Ｂとを有している。
画素２５Ｇに対応する有機層４１Ｇは、発光層６５Ｇと発光層６５Ｂとを有している。
画素２５Ｂに対応する有機層４１Ｂは、発光層６５Ｂを有している。
【００４９】
画素２５Ｒにおいて、発光層６５Ｒは、正孔注入層６１の底面１３側に設けられている。発光層６５Ｒは、平面視で各画素電極３９に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｒにおいて、発光層６５Ｒは、正孔注入層６１を底面１３側から覆っている。
発光層６５Ｒの有機材料としては、例えば、下記化合物１が採用され得る。
【００５０】
【化１】
【００５１】
有機層４１Ｒにおいて、発光層６５Ｂは、発光層６５Ｒの底面１３側に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｒにおいて、発光層６５Ｂは、発光層６５Ｒを底面１３側から覆っている。
画素２５Ｇにおいて、発光層６５Ｇは、正孔注入層６１の底面１３側に設けられている。発光層６５Ｇは、平面視で各画素電極３９に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｇにおいて、発光層６５Ｇは、正孔注入層６１を底面１３側から覆っている。
発光層６５Ｇの有機材料としては、例えば、下記化合物２が採用され得る。
【００５２】
【化２】
【００５３】
有機層４１Ｇにおいて、発光層６５Ｂは、発光層６５Ｇの底面１３側に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｇにおいて、発光層６５Ｂは、発光層６５Ｇを底面１３側から覆っている。
画素２５Ｂにおいて、発光層６５Ｂは、正孔注入層６１の底面１３側に設けられている。発光層６５Ｂは、平面視で各画素電極３９に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｂにおいて、発光層６５Ｂは、正孔注入層６１を底面１３側から覆っている。
発光層６５Ｂの有機材料としては、例えば、下記化合物３が採用され得る。
【００５４】
【化３】
【００５５】
本実施形態では、発光層６５Ｂは、複数の画素２５間にわたって、すなわち絶縁膜５９をまたいで一連した状態で設けられている。しかしながら、発光層６５Ｂの態様は、これに限定されず、画素２５ごとに個別に独立して、すなわち画素２５間で途切れた状態で設けられた態様も採用され得る。
【００５６】
有機層４１の底面１３側には、共通電極４３が設けられている。本実施形態では、共通電極４３は、平面視で絶縁膜５７をまたいで複数の画素２５間にわたって一連した状態で設けられている。
本実施形態では、共通電極４３として、図示しない複数の層を積層させた構成が採用されている。本実施形態では、共通電極４３を構成する複数の層には、有機層４１から底面１３側に向かって順にフッ化リチウム層、カルシウム層及びアルミニウム層が含まれている。
フッ化リチウム層は、フッ化リチウムを主成分とする材料で構成されている。カルシウム層は、カルシウムを主成分とする材料で構成されている。アルミニウム層は、アルミニウムを主成分とする材料で構成されている。
【００５７】
なお、表示装置１では、各画素２５において発光する領域は、平面視で、絶縁膜５７によって囲まれた領域内で、画素電極３９と有機層４１と共通電極４３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素２５ごとに発光する領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子３７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子３７は、１つの画素電極３９と、１つの有機層４１と、１つの画素２５に対応する共通電極４３とを含んだ構成を有している。
【００５８】
封止基板５は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面７側に向けられた対向面５ａと、底面１３側に向けられた外向面５ｂと、を有している。
上記の構成を有する素子基板３及び封止基板５は、素子基板３の共通電極４３と封止基板５の対向面５ａとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【００５９】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板５１の第１面５２ａと、封止基板５の対向面５ａとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子３７及び接着剤１６が、第１基板５１及び封止基板５並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面５ａ及び共通電極４３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子３７及び接着剤１６は、素子基板３及び封止基板５並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００６０】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板３を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板３を製造する工程では、図６（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５２ａに駆動素子層５５を形成する。
次いで、駆動素子層５５の底面１３側に、各画素２５に対応した画素電極３９を形成する。
次いで、隣り合う画素電極３９間に、絶縁膜５７を、各画素電極３９の周縁に重ねて形成する。
次いで、絶縁膜５７の底面１３側に絶縁膜５９を形成する。
【００６１】
ここで、画素電極３９の形成では、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などの成膜技術や、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術が活用され得る。画素電極３９の形成では、まず、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などを活用して、駆動素子層５５の底面１３側にＩＴＯの膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術を活用して、ＩＴＯの膜をパターニングすることによって画素電極３９が形成され得る。
【００６２】
絶縁膜５７の形成では、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術や、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術などの成膜技術や、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術が活用され得る。絶縁膜５７の形成では、まず、例えばＣＶＤ技術やＰＶＤ技術などを活用して酸化シリコンの膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術を活用して、酸化シリコンの膜をパターニングすることによって絶縁膜５７が形成され得る。
絶縁膜５９の形成では、まず、ネガ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極３９及び絶縁膜５７を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィー技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜５９が形成され得る。
なお、駆動素子層５５から絶縁膜５９までの構成が形成された第１基板５１は、以下において基板５１ａと呼ばれる。
【００６３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、基板５１ａにプラズマ処理を施す。このプラズマ処理では、基板５１ａに酸素プラズマ処理を施してから、基板５１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。基板５１ａに酸素プラズマ処理を施すことにより、画素電極３９に後述する液状体６１ａに対する親液性が付与される。また、基板５１ａにＣＦ4プラズマ処理を施すことにより、絶縁膜５９に、後述する液状体６１ａに対する撥液性が付与される。
本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、酸素プラズマ処理において、処理ガスとして酸素を含むガスが採用されている。また、ＣＦ4プラズマ処理において、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるＣＦ4ガスが採用されている。なお、ＣＦ4プラズマ処理では、処理ガスは、ＣＦ4ガスに限定されず、ＳＦ6やＣＨＦ3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
【００６４】
基板５１ａにプラズマ処理を施す工程に次いで、図７（ａ）に示すように、絶縁膜５９によって囲まれた各画素２５の領域内に液状体６１ａを配置する。液状体６１ａには、正孔注入層６１を構成する有機材料が含まれている。液状体６１ａの配置には、液滴吐出ヘッド７１を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド７１から液状体６１ａなどを液滴６１ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６１ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００６５】
各画素２５の領域内に配置された液状体６１ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図７（ｂ）に示す正孔注入層６１が形成され得る。なお、液状体６１ａには、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。
なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体６１ａの焼成条件は、環境温度が約２００℃で、保持時間が約１５分間である。
【００６６】
次いで、図７（ｂ）に示すように、絶縁膜５９によって囲まれた画素２５の領域のうちの画素２５Ｒ及び画素２５Ｇの各領域に、液状体６５Ｒａ及び液状体６５Ｇａのそれぞれを配置する。画素２５Ｒに対しては、液滴吐出ヘッド７１から液状体６５Ｒａを液滴６５Ｒｂとして吐出することで、絶縁膜５９によって囲まれた領域内に液状体６５Ｒａを配置する。また、画素２５Ｇに対しては、液滴吐出ヘッド７１から液状体６５Ｇａを液滴６５Ｇｂとして吐出することで、絶縁膜５９によって囲まれた領域内に液状体６５Ｇａを配置する。
このとき、画素２５Ｂの領域に対しては、液状体の配置を行わない。
なお、液状体６５Ｒａの配置と、液状体６５Ｇａの配置とは、いずれが先でも後でもかまわない。
【００６７】
液状体６５Ｒａには、発光層６５Ｒを構成する有機材料が含まれている。また、液状体６５Ｇａには、発光層６５Ｇを構成する有機材料が含まれている。
本実施形態では、液状体６５Ｒａとして、前述した化合物１を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。また、液状体６５Ｇａとして、前述した化合物２を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、それぞれ、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
次いで、液状体６５Ｒａ及び液状体６５Ｇａを減圧乾燥法で乾燥させる。これにより、図８（ａ）に示す発光層６５Ｒ及び発光層６５Ｇが形成され得る。
なお、以下において、駆動素子層５５から発光層６５Ｒ及び発光層６５Ｇまでの構成が形成された第１基板５１は、基板５１ｂと呼ばれる。
【００６８】
次いで、図８（ｂ）に示すように、基板５１ｂの底面１３側に、液状体６５Ｂａで液状体膜６５Ｂｂを形成する。液状体６５Ｂａには、発光層６５Ｂを構成する有機材料が含まれている。液状体膜６５Ｂｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。なお、スピンコート技術を活用した成膜方法は、塗布法の１つである。
本実施形態では、液状体６５Ｂａとして、前述した化合物３を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。本実施形態では、液状体６５Ｂａの溶媒として、イソプロピルアルコールが採用されている。
次いで、不活性ガス中で、液状体膜６５Ｂｂに加熱処理を施す。これにより、図５に示す発光層６５Ｂが形成され得る。なお、加熱処理の条件としては、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１５分間である。また、本実施形態では、不活性ガスとして窒素ガスが採用されている。
【００６９】
次いで、蒸着技術などを活用して、フッ化リチウム層、カルシウム層及びアルミニウム層の順に膜を形成することにより、図５に示す共通電極４３が形成され得る。
これにより、素子基板３が製造され得る。
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板３及び封止基板５を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板３及び封止基板５は、図５に示すように、第１基板５１の第１面５２ａと、封止基板５の対向面５ａとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【００７０】
本実施形態において、表示装置１が有機ＥＬ装置に対応し、有機ＥＬ素子３７が発光素子に対応し、Ｘ方向が第１方向に対応し、Ｙ方向が第２方向に対応している。
本実施形態では、Ｘ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔が、画素行２７Ｐにわたって略等間隔に設定されている。このため、画素行２７Ｐ（図３（ｂ））内で連続して並ぶ３つの画素２５のうちの中央に位置する画素２５では、発光層６５の厚みが、図８（ａ）中のＥ部の拡大図である図９に示すように、Ｘ方向の幅の中央線８１に対して対称になりやすい。
【００７１】
従来、一般的な有機ＥＬ装置では、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂが、Ｘ方向に略等間隔で並んだ構成が多い。この構成では、複合画素９内でＸ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔と、Ｘ方向に隣り合う複合画素９間でＸ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔とが、異なる。このことは、画素２５の領域内に配置された液状体６５Ｒａや液状体６５Ｇａの乾燥状態がＸ方向に偏ってしまう要因の１つとなる。
このため、この構成では、発光層６５の膜厚が、中央線８１に対して非対称になりやすい。つまり、この構成では、発光層６５の膜厚が、偏りやすい。
【００７２】
これに対し、本実施形態では、Ｘ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔が、画素行２７Ｐにわたって略等間隔に設定されている。このため、画素２５の領域内に配置された液状体６５Ｒａや液状体６５Ｇａの乾燥状態を、中央線８１に対して対称にしやすくすることができる。この結果、本実施形態では、発光層６５の厚みを中央線８１に対して対称にしやすくすることができる。
【００７３】
同様に、本実施形態では、Ｙ方向に隣り合う複合画素９間で、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｒの間隔と、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｇの間隔とは、それぞれ、複合画素列２１にわたって略等間隔に設定されている。このため、画素２５Ｒや画素２５Ｇでは、発光層６５の厚みが、図９中のＦ−Ｆ線における断面図である図１０に示すように、Ｙ方向の幅の中央線８３に対して対称になりやすい。これは、上述した理由と同じ理由による。
以上の結果、本実施形態では、Ｘ及びＹ方向のそれぞれにおいて、発光層６５の膜厚が対称になりやすい。よって、本実施形態では、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれにおいて、画素２５の領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、本実施形態では、表示装置１における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００７４】
第２実施形態について説明する。
第２実施形態における表示装置１では、発光層６５Ｂと共通電極４３と（図５）の間に、後述する正孔阻止層及び電子輸送層が介在している。また、第２実施形態では、発光層６５Ｂの材料及び発光層６５Ｂの形成方法が、第１実施形態とは異なる。第２実施形態における表示装置１は、これらの点を除いては、第１実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第２実施形態における表示装置１の構成のうち、第１実施形態における表示装置１と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
第２実施形態では、発光層６５Ｂとして、下記化合物４として示されるＣＢＰなどのホスト材料に、下記化合物５として示されるＦＩｒｐｉｃなどのドーパント材料を混合した材料が採用されている。
【００７５】
【化４】
【００７６】
【化５】
【００７７】
また、発光層６５Ｂの形成では、蒸着技術（蒸着法）が活用される。発光層６５Ｂの形成では、図８（ａ）に示す基板５１ｂの底面１３側に、化合物４のホスト材料と化合物５のドーパント材料とを、共蒸着によって蒸着する。これにより、図１１（ａ）に示す発光層６５Ｂが形成され得る。
次いで、図１１（ｂ）に示すように、発光層６５Ｂの底面１３側に正孔阻止層８７を形成する。正孔阻止層８７を構成する材料としては、例えば、下記化合物６として示されるＢＣＰなどが採用され得る。本実施形態では、蒸着法によってＢＣＰで正孔阻止層８７が形成される。
【００７８】
【化６】
【００７９】
次いで、図１２（ａ）に示すように、正孔阻止層８７の底面１３側に電子輸送層８９を形成する。電子輸送層８９を構成する材料としては、例えば、下記化合物７として示されるＡｌｑ３（アルミニウムキノリノール）などが採用され得る。本実施形態では、蒸着法によってＡｌｑ３で電子輸送層８９が形成される。
【００８０】
【化７】
【００８１】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、電子輸送層８９の底面１３側に共通電極４３を形成する。第２実施形態では、共通電極４３として、電子輸送層８９から底面１３側に向かって順にフッ化リチウム層及びアルミニウム層を含む積層構成が採用されている。蒸着法によって共通電極４３を形成することにより、図１２（ｂ）に示す素子基板３が製造され得る。
上記の構成を有する第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第２実施形態において、発光層６５Ｂを画素２５Ｂごとに独立して設けるには、例えばマスクを用いたマスク蒸着技術が活用され得る。
【００８２】
第３実施形態について説明する。
第３実施形態における表示装置１は、複合画素９における画素２５の構成が異なることを除いては、第１実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第３実施形態における表示装置１の構成のうち、第１実施形態における表示装置１と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００８３】
第３実施形態では、複合画素９は、図１３に示すように、４つの画素２５を包含している。第３実施形態は、複合画素９が画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂの３種類の画素２５を包含している点で、第１実施形態と共通している。
第３実施形態では、複合画素９は、１つの画素２５Ｒと、１つの画素２５Ｇと、２つの画素２５Ｂと、を包含している。複合画素９内において、４つの画素２５は、Ｘ方向に沿って並んでいる。また、各画素２５は、Ｙ方向の長さがＸ方向の長さよりも長い。つまり、各画素２５は、Ｙ方向に延在している。
【００８４】
画素２５ＢのＸ方向における幅寸法は、画素２５Ｒや画素２５ＧのＸ方向における幅寸法よりも狭い。複合画素９内において、２つの画素２５Ｂの面積の合計は、画素２５Ｒの面積や、画素２５Ｇの面積と同等に設定されている。これにより、複合画素９内において、画素２５から射出される光の量を、画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇの間で略同等にすることができる。しかしながら、複合画素９内において、２つの画素２５Ｂの面積の合計は、画素２５Ｒの面積や、画素２５Ｇの面積と同等であることに限定されず、相互に異なっていてもよい。
第３実施形態では、画素２５Ｒと画素２５Ｇとが、Ｘ方向に、略等間隔で交互に並んでいる。そして、Ｘ方向において、画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間に画素２５Ｂが介在している。
第３実施形態では、Ｙ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素２５が、１つの画素列９１を構成している。また、Ｘ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素２５が、１つの画素行９３を構成している。
【００８５】
１つの画素列９１内の各画素２５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、第３実施形態では、複数の画素２５ＲがＹ方向に配列した画素列９１Ｒと、複数の画素２５ＧがＹ方向に配列した画素列９１Ｇと、複数の画素２５ＢがＹ方向に配列した画素列９１Ｂと、がある。
なお、以下においては、画素列９１という表記と、画素列９１Ｒ、画素列９１Ｇ及び画素列９１Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
第３実施形態では、１つの複合画素行２３は、１つの画素行９３を包含している。また、１つの複合画素列２１は、４つの画素列９１を包含している。これらの４つの画素列９１には、１つの画素列９１Ｒと、１つの画素列９１Ｇと、２つの画素列９１Ｂと、が含まれる。
【００８６】
第３実施形態は、走査線ＧＴ（図４）が画素行９３（図１３）に対応して設けられている点で第１実施形態と共通している。しかしながら、第３実施形態は、信号線ＳＩ（図４）が画素列９１（図１３）に対応して設けられている点で第１実施形態とは異なっている。
また、第３実施形態では、発光層６５Ｂの有機材料や、表示装置１の製造方法も、第１実施形態に準じている。
上記の構成を有する第３実施形態においても、第１実施形態及び第２実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。なお、第３実施形態において、画素行９３が発光素子配列に対応している。
【００８７】
第４実施形態について説明する。
第４実施形態における表示装置１では、発光層６５Ｂと共通電極４３と（図５）の間に、正孔阻止層８７及び電子輸送層８９が介在している。また、第４実施形態では、発光層６５Ｂの材料及び発光層６５Ｂの形成方法が、第３実施形態とは異なる。第４実施形態における表示装置１は、これらの点を除いては、第３実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第４実施形態における表示装置１の構成のうち、第３実施形態における表示装置１と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
第４実施形態では、発光層６５Ｂとして、前述した化合物４として示されるＣＢＰなどのホスト材料に、前述した化合物５として示されるＦＩｒｐｉｃなどのドーパント材料を混合した材料が採用されている。
【００８８】
また、発光層６５Ｂの形成では、蒸着技術（蒸着法）が活用される。発光層６５Ｂの形成では、図８（ａ）に示す基板５１ｂの底面１３側に、化合物４のホスト材料と化合物５のドーパント材料とを、共蒸着によって蒸着する。これにより、発光層６５Ｂが形成され得る。
次いで、発光層６５Ｂの底面１３側に正孔阻止層８７を形成してから、正孔阻止層８７の底面１３側に電子輸送層８９を形成する。
第４実施形態では、正孔阻止層８７の材料として、化合物６として示されるＢＣＰが採用されている。電子輸送層８９の材料として、化合物７として示されるＡｌｑ３が採用されている。また、正孔阻止層８７及び電子輸送層８９は、それぞれ、蒸着法によって形成される。
そして、電子輸送層８９の底面１３側に共通電極４３を形成する。共通電極４３の構成及び形成方法は、第２実施形態に準じる。
上記の構成を有する第４実施形態においても、第１実施形態〜第３実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
なお、第４実施形態において、発光層６５Ｂを画素２５Ｂごとに独立して設けるには、例えばマスクを用いたマスク蒸着技術が活用され得る。
【００８９】
なお、第１実施形態〜第４実施形態では、それぞれ、表示装置１に３種類の画素２５（画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂ）が設定されている例が示されているが、画素２５の種類は、３種類に限定されない。画素２５の種類としては、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂの３種類に、例えば、白系の光を射出する画素２５や、マゼンタ系の光を射出する画素２５などを加えた４種類以上も採用され得る。
【００９０】
また、第１実施形態〜第４実施形態では、それぞれ、複数の画素２５が設定され、画素２５ごとに有機ＥＬ素子３７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子３７を表示領域１１にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【００９１】
また、第１実施形態〜第４実施形態では、それぞれ、絶縁膜５７が光透過性を有する材料で構成されているが、絶縁膜５７の材料はこれに限定されない。絶縁膜５７の材料としては、光吸収性が高い材料も採用され得る。絶縁膜５７の材料に光吸収性が高い材料を採用すれば、隣り合う画素２５同士間における遮光性が高められる。これにより、表示におけるコントラストを向上させやすくすることができ、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００９２】
また、第１実施形態〜第４実施形態では、それぞれ、有機層４１からの光を素子基板３を介して表示面７から射出するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層４１からの光を封止基板５を介して底面１３から射出するトップエミッション型も採用され得る。
トップエミッション型の場合、有機層４１からの光が底面１３から射出されるので、底面１３側に表示面７が設定される。つまり、トップエミッション型では、表示装置１の底面１３と表示面７とが入れ替わる。そして、トップエミッション型では、底面１３側が上側に対応し、表示面７側が下側に対応する。
【００９３】
上述した表示装置１は、例えば、図１４に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されているので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００９４】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【００９５】
１…表示装置、３…素子基板、５…封止基板、７…表示面、９…複合画素、１３…底面、２１…複合画素列、２３…複合画素行、２５…画素、２７…画素行、２７Ｓ…画素行、３７…有機ＥＬ素子、３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂ…有機ＥＬ素子、４１…有機層、４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ…有機層、６５…発光層、６５Ｒ，６５Ｇ，６５Ｂ…発光層、６５Ｒａ，６５Ｇａ…液状体、６５Ｒｂ，６５Ｇｂ…液滴、６５Ｂａ…液状体、６５Ｂｂ…液状体膜、７１…液滴吐出ヘッド、８７…正孔阻止層、８９…電子輸送層、９１…画素列、９１Ｒ，９１Ｇ，９１Ｂ…画素列、９３…画素行、５００…電子機器、５１０…表示部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の色の色ごとに発光色が分類される複数種の画素を有する有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置において、複数種の画素のうちの一部の種類の画素の発光層が、この一部の種類の画素と他の種類の画素とを含む複数種の画素間にわたって設けられた構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１には、発光色が赤、緑及び青の３つに分類される３種類の画素を有する有機ＥＬ装置が記載されている。この有機ＥＬ装置は、赤色の光を発する発光層が設けられた画素（以下、赤色画素と呼ぶ）と、緑色の光を発する発光層が設けられた画素（以下、緑色画素と呼ぶ）と、青色の光を発する発光層が設けられた画素（以下、青色画素と呼ぶ）と、の３種類の画素を有している。
特許文献１によれば、赤色の光を発する発光層（以下、赤色発光層と呼ぶ）と、緑色の光を発する発光層（以下、緑色発光層と呼ぶ）とは、それぞれ、インクジェット法によって画素ごとにパターニングされる。そして、青色の光を発する発光層（以下、青色発光層と呼ぶ）は、この青色発光層が設けられるべき画素を含む３種類の画素間にわたって、赤色発光層及び緑色発光層上にも形成される。これにより、有機ＥＬ装置におけるフルカラー表示が実現され得る。
【０００５】
ここで、上記特許文献１に記載された有機ＥＬ装置では、次に記す製造方法が採用され得る。
この製造方法では、上記の各色の発光層は、図１５（ａ）に示す基板８０１に形成される。基板８０１には、隔壁８０３が設けられている。隔壁８０３は、赤色画素の領域８０５、緑色画素の領域８０７及び青色画素の領域８０９のそれぞれを、画素ごとに区画している。
この製造方法では、領域８０５及び領域８０７のそれぞれに、図１５（ｂ）に示すように、液状体８１１ａ及び液状体８１３ａのそれぞれを配置する。液状体８１１ａには、赤色発光層を構成する有機材料が含まれている。液状体８１３ａには、緑色発光層を構成する有機材料が含まれている。液状体８１１ａ及び液状体８１３ａの配置には、液滴吐出ヘッド８１５を利用したインクジェット法が活用され得る。
【０００６】
液滴吐出ヘッド８１５から液状体８１１ａや液状体８１３ａなどを液滴８１１ｂや液滴８１３ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体８１１ａや液状体８１３ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
次いで、液状体８１１ａ及び液状体８１３ａのそれぞれを乾燥させることによって、図１５（ｃ）に示す赤色発光層８２１及び緑色発光層８２３が形成され得る。
次いで、図１５（ｄ）に示すように、基板８０１に蒸着法で青色発光層８２５を形成する。これにより、領域８０９に青色発光層８２５が形成され得る。
上記の製造方法により、フルカラー表示を行うことができる有機ＥＬ装置が製造され得る。
【０００７】
ところで、上記の基板８０１では、液状体８１１ａや液状体８１３ａの乾燥において、赤色発光層８２１や緑色発光層８２３の膜厚が、図１６に示すように、偏りやすい。
有機ＥＬ装置では、発光層の厚みが画素の領域内でばらつくと、画素の領域内での輝度がばらつきやすい。つまり、発光層の厚みが画素の領域内でばらつくと、発光層の厚みに応じて、画素の領域内で輝度の高低差が発生しやすい。
上記の基板８０１では、赤色発光層８２１や緑色発光層８２３の膜厚が偏りやすいので、領域８０５及び領域８０７のそれぞれにおいて、輝度の高い部位が偏りやすい。このことは、表示品位の低下につながりやすい。
つまり、従来の有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００９】
［適用例１］第１の色の光を発光し、第１方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、前記第１の色及び前記第２の色とは異なる第３の色の光を発光し、前記第２方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子と、を有し、前記第４発光素子は前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、前記第６発光素子は前記第３発光素子と前記第４発光素子との間に配置されており、前記第７発光素子は前記第４発光素子と前記第５発光素子との間に配置されており、前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子、前記第４発光素子及び前記第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、前記第６発光素子及び前記第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１０】
この適用例の有機ＥＬ装置は、第１発光素子及び第２発光素子と、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、第６発光素子及び第７発光素子と、を有している。
第１発光素子及び第２発光素子は、第１の色の光を発光する。第１発光素子及び第２発光素子は、第１方向に沿って配列されている。
第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子は、第１の色とは異なる第２の色の光を発光する。第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子は、第１方向と交差する第２方向に沿って配列されている。
第６発光素子及び第７発光素子は、第１の色及び第２の色とは異なる第３の色の光を発光する。第６発光素子及び第７発光素子は、第２方向に沿って配列されている。
この有機ＥＬ装置では、第４発光素子は、第１発光素子と第２発光素子との間に配置されている。第６発光素子は、第３発光素子と第４発光素子との間に配置されている。第７発光素子は、第４発光素子と第５発光素子との間に配置されている。
そして、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されている。また、第６発光素子及び第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されている。
【００１１】
この有機ＥＬ装置では、第１方向において、第４発光素子は、第１発光素子及び第２発光素子によって挟まれている。このため、第４発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第１発光素子及び第２発光素子のそれぞれの発光層の材料によって第１方向に挟まれる。これにより、第４発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第１方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第１方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
他方で、第４発光素子は、第６発光素子及び第７発光素子によって第２方向に挟まれている。このため、第４発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第６発光素子及び第７発光素子のそれぞれの領域によって第２方向に挟まれる。これにより、第４発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第２方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第２方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
つまり、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、第４発光素子の発光層の膜厚が対称になりやすい。この結果、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００１２】
［適用例２］第１の色の光を発光し、第１方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、前記第１の色及び前記第２の色とは異なる第３の色の光を発光し、前記第１方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子と、を有し、前記第４発光素子は前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、前記第６発光素子は前記第１発光素子と前記第４発光素子との間に配置されており、前記第７発光素子は前記第４発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子、前記第４発光素子及び前記第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、前記第６発光素子及び前記第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１３】
この適用例の有機ＥＬ装置は、第１発光素子及び第２発光素子と、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、第６発光素子及び第７発光素子と、を有している。
第１発光素子及び第２発光素子は、第１の色の光を発光する。第１発光素子及び第２発光素子は、第１方向に沿って配列されている。
第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子は、第１の色とは異なる第２の色の光を発光する。第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子は、第１方向と交差する第２方向に沿って配列されている。
第６発光素子及び第７発光素子は、第１の色及び第２の色とは異なる第３の色の光を発光する。第６発光素子及び第７発光素子は、第１方向に沿って配列されている。
この有機ＥＬ装置では、第４発光素子は、第１発光素子と第２発光素子との間に配置されている。第６発光素子は、第１発光素子と第４発光素子との間に配置されている。第７発光素子は、第４発光素子と第２発光素子との間に配置されている。
そして、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されている。また、第６発光素子及び第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されている。
【００１４】
この有機ＥＬ装置では、第２方向において、第４発光素子は、第３発光素子及び第５発光素子によって挟まれている。このため、第４発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第３発光素子及び第５発光素子のそれぞれの発光層の材料によって第２方向に挟まれる。これにより、第４発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第２方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第２方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
他方で、第４発光素子は、第６発光素子及び第７発光素子によって第１方向に挟まれている。このため、第４発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第６発光素子及び第７発光素子のそれぞれの領域によって第１方向に挟まれる。これにより、第４発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第１方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第１方向において、第４発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
つまり、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、第４発光素子の発光層の膜厚が対称になりやすい。この結果、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００１５】
［適用例３］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第１発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第２発光素子との間の間隔と略等しく、前記第３発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第５発光素子との間の間隔と略等しいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１６】
この適用例の有機ＥＬ装置では、第１発光素子と第４発光素子との間の間隔が、第４発光素子と第２発光素子との間の間隔と略等しく、第３発光素子と第４発光素子との間の間隔が、第４発光素子と第５発光素子との間の間隔と略等しいので、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、第４発光素子の発光層の膜厚が対称になりやすい。この結果、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００１７】
［適用例４］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第１の色の光を発光し、前記第１発光素子を間に挟むと共に、前記第２方向に沿って配列された第８発光素子及び第９発光素子を有し、前記第１発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第２発光素子との間の間隔と略等しく、前記第３発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第５発光素子との間の間隔と略等しく、前記第８発光素子と前記第１発光素子との間の間隔は、前記第１発光素子と前記第９発光素子との間の間隔と略等しく、前記第６発光素子は、前記第８発光素子と前記第１発光素子との間にも配置されており、前記第７発光素子は、前記第１発光素子と前記第９発光素子との間にも配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００１８】
この適用例の有機ＥＬ装置は、第８発光素子及び第９発光素子を有している。第８発光素子及び第９発光素子は、第１の色の光を発光する。第８発光素子及び第９発光素子は、第１発光素子を間に挟んで、第２方向に沿って配列されている。
この有機ＥＬ装置では、第１発光素子と第４発光素子との間の間隔が、第４発光素子と第２発光素子との間の間隔と略等しく、第３発光素子と第４発光素子との間の間隔が、第４発光素子と第５発光素子との間の間隔と略等しく、第８発光素子と第１発光素子との間の間隔が、第１発光素子と第９発光素子との間の間隔と略等しい。
また、この有機ＥＬ装置では、第６発光素子が第８発光素子と第１発光素子との間にも配置されており、第７発光素子が第１発光素子と第９発光素子との間にも配置されている。このため、この有機ＥＬ装置では、第２方向において、第１発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
【００１９】
［適用例５］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第６発光素子が有する発光層と前記第７発光素子が有する発光層とは、連続していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００２０】
［適用例６］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第６発光素子が有する発光層及び前記第７発光素子が有する発光層は蒸着法によって形成されており、前記第６発光素子が有する発光層は、前記第７発光素子が有する発光層と分離していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００２１】
［適用例７］上記の有機ＥＬ装置であって、前記第３の色は青系の色であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００２２】
［適用例８］上記の有機ＥＬ装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
【００２３】
この適用例の電子機器は、有機ＥＬ装置を有している。この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光層の膜厚が対称になりやすい。このため、この有機ＥＬ装置では、第１方向及び第２方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機ＥＬ装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、この電子機器は、表示品位を向上させやすくすることができる有機ＥＬ装置を有している。このため、この電子機器では、有機ＥＬ装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態における表示装置を示す斜視図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】第１実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３（ｂ）中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図６】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図７】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図８】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図９】図８（ａ）中のＥ部の拡大図。
【図１０】図９中のＦ−Ｆ線における断面図。
【図１１】第２実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１２】第２実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１３】第３実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図１４】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【図１５】従来技術を説明する図。
【図１６】従来技術を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
実施形態について、電子機器の１つである有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態における表示装置１は、図１に示すように、素子基板３と、封止基板５と、を有している。素子基板３と封止基板５とは、互いに対向している。
表示装置１では、素子基板３の封止基板５側とは反対側の面である表示面７に、画像などを表示することができる。
【００２６】
ここで、表示装置１には、複数の複合画素９が設定されている。複数の複合画素９は、表示領域１１内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。Ｘ方向及びＹ方向は、平面視で互いに交差（直交）する方向である。本実施形態では、Ｘ方向は、後述する走査線が延在する方向でもある。また、Ｙ方向は、後述する信号線が延在する方向でもある。
表示装置１は、複数の複合画素９から選択的に表示面７を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面７に画像などを表示する。なお、表示領域１１とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、複合画素９が誇張され、且つ複合画素９の個数が減じられている。
【００２７】
表示装置１において、封止基板５は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板３側とは反対側の面である底面１３を有している。
素子基板３には、底面１３側すなわち封止基板５側に、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、表示装置１において、表示面７と底面１３とは、互いに表裏の関係にある。
【００２８】
封止基板５は、素子基板３よりも底面１３側で素子基板３に対向した状態で設けられている。素子基板３と封止基板５とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって底面１３側から覆われている。
また、素子基板３と封止基板５との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域１１を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板３及び封止基板５並びにシール材１７によって封止されている。
【００２９】
ここで、表示装置１における複数の複合画素９は、図３（ａ）に示すように、複数の複合画素列２１と、複数の複合画素行２３とを構成している。
本実施形態では、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の複合画素９が、１つの複合画素列２１を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の複合画素９が、１つの複合画素行２３を構成している。複合画素列２１では、複数の複合画素９がＹ方向に略等間隔に並んでいる。また、複合画素列２１では、複数の複合画素９がＸ方向に略等間隔に並んでいる。
複合画素９は、図３（ａ）中のＣ部の拡大図である図３（ｂ）に示すように、複数の画素２５（本実施形態では、３つの画素２５）を包含している。１つの複合画素９における複数の画素２５は、射出する光の色が相互に異なる。
【００３０】
本実施形態では、複合画素９において、複数の画素２５は、それぞれ、表示面７から射出する光の色が、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。複合画素９は、射出する光の色が相互に異なる３種類の画素２５を包含している。つまり、複合画素９を構成する複数の画素２５は、Ｒの光を射出する画素２５Ｒと、Ｇの光を射出する画素２５Ｇと、Ｂの光を射出する画素２５Ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素２５という表記と、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３１】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３２】
本実施形態では、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素２５が、図３（ｂ）に示すように、１つの画素行２７を構成している。１つの複合画素行２３は、画素行２７Ｓと画素行２７Ｐとの２つの画素行２７を包含している。画素行２７Ｓを構成する複数の画素２５は、射出する光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに統一されている。つまり、画素行２７Ｓを構成する複数の画素２５は、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂのうちの１つの種類に統一されている。本実施形態では、画素行２７Ｓを構成する複数の画素２５は、画素２５Ｂに統一されている。画素行２７Ｓでは、複数の画素２５ＢがＸ方向に沿って並んでいる。
【００３３】
他方で、画素行２７Ｐを構成する複数の画素２５は、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂのうちの残りの２つの種類を含んでいる。本実施形態では、画素行２７Ｐを構成する複数の画素２５は、画素２５Ｒと、画素２５Ｇとを含んでいる。画素行２７Ｐでは、画素２５Ｒと画素２５Ｇとが、Ｘ方向に沿って交互に並んでいる。
そして、本実施形態では、画素行２７Ｓと画素行２７Ｐとが、Ｙ方向に交互に並んでいる。
【００３４】
本実施形態では、画素２５Ｂは、Ｘ方向の長さがＹ方向の長さよりも長い。つまり、画素２５Ｂは、Ｘ方向に延在している。これに対し、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇは、それぞれ、Ｙ方向の長さがＸ方向の長さよりも長い。つまり、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇは、それぞれ、Ｙ方向に延在している。本実施形態では、画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇのそれぞれの領域は、相互に略同じ面積に設定されている。これにより、画素２５から射出される光の量を、画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇの間で略同等にすることができる。しかしながら、画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇのそれぞれの領域は、相互に略同じ面積であることに限定されず、相互に異なる面積であったり、いずれか１つだけが他の２つと異なる面積であったりしてもよい。
【００３５】
ところで、複合画素９の領域は、平面視で四辺形を呈している。本実施形態では、複合画素９の領域は、略正方形に設定されている。
本実施形態では、複合画素９の領域内において、３つの画素２５は、画素２５Ｂを起点として時計回りの方向に画素２５Ｂ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｒの順に配置されている。しかしながら、３つの画素２５の配置順は、これに限定されず、例えば、画素２５Ｂを起点として時計回りの方向に画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇの配置順も採用され得る。この配置順では、図３（ｂ）に示す画素２５Ｒと画素２５Ｇとが互いに入れ替わった配置となる。
【００３６】
Ｘ方向に隣り合う２つの画素２５Ｂの間隔は、画素行２７Ｓにわたって略等間隔に設定されている。また、Ｙ方向に隣り合う２つの複合画素９間で、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｂの間隔は、複合画素列２１にわたって略等間隔に設定されている。
他方で、Ｘ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔は、画素行２７Ｐにわたって略等間隔に設定されている。また、Ｙ方向に隣り合う２つの複合画素９間で、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｒの間隔は、複合画素列２１にわたって略等間隔に設定されている。同様に、Ｙ方向に隣り合う２つの複合画素９間で、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｇの間隔も、複合画素列２１にわたって略等間隔に設定されている。
【００３７】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素２５ごとに、選択トランジスター３１と、駆動トランジスター３３と、容量素子３５と、有機ＥＬ素子３７とを有している。有機ＥＬ素子３７は、画素電極３９と、有機層４１と、共通電極４３とを有している。選択トランジスター３１及び駆動トランジスター３３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。なお、以下において、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂごとに有機ＥＬ素子３７が識別される場合には、有機ＥＬ素子３７Ｒ、有機ＥＬ素子３７Ｇ及び有機ＥＬ素子３７Ｂという表記が使われる。このとき、画素２５Ｒにおける有機ＥＬ素子３７が有機ＥＬ素子３７Ｒに対応し、画素２５Ｇにおける有機ＥＬ素子３７が有機ＥＬ素子３７Ｇに対応し、画素２５Ｂにおける有機ＥＬ素子３７が有機ＥＬ素子３７Ｂに対応する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路４５と、信号線駆動回路４７と、複数の走査線ＧＴと、複数の信号線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００３８】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路４５につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数の信号線ＳＩは、それぞれ信号線駆動回路４７につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各走査線ＧＴとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
【００３９】
各画素２５は、各走査線ＧＴと各信号線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３（ｂ）に示す各画素行２７に対応している。また、各信号線ＳＩは、Ｙ方向に並ぶ画素２５Ｒの列、及びＹ方向に並ぶ画素２５Ｇの列のそれぞれに対応して設けられている。
図４に示す各選択トランジスター３１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスター３１のソース電極は、対応する各信号線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスター３１のドレイン電極は、各駆動トランジスター３３のゲート電極及び各容量素子３５の一方の電極に電気的につながっている。
本実施形態では、画素２５Ｂにおける選択トランジスター３１のソース電極が、画素２５Ｒに対応する信号線ＳＩにつながっている。しかしながら、画素２５Ｂにおける選択トランジスター３１のソース電極は、画素２５Ｇに対応する信号線ＳＩにつながっていてもよい。
【００４０】
容量素子３５の他方の電極と、駆動トランジスター３３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスター３３のドレイン電極は、各画素電極３９に電気的につながっている。各画素電極３９と共通電極４３とは、画素電極３９を陽極とし、共通電極４３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極４３は、マトリクスＭを構成する複数の画素２５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素２５間にわたって共通して機能する。
各画素電極３９と共通電極４３との間に介在する有機層４１は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
【００４１】
選択トランジスター３１は、この選択トランジスター３１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスター３１につながる信号線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスター３３がＯＮ状態になる。駆動トランジスター３３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子３５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスター３３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００４２】
駆動トランジスター３３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスター３３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極３９と有機層４１を経て共通電極４３に流れる。そして、有機層４１に含まれる発光層が、有機層４１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層４１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が素子基板３を介して表示面７から射出されるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面７側という表現が上側とも表現され、底面１３側という表現が下側とも表現される。
【００４３】
ここで、素子基板３及び封止基板５のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板３は、図３（ｂ）中のＤ−Ｄ線における断面図である図５に示すように、第１基板５１と、素子層５３と、を有している。素子層５３は、駆動素子層５５を含んでいる。
なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、図４に示す選択トランジスター３１、駆動トランジスター３３、容量素子３５、走査線ＧＴ、信号線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。選択トランジスター３１、駆動トランジスター３３、容量素子３５、走査線ＧＴ、信号線ＳＩ及び電源線ＰＷは、駆動素子層５５に含まれている。
【００４４】
第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、底面１３側に向けられた第１面５２ａと、表示面７側に向けられた第２面５２ｂと、を有している。
駆動素子層５５は、第１基板５１の第１面５２ａに設けられている。
駆動素子層５５の底面１３側には、画素電極３９が設けられている。画素電極３９の材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などが採用され得る。本実施形態では、画素電極３９の材料としてＩＴＯが採用されている。
【００４５】
隣り合う画素電極３９同士の間には、各画素２５を区画する絶縁膜（第１隔壁）５７が設けられている。絶縁膜５７は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜５７は、平面視で、表示領域１１にわたって、各画素２５の領域が開口した網目状に設けられている。このため、表示領域１１は、絶縁膜５７によって複数の画素２５の領域に区画されている。１つの画素２５に着目すると、絶縁膜５７は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極３９は、絶縁膜５７によって囲まれた各画素２５の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜５７の材料として酸化シリコンが採用されている。
【００４６】
絶縁膜５７の底面１３側には、各画素２５の領域を囲む絶縁膜（第２隔壁）５９が設けられている。絶縁膜５９は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜５７に沿って網目状に設けられている。１つの画素２５に着目すると、絶縁膜５９は、平面視で各画素２５の領域を囲んでいる。このため、絶縁膜５９は、画素２５ごとに環状に設けられているとみなされ得る。本実施形態では、絶縁膜５９の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
【００４７】
画素電極３９の底面１３側には、有機層４１が設けられている。
有機層４１は、各画素２５に対応して設けられており、正孔注入層６１と、発光層６５と、を有している。
正孔注入層６１は、有機材料で構成されており、画素２５ごとに、画素電極３９の底面１３側に設けられている。
正孔注入層６１の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６１の有機材料としては、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。本実施形態では、正孔注入層６１の有機材料として、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物が採用されている。
【００４８】
発光層６５は、有機材料で構成されており、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂごとに異なる構成を有している。
ここで、以下において、発光層６５がＲ，Ｇ及びＢごとに識別される場合には、発光層６５Ｒ、発光層６５Ｇ及び発光層６５Ｂという表記が使われる。発光層６５Ｒは、Ｒの光を発する発光層６５である。同様に、発光層６５ＧがＧの光を発する発光層６５であり、発光層６５ＢがＢの光を発する発光層６５である。
画素２５Ｒに対応する有機層４１Ｒは、発光層６５Ｒと発光層６５Ｂとを有している。
画素２５Ｇに対応する有機層４１Ｇは、発光層６５Ｇと発光層６５Ｂとを有している。
画素２５Ｂに対応する有機層４１Ｂは、発光層６５Ｂを有している。
【００４９】
画素２５Ｒにおいて、発光層６５Ｒは、正孔注入層６１の底面１３側に設けられている。発光層６５Ｒは、平面視で各画素電極３９に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｒにおいて、発光層６５Ｒは、正孔注入層６１を底面１３側から覆っている。
発光層６５Ｒの有機材料としては、例えば、下記化合物１が採用され得る。
【００５０】
【化１】
【００５１】
有機層４１Ｒにおいて、発光層６５Ｂは、発光層６５Ｒの底面１３側に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｒにおいて、発光層６５Ｂは、発光層６５Ｒを底面１３側から覆っている。
画素２５Ｇにおいて、発光層６５Ｇは、正孔注入層６１の底面１３側に設けられている。発光層６５Ｇは、平面視で各画素電極３９に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｇにおいて、発光層６５Ｇは、正孔注入層６１を底面１３側から覆っている。
発光層６５Ｇの有機材料としては、例えば、下記化合物２が採用され得る。
【００５２】
【化２】
【００５３】
有機層４１Ｇにおいて、発光層６５Ｂは、発光層６５Ｇの底面１３側に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｇにおいて、発光層６５Ｂは、発光層６５Ｇを底面１３側から覆っている。
画素２５Ｂにおいて、発光層６５Ｂは、正孔注入層６１の底面１３側に設けられている。発光層６５Ｂは、平面視で各画素電極３９に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素２５Ｂにおいて、発光層６５Ｂは、正孔注入層６１を底面１３側から覆っている。
発光層６５Ｂの有機材料としては、例えば、下記化合物３が採用され得る。
【００５４】
【化３】
【００５５】
本実施形態では、発光層６５Ｂは、複数の画素２５間にわたって、すなわち絶縁膜５９をまたいで一連した状態で設けられている。しかしながら、発光層６５Ｂの態様は、これに限定されず、画素２５ごとに個別に独立して、すなわち画素２５間で途切れた状態で設けられた態様も採用され得る。
【００５６】
有機層４１の底面１３側には、共通電極４３が設けられている。本実施形態では、共通電極４３は、平面視で絶縁膜５７をまたいで複数の画素２５間にわたって一連した状態で設けられている。
本実施形態では、共通電極４３として、図示しない複数の層を積層させた構成が採用されている。本実施形態では、共通電極４３を構成する複数の層には、有機層４１から底面１３側に向かって順にフッ化リチウム層、カルシウム層及びアルミニウム層が含まれている。
フッ化リチウム層は、フッ化リチウムを主成分とする材料で構成されている。カルシウム層は、カルシウムを主成分とする材料で構成されている。アルミニウム層は、アルミニウムを主成分とする材料で構成されている。
【００５７】
なお、表示装置１では、各画素２５において発光する領域は、平面視で、絶縁膜５７によって囲まれた領域内で、画素電極３９と有機層４１と共通電極４３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素２５ごとに発光する領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子３７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子３７は、１つの画素電極３９と、１つの有機層４１と、１つの画素２５に対応する共通電極４３とを含んだ構成を有している。
【００５８】
封止基板５は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面７側に向けられた対向面５ａと、底面１３側に向けられた外向面５ｂと、を有している。
上記の構成を有する素子基板３及び封止基板５は、素子基板３の共通電極４３と封止基板５の対向面５ａとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【００５９】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板５１の第１面５２ａと、封止基板５の対向面５ａとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子３７及び接着剤１６が、第１基板５１及び封止基板５並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面５ａ及び共通電極４３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子３７及び接着剤１６は、素子基板３及び封止基板５並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００６０】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板３を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板３を製造する工程では、図６（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５２ａに駆動素子層５５を形成する。
次いで、駆動素子層５５の底面１３側に、各画素２５に対応した画素電極３９を形成する。
次いで、隣り合う画素電極３９間に、絶縁膜５７を、各画素電極３９の周縁に重ねて形成する。
次いで、絶縁膜５７の底面１３側に絶縁膜５９を形成する。
【００６１】
ここで、画素電極３９の形成では、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などの成膜技術や、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術が活用され得る。画素電極３９の形成では、まず、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などを活用して、駆動素子層５５の底面１３側にＩＴＯの膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術を活用して、ＩＴＯの膜をパターニングすることによって画素電極３９が形成され得る。
【００６２】
絶縁膜５７の形成では、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術や、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術などの成膜技術や、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術が活用され得る。絶縁膜５７の形成では、まず、例えばＣＶＤ技術やＰＶＤ技術などを活用して酸化シリコンの膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術を活用して、酸化シリコンの膜をパターニングすることによって絶縁膜５７が形成され得る。
絶縁膜５９の形成では、まず、ネガ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極３９及び絶縁膜５７を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィー技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜５９が形成され得る。
なお、駆動素子層５５から絶縁膜５９までの構成が形成された第１基板５１は、以下において基板５１ａと呼ばれる。
【００６３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、基板５１ａにプラズマ処理を施す。このプラズマ処理では、基板５１ａに酸素プラズマ処理を施してから、基板５１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。基板５１ａに酸素プラズマ処理を施すことにより、画素電極３９に後述する液状体６１ａに対する親液性が付与される。また、基板５１ａにＣＦ4プラズマ処理を施すことにより、絶縁膜５９に、後述する液状体６１ａに対する撥液性が付与される。
本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、酸素プラズマ処理において、処理ガスとして酸素を含むガスが採用されている。また、ＣＦ4プラズマ処理において、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるＣＦ4ガスが採用されている。なお、ＣＦ4プラズマ処理では、処理ガスは、ＣＦ4ガスに限定されず、ＳＦ6やＣＨＦ3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
【００６４】
基板５１ａにプラズマ処理を施す工程に次いで、図７（ａ）に示すように、絶縁膜５９によって囲まれた各画素２５の領域内に液状体６１ａを配置する。液状体６１ａには、正孔注入層６１を構成する有機材料が含まれている。液状体６１ａの配置には、液滴吐出ヘッド７１を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド７１から液状体６１ａなどを液滴６１ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６１ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００６５】
各画素２５の領域内に配置された液状体６１ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図７（ｂ）に示す正孔注入層６１が形成され得る。なお、液状体６１ａには、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。
なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体６１ａの焼成条件は、環境温度が約２００℃で、保持時間が約１５分間である。
【００６６】
次いで、図７（ｂ）に示すように、絶縁膜５９によって囲まれた画素２５の領域のうちの画素２５Ｒ及び画素２５Ｇの各領域に、液状体６５Ｒａ及び液状体６５Ｇａのそれぞれを配置する。画素２５Ｒに対しては、液滴吐出ヘッド７１から液状体６５Ｒａを液滴６５Ｒｂとして吐出することで、絶縁膜５９によって囲まれた領域内に液状体６５Ｒａを配置する。また、画素２５Ｇに対しては、液滴吐出ヘッド７１から液状体６５Ｇａを液滴６５Ｇｂとして吐出することで、絶縁膜５９によって囲まれた領域内に液状体６５Ｇａを配置する。
このとき、画素２５Ｂの領域に対しては、液状体の配置を行わない。
なお、液状体６５Ｒａの配置と、液状体６５Ｇａの配置とは、いずれが先でも後でもかまわない。
【００６７】
液状体６５Ｒａには、発光層６５Ｒを構成する有機材料が含まれている。また、液状体６５Ｇａには、発光層６５Ｇを構成する有機材料が含まれている。
本実施形態では、液状体６５Ｒａとして、前述した化合物１を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。また、液状体６５Ｇａとして、前述した化合物２を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、それぞれ、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
次いで、液状体６５Ｒａ及び液状体６５Ｇａを減圧乾燥法で乾燥させる。これにより、図８（ａ）に示す発光層６５Ｒ及び発光層６５Ｇが形成され得る。
なお、以下において、駆動素子層５５から発光層６５Ｒ及び発光層６５Ｇまでの構成が形成された第１基板５１は、基板５１ｂと呼ばれる。
【００６８】
次いで、図８（ｂ）に示すように、基板５１ｂの底面１３側に、液状体６５Ｂａで液状体膜６５Ｂｂを形成する。液状体６５Ｂａには、発光層６５Ｂを構成する有機材料が含まれている。液状体膜６５Ｂｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。なお、スピンコート技術を活用した成膜方法は、塗布法の１つである。
本実施形態では、液状体６５Ｂａとして、前述した化合物３を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。本実施形態では、液状体６５Ｂａの溶媒として、イソプロピルアルコールが採用されている。
次いで、不活性ガス中で、液状体膜６５Ｂｂに加熱処理を施す。これにより、図５に示す発光層６５Ｂが形成され得る。なお、加熱処理の条件としては、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１５分間である。また、本実施形態では、不活性ガスとして窒素ガスが採用されている。
【００６９】
次いで、蒸着技術などを活用して、フッ化リチウム層、カルシウム層及びアルミニウム層の順に膜を形成することにより、図５に示す共通電極４３が形成され得る。
これにより、素子基板３が製造され得る。
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板３及び封止基板５を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板３及び封止基板５は、図５に示すように、第１基板５１の第１面５２ａと、封止基板５の対向面５ａとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【００７０】
本実施形態において、表示装置１が有機ＥＬ装置に対応し、有機ＥＬ素子３７が発光素子に対応し、Ｘ方向が第１方向に対応し、Ｙ方向が第２方向に対応している。
本実施形態では、Ｘ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔が、画素行２７Ｐにわたって略等間隔に設定されている。このため、画素行２７Ｐ（図３（ｂ））内で連続して並ぶ３つの画素２５のうちの中央に位置する画素２５では、発光層６５の厚みが、図８（ａ）中のＥ部の拡大図である図９に示すように、Ｘ方向の幅の中央線８１に対して対称になりやすい。
【００７１】
従来、一般的な有機ＥＬ装置では、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂが、Ｘ方向に略等間隔で並んだ構成が多い。この構成では、複合画素９内でＸ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔と、Ｘ方向に隣り合う複合画素９間でＸ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔とが、異なる。このことは、画素２５の領域内に配置された液状体６５Ｒａや液状体６５Ｇａの乾燥状態がＸ方向に偏ってしまう要因の１つとなる。
このため、この構成では、発光層６５の膜厚が、中央線８１に対して非対称になりやすい。つまり、この構成では、発光層６５の膜厚が、偏りやすい。
【００７２】
これに対し、本実施形態では、Ｘ方向に隣り合う画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間隔が、画素行２７Ｐにわたって略等間隔に設定されている。このため、画素２５の領域内に配置された液状体６５Ｒａや液状体６５Ｇａの乾燥状態を、中央線８１に対して対称にしやすくすることができる。この結果、本実施形態では、発光層６５の厚みを中央線８１に対して対称にしやすくすることができる。
【００７３】
同様に、本実施形態では、Ｙ方向に隣り合う複合画素９間で、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｒの間隔と、Ｙ方向に並ぶ２つの画素２５Ｇの間隔とは、それぞれ、複合画素列２１にわたって略等間隔に設定されている。このため、画素２５Ｒや画素２５Ｇでは、発光層６５の厚みが、図９中のＦ−Ｆ線における断面図である図１０に示すように、Ｙ方向の幅の中央線８３に対して対称になりやすい。これは、上述した理由と同じ理由による。
以上の結果、本実施形態では、Ｘ及びＹ方向のそれぞれにおいて、発光層６５の膜厚が対称になりやすい。よって、本実施形態では、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれにおいて、画素２５の領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、本実施形態では、表示装置１における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００７４】
第２実施形態について説明する。
第２実施形態における表示装置１では、発光層６５Ｂと共通電極４３と（図５）の間に、後述する正孔阻止層及び電子輸送層が介在している。また、第２実施形態では、発光層６５Ｂの材料及び発光層６５Ｂの形成方法が、第１実施形態とは異なる。第２実施形態における表示装置１は、これらの点を除いては、第１実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第２実施形態における表示装置１の構成のうち、第１実施形態における表示装置１と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
第２実施形態では、発光層６５Ｂとして、下記化合物４として示されるＣＢＰなどのホスト材料に、下記化合物５として示されるＦＩｒｐｉｃなどのドーパント材料を混合した材料が採用されている。
【００７５】
【化４】
【００７６】
【化５】
【００７７】
また、発光層６５Ｂの形成では、蒸着技術（蒸着法）が活用される。発光層６５Ｂの形成では、図８（ａ）に示す基板５１ｂの底面１３側に、化合物４のホスト材料と化合物５のドーパント材料とを、共蒸着によって蒸着する。これにより、図１１（ａ）に示す発光層６５Ｂが形成され得る。
次いで、図１１（ｂ）に示すように、発光層６５Ｂの底面１３側に正孔阻止層８７を形成する。正孔阻止層８７を構成する材料としては、例えば、下記化合物６として示されるＢＣＰなどが採用され得る。本実施形態では、蒸着法によってＢＣＰで正孔阻止層８７が形成される。
【００７８】
【化６】
【００７９】
次いで、図１２（ａ）に示すように、正孔阻止層８７の底面１３側に電子輸送層８９を形成する。電子輸送層８９を構成する材料としては、例えば、下記化合物７として示されるＡｌｑ３（アルミニウムキノリノール）などが採用され得る。本実施形態では、蒸着法によってＡｌｑ３で電子輸送層８９が形成される。
【００８０】
【化７】
【００８１】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、電子輸送層８９の底面１３側に共通電極４３を形成する。第２実施形態では、共通電極４３として、電子輸送層８９から底面１３側に向かって順にフッ化リチウム層及びアルミニウム層を含む積層構成が採用されている。蒸着法によって共通電極４３を形成することにより、図１２（ｂ）に示す素子基板３が製造され得る。
上記の構成を有する第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第２実施形態において、発光層６５Ｂを画素２５Ｂごとに独立して設けるには、例えばマスクを用いたマスク蒸着技術が活用され得る。
【００８２】
第３実施形態について説明する。
第３実施形態における表示装置１は、複合画素９における画素２５の構成が異なることを除いては、第１実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第３実施形態における表示装置１の構成のうち、第１実施形態における表示装置１と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００８３】
第３実施形態では、複合画素９は、図１３に示すように、４つの画素２５を包含している。第３実施形態は、複合画素９が画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂの３種類の画素２５を包含している点で、第１実施形態と共通している。
第３実施形態では、複合画素９は、１つの画素２５Ｒと、１つの画素２５Ｇと、２つの画素２５Ｂと、を包含している。複合画素９内において、４つの画素２５は、Ｘ方向に沿って並んでいる。また、各画素２５は、Ｙ方向の長さがＸ方向の長さよりも長い。つまり、各画素２５は、Ｙ方向に延在している。
【００８４】
画素２５ＢのＸ方向における幅寸法は、画素２５Ｒや画素２５ＧのＸ方向における幅寸法よりも狭い。複合画素９内において、２つの画素２５Ｂの面積の合計は、画素２５Ｒの面積や、画素２５Ｇの面積と同等に設定されている。これにより、複合画素９内において、画素２５から射出される光の量を、画素２５Ｂ、画素２５Ｒ及び画素２５Ｇの間で略同等にすることができる。しかしながら、複合画素９内において、２つの画素２５Ｂの面積の合計は、画素２５Ｒの面積や、画素２５Ｇの面積と同等であることに限定されず、相互に異なっていてもよい。
第３実施形態では、画素２５Ｒと画素２５Ｇとが、Ｘ方向に、略等間隔で交互に並んでいる。そして、Ｘ方向において、画素２５Ｒと画素２５Ｇとの間に画素２５Ｂが介在している。
第３実施形態では、Ｙ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素２５が、１つの画素列９１を構成している。また、Ｘ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素２５が、１つの画素行９３を構成している。
【００８５】
１つの画素列９１内の各画素２５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、第３実施形態では、複数の画素２５ＲがＹ方向に配列した画素列９１Ｒと、複数の画素２５ＧがＹ方向に配列した画素列９１Ｇと、複数の画素２５ＢがＹ方向に配列した画素列９１Ｂと、がある。
なお、以下においては、画素列９１という表記と、画素列９１Ｒ、画素列９１Ｇ及び画素列９１Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
第３実施形態では、１つの複合画素行２３は、１つの画素行９３を包含している。また、１つの複合画素列２１は、４つの画素列９１を包含している。これらの４つの画素列９１には、１つの画素列９１Ｒと、１つの画素列９１Ｇと、２つの画素列９１Ｂと、が含まれる。
【００８６】
第３実施形態は、走査線ＧＴ（図４）が画素行９３（図１３）に対応して設けられている点で第１実施形態と共通している。しかしながら、第３実施形態は、信号線ＳＩ（図４）が画素列９１（図１３）に対応して設けられている点で第１実施形態とは異なっている。
また、第３実施形態では、発光層６５Ｂの有機材料や、表示装置１の製造方法も、第１実施形態に準じている。
上記の構成を有する第３実施形態においても、第１実施形態及び第２実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。なお、第３実施形態において、画素行９３が発光素子配列に対応している。
【００８７】
第４実施形態について説明する。
第４実施形態における表示装置１では、発光層６５Ｂと共通電極４３と（図５）の間に、正孔阻止層８７及び電子輸送層８９が介在している。また、第４実施形態では、発光層６５Ｂの材料及び発光層６５Ｂの形成方法が、第３実施形態とは異なる。第４実施形態における表示装置１は、これらの点を除いては、第３実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第４実施形態における表示装置１の構成のうち、第３実施形態における表示装置１と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
第４実施形態では、発光層６５Ｂとして、前述した化合物４として示されるＣＢＰなどのホスト材料に、前述した化合物５として示されるＦＩｒｐｉｃなどのドーパント材料を混合した材料が採用されている。
【００８８】
また、発光層６５Ｂの形成では、蒸着技術（蒸着法）が活用される。発光層６５Ｂの形成では、図８（ａ）に示す基板５１ｂの底面１３側に、化合物４のホスト材料と化合物５のドーパント材料とを、共蒸着によって蒸着する。これにより、発光層６５Ｂが形成され得る。
次いで、発光層６５Ｂの底面１３側に正孔阻止層８７を形成してから、正孔阻止層８７の底面１３側に電子輸送層８９を形成する。
第４実施形態では、正孔阻止層８７の材料として、化合物６として示されるＢＣＰが採用されている。電子輸送層８９の材料として、化合物７として示されるＡｌｑ３が採用されている。また、正孔阻止層８７及び電子輸送層８９は、それぞれ、蒸着法によって形成される。
そして、電子輸送層８９の底面１３側に共通電極４３を形成する。共通電極４３の構成及び形成方法は、第２実施形態に準じる。
上記の構成を有する第４実施形態においても、第１実施形態〜第３実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
なお、第４実施形態において、発光層６５Ｂを画素２５Ｂごとに独立して設けるには、例えばマスクを用いたマスク蒸着技術が活用され得る。
【００８９】
なお、第１実施形態〜第４実施形態では、それぞれ、表示装置１に３種類の画素２５（画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂ）が設定されている例が示されているが、画素２５の種類は、３種類に限定されない。画素２５の種類としては、画素２５Ｒ、画素２５Ｇ及び画素２５Ｂの３種類に、例えば、白系の光を射出する画素２５や、マゼンタ系の光を射出する画素２５などを加えた４種類以上も採用され得る。
【００９０】
また、第１実施形態〜第４実施形態では、それぞれ、複数の画素２５が設定され、画素２５ごとに有機ＥＬ素子３７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子３７を表示領域１１にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【００９１】
また、第１実施形態〜第４実施形態では、それぞれ、絶縁膜５７が光透過性を有する材料で構成されているが、絶縁膜５７の材料はこれに限定されない。絶縁膜５７の材料としては、光吸収性が高い材料も採用され得る。絶縁膜５７の材料に光吸収性が高い材料を採用すれば、隣り合う画素２５同士間における遮光性が高められる。これにより、表示におけるコントラストを向上させやすくすることができ、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００９２】
また、第１実施形態〜第４実施形態では、それぞれ、有機層４１からの光を素子基板３を介して表示面７から射出するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層４１からの光を封止基板５を介して底面１３から射出するトップエミッション型も採用され得る。
トップエミッション型の場合、有機層４１からの光が底面１３から射出されるので、底面１３側に表示面７が設定される。つまり、トップエミッション型では、表示装置１の底面１３と表示面７とが入れ替わる。そして、トップエミッション型では、底面１３側が上側に対応し、表示面７側が下側に対応する。
【００９３】
上述した表示装置１は、例えば、図１４に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されているので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００９４】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【００９５】
１…表示装置、３…素子基板、５…封止基板、７…表示面、９…複合画素、１３…底面、２１…複合画素列、２３…複合画素行、２５…画素、２７…画素行、２７Ｓ…画素行、３７…有機ＥＬ素子、３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂ…有機ＥＬ素子、４１…有機層、４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ…有機層、６５…発光層、６５Ｒ，６５Ｇ，６５Ｂ…発光層、６５Ｒａ，６５Ｇａ…液状体、６５Ｒｂ，６５Ｇｂ…液滴、６５Ｂａ…液状体、６５Ｂｂ…液状体膜、７１…液滴吐出ヘッド、８７…正孔阻止層、８９…電子輸送層、９１…画素列、９１Ｒ，９１Ｇ，９１Ｂ…画素列、９３…画素行、５００…電子機器、５１０…表示部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の色の光を発光し、第１方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、
前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、
前記第１の色及び前記第２の色とは異なる第３の色の光を発光し、前記第２方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子と、
を有し、
前記第４発光素子は前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、
前記第６発光素子は前記第３発光素子と前記第４発光素子との間に配置されており、
前記第７発光素子は前記第４発光素子と前記第５発光素子との間に配置されており、
前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子、前記第４発光素子及び前記第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、
前記第６発光素子及び前記第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
第１の色の光を発光し、第１方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、
前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、
前記第１の色及び前記第２の色とは異なる第３の色の光を発光し、前記第１方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子と、
を有し、
前記第４発光素子は前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、
前記第６発光素子は前記第１発光素子と前記第４発光素子との間に配置されており、
前記第７発光素子は前記第４発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、
前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子、前記第４発光素子及び前記第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、
前記第６発光素子及び前記第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記第１発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第２発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第３発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第５発光素子との間の間隔と略等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記第１の色の光を発光し、前記第１発光素子を間に挟むと共に、前記第２方向に沿って配列された第８発光素子及び第９発光素子を有し、
前記第１発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第２発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第３発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第５発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第８発光素子と前記第１発光素子との間の間隔は、前記第１発光素子と前記第９発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第６発光素子は、前記第８発光素子と前記第１発光素子との間にも配置されており、
前記第７発光素子は、前記第１発光素子と前記第９発光素子との間にも配置されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第６発光素子が有する発光層と前記第７発光素子が有する発光層とは、連続していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記第６発光素子が有する発光層及び前記第７発光素子が有する発光層は蒸着法によって形成されており、前記第６発光素子が有する発光層は、前記第７発光素子が有する発光層と分離していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記第３の色は青系の色であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１の色の光を発光し、第１方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、
前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、
前記第１の色及び前記第２の色とは異なる第３の色の光を発光し、前記第２方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子と、
を有し、
前記第４発光素子は前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、
前記第６発光素子は前記第３発光素子と前記第４発光素子との間に配置されており、
前記第７発光素子は前記第４発光素子と前記第５発光素子との間に配置されており、
前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子、前記第４発光素子及び前記第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、
前記第６発光素子及び前記第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
第１の色の光を発光し、第１方向に沿って配列された第１発光素子及び第２発光素子と、
前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された第３発光素子、第４発光素子及び第５発光素子と、
前記第１の色及び前記第２の色とは異なる第３の色の光を発光し、前記第１方向に沿って配列された第６発光素子及び第７発光素子と、
を有し、
前記第４発光素子は前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、
前記第６発光素子は前記第１発光素子と前記第４発光素子との間に配置されており、
前記第７発光素子は前記第４発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、
前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子、前記第４発光素子及び前記第５発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、
前記第６発光素子及び前記第７発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記第１発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第２発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第３発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第５発光素子との間の間隔と略等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記第１の色の光を発光し、前記第１発光素子を間に挟むと共に、前記第２方向に沿って配列された第８発光素子及び第９発光素子を有し、
前記第１発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第２発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第３発光素子と前記第４発光素子との間の間隔は、前記第４発光素子と前記第５発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第８発光素子と前記第１発光素子との間の間隔は、前記第１発光素子と前記第９発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第６発光素子は、前記第８発光素子と前記第１発光素子との間にも配置されており、
前記第７発光素子は、前記第１発光素子と前記第９発光素子との間にも配置されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第６発光素子が有する発光層と前記第７発光素子が有する発光層とは、連続していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記第６発光素子が有する発光層及び前記第７発光素子が有する発光層は蒸着法によって形成されており、前記第６発光素子が有する発光層は、前記第７発光素子が有する発光層と分離していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記第３の色は青系の色であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１１−９０９３（Ｐ２０１１−９０９３Ａ）
【公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５１９０６（Ｐ２００９−１５１９０６）
【出願日】平成２１年６月２６日（２００９．６．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月２６日（２００９．６．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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