極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置
【課題】極端紫外光源装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザ光源１１０と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光源１１０から出力されるレーザ光L1を内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバ１００と、前記チャンバ１００に設けられ、前記チャンバ１００内の所定の位置にターゲット物質２００を供給するターゲット供給部１２０と、所定条件が成立した場合に、前記タ―ゲット供給部１２０に対してリカバリ動作の実行を指示するリカバリ制御部３０１と、前記リカバリ制御部３０１からの指示に応じて前記リカバリ動作を実行するリカバリ部４００と、前記ターゲット供給部１２０から前記チャンバ１００内に供給されるターゲット物質２００の位置を計測する位置計測部３０２と、を備えてもよい。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザ光源１１０と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光源１１０から出力されるレーザ光L1を内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバ１００と、前記チャンバ１００に設けられ、前記チャンバ１００内の所定の位置にターゲット物質２００を供給するターゲット供給部１２０と、所定条件が成立した場合に、前記タ―ゲット供給部１２０に対してリカバリ動作の実行を指示するリカバリ制御部３０１と、前記リカバリ制御部３０１からの指示に応じて前記リカバリ動作を実行するリカバリ部４００と、前記ターゲット供給部１２０から前記チャンバ１００内に供給されるターゲット物質２００の位置を計測する位置計測部３０２と、を備えてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１３．５ｎｍという極端に波長の短い光と縮小光学系とを使用する、半導体露光技術が研究されている。この技術は、ＥＵＶＬ（Extreme Ultra Violet Lithography：極端紫外線露光）と呼ばれる。以下、極端紫外光をＥＵＶ光と呼ぶ。
【０００３】
ＥＵＶ光源としては、例えば、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）式の光源が知られている。ＬＰＰ式光源とは、ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成し、このプラズマから放射されるＥＵＶ光を利用する光源である。ＬＰＰ式光源は、プラズマ密度を高くすることができ、かつ、捕集立体角を大きくできるため、高出力のＥＵＶ光を得られる可能性が高い。
【０００４】
ＬＰＰ式のＥＵＶ光源装置では、ターゲット物質として錫（Ｓｎ）が用いられる。ターゲット物質は、ターゲット供給部から、ドロップレット状のターゲット物質としてチャンバ内に射出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１９２１５４号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００６／０１９２１５５号明細書
【特許文献３】米国特許第７４４９７０３号明細書
【概要】
【０００６】
本開示の１つの実施形態に従うチャンバ装置は、レーザ光源と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光源から出力されるレーザ光を内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の位置にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、所定条件が成立した場合に、前記タ―ゲット供給部に対してリカバリ動作の実行を指示するリカバリ制御部と、前記リカバリ制御部からの指示に応じて前記リカバリ動作を実行するリカバリ部と、前記ターゲット供給部から前記チャンバ内に供給されるターゲット物質の位置を計測する位置計測部と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示の他の実施形態に従うターゲット供給部のメンテナンス方法は、チャンバ、ターゲット供給部、リカバリ制御部、リカバリ部および位置計測部を備えるチャンバ装置において、前記タ―ゲット供給部をメンテナンスする方法であって、前記ターゲット供給部に対してリカバリ動作を実行するか否かの判定用情報を取得することと、前記リカバリ動作を実行すると判定された際に、前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであるか否かを判定することと、前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであると判定された際に、前記リカバリ制御部が前記リカバリ部に前記リカバリ動作を指示することと、前記リカバリ部が、前記リカバリ制御部の指示に応じて、所定のリカバリ動作を実行することと、を含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成図である。
【図２】ターゲット供給部を拡大して示す図である。
【図３】リカバリフラグを設定する処理のフローチャートである。
【図４】リカバリ制御処理を示すフローチャートである。
【図５】図４中の通常モードの処理を示すフローチャートである。
【図６】第２実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図７】第３実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図８】第４実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図９】第５実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１０】ターゲット供給部の拡大図である。
【図１１】第６実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１２Ａ】第７実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１２Ｂ】第７実施形態に係り、ノズル部及びガスパイプの断面図である。
【図１３】第８実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１４Ａ】第９実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１４Ｂ】第９実施形態に係り、絶縁部及びガス流路の断面図である。
【図１５】第１０実施形態に係るターゲット供給部の断面図である。
【図１６Ａ】第１１実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１６Ｂ】第１１実施形態に係り、ノズル部及びガスパイプの断面図である。
【図１７Ａ】第１２実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１７Ｂ】第１２実施形態に係り、絶縁部及びガス流路の断面図である。
【図１８】第１３実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１９】第１４実施形態に係るターゲット供給部の断面図である。
【図２０Ａ】第１５実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２０Ｂ】第１５実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２１Ａ】第１６実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２１Ｂ】第１６実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２２Ａ】第１７実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２２Ｂ】第１７実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２３Ａ】第１８実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２３Ｂ】第１８実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２３Ｃ】第１８実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２４】第１９実施形態に係り、コレクタミラーを異物から保護する様子を示す説明図である。
【図２５Ａ】保護カバーの位置の切替を示す説明図である。
【図２５Ｂ】保護カバーの位置の切替を示す説明図である。
【図２６】第２０実施形態に係り、コレクタミラーを異物から保護する様子を示す説明図である。
【図２７】リカバリフラグを設定する処理のフローチャートである。
【図２８】リカバリフラグを設定する他の処理のフローチャートである。
【図２９】リカバリフラグを設定するさらに他の処理のフローチャートである。
【図３０】リカバリフラグを設定するさらに別の処理のフローチャートである。
【実施の形態】
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、実施形態の間で共通する構成要素については重複する説明を省略する。
【実施形態１】
【００１０】
図１−図５に基づいて第１実施形態を説明する。図１は、ＥＵＶ光源装置１の全体構成を示す説明図である。ＥＵＶ光源装置１は、例えば、真空チャンバ１００と、ドライバレーザ光源１１０と、ターゲット供給部１２０と、ＥＵＶ集光ミラー１３０と、真空ポンプ１４０と、アパーチャを有する隔壁１５０，１５１と、ゲートバルブ１６０と、ＥＵＶ光源コントローラ３００と、ドロップレットコントローラ３１０と、パルス制御部３２０と、圧力制御部３３０とを、備えることができる。
【００１１】
上記の各構成１，１００，１１０，１２０，１３０，１４０，１５０，１５１，１６０，３００，３１０，３２０，３３０は、少なくともそれぞれ一つずつ設けられており、説明のため本開示では単数形で記述される。しかし、その限りではなく各構成を複数備えてもよい。以下の説明では、基本的に単数形で記述する。ドロップレット２０１は、複数形で記述される場合もある。従って、本実施形態では、droplet(s)と表記する場合がある。
【００１２】
真空チャンバ１００は、容積の大きい第１チャンバ１０１と、容積の小さい第２チャンバ１０２とを有する。第１チャンバ１０１は、プラズマの生成等が行われるメインチャンバである。第２チャンバ１０２は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を図外の露光装置に供給するための接続用チャンバである。
【００１３】
第１チャンバ１０１には真空ポンプ１４０が接続されている。これにより、チャンバ１００内は低圧状態に保持される。なお、第２チャンバ１０２に、別の真空ポンプを設ける構成としてもよい。その場合には、第１チャンバ１０１内の圧力を第２チャンバ１０２内の圧力よりも低くすることにより、デブリ（debris）が露光装置側に流れ込むのを抑制することができる。
【００１４】
ターゲット供給部１２０は、例えば、錫（Ｓｎ）等のターゲット物質２００で形成されるドロップレット２０１をチャンバ１００内に射出する装置である。ドロップレット２０１は、レーザ光が照射されるターゲットである。ターゲット供給部１２０の本体部１２１は、溶融状態のターゲット物質２００を収容しており、本体部１２１内には所定の圧力を加えることができる。
【００１５】
ターゲット供給部１２０のノズル先端側には、「中間構造物」の一例である電極部１２３が設けられている。電極部１２３に、例えば、所定のパルス電圧が印加されると、ターゲット物質２００と電極部１２３との間に電界が発生する。これにより、ターゲット供給部１２０からドロップレット２０１が引き出されて、チャンバ１００内に向かって射出される。なお、ターゲット供給部１２０の詳細構成は、図２を参照に後述する。また、ドロップレットの射出は、上記のような電界によるものに限定しない。例えば、溶融ターゲットへの加圧による射出などでもよい。
【００１６】
ドライバレーザ光源１１０は、ドロップレット２０１をプラズマ化するためのパルスレーザＬ１を出力する。ドライバレーザ光源１１０は、例えば、ＣＯ２（炭酸ガス）パルスレーザ光源として構成することができる。ドライバレーザ光源１１０は、例えば、波長１０．６μｍ、出力２０ｋＷ、パルス繰返し周波数３０〜１００ｋＨｚ、パルス幅２０ｎｓｅｃの仕様を有するレーザ光Ｌ１を出力する。なお、ドライバレーザ光源１１０の仕様は、上記の例に限定されない。さらに、ＣＯ２パルスレーザ光源以外の他の光源を用いる構成でもよい。
【００１７】
ドライバレーザ光源１１０から出力されるレーザ光Ｌ１は、集光レンズ１１１と入射窓１１２とを介して、第１チャンバ１０１内に入射する。第１チャンバ１０１内に入射したレーザ光Ｌ１は、ＥＵＶ集光ミラー１３０に設けられた入射穴１３１を通過して、ドロップレット２０１を照射する。
【００１８】
ドロップレット２０１にレーザ光Ｌ１が集光照射されると、ドロップレット２０１はプラズマ生成点２０２において、プラズマ化する。以下、便宜上、単にプラズマと呼ぶ。プラズマは、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光Ｌ２を含む光を放射する。
【００１９】
プラズマから放射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶを集めるためのコレクタミラー１３０に入射し、コレクタミラー１３０により反射される。コレクタミラー１３０は、その反射表面が回転楕円面形状に形成されている。コレクタミラー１３０で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、第２チャンバ１０２内の中間集光点（ＩＦ：Intermediate Focus）に集光される。ＩＦに集光されたＥＵＶ光Ｌ２は、開状態のゲートバルブ１６０を介して、露光装置へ導かれる。
【００２０】
なお、本実施形態では、ドライバレーザ光源１１０のレーザ光出力周期に対応させて、ＥＵＶ光生成に必要な量のドロップレット２０１を生成する。従って、デブリの発生量は少ない。しかし、デブリによる悪影響を低減させるべく、例えば、図１において、ＥＵＶ光Ｌ２の光路を紙面に対して上下又は垂直な方向から挟むようにして、２つの磁場発生用コイル（不図示）を設けてもよい。各磁場発生コイルにより生成される磁場で、イオン性のデブリを捕捉できる。
【００２１】
ＩＦの前後には、２つの隔壁１５０，１５１が配置されている。コレクタミラー１３０で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の進行方向を基準とすると、ＩＦの手前側には、第１隔壁１５０が設けられている。ＩＦの先には、第２隔壁１５１が設けられている。隔壁１５０，１５１は、例えば、それぞれ数ｍｍ〜１０ｍｍ程度の開口部を有する。
【００２２】
第１隔壁１５０は、第１チャンバ１０１と第２チャンバ１０２とを接続する位置近傍に設けられている。第２隔壁１５１は、第２チャンバ１０２と露光装置とを接続する位置近傍に設けられている。なお、ＩＦの前後いずれか一方又は両方に、ＳＰＦ（Spectral Purity Filter）を設けて、１３．５ｎｍ以外の波長の光を遮断する構成としてもよい。
【００２３】
次に、ＥＵＶ光源装置１の制御構成３００〜３３０を説明する。ＥＵＶ光源コントローラ３００は、ＥＵＶ光源装置１の動作を制御する。ＥＵＶ光源コントローラ３００は、ドロップレットコントローラ３１０及びドライバレーザ光源１１０に、指示を与える。その指示により、所定のタイミングでドロップレット２０１が射出される。射出されたドロップレット２０１には、パルスレーザ光Ｌ１が照射される。さらに、ＥＵＶ光源コントローラ３００は、真空ポンプ１４０及びゲートバルブ１６０等の動作も制御する。
【００２４】
さらに、ＥＵＶ光源コントローラ３００は、少なくとも一つのリカバリ制御部３０１と、少なくとも一つの位置計測部３０２とを備える。リカバリ制御部３０１は、リカバリ部４００にターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスさせて、ターゲット供給部１２０を正常状態に回復させるための機能を有する。位置計測部３０２は、少なくとも一つの位置検出センサ３４０からの信号に基づいて、ドロップレット２０１の位置を計測し、その結果をリカバリ制御部３０１に通知する機能を有する。リカバリ制御の方法は後述する。
【００２５】
なお、リカバリ制御部３０１及び位置計測部３０２は、ＥＵＶ光源コントローラ３００とは別のコントローラとして構成してもよいし、ドロップレットコントローラ３１０内に設ける構成としてもよい。
【００２６】
位置検出センサ３４０は、例えば、カメラ、光学的センサ、電磁的センサ等の、ドロップレット２０１の位置を検出可能なセンサとして構成される。同一種類の、又は異なる種類の、位置検出センサ３４０を複数設ける構成でもよい。
【００２７】
ドロップレットコントローラ３１０は、ターゲット供給部１２０の動作を制御する。ドロップレットコントローラ３１０には、パルス制御部３２０と圧力制御部３３０とが接続される。
【００２８】
パルス制御部３２０は、ターゲット供給部１２０の先端側に設けられている電極部１２３に、所定のパルス電圧を印加するための装置である。パルス制御部３２０は、例えば、少なくとも一つの高電圧直流電源装置と、高電圧直流電源装置から入力される直流高電圧をパルスとして出力する少なくとも一つのスイッチングドライバと、スイッチングドライバにパルス周期を入力する少なくとも一つのパルス発生器とを含む（いずれも不図示）。
【００２９】
圧力制御部３３０は、ターゲット供給部１２０の本体部１２１の内部に、所定の圧力を加えるための装置である。本体部１２１の内部は、圧力制御部３３０から供給される不活性ガス（例えば、アルゴンガス）により、所定の圧力に制御される。
【００３０】
図２は、ターゲット供給部１２０及び圧力制御部３３０の構成を示す図である。先にターゲット供給部１２０の構成を説明する。ターゲット供給部１２０は、例えば、少なくとも一つの本体部１２１と、少なくとも一つのノズル部１２２と、少なくとも一つの電極部１２３と、少なくとも一つの絶縁部１２４と、少なくとも一つの加熱部１２５とを備える。
【００３１】
本体部１２１は、ターゲット物質２００を収容するものである。本体部１２１は、その先端部（図２中の下側）１２１Ａが第１チャンバ１０１内に突出するようにして、チャンバ１００に取り付けられている。本体部１２１内には、ターゲット物質２００を収容するための収容部１２１Ｂが設けられている。先端部１２１Ａ内には、射出流路部１２１Ｃが設けられている。
【００３２】
収容部１２１Ｂは、本体部１２１の基端側（図２中の上側）に接続される配管１２６を介して、圧力制御部３３０に接続されている。射出流路部１２１Ｃは、収容部１２１Ｂ内とノズル部１２２との間を連通している。圧力制御部３３０からの不活性ガスは、配管１２６を介して、本体部１２１の収容部１２１Ｂに供給される。
【００３３】
さらに、本体部１２１の外面側には、加熱部１２５が設けられている。加熱部１２５は、例えば、電熱ヒータ等で構成される。加熱部１２５は、本体部１２１内の錫が３００℃程度の温度となるように加熱する。なお、３００℃という値は一例であり、本開示はその値に限定されない。すなわち、ターゲット物質２００が液体である温度であればよい。
【００３４】
ノズル部１２２は、例えば、円盤状に形成されている。ノズル部１２２の中心部には、円形状の射出孔１２２Ａが形成されている。射出孔１２２Ａと本体部１２１の収容部１２１Ｂとは連通している。さらに、ノズル部１２２の下面側には、第１チャンバ１０１内のプラズマ生成点２０２に向けて突出するように、下向き円錐形状のノズル１２２Ｂがノズル部１２２と一体的に設けられている。ノズル１２２Ｂが、第１チャンバ１０１内に突出するようにして形成されているのは、ノズル１２２Ｂの先端に電界を集中させるためである。
【００３５】
ノズル部１２２の材質について説明する。第１に、ノズル部１２２は、ターゲット物質としての錫に接触するため、錫に化学的または物理的に浸食されにくい材質であることが求められる。錫に浸食されにくい性質のことを、本明細書では、錫についての耐浸食性と呼ぶ。錫についての耐浸食性を有する材料としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレス、ダイヤモンド、セラミックス等を挙げることができる。また、セラミックス以外の材料としては炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンでもよい。セラミックスとしては、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンを主成分とするセラミックスを挙げることができる。なお、本実施の形態では、ターゲット物質として錫を例に挙げたが、ターゲット物質は錫に限定されない。錫以外の物質をターゲット物質として用いる場合、ノズル部１２２は当該物質についての耐侵食性を有する任意の物質で形成されるのが好ましい。以下の説明においても、ターゲット物質として錫を単なる一例として説明するが、ターゲット物質は錫に限定されない。いずれの場合においても、錫以外の物質をターゲット物質として用いる場合、以下で錫についての耐侵食性が求められる各構成要素は、当該物質についての耐侵食性を有する任意の物質で構成することができる。
【００３６】
第２に、ノズル部１２２内のターゲット物質２００に電界を集中させるという観点からは、ノズル部１２２は、電気的絶縁性を有する方が好ましい。錫についての耐浸食性を有する各材料のうち、絶縁性を有する材料としては、ダイヤモンド又はセラミックスが知られている。従って、ノズル部１２２は、ダイヤモンド又はセラミックスから構成するのが好ましい。しかし、それらに限らず、ダイヤモンド又はセラミックス以外の材料から形成されるノズル部も、本開示の範囲に含まれる。たとえば、セラミックス以外の材料としては炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンを挙げることができる。また、セラミックスとしては、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンを主成分とするセラミックスを挙げることができる。
【００３７】
本体部１２１には、少なくとも、錫についての耐浸食性が求められる。本体部１２１の全体のうち、錫に接触する部分は、錫についての耐浸食性を備えることが好ましい。
【００３８】
中心部に貫通孔が設けられた円盤状の電極部１２３は、ノズル部１２２の下側に絶縁部１２４を挟んでノズル部１２２から離間して設けられている。電極部１２３の射出孔１２３Ａとノズル１２２Ｂとは同軸状に位置している。射出孔１２３Ａとノズル１２２Ｂ先端との間には、所定のギャップが形成される。
【００３９】
電極部１２３の材質について説明する。第１に、電極部１２３は錫に接触する可能性があるため、錫についての耐浸食性を備えることが好ましい。第２に、電極部１２３は、スパッタに対して強い性質を備える必要がある。プラズマからの高速な錫粒子が電極部１２３の表面に衝突するおそれがあるためである。第３に、電極部１２３は導電性を備える必要がある。以上の条件を考慮すると、電極部１２３は、例えば、モリブデン、タングステン、タンタル、チタン、ステンレス等から形成されるのが好ましい。
【００４０】
電極部１２３には、ドロップレット２０１の一部が付着し、異物２１０として残る可能性がある（図６参照）。そこで、後述の実施形態では、ノズル部１２２とプラズマ生成点２０２との間に位置する中間構造物としての電極部１２３を、ターゲット物質２００に対して濡れ性の低い材料から形成する。これにより、電極部１２３に付着した異物２１０を落下させて、取り除くことができるようにしている。そのために、例えば、モリブデン、タングステン等の金属、または、アルミナ等のセラミックスから、電極部１２３を形成するか、それらの材料で電極部１２３をコーティングするのが好ましい。コーティング材料としては、炭化珪素、窒化珪素、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンや、これらを主成分とするセラミックスを挙げることができる。
【００４１】
絶縁部１２４は、少なくともその一部がノズル部１２２と電極部１２３との間に挟設されるように設けられている。絶縁部１２４の内周側には、空間部１２４Ａが形成される。ノズル１２２Ｂは、空間部１２４Ａ内に突出するようにして設けられている。ノズル１２２Ｂと射出孔１２３Ａとは、それぞれの中心軸が略一致する。
【００４２】
絶縁部１２４は、ノズル部１２２と電極部１２３とを位置決めする機能の他に、絶縁機能及び伝熱機能を実現することが好ましい。絶縁機能とは、ノズル部１２２と電極部１２３との間を電気的に絶縁する機能である。伝熱機能とは、加熱部１２５で生じる熱を電極部１２３に導く機能である。これにより、ノズル部１２２及び電極部１２３の温度を錫の融点よりも高くして、ノズル部１２２と電極部１２３とに錫が固着するのを防止することができる。
【００４３】
絶縁部１２４の材質について説明する。絶縁機能及び伝熱機能を考慮すると、絶縁部１２４は、絶縁性及び熱伝導率の高い材料から構成されるのが好ましい。従って、絶縁部１２４は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又はダイヤモンド等の材料から構成することができる。あるいは、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンを主成分とするセラミックスから構成してもよい。
【００４４】
圧力制御部３３０の構成について説明する。圧力制御部３３０は、例えば、一つの圧力コントローラ３３１と、一つの圧力調整弁３３２と、一つの排気ポンプ３３３と、一つの供給弁３３４と、一つの排出弁３３５とを備える。圧力制御部３３０は、一つのガス供給部３３６からのガスを、圧力調整弁３３２等を介して、ターゲット供給部１２０の本体部１２１内に供給する。なお、ターゲット物質２００を加圧するためのガスとして、本実施形態ではアルゴンガスを用いる。しかし、アルゴンガス以外の不活性ガスを用いることもできる。
【００４５】
圧力調整弁３３２は、ガス供給部３３６から流入し配管１２６内に送り出されるガスの圧力を、圧力コントローラ３３１により設定される所定値に調整して、配管１２６内に送り出す。配管１２６は圧力調整弁３３２から本体部１２１に至るガスの経路の一部を構成する。所定値の圧力に調整されたガスは、配管１２６へ至る配管経路の途中に設けられる供給弁３３４を介して、本体部１２１内に供給される。
【００４６】
排気ポンプ３３３は、本体部１２１内のガスを排出するためのポンプである。供給弁３３４を閉弁し、かつ、排気通路１２６Ａの途中に設けられる排出弁３３５を開弁した状態で、排気ポンプ３３３を作動させる。これにより、本体部１２１内のガスが排出される。
【００４７】
ターゲット物質２００に一定の圧力を加えた状態で、電極部１２３にパルス電圧を所定周期で印加する。その所定周期は、ドライバレーザ光源１１０から出力されるレーザ光Ｌ１の周期に対応させるように設定される。パルス電圧は、矩形波、三角波、正弦波のいずれでもよい。
【００４８】
ガスが収容部１２１Ｂ内のターゲット物質２００を加圧すると、ノズル１２２Ｂからターゲット物質２００が僅かに突出する。但し、この状態では、ターゲット物質２００はノズル１２２Ｂから外部に射出されない。つまり、ノズル１２２Ｂには、下向きに突出するメニスカスが形成される。
【００４９】
ターゲット物質２００をガスで加圧した状態で、電極部１２３にパルス電圧を印加すると、ノズル１２２Ｂから僅かに突出していたターゲット物質２００が、静電吸引力によってノズル先端から切り離される。ノズル１２２Ｂから引き出されたターゲット物質２００は、ドロップレット２０１としてプラズマ生成点２０２に向けて射出される。静電吸引力によって切り離されたドロップレット２０１は帯電している。
【００５０】
本実施形態では、本体部１２１内のターゲット物質２００をガスによって加圧した状態で、ノズル１２２Ｂに対向して設けられる電極部１２３にパルス電圧を印加する。これにより、本実施形態では、ノズル１２２Ｂから、必要に応じて必要なサイズのドロップレット２０１を射出することができる。
【００５１】
図３は、リカバリフラグを設定する処理を示すフローチャートである。リカバリフラグは、リカバリ動作を実行すべき時期が到来したことを示す情報である。リカバリ動作とは、ターゲット供給部１２０からプラズマ生成点２０２に向けてターゲット物質２００を正確に射出できるように、ターゲット供給部１２０から異物２１０を除去する動作である。本処理は、リカバリ制御部３０１により実行される。
【００５２】
リカバリ制御部３０１は、判定用情報を取得し（Ｓ１０）、リカバリフラグを設定するための条件が成立したか否かを判定する（Ｓ１１）。設定条件が成立する場合（Ｓ１１：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグを設定する（Ｓ１２）。設定条件が成立しない場合（Ｓ１１：ＮＯ）、Ｓ１０に戻る。
【００５３】
判定用情報とは、リカバリフラグの設定の可否を判定するために使用される情報である。判定用情報としては、例えば、前回のリカバリ動作からの経過時間、ターゲット供給部１２０の起動回数、ターゲット供給部１２０の稼働積算時間、プラズマ生成点２０２におけるドロップレット２０１の位置精度等を挙げることができる。さらに、ターゲット供給部１２０の加熱回数や加熱時間、ドロップレットの射出回数や射出時間を判定用情報として用いてもよい。
【００５４】
リカバリ制御部３０１は、上述の各判定用情報のうちの少なくともいずれか一つに基づいて、リカバリフラグの設定の可否を判定する。判定用情報を用いた具体的な例は、別の実施形態で後述する。
【００５５】
図４は、リカバリ制御処理のフローチャートである。リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグが設定されているか否かを判定する（Ｓ２０）。リカバリフラグが設定されていない場合（Ｓ２０：ＮＯ）、リカバリ制御部３０１は、通常モードに移行する（Ｓ２６）。通常モードにおける処理の内容は、図５で後述する。
【００５６】
リカバリフラグが設定されている場合（Ｓ２０：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリ可能なタイミングであるか否かを判定する（Ｓ２１）。リカバリ可能なタイミングではない場合（Ｓ２１：ＮＯ）、リカバリ制御部３０１は、通常モードに移行する（Ｓ２６）。
【００５７】
リカバリ可能なタイミングとは、リカバリ動作を実施できるタイミングを意味する。例えば、リカバリフラグが設定されている場合でも、露光装置で露光作業が行われている間は、ＥＵＶ光の出力を停止することはできない。一連の作業が終了するまで、ＥＵＶ光源装置１は、ＥＵＶ光を供給し続ける必要がある。そこで、本実施形態では、例えば、露光装置での作業が一定時間休止するタイミングを待ち、一定時間の休止が確定された時点でリカバリ動作を実施する。リカバリ制御部３０１は、露光装置に問い合わせることにより、又は、露光装置からの信号を取得することにより、露光装置での作業が一定時間休止するタイミングを判断することができる。
【００５８】
リカバリ可能なタイミングである場合（Ｓ２１：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリモードに移行する（Ｓ２２）。リカバリ制御部３０１は、リカバリ部４００に指示を与えることにより、リカバリ部４００にリカバリ動作を実行させる（Ｓ２３）。
【００５９】
リカバリ動作が実行された後、リカバリ制御部３０１は、ターゲット供給部１２０にテスト動作を実行させる（Ｓ２４）。テスト動作とは、いわゆる試し撃ちであり、ターゲット供給部１２０にドロップレット２０１を所定数又は所定時間だけ射出させる。
【００６０】
リカバリ制御部３０１は、位置計測部３０２による計測結果に基づいて、ターゲット供給部１２０から射出されたドロップレット２０１のプラズマ生成点２０２付近における位置精度が所定範囲内にあるか否かを判定する（Ｓ２５）。
【００６１】
たとえば、リカバリ制御部３０１は、ドロップレット２０１の位置変動（３σ）の値がドロップレット２０１の直径Ｄの１／ｎ（例えば、ｎ＝２〜３）以下になっているか否かを判定する。ｎの値は例示である。
【００６２】
試し撃ちされたドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっている場合（Ｓ２５：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３１０は、リカバリモードから通常モードに移行する（Ｓ２６）。これとは逆に、ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっていない場合（Ｓ２５：ＮＯ）、リカバリ制御部３０１は、再度リカバリ動作を実行させる（Ｓ２３）。
【００６３】
図５は、図４中の通常モード処理（Ｓ２６）の詳細を示すフローチャートである。リカバリ制御部３０１は、位置計測部３０２からの計測結果に基づいて、ドロップレット２０１の位置を取得する（Ｓ２６０）。なお、通常モードとは、所定のタイミングで、ドロップレット２０１が射出される状態である。通常モードにおいて射出されたドロップレット２０１にパルスレーザ光Ｌ１が照射されると、生成されたＥＵＶ光Ｌ２がＩＦに集光された後、露光装置に導かれる。
【００６４】
リカバリ制御部３０１は、ドロップレット２０１のプラズマ生成点２０２における位置精度が所定範囲内に収まっているか否かを判定する（Ｓ２６１）。ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっている場合（Ｓ２６１：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、通常モードを維持する（Ｓ２６２）。ターゲット供給部１２０から射出されたドロップレット２０１は、プラズマ生成点２０２に略正確に到着しているためである。
【００６５】
ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっていない場合（Ｓ２６１：ＮＯ）、リカバリ制御部３０１は、通常モードからリカバリ制御処理に移行する（Ｓ２６３）。リカバリ制御処理に移行する際、リカバリフラグを設定する。これにより、図４に示すＳ２１からの処理が実行される。上述の通り、適切なタイミングでターゲット供給部１２０の機能を回復させるためのリカバリ動作が実行される。なお、図示しないが、リカバリモードによっても機能の回復が行われない場合は、警報や通信により外部へ知らせることができる。
【００６６】
このように構成される本実施形態によれば、リカバリ動作を自動的に実行できるため、オペレータがドロップレットの射出状態を常時監視する必要がなく、メンテナンス効率が向上する。
【００６７】
さらに、本実施形態では、ターゲット供給部１２０を完全停止させることなく、一時的にリカバリ動作を実施することにより、ターゲット供給部１２０を正常状態に回復させる。従って、ターゲット供給部１２０のメンテナンス時間を短縮することができ、稼働率を向上できる。その結果、露光作業の作業効率も高めることができる。
【００６８】
さらに、本実施形態では、下流工程（露光作業）の状況を考慮して、ターゲット供給部１２０のリカバリを行うため、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態２】
【００６９】
図６を参照して第２実施形態を説明する。以下に述べる各実施形態は、第１実施形態の変形例に相当する。従って、第１実施形態との相違点を中心に説明する。本実施形態では、リカバリ部４００の具体例を説明する。
【００７０】
図６は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。中間構造物５００は、ノズル部１２２に対向して設けられている。中間構造物５００の具体例は、図２に示す電極部１２３である。中間構造物５００としては、ターゲット物質２００をノズル部１２２から引き出すための電極部１２３に限定されない。
【００７１】
ノズル部１２２とプラズマ生成点２０２との間に存在する構造物であって、ドロップレット２０１に起因する異物２１０が付着する可能性のある構造物は、中間構造物５００である。ドロップレット２０１は帯電しているので、電界又は磁界によって移動経路や速度を変えることができる。このため適切な位置に中間構造物５００を配することによってドロップレット２０１の運動を制御することが可能となる。電極部１２３以外の中間構造物５００としては、例えば、ドロップレット２０１の移動経路を修正するための静電レンズ、ドロップレット２０１の速度を上げるための加速用電極等を挙げることができる。また、これに限定されず永久磁石や電磁コイル等を用いてドロップレット２０１の移動経路を修正してもよい。永久磁石や電磁コイルも中間構造物５００に含まれる。
【００７２】
リカバリ部４００の一例としてのヒータ４１０は、中間構造物５００の下面に設けられる。ヒータ４１０は、例えば、環状の中間構造物５００の下面を覆うように、環状に形成される。ヒータ４１０は、中間構造物５００に付着した異物２１０を加熱し、溶融させる。異物２１０は、一つのドロップレット２０１の全部又は一部が中間構造物５００に付着することにより、形成される。従って、ヒータ４１０は、リカバリ制御部３０１が出力する信号をヒータ電源４１５が受信し、ヒータ電源４１５からヒータ４１０に電力が供給されることによって、ターゲット物質２００の融点を超える温度で発熱する。なお、ヒータ４１０には図示しない温度センサが設けられてもよい。
【００７３】
ヒータ４１０からの熱により溶融した異物２１０は、重力に従って中間構造物５００から流れ落ちる。溶けた異物２１０は、例えば、中間構造物５００の中央に形成される開口部５０１を介して、落下する。その開口部５０１は、ドロップレット２０１が通過するために設けられたものである。
【００７４】
なお、中間構造物５００から除去される異物２１０が、ターゲット供給部１２０の下側に配置されている部品（例えば、コレクタミラー１３０）に付着するのを防止するために、後述の実施形態では、除去された異物２１０を捕獲するための構成又は異物２１０からコレクタミラー１３０を保護するための構成を設けている。
【００７５】
このように構成される本実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。さらに、本実施形態は、ヒータ４１０の熱によって、中間構造物５００に付着した異物２１０を溶かして取り除く。従って、中間構造物５００に付着した異物２１０により、ドロップレット２０１の移動経路が逸れるのを防止でき、ドロップレット２０１の位置精度を高めることができる。
【実施形態３】
【００７６】
図７を参照して第３実施形態を説明する。第３実施形態では、リカバリ部４００の一例としてのヒータ４１１を、中間構造物５００の外周面に設けている。ヒータ４１１は、環状の中間構造物５００の外周面を覆うように、短い筒状に形成される。
【００７７】
図７は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。第２実施形態と同様に、ヒータ４１１は、中間構造物５００を加熱することにより、中間構造物５００の表面に付着した異物２１０を溶融状態にし、落下させて取り除く。このように構成される本実施形態も第２実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態４】
【００７８】
図８を参照して第４実施形態を説明する。図８は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。本実施形態では、第２実施形態とは逆に、環状のヒータ４１２を中間構造物５００の上面に設ける。このように構成される本実施形態も第２実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態５】
【００７９】
図９，図１０を参照して第５実施形態を説明する。本実施形態は、収容部１２１Ｂに収容されているターゲット物質２００を用いて中間構造物５００を加熱することにより、中間構造物５００に付着した異物２１０を除去する。
【００８０】
図９は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。中間構造物５００の外周面を取り囲むようにして、環状の加熱パイプ４１３が設けられている。リカバリ部４００の一例としての加熱パイプ４１３内部には、ターゲット供給部１２０内に蓄積されている溶融状態のターゲット物質２００が供給される。
【００８１】
加熱パイプ４１３内を流れるターゲット物質２００からの伝導熱により、中間構造物５００の全体が加熱される。これにより、中間構造物５００に付着した異物２１０が溶けて落下する。
【００８２】
図１０は、第５実施形態の変形例に該当する。図１０に示すように、加熱パイプ４１３を、絶縁部１２４の外周を覆うようにして設けてもよい。収容部１２１Ｂには、ターゲット物質２００が流出する流出口１２１Ｄ（１）と、ターゲット物質２００が流入する流入口１２１Ｄ（２）とが設けられている。加熱パイプ４１３は、流路４１３Ａと流入口１２１Ｄ（１）及び流出口１２１Ｄ（２）を介して、収容部１２１Ｂに接続されている。流路４１３Ａにはポンプ４１３Ｂが設けられている。なお、流路４１３Ａの途中に、ターゲット物質２００内の不純物を除去するためのフィルタ装置を設けてもよい。
【００８３】
加熱パイプ４１３には、収容部１２１Ｂ内のターゲット物質２００が、流出口１２１Ｄ（１）及び流路４１３Ａを介して流入する。加熱パイプ４１３を流れるターゲット物質２００は、絶縁部１２４を介して中間構造物５００を加熱する。
【００８４】
中間構造物５００を加熱したターゲット物質２００は、加熱パイプ４１３から、流路４１３Ａとポンプ４１３Ｂ及び流入口１２１Ｄ（２）を介して、収容部１２１Ｂ内に戻される。収容部１２１Ｂに戻されたターゲット物質２００は、加熱部１２５により加熱される。このように構成される本実施形態も上述実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態６】
【００８５】
図１１を参照して第６実施形態を説明する。本実施形態では、電磁波源４１４を用いて中間構造物５００を加熱し、中間構造物５００に付着した異物２１０を取り除く。図１１は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。
【００８６】
リカバリ部４００の一例としての電磁波源４１４は、例えば、赤外線レーザ光線又はマイクロ波等の電磁波を出力する。電磁波源４１４から出力される電磁波は、中間構造物５００に照射され、中間構造物５００を加熱する。
【００８７】
電磁波がよく吸収されるように、中間構造物５００の表面粗さを設定してもよい。又は、電磁波を吸収し易い物質で、中間構造物５００の全部又は一部（電磁波の照射される部分）をコーティングする構成でもよい。さらに、電磁波を異物２１０に直接照射する構成でもよい。このように構成される本実施形態も上述の実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態７】
【００８８】
図１２A及び１２Bを参照して第７実施形態を説明する。本実施形態では、アルゴンガス等の不活性ガスを用いて、中間構造物５００に付着した異物２１０を吹き飛ばして、取り除く。図１２Aは、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。図１２Bは、ノズル部１２０及びガスパイプ４２０の断面図である。
【００８９】
図１２Aに示すように、中間構造物５００とノズル部１２２との間に、リカバリ部４００の一例としてのガスパイプ４２０の先端が設けられている。ガスパイプ４２０を介して、アルゴンガス等の不活性ガスを蓄積するガス源４２０Ａからのガスを、バルブ４７０を開くことでノズル部１２０と中間構造物５００との間に吹き付けて、異物２１０を除去する。バルブ４７０はリカバリ制御部３０１からの信号によって開閉可能である。なお、本実施の形態ではバルブ４７０は電磁弁として説明しているが、空圧で動作するバルブでもよい。
【００９０】
このように構成される本実施形態も第１実施形態と同様の効果を奏する。本実施形態では、ガスを異物２１０に吹き付けて除去するため、中間構造物５００を加熱する必要がない。但し、中間構造物５００を加熱して異物２１０を溶融状態にしておけば、より簡単に異物２１０を除去することができる。
【実施形態８】
【００９１】
図１３を参照して第８実施形態を説明する。本実施形態では、中間構造物５００の内部に、リカバリ部４００の一例としてのガス流路４２１を設ける。図１３は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。
【００９２】
中間構造物５００には、その半径方向にガス流路４２１が形成されている。ガス流路４２１の一端側はガス源４２０Ａに接続されている。ガス流路４２１の他端側は、中間構造物５００の中央部に形成された穴５０１に連通している。
【００９３】
ガス流路４２１から穴５０１に向けて噴出される不活性ガスは、穴５０１の周辺に付着している異物２１０を吹き飛ばして除去する。このように構成される本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態９】
【００９４】
図１４A及び１４Bを参照して第９実施形態を説明する。本実施形態では、絶縁部１２４に、リカバリ部４００の一例としてのガス流路４２２を設ける。図１４Aは、ターゲット供給部１２０の先端側の拡大図である。図１４Bは、絶縁部１２４及びガス流路４２２の断面図である。
【００９５】
筒状の絶縁部１２４には、その半径方向にガス流路４２２が形成されている。ガス流路４２２の一端側はガス源４２０Ａに接続されており、ガス流路４２２の他端側はノズル部１２２と電極部１２３との間の空間１２４Ａに連通している。
【００９６】
ガス流路４２２から空間１２４Ａ内に噴出される不活性ガスは、空間１２４Ａ内を旋回して、空間１２４Ａ内の異物２１０を吹き飛ばす。吹き飛ばされた異物２１０は、射出孔１２３Ａから外部に排出される。このように構成される本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態１０】
【００９７】
図１５を参照して第１０実施形態を説明する。本実施形態では、ターゲット供給部１２０の本体部１２１側に、リカバリ部の一例としてのガス流路４２３を設けている。図１５は、ターゲット供給部１２０の断面図である。
【００９８】
ガス流路４２３は、例えば、加熱部１２５と本体部１２１とを貫通するように、ターゲット供給部１２０に設けられる。ガス流路４２３の一端側はガス源４２０Ａに接続されており、ガス流路４２３の他端側は、ノズル部１２２と電極部１２３との間の空間１２４Ａ内に連通している。
【００９９】
ガス流路４２３の他端側は、電極部１２３の射出孔１２３Ａ付近に向けて、設けられている。ガス流路４２３から噴出される不活性ガスは、射出孔１２３Ａ付近に付着した異物２１０及び空間１２４Ａ内の異物２１０を吹き飛ばす。吹き飛ばされた異物２１０は、射出孔１２３Ａから外部に排出される。本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態１１】
【０１００】
図１６A及び１６Bを参照して第１１実施形態を説明する。本実施形態は、図１２A及び１２Bに示す第７実施形態を前提にしており、ガスパイプ４２０を複数配置している。図１６Aは、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。図１６Bは、ノズル部１２２及びガスパイプ４２０の断面図である。
【０１０１】
図１６Bに示すように、ノズル１２２Ｂの周囲を取り囲むようにして（換言すれば、中間構造物５００の穴５０１の周囲を取り囲むようにして）、複数のガスパイプ４２０が周方向に等間隔に離間して配置されている。
【０１０２】
各ガスパイプ４２０は、それぞれガス源４２０Ａに接続されている。各ガスパイプ４２０から噴出される不活性ガスにより、中間構造物５００に付着している異物２１０が吹き飛ばされて除去される。なお、各ガスパイプ４２０から不活性ガスを噴出させるタイミングを、それぞれ異ならせることもできる。例えば、あるガスパイプ４２０を起点にして、時計回り又は反時計回りの順番で、ガスパイプ４２０から次々に不活性ガスを噴出させる構成でもよい。このように構成される本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。本実施形態では、不活性ガスを複数のガスパイプ４２０から噴出させることができるため、異物２１０を除去する能力を第７実施形態よりも高めることができる。
【実施形態１２】
【０１０３】
図１７A及び１７Bを参照して第１２実施形態を説明する。本実施形態は、図１４A及び１４Bに示す第９実施形態を前提にしている。本実施形態では、筒状の絶縁部１２４に、複数のガス流路４２２を周方向に等間隔に離間させて設けている。図１７Aは、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。図１７Bは、絶縁部１２４及びガス流路４２２の断面図である。
【０１０４】
各ガス流路４２２の一端側はガス源４２０Ａに接続されており、各ガス流路４２２の他端側は空間１２４Ａに連通している。各ガス流路４２２から空間１２４Ａ内に向けて噴出される不活性ガスにより、空間１２４Ａ内の異物２１０は吹き飛ばされて、射出孔１２３Ａから外部に排出される。なお、各ガス流路４２２から不活性ガスを噴出させるタイミングは、共通に設定してもよいし、異ならせることもできる。このように構成される本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。本実施形態では、複数のガス流路４２２から不活性ガスを噴出させることができるため、異物２１０を除去する能力を第９実施形態よりも高めることができる。
【０１０５】
なお、図１５に示す第１０実施形態においても、第１２実施形態と同様に、複数のガス流路４２３を設けることができることは、いわゆる当業者であれば容易に理解できるであろう。
【実施形態１３】
【０１０６】
図１８を参照して第１３実施形態を説明する。本実施形態は、ノズル部１２２の外部からノズル部１２２内に不活性ガスを注入することにより、ノズル部１２２内の異物２１０を除去する。図１８は、ターゲット供給部１２０の断面図である。
【０１０７】
カバー４３０は、ノズル部１２２等を気密に覆うことができるようにして設けられている。カバー４３０は、開閉機構４３１によって開閉可能に取り付けられる。開閉機構４３１は、カバー４３０でノズル部１２２等を覆ったり、又は、ノズル部１２２等からカバー４３０を開放したりする。開閉機構４３１は、例えば、モータ又はシリンダ及びリンク機構等から構成できる。
【０１０８】
ガス源４３０Ａとカバー４３０の内部とは、ガス流路４３０Ｂを介して接続されている。本体部１２１の内壁には、異物２１０を捕獲するためのトラップ４３０Ｃが複数設けられている。各トラップ４３０Ｃは、例えば、テーパー状のリングとして構成されている。各トラップ４３０Ｃは、トラップ４３０Ｃと本体部１２１の内壁との間に、上方に開口する空間４３０Ｄが形成されるようにして取り付けられる。
【０１０９】
本実施形態では、カバー４３０と、ガス源４３０Ａと、ガス流路４３０Ｂと、トラップ４３０Ｃと、開閉機構４３１とから、リカバリ部４００が構成される。
【０１１０】
リカバリモードでは、開閉機構４３１を動作させてカバー４３０でノズル部１２２等を気密に覆った後で、ガス源４３０Ａから不活性ガスをカバー４３０内の空間に送り込む。この時、カバー４３０内のガス圧力を、収容部１２１Ｂ内の圧力よりも高くすることが必要である。カバー４３０内に注入された不活性ガスは、ノズル部１２２等を介して収容部１２１Ｂ内に流入する。その際、ノズル部１２２内の異物２１０は、収容部１２１Ｂ内に押し込まれる。
【０１１１】
収容部１２１Ｂ内に押し込まれた複数の異物２１０のうち少なくとも一部は、ターゲット物質２００内を浮遊しながら、複数のトラップ４３０Ｃのいずれかに捕獲され、空間４３０Ｄ内に収容される。
【０１１２】
このように構成される本実施形態も第１実施形態と同様の効果を奏する。本実施形態では、カバー４３０の内部に外部から不活性ガスを注入することにより、ノズル部１２２内の異物２１０を収容部１２１Ｂ内に押し戻すことができる。さらに、収容部１２１Ｂ内に押し戻された異物２１０の少なくとも一部を、複数のトラップ４３０Ｃのいずれかで捕獲することができる。従って、タノズル部１２２内から異物２１０を除去して、ターゲット供給部１２０の機能を正常に回復させることができる。ここでのリカバリ対象の機能とは、主に、ドロップレット２０１をプラズマ生成点２０２に正確に送り出す機能である。
【実施形態１４】
【０１１３】
図１９を参照して第１４実施形態を説明する。本実施形態では、ノズル部１２２内の異物２１０を外部に吸い出すようになっている。図１９は、ターゲット供給部１２０の断面図である。
【０１１４】
ターゲット供給部１２０には、吸引管４４０が設けられている。吸引管４４０の一端側は、先端部１２１Ａ内の射出流路部１２１Ｃに向けて延びている。吸引管４４０の他端側には、吸引ポンプ４４０Ａが設けられている。さらに、吸引管４４０により吸引される異物２１０及びターゲット物質２００を回収するための回収槽４４０Ｂが設けられる。本実施形態では、吸引管４４０と、吸引ポンプ４４０Ａ及び回収槽４４０Ｂとにより、リカバリ部４００が構成される。
【０１１５】
吸引ポンプ４４０Ａを作動させると、吸引ポンプ４４０Ａとターゲット供給部１２０の間にある図示しないバルブが開となり、ターゲット供給部１２０の先端側に滞留している異物２１０及びターゲット物質２００は、吸引管４４０の先端から吸い込まれ、回収槽４４０Ｂに吐出される。回収されたターゲット物質２００は、異物２１０を除去して再使用することもできる。
【０１１６】
このように構成される本実施形態では、ターゲット供給部１２０内の異物２１０を吸引して除去するため、第１実施形態と同様に、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができ、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態１５】
【０１１７】
図２０A及び２０Bを参照して第１５実施形態を説明する。図２０A及び２０Bはノズル部１２２を拡大して示す断面図である。本実施形態では、ノズル部１２２に振動を与えることにより、ノズル部１２２内に滞留している異物２１０を破砕して、外部に排出させる。図２０A及び２０Bでは、便宜上、絶縁部１２４及び電極部１２３が省略されている。
【０１１８】
リカバリ部４００の一例としての振動体４５０は、ノズル１２２Ｂの外周側に設けられている。振動体４５０は、高周波電源４５０Ａからの電圧に従って、振動する。図２０Aに示すように、振動体４５０が振動すると、異物２１０は、振動により細かく破砕される。図２０Bに示すように、細かく分解された異物２１０は、ノズル１２２Ｂの外部に排出される。
【０１１９】
このように構成される本実施形態でも、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができ、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態１６】
【０１２０】
図２１A及び２１Bを参照して第１６実施形態を説明する。本実施形態では、ノズル部１２２を加熱することにより、ノズル部１２２内に滞留している異物２１０を溶融させて排出させる。図２１A及び２１Bは、ノズル部１２２を拡大して示す断面図である。ノズル１２２Ｂの外周側には、リカバリ部４００の一例としてのヒータ４６０が設けられている。
【０１２１】
図２１Aに示すように、ヒータ４６０は、ヒータ電源４６０Ａから供給される電力を利用して発熱する。ヒータ４６０は、異物２１０が溶融する程度の温度に加熱される。図２１Bに示すように、溶融された異物は、ノズル１２２Ｂから外部に排出される。このように構成される本実施形態も第１５実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態１７】
【０１２２】
図２２A及び２２Bを参照して第１７実施形態を説明する。本実施形態では、中間構造物５１０の少なくとも表面を、ターゲット物質２００が付着しにくい材料から形成する。図２２A及び２２Bは、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。
【０１２３】
中間構造物５１０の表面は、ターゲット物質２００に対して濡れ性の悪い材料（ターゲット物質に対して接触角の大きい材料）でコーティングされている。中間構造物５１０の全体を、ターゲット物質２００に対して濡れ性の悪い材料から形成してもよい。ターゲット物質２００が錫の場合、濡れ性の悪い材料としては、例えば、モリブデン、タンタル、アルミナセラミックス等を挙げることができる。あるいは、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステン等を主成分とするセラミックスから構成してもよい。
【０１２４】
図２２Aに示すように、中間構造物５１０を皿状に形成することができる。ノズル１２２Ｂから吐出されたドロップレット２０１の全部又は一部が、中間構造部５１０の上側の表面に付着して異物２１０となる場合がある。その異物２１０は、中間構造物５１０の表面を滑り、穴５０１から流れ落ちる。
【０１２５】
図２２Bに示すように、中間構造物５１１を、伏せた皿状に形成してもよい。この場合、中間構造物５１１の表面に付着した異物２１０は、中間構造物５１１の外縁に向けて滑り、中間構造物５１１の外縁から流れ落ちる。穴５０１近傍に付着した異物２１０は、穴５０１から下に流れ落ちる。
【０１２６】
このように構成される本実施形態は、本開示の他の実施形態と組み合わせてターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができ、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態１８】
【０１２７】
図２３Aから２３Cを参照して第１８実施形態を説明する。本実施形態では、リカバリモード時に、ノズル部１２２内の異物２１０を外部に排出させる。
【０１２８】
図２３Aから２３Cは、ノズル部１２２から異物２１０を外部に押し出す方法を示す説明図である。図２３Aに示すように、ノズル部１２２の近傍には、異物２１０が滞留している。そこで、図２３Bに示すように、ノズル部１２２内の圧力を一時的に高める。これにより、図２３Cに示すように、ノズル部１２２に滞留していた異物２１０が外部に押し出される。
【０１２９】
ノズル部１２２内の異物を外部に排出させる方法としては、幾つか考えられる。第１の方法は、収容部１２１Ｂ内に加えるガス圧力（背圧）を高めることにより、ノズル部１２２内の圧力を高くして異物２１０を排出させる方法である。第２の方法は、弾性変形の範囲内でノズル部１２２を含むターゲット物質流路を構成する部材を変形させて、ターゲット物質流路の体積を減少させることにより、ノズル部１２２内の圧力を高めて、異物２１０を排出させる方法である。第３の方法は、電極部１２３のような引き出し用電極を設け、静電吸引力により異物２１０を排出させる方法である。上記の各方法を組み合わせて用いてもよい。
【０１３０】
このように構成される本実施形態でも、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができ、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態１９】
【０１３１】
図２４から図２５Bを参照して第１９実施形態を説明する。本実施形態では、ターゲット供給部１２０から除去される異物２１０を捕獲するための捕獲部６００を設ける。図２４は、ターゲット供給部１２０と捕獲部６００とコレクタミラー１３０との関係を模式的に示す説明図である。図２５A及び２５Bは、捕獲部６００の位置を切り替える様子を示す説明図である。なお、図２４中の回収装置１７０は、通常モード時においてターゲット供給部１２０から射出されるドロップレット２０１のうち、レーザ光の照射されなかったドロップレット２０１を回収するための装置である。
【０１３２】
図２４に示すように、ターゲット供給部１２０とコレクタミラー１３０との間には、捕獲部６００が設けられている。捕獲部６００は、ターゲット供給部１２０から取り除かれて落下する異物２１０を受け止めて、コレクタミラー１３０に異物２１０が付着するのを防止する。
【０１３３】
捕獲部６００は、例えば、シャッタ６０１と、シャッタ６０１を回転させるためのモータ６０２とを備える。シャッタ６０１は、平板状に形成してもよいし、中央部が窪んだ皿状に形成してもよい。皿状に形成した場合は、シャッタ６０１に収容された異物２１０が、シャッタ６０１の回転時に発生する遠心力で周囲に飛散するのを、より効果的に防止できる。
【０１３４】
図２５Aは、リカバリモード時におけるシャッタ６０１の位置を示す。この位置を第１位置、又は、捕獲位置と呼ぶ。シャッタ６０１が第１位置にある場合、ターゲット供給部１２０から取り除かれた異物２１０は、シャッタ６０１により捕獲される。従って、コレクタミラー１３０に異物２１０が付着することを防止できる。
【０１３５】
図２５Bは、通常モード時におけるシャッタ６０１の位置を示す。この位置を第２位置、又は、通常位置と呼ぶ。シャッタ６０１が第２位置にある場合、ターゲット供給部１２０から射出されたドロップレット２０１は、プラズマ生成点２０２に向けて移動することができる。従って、シャッタ６０１が第２位置にある場合、ターゲット供給部１２０によるドロップレット２０１の軌道は遮断されず、プラズマ生成点２０２においてＥＵＶ光が発生する。
【０１３６】
このように構成される本実施形態は、ターゲット供給部１２０から除去される異物２１０がコレクタミラー１３０に付着するのを防止できる。従って、異物２１０を除去する前記各実施形態と好適に組み合わせて、メンテナンス作業の効率を高めることができ、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態２０】
【０１３７】
図２６を参照して第２０実施形態を説明する。本実施形態では、コレクタミラー１３０の表面を保護するためのミラー保護部６１０を設ける。図２６は、ターゲット供給部１２０とミラー保護部６１０とコレクタミラー１３０との関係を模式的に示す説明図である。
【０１３８】
ミラー保護部６１０は、ドーム形状のシャッタ６１１と、シャッタ６１１を回動させるためのモータ６１２とを備える。通常モード時では、シャッタ６１１は、ＥＵＶ光路を遮らない位置で待機している。シャッタ６１１は、プラズマの生成、ＥＵＶ光の発生、ＥＵＶ光の集光に何ら悪影響を与えない位置で待機する。
【０１３９】
リカバリモード時になると、モータ６１２は、シャッタ６１１をコレクタミラー１３０の反射面を覆う位置まで移動させる。これにより、シャッタ６１１は、コレクタミラー１３０とターゲット供給部１２０との間を遮断し、ターゲット供給部１２０から除去される異物２１０からコレクタミラー１３０を保護する。このように構成される本実施形態は、第１９実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態２１】
【０１４０】
図２７のフローチャートを参照して第２１実施形態を説明する。本実施形態を含む以下の各実施形態は、図３で述べたリカバリフラグ設定処理の具体例である。
【０１４１】
リカバリ制御部３０１は、ターゲット供給部１２０が起動した場合（Ｓ１００：ＹＥＳ）、起動回数を積算するカウンタＮＳの値を１つ増加させる（ＮＳ＝ＮＳ＋１，Ｓ１０１）。続いて、リカバリ制御部３０１は、起動回数ＮＳが所定の閾値ＮＳｔに達したか否かを判定する（ＮＳ≧ＮＳｔ，Ｓ１０２）。
【０１４２】
起動回数ＮＳが閾値ＮＳｔに達した場合（Ｓ１０２：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグを設定し（Ｓ１０３）、起動回数ＮＳをリセットする（Ｓ１０４）。
【０１４３】
このように、ターゲット供給部１２０が所定回数ＮＳｔだけ起動された場合にリカバリフラグを設定して、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができる。
【実施形態２２】
【０１４４】
図２８のフローチャートを参照して第２２実施形態を説明する。リカバリ制御部３０１は、タイマを備え、前回のリカバリ動作の実行時（メンテナンス作業の実行時）からの経過時間Ｔｒを計測している（Ｓ１１０）。リカバリ制御部３０１は、経過時間Ｔｒが所定の経過時間Ｔｒｔに達したか否かを判定する（Ｔｒ≧Ｔｒｔ，Ｓ１１１）。
【０１４５】
前回のリカバリ動作実行時からの経過時間Ｔｒが所定の経過時間Ｔｒｔに達した場合（Ｓ１１１：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグを設定し（Ｓ１１２）、経過時間Ｔｒをリセットする（Ｓ１１３）。
【０１４６】
このように、前回のリカバリ動作実行時からの経過時間Ｔｒが所定の経過時間Ｔｒｔに達した場合にリカバリフラグを設定して、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができる。
【実施形態２３】
【０１４７】
図２９のフローチャートを参照して第２３実施形態を説明する。リカバリ制御部３０１は、ターゲット供給部１２０によるドロップレット２０１の出力（射出）を監視する（Ｓ１２０）。ターゲット供給部１２０からドロップレット２０１が出力されると（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、出力回数を積算するためのカウンタＤＰＮの値を１つ増加させる（ＤＰＮ＝ＤＰＮ＋１，Ｓ１２１）。
【０１４８】
リカバリ制御部３０１は、ドロップレット出力回数ＤＰＮが所定の出力回数ＤＰＮｔに達したか否かを判定する（ＤＰＮ≧ＤＰＮｔ，Ｓ１２２）。ドロップレット出力回数は、たとえば、図１におけるパルス制御部３２０の出力パルスと、位置検出センサ３４０による検出信号とが両方検出された回数として計測してもよい。ドロップレット出力回数ＤＰＮが所定の出力回数ＤＰＮｔに達した場合（Ｓ１２２：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグを設定し（Ｓ１２３）、ドロップレット出力回数ＤＰＮをリセットする（Ｓ１２４）。
【０１４９】
このように、ターゲット供給部１２０から出力されるドロップレット２０１の数ＤＰＮが所定の回数ＤＰＮｔに達した場合に、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができる。
【実施形態２４】
【０１５０】
図３０のフローチャートを参照して第２４実施形態を説明する。リカバリ制御部３０１は、位置計測部３０２を介してドロップレット２０１の位置を計測する（Ｓ１３０）。リカバリ制御部３０１は、ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内にあるか否かを判定する（Ｓ１３１）。さらにドロップレットコントローラ３１０の射出指示によりドロップレット２０１が射出されているか否かを判定してもよい。
【０１５１】
リカバリ制御部３０１は、ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっていない場合（Ｓ１３１：ＮＯ）、リカバリフラグを設定する（Ｓ１３２）。Ｓ１３１においてＮＯと判定する条件は、ドロップレットコントローラ３１０の射出指示が出ているにも拘らずドロップレット２０１が検出されない場合であってもよい。このように、ターゲット供給部１２０から出力されるドロップレット２０１の位置が不安定になった場合やドロップレットが射出されない場合に、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができる。
【０１５２】
なお、本開示は、上述した各実施形態に限定されない。いわゆる当業者であれば、本開示の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。例えば、上記各実施形態を適宜組み合わせることができる。
【０１５３】
例えば、異物を加熱する実施形態（第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態、第６実施形態）と、異物に不活性ガスを吹き付ける実施形態（第７実施形態、第８実施形態、第９実施形態、第１０実施形態、第１１実施形態、第１２実施形態）とは、適宜組み合わせることができる。異物を加熱して流動性を上げた状態で不活性ガスを吹き付ける方が、異物を除去し易いためである。
【０１５４】
さらに、ノズルの外部から不活性ガスを注入する第１３実施形態、又は、ノズル内の異物を吸引する第１４実施形態において、異物を加熱する構成を加えてもよい。
【０１５５】
さらに、第１−１６実施形態と、ターゲット物質に対する濡れ性の悪い材料を用いる第１７実施形態とを組み合わせることにより、付着した異物をより効果的に除去できる。
【０１５６】
さらに、第１−１８実施形態と、異物捕獲部に関する第１９実施形態又はミラー保護部に関する第２０実施形態とを組み合わせることにより、ターゲット供給部から除去された異物がコレクタミラーに付着するのを防止できる。
【０１５７】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的ではない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１５８】
１：極端紫外光源装置、１００：チャンバ、１１０：ドライバレーザ光源、１２０：ターゲット供給部、１３０：コレクタミラー、３００：ＥＵＶ光源コントローラ、３０１：リカバリ制御部、３０２：位置制御部、４００：リカバリ部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１３．５ｎｍという極端に波長の短い光と縮小光学系とを使用する、半導体露光技術が研究されている。この技術は、ＥＵＶＬ（Extreme Ultra Violet Lithography：極端紫外線露光）と呼ばれる。以下、極端紫外光をＥＵＶ光と呼ぶ。
【０００３】
ＥＵＶ光源としては、例えば、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）式の光源が知られている。ＬＰＰ式光源とは、ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成し、このプラズマから放射されるＥＵＶ光を利用する光源である。ＬＰＰ式光源は、プラズマ密度を高くすることができ、かつ、捕集立体角を大きくできるため、高出力のＥＵＶ光を得られる可能性が高い。
【０００４】
ＬＰＰ式のＥＵＶ光源装置では、ターゲット物質として錫（Ｓｎ）が用いられる。ターゲット物質は、ターゲット供給部から、ドロップレット状のターゲット物質としてチャンバ内に射出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１９２１５４号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００６／０１９２１５５号明細書
【特許文献３】米国特許第７４４９７０３号明細書
【概要】
【０００６】
本開示の１つの実施形態に従うチャンバ装置は、レーザ光源と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光源から出力されるレーザ光を内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の位置にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、所定条件が成立した場合に、前記タ―ゲット供給部に対してリカバリ動作の実行を指示するリカバリ制御部と、前記リカバリ制御部からの指示に応じて前記リカバリ動作を実行するリカバリ部と、前記ターゲット供給部から前記チャンバ内に供給されるターゲット物質の位置を計測する位置計測部と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示の他の実施形態に従うターゲット供給部のメンテナンス方法は、チャンバ、ターゲット供給部、リカバリ制御部、リカバリ部および位置計測部を備えるチャンバ装置において、前記タ―ゲット供給部をメンテナンスする方法であって、前記ターゲット供給部に対してリカバリ動作を実行するか否かの判定用情報を取得することと、前記リカバリ動作を実行すると判定された際に、前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであるか否かを判定することと、前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであると判定された際に、前記リカバリ制御部が前記リカバリ部に前記リカバリ動作を指示することと、前記リカバリ部が、前記リカバリ制御部の指示に応じて、所定のリカバリ動作を実行することと、を含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成図である。
【図２】ターゲット供給部を拡大して示す図である。
【図３】リカバリフラグを設定する処理のフローチャートである。
【図４】リカバリ制御処理を示すフローチャートである。
【図５】図４中の通常モードの処理を示すフローチャートである。
【図６】第２実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図７】第３実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図８】第４実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図９】第５実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１０】ターゲット供給部の拡大図である。
【図１１】第６実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１２Ａ】第７実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１２Ｂ】第７実施形態に係り、ノズル部及びガスパイプの断面図である。
【図１３】第８実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１４Ａ】第９実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１４Ｂ】第９実施形態に係り、絶縁部及びガス流路の断面図である。
【図１５】第１０実施形態に係るターゲット供給部の断面図である。
【図１６Ａ】第１１実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１６Ｂ】第１１実施形態に係り、ノズル部及びガスパイプの断面図である。
【図１７Ａ】第１２実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１７Ｂ】第１２実施形態に係り、絶縁部及びガス流路の断面図である。
【図１８】第１３実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図１９】第１４実施形態に係るターゲット供給部の断面図である。
【図２０Ａ】第１５実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２０Ｂ】第１５実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２１Ａ】第１６実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２１Ｂ】第１６実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２２Ａ】第１７実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２２Ｂ】第１７実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２３Ａ】第１８実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２３Ｂ】第１８実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２３Ｃ】第１８実施形態に係り、異物を除去する様子を示す模式図である。
【図２４】第１９実施形態に係り、コレクタミラーを異物から保護する様子を示す説明図である。
【図２５Ａ】保護カバーの位置の切替を示す説明図である。
【図２５Ｂ】保護カバーの位置の切替を示す説明図である。
【図２６】第２０実施形態に係り、コレクタミラーを異物から保護する様子を示す説明図である。
【図２７】リカバリフラグを設定する処理のフローチャートである。
【図２８】リカバリフラグを設定する他の処理のフローチャートである。
【図２９】リカバリフラグを設定するさらに他の処理のフローチャートである。
【図３０】リカバリフラグを設定するさらに別の処理のフローチャートである。
【実施の形態】
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、実施形態の間で共通する構成要素については重複する説明を省略する。
【実施形態１】
【００１０】
図１−図５に基づいて第１実施形態を説明する。図１は、ＥＵＶ光源装置１の全体構成を示す説明図である。ＥＵＶ光源装置１は、例えば、真空チャンバ１００と、ドライバレーザ光源１１０と、ターゲット供給部１２０と、ＥＵＶ集光ミラー１３０と、真空ポンプ１４０と、アパーチャを有する隔壁１５０，１５１と、ゲートバルブ１６０と、ＥＵＶ光源コントローラ３００と、ドロップレットコントローラ３１０と、パルス制御部３２０と、圧力制御部３３０とを、備えることができる。
【００１１】
上記の各構成１，１００，１１０，１２０，１３０，１４０，１５０，１５１，１６０，３００，３１０，３２０，３３０は、少なくともそれぞれ一つずつ設けられており、説明のため本開示では単数形で記述される。しかし、その限りではなく各構成を複数備えてもよい。以下の説明では、基本的に単数形で記述する。ドロップレット２０１は、複数形で記述される場合もある。従って、本実施形態では、droplet(s)と表記する場合がある。
【００１２】
真空チャンバ１００は、容積の大きい第１チャンバ１０１と、容積の小さい第２チャンバ１０２とを有する。第１チャンバ１０１は、プラズマの生成等が行われるメインチャンバである。第２チャンバ１０２は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を図外の露光装置に供給するための接続用チャンバである。
【００１３】
第１チャンバ１０１には真空ポンプ１４０が接続されている。これにより、チャンバ１００内は低圧状態に保持される。なお、第２チャンバ１０２に、別の真空ポンプを設ける構成としてもよい。その場合には、第１チャンバ１０１内の圧力を第２チャンバ１０２内の圧力よりも低くすることにより、デブリ（debris）が露光装置側に流れ込むのを抑制することができる。
【００１４】
ターゲット供給部１２０は、例えば、錫（Ｓｎ）等のターゲット物質２００で形成されるドロップレット２０１をチャンバ１００内に射出する装置である。ドロップレット２０１は、レーザ光が照射されるターゲットである。ターゲット供給部１２０の本体部１２１は、溶融状態のターゲット物質２００を収容しており、本体部１２１内には所定の圧力を加えることができる。
【００１５】
ターゲット供給部１２０のノズル先端側には、「中間構造物」の一例である電極部１２３が設けられている。電極部１２３に、例えば、所定のパルス電圧が印加されると、ターゲット物質２００と電極部１２３との間に電界が発生する。これにより、ターゲット供給部１２０からドロップレット２０１が引き出されて、チャンバ１００内に向かって射出される。なお、ターゲット供給部１２０の詳細構成は、図２を参照に後述する。また、ドロップレットの射出は、上記のような電界によるものに限定しない。例えば、溶融ターゲットへの加圧による射出などでもよい。
【００１６】
ドライバレーザ光源１１０は、ドロップレット２０１をプラズマ化するためのパルスレーザＬ１を出力する。ドライバレーザ光源１１０は、例えば、ＣＯ２（炭酸ガス）パルスレーザ光源として構成することができる。ドライバレーザ光源１１０は、例えば、波長１０．６μｍ、出力２０ｋＷ、パルス繰返し周波数３０〜１００ｋＨｚ、パルス幅２０ｎｓｅｃの仕様を有するレーザ光Ｌ１を出力する。なお、ドライバレーザ光源１１０の仕様は、上記の例に限定されない。さらに、ＣＯ２パルスレーザ光源以外の他の光源を用いる構成でもよい。
【００１７】
ドライバレーザ光源１１０から出力されるレーザ光Ｌ１は、集光レンズ１１１と入射窓１１２とを介して、第１チャンバ１０１内に入射する。第１チャンバ１０１内に入射したレーザ光Ｌ１は、ＥＵＶ集光ミラー１３０に設けられた入射穴１３１を通過して、ドロップレット２０１を照射する。
【００１８】
ドロップレット２０１にレーザ光Ｌ１が集光照射されると、ドロップレット２０１はプラズマ生成点２０２において、プラズマ化する。以下、便宜上、単にプラズマと呼ぶ。プラズマは、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光Ｌ２を含む光を放射する。
【００１９】
プラズマから放射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶを集めるためのコレクタミラー１３０に入射し、コレクタミラー１３０により反射される。コレクタミラー１３０は、その反射表面が回転楕円面形状に形成されている。コレクタミラー１３０で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、第２チャンバ１０２内の中間集光点（ＩＦ：Intermediate Focus）に集光される。ＩＦに集光されたＥＵＶ光Ｌ２は、開状態のゲートバルブ１６０を介して、露光装置へ導かれる。
【００２０】
なお、本実施形態では、ドライバレーザ光源１１０のレーザ光出力周期に対応させて、ＥＵＶ光生成に必要な量のドロップレット２０１を生成する。従って、デブリの発生量は少ない。しかし、デブリによる悪影響を低減させるべく、例えば、図１において、ＥＵＶ光Ｌ２の光路を紙面に対して上下又は垂直な方向から挟むようにして、２つの磁場発生用コイル（不図示）を設けてもよい。各磁場発生コイルにより生成される磁場で、イオン性のデブリを捕捉できる。
【００２１】
ＩＦの前後には、２つの隔壁１５０，１５１が配置されている。コレクタミラー１３０で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の進行方向を基準とすると、ＩＦの手前側には、第１隔壁１５０が設けられている。ＩＦの先には、第２隔壁１５１が設けられている。隔壁１５０，１５１は、例えば、それぞれ数ｍｍ〜１０ｍｍ程度の開口部を有する。
【００２２】
第１隔壁１５０は、第１チャンバ１０１と第２チャンバ１０２とを接続する位置近傍に設けられている。第２隔壁１５１は、第２チャンバ１０２と露光装置とを接続する位置近傍に設けられている。なお、ＩＦの前後いずれか一方又は両方に、ＳＰＦ（Spectral Purity Filter）を設けて、１３．５ｎｍ以外の波長の光を遮断する構成としてもよい。
【００２３】
次に、ＥＵＶ光源装置１の制御構成３００〜３３０を説明する。ＥＵＶ光源コントローラ３００は、ＥＵＶ光源装置１の動作を制御する。ＥＵＶ光源コントローラ３００は、ドロップレットコントローラ３１０及びドライバレーザ光源１１０に、指示を与える。その指示により、所定のタイミングでドロップレット２０１が射出される。射出されたドロップレット２０１には、パルスレーザ光Ｌ１が照射される。さらに、ＥＵＶ光源コントローラ３００は、真空ポンプ１４０及びゲートバルブ１６０等の動作も制御する。
【００２４】
さらに、ＥＵＶ光源コントローラ３００は、少なくとも一つのリカバリ制御部３０１と、少なくとも一つの位置計測部３０２とを備える。リカバリ制御部３０１は、リカバリ部４００にターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスさせて、ターゲット供給部１２０を正常状態に回復させるための機能を有する。位置計測部３０２は、少なくとも一つの位置検出センサ３４０からの信号に基づいて、ドロップレット２０１の位置を計測し、その結果をリカバリ制御部３０１に通知する機能を有する。リカバリ制御の方法は後述する。
【００２５】
なお、リカバリ制御部３０１及び位置計測部３０２は、ＥＵＶ光源コントローラ３００とは別のコントローラとして構成してもよいし、ドロップレットコントローラ３１０内に設ける構成としてもよい。
【００２６】
位置検出センサ３４０は、例えば、カメラ、光学的センサ、電磁的センサ等の、ドロップレット２０１の位置を検出可能なセンサとして構成される。同一種類の、又は異なる種類の、位置検出センサ３４０を複数設ける構成でもよい。
【００２７】
ドロップレットコントローラ３１０は、ターゲット供給部１２０の動作を制御する。ドロップレットコントローラ３１０には、パルス制御部３２０と圧力制御部３３０とが接続される。
【００２８】
パルス制御部３２０は、ターゲット供給部１２０の先端側に設けられている電極部１２３に、所定のパルス電圧を印加するための装置である。パルス制御部３２０は、例えば、少なくとも一つの高電圧直流電源装置と、高電圧直流電源装置から入力される直流高電圧をパルスとして出力する少なくとも一つのスイッチングドライバと、スイッチングドライバにパルス周期を入力する少なくとも一つのパルス発生器とを含む（いずれも不図示）。
【００２９】
圧力制御部３３０は、ターゲット供給部１２０の本体部１２１の内部に、所定の圧力を加えるための装置である。本体部１２１の内部は、圧力制御部３３０から供給される不活性ガス（例えば、アルゴンガス）により、所定の圧力に制御される。
【００３０】
図２は、ターゲット供給部１２０及び圧力制御部３３０の構成を示す図である。先にターゲット供給部１２０の構成を説明する。ターゲット供給部１２０は、例えば、少なくとも一つの本体部１２１と、少なくとも一つのノズル部１２２と、少なくとも一つの電極部１２３と、少なくとも一つの絶縁部１２４と、少なくとも一つの加熱部１２５とを備える。
【００３１】
本体部１２１は、ターゲット物質２００を収容するものである。本体部１２１は、その先端部（図２中の下側）１２１Ａが第１チャンバ１０１内に突出するようにして、チャンバ１００に取り付けられている。本体部１２１内には、ターゲット物質２００を収容するための収容部１２１Ｂが設けられている。先端部１２１Ａ内には、射出流路部１２１Ｃが設けられている。
【００３２】
収容部１２１Ｂは、本体部１２１の基端側（図２中の上側）に接続される配管１２６を介して、圧力制御部３３０に接続されている。射出流路部１２１Ｃは、収容部１２１Ｂ内とノズル部１２２との間を連通している。圧力制御部３３０からの不活性ガスは、配管１２６を介して、本体部１２１の収容部１２１Ｂに供給される。
【００３３】
さらに、本体部１２１の外面側には、加熱部１２５が設けられている。加熱部１２５は、例えば、電熱ヒータ等で構成される。加熱部１２５は、本体部１２１内の錫が３００℃程度の温度となるように加熱する。なお、３００℃という値は一例であり、本開示はその値に限定されない。すなわち、ターゲット物質２００が液体である温度であればよい。
【００３４】
ノズル部１２２は、例えば、円盤状に形成されている。ノズル部１２２の中心部には、円形状の射出孔１２２Ａが形成されている。射出孔１２２Ａと本体部１２１の収容部１２１Ｂとは連通している。さらに、ノズル部１２２の下面側には、第１チャンバ１０１内のプラズマ生成点２０２に向けて突出するように、下向き円錐形状のノズル１２２Ｂがノズル部１２２と一体的に設けられている。ノズル１２２Ｂが、第１チャンバ１０１内に突出するようにして形成されているのは、ノズル１２２Ｂの先端に電界を集中させるためである。
【００３５】
ノズル部１２２の材質について説明する。第１に、ノズル部１２２は、ターゲット物質としての錫に接触するため、錫に化学的または物理的に浸食されにくい材質であることが求められる。錫に浸食されにくい性質のことを、本明細書では、錫についての耐浸食性と呼ぶ。錫についての耐浸食性を有する材料としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレス、ダイヤモンド、セラミックス等を挙げることができる。また、セラミックス以外の材料としては炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンでもよい。セラミックスとしては、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンを主成分とするセラミックスを挙げることができる。なお、本実施の形態では、ターゲット物質として錫を例に挙げたが、ターゲット物質は錫に限定されない。錫以外の物質をターゲット物質として用いる場合、ノズル部１２２は当該物質についての耐侵食性を有する任意の物質で形成されるのが好ましい。以下の説明においても、ターゲット物質として錫を単なる一例として説明するが、ターゲット物質は錫に限定されない。いずれの場合においても、錫以外の物質をターゲット物質として用いる場合、以下で錫についての耐侵食性が求められる各構成要素は、当該物質についての耐侵食性を有する任意の物質で構成することができる。
【００３６】
第２に、ノズル部１２２内のターゲット物質２００に電界を集中させるという観点からは、ノズル部１２２は、電気的絶縁性を有する方が好ましい。錫についての耐浸食性を有する各材料のうち、絶縁性を有する材料としては、ダイヤモンド又はセラミックスが知られている。従って、ノズル部１２２は、ダイヤモンド又はセラミックスから構成するのが好ましい。しかし、それらに限らず、ダイヤモンド又はセラミックス以外の材料から形成されるノズル部も、本開示の範囲に含まれる。たとえば、セラミックス以外の材料としては炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンを挙げることができる。また、セラミックスとしては、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンを主成分とするセラミックスを挙げることができる。
【００３７】
本体部１２１には、少なくとも、錫についての耐浸食性が求められる。本体部１２１の全体のうち、錫に接触する部分は、錫についての耐浸食性を備えることが好ましい。
【００３８】
中心部に貫通孔が設けられた円盤状の電極部１２３は、ノズル部１２２の下側に絶縁部１２４を挟んでノズル部１２２から離間して設けられている。電極部１２３の射出孔１２３Ａとノズル１２２Ｂとは同軸状に位置している。射出孔１２３Ａとノズル１２２Ｂ先端との間には、所定のギャップが形成される。
【００３９】
電極部１２３の材質について説明する。第１に、電極部１２３は錫に接触する可能性があるため、錫についての耐浸食性を備えることが好ましい。第２に、電極部１２３は、スパッタに対して強い性質を備える必要がある。プラズマからの高速な錫粒子が電極部１２３の表面に衝突するおそれがあるためである。第３に、電極部１２３は導電性を備える必要がある。以上の条件を考慮すると、電極部１２３は、例えば、モリブデン、タングステン、タンタル、チタン、ステンレス等から形成されるのが好ましい。
【００４０】
電極部１２３には、ドロップレット２０１の一部が付着し、異物２１０として残る可能性がある（図６参照）。そこで、後述の実施形態では、ノズル部１２２とプラズマ生成点２０２との間に位置する中間構造物としての電極部１２３を、ターゲット物質２００に対して濡れ性の低い材料から形成する。これにより、電極部１２３に付着した異物２１０を落下させて、取り除くことができるようにしている。そのために、例えば、モリブデン、タングステン等の金属、または、アルミナ等のセラミックスから、電極部１２３を形成するか、それらの材料で電極部１２３をコーティングするのが好ましい。コーティング材料としては、炭化珪素、窒化珪素、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンや、これらを主成分とするセラミックスを挙げることができる。
【００４１】
絶縁部１２４は、少なくともその一部がノズル部１２２と電極部１２３との間に挟設されるように設けられている。絶縁部１２４の内周側には、空間部１２４Ａが形成される。ノズル１２２Ｂは、空間部１２４Ａ内に突出するようにして設けられている。ノズル１２２Ｂと射出孔１２３Ａとは、それぞれの中心軸が略一致する。
【００４２】
絶縁部１２４は、ノズル部１２２と電極部１２３とを位置決めする機能の他に、絶縁機能及び伝熱機能を実現することが好ましい。絶縁機能とは、ノズル部１２２と電極部１２３との間を電気的に絶縁する機能である。伝熱機能とは、加熱部１２５で生じる熱を電極部１２３に導く機能である。これにより、ノズル部１２２及び電極部１２３の温度を錫の融点よりも高くして、ノズル部１２２と電極部１２３とに錫が固着するのを防止することができる。
【００４３】
絶縁部１２４の材質について説明する。絶縁機能及び伝熱機能を考慮すると、絶縁部１２４は、絶縁性及び熱伝導率の高い材料から構成されるのが好ましい。従って、絶縁部１２４は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又はダイヤモンド等の材料から構成することができる。あるいは、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステンを主成分とするセラミックスから構成してもよい。
【００４４】
圧力制御部３３０の構成について説明する。圧力制御部３３０は、例えば、一つの圧力コントローラ３３１と、一つの圧力調整弁３３２と、一つの排気ポンプ３３３と、一つの供給弁３３４と、一つの排出弁３３５とを備える。圧力制御部３３０は、一つのガス供給部３３６からのガスを、圧力調整弁３３２等を介して、ターゲット供給部１２０の本体部１２１内に供給する。なお、ターゲット物質２００を加圧するためのガスとして、本実施形態ではアルゴンガスを用いる。しかし、アルゴンガス以外の不活性ガスを用いることもできる。
【００４５】
圧力調整弁３３２は、ガス供給部３３６から流入し配管１２６内に送り出されるガスの圧力を、圧力コントローラ３３１により設定される所定値に調整して、配管１２６内に送り出す。配管１２６は圧力調整弁３３２から本体部１２１に至るガスの経路の一部を構成する。所定値の圧力に調整されたガスは、配管１２６へ至る配管経路の途中に設けられる供給弁３３４を介して、本体部１２１内に供給される。
【００４６】
排気ポンプ３３３は、本体部１２１内のガスを排出するためのポンプである。供給弁３３４を閉弁し、かつ、排気通路１２６Ａの途中に設けられる排出弁３３５を開弁した状態で、排気ポンプ３３３を作動させる。これにより、本体部１２１内のガスが排出される。
【００４７】
ターゲット物質２００に一定の圧力を加えた状態で、電極部１２３にパルス電圧を所定周期で印加する。その所定周期は、ドライバレーザ光源１１０から出力されるレーザ光Ｌ１の周期に対応させるように設定される。パルス電圧は、矩形波、三角波、正弦波のいずれでもよい。
【００４８】
ガスが収容部１２１Ｂ内のターゲット物質２００を加圧すると、ノズル１２２Ｂからターゲット物質２００が僅かに突出する。但し、この状態では、ターゲット物質２００はノズル１２２Ｂから外部に射出されない。つまり、ノズル１２２Ｂには、下向きに突出するメニスカスが形成される。
【００４９】
ターゲット物質２００をガスで加圧した状態で、電極部１２３にパルス電圧を印加すると、ノズル１２２Ｂから僅かに突出していたターゲット物質２００が、静電吸引力によってノズル先端から切り離される。ノズル１２２Ｂから引き出されたターゲット物質２００は、ドロップレット２０１としてプラズマ生成点２０２に向けて射出される。静電吸引力によって切り離されたドロップレット２０１は帯電している。
【００５０】
本実施形態では、本体部１２１内のターゲット物質２００をガスによって加圧した状態で、ノズル１２２Ｂに対向して設けられる電極部１２３にパルス電圧を印加する。これにより、本実施形態では、ノズル１２２Ｂから、必要に応じて必要なサイズのドロップレット２０１を射出することができる。
【００５１】
図３は、リカバリフラグを設定する処理を示すフローチャートである。リカバリフラグは、リカバリ動作を実行すべき時期が到来したことを示す情報である。リカバリ動作とは、ターゲット供給部１２０からプラズマ生成点２０２に向けてターゲット物質２００を正確に射出できるように、ターゲット供給部１２０から異物２１０を除去する動作である。本処理は、リカバリ制御部３０１により実行される。
【００５２】
リカバリ制御部３０１は、判定用情報を取得し（Ｓ１０）、リカバリフラグを設定するための条件が成立したか否かを判定する（Ｓ１１）。設定条件が成立する場合（Ｓ１１：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグを設定する（Ｓ１２）。設定条件が成立しない場合（Ｓ１１：ＮＯ）、Ｓ１０に戻る。
【００５３】
判定用情報とは、リカバリフラグの設定の可否を判定するために使用される情報である。判定用情報としては、例えば、前回のリカバリ動作からの経過時間、ターゲット供給部１２０の起動回数、ターゲット供給部１２０の稼働積算時間、プラズマ生成点２０２におけるドロップレット２０１の位置精度等を挙げることができる。さらに、ターゲット供給部１２０の加熱回数や加熱時間、ドロップレットの射出回数や射出時間を判定用情報として用いてもよい。
【００５４】
リカバリ制御部３０１は、上述の各判定用情報のうちの少なくともいずれか一つに基づいて、リカバリフラグの設定の可否を判定する。判定用情報を用いた具体的な例は、別の実施形態で後述する。
【００５５】
図４は、リカバリ制御処理のフローチャートである。リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグが設定されているか否かを判定する（Ｓ２０）。リカバリフラグが設定されていない場合（Ｓ２０：ＮＯ）、リカバリ制御部３０１は、通常モードに移行する（Ｓ２６）。通常モードにおける処理の内容は、図５で後述する。
【００５６】
リカバリフラグが設定されている場合（Ｓ２０：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリ可能なタイミングであるか否かを判定する（Ｓ２１）。リカバリ可能なタイミングではない場合（Ｓ２１：ＮＯ）、リカバリ制御部３０１は、通常モードに移行する（Ｓ２６）。
【００５７】
リカバリ可能なタイミングとは、リカバリ動作を実施できるタイミングを意味する。例えば、リカバリフラグが設定されている場合でも、露光装置で露光作業が行われている間は、ＥＵＶ光の出力を停止することはできない。一連の作業が終了するまで、ＥＵＶ光源装置１は、ＥＵＶ光を供給し続ける必要がある。そこで、本実施形態では、例えば、露光装置での作業が一定時間休止するタイミングを待ち、一定時間の休止が確定された時点でリカバリ動作を実施する。リカバリ制御部３０１は、露光装置に問い合わせることにより、又は、露光装置からの信号を取得することにより、露光装置での作業が一定時間休止するタイミングを判断することができる。
【００５８】
リカバリ可能なタイミングである場合（Ｓ２１：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリモードに移行する（Ｓ２２）。リカバリ制御部３０１は、リカバリ部４００に指示を与えることにより、リカバリ部４００にリカバリ動作を実行させる（Ｓ２３）。
【００５９】
リカバリ動作が実行された後、リカバリ制御部３０１は、ターゲット供給部１２０にテスト動作を実行させる（Ｓ２４）。テスト動作とは、いわゆる試し撃ちであり、ターゲット供給部１２０にドロップレット２０１を所定数又は所定時間だけ射出させる。
【００６０】
リカバリ制御部３０１は、位置計測部３０２による計測結果に基づいて、ターゲット供給部１２０から射出されたドロップレット２０１のプラズマ生成点２０２付近における位置精度が所定範囲内にあるか否かを判定する（Ｓ２５）。
【００６１】
たとえば、リカバリ制御部３０１は、ドロップレット２０１の位置変動（３σ）の値がドロップレット２０１の直径Ｄの１／ｎ（例えば、ｎ＝２〜３）以下になっているか否かを判定する。ｎの値は例示である。
【００６２】
試し撃ちされたドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっている場合（Ｓ２５：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３１０は、リカバリモードから通常モードに移行する（Ｓ２６）。これとは逆に、ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっていない場合（Ｓ２５：ＮＯ）、リカバリ制御部３０１は、再度リカバリ動作を実行させる（Ｓ２３）。
【００６３】
図５は、図４中の通常モード処理（Ｓ２６）の詳細を示すフローチャートである。リカバリ制御部３０１は、位置計測部３０２からの計測結果に基づいて、ドロップレット２０１の位置を取得する（Ｓ２６０）。なお、通常モードとは、所定のタイミングで、ドロップレット２０１が射出される状態である。通常モードにおいて射出されたドロップレット２０１にパルスレーザ光Ｌ１が照射されると、生成されたＥＵＶ光Ｌ２がＩＦに集光された後、露光装置に導かれる。
【００６４】
リカバリ制御部３０１は、ドロップレット２０１のプラズマ生成点２０２における位置精度が所定範囲内に収まっているか否かを判定する（Ｓ２６１）。ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっている場合（Ｓ２６１：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、通常モードを維持する（Ｓ２６２）。ターゲット供給部１２０から射出されたドロップレット２０１は、プラズマ生成点２０２に略正確に到着しているためである。
【００６５】
ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっていない場合（Ｓ２６１：ＮＯ）、リカバリ制御部３０１は、通常モードからリカバリ制御処理に移行する（Ｓ２６３）。リカバリ制御処理に移行する際、リカバリフラグを設定する。これにより、図４に示すＳ２１からの処理が実行される。上述の通り、適切なタイミングでターゲット供給部１２０の機能を回復させるためのリカバリ動作が実行される。なお、図示しないが、リカバリモードによっても機能の回復が行われない場合は、警報や通信により外部へ知らせることができる。
【００６６】
このように構成される本実施形態によれば、リカバリ動作を自動的に実行できるため、オペレータがドロップレットの射出状態を常時監視する必要がなく、メンテナンス効率が向上する。
【００６７】
さらに、本実施形態では、ターゲット供給部１２０を完全停止させることなく、一時的にリカバリ動作を実施することにより、ターゲット供給部１２０を正常状態に回復させる。従って、ターゲット供給部１２０のメンテナンス時間を短縮することができ、稼働率を向上できる。その結果、露光作業の作業効率も高めることができる。
【００６８】
さらに、本実施形態では、下流工程（露光作業）の状況を考慮して、ターゲット供給部１２０のリカバリを行うため、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態２】
【００６９】
図６を参照して第２実施形態を説明する。以下に述べる各実施形態は、第１実施形態の変形例に相当する。従って、第１実施形態との相違点を中心に説明する。本実施形態では、リカバリ部４００の具体例を説明する。
【００７０】
図６は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。中間構造物５００は、ノズル部１２２に対向して設けられている。中間構造物５００の具体例は、図２に示す電極部１２３である。中間構造物５００としては、ターゲット物質２００をノズル部１２２から引き出すための電極部１２３に限定されない。
【００７１】
ノズル部１２２とプラズマ生成点２０２との間に存在する構造物であって、ドロップレット２０１に起因する異物２１０が付着する可能性のある構造物は、中間構造物５００である。ドロップレット２０１は帯電しているので、電界又は磁界によって移動経路や速度を変えることができる。このため適切な位置に中間構造物５００を配することによってドロップレット２０１の運動を制御することが可能となる。電極部１２３以外の中間構造物５００としては、例えば、ドロップレット２０１の移動経路を修正するための静電レンズ、ドロップレット２０１の速度を上げるための加速用電極等を挙げることができる。また、これに限定されず永久磁石や電磁コイル等を用いてドロップレット２０１の移動経路を修正してもよい。永久磁石や電磁コイルも中間構造物５００に含まれる。
【００７２】
リカバリ部４００の一例としてのヒータ４１０は、中間構造物５００の下面に設けられる。ヒータ４１０は、例えば、環状の中間構造物５００の下面を覆うように、環状に形成される。ヒータ４１０は、中間構造物５００に付着した異物２１０を加熱し、溶融させる。異物２１０は、一つのドロップレット２０１の全部又は一部が中間構造物５００に付着することにより、形成される。従って、ヒータ４１０は、リカバリ制御部３０１が出力する信号をヒータ電源４１５が受信し、ヒータ電源４１５からヒータ４１０に電力が供給されることによって、ターゲット物質２００の融点を超える温度で発熱する。なお、ヒータ４１０には図示しない温度センサが設けられてもよい。
【００７３】
ヒータ４１０からの熱により溶融した異物２１０は、重力に従って中間構造物５００から流れ落ちる。溶けた異物２１０は、例えば、中間構造物５００の中央に形成される開口部５０１を介して、落下する。その開口部５０１は、ドロップレット２０１が通過するために設けられたものである。
【００７４】
なお、中間構造物５００から除去される異物２１０が、ターゲット供給部１２０の下側に配置されている部品（例えば、コレクタミラー１３０）に付着するのを防止するために、後述の実施形態では、除去された異物２１０を捕獲するための構成又は異物２１０からコレクタミラー１３０を保護するための構成を設けている。
【００７５】
このように構成される本実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。さらに、本実施形態は、ヒータ４１０の熱によって、中間構造物５００に付着した異物２１０を溶かして取り除く。従って、中間構造物５００に付着した異物２１０により、ドロップレット２０１の移動経路が逸れるのを防止でき、ドロップレット２０１の位置精度を高めることができる。
【実施形態３】
【００７６】
図７を参照して第３実施形態を説明する。第３実施形態では、リカバリ部４００の一例としてのヒータ４１１を、中間構造物５００の外周面に設けている。ヒータ４１１は、環状の中間構造物５００の外周面を覆うように、短い筒状に形成される。
【００７７】
図７は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。第２実施形態と同様に、ヒータ４１１は、中間構造物５００を加熱することにより、中間構造物５００の表面に付着した異物２１０を溶融状態にし、落下させて取り除く。このように構成される本実施形態も第２実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態４】
【００７８】
図８を参照して第４実施形態を説明する。図８は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。本実施形態では、第２実施形態とは逆に、環状のヒータ４１２を中間構造物５００の上面に設ける。このように構成される本実施形態も第２実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態５】
【００７９】
図９，図１０を参照して第５実施形態を説明する。本実施形態は、収容部１２１Ｂに収容されているターゲット物質２００を用いて中間構造物５００を加熱することにより、中間構造物５００に付着した異物２１０を除去する。
【００８０】
図９は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。中間構造物５００の外周面を取り囲むようにして、環状の加熱パイプ４１３が設けられている。リカバリ部４００の一例としての加熱パイプ４１３内部には、ターゲット供給部１２０内に蓄積されている溶融状態のターゲット物質２００が供給される。
【００８１】
加熱パイプ４１３内を流れるターゲット物質２００からの伝導熱により、中間構造物５００の全体が加熱される。これにより、中間構造物５００に付着した異物２１０が溶けて落下する。
【００８２】
図１０は、第５実施形態の変形例に該当する。図１０に示すように、加熱パイプ４１３を、絶縁部１２４の外周を覆うようにして設けてもよい。収容部１２１Ｂには、ターゲット物質２００が流出する流出口１２１Ｄ（１）と、ターゲット物質２００が流入する流入口１２１Ｄ（２）とが設けられている。加熱パイプ４１３は、流路４１３Ａと流入口１２１Ｄ（１）及び流出口１２１Ｄ（２）を介して、収容部１２１Ｂに接続されている。流路４１３Ａにはポンプ４１３Ｂが設けられている。なお、流路４１３Ａの途中に、ターゲット物質２００内の不純物を除去するためのフィルタ装置を設けてもよい。
【００８３】
加熱パイプ４１３には、収容部１２１Ｂ内のターゲット物質２００が、流出口１２１Ｄ（１）及び流路４１３Ａを介して流入する。加熱パイプ４１３を流れるターゲット物質２００は、絶縁部１２４を介して中間構造物５００を加熱する。
【００８４】
中間構造物５００を加熱したターゲット物質２００は、加熱パイプ４１３から、流路４１３Ａとポンプ４１３Ｂ及び流入口１２１Ｄ（２）を介して、収容部１２１Ｂ内に戻される。収容部１２１Ｂに戻されたターゲット物質２００は、加熱部１２５により加熱される。このように構成される本実施形態も上述実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態６】
【００８５】
図１１を参照して第６実施形態を説明する。本実施形態では、電磁波源４１４を用いて中間構造物５００を加熱し、中間構造物５００に付着した異物２１０を取り除く。図１１は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。
【００８６】
リカバリ部４００の一例としての電磁波源４１４は、例えば、赤外線レーザ光線又はマイクロ波等の電磁波を出力する。電磁波源４１４から出力される電磁波は、中間構造物５００に照射され、中間構造物５００を加熱する。
【００８７】
電磁波がよく吸収されるように、中間構造物５００の表面粗さを設定してもよい。又は、電磁波を吸収し易い物質で、中間構造物５００の全部又は一部（電磁波の照射される部分）をコーティングする構成でもよい。さらに、電磁波を異物２１０に直接照射する構成でもよい。このように構成される本実施形態も上述の実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態７】
【００８８】
図１２A及び１２Bを参照して第７実施形態を説明する。本実施形態では、アルゴンガス等の不活性ガスを用いて、中間構造物５００に付着した異物２１０を吹き飛ばして、取り除く。図１２Aは、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。図１２Bは、ノズル部１２０及びガスパイプ４２０の断面図である。
【００８９】
図１２Aに示すように、中間構造物５００とノズル部１２２との間に、リカバリ部４００の一例としてのガスパイプ４２０の先端が設けられている。ガスパイプ４２０を介して、アルゴンガス等の不活性ガスを蓄積するガス源４２０Ａからのガスを、バルブ４７０を開くことでノズル部１２０と中間構造物５００との間に吹き付けて、異物２１０を除去する。バルブ４７０はリカバリ制御部３０１からの信号によって開閉可能である。なお、本実施の形態ではバルブ４７０は電磁弁として説明しているが、空圧で動作するバルブでもよい。
【００９０】
このように構成される本実施形態も第１実施形態と同様の効果を奏する。本実施形態では、ガスを異物２１０に吹き付けて除去するため、中間構造物５００を加熱する必要がない。但し、中間構造物５００を加熱して異物２１０を溶融状態にしておけば、より簡単に異物２１０を除去することができる。
【実施形態８】
【００９１】
図１３を参照して第８実施形態を説明する。本実施形態では、中間構造物５００の内部に、リカバリ部４００の一例としてのガス流路４２１を設ける。図１３は、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。
【００９２】
中間構造物５００には、その半径方向にガス流路４２１が形成されている。ガス流路４２１の一端側はガス源４２０Ａに接続されている。ガス流路４２１の他端側は、中間構造物５００の中央部に形成された穴５０１に連通している。
【００９３】
ガス流路４２１から穴５０１に向けて噴出される不活性ガスは、穴５０１の周辺に付着している異物２１０を吹き飛ばして除去する。このように構成される本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態９】
【００９４】
図１４A及び１４Bを参照して第９実施形態を説明する。本実施形態では、絶縁部１２４に、リカバリ部４００の一例としてのガス流路４２２を設ける。図１４Aは、ターゲット供給部１２０の先端側の拡大図である。図１４Bは、絶縁部１２４及びガス流路４２２の断面図である。
【００９５】
筒状の絶縁部１２４には、その半径方向にガス流路４２２が形成されている。ガス流路４２２の一端側はガス源４２０Ａに接続されており、ガス流路４２２の他端側はノズル部１２２と電極部１２３との間の空間１２４Ａに連通している。
【００９６】
ガス流路４２２から空間１２４Ａ内に噴出される不活性ガスは、空間１２４Ａ内を旋回して、空間１２４Ａ内の異物２１０を吹き飛ばす。吹き飛ばされた異物２１０は、射出孔１２３Ａから外部に排出される。このように構成される本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態１０】
【００９７】
図１５を参照して第１０実施形態を説明する。本実施形態では、ターゲット供給部１２０の本体部１２１側に、リカバリ部の一例としてのガス流路４２３を設けている。図１５は、ターゲット供給部１２０の断面図である。
【００９８】
ガス流路４２３は、例えば、加熱部１２５と本体部１２１とを貫通するように、ターゲット供給部１２０に設けられる。ガス流路４２３の一端側はガス源４２０Ａに接続されており、ガス流路４２３の他端側は、ノズル部１２２と電極部１２３との間の空間１２４Ａ内に連通している。
【００９９】
ガス流路４２３の他端側は、電極部１２３の射出孔１２３Ａ付近に向けて、設けられている。ガス流路４２３から噴出される不活性ガスは、射出孔１２３Ａ付近に付着した異物２１０及び空間１２４Ａ内の異物２１０を吹き飛ばす。吹き飛ばされた異物２１０は、射出孔１２３Ａから外部に排出される。本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態１１】
【０１００】
図１６A及び１６Bを参照して第１１実施形態を説明する。本実施形態は、図１２A及び１２Bに示す第７実施形態を前提にしており、ガスパイプ４２０を複数配置している。図１６Aは、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。図１６Bは、ノズル部１２２及びガスパイプ４２０の断面図である。
【０１０１】
図１６Bに示すように、ノズル１２２Ｂの周囲を取り囲むようにして（換言すれば、中間構造物５００の穴５０１の周囲を取り囲むようにして）、複数のガスパイプ４２０が周方向に等間隔に離間して配置されている。
【０１０２】
各ガスパイプ４２０は、それぞれガス源４２０Ａに接続されている。各ガスパイプ４２０から噴出される不活性ガスにより、中間構造物５００に付着している異物２１０が吹き飛ばされて除去される。なお、各ガスパイプ４２０から不活性ガスを噴出させるタイミングを、それぞれ異ならせることもできる。例えば、あるガスパイプ４２０を起点にして、時計回り又は反時計回りの順番で、ガスパイプ４２０から次々に不活性ガスを噴出させる構成でもよい。このように構成される本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。本実施形態では、不活性ガスを複数のガスパイプ４２０から噴出させることができるため、異物２１０を除去する能力を第７実施形態よりも高めることができる。
【実施形態１２】
【０１０３】
図１７A及び１７Bを参照して第１２実施形態を説明する。本実施形態は、図１４A及び１４Bに示す第９実施形態を前提にしている。本実施形態では、筒状の絶縁部１２４に、複数のガス流路４２２を周方向に等間隔に離間させて設けている。図１７Aは、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。図１７Bは、絶縁部１２４及びガス流路４２２の断面図である。
【０１０４】
各ガス流路４２２の一端側はガス源４２０Ａに接続されており、各ガス流路４２２の他端側は空間１２４Ａに連通している。各ガス流路４２２から空間１２４Ａ内に向けて噴出される不活性ガスにより、空間１２４Ａ内の異物２１０は吹き飛ばされて、射出孔１２３Ａから外部に排出される。なお、各ガス流路４２２から不活性ガスを噴出させるタイミングは、共通に設定してもよいし、異ならせることもできる。このように構成される本実施形態も第７実施形態と同様の効果を奏する。本実施形態では、複数のガス流路４２２から不活性ガスを噴出させることができるため、異物２１０を除去する能力を第９実施形態よりも高めることができる。
【０１０５】
なお、図１５に示す第１０実施形態においても、第１２実施形態と同様に、複数のガス流路４２３を設けることができることは、いわゆる当業者であれば容易に理解できるであろう。
【実施形態１３】
【０１０６】
図１８を参照して第１３実施形態を説明する。本実施形態は、ノズル部１２２の外部からノズル部１２２内に不活性ガスを注入することにより、ノズル部１２２内の異物２１０を除去する。図１８は、ターゲット供給部１２０の断面図である。
【０１０７】
カバー４３０は、ノズル部１２２等を気密に覆うことができるようにして設けられている。カバー４３０は、開閉機構４３１によって開閉可能に取り付けられる。開閉機構４３１は、カバー４３０でノズル部１２２等を覆ったり、又は、ノズル部１２２等からカバー４３０を開放したりする。開閉機構４３１は、例えば、モータ又はシリンダ及びリンク機構等から構成できる。
【０１０８】
ガス源４３０Ａとカバー４３０の内部とは、ガス流路４３０Ｂを介して接続されている。本体部１２１の内壁には、異物２１０を捕獲するためのトラップ４３０Ｃが複数設けられている。各トラップ４３０Ｃは、例えば、テーパー状のリングとして構成されている。各トラップ４３０Ｃは、トラップ４３０Ｃと本体部１２１の内壁との間に、上方に開口する空間４３０Ｄが形成されるようにして取り付けられる。
【０１０９】
本実施形態では、カバー４３０と、ガス源４３０Ａと、ガス流路４３０Ｂと、トラップ４３０Ｃと、開閉機構４３１とから、リカバリ部４００が構成される。
【０１１０】
リカバリモードでは、開閉機構４３１を動作させてカバー４３０でノズル部１２２等を気密に覆った後で、ガス源４３０Ａから不活性ガスをカバー４３０内の空間に送り込む。この時、カバー４３０内のガス圧力を、収容部１２１Ｂ内の圧力よりも高くすることが必要である。カバー４３０内に注入された不活性ガスは、ノズル部１２２等を介して収容部１２１Ｂ内に流入する。その際、ノズル部１２２内の異物２１０は、収容部１２１Ｂ内に押し込まれる。
【０１１１】
収容部１２１Ｂ内に押し込まれた複数の異物２１０のうち少なくとも一部は、ターゲット物質２００内を浮遊しながら、複数のトラップ４３０Ｃのいずれかに捕獲され、空間４３０Ｄ内に収容される。
【０１１２】
このように構成される本実施形態も第１実施形態と同様の効果を奏する。本実施形態では、カバー４３０の内部に外部から不活性ガスを注入することにより、ノズル部１２２内の異物２１０を収容部１２１Ｂ内に押し戻すことができる。さらに、収容部１２１Ｂ内に押し戻された異物２１０の少なくとも一部を、複数のトラップ４３０Ｃのいずれかで捕獲することができる。従って、タノズル部１２２内から異物２１０を除去して、ターゲット供給部１２０の機能を正常に回復させることができる。ここでのリカバリ対象の機能とは、主に、ドロップレット２０１をプラズマ生成点２０２に正確に送り出す機能である。
【実施形態１４】
【０１１３】
図１９を参照して第１４実施形態を説明する。本実施形態では、ノズル部１２２内の異物２１０を外部に吸い出すようになっている。図１９は、ターゲット供給部１２０の断面図である。
【０１１４】
ターゲット供給部１２０には、吸引管４４０が設けられている。吸引管４４０の一端側は、先端部１２１Ａ内の射出流路部１２１Ｃに向けて延びている。吸引管４４０の他端側には、吸引ポンプ４４０Ａが設けられている。さらに、吸引管４４０により吸引される異物２１０及びターゲット物質２００を回収するための回収槽４４０Ｂが設けられる。本実施形態では、吸引管４４０と、吸引ポンプ４４０Ａ及び回収槽４４０Ｂとにより、リカバリ部４００が構成される。
【０１１５】
吸引ポンプ４４０Ａを作動させると、吸引ポンプ４４０Ａとターゲット供給部１２０の間にある図示しないバルブが開となり、ターゲット供給部１２０の先端側に滞留している異物２１０及びターゲット物質２００は、吸引管４４０の先端から吸い込まれ、回収槽４４０Ｂに吐出される。回収されたターゲット物質２００は、異物２１０を除去して再使用することもできる。
【０１１６】
このように構成される本実施形態では、ターゲット供給部１２０内の異物２１０を吸引して除去するため、第１実施形態と同様に、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができ、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態１５】
【０１１７】
図２０A及び２０Bを参照して第１５実施形態を説明する。図２０A及び２０Bはノズル部１２２を拡大して示す断面図である。本実施形態では、ノズル部１２２に振動を与えることにより、ノズル部１２２内に滞留している異物２１０を破砕して、外部に排出させる。図２０A及び２０Bでは、便宜上、絶縁部１２４及び電極部１２３が省略されている。
【０１１８】
リカバリ部４００の一例としての振動体４５０は、ノズル１２２Ｂの外周側に設けられている。振動体４５０は、高周波電源４５０Ａからの電圧に従って、振動する。図２０Aに示すように、振動体４５０が振動すると、異物２１０は、振動により細かく破砕される。図２０Bに示すように、細かく分解された異物２１０は、ノズル１２２Ｂの外部に排出される。
【０１１９】
このように構成される本実施形態でも、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができ、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態１６】
【０１２０】
図２１A及び２１Bを参照して第１６実施形態を説明する。本実施形態では、ノズル部１２２を加熱することにより、ノズル部１２２内に滞留している異物２１０を溶融させて排出させる。図２１A及び２１Bは、ノズル部１２２を拡大して示す断面図である。ノズル１２２Ｂの外周側には、リカバリ部４００の一例としてのヒータ４６０が設けられている。
【０１２１】
図２１Aに示すように、ヒータ４６０は、ヒータ電源４６０Ａから供給される電力を利用して発熱する。ヒータ４６０は、異物２１０が溶融する程度の温度に加熱される。図２１Bに示すように、溶融された異物は、ノズル１２２Ｂから外部に排出される。このように構成される本実施形態も第１５実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態１７】
【０１２２】
図２２A及び２２Bを参照して第１７実施形態を説明する。本実施形態では、中間構造物５１０の少なくとも表面を、ターゲット物質２００が付着しにくい材料から形成する。図２２A及び２２Bは、ターゲット供給部１２０の先端側を拡大して示す説明図である。
【０１２３】
中間構造物５１０の表面は、ターゲット物質２００に対して濡れ性の悪い材料（ターゲット物質に対して接触角の大きい材料）でコーティングされている。中間構造物５１０の全体を、ターゲット物質２００に対して濡れ性の悪い材料から形成してもよい。ターゲット物質２００が錫の場合、濡れ性の悪い材料としては、例えば、モリブデン、タンタル、アルミナセラミックス等を挙げることができる。あるいは、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステン等を主成分とするセラミックスから構成してもよい。
【０１２４】
図２２Aに示すように、中間構造物５１０を皿状に形成することができる。ノズル１２２Ｂから吐出されたドロップレット２０１の全部又は一部が、中間構造部５１０の上側の表面に付着して異物２１０となる場合がある。その異物２１０は、中間構造物５１０の表面を滑り、穴５０１から流れ落ちる。
【０１２５】
図２２Bに示すように、中間構造物５１１を、伏せた皿状に形成してもよい。この場合、中間構造物５１１の表面に付着した異物２１０は、中間構造物５１１の外縁に向けて滑り、中間構造物５１１の外縁から流れ落ちる。穴５０１近傍に付着した異物２１０は、穴５０１から下に流れ落ちる。
【０１２６】
このように構成される本実施形態は、本開示の他の実施形態と組み合わせてターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができ、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態１８】
【０１２７】
図２３Aから２３Cを参照して第１８実施形態を説明する。本実施形態では、リカバリモード時に、ノズル部１２２内の異物２１０を外部に排出させる。
【０１２８】
図２３Aから２３Cは、ノズル部１２２から異物２１０を外部に押し出す方法を示す説明図である。図２３Aに示すように、ノズル部１２２の近傍には、異物２１０が滞留している。そこで、図２３Bに示すように、ノズル部１２２内の圧力を一時的に高める。これにより、図２３Cに示すように、ノズル部１２２に滞留していた異物２１０が外部に押し出される。
【０１２９】
ノズル部１２２内の異物を外部に排出させる方法としては、幾つか考えられる。第１の方法は、収容部１２１Ｂ内に加えるガス圧力（背圧）を高めることにより、ノズル部１２２内の圧力を高くして異物２１０を排出させる方法である。第２の方法は、弾性変形の範囲内でノズル部１２２を含むターゲット物質流路を構成する部材を変形させて、ターゲット物質流路の体積を減少させることにより、ノズル部１２２内の圧力を高めて、異物２１０を排出させる方法である。第３の方法は、電極部１２３のような引き出し用電極を設け、静電吸引力により異物２１０を排出させる方法である。上記の各方法を組み合わせて用いてもよい。
【０１３０】
このように構成される本実施形態でも、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができ、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態１９】
【０１３１】
図２４から図２５Bを参照して第１９実施形態を説明する。本実施形態では、ターゲット供給部１２０から除去される異物２１０を捕獲するための捕獲部６００を設ける。図２４は、ターゲット供給部１２０と捕獲部６００とコレクタミラー１３０との関係を模式的に示す説明図である。図２５A及び２５Bは、捕獲部６００の位置を切り替える様子を示す説明図である。なお、図２４中の回収装置１７０は、通常モード時においてターゲット供給部１２０から射出されるドロップレット２０１のうち、レーザ光の照射されなかったドロップレット２０１を回収するための装置である。
【０１３２】
図２４に示すように、ターゲット供給部１２０とコレクタミラー１３０との間には、捕獲部６００が設けられている。捕獲部６００は、ターゲット供給部１２０から取り除かれて落下する異物２１０を受け止めて、コレクタミラー１３０に異物２１０が付着するのを防止する。
【０１３３】
捕獲部６００は、例えば、シャッタ６０１と、シャッタ６０１を回転させるためのモータ６０２とを備える。シャッタ６０１は、平板状に形成してもよいし、中央部が窪んだ皿状に形成してもよい。皿状に形成した場合は、シャッタ６０１に収容された異物２１０が、シャッタ６０１の回転時に発生する遠心力で周囲に飛散するのを、より効果的に防止できる。
【０１３４】
図２５Aは、リカバリモード時におけるシャッタ６０１の位置を示す。この位置を第１位置、又は、捕獲位置と呼ぶ。シャッタ６０１が第１位置にある場合、ターゲット供給部１２０から取り除かれた異物２１０は、シャッタ６０１により捕獲される。従って、コレクタミラー１３０に異物２１０が付着することを防止できる。
【０１３５】
図２５Bは、通常モード時におけるシャッタ６０１の位置を示す。この位置を第２位置、又は、通常位置と呼ぶ。シャッタ６０１が第２位置にある場合、ターゲット供給部１２０から射出されたドロップレット２０１は、プラズマ生成点２０２に向けて移動することができる。従って、シャッタ６０１が第２位置にある場合、ターゲット供給部１２０によるドロップレット２０１の軌道は遮断されず、プラズマ生成点２０２においてＥＵＶ光が発生する。
【０１３６】
このように構成される本実施形態は、ターゲット供給部１２０から除去される異物２１０がコレクタミラー１３０に付着するのを防止できる。従って、異物２１０を除去する前記各実施形態と好適に組み合わせて、メンテナンス作業の効率を高めることができ、装置の使い勝手が向上する。
【実施形態２０】
【０１３７】
図２６を参照して第２０実施形態を説明する。本実施形態では、コレクタミラー１３０の表面を保護するためのミラー保護部６１０を設ける。図２６は、ターゲット供給部１２０とミラー保護部６１０とコレクタミラー１３０との関係を模式的に示す説明図である。
【０１３８】
ミラー保護部６１０は、ドーム形状のシャッタ６１１と、シャッタ６１１を回動させるためのモータ６１２とを備える。通常モード時では、シャッタ６１１は、ＥＵＶ光路を遮らない位置で待機している。シャッタ６１１は、プラズマの生成、ＥＵＶ光の発生、ＥＵＶ光の集光に何ら悪影響を与えない位置で待機する。
【０１３９】
リカバリモード時になると、モータ６１２は、シャッタ６１１をコレクタミラー１３０の反射面を覆う位置まで移動させる。これにより、シャッタ６１１は、コレクタミラー１３０とターゲット供給部１２０との間を遮断し、ターゲット供給部１２０から除去される異物２１０からコレクタミラー１３０を保護する。このように構成される本実施形態は、第１９実施形態と同様の効果を奏する。
【実施形態２１】
【０１４０】
図２７のフローチャートを参照して第２１実施形態を説明する。本実施形態を含む以下の各実施形態は、図３で述べたリカバリフラグ設定処理の具体例である。
【０１４１】
リカバリ制御部３０１は、ターゲット供給部１２０が起動した場合（Ｓ１００：ＹＥＳ）、起動回数を積算するカウンタＮＳの値を１つ増加させる（ＮＳ＝ＮＳ＋１，Ｓ１０１）。続いて、リカバリ制御部３０１は、起動回数ＮＳが所定の閾値ＮＳｔに達したか否かを判定する（ＮＳ≧ＮＳｔ，Ｓ１０２）。
【０１４２】
起動回数ＮＳが閾値ＮＳｔに達した場合（Ｓ１０２：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグを設定し（Ｓ１０３）、起動回数ＮＳをリセットする（Ｓ１０４）。
【０１４３】
このように、ターゲット供給部１２０が所定回数ＮＳｔだけ起動された場合にリカバリフラグを設定して、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができる。
【実施形態２２】
【０１４４】
図２８のフローチャートを参照して第２２実施形態を説明する。リカバリ制御部３０１は、タイマを備え、前回のリカバリ動作の実行時（メンテナンス作業の実行時）からの経過時間Ｔｒを計測している（Ｓ１１０）。リカバリ制御部３０１は、経過時間Ｔｒが所定の経過時間Ｔｒｔに達したか否かを判定する（Ｔｒ≧Ｔｒｔ，Ｓ１１１）。
【０１４５】
前回のリカバリ動作実行時からの経過時間Ｔｒが所定の経過時間Ｔｒｔに達した場合（Ｓ１１１：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグを設定し（Ｓ１１２）、経過時間Ｔｒをリセットする（Ｓ１１３）。
【０１４６】
このように、前回のリカバリ動作実行時からの経過時間Ｔｒが所定の経過時間Ｔｒｔに達した場合にリカバリフラグを設定して、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができる。
【実施形態２３】
【０１４７】
図２９のフローチャートを参照して第２３実施形態を説明する。リカバリ制御部３０１は、ターゲット供給部１２０によるドロップレット２０１の出力（射出）を監視する（Ｓ１２０）。ターゲット供給部１２０からドロップレット２０１が出力されると（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、出力回数を積算するためのカウンタＤＰＮの値を１つ増加させる（ＤＰＮ＝ＤＰＮ＋１，Ｓ１２１）。
【０１４８】
リカバリ制御部３０１は、ドロップレット出力回数ＤＰＮが所定の出力回数ＤＰＮｔに達したか否かを判定する（ＤＰＮ≧ＤＰＮｔ，Ｓ１２２）。ドロップレット出力回数は、たとえば、図１におけるパルス制御部３２０の出力パルスと、位置検出センサ３４０による検出信号とが両方検出された回数として計測してもよい。ドロップレット出力回数ＤＰＮが所定の出力回数ＤＰＮｔに達した場合（Ｓ１２２：ＹＥＳ）、リカバリ制御部３０１は、リカバリフラグを設定し（Ｓ１２３）、ドロップレット出力回数ＤＰＮをリセットする（Ｓ１２４）。
【０１４９】
このように、ターゲット供給部１２０から出力されるドロップレット２０１の数ＤＰＮが所定の回数ＤＰＮｔに達した場合に、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができる。
【実施形態２４】
【０１５０】
図３０のフローチャートを参照して第２４実施形態を説明する。リカバリ制御部３０１は、位置計測部３０２を介してドロップレット２０１の位置を計測する（Ｓ１３０）。リカバリ制御部３０１は、ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内にあるか否かを判定する（Ｓ１３１）。さらにドロップレットコントローラ３１０の射出指示によりドロップレット２０１が射出されているか否かを判定してもよい。
【０１５１】
リカバリ制御部３０１は、ドロップレット２０１の位置精度が所定範囲内に収まっていない場合（Ｓ１３１：ＮＯ）、リカバリフラグを設定する（Ｓ１３２）。Ｓ１３１においてＮＯと判定する条件は、ドロップレットコントローラ３１０の射出指示が出ているにも拘らずドロップレット２０１が検出されない場合であってもよい。このように、ターゲット供給部１２０から出力されるドロップレット２０１の位置が不安定になった場合やドロップレットが射出されない場合に、ターゲット供給部１２０を自動的にメンテナンスすることができる。
【０１５２】
なお、本開示は、上述した各実施形態に限定されない。いわゆる当業者であれば、本開示の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。例えば、上記各実施形態を適宜組み合わせることができる。
【０１５３】
例えば、異物を加熱する実施形態（第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態、第６実施形態）と、異物に不活性ガスを吹き付ける実施形態（第７実施形態、第８実施形態、第９実施形態、第１０実施形態、第１１実施形態、第１２実施形態）とは、適宜組み合わせることができる。異物を加熱して流動性を上げた状態で不活性ガスを吹き付ける方が、異物を除去し易いためである。
【０１５４】
さらに、ノズルの外部から不活性ガスを注入する第１３実施形態、又は、ノズル内の異物を吸引する第１４実施形態において、異物を加熱する構成を加えてもよい。
【０１５５】
さらに、第１−１６実施形態と、ターゲット物質に対する濡れ性の悪い材料を用いる第１７実施形態とを組み合わせることにより、付着した異物をより効果的に除去できる。
【０１５６】
さらに、第１−１８実施形態と、異物捕獲部に関する第１９実施形態又はミラー保護部に関する第２０実施形態とを組み合わせることにより、ターゲット供給部から除去された異物がコレクタミラーに付着するのを防止できる。
【０１５７】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的ではない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１５８】
１：極端紫外光源装置、１００：チャンバ、１１０：ドライバレーザ光源、１２０：ターゲット供給部、１３０：コレクタミラー、３００：ＥＵＶ光源コントローラ、３０１：リカバリ制御部、３０２：位置制御部、４００：リカバリ部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ光源から出力されるレーザ光を内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の位置にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
所定条件が成立した場合に、前記タ―ゲット供給部に対してリカバリ動作の実行を指示するリカバリ制御部と、
前記リカバリ制御部からの指示に応じて前記リカバリ動作を実行するリカバリ部と、
前記ターゲット供給部から前記チャンバ内に供給されるターゲット物質の位置を計測する位置計測部と、
を備える、チャンバ装置。
【請求項２】
前記リカバリ制御部は、前記ターゲット供給部の起動回数をカウントするカウンタを含み、
前記所定条件は、前記ターゲット供給部の起動回数が所定の起動回数に達したことである、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項３】
前記リカバリ制御部は、リカバリ動作実行からの経過時間を測定するタイマを含み、
前記所定条件は、前回のリカバリ動作の実行から所定の時間が経過したことである、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項４】
前記リカバリ制御部は、前記ターゲット物質の出力回数をカウントするカウンタを含み、
前記所定条件は、前記ターゲット物質の出力回数が所定の出力回数に達したことである、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項５】
前記リカバリ制御部には、前記位置計測部による計測結果が入力され、
前記所定条件は、前記チャンバ内に供給されるターゲット物質の位置が所定の位置範囲ことである、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項６】
前記リカバリ制御部は、
前記所定条件が成立した場合、前記リカバリ動作を実行可能な時期であるか否かを判定し、
前記リカバリ動作を実行可能な時期であると判定した場合、前記リカバリ部に前記リカバリ動作の実行を指示する、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項７】
前記リカバリ制御部は、
前記リカバリ部が前記ターゲット供給部に対して前記リカバリ動作を実行した後で、前記ターゲット供給部の状態を判定し、
前記ターゲット供給部が正常状態にあると判定した場合、通常モードに移行し、
前記ターゲット供給部が正常状態にないと判定した場合、再度前記リカバリ動作を実行するよう前記リカバリ部に指示する、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項８】
前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ノズルに設けられる振動子と、前記振動子に接続された電源を含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項９】
前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ノズルに設けられるヒータと、前記ヒータに接続された電源とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１０】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に設けられるヒータと、前記ヒータに接続された電源とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１１】
前記ターゲット供給部には、ヒータと、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物とが設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に設けられる加熱パイプと、前記加熱パイプと前記ターゲット供給部内部とを連通させる流路とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１２】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に向けて電磁波を出力する電磁波源を含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１３】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に設けられる少なくとも１つのガスパイプと、該少なくとも１つのガスパイプに接続されたガス源とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１４】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物と前記ターゲット供給部端部との間に配置される少なくとも１つのガスパイプと、該少なくとも１つのガスパイプに接続されたガス源とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１５】
前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ノズルの周囲に所定の空間を気密に画定するカバー部と、該所定の空間内に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記カバー部を開閉させる開閉機構と、を含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１６】
前記ガス供給部は、前記所定の空間内の圧力を前記ターゲット供給部内部の圧力よりも高くなるように前記所定の空間内にガスを供給する、請求項１５記載のチャンバ装置。
【請求項１７】
前記ターゲット供給の内部には異物をトラップするためのトラップが設けられている、請求項１５記載のチャンバ装置。
【請求項１８】
前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ターゲット供給部の壁部を貫通するよう設けられ、その一端が前記ノズル近傍に延在する吸引管と、該吸引管の他端側に設けられる吸引ポンプと、を含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１９】
前記リカバリ部は、前記他端側に設けられる回収槽をさらに含む、請求項１８記載のチャンバ装置。
【請求項２０】
前記ターゲット供給部は、ノズルと、該ターゲット供給部内の圧力を制御する圧力制御部と、該ターゲット供給部内部にガスを供給するガス供給部と、を含む、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項２１】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記中間構造物の少なくとも表面は、前記中間構造物に対して濡れ性の低い物質から構成される、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項２２】
前記中間構造物は、重力方向に対して傾いて配置される、請求項２１記載のチャンバ装置。
【請求項２３】
前記物質は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレス、ダイヤモンド、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、および酸化タングステンのいずれかを含む物質である、請求項２１記載のチャンバ装置。
【請求項２４】
前記チャンバは、前記ターゲット供給部と該チャンバ内の前記所定の位置との間に移動可能に配置される捕獲部と、前記捕獲部に接続されたモータと、を含む、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項２５】
前記モータは、前記捕獲部を、前記リカバリ動作が実行される際に第１の位置に移動させ、前記リカバリ動作が実行されていない際に第２の位置に移動させる、請求項２４記載のチャンバ装置。
【請求項２６】
前記チャンバは、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて放射される極端紫外光を集光するコレクタミラーと、前記コレクタミラーの反射面側に移動可能に配置される。ミラー保護部と、前記ミラー保護部に接続されたモータと、を含む、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項２７】
前記モータは、前記ミラー保護部を、前記リカバリ動作が実行される際に第３の位置に移動させ、前記リカバリ動作が実行されていない際に第４の位置に移動させる、請求項２６記載のチャンバ装置。
【請求項２８】
チャンバ、ターゲット供給部、リカバリ制御部、リカバリ部および位置計測部を備えるチャンバ装置において、前記タ―ゲット供給部をメンテナンスする方法であって、
前記ターゲット供給部に対してリカバリ動作を実行するか否かの判定用情報を取得することと、
前記リカバリ動作を実行すると判定された際に、前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであるか否かを判定することと、
前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであると判定された際に、前記リカバリ制御部が前記リカバリ部に前記リカバリ動作を指示することと、
前記リカバリ部が、前記リカバリ制御部の指示に応じて、所定のリカバリ動作を実行することと、
を含む、ターゲット供給部のメンテナンス方法。
【請求項２９】
前記リカバリ動作は、前記ターゲット供給部に設けられる部材を加熱することを含む、請求項２８記載のメンテナンス方法。
【請求項３０】
前記リカバリ動作は、前記ターゲット供給部に不活性ガスを吹きつける、請求項２８記載のメンテナンス方法。
【請求項１】
レーザ光源と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ光源から出力されるレーザ光を内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の位置にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
所定条件が成立した場合に、前記タ―ゲット供給部に対してリカバリ動作の実行を指示するリカバリ制御部と、
前記リカバリ制御部からの指示に応じて前記リカバリ動作を実行するリカバリ部と、
前記ターゲット供給部から前記チャンバ内に供給されるターゲット物質の位置を計測する位置計測部と、
を備える、チャンバ装置。
【請求項２】
前記リカバリ制御部は、前記ターゲット供給部の起動回数をカウントするカウンタを含み、
前記所定条件は、前記ターゲット供給部の起動回数が所定の起動回数に達したことである、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項３】
前記リカバリ制御部は、リカバリ動作実行からの経過時間を測定するタイマを含み、
前記所定条件は、前回のリカバリ動作の実行から所定の時間が経過したことである、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項４】
前記リカバリ制御部は、前記ターゲット物質の出力回数をカウントするカウンタを含み、
前記所定条件は、前記ターゲット物質の出力回数が所定の出力回数に達したことである、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項５】
前記リカバリ制御部には、前記位置計測部による計測結果が入力され、
前記所定条件は、前記チャンバ内に供給されるターゲット物質の位置が所定の位置範囲ことである、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項６】
前記リカバリ制御部は、
前記所定条件が成立した場合、前記リカバリ動作を実行可能な時期であるか否かを判定し、
前記リカバリ動作を実行可能な時期であると判定した場合、前記リカバリ部に前記リカバリ動作の実行を指示する、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項７】
前記リカバリ制御部は、
前記リカバリ部が前記ターゲット供給部に対して前記リカバリ動作を実行した後で、前記ターゲット供給部の状態を判定し、
前記ターゲット供給部が正常状態にあると判定した場合、通常モードに移行し、
前記ターゲット供給部が正常状態にないと判定した場合、再度前記リカバリ動作を実行するよう前記リカバリ部に指示する、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項８】
前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ノズルに設けられる振動子と、前記振動子に接続された電源を含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項９】
前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ノズルに設けられるヒータと、前記ヒータに接続された電源とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１０】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に設けられるヒータと、前記ヒータに接続された電源とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１１】
前記ターゲット供給部には、ヒータと、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物とが設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に設けられる加熱パイプと、前記加熱パイプと前記ターゲット供給部内部とを連通させる流路とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１２】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に向けて電磁波を出力する電磁波源を含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１３】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に設けられる少なくとも１つのガスパイプと、該少なくとも１つのガスパイプに接続されたガス源とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１４】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物と前記ターゲット供給部端部との間に配置される少なくとも１つのガスパイプと、該少なくとも１つのガスパイプに接続されたガス源とを含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１５】
前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ノズルの周囲に所定の空間を気密に画定するカバー部と、該所定の空間内に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記カバー部を開閉させる開閉機構と、を含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１６】
前記ガス供給部は、前記所定の空間内の圧力を前記ターゲット供給部内部の圧力よりも高くなるように前記所定の空間内にガスを供給する、請求項１５記載のチャンバ装置。
【請求項１７】
前記ターゲット供給の内部には異物をトラップするためのトラップが設けられている、請求項１５記載のチャンバ装置。
【請求項１８】
前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ターゲット供給部の壁部を貫通するよう設けられ、その一端が前記ノズル近傍に延在する吸引管と、該吸引管の他端側に設けられる吸引ポンプと、を含む、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１９】
前記リカバリ部は、前記他端側に設けられる回収槽をさらに含む、請求項１８記載のチャンバ装置。
【請求項２０】
前記ターゲット供給部は、ノズルと、該ターゲット供給部内の圧力を制御する圧力制御部と、該ターゲット供給部内部にガスを供給するガス供給部と、を含む、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項２１】
前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記中間構造物の少なくとも表面は、前記中間構造物に対して濡れ性の低い物質から構成される、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項２２】
前記中間構造物は、重力方向に対して傾いて配置される、請求項２１記載のチャンバ装置。
【請求項２３】
前記物質は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレス、ダイヤモンド、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、および酸化タングステンのいずれかを含む物質である、請求項２１記載のチャンバ装置。
【請求項２４】
前記チャンバは、前記ターゲット供給部と該チャンバ内の前記所定の位置との間に移動可能に配置される捕獲部と、前記捕獲部に接続されたモータと、を含む、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項２５】
前記モータは、前記捕獲部を、前記リカバリ動作が実行される際に第１の位置に移動させ、前記リカバリ動作が実行されていない際に第２の位置に移動させる、請求項２４記載のチャンバ装置。
【請求項２６】
前記チャンバは、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて放射される極端紫外光を集光するコレクタミラーと、前記コレクタミラーの反射面側に移動可能に配置される。ミラー保護部と、前記ミラー保護部に接続されたモータと、を含む、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項２７】
前記モータは、前記ミラー保護部を、前記リカバリ動作が実行される際に第３の位置に移動させ、前記リカバリ動作が実行されていない際に第４の位置に移動させる、請求項２６記載のチャンバ装置。
【請求項２８】
チャンバ、ターゲット供給部、リカバリ制御部、リカバリ部および位置計測部を備えるチャンバ装置において、前記タ―ゲット供給部をメンテナンスする方法であって、
前記ターゲット供給部に対してリカバリ動作を実行するか否かの判定用情報を取得することと、
前記リカバリ動作を実行すると判定された際に、前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであるか否かを判定することと、
前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであると判定された際に、前記リカバリ制御部が前記リカバリ部に前記リカバリ動作を指示することと、
前記リカバリ部が、前記リカバリ制御部の指示に応じて、所定のリカバリ動作を実行することと、
を含む、ターゲット供給部のメンテナンス方法。
【請求項２９】
前記リカバリ動作は、前記ターゲット供給部に設けられる部材を加熱することを含む、請求項２８記載のメンテナンス方法。
【請求項３０】
前記リカバリ動作は、前記ターゲット供給部に不活性ガスを吹きつける、請求項２８記載のメンテナンス方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８】
【図１９】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３Ａ】
【図２３Ｂ】
【図２３Ｃ】
【図２４】
【図２５Ａ】
【図２５Ｂ】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８】
【図１９】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３Ａ】
【図２３Ｂ】
【図２３Ｃ】
【図２４】
【図２５Ａ】
【図２５Ｂ】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【公開番号】特開２０１１−２１６８６０（Ｐ２０１１−２１６８６０Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３０１４（Ｐ２０１１−１３０１４）
【出願日】平成２３年１月２５日（２０１１．１．２５）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２０年度 独立行政法人新エネルギー・産業技術開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計）／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００１２３６）株式会社小松製作所 (1,686)
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２５日（２０１１．１．２５）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２０年度 独立行政法人新エネルギー・産業技術開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計）／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００１２３６）株式会社小松製作所 (1,686)
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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