櫛歯型プローブ、これを備える原子間力顕微鏡装置および変位測定方法
【課題】 製品ばらつきが小さく、製品歩留まりが高い櫛歯型プローブを提供すること。
【解決手段】 櫛歯型プローブ１０は、静止部１、可動部２、探針３および支持部４を備えている。櫛歯ドライブ１０ａは、静止部１の櫛歯状凹凸部と可動部２の櫛歯状凹凸部とが非接触で噛合し、交流電源７によって与えられる静電力により可動部２がＺ方向に振動する。櫛歯型プローブ１０は、可動部２を励振するのに圧電体層のような機能性薄膜を用いないので、製品歩留まりが高い。可動部２が外力（探針３−試料Ｓ間の原子間力）の影響を受けると、櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスが変化する。アドミッタンス検出器２０によりアドミッタンスを検出し、この検出値から可動部２の変位量を求める。
【解決手段】 櫛歯型プローブ１０は、静止部１、可動部２、探針３および支持部４を備えている。櫛歯ドライブ１０ａは、静止部１の櫛歯状凹凸部と可動部２の櫛歯状凹凸部とが非接触で噛合し、交流電源７によって与えられる静電力により可動部２がＺ方向に振動する。櫛歯型プローブ１０は、可動部２を励振するのに圧電体層のような機能性薄膜を用いないので、製品歩留まりが高い。可動部２が外力（探針３−試料Ｓ間の原子間力）の影響を受けると、櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスが変化する。アドミッタンス検出器２０によりアドミッタンスを検出し、この検出値から可動部２の変位量を求める。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、櫛歯型プローブ、これを備える原子間力顕微鏡装置および変位測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カンチレバーに設けられた探針と試料との微視的距離を測定する方法として、カンチレバー表面に圧電体層と電極膜との多層構造をもつアクチュエータを形成し、そのアクチュエータでカンチレバーをその固有振動数で屈曲振動させ、圧電体素子のアドミッタンス変化を検出する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１９４１５７号公報（第２頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
圧電体の成分比や圧電体層の膜厚はカンチレバーの振動状態に影響を及ぼすが、圧電体層をカンチレバー表面に形成する際に、成分比や膜厚を正確に制御するのは難しく、材料による製品のばらつきが発生し易いという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）請求項１に係る櫛歯型プローブは、試料表面の作用に基づく物理量を検出する櫛歯型プローブであって、第１の櫛歯状凹凸部を有する静止部と、第１の櫛歯状凹凸部と噛合する第２の櫛歯状凹凸部を有し、外力により変位する可動部とを備え、可動部の変位を、交流バイアスが発生する静電力により振動する第１および第２の櫛歯状凹凸部から成る移動機構のイミタンスに基づいて算出することを特徴とする。
（２）請求項２の発明は、請求項１に記載の櫛歯型プローブにおいて、静止部および可動部は、フォトリソグラフィー法によりＳＯＩウエハから一体で作製されることを特徴とする。
（３）請求項３の発明は、請求項１または２に記載の櫛歯型プローブと、可動部に設けられる探針と、可動部を励振する交流電源と、可動部が静電力により振動しているとき、イミタンスを検出する検出回路と、検出回路で検出されたイミタンスを一定とするように静止部を駆動する駆動電源とを備えることを特徴とする。
（４）請求項４に係る変位測定方法は、請求項１または２に記載の櫛歯型プローブの移動機構に振動を与え、その共振角周波数ω０を測定する工程と、共振角周波数ω０に近い機械系の特性がキャンセルされる発振角周波数ω１で振動させて可動部に加わる外力が零のときの基準イミタンス値Ｉ０を測定する工程と、発振角周波数ω１に定めて振動させ、可動部に外力が加わったときのイミタンス値Ｉ１を測定する工程と、イミタンス値の変化量（Ｉ１−Ｉ０）から、可動部の外力による変位量を算出することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の櫛歯型プローブによれば、櫛歯状凹凸部から成る移動機構に働く静電力により可動部を励振する構造であり、圧電体層のような機能性薄膜を有しないので、製造工程がシンプルであり、高い製品歩留まりを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態による櫛歯型プローブおよび原子間力顕微鏡装置（以下、ＡＦＭ装置と呼ぶ）について図１〜８を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施の形態によるＡＦＭ装置全体の概略を示す構成図である。図２は、図１のＡＦＭ装置に用いられる櫛歯型プローブの構造を模式的に示す正面図である。図３は、図２に示す櫛歯型プローブの拡大斜視図である。図１〜図３では、ＸＹＺ直交座標で方向を表す。
【０００８】
図１に示されるように、ＡＦＭ装置１００は、櫛歯ドライブ１０ａを有する櫛歯型プローブ１０と、櫛歯型プローブ１０をＺ方向に駆動するピエゾアクチュエータ５と、試料Ｓを載置してＸＹＺ方向に移動するステージ６とを備えている。櫛歯型プローブ１０は、支持部４を介してピエゾアクチュエータ５に固定され、ピエゾアクチュエータ５は、不図示のフレームに固設されている。ＡＦＭ装置１００は、さらに、交流電源７と、直流電源８と、アドミッタンス検出器２０と、制御演算部１１と、ステージ走査用電源１２と、ディスプレイ１３とを備えている。
【０００９】
交流電源７と直流電源８とは直列に接続され、交流電源７が櫛歯ドライブ１０ａに電気的に接続されている。アドミッタンス検出器２０は、交流電源７と櫛歯ドライブ１０ａを含む電気回路に接続されるとともに、制御演算部１１にも接続されている。制御演算部１１は、アドミッタンス検出器２０に接続されるとともに、ピエゾアクチュエータ５、ステージ走査用電源１２およびディスプレイ１３にそれぞれ接続されている。
【００１０】
図２および図３に示されるように、櫛歯型プローブ１０は、静止部１、可動部２、探針３および支持部４を備えている。静止部１は、支持部４に固定されており、櫛歯状凹凸部１ａを有する。可動部２は、枠部２ｂ、ビーム２ｃを介して支持部４に連結されており、櫛歯状凹凸部２ａを有する。櫛歯状凹凸部１ａ，２ａの表面（Ｙ−Ｚ面）には、それぞれ電極膜が成膜されている。櫛歯型プローブ１０は、櫛歯状凹凸部１ａと２ａとが非接触で噛合し、静電力により可動部２がＺ方向に移動可能に構成されており、櫛歯状凹凸部１ａと２ａとから成る移動機構が櫛歯ドライブ１０ａである。枠部２ｂは、支持部４に固定されており、細いビーム２ｃを介して可動部２を支持している。したがって、可動部２が動くときは、ビーム２ｃがたわみ変形を生じる。
【００１１】
図３を参照して、櫛歯型プローブ１０の各構成部品について、材料となるウエハと対比させて説明する。櫛歯型プローブ１０は、図６〜８を用いて後述する製造工程により、ＳＯＩ(Silicon on Insulator)ウエハから一体で作製される。ＳＯＩウエハは、２枚のＳｉ単結晶板の一方にＳｉＯ２層を形成し、そのＳｉＯ２層を介して貼り合わせた３層構造であり、上部Ｓｉ層、ＳｉＯ２層および下部Ｓｉ層を有する。櫛歯状凹凸部１ａを含む静止部１、櫛歯状凹凸部２ａを含む可動部２および探針３は上部Ｓｉ層から形成され、支持部４は、ＳｉＯ２層および下部Ｓｉ層から形成されている。このように、櫛歯型プローブ１０は、櫛歯状凹凸部１ａ，２ａの表面の電極膜以外はすべてＳＯＩウエハから作製される。
【００１２】
再び図１を参照すると、櫛歯ドライブ１０ａには、直流電源８による直流電圧に交流電源７による交流電圧が重畳されたバイアス電圧が印加される。具体的には、櫛歯状凹凸部１ａの電極膜と櫛歯状凹凸部２ａの電極膜との間に電圧が印加される。直流電圧により櫛歯状凹凸部１ａと２ａとの距離が規定され、この距離を中立として、交流電圧の振幅と周波数に応じて櫛歯ドライブ１０ａが動作し、可動部２がＺ方向に振動する。櫛歯ドライブ１０ａの固有振動数で可動部２を振動させると、すなわち共振させると最も効率良く大きな振幅を得ることができる。
【００１３】
アドミッタンス検出器２０は、交流電圧が加えられている櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスを検出し、検出データを制御演算部１１へ送出する。制御演算部１１は、アドミッタンスの検出値から外力の大きさあるいは外力を及ぼす物体との距離を演算して、演算結果をディスプレイ１３に表示する。また、制御演算部１１は、演算結果に基づいてピエゾアクチュエータ５を駆動制御したり、ステージ走査用電源１２を介してステージ６を移動させる。
【００１４】
上記のように構成されたＡＦＭ装置１００では、探針３が設けられた可動部２を振動させながら探針３を試料Ｓにナノメーターオーダーで近接させ、探針３と試料Ｓとの間に働く原子間力を検出するタッピングモードが採用されている。この原子間力は、探針３と試料Ｓとの距離に依存する物理量であり、原子間力を櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスとして検出することができる。本発明のＡＦＭ装置１００は、アドミッタンス一定、つまり距離一定とするようにピエゾアクチュエータ５をＺ方向に駆動しながら探針３と試料ＳとをＸ−Ｙ面に沿って相対的に二次元走査することにより、試料Ｓ表面の凹凸情報を得るものである。したがって、本発明の櫛歯型プローブ１０は、原子間力（外力に相当）を櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスとして検出し、その検出値から探針３と試料Ｓとの距離を求めることができる。
【００１５】
一般に、電気・機械結合系において電気的エネルギーおよび機械的エネルギーの保存則が成立する。図１０は、電気・機械結合系の等価回路の概略を示す図であり、公知の電気・機械結合系の解析法を用いて平行平板型アクチュエータのモデル化を行ったものである。これは、外力ｆ、励起電圧ｅが小さく、変位量、電荷量の変動も小さい条件下で成立する。Ｍは電気系と機械系の結合係数である。結合係数Ｍは、ガウスの定理より、Ｍ＝Ｅ０Ｃ０／ε０Ｓと書くことができる。但し、Ｅ０は直流バイアス電圧、Ｃ０は初期状態のコンデンサ容量、ε０は真空の誘電率、Ｓは電極面積である。図１０に示す電気系の式と機械系の式においては、Ｒ、ｉ、ｖ、Ｃ０、ＣＳは、それぞれ平行平板型アクチュエータの抵抗、電流、振動速度、初期状態のコンデンサ容量、浮遊容量であり、ｍ、ｋ、ｒｆは、それぞれ平行平板型アクチュエータの等価質量、バネ定数、機械系の摩擦抵抗（機械抵抗）である。
【００１６】
上記の平行平板型アクチュエータモデルを基本とすると、櫛歯型のアクチュエータの線形近似基本方程式は、式（１），（２）で表される。
ｉ１＝ｊω（Ｃ０＋ＣＳ）ｅ１＋（Ｅ０Ｃ０／Ｘ０）ν１ （１）
ｆ１＝ｊωｍν１＋ｒｆν１＋ｋν１／ｊω＋Ｅ０Ｃ０ｅ１／Ｘ０ （２）
但し、ｉ１は交流電流値、ｅ１は入力交流電圧の振幅、ν１は可動部２の振動速度であり、ｆ１、ｍ、ｋ、ｒｆは、それぞれ櫛歯ドライブ１０ａに作用する外力、等価質量、バネ定数、機械系の摩擦抵抗（機械抵抗）である。また、Ｅ０は櫛歯ドライブ１０ａに加わる直流バイアス電圧、Ｃ０は初期状態の櫛歯状凹凸部のコンデンサ容量、ＣＳは電極パッド等の浮遊容量、Ｘ０は初期状態の櫛歯間距離である。式（１），（２）より、外力が零の場合、櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜と角周波数ωの関係は最終的に式（３）のように表すことができる。ここで、Ａ＝Ｅ０Ｃ０／Ｘ０と置く。なお、アドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜には、式（３）のようにドットが付いている場合もあるが、｜Ｙ｜と同じものであり、以下、同様とする。
【数１】
【００１７】
図４は、この実施の形態による櫛歯型プローブのアドミッタンスの角周波数依存性を表すグラフであり、図４（ａ）はグラフ全体、図４（ｂ）は、図４（ａ）の円内を拡大して示す図である。式（３）は、図４（ａ）のアドミッタンス曲線ｙ１で表される。
アドミッタンス曲線ｙ１は、電気・機械結合系の特性曲線であるが、アドミッタンス曲線ｙ２は、機械系がない電気系のみの特性曲線であり、｜Ｙ｜＝ω（Ｃ０＋ＣＳ）で表される。すなわち、アドミッタンス曲線ｙ２は、式（３）において式（４）が成り立つときの特性曲線（実際には、１次関数なので直線）である。
Ａ２−２ω（Ｃ０＋ＣＳ）（ωｍ−ｋ／ω）＝０ （４）
式（４）を満たす角周波数ωを発振角周波数ω１と呼ぶと、発振角周波数ω１は、アドミッタンス曲線ｙ１とｙ２の交点における角周波数である。発振角周波数ω１は、共振角周波数ω０に近い値であり、発振角周波数ω１で櫛歯ドライブ１０ａを駆動すると、上述したように、機械系の特性がキャンセルされ、電気系のみのアドミッタンス計測が可能となる。
【００１８】
なお、共振角周波数ω０は、アドミッタンス曲線ｙ１のピーク位置より僅かに高いところに位置しており、アドミッタンス曲線ｙ１のピーク角周波数をωｐ、凹カーブを示す部分のボトムの角周波数をωｂとすれば、共振角周波数ω０と発振角周波数ω１との関係は、式（５）で表すことができる。発振角周波数ω１、ピーク角周波数ωｐ、ボトム角周波数ωｂとの間には、２／ω１＝１／ωｐ＋１／ωｂという関係も導かれる。
【数２】
【００１９】
図４（ｂ）を参照すると、発振角周波数ω１で櫛歯ドライブ１０ａを駆動しているときに、櫛歯ドライブ１０ａに外力が作用すると、アドミッタンス曲線ｙ１（外力なし）からアドミッタンス曲線ｙ３（外力の作用あり）へと変化する。その結果、図示されるように、発振角周波数ω１におけるアドミッタンスはΔＹだけ変化する。可動部２の変位量は、後述するように、アドミッタンス変化の検出値から算出される。従来は、共振角周波数ω０で角周波数のシフト量Δωを検出していたが、アドミッタンス変化ΔＹの検出により、さらに高感度の測定が可能となる。
【００２０】
なお、櫛歯ドライブ１０ａに作用する外力の変化は、櫛歯ドライブ１０ａのバネ定数ｋが僅かに変化してバネ定数（ｋ＋Δｋ）となったときのアドミッタンスの変化ΔＹとして求められる。すなわち、式（３）から導かれる近似式により、発振角周波数ω１でのアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜とアドミッタンスの変化ΔＹは、それぞれ式（６）、式（７）で表される。
｜Ｙ｜＝ω１（Ｃ０＋ＣＳ） （６）
ΔＹ＝Ａ２Δｋ／ω１ｒｆ２ （７）
したがって、アドミッタンスの変化ΔＹを検出することにより、バネ定数の変化Δｋを求め、結果的に櫛歯ドライブ１０ａに作用する外力の大きさあるいは可動部２の変位量を求めることができる。
【００２１】
本実施の形態の櫛歯型プローブ１０では、櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスから直接に変位量ｘ１を求めることができる。上述した櫛歯型のアクチュエータの線形近似基本方程式である式（１），（２）において、正弦波駆動の場合は、ν１＝ｊωｘ１と書けるので、式（１）を変形すると式（８）となる。
ｉ１／ｅ１＝ｊω［Ｃ０｛１＋（ｘ１／Ｘ０）（Ｅ０／ｅ１）｝＋ＣＳ］ （８）
【００２２】
式（８）よりアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜は、式（９）のように書き表せる。
｜Ｙ１｜＝｜ｉ１／ｅ１｜＝ω［Ｃ０｛１＋（ｘ１／Ｘ０）（Ｅ０／ｅ１）｝＋ＣＳ］ （９）
式（９）から変位量ｘ１は式（１０）として導かれる。
ｘ１＝［｛（｜Ｙ１｜−ωＣＳ）／ωＣ０−１｝］（ｅ１／Ｅ０）Ｘ０ （１０）
前述したように、Ａ＝Ｅ０Ｃ０／Ｘ０であるから、式（１０）を変形して式（１１）を得る。
ｘ１＝［｛（｜Ｙ１｜−ωＣＳ）／ωＣ０−１｝］（Ｃ０ｅ１／Ａ） （１１）
Ｙ０＝ω（Ｃ０＋ＣＳ）とおけば、式（１１）を変形して式（１２）を得る。
ｘ１＝｛（｜Ｙ１｜−｜Ｙ０｜）／ωＣ０｝（Ｃ０ｅ１／Ａ）＝ΔＹ／ω（ｅ１／Ａ）
（１２）
複数の櫛歯を有するアクチュエータでは、Ａは、Ａ＝ｎｂＥ０／ｄと書ける。ここで、ｎは櫛歯型プローブ１０の櫛歯の数、ｂは櫛歯の厚さ、ｄは対向する櫛歯間のギャップである。Ｙ１、Ｙ０、Ｃ０、Ｅ０、ｅ１は測定から求まり、ｂはＳＯＩウエハの上部Ｓｉ層の厚さに等しく、ｄはＳＥＭ観察により実測できるので、変位量ｘ１が算出できる。なお、櫛歯間のギャップｄには設計値があるが、その設計値と製造プロセス後に実測した値とが異なる場合は、後者を用いる方がＡの値を正確に得ることができる。
【００２３】
以上をまとめると、可動部２の変位量算出手順は次のとおりである。
（１）櫛歯型プローブ１０の櫛歯ドライブ１０ａに振動を与え、その共振角周波数ω０を測定する。
（２）共振角周波数ω０に近い機械系の特性がキャンセルされる発振角周波数ω１で櫛歯ドライブ１０ａを振動させて可動部２に加わる外力が零のときの基準アドミッタンス値｜Ｙ０｜を検出する。
（３）角周波数ωを発振角周波数ω１に定めて櫛歯ドライブ１０ａに振動を与え、可動部２に外力が加わったときのアドミッタンス値｜Ｙ１｜を検出する。
（４）アドミッタンスの変化ΔＹ（＝｜Ｙ１｜−｜Ｙ０｜）から、可動部２の外力による変位量を算出する。
【００２４】
アドミッタンス検出器を用いたアドミッタンス｜Ｙ｜の検出について具体的に説明する。
図５は、実施の形態による櫛歯型プローブ１０のアドミッタンス検出から信号処理までの装置構成の概略を示すブロック図である。アドミッタンスを検出するＬＣＲメータ２１は、ロックインアンプ２４と、電流測定用回路２５と、電圧測定用回路２６とを有する。
【００２５】
櫛歯ドライブ１０ａには交流電圧が加えられており、電流測定用回路２５により櫛歯ドライブ１０ａの電流の絶対値と位相が測定され、電圧測定用回路２６により櫛歯ドライブ１０ａの電圧の絶対値と位相が測定される。これら２つの物理量の絶対値と位相からアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜と位相をロックインアンプ２４で演算する。ＬＣＲメータ２１からアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜に比例する電圧ＶＹを出力し、比較器２２で電圧ＶＹを基準電圧と比較する。ここで、基準電圧とは、図４（ａ）に示す発振角周波数ω１におけるアドミッタンスに対応する電圧である。電圧ＶＹと基準電圧との偏差分は、電圧ブースター２３で増幅されて電圧信号ΔＶとなり、ピエゾアクチュエータ５へフィードバックされる。そのピエゾアクチュエータ５の駆動量が可動部２の変位量に対応する。
【００２６】
次に、本実施の形態の櫛歯型プローブ１０の製造工程について、図６〜８を参照しながら詳しく説明する。
図６は、工程Ａ〜Ｅにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図であり、図６（ａ１）〜図６（ａ５）はそれぞれ工程Ａ〜Ｅにおける櫛歯型プローブ１０の平面図、図６（ｂ１）〜図６（ｂ５）はそれぞれ工程Ａ〜Ｅにおける櫛歯型プローブ１０の断面図、図６（ｃ２）、図６（ｃ５）はそれぞれ工程Ｂ、Ｅで用いられるマスクであり、図中、白い領域が遮蔽部分である。なお、図６（ｂ１）〜図６（ｂ４）はＩ−Ｉ線断面図、図６（ｂ５）はＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００２７】
工程Ａでは、上述した３層構造のＳＯＩウエハの上部Ｓｉ層５１の表面に、低圧ＣＶＤにより厚さ５０ｎｍの窒化珪素（ＳｉＮ）膜５４を形成する。なお、上部Ｓｉ層５１の表面を単結晶Ｓｉの主面（００１）とし、図中、上下方向を＜０１０＞とする。
工程Ｂでは、図６（ｃ２）に示すマスク１を用い、ＳｉＮ膜５４の表面にフォトリソグラフィーでレジスト層５５を形成する。
【００２８】
工程Ｃでは、レジスト層５５をマスクとしてＳｉＮ膜５４を部分除去する。
工程Ｄでは、上部Ｓｉ層５１が露出している領域に表面保護のための酸化膜５６を厚さ０．５μｍ形成する。酸化方法は、高温の酸化雰囲気で加熱する熱酸化である。
工程Ｅでは、図６（ｃ５）に示すマスク２を用い、酸化膜５６の表面にフォトリソグラフィーでレジスト層５７を形成する。図６（ａ５）の矢印Ａで示す凹凸パターン部分は、将来、櫛歯状凹凸部１ａ，２ａとなる部分である。図６（ａ５）には、将来、静止部１、可動部２となる部分も示す。
【００２９】
図７は、工程Ｆ〜Ｊにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図であり、図７（ａ１）〜図７（ａ５）はそれぞれ工程Ｆ〜Ｊにおける櫛歯型プローブ１０の平面図、図７（ｂ１）〜図７（ｂ５）はそれぞれ工程Ｆ〜Ｊにおける櫛歯型プローブ１０の断面図、図７（ｃ４）は工程Ｉで用いられるマスクであり、図中、白い領域が遮蔽部分である。なお、図７（ｂ１）〜図７（ｂ３）はＩＩ−ＩＩ線断面図、図７（ｂ４），（ｂ５）はＩ−Ｉ線断面図である。
【００３０】
工程Ｆでは、レジスト層５７をマスクとして酸化膜５６を部分除去する。
工程Ｇでは、パターニングされた酸化膜５６をマスクの代用としてＩＣＰ−ＲＩＥ（inductively coupled plasma - reactive ion etching）により上部Ｓｉ層５１を厚さ方向にエッチングする。ＩＣＰ−ＲＩＥによるエッチング作用は、ＳｉＯ２層５２で停止するので、可動部２、櫛歯状凹凸部１ａ，２ａの厚さを均一且つ高精度に作製することができる。エッチングされた部分には、ＳｉＯ２層５２の表面が露出する。
工程Ｈでは、残存するレジスト層５７を除去した後に、上部Ｓｉ層５１が露出している側壁に表面保護のための酸化膜５８を熱酸化法で厚さ０．５μｍ形成する。
【００３１】
工程Ｉでは、図７（ｃ４）に示すマスク３を用い、図７（ａ４）に示すように、左半分のみにレジスト層５９を形成する。工程Ｉ以降の工程は、可動部２の先端部（矢印Ｂで示す部分）に探針３を作製する工程が主体である。
工程Ｊでは、レジスト層５９をマスクとしてＲＩＥ（reactive ion etching）により、右側に残存しているＳｉＮ膜５４を除去する。図７（ａ５）において右側に酸化膜５６が露出している部分があるが、この部分はＲＩＥではエッチングされずに残る。
【００３２】
図８は、工程Ｋ〜Ｎにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図であり、図８（ａ１）〜図８（ａ４）はそれぞれ工程Ｋ〜Ｎにおける櫛歯型プローブ１０の平面図、図８（ｂ１）〜図８（ｂ３）はそれぞれ工程Ｋ〜Ｍにおける櫛歯型プローブ１０の断面図である。なお、図８（ｂ１）〜図８（ｂ３）はＩ−Ｉ線断面図である。
【００３３】
工程Ｋでは、上部Ｓｉ層５１が露出している可動部２の右側の外周側面に対してＫＯＨ溶液を用いた異方性エッチングを行う。酸化膜５６はＫＯＨにエッチングされ難いので、上部Ｓｉ層５１のみが優先的にエッチングされ、可動部２の先端部に小さい斜面３ａが形成される。この斜面３ａはＳｉの（１１１）面である。なお、ＫＯＨ溶液の代わりにＴＭＡＨ（tetra methyl ammonium hydroxide）溶液を用いて異方性エッチングを行ってもよい。
工程Ｌでは、上部Ｓｉ層５１が露出している小さい斜面３ａおよび可動部２の外周側面に対して表面保護のための熱酸化を施した後に、左側に残存しているＳｉＮ膜５４を除去する。
【００３４】
工程Ｍでは、可動部２の左側の外周側面に対して工程Ｋと同様に異方性エッチングを行う。その結果、可動部２の先端部に小さい斜面３ｂが形成され、斜面３ａ，３ｂから成る形状が探針３の形状の原型となる。
工程Ｎでは、酸化膜５６を除去した後に、櫛歯型プローブ１０の外形形状に対応するマスクを用いて裏面からのパターンエッチングにより、下部Ｓｉ層５３とＳｉＯ２層５２の不要部分Ｄを除去する。このパターンエッチングでは、可動部２の裏側の下部Ｓｉ層５３とＳｉＯ２層５２を除去し、静止部１と枠部２ｂの裏側（図３の支持部４に相当する領域）はマスクで遮蔽し、下部Ｓｉ層５３とＳｉＯ２層５２の除去を行わない。このように、ＳＯＩウエハの裏面からパターンエッチングすることにより、静止部１、可動部２、探針３および支持部４の各部品が完成し、櫛歯型プローブ１０が完成する。
【００３５】
上記の製造工程では、１個の櫛歯型プローブ１０についての一連の作製手順を説明したが、実際の製造工程は、ＳＯＩウエハ単位で行われる、いわゆるバッチ処理である。このバッチ処理では、フォトリソグラフィー法により、１枚のＳＯＩウエハから多数の櫛歯型プローブ１０を一括で作製することができ、大幅な製造コストの削減をもたらすものである。
【００３６】
以上説明したように、本実施の形態による櫛歯型プローブ１０は、次のような作用効果を奏する。
（１）櫛歯ドライブ１０ａは、成膜が難しい圧電体層のような機能性薄膜を有しないので、材料による製品ばらつきが小さい。
（２）櫛歯状凹凸部１ａ，２ａの表面の電極膜以外はすべてＳＯＩウエハから作製されるので、製造工程が単純であり、製品歩留まりが高い。
（３）櫛歯ドライブ１０ａを構成する櫛歯状凹凸部１ａと２ａは、相互に接触せず、静電力により間隔が規定されているので、振動による材料疲労はほとんど発生せず、耐久性が高い。
（４）アドミッタンス検出は、共振角周波数測定よりもバネ定数の変化Δｋに対する変化率が大きいので、可動部２の変位を高精度で測定できる。特に、アドミッタンス検出は、共振角周波数が低くても高い感度が得られるので、マイクロマシン分野に適する検出方法である。
【００３７】
また、本実施の形態による櫛歯型プローブ１０を搭載したＡＦＭ装置１００は、次のような作用効果を奏する。
（１）高精度な変位測定ができるので、試料Ｓ表面の正確な凹凸情報を得ることができる。
（２）カンチレバーの屈曲振動に対し往復振動する構造であるので、多数の櫛歯型プローブ１０を並列配置する場合に高密度に配置することができる。
【００３８】
本実施の形態の櫛歯型プローブ１０、ＡＦＭ装置１００には、様々な変形が考えられる。例えば、上記の実施の形態では、アドミッタンス検出器２０にＬＣＲメータ２１を具備してアドミッタンスを検出しているが、ブリッジ回路によりアドミッタンスを検出するように構成してもよい。
【００３９】
図９は、アドミッタンス検出器の変形例であり、アドミッタンス検出から信号処理までの装置構成の概略を示すブロック図である。櫛歯ドライブ１０ａに外力が作用し、アドミッタンスを検出するブリッジ回路３１の平衡が崩れた場合、ブリッジの平衡を測定する端子の電圧が変化する。この電圧を交流増幅器３２で増幅してからトランジスタでパルス化し、位相比較演算器３３に入れる。このアドミッタンス検出では、アドミッタンスの位相のみに着目し、位相比較演算器３３により位相の変化を測定する。位相が変化するとそれに比例したパルス電圧が発生するので、そのパルス電圧を波形平滑器３４で平滑化し、電圧ブースター３５で増幅し、ピエゾアクチュエータ５へフィードバックするための電圧信号とする。このように、アドミッタンスの位相変化Δθを検出することにより、バネ定数の変化Δｋを求める。アドミッタンスの位相変化Δθは、バネ定数をｋ、バネ定数の変化をΔｋとすると、機械抵抗ｒｆが非常に小さい場合、Δθ≒Δｋ／２ｋの近似式で表される。
【００４０】
本発明は、その特徴を損なわない限り、以上説明した実施の形態に何ら限定されない。本実施の形態では、発振角周波数ω１に定めてアドミッタンスの変化率ΔＹ／Ｙを求めたが、発振角周波数ω１付近ではアドミッタンス曲線ｙ１の傾斜が大きいため、発振角周波数ω１付近であればアドミッタンスの変化率ΔＹ／Ｙも大きく検出感度は高いので、変位量測定は可能である。
【００４１】
また、本実施の形態では、櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンス検出について説明したが、アドミッタンス検出に代えて櫛歯ドライブ１０ａのインピーダンスを検出するようにしてもよい。要するに、検出方法は、イミタンス（Ｉで表記する）の一つであるアドミッタンス、インピーダンスのいずれを用いてもよい。
【００４２】
また、本実施の形態の櫛歯ドライブ１０ａでは、可動部２はＺ方向の往復直線運動をするが、Ｚ方向の運動をＸ方向の運動に変換する機構部品を可動部２に付加することもできる。これにより、例えばトレンチの側壁の凹凸情報を得ることができる。
【００４３】
なお、特許請求の範囲と実施の形態による構成要素の対応関係については、櫛歯ドライブ１０ａが移動機構に、アドミッタンス検出器２０が検出回路に、ピエゾアクチュエータ５が駆動電源にそれぞれ対応する。以上の説明はあくまで一例であり、発明を解釈する際、上記の実施形態の記載事項と特許請求の範囲の記載事項の対応関係に何ら限定も拘束もされない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態に係るＡＦＭ装置全体の概略を示す構成図である。
【図２】実施の形態に係る櫛歯型プローブの構造を模式的に示す正面図である。
【図３】実施の形態に係る櫛歯型プローブの拡大斜視図である。
【図４】実施の形態に係る櫛歯型プローブのアドミッタンスの角周波数依存性を表すグラフであり、図４（ａ）はグラフ全体、図４（ｂ）は、図４（ａ）の円内を拡大して示す図である。
【図５】実施の形態に係る櫛歯型プローブのアドミッタンス検出から信号処理までの装置構成の概略を示すブロック図である。
【図６】工程Ａ〜Ｅにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図である。
【図７】工程Ｆ〜Ｊにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図である。
【図８】工程Ｋ〜Ｎにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図である。
【図９】アドミッタンス検出器の変形例であり、櫛歯型プローブのアドミッタンス検出から信号処理までの装置構成の概略を示すブロック図である。
【図１０】電気・機械結合系の等価回路の概略を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１：静止部 １ａ：櫛歯状凹凸部
２：可動部 ２ａ：櫛歯状凹凸部
３：探針 ４：支持部
５：ピエゾアクチュエータ ６：ステージ
７：交流電源 ８：直流電源
１０：櫛歯型プローブ １０ａ：櫛歯ドライブ
１１：制御演算部 ２０：アドミッタンス検出器
５１：上部Ｓｉ層 ５２：ＳｉＯ２層
５３：下部Ｓｉ層 １００：ＡＦＭ装置
Ｓ：試料
【技術分野】
【０００１】
本発明は、櫛歯型プローブ、これを備える原子間力顕微鏡装置および変位測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カンチレバーに設けられた探針と試料との微視的距離を測定する方法として、カンチレバー表面に圧電体層と電極膜との多層構造をもつアクチュエータを形成し、そのアクチュエータでカンチレバーをその固有振動数で屈曲振動させ、圧電体素子のアドミッタンス変化を検出する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１９４１５７号公報（第２頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
圧電体の成分比や圧電体層の膜厚はカンチレバーの振動状態に影響を及ぼすが、圧電体層をカンチレバー表面に形成する際に、成分比や膜厚を正確に制御するのは難しく、材料による製品のばらつきが発生し易いという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）請求項１に係る櫛歯型プローブは、試料表面の作用に基づく物理量を検出する櫛歯型プローブであって、第１の櫛歯状凹凸部を有する静止部と、第１の櫛歯状凹凸部と噛合する第２の櫛歯状凹凸部を有し、外力により変位する可動部とを備え、可動部の変位を、交流バイアスが発生する静電力により振動する第１および第２の櫛歯状凹凸部から成る移動機構のイミタンスに基づいて算出することを特徴とする。
（２）請求項２の発明は、請求項１に記載の櫛歯型プローブにおいて、静止部および可動部は、フォトリソグラフィー法によりＳＯＩウエハから一体で作製されることを特徴とする。
（３）請求項３の発明は、請求項１または２に記載の櫛歯型プローブと、可動部に設けられる探針と、可動部を励振する交流電源と、可動部が静電力により振動しているとき、イミタンスを検出する検出回路と、検出回路で検出されたイミタンスを一定とするように静止部を駆動する駆動電源とを備えることを特徴とする。
（４）請求項４に係る変位測定方法は、請求項１または２に記載の櫛歯型プローブの移動機構に振動を与え、その共振角周波数ω０を測定する工程と、共振角周波数ω０に近い機械系の特性がキャンセルされる発振角周波数ω１で振動させて可動部に加わる外力が零のときの基準イミタンス値Ｉ０を測定する工程と、発振角周波数ω１に定めて振動させ、可動部に外力が加わったときのイミタンス値Ｉ１を測定する工程と、イミタンス値の変化量（Ｉ１−Ｉ０）から、可動部の外力による変位量を算出することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の櫛歯型プローブによれば、櫛歯状凹凸部から成る移動機構に働く静電力により可動部を励振する構造であり、圧電体層のような機能性薄膜を有しないので、製造工程がシンプルであり、高い製品歩留まりを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態による櫛歯型プローブおよび原子間力顕微鏡装置（以下、ＡＦＭ装置と呼ぶ）について図１〜８を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施の形態によるＡＦＭ装置全体の概略を示す構成図である。図２は、図１のＡＦＭ装置に用いられる櫛歯型プローブの構造を模式的に示す正面図である。図３は、図２に示す櫛歯型プローブの拡大斜視図である。図１〜図３では、ＸＹＺ直交座標で方向を表す。
【０００８】
図１に示されるように、ＡＦＭ装置１００は、櫛歯ドライブ１０ａを有する櫛歯型プローブ１０と、櫛歯型プローブ１０をＺ方向に駆動するピエゾアクチュエータ５と、試料Ｓを載置してＸＹＺ方向に移動するステージ６とを備えている。櫛歯型プローブ１０は、支持部４を介してピエゾアクチュエータ５に固定され、ピエゾアクチュエータ５は、不図示のフレームに固設されている。ＡＦＭ装置１００は、さらに、交流電源７と、直流電源８と、アドミッタンス検出器２０と、制御演算部１１と、ステージ走査用電源１２と、ディスプレイ１３とを備えている。
【０００９】
交流電源７と直流電源８とは直列に接続され、交流電源７が櫛歯ドライブ１０ａに電気的に接続されている。アドミッタンス検出器２０は、交流電源７と櫛歯ドライブ１０ａを含む電気回路に接続されるとともに、制御演算部１１にも接続されている。制御演算部１１は、アドミッタンス検出器２０に接続されるとともに、ピエゾアクチュエータ５、ステージ走査用電源１２およびディスプレイ１３にそれぞれ接続されている。
【００１０】
図２および図３に示されるように、櫛歯型プローブ１０は、静止部１、可動部２、探針３および支持部４を備えている。静止部１は、支持部４に固定されており、櫛歯状凹凸部１ａを有する。可動部２は、枠部２ｂ、ビーム２ｃを介して支持部４に連結されており、櫛歯状凹凸部２ａを有する。櫛歯状凹凸部１ａ，２ａの表面（Ｙ−Ｚ面）には、それぞれ電極膜が成膜されている。櫛歯型プローブ１０は、櫛歯状凹凸部１ａと２ａとが非接触で噛合し、静電力により可動部２がＺ方向に移動可能に構成されており、櫛歯状凹凸部１ａと２ａとから成る移動機構が櫛歯ドライブ１０ａである。枠部２ｂは、支持部４に固定されており、細いビーム２ｃを介して可動部２を支持している。したがって、可動部２が動くときは、ビーム２ｃがたわみ変形を生じる。
【００１１】
図３を参照して、櫛歯型プローブ１０の各構成部品について、材料となるウエハと対比させて説明する。櫛歯型プローブ１０は、図６〜８を用いて後述する製造工程により、ＳＯＩ(Silicon on Insulator)ウエハから一体で作製される。ＳＯＩウエハは、２枚のＳｉ単結晶板の一方にＳｉＯ２層を形成し、そのＳｉＯ２層を介して貼り合わせた３層構造であり、上部Ｓｉ層、ＳｉＯ２層および下部Ｓｉ層を有する。櫛歯状凹凸部１ａを含む静止部１、櫛歯状凹凸部２ａを含む可動部２および探針３は上部Ｓｉ層から形成され、支持部４は、ＳｉＯ２層および下部Ｓｉ層から形成されている。このように、櫛歯型プローブ１０は、櫛歯状凹凸部１ａ，２ａの表面の電極膜以外はすべてＳＯＩウエハから作製される。
【００１２】
再び図１を参照すると、櫛歯ドライブ１０ａには、直流電源８による直流電圧に交流電源７による交流電圧が重畳されたバイアス電圧が印加される。具体的には、櫛歯状凹凸部１ａの電極膜と櫛歯状凹凸部２ａの電極膜との間に電圧が印加される。直流電圧により櫛歯状凹凸部１ａと２ａとの距離が規定され、この距離を中立として、交流電圧の振幅と周波数に応じて櫛歯ドライブ１０ａが動作し、可動部２がＺ方向に振動する。櫛歯ドライブ１０ａの固有振動数で可動部２を振動させると、すなわち共振させると最も効率良く大きな振幅を得ることができる。
【００１３】
アドミッタンス検出器２０は、交流電圧が加えられている櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスを検出し、検出データを制御演算部１１へ送出する。制御演算部１１は、アドミッタンスの検出値から外力の大きさあるいは外力を及ぼす物体との距離を演算して、演算結果をディスプレイ１３に表示する。また、制御演算部１１は、演算結果に基づいてピエゾアクチュエータ５を駆動制御したり、ステージ走査用電源１２を介してステージ６を移動させる。
【００１４】
上記のように構成されたＡＦＭ装置１００では、探針３が設けられた可動部２を振動させながら探針３を試料Ｓにナノメーターオーダーで近接させ、探針３と試料Ｓとの間に働く原子間力を検出するタッピングモードが採用されている。この原子間力は、探針３と試料Ｓとの距離に依存する物理量であり、原子間力を櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスとして検出することができる。本発明のＡＦＭ装置１００は、アドミッタンス一定、つまり距離一定とするようにピエゾアクチュエータ５をＺ方向に駆動しながら探針３と試料ＳとをＸ−Ｙ面に沿って相対的に二次元走査することにより、試料Ｓ表面の凹凸情報を得るものである。したがって、本発明の櫛歯型プローブ１０は、原子間力（外力に相当）を櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスとして検出し、その検出値から探針３と試料Ｓとの距離を求めることができる。
【００１５】
一般に、電気・機械結合系において電気的エネルギーおよび機械的エネルギーの保存則が成立する。図１０は、電気・機械結合系の等価回路の概略を示す図であり、公知の電気・機械結合系の解析法を用いて平行平板型アクチュエータのモデル化を行ったものである。これは、外力ｆ、励起電圧ｅが小さく、変位量、電荷量の変動も小さい条件下で成立する。Ｍは電気系と機械系の結合係数である。結合係数Ｍは、ガウスの定理より、Ｍ＝Ｅ０Ｃ０／ε０Ｓと書くことができる。但し、Ｅ０は直流バイアス電圧、Ｃ０は初期状態のコンデンサ容量、ε０は真空の誘電率、Ｓは電極面積である。図１０に示す電気系の式と機械系の式においては、Ｒ、ｉ、ｖ、Ｃ０、ＣＳは、それぞれ平行平板型アクチュエータの抵抗、電流、振動速度、初期状態のコンデンサ容量、浮遊容量であり、ｍ、ｋ、ｒｆは、それぞれ平行平板型アクチュエータの等価質量、バネ定数、機械系の摩擦抵抗（機械抵抗）である。
【００１６】
上記の平行平板型アクチュエータモデルを基本とすると、櫛歯型のアクチュエータの線形近似基本方程式は、式（１），（２）で表される。
ｉ１＝ｊω（Ｃ０＋ＣＳ）ｅ１＋（Ｅ０Ｃ０／Ｘ０）ν１ （１）
ｆ１＝ｊωｍν１＋ｒｆν１＋ｋν１／ｊω＋Ｅ０Ｃ０ｅ１／Ｘ０ （２）
但し、ｉ１は交流電流値、ｅ１は入力交流電圧の振幅、ν１は可動部２の振動速度であり、ｆ１、ｍ、ｋ、ｒｆは、それぞれ櫛歯ドライブ１０ａに作用する外力、等価質量、バネ定数、機械系の摩擦抵抗（機械抵抗）である。また、Ｅ０は櫛歯ドライブ１０ａに加わる直流バイアス電圧、Ｃ０は初期状態の櫛歯状凹凸部のコンデンサ容量、ＣＳは電極パッド等の浮遊容量、Ｘ０は初期状態の櫛歯間距離である。式（１），（２）より、外力が零の場合、櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜と角周波数ωの関係は最終的に式（３）のように表すことができる。ここで、Ａ＝Ｅ０Ｃ０／Ｘ０と置く。なお、アドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜には、式（３）のようにドットが付いている場合もあるが、｜Ｙ｜と同じものであり、以下、同様とする。
【数１】
【００１７】
図４は、この実施の形態による櫛歯型プローブのアドミッタンスの角周波数依存性を表すグラフであり、図４（ａ）はグラフ全体、図４（ｂ）は、図４（ａ）の円内を拡大して示す図である。式（３）は、図４（ａ）のアドミッタンス曲線ｙ１で表される。
アドミッタンス曲線ｙ１は、電気・機械結合系の特性曲線であるが、アドミッタンス曲線ｙ２は、機械系がない電気系のみの特性曲線であり、｜Ｙ｜＝ω（Ｃ０＋ＣＳ）で表される。すなわち、アドミッタンス曲線ｙ２は、式（３）において式（４）が成り立つときの特性曲線（実際には、１次関数なので直線）である。
Ａ２−２ω（Ｃ０＋ＣＳ）（ωｍ−ｋ／ω）＝０ （４）
式（４）を満たす角周波数ωを発振角周波数ω１と呼ぶと、発振角周波数ω１は、アドミッタンス曲線ｙ１とｙ２の交点における角周波数である。発振角周波数ω１は、共振角周波数ω０に近い値であり、発振角周波数ω１で櫛歯ドライブ１０ａを駆動すると、上述したように、機械系の特性がキャンセルされ、電気系のみのアドミッタンス計測が可能となる。
【００１８】
なお、共振角周波数ω０は、アドミッタンス曲線ｙ１のピーク位置より僅かに高いところに位置しており、アドミッタンス曲線ｙ１のピーク角周波数をωｐ、凹カーブを示す部分のボトムの角周波数をωｂとすれば、共振角周波数ω０と発振角周波数ω１との関係は、式（５）で表すことができる。発振角周波数ω１、ピーク角周波数ωｐ、ボトム角周波数ωｂとの間には、２／ω１＝１／ωｐ＋１／ωｂという関係も導かれる。
【数２】
【００１９】
図４（ｂ）を参照すると、発振角周波数ω１で櫛歯ドライブ１０ａを駆動しているときに、櫛歯ドライブ１０ａに外力が作用すると、アドミッタンス曲線ｙ１（外力なし）からアドミッタンス曲線ｙ３（外力の作用あり）へと変化する。その結果、図示されるように、発振角周波数ω１におけるアドミッタンスはΔＹだけ変化する。可動部２の変位量は、後述するように、アドミッタンス変化の検出値から算出される。従来は、共振角周波数ω０で角周波数のシフト量Δωを検出していたが、アドミッタンス変化ΔＹの検出により、さらに高感度の測定が可能となる。
【００２０】
なお、櫛歯ドライブ１０ａに作用する外力の変化は、櫛歯ドライブ１０ａのバネ定数ｋが僅かに変化してバネ定数（ｋ＋Δｋ）となったときのアドミッタンスの変化ΔＹとして求められる。すなわち、式（３）から導かれる近似式により、発振角周波数ω１でのアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜とアドミッタンスの変化ΔＹは、それぞれ式（６）、式（７）で表される。
｜Ｙ｜＝ω１（Ｃ０＋ＣＳ） （６）
ΔＹ＝Ａ２Δｋ／ω１ｒｆ２ （７）
したがって、アドミッタンスの変化ΔＹを検出することにより、バネ定数の変化Δｋを求め、結果的に櫛歯ドライブ１０ａに作用する外力の大きさあるいは可動部２の変位量を求めることができる。
【００２１】
本実施の形態の櫛歯型プローブ１０では、櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスから直接に変位量ｘ１を求めることができる。上述した櫛歯型のアクチュエータの線形近似基本方程式である式（１），（２）において、正弦波駆動の場合は、ν１＝ｊωｘ１と書けるので、式（１）を変形すると式（８）となる。
ｉ１／ｅ１＝ｊω［Ｃ０｛１＋（ｘ１／Ｘ０）（Ｅ０／ｅ１）｝＋ＣＳ］ （８）
【００２２】
式（８）よりアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜は、式（９）のように書き表せる。
｜Ｙ１｜＝｜ｉ１／ｅ１｜＝ω［Ｃ０｛１＋（ｘ１／Ｘ０）（Ｅ０／ｅ１）｝＋ＣＳ］ （９）
式（９）から変位量ｘ１は式（１０）として導かれる。
ｘ１＝［｛（｜Ｙ１｜−ωＣＳ）／ωＣ０−１｝］（ｅ１／Ｅ０）Ｘ０ （１０）
前述したように、Ａ＝Ｅ０Ｃ０／Ｘ０であるから、式（１０）を変形して式（１１）を得る。
ｘ１＝［｛（｜Ｙ１｜−ωＣＳ）／ωＣ０−１｝］（Ｃ０ｅ１／Ａ） （１１）
Ｙ０＝ω（Ｃ０＋ＣＳ）とおけば、式（１１）を変形して式（１２）を得る。
ｘ１＝｛（｜Ｙ１｜−｜Ｙ０｜）／ωＣ０｝（Ｃ０ｅ１／Ａ）＝ΔＹ／ω（ｅ１／Ａ）
（１２）
複数の櫛歯を有するアクチュエータでは、Ａは、Ａ＝ｎｂＥ０／ｄと書ける。ここで、ｎは櫛歯型プローブ１０の櫛歯の数、ｂは櫛歯の厚さ、ｄは対向する櫛歯間のギャップである。Ｙ１、Ｙ０、Ｃ０、Ｅ０、ｅ１は測定から求まり、ｂはＳＯＩウエハの上部Ｓｉ層の厚さに等しく、ｄはＳＥＭ観察により実測できるので、変位量ｘ１が算出できる。なお、櫛歯間のギャップｄには設計値があるが、その設計値と製造プロセス後に実測した値とが異なる場合は、後者を用いる方がＡの値を正確に得ることができる。
【００２３】
以上をまとめると、可動部２の変位量算出手順は次のとおりである。
（１）櫛歯型プローブ１０の櫛歯ドライブ１０ａに振動を与え、その共振角周波数ω０を測定する。
（２）共振角周波数ω０に近い機械系の特性がキャンセルされる発振角周波数ω１で櫛歯ドライブ１０ａを振動させて可動部２に加わる外力が零のときの基準アドミッタンス値｜Ｙ０｜を検出する。
（３）角周波数ωを発振角周波数ω１に定めて櫛歯ドライブ１０ａに振動を与え、可動部２に外力が加わったときのアドミッタンス値｜Ｙ１｜を検出する。
（４）アドミッタンスの変化ΔＹ（＝｜Ｙ１｜−｜Ｙ０｜）から、可動部２の外力による変位量を算出する。
【００２４】
アドミッタンス検出器を用いたアドミッタンス｜Ｙ｜の検出について具体的に説明する。
図５は、実施の形態による櫛歯型プローブ１０のアドミッタンス検出から信号処理までの装置構成の概略を示すブロック図である。アドミッタンスを検出するＬＣＲメータ２１は、ロックインアンプ２４と、電流測定用回路２５と、電圧測定用回路２６とを有する。
【００２５】
櫛歯ドライブ１０ａには交流電圧が加えられており、電流測定用回路２５により櫛歯ドライブ１０ａの電流の絶対値と位相が測定され、電圧測定用回路２６により櫛歯ドライブ１０ａの電圧の絶対値と位相が測定される。これら２つの物理量の絶対値と位相からアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜と位相をロックインアンプ２４で演算する。ＬＣＲメータ２１からアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜に比例する電圧ＶＹを出力し、比較器２２で電圧ＶＹを基準電圧と比較する。ここで、基準電圧とは、図４（ａ）に示す発振角周波数ω１におけるアドミッタンスに対応する電圧である。電圧ＶＹと基準電圧との偏差分は、電圧ブースター２３で増幅されて電圧信号ΔＶとなり、ピエゾアクチュエータ５へフィードバックされる。そのピエゾアクチュエータ５の駆動量が可動部２の変位量に対応する。
【００２６】
次に、本実施の形態の櫛歯型プローブ１０の製造工程について、図６〜８を参照しながら詳しく説明する。
図６は、工程Ａ〜Ｅにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図であり、図６（ａ１）〜図６（ａ５）はそれぞれ工程Ａ〜Ｅにおける櫛歯型プローブ１０の平面図、図６（ｂ１）〜図６（ｂ５）はそれぞれ工程Ａ〜Ｅにおける櫛歯型プローブ１０の断面図、図６（ｃ２）、図６（ｃ５）はそれぞれ工程Ｂ、Ｅで用いられるマスクであり、図中、白い領域が遮蔽部分である。なお、図６（ｂ１）〜図６（ｂ４）はＩ−Ｉ線断面図、図６（ｂ５）はＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００２７】
工程Ａでは、上述した３層構造のＳＯＩウエハの上部Ｓｉ層５１の表面に、低圧ＣＶＤにより厚さ５０ｎｍの窒化珪素（ＳｉＮ）膜５４を形成する。なお、上部Ｓｉ層５１の表面を単結晶Ｓｉの主面（００１）とし、図中、上下方向を＜０１０＞とする。
工程Ｂでは、図６（ｃ２）に示すマスク１を用い、ＳｉＮ膜５４の表面にフォトリソグラフィーでレジスト層５５を形成する。
【００２８】
工程Ｃでは、レジスト層５５をマスクとしてＳｉＮ膜５４を部分除去する。
工程Ｄでは、上部Ｓｉ層５１が露出している領域に表面保護のための酸化膜５６を厚さ０．５μｍ形成する。酸化方法は、高温の酸化雰囲気で加熱する熱酸化である。
工程Ｅでは、図６（ｃ５）に示すマスク２を用い、酸化膜５６の表面にフォトリソグラフィーでレジスト層５７を形成する。図６（ａ５）の矢印Ａで示す凹凸パターン部分は、将来、櫛歯状凹凸部１ａ，２ａとなる部分である。図６（ａ５）には、将来、静止部１、可動部２となる部分も示す。
【００２９】
図７は、工程Ｆ〜Ｊにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図であり、図７（ａ１）〜図７（ａ５）はそれぞれ工程Ｆ〜Ｊにおける櫛歯型プローブ１０の平面図、図７（ｂ１）〜図７（ｂ５）はそれぞれ工程Ｆ〜Ｊにおける櫛歯型プローブ１０の断面図、図７（ｃ４）は工程Ｉで用いられるマスクであり、図中、白い領域が遮蔽部分である。なお、図７（ｂ１）〜図７（ｂ３）はＩＩ−ＩＩ線断面図、図７（ｂ４），（ｂ５）はＩ−Ｉ線断面図である。
【００３０】
工程Ｆでは、レジスト層５７をマスクとして酸化膜５６を部分除去する。
工程Ｇでは、パターニングされた酸化膜５６をマスクの代用としてＩＣＰ−ＲＩＥ（inductively coupled plasma - reactive ion etching）により上部Ｓｉ層５１を厚さ方向にエッチングする。ＩＣＰ−ＲＩＥによるエッチング作用は、ＳｉＯ２層５２で停止するので、可動部２、櫛歯状凹凸部１ａ，２ａの厚さを均一且つ高精度に作製することができる。エッチングされた部分には、ＳｉＯ２層５２の表面が露出する。
工程Ｈでは、残存するレジスト層５７を除去した後に、上部Ｓｉ層５１が露出している側壁に表面保護のための酸化膜５８を熱酸化法で厚さ０．５μｍ形成する。
【００３１】
工程Ｉでは、図７（ｃ４）に示すマスク３を用い、図７（ａ４）に示すように、左半分のみにレジスト層５９を形成する。工程Ｉ以降の工程は、可動部２の先端部（矢印Ｂで示す部分）に探針３を作製する工程が主体である。
工程Ｊでは、レジスト層５９をマスクとしてＲＩＥ（reactive ion etching）により、右側に残存しているＳｉＮ膜５４を除去する。図７（ａ５）において右側に酸化膜５６が露出している部分があるが、この部分はＲＩＥではエッチングされずに残る。
【００３２】
図８は、工程Ｋ〜Ｎにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図であり、図８（ａ１）〜図８（ａ４）はそれぞれ工程Ｋ〜Ｎにおける櫛歯型プローブ１０の平面図、図８（ｂ１）〜図８（ｂ３）はそれぞれ工程Ｋ〜Ｍにおける櫛歯型プローブ１０の断面図である。なお、図８（ｂ１）〜図８（ｂ３）はＩ−Ｉ線断面図である。
【００３３】
工程Ｋでは、上部Ｓｉ層５１が露出している可動部２の右側の外周側面に対してＫＯＨ溶液を用いた異方性エッチングを行う。酸化膜５６はＫＯＨにエッチングされ難いので、上部Ｓｉ層５１のみが優先的にエッチングされ、可動部２の先端部に小さい斜面３ａが形成される。この斜面３ａはＳｉの（１１１）面である。なお、ＫＯＨ溶液の代わりにＴＭＡＨ（tetra methyl ammonium hydroxide）溶液を用いて異方性エッチングを行ってもよい。
工程Ｌでは、上部Ｓｉ層５１が露出している小さい斜面３ａおよび可動部２の外周側面に対して表面保護のための熱酸化を施した後に、左側に残存しているＳｉＮ膜５４を除去する。
【００３４】
工程Ｍでは、可動部２の左側の外周側面に対して工程Ｋと同様に異方性エッチングを行う。その結果、可動部２の先端部に小さい斜面３ｂが形成され、斜面３ａ，３ｂから成る形状が探針３の形状の原型となる。
工程Ｎでは、酸化膜５６を除去した後に、櫛歯型プローブ１０の外形形状に対応するマスクを用いて裏面からのパターンエッチングにより、下部Ｓｉ層５３とＳｉＯ２層５２の不要部分Ｄを除去する。このパターンエッチングでは、可動部２の裏側の下部Ｓｉ層５３とＳｉＯ２層５２を除去し、静止部１と枠部２ｂの裏側（図３の支持部４に相当する領域）はマスクで遮蔽し、下部Ｓｉ層５３とＳｉＯ２層５２の除去を行わない。このように、ＳＯＩウエハの裏面からパターンエッチングすることにより、静止部１、可動部２、探針３および支持部４の各部品が完成し、櫛歯型プローブ１０が完成する。
【００３５】
上記の製造工程では、１個の櫛歯型プローブ１０についての一連の作製手順を説明したが、実際の製造工程は、ＳＯＩウエハ単位で行われる、いわゆるバッチ処理である。このバッチ処理では、フォトリソグラフィー法により、１枚のＳＯＩウエハから多数の櫛歯型プローブ１０を一括で作製することができ、大幅な製造コストの削減をもたらすものである。
【００３６】
以上説明したように、本実施の形態による櫛歯型プローブ１０は、次のような作用効果を奏する。
（１）櫛歯ドライブ１０ａは、成膜が難しい圧電体層のような機能性薄膜を有しないので、材料による製品ばらつきが小さい。
（２）櫛歯状凹凸部１ａ，２ａの表面の電極膜以外はすべてＳＯＩウエハから作製されるので、製造工程が単純であり、製品歩留まりが高い。
（３）櫛歯ドライブ１０ａを構成する櫛歯状凹凸部１ａと２ａは、相互に接触せず、静電力により間隔が規定されているので、振動による材料疲労はほとんど発生せず、耐久性が高い。
（４）アドミッタンス検出は、共振角周波数測定よりもバネ定数の変化Δｋに対する変化率が大きいので、可動部２の変位を高精度で測定できる。特に、アドミッタンス検出は、共振角周波数が低くても高い感度が得られるので、マイクロマシン分野に適する検出方法である。
【００３７】
また、本実施の形態による櫛歯型プローブ１０を搭載したＡＦＭ装置１００は、次のような作用効果を奏する。
（１）高精度な変位測定ができるので、試料Ｓ表面の正確な凹凸情報を得ることができる。
（２）カンチレバーの屈曲振動に対し往復振動する構造であるので、多数の櫛歯型プローブ１０を並列配置する場合に高密度に配置することができる。
【００３８】
本実施の形態の櫛歯型プローブ１０、ＡＦＭ装置１００には、様々な変形が考えられる。例えば、上記の実施の形態では、アドミッタンス検出器２０にＬＣＲメータ２１を具備してアドミッタンスを検出しているが、ブリッジ回路によりアドミッタンスを検出するように構成してもよい。
【００３９】
図９は、アドミッタンス検出器の変形例であり、アドミッタンス検出から信号処理までの装置構成の概略を示すブロック図である。櫛歯ドライブ１０ａに外力が作用し、アドミッタンスを検出するブリッジ回路３１の平衡が崩れた場合、ブリッジの平衡を測定する端子の電圧が変化する。この電圧を交流増幅器３２で増幅してからトランジスタでパルス化し、位相比較演算器３３に入れる。このアドミッタンス検出では、アドミッタンスの位相のみに着目し、位相比較演算器３３により位相の変化を測定する。位相が変化するとそれに比例したパルス電圧が発生するので、そのパルス電圧を波形平滑器３４で平滑化し、電圧ブースター３５で増幅し、ピエゾアクチュエータ５へフィードバックするための電圧信号とする。このように、アドミッタンスの位相変化Δθを検出することにより、バネ定数の変化Δｋを求める。アドミッタンスの位相変化Δθは、バネ定数をｋ、バネ定数の変化をΔｋとすると、機械抵抗ｒｆが非常に小さい場合、Δθ≒Δｋ／２ｋの近似式で表される。
【００４０】
本発明は、その特徴を損なわない限り、以上説明した実施の形態に何ら限定されない。本実施の形態では、発振角周波数ω１に定めてアドミッタンスの変化率ΔＹ／Ｙを求めたが、発振角周波数ω１付近ではアドミッタンス曲線ｙ１の傾斜が大きいため、発振角周波数ω１付近であればアドミッタンスの変化率ΔＹ／Ｙも大きく検出感度は高いので、変位量測定は可能である。
【００４１】
また、本実施の形態では、櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンス検出について説明したが、アドミッタンス検出に代えて櫛歯ドライブ１０ａのインピーダンスを検出するようにしてもよい。要するに、検出方法は、イミタンス（Ｉで表記する）の一つであるアドミッタンス、インピーダンスのいずれを用いてもよい。
【００４２】
また、本実施の形態の櫛歯ドライブ１０ａでは、可動部２はＺ方向の往復直線運動をするが、Ｚ方向の運動をＸ方向の運動に変換する機構部品を可動部２に付加することもできる。これにより、例えばトレンチの側壁の凹凸情報を得ることができる。
【００４３】
なお、特許請求の範囲と実施の形態による構成要素の対応関係については、櫛歯ドライブ１０ａが移動機構に、アドミッタンス検出器２０が検出回路に、ピエゾアクチュエータ５が駆動電源にそれぞれ対応する。以上の説明はあくまで一例であり、発明を解釈する際、上記の実施形態の記載事項と特許請求の範囲の記載事項の対応関係に何ら限定も拘束もされない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態に係るＡＦＭ装置全体の概略を示す構成図である。
【図２】実施の形態に係る櫛歯型プローブの構造を模式的に示す正面図である。
【図３】実施の形態に係る櫛歯型プローブの拡大斜視図である。
【図４】実施の形態に係る櫛歯型プローブのアドミッタンスの角周波数依存性を表すグラフであり、図４（ａ）はグラフ全体、図４（ｂ）は、図４（ａ）の円内を拡大して示す図である。
【図５】実施の形態に係る櫛歯型プローブのアドミッタンス検出から信号処理までの装置構成の概略を示すブロック図である。
【図６】工程Ａ〜Ｅにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図である。
【図７】工程Ｆ〜Ｊにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図である。
【図８】工程Ｋ〜Ｎにおける櫛歯型プローブ１０の状態を示す図である。
【図９】アドミッタンス検出器の変形例であり、櫛歯型プローブのアドミッタンス検出から信号処理までの装置構成の概略を示すブロック図である。
【図１０】電気・機械結合系の等価回路の概略を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１：静止部 １ａ：櫛歯状凹凸部
２：可動部 ２ａ：櫛歯状凹凸部
３：探針 ４：支持部
５：ピエゾアクチュエータ ６：ステージ
７：交流電源 ８：直流電源
１０：櫛歯型プローブ １０ａ：櫛歯ドライブ
１１：制御演算部 ２０：アドミッタンス検出器
５１：上部Ｓｉ層 ５２：ＳｉＯ２層
５３：下部Ｓｉ層 １００：ＡＦＭ装置
Ｓ：試料
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料表面の作用に基づく物理量を検出する櫛歯型プローブであって、
第１の櫛歯状凹凸部を有する静止部と、
前記第１の櫛歯状凹凸部と噛合する第２の櫛歯状凹凸部を有し、外力により変位する可動部とを備え、
前記可動部の変位を、交流電圧が発生する静電力により振動する前記第１および第２の櫛歯状凹凸部から成る移動機構のイミタンスに基づいて算出することを特徴とする櫛歯型プローブ。
【請求項２】
請求項１に記載の櫛歯型プローブにおいて、
前記静止部および前記可動部は、フォトリソグラフィー法によりＳＯＩウエハから一体で作製されることを特徴とする櫛歯型プローブ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の櫛歯型プローブと、
前記可動部に設けられる探針と、
前記可動部を励振する交流電源と、
前記可動部が前記静電力により振動しているとき、前記イミタンスを検出する検出回路と、
前記検出回路で検出されたイミタンスを一定とするように前記静止部を駆動する駆動電源とを備えることを特徴とする原子間力顕微鏡装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の櫛歯型プローブの前記移動機構に振動を与え、その共振角周波数ω０を測定する工程と、
前記共振角周波数ω０に近い機械系の特性がキャンセルされる発振角周波数ω１で振動させて前記可動部に加わる外力が零のときの基準イミタンス値Ｉ０を測定する工程と、
前記発振角周波数ω１に定めて振動させ、前記可動部に外力が加わったときのイミタンス値Ｉ１を測定する工程と、
前記イミタンス値の変化量（Ｉ１−Ｉ０）から、前記可動部の前記外力による変位量を算出することを特徴とする変位測定方法。
【請求項１】
試料表面の作用に基づく物理量を検出する櫛歯型プローブであって、
第１の櫛歯状凹凸部を有する静止部と、
前記第１の櫛歯状凹凸部と噛合する第２の櫛歯状凹凸部を有し、外力により変位する可動部とを備え、
前記可動部の変位を、交流電圧が発生する静電力により振動する前記第１および第２の櫛歯状凹凸部から成る移動機構のイミタンスに基づいて算出することを特徴とする櫛歯型プローブ。
【請求項２】
請求項１に記載の櫛歯型プローブにおいて、
前記静止部および前記可動部は、フォトリソグラフィー法によりＳＯＩウエハから一体で作製されることを特徴とする櫛歯型プローブ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の櫛歯型プローブと、
前記可動部に設けられる探針と、
前記可動部を励振する交流電源と、
前記可動部が前記静電力により振動しているとき、前記イミタンスを検出する検出回路と、
前記検出回路で検出されたイミタンスを一定とするように前記静止部を駆動する駆動電源とを備えることを特徴とする原子間力顕微鏡装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の櫛歯型プローブの前記移動機構に振動を与え、その共振角周波数ω０を測定する工程と、
前記共振角周波数ω０に近い機械系の特性がキャンセルされる発振角周波数ω１で振動させて前記可動部に加わる外力が零のときの基準イミタンス値Ｉ０を測定する工程と、
前記発振角周波数ω１に定めて振動させ、前記可動部に外力が加わったときのイミタンス値Ｉ１を測定する工程と、
前記イミタンス値の変化量（Ｉ１−Ｉ０）から、前記可動部の前記外力による変位量を算出することを特徴とする変位測定方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−９３２３１（Ｐ２００７−９３２３１Ａ）
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２７９２２０（Ｐ２００５−２７９２２０）
【出願日】平成１７年９月２７日（２００５．９．２７）
【出願人】（３９００２２４７１）アオイ電子株式会社 (85)
【出願人】（３０４０２８３４６）国立大学法人 香川大学 (285)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月２７日（２００５．９．２７）
【出願人】（３９００２２４７１）アオイ電子株式会社 (85)
【出願人】（３０４０２８３４６）国立大学法人 香川大学 (285)
【Ｆターム（参考）】
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