水晶発振器及びその製造方法
【課題】十分、気密封止・電気的導通が維持され、かつ小型化・薄型化された水晶発振器を極めて高い生産性で得るようにする。
【解決手段】方形状の水晶からなる水晶振動子２０と、該水晶振動子２０の上側主面に金属膜２６，３４を介在して積層接合され、かつ、水晶振動子２０の上側主面に対向する面にＬＳＩを搭載したＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のＬＳＩ搭載カバー３０と、前記水晶振動子２０の下側主面に金属膜２７，４４を介在して積層接合され、かつ、前記水晶振動子２０の下側主面に対向して形成された凹所４１を有するＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子２０と同一外形寸法のベース４０と、からなり、前記水晶振動子２０、前記ＬＳＩ搭載カバー３０及び前記ベース４０とが、それぞれに設けた電極により電気的に接続されている水晶発振器及び前記水晶発振器をウェハレベルで製造する方法に関する。
【解決手段】方形状の水晶からなる水晶振動子２０と、該水晶振動子２０の上側主面に金属膜２６，３４を介在して積層接合され、かつ、水晶振動子２０の上側主面に対向する面にＬＳＩを搭載したＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のＬＳＩ搭載カバー３０と、前記水晶振動子２０の下側主面に金属膜２７，４４を介在して積層接合され、かつ、前記水晶振動子２０の下側主面に対向して形成された凹所４１を有するＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子２０と同一外形寸法のベース４０と、からなり、前記水晶振動子２０、前記ＬＳＩ搭載カバー３０及び前記ベース４０とが、それぞれに設けた電極により電気的に接続されている水晶発振器及び前記水晶発振器をウェハレベルで製造する方法に関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶発振器、とくに水晶振動子とＬＳＩ搭載カバーとベースとをウェハレベルで接合して製造した水晶発振器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装用の水晶発振器は、小型かつ軽量であることから、とくに携帯電話に代表されるコンパクトな移動型の電子機器に、周波数や時間の基準源として使用される。
【０００３】
例えば、図１１に示すように、従来のこの種の水晶発振器１は、積層セラミック板２ａ〜２ｄからなる断面が凹状の容器本体２内に少なくともＩＣチップ４をバンプ５を介して容器本体２の内底面に、また、水晶振動子３を導電性接着剤６でセラミック板２ｂに接着・固定して収容し、金属カバー７を容器本体２の開口端に被せて真空状態で密閉封止する。そして、最下層のセラミック板２ｄの外底面の四隅部にＩＣチップ４の各ＩＣ端子と電気的に接続した電源、出力端子及びアース端子等の実装端子８をそれぞれ設けるようにして構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８８２６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この種の従来の水晶発振器では、小型化、薄型化が要求されているものの、個々のセラミックパッケージ内に水晶振動子とＬＳＩ（ＩＣチップ）をそれぞれ搭載してから金属カバー等で密閉封止しているため、このような小型化、薄型化の要求に対応するのに伴う加工や搭載の精度がさらに厳しくなるため、小型化、薄型化が極めて困難になりつつある。
【０００６】
また、このような従来の水晶発振器では、水晶振動子とＬＳＩとの電気的接合が、セラミックパッケージ内の積層配線を介して行われるため、セラミックや配線がもつ寄生容量やインダクタンス等が水晶発振器の周波数特性を劣化させる問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、上記した課題を解決するために、本発明では、水晶発振器の小型化と同時に水晶振動子とＬＳＩとの電気的接合のための配線をできるかぎり短くするために、個片となる多数の水晶振動子とＬＳＩ搭載カバーと、ベースとをそれぞれ形成したウェハ同志をウェハ状態のまま接合し、ウェハレベルで、それらの電気的接合を直接行うとともに、同時に水晶振動子とＬＳＩを真空封止する。
【０００８】
そのため、本発明の水晶発振器は、方形状の水晶からなる水晶振動子と、該水晶振動子の上側主面に金属膜を介在して積層接合され、かつ、水晶振動子の上側主面に対向する面にＬＳＩを搭載したＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のＬＳＩ搭載カバーと、前記水晶振動子の下側主面に金属膜を介在して積層接合され、かつ、前記水晶振動子の下側主面に対向して形成された凹所を有するＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のベースと、からなり、前記水晶振動子、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記ベースとが、それぞれに設けた電極により電気的に接続され、ウェハレベルで積層接合されて製造される。
【０００９】
また、本発明の水晶発振器は、前記水晶振動子と、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記水晶振動子と前記ベースとの間に介在させた金属膜が、同一材料からなる電気的接合用金属膜及び封止用金属膜から構成され、該電気的接合用金属膜が、前記水晶振動子、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記ベースのフレーム部に、また前記封止用金属膜が、前記フレーム部に成膜して形成される。
【００１０】
さらに、本発明の水晶発振器は、前記水晶振動子と前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記水晶振動子と前記ベースとの間に介在させた金属膜が、前記電極と同一の高さとなるよう形成される。
【００１１】
さらにまた、本発明の水晶発振器は、前記ベースの裏面に、導電性部分をスパッタリングまたは蒸着等で形成する。
【００１２】
また、本発明の水晶発振器は、Ｓｉからなる前記ベースの裏面をリンまたはホウ素でドープして導電性部分を形成する。
【００１３】
さらに、本発明の水晶発振器は、前記導電性部分の上面に絶縁性薄膜を形成する。
【００１４】
また、本発明の水晶発振器の製造方法では、個片となる振動部、電極、電気的接合用金属膜及び封止用金属膜とを両主面に形成した水晶からなる水晶振動子ウェハ、該水晶振動子の上側主面と対向した主面に金属膜を形成し、かつ電極を形成し、電気的接合用金属膜と封止用金属膜とを前記対向した主面に形成したＳｉまたは水晶からなるＬＳＩ形成済ウェハ、ならびに前記水晶振動子の下側主面に対向した主面に凹所及び電極を形成し、さらに電気的接合用金属膜と封止用金属膜とを前記対向した主面に形成したＳｉまたは水晶からなるベースウェハと、を準備する工程と、前記水晶振動子ウェハの前記上側主面にＬＳＩ搭載面を対向させて、前記ＬＳＩ形成済ウェハを積層し、また、前記水晶振動子ウェハの前記下側主面に前記ベースウェハの前記凹所を形成した面を対向させて積層し、位置合せを行う工程と、積層した前記水晶振動子ウェハ、前記ＬＳＩ形成済ウェハならびに前記ベースウェハを前記電気的接合用金属膜及び前記封止用金属膜間で接合して電気的接合と真空封止とを同時に行う工程と、積層接合した前記ベースウェハの底面に外部電極を形成する工程と、接合され、かつ、一体化した前記水晶振動子ウェハ、前記ＬＳＩ形成済ウェハ及び前記ベースウェハとを水晶発振器の各個片に切断する工程と、からなる。
【発明の効果】
【００１５】
ＬＳＩ搭載カバー、水晶振動子及びベースがウェハレベルで一括して製造及び電気的接続・真空封止が同時に行なわれるので、気密封止が維持された小型化・薄型化された水晶発振器が極めて高い生産性で得られる。また、ベースの裏面に形成された導電性部分により、外部ノイズの影響を回避できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の水晶発振器の実施例１の縦断面図である。
【図２】図１に示した本発明の水晶発振器をＬＳＩ搭載カバー、水晶振動子及びベースとに分解して見た斜視図である。
【図３】図１に示した本発明の水晶発振器を分解して見た縦断面図である。
【図４】図１に示した本発明の水晶発振器をパッケージに搭載した実施例を示す縦断面図である。
【図５】本発明の水晶発振器をウェハレベルで接合して製造するのに用いるＬＳＩ形成済ウェハ、水晶振動子ウェハ及びベースウェハの斜視概念図である。
【図６】本発明の実施例１の水晶発振器をウェハレベルで接合して製造する方法の工程を示すフローチャートである。
【図７】本発明の水晶発振器において、水晶発振器が、実装基板に配設された電気配線からの外部信号のノイズの影響を受ける状態を示す縦断面図である。
【図８】本発明の実施例２の水晶発振器において、スパッタリングまたは蒸着により導電性薄膜をベースの裏面に形成し、さらに、該導電性薄膜の上面に絶縁膜を形成した水晶発振器の縦断面図を示す。
【図９】本発明の実施例２の水晶発振器において、Ｓｉからなるベースの裏面にリンまたはホウ素をドープして導電性部分を形成し、さらに、該導電性部分の上面に絶縁膜を形成した水晶発振器の縦断面図を示す。
【図１０】本発明の実施例２の水晶発振器の底面図を示す。
【図１１】従来の水晶発振器の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の水晶発振器及びその製造方法の実施例について、詳細に説明する。
【実施例１】
【００１８】
水晶発振器
本発明の実施例１の水晶発振器１は、図１〜図３に示すように、水晶振動子２０、ＬＳＩ搭載カバー３０及びベース４０とが上下方向に積層接合されて構成されている。
【００１９】
水晶振動子２０は、正方形状等の方形状の水晶板から形成され、この水晶板に形成した開口部２１と、この開口部２１内に水晶板に連接して形成された水晶振動片２２とからなり、水晶振動片２２の両主面に形成された励振電極２３が引出電極２４を介してＬＳＩ搭載カバー３０の端子電極３５及びベース４０の端子電極４２にそれぞれ電気的に接続されている。とくに、本発明の実施例では、水晶振動子２０を構成する水晶板の両主面の外枠に接合部材及び電気的接合部材として機能する水晶片（チップ）外周に沿って形成されたフレーム部２６，２７が、水晶振動片２２の両主面に形成された端子電極２８，２９と、ほぼ同じ高さになるよう金属膜を成膜して形成されている。
【００２０】
また、水晶振動子２０の上側主面に積層接合されたＬＳＩ搭載カバー３０は、水晶振動子２０と同一外形寸法をもつＳｉまたは水晶より形成され、水晶振動子２０の上主面と対向する面には、金属膜３３が成膜されて、この金属膜３３の表面にＬＳＩが搭載されている。ＬＳＩ搭載カバー３０の下側主面の外枠部（外縁）には、水晶振動子２０に形成したフレーム部２６に対向して接合された金属膜からなるフレーム部３４と、このフレーム部３４と、ほぼ同じ高さをもつ端子電極３５が形成されて気密封止されるとともに、直接、電気的な導通が取られている。
【００２１】
さらに、ベース４０は、水晶振動子２０の下側主面に積層接合され、水晶振動子２０と同一の外形寸法をもつＳｉウェハまたは水晶ウェハから形成されている。このベース４０の水晶振動子２０の下側主面と対向する面には所定深さのキャビティ（凹所）４１が形成されるとともに、水晶振動子２０の下側主面に形成されたフレーム部２７と対向して接合される枠状の金属膜からなるフレーム部４４が形成されている。さらに、ベース４０の上側主面には、フレーム部４４と、ほぼ同一高さの端子電極４２が設けられていて、ベース４０に形成されたビアホールに設けられた貫通電極４２ａを介して実装端子４３に電気的に接続されている。
【００２２】
本発明の実施例１の水晶発振器では、水晶振動子を形成する水晶ウェハに個片となる多数の水晶振動片が形成されているとともに、水晶振動子の上側主面との対向面に、水晶振動片に対応する積層したＬＳＩ搭載カバー自体にＬＳＩが搭載されているのに加えて、ベースの上側主面にキャビティ（凹所）が設けられているので、水晶振動子の振動を妨げることなく、小型化、薄型化した水晶発振器を構成できるようになる。
【００２３】
また、本発明の水晶発振器の実施例１の変形例として、図４に示すように、ＬＳＩ搭載カバー３０のみを水晶振動子２０に接合し、これらをセラミック等からなるパッケージ５０内にベース４０を介在せずに搭載し、パッケージ５０の底面の四隅に設けた実装端子５１に貫通電極５２を介して電気的に接続するとともに、金属カバー６０を被せて水晶発振器１ａを構成して、本発明の水晶発振器を従来品と同一寸法の製品に実装できるようにしてもよい。
【００２４】
水晶発振器の製造方法
次に本発明の実施例１の水晶発振器の製造方法を図５及び図６について説明する。
【００２５】
まず、図５は、複数の水晶振動片が形成された水晶振動子ウェハ２００と、複数のＬＳＩが搭載されたＬＳＩ形成済ウェハ３００と、凹部、ビアホール等が形成されたベースウェハ４００とを積層して接合する前の状態を概念的に示す斜視図であって、これらを接合して、ウェハレベルで個片に切断する前の多数の水晶発振器を一括して製造する。
【００２６】
そこで、図６に基づいて、本発明の水晶発振器の製造に用いる水晶振動子ウェハ２００、ＬＳＩ形成済ウェハ３００及びベースウェハ４００それぞれの接合前の製造工程をそれぞれについて説明する。
【００２７】
まず、図６の中央部に示すように、個片に切断後、多数の水晶振動片となる水晶振動子ウェハ２００を準備し（Ｓ１０）、エッチング等により多数の個片の振動部、開口部及び貫通電極等を形成するビアホール等を加工する（Ｓ１１，Ｓ１２）。そして、加工したビアホール等にメッキ等により端子・貫通電極を形成するとともに、蒸着・スパッタリング等により水晶振動片の振動部に励振・引出電極を形成する（Ｓ１３）。次いで、先に形成した個片の各振動部の開口部を囲むフレーム部に、後工程でＬＳＩ形成済ウェハ３００及びベースウェハ４００と電気的接合をとるための所定厚みの金属膜を、水晶振動片にした際外周部分となる範囲に、スパッタリング、蒸着、メッキ等により、成膜して形成する（Ｓ１４）。この金属膜の材料としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ等が適当であるとともに、十分な電気的接合がとれる寸法とする。次いで、真空封止のためのシール（封止）用金属膜２６，２７を各水晶振動片の外周部に沿って、その両主面に、電気的に接合する電極部と同一の高さになるように、成膜して形成する（Ｓ１５）。このシール用金属膜（フレーム部）２６，２７は、先の電気的接合（Ｓ１４）に用いた金属膜と同一の材料及び成膜方法による。また、シール用金属膜の厚さは、Ｓｉまたは水晶ウェハからなるＬＳＩ形成済ウェハ及びベースウェハとの接合時の“そり”を十分吸収できる寸法とする。
【００２８】
次いで、図６の左側に示すように、Ｓｉまたは水晶からなる個片に切断後、ＬＳＩ搭載カバーを構成するＬＳＩ形成済ウェハ３００を準備し（Ｓ３０）、その下側主面に蒸着、スパッタリング等により金属膜を成膜して形成し（Ｓ３１）、かつ、所定の端子電極を形成する（Ｓ３２）。その後、前述した水晶ウェハと同様に、個片のＬＳＩ搭載カバーとなるＬＳＩ形成済ウェハ３００のウェハ部分の下側を囲むフレーム部に、水晶ウェハに成膜した金属膜と同一材料及び成膜方法により電気的接合用金属膜の形成（Ｓ３３）及び封止（シール）用金属膜の形成を行う（Ｓ３４）。
【００２９】
最後に、図６の右側に示すように、Ｓｉまたは水晶あるいはセラミックから構成された個片に切断後、ベースとなるベースウェハ４００を準備し（Ｓ４０）、ウェットエッチング等により個片となる各ベースの一方（水晶振動子ウェハ２００の下側主面に対向した面）の主面中央にキャビティ（凹所）を形成する（Ｓ４１）。次いで、エッチング等により各個片ベースに相当する部分にビアホールを形成して（Ｓ４２）、メッキ等により貫通電極４２ａ及び貫通電極の上端に端子電極４２を成形する（Ｓ４３）。その後、水晶振動子ウェハと同様の材料及び成膜方法により個片となるベースのフレーム部に電気的接合用の金属膜４４を成膜して形成し（Ｓ４４）、さらに、個片となるベースの外周部に封止用金属膜を電気的接合用金属膜４４及び端子電極４２と同じ高さに成膜して形成する（Ｓ４５）。
【００３０】
前述のようにして、水晶振動子ウェハ２００、ＬＳＩ形成済ウェハ３００及びベースウェハ４００に所定の加工を施した後、水晶振動子を形成したウェハ、ＬＳＩを搭載したウェハ及びベースウェハをウェハレベルで直接積層接合し、電気的接合と真空封止とをウェハレベルで同時に行うようにする。
【００３１】
すなわち、図６の中央下側部に示すように、ＬＳＩが搭載されたＬＳＩ形成済ウェハ３００と水晶振動子ウェハ２００とベースウェハ４００とを水晶振動子ウェハ２００を間に挟みこむように積層して位置合せ（アライメント）をまず行う（Ｓ１６）。次いで、熱間圧接、共晶接合、表面活性化接合、陽極接合等の技法により、上述した３個のウェハをウェハレベルで接合して一体化し、電気的接合と真空封止とを同時に行う（Ｓ１７）。この接合により、水晶振動子、ＬＳＩ及びベースの直接的な電気的導通が可能になる。とくに、貫通電極により直接、水晶振動子とＬＳＩが電気的に接続されるため、極めて良好な周波数特性が得られるようになる。次いで、積層したベースウェハ４００の底面に形成された各個片に相当する部分の四隅に実装用の外部電極４３をそれぞれ形成し（Ｓ１８）、個々の水晶発振器の周波数を調整した後（Ｓ１９）、積層接合した３枚のウェハをダイシングソー等により水晶発振器の個片に切断し（Ｓ２０）、出荷する。
【００３２】
これにより、ＬＳＩ搭載カバー３０、水晶振動子２０及びベース４０間の電気的導通をすべてウェハレベル接合で行うとともに、気密封止が維持され、かつ、小型化・薄型化された水晶発振器が極めて高い生産性を保って得られるようになる。
【実施例２】
【００３３】
水晶発振器
前述した実施例１の水晶発振器によれば、気密封止が十分維持され、かつ、小型化・薄型化された水晶発振器が極めて高い生産性を保って得られる。しかし、本発明のように、水晶発振器１のベース４０に半導体材料であるＳｉウェハを用いる場合、図７に示すように、水晶発振器１を基板５０に実装・搭載後に、特に水晶発振器（デバイス）１の真下に別信号配線５０ａがあると、デバイス自体が外部ノイズの影響を受けるおそれがある。
【００３４】
そこで、このような問題点を解決するために、本発明の実施例２の水晶発振器では、ベース（ベース基板）４０の下部に導電性を有する個所を形成して、ベース４０の裏面に配設された実装端子４３（ＩＮ，ＯＵＴ，ＤＣ）の電位を実装端子４３（ＧＮＤ）の電位にする。
【００３５】
すなわち、水晶発振器の小型化・薄型化とともに、水晶発振器が実装・搭載される基板（例えば、プリント基板）においても、高密度の実装がなされており、そのため配線の引き回しスペースとして、水晶発振器の電極端子間を跨いで通し配線されることが多い。しかし、ベース（ベース基板）に、本発明のように、Ｓｉウェハを用いると、水晶発振器の下に設けられた電気配線からの外部信号のノイズを水晶発振器が拾ってしまうおそれがある。
【００３６】
そこで、本実施例２の水晶発振器１では、図１０に示すベース４０の裏面４０ａの実装端子（パッド）４３間の中央領域に、図８に示すように、例えば、Ｃｒ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の導電性の、例えば、１μｍ以下の薄膜５１ａをスパッタリングあるいは蒸着により形成する。
【００３７】
あるいは、図９に示すように、前記中央領域に相当するＳｉで形成されているベース４０の裏面の部分にリン（Ｐ）またはホウ素（Ｂ）を適量ドープしてドープ部（導電性部分）５１ｂを形成して、導電性を向上させる。
【００３８】
そして、それらの導電性部分５１ａ，５１ｂをベース４０の裏面４０ａに設けた実装端子４３のＧＮＤ端子に直接配線４３ｂして、ＧＮＤの電位を落して、水晶発振器１が基板（搭載基板）５０に設けられた電気配線からのノイズをキャンセルし、その影響を受け難くする。併せて、放熱効果も奏するようになる。
【００３９】
さらに、水晶発振器１を搭載する基板５０に設けられた電気配線とのショート（短絡）を防止するために、前記した導電性部分５１ａ，５１ｂの上面に、図８〜図１０に示すように、例えば、ポリイミド樹脂等を塗布して絶縁性の膜（絶縁膜）５２ａ，５２ｂを形成する。
【００４０】
水晶発振器の製造方法
次に、本発明の実施例２の水晶発振器の製造方法を図６について説明する。
【００４１】
まず、図６に示す前出実施例１の水晶発振器の製造方法の工程Ｓ１８（外部電極形成）の工程で、スパッタリング、蒸着により、または工程Ｓ１７（接合・封止）と工程１８（外部電極形成）との間にリン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等の不純物ドープにより、ベース４０の裏面４０ａに導電性部分（導電性薄膜５１ａ、Ｐ−Ｂドープ部５２ｂ）を形成する。次いで、これらの形成した導電性部分５１ａ，５１ｂの上面に、ポリイミド樹脂等を塗布して絶縁性の膜（絶縁膜）５２ａ，５２ｂを形成する。
【符号の説明】
【００４２】
１ 水晶発振器
２ 実装基板（パッケージ）
３ 水晶振動子
４ ＩＣチップ
５ バンプ
６ 導電性接着剤
７ 金属カバー
８ 実装端子
２０ 水晶振動子
２１ 開口部
２２ 水晶振動片
２３ 励振電極
２４ 引出電極
２５ 端子電極
２６ フレーム部
２７ フレーム部
２８ 端子電極
２８ａ 貫通電極
２９ 端子電極
３０ ＬＳＩ搭載カバー
３３ 金属膜（ＬＳＩ用）
３４ フレーム部
３５ 端子電極
４０ ベース
４１ キャビティ（凹所）
４２ 端子電極
４２ａ 貫通電極
４３ 実装端子
４４ フレーム部
５０ パッケージ（容器本体）
５１ 実装端子
５１ａ，５１ｂ 導電性部分
５２ａ，５２ｂ 絶縁膜
５２ 貫通電極
６０ 金属カバー
２００ 水晶振動子ウェハ
３００ ＬＳＩ形成済ウェハ
４００ ベースウェハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶発振器、とくに水晶振動子とＬＳＩ搭載カバーとベースとをウェハレベルで接合して製造した水晶発振器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装用の水晶発振器は、小型かつ軽量であることから、とくに携帯電話に代表されるコンパクトな移動型の電子機器に、周波数や時間の基準源として使用される。
【０００３】
例えば、図１１に示すように、従来のこの種の水晶発振器１は、積層セラミック板２ａ〜２ｄからなる断面が凹状の容器本体２内に少なくともＩＣチップ４をバンプ５を介して容器本体２の内底面に、また、水晶振動子３を導電性接着剤６でセラミック板２ｂに接着・固定して収容し、金属カバー７を容器本体２の開口端に被せて真空状態で密閉封止する。そして、最下層のセラミック板２ｄの外底面の四隅部にＩＣチップ４の各ＩＣ端子と電気的に接続した電源、出力端子及びアース端子等の実装端子８をそれぞれ設けるようにして構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８８２６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この種の従来の水晶発振器では、小型化、薄型化が要求されているものの、個々のセラミックパッケージ内に水晶振動子とＬＳＩ（ＩＣチップ）をそれぞれ搭載してから金属カバー等で密閉封止しているため、このような小型化、薄型化の要求に対応するのに伴う加工や搭載の精度がさらに厳しくなるため、小型化、薄型化が極めて困難になりつつある。
【０００６】
また、このような従来の水晶発振器では、水晶振動子とＬＳＩとの電気的接合が、セラミックパッケージ内の積層配線を介して行われるため、セラミックや配線がもつ寄生容量やインダクタンス等が水晶発振器の周波数特性を劣化させる問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、上記した課題を解決するために、本発明では、水晶発振器の小型化と同時に水晶振動子とＬＳＩとの電気的接合のための配線をできるかぎり短くするために、個片となる多数の水晶振動子とＬＳＩ搭載カバーと、ベースとをそれぞれ形成したウェハ同志をウェハ状態のまま接合し、ウェハレベルで、それらの電気的接合を直接行うとともに、同時に水晶振動子とＬＳＩを真空封止する。
【０００８】
そのため、本発明の水晶発振器は、方形状の水晶からなる水晶振動子と、該水晶振動子の上側主面に金属膜を介在して積層接合され、かつ、水晶振動子の上側主面に対向する面にＬＳＩを搭載したＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のＬＳＩ搭載カバーと、前記水晶振動子の下側主面に金属膜を介在して積層接合され、かつ、前記水晶振動子の下側主面に対向して形成された凹所を有するＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のベースと、からなり、前記水晶振動子、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記ベースとが、それぞれに設けた電極により電気的に接続され、ウェハレベルで積層接合されて製造される。
【０００９】
また、本発明の水晶発振器は、前記水晶振動子と、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記水晶振動子と前記ベースとの間に介在させた金属膜が、同一材料からなる電気的接合用金属膜及び封止用金属膜から構成され、該電気的接合用金属膜が、前記水晶振動子、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記ベースのフレーム部に、また前記封止用金属膜が、前記フレーム部に成膜して形成される。
【００１０】
さらに、本発明の水晶発振器は、前記水晶振動子と前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記水晶振動子と前記ベースとの間に介在させた金属膜が、前記電極と同一の高さとなるよう形成される。
【００１１】
さらにまた、本発明の水晶発振器は、前記ベースの裏面に、導電性部分をスパッタリングまたは蒸着等で形成する。
【００１２】
また、本発明の水晶発振器は、Ｓｉからなる前記ベースの裏面をリンまたはホウ素でドープして導電性部分を形成する。
【００１３】
さらに、本発明の水晶発振器は、前記導電性部分の上面に絶縁性薄膜を形成する。
【００１４】
また、本発明の水晶発振器の製造方法では、個片となる振動部、電極、電気的接合用金属膜及び封止用金属膜とを両主面に形成した水晶からなる水晶振動子ウェハ、該水晶振動子の上側主面と対向した主面に金属膜を形成し、かつ電極を形成し、電気的接合用金属膜と封止用金属膜とを前記対向した主面に形成したＳｉまたは水晶からなるＬＳＩ形成済ウェハ、ならびに前記水晶振動子の下側主面に対向した主面に凹所及び電極を形成し、さらに電気的接合用金属膜と封止用金属膜とを前記対向した主面に形成したＳｉまたは水晶からなるベースウェハと、を準備する工程と、前記水晶振動子ウェハの前記上側主面にＬＳＩ搭載面を対向させて、前記ＬＳＩ形成済ウェハを積層し、また、前記水晶振動子ウェハの前記下側主面に前記ベースウェハの前記凹所を形成した面を対向させて積層し、位置合せを行う工程と、積層した前記水晶振動子ウェハ、前記ＬＳＩ形成済ウェハならびに前記ベースウェハを前記電気的接合用金属膜及び前記封止用金属膜間で接合して電気的接合と真空封止とを同時に行う工程と、積層接合した前記ベースウェハの底面に外部電極を形成する工程と、接合され、かつ、一体化した前記水晶振動子ウェハ、前記ＬＳＩ形成済ウェハ及び前記ベースウェハとを水晶発振器の各個片に切断する工程と、からなる。
【発明の効果】
【００１５】
ＬＳＩ搭載カバー、水晶振動子及びベースがウェハレベルで一括して製造及び電気的接続・真空封止が同時に行なわれるので、気密封止が維持された小型化・薄型化された水晶発振器が極めて高い生産性で得られる。また、ベースの裏面に形成された導電性部分により、外部ノイズの影響を回避できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の水晶発振器の実施例１の縦断面図である。
【図２】図１に示した本発明の水晶発振器をＬＳＩ搭載カバー、水晶振動子及びベースとに分解して見た斜視図である。
【図３】図１に示した本発明の水晶発振器を分解して見た縦断面図である。
【図４】図１に示した本発明の水晶発振器をパッケージに搭載した実施例を示す縦断面図である。
【図５】本発明の水晶発振器をウェハレベルで接合して製造するのに用いるＬＳＩ形成済ウェハ、水晶振動子ウェハ及びベースウェハの斜視概念図である。
【図６】本発明の実施例１の水晶発振器をウェハレベルで接合して製造する方法の工程を示すフローチャートである。
【図７】本発明の水晶発振器において、水晶発振器が、実装基板に配設された電気配線からの外部信号のノイズの影響を受ける状態を示す縦断面図である。
【図８】本発明の実施例２の水晶発振器において、スパッタリングまたは蒸着により導電性薄膜をベースの裏面に形成し、さらに、該導電性薄膜の上面に絶縁膜を形成した水晶発振器の縦断面図を示す。
【図９】本発明の実施例２の水晶発振器において、Ｓｉからなるベースの裏面にリンまたはホウ素をドープして導電性部分を形成し、さらに、該導電性部分の上面に絶縁膜を形成した水晶発振器の縦断面図を示す。
【図１０】本発明の実施例２の水晶発振器の底面図を示す。
【図１１】従来の水晶発振器の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の水晶発振器及びその製造方法の実施例について、詳細に説明する。
【実施例１】
【００１８】
水晶発振器
本発明の実施例１の水晶発振器１は、図１〜図３に示すように、水晶振動子２０、ＬＳＩ搭載カバー３０及びベース４０とが上下方向に積層接合されて構成されている。
【００１９】
水晶振動子２０は、正方形状等の方形状の水晶板から形成され、この水晶板に形成した開口部２１と、この開口部２１内に水晶板に連接して形成された水晶振動片２２とからなり、水晶振動片２２の両主面に形成された励振電極２３が引出電極２４を介してＬＳＩ搭載カバー３０の端子電極３５及びベース４０の端子電極４２にそれぞれ電気的に接続されている。とくに、本発明の実施例では、水晶振動子２０を構成する水晶板の両主面の外枠に接合部材及び電気的接合部材として機能する水晶片（チップ）外周に沿って形成されたフレーム部２６，２７が、水晶振動片２２の両主面に形成された端子電極２８，２９と、ほぼ同じ高さになるよう金属膜を成膜して形成されている。
【００２０】
また、水晶振動子２０の上側主面に積層接合されたＬＳＩ搭載カバー３０は、水晶振動子２０と同一外形寸法をもつＳｉまたは水晶より形成され、水晶振動子２０の上主面と対向する面には、金属膜３３が成膜されて、この金属膜３３の表面にＬＳＩが搭載されている。ＬＳＩ搭載カバー３０の下側主面の外枠部（外縁）には、水晶振動子２０に形成したフレーム部２６に対向して接合された金属膜からなるフレーム部３４と、このフレーム部３４と、ほぼ同じ高さをもつ端子電極３５が形成されて気密封止されるとともに、直接、電気的な導通が取られている。
【００２１】
さらに、ベース４０は、水晶振動子２０の下側主面に積層接合され、水晶振動子２０と同一の外形寸法をもつＳｉウェハまたは水晶ウェハから形成されている。このベース４０の水晶振動子２０の下側主面と対向する面には所定深さのキャビティ（凹所）４１が形成されるとともに、水晶振動子２０の下側主面に形成されたフレーム部２７と対向して接合される枠状の金属膜からなるフレーム部４４が形成されている。さらに、ベース４０の上側主面には、フレーム部４４と、ほぼ同一高さの端子電極４２が設けられていて、ベース４０に形成されたビアホールに設けられた貫通電極４２ａを介して実装端子４３に電気的に接続されている。
【００２２】
本発明の実施例１の水晶発振器では、水晶振動子を形成する水晶ウェハに個片となる多数の水晶振動片が形成されているとともに、水晶振動子の上側主面との対向面に、水晶振動片に対応する積層したＬＳＩ搭載カバー自体にＬＳＩが搭載されているのに加えて、ベースの上側主面にキャビティ（凹所）が設けられているので、水晶振動子の振動を妨げることなく、小型化、薄型化した水晶発振器を構成できるようになる。
【００２３】
また、本発明の水晶発振器の実施例１の変形例として、図４に示すように、ＬＳＩ搭載カバー３０のみを水晶振動子２０に接合し、これらをセラミック等からなるパッケージ５０内にベース４０を介在せずに搭載し、パッケージ５０の底面の四隅に設けた実装端子５１に貫通電極５２を介して電気的に接続するとともに、金属カバー６０を被せて水晶発振器１ａを構成して、本発明の水晶発振器を従来品と同一寸法の製品に実装できるようにしてもよい。
【００２４】
水晶発振器の製造方法
次に本発明の実施例１の水晶発振器の製造方法を図５及び図６について説明する。
【００２５】
まず、図５は、複数の水晶振動片が形成された水晶振動子ウェハ２００と、複数のＬＳＩが搭載されたＬＳＩ形成済ウェハ３００と、凹部、ビアホール等が形成されたベースウェハ４００とを積層して接合する前の状態を概念的に示す斜視図であって、これらを接合して、ウェハレベルで個片に切断する前の多数の水晶発振器を一括して製造する。
【００２６】
そこで、図６に基づいて、本発明の水晶発振器の製造に用いる水晶振動子ウェハ２００、ＬＳＩ形成済ウェハ３００及びベースウェハ４００それぞれの接合前の製造工程をそれぞれについて説明する。
【００２７】
まず、図６の中央部に示すように、個片に切断後、多数の水晶振動片となる水晶振動子ウェハ２００を準備し（Ｓ１０）、エッチング等により多数の個片の振動部、開口部及び貫通電極等を形成するビアホール等を加工する（Ｓ１１，Ｓ１２）。そして、加工したビアホール等にメッキ等により端子・貫通電極を形成するとともに、蒸着・スパッタリング等により水晶振動片の振動部に励振・引出電極を形成する（Ｓ１３）。次いで、先に形成した個片の各振動部の開口部を囲むフレーム部に、後工程でＬＳＩ形成済ウェハ３００及びベースウェハ４００と電気的接合をとるための所定厚みの金属膜を、水晶振動片にした際外周部分となる範囲に、スパッタリング、蒸着、メッキ等により、成膜して形成する（Ｓ１４）。この金属膜の材料としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ等が適当であるとともに、十分な電気的接合がとれる寸法とする。次いで、真空封止のためのシール（封止）用金属膜２６，２７を各水晶振動片の外周部に沿って、その両主面に、電気的に接合する電極部と同一の高さになるように、成膜して形成する（Ｓ１５）。このシール用金属膜（フレーム部）２６，２７は、先の電気的接合（Ｓ１４）に用いた金属膜と同一の材料及び成膜方法による。また、シール用金属膜の厚さは、Ｓｉまたは水晶ウェハからなるＬＳＩ形成済ウェハ及びベースウェハとの接合時の“そり”を十分吸収できる寸法とする。
【００２８】
次いで、図６の左側に示すように、Ｓｉまたは水晶からなる個片に切断後、ＬＳＩ搭載カバーを構成するＬＳＩ形成済ウェハ３００を準備し（Ｓ３０）、その下側主面に蒸着、スパッタリング等により金属膜を成膜して形成し（Ｓ３１）、かつ、所定の端子電極を形成する（Ｓ３２）。その後、前述した水晶ウェハと同様に、個片のＬＳＩ搭載カバーとなるＬＳＩ形成済ウェハ３００のウェハ部分の下側を囲むフレーム部に、水晶ウェハに成膜した金属膜と同一材料及び成膜方法により電気的接合用金属膜の形成（Ｓ３３）及び封止（シール）用金属膜の形成を行う（Ｓ３４）。
【００２９】
最後に、図６の右側に示すように、Ｓｉまたは水晶あるいはセラミックから構成された個片に切断後、ベースとなるベースウェハ４００を準備し（Ｓ４０）、ウェットエッチング等により個片となる各ベースの一方（水晶振動子ウェハ２００の下側主面に対向した面）の主面中央にキャビティ（凹所）を形成する（Ｓ４１）。次いで、エッチング等により各個片ベースに相当する部分にビアホールを形成して（Ｓ４２）、メッキ等により貫通電極４２ａ及び貫通電極の上端に端子電極４２を成形する（Ｓ４３）。その後、水晶振動子ウェハと同様の材料及び成膜方法により個片となるベースのフレーム部に電気的接合用の金属膜４４を成膜して形成し（Ｓ４４）、さらに、個片となるベースの外周部に封止用金属膜を電気的接合用金属膜４４及び端子電極４２と同じ高さに成膜して形成する（Ｓ４５）。
【００３０】
前述のようにして、水晶振動子ウェハ２００、ＬＳＩ形成済ウェハ３００及びベースウェハ４００に所定の加工を施した後、水晶振動子を形成したウェハ、ＬＳＩを搭載したウェハ及びベースウェハをウェハレベルで直接積層接合し、電気的接合と真空封止とをウェハレベルで同時に行うようにする。
【００３１】
すなわち、図６の中央下側部に示すように、ＬＳＩが搭載されたＬＳＩ形成済ウェハ３００と水晶振動子ウェハ２００とベースウェハ４００とを水晶振動子ウェハ２００を間に挟みこむように積層して位置合せ（アライメント）をまず行う（Ｓ１６）。次いで、熱間圧接、共晶接合、表面活性化接合、陽極接合等の技法により、上述した３個のウェハをウェハレベルで接合して一体化し、電気的接合と真空封止とを同時に行う（Ｓ１７）。この接合により、水晶振動子、ＬＳＩ及びベースの直接的な電気的導通が可能になる。とくに、貫通電極により直接、水晶振動子とＬＳＩが電気的に接続されるため、極めて良好な周波数特性が得られるようになる。次いで、積層したベースウェハ４００の底面に形成された各個片に相当する部分の四隅に実装用の外部電極４３をそれぞれ形成し（Ｓ１８）、個々の水晶発振器の周波数を調整した後（Ｓ１９）、積層接合した３枚のウェハをダイシングソー等により水晶発振器の個片に切断し（Ｓ２０）、出荷する。
【００３２】
これにより、ＬＳＩ搭載カバー３０、水晶振動子２０及びベース４０間の電気的導通をすべてウェハレベル接合で行うとともに、気密封止が維持され、かつ、小型化・薄型化された水晶発振器が極めて高い生産性を保って得られるようになる。
【実施例２】
【００３３】
水晶発振器
前述した実施例１の水晶発振器によれば、気密封止が十分維持され、かつ、小型化・薄型化された水晶発振器が極めて高い生産性を保って得られる。しかし、本発明のように、水晶発振器１のベース４０に半導体材料であるＳｉウェハを用いる場合、図７に示すように、水晶発振器１を基板５０に実装・搭載後に、特に水晶発振器（デバイス）１の真下に別信号配線５０ａがあると、デバイス自体が外部ノイズの影響を受けるおそれがある。
【００３４】
そこで、このような問題点を解決するために、本発明の実施例２の水晶発振器では、ベース（ベース基板）４０の下部に導電性を有する個所を形成して、ベース４０の裏面に配設された実装端子４３（ＩＮ，ＯＵＴ，ＤＣ）の電位を実装端子４３（ＧＮＤ）の電位にする。
【００３５】
すなわち、水晶発振器の小型化・薄型化とともに、水晶発振器が実装・搭載される基板（例えば、プリント基板）においても、高密度の実装がなされており、そのため配線の引き回しスペースとして、水晶発振器の電極端子間を跨いで通し配線されることが多い。しかし、ベース（ベース基板）に、本発明のように、Ｓｉウェハを用いると、水晶発振器の下に設けられた電気配線からの外部信号のノイズを水晶発振器が拾ってしまうおそれがある。
【００３６】
そこで、本実施例２の水晶発振器１では、図１０に示すベース４０の裏面４０ａの実装端子（パッド）４３間の中央領域に、図８に示すように、例えば、Ｃｒ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の導電性の、例えば、１μｍ以下の薄膜５１ａをスパッタリングあるいは蒸着により形成する。
【００３７】
あるいは、図９に示すように、前記中央領域に相当するＳｉで形成されているベース４０の裏面の部分にリン（Ｐ）またはホウ素（Ｂ）を適量ドープしてドープ部（導電性部分）５１ｂを形成して、導電性を向上させる。
【００３８】
そして、それらの導電性部分５１ａ，５１ｂをベース４０の裏面４０ａに設けた実装端子４３のＧＮＤ端子に直接配線４３ｂして、ＧＮＤの電位を落して、水晶発振器１が基板（搭載基板）５０に設けられた電気配線からのノイズをキャンセルし、その影響を受け難くする。併せて、放熱効果も奏するようになる。
【００３９】
さらに、水晶発振器１を搭載する基板５０に設けられた電気配線とのショート（短絡）を防止するために、前記した導電性部分５１ａ，５１ｂの上面に、図８〜図１０に示すように、例えば、ポリイミド樹脂等を塗布して絶縁性の膜（絶縁膜）５２ａ，５２ｂを形成する。
【００４０】
水晶発振器の製造方法
次に、本発明の実施例２の水晶発振器の製造方法を図６について説明する。
【００４１】
まず、図６に示す前出実施例１の水晶発振器の製造方法の工程Ｓ１８（外部電極形成）の工程で、スパッタリング、蒸着により、または工程Ｓ１７（接合・封止）と工程１８（外部電極形成）との間にリン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等の不純物ドープにより、ベース４０の裏面４０ａに導電性部分（導電性薄膜５１ａ、Ｐ−Ｂドープ部５２ｂ）を形成する。次いで、これらの形成した導電性部分５１ａ，５１ｂの上面に、ポリイミド樹脂等を塗布して絶縁性の膜（絶縁膜）５２ａ，５２ｂを形成する。
【符号の説明】
【００４２】
１ 水晶発振器
２ 実装基板（パッケージ）
３ 水晶振動子
４ ＩＣチップ
５ バンプ
６ 導電性接着剤
７ 金属カバー
８ 実装端子
２０ 水晶振動子
２１ 開口部
２２ 水晶振動片
２３ 励振電極
２４ 引出電極
２５ 端子電極
２６ フレーム部
２７ フレーム部
２８ 端子電極
２８ａ 貫通電極
２９ 端子電極
３０ ＬＳＩ搭載カバー
３３ 金属膜（ＬＳＩ用）
３４ フレーム部
３５ 端子電極
４０ ベース
４１ キャビティ（凹所）
４２ 端子電極
４２ａ 貫通電極
４３ 実装端子
４４ フレーム部
５０ パッケージ（容器本体）
５１ 実装端子
５１ａ，５１ｂ 導電性部分
５２ａ，５２ｂ 絶縁膜
５２ 貫通電極
６０ 金属カバー
２００ 水晶振動子ウェハ
３００ ＬＳＩ形成済ウェハ
４００ ベースウェハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方形状の水晶からなる水晶振動子と、該水晶振動子の上側主面に金属膜を介在して積層接合され、かつ、水晶振動子の上側主面に対向する面にＬＳＩを搭載したＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のＬＳＩ搭載カバーと、前記水晶振動子の下側主面に金属膜を介在して積層接合され、かつ、前記水晶振動子の下側主面に対向して形成された凹所を有するＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のベースと、からなり、前記水晶振動子、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記ベースとが、それぞれに設けた電極により電気的に接続されているウェハレベルで積層接合して製造したことを特徴とする水晶発振器。
【請求項２】
前記水晶振動子と、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記水晶振動子と前記ベースとの間に介在させた金属膜が、同一材料からなる電気的接合用金属膜及び封止用金属膜から構成され、該電気的接合用金属膜が、前記水晶振動子、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記ベースのフレーム部に、また前記封止用金属膜が、前記フレーム部の外周部に成膜して形成されることを特徴とする請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項３】
前記水晶振動子と前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記水晶振動子と前記ベースとの間に介在させた金属膜が、前記電極と同一の高さとなるよう形成されていることを特徴とする請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項４】
前記ベースの裏面に導電性部分をスパッタリングまたは蒸着等で形成したことを特徴とする請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項５】
Ｓｉからなる前記ベースの裏面にリンまたはホウ素をドープして導電性部分を形成したことを特徴とする請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項６】
前記導電性部分の上面に絶縁性薄膜を形成したことを特徴とする請求項４または５に記載の水晶発振器。
【請求項７】
個片となる振動部、電極、電気的接合用金属膜及び封止用金属膜とを両主面に形成した水晶からなる水晶振動子ウェハ、該水晶振動子の上側主面と対向した主面に金属膜を形成し、ＬＳＩを搭載し、かつ、電気的接合用金属膜と封止用金属膜とを前記対向した主面に形成したＳｉまたは水晶からなるＬＳＩ形成済ウェハ、ならびに前記水晶振動子の下側主面に対向した主面に凹所及び電極を形成し、さらに電気的接合用金属膜と封止用金属膜とを前記対向した主面に形成したＳｉまたは水晶からなるベースウェハと、を準備する工程と、
前記水晶振動子ウェハの前記上側主面にＬＳＩ搭載面を対向させて、前記ＬＳＩ形成済ウェハを積層し、また、前記水晶振動子ウェハの前記下側主面に前記ベースウェハの前記凹所を形成した面を対向させて積層し、位置合せを行う工程と、
積層した前記水晶振動子ウェハ、前記ＬＳＩ形成済ウェハならびに前記ベースウェハを前記電気的接合用金属膜及び前記封止用金属膜間で接合して電気的接合と真空封止とを同時に行う工程と、
積層接合した前記ベースウェハの底面に外部電極を形成する工程と、
接合され、かつ、一体化した前記水晶振動子ウェハ、前記ＬＳＩ形成済ウェハ及び前記ベースウェハとを各個片に切断する工程と、
からなることを特徴とする水晶発振器の製造方法。
【請求項１】
方形状の水晶からなる水晶振動子と、該水晶振動子の上側主面に金属膜を介在して積層接合され、かつ、水晶振動子の上側主面に対向する面にＬＳＩを搭載したＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のＬＳＩ搭載カバーと、前記水晶振動子の下側主面に金属膜を介在して積層接合され、かつ、前記水晶振動子の下側主面に対向して形成された凹所を有するＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のベースと、からなり、前記水晶振動子、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記ベースとが、それぞれに設けた電極により電気的に接続されているウェハレベルで積層接合して製造したことを特徴とする水晶発振器。
【請求項２】
前記水晶振動子と、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記水晶振動子と前記ベースとの間に介在させた金属膜が、同一材料からなる電気的接合用金属膜及び封止用金属膜から構成され、該電気的接合用金属膜が、前記水晶振動子、前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記ベースのフレーム部に、また前記封止用金属膜が、前記フレーム部の外周部に成膜して形成されることを特徴とする請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項３】
前記水晶振動子と前記ＬＳＩ搭載カバー及び前記水晶振動子と前記ベースとの間に介在させた金属膜が、前記電極と同一の高さとなるよう形成されていることを特徴とする請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項４】
前記ベースの裏面に導電性部分をスパッタリングまたは蒸着等で形成したことを特徴とする請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項５】
Ｓｉからなる前記ベースの裏面にリンまたはホウ素をドープして導電性部分を形成したことを特徴とする請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項６】
前記導電性部分の上面に絶縁性薄膜を形成したことを特徴とする請求項４または５に記載の水晶発振器。
【請求項７】
個片となる振動部、電極、電気的接合用金属膜及び封止用金属膜とを両主面に形成した水晶からなる水晶振動子ウェハ、該水晶振動子の上側主面と対向した主面に金属膜を形成し、ＬＳＩを搭載し、かつ、電気的接合用金属膜と封止用金属膜とを前記対向した主面に形成したＳｉまたは水晶からなるＬＳＩ形成済ウェハ、ならびに前記水晶振動子の下側主面に対向した主面に凹所及び電極を形成し、さらに電気的接合用金属膜と封止用金属膜とを前記対向した主面に形成したＳｉまたは水晶からなるベースウェハと、を準備する工程と、
前記水晶振動子ウェハの前記上側主面にＬＳＩ搭載面を対向させて、前記ＬＳＩ形成済ウェハを積層し、また、前記水晶振動子ウェハの前記下側主面に前記ベースウェハの前記凹所を形成した面を対向させて積層し、位置合せを行う工程と、
積層した前記水晶振動子ウェハ、前記ＬＳＩ形成済ウェハならびに前記ベースウェハを前記電気的接合用金属膜及び前記封止用金属膜間で接合して電気的接合と真空封止とを同時に行う工程と、
積層接合した前記ベースウェハの底面に外部電極を形成する工程と、
接合され、かつ、一体化した前記水晶振動子ウェハ、前記ＬＳＩ形成済ウェハ及び前記ベースウェハとを各個片に切断する工程と、
からなることを特徴とする水晶発振器の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−５００５７（Ｐ２０１２−５００５７Ａ）
【公開日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４３３（Ｐ２０１１−４３３）
【出願日】平成２３年１月５日（２０１１．１．５）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月５日（２０１１．１．５）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
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