波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置
【課題】簡単な構成で、反射膜間のギャップ寸法を検出でき、かつ容易に配線を接続可能な波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター5は、固定反射膜56を有する固定基板51と、可動反射膜57を有する可動基板52と、固定電極541および可動駆動電極542を備えた静電アクチュエーター54と、固定検出電極551および可動検出電極552を備えたギャップ検出電極と、を具備し、固定検出電極551は、互いに絶縁された第一固定部分検出電極553Aおよび第二固定部分検出電極553Bを備え、可動検出電極552は、第一固定部分検出電極553Aに対向する第一対向検出領域554Aと、第二固定部分検出電極553Bに対向する第二対向検出領域554Bと、を具備する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター5は、固定反射膜56を有する固定基板51と、可動反射膜57を有する可動基板52と、固定電極541および可動駆動電極542を備えた静電アクチュエーター54と、固定検出電極551および可動検出電極552を備えたギャップ検出電極と、を具備し、固定検出電極551は、互いに絶縁された第一固定部分検出電極553Aおよび第二固定部分検出電極553Bを備え、可動検出電極552は、第一固定部分検出電極553Aに対向する第一対向検出領域554Aと、第二固定部分検出電極553Bに対向する第二対向検出領域554Bと、を具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、特定波長の光を取得する波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、複数波長の光から、特定波長の光を取り出す波長可変干渉フィルター(光フィルター素子)が知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
この特許文献1に記載の波長可変干渉フィルター(波長可変フィルター)は、基板に対向し、その厚さ方向に変位可能で可動反射膜が設けられた可動部と、基板に設けられた複数の駆動電極および検出電極と、基板に設けられ可動反射膜に対向する固定反射膜とを有している。基板には、その厚さ方向での位置が異なる2つの設置面を有し、2つの設置面のうち、一方の設置面上に駆動電極が設けられ、他方の設置面上に検出電極が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2007−86517号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、上記特許文献1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、検出電極と可動部との間の静電容量を検出するには、検出電極から延出する引き出し配線と、可動部とに、それぞれ異なる基板上に配線作業を実施する必要がある。このため、波長可変干渉フィルターをモジュールに組み込んで配線を接続する際に、配線作業が煩雑であるという問題がある。
【0006】
本発明は上述のような問題に鑑みて、簡単な構成で、反射膜間のギャップ寸法を検出でき、かつ容易に配線を接続可能な波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【0008】
[適用例1]本適用例にかかる波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、前記第一基板に設けられた第一駆動電極、および前記第二基板に設けられて前記第一駆動電極に対向する第二駆動電極を備えた静電アクチュエーターと、前記第一基板に設けられた第一検出電極、および前記第二基板に設けられて前記第一検出電極に対向する第二検出電極を備えたギャップ検出電極と、を具備し、前記第二基板は、前記第二反射膜が設けられた可動部と、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記第一基板および前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部は円形状に形成され、前記保持部は前記可動部の外周に沿って形成され、前記第一駆動電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分駆動電極および第二部分駆動電極を備え、前記第一基板には、前記第一部分駆動電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出駆動電極と、前記第二部分駆動電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出駆動電極とが設けられ、前記第二駆動電極は、前記平面視において、前記第一部分駆動電極に重なる第一対向駆動領域と、前記第二部分駆動電極に重なる第二対向駆動領域とを備え、前記第一検出電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分検出電極および第二部分検出電極を備え、前記第一基板には、前記第一部分検出電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出検出電極と、前記第二部分検出電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出検出電極とが設けられ、前記第二検出電極は、前記平面視において、前記第一部分検出電極に重なる第一対向検出領域と、前記第二部分検出電極に重なる第二対向検出領域とを備えていることを特徴とする。
【0009】
この適用例では、第一基板に形成された第一駆動電極は、互いに絶縁された第一部分駆動電極および第二部分駆動電極を備え、第一部分駆動電極には第一引出駆動電極、第二部分駆動電極には第二引出駆動電極がそれぞれ接続されている。また、第二基板に形成された第二駆動電極は、第一部分駆動電極に対向する第一対向駆動領域、および第二部分駆動電極に対向する第二対向駆動領域を備えている。
第一基板に形成された第一検出電極は、互いに絶縁された第一部分検出電極および第二部分検出電極を備え、第一部分検出電極には第一引出検出電極、第二部分検出電極には第二引出検出電極がそれぞれ接続されている。また、第二基板に形成された第二検出電極は、第一部分検出電極に対向する第一対向検出領域、および第二部分検出電極に対向する第二対向検出領域を備えている。
このような構成では、第一引出駆動電極および第二引出駆動電極間に電圧を印加すると、第一部分駆動電極および第二駆動電極の第一対向駆動領域の間、第二部分駆動電極および第二駆動電極の第二対向駆動領域の間に、それぞれ電圧が印加される。これにより、これらの電極間で発生する静電引力により、第一基板および第二基板のうち少なくともいずれか一方を、他方の基板に向かって撓ませることが可能となり、第一反射膜および第二反射膜間のギャップの寸法を変更させることができる。
そして、第一部分検出電極と、第二検出電極の第一部分検出電極に対向する第一対向検出領域と、で第一部分静電容量を形成する。第二部分検出電極と、第二検出電極の第二部分検出電極に対向する第二対向検出領域と、で第二部分静電容量を形成する。第一部分静電容量、及び、第二部分静電容量はギャップに反比例した値となる。第一部分静電容量と第二部分静電容量は第二検出電極で電気的に直列に接続されている。第一引出駆動電極および第二引出駆動電極間の静電容量を測定することでギャップを検出することができる。
【0010】
そして、第一引出駆動電極、第二引出駆動電極、第一引出検出電極および第二引出検出電極は、第一基板に形成されているので、波長可変干渉フィルターを、センサー本体等の光モジュールに組み込む際でも、第一基板に形成された各引出電極に対して配線作業を実施するだけでよく、作業効率を向上させることができる。
また、例えば、第一基板および第二基板の双方に引出電極が形成され、第一基板を光モジュールの固定部に固定した状態で、これらの引出電極に配線作業を実施する場合、第二基板の引出電極に配線を接続する際に、第二基板を第一基板から引き離す方向に応力が加わる場合がある。この場合、第一基板および第二基板が剥離したり、応力により、基板が撓んで反射膜間のギャップが変動したりするおそれもあり、剥離や基板の撓みを防止するために弱い力で配線を実施すると、配線信頼性が低下してしまうおそれもある。
これに対して、本適用例では、第一基板にのみ第一引出駆動電極、第二引出駆動電極、第一引出検出電極および第二引出検出電極が形成されているため、例えば光モジュールの固定部に第一基板を固定して配線作業を行う場合、第二基板に対して応力が加わらず、剥離や基板撓み等の不都合を防止することができ、十分な配線信頼性をも得ることができる。
【0011】
[適用例2]上記適用例にかかる波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一検出電極は、前記第一反射膜と同一面上に設けられ、前記第二検出電極は、前記第二反射膜と同一面上に設けられていることが好ましい。
【0012】
この適用例では、第一検出電極と第一反射膜と、は同一面上に設けられ、第二検出電極と第二反射膜と、も同一面上に設けられている。このような構成では、第一反射膜と第二反射膜間のギャップと第一検出電極と第二検出電極間のギャップは等しくなり、反射膜間のギャップを高精度に検出することができる。
【0013】
[適用例3]上記適用例にかかる波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一部分検出電極は、第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記第二部分検出電極は、前記第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記平面視において、前記第一部分検出電極と同一形状に形成され、かつ、前記可動部の中心点に対し、前記第一部分検出電極と点対称となる位置に設けられていることが好ましい。
【0014】
この適用例では、第一部分検出電極および第二部分検出電極は、同一の第一仮想円上に沿い、互いに点対称となる位置に設けられている。このような構成では、基板間のギャップが不均一な場合、すなわち、第一部分検出電極と第二検出電極の第一対向検出領域間のギャップ1と、第二部分検出電極と第二検出電極の第二対向検出電極間のギャップ2と、が異なる場合、第一部分静電容量と第二部分静電容量の直列合成静電容量はギャップ1とギャップ2の和に反比例するため、直列合成静電容量を検出することでギャップを容易に検出できる。
【0015】
[適用例4]本適用例にかかる光モジュールは、上記の波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部と、を具備したことを特徴とする。
【0016】
この適用例では、光モジュールは、上述したような波長可変干渉フィルターを備えている。波長可変干渉フィルターは、上記のように、光モジュールの組み込む際に容易に配線作業を実施でき、配線信頼性も向上させることができる。したがって、光モジュールにおいても、波長可変干渉フィルターを容易に組み込むことができ、製造効率を向上させることができ、かつ配線信頼性も向上させることができる。
また、簡単な構成で波長可変干渉フィルターのギャップを計測できるため、光モジュールにおいても、取り出す光の波長を高精度に制御することができ、測定対象となる光の正確な光量を測定することができる。
【0017】
[適用例5]本適用例にかかる光分析装置は、上記の光モジュールと、前記光モジュールの前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部と、を具備したことを特徴とする。
【0018】
ここで、光分析装置としては、上記のような光モジュールから出力される電気信号に基づいて、光モジュールに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
この適用例では、光分析装置は、上述したような光モジュールを備えている。光モジュールは、上記のように、高い配線信頼性を有するため、このような光モジュールを備えた光分析装置においても、高い信頼性を得ることができる。
また、光分析装置は、光モジュールにより測定対象光の正確な光量を測定できるので、この測定された光量により、精度の高い光分析処理を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明に係る第一実施形態の測色装置(光分析装置)の概略構成を示す図である。
【図2】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図である。
【図3】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの断面図である。
【図4】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板を可動基板側から見た平面図である。
【図5】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの可動基板を固定基板側から見た平面図である。
【図6】第一実施形態の静電アクチュエーターの配線図である。
【図7】第一実施形態のギャップ検出センサーの配線図である。
【図8】波長可変干渉フィルターを測色センサーに組み込んだ際の配線構造を示す図である。
【図9】波長可変干渉フィルターを測色センサーに組み込んだ際の配線構造の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
[第一実施形態]
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
〔1.測色装置の全体構成〕
図1は、本発明に係る実施形態の測色装置(光分析装置)の概略構成を示す図である。
この測色装置1は、本発明に係る光分析装置であり、図1に示すように、測定対象Aに光を射出する光源装置2と、本発明に係る光モジュールである測色センサー3と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を測定対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Aの色を分析して測定する装置である。
【0021】
〔2.光源装置の構成〕
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ記載)を備え、測定対象Aに対して白色光を射出する。複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれていてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Aに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば測定対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。
【0022】
〔3.測色センサーの構成〕
測色センサー3は、本発明に係る光モジュールを構成する。この測色センサー3は、図1に示すように、波長可変干渉フィルター5と、波長可変干渉フィルター5を透過した光を受光して検出する検出部31と、波長可変干渉フィルター5に駆動電圧を印加する電圧制御部32と、波長可変干渉フィルター5のギャップを検出するギャップ検出部33と、を備えている。また、測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5に対向する位置に、測定対象Aで反射された反射光(検査対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を検出部31にて受光する。
検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
【0023】
(3−1.波長可変干渉フィルターの構成)
図2は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す平面図であり、図3は、波長可変干渉フィルター5の断面図である。
波長可変干渉フィルター5は、図2に示すように、平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター5は、図3に示すように、本発明に係る第一基板である固定基板51、および本発明に係る第二基板である可動基板52を備えている。これらの2枚の基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの2つの基板51,52は、外周部近傍に形成される接合部513,523が、例えば常温活性化接合やプラズマ重合膜を用いたシロキサン接合などにより、接合されることで、一体的に構成されている。
【0024】
固定基板51には、本発明に係る第一反射膜を構成する固定反射膜56が設けられ、可動基板52には、本発明に係る第二反射膜を構成する可動反射膜57が設けられている。ここで、固定反射膜56は、固定基板51の可動基板52に対向する面に固定され、可動反射膜57は、可動基板52の固定基板51に対向する面に固定されている。また、これらの固定反射膜56および可動反射膜57は、ギャップを介して対向配置されている。
さらに、固定基板51と可動基板52との間には、固定反射膜56および可動反射膜57の間のギャップの寸法を調整するための静電アクチュエーター54が設けられている。この静電アクチュエーター54は、固定基板51側に設けられる第一駆動電極としての固定電極541と、可動基板52側に設けられる第二駆動電極としての可動駆動電極542とを備えている。
そして、固定基板51と可動基板52との間には、固定反射膜56および可動反射膜57の間のギャップを検出するためのギャップ検出センサー58が設けられている。このギャップ検出センサー58は、固定基板51側に設けられる本発明に係る第一検出電極としての固定検出電極551と、可動基板52側に設けられる本発明に係る第二検出電極としての可動検出電極552とを備えている。
【0025】
(3−1−1.固定基板の構成)
図4は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における固定基板51を可動基板52側から見た平面図である。
固定基板51は、厚みが例えば500μmに形成されるガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図3に示すように、固定基板51には、エッチングにより電極形成溝511および反射膜固定部512が形成されている。この固定基板51は、可動基板52に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定電極541および可動駆動電極542間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極541の内部応力による固定基板51の撓みはない。
【0026】
電極形成溝511は、図4に示すように、平面視で、固定基板51の平面中心点を中心とした円形に形成されている。反射膜固定部512は、前記平面視において、電極形成溝511の中心部から可動基板52側に突出して形成される。
また、固定基板51には、電極形成溝511から、固定基板51の外周縁の頂点C1,C3方向に向かって延出する一対の電極引出溝514が設けられている。
【0027】
そして、固定基板51の電極形成溝511の溝底部である電極形成面511Aには、固定電極541が形成されている。
この固定電極541は、図4に示すように、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Qの円周上に配置される円弧状の一対の固定部分電極(第一部分駆動電極を構成する第一固定部分電極543A、第二部分駆動電極を構成する第二固定部分電極543B)により構成されている。
これらの固定部分電極543A,543Bは、それぞれ、基板厚み方向から見た平面視における平面形状が同一で、略半円形状となる円弧状に形成され、かつ同一厚み寸法に形成されている。各固定部分電極543A,543Bの幅寸法(円弧の内径部と外径部との距離)は均一となっている。そして、これらの固定部分電極543A,543Bは、平面視において、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Qの円周上で、中心点Oに対して互いに点対称となるように配置されている。
【0028】
また、固定基板51には、第一固定部分電極543Aから延出する第一引出駆動電極545と、第二固定部分電極543Bから延出する第二引出駆動電極546と、を備えている。
第一引出駆動電極545は、第一固定部分電極543Aの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C1方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、電圧制御部32に接続される第一駆動電極パッド545Pが設けられている。
また、第二引出駆動電極546は、第二固定部分電極543Bの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C3方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、電圧制御部32に接続される第二駆動電極パッド546Pが設けられている。
さらに、これらの固定部分電極543A,543B上には、固定電極541および可動駆動電極542の間の放電を防止するための絶縁膜(図示略)が積層されている。
【0029】
反射膜固定部512は、上述したように、電極形成溝511と同軸上で、電極形成溝511よりも小さい径寸法となる円柱凹溝状に形成されている。なお、本実施形態では、図3に示すように、反射膜固定部512の可動基板52に対向する反射膜固定面512Aが、電極形成面511Aよりも可動基板52より放れて形成される例を示すが、これに限らない。電極形成面511Aおよび反射膜固定面512Aの高さ位置は、反射膜固定面512Aに固定される固定反射膜56、および可動基板52に形成される可動反射膜57の間のギャップの寸法、固定電極541および可動駆動電極542の間の寸法、固定反射膜56や可動反射膜57の厚み寸法により適宜設定される。したがって、例えば、電極形成面511Aと反射膜固定面512Aとが同一面に形成される構成や、電極形成面511Aの中心部に、円柱凸柱状の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面が形成される構成などとしてもよい。
【0030】
そして、反射膜固定面512Aには、円形状に形成される固定反射膜56が固定されている。この固定反射膜56としては、金属の単層膜により形成されるものであってもよく、誘電体多層膜により形成されるものであってもよく、さらには、誘電多層膜上にAg合金が形成される構成などとしてもよい。金属単層膜としては、例えばAg合金の単層膜を用いることができ、誘電体多層膜の場合は、例えば高屈折層をTiO2、低屈折層をSiO2とした誘電体多層膜を用いることができる。
【0031】
さらに、反射膜固定面512Aには、本発明に係る固定検出電極551が固定されている。
この固定検出電極551は、図4に示すように、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Rの円周上に配置される円弧状の一対の固定部分検出電極(本発明に係る第一部分検出電極を構成する第一固定部分検出電極553A、本発明に係る第二部分検出電極を構成する第二固定部分検出電極553B)により構成されている。
これらの固定部分検出電極553A,553Bは、それぞれ、基板厚み方向から見た平面視における平面形状が同一で、略半円形状となる円弧状に形成され、かつ同一厚み寸法に形成されている。各固定部分検出電極553A,553Bの幅寸法(円弧の内径部と外径部との距離)は均一となっている。そして、これらの固定部分検出電極553A,553Bは、平面視において、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Rの円周上で、中心点Oに対して互いに点対称となるように配置されている。
【0032】
また、固定基板51には、第一固定部分検出電極553Aから延出する第一引出検出電極555と、第二固定部分検出電極553Bから延出する第二引出検出電極556と、を備えている。
第一引出検出電極555は、第一固定部分検出電極553Aの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C2方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、ギャップ検出部33に接続される第一検出電極パッド555Pが設けられている。
また、第二引出検出電極556は、第二固定部分検出電極553Bの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C4方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、ギャップ検出部33に接続される第二検出電極パッド556Pが設けられている。
【0033】
さらに、固定基板51は、可動基板52に対向する面とは反対側の面において、固定反射膜56に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、固定基板51の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【0034】
(3−1−2.可動基板の構成)
図5は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における可動基板52を固定基板51側から見た平面図である。
可動基板52は、厚みが例えば200μmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、可動基板52は、図2、図5に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部521と、可動部521と同軸であり可動部521を保持する保持部522と、を備えている。
また、可動基板52は、図2および図5に示すように、第一駆動電極パッド545P、第二駆動電極パッド546P、第一検出電極パッド555Pおよび第二検出電極パッド556Pに対向する位置に、切欠部524を備えている。このような構成では、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から見た面に電極パッド545P、546P、555P、556Pが露出する。
【0035】
可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板52の厚み寸法と同一寸法である200μmに形成されている。また、可動部521は、反射膜固定部512に平行な可動面521Aを備え、この可動面521Aに、固定反射膜56とギャップを介して対向する可動反射膜57が固定されている。
ここで、この可動反射膜57は、上述した固定反射膜56と同一の構成の反射膜が用いられる。
【0036】
さらに、可動面521Aに、固定検出電極551とギャップを介して対向する本発明に係る可動検出電極552が固定されている。
この可動検出電極552は、図5に示すように、仮想円Rに沿い、内径寸法と外形寸法との差である幅寸法が仮想円Rの円周方向に沿って同一幅寸法となる円環状に形成されている。ここで、可動検出電極552は、図2に示すような基板厚み方向から見た平面視において、第一固定部分検出電極553Aと重なり合う第一対向検出領域554A、および第二固定部分検出電極553Bと重なり合う第二対向検出領域554Bを含む円環状に形成されている。そして、第一固定部分検出電極553Aと、可動検出電極552の第一対向検出領域554Aとにより、第一部分ギャップ検出センサー58Aが構成され、第二固定部分検出電極553Bと、可動検出電極552の第二対向検出領域554Bとにより、第二部分ギャップ検出センサー58Bが構成される。
【0037】
そして、可動部521は、可動面521Aとは反対側の面において、可動反射膜57に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、固定基板51に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
【0038】
保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が50μmに形成され、可動部521よりも厚み方向に対する剛性が小さく形成されている。
このため、保持部522は可動部521よりも撓みやすく、僅かな静電引力により固定基板51側に撓ませることが可能となる。この際、可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、静電引力により可動基板52を撓ませる力が作用した場合でも、可動部521の撓みはほぼなく、可動部521に形成された可動反射膜57の撓みも防止できる。
【0039】
そして、この保持部522の固定基板51に対向する面には、固定電極541と、初期状態において約1μmの隙間を介して対向する、可動駆動電極542が固定されている。
この可動駆動電極542は、図5に示すように、仮想円Qに沿い、内径寸法と外形寸法との差である幅寸法が仮想円Qの円周方向に沿って同一幅寸法となる円環状に形成されている。ここで、可動駆動電極542は、図2に示すような基板厚み方向から見た平面視において、第一固定部分電極543Aと重なり合う第一対向駆動領域544A、および第二固定部分電極543Bと重なり合う第二対向駆動領域544Bを含む円環状に形成されている。そして、第一固定部分電極543Aと、可動駆動電極542の第一対向駆動領域544Aとにより、第一部分アクチュエーター55Aが構成され、第二固定部分電極543Bと、可動駆動電極542の第二対向駆動領域544Bとにより、第二部分アクチュエーター55Bが構成される。
【0040】
(3−1−3.静電アクチュエーターの構成)
図6は、第一実施形態の静電アクチュエーター54の配線図である。
静電アクチュエーター54は、上述したように、第一固定部分電極543Aおよび可動駆動電極542の第一対向駆動領域544Aにより構成される第一部分アクチュエーター55Aと、第二固定部分電極543Bおよび可動駆動電極542の第二対向駆動領域544Bにより構成される第二部分アクチュエーター55Bと、を備えている。
【0041】
このような静電アクチュエーター54では、第一引出駆動電極545の第一駆動電極パッド545Pと、第二引出駆動電極546の第二駆動電極パッド546Pとの間に駆動電圧Vが印加されると、各部分アクチュエーター55A,55Bには、容量リアクタンスに応じた分圧V1,V2が印加される。
また、各部分アクチュエーター55A,55Bは、波長可変干渉フィルター5を基板厚み方向から見た平面視において、同一形状に形成され、仮想円Q上で等角度間隔(180度)に配置されている。したがって、各部分アクチュエーター55A,55Bにおける電極間の寸法(電極間ギャップ)をそれぞれd1、d2、第一及び第二固定部分電極543A,543B、第一対向駆動領域544A、および第二対向駆動領域544Bの面積をSD、誘電率をεとすると、各部分アクチュエーター55A,55Bの静電容量CD1,CD2はそれぞれ、以下の式(1)〜(2)で表される。
【0042】
CD1=εSD/d1 …(1)
CD2=εSD/d2 …(2)
【0043】
ここで、各部分アクチュエーター55A,55Bは、電気的に直列接続されているため、これらの部分アクチュエーター55A,55Bで保持される電荷量Qは同値となり、以下の式(3)が成立する。
【0044】
Q=CD1V1=CD2V2 …(3)
【0045】
一方、各部分アクチュエーター55A,55Bに作用する静電引力F1,F2は、各部分アクチュエーター55A,55Bの電極間の電界E1,E2と、各部分アクチュエーター55A,55Bで保持される電荷量Qとの積E1Q,E2Qとなる。
したがって、静電引力F1,F2は、上記式(1)〜(3)を代入すると、以下の式(4)〜(5)のように表せる。
【0046】
F1=E1Q=Q2/εSD …(4)
F2=E2Q=Q2/εSD …(5)
【0047】
すなわち、上記式(4)〜(5)に示されるように、各部分アクチュエーター55A,55Bに作用する静電引力F1,F2は、部分電極間ギャップd1、d2の値によらず同値となる。
したがって、例えば、初期ギャップにおいて、電極間ギャップd1、d2の値に、例えば測定精度に影響しない程度の僅かな差があり、静電アクチュエーター54に電圧を印加した場合であっても、これらの電極間ギャップd1、d2の差が開くことがなく、保持部522を均一に撓ませることができる。
【0048】
(3−1−4.ギャップ検出センサーの構成)
図7は、第一実施形態のギャップ検出センサー58の配線図である。
ギャップ検出センサー58は、上述したように、第一固定部分検出電極553Aおよび可動検出電極552の第一対向検出領域554Aにより構成される第一部分ギャップ検出センサー58Aと、第二固定部分検出電極553Bおよび可動検出電極552の第二対向検出領域554Bにより構成される第二部分ギャップ検出センサー58Bと、を備えている。
【0049】
各部分ギャップ検出センサー58A、58Bは、波長可変干渉フィルター5を基板厚み方向から見た平面視において、同一形状に形成され、仮想円R上で等角度間隔(180度)に配置されている。したがって、各部分ギャップ検出センサー58A、58Bにおける検出電極間の寸法(検出電極間ギャップ)をそれぞれh1、h2、第一及び第二固定部分検出電極553A、553B、第一対向検出領域554A、および第二対向検出領域554Bの面積をSS、誘電率をεとすると、各部分ギャップ検出センサー58A,58Bの静電容量CS1,CS2はそれぞれ、以下の式(6)〜(7)で表される。
【0050】
CS1=εSS/h1 …(6)
CS2=εSS/h2 …(7)
【0051】
このようなギャップ検出センサー58では、第一引出検出電極555の第一検出電極パッド555Pと、第二引出検出電極556の第二検出電極パッド556Pとの間の静電容量CSは、以下の式(8)で表される。
【0052】
CS=CS1CS2/(CS1+CS2)=εSS/(h1+h2) …(8)
【0053】
そして、検出電極間の平均寸法hは、以下の式(9)で表される。
【0054】
h=(h1+h2)/2=εSS/2CS …(9)
【0055】
したがって、第一引出検出電極555の第一検出電極パッド555Pと、第二引出検出電極556の第二検出電極パッド556Pとの間の静電容量CSを測定することで検出電極間の平均寸法hを検出することができる。
なお、本実施形態では、第一検出電極と第一反射膜と、は同一面上に設けられ、第二検出電極と第二反射膜と、も同一面上に設けられている。このため、第一反射膜と第二反射膜間のギャップと第一検出電極と第二検出電極間のギャップは等しくなり、反射膜間のギャップを高精度に検出することができる。
【0056】
(3−1−5.波長可変干渉フィルターへの配線)
図8は、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込んだ際の配線構造を示す図である。図9は、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込んだ際の配線構造の他の例を示す図である。
【0057】
波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込む場合、一般には、測色センサー3に設けられたフィルター固定基板に直接波長可変干渉フィルター5を固定したり、ケースに波長可変干渉フィルター5を保持し、ケースをフィルター固定基板に固定したりする。
【0058】
そして、波長可変干渉フィルター5の電極パッド545P、546Pと、測色センサー3の電圧制御部32とを接続する場合、及び、波長可変干渉フィルター5の電極パッド555P、556Pと、測色センサー3のギャップ検出部33とを接続する場合、波長可変干渉フィルター5が固定部34に固定された状態で配線が施される。
この時、波長可変干渉フィルター5への配線方法としては、例えば、図8に示すように、電極パッド545P、546P、555P、556P上に溶融状態のAgペースト等の導電性部材35を設け、導電性部材35が固化する前に、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から、リード線36を接続する。この場合、配線作業を、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から容易にリード線36を接続することができる。
【0059】
また、波長可変干渉フィルター5への他の配線方法としては、例えば、図9に示すように、FPC37(Flexible Printed Circuits)を、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)または、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電層38を介して接続してもよい。この場合、電極パッド545P、546P、555P、556P上に異方性導電層38を形成し、FPC37を被せた後、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側からFPC37を押圧する。この場合でも、可動基板52に応力が加わらないため、固定基板51と可動基板52との剥離や、可動基板52の撓みなどがなく、波長可変干渉フィルター5の性能を維持することができる。
【0060】
(3−2.電圧制御手段の構成)
電圧制御部32は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター54に印加する電圧を制御する。
【0061】
(3−3.ギャップ検出手段の構成)
ギャップ検出部33は、波長可変干渉フィルター5のギャップ検出センサー58の静電容量を検出し、検出信号を制御装置4へ出力する。
【0062】
〔4.制御装置の構成〕
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。
この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および本発明に係る分析処理部を構成する測色処理部43などを備えて構成されている。
光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。このとき、測色センサー制御部42は測色センサー3のギャップ検出部33の検出信号に基づいて制御信号を補正することができる。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター54への印加電圧を設定する。
測色処理部43は、検出部31により検出された受光量から、測定対象Aの色度を分析する。
【0063】
〔5.本実施形態の作用効果〕
上述したように、上記実施形態の波長可変干渉フィルター5は、固定電極541が互いに絶縁された第一固定部分電極543Aおよび第二固定部分電極543Bにより構成され、可動駆動電極542は、第一固定部分電極543Aに対向する第一対向駆動領域544Aおよび第二固定部分電極543Bに対向する第二対向駆動領域544Bを含むリング状に形成されている。そして、第一固定部分電極543Aには第一引出駆動電極545が形成され、第二固定部分電極543Bには第二引出駆動電極546が形成されている。
このような構成では、第一引出駆動電極545の第一駆動電極パッド545Pと、第二引出駆動電極546の第二駆動電極パッド546Pとの間に駆動電圧を印加することで、第一固定部分電極543Aおよび可動駆動電極542の第一対向駆動領域544Aにより構成された第一部分アクチュエーター55Aと、第二固定部分電極543Bおよび可動駆動電極542の第二対向駆動領域544Bにより構成された第二部分アクチュエーター55Bを駆動させることができる。
【0064】
さらに、固定検出電極551が互いに絶縁された第一固定部分検出電極553Aおよび第二固定部分検出電極553Bにより構成され、可動検出電極552は、第一固定部分検出電極553Aに対向する第一対向検出領域554Aおよび第二固定部分検出電極553Bに対向する第二対向検出領域554Bを含むリング状に形成されている。そして、第一固定部分検出電極553Aには第一引出検出電極555が形成され、第二固定部分検出電極553Bには第二引出検出電極556が形成されている。
このような構成では、第一引出検出電極555の第一検出電極パッド555Pと、第二引出検出電極556の第二検出電極パッド556Pとの間の静電容量を検出することで、反射膜56,57間のギャップ寸法を検出することができる。
【0065】
そして、第一引出駆動電極545、および第二引出駆動電極546は、固定基板51上に形成され、それぞれ固定基板51の外周縁に形成された第一駆動電極パッド545P、および第二駆動電極パッド546Pに接続されている。
また、第一引出検出電極555、および第二引出検出電極556は、固定基板51上に形成され、それぞれ固定基板51の外周縁に形成された第一検出電極パッド555P、および第二検出電極パッド556Pに接続されている。
このため、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込む際、Agペーストなどの導電性部材35を介してリード線36を接続する際でも、異方性導電層38を介してFPC37を接続する際でも、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から配線作業を簡単に実施できる。また、配線により、固定部34に固定される固定基板51に対して応力が加わることがあったとしても、可動基板52には応力が加わらないので、固定基板51および可動基板52の剥離や、可動基板52の傾斜が発生せず、波長可変干渉フィルターの性能低下を防止できる。また、固定基板51の各電極パッド545P、546P、555P、556Pに対して確実に配線することができるので、配線信頼性が向上し、測色センサー3や測色装置1の信頼性をも向上させることができる。
【0066】
また、可動基板52には、電極パッド545P、546P、555P、556Pの位置に対応して切欠部524が形成されている。このため、配線作業時に、可動基板52が邪魔になることがない。また、可動基板52に応力を加えることなく配線を実施できる。
【0067】
また、各部分アクチュエーター55A,55Bにおける、仮想円Qの周方向および基板厚み方向に対して直交する幅寸法は、均一に形成されている。このため、各部分アクチュエーター55A,55Bにおいて、周方向に沿った静電引力のムラがなく、可動部521を精度よく変位させることができる。
【0068】
そして、固定電極541の第一固定部分電極543Aおよび第二固定部分電極543Bは、平面視において同一形状に形成されており、仮想円Qの円周上で、中心点Oに対して点対称となる位置に配置されている。また、第一固定部分電極543Aおよび第一対向駆動領域544Aにより構成された第一部分アクチュエーター55Aと、第二固定部分電極543Bおよび第二対向駆動領域544Bにより構成された第二部分アクチュエーター55Bとは、電気的に直列に接続されている。
このため、静電アクチュエーター54に駆動電圧を印加した際に、各部分アクチュエーター55A,55Bに同一大きさの静電引力が作用する。したがって、固定反射膜56および可動反射膜57間のギャップを変動させた場合でも、固定反射膜56および可動反射膜57の平行性を維持することができ、分解能の低下を抑えることができる。
【0069】
さらに、可動駆動電極542は、可動基板52の保持部522上で、仮想円Qの円周に沿うリング上に形成されている。すなわち、可動部521の中心点に対して点対称となる形状に形成されている。さらには、可動基板52には、可動駆動電極542から延出する引出電極等が不要であり、引出電極による膜応力なども発生しない。
このため、保持部522に作用する可動駆動電極542の膜応力が均一となり、保持部522の応力バランスを均一に保つことができ、可動部521の傾斜を抑えることができる。したがって、反射膜56,57間のギャップ寸法を均一にすることができ、波長可変干渉フィルター5の分解能を高精度に維持することができる。
【符号の説明】
【0070】
1…光分析装置としての測色装置、3…光モジュールとしての測色センサー、5…波長可変干渉フィルター、31…検出部、43…分析処理部である測色処理部、51…第一基板である固定基板、52…第二基板である可動基板、54…静電アクチュエーター、55A…第一部分アクチュエーター、55B…第二部分アクチュエーター、56…第一反射膜である固定反射膜、57…第二反射膜である可動反射膜、58…ギャップ検出センサー、58A…第一部分ギャップ検出センサー、58B…第二部分ギャップ検出センサー、521…可動部、522…保持部、541…第一駆動電極である固定駆動電極、542…第二駆動電極である可動駆動電極、543A…第一部分駆動電極である第一固定部分駆動電極、543B…第二部分駆動電極である第二固定部分駆動電極、544A…第一対向駆動領域、544B…第二対向駆動領域、545…第一引出駆動電極、546…第二引出駆動電極、551…第一検出電極である固定検出電極、552…第二検出電極である可動検出電極、553A…第一部分検出電極である第一固定部分検出電極、553B…第二部分検出電極である第二固定部分検出電極、554A…第一対向検出領域、554B…第二対向検出領域、555…第一引出検出電極、556…第二引出検出電極。
【技術分野】
【0001】
本発明は、特定波長の光を取得する波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、複数波長の光から、特定波長の光を取り出す波長可変干渉フィルター(光フィルター素子)が知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
この特許文献1に記載の波長可変干渉フィルター(波長可変フィルター)は、基板に対向し、その厚さ方向に変位可能で可動反射膜が設けられた可動部と、基板に設けられた複数の駆動電極および検出電極と、基板に設けられ可動反射膜に対向する固定反射膜とを有している。基板には、その厚さ方向での位置が異なる2つの設置面を有し、2つの設置面のうち、一方の設置面上に駆動電極が設けられ、他方の設置面上に検出電極が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2007−86517号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、上記特許文献1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、検出電極と可動部との間の静電容量を検出するには、検出電極から延出する引き出し配線と、可動部とに、それぞれ異なる基板上に配線作業を実施する必要がある。このため、波長可変干渉フィルターをモジュールに組み込んで配線を接続する際に、配線作業が煩雑であるという問題がある。
【0006】
本発明は上述のような問題に鑑みて、簡単な構成で、反射膜間のギャップ寸法を検出でき、かつ容易に配線を接続可能な波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【0008】
[適用例1]本適用例にかかる波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、前記第一基板に設けられた第一駆動電極、および前記第二基板に設けられて前記第一駆動電極に対向する第二駆動電極を備えた静電アクチュエーターと、前記第一基板に設けられた第一検出電極、および前記第二基板に設けられて前記第一検出電極に対向する第二検出電極を備えたギャップ検出電極と、を具備し、前記第二基板は、前記第二反射膜が設けられた可動部と、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記第一基板および前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部は円形状に形成され、前記保持部は前記可動部の外周に沿って形成され、前記第一駆動電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分駆動電極および第二部分駆動電極を備え、前記第一基板には、前記第一部分駆動電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出駆動電極と、前記第二部分駆動電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出駆動電極とが設けられ、前記第二駆動電極は、前記平面視において、前記第一部分駆動電極に重なる第一対向駆動領域と、前記第二部分駆動電極に重なる第二対向駆動領域とを備え、前記第一検出電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分検出電極および第二部分検出電極を備え、前記第一基板には、前記第一部分検出電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出検出電極と、前記第二部分検出電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出検出電極とが設けられ、前記第二検出電極は、前記平面視において、前記第一部分検出電極に重なる第一対向検出領域と、前記第二部分検出電極に重なる第二対向検出領域とを備えていることを特徴とする。
【0009】
この適用例では、第一基板に形成された第一駆動電極は、互いに絶縁された第一部分駆動電極および第二部分駆動電極を備え、第一部分駆動電極には第一引出駆動電極、第二部分駆動電極には第二引出駆動電極がそれぞれ接続されている。また、第二基板に形成された第二駆動電極は、第一部分駆動電極に対向する第一対向駆動領域、および第二部分駆動電極に対向する第二対向駆動領域を備えている。
第一基板に形成された第一検出電極は、互いに絶縁された第一部分検出電極および第二部分検出電極を備え、第一部分検出電極には第一引出検出電極、第二部分検出電極には第二引出検出電極がそれぞれ接続されている。また、第二基板に形成された第二検出電極は、第一部分検出電極に対向する第一対向検出領域、および第二部分検出電極に対向する第二対向検出領域を備えている。
このような構成では、第一引出駆動電極および第二引出駆動電極間に電圧を印加すると、第一部分駆動電極および第二駆動電極の第一対向駆動領域の間、第二部分駆動電極および第二駆動電極の第二対向駆動領域の間に、それぞれ電圧が印加される。これにより、これらの電極間で発生する静電引力により、第一基板および第二基板のうち少なくともいずれか一方を、他方の基板に向かって撓ませることが可能となり、第一反射膜および第二反射膜間のギャップの寸法を変更させることができる。
そして、第一部分検出電極と、第二検出電極の第一部分検出電極に対向する第一対向検出領域と、で第一部分静電容量を形成する。第二部分検出電極と、第二検出電極の第二部分検出電極に対向する第二対向検出領域と、で第二部分静電容量を形成する。第一部分静電容量、及び、第二部分静電容量はギャップに反比例した値となる。第一部分静電容量と第二部分静電容量は第二検出電極で電気的に直列に接続されている。第一引出駆動電極および第二引出駆動電極間の静電容量を測定することでギャップを検出することができる。
【0010】
そして、第一引出駆動電極、第二引出駆動電極、第一引出検出電極および第二引出検出電極は、第一基板に形成されているので、波長可変干渉フィルターを、センサー本体等の光モジュールに組み込む際でも、第一基板に形成された各引出電極に対して配線作業を実施するだけでよく、作業効率を向上させることができる。
また、例えば、第一基板および第二基板の双方に引出電極が形成され、第一基板を光モジュールの固定部に固定した状態で、これらの引出電極に配線作業を実施する場合、第二基板の引出電極に配線を接続する際に、第二基板を第一基板から引き離す方向に応力が加わる場合がある。この場合、第一基板および第二基板が剥離したり、応力により、基板が撓んで反射膜間のギャップが変動したりするおそれもあり、剥離や基板の撓みを防止するために弱い力で配線を実施すると、配線信頼性が低下してしまうおそれもある。
これに対して、本適用例では、第一基板にのみ第一引出駆動電極、第二引出駆動電極、第一引出検出電極および第二引出検出電極が形成されているため、例えば光モジュールの固定部に第一基板を固定して配線作業を行う場合、第二基板に対して応力が加わらず、剥離や基板撓み等の不都合を防止することができ、十分な配線信頼性をも得ることができる。
【0011】
[適用例2]上記適用例にかかる波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一検出電極は、前記第一反射膜と同一面上に設けられ、前記第二検出電極は、前記第二反射膜と同一面上に設けられていることが好ましい。
【0012】
この適用例では、第一検出電極と第一反射膜と、は同一面上に設けられ、第二検出電極と第二反射膜と、も同一面上に設けられている。このような構成では、第一反射膜と第二反射膜間のギャップと第一検出電極と第二検出電極間のギャップは等しくなり、反射膜間のギャップを高精度に検出することができる。
【0013】
[適用例3]上記適用例にかかる波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一部分検出電極は、第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記第二部分検出電極は、前記第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記平面視において、前記第一部分検出電極と同一形状に形成され、かつ、前記可動部の中心点に対し、前記第一部分検出電極と点対称となる位置に設けられていることが好ましい。
【0014】
この適用例では、第一部分検出電極および第二部分検出電極は、同一の第一仮想円上に沿い、互いに点対称となる位置に設けられている。このような構成では、基板間のギャップが不均一な場合、すなわち、第一部分検出電極と第二検出電極の第一対向検出領域間のギャップ1と、第二部分検出電極と第二検出電極の第二対向検出電極間のギャップ2と、が異なる場合、第一部分静電容量と第二部分静電容量の直列合成静電容量はギャップ1とギャップ2の和に反比例するため、直列合成静電容量を検出することでギャップを容易に検出できる。
【0015】
[適用例4]本適用例にかかる光モジュールは、上記の波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部と、を具備したことを特徴とする。
【0016】
この適用例では、光モジュールは、上述したような波長可変干渉フィルターを備えている。波長可変干渉フィルターは、上記のように、光モジュールの組み込む際に容易に配線作業を実施でき、配線信頼性も向上させることができる。したがって、光モジュールにおいても、波長可変干渉フィルターを容易に組み込むことができ、製造効率を向上させることができ、かつ配線信頼性も向上させることができる。
また、簡単な構成で波長可変干渉フィルターのギャップを計測できるため、光モジュールにおいても、取り出す光の波長を高精度に制御することができ、測定対象となる光の正確な光量を測定することができる。
【0017】
[適用例5]本適用例にかかる光分析装置は、上記の光モジュールと、前記光モジュールの前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部と、を具備したことを特徴とする。
【0018】
ここで、光分析装置としては、上記のような光モジュールから出力される電気信号に基づいて、光モジュールに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
この適用例では、光分析装置は、上述したような光モジュールを備えている。光モジュールは、上記のように、高い配線信頼性を有するため、このような光モジュールを備えた光分析装置においても、高い信頼性を得ることができる。
また、光分析装置は、光モジュールにより測定対象光の正確な光量を測定できるので、この測定された光量により、精度の高い光分析処理を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明に係る第一実施形態の測色装置(光分析装置)の概略構成を示す図である。
【図2】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図である。
【図3】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの断面図である。
【図4】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板を可動基板側から見た平面図である。
【図5】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの可動基板を固定基板側から見た平面図である。
【図6】第一実施形態の静電アクチュエーターの配線図である。
【図7】第一実施形態のギャップ検出センサーの配線図である。
【図8】波長可変干渉フィルターを測色センサーに組み込んだ際の配線構造を示す図である。
【図9】波長可変干渉フィルターを測色センサーに組み込んだ際の配線構造の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
[第一実施形態]
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
〔1.測色装置の全体構成〕
図1は、本発明に係る実施形態の測色装置(光分析装置)の概略構成を示す図である。
この測色装置1は、本発明に係る光分析装置であり、図1に示すように、測定対象Aに光を射出する光源装置2と、本発明に係る光モジュールである測色センサー3と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を測定対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Aの色を分析して測定する装置である。
【0021】
〔2.光源装置の構成〕
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ記載)を備え、測定対象Aに対して白色光を射出する。複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれていてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Aに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば測定対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。
【0022】
〔3.測色センサーの構成〕
測色センサー3は、本発明に係る光モジュールを構成する。この測色センサー3は、図1に示すように、波長可変干渉フィルター5と、波長可変干渉フィルター5を透過した光を受光して検出する検出部31と、波長可変干渉フィルター5に駆動電圧を印加する電圧制御部32と、波長可変干渉フィルター5のギャップを検出するギャップ検出部33と、を備えている。また、測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5に対向する位置に、測定対象Aで反射された反射光(検査対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を検出部31にて受光する。
検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
【0023】
(3−1.波長可変干渉フィルターの構成)
図2は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す平面図であり、図3は、波長可変干渉フィルター5の断面図である。
波長可変干渉フィルター5は、図2に示すように、平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター5は、図3に示すように、本発明に係る第一基板である固定基板51、および本発明に係る第二基板である可動基板52を備えている。これらの2枚の基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの2つの基板51,52は、外周部近傍に形成される接合部513,523が、例えば常温活性化接合やプラズマ重合膜を用いたシロキサン接合などにより、接合されることで、一体的に構成されている。
【0024】
固定基板51には、本発明に係る第一反射膜を構成する固定反射膜56が設けられ、可動基板52には、本発明に係る第二反射膜を構成する可動反射膜57が設けられている。ここで、固定反射膜56は、固定基板51の可動基板52に対向する面に固定され、可動反射膜57は、可動基板52の固定基板51に対向する面に固定されている。また、これらの固定反射膜56および可動反射膜57は、ギャップを介して対向配置されている。
さらに、固定基板51と可動基板52との間には、固定反射膜56および可動反射膜57の間のギャップの寸法を調整するための静電アクチュエーター54が設けられている。この静電アクチュエーター54は、固定基板51側に設けられる第一駆動電極としての固定電極541と、可動基板52側に設けられる第二駆動電極としての可動駆動電極542とを備えている。
そして、固定基板51と可動基板52との間には、固定反射膜56および可動反射膜57の間のギャップを検出するためのギャップ検出センサー58が設けられている。このギャップ検出センサー58は、固定基板51側に設けられる本発明に係る第一検出電極としての固定検出電極551と、可動基板52側に設けられる本発明に係る第二検出電極としての可動検出電極552とを備えている。
【0025】
(3−1−1.固定基板の構成)
図4は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における固定基板51を可動基板52側から見た平面図である。
固定基板51は、厚みが例えば500μmに形成されるガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図3に示すように、固定基板51には、エッチングにより電極形成溝511および反射膜固定部512が形成されている。この固定基板51は、可動基板52に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定電極541および可動駆動電極542間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極541の内部応力による固定基板51の撓みはない。
【0026】
電極形成溝511は、図4に示すように、平面視で、固定基板51の平面中心点を中心とした円形に形成されている。反射膜固定部512は、前記平面視において、電極形成溝511の中心部から可動基板52側に突出して形成される。
また、固定基板51には、電極形成溝511から、固定基板51の外周縁の頂点C1,C3方向に向かって延出する一対の電極引出溝514が設けられている。
【0027】
そして、固定基板51の電極形成溝511の溝底部である電極形成面511Aには、固定電極541が形成されている。
この固定電極541は、図4に示すように、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Qの円周上に配置される円弧状の一対の固定部分電極(第一部分駆動電極を構成する第一固定部分電極543A、第二部分駆動電極を構成する第二固定部分電極543B)により構成されている。
これらの固定部分電極543A,543Bは、それぞれ、基板厚み方向から見た平面視における平面形状が同一で、略半円形状となる円弧状に形成され、かつ同一厚み寸法に形成されている。各固定部分電極543A,543Bの幅寸法(円弧の内径部と外径部との距離)は均一となっている。そして、これらの固定部分電極543A,543Bは、平面視において、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Qの円周上で、中心点Oに対して互いに点対称となるように配置されている。
【0028】
また、固定基板51には、第一固定部分電極543Aから延出する第一引出駆動電極545と、第二固定部分電極543Bから延出する第二引出駆動電極546と、を備えている。
第一引出駆動電極545は、第一固定部分電極543Aの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C1方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、電圧制御部32に接続される第一駆動電極パッド545Pが設けられている。
また、第二引出駆動電極546は、第二固定部分電極543Bの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C3方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、電圧制御部32に接続される第二駆動電極パッド546Pが設けられている。
さらに、これらの固定部分電極543A,543B上には、固定電極541および可動駆動電極542の間の放電を防止するための絶縁膜(図示略)が積層されている。
【0029】
反射膜固定部512は、上述したように、電極形成溝511と同軸上で、電極形成溝511よりも小さい径寸法となる円柱凹溝状に形成されている。なお、本実施形態では、図3に示すように、反射膜固定部512の可動基板52に対向する反射膜固定面512Aが、電極形成面511Aよりも可動基板52より放れて形成される例を示すが、これに限らない。電極形成面511Aおよび反射膜固定面512Aの高さ位置は、反射膜固定面512Aに固定される固定反射膜56、および可動基板52に形成される可動反射膜57の間のギャップの寸法、固定電極541および可動駆動電極542の間の寸法、固定反射膜56や可動反射膜57の厚み寸法により適宜設定される。したがって、例えば、電極形成面511Aと反射膜固定面512Aとが同一面に形成される構成や、電極形成面511Aの中心部に、円柱凸柱状の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面が形成される構成などとしてもよい。
【0030】
そして、反射膜固定面512Aには、円形状に形成される固定反射膜56が固定されている。この固定反射膜56としては、金属の単層膜により形成されるものであってもよく、誘電体多層膜により形成されるものであってもよく、さらには、誘電多層膜上にAg合金が形成される構成などとしてもよい。金属単層膜としては、例えばAg合金の単層膜を用いることができ、誘電体多層膜の場合は、例えば高屈折層をTiO2、低屈折層をSiO2とした誘電体多層膜を用いることができる。
【0031】
さらに、反射膜固定面512Aには、本発明に係る固定検出電極551が固定されている。
この固定検出電極551は、図4に示すように、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Rの円周上に配置される円弧状の一対の固定部分検出電極(本発明に係る第一部分検出電極を構成する第一固定部分検出電極553A、本発明に係る第二部分検出電極を構成する第二固定部分検出電極553B)により構成されている。
これらの固定部分検出電極553A,553Bは、それぞれ、基板厚み方向から見た平面視における平面形状が同一で、略半円形状となる円弧状に形成され、かつ同一厚み寸法に形成されている。各固定部分検出電極553A,553Bの幅寸法(円弧の内径部と外径部との距離)は均一となっている。そして、これらの固定部分検出電極553A,553Bは、平面視において、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Rの円周上で、中心点Oに対して互いに点対称となるように配置されている。
【0032】
また、固定基板51には、第一固定部分検出電極553Aから延出する第一引出検出電極555と、第二固定部分検出電極553Bから延出する第二引出検出電極556と、を備えている。
第一引出検出電極555は、第一固定部分検出電極553Aの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C2方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、ギャップ検出部33に接続される第一検出電極パッド555Pが設けられている。
また、第二引出検出電極556は、第二固定部分検出電極553Bの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C4方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、ギャップ検出部33に接続される第二検出電極パッド556Pが設けられている。
【0033】
さらに、固定基板51は、可動基板52に対向する面とは反対側の面において、固定反射膜56に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、固定基板51の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【0034】
(3−1−2.可動基板の構成)
図5は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における可動基板52を固定基板51側から見た平面図である。
可動基板52は、厚みが例えば200μmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、可動基板52は、図2、図5に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部521と、可動部521と同軸であり可動部521を保持する保持部522と、を備えている。
また、可動基板52は、図2および図5に示すように、第一駆動電極パッド545P、第二駆動電極パッド546P、第一検出電極パッド555Pおよび第二検出電極パッド556Pに対向する位置に、切欠部524を備えている。このような構成では、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から見た面に電極パッド545P、546P、555P、556Pが露出する。
【0035】
可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板52の厚み寸法と同一寸法である200μmに形成されている。また、可動部521は、反射膜固定部512に平行な可動面521Aを備え、この可動面521Aに、固定反射膜56とギャップを介して対向する可動反射膜57が固定されている。
ここで、この可動反射膜57は、上述した固定反射膜56と同一の構成の反射膜が用いられる。
【0036】
さらに、可動面521Aに、固定検出電極551とギャップを介して対向する本発明に係る可動検出電極552が固定されている。
この可動検出電極552は、図5に示すように、仮想円Rに沿い、内径寸法と外形寸法との差である幅寸法が仮想円Rの円周方向に沿って同一幅寸法となる円環状に形成されている。ここで、可動検出電極552は、図2に示すような基板厚み方向から見た平面視において、第一固定部分検出電極553Aと重なり合う第一対向検出領域554A、および第二固定部分検出電極553Bと重なり合う第二対向検出領域554Bを含む円環状に形成されている。そして、第一固定部分検出電極553Aと、可動検出電極552の第一対向検出領域554Aとにより、第一部分ギャップ検出センサー58Aが構成され、第二固定部分検出電極553Bと、可動検出電極552の第二対向検出領域554Bとにより、第二部分ギャップ検出センサー58Bが構成される。
【0037】
そして、可動部521は、可動面521Aとは反対側の面において、可動反射膜57に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、固定基板51に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
【0038】
保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が50μmに形成され、可動部521よりも厚み方向に対する剛性が小さく形成されている。
このため、保持部522は可動部521よりも撓みやすく、僅かな静電引力により固定基板51側に撓ませることが可能となる。この際、可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、静電引力により可動基板52を撓ませる力が作用した場合でも、可動部521の撓みはほぼなく、可動部521に形成された可動反射膜57の撓みも防止できる。
【0039】
そして、この保持部522の固定基板51に対向する面には、固定電極541と、初期状態において約1μmの隙間を介して対向する、可動駆動電極542が固定されている。
この可動駆動電極542は、図5に示すように、仮想円Qに沿い、内径寸法と外形寸法との差である幅寸法が仮想円Qの円周方向に沿って同一幅寸法となる円環状に形成されている。ここで、可動駆動電極542は、図2に示すような基板厚み方向から見た平面視において、第一固定部分電極543Aと重なり合う第一対向駆動領域544A、および第二固定部分電極543Bと重なり合う第二対向駆動領域544Bを含む円環状に形成されている。そして、第一固定部分電極543Aと、可動駆動電極542の第一対向駆動領域544Aとにより、第一部分アクチュエーター55Aが構成され、第二固定部分電極543Bと、可動駆動電極542の第二対向駆動領域544Bとにより、第二部分アクチュエーター55Bが構成される。
【0040】
(3−1−3.静電アクチュエーターの構成)
図6は、第一実施形態の静電アクチュエーター54の配線図である。
静電アクチュエーター54は、上述したように、第一固定部分電極543Aおよび可動駆動電極542の第一対向駆動領域544Aにより構成される第一部分アクチュエーター55Aと、第二固定部分電極543Bおよび可動駆動電極542の第二対向駆動領域544Bにより構成される第二部分アクチュエーター55Bと、を備えている。
【0041】
このような静電アクチュエーター54では、第一引出駆動電極545の第一駆動電極パッド545Pと、第二引出駆動電極546の第二駆動電極パッド546Pとの間に駆動電圧Vが印加されると、各部分アクチュエーター55A,55Bには、容量リアクタンスに応じた分圧V1,V2が印加される。
また、各部分アクチュエーター55A,55Bは、波長可変干渉フィルター5を基板厚み方向から見た平面視において、同一形状に形成され、仮想円Q上で等角度間隔(180度)に配置されている。したがって、各部分アクチュエーター55A,55Bにおける電極間の寸法(電極間ギャップ)をそれぞれd1、d2、第一及び第二固定部分電極543A,543B、第一対向駆動領域544A、および第二対向駆動領域544Bの面積をSD、誘電率をεとすると、各部分アクチュエーター55A,55Bの静電容量CD1,CD2はそれぞれ、以下の式(1)〜(2)で表される。
【0042】
CD1=εSD/d1 …(1)
CD2=εSD/d2 …(2)
【0043】
ここで、各部分アクチュエーター55A,55Bは、電気的に直列接続されているため、これらの部分アクチュエーター55A,55Bで保持される電荷量Qは同値となり、以下の式(3)が成立する。
【0044】
Q=CD1V1=CD2V2 …(3)
【0045】
一方、各部分アクチュエーター55A,55Bに作用する静電引力F1,F2は、各部分アクチュエーター55A,55Bの電極間の電界E1,E2と、各部分アクチュエーター55A,55Bで保持される電荷量Qとの積E1Q,E2Qとなる。
したがって、静電引力F1,F2は、上記式(1)〜(3)を代入すると、以下の式(4)〜(5)のように表せる。
【0046】
F1=E1Q=Q2/εSD …(4)
F2=E2Q=Q2/εSD …(5)
【0047】
すなわち、上記式(4)〜(5)に示されるように、各部分アクチュエーター55A,55Bに作用する静電引力F1,F2は、部分電極間ギャップd1、d2の値によらず同値となる。
したがって、例えば、初期ギャップにおいて、電極間ギャップd1、d2の値に、例えば測定精度に影響しない程度の僅かな差があり、静電アクチュエーター54に電圧を印加した場合であっても、これらの電極間ギャップd1、d2の差が開くことがなく、保持部522を均一に撓ませることができる。
【0048】
(3−1−4.ギャップ検出センサーの構成)
図7は、第一実施形態のギャップ検出センサー58の配線図である。
ギャップ検出センサー58は、上述したように、第一固定部分検出電極553Aおよび可動検出電極552の第一対向検出領域554Aにより構成される第一部分ギャップ検出センサー58Aと、第二固定部分検出電極553Bおよび可動検出電極552の第二対向検出領域554Bにより構成される第二部分ギャップ検出センサー58Bと、を備えている。
【0049】
各部分ギャップ検出センサー58A、58Bは、波長可変干渉フィルター5を基板厚み方向から見た平面視において、同一形状に形成され、仮想円R上で等角度間隔(180度)に配置されている。したがって、各部分ギャップ検出センサー58A、58Bにおける検出電極間の寸法(検出電極間ギャップ)をそれぞれh1、h2、第一及び第二固定部分検出電極553A、553B、第一対向検出領域554A、および第二対向検出領域554Bの面積をSS、誘電率をεとすると、各部分ギャップ検出センサー58A,58Bの静電容量CS1,CS2はそれぞれ、以下の式(6)〜(7)で表される。
【0050】
CS1=εSS/h1 …(6)
CS2=εSS/h2 …(7)
【0051】
このようなギャップ検出センサー58では、第一引出検出電極555の第一検出電極パッド555Pと、第二引出検出電極556の第二検出電極パッド556Pとの間の静電容量CSは、以下の式(8)で表される。
【0052】
CS=CS1CS2/(CS1+CS2)=εSS/(h1+h2) …(8)
【0053】
そして、検出電極間の平均寸法hは、以下の式(9)で表される。
【0054】
h=(h1+h2)/2=εSS/2CS …(9)
【0055】
したがって、第一引出検出電極555の第一検出電極パッド555Pと、第二引出検出電極556の第二検出電極パッド556Pとの間の静電容量CSを測定することで検出電極間の平均寸法hを検出することができる。
なお、本実施形態では、第一検出電極と第一反射膜と、は同一面上に設けられ、第二検出電極と第二反射膜と、も同一面上に設けられている。このため、第一反射膜と第二反射膜間のギャップと第一検出電極と第二検出電極間のギャップは等しくなり、反射膜間のギャップを高精度に検出することができる。
【0056】
(3−1−5.波長可変干渉フィルターへの配線)
図8は、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込んだ際の配線構造を示す図である。図9は、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込んだ際の配線構造の他の例を示す図である。
【0057】
波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込む場合、一般には、測色センサー3に設けられたフィルター固定基板に直接波長可変干渉フィルター5を固定したり、ケースに波長可変干渉フィルター5を保持し、ケースをフィルター固定基板に固定したりする。
【0058】
そして、波長可変干渉フィルター5の電極パッド545P、546Pと、測色センサー3の電圧制御部32とを接続する場合、及び、波長可変干渉フィルター5の電極パッド555P、556Pと、測色センサー3のギャップ検出部33とを接続する場合、波長可変干渉フィルター5が固定部34に固定された状態で配線が施される。
この時、波長可変干渉フィルター5への配線方法としては、例えば、図8に示すように、電極パッド545P、546P、555P、556P上に溶融状態のAgペースト等の導電性部材35を設け、導電性部材35が固化する前に、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から、リード線36を接続する。この場合、配線作業を、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から容易にリード線36を接続することができる。
【0059】
また、波長可変干渉フィルター5への他の配線方法としては、例えば、図9に示すように、FPC37(Flexible Printed Circuits)を、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)または、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電層38を介して接続してもよい。この場合、電極パッド545P、546P、555P、556P上に異方性導電層38を形成し、FPC37を被せた後、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側からFPC37を押圧する。この場合でも、可動基板52に応力が加わらないため、固定基板51と可動基板52との剥離や、可動基板52の撓みなどがなく、波長可変干渉フィルター5の性能を維持することができる。
【0060】
(3−2.電圧制御手段の構成)
電圧制御部32は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター54に印加する電圧を制御する。
【0061】
(3−3.ギャップ検出手段の構成)
ギャップ検出部33は、波長可変干渉フィルター5のギャップ検出センサー58の静電容量を検出し、検出信号を制御装置4へ出力する。
【0062】
〔4.制御装置の構成〕
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。
この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および本発明に係る分析処理部を構成する測色処理部43などを備えて構成されている。
光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。このとき、測色センサー制御部42は測色センサー3のギャップ検出部33の検出信号に基づいて制御信号を補正することができる。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター54への印加電圧を設定する。
測色処理部43は、検出部31により検出された受光量から、測定対象Aの色度を分析する。
【0063】
〔5.本実施形態の作用効果〕
上述したように、上記実施形態の波長可変干渉フィルター5は、固定電極541が互いに絶縁された第一固定部分電極543Aおよび第二固定部分電極543Bにより構成され、可動駆動電極542は、第一固定部分電極543Aに対向する第一対向駆動領域544Aおよび第二固定部分電極543Bに対向する第二対向駆動領域544Bを含むリング状に形成されている。そして、第一固定部分電極543Aには第一引出駆動電極545が形成され、第二固定部分電極543Bには第二引出駆動電極546が形成されている。
このような構成では、第一引出駆動電極545の第一駆動電極パッド545Pと、第二引出駆動電極546の第二駆動電極パッド546Pとの間に駆動電圧を印加することで、第一固定部分電極543Aおよび可動駆動電極542の第一対向駆動領域544Aにより構成された第一部分アクチュエーター55Aと、第二固定部分電極543Bおよび可動駆動電極542の第二対向駆動領域544Bにより構成された第二部分アクチュエーター55Bを駆動させることができる。
【0064】
さらに、固定検出電極551が互いに絶縁された第一固定部分検出電極553Aおよび第二固定部分検出電極553Bにより構成され、可動検出電極552は、第一固定部分検出電極553Aに対向する第一対向検出領域554Aおよび第二固定部分検出電極553Bに対向する第二対向検出領域554Bを含むリング状に形成されている。そして、第一固定部分検出電極553Aには第一引出検出電極555が形成され、第二固定部分検出電極553Bには第二引出検出電極556が形成されている。
このような構成では、第一引出検出電極555の第一検出電極パッド555Pと、第二引出検出電極556の第二検出電極パッド556Pとの間の静電容量を検出することで、反射膜56,57間のギャップ寸法を検出することができる。
【0065】
そして、第一引出駆動電極545、および第二引出駆動電極546は、固定基板51上に形成され、それぞれ固定基板51の外周縁に形成された第一駆動電極パッド545P、および第二駆動電極パッド546Pに接続されている。
また、第一引出検出電極555、および第二引出検出電極556は、固定基板51上に形成され、それぞれ固定基板51の外周縁に形成された第一検出電極パッド555P、および第二検出電極パッド556Pに接続されている。
このため、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込む際、Agペーストなどの導電性部材35を介してリード線36を接続する際でも、異方性導電層38を介してFPC37を接続する際でも、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から配線作業を簡単に実施できる。また、配線により、固定部34に固定される固定基板51に対して応力が加わることがあったとしても、可動基板52には応力が加わらないので、固定基板51および可動基板52の剥離や、可動基板52の傾斜が発生せず、波長可変干渉フィルターの性能低下を防止できる。また、固定基板51の各電極パッド545P、546P、555P、556Pに対して確実に配線することができるので、配線信頼性が向上し、測色センサー3や測色装置1の信頼性をも向上させることができる。
【0066】
また、可動基板52には、電極パッド545P、546P、555P、556Pの位置に対応して切欠部524が形成されている。このため、配線作業時に、可動基板52が邪魔になることがない。また、可動基板52に応力を加えることなく配線を実施できる。
【0067】
また、各部分アクチュエーター55A,55Bにおける、仮想円Qの周方向および基板厚み方向に対して直交する幅寸法は、均一に形成されている。このため、各部分アクチュエーター55A,55Bにおいて、周方向に沿った静電引力のムラがなく、可動部521を精度よく変位させることができる。
【0068】
そして、固定電極541の第一固定部分電極543Aおよび第二固定部分電極543Bは、平面視において同一形状に形成されており、仮想円Qの円周上で、中心点Oに対して点対称となる位置に配置されている。また、第一固定部分電極543Aおよび第一対向駆動領域544Aにより構成された第一部分アクチュエーター55Aと、第二固定部分電極543Bおよび第二対向駆動領域544Bにより構成された第二部分アクチュエーター55Bとは、電気的に直列に接続されている。
このため、静電アクチュエーター54に駆動電圧を印加した際に、各部分アクチュエーター55A,55Bに同一大きさの静電引力が作用する。したがって、固定反射膜56および可動反射膜57間のギャップを変動させた場合でも、固定反射膜56および可動反射膜57の平行性を維持することができ、分解能の低下を抑えることができる。
【0069】
さらに、可動駆動電極542は、可動基板52の保持部522上で、仮想円Qの円周に沿うリング上に形成されている。すなわち、可動部521の中心点に対して点対称となる形状に形成されている。さらには、可動基板52には、可動駆動電極542から延出する引出電極等が不要であり、引出電極による膜応力なども発生しない。
このため、保持部522に作用する可動駆動電極542の膜応力が均一となり、保持部522の応力バランスを均一に保つことができ、可動部521の傾斜を抑えることができる。したがって、反射膜56,57間のギャップ寸法を均一にすることができ、波長可変干渉フィルター5の分解能を高精度に維持することができる。
【符号の説明】
【0070】
1…光分析装置としての測色装置、3…光モジュールとしての測色センサー、5…波長可変干渉フィルター、31…検出部、43…分析処理部である測色処理部、51…第一基板である固定基板、52…第二基板である可動基板、54…静電アクチュエーター、55A…第一部分アクチュエーター、55B…第二部分アクチュエーター、56…第一反射膜である固定反射膜、57…第二反射膜である可動反射膜、58…ギャップ検出センサー、58A…第一部分ギャップ検出センサー、58B…第二部分ギャップ検出センサー、521…可動部、522…保持部、541…第一駆動電極である固定駆動電極、542…第二駆動電極である可動駆動電極、543A…第一部分駆動電極である第一固定部分駆動電極、543B…第二部分駆動電極である第二固定部分駆動電極、544A…第一対向駆動領域、544B…第二対向駆動領域、545…第一引出駆動電極、546…第二引出駆動電極、551…第一検出電極である固定検出電極、552…第二検出電極である可動検出電極、553A…第一部分検出電極である第一固定部分検出電極、553B…第二部分検出電極である第二固定部分検出電極、554A…第一対向検出領域、554B…第二対向検出領域、555…第一引出検出電極、556…第二引出検出電極。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記第一基板に設けられた第一駆動電極、および前記第二基板に設けられて前記第一駆動電極に対向する第二駆動電極を備えた静電アクチュエーターと、
前記第一基板に設けられた第一検出電極、および前記第二基板に設けられて前記第一検出電極に対向する第二検出電極を備えたギャップ検出電極と、を具備し、
前記第二基板は、前記第二反射膜が設けられた可動部と、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、
前記第一基板および前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部は円形状に形成され、前記保持部は前記可動部の外周に沿って形成され、
前記第一駆動電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分駆動電極および第二部分駆動電極を備え、
前記第一基板には、前記第一部分駆動電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出駆動電極と、前記第二部分駆動電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出駆動電極とが設けられ、
前記第二駆動電極は、前記平面視において、前記第一部分駆動電極に重なる第一対向駆動領域と、前記第二部分駆動電極に重なる第二対向駆動領域とを備え、
前記第一検出電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分検出電極および第二部分検出電極を備え、
前記第一基板には、前記第一部分検出電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出検出電極と、前記第二部分検出電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出検出電極とが設けられ、
前記第二検出電極は、前記平面視において、前記第一部分検出電極に重なる第一対向検出領域と、前記第二部分検出電極に重なる第二対向検出領域とを備えている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項2】
請求項1に記載に波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一検出電極は、前記第一反射膜と同一面上に設けられ、
前記第二検出電極は、前記第二反射膜と同一面上に設けられた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項3】
請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一部分検出電極は、第一仮想円に沿う円弧形状であり、
前記第二部分検出電極は、前記第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記平面視において、前記第一部分検出電極と同一形状に形成され、かつ、前記可動部の中心点に対し、前記第一部分検出電極と点対称となる位置に設けられた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項4】
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部と、
を具備したことを特徴とする光モジュール。
【請求項5】
請求項4に記載の光モジュールと、
前記光モジュールの前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部と、
を具備したことを特徴とする光分析装置。
【請求項1】
第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記第一基板に設けられた第一駆動電極、および前記第二基板に設けられて前記第一駆動電極に対向する第二駆動電極を備えた静電アクチュエーターと、
前記第一基板に設けられた第一検出電極、および前記第二基板に設けられて前記第一検出電極に対向する第二検出電極を備えたギャップ検出電極と、を具備し、
前記第二基板は、前記第二反射膜が設けられた可動部と、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、
前記第一基板および前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部は円形状に形成され、前記保持部は前記可動部の外周に沿って形成され、
前記第一駆動電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分駆動電極および第二部分駆動電極を備え、
前記第一基板には、前記第一部分駆動電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出駆動電極と、前記第二部分駆動電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出駆動電極とが設けられ、
前記第二駆動電極は、前記平面視において、前記第一部分駆動電極に重なる第一対向駆動領域と、前記第二部分駆動電極に重なる第二対向駆動領域とを備え、
前記第一検出電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分検出電極および第二部分検出電極を備え、
前記第一基板には、前記第一部分検出電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出検出電極と、前記第二部分検出電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出検出電極とが設けられ、
前記第二検出電極は、前記平面視において、前記第一部分検出電極に重なる第一対向検出領域と、前記第二部分検出電極に重なる第二対向検出領域とを備えている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項2】
請求項1に記載に波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一検出電極は、前記第一反射膜と同一面上に設けられ、
前記第二検出電極は、前記第二反射膜と同一面上に設けられた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項3】
請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一部分検出電極は、第一仮想円に沿う円弧形状であり、
前記第二部分検出電極は、前記第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記平面視において、前記第一部分検出電極と同一形状に形成され、かつ、前記可動部の中心点に対し、前記第一部分検出電極と点対称となる位置に設けられた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項4】
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部と、
を具備したことを特徴とする光モジュール。
【請求項5】
請求項4に記載の光モジュールと、
前記光モジュールの前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部と、
を具備したことを特徴とする光分析装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【公開番号】特開2012−220656(P2012−220656A)
【公開日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−85172(P2011−85172)
【出願日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【国際特許分類】
【出願日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
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