説明

液体吐出ヘッド用基板の製造方法

【課題】 シリコン基板の両面から短時間で液体供給口を形成することができ、かつ液体供給口の開口幅を精度よく形成することができる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 液体を吐出するためのエネルギ発生素子を表面側に有するシリコン基板を用意する工程と、前記シリコン基板の表面側に、第1のエッチング液導入孔を形成する工程と、前記シリコン基板の表面側に形成した第1のエッチング液導入孔から第1のエッチング液を供給し、前記シリコン基板の裏面側から第2のエッチング液を供給する工程と、前記第2のエッチング液の供給を停止する工程と、前記第2のエッチング液の供給を停止した後に、前記第1のエッチング液の供給によって前記シリコン基板の表面と裏面とを貫通する液体供給口を形成する工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液体吐出ヘッド用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
液体吐出ヘッド用基板を製造する際、シリコン基板にエッチングを行い、液体供給口を形成することが知られている。シリコン基板は、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液等のアルカリ水溶液に対する被エッチングレートが面方位によって異なる。この面方位による被エッチングレートの違いを利用した異方性エッチングをシリコン基板に行い、液体供給口を形成する。
【0003】
生産性の向上を図る技術として、例えば特許文献1には、シリコン基板の両面からエッチング液を供給し、シリコン基板の両面から同時にエッチングを行う方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2011−51253号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
生産性を向上させる為には、シリコン基板に対するエッチングレートが高いエッチング液によって、シリコン基板をエッチングすることが考えられる。
【0006】
しかし、本発明者らの検討によれば、特許文献1においてこのようなエッチング液を用いた場合、エネルギ発生素子が形成されている側の面である表面側の液体供給口の開口幅を精度よく形成できないことがあった。具体的には以下の通りである。
【0007】
まず、表面のエネルギ発生素子や配線を保護する保護膜が、エッチングレートの高いエッチング液によってエッチングされてしまうことがあった。この結果、保護膜によるシリコン基板のサイドエッチングの制御がしづらくなり、液体供給口の開口幅の制御が困難となることがあった。
【0008】
また、特許文献1では、シリコン基板に対して選択的にエッチングされるエッチング犠牲層を用いて、表面側の液体供給口の開口幅を規定しているが、エッチングレートが高いエッチング液を用いた場合、エッチング犠牲層がエッチングされにくいことがあった。よって、エッチング犠牲層を用いた開口幅の制御が困難となることがあった。
【0009】
従って、本発明は、シリコン基板の両面から短時間で液体供給口を形成することができ、かつ液体供給口の開口幅を精度よく形成することができる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題は、以下の本発明によって解決される。即ち本発明は、シリコン基板の表面と裏面とを貫通する液体供給口を有する液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、液体を吐出するためのエネルギ発生素子を表面側に有するシリコン基板を用意する工程と、前記シリコン基板の表面側に、第1のエッチング液導入孔を形成する工程と、前記シリコン基板の表面側に形成した第1のエッチング液導入孔から第1のエッチング液を供給し、前記シリコン基板の裏面側から第2のエッチング液を供給する工程と、前記第2のエッチング液の供給を停止する工程と、前記第2のエッチング液の供給を停止した後に、前記第1のエッチング液の供給によって前記シリコン基板の表面と裏面とを貫通する液体供給口を形成する工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法である。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、シリコン基板の両面から短時間で液体供給口を形成することができ、かつ液体供給口の開口幅を精度よく形成することができる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の液体吐出ヘッド用基板の製造方法の一実施形態を表す図。
【図2】本発明の液体吐出ヘッド用基板の製造方法の一実施形態を表す図。
【図3】液体吐出ヘッドの模式的斜視図。
【発明を実施するための形態】
【0013】
図3は、本発明の液体吐出ヘッドの一例を示す模式的斜視図である。図3に示されるように、液体吐出ヘッドは、エネルギ発生素子5が所定のピッチで2列並んで形成されたシリコン基板1を有している。シリコン基板1の表面側には、流路18及びエネルギ発生素子5の上方に開口する吐出口16が、流路形成部材を成す被覆樹脂15により形成されている。また、シリコン基板1を異方性エッチングすることによって形成された液体供給口17が、シリコン基板の表面と裏面とを貫通するようにして、エネルギ発生素子5の2つの列の間に開口している。この液体吐出ヘッドは、液体供給口17を介して液体流路内に充填された液体に、エネルギ発生素子5が発生する圧力を加えることによって、液体(液滴)を吐出口16から吐出させて被記録媒体に付着させることにより記録を行う。
【0014】
本発明では、シリコン基板の表面及び裏面のそれぞれに、異なる種類のエッチング液を使い、各面を独立してエッチングすることで、エッチングを機能分離する。具体的には、表面側には開口幅を精度よく形成することができるエッチング液、裏面側には表面側のエッチング液よりシリコン基板に対するエッチングレートが高いエッチング液を用いる。これにより、エッチング時間を短縮しつつ、シリコン基板表面側の液体供給口の開口幅を精度よく形成することができる。
【0015】
さらに、本発明者らは、エッチングレートの高いエッチング液が、液体供給口のシリコン基板貫通時に表面側に回り込むと、表面側に形成されたエネルギ発生素子やエネルギ発生素子の配線の信頼性を低下させることがあることを見出した。そこで、本発明では、シリコン基板裏面側からのエッチングを、表面側からのエッチングよりも先に停止する。
【0016】
本発明によれば、機能分離を行い独立したエッチングを行うことに加えて、裏面側からのエッチングを先に停止することにより、これらが相乗的に作用し、エッチング時間の短縮を行いつつ、シリコン基板表面の液体供給口の開口幅を精度よく形成できる。さらには、シリコン基板の表面側に形成されたエネルギ発生素子やエネルギ発生素子の配線の信頼性を高くすることができる。
【0017】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【0018】
(第1の実施形態)
図1を用いて第1の実施形態を説明する。図1は、図3のA−A切断面模式図である。尚、図1には、図3に示す吐出口、流路は図示していない。
【0019】
まず、図1(a)に示すようなシリコン基板を用意する。シリコン基板1の表面側には、複数のエネルギ発生素子5と、エネルギ発生素子に電気信号を送る配線が設けられている。また、これらを保護する保護層4と、液体吐出ヘッド用基板と記録装置本体を電気的に接続する為の部分を形成するバリア層(不図示)、シード層3、シリコン基板1に対して選択的にエッチングされるエッチング犠牲層2が設けられている。エッチング犠牲層2は、アルミニウム等で形成される。シリコン基板の表面とは反対側の裏面には、表面のエッチング犠牲層2に対応した開口部13を有するエッチングマスク層12が設けられている。エッチングマスク層12としては、用いるエッチング液に対してエッチングされにくいものであればよいが、例えば酸化シリコンやポリエーテルアミド等が挙げられる。
【0020】
次に、図1(b)に示すように、表面のシード層3上から、液体供給口の開口部に対応するように、シード層3、バリア層、保護層4、エッチング犠牲層2を貫通し、シリコン基板1内に留まる第1のエッチング液導入孔7を形成する。第1のエッチング液導入孔7は、例えばレーザーを用いて形成する。続いて、図1(c)に示すように、表面側から第1のエッチング液9、裏面側から第2のエッチング液14を用いて、それぞれの面に対して独立してエッチングを行う。
【0021】
第1のエッチング液9としては、保護層4に対するエッチングレートがシリコン基板1に対するエッチングレートよりも低く、エッチング犠牲層2に対するエッチングレートがシリコン基板1に対するエッチングレートよりも高いアルカリ性水溶液を用いることが好ましい。特に、第1のエッチング液としては、TAMH水溶液を用いることが好ましい。TMAH水溶液のTMAHの濃度は、15質量%以上25質量%以下であることが好ましい。TMAHの濃度は、より好ましくは22質量%以下、さらに好ましくは20質量%以下である。このようにすることで、シリコン基板1のエッチングをより早くすることができる。また、シリコン基板1の表面側に存在する保護膜4をエッチングしにくいので、液体供給口の開口幅を精度よく制御できる。
【0022】
また、第2のエッチング液14としては、第1のエッチング液9よりもシリコン基板1に対するエッチングレートが高いエッチング液を用いることが好ましい。第2のエッチング液としては、TMAH水溶液またはKOH水溶液を用いることが好ましい。TMAH水溶液を用いる場合には、TMAH水溶液のTMAHの濃度は、8質量%以上15質量%以下であることが好ましい。TMAHの濃度が8質量%以上の場合、シリコン基板の面荒れの発生を抑制できる。TMAHの濃度が15質量%以下の場合、エッチングレートを向上させることができる。TMAHの濃度を8質量%以上15質量%以下と範囲とすることで、例えばTMAHの濃度が22質量%のTMAH水溶液と比較し、シリコン基板に対するエッチングレートを1.2〜1.5倍にすることができる。シリコン基板1のエッチングをより早くするという点では、TMAHの濃度は10質量%以下がより好ましく、さらに好ましくは9質量%以下である。また、TMAH水溶液を用いる場合は、水酸化セシウム(CsOH)を添加することが好ましい。水酸化セシウムを添加することでも、シリコン基板1のエッチングをより早めることができる。第2のエッチング液は、水酸化セシウムを1質量%以上5質量%以下含有することが好ましい。
【0023】
次に、図1(d)に示すように、第2のエッチング液14の供給を、第1のエッチング液9の供給よりも先に停止する。そして、図1(e)に示すように、第1のエッチング液9によるエッチングで、液体供給口11を、シリコン基板を貫通するように形成する。その後、図1(f)に示すように、シード層3、バリア層、保護層4の一部を除去する。最後に、図1(g)のように裏面のエッチングマスク層12を除去する。以上の工程により、エッチング時間を短縮し、かつ表面のエネルギ発生素子5やその配線の信頼性低下を防ぐことができる。尚、本実施形態では、裏面のエッチングマスク層に開口部を設けただけでエッチングを行ったが、レーザー加工などによって、裏面にも表面同様にエッチング液導入孔を形成しても構わない。
【0024】
(第2の実施形態)
図2を用いて、第2の実施形態を説明する。図2は、図3のA−A切断面模式図である。尚、図2には、図3に示す吐出口、流路は図示していない。
【0025】
本実施形態では、第1の実施形態と比較して、シリコン基板1の裏面にエッチングマスク層を設けない。また、裏面に第2のエッチング液導入孔を形成する点で異なる。さらに、第2のエッチング液として、酸化シリコン膜に対するエッチングレートが、シリコン基板1に対するエッチングレートよりも低いエッチング液を用いる。これ以外は、第1の実施形態と同様である。
【0026】
図2(a)に示すように、シリコン基板1の表面側は第1の実施形態の表面側と同様の構成である。裏面側には酸化シリコン膜が設けられているものの、エッチングマスク層としては用いない。特にサーマルインクジェット型の記録ヘッドのシリコン基板には、シリコン基板の裏面側に酸化シリコン膜が設けられることが多い。
【0027】
次に、図2(b)に示すように、第1の実施形態と同様に、シリコン基板の表面側に第1のエッチング液導入孔7を形成する。一方、裏面側には、酸化シリコン膜6上から、酸化シリコン膜6を貫通し、シリコン基板1内に留まる第2のエッチング液導入孔8を、表面側の液体供給口の開口位置に対応するように形成する。続いて、図2(c)に示すように、表面側から第1の実施形態と同様の第1のエッチング液9で、裏面側から第2のエッチング液10で、それぞれの面を独立してエッチングする。このとき、裏面側では、酸化シリコン膜6とシリコン基板1を同時にエッチングするようにする。尚、第2のエッチング液10としては、第1のエッチング液9よりもシリコン基板1に対するエッチングレートが高いエッチング液であって、酸化シリコン膜6に対するエッチングレートも高いエッチング液を用いる。このようなエッチング液としては、例えばKOH水溶液が挙げられる。KOH水溶液を用いる場合、KOHの濃度は裏面の酸化シリコン膜の厚みに対応して、「裏面の酸化シリコン膜の除去時間<第2のエッチング液停止時間」となる様に設定すればよい。好ましくは、KOHの濃度を20質量%以上50質量%以下とする。第1のエッチング液9の好ましい組成等に関しては、第1の実施形態と同様である。
【0028】
次に、図2(d)に示すように、裏面側からの第2のエッチング液10の供給を、表面側からの第1のエッチング液9の供給よりも先に停止する。そして、図2(e)に示すように、第1のエッチング液9によるエッチングで、液体供給口11を、シリコン基板を貫通するように形成する。その後、図2(f)に示すように、シード層3、バリア層、保護層4の一部を除去する。本実施形態においては、裏面の酸化シリコン膜を除去する工程を削減できるので、エッチング時間を効率的に短縮することができる。また、表面のエネルギ発生素子5やその配線の信頼性低下を防ぐことができる。
【実施例】
【0029】
以下、実施例を用いてさらに具体的に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限り、下記実施例により限定されるものではない。
【0030】
(実施例1)
図1(a)−(g)を用いて、実施例1を説明する。
【0031】
図1(a)に示すように、シリコン基板1の表面上には、エネルギ発生素子5が複数個配置されている。エネルギ発生素子5としては、TaSiNを用いた。続いて、表面上にアルミニウムを用いてエッチング犠牲層2を形成し、さらに。エネルギ発生素子5及びエッチング犠牲層2を覆う保護層4を形成した。保護層4としては、SiOを用いた。そして、保護層4上に、液体吐出ヘッドと本体とを電気的に接合する配線部を形成されるのに利用されるバリア層(不図示)、さらにシード層3をこの順で形成した。シード層3としては金を用いた。シリコン基板1の表面と反対側の裏面には、酸化シリコン膜を設け、酸化シリコン膜に液体供給口の開口幅に対応した開口部13を開けることでエッチングマスク層12とした。
【0032】
次に、図1(b)に示すように、シリコン基板1の表面側のシード層3上から、レーザーにてシード層3、バリア層、保護層4、エッチング犠牲層2を貫通し、シリコン基板1内に留まる深さ450μmの第1のエッチング液導入孔7を形成した。続いて、図1(c)に示すように、シリコン基板1の表面を第1のエッチング液9で、裏面を第2のエッチング液14で、それぞれの面に対して独立して同時にエッチングを開始した。第1のエッチング液9としては、TMAHを22質量%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を使用した。第2のエッチング液14としては、TMAHを10質量%、CsOHを1質量%、残りを純水で合計100質量%としたものを用いた。
【0033】
そして、図1(d)に示すように、表面側の第1のエッチング液導入孔7から形成されたエッチング孔と、裏面側から形成されたエッチング孔が連通する前に、裏面側からの第2のエッチング液の供給を停止し、裏面側からのエッチングを停止した。その後、裏面側から形成されたエッチング孔をリンス液(純水)で洗浄した。続いて、図1(e)に示すように、第1のエッチング液9によるエッチングで、表面側の第1のエッチング液導入孔7から形成されたエッチング孔と裏面側から形成されたエッチング孔を連通させることによって、液体供給口11を形成した。その後、図1(f)に示すように、シード層3、バリア層、保護層4の一部を除去した。最後に、図1(g)に示すように、エッチングマスク層12を除去した。このようにして、液体吐出ヘッド用基板を10個製造した。
【0034】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、第2のエッチング液を停止する時間は262分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は288分であった。
【0035】
(実施例2)
図2(a)−(f)を用いて、実施例2を説明する。
【0036】
本実施例では、実施例1に対し、裏面の酸化シリコン膜に開口を設けず、酸化シリコン膜をエッチングマスク層として使用しない点で異なる。また、裏面側に第2のエッチング液導入孔を形成し、さらに第2のエッチング液の組成を変更した。これ以外は実施例1と同様である。尚、裏面の酸化シリコン膜の厚みは0.7μmとした。
【0037】
図2(a)に示すように、シリコン基板1の表面上は、実施例1の構成と同様である。また、シリコン基板1の表面の反対側の裏面には、酸化シリコン膜6が設けられている。次に、図2(b)に示すように、シリコン基板1の表面側に深さ380μmの第1のエッチング液導入孔7を形成した。
【0038】
次に、裏面の酸化シリコン膜6上から、酸化シリコン膜6を貫通し、シリコン基板1内に留まる深さ380μm、レーザー孔ピッチ410μmの第2のエッチング液導入孔8をレーザーにて形成した。続いて、図2(c)に示すように、シリコン基板1の表面側から実施例1と組成が同じ第1のエッチング液9で、裏面側から実施例1とは組成の異なる第2のエッチング液10で、それぞれの面に対して同時にエッチングを開始した。ここで、裏面側では酸化シリコン膜6とシリコン基板1を同時にエッチングした。第2のエッチング液10としては、KOHを23質量%、残りを純水で100質量%となるように調整したKOH水溶液を用いた。
【0039】
その後、図2(d)に示すように、表面側の第1のエッチング液導入孔7から形成されたエッチング孔と、裏面側から形成されたエッチング孔が連通する前に、裏面側からの第2のエッチング液10の供給を停止し、裏面のエッチングを停止した。停止後、裏面側から形成されたエッチング孔をリンス液(純水)で洗浄した。続いて、図2(e)に示すように、第1のエッチング液9によるエッチングで、表面側の第1のエッチング液導入孔7から形成されたエッチング孔と裏面側から形成されたエッチング孔とを連通させることによって、液体供給口11を形成した。最後に、図2(f)に示すように、シード層3、バリア層、保護層4の一部を除去した。このようにして、液体吐出ヘッド用基板を10個製造した。
【0040】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、裏面の酸化シリコン膜の除去時間は74分、第2のエッチング液を停止する時間は78分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は159分であった。
【0041】
(実施例3)
実施例1において、第1のエッチング液として、TMAHを15質量%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0042】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、第2のエッチング液を停止する時間は256分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は281分であった。
【0043】
(実施例4)
実施例1において、第1のエッチング液として、TMAHを25質量%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0044】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、第2のエッチング液を停止する時間は264分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は291分であった。
【0045】
(実施例5)
実施例2において、第1のエッチング液として、TMAHを15質量%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を用いた。これ以外は、実施例2と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0046】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、裏面の酸化シリコン膜の除去時間は74分、第2のエッチング液を停止する時間は97分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は154分であった。
【0047】
(実施例6)
実施例2において、第1のエッチング液として、TMAHを25質量%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を用いた。これ以外は、実施例2と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0048】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、裏面の酸化シリコン膜の除去時間は74分、第2のエッチング液を停止する時間は80分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は160分であった。
【0049】
(実施例7)
実施例1において、第2のエッチング液として、TMAHを8質量%、CsOHを1質量%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0050】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、第2のエッチング液を停止する時間は260分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は286分であった。
【0051】
(実施例8)
実施例1において、第2のエッチング液として、TMAHを8質量%、CsOHを5質量%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0052】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、第2のエッチング液を停止する時間は228分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は250分であった。
【0053】
(実施例9)
実施例1において、第2のエッチング液として、TMAHを質量15%、CsOHを1質量%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0054】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、第2のエッチング液を停止する時間は298分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は328分であった。
【0055】
(実施例10)
実施例1において、第2のエッチング液として、TMAHを質量15%、CsOHを質量5%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0056】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、第2のエッチング液を停止する時間は291分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は320分であった。
【0057】
(実施例11)
実施例2において、裏面の酸化シリコン膜の厚みを1.1μmとし、第2のエッチング液として、KOHを48質量%、残りを純水で100質量%となるように調整したKOH水溶液を用いた。これ以外は、実施例2と同様にして液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0058】
本実施例によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となり、信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板を製造することができた。また、裏面の酸化シリコン膜の除去時間は39分、第2のエッチング液を停止する時間は40分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は81分であった。
【0059】
(比較例1)
実施例1において、第2のエッチング液として、TMAHを22質量%、残りを純水で合計100質量%となるように調整したTMAH水溶液を用いた。即ち、第1のエッチング液と第2のエッチング液の組成を同じにした。これ以外は、実施例1と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0060】
比較例1によれば、液体供給口の開口幅のばらつきは±1μmの範囲となった。また、第2のエッチング液を停止する時間は488分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は536分であった。
【0061】
液体供給口の開口幅のばらつきは安定していたが、実施例1と比較して製造時間が長くかかった。また、耐オーバーエッチング時間以上にエッチングする必要があり、表面側の供給口の開口幅が広くなってしまった。
【0062】
(比較例2)
実施例2において、第1のエッチング液として、KOHを23質量%、残りを純水で100質量%となるように調整したKOH水溶液を用いた。即ち、第1のエッチング液と第2のエッチング液の組成を同じにした。これ以外は、実施例2と同様にして、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【0063】
比較例2で製造した液体吐出ヘッド用基板は、開口幅を規定する保護層4がエッチングされてしまい、液体供給口の開口幅のばらつきが±10μm以上となった。また、裏面の酸化シリコン膜の除去時間は74分、第2のエッチング液を停止する時間は66分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は132分であった。
【0064】
(比較例3)
実施例2において、表面側の第1のエッチング液導入孔7から形成されたエッチング孔と、裏面側から形成されたエッチング孔が連通する前に、裏面側からの第2のエッチング液10の供給を停止しなかった。即ち、第2のエッチング液10の供給を停止する前に、シリコン基板の表面と裏面とを貫通する液体供給口を形成した。
【0065】
比較例3で製造した液体吐出ヘッド用基板は、比較例2と同様、表面にKOH水溶液が回り込んだ。この為、保護膜4がエッチングされてしまい、液体供給口の開口幅のばらつきが±10μm以上となった。また、裏面酸化膜除去時間は74分、第2のエッチング液を停止する時間は79分、液体供給口が形成されるまでの時間(エッチング時間)は159分であった。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
シリコン基板の表面と裏面とを貫通する液体供給口を有する液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
液体を吐出するためのエネルギ発生素子を表面側に有するシリコン基板を用意する工程と、
前記シリコン基板の表面側に、第1のエッチング液導入孔を形成する工程と、
前記シリコン基板の表面側に形成した第1のエッチング液導入孔から第1のエッチング液を供給し、前記シリコン基板の裏面側から第2のエッチング液を供給する工程と、
前記第2のエッチング液の供給を停止する工程と、
前記第2のエッチング液の供給を停止した後に、前記第1のエッチング液の供給によって前記シリコン基板の表面と裏面とを貫通する液体供給口を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項2】
前記シリコン基板は表面側に保護層及びエッチング犠牲層を有し、前記第1のエッチング液は、保護層に対するエッチングレートがシリコン基板に対するエッチングレートよりも低く、かつエッチング犠牲層に対するエッチングレートがシリコン基板に対するエッチングレートよりも高いものであり、前記第2のエッチング液は、前記第1のエッチング液よりもシリコン基板に対するエッチングレートが高いものである請求項1に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項3】
前記第1のエッチング液がTMAH水溶液であり、前記第2のエッチング液がTMAH水溶液またはKOH水溶液である請求項1または2に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項4】
前記第1のエッチング液はTMAHの濃度が15質量%以上25質量%以下のTMAH水溶液であり、前記第2のエッチング液はTMAHの濃度が8質量%以上15質量%以下のTMAH水溶液またはKOHの濃度が20質量%以上50質量%以下のKOH水溶液である請求項1〜3のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項5】
前記第2のエッチング液は水酸化セシウムを1質量%以上5質量%以下含有する請求項3に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。


【図1】
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【図2】
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【図3】
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【公開番号】特開2013−28155(P2013−28155A)
【公開日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−112719(P2012−112719)
【出願日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【出願人】(000001007)キヤノン株式会社 (59,756)
【Fターム(参考)】