液晶装置および電子機器
【課題】イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置１００においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第１基板１０側の配向膜１６には、画素電極９ａの端部に平面視で重なる部分に、配向膜１６の膜厚を他の領域より薄くする凹部１６ａが設けられている。凹部１６ａが設けられている部分では、液晶層５０に印加される電界が他の領域と相違しているため、電界が加わった際の液晶分子５０ｂの姿勢が他の領域と相違している。この液晶層５０での流動が阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくい。
【解決手段】ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置１００においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第１基板１０側の配向膜１６には、画素電極９ａの端部に平面視で重なる部分に、配向膜１６の膜厚を他の領域より薄くする凹部１６ａが設けられている。凹部１６ａが設けられている部分では、液晶層５０に印加される電界が他の領域と相違しているため、電界が加わった際の液晶分子５０ｂの姿勢が他の領域と相違している。この液晶層５０での流動が阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に液晶層が保持された液晶装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置は、一方面側に複数の画素電極が配列した画像表示領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板とがシール材によって貼り合わされ、第１基板と第２基板との間においてシール材で囲まれた領域内には、負の誘電異方性を備えた液晶層が保持されている。かかる液晶装置においては、液晶装置の駆動に伴って液晶分子の姿勢が切り換わることに起因して、液晶層に流動が発生する。その結果、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物が、画像表示領域の角等で凝集し、画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生する。そこで、画像表示領域の外側にイオン性不純物トラップ用の電極を設け、かかる電極によって、画像表示領域の外側にイオン性不純物を引き寄せて滞留させておく技術が提案されている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
例えば、特許文献１には、第１基板の画像表示領域の外側に配向膜で覆われたイオン性不純物トラップ用の第１電極を設ける一方、第２基板の画像表示領域の外側に配向膜で覆われたイオン性不純物トラップ用の第２電極を設け、第１電極と第２電極との間に印加した直流電圧によってイオン性不純物を静電的にトラップする技術が提案されている。また、特許文献２には、第１基板の画像表示領域の外側に配向膜で覆われたイオン性不純物トラップ用の第１電極および第２電極を設け、第１電極と第２電極との間に印加した交流電圧によってイオン性不純物を静電的にトラップする技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９６３５５号公報の図１
【特許文献２】特開２００８−５８４９７号公報の図３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２に記載の技術のように、画像表示領域の外側に設けたイオン性不純物トラップ用の電極によって、イオン性不純物を静電的にトラップする構成では、画像表示領域の外側にイオン性不純物トラップ用の電極を設けるためのスペースを追加する必要があるため、画像表示領域の外側で表示に直接寄与しない領域の幅寸法が大となってしまう。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、複数の画素電極および第１配向膜が設けられた第１基板と、共通電極および第２配向膜が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された負の誘電異方性を備えた液晶層と、を有し、前記画素電極の端部と平面視で重なる部分には、前記第１配向膜および第２配向膜のうちの一方の配向膜の膜厚を当該配向膜の他の領域の膜厚より薄くする凹部が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
本発明における「凹部」において、「前記第１配向膜および前記第２配向膜のうちの一方の配向膜の膜厚を当該配向膜の他の領域の膜厚より薄くする」とは、凹部の底部に配向膜が存在している構成、および凹部の底部に配向膜が存在していない構成のいずれをも含む意味である。すなわち、凹部が形成されている領域では配向膜の膜厚が０である場合を含む意味である。
【０００９】
本発明の液晶装置では、負の誘電異方性を備えた液晶層が用いられているため、液晶装置の駆動に伴って液晶分子の姿勢が切り換わると、液晶層には、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物をシール材の角等に凝集させようとする流動が発生しようとする。しかるに本発明では、画素電極の端部と平面視で重なる部分には、第１配向膜あるいは第２配向膜に凹部が設けられており、かかる凹部が設けられている部分では、液晶層に印加される電界が他の領域より大である。このため、凹部が設けられている部分では、電界が加わった際の液晶分子の姿勢が他の領域と相違しているので、液晶分子の揺動に起因する液晶層の流動が阻害される。従って、イオン性不純物が移動しにくいので、イオン性不純物の凝集が発生しにくい。それ故、イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい。また、凹部は、画素電極の端部に平面視で重なる位置に設けられているため、表示の品位を低下させにくい。
【００１０】
本発明において、前記凹部は、前記第１基板側において前記第１配向膜の膜厚を当該第１配向膜の他の領域の膜厚より薄くしている構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極の端部と重なる位置に凹部を高い位置精度で形成することができるという利点がある。
【００１１】
本発明において、前記凹部は、前記第２基板側において前記第２配向膜の膜厚を当該第２配向膜の他の領域の膜厚より薄くしている構成を採用してもよい。
【００１２】
本発明において、前記凹部は、前記配向膜の厚さ方向の全体が除去されてなる構成を採用することができる。かかる構成によれば、凹部が設けられている部分では、液晶層に印加される電界が他の領域よりかなり大であるため、電界が加わった際の液晶分子の姿勢が他の領域と大きく相違している。従って、液晶層の流動が効果的に阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくいので、イオン性不純物の凝集が発生しにくい。
【００１３】
本発明において、前記凹部は、前記配向膜の厚さ方向の一部が除去されてなる構成を採用してもよい。
【００１４】
本発明において、前記凹部は、少なくとも、前記画素電極の相対向する２つの辺に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、液晶層の流動を効果的に阻害することができる。
【００１５】
本発明において、前記凹部は、少なくとも、前記画素電極の対角に位置する２つの角に沿って延在する端部に対して平面視で重なる位置に設けられている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、液晶層の流動を効果的に阻害することができる。
【００１６】
本発明において、前記凹部は、複数の前記画素電極の全てに設けられている構成を採用することができる。
【００１７】
本発明において、前記凹部は、複数の前記画素電極のうちの一部に設けられている構成を採用してもよい。
【００１８】
本発明において、前記第１配向膜および前記第２配向膜はいずれも、斜方蒸着された無機配向膜からなる構成を採用することができる。
【００１９】
本発明を適用した液晶装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の第１基板に形成されている電極等の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた第１基板において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の断面構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の断面構成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る液晶装置の第１基板に形成されている画素電極等の平面的構成を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態４に係る液晶装置の第１基板に形成されている画素電極等の平面的構成を模式的に示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る液晶装置の第１基板に形成されている画素電極等の平面的構成を模式的に示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態６に係る液晶装置の断面構成を示す説明図である。
【図１１】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、第１基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板の基板本体が位置する側とは反対側（第２基板が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板の基板本体が位置する側（第２基板が位置する側とは反対側）を意味する。
【００２２】
［実施の形態１］
（画像表示領域等の電気的構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であり、配線や電極の形状や延在方向、レイアウト等を示しているものではない。
【００２３】
図１において、液晶装置１００はＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（素子基板：図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２４】
第１基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２５】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板２０（対向基板：図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、第１基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２６】
（液晶パネル１００ｐおよび第１基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に第２基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の第１基板１０に形成されている電極等の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、第１基板１０全体に形成されている電極等の説明図、および画素電極等の平面的構成を模式的に示す説明図である。なお、図３等においては画素電極９ａの数等について少なく示してある。
【００２７】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように矩形枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。
【００２８】
図２および図３（ａ）に示すように、液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２９】
第１基板１０において、外周領域１０ｃでは、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００３０】
詳しくは後述するが、第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６（第１配向膜）が形成されている。
【００３１】
また、第１基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００３２】
図３（ｂ）に示すように、ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部９ｕで繋がっている。ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もある。
【００３３】
再び図２において、第２基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。
【００３４】
また、第２基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６（第２配向膜）が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、額縁部分２９ａの内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３５】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角に基板間導通用電極部２５ｔが形成されており、第１基板１０の一方面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角（基板間導通用電極部２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。本形態において、基板間導通用電極部２５ｔは、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２５ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２５ｔを介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角と重なる領域では基板間導通用電極部６ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角は略円弧状である。
【００３６】
かかる構成の液晶装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、液晶装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の液晶装置１００では、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。なお、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もあり、かかる構成によれば、反射型の液晶装置１００を構成することができる。反射型の液晶装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３７】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０あるいは第１基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３８】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０の液晶分子として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３９】
また、本形態の液晶装置１００においては、画素電極９ａを駆動するにあたって、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間と、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間とが実行される。本形態においては、共通電極２１の電位を基準としたときの画素電極９ａの極性が１フレーム毎に反転する。例えば、共通電極２１の電位（共通電位Ｖcom）は＋７Ｖで一定であるのに対して、画素電極９ａの電位は＋１２Ｖ（第１期間）と＋２Ｖ（第２期間）とに切り換わり、共通電位Ｖcomからみたときの極性が反転する。
【００４０】
（画素等の具体的構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の断面構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、図４に示す画素のＦ−Ｆ′断面図、および図２に示す外周領域１０ｃの断面図である。なお、図４では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図４では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００４１】
図４に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、Ｘ方向に延在する２つの辺９ａ1、９ａ2と、Ｙ方向に延在する２つの辺９ａ3、９ａ4とを備えた略正方形の平面形状を有しており、第１基板１０において、隣り合う画素電極９ａの間で縦方向（Ｙ方向）および横方向（Ｘ方向）に延在する画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。より具体的には、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。
【００４２】
第１基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００４３】
図５（ａ）に示すように、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（第２基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（第１基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００４４】
第１基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４５】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４６】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４７】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４８】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４９】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００５０】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００５１】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させてシールド層として利用してもよい。
【００５２】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜からなる。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、表面は平坦化されている。
【００５３】
画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００５４】
画素電極９ａの表面には、無機配向膜やポリイミド膜等からなる配向膜１６（第１配向膜）が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００５５】
（第２基板２０等の構成）
第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（第１基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、無機配向膜やポリイミド膜等からなる配向膜２６（第２配向膜）が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、配向規制力がアンチパラレルであり、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を、図５に実線Ｌ１で液晶分子５０ｂを模式的に示すように、第１基板１０に対する法線方向および第２基板２０に対する法線方向から一定の方向（プレチルト方向）に傾いた姿勢に傾斜垂直配向させる。このようにして、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードの液晶パネルとして構成されている。本形態において、液晶分子５０ｂのプレチルト方向は、第１基板１０の側からみると、図３に矢印Ｐで示すように、画像表示領域１０ａの４つの角１０ａ1〜１０ａ4のうち、角１０ａ1から角１０ａ3に向かう方向に設定されている。なお、液晶分子５０ｂのうち、第１基板１０の近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の一方端が第１基板１０の側に保持された状態にあり、第２基板２０の近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の他方端が第２基板２０の側に保持された状態にある。
【００５６】
なお、図示を省略するが、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、第１基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図５に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５７】
（配向膜１６表面の詳細構成）
図３（ｂ）および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００において、第１基板１０の配向膜１６（第１配向膜）には、画素電極９ａの端部と平面視で重なる位置に、配向膜１６の膜厚を第１配向膜１６の他の領域の膜厚より薄くする凹部１６ａ（配向膜除去部分）が設けられている。従って、例えば、画素電極９ａの中央部における配向膜１６（第１配向膜）の厚み、あるいは画素電極９ａ間に設けられた配向膜１６（第１配向膜）の厚みよりも、画素電極９ａの端部における配向膜１６（第１配向膜）の厚みが薄くなっている。本形態において、凹部１６ａは、画素電極９ａの端部のうち、Ｘ方向に延在する２つの辺９ａ1、９ａ2に沿って形成されているとともに、Ｙ方向に延在する２つの辺９ａ3、９ａ4に沿って形成されている。このため、凹部１６ａは、画素電極９ａの４つの辺９ａ1、９ａ2、９ａ3、９ａ4、および４つの角９ａ6、９ａ7、９ａ8、９ａ9を含めた全周に沿って矩形枠状に形成されており、凹部１６ａは、データ線６ａや走査線３ａと概ね重なる領域に設けられている。ここで、凹部１６ａは、画素電極９ａに対して平面視で占める割合は１／１０から１／２０の範囲である。
【００５８】
本形態において、凹部１６ａは、配向膜１６を厚さ方向の全体にわたって除去されており、凹部１６ａでは画素電極９ａの表面が配向膜１６から露出した状態にある。また、凹部１６ａは、複数の画素電極９ａの全てに形成されている。これに対して、ダミー画素電極９ｂには、凹部１６ａが形成されていない。
【００５９】
かかる構成は、斜方蒸着によって画素電極９ａの表面側に配向膜１６を形成した後、配向膜１６の表面にエッチングマスクを形成し、その後、エッチングマスクの開口部から配向膜１６を厚さ方向の全体にわたってエッチング除去することにより実現することができる。
【００６０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００においては、フレーム反転駆動方式が採用されているため、共通電極２１の電位を基準としたときの画素電極９ａの極性が１フレーム毎に反転する。このため、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物は、画素電極９ａでの極性反転に伴って、画素電極９ａへの吸着と画素電極９ａからの離脱とを繰り返す。また、本形態の液晶装置１００では、負の誘電異方性を備えた液晶層５０が用いられており、かかる液晶層５０において、液晶分子５０ｂは、図５（ｂ）に実線Ｌ１で示すように、画像表示領域１０ａの角１０ａ1、１０ａ3を結ぶ対角線に沿う方向（チルト方向）に傾いている。従って、図５（ｂ）に実線Ｌ１および点線Ｌ２で模式的に示すように、液晶装置１００の駆動に伴って液晶分子５０ｂの姿勢が切り換わる。その際、液晶分子５０ｂのうち、第１基板１０の近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の一方端が第１基板１０の側に保持された状態で他方端が揺動して姿勢を変え、第２基板２０の近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の他方端が第２基板２０の側に保持された状態で一方端が揺動するように姿勢を変える。それ故、液晶層５０では、第１基板１０の近くおよび第２基板２０の近くにおいて、矢印Ｆ１および矢印Ｆ２で示すように、イオン性不純物をシール材１０７の角（画像表示領域１０ａの角１０ａ1、１０ａ3）等に凝集させようとする流動が発生しようとする。
【００６１】
ここで、本形態では、配向膜１６には、画素電極９ａの端部と平面視で重なる部分に凹部１６ａが設けられており、かかる凹部１６ａが設けられている部分では、液晶層５０に印加される電界が他の領域より大である。このため、凹部１６ａが設けられている部分では、電界が加わった際の液晶分子５０ｂの姿勢が他の領域と相違しているため、液晶層５０での流動が乱れ、阻害される。従って、イオン性不純物が移動しにくいので、イオン性不純物の凝集が発生しにくい。それ故、イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい。また、凹部１６ａは、画素電極９ａの端部に平面視で重なる位置に設けられているため、表示の品位を低下させにくい。
【００６２】
特に本形態では、凹部１６ａが画素電極９ａの４つの辺９ａ1、９ａ2、９ａ3、９ａ4、および４つの角９ａ6、９ａ7、９ａ8、９ａ9を含めた全周に沿って矩形枠状に形成されている。このため、画素電極９ａに吸着されていたイオン性不純物が、画素電極９ａの極性反転に伴って画素電極９ａから静電的な拘束から解除されたときでも、液晶層５０での流動によってシール材１０７の角（画像表示領域１０ａの角１０ａ1、１０ａ3）等に向けて移動しにくい。それ故、画像表示領域１０ａの角１０ａ1、１０ａ3でのイオン性不純物の凝集が発生しにくいので、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい。
【００６３】
また、本形態において、凹部１６ａは、配向膜１６の厚さ方向の全体が除去されてなるため、凹部１６ａが設けられている部分では、液晶層５０に印加される電界が他の領域よりかなり大である。従って、凹部１６ａが設けられている部分では、電界が加わった際の液晶分子５０ｂの姿勢が他の領域と大きく相違しており、液晶層５０の流動が効果的に阻害される。このため、イオン性不純物が移動しにくいので、イオン性不純物の凝集が発生しにくい。
【００６４】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の断面構成を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成、および後述する実施の形態に係る基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００６５】
実施の形態１では、配向膜１６を厚さ方向の全体にわたって除去することにより凹部１６ａを形成したが、図６に示すように、配向膜１６を厚さ方向の一部のみ除去することにより凹部１６ａを形成してもよい。すなわち、画素電極９ａ上、および画素電極９ａ間の上に配向膜１６が設けられており、画素電極９ａの端部上に設けられた配向膜１６の膜厚が、それらにおける配向膜１６の厚みよりも薄くされて凹部１６ａが形成されている。このため、凹部１６ａでは、配向膜１６が薄く残っている。
【００６６】
かかる形態は、斜方蒸着によって画素電極９ａの表面側に配向膜１６を形成した後、配向膜１６の表面にエッチングマスクを形成し、その後、エッチングマスクの開口部から配向膜１６を厚さ方向の途中位置までエッチング除去することにより実現することができる。
【００６７】
［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００の第１基板１０に形成されている画素電極９ａ等の平面的構成を模式的に示す説明図である。実施の形態１、２では、画素電極９ａの全周に平面視で重なるように凹部１６ａを矩形枠状に形成したが、図７（ａ）に示すように、画素電極９ａの外周のうち、Ｘ方向で相対向する２つの辺９ａ3、９ａ4に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に凹部１６ａを設けてもよい。また、図７（ｂ）に示すように、画素電極９ａの外周のうち、Ｙ方向で相対向する２つの辺９ａ1、９ａ2に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に凹部１６ａを設けてもよい。
【００６８】
［実施の形態４］
図８は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置１００の第１基板１０に形成されている画素電極９ａ等の平面的構成を模式的に示す説明図である。実施の形態１、２では、画素電極９ａの全周に平面視で重なるように凹部１６ａを矩形枠状に形成したが、図８に示すように、画素電極９ａの外周のうち、対角に位置する２つの角９ａ6、９ａ8に沿って延在する端部や、対角に位置する２つの角９ａ7、９ａ9に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に凹部１６ａを設けてもよい。画素電極９ａの角部に対応した端部においてこれまでの実施の形態に記載した凹部１６ａが設けられている。また、図８では、画素電極９ａの角に沿って屈曲した領域に凹部１６ａが設けられた実施を示したが、図４において、遮光層７ａが画素電極９ａの角部を覆うような形状（三角形状、または三角形状から角を挟んだ２辺に沿って突出して延びる形状）で凹部１６ａを設けてもよい。
【００６９】
［実施の形態５］
図９は、本発明の実施の形態５に係る液晶装置１００の第１基板１０に形成されている画素電極９ａ等の平面的構成を模式的に示す説明図である。実施の形態１〜４では、全ての画素電極９ａに凹部１６ａを形成したが、図９に示すように、複数の画素電極９ａの一部に選択的に凹部１６ａを形成してもよい。なお、図９には、実施の形態４をベースにして、画素電極９ａの一部に凹部１６ａを設けたが、実施の形態１や実施の形態３をベースにして、画素電極９ａの一部に凹部１６ａを設けてもよい。
【００７０】
また、図９には、規則的に１つおきの画素電極９ａに凹部１６ａを形成したが、他のパターンで凹部１６ａを配置してもよい。
【００７１】
［実施の形態６］
図１０は、本発明の実施の形態６に係る液晶装置１００の断面構成を示す説明図である。上記実施の形態１〜５では、第１基板１０側に凹部１６ａを設けたが、図１０に示すように、第２基板２０側の配向膜２６（第２配向膜）において、画素電極９ａの端部と平面視で重なる領域に凹部２６ａ（配向膜除去部分）を設けてもよい。この場合、凹部２６ａは、配向膜２６の膜厚を他の領域の膜厚より薄くする。
【００７２】
その際も、凹部２６ａについては、図１０（ａ）に示すように、配向膜２６の厚さ方向の全体を除去した構成、あるいは図１０（ｂ）に示すように、配向膜２６の厚さ方向の一部を除去した構成のいずれを採用してもよい。また、凹部２６ａの平面的なレイアウトについては、実施の形態１、３、４、５で参照して説明したいずれの形態を採用してもよい。
【００７３】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第１基板１０側の凹部１６ａ、および第２基板２０側の凹部２６ａのいずれか一方を形成したが、第１基板１０側の凹部１６ａ、および第２基板２０側の凹部２６ａの双方を形成してもよい。
【００７４】
また、画素電極９ａの端部に設けられる上記実施の形態における凹部１６ａの形成領域を、図４における遮光層７ａ（または遮光層２９、２９ｂ）が画素電極９ａの外周部の端部を覆う領域内に収めて配置させることが好ましい。この場合、遮光層７ａ（又は遮光層２９、２９ｂ）と画素電極９ａの端部との平面的に重なる領域幅が大きい部分には、上記凹部１６ａを形成する領域の幅を大きく確保し、遮光層７ａと画素電極９ａの端部との平面的に重なる領域幅が小さい部分には、これに対応させて上記凹部１６ａを形成する領域の幅を小さく確保するとよい。
【００７５】
上記実施の形態では、第１基板１０側の凹部１６ａ、および第２基板２０側の凹部２６ａを配向膜の除去部分として形成したが、配向膜１６、２６を形成する際に凹部１６ａ、２６ａを形成してもよい。
【００７６】
上記実施の形態では、透過型の液晶装置１００に本発明を適用したが、反射型の液晶装置１００に本発明を適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１１は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図１１（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００７８】
（投射型表示装置の第１例）
図１１（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００７９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８０】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８１】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８２】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８３】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８４】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００８６】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００８８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００８９】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９０】
（投射型表示装置の第２例）
図１１（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶装置１００に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９５】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず）に投射する。
【００９６】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９７】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｂ・・周辺領域、１６・・配向膜（第１配向膜）、１６ａ・・凹部、２０・・第２基板、２１・・共通電極、２６・・配向膜（第２配向膜）、２６ａ・・凹部、５０・・液晶層、１０７・・シール材、１００・・液晶装置、１１０、１０００・・投射型表示装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に液晶層が保持された液晶装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置は、一方面側に複数の画素電極が配列した画像表示領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板とがシール材によって貼り合わされ、第１基板と第２基板との間においてシール材で囲まれた領域内には、負の誘電異方性を備えた液晶層が保持されている。かかる液晶装置においては、液晶装置の駆動に伴って液晶分子の姿勢が切り換わることに起因して、液晶層に流動が発生する。その結果、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物が、画像表示領域の角等で凝集し、画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生する。そこで、画像表示領域の外側にイオン性不純物トラップ用の電極を設け、かかる電極によって、画像表示領域の外側にイオン性不純物を引き寄せて滞留させておく技術が提案されている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
例えば、特許文献１には、第１基板の画像表示領域の外側に配向膜で覆われたイオン性不純物トラップ用の第１電極を設ける一方、第２基板の画像表示領域の外側に配向膜で覆われたイオン性不純物トラップ用の第２電極を設け、第１電極と第２電極との間に印加した直流電圧によってイオン性不純物を静電的にトラップする技術が提案されている。また、特許文献２には、第１基板の画像表示領域の外側に配向膜で覆われたイオン性不純物トラップ用の第１電極および第２電極を設け、第１電極と第２電極との間に印加した交流電圧によってイオン性不純物を静電的にトラップする技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９６３５５号公報の図１
【特許文献２】特開２００８−５８４９７号公報の図３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２に記載の技術のように、画像表示領域の外側に設けたイオン性不純物トラップ用の電極によって、イオン性不純物を静電的にトラップする構成では、画像表示領域の外側にイオン性不純物トラップ用の電極を設けるためのスペースを追加する必要があるため、画像表示領域の外側で表示に直接寄与しない領域の幅寸法が大となってしまう。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、複数の画素電極および第１配向膜が設けられた第１基板と、共通電極および第２配向膜が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された負の誘電異方性を備えた液晶層と、を有し、前記画素電極の端部と平面視で重なる部分には、前記第１配向膜および第２配向膜のうちの一方の配向膜の膜厚を当該配向膜の他の領域の膜厚より薄くする凹部が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
本発明における「凹部」において、「前記第１配向膜および前記第２配向膜のうちの一方の配向膜の膜厚を当該配向膜の他の領域の膜厚より薄くする」とは、凹部の底部に配向膜が存在している構成、および凹部の底部に配向膜が存在していない構成のいずれをも含む意味である。すなわち、凹部が形成されている領域では配向膜の膜厚が０である場合を含む意味である。
【０００９】
本発明の液晶装置では、負の誘電異方性を備えた液晶層が用いられているため、液晶装置の駆動に伴って液晶分子の姿勢が切り換わると、液晶層には、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物をシール材の角等に凝集させようとする流動が発生しようとする。しかるに本発明では、画素電極の端部と平面視で重なる部分には、第１配向膜あるいは第２配向膜に凹部が設けられており、かかる凹部が設けられている部分では、液晶層に印加される電界が他の領域より大である。このため、凹部が設けられている部分では、電界が加わった際の液晶分子の姿勢が他の領域と相違しているので、液晶分子の揺動に起因する液晶層の流動が阻害される。従って、イオン性不純物が移動しにくいので、イオン性不純物の凝集が発生しにくい。それ故、イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい。また、凹部は、画素電極の端部に平面視で重なる位置に設けられているため、表示の品位を低下させにくい。
【００１０】
本発明において、前記凹部は、前記第１基板側において前記第１配向膜の膜厚を当該第１配向膜の他の領域の膜厚より薄くしている構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極の端部と重なる位置に凹部を高い位置精度で形成することができるという利点がある。
【００１１】
本発明において、前記凹部は、前記第２基板側において前記第２配向膜の膜厚を当該第２配向膜の他の領域の膜厚より薄くしている構成を採用してもよい。
【００１２】
本発明において、前記凹部は、前記配向膜の厚さ方向の全体が除去されてなる構成を採用することができる。かかる構成によれば、凹部が設けられている部分では、液晶層に印加される電界が他の領域よりかなり大であるため、電界が加わった際の液晶分子の姿勢が他の領域と大きく相違している。従って、液晶層の流動が効果的に阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくいので、イオン性不純物の凝集が発生しにくい。
【００１３】
本発明において、前記凹部は、前記配向膜の厚さ方向の一部が除去されてなる構成を採用してもよい。
【００１４】
本発明において、前記凹部は、少なくとも、前記画素電極の相対向する２つの辺に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、液晶層の流動を効果的に阻害することができる。
【００１５】
本発明において、前記凹部は、少なくとも、前記画素電極の対角に位置する２つの角に沿って延在する端部に対して平面視で重なる位置に設けられている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、液晶層の流動を効果的に阻害することができる。
【００１６】
本発明において、前記凹部は、複数の前記画素電極の全てに設けられている構成を採用することができる。
【００１７】
本発明において、前記凹部は、複数の前記画素電極のうちの一部に設けられている構成を採用してもよい。
【００１８】
本発明において、前記第１配向膜および前記第２配向膜はいずれも、斜方蒸着された無機配向膜からなる構成を採用することができる。
【００１９】
本発明を適用した液晶装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の第１基板に形成されている電極等の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた第１基板において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の断面構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の断面構成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る液晶装置の第１基板に形成されている画素電極等の平面的構成を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態４に係る液晶装置の第１基板に形成されている画素電極等の平面的構成を模式的に示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る液晶装置の第１基板に形成されている画素電極等の平面的構成を模式的に示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態６に係る液晶装置の断面構成を示す説明図である。
【図１１】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、第１基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板の基板本体が位置する側とは反対側（第２基板が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板の基板本体が位置する側（第２基板が位置する側とは反対側）を意味する。
【００２２】
［実施の形態１］
（画像表示領域等の電気的構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であり、配線や電極の形状や延在方向、レイアウト等を示しているものではない。
【００２３】
図１において、液晶装置１００はＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（素子基板：図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２４】
第１基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２５】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板２０（対向基板：図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、第１基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２６】
（液晶パネル１００ｐおよび第１基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に第２基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の第１基板１０に形成されている電極等の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、第１基板１０全体に形成されている電極等の説明図、および画素電極等の平面的構成を模式的に示す説明図である。なお、図３等においては画素電極９ａの数等について少なく示してある。
【００２７】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように矩形枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。
【００２８】
図２および図３（ａ）に示すように、液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２９】
第１基板１０において、外周領域１０ｃでは、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００３０】
詳しくは後述するが、第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６（第１配向膜）が形成されている。
【００３１】
また、第１基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００３２】
図３（ｂ）に示すように、ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部９ｕで繋がっている。ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もある。
【００３３】
再び図２において、第２基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。
【００３４】
また、第２基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６（第２配向膜）が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、額縁部分２９ａの内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３５】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角に基板間導通用電極部２５ｔが形成されており、第１基板１０の一方面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角（基板間導通用電極部２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。本形態において、基板間導通用電極部２５ｔは、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２５ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２５ｔを介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角と重なる領域では基板間導通用電極部６ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角は略円弧状である。
【００３６】
かかる構成の液晶装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、液晶装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の液晶装置１００では、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。なお、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もあり、かかる構成によれば、反射型の液晶装置１００を構成することができる。反射型の液晶装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３７】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０あるいは第１基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３８】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０の液晶分子として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３９】
また、本形態の液晶装置１００においては、画素電極９ａを駆動するにあたって、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間と、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間とが実行される。本形態においては、共通電極２１の電位を基準としたときの画素電極９ａの極性が１フレーム毎に反転する。例えば、共通電極２１の電位（共通電位Ｖcom）は＋７Ｖで一定であるのに対して、画素電極９ａの電位は＋１２Ｖ（第１期間）と＋２Ｖ（第２期間）とに切り換わり、共通電位Ｖcomからみたときの極性が反転する。
【００４０】
（画素等の具体的構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の断面構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、図４に示す画素のＦ−Ｆ′断面図、および図２に示す外周領域１０ｃの断面図である。なお、図４では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図４では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００４１】
図４に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、Ｘ方向に延在する２つの辺９ａ1、９ａ2と、Ｙ方向に延在する２つの辺９ａ3、９ａ4とを備えた略正方形の平面形状を有しており、第１基板１０において、隣り合う画素電極９ａの間で縦方向（Ｙ方向）および横方向（Ｘ方向）に延在する画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。より具体的には、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。
【００４２】
第１基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００４３】
図５（ａ）に示すように、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（第２基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（第１基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００４４】
第１基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４５】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４６】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４７】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４８】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４９】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００５０】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００５１】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させてシールド層として利用してもよい。
【００５２】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜からなる。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、表面は平坦化されている。
【００５３】
画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００５４】
画素電極９ａの表面には、無機配向膜やポリイミド膜等からなる配向膜１６（第１配向膜）が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００５５】
（第２基板２０等の構成）
第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（第１基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、無機配向膜やポリイミド膜等からなる配向膜２６（第２配向膜）が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、配向規制力がアンチパラレルであり、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を、図５に実線Ｌ１で液晶分子５０ｂを模式的に示すように、第１基板１０に対する法線方向および第２基板２０に対する法線方向から一定の方向（プレチルト方向）に傾いた姿勢に傾斜垂直配向させる。このようにして、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードの液晶パネルとして構成されている。本形態において、液晶分子５０ｂのプレチルト方向は、第１基板１０の側からみると、図３に矢印Ｐで示すように、画像表示領域１０ａの４つの角１０ａ1〜１０ａ4のうち、角１０ａ1から角１０ａ3に向かう方向に設定されている。なお、液晶分子５０ｂのうち、第１基板１０の近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の一方端が第１基板１０の側に保持された状態にあり、第２基板２０の近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の他方端が第２基板２０の側に保持された状態にある。
【００５６】
なお、図示を省略するが、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、第１基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図５に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５７】
（配向膜１６表面の詳細構成）
図３（ｂ）および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００において、第１基板１０の配向膜１６（第１配向膜）には、画素電極９ａの端部と平面視で重なる位置に、配向膜１６の膜厚を第１配向膜１６の他の領域の膜厚より薄くする凹部１６ａ（配向膜除去部分）が設けられている。従って、例えば、画素電極９ａの中央部における配向膜１６（第１配向膜）の厚み、あるいは画素電極９ａ間に設けられた配向膜１６（第１配向膜）の厚みよりも、画素電極９ａの端部における配向膜１６（第１配向膜）の厚みが薄くなっている。本形態において、凹部１６ａは、画素電極９ａの端部のうち、Ｘ方向に延在する２つの辺９ａ1、９ａ2に沿って形成されているとともに、Ｙ方向に延在する２つの辺９ａ3、９ａ4に沿って形成されている。このため、凹部１６ａは、画素電極９ａの４つの辺９ａ1、９ａ2、９ａ3、９ａ4、および４つの角９ａ6、９ａ7、９ａ8、９ａ9を含めた全周に沿って矩形枠状に形成されており、凹部１６ａは、データ線６ａや走査線３ａと概ね重なる領域に設けられている。ここで、凹部１６ａは、画素電極９ａに対して平面視で占める割合は１／１０から１／２０の範囲である。
【００５８】
本形態において、凹部１６ａは、配向膜１６を厚さ方向の全体にわたって除去されており、凹部１６ａでは画素電極９ａの表面が配向膜１６から露出した状態にある。また、凹部１６ａは、複数の画素電極９ａの全てに形成されている。これに対して、ダミー画素電極９ｂには、凹部１６ａが形成されていない。
【００５９】
かかる構成は、斜方蒸着によって画素電極９ａの表面側に配向膜１６を形成した後、配向膜１６の表面にエッチングマスクを形成し、その後、エッチングマスクの開口部から配向膜１６を厚さ方向の全体にわたってエッチング除去することにより実現することができる。
【００６０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００においては、フレーム反転駆動方式が採用されているため、共通電極２１の電位を基準としたときの画素電極９ａの極性が１フレーム毎に反転する。このため、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物は、画素電極９ａでの極性反転に伴って、画素電極９ａへの吸着と画素電極９ａからの離脱とを繰り返す。また、本形態の液晶装置１００では、負の誘電異方性を備えた液晶層５０が用いられており、かかる液晶層５０において、液晶分子５０ｂは、図５（ｂ）に実線Ｌ１で示すように、画像表示領域１０ａの角１０ａ1、１０ａ3を結ぶ対角線に沿う方向（チルト方向）に傾いている。従って、図５（ｂ）に実線Ｌ１および点線Ｌ２で模式的に示すように、液晶装置１００の駆動に伴って液晶分子５０ｂの姿勢が切り換わる。その際、液晶分子５０ｂのうち、第１基板１０の近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の一方端が第１基板１０の側に保持された状態で他方端が揺動して姿勢を変え、第２基板２０の近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の他方端が第２基板２０の側に保持された状態で一方端が揺動するように姿勢を変える。それ故、液晶層５０では、第１基板１０の近くおよび第２基板２０の近くにおいて、矢印Ｆ１および矢印Ｆ２で示すように、イオン性不純物をシール材１０７の角（画像表示領域１０ａの角１０ａ1、１０ａ3）等に凝集させようとする流動が発生しようとする。
【００６１】
ここで、本形態では、配向膜１６には、画素電極９ａの端部と平面視で重なる部分に凹部１６ａが設けられており、かかる凹部１６ａが設けられている部分では、液晶層５０に印加される電界が他の領域より大である。このため、凹部１６ａが設けられている部分では、電界が加わった際の液晶分子５０ｂの姿勢が他の領域と相違しているため、液晶層５０での流動が乱れ、阻害される。従って、イオン性不純物が移動しにくいので、イオン性不純物の凝集が発生しにくい。それ故、イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい。また、凹部１６ａは、画素電極９ａの端部に平面視で重なる位置に設けられているため、表示の品位を低下させにくい。
【００６２】
特に本形態では、凹部１６ａが画素電極９ａの４つの辺９ａ1、９ａ2、９ａ3、９ａ4、および４つの角９ａ6、９ａ7、９ａ8、９ａ9を含めた全周に沿って矩形枠状に形成されている。このため、画素電極９ａに吸着されていたイオン性不純物が、画素電極９ａの極性反転に伴って画素電極９ａから静電的な拘束から解除されたときでも、液晶層５０での流動によってシール材１０７の角（画像表示領域１０ａの角１０ａ1、１０ａ3）等に向けて移動しにくい。それ故、画像表示領域１０ａの角１０ａ1、１０ａ3でのイオン性不純物の凝集が発生しにくいので、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい。
【００６３】
また、本形態において、凹部１６ａは、配向膜１６の厚さ方向の全体が除去されてなるため、凹部１６ａが設けられている部分では、液晶層５０に印加される電界が他の領域よりかなり大である。従って、凹部１６ａが設けられている部分では、電界が加わった際の液晶分子５０ｂの姿勢が他の領域と大きく相違しており、液晶層５０の流動が効果的に阻害される。このため、イオン性不純物が移動しにくいので、イオン性不純物の凝集が発生しにくい。
【００６４】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の断面構成を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成、および後述する実施の形態に係る基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００６５】
実施の形態１では、配向膜１６を厚さ方向の全体にわたって除去することにより凹部１６ａを形成したが、図６に示すように、配向膜１６を厚さ方向の一部のみ除去することにより凹部１６ａを形成してもよい。すなわち、画素電極９ａ上、および画素電極９ａ間の上に配向膜１６が設けられており、画素電極９ａの端部上に設けられた配向膜１６の膜厚が、それらにおける配向膜１６の厚みよりも薄くされて凹部１６ａが形成されている。このため、凹部１６ａでは、配向膜１６が薄く残っている。
【００６６】
かかる形態は、斜方蒸着によって画素電極９ａの表面側に配向膜１６を形成した後、配向膜１６の表面にエッチングマスクを形成し、その後、エッチングマスクの開口部から配向膜１６を厚さ方向の途中位置までエッチング除去することにより実現することができる。
【００６７】
［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００の第１基板１０に形成されている画素電極９ａ等の平面的構成を模式的に示す説明図である。実施の形態１、２では、画素電極９ａの全周に平面視で重なるように凹部１６ａを矩形枠状に形成したが、図７（ａ）に示すように、画素電極９ａの外周のうち、Ｘ方向で相対向する２つの辺９ａ3、９ａ4に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に凹部１６ａを設けてもよい。また、図７（ｂ）に示すように、画素電極９ａの外周のうち、Ｙ方向で相対向する２つの辺９ａ1、９ａ2に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に凹部１６ａを設けてもよい。
【００６８】
［実施の形態４］
図８は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置１００の第１基板１０に形成されている画素電極９ａ等の平面的構成を模式的に示す説明図である。実施の形態１、２では、画素電極９ａの全周に平面視で重なるように凹部１６ａを矩形枠状に形成したが、図８に示すように、画素電極９ａの外周のうち、対角に位置する２つの角９ａ6、９ａ8に沿って延在する端部や、対角に位置する２つの角９ａ7、９ａ9に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に凹部１６ａを設けてもよい。画素電極９ａの角部に対応した端部においてこれまでの実施の形態に記載した凹部１６ａが設けられている。また、図８では、画素電極９ａの角に沿って屈曲した領域に凹部１６ａが設けられた実施を示したが、図４において、遮光層７ａが画素電極９ａの角部を覆うような形状（三角形状、または三角形状から角を挟んだ２辺に沿って突出して延びる形状）で凹部１６ａを設けてもよい。
【００６９】
［実施の形態５］
図９は、本発明の実施の形態５に係る液晶装置１００の第１基板１０に形成されている画素電極９ａ等の平面的構成を模式的に示す説明図である。実施の形態１〜４では、全ての画素電極９ａに凹部１６ａを形成したが、図９に示すように、複数の画素電極９ａの一部に選択的に凹部１６ａを形成してもよい。なお、図９には、実施の形態４をベースにして、画素電極９ａの一部に凹部１６ａを設けたが、実施の形態１や実施の形態３をベースにして、画素電極９ａの一部に凹部１６ａを設けてもよい。
【００７０】
また、図９には、規則的に１つおきの画素電極９ａに凹部１６ａを形成したが、他のパターンで凹部１６ａを配置してもよい。
【００７１】
［実施の形態６］
図１０は、本発明の実施の形態６に係る液晶装置１００の断面構成を示す説明図である。上記実施の形態１〜５では、第１基板１０側に凹部１６ａを設けたが、図１０に示すように、第２基板２０側の配向膜２６（第２配向膜）において、画素電極９ａの端部と平面視で重なる領域に凹部２６ａ（配向膜除去部分）を設けてもよい。この場合、凹部２６ａは、配向膜２６の膜厚を他の領域の膜厚より薄くする。
【００７２】
その際も、凹部２６ａについては、図１０（ａ）に示すように、配向膜２６の厚さ方向の全体を除去した構成、あるいは図１０（ｂ）に示すように、配向膜２６の厚さ方向の一部を除去した構成のいずれを採用してもよい。また、凹部２６ａの平面的なレイアウトについては、実施の形態１、３、４、５で参照して説明したいずれの形態を採用してもよい。
【００７３】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第１基板１０側の凹部１６ａ、および第２基板２０側の凹部２６ａのいずれか一方を形成したが、第１基板１０側の凹部１６ａ、および第２基板２０側の凹部２６ａの双方を形成してもよい。
【００７４】
また、画素電極９ａの端部に設けられる上記実施の形態における凹部１６ａの形成領域を、図４における遮光層７ａ（または遮光層２９、２９ｂ）が画素電極９ａの外周部の端部を覆う領域内に収めて配置させることが好ましい。この場合、遮光層７ａ（又は遮光層２９、２９ｂ）と画素電極９ａの端部との平面的に重なる領域幅が大きい部分には、上記凹部１６ａを形成する領域の幅を大きく確保し、遮光層７ａと画素電極９ａの端部との平面的に重なる領域幅が小さい部分には、これに対応させて上記凹部１６ａを形成する領域の幅を小さく確保するとよい。
【００７５】
上記実施の形態では、第１基板１０側の凹部１６ａ、および第２基板２０側の凹部２６ａを配向膜の除去部分として形成したが、配向膜１６、２６を形成する際に凹部１６ａ、２６ａを形成してもよい。
【００７６】
上記実施の形態では、透過型の液晶装置１００に本発明を適用したが、反射型の液晶装置１００に本発明を適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１１は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図１１（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００７８】
（投射型表示装置の第１例）
図１１（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００７９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８０】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８１】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８２】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８３】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８４】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００８６】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００８８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００８９】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９０】
（投射型表示装置の第２例）
図１１（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶装置１００に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９５】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず）に投射する。
【００９６】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９７】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｂ・・周辺領域、１６・・配向膜（第１配向膜）、１６ａ・・凹部、２０・・第２基板、２１・・共通電極、２６・・配向膜（第２配向膜）、２６ａ・・凹部、５０・・液晶層、１０７・・シール材、１００・・液晶装置、１１０、１０００・・投射型表示装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極および第１配向膜が設けられた第１基板と、
共通電極および第２配向膜が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された負の誘電異方性を備えた液晶層と、
を有し、
前記画素電極の端部と平面視で重なる部分には、前記第１配向膜および第２配向膜のうちの一方の配向膜の膜厚を当該配向膜の他の領域の膜厚より薄くする凹部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記凹部は、前記第１基板側において前記第１配向膜の膜厚を当該第１配向膜の他の領域の膜厚より薄くしていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記第２基板側において前記第２配向膜の膜厚を当該第２配向膜の他の領域の膜厚より薄くしていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記凹部は、前記配向膜の厚さ方向の全体が除去されてなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記凹部は、前記配向膜の厚さ方向の一部が除去されてなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記凹部は、少なくとも、前記画素電極の相対向する２つの辺に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記凹部は、少なくとも、前記画素電極の対角に位置する２つの角に沿って延在する端部に対して平面視で重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記凹部は、複数の前記画素電極の全てに設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記凹部は、複数の前記画素電極のうちの一部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記第１配向膜および前記第２配向膜はいずれも、斜方蒸着された無機配向膜からなることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、
前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする請求項１１に記載の電子機器。
【請求項１】
複数の画素電極および第１配向膜が設けられた第１基板と、
共通電極および第２配向膜が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された負の誘電異方性を備えた液晶層と、
を有し、
前記画素電極の端部と平面視で重なる部分には、前記第１配向膜および第２配向膜のうちの一方の配向膜の膜厚を当該配向膜の他の領域の膜厚より薄くする凹部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記凹部は、前記第１基板側において前記第１配向膜の膜厚を当該第１配向膜の他の領域の膜厚より薄くしていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記第２基板側において前記第２配向膜の膜厚を当該第２配向膜の他の領域の膜厚より薄くしていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記凹部は、前記配向膜の厚さ方向の全体が除去されてなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記凹部は、前記配向膜の厚さ方向の一部が除去されてなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記凹部は、少なくとも、前記画素電極の相対向する２つの辺に沿って延在する端部に対して平面視に重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記凹部は、少なくとも、前記画素電極の対角に位置する２つの角に沿って延在する端部に対して平面視で重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記凹部は、複数の前記画素電極の全てに設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記凹部は、複数の前記画素電極のうちの一部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記第１配向膜および前記第２配向膜はいずれも、斜方蒸着された無機配向膜からなることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、
前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする請求項１１に記載の電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−１０４９９０（Ｐ２０１３−１０４９９０Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４８２８３（Ｐ２０１１−２４８２８３）
【出願日】平成２３年１１月１４日（２０１１．１１．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１４日（２０１１．１１．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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