減衰移相マスクブランク及びフォトマスク
【課題】 照射波長３００ｎｍ以下でのリトグラフィーにおいて用いる埋め込み型の減衰移相マスクブランク、及び同マスクブランクのイオンビーム蒸着による作製方法を提供する。
【解決手段】 マスクブランクを基板及び薄膜系から構成し、該薄膜系をＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成する。
【解決手段】 マスクブランクを基板及び薄膜系から構成し、該薄膜系をＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は照射波長が３００ｎｍあるいはそれ未満のリトグラフィーにおいて用いられる移相マスクブランク、及びかかる移相マスクブランクの作製方法に関する。
【０００２】
本出願は、米国特許出願Ｎｏ．１０／６５５，５９３、欧州特許出願Ｎｏ．０４００１３５９．１及びＮｏ．０４００８５６６．４を基礎とする優先権主張出願である。上記優先権主張の基礎となる出願はそれら出願の内容を参照に供するため本願に添付されている。
【背景技術】
【０００３】
リトグラフィー機器の分解能、コントラスト及び焦点深度を、通常のバイナリマスク技術を用いて達成できる水準以上まで拡げる手段として移相マスクに対する関心が高まっている。
【０００４】
数例の移相技術が知られているが、その中でもＳｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、１９９２年１月号、４３頁に掲載されているＢｕｒｎ Ｊ．Ｌｉｎによって提唱された（埋め込み型）減衰移相マスクが、作製の容易性とそれに伴って低コストに抑えられる利点から広く受け入れられている。尚、この文献における教示は参照すべきものとしてここに挙げた。
【０００５】
移相マスクについては数種の技術的変形が提案されている。第一の変形例では、所望の移相を生ずるためにエッチングによって石英基板中へ結合された僅かに透明な層、例えば極めて薄いクロム層が基板へ設けられる（レビンソン型、硬質型、または交番型移相マスク）。この方法には、両層の蒸着及びエッチング処理に高度な制御技術が要求される。
【０００６】
別の変形例では、基板上へ移相特性及び減衰特性をもつ１または２以上の層を処理することによって移相マスクが得られる。１層によって１８０°の移相と入射光の減衰が与えられる単層の移相マスクが案出されている。尚、単層マスクの他に、二層及び多層の減衰移相マスクブランクについても言及されている。
【０００７】
フォトマスクの特徴サイズを小さくする要求が高まるにつれ、マスクブランクの製造及び加工において蒸着層の膜厚の均質性が次第に重要となっている。例えば限定された移相、透過率及び／または反射性等の規定された光学特性をもつ層を蒸着するためには、計算された層厚からの局部的逸脱が回避されなければならない。これは、そのような局部的逸脱が生ずるとマスクブランクの直径全域に亘って光学特性が非均質となるためである。それゆえ、層厚が均質になるように制御することが益々重要になっている。
【０００８】
さらに、前述のフォトマスクには実質的に欠陥があってはならない。フォトマスクに欠陥があると、フォトマスク中のピンホール等の欠陥が生じ、これによってＩＣ装置に欠陥がひき起こされる。マスクブランク上への欠陥生成を防止する作業はフォトマスクの外形サイズの縮小化によってさらに難しくなっている。例えば、６５ｎｍ及び４５ｎｍノード（すなわちウェハー上の特徴サイズがそれぞれ６５ｎｍ及び４５ｎｍ）の場合、フォトマスクは１００ｎｍの特徴サイズをもつ構造物を用いてパターン化されるので、粒径が０．５μｍ以上の表面欠陥があってはならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、必要な光学特性及び薬品安定性を備えて容易かつ安定して製造可能であり、かつ表面欠陥がなく蒸着層が均質である特徴を併せ持つ、３００ｎｍ以下の照射波長に対応する新規なマスクブランクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、第一の観点として、基板及び薄膜系から構成され、かつほぼ１８０°の移相及び３００ｎｍ以下の波長をもつ照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能な、埋め込み型の減衰移相マスクブランクを作製するための二元（ｄｕａｌ）イオンビーム蒸着方法に関し、この方法は基板上へ、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び金属化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物、あるいはそれらの混合物を含む移相制御層を蒸着することから構成され、及び
前記薄層系の少なくとも１層は、
（ａ）一次イオンビームを用いる一グループのガスからのイオンによるＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの１または２以上を含む混合物、合金または化合物のうちの１ターゲットのイオンビーム蒸着、及び
（ｂ）一グループのガスを含む補助供給源からの二次イオンビームを用いた前記基板に対するボンバードによって蒸着されることを特徴とする。
【００１１】
本発明は、第二の観点として、薄膜系が、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び金属化合物の混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属化合物を含む透過制御下位層、及び
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物、及び／またはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成される、基板及び前記薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関し、
前記透過制御下位層及び／または前記移相制御下位層は多くても２％の平均膜厚均質度を有し、
前記マスクブランクは、ほぼ１８０°の移相及び波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする。
【００１２】
本発明は、第三の観点として、薄膜系が、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれら金属及び金属の窒化物の混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、及び
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物、またはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成される、基板及び前記薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関し、
前記移相マスクは、ほぼ１８０°の移相及び波長約２４８ｎｍの照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能なであることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、第四の観点として、薄膜系が、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ及びこれら金属の組合せから選択される金属の金属酸化物を含量として少なくとも９０原子％含むコントラスト層、及び
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物または窒化物、及び／またはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成される、基板及び前記薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関し、
前記マスクブランクは、ほぼ１８０°の移相及び波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする。
【００１４】
本発明は、第五の観点として、基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、
Ｓｉ及び／またはＡｌを含む移相制御下位層、及び
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、炭化物及び硼化物、及びこれらの混合物から選択される金属及び／または化合物を含む、前記移相制御下位層上へ設けられた厚さが多くても５ｎｍである保護層から構成され、及び
前記マスクブランクは、ほぼ１８０°の移相及び波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする、前記埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関する。
【００１５】
本発明は、第六の観点として、基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの組合せから選択される金属の酸化物の１または２以上を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、及び
Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物、またはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成され、
前記移相マスクブランクは、ほぼ１８０°の移相及び波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも２０％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする、前記埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関する。
【００１６】
本発明の上記及び他の観点、目的、特徴及び利点は、添付図面を参照して以下に詳細に述べられた説明及び発明によって明らかとなろう。
【００１７】
尚、前記全般的説明及び下記詳細な説明は単に本発明の例示に過ぎず、特許請求の範囲において求められる本願発明の性質及び特徴を理解するための外観あるいは枠組みを提供することを意図したものであることを理解されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
当該技術分野において公知なように、「フォトマスクブランク」あるいは「マスクブランク」は、構造化、パターン化あるいは影像化後のフォトマスクブランクを記述するのに用いられる用語である「フォトマスク」あるいは「マスク」と異なる。本願ではかかる用語上の約定に従うように試みられているものの、当業者にはそのような区別化は本発明の重要な観点ではないことが認識されよう。それゆえ、本願では用語「フォトマスクブランク」あるいは「マスクブランク」は最も広義に用いられ、影像化されたフォトマスクブランク及び未影像化のフォトマスクブランク双方が包含されることを理解されたい。
【００１９】
語句「ほぼ１８０°の移相をもつ」とは、移相マスクブランクが構造体の境界部分において光を相殺し、該境界におけるコントラストを増大させるに十分な入射光の移相を与えることを意味する。好ましくは１６０〜１９０°、より好ましくは１７０〜１８５°の移相が与えられる。
【００２０】
前記マスクブランクの層系において第一層の第二層に対する相対位置を記述するために用いる場合、語句「〜の下へ」及び「〜の上へ」は下記意味を有する。語句「〜の下へ」は、前記第一層が前記第二層よりもマスクブランク基板へより近接して設けられることを意味し、及び語句「〜の上へ」は前記第一層が基板から前記第二層よりもさらに離れて設けられることを意味する。
【００２１】
さらに、特に明示的に述べられていない限り、語句「〜の下へ」又は「〜の上へ」は、「〜の直ぐ下へ」、及び「〜の下であるが、少なくともさらに１層が前記２層の間に設けられる」、あるいは「〜の直ぐ上へ」、及び「〜の上であるが少なくともさらに１層が前記２層の間に設けられる」ことも意味している。
【００２２】
本発明に従ったマスクブランクは、波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも０．００１％、好ましくは少なくとも０．５％の透過率を有する。
【００２３】
図１ａは本発明に従ったイオンビームスパッタリング（ＩＢＳ）またはイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）によってフォトマスクブランクを製造するための蒸着装置１０の例示的構成を概略的に示した図である。前記装置１０にはポンプ装置を用いて抜気可能な真空室１２が含まれている。
【００２４】
蒸着粒子源あるいはより具体的にはイオン蒸着源２０によって第一粒子あるいはイオンビーム２２が生成される。前記蒸着イオン源２０は高周波（ＨＦ）イオン源であるが、他の型式のイオン源を用いることも可能である。蒸着イオン源２０の入口２６からスパッタガス２４が取り込まれ、このガスは前記蒸着イオン源２０内部で誘導結合された電磁界によって加速された電子と原子衝突を起こしてイオン化される。好ましくは湾曲状の３本の格子イオン抽出集合体２８を用いて前記第一イオンビーム２２中に含まれる一次イオンが加速され、それら一次イオンは該集合体によってターゲット４０へ向けて集束される。
【００２５】
前記一次イオンは蒸着イオン源２０から抽出されてターゲットあいはスパッタターゲット４０へ当たることにより、原子のカスケード衝突が起こり、ターゲット原子が追い出される。このようにターゲットをスパッタリングあるいは蒸発させる処理はスパッタ処理と呼ばれている。スパッタターゲット４０としては、蒸着対象となる層によるが、例えば後述のタンタル、チタン、珪素、クロム、または他の金属、あるいは化合物がある。前記蒸着装置には、真空処理を中断させることなくスパッタ処理を別のターゲットへ変更できるように、複数の異なるスパッタターゲットを備えることが可能である。前記スパッタ処理及び前記層の蒸着は好ましくは適する真空条件下で実施される。
【００２６】
一次イオン質量がターゲット原子質量と同等である場合、ターゲット原子への運動量移動が最大となる。希ガスは取扱易いため、スパッタガス２４としてアルゴンあるいはキセノンが用いられる。スパッタリングにおけるキセノンの使用によって蒸着層の厚さ均質度が向上するため、スパッタガスとして好ましくはキセノンが用いられる。
【００２７】
スパッタされたイオン４２の少なくとも一部がターゲット４０から基板５０へ向かって出てくる。これらスパッタされたイオン４２は従来の蒸着法よりずっと高エネルギーを伴って基板へぶつかり、基板５０上に高度に安定かつ緻密な層あるいは膜が蒸着あるいは成長形成される。
【００２８】
特に、スパッタされる原子、例えば金属原子の平均エネルギーは前記第一イオンビーム２２のエネルギー及び／または入射角によって調節あるいは制御される。前記第一イオンビーム２２のターゲット垂線４４に対する入射角は該ターゲット４０を旋回することによって調節される。
【００２９】
基板５０は３軸回転装置中に回転可能に取り付けられている。スパッタされるイオンの基板５０の垂線５４に対する入射角αは第一軸を中心として基板５０を旋回させることによって調節される。前記入射角を一様に調節することにより、内膜構造及び機械的パラメータ、特に膜応力を制御し、これによりスパッタリングを向上させることができる。
さらに、基板５０を回転の第二軸を表す前記垂線５４に対して垂直に回転させて蒸着均質度をさらに向上させることが可能である。
前記基板はさらに、該基板をビームの外へ移動させて例えば蒸着直前の基板５０のクリーニングを可能とすることができるように第三軸を中心に回転あるいは旋回可能である。
【００３０】
さらに、前記装置１０には補助粒子源あるいは補助イオン源６０が含まれている。この補助粒子／イオン源の操作原理は蒸着源２０のそれと同様である。例えば基板５０及び／または基板５０上へ蒸着された膜の平滑化、状態調節、ドープ化及び／またはその他処理のため、第二粒子またはイオンビーム６２が基板５０へと向けられる。さらに、活性及び／または不活性ガス６４をガス注入口６６を介して導入することも可能である。
前記第二イオンビーム６２は好ましくは真っ直ぐな３本の格子抽出系６８によって加速される。
【００３１】
図１ｂは前記補助蒸着源の概略図を示す。前記蒸着源と同様に、この補助蒸着源には３本の格子、すなわち所謂アクセル格子６８ａ、所謂デセル格子６８ｂ及び所謂グラウンド６８ｃが含まれている。アクセル格子６８ａとデセル格子６８ｂ間においてイオンは加速され、それら格子のグラウンド６８ｃへの通路の第二部分においてイオンは減速される。これにより、前記イオンビームの発散を左右することが可能となる。
好ましくは、補助蒸着源６０を用いて酸素及び窒素等の活性ガスが前記系へ導入される。
【００３２】
前記第二イオンビーム６２は実質的に基板５０全体を覆うので基板面積全体に亘って均質なイオン分布あるいは処理が得られる。図１から分かるように、基板５０は第二イオンビーム６２の軸６５に対して角度ｂだけ傾いている。
【００３３】
公知技術においては、前記第二イオンビーム６２は特に、
−酸素、窒素、炭素及び／または他のイオンを用いたフィルムのドープ、
−例えば酸素プラズマを用いた蒸着前の基板のクリーニング、及び
−膜の平滑化による膜のインタフェース品質の改善に使用されている。
【００３４】
しかしながら、本発明によれば、前記第二あるいは二次イオンビームを用いて蒸着層の厚さの均質度を向上するために用いられる。特に、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ及びＧｅ等の軽金属をスパッタリングする場合、あるいは前記補助蒸着源を用いてスパッタリングされた金属層をＯ及び／またはＮ等の元素でドープして前記金属の酸化物、窒化物あるいはオキシ窒化物を生成する場合、通常の手段を用いて層厚が極めて均質な層をスパッタリングしてターゲット角度を変え、あるいはスパッタガスを変えて均質性を改善することは困難であり、また不可能でもあることがわかっている。一般的に、スパッタリングされた金属のより多くの原子はマスクブランクの中央側へ蒸着され、マスクブランクの側面あるいは側部へ蒸着される原子はより少ないため、前記中央部分の蒸着層の厚さはマスクブランクの側部よりも厚くなる。しかしながら、補助蒸着源のイオンビームを調節してかかる影響を補償できることを見出した。補助蒸着源のイオンビームを用いて所定の方法でスパッタリングされた層をエッチングすること、すなわちマスクブランクの側部よりも強固であるマスクブランクの中央部分をその層が最終的にマスクブランクの全面に亘って極めて均質な層厚となる程度までエッチングすることが可能である。
【００３５】
この結果を得るためには、蒸着に用いられる第一あるいは一次イオンビームを発生させるパラメータ及び前記補助蒸着源の第二あるいは二次イオンビームを発生させるパラメータを変更することが必要である。前記変更によってイオンビームの配置の統計的分布、すなわち幾何学的形状及びイオンビームのエネルギーに影響が及び補償効果が導き出される。
【００３６】
前記一次及び二次イオンビームを調節するためには、数個に及ぶパラメータの調整が必要とされる。
まず第一に、前記補償効果にとって、エッチング速度に対する蒸着速度が重要である。蒸着源のイオンビームによる蒸着速度は主として蒸着源ＩＢのイオンの流れによって決まり、補助蒸着源のイオンビームを用いたエッチング速度は主として補助蒸着源ＩＡのイオンの流れによって決まる。
さらに、イオンビームの形状、すなわちスパッタリングされたイオンの統計的分布は下記パラメータによって決まる。
−一次イオンの質量、
−一次イオンビームα及び二次イオンビームβの基板に対する入射角、
−蒸着源及び補助蒸着源のアクセル格子へ印加される電圧及び電流、
−蒸着源及び補助蒸着源のデセル格子へ印加される電圧。
【００３７】
蒸着源からの一次イオンのターゲットに対するボンバードによって発生される原子ビームは、さらに密度、純度及びターゲット形状によっても影響を受ける。反復スパッタリング処理中に、スパッタされた原子の侵食によってターゲットの形状変化がひき起こされる。図１５ａ及び図１５ｂに示すように、Ｓｉ層及びＴａ層の厚さは、反復スパッタリング試験全体に亘って測定した場合、出発値から少し変動している。この変動はターゲットの侵食に起因するものである。従って、好ましくはある程度のスパッタリング試験を行った後、例えばマスクブランクを２０個スパッタした後で較正が繰り返し行われる。しかしながら、この回数は蒸着された層の厚さによって左右される。
【００３８】
蒸着源のイオンビーム及び補助蒸着源のイオンビームを調節するためのパラメータの決定に際しては、好ましくはＤＯＥ（Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ）法が用いられる。このＤＯＥ法及びそれを実行するためのソフトウェアは市販されており、現状において公知である。かかるパラメータとＤＯＥを実行するために用いられる該パラメータの範囲の組合せは適切に選択されなければならない。
【００３９】
本発明の好ましい実施態様においては、ＤＯＥを行うに際しては好ましくは下記パラメータ及び範囲が用いられる。
−好ましくは１００〜５００ｍＡ、より好ましくは２００〜３００ｍＡの蒸着源（ＩＢＤ）電流、
−好ましくは５０〜３００ｍＡ、より好ましくは８０〜２００ｍＡの補助蒸着源（ＩＢＤ）電流、
−好ましくは５００〜１５００Ｖ、より好ましくは１０００〜１５００Ｖの蒸着源（ＵＢＤ）電圧、
−好ましくは５０〜１５０Ｖの補助蒸着源（ＵＢＡ）電圧、
−好ましくは１００〜３００Ｖの蒸着源（ＵＳＤ）のサプレッサ（デセル格子、発散）電圧、
−好ましくは１００〜５００Ｖ、より好ましくは１５０〜３００Ｖの補助蒸着源（ＵＳＡ）のサプレッサ電圧。
好ましくは前記ＤＯＥには、好ましくは３５〜５０°の固定ターゲット角及び４５〜６０°の固定取付け角が用いられる。
【００４０】
前記蒸着層のエッチングは蒸着処理と同時に、あるいは蒸着層の蒸着終了後に実施可能である。エッチングが蒸着終了後に実施される場合、エッチングは好ましくは補助蒸着源中において希ガス等の活性ガス中で実施される。
【００４１】
エッチングが蒸着処理中に実施され、及び金属または半金属（ｓｅｍｉｍｅｔａｌ）の酸化物または窒化物がスパッタされる場合は、好ましくは元素金属または半金属のターゲットが用いられ、また補助蒸着源の注入口を介して酸素及び／または窒素が導入される。
【００４２】
元素金属または半金属、またはそれらの混合物がスパッタされる場合、そのような金属または半金属のターゲット及び補助蒸着源中にはアルゴンまたはキセノン等の希ガスが用いられる。
【００４３】
スパッタリングターゲットとしては、元素を含むターゲット、あるいは化合物を含むターゲットの使用が可能である。蒸着層中に金属または半金属の酸化物、窒化物またはオキシ窒化物が含まれる場合は、かかる金属または半金属の酸化物、窒化物またはオキシ窒化物をターゲット材として用いることが可能である。しかしながら、金属あるいは半金属から成るターゲットを用いること、また酸素及び／または窒素を活性スパッタガスとして導入することも可能である。ＳｉＯ２の蒸着の場合、好ましくはＳｉから成るターゲットが用いられ、また活性スパッタガスとして酸素が導入される。蒸着層に窒素が含まれる場合は、好ましくは活性スパッタガスとして窒素が導入される。
【００４４】
スパッタガスとしては、好ましくはアルゴンまたはキセノン等の不活性ガスが用いられる。これら不活性ガスは、酸素、窒素、一酸化窒素、二酸化窒素及び酸化二窒素あるいはそれらの混合物等の活性ガスと混合されてもよい。活性ガスはスパッタされたイオンと反応して蒸着層の一部になり得るガスである。本発明の好ましい実施態様では、移相制御層のスパッタリングにおいて不活性ガスと酸素の混合ガスが付加的スパッタリングガスとして用いられる。
【００４５】
二層あるいは多層のマスクブランクを製造する場合、好ましくは蒸着装置の単一室内において超高真空状態を中断することなくすべての層が蒸着される。二層あるいは多層の移相マスクブランクを製造する場合には、特に好ましくは真空状態を中断させることなく移相層の層が蒸着される。これにより、マスクブランクからの表面欠陥の汚染除去を行うことが回避され、実質的に欠陥のないマスクブランクを得ることが可能となる。かかるスパッタリング技術は、数個のターゲットからのスパッタリングを可能ならしめるスパッタ器具を用いることにより実現可能である。欠陥密度が低く及び／または層厚に関して高度に均質な層をもつ高品質な移相マスクの製造が達成される。
さらに、基板と該基板上へ設けられた薄膜系から成る、波長３００ｎｍ未満のリトグラフィー用の埋め込み型減衰マスクブランクが提供される。
【００４６】
本発明に従ったマスクブランクに用いる基板材は、好ましくは高純度の溶融珪素、フッ素ドープされた溶融珪素（Ｆ−ＳｉＯ２）、フッ化カルシウム等から作製される。
【００４７】
前記移相系の他に、前記薄膜系には１または２以上の反射防止層、バリヤまたは保護層、検査制御またはコントラスト層、及び／または吸収層または吸収体層が含まれていてもよい。かかる吸収層として、例えばクロム層またはＴａＮ層を設けることが可能である。「クロム」吸収体層にはクロムに加えてＯ及び／またはＮが含まれていてもよい。
【００４８】
マスクブランクの薄膜系から粒径０．５μｍ以上の欠陥を無くすることが可能である。前記薄膜系に生ずる粒径０．３〜０．５μｍの範囲内の欠陥は、好ましくは多くても５０まで、より好ましくは多くても２０である。フォトマスク上の特徴サイズが小さくなると共に、サイズ５００ｎｍ以上の欠陥は問題となるため、かかる欠陥が存在してはならない。粒径が０．３〜０．５μｍの範囲内である欠陥に関しては、多くの用途において許容可能なマスクブランク当りの限界欠陥数は５０以下である。
【００４９】
さらに、本発明の特定の実施態様においては、マスクブランクには多くても５オングストロームまでの表面粗さ（ＲＭＳ）があってもよい。本発明に従った補助蒸着源を用いることにより、特にＳｉＯ２層の表面粗さが改善される。図１２ａ〜１２ｃは、補助蒸着源を使用していない比較例（図１２ａ及び１２ｂ）及び本発明実施例（図１２ｃ）に従ったＳｉＯ２層のＡＦＭ測定された表面粗さを示した図である。
【００５０】
本発明の第二の観点に従った前記薄膜系の前記層及び下位層の１層、数層、あるいは全層の膜厚の平均均質度は多くても２％、好ましくは多くても１％、より好ましくは多くても０．５％である。高度に均質な膜厚をもつ移相系を設けることによりマスクブランクのすべての位置における移相及び透過率が極めて均質である移相マスクブランクが得られる。特に、前記移相マスクブランクの移相の偏差を移相平均値から多くても±２°、より好ましくは多くても±１．５°とすることができ、また前記移相マスクブランクの透過率の偏差を平均透過率から多くても±０．５％とすることが可能である。
【００５１】
前記移相マスクブランクには二層あるいは多層の移相系から成る移相系が含まれる。なお、ここでの語句「多層の」とは、少なくとも３層以上のあらゆる個数の層が含まれる。前記移相系の各層には一般的に種々機能あるいは機能性をもたせることができる。
【００５２】
本発明に従った移相マスクブランクの少なくとも二層移相系には透過制御下位層及び移相制御下位層が含まれる。
【００５３】
移相機能と減衰機能を少なくとも別個の２層へ実質的に分離することは、照射波長３００ｎｍ以下に対応した減衰移相マスクブランクにとって特に有利である。かかる減衰移相マスクブランクにおいては、前記下位層の組成を変えることを必要とせず単に前記透過制御下位層の厚さを変えることで容易にその透過性を調節することが可能である。前記マスクブランクの移相は、マスクブランクの透過性を実質的に変えることなく移相下位層の厚さを変えることによって容易に調節可能である。マスクブランクの移相の調節は、マスクブランクをエッチング処理へ適合させるためにしばしば必要とされる。このようなエッチング処理においては、基板はしばしば所定の深さまでエッチングされて移相系へさらに付加的移相が加えられる。マスクブランクをこのエッチングに適合させるために、移相を正確に１８０°ではなく、エッチング処理によって。約１７５°〜１８０°の範囲内の一定数値へ設定することが必要とされる。
従って、前記移相マスクブランクは基板及び移相系から構成され、該移相系はマスクブランクの透過性を実質的に低下させない移相制御下位層及び／またはマスクブランクの移相を実質的に変化させない透過制御下位層から構成される。
【００５４】
前記語句「マスクブランクの移相を実質的に変化させない」とは、マスクブランクの移相が移相全体のうちの多くても１５°、好ましくは多くても約１０°、最も好ましくは多くても約５°までであることを意味する。
本発明において、前記語句「マスクブランクの透過性を実質的に低下させることなく」とは、移相制御下位層が低下させる透過率が多くても約１０％、好ましくは多くても約５％までであることを意味する。
【００５５】
図２ａに示すように、本発明の一実施態様に従ったマスクブランクには基板１が含まれ、該基板上には移相系２が設けられている。前記移相系２は透過制御下位層３と移相制御下位層４から構成されている。好ましくは、同じく図２ａに示されているように、前記透過制御下位層３は基板１上の移相層の第一下位層として設けられ、また前記移相制御下位層４は移相層の第二下位層として前記透過制御下位層上へ設けられている。しかしながら、他の実施態様において、前記移相制御下位層を基板上の移相層の第一下位層として設け、前記透過制御下位層を移相層の第二下位層として前記移相制御下位層上へ設けることも可能である。前記移相系上には、一般的に吸収層６が設けられる。図２ａに示した移相マスクブランクを図２ｃに示した影像化、パターン化、あるいは構造化されたフォトマスクへ作り変える際には、好ましくは前記移相系の２段階エッチング処理が用いられる。図２ｄに示すように、まず塩素及び酸素を混合して用いるドライエッチング処理等の第一エッチング処理によって前記吸収層６がエッチングされる。次いで、前記移相系２の第一下位層、好ましくは移相制御下位層が例えばフッ素を基剤とするドライエッチング剤等の第二エッチング剤を用いてパターン化される。最終工程において、前記移相系２の第二下位層３、好ましくは透過制御下位層が、好ましくは例えば塩素ドライエッチング剤等のさらに別のエッチング剤を用いてパターン化される。前記第一エッチング剤は前記最終のエッチング剤と同一剤でもあるいは異なる剤でもよい。
【００５６】
前記移相制御下位層には、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物、またはそれらの混合物から選択される材料が含まれる。本発明のいくつかの実施態様に従って、前記移相制御下位層には、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物、またはそれらの混合物から選択される材料が含量として少なくとも９０原子％、好ましくは少なくとも９５原子％含まれる。
【００５７】
本発明の一実施態様では、前記移相層は本質的に照射光波長において約０．３以下、より好ましくは０．０５以下の消衰係数をもつ１または２以上の材料あるいはそれら材料の混合物から成る。
【００５８】
前記移相制御下位層には、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ及びこれらの混合物から選択される金属が少量含まれていてもよい。しかしながら、これら金属が含まれると前記移相制御下位層の透過率が低下する傾向があるため、これら金属の混入は好ましくは多くても５原子％だけに限られる。いくつかの実施態様では、前記移相制御下位層には上記金属は殆ど含まれない。さらに、上記金属を特に５原子％以上含む移相制御下位層は欠陥程度の高いマスクブランクを生じやすい。従って、かかる金属の特に５原子％以上の混入は欠陥程度の低い移相マスクブランク薄膜系を得る観点において好ましくない。
【００５９】
本発明の一実施態様では、前記移相制御下位層にはＳｉ、Ａｌ及び／またはＧｅの酸化物及び／またはオキシ窒化物、及び／またはこれらの混合物が含量として少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％含まれる。さらに別の実施態様では、窒素が含量として多くても約１０原子％、より好ましくは多くても約５原子％、移相制御下位層へ加えられる。
【００６０】
本発明の一実施態様では、前記移相制御層は殆どＳｉＯ２から成っている。
【００６１】
前記移相制御下位層は３００ｎｍ以下の範囲内の照射光波長において約１８０°の移相、あるいはいずれか他の必要な移相を与えるように適合した厚さをもつ。
【００６２】
所定の移相を得るために必要な移相制御下位層の厚さは、移相下位層が形成される材料の屈折率ｎ及び消衰係数ｋに依存する。一般的には、屈折率の高い材料を用いることにより、屈折率の低い材料よりも大きな移相下位層蒸着厚当りの移相が得られる。
【００６３】
前記透過制御下位層は、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属と化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物が含まれる。
【００６４】
本発明の一実施態様に従って、前記透過制御下位層には比較的不透明度の高い材料が少なくとも１種含まれ、またＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれら金属または窒化物の２以上の混合物から選択される材料が含まれる。本発明の特定の実施態様では、前記透過制御下位層にはＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷから選択される金属が含まれる。好ましくは、前記透過制御下位層には前述した金属及び化合物が含量として少なくとも９０原子％、より好ましくは少なくとも９５原子％含まれる。さらに別の実施態様では、前記透過制御下位層は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｌａ、Ｍｇ、及びこれら金属あるいはこれら金属の窒化物の２以上の混合物から選択される少なくとも１種の材料から成る。これに関し前記１種の材料とは、例えばＴｉ、ＴａまたはＨｆの層等の元素金属１種、あるいはＴａＮ、ＴｉＮまたはＨｆＮ等の金属窒化物１種を意味する。
【００６５】
前記透過制御下位層は前記移相系の透過率を所望の数値へ適合させるに十分な厚さをもち、その厚さは透過制御下位層を成す材料に殆ど依存している。この厚さは下記式から算出可能である。
ｄＴｃ＝−１／αλ×Ｉｎ（Ｔ／１００）
上記式中、Ｔは％で表した所望の透過率、αλは照射波長λにおける吸収係数、そしてｄＴｃは透過制御下位層の計算された厚さを表す。前記吸収係数αには下記式に従った消衰係数ｋとの相関関係がある。
α＝４πｋλ／λ
【００６６】
本発明の一実施態様に従って、前記透過制御層が基板上へ直接設けられ、該層によってエッチング停止機能、すなわち石英基板に対する高度なエッチング選択性が与えられる。そのため、移相マスクの石英基板中への過度のエッチングを容易に防止することが可能である。本発明のこの実施態様に従って、前記透過制御下位層には好ましくは少なくとも約８ｎｍ、最も好ましくは少なくとも約１０ｎｍの厚さが付与される。この厚さが約８ｎｍ未満であると、前記透過制御下位層のエッチング停止機能は不十分となる。
【００６７】
本発明のこの実施態様においては、好ましくは前記透過制御下位層へ移相制御下位層とは異なるエッチング選択性が付与される。移相制御層がフッ素含有成分を用いてエッチングされる場合、透過制御層は、好ましくはＣｌ２、Ｃｌ２＋Ｏ２、ＣＣｌ４、ＣＨ２Ｃｌ２等の塩素ベースのガスを用いたドライエッチング法、あるいは酸、アルカリ等を用いたウェットエッチング法によってエッチングされる。但し、好ましくはドライエッチング法が用いられる。フッ素含有成分を用いるエッチング法としては、好ましくはＣＨＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６及びこれらの混合物等のフッ素系ガスを用いるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。
【００６８】
本発明の第４の観点に従って、「検査制御層」あるいは「コントラスト層」を含む移相マスクブランクが提供される。この観点における一実施態様を図３ａ及び３ｃに概略的に示すが、この実施態様ではコントラスト層７が透過制御下位層３上に位置している。
【００６９】
マスクブランクに対し照明波長より長い波長において検査処理を行う。例えば、１９３ｎｍ対応リトグラフィー用のマスクブランクは通常例えば２５７ｎｍ及び３５６ｎｍの検査波長において検査される。このような波長での検査を可能とするためには、１９３ｎｍ対応リトグラフィー用のマスクブランクには照射波長における必要な透過性及び移相が備えられているだけでなく、該マスクブランクは検査波長における一定の最大透過率及び反射率にも適合しなければならない。
【００７０】
本発明に従って、「検査制御」または「コントラスト」層によって特に例えば２５７ｎｍ及び／または３５６ｎｍ等の検査波長におけるコントラストが向上される。前記層により、反射率の向上、すなわち検査波長及び／または照射波長において移相マスクブランクへ反射防止特性が付与され、あるいは所定範囲内の検査波長における透過性が補助的に制御される。
【００７１】
かかるコントラスト層は通常、照射波長において移相系の透過率及び／または移相を変化させるため、照射波長において要求される移相及び透過率を確保するためには移相制御下位層の厚さと透過制御下位層の厚さが適合しなければならない。すなわち、移相制御下位層の厚さを、前記コントラスト層によって移相が増加する量だけ減じなければならず、及び／または透過制御下位層の厚さを前記コントラスト層が透過率を増加させる量だけ減じなければならない。
【００７２】
本発明の一実施態様に従って、基板上へ透過制御下位層が設けられ、該透過制御下位層上へ移相制御下位層が設けられ、また該移相制御下位層上へコントラスト層が設けられる。本発明のさらに別の実施態様では、基板上へ透過制御下位層が設けられ、該透過制御下位層上へコントラスト層が設けられ、そして該コントラスト層上へ移相制御下位層が設けられる。
【００７３】
コントラスト層には好ましくは、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの組合せから選択される金属の酸化物を含量として９０原子％含ませることが可能である。本発明の特定の実施態様においては、透過制御層にはＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷから選択される金属が含まれる。
【００７４】
ここで述べている本発明の第四の観点に従って、透過制御下位層には好ましくはＹ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物及び混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物が含量として少なくとも９０原子％含まれ、また移相制御下位層には好ましくはＧｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物または窒化物及び／またはこれらの混合物が含量として少なくとも９０原子％含まれる。
【００７５】
本発明の特定の実施態様では、透過制御下位層には上記金属、例えばＴａが含量として少なくとも９０原子％、好ましくは少なくとも９５原子％含まれる。この場合、コントラスト層には、好ましくは前記透過制御下位層に用いられた金属と同じ金属の酸化物、例えばＴａ２Ｏ５が含量として少なくとも９０原子％、より好ましくは少なくとも９５原子％含まれる。しかしながら、Ｃｒ２Ｏ３等の他の金属酸化物を含ませることも可能である。
【００７６】
本発明の一実施態様では、移相制御下位層にはＳｉＯ２が含量として少なくとも９５原子％含まれ、及び／または透過制御下位層にはＴａ及び／またはＴａ窒化物が含量として少なくとも９５原子％含まれ、及び／またはコントラスト層にはＴａ２Ｏ５が含量として少なくとも９５原子％含まれる。
【００７７】
本発明のさらに別の実施態様では、コントラスト層には透過制御下位層及び／または移相制御下位層と同じエッチング選択性が付与される。従って、エッチング工程数は好ましくはコントラスト層の挿入によって増加されない。
【００７８】
本発明のいくつかの実施態様において、本発明によるマスクブランクは、１または２以上の検査波長において多くても５０％の透過率をもち、及び／または１または２以上の検査波長において多くても２０％の反射率をもつ。
【００７９】
コントラスト層は好ましくは多くても３０ｎｍ、より好ましくは多くても２０ｎｍの厚さを有する。
【００８０】
本発明の第五の観点に従って、マスクブランクには「バリヤ層」、あるいは厚さが多くても５ｎｍである「保護層」８が含まれる。この観点に従った一実施態様が図３ｂ及び３ｃに示されており、この図において保護層８は移相制御下位層上に位置している。
【００８１】
前記移相制御下位層にＳｉ及び／またはＡｌが含まれる場合、該移相制御下位層はアルカリ、酸、あるいは他の攻撃的クリーニング剤へ晒された時に分解され易い。しかしながら、前記移相制御下位層の厚さがクリーニング処理によって減じられる場合は、移相マスクブランクの移相性が変化する可能性があるため、そのようなクリーニング処理は好ましくない。ここでの第五の観点に従って、透過制御下位層は通常基板上へ設けられ、移相制御下位層は該透過制御下位層上へ設けられる。前記保護層によってウェットエッチング処理中に、Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層もさらに保護される。
さらに、前記保護層は、１９３ｎｍ対応リトグラフィー用のフォトマスクに生ずる、フォトマスクのクリーニング中に結晶の生成によって起こると考えられる所謂「ヘーズ（ｈａｚｅ）」効果の防止にも役立つ。また、Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層へ保護層を蒸着させることにより、該Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層上への結晶の沈積を防止することも可能である。
【００８２】
本発明のいくつの実施態様において、前記保護層の厚さは多くても４ｎｍ、好ましくは多くても２ｎｍである。概して、保護層の厚さが少なくとも０．２ｎｍあればアルカリ、酸、及びその他の攻撃的クリーニング剤に対する保護機能を層系へ付与するためには十分であるが、本発明のいくつかの実施態様においては、アルカリクリーニング剤の作用性によっては、前記保護層の厚さは少なくとも０．５ｎｍ、さらには０．７ｎｍまで付与されている。
【００８３】
本発明の別の実施態様によれば、前記保護層を付与することにより作製されるマスクブランク及びフォトマスクの光学特性に対して影響が起こることはない。ここで光学特性とは例えばマスクブランクの移相性、透過性、及び反射特性のことである。
【００８４】
前記保護層へ、該保護層の直ぐ上の層のエッチング選択性と異なるエッチング選択性を持たせてもよい。この場合、保護層は前記Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層上に残し、必要なエッチング工程数を増やさないため、該保護層には前記Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層と同一のエッチング選択性を付与すべきである。前記保護層にはさらに、該保護層の直ぐ上の層と同じエッチング選択性をもたせることも可能である。
【００８５】
保護層をＳｉ及び／またはＡｌを含む移相制御下位層及び／またはＳｉ及び／またはＡｌを含むさらに別の層上へ設けることも可能であり、また保護層へＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、炭化物硼化物、及びこれらの混合物から選択される金属及び／または化合物を含ませることも可能である。本発明の特定の実施態様では、透過制御層にはＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷから選択される金属が含まれる。前記保護層には、好ましくはＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ及びこれらの組合せから選択される金属の酸化物あるいは窒化物が含量として少なくとも９０原子％含まれる。
【００８６】
この第五の観点に従って、透過制御下位層にはＹ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物及び混合物から選択される金属または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含ませることができる。また、移相制御下位層にはＳｉの酸化物及び／または窒化物を含量として少なくとも９０原子％含ませることができる。
【００８７】
本発明の第六の観点は、波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも２０％の光透過率を与える高透過性マスクブランクに関する。この第六の観点におけるマスクブランクのいくつかの実施態様において、該マスクブランクの透過率は少なくとも３０％、好ましくは少なくとも４０％、より好ましくは少なくとも５である。しかしながら、透過率が２０％であるマスクブランクが作製される場合であっても、移相系の厚さが減じられていることから薄膜系全体の厚さを減じることができる点において、この第六の観点に従ったマスクブランクには利点がある。
【００８８】
この第六の観点に従って、透過制御下位層には、好ましくはＹ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれら金属の組合せから選択される金属の酸化物が含量として少なくとも９０原子％含まれる。
【００８９】
またこの第六の観点に従って、移相制御下位層には、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物、あるいはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含ませることが可能である。
【００９０】
本発明のこの第六の観点における一実施態様に従って、基板上へ下記層が交互に設けられて成る反射性の向上された高透過性マスクブランクが提供される。
−Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれら金属の組合せから選択される金属の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、
−Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層、
−Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれら金属の組合せから選択される金属の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、
−Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層。
【００９１】
本発明の異なる観点を相互に適切に組み合わせること、例えば１または数層の保護層及び／またはコントラスト層をマスクブランク中に設けて別の観点としてのマスクブランクを提供することも可能である。さらに、前記第六の観点における一実施態様として概説したように、本発明は１層だけの移相制御下位層及び／または１層だけの透過制御下位層をもつ移相系には限定されない。２以上の透過制御下位層及び／または移相制御下位層が本発明に従ったマスクブランク中に存在してもよい。かかる２以上の透過制御下位層及び／または移相制御下位層は同一材料から成っていてもよく、あるいは異なる材料から成っていてもよい。さらに、前記両層は均質な材料で作製してもよく、あるいはこれら層の組成を基板からの間隔に基づいて徐々に変えてもよい。
【００９２】
本発明はまた、上述したようにマスクブランクを構造化することによって作製された構造化フォトマスク及びかかるフォトマスクの作製方法にも関する。
【試験例】
【００９３】
上記説明及び下記実施例において、温度はすべて摂氏に変換しないまま記載されている。上記及び以下において引用されるすべての出願、特許及び刊行物の開示内容はすべて参考とすべきものである。
【００９４】
以下において、本発明の好ましい実施態様に従って設計及び作製されたマスクブランクについて説明する。
【００９５】
例示的膜設計及び透過率調節
Ｗｏｏｌｌａｍ ＶＡＳＥ型分光楕円偏光測定器を用いた楕円偏光測定により１５７ｎｍ及び１９３ｎｍにおけるｎ値及びｋ値を得た。典型例として、分光走査は５５及び６５度において実施した。方法適合性を向上させるため透過率データを取得した。
【００９６】
図４はＴａ及びＳｉＯ２の分散曲線を示した図である。図４の縦軸は左から右へＴａ及びＳｉＯ２の測定された単層分散曲線を示す。図の上列は屈折率ｎを示し、下列は消衰係数ｋを示している。
【００９７】
これら材料及びＳｉＯ２基板のリトグラフィー波長１５７、１９３、及び２４８ｎｍにおける分散値を表１に列記する。
【００９８】
【表１】
【００９９】
上記表１の分散データを用いて下記計算を行った。すべてのシミュレーションは、数計算用のＭａｔｌａｂを用いる薄膜用に広く用いられているＡ．Ｍａｃｌｅｏｄ、「薄膜光学フィルター」、第２版、１９８６年、Ｂｒｉｓｔｏｌ，Ａｄａｍ Ｈｉｌｇｅｒに記載の行列アルゴリズムに基づいている。これらのシミュレーションの結果を図５〜７に示す。
【０１００】
図５ａに減衰された１５７ｎｍ（６％透過率）対応型及び高透過性である１９３ｎｍ（２０％透過率）対応型の移相マスクブランクについての設計を示し、図５ｂに減衰（６％透過率）型及び高透過２４８ｎｍ（２０％透過率）対応型移相マスクブランクについての設計を示す。図５ａ中、実線は波長１５７ｎｍ対応移相マスクブランクについての移相下位層の透過率と膜厚との相関に相当し、破線は波長１９３ｎｍ対応移相マスクブランクについての移相下位層の膜厚の関数で表した透過率に相当する。図５ｂ中、上側グラフは高透過性型の移相下位層の膜厚の関数で表した透過率に相当し、下側グラフは波長２４８ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの透過率に相当する。図５ａ及び５ｂ中、膜厚ゼロは無被覆の基板に相当する。基板上にはＴａ層が設けられている。これらグラフは、透過制御下位層として機能するタンタル層の膜厚の増加につれて透過率が指数関数的に減少することを示している。Ｔａ層上にはＳｉＯ２層が移相制御下位層として設けられる。図５ａ及び５ｂの各グラフにおいて、透過制御下位層の移相制御下位層との界面は細い縦線で示されている。誘電性ＳｉＯ２層は干渉によって生じた平均透過率値周囲において典型的な振幅を示している。空気との最終界面において所望の透過率値が得られる。このような移相制御下位層は移相マスクブランクの透過率を実質的に変化させないが、生ずる透過率値に対して副次的に寄与する。膜厚ゼロについての透過率値は１であるが、分解能の向上のため切り捨てられる。
【０１０１】
図６ａ及び６ｂには移相が膜厚の関数として示されている。膜厚ゼロは移相ゼロに相当する。図６ａにおいて、タンタル層の移相は当初僅かに負であるが、その後僅かに上昇し、界面において再びゼロに近づく。従って、移相マスクブランクの全移相に対する寄与はごく僅かである。図６ｂにおいて、タンタル層は２４８ｎｍ対応移相マスクブランクへ小さな正の移相をひき起こす。しかしながら、タンタル透過制御層によってひき起こされる移相は二酸化珪素層の大きな位相変異に比較すれば小さい。従って、近似的には誘電層によって、干渉作用が重畳される膜厚の増加に伴う位相角の直線的増大がもたらされる。空気との最終界面において所望角度である１８０°が得られる。
【０１０２】
図５及び６は、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、及び２４８ｎｍ対応の移相マスクブランクによって透過率及び位相角の制御が広範に独立して可能となることを示している。異なる波長及び透過率要求に対する適合は個々の下位層の厚さを別々に調節することによって可能であろう。
【０１０３】
図７ａ〜７ｅには５つの移相系についての透過率の可調性が示されている。ｘ軸はＳｉＯ２膜厚であり、ｙ軸はそれぞれＴａ及びＴａ２Ｏ５の膜厚である。垂直に近い実線はＳｉＯ２層の厚さと１８０°の移相を起こすＴａあるいはＴａ２Ｏ５層のすべての組合せを示している。水平に近いグラフは異なる下位層厚に対応したそれぞれの透過率値を示す。線の振動は干渉作用によって生ずるものである。かかる振動作用によって透過率は相当量変動し得るが、これら作用によって移相制御下位層の透過率が実質的に高められることはあっても該透過率が実質的に低下されることはない。波長３００ｎｍ以下の照射波長においては殆どの材料の透過率は極めて低いので、透過率をより高める上述した振動のような作用はむしろ利点となる。
【０１０４】
図７ａ〜７ｅにおいて、横方向の振動線は異なる透過率それぞれについてのＴａ、Ｔａ２Ｏ５及びＳｉＯ２の可能な膜厚の組合せを示している。前記横方向の線に交差する縦線はそれぞれ１８０°の移相を生ずるＴａ、Ｔａ２Ｏ５及びＳｉＯ２の組合せを示している。前記縦線と前記横方向の線が交差するタンタル層の一定の膜厚及びＳｉＯ２層の一定の厚さを表す点において、１８０°の移相を伴う一定透過率のための移相系が確立される。ＴａあるいはＴａ２Ｏ５層の最小厚を１０ｎｍと仮定すると、１５７ｎｍ系については２８％まで（図６ａ）、１９３ｎｍ系については２８％まで（図６ｂ）、また２４８ｎｍ系については３０％まで（図６ｃ）透過率を調節することが可能である。Ｔａ２Ｏ５を用いる高透過率系（図７ｄ及び７ｅ）においては、透過率は５０％まで達成可能である。いずれの場合においても、波長減衰型高透過率移相マスクブランクの作製が可能である。
【０１０５】
蒸着試験例
（Ａ）蒸着装置
図１に模式的に図示した二元イオンビームスパッタリング装置を用いてすべての層に対して蒸着を行った。すべての蒸着において、特にＶｅｅｃｏ Ｎｅｘｕｓ ＬＤＤイオンビーム蒸着装置が使用された。
【０１０６】
（Ｂ）蒸着パラメータ
厳密な蒸着パラメータは、ソフトウェアとしてＳＡＳ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｉｎｃ、ＳＡＳ Ｃａｍｐｕｓ Ｄｒｉｖｅ，Ｃａｒｙ，ノースカロライナ２７５１３，ＵＳＡ．ＩＢＤ作製のＪＭＰ、レリーズ５．０．１ａを用いたＤＯＥによって決定し、固定パラメータとしてＴＷ及びＦＷを導入し、また変数としてＵＢＤ、ＵＳＤ、ＩＢＡ、ＵＢＡ及びＵＳＡを導入した。
【０１０７】
表２に実施例及び比較例に従って用いられる材料のスパッタリングについての一般的蒸着パラメータを示す。
【０１０８】
【表２】
【０１０９】
【表３】
【０１１０】
【表４】
【０１１１】
実施例１及び比較例１（１５７ｎｍ対応ＰＳＭ）
図２において概略的に述べた移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは表５に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１１２】
【表５】
【０１１３】
実施例１及び比較例は反復実施した。
【０１１４】
実施例２（１９３ｎｍ対応ＰＳＭ）
図２において概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは表６に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１１５】
【表６】
【０１１６】
実施例３（２４８ｎｍ対応ＰＳＭ、図２）
図２において概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは表７に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１１７】
【表７】
【０１１８】
実施例４（コントラスト層を有する１９３ｎｍ対応ＰＳＭ）
図３ａにおいて概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＴａ２Ｏ５から成るコントラスト層を蒸着し、さらに該コントラスト層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して製造した。これら蒸着された層の厚さは表８に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１１９】
【表８】
【０１２０】
図９ａ及び９ｂには、コントラスト層を含む例示的マスクブランクの検査性能における向上（実施例４ａ及び４ｂ）が、かかるコントラスト層をもたないマスクブランク（実施例２ａ及び２ｂ）との比較において示されている。図９ａは１９３ｎｍにおいて６％の透過率をもつ照射波長１９３ｎｍ対応のマスクブランクについての反射率及び透過率を示し、図９ｂは１９３ｎｍにおいて２０％の透過率をもつ照射波長１９３ｎｍ対応のマスクブランクについての反射率及び透過率を示す。いずれの場合においても、コントラスト層を含むマスクブランクの反射率及び透過率（実線）は、コントラスト層をもたないマスクブランクのそれら（破線）に比べて向上されている。さらに、１９３ｎｍにおける反射率もコントラスト層によって向上されている。
【０１２１】
図１８ａ及び１８ｂは実施例４ａ及び４ｂに従ったコントラスト層の厚さの照射波長及び検査波長における反射率に対する影響を示した図である。厚さが１０ｎｍ未満であるコントラスト層によっても必要な反射率は十分達成される。厚さゼロは、コントラスト層をもたない移相系、すなわち移相制御下位層及び透過制御下位層をもつ移相系に相当する。
【０１２２】
図１７ａ及び１７ｂは実施例４ａ（ＳＥＭ写真）に従ったマスクブランクに対するドライエッチング試験の結果を示した図である。ピッチサイズは５００ｎｍ（図１７ａ）及び２００ｎｍ（図１７ｂ）である。結果は実線、破線及び一点鎖線で示されている。１００ｎｍだけの特徴サイズであっても側壁角度及びエッチング停止能は極めて良好である。前記コントラスト層のエッチングは移相制御下位層の場合と同様にドライエッチング処理、すなわちエッチング剤としてフッ素を用いたドライエッチング処理によって実施した。従って、コントラスト層の追加によるエッチング処理工程の増加はない。
【０１２３】
実施例５（保護層を有する１９３ｎｍ対応ＰＳＭ）
図３ｃにおいて概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＴａ２Ｏ５から成るコントラスト層を蒸着し、また該コントラスト層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着し、さらに該移相制御下位層上へＴａ２Ｏ５から成る保護層（厚さ１ｎｍ）を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは実施例４ａのそれら厚さと対応するものである。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１２４】
実施例４ａに従ったマスクブランクのＳｉＯ２層上へ、前記Ｃｒ吸収層の蒸着前に上記略述した蒸着パラメータを用いて１層を蒸着した。次いでこのマスクブランクに対してクロムドライエッチ処理（Ｃｌ＋Ｏ２）を行った。
【０１２５】
図２１ａ及び２１ｂは、クロムドライエッチチング処理後の実施例４に従ったマスクブランクの光学特性をクロム層蒸着前の実施例４に従ったマスクブランクと比較した図である。前記マスクブランクのすれすれ入射Ｘ線反射曲線（ＧＩＸＲ、図２１ａ）及びスペクトル曲線（ｎ＆ｋ、図２１ｂ）はクロム蒸着前及びＣｒ除去後において同一である。この結果より、クロムドライエッチチング処理によって薄い保護層が除去されていないことが示される。
【０１２６】
実施例６（１５７ｎｍ及び１９３ｎｍ対応高透過性ＰＳＭ）
図２において概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａ２Ｏ５から成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは表９に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１２７】
【表９】
【０１２８】
本実施例による移相マスクブランクの透過率は２０％であるが、これらマスクブランクの薄膜系がより薄いことから、薄膜系の全厚を実施例１ｂ（移相系の厚さ１２５ｎｍ）及び実施例２ｂ（移相系の厚さ１６３ｎｍ）の場合より減ずることが可能である。
【０１２９】
実施例７（透過率２０％の１９３ｎｍ対応ＰＳＭ）
図３ｄにおいて概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａ２Ｏ５から成る第一透過制御下位層（厚さ１２ｎｍ）を蒸着し、また該第一透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る第一移相制御下位層（厚さ１２ｎｍ）を蒸着し、また該第一移相制御下位層上へＴａ２Ｏ５から成る第二透過制御下位層（厚さ２２ｎｍ）を蒸着し、また該第二透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る第二移相制御下位層（厚さ９２ｎｍ）を蒸着して作製した。また前記第二移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１３０】
実施例２ｂの移相系の全厚（１６３ｎｍ）と比較した場合、実施例７に従ったマスクブランクの移相系の全厚（１３８ｎｍ）は実施例６ｂのマスクブランクよりもさらに減少されている。しかしながら、実施例７に従ったマスクブランクの反射率は照射波長１９３ｎｍにおいて極めて低く（＜４％）、さらに検査波長２５６ｎｍにおける反射率（＜２０％）も透過率（＜５０％）も十分低い。この実施例７に従ったマスクブランクの反射率及び透過率は図２２ａ及び２２ｂに示されている。
【０１３１】
移相及び透過率の均質度
Ｎ＆Ｋ分光計を用いた厚さ適合により前記実施例について分析した。固定拡散値を用いて、分光計により測定された反射率及び透過率データから膜厚を算出した。この方法は一般的には金属層よりも誘電層についてより正確な方法である。金属層についての適合品質を向上させるため、予め擦過入射型Ｘ線反射計を用いて測定された一定膜厚を用いて拡散適合を実施した。
【０１３２】
図１０ａ〜１０ｄはタンタル層を用いた実施例１及び比較例１に従ったマスクブランクにおける結果を示した図である。
【０１３３】
図１１ａは１４０ｍｍ×１４０ｍｍの面積中で測定したタンタル層厚の断面形プロットを示した図である。コーナー部分を含んだ範囲／平均均質度値は５．４％であり、コーナー部分を除いた前記数値は２．９％である。
【０１３４】
図１１ｂはＳｉＯ２層についての同様な断面形プロットを示した図である。この場合コーナー部分を含んだ範囲／平均均質度値は６．５％であり、コーナー部分を除いた同値は３．２％である。
【０１３５】
欠陥レベルの測定
高分解能レーザスキャナー欠陥検査装置を用いて欠陥レベルを測定した。この測定では、マスクブランクの両面がレーザビームを用いてライン毎に走査される。次いで反射及び透過された迷光が２台の光電子倍増管を用いて検出される。ソフトウェアを用いて４つの測定信号から出てくる粒子のクラス、位置及びサイズが計算される。この結果は位置図及びサイズヒストグラムの形式で表示される。前記位置図において、粒径は３つのクラス、すなわち約０．２〜０．５μｍの粒子、０．５〜１μｍの粒子、及び１μｍ以上の粒子へと減じられる。点は約０．２〜０．５μｍの粒子を示し、白丸及び四角はそれより粒径の大きい粒子を示している。
【０１３６】
図１３ａ及び１３ｂは本願実施例に従った移相マスクブランクの粒子レベルを示した図である。図１３ａには移相系の粒子地図が示され、図１３ｂには吸収性クロム層で被覆された移相層の粒子地図が示されている。図１４ａ及び１４ｂは一連の実施例について前記粒子レベルに対するクリーニング工程の影響を示した図である。
【０１３７】
薬品耐久性試験
本願実施例に従ったマスクブランクの種々クリーニング剤に対する薬品耐久性について試験し、市販の移相マスクブランクとの比較を行った。
図２０ａ〜２０ｃはこれら試験の結果を示した図である。各図におけるそれぞれの上側グラフはクリーニング剤処理後におけるマスクブランクの移相の変化を示し、また下側のグラフはクリーニング剤処理後におけるマスクブランク透過率の変化を示している。
【０１３８】
図２０ｂは、酸性クリーニング剤（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２、９０℃）を用いた数回のクリーニングサイクル前後における実施例１に従ったマスクブランクの移相変化及び透過率変化を示している。各クリーニングサイクル後に透過率及び移相は僅かに変化するが、これらの変化は猶移相マスクブランクに要求される規格の範囲内である。実施例２及び３に従った移相マスクブランクに対して同一の酸性クリーニング剤処理を行った場合の結果も同様である。従って、本発明に従った移相マスクブランクの酸性クリーニング剤に対する薬品耐久性は優れていることが示される。
【０１３９】
図２０ｂは、標準アルカリクリーニング剤（ＮＨ４／Ｈ２Ｏ２）を用いた数回のクリーニングサイクル前後における実施例２に従ったマスクブランク（図中ＰＳＭ１９３−６）、実施例４に従ったマスクブランク（図中ＰＳＭ１９３−６Ｐ）、及び市販の珪化モリブデン移相マスクブランク（ＭｏＳｉ、１９３ｎｍ対応型、図では透過率６％）の位相変化及び透過率変化を示した図である。ＭｏＳｉマスクブランクの移相及び透過率はかかるクリーニングによって変化しているが、実施例２及び４に従ったマスクブランクにおいては全く変化が認められなかった。また実施例１、３及び５に従ったマスクブランクに対して同一のクリーニングサイクルを施しても同様な結果（移相及び透過率に変化なし）が得られた。従って、本発明に従った移相マスクブランクは標準アルカリクリーニング剤に対して優れた薬品耐久性があることが示された。
【０１４０】
図２０は、さらに別のアルカリクリーニング剤（ＫＯＨ、５０℃におけるｐＨ１２）を用いた数回のクリーニングサイクル前後における実施例２に従ったマスクブランク（図中ＰＳＭ１９３−６）及び実施例４に従ったマスクブランク（図中ＰＳＭ１９３−６Ｐ）の位相変化及び透過率変化を示した図である。
【０１４１】
実施例２に従ったマスクブランクの移相及び透過率は前記クリーニングによって僅かに変化しているが、実施例４に従ったマスクブランクでは全く変化が認められなかった。従って、アルカリクリーニング剤に対する薬品耐久性が既に優れている本発明のマスクブランクにおいてＳｉＯ２層上へ保護層を設けることにより薬品耐久性がさらに向上されることが分かる。
【０１４２】
上述した実施例において用いられた本発明における上記反応物及び／または操作条件の全般あるいは特定のものを代替することによっても、上述した実施例を同様な結果を伴って反復実施することが可能である。
【０１４３】
当業者は上記記載に基づいて本発明の必須な特徴を容易に見出すことができ、また本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、本発明の種々変形及び変更を行って種々用途及び条件へ適合させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１（ａ）】本発明に従った好ましいマスクブランク作製装置の概略図である。
【図１（ｂ）】本発明に従ったマスクブランク作製装置の補助蒸着源の概略図である。
【図２（ａ）】本発明の一実施態様に従った減衰移相マスクブランクの略断面図である。
【図２（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったフォトマスクの略断面図である。
【図２（ｃ）】本発明の一実施態様に従ったフォトマスクの略断面図である。
【図２（ｄ）】この実施態様に従ってフォトマスクを作製する際に使用可能なドライエッチチング処理を示した図である。
【図３（ａ）】本発明のさらに別の実施態様に従ったコントラスト層を備えるマスクブランク略断面図である。
【図３（ｂ）】本発明のさらに別の実施態様に従った保護層を備えるマスクブランク略断面図である。
【図３（ｃ）】本発明のさらに別の実施態様に従ったコントラスト層及び保護層を備えるマスクブランク略断面図である。
【図３（ｄ）】本発明のさらに別の実施態様に従った４層の移相系を備えるマスクブランク略断面図である。
【図４】Ｔａ及びＳｉＯ２の分散曲線を示した図である。
【図５（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの透過率を透過制御下位相及び移相制御下位層の厚さの関数として表したシミュレーションを示した図である。
【図５（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの透過率を透過制御下位相及び移相制御下位層の厚さの関数で表したシミュレーションを示した図である。
【図６（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの移相を移相制御下位層及び透過制御下位層の厚さの関数で表したシミュレーションを示した図である。
【図６（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの移相を移相制御下位層及び透過制御下位層の厚さの関数で表したシミュレーションを示した図である。
【図７（ａ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図７（ｂ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図７（ｃ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図７（ｄ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図７（ｅ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図８】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの波長と依存関係にある光学密度（振動線）を示した図である。
【図９（ａ）】本発明のいくつかの実施態様に従ったマスクブランクについてのスペクトル反射率及び透過率曲線を示した図である。
【図９（ｂ）】本発明のいくつかの実施態様に従ったマスクブランクについてのスペクトル反射率及び透過率曲線を示した図である。
【図１０（ａ）】比較例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの透過率均質度を示した図である。
【図１０（ｂ）】本発明の実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの透過率均質度を示した図である。
【図１０（ｃ）】比較例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＴａ層の厚さ均質度を示した図である。
【図１０（ｄ）】本発明の実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＴａ層の厚さ均質度を示した図である。
【図１１（ａ）】比較例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２層の厚さ均質度を示した図である。
【図１１（ｂ）】本発明の実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２層の厚さ均質性を示した図である。
【図１２（ａ）】比較例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２膜のＡＦＭ測定表面を示した図である。
【図１２（ｂ）】比較例２に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２膜のＡＦＭ測定表面を示した図である。
【図１２（ｃ）】本発明の実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２膜のＡＦＭ測定表面を示した図である。
【図１３（ａ）】実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの欠陥地図を示した図である。
【図１３（ｂ）】実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの欠陥地図を示した図である。
【図１４（ａ）】実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの粒子分析、すなわち欠陥量を示した図である。
【図１４（ｂ）】実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの粒子分析、すなわち欠陥量を示した図である。
【図１５（ａ）】ターゲット侵食によって生じたＴａ及びＳｉＯ２膜の長時間膜厚ドリフトを示した図である。
【図１５（ｂ）】ターゲット侵食によって生じたＴａ及びＳｉＯ２膜の長時間膜厚ドリフトを示した図である。
【図１６】本発明の一実施態様に従ったエッチング後のマスクブランクのＳＥＭ写真である。
【図１７（ａ）】本発明の別の一実施態様に従ったエッチング後のマスクブランクのＳＥＭ写真である。
【図１７（ｂ）】本発明の別の実施態様に従ったエッチング後のマスクブランクのＳＥＭ写真である。
【図１８（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクに対するコントラスト層の影響についての計算結果を示した図である。
【図１８（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクに対するコントラスト層の影響についての計算結果を示した図である。
【図１９】Ｔａ層のレーザ耐久性を示した図である。
【図２０（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの耐薬品性を示した図である。
【図２０（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの耐薬品性を示した図である。
【図２０（ｃ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの耐薬品性を示した図である。
【図２１（ａ）】本発明の一実施態様に従った保護層を備えるマスクブランクのクロム吸収体ドライエッチング前後におけるＧＩＸＲ曲線とｎ＆ｋ曲線の比較を示した図である。
【図２１（ｂ）】本発明の一実施態様に従った保護層を備えるマスクブランクのクロム吸収体ドライエッチング前後におけるＧＩＸＲ曲線とｎ＆ｋ曲線の比較を示した図である。
【図２２（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの検査波長２５６ｎｍにおける反射率及び透過率を示した図である。
【図２２（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの検査波長２５６ｎｍにおける反射率及び透過率を示した図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は照射波長が３００ｎｍあるいはそれ未満のリトグラフィーにおいて用いられる移相マスクブランク、及びかかる移相マスクブランクの作製方法に関する。
【０００２】
本出願は、米国特許出願Ｎｏ．１０／６５５，５９３、欧州特許出願Ｎｏ．０４００１３５９．１及びＮｏ．０４００８５６６．４を基礎とする優先権主張出願である。上記優先権主張の基礎となる出願はそれら出願の内容を参照に供するため本願に添付されている。
【背景技術】
【０００３】
リトグラフィー機器の分解能、コントラスト及び焦点深度を、通常のバイナリマスク技術を用いて達成できる水準以上まで拡げる手段として移相マスクに対する関心が高まっている。
【０００４】
数例の移相技術が知られているが、その中でもＳｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、１９９２年１月号、４３頁に掲載されているＢｕｒｎ Ｊ．Ｌｉｎによって提唱された（埋め込み型）減衰移相マスクが、作製の容易性とそれに伴って低コストに抑えられる利点から広く受け入れられている。尚、この文献における教示は参照すべきものとしてここに挙げた。
【０００５】
移相マスクについては数種の技術的変形が提案されている。第一の変形例では、所望の移相を生ずるためにエッチングによって石英基板中へ結合された僅かに透明な層、例えば極めて薄いクロム層が基板へ設けられる（レビンソン型、硬質型、または交番型移相マスク）。この方法には、両層の蒸着及びエッチング処理に高度な制御技術が要求される。
【０００６】
別の変形例では、基板上へ移相特性及び減衰特性をもつ１または２以上の層を処理することによって移相マスクが得られる。１層によって１８０°の移相と入射光の減衰が与えられる単層の移相マスクが案出されている。尚、単層マスクの他に、二層及び多層の減衰移相マスクブランクについても言及されている。
【０００７】
フォトマスクの特徴サイズを小さくする要求が高まるにつれ、マスクブランクの製造及び加工において蒸着層の膜厚の均質性が次第に重要となっている。例えば限定された移相、透過率及び／または反射性等の規定された光学特性をもつ層を蒸着するためには、計算された層厚からの局部的逸脱が回避されなければならない。これは、そのような局部的逸脱が生ずるとマスクブランクの直径全域に亘って光学特性が非均質となるためである。それゆえ、層厚が均質になるように制御することが益々重要になっている。
【０００８】
さらに、前述のフォトマスクには実質的に欠陥があってはならない。フォトマスクに欠陥があると、フォトマスク中のピンホール等の欠陥が生じ、これによってＩＣ装置に欠陥がひき起こされる。マスクブランク上への欠陥生成を防止する作業はフォトマスクの外形サイズの縮小化によってさらに難しくなっている。例えば、６５ｎｍ及び４５ｎｍノード（すなわちウェハー上の特徴サイズがそれぞれ６５ｎｍ及び４５ｎｍ）の場合、フォトマスクは１００ｎｍの特徴サイズをもつ構造物を用いてパターン化されるので、粒径が０．５μｍ以上の表面欠陥があってはならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、必要な光学特性及び薬品安定性を備えて容易かつ安定して製造可能であり、かつ表面欠陥がなく蒸着層が均質である特徴を併せ持つ、３００ｎｍ以下の照射波長に対応する新規なマスクブランクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、第一の観点として、基板及び薄膜系から構成され、かつほぼ１８０°の移相及び３００ｎｍ以下の波長をもつ照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能な、埋め込み型の減衰移相マスクブランクを作製するための二元（ｄｕａｌ）イオンビーム蒸着方法に関し、この方法は基板上へ、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び金属化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物、あるいはそれらの混合物を含む移相制御層を蒸着することから構成され、及び
前記薄層系の少なくとも１層は、
（ａ）一次イオンビームを用いる一グループのガスからのイオンによるＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの１または２以上を含む混合物、合金または化合物のうちの１ターゲットのイオンビーム蒸着、及び
（ｂ）一グループのガスを含む補助供給源からの二次イオンビームを用いた前記基板に対するボンバードによって蒸着されることを特徴とする。
【００１１】
本発明は、第二の観点として、薄膜系が、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び金属化合物の混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属化合物を含む透過制御下位層、及び
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物、及び／またはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成される、基板及び前記薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関し、
前記透過制御下位層及び／または前記移相制御下位層は多くても２％の平均膜厚均質度を有し、
前記マスクブランクは、ほぼ１８０°の移相及び波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする。
【００１２】
本発明は、第三の観点として、薄膜系が、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれら金属及び金属の窒化物の混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、及び
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物、またはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成される、基板及び前記薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関し、
前記移相マスクは、ほぼ１８０°の移相及び波長約２４８ｎｍの照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能なであることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、第四の観点として、薄膜系が、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ及びこれら金属の組合せから選択される金属の金属酸化物を含量として少なくとも９０原子％含むコントラスト層、及び
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物または窒化物、及び／またはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成される、基板及び前記薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関し、
前記マスクブランクは、ほぼ１８０°の移相及び波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする。
【００１４】
本発明は、第五の観点として、基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、
Ｓｉ及び／またはＡｌを含む移相制御下位層、及び
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、炭化物及び硼化物、及びこれらの混合物から選択される金属及び／または化合物を含む、前記移相制御下位層上へ設けられた厚さが多くても５ｎｍである保護層から構成され、及び
前記マスクブランクは、ほぼ１８０°の移相及び波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする、前記埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関する。
【００１５】
本発明は、第六の観点として、基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの組合せから選択される金属の酸化物の１または２以上を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、及び
Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物、またはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成され、
前記移相マスクブランクは、ほぼ１８０°の移相及び波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも２０％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする、前記埋め込み型の減衰移相マスクブランクに関する。
【００１６】
本発明の上記及び他の観点、目的、特徴及び利点は、添付図面を参照して以下に詳細に述べられた説明及び発明によって明らかとなろう。
【００１７】
尚、前記全般的説明及び下記詳細な説明は単に本発明の例示に過ぎず、特許請求の範囲において求められる本願発明の性質及び特徴を理解するための外観あるいは枠組みを提供することを意図したものであることを理解されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
当該技術分野において公知なように、「フォトマスクブランク」あるいは「マスクブランク」は、構造化、パターン化あるいは影像化後のフォトマスクブランクを記述するのに用いられる用語である「フォトマスク」あるいは「マスク」と異なる。本願ではかかる用語上の約定に従うように試みられているものの、当業者にはそのような区別化は本発明の重要な観点ではないことが認識されよう。それゆえ、本願では用語「フォトマスクブランク」あるいは「マスクブランク」は最も広義に用いられ、影像化されたフォトマスクブランク及び未影像化のフォトマスクブランク双方が包含されることを理解されたい。
【００１９】
語句「ほぼ１８０°の移相をもつ」とは、移相マスクブランクが構造体の境界部分において光を相殺し、該境界におけるコントラストを増大させるに十分な入射光の移相を与えることを意味する。好ましくは１６０〜１９０°、より好ましくは１７０〜１８５°の移相が与えられる。
【００２０】
前記マスクブランクの層系において第一層の第二層に対する相対位置を記述するために用いる場合、語句「〜の下へ」及び「〜の上へ」は下記意味を有する。語句「〜の下へ」は、前記第一層が前記第二層よりもマスクブランク基板へより近接して設けられることを意味し、及び語句「〜の上へ」は前記第一層が基板から前記第二層よりもさらに離れて設けられることを意味する。
【００２１】
さらに、特に明示的に述べられていない限り、語句「〜の下へ」又は「〜の上へ」は、「〜の直ぐ下へ」、及び「〜の下であるが、少なくともさらに１層が前記２層の間に設けられる」、あるいは「〜の直ぐ上へ」、及び「〜の上であるが少なくともさらに１層が前記２層の間に設けられる」ことも意味している。
【００２２】
本発明に従ったマスクブランクは、波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも０．００１％、好ましくは少なくとも０．５％の透過率を有する。
【００２３】
図１ａは本発明に従ったイオンビームスパッタリング（ＩＢＳ）またはイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）によってフォトマスクブランクを製造するための蒸着装置１０の例示的構成を概略的に示した図である。前記装置１０にはポンプ装置を用いて抜気可能な真空室１２が含まれている。
【００２４】
蒸着粒子源あるいはより具体的にはイオン蒸着源２０によって第一粒子あるいはイオンビーム２２が生成される。前記蒸着イオン源２０は高周波（ＨＦ）イオン源であるが、他の型式のイオン源を用いることも可能である。蒸着イオン源２０の入口２６からスパッタガス２４が取り込まれ、このガスは前記蒸着イオン源２０内部で誘導結合された電磁界によって加速された電子と原子衝突を起こしてイオン化される。好ましくは湾曲状の３本の格子イオン抽出集合体２８を用いて前記第一イオンビーム２２中に含まれる一次イオンが加速され、それら一次イオンは該集合体によってターゲット４０へ向けて集束される。
【００２５】
前記一次イオンは蒸着イオン源２０から抽出されてターゲットあいはスパッタターゲット４０へ当たることにより、原子のカスケード衝突が起こり、ターゲット原子が追い出される。このようにターゲットをスパッタリングあるいは蒸発させる処理はスパッタ処理と呼ばれている。スパッタターゲット４０としては、蒸着対象となる層によるが、例えば後述のタンタル、チタン、珪素、クロム、または他の金属、あるいは化合物がある。前記蒸着装置には、真空処理を中断させることなくスパッタ処理を別のターゲットへ変更できるように、複数の異なるスパッタターゲットを備えることが可能である。前記スパッタ処理及び前記層の蒸着は好ましくは適する真空条件下で実施される。
【００２６】
一次イオン質量がターゲット原子質量と同等である場合、ターゲット原子への運動量移動が最大となる。希ガスは取扱易いため、スパッタガス２４としてアルゴンあるいはキセノンが用いられる。スパッタリングにおけるキセノンの使用によって蒸着層の厚さ均質度が向上するため、スパッタガスとして好ましくはキセノンが用いられる。
【００２７】
スパッタされたイオン４２の少なくとも一部がターゲット４０から基板５０へ向かって出てくる。これらスパッタされたイオン４２は従来の蒸着法よりずっと高エネルギーを伴って基板へぶつかり、基板５０上に高度に安定かつ緻密な層あるいは膜が蒸着あるいは成長形成される。
【００２８】
特に、スパッタされる原子、例えば金属原子の平均エネルギーは前記第一イオンビーム２２のエネルギー及び／または入射角によって調節あるいは制御される。前記第一イオンビーム２２のターゲット垂線４４に対する入射角は該ターゲット４０を旋回することによって調節される。
【００２９】
基板５０は３軸回転装置中に回転可能に取り付けられている。スパッタされるイオンの基板５０の垂線５４に対する入射角αは第一軸を中心として基板５０を旋回させることによって調節される。前記入射角を一様に調節することにより、内膜構造及び機械的パラメータ、特に膜応力を制御し、これによりスパッタリングを向上させることができる。
さらに、基板５０を回転の第二軸を表す前記垂線５４に対して垂直に回転させて蒸着均質度をさらに向上させることが可能である。
前記基板はさらに、該基板をビームの外へ移動させて例えば蒸着直前の基板５０のクリーニングを可能とすることができるように第三軸を中心に回転あるいは旋回可能である。
【００３０】
さらに、前記装置１０には補助粒子源あるいは補助イオン源６０が含まれている。この補助粒子／イオン源の操作原理は蒸着源２０のそれと同様である。例えば基板５０及び／または基板５０上へ蒸着された膜の平滑化、状態調節、ドープ化及び／またはその他処理のため、第二粒子またはイオンビーム６２が基板５０へと向けられる。さらに、活性及び／または不活性ガス６４をガス注入口６６を介して導入することも可能である。
前記第二イオンビーム６２は好ましくは真っ直ぐな３本の格子抽出系６８によって加速される。
【００３１】
図１ｂは前記補助蒸着源の概略図を示す。前記蒸着源と同様に、この補助蒸着源には３本の格子、すなわち所謂アクセル格子６８ａ、所謂デセル格子６８ｂ及び所謂グラウンド６８ｃが含まれている。アクセル格子６８ａとデセル格子６８ｂ間においてイオンは加速され、それら格子のグラウンド６８ｃへの通路の第二部分においてイオンは減速される。これにより、前記イオンビームの発散を左右することが可能となる。
好ましくは、補助蒸着源６０を用いて酸素及び窒素等の活性ガスが前記系へ導入される。
【００３２】
前記第二イオンビーム６２は実質的に基板５０全体を覆うので基板面積全体に亘って均質なイオン分布あるいは処理が得られる。図１から分かるように、基板５０は第二イオンビーム６２の軸６５に対して角度ｂだけ傾いている。
【００３３】
公知技術においては、前記第二イオンビーム６２は特に、
−酸素、窒素、炭素及び／または他のイオンを用いたフィルムのドープ、
−例えば酸素プラズマを用いた蒸着前の基板のクリーニング、及び
−膜の平滑化による膜のインタフェース品質の改善に使用されている。
【００３４】
しかしながら、本発明によれば、前記第二あるいは二次イオンビームを用いて蒸着層の厚さの均質度を向上するために用いられる。特に、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ及びＧｅ等の軽金属をスパッタリングする場合、あるいは前記補助蒸着源を用いてスパッタリングされた金属層をＯ及び／またはＮ等の元素でドープして前記金属の酸化物、窒化物あるいはオキシ窒化物を生成する場合、通常の手段を用いて層厚が極めて均質な層をスパッタリングしてターゲット角度を変え、あるいはスパッタガスを変えて均質性を改善することは困難であり、また不可能でもあることがわかっている。一般的に、スパッタリングされた金属のより多くの原子はマスクブランクの中央側へ蒸着され、マスクブランクの側面あるいは側部へ蒸着される原子はより少ないため、前記中央部分の蒸着層の厚さはマスクブランクの側部よりも厚くなる。しかしながら、補助蒸着源のイオンビームを調節してかかる影響を補償できることを見出した。補助蒸着源のイオンビームを用いて所定の方法でスパッタリングされた層をエッチングすること、すなわちマスクブランクの側部よりも強固であるマスクブランクの中央部分をその層が最終的にマスクブランクの全面に亘って極めて均質な層厚となる程度までエッチングすることが可能である。
【００３５】
この結果を得るためには、蒸着に用いられる第一あるいは一次イオンビームを発生させるパラメータ及び前記補助蒸着源の第二あるいは二次イオンビームを発生させるパラメータを変更することが必要である。前記変更によってイオンビームの配置の統計的分布、すなわち幾何学的形状及びイオンビームのエネルギーに影響が及び補償効果が導き出される。
【００３６】
前記一次及び二次イオンビームを調節するためには、数個に及ぶパラメータの調整が必要とされる。
まず第一に、前記補償効果にとって、エッチング速度に対する蒸着速度が重要である。蒸着源のイオンビームによる蒸着速度は主として蒸着源ＩＢのイオンの流れによって決まり、補助蒸着源のイオンビームを用いたエッチング速度は主として補助蒸着源ＩＡのイオンの流れによって決まる。
さらに、イオンビームの形状、すなわちスパッタリングされたイオンの統計的分布は下記パラメータによって決まる。
−一次イオンの質量、
−一次イオンビームα及び二次イオンビームβの基板に対する入射角、
−蒸着源及び補助蒸着源のアクセル格子へ印加される電圧及び電流、
−蒸着源及び補助蒸着源のデセル格子へ印加される電圧。
【００３７】
蒸着源からの一次イオンのターゲットに対するボンバードによって発生される原子ビームは、さらに密度、純度及びターゲット形状によっても影響を受ける。反復スパッタリング処理中に、スパッタされた原子の侵食によってターゲットの形状変化がひき起こされる。図１５ａ及び図１５ｂに示すように、Ｓｉ層及びＴａ層の厚さは、反復スパッタリング試験全体に亘って測定した場合、出発値から少し変動している。この変動はターゲットの侵食に起因するものである。従って、好ましくはある程度のスパッタリング試験を行った後、例えばマスクブランクを２０個スパッタした後で較正が繰り返し行われる。しかしながら、この回数は蒸着された層の厚さによって左右される。
【００３８】
蒸着源のイオンビーム及び補助蒸着源のイオンビームを調節するためのパラメータの決定に際しては、好ましくはＤＯＥ（Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ）法が用いられる。このＤＯＥ法及びそれを実行するためのソフトウェアは市販されており、現状において公知である。かかるパラメータとＤＯＥを実行するために用いられる該パラメータの範囲の組合せは適切に選択されなければならない。
【００３９】
本発明の好ましい実施態様においては、ＤＯＥを行うに際しては好ましくは下記パラメータ及び範囲が用いられる。
−好ましくは１００〜５００ｍＡ、より好ましくは２００〜３００ｍＡの蒸着源（ＩＢＤ）電流、
−好ましくは５０〜３００ｍＡ、より好ましくは８０〜２００ｍＡの補助蒸着源（ＩＢＤ）電流、
−好ましくは５００〜１５００Ｖ、より好ましくは１０００〜１５００Ｖの蒸着源（ＵＢＤ）電圧、
−好ましくは５０〜１５０Ｖの補助蒸着源（ＵＢＡ）電圧、
−好ましくは１００〜３００Ｖの蒸着源（ＵＳＤ）のサプレッサ（デセル格子、発散）電圧、
−好ましくは１００〜５００Ｖ、より好ましくは１５０〜３００Ｖの補助蒸着源（ＵＳＡ）のサプレッサ電圧。
好ましくは前記ＤＯＥには、好ましくは３５〜５０°の固定ターゲット角及び４５〜６０°の固定取付け角が用いられる。
【００４０】
前記蒸着層のエッチングは蒸着処理と同時に、あるいは蒸着層の蒸着終了後に実施可能である。エッチングが蒸着終了後に実施される場合、エッチングは好ましくは補助蒸着源中において希ガス等の活性ガス中で実施される。
【００４１】
エッチングが蒸着処理中に実施され、及び金属または半金属（ｓｅｍｉｍｅｔａｌ）の酸化物または窒化物がスパッタされる場合は、好ましくは元素金属または半金属のターゲットが用いられ、また補助蒸着源の注入口を介して酸素及び／または窒素が導入される。
【００４２】
元素金属または半金属、またはそれらの混合物がスパッタされる場合、そのような金属または半金属のターゲット及び補助蒸着源中にはアルゴンまたはキセノン等の希ガスが用いられる。
【００４３】
スパッタリングターゲットとしては、元素を含むターゲット、あるいは化合物を含むターゲットの使用が可能である。蒸着層中に金属または半金属の酸化物、窒化物またはオキシ窒化物が含まれる場合は、かかる金属または半金属の酸化物、窒化物またはオキシ窒化物をターゲット材として用いることが可能である。しかしながら、金属あるいは半金属から成るターゲットを用いること、また酸素及び／または窒素を活性スパッタガスとして導入することも可能である。ＳｉＯ２の蒸着の場合、好ましくはＳｉから成るターゲットが用いられ、また活性スパッタガスとして酸素が導入される。蒸着層に窒素が含まれる場合は、好ましくは活性スパッタガスとして窒素が導入される。
【００４４】
スパッタガスとしては、好ましくはアルゴンまたはキセノン等の不活性ガスが用いられる。これら不活性ガスは、酸素、窒素、一酸化窒素、二酸化窒素及び酸化二窒素あるいはそれらの混合物等の活性ガスと混合されてもよい。活性ガスはスパッタされたイオンと反応して蒸着層の一部になり得るガスである。本発明の好ましい実施態様では、移相制御層のスパッタリングにおいて不活性ガスと酸素の混合ガスが付加的スパッタリングガスとして用いられる。
【００４５】
二層あるいは多層のマスクブランクを製造する場合、好ましくは蒸着装置の単一室内において超高真空状態を中断することなくすべての層が蒸着される。二層あるいは多層の移相マスクブランクを製造する場合には、特に好ましくは真空状態を中断させることなく移相層の層が蒸着される。これにより、マスクブランクからの表面欠陥の汚染除去を行うことが回避され、実質的に欠陥のないマスクブランクを得ることが可能となる。かかるスパッタリング技術は、数個のターゲットからのスパッタリングを可能ならしめるスパッタ器具を用いることにより実現可能である。欠陥密度が低く及び／または層厚に関して高度に均質な層をもつ高品質な移相マスクの製造が達成される。
さらに、基板と該基板上へ設けられた薄膜系から成る、波長３００ｎｍ未満のリトグラフィー用の埋め込み型減衰マスクブランクが提供される。
【００４６】
本発明に従ったマスクブランクに用いる基板材は、好ましくは高純度の溶融珪素、フッ素ドープされた溶融珪素（Ｆ−ＳｉＯ２）、フッ化カルシウム等から作製される。
【００４７】
前記移相系の他に、前記薄膜系には１または２以上の反射防止層、バリヤまたは保護層、検査制御またはコントラスト層、及び／または吸収層または吸収体層が含まれていてもよい。かかる吸収層として、例えばクロム層またはＴａＮ層を設けることが可能である。「クロム」吸収体層にはクロムに加えてＯ及び／またはＮが含まれていてもよい。
【００４８】
マスクブランクの薄膜系から粒径０．５μｍ以上の欠陥を無くすることが可能である。前記薄膜系に生ずる粒径０．３〜０．５μｍの範囲内の欠陥は、好ましくは多くても５０まで、より好ましくは多くても２０である。フォトマスク上の特徴サイズが小さくなると共に、サイズ５００ｎｍ以上の欠陥は問題となるため、かかる欠陥が存在してはならない。粒径が０．３〜０．５μｍの範囲内である欠陥に関しては、多くの用途において許容可能なマスクブランク当りの限界欠陥数は５０以下である。
【００４９】
さらに、本発明の特定の実施態様においては、マスクブランクには多くても５オングストロームまでの表面粗さ（ＲＭＳ）があってもよい。本発明に従った補助蒸着源を用いることにより、特にＳｉＯ２層の表面粗さが改善される。図１２ａ〜１２ｃは、補助蒸着源を使用していない比較例（図１２ａ及び１２ｂ）及び本発明実施例（図１２ｃ）に従ったＳｉＯ２層のＡＦＭ測定された表面粗さを示した図である。
【００５０】
本発明の第二の観点に従った前記薄膜系の前記層及び下位層の１層、数層、あるいは全層の膜厚の平均均質度は多くても２％、好ましくは多くても１％、より好ましくは多くても０．５％である。高度に均質な膜厚をもつ移相系を設けることによりマスクブランクのすべての位置における移相及び透過率が極めて均質である移相マスクブランクが得られる。特に、前記移相マスクブランクの移相の偏差を移相平均値から多くても±２°、より好ましくは多くても±１．５°とすることができ、また前記移相マスクブランクの透過率の偏差を平均透過率から多くても±０．５％とすることが可能である。
【００５１】
前記移相マスクブランクには二層あるいは多層の移相系から成る移相系が含まれる。なお、ここでの語句「多層の」とは、少なくとも３層以上のあらゆる個数の層が含まれる。前記移相系の各層には一般的に種々機能あるいは機能性をもたせることができる。
【００５２】
本発明に従った移相マスクブランクの少なくとも二層移相系には透過制御下位層及び移相制御下位層が含まれる。
【００５３】
移相機能と減衰機能を少なくとも別個の２層へ実質的に分離することは、照射波長３００ｎｍ以下に対応した減衰移相マスクブランクにとって特に有利である。かかる減衰移相マスクブランクにおいては、前記下位層の組成を変えることを必要とせず単に前記透過制御下位層の厚さを変えることで容易にその透過性を調節することが可能である。前記マスクブランクの移相は、マスクブランクの透過性を実質的に変えることなく移相下位層の厚さを変えることによって容易に調節可能である。マスクブランクの移相の調節は、マスクブランクをエッチング処理へ適合させるためにしばしば必要とされる。このようなエッチング処理においては、基板はしばしば所定の深さまでエッチングされて移相系へさらに付加的移相が加えられる。マスクブランクをこのエッチングに適合させるために、移相を正確に１８０°ではなく、エッチング処理によって。約１７５°〜１８０°の範囲内の一定数値へ設定することが必要とされる。
従って、前記移相マスクブランクは基板及び移相系から構成され、該移相系はマスクブランクの透過性を実質的に低下させない移相制御下位層及び／またはマスクブランクの移相を実質的に変化させない透過制御下位層から構成される。
【００５４】
前記語句「マスクブランクの移相を実質的に変化させない」とは、マスクブランクの移相が移相全体のうちの多くても１５°、好ましくは多くても約１０°、最も好ましくは多くても約５°までであることを意味する。
本発明において、前記語句「マスクブランクの透過性を実質的に低下させることなく」とは、移相制御下位層が低下させる透過率が多くても約１０％、好ましくは多くても約５％までであることを意味する。
【００５５】
図２ａに示すように、本発明の一実施態様に従ったマスクブランクには基板１が含まれ、該基板上には移相系２が設けられている。前記移相系２は透過制御下位層３と移相制御下位層４から構成されている。好ましくは、同じく図２ａに示されているように、前記透過制御下位層３は基板１上の移相層の第一下位層として設けられ、また前記移相制御下位層４は移相層の第二下位層として前記透過制御下位層上へ設けられている。しかしながら、他の実施態様において、前記移相制御下位層を基板上の移相層の第一下位層として設け、前記透過制御下位層を移相層の第二下位層として前記移相制御下位層上へ設けることも可能である。前記移相系上には、一般的に吸収層６が設けられる。図２ａに示した移相マスクブランクを図２ｃに示した影像化、パターン化、あるいは構造化されたフォトマスクへ作り変える際には、好ましくは前記移相系の２段階エッチング処理が用いられる。図２ｄに示すように、まず塩素及び酸素を混合して用いるドライエッチング処理等の第一エッチング処理によって前記吸収層６がエッチングされる。次いで、前記移相系２の第一下位層、好ましくは移相制御下位層が例えばフッ素を基剤とするドライエッチング剤等の第二エッチング剤を用いてパターン化される。最終工程において、前記移相系２の第二下位層３、好ましくは透過制御下位層が、好ましくは例えば塩素ドライエッチング剤等のさらに別のエッチング剤を用いてパターン化される。前記第一エッチング剤は前記最終のエッチング剤と同一剤でもあるいは異なる剤でもよい。
【００５６】
前記移相制御下位層には、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物、またはそれらの混合物から選択される材料が含まれる。本発明のいくつかの実施態様に従って、前記移相制御下位層には、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物、またはそれらの混合物から選択される材料が含量として少なくとも９０原子％、好ましくは少なくとも９５原子％含まれる。
【００５７】
本発明の一実施態様では、前記移相層は本質的に照射光波長において約０．３以下、より好ましくは０．０５以下の消衰係数をもつ１または２以上の材料あるいはそれら材料の混合物から成る。
【００５８】
前記移相制御下位層には、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ及びこれらの混合物から選択される金属が少量含まれていてもよい。しかしながら、これら金属が含まれると前記移相制御下位層の透過率が低下する傾向があるため、これら金属の混入は好ましくは多くても５原子％だけに限られる。いくつかの実施態様では、前記移相制御下位層には上記金属は殆ど含まれない。さらに、上記金属を特に５原子％以上含む移相制御下位層は欠陥程度の高いマスクブランクを生じやすい。従って、かかる金属の特に５原子％以上の混入は欠陥程度の低い移相マスクブランク薄膜系を得る観点において好ましくない。
【００５９】
本発明の一実施態様では、前記移相制御下位層にはＳｉ、Ａｌ及び／またはＧｅの酸化物及び／またはオキシ窒化物、及び／またはこれらの混合物が含量として少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％含まれる。さらに別の実施態様では、窒素が含量として多くても約１０原子％、より好ましくは多くても約５原子％、移相制御下位層へ加えられる。
【００６０】
本発明の一実施態様では、前記移相制御層は殆どＳｉＯ２から成っている。
【００６１】
前記移相制御下位層は３００ｎｍ以下の範囲内の照射光波長において約１８０°の移相、あるいはいずれか他の必要な移相を与えるように適合した厚さをもつ。
【００６２】
所定の移相を得るために必要な移相制御下位層の厚さは、移相下位層が形成される材料の屈折率ｎ及び消衰係数ｋに依存する。一般的には、屈折率の高い材料を用いることにより、屈折率の低い材料よりも大きな移相下位層蒸着厚当りの移相が得られる。
【００６３】
前記透過制御下位層は、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属と化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物が含まれる。
【００６４】
本発明の一実施態様に従って、前記透過制御下位層には比較的不透明度の高い材料が少なくとも１種含まれ、またＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれら金属または窒化物の２以上の混合物から選択される材料が含まれる。本発明の特定の実施態様では、前記透過制御下位層にはＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷから選択される金属が含まれる。好ましくは、前記透過制御下位層には前述した金属及び化合物が含量として少なくとも９０原子％、より好ましくは少なくとも９５原子％含まれる。さらに別の実施態様では、前記透過制御下位層は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｌａ、Ｍｇ、及びこれら金属あるいはこれら金属の窒化物の２以上の混合物から選択される少なくとも１種の材料から成る。これに関し前記１種の材料とは、例えばＴｉ、ＴａまたはＨｆの層等の元素金属１種、あるいはＴａＮ、ＴｉＮまたはＨｆＮ等の金属窒化物１種を意味する。
【００６５】
前記透過制御下位層は前記移相系の透過率を所望の数値へ適合させるに十分な厚さをもち、その厚さは透過制御下位層を成す材料に殆ど依存している。この厚さは下記式から算出可能である。
ｄＴｃ＝−１／αλ×Ｉｎ（Ｔ／１００）
上記式中、Ｔは％で表した所望の透過率、αλは照射波長λにおける吸収係数、そしてｄＴｃは透過制御下位層の計算された厚さを表す。前記吸収係数αには下記式に従った消衰係数ｋとの相関関係がある。
α＝４πｋλ／λ
【００６６】
本発明の一実施態様に従って、前記透過制御層が基板上へ直接設けられ、該層によってエッチング停止機能、すなわち石英基板に対する高度なエッチング選択性が与えられる。そのため、移相マスクの石英基板中への過度のエッチングを容易に防止することが可能である。本発明のこの実施態様に従って、前記透過制御下位層には好ましくは少なくとも約８ｎｍ、最も好ましくは少なくとも約１０ｎｍの厚さが付与される。この厚さが約８ｎｍ未満であると、前記透過制御下位層のエッチング停止機能は不十分となる。
【００６７】
本発明のこの実施態様においては、好ましくは前記透過制御下位層へ移相制御下位層とは異なるエッチング選択性が付与される。移相制御層がフッ素含有成分を用いてエッチングされる場合、透過制御層は、好ましくはＣｌ２、Ｃｌ２＋Ｏ２、ＣＣｌ４、ＣＨ２Ｃｌ２等の塩素ベースのガスを用いたドライエッチング法、あるいは酸、アルカリ等を用いたウェットエッチング法によってエッチングされる。但し、好ましくはドライエッチング法が用いられる。フッ素含有成分を用いるエッチング法としては、好ましくはＣＨＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６及びこれらの混合物等のフッ素系ガスを用いるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。
【００６８】
本発明の第４の観点に従って、「検査制御層」あるいは「コントラスト層」を含む移相マスクブランクが提供される。この観点における一実施態様を図３ａ及び３ｃに概略的に示すが、この実施態様ではコントラスト層７が透過制御下位層３上に位置している。
【００６９】
マスクブランクに対し照明波長より長い波長において検査処理を行う。例えば、１９３ｎｍ対応リトグラフィー用のマスクブランクは通常例えば２５７ｎｍ及び３５６ｎｍの検査波長において検査される。このような波長での検査を可能とするためには、１９３ｎｍ対応リトグラフィー用のマスクブランクには照射波長における必要な透過性及び移相が備えられているだけでなく、該マスクブランクは検査波長における一定の最大透過率及び反射率にも適合しなければならない。
【００７０】
本発明に従って、「検査制御」または「コントラスト」層によって特に例えば２５７ｎｍ及び／または３５６ｎｍ等の検査波長におけるコントラストが向上される。前記層により、反射率の向上、すなわち検査波長及び／または照射波長において移相マスクブランクへ反射防止特性が付与され、あるいは所定範囲内の検査波長における透過性が補助的に制御される。
【００７１】
かかるコントラスト層は通常、照射波長において移相系の透過率及び／または移相を変化させるため、照射波長において要求される移相及び透過率を確保するためには移相制御下位層の厚さと透過制御下位層の厚さが適合しなければならない。すなわち、移相制御下位層の厚さを、前記コントラスト層によって移相が増加する量だけ減じなければならず、及び／または透過制御下位層の厚さを前記コントラスト層が透過率を増加させる量だけ減じなければならない。
【００７２】
本発明の一実施態様に従って、基板上へ透過制御下位層が設けられ、該透過制御下位層上へ移相制御下位層が設けられ、また該移相制御下位層上へコントラスト層が設けられる。本発明のさらに別の実施態様では、基板上へ透過制御下位層が設けられ、該透過制御下位層上へコントラスト層が設けられ、そして該コントラスト層上へ移相制御下位層が設けられる。
【００７３】
コントラスト層には好ましくは、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの組合せから選択される金属の酸化物を含量として９０原子％含ませることが可能である。本発明の特定の実施態様においては、透過制御層にはＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷから選択される金属が含まれる。
【００７４】
ここで述べている本発明の第四の観点に従って、透過制御下位層には好ましくはＹ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物及び混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物が含量として少なくとも９０原子％含まれ、また移相制御下位層には好ましくはＧｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物または窒化物及び／またはこれらの混合物が含量として少なくとも９０原子％含まれる。
【００７５】
本発明の特定の実施態様では、透過制御下位層には上記金属、例えばＴａが含量として少なくとも９０原子％、好ましくは少なくとも９５原子％含まれる。この場合、コントラスト層には、好ましくは前記透過制御下位層に用いられた金属と同じ金属の酸化物、例えばＴａ２Ｏ５が含量として少なくとも９０原子％、より好ましくは少なくとも９５原子％含まれる。しかしながら、Ｃｒ２Ｏ３等の他の金属酸化物を含ませることも可能である。
【００７６】
本発明の一実施態様では、移相制御下位層にはＳｉＯ２が含量として少なくとも９５原子％含まれ、及び／または透過制御下位層にはＴａ及び／またはＴａ窒化物が含量として少なくとも９５原子％含まれ、及び／またはコントラスト層にはＴａ２Ｏ５が含量として少なくとも９５原子％含まれる。
【００７７】
本発明のさらに別の実施態様では、コントラスト層には透過制御下位層及び／または移相制御下位層と同じエッチング選択性が付与される。従って、エッチング工程数は好ましくはコントラスト層の挿入によって増加されない。
【００７８】
本発明のいくつかの実施態様において、本発明によるマスクブランクは、１または２以上の検査波長において多くても５０％の透過率をもち、及び／または１または２以上の検査波長において多くても２０％の反射率をもつ。
【００７９】
コントラスト層は好ましくは多くても３０ｎｍ、より好ましくは多くても２０ｎｍの厚さを有する。
【００８０】
本発明の第五の観点に従って、マスクブランクには「バリヤ層」、あるいは厚さが多くても５ｎｍである「保護層」８が含まれる。この観点に従った一実施態様が図３ｂ及び３ｃに示されており、この図において保護層８は移相制御下位層上に位置している。
【００８１】
前記移相制御下位層にＳｉ及び／またはＡｌが含まれる場合、該移相制御下位層はアルカリ、酸、あるいは他の攻撃的クリーニング剤へ晒された時に分解され易い。しかしながら、前記移相制御下位層の厚さがクリーニング処理によって減じられる場合は、移相マスクブランクの移相性が変化する可能性があるため、そのようなクリーニング処理は好ましくない。ここでの第五の観点に従って、透過制御下位層は通常基板上へ設けられ、移相制御下位層は該透過制御下位層上へ設けられる。前記保護層によってウェットエッチング処理中に、Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層もさらに保護される。
さらに、前記保護層は、１９３ｎｍ対応リトグラフィー用のフォトマスクに生ずる、フォトマスクのクリーニング中に結晶の生成によって起こると考えられる所謂「ヘーズ（ｈａｚｅ）」効果の防止にも役立つ。また、Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層へ保護層を蒸着させることにより、該Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層上への結晶の沈積を防止することも可能である。
【００８２】
本発明のいくつの実施態様において、前記保護層の厚さは多くても４ｎｍ、好ましくは多くても２ｎｍである。概して、保護層の厚さが少なくとも０．２ｎｍあればアルカリ、酸、及びその他の攻撃的クリーニング剤に対する保護機能を層系へ付与するためには十分であるが、本発明のいくつかの実施態様においては、アルカリクリーニング剤の作用性によっては、前記保護層の厚さは少なくとも０．５ｎｍ、さらには０．７ｎｍまで付与されている。
【００８３】
本発明の別の実施態様によれば、前記保護層を付与することにより作製されるマスクブランク及びフォトマスクの光学特性に対して影響が起こることはない。ここで光学特性とは例えばマスクブランクの移相性、透過性、及び反射特性のことである。
【００８４】
前記保護層へ、該保護層の直ぐ上の層のエッチング選択性と異なるエッチング選択性を持たせてもよい。この場合、保護層は前記Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層上に残し、必要なエッチング工程数を増やさないため、該保護層には前記Ｓｉ及び／またはＡｌ含有層と同一のエッチング選択性を付与すべきである。前記保護層にはさらに、該保護層の直ぐ上の層と同じエッチング選択性をもたせることも可能である。
【００８５】
保護層をＳｉ及び／またはＡｌを含む移相制御下位層及び／またはＳｉ及び／またはＡｌを含むさらに別の層上へ設けることも可能であり、また保護層へＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、炭化物硼化物、及びこれらの混合物から選択される金属及び／または化合物を含ませることも可能である。本発明の特定の実施態様では、透過制御層にはＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷから選択される金属が含まれる。前記保護層には、好ましくはＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ及びこれらの組合せから選択される金属の酸化物あるいは窒化物が含量として少なくとも９０原子％含まれる。
【００８６】
この第五の観点に従って、透過制御下位層にはＹ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物及び混合物から選択される金属または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含ませることができる。また、移相制御下位層にはＳｉの酸化物及び／または窒化物を含量として少なくとも９０原子％含ませることができる。
【００８７】
本発明の第六の観点は、波長３００ｎｍ以下の照射光において少なくとも２０％の光透過率を与える高透過性マスクブランクに関する。この第六の観点におけるマスクブランクのいくつかの実施態様において、該マスクブランクの透過率は少なくとも３０％、好ましくは少なくとも４０％、より好ましくは少なくとも５である。しかしながら、透過率が２０％であるマスクブランクが作製される場合であっても、移相系の厚さが減じられていることから薄膜系全体の厚さを減じることができる点において、この第六の観点に従ったマスクブランクには利点がある。
【００８８】
この第六の観点に従って、透過制御下位層には、好ましくはＹ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれら金属の組合せから選択される金属の酸化物が含量として少なくとも９０原子％含まれる。
【００８９】
またこの第六の観点に従って、移相制御下位層には、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物、あるいはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含ませることが可能である。
【００９０】
本発明のこの第六の観点における一実施態様に従って、基板上へ下記層が交互に設けられて成る反射性の向上された高透過性マスクブランクが提供される。
−Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれら金属の組合せから選択される金属の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、
−Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層、
−Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれら金属の組合せから選択される金属の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層、
−Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層。
【００９１】
本発明の異なる観点を相互に適切に組み合わせること、例えば１または数層の保護層及び／またはコントラスト層をマスクブランク中に設けて別の観点としてのマスクブランクを提供することも可能である。さらに、前記第六の観点における一実施態様として概説したように、本発明は１層だけの移相制御下位層及び／または１層だけの透過制御下位層をもつ移相系には限定されない。２以上の透過制御下位層及び／または移相制御下位層が本発明に従ったマスクブランク中に存在してもよい。かかる２以上の透過制御下位層及び／または移相制御下位層は同一材料から成っていてもよく、あるいは異なる材料から成っていてもよい。さらに、前記両層は均質な材料で作製してもよく、あるいはこれら層の組成を基板からの間隔に基づいて徐々に変えてもよい。
【００９２】
本発明はまた、上述したようにマスクブランクを構造化することによって作製された構造化フォトマスク及びかかるフォトマスクの作製方法にも関する。
【試験例】
【００９３】
上記説明及び下記実施例において、温度はすべて摂氏に変換しないまま記載されている。上記及び以下において引用されるすべての出願、特許及び刊行物の開示内容はすべて参考とすべきものである。
【００９４】
以下において、本発明の好ましい実施態様に従って設計及び作製されたマスクブランクについて説明する。
【００９５】
例示的膜設計及び透過率調節
Ｗｏｏｌｌａｍ ＶＡＳＥ型分光楕円偏光測定器を用いた楕円偏光測定により１５７ｎｍ及び１９３ｎｍにおけるｎ値及びｋ値を得た。典型例として、分光走査は５５及び６５度において実施した。方法適合性を向上させるため透過率データを取得した。
【００９６】
図４はＴａ及びＳｉＯ２の分散曲線を示した図である。図４の縦軸は左から右へＴａ及びＳｉＯ２の測定された単層分散曲線を示す。図の上列は屈折率ｎを示し、下列は消衰係数ｋを示している。
【００９７】
これら材料及びＳｉＯ２基板のリトグラフィー波長１５７、１９３、及び２４８ｎｍにおける分散値を表１に列記する。
【００９８】
【表１】
【００９９】
上記表１の分散データを用いて下記計算を行った。すべてのシミュレーションは、数計算用のＭａｔｌａｂを用いる薄膜用に広く用いられているＡ．Ｍａｃｌｅｏｄ、「薄膜光学フィルター」、第２版、１９８６年、Ｂｒｉｓｔｏｌ，Ａｄａｍ Ｈｉｌｇｅｒに記載の行列アルゴリズムに基づいている。これらのシミュレーションの結果を図５〜７に示す。
【０１００】
図５ａに減衰された１５７ｎｍ（６％透過率）対応型及び高透過性である１９３ｎｍ（２０％透過率）対応型の移相マスクブランクについての設計を示し、図５ｂに減衰（６％透過率）型及び高透過２４８ｎｍ（２０％透過率）対応型移相マスクブランクについての設計を示す。図５ａ中、実線は波長１５７ｎｍ対応移相マスクブランクについての移相下位層の透過率と膜厚との相関に相当し、破線は波長１９３ｎｍ対応移相マスクブランクについての移相下位層の膜厚の関数で表した透過率に相当する。図５ｂ中、上側グラフは高透過性型の移相下位層の膜厚の関数で表した透過率に相当し、下側グラフは波長２４８ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの透過率に相当する。図５ａ及び５ｂ中、膜厚ゼロは無被覆の基板に相当する。基板上にはＴａ層が設けられている。これらグラフは、透過制御下位層として機能するタンタル層の膜厚の増加につれて透過率が指数関数的に減少することを示している。Ｔａ層上にはＳｉＯ２層が移相制御下位層として設けられる。図５ａ及び５ｂの各グラフにおいて、透過制御下位層の移相制御下位層との界面は細い縦線で示されている。誘電性ＳｉＯ２層は干渉によって生じた平均透過率値周囲において典型的な振幅を示している。空気との最終界面において所望の透過率値が得られる。このような移相制御下位層は移相マスクブランクの透過率を実質的に変化させないが、生ずる透過率値に対して副次的に寄与する。膜厚ゼロについての透過率値は１であるが、分解能の向上のため切り捨てられる。
【０１０１】
図６ａ及び６ｂには移相が膜厚の関数として示されている。膜厚ゼロは移相ゼロに相当する。図６ａにおいて、タンタル層の移相は当初僅かに負であるが、その後僅かに上昇し、界面において再びゼロに近づく。従って、移相マスクブランクの全移相に対する寄与はごく僅かである。図６ｂにおいて、タンタル層は２４８ｎｍ対応移相マスクブランクへ小さな正の移相をひき起こす。しかしながら、タンタル透過制御層によってひき起こされる移相は二酸化珪素層の大きな位相変異に比較すれば小さい。従って、近似的には誘電層によって、干渉作用が重畳される膜厚の増加に伴う位相角の直線的増大がもたらされる。空気との最終界面において所望角度である１８０°が得られる。
【０１０２】
図５及び６は、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、及び２４８ｎｍ対応の移相マスクブランクによって透過率及び位相角の制御が広範に独立して可能となることを示している。異なる波長及び透過率要求に対する適合は個々の下位層の厚さを別々に調節することによって可能であろう。
【０１０３】
図７ａ〜７ｅには５つの移相系についての透過率の可調性が示されている。ｘ軸はＳｉＯ２膜厚であり、ｙ軸はそれぞれＴａ及びＴａ２Ｏ５の膜厚である。垂直に近い実線はＳｉＯ２層の厚さと１８０°の移相を起こすＴａあるいはＴａ２Ｏ５層のすべての組合せを示している。水平に近いグラフは異なる下位層厚に対応したそれぞれの透過率値を示す。線の振動は干渉作用によって生ずるものである。かかる振動作用によって透過率は相当量変動し得るが、これら作用によって移相制御下位層の透過率が実質的に高められることはあっても該透過率が実質的に低下されることはない。波長３００ｎｍ以下の照射波長においては殆どの材料の透過率は極めて低いので、透過率をより高める上述した振動のような作用はむしろ利点となる。
【０１０４】
図７ａ〜７ｅにおいて、横方向の振動線は異なる透過率それぞれについてのＴａ、Ｔａ２Ｏ５及びＳｉＯ２の可能な膜厚の組合せを示している。前記横方向の線に交差する縦線はそれぞれ１８０°の移相を生ずるＴａ、Ｔａ２Ｏ５及びＳｉＯ２の組合せを示している。前記縦線と前記横方向の線が交差するタンタル層の一定の膜厚及びＳｉＯ２層の一定の厚さを表す点において、１８０°の移相を伴う一定透過率のための移相系が確立される。ＴａあるいはＴａ２Ｏ５層の最小厚を１０ｎｍと仮定すると、１５７ｎｍ系については２８％まで（図６ａ）、１９３ｎｍ系については２８％まで（図６ｂ）、また２４８ｎｍ系については３０％まで（図６ｃ）透過率を調節することが可能である。Ｔａ２Ｏ５を用いる高透過率系（図７ｄ及び７ｅ）においては、透過率は５０％まで達成可能である。いずれの場合においても、波長減衰型高透過率移相マスクブランクの作製が可能である。
【０１０５】
蒸着試験例
（Ａ）蒸着装置
図１に模式的に図示した二元イオンビームスパッタリング装置を用いてすべての層に対して蒸着を行った。すべての蒸着において、特にＶｅｅｃｏ Ｎｅｘｕｓ ＬＤＤイオンビーム蒸着装置が使用された。
【０１０６】
（Ｂ）蒸着パラメータ
厳密な蒸着パラメータは、ソフトウェアとしてＳＡＳ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｉｎｃ、ＳＡＳ Ｃａｍｐｕｓ Ｄｒｉｖｅ，Ｃａｒｙ，ノースカロライナ２７５１３，ＵＳＡ．ＩＢＤ作製のＪＭＰ、レリーズ５．０．１ａを用いたＤＯＥによって決定し、固定パラメータとしてＴＷ及びＦＷを導入し、また変数としてＵＢＤ、ＵＳＤ、ＩＢＡ、ＵＢＡ及びＵＳＡを導入した。
【０１０７】
表２に実施例及び比較例に従って用いられる材料のスパッタリングについての一般的蒸着パラメータを示す。
【０１０８】
【表２】
【０１０９】
【表３】
【０１１０】
【表４】
【０１１１】
実施例１及び比較例１（１５７ｎｍ対応ＰＳＭ）
図２において概略的に述べた移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは表５に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１１２】
【表５】
【０１１３】
実施例１及び比較例は反復実施した。
【０１１４】
実施例２（１９３ｎｍ対応ＰＳＭ）
図２において概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは表６に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１１５】
【表６】
【０１１６】
実施例３（２４８ｎｍ対応ＰＳＭ、図２）
図２において概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは表７に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１１７】
【表７】
【０１１８】
実施例４（コントラスト層を有する１９３ｎｍ対応ＰＳＭ）
図３ａにおいて概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＴａ２Ｏ５から成るコントラスト層を蒸着し、さらに該コントラスト層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して製造した。これら蒸着された層の厚さは表８に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１１９】
【表８】
【０１２０】
図９ａ及び９ｂには、コントラスト層を含む例示的マスクブランクの検査性能における向上（実施例４ａ及び４ｂ）が、かかるコントラスト層をもたないマスクブランク（実施例２ａ及び２ｂ）との比較において示されている。図９ａは１９３ｎｍにおいて６％の透過率をもつ照射波長１９３ｎｍ対応のマスクブランクについての反射率及び透過率を示し、図９ｂは１９３ｎｍにおいて２０％の透過率をもつ照射波長１９３ｎｍ対応のマスクブランクについての反射率及び透過率を示す。いずれの場合においても、コントラスト層を含むマスクブランクの反射率及び透過率（実線）は、コントラスト層をもたないマスクブランクのそれら（破線）に比べて向上されている。さらに、１９３ｎｍにおける反射率もコントラスト層によって向上されている。
【０１２１】
図１８ａ及び１８ｂは実施例４ａ及び４ｂに従ったコントラスト層の厚さの照射波長及び検査波長における反射率に対する影響を示した図である。厚さが１０ｎｍ未満であるコントラスト層によっても必要な反射率は十分達成される。厚さゼロは、コントラスト層をもたない移相系、すなわち移相制御下位層及び透過制御下位層をもつ移相系に相当する。
【０１２２】
図１７ａ及び１７ｂは実施例４ａ（ＳＥＭ写真）に従ったマスクブランクに対するドライエッチング試験の結果を示した図である。ピッチサイズは５００ｎｍ（図１７ａ）及び２００ｎｍ（図１７ｂ）である。結果は実線、破線及び一点鎖線で示されている。１００ｎｍだけの特徴サイズであっても側壁角度及びエッチング停止能は極めて良好である。前記コントラスト層のエッチングは移相制御下位層の場合と同様にドライエッチング処理、すなわちエッチング剤としてフッ素を用いたドライエッチング処理によって実施した。従って、コントラスト層の追加によるエッチング処理工程の増加はない。
【０１２３】
実施例５（保護層を有する１９３ｎｍ対応ＰＳＭ）
図３ｃにおいて概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａから成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＴａ２Ｏ５から成るコントラスト層を蒸着し、また該コントラスト層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着し、さらに該移相制御下位層上へＴａ２Ｏ５から成る保護層（厚さ１ｎｍ）を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは実施例４ａのそれら厚さと対応するものである。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１２４】
実施例４ａに従ったマスクブランクのＳｉＯ２層上へ、前記Ｃｒ吸収層の蒸着前に上記略述した蒸着パラメータを用いて１層を蒸着した。次いでこのマスクブランクに対してクロムドライエッチ処理（Ｃｌ＋Ｏ２）を行った。
【０１２５】
図２１ａ及び２１ｂは、クロムドライエッチチング処理後の実施例４に従ったマスクブランクの光学特性をクロム層蒸着前の実施例４に従ったマスクブランクと比較した図である。前記マスクブランクのすれすれ入射Ｘ線反射曲線（ＧＩＸＲ、図２１ａ）及びスペクトル曲線（ｎ＆ｋ、図２１ｂ）はクロム蒸着前及びＣｒ除去後において同一である。この結果より、クロムドライエッチチング処理によって薄い保護層が除去されていないことが示される。
【０１２６】
実施例６（１５７ｎｍ及び１９３ｎｍ対応高透過性ＰＳＭ）
図２において概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａ２Ｏ５から成る透過制御下位層を蒸着し、また該透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る移相制御下位層を蒸着して作製した。これら蒸着された層の厚さは表９に示されている。また前記移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１２７】
【表９】
【０１２８】
本実施例による移相マスクブランクの透過率は２０％であるが、これらマスクブランクの薄膜系がより薄いことから、薄膜系の全厚を実施例１ｂ（移相系の厚さ１２５ｎｍ）及び実施例２ｂ（移相系の厚さ１６３ｎｍ）の場合より減ずることが可能である。
【０１２９】
実施例７（透過率２０％の１９３ｎｍ対応ＰＳＭ）
図３ｄにおいて概略的に説明した移相マスクブランクを、上記概説した標準的蒸着パラメータを用いて、及び石英基板上へＴａ２Ｏ５から成る第一透過制御下位層（厚さ１２ｎｍ）を蒸着し、また該第一透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る第一移相制御下位層（厚さ１２ｎｍ）を蒸着し、また該第一移相制御下位層上へＴａ２Ｏ５から成る第二透過制御下位層（厚さ２２ｎｍ）を蒸着し、また該第二透過制御下位層上へＳｉＯ２から成る第二移相制御下位層（厚さ９２ｎｍ）を蒸着して作製した。また前記第二移相制御下位層上には標準的なクロム吸収層（厚さ５０ｎｍ）を蒸着した。
【０１３０】
実施例２ｂの移相系の全厚（１６３ｎｍ）と比較した場合、実施例７に従ったマスクブランクの移相系の全厚（１３８ｎｍ）は実施例６ｂのマスクブランクよりもさらに減少されている。しかしながら、実施例７に従ったマスクブランクの反射率は照射波長１９３ｎｍにおいて極めて低く（＜４％）、さらに検査波長２５６ｎｍにおける反射率（＜２０％）も透過率（＜５０％）も十分低い。この実施例７に従ったマスクブランクの反射率及び透過率は図２２ａ及び２２ｂに示されている。
【０１３１】
移相及び透過率の均質度
Ｎ＆Ｋ分光計を用いた厚さ適合により前記実施例について分析した。固定拡散値を用いて、分光計により測定された反射率及び透過率データから膜厚を算出した。この方法は一般的には金属層よりも誘電層についてより正確な方法である。金属層についての適合品質を向上させるため、予め擦過入射型Ｘ線反射計を用いて測定された一定膜厚を用いて拡散適合を実施した。
【０１３２】
図１０ａ〜１０ｄはタンタル層を用いた実施例１及び比較例１に従ったマスクブランクにおける結果を示した図である。
【０１３３】
図１１ａは１４０ｍｍ×１４０ｍｍの面積中で測定したタンタル層厚の断面形プロットを示した図である。コーナー部分を含んだ範囲／平均均質度値は５．４％であり、コーナー部分を除いた前記数値は２．９％である。
【０１３４】
図１１ｂはＳｉＯ２層についての同様な断面形プロットを示した図である。この場合コーナー部分を含んだ範囲／平均均質度値は６．５％であり、コーナー部分を除いた同値は３．２％である。
【０１３５】
欠陥レベルの測定
高分解能レーザスキャナー欠陥検査装置を用いて欠陥レベルを測定した。この測定では、マスクブランクの両面がレーザビームを用いてライン毎に走査される。次いで反射及び透過された迷光が２台の光電子倍増管を用いて検出される。ソフトウェアを用いて４つの測定信号から出てくる粒子のクラス、位置及びサイズが計算される。この結果は位置図及びサイズヒストグラムの形式で表示される。前記位置図において、粒径は３つのクラス、すなわち約０．２〜０．５μｍの粒子、０．５〜１μｍの粒子、及び１μｍ以上の粒子へと減じられる。点は約０．２〜０．５μｍの粒子を示し、白丸及び四角はそれより粒径の大きい粒子を示している。
【０１３６】
図１３ａ及び１３ｂは本願実施例に従った移相マスクブランクの粒子レベルを示した図である。図１３ａには移相系の粒子地図が示され、図１３ｂには吸収性クロム層で被覆された移相層の粒子地図が示されている。図１４ａ及び１４ｂは一連の実施例について前記粒子レベルに対するクリーニング工程の影響を示した図である。
【０１３７】
薬品耐久性試験
本願実施例に従ったマスクブランクの種々クリーニング剤に対する薬品耐久性について試験し、市販の移相マスクブランクとの比較を行った。
図２０ａ〜２０ｃはこれら試験の結果を示した図である。各図におけるそれぞれの上側グラフはクリーニング剤処理後におけるマスクブランクの移相の変化を示し、また下側のグラフはクリーニング剤処理後におけるマスクブランク透過率の変化を示している。
【０１３８】
図２０ｂは、酸性クリーニング剤（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２、９０℃）を用いた数回のクリーニングサイクル前後における実施例１に従ったマスクブランクの移相変化及び透過率変化を示している。各クリーニングサイクル後に透過率及び移相は僅かに変化するが、これらの変化は猶移相マスクブランクに要求される規格の範囲内である。実施例２及び３に従った移相マスクブランクに対して同一の酸性クリーニング剤処理を行った場合の結果も同様である。従って、本発明に従った移相マスクブランクの酸性クリーニング剤に対する薬品耐久性は優れていることが示される。
【０１３９】
図２０ｂは、標準アルカリクリーニング剤（ＮＨ４／Ｈ２Ｏ２）を用いた数回のクリーニングサイクル前後における実施例２に従ったマスクブランク（図中ＰＳＭ１９３−６）、実施例４に従ったマスクブランク（図中ＰＳＭ１９３−６Ｐ）、及び市販の珪化モリブデン移相マスクブランク（ＭｏＳｉ、１９３ｎｍ対応型、図では透過率６％）の位相変化及び透過率変化を示した図である。ＭｏＳｉマスクブランクの移相及び透過率はかかるクリーニングによって変化しているが、実施例２及び４に従ったマスクブランクにおいては全く変化が認められなかった。また実施例１、３及び５に従ったマスクブランクに対して同一のクリーニングサイクルを施しても同様な結果（移相及び透過率に変化なし）が得られた。従って、本発明に従った移相マスクブランクは標準アルカリクリーニング剤に対して優れた薬品耐久性があることが示された。
【０１４０】
図２０は、さらに別のアルカリクリーニング剤（ＫＯＨ、５０℃におけるｐＨ１２）を用いた数回のクリーニングサイクル前後における実施例２に従ったマスクブランク（図中ＰＳＭ１９３−６）及び実施例４に従ったマスクブランク（図中ＰＳＭ１９３−６Ｐ）の位相変化及び透過率変化を示した図である。
【０１４１】
実施例２に従ったマスクブランクの移相及び透過率は前記クリーニングによって僅かに変化しているが、実施例４に従ったマスクブランクでは全く変化が認められなかった。従って、アルカリクリーニング剤に対する薬品耐久性が既に優れている本発明のマスクブランクにおいてＳｉＯ２層上へ保護層を設けることにより薬品耐久性がさらに向上されることが分かる。
【０１４２】
上述した実施例において用いられた本発明における上記反応物及び／または操作条件の全般あるいは特定のものを代替することによっても、上述した実施例を同様な結果を伴って反復実施することが可能である。
【０１４３】
当業者は上記記載に基づいて本発明の必須な特徴を容易に見出すことができ、また本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、本発明の種々変形及び変更を行って種々用途及び条件へ適合させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１（ａ）】本発明に従った好ましいマスクブランク作製装置の概略図である。
【図１（ｂ）】本発明に従ったマスクブランク作製装置の補助蒸着源の概略図である。
【図２（ａ）】本発明の一実施態様に従った減衰移相マスクブランクの略断面図である。
【図２（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったフォトマスクの略断面図である。
【図２（ｃ）】本発明の一実施態様に従ったフォトマスクの略断面図である。
【図２（ｄ）】この実施態様に従ってフォトマスクを作製する際に使用可能なドライエッチチング処理を示した図である。
【図３（ａ）】本発明のさらに別の実施態様に従ったコントラスト層を備えるマスクブランク略断面図である。
【図３（ｂ）】本発明のさらに別の実施態様に従った保護層を備えるマスクブランク略断面図である。
【図３（ｃ）】本発明のさらに別の実施態様に従ったコントラスト層及び保護層を備えるマスクブランク略断面図である。
【図３（ｄ）】本発明のさらに別の実施態様に従った４層の移相系を備えるマスクブランク略断面図である。
【図４】Ｔａ及びＳｉＯ２の分散曲線を示した図である。
【図５（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの透過率を透過制御下位相及び移相制御下位層の厚さの関数として表したシミュレーションを示した図である。
【図５（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの透過率を透過制御下位相及び移相制御下位層の厚さの関数で表したシミュレーションを示した図である。
【図６（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの移相を移相制御下位層及び透過制御下位層の厚さの関数で表したシミュレーションを示した図である。
【図６（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの移相を移相制御下位層及び透過制御下位層の厚さの関数で表したシミュレーションを示した図である。
【図７（ａ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図７（ｂ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図７（ｃ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図７（ｄ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図７（ｅ）】本発明の一実施態様に従った例示的減衰移相マスクブランクの透過率の照射波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍに対応する透過制御下位層及び移相制御下位層の厚さに依存した変動のシミュレーションを示した図である。
【図８】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの波長と依存関係にある光学密度（振動線）を示した図である。
【図９（ａ）】本発明のいくつかの実施態様に従ったマスクブランクについてのスペクトル反射率及び透過率曲線を示した図である。
【図９（ｂ）】本発明のいくつかの実施態様に従ったマスクブランクについてのスペクトル反射率及び透過率曲線を示した図である。
【図１０（ａ）】比較例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの透過率均質度を示した図である。
【図１０（ｂ）】本発明の実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの透過率均質度を示した図である。
【図１０（ｃ）】比較例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＴａ層の厚さ均質度を示した図である。
【図１０（ｄ）】本発明の実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＴａ層の厚さ均質度を示した図である。
【図１１（ａ）】比較例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２層の厚さ均質度を示した図である。
【図１１（ｂ）】本発明の実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２層の厚さ均質性を示した図である。
【図１２（ａ）】比較例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２膜のＡＦＭ測定表面を示した図である。
【図１２（ｂ）】比較例２に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２膜のＡＦＭ測定表面を示した図である。
【図１２（ｃ）】本発明の実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクＳｉＯ２膜のＡＦＭ測定表面を示した図である。
【図１３（ａ）】実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの欠陥地図を示した図である。
【図１３（ｂ）】実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの欠陥地図を示した図である。
【図１４（ａ）】実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの粒子分析、すなわち欠陥量を示した図である。
【図１４（ｂ）】実施例１に従った１５７ｎｍ対応減衰移相マスクブランクの粒子分析、すなわち欠陥量を示した図である。
【図１５（ａ）】ターゲット侵食によって生じたＴａ及びＳｉＯ２膜の長時間膜厚ドリフトを示した図である。
【図１５（ｂ）】ターゲット侵食によって生じたＴａ及びＳｉＯ２膜の長時間膜厚ドリフトを示した図である。
【図１６】本発明の一実施態様に従ったエッチング後のマスクブランクのＳＥＭ写真である。
【図１７（ａ）】本発明の別の一実施態様に従ったエッチング後のマスクブランクのＳＥＭ写真である。
【図１７（ｂ）】本発明の別の実施態様に従ったエッチング後のマスクブランクのＳＥＭ写真である。
【図１８（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクに対するコントラスト層の影響についての計算結果を示した図である。
【図１８（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクに対するコントラスト層の影響についての計算結果を示した図である。
【図１９】Ｔａ層のレーザ耐久性を示した図である。
【図２０（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの耐薬品性を示した図である。
【図２０（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの耐薬品性を示した図である。
【図２０（ｃ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの耐薬品性を示した図である。
【図２１（ａ）】本発明の一実施態様に従った保護層を備えるマスクブランクのクロム吸収体ドライエッチング前後におけるＧＩＸＲ曲線とｎ＆ｋ曲線の比較を示した図である。
【図２１（ｂ）】本発明の一実施態様に従った保護層を備えるマスクブランクのクロム吸収体ドライエッチング前後におけるＧＩＸＲ曲線とｎ＆ｋ曲線の比較を示した図である。
【図２２（ａ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの検査波長２５６ｎｍにおける反射率及び透過率を示した図である。
【図２２（ｂ）】本発明の一実施態様に従ったマスクブランクの検査波長２５６ｎｍにおける反射率及び透過率を示した図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及び薄膜系から構成され、波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相及び少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能な埋め込み型の減衰移相マスクブランクを作製するための二元イオンビーム蒸着方法であって、前記方法は前記基板上へ、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層を蒸着することから構成され、
前記薄膜系の少なくとも１層は、
（ａ）一次イオンビームを用いる一グループのガスからのイオンを用いたＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの１または２以上の混合物、合金または化合物から成るターゲットの一次イオンビーム蒸着により、及び
（ｂ）一グループのガスを含む補助蒸着源からの二次イオンビームを用いた前記基板に対するボンバードによって蒸着されることを特徴とする前記方法。
【請求項２】
前記一次イオンビーム及び前記二次イオンビームに関するパラメータが、前記層の厚さの平均均質度が多くても２％となるように調節されることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項３】
前記薄膜系の少なくとも２層が一次イオンビームを用いる一グループのガスからのイオンを用いたＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの１または２以上の混合物、合金または化合物から成るターゲットからのイオンビーム蒸着によって蒸着されることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項４】
前記薄膜系の少なくとも２層が一グループのガスを含む補助蒸着源からの二次イオンビームを用いた前記基板に対するボンバードによって蒸着されることを特徴とする請求項３項記載の方法。
【請求項５】
前記薄膜系の少なくとも２層が、蒸着処理中に真空状態が中断されることなく蒸着されることを特徴とする請求項３項記載の方法。
【請求項６】
前記基板上への、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物及び窒化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される金属及び／または金属化合物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層の蒸着が含まれることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項７】
前記基板上への、
Ｔａ、Ｔａ酸化物、Ｔａ窒化物及び／またはこれらの混合物を含む透過制御下位層の蒸着が含まれることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項８】
前記基板上への、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物またはオキシ窒化物、あるいはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層の蒸着が含まれることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項９】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相フォトマスクブランクであって、
前記薄膜系は、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成され、
前記透過制御下位層及び前記移相制御下位層は多くても２％の平均膜厚均質度をもち、及び
前記マスクブランクは波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記フォトマスクブランク。
【請求項１０】
前記透過制御下位層及び前記移相制御下位層が多くても１％の平均膜厚均質度をもつことを特徴とする請求項９項記載のマスクブランク。
【請求項１１】
基板及び薄膜系から構成され、前記薄膜系が、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される金属または金属化合物から殆どなる層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含量として少なくとも９５原子％含む層から構成されることを特徴とする請求項９項記載のマスクブランク。
【請求項１２】
波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍあるいは２４８ｎｍにおいて５〜３０％の透過率をもつことを特徴とする請求項９項記載のマスクブランク。
【請求項１３】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれら金属及び窒化物の混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物を含む透過制御下位層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物あるいはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成され、及び
前記移相マスクは波長約２４８ｎｍの照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記マスクブランク。
【請求項１４】
前記移相制御下位層にＳｉＯ２が含量として少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１３項記載のマスクブランク。
【請求項１５】
前記透過制御下位層にＹ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される金属または金属窒化物が含量として少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１３項記載のマスクブランク。
【請求項１６】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層と、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含むコントラスト層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物または窒化物、及び／またはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成され、及び
前記マスクブランクは波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記マスクブランク。
【請求項１７】
前記基板上へ前記透過制御下位層が設けられ、前記透過制御下位層上へ前記コントラスト層が設けられ、さらに前記コントラスト層上へ前記移相制御下位層が設けられることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項１８】
前記基板上へ前記透過制御下位層が設けられ、前記透過制御下位層上へ前記移相制御下位層が設けられ、さらに前記移相制御下位層上へ前記コントラスト層が設けられることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項１９】
前記移相制御下位層にＳｉＯ２が含量として少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項２０】
前記透過制御下位層にＴａ及び／またはＴａ窒化物が含量とて少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項２１】
前記コントラスト層にＴａ２Ｏ５が含量として少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項２２】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属または金属窒化物を含量として少なくとも９５原子％含む透過制御下位層と、
Ｓｉ及び／またはＡｌを含む移相制御下位層と、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、及びこれらの混合物から選択される金属または化合物を含む、前記移相制御下位層上へ設けられた多くても５ｎｍの厚さをもつ保護層から構成され、
前記マスクブランクは波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記マスクブランク。
【請求項２３】
前記透過制御下位層が前記基板上へ設けられ、及び前記移相制御下位層が前記透過制御下位層上へ設けられることを特徴とする請求項２２項記載のマスクブランク。
【請求項２４】
前記移相制御下位層にＳｉの酸化物及び／または窒化物が含量として少なくとも９０原子％含まれることを特徴とする請求項２２項記載のマスクブランク。
【請求項２５】
前記コントラスト層にＡｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される金属の酸化物が含量として少なくとも９０原子％含まれることを特徴とする請求項２２項記載のマスクブランク。
【請求項２６】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される金属の１または２以上の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層と、
Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成され、及び
前記移相マスクブランクは波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも２０％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記マスクブランク。
【請求項２７】
前記薄膜系が、順に、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される金属の１または２以上の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む第一透過制御下位層、
Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む第一移相制御下位層、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される金属の１または２以上の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む第二透過制御下位層、及び
Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む第二移相制御下位層から構成されることを特徴とする請求項２６項記載のマスクブランク。
【請求項１】
基板及び薄膜系から構成され、波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相及び少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能な埋め込み型の減衰移相マスクブランクを作製するための二元イオンビーム蒸着方法であって、前記方法は前記基板上へ、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層を蒸着することから構成され、
前記薄膜系の少なくとも１層は、
（ａ）一次イオンビームを用いる一グループのガスからのイオンを用いたＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの１または２以上の混合物、合金または化合物から成るターゲットの一次イオンビーム蒸着により、及び
（ｂ）一グループのガスを含む補助蒸着源からの二次イオンビームを用いた前記基板に対するボンバードによって蒸着されることを特徴とする前記方法。
【請求項２】
前記一次イオンビーム及び前記二次イオンビームに関するパラメータが、前記層の厚さの平均均質度が多くても２％となるように調節されることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項３】
前記薄膜系の少なくとも２層が一次イオンビームを用いる一グループのガスからのイオンを用いたＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの１または２以上の混合物、合金または化合物から成るターゲットからのイオンビーム蒸着によって蒸着されることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項４】
前記薄膜系の少なくとも２層が一グループのガスを含む補助蒸着源からの二次イオンビームを用いた前記基板に対するボンバードによって蒸着されることを特徴とする請求項３項記載の方法。
【請求項５】
前記薄膜系の少なくとも２層が、蒸着処理中に真空状態が中断されることなく蒸着されることを特徴とする請求項３項記載の方法。
【請求項６】
前記基板上への、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物及び窒化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される金属及び／または金属化合物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層の蒸着が含まれることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項７】
前記基板上への、
Ｔａ、Ｔａ酸化物、Ｔａ窒化物及び／またはこれらの混合物を含む透過制御下位層の蒸着が含まれることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項８】
前記基板上への、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物またはオキシ窒化物、あるいはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層の蒸着が含まれることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項９】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相フォトマスクブランクであって、
前記薄膜系は、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成され、
前記透過制御下位層及び前記移相制御下位層は多くても２％の平均膜厚均質度をもち、及び
前記マスクブランクは波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記フォトマスクブランク。
【請求項１０】
前記透過制御下位層及び前記移相制御下位層が多くても１％の平均膜厚均質度をもつことを特徴とする請求項９項記載のマスクブランク。
【請求項１１】
基板及び薄膜系から構成され、前記薄膜系が、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される金属または金属化合物から殆どなる層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含量として少なくとも９５原子％含む層から構成されることを特徴とする請求項９項記載のマスクブランク。
【請求項１２】
波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍあるいは２４８ｎｍにおいて５〜３０％の透過率をもつことを特徴とする請求項９項記載のマスクブランク。
【請求項１３】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれら金属及び窒化物の混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物を含む透過制御下位層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物あるいはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成され、及び
前記移相マスクは波長約２４８ｎｍの照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記マスクブランク。
【請求項１４】
前記移相制御下位層にＳｉＯ２が含量として少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１３項記載のマスクブランク。
【請求項１５】
前記透過制御下位層にＹ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される金属または金属窒化物が含量として少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１３項記載のマスクブランク。
【請求項１６】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属及び／または金属窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層と、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含むコントラスト層と、
Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物または窒化物、及び／またはこれらの混合物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成され、及び
前記マスクブランクは波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記マスクブランク。
【請求項１７】
前記基板上へ前記透過制御下位層が設けられ、前記透過制御下位層上へ前記コントラスト層が設けられ、さらに前記コントラスト層上へ前記移相制御下位層が設けられることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項１８】
前記基板上へ前記透過制御下位層が設けられ、前記透過制御下位層上へ前記移相制御下位層が設けられ、さらに前記移相制御下位層上へ前記コントラスト層が設けられることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項１９】
前記移相制御下位層にＳｉＯ２が含量として少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項２０】
前記透過制御下位層にＴａ及び／またはＴａ窒化物が含量とて少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項２１】
前記コントラスト層にＴａ２Ｏ５が含量として少なくとも９５原子％含まれることを特徴とする請求項１６項記載のマスクブランク。
【請求項２２】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の窒化物、及びこれらの混合物から選択される１または２以上の金属または金属窒化物を含量として少なくとも９５原子％含む透過制御下位層と、
Ｓｉ及び／またはＡｌを含む移相制御下位層と、
Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、及びこれらの混合物から選択される金属または化合物を含む、前記移相制御下位層上へ設けられた多くても５ｎｍの厚さをもつ保護層から構成され、
前記マスクブランクは波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも０．００１％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記マスクブランク。
【請求項２３】
前記透過制御下位層が前記基板上へ設けられ、及び前記移相制御下位層が前記透過制御下位層上へ設けられることを特徴とする請求項２２項記載のマスクブランク。
【請求項２４】
前記移相制御下位層にＳｉの酸化物及び／または窒化物が含量として少なくとも９０原子％含まれることを特徴とする請求項２２項記載のマスクブランク。
【請求項２５】
前記コントラスト層にＡｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される金属の酸化物が含量として少なくとも９０原子％含まれることを特徴とする請求項２２項記載のマスクブランク。
【請求項２６】
基板及び薄膜系から構成される埋め込み型の減衰移相マスクブランクであって、前記薄膜系は、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される金属の１または２以上の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む透過制御下位層と、
Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む移相制御下位層から構成され、及び
前記移相マスクブランクは波長３００ｎｍ以下の照射光においてほぼ１８０°の移相と少なくとも２０％の光透過率をもつフォトマスクの製造が可能であることを特徴とする前記マスクブランク。
【請求項２７】
前記薄膜系が、順に、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される金属の１または２以上の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む第一透過制御下位層、
Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む第一移相制御下位層、
Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びこれらの混合物から選択される金属の１または２以上の酸化物を含量として少なくとも９０原子％含む第二透過制御下位層、及び
Ｓｉ及び／またはＡｌの酸化物及び／またはオキシ窒化物を含量として少なくとも９０原子％含む第二移相制御下位層から構成されることを特徴とする請求項２６項記載のマスクブランク。
【図１（ａ）】
【図１（ｂ）】
【図２（ａ）】
【図２（ｂ）】
【図２（ｃ）】
【図２（ｄ）】
【図３（ａ）】
【図３（ｂ）】
【図３（ｃ）】
【図３（ｄ）】
【図４】
【図５（ａ）】
【図５（ｂ）】
【図６（ａ）】
【図６（ｂ）】
【図７（ａ）】
【図７（ｂ）】
【図７（ｃ）】
【図７（ｄ）】
【図７（ｅ）】
【図８】
【図９（ａ）】
【図９（ｂ）】
【図１０（ａ）】
【図１０（ｂ）】
【図１０（ｃ）】
【図１０（ｄ）】
【図１１（ａ）】
【図１１（ｂ）】
【図１２（ａ）】
【図１２（ｂ）】
【図１２（ｃ）】
【図１３（ａ）】
【図１３（ｂ）】
【図１４（ａ）】
【図１４（ｂ）】
【図１５（ａ）】
【図１５（ｂ）】
【図１６】
【図１７（ａ）】
【図１７（ｂ）】
【図１８（ａ）】
【図１８（ｂ）】
【図１９】
【図２０（ａ）】
【図２０（ｂ）】
【図２０（ｃ）】
【図２１（ａ）】
【図２１（ｂ）】
【図２２（ａ）】
【図２２（ｂ）】
【図１（ｂ）】
【図２（ａ）】
【図２（ｂ）】
【図２（ｃ）】
【図２（ｄ）】
【図３（ａ）】
【図３（ｂ）】
【図３（ｃ）】
【図３（ｄ）】
【図４】
【図５（ａ）】
【図５（ｂ）】
【図６（ａ）】
【図６（ｂ）】
【図７（ａ）】
【図７（ｂ）】
【図７（ｃ）】
【図７（ｄ）】
【図７（ｅ）】
【図８】
【図９（ａ）】
【図９（ｂ）】
【図１０（ａ）】
【図１０（ｂ）】
【図１０（ｃ）】
【図１０（ｄ）】
【図１１（ａ）】
【図１１（ｂ）】
【図１２（ａ）】
【図１２（ｂ）】
【図１２（ｃ）】
【図１３（ａ）】
【図１３（ｂ）】
【図１４（ａ）】
【図１４（ｂ）】
【図１５（ａ）】
【図１５（ｂ）】
【図１６】
【図１７（ａ）】
【図１７（ｂ）】
【図１８（ａ）】
【図１８（ｂ）】
【図１９】
【図２０（ａ）】
【図２０（ｂ）】
【図２０（ｃ）】
【図２１（ａ）】
【図２１（ｂ）】
【図２２（ａ）】
【図２２（ｂ）】
【公表番号】特表２００７−５０４４９７（Ｐ２００７−５０４４９７Ａ）
【公表日】平成１９年３月１日（２００７．３．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５２５１３０（Ｐ２００６−５２５１３０）
【出願日】平成１６年９月６日（２００４．９．６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００４／００９９１９
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０２４５１８
【国際公開日】平成１７年３月１７日（２００５．３．１７）
【出願人】（５０４２９９７８２）ショット アクチエンゲゼルシャフト (346)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｃｈｏｔｔ ＡＧ
【住所又は居所原語表記】Ｈａｔｔｅｎｂｅｒｇｓｔｒ．１０，Ｄ−５５１２２ Ｍａｉｎｚ，Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年３月１日（２００７．３．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月６日（２００４．９．６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００４／００９９１９
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０２４５１８
【国際公開日】平成１７年３月１７日（２００５．３．１７）
【出願人】（５０４２９９７８２）ショット アクチエンゲゼルシャフト (346)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｃｈｏｔｔ ＡＧ
【住所又は居所原語表記】Ｈａｔｔｅｎｂｅｒｇｓｔｒ．１０，Ｄ−５５１２２ Ｍａｉｎｚ，Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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