測定装置
【課題】 エアの有機物含有量の測定過程で行われるテストウェハの膜厚変化の測定処理、エアの有機物含有量の算出、測定時に用いられたテストウェハの表面処理（有機物の除去）を自動で行うことのできる測定装置を提供する。
【解決手段】 測定装置１を、膜厚変化の測定を行うエリプソメトリ測定系と、有機物の除去を行うＵＶ光照射系と、から構成する。該エリプソメトリ測定系は、光源８と、偏光レンズ９と、１／４波長板１０と、焦点レンズ１１と、偏光検出装置１２と、受光素子１３と、から構成される。また、該ＵＶ光照射系は、ＵＶランプ１５と、石英ガラス１６と、から構成される。
【解決手段】 測定装置１を、膜厚変化の測定を行うエリプソメトリ測定系と、有機物の除去を行うＵＶ光照射系と、から構成する。該エリプソメトリ測定系は、光源８と、偏光レンズ９と、１／４波長板１０と、焦点レンズ１１と、偏光検出装置１２と、受光素子１３と、から構成される。また、該ＵＶ光照射系は、ＵＶランプ１５と、石英ガラス１６と、から構成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定装置に関するものであり、特に、空気中の有機物の含有量を測定する測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体等の製造過程において半導体ウェハ上に有機物が付着してしまうと、製造された該半導体のデバイス特性に悪影響を与えるおそれがある。また、半導体ウェハを露光して回路パタンを焼き付けるリソグラフィ工程において露光装置のレンズやガラス上に有機物が付着してしまうと、回路の焼き付けが正常に行えないことがある。
【０００３】
そのため、通常、半導体等の精密機械の製造管理は、「クリーンルーム」で行われる。クリーンルームとは、空気中の浮遊塵埃や温度湿度等を必要に応じて一定の基準に制御する室のことであり、塵埃数（有機物量）が抑えられ、清浄度が高く保たれている。
【０００４】
クリーンルームでは、クリーンルーム内の空気が室内を循環するように制御されている。この空気の循環路にＨＥＰＡ／ＵＬＰＡフィルタを設け、空気が該ＨＥＰＡ／ＵＬＰＡフィルタを通過する際に該フィルタに塵埃（有機物）を吸着させることで塵埃（有機物）の除去がなされている。また、ケミカルフィルタを設けることで、ＨＥＰＡ／ＵＬＰＡフィルタでは吸着できない分子レベルの有機物の吸着／除去がなされている。
【０００５】
このケミカルフィルタの有機物吸着量には限界があり、それゆえフィルタ自体に寿命がある。フィルタ寿命は通常１〜２年であるが、使用環境、除去する有機物の種類等によっては、フィルタ寿命が変動してしまう。そこで、フィルタの除去能力の有無のチェック、言い換えれば寿命チェックを適宜行う必要がある。
【０００６】
フィルタの除去能力のチェック方法としては、フィルタを通過したエア（空気）から吸着剤を用いて有機物を捕集し、該吸着剤を加熱脱離させガスクロマトグラフ質量分析により有機化合物の量を検査することでフィルタを通過した有機物の量を計測し、該計測結果から除去能力のチェックを行うものがある。
【０００７】
また、別の方法としては、ウェハをフィルタ下流側に数時間〜1日放置することでフィルタを通過した有機物をウェハに付着させ、該ウェハを加熱脱離させガスクロマトグラフ質量分析により有機化合物の量を検査することでフィルタを通過した有機物の量を計測し、該計測結果から除去能力のチェックを行うものがある。
【０００８】
しかしながら、前者のチェック方法においては、短時間でサンプリング可能となるが、ウェハに付着しない分子量の小さい有機化合物までサンプリング対象となってしまうので、問題となる分子量の大きい有機化合物に対して検出精度が低下してしまう。他方、後者のチェック方法においては、問題となる分子量の大きい有機化合物を精度良く測定分析できるが、短時間でサンプリングを行うことができない、ウェハを放置するサンプリングポイントが必要となるといった問題点がある。また、これらのチェック方法では、簡易にかつリアルタイムでモニタリングを行うことができない。
【０００９】
そこで、近年では、いかにして上記問題点の解決を図るかが考えられている。
【００１０】
特許文献１ではウェハ表面に付着した有機化合物（有機物）を簡便に評価する評価方法が提案されている。具体的には、テストウェハの有機化合物付着前後での膜厚の差をエリプソメトリ測定装置で測定し、同時に膜厚の接触角を測定することで、付着した有機化合物の定量を検出、評価するものである。
【特許文献１】特開平５−２７５４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
このような評価方法におけるウェハの放置時間と有機物付着による膜厚の増加量との関係は、図７に示すようなグラフ関係になる。このグラフからわかるように有機物付着による膜厚の増加量はリニアに増加せず、ある膜厚で飽和する。そのため、有機物がウェハ上に付着し膜厚が飽和点を超えてしまうと、それ以降の経時的な変化を確認することができない。なので、膜厚測定において飽和点を超えた場合に、フィルタの寿命から発生した有機物付着による膜厚変化か、あるいは寿命とは別要因の突発的な異常による膜厚変化なのか、を１回の膜厚測定では判断できないので、膜厚測定を複数回行う必要がある。
【００１２】
特許文献１記載の評価方法では、検査の実行時毎にテストウェハを洗浄剤（ＳＣ１洗浄剤）等で洗浄することで有機物を除去しなければならず、また、洗浄、付着前測定、放置、付着後測定の一連の動作を手動で管理する必要があるため、膜厚測定を複数回行うのに大変手間がかかる。
【００１３】
本発明は、上記問題点に鑑みて提案されたものであり、エア（空気）を取り込み、該エアに含まれる有機物量の測定を行うことができ、かつ、エアの有機物含有量の測定過程で行われるテストウェハの膜厚変化の測定処理、エアの有機物含有量の算出、測定時に用いられたテストウェハの表面処理（有機物の除去）を自動で行うことのできる測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１記載の発明は、測定対象エアの有機物の含有量を測定する測定装置であって、前記測定装置内に前記測定対象エアを取り入れるエア吸入口と、前記測定装置外に前記測定対象エアを排出するエア排出口と、表面に酸化膜を形成した半導体材料で、前記測定対象エアに含まれる測定対象有機物を付着させるテストウェハと、前記テストウェハの膜厚を測定する測定手段と、前記テストウェハに付着した付着有機物を除去する除去手段と、を有し、前記除去手段は、前記測定手段が前記テストウェハの前記膜厚の測定を開始する前に、前記テストウェハに付着した前記付着有機物を除去し、前記測定手段は、前記付着有機物の除去された前記テストウェハ上を前記測定対象エアが通過し、前記測定対象エアに含まれる前記測定対象有機物が付着することにより生じる、前記テストウェハの前記膜厚の変化を測定することを特徴とする測定装置である。
【００１５】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の測定装置において、前記測定装置により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化から、前記測定対象エアの有機物含有量を算出する算出手段を有することを特徴とする。
【００１６】
請求項３記載の発明は、請求項１または２に記載の測定装置において、前記測定装置は、偏光解析法を用いて前記テストウェハの前記膜厚を測定するエリプソメトリ測定装置であることを特徴とする。
【００１７】
請求項４記載の発明は、請求項１から３のいずれか１項に記載の測定装置において、前記除去手段は、ＵＶ光を照射する素子を有し、前記ＵＶ光を照射することで前記テストウェハ上に付着した前記付着有機物を除去することを特徴とする。
【００１８】
請求項５記載の発明は、請求項１から４のいずれか１項に記載の測定装置において、前記テストウェハ表面に形成された前記酸化膜の膜厚は３ｎｍ以上であることを特徴とする。
【００１９】
請求項６記載の発明は、請求項１から５のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを表示する表示手段を有することを特徴とする。
【００２０】
請求項７記載の発明は、請求項２から６のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも１つを表示する表示手段を有することを特徴とする。
【００２１】
請求項８記載の発明は、請求項１から７のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定装置は、外部端末に接続されており、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする。
【００２２】
請求項９記載の発明は、請求項２から７のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定手段は、外部端末に接続されており、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも１つを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする。
【００２３】
請求項１０記載の発明は、請求項７から９のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定装置は、前記測定装置の異常発生を検知する異常検知手段を有し、前記異常検知手段は、所定の条件が検知された場合には異常が発生したものとして、前記表示手段を用いて異常発生の旨を外部に報知することを特徴とする。
【００２４】
請求項１１記載の発明は、請求項１０記載の測定装置において、前記所定の条件とは、前記テストウェハの前記膜厚が前記膜厚の飽和値を超過することであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、エア（空気）を取り込み、該エアに含まれる有機物量の測定を行う測定装置において、エアの有機物含有量の測定過程で行われるテストウェハの膜厚変化の測定処理、エアの有機物含有量の算出、測定時に用いられたテストウェハの表面処理（有機物の除去）を自動で行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１を参照して、本実施形態の測定装置の構成を説明する。本実施形態の測定装置１は、テストウェハ２と、テストウェハテーブル３と、エア吸入口４と、エア排出口５と、吸気ファン６と、排気ファン７と、光源８と、偏光レンズ９と、１／４波長板（リターデーションプレート／位相シフタ）１０と、焦点レンズ１１と、偏光検出装置１２と、受光素子１３と、表示ディスプレイ１４と、ＵＶランプ１５と、石英ガラス１６と、から構成される。
【００２７】
テストウェハ２は表面に酸化膜を形成したウェハであり、本実施形態の測定装置１では該テストウェハ２上に有機物を付着させる。このテストウェハ２の膜厚を測定し、該膜厚の変化度合いからエアの有機物含有量を測定する。テストウェハ２を構成する半導体材料としてはシリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）等を用いることができる。
【００２８】
このテストウェハ２は交換可能な構成になっている。このように構成することにより、テストウェハ２の素子寿命が尽きても新たなテストウェハに交換できるので、精度良く膜厚測定を行うことが可能となる。
【００２９】
なお、テストウェハ２の酸化膜の膜厚は３ｎｍ以上であることが好ましい。３ｎｍ以上の膜厚に設定することにより水分等の外的要因による膜厚のばらつきを抑えることができ、安定した膜厚測定が可能となる。
【００３０】
テストウェハテーブル３は、テストウェハ２を設置するためのテーブルである。なお、このテストウェハテーブル３はなくてもよい。
【００３１】
エア吸入口４は、測定対象のエアを測定装置１内に取り込むための開口部であり、エア吸入口４にはエアの吸入効率を向上させる吸気ファン６が設けられている。また、エア排出口５は、測定装置１に取り込まれたエアを排出するための開口部であり、エア排出口にはエアの排出効率、装置内でのエアの循環効率を向上させる排気ファン７が設けられている。
【００３２】
なお、入口４からエア排出口５に向けてエアが流れるので、図２のようにエアの流れるルート（以下、「エア流路」）上にテストウェハ２、テストウェハテーブル３を設ける。このように構成することにより、装置内で滞留しているエアでなく、エア流路上の測定対象の外部エアを効率良く測定することができる。
【００３３】
また、テストウェハ２、テストウェハテーブル３が設けられた空間の側面壁にエア吸入口４を設ける。このように構成することにより、エア吸入口４から取り入れられたばかりのエアを測定できるので、測定精度を向上させることが可能となる。
【００３４】
なお、エア吸入口４にはパーティクルを除去するエアフィルタが設けられていてもよい。エアフィルタを設けることで装置内に取り込まれるパーティクルを除去することが可能となるので、パーティクルによる膜厚増を回避し、有機物付着による膜厚変化の測定を精度良く行うことが可能となる。
【００３５】
また、エア吸入口４には水分を除去する除湿フィルタが設けられていてもよい。除湿フィルタを設けることで装置内に取り込まれる水分を除去することが可能となるので、水分の付着による膜厚増を回避し、有機物付着による膜厚演歌の測定を精度良く行うことが可能となる。
【００３６】
また、エア吸入口４にはノズルやパイプ等の空洞を有する導管部材が設けられていてもよい。導管部材を設けることで測定装置を持ち込むことのできない場所のエアや、通常のエア吸入口４からでは取り込むのが困難なエアを取り込むことが可能となる。
【００３７】
光源８は、テストウェハ２に光を照射する。偏光レンズ９は、光源８から照射された光の直線偏光を行う。１／４波長板１０は、偏光レンズ９からの直線偏光を楕円偏光に変換する。焦点レンズ１０は、ピント調整を行う。
【００３８】
偏光検出装置１２は、テストウェハ２の酸化膜表面において反射した楕円偏光と、テストウェハ２のウェハ表面において反射した楕円偏光と、を検出する。受光素子１３は、反射した楕円偏光の光強度を検出する。
【００３９】
なお、上述した光源８と、偏光レンズ９と、１／４波長板１０と、焦点レンズ１１と、偏光検出装置１２と、受光素子１３と、は「エリプソメトリ測定系」と総称される。エリプソメトリ測定系は、エリプソメトリ（偏光解析法）を用いて対象物質の膜厚を非破壊、非接触に測定することが可能である。本実施形態の測定装置１はエリプソメトリ測定系を有しているので、測定対象のテストウェハ２の膜厚を非破壊、非接触に測定することができる。
【００４０】
表示ディスプレイ１４は、膜厚の変化度合いから算出された有機物含有量等の各種データ等の表示を行う。
【００４１】
ＵＶランプ１５は、テストウェハ２上にＵＶ光を照射する。英ガラス１６は、ＵＶランプ１５からのＵＶ光のうちの遠紫外線を透過させる。なお、以下の説明においては、ＵＶランプ１５と石英ガラス１６とを総じて「ＵＶ光照射系」と称する。
【００４２】
ＵＶ光照射系により半導体材料上にＵＶ光を照射すると、ＵＶ光が持つエネルギーによる解離作用とＵＶ光が空気中の酸素から発生させるオゾンやラディカルな酸素原子種の酸化作用により、半導体材料上に付着した有機物を除去することができる。
【００４３】
本実施形態の測定装置１は、テストウェハ２上にＵＶ光を照射するＵＶ光照射系を有しているので、テストウェハ２上の有機物の除去（表面処理）を行うことができる。
【００４４】
なお、ＵＶランプ１５としては、低圧水銀ランプ（波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍ）やＸｅエキシマランプ（波長１７２ｎｍ）を用いる。特に、Ｘｅエキシマランプは、低圧水銀ランプと比較して短時間での有機物除去を行うことが可能で、かつ照射時の温度変動が少ないため、連続して膜厚測定を行う場合に安定した測定を行うことが可能となる。
【００４５】
次に、図２を参照して、本実施形態の測定装置の内部構成について説明する。ＣＰＵ（Central Processing Unit）３１と、ファン制御部３２と、光源制御部３３と、偏光データ検出部３４と、光強度検出部３５と、ＵＶランプ制御部３６と、データ処理部３７と、メモリ３８と、表示制御部３９と、外部通信Ｉ／Ｆ４０と、から構成される。
【００４６】
ＣＰＵ３１は中央演算装置であり、装置全体の制御、プログラムの実行等を行う。また、装置の制御上の異常や膜厚測定における飽和点突破等の異常を検知した場合には、表示制御部３９を制御して異常発生を報知する。
【００４７】
ファン制御部３２は、吸気ファン６及び排気ファン７の制御を行う。光源制御部３３は、光源８の制御を行う。偏光データ検出部３４は、偏光検出装置１２において検出されたデータの制御を行う。光強度検出部３５は、受光素子１３において検出された反射光強度の検出を行う。ＵＶランプ制御部３６は、ＵＶランプ１５の制御を行う。
【００４８】
データ処理部３７は、偏光検出装置３３及び光強度検出部３４から送られてくる検出データからテストウェハ２の膜厚を算出する。また、膜厚の変化度合いから有機物含有量を算出する。
【００４９】
メモリ３８は、ＲＡＭ（Random Access Memory）やＮＶＲＡＭ（Nonvolatile RAM）等から構成され、偏光検出装置３４及び光強度検出部３５で検知された検出データや、データ処理部３７において算出されたテストウェハ２の膜厚データ、有機物含有量データ等を記憶する。
【００５０】
表示制御部３９は、メモリ３８に記憶された膜厚データ、有機物含有量等の各種データを表示ディスプレイ１４に表示する際の表示制御を行う。なお、表示ディスプレイ１４以外の表示手段として、音で状態を報知する報知器をさらに設けてもよい。このように構成することにより、視覚だけでなく聴覚でも装置の状態検知を行うことが可能となる。
【００５１】
外部通信Ｉ／Ｆ４０は、測定装置１を外部端末５０に接続させるためのインターフェースであり、これにより外部端末５０に各種データを伝達することが可能となる。
【００５２】
次に、図３を参照して、本実施形態の測定装置の動作フローを説明する。まず、ＵＶ光照射系によりテストウェハ２上にＵＶ光を照射し、テストウェハ２に付着する有機物の除去を行う（Ｓ１０１）。なお、ＵＶ光照射系のＵＶランプ１５が低圧水銀ランプである場合、照射時間３０分で除去を行う。また、ＵＶランプ１５がＸｅエキシマランプである場合、照射時間５分で除去を行う。
【００５３】
次に、吸気ファン６、排気ファン７を駆動させ、有機物含有量の測定を行うエアを装置内に取り込む（Ｓ１０２）。そして、取り込んだエアをテストウェハ２に触れさせることでテストウェハ２上に有機物を付着させ膜厚の変化を測定する（Ｓ１０３）。そして、この膜厚
の変化度合いから、エア内の有機物含有量を算出する（Ｓ１０４）。
【００５４】
測定の精度を上げるために再測定設定をしている場合や何らかの異常で再測定が必要な場合などは（Ｓ１０５／Ｙｅｓ）、再測定のため、有機物除去処理（Ｓ１０１）に戻る。そうでない場合は（Ｓ１０５／Ｎｏ）、測定処理を抜ける。
【００５５】
本実施形態により、測定装置において、エア（空気）を取り込み、該エアに含まれる有機物量の測定を行い、かつ、エアの有機物含有量の測定過程で行われるテストウェハの膜厚変化の測定処理、エアの有機物含有量の算出、測定時に用いられたテストウェハの表面処理（有機物の除去）を自動で行うことが可能となる。
【００５６】
本実施形態の測定装置１は、測定対象のエアをエア吸入口４から吸入しテストウェハ２の設けられた空間を通過させることで、エアの含有する有機物を付着させ、有機物含有量を測定するが、このような測定方法においては測定対象のエア以外の要素から生じる有機物が測定されてしまうと測定精度が低下してしまう。この測定対象のエア以外の要素から生じる有機物（以下、「測定対象外有機物」）は、測定装置１に用いられる塗料、シール、可塑剤等の部材や、エリプソメトリ測定系、ＵＶ光照射系等の装置素子から生じ得る。
【００５７】
よって、測定精度を高水準に維持するため、測定対象外有機物を測定装置１による測定対象からはずす必要がある。しかし、測定対象エアの含有する有機物と測定対象外有機物とは実質上の差異はないため、これらの判別を事後的な方法で行うことは困難である。
【００５８】
そこで、事前的な対策によりテストウェハ２に測定対象外有機物が付着することを抑制する。言い換えれば、測定装置１の装置構成を、測定対象外有機物がテストウェハ２に付着しない構成、測定対象外有機物が発生しない構成にする。
【００５９】
まず、測定対象外有機物がテストウェハ２に付着しない構成であるが、これはエア流路が少なくともテストウェハ２、テストウェハテーブル３上を通過するまでは、装置素子の周囲を通過しないように構成することで実現できる。このような装置構成の一例としては、図４、図５、図６に示すものが挙げられる。
【００６０】
図４の測定装置１は、外部エアの通過するテストウェハ２の設けられた空間（以下、「ウェハ空間」）と、装置素子の設けられた空間（以下、「素子空間」）と、をそれぞれ独立した空間として構成している。このように構成することにより、装置素子から測定対象外有機物が生じても、これがテストウェハ２に付着することを防ぐことができる。
【００６１】
図５の測定装置１は、エアがウェハ空間のテストウェハ２上を通過してから素子空間を通過する構成としている。具体的には、テストウェハ空間と素子空間とを空間的に接続させる開口部を設け、かつ、素子空間にエア排出口５を設けている。このように構成することにより、素子空間のエアがウェハ空間に流入することを防ぐことができるので、装置素子から発生した測定対象外有機物をテストウェハ２に付着することを防ぐことができる。
【００６２】
図６の測定装置１は、ウェハ空間と素子空間とを空間的に接続させる開口部を設け、かつ、ウェハ空間と素子空間とにそれぞれエア排出口５を設けている。このような構成によっても、素子空間のエアがウェハ空間に流入することを防ぐことができるので、装置素子から発生した測定対象外有機物をテストウェハ２に付着することを防ぐことができる。
【００６３】
また、測定対象外有機物が発生しない構成であるが、これは測定装置１の構成を有機物の発生しにくい構成にすることで実現が可能となる。具体的には、アルミニウム、ＳＵＳ（Stainless Used Steel）のような金属等を用い、塗料や可塑剤等の部材を使用しないことで実現する。
【００６４】
上記のように構成することにより、測定対象外有機物の発生、テストウェハ２への付着を抑制することが可能となるので、測定対象エアの有機物含有量を精度良く測定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】測定装置の構成を示す図である。
【図２】測定装置の内部構成を示す図である。
【図３】測定装置の動作制御のフローを示す図である。
【図４】測定対象外有機物がテストウェハに付着しない構成の一例を示す図である。
【図５】測定対象外有機物がテストウェハに付着しない構成の一例を示す図である。
【図６】測定対象外有機物がテストウェハに付着しない構成の一例を示す図である。
【図７】ウェハの放置時間と有機物付着による膜厚の増加量との関係を表すグラフ図である。
【符号の説明】
【００６６】
１ 測定装置
２ テストウェハ
４ エア吸入口
５ エア排出口
８ 光源
１２ 偏光検出装置
１４ 表示ディスプレイ
１５ ＵＶランプ
３１ ＣＰＵ
３７ データ処理部
５０ 外部端末
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定装置に関するものであり、特に、空気中の有機物の含有量を測定する測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体等の製造過程において半導体ウェハ上に有機物が付着してしまうと、製造された該半導体のデバイス特性に悪影響を与えるおそれがある。また、半導体ウェハを露光して回路パタンを焼き付けるリソグラフィ工程において露光装置のレンズやガラス上に有機物が付着してしまうと、回路の焼き付けが正常に行えないことがある。
【０００３】
そのため、通常、半導体等の精密機械の製造管理は、「クリーンルーム」で行われる。クリーンルームとは、空気中の浮遊塵埃や温度湿度等を必要に応じて一定の基準に制御する室のことであり、塵埃数（有機物量）が抑えられ、清浄度が高く保たれている。
【０００４】
クリーンルームでは、クリーンルーム内の空気が室内を循環するように制御されている。この空気の循環路にＨＥＰＡ／ＵＬＰＡフィルタを設け、空気が該ＨＥＰＡ／ＵＬＰＡフィルタを通過する際に該フィルタに塵埃（有機物）を吸着させることで塵埃（有機物）の除去がなされている。また、ケミカルフィルタを設けることで、ＨＥＰＡ／ＵＬＰＡフィルタでは吸着できない分子レベルの有機物の吸着／除去がなされている。
【０００５】
このケミカルフィルタの有機物吸着量には限界があり、それゆえフィルタ自体に寿命がある。フィルタ寿命は通常１〜２年であるが、使用環境、除去する有機物の種類等によっては、フィルタ寿命が変動してしまう。そこで、フィルタの除去能力の有無のチェック、言い換えれば寿命チェックを適宜行う必要がある。
【０００６】
フィルタの除去能力のチェック方法としては、フィルタを通過したエア（空気）から吸着剤を用いて有機物を捕集し、該吸着剤を加熱脱離させガスクロマトグラフ質量分析により有機化合物の量を検査することでフィルタを通過した有機物の量を計測し、該計測結果から除去能力のチェックを行うものがある。
【０００７】
また、別の方法としては、ウェハをフィルタ下流側に数時間〜1日放置することでフィルタを通過した有機物をウェハに付着させ、該ウェハを加熱脱離させガスクロマトグラフ質量分析により有機化合物の量を検査することでフィルタを通過した有機物の量を計測し、該計測結果から除去能力のチェックを行うものがある。
【０００８】
しかしながら、前者のチェック方法においては、短時間でサンプリング可能となるが、ウェハに付着しない分子量の小さい有機化合物までサンプリング対象となってしまうので、問題となる分子量の大きい有機化合物に対して検出精度が低下してしまう。他方、後者のチェック方法においては、問題となる分子量の大きい有機化合物を精度良く測定分析できるが、短時間でサンプリングを行うことができない、ウェハを放置するサンプリングポイントが必要となるといった問題点がある。また、これらのチェック方法では、簡易にかつリアルタイムでモニタリングを行うことができない。
【０００９】
そこで、近年では、いかにして上記問題点の解決を図るかが考えられている。
【００１０】
特許文献１ではウェハ表面に付着した有機化合物（有機物）を簡便に評価する評価方法が提案されている。具体的には、テストウェハの有機化合物付着前後での膜厚の差をエリプソメトリ測定装置で測定し、同時に膜厚の接触角を測定することで、付着した有機化合物の定量を検出、評価するものである。
【特許文献１】特開平５−２７５４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
このような評価方法におけるウェハの放置時間と有機物付着による膜厚の増加量との関係は、図７に示すようなグラフ関係になる。このグラフからわかるように有機物付着による膜厚の増加量はリニアに増加せず、ある膜厚で飽和する。そのため、有機物がウェハ上に付着し膜厚が飽和点を超えてしまうと、それ以降の経時的な変化を確認することができない。なので、膜厚測定において飽和点を超えた場合に、フィルタの寿命から発生した有機物付着による膜厚変化か、あるいは寿命とは別要因の突発的な異常による膜厚変化なのか、を１回の膜厚測定では判断できないので、膜厚測定を複数回行う必要がある。
【００１２】
特許文献１記載の評価方法では、検査の実行時毎にテストウェハを洗浄剤（ＳＣ１洗浄剤）等で洗浄することで有機物を除去しなければならず、また、洗浄、付着前測定、放置、付着後測定の一連の動作を手動で管理する必要があるため、膜厚測定を複数回行うのに大変手間がかかる。
【００１３】
本発明は、上記問題点に鑑みて提案されたものであり、エア（空気）を取り込み、該エアに含まれる有機物量の測定を行うことができ、かつ、エアの有機物含有量の測定過程で行われるテストウェハの膜厚変化の測定処理、エアの有機物含有量の算出、測定時に用いられたテストウェハの表面処理（有機物の除去）を自動で行うことのできる測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１記載の発明は、測定対象エアの有機物の含有量を測定する測定装置であって、前記測定装置内に前記測定対象エアを取り入れるエア吸入口と、前記測定装置外に前記測定対象エアを排出するエア排出口と、表面に酸化膜を形成した半導体材料で、前記測定対象エアに含まれる測定対象有機物を付着させるテストウェハと、前記テストウェハの膜厚を測定する測定手段と、前記テストウェハに付着した付着有機物を除去する除去手段と、を有し、前記除去手段は、前記測定手段が前記テストウェハの前記膜厚の測定を開始する前に、前記テストウェハに付着した前記付着有機物を除去し、前記測定手段は、前記付着有機物の除去された前記テストウェハ上を前記測定対象エアが通過し、前記測定対象エアに含まれる前記測定対象有機物が付着することにより生じる、前記テストウェハの前記膜厚の変化を測定することを特徴とする測定装置である。
【００１５】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の測定装置において、前記測定装置により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化から、前記測定対象エアの有機物含有量を算出する算出手段を有することを特徴とする。
【００１６】
請求項３記載の発明は、請求項１または２に記載の測定装置において、前記測定装置は、偏光解析法を用いて前記テストウェハの前記膜厚を測定するエリプソメトリ測定装置であることを特徴とする。
【００１７】
請求項４記載の発明は、請求項１から３のいずれか１項に記載の測定装置において、前記除去手段は、ＵＶ光を照射する素子を有し、前記ＵＶ光を照射することで前記テストウェハ上に付着した前記付着有機物を除去することを特徴とする。
【００１８】
請求項５記載の発明は、請求項１から４のいずれか１項に記載の測定装置において、前記テストウェハ表面に形成された前記酸化膜の膜厚は３ｎｍ以上であることを特徴とする。
【００１９】
請求項６記載の発明は、請求項１から５のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを表示する表示手段を有することを特徴とする。
【００２０】
請求項７記載の発明は、請求項２から６のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも１つを表示する表示手段を有することを特徴とする。
【００２１】
請求項８記載の発明は、請求項１から７のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定装置は、外部端末に接続されており、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする。
【００２２】
請求項９記載の発明は、請求項２から７のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定手段は、外部端末に接続されており、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも１つを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする。
【００２３】
請求項１０記載の発明は、請求項７から９のいずれか１項に記載の測定装置において、前記測定装置は、前記測定装置の異常発生を検知する異常検知手段を有し、前記異常検知手段は、所定の条件が検知された場合には異常が発生したものとして、前記表示手段を用いて異常発生の旨を外部に報知することを特徴とする。
【００２４】
請求項１１記載の発明は、請求項１０記載の測定装置において、前記所定の条件とは、前記テストウェハの前記膜厚が前記膜厚の飽和値を超過することであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、エア（空気）を取り込み、該エアに含まれる有機物量の測定を行う測定装置において、エアの有機物含有量の測定過程で行われるテストウェハの膜厚変化の測定処理、エアの有機物含有量の算出、測定時に用いられたテストウェハの表面処理（有機物の除去）を自動で行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１を参照して、本実施形態の測定装置の構成を説明する。本実施形態の測定装置１は、テストウェハ２と、テストウェハテーブル３と、エア吸入口４と、エア排出口５と、吸気ファン６と、排気ファン７と、光源８と、偏光レンズ９と、１／４波長板（リターデーションプレート／位相シフタ）１０と、焦点レンズ１１と、偏光検出装置１２と、受光素子１３と、表示ディスプレイ１４と、ＵＶランプ１５と、石英ガラス１６と、から構成される。
【００２７】
テストウェハ２は表面に酸化膜を形成したウェハであり、本実施形態の測定装置１では該テストウェハ２上に有機物を付着させる。このテストウェハ２の膜厚を測定し、該膜厚の変化度合いからエアの有機物含有量を測定する。テストウェハ２を構成する半導体材料としてはシリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）等を用いることができる。
【００２８】
このテストウェハ２は交換可能な構成になっている。このように構成することにより、テストウェハ２の素子寿命が尽きても新たなテストウェハに交換できるので、精度良く膜厚測定を行うことが可能となる。
【００２９】
なお、テストウェハ２の酸化膜の膜厚は３ｎｍ以上であることが好ましい。３ｎｍ以上の膜厚に設定することにより水分等の外的要因による膜厚のばらつきを抑えることができ、安定した膜厚測定が可能となる。
【００３０】
テストウェハテーブル３は、テストウェハ２を設置するためのテーブルである。なお、このテストウェハテーブル３はなくてもよい。
【００３１】
エア吸入口４は、測定対象のエアを測定装置１内に取り込むための開口部であり、エア吸入口４にはエアの吸入効率を向上させる吸気ファン６が設けられている。また、エア排出口５は、測定装置１に取り込まれたエアを排出するための開口部であり、エア排出口にはエアの排出効率、装置内でのエアの循環効率を向上させる排気ファン７が設けられている。
【００３２】
なお、入口４からエア排出口５に向けてエアが流れるので、図２のようにエアの流れるルート（以下、「エア流路」）上にテストウェハ２、テストウェハテーブル３を設ける。このように構成することにより、装置内で滞留しているエアでなく、エア流路上の測定対象の外部エアを効率良く測定することができる。
【００３３】
また、テストウェハ２、テストウェハテーブル３が設けられた空間の側面壁にエア吸入口４を設ける。このように構成することにより、エア吸入口４から取り入れられたばかりのエアを測定できるので、測定精度を向上させることが可能となる。
【００３４】
なお、エア吸入口４にはパーティクルを除去するエアフィルタが設けられていてもよい。エアフィルタを設けることで装置内に取り込まれるパーティクルを除去することが可能となるので、パーティクルによる膜厚増を回避し、有機物付着による膜厚変化の測定を精度良く行うことが可能となる。
【００３５】
また、エア吸入口４には水分を除去する除湿フィルタが設けられていてもよい。除湿フィルタを設けることで装置内に取り込まれる水分を除去することが可能となるので、水分の付着による膜厚増を回避し、有機物付着による膜厚演歌の測定を精度良く行うことが可能となる。
【００３６】
また、エア吸入口４にはノズルやパイプ等の空洞を有する導管部材が設けられていてもよい。導管部材を設けることで測定装置を持ち込むことのできない場所のエアや、通常のエア吸入口４からでは取り込むのが困難なエアを取り込むことが可能となる。
【００３７】
光源８は、テストウェハ２に光を照射する。偏光レンズ９は、光源８から照射された光の直線偏光を行う。１／４波長板１０は、偏光レンズ９からの直線偏光を楕円偏光に変換する。焦点レンズ１０は、ピント調整を行う。
【００３８】
偏光検出装置１２は、テストウェハ２の酸化膜表面において反射した楕円偏光と、テストウェハ２のウェハ表面において反射した楕円偏光と、を検出する。受光素子１３は、反射した楕円偏光の光強度を検出する。
【００３９】
なお、上述した光源８と、偏光レンズ９と、１／４波長板１０と、焦点レンズ１１と、偏光検出装置１２と、受光素子１３と、は「エリプソメトリ測定系」と総称される。エリプソメトリ測定系は、エリプソメトリ（偏光解析法）を用いて対象物質の膜厚を非破壊、非接触に測定することが可能である。本実施形態の測定装置１はエリプソメトリ測定系を有しているので、測定対象のテストウェハ２の膜厚を非破壊、非接触に測定することができる。
【００４０】
表示ディスプレイ１４は、膜厚の変化度合いから算出された有機物含有量等の各種データ等の表示を行う。
【００４１】
ＵＶランプ１５は、テストウェハ２上にＵＶ光を照射する。英ガラス１６は、ＵＶランプ１５からのＵＶ光のうちの遠紫外線を透過させる。なお、以下の説明においては、ＵＶランプ１５と石英ガラス１６とを総じて「ＵＶ光照射系」と称する。
【００４２】
ＵＶ光照射系により半導体材料上にＵＶ光を照射すると、ＵＶ光が持つエネルギーによる解離作用とＵＶ光が空気中の酸素から発生させるオゾンやラディカルな酸素原子種の酸化作用により、半導体材料上に付着した有機物を除去することができる。
【００４３】
本実施形態の測定装置１は、テストウェハ２上にＵＶ光を照射するＵＶ光照射系を有しているので、テストウェハ２上の有機物の除去（表面処理）を行うことができる。
【００４４】
なお、ＵＶランプ１５としては、低圧水銀ランプ（波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍ）やＸｅエキシマランプ（波長１７２ｎｍ）を用いる。特に、Ｘｅエキシマランプは、低圧水銀ランプと比較して短時間での有機物除去を行うことが可能で、かつ照射時の温度変動が少ないため、連続して膜厚測定を行う場合に安定した測定を行うことが可能となる。
【００４５】
次に、図２を参照して、本実施形態の測定装置の内部構成について説明する。ＣＰＵ（Central Processing Unit）３１と、ファン制御部３２と、光源制御部３３と、偏光データ検出部３４と、光強度検出部３５と、ＵＶランプ制御部３６と、データ処理部３７と、メモリ３８と、表示制御部３９と、外部通信Ｉ／Ｆ４０と、から構成される。
【００４６】
ＣＰＵ３１は中央演算装置であり、装置全体の制御、プログラムの実行等を行う。また、装置の制御上の異常や膜厚測定における飽和点突破等の異常を検知した場合には、表示制御部３９を制御して異常発生を報知する。
【００４７】
ファン制御部３２は、吸気ファン６及び排気ファン７の制御を行う。光源制御部３３は、光源８の制御を行う。偏光データ検出部３４は、偏光検出装置１２において検出されたデータの制御を行う。光強度検出部３５は、受光素子１３において検出された反射光強度の検出を行う。ＵＶランプ制御部３６は、ＵＶランプ１５の制御を行う。
【００４８】
データ処理部３７は、偏光検出装置３３及び光強度検出部３４から送られてくる検出データからテストウェハ２の膜厚を算出する。また、膜厚の変化度合いから有機物含有量を算出する。
【００４９】
メモリ３８は、ＲＡＭ（Random Access Memory）やＮＶＲＡＭ（Nonvolatile RAM）等から構成され、偏光検出装置３４及び光強度検出部３５で検知された検出データや、データ処理部３７において算出されたテストウェハ２の膜厚データ、有機物含有量データ等を記憶する。
【００５０】
表示制御部３９は、メモリ３８に記憶された膜厚データ、有機物含有量等の各種データを表示ディスプレイ１４に表示する際の表示制御を行う。なお、表示ディスプレイ１４以外の表示手段として、音で状態を報知する報知器をさらに設けてもよい。このように構成することにより、視覚だけでなく聴覚でも装置の状態検知を行うことが可能となる。
【００５１】
外部通信Ｉ／Ｆ４０は、測定装置１を外部端末５０に接続させるためのインターフェースであり、これにより外部端末５０に各種データを伝達することが可能となる。
【００５２】
次に、図３を参照して、本実施形態の測定装置の動作フローを説明する。まず、ＵＶ光照射系によりテストウェハ２上にＵＶ光を照射し、テストウェハ２に付着する有機物の除去を行う（Ｓ１０１）。なお、ＵＶ光照射系のＵＶランプ１５が低圧水銀ランプである場合、照射時間３０分で除去を行う。また、ＵＶランプ１５がＸｅエキシマランプである場合、照射時間５分で除去を行う。
【００５３】
次に、吸気ファン６、排気ファン７を駆動させ、有機物含有量の測定を行うエアを装置内に取り込む（Ｓ１０２）。そして、取り込んだエアをテストウェハ２に触れさせることでテストウェハ２上に有機物を付着させ膜厚の変化を測定する（Ｓ１０３）。そして、この膜厚
の変化度合いから、エア内の有機物含有量を算出する（Ｓ１０４）。
【００５４】
測定の精度を上げるために再測定設定をしている場合や何らかの異常で再測定が必要な場合などは（Ｓ１０５／Ｙｅｓ）、再測定のため、有機物除去処理（Ｓ１０１）に戻る。そうでない場合は（Ｓ１０５／Ｎｏ）、測定処理を抜ける。
【００５５】
本実施形態により、測定装置において、エア（空気）を取り込み、該エアに含まれる有機物量の測定を行い、かつ、エアの有機物含有量の測定過程で行われるテストウェハの膜厚変化の測定処理、エアの有機物含有量の算出、測定時に用いられたテストウェハの表面処理（有機物の除去）を自動で行うことが可能となる。
【００５６】
本実施形態の測定装置１は、測定対象のエアをエア吸入口４から吸入しテストウェハ２の設けられた空間を通過させることで、エアの含有する有機物を付着させ、有機物含有量を測定するが、このような測定方法においては測定対象のエア以外の要素から生じる有機物が測定されてしまうと測定精度が低下してしまう。この測定対象のエア以外の要素から生じる有機物（以下、「測定対象外有機物」）は、測定装置１に用いられる塗料、シール、可塑剤等の部材や、エリプソメトリ測定系、ＵＶ光照射系等の装置素子から生じ得る。
【００５７】
よって、測定精度を高水準に維持するため、測定対象外有機物を測定装置１による測定対象からはずす必要がある。しかし、測定対象エアの含有する有機物と測定対象外有機物とは実質上の差異はないため、これらの判別を事後的な方法で行うことは困難である。
【００５８】
そこで、事前的な対策によりテストウェハ２に測定対象外有機物が付着することを抑制する。言い換えれば、測定装置１の装置構成を、測定対象外有機物がテストウェハ２に付着しない構成、測定対象外有機物が発生しない構成にする。
【００５９】
まず、測定対象外有機物がテストウェハ２に付着しない構成であるが、これはエア流路が少なくともテストウェハ２、テストウェハテーブル３上を通過するまでは、装置素子の周囲を通過しないように構成することで実現できる。このような装置構成の一例としては、図４、図５、図６に示すものが挙げられる。
【００６０】
図４の測定装置１は、外部エアの通過するテストウェハ２の設けられた空間（以下、「ウェハ空間」）と、装置素子の設けられた空間（以下、「素子空間」）と、をそれぞれ独立した空間として構成している。このように構成することにより、装置素子から測定対象外有機物が生じても、これがテストウェハ２に付着することを防ぐことができる。
【００６１】
図５の測定装置１は、エアがウェハ空間のテストウェハ２上を通過してから素子空間を通過する構成としている。具体的には、テストウェハ空間と素子空間とを空間的に接続させる開口部を設け、かつ、素子空間にエア排出口５を設けている。このように構成することにより、素子空間のエアがウェハ空間に流入することを防ぐことができるので、装置素子から発生した測定対象外有機物をテストウェハ２に付着することを防ぐことができる。
【００６２】
図６の測定装置１は、ウェハ空間と素子空間とを空間的に接続させる開口部を設け、かつ、ウェハ空間と素子空間とにそれぞれエア排出口５を設けている。このような構成によっても、素子空間のエアがウェハ空間に流入することを防ぐことができるので、装置素子から発生した測定対象外有機物をテストウェハ２に付着することを防ぐことができる。
【００６３】
また、測定対象外有機物が発生しない構成であるが、これは測定装置１の構成を有機物の発生しにくい構成にすることで実現が可能となる。具体的には、アルミニウム、ＳＵＳ（Stainless Used Steel）のような金属等を用い、塗料や可塑剤等の部材を使用しないことで実現する。
【００６４】
上記のように構成することにより、測定対象外有機物の発生、テストウェハ２への付着を抑制することが可能となるので、測定対象エアの有機物含有量を精度良く測定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】測定装置の構成を示す図である。
【図２】測定装置の内部構成を示す図である。
【図３】測定装置の動作制御のフローを示す図である。
【図４】測定対象外有機物がテストウェハに付着しない構成の一例を示す図である。
【図５】測定対象外有機物がテストウェハに付着しない構成の一例を示す図である。
【図６】測定対象外有機物がテストウェハに付着しない構成の一例を示す図である。
【図７】ウェハの放置時間と有機物付着による膜厚の増加量との関係を表すグラフ図である。
【符号の説明】
【００６６】
１ 測定装置
２ テストウェハ
４ エア吸入口
５ エア排出口
８ 光源
１２ 偏光検出装置
１４ 表示ディスプレイ
１５ ＵＶランプ
３１ ＣＰＵ
３７ データ処理部
５０ 外部端末
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象エアの有機物の含有量を測定する測定装置であって、
前記測定装置内に前記測定対象エアを取り入れるエア吸入口と、
前記測定装置外に前記測定対象エアを排出するエア排出口と、
表面に酸化膜を形成した半導体材料で、前記測定対象エアに含まれる測定対象有機物を付着させるテストウェハと、
前記テストウェハの膜厚を測定する測定手段と、
前記テストウェハに付着した付着有機物を除去する除去手段と、を有し、
前記除去手段は、
前記測定手段が前記テストウェハの前記膜厚の測定を開始する前に、前記テストウェハに付着した前記付着有機物を除去し、
前記測定手段は、
前記付着有機物の除去された前記テストウェハ上を前記測定対象エアが通過し、前記測定対象エアに含まれる前記測定対象有機物が付着することにより生じる、前記テストウェハの前記膜厚の変化を測定することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記測定装置により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化から、前記測定対象エアの有機物含有量を算出する算出手段を有することを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項３】
前記測定装置は、偏光解析法を用いて前記テストウェハの前記膜厚を測定するエリプソメトリ測定装置であることを特徴とする請求項１または２に記載の測定装置。
【請求項４】
前記除去手段は、ＵＶ光を照射する素子を有し、
前記ＵＶ光を照射することで前記テストウェハ上に付着した前記付着有機物を除去することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項５】
前記テストウェハ表面に形成された前記酸化膜の膜厚は３ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項６】
前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを表示する表示手段を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項７】
前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも１つを表示する表示手段を有することを特徴とする請求項２から６のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項８】
前記測定装置は、外部端末に接続されており、
前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項９】
前記測定手段は、外部端末に接続されており、
前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも１つを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする請求項２から７のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項１０】
前記測定装置は、前記測定装置の異常発生を検知する異常検知手段を有し、
前記異常検知手段は、所定の条件が検知された場合には異常が発生したものとして、前記表示手段を用いて異常発生の旨を外部に報知することを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項１１】
前記所定の条件とは、前記テストウェハの前記膜厚が前記膜厚の飽和値を超過することであることを特徴とする請求項１０記載の測定装置。
【請求項１】
測定対象エアの有機物の含有量を測定する測定装置であって、
前記測定装置内に前記測定対象エアを取り入れるエア吸入口と、
前記測定装置外に前記測定対象エアを排出するエア排出口と、
表面に酸化膜を形成した半導体材料で、前記測定対象エアに含まれる測定対象有機物を付着させるテストウェハと、
前記テストウェハの膜厚を測定する測定手段と、
前記テストウェハに付着した付着有機物を除去する除去手段と、を有し、
前記除去手段は、
前記測定手段が前記テストウェハの前記膜厚の測定を開始する前に、前記テストウェハに付着した前記付着有機物を除去し、
前記測定手段は、
前記付着有機物の除去された前記テストウェハ上を前記測定対象エアが通過し、前記測定対象エアに含まれる前記測定対象有機物が付着することにより生じる、前記テストウェハの前記膜厚の変化を測定することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記測定装置により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化から、前記測定対象エアの有機物含有量を算出する算出手段を有することを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項３】
前記測定装置は、偏光解析法を用いて前記テストウェハの前記膜厚を測定するエリプソメトリ測定装置であることを特徴とする請求項１または２に記載の測定装置。
【請求項４】
前記除去手段は、ＵＶ光を照射する素子を有し、
前記ＵＶ光を照射することで前記テストウェハ上に付着した前記付着有機物を除去することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項５】
前記テストウェハ表面に形成された前記酸化膜の膜厚は３ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項６】
前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを表示する表示手段を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項７】
前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも１つを表示する表示手段を有することを特徴とする請求項２から６のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項８】
前記測定装置は、外部端末に接続されており、
前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項９】
前記測定手段は、外部端末に接続されており、
前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも１つを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする請求項２から７のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項１０】
前記測定装置は、前記測定装置の異常発生を検知する異常検知手段を有し、
前記異常検知手段は、所定の条件が検知された場合には異常が発生したものとして、前記表示手段を用いて異常発生の旨を外部に報知することを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項１１】
前記所定の条件とは、前記テストウェハの前記膜厚が前記膜厚の飽和値を超過することであることを特徴とする請求項１０記載の測定装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００６−２５３３３５（Ｐ２００６−２５３３３５Ａ）
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−６６３９４（Ｐ２００５−６６３９４）
【出願日】平成１７年３月９日（２００５．３．９）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月９日（２００５．３．９）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
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