炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法
【課題】アルミニウム基材に対し簡単な方法で密着性の高い炭素薄膜を積層できる炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素薄膜付アルミニウム材（10）の製造方法は、アルミニウム基材（1）を、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、該アルミニウム基材（1）の表面に前記金属を含む化成皮膜からなる下地層（2）を形成する下地層形成工程と、前記工程により下地層（2）を形成したアルミニウム基材（1）を炭化水素ガスが存在する雰囲気中で４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満に加熱し、下地層（2）上に炭素薄膜（3）を形成する炭素薄膜形成工程、とを含む。
【解決手段】 炭素薄膜付アルミニウム材（10）の製造方法は、アルミニウム基材（1）を、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、該アルミニウム基材（1）の表面に前記金属を含む化成皮膜からなる下地層（2）を形成する下地層形成工程と、前記工程により下地層（2）を形成したアルミニウム基材（1）を炭化水素ガスが存在する雰囲気中で４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満に加熱し、下地層（2）上に炭素薄膜（3）を形成する炭素薄膜形成工程、とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアルミニウム基材の表面に炭素薄膜を高い密着性で積層した炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属製基材の表面を炭素薄膜で被覆する技術は、電極における電極基材と活物質との密着性向上、摺動材における潤滑性能向上の手段として用いられている。さらに、基材と炭素薄膜との密着性を高めるために下地層を形成することも提案されている（特許文献１〜４参照）。
【０００３】
特許文献１は、アルミニウム箔をカーボン層で被覆し、カーボン層上に活物質を形成する電極の製造方法を開示している。特許文献２は、基材の表面に形成した細孔からプラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを林立させる摺動部材の製造方法を開示している。特許文献３は、鎖式不飽和炭化水素ガス中で基材を加熱することにより炭素薄膜を形成する技術を開示している。また、特許文献４は、アルミニウム箔と炭素含有層との間にアルミニウムと炭素とを含む層を介在させることを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１６４４６６号公報（特許請求の範囲請求項１）
【特許文献２】特許第４３７４５９３号公報（特許請求の範囲請求項１、５、［００２３］）
【特許文献３】特許第４０４９９４６号公報（特許請求の範囲、［００１６］）
【特許文献４】特許再公表ＷＯ２００４／０８７９８４号公報（特許請求の範囲請求項１、１１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２に記載された基材は鉄、ニッケル、コバルトのうちの１種であり、これらの基材上にカーボンナノチューブを林立させることができるとされている。しかしながら、アルミニウムと炭素とはなじみにくく、鉄または鉄合金のように浸炭ができないために、アルミニウム基材の表面から炭素薄膜を形成することは困難である。しかも、特許文献２ではプラズマＣＶＤ法によってカーボンナノチューブを気相成長させているが、プラズマＣＶＤ法を実施するための装置は大がかりであり処理に時間と手間がかかるための処理コストが高いという問題がある。
【０００６】
また、特許文献３は、熱ＣＶＤ法による炭素薄膜の形成であるから、プラズマＣＶＤ法のような大がかりな装置を必要としないが、［００１６］に記載されているように鋼材への炭素薄膜形成であって、アルミニウム基材への炭素薄膜形成への問題点を解決するものではない。
【０００７】
また、特許文献４に記載されている介在層は、アルミニウム箔に炭素含有物質を塗布して３時間をかけて乾燥させ、その後１２時間加熱して形成されたものであり、時間を要する処理である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述した技術背景に鑑み、アルミニウム基材に対し簡単な方法で密着性の高い炭素薄膜を積層できる炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法を提供するものである。
【０００９】
即ち、本発明は下記［１］〜［６］に記載の構成を有する。
【００１０】
［１］アルミニウム基材を、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、該アルミニウム基材の表面に前記金属を含む化成皮膜からなる下地層を形成する下地層形成工程と、
前記工程により下地層を形成したアルミニウム基材を炭化水素ガスが存在する雰囲気中で４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満に加熱し、下地層上に炭素薄膜を形成する炭素薄膜形成工程、とを含むことを特徴とする炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１１】
［２］前記処理液および化成皮膜に含まれる金属が鉄である前項１に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１２】
［３］前記炭素薄膜形成工程における加熱雰囲気は不活性ガスによって希釈された炭化水素ガスである前項１または２に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１３】
［４］前記炭素薄膜形成工程における炭化水素ガスがアセチレンである前項１〜３に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１４】
［５］前記炭素薄膜形成工程における炭化水素ガスがアセチレンであり、不活性ガスによって希釈された加熱雰囲気中のアセチレン濃度は０．０１〜１ｖｏｌ％である前項３に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１５】
［６］アルミニウム基材の表面に、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む化成皮膜を介して炭素薄膜が積層されてなることを特徴とする電極用基材。
【発明の効果】
【００１６】
上記［１］に記載の発明によれば、下地層形成工程において、化成処理によりアルミニウム基材の表面に鉄、ニッケル、コバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む化成皮膜を形成し、炭素薄膜形成工程において、前記化成皮膜を下地層として炭素薄膜を形成する。化成皮膜はアルミニウム基材との密着性が良く、鉄、ニッケル、コバルトはいずれも炭素との親和性が良いので、これらの金属を含む化成皮膜を下地層として炭素薄膜を形成することにより、アルミニウム基材に対して密着性の良い炭素薄膜を形成できる。また、下地層の形成は化成処理によるものであるから、短時間で下地層を形成することができ、処理装置も簡単である。また、炭素薄膜の形成は、炭化水素ガス存在下でアルミニウム基材を加熱する熱ＣＶＤ法によるものであるから、プラズマＣＶＤ法のような大がかりな装置を必要とせず、簡単な装置で炭素薄膜を形成することができる。
【００１７】
上記［２］に記載の発明によれば、炭素薄膜の密着性が特に高いものとなる。
【００１８】
上記［３］に記載の発明によれば、炭素薄膜形成工程において爆発の危険を回避できる。
【００１９】
上記［４］に記載の発明によれば、炭素薄膜の形成が特に良好である。
【００２０】
上記［５］に記載の発明によれば、炭素薄膜の形成が特に良好であり、炭素薄膜の厚さの制御が容易になる。
【００２１】
上記［６］に記載の発明はアルミニウム基材に対して密着性の良い炭素薄膜が形成された電極用基材であるから、この電極用基材の炭素薄膜上に活物質を積層することにより、アルミニウム基材と活物質との高い密着性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明により製造される炭素薄膜付アルミニウム材の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法は、化成処理によりアルミニウム基材の表面に炭素との親和性の良い下地層を形成する下地層形成工程と、前記工程により下地層を形成したアルミニウム基材を炭化水素ガス存在下で加熱して下地層上に炭素薄膜を形成する炭素薄膜形成工程とを有する。図１は本発明によって製造された炭素薄膜付アルミニウム材（10）の断面図であり、（1）はアルミニウム基材、（2）は化成皮膜からなる下地層、（3）は炭素薄膜である。
【００２４】
本発明の方法を適用するアルミニウム基材の組成は何ら限定されず、純アルミニウムおよびアルミニウム合金の両方に適用できる。また、アルミニウム基材の厚さや形状も限定されず、用途に応じて箔のように薄いものから厚みのあるものまで任意の材料に適用できる。
【００２５】
〔下地層形成工程〕
アルミニウム基材に対し、鉄、ニッケル、コバルトのうちの１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、アルミニウム基材の表面にこれらの金属を含む化成皮膜を形成し、この化成皮膜を下地層とする。
【００２６】
化成処理とは、酸性またはアルカリ性水溶液中において、アルミニウム基材の表面の水和物を化学的に脱水結合し、金属を中心とした錯体を形成する皮膜を生成する処理である。その方法としては、処理液中にアルミニウム基材を浸漬する方法、あるいはアルミニウム基材に処理液を塗布する方法を挙げることができる。
【００２７】
化成皮膜はアルミニウム基材との密着性が良く、鉄、ニッケル、コバルトはいずれも炭素との親和性が良いので、これらの金属を含む化成皮膜を下地層として炭素薄膜を形成することにより、アルミニウム基材に対して密着性の良い炭素薄膜を形成できる。鉄、ニッケル、コバルトの中でも鉄が最も親和性が高く、鉄を含む処理液を用いて鉄を含む化成皮膜を形成することが好ましい。鉄、ニッケル、コバルトを含む限り化成皮膜の組成は限定されないが、次の炭素薄膜工程において４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満に加熱するので、次工程の加熱温度で分解しない皮膜であることが必要である。好ましくは、加熱温度の上限であるアルミニウム基材の融点未満で分解しない皮膜を形成する。
【００２８】
化成処理の処理液は、前記金属を含む化合物の他、その化合物に応じて酸等を加えて適宜調整する。鉄を含む化合物としては硝酸第二鉄、塩化第一鉄、弗化鉄等、ニッケルを含む化合物としては硝酸ニッケル等、コバルトを含む化合物として硝酸コバルト等を例示できる。また、本発明は化成皮膜の厚さを制限するものではないが、アルミニウム基材と炭素薄膜との密着性を十分に高めうるという観点より、０．００１〜５０μｍの範囲が好ましく、特に０．００５〜５μｍの範囲が好ましい。処理液の濃度、温度、処理時間は化成皮膜の厚さが上記範囲となるように適宜調節する。
【００２９】
なお、化成処理の前処理としてアルミニウム基材を洗浄し、アルミニウム基材の表面の汚れや酸化膜等を除去しておくことが好ましい。
【００３０】
また、化成処理であるから短時間で下地層を形成することができ、処理装置も簡単である。
【００３１】
〔炭素薄膜形成工程〕
上記の工程で表面に下地層を形成したアルミニウム基材を、炭化水素ガスの存在下で加熱し、熱分解によって生成した炭素を下地層上に付着させて炭素薄膜を形成する。
【００３２】
上述した炭素薄膜の形成は熱ＣＶＤ法を称される方法であり、炉内に炭化水素ガスを導入して加熱するものであるから、プラズマＣＶＤ法のような大がかりな装置を必要とせず、簡単な装置で炭素薄膜を形成することができる。
【００３３】
炭化水素ガスは加熱によって下地層上に薄膜を形成できるものであれば限定されないが、アルミニウム基材の融点未満でガスの分解と炭素薄膜形成が良好に行われるという点でアセチレン（Ｃ２Ｈ２）を推奨できる。また、炭化水素ガスは加熱による爆発を回避するために、ヘリウム、窒素、アルゴン、クリプトン、キセノンから選ばれる不活性ガスで希釈し、希釈された炭化水素ガス雰囲気中で加熱することが好ましい。また、アセチレンを使用した場合、炭素薄膜の厚さの制御が容易であるという点で、雰囲気中のアセチレンガス濃度は１ｖｏｌ％以下が好ましく、０．０１〜１ｖｏｌ％を推奨できる。特に好ましい炭化水素ガス濃度は０．０５〜０．５ｖｏｌ％である。なお、アセチレンの爆発限界は空気中で２．５〜１００ｖｏｌ％であるから、不活性ガスで希釈された上記濃度範囲は爆発の危険性を確実に回避できる濃度である。
【００３４】
加熱温度は４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満の範囲とする。４５０℃未満では炭素薄膜の生成が遅く、アルミニウム基材の融点を超えると液状化するために基材としての用を成さない。また融点未満でも融点近傍では、基材の合金組成、基材の形状、加熱装置によっては基材の歪み、部分溶解などが発生するおそれがある。このため、好ましい加熱温度は４５０℃〜融点−１０℃である。
【００３５】
形成する炭素薄膜の厚さは限定されず、炭素薄膜付アルミニウム材の用途に応じて適宜選定する。
【００３６】
本発明によって製造した炭素薄膜付アルミニウム材は電極用基材や摺動部材として好適に用いられる。例えば、電極用基材として用いる場合は、炭素薄膜上に活物質を積層して電極が製造される。このように構成された電極において、アルミニウム基材（アルミニウム箔）と炭素薄膜とは下地層によって高い密着性を得ており、活物質はもとより炭素薄膜との密着性が高いので、アルミニウム基材と活物質との高い密着性を得ることができる。
【実施例】
【００３７】
炭素薄膜付アルミニウム材の製造において、アルミニウム基材として厚さ４０μｍのＡ１０５０箔を用いた。このアルミニウム基材に対し、前処理として、５％水酸化ナトリウム水溶液で脱脂洗浄し、水洗後に３０％硝酸で中和し、さらに水洗した。そして、前処理後のアルミニウム基材に対し、実施例１〜７および比較例２、３は化成処理による下地層形成と、その後のアセチレン存在下での加熱により炭素薄膜を形成し、比較例は下地層を形成することなく炭素薄膜を形成した。各工程の詳細は以下のとおりである。
【００３８】
（実施例１）
化成処理の処理液は、硝酸第二鉄：２ｇ／ｌ、シュウ酸：９ｇ／ｌ、トリエタノールアミン：１５ｇ／ｌの混合水溶液を２５％水酸化ナトリウムでｐＨ１２に調整し、１０分間攪拌後１０％硝酸にてｐＨ１０に調整したものを使用した。この処理液を９５℃に加熱し、アルミニウム基材を５分間浸漬処理して鉄を含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１１０℃で１０分間乾燥させた。
【００３９】
下地層として化成皮膜を形成したアルミニウム基材を加熱炉内に入れ、所期する加熱温度（本例では６００℃）まではアルゴンガスのみを炉内に導入し、６００℃に昇温した時点で、アルゴンガス流量：１．０ｍ２／ｈｒ、アセチレンガス流量：１．２ｌ／ｈｒの割合で導入し、この混合気体中で６００℃で１５時間加熱して下地層上に炭素薄膜を形成した。加熱雰囲気中のアセチレン濃度は０．１２ｖｏｌ％である。その後、２時間でアルミニウム基材を常温まで冷却した。
【００４０】
（実施例２）
化成処理の処理液の液温を６０℃とし、処理液への浸漬時間を１０分間としたことを除き、実施例１と同じ方法で鉄を含む化成皮膜を形成した。
【００４１】
炭素薄膜の形成は、アセチレンガス流量を０．８ｌ／ｈｒとして加熱雰囲気中のアセチレン濃度を０．０８ｖｏｌ％に調整し、加熱温度を５５０℃、加熱時間を２４時間としたことを除いて、実施例１と同じ条件で行った。
【００４２】
（実施例３）
化成処理の処理液の液温４５℃としたことを除き、実施例１と同じ方法で鉄を含む化成皮膜を形成した。
【００４３】
炭素薄膜の形成は、アセチレンガス流量を２．４ｌ／ｈｒとして加熱雰囲気中のアセチレン濃度を０．２４ｖｏｌ％に調整し、加熱温度を５５０℃、加熱時間を８時間としたことを除いて、実施例１と同じ条件で行った。
【００４４】
（実施例４）
化成処理の処理液として、硝酸第二鉄：２ｇ／ｌを硝酸ニッケル：２ｇ／ｌに代えたことを除き、実施例１と同じ方法でアルミニウム基材を処理してニッケルを含む化成皮膜を形成した。
【００４５】
炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００４６】
（実施例５）
化成処理の処理液として、硝酸第二鉄：２ｇ／ｌを硝酸コバルト：２ｇ／ｌに代えたことを除き、実施例１と同じ方法でアルミニウム基材を処理してコバルトを含む化成皮膜を形成した。
【００４７】
炭素薄膜の形成は実施例２と同じ条件で行った。
【００４８】
（実施例６）
化成処理の処理液は、塩化第一鉄：１０ｇ／ｌ、Ｈ２Ｏ２：３ｇ／ｌの混合水溶液を塩酸でｐＨ２に調整したものを使用した。この処理液を４５℃に加熱し、アルミニウム基材を３分間浸漬処理して鉄を含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１１０℃で１０分間乾燥させた。
【００４９】
炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００５０】
（実施例７）
化成処理の処理液は、ケイふっ化ナトリウム：３０ｇ／ｌ、ふっ化亜鉛：２ｇ／ｌ、ふっ化鉄：１．５ｇ／ｌの混合水溶液を、水酸化ナトリウム水溶液でｐＨ４．５に調整したものを使用した。この処理液を６０℃に加熱し、アルミニウム基材を３０秒間浸漬処理して鉄を含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１１０℃で１０分間乾燥させた。
【００５１】
炭素薄膜の形成は、アセチレンガス流量を１０ｌ／ｈｒとして加熱雰囲気中のアセチレン濃度を１．００ｖｏｌ％に調整し、加熱時間を８時間としたことを除いて、実施例１と同じ条件で行った。
【００５２】
（比較例１）
下地層を形成することなく、アルミニウム基材上に直接炭素薄膜を形成した。炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００５３】
（比較例２）
下地処理としてクロメート処理を行った。クロメート処理の処理液は、クロム酸：１０ｇ／ｌ、リン酸：４ｇ／ｌ、酸性ふっ化ナトリウム：３ｇ／ｌの混合水溶液を使用した。この処理液を４５℃に加熱し、アルミニウム基材を１分間浸漬処理してクロムを含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１２０℃で１０分間乾燥させた。
【００５４】
炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００５５】
（比較例３）
下地処理としてジルコニウム処理を行った。ジルコニウム処理の処理液は、六ふっ化ジルコン酸アンモニウム：０．１２ｇ／ｌ、リン酸：０．０７３ｇ／ｌ、グルコン酸ナトリウム：０．４８ｇ／ｌ、ふっ化水素酸：０．０６ｇ／ｌの混合水溶液を使用した。この処理液を４５℃に加熱し、アルミニウム基材を５分間浸漬処理してジルコニウムを含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１２０℃で１０分間乾燥させた。
【００５６】
炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００５７】
各例の炭素薄膜付アルミニウム材について、下地層の厚さ（比較例１を除く）および炭素薄膜の厚さを測定した。
【００５８】
さらに、下記の３種類の方法で炭素薄膜の密着性を試験した。
【００５９】
（外観）
炭素薄膜付アルミニウム材を目視観察し、炭素薄膜が均一に形成されているものを○、炭素薄膜の付着状態にムラがあるものを×とした。
【００６０】
（拭取り試験）
炭素薄膜付アルミニウム材の表面をガーゼでこすり、下記の３段階で評価した。
◎：ガーゼに炭素薄膜の付着がなく、炭素薄膜は全てアルミニウム基材に残った。
○：ガーゼに炭素薄膜の付着が認められ、アルミニウム基材上の炭素薄膜にムラが生じた。×：ガーゼへの炭素薄膜の付着量が多く、炭素薄膜が取り去られた部分はアルミニウム基材をはっきりと視認できる。
【００６１】
（テープ剥離試験）
粘着テープを貼り、剥がした時の状態に基づいて下記の３段階で評価した。
◎：炭素薄膜の剥がれはなかった。
○：粘着テープに炭素薄膜の付着が認められ、アルミニウム基材上の炭素薄膜にムラが生じた。
×：粘着テープへの炭素薄膜の付着量が多く、炭素薄膜が取り去られた部分はアルミニウム基材をはっきりと視認できる。
【００６２】
表１に、下地層形成工程および炭素薄膜形成工程の概要、下地層および炭素薄膜の厚さ、試験結果を示す。なお、比較例１〜３は上述した拭取り試験およびテープ剥離試験によりアルミニウム基材上に付着させた炭素の多くが除去される状態であり、実施例における炭素薄膜の付着状態とは明らかな差がある。このため、比較例１〜３の炭素薄膜の厚さは記載していない。
【００６３】
【表１】
【００６４】
表１の試験結果により、下地層として鉄、ニッケル、コバルトのうちのいずれかの金属を含む化成皮膜を形成することにより、アルミニウム基材に対する炭素薄膜の高い密着性が得られることを確認した。また、下地層に鉄を含有する場合に特に高い密着性が得られることも確認した。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法は、アルミニウム製電極用基材やアルミニウム製摺動部材の製造に利用できる。
【符号の説明】
【００６６】
1…アルミニウム基材
2…下地層
3…炭素薄膜
10…炭素薄膜付アルミニウム材
【技術分野】
【０００１】
本発明はアルミニウム基材の表面に炭素薄膜を高い密着性で積層した炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属製基材の表面を炭素薄膜で被覆する技術は、電極における電極基材と活物質との密着性向上、摺動材における潤滑性能向上の手段として用いられている。さらに、基材と炭素薄膜との密着性を高めるために下地層を形成することも提案されている（特許文献１〜４参照）。
【０００３】
特許文献１は、アルミニウム箔をカーボン層で被覆し、カーボン層上に活物質を形成する電極の製造方法を開示している。特許文献２は、基材の表面に形成した細孔からプラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを林立させる摺動部材の製造方法を開示している。特許文献３は、鎖式不飽和炭化水素ガス中で基材を加熱することにより炭素薄膜を形成する技術を開示している。また、特許文献４は、アルミニウム箔と炭素含有層との間にアルミニウムと炭素とを含む層を介在させることを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１６４４６６号公報（特許請求の範囲請求項１）
【特許文献２】特許第４３７４５９３号公報（特許請求の範囲請求項１、５、［００２３］）
【特許文献３】特許第４０４９９４６号公報（特許請求の範囲、［００１６］）
【特許文献４】特許再公表ＷＯ２００４／０８７９８４号公報（特許請求の範囲請求項１、１１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２に記載された基材は鉄、ニッケル、コバルトのうちの１種であり、これらの基材上にカーボンナノチューブを林立させることができるとされている。しかしながら、アルミニウムと炭素とはなじみにくく、鉄または鉄合金のように浸炭ができないために、アルミニウム基材の表面から炭素薄膜を形成することは困難である。しかも、特許文献２ではプラズマＣＶＤ法によってカーボンナノチューブを気相成長させているが、プラズマＣＶＤ法を実施するための装置は大がかりであり処理に時間と手間がかかるための処理コストが高いという問題がある。
【０００６】
また、特許文献３は、熱ＣＶＤ法による炭素薄膜の形成であるから、プラズマＣＶＤ法のような大がかりな装置を必要としないが、［００１６］に記載されているように鋼材への炭素薄膜形成であって、アルミニウム基材への炭素薄膜形成への問題点を解決するものではない。
【０００７】
また、特許文献４に記載されている介在層は、アルミニウム箔に炭素含有物質を塗布して３時間をかけて乾燥させ、その後１２時間加熱して形成されたものであり、時間を要する処理である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述した技術背景に鑑み、アルミニウム基材に対し簡単な方法で密着性の高い炭素薄膜を積層できる炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法を提供するものである。
【０００９】
即ち、本発明は下記［１］〜［６］に記載の構成を有する。
【００１０】
［１］アルミニウム基材を、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、該アルミニウム基材の表面に前記金属を含む化成皮膜からなる下地層を形成する下地層形成工程と、
前記工程により下地層を形成したアルミニウム基材を炭化水素ガスが存在する雰囲気中で４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満に加熱し、下地層上に炭素薄膜を形成する炭素薄膜形成工程、とを含むことを特徴とする炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１１】
［２］前記処理液および化成皮膜に含まれる金属が鉄である前項１に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１２】
［３］前記炭素薄膜形成工程における加熱雰囲気は不活性ガスによって希釈された炭化水素ガスである前項１または２に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１３】
［４］前記炭素薄膜形成工程における炭化水素ガスがアセチレンである前項１〜３に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１４】
［５］前記炭素薄膜形成工程における炭化水素ガスがアセチレンであり、不活性ガスによって希釈された加熱雰囲気中のアセチレン濃度は０．０１〜１ｖｏｌ％である前項３に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【００１５】
［６］アルミニウム基材の表面に、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む化成皮膜を介して炭素薄膜が積層されてなることを特徴とする電極用基材。
【発明の効果】
【００１６】
上記［１］に記載の発明によれば、下地層形成工程において、化成処理によりアルミニウム基材の表面に鉄、ニッケル、コバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む化成皮膜を形成し、炭素薄膜形成工程において、前記化成皮膜を下地層として炭素薄膜を形成する。化成皮膜はアルミニウム基材との密着性が良く、鉄、ニッケル、コバルトはいずれも炭素との親和性が良いので、これらの金属を含む化成皮膜を下地層として炭素薄膜を形成することにより、アルミニウム基材に対して密着性の良い炭素薄膜を形成できる。また、下地層の形成は化成処理によるものであるから、短時間で下地層を形成することができ、処理装置も簡単である。また、炭素薄膜の形成は、炭化水素ガス存在下でアルミニウム基材を加熱する熱ＣＶＤ法によるものであるから、プラズマＣＶＤ法のような大がかりな装置を必要とせず、簡単な装置で炭素薄膜を形成することができる。
【００１７】
上記［２］に記載の発明によれば、炭素薄膜の密着性が特に高いものとなる。
【００１８】
上記［３］に記載の発明によれば、炭素薄膜形成工程において爆発の危険を回避できる。
【００１９】
上記［４］に記載の発明によれば、炭素薄膜の形成が特に良好である。
【００２０】
上記［５］に記載の発明によれば、炭素薄膜の形成が特に良好であり、炭素薄膜の厚さの制御が容易になる。
【００２１】
上記［６］に記載の発明はアルミニウム基材に対して密着性の良い炭素薄膜が形成された電極用基材であるから、この電極用基材の炭素薄膜上に活物質を積層することにより、アルミニウム基材と活物質との高い密着性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明により製造される炭素薄膜付アルミニウム材の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法は、化成処理によりアルミニウム基材の表面に炭素との親和性の良い下地層を形成する下地層形成工程と、前記工程により下地層を形成したアルミニウム基材を炭化水素ガス存在下で加熱して下地層上に炭素薄膜を形成する炭素薄膜形成工程とを有する。図１は本発明によって製造された炭素薄膜付アルミニウム材（10）の断面図であり、（1）はアルミニウム基材、（2）は化成皮膜からなる下地層、（3）は炭素薄膜である。
【００２４】
本発明の方法を適用するアルミニウム基材の組成は何ら限定されず、純アルミニウムおよびアルミニウム合金の両方に適用できる。また、アルミニウム基材の厚さや形状も限定されず、用途に応じて箔のように薄いものから厚みのあるものまで任意の材料に適用できる。
【００２５】
〔下地層形成工程〕
アルミニウム基材に対し、鉄、ニッケル、コバルトのうちの１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、アルミニウム基材の表面にこれらの金属を含む化成皮膜を形成し、この化成皮膜を下地層とする。
【００２６】
化成処理とは、酸性またはアルカリ性水溶液中において、アルミニウム基材の表面の水和物を化学的に脱水結合し、金属を中心とした錯体を形成する皮膜を生成する処理である。その方法としては、処理液中にアルミニウム基材を浸漬する方法、あるいはアルミニウム基材に処理液を塗布する方法を挙げることができる。
【００２７】
化成皮膜はアルミニウム基材との密着性が良く、鉄、ニッケル、コバルトはいずれも炭素との親和性が良いので、これらの金属を含む化成皮膜を下地層として炭素薄膜を形成することにより、アルミニウム基材に対して密着性の良い炭素薄膜を形成できる。鉄、ニッケル、コバルトの中でも鉄が最も親和性が高く、鉄を含む処理液を用いて鉄を含む化成皮膜を形成することが好ましい。鉄、ニッケル、コバルトを含む限り化成皮膜の組成は限定されないが、次の炭素薄膜工程において４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満に加熱するので、次工程の加熱温度で分解しない皮膜であることが必要である。好ましくは、加熱温度の上限であるアルミニウム基材の融点未満で分解しない皮膜を形成する。
【００２８】
化成処理の処理液は、前記金属を含む化合物の他、その化合物に応じて酸等を加えて適宜調整する。鉄を含む化合物としては硝酸第二鉄、塩化第一鉄、弗化鉄等、ニッケルを含む化合物としては硝酸ニッケル等、コバルトを含む化合物として硝酸コバルト等を例示できる。また、本発明は化成皮膜の厚さを制限するものではないが、アルミニウム基材と炭素薄膜との密着性を十分に高めうるという観点より、０．００１〜５０μｍの範囲が好ましく、特に０．００５〜５μｍの範囲が好ましい。処理液の濃度、温度、処理時間は化成皮膜の厚さが上記範囲となるように適宜調節する。
【００２９】
なお、化成処理の前処理としてアルミニウム基材を洗浄し、アルミニウム基材の表面の汚れや酸化膜等を除去しておくことが好ましい。
【００３０】
また、化成処理であるから短時間で下地層を形成することができ、処理装置も簡単である。
【００３１】
〔炭素薄膜形成工程〕
上記の工程で表面に下地層を形成したアルミニウム基材を、炭化水素ガスの存在下で加熱し、熱分解によって生成した炭素を下地層上に付着させて炭素薄膜を形成する。
【００３２】
上述した炭素薄膜の形成は熱ＣＶＤ法を称される方法であり、炉内に炭化水素ガスを導入して加熱するものであるから、プラズマＣＶＤ法のような大がかりな装置を必要とせず、簡単な装置で炭素薄膜を形成することができる。
【００３３】
炭化水素ガスは加熱によって下地層上に薄膜を形成できるものであれば限定されないが、アルミニウム基材の融点未満でガスの分解と炭素薄膜形成が良好に行われるという点でアセチレン（Ｃ２Ｈ２）を推奨できる。また、炭化水素ガスは加熱による爆発を回避するために、ヘリウム、窒素、アルゴン、クリプトン、キセノンから選ばれる不活性ガスで希釈し、希釈された炭化水素ガス雰囲気中で加熱することが好ましい。また、アセチレンを使用した場合、炭素薄膜の厚さの制御が容易であるという点で、雰囲気中のアセチレンガス濃度は１ｖｏｌ％以下が好ましく、０．０１〜１ｖｏｌ％を推奨できる。特に好ましい炭化水素ガス濃度は０．０５〜０．５ｖｏｌ％である。なお、アセチレンの爆発限界は空気中で２．５〜１００ｖｏｌ％であるから、不活性ガスで希釈された上記濃度範囲は爆発の危険性を確実に回避できる濃度である。
【００３４】
加熱温度は４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満の範囲とする。４５０℃未満では炭素薄膜の生成が遅く、アルミニウム基材の融点を超えると液状化するために基材としての用を成さない。また融点未満でも融点近傍では、基材の合金組成、基材の形状、加熱装置によっては基材の歪み、部分溶解などが発生するおそれがある。このため、好ましい加熱温度は４５０℃〜融点−１０℃である。
【００３５】
形成する炭素薄膜の厚さは限定されず、炭素薄膜付アルミニウム材の用途に応じて適宜選定する。
【００３６】
本発明によって製造した炭素薄膜付アルミニウム材は電極用基材や摺動部材として好適に用いられる。例えば、電極用基材として用いる場合は、炭素薄膜上に活物質を積層して電極が製造される。このように構成された電極において、アルミニウム基材（アルミニウム箔）と炭素薄膜とは下地層によって高い密着性を得ており、活物質はもとより炭素薄膜との密着性が高いので、アルミニウム基材と活物質との高い密着性を得ることができる。
【実施例】
【００３７】
炭素薄膜付アルミニウム材の製造において、アルミニウム基材として厚さ４０μｍのＡ１０５０箔を用いた。このアルミニウム基材に対し、前処理として、５％水酸化ナトリウム水溶液で脱脂洗浄し、水洗後に３０％硝酸で中和し、さらに水洗した。そして、前処理後のアルミニウム基材に対し、実施例１〜７および比較例２、３は化成処理による下地層形成と、その後のアセチレン存在下での加熱により炭素薄膜を形成し、比較例は下地層を形成することなく炭素薄膜を形成した。各工程の詳細は以下のとおりである。
【００３８】
（実施例１）
化成処理の処理液は、硝酸第二鉄：２ｇ／ｌ、シュウ酸：９ｇ／ｌ、トリエタノールアミン：１５ｇ／ｌの混合水溶液を２５％水酸化ナトリウムでｐＨ１２に調整し、１０分間攪拌後１０％硝酸にてｐＨ１０に調整したものを使用した。この処理液を９５℃に加熱し、アルミニウム基材を５分間浸漬処理して鉄を含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１１０℃で１０分間乾燥させた。
【００３９】
下地層として化成皮膜を形成したアルミニウム基材を加熱炉内に入れ、所期する加熱温度（本例では６００℃）まではアルゴンガスのみを炉内に導入し、６００℃に昇温した時点で、アルゴンガス流量：１．０ｍ２／ｈｒ、アセチレンガス流量：１．２ｌ／ｈｒの割合で導入し、この混合気体中で６００℃で１５時間加熱して下地層上に炭素薄膜を形成した。加熱雰囲気中のアセチレン濃度は０．１２ｖｏｌ％である。その後、２時間でアルミニウム基材を常温まで冷却した。
【００４０】
（実施例２）
化成処理の処理液の液温を６０℃とし、処理液への浸漬時間を１０分間としたことを除き、実施例１と同じ方法で鉄を含む化成皮膜を形成した。
【００４１】
炭素薄膜の形成は、アセチレンガス流量を０．８ｌ／ｈｒとして加熱雰囲気中のアセチレン濃度を０．０８ｖｏｌ％に調整し、加熱温度を５５０℃、加熱時間を２４時間としたことを除いて、実施例１と同じ条件で行った。
【００４２】
（実施例３）
化成処理の処理液の液温４５℃としたことを除き、実施例１と同じ方法で鉄を含む化成皮膜を形成した。
【００４３】
炭素薄膜の形成は、アセチレンガス流量を２．４ｌ／ｈｒとして加熱雰囲気中のアセチレン濃度を０．２４ｖｏｌ％に調整し、加熱温度を５５０℃、加熱時間を８時間としたことを除いて、実施例１と同じ条件で行った。
【００４４】
（実施例４）
化成処理の処理液として、硝酸第二鉄：２ｇ／ｌを硝酸ニッケル：２ｇ／ｌに代えたことを除き、実施例１と同じ方法でアルミニウム基材を処理してニッケルを含む化成皮膜を形成した。
【００４５】
炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００４６】
（実施例５）
化成処理の処理液として、硝酸第二鉄：２ｇ／ｌを硝酸コバルト：２ｇ／ｌに代えたことを除き、実施例１と同じ方法でアルミニウム基材を処理してコバルトを含む化成皮膜を形成した。
【００４７】
炭素薄膜の形成は実施例２と同じ条件で行った。
【００４８】
（実施例６）
化成処理の処理液は、塩化第一鉄：１０ｇ／ｌ、Ｈ２Ｏ２：３ｇ／ｌの混合水溶液を塩酸でｐＨ２に調整したものを使用した。この処理液を４５℃に加熱し、アルミニウム基材を３分間浸漬処理して鉄を含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１１０℃で１０分間乾燥させた。
【００４９】
炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００５０】
（実施例７）
化成処理の処理液は、ケイふっ化ナトリウム：３０ｇ／ｌ、ふっ化亜鉛：２ｇ／ｌ、ふっ化鉄：１．５ｇ／ｌの混合水溶液を、水酸化ナトリウム水溶液でｐＨ４．５に調整したものを使用した。この処理液を６０℃に加熱し、アルミニウム基材を３０秒間浸漬処理して鉄を含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１１０℃で１０分間乾燥させた。
【００５１】
炭素薄膜の形成は、アセチレンガス流量を１０ｌ／ｈｒとして加熱雰囲気中のアセチレン濃度を１．００ｖｏｌ％に調整し、加熱時間を８時間としたことを除いて、実施例１と同じ条件で行った。
【００５２】
（比較例１）
下地層を形成することなく、アルミニウム基材上に直接炭素薄膜を形成した。炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００５３】
（比較例２）
下地処理としてクロメート処理を行った。クロメート処理の処理液は、クロム酸：１０ｇ／ｌ、リン酸：４ｇ／ｌ、酸性ふっ化ナトリウム：３ｇ／ｌの混合水溶液を使用した。この処理液を４５℃に加熱し、アルミニウム基材を１分間浸漬処理してクロムを含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１２０℃で１０分間乾燥させた。
【００５４】
炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００５５】
（比較例３）
下地処理としてジルコニウム処理を行った。ジルコニウム処理の処理液は、六ふっ化ジルコン酸アンモニウム：０．１２ｇ／ｌ、リン酸：０．０７３ｇ／ｌ、グルコン酸ナトリウム：０．４８ｇ／ｌ、ふっ化水素酸：０．０６ｇ／ｌの混合水溶液を使用した。この処理液を４５℃に加熱し、アルミニウム基材を５分間浸漬処理してジルコニウムを含む化成皮膜を形成した。化成処理後のアルミニウム基材は１２０℃で１０分間乾燥させた。
【００５６】
炭素薄膜の形成は実施例１と同じ条件で行った。
【００５７】
各例の炭素薄膜付アルミニウム材について、下地層の厚さ（比較例１を除く）および炭素薄膜の厚さを測定した。
【００５８】
さらに、下記の３種類の方法で炭素薄膜の密着性を試験した。
【００５９】
（外観）
炭素薄膜付アルミニウム材を目視観察し、炭素薄膜が均一に形成されているものを○、炭素薄膜の付着状態にムラがあるものを×とした。
【００６０】
（拭取り試験）
炭素薄膜付アルミニウム材の表面をガーゼでこすり、下記の３段階で評価した。
◎：ガーゼに炭素薄膜の付着がなく、炭素薄膜は全てアルミニウム基材に残った。
○：ガーゼに炭素薄膜の付着が認められ、アルミニウム基材上の炭素薄膜にムラが生じた。×：ガーゼへの炭素薄膜の付着量が多く、炭素薄膜が取り去られた部分はアルミニウム基材をはっきりと視認できる。
【００６１】
（テープ剥離試験）
粘着テープを貼り、剥がした時の状態に基づいて下記の３段階で評価した。
◎：炭素薄膜の剥がれはなかった。
○：粘着テープに炭素薄膜の付着が認められ、アルミニウム基材上の炭素薄膜にムラが生じた。
×：粘着テープへの炭素薄膜の付着量が多く、炭素薄膜が取り去られた部分はアルミニウム基材をはっきりと視認できる。
【００６２】
表１に、下地層形成工程および炭素薄膜形成工程の概要、下地層および炭素薄膜の厚さ、試験結果を示す。なお、比較例１〜３は上述した拭取り試験およびテープ剥離試験によりアルミニウム基材上に付着させた炭素の多くが除去される状態であり、実施例における炭素薄膜の付着状態とは明らかな差がある。このため、比較例１〜３の炭素薄膜の厚さは記載していない。
【００６３】
【表１】
【００６４】
表１の試験結果により、下地層として鉄、ニッケル、コバルトのうちのいずれかの金属を含む化成皮膜を形成することにより、アルミニウム基材に対する炭素薄膜の高い密着性が得られることを確認した。また、下地層に鉄を含有する場合に特に高い密着性が得られることも確認した。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法は、アルミニウム製電極用基材やアルミニウム製摺動部材の製造に利用できる。
【符号の説明】
【００６６】
1…アルミニウム基材
2…下地層
3…炭素薄膜
10…炭素薄膜付アルミニウム材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム基材を、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、該アルミニウム基材の表面に前記金属を含む化成皮膜からなる下地層を形成する下地層形成工程と、
前記工程により下地層を形成したアルミニウム基材を炭化水素ガスが存在する雰囲気中で４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満に加熱し、下地層上に炭素薄膜を形成する炭素薄膜形成工程、
とを含むことを特徴とする炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項２】
前記処理液および化成皮膜に含まれる金属が鉄である請求項１に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項３】
前記炭素薄膜形成工程における加熱雰囲気は不活性ガスによって希釈された炭化水素ガスである請求項１または２に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項４】
前記炭素薄膜形成工程における炭化水素ガスがアセチレンである請求項１〜３に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項５】
前記炭素薄膜形成工程における炭化水素ガスがアセチレンであり、不活性ガスによって希釈された加熱雰囲気中のアセチレン濃度は０．０１〜１ｖｏｌ％である請求項３に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項６】
アルミニウム基材の表面に、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む化成皮膜を介して炭素薄膜が積層されてなることを特徴とする電極用基材。
【請求項１】
アルミニウム基材を、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、該アルミニウム基材の表面に前記金属を含む化成皮膜からなる下地層を形成する下地層形成工程と、
前記工程により下地層を形成したアルミニウム基材を炭化水素ガスが存在する雰囲気中で４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満に加熱し、下地層上に炭素薄膜を形成する炭素薄膜形成工程、
とを含むことを特徴とする炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項２】
前記処理液および化成皮膜に含まれる金属が鉄である請求項１に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項３】
前記炭素薄膜形成工程における加熱雰囲気は不活性ガスによって希釈された炭化水素ガスである請求項１または２に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項４】
前記炭素薄膜形成工程における炭化水素ガスがアセチレンである請求項１〜３に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項５】
前記炭素薄膜形成工程における炭化水素ガスがアセチレンであり、不活性ガスによって希釈された加熱雰囲気中のアセチレン濃度は０．０１〜１ｖｏｌ％である請求項３に記載の炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法。
【請求項６】
アルミニウム基材の表面に、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む化成皮膜を介して炭素薄膜が積層されてなることを特徴とする電極用基材。
【図１】
【公開番号】特開２０１１−２１９８１０（Ｐ２０１１−２１９８１０Ａ）
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８９５０７（Ｐ２０１０−８９５０７）
【出願日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]