照明方法及び発光装置
【課題】細かな作業をするような場合も含め５０００ｌｘ程度以下、あるいは一般的には１５００ｌｘ程度以下である室内照度環境下において、人間の知覚する色の見えが、様々な演色評価指標（ｃｏｌｏｒ ｒｅｎｄｉｔｉｏｎ ｍｅｔｒｉｃ）のスコアによらず、屋外の高照度環境下で見たような、自然で、生き生きとした、視認性の高い、快適な、色の見え、物体の見えを実現できる照明方法及び発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光装置から出射される光が対象物を照明した際に、対象物の位置で測定した光が特定の要件を満たすように照明する。発光装置から主たる放射方向へ出射される光が特定の要件を満たすことを特徴とする発光装置とする。
【解決手段】発光装置から出射される光が対象物を照明した際に、対象物の位置で測定した光が特定の要件を満たすように照明する。発光装置から主たる放射方向へ出射される光が特定の要件を満たすことを特徴とする発光装置とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明対象物を準備する照明対象物準備工程、および、発光要素である半導体発光素子を含む発光装置から出射される光により対象物を照明する照明工程、を含む照明方法であって、
前記照明工程において、前記発光装置から出射される光が対象物を照明した際に、前記対象物の位置で測定した光が以下の（１）、（２）及び（３）を満たすように照明することを特徴とする照明方法。
（１）前記対象物の位置で測定した光のＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが、−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０である。
（２）前記対象物の位置で測定した光による照明を数学的に仮定した場合の＃０１から＃１５の下記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎＳＳＬ、ｂ＊ｎＳＳＬ（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
前記対象物の位置で測定した光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光による照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎｒｅｆ、ｂ＊ｎｒｅｆ（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、飽和度差ΔＣｎが
−３．８ ≦ ΔＣｎ ≦ １８．６ （ｎは１から１５の自然数）
を満たし、
下記式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）を満たし、
【数１】
（１）
【数２】
（２）
かつ、飽和度差の最大値をΔＣｍａｘ、飽和度差の最小値をΔＣｍｉｎとした場合に、飽和度差の最大値と、飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
２．８ ≦ （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ） ≦ １９．６
を満たす。
ただし、ΔＣｎ＝√｛（ａ＊ｎＳＳＬ）２＋（ｂ＊ｎＳＳＬ）２｝−√｛（ａ＊ｎｒｅｆ）２＋（ｂ＊ｎｒｅｆ）２｝とする。
１５種類の修正マンセル色票
＃０１ ７．５ Ｐ ４ ／１０
＃０２ １０ ＰＢ ４ ／１０
＃０３ ５ ＰＢ ４ ／１２
＃０４ ７．５ Ｂ ５ ／１０
＃０５ １０ ＢＧ ６ ／ ８
＃０６ ２．５ ＢＧ ６ ／１０
＃０７ ２．５ Ｇ ６ ／１２
＃０８ ７．５ ＧＹ ７ ／１０
＃０９ ２．５ ＧＹ ８ ／１０
＃１０ ５ Ｙ ８．５／１２
＃１１ １０ ＹＲ ７ ／１２
＃１２ ５ ＹＲ ７ ／１２
＃１３ １０ Ｒ ６ ／１２
＃１４ ５ Ｒ ４ ／１４
＃１５ ７．５ ＲＰ ４ ／１２
（３）前記対象物の位置で測定した光による照明を数学的に仮定した場合の上記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎＳＳＬ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
前記対象物の位置で測定した光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光による照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎｒｅｆ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０ ≦ ｜Δｈｎ｜ ≦ ９．０（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たす。
ただし、Δｈｎ＝θｎＳＳＬ−θｎｒｅｆとする。
【請求項２】
請求項１に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記対象物の位置で測定した光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記対象物の位置で測定した光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在し、
前記対象物の位置で測定した光の下記数式（３）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０を満たすことを特徴とする照明方法。
【数３】
（３）
【請求項３】
請求項１に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記対象物の位置で測定した光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記対象物の位置で測定した光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在せず、
前記対象物の位置で測定した光の下記数式（４）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０を満たすことを特徴とする照明方法。
【数４】
（４）
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光の分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
１８０（ｌｍ／Ｗ） ≦ Ｋ（ｌｍ／Ｗ） ≦ ３２０（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０．００３ ≦ ｜Δｈｎ｜ ≦ ８．３（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記一般式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）´
を満たすことを特徴とする照明方法。
【数５】
（２）´
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記飽和度差ΔＣｎが
−３．４ ≦ ΔＣｎ ≦ １６．８ （ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記飽和度差の最大値と、前記飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
３．２ ≦ （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ） ≦ １７．８
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光は、黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが
−０．０２５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．０１００
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項１０】
請求項２または請求項３に記載の照明方法であって、前記数式（３）または（４）で表される指標Ａｃｇが
−３２２ ≦ Ａｃｇ ≦ −１２
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
２０６（ｌｍ／Ｗ） ≦ Ｋ（ｌｍ／Ｗ） ≦ ２８８（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記対象物の位置で測定した光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）が
２５５０（Ｋ） ≦ ＴＳＳＬ（Ｋ） ≦ ５６５０（Ｋ）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記対象物を照明する照度が１５０ｌｘ以上５０００ｌｘ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記発光装置は、前記半導体発光素子が出射する光を含めて１種類以上６種類以下の発光要素から出射される光を発することを特徴とする照明方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であることを特徴とする照明方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４２０ｎｍ以上４５５ｎｍ未満であることを特徴とする照明方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の照明方法であって、当該半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４５５ｎｍ以上４８５ｎｍ未満であることを特徴とする照明方法。
【請求項１９】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項２０】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、ＧａＮ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板からなる群から選択されるいずれかの基板上で作成されたことを特徴とする照明方法。
【請求項２２】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子はＧａＮ基板、またはＧａＰ基板上で作成され、かつ前記基板の厚みが１００μｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項２３】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、またはＧａＡｓ基板上で作成され、かつ半導体発光素子は基板から剥離されてなることを特徴とする照明方法。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれか１項に記載の照明方法であって、発光要素として蛍光体を備えることを特徴とする照明方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、発光スペクトルの異なる蛍光体を１種類以上５種類以下含むことを特徴とする照明方法。
【請求項２６】
請求項２４または請求項２５に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上９０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする照明方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の照明方法であって、前記蛍光体が下記一般式（５）で表される蛍光体、下記一般式（５）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、および（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする照明方法。
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｍｎ，Ｅｕ （５）
ＳｒａＢａｂＥｕｘ（ＰＯ４）ｃＸｄ （５）´
（一般式（５）´において、ＸはＣｌである。また、ｃ、ｄ及びｘは、２．７≦ｃ≦３．３、０．９≦ｄ≦１．１、０．３≦ｘ≦１．２を満足する数である。さらに、ａ及びｂは、ａ+ｂ＝５−ｘかつ０≦ｂ／（ａ＋ｂ）≦０．６の条件を満足する。）
【請求項２８】
請求項２４または請求項２５に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする照明方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の照明方法であって、前記蛍光体がＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（ただし０＜ｚ＜４．２）、下記一般式（６）で表される蛍光体、下記一般式（６）´で表される蛍光体、およびＳｒＧａＳ４：Ｅｕ２＋からなる群から選択される１種以上
を含むことを特徴とする照明方法。
（ＢａａＣａｂＳｒｃＭｇｄＥｕｘ）ＳｉＯ４ （６）
（一般式（６）においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｘ＝２、１．０ ≦ ａ ≦ ２．０、０ ≦ ｂ ＜ ０．２、０．２ ≦ ｃ ≦ ０．８、０ ≦ ｄ ＜ ０．２
および０ ＜ ｘ ≦ ０．５を満たす。）
Ｂａ１−ｘ−ｙ ＳｒｘＥｕｙ Ｍｇ１−ｚ Ｍｎｚ Ａｌ１０Ｏ１７ （６）´
（一般式（６）´においてｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．４、０．２５≦ｙ≦０．６及び０．０５≦ｚ≦０．５を満たす。）
【請求項３０】
請求項２４または請求項２５に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする照明方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の照明方法であって、前記蛍光体が下記一般式（７）で表される蛍光体、下記一般式（７）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＡｌｘＳｉ５−ｘＯｘＮ８−ｘ：Ｅｕ（ただし０≦ｘ≦２）、Ｅｕｙ（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）１−ｙ：Ａｌ１＋ｘＳｉ４−ｘＯｘＮ７−ｘ（ただし０≦ｘ＜４、０≦ｙ＜０．２）、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ａ２＋ｘＭｙＭｎｚＦｎ（ＡはＮａおよび／またはＫ；ＭはＳｉおよびＡｌ；−１≦ｘ≦１かつ０．９≦ｙ＋ｚ≦１．１かつ０．００１≦ｚ≦０．４かつ５≦ｎ≦７）、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕおよび／または（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、並びに（ＣａＡｌＳｉＮ３）１−ｘ（Ｓｉ２Ｎ２Ｏ）ｘ：Ｅｕ（ただし、ｘは０＜ｘ＜０．５）からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする照明方法。
（Ｌａ１−ｘ−ｙ，Ｅｕｘ，Ｌｎｙ）２Ｏ２Ｓ （７）
（一般式（７）において、ｘ及びｙはそれぞれ０．０２≦ｘ≦０．５０及び０≦ｙ≦０．５０を満たす数を表し、ＬｎはＹ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｍ及びＥｒの少なくとも１種の３価希土類元素を表す。）
（ｋ-ｘ）ＭｇＯ・ｘＡＦ２・ＧｅＯ２：ｙＭｎ４＋ （７）´
（一般式（７）´において、ｋ、ｘ、ｙは、各々、２．８≦ｋ≦５、０．１≦ｘ≦０．７、０．００５≦ｙ≦０．０１５を満たす数を表し、Ａはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはこれらの混合物である。）
【請求項３２】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＢＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする照明方法。
【請求項３３】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする照明方法。
【請求項３４】
請求項１〜３３のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記発光装置はパッケージ化ＬＥＤ、ＬＥＤモジュール、ＬＥＤ照明器具、およびＬＥＤ照明システムからなる群から選択されるいずれかであることを特徴とする照明方法。
【請求項３５】
家庭用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項３６】
展示用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項３７】
演出用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項３８】
医療用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項３９】
作業用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４０】
工業機器内用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４１】
交通機関内装用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４２】
美術品用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４３】
高齢者用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４４】
少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置であって、
前記発光装置から出射される光は、ＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが、−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０となる光を主たる放射方向に含み、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在し、
下記数式（３）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０を満たすことを特徴とする発光装置。
【数６】
（３）
【請求項４５】
少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置であって、
前記発光装置から出射される光は、ＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが、−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０となる光を主たる放射方向に含み、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在せず、
下記数式（４）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０を満たすことを特徴とする発光装置。
【数７】
（４）
【請求項４６】
請求項４４または４５に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光が以下の（１）及び（２）を満たすことを特徴とする発光装置。
（１）前記発光装置から当該放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の＃０１から＃１５の下記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎＳＳＬ、ｂ＊ｎＳＳＬ（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
当該放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６
Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎｒｅｆ、ｂ＊ｎｒｅｆ（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、飽和度差ΔＣｎが
−３．８ ≦ ΔＣｎ ≦ １８．６ （ｎは１から１５の自然数）
を満たし、下記式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）を満たし、
【数８】
（１）
【数９】
（２）
かつ飽和度差の最大値をΔＣｍａｘ、飽和度差の最小値をΔＣｍｉｎとした場合に、飽和度差の最大値と、飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
２．８ ≦ （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ） ≦ １９．６
を満たす。
ただし、ΔＣｎ＝√｛（ａ＊ｎＳＳＬ）２＋（ｂ＊ｎＳＳＬ）２｝−√｛（ａ＊ｎｒｅｆ）２＋（ｂ＊ｎｒｅｆ）２｝とする。
１５種類の修正マンセル色票
＃０１ ７．５ Ｐ ４ ／１０
＃０２ １０ ＰＢ ４ ／１０
＃０３ ５ ＰＢ ４ ／１２
＃０４ ７．５ Ｂ ５ ／１０
＃０５ １０ ＢＧ ６ ／ ８
＃０６ ２．５ ＢＧ ６ ／１０
＃０７ ２．５ Ｇ ６ ／１２
＃０８ ７．５ ＧＹ ７ ／１０
＃０９ ２．５ ＧＹ ８ ／１０
＃１０ ５ Ｙ ８．５／１２
＃１１ １０ ＹＲ ７ ／１２
＃１２ ５ ＹＲ ７ ／１２
＃１３ １０ Ｒ ６ ／１２
＃１４ ５ Ｒ ４ ／１４
＃１５ ７．５ ＲＰ ４ ／１２
（２）前記発光装置から当該放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の上記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎＳＳＬ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
当該放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６
Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎｒｅｆ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０ ≦ ｜Δｈｎ｜ ≦ ９．０（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たす。
ただし、Δｈｎ＝θｎＳＳＬ−θｎｒｅｆとする。
【請求項４７】
請求項４４〜４６のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
１８０（ｌｍ／Ｗ） ≦ Ｋ（ｌｍ／Ｗ） ≦ ３２０（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項４８】
請求項４６に記載の発光装置であって、前記色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０．００３ ≦ ｜Δｈｎ｜ ≦ ８．３（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項４９】
請求項４６に記載の発光装置であって、前記一般式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）´
を満たすことを特徴とする発光装置。
【数１０】
（２）´
【請求項５０】
請求項４６に記載の発光装置であって、前記飽和度差ΔＣｎが
−３．４ ≦ ΔＣｎ ≦ １６．８ （ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５１】
請求項４６に記載の発光装置であって、前記飽和度差の最大値と、前記飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
３．２ ≦ （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ） ≦ １７．８
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５２】
請求項４４〜５１のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが
−０．０２５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．０１００
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５３】
請求項４４〜５２のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記数式（３）または（４）で表される指標Ａｃｇが
−３２２ ≦ Ａｃｇ ≦ −１２
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５４】
請求項４４〜５３のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が、
２０６（ｌｍ／Ｗ） ≦ Ｋ（ｌｍ／Ｗ） ≦ ２８８（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５５】
請求項４４〜５４のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）が
２５５０（Ｋ） ≦ ＴＳＳＬ（Ｋ） ≦ ５６５０（Ｋ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５６】
請求項４４〜５５のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記発光装置から当該放
射方向に出射される光が対象物を照明する照度が１５０ｌｘ以上５０００ｌｘ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項５７】
請求項４４〜５６のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記発光装置は、前記半導体発光素子が出射する光を含めて１種類以上６種類以下の発光要素から出射される光を当該放射方向に発することを特徴とする発光装置。
【請求項５８】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項５９】
請求項５８に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項６０】
請求項５８に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４２０ｎｍ以上４５５ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項６１】
請求項５８に記載の発光装置であって、当該半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４５５ｎｍ以上４８５ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項６２】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６３】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６４】
請求項４４〜６３のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、ＧａＮ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板からなる群から選択されるいずれかの基板上で作成されたことを特徴とする発光装置。
【請求項６５】
請求項４４〜６３のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子はＧａＮ基板、またはＧａＰ基板上で作成され、かつ前記基板の厚みが１００μｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６６】
請求項４４〜６３のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、またはＧａＡｓ基板上で作成され、かつ半導体発光素子は基板から剥離されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項６７】
請求項４４〜６６のいずれか１項に記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項６８】
請求項６７に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、発光スペクトルの異なる蛍光体を１種類以上５種類以下含むことを特徴とする発光装置。
【請求項６９】
請求項６７または請求項６８に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上９０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７０】
請求項６９に記載の発光装置であって、前記蛍光体が下記一般式（５）で表される蛍光体、下記一般式（５）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、および（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする発光装置。
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｍｎ，Ｅｕ （５）
ＳｒａＢａｂＥｕｘ（ＰＯ４）ｃＸｄ （５）´
（一般式（５）´において、ＸはＣｌである。また、ｃ、ｄ及びｘは、２．７≦ｃ≦３．３、０．９≦ｄ≦１．１、０．３≦ｘ≦１．２を満足する数である。さらに、ａ及びｂは、ａ+ｂ＝５−ｘかつ０≦ｂ／（ａ＋ｂ）≦０．６の条件を満足する。）
【請求項７１】
請求項６７または請求項６８に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７２】
請求項７１に記載の発光装置であって、前記蛍光体がＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（ただし０＜ｚ＜４．２）、下記一般式（６）で表される蛍光体、下記一般式（６）´で表される蛍光体、およびＳｒＧａＳ４：Ｅｕ２＋からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする発光装置。
（ＢａａＣａｂＳｒｃＭｇｄＥｕｘ）ＳｉＯ４ （６）
（一般式（６）においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｘ＝２、１．０ ≦ ａ ≦ ２．０、０ ≦ ｂ ＜ ０．２、０．２ ≦ ｃ ≦ ０．８、０ ≦ ｄ ＜ ０．２
および０ ＜ ｘ ≦ ０．５を満たす。）
Ｂａ１−ｘ−ｙ ＳｒｘＥｕｙ Ｍｇ１−ｚ Ｍｎｚ Ａｌ１０Ｏ１７ （６）´
（一般式（６）´においてｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．４、０．２５≦ｙ≦０．６及び０．０５≦ｚ≦０．５を満たす。）
【請求項７３】
請求項６７または請求項６８に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７４】
請求項７３に記載の発光装置であって、前記蛍光体が下記一般式（７）で表される蛍光体、下記一般式（７）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＡｌｘＳｉ５−ｘＯｘＮ８−ｘ：Ｅｕ（ただし０≦ｘ≦２）、Ｅｕｙ（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）１−ｙ：Ａｌ１＋ｘＳｉ４−ｘＯｘＮ７−ｘ（ただし０≦ｘ＜４、０≦ｙ＜０．２）、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ａ２＋ｘＭｙＭｎｚＦｎ（ＡはＮａおよび／またはＫ；ＭはＳｉおよびＡｌ；−１≦ｘ≦１かつ０．９≦ｙ＋ｚ≦１．１かつ０．００１≦ｚ≦０．４かつ５≦ｎ≦７）、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕおよび／または（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、並びに（ＣａＡｌＳｉＮ３）１−ｘ（Ｓｉ２Ｎ２Ｏ）ｘ：Ｅｕ（ただし、ｘは０＜ｘ＜０．５）からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする発光装置。
（Ｌａ１−ｘ−ｙ，Ｅｕｘ，Ｌｎｙ）２Ｏ２Ｓ （７）
（一般式（７）において、ｘ及びｙはそれぞれ０．０２≦ｘ≦０．５０及び０≦ｙ≦０．５０を満たす数を表し、ＬｎはＹ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｍ及びＥｒの少なくとも１種の３価希土類元素を表す。）
（ｋ-ｘ）ＭｇＯ・ｘＡＦ２・ＧｅＯ２：ｙＭｎ４＋ （７）´
（一般式（７）´において、ｋ、ｘ、ｙは、各々、２．８≦ｋ≦５、０．１≦ｘ≦０．７、０．００５≦ｙ≦０．０１５を満たす数を表し、Ａはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチ
ウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはこれらの混合物である。）
【請求項７５】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＢＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７６】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７７】
請求項４４〜７６のいずれか１項に記載の発光装置であって、パッケージ化ＬＥＤ、ＬＥＤモジュール、ＬＥＤ照明器具、およびＬＥＤ照明システムからなる群から選択されるいずれかであることを特徴とする発光装置。
【請求項７８】
家庭用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７９】
展示物用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８０】
演出用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８１】
医療用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８２】
作業用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８３】
工業機器内用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８４】
交通機関内装用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８５】
美術品用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８６】
高齢者用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８７】
少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置の設計方法であって、
前記発光装置から出射される光が、ＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０である光を、主たる放射方向に含むようにし、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分
光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在する場合において、
下記数式（３）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０となるように調整することを特徴とする発光装置の設計方法。
【数１１】
（３）
【請求項８８】
少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置の設計方法であって、
前記発光装置から出射される光が、ＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０である光を、主たる放射方向に含むようにし、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在しない場合において、
下記数式（４）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０となるように調整することを特徴とする発光装置の設計方法。
【数１２】
（４）
【請求項１】
照明対象物を準備する照明対象物準備工程、および、発光要素である半導体発光素子を含む発光装置から出射される光により対象物を照明する照明工程、を含む照明方法であって、
前記照明工程において、前記発光装置から出射される光が対象物を照明した際に、前記対象物の位置で測定した光が以下の（１）、（２）及び（３）を満たすように照明することを特徴とする照明方法。
（１）前記対象物の位置で測定した光のＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが、−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０である。
（２）前記対象物の位置で測定した光による照明を数学的に仮定した場合の＃０１から＃１５の下記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎＳＳＬ、ｂ＊ｎＳＳＬ（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
前記対象物の位置で測定した光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光による照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎｒｅｆ、ｂ＊ｎｒｅｆ（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、飽和度差ΔＣｎが
−３．８ ≦ ΔＣｎ ≦ １８．６ （ｎは１から１５の自然数）
を満たし、
下記式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）を満たし、
【数１】
（１）
【数２】
（２）
かつ、飽和度差の最大値をΔＣｍａｘ、飽和度差の最小値をΔＣｍｉｎとした場合に、飽和度差の最大値と、飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
２．８ ≦ （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ） ≦ １９．６
を満たす。
ただし、ΔＣｎ＝√｛（ａ＊ｎＳＳＬ）２＋（ｂ＊ｎＳＳＬ）２｝−√｛（ａ＊ｎｒｅｆ）２＋（ｂ＊ｎｒｅｆ）２｝とする。
１５種類の修正マンセル色票
＃０１ ７．５ Ｐ ４ ／１０
＃０２ １０ ＰＢ ４ ／１０
＃０３ ５ ＰＢ ４ ／１２
＃０４ ７．５ Ｂ ５ ／１０
＃０５ １０ ＢＧ ６ ／ ８
＃０６ ２．５ ＢＧ ６ ／１０
＃０７ ２．５ Ｇ ６ ／１２
＃０８ ７．５ ＧＹ ７ ／１０
＃０９ ２．５ ＧＹ ８ ／１０
＃１０ ５ Ｙ ８．５／１２
＃１１ １０ ＹＲ ７ ／１２
＃１２ ５ ＹＲ ７ ／１２
＃１３ １０ Ｒ ６ ／１２
＃１４ ５ Ｒ ４ ／１４
＃１５ ７．５ ＲＰ ４ ／１２
（３）前記対象物の位置で測定した光による照明を数学的に仮定した場合の上記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎＳＳＬ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
前記対象物の位置で測定した光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光による照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎｒｅｆ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０ ≦ ｜Δｈｎ｜ ≦ ９．０（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たす。
ただし、Δｈｎ＝θｎＳＳＬ−θｎｒｅｆとする。
【請求項２】
請求項１に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記対象物の位置で測定した光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記対象物の位置で測定した光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在し、
前記対象物の位置で測定した光の下記数式（３）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０を満たすことを特徴とする照明方法。
【数３】
（３）
【請求項３】
請求項１に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記対象物の位置で測定した光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記対象物の位置で測定した光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在せず、
前記対象物の位置で測定した光の下記数式（４）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０を満たすことを特徴とする照明方法。
【数４】
（４）
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光の分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
１８０（ｌｍ／Ｗ） ≦ Ｋ（ｌｍ／Ｗ） ≦ ３２０（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０．００３ ≦ ｜Δｈｎ｜ ≦ ８．３（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記一般式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）´
を満たすことを特徴とする照明方法。
【数５】
（２）´
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記飽和度差ΔＣｎが
−３．４ ≦ ΔＣｎ ≦ １６．８ （ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記飽和度差の最大値と、前記飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
３．２ ≦ （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ） ≦ １７．８
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光は、黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが
−０．０２５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．０１００
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項１０】
請求項２または請求項３に記載の照明方法であって、前記数式（３）または（４）で表される指標Ａｃｇが
−３２２ ≦ Ａｃｇ ≦ −１２
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
２０６（ｌｍ／Ｗ） ≦ Ｋ（ｌｍ／Ｗ） ≦ ２８８（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記対象物の位置で測定した光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）が
２５５０（Ｋ） ≦ ＴＳＳＬ（Ｋ） ≦ ５６５０（Ｋ）
を満たすことを特徴とする照明方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記対象物を照明する照度が１５０ｌｘ以上５０００ｌｘ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記発光装置は、前記半導体発光素子が出射する光を含めて１種類以上６種類以下の発光要素から出射される光を発することを特徴とする照明方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であることを特徴とする照明方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４２０ｎｍ以上４５５ｎｍ未満であることを特徴とする照明方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の照明方法であって、当該半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４５５ｎｍ以上４８５ｎｍ未満であることを特徴とする照明方法。
【請求項１９】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項２０】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、ＧａＮ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板からなる群から選択されるいずれかの基板上で作成されたことを特徴とする照明方法。
【請求項２２】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子はＧａＮ基板、またはＧａＰ基板上で作成され、かつ前記基板の厚みが１００μｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴とする照明方法。
【請求項２３】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、またはＧａＡｓ基板上で作成され、かつ半導体発光素子は基板から剥離されてなることを特徴とする照明方法。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれか１項に記載の照明方法であって、発光要素として蛍光体を備えることを特徴とする照明方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、発光スペクトルの異なる蛍光体を１種類以上５種類以下含むことを特徴とする照明方法。
【請求項２６】
請求項２４または請求項２５に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上９０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする照明方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の照明方法であって、前記蛍光体が下記一般式（５）で表される蛍光体、下記一般式（５）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、および（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする照明方法。
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｍｎ，Ｅｕ （５）
ＳｒａＢａｂＥｕｘ（ＰＯ４）ｃＸｄ （５）´
（一般式（５）´において、ＸはＣｌである。また、ｃ、ｄ及びｘは、２．７≦ｃ≦３．３、０．９≦ｄ≦１．１、０．３≦ｘ≦１．２を満足する数である。さらに、ａ及びｂは、ａ+ｂ＝５−ｘかつ０≦ｂ／（ａ＋ｂ）≦０．６の条件を満足する。）
【請求項２８】
請求項２４または請求項２５に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする照明方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の照明方法であって、前記蛍光体がＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（ただし０＜ｚ＜４．２）、下記一般式（６）で表される蛍光体、下記一般式（６）´で表される蛍光体、およびＳｒＧａＳ４：Ｅｕ２＋からなる群から選択される１種以上
を含むことを特徴とする照明方法。
（ＢａａＣａｂＳｒｃＭｇｄＥｕｘ）ＳｉＯ４ （６）
（一般式（６）においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｘ＝２、１．０ ≦ ａ ≦ ２．０、０ ≦ ｂ ＜ ０．２、０．２ ≦ ｃ ≦ ０．８、０ ≦ ｄ ＜ ０．２
および０ ＜ ｘ ≦ ０．５を満たす。）
Ｂａ１−ｘ−ｙ ＳｒｘＥｕｙ Ｍｇ１−ｚ Ｍｎｚ Ａｌ１０Ｏ１７ （６）´
（一般式（６）´においてｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．４、０．２５≦ｙ≦０．６及び０．０５≦ｚ≦０．５を満たす。）
【請求項３０】
請求項２４または請求項２５に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする照明方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の照明方法であって、前記蛍光体が下記一般式（７）で表される蛍光体、下記一般式（７）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＡｌｘＳｉ５−ｘＯｘＮ８−ｘ：Ｅｕ（ただし０≦ｘ≦２）、Ｅｕｙ（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）１−ｙ：Ａｌ１＋ｘＳｉ４−ｘＯｘＮ７−ｘ（ただし０≦ｘ＜４、０≦ｙ＜０．２）、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ａ２＋ｘＭｙＭｎｚＦｎ（ＡはＮａおよび／またはＫ；ＭはＳｉおよびＡｌ；−１≦ｘ≦１かつ０．９≦ｙ＋ｚ≦１．１かつ０．００１≦ｚ≦０．４かつ５≦ｎ≦７）、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕおよび／または（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、並びに（ＣａＡｌＳｉＮ３）１−ｘ（Ｓｉ２Ｎ２Ｏ）ｘ：Ｅｕ（ただし、ｘは０＜ｘ＜０．５）からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする照明方法。
（Ｌａ１−ｘ−ｙ，Ｅｕｘ，Ｌｎｙ）２Ｏ２Ｓ （７）
（一般式（７）において、ｘ及びｙはそれぞれ０．０２≦ｘ≦０．５０及び０≦ｙ≦０．５０を満たす数を表し、ＬｎはＹ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｍ及びＥｒの少なくとも１種の３価希土類元素を表す。）
（ｋ-ｘ）ＭｇＯ・ｘＡＦ２・ＧｅＯ２：ｙＭｎ４＋ （７）´
（一般式（７）´において、ｋ、ｘ、ｙは、各々、２．８≦ｋ≦５、０．１≦ｘ≦０．７、０．００５≦ｙ≦０．０１５を満たす数を表し、Ａはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはこれらの混合物である。）
【請求項３２】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＢＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする照明方法。
【請求項３３】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の照明方法であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする照明方法。
【請求項３４】
請求項１〜３３のいずれか１項に記載の照明方法であって、前記発光装置はパッケージ化ＬＥＤ、ＬＥＤモジュール、ＬＥＤ照明器具、およびＬＥＤ照明システムからなる群から選択されるいずれかであることを特徴とする照明方法。
【請求項３５】
家庭用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項３６】
展示用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項３７】
演出用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項３８】
医療用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項３９】
作業用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４０】
工業機器内用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４１】
交通機関内装用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４２】
美術品用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４３】
高齢者用に用いられる、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の照明方法。
【請求項４４】
少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置であって、
前記発光装置から出射される光は、ＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが、−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０となる光を主たる放射方向に含み、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在し、
下記数式（３）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０を満たすことを特徴とする発光装置。
【数６】
（３）
【請求項４５】
少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置であって、
前記発光装置から出射される光は、ＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが、−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０となる光を主たる放射方向に含み、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在せず、
下記数式（４）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０を満たすことを特徴とする発光装置。
【数７】
（４）
【請求項４６】
請求項４４または４５に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光が以下の（１）及び（２）を満たすことを特徴とする発光装置。
（１）前記発光装置から当該放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の＃０１から＃１５の下記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎＳＳＬ、ｂ＊ｎＳＳＬ（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
当該放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６
Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎｒｅｆ、ｂ＊ｎｒｅｆ（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、飽和度差ΔＣｎが
−３．８ ≦ ΔＣｎ ≦ １８．６ （ｎは１から１５の自然数）
を満たし、下記式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）を満たし、
【数８】
（１）
【数９】
（２）
かつ飽和度差の最大値をΔＣｍａｘ、飽和度差の最小値をΔＣｍｉｎとした場合に、飽和度差の最大値と、飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
２．８ ≦ （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ） ≦ １９．６
を満たす。
ただし、ΔＣｎ＝√｛（ａ＊ｎＳＳＬ）２＋（ｂ＊ｎＳＳＬ）２｝−√｛（ａ＊ｎｒｅｆ）２＋（ｂ＊ｎｒｅｆ）２｝とする。
１５種類の修正マンセル色票
＃０１ ７．５ Ｐ ４ ／１０
＃０２ １０ ＰＢ ４ ／１０
＃０３ ５ ＰＢ ４ ／１２
＃０４ ７．５ Ｂ ５ ／１０
＃０５ １０ ＢＧ ６ ／ ８
＃０６ ２．５ ＢＧ ６ ／１０
＃０７ ２．５ Ｇ ６ ／１２
＃０８ ７．５ ＧＹ ７ ／１０
＃０９ ２．５ ＧＹ ８ ／１０
＃１０ ５ Ｙ ８．５／１２
＃１１ １０ ＹＲ ７ ／１２
＃１２ ５ ＹＲ ７ ／１２
＃１３ １０ Ｒ ６ ／１２
＃１４ ５ Ｒ ４ ／１４
＃１５ ７．５ ＲＰ ４ ／１２
（２）前記発光装置から当該放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の上記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎＳＳＬ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
当該放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ １９７６
Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎｒｅｆ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０ ≦ ｜Δｈｎ｜ ≦ ９．０（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たす。
ただし、Δｈｎ＝θｎＳＳＬ−θｎｒｅｆとする。
【請求項４７】
請求項４４〜４６のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
１８０（ｌｍ／Ｗ） ≦ Ｋ（ｌｍ／Ｗ） ≦ ３２０（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項４８】
請求項４６に記載の発光装置であって、前記色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０．００３ ≦ ｜Δｈｎ｜ ≦ ８．３（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項４９】
請求項４６に記載の発光装置であって、前記一般式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）´
を満たすことを特徴とする発光装置。
【数１０】
（２）´
【請求項５０】
請求項４６に記載の発光装置であって、前記飽和度差ΔＣｎが
−３．４ ≦ ΔＣｎ ≦ １６．８ （ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５１】
請求項４６に記載の発光装置であって、前記飽和度差の最大値と、前記飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
３．２ ≦ （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ） ≦ １７．８
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５２】
請求項４４〜５１のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが
−０．０２５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．０１００
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５３】
請求項４４〜５２のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記数式（３）または（４）で表される指標Ａｃｇが
−３２２ ≦ Ａｃｇ ≦ −１２
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５４】
請求項４４〜５３のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が、
２０６（ｌｍ／Ｗ） ≦ Ｋ（ｌｍ／Ｗ） ≦ ２８８（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５５】
請求項４４〜５４のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）が
２５５０（Ｋ） ≦ ＴＳＳＬ（Ｋ） ≦ ５６５０（Ｋ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５６】
請求項４４〜５５のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記発光装置から当該放
射方向に出射される光が対象物を照明する照度が１５０ｌｘ以上５０００ｌｘ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項５７】
請求項４４〜５６のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記発光装置は、前記半導体発光素子が出射する光を含めて１種類以上６種類以下の発光要素から出射される光を当該放射方向に発することを特徴とする発光装置。
【請求項５８】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項５９】
請求項５８に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項６０】
請求項５８に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４２０ｎｍ以上４５５ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項６１】
請求項５８に記載の発光装置であって、当該半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４５５ｎｍ以上４８５ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項６２】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６３】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６４】
請求項４４〜６３のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、ＧａＮ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板からなる群から選択されるいずれかの基板上で作成されたことを特徴とする発光装置。
【請求項６５】
請求項４４〜６３のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子はＧａＮ基板、またはＧａＰ基板上で作成され、かつ前記基板の厚みが１００μｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６６】
請求項４４〜６３のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、またはＧａＡｓ基板上で作成され、かつ半導体発光素子は基板から剥離されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項６７】
請求項４４〜６６のいずれか１項に記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項６８】
請求項６７に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、発光スペクトルの異なる蛍光体を１種類以上５種類以下含むことを特徴とする発光装置。
【請求項６９】
請求項６７または請求項６８に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上９０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７０】
請求項６９に記載の発光装置であって、前記蛍光体が下記一般式（５）で表される蛍光体、下記一般式（５）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、および（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする発光装置。
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｍｎ，Ｅｕ （５）
ＳｒａＢａｂＥｕｘ（ＰＯ４）ｃＸｄ （５）´
（一般式（５）´において、ＸはＣｌである。また、ｃ、ｄ及びｘは、２．７≦ｃ≦３．３、０．９≦ｄ≦１．１、０．３≦ｘ≦１．２を満足する数である。さらに、ａ及びｂは、ａ+ｂ＝５−ｘかつ０≦ｂ／（ａ＋ｂ）≦０．６の条件を満足する。）
【請求項７１】
請求項６７または請求項６８に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７２】
請求項７１に記載の発光装置であって、前記蛍光体がＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（ただし０＜ｚ＜４．２）、下記一般式（６）で表される蛍光体、下記一般式（６）´で表される蛍光体、およびＳｒＧａＳ４：Ｅｕ２＋からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする発光装置。
（ＢａａＣａｂＳｒｃＭｇｄＥｕｘ）ＳｉＯ４ （６）
（一般式（６）においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｘ＝２、１．０ ≦ ａ ≦ ２．０、０ ≦ ｂ ＜ ０．２、０．２ ≦ ｃ ≦ ０．８、０ ≦ ｄ ＜ ０．２
および０ ＜ ｘ ≦ ０．５を満たす。）
Ｂａ１−ｘ−ｙ ＳｒｘＥｕｙ Ｍｇ１−ｚ Ｍｎｚ Ａｌ１０Ｏ１７ （６）´
（一般式（６）´においてｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．４、０．２５≦ｙ≦０．６及び０．０５≦ｚ≦０．５を満たす。）
【請求項７３】
請求項６７または請求項６８に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７４】
請求項７３に記載の発光装置であって、前記蛍光体が下記一般式（７）で表される蛍光体、下記一般式（７）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＡｌｘＳｉ５−ｘＯｘＮ８−ｘ：Ｅｕ（ただし０≦ｘ≦２）、Ｅｕｙ（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）１−ｙ：Ａｌ１＋ｘＳｉ４−ｘＯｘＮ７−ｘ（ただし０≦ｘ＜４、０≦ｙ＜０．２）、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ａ２＋ｘＭｙＭｎｚＦｎ（ＡはＮａおよび／またはＫ；ＭはＳｉおよびＡｌ；−１≦ｘ≦１かつ０．９≦ｙ＋ｚ≦１．１かつ０．００１≦ｚ≦０．４かつ５≦ｎ≦７）、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕおよび／または（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、並びに（ＣａＡｌＳｉＮ３）１−ｘ（Ｓｉ２Ｎ２Ｏ）ｘ：Ｅｕ（ただし、ｘは０＜ｘ＜０．５）からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする発光装置。
（Ｌａ１−ｘ−ｙ，Ｅｕｘ，Ｌｎｙ）２Ｏ２Ｓ （７）
（一般式（７）において、ｘ及びｙはそれぞれ０．０２≦ｘ≦０．５０及び０≦ｙ≦０．５０を満たす数を表し、ＬｎはＹ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｍ及びＥｒの少なくとも１種の３価希土類元素を表す。）
（ｋ-ｘ）ＭｇＯ・ｘＡＦ２・ＧｅＯ２：ｙＭｎ４＋ （７）´
（一般式（７）´において、ｋ、ｘ、ｙは、各々、２．８≦ｋ≦５、０．１≦ｘ≦０．７、０．００５≦ｙ≦０．０１５を満たす数を表し、Ａはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチ
ウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはこれらの混合物である。）
【請求項７５】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＢＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７６】
請求項４４〜５７のいずれか１項に記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７７】
請求項４４〜７６のいずれか１項に記載の発光装置であって、パッケージ化ＬＥＤ、ＬＥＤモジュール、ＬＥＤ照明器具、およびＬＥＤ照明システムからなる群から選択されるいずれかであることを特徴とする発光装置。
【請求項７８】
家庭用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７９】
展示物用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８０】
演出用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８１】
医療用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８２】
作業用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８３】
工業機器内用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８４】
交通機関内装用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８５】
美術品用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８６】
高齢者用照明装置として用いられる、請求項４４〜７７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８７】
少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置の設計方法であって、
前記発光装置から出射される光が、ＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０である光を、主たる放射方向に含むようにし、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分
光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在する場合において、
下記数式（３）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０となるように調整することを特徴とする発光装置の設計方法。
【数１１】
（３）
【請求項８８】
少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置の設計方法であって、
前記発光装置から出射される光が、ＡＮＳＩ Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが−０．０３５０ ≦ ＤｕｖＳＳＬ ≦ −０．００４０である光を、主たる放射方向に含むようにし、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在しない場合において、
下記数式（４）で表される指標Ａｃｇが、−３６０ ≦ Ａｃｇ ≦ −１０となるように調整することを特徴とする発光装置の設計方法。
【数１２】
（４）
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【公開番号】特開２０１３−９３３１１（Ｐ２０１３−９３３１１Ａ）
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１９１０２２（Ｐ２０１２−１９１０２２）
【出願日】平成２４年８月３１日（２０１２．８．３１）
【出願人】（０００００５９６８）三菱化学株式会社 (4,356)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月３１日（２０１２．８．３１）
【出願人】（０００００５９６８）三菱化学株式会社 (4,356)
【Ｆターム（参考）】
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