画像形成装置用像保持体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
【課題】繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を提供することにある。
【解決手段】支持体と、該支持体上に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【解決手段】支持体と、該支持体上に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置用像保持体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機光導電性化合物を主成分とする感光層を有する感光体は、従来用いられてきた無機光導電体（セレン、酸化亜鉛、硫化カドミウム又はシリコン等）を主成分として含有する感光体に比較して、製造が比較的容易であること、安価であること、取扱いが容易であること、熱安定性が優れていること等多くの利点を有し、盛んに研究がなされている。
【０００３】
特に、光導電体の電荷発生機能と電荷輸送機能とをそれぞれ別個の機能層に分担させ、前者の発生機能を有する材料を電荷発生層に、後者の輸送機能を有する材料を電荷輸送層にそれぞれ含有させる、積層タイプの機能分離型感光層を有する感光体がすでに実用化されている。
【０００４】
中でも、光導電性化合物として、その高い電荷移動度からテトラアリールベンジジン化合物が盛んに研究されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、及び特許文献５参照）。
【０００５】
また、チアゾール誘導体であるベンゾビスチアゾール化合物は、高い平面性による結晶性、その骨格の持つ酸素安定性により大気安定性を有していることが報告されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第４，０４７，９４８号明細書
【特許文献２】米国特許第４，２９９，８９７号明細書
【特許文献３】特開昭６１−１３２９５５号公報
【特許文献４】特開昭６２−２６７７４９号公報
【特許文献５】特開平３−１３８６５４号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２００７，１９，４４３８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
支持体と、該支持体上に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体である。
【００１０】
【化１】
【００１１】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００１２】
請求項２に係る発明は、
支持体と、該支持体上に下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体である。
【００１３】
【化２】
【００１４】
一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ１は、各々独立に、置換又は未置換の２価の炭化水素基を表し、Ａ１は下記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表し、Ｒ２は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数１以上６以下の１価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数２以上１０以下の１価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。ｍは各々独立に１以上５以下の整数を表し、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。
【００１５】
【化３】
【００１６】
一般式（ＩＩ−２）中、Ａｒは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００１７】
請求項３に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、および前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも１つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジである。
【００１８】
請求項４に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段と、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体が提供される。
請求項２に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体が提供される。
請求項３に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、画像形成装置で使用した際に、繰り返し使用による細線再現性に優れるプロセスカートリッジが提供される。
請求項４に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による細線再現性に優れる画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。
【図２】第２実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。
【図３】第３実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。
【図４】実施形態に係る画像形成装置の概略構成図である。
【図５】実施形態に係るプロセスカートリッジの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
本実施形態では、下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を、電荷輸送材料として用いることにより、画像形成装置用像保持体が提供される。すなわち、支持体（例えば導電性支持体）上に感光層が形成された画像形成装置用像保持体であって、当該感光層は下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有する。
なお、本実施形態における導電性支持体とは、ＪＩＳ Ｋ ７１９４「導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した、表面の体積抵抗率が１０７Ω・ｃｍ未満である支持体を指す。すなわち導電性支持体は、上記方法に基づき測定した体積抵抗率が１０７Ω・ｃｍ未満である導電性材料で形成された支持体ものであってもよく、基材表面に前記導電性材料で形成された導電層を有する支持体であってもよい。
【００２２】
該画像形成装置用像保持体における感光層は、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一層に含む単層型感光層、又は電荷発生材料を含む層と電荷輸送材料を含む層とが隣接するように別個に設けられている機能分離型感光層のいずれでもよく、電荷輸送材料として下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有させるものである。
【００２３】
また、電荷発生材料としては、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン又はヒドロキシガリウムフタロシアニン等の公知の電荷発生材料を用いうる。なお、該画像形成装置用像保持体は、最表面上（導電性支持体から最も離れた位置）に保護層を備えたものであってもよく、この場合における保護層は、電荷輸送性を有する架橋性シリコーン樹脂を含んでなることが好ましい。
【００２４】
（画像形成装置用像保持体）
本実施形態に係る画像形成装置用像保持体は、支持体上に、下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有する感光層が形成された画像形成装置用像保持体である。
【００２５】
＜一般式（Ｉ）で示される化合物＞
以下、下記一般式（Ｉ）で示される化合物について、詳細に説明する。
【００２６】
【化４】
【００２７】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００２８】
一般式（Ｉ）中のＲ１について説明する。
上記の通り、一般式（Ｉ）中のＲ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表す。
Ｒ１で表されるアルキル基は、各々独立に、炭素数１以上６以下であることが好ましく、炭素数１以上４以下であることがより好ましい。
Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状又は分岐状であり、結晶性維持および溶解性の観点からは、好ましくは直鎖状アルキル基である。
【００２９】
一般式（Ｉ）中において、Ｒ１で表されるアルキル基が置換基を有する場合、該置換基としては、アリール基又は複素環が挙げられる。
前記置換基としてのアリール基は、炭素数６以上２０以下のものが好ましく、例えば、フェニル基、トルイル基、又はナフチル基等が挙げられる。
前記置換基としての複素環とは、炭素と水素以外の元素を含む環を表す。複素環は、その環骨格を構成する原子数（Ｎｒ）が、５又は６であることが好ましい。環骨格を構成する炭素原子以外の原子（異種原子）の種類及び数は特に限定されないが、例えば、硫黄原子、窒素原子、酸素原子、セレン原子、珪素、リン原子等が好ましく用いられ、前記環骨格中には２種類以上の異種原子が含まれてもよく、また２個以上の異種原子が含まれてもよい。
【００３０】
５員の複素環としては、例えば、チオフェン、ピロール、フラン、イミダゾール、オキサゾール、セレノフェン、チアゾール、チアジアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、シロール、又は前記化合物の３位及び４位の炭素を窒素で置き換えた複素環が好ましく用いられる。５員の複素環を有する芳香族複素環としては、他に、ベンゾチオフェン、ベンズイミダゾール、インドールなどを含む。
６員の複素環としては、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジンが好ましく用いられる。
【００３１】
なお、前記置換基としての複素環は、該複素環に芳香環が置換しているものを包含し、また、芳香環に複素環が置換しているものも含まれる。
【００３２】
一般式（Ｉ）におけるＲ１で表されるアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基，プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、を挙げられ、メチル基、エチル基，プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、又はｎ−オクチル基であることが好ましく、メチル基、ブチル基がより好ましく、メチル基又はブチル基であることが製造容易性、結晶性維持の観点から更に好ましく、入手の容易性の観点からはメチル基が更に好ましい。
【００３３】
なお、Ｒ１は、置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基であり、この範囲内ではアルキル基の種類の違いによるイオン化ポテンシャルや電荷輸送性に与える影響は少ない。
また、一般式（Ｉ）中に複数存在するＲ１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【００３４】
一般式（Ｉ）中のＡｒについて説明する。
一般式（Ｉ）中、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表す。
【００３５】
ここで「多核芳香族炭化水素基」及び「縮合芳香族炭化水素基」は、炭素と水素から構成される芳香環及び後述する複素環からなる群より選ばれる２以上の環が存在する基であり、具体的には以下の通りである。
【００３６】
「多核芳香族炭化水素基」とは、炭素と水素から構成される芳香環及び後述する複素環からなる群より選ばれる２以上の環が存在し、環同士が炭素−炭素結合によって結合している炭化水素基を表す。具体的には、芳香環を構成する炭素同士が直接炭素−炭素結合によって結合している炭化水素基や、芳香環同士が炭素数１以上１８以下の炭素鎖（アルキル鎖又はアルキレン鎖）によって連結されている炭化水素基等が挙げられる。
多核芳香族炭化水素基としては、具体的には、例えば、ビフェニル、ターフェニル、スチルベン、トリフェニルエチレン等が挙げられる。そして、「多核芳香族炭化水素基」は、多核芳香族炭化水素基からなる置換基であり、例えばビフェニルからなる置換基、すなわちビフェニレン基等が挙げられる。
なお、上記多核芳香族炭化水素基を構成する環は、後述する縮合芳香族炭化水素基であってもよく、芳香族複素環であってもよい。多核芳香族炭化水素基を構成する縮合芳香族炭化水素基及び芳香族複素環の具体例としては、例えば後述する具体例の化合物と同様のものが挙げられる。
【００３７】
また、「縮合芳香族炭化水素基」とは、炭素と水素から構成される芳香環及び後述する複素環からなる群より選ばれる２以上の環が存在し、これらの環同士が隣接して結合する１対の炭素原子を共有している炭化水素基を表す。具体的には、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ペリレン、フルオレン等が挙げられる。そして、「縮合芳香族炭化水素基」は、縮合芳香族炭化水素基からなる置換基であり、例えばナフタレンからなる置換基、すなわちナフチル基等が挙げられる。
【００３８】
また、「芳香族複素環」は、炭素と水素以外の元素も含む芳香環を表す。そして、芳香族複素環基は、芳香族複素環からなる置換基である。
芳香族複素環の環骨格を構成する原子数（Ｎｒ）としては、例えば、Ｎｒ＝５、又はＮｒ＝６等が挙げられる。また、環骨格を構成する炭素原子以外の原子（異種原子）の種類及び数は限定されない。異種原子の種類としては、例えば、硫黄原子、窒素原子、酸素原子、せれん原子、珪素原子、りん原子等が挙げられる。また芳香族複素間は、環骨格中に２個以上の異種原子が含まれていてもよく、２種以上の異種原子が含まれていてもよい
【００３９】
特に、Ｎｒ＝５の環骨格構造（すなわち５員環構造）を有する複素環としては、例えば、チオフェン、チオフィン、ピロール、フラン、イミダゾール、オキサゾール、セレノフェン、チアゾール、チアジアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、シロール、又はこれらの３位及び４位の炭素をさらに窒素で置換した複素環等が挙げられる。また５員環構造を有する複素環としては、上記のほかに、ベンゾチオフェン、ベンズイミダゾール、インドール等も挙げられる。
またＮｒ＝６の環骨格構造（すなわち６員環構造）を有する複素環としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン等が挙げられる。
【００４０】
上記「置換若しくは未置換の１価の芳香族基」において、芳香族基を置換する置換基としては、例えば、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、その中でも特に、例えば水素原子、アルキル基、又はアルコキシ基等が挙げられる。
前記アルキル基としては、例えば炭素数１以上１０以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、例えば炭素数１以上１０以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。
前記アリール基としては、例えば炭素数６以上２０以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、フェニル基、トルイル基等が挙げられる。
前記アラルキル基としては、例えば炭素数７以上２０以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
置換アミノ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基が挙げられ、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基の具体例は前述の通りである。また置換アミノ基の具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。
【００４１】
上記一般式（Ｉ）中のＡｒとしては、上記の中でも、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の多核芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の縮合芳香族炭化水素基が好ましく、置換若しくは未置換のフェニル基、縮合芳香族炭化水素基及び芳香族複素環を含まない置換若しくは未置換の多核芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換縮合芳香族炭化水素基がより好ましく、置換若しくは未置換のフェニル基、芳香環を構成する炭素同士が直接炭素−炭素結合によって結合した置換若しくは未置換の多核芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の縮合芳香族炭化水素基がさらに好ましい。
また上記一般式（Ｉ）中のＡｒにおける芳香環数としては、樹脂との相溶性の観点から、１以上６以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２がさらに好ましい。すなわち、上記一般式（Ｉ）中のＡｒとしては、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のビフェニレン基、又は置換若しくは未置換のナフチル基がより好ましく、未置換のフェニル基、未置換のビフェニレン基、又は未置換のナフチル基がさらに好ましい。
【００４２】
一般式（Ｉ）中のｑ及びｎについて説明する。
一般式（Ｉ）中のｑは、０又は１である。一般式（Ｉ）中のｑが１である化合物は、一般式（Ｉ）中のｑが０である化合物に比べて電荷輸送性が高いが、化合物の安定性及び合成容易性の観点からはｑが０である方が望ましい。一般式（Ｉ）中のｑが０である化合物は、ｑが１である化合物に比べて、酸化されやすいチオフェン骨格を有していないため、化合物の安定性が良好であり、これを用いた画像形成用像保持体は、ｑが１である化合物を用いた場合に比べて耐久性が良好となる。
特に一般式（Ｉ）中のｑが０である化合物は、例えば、一般式（Ｉ）中のｑが１であり（すなわちチオフェン骨格を２つ有し）、かつ、ジベンゾチアゾール骨格を有さない化合物と比較すると、電荷輸送性と上記安定性との両方が良好となる。
【００４３】
一般式（Ｉ）中のｎは、各々独立に０以上７以下である。一般式（Ｉ）における２つのｎは、同一であってもよく、異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式（Ｉ）中のｎは、電荷輸送性の観点からは小さいほうが好ましいが、ｎが小さすぎるとカルボニル基の双極子モーメントの影響により電荷移動度が下がるため、１以上３以下が好ましく、１が最も好ましい。
【００４４】
前記一般式（Ｉ）で示される化合物は、ベンゾビスチアゾール骨格に、直接又はチオフェン骨格を介して、電子受容性の強いアミノ基を有している。このため、π共役の範囲が拡張されることにより電荷移動度の向上が促進されると共に、アモルファス性が向上して樹脂中への分散性が良好となるものと考えられる。
【００４５】
以下に、一般式（Ｉ）で表されるベンゾビスチアジアゾール化合物の具体例化合物１から３６（下記表における具体例化合物番号１から具体例化合物番号３６の化合物）を下記に示すが、これらに限定されるものではない。
なお、具体例化合物１から３６におけるＲ１、Ａｒ、ｑ、及びｎは、上記一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ａｒ、ｑ、及びｎを意味する。
【００４６】
【化５】
【００４７】
【化６】
【００４８】
【化７】
【００４９】
【化８】
【００５０】
＜一般式（Ｉ）で示される化合物の製造方法＞
以下、一般式（Ｉ）で示される化合物の製造方法について具体的に説明する。
本実施形態においては、例えば、下記一般式（ＩＩＩ）で示されるハロゲン化合物と下記一般式（ＩＶ）で示されるジアリールアミン化合物を銅触媒でカップリング反応を行うか、下記一般式（Ｖ−１）で示されるジアリールアミン化合物と下記一般式（ＶＩ−１）で示されるハロゲン化合物を銅触媒でカップリング反応を行うか、又は下記一般式（Ｖ−２）で示されるジアリールアミン化合物と下記一般式（ＶＩ−２）で示されるハロゲン化合物を銅触媒でカップリング反応を行うことにより、下記一般式（ＶＩＩ）で表されるトリアリールアミン誘導体が得られる。
【００５１】
次いでトリアリールアミン（ＶＩＩ）をオキシ塩化リンの存在下に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド等のホルミル化剤と反応させることで、トリアリールアミン誘導体のホルミル体（ＶＩＩＩ）が得られる。このトリアリールアミン誘導体のホルミル体（ＶＩＩＩ）とジアミノベンゾジチオールとを反応させることにより、ベンゾビスチアゾール化合物（ＩＸ）が得られる。
【００５２】
【化９】
【００５３】
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ１は一般式（Ｉ）中のＲ１と同様であり、Ｇは臭素原子又はヨウ素原子を示す。また、一般式（ＩＶ）中、Ａｒ１は一般式（Ｉ）中のＡｒと同様であり、Ａｒ２はフェニル基又はフェニルチオフェンを示す。
【化１０】
【００５４】
一般式（Ｖ−１）中、Ｒ１及びＡｒ１は前述と同様である。また一般式（ＶＩ−１）中、Ａｒ２及びＧは前述と同様である。
一般式（Ｖ−２）中、Ｒ１及びＡｒ２は前述と同様である。また一般式（ＶＩ−２）中、Ａｒ１及びＧは前述と同様である。
【００５５】
【化１１】
【００５６】
一般式（ＶＩＩ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＲ１は前述と同様である。
【００５７】
【化１２】
【００５８】
一般式（ＶＩＩＩ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＲ１は前述と同様である。
【００５９】
【化１３】
【００６０】
一般式（ＩＸ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＲ１は前述と同様である。
【００６１】
上記カップッリング反応は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１当量に対して、一般式（ＩＩＩ）、（ＶＩ−１）、又は（ＶＩ−２）で示されるハロゲン化合物を、例えば０．５当量以上１．５当量以下、好ましくは０．７当量以上１．２当量以下で用いられる。
上記カップリング反応に用いられる上記銅触媒としては、例えば、銅紛、酸化第一銅、硫酸銅等が挙げられる。また上記銅触媒は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１質量部に対して、例えば０．００１質量部以上３重量部以下、好ましくは０．０１質量部以上２質量部以下で用いられる。
【００６２】
上記カップリング反応においては塩基が用いられるが、用いる塩基の具体例としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。また上記塩基は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１当量に対して、例えば０．５当量以上３当量以下、好ましくは０．７当量以上２当量以下で用いられる。
【００６３】
上記反応においては、溶媒を用いてもよいし、溶媒を用いなくても良い。溶媒を用いる場合、用いられる溶媒としては、例えば、ｎ−トリデカン、テトラリン、ｐ−シメン、テルピノレン等の高沸点の非水溶性炭化水素系溶剤や、ｏ−ジクロロベンゼン、クロロベンゼン等の高沸点のハロゲン系溶剤等が挙げられる。上記溶媒は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１質量部に対して、例えば０．１質量部以上３質量部以下、好ましくは０．２質量部以上２質量部以下の範囲で使用される。
【００６４】
また、上記反応は、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下において、例えば１００℃以上３００℃以下、好ましくは１５０以上２７０℃以下、さらに好ましくは１８０℃以上２３０℃以下の温度範囲で、効率よく攪拌しながら行い、さらに反応中に生成する水を除去しながら反応させることが好ましい。
【００６５】
反応終了後には、必要に応じて冷却した後、例えばメタノール、エタノール、ｎ−オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、又はグリセリン等の溶剤、及び水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等の塩基を用いて、加水分解を行う。
上記加水分解における溶剤の使用量は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１質量部に対して、例えば０．５質量部以上１０質量部以下、好ましくは１質量部以上５質量部以下が挙げられる。また上記加水分解における塩基の使用量は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１質量部に対して、例えば０．２質量部以上５質量部以下、好ましくは０．３質量部以上３質量部以下が挙げられる。
【００６６】
また、上記加水分解反応は、上記カップリング反応を行った後、その反応溶液中に直接上記溶剤及び上記塩基を加え、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、５０℃以上かつ用いる溶剤の沸点以下の温度範囲において、攪拌しながら行う。
また、この場合、溶剤としては、カップリング反応でカルボン酸塩が生成して固化するため、反応温度を上げるためには、例えば、沸点が１５０℃以上ものを用いる。
【００６７】
加水分解反応の終了後、反応生成物を水に注入し、さらに塩酸等で中和することにより一般式（ＶＩＩ）で示されるトリアリールアミン化合物を遊離させる。この加水分解反応の後処理において、水に注入した後、さらに塩酸等で中和することにより一般式（ＶＩＩ）で示されるトリアリールアミン化合物を遊離させるためには、水溶性のエチレングリコール、プロピレングリコール、又はグリセリン等を添加することが特に好ましい。
【００６８】
次いで、洗浄し、必要に応じて、溶剤に溶解させた後、シリカゲル、アルミナ、活性白土、活性炭等でカラム精製を行なうか、又は溶液中にこれら吸着剤を添加して不要分を吸着させる等の処理を行う。さらにアセトン、エタノール、酢酸エチル、トルエン等の溶剤から再結晶を行うか、又はメチルエステル若しくはエチルエステル等にエステル化した後、同様の再結晶の操作を行ってもよい。
【００６９】
次いで、上記で得られた一般式（ＶＩＩ）で示されるトリアリールアミン化合物をオキシ塩化リンの存在下に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド等のホルミル化剤と反応させることで、トリアリールアミン誘導体のホルミル体（ＶＩＩＩ）が得られる。この場合、ホルミル化剤を過剰に用いることにより、ホルミル化剤が反応溶媒を兼ねてもよいが、溶媒としてｏ−ジクロロベンゼン、ベンゼン、塩化メチレン等の反応に不活性な溶媒を用いてもよい。反応温度としては、例えば、０度以上かつ用いる溶媒の沸点以下の範囲が挙げられ、好ましくは２７℃以上１５０℃以下である。
【００７０】
次に、一般式（ＸＩ）で示されるトリアリールアミン誘導体のホルミル体とジアミノベンゾジチオールとの環化反応を行うことにより、一般式（Ｘ）で示されるベンゾビスチアゾールの低分子化合物が得られる。
上記一般式（ＸＩ）で示されるトリアリールアミン誘導体のホルミル体とジアミノベンゾジチオールとの環化反応において、一般式（ＸＩ）で示される化合物１当量に対して、例えば１．５当量以上５当量以下、好ましくは１．７当量以上４当量以下のジアミノベンゾジチオールが用いられる。
【００７１】
上記環化反応において、溶剤は必要に応じて使用する。溶剤としては、例えば、ｎ−トリデカン、テトラリン、ｐ−シメン、テルピノレン等の高沸点の非水溶性炭化水素系溶剤、ｏ−ジクロロベンゼン、クロロベンゼン等の高沸点のハロゲン系溶剤、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド、又はジメチルスルホキシド等が挙げられる。上記溶剤は、一般式（ＸＩ）で示されるトリアリールアミン誘導体のホルミル体１質量部に対し、例えば０．１質量部以上３質量部以下、好ましくは０．２質量部以上２重量部以下の範囲で使用される。
【００７２】
また、この環化反応は、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下において、例えば１００℃以上３００℃以下、好ましくは１５０℃以上２７０℃以下、さらに好ましくは１８０℃以上２５０℃以下で効率よく攪拌しながら行い、さらに反応中に生成する水を除去しながら反応させることが好ましい。反応の終了後は、反応生成物をトルエン、アイソパー、ｎ−トリデカン等の溶剤に溶解させ、必要に応じて、水洗またはろ過により、不要物を除去し、さらに、シリカゲル、アルミナ、活性白土、活性炭等で、カラム精製するか、または溶液中にこれらの吸着剤を添加し、不要分を吸着させる等の処理を行い、さらに、エタノール、酢酸エチル、トルエン等の溶剤から再結晶させて精製する。ただし、本実施形態における合成法としてはこれらに限定されるものではない。
【００７３】
＜一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物（ポリエステル）＞
以下、下記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物について詳細に説明する。
なお本実施形態では、下記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物として、下記一般式（ＩＩ−１）で示されるポリエステルを用いる。
【００７４】
【化１４】
【００７５】
一般式（ＩＩ−３）中、Ｙ１は、各々独立に、置換若しくは未置換の２価の炭化水素基を表し、ｍは１以上５以下の整数を表し、Ａ１は下記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表す。
【００７６】
【化１５】
【００７７】
一般式（ＩＩ−２）中、Ａｒは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００７８】
前記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリエステルは、一般式（Ｉ）で表されるベンゾビスチアゾール化合物を由来とする構造単位Ａ１を含む。また前記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリエステルはポリマーであることから、低分子化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン等の電荷輸送材料よりも高い耐熱性を有する。
よって、前記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリエステルは、画像形成装置用の像保持体に用いるのに好適である。
更に、一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリマーをエステル構造とすることで、一般式（Ｉ）で表されるベンゾビスチアゾール化合物を由来とする構造単位Ａ１が導入されたポリマーを合成・製造し易い。
【００７９】
以下、一般式（ＩＩ−３）について詳細に説明する。
一般式（ＩＩ−３）中、Ｙ１は、各々独立に、置換若しくは未置換の２価の炭化水素基を表す。
Ｙ１で表される２価の炭化水素基は、２価のアルコール残基であり、アルキレン基、（ポリ）エチレンオキシ基、（ポリ）プロピレンオキシ基、アリーレン基、２価の複素環基又はこれらの組み合わせであることが好ましい。
【００８０】
Ｙ１で表される２価の炭化水素基は、樹脂との相溶性及び電荷輸送性の観点から、炭素数の少ない連結基が好ましい。具体的には炭素数１以上１８以下の範囲が好ましく、炭素数１以上６以下の範囲がより好ましい。
またＹ１で表される２価の炭化水素基は、電荷輸送性の観点から双極子モーメントの小さな連結基が好ましい。具体的には、炭素原子及び水素原子以外の原子（例えば、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等）を含まない連結基が好ましい。
すなわち、Ｙ１で表される２価の炭化水素基としては、炭素数１以上１０以下のアルキレン基、又は炭素数６以上１８以下のアリーレン基が好ましく、炭素数１以上６以下のアルキレン基がより好ましい。
またＹ１で表される２価の炭化水素基は、樹脂との相溶性の観点から、立体的なかさ高さが小さい基がより好ましい。立体的なかさ高さが小さい２価の炭化水素基としては、例えば環構造を有さない基が挙げられ、具体的には、例えば、炭素数１以上１０以下のアルキレン基が挙げられ、炭素数１以上５以下のアルキレン基がさらに好ましい。また樹脂との相溶性に加えて、分子量の大きな高分子化合物を合成しやすい観点から、炭素数２のアルキレン基が最も好ましい。
【００８１】
一般式（ＩＩ−３）におけるＹ１は、具体的には下記の式（１）から（７）から選択される基が挙げられる。
【００８２】
【化１６】
【００８３】
式（１）及び（２）中、ｄ及びｅは、各々独立に、１以上１０以下の整数を示す。
式（５）及び（６）中、Ｒ４及びＲ５は、各々独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシル基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表す。
式（５）及び（６）中、ｆ及びｇはそれぞれ０、１、又は２の整数を示し、ｈ及びｉはそれぞれ０又は１を示し、Ｖは下記式（８）から（２８）から選択される基を表す。
【００８４】
【化１７】
【００８５】
式（８）中、ｂは１以上１０以下の整数を表し、好ましくは１以上６以下の整数を表し、より好ましくは１以上４以下の整数を表す。
式（１４）中、Ｒ６は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシアノ基を表す。
式（２５）及び（２８）中、Ｒ７は、各々独立に、水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシル基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表す。
式（１４）、（１５）、及び（２４）から（２８）中、ｃは各々独立に、０以上１０以下の整数を表し、好ましくは０以上６以下の整数を表し、より好ましくは１以上３以下の整数を表す。
【００８６】
一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物に複数存在するＹ１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【００８７】
一般式（ＩＩ−３）中、ｍは、１以上５以下の整数を表す。溶解性と高分子量化の両立の観点からは、ｍは１以上３以下の整数であることが好ましく、高分子量化の観点からは１以上２以下の整数であることがより好ましい。また、画像形成装置用像保持体の電気特性を良好にする観点から、上記一般式（ＩＩ−３）中、ｍは１が最も好ましい。
【００８８】
一般式（ＩＩ−３）中、Ａ１は下記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表す。
【００８９】
【化１８】
【００９０】
一般式（ＩＩ−２）中、Ａｒは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００９１】
一般式（ＩＩ−２）におけるＡｒ，ｑ、及びｎは、それぞれ一般式（Ｉ）におけるＡｒ、ｑ、及びｎと同義であり、好ましい範囲も同様である。なお、一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリエステルにおいては、ｑが１である場合は特に溶媒に溶解しにくいため、溶解性の観点からｑが０である形態が好ましい。
一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物に複数存在するＡ１は、すべて同一であっても、２種類以上が含まれていてもよい。
【００９２】
前記一般式（ＩＩ−３）で表される構造単位を含むポリエステルとしては、例えば、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステル及び下記一般式（ＩＩ−４）で表されるポリエステル等が挙げられる。いずれも一般式（Ｉ）に由来する構造単位Ａ１（すなわち、上記一般式（ＩＩ−２）で表される基）を含むため、電荷輸送性及び安定性が良好であり、画像形成装置用像保持体に適する。
【００９３】
なお、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルは、カルボン酸残基としてＡ１を有し、下記一般式（ＩＩ−４）で表されるポリエステルでは、Ａ１とＺ１とをカルボン酸残基として有する。よって、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルは合成の簡便さの観点で優れており、下記一般式（ＩＩ−４）で表されるポリエステルは、組み合わせるカルボン酸残基Ｚ１によって更に画像形成装置用像保持体に適したものとなり得る。
【００９４】
【化１９】
【００９５】
一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ１は、各々独立に、置換又は未置換の２価の炭化水素基を表し、Ａ１は上記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表し、Ｒ２は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数１以上６以下の１価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数２以上１０以下の１価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。ｍは各々独立に１以上５以下の整数を表し、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。
すなわち一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ１、Ａ１、及びｍは、上記一般式（ＩＩ−３）中のＹ１、Ａ１、及びｍとそれぞれ同義である。
【００９６】
【化２０】
【００９７】
一般式（ＩＩ−４）中、Ｙ１、Ａ１、ｍ、及びｐは、一般式（ＩＩ−１）におけるＹ１、Ａ１、ｍ、及びｐとそれぞれ同義である。Ｒ８は、各々独立に、−Ｏ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈまたは−Ｏ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ１−ＣＯ−ＯＲ２で表される基を表す。ここでＲ２は、一般式（ＩＩ−１）におけるＲ２と同義である。Ｚ１は２価の炭化水素基（すなわちカルボン酸残基）を表す。
【００９８】
一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−４）中、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。塗膜組成物（塗布液）として用いる際の一般的な溶媒に対しての溶解性を考慮すると、ｐは５以上２０００以下の整数であることが好ましく、合成の容易さの観点からは５以上６００以下の整数であることがより好適であり、分子分散性Ｍｗ／Ｍｎの観点からは５以上５００以下の整数であることが更に好適である。
なお、ｐが５以上５，０００以下の範囲であれば、ｐの数によってイオン化ポテンシャルは殆ど影響を受けず、大きくとも０．１ｅＶ程度の変動と推測される。
【００９９】
一般式（ＩＩ−１）中、Ｒ２は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数１以上６以下の１価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数２以上１０以下の１価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。一般式（ＩＩ−４）中のＲ８で表される基に含まれるＲ２も、一般式（ＩＩ−１）中のＲ２と同様である。
【０１００】
上記のなかでも、Ｒ２としては、水素原子又はフェニル基であることが好適であり、低コスト化、製造容易性の観点から水素原子であることがより好適である。
【０１０１】
一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−４）における２つのＲ２は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式（ＩＩ−４）における２つのＲ８も、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【０１０２】
一般式（ＩＩ−４）におけるＺ１は、２価のカルボン酸残基を表す。
具体的には、一般式（ＩＩ−３）におけるＹ１で挙げた２価の連結基と同様であり、好適な範囲も同様である。一般式（ＩＩ−４）における複数のＺ１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【０１０３】
一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−４）における複数のＡ１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
また一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−４）における複数のｍは、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【０１０４】
一般式（ＩＩ−１）又は一般式（ＩＩ−４）など、一般式（Ｉ）で表される化合物を由来とする構造単位を含むポリエステルは、重量平均分子量Ｍｗが、５０００以上３０００００以下の範囲にあるものが好ましく、一般に塗布液として用いる際の溶媒に対しての溶解性を考慮すると、重量平均分子量は、１００００以上２０００００以下であることが好ましく、３００００以上１５００００以下であることが更に好ましい。
尚、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（キャリア：テトラヒドロフラン）により測定されるポリスチレン換算の平均分子量である。
【０１０５】
以下に、一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルの具体例ポリマー１から３２（すなわち、具体例ポリエステル１から３２）を示すが、本実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。
尚、具体例ポリマーにおけるモノマーの欄（「Ａ１の構造番号」の欄）の番号は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例化合物番号に対応している。以下、各番号を付した具体例（化合物）、例えば１５の番号を付したＡ１の構造は、具体例化合物１５に由来する構造を意味する。
また、具体例ポリマーにおけるＹ１、ｍ、ｐ、及びＲ２は、それぞれ一般式（ＩＩ−１）におけるＹ１、ｍ、ｐ、及びＲ２を表す。
【０１０６】
【化２１】
【０１０７】
【化２２】
【０１０８】
【化２３】
【０１０９】
【化２４】
【０１１０】
上記一般式（ＩＩ−１）で表される構造単位を含むポリエステルの合成方法は、所望する構造に応じて公知の方法を組み合わせて利用される。その合成方法は特に限定されるものではないが、本実施形態の画像形成装置用像保持体に用いられるベンゾビスチアゾール含有ポリエステルの合成方法の一例を以下に説明する。
【０１１１】
前記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルは、下記一般式（Ｉ−３）で示されるモノマーを、例えば、第４版実験化学講座第２８巻（丸善，１９９２）等に記載された公知の方法で重合することで得られる。
【０１１２】
【化２５】
【０１１３】
前記一般式（Ｉ−３）において、Ａ１は前記一般式（Ｉ）で表される化合物から選択された少なくとも１種に由来する部分構造を表し、前記一般式（ＩＩ−１）中のＡ１と同義である。Ａ２は水酸基、ハロゲン原子、又は−Ｏ−Ｒ９を表し、Ｒ９はアルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は、アラルキル基を表す。
すなわち、前記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルは、次のようにして合成される。
【０１１４】
１）Ａ２が水酸基の場合
前記一般式（Ｉ−３）で表される化合物に、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈで表される２価アルコール類を当量混合し、酸触媒を用いて重合する。なお、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、一般式（ＩＩ−１）中のＹ１と同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、一般式（ＩＩ−１）中のｍと同義である。
【０１１５】
前記酸触媒としては、硫酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等、通常のエステル化反応に用いるものが使用され、モノマー（すなわち一般式（Ｉ−３）で表される化合物）１質量部に対して、１／１０，０００質量部以上１／１０質量以下部、好ましくは１／１，０００質量以上１／５０質量部以下の範囲で用いられる。
重合中に生成する水を除去するために、水と共沸する溶剤を用いることが好ましく、トルエン、クロロベンゼン、１−クロロナフタレン等が有効であり、モノマー１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられる。
反応温度は条件に応じて設定されるが、重合中に生成する水を除去するために、溶剤の沸点で反応させることが好ましい。
【０１１６】
反応終了後、溶剤を用いなかった場合には溶解する溶剤に溶解させる。溶剤を用いた場合には、反応溶液をそのまま、メタノール、エタノール等のアルコール類や、アセトン等のポリマーが溶解しにくい貧溶剤中に滴下し、ポリエステルを析出させ、ポリエステルを分離した後、水や有機溶剤で十分洗浄し、乾燥させる。
更に、必要であれば適当な有機溶剤に溶解させ、貧溶剤中に滴下し、ポリエステルを析出させる再沈殿処理を繰り返してもよい。再沈殿処理の際には、メカニカルスターラー等で、効率よく撹拌しながら行うことが好ましい。再沈殿処理の際にポリエステルを溶解させる溶剤は、ポリエステル１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられる。また、貧溶剤はポリエステル１質量部に対して、１質量部以上１，０００質量部以下、好ましくは１０質量部以上５００質量部以下の範囲で用いられる。
【０１１７】
２）Ａ２がハロゲンの場合
前記一般式（Ｉ−３）で表される化合物に、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈで示される２価アルコール類を当量混合し、ピリジンやトリエチルアミン等の有機塩基性触媒を用いて重合する。なお、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、一般式（ＩＩ−１）中のＹ１と同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、一般式（ＩＩ−１）中のｍと同義である。
【０１１８】
前記有機塩基性触媒は、モノマー１当量に対して、１当量以上１０当量以下、好ましくは２当量以上５当量以下の範囲で用いられる。
溶剤としては、塩化メチレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、クロロベンゼン、１−クロロナフタレン等が有効であり、モノマー１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられる。
反応温度は条件に応じて設定される。重合後、前述のように再沈殿処理し、精製する。
【０１１９】
また、ビスフェノール等の酸性度の高い２価アルコール類を用いる場合には、界面重合法を用いてもよい。すなわち、２価アルコール類を水に加え、当量の塩基を加えて溶解させた後、激しく撹拌しながら２価アルコール類と当量のモノマー溶液を加えることによって重合する。この際、水は２価アルコール類１質量部に対して、１質量部以上１，０００質量部以下、好ましくは２質量部以上５００質量部以下の範囲で用いられる。モノマーを溶解させる溶剤としては、塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トルエン、クロロベンゼン、１−クロロナフタレン等が有効である。
反応温度は条件に応じて設定され、反応を促進するために、アンモニウム塩、スルホニウム塩等の相間移動触媒を用いることが効果的である。相間移動触媒は、モノマー１質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下、好ましくは０．２質量部以上５質量部以下の範囲で用いられる。
【０１２０】
３）Ａ２が−Ｏ−Ｒ９の場合
前記一般式（Ｉ−３）で表される化合物に、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈで示される２価アルコール類を過剰に加え、硫酸、リン酸等の無機酸、チタンアルコキシド、カルシウム及びコバルト等の酢酸塩或いは炭酸塩、亜鉛や鉛の酸化物を触媒に用いて加熱し、エステル交換により合成される。なお、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、一般式（ＩＩ−１）中のＹ１と同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、一般式（ＩＩ−１）中のｍと同義である。
【０１２１】
前記２価アルコール類はモノマー（一般式（Ｉ−３）で表される化合物）１当量に対して、２当量以上１００当量以下、好ましくは３当量以上５０当量以下の範囲で用いられる。
前記触媒はモノマー１質量部に対して、１／１０，０００質量部以上１質量部以下、好ましくは１／１，０００質量部以上１／２質量部以下の範囲で用いられる。
【０１２２】
反応は、反応温度２００℃以上３００℃以下で行い、−Ｏ−Ｒ９から−Ｏ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈへのエステル交換終了後は、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈの脱離による重合を促進するため、減圧下で反応させることが好ましい。また、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈと共沸する１−クロロナフタレン等の高沸点溶剤を用いて、常圧下でＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈを共沸で除きながら反応させてもよい。
【０１２３】
また、次のようにしてポリエステルを合成してもよい。
上記それぞれの場合において、２価アルコール類を過剰に加えて反応させることによって下記一般式（Ｉ−４）で示される化合物を生成した後、この化合物を前記一般式（Ｉ−３）で示したモノマーの代わりとして用いて、２価カルボン酸又は２価カルボン酸ハロゲン化物等と反応させ、一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルが得られる。
【０１２４】
【化２６】
【０１２５】
一般式（Ｉ−４）中、Ａ１は前記一般式（Ｉ）で表される化合物から選択された少なくとも１種に由来する部分構造を表し、前記一般式（ＩＩ−１）におけるＡ１と同義である。Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、前記一般式（ＩＩ−１）におけるＹ１と同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、前記一般式（ＩＩ−１）におけるｍと同義である。
【０１２６】
また、前記ポリエステルの末端に分子を導入することを行ってもよい。その場合、次の方法が挙げられる。すなわち、Ａ２が水酸基の場合、末端導入化合物のモノカルボン酸を共重合させるか、ポリマーの重合反応後の電子輸送性化合物にモノカルボン酸を仕込んで反応させ導入する。
【０１２７】
また、Ａ２がハロゲンの場合、末端導入化合物のモノ酸塩化物を共重合させるか、ポリマーの重合反応後、末端導入化合物のモノ酸塩化物を仕込んで反応させ導入する。Ａ２が−Ｏ−Ｒ９の場合には、末端導入化合物のモノエステルを共重合させるか、ポリマーの重合反応後、末端導入化合物のモノエステルを仕込んで反応させ導入する。
【０１２８】
本実施形態の画像形成装置用像保持体では、前記の通り、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方が、感光層に含まれる。そして、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方が電荷輸送性を有することにより、繰返し使用による残留電位変動が低く、優れた環境維持性を発揮する。そして、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方は、電荷輸送性が高いことに加えて、酸化されにくく安定性が良好であるため、画像形成装置用像保持体の耐久性も良好となる。
また本実施形態の画像形成装置用像保持体では、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方が樹脂との相溶性に優れるため、感光層に結着樹脂を用いても、感光層の膜厚むらが少なく、像保持体の繰り返し使用による残留電位の変動が低くなる。
さらに本実施形態の画像形成装置及びプロセスカートリッジでは、本実施形態の画像形成装置用像保持体を用いるものであるために、長期にわたって良好な画質が得られ、環境負荷の低減や大幅なコストダウンにもなる。
【０１２９】
＜画像形成装置用像保持体の構成＞
以下、本実施形態の画像形成装置用像保持体の構成について説明する。
本実施形態の画像形成装置用像保持体は、支持体上に感光層を有する画像形成装置用像保持体であって、該感光層に上記した一般式（Ｉ）で示される化合物及び一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有することを特徴とする。
図１から図３は、それぞれ本実施形態の画像形成装置用像保持体の第１から第３実施形態を示す模式断面図である。
いずれも画像形成装置用像保持体１を導電性支持体２及び感光層３の積層方向に沿って切断したものである。
【０１３０】
図１及び図２に示す、第１及び第２実施形態に係る画像形成装置用像保持体１は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが異なる層に含有される機能分離型感光層を備えるものである。すなわち、感光層３中において、電荷発生物質を含有する層（電荷発生層５）と電荷輸送物質を含有する層（電荷輸送層６）とが別個に形成され、それらが隣接するように積層されている。
【０１３１】
一方、図３に示す、第３実施形態に係る画像形成装置用像保持体１は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが同一の層に含有される単層型感光層を備えるものである。すなわち、感光層３中において、電荷発生物質と電荷輸送物質と含有する電荷発生・輸送層８が一層形成されている。
【０１３２】
より詳しくは、第１実施形態に係る画像形成装置用像保持体１においては、導電性支持体２上に下引き層４、電荷発生層５、及び電荷輸送層６がこの順で積層されて感光層３が構成されており、第２実施形態に係る画像形成装置用像保持体１においては、導電性支持体２上に下引き層４、電荷発生層５、電荷輸送層６、及び保護層７がこの順で積層されて感光層３が構成されている。また、第３実施形態に係る画像形成装置用像保持体１においては、導電性支持体２上に下引き層４及び電荷発生・輸送層８がこの順で積層されて感光層３が構成されている。
【０１３３】
なお、図示を省略するが、第２実施形態の変形態様として、第２実施形態における電荷発生層５と電荷輸送層６との積層順を逆にした態様や、第３実施形態の変形態様として、第３実施形態の電荷発生・輸送層８上に、第２実施形態において用いられる保護層７を形成させた態様も挙げられる。
【０１３４】
導電性支持体２としては、アルミニウムがドラム状、シート状、又はプレート状等の形状のものとして使用されるが、これらに限定されるものではない。導電性支持体２には陽極酸化処理や、ベーマイト処理、又はホーニング処理等を行ってもよい。
【０１３５】
導電性支持体２と感光層３で挟まれる領域又は導電性支持体２と電荷発生・輸送層８で挟まれる領域には、図１から図３に示すように下引き層４が設けられる。下引き層４としては、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、又はジルコニウムカップリング剤等の有機ジルコニウム化合物；チタンキレート化合物、チタンアルコキシド化合物、又はチタネートカップリング剤等の有機チタン化合物；アルミニウムキレート化合物、又はアルミニウムカップリング剤等の有機アルミニウム化合物のほか；アンチモンアルコキシド化合物、ゲルマニウムアルコキシド化合物、インジウムアルコキシド化合物、インジウムキレート化合物、マンガンアルコキシド化合物、マンガンキレート化合物、スズアルコキシド化合物、スズキレート化合物、アルミニウムシリコンアルコキシド化合物、アルミニウムチタンアルコキシド化合物、又はアルミニウムジルコニウムアルコキシド化合物、等の有機金属化合物が用いられる。特に有機ジルコニウム化合物、有機チタニル化合物、又は有機アルミニウム化合物は好ましく使用される。
【０１３６】
また、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス２メトキシエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−２−アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプロプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、又はβ−３，４−エポキシシクロヘキシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を更に含有させて使用する。
【０１３７】
更に、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリ−Ｎ−ビニルイミダゾール、ポリエチレノキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリアミド、ポリイミド、カゼイン、ゼラチン、ポリエチレン、ポリエステル、フェノール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリウレタン、ポリグルタミン酸、又はポリアクリル酸等の公知の結着樹脂を更に含有させ得る。これらの混合割合は、必要に応じて設定される。
また、下引き層４中には電子輸送性顔料を混合又は分散して使用し得る。
【０１３８】
電子輸送性顔料としては、特開昭４７−３０３３０号公報に記載のペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、又はキナクリドン顔料等の有機顔料が挙げられる。また、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、又はハロゲン原子等の電子吸引性の置換基を有するビスアゾ顔料やフタロシアニン顔料等の有機顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタン等の無機顔料が挙げられる。これらの顔料の中では、ペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタンが好ましい。
【０１３９】
またこれらの顔料の表面は、上記カップリング剤や、バインダ等で表面処理してもよい。電子輸送性顔料の含有量は、下引き層４全量中９５重量％以下、好ましくは９０重量％以下で使用される。
【０１４０】
下引き層４中に電子輸送性顔料を混合又は分散する方法は、ボールミル、ロールミル、サンドミル、又はアトライター、超音波等を用いる常法が適用される。混合及び分散は有機溶剤中で行われるが、有機溶剤としては、有機金属化合物や樹脂を溶解し、また、電子輸送性顔料を混合又は分散したときにゲル化や凝集を起こさないものであれば如何なるものでも使用される。
【０１４１】
下引き層４の厚みは、０．１μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２μｍ以上２５μｍ以下が適当である。
また、下引き層４を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。
【０１４２】
前記成分を含有する下引き層形成用組成物を塗布して形成された塗膜を乾燥させて下引き層４を得るが、通常、乾燥は溶剤を蒸発させ、製膜され得る温度で行われる。特に、酸性溶液処理、ベーマイト処理を行った基材は、基材の欠陥隠蔽力が不十分となり易いため、下引き層４を形成することが好ましい。
【０１４３】
電荷発生層５に含有される電荷発生材料は、ビスアゾ、又はトリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料、ピロロピロール顔料、又はフタロシアニン顔料等既知のものを使用し得るが、とくに金属及び無金属フタロシアニン顔料が好ましい。その中でも、特開平５−２６３００７号公報及び、特開平５−２７９５９１号公報に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン、特開平５−９８１８１号公報に開示されたクロロガリウムフタロシアニン、特開平５−１４０４７２号公報及び、特開平５−１４０４７３号公報に開示されたジクロロスズフタロシアニン、又は特開平４−１８９８７３号公報及び、特開平５−４３８１３号公報に開示されたチタニルフタロシアニンが特に好ましい。
【０１４４】
電荷発生層５は、電荷発生材料と結着樹脂とを混合して形成するが、このような結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、又はポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択し得る。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、又はポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いる。
なお本発明における絶縁性樹脂とは、ＪＩＳ Ｋ ７１９４「導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した体積抵抗率が１０１２Ω・ｃｍ以上であるような絶縁性樹脂を指す。
【０１４５】
電荷発生材料と結着樹脂の配合比（重量比）は１０：１から１：１０の範囲が好ましく、より好ましくは８：３から３：８である。
またこれらを分散させる方法としてはボールミル分散法、アトライター分散法、又はサンドミル分散法等の通常の方法を用いるが、この際、分散によって電荷発生材料の結晶型が変化しない条件が必要とされる。ちなみに本実施形態で用いた前記の分散法のいずれについても分散前と結晶型が変化していないことが確認されている。
【０１４６】
更にこの分散の際、電荷発生材料の粒子を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることが有効である。
【０１４７】
電荷発生層５の厚みは０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下である。また、電荷発生層５を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。
【０１４８】
電荷輸送層６としては、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有する他は、公知の技術によって形成されたものを使用し得る。
電荷輸送層６は、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有すれば、その他の電荷輸送材料、結着樹脂等を含有して形成されてもよい。なお、前記一般式（Ｉ）で示される化合物を用いて前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を用いない場合は、前記一般式（Ｉ）で示される化合物を結着樹脂等に分散させて用いることが望ましい。また前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を用いる場合は、その他の樹脂を用いなくても電荷輸送層６が形成されるが、低コストの観点から、その他の樹脂と混合して用いることが望ましい。
その他の電荷輸送材料としては、例えば、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物や、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物といった他の電荷輸送材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１４９】
電荷輸送層６全量中、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の含有量は、５質量％以上７０質量％以下が好ましく、より好ましくは１０質量％以上６０質量％以下であり、更に好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。
また前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物以外の化合物を電荷輸送材料として併用する場合は、電荷輸送材料全量中、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の含有量は、１質量％以上であるのが好ましく、５質量％以上であるのがより好ましい。
【０１５０】
電荷輸送層６に結着樹脂を用いる場合、結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン、又は特開平８−１７６２９３号公報や特開平８−２０８８２０号公報に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材等高分子電荷輸送材が挙げられる。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量比）は１０：１から１：１０が好ましく、より好ましくは８：３から３：８である。
【０１５１】
電荷輸送層６の厚みは５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。
塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。
【０１５２】
また、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加してもよい。
また、少なくとも１種の電子受容性物質を含有してもよい。
【０１５３】
本実施形態の画像形成装置用像保持体は、保護層７（表面層）を備えるようにしてもよいが、保護層７を高強度保護層（高強度表面層）とすることが好ましい。この高強度保護層としては、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散したもの、通常の電荷輸送層材料にフッ素樹脂、アクリル樹脂等の潤滑性粒子を分散したもの、シリコーンや、アクリル等のハードコート剤等が使用される。高強度保護層は、電荷輸送性を有し、架橋構造を有するシロキサン系樹脂を含むものが好ましい。
【０１５４】
保護層７は、他のカップリング剤、フッ素化合物を混合して用いてもよい。この化合物として、各種シランカップリング剤、及び市販のシリコーン系ハードコート剤が用いられる。
保護層７の形成に用いる塗布液の調整は、無溶媒で行うか、必要に応じて溶媒を用いてもよい。
【０１５５】
反応温度及び時間は原料の種類によっても異なるが、通常、０℃以上１００℃以下、好ましくは１０℃以上７０℃以下、特に好ましくは、１５℃以上５０℃以下の温度で行う。反応時間に特に制限はないが、反応時間は１０分から１００時間の範囲で行うことが好ましい。
【０１５６】
硬化触媒としては、塩酸、酢酸、リン酸、又は硫酸等のプロトン酸、アンモニア、又はトリエチルアミン等の塩基、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、又はオクエ酸第一錫等の有機錫化合物、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、又はテトライソプロピルチタネート等の有機チタン化合物、アルミニウムトリブトキシド、又はアルミニウムトリアセチルアセトナート等の有機アルミニウム化合物、有機カルボン酸の鉄塩、マンガン塩、コバルト塩、亜鉛塩、又はジルコニウム塩等が挙げられるが、金属化合物が好ましく、更に、金属のアセチルアセトナート、あるいは、アセチルアセテートが好ましく、特にアルミニウムトリアセチルアセトナートが好ましい。
【０１５７】
硬化触媒の使用量は必要に応じ設定されるが、加水分解性ケイ素置換基を含有する材料の合計量に対して０．１重量％以上２０重量％以下が好ましく、０．３重量％以上１０重量％以下がより好ましい。
硬化温度は、必要に応じ設定されるが、所望の強度を得るためには６０℃以上、より好ましくは８０℃以上に設定される。硬化時間は、必要に応じ設定されるが、１０分から５時間が好ましい。
また、硬化反応を行ったのち、高湿度状態に保つことも有効である。更に、用途によっては、ヘキサメチルジシラザンや、又はトリメチルクロロシラン等を用いて表面処理を行い、疎水化する。
【０１５８】
画像形成装置用像保持体の保護層７には、酸化防止剤を添加することが好ましい。
また画像形成装置用像保持体の保護層７には、アルコールに溶解する樹脂を加えてもよい。
更に、保護層７に各種粒子を添加してもよい。それらは、単独で用いてもよいが、併用してもよい。粒子の一例として、ケイ素含有粒子、フッ素系粒子、半導電性金属酸化物粒子等が挙げられる。
また、保護層７にシリコーンオイル等のオイルを添加し得る。
【０１５９】
なお単層型感光層の場合、当該単層型感光層は、上記電荷発生物質、上記電荷輸送物質（本実施形態の一般式（Ｉ）で示される化合物、及び一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含む。）及び結着樹脂を含有して形成され得る。なお、電荷輸送物質は高分子電荷輸送物質を含有してもよい。上記結着樹脂としては、上記電荷発生層５及び電荷輸送層６に用いられる結着樹脂として列挙されたものが用いられる。単層型感光層中の電荷発生物質の含有量は、１０重量％以上８５重量％以下、好ましくは２０重量％以上５０重量％以下である。また、単層型感光層中の電荷輸送物質の含有量は５重量以上５０重量％以下とすることが好ましい。
塗布に用いる溶剤や塗布方法は、前述のものが用いられる。単層型感光層の膜厚は５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下がより好ましい。
【０１６０】
（画像形成装置）
本実施形態の画像形成装置は、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置と、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置と、を備えることを特徴とする。
図４は、本実施形態の画像形成装置の好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。
図４に示す画像形成装置２００は、本実施形態の画像形成装置用像保持体２０７と、画像形成装置用像保持体２０７を接触帯電方式により帯電させる帯電装置２０８と、帯電装置２０８に接続された電源２０９と、帯電装置２０８により帯電される画像形成装置用像保持体２０７を露光して静電潜像を形成する露光装置２１０と、露光装置２１０により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置２１１と、現像装置２１１により形成されたトナー像を被転写体５００に転写する転写装置２１２と、クリーニング装置２１３と、除電器２１４と、定着装置２１５とを備える。
【０１６１】
図４に示した帯電装置２０８は、画像形成装置用像保持体２０７の表面に接触型帯電部材（例えば、帯電ロール）を接触させて像保持体に電圧を印加し、像保持体表面を帯電させるものである。
接触型帯電部材としては、芯材の外周面に弾性層、抵抗層、保護層等を設けたローラ状のものが好適に用いられる。なお、接触型帯電部材の形状は、上記したローラ状の他、ブラシ状、ブレード状、又はピン電極状等何れでもよく、画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。
【０１６２】
ローラ状の接触型帯電部材における芯材の材質としては、導電性を有するもの、例えば、鉄、銅、真鍮、ステンレス、アルミニウム、又はニッケル等が用いられる。また、導電性粒子等を分散した樹脂成形品等が用いられる。弾性層の材質としては、導電性あるいは半導電性を有するもの、例えば、ゴム材に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散したものが使用される。抵抗層及び保護層の材質としては結着樹脂に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散し、その抵抗を制御したものである。
これらの接触型帯電部材を用いて像保持体を帯電させる際には、接触型帯電部材に電圧が印加されるが、かかる印加電圧は直流電圧、直流電圧に交流電圧を重畳したもののいずれでもよい。
なお、図４における接触型帯電部材の代わりに、コロトロン、又はスコロトロン等の非接触方式のコロナ帯電装置も用いられる。これらは画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。
【０１６３】
露光装置２１０としては、画像形成装置用像保持体表面に、半導体レーザー、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、液晶シャッター等の光源を所望の像様に露光する光学系装置等が用いられる。
【０１６４】
現像装置２１１としては、一成分系、二成分系等の正規または反転現像剤を用いた従来より公知の現像装置等が用いられる。現像装置２１１に使用されるトナーの形状は特に限定されないが、球形トナーが好ましい。
【０１６５】
転写装置２１２としては、ローラ状の接触帯電部材の他、ベルト、フィルム、又はゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、あるいはコロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げられる。
【０１６６】
クリーニング装置２１３は、転写工程後の画像形成装置用像保持体の表面に付着する残存トナーを除去するためのもので、これにより清浄面化された画像形成装置用像保持体は上記の画像形成プロセスに繰り返し供される。クリーニング装置としては、クリーニングブレードの他、ブラシクリーニング、又はロールクリーニング等が用いられるが、これらの中でもクリーニングブレードを用いることが好ましい。また、クリーニングブレードの材質としてはウレタンゴム、ネオプレンゴム、又はシリコーンゴム等が挙げられる。
【０１６７】
上記実施形態は１つの画像形成ユニットを有するものであるが、他の実施形態に係る画像形成装置は、この画像形成ユニットを複数有するタンデム型画像形成装置である。
例えば、画像形成ユニットが４つである場合、４つの画像形成ユニットの各現像装置においては、例えばイエロー、マゼンタ、シアン、ブランクの４色の色成分トナーを使用する。また、タンデム型画像形成装置は、４つの画像形成ユニットに共通し記録材料を搬送するベルトと、このベルトを搬送する搬送装置と、各現像装置にトナー像を供給するトナー供給装置と、カラートナー像を記録材料に定着させる定着装置とを備えていることが好ましい。
【０１６８】
また、本実施形態の画像形成装置は像保持体を２０００００サイクル以上、更に、２５００００サイクル、あるいは、３０００００サイクル以上も使用する場合には、トナーのみを単独に補給する機構を有するものが好ましい。
【０１６９】
（プロセスカートリッジ）
本実施形態のプロセスカートリッジは、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体を少なくとも有し、かつ、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置、および前記画像形成装置用像保持体をクリーニングするクリーニング装置から選ばれる少なくとも１つと、を備えることを特徴する。
【０１７０】
図５は、本実施形態の画像形成装置用像保持体を備えるプロセスカートリッジの好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。
プロセスカートリッジ３００は、画像形成装置用像保持体２０７とともに、帯電装置２０８、現像装置２１１、クリーニング装置（クリーニング手段）２１３、露光のための開口部２１８、及び、除電露光のための開口部２１７を取り付けレール２１６を用いて組み合わせ、そして一体化したものである。
そして、このプロセスカートリッジ３００は、現像装置２１１により形成されたトナー像を被転写体５００に転写する転写装置２１２と、定着装置２１５と、図示しない他の構成部分とからなる画像形成装置本体に対して着脱自在としたものであり、画像形成装置本体とともに画像形成装置を構成するものである。
以上、本実施形態を説明したが、本実施形態は、その要旨の範囲内で様々な変形や変更がされ得る。
【実施例】
【０１７１】
以下、実施例によって本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
また本実施例において、目的物の同定には、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、ＶＡＲＩＡＮ株式会社製、ＵＮＩＴＹ−３００、３００ＭＨｚ）、及びＩＲスペクトル（ＫＢｒ法にてフーリェ変換赤外分光光度計（株式会社 堀場製作所、ＦＴ−７３０、分解能４ｃｍ−１）を用いた。
さらに本実施例において、ポリマーの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー社製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）によって測定した。
【０１７２】
（一般式（Ｉ）又は（ＩＩ−１）で示される化合物の合成）
［合成例１−具定例化合物４の合成］
アセトアニリド（２５．０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（６４．４ｇ）、炭酸カリウム（３８．３ｇ）、硫酸銅５水和物（２．３ｇ）、ｎ−トリデカン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することにより下記ＤＡＡ−１を３６．５ｇ得た。
【０１７３】
【化２７】
【０１７４】
次に、ヨードベンゼン（４．８ｇ）、上記ＤＡＡ−１（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１０ｍｌ）の混合液を、２１０℃で７時間撹拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。室温（２５℃）に冷却し、トルエンを加えてセライト濾過した。純水で洗浄し、有機相を抽出し、有機溶媒を留去して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン４：トルエン１）で分離し、下記ＴＡＡ−１を３．９ｇ得た。
【０１７５】
【化２８】
【０１７６】
ＴＡＡ−１（３．０ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）の混合液を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、オキシ塩化リン（１．７ｇ）を滴下した後、８０℃に加温し、７時間撹拌した。
冷却後、純水に反応溶液を加え、析出した結晶を吸引ろ過によりろ取して、ＴＡＡ−１のホルミル体を２．４ｇ得た。
【０１７７】
【化２９】
【０１７８】
窒素雰囲気下、ＴＡＡ−１のホルミル体（１．６ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．５ｇ）をｍ−キシレン（１０ｍｌ）に溶解し、１５時間還流した。冷却後、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）３０ｍｌを加え、反応溶液をろ過した。これをカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝５：１）で精製を行い、具体例化合物４を０．６ｇ得た。
【０１７９】
【化３０】
【０１８０】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物４であることを確認した。
【０１８１】
［合成例２−具体例ポリマー６の合成］
合成例１において得られた具体例化合物４を０．５ｇ用い、エチレングリコール１０ｍｌおよびテトラブトキシチタン０．０１ｇとともに５０ｍｌの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、２００℃で５時間加熱攪拌した。
原料である上記具体例化合物４が反応して消失したのをＴＬＣにより確認した後、５０Ｐａに減圧してエチレングリコールを留去しながら２１０℃に加熱し、６時間反応を続けた。
【０１８２】
その後、室温（２５℃）まで冷却し、テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解し、不溶物を０．５μｌのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン３００ｍｌに溶解させ、１Ｎ−ＨＣｌ３００ｍｌ、水５００ｍｌ×３の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を３０ｍｌまで減圧下留去して、酢酸エチル／メタノール＝１／３：８００ｍｌ中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。
得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、６０℃で１６時間真空乾燥させ、０．７ｇの重合体〔具体例ポリマー６〕を得た。
【０１８３】
この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー社製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）にて測定したところ、重量平均分子量Ｍｗ＝６．９×１０４（スチレン換算）、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９５であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度ｐは８１であった。
【０１８４】
［合成例３−具定例化合物２３の合成］
４−（２−チエニル）アセトアニリド（３０．０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（２８．５ｇ）、炭酸カリウム（１３．６ｇ）、硫酸銅５水和物（２．０ｇ）、１，２−ジクロロベンゼン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することによりＤＡＡ−２を１７．９ｇ得た。
【０１８５】
【化３１】
【０１８６】
窒素雰囲気下、ヨードベンゼン（３．６ｇ）、ＤＡＡ−２（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１５ｍｌ）の混合液を、２１０℃で１５時間撹拌した。
反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。
冷却後、トルエンを加えてセライト濾過し、トルエンを留出して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン２：トルエン１）で分離し、ＴＡＡ−２を３．２ｇ得た。
【０１８７】
【化３２】
【０１８８】
ＴＡＡ−２（３．０ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５ｍｌ）に溶解し，オキシ塩化リンを滴下した。室温（２５℃）で４時間撹拌後，無水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３ｍｌ）追加投入し，さらに１３．５時間磁気攪拌した．反応終了後，水（１００ｍｌ）と酢酸エチル（１００ｍｌ）を入れ撹拌して，有機相を分離し，有機相を飽和食塩水食５０ｍｌで洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥した．溶媒留去し得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）で分離し、ＴＡＡ−２のホルミル体を２．５ｇ得た。
【０１８９】
【化３３】
【０１９０】
ＴＡＡ−２のホルミル体（２．２ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．３７ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド（１５ｍｌ）に溶解し、２４時間還流した。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒドを減圧下で留出して得られた固体を，ヘキサンでソックスレー抽出（６時間）を行い、不純物を除去した。得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で分離し，トルエンから再結晶して具定例化合物２３を０．４５ｇ得た。
【０１９１】
【化３４】
【０１９２】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物２３であることを確認した。
【０１９３】
［合成例４−具定例化合物（５）の合成］
４−メチルアセトアニリド（２１．０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（６４．４ｇ）、炭酸カリウム（３８．３ｇ）、硫酸銅５水和物（２．３ｇ）、ｎ−トリデカン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することにより下記ＤＡＡ−３を３４．１ｇ得た。
【０１９４】
【化３５】
【０１９５】
次に、ヨードベンゼン（４．８ｇ）、上記ＤＡＡ−３（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１０ｍｌ）の混合液を、２１０℃で７時間撹拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。室温（２５℃）に冷却し、トルエンを加えてセライト濾過した。純水で洗浄し、有機相を抽出し、有機溶媒を留去して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン４：トルエン１）で分離し、下記ＴＡＡ−３を３．１ｇ得た。
【０１９６】
【化３６】
【０１９７】
ＴＡＡ−３（３．０ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）の混合液を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、オキシ塩化リン（１．７ｇ）を滴下した後、８０℃に加温し、７時間撹拌した。
冷却後、純水に反応溶液を加え、析出した結晶を吸引ろ過によりろ取して、ＴＡＡ−３のホルミル体を２．７ｇ得た。
【０１９８】
【化３７】
【０１９９】
窒素雰囲気下、ＴＡＡ−３のホルミル体（２．０ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．６９ｇ）をｍ−キシレン（１０ｍｌ）に溶解し、２０時間還流した。冷却後、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）３０ｍｌを加え、反応溶液をろ過した。これをカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝５：１）にて精製を行い、具体例化合物５を０．７ｇ得た。
【０２００】
【化３８】
ＴＡＡ−３のホルミル体 具体例化合物５
【０２０１】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物５であることを確認した。
【０２０２】
［合成例５−具定例化合物１４の合成］
１−アセトアミドナフタレン（２５.０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（６４.４ｇ）、炭酸カリウム（３８.３ｇ）、硫酸銅５水和物（２.３ｇ）、ｎ−トリデカン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５.６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３.５時間加熱還流した後、室温まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、十分に水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１.５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機層を純水で十分に洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することによりＤＡＡ−４を３６.５ｇ得た。
【０２０３】
【化３９】
【０２０４】
次に、ヨードベンゼン（４．８ｇ）、上記ＤＡＡ−４（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１０ｍｌ）の混合液を、２１０℃で７時間撹拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。室温（２５℃）に冷却し、トルエンを加えてセライト濾過した。純水で洗浄し、有機相を抽出し、有機溶媒を留去して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン４：トルエン１）で分離し、下記ＴＡＡ−４を３．９ｇ得た。
【０２０５】
【化４０】
【０２０６】
ＴＡＡ−４（３．０ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）の混合液を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、オキシ塩化リン（１．７ｇ）を滴下した後、８０℃に加温し、７時間撹拌した。
冷却後、純水に反応溶液を加え、析出した結晶を吸引ろ過によりろ取して、ＴＡＡ−４のホルミル体を２．４ｇ得た。
【０２０７】
【化４１】
【０２０８】
窒素雰囲気下、ＴＡＡ−４のホルミル体（２．２ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．７ｇ）をｍ−キシレン（１０ｍｌ）に溶解し、２８時間還流した。冷却後、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）３０ｍｌを加え、反応溶液をろ過した。これをカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製を行い、具体例化合物１４を０．７ｇ得た。
【０２０９】
【化４２】
【０２１０】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物１４であることを確認した。
【０２１１】
［合成例６−具体例ポリマー１６の合成］
合成例５において得られた具体例化合物１４を１．０ｇ用い、エチレングリコール１０ｍｌおよびテトラブトキシチタン０．０２ｇとともに５０ｍｌの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、２００℃で５時間加熱攪拌した。
原料である上記具体例化合物１４が反応して消失したのをＴＬＣにより確認した後、５０Ｐａに減圧してエチレングリコールを留去しながら２１０℃に加熱し、６時間反応を続けた。
【０２１２】
その後、室温（２５℃）まで冷却し、テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解し、不溶物を０．５μｌのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン３００ｍｌに溶解させ、１Ｎ−ＨＣｌ３００ｍｌ、水５００ｍｌ×３の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を３０ｍｌまで減圧下留去して、酢酸エチル／メタノール＝１／３：８００ｍｌ中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。
得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、６０℃で１６時間真空乾燥させ、０．５ｇの重合体〔具体例ポリマー１６〕を得た。
【０２１３】
この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー社製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）にて測定したところ、重量平均分子量Ｍｗ＝５．２×１０４（スチレン換算）、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９５であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度ｐは５５であった。
【０２１４】
［合成例７−具定例化合物２５の合成］
４−（２−チエニル）アセトアニリド（３０．０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（２８．５ｇ）、炭酸カリウム（１３．６ｇ）、硫酸銅５水和物（２．０ｇ）、１，２−ジクロロベンゼン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することによりＤＡＡ−２を１７．９ｇ得た。
【０２１５】
【化４３】
【０２１６】
窒素雰囲気下、３−メチルヨードベンゼン（４．０ｇ）、ＤＡＡ−２（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１５ｍｌ）の混合液を、２１０℃で１５時間撹拌した。
反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。
冷却後、トルエンを加えてセライト濾過し、トルエンを留出して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン２：トルエン１）で分離し、ＴＡＡ−５を３．０ｇ得た。
【０２１７】
【化４４】
【０２１８】
ＴＡＡ−５（３．０ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５ｍｌ）に溶解し，オキシ塩化リンを滴下した。室温（２５℃）で４時間撹拌後，無水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３ｍｌ）追加投入し，さらに１３．５時間磁気攪拌した．反応終了後，水（１００ｍｌ）と酢酸エチル（１００ｍｌ）を入れ撹拌して，有機相を分離し，有機相を飽和食塩水食５０ｍｌで洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥した．溶媒留去し得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）で分離し、ＴＡＡ−５のホルミル体を２．５ｇ得た。
【０２１９】
【化４５】
【０２２０】
ＴＡＡ−５のホルミル体（２．５ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．７ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド（１５ｍｌ）に溶解し、３０時間還流した。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒドを減圧下で留出して得られた固体を，ヘキサンでソックスレー抽出（５時間）を行い、不純物を除去した。得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で分離し，トルエンから再結晶して具定例化合物２５を０．６ｇ得た。
【０２２１】
【化４６】
【０２２２】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物２５であることを確認した。
【０２２３】
（画像形成装置用像保持体の作製）
［実施例１］
アルミニウム基板上に、ジルコニウム化合物（オルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０質量部及びシラン化合物（Ａ１１１０、日本ユニカー社製）１質量部とｉ−プロパノール４０質量部及びブタノール２０質量部からなる溶液を浸漬コーティング法にて塗布し、１５０℃において１０分間加熱乾燥し、膜厚０．６μｍの下引き層を形成した。この上に、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に強い回折ピークを持つクロロガリウムフタロシアニン結晶の１質量部を、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１質量部及び酢酸ｎ−ブチル１００質量部と混合し、ガラスビーズとともにペイントシェーカーで１時間処理して分散した後、得られた塗布液を上記下引き層の上に浸漬コーティング法で塗布し、１００℃において１０分間加熱乾燥し、電荷発生層を形成した。
次に、上記によりえられた具定例化合物４を２質量部と、以下に構造を示すビスフェノール（Ｚ）高分子化合物（粘度平均分子量：４０，０００）３質量部をクロロベンゼン３５質量部に加熱溶解後，室温（２５℃）に戻した。この塗布液を前記電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗布し、１３０℃、６０分の加熱を行って膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。
【０２２４】
【化４７】
【０２２５】
［実施例２から実施例７］
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、具体例ポリマー６、具体例化合物２３、具体例化合物５、具体例化合物１４、具体例ポリマー１６、及び具体例化合物２５をそれぞれ用いた他は、実施例１と同様にして画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２２６】
［実施例８］
実施例１で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に代えて、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°に強い回折ピークを持つヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いた他は、実施例１と同様にして、画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２２７】
［比較例１］
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、下記構造の化合物（Ｘ）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２２８】
【化４８】
【０２２９】
（比較例２）
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、下記構造の化合物（ＸＩ）（ｐ＝５２）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２３０】
【化４９】
【０２３１】
（比較例３）
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、下記構造の化合物（ＸＩＩ）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２３２】
【化５０】
【０２３３】
（比較例４）
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、下記構造の化合物（ＸＩＩＩ）（ｐ＝８２）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２３４】
【化５１】
【０２３５】
（評価）
上記実施例及び比較例で得られた、それぞれの画像形成装置用像保持体を用い、電子写真特性について評価するため、静電複写紙試験装置（エレクトロスタティックアナライザーＥＰＡ−８１００、川口電気社製）を用いて、２０℃、４０％ＲＨの環境下、−６ＫＶのコロナ放電を行い、帯電させた後、タングステンランプの光を、モノクロメーターを用いて８００ｎｍの単色光にし、感光体表面上で１μＷ／ｃｍ２になるように調整して、照射した。
そして、帯電直後における感光体表面の表面電位Ｖ０（Ｖ）、感光体表面の光照射により表面電位が１／２×ＶＯ（Ｖ）となる半減露光量Ｅ１／２（ｅｒｇ／ｃｍ２）を測定した（初期特性）。その後、１０ルックスの白色光を１秒間照射し、感光体表面に残留した残留電位ＶＲＰ（Ｖ）を測定した（初期特性）。
更に上記の帯電、露光（８００ｎｍの単色光、露光量は半減露光量）、及び白色光の照射（１０ルックス）を１０００回繰り返した後のＶ０、Ｅ１／２、及びＶＲＰを測定、またその変動量ΔＶ０、ΔＥ１／２、ΔＶＲＰを評価した（安定性、耐久性）。
【０２３６】
つぎに上記実施例および比較例で得られた画像形成装置用像保持体を用い、画像形成装置を作製した。画像形成装置用像保持体以外の要素は、富士ゼロックス製プリンターＤｏｃｕｃｅｎｔｅｒ Ｃ６５５０Ｉに搭載されたものを用いた。
各画像形成装置について、２８℃、７５％ＲＨの環境下で１万枚分の画像形成テスト（画像濃度１０％、シアン１００％）を実施した。なお、本テスト条件においては、各カートリッジのプロセスは通常通り行われるが、シアン以外のカートリッジのトナーは使用（供給）されない。テスト後、トナーのクリーニング性（クリーニング不良による帯電器の汚れや画質劣化）、画質（プロセスブラック１ｄｏｔライン斜め４５度細線再現性）を評価した。クリーニング性及び画質の評価方法及び評価基準は以下の通りであり、得られた結果を表１に示す。
【０２３７】
クリーニング性は目視にて評価し、いかの評価基準に基づいて評価した。
○：良好
△：部分的（全体の１０％程度以下）にスジ状の画質欠陥あり
×：広範にスジ状の画質欠陥あり
【０２３８】
画質は拡大鏡を用いて判断し、以下の評価基準に基づいて評価した。
Ａ：良好
Ｂ：部分的に欠陥有り（実用上は問題なし）
Ｃ：欠陥有り（細線が再現されていない）
【０２３９】
【表１】
【０２４０】
上記の結果から、本実施例で得られた画像形成装置用像保持体は、比較例に比べて繰り返し使用による残留電位変動が低いことがわかる。また該画像形成装置用像保持体を有する画像形成装置で得られた画像は、画質も良好であることがわかる。
【符号の説明】
【０２４１】
１ 画像形成装置用像保持体
２ 導電性支持体
３ 感光層
４ 下引き層
５ 電荷発生層
６ 電荷輸送層
７ 保護層
８ 電荷発生・輸送層
２００ 画像形成装置
２０７ 画像形成装置用像保持体
２０８ 帯電装置
２０９ 電源
２１０ 露光装置
２１１ 現像装置
２１２ 転写装置
２１３ クリーニング装置
２１４ 除電器
２１５ 定着装置
２１６ 取り付けレール
２１７ 除電露光のための開口部
２１８ 露光のための開口部
３００ プロセスカートリッジ
５００ 被転写体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置用像保持体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機光導電性化合物を主成分とする感光層を有する感光体は、従来用いられてきた無機光導電体（セレン、酸化亜鉛、硫化カドミウム又はシリコン等）を主成分として含有する感光体に比較して、製造が比較的容易であること、安価であること、取扱いが容易であること、熱安定性が優れていること等多くの利点を有し、盛んに研究がなされている。
【０００３】
特に、光導電体の電荷発生機能と電荷輸送機能とをそれぞれ別個の機能層に分担させ、前者の発生機能を有する材料を電荷発生層に、後者の輸送機能を有する材料を電荷輸送層にそれぞれ含有させる、積層タイプの機能分離型感光層を有する感光体がすでに実用化されている。
【０００４】
中でも、光導電性化合物として、その高い電荷移動度からテトラアリールベンジジン化合物が盛んに研究されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、及び特許文献５参照）。
【０００５】
また、チアゾール誘導体であるベンゾビスチアゾール化合物は、高い平面性による結晶性、その骨格の持つ酸素安定性により大気安定性を有していることが報告されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第４，０４７，９４８号明細書
【特許文献２】米国特許第４，２９９，８９７号明細書
【特許文献３】特開昭６１−１３２９５５号公報
【特許文献４】特開昭６２−２６７７４９号公報
【特許文献５】特開平３−１３８６５４号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２００７，１９，４４３８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
支持体と、該支持体上に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体である。
【００１０】
【化１】
【００１１】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００１２】
請求項２に係る発明は、
支持体と、該支持体上に下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体である。
【００１３】
【化２】
【００１４】
一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ１は、各々独立に、置換又は未置換の２価の炭化水素基を表し、Ａ１は下記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表し、Ｒ２は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数１以上６以下の１価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数２以上１０以下の１価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。ｍは各々独立に１以上５以下の整数を表し、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。
【００１５】
【化３】
【００１６】
一般式（ＩＩ−２）中、Ａｒは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００１７】
請求項３に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、および前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも１つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジである。
【００１８】
請求項４に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段と、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体が提供される。
請求項２に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体が提供される。
請求項３に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、画像形成装置で使用した際に、繰り返し使用による細線再現性に優れるプロセスカートリッジが提供される。
請求項４に係る発明によれば、特許文献１に記載の発明に比べて、繰り返し使用による細線再現性に優れる画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。
【図２】第２実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。
【図３】第３実施形態に係る画像形成装置用像保持体の模式断面図である。
【図４】実施形態に係る画像形成装置の概略構成図である。
【図５】実施形態に係るプロセスカートリッジの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
本実施形態では、下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を、電荷輸送材料として用いることにより、画像形成装置用像保持体が提供される。すなわち、支持体（例えば導電性支持体）上に感光層が形成された画像形成装置用像保持体であって、当該感光層は下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有する。
なお、本実施形態における導電性支持体とは、ＪＩＳ Ｋ ７１９４「導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した、表面の体積抵抗率が１０７Ω・ｃｍ未満である支持体を指す。すなわち導電性支持体は、上記方法に基づき測定した体積抵抗率が１０７Ω・ｃｍ未満である導電性材料で形成された支持体ものであってもよく、基材表面に前記導電性材料で形成された導電層を有する支持体であってもよい。
【００２２】
該画像形成装置用像保持体における感光層は、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一層に含む単層型感光層、又は電荷発生材料を含む層と電荷輸送材料を含む層とが隣接するように別個に設けられている機能分離型感光層のいずれでもよく、電荷輸送材料として下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有させるものである。
【００２３】
また、電荷発生材料としては、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン又はヒドロキシガリウムフタロシアニン等の公知の電荷発生材料を用いうる。なお、該画像形成装置用像保持体は、最表面上（導電性支持体から最も離れた位置）に保護層を備えたものであってもよく、この場合における保護層は、電荷輸送性を有する架橋性シリコーン樹脂を含んでなることが好ましい。
【００２４】
（画像形成装置用像保持体）
本実施形態に係る画像形成装置用像保持体は、支持体上に、下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有する感光層が形成された画像形成装置用像保持体である。
【００２５】
＜一般式（Ｉ）で示される化合物＞
以下、下記一般式（Ｉ）で示される化合物について、詳細に説明する。
【００２６】
【化４】
【００２７】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００２８】
一般式（Ｉ）中のＲ１について説明する。
上記の通り、一般式（Ｉ）中のＲ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表す。
Ｒ１で表されるアルキル基は、各々独立に、炭素数１以上６以下であることが好ましく、炭素数１以上４以下であることがより好ましい。
Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状又は分岐状であり、結晶性維持および溶解性の観点からは、好ましくは直鎖状アルキル基である。
【００２９】
一般式（Ｉ）中において、Ｒ１で表されるアルキル基が置換基を有する場合、該置換基としては、アリール基又は複素環が挙げられる。
前記置換基としてのアリール基は、炭素数６以上２０以下のものが好ましく、例えば、フェニル基、トルイル基、又はナフチル基等が挙げられる。
前記置換基としての複素環とは、炭素と水素以外の元素を含む環を表す。複素環は、その環骨格を構成する原子数（Ｎｒ）が、５又は６であることが好ましい。環骨格を構成する炭素原子以外の原子（異種原子）の種類及び数は特に限定されないが、例えば、硫黄原子、窒素原子、酸素原子、セレン原子、珪素、リン原子等が好ましく用いられ、前記環骨格中には２種類以上の異種原子が含まれてもよく、また２個以上の異種原子が含まれてもよい。
【００３０】
５員の複素環としては、例えば、チオフェン、ピロール、フラン、イミダゾール、オキサゾール、セレノフェン、チアゾール、チアジアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、シロール、又は前記化合物の３位及び４位の炭素を窒素で置き換えた複素環が好ましく用いられる。５員の複素環を有する芳香族複素環としては、他に、ベンゾチオフェン、ベンズイミダゾール、インドールなどを含む。
６員の複素環としては、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジンが好ましく用いられる。
【００３１】
なお、前記置換基としての複素環は、該複素環に芳香環が置換しているものを包含し、また、芳香環に複素環が置換しているものも含まれる。
【００３２】
一般式（Ｉ）におけるＲ１で表されるアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基，プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、を挙げられ、メチル基、エチル基，プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、又はｎ−オクチル基であることが好ましく、メチル基、ブチル基がより好ましく、メチル基又はブチル基であることが製造容易性、結晶性維持の観点から更に好ましく、入手の容易性の観点からはメチル基が更に好ましい。
【００３３】
なお、Ｒ１は、置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基であり、この範囲内ではアルキル基の種類の違いによるイオン化ポテンシャルや電荷輸送性に与える影響は少ない。
また、一般式（Ｉ）中に複数存在するＲ１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【００３４】
一般式（Ｉ）中のＡｒについて説明する。
一般式（Ｉ）中、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表す。
【００３５】
ここで「多核芳香族炭化水素基」及び「縮合芳香族炭化水素基」は、炭素と水素から構成される芳香環及び後述する複素環からなる群より選ばれる２以上の環が存在する基であり、具体的には以下の通りである。
【００３６】
「多核芳香族炭化水素基」とは、炭素と水素から構成される芳香環及び後述する複素環からなる群より選ばれる２以上の環が存在し、環同士が炭素−炭素結合によって結合している炭化水素基を表す。具体的には、芳香環を構成する炭素同士が直接炭素−炭素結合によって結合している炭化水素基や、芳香環同士が炭素数１以上１８以下の炭素鎖（アルキル鎖又はアルキレン鎖）によって連結されている炭化水素基等が挙げられる。
多核芳香族炭化水素基としては、具体的には、例えば、ビフェニル、ターフェニル、スチルベン、トリフェニルエチレン等が挙げられる。そして、「多核芳香族炭化水素基」は、多核芳香族炭化水素基からなる置換基であり、例えばビフェニルからなる置換基、すなわちビフェニレン基等が挙げられる。
なお、上記多核芳香族炭化水素基を構成する環は、後述する縮合芳香族炭化水素基であってもよく、芳香族複素環であってもよい。多核芳香族炭化水素基を構成する縮合芳香族炭化水素基及び芳香族複素環の具体例としては、例えば後述する具体例の化合物と同様のものが挙げられる。
【００３７】
また、「縮合芳香族炭化水素基」とは、炭素と水素から構成される芳香環及び後述する複素環からなる群より選ばれる２以上の環が存在し、これらの環同士が隣接して結合する１対の炭素原子を共有している炭化水素基を表す。具体的には、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ペリレン、フルオレン等が挙げられる。そして、「縮合芳香族炭化水素基」は、縮合芳香族炭化水素基からなる置換基であり、例えばナフタレンからなる置換基、すなわちナフチル基等が挙げられる。
【００３８】
また、「芳香族複素環」は、炭素と水素以外の元素も含む芳香環を表す。そして、芳香族複素環基は、芳香族複素環からなる置換基である。
芳香族複素環の環骨格を構成する原子数（Ｎｒ）としては、例えば、Ｎｒ＝５、又はＮｒ＝６等が挙げられる。また、環骨格を構成する炭素原子以外の原子（異種原子）の種類及び数は限定されない。異種原子の種類としては、例えば、硫黄原子、窒素原子、酸素原子、せれん原子、珪素原子、りん原子等が挙げられる。また芳香族複素間は、環骨格中に２個以上の異種原子が含まれていてもよく、２種以上の異種原子が含まれていてもよい
【００３９】
特に、Ｎｒ＝５の環骨格構造（すなわち５員環構造）を有する複素環としては、例えば、チオフェン、チオフィン、ピロール、フラン、イミダゾール、オキサゾール、セレノフェン、チアゾール、チアジアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、シロール、又はこれらの３位及び４位の炭素をさらに窒素で置換した複素環等が挙げられる。また５員環構造を有する複素環としては、上記のほかに、ベンゾチオフェン、ベンズイミダゾール、インドール等も挙げられる。
またＮｒ＝６の環骨格構造（すなわち６員環構造）を有する複素環としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン等が挙げられる。
【００４０】
上記「置換若しくは未置換の１価の芳香族基」において、芳香族基を置換する置換基としては、例えば、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、その中でも特に、例えば水素原子、アルキル基、又はアルコキシ基等が挙げられる。
前記アルキル基としては、例えば炭素数１以上１０以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、例えば炭素数１以上１０以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。
前記アリール基としては、例えば炭素数６以上２０以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、フェニル基、トルイル基等が挙げられる。
前記アラルキル基としては、例えば炭素数７以上２０以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
置換アミノ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基が挙げられ、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基の具体例は前述の通りである。また置換アミノ基の具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。
【００４１】
上記一般式（Ｉ）中のＡｒとしては、上記の中でも、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の多核芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の縮合芳香族炭化水素基が好ましく、置換若しくは未置換のフェニル基、縮合芳香族炭化水素基及び芳香族複素環を含まない置換若しくは未置換の多核芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換縮合芳香族炭化水素基がより好ましく、置換若しくは未置換のフェニル基、芳香環を構成する炭素同士が直接炭素−炭素結合によって結合した置換若しくは未置換の多核芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の縮合芳香族炭化水素基がさらに好ましい。
また上記一般式（Ｉ）中のＡｒにおける芳香環数としては、樹脂との相溶性の観点から、１以上６以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２がさらに好ましい。すなわち、上記一般式（Ｉ）中のＡｒとしては、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のビフェニレン基、又は置換若しくは未置換のナフチル基がより好ましく、未置換のフェニル基、未置換のビフェニレン基、又は未置換のナフチル基がさらに好ましい。
【００４２】
一般式（Ｉ）中のｑ及びｎについて説明する。
一般式（Ｉ）中のｑは、０又は１である。一般式（Ｉ）中のｑが１である化合物は、一般式（Ｉ）中のｑが０である化合物に比べて電荷輸送性が高いが、化合物の安定性及び合成容易性の観点からはｑが０である方が望ましい。一般式（Ｉ）中のｑが０である化合物は、ｑが１である化合物に比べて、酸化されやすいチオフェン骨格を有していないため、化合物の安定性が良好であり、これを用いた画像形成用像保持体は、ｑが１である化合物を用いた場合に比べて耐久性が良好となる。
特に一般式（Ｉ）中のｑが０である化合物は、例えば、一般式（Ｉ）中のｑが１であり（すなわちチオフェン骨格を２つ有し）、かつ、ジベンゾチアゾール骨格を有さない化合物と比較すると、電荷輸送性と上記安定性との両方が良好となる。
【００４３】
一般式（Ｉ）中のｎは、各々独立に０以上７以下である。一般式（Ｉ）における２つのｎは、同一であってもよく、異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式（Ｉ）中のｎは、電荷輸送性の観点からは小さいほうが好ましいが、ｎが小さすぎるとカルボニル基の双極子モーメントの影響により電荷移動度が下がるため、１以上３以下が好ましく、１が最も好ましい。
【００４４】
前記一般式（Ｉ）で示される化合物は、ベンゾビスチアゾール骨格に、直接又はチオフェン骨格を介して、電子受容性の強いアミノ基を有している。このため、π共役の範囲が拡張されることにより電荷移動度の向上が促進されると共に、アモルファス性が向上して樹脂中への分散性が良好となるものと考えられる。
【００４５】
以下に、一般式（Ｉ）で表されるベンゾビスチアジアゾール化合物の具体例化合物１から３６（下記表における具体例化合物番号１から具体例化合物番号３６の化合物）を下記に示すが、これらに限定されるものではない。
なお、具体例化合物１から３６におけるＲ１、Ａｒ、ｑ、及びｎは、上記一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ａｒ、ｑ、及びｎを意味する。
【００４６】
【化５】
【００４７】
【化６】
【００４８】
【化７】
【００４９】
【化８】
【００５０】
＜一般式（Ｉ）で示される化合物の製造方法＞
以下、一般式（Ｉ）で示される化合物の製造方法について具体的に説明する。
本実施形態においては、例えば、下記一般式（ＩＩＩ）で示されるハロゲン化合物と下記一般式（ＩＶ）で示されるジアリールアミン化合物を銅触媒でカップリング反応を行うか、下記一般式（Ｖ−１）で示されるジアリールアミン化合物と下記一般式（ＶＩ−１）で示されるハロゲン化合物を銅触媒でカップリング反応を行うか、又は下記一般式（Ｖ−２）で示されるジアリールアミン化合物と下記一般式（ＶＩ−２）で示されるハロゲン化合物を銅触媒でカップリング反応を行うことにより、下記一般式（ＶＩＩ）で表されるトリアリールアミン誘導体が得られる。
【００５１】
次いでトリアリールアミン（ＶＩＩ）をオキシ塩化リンの存在下に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド等のホルミル化剤と反応させることで、トリアリールアミン誘導体のホルミル体（ＶＩＩＩ）が得られる。このトリアリールアミン誘導体のホルミル体（ＶＩＩＩ）とジアミノベンゾジチオールとを反応させることにより、ベンゾビスチアゾール化合物（ＩＸ）が得られる。
【００５２】
【化９】
【００５３】
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ１は一般式（Ｉ）中のＲ１と同様であり、Ｇは臭素原子又はヨウ素原子を示す。また、一般式（ＩＶ）中、Ａｒ１は一般式（Ｉ）中のＡｒと同様であり、Ａｒ２はフェニル基又はフェニルチオフェンを示す。
【化１０】
【００５４】
一般式（Ｖ−１）中、Ｒ１及びＡｒ１は前述と同様である。また一般式（ＶＩ−１）中、Ａｒ２及びＧは前述と同様である。
一般式（Ｖ−２）中、Ｒ１及びＡｒ２は前述と同様である。また一般式（ＶＩ−２）中、Ａｒ１及びＧは前述と同様である。
【００５５】
【化１１】
【００５６】
一般式（ＶＩＩ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＲ１は前述と同様である。
【００５７】
【化１２】
【００５８】
一般式（ＶＩＩＩ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＲ１は前述と同様である。
【００５９】
【化１３】
【００６０】
一般式（ＩＸ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＲ１は前述と同様である。
【００６１】
上記カップッリング反応は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１当量に対して、一般式（ＩＩＩ）、（ＶＩ−１）、又は（ＶＩ−２）で示されるハロゲン化合物を、例えば０．５当量以上１．５当量以下、好ましくは０．７当量以上１．２当量以下で用いられる。
上記カップリング反応に用いられる上記銅触媒としては、例えば、銅紛、酸化第一銅、硫酸銅等が挙げられる。また上記銅触媒は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１質量部に対して、例えば０．００１質量部以上３重量部以下、好ましくは０．０１質量部以上２質量部以下で用いられる。
【００６２】
上記カップリング反応においては塩基が用いられるが、用いる塩基の具体例としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。また上記塩基は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１当量に対して、例えば０．５当量以上３当量以下、好ましくは０．７当量以上２当量以下で用いられる。
【００６３】
上記反応においては、溶媒を用いてもよいし、溶媒を用いなくても良い。溶媒を用いる場合、用いられる溶媒としては、例えば、ｎ−トリデカン、テトラリン、ｐ−シメン、テルピノレン等の高沸点の非水溶性炭化水素系溶剤や、ｏ−ジクロロベンゼン、クロロベンゼン等の高沸点のハロゲン系溶剤等が挙げられる。上記溶媒は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１質量部に対して、例えば０．１質量部以上３質量部以下、好ましくは０．２質量部以上２質量部以下の範囲で使用される。
【００６４】
また、上記反応は、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下において、例えば１００℃以上３００℃以下、好ましくは１５０以上２７０℃以下、さらに好ましくは１８０℃以上２３０℃以下の温度範囲で、効率よく攪拌しながら行い、さらに反応中に生成する水を除去しながら反応させることが好ましい。
【００６５】
反応終了後には、必要に応じて冷却した後、例えばメタノール、エタノール、ｎ−オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、又はグリセリン等の溶剤、及び水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等の塩基を用いて、加水分解を行う。
上記加水分解における溶剤の使用量は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１質量部に対して、例えば０．５質量部以上１０質量部以下、好ましくは１質量部以上５質量部以下が挙げられる。また上記加水分解における塩基の使用量は、一般式（ＩＶ）、（Ｖ−１）、又は（Ｖ−２）で示される化合物１質量部に対して、例えば０．２質量部以上５質量部以下、好ましくは０．３質量部以上３質量部以下が挙げられる。
【００６６】
また、上記加水分解反応は、上記カップリング反応を行った後、その反応溶液中に直接上記溶剤及び上記塩基を加え、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、５０℃以上かつ用いる溶剤の沸点以下の温度範囲において、攪拌しながら行う。
また、この場合、溶剤としては、カップリング反応でカルボン酸塩が生成して固化するため、反応温度を上げるためには、例えば、沸点が１５０℃以上ものを用いる。
【００６７】
加水分解反応の終了後、反応生成物を水に注入し、さらに塩酸等で中和することにより一般式（ＶＩＩ）で示されるトリアリールアミン化合物を遊離させる。この加水分解反応の後処理において、水に注入した後、さらに塩酸等で中和することにより一般式（ＶＩＩ）で示されるトリアリールアミン化合物を遊離させるためには、水溶性のエチレングリコール、プロピレングリコール、又はグリセリン等を添加することが特に好ましい。
【００６８】
次いで、洗浄し、必要に応じて、溶剤に溶解させた後、シリカゲル、アルミナ、活性白土、活性炭等でカラム精製を行なうか、又は溶液中にこれら吸着剤を添加して不要分を吸着させる等の処理を行う。さらにアセトン、エタノール、酢酸エチル、トルエン等の溶剤から再結晶を行うか、又はメチルエステル若しくはエチルエステル等にエステル化した後、同様の再結晶の操作を行ってもよい。
【００６９】
次いで、上記で得られた一般式（ＶＩＩ）で示されるトリアリールアミン化合物をオキシ塩化リンの存在下に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド等のホルミル化剤と反応させることで、トリアリールアミン誘導体のホルミル体（ＶＩＩＩ）が得られる。この場合、ホルミル化剤を過剰に用いることにより、ホルミル化剤が反応溶媒を兼ねてもよいが、溶媒としてｏ−ジクロロベンゼン、ベンゼン、塩化メチレン等の反応に不活性な溶媒を用いてもよい。反応温度としては、例えば、０度以上かつ用いる溶媒の沸点以下の範囲が挙げられ、好ましくは２７℃以上１５０℃以下である。
【００７０】
次に、一般式（ＸＩ）で示されるトリアリールアミン誘導体のホルミル体とジアミノベンゾジチオールとの環化反応を行うことにより、一般式（Ｘ）で示されるベンゾビスチアゾールの低分子化合物が得られる。
上記一般式（ＸＩ）で示されるトリアリールアミン誘導体のホルミル体とジアミノベンゾジチオールとの環化反応において、一般式（ＸＩ）で示される化合物１当量に対して、例えば１．５当量以上５当量以下、好ましくは１．７当量以上４当量以下のジアミノベンゾジチオールが用いられる。
【００７１】
上記環化反応において、溶剤は必要に応じて使用する。溶剤としては、例えば、ｎ−トリデカン、テトラリン、ｐ−シメン、テルピノレン等の高沸点の非水溶性炭化水素系溶剤、ｏ−ジクロロベンゼン、クロロベンゼン等の高沸点のハロゲン系溶剤、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド、又はジメチルスルホキシド等が挙げられる。上記溶剤は、一般式（ＸＩ）で示されるトリアリールアミン誘導体のホルミル体１質量部に対し、例えば０．１質量部以上３質量部以下、好ましくは０．２質量部以上２重量部以下の範囲で使用される。
【００７２】
また、この環化反応は、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下において、例えば１００℃以上３００℃以下、好ましくは１５０℃以上２７０℃以下、さらに好ましくは１８０℃以上２５０℃以下で効率よく攪拌しながら行い、さらに反応中に生成する水を除去しながら反応させることが好ましい。反応の終了後は、反応生成物をトルエン、アイソパー、ｎ−トリデカン等の溶剤に溶解させ、必要に応じて、水洗またはろ過により、不要物を除去し、さらに、シリカゲル、アルミナ、活性白土、活性炭等で、カラム精製するか、または溶液中にこれらの吸着剤を添加し、不要分を吸着させる等の処理を行い、さらに、エタノール、酢酸エチル、トルエン等の溶剤から再結晶させて精製する。ただし、本実施形態における合成法としてはこれらに限定されるものではない。
【００７３】
＜一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物（ポリエステル）＞
以下、下記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物について詳細に説明する。
なお本実施形態では、下記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物として、下記一般式（ＩＩ−１）で示されるポリエステルを用いる。
【００７４】
【化１４】
【００７５】
一般式（ＩＩ−３）中、Ｙ１は、各々独立に、置換若しくは未置換の２価の炭化水素基を表し、ｍは１以上５以下の整数を表し、Ａ１は下記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表す。
【００７６】
【化１５】
【００７７】
一般式（ＩＩ−２）中、Ａｒは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００７８】
前記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリエステルは、一般式（Ｉ）で表されるベンゾビスチアゾール化合物を由来とする構造単位Ａ１を含む。また前記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリエステルはポリマーであることから、低分子化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン等の電荷輸送材料よりも高い耐熱性を有する。
よって、前記一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリエステルは、画像形成装置用の像保持体に用いるのに好適である。
更に、一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリマーをエステル構造とすることで、一般式（Ｉ）で表されるベンゾビスチアゾール化合物を由来とする構造単位Ａ１が導入されたポリマーを合成・製造し易い。
【００７９】
以下、一般式（ＩＩ−３）について詳細に説明する。
一般式（ＩＩ−３）中、Ｙ１は、各々独立に、置換若しくは未置換の２価の炭化水素基を表す。
Ｙ１で表される２価の炭化水素基は、２価のアルコール残基であり、アルキレン基、（ポリ）エチレンオキシ基、（ポリ）プロピレンオキシ基、アリーレン基、２価の複素環基又はこれらの組み合わせであることが好ましい。
【００８０】
Ｙ１で表される２価の炭化水素基は、樹脂との相溶性及び電荷輸送性の観点から、炭素数の少ない連結基が好ましい。具体的には炭素数１以上１８以下の範囲が好ましく、炭素数１以上６以下の範囲がより好ましい。
またＹ１で表される２価の炭化水素基は、電荷輸送性の観点から双極子モーメントの小さな連結基が好ましい。具体的には、炭素原子及び水素原子以外の原子（例えば、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等）を含まない連結基が好ましい。
すなわち、Ｙ１で表される２価の炭化水素基としては、炭素数１以上１０以下のアルキレン基、又は炭素数６以上１８以下のアリーレン基が好ましく、炭素数１以上６以下のアルキレン基がより好ましい。
またＹ１で表される２価の炭化水素基は、樹脂との相溶性の観点から、立体的なかさ高さが小さい基がより好ましい。立体的なかさ高さが小さい２価の炭化水素基としては、例えば環構造を有さない基が挙げられ、具体的には、例えば、炭素数１以上１０以下のアルキレン基が挙げられ、炭素数１以上５以下のアルキレン基がさらに好ましい。また樹脂との相溶性に加えて、分子量の大きな高分子化合物を合成しやすい観点から、炭素数２のアルキレン基が最も好ましい。
【００８１】
一般式（ＩＩ−３）におけるＹ１は、具体的には下記の式（１）から（７）から選択される基が挙げられる。
【００８２】
【化１６】
【００８３】
式（１）及び（２）中、ｄ及びｅは、各々独立に、１以上１０以下の整数を示す。
式（５）及び（６）中、Ｒ４及びＲ５は、各々独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシル基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表す。
式（５）及び（６）中、ｆ及びｇはそれぞれ０、１、又は２の整数を示し、ｈ及びｉはそれぞれ０又は１を示し、Ｖは下記式（８）から（２８）から選択される基を表す。
【００８４】
【化１７】
【００８５】
式（８）中、ｂは１以上１０以下の整数を表し、好ましくは１以上６以下の整数を表し、より好ましくは１以上４以下の整数を表す。
式（１４）中、Ｒ６は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシアノ基を表す。
式（２５）及び（２８）中、Ｒ７は、各々独立に、水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシル基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表す。
式（１４）、（１５）、及び（２４）から（２８）中、ｃは各々独立に、０以上１０以下の整数を表し、好ましくは０以上６以下の整数を表し、より好ましくは１以上３以下の整数を表す。
【００８６】
一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物に複数存在するＹ１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【００８７】
一般式（ＩＩ−３）中、ｍは、１以上５以下の整数を表す。溶解性と高分子量化の両立の観点からは、ｍは１以上３以下の整数であることが好ましく、高分子量化の観点からは１以上２以下の整数であることがより好ましい。また、画像形成装置用像保持体の電気特性を良好にする観点から、上記一般式（ＩＩ−３）中、ｍは１が最も好ましい。
【００８８】
一般式（ＩＩ−３）中、Ａ１は下記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表す。
【００８９】
【化１８】
【００９０】
一般式（ＩＩ−２）中、Ａｒは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。
【００９１】
一般式（ＩＩ−２）におけるＡｒ，ｑ、及びｎは、それぞれ一般式（Ｉ）におけるＡｒ、ｑ、及びｎと同義であり、好ましい範囲も同様である。なお、一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含むポリエステルにおいては、ｑが１である場合は特に溶媒に溶解しにくいため、溶解性の観点からｑが０である形態が好ましい。
一般式（ＩＩ−３）で示される構造単位を含む化合物に複数存在するＡ１は、すべて同一であっても、２種類以上が含まれていてもよい。
【００９２】
前記一般式（ＩＩ−３）で表される構造単位を含むポリエステルとしては、例えば、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステル及び下記一般式（ＩＩ−４）で表されるポリエステル等が挙げられる。いずれも一般式（Ｉ）に由来する構造単位Ａ１（すなわち、上記一般式（ＩＩ−２）で表される基）を含むため、電荷輸送性及び安定性が良好であり、画像形成装置用像保持体に適する。
【００９３】
なお、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルは、カルボン酸残基としてＡ１を有し、下記一般式（ＩＩ−４）で表されるポリエステルでは、Ａ１とＺ１とをカルボン酸残基として有する。よって、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルは合成の簡便さの観点で優れており、下記一般式（ＩＩ−４）で表されるポリエステルは、組み合わせるカルボン酸残基Ｚ１によって更に画像形成装置用像保持体に適したものとなり得る。
【００９４】
【化１９】
【００９５】
一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ１は、各々独立に、置換又は未置換の２価の炭化水素基を表し、Ａ１は上記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表し、Ｒ２は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数１以上６以下の１価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数２以上１０以下の１価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。ｍは各々独立に１以上５以下の整数を表し、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。
すなわち一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ１、Ａ１、及びｍは、上記一般式（ＩＩ−３）中のＹ１、Ａ１、及びｍとそれぞれ同義である。
【００９６】
【化２０】
【００９７】
一般式（ＩＩ−４）中、Ｙ１、Ａ１、ｍ、及びｐは、一般式（ＩＩ−１）におけるＹ１、Ａ１、ｍ、及びｐとそれぞれ同義である。Ｒ８は、各々独立に、−Ｏ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈまたは−Ｏ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ１−ＣＯ−ＯＲ２で表される基を表す。ここでＲ２は、一般式（ＩＩ−１）におけるＲ２と同義である。Ｚ１は２価の炭化水素基（すなわちカルボン酸残基）を表す。
【００９８】
一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−４）中、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。塗膜組成物（塗布液）として用いる際の一般的な溶媒に対しての溶解性を考慮すると、ｐは５以上２０００以下の整数であることが好ましく、合成の容易さの観点からは５以上６００以下の整数であることがより好適であり、分子分散性Ｍｗ／Ｍｎの観点からは５以上５００以下の整数であることが更に好適である。
なお、ｐが５以上５，０００以下の範囲であれば、ｐの数によってイオン化ポテンシャルは殆ど影響を受けず、大きくとも０．１ｅＶ程度の変動と推測される。
【００９９】
一般式（ＩＩ−１）中、Ｒ２は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数１以上６以下の１価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数２以上１０以下の１価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。一般式（ＩＩ−４）中のＲ８で表される基に含まれるＲ２も、一般式（ＩＩ−１）中のＲ２と同様である。
【０１００】
上記のなかでも、Ｒ２としては、水素原子又はフェニル基であることが好適であり、低コスト化、製造容易性の観点から水素原子であることがより好適である。
【０１０１】
一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−４）における２つのＲ２は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式（ＩＩ−４）における２つのＲ８も、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【０１０２】
一般式（ＩＩ−４）におけるＺ１は、２価のカルボン酸残基を表す。
具体的には、一般式（ＩＩ−３）におけるＹ１で挙げた２価の連結基と同様であり、好適な範囲も同様である。一般式（ＩＩ−４）における複数のＺ１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【０１０３】
一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−４）における複数のＡ１は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
また一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−４）における複数のｍは、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。
【０１０４】
一般式（ＩＩ−１）又は一般式（ＩＩ−４）など、一般式（Ｉ）で表される化合物を由来とする構造単位を含むポリエステルは、重量平均分子量Ｍｗが、５０００以上３０００００以下の範囲にあるものが好ましく、一般に塗布液として用いる際の溶媒に対しての溶解性を考慮すると、重量平均分子量は、１００００以上２０００００以下であることが好ましく、３００００以上１５００００以下であることが更に好ましい。
尚、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（キャリア：テトラヒドロフラン）により測定されるポリスチレン換算の平均分子量である。
【０１０５】
以下に、一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルの具体例ポリマー１から３２（すなわち、具体例ポリエステル１から３２）を示すが、本実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。
尚、具体例ポリマーにおけるモノマーの欄（「Ａ１の構造番号」の欄）の番号は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例化合物番号に対応している。以下、各番号を付した具体例（化合物）、例えば１５の番号を付したＡ１の構造は、具体例化合物１５に由来する構造を意味する。
また、具体例ポリマーにおけるＹ１、ｍ、ｐ、及びＲ２は、それぞれ一般式（ＩＩ−１）におけるＹ１、ｍ、ｐ、及びＲ２を表す。
【０１０６】
【化２１】
【０１０７】
【化２２】
【０１０８】
【化２３】
【０１０９】
【化２４】
【０１１０】
上記一般式（ＩＩ−１）で表される構造単位を含むポリエステルの合成方法は、所望する構造に応じて公知の方法を組み合わせて利用される。その合成方法は特に限定されるものではないが、本実施形態の画像形成装置用像保持体に用いられるベンゾビスチアゾール含有ポリエステルの合成方法の一例を以下に説明する。
【０１１１】
前記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルは、下記一般式（Ｉ−３）で示されるモノマーを、例えば、第４版実験化学講座第２８巻（丸善，１９９２）等に記載された公知の方法で重合することで得られる。
【０１１２】
【化２５】
【０１１３】
前記一般式（Ｉ−３）において、Ａ１は前記一般式（Ｉ）で表される化合物から選択された少なくとも１種に由来する部分構造を表し、前記一般式（ＩＩ−１）中のＡ１と同義である。Ａ２は水酸基、ハロゲン原子、又は−Ｏ−Ｒ９を表し、Ｒ９はアルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は、アラルキル基を表す。
すなわち、前記一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルは、次のようにして合成される。
【０１１４】
１）Ａ２が水酸基の場合
前記一般式（Ｉ−３）で表される化合物に、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈで表される２価アルコール類を当量混合し、酸触媒を用いて重合する。なお、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、一般式（ＩＩ−１）中のＹ１と同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、一般式（ＩＩ−１）中のｍと同義である。
【０１１５】
前記酸触媒としては、硫酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等、通常のエステル化反応に用いるものが使用され、モノマー（すなわち一般式（Ｉ−３）で表される化合物）１質量部に対して、１／１０，０００質量部以上１／１０質量以下部、好ましくは１／１，０００質量以上１／５０質量部以下の範囲で用いられる。
重合中に生成する水を除去するために、水と共沸する溶剤を用いることが好ましく、トルエン、クロロベンゼン、１−クロロナフタレン等が有効であり、モノマー１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられる。
反応温度は条件に応じて設定されるが、重合中に生成する水を除去するために、溶剤の沸点で反応させることが好ましい。
【０１１６】
反応終了後、溶剤を用いなかった場合には溶解する溶剤に溶解させる。溶剤を用いた場合には、反応溶液をそのまま、メタノール、エタノール等のアルコール類や、アセトン等のポリマーが溶解しにくい貧溶剤中に滴下し、ポリエステルを析出させ、ポリエステルを分離した後、水や有機溶剤で十分洗浄し、乾燥させる。
更に、必要であれば適当な有機溶剤に溶解させ、貧溶剤中に滴下し、ポリエステルを析出させる再沈殿処理を繰り返してもよい。再沈殿処理の際には、メカニカルスターラー等で、効率よく撹拌しながら行うことが好ましい。再沈殿処理の際にポリエステルを溶解させる溶剤は、ポリエステル１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられる。また、貧溶剤はポリエステル１質量部に対して、１質量部以上１，０００質量部以下、好ましくは１０質量部以上５００質量部以下の範囲で用いられる。
【０１１７】
２）Ａ２がハロゲンの場合
前記一般式（Ｉ−３）で表される化合物に、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈで示される２価アルコール類を当量混合し、ピリジンやトリエチルアミン等の有機塩基性触媒を用いて重合する。なお、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、一般式（ＩＩ−１）中のＹ１と同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、一般式（ＩＩ−１）中のｍと同義である。
【０１１８】
前記有機塩基性触媒は、モノマー１当量に対して、１当量以上１０当量以下、好ましくは２当量以上５当量以下の範囲で用いられる。
溶剤としては、塩化メチレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、クロロベンゼン、１−クロロナフタレン等が有効であり、モノマー１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられる。
反応温度は条件に応じて設定される。重合後、前述のように再沈殿処理し、精製する。
【０１１９】
また、ビスフェノール等の酸性度の高い２価アルコール類を用いる場合には、界面重合法を用いてもよい。すなわち、２価アルコール類を水に加え、当量の塩基を加えて溶解させた後、激しく撹拌しながら２価アルコール類と当量のモノマー溶液を加えることによって重合する。この際、水は２価アルコール類１質量部に対して、１質量部以上１，０００質量部以下、好ましくは２質量部以上５００質量部以下の範囲で用いられる。モノマーを溶解させる溶剤としては、塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トルエン、クロロベンゼン、１−クロロナフタレン等が有効である。
反応温度は条件に応じて設定され、反応を促進するために、アンモニウム塩、スルホニウム塩等の相間移動触媒を用いることが効果的である。相間移動触媒は、モノマー１質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下、好ましくは０．２質量部以上５質量部以下の範囲で用いられる。
【０１２０】
３）Ａ２が−Ｏ−Ｒ９の場合
前記一般式（Ｉ−３）で表される化合物に、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈで示される２価アルコール類を過剰に加え、硫酸、リン酸等の無機酸、チタンアルコキシド、カルシウム及びコバルト等の酢酸塩或いは炭酸塩、亜鉛や鉛の酸化物を触媒に用いて加熱し、エステル交換により合成される。なお、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、一般式（ＩＩ−１）中のＹ１と同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、一般式（ＩＩ−１）中のｍと同義である。
【０１２１】
前記２価アルコール類はモノマー（一般式（Ｉ−３）で表される化合物）１当量に対して、２当量以上１００当量以下、好ましくは３当量以上５０当量以下の範囲で用いられる。
前記触媒はモノマー１質量部に対して、１／１０，０００質量部以上１質量部以下、好ましくは１／１，０００質量部以上１／２質量部以下の範囲で用いられる。
【０１２２】
反応は、反応温度２００℃以上３００℃以下で行い、−Ｏ−Ｒ９から−Ｏ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈへのエステル交換終了後は、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈの脱離による重合を促進するため、減圧下で反応させることが好ましい。また、ＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈと共沸する１−クロロナフタレン等の高沸点溶剤を用いて、常圧下でＨＯ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈを共沸で除きながら反応させてもよい。
【０１２３】
また、次のようにしてポリエステルを合成してもよい。
上記それぞれの場合において、２価アルコール類を過剰に加えて反応させることによって下記一般式（Ｉ−４）で示される化合物を生成した後、この化合物を前記一般式（Ｉ−３）で示したモノマーの代わりとして用いて、２価カルボン酸又は２価カルボン酸ハロゲン化物等と反応させ、一般式（ＩＩ−１）で表されるポリエステルが得られる。
【０１２４】
【化２６】
【０１２５】
一般式（Ｉ−４）中、Ａ１は前記一般式（Ｉ）で表される化合物から選択された少なくとも１種に由来する部分構造を表し、前記一般式（ＩＩ−１）におけるＡ１と同義である。Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、前記一般式（ＩＩ−１）におけるＹ１と同義である。ｍは１以上５以下の整数を表し、前記一般式（ＩＩ−１）におけるｍと同義である。
【０１２６】
また、前記ポリエステルの末端に分子を導入することを行ってもよい。その場合、次の方法が挙げられる。すなわち、Ａ２が水酸基の場合、末端導入化合物のモノカルボン酸を共重合させるか、ポリマーの重合反応後の電子輸送性化合物にモノカルボン酸を仕込んで反応させ導入する。
【０１２７】
また、Ａ２がハロゲンの場合、末端導入化合物のモノ酸塩化物を共重合させるか、ポリマーの重合反応後、末端導入化合物のモノ酸塩化物を仕込んで反応させ導入する。Ａ２が−Ｏ−Ｒ９の場合には、末端導入化合物のモノエステルを共重合させるか、ポリマーの重合反応後、末端導入化合物のモノエステルを仕込んで反応させ導入する。
【０１２８】
本実施形態の画像形成装置用像保持体では、前記の通り、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方が、感光層に含まれる。そして、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方が電荷輸送性を有することにより、繰返し使用による残留電位変動が低く、優れた環境維持性を発揮する。そして、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方は、電荷輸送性が高いことに加えて、酸化されにくく安定性が良好であるため、画像形成装置用像保持体の耐久性も良好となる。
また本実施形態の画像形成装置用像保持体では、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方が樹脂との相溶性に優れるため、感光層に結着樹脂を用いても、感光層の膜厚むらが少なく、像保持体の繰り返し使用による残留電位の変動が低くなる。
さらに本実施形態の画像形成装置及びプロセスカートリッジでは、本実施形態の画像形成装置用像保持体を用いるものであるために、長期にわたって良好な画質が得られ、環境負荷の低減や大幅なコストダウンにもなる。
【０１２９】
＜画像形成装置用像保持体の構成＞
以下、本実施形態の画像形成装置用像保持体の構成について説明する。
本実施形態の画像形成装置用像保持体は、支持体上に感光層を有する画像形成装置用像保持体であって、該感光層に上記した一般式（Ｉ）で示される化合物及び一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有することを特徴とする。
図１から図３は、それぞれ本実施形態の画像形成装置用像保持体の第１から第３実施形態を示す模式断面図である。
いずれも画像形成装置用像保持体１を導電性支持体２及び感光層３の積層方向に沿って切断したものである。
【０１３０】
図１及び図２に示す、第１及び第２実施形態に係る画像形成装置用像保持体１は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが異なる層に含有される機能分離型感光層を備えるものである。すなわち、感光層３中において、電荷発生物質を含有する層（電荷発生層５）と電荷輸送物質を含有する層（電荷輸送層６）とが別個に形成され、それらが隣接するように積層されている。
【０１３１】
一方、図３に示す、第３実施形態に係る画像形成装置用像保持体１は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが同一の層に含有される単層型感光層を備えるものである。すなわち、感光層３中において、電荷発生物質と電荷輸送物質と含有する電荷発生・輸送層８が一層形成されている。
【０１３２】
より詳しくは、第１実施形態に係る画像形成装置用像保持体１においては、導電性支持体２上に下引き層４、電荷発生層５、及び電荷輸送層６がこの順で積層されて感光層３が構成されており、第２実施形態に係る画像形成装置用像保持体１においては、導電性支持体２上に下引き層４、電荷発生層５、電荷輸送層６、及び保護層７がこの順で積層されて感光層３が構成されている。また、第３実施形態に係る画像形成装置用像保持体１においては、導電性支持体２上に下引き層４及び電荷発生・輸送層８がこの順で積層されて感光層３が構成されている。
【０１３３】
なお、図示を省略するが、第２実施形態の変形態様として、第２実施形態における電荷発生層５と電荷輸送層６との積層順を逆にした態様や、第３実施形態の変形態様として、第３実施形態の電荷発生・輸送層８上に、第２実施形態において用いられる保護層７を形成させた態様も挙げられる。
【０１３４】
導電性支持体２としては、アルミニウムがドラム状、シート状、又はプレート状等の形状のものとして使用されるが、これらに限定されるものではない。導電性支持体２には陽極酸化処理や、ベーマイト処理、又はホーニング処理等を行ってもよい。
【０１３５】
導電性支持体２と感光層３で挟まれる領域又は導電性支持体２と電荷発生・輸送層８で挟まれる領域には、図１から図３に示すように下引き層４が設けられる。下引き層４としては、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、又はジルコニウムカップリング剤等の有機ジルコニウム化合物；チタンキレート化合物、チタンアルコキシド化合物、又はチタネートカップリング剤等の有機チタン化合物；アルミニウムキレート化合物、又はアルミニウムカップリング剤等の有機アルミニウム化合物のほか；アンチモンアルコキシド化合物、ゲルマニウムアルコキシド化合物、インジウムアルコキシド化合物、インジウムキレート化合物、マンガンアルコキシド化合物、マンガンキレート化合物、スズアルコキシド化合物、スズキレート化合物、アルミニウムシリコンアルコキシド化合物、アルミニウムチタンアルコキシド化合物、又はアルミニウムジルコニウムアルコキシド化合物、等の有機金属化合物が用いられる。特に有機ジルコニウム化合物、有機チタニル化合物、又は有機アルミニウム化合物は好ましく使用される。
【０１３６】
また、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス２メトキシエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−２−アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプロプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、又はβ−３，４−エポキシシクロヘキシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を更に含有させて使用する。
【０１３７】
更に、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリ−Ｎ−ビニルイミダゾール、ポリエチレノキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリアミド、ポリイミド、カゼイン、ゼラチン、ポリエチレン、ポリエステル、フェノール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリウレタン、ポリグルタミン酸、又はポリアクリル酸等の公知の結着樹脂を更に含有させ得る。これらの混合割合は、必要に応じて設定される。
また、下引き層４中には電子輸送性顔料を混合又は分散して使用し得る。
【０１３８】
電子輸送性顔料としては、特開昭４７−３０３３０号公報に記載のペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、又はキナクリドン顔料等の有機顔料が挙げられる。また、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、又はハロゲン原子等の電子吸引性の置換基を有するビスアゾ顔料やフタロシアニン顔料等の有機顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタン等の無機顔料が挙げられる。これらの顔料の中では、ペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタンが好ましい。
【０１３９】
またこれらの顔料の表面は、上記カップリング剤や、バインダ等で表面処理してもよい。電子輸送性顔料の含有量は、下引き層４全量中９５重量％以下、好ましくは９０重量％以下で使用される。
【０１４０】
下引き層４中に電子輸送性顔料を混合又は分散する方法は、ボールミル、ロールミル、サンドミル、又はアトライター、超音波等を用いる常法が適用される。混合及び分散は有機溶剤中で行われるが、有機溶剤としては、有機金属化合物や樹脂を溶解し、また、電子輸送性顔料を混合又は分散したときにゲル化や凝集を起こさないものであれば如何なるものでも使用される。
【０１４１】
下引き層４の厚みは、０．１μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２μｍ以上２５μｍ以下が適当である。
また、下引き層４を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。
【０１４２】
前記成分を含有する下引き層形成用組成物を塗布して形成された塗膜を乾燥させて下引き層４を得るが、通常、乾燥は溶剤を蒸発させ、製膜され得る温度で行われる。特に、酸性溶液処理、ベーマイト処理を行った基材は、基材の欠陥隠蔽力が不十分となり易いため、下引き層４を形成することが好ましい。
【０１４３】
電荷発生層５に含有される電荷発生材料は、ビスアゾ、又はトリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料、ピロロピロール顔料、又はフタロシアニン顔料等既知のものを使用し得るが、とくに金属及び無金属フタロシアニン顔料が好ましい。その中でも、特開平５−２６３００７号公報及び、特開平５−２７９５９１号公報に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン、特開平５−９８１８１号公報に開示されたクロロガリウムフタロシアニン、特開平５−１４０４７２号公報及び、特開平５−１４０４７３号公報に開示されたジクロロスズフタロシアニン、又は特開平４−１８９８７３号公報及び、特開平５−４３８１３号公報に開示されたチタニルフタロシアニンが特に好ましい。
【０１４４】
電荷発生層５は、電荷発生材料と結着樹脂とを混合して形成するが、このような結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、又はポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択し得る。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、又はポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いる。
なお本発明における絶縁性樹脂とは、ＪＩＳ Ｋ ７１９４「導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に基づき測定した体積抵抗率が１０１２Ω・ｃｍ以上であるような絶縁性樹脂を指す。
【０１４５】
電荷発生材料と結着樹脂の配合比（重量比）は１０：１から１：１０の範囲が好ましく、より好ましくは８：３から３：８である。
またこれらを分散させる方法としてはボールミル分散法、アトライター分散法、又はサンドミル分散法等の通常の方法を用いるが、この際、分散によって電荷発生材料の結晶型が変化しない条件が必要とされる。ちなみに本実施形態で用いた前記の分散法のいずれについても分散前と結晶型が変化していないことが確認されている。
【０１４６】
更にこの分散の際、電荷発生材料の粒子を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることが有効である。
【０１４７】
電荷発生層５の厚みは０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下である。また、電荷発生層５を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。
【０１４８】
電荷輸送層６としては、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有する他は、公知の技術によって形成されたものを使用し得る。
電荷輸送層６は、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含有すれば、その他の電荷輸送材料、結着樹脂等を含有して形成されてもよい。なお、前記一般式（Ｉ）で示される化合物を用いて前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を用いない場合は、前記一般式（Ｉ）で示される化合物を結着樹脂等に分散させて用いることが望ましい。また前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を用いる場合は、その他の樹脂を用いなくても電荷輸送層６が形成されるが、低コストの観点から、その他の樹脂と混合して用いることが望ましい。
その他の電荷輸送材料としては、例えば、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物や、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物といった他の電荷輸送材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１４９】
電荷輸送層６全量中、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の含有量は、５質量％以上７０質量％以下が好ましく、より好ましくは１０質量％以上６０質量％以下であり、更に好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。
また前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物以外の化合物を電荷輸送材料として併用する場合は、電荷輸送材料全量中、前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の含有量は、１質量％以上であるのが好ましく、５質量％以上であるのがより好ましい。
【０１５０】
電荷輸送層６に結着樹脂を用いる場合、結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン、又は特開平８−１７６２９３号公報や特開平８−２０８８２０号公報に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材等高分子電荷輸送材が挙げられる。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量比）は１０：１から１：１０が好ましく、より好ましくは８：３から３：８である。
【０１５１】
電荷輸送層６の厚みは５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。
塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。
【０１５２】
また、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加してもよい。
また、少なくとも１種の電子受容性物質を含有してもよい。
【０１５３】
本実施形態の画像形成装置用像保持体は、保護層７（表面層）を備えるようにしてもよいが、保護層７を高強度保護層（高強度表面層）とすることが好ましい。この高強度保護層としては、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散したもの、通常の電荷輸送層材料にフッ素樹脂、アクリル樹脂等の潤滑性粒子を分散したもの、シリコーンや、アクリル等のハードコート剤等が使用される。高強度保護層は、電荷輸送性を有し、架橋構造を有するシロキサン系樹脂を含むものが好ましい。
【０１５４】
保護層７は、他のカップリング剤、フッ素化合物を混合して用いてもよい。この化合物として、各種シランカップリング剤、及び市販のシリコーン系ハードコート剤が用いられる。
保護層７の形成に用いる塗布液の調整は、無溶媒で行うか、必要に応じて溶媒を用いてもよい。
【０１５５】
反応温度及び時間は原料の種類によっても異なるが、通常、０℃以上１００℃以下、好ましくは１０℃以上７０℃以下、特に好ましくは、１５℃以上５０℃以下の温度で行う。反応時間に特に制限はないが、反応時間は１０分から１００時間の範囲で行うことが好ましい。
【０１５６】
硬化触媒としては、塩酸、酢酸、リン酸、又は硫酸等のプロトン酸、アンモニア、又はトリエチルアミン等の塩基、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、又はオクエ酸第一錫等の有機錫化合物、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、又はテトライソプロピルチタネート等の有機チタン化合物、アルミニウムトリブトキシド、又はアルミニウムトリアセチルアセトナート等の有機アルミニウム化合物、有機カルボン酸の鉄塩、マンガン塩、コバルト塩、亜鉛塩、又はジルコニウム塩等が挙げられるが、金属化合物が好ましく、更に、金属のアセチルアセトナート、あるいは、アセチルアセテートが好ましく、特にアルミニウムトリアセチルアセトナートが好ましい。
【０１５７】
硬化触媒の使用量は必要に応じ設定されるが、加水分解性ケイ素置換基を含有する材料の合計量に対して０．１重量％以上２０重量％以下が好ましく、０．３重量％以上１０重量％以下がより好ましい。
硬化温度は、必要に応じ設定されるが、所望の強度を得るためには６０℃以上、より好ましくは８０℃以上に設定される。硬化時間は、必要に応じ設定されるが、１０分から５時間が好ましい。
また、硬化反応を行ったのち、高湿度状態に保つことも有効である。更に、用途によっては、ヘキサメチルジシラザンや、又はトリメチルクロロシラン等を用いて表面処理を行い、疎水化する。
【０１５８】
画像形成装置用像保持体の保護層７には、酸化防止剤を添加することが好ましい。
また画像形成装置用像保持体の保護層７には、アルコールに溶解する樹脂を加えてもよい。
更に、保護層７に各種粒子を添加してもよい。それらは、単独で用いてもよいが、併用してもよい。粒子の一例として、ケイ素含有粒子、フッ素系粒子、半導電性金属酸化物粒子等が挙げられる。
また、保護層７にシリコーンオイル等のオイルを添加し得る。
【０１５９】
なお単層型感光層の場合、当該単層型感光層は、上記電荷発生物質、上記電荷輸送物質（本実施形態の一般式（Ｉ）で示される化合物、及び一般式（ＩＩ−１）で示される化合物の少なくとも一方を含む。）及び結着樹脂を含有して形成され得る。なお、電荷輸送物質は高分子電荷輸送物質を含有してもよい。上記結着樹脂としては、上記電荷発生層５及び電荷輸送層６に用いられる結着樹脂として列挙されたものが用いられる。単層型感光層中の電荷発生物質の含有量は、１０重量％以上８５重量％以下、好ましくは２０重量％以上５０重量％以下である。また、単層型感光層中の電荷輸送物質の含有量は５重量以上５０重量％以下とすることが好ましい。
塗布に用いる溶剤や塗布方法は、前述のものが用いられる。単層型感光層の膜厚は５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下がより好ましい。
【０１６０】
（画像形成装置）
本実施形態の画像形成装置は、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置と、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置と、を備えることを特徴とする。
図４は、本実施形態の画像形成装置の好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。
図４に示す画像形成装置２００は、本実施形態の画像形成装置用像保持体２０７と、画像形成装置用像保持体２０７を接触帯電方式により帯電させる帯電装置２０８と、帯電装置２０８に接続された電源２０９と、帯電装置２０８により帯電される画像形成装置用像保持体２０７を露光して静電潜像を形成する露光装置２１０と、露光装置２１０により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置２１１と、現像装置２１１により形成されたトナー像を被転写体５００に転写する転写装置２１２と、クリーニング装置２１３と、除電器２１４と、定着装置２１５とを備える。
【０１６１】
図４に示した帯電装置２０８は、画像形成装置用像保持体２０７の表面に接触型帯電部材（例えば、帯電ロール）を接触させて像保持体に電圧を印加し、像保持体表面を帯電させるものである。
接触型帯電部材としては、芯材の外周面に弾性層、抵抗層、保護層等を設けたローラ状のものが好適に用いられる。なお、接触型帯電部材の形状は、上記したローラ状の他、ブラシ状、ブレード状、又はピン電極状等何れでもよく、画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。
【０１６２】
ローラ状の接触型帯電部材における芯材の材質としては、導電性を有するもの、例えば、鉄、銅、真鍮、ステンレス、アルミニウム、又はニッケル等が用いられる。また、導電性粒子等を分散した樹脂成形品等が用いられる。弾性層の材質としては、導電性あるいは半導電性を有するもの、例えば、ゴム材に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散したものが使用される。抵抗層及び保護層の材質としては結着樹脂に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散し、その抵抗を制御したものである。
これらの接触型帯電部材を用いて像保持体を帯電させる際には、接触型帯電部材に電圧が印加されるが、かかる印加電圧は直流電圧、直流電圧に交流電圧を重畳したもののいずれでもよい。
なお、図４における接触型帯電部材の代わりに、コロトロン、又はスコロトロン等の非接触方式のコロナ帯電装置も用いられる。これらは画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。
【０１６３】
露光装置２１０としては、画像形成装置用像保持体表面に、半導体レーザー、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、液晶シャッター等の光源を所望の像様に露光する光学系装置等が用いられる。
【０１６４】
現像装置２１１としては、一成分系、二成分系等の正規または反転現像剤を用いた従来より公知の現像装置等が用いられる。現像装置２１１に使用されるトナーの形状は特に限定されないが、球形トナーが好ましい。
【０１６５】
転写装置２１２としては、ローラ状の接触帯電部材の他、ベルト、フィルム、又はゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、あるいはコロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げられる。
【０１６６】
クリーニング装置２１３は、転写工程後の画像形成装置用像保持体の表面に付着する残存トナーを除去するためのもので、これにより清浄面化された画像形成装置用像保持体は上記の画像形成プロセスに繰り返し供される。クリーニング装置としては、クリーニングブレードの他、ブラシクリーニング、又はロールクリーニング等が用いられるが、これらの中でもクリーニングブレードを用いることが好ましい。また、クリーニングブレードの材質としてはウレタンゴム、ネオプレンゴム、又はシリコーンゴム等が挙げられる。
【０１６７】
上記実施形態は１つの画像形成ユニットを有するものであるが、他の実施形態に係る画像形成装置は、この画像形成ユニットを複数有するタンデム型画像形成装置である。
例えば、画像形成ユニットが４つである場合、４つの画像形成ユニットの各現像装置においては、例えばイエロー、マゼンタ、シアン、ブランクの４色の色成分トナーを使用する。また、タンデム型画像形成装置は、４つの画像形成ユニットに共通し記録材料を搬送するベルトと、このベルトを搬送する搬送装置と、各現像装置にトナー像を供給するトナー供給装置と、カラートナー像を記録材料に定着させる定着装置とを備えていることが好ましい。
【０１６８】
また、本実施形態の画像形成装置は像保持体を２０００００サイクル以上、更に、２５００００サイクル、あるいは、３０００００サイクル以上も使用する場合には、トナーのみを単独に補給する機構を有するものが好ましい。
【０１６９】
（プロセスカートリッジ）
本実施形態のプロセスカートリッジは、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体を少なくとも有し、かつ、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置、および前記画像形成装置用像保持体をクリーニングするクリーニング装置から選ばれる少なくとも１つと、を備えることを特徴する。
【０１７０】
図５は、本実施形態の画像形成装置用像保持体を備えるプロセスカートリッジの好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。
プロセスカートリッジ３００は、画像形成装置用像保持体２０７とともに、帯電装置２０８、現像装置２１１、クリーニング装置（クリーニング手段）２１３、露光のための開口部２１８、及び、除電露光のための開口部２１７を取り付けレール２１６を用いて組み合わせ、そして一体化したものである。
そして、このプロセスカートリッジ３００は、現像装置２１１により形成されたトナー像を被転写体５００に転写する転写装置２１２と、定着装置２１５と、図示しない他の構成部分とからなる画像形成装置本体に対して着脱自在としたものであり、画像形成装置本体とともに画像形成装置を構成するものである。
以上、本実施形態を説明したが、本実施形態は、その要旨の範囲内で様々な変形や変更がされ得る。
【実施例】
【０１７１】
以下、実施例によって本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
また本実施例において、目的物の同定には、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、ＶＡＲＩＡＮ株式会社製、ＵＮＩＴＹ−３００、３００ＭＨｚ）、及びＩＲスペクトル（ＫＢｒ法にてフーリェ変換赤外分光光度計（株式会社 堀場製作所、ＦＴ−７３０、分解能４ｃｍ−１）を用いた。
さらに本実施例において、ポリマーの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー社製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）によって測定した。
【０１７２】
（一般式（Ｉ）又は（ＩＩ−１）で示される化合物の合成）
［合成例１−具定例化合物４の合成］
アセトアニリド（２５．０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（６４．４ｇ）、炭酸カリウム（３８．３ｇ）、硫酸銅５水和物（２．３ｇ）、ｎ−トリデカン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することにより下記ＤＡＡ−１を３６．５ｇ得た。
【０１７３】
【化２７】
【０１７４】
次に、ヨードベンゼン（４．８ｇ）、上記ＤＡＡ−１（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１０ｍｌ）の混合液を、２１０℃で７時間撹拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。室温（２５℃）に冷却し、トルエンを加えてセライト濾過した。純水で洗浄し、有機相を抽出し、有機溶媒を留去して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン４：トルエン１）で分離し、下記ＴＡＡ−１を３．９ｇ得た。
【０１７５】
【化２８】
【０１７６】
ＴＡＡ−１（３．０ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）の混合液を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、オキシ塩化リン（１．７ｇ）を滴下した後、８０℃に加温し、７時間撹拌した。
冷却後、純水に反応溶液を加え、析出した結晶を吸引ろ過によりろ取して、ＴＡＡ−１のホルミル体を２．４ｇ得た。
【０１７７】
【化２９】
【０１７８】
窒素雰囲気下、ＴＡＡ−１のホルミル体（１．６ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．５ｇ）をｍ−キシレン（１０ｍｌ）に溶解し、１５時間還流した。冷却後、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）３０ｍｌを加え、反応溶液をろ過した。これをカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝５：１）で精製を行い、具体例化合物４を０．６ｇ得た。
【０１７９】
【化３０】
【０１８０】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物４であることを確認した。
【０１８１】
［合成例２−具体例ポリマー６の合成］
合成例１において得られた具体例化合物４を０．５ｇ用い、エチレングリコール１０ｍｌおよびテトラブトキシチタン０．０１ｇとともに５０ｍｌの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、２００℃で５時間加熱攪拌した。
原料である上記具体例化合物４が反応して消失したのをＴＬＣにより確認した後、５０Ｐａに減圧してエチレングリコールを留去しながら２１０℃に加熱し、６時間反応を続けた。
【０１８２】
その後、室温（２５℃）まで冷却し、テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解し、不溶物を０．５μｌのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン３００ｍｌに溶解させ、１Ｎ−ＨＣｌ３００ｍｌ、水５００ｍｌ×３の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を３０ｍｌまで減圧下留去して、酢酸エチル／メタノール＝１／３：８００ｍｌ中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。
得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、６０℃で１６時間真空乾燥させ、０．７ｇの重合体〔具体例ポリマー６〕を得た。
【０１８３】
この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー社製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）にて測定したところ、重量平均分子量Ｍｗ＝６．９×１０４（スチレン換算）、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９５であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度ｐは８１であった。
【０１８４】
［合成例３−具定例化合物２３の合成］
４−（２−チエニル）アセトアニリド（３０．０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（２８．５ｇ）、炭酸カリウム（１３．６ｇ）、硫酸銅５水和物（２．０ｇ）、１，２−ジクロロベンゼン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することによりＤＡＡ−２を１７．９ｇ得た。
【０１８５】
【化３１】
【０１８６】
窒素雰囲気下、ヨードベンゼン（３．６ｇ）、ＤＡＡ−２（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１５ｍｌ）の混合液を、２１０℃で１５時間撹拌した。
反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。
冷却後、トルエンを加えてセライト濾過し、トルエンを留出して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン２：トルエン１）で分離し、ＴＡＡ−２を３．２ｇ得た。
【０１８７】
【化３２】
【０１８８】
ＴＡＡ−２（３．０ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５ｍｌ）に溶解し，オキシ塩化リンを滴下した。室温（２５℃）で４時間撹拌後，無水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３ｍｌ）追加投入し，さらに１３．５時間磁気攪拌した．反応終了後，水（１００ｍｌ）と酢酸エチル（１００ｍｌ）を入れ撹拌して，有機相を分離し，有機相を飽和食塩水食５０ｍｌで洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥した．溶媒留去し得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）で分離し、ＴＡＡ−２のホルミル体を２．５ｇ得た。
【０１８９】
【化３３】
【０１９０】
ＴＡＡ−２のホルミル体（２．２ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．３７ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド（１５ｍｌ）に溶解し、２４時間還流した。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒドを減圧下で留出して得られた固体を，ヘキサンでソックスレー抽出（６時間）を行い、不純物を除去した。得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で分離し，トルエンから再結晶して具定例化合物２３を０．４５ｇ得た。
【０１９１】
【化３４】
【０１９２】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物２３であることを確認した。
【０１９３】
［合成例４−具定例化合物（５）の合成］
４−メチルアセトアニリド（２１．０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（６４．４ｇ）、炭酸カリウム（３８．３ｇ）、硫酸銅５水和物（２．３ｇ）、ｎ−トリデカン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することにより下記ＤＡＡ−３を３４．１ｇ得た。
【０１９４】
【化３５】
【０１９５】
次に、ヨードベンゼン（４．８ｇ）、上記ＤＡＡ−３（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１０ｍｌ）の混合液を、２１０℃で７時間撹拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。室温（２５℃）に冷却し、トルエンを加えてセライト濾過した。純水で洗浄し、有機相を抽出し、有機溶媒を留去して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン４：トルエン１）で分離し、下記ＴＡＡ−３を３．１ｇ得た。
【０１９６】
【化３６】
【０１９７】
ＴＡＡ−３（３．０ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）の混合液を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、オキシ塩化リン（１．７ｇ）を滴下した後、８０℃に加温し、７時間撹拌した。
冷却後、純水に反応溶液を加え、析出した結晶を吸引ろ過によりろ取して、ＴＡＡ−３のホルミル体を２．７ｇ得た。
【０１９８】
【化３７】
【０１９９】
窒素雰囲気下、ＴＡＡ−３のホルミル体（２．０ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．６９ｇ）をｍ−キシレン（１０ｍｌ）に溶解し、２０時間還流した。冷却後、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）３０ｍｌを加え、反応溶液をろ過した。これをカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝５：１）にて精製を行い、具体例化合物５を０．７ｇ得た。
【０２００】
【化３８】
ＴＡＡ−３のホルミル体 具体例化合物５
【０２０１】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物５であることを確認した。
【０２０２】
［合成例５−具定例化合物１４の合成］
１−アセトアミドナフタレン（２５.０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（６４.４ｇ）、炭酸カリウム（３８.３ｇ）、硫酸銅５水和物（２.３ｇ）、ｎ−トリデカン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５.６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３.５時間加熱還流した後、室温まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、十分に水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１.５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機層を純水で十分に洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することによりＤＡＡ−４を３６.５ｇ得た。
【０２０３】
【化３９】
【０２０４】
次に、ヨードベンゼン（４．８ｇ）、上記ＤＡＡ−４（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１０ｍｌ）の混合液を、２１０℃で７時間撹拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。室温（２５℃）に冷却し、トルエンを加えてセライト濾過した。純水で洗浄し、有機相を抽出し、有機溶媒を留去して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン４：トルエン１）で分離し、下記ＴＡＡ−４を３．９ｇ得た。
【０２０５】
【化４０】
【０２０６】
ＴＡＡ−４（３．０ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）の混合液を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、オキシ塩化リン（１．７ｇ）を滴下した後、８０℃に加温し、７時間撹拌した。
冷却後、純水に反応溶液を加え、析出した結晶を吸引ろ過によりろ取して、ＴＡＡ−４のホルミル体を２．４ｇ得た。
【０２０７】
【化４１】
【０２０８】
窒素雰囲気下、ＴＡＡ−４のホルミル体（２．２ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．７ｇ）をｍ−キシレン（１０ｍｌ）に溶解し、２８時間還流した。冷却後、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）３０ｍｌを加え、反応溶液をろ過した。これをカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製を行い、具体例化合物１４を０．７ｇ得た。
【０２０９】
【化４２】
【０２１０】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物１４であることを確認した。
【０２１１】
［合成例６−具体例ポリマー１６の合成］
合成例５において得られた具体例化合物１４を１．０ｇ用い、エチレングリコール１０ｍｌおよびテトラブトキシチタン０．０２ｇとともに５０ｍｌの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、２００℃で５時間加熱攪拌した。
原料である上記具体例化合物１４が反応して消失したのをＴＬＣにより確認した後、５０Ｐａに減圧してエチレングリコールを留去しながら２１０℃に加熱し、６時間反応を続けた。
【０２１２】
その後、室温（２５℃）まで冷却し、テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解し、不溶物を０．５μｌのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン３００ｍｌに溶解させ、１Ｎ−ＨＣｌ３００ｍｌ、水５００ｍｌ×３の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を３０ｍｌまで減圧下留去して、酢酸エチル／メタノール＝１／３：８００ｍｌ中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。
得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、６０℃で１６時間真空乾燥させ、０．５ｇの重合体〔具体例ポリマー１６〕を得た。
【０２１３】
この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー社製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）にて測定したところ、重量平均分子量Ｍｗ＝５．２×１０４（スチレン換算）、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９５であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度ｐは５５であった。
【０２１４】
［合成例７−具定例化合物２５の合成］
４−（２−チエニル）アセトアニリド（３０．０ｇ）、４−ヨードフェニルプロピオン酸メチル（２８．５ｇ）、炭酸カリウム（１３．６ｇ）、硫酸銅５水和物（２．０ｇ）、１，２−ジクロロベンゼン（５０ｍｌ）を５００ｍｌの三口フラスコに入れ、窒素気流下、２３０℃で２０時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することによりＤＡＡ−２を１７．９ｇ得た。
【０２１５】
【化４３】
【０２１６】
窒素雰囲気下、３−メチルヨードベンゼン（４．０ｇ）、ＤＡＡ−２（５．０ｇ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（０．２ｇ）、炭酸カリウム（１．３ｇ）、トリデカン（１５ｍｌ）の混合液を、２１０℃で１５時間撹拌した。
反応終了後、水酸化カリウム（１５．６ｇ）をエチレングリコール（３００ｍｌ）に溶解したものを加え、窒素気流下で３．５時間加熱還流した後、室温（２５℃）まで冷却し、反応液を１Ｌの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、１Ｌのフラスコに移した。これに、トルエン（５００ｍｌ）を加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸（１．５ｍｌ）のメタノール（３００ｍｌ）溶液を加え、窒素気流下で５時間加熱還流した。
冷却後、トルエンを加えてセライト濾過し、トルエンを留出して得られた生成物をシリカゲルカラムクロマト（ヘキサン２：トルエン１）で分離し、ＴＡＡ−５を３．０ｇ得た。
【０２１７】
【化４４】
【０２１８】
ＴＡＡ−５（３．０ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５ｍｌ）に溶解し，オキシ塩化リンを滴下した。室温（２５℃）で４時間撹拌後，無水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３ｍｌ）追加投入し，さらに１３．５時間磁気攪拌した．反応終了後，水（１００ｍｌ）と酢酸エチル（１００ｍｌ）を入れ撹拌して，有機相を分離し，有機相を飽和食塩水食５０ｍｌで洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥した．溶媒留去し得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）で分離し、ＴＡＡ−５のホルミル体を２．５ｇ得た。
【０２１９】
【化４５】
【０２２０】
ＴＡＡ−５のホルミル体（２．５ｇ）と２,５−ジアミノ−１,４−ベンソジチオール（０．７ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド（１５ｍｌ）に溶解し、３０時間還流した。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒドを減圧下で留出して得られた固体を，ヘキサンでソックスレー抽出（５時間）を行い、不純物を除去した。得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で分離し，トルエンから再結晶して具定例化合物２５を０．６ｇ得た。
【０２２１】
【化４６】
【０２２２】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物２５であることを確認した。
【０２２３】
（画像形成装置用像保持体の作製）
［実施例１］
アルミニウム基板上に、ジルコニウム化合物（オルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０質量部及びシラン化合物（Ａ１１１０、日本ユニカー社製）１質量部とｉ−プロパノール４０質量部及びブタノール２０質量部からなる溶液を浸漬コーティング法にて塗布し、１５０℃において１０分間加熱乾燥し、膜厚０．６μｍの下引き層を形成した。この上に、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に強い回折ピークを持つクロロガリウムフタロシアニン結晶の１質量部を、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１質量部及び酢酸ｎ−ブチル１００質量部と混合し、ガラスビーズとともにペイントシェーカーで１時間処理して分散した後、得られた塗布液を上記下引き層の上に浸漬コーティング法で塗布し、１００℃において１０分間加熱乾燥し、電荷発生層を形成した。
次に、上記によりえられた具定例化合物４を２質量部と、以下に構造を示すビスフェノール（Ｚ）高分子化合物（粘度平均分子量：４０，０００）３質量部をクロロベンゼン３５質量部に加熱溶解後，室温（２５℃）に戻した。この塗布液を前記電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗布し、１３０℃、６０分の加熱を行って膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。
【０２２４】
【化４７】
【０２２５】
［実施例２から実施例７］
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、具体例ポリマー６、具体例化合物２３、具体例化合物５、具体例化合物１４、具体例ポリマー１６、及び具体例化合物２５をそれぞれ用いた他は、実施例１と同様にして画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２２６】
［実施例８］
実施例１で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に代えて、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°に強い回折ピークを持つヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いた他は、実施例１と同様にして、画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２２７】
［比較例１］
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、下記構造の化合物（Ｘ）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２２８】
【化４８】
【０２２９】
（比較例２）
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、下記構造の化合物（ＸＩ）（ｐ＝５２）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２３０】
【化４９】
【０２３１】
（比較例３）
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、下記構造の化合物（ＸＩＩ）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２３２】
【化５０】
【０２３３】
（比較例４）
実施例１で用いた具定例化合物４に代えて、下記構造の化合物（ＸＩＩＩ）（ｐ＝８２）を用いた他は、実施例１に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。
【０２３４】
【化５１】
【０２３５】
（評価）
上記実施例及び比較例で得られた、それぞれの画像形成装置用像保持体を用い、電子写真特性について評価するため、静電複写紙試験装置（エレクトロスタティックアナライザーＥＰＡ−８１００、川口電気社製）を用いて、２０℃、４０％ＲＨの環境下、−６ＫＶのコロナ放電を行い、帯電させた後、タングステンランプの光を、モノクロメーターを用いて８００ｎｍの単色光にし、感光体表面上で１μＷ／ｃｍ２になるように調整して、照射した。
そして、帯電直後における感光体表面の表面電位Ｖ０（Ｖ）、感光体表面の光照射により表面電位が１／２×ＶＯ（Ｖ）となる半減露光量Ｅ１／２（ｅｒｇ／ｃｍ２）を測定した（初期特性）。その後、１０ルックスの白色光を１秒間照射し、感光体表面に残留した残留電位ＶＲＰ（Ｖ）を測定した（初期特性）。
更に上記の帯電、露光（８００ｎｍの単色光、露光量は半減露光量）、及び白色光の照射（１０ルックス）を１０００回繰り返した後のＶ０、Ｅ１／２、及びＶＲＰを測定、またその変動量ΔＶ０、ΔＥ１／２、ΔＶＲＰを評価した（安定性、耐久性）。
【０２３６】
つぎに上記実施例および比較例で得られた画像形成装置用像保持体を用い、画像形成装置を作製した。画像形成装置用像保持体以外の要素は、富士ゼロックス製プリンターＤｏｃｕｃｅｎｔｅｒ Ｃ６５５０Ｉに搭載されたものを用いた。
各画像形成装置について、２８℃、７５％ＲＨの環境下で１万枚分の画像形成テスト（画像濃度１０％、シアン１００％）を実施した。なお、本テスト条件においては、各カートリッジのプロセスは通常通り行われるが、シアン以外のカートリッジのトナーは使用（供給）されない。テスト後、トナーのクリーニング性（クリーニング不良による帯電器の汚れや画質劣化）、画質（プロセスブラック１ｄｏｔライン斜め４５度細線再現性）を評価した。クリーニング性及び画質の評価方法及び評価基準は以下の通りであり、得られた結果を表１に示す。
【０２３７】
クリーニング性は目視にて評価し、いかの評価基準に基づいて評価した。
○：良好
△：部分的（全体の１０％程度以下）にスジ状の画質欠陥あり
×：広範にスジ状の画質欠陥あり
【０２３８】
画質は拡大鏡を用いて判断し、以下の評価基準に基づいて評価した。
Ａ：良好
Ｂ：部分的に欠陥有り（実用上は問題なし）
Ｃ：欠陥有り（細線が再現されていない）
【０２３９】
【表１】
【０２４０】
上記の結果から、本実施例で得られた画像形成装置用像保持体は、比較例に比べて繰り返し使用による残留電位変動が低いことがわかる。また該画像形成装置用像保持体を有する画像形成装置で得られた画像は、画質も良好であることがわかる。
【符号の説明】
【０２４１】
１ 画像形成装置用像保持体
２ 導電性支持体
３ 感光層
４ 下引き層
５ 電荷発生層
６ 電荷輸送層
７ 保護層
８ 電荷発生・輸送層
２００ 画像形成装置
２０７ 画像形成装置用像保持体
２０８ 帯電装置
２０９ 電源
２１０ 露光装置
２１１ 現像装置
２１２ 転写装置
２１３ クリーニング装置
２１４ 除電器
２１５ 定着装置
２１６ 取り付けレール
２１７ 除電露光のための開口部
２１８ 露光のための開口部
３００ プロセスカートリッジ
５００ 被転写体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、該支持体上に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。
【化１】
〔一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。〕
【請求項２】
支持体と、該支持体上に下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。
【化２】
〔一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ１は、各々独立に、置換又は未置換の２価の炭化水素基を表し、Ａ１は下記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表し、Ｒ２は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数１以上６以下の１価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数２以上１０以下の１価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。ｍは各々独立に１以上５以下の整数を表し、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。〕
【化３】
〔一般式（ＩＩ−２）中、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。〕
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、および前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも１つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段と、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置。
【請求項１】
支持体と、該支持体上に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。
【化１】
〔一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数１以上８以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。〕
【請求項２】
支持体と、該支持体上に下記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。
【化２】
〔一般式（ＩＩ−１）中、Ｙ１は、各々独立に、置換又は未置換の２価の炭化水素基を表し、Ａ１は下記一般式（ＩＩ−２）で表される基を表し、Ｒ２は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数１以上６以下の１価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数２以上１０以下の１価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。ｍは各々独立に１以上５以下の整数を表し、ｐは５以上５，０００以下の整数を表す。〕
【化３】
〔一般式（ＩＩ−２）中、Ａｒは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数２以上１０以下の１価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の１価の芳香族複素環基を表し、ｑは０または１を表し、ｎは各々独立に０以上７以下を表す。〕
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、および前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも１つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段と、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−２２２０９（Ｐ２０１２−２２２０９Ａ）
【公開日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１６１０２７（Ｐ２０１０−１６１０２７）
【出願日】平成２２年７月１５日（２０１０．７．１５）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月１５日（２０１０．７．１５）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
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