説明

発光素子、発光素子の製造方法、および基板処理装置

【課題】電極の厚さのばらつきが少ないとともに有機層のダメージが少なく、高品質な発光素子を提供する。
【解決手段】 第1の電極と、前記第1の電極に対向する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極の間に形成された発光層を含む有機層と、を有する発光素子であって、前記第2の電極は、前記有機層上に形成された該有機層を保護する導電性の保護層と、該保護層上に形成された導電性の主電極層とを含むことを特徴とする発光素子。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、2つの電極の間に有機発光層が形成されてなる発光素子および当該発光素子を形成するための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、従来用いられてきたCRT(Cathode Ray Tube)に換わって、薄型にすることが可能な平面型表示装置の実用化が進んでおり、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)は自発光、高速応答などの特徴を有するために、次世代の表示装置として着目されている。また、有機EL素子は、表示装置のほかに、面発光素子としても用いられる場合がある。
【0003】
有機EL素子は、陽電極(正電極)と陰電極(負電極)の間に有機EL層(発光層)を含む有機層が狭持された構造となっており、当該発光層に正極から正孔を、負極から電子を注入してそれらの再結合をさせることによって、当該発光層を発光させる構造になっている。
【0004】
また、前記有機層には、必要に応じて陽極と発光層の間、または陰極と発光層の間に、例えば正孔輸送層、または電子輸送層など発光効率を良好とするための層を付加することも可能である。
【0005】
上記の発光素子を形成する方法の一例としては、以下の方法を取ることが一般的であった。まず、ITOよりなる陽電極がパターニングされた基板上に、前記有機層を蒸着法により形成する。蒸着法とは、例えば蒸発あるいは昇華された蒸着原料を、被処理基板上に蒸着させることで薄膜を形成する方法である。次に、当該有機層上に、陰電極となるAl(アルミニウム)を、蒸着法により形成する。このような発光素子を、いわゆるトップカソード型発光素子と呼ぶ場合がある。
【0006】
例えばこのようにして、陽電極と陰電極の間に有機層が形成されてなる、発光素子が形成される。
【特許文献1】特開2004−225058号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかし、上記のように、蒸着法を用いて陰電極を形成する場合、特に被処理基板が大きくなった場合には陰電極の膜厚の均一性が問題となる場合があった。このように、被処理基板面内で陰電極の膜厚の均一性が不十分となると、被処理基板面内での発光素子の品質が不均一となってしまう懸念がある。
【0008】
このような問題を解決するため、陰電極を形成する場合に、例えば蒸着法に比べて、被処理基板の面内での成膜速度の均一性が良好である、スパッタリング法を用いることが考えられる。しかし、スパッタリング法は、蒸着法に比べて成膜対象に対するダメージが大きくなってしまう問題があった。
【0009】
例えば上記の発光素子を形成する場合、陰電極は、比較的機械的な強度が小さい有機層上に形成されることになる。このため、例えばスパッタリング法などによってAlなどの硬い金属の粒子が高速度で有機層に衝突した場合、有機層がダメージを受け、発光素子の品質が低下してしまう場合がある。このため、膜厚の均一性が良好であるスパッタリング法を陰電極の形成に用いることは困難となっていた。
【0010】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な発光素子、発光素子の製造方法、および当該発光素子を製造するための基板処理装置を提供することを統括的目的としている。
【0011】
本発明の具体的な課題は、電極の厚さのばらつきが少ないとともに有機層のダメージが少なく、高品質な発光素子と、当該発光素子を製造する製造方法、および当該発光素子を製造する基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明は、上記の課題を、
請求項1に記載したように、
第1の電極と、
前記第1の電極に対向する第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極の間に形成された発光層を含む有機層と、を有する発光素子であって、
前記第2の電極は、前記有機層上に形成された該有機層を保護する導電性の保護層と、該保護層上に形成された導電性の主電極層とを含むことを特徴とする発光素子により、また、
請求項2に記載したように、
前記保護層は、蒸着法により形成されることを特徴とする請求項1記載の発光素子により、また、
請求項3に記載したように、
前記主電極層は、スパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項2記載の発光素子により、また、
請求項4に記載したように、
前記保護層の可視光線の反射率が、前記主電極層の可視光線の反射率より高くなるよう構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のうち、いずれか1項記載の発光素子により、また、
請求項5に記載したように、
前記主電極層の耐久性が、前記保護層の耐久性より高くなるよう構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のうち、いずれか1項記載の発光素子により、また、
請求項6に記載したように、
前記保護層はAgよりなり、前記主電極層はAgに耐久性を有するための添加物が混合されて構成されることを特徴とする請求項1乃至5のうち、いずれか1項記載の発光素子により、また、
請求項7に記載したように、
前記保護層はAgよりなり、前記主電極層はAlを主成分として構成されていることを特徴とする請求項1乃至5のうち、いずれか1項記載の発光素子により、また、
請求項8に記載したように、
第1の電極と第2の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子の製造方法であって、
前記第1の電極上に前記有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層上に、複数の層を含む第2の電極を形成する電極形成工程と、を有し、
前記電極形成工程は、
前記有機層上に、該有機層にダメージを与えないで成膜することによって導電性の保護層を形成する工程と、
前記保護層上に均一に成膜することによって主電極層を形成する工程と、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法により、また、
請求項9に記載したように、
前記保護層は、蒸着法により形成されることを特徴とする請求項8記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項10に記載したように、
前記主電極層は、スパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項9記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項11に記載したように、
前記保護層の可視光線の反射率が、前記主電極層の可視光線の反射率より高くなるよう構成されることを特徴とする請求項8乃至10のうち、いずれか1項記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項12に記載したように、
前記主電極層の耐久性が、前記保護層の耐久性より高くなるよう構成されることを特徴とする請求項8乃至11のうち、いずれか1項記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項13に記載したように、
前記保護層はAgよりなり、前記主電極層はAgに耐久性を有するための添加物が混合されて構成されることを特徴とする請求項8乃至12のうち、いずれか1項記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項14に記載したように、
前記保護層はAgよりなり、前記主電極層はAlを主成分として構成されていることを特徴とする請求項8乃至12のうち、いずれか1項記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項15に記載したように、
被処理基板上に形成された、第1の電極と第2の電極の間に発光層を含む有機層が保持された構造の発光素子を製造する基板処理装置であって、
前記有機層上に、該有機層を保護するとともに前記第2の電極を構成する導電性の保護層を形成する第1の成膜装置と、
前記保護層上に、前記第2の電極を構成する主電極層を形成する第2の成膜装置と、
前記被処理基板を、前記第1の成膜装置から前記第2の成膜装置に搬送する搬送手段と、を有することを特徴とする基板処理装置により、また、
請求項16に記載したように、
前記第1の成膜装置は蒸着装置であることを特徴とする請求項15記載の基板処理装置により、また、
請求項17に記載したように、
前記第2の成膜装置は、スパッタリング装置であることを特徴とする請求項16記載の基板処理装置により、解決する。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、電極の厚さのばらつきが少ないとともに有機層のダメージが少なく、高品質な発光素子と、当該発光素子を製造する製造方法、および当該発光素子を製造する基板処理装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
次に、本発明の実施の形態に関して図面に基づき、説明する。
【実施例1】
【0015】
図1は、本発明の実施例1による発光素子を模式的に示した断面図である。図1を参照するに、本実施例による発光素子100は、基板101上に形成された陽電極102と、該陽電極102に対向する陰電極104と、該陽電極102該陰電極104の間に形成された発光層(有機EL層)103Aを含む有機層103と、を有している。
【0016】
上記の発光素子100は、有機EL素子と呼ばれる場合があり、前記陽電極102と前記陰電極104の間に電圧を印加することで、当該発光層103Aに前記陽電極102から正孔を、前記陰電極104から電子を注入してそれらの再結合をさせることによって、当該発光層103Aを発光させる構造になっている。
【0017】
当該発光層103Aは、例えば、多環芳香族炭化水素、ヘテロ芳香族化合物、有機金属錯体化合物等の材料を用いて形成することが可能であり、上記の材料は例えば蒸着法により、形成することが可能である。
【0018】
従来の発光素子では、陰電極を形成する場合に以下のような技術的な問題があった。例えば、陰電極を蒸着法で形成する場合には、陰電極の厚さの均一性が不十分となる場合があり、一方で陰電極をスパッタリング法で形成する場合には、陰電極の厚さの均一性は良好であるものの、有機層にダメージが入る懸念が生じていた。
【0019】
そこで、本実施例による上記の発光素子100では、前記陰電極104が、前記有機層103上に該有機層103に接するように形成された、該有機層103を保護する導電性の保護層104Aと、該保護層104A上に該保護層104Aに接するように形成された、導電性の主電極層104Bと、を含むように構成されている。
【0020】
この場合、例えば、前記保護層104Aは蒸着法により、前記主電極層104Bはスパッタリング法により形成されることが好ましい。例えば、前記陰電極104を形成する場合においては、まず前記有機層103へのダメージが少ない、例えば蒸着法により前記保護層104Aを形成し、次に該保護層104A上に、成膜の基板面内での均一性が良好である、例えばスパッタリング法により、前記主電極層104Bを形成する。この場合、前記保護層104Aおよび前記主電極層104Bは、ともに導電性材料よりなることが好ましい。従来の蒸着法による成膜では、膜厚のばらつきは±10%程度であったが、本実施による方法によれば、膜厚のばらつきを±5%以下に抑えることができた。
【0021】
このため、上記の発光素子100は、前記有機層103へのダメージの影響が抑制されているとともに、前記陰電極104の膜厚の、基板面内での均一性が良好であり、高品質な発光素子である特徴を有している。
【0022】
また、前記保護層104Aと、前記主電極層104Bとは、同じ材料から構成されるようにしてもよいが、必要に応じて前記保護層104Aと、前記主電極層104Bとが異なる材料より構成されるようにしてもよい。また、上記のいずれの場合であっても、前記保護層104Aは、前記主電極層104Bより薄く形成される。
【0023】
例えば、上記の発光素子100のように、いわゆるトップカソード型発光素子の場合、前記陰電極104は、前記発光層103Aからの発光の反射層として用いられる。このため、前記保護層104Aの可視光線の反射率が、前記主電極層104Bの可視光線の反射率より高いことが好ましい。この場合に、発光素子の発光の効率が良好となる。
【0024】
また、一方で、前記主電極層104Bの耐久性が、前記保護層104Aの耐久性より高いことが好ましい。前記主電極層104Bは、前記保護層104Aの外側に形成され、熱や酸素に曝されるため、例えば酸素に対する耐久性が高いことが好ましい。
【0025】
なお、この場合、耐久性とは、酸素や水素などの活性なガスまたは励起された当該ガスによる腐食に対する耐性(耐腐食性)、結晶粒粗大化に対する耐性、凝集に対する耐性などの総称を意味する(以下文中同様)。
【0026】
従来の発光素子の陰電極では、可視光線の反射率を高くすると共に、耐久性を高くすることが困難であった。一方、本実施例による前記陰電極104が、複数の層を含み、前記有機層103上に形成された前記保護層104Aと、該保護層104上に形成された、導電性の主電極層104Bとを含むように構成されているため、陰電極の可視光線の反射率を高くすると共に、耐久性を高くすることが可能となっている。
【0027】
例えば、前記保護層104Aは、Agよりなることが好ましい。Agは、可視光線の反射率が高いため、前記発光層103Aに面する側である前記保護層104Aを構成する材料として用いられることが好ましい。
【0028】
また、前記主電極層104Bは、例えば、Agに耐久性を有するための添加物が混合されて構成されてもよい。例えば、Agに対してPdを1重量%添加した材料を前記主電極層104Bに用いると、Agを用いた場合に比べて該主電極層の耐久性が向上し、好ましい。
【0029】
また、前記主電極層104BはAlにより構成されてもよい。Alは、可視光線の反射率はAgに劣るものの、耐久性はAgより高く、Agを用いた場合に比べて該主電極層の耐久性が向上し、好ましい。
【0030】
また、先に説明したように、前記保護層104Aと前記主電極層104Bを、同じ材料を用いて構成してもよく、例えば、保護層104A/主電極層104Bの組み合わせを、Ag/Ag、Al/Al、またはAg(1重量%のPd添加)/Ag(1重量%のPd添加)としてもよい。
【0031】
また、前記保護層104Bは、前記有機層103に接するように形成される。このため、前記保護層104Bには、該保護層104の仕事関数を調整するため(発光効率を良好とするため)の物質、例えば、Li、LiF、CsCOなどが添加されてもよい。また、前記有機層103上に仕事関数を調整するための層(Li、LiF、CsCO)を下地層として形成し、当該下地層上にAgやAlのような高導電性材料よりなる前記保護層104Bが形成されるようにしてもよい。
【0032】
また、前記発光層103Aでの発光効率が良好となるように、前記有機層103には、当該発光層103Aと前記陽電極102との間に、例えば、正孔輸送層103B,正孔注入層103Cが形成されていてもよい。また、当該正孔輸送層103B,正孔注入層103Cは、そのいずれかが、またはその双方が省略される構造であってもよい。
【0033】
同様に、前記発光層103Aでの発光効率が良好となるように、前記有機層103には、当該発光層103Aと前記陰電極104との間に、例えば、電子輸送層103D,電子注入層103Eが形成されていてもよい。また、当該電子輸送層103D,電子注入層103Eは、そのいずれかが、またはその双方が省略される構造であってもよい。
【0034】
また、前記発光層103Aは、例えば、ホスト材料にアルミノキノリノール錯体(Alq3)、ドーピング材にはルブレンを用いて形成することができるが、これに限定されず、様々な材料を用いて形成することが可能である。
【0035】
次に、上記の発光素子100を製造する製造方法について、図2A〜図2Dに基づき、手順を追って説明する。ただし、以降の図中では、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する場合がある。
【0036】
まず、図2Aに示す工程において、パターンニングされた、例えばITOよりなる前記陽電極102が形成された、例えばガラスよりなる前記基板101を用意する。この場合、前記基板101には、前記陽電極101に接続される、例えばTFT(薄膜トランジスタ)を含む、アクティブマトリクス駆動回路などが形成されていてもよい。
【0037】
次に、図2Bに示す工程において、前記陽電極102上(前記基板101上)に、前記有機層103を形成する。この場合、前記有機層103は、例えば蒸着法により形成され、前記陽電極102の側から順に、正孔注入層103C,正孔輸送層103B,発光層(有機EL層)103A,電子輸送層103D,電子注入層103Eが、積層されるようにして形成される。また、先に説明したように、必要に応じて前記正孔輸送層103B,および前記正孔注入層103Cは、そのいずれかの成膜を、またはその双方の成膜を省略してもよい。同様に、前記電子輸送層103D,電子注入層103Eは、そのいずれかの成膜を、またはその双方の成膜を省略してもよい。
【0038】
次に、図2C〜図2Dに示す工程において、前記有機層103上に、複数の層(前記保護層104A、前記主電極層104B)を含む前記陰電極104を形成する。
【0039】
まず、図2Cに示す工程において、前記有機層103(前記電子注入層103E)上に、該有機層103に接するように、導電性の、例えばAgよりなる保護層104Aを、例えば蒸着法により形成する。この場合、前記保護層104Aが蒸着法により形成されるため、前記有機層103(前記電子注入層103E)に与えるダメージを、例えばスパッタリング法などを用いた成膜に比べて低減することができる。
【0040】
また、この場合、前記保護膜104Aを構成する材料は、Agに限定されるものではない。例えば前記保護層104Aは、Alや、Agに耐久性を向上させる添加物(例えば1重量%のPd)を添加した材料を用いて形成してもよい。但し、これらのAlやAgに耐久性を向上させる添加物を添加した材料は、Agを主成分とした材料に比べて、可視光線の反射率が劣る。このことから、前記発光層103Aからの発光を反射する反射率を高く維持するためには、前記保護層104AがAgよりなることが好ましい。
【0041】
この場合、「前記保護膜104AがAgよりなる」とは、当該保護膜104Aが、実質的な純Agよりなるか、または当該保護膜104Aが少なくともAgを主成分とする材料よりなることを意味する。また上記の、当該保護膜104Aを構成する、「少なくともAgを主成分とする材料」とは、実質的な純Agと比較して発光の反射率が実質的に低くならない程度にAgの純度が高く維持された材料を示している。
【0042】
次に、図2Dに示す工程において、前記保護層104A上に、該保護層104Aに接するように、例えば、Alよりなる前記主電極層104Bを、例えばスパッタリング法により形成する。その結果、前記保護層104Aと前記主電極層104Bを含む前記陰電極104が形成される。
【0043】
この場合、前記有機層103(前記電子注入層103E)が、前記保護層104Aにより覆われて保護されているため、前記主電極層104Bを形成する場合に、前記有機層103に与えるダメージが抑制される。このため、本実施例による方法では、前記主電極層104Bを成膜する場合の成膜方法の自由度が高くなる。例えば、上記のように、成膜速度の基板の面内均一性が良好である一方で、成膜対象に与えるダメージが大きい、例えばスパッタリング法などの成膜方法を、前記主電極層104Bを成膜する成膜方法として選択することができる。この場合、前記主電極層104Bをスパッタリング法で成膜した場合であっても、前記有機層103が保護されているため、該有機層103へのダメージが抑制される。
【0044】
すなわち、本実施例による発光素子の製造方法を用いれば、陰電極の厚さのばらつきが少なく、かつ有機層のダメージが少ない高品質な発光素子を製造することが可能となる。
【0045】
また、先に説明したように、前記主電極層104Bの耐久性が、前記保護層104Aの耐久性より高くなるように構成されることが好ましい。
【0046】
例えば、AlまたはAlを主成分とする材料を用いて前記主電極層104Bを構成した場合には、可視光線の反射率はAgに劣るものの、耐久性はAgより高く、該主電極層の耐久性が向上し、好ましい。また、前記保護層104Bを、Agに耐久性を有するための添加物(例えばPd)を混合した材料を用いて構成してもよい。このようにして、本実施例による発光素子100を製造することができる。
【0047】
例えば、前記陽電極102の厚さは100μm乃至200μm、前記有機層103の厚さは50μm乃至200μm、前記陰電極104の厚さは50μm乃至300μm、前記保護層104Aの厚さが10μm乃至30μmに形成される。また、前記保護層104Aの厚さは、前記主電極層104Bの厚さの10分の1以下とされることが好ましい。
【0048】
また、例えば、前記発光素子100は、表示装置(有機EL表示装置)や、面発光素子(照明・光源など)に適用することができるが、これらに限定されるものではなく、様々な電子機器に用いることが可能である。
【実施例2】
【0049】
次に、実施例1に記載した発光素子100を製造する基板処理装置の構成の一例について、図3〜図5に基づき、説明する。
【0050】
まず、図3は、前記発光素子100を製造する基板処理装置1000の構成の一例を模式的に示した平面図である。
【0051】
図3を参照するに、本実施例による基板処理装置1000は、複数の成膜装置または処理室が、被処理基板が搬送される搬送室900A,900B,900Cのいずれかに接続された構造を有している。前記搬送室900A,900B,900Cは、処理室または成膜装置を接続するための4つの接続面をそれぞれ有している。また、前記搬送室900A,900B,900Cは、被処理基板を搬送する搬送手段(搬送アーム)900a,900b,900cが、それぞれ内部に設置された構造を有している。
【0052】
前記搬送室900A,900B,900Cに接続される処理室、または成膜装置は、例えば、被処理基板の前処理(クリーニングなど)を行う前処理室500、被処理基板または被処理基板に装着するマスクのアライメント(位置決め)を行うアライメント処理室600、前記有機層103を蒸着法により形成する(図2Bに示した工程を実施する)成膜装置700、前記保護層104Aを蒸着法で形成する(図2Cに示した工程を実施する)成膜装置200、前記主電極層104Bをスパッタリング法で形成する(図2Dに示した工程を実施する)成膜装置300、ロードロック室400A、400Bである。
【0053】
前記搬送室900Aの4つの接続面には、前記ロードロック室400A、前記前処理室500、前記アライメント処理室600、および前記成膜装置700が接続されている。また、前記成膜装置700の、前記搬送室900Aに接続された側の反対側は、前記搬送室900Bの接続面に接続され、当該搬送室900Bの他の接続面には、前記成膜装置200が2つと、前記アライメント処理室600が接続されている。さらに、前記アライメント処理室600の、前記搬送室900Bに接続された側の反対側は、前記搬送室900Cの接続面に接続され、当該搬送室900Cの他の接続面には、前記成膜装置300が2つと、前記ロードロック室400Bとが接続されている。
【0054】
また、前記搬送室900A、900B、900C、前記ロードロック室400A、400B、前記前処理室500、前記アライメント処理室600、前記成膜装置200、300、700には、それぞれ内部を減圧状態(真空状態)にするための、真空ポンプなどの排気手段(図示せず)が接続されて、必要に応じて内部が減圧状態に維持されている。
【0055】
次に、前記基板処理装置1000により、実施例1に記載した前記発光素子100を製造する場合の手順の概略について説明する。まず、被処理基板W(図2Aに示した、陽電極102が形成された基板101に相当)は、前記ロードロック室400Aから前記基板処理装置1000に投入される。前記ロードロック室400Aに投入された被処理基板Wは、前記搬送手段900aにより、まず前記搬送室900Aを介して前記前処理室500に搬送され、被処理基板の前処理(クリーニングなど)が行われる。
【0056】
次に、当該被処理基板は、前記搬送手段900aにより、前記搬送室900Aを介して前記アライメント処理室600に搬送され、被処理基板上にマスクが設置される。次に、当該被処理基板は、前記搬送手段900aにより、前記搬送室900Aを介して前記成膜装置700に搬送され、当該成膜装置700において、前記発光素子100の、前記有機層103が、蒸着法により形成される(図2Bに示した工程が実施される)。
【0057】
次に、前記有機層103が形成された被処理基板は、前記搬送手段900bにより、前記搬送室900Bを介して前記アライメント処理室600に搬送され、アライメント処理がされる。その後、被処理基板は、前記搬送手段900bによって前記成膜装置200(2台接続された成膜装置200のうちのいずれか)に搬送される。
【0058】
前記成膜装置200に搬送された被処理基板には、当該成膜装置200において、前記保護層104Aが、蒸着法により形成される(図2Cに示した工程が実施される)。当該保護層104Aが形成された被処理基板は、再び前記アライメント処理室600に搬送されてアライメント処理をされた後、前記搬送手段900cによって、前記搬送室900Cを介して前記成膜装置300(2台接続された成膜装置300のうちのいずれか)に搬送される。
【0059】
前記成膜装置300においては、前記主電極層104Bが、スパッタリング法により形成される(図2Dに示した工程が実施される)。このようにして実施例1に記載した発光素子100が形成され、当該発光素子100は、前記ロードロック室400Bを介して、基板処理装置1000より搬出される。なお、前記基板処理装置1000が、例えば絶縁層よりなる保護層を前記発光素子100上に形成する成膜装置を、さらに有するように構成してもよい。
【0060】
次に、上記に示した成膜装置200、成膜装置300の構成の一例について、それぞれ図4および図5に基づき説明する。
【0061】
図4は、上記の基板処理装置1000に含まれる成膜装置(蒸着装置)200の構成の一例を模式的に示した図である。
【0062】
図4を参照するに、前記成膜装置200は、内部に内部空間200Aが画成される処理容器201を有し、当該内部空間200Aには、蒸着源202と、基板保持台205が設置された構造を有している。前記内部空間200Aは、排気ポンプなどの排気手段(図示せず)が接続された排気ライン204より排気され、所定の減圧状態に保持される構造になっている。
【0063】
前記蒸着源202にはヒータ203が設置され、該ヒータ203によって内部に保持された原料202Aを加熱し、気化または昇華させて気体原料とすることが可能に構成されている。当該気体原料は、前記蒸着源202に対向するように設置された前記基板保持台205に保持された被処理基板W(前記陽電極102、前記有機層103が形成された前記基板101)に蒸着されて、前記保護層104Aが形成される。
【0064】
前記基板保持台205は、前記処理容器201の上面(前記蒸着源202に対向する側)に設置された、移動レール206上を、平行に移動可能に構成されている。すなわち、成膜時に前記保持台205が移動されることによって、被処理基板の面内での蒸着膜の均一性が良好になるように構成されている。
【0065】
また、前記処理容器201の、前記搬送室900Bに接続される側に形成されたゲートバルブ207を開放することにより、前記被処理基板Wの前記内部空間200Aへの搬入・または前記内部空間200Aからの搬出が可能になる。
【0066】
上記の成膜装置200を用いて、実施例1に記載した図2Cに相当する工程を実施することにより、前記有機層103へ与えるダメージを抑制して、前記保護層104Aを形成することが可能となる。
【0067】
また、図5は、上記の基板処理装置1000に含まれる成膜装置(スパッタリング装置)300の構成の一例を模式的に示した図である。
【0068】
図5を参照するに、前記成膜装置300は、内部に内部空間300Aが画成される処理容器301を有し、当該内部空間300Aには、ターゲット(陰電極)303と、基板保持台(陽電極)302が設置された構造を有している。前記内部空間300Aは、排気ポンプなどの排気手段(図示せず)が接続された排気ライン306より排気され、所定の減圧状態に保持される構造になっている。
【0069】
前記内部空間300Aには、ガス供給手段307より例えばArなどのプラズマ励起のためのガスが供給される。ここで、前記ターゲット303に高周波電源304より高周波電力が印加されることで当該内部空間300Aにプラズマが励起され、Arイオンが生成される。このようにして生成されたArイオンにより、前記ターゲット303がスパッタリングされることで、前記基板保持台302に保持された被処理基板W(前記陽電極102、前記有機層103、および前記保護層104Aが形成された前記基板101)上に、前記主電極層104Bが形成される。
【0070】
また、前記処理容器301の、前記搬送室900Cに接続される側に形成されたゲートバルブ308を開放することにより、前記被処理基板Wの前記内部空間300Aへの搬入・または前記内部空間300Aからの搬出が可能になる。
【0071】
また、上記の成膜装置(蒸着装置)200、成膜装置(スパッタリング装置)300は、その構成の一例であり、様々に変形・変更が可能である。
【0072】
また、上記の基板処理装置1000は、例えば搬送室の形状や接続面の数、また、接続される処理室、成膜装置の構成や数などは、様々に変形・変更が可能であることは明らかである。
【0073】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【0074】
本発明によれば、電極の厚さのばらつきが少ないとともに有機層のダメージが少なく、高品質な発光素子と、当該発光層素子製造する製造方法、および当該発光素子を製造する基板処理装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0075】
【図1】実施例1による発光素子を模式的に示す図である。
【図2A】図1の発光素子の製造方法を示す図(その1)である。
【図2B】図1の発光素子の製造方法を示す図(その2)である。
【図2C】図1の発光素子の製造方法を示す図(その3)である。
【図2D】図1の発光素子の製造方法を示す図(その4)である。
【図3】図1の発光素子を製造する基板処理装置の構成例である。
【図4】図1の基板処理装置に用いる成膜装置の構成例(その1)である。
【図5】図1の基板処理装置に用いる成膜装置の構成例(その2)である。
【符号の説明】
【0076】
100 発光素子
101 基板
102 陽電極
103 有機層
103A 発光層
103B 正孔輸送層
103C 正孔注入層
103D 電子輸送層
103E 電子注入層
104 陰電極
104A 保護層
104B 主電極層
200 成膜装置
200A 内部空間
201 処理容器
202 蒸着源
202A 原料
203 ヒータ
204 排気ライン
205 基板保持台
206 移動レール
207 ゲートバルブ
300 成膜装置
300A 内部空間
301 処理容器
302 基板保持台
303 ターゲット
304 高周波電源
306 排気ライン
307 ガス供給手段
308 ゲートバルブ
400A,400B ロードロック室
500 前処理室
600 アライメント処理室
700 成膜装置
900A,900B,900C 搬送室
900a,900b,900c 搬送手段

【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1の電極と、
前記第1の電極に対向する第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極の間に形成された発光層を含む有機層と、を有する発光素子であって、
前記第2の電極は、前記有機層上に形成された該有機層を保護する導電性の保護層と、該保護層上に形成された導電性の主電極層とを含むことを特徴とする発光素子。
【請求項2】
前記保護層は、蒸着法により形成されることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
【請求項3】
前記主電極層は、スパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項2記載の発光素子。
【請求項4】
前記保護層の可視光線の反射率が、前記主電極層の可視光線の反射率より高くなるよう構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のうち、いずれか1項記載の発光素子。
【請求項5】
前記主電極層の耐久性が、前記保護層の耐久性より高くなるよう構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のうち、いずれか1項記載の発光素子。
【請求項6】
前記保護層はAgよりなり、前記主電極層はAgに耐久性を有するための添加物が混合されて構成されることを特徴とする請求項1乃至5のうち、いずれか1項記載の発光素子。
【請求項7】
前記保護層はAgよりなり、前記主電極層はAlを主成分として構成されていることを特徴とする請求項1乃至5のうち、いずれか1項記載の発光素子。
【請求項8】
第1の電極と第2の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子の製造方法であって、
前記第1の電極上に前記有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層上に、複数の層を含む第2の電極を形成する電極形成工程と、を有し、
前記電極形成工程は、
前記有機層上に、該有機層にダメージを与えないで成膜することによって導電性の保護層を形成する工程と、
前記保護層上に均一に成膜することによって主電極層を形成する工程と、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項9】
前記保護層は、蒸着法により形成されることを特徴とする請求項8記載の発光素子の製造方法。
【請求項10】
前記主電極層は、スパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項9記載の発光素子の製造方法。
【請求項11】
前記保護層の可視光線の反射率が、前記主電極層の可視光線の反射率より高くなるよう構成されることを特徴とする請求項8乃至10のうち、いずれか1項記載の発光素子の製造方法。
【請求項12】
前記主電極層の耐久性が、前記保護層の耐久性より高くなるよう構成されることを特徴とする請求項8乃至11のうち、いずれか1項記載の発光素子の製造方法。
【請求項13】
前記保護層はAgよりなり、前記主電極層はAgに耐久性を有するための添加物が混合されて構成されることを特徴とする請求項8乃至12のうち、いずれか1項記載の発光素子の製造方法。
【請求項14】
前記保護層はAgよりなり、前記主電極層はAlを主成分として構成されていることを特徴とする請求項8乃至12のうち、いずれか1項記載の発光素子の製造方法。
【請求項15】
被処理基板上に形成された、第1の電極と第2の電極の間に発光層を含む有機層が保持された構造の発光素子を製造する基板処理装置であって、
前記有機層上に、該有機層を保護するとともに前記第2の電極を構成する導電性の保護層を形成する第1の成膜装置と、
前記保護層上に、前記第2の電極を構成する主電極層を形成する第2の成膜装置と、
前記被処理基板を、前記第1の成膜装置から前記第2の成膜装置に搬送する搬送手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項16】
前記第1の成膜装置は蒸着装置であることを特徴とする請求項15記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記第2の成膜装置は、スパッタリング装置であることを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。

【図1】
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【図2A】
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【図2B】
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【図2C】
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【図2D】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2007−220359(P2007−220359A)
【公開日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−36916(P2006−36916)
【出願日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【出願人】(000003218)株式会社豊田自動織機 (4,162)
【出願人】(504157024)国立大学法人東北大学 (2,297)
【Fターム(参考)】