発光素子、表示装置および電子機器
【課題】所期の発光効率が得られる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示パネル１９では、陽極３と発光層５との間に第１電子注入層６１が形成されるとともに、陽極３と第１電子注入層６１との間に正孔注入層４１が形成されている。換言すれば、陽極３上に、正孔注入層４１、第１電子注入層６１、発光層５の順に積層した構成となっている。この構成によれば、第１電子注入層６１に用いられた電子注入材料が正孔注入層４１内に拡散し、この拡散した電子注入材料が正孔注入層４１内でのホール（正孔）の輸送を阻害もしくは促進することによって、発光層５へ輸送されるホール（正孔）の量が調整され、その結果キャリアバランスが改善される。よって、発光層と陽極との間の有機層に添加される材料の影響によりキャリアバランスが崩れて発光が阻害されていた従来の発光素子よりも、発光効率を向上させることができる。
【解決手段】表示パネル１９では、陽極３と発光層５との間に第１電子注入層６１が形成されるとともに、陽極３と第１電子注入層６１との間に正孔注入層４１が形成されている。換言すれば、陽極３上に、正孔注入層４１、第１電子注入層６１、発光層５の順に積層した構成となっている。この構成によれば、第１電子注入層６１に用いられた電子注入材料が正孔注入層４１内に拡散し、この拡散した電子注入材料が正孔注入層４１内でのホール（正孔）の輸送を阻害もしくは促進することによって、発光層５へ輸送されるホール（正孔）の量が調整され、その結果キャリアバランスが改善される。よって、発光層と陽極との間の有機層に添加される材料の影響によりキャリアバランスが崩れて発光が阻害されていた従来の発光素子よりも、発光効率を向上させることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
上記発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、発光効率（電流効率または外部量子効率）を高める上で、陽極と陰極の間に設けられた発光層に対して、陽極側から正孔を、陰極側から電子を、バランス良く注入することは重要である。
そこで、基板上に形成されたアノード（陽極）と、アノード上に形成された第１有機薄膜層と、第１有機薄膜層上に形成された有機発光層と、有機発光層上に形成された第２有機薄膜層と、第２有機薄膜層上に形成されたカソードと、を含み、第１有機薄膜層及び第２有機薄膜層は、各々単層または多層で構成され、第１有機薄膜層または第２有機薄膜層の少なくとも一部が絶縁体でドーピングまたは積層される有機ＥＬ素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、Ｍｏ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＢからなる群から選択された元素及びＯ、Ｆ、Ｓ、Ｃｌ、Ｓｅ、Ｂｒ及びＩからなる群から選択された元素からなる第１化合物、及び正孔注入層形成用有機化合物である正孔注入物質を含む正孔注入層を発光層と陽極との間に設けた有機発光素子が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１４７６３０号公報
【特許文献２】特開２００９−１５２１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば上記に挙げられた元素のうち、ＬｉやＣｓなどは有機層中を拡散しやすいため（例えば、非特許文献１：パイオニア株式会社 技術情報誌「ＰＩＯＮＥＥＲ Ｒ＆Ｄ」、Ｖｏｌ．１７、Ｎｏ．２、２００７年、第８頁から第１２頁を参照）、発光層と陽極の間の有機層に、ドーピングしたり、挿入したり、積層したり、する材料によっては、当該材料が有機層中に拡散し、最終的には発光層まで到達し、発光層の発光を阻害してしまうという課題があった。換言すれば、従来の発光素子では、所期の発光効率を得ることが困難であるという課題があった。
【０００５】
また、このようなキャリアバランスの乱れは、発光層を含む有機機能層の劣化を招くため、発光寿命が短くなってしまうという課題もあった。つまり、従来の発光素子では、所期の寿命を確保することが困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、前記陽極と前記発光層との間に設けられた電子注入層と、前記陽極と前記電子注入層との間に設けられた正孔注入層と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、電子注入層に用いられた電子注入材料が正孔注入層内に拡散し、この拡散した電子注入材料が正孔注入層内でのホール（正孔）の輸送を阻害もしくは促進することによって、発光層へ輸送されるホール（正孔）の量が調整され、その結果キャリアバランスが改善される。
よって、発光層と陽極との間の有機層に添加される材料の影響によりキャリアバランスが崩れて発光が阻害されていた従来の発光素子よりも、発光効率を向上させることができる。従って、所期の発光効率が得られる発光素子を提供することができる。
さらに、キャリアバランスが優れているため、発光層を含む有機機能層の劣化を抑制することができる。従って、所期の寿命が得られる発光素子を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に記載の発光素子において、前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物で構成されることが望ましい。
【００１０】
本適用例によれば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物で構成される電子注入材料は、正孔注入層内に拡散しやすく、効果的に正孔注入層内でのホール（正孔）の輸送を阻害することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載の発光素子において、前記電子注入層と前記発光層との間に正孔輸送層を備えることを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、電子注入層と発光層との間に正孔輸送層が配置されることにより、電子注入層が発光層に直接接することを回避できるので、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散することによって起きる発光効率の低下が抑制される。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載の発光素子において、前記電子注入層と前記正孔注入層とは直接接していることを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、電子注入層と正孔注入層とが直接接することにより、電子注入層に用いられる電子注入材料が正孔注入層に、より拡散しやすくなる。その結果、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散しにくくなり、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散することによって起こる発光効率の低下を防ぐことができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の発光素子において、前記正孔注入層はイオン伝導性を有することが望ましい。
【００１６】
本適用例によれば、正孔注入層がイオン伝導性を有することにより、電子注入層に用いられる電子注入材料は正孔注入層により容易に拡散する。その結果、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散しにくくなり、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散することによって起こる発光効率の低下を防ぐことができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に記載の発光素子において、前記正孔注入層は、液相プロセスを用いて形成されたものであることが望ましい。
【００１８】
本適用例によれば、液相プロセスを経て形成される正孔注入層を備える発光素子を備える表示装置は、容易に大面積化が可能である。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る表示装置は、上記適用例の発光素子を備えることを特徴とする。
【００２０】
これにより、信頼性の高い表示装置を得ることができる。
【００２１】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の表示装置を備えることを特徴とする。
【００２２】
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態に係るディスプレイ装置の斜視図。
【図２】画素回路の一態様図。
【図３】表示パネルの側断面図。
【図４】第２実施形態に係るディスプレイ装置の斜視図。
【図５】表示パネルの側断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）製造工程の一態様を示す図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）製造工程の一態様を示す図。
【図８】第３実施形態に係る電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピューターを示す斜視図。
【図９】電子機器としての携帯電話機を示す斜視図。
【図１０】電子機器としてのディジタルスチルカメラを示す斜視図である。
【図１１】実施例１に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１２】実施例２に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１３】比較例２１に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１４】比較例２２に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１５】比較例２３に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１６】比較例２４Ｒに係る赤色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１７】比較例２４Ｇに係る緑色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１８】比較例２４Ｂに係る青色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１９】比較例２５Ｂに係る青色発光素子を模式的に示した断面図。
【図２０】比較例２６Ｂに係る青色発光素子を模式的に示した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
また、本実施形態、本実施例、本比較例における発光効率とは、電流効率または外部量子効率のことを指す。
【００２５】
＜第１実施形態＞
（表示装置の概要）
図１は、本実施形態に係るディスプレイ装置の一態様を示す斜視図である。
まず、本発明の実施形態１に係る表示装置としてのディスプレイ装置の概要について説明する。
【００２６】
ディスプレイ装置１００は、有機ＥＬ表示装置であり、表示パネル１９、フレキシブル基板１２などから構成されている。表示パネル１９は、基板２１と封止基板２０との間に、発光層を含む機能層を挟持したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示パネルであり、基板２１側から表示光を出射する。
表示パネル１９は、マトリックス状に配置された複数の画素からなる表示領域Ｖを備えている。図１の右上に拡大して示すように、表示領域Ｖには、青色（Ｂ）の画素が配列されており、各画素が出射する表示光により青色の単色画像が表示される。なお、各画素は発光画素であるが、画素と称する。
表示領域Ｖは、縦長の長方形をなしており、図１を含む各図においては、当該縦方向をＹ軸方向とし、縦方向よりも短い横方向をＸ軸方向と定義している。また、表示パネル１９の厚さ方向をＺ軸方向としている。
【００２７】
表示パネル１９において、基板２１が封止基板２０から張出した領域には、フレキシブル基板１２が接続されている。フレキシブル基板とは、例えば、ポリイミドフィルムの基材に鉄箔の配線などが形成された柔軟性を有するフレキシブルプリント回路基板の略称である。
また、フレキシブル基板１２には、駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）１３が実装されており、その端部には、専用のコントローラーや、外部機器（いずれも図示せず）と接続するための複数の端子が形成されている。
表示パネル１９は、フレキシブル基板１２を介して、外部機器から電力や画像信号を含む制御信号の供給を受けることにより、表示領域Ｖに画像や文字などを表示する。または、青色の面照明装置としても機能する。
【００２８】
（画素回路）
図２は、画素回路の一態様を示す図である。
ここでは、図２を用いて、表示パネル１９の画素の画素回路、および複数の画素の走査駆動の概要について説明する。
図１において表示領域Ｖにマトリックス状に配置された画素の各々には、図２に示すような画素回路１４が形成されている。
画素回路１４は、画素を選択するための選択用トランジスター（Thin Film Transistor）１５と、発光層を含む積層構造からなる機能層３８に電流を流すための駆動用トランジスター２４と、保持容量Ｃなどから構成されている。
選択用トランジスター１５のゲート端子には、走査線駆動回路１７からの走査線ＳＬが接続されており、ソース端子には、データ線駆動回路１８からのデータ線ＤＬが接続されている。
なお、走査線駆動回路１７、およびデータ線駆動回路１８は、図１における表示領域Ｖの周辺部分（額縁領域）に形成されている。または、駆動用ＩＣ１３内に形成されていることであっても良い。
【００２９】
図２に戻る。
選択用トランジスター１５のドレイン端子には、駆動用トランジスター２４のゲート端子と、保持容量Ｃの一端が接続されている。
駆動用トランジスター２４のソース端子と、保持容量Ｃの他端とは、駆動電流出力回路（図示せず）から駆動電流が供給される配線ＩＬに接続されている。そして、駆動用トランジスター２４のドレイン端子は、陽極３に接続されている。
陽極３と、陰極８との間には、機能層３８が配置されている。また、陰極８は、アースラインに接続されている。
【００３０】
走査線駆動回路１７は、シフトレジスターや出力バッファー（いずれも図示せず）を含んで構成され、駆動用ＩＣ１３からのタイミング信号に基づき、複数の走査線ＳＬに順次走査信号を供給する。
データ線駆動回路１８は、シフトレジスターやラッチ回路（いずれも図示せず）を含んで構成され、駆動用ＩＣ１３からのタイミング信号、およびデータ信号に基づき、複数のデータ線ＤＬにデータ信号を供給する。
走査信号によって選択された選択用トランジスター１５はオンし、データ信号が駆動用トランジスター２４に供給される。これにより、駆動用トランジスター２４がオンし、機能層３８に駆動電流が流れて発光する。また、駆動用トランジスター２４がオンするのと並行して、保持容量Ｃにデータ信号が保持されるため、容量に応じた時間（１フレーム相当の期間長）、発光が維持される。
なお、図２に示した画素回路に限定するものではなく、駆動電流によって、同様に機能層３８を点灯駆動可能な画素回路であれば異なる回路構成であっても良い。
【００３１】
（断面構造の概要）
図３は、図１のｊ−ｊ断面における側断面図であり、表示パネル（画素）の断面構成の概要を示している。
図３に示すように、表示パネル１９は、基板２１上に、平坦化層２２、複数の発光素子１、エポキシ層３５、封止基板２０が、この順番に積層された構成となっている。
基板２１上には、複数の駆動用トランジスター２４が設けられ、これらの駆動用トランジスター２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
各駆動用トランジスター２４は、シリコン等の半導体材料からなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
また、平坦化層２２上には、各駆動用トランジスター２４に対応して、発光素子１が設けられている。
【００３２】
発光素子１は、平坦化層２２上に形成された、陽極３、機能層３８、陰極８からなる積層構造をなしている。
ここで、機能層３８は、正孔注入層４１、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、発光層５、電子輸送層６２、第２電子注入層６３からなる積層構造により構成されている。
つまり、発光素子１は、陽極３、正孔注入層４１、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、発光層５、電子輸送層６２、第２電子注入層６３からなる積層構造をなしている。
また、第１電子注入層６１と、正孔輸送層４３との積層構造をキャリア選択層４６とも称する。
【００３３】
かかる構成の発光素子１の隣接するもの同士の間には、隔壁３１が設けられ、これにより各発光素子１が個別に設けられている。
本実施形態では、各発光素子１において、陽極３、正孔注入層４１が、隔壁３１で区画されることにより個別に設けられ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８が、一体的に設けられている。かかる構成とすることで、各発光素子１の陽極３は、画素電極（個別電極）を構成し、さらに、各発光素子１の陰極８は、共通電極を構成する。また、各発光素子１の陽極３は、各駆動用トランジスター２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。
このように、発光素子１を備える表示パネル１９において、各発光素子１の発光輝度を、駆動用トランジスター２４を用いて制御することにより、すなわち各発光素子１へ印加する電圧を制御することにより、表示パネル１９のモノカラー表示が可能となる。
【００３４】
かかる構成の発光素子１に本発明の発光素子が適用されるが、発光素子１の詳細については、後述する。
さらに、これらの発光素子１上には、本実施形態では、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層３５が形成されている。
そして、エポキシ層３５上に、これを覆うように封止基板２０が設けられている。これにより、発光素子１の気密性が確保され、酸素や水分の浸入を防止できることから、発光素子１の信頼性の向上を図ることができる。
以上説明したようなディスプレイ装置１００は、各発光素子１を同時に発光させることで青色の単色表示が可能となる。
【００３５】
（発光素子の詳細）
前述したように、発光素子１は、正孔注入層４１と、第１電子注入層６１と、正孔輸送層４３と、発光層５と、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが陽極３側からこの順に積層された積層体が、陽極３と陰極８の間に介挿されてなるものである。
このような発光素子１にあっては、発光層５に対し、陰極８側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、発光層５では、正孔と電子とが再結合し、この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、発光層５が光を発光する。
本実施形態では、好適例として発光層５を青色発光層としているため、各画素の発光素子１は青色発光する。
なお、青色に限定するものではなく、赤色や緑色や橙色などの他の色であっても良い。
【００３６】
以下、発光素子１を構成する各部について順次説明する。
［陽極３］
陽極３は、正孔注入層４１に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料としては、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料が好適に用いられる。
陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、フッ素添加ＳｎＯ2、Ｓｂ添加ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ａｌ添加ＺｎＯ、Ｇａ添加ＺｎＯ等の金属酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、表示パネル１９を、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルとする場合、陽極３には光透過性が求められるため、上述した構成材料のうち、光透過性を有する金属酸化物が好適に用いられる。
【００３７】
［正孔注入層４１］
正孔注入層４１は、陽極３からの正孔注入を容易にする機能を有するものである。
この正孔注入層４１の構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、後述する、正孔注入層４１の形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、導電性高分子材料（または導電性オリゴマー材料）に電子受容性ドーパントを添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。
このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のようなポリチオフォン系正孔注入材料や、ポリアニリン−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）のようなポリアニリン系正孔注入材料や、下記一般式（１）で表わされるオリゴアニリン誘導体と、下記一般式（４）で表わされる電子受容性ドーパントとで塩を形成してなるオリゴアニリン系正孔注入材料が挙げられる。
【００３８】
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して下記一般式（２）または下記一般式（３）で表される二価の基であり、Ｒ４〜Ｒ１１、はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基、アシル基、またはスルホン酸基であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して１以上の正数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。］
【００３９】
【化２】
【００４０】
【化３】
［式中、Ｄは、ベンゼン環、ナフタレン環、アトラセン環、フェナントレン環または複素環を表し、Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立してカルボキシル基またはヒドロキシル基を表す。］
このような正孔注入層の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００４１】
［第１電子注入層６１］
第１電子注入層６１において、電子注入層に用いられた電子注入材料が正孔注入層内に拡散し、この拡散した電子注入材料が正孔注入層内でのホールの輸送を阻害もしくは促進する。これにより、発光層５へ輸送されるホールの量を調整され、その結果キャリアバランスが改善され、発光効率が向上する。つまり、第１電子注入層６１は正孔注入層４１のホール輸送量を調整する機能を有する。
この第１電子注入層６１の構成材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、アルカリ土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、希土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、金属錯体等のような電子注入材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
第１電子注入層６１をこのような電子注入材料を主材料として構成されるものとすることで、発光層５へ輸送されるホールの量を調整することができる。
アルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。また、アルカリ土類金属としては、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａが挙げられる。さらに、希土類金属としては、例えば、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｂ、Ｅｕが挙げられる。
アルカリ金属塩としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2ＣＯ3、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ2ＣＯ3、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3、ＣｓＣｌが挙げられる。また、アルカリ土類金属塩としては、例えば、ＣａＦ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＦ2、ＳｒＣＯ3、ＢａＦ2、ＢａＣＯ3が挙げられる。さらに、希土類金属塩としては、例えば、ＳｍＦ3、ＥｒＦ3が挙げられる。
【００４３】
金属錯体としては、例えば、８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）やトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体が挙げられる。
また、第１電子注入層６１の形成プロセスは、真空蒸着法（蒸着法）やスパッタ法のような気相プロセスを用いても良いし、インクジェット法やスリットコート法のような液相プロセスを用いても良い。
さらに、第１電子注入層６１は、２種以上の電子注入層が積層される形で形成されていても良い。これによって、発光層５へ輸送されるホール量の調整が的確に行われる。
第１電子注入層６１の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。第１電子注入層６１の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、発光層５へ輸送されるホール量の調整が的確に行われる。
【００４４】
［正孔輸送層４３］
正孔輸送層４３は、正孔輸送層４３の陽極３側界面から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能を発揮するものである。なお、正孔輸送層４３が発光層５から正孔輸送層４３に流れてくる電子をブロックする機能を持つことで、これら電子を発光層５に留めることできるので、より発光効率を高めることが可能である。加えて、正孔輸送層４３は、第１電子注入層６１が発光層５に直接接することを防いだり、第１電子注入層６１に用いられる電子注入材料が発光層５に拡散するのを低減したりする役割を担うことができる。
【００４５】
この正孔輸送層４３の構成材料としては、特に限定されないが、後述する、正孔輸送層４３の形成工程において、真空蒸着法のような気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、下記式（５）で表わされるビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）、下記式（６）で表わされる化合物のようなベンジジン誘導体等のアミン系化合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４６】
【化４】
【００４７】
このような正孔輸送層４３の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、正孔注入層４１から第１電子注入層６１を介して注入された正孔を発光層５まで的確に輸送することができる。
【００４８】
［発光層５］
発光層５は、所定の色光を発光する発光材料を含んで構成された、発光作用（機能）を担う層（発光機能層）である。本実施形態では、発光層５は青色発光層としたため、発光層５は青色の光を発光する。
発光層５は、陽極３側から正孔が供給（注入）されるとともに、陰極８側から電子が供給（注入）されることにより、発光層５において正孔と電子とが再結合し、この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が発光層５に含まれる青色発光材料において基底状態に戻る際にエネルギーを、青色の光として放出する。
このような青色発光材料としては、特に限定されないが、発光層５の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るものが好適に用いられ、具体的には、下記式（７）で表わされる化合物のようなスチリル誘導体が挙げられる。
【００４９】
【化５】
【００５０】
また、その他、青色発光材料としては、アントラセン誘導体をホスト材料とし、このホスト材料に、スチリル誘導体がゲスト材料として含まれるものであってもよい。
ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを青色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、青色発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
この場合、アントラセン誘導体としては、下記式（８）、下記式（９）および下記式（１０）で表わされる化合物が挙げられ、スチリル誘導体としては、下記式（１１）、下記式（１２）および下記式（１３）で表わされる化合物が挙げられ、それぞれ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５１】
【化６】
【００５２】
なお、このような気相プロセスを経て形成される発光層５を備える発光素子１は、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
さらに、このようなゲスト材料およびホスト材料を用いる場合、発光層５中におけるゲスト材料の含有量（ドープ量）は、ホスト材料に対して重量比で０．１％以上、２０％以下程度であるのが好ましく、０．５％以上、１０％以下程度であるのがより好ましい。ゲスト材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
このような発光層５の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００５３】
［電子輸送層６２］
電子輸送層６２は、陰極８から第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に注入された電子を発光層５に輸送する機能を有するものである。また、電子輸送層６２は、発光層５から電子輸送層６２へ通過しようとする正孔をブロックする機能を有する場合もある。
電子輸送層６２の構成材料（電子輸送材料）としては、特に限定されないが、電子輸送層６２の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）や８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）のようなオキサジアゾール誘導体、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体、下記式（１４）で表わされる化合物のようなシロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、下記式（１５）で表わされる化合物のような含窒素複素環誘導体等が好適に用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
【化７】
【００５５】
電子輸送層６２の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これにより、第２電子注入層６３から注入された電子を好適に発光層５に輸送することができる。
なお、この電子輸送層６２は、発光素子１を構成する正孔注入層４１、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、発光層５、第２電子注入層６３および陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００５６】
［第２電子注入層６３］
第２電子注入層６３は、陰極８から電子輸送層６２への電子の注入効率を向上させる機能を有するものである。
この第２電子注入層６３の構成材料（電子注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、前述の第１電子注入層６１の構成材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。
なお、第２電子注入層６３および第１電子注入層６１の構成材料（電子注入材料）は、それぞれ、これらを挟持する２つの層の構成材料の組み合わせに応じて、最適な注入効率が得られるものが選択されるため、第２電子注入層６３の構成材料と第１電子注入層６１の構成材料とは、同一であっても異なっていてもよい。
第２電子注入層６３の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この第２電子注入層６３は、電子輸送層６２と陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００５７】
［陰極８］
陰極８は、第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極である。この陰極８の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。陰極８の構成材料のとしては、後述する、陰極８の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕまたはこれらを含む合金等が用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
特に、本実施形態のように、ボトムエミッション構造の表示パネル１９とする場合、陰極８には光透過性が求められず、陰極８の構成材料のとしては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００５８】
なお、表示パネル１９がトップエミッション構造の表示装置である場合、陰極８の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の光透過性を維持しつつ、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１の陽極３、正孔注入層４１、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、発光層５、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００５９】
なお、発光素子１を含む表示パネル１９の製造方法については、実施形態２で説明する。
【００６０】
以上述べたように、本実施形態に係るディスプレイ装置１００（表示パネル１９）によれば、以下の効果を得ることができる。
表示パネル１９では、陽極３と発光層５との間にキャリア選択層４６が形成されるとともに、陽極３とキャリア選択層４６との間に正孔注入層４１が形成されている。換言すれば、陽極３上に、正孔注入層４１、キャリア選択層４６、発光層５の順に積層した構成となっている。
この構成によれば、キャリア選択層４６の第１電子注入層６１に用いられた電子注入材料が正孔注入層４１内に拡散し、この拡散した電子注入材料が正孔注入層４１内でのホール（正孔）の輸送を阻害もしくは促進することによって、発光層５へ輸送されるホール（正孔）の量が調整され、その結果キャリアバランスが改善される。
よって、発光層と陽極との間の有機層に添加される材料の影響によりキャリアバランスが崩れて発光が阻害されていた従来の発光素子よりも、発光効率を向上させることができる。
従って、所期の発光効率が得られる発光素子１、および発光素子１を備えたディスプレイ装置１００（表示パネル１９）を提供することができる。
【００６１】
さらに、キャリアバランスが優れているため、発光層５を含む機能層３８の劣化を抑制することができる。
従って、所期の寿命が得られる発光素子１を提供することができる。
また、第１電子注入層６１が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物から構成されているため、正孔注入層４１内に拡散しやすく、効果的に正孔注入内でのホール（正孔）の輸送を阻害することができる。
【００６２】
さらに、第１電子注入層６１と発光層５との間に正孔輸送層４３が形成されているため、第１電子注入層６１が発光層５に直接接することを回避できるので、第１電子注入層６１に用いられる電子注入材料が発光層５に拡散することによって起きる発光効率の低下を抑制することができる。
また、第１電子注入層６１と正孔注入層４１とが直接接しているため、第１電子注入層６１に用いられる電子注入材料が正孔注入層４１により拡散しやすくなる。その結果、電子注入材料が発光層５に拡散しにくくなり、電子注入材料が発光層５に拡散することによって起こる発光効率の低下を抑制することができる。
【００６３】
また、正孔注入層４１がイオン伝導性を有しているため、第１電子注入層６１に用いられる電子注入材料は正孔注入層４１により容易に拡散する。
これにより、電子注入材料が発光層５に拡散しにくくなるため、発光効率の低下を抑制することができる。
また、液相プロセスを用いて正孔注入層４１を形成することが可能であるため、表示パネルの大型化に容易に対応することができる。
【００６４】
＜第２実施形態＞
（表示装置の概要）
図４は、本実施形態に係るディスプレイ装置の一態様を示す斜視図であり、図１に対応している。
まず、本発明の実施形態２に係る表示装置としてのディスプレイ装置の概要について説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００６５】
本実施形態に係るディスプレイ装置１１０は、フルカラーの画像表示が可能な表示パネル２９を備えている。詳しくは、図４の右上における表示領域Ｖの拡大図に示すように、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の画素が周期的に形成された表示パネル２９を備えている。これ以外の構成は、実施形態１のディスプレイ装置１００と同様である。
【００６６】
（発光素子の詳細）
図５は、図４のｊ−ｊ断面における側断面図であり、図３に対応している。
以下、実施形態１の表示パネル１９との相違点を中心に説明する。
表示パネル２９の表示領域Ｖには、Ｘ軸方向において赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の画素が、周期的に形成されている。なお、各色画素のことをサブ画素、連続するＲＧＢの３つのサブ画素からなる画素セットをカラー画素ともいう。
図５において、一番右側（Ｘ軸（−）側）に示された画素は、Ｂ光を発する青色画素であり、発光素子１Ｂを備えている。ここで、発光素子１Ｂは、実施形態１の発光素子１と同一構成であるが、他の色光の画素と区別するために、発光素子１Ｂと称する。
青色画素の隣のＧ光を発する緑色画素、および緑色画素の隣のＲ光を発する赤色画素は、発光素子１Ｂとは異なる積層構造の発光素子１Ｇ、発光素子１Ｒをそれぞれ備えている。これらの構成以外は、実施形態１の表示パネル１９と同様である。
【００６７】
以下、各発光素子について詳細に説明する。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、それぞれ、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと、陰極８の間に、陰極８側から、第１の層と、第２の層と、第３の層とをこの順に備える。
第１の層は、第１の色を発光する機能を有する層である。以下、ある色を発光する機能を有する層を発光層と称する。本実施形態では、第１の色は青色であり、第１の層は、青色発光層５Ｂである。なお、青色発光層５Ｂは、実施形態１の発光層５と同一である。
第２の層は、キャリア選択層４６である。キャリア選択層とは、第３の層の機能によってキャリアの流れが選択される機能を有する層であり、実施形態１と同様に、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側からこの順に積層された積層体により構成される。
【００６８】
発光素子１Ｒと１Ｇにおいては、第３の層は第２の色を発光する機能を有する層であり、それぞれ、赤色発光層５Ｒと緑色発光層５Ｇである。つまり、本実施形態における第２の色は、発光素子１Ｒと１Ｇにおいて、それぞれ、赤色と緑色である。
また、発光素子１Ｂにおいては、第３の層は正孔注入層４１Ｂとなる。なお、正孔注入層４１Ｂは、実施形態１の正孔注入層４１と同一である。
発光素子１Ｒは、平坦化層２２上に、陽極３Ｒと、正孔注入層４１Ｒと、中間層４２Ｒと、第３の層としての赤色発光層５Ｒと、第２の層としてのキャリア選択層４６と、第１の層としての青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３と、陰極８とが、この順に積層されている。
また、発光素子１Ｇは、平坦化層２２上に、陽極３Ｇと、正孔注入層４１Ｇと、中間層４２Ｇと、第３の層としての緑色発光層５Ｇと、第２の層としてのキャリア選択層４６と、第１の層としての青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３と、陰極８とが、この順に積層されている。
【００６９】
本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにおいて、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ、各正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、各中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび各発光層５Ｒ、５Ｇが、隔壁３１で区画されることにより個別に設けられ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８が、一体的に設けられている。
かかる構成とすることで、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、画素電極（個別電極）を構成し、さらに、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陰極８は、共通電極を構成する。また、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、各駆動用トランジスター２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。
【００７０】
このように、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備える表示パネル２９において、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光輝度を、駆動用トランジスター２４を用いて制御することにより、すなわち各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂへ印加する電圧を制御することにより、ディスプレイ装置１１０のフルカラー表示が可能となる。
かかる構成の表示パネル２９において、本発明の発光素子が適用される。以下、発光素子１Ｒ、１Ｇについて、順次説明する。
【００７１】
（発光素子１Ｒ）
発光素子（赤色発光素子）１Ｒは、正孔注入層４１Ｒと、中間層４２Ｒと、赤色発光層５Ｒと、キャリア選択層４６と、青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｒと陰極８との間に介挿されてなるものである。
発光素子１Ｒにおいて、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｒにおいて、陽極３Ｒおよび陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３Ｒは正孔注入層４１Ｒに正孔を注入する電極として機能し、陰極８は第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。
【００７２】
このような構成の発光素子１Ｒでは、中間層４２Ｒと、赤色発光層５Ｒとが固有の構成部位となる。換言すれば、陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、キャリア選択層４６、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３、および陰極８は、実施形態１での対応部位と同様である。
以下、発光素子１Ｒ固有の構成部位について説明する。
【００７３】
［中間層４２Ｒ］
中間層４２Ｒは、正孔注入層４１Ｒから注入された正孔を赤色発光層５Ｒまで輸送する機能を有する。また、中間層４２Ｒは、赤色発光層５Ｒから中間層４２Ｒへ通過しようとする電子をブロックする機能を有する場合もある。
この中間層４２Ｒの構成材料としては、特に限定されないが、後述する、中間層４２Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、下記一般式（１６）で表わされるトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物が好適に用いられる。
【００７４】
【化８】
【００７５】
このような中間層４２Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この中間層４２Ｒは、発光素子１Ｒを構成する、陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、赤色発光層５Ｒ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００７６】
［赤色発光層５Ｒ］
赤色発光層５Ｒは、赤色に発光する赤色発光材料を含んで構成される。
発光素子１Ｒでは、この赤色発光層５Ｒが、陽極３Ｒとキャリア選択層（第２の層）４６との間に設けられた第３の層を構成し、この赤色発光層５Ｒが発光素子１Ｒにおける第２の色（赤色）を発光する機能を有する。
このような赤色発光層５Ｒの構成材料は、特に限定されないが、後述する、赤色発光層５Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、赤色発光層５Ｒの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子赤色発光材料および低分子赤色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（１７）および下記一般式（１８）で表わされる高分子赤色発光材料が挙げられる。
【００７７】
【化９】
【００７８】
なお、このような液相プロセスを経て形成される赤色発光層５Ｒを備える発光素子１Ｒは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
このような赤色発光層５Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００７９】
［キャリア選択層４６］
第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体により、キャリア選択層（第２の層）４６が構成される。
発光素子１Ｒにおいて、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を赤色発光層５Ｒに円滑に注入するというキャリア注入動作を行う。このため、発光素子１Ｒにおいて、青色発光層５Ｂの発光は大幅に抑制され、赤色発光層５Ｒが選択的もしくは支配的に発光する。
【００８０】
（発光素子１Ｇ）
発光素子（緑色発光素子）１Ｇは、正孔注入層４１Ｇと、中間層４２Ｇと、緑色発光層５Ｇと、キャリア選択層４６と、青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが、陽極３Ｇ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｇと陰極８との間に介挿されてなるものである。
発光素子１Ｇにおいて、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｇ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｇにおいて、陽極３Ｇおよび陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３Ｇは正孔注入層４１Ｇに正孔を注入する電極として機能し、陰極８は第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。
発光素子１Ｇは、赤色発光層５Ｒに代えて緑色発光層５Ｇを備えること以外は、前述の発光素子１Ｒと同様の構成のものである。換言すれば、陽極３Ｇ、正孔注入層４１Ｇ、キャリア選択層４６、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３、および陰極８は、実施形態１での対応部位と同様である。
以下、発光素子１Ｇ固有の構成部位について説明する。
【００８１】
［緑色発光層５Ｇ］
緑色発光層５Ｇは、緑色に発光する緑色発光材料を含んで構成される。
発光素子１Ｇでは、この緑色発光層５Ｇが、陽極３Ｇとキャリア選択層（第２の層）４６との間に設けられた第３の層を構成し、この緑色発光層５Ｇが発光素子１Ｇにおける第２の色（緑色）を発光する機能を有する。
このような緑色発光層５Ｇの構成材料は、特に限定されないが、後述する、緑色発光層５Ｇの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、緑色発光層５Ｇの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子緑色発光材料および低分子緑色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（１９）および下記一般式（２０）で表わされる高分子緑色発光材料が挙げられる。
【００８２】
【化１０】
【００８３】
なお、このような液相プロセスを経て形成される緑色発光層５Ｇを備える発光素子１Ｇは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
このような緑色発光層５Ｇの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１Ｇの陽極３Ｇ、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇ、緑色発光層５Ｇ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００８４】
（発光素子１Ｂの補足説明）
発光素子１Ｂにおいて、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光層５Ｂに留めるというキャリアブロック動作を行う。このため、発光素子１Ｂにおいて、青色発光層５Ｂは効率よく発光する。このキャリアブロック動作を的確に行うためには、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３には、キャリアブロック機能を有するものを用いることが望ましい。例えば、前述の発光素子１Ｒの正孔輸送層４３の構成材料として挙げたアミン系化合物を用いることにより、正孔輸送層４３は電子ブロック機能を有するものとなる。
なお、かかる構成の発光素子１Ｂの陽極３Ｂ、正孔注入層４１Ｂ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００８５】
（表示パネルの製造方法）
図６（ａ）〜（ｃ）、および図７（ａ）〜（ｃ）は、表示パネルの製造工程における一態様を示す図であり、図５に対応した側断面図である。
ここでは、上述した表示パネル２９の製造方法について説明する。なお、第１実施形態の表示パネル１９の製造方法は、本実施形態の表示パネル２９の製造方法のうち、青色画素のみを全ての画素に形成したものである。換言すれば、中間層４２Ｒ、赤色発光層５Ｒ、および中間層４２Ｇ、緑色発光層５Ｇを省略した製造方法が、第１実施形態の表示パネル１９の製造方法となる。
【００８６】
［１］まず、基板２１を用意し、各サブ画素に対応するように、複数の駆動用トランジスター２４を形成したのち、これら駆動用トランジスター２４を覆うように平坦化層２２を形成する（第１の工程）。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、駆動用トランジスター２４を含む画素回路素子を形成する。なお、説明の都合上、駆動用トランジスター２４を中心に説明する。
［１−Ａａ］まず、基板２１上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが３０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下程度のアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ａｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザーアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザーアニール法では、例えば、エキシマレーザーでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ2程度に設定される。
［１−Ａｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とすることで半導体層２４１を得、これら島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが６０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度の酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ａｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
【００８７】
［１−Ａｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
［１−Ｂ］次に、駆動用トランジスター２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｂａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃ］次に、ドレイン電極２４５と、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂとを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｃａ］まず、第１平坦化層上に、第２平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
なお、［１−Ｂ］工程および［１−Ｃ］工程において形成された第１平坦化層および第２平坦化層により平坦化層２２が構成される。
【００８８】
［２］次に、平坦化層２２上に、各配線２７に対応するように、陽極（個別電極）３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成する（第２の工程）。
この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、平坦化層２２上に、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料を主材料として構成される薄膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
［３］次に、平坦化層２２上に、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを区画するように、すなわち、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成する領域を区画するように、隔壁（バンク）３１を形成する（第３の工程）。
隔壁３１は、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを覆うように平坦化層２２上に、絶縁膜を形成した後、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、平坦化層２２等との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ2のような無機材料が挙げられる。
【００８９】
図６（ａ）は、ここまでの工程により隔壁３１までが形成された状態を示している。
また、隔壁３１の開口の形状は、図４に示すように、四角形の他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
なお、隔壁３１の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光層５Ｒ、５Ｇを、後述するような液状材料を用いて形成する際に、これらの液状材料を、隔壁３１の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。
このような隔壁３１の高さは、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、０．５μｍ以上、５μｍ以下程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。
【００９０】
なお、インクジェット法によって、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光層５Ｒ、５Ｇを形成する場合、隔壁３１が形成された基板２１は、プラズマ処理されることが望ましい。具体的には、隔壁３１が形成された基板２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面と隔壁３１の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。次にＣＦ4等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１の隔壁としての機能がより効果的に発揮される。
【００９１】
［４］次に、発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒおよび赤色発光層５Ｒを形成し、発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇおよび緑色発光層５Ｇを形成し、さらに、発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｂを形成する（第４の工程）。この第４の工程について、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ毎に以下に詳述する。
［発光素子１Ｒ］発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒおよび赤色発光層５Ｒをこの順番に形成する。それぞれの層を形成する工程を正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光層５Ｒ形成工程とし、以下に詳述する。
【００９２】
［正孔注入層４１Ｒ形成工程］まず、図６（ｂ）に示すように、正孔注入層４１Ｒをインクジェット法によって塗布する。具体的には、正孔注入材料を含有する正孔注入層４１Ｒ形成用のインク（液状材料）を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３Ｒ上に塗布する（塗布工程）。
ここで、正孔注入層形成用のインクの調製に用いる溶媒（インク溶媒）または分散媒（インク分散媒）としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、テトラリン等の脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００９３】
なお、陽極３Ｒ上に塗布された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、図６（ｂ）に示すように、陽極３Ｒが隔壁３１により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔注入層４１Ｒの輪郭形状が正確に規定される。
次に、塗布した正孔注入層４１Ｒに対して後処理を施す（後処理工程）。具体的には、各陽極３Ｒ上に塗布した正孔注入層形成用のインク（液状材料）を乾燥し、正孔注入層４１Ｒを形成する。この乾燥によって、溶媒または分散媒を除去することができる。
図６（ｃ）には、乾燥後の正孔注入層４１Ｒの態様が示されている。
【００９４】
乾燥の手法としては、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理（例えば４０℃以上、８０℃以下程度）による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、必要に応じて、正孔注入層４１Ｒが形成された基板２１を１００℃以上、３００℃以下程度で加熱（ベーク）する。この加熱により、乾燥後に正孔注入層４１Ｒの膜内に残留した溶媒または分散媒を、取り除くことができる。また、加熱により架橋し溶媒に対して不溶化するような正孔注入材料を用いている場合は、この加熱によって正孔注入層４１Ｒを不溶化させることもできる。また、この加熱後、正孔注入層４１Ｒの未不溶化部分を除去するために、正孔注入層４１Ｒが形成された基板２１の表面を溶媒によってリンス（洗浄）することもある。このリンスによって、正孔注入層４１Ｒの未不溶化部分が、正孔注入層４１Ｒの上に形成される中間層４２Ｒに、混入することを防ぐことができる。
【００９５】
［中間層４２Ｒ形成工程］中間層４２Ｒ形成工程では、まず中間層４２Ｒを各正孔注入層４１Ｒ上に正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した中間層４２Ｒに対して正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の後処理を施す。但し、中間層４２Ｒ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、中間層４２Ｒの形成に適したものを適宜選択する。
図７（ａ）には、乾燥後の正孔注入層４１Ｒの態様が示されている。
【００９６】
［赤色発光層５Ｒ形成工程］赤色発光層５Ｒ形成工程では、まず赤色発光層５Ｒを各中間層４２Ｒ上に正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した赤色発光層５Ｒに対して正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の後処理を施す。但し、赤色発光層５Ｒ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、赤色発光層５Ｒの形成に適したものを適宜選択する。図７（ｂ）には、乾燥後の赤色発光層５Ｒの態様が示されている。
上述した正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光層５Ｒ形成工程には、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法では、インクの吐出量およびインク滴の着弾位置を、基板の面積の大小に関わらず高精度に制御できるため、かかる方法を用いることにより、正孔注入層４１Ｒの薄膜化、画素サイズの微小化、さらにはディスプレイ装置１１０の大面積化を図ることができる。また、各層を形成するためのインク（液状材料）を、隔壁３１の内側に選択的に供給することができるため、インクのムダを省くことができる。
【００９７】
なお、これら、正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光層５Ｒ形成工程は、インクジェット法に限らず、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の液相プロセスも用いることができる。
【００９８】
［発光素子１Ｇ］発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇおよび緑色発光層５Ｇをこの順番に発光素子１Ｒと同様の手法を用いて形成する。但し、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇ、緑色発光層５Ｇのそれぞれの層において、層の形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、それぞれの層の形成に適したものを適宜選択する。
【００９９】
［発光素子１Ｂ］発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｂを発光素子１Ｒの正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の手法を用いて形成する。但し、正孔注入層４１Ｂ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、正孔注入層４１Ｂの形成に適したものを適宜選択する。
以上のように、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光層５Ｒ、５Ｇの各層をインクジェット法によって形成する場合、各層は塗布工程と後処理工程を経て完全に形成されるが、各層の塗布工程は、図６（ｂ）（ｃ）、および図７（ａ）（ｂ）に示すように、他のサブ画素の塗布工程と一緒に行っても良いし、各層の後処理工程も、他のサブ画素と一緒に行っても良い。
【０１００】
［５］次に、図７（ｃ）に示すように、赤色発光層５Ｒ、緑色発光層５Ｇ、正孔注入層４１Ｂおよび隔壁３１に重なるように、すなわち、隔壁３１の平坦化層２２と接している面と反対側の全面を覆うように、第１電子注入層６１を形成する（第５の工程）。
これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第１電子注入層６１が一括（一体的）に形成される。
この第１電子注入層６１も、前記工程［発光素子１Ｒ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、赤色発光層５Ｒ、緑色発光層５Ｇ、正孔注入層４１Ｂと第１電子注入層６１との間での層溶解を防止しつつ、第１電子注入層６１を確実に形成することができる。
【０１０１】
［６］次に、第１電子注入層６１の全面を覆うように、正孔輸送層４３を形成する（第６の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の正孔輸送層４３が一括に形成される。
［７］次に、正孔輸送層４３の全面を覆うように、青色発光層５Ｂを形成する（第７の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の青色発光層５Ｂが一括に形成される。
［８］次に、青色発光層５Ｂの全面を覆うように、電子輸送層６２を形成する（第８の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の電子輸送層６２が一括に形成される。
［９］次に、電子輸送層６２の全面を覆うように、第２電子注入層６３を形成する（第９の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第２電子注入層６３が一括に形成される。
［１０］次に、第２電子注入層６３の全面を覆うように、陰極８を形成する（第１０の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の陰極８が一括に形成される。
なお、前記工程［６］〜［１０］で形成する各層も、前記工程［発光素子１Ｒ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、隣接する層同士間における層溶解を防止しつつ、形成すべき層を確実に形成することができる。
【０１０２】
また、前記工程［発光素子１Ｒ］および［発光素子１Ｇ］において、それぞれ、発光層５Ｒおよび５Ｇをインクジェット法のような液相プロセスを用いて成膜することにより、発光色の異なる発光層５Ｒおよび５Ｇを容易に塗り分け、かつディスプレイ装置１１０の大面積化を容易に実現することができる。加えて、前記工程［６］および［７］において、それぞれ、正孔輸送層４３および青色発光層５Ｂを気相プロセス（気相成膜法）を用いて形成することにより、発光素子１Ｂは、実用レベルの発光寿命を十分に備えるものとなる。さらに、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の青色発光層５Ｂを一括して（一体的に）形成する構成としたことから、高精細マスクを用いて、発光素子１Ｂに対して選択的に青色発光層５Ｂを成膜する必要がないため、工程の簡略化、さらには表示パネル２９の大面積化を容易に図ることができる。
【０１０３】
また、前記工程［５］および［６］において、それぞれ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第１電子注入層６１および正孔輸送層４３を一括して形成する構成とした、すなわち第１電子注入層６１および正孔輸送層４３で構成されるキャリア選択層４６を一体的に形成する構成としたことから、高精細マスクを用いて、発光素子１Ｂに対して選択的に第１電子注入層６１および正孔輸送層４３を成膜する必要がないため、工程の簡略化、さらには表示パネル２９の大面積化を容易に図ることができる。
以上のようにして、各駆動用トランジスター２４に対応して、複数の赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが形成される。
【０１０４】
［１１］次に、図５に示すように、封止基板２０を用意し、陰極８と封止基板２０との間にエポキシ系の接着剤を介在させた後、この接着剤を乾燥させる。これにより、エポキシ層３５を介して、封止基板２０で陰極８を覆うように陰極８と封止基板２０とを接合することができる。
この封止基板２０は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを保護する保護基板としての機能を発揮する。このような封止基板２０を、陰極８上に設ける構成とすることで、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
以上のような工程を経て、図５に示す、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが封止基板２０により封止された表示パネル２９が完成される。
【０１０５】
以上述べたように、本実施形態に係るディスプレイ装置１１０（表示パネル２９）によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
まず、発光素子１Ｂについては、実施形態１と同一の構成であるため、実施形態１での作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
以下、本実施形態の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが有する作用効果について、キャリア選択層４６の機能を中心に説明する。
【０１０６】
本実施形態では、キャリア選択層（第２の層）４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側からこの順に積層された積層体により構成される。
かかる構成のキャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に注入される電子の量を、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側に接する層（第３の層）に応じて、選択的に制御する層である。すなわち、キャリア選択層（第２の層）４６は、第３の層の機能によってキャリアの流れが選択される機能を有する層である。
具体的には、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に直接接する層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇの場合、すなわち、キャリア選択層４６の陽極３Ｒ，３Ｇ側界面に第２の色を発光する機能を有する発光層が接触する場合、キャリア選択層４６は青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇに円滑に注入する（キャリア注入動作）。このため、発光素子１Ｒの青色発光層５Ｂでは、正孔と電子との再結合が的確に抑制または防止されるため、発光素子１Ｒの青色発光層５Ｂは、青色発光しないか、青色発光したとしてもその発光は的確に抑制される。これに対して、赤色発光層５Ｒには、陰極８側から青色発光層５Ｂを介して電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ側から正孔が供給（注入）される。そして、赤色発光層５Ｒでは、正孔と電子とが再結合し、この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、赤色発光層５Ｒが赤色に発光する。その結果、発光素子１Ｒは赤色に発光する。同様に、発光素子１Ｇにおいても、青色発光層５Ｂの発光は大幅に抑制され、緑色発光層５Ｇが選択的もしくは支配的に発光する。その結果、発光素子１Ｇは緑色に発光する。
【０１０７】
一方、発光素子１Ｂのように、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂの場合、すなわち、キャリア選択層の陽極側界面に正孔注入層が接触する場合、キャリア選択層４６は青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光層５Ｂに留める（キャリアブロック動作）。このため、青色発光層５Ｂにおいて、陽極３Ｂ側から供給（注入）された正孔と、陰極８側から供給（注入）された電子とが、再結合しやすくなる。この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、青色発光層５Ｂは効率良く発光する。その結果、発光素子１Ｂは高効率で青色に発光する。
【０１０８】
このように、キャリア選択層４６は、キャリア選択層（第２の層）４６に接する第３の層の種類によって、キャリア注入動作を行ったり、キャリアブロック動作を行ったりする。
発光素子１Ｒと発光素子１Ｇにおけるキャリア選択層４６の電子に対する挙動と、発光素子１Ｂにおけるキャリア選択層４６の電子に対する挙動が異なる理由について、正孔注入層４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料だった場合を例に説明を行う。
まず、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に接する層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇの場合、発光素子１Ｒおよび１Ｇのキャリア選択層４６内の第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、それぞれ、発光素子１Ｒおよび１Ｇの正孔輸送層４３内に拡散し、これによって発光素子１Ｒおよび１Ｇの正孔輸送層４３に備わっている電子ブロック機能が大きく低下する。この結果、発光素子１Ｒおよび１Ｇでは、青色発光層５Ｂから正孔輸送層４３へ電子が円滑に注入される。さらに、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇと、正孔輸送層４３との間に存在する第１電子注入層６１の機能により、正孔輸送層４３から、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇへの電子の注入も円滑に行われる。以上より、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に接する層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇの場合、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇに円滑に注入する（キャリア注入動作）。すなわち、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂから、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇに、電子（キャリア）を円滑に流す動作を行う。
【０１０９】
一方、発光素子１Ｂのように、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂで、且つ、その正孔注入層４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料によって構成されている場合、発光素子１Ｂのキャリア選択層４６内の第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、正孔注入層４１Ｂ内に激しく拡散、もしくは正孔注入層４１Ｂの陰極８側界面に吸着するため、発光素子１Ｂの第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３内に拡散せず、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３に備わっている電子ブロック機能が低下することはない。この結果、発光素子１Ｂでは、青色発光層５Ｂから正孔輸送層４３へ流れてくる電子が、正孔輸送層４３によってブロックされ、青色発光層５Ｂ内に留まる。以上より、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂの場合、キャリア選択層４６は青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光層５Ｂに留める（キャリアブロック動作）。すなわち、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂから流れてくる電子（キャリア）の流れを抑制する動作を行う。
【０１１０】
本発明者の検討により、発光素子１Ｒからキャリア選択層４６を除き、青色発光層５Ｂと、赤色発光層５Ｒとが接触して積層された構成の赤色発光素子（キャリア選択層除外赤色発光素子）では、当該キャリア選択層除外赤色発光素子が備える陽極３Ｒと、陰極８との間に電圧を印加すると、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができず、これに起因して、青色発光層５Ｂにおいて、正孔と電子とが再結合するため、青色発光層５Ｂが青色に発光し、当該キャリア選択層除外赤色発光素子の赤色の色純度が悪化することが判っている。また、キャリア選択層除外赤色発光素子では、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができないことに起因して、赤色発光層５Ｒにおける電子と正孔のキャリアバランスが崩れ、発光効率が低下することが判っている。さらに、キャリア選択層除外赤色発光素子では、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができないことに起因して、赤色発光層５Ｒの陰極側界面でのキャリアに対するエネルギー障壁が増加し、駆動電圧が上昇することが判っている。
【０１１１】
このように、キャリア選択層除外赤色発光素子では、赤色の色純度の悪化、発光効率の低下および駆動電圧の上昇という問題がある。しかしながら、発光素子１Ｒのように、青色発光層５Ｂと赤色発光層５Ｒとの間にキャリア選択層４６を介挿する構成とすることで、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、青色発光層５Ｂに留まらせることなく、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができるようになるので、これらの問題は全て解決される。
同様に、発光素子１Ｇからキャリア選択層４６を除き、青色発光層５Ｂと、緑色発光層５Ｇとが接触して積層された構成の緑色発光素子（キャリア選択層除外緑色発光素子）では、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、緑色発光層５Ｇに円滑に注入（供給）することができず、これに起因して、緑色の色純度の悪化、発光効率の低下および駆動電圧の上昇という問題が生じる。しかしながら、発光素子１Ｇのように、青色発光層５Ｂと緑色発光層５Ｇとの間にキャリア選択層４６を介挿する構成とすることで、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、青色発光層５Ｂに留まらせることなく、緑色発光層５Ｇに円滑に注入（供給）することができるようになるので、これらの問題は全て解決される。
【０１１２】
また、本実施形態の正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂは、気相プロセスを用いて形成することができる。本発明者の検討により、発光素子１Ｂにおいて、正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層の形成に、インクジェット法のような液相プロセスを用いた構成の青色発光素子では、発光素子１Ｂと比較して、その発光寿命や発光効率が低下するという問題があることが判っている。
正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層の汚染がこの問題の要因の１つになっていると考えられる。つまり、発光素子１Ｂのように気相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂを形成することが可能な場合、正孔輸送層４３の陰極８側界面を、真空以外の雰囲気にさらすことなく、次の青色発光層５Ｂの成膜を連続的に行うことができるが、正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層の形成に液相プロセスを用いると、液相プロセスによる成膜は真空雰囲気で行うことが困難であるため、液相プロセスによる成膜は真空以外の雰囲気（例えば大気や窒素）で行うことになり、少なくとも正孔輸送層４３の陰極８側界面は真空以外の雰囲気にさらされることになる。このように、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層を成膜した場合、正孔輸送層４３の陰極８側界面が汚染され易くなることは明白である。また、液相プロセスで正孔輸送層４３の成膜を行う場合、正孔輸送材料を溶媒または分散媒に、溶解または分散させた溶液を成膜に用いるため、正孔輸送層４３内に極微量の溶媒が残留し、これが正孔輸送層４３全体を汚染する可能性がある。同様に、液相プロセスで青色発光層５Ｂの成膜を行う場合、青色発光層５Ｂ内に極微量の溶媒が残留し、これが青色発光層５Ｂ全体を汚染する可能性がある。
【０１１３】
これに対して、発光素子１Ｂのように、気相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂを形成することが可能な場合、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層を形成したことによる正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂの汚染を回避でき、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層を形成したことによる青色発光素子の発光寿命や発光効率の低下という問題は全て解決される。
【０１１４】
本実施形態では、正孔注入層４１がイオン伝導性の正孔注入材料を主材料として構成されるのが好ましく、第１電子注入層６１がアルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物の電子注入材料を主材料として構成されるのが好ましいが、この場合、発光素子１Ｂおいて、第１電子注入層６１に含まれるこれら電子注入材料が、正孔輸送層４３側に拡散すると、電子注入材料が正孔輸送層４３に拡散することによる正孔輸送層４３の電子ブロック性の低下およびそれに伴う青色発光層５Ｂにおける発光効率の低下や、電子注入材料が青色発光層５Ｂへ拡散することによる青色発光層５Ｂにおける発光の阻害およびそれに伴う発光効率の低下という問題が起こる。しかしながら、本実施形態では、発光素子１Ｂにおいて、第１電子注入層６１とイオン伝導性の正孔注入層４１Ｂとが接触しているため、正孔注入層４１Ｂ内に激しく拡散、もしくは正孔注入層４１Ｂの陰極８側界面に吸着するため、これに起因して、電子注入材料の正孔輸送層４３側への拡散が的確に抑制または防止され、前述の電子注入材料が正孔輸送層４３側へ拡散することによって起こる問題は全て解決される。
【０１１５】
＜第３実施形態＞
（電子機器）
図８は、本発明の電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
上述した各実施形態のディスプレイ装置１００（１１０）は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図８において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピューター１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００（１１０）で構成されている。
【０１１６】
図９は、本発明の電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
図９において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００（１１０）で構成されている。
【０１１７】
図１０は、本発明の電子機器としてのディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００（１１０）で構成されている。
【０１１８】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリーが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリーに転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリーに格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
【０１１９】
なお、本発明に係る電子機器は、図８のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図９の携帯電話機、図１０のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、ラップトップ型パーソナルコンピューター、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター、その他各種モニター類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。また、ディスプレイ装置１００（表示パネル１９）は、薄型の平面照明装置として用いることもできる。
【０１２０】
以上、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前記実施形態では、表示装置は、青色よりも長波長の光を発光する発光素子として、赤色発光素子および緑色発光素子を備える場合としたが、この場合に限定されず、黄色発光素子や橙色発光素子のような青色よりも長波長の光を発光する発光素子を備えるものであってもよい。この場合、これら黄色発光素子および橙色発光素子に本発明の発光素子が適用される。
【実施例】
【０１２１】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．表示装置（発光装置）および発光素子の製造事例。
【０１２２】
（実施例１）
図１１は、実施例１に係る発光装置の模式断面図であり、図３に対応している。
実施例１は、前述した本発明の第１実施形態の具体的実施結果である。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板３２１として用意した。次に、この基板３２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極３０３／個別電極）を形成した。
そして、陽極３０３が形成された基板３２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１２３】
＜２＞次に、陽極３０３が形成された基板３２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板３２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３０３の表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板３２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１２４】
＜３＞次に、発光素子３０１を形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板３２１を加熱し、各陽極３０３上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層３４１を形成した。
【０１２５】
＜４＞次に、発光素子３０１を形成すべき領域に、それぞれ位置する正孔注入層３４１上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．２ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層３６１とした。
ここで、Ｃｓを「含む薄膜」とは、少なくともＣｓ塩を構成する金属材料であるＣｓ単体を含む薄膜となっていることを意味しており、金属含有層が蒸着材料である金属塩を含んでいても良い。発明者は、別途行った予備実験により以下に示すような現象を観察しており、真空蒸着した膜がＣｓ塩のみからなる膜ではなく、Ｃｓ単体を含む膜となっていることを間接的に確かめている。
具体的には、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として形成した蒸着膜にＡｌの蒸着膜を積層したものを大気に曝すと、Ａｌの表面が激しく発砲し、表面に顕著な凹凸が生じることが確認された。蒸着膜としてＣｓ2ＣＯ3が成膜されているならば、積層したＡｌ膜に顕著な変化は起きないはずである。これは蒸着膜がＣｓ単体を含むため、大気暴露によって急激にＣｓ単体部が酸化や吸湿をしたためであると考えられる。
【０１２６】
＜５＞次に、第１電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜６＞次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光層の構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜７＞次に、青色発光層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
【０１２７】
＜８＞次に、電子輸送層３６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層３６３を形成した。
＜９＞次に、第２電子注入層３６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極３０８を形成した。
＜１０＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１１に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１２８】
（比較例１）
実施例１において、第１電子注入層３６１を省略したものを比較例１とした。
２．評価。
実施例１および比較例１の表示装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、発光素子から放出された光の電流効率を測定した。
さらに、各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、初期輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、初期輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。
その結果、実施例１の電流効率は比較例１の電流効率の１．０３倍となった。また、実施例１の寿命（ＬＴ８０）は比較例１の寿命（ＬＴ８０）の１．０６倍となった。
このように正孔注入層３４１と正孔輸送層３４３の間に第１電子注入層３６１が挿入されることにより、正孔注入層において輸送されるホール量が調整され、その結果キャリアバランスが改善され、電流効率が高くなるとともに、寿命が長くなることが確認された。
【０１２９】
（実施例２）
図１２は、実施例１に係る発光装置の模式断面図であり、図５に対応している。
実施例２は、前述した本発明の第２実施形態の具体的実施結果である。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板３２１として用意した。次に、この基板３２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１３０】
＜２＞次に、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板３２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板３２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１３１】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板３２１を加熱し、各陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層３４１Ｒ、３４１Ｇ、３４１Ｂを形成した。
【０１３２】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱した。さらに、基板３２１の、赤色発光素子３０１Ｒおよび緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層３４１Ｒおよび３４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇを形成した。
【０１３３】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱する。これにより、各中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層３０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層３０５Ｇとを形成した。
【０１３４】
＜６＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層３０５Ｒ、緑色発光層３０５Ｇおよび正孔注入層３４１Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層３６１とした。
ここで、Ｃｓを「含む薄膜」とは、少なくともＣｓ塩を構成する金属材料であるＣｓ単体を含む薄膜となっていることを意味しており、金属含有層が蒸着材料である金属塩を含んでいても良い。発明者は、別途行った予備実験により以下に示すような現象を観察しており、真空蒸着した膜がＣｓ塩のみからなる膜ではなく、Ｃｓ単体を含む膜となっていることを間接的に確かめている。
具体的には、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として形成した蒸着膜にＡｌの蒸着膜を積層したものを大気に曝すと、Ａｌの表面が激しく発砲し、表面に顕著な凹凸が生じることが確認された。蒸着膜としてＣｓ2ＣＯ3が成膜されているならば、積層したＡｌ膜に顕著な変化は起きないはずである。これは蒸着膜がＣｓ単体を含むため、大気暴露によって急激にＣｓ単体部が酸化や吸湿をしたためであると考えられる。
【０１３５】
＜７＞次に、第１電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜８＞次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光層の構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜９＞次に、青色発光層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
【０１３６】
＜１０＞次に、電子輸送層３６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層３６３を形成した。
＜１１＞次に、第２電子注入層３６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極３０８を形成した。
＜１２＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１２に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１３７】
（実施例３）
実施例３は、前述した本発明の第２実施形態の具体的実施結果である。
前記実施例２における前記工程＜５Ａ＞、前記工程＜５Ｂ＞、前記工程＜５Ｃ＞、前記工程＜７＞、前記工程＜８＞および前記工程＜９＞を、それぞれ、下記工程＜５Ａ’＞、下記工程＜５Ｂ’＞、下記工程＜５Ｃ’＞、前記工程＜７’＞、前記工程＜８’＞および前記工程＜９’＞のように変更したこと以外は、前記実施例２と同様にして、図１２に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１３８】
＜５Ａ’＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１８）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ’＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（２０）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ’＞次に、５Ａ’および５Ｂ’の各工程で塗布した、上記一般式（１８）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（２０）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱する。これにより、各中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１８）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの赤色発光層３０５Ｒと、上記一般式（２０）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの緑色発光層３０５Ｇとを形成した。
【０１３９】
＜７’＞次に、第１電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、上記式（６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜８’＞次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光層の構成材料で構成される平均厚さ１０ｎｍの青色発光層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１０）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１２）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜９’＞次に、青色発光層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（１４）で表わされる化合物で構成される平均厚さ３０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
【０１４０】
（比較例２１）
図１３は、比較例２１に係る発光装置の模式断面図であり、図１２に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板４２１として用意した。次に、この基板４２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂが形成された基板４２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１４１】
＜２＞次に、陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂが形成された基板４２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板４２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板４２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１４２】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板４２１を加熱し、各陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層４４１Ｒ、４４１Ｇ、４４１Ｂを形成した。
【０１４３】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板４２１を加熱した。さらに、基板４２１の、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層４４１Ｒおよび４４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層４４２Ｒおよび４４２Ｇを形成した。
【０１４４】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、α−ＮＰＤの１．０ｗｔ％テトラリン溶液を塗布した。
＜５Ｄ＞次に、５Ａ、５Ｂおよび５Ｃの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、α−ＮＰＤのテトラリン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板４２１を加熱する。これにより、各中間層４４２Ｒおよび４４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層４０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層４０５Ｇとを形成した。さらに、正孔注入層４４１Ｂ上に、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層４４３Ｂを形成した。
【０１４５】
＜６＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層４０５Ｒ、緑色発光層４０５Ｇおよび正孔輸送層４４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層４０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層４０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層４０５Ｂ中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１４６】
＜７＞次に、青色発光層４０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層４６２を形成した。
＜８＞次に、電子輸送層４６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層４６３を形成した。
＜９＞次に、第２電子注入層４６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極４０８を形成した。
＜１０＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例２に対して、第１電子注入層３６１の形成が省略され、正孔輸送層３４３が形成される代わりに正孔輸送層４４３Ｂが形成された、図１３に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１４７】
（比較例２２）
図１４は、比較例２２に係る発光装置の模式断面図であり、図１２に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板５２１として用意した。次に、この基板５２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂが形成された基板５２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂが形成された基板５２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板５２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板５２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１４８】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板５２１を加熱し、各陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層５４１Ｒ、５４１Ｇ、５４１Ｂを形成した。
【０１４９】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板５２１を加熱した。さらに、基板５２１の、赤色発光素子５０１Ｒおよび緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層５４１Ｒおよび５４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層５４２Ｒおよび５４２Ｇを形成した。
【０１５０】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、α−ＮＰＤの１．０ｗｔ％テトラリン溶液を塗布した。
＜５Ｄ＞次に、５Ａ、５Ｂおよび５Ｃの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、α−ＮＰＤのテトラリン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板５２１を加熱する。これにより、各中間層５４２Ｒおよび５４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層５０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層５０５Ｇとを形成した。さらに、正孔注入層５４１Ｂ上に、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層５４３Ｂを形成した。
【０１５１】
＜６＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層５０５Ｒ、緑色発光層５０５Ｇおよび正孔輸送層５４３Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層５６１とした。
＜７＞次に、第１電子注入層５６１上に、真空蒸着法を用いて、以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層５０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層５０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層５０５Ｂ中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１５２】
＜８＞次に、青色発光層５０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層５６２を形成した。
＜９＞次に、電子輸送層５６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層５６３を形成した。
＜１０＞次に、第２電子注入層５６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極５０８を形成した。
＜１１＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例２に対して、正孔輸送層３４３が形成される代わりに正孔輸送層５４３Ｂが形成された、図１４に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１５３】
（比較例２３）
図１５は、比較例２３に係る発光装置の模式断面図であり、図１２に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板６２１として用意した。次に、この基板６２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂが形成された基板６２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂが形成された基板６２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板６２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板６２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１５４】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子６０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板６２１を加熱し、各陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層６４１Ｒ、６４１Ｇ、６４１Ｂを形成した。
【０１５５】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板６２１を加熱した。さらに、基板６２１の、赤色発光素子６０１Ｒおよび緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層６４１Ｒおよび６４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層６４２Ｒおよび６４２Ｇを形成した。
【０１５６】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板６２１を加熱する。これにより、各中間層６４２Ｒおよび６４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層６０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層６０５Ｇとを形成した。
【０１５７】
＜６＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子６０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層６０５Ｒ、緑色発光層６０５Ｇおよび正孔注入層６４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層６４３を形成した。
＜７＞次に、正孔輸送層６４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層６０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層６０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１５８】
＜８＞次に、青色発光層６０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層６６２を形成した。
＜９＞次に、電子輸送層６６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層６６３を形成した。
＜１０＞次に、第２電子注入層６６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極６０８を形成した。
＜１１＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例２に対して、第１電子注入層３６１の形成が省略された、図１５に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１５９】
（比較例２４Ｒ）
図１６は、比較例２４Ｒに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の赤色発光素子３０１Ｒに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板７２１として用意した。次に、この基板７２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極７０３Ｒ）を形成した。
そして、陽極７０３Ｒが形成された基板７２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極７０３Ｒが形成された基板７２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板７２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極７０３Ｒの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板７２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１６０】
＜３＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板７２１を加熱し、陽極７０３Ｒ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層７４１Ｒを形成した。
＜４＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱した。続いて、基板７２１の、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層７４１Ｒ上に、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層７４２Ｒを形成した。
【０１６１】
＜５＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱する。これにより、各中間層７４２Ｒ上に、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの赤色発光層７０５Ｒを形成した。
＜６＞次に、赤色発光層７０５Ｒ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ１ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第２電子注入層７６３とした。
＜７＞次に、第２電子注入層７６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極７０８を形成した。
＜８＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１６２】
以上の工程により、図１６に示すようなボトムエミッション構造の赤色発光素子７０１Ｒを製造した。この赤色発光素子７０１Ｒは、実施例２の赤色発光素子３０１Ｒ、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒ、比較例２２の赤色発光素子５０１Ｒおよび比較例２３の赤色発光素子６０１Ｒの特性を規格化するために用いた。
【０１６３】
（比較例２４Ｇ）
図１７は、比較例２４Ｇに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の緑色発光素子３０１Ｇに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板８２１として用意した。次に、この基板８２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極８０３Ｇ）を形成した。
そして、陽極８０３Ｇが形成された基板８２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極８０３Ｇが形成された基板８２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板８２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極８０３Ｇの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板８２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１６４】
＜３＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板８２１を加熱し、陽極８０３Ｇ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層８４１Ｇを形成した。
＜４＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱した。続いて、基板８２１の、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層８４１Ｇ上に、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層８４２Ｇを形成した。
【０１６５】
＜５＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱する。これにより、各中間層８４２Ｇ上に、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの緑色発光層８０５Ｇを形成した。
＜６＞次に、緑色発光層８０５Ｇ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ１ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第２電子注入層８６３とした。
＜７＞次に、第２電子注入層８６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極８０８を形成した。
＜８＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１６６】
以上の工程により、図１７に示すようなボトムエミッション構造の緑色発光素子８０１Ｇを製造した。この緑色発光素子８０１Ｇは、実施例２の緑色発光素子３０１Ｇ、比較例２１の緑色発光素子４０１Ｇ、比較例２２の緑色発光素子５０１Ｇおよび比較例２３の緑色発光素子６０１Ｇの特性を規格化するために用いた。
【０１６７】
（比較例２４Ｂ）
図１８は、比較例２４Ｂに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の青色発光素子３０１Ｂに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板９２１として用意した。次に、この基板９２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極９０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極９０３Ｂが形成された基板９２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極９０３Ｂが形成された基板９２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板９２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極９０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板９２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１６８】
＜３＞次に、青色発光素子９０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板９２１を加熱し、陽極９０３Ｂ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層９４１Ｂを形成した。
＜４＞次に、正孔注入層９４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層９４３Ｂを形成した。
＜５＞次に、正孔輸送層９４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層９０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層９０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１６９】
＜６＞次に、青色発光層９０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層９６２を形成した。
＜７＞次に、電子輸送層９６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層９６３を形成した。
＜８＞次に、第２電子注入層９６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極９０８を形成した。
＜９＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１７０】
以上の工程により、図１８に示すようなボトムエミッション構造の青色発光素子９０１Ｂを製造した。この青色発光素子９０１Ｂは、実施例２の青色発光素子３０１Ｂ、比較例２１の青色発光素子４０１Ｂ、比較例２２の青色発光素子５０１Ｂおよび比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの特性を規格化するために用いた。
【０１７１】
（比較例２５Ｂ）
図１９は、比較例２５Ｂに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の青色発光素子３０１Ｂに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板２１２１として用意した。次に、この基板２１２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極２１０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極２１０３Ｂが形成された基板２１２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極２１０３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、下記式（２１）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層２１４１Ｂを形成した。
【０１７２】
【化１１】
【０１７３】
＜３＞次に、正孔注入層２１４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層２１４３Ｂを形成した。
＜４＞次に、正孔輸送層２１４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層２１０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層２１０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜５＞次に、青色発光層２１０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層２１６２を形成した。
【０１７４】
＜６＞次に、電子輸送層２１６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層２１６３を形成した。
＜７＞次に、第２電子注入層２１６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極２１０８を形成した。
＜８＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１９に示すような陽極２１０３Ｂ上の各層が蒸着層で構成され、正孔注入層２１４１Ｂにイオン伝導性の材料を用いず、かつ第１電子注入層を有しない、ボトムエミッション構造の青色発光素子２１０１Ｂを製造した。
【０１７５】
（比較例２６Ｂ）
図２０は、比較例２６Ｂに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の青色発光素子３０１Ｂに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板２２２１として用意した。次に、この基板２２２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極２２０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極２２０３Ｂが形成された基板２２２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極２２０３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（２１）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層２２４１Ｂを形成した。
＜３＞次に、陽極２２４１Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層２２６１Ｂとした。
【０１７６】
＜４＞次に、第１電子注入層２２６１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層２２４３Ｂを形成した。
＜５＞次に、正孔輸送層２２４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層２２０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層２２０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１７７】
＜６＞次に、青色発光層２２０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層２２６２を形成した。
＜７＞次に、電子輸送層２２６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層２２６３を形成した。
＜８＞次に、第２電子注入層２２６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極２２０８を形成した。
＜９＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１７８】
以上の工程により、図２０に示すような各層が蒸着層で構成される青色発光素子を製造した。詳しくは、陽極２２０３Ｂ上の各層が蒸着層で構成され、正孔注入層２２４１Ｂにイオン伝導性の材料を用いず、かつ第１電子注入層２２６１Ｂを有する、ボトムエミッション構造の青色発光素子２２０１Ｂを製造した。
【０１７９】
（比較例２７Ｒ）
図１６を用いて説明する。
前記比較例２４Ｒにおける前記工程＜５＞を、下記工程＜５’＞のように変更したこと以外は、前記比較例２４Ｒと同様にして、図１６に示すようなボトムエミッション構造の赤色発光素子７０１Ｒを製造した。この比較例２７Ｒの赤色発光素子７０１Ｒは、実施例２の赤色発光素子３０１Ｒの特性を規格化するために用いた。
＜５’＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１８）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１８）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱する。これにより、各中間層７４２Ｒ上に、上記一般式（１８）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの赤色発光層７０５Ｒを形成した。
【０１８０】
（比較例２７Ｇ）
図１７を用いて説明する。
前記比較例２４Ｇにおける前記工程＜５＞を、下記工程＜５’＞のように変更したこと以外は、前記比較例２４Ｇと同様にして、図１７に示すようなボトムエミッション構造の緑色発光素子８０１Ｇを製造した。この比較例２７Ｇの緑色発光素子８０１Ｇは、実施例２の緑色発光素子３０１Ｇの特性を規格化するために用いた。
＜５’＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（２０）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（２０）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱する。これにより、各中間層８４２Ｇ上に、上記一般式（２０）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの緑色発光層８０５Ｇを形成した。
【０１８１】
（比較例２７Ｂ）
図１８を用いて説明する。
前記比較例２４Ｂにおける前記工程＜４＞、前記工程＜５＞および前記工程＜６＞を、それぞれ、下記工程＜４’＞、下記工程＜５’＞および下記工程＜６’＞のように変更したこと以外は、前記比較例２４Ｂと同様にして、図１８に示すようなボトムエミッション構造の青色発光素子９０１Ｂを製造した。この比較例２７Ｂの青色発光素子９０１Ｂは、実施例２の青色発光素子３０１Ｂの特性を規格化するために用いた。
【０１８２】
＜４’＞次に、正孔注入層９４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層９４３Ｂを形成した。
＜５’＞次に、正孔輸送層９４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ１０ｎｍの青色発光層９０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層９０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１０）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１２）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜６’＞次に、青色発光層９０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（１４）で表わされる化合物で構成される平均厚さ３０ｎｍの電子輸送層９６２を形成した。
【０１８３】
４．評価。
各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１０ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、このときに発光する発光素子の光の色を目視にて観察した。
ここで、１０ｃｄ／ｍ2という低輝度の値を選んだ理由は、本発明の各実施例の各発光素子および各比較例の各発光素子において、例え高輝度側（高電流密度側）で所望の発光色が得られたとしても、低輝度側（低電流密度側）に行くにつれて発光色が変化し、低輝度側（低電流密度側）では所望の発光色が得られない場合があったためである。逆に、低輝度側（低電流密度側）で所望の発光色が得られれば、高輝度側（高電流密度側）でも問題なく所望の発光色が得られた。なお、ここで所望の発光色が得られるとは、赤色発光素子では赤色発光が、緑色発光素子では緑色発光が、青色発光素子では青色発光が得られることを指す。
【０１８４】
また、各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、発光素子にかかる電圧、発光素子から放出された光の電流効率を測定した。
さらに、各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、初期輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、初期輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。
そして、実施例２、比較例２１、２２、２３については、比較例２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂで測定された測定値を基準として規格した値を求めた。また、実施例３については、比較例２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂで測定された測定値を基準として規格した値を求めた。
これらの結果を表１、表２に示す。
【０１８５】
【表１】
【０１８６】
【表２】
表１、２から明らかなように、各実施例の表示装置において、これらが備える発光素子は、赤色発光素子３０１Ｒでは赤色発光層３０５Ｒと青色発光層３０５Ｂとの間に、緑色発光素子３０１Ｇでは緑色発光層３０５Ｇと青色発光層３０５Ｂとの間に、青色発光素子３０１Ｂでは正孔注入層３４１Ｂと青色発光層３０５Ｂとの間に、それぞれ、キャリア選択層として第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３とが介挿された構成となっていることにより、赤色発光素子３０１Ｒでは赤色発光層３０５Ｒが、緑色発光素子３０１Ｇでは緑色発光層３０５Ｇが、青色発光素子３０１Ｂでは青色発光層３０５Ｂが、それぞれ、選択的に発光した。その結果、赤色、緑色および青色の各発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂにおいて、それぞれ、高い色純度の赤色発光、緑色発光および青色発光が得られた。また、赤色、緑色および青色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂすべてにおいて、実施例２では０．８９以上、実施例３では０．９３以上という高い規格化電流効率が得られ、発光効率に優れた素子となった。さらに、赤色、緑色および青色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂすべてにおいて、実施例２では０．７２以上、実施例３では０．６５以上という優れた規格化寿命が得られ、長寿命化が図られたものとなった。加えて、赤色および緑色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇの規格化電圧は、実施例２では１．１５以下、実施例３では１．０７以下、に抑えられており、駆動電圧の観点からも優れた特性が得られた。
【０１８７】
実施例２および実施例３に対して、比較例２１の表示装置では、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３との介挿が省略されている。このため、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇでは、それぞれ、青色発光層４０５Ｂから赤色発光層４０５Ｒおよび緑色発光層４０５Ｇへの電子の注入が円滑に行われず、その結果、赤色および緑色の他に、青色が発光してしまう結果となった。これによって、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、それぞれ、赤色および緑色の色純度が大幅に低下した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光層４０５Ｂから、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇのみならず、青色発光層４０５Ｂも同時に発光したためである。
さらに、比較例２１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇの規格化寿命（ＬＴ８０）が、それぞれ、０．１３および０．３８と低い値を示した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光層４０５Ｂから、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇの陰極４０８側界面の電子による劣化が大きかったためだと考えられる。
【０１８８】
また、比較例２１の青色発光素子４０１Ｂの規格化寿命も０．５１と低い値となった。これは、比較例２１の青色発光素子４０１Ｂの正孔輸送層４４３Ｂをインクジェット法で成膜したためである。つまり、真空蒸着法のような気相プロセスを用いれば、正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面を、真空以外の雰囲気にさらすことなく、次の青色発光層４０５Ｂの成膜を連続的に行うことができるが、インクジェット法のような液相プロセスを用いると、正孔輸送層４４３Ｂの成膜は真空雰囲気で行うことが困難であるため、正孔輸送層４４３Ｂの成膜は真空以外の雰囲気（例えば大気や窒素）で行うことになり、少なくとも正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面は真空以外の雰囲気にさらされることになる。このように液相プロセスを用いて正孔輸送層４４３Ｂを成膜した場合、正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面が汚染され易くなり、これが青色発光素子４０１Ｂの寿命を短くする。また、液相プロセスで正孔輸送層４４３Ｂの成膜を行う場合、正孔輸送材料を溶媒に溶解させた溶液を成膜に用いるため、正孔輸送層４４３Ｂ内に極微量の溶媒が残留し、これが正孔輸送層４４３Ｂ全体を汚染するため、青色発光素子４０１Ｂの寿命を短くしていると考えられる。
【０１８９】
加えて、比較例２１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇの規格化電圧が１．２５および１．２７と高い値を示した。これは、比較例２１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光層４０５Ｂから、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光層４０５Ｒおよび緑色発光層４０５Ｇの陰極４０８側界面での電子に対するエネルギー障壁が高いという状態が生じ、その結果、駆動電圧が２割以上上昇するという結果になったと考えられる。
【０１９０】
また、比較例２２の表示装置では、実施例２および実施例３に対して、正孔輸送層３４３の介挿が省略されている。しかしながら、赤色発光素子５０１Ｒおよび緑色発光素子５０１Ｇにおいて、青色発光層５０５Ｂと赤色発光層５０５Ｒおよび緑色発光層５０５Ｇの間に第１電子注入層５６１が存在しているため、青色発光層５０５Ｂから赤色発光層５０５Ｒおよび緑色発光層５０５Ｇへの電子の注入が円滑に行われ、その結果、赤色発光素子５０１Ｒでは赤色発光層５０５Ｒのみが、緑色発光素子５０１Ｇでは緑色発光層５０５Ｇのみが、選択的に発光し、青色発光層５０５Ｂの発光を抑制することができた。但し、青色発光素子５０１Ｂにおいて、第１電子注入層５６１が青色発光層５０５Ｂに接する構造となっているため、この第１電子注入層５６１が青色発光層５０５Ｂの発光を阻害し、このため、規格化電流効率と規格化寿命が極端に低い値となり、実用レベルの特性に程遠い結果となった。また、電流効率が極端に低くなったことに起因して、駆動電圧も１．３６と大幅に上昇する結果となった。
【０１９１】
また、比較例２３の表示装置では、実施例２および実施例３に対して、第１電子注入層３６１の介挿が省略されている。
このため、赤色発光素子６０１Ｒにおいて、青色発光層６０５Ｂから正孔輸送層６４３への電子注入、および正孔輸送層６４３から赤色発光層６０５Ｒへの電子の注入が円滑に行われない。このため、赤色発光層６０５Ｒはほとんど発光せず、青色発光層６０５Ｂが強く発光してしまう結果となった。
同様に、比較例２３の表示装置の緑色発光素子６０１Ｇにおいて、青色発光層６０５Ｂから正孔輸送層６４３への電子注入、および正孔輸送層６４３から緑色発光層６０５Ｇへの電子の注入が円滑に行わない。このため、緑色発光層６０５Ｇはほとんど発光せず、青色発光層６０５Ｂが強く発光してしまう結果となった。
つまり、比較例２３の表示装置では、赤色発光素子６０１Ｒと緑色発光素子６０１Ｇと青色発光素子６０１Ｂの全てが青色に発光した。
【０１９２】
以上の各実施例と各比較例の結果をまとめると以下の通り。まず、赤色発光素子と緑色発光素子において、所望の発光色および０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、実施例２、実施例３および比較例２２である。
しかしながら、比較例２２の青色発光素子５０１Ｂの電流効率は極端に低く、寿命も極端に短かったため、比較例２２は表示装置として実用レベルに達しなかった。
次に、青色発光素子において、所望の発光色および０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、実施例２、実施例３および比較例２３である。しかしながら、比較例２３の赤色発光素子６０１Ｒと緑色発光素子６０１Ｇは、青色に発光したため、表示装置として実用レベルに達しなかった。
【０１９３】
以上より、表示装置として実用レベルに達したのは、実施例２と実施例３のみであった。
なお、本発明の実施例２および実施例３の赤色発光素子３０１Ｒ、緑色発光素子３０１Ｇおよび青色発光素子３０１Ｂの全てにおいて、所望の色が得られたのは、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３の積層体がキャリア選択層として機能したためである。また、本発明の実施例２および実施例３の赤色発光素子３０１Ｒおよび緑色発光素子３０１Ｇにおいて、０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのも、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３との積層体がキャリア選択層として機能したためである。さらに、本発明の各実施例の青色発光素子３０１Ｂにおいて、０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３との積層体がキャリア選択層として機能し、且つ、正孔輸送層３４３と青色発光層３０５Ｂを真空蒸着法によって成膜したためである。
【０１９４】
比較例２１と比較例２３の青色発光素子の比較より、比較例２３の真空蒸着法によって成膜した正孔輸送層６４３を有する青色発光素子６０１Ｂでは、比較例２１のインクジェット法によって成膜した正孔輸送層４４３Ｂを有する青色発光素子４０１Ｂに比べ、２倍近い寿命が得られ、比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの発光寿命は実用レベルに達した。さらに実施例２と比較例２３の青色発光素子の比較により、実施例２の青色発光素子３０１Ｂの発光寿命は、比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの発光寿命と同等であり、実用レベルに達していることがわかる。これは、実施例２の正孔輸送層３４３と青色発光層３０５Ｂを、比較例２３の正孔輸送層６４３と青色発光層６０５Ｂと同様に、真空蒸着法にて成膜したことに起因する。
同様に、実施例３と比較例２７Ｂの青色発光素子の比較により、実施例３の青色発光素子３０１Ｂの発光寿命は、比較例２７Ｂの青色発光素子９０１Ｂの発光寿命と同等であり、実用レベルに達していることがわかる。これは、実施例３の正孔輸送層３４３と青色発光層３０５Ｂを、比較例２７Ｂの正孔輸送層９４３と青色発光層９０５Ｂと同様に、真空蒸着法にて成膜したことに起因する。
【０１９５】
また、前述の電流効率の測定方法に従って測定した測定値から、比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの電流効率と、実施例２の青色発光素子３０１Ｂの電流効率とを、それぞれ、比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの電流効率で規格化した値を求めた。さらに、比較例２５Ｂの青色発光素子２１０１Ｂの電流効率と、比較例２６Ｂの青色発光素子２２０１Ｂの電流効率とを、それぞれ、比較例２５Ｂの青色発光素子２１０１Ｂの電流効率で規格化した値を求めた。
これらの結果を表３、表４に示す。
【０１９６】
【表３】
【０１９７】
【表４】
【０１９８】
ここで、表３は、青色発光素子６０１Ｂおよび３０１Ｂがそれぞれ有する正孔注入層６４１Ｂおよび３４１Ｂが、イオン伝導性の正孔注入材料で構成される場合において、第１電子注入層３６１の有無が青色発光素子６０１Ｂおよび３０１Ｂの電流効率にどう影響するかを示すものである。これに対し、表４は、青色発光素子２１０１Ｂおよび２２０１Ｂがそれぞれ有する正孔注入層２１４１Ｂおよび２２４１Ｂが、イオン伝導性の正孔注入材料で構成されない場合において、第１電子注入層２２６１Ｂの有無が青色発光素子２１０１Ｂおよび２２０１Ｂの電流効率にどう影響するかを示すものである。
表３から明らかなように、正孔注入層６４１Ｂおよび３４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料で構成される場合、第１電子注入層３６１を有する青色発光素子３０１Ｂの電流効率は、第１電子注入層３６１を有しない青色発光素子６０１Ｂの電流効率と、大きく変わらない。これに対して、表４から明らかなように、正孔注入層２１４１Ｂおよび２２４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料で構成されない場合、第１電子注入層２２６１Ｂを有する青色発光素子２２０１Ｂの電流効率は、第１電子注入層２２６１Ｂを有しない青色発光素子２１０１Ｂの電流効率に比べ、大幅に低下する結果となった。
【０１９９】
つまり、正孔注入層／電子注入層／正孔輸送層／青色発光層／電子輸送層という同一の積層構造（積層体）であっても、正孔注入層をイオン伝導性の正孔注入材料で構成しなければ、第１電子注入層２２６１Ｂの存在により、青色発光素子２２０１Ｂの青色発光が著しく阻害される結果となった。
このことは、正孔注入層２２４１Ｂがイオン伝導性の正孔輸送材料で構成されない場合、第１電子注入層２２６１Ｂに含まれる電子注入材料が正孔輸送層２２４３Ｂや青色発光層２２０５Ｂに拡散し、これによって、青色発光層２２０５Ｂの青色発光が阻害されたことを示す。
【０２００】
これに対して、正孔注入層３４１Ｂがイオン伝導性の正孔輸送材料で構成される場合、第１電子注入層３６１に含まれる電子注入材料が主として、正孔注入層３４１Ｂに拡散、もしくは正孔注入層３４１Ｂの陰極３０８側界面に吸着するため、正孔輸送層３４３や青色発光層３０５Ｂへの拡散が大幅に抑制された。
つまり、実施例２および実施例３において、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３の積層体から成るキャリア選択層を備える青色発光素子３０１Ｂを、高い電流効率（発光効率）で発光させるには、正孔注入層３４１Ｂにイオン伝導性の正孔注入材料を用いる必要がある。
【０２０１】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【０２０２】
（変形例１）
図５を用いて説明する。
上記第２実施形態では、発光素子１Ｒ、１Ｇおよび１Ｂに対して本発明の発光素子を適用して、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇであり、且つ、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第１の層が青色発光層５Ｂである場合について説明した。しかしながら、本発明の適用範囲は、かかる場合に限定されず、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層と第１の層が、それぞれ、異なる発光色の発光層であれば良く、例えば、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層が、それぞれ、黄色および橙色、第１の層が緑色を発光するものであっても良い。この場合、発光素子１Ｒは赤色発光層５Ｒに代えて黄色発光層を備え、発光素子１Ｇは緑色発光層５Ｇに代えて橙色発光層を備えるものとなる。さらに、発光素子１Ｒおよび１Ｇは、青色発光層５Ｂに代えて緑色発光層を備えるものとなる。
ただし、第２実施形態のように、発光素子１Ｒおよび１Ｇの、それぞれの第３の層に赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇを、第１の層に青色発光層５Ｂを、適用することが好ましい。
【０２０３】
（変形例２）
上記各実施形態では、ディスプレイ装置１００を、基板２１側から光を取り出すボトムエミッション構造のディスプレイパネルに適用した場合について説明したが、これに限定されず、封止基板２０側から光を取り出すトップエミッション構造のディスプレイパネルにも適用することが可能である。これによって、ディスプレイ装置１００（１１０）の色再現範囲を向上させることができる。
【０２０４】
（変形例３）
上記各実施形態では、ディスプレイ装置１００の光Ｒ、Ｇ、Ｂを基板２１側から透過させるにあたって、それぞれの光に対応したカラーフィルター（色変換層）を設けていないが、基板２１に接する面もしくは基板２１内に、ＲＧＢの各サブ画素に対応して設けられたカラーフィルターを有する構造としても良い。これによって、ディスプレイ装置１００（１１０）の色再現範囲を向上させることができる。
【符号の説明】
【０２０５】
１……発光素子、１Ｒ，３０１Ｒ，４０１Ｒ，５０１Ｒ，６０１Ｒ，７０１Ｒ……赤色発光素子、１Ｇ，３０１Ｇ，４０１Ｇ，５０１Ｇ，６０１Ｇ，８０１Ｇ……緑色発光素子、１Ｂ，３０１Ｂ，４０１Ｂ，５０１Ｂ，６０１Ｂ，９０１Ｂ，２１０１Ｂ，２２０１Ｂ……青色発光素子、３，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，３０３Ｒ，３０３Ｇ，３０３Ｂ，４０３Ｒ，４０３Ｇ，４０３Ｂ，５０３Ｒ，５０３Ｇ，５０３Ｂ，６０３Ｒ，６０３Ｇ，６０３Ｂ，７０３Ｒ，８０３Ｇ，９０３Ｂ，２１０３Ｂ，２２０３Ｂ……陽極、４１，４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ，３４１Ｒ，３４１Ｇ，３４１Ｂ，４４１Ｒ，４４１Ｇ，４４１Ｂ，５４１Ｒ，５４１Ｇ，５４１Ｂ，６４１Ｒ，６４１Ｇ，６４１Ｂ，７４１Ｒ，８４１Ｇ，９４１Ｂ，２１４１Ｂ，２２４１Ｂ……正孔注入層、４２Ｒ，４２Ｇ，３４２Ｒ，３４２Ｇ，４４２Ｒ，４４２Ｇ，５４２Ｒ，５４２Ｇ，６４２Ｒ，６４２Ｇ，７４２Ｒ，８４２Ｇ……中間層、４３，３４３，４４３Ｂ，５４３Ｂ，６４３，９４３Ｂ，２１４３Ｂ，２２４３Ｂ……正孔輸送層、４６……キャリア選択層、５Ｒ，３０５Ｒ，４０５Ｒ，５０５Ｒ，６０５Ｒ，７０５Ｒ……赤色発光層、５……発光層としての発光層、５Ｇ，３０５Ｇ，４０５Ｇ，５０５Ｇ，６０５Ｇ，８０５Ｇ…緑色発光層、５Ｂ，３０５Ｂ，４０５Ｂ，５０５Ｂ，６０５Ｂ，９０５Ｂ，２１０５Ｂ，２２０５Ｂ……青色発光層、６１，３６１，５６１，２２６１Ｂ……第１電子注入層、３８……機能層、６３，３６３，４６３，５６３，６６３，７６３，８６３，９６３，２１６３，２２６３……第２電子注入層、６２，３６２，４６２，５６２，６６２，９６２，２１６２，２２６２……電子輸送層、８，３０８，４０８，５０８，６０８，７０８，８０８，９０８，２１０８，２２０８……陰極、１９，２９……表示パネル、２０……封止基板、２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１，９２１，２１２１，２２２１……基板、１００，１１０……表示装置としてのディスプレイ装置、１１００……電子機器としてのパーソナルコンピューター、１２００……電子機器としての携帯電話機、１３００……電子機器としてのディジタルスチルカメラ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
上記発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、発光効率（電流効率または外部量子効率）を高める上で、陽極と陰極の間に設けられた発光層に対して、陽極側から正孔を、陰極側から電子を、バランス良く注入することは重要である。
そこで、基板上に形成されたアノード（陽極）と、アノード上に形成された第１有機薄膜層と、第１有機薄膜層上に形成された有機発光層と、有機発光層上に形成された第２有機薄膜層と、第２有機薄膜層上に形成されたカソードと、を含み、第１有機薄膜層及び第２有機薄膜層は、各々単層または多層で構成され、第１有機薄膜層または第２有機薄膜層の少なくとも一部が絶縁体でドーピングまたは積層される有機ＥＬ素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、Ｍｏ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＢからなる群から選択された元素及びＯ、Ｆ、Ｓ、Ｃｌ、Ｓｅ、Ｂｒ及びＩからなる群から選択された元素からなる第１化合物、及び正孔注入層形成用有機化合物である正孔注入物質を含む正孔注入層を発光層と陽極との間に設けた有機発光素子が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１４７６３０号公報
【特許文献２】特開２００９−１５２１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば上記に挙げられた元素のうち、ＬｉやＣｓなどは有機層中を拡散しやすいため（例えば、非特許文献１：パイオニア株式会社 技術情報誌「ＰＩＯＮＥＥＲ Ｒ＆Ｄ」、Ｖｏｌ．１７、Ｎｏ．２、２００７年、第８頁から第１２頁を参照）、発光層と陽極の間の有機層に、ドーピングしたり、挿入したり、積層したり、する材料によっては、当該材料が有機層中に拡散し、最終的には発光層まで到達し、発光層の発光を阻害してしまうという課題があった。換言すれば、従来の発光素子では、所期の発光効率を得ることが困難であるという課題があった。
【０００５】
また、このようなキャリアバランスの乱れは、発光層を含む有機機能層の劣化を招くため、発光寿命が短くなってしまうという課題もあった。つまり、従来の発光素子では、所期の寿命を確保することが困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、前記陽極と前記発光層との間に設けられた電子注入層と、前記陽極と前記電子注入層との間に設けられた正孔注入層と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、電子注入層に用いられた電子注入材料が正孔注入層内に拡散し、この拡散した電子注入材料が正孔注入層内でのホール（正孔）の輸送を阻害もしくは促進することによって、発光層へ輸送されるホール（正孔）の量が調整され、その結果キャリアバランスが改善される。
よって、発光層と陽極との間の有機層に添加される材料の影響によりキャリアバランスが崩れて発光が阻害されていた従来の発光素子よりも、発光効率を向上させることができる。従って、所期の発光効率が得られる発光素子を提供することができる。
さらに、キャリアバランスが優れているため、発光層を含む有機機能層の劣化を抑制することができる。従って、所期の寿命が得られる発光素子を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に記載の発光素子において、前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物で構成されることが望ましい。
【００１０】
本適用例によれば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物で構成される電子注入材料は、正孔注入層内に拡散しやすく、効果的に正孔注入層内でのホール（正孔）の輸送を阻害することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載の発光素子において、前記電子注入層と前記発光層との間に正孔輸送層を備えることを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、電子注入層と発光層との間に正孔輸送層が配置されることにより、電子注入層が発光層に直接接することを回避できるので、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散することによって起きる発光効率の低下が抑制される。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載の発光素子において、前記電子注入層と前記正孔注入層とは直接接していることを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、電子注入層と正孔注入層とが直接接することにより、電子注入層に用いられる電子注入材料が正孔注入層に、より拡散しやすくなる。その結果、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散しにくくなり、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散することによって起こる発光効率の低下を防ぐことができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の発光素子において、前記正孔注入層はイオン伝導性を有することが望ましい。
【００１６】
本適用例によれば、正孔注入層がイオン伝導性を有することにより、電子注入層に用いられる電子注入材料は正孔注入層により容易に拡散する。その結果、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散しにくくなり、電子注入層に用いられる電子注入材料が発光層に拡散することによって起こる発光効率の低下を防ぐことができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に記載の発光素子において、前記正孔注入層は、液相プロセスを用いて形成されたものであることが望ましい。
【００１８】
本適用例によれば、液相プロセスを経て形成される正孔注入層を備える発光素子を備える表示装置は、容易に大面積化が可能である。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る表示装置は、上記適用例の発光素子を備えることを特徴とする。
【００２０】
これにより、信頼性の高い表示装置を得ることができる。
【００２１】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の表示装置を備えることを特徴とする。
【００２２】
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態に係るディスプレイ装置の斜視図。
【図２】画素回路の一態様図。
【図３】表示パネルの側断面図。
【図４】第２実施形態に係るディスプレイ装置の斜視図。
【図５】表示パネルの側断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）製造工程の一態様を示す図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）製造工程の一態様を示す図。
【図８】第３実施形態に係る電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピューターを示す斜視図。
【図９】電子機器としての携帯電話機を示す斜視図。
【図１０】電子機器としてのディジタルスチルカメラを示す斜視図である。
【図１１】実施例１に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１２】実施例２に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１３】比較例２１に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１４】比較例２２に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１５】比較例２３に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１６】比較例２４Ｒに係る赤色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１７】比較例２４Ｇに係る緑色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１８】比較例２４Ｂに係る青色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１９】比較例２５Ｂに係る青色発光素子を模式的に示した断面図。
【図２０】比較例２６Ｂに係る青色発光素子を模式的に示した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
また、本実施形態、本実施例、本比較例における発光効率とは、電流効率または外部量子効率のことを指す。
【００２５】
＜第１実施形態＞
（表示装置の概要）
図１は、本実施形態に係るディスプレイ装置の一態様を示す斜視図である。
まず、本発明の実施形態１に係る表示装置としてのディスプレイ装置の概要について説明する。
【００２６】
ディスプレイ装置１００は、有機ＥＬ表示装置であり、表示パネル１９、フレキシブル基板１２などから構成されている。表示パネル１９は、基板２１と封止基板２０との間に、発光層を含む機能層を挟持したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示パネルであり、基板２１側から表示光を出射する。
表示パネル１９は、マトリックス状に配置された複数の画素からなる表示領域Ｖを備えている。図１の右上に拡大して示すように、表示領域Ｖには、青色（Ｂ）の画素が配列されており、各画素が出射する表示光により青色の単色画像が表示される。なお、各画素は発光画素であるが、画素と称する。
表示領域Ｖは、縦長の長方形をなしており、図１を含む各図においては、当該縦方向をＹ軸方向とし、縦方向よりも短い横方向をＸ軸方向と定義している。また、表示パネル１９の厚さ方向をＺ軸方向としている。
【００２７】
表示パネル１９において、基板２１が封止基板２０から張出した領域には、フレキシブル基板１２が接続されている。フレキシブル基板とは、例えば、ポリイミドフィルムの基材に鉄箔の配線などが形成された柔軟性を有するフレキシブルプリント回路基板の略称である。
また、フレキシブル基板１２には、駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）１３が実装されており、その端部には、専用のコントローラーや、外部機器（いずれも図示せず）と接続するための複数の端子が形成されている。
表示パネル１９は、フレキシブル基板１２を介して、外部機器から電力や画像信号を含む制御信号の供給を受けることにより、表示領域Ｖに画像や文字などを表示する。または、青色の面照明装置としても機能する。
【００２８】
（画素回路）
図２は、画素回路の一態様を示す図である。
ここでは、図２を用いて、表示パネル１９の画素の画素回路、および複数の画素の走査駆動の概要について説明する。
図１において表示領域Ｖにマトリックス状に配置された画素の各々には、図２に示すような画素回路１４が形成されている。
画素回路１４は、画素を選択するための選択用トランジスター（Thin Film Transistor）１５と、発光層を含む積層構造からなる機能層３８に電流を流すための駆動用トランジスター２４と、保持容量Ｃなどから構成されている。
選択用トランジスター１５のゲート端子には、走査線駆動回路１７からの走査線ＳＬが接続されており、ソース端子には、データ線駆動回路１８からのデータ線ＤＬが接続されている。
なお、走査線駆動回路１７、およびデータ線駆動回路１８は、図１における表示領域Ｖの周辺部分（額縁領域）に形成されている。または、駆動用ＩＣ１３内に形成されていることであっても良い。
【００２９】
図２に戻る。
選択用トランジスター１５のドレイン端子には、駆動用トランジスター２４のゲート端子と、保持容量Ｃの一端が接続されている。
駆動用トランジスター２４のソース端子と、保持容量Ｃの他端とは、駆動電流出力回路（図示せず）から駆動電流が供給される配線ＩＬに接続されている。そして、駆動用トランジスター２４のドレイン端子は、陽極３に接続されている。
陽極３と、陰極８との間には、機能層３８が配置されている。また、陰極８は、アースラインに接続されている。
【００３０】
走査線駆動回路１７は、シフトレジスターや出力バッファー（いずれも図示せず）を含んで構成され、駆動用ＩＣ１３からのタイミング信号に基づき、複数の走査線ＳＬに順次走査信号を供給する。
データ線駆動回路１８は、シフトレジスターやラッチ回路（いずれも図示せず）を含んで構成され、駆動用ＩＣ１３からのタイミング信号、およびデータ信号に基づき、複数のデータ線ＤＬにデータ信号を供給する。
走査信号によって選択された選択用トランジスター１５はオンし、データ信号が駆動用トランジスター２４に供給される。これにより、駆動用トランジスター２４がオンし、機能層３８に駆動電流が流れて発光する。また、駆動用トランジスター２４がオンするのと並行して、保持容量Ｃにデータ信号が保持されるため、容量に応じた時間（１フレーム相当の期間長）、発光が維持される。
なお、図２に示した画素回路に限定するものではなく、駆動電流によって、同様に機能層３８を点灯駆動可能な画素回路であれば異なる回路構成であっても良い。
【００３１】
（断面構造の概要）
図３は、図１のｊ−ｊ断面における側断面図であり、表示パネル（画素）の断面構成の概要を示している。
図３に示すように、表示パネル１９は、基板２１上に、平坦化層２２、複数の発光素子１、エポキシ層３５、封止基板２０が、この順番に積層された構成となっている。
基板２１上には、複数の駆動用トランジスター２４が設けられ、これらの駆動用トランジスター２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
各駆動用トランジスター２４は、シリコン等の半導体材料からなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
また、平坦化層２２上には、各駆動用トランジスター２４に対応して、発光素子１が設けられている。
【００３２】
発光素子１は、平坦化層２２上に形成された、陽極３、機能層３８、陰極８からなる積層構造をなしている。
ここで、機能層３８は、正孔注入層４１、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、発光層５、電子輸送層６２、第２電子注入層６３からなる積層構造により構成されている。
つまり、発光素子１は、陽極３、正孔注入層４１、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、発光層５、電子輸送層６２、第２電子注入層６３からなる積層構造をなしている。
また、第１電子注入層６１と、正孔輸送層４３との積層構造をキャリア選択層４６とも称する。
【００３３】
かかる構成の発光素子１の隣接するもの同士の間には、隔壁３１が設けられ、これにより各発光素子１が個別に設けられている。
本実施形態では、各発光素子１において、陽極３、正孔注入層４１が、隔壁３１で区画されることにより個別に設けられ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８が、一体的に設けられている。かかる構成とすることで、各発光素子１の陽極３は、画素電極（個別電極）を構成し、さらに、各発光素子１の陰極８は、共通電極を構成する。また、各発光素子１の陽極３は、各駆動用トランジスター２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。
このように、発光素子１を備える表示パネル１９において、各発光素子１の発光輝度を、駆動用トランジスター２４を用いて制御することにより、すなわち各発光素子１へ印加する電圧を制御することにより、表示パネル１９のモノカラー表示が可能となる。
【００３４】
かかる構成の発光素子１に本発明の発光素子が適用されるが、発光素子１の詳細については、後述する。
さらに、これらの発光素子１上には、本実施形態では、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層３５が形成されている。
そして、エポキシ層３５上に、これを覆うように封止基板２０が設けられている。これにより、発光素子１の気密性が確保され、酸素や水分の浸入を防止できることから、発光素子１の信頼性の向上を図ることができる。
以上説明したようなディスプレイ装置１００は、各発光素子１を同時に発光させることで青色の単色表示が可能となる。
【００３５】
（発光素子の詳細）
前述したように、発光素子１は、正孔注入層４１と、第１電子注入層６１と、正孔輸送層４３と、発光層５と、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが陽極３側からこの順に積層された積層体が、陽極３と陰極８の間に介挿されてなるものである。
このような発光素子１にあっては、発光層５に対し、陰極８側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、発光層５では、正孔と電子とが再結合し、この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、発光層５が光を発光する。
本実施形態では、好適例として発光層５を青色発光層としているため、各画素の発光素子１は青色発光する。
なお、青色に限定するものではなく、赤色や緑色や橙色などの他の色であっても良い。
【００３６】
以下、発光素子１を構成する各部について順次説明する。
［陽極３］
陽極３は、正孔注入層４１に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料としては、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料が好適に用いられる。
陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、フッ素添加ＳｎＯ2、Ｓｂ添加ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ａｌ添加ＺｎＯ、Ｇａ添加ＺｎＯ等の金属酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、表示パネル１９を、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルとする場合、陽極３には光透過性が求められるため、上述した構成材料のうち、光透過性を有する金属酸化物が好適に用いられる。
【００３７】
［正孔注入層４１］
正孔注入層４１は、陽極３からの正孔注入を容易にする機能を有するものである。
この正孔注入層４１の構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、後述する、正孔注入層４１の形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、導電性高分子材料（または導電性オリゴマー材料）に電子受容性ドーパントを添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。
このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のようなポリチオフォン系正孔注入材料や、ポリアニリン−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）のようなポリアニリン系正孔注入材料や、下記一般式（１）で表わされるオリゴアニリン誘導体と、下記一般式（４）で表わされる電子受容性ドーパントとで塩を形成してなるオリゴアニリン系正孔注入材料が挙げられる。
【００３８】
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して下記一般式（２）または下記一般式（３）で表される二価の基であり、Ｒ４〜Ｒ１１、はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基、アシル基、またはスルホン酸基であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して１以上の正数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。］
【００３９】
【化２】
【００４０】
【化３】
［式中、Ｄは、ベンゼン環、ナフタレン環、アトラセン環、フェナントレン環または複素環を表し、Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立してカルボキシル基またはヒドロキシル基を表す。］
このような正孔注入層の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００４１】
［第１電子注入層６１］
第１電子注入層６１において、電子注入層に用いられた電子注入材料が正孔注入層内に拡散し、この拡散した電子注入材料が正孔注入層内でのホールの輸送を阻害もしくは促進する。これにより、発光層５へ輸送されるホールの量を調整され、その結果キャリアバランスが改善され、発光効率が向上する。つまり、第１電子注入層６１は正孔注入層４１のホール輸送量を調整する機能を有する。
この第１電子注入層６１の構成材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、アルカリ土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、希土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、金属錯体等のような電子注入材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
第１電子注入層６１をこのような電子注入材料を主材料として構成されるものとすることで、発光層５へ輸送されるホールの量を調整することができる。
アルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。また、アルカリ土類金属としては、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａが挙げられる。さらに、希土類金属としては、例えば、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｂ、Ｅｕが挙げられる。
アルカリ金属塩としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2ＣＯ3、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ2ＣＯ3、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3、ＣｓＣｌが挙げられる。また、アルカリ土類金属塩としては、例えば、ＣａＦ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＦ2、ＳｒＣＯ3、ＢａＦ2、ＢａＣＯ3が挙げられる。さらに、希土類金属塩としては、例えば、ＳｍＦ3、ＥｒＦ3が挙げられる。
【００４３】
金属錯体としては、例えば、８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）やトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体が挙げられる。
また、第１電子注入層６１の形成プロセスは、真空蒸着法（蒸着法）やスパッタ法のような気相プロセスを用いても良いし、インクジェット法やスリットコート法のような液相プロセスを用いても良い。
さらに、第１電子注入層６１は、２種以上の電子注入層が積層される形で形成されていても良い。これによって、発光層５へ輸送されるホール量の調整が的確に行われる。
第１電子注入層６１の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。第１電子注入層６１の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、発光層５へ輸送されるホール量の調整が的確に行われる。
【００４４】
［正孔輸送層４３］
正孔輸送層４３は、正孔輸送層４３の陽極３側界面から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能を発揮するものである。なお、正孔輸送層４３が発光層５から正孔輸送層４３に流れてくる電子をブロックする機能を持つことで、これら電子を発光層５に留めることできるので、より発光効率を高めることが可能である。加えて、正孔輸送層４３は、第１電子注入層６１が発光層５に直接接することを防いだり、第１電子注入層６１に用いられる電子注入材料が発光層５に拡散するのを低減したりする役割を担うことができる。
【００４５】
この正孔輸送層４３の構成材料としては、特に限定されないが、後述する、正孔輸送層４３の形成工程において、真空蒸着法のような気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、下記式（５）で表わされるビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）、下記式（６）で表わされる化合物のようなベンジジン誘導体等のアミン系化合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４６】
【化４】
【００４７】
このような正孔輸送層４３の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、正孔注入層４１から第１電子注入層６１を介して注入された正孔を発光層５まで的確に輸送することができる。
【００４８】
［発光層５］
発光層５は、所定の色光を発光する発光材料を含んで構成された、発光作用（機能）を担う層（発光機能層）である。本実施形態では、発光層５は青色発光層としたため、発光層５は青色の光を発光する。
発光層５は、陽極３側から正孔が供給（注入）されるとともに、陰極８側から電子が供給（注入）されることにより、発光層５において正孔と電子とが再結合し、この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が発光層５に含まれる青色発光材料において基底状態に戻る際にエネルギーを、青色の光として放出する。
このような青色発光材料としては、特に限定されないが、発光層５の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るものが好適に用いられ、具体的には、下記式（７）で表わされる化合物のようなスチリル誘導体が挙げられる。
【００４９】
【化５】
【００５０】
また、その他、青色発光材料としては、アントラセン誘導体をホスト材料とし、このホスト材料に、スチリル誘導体がゲスト材料として含まれるものであってもよい。
ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを青色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、青色発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
この場合、アントラセン誘導体としては、下記式（８）、下記式（９）および下記式（１０）で表わされる化合物が挙げられ、スチリル誘導体としては、下記式（１１）、下記式（１２）および下記式（１３）で表わされる化合物が挙げられ、それぞれ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５１】
【化６】
【００５２】
なお、このような気相プロセスを経て形成される発光層５を備える発光素子１は、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
さらに、このようなゲスト材料およびホスト材料を用いる場合、発光層５中におけるゲスト材料の含有量（ドープ量）は、ホスト材料に対して重量比で０．１％以上、２０％以下程度であるのが好ましく、０．５％以上、１０％以下程度であるのがより好ましい。ゲスト材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
このような発光層５の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００５３】
［電子輸送層６２］
電子輸送層６２は、陰極８から第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に注入された電子を発光層５に輸送する機能を有するものである。また、電子輸送層６２は、発光層５から電子輸送層６２へ通過しようとする正孔をブロックする機能を有する場合もある。
電子輸送層６２の構成材料（電子輸送材料）としては、特に限定されないが、電子輸送層６２の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）や８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）のようなオキサジアゾール誘導体、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体、下記式（１４）で表わされる化合物のようなシロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、下記式（１５）で表わされる化合物のような含窒素複素環誘導体等が好適に用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
【化７】
【００５５】
電子輸送層６２の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これにより、第２電子注入層６３から注入された電子を好適に発光層５に輸送することができる。
なお、この電子輸送層６２は、発光素子１を構成する正孔注入層４１、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、発光層５、第２電子注入層６３および陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００５６】
［第２電子注入層６３］
第２電子注入層６３は、陰極８から電子輸送層６２への電子の注入効率を向上させる機能を有するものである。
この第２電子注入層６３の構成材料（電子注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、前述の第１電子注入層６１の構成材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。
なお、第２電子注入層６３および第１電子注入層６１の構成材料（電子注入材料）は、それぞれ、これらを挟持する２つの層の構成材料の組み合わせに応じて、最適な注入効率が得られるものが選択されるため、第２電子注入層６３の構成材料と第１電子注入層６１の構成材料とは、同一であっても異なっていてもよい。
第２電子注入層６３の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この第２電子注入層６３は、電子輸送層６２と陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００５７】
［陰極８］
陰極８は、第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極である。この陰極８の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。陰極８の構成材料のとしては、後述する、陰極８の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕまたはこれらを含む合金等が用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
特に、本実施形態のように、ボトムエミッション構造の表示パネル１９とする場合、陰極８には光透過性が求められず、陰極８の構成材料のとしては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００５８】
なお、表示パネル１９がトップエミッション構造の表示装置である場合、陰極８の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の光透過性を維持しつつ、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１の陽極３、正孔注入層４１、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、発光層５、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００５９】
なお、発光素子１を含む表示パネル１９の製造方法については、実施形態２で説明する。
【００６０】
以上述べたように、本実施形態に係るディスプレイ装置１００（表示パネル１９）によれば、以下の効果を得ることができる。
表示パネル１９では、陽極３と発光層５との間にキャリア選択層４６が形成されるとともに、陽極３とキャリア選択層４６との間に正孔注入層４１が形成されている。換言すれば、陽極３上に、正孔注入層４１、キャリア選択層４６、発光層５の順に積層した構成となっている。
この構成によれば、キャリア選択層４６の第１電子注入層６１に用いられた電子注入材料が正孔注入層４１内に拡散し、この拡散した電子注入材料が正孔注入層４１内でのホール（正孔）の輸送を阻害もしくは促進することによって、発光層５へ輸送されるホール（正孔）の量が調整され、その結果キャリアバランスが改善される。
よって、発光層と陽極との間の有機層に添加される材料の影響によりキャリアバランスが崩れて発光が阻害されていた従来の発光素子よりも、発光効率を向上させることができる。
従って、所期の発光効率が得られる発光素子１、および発光素子１を備えたディスプレイ装置１００（表示パネル１９）を提供することができる。
【００６１】
さらに、キャリアバランスが優れているため、発光層５を含む機能層３８の劣化を抑制することができる。
従って、所期の寿命が得られる発光素子１を提供することができる。
また、第１電子注入層６１が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物から構成されているため、正孔注入層４１内に拡散しやすく、効果的に正孔注入内でのホール（正孔）の輸送を阻害することができる。
【００６２】
さらに、第１電子注入層６１と発光層５との間に正孔輸送層４３が形成されているため、第１電子注入層６１が発光層５に直接接することを回避できるので、第１電子注入層６１に用いられる電子注入材料が発光層５に拡散することによって起きる発光効率の低下を抑制することができる。
また、第１電子注入層６１と正孔注入層４１とが直接接しているため、第１電子注入層６１に用いられる電子注入材料が正孔注入層４１により拡散しやすくなる。その結果、電子注入材料が発光層５に拡散しにくくなり、電子注入材料が発光層５に拡散することによって起こる発光効率の低下を抑制することができる。
【００６３】
また、正孔注入層４１がイオン伝導性を有しているため、第１電子注入層６１に用いられる電子注入材料は正孔注入層４１により容易に拡散する。
これにより、電子注入材料が発光層５に拡散しにくくなるため、発光効率の低下を抑制することができる。
また、液相プロセスを用いて正孔注入層４１を形成することが可能であるため、表示パネルの大型化に容易に対応することができる。
【００６４】
＜第２実施形態＞
（表示装置の概要）
図４は、本実施形態に係るディスプレイ装置の一態様を示す斜視図であり、図１に対応している。
まず、本発明の実施形態２に係る表示装置としてのディスプレイ装置の概要について説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００６５】
本実施形態に係るディスプレイ装置１１０は、フルカラーの画像表示が可能な表示パネル２９を備えている。詳しくは、図４の右上における表示領域Ｖの拡大図に示すように、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の画素が周期的に形成された表示パネル２９を備えている。これ以外の構成は、実施形態１のディスプレイ装置１００と同様である。
【００６６】
（発光素子の詳細）
図５は、図４のｊ−ｊ断面における側断面図であり、図３に対応している。
以下、実施形態１の表示パネル１９との相違点を中心に説明する。
表示パネル２９の表示領域Ｖには、Ｘ軸方向において赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の画素が、周期的に形成されている。なお、各色画素のことをサブ画素、連続するＲＧＢの３つのサブ画素からなる画素セットをカラー画素ともいう。
図５において、一番右側（Ｘ軸（−）側）に示された画素は、Ｂ光を発する青色画素であり、発光素子１Ｂを備えている。ここで、発光素子１Ｂは、実施形態１の発光素子１と同一構成であるが、他の色光の画素と区別するために、発光素子１Ｂと称する。
青色画素の隣のＧ光を発する緑色画素、および緑色画素の隣のＲ光を発する赤色画素は、発光素子１Ｂとは異なる積層構造の発光素子１Ｇ、発光素子１Ｒをそれぞれ備えている。これらの構成以外は、実施形態１の表示パネル１９と同様である。
【００６７】
以下、各発光素子について詳細に説明する。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、それぞれ、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと、陰極８の間に、陰極８側から、第１の層と、第２の層と、第３の層とをこの順に備える。
第１の層は、第１の色を発光する機能を有する層である。以下、ある色を発光する機能を有する層を発光層と称する。本実施形態では、第１の色は青色であり、第１の層は、青色発光層５Ｂである。なお、青色発光層５Ｂは、実施形態１の発光層５と同一である。
第２の層は、キャリア選択層４６である。キャリア選択層とは、第３の層の機能によってキャリアの流れが選択される機能を有する層であり、実施形態１と同様に、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側からこの順に積層された積層体により構成される。
【００６８】
発光素子１Ｒと１Ｇにおいては、第３の層は第２の色を発光する機能を有する層であり、それぞれ、赤色発光層５Ｒと緑色発光層５Ｇである。つまり、本実施形態における第２の色は、発光素子１Ｒと１Ｇにおいて、それぞれ、赤色と緑色である。
また、発光素子１Ｂにおいては、第３の層は正孔注入層４１Ｂとなる。なお、正孔注入層４１Ｂは、実施形態１の正孔注入層４１と同一である。
発光素子１Ｒは、平坦化層２２上に、陽極３Ｒと、正孔注入層４１Ｒと、中間層４２Ｒと、第３の層としての赤色発光層５Ｒと、第２の層としてのキャリア選択層４６と、第１の層としての青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３と、陰極８とが、この順に積層されている。
また、発光素子１Ｇは、平坦化層２２上に、陽極３Ｇと、正孔注入層４１Ｇと、中間層４２Ｇと、第３の層としての緑色発光層５Ｇと、第２の層としてのキャリア選択層４６と、第１の層としての青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３と、陰極８とが、この順に積層されている。
【００６９】
本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにおいて、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ、各正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、各中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび各発光層５Ｒ、５Ｇが、隔壁３１で区画されることにより個別に設けられ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８が、一体的に設けられている。
かかる構成とすることで、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、画素電極（個別電極）を構成し、さらに、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陰極８は、共通電極を構成する。また、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、各駆動用トランジスター２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。
【００７０】
このように、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備える表示パネル２９において、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光輝度を、駆動用トランジスター２４を用いて制御することにより、すなわち各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂへ印加する電圧を制御することにより、ディスプレイ装置１１０のフルカラー表示が可能となる。
かかる構成の表示パネル２９において、本発明の発光素子が適用される。以下、発光素子１Ｒ、１Ｇについて、順次説明する。
【００７１】
（発光素子１Ｒ）
発光素子（赤色発光素子）１Ｒは、正孔注入層４１Ｒと、中間層４２Ｒと、赤色発光層５Ｒと、キャリア選択層４６と、青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｒと陰極８との間に介挿されてなるものである。
発光素子１Ｒにおいて、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｒにおいて、陽極３Ｒおよび陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３Ｒは正孔注入層４１Ｒに正孔を注入する電極として機能し、陰極８は第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。
【００７２】
このような構成の発光素子１Ｒでは、中間層４２Ｒと、赤色発光層５Ｒとが固有の構成部位となる。換言すれば、陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、キャリア選択層４６、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３、および陰極８は、実施形態１での対応部位と同様である。
以下、発光素子１Ｒ固有の構成部位について説明する。
【００７３】
［中間層４２Ｒ］
中間層４２Ｒは、正孔注入層４１Ｒから注入された正孔を赤色発光層５Ｒまで輸送する機能を有する。また、中間層４２Ｒは、赤色発光層５Ｒから中間層４２Ｒへ通過しようとする電子をブロックする機能を有する場合もある。
この中間層４２Ｒの構成材料としては、特に限定されないが、後述する、中間層４２Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、下記一般式（１６）で表わされるトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物が好適に用いられる。
【００７４】
【化８】
【００７５】
このような中間層４２Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この中間層４２Ｒは、発光素子１Ｒを構成する、陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、赤色発光層５Ｒ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００７６】
［赤色発光層５Ｒ］
赤色発光層５Ｒは、赤色に発光する赤色発光材料を含んで構成される。
発光素子１Ｒでは、この赤色発光層５Ｒが、陽極３Ｒとキャリア選択層（第２の層）４６との間に設けられた第３の層を構成し、この赤色発光層５Ｒが発光素子１Ｒにおける第２の色（赤色）を発光する機能を有する。
このような赤色発光層５Ｒの構成材料は、特に限定されないが、後述する、赤色発光層５Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、赤色発光層５Ｒの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子赤色発光材料および低分子赤色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（１７）および下記一般式（１８）で表わされる高分子赤色発光材料が挙げられる。
【００７７】
【化９】
【００７８】
なお、このような液相プロセスを経て形成される赤色発光層５Ｒを備える発光素子１Ｒは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
このような赤色発光層５Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００７９】
［キャリア選択層４６］
第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体により、キャリア選択層（第２の層）４６が構成される。
発光素子１Ｒにおいて、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を赤色発光層５Ｒに円滑に注入するというキャリア注入動作を行う。このため、発光素子１Ｒにおいて、青色発光層５Ｂの発光は大幅に抑制され、赤色発光層５Ｒが選択的もしくは支配的に発光する。
【００８０】
（発光素子１Ｇ）
発光素子（緑色発光素子）１Ｇは、正孔注入層４１Ｇと、中間層４２Ｇと、緑色発光層５Ｇと、キャリア選択層４６と、青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが、陽極３Ｇ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｇと陰極８との間に介挿されてなるものである。
発光素子１Ｇにおいて、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｇ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｇにおいて、陽極３Ｇおよび陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３Ｇは正孔注入層４１Ｇに正孔を注入する電極として機能し、陰極８は第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。
発光素子１Ｇは、赤色発光層５Ｒに代えて緑色発光層５Ｇを備えること以外は、前述の発光素子１Ｒと同様の構成のものである。換言すれば、陽極３Ｇ、正孔注入層４１Ｇ、キャリア選択層４６、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３、および陰極８は、実施形態１での対応部位と同様である。
以下、発光素子１Ｇ固有の構成部位について説明する。
【００８１】
［緑色発光層５Ｇ］
緑色発光層５Ｇは、緑色に発光する緑色発光材料を含んで構成される。
発光素子１Ｇでは、この緑色発光層５Ｇが、陽極３Ｇとキャリア選択層（第２の層）４６との間に設けられた第３の層を構成し、この緑色発光層５Ｇが発光素子１Ｇにおける第２の色（緑色）を発光する機能を有する。
このような緑色発光層５Ｇの構成材料は、特に限定されないが、後述する、緑色発光層５Ｇの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、緑色発光層５Ｇの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子緑色発光材料および低分子緑色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（１９）および下記一般式（２０）で表わされる高分子緑色発光材料が挙げられる。
【００８２】
【化１０】
【００８３】
なお、このような液相プロセスを経て形成される緑色発光層５Ｇを備える発光素子１Ｇは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
このような緑色発光層５Ｇの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１Ｇの陽極３Ｇ、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇ、緑色発光層５Ｇ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００８４】
（発光素子１Ｂの補足説明）
発光素子１Ｂにおいて、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光層５Ｂに留めるというキャリアブロック動作を行う。このため、発光素子１Ｂにおいて、青色発光層５Ｂは効率よく発光する。このキャリアブロック動作を的確に行うためには、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３には、キャリアブロック機能を有するものを用いることが望ましい。例えば、前述の発光素子１Ｒの正孔輸送層４３の構成材料として挙げたアミン系化合物を用いることにより、正孔輸送層４３は電子ブロック機能を有するものとなる。
なお、かかる構成の発光素子１Ｂの陽極３Ｂ、正孔注入層４１Ｂ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００８５】
（表示パネルの製造方法）
図６（ａ）〜（ｃ）、および図７（ａ）〜（ｃ）は、表示パネルの製造工程における一態様を示す図であり、図５に対応した側断面図である。
ここでは、上述した表示パネル２９の製造方法について説明する。なお、第１実施形態の表示パネル１９の製造方法は、本実施形態の表示パネル２９の製造方法のうち、青色画素のみを全ての画素に形成したものである。換言すれば、中間層４２Ｒ、赤色発光層５Ｒ、および中間層４２Ｇ、緑色発光層５Ｇを省略した製造方法が、第１実施形態の表示パネル１９の製造方法となる。
【００８６】
［１］まず、基板２１を用意し、各サブ画素に対応するように、複数の駆動用トランジスター２４を形成したのち、これら駆動用トランジスター２４を覆うように平坦化層２２を形成する（第１の工程）。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、駆動用トランジスター２４を含む画素回路素子を形成する。なお、説明の都合上、駆動用トランジスター２４を中心に説明する。
［１−Ａａ］まず、基板２１上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが３０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下程度のアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ａｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザーアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザーアニール法では、例えば、エキシマレーザーでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ2程度に設定される。
［１−Ａｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とすることで半導体層２４１を得、これら島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが６０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度の酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ａｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
【００８７】
［１−Ａｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
［１−Ｂ］次に、駆動用トランジスター２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｂａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃ］次に、ドレイン電極２４５と、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂとを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｃａ］まず、第１平坦化層上に、第２平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
なお、［１−Ｂ］工程および［１−Ｃ］工程において形成された第１平坦化層および第２平坦化層により平坦化層２２が構成される。
【００８８】
［２］次に、平坦化層２２上に、各配線２７に対応するように、陽極（個別電極）３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成する（第２の工程）。
この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、平坦化層２２上に、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料を主材料として構成される薄膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
［３］次に、平坦化層２２上に、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを区画するように、すなわち、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成する領域を区画するように、隔壁（バンク）３１を形成する（第３の工程）。
隔壁３１は、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを覆うように平坦化層２２上に、絶縁膜を形成した後、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、平坦化層２２等との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ2のような無機材料が挙げられる。
【００８９】
図６（ａ）は、ここまでの工程により隔壁３１までが形成された状態を示している。
また、隔壁３１の開口の形状は、図４に示すように、四角形の他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
なお、隔壁３１の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光層５Ｒ、５Ｇを、後述するような液状材料を用いて形成する際に、これらの液状材料を、隔壁３１の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。
このような隔壁３１の高さは、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、０．５μｍ以上、５μｍ以下程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。
【００９０】
なお、インクジェット法によって、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光層５Ｒ、５Ｇを形成する場合、隔壁３１が形成された基板２１は、プラズマ処理されることが望ましい。具体的には、隔壁３１が形成された基板２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面と隔壁３１の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。次にＣＦ4等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１の隔壁としての機能がより効果的に発揮される。
【００９１】
［４］次に、発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒおよび赤色発光層５Ｒを形成し、発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇおよび緑色発光層５Ｇを形成し、さらに、発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｂを形成する（第４の工程）。この第４の工程について、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ毎に以下に詳述する。
［発光素子１Ｒ］発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒおよび赤色発光層５Ｒをこの順番に形成する。それぞれの層を形成する工程を正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光層５Ｒ形成工程とし、以下に詳述する。
【００９２】
［正孔注入層４１Ｒ形成工程］まず、図６（ｂ）に示すように、正孔注入層４１Ｒをインクジェット法によって塗布する。具体的には、正孔注入材料を含有する正孔注入層４１Ｒ形成用のインク（液状材料）を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３Ｒ上に塗布する（塗布工程）。
ここで、正孔注入層形成用のインクの調製に用いる溶媒（インク溶媒）または分散媒（インク分散媒）としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、テトラリン等の脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００９３】
なお、陽極３Ｒ上に塗布された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、図６（ｂ）に示すように、陽極３Ｒが隔壁３１により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔注入層４１Ｒの輪郭形状が正確に規定される。
次に、塗布した正孔注入層４１Ｒに対して後処理を施す（後処理工程）。具体的には、各陽極３Ｒ上に塗布した正孔注入層形成用のインク（液状材料）を乾燥し、正孔注入層４１Ｒを形成する。この乾燥によって、溶媒または分散媒を除去することができる。
図６（ｃ）には、乾燥後の正孔注入層４１Ｒの態様が示されている。
【００９４】
乾燥の手法としては、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理（例えば４０℃以上、８０℃以下程度）による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、必要に応じて、正孔注入層４１Ｒが形成された基板２１を１００℃以上、３００℃以下程度で加熱（ベーク）する。この加熱により、乾燥後に正孔注入層４１Ｒの膜内に残留した溶媒または分散媒を、取り除くことができる。また、加熱により架橋し溶媒に対して不溶化するような正孔注入材料を用いている場合は、この加熱によって正孔注入層４１Ｒを不溶化させることもできる。また、この加熱後、正孔注入層４１Ｒの未不溶化部分を除去するために、正孔注入層４１Ｒが形成された基板２１の表面を溶媒によってリンス（洗浄）することもある。このリンスによって、正孔注入層４１Ｒの未不溶化部分が、正孔注入層４１Ｒの上に形成される中間層４２Ｒに、混入することを防ぐことができる。
【００９５】
［中間層４２Ｒ形成工程］中間層４２Ｒ形成工程では、まず中間層４２Ｒを各正孔注入層４１Ｒ上に正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した中間層４２Ｒに対して正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の後処理を施す。但し、中間層４２Ｒ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、中間層４２Ｒの形成に適したものを適宜選択する。
図７（ａ）には、乾燥後の正孔注入層４１Ｒの態様が示されている。
【００９６】
［赤色発光層５Ｒ形成工程］赤色発光層５Ｒ形成工程では、まず赤色発光層５Ｒを各中間層４２Ｒ上に正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した赤色発光層５Ｒに対して正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の後処理を施す。但し、赤色発光層５Ｒ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、赤色発光層５Ｒの形成に適したものを適宜選択する。図７（ｂ）には、乾燥後の赤色発光層５Ｒの態様が示されている。
上述した正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光層５Ｒ形成工程には、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法では、インクの吐出量およびインク滴の着弾位置を、基板の面積の大小に関わらず高精度に制御できるため、かかる方法を用いることにより、正孔注入層４１Ｒの薄膜化、画素サイズの微小化、さらにはディスプレイ装置１１０の大面積化を図ることができる。また、各層を形成するためのインク（液状材料）を、隔壁３１の内側に選択的に供給することができるため、インクのムダを省くことができる。
【００９７】
なお、これら、正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光層５Ｒ形成工程は、インクジェット法に限らず、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の液相プロセスも用いることができる。
【００９８】
［発光素子１Ｇ］発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇおよび緑色発光層５Ｇをこの順番に発光素子１Ｒと同様の手法を用いて形成する。但し、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇ、緑色発光層５Ｇのそれぞれの層において、層の形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、それぞれの層の形成に適したものを適宜選択する。
【００９９】
［発光素子１Ｂ］発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｂを発光素子１Ｒの正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の手法を用いて形成する。但し、正孔注入層４１Ｂ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、正孔注入層４１Ｂの形成に適したものを適宜選択する。
以上のように、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光層５Ｒ、５Ｇの各層をインクジェット法によって形成する場合、各層は塗布工程と後処理工程を経て完全に形成されるが、各層の塗布工程は、図６（ｂ）（ｃ）、および図７（ａ）（ｂ）に示すように、他のサブ画素の塗布工程と一緒に行っても良いし、各層の後処理工程も、他のサブ画素と一緒に行っても良い。
【０１００】
［５］次に、図７（ｃ）に示すように、赤色発光層５Ｒ、緑色発光層５Ｇ、正孔注入層４１Ｂおよび隔壁３１に重なるように、すなわち、隔壁３１の平坦化層２２と接している面と反対側の全面を覆うように、第１電子注入層６１を形成する（第５の工程）。
これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第１電子注入層６１が一括（一体的）に形成される。
この第１電子注入層６１も、前記工程［発光素子１Ｒ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、赤色発光層５Ｒ、緑色発光層５Ｇ、正孔注入層４１Ｂと第１電子注入層６１との間での層溶解を防止しつつ、第１電子注入層６１を確実に形成することができる。
【０１０１】
［６］次に、第１電子注入層６１の全面を覆うように、正孔輸送層４３を形成する（第６の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の正孔輸送層４３が一括に形成される。
［７］次に、正孔輸送層４３の全面を覆うように、青色発光層５Ｂを形成する（第７の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の青色発光層５Ｂが一括に形成される。
［８］次に、青色発光層５Ｂの全面を覆うように、電子輸送層６２を形成する（第８の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の電子輸送層６２が一括に形成される。
［９］次に、電子輸送層６２の全面を覆うように、第２電子注入層６３を形成する（第９の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第２電子注入層６３が一括に形成される。
［１０］次に、第２電子注入層６３の全面を覆うように、陰極８を形成する（第１０の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の陰極８が一括に形成される。
なお、前記工程［６］〜［１０］で形成する各層も、前記工程［発光素子１Ｒ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、隣接する層同士間における層溶解を防止しつつ、形成すべき層を確実に形成することができる。
【０１０２】
また、前記工程［発光素子１Ｒ］および［発光素子１Ｇ］において、それぞれ、発光層５Ｒおよび５Ｇをインクジェット法のような液相プロセスを用いて成膜することにより、発光色の異なる発光層５Ｒおよび５Ｇを容易に塗り分け、かつディスプレイ装置１１０の大面積化を容易に実現することができる。加えて、前記工程［６］および［７］において、それぞれ、正孔輸送層４３および青色発光層５Ｂを気相プロセス（気相成膜法）を用いて形成することにより、発光素子１Ｂは、実用レベルの発光寿命を十分に備えるものとなる。さらに、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の青色発光層５Ｂを一括して（一体的に）形成する構成としたことから、高精細マスクを用いて、発光素子１Ｂに対して選択的に青色発光層５Ｂを成膜する必要がないため、工程の簡略化、さらには表示パネル２９の大面積化を容易に図ることができる。
【０１０３】
また、前記工程［５］および［６］において、それぞれ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第１電子注入層６１および正孔輸送層４３を一括して形成する構成とした、すなわち第１電子注入層６１および正孔輸送層４３で構成されるキャリア選択層４６を一体的に形成する構成としたことから、高精細マスクを用いて、発光素子１Ｂに対して選択的に第１電子注入層６１および正孔輸送層４３を成膜する必要がないため、工程の簡略化、さらには表示パネル２９の大面積化を容易に図ることができる。
以上のようにして、各駆動用トランジスター２４に対応して、複数の赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが形成される。
【０１０４】
［１１］次に、図５に示すように、封止基板２０を用意し、陰極８と封止基板２０との間にエポキシ系の接着剤を介在させた後、この接着剤を乾燥させる。これにより、エポキシ層３５を介して、封止基板２０で陰極８を覆うように陰極８と封止基板２０とを接合することができる。
この封止基板２０は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを保護する保護基板としての機能を発揮する。このような封止基板２０を、陰極８上に設ける構成とすることで、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
以上のような工程を経て、図５に示す、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが封止基板２０により封止された表示パネル２９が完成される。
【０１０５】
以上述べたように、本実施形態に係るディスプレイ装置１１０（表示パネル２９）によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
まず、発光素子１Ｂについては、実施形態１と同一の構成であるため、実施形態１での作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
以下、本実施形態の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが有する作用効果について、キャリア選択層４６の機能を中心に説明する。
【０１０６】
本実施形態では、キャリア選択層（第２の層）４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側からこの順に積層された積層体により構成される。
かかる構成のキャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に注入される電子の量を、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側に接する層（第３の層）に応じて、選択的に制御する層である。すなわち、キャリア選択層（第２の層）４６は、第３の層の機能によってキャリアの流れが選択される機能を有する層である。
具体的には、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に直接接する層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇの場合、すなわち、キャリア選択層４６の陽極３Ｒ，３Ｇ側界面に第２の色を発光する機能を有する発光層が接触する場合、キャリア選択層４６は青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇに円滑に注入する（キャリア注入動作）。このため、発光素子１Ｒの青色発光層５Ｂでは、正孔と電子との再結合が的確に抑制または防止されるため、発光素子１Ｒの青色発光層５Ｂは、青色発光しないか、青色発光したとしてもその発光は的確に抑制される。これに対して、赤色発光層５Ｒには、陰極８側から青色発光層５Ｂを介して電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ側から正孔が供給（注入）される。そして、赤色発光層５Ｒでは、正孔と電子とが再結合し、この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、赤色発光層５Ｒが赤色に発光する。その結果、発光素子１Ｒは赤色に発光する。同様に、発光素子１Ｇにおいても、青色発光層５Ｂの発光は大幅に抑制され、緑色発光層５Ｇが選択的もしくは支配的に発光する。その結果、発光素子１Ｇは緑色に発光する。
【０１０７】
一方、発光素子１Ｂのように、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂの場合、すなわち、キャリア選択層の陽極側界面に正孔注入層が接触する場合、キャリア選択層４６は青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光層５Ｂに留める（キャリアブロック動作）。このため、青色発光層５Ｂにおいて、陽極３Ｂ側から供給（注入）された正孔と、陰極８側から供給（注入）された電子とが、再結合しやすくなる。この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、青色発光層５Ｂは効率良く発光する。その結果、発光素子１Ｂは高効率で青色に発光する。
【０１０８】
このように、キャリア選択層４６は、キャリア選択層（第２の層）４６に接する第３の層の種類によって、キャリア注入動作を行ったり、キャリアブロック動作を行ったりする。
発光素子１Ｒと発光素子１Ｇにおけるキャリア選択層４６の電子に対する挙動と、発光素子１Ｂにおけるキャリア選択層４６の電子に対する挙動が異なる理由について、正孔注入層４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料だった場合を例に説明を行う。
まず、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に接する層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇの場合、発光素子１Ｒおよび１Ｇのキャリア選択層４６内の第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、それぞれ、発光素子１Ｒおよび１Ｇの正孔輸送層４３内に拡散し、これによって発光素子１Ｒおよび１Ｇの正孔輸送層４３に備わっている電子ブロック機能が大きく低下する。この結果、発光素子１Ｒおよび１Ｇでは、青色発光層５Ｂから正孔輸送層４３へ電子が円滑に注入される。さらに、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇと、正孔輸送層４３との間に存在する第１電子注入層６１の機能により、正孔輸送層４３から、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇへの電子の注入も円滑に行われる。以上より、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に接する層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇの場合、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇに円滑に注入する（キャリア注入動作）。すなわち、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂから、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇに、電子（キャリア）を円滑に流す動作を行う。
【０１０９】
一方、発光素子１Ｂのように、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂで、且つ、その正孔注入層４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料によって構成されている場合、発光素子１Ｂのキャリア選択層４６内の第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、正孔注入層４１Ｂ内に激しく拡散、もしくは正孔注入層４１Ｂの陰極８側界面に吸着するため、発光素子１Ｂの第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３内に拡散せず、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３に備わっている電子ブロック機能が低下することはない。この結果、発光素子１Ｂでは、青色発光層５Ｂから正孔輸送層４３へ流れてくる電子が、正孔輸送層４３によってブロックされ、青色発光層５Ｂ内に留まる。以上より、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂの場合、キャリア選択層４６は青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光層５Ｂに留める（キャリアブロック動作）。すなわち、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂから流れてくる電子（キャリア）の流れを抑制する動作を行う。
【０１１０】
本発明者の検討により、発光素子１Ｒからキャリア選択層４６を除き、青色発光層５Ｂと、赤色発光層５Ｒとが接触して積層された構成の赤色発光素子（キャリア選択層除外赤色発光素子）では、当該キャリア選択層除外赤色発光素子が備える陽極３Ｒと、陰極８との間に電圧を印加すると、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができず、これに起因して、青色発光層５Ｂにおいて、正孔と電子とが再結合するため、青色発光層５Ｂが青色に発光し、当該キャリア選択層除外赤色発光素子の赤色の色純度が悪化することが判っている。また、キャリア選択層除外赤色発光素子では、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができないことに起因して、赤色発光層５Ｒにおける電子と正孔のキャリアバランスが崩れ、発光効率が低下することが判っている。さらに、キャリア選択層除外赤色発光素子では、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができないことに起因して、赤色発光層５Ｒの陰極側界面でのキャリアに対するエネルギー障壁が増加し、駆動電圧が上昇することが判っている。
【０１１１】
このように、キャリア選択層除外赤色発光素子では、赤色の色純度の悪化、発光効率の低下および駆動電圧の上昇という問題がある。しかしながら、発光素子１Ｒのように、青色発光層５Ｂと赤色発光層５Ｒとの間にキャリア選択層４６を介挿する構成とすることで、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、青色発光層５Ｂに留まらせることなく、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができるようになるので、これらの問題は全て解決される。
同様に、発光素子１Ｇからキャリア選択層４６を除き、青色発光層５Ｂと、緑色発光層５Ｇとが接触して積層された構成の緑色発光素子（キャリア選択層除外緑色発光素子）では、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、緑色発光層５Ｇに円滑に注入（供給）することができず、これに起因して、緑色の色純度の悪化、発光効率の低下および駆動電圧の上昇という問題が生じる。しかしながら、発光素子１Ｇのように、青色発光層５Ｂと緑色発光層５Ｇとの間にキャリア選択層４６を介挿する構成とすることで、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、青色発光層５Ｂに留まらせることなく、緑色発光層５Ｇに円滑に注入（供給）することができるようになるので、これらの問題は全て解決される。
【０１１２】
また、本実施形態の正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂは、気相プロセスを用いて形成することができる。本発明者の検討により、発光素子１Ｂにおいて、正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層の形成に、インクジェット法のような液相プロセスを用いた構成の青色発光素子では、発光素子１Ｂと比較して、その発光寿命や発光効率が低下するという問題があることが判っている。
正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層の汚染がこの問題の要因の１つになっていると考えられる。つまり、発光素子１Ｂのように気相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂを形成することが可能な場合、正孔輸送層４３の陰極８側界面を、真空以外の雰囲気にさらすことなく、次の青色発光層５Ｂの成膜を連続的に行うことができるが、正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層の形成に液相プロセスを用いると、液相プロセスによる成膜は真空雰囲気で行うことが困難であるため、液相プロセスによる成膜は真空以外の雰囲気（例えば大気や窒素）で行うことになり、少なくとも正孔輸送層４３の陰極８側界面は真空以外の雰囲気にさらされることになる。このように、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層を成膜した場合、正孔輸送層４３の陰極８側界面が汚染され易くなることは明白である。また、液相プロセスで正孔輸送層４３の成膜を行う場合、正孔輸送材料を溶媒または分散媒に、溶解または分散させた溶液を成膜に用いるため、正孔輸送層４３内に極微量の溶媒が残留し、これが正孔輸送層４３全体を汚染する可能性がある。同様に、液相プロセスで青色発光層５Ｂの成膜を行う場合、青色発光層５Ｂ内に極微量の溶媒が残留し、これが青色発光層５Ｂ全体を汚染する可能性がある。
【０１１３】
これに対して、発光素子１Ｂのように、気相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂを形成することが可能な場合、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層を形成したことによる正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂの汚染を回避でき、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層を形成したことによる青色発光素子の発光寿命や発光効率の低下という問題は全て解決される。
【０１１４】
本実施形態では、正孔注入層４１がイオン伝導性の正孔注入材料を主材料として構成されるのが好ましく、第１電子注入層６１がアルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物の電子注入材料を主材料として構成されるのが好ましいが、この場合、発光素子１Ｂおいて、第１電子注入層６１に含まれるこれら電子注入材料が、正孔輸送層４３側に拡散すると、電子注入材料が正孔輸送層４３に拡散することによる正孔輸送層４３の電子ブロック性の低下およびそれに伴う青色発光層５Ｂにおける発光効率の低下や、電子注入材料が青色発光層５Ｂへ拡散することによる青色発光層５Ｂにおける発光の阻害およびそれに伴う発光効率の低下という問題が起こる。しかしながら、本実施形態では、発光素子１Ｂにおいて、第１電子注入層６１とイオン伝導性の正孔注入層４１Ｂとが接触しているため、正孔注入層４１Ｂ内に激しく拡散、もしくは正孔注入層４１Ｂの陰極８側界面に吸着するため、これに起因して、電子注入材料の正孔輸送層４３側への拡散が的確に抑制または防止され、前述の電子注入材料が正孔輸送層４３側へ拡散することによって起こる問題は全て解決される。
【０１１５】
＜第３実施形態＞
（電子機器）
図８は、本発明の電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
上述した各実施形態のディスプレイ装置１００（１１０）は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図８において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピューター１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００（１１０）で構成されている。
【０１１６】
図９は、本発明の電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
図９において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００（１１０）で構成されている。
【０１１７】
図１０は、本発明の電子機器としてのディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００（１１０）で構成されている。
【０１１８】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリーが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリーに転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリーに格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
【０１１９】
なお、本発明に係る電子機器は、図８のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図９の携帯電話機、図１０のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、ラップトップ型パーソナルコンピューター、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター、その他各種モニター類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。また、ディスプレイ装置１００（表示パネル１９）は、薄型の平面照明装置として用いることもできる。
【０１２０】
以上、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前記実施形態では、表示装置は、青色よりも長波長の光を発光する発光素子として、赤色発光素子および緑色発光素子を備える場合としたが、この場合に限定されず、黄色発光素子や橙色発光素子のような青色よりも長波長の光を発光する発光素子を備えるものであってもよい。この場合、これら黄色発光素子および橙色発光素子に本発明の発光素子が適用される。
【実施例】
【０１２１】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．表示装置（発光装置）および発光素子の製造事例。
【０１２２】
（実施例１）
図１１は、実施例１に係る発光装置の模式断面図であり、図３に対応している。
実施例１は、前述した本発明の第１実施形態の具体的実施結果である。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板３２１として用意した。次に、この基板３２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極３０３／個別電極）を形成した。
そして、陽極３０３が形成された基板３２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１２３】
＜２＞次に、陽極３０３が形成された基板３２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板３２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３０３の表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板３２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１２４】
＜３＞次に、発光素子３０１を形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板３２１を加熱し、各陽極３０３上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層３４１を形成した。
【０１２５】
＜４＞次に、発光素子３０１を形成すべき領域に、それぞれ位置する正孔注入層３４１上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．２ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層３６１とした。
ここで、Ｃｓを「含む薄膜」とは、少なくともＣｓ塩を構成する金属材料であるＣｓ単体を含む薄膜となっていることを意味しており、金属含有層が蒸着材料である金属塩を含んでいても良い。発明者は、別途行った予備実験により以下に示すような現象を観察しており、真空蒸着した膜がＣｓ塩のみからなる膜ではなく、Ｃｓ単体を含む膜となっていることを間接的に確かめている。
具体的には、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として形成した蒸着膜にＡｌの蒸着膜を積層したものを大気に曝すと、Ａｌの表面が激しく発砲し、表面に顕著な凹凸が生じることが確認された。蒸着膜としてＣｓ2ＣＯ3が成膜されているならば、積層したＡｌ膜に顕著な変化は起きないはずである。これは蒸着膜がＣｓ単体を含むため、大気暴露によって急激にＣｓ単体部が酸化や吸湿をしたためであると考えられる。
【０１２６】
＜５＞次に、第１電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜６＞次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光層の構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜７＞次に、青色発光層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
【０１２７】
＜８＞次に、電子輸送層３６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層３６３を形成した。
＜９＞次に、第２電子注入層３６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極３０８を形成した。
＜１０＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１１に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１２８】
（比較例１）
実施例１において、第１電子注入層３６１を省略したものを比較例１とした。
２．評価。
実施例１および比較例１の表示装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、発光素子から放出された光の電流効率を測定した。
さらに、各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、初期輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、初期輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。
その結果、実施例１の電流効率は比較例１の電流効率の１．０３倍となった。また、実施例１の寿命（ＬＴ８０）は比較例１の寿命（ＬＴ８０）の１．０６倍となった。
このように正孔注入層３４１と正孔輸送層３４３の間に第１電子注入層３６１が挿入されることにより、正孔注入層において輸送されるホール量が調整され、その結果キャリアバランスが改善され、電流効率が高くなるとともに、寿命が長くなることが確認された。
【０１２９】
（実施例２）
図１２は、実施例１に係る発光装置の模式断面図であり、図５に対応している。
実施例２は、前述した本発明の第２実施形態の具体的実施結果である。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板３２１として用意した。次に、この基板３２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１３０】
＜２＞次に、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板３２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板３２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１３１】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板３２１を加熱し、各陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層３４１Ｒ、３４１Ｇ、３４１Ｂを形成した。
【０１３２】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱した。さらに、基板３２１の、赤色発光素子３０１Ｒおよび緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層３４１Ｒおよび３４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇを形成した。
【０１３３】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱する。これにより、各中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層３０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層３０５Ｇとを形成した。
【０１３４】
＜６＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層３０５Ｒ、緑色発光層３０５Ｇおよび正孔注入層３４１Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層３６１とした。
ここで、Ｃｓを「含む薄膜」とは、少なくともＣｓ塩を構成する金属材料であるＣｓ単体を含む薄膜となっていることを意味しており、金属含有層が蒸着材料である金属塩を含んでいても良い。発明者は、別途行った予備実験により以下に示すような現象を観察しており、真空蒸着した膜がＣｓ塩のみからなる膜ではなく、Ｃｓ単体を含む膜となっていることを間接的に確かめている。
具体的には、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として形成した蒸着膜にＡｌの蒸着膜を積層したものを大気に曝すと、Ａｌの表面が激しく発砲し、表面に顕著な凹凸が生じることが確認された。蒸着膜としてＣｓ2ＣＯ3が成膜されているならば、積層したＡｌ膜に顕著な変化は起きないはずである。これは蒸着膜がＣｓ単体を含むため、大気暴露によって急激にＣｓ単体部が酸化や吸湿をしたためであると考えられる。
【０１３５】
＜７＞次に、第１電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜８＞次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光層の構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜９＞次に、青色発光層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
【０１３６】
＜１０＞次に、電子輸送層３６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層３６３を形成した。
＜１１＞次に、第２電子注入層３６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極３０８を形成した。
＜１２＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１２に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１３７】
（実施例３）
実施例３は、前述した本発明の第２実施形態の具体的実施結果である。
前記実施例２における前記工程＜５Ａ＞、前記工程＜５Ｂ＞、前記工程＜５Ｃ＞、前記工程＜７＞、前記工程＜８＞および前記工程＜９＞を、それぞれ、下記工程＜５Ａ’＞、下記工程＜５Ｂ’＞、下記工程＜５Ｃ’＞、前記工程＜７’＞、前記工程＜８’＞および前記工程＜９’＞のように変更したこと以外は、前記実施例２と同様にして、図１２に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１３８】
＜５Ａ’＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１８）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ’＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（２０）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ’＞次に、５Ａ’および５Ｂ’の各工程で塗布した、上記一般式（１８）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（２０）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱する。これにより、各中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１８）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの赤色発光層３０５Ｒと、上記一般式（２０）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの緑色発光層３０５Ｇとを形成した。
【０１３９】
＜７’＞次に、第１電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、上記式（６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜８’＞次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光層の構成材料で構成される平均厚さ１０ｎｍの青色発光層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１０）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１２）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜９’＞次に、青色発光層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（１４）で表わされる化合物で構成される平均厚さ３０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
【０１４０】
（比較例２１）
図１３は、比較例２１に係る発光装置の模式断面図であり、図１２に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板４２１として用意した。次に、この基板４２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂが形成された基板４２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１４１】
＜２＞次に、陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂが形成された基板４２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板４２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板４２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１４２】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板４２１を加熱し、各陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層４４１Ｒ、４４１Ｇ、４４１Ｂを形成した。
【０１４３】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板４２１を加熱した。さらに、基板４２１の、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層４４１Ｒおよび４４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層４４２Ｒおよび４４２Ｇを形成した。
【０１４４】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、α−ＮＰＤの１．０ｗｔ％テトラリン溶液を塗布した。
＜５Ｄ＞次に、５Ａ、５Ｂおよび５Ｃの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、α−ＮＰＤのテトラリン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板４２１を加熱する。これにより、各中間層４４２Ｒおよび４４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層４０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層４０５Ｇとを形成した。さらに、正孔注入層４４１Ｂ上に、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層４４３Ｂを形成した。
【０１４５】
＜６＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層４０５Ｒ、緑色発光層４０５Ｇおよび正孔輸送層４４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層４０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層４０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層４０５Ｂ中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１４６】
＜７＞次に、青色発光層４０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層４６２を形成した。
＜８＞次に、電子輸送層４６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層４６３を形成した。
＜９＞次に、第２電子注入層４６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極４０８を形成した。
＜１０＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例２に対して、第１電子注入層３６１の形成が省略され、正孔輸送層３４３が形成される代わりに正孔輸送層４４３Ｂが形成された、図１３に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１４７】
（比較例２２）
図１４は、比較例２２に係る発光装置の模式断面図であり、図１２に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板５２１として用意した。次に、この基板５２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂが形成された基板５２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂが形成された基板５２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板５２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板５２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１４８】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板５２１を加熱し、各陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層５４１Ｒ、５４１Ｇ、５４１Ｂを形成した。
【０１４９】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板５２１を加熱した。さらに、基板５２１の、赤色発光素子５０１Ｒおよび緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層５４１Ｒおよび５４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層５４２Ｒおよび５４２Ｇを形成した。
【０１５０】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、α−ＮＰＤの１．０ｗｔ％テトラリン溶液を塗布した。
＜５Ｄ＞次に、５Ａ、５Ｂおよび５Ｃの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、α−ＮＰＤのテトラリン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板５２１を加熱する。これにより、各中間層５４２Ｒおよび５４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層５０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層５０５Ｇとを形成した。さらに、正孔注入層５４１Ｂ上に、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層５４３Ｂを形成した。
【０１５１】
＜６＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層５０５Ｒ、緑色発光層５０５Ｇおよび正孔輸送層５４３Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層５６１とした。
＜７＞次に、第１電子注入層５６１上に、真空蒸着法を用いて、以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層５０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層５０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層５０５Ｂ中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１５２】
＜８＞次に、青色発光層５０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層５６２を形成した。
＜９＞次に、電子輸送層５６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層５６３を形成した。
＜１０＞次に、第２電子注入層５６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極５０８を形成した。
＜１１＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例２に対して、正孔輸送層３４３が形成される代わりに正孔輸送層５４３Ｂが形成された、図１４に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１５３】
（比較例２３）
図１５は、比較例２３に係る発光装置の模式断面図であり、図１２に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板６２１として用意した。次に、この基板６２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂが形成された基板６２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂが形成された基板６２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板６２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板６２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１５４】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子６０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板６２１を加熱し、各陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層６４１Ｒ、６４１Ｇ、６４１Ｂを形成した。
【０１５５】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板６２１を加熱した。さらに、基板６２１の、赤色発光素子６０１Ｒおよび緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層６４１Ｒおよび６４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層６４２Ｒおよび６４２Ｇを形成した。
【０１５６】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板６２１を加熱する。これにより、各中間層６４２Ｒおよび６４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層６０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層６０５Ｇとを形成した。
【０１５７】
＜６＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子６０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層６０５Ｒ、緑色発光層６０５Ｇおよび正孔注入層６４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層６４３を形成した。
＜７＞次に、正孔輸送層６４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層６０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層６０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１５８】
＜８＞次に、青色発光層６０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層６６２を形成した。
＜９＞次に、電子輸送層６６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層６６３を形成した。
＜１０＞次に、第２電子注入層６６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極６０８を形成した。
＜１１＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例２に対して、第１電子注入層３６１の形成が省略された、図１５に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１５９】
（比較例２４Ｒ）
図１６は、比較例２４Ｒに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の赤色発光素子３０１Ｒに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板７２１として用意した。次に、この基板７２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極７０３Ｒ）を形成した。
そして、陽極７０３Ｒが形成された基板７２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極７０３Ｒが形成された基板７２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板７２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極７０３Ｒの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板７２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１６０】
＜３＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板７２１を加熱し、陽極７０３Ｒ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層７４１Ｒを形成した。
＜４＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱した。続いて、基板７２１の、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層７４１Ｒ上に、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層７４２Ｒを形成した。
【０１６１】
＜５＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱する。これにより、各中間層７４２Ｒ上に、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの赤色発光層７０５Ｒを形成した。
＜６＞次に、赤色発光層７０５Ｒ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ１ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第２電子注入層７６３とした。
＜７＞次に、第２電子注入層７６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極７０８を形成した。
＜８＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１６２】
以上の工程により、図１６に示すようなボトムエミッション構造の赤色発光素子７０１Ｒを製造した。この赤色発光素子７０１Ｒは、実施例２の赤色発光素子３０１Ｒ、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒ、比較例２２の赤色発光素子５０１Ｒおよび比較例２３の赤色発光素子６０１Ｒの特性を規格化するために用いた。
【０１６３】
（比較例２４Ｇ）
図１７は、比較例２４Ｇに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の緑色発光素子３０１Ｇに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板８２１として用意した。次に、この基板８２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極８０３Ｇ）を形成した。
そして、陽極８０３Ｇが形成された基板８２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極８０３Ｇが形成された基板８２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板８２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極８０３Ｇの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板８２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１６４】
＜３＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板８２１を加熱し、陽極８０３Ｇ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層８４１Ｇを形成した。
＜４＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱した。続いて、基板８２１の、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層８４１Ｇ上に、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層８４２Ｇを形成した。
【０１６５】
＜５＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱する。これにより、各中間層８４２Ｇ上に、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの緑色発光層８０５Ｇを形成した。
＜６＞次に、緑色発光層８０５Ｇ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ１ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第２電子注入層８６３とした。
＜７＞次に、第２電子注入層８６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極８０８を形成した。
＜８＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１６６】
以上の工程により、図１７に示すようなボトムエミッション構造の緑色発光素子８０１Ｇを製造した。この緑色発光素子８０１Ｇは、実施例２の緑色発光素子３０１Ｇ、比較例２１の緑色発光素子４０１Ｇ、比較例２２の緑色発光素子５０１Ｇおよび比較例２３の緑色発光素子６０１Ｇの特性を規格化するために用いた。
【０１６７】
（比較例２４Ｂ）
図１８は、比較例２４Ｂに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の青色発光素子３０１Ｂに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板９２１として用意した。次に、この基板９２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極９０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極９０３Ｂが形成された基板９２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極９０３Ｂが形成された基板９２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板９２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極９０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板９２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１６８】
＜３＞次に、青色発光素子９０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板９２１を加熱し、陽極９０３Ｂ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層９４１Ｂを形成した。
＜４＞次に、正孔注入層９４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層９４３Ｂを形成した。
＜５＞次に、正孔輸送層９４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層９０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層９０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１６９】
＜６＞次に、青色発光層９０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層９６２を形成した。
＜７＞次に、電子輸送層９６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層９６３を形成した。
＜８＞次に、第２電子注入層９６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極９０８を形成した。
＜９＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１７０】
以上の工程により、図１８に示すようなボトムエミッション構造の青色発光素子９０１Ｂを製造した。この青色発光素子９０１Ｂは、実施例２の青色発光素子３０１Ｂ、比較例２１の青色発光素子４０１Ｂ、比較例２２の青色発光素子５０１Ｂおよび比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの特性を規格化するために用いた。
【０１７１】
（比較例２５Ｂ）
図１９は、比較例２５Ｂに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の青色発光素子３０１Ｂに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板２１２１として用意した。次に、この基板２１２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極２１０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極２１０３Ｂが形成された基板２１２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極２１０３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、下記式（２１）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層２１４１Ｂを形成した。
【０１７２】
【化１１】
【０１７３】
＜３＞次に、正孔注入層２１４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層２１４３Ｂを形成した。
＜４＞次に、正孔輸送層２１４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層２１０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層２１０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜５＞次に、青色発光層２１０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層２１６２を形成した。
【０１７４】
＜６＞次に、電子輸送層２１６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層２１６３を形成した。
＜７＞次に、第２電子注入層２１６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極２１０８を形成した。
＜８＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１９に示すような陽極２１０３Ｂ上の各層が蒸着層で構成され、正孔注入層２１４１Ｂにイオン伝導性の材料を用いず、かつ第１電子注入層を有しない、ボトムエミッション構造の青色発光素子２１０１Ｂを製造した。
【０１７５】
（比較例２６Ｂ）
図２０は、比較例２６Ｂに係る発光装置の模式断面図であり、図１２の青色発光素子３０１Ｂに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板２２２１として用意した。次に、この基板２２２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極２２０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極２２０３Ｂが形成された基板２２２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極２２０３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（２１）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層２２４１Ｂを形成した。
＜３＞次に、陽極２２４１Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層２２６１Ｂとした。
【０１７６】
＜４＞次に、第１電子注入層２２６１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層２２４３Ｂを形成した。
＜５＞次に、正孔輸送層２２４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層２２０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層２２０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１７７】
＜６＞次に、青色発光層２２０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層２２６２を形成した。
＜７＞次に、電子輸送層２２６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層２２６３を形成した。
＜８＞次に、第２電子注入層２２６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極２２０８を形成した。
＜９＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１７８】
以上の工程により、図２０に示すような各層が蒸着層で構成される青色発光素子を製造した。詳しくは、陽極２２０３Ｂ上の各層が蒸着層で構成され、正孔注入層２２４１Ｂにイオン伝導性の材料を用いず、かつ第１電子注入層２２６１Ｂを有する、ボトムエミッション構造の青色発光素子２２０１Ｂを製造した。
【０１７９】
（比較例２７Ｒ）
図１６を用いて説明する。
前記比較例２４Ｒにおける前記工程＜５＞を、下記工程＜５’＞のように変更したこと以外は、前記比較例２４Ｒと同様にして、図１６に示すようなボトムエミッション構造の赤色発光素子７０１Ｒを製造した。この比較例２７Ｒの赤色発光素子７０１Ｒは、実施例２の赤色発光素子３０１Ｒの特性を規格化するために用いた。
＜５’＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１８）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１８）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱する。これにより、各中間層７４２Ｒ上に、上記一般式（１８）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの赤色発光層７０５Ｒを形成した。
【０１８０】
（比較例２７Ｇ）
図１７を用いて説明する。
前記比較例２４Ｇにおける前記工程＜５＞を、下記工程＜５’＞のように変更したこと以外は、前記比較例２４Ｇと同様にして、図１７に示すようなボトムエミッション構造の緑色発光素子８０１Ｇを製造した。この比較例２７Ｇの緑色発光素子８０１Ｇは、実施例２の緑色発光素子３０１Ｇの特性を規格化するために用いた。
＜５’＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（２０）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（２０）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱する。これにより、各中間層８４２Ｇ上に、上記一般式（２０）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの緑色発光層８０５Ｇを形成した。
【０１８１】
（比較例２７Ｂ）
図１８を用いて説明する。
前記比較例２４Ｂにおける前記工程＜４＞、前記工程＜５＞および前記工程＜６＞を、それぞれ、下記工程＜４’＞、下記工程＜５’＞および下記工程＜６’＞のように変更したこと以外は、前記比較例２４Ｂと同様にして、図１８に示すようなボトムエミッション構造の青色発光素子９０１Ｂを製造した。この比較例２７Ｂの青色発光素子９０１Ｂは、実施例２の青色発光素子３０１Ｂの特性を規格化するために用いた。
【０１８２】
＜４’＞次に、正孔注入層９４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層９４３Ｂを形成した。
＜５’＞次に、正孔輸送層９４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ１０ｎｍの青色発光層９０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層９０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１０）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１２）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜６’＞次に、青色発光層９０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（１４）で表わされる化合物で構成される平均厚さ３０ｎｍの電子輸送層９６２を形成した。
【０１８３】
４．評価。
各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１０ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、このときに発光する発光素子の光の色を目視にて観察した。
ここで、１０ｃｄ／ｍ2という低輝度の値を選んだ理由は、本発明の各実施例の各発光素子および各比較例の各発光素子において、例え高輝度側（高電流密度側）で所望の発光色が得られたとしても、低輝度側（低電流密度側）に行くにつれて発光色が変化し、低輝度側（低電流密度側）では所望の発光色が得られない場合があったためである。逆に、低輝度側（低電流密度側）で所望の発光色が得られれば、高輝度側（高電流密度側）でも問題なく所望の発光色が得られた。なお、ここで所望の発光色が得られるとは、赤色発光素子では赤色発光が、緑色発光素子では緑色発光が、青色発光素子では青色発光が得られることを指す。
【０１８４】
また、各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、発光素子にかかる電圧、発光素子から放出された光の電流効率を測定した。
さらに、各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、初期輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、初期輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。
そして、実施例２、比較例２１、２２、２３については、比較例２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂで測定された測定値を基準として規格した値を求めた。また、実施例３については、比較例２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂで測定された測定値を基準として規格した値を求めた。
これらの結果を表１、表２に示す。
【０１８５】
【表１】
【０１８６】
【表２】
表１、２から明らかなように、各実施例の表示装置において、これらが備える発光素子は、赤色発光素子３０１Ｒでは赤色発光層３０５Ｒと青色発光層３０５Ｂとの間に、緑色発光素子３０１Ｇでは緑色発光層３０５Ｇと青色発光層３０５Ｂとの間に、青色発光素子３０１Ｂでは正孔注入層３４１Ｂと青色発光層３０５Ｂとの間に、それぞれ、キャリア選択層として第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３とが介挿された構成となっていることにより、赤色発光素子３０１Ｒでは赤色発光層３０５Ｒが、緑色発光素子３０１Ｇでは緑色発光層３０５Ｇが、青色発光素子３０１Ｂでは青色発光層３０５Ｂが、それぞれ、選択的に発光した。その結果、赤色、緑色および青色の各発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂにおいて、それぞれ、高い色純度の赤色発光、緑色発光および青色発光が得られた。また、赤色、緑色および青色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂすべてにおいて、実施例２では０．８９以上、実施例３では０．９３以上という高い規格化電流効率が得られ、発光効率に優れた素子となった。さらに、赤色、緑色および青色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂすべてにおいて、実施例２では０．７２以上、実施例３では０．６５以上という優れた規格化寿命が得られ、長寿命化が図られたものとなった。加えて、赤色および緑色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇの規格化電圧は、実施例２では１．１５以下、実施例３では１．０７以下、に抑えられており、駆動電圧の観点からも優れた特性が得られた。
【０１８７】
実施例２および実施例３に対して、比較例２１の表示装置では、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３との介挿が省略されている。このため、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇでは、それぞれ、青色発光層４０５Ｂから赤色発光層４０５Ｒおよび緑色発光層４０５Ｇへの電子の注入が円滑に行われず、その結果、赤色および緑色の他に、青色が発光してしまう結果となった。これによって、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、それぞれ、赤色および緑色の色純度が大幅に低下した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光層４０５Ｂから、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇのみならず、青色発光層４０５Ｂも同時に発光したためである。
さらに、比較例２１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇの規格化寿命（ＬＴ８０）が、それぞれ、０．１３および０．３８と低い値を示した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光層４０５Ｂから、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇの陰極４０８側界面の電子による劣化が大きかったためだと考えられる。
【０１８８】
また、比較例２１の青色発光素子４０１Ｂの規格化寿命も０．５１と低い値となった。これは、比較例２１の青色発光素子４０１Ｂの正孔輸送層４４３Ｂをインクジェット法で成膜したためである。つまり、真空蒸着法のような気相プロセスを用いれば、正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面を、真空以外の雰囲気にさらすことなく、次の青色発光層４０５Ｂの成膜を連続的に行うことができるが、インクジェット法のような液相プロセスを用いると、正孔輸送層４４３Ｂの成膜は真空雰囲気で行うことが困難であるため、正孔輸送層４４３Ｂの成膜は真空以外の雰囲気（例えば大気や窒素）で行うことになり、少なくとも正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面は真空以外の雰囲気にさらされることになる。このように液相プロセスを用いて正孔輸送層４４３Ｂを成膜した場合、正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面が汚染され易くなり、これが青色発光素子４０１Ｂの寿命を短くする。また、液相プロセスで正孔輸送層４４３Ｂの成膜を行う場合、正孔輸送材料を溶媒に溶解させた溶液を成膜に用いるため、正孔輸送層４４３Ｂ内に極微量の溶媒が残留し、これが正孔輸送層４４３Ｂ全体を汚染するため、青色発光素子４０１Ｂの寿命を短くしていると考えられる。
【０１８９】
加えて、比較例２１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇの規格化電圧が１．２５および１．２７と高い値を示した。これは、比較例２１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光層４０５Ｂから、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光層４０５Ｒおよび緑色発光層４０５Ｇの陰極４０８側界面での電子に対するエネルギー障壁が高いという状態が生じ、その結果、駆動電圧が２割以上上昇するという結果になったと考えられる。
【０１９０】
また、比較例２２の表示装置では、実施例２および実施例３に対して、正孔輸送層３４３の介挿が省略されている。しかしながら、赤色発光素子５０１Ｒおよび緑色発光素子５０１Ｇにおいて、青色発光層５０５Ｂと赤色発光層５０５Ｒおよび緑色発光層５０５Ｇの間に第１電子注入層５６１が存在しているため、青色発光層５０５Ｂから赤色発光層５０５Ｒおよび緑色発光層５０５Ｇへの電子の注入が円滑に行われ、その結果、赤色発光素子５０１Ｒでは赤色発光層５０５Ｒのみが、緑色発光素子５０１Ｇでは緑色発光層５０５Ｇのみが、選択的に発光し、青色発光層５０５Ｂの発光を抑制することができた。但し、青色発光素子５０１Ｂにおいて、第１電子注入層５６１が青色発光層５０５Ｂに接する構造となっているため、この第１電子注入層５６１が青色発光層５０５Ｂの発光を阻害し、このため、規格化電流効率と規格化寿命が極端に低い値となり、実用レベルの特性に程遠い結果となった。また、電流効率が極端に低くなったことに起因して、駆動電圧も１．３６と大幅に上昇する結果となった。
【０１９１】
また、比較例２３の表示装置では、実施例２および実施例３に対して、第１電子注入層３６１の介挿が省略されている。
このため、赤色発光素子６０１Ｒにおいて、青色発光層６０５Ｂから正孔輸送層６４３への電子注入、および正孔輸送層６４３から赤色発光層６０５Ｒへの電子の注入が円滑に行われない。このため、赤色発光層６０５Ｒはほとんど発光せず、青色発光層６０５Ｂが強く発光してしまう結果となった。
同様に、比較例２３の表示装置の緑色発光素子６０１Ｇにおいて、青色発光層６０５Ｂから正孔輸送層６４３への電子注入、および正孔輸送層６４３から緑色発光層６０５Ｇへの電子の注入が円滑に行わない。このため、緑色発光層６０５Ｇはほとんど発光せず、青色発光層６０５Ｂが強く発光してしまう結果となった。
つまり、比較例２３の表示装置では、赤色発光素子６０１Ｒと緑色発光素子６０１Ｇと青色発光素子６０１Ｂの全てが青色に発光した。
【０１９２】
以上の各実施例と各比較例の結果をまとめると以下の通り。まず、赤色発光素子と緑色発光素子において、所望の発光色および０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、実施例２、実施例３および比較例２２である。
しかしながら、比較例２２の青色発光素子５０１Ｂの電流効率は極端に低く、寿命も極端に短かったため、比較例２２は表示装置として実用レベルに達しなかった。
次に、青色発光素子において、所望の発光色および０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、実施例２、実施例３および比較例２３である。しかしながら、比較例２３の赤色発光素子６０１Ｒと緑色発光素子６０１Ｇは、青色に発光したため、表示装置として実用レベルに達しなかった。
【０１９３】
以上より、表示装置として実用レベルに達したのは、実施例２と実施例３のみであった。
なお、本発明の実施例２および実施例３の赤色発光素子３０１Ｒ、緑色発光素子３０１Ｇおよび青色発光素子３０１Ｂの全てにおいて、所望の色が得られたのは、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３の積層体がキャリア選択層として機能したためである。また、本発明の実施例２および実施例３の赤色発光素子３０１Ｒおよび緑色発光素子３０１Ｇにおいて、０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのも、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３との積層体がキャリア選択層として機能したためである。さらに、本発明の各実施例の青色発光素子３０１Ｂにおいて、０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３との積層体がキャリア選択層として機能し、且つ、正孔輸送層３４３と青色発光層３０５Ｂを真空蒸着法によって成膜したためである。
【０１９４】
比較例２１と比較例２３の青色発光素子の比較より、比較例２３の真空蒸着法によって成膜した正孔輸送層６４３を有する青色発光素子６０１Ｂでは、比較例２１のインクジェット法によって成膜した正孔輸送層４４３Ｂを有する青色発光素子４０１Ｂに比べ、２倍近い寿命が得られ、比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの発光寿命は実用レベルに達した。さらに実施例２と比較例２３の青色発光素子の比較により、実施例２の青色発光素子３０１Ｂの発光寿命は、比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの発光寿命と同等であり、実用レベルに達していることがわかる。これは、実施例２の正孔輸送層３４３と青色発光層３０５Ｂを、比較例２３の正孔輸送層６４３と青色発光層６０５Ｂと同様に、真空蒸着法にて成膜したことに起因する。
同様に、実施例３と比較例２７Ｂの青色発光素子の比較により、実施例３の青色発光素子３０１Ｂの発光寿命は、比較例２７Ｂの青色発光素子９０１Ｂの発光寿命と同等であり、実用レベルに達していることがわかる。これは、実施例３の正孔輸送層３４３と青色発光層３０５Ｂを、比較例２７Ｂの正孔輸送層９４３と青色発光層９０５Ｂと同様に、真空蒸着法にて成膜したことに起因する。
【０１９５】
また、前述の電流効率の測定方法に従って測定した測定値から、比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの電流効率と、実施例２の青色発光素子３０１Ｂの電流効率とを、それぞれ、比較例２３の青色発光素子６０１Ｂの電流効率で規格化した値を求めた。さらに、比較例２５Ｂの青色発光素子２１０１Ｂの電流効率と、比較例２６Ｂの青色発光素子２２０１Ｂの電流効率とを、それぞれ、比較例２５Ｂの青色発光素子２１０１Ｂの電流効率で規格化した値を求めた。
これらの結果を表３、表４に示す。
【０１９６】
【表３】
【０１９７】
【表４】
【０１９８】
ここで、表３は、青色発光素子６０１Ｂおよび３０１Ｂがそれぞれ有する正孔注入層６４１Ｂおよび３４１Ｂが、イオン伝導性の正孔注入材料で構成される場合において、第１電子注入層３６１の有無が青色発光素子６０１Ｂおよび３０１Ｂの電流効率にどう影響するかを示すものである。これに対し、表４は、青色発光素子２１０１Ｂおよび２２０１Ｂがそれぞれ有する正孔注入層２１４１Ｂおよび２２４１Ｂが、イオン伝導性の正孔注入材料で構成されない場合において、第１電子注入層２２６１Ｂの有無が青色発光素子２１０１Ｂおよび２２０１Ｂの電流効率にどう影響するかを示すものである。
表３から明らかなように、正孔注入層６４１Ｂおよび３４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料で構成される場合、第１電子注入層３６１を有する青色発光素子３０１Ｂの電流効率は、第１電子注入層３６１を有しない青色発光素子６０１Ｂの電流効率と、大きく変わらない。これに対して、表４から明らかなように、正孔注入層２１４１Ｂおよび２２４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料で構成されない場合、第１電子注入層２２６１Ｂを有する青色発光素子２２０１Ｂの電流効率は、第１電子注入層２２６１Ｂを有しない青色発光素子２１０１Ｂの電流効率に比べ、大幅に低下する結果となった。
【０１９９】
つまり、正孔注入層／電子注入層／正孔輸送層／青色発光層／電子輸送層という同一の積層構造（積層体）であっても、正孔注入層をイオン伝導性の正孔注入材料で構成しなければ、第１電子注入層２２６１Ｂの存在により、青色発光素子２２０１Ｂの青色発光が著しく阻害される結果となった。
このことは、正孔注入層２２４１Ｂがイオン伝導性の正孔輸送材料で構成されない場合、第１電子注入層２２６１Ｂに含まれる電子注入材料が正孔輸送層２２４３Ｂや青色発光層２２０５Ｂに拡散し、これによって、青色発光層２２０５Ｂの青色発光が阻害されたことを示す。
【０２００】
これに対して、正孔注入層３４１Ｂがイオン伝導性の正孔輸送材料で構成される場合、第１電子注入層３６１に含まれる電子注入材料が主として、正孔注入層３４１Ｂに拡散、もしくは正孔注入層３４１Ｂの陰極３０８側界面に吸着するため、正孔輸送層３４３や青色発光層３０５Ｂへの拡散が大幅に抑制された。
つまり、実施例２および実施例３において、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３の積層体から成るキャリア選択層を備える青色発光素子３０１Ｂを、高い電流効率（発光効率）で発光させるには、正孔注入層３４１Ｂにイオン伝導性の正孔注入材料を用いる必要がある。
【０２０１】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【０２０２】
（変形例１）
図５を用いて説明する。
上記第２実施形態では、発光素子１Ｒ、１Ｇおよび１Ｂに対して本発明の発光素子を適用して、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇであり、且つ、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第１の層が青色発光層５Ｂである場合について説明した。しかしながら、本発明の適用範囲は、かかる場合に限定されず、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層と第１の層が、それぞれ、異なる発光色の発光層であれば良く、例えば、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層が、それぞれ、黄色および橙色、第１の層が緑色を発光するものであっても良い。この場合、発光素子１Ｒは赤色発光層５Ｒに代えて黄色発光層を備え、発光素子１Ｇは緑色発光層５Ｇに代えて橙色発光層を備えるものとなる。さらに、発光素子１Ｒおよび１Ｇは、青色発光層５Ｂに代えて緑色発光層を備えるものとなる。
ただし、第２実施形態のように、発光素子１Ｒおよび１Ｇの、それぞれの第３の層に赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇを、第１の層に青色発光層５Ｂを、適用することが好ましい。
【０２０３】
（変形例２）
上記各実施形態では、ディスプレイ装置１００を、基板２１側から光を取り出すボトムエミッション構造のディスプレイパネルに適用した場合について説明したが、これに限定されず、封止基板２０側から光を取り出すトップエミッション構造のディスプレイパネルにも適用することが可能である。これによって、ディスプレイ装置１００（１１０）の色再現範囲を向上させることができる。
【０２０４】
（変形例３）
上記各実施形態では、ディスプレイ装置１００の光Ｒ、Ｇ、Ｂを基板２１側から透過させるにあたって、それぞれの光に対応したカラーフィルター（色変換層）を設けていないが、基板２１に接する面もしくは基板２１内に、ＲＧＢの各サブ画素に対応して設けられたカラーフィルターを有する構造としても良い。これによって、ディスプレイ装置１００（１１０）の色再現範囲を向上させることができる。
【符号の説明】
【０２０５】
１……発光素子、１Ｒ，３０１Ｒ，４０１Ｒ，５０１Ｒ，６０１Ｒ，７０１Ｒ……赤色発光素子、１Ｇ，３０１Ｇ，４０１Ｇ，５０１Ｇ，６０１Ｇ，８０１Ｇ……緑色発光素子、１Ｂ，３０１Ｂ，４０１Ｂ，５０１Ｂ，６０１Ｂ，９０１Ｂ，２１０１Ｂ，２２０１Ｂ……青色発光素子、３，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，３０３Ｒ，３０３Ｇ，３０３Ｂ，４０３Ｒ，４０３Ｇ，４０３Ｂ，５０３Ｒ，５０３Ｇ，５０３Ｂ，６０３Ｒ，６０３Ｇ，６０３Ｂ，７０３Ｒ，８０３Ｇ，９０３Ｂ，２１０３Ｂ，２２０３Ｂ……陽極、４１，４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ，３４１Ｒ，３４１Ｇ，３４１Ｂ，４４１Ｒ，４４１Ｇ，４４１Ｂ，５４１Ｒ，５４１Ｇ，５４１Ｂ，６４１Ｒ，６４１Ｇ，６４１Ｂ，７４１Ｒ，８４１Ｇ，９４１Ｂ，２１４１Ｂ，２２４１Ｂ……正孔注入層、４２Ｒ，４２Ｇ，３４２Ｒ，３４２Ｇ，４４２Ｒ，４４２Ｇ，５４２Ｒ，５４２Ｇ，６４２Ｒ，６４２Ｇ，７４２Ｒ，８４２Ｇ……中間層、４３，３４３，４４３Ｂ，５４３Ｂ，６４３，９４３Ｂ，２１４３Ｂ，２２４３Ｂ……正孔輸送層、４６……キャリア選択層、５Ｒ，３０５Ｒ，４０５Ｒ，５０５Ｒ，６０５Ｒ，７０５Ｒ……赤色発光層、５……発光層としての発光層、５Ｇ，３０５Ｇ，４０５Ｇ，５０５Ｇ，６０５Ｇ，８０５Ｇ…緑色発光層、５Ｂ，３０５Ｂ，４０５Ｂ，５０５Ｂ，６０５Ｂ，９０５Ｂ，２１０５Ｂ，２２０５Ｂ……青色発光層、６１，３６１，５６１，２２６１Ｂ……第１電子注入層、３８……機能層、６３，３６３，４６３，５６３，６６３，７６３，８６３，９６３，２１６３，２２６３……第２電子注入層、６２，３６２，４６２，５６２，６６２，９６２，２１６２，２２６２……電子輸送層、８，３０８，４０８，５０８，６０８，７０８，８０８，９０８，２１０８，２２０８……陰極、１９，２９……表示パネル、２０……封止基板、２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１，９２１，２１２１，２２２１……基板、１００，１１０……表示装置としてのディスプレイ装置、１１００……電子機器としてのパーソナルコンピューター、１２００……電子機器としての携帯電話機、１３００……電子機器としてのディジタルスチルカメラ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、
前記陽極と前記発光層との間に設けられた電子注入層と、
前記陽極と前記電子注入層との間に設けられた正孔注入層と、を備えることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子であって、
前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物で構成されることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発光素子であって、
前記電子注入層と前記発光層との間に正孔輸送層を備えることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記電子注入層と前記正孔注入層とは直接接していることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記正孔注入層はイオン伝導性を有することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記正孔注入層は、液相プロセスを用いて形成されたものであることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の発光素子を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、
前記陽極と前記発光層との間に設けられた電子注入層と、
前記陽極と前記電子注入層との間に設けられた正孔注入層と、を備えることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子であって、
前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物で構成されることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発光素子であって、
前記電子注入層と前記発光層との間に正孔輸送層を備えることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記電子注入層と前記正孔注入層とは直接接していることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記正孔注入層はイオン伝導性を有することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記正孔注入層は、液相プロセスを用いて形成されたものであることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の発光素子を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１２−１２４３５２（Ｐ２０１２−１２４３５２Ａ）
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７４３１４（Ｐ２０１０−２７４３１４）
【出願日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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