発光装置及びこれを利用した表示装置、発光装置の駆動方法及び表示装置の駆動方法
【課題】アノード電流を利用して電子放出部の劣化を判断し、劣化によって減少したアノード電流を補償して、電子放出部の寿命を延長でき、輝度の不均一現象を防止できる、発光装置及び表示装置、発光装置の駆動方法及び表示装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置は、複数のゲート線、複数のデータ線、及び複数のゲート線及び複数のデータ線で定義される複数の画素を含むパネル組立体、及び複数の走査線、複数のコラム線、複数の走査線及び複数のコラム線で定義される複数の発光画素、及びアノード電極を含み、第１走査オン電圧及び第１走査オン期間で走査信号が発光画素に伝達され、アノード電流を感知して、複数の発光画素の輝度の不均一によってアノード電流が減少する場合には、第１走査オン電圧のレベル及び第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させてアノード電流を補償する。
【解決手段】本発明の発光装置は、複数のゲート線、複数のデータ線、及び複数のゲート線及び複数のデータ線で定義される複数の画素を含むパネル組立体、及び複数の走査線、複数のコラム線、複数の走査線及び複数のコラム線で定義される複数の発光画素、及びアノード電極を含み、第１走査オン電圧及び第１走査オン期間で走査信号が発光画素に伝達され、アノード電流を感知して、複数の発光画素の輝度の不均一によってアノード電流が減少する場合には、第１走査オン電圧のレベル及び第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させてアノード電流を補償する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、より詳細には、表示画像に同期して動作する発光装置を含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置の一種である液晶表示装置は、印加される電圧によってねじれ角が変化する液晶の誘電異方性を利用して、ピクセル別に光の透過量を変化させて所定の画像を表示する表示装置である。このような液晶表示装置は、代表的な画像表示装置である陰極線管に比べて、軽量化、薄型化、及び低消費電力化などの長所がある。
【０００３】
液晶表示装置は、基本的に、液晶パネル組立体、及び液晶パネル組立体の後方に位置して、液晶パネル組立体に光を提供する発光装置を含む。
【０００４】
液晶パネル組立体が能動型液晶パネル組立体である場合、この液晶パネル組立体は、一対の透明基板、透明基板の間に位置する液晶層、透明基板の外側面に位置する偏光板、いずれか１つの透明基板の内側面に形成される共通電極、他の１つの透明基板の内側面に形成される画素電極及びスイッチング素子、及び１つのピクセルを構成する３つのサブピクセルに赤色、緑色、及び青色を付与したカラーフィルターなどを含む。
【０００５】
このような液晶パネル組立体は、発光装置から放出される光の提供を受けて、この光を液晶層の作用で透過または遮断することによって、所定の画像を表示する。
【０００６】
発光装置は、光源の種類によって区分され、そのうちの１つとして冷陰極蛍光ランプ（Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｌａｍｐ；ＣＣＦＬ）方式が公知されている。ＣＣＦＬは線光源であるため、ＣＣＦＬから放出された光を拡散シート、拡散板、及びプリズムシートなどの光学部材を通じて液晶パネル組立体に向かって均一に分散させる。
【０００７】
しかし、ＣＣＦＬ方式では、ＣＣＦＬから放出した光が光学部材を通過するので、相当な光の損失が発生する。通常のＣＣＦＬ方式の液晶表示装置で、液晶パネル組立体を透過する光は、ＣＣＦＬで発生した光の約３ないし５％程度に相当すると言われている。そればかりか、ＣＣＦＬ方式の発光装置は、消費電力が大きく、液晶表示装置全体の消費電力の相当な部分を占めて、ＣＣＦＬの構造上、大面積化が難しいため、３０インチ以上の大型液晶表示装置への適用が難しい限界がある。
【０００８】
そして、従来の発光装置として、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）方式が公知されている。ＬＥＤは点光源であって、通常は複数が形成され、反射シート、導光板、拡散シート、拡散板、及びプリズムシートなどの光学部材と組合わせることによって、発光装置を構成する。このようなＬＥＤ方式は、応答速度が速く、色再現性が優れている長所があるが、製造原価が高く、厚さが厚い短所がある。
【０００９】
このように、従来の発光装置は、光源の種類によって各々問題がある。また、従来の発光装置は、液晶表示装置が駆動する時に一定の明るさで常に点灯しているので、液晶表示装置に要求される画質の改善が難しい問題がある。
【００１０】
一例として、液晶パネル組立体が画像信号によって明るい部分及び暗い部分を含む任意の画面を実現する場合、発光装置が明るい部分を表示する液晶パネルピクセル部位及び暗い部分を表示する液晶パネルピクセル部位に互いに異なる強さの光を提供する場合には、動的コントラスト比（ｄｙｎａｍｉｃ ｃｏｎｔｒａｓｔ）が優れた画面を実現することができるであろう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
発光装置は、電子放出部の劣化によって輝度の不均一現象が発生することがある。したがって、本発明は、前記問題を解消するために、アノード電流を利用して電子放出部の劣化を判断し、劣化によって減少したアノード電流を補償して、電子放出部の寿命を延長させることができ、輝度の不均一現象を防止することができる、発光装置及びこれを利用した表示装置、発光装置の駆動方法及び表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために、本発明の１つの特徴による発光装置は、複数の走査信号を伝達する複数の走査線、複数の発光データ信号を伝達する複数のコラム線、前記複数の走査線及び前記複数のコラム線によって定義される複数の発光画素、及びアノード電圧が印加されるアノード電極を含み、第１走査オン電圧及び第１走査オン期間によって前記走査信号が前記発光画素に伝達され、前記アノード電極に流れるアノード電流を感知して、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベル及び前記第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させる。そして、前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を段階的に増加させる。また、前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧を段階的に増加させる。そして、前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を少なくとも一度増加させた後で、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる。前記発光装置は、前記第１走査オン期間を最大に増加させた後で、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる。この時、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させて前記アノード電流を補償する。
【００１３】
本発明の他の特徴による表示装置は、複数のゲート信号を伝達する複数のゲート線、複数のデータ信号を伝達する複数のデータ線、及び前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線によって定義される複数の画素を含むパネル組立体、及び複数の走査信号を伝達する複数の走査線、複数の発光データ信号を伝達する複数のコラム線、前記複数の走査線及び前記複数のコラム線によって定義される複数の発光画素、及びアノード電圧が印加されるアノード電極を含み、第１走査オン電圧及び第１走査オン期間によって前記走査信号が前記発光画素に伝達され、前記アノード電極に流れるアノード電流を感知して、前記複数の発光画素の輝度の不均一によって前記アノード電流が減少する場合には、前記第１走査オン電圧のレベル及び前記第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させて前記アノード電流を補償する発光装置を含む。そして、前記発光装置は、前記第１走査オン期間を増加させた後で、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させて前記アノード電流を補償する。この時、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記複数の発光画素の輝度の不均一現象が発生する場合には、前記第１走査オン期間を増加させて前記アノード電流を補償する。
【００１４】
本発明のまた他の特徴による発光装置の駆動方法は、第１電極に印加された走査信号及び第２電極に印加された信号によって発光する複数の発光画素を含み、前記複数の発光画素に発生する電流に対応する電流が流れる第３電極を含む発光装置の駆動方法であって、第１走査オン期間の間に前記第１電極に第１走査オン電圧を印加する段階、前記第３電極に流れる第１電流を感知する段階、前記第１電流及び基準電流を比較する段階、及び前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間及び前記第１走査オン電圧のうちのいずれか１つを増加させる段階を含む。そして、前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させる段階を含む。また、前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる段階を含む。この時、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させる段階を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の特徴による発光装置及びこれを利用した表示装置、発光装置の駆動方法及び表示装置の駆動方法は、駆動電圧が印加される期間を増加させて、輝度の不均一現象が発生しない電圧範囲内で駆動電圧のレベルを増加させることによって、電子放出部の寿命を延長させることができ、それによって発光装置で発生する輝度の不均一現象を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な相異した形態で具現され、ここで説明する実施例に限定されない。図面では、本発明を明確に説明するために、説明に不必要な部分は省略した。明細書全体を通して類似した部分については、類似した図面符号を付けた。
【００１７】
明細書全体を通して、ある部分が他の部分に「連結」されているとする時、これは「直接連結」されている場合だけでなく、その間に他の素子をおいて「電気的に連結」されている場合も意味する。また、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を排除するのでなく、他の構成要素を「さらに含む」ことを意味する。
【００１８】
図１は本発明の第１実施例による発光装置の部分断面図である。
【００１９】
図１を参照すれば、本発明の第１実施例の発光装置１０は、互いに対向配置される第１基板１２及び第２基板１４、及び第１基板１２及び第２基板１４の間に位置して、これら基板１２、１４を接合させる密封部材１６からなる真空容器１８を含む。真空容器１８の内部は約１０−６Ｔｏｒｒの真空度を維持する。
【００２０】
第１基板１２及び第２基板１４のうちの密封部材１６の内側に位置する領域は、実際に可視光の放出に寄与する有効領域、及び有効領域を囲む非有効領域に区分される。第１基板１２の内側面の有効領域には、電子の放出のための電子放出ユニット２０が位置し、第２基板１４の内側面の有効領域には、可視光の放出のための発光ユニット２２が位置する。
【００２１】
発光ユニット２２が位置する第２基板１４が発光装置１０の前面基板になり、電子放出ユニット２０が位置する第１基板１２が発光装置１０の後面基板になることができる。
【００２２】
電子放出ユニット２０は、電子放出部２４、及び電子放出部２４の電子の放出量を制御する駆動電極２６、２８を含む。駆動電極２６、２８は、カソード電極２６、及び絶縁層３０を間においてカソード電極２６の上部でカソード電極２６と交差する方向に沿って形成されるゲート電極２８を含む。
【００２３】
カソード電極２６及びゲート電極２８の交差領域ごとにゲート電極２８及び絶縁層３０に開口部２８１、３０１が形成されてカソード電極２６の表面の一部が露出され、絶縁層の開口部３０１の内側でカソード電極２６上に電子放出部２４が位置する。
【００２４】
電子放出部２４は、真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、例えば炭素系物質またはナノメートルサイズ物質を含む。電子放出部２４は、一例として、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラーレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー、及びこれらの組合わせからなる群より選択される物質を含む。
【００２５】
一方で、電子放出部は、モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）などを主な材質とする先端が尖ったチップ構造物からなることができる。
【００２６】
前記構造で、カソード電極２６及びゲート電極２８の１つの交差領域が発光装置１０の１つの画素領域に対応したり、２つ以上の交差領域が発光装置１０の１つの画素領域に対応することができる。
【００２７】
次に、発光ユニット２２は、アノード電極３２、アノード電極３２の一面に位置する蛍光層３４、蛍光層３４を覆う金属反射膜３６を含む。アノード電極３２は、真空容器１８の外側の電源部（図示せず）からアノード電圧の印加を受けて、蛍光層３４を高電位状態に維持させる。アノード電極３２は、蛍光層３４から放出される可視光を透過させることができるように、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電膜からなる。
【００２８】
金属反射膜３６は、アルミニウムからなることができ、数千オームストロング（Å）の薄さに形成されて、電子ビームの通過のための微細ホールを形成する。金属反射膜３６は、蛍光層３４から放出された可視光のうちの第１基板１２に向かって放射された可視光を第２基板１４側に反射させて、発光面の輝度を高める。一方、アノード電極３２が省略されて、金属反射膜３６がアノード電圧の印加を受けてアノード電極として機能することができる。
【００２９】
そして、有効領域で、第１基板１２及び第２基板１４の間には、真空容器１８に加えられる圧縮力を支持して、この基板１２、１４の間隔を一定に維持させるスペーサ（図示せず）が位置する。
【００３０】
前記構造の発光装置１０は、カソード電極２６及びゲート電極２８に所定の駆動電圧を印加し、アノード電極３２に数千ボルト以上の正の直流電圧（アノード電圧）を印加して駆動する。つまり、カソード電極２６及びゲート電極２８のうちのいずれか１つの電極に走査駆動電圧を印加し、他の１つの電極にデータ駆動電圧を印加する。
【００３１】
そうすると、カソード電極２６及びゲート電極２８の電圧の差が臨界値以上である画素で電子放出部２４の周囲に電界が形成され、これから電子が放出されて、放出された電子がアノード電圧に引っ張られて対応する蛍光層３４の領域に衝突することによって、これを発光させる。画素別の蛍光層３４の発光の強さは、該当する画素の電子の放出量に対応する。
【００３２】
図２は本発明の第２実施例による発光装置の部分断面図である。
【００３３】
図２を参照すれば、本発明の第２実施例の発光装置１０´は、発光ユニット２２´が黒色層４６をさらに含むことを除いては、前記第１実施例と同一な構成からなる。第１実施例と同一な構成要素については、同一な引用符号を使用する。
【００３４】
本実施例で、蛍光層３４は、互いの間に所定の距離をおいて位置し、黒色層４６が蛍光層３４の間に位置する。黒色層４６は、クロムからなることができる。本実施例においても、アノード電極３２が省略されて、金属反射膜３６がアノード電圧の印加を受けてアノード電極として機能することができる。
【００３５】
前記構成の発光装置１０、１０´は、受光型表示パネルに白色光を提供する光源として使用されたり、赤色蛍光層、緑色蛍光層、及び青色蛍光層が形成されていて、自主的に画像を表示することができる。
【００３６】
図３は図２に示した自己表示が可能な発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【００３７】
図３を参照すれば、自己表示が可能な発光装置において、電子放出ユニット２０´は、前記カソード電極２６及びゲート電極２８、及びカソード電極２６に電気的に連結される電子放出部２４を含む。そして、カソード電極２６及びゲート電極２８の間に位置する絶縁層３０を第１絶縁層とすると、ゲート電極２８上に第２絶縁層６８及び集束電極７０が形成されることができる。
【００３８】
第２絶縁層６８及び集束電極７０にも、電子ビームの通過のための開口部６８１、７０１が形成され、集束電極７０は、０Ｖまたは数ないし数十ボルトの負の直流電圧の印加を受けて、集束電極の開口部７０１を通過する電子を集束させる。
【００３９】
発光ユニット２２´は、アノード電極３２、アノード電極３２の一面で互いの間に距離をおいて位置する赤色蛍光層３４Ｒ、緑色蛍光層３４Ｇ、及び青色蛍光層３４Ｂ、蛍光層３４´の間に位置する黒色層４６、蛍光層３４´及び黒色層４６を覆う金属反射膜３６を含む。
【００４０】
カソード電極２６及びゲート電極２８の交差領域が１つの副画素に対応し、赤色蛍光層３４Ｒ、緑色蛍光層３４Ｇ、及び青色蛍光層３４Ｂの各々が１つの副画素に対応して位置する。赤色蛍光層３４Ｒ、緑色蛍光層３４Ｇ、及び青色蛍光層３４Ｂが並んで位置する３つの副画素が集まって１つの画素を構成する。
【００４１】
カソード電極２６及びゲート電極２８に印加される駆動電圧によって副画素別の電子放出部２４の電子の放出量が決定され、この電子が対応する副画素の蛍光層３４´に衝突して、蛍光層３４を励起させる。発光装置は、このような過程を通じて画素別の輝度及び発光色を制御して、カラー画面を実現することができる。
【００４２】
以下、図４を参照して、本発明の第２実施例による発光装置及びその駆動方法について具体的に説明する。
【００４３】
図４は本発明の第２実施例による発光装置を示したブロック図である。
【００４４】
図４に示したように、本発明の第２実施例による発光装置９００は、アノード電極３２、発光制御部９１０、走査駆動部９２０、コラム駆動部９３０、発光部９４０、及びアノード駆動部９５０を含む。
【００４５】
本発明の第２実施例による走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）は発光画素（ＥＰＸ）のゲート電極２８の役割を果たし、コラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）は発光画素（ＥＰＸ）のカソード電極２６の役割を果たして、電子放出部２４に連結されている。
【００４６】
入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、各発光画素（ＥＰＸ）の輝度情報を含み、輝度は、予め決められた数、例えば１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）、または６４（＝２６）個の階調を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）及び水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック信号（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などがある。
【００４７】
アノード電極３２は、発光装置９００の前面基板に形成されて、アノード線（ＡＬ）及びセンシング線（ＳＬ）に連結されている。アノード電極３２は、アノード駆動部９５０に伝達されたアノード制御信号（ＡＣＳ）によってアノード電圧の伝達を受ける。この時、アノード電圧は、アノード線（ＡＬ）を通じてアノード電極３２に印加されて、放出された電子を引っ張るための加速電極であって、高電圧である。また、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された電圧の差によって電子が放出される時に、アノード電極３２には、高電圧に引っ張られた電子によってアノード電流（Ｉａ）が生成される。本発明の第２実施例によるアノード電流（Ｉａ）は、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された所定の電圧によって放出される電子に対応して生成される。
【００４８】
走査駆動部９２０は、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に連結されていて、走査駆動制御信号（ＣＳ）、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）、及びオン期間制御信号（ＯＴＳ）によって複数の発光画素（ＥＰＸ）が発光するように複数の走査信号を伝達する。
【００４９】
コラム駆動部９３０は、複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）に連結されていて、発光制御信号（ＣＣ）及び発光信号（ＣＬＳ）によって複数の発光画素（ＥＰＸ）が発光するように制御する。具体的に、コラム駆動部９３０は、発光信号（ＣＬＳ）によって複数の発光データ信号を生成して、この発光データ信号を発光制御信号（ＣＣ）によって複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）に伝達する。本発明の第２実施例による発光データ信号は、発光部９４０に表示される画像に合わせて設定された所定の階調に対応する電圧レベルを有する。
【００５０】
発光部９４０は、走査信号を伝達する複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）、発光データ信号を伝達する複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）、及び複数の発光画素（ＥＰＸ）を含む。複数の発光画素（ＥＰＸ）の各々は、走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）及び走査線と交差するコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）によって定義される領域に位置する。この時、走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）は走査駆動部９２０に連結され、コラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）はコラム駆動部９３０に連結される。そして、走査駆動部９２０及びコラム駆動部９３０は発光制御部９１０に連結されて、発光制御部９１０の制御信号によって動作する。
【００５１】
アノード駆動部９５０は、発光制御部９１０からアノード制御信号（ＡＣＳ）の伝達を受け、アノード制御信号（ＡＣＳ）によってアノード電圧をアノード電極３２に印加する。また、アノード駆動部９５０は、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された電圧の差によって電子が放出される時に、放出された電子に対応して生成されるアノード電流（Ｉａ）をセンシング線（ＳＬ）を利用して感知する。そして、アノード駆動部９５０は、アノード電流（Ｉａ）を発光制御部９１０に伝達する。本発明の第２実施例によるアノード電流（Ｉａ）のセンシングは所定の期間単位で行われ、その期間は使用者が設定することができる。
【００５２】
発光制御部９１０は、走査駆動部９２０、コラム駆動部９３０、及びアノード駆動部９５０を制御する。発光制御部９１０は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。
【００５３】
発光制御部９１０は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及び入力制御信号に基づいて入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を発光部９４０の動作条件に合うように適切に処理して、走査駆動制御信号（ＣＳ）、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）、オン期間制御信号（ＯＴＳ）、発光制御信号（ＣＣ）、及び発光信号（ＣＬＳ）を生成する。
【００５４】
発光制御部９１０は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を利用して複数の発光画素（ＥＰＸ）の階調を検出して、これをデジタルデータに変換してコラム駆動部９３０に伝達し、この時のデジタルデータは発光信号（ＣＬＳ）に含まれる。そして、発光制御部９１０は、発光信号（ＣＬＳ）によって生成された複数の発光データ信号の印加時点を制御するために、発光制御信号（ＣＣ）を生成して、生成された発光制御信号（ＣＣ）をコラム駆動部９３０に伝達する。
【００５５】
発光制御部９１０は、アノード電流（Ｉａ）によって電子放出部２４の劣化を判断し、劣化による輝度の不均一現象を防止するために、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）及びオン期間制御信号（ＯＴＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。また、発光制御部９１０は、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に走査信号を伝達する時点を制御する走査駆動制御信号（ＣＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。この時、走査信号は、電子放出部２４から電子が放出されるように設定された所定の電圧レベルを有する走査オン電圧（Ｖｏｎ）、及び電子がそれ以上放出されないように設定された所定の電圧レベルを有する走査オフ電圧（Ｖｏｆｆ）を有する。
【００５６】
本発明の第２実施例による走査駆動部９２０は、伝達された走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを決定し、走査駆動制御信号（ＣＳ）によって複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に走査信号を伝達し、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）が伝達される期間を決定する。ここで、走査オン電圧（Ｖｏｎ）は、発光装置９００の輝度の不均一現象が発生しない電圧範囲に設定され、この時、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が有することができる最も低い電圧レベルが最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）であり、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が有することができる最も高い電圧レベルが最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）である。つまり、発光制御部９１０は、輝度の不均一現象が許容される範囲（以下、輝度不均一許容範囲）を設定する。そして、輝度不均一許容範囲で最大輝度の不均一に対応する電圧を最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に設定する。そして、発光制御部９１０は、走査駆動部９２０の構成上許容される最大電圧、最も低い階調で許容される発光装置の発光許容値、及び電源供給部の供給電圧の限界を考慮した電圧を最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）に設定する。
【００５７】
具体的に、発光制御部９１０は、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）の各々に走査オン電圧（Ｖｏｎ）が印加される走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定する。本発明の第２実施例による走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）によって設定され、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が一定に維持される期間の間に輝度の不均一現象が発生する場合には、所定の期間単位で増加する。そして、発光制御部９１０は、放出された電子に対応して生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知して、電子放出部２４の劣化を判断する。この時、電子放出部２４の劣化によって輝度の不均一現象が発生する場合には、発光制御部９１０は、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を増加させて、輝度の不均一現象を解消する。しかし、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を最大に増加させた後にも輝度の不均一現象が解消されない場合には、発光制御部９１０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを段階的に増加させて、輝度の不均一現象を解消する。つまり、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大に増加して維持される期間の間に輝度の不均一現象が発生する場合には、発光制御部９１０は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを増加させる。本発明の第２実施例による走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルは、アノード電流（Ｉａ）の大きさによって設定されて、周辺の駆動要素を考慮して、短絡などの異常現象が発生する直前の最大走査オン電圧（Ｖｏｎ_ｍａｘ）まで段階的に増加する。この時、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）は、予め決められた走査オン電圧（Ｖｏｎ）を有する走査信号が出力されるように走査駆動部９２０を制御する。つまり、走査駆動部９２０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって複数の走査オン電圧（Ｖｏｎ）のうちのいずれか１つを選択して、走査信号として出力する。
【００５８】
以下、図５及び図６を参照して、電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）を補償する方法について具体的に説明する。
【００５９】
図５は図４に示した発光装置の発光制御部９１０を示したブロック図である。
【００６０】
図５に示したように、発光制御部９１０は、信号生成部９１１及び劣化判断部９１２を含む。
【００６１】
信号生成部９１１は、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加される走査オン電圧（Ｖｏｎ）を設定するために、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。そして、信号生成部９１１は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加される走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定するために、オン期間制御信号（ＯＴＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。この時、本発明の第２実施例による走査駆動部９２０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）を生成して、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）に対応する走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定する。
【００６２】
劣化判断部９１２は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のうちの最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に対応して設定された走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）の間に、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加された最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）及びカソード電極２６に印加された電圧の差によって生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知する。そして、劣化判断部９１２は、アノード電流（Ｉａ）を基準電流と比較して、電子放出部２４の劣化を判断する。本発明の第２実施例による基準電流は、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）の間に複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加される走査オン電圧（Ｖｏｎ）及び劣化されないカソード電極２６に印加された電圧の差によって生成される電流で、劣化を判断する基準値である。この時、アノード電流（Ｉａ）が基準電流より小さい場合には、劣化判断部９１２は、劣化によってアノード電流（Ｉａ）が減少したと判断して、減少したアノード電流（Ｉａ）を補償するために、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）が維持される範囲内で走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を所定の単位で増加させる。つまり、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）の増加に比例して各々の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）が印加される期間も増加し、それによって放出される電子量も増加して、電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）が補償される。しかし、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を最大に増加させた後にもアノード電流（Ｉａ）が補償されない場合には、劣化判断部９１２は、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）より高く設定された走査オン電圧（Ｖｏｎ）を複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加する。つまり、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを増加させることによって、増加した走査オン電圧（Ｖｏｎ）及びカソード電極２６に印加された電圧の差が増加し、それによって放出される電子量も増加して、劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）が補償される。この時、劣化判断部９１２は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルが最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）より大きく増加しないように制御する。劣化判断部９１２は、増加した走査オン電圧（Ｖｏｎ）によって生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知して、アノード電流（Ｉａ）及び基準電流を比較する。ここで、アノード電流（Ｉａ）が基準電流より小さく、劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）が補償されない場合には、劣化判断部９１２は、劣化によるアノード電流（Ｉａ）が補償されるまで、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）及び走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを増加させる過程を繰り返し行う。
【００６３】
図６は本発明の第２実施例によるアノード電流（Ｉａ）を補償する過程を示したフローチャートである。
【００６４】
まず、発光制御部９１０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）を設定する（Ｓ１００）。そして、発光制御部９１０は、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に対応する走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定する（Ｓ２００）。次に、発光制御部９１０は、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に対応して設定された走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）の間に、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加された最小走査オン電圧（Ｖｏｎ_ｍｉｎ）及びカソード電極２６に印加された電圧の差によって生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知する（Ｓ３００）。そして、発光制御部９１０は、アノード電流（Ｉａ）を基準電流と比較する（Ｓ４００）。
【００６５】
Ｓ４００段階の比較の結果、アノード電流（Ｉａ）が基準電流より小さい場合には、発光制御部９１０は、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）が維持される範囲内で走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を増加させる（Ｓ５００）。そして、発光制御部９１０は、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）が維持される範囲内で走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大設定値に達したかを判断する（Ｓ６００）。
【００６６】
Ｓ６００段階の判断の結果、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大設定値に達していない場合には、発光制御部９１０は、増加した走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）によって生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知する。感知されたアノード電流（Ｉａ）が劣化によって減少した場合には、発光制御部９１０は、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を段階的に増加させる過程を繰り返し行って、アノード電流（Ｉａ）を補償する。Ｓ６００段階の判断の結果、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大設定値に達した後にもアノード電流（Ｉａ）が補償されなかった場合には、発光制御部９１０は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）を増加させる（Ｓ７００）。ここで、最大設定値とは、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が増加する期間の最大値を意味し、使用者が設定することができる。
【００６７】
Ｓ７００段階で、増加した走査オン電圧（Ｖｏｎ）が各々の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加された後にもアノード電流（Ｉａ）が基準電流より小さい場合には、発光制御部９１０は、劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）が補償されるまで、同一な過程を繰り返し行って、輝度の不均一現象を解消する。
【００６８】
本発明の第２実施例では、電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）を補償するために、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を先に増加させてから走査オン電圧（Ｖｏｎ）を増加させたが、本発明はこれに限定されず、走査オン電圧（Ｖｏｎ）を先に増加させてから走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を増加させて、電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）を補償することもできる。
【００６９】
図７は本発明の第３実施例による光源用発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【００７０】
図７を参照すれば、光源用発光装置において、電子放出ユニット２０は、前記カソード電極２６及びゲート電極２８、及びカソード電極２６に電気的に連結される電子放出部２４を含む。そして、発光ユニット２２は、アノード電極３２、白色光を放出する蛍光層３４、蛍光層３４を覆う金属反射膜３６を含む。
【００７１】
蛍光層３４は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体が混合されて白色光を放出する混合蛍光体からなり、第２基板１４の有効領域全体に位置することができる。
【００７２】
光源用発光装置において、第１基板１２及び第２基板１４は、５ないし２０ｍｍの比較的大きな間隔をおいて位置することができる。第１基板１２及び第２基板１４の間隔の拡大を通じて真空容器の内部のアーク放電を減少させることができ、アノード電極３２に１０ｋＶ以上、好ましくは１０ないし１５ｋＶの高電圧を印加することができる。このような発光装置は、有効領域の中央部で約１０，０００ｃｄ／ｍ２の最大輝度を実現することができる。
【００７３】
図８は図７に示した発光装置を光源として使用する本発明の第３実施例による表示装置の分解斜視図である。
【００７４】
図８を参照すれば、本実施例の表示装置５０は、発光装置１０、及び発光装置１０の前方に位置する表示パネル４８を含む。発光装置１０及び表示パネル４８の間には、発光装置１０から放出された光を均一に拡散させる拡散板５２が位置し、拡散板５２及び発光装置１０は所定の距離をおいて離れて位置する。
【００７５】
表示パネル４８は、液晶表示パネルまたは他の受光型表示パネルからなる。以下では、表示パネル４８が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００７６】
表示パネル４８は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された下部基板５４、カラーフィルターが形成された上部基板５６、これら基板５４、５６の間に注入される液晶層（図示せず）を含む。上部基板５６の上面及び下部基板５４の下面には偏光板（図示せず）が付着されて、表示パネル４８を通過する光を偏光させる。
【００７７】
下部基板５４の内側面には、副画素別に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって駆動が制御される透明な画素電極が位置し、上部基板５６の内側面には、カラーフィルター層及び透明な共通電極が位置する。カラーフィルター層は、副画素別に１つずつ位置する赤色フィルター層、緑色フィルター層、及び青色フィルター層を含む。
【００７８】
特定の副画素のＴＦＴがターンオンされると、画素電極及び共通電極の間に電界が形成され、この電界によって液晶分子が配向角が変化して、変化した配向角によって光の透過率が変化する。表示パネル４８は、このような過程を通じて、画素別の輝度及び発光色を制御することができる。
【００７９】
図８において、引用符号５８は各ＴＦＴのゲート電極２８にゲート駆動信号を伝達するゲート回路ボードアセンブリーを示し、引用符号６０は各ＴＦＴのソース電極にデータ駆動信号を伝達するデータ回路ボードアセンブリーを示す。
【００８０】
発光装置１０は、表示パネル４８より少ない数の画素を形成し、発光装置１０の１つの画素が表示パネル４８の２つ以上の画素に対応するようにする。発光装置１０の各画素は、これに対応する複数の表示パネル４８の画素のうちの最も高い階調に対応して発光し、発光装置１０は、画素別に２ないし８ビットの階調を表現することができる。
【００８１】
便宜上、表示パネル４８の画素を第１画素とし、発光装置１０の画素を第２画素とし、１つの第２画素に対応する第１画素を第１画素群とする。
【００８２】
発光装置１０の駆動過程は、（ａ）表示パネル４８を制御する信号制御部（図示せず）が第１画素群の第１画素のうちの最も高い階調を検出し、（ｂ）検出された階調によって第２画素の発光に必要な階調を算出して、これをデジタルデータに変換し、（ｃ）デジタルデータを利用して発光装置１０の駆動信号を生成し、（ｄ）生成された駆動信号を発光装置１０の駆動電極に印加する段階を含む。
【００８３】
発光装置１０の駆動のための走査回路ボードアセンブリー及びコラム回路ボードアセンブリーは、発光装置１０の裏面に位置することができる。図８において、引用符号６２はカソード電極２６及びデータ回路ボードアセンブリーを連結する接続部材を示し、引用符号６４はゲート電極２８及び走査回路ボードアセンブリーを連結する接続部材を示す。
【００８４】
このように、発光装置１０の第２画素は、対応する第１画素群に画像が表示される時に、第１画素群に同期して所定の階調で発光する。つまり、発光装置１０は、表示パネル４８が実現する画面のうちの明るい部分には高輝度の光を提供し、暗い部分には低輝度の光を提供する。従って、本実施例の表示装置５０は、画面の動的コントラスト比を高めて、より鮮明な画質を実現することができる。
【００８５】
以下、図９を参照して、本発明の第３実施例による表示装置及びその駆動方法を具体的に説明する。
【００８６】
図９は本発明の第３実施例による表示装置を示したブロック図である。本発明の第３実施例による表示装置は受光素子であって、液晶素子を使用する液晶パネル組立体４００を含む。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００８７】
図９に示したように、本発明の第３実施例による表示装置５０は、液晶パネル組立体４００、液晶パネル組立体４００に連結されたゲート駆動部５００及びデータ駆動部６００、データ駆動部６００に連結された階調電圧生成部７００、発光装置９００、及びこれらを制御する信号制御部８００を含む。
【００８８】
液晶パネル組立体４００は、等価回路で見る時、複数の信号線（Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｍ）、及びこの信号線に連結されていて、ほぼ行列形態に配列されている複数の画素（ｐｉｘｅｌ；ＰＸ）を含む。信号線（Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｍ）は、ゲート信号（走査信号ともいう）を伝達する複数のゲート線（Ｇ１〜Ｇｎ）、及びデータ信号を伝達する複数のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）を含む。
【００８９】
各画素（ＰＸ）、例えばｉ番目（ｉ＝１、２、・・・、ｎ）のゲート線（Ｇｉ）及びｊ番目（ｊ＝１、２、・・・、ｍ）のデータ線（Ｄｊ）に連結された画素４１０は、信号線（Ｇｉ、Ｄｊ）に連結されたスイッチング素子（Ｑ）、及びこれに連結された液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を含む。ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、必要に応じて省略することができる。
【００９０】
スイッチング素子（Ｑ）は、下部基板（図示せず）に形成される薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線（Ｇｉ）に連結され、入力端子はデータ線（Ｄｊ）に連結され、出力端子は液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）に連結されている。
【００９１】
ゲート駆動部５００は、液晶パネル組立体４００のゲート線（Ｇ１〜Ｇｎ）に連結されていて、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）及びゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）の組合わせからなるゲート信号をゲート線（Ｇ１〜Ｇｎ）に印加する。
【００９２】
データ駆動部６００は、液晶パネル組立体４００のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に連結されていて、階調電圧生成部７００から階調電圧を選択して、これをデータ信号としてデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に印加する。しかし、階調電圧生成部７００が全ての階調に対する電圧を提供せず、予め決められた数の基準階調電圧だけを提供する場合には、データ駆動部６００は、基準階調電圧を分圧して全ての階調に対する階調電圧を生成して、この中からデータ信号を選択する。
【００９３】
階調電圧生成部７００は、画素（ＰＸ）の透過率に関する二組の階調電圧の集合（または基準階調電圧の集合）を生成する。二組のうちの一組は共通電圧（Ｖｃｏｍ）に対して正の値を有し、他の一組は負の値を有する。
【００９４】
信号制御部８００は、ゲート駆動部５００、データ駆動部６００、及び発光制御部９１０などを制御する。信号制御部８００は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。
【００９５】
入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、各画素（ＰＸ）の輝度情報を含み、輝度は、予め決められた数、例えば１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）、または６４（＝２６）個の階調を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）及び水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック信号（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などがある。
【００９６】
信号制御部８００は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及び入力制御信号に基づいて、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を液晶パネル組立体４００の動作条件に合うように適切に処理して、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）及びデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）などを生成した後、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）をゲート駆動部５００に出力し、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）及び処理した画像信号（ＤＡＴＡ）をデータ駆動部６００に出力する。また、信号制御部８００は、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）、及び処理した画像信号（ＤＡＴＡ）を発光制御部９１０に伝達する。
【００９７】
本発明の第３実施例による光源用発光装置（以下、発光装置）９００は、発光制御部９１０、走査駆動部９２０、コラム駆動部９３０、及び発光部９４０を含む。
【００９８】
図面に示したように、本発明の第３実施例による走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）は発光画素（ＥＰＸ）のゲート電極２８の役割を果たし、コラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）は発光画素（ＥＰＸ）のカソード電極２６の役割を果たして、電子放出部２４に連結されている。
【００９９】
アノード電極３２は、発光装置９００の前面基板に形成されて、アノード線（ＡＬ）及びセンシング線（ＳＬ）に連結されている。アノード電極３２は、アノード駆動部９５０に伝達されたアノード制御信号（ＡＣＳ）によってアノード電圧の伝達を受ける。この時、アノード電圧は、アノード線（ＡＬ）を通じてアノード電極３２に印加されて、放出された電子を引っ張るための加速電極であって、高電圧である。また、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された電圧の差によって電子が放出される時に、アノード電極３２には、高電圧に引っ張られた電子によってアノード電流（Ｉａ）が生成される。本発明の第３実施例によるアノード電流（Ｉａ）は、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された所定の電圧によって放出される電子に対応して生成される。
【０１００】
走査駆動部９２０は、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に連結されていて、走査駆動制御信号（ＣＳ）、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）、及びオン期間制御信号（ＯＴＳ）によって複数の発光画素（ＥＰＸ）がそれに対応する複数の画素（ＥＸ）と同期して発光することができるように複数の走査信号を伝達する。
【０１０１】
コラム駆動部９３０は、複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）に連結されていて、発光制御信号（ＣＣ）及び発光信号（ＣＬＳ）によって発光画素（ＥＰＸ）がそれに対応する複数の画素（ＥＸ）の階調に対応して発光することができるように制御する。具体的に、コラム駆動部９３０は、発光信号（ＣＬＳ）によって複数の発光データ信号を生成して、この発光データ信号を発光制御信号（ＣＣ）によって複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）に伝達する。つまり、コラム駆動部９３０は、１つの発光画素（ＥＰＸ）に対応する複数の画素（ＥＸ）に表示される画像に合わせて発光画素（ＥＰＸ）が所定の階調で発光することができるように同期させる。本発明の第３実施例による発光データ信号は、表示される画像に合わせて設定された所定の階調に対応する電圧レベルを有する。
【０１０２】
発光部９４０は、走査信号を伝達する複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）、発光データ信号を伝達する複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）、及び複数の発光画素（ＥＰＸ）を含む。複数の発光画素（ＥＰＸ）の各々は、走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）及び走査線と交差するコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）によって定義される領域に位置する。この時、走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）は走査駆動部９２０に連結され、コラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）はコラム駆動部９３０に連結される。そして、走査駆動部９２０及びコラム駆動部９３０は発光制御部９１０に連結されて、発光制御部９１０の制御信号によって動作する。
【０１０３】
アノード駆動部９５０は、発光制御部９１０からアノード制御信号（ＡＣＳ）の伝達を受け、アノード制御信号（ＡＣＳ）によってアノード電圧をアノード電極３２に印加する。また、アノード駆動部９５０は、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された電圧差によって電子が放出される時に、放出された電子に対応して生成されるアノード電流（Ｉａ）をセンシング線（ＳＬ）を利用して感知する。アノード駆動部９５０は、アノード電流（Ｉａ）を発光制御部９１０に伝達する。本発明の第３実施例によるアノード電流（Ｉａ）のセンシングは所定の期間単位で行われ、その期間は使用者が設定することができる。
【０１０４】
発光制御部９１０は、走査駆動部９２０、コラム駆動部９３０、及びアノード駆動部９５０を制御する。発光制御部９１０は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。
【０１０５】
発光制御部９１０は、信号制御部８００からゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）、及び処理した画像信号（ＤＡＴＡ）を受信する。そして、発光制御部９１０は、画像信号（ＤＡＴＡ）を利用して発光装置の１つの発光画素（ＥＰＸ）に対応する複数の画素（ＰＸ）のうちの最も高い階調を検出して、検出された階調に対応して発光画素（ＥＰＸ）の階調を決定する。また、発光制御部９１０は、これをデジタルデータに変換してコラム駆動部９３０に伝達し、この時のデジタルデータは発光信号（ＣＬＳ）に含まれる。そして、発光制御部９１０は、発光信号（ＣＬＳ）によって生成された複数の発光データ信号の印加時点を制御するために、発光制御信号（ＣＣ）を生成して、生成された発光制御信号（ＣＣ）をコラム駆動部９３０に伝達する。
【０１０６】
発光制御部９１０は、アノード電流（Ｉａ）によって電子放出部２４の劣化を判断し、劣化による輝度の不均一現象を防止するために、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）及びオン期間制御信号（ＯＴＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。また、発光制御部９１０は、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）を利用して複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に走査信号を伝達する時点を制御する走査駆動制御信号（ＣＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。この時、走査信号は、電子放出部２４から電子が放出されるように設定された所定の電圧レベルを有する走査オン電圧（Ｖｏｎ）、及び電子がそれ以上放出されないように設定された所定の電圧レベルを有する走査オフ電圧（Ｖｏｆｆ）を有する。
【０１０７】
本発明の第３実施例による走査駆動部９２０は、伝達された走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを決定し、走査駆動制御信号（ＣＳ）によって複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に走査信号を伝達し、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）が伝達される期間を決定する。ここで、走査オン電圧（Ｖｏｎ）は、発光装置９００の輝度の不均一現象が発生しない電圧範囲に設定され、この時、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が有することができる最も低い電圧レベルが最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）であり、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が有することができる最も高い電圧レベルが最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）である。つまり、発光制御部９１０は、輝度の不均一現象が許容される範囲（以下、輝度不均一許容範囲）を設定する。そして、輝度不均一許容範囲で最大輝度の不均一に対応する電圧を最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に設定する。そして、発光制御部９１０は、走査駆動部９２０の構成上許容される最大電圧、最も低い階調で許容される発光装置の発光許容値、及び電源供給部の供給電圧の限界を考慮した電圧を最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）に設定する。
【０１０８】
具体的に、発光制御部９１０は、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）の各々に走査オン電圧（Ｖｏｎ）が印加される走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定する。本発明の第３実施例による走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）によって設定され、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が一定に維持される期間の間に輝度の不均一現象が発生する場合には、所定の期間単位で増加する。そして、発光制御部９１０は、放出された電子に対応して生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知して、電子放出部２４の劣化を判断する。この時、電子放出部２４の劣化によって輝度の不均一現象が発生する場合には、発光制御部９１０は、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を増加させて、輝度の不均一現象を解消する。しかし、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を最大に増加させた後にも輝度の不均一現象が解消されない場合には、発光制御部９１０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを段階的に増加させて、輝度の不均一現象を解消する。つまり、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大に増加して維持される期間の間に輝度の不均一現象が発生する場合には、発光制御部９１０は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを増加させる。本発明の第３実施例による走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルは、アノード電流（Ｉａ）の大きさによって設定されて、周辺の駆動要素を考慮して、短絡などの異常現象が発生する直前の最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）まで段階的に増加する。この時、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）は、予め決められた走査オン電圧（Ｖｏｎ）を有する走査信号が出力されるように走査駆動部９２０を制御する。つまり、走査駆動部９２０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって複数の走査オン電圧（Ｖｏｎ）のうちのいずれか１つを選択して、走査信号として出力する。
【０１０９】
本発明の第３実施例による電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）を補償する方法は、前記第２実施例と同一であるので、具体的な説明は省略する。
【０１１０】
以上で、液晶パネル組立体を使用する表示装置を利用した実施例について説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明は、自発光でない表示装置であって、発光装置から受光して画像を表示する表示装置全てに適用することができる。
【０１１１】
前記では、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することができ、これも本発明の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の第１実施例による発光装置の部分断面図である。
【図２】本発明の第２実施例による発光装置の部分断面図である。
【図３】図２に示した自己表示が可能な発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例による発光装置を示したブロック図である。
【図５】図４に示した発光装置の発光制御部を示したブロック図である。
【図６】本発明の第２実施例によるアノード電流を補償する過程を示したフローチャートである。
【図７】本発明の第３実施例による光源用発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【図８】図７に示した発光装置を光源として使用する本発明の第３実施例による表示装置の分解斜視図である。
【図９】本発明の第３実施例による表示装置を示したブロック図である。
【符号の説明】
【０１１３】
３２ アノード電極
４００ 液晶パネル組立体
５００ ゲート駆動部
６００ データ駆動部
７００ 階調電圧生成部
８００ 信号制御部
９００ 発光装置
９１０ 発光制御部
９２０ 走査駆動部
９３０ コラム駆動部
９４０ 発光部
９５０ アノード駆動部
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、より詳細には、表示画像に同期して動作する発光装置を含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置の一種である液晶表示装置は、印加される電圧によってねじれ角が変化する液晶の誘電異方性を利用して、ピクセル別に光の透過量を変化させて所定の画像を表示する表示装置である。このような液晶表示装置は、代表的な画像表示装置である陰極線管に比べて、軽量化、薄型化、及び低消費電力化などの長所がある。
【０００３】
液晶表示装置は、基本的に、液晶パネル組立体、及び液晶パネル組立体の後方に位置して、液晶パネル組立体に光を提供する発光装置を含む。
【０００４】
液晶パネル組立体が能動型液晶パネル組立体である場合、この液晶パネル組立体は、一対の透明基板、透明基板の間に位置する液晶層、透明基板の外側面に位置する偏光板、いずれか１つの透明基板の内側面に形成される共通電極、他の１つの透明基板の内側面に形成される画素電極及びスイッチング素子、及び１つのピクセルを構成する３つのサブピクセルに赤色、緑色、及び青色を付与したカラーフィルターなどを含む。
【０００５】
このような液晶パネル組立体は、発光装置から放出される光の提供を受けて、この光を液晶層の作用で透過または遮断することによって、所定の画像を表示する。
【０００６】
発光装置は、光源の種類によって区分され、そのうちの１つとして冷陰極蛍光ランプ（Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｌａｍｐ；ＣＣＦＬ）方式が公知されている。ＣＣＦＬは線光源であるため、ＣＣＦＬから放出された光を拡散シート、拡散板、及びプリズムシートなどの光学部材を通じて液晶パネル組立体に向かって均一に分散させる。
【０００７】
しかし、ＣＣＦＬ方式では、ＣＣＦＬから放出した光が光学部材を通過するので、相当な光の損失が発生する。通常のＣＣＦＬ方式の液晶表示装置で、液晶パネル組立体を透過する光は、ＣＣＦＬで発生した光の約３ないし５％程度に相当すると言われている。そればかりか、ＣＣＦＬ方式の発光装置は、消費電力が大きく、液晶表示装置全体の消費電力の相当な部分を占めて、ＣＣＦＬの構造上、大面積化が難しいため、３０インチ以上の大型液晶表示装置への適用が難しい限界がある。
【０００８】
そして、従来の発光装置として、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）方式が公知されている。ＬＥＤは点光源であって、通常は複数が形成され、反射シート、導光板、拡散シート、拡散板、及びプリズムシートなどの光学部材と組合わせることによって、発光装置を構成する。このようなＬＥＤ方式は、応答速度が速く、色再現性が優れている長所があるが、製造原価が高く、厚さが厚い短所がある。
【０００９】
このように、従来の発光装置は、光源の種類によって各々問題がある。また、従来の発光装置は、液晶表示装置が駆動する時に一定の明るさで常に点灯しているので、液晶表示装置に要求される画質の改善が難しい問題がある。
【００１０】
一例として、液晶パネル組立体が画像信号によって明るい部分及び暗い部分を含む任意の画面を実現する場合、発光装置が明るい部分を表示する液晶パネルピクセル部位及び暗い部分を表示する液晶パネルピクセル部位に互いに異なる強さの光を提供する場合には、動的コントラスト比（ｄｙｎａｍｉｃ ｃｏｎｔｒａｓｔ）が優れた画面を実現することができるであろう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
発光装置は、電子放出部の劣化によって輝度の不均一現象が発生することがある。したがって、本発明は、前記問題を解消するために、アノード電流を利用して電子放出部の劣化を判断し、劣化によって減少したアノード電流を補償して、電子放出部の寿命を延長させることができ、輝度の不均一現象を防止することができる、発光装置及びこれを利用した表示装置、発光装置の駆動方法及び表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために、本発明の１つの特徴による発光装置は、複数の走査信号を伝達する複数の走査線、複数の発光データ信号を伝達する複数のコラム線、前記複数の走査線及び前記複数のコラム線によって定義される複数の発光画素、及びアノード電圧が印加されるアノード電極を含み、第１走査オン電圧及び第１走査オン期間によって前記走査信号が前記発光画素に伝達され、前記アノード電極に流れるアノード電流を感知して、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベル及び前記第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させる。そして、前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を段階的に増加させる。また、前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧を段階的に増加させる。そして、前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を少なくとも一度増加させた後で、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる。前記発光装置は、前記第１走査オン期間を最大に増加させた後で、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる。この時、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させて前記アノード電流を補償する。
【００１３】
本発明の他の特徴による表示装置は、複数のゲート信号を伝達する複数のゲート線、複数のデータ信号を伝達する複数のデータ線、及び前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線によって定義される複数の画素を含むパネル組立体、及び複数の走査信号を伝達する複数の走査線、複数の発光データ信号を伝達する複数のコラム線、前記複数の走査線及び前記複数のコラム線によって定義される複数の発光画素、及びアノード電圧が印加されるアノード電極を含み、第１走査オン電圧及び第１走査オン期間によって前記走査信号が前記発光画素に伝達され、前記アノード電極に流れるアノード電流を感知して、前記複数の発光画素の輝度の不均一によって前記アノード電流が減少する場合には、前記第１走査オン電圧のレベル及び前記第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させて前記アノード電流を補償する発光装置を含む。そして、前記発光装置は、前記第１走査オン期間を増加させた後で、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させて前記アノード電流を補償する。この時、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記複数の発光画素の輝度の不均一現象が発生する場合には、前記第１走査オン期間を増加させて前記アノード電流を補償する。
【００１４】
本発明のまた他の特徴による発光装置の駆動方法は、第１電極に印加された走査信号及び第２電極に印加された信号によって発光する複数の発光画素を含み、前記複数の発光画素に発生する電流に対応する電流が流れる第３電極を含む発光装置の駆動方法であって、第１走査オン期間の間に前記第１電極に第１走査オン電圧を印加する段階、前記第３電極に流れる第１電流を感知する段階、前記第１電流及び基準電流を比較する段階、及び前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間及び前記第１走査オン電圧のうちのいずれか１つを増加させる段階を含む。そして、前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させる段階を含む。また、前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる段階を含む。この時、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させる段階を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の特徴による発光装置及びこれを利用した表示装置、発光装置の駆動方法及び表示装置の駆動方法は、駆動電圧が印加される期間を増加させて、輝度の不均一現象が発生しない電圧範囲内で駆動電圧のレベルを増加させることによって、電子放出部の寿命を延長させることができ、それによって発光装置で発生する輝度の不均一現象を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な相異した形態で具現され、ここで説明する実施例に限定されない。図面では、本発明を明確に説明するために、説明に不必要な部分は省略した。明細書全体を通して類似した部分については、類似した図面符号を付けた。
【００１７】
明細書全体を通して、ある部分が他の部分に「連結」されているとする時、これは「直接連結」されている場合だけでなく、その間に他の素子をおいて「電気的に連結」されている場合も意味する。また、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を排除するのでなく、他の構成要素を「さらに含む」ことを意味する。
【００１８】
図１は本発明の第１実施例による発光装置の部分断面図である。
【００１９】
図１を参照すれば、本発明の第１実施例の発光装置１０は、互いに対向配置される第１基板１２及び第２基板１４、及び第１基板１２及び第２基板１４の間に位置して、これら基板１２、１４を接合させる密封部材１６からなる真空容器１８を含む。真空容器１８の内部は約１０−６Ｔｏｒｒの真空度を維持する。
【００２０】
第１基板１２及び第２基板１４のうちの密封部材１６の内側に位置する領域は、実際に可視光の放出に寄与する有効領域、及び有効領域を囲む非有効領域に区分される。第１基板１２の内側面の有効領域には、電子の放出のための電子放出ユニット２０が位置し、第２基板１４の内側面の有効領域には、可視光の放出のための発光ユニット２２が位置する。
【００２１】
発光ユニット２２が位置する第２基板１４が発光装置１０の前面基板になり、電子放出ユニット２０が位置する第１基板１２が発光装置１０の後面基板になることができる。
【００２２】
電子放出ユニット２０は、電子放出部２４、及び電子放出部２４の電子の放出量を制御する駆動電極２６、２８を含む。駆動電極２６、２８は、カソード電極２６、及び絶縁層３０を間においてカソード電極２６の上部でカソード電極２６と交差する方向に沿って形成されるゲート電極２８を含む。
【００２３】
カソード電極２６及びゲート電極２８の交差領域ごとにゲート電極２８及び絶縁層３０に開口部２８１、３０１が形成されてカソード電極２６の表面の一部が露出され、絶縁層の開口部３０１の内側でカソード電極２６上に電子放出部２４が位置する。
【００２４】
電子放出部２４は、真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、例えば炭素系物質またはナノメートルサイズ物質を含む。電子放出部２４は、一例として、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラーレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー、及びこれらの組合わせからなる群より選択される物質を含む。
【００２５】
一方で、電子放出部は、モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）などを主な材質とする先端が尖ったチップ構造物からなることができる。
【００２６】
前記構造で、カソード電極２６及びゲート電極２８の１つの交差領域が発光装置１０の１つの画素領域に対応したり、２つ以上の交差領域が発光装置１０の１つの画素領域に対応することができる。
【００２７】
次に、発光ユニット２２は、アノード電極３２、アノード電極３２の一面に位置する蛍光層３４、蛍光層３４を覆う金属反射膜３６を含む。アノード電極３２は、真空容器１８の外側の電源部（図示せず）からアノード電圧の印加を受けて、蛍光層３４を高電位状態に維持させる。アノード電極３２は、蛍光層３４から放出される可視光を透過させることができるように、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電膜からなる。
【００２８】
金属反射膜３６は、アルミニウムからなることができ、数千オームストロング（Å）の薄さに形成されて、電子ビームの通過のための微細ホールを形成する。金属反射膜３６は、蛍光層３４から放出された可視光のうちの第１基板１２に向かって放射された可視光を第２基板１４側に反射させて、発光面の輝度を高める。一方、アノード電極３２が省略されて、金属反射膜３６がアノード電圧の印加を受けてアノード電極として機能することができる。
【００２９】
そして、有効領域で、第１基板１２及び第２基板１４の間には、真空容器１８に加えられる圧縮力を支持して、この基板１２、１４の間隔を一定に維持させるスペーサ（図示せず）が位置する。
【００３０】
前記構造の発光装置１０は、カソード電極２６及びゲート電極２８に所定の駆動電圧を印加し、アノード電極３２に数千ボルト以上の正の直流電圧（アノード電圧）を印加して駆動する。つまり、カソード電極２６及びゲート電極２８のうちのいずれか１つの電極に走査駆動電圧を印加し、他の１つの電極にデータ駆動電圧を印加する。
【００３１】
そうすると、カソード電極２６及びゲート電極２８の電圧の差が臨界値以上である画素で電子放出部２４の周囲に電界が形成され、これから電子が放出されて、放出された電子がアノード電圧に引っ張られて対応する蛍光層３４の領域に衝突することによって、これを発光させる。画素別の蛍光層３４の発光の強さは、該当する画素の電子の放出量に対応する。
【００３２】
図２は本発明の第２実施例による発光装置の部分断面図である。
【００３３】
図２を参照すれば、本発明の第２実施例の発光装置１０´は、発光ユニット２２´が黒色層４６をさらに含むことを除いては、前記第１実施例と同一な構成からなる。第１実施例と同一な構成要素については、同一な引用符号を使用する。
【００３４】
本実施例で、蛍光層３４は、互いの間に所定の距離をおいて位置し、黒色層４６が蛍光層３４の間に位置する。黒色層４６は、クロムからなることができる。本実施例においても、アノード電極３２が省略されて、金属反射膜３６がアノード電圧の印加を受けてアノード電極として機能することができる。
【００３５】
前記構成の発光装置１０、１０´は、受光型表示パネルに白色光を提供する光源として使用されたり、赤色蛍光層、緑色蛍光層、及び青色蛍光層が形成されていて、自主的に画像を表示することができる。
【００３６】
図３は図２に示した自己表示が可能な発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【００３７】
図３を参照すれば、自己表示が可能な発光装置において、電子放出ユニット２０´は、前記カソード電極２６及びゲート電極２８、及びカソード電極２６に電気的に連結される電子放出部２４を含む。そして、カソード電極２６及びゲート電極２８の間に位置する絶縁層３０を第１絶縁層とすると、ゲート電極２８上に第２絶縁層６８及び集束電極７０が形成されることができる。
【００３８】
第２絶縁層６８及び集束電極７０にも、電子ビームの通過のための開口部６８１、７０１が形成され、集束電極７０は、０Ｖまたは数ないし数十ボルトの負の直流電圧の印加を受けて、集束電極の開口部７０１を通過する電子を集束させる。
【００３９】
発光ユニット２２´は、アノード電極３２、アノード電極３２の一面で互いの間に距離をおいて位置する赤色蛍光層３４Ｒ、緑色蛍光層３４Ｇ、及び青色蛍光層３４Ｂ、蛍光層３４´の間に位置する黒色層４６、蛍光層３４´及び黒色層４６を覆う金属反射膜３６を含む。
【００４０】
カソード電極２６及びゲート電極２８の交差領域が１つの副画素に対応し、赤色蛍光層３４Ｒ、緑色蛍光層３４Ｇ、及び青色蛍光層３４Ｂの各々が１つの副画素に対応して位置する。赤色蛍光層３４Ｒ、緑色蛍光層３４Ｇ、及び青色蛍光層３４Ｂが並んで位置する３つの副画素が集まって１つの画素を構成する。
【００４１】
カソード電極２６及びゲート電極２８に印加される駆動電圧によって副画素別の電子放出部２４の電子の放出量が決定され、この電子が対応する副画素の蛍光層３４´に衝突して、蛍光層３４を励起させる。発光装置は、このような過程を通じて画素別の輝度及び発光色を制御して、カラー画面を実現することができる。
【００４２】
以下、図４を参照して、本発明の第２実施例による発光装置及びその駆動方法について具体的に説明する。
【００４３】
図４は本発明の第２実施例による発光装置を示したブロック図である。
【００４４】
図４に示したように、本発明の第２実施例による発光装置９００は、アノード電極３２、発光制御部９１０、走査駆動部９２０、コラム駆動部９３０、発光部９４０、及びアノード駆動部９５０を含む。
【００４５】
本発明の第２実施例による走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）は発光画素（ＥＰＸ）のゲート電極２８の役割を果たし、コラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）は発光画素（ＥＰＸ）のカソード電極２６の役割を果たして、電子放出部２４に連結されている。
【００４６】
入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、各発光画素（ＥＰＸ）の輝度情報を含み、輝度は、予め決められた数、例えば１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）、または６４（＝２６）個の階調を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）及び水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック信号（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などがある。
【００４７】
アノード電極３２は、発光装置９００の前面基板に形成されて、アノード線（ＡＬ）及びセンシング線（ＳＬ）に連結されている。アノード電極３２は、アノード駆動部９５０に伝達されたアノード制御信号（ＡＣＳ）によってアノード電圧の伝達を受ける。この時、アノード電圧は、アノード線（ＡＬ）を通じてアノード電極３２に印加されて、放出された電子を引っ張るための加速電極であって、高電圧である。また、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された電圧の差によって電子が放出される時に、アノード電極３２には、高電圧に引っ張られた電子によってアノード電流（Ｉａ）が生成される。本発明の第２実施例によるアノード電流（Ｉａ）は、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された所定の電圧によって放出される電子に対応して生成される。
【００４８】
走査駆動部９２０は、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に連結されていて、走査駆動制御信号（ＣＳ）、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）、及びオン期間制御信号（ＯＴＳ）によって複数の発光画素（ＥＰＸ）が発光するように複数の走査信号を伝達する。
【００４９】
コラム駆動部９３０は、複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）に連結されていて、発光制御信号（ＣＣ）及び発光信号（ＣＬＳ）によって複数の発光画素（ＥＰＸ）が発光するように制御する。具体的に、コラム駆動部９３０は、発光信号（ＣＬＳ）によって複数の発光データ信号を生成して、この発光データ信号を発光制御信号（ＣＣ）によって複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）に伝達する。本発明の第２実施例による発光データ信号は、発光部９４０に表示される画像に合わせて設定された所定の階調に対応する電圧レベルを有する。
【００５０】
発光部９４０は、走査信号を伝達する複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）、発光データ信号を伝達する複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）、及び複数の発光画素（ＥＰＸ）を含む。複数の発光画素（ＥＰＸ）の各々は、走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）及び走査線と交差するコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）によって定義される領域に位置する。この時、走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）は走査駆動部９２０に連結され、コラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）はコラム駆動部９３０に連結される。そして、走査駆動部９２０及びコラム駆動部９３０は発光制御部９１０に連結されて、発光制御部９１０の制御信号によって動作する。
【００５１】
アノード駆動部９５０は、発光制御部９１０からアノード制御信号（ＡＣＳ）の伝達を受け、アノード制御信号（ＡＣＳ）によってアノード電圧をアノード電極３２に印加する。また、アノード駆動部９５０は、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された電圧の差によって電子が放出される時に、放出された電子に対応して生成されるアノード電流（Ｉａ）をセンシング線（ＳＬ）を利用して感知する。そして、アノード駆動部９５０は、アノード電流（Ｉａ）を発光制御部９１０に伝達する。本発明の第２実施例によるアノード電流（Ｉａ）のセンシングは所定の期間単位で行われ、その期間は使用者が設定することができる。
【００５２】
発光制御部９１０は、走査駆動部９２０、コラム駆動部９３０、及びアノード駆動部９５０を制御する。発光制御部９１０は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。
【００５３】
発光制御部９１０は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及び入力制御信号に基づいて入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を発光部９４０の動作条件に合うように適切に処理して、走査駆動制御信号（ＣＳ）、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）、オン期間制御信号（ＯＴＳ）、発光制御信号（ＣＣ）、及び発光信号（ＣＬＳ）を生成する。
【００５４】
発光制御部９１０は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を利用して複数の発光画素（ＥＰＸ）の階調を検出して、これをデジタルデータに変換してコラム駆動部９３０に伝達し、この時のデジタルデータは発光信号（ＣＬＳ）に含まれる。そして、発光制御部９１０は、発光信号（ＣＬＳ）によって生成された複数の発光データ信号の印加時点を制御するために、発光制御信号（ＣＣ）を生成して、生成された発光制御信号（ＣＣ）をコラム駆動部９３０に伝達する。
【００５５】
発光制御部９１０は、アノード電流（Ｉａ）によって電子放出部２４の劣化を判断し、劣化による輝度の不均一現象を防止するために、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）及びオン期間制御信号（ＯＴＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。また、発光制御部９１０は、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に走査信号を伝達する時点を制御する走査駆動制御信号（ＣＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。この時、走査信号は、電子放出部２４から電子が放出されるように設定された所定の電圧レベルを有する走査オン電圧（Ｖｏｎ）、及び電子がそれ以上放出されないように設定された所定の電圧レベルを有する走査オフ電圧（Ｖｏｆｆ）を有する。
【００５６】
本発明の第２実施例による走査駆動部９２０は、伝達された走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを決定し、走査駆動制御信号（ＣＳ）によって複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に走査信号を伝達し、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）が伝達される期間を決定する。ここで、走査オン電圧（Ｖｏｎ）は、発光装置９００の輝度の不均一現象が発生しない電圧範囲に設定され、この時、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が有することができる最も低い電圧レベルが最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）であり、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が有することができる最も高い電圧レベルが最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）である。つまり、発光制御部９１０は、輝度の不均一現象が許容される範囲（以下、輝度不均一許容範囲）を設定する。そして、輝度不均一許容範囲で最大輝度の不均一に対応する電圧を最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に設定する。そして、発光制御部９１０は、走査駆動部９２０の構成上許容される最大電圧、最も低い階調で許容される発光装置の発光許容値、及び電源供給部の供給電圧の限界を考慮した電圧を最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）に設定する。
【００５７】
具体的に、発光制御部９１０は、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）の各々に走査オン電圧（Ｖｏｎ）が印加される走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定する。本発明の第２実施例による走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）によって設定され、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が一定に維持される期間の間に輝度の不均一現象が発生する場合には、所定の期間単位で増加する。そして、発光制御部９１０は、放出された電子に対応して生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知して、電子放出部２４の劣化を判断する。この時、電子放出部２４の劣化によって輝度の不均一現象が発生する場合には、発光制御部９１０は、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を増加させて、輝度の不均一現象を解消する。しかし、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を最大に増加させた後にも輝度の不均一現象が解消されない場合には、発光制御部９１０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを段階的に増加させて、輝度の不均一現象を解消する。つまり、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大に増加して維持される期間の間に輝度の不均一現象が発生する場合には、発光制御部９１０は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを増加させる。本発明の第２実施例による走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルは、アノード電流（Ｉａ）の大きさによって設定されて、周辺の駆動要素を考慮して、短絡などの異常現象が発生する直前の最大走査オン電圧（Ｖｏｎ_ｍａｘ）まで段階的に増加する。この時、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）は、予め決められた走査オン電圧（Ｖｏｎ）を有する走査信号が出力されるように走査駆動部９２０を制御する。つまり、走査駆動部９２０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって複数の走査オン電圧（Ｖｏｎ）のうちのいずれか１つを選択して、走査信号として出力する。
【００５８】
以下、図５及び図６を参照して、電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）を補償する方法について具体的に説明する。
【００５９】
図５は図４に示した発光装置の発光制御部９１０を示したブロック図である。
【００６０】
図５に示したように、発光制御部９１０は、信号生成部９１１及び劣化判断部９１２を含む。
【００６１】
信号生成部９１１は、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加される走査オン電圧（Ｖｏｎ）を設定するために、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。そして、信号生成部９１１は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加される走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定するために、オン期間制御信号（ＯＴＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。この時、本発明の第２実施例による走査駆動部９２０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）を生成して、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）に対応する走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定する。
【００６２】
劣化判断部９１２は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のうちの最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に対応して設定された走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）の間に、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加された最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）及びカソード電極２６に印加された電圧の差によって生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知する。そして、劣化判断部９１２は、アノード電流（Ｉａ）を基準電流と比較して、電子放出部２４の劣化を判断する。本発明の第２実施例による基準電流は、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）の間に複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加される走査オン電圧（Ｖｏｎ）及び劣化されないカソード電極２６に印加された電圧の差によって生成される電流で、劣化を判断する基準値である。この時、アノード電流（Ｉａ）が基準電流より小さい場合には、劣化判断部９１２は、劣化によってアノード電流（Ｉａ）が減少したと判断して、減少したアノード電流（Ｉａ）を補償するために、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）が維持される範囲内で走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を所定の単位で増加させる。つまり、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）の増加に比例して各々の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）が印加される期間も増加し、それによって放出される電子量も増加して、電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）が補償される。しかし、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を最大に増加させた後にもアノード電流（Ｉａ）が補償されない場合には、劣化判断部９１２は、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）より高く設定された走査オン電圧（Ｖｏｎ）を複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加する。つまり、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを増加させることによって、増加した走査オン電圧（Ｖｏｎ）及びカソード電極２６に印加された電圧の差が増加し、それによって放出される電子量も増加して、劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）が補償される。この時、劣化判断部９１２は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルが最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）より大きく増加しないように制御する。劣化判断部９１２は、増加した走査オン電圧（Ｖｏｎ）によって生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知して、アノード電流（Ｉａ）及び基準電流を比較する。ここで、アノード電流（Ｉａ）が基準電流より小さく、劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）が補償されない場合には、劣化判断部９１２は、劣化によるアノード電流（Ｉａ）が補償されるまで、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）及び走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを増加させる過程を繰り返し行う。
【００６３】
図６は本発明の第２実施例によるアノード電流（Ｉａ）を補償する過程を示したフローチャートである。
【００６４】
まず、発光制御部９１０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）を設定する（Ｓ１００）。そして、発光制御部９１０は、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に対応する走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定する（Ｓ２００）。次に、発光制御部９１０は、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に対応して設定された走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）の間に、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加された最小走査オン電圧（Ｖｏｎ_ｍｉｎ）及びカソード電極２６に印加された電圧の差によって生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知する（Ｓ３００）。そして、発光制御部９１０は、アノード電流（Ｉａ）を基準電流と比較する（Ｓ４００）。
【００６５】
Ｓ４００段階の比較の結果、アノード電流（Ｉａ）が基準電流より小さい場合には、発光制御部９１０は、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）が維持される範囲内で走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を増加させる（Ｓ５００）。そして、発光制御部９１０は、最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）が維持される範囲内で走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大設定値に達したかを判断する（Ｓ６００）。
【００６６】
Ｓ６００段階の判断の結果、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大設定値に達していない場合には、発光制御部９１０は、増加した走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）によって生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知する。感知されたアノード電流（Ｉａ）が劣化によって減少した場合には、発光制御部９１０は、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を段階的に増加させる過程を繰り返し行って、アノード電流（Ｉａ）を補償する。Ｓ６００段階の判断の結果、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大設定値に達した後にもアノード電流（Ｉａ）が補償されなかった場合には、発光制御部９１０は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）を増加させる（Ｓ７００）。ここで、最大設定値とは、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が増加する期間の最大値を意味し、使用者が設定することができる。
【００６７】
Ｓ７００段階で、増加した走査オン電圧（Ｖｏｎ）が各々の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に印加された後にもアノード電流（Ｉａ）が基準電流より小さい場合には、発光制御部９１０は、劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）が補償されるまで、同一な過程を繰り返し行って、輝度の不均一現象を解消する。
【００６８】
本発明の第２実施例では、電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）を補償するために、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を先に増加させてから走査オン電圧（Ｖｏｎ）を増加させたが、本発明はこれに限定されず、走査オン電圧（Ｖｏｎ）を先に増加させてから走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を増加させて、電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）を補償することもできる。
【００６９】
図７は本発明の第３実施例による光源用発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【００７０】
図７を参照すれば、光源用発光装置において、電子放出ユニット２０は、前記カソード電極２６及びゲート電極２８、及びカソード電極２６に電気的に連結される電子放出部２４を含む。そして、発光ユニット２２は、アノード電極３２、白色光を放出する蛍光層３４、蛍光層３４を覆う金属反射膜３６を含む。
【００７１】
蛍光層３４は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体が混合されて白色光を放出する混合蛍光体からなり、第２基板１４の有効領域全体に位置することができる。
【００７２】
光源用発光装置において、第１基板１２及び第２基板１４は、５ないし２０ｍｍの比較的大きな間隔をおいて位置することができる。第１基板１２及び第２基板１４の間隔の拡大を通じて真空容器の内部のアーク放電を減少させることができ、アノード電極３２に１０ｋＶ以上、好ましくは１０ないし１５ｋＶの高電圧を印加することができる。このような発光装置は、有効領域の中央部で約１０，０００ｃｄ／ｍ２の最大輝度を実現することができる。
【００７３】
図８は図７に示した発光装置を光源として使用する本発明の第３実施例による表示装置の分解斜視図である。
【００７４】
図８を参照すれば、本実施例の表示装置５０は、発光装置１０、及び発光装置１０の前方に位置する表示パネル４８を含む。発光装置１０及び表示パネル４８の間には、発光装置１０から放出された光を均一に拡散させる拡散板５２が位置し、拡散板５２及び発光装置１０は所定の距離をおいて離れて位置する。
【００７５】
表示パネル４８は、液晶表示パネルまたは他の受光型表示パネルからなる。以下では、表示パネル４８が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００７６】
表示パネル４８は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された下部基板５４、カラーフィルターが形成された上部基板５６、これら基板５４、５６の間に注入される液晶層（図示せず）を含む。上部基板５６の上面及び下部基板５４の下面には偏光板（図示せず）が付着されて、表示パネル４８を通過する光を偏光させる。
【００７７】
下部基板５４の内側面には、副画素別に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって駆動が制御される透明な画素電極が位置し、上部基板５６の内側面には、カラーフィルター層及び透明な共通電極が位置する。カラーフィルター層は、副画素別に１つずつ位置する赤色フィルター層、緑色フィルター層、及び青色フィルター層を含む。
【００７８】
特定の副画素のＴＦＴがターンオンされると、画素電極及び共通電極の間に電界が形成され、この電界によって液晶分子が配向角が変化して、変化した配向角によって光の透過率が変化する。表示パネル４８は、このような過程を通じて、画素別の輝度及び発光色を制御することができる。
【００７９】
図８において、引用符号５８は各ＴＦＴのゲート電極２８にゲート駆動信号を伝達するゲート回路ボードアセンブリーを示し、引用符号６０は各ＴＦＴのソース電極にデータ駆動信号を伝達するデータ回路ボードアセンブリーを示す。
【００８０】
発光装置１０は、表示パネル４８より少ない数の画素を形成し、発光装置１０の１つの画素が表示パネル４８の２つ以上の画素に対応するようにする。発光装置１０の各画素は、これに対応する複数の表示パネル４８の画素のうちの最も高い階調に対応して発光し、発光装置１０は、画素別に２ないし８ビットの階調を表現することができる。
【００８１】
便宜上、表示パネル４８の画素を第１画素とし、発光装置１０の画素を第２画素とし、１つの第２画素に対応する第１画素を第１画素群とする。
【００８２】
発光装置１０の駆動過程は、（ａ）表示パネル４８を制御する信号制御部（図示せず）が第１画素群の第１画素のうちの最も高い階調を検出し、（ｂ）検出された階調によって第２画素の発光に必要な階調を算出して、これをデジタルデータに変換し、（ｃ）デジタルデータを利用して発光装置１０の駆動信号を生成し、（ｄ）生成された駆動信号を発光装置１０の駆動電極に印加する段階を含む。
【００８３】
発光装置１０の駆動のための走査回路ボードアセンブリー及びコラム回路ボードアセンブリーは、発光装置１０の裏面に位置することができる。図８において、引用符号６２はカソード電極２６及びデータ回路ボードアセンブリーを連結する接続部材を示し、引用符号６４はゲート電極２８及び走査回路ボードアセンブリーを連結する接続部材を示す。
【００８４】
このように、発光装置１０の第２画素は、対応する第１画素群に画像が表示される時に、第１画素群に同期して所定の階調で発光する。つまり、発光装置１０は、表示パネル４８が実現する画面のうちの明るい部分には高輝度の光を提供し、暗い部分には低輝度の光を提供する。従って、本実施例の表示装置５０は、画面の動的コントラスト比を高めて、より鮮明な画質を実現することができる。
【００８５】
以下、図９を参照して、本発明の第３実施例による表示装置及びその駆動方法を具体的に説明する。
【００８６】
図９は本発明の第３実施例による表示装置を示したブロック図である。本発明の第３実施例による表示装置は受光素子であって、液晶素子を使用する液晶パネル組立体４００を含む。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００８７】
図９に示したように、本発明の第３実施例による表示装置５０は、液晶パネル組立体４００、液晶パネル組立体４００に連結されたゲート駆動部５００及びデータ駆動部６００、データ駆動部６００に連結された階調電圧生成部７００、発光装置９００、及びこれらを制御する信号制御部８００を含む。
【００８８】
液晶パネル組立体４００は、等価回路で見る時、複数の信号線（Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｍ）、及びこの信号線に連結されていて、ほぼ行列形態に配列されている複数の画素（ｐｉｘｅｌ；ＰＸ）を含む。信号線（Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｍ）は、ゲート信号（走査信号ともいう）を伝達する複数のゲート線（Ｇ１〜Ｇｎ）、及びデータ信号を伝達する複数のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）を含む。
【００８９】
各画素（ＰＸ）、例えばｉ番目（ｉ＝１、２、・・・、ｎ）のゲート線（Ｇｉ）及びｊ番目（ｊ＝１、２、・・・、ｍ）のデータ線（Ｄｊ）に連結された画素４１０は、信号線（Ｇｉ、Ｄｊ）に連結されたスイッチング素子（Ｑ）、及びこれに連結された液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を含む。ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、必要に応じて省略することができる。
【００９０】
スイッチング素子（Ｑ）は、下部基板（図示せず）に形成される薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線（Ｇｉ）に連結され、入力端子はデータ線（Ｄｊ）に連結され、出力端子は液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）に連結されている。
【００９１】
ゲート駆動部５００は、液晶パネル組立体４００のゲート線（Ｇ１〜Ｇｎ）に連結されていて、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）及びゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）の組合わせからなるゲート信号をゲート線（Ｇ１〜Ｇｎ）に印加する。
【００９２】
データ駆動部６００は、液晶パネル組立体４００のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に連結されていて、階調電圧生成部７００から階調電圧を選択して、これをデータ信号としてデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に印加する。しかし、階調電圧生成部７００が全ての階調に対する電圧を提供せず、予め決められた数の基準階調電圧だけを提供する場合には、データ駆動部６００は、基準階調電圧を分圧して全ての階調に対する階調電圧を生成して、この中からデータ信号を選択する。
【００９３】
階調電圧生成部７００は、画素（ＰＸ）の透過率に関する二組の階調電圧の集合（または基準階調電圧の集合）を生成する。二組のうちの一組は共通電圧（Ｖｃｏｍ）に対して正の値を有し、他の一組は負の値を有する。
【００９４】
信号制御部８００は、ゲート駆動部５００、データ駆動部６００、及び発光制御部９１０などを制御する。信号制御部８００は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。
【００９５】
入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、各画素（ＰＸ）の輝度情報を含み、輝度は、予め決められた数、例えば１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）、または６４（＝２６）個の階調を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）及び水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック信号（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などがある。
【００９６】
信号制御部８００は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及び入力制御信号に基づいて、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を液晶パネル組立体４００の動作条件に合うように適切に処理して、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）及びデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）などを生成した後、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）をゲート駆動部５００に出力し、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）及び処理した画像信号（ＤＡＴＡ）をデータ駆動部６００に出力する。また、信号制御部８００は、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）、及び処理した画像信号（ＤＡＴＡ）を発光制御部９１０に伝達する。
【００９７】
本発明の第３実施例による光源用発光装置（以下、発光装置）９００は、発光制御部９１０、走査駆動部９２０、コラム駆動部９３０、及び発光部９４０を含む。
【００９８】
図面に示したように、本発明の第３実施例による走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）は発光画素（ＥＰＸ）のゲート電極２８の役割を果たし、コラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）は発光画素（ＥＰＸ）のカソード電極２６の役割を果たして、電子放出部２４に連結されている。
【００９９】
アノード電極３２は、発光装置９００の前面基板に形成されて、アノード線（ＡＬ）及びセンシング線（ＳＬ）に連結されている。アノード電極３２は、アノード駆動部９５０に伝達されたアノード制御信号（ＡＣＳ）によってアノード電圧の伝達を受ける。この時、アノード電圧は、アノード線（ＡＬ）を通じてアノード電極３２に印加されて、放出された電子を引っ張るための加速電極であって、高電圧である。また、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された電圧の差によって電子が放出される時に、アノード電極３２には、高電圧に引っ張られた電子によってアノード電流（Ｉａ）が生成される。本発明の第３実施例によるアノード電流（Ｉａ）は、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された所定の電圧によって放出される電子に対応して生成される。
【０１００】
走査駆動部９２０は、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に連結されていて、走査駆動制御信号（ＣＳ）、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）、及びオン期間制御信号（ＯＴＳ）によって複数の発光画素（ＥＰＸ）がそれに対応する複数の画素（ＥＸ）と同期して発光することができるように複数の走査信号を伝達する。
【０１０１】
コラム駆動部９３０は、複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）に連結されていて、発光制御信号（ＣＣ）及び発光信号（ＣＬＳ）によって発光画素（ＥＰＸ）がそれに対応する複数の画素（ＥＸ）の階調に対応して発光することができるように制御する。具体的に、コラム駆動部９３０は、発光信号（ＣＬＳ）によって複数の発光データ信号を生成して、この発光データ信号を発光制御信号（ＣＣ）によって複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）に伝達する。つまり、コラム駆動部９３０は、１つの発光画素（ＥＰＸ）に対応する複数の画素（ＥＸ）に表示される画像に合わせて発光画素（ＥＰＸ）が所定の階調で発光することができるように同期させる。本発明の第３実施例による発光データ信号は、表示される画像に合わせて設定された所定の階調に対応する電圧レベルを有する。
【０１０２】
発光部９４０は、走査信号を伝達する複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）、発光データ信号を伝達する複数のコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）、及び複数の発光画素（ＥＰＸ）を含む。複数の発光画素（ＥＰＸ）の各々は、走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）及び走査線と交差するコラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）によって定義される領域に位置する。この時、走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）は走査駆動部９２０に連結され、コラム線（Ｃ１〜Ｃｑ）はコラム駆動部９３０に連結される。そして、走査駆動部９２０及びコラム駆動部９３０は発光制御部９１０に連結されて、発光制御部９１０の制御信号によって動作する。
【０１０３】
アノード駆動部９５０は、発光制御部９１０からアノード制御信号（ＡＣＳ）の伝達を受け、アノード制御信号（ＡＣＳ）によってアノード電圧をアノード電極３２に印加する。また、アノード駆動部９５０は、カソード電極２６及びゲート電極２８に印加された電圧差によって電子が放出される時に、放出された電子に対応して生成されるアノード電流（Ｉａ）をセンシング線（ＳＬ）を利用して感知する。アノード駆動部９５０は、アノード電流（Ｉａ）を発光制御部９１０に伝達する。本発明の第３実施例によるアノード電流（Ｉａ）のセンシングは所定の期間単位で行われ、その期間は使用者が設定することができる。
【０１０４】
発光制御部９１０は、走査駆動部９２０、コラム駆動部９３０、及びアノード駆動部９５０を制御する。発光制御部９１０は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。
【０１０５】
発光制御部９１０は、信号制御部８００からゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）、及び処理した画像信号（ＤＡＴＡ）を受信する。そして、発光制御部９１０は、画像信号（ＤＡＴＡ）を利用して発光装置の１つの発光画素（ＥＰＸ）に対応する複数の画素（ＰＸ）のうちの最も高い階調を検出して、検出された階調に対応して発光画素（ＥＰＸ）の階調を決定する。また、発光制御部９１０は、これをデジタルデータに変換してコラム駆動部９３０に伝達し、この時のデジタルデータは発光信号（ＣＬＳ）に含まれる。そして、発光制御部９１０は、発光信号（ＣＬＳ）によって生成された複数の発光データ信号の印加時点を制御するために、発光制御信号（ＣＣ）を生成して、生成された発光制御信号（ＣＣ）をコラム駆動部９３０に伝達する。
【０１０６】
発光制御部９１０は、アノード電流（Ｉａ）によって電子放出部２４の劣化を判断し、劣化による輝度の不均一現象を防止するために、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）及びオン期間制御信号（ＯＴＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。また、発光制御部９１０は、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）を利用して複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に走査信号を伝達する時点を制御する走査駆動制御信号（ＣＳ）を生成して、走査駆動部９２０に伝達する。この時、走査信号は、電子放出部２４から電子が放出されるように設定された所定の電圧レベルを有する走査オン電圧（Ｖｏｎ）、及び電子がそれ以上放出されないように設定された所定の電圧レベルを有する走査オフ電圧（Ｖｏｆｆ）を有する。
【０１０７】
本発明の第３実施例による走査駆動部９２０は、伝達された走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを決定し、走査駆動制御信号（ＣＳ）によって複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）に走査信号を伝達し、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）が伝達される期間を決定する。ここで、走査オン電圧（Ｖｏｎ）は、発光装置９００の輝度の不均一現象が発生しない電圧範囲に設定され、この時、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が有することができる最も低い電圧レベルが最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）であり、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が有することができる最も高い電圧レベルが最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）である。つまり、発光制御部９１０は、輝度の不均一現象が許容される範囲（以下、輝度不均一許容範囲）を設定する。そして、輝度不均一許容範囲で最大輝度の不均一に対応する電圧を最小走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍｉｎ）に設定する。そして、発光制御部９１０は、走査駆動部９２０の構成上許容される最大電圧、最も低い階調で許容される発光装置の発光許容値、及び電源供給部の供給電圧の限界を考慮した電圧を最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）に設定する。
【０１０８】
具体的に、発光制御部９１０は、オン期間制御信号（ＯＴＳ）によって複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｐ）の各々に走査オン電圧（Ｖｏｎ）が印加される走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を設定する。本発明の第３実施例による走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）によって設定され、走査オン電圧（Ｖｏｎ）が一定に維持される期間の間に輝度の不均一現象が発生する場合には、所定の期間単位で増加する。そして、発光制御部９１０は、放出された電子に対応して生成されたアノード電流（Ｉａ）を感知して、電子放出部２４の劣化を判断する。この時、電子放出部２４の劣化によって輝度の不均一現象が発生する場合には、発光制御部９１０は、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を増加させて、輝度の不均一現象を解消する。しかし、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）を最大に増加させた後にも輝度の不均一現象が解消されない場合には、発光制御部９１０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを段階的に増加させて、輝度の不均一現象を解消する。つまり、走査オン期間（Ｏｎ Ｔｉｍｅ）が最大に増加して維持される期間の間に輝度の不均一現象が発生する場合には、発光制御部９１０は、走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルを増加させる。本発明の第３実施例による走査オン電圧（Ｖｏｎ）のレベルは、アノード電流（Ｉａ）の大きさによって設定されて、周辺の駆動要素を考慮して、短絡などの異常現象が発生する直前の最大走査オン電圧（Ｖｏｎ＿ｍａｘ）まで段階的に増加する。この時、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）は、予め決められた走査オン電圧（Ｖｏｎ）を有する走査信号が出力されるように走査駆動部９２０を制御する。つまり、走査駆動部９２０は、走査電圧制御信号（ＣＶＳ）によって複数の走査オン電圧（Ｖｏｎ）のうちのいずれか１つを選択して、走査信号として出力する。
【０１０９】
本発明の第３実施例による電子放出部２４の劣化によって減少したアノード電流（Ｉａ）を補償する方法は、前記第２実施例と同一であるので、具体的な説明は省略する。
【０１１０】
以上で、液晶パネル組立体を使用する表示装置を利用した実施例について説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明は、自発光でない表示装置であって、発光装置から受光して画像を表示する表示装置全てに適用することができる。
【０１１１】
前記では、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することができ、これも本発明の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の第１実施例による発光装置の部分断面図である。
【図２】本発明の第２実施例による発光装置の部分断面図である。
【図３】図２に示した自己表示が可能な発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例による発光装置を示したブロック図である。
【図５】図４に示した発光装置の発光制御部を示したブロック図である。
【図６】本発明の第２実施例によるアノード電流を補償する過程を示したフローチャートである。
【図７】本発明の第３実施例による光源用発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【図８】図７に示した発光装置を光源として使用する本発明の第３実施例による表示装置の分解斜視図である。
【図９】本発明の第３実施例による表示装置を示したブロック図である。
【符号の説明】
【０１１３】
３２ アノード電極
４００ 液晶パネル組立体
５００ ゲート駆動部
６００ データ駆動部
７００ 階調電圧生成部
８００ 信号制御部
９００ 発光装置
９１０ 発光制御部
９２０ 走査駆動部
９３０ コラム駆動部
９４０ 発光部
９５０ アノード駆動部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査信号を伝達する複数の走査線、複数の発光データ信号を伝達する複数のコラム線、前記複数の走査線及び前記複数のコラム線によって定義される複数の発光画素、及びアノード電圧が印加されるアノード電極を含み、
第１走査オン電圧及び第１走査オン期間によって前記走査信号が前記発光画素に伝達され、前記アノード電極に流れるアノード電流を感知して、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベル及び前記第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させる、発光装置。
【請求項２】
前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を段階的に増加させる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを段階的に増加させる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を少なくとも一度増加させた後で、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光装置は、前記第１走査オン期間を最大に増加させた後で、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる、請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させて前記アノード電流を補償する、請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
複数のゲート信号を伝達する複数のゲート線、複数のデータ信号を伝達する複数のデータ線、及び前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線によって定義される複数の画素を含むパネル組立体、及び
複数の走査信号を伝達する複数の走査線、複数の発光データ信号を伝達する複数のコラム線、前記複数の走査線及び前記複数のコラム線によって定義される複数の発光画素、及びアノード電圧が印加されるアノード電極を含み、
第１走査オン電圧及び第１走査オン期間によって前記走査信号が前記発光画素に伝達され、前記アノード電極に流れるアノード電流を感知して、前記複数の発光画素の輝度の不均一によって前記アノード電流が減少する場合には、前記第１走査オン電圧のレベル及び前記第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させて前記アノード電流を補償する発光装置を含む、表示装置。
【請求項８】
前記発光装置は、前記第１走査オン期間を増加させた後で、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させて前記アノード電流を補償する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記複数の発光画素の輝度の不均一現象が発生する場合には、前記第１走査オン期間を増加させて前記アノード電流を補償する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
第１電極に印加された走査信号及び第２電極に印加された信号によって発光する複数の発光画素を含み、前記複数の発光画素に発生する電流に対応する電流が流れる第３電極を含む発光装置の駆動方法において、
第１走査オン期間の間に前記第１電極に第１走査オン電圧を印加する段階、
前記第３電極に流れる第１電流を感知する段階、
前記第１電流及び基準電流を比較する段階、及び
前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間及び前記第１走査オン電圧のうちのいずれか１つを増加させる段階を含む、発光装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させる段階を含む、請求項１０に記載の発光装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる段階を含む、請求項１０に記載の発光装置の駆動方法。
【請求項１３】
前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させる段階を含む、請求項１２に記載の発光装置の駆動方法。
【請求項１】
複数の走査信号を伝達する複数の走査線、複数の発光データ信号を伝達する複数のコラム線、前記複数の走査線及び前記複数のコラム線によって定義される複数の発光画素、及びアノード電圧が印加されるアノード電極を含み、
第１走査オン電圧及び第１走査オン期間によって前記走査信号が前記発光画素に伝達され、前記アノード電極に流れるアノード電流を感知して、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベル及び前記第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させる、発光装置。
【請求項２】
前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を段階的に増加させる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを段階的に増加させる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光装置は、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を少なくとも一度増加させた後で、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光装置は、前記第１走査オン期間を最大に増加させた後で、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる、請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記アノード電流が基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させて前記アノード電流を補償する、請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
複数のゲート信号を伝達する複数のゲート線、複数のデータ信号を伝達する複数のデータ線、及び前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線によって定義される複数の画素を含むパネル組立体、及び
複数の走査信号を伝達する複数の走査線、複数の発光データ信号を伝達する複数のコラム線、前記複数の走査線及び前記複数のコラム線によって定義される複数の発光画素、及びアノード電圧が印加されるアノード電極を含み、
第１走査オン電圧及び第１走査オン期間によって前記走査信号が前記発光画素に伝達され、前記アノード電極に流れるアノード電流を感知して、前記複数の発光画素の輝度の不均一によって前記アノード電流が減少する場合には、前記第１走査オン電圧のレベル及び前記第１走査オン期間のうちの少なくとも1つを増加させて前記アノード電流を補償する発光装置を含む、表示装置。
【請求項８】
前記発光装置は、前記第１走査オン期間を増加させた後で、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させて前記アノード電流を補償する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記複数の発光画素の輝度の不均一現象が発生する場合には、前記第１走査オン期間を増加させて前記アノード電流を補償する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
第１電極に印加された走査信号及び第２電極に印加された信号によって発光する複数の発光画素を含み、前記複数の発光画素に発生する電流に対応する電流が流れる第３電極を含む発光装置の駆動方法において、
第１走査オン期間の間に前記第１電極に第１走査オン電圧を印加する段階、
前記第３電極に流れる第１電流を感知する段階、
前記第１電流及び基準電流を比較する段階、及び
前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間及び前記第１走査オン電圧のうちのいずれか１つを増加させる段階を含む、発光装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させる段階を含む、請求項１０に記載の発光装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン電圧のレベルを増加させる段階を含む、請求項１０に記載の発光装置の駆動方法。
【請求項１３】
前記第１走査オン電圧のレベルを増加させた後で、前記増加した第１走査オン電圧に対応する第１走査オン期間を設定した後、前記第１電流が前記基準電流より小さい場合には、前記第１走査オン期間を増加させる段階を含む、請求項１２に記載の発光装置の駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−３７１９４（Ｐ２００９−３７１９４Ａ）
【公開日】平成２１年２月１９日（２００９．２．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２８０２４（Ｐ２００８−２８０２４）
【出願日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年２月１９日（２００９．２．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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